JP6977074B2 - Display device and sensor device - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、表示装置及びセンサ装置に関する。 Embodiments of the present invention relate to display devices and sensor devices.

近年、駆動電極及び検出電極を備えたタッチ検出機能付き表示装置が開発されている。タッチ検出デバイスの駆動電極は、表示デバイスの共通電極としても機能するものであり、一例として、駆動電極が信号線と同じ方向に延出するように配置される技術が知られている。このような表示装置においては、表示品位の劣化を抑制することが要求される。 In recent years, a display device with a touch detection function including a drive electrode and a detection electrode has been developed. The drive electrode of the touch detection device also functions as a common electrode of the display device, and as an example, a technique is known in which the drive electrode is arranged so as to extend in the same direction as the signal line. In such a display device, it is required to suppress deterioration of display quality.

特開2012−47807号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-47007 特開2011−233018号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-23018

本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置及びセンサ装置を提供することにある。 An object of the present embodiment is to provide a display device and a sensor device capable of suppressing deterioration of display quality.

本実施形態によれば、画像を表示する表示領域と、前記表示領域を囲む非表示領域と、第1信号線と、前記第1信号線に間隔を置いて配置された第2信号線と、前記第1信号線及び前記第2信号線を覆う第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜の上に配置され、前記第1信号線と重なって配置された第1金属配線、及び、前記第2信号線と重なって配置された第2金属配線と、前記第1層間絶縁膜の上に配置され、前記第1金属配線と前記第2金属配線との間に配置された画素電極と、前記第1金属配線及び前記第2金属配線と、前記画素電極と、を覆う第2層間絶縁膜と、前記第2層間絶縁膜の上に配置された第1共通電極及び第2共通電極と、を備え、前記第1共通電極と前記第2共通電極との間の間隙は、前記第1信号線及び前記第1金属配線と重なり、前記第2信号線及び前記第2金属配線は、前記第2共通電極と重なり、前記第2金属配線は、前記表示領域において前記第2層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記第2共通電極と接続され、前記コンタクトホールは、前記第2信号線と重なり、前記第1金属配線は、前記非表示領域において、前記第1共通電極と接続されている表示装置が提供される。 According to the present embodiment, a display area for displaying an image, a non-display area surrounding the display area, a first signal line, and a second signal line arranged at intervals from the first signal line are provided. A first interlayer insulating film covering the first signal line and the second signal line, a first metal wiring arranged on the first interlayer insulating film and overlapped with the first signal line, and a metal wiring. A second metal wiring arranged so as to overlap the second signal line, and a pixel electrode arranged on the first interlayer insulating film and arranged between the first metal wiring and the second metal wiring. , The first metal wiring, the second metal wiring, the pixel electrode, the second interlayer insulating film, and the first common electrode and the second common electrode arranged on the second interlayer insulating film. The gap between the first common electrode and the second common electrode overlaps with the first signal line and the first metal wiring, and the second signal line and the second metal wiring are the same. Overlapping with the second common electrode, the second metal wiring is connected to the second common electrode via a contact hole formed in the second interlayer insulating film in the display region, and the contact hole is connected to the second common electrode. A display device that overlaps with the signal line and is connected to the first common electrode in the non-display region is provided for the first metal wiring.

本実施形態によれば、被検出物の位置を検出する検出領域と、前記検出領域の外側の非検出領域と、第1金属配線と、前記第1金属配線に間隔をおいて配置された第2金属配線と、前記第1金属配線及び前記第2金属配線を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に配置された第1検出電極及び第2検出電極と、を備え、前記第1検出電極と前記第2検出電極との間の間隙は、前記第1金属配線と重なり、前記第2金属配線は、前記第2検出電極と重なり、前記第2金属配線は、前記検出領域において前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記第2検出電極と接続され、前記第1金属配線は、前記非検出領域において、前記第1検出電極と接続されているセンサ装置が提供される。
本実施形態によれば、画像を表示する表示領域と、第1信号線と、無機絶縁膜と、前記第1信号線に重なり、前記第1信号線と平行に延出しており、前記無機絶縁膜の第1面に接する第1金属配線と、前記無機絶縁膜の前記第1面と反対の第2面に接する第1共通電極及び第2共通電極と、を備え、前記第1共通電極と前記第2共通電極との間の間隙は、前記第1信号線及び前記第1金属配線と重なり、前記第1金属配線は、前記第1共通電極と接続されている、表示装置が提供される。
According to the present embodiment, the detection region for detecting the position of the object to be detected, the non-detection region outside the detection region, the first metal wiring, and the first metal wiring are arranged at intervals. The first metal wiring is provided with an interlayer insulating film covering the first metal wiring and the second metal wiring, and a first detection electrode and a second detection electrode arranged on the interlayer insulating film. The gap between the detection electrode and the second detection electrode overlaps with the first metal wiring, the second metal wiring overlaps with the second detection electrode, and the second metal wiring overlaps with the detection region. A sensor device is provided in which the first metal wiring is connected to the second detection electrode via a contact hole formed in the interlayer insulating film, and the first metal wiring is connected to the first detection electrode in the non-detection region. ..
According to the present embodiment, the display area for displaying an image, the first signal line, the inorganic insulating film, and the first signal line overlap and extend in parallel with the first signal line, and the inorganic insulation is provided. A first metal wiring in contact with the first surface of the film, a first common electrode and a second common electrode in contact with a second surface opposite to the first surface of the inorganic insulating film, and the first common electrode. A display device is provided in which the gap between the second common electrode overlaps with the first signal line and the first metal wiring, and the first metal wiring is connected to the first common electrode. ..

図1は、表示装置の構成を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing the configuration of a display device. 図2は、表示パネルの断面を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic view showing a cross section of a display panel. 図3は、図1に示した表示パネルの表示領域における構成を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a configuration in the display area of the display panel shown in FIG. 図4は、図3のA−B線における表示パネルの構成を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing the configuration of the display panel taken along the line AB of FIG. 図5は、図3のC−D線における表示パネルの構成を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration of the display panel on the CD line of FIG. 図6は、スイッチング素子の構成例を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a configuration example of the switching element. 図7は、図6のE−F線におけるスイッチング素子TR1を含む第1基板SUB1の構成を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of the first substrate SUB1 including the switching element TR1 in the EF line of FIG. 図8は、金属配線及びコンタクトホールの幅の関係を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing the relationship between the width of the metal wiring and the contact hole. 図9は、遮光層、金属配線、スペーサ、コンタクトホール等の位置関係を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing the positional relationship of the light-shielding layer, the metal wiring, the spacer, the contact hole, and the like. 図10は、表示装置の一部の構成を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a partial configuration of the display device. 図11は、センシング方法の原理を説明するための図である。FIG. 11 is a diagram for explaining the principle of the sensing method. 図12は、駆動電極に接続された等価回路を模式的に示す平面図である。FIG. 12 is a plan view schematically showing an equivalent circuit connected to the drive electrode. 図13は、駆動電極及び金属配線の接続関係を示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing the connection relationship between the drive electrode and the metal wiring. 図14は、駆動電極及び金属配線の接続関係の他の実施例を示す平面図である。FIG. 14 is a plan view showing another embodiment of the connection relationship between the drive electrode and the metal wiring.

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。 Hereinafter, this embodiment will be described with reference to the drawings. It should be noted that the disclosure is merely an example, and those skilled in the art can easily conceive of appropriate changes while maintaining the gist of the invention, which are naturally included in the scope of the present invention. Further, in order to clarify the explanation, the drawings may schematically represent the width, thickness, shape, etc. of each part as compared with the actual embodiment, but this is merely an example, and the present invention is used. It does not limit the interpretation. Further, in the present specification and each figure, components exhibiting the same or similar functions as those described above with respect to the above-mentioned figures may be designated by the same reference numerals, and duplicate detailed description may be omitted as appropriate. ..

まず、本実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。
本実施形態においては、表示装置の一例として、液晶表示装置を開示する。この液晶表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。なお、本実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などにも適用可能である。
First, the display device according to the present embodiment will be described in detail.
In this embodiment, a liquid crystal display device is disclosed as an example of the display device. This liquid crystal display device can be used in various devices such as smartphones, tablet terminals, mobile phone terminals, personal computers, television image receiving devices, in-vehicle devices, and game devices. The main configuration disclosed in this embodiment is a self-luminous display device having an organic electrochromism display element or the like, an electronic paper type display device having an electrophoresis element or the like, and a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems). It can also be applied to an applied display device or a display device to which electrochromism is applied.

図1は、表示装置DSPの構成を概略的に示す斜視図である。
表示装置DSPは、アクティブマトリクス型の表示パネルPNL、表示パネルPNLを駆動する駆動ICチップ2、表示パネルPNLを照明するバックライトユニットBL、制御モジュールCM、フレキシブル配線基板FPC1、FPC2等を備えている。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing the configuration of the display device DSP.
The display device DSP includes an active matrix type display panel PNL, a drive IC chip 2 for driving the display panel PNL, a backlight unit BL for illuminating the display panel PNL, a control module CM, a flexible wiring board FPC1, FPC2, and the like. ..

表示パネルPNLは、第1基板SUB1と、第1基板SUB1に対向配置された第2基板SUB2と、を備えている。また、表示パネルPNLは、画像を表示する表示領域DA、及び、表示領域DAを囲む額縁状の非表示領域NDAを備えている。複数の画素PXは、表示領域DAにおいてマトリクス状に配置されている。 The display panel PNL includes a first substrate SUB1 and a second substrate SUB2 arranged to face the first substrate SUB1. Further, the display panel PNL includes a display area DA for displaying an image and a frame-shaped non-display area NDA surrounding the display area DA. The plurality of pixels PX are arranged in a matrix in the display area DA.

バックライトユニットBLは、第1基板SUB1の背面側に配置されている。このようなバックライトユニットBLとしては、種々の形態が適用可能であるが、詳細な構造については説明を省略する。駆動ICチップ2は、第1基板SUB1に実装されている。フレキシブル配線基板FPC1は、表示パネルPNLと制御モジュールCMとを接続している。フレキシブル配線基板FPC2は、バックライトユニットBLと制御モジュールCMとを接続している。 The backlight unit BL is arranged on the back side of the first substrate SUB1. Various forms can be applied to such a backlight unit BL, but the detailed structure will be omitted. The drive IC chip 2 is mounted on the first substrate SUB1. The flexible wiring board FPC1 connects the display panel PNL and the control module CM. The flexible wiring board FPC2 connects the backlight unit BL and the control module CM.

このような構成の表示装置DSPは、バックライトユニットBLから表示パネルPNLに入射する光を各画素PXで選択的に透過させることによって画像を表示する透過表示機能を備えた透過型の液晶表示装置に相当する。但し、表示装置DSPは、外光または補助光を選択的に反射させることで画像を表示させる反射表示機能を備えた反射型の液晶表示装置であっても良いし、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型の液晶表示装置であっても良い。 The display device DSP having such a configuration is a transmissive liquid crystal display device having a transmissive display function of displaying an image by selectively transmitting light incident on the display panel PNL from the backlight unit BL by each pixel PX. Corresponds to. However, the display device DSP may be a reflective liquid crystal display device having a reflection display function for displaying an image by selectively reflecting external light or auxiliary light, and may have a transmission display function and a reflection display function. It may be a semi-transmissive type liquid crystal display device provided with.

図2は、表示パネルPNLの断面を示す概略図である。
表示パネルPNLは、第1基板SUB1、第2基板SUB2、液晶層LQ、シール材SE、スペーサSP、光学素子OD1、光学素子OD2などを備えている。第1基板SUB1及び第2基板SUB2の詳細については後述する。
FIG. 2 is a schematic view showing a cross section of the display panel PNL.
The display panel PNL includes a first substrate SUB1, a second substrate SUB2, a liquid crystal layer LQ, a sealing material SE, a spacer SP, an optical element OD1, an optical element OD2, and the like. Details of the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 will be described later.

シール材SEは、非表示領域NDAに配置され、第1基板SUB1と第2基板SUB2とを貼り合わせている。スペーサSPは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に配置されている。図示した例では、スペーサSP2は、第2基板SUB2に形成されている。液晶層LQは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に保持されている。光学素子OD1は、第1基板SUB1の第2基板SUB2と対向する側とは反対側の面に配置されている。光学素子OD2は、第2基板SUB2の第1基板SUB1と対向する側とは反対側の面に配置されている。光学素子OD1及びOD2は、それぞれ偏光板を備えている。なお、光学素子OD1及びOD2は、位相差板などの他の光学素子を含んでいても良い。 The sealing material SE is arranged in the non-display area NDA, and the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are bonded together. The spacer SP is arranged between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2. In the illustrated example, the spacer SP2 is formed on the second substrate SUB2. The liquid crystal layer LQ is held between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2. The optical element OD1 is arranged on a surface of the first substrate SUB1 opposite to the side facing the second substrate SUB2. The optical element OD2 is arranged on a surface of the second substrate SUB2 opposite to the side facing the first substrate SUB1. The optical elements OD1 and OD2 each include a polarizing plate. The optical elements OD1 and OD2 may include other optical elements such as a retardation plate.

図3は、図1に示した表示パネルPNLの表示領域DAにおける構成を示す平面図である。本実施形態においては、表示パネルPNLは、IPS(In−Plane Switching)モード、IPSモードの1つであるFFS(Fringe Field Switching)モードなどの基板主面に沿った横電界を利用するモードに適用される。なお、図中には、説明に必要な主要部のみを図示している。 FIG. 3 is a plan view showing the configuration of the display panel PNL shown in FIG. 1 in the display area DA. In the present embodiment, the display panel PNL is applied to a mode using a transverse electric field along the main surface of the substrate, such as an IPS (In-Plane Switching) mode and an FFS (Fringe Field Switching) mode, which is one of the IPS modes. Will be done. In the figure, only the main parts necessary for explanation are shown.

ここで、図3は、互いに交差する第1方向X及び第2方向Yで規定されるX−Y平面における表示パネルPNLの平面図を示している。なお、図示した例では、第1方向X及び第2方向Yは、互いに直交しているが、90°以外の角度で交差していてもよい。また、図中において、第2方向Yに対して反時計回りに鋭角に交差する方向を方向D1と定義し、第2方向Yに対して時計回りに鋭角に交差する方向を方向D2と定義する。なお、第2方向Yと方向D1とのなす角度θ1は、第2方向Yと方向D2とのなす角度θ2と略同一である。 Here, FIG. 3 shows a plan view of the display panel PNL in the XY planes defined by the first direction X and the second direction Y intersecting each other. In the illustrated example, the first direction X and the second direction Y are orthogonal to each other, but may intersect at an angle other than 90 °. Further, in the figure, the direction that intersects the second direction Y at an acute angle counterclockwise is defined as the direction D1, and the direction that intersects the second direction Y at an acute angle clockwise is defined as the direction D2. .. The angle θ1 formed by the second direction Y and the direction D1 is substantially the same as the angle θ2 formed by the second direction Y and the direction D2.

図3に示すように、表示パネルPNLは、走査線G、信号線S1乃至S4、スイッチング素子TR1乃至TR3、金属配線M1乃至M4、画素電極PE1乃至PE6、共通電極CE1及びCE2、遮光層BM等を備えている。 As shown in FIG. 3, the display panel PNL includes scanning lines G, signal lines S1 to S4, switching elements TR1 to TR3, metal wirings M1 to M4, pixel electrodes PE1 to PE6, common electrodes CE1 and CE2, a light-shielding layer BM, and the like. It is equipped with.

走査線Gは、第1方向Xに沿って延出している。信号線S1乃至S4は、概ね第2方向Yに沿ってそれぞれ延出し、第1方向Xに沿って間隔をおいて並んでいる。図示した例では、信号線S1乃至S4は、走査線Gより上側(第2方向Yを示す矢印の後端側)においては、方向D1に沿って延出し、走査線Gより下側(第2方向Yを示す矢印の先端側)においては、方向D2に沿って延出している。これらの走査線Gと信号線S1乃至S4とは、X−Y平面において互いに交差している。 The scanning line G extends along the first direction X. The signal lines S1 to S4 extend substantially along the second direction Y, and are arranged at intervals along the first direction X. In the illustrated example, the signal lines S1 to S4 extend along the direction D1 above the scanning line G (the rear end side of the arrow indicating the second direction Y) and below the scanning line G (second direction). On the tip side of the arrow indicating the direction Y), it extends along the direction D2. These scanning lines G and the signal lines S1 to S4 intersect each other in the XY plane.

スイッチング素子TR1は、走査線Gと信号線S2との交差部付近に位置し、走査線G及び信号線S2と電気的に接続されている。スイッチング素子TR2は、走査線Gと信号線S3との交差部付近に位置し、走査線G及び信号線S3と電気的に接続されている。スイッチング素子TR3は、走査線Gと信号線S4との交差部付近に位置し、走査線G及び信号線S4と電気的に接続されている。なお、ここでは、スイッチング素子TR1乃至SW3は簡略化して図示しているが、後に詳述する。 The switching element TR1 is located near the intersection of the scanning line G and the signal line S2, and is electrically connected to the scanning line G and the signal line S2. The switching element TR2 is located near the intersection of the scanning line G and the signal line S3, and is electrically connected to the scanning line G and the signal line S3. The switching element TR3 is located near the intersection of the scanning line G and the signal line S4, and is electrically connected to the scanning line G and the signal line S4. Here, the switching elements TR1 to SW3 are shown in a simplified manner, but will be described in detail later.

金属配線M1乃至M4は、概ね第2方向Yに沿ってそれぞれ延出し、第1方向Xに沿って間隔をおいて並んでいる。金属配線M1乃至M4は、それぞれ信号線S1乃至S4と重なり、それぞれ信号線S1乃至S4と平行に延出している。また、金属配線M1乃至M4は、走査線GとX−Y平面において互いに交差している。金属配線M1乃至M4は、それぞれ第1方向Xに沿って同一の幅で形成されている。金属配線M1乃至M4の各々は、信号線S1乃至S4と同等以上の幅を有することが望ましい。 The metal wirings M1 to M4 extend substantially along the second direction Y, and are arranged at intervals along the first direction X. The metal wirings M1 to M4 overlap with the signal lines S1 to S4, respectively, and extend in parallel with the signal lines S1 to S4, respectively. Further, the metal wirings M1 to M4 intersect with each other in the scanning line G and the XY plane. The metal wirings M1 to M4 are each formed with the same width along the first direction X. It is desirable that each of the metal wirings M1 to M4 has a width equal to or larger than that of the signal lines S1 to S4.

画素電極PE1乃至PE3は、第1方向Xに間隔をおいて並んでいる。また、画素電極PE4乃至PE6は、第1方向Xに間隔をおいて並んでいる。画素電極PE1及びPE4は、信号線S1及びS2の間に位置し、走査線Gを間に介して第2方向Yに間隔をおいて並んでいる。画素電極PE2及びPE5は、信号線S2及びS3の間に位置し、走査線Gを間に介して第2方向Yに間隔をおいて並んでいる。画素電極PE3及びPE6は、信号線S3及びS4の間に位置し、走査線Gを間に介して第2方向Yに間隔をおいて並んでいる。 The pixel electrodes PE1 to PE3 are arranged at intervals in the first direction X. Further, the pixel electrodes PE4 to PE6 are arranged at intervals in the first direction X. The pixel electrodes PE1 and PE4 are located between the signal lines S1 and S2, and are arranged at intervals in the second direction Y with the scanning lines G in between. The pixel electrodes PE2 and PE5 are located between the signal lines S2 and S3, and are arranged at intervals in the second direction Y with the scanning lines G in between. The pixel electrodes PE3 and PE6 are located between the signal lines S3 and S4, and are arranged at intervals in the second direction Y with the scanning lines G in between.

共通電極CE1は、信号線S1、金属配線M1、画素電極PE1及びPE4と重なって配置されている。共通電極CE2は、信号線S3及びS4、金属配線M3及びM4、画素電極PE2、PE3、PE5、PE6と重なって配置されている。後述するが、共通電極CE1及びCE2は、帯状に形成されており、共通電極CE1及びCE2の間に間隙GPが形成されている。間隙GPは、信号線S2及び金属配線M2と重なり、信号線S2及び金属配線M2に沿って形成されている。共通電極CE1及びCE2は、画素電極PE1乃至PE6のそれぞれと重なる位置にスリットSLを有している。画素電極PE1乃至PE3と重なる位置に形成されたスリットSLは、方向D1に沿って形成されている。画素電極PE4乃至PE6と重なる位置に形成されたスリットSLは、方向D2に沿って形成されている。なお、1つの画素電極と重なる位置に形成されるスリットSLの数は、図示した例では3本であるが、これに限定されない。 The common electrode CE1 is arranged so as to overlap with the signal line S1, the metal wiring M1, the pixel electrodes PE1 and PE4. The common electrode CE2 is arranged so as to overlap with the signal lines S3 and S4, the metal wirings M3 and M4, and the pixel electrodes PE2, PE3, PE5, and PE6. As will be described later, the common electrodes CE1 and CE2 are formed in a band shape, and a gap GP is formed between the common electrodes CE1 and CE2. The gap GP overlaps with the signal line S2 and the metal wiring M2, and is formed along the signal line S2 and the metal wiring M2. The common electrodes CE1 and CE2 have slits SL at positions overlapping each of the pixel electrodes PE1 to PE6. The slit SL formed at a position overlapping the pixel electrodes PE1 to PE3 is formed along the direction D1. The slit SL formed at a position overlapping the pixel electrodes PE4 to PE6 is formed along the direction D2. The number of slits SL formed at positions overlapping with one pixel electrode is, but is not limited to, three in the illustrated example.

コンタクトホールCHa、CHb、CHcは、後述するが、金属配線M1乃至M4と共通電極CE1及びCE2との間の絶縁膜に形成されている。コンタクトホールCHaは、信号線S1及び金属配線M1と重なる位置に形成されている。金属配線M1は、コンタクトホールCHaを介して共通電極CE1と接続されている。コンタクトホールCHbは、信号線S3及び金属配線M3と重なる位置に形成されている。金属配線M3は、コンタクトホールCHbを介して共通電極CE2と接続されている。コンタクトホールCHcは、信号線S4及び金属配線M4と重なる位置に形成されている。金属配線M4は、コンタクトホールCHcを介して共通電極CE2と接続されている。 The contact holes CHa, CHb, and CHc are formed in an insulating film between the metal wirings M1 to M4 and the common electrodes CE1 and CE2, which will be described later. The contact hole CHa is formed at a position where it overlaps with the signal line S1 and the metal wiring M1. The metal wiring M1 is connected to the common electrode CE1 via the contact hole CHa. The contact hole CHb is formed at a position where it overlaps with the signal line S3 and the metal wiring M3. The metal wiring M3 is connected to the common electrode CE2 via the contact hole CHb. The contact hole CHc is formed at a position where it overlaps with the signal line S4 and the metal wiring M4. The metal wiring M4 is connected to the common electrode CE2 via the contact hole CHc.

遮光層BMは、走査線G、信号線S1乃至S4、金属配線M1乃至M4等の配線部と重なる領域に配置されている。遮光層BMは、図3において、2点鎖線で示されている。遮光層BMは、開口部OP1乃至OP6を規定している。開口部OP1乃至OP6は、それぞれ画素電極PE1乃至PE6と共通電極CE1及びCE2のスリットSLとが重なる領域を含む。 The light-shielding layer BM is arranged in a region overlapping with wiring portions such as scanning lines G, signal lines S1 to S4, and metal wirings M1 to M4. The light-shielding layer BM is shown by a two-dot chain line in FIG. The light-shielding layer BM defines openings OP1 to OP6. The openings OP1 to OP6 include a region where the pixel electrodes PE1 to PE6 overlap with the slits SL of the common electrodes CE1 and CE2, respectively.

なお、ここでは、信号線S1乃至S4が第2方向Yに対して屈曲した例について説明したが、信号線S1乃至S4が第2方向Yに沿って直線状に延出していても良い。 Although the example in which the signal lines S1 to S4 are bent with respect to the second direction Y has been described here, the signal lines S1 to S4 may extend linearly along the second direction Y.

図4は、図3のA−B線における表示パネルPNLの構成を示す断面図である。
本実施形態においては、第1基板SUB1から第2基板SUB2に向かう方向を上又は上方と定義し、第2基板SUB2から第1基板SUB1に向かう方向を下又は下方と定義する。また、「第1部材の上方の第2部材」及び「第1部材の下方の第2部材」とした場合、第2部材は、第1部材に接していてもよく、又は第1部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第1部材と第2部材との間に、第3の部材が介在していてもよい。一方、「第1部材の上の第2部材」及び「第1部材の下の第2部材」とした場合、第2部材は第1部材に接している。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the configuration of the display panel PNL in line AB of FIG.
In the present embodiment, the direction from the first substrate SUB1 to the second substrate SUB2 is defined as upward or upward, and the direction from the second substrate SUB2 to the first substrate SUB1 is defined as downward or downward. Further, in the case of "the second member above the first member" and "the second member below the first member", the second member may be in contact with the first member or may be separated from the first member. May be located. In the latter case, a third member may be interposed between the first member and the second member. On the other hand, in the case of "the second member above the first member" and "the second member below the first member", the second member is in contact with the first member.

第1基板SUB1は、ガラス基板や樹脂基板等の光透過性を有する基板である第1絶縁基板10を用いて構成されている。第1基板SUB1は、第1絶縁基板10の第2基板SUB2と対向する面10A側に、第1絶縁膜11、第2絶縁膜12、第3絶縁膜13、信号線S1乃至S4、第4絶縁膜14、金属配線M1乃至M4、画素電極PE1乃至PE3、第5絶縁膜15、共通電極CE、第1配向膜AL1等を備えている。 The first substrate SUB 1 is configured by using the first insulating substrate 10, which is a substrate having light transmittance such as a glass substrate or a resin substrate. The first substrate SUB1 has a first insulating film 11, a second insulating film 12, a third insulating film 13, signal lines S1 to S4, and a fourth on the surface 10A side of the first insulating substrate 10 facing the second substrate SUB2. It includes an insulating film 14, metal wirings M1 to M4, pixel electrodes PE1 to PE3, a fifth insulating film 15, a common electrode CE, a first alignment film AL1, and the like.

第1絶縁膜11は、第1絶縁基板10の上に配置されている。第2絶縁膜12は、第1絶縁膜11の上に配置されている。第3絶縁膜13は、第2絶縁膜12の上に配置されている。信号線S1乃至S4は、第3絶縁膜13の上に配置されている。信号線S1乃至S4は、それぞれ互いに第1方向Xに間隔をおいて配置されている。第4絶縁膜14は、信号線S1乃至S4を覆っている。第4絶縁膜14は、第3絶縁膜13の上にも配置されている。第4絶縁膜14は、第1層間絶縁膜に相当する。 The first insulating film 11 is arranged on the first insulating substrate 10. The second insulating film 12 is arranged on the first insulating film 11. The third insulating film 13 is arranged on the second insulating film 12. The signal lines S1 to S4 are arranged on the third insulating film 13. The signal lines S1 to S4 are arranged at intervals in the first direction X from each other. The fourth insulating film 14 covers the signal lines S1 to S4. The fourth insulating film 14 is also arranged on the third insulating film 13. The fourth insulating film 14 corresponds to the first interlayer insulating film.

金属配線M1乃至M4は、第4絶縁膜14の上に配置されている。金属配線M1乃至M4は、それぞれ信号線S1乃至S4の直上に位置している。金属配線M1乃至M4は、例えば、モリブデン、アルミニウム、モリブデンの単層体または積層体で構成されている。画素電極PE1乃至PE3は、第4絶縁膜14の上に配置されている。画素電極PE1は、金属配線M1と金属配線M2との間に配置されている。画素電極PE2は、金属配線M2と金属配線M3との間に配置されている。画素電極PE3は、金属配線M3と金属配線M4との間に配置されている。画素電極PE1乃至PE3と、金属配線M1乃至M4とは互いに離間している。画素電極PEは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)やインジウム・ジンク・オキサイド(IZO)等の透明な導電材料によって形成されている。第5絶縁膜15は、金属配線M1乃至M4と、画素電極PE1乃至PE3と、を覆っている。第5絶縁膜15は、第2層間絶縁膜に相当する。 The metal wirings M1 to M4 are arranged on the fourth insulating film 14. The metal wirings M1 to M4 are located directly above the signal lines S1 to S4, respectively. The metal wirings M1 to M4 are composed of, for example, a single layer or a laminated body of molybdenum, aluminum, or molybdenum. The pixel electrodes PE1 to PE3 are arranged on the fourth insulating film 14. The pixel electrode PE1 is arranged between the metal wiring M1 and the metal wiring M2. The pixel electrode PE2 is arranged between the metal wiring M2 and the metal wiring M3. The pixel electrode PE3 is arranged between the metal wiring M3 and the metal wiring M4. The pixel electrodes PE1 to PE3 and the metal wirings M1 to M4 are separated from each other. The pixel electrode PE is formed of, for example, a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The fifth insulating film 15 covers the metal wirings M1 to M4 and the pixel electrodes PE1 to PE3. The fifth insulating film 15 corresponds to the second interlayer insulating film.

共通電極CE1及びCE2は、第5絶縁膜15の上に配置されている。共通電極CE1は画素電極PE1と対向し、共通電極CE2は画素電極PE2及びPE3と対向している。共通電極CE1と共通電極CE2との間の間隙GPは、信号線S2及び金属配線M2の直上に位置している。共通電極CEは、例えば、ITOやIZO等の透明な導電材料によって形成されている。共通電極CE1及びCE2は、第1配向膜AL1によって覆われている。第1配向膜AL1は、第5絶縁膜15も覆っている。 The common electrodes CE1 and CE2 are arranged on the fifth insulating film 15. The common electrode CE1 faces the pixel electrode PE1, and the common electrode CE2 faces the pixel electrodes PE2 and PE3. The gap GP between the common electrode CE1 and the common electrode CE2 is located directly above the signal line S2 and the metal wiring M2. The common electrode CE is formed of, for example, a transparent conductive material such as ITO or IZO. The common electrodes CE1 and CE2 are covered with the first alignment film AL1. The first alignment film AL1 also covers the fifth insulating film 15.

ここで、信号線S3及び金属配線M3と共通電極CE2との位置関係に着目する。共通電極CE2は、信号線S3及び金属配線M3の直上に位置する電極部ELを備えている。電極部ELは、第1方向Xに幅W1を有している。また、画素電極PE2と金属配線M3との間の間隙GPaは、第1方向Xに幅W2を有しており、画素電極PE3と金属配線M3との間の間隙GPbは、第1方向Xに幅W4を有している。一例では、幅W2及び幅W4は略等しい。金属配線M3は、第1方向Xに幅W3を有している。電極部ELの幅W1は、例えば、間隙GPaの幅W2と、金属配線M3の幅W3と、間隙GPbの幅W4との和と同等以上である。また、金属配線M3と間隙GPa及び間隙GPbとは、第3方向Zにおいて、電極部ELと重なる領域内に配置されている。本実施形態において、例えば、幅W1は10μmであり、幅W2及び幅W4は共に2μmであり、幅W3は5μmであり、電極部ELの一端部は画素電極PE2の直上に位置し、電極部ELの他端部は画素電極PE3の直上に位置している。 Here, attention is paid to the positional relationship between the signal line S3 and the metal wiring M3 and the common electrode CE2. The common electrode CE2 includes an electrode portion EL located directly above the signal line S3 and the metal wiring M3. The electrode portion EL has a width W1 in the first direction X. Further, the gap GPa between the pixel electrode PE2 and the metal wiring M3 has a width W2 in the first direction X, and the gap GPb between the pixel electrode PE3 and the metal wiring M3 is in the first direction X. It has a width W4. In one example, the width W2 and the width W4 are approximately equal. The metal wiring M3 has a width W3 in the first direction X. The width W1 of the electrode portion EL is, for example, equal to or greater than the sum of the width W2 of the gap GPa, the width W3 of the metal wiring M3, and the width W4 of the gap GPb. Further, the metal wiring M3, the gap GPa, and the gap GPb are arranged in a region overlapping the electrode portion EL in the third direction Z. In the present embodiment, for example, the width W1 is 10 μm, the width W2 and the width W4 are both 2 μm, the width W3 is 5 μm, one end of the electrode portion EL is located directly above the pixel electrode PE2, and the electrode portion. The other end of the EL is located directly above the pixel electrode PE3.

上記のような第1絶縁膜11、第2絶縁膜12、第3絶縁膜13、及び、第5絶縁膜15は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物等の無機系材料を用いて形成されている。また、第4絶縁膜14は、例えば、透明な樹脂等の有機系材料を用いて形成されている。 The first insulating film 11, the second insulating film 12, the third insulating film 13, and the fifth insulating film 15 as described above are formed by using an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride, for example. ing. Further, the fourth insulating film 14 is formed by using an organic material such as a transparent resin.

第2基板SUB2は、ガラス基板や樹脂基板等の光透過性を有する基板である第2絶縁基板20を用いて構成されている。第2基板SUB2は、第2絶縁基板20の第1基板SUB1と対向する面20A側に、遮光層BM、カラーフィルタCF1乃至CF3、オーバーコート層OC、第2配向膜AL2等を備えている。 The second substrate SUB2 is configured by using a second insulating substrate 20 which is a substrate having light transmittance such as a glass substrate or a resin substrate. The second substrate SUB2 is provided with a light-shielding layer BM, color filters CF1 to CF3, an overcoat layer OC, a second alignment film AL2, and the like on the surface 20A side of the second insulating substrate 20 facing the first substrate SUB1.

遮光層BMは、第2絶縁基板20の第1基板SUB1と対向する面20Aに配置されている。遮光層BMは、例えば、黒色の樹脂材料によって形成されている。 The light-shielding layer BM is arranged on the surface 20A of the second insulating substrate 20 facing the first substrate SUB1. The light-shielding layer BM is formed of, for example, a black resin material.

カラーフィルタCF1乃至CF3は、第2絶縁基板20の面20Aに配置され、それぞれの端部が遮光層BMに重なっている。カラーフィルタCF1乃至CF3は、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。カラーフィルタCF1乃至CF3は、それぞれ開口部OP1乃至OP3に位置し、それぞれ画素電極PE1乃至PE3と対向している。 The color filters CF1 to CF3 are arranged on the surface 20A of the second insulating substrate 20, and their respective ends overlap with the light-shielding layer BM. The color filters CF1 to CF3 are formed of resin materials colored in a plurality of different colors, for example, red, blue, and green. The color filters CF1 to CF3 are located in the openings OP1 to OP3, respectively, and face the pixel electrodes PE1 to PE3, respectively.

オーバーコート層OCは、カラーフィルタCF1乃至CF3を覆っている。オーバーコート層OCは、透明な樹脂材料によって形成されている。第2配向膜AL2は、オーバーコート層OCを覆っている。第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2は、例えば、水平配向性を示す材料によって形成されている。 The overcoat layer OC covers the color filters CF1 to CF3. The overcoat layer OC is formed of a transparent resin material. The second alignment film AL2 covers the overcoat layer OC. The first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 are formed of, for example, a material exhibiting horizontal orientation.

上述したような第1基板SUB1及び第2基板SUB2は、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2が向かい合うように配置されている。このとき、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間には、図示しないスペーサにより、所定のセルギャップが形成される。第1基板SUB1と第2基板SUB2とは、セルギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。液晶層LQは、上記セルギャップに封入された液晶組成物によって構成されている。 The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 as described above are arranged so that the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 face each other. At this time, a predetermined cell gap is formed between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 by a spacer (not shown). The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are bonded to each other with a sealing material in a state where a cell gap is formed. The liquid crystal layer LQ is composed of the liquid crystal composition enclosed in the cell gap.

図5は、図3のC−D線における表示パネルPNLの構成を示す断面図である。
コンタクトホールCHa、CHb、CHcは、第5絶縁膜15に形成されている。金属配線M1は、コンタクトホールCHaを介して共通電極CE1と接続されている。金属配線M3は、コンタクトホールCHbを介して共通電極CE2と接続されている。金属配線M4は、コンタクトホールCHcを介して共通電極CE2と接続されている。すなわち、共通電極CE1及びCE2と、金属配線M1、M3、M4とは、同電位である。このように、金属配線M1、M3、M4が、共通電極CE1及びCE2と接続されることによって共通電極CE1及びCE2は低抵抗化されている。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration of the display panel PNL on the CD line of FIG.
The contact holes CHa, CHb, and CHc are formed in the fifth insulating film 15. The metal wiring M1 is connected to the common electrode CE1 via the contact hole CHa. The metal wiring M3 is connected to the common electrode CE2 via the contact hole CHb. The metal wiring M4 is connected to the common electrode CE2 via the contact hole CHc. That is, the common electrodes CE1 and CE2 and the metal wirings M1, M3, and M4 have the same potential. In this way, the metal wirings M1, M3, and M4 are connected to the common electrodes CE1 and CE2, so that the resistance of the common electrodes CE1 and CE2 is reduced.

本実施形態によれば、共通電極CE1及びCE2は、画素電極PE1乃至PE3の上方に配置されている。また、共通電極CE1と共通電極CE2との間の間隙GPは、信号線S2及び金属配線M2と重なった位置に形成されている。このため、金属配線M2は、信号線S2と共通電極CE1及び共通電極CE2との間で形成される電界を遮蔽する。したがって、間隙GPを介して信号線S2から液晶層LQへの電界漏れを抑制することが可能であり、間隙GPにおいて電界漏れに起因した液晶分子の配向不良が抑制され、間隙GPの近傍における表示ムラを抑制することが可能である。これにより、表示品位の劣化を抑制することが可能となる。 According to this embodiment, the common electrodes CE1 and CE2 are arranged above the pixel electrodes PE1 to PE3. Further, the gap GP between the common electrode CE1 and the common electrode CE2 is formed at a position overlapping the signal line S2 and the metal wiring M2. Therefore, the metal wiring M2 shields the electric field formed between the signal line S2 and the common electrode CE1 and the common electrode CE2. Therefore, it is possible to suppress the electric field leakage from the signal line S2 to the liquid crystal layer LQ via the gap GP, the misalignment of the liquid crystal molecules due to the electric field leakage is suppressed in the gap GP, and the display in the vicinity of the gap GP is suppressed. It is possible to suppress unevenness. This makes it possible to suppress deterioration of display quality.

また、間隙GP近傍における表示ムラが抑制されることにより、間隙GPを設ける位置の自由度を向上することができる。すなわち、間隙GP近傍において表示ムラが発生する場合、間隙GPの位置は、表示ムラが視認されにくい色画素間に配置する必要がある。例えば、表示パネルPNLが3色の赤青緑色のカラーフィルタを備えている場合、間隙GPが形成される位置は、赤色画素と青色画素との間に制限される。一方で、本実施形態によれば、間隙GPの位置は制限されず、いずれの色画素間であっても良い。 Further, by suppressing the display unevenness in the vicinity of the gap GP, the degree of freedom in the position where the gap GP is provided can be improved. That is, when display unevenness occurs in the vicinity of the gap GP, the position of the gap GP needs to be arranged between the color pixels in which the display unevenness is hard to be visually recognized. For example, when the display panel PNL is provided with a three-color red-blue-green color filter, the position where the gap GP is formed is limited between the red pixel and the blue pixel. On the other hand, according to the present embodiment, the position of the gap GP is not limited and may be between any color pixels.

また、画素電極PE2と金属配線M3との間の間隙GPaの幅W2と、画素電極PE3と金属配線M3との間の間隙GPbの幅W4は略等しい。換言すると、金属配線M3は、開口部OP2及び開口部OP3から等間隔の位置に配置されている。そのため、表示パネルPNLをその法線から傾斜した斜め方向から観察したときに、隣接するカラーフィルタの色が混色して視認されたり、色画素ごとの開口面積の比が変わることに起因した色シフトが視認されたりするのを抑制することができる。なお、間隙GPと重なる金属配線M2についても同様に、開口部OP1及び開口部OP2から等間隔の位置に配置されており、間隙GPの近傍においても混色および色シフトに起因した表示ムラを抑制することができる。 Further, the width W2 of the gap GPa between the pixel electrode PE2 and the metal wiring M3 and the width W4 of the gap GPb between the pixel electrode PE3 and the metal wiring M3 are substantially equal to each other. In other words, the metal wiring M3 is arranged at equidistant positions from the opening OP2 and the opening OP3. Therefore, when the display panel PNL is observed from an oblique direction inclined from its normal line, the colors of adjacent color filters are mixed and visually recognized, and the color shift is caused by the change in the ratio of the opening area for each color pixel. Can be suppressed from being visually recognized. Similarly, the metal wiring M2 that overlaps with the gap GP is also arranged at equal intervals from the opening OP1 and the opening OP2, and suppresses display unevenness due to color mixing and color shift even in the vicinity of the gap GP. be able to.

また、金属配線M2は、画素電極PE1と画素電極PE2との間に配置され、信号線S2と重なっている。そのため、信号線S2は金属配線M2と容量結合する一方で、信号線S2と画素電極PE1及びPE2との寄生容量を低減することができる。 Further, the metal wiring M2 is arranged between the pixel electrode PE1 and the pixel electrode PE2 and overlaps with the signal line S2. Therefore, while the signal line S2 is capacitively coupled to the metal wiring M2, the parasitic capacitance between the signal line S2 and the pixel electrodes PE1 and PE2 can be reduced.

次に、図3に示したスイッチング素子の構成について詳細に説明する。
図6は、スイッチング素子TR1の構成例を示す平面図である。ここでは、第1基板SUB1における説明に必要な主要部のみを図示し、共通電極等の図示を省略する。また、図3に示したスイッチング素子TR2及びTR3についてもスイッチング素子TR1と同様の構成をとるため、ここでは、スイッチング素子TR1に着目してその構成を説明する。
Next, the configuration of the switching element shown in FIG. 3 will be described in detail.
FIG. 6 is a plan view showing a configuration example of the switching element TR1. Here, only the main part necessary for the explanation in the first substrate SUB1 is illustrated, and the illustration of the common electrode and the like is omitted. Further, since the switching elements TR2 and TR3 shown in FIG. 3 have the same configuration as the switching element TR1, the configuration will be described here focusing on the switching element TR1.

スイッチング素子TR1は、半導体層SC、中継電極REを備えている。半導体層SCは、略U字状に形成され、走査線Gと2か所で交差している。半導体層SCは、端部E11及び端部E12を有する。端部E11は、コンタクトホールCH11を介して信号線S2と電気的に接続されている。端部E12は、コンタクトホールCH12を介して中継電極REと電気的に接続されている。中継電極REは、信号線S1と信号線S2との間に配置されている。走査線Gにおいて、半導体層SCと交差する2つの部分は、それぞれゲート電極G11及びG12として機能する。遮光体SIは、半導体層SCとゲート電極G12とが重なる位置に配置されている。中継電極REは、コンタクトホールCH1を介して画素電極PE1と電気的に接続されている。 The switching element TR1 includes a semiconductor layer SC and a relay electrode RE. The semiconductor layer SC is formed in a substantially U shape and intersects the scanning line G at two points. The semiconductor layer SC has an end E11 and an end E12. The end portion E11 is electrically connected to the signal line S2 via the contact hole CH11. The end portion E12 is electrically connected to the relay electrode RE via the contact hole CH12. The relay electrode RE is arranged between the signal line S1 and the signal line S2. In the scanning line G, the two portions intersecting the semiconductor layer SC function as gate electrodes G11 and G12, respectively. The light-shielding body SI is arranged at a position where the semiconductor layer SC and the gate electrode G12 overlap. The relay electrode RE is electrically connected to the pixel electrode PE1 via the contact hole CH1.

図7は、図6のE−F線におけるスイッチング素子TR1を含む第1基板SUB1の構成を示す断面図である。なお、図示した例では、スイッチング素子TR1は、トップゲート型の薄膜トランジスタであるが、ボトムゲート型であっても良い。 FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of the first substrate SUB1 including the switching element TR1 in the EF line of FIG. In the illustrated example, the switching element TR1 is a top gate type thin film transistor, but may be a bottom gate type.

遮光体SIは、第1絶縁基板10の上に配置され、第1絶縁膜11によって覆われている。半導体層SCは、第1絶縁膜11の上に配置され、第2絶縁膜12によって覆われている。半導体層SCは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや、酸化物半導体などによって形成されていても良い。 The light-shielding body SI is arranged on the first insulating substrate 10 and is covered with the first insulating film 11. The semiconductor layer SC is arranged on the first insulating film 11 and is covered with the second insulating film 12. The semiconductor layer SC is formed of, for example, polycrystalline silicon, but may be formed of amorphous silicon, an oxide semiconductor, or the like.

ゲート電極G11及びG12は、第2絶縁膜12の上に配置され、第3絶縁膜13によって覆われている。ゲート電極G11及びG12は、第2絶縁膜12を介して半導体層SCと対向している。ゲート電極G12は、遮光体SIの上方に位置している。信号線S2及び中継電極REは、第3絶縁膜13の上に配置され、第4絶縁膜14によって覆われている。信号線S2は、第2絶縁膜12及び第3絶縁膜13を貫通するコンタクトホールCH11を介して半導体層SCに接続されている。中継電極REは、第2絶縁膜12及び第3絶縁膜13を貫通するコンタクトホールCH12を介して半導体層SCに接続されている。 The gate electrodes G11 and G12 are arranged on the second insulating film 12 and covered with the third insulating film 13. The gate electrodes G11 and G12 face the semiconductor layer SC via the second insulating film 12. The gate electrode G12 is located above the light-shielding body SI. The signal line S2 and the relay electrode RE are arranged on the third insulating film 13 and covered with the fourth insulating film 14. The signal line S2 is connected to the semiconductor layer SC via a contact hole CH 11 penetrating the second insulating film 12 and the third insulating film 13. The relay electrode RE is connected to the semiconductor layer SC via a contact hole CH 12 penetrating the second insulating film 12 and the third insulating film 13.

金属配線M2、画素電極PE1及びPE4は、第4絶縁膜14の上に配置され、第5絶縁膜15によって覆われている。画素電極PE1は、第4絶縁膜14を貫通するコンタクトホールCH1を介して、中継電極REに接続されている。共通電極CE1は、第5絶縁膜15の上に配置され、第1配向膜AL1によって覆われている。また、図3においては、間隙GPは、平面視で金属配線M2と重なる位置に形成されており、図7においても、金属配線M2と重なる位置に、共通電極が配置されていない領域として、間隙GPが形成されている。 The metal wiring M2, the pixel electrodes PE1 and PE4 are arranged on the fourth insulating film 14 and covered with the fifth insulating film 15. The pixel electrode PE1 is connected to the relay electrode RE via the contact hole CH1 penetrating the fourth insulating film 14. The common electrode CE1 is arranged on the fifth insulating film 15 and is covered with the first alignment film AL1. Further, in FIG. 3, the gap GP is formed at a position where it overlaps with the metal wiring M2 in a plan view, and also in FIG. 7, the gap is defined as a region where the common electrode is not arranged at the position where it overlaps with the metal wiring M2. GP is formed.

図8は、金属配線M3及びコンタクトホールCHbの幅の関係を示す平面図である。
図4に示したように、金属配線M3は、第1方向Xに沿って幅W3を有している。また、図5に示したように、金属配線M3は、コンタクトホールCHbを介して共通電極CE2と接続されている。図8に示した例では、コンタクトホールCHbは、第1方向Xに沿って幅W11を有している。
図8(a)は、図5に示した金属配線M3及びコンタクトホールCHbの幅の関係を示す平面図である。図8(a)に示した例では、金属配線M3は、ほぼ一定の幅W3を有する帯状に形成されている。ここで、幅W11は、幅W3より小さく形成されている。
FIG. 8 is a plan view showing the relationship between the widths of the metal wiring M3 and the contact hole CHb.
As shown in FIG. 4, the metal wiring M3 has a width W3 along the first direction X. Further, as shown in FIG. 5, the metal wiring M3 is connected to the common electrode CE2 via the contact hole CHb. In the example shown in FIG. 8, the contact hole CHb has a width W11 along the first direction X.
FIG. 8A is a plan view showing the relationship between the widths of the metal wiring M3 and the contact hole CHb shown in FIG. In the example shown in FIG. 8A, the metal wiring M3 is formed in a band shape having a substantially constant width W3. Here, the width W11 is formed smaller than the width W3.

図8(b)及び図8(c)は、金属配線M3及びコンタクトホールCHbの幅の関係の他の実施例を示す図である。
図8(b)に示した例では、金属配線M3は、ほぼ一定の幅W3を有する帯状に形成されている。ここで、幅W11は、幅W3より大きく形成されている。共通電極と金属配線との接触面積を均一化する観点では、コンタクトホールCHbの中心つまり幅W11の1/2に相当する位置と、金属配線M3の中心つまり幅W3の1/2に相当する位置とが重なることが望ましい。なお、幅W11及び幅W3の関係は図示した例に限らず、幅W11と幅W3が等しくても良い。
8 (b) and 8 (c) are diagrams showing other embodiments of the relationship between the widths of the metal wiring M3 and the contact hole CHb.
In the example shown in FIG. 8B, the metal wiring M3 is formed in a band shape having a substantially constant width W3. Here, the width W11 is formed larger than the width W3. From the viewpoint of equalizing the contact area between the common electrode and the metal wiring, the position corresponding to the center of the contact hole CHb, that is, 1/2 of the width W11, and the position corresponding to the center of the metal wiring M3, that is, 1/2 of the width W3. It is desirable that and overlap. The relationship between the width W11 and the width W3 is not limited to the illustrated example, and the width W11 and the width W3 may be the same.

図8(c)に示した例では、金属配線M3は、コンタクトホールCHbと重なる位置において拡張部M31を有している。拡張部M31は、第1方向Xに沿って幅W31を有している。幅W31は、幅W3より大きく形成されている。また、幅W11は、幅W31より小さく形成されている。図8(c)においては、幅W3の1/2に相当する位置と幅W31の1/2に相当する位置は、例えば、一直線上に位置している。ここでは、コンタクトホールCHbの中心つまり幅W11の1/2に相当する位置と、金属配線M31の中心つまり幅W31の1/2に相当する位置とが重なることが望ましい。なお、幅W11及び幅W31の関係は図示した例に限らず、幅W11と幅W31が等しくても良い。
なお、コンタクトホールCHbと金属配線M3とが重なる位置に配置されていれば、コンタクトホールCHbの中心と金属配線M3の中心とがずれていても良い。また、このような金属配線M3及びコンタクトホールCHbの幅の関係は、金属配線M1及びコンタクトホールCHa、及び、金属配線M4及びコンタクトホールCHcにも同様に適用される。
In the example shown in FIG. 8 (c), the metal wiring M3 has an expansion portion M31 at a position overlapping the contact hole CHb. The expansion portion M31 has a width W31 along the first direction X. The width W31 is formed larger than the width W3. Further, the width W11 is formed smaller than the width W31. In FIG. 8C, the position corresponding to 1/2 of the width W3 and the position corresponding to 1/2 of the width W31 are located, for example, on a straight line. Here, it is desirable that the center of the contact hole CHb, that is, the position corresponding to 1/2 of the width W11, and the center of the metal wiring M31, that is, the position corresponding to 1/2 of the width W31 overlap. The relationship between the width W11 and the width W31 is not limited to the illustrated example, and the width W11 and the width W31 may be the same.
If the contact hole CHb and the metal wiring M3 are arranged at overlapping positions, the center of the contact hole CHb and the center of the metal wiring M3 may be deviated from each other. Further, the relationship between the widths of the metal wiring M3 and the contact hole CHb is similarly applied to the metal wiring M1 and the contact hole CHa, and the metal wiring M4 and the contact hole CHc.

図9は、遮光層BM、金属配線M11乃至M17、スペーサSP1乃至SP3等の位置関係を示す平面図である。ここでは、例えば、1つの画素PXが3つのサブ画素SPXから構成されている場合を示している。なお、走査線及び信号線は、図中に一点鎖線で示されている。 FIG. 9 is a plan view showing the positional relationship between the light-shielding layer BM, the metal wirings M11 to M17, the spacers SP1 to SP3, and the like. Here, for example, a case where one pixel PX is composed of three sub-pixels SPX is shown. The scanning line and the signal line are indicated by a alternate long and short dash line in the figure.

金属配線M11乃至M17は、それぞれ信号線S11乃至S17に重なっている。共通電極CE1及びCE2の間隙GPは、信号線S14及び金属配線M14と重なっている。遮光層BMは、走査線G11乃至G15、及び、信号線S11乃至S17とそれぞれ重なる位置に配置され、格子状に形成されている。共通電極CE1と金属配線M11乃至M13とをそれぞれ接続するためのコンタクトホールCHAは、走査線G11乃至G15と、信号線S11乃至S13との交差部付近に位置している。共通電極CE2と金属配線M15乃至M17とをそれぞれ接続するためのコンタクトホールCHBは、走査線G11乃至G15と、信号線S15乃至S17との交差部付近に位置している。但し、信号線S14及び金属配線M14と重なる位置においては、コンタクトホールCHA及びCHBのいずれも配置されていない。また、スペーサSPは、走査線と信号線との交差部に配置されるが、間隙GPと重なる信号線S14とは重なって配置されない。スペーサと重なる位置においては、コンタクトホールCHA及びCHBのいずれも配置されていない。また、金属配線は、スペーサSPと重なる位置で途切れている。 The metal wirings M11 to M17 overlap the signal lines S11 to S17, respectively. The gap GP between the common electrodes CE1 and CE2 overlaps the signal line S14 and the metal wiring M14. The light-shielding layer BM is arranged at a position where it overlaps with the scanning lines G11 to G15 and the signal lines S11 to S17, respectively, and is formed in a grid pattern. The contact hole CHA for connecting the common electrode CE1 and the metal wirings M11 to M13, respectively, is located near the intersection of the scanning lines G11 to G15 and the signal lines S11 to S13. The contact hole CHB for connecting the common electrode CE2 and the metal wirings M15 to M17, respectively, is located near the intersection of the scanning lines G11 to G15 and the signal lines S15 to S17. However, neither the contact hole CHA nor the CHB is arranged at the position where the signal line S14 and the metal wiring M14 overlap. Further, the spacer SP is arranged at the intersection of the scanning line and the signal line, but is not arranged so as to overlap the signal line S14 that overlaps with the gap GP. Neither the contact hole CHA nor the CHB is arranged at the position where it overlaps with the spacer. Further, the metal wiring is interrupted at a position where it overlaps with the spacer SP.

これらの点について、金属配線M17、スペーサSP1乃至SP3等に着目してより詳細に説明するが、その他の金属配線やスペーサの位置関係についても同様の構成を有するものとしてその説明を省略する。 These points will be described in more detail by focusing on the metal wiring M17, the spacers SP1 to SP3, and the like, but the description thereof will be omitted assuming that the positional relationship of the other metal wirings and spacers has the same configuration.

図2に示したスペーサSPと同様に、スペーサSP1乃至SP3は、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の間に配置されている。スペーサSP1乃至SP3は、信号線S17と重なる位置に配置されている。図示した例では、スペーサSP1は走査線G11と信号線S17との交差部に位置し、スペーサSP2は走査線G13と信号線S17との交差部に位置し、スペーサSP3は走査線G15と信号線S17との交差部に位置している。金属配線M17は、スペーサSP1乃至SP3と重なる位置で途切れており、第1部分M17a及び第2部分M17bを有している。第2部分M17bは、第1部分M17aから間隔をおいて配置されている。第1部分M17aはスペーサSP1とスペーサSP2との間に位置し、第2部分M17bはスペーサSP2とスペーサSP3との間に位置している。すなわち、スペーサSP2は、第1部分M17aと第2部分M17bとの間に配置されている。コンタクトホールCHBaはスペーサSP1とスペーサSP2との間に位置し、コンタクトホールCHBbはスペーサSP2とスペーサSP3との間に位置している。第1部分M17aは、走査線G12と交差する位置の近傍でコンタクトホールCHBaを介して共通電極CE2と接続されている。第2部分M17bは、走査線G14と交差する位置の近傍でコンタクトホールCHBbを介して共通電極CE2と接続されている。そのため、第1部分M17a及び第2部分M17bがフローティング状態となるのが抑制される。また、第1部分M17a及び第2部分M17bの抵抗値を均一にするために、コンタクトホールCHBa及びCHBbは、それぞれ第1部分M17a及び第2部分M17bの第2方向Yに沿った幅の中心に形成されることが望ましい。 Similar to the spacer SP shown in FIG. 2, the spacers SP1 to SP3 are arranged between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2. The spacers SP1 to SP3 are arranged at positions overlapping with the signal line S17. In the illustrated example, the spacer SP1 is located at the intersection of the scanning line G11 and the signal line S17, the spacer SP2 is located at the intersection of the scanning line G13 and the signal line S17, and the spacer SP3 is located at the intersection of the scanning line G15 and the signal line S17. It is located at the intersection with S17. The metal wiring M17 is interrupted at a position where it overlaps with the spacers SP1 to SP3, and has a first portion M17a and a second portion M17b. The second portion M17b is arranged at a distance from the first portion M17a. The first portion M17a is located between the spacer SP1 and the spacer SP2, and the second portion M17b is located between the spacer SP2 and the spacer SP3. That is, the spacer SP2 is arranged between the first portion M17a and the second portion M17b. The contact hole CHBa is located between the spacer SP1 and the spacer SP2, and the contact hole CHBb is located between the spacer SP2 and the spacer SP3. The first portion M17a is connected to the common electrode CE2 via the contact hole CHBa in the vicinity of the position where the scanning line G12 intersects. The second portion M17b is connected to the common electrode CE2 via the contact hole CHBb in the vicinity of the position where the scanning line G14 intersects. Therefore, it is suppressed that the first portion M17a and the second portion M17b are in a floating state. Further, in order to make the resistance values of the first portion M17a and the second portion M17b uniform, the contact holes CHBa and CHBb are located at the center of the width of the first portion M17a and the second portion M17b along the second direction Y, respectively. It is desirable to be formed.

スペーサSP1乃至SP3が配置される位置には、金属配線及びコンタクトホールのいずれも形成されず、凹凸が緩和された領域に重なっている。したがって、スペーサSP1乃至SP3が第1基板SUB1に接触した状態で外部から押圧力が加わった際に、スペーサSP1乃至SP3が第1配向膜AL1を損傷させることに起因した表示不良の発生を抑制することができる。また、スペーサSP1乃至SP3は、第1基板SUB1において金属配線等の凹凸の影響を受けない平坦な領域に接触するため、スペーサSP1乃至SP3の第1基板に接する設置面積の減少に伴う押圧力耐性の低下を抑制することができる。 Neither metal wiring nor contact holes are formed at the positions where the spacers SP1 to SP3 are arranged, and they overlap with the region where the unevenness is relaxed. Therefore, when a pressing force is applied from the outside while the spacers SP1 to SP3 are in contact with the first substrate SUB1, the spacers SP1 to SP3 suppress the occurrence of display defects due to damage to the first alignment film AL1. be able to. Further, since the spacers SP1 to SP3 come into contact with a flat region of the first substrate SUB1 that is not affected by unevenness such as metal wiring, the pressure resistance due to the decrease in the installation area of the spacers SP1 to SP3 in contact with the first substrate is reduced. Can be suppressed.

表示領域において間隙GPと重なる位置には、共通電極がショートするリスクを回避するために、金属配線M14と共通電極とを接続するためのコンタクトホールが形成されない。金属配線M14は、共通電極CE1と非表示領域において接続されている。また、金属配線M14がフローティング状態になるのを回避するために、信号線S14及び間隙GPと重なる位置にはスペーサは配置されない。 In the display region, a contact hole for connecting the metal wiring M14 and the common electrode is not formed at a position overlapping the gap GP in order to avoid the risk of short-circuiting the common electrode. The metal wiring M14 is connected to the common electrode CE1 in a non-display area. Further, in order to prevent the metal wiring M14 from being in a floating state, the spacer is not arranged at a position where it overlaps with the signal line S14 and the gap GP.

遮光層BMは、スペーサSPの各々と重なる位置において、拡張部EPを有している。また、遮光層BMは、間隙GPと重なる位置にも拡張部EPを有している。拡張部EPは、スペーサSPを中心として、周囲の4つのサブ画素に形成されている。拡張部EPは、第1方向Xに沿って1画素PXごとに形成され、第2方向Yに沿って2画素PXごとに形成されている。そのため、各画素PXの開口面積のばらつきを抑制することができる。 The light-shielding layer BM has an expansion portion EP at a position overlapping each of the spacers SP. Further, the light-shielding layer BM also has an expansion portion EP at a position overlapping the gap GP. The expansion portion EP is formed in four sub-pixels around the spacer SP. The expansion unit EP is formed for each pixel PX along the first direction X, and is formed for each two pixel PX along the second direction Y. Therefore, it is possible to suppress variations in the opening area of each pixel PX.

なお、金属配線M12、M13、M15、M16は、第2方向Yに沿って1画素PXごとに形成されたコンタクトホールによって共通電極と接続されているが、共通電極の抵抗値によっては、これらのコンタクトホールを間引いても良い。 The metal wirings M12, M13, M15, and M16 are connected to the common electrode by contact holes formed for each pixel PX along the second direction Y, but depending on the resistance value of the common electrode, these may be connected. Contact holes may be thinned out.

図10は、表示装置DSPに備えられるセンサ装置SSの構成例を示す平面図である。センサ装置SSは、駆動電極TX1乃至TXn、検出電極RX1乃至RXm、フレキシブル配線基板FPC3、タッチ検出ICチップ4等を備えている。なお、n及びmは、例えば2以上の整数である。駆動電極TX1乃至TXnは、第1基板SUB1に配置され、上記の共通電極に相当する。検出電極RX1乃至RXmは、例えば第2基板SUB2の第1基板SUB1と対向する面とは反対側の面に配置されている。フレキシブル配線基板FPC3は、第2基板SUB2に接続されている。タッチ検出ICチップ4は、フレキシブル配線基板FPC3に実装されている。 FIG. 10 is a plan view showing a configuration example of the sensor device SS provided in the display device DSP. The sensor device SS includes drive electrodes TX1 to TXn, detection electrodes RX1 to RXm, a flexible wiring board FPC3, a touch detection IC chip 4, and the like. Note that n and m are, for example, integers of 2 or more. The drive electrodes TX1 to TXn are arranged on the first substrate SUB1 and correspond to the above-mentioned common electrodes. The detection electrodes RX1 to RXm are arranged, for example, on a surface of the second substrate SUB2 opposite to the surface facing the first substrate SUB1. The flexible wiring board FPC3 is connected to the second board SUB2. The touch detection IC chip 4 is mounted on the flexible wiring board FPC3.

センサ装置SSは、被検出物を検出する検出領域DRと、検出領域DRの外側の非検出領域NDRと、を有している。検出領域DRは、表示装置DSPの表示領域DAと重なり、非検出領域NDRは、非表示領域NDAと重なる。なお、表示領域DA及び検出領域DR、非表示領域NDA及び非検出領域NDRは、それぞれ同一の領域でなくても良い。表示領域DAあるいは検出領域DRは、第1方向Xに沿った第1端部E1及び第2端部E2と、第2方向Yに沿った第3端部E3及び第4端部E4と、を有し、略長方形状に形成されている。 The sensor device SS has a detection region DR for detecting an object to be detected and a non-detection region NDR outside the detection region DR. The detection area DR overlaps with the display area DA of the display device DSP, and the non-detection area NDR overlaps with the non-display area NDA. The display area DA and the detection area DR, the non-display area NDA, and the non-detection area NDR do not have to be the same area. The display area DA or the detection area DR includes a first end portion E1 and a second end portion E2 along the first direction X, and a third end portion E3 and a fourth end portion E4 along the second direction Y. It has a substantially rectangular shape.

図10に示すように、複数の駆動電極TX1乃至TXnは、それぞれ帯状に形成され、第1端部E1から第2端部E2まで第2方向Yに延出し、第1方向Xに間隔をおいて並べられている。つまり、隣り合う駆動電極間の間隙が上記の共通電極間の間隙GPに相当する。すなわち、間隙GPは、平面視で、第1端部E1から第2端部E2まで延出している。本実施形態において、駆動電極TX1乃至TXnは、非表示領域NDAまで延出して形成されている。 As shown in FIG. 10, the plurality of drive electrodes TX1 to TXn are each formed in a band shape, extend from the first end portion E1 to the second end portion E2 in the second direction Y, and are spaced apart from each other in the first direction X. They are lined up. That is, the gap between the adjacent drive electrodes corresponds to the gap GP between the common electrodes. That is, the gap GP extends from the first end portion E1 to the second end portion E2 in a plan view. In the present embodiment, the drive electrodes TX1 to TXn are formed so as to extend to the non-display region NDA.

複数の検出電極RX1乃至RXmは、それぞれ帯状に形成され、第3端部E3から第4端部E4まで第1方向Xに延出し、第2方向Yに間隔をおいて並べられている。複数の検出電極RX1乃至RXmは、複数の駆動電極TX1乃至TXnと表示領域DAあるいは検出領域DRにおいて交差している。検出電極RX1乃至RXmは、非表示領域NDAあるいは非検出領域NDRに位置するリード線LDによってフレキシブル配線基板FPC3と電気的に接続されている。ここでは、リード線LDは、検出電極RX1乃至RXmと一対一で電気的に接続されている。検出電極RX1乃至RXmは、例えば、ITOやIZO等の透明な導電材料によって形成されているが、メッシュ状や細線状の金属線で形成されても良く、金属線と透明導電層との積層体などで形成されても良い。リード線LDは、低抵抗化の観点から、金属細線で形成されることが望ましい。 The plurality of detection electrodes RX1 to RXm are each formed in a band shape, extend from the third end portion E3 to the fourth end portion E4 in the first direction X, and are arranged at intervals in the second direction Y. The plurality of detection electrodes RX1 to RXm intersect with the plurality of drive electrodes TX1 to TXn in the display region DA or the detection region DR. The detection electrodes RX1 to RXm are electrically connected to the flexible wiring board FPC3 by a lead wire LD located in the non-display region NDA or the non-detection region NDR. Here, the lead wire LD is electrically connected to the detection electrodes RX1 to RXm on a one-to-one basis. The detection electrodes RX1 to RXm are formed of, for example, a transparent conductive material such as ITO or IZO, but may be formed of a mesh-like or fine wire-shaped metal wire, and may be a laminate of the metal wire and the transparent conductive layer. It may be formed by such as. The lead wire LD is preferably formed of a thin metal wire from the viewpoint of reducing resistance.

次に、上記した表示装置DSPへの被検出物の接近あるいは接触を検出するためのセンシングを行うセンシング駆動時の動作について説明する。なお、ここで、説明するセンシングのモードは、相互容量(Mutual−Capacitive Sensing)方式と称される場合がある。相互容量方式は、駆動電極TXと検出電極RXとの間の電極間容量の変化に基づいて、被検出物を検出する。 Next, the operation at the time of sensing drive, which performs sensing for detecting the approach or contact of the object to be detected with the above-mentioned display device DSP, will be described. The sensing mode described here may be referred to as a mutual capacitive sensing method. The mutual capacitance method detects an object to be detected based on the change in the capacitance between the electrodes between the drive electrode TX and the detection electrode RX.

図11は、相互容量方式のセンシング方法の原理を説明するための図である。ここでは、導電性を有する被検出物としての指Fgが表示装置DSPに入力する場合について説明する。 FIG. 11 is a diagram for explaining the principle of the mutual capacitance method sensing method. Here, a case where a finger Fg as a conductive object to be detected is input to the display device DSP will be described.

駆動電極TX及び検出電極RXは、静電容量結合されており、駆動電極TXと検出電極RXとの間には、電極間容量Ccが形成される。指Fgは、検出電極RXの駆動電極TXと対向する側とは反対側から検出電極RXへ接近する。ここで、指FgのX−Y平面における位置を位置LCとする。位置LCにおいて、指Fgと検出電極RXとの間には、カップリング容量Cxが形成される。 The drive electrode TX and the detection electrode RX are capacitively coupled, and an interelectrode capacitance Cc is formed between the drive electrode TX and the detection electrode RX. The finger Fg approaches the detection electrode RX from the side opposite to the side facing the drive electrode TX of the detection electrode RX. Here, the position of the finger Fg on the XY plane is defined as the position LC. In the position LC, a coupling capacitance Cx is formed between the finger Fg and the detection electrode RX.

センシングが行われる際、まず、駆動電極Txにパルス状のセンサ駆動信号Vwが書込まれ、上記に示したような駆動電極Txと検出電極Rxとの間の電極間容量Ccの変化に応じてセンサ信号が発生する。次に、タッチ検出ICチップ4は、検出電極Rxからセンサ信号の変化を示すパルス状の検出信号Vrを読取る。センサ駆動信号Vwが駆動電極Txに供給されるタイミングと、検出電極Rxからの検出信号Vrに基づいて、指Fgの位置を検出することができる。 When sensing is performed, first, a pulsed sensor drive signal Vw is written in the drive electrode Tx, and the inter-electrode capacitance Cc between the drive electrode Tx and the detection electrode Rx as shown above is changed. A sensor signal is generated. Next, the touch detection IC chip 4 reads a pulse-shaped detection signal Vr indicating a change in the sensor signal from the detection electrode Rx. The position of the finger Fg can be detected based on the timing at which the sensor drive signal Vw is supplied to the drive electrode Tx and the detection signal Vr from the detection electrode Rx.

表示装置DSPの表示駆動及びセンシング駆動は、例えば1フレーム期間内に行われる。一例では、1フレーム期間は、画像を表示するための第1期間と、被検出物を検出する第2期間とに分けられる。第1期間では、表示領域DAの全ての画素PXに映像信号を書き込む表示駆動が時分割的に行われる(表示期間)。また、第1期間に続く第2期間では、表示領域DAの全域において被検出物を検出するセンシング駆動が時分割的に行われる(検出期間、或いはセンシング期間)。駆動電極Txには、第1期間においてコモン駆動信号が供給され、第2期間においてセンサ駆動信号が供給される。 The display drive and the sensing drive of the display device DSP are performed, for example, within one frame period. In one example, the one-frame period is divided into a first period for displaying an image and a second period for detecting an object to be detected. In the first period, the display drive for writing the video signal to all the pixels PX of the display area DA is performed in a time-division manner (display period). Further, in the second period following the first period, the sensing drive for detecting the object to be detected is time-divisioned in the entire display area DA (detection period or sensing period). A common drive signal is supplied to the drive electrode Tx in the first period, and a sensor drive signal is supplied in the second period.

なお、ここでは、相互容量方式によるセンシングについて説明したが、センサ装置は、自己容量方式によるセンシングが可能な構成を有していても良い。 Although the sensing by the mutual capacitance method has been described here, the sensor device may have a configuration capable of sensing by the self-capacity method.

図12は、駆動電極TX1乃至TXnに接続された等価回路を模式的に示す平面図である。
図示した例では、表示装置DSPは、第1スイッチ群SWG1、第2スイッチ群SWG2、セレクタSD内に形成された第3スイッチ群SWG3、第4スイッチ群SWG4、第5スイッチ群SWG5、第1供給線30、第2供給線40等を備えている。
FIG. 12 is a plan view schematically showing an equivalent circuit connected to the drive electrodes TX1 to TXn.
In the illustrated example, the display device DSP is the first switch group SWG1, the second switch group SWG2, the third switch group SWG3 formed in the selector SD, the fourth switch group SWG4, the fifth switch group SWG5, and the first supply. It includes a wire 30, a second supply line 40, and the like.

図示した例では、第1乃至第5スイッチ群SWG1乃至SWG5は、何れも平面視で第2基板SUB2と重なる領域に形成されている。第1スイッチ群SWG1、セレクタSD(第3スイッチ群SWG3)及び第4スイッチ群SWG4は、表示領域DAよりも駆動ICチップ2側に配置されている。第3スイッチ群SWG3は、第1スイッチ群SWG1と第4スイッチ群SWG4との間に配置されている。また、第2スイッチ群SWG2及び第5スイッチ群SWG5は、表示領域DAの駆動ICチップ2側とは反対側に配置されている。第5スイッチ群SWG5は、第2スイッチ群SWG2と表示領域DAとの間に配置されている。 In the illustrated example, the first to fifth switch groups SWG1 to SWG5 are all formed in a region overlapping with the second substrate SUB2 in a plan view. The first switch group SWG1, the selector SD (third switch group SWG3), and the fourth switch group SWG4 are arranged on the drive IC chip 2 side with respect to the display area DA. The third switch group SWG3 is arranged between the first switch group SWG1 and the fourth switch group SWG4. Further, the second switch group SWG2 and the fifth switch group SWG5 are arranged on the side opposite to the drive IC chip 2 side of the display area DA. The fifth switch group SWG5 is arranged between the second switch group SWG2 and the display area DA.

セレクタSDは、複数のビデオ線VLを介して駆動ICチップ2と接続されている。セレクタSDは、駆動ICチップ2によって制御され、各信号線Sに対して映像信号を選択的に供給する。なお、第3スイッチ群SWG3は、セレクタSDに含まれるもので、マルチプレクサと呼ばれることもある。 The selector SD is connected to the drive IC chip 2 via a plurality of video lines VL. The selector SD is controlled by the drive IC chip 2 and selectively supplies a video signal to each signal line S. The third switch group SWG3 is included in the selector SD and is sometimes called a multiplexer.

第1供給線30には、画像表示のための共通電圧VCOMが印加されている。第1供給線30は、駆動ICチップ2の両側から第1スイッチ群SWG1の両側を通って分岐し、一方は、第1スイッチ群SWG1と第3スイッチ群SWG3との間を通り、もう一方は、第2スイッチ群SWG2の方へ延出し、第2スイッチ群SWG2と第5スイッチ群SWG5との間を通り、第2スイッチ群SWG2に接続されている。 A common voltage VCOM for displaying an image is applied to the first supply line 30. The first supply line 30 branches from both sides of the drive IC chip 2 through both sides of the first switch group SWG1, one passes between the first switch group SWG1 and the third switch group SWG3, and the other. , Extends toward the second switch group SWG2, passes between the second switch group SWG2 and the fifth switch group SWG5, and is connected to the second switch group SWG2.

第2供給線40には、タッチ検出のための駆動信号が供給される。本実施形態において、第2供給線40は、第1電圧VTPLが印加された低電圧線41と、第1電圧VTPLよりも高い第2電圧VTPHが印加された高電圧線42と、を含んでいる。低電圧線41は、駆動ICチップ2の両側を通り、第1スイッチ群SWG1と第3スイッチ群SWG3との間を通って配置されている。また、高電圧線42は、駆動ICチップ2の両側を通り、第1スイッチ群SWG1と駆動ICチップ2との間を通って配置されている。 A drive signal for touch detection is supplied to the second supply line 40. In this embodiment, the second supply line 40 includes a low-voltage line 41 to the first voltage V TPL is applied, a high voltage line 42 which is higher than the first voltage V TPL second voltage V TPH is applied, Includes. The low voltage line 41 passes through both sides of the drive IC chip 2 and is arranged between the first switch group SWG1 and the third switch group SWG3. Further, the high voltage line 42 passes through both sides of the drive IC chip 2 and is arranged between the first switch group SWG1 and the drive IC chip 2.

例えば、第1供給線30、低電圧線41及び高電圧線42は、フレキシブル配線基板FPC3を介してタッチ検出ICチップ4に接続されている。第1供給線30、低電圧線41及び高電圧線42は、駆動ICチップ2に接続されても良い。 For example, the first supply line 30, the low voltage line 41, and the high voltage line 42 are connected to the touch detection IC chip 4 via the flexible wiring board FPC3. The first supply line 30, the low voltage line 41 and the high voltage line 42 may be connected to the drive IC chip 2.

第1スイッチ群SWG1は、駆動電極TX1乃至TXnの各々に対して設けられた複数のスイッチSW1を備えている。スイッチSW1は、駆動電極TX1乃至TXnの接続先を第1供給線30と第2供給線40(低電圧線41又は高電圧線42)との間で切り換える。具体的には、スイッチSW1は、駆動電極TX1乃至TXnと第1供給線30との間の接続をオン又はオフする共通電圧スイッチSWCと、駆動電極TX1乃至TXnと低電圧線41との間の接続をオン又はオフする低電圧スイッチSWLと、駆動電極TX1乃至TXnと高電圧線42との間の接続をオン又はオフする高電圧スイッチSWHと、を含んでいる。例えば、共通電圧スイッチSWC、低電圧スイッチSWL、及び高電圧スイッチSWHは、何れも駆動ICチップ2の制御によってオン又はオフされる。 The first switch group SWG1 includes a plurality of switches SW1 provided for each of the drive electrodes TX1 to TXn. The switch SW1 switches the connection destination of the drive electrodes TX1 to TXn between the first supply line 30 and the second supply line 40 (low voltage line 41 or high voltage line 42). Specifically, the switch SW1 is between the common voltage switch SWC that turns on or off the connection between the drive electrodes TX1 to TXn and the first supply line 30, and the drive electrodes TX1 to TXn and the low voltage line 41. It includes a low voltage switch SWL that turns the connection on or off, and a high voltage switch SWH that turns the connection between the drive electrodes TX1 to TXn and the high voltage line 42 on or off. For example, the common voltage switch SWC, the low voltage switch SWL, and the high voltage switch SWH are all turned on or off by the control of the drive IC chip 2.

第2スイッチ群SWG2は、駆動電極TX1乃至TXnの各々に対して設けられた複数のスイッチSW2を備えている。スイッチSW2は、駆動電極TX1乃至TXnと第1供給線30との間の接続をオン又はオフする。例えば、スイッチSW2は、駆動ICチップ2の制御によってオン又はオフされる。 The second switch group SWG2 includes a plurality of switches SW2 provided for each of the drive electrodes TX1 to TXn. The switch SW2 turns on or off the connection between the drive electrodes TX1 to TXn and the first supply line 30. For example, the switch SW2 is turned on or off by the control of the drive IC chip 2.

第3スイッチ群SWG3は、表示領域DAに設けられた各信号線Sに対して設けられた複数のスイッチSW3を備えている。スイッチSW3は、ビデオ線VLを介して駆動ICチップ2と接続されており、各信号線Sと駆動ICチップ2との間の接続をオン又はオフする。例えば、第3スイッチSW3は、駆動ICチップ2の制御によって、時分割で画素電極に供給するための映像信号を各信号線Sに順次供給するようにオン又はオフされる。 The third switch group SWG3 includes a plurality of switches SW3 provided for each signal line S provided in the display area DA. The switch SW3 is connected to the drive IC chip 2 via the video line VL, and turns on or off the connection between each signal line S and the drive IC chip 2. For example, the third switch SW3 is turned on or off so as to sequentially supply the video signals to be supplied to the pixel electrodes in a time-division manner to each signal line S under the control of the drive IC chip 2.

第4スイッチ群SWG4は、各信号線Sに対して設けられた複数のスイッチSW4を備えている。スイッチSW4は、信号線Sと駆動電極TX1乃至TXnとの間の接続をオン又はオフする。例えば、スイッチSW4は、駆動ICチップ2の制御によってオン又はオフされる。 The fourth switch group SWG4 includes a plurality of switches SW4 provided for each signal line S. The switch SW4 turns on or off the connection between the signal line S and the drive electrodes TX1 to TXn. For example, the switch SW4 is turned on or off by the control of the drive IC chip 2.

第5スイッチ群SWG5は、各信号線Sに対して設けられた複数のスイッチSW5を備えている。スイッチSW5は、信号線Sと駆動電極TX1乃至TXnとの間の接続をオン又はオフする。例えば、スイッチSW5は、駆動ICチップ2の制御によってオン又はオフされる。 The fifth switch group SWG5 includes a plurality of switches SW5 provided for each signal line S. The switch SW5 turns on or off the connection between the signal line S and the drive electrodes TX1 to TXn. For example, the switch SW5 is turned on or off by the control of the drive IC chip 2.

図示した例では、金属配線MA1乃至MAnは、それぞれの金属配線MA1乃至MAnの左側に隣り合う駆動電極TX1乃至TXnと接続されている。金属配線MA1乃至MAnは、非検出領域NDRにおいて、駆動電極TX1乃至TXnと接続されている。また、金属配線MA1乃至MAnは、非表示領域NDAにおいて、駆動電極TX1乃至TXnと接続されている。金属配線MA1乃至MAnのうち、金属配線MAnを除いた金属配線は、各駆動電極TX1乃至TXnの間の間隙GPと重なって配置されている。金属配線MAnは、表示領域DAの第4端部E4に沿って配置されている。 In the illustrated example, the metal wirings MA1 to Mann are connected to the drive electrodes TX1 to TXn adjacent to each other on the left side of the metal wirings MA1 to Mann. The metal wirings MA1 to Mann are connected to the drive electrodes TX1 to TXn in the non-detection region NDR. Further, the metal wirings MA1 to Mann are connected to the drive electrodes TX1 to TXn in the non-display region NDA. Of the metal wiring MA1 to Man, the metal wiring excluding the metal wiring MAn is arranged so as to overlap the gap GP between the drive electrodes TX1 to TXn. The metal wiring Man is arranged along the fourth end E4 of the display area DA.

金属配線MA1乃至MAnは、図示しない信号線と重なっている。金属配線MA1乃至MAnと重なって配置された信号線も、それぞれ左側に隣り合う駆動電極TX1乃至TXnと接続されている。なお、例えば、図4及び図6に示した構成では、信号線S2は、左側の画素電極PE1と接続されており、金属配線M2は、非表示領域において左側の共通電極CE1と電気的に接続される。 The metal wirings MA1 to MAn overlap with a signal line (not shown). The signal lines arranged so as to overlap the metal wirings MA1 to Man are also connected to the drive electrodes TX1 to TXn adjacent to each other on the left side. For example, in the configurations shown in FIGS. 4 and 6, the signal line S2 is connected to the pixel electrode PE1 on the left side, and the metal wiring M2 is electrically connected to the common electrode CE1 on the left side in the non-display region. Will be done.

金属配線MBは、表示領域DAの第3端部E3に沿って配置されている。金属配線MBは、共通電圧VCOMが印加される第1供給線30に接続されている。 The metal wiring MB is arranged along the third end E3 of the display area DA. The metal wiring MB is connected to the first supply line 30 to which the common voltage VCOM is applied.

上記のように、金属配線MBは第3端部E3に沿って配置され、金属配線MAnは第4端部E4に沿って配置されている。そのため、第1基板SUB1及び第2基板SUB2が第1方向Xにずれて貼り合わされた場合に、第3端部E3側の画素及び第4端部E4側の画素とで、表示に寄与する面積を同等とすることができる。また、金属配線MBには共通電圧VCOMが印加されるため、金属配線MBと、金属配線MBの右側に隣接する駆動電極TX1との間で生じるカップリングを回避することができる。 As described above, the metal wiring MB is arranged along the third end E3, and the metal wiring Man is arranged along the fourth end E4. Therefore, when the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are attached so as to be displaced in the first direction X, the area contributing to the display by the pixels on the third end E3 side and the pixels on the fourth end E4 side. Can be equivalent. Further, since the common voltage VCOM is applied to the metal wiring MB, it is possible to avoid the coupling that occurs between the metal wiring MB and the drive electrode TX1 adjacent to the right side of the metal wiring MB.

ここで、第1期間及び第2期間における各スイッチ群SWG1乃至SWG5の動作について説明する。
画像を表示する表示期間である第1期間においては、各スイッチSW1の共通電圧スイッチSWC、各スイッチSW2及び各スイッチSW3がオンされ、各スイッチSW4及び各スイッチSW5がオフされる。これにより、各駆動電極TX1乃至TXnには共通電圧VCOMが印加される。さらに、駆動ICチップ2から各信号線Sに映像信号が供給される。
Here, the operation of each switch group SWG1 to SWG5 in the first period and the second period will be described.
In the first period, which is the display period for displaying an image, the common voltage switch SWC of each switch SW1, each switch SW2 and each switch SW3 are turned on, and each switch SW4 and each switch SW5 are turned off. Thus, each drive electrodes TX1 to TXn common voltage V COM is applied. Further, a video signal is supplied from the drive IC chip 2 to each signal line S.

表示装置DSPへの被検出物の接近あるいは接触を検出するためのセンシングを行う第2期間においては、例えば、駆動電極TX1乃至TXnにセンサ駆動信号Vwが順次供給される。センサ駆動信号Vwの供給対象(以下、駆動対象という)の駆動電極TXと残りの駆動電極TXとではスイッチSW1の接続態様が異なる。図12は、駆動電極TX2が駆動対象である場合を示している。駆動対象である駆動電極TX2の共通電圧スイッチSWCはオフされ、残りの駆動電極TXの共通電圧スイッチSWCは何れもオンされている。スイッチSW2及びスイッチSW3は全てオフされ、スイッチSW4及びスイッチSW5は全てオンされている。 In the second period of sensing for detecting the approach or contact of the object to be detected with the display device DSP, for example, the sensor drive signal Vw is sequentially supplied to the drive electrodes TX1 to TXn. The connection mode of the switch SW1 is different between the drive electrode TX of the sensor drive signal Vw supply target (hereinafter referred to as the drive target) and the remaining drive electrode TX. FIG. 12 shows a case where the drive electrode TX2 is a drive target. The common voltage switch SWC of the drive electrode TX2 to be driven is turned off, and the common voltage switch SWCs of the remaining drive electrodes TX are all turned on. The switch SW2 and the switch SW3 are all turned off, and the switch SW4 and the switch SW5 are all turned on.

駆動対象である駆動電極TX2の接続先は、低電圧線41と高電圧線42との間でスウィングされる。すなわち、駆動電極TX2に対して設けられた低電圧スイッチSWL及び高電圧スイッチSWHが交互にオン又はオフされる。これにより第1電圧VTPLと第2電圧VTPHとの間でトグルするセンサ駆動信号Vwが生成され、このセンサ駆動信号Vwが駆動電極TX2に供給される。このセンサ駆動信号Vwに対して検出電極から得られる検出信号に基づき、タッチ検出ICチップ4が表示装置DSPへ接近あるいは接触する被検出物の位置を検出する。 The connection destination of the drive electrode TX2 to be driven is swung between the low voltage line 41 and the high voltage line 42. That is, the low voltage switch SWL and the high voltage switch SWH provided for the drive electrode TX2 are alternately turned on or off. As a result , a sensor drive signal Vw that toggles between the first voltage VTPL and the second voltage VTPH is generated, and this sensor drive signal Vw is supplied to the drive electrode TX2. Based on the detection signal obtained from the detection electrode with respect to this sensor drive signal Vw, the touch detection IC chip 4 detects the position of the object to be detected approaching or in contact with the display device DSP.

スイッチSW4及びスイッチSW5がオンされているため、各信号線Sは、接続された各駆動電極TX1乃至TXnと同電位となる。これにより、各信号線Sと各駆動電極TX1乃至TXnとの間の容量形成を防ぎ、タッチ検出の精度を高めることができる。図示した例では、各信号線Sは、各駆動電極TXの第2方向Y側で見たときの両端部において駆動電極TXと接続されているので、駆動電極TX及び信号線Sを全体に亘り安定して同電位とすることができる。 Since the switch SW4 and the switch SW5 are turned on, each signal line S has the same potential as the connected drive electrodes TX1 to TXn. As a result, it is possible to prevent the formation of a capacitance between each signal line S and each drive electrode TX1 to TXn, and improve the accuracy of touch detection. In the illustrated example, since each signal line S is connected to the drive electrode TX at both ends when viewed on the second direction Y side of each drive electrode TX, the drive electrode TX and the signal line S are covered as a whole. The same potential can be stably obtained.

センシングを行う第2期間において、駆動ICチップ2と第3スイッチ群SWG3との間の各ビデオ線VLは何れもフローティングとなり、各ビデオ線VLの電位に起因した不要な容量形成の発生を低減することができる。なお、第2期間において、全てあるいは一部のスイッチSW4とスイッチSW5とをオフとし、これにより全てあるいは一部の信号線Sをフローティングとしても良い。 In the second period of sensing, each video line VL between the drive IC chip 2 and the third switch group SWG3 becomes floating, reducing the occurrence of unnecessary capacitance formation due to the potential of each video line VL. be able to. In the second period, all or part of the switch SW4 and the switch SW5 may be turned off, whereby all or part of the signal line S may be floated.

駆動対象の駆動電極TXは、駆動電極TX1から駆動電極TXnに向けて順番に選定されても良いし、他の順番に選定されても良い。また、複数の駆動電極TXが同時に駆動対象として選定されても良い。さらに、1回の第2期間において駆動電極TX1乃至TXnが1通り駆動対象として選定されるようにしても良いし、2回以上の第2期間に分散して駆動電極TX1乃至TXnが駆動対象として選定されるようにしても良い。 The drive electrode TX to be driven may be selected in order from the drive electrode TX1 toward the drive electrode TXn, or may be selected in another order. Further, a plurality of drive electrodes TX may be selected as drive targets at the same time. Further, the drive electrodes TX1 to TXn may be selected as one drive target in one second period, or the drive electrodes TX1 to TXn may be dispersed in two or more second periods and the drive electrodes TX1 to TXn may be selected as drive targets. It may be selected.

図13は、駆動電極TX1及び金属配線MA1の接続関係を示す平面図である。
図示した例では、駆動電極TX1は、第1方向Xに突出した突出部T1及びT2を有している。突出部T1及びT2は、非表示領域NDAに配置され、図12に示した駆動電極TX2とは間隔をおいて配置されている。金属配線MA1は、図12に示したように駆動電極TX1と駆動電極TX2との間の間隙GPに重なる位置に配置されている。金属配線MA1は、一端側で、突出部T1と重なって形成されたコンタクトホールCHDaを介して突出部T1と接続されている。また、金属配線MA1は、他端側で、突出部T2と重なって形成されたコンタクトホールCHDbを介して突出部T2と接続されている。なお、コンタクトホールCHDa及びCHDbは、図5に示したコンタクトホールCHbと同様に第5絶縁膜15に形成されている。
FIG. 13 is a plan view showing the connection relationship between the drive electrode TX1 and the metal wiring MA1.
In the illustrated example, the drive electrode TX1 has protrusions T1 and T2 protruding in the first direction X. The protrusions T1 and T2 are arranged in the non-display region NDA, and are arranged at intervals from the drive electrode TX2 shown in FIG. As shown in FIG. 12, the metal wiring MA1 is arranged at a position overlapping the gap GP between the drive electrode TX1 and the drive electrode TX2. The metal wiring MA1 is connected to the protrusion T1 on one end side via a contact hole CHDa formed so as to overlap the protrusion T1. Further, the metal wiring MA1 is connected to the protruding portion T2 on the other end side via a contact hole CHDb formed so as to overlap the protruding portion T2. The contact holes CHDa and CHDb are formed in the fifth insulating film 15 in the same manner as the contact holes CHb shown in FIG.

金属配線MCは、間隙GPと重なる位置とは異なる位置で駆動電極TX1と重なって配置されている。金属配線MCは、表示領域DAにおいて、コンタクトホールCHCを介して駆動電極TX1と接続されている。なお、コンタクトホールCHCは、図5に示したコンタクトホールCHbと同様に第5絶縁膜15に形成されている。
上記のように、金属配線MA1は、非表示領域NDAにおいて検出電極TX1と接続されている。
The metal wiring MC is arranged so as to overlap the drive electrode TX1 at a position different from the position where the metal wiring MC overlaps the gap GP. The metal wiring MC is connected to the drive electrode TX1 via the contact hole CHC in the display area DA. The contact hole CHC is formed on the fifth insulating film 15 in the same manner as the contact hole CHb shown in FIG.
As described above, the metal wiring MA1 is connected to the detection electrode TX1 in the non-display region NDA.

図14は、駆動電極TX1及び金属配線MA1の接続関係の他の実施例を示す平面図である。図14は、図13に示した構成と比較して、金属配線MA1が接続電極MDと接続されている点で相違している。
金属配線MA1及びMCは、非表示領域NDAまで延出して配置されている。接続電極MDは、非表示領域NDAにおいて、金属配線MA1及びMCと接続されている。すなわち、金属配線MA1、金属配線MC、及び接続電極MDは、同電位となる。また、金属配線MA1、金属配線MC、及び接続電極MDは、コンタクトホールCHCを介して駆動電極TX1と接続されている。接続電極MD、金属配線MA1、及び金属配線MCは、図4に示した金属配線M1乃至M4と同様に第4絶縁膜14の上に配置されている。また、接続電極MD、金属配線MA1、及び金属配線MCは、例えば、同一材料で形成されている。
上記のように、金属配線MA1は、非表示領域NDAにおいて検出電極TX1と接続されている。
FIG. 14 is a plan view showing another embodiment of the connection relationship between the drive electrode TX1 and the metal wiring MA1. FIG. 14 is different from the configuration shown in FIG. 13 in that the metal wiring MA1 is connected to the connection electrode MD.
The metal wiring MA1 and MC are arranged so as to extend to the non-display area NDA. The connection electrode MD is connected to the metal wiring MA1 and MC in the non-display region NDA. That is, the metal wiring MA1, the metal wiring MC, and the connection electrode MD have the same potential. Further, the metal wiring MA1, the metal wiring MC, and the connection electrode MD are connected to the drive electrode TX1 via the contact hole CHC. The connection electrode MD, the metal wiring MA1, and the metal wiring MC are arranged on the fourth insulating film 14 in the same manner as the metal wirings M1 to M4 shown in FIG. Further, the connection electrode MD, the metal wiring MA1, and the metal wiring MC are made of, for example, the same material.
As described above, the metal wiring MA1 is connected to the detection electrode TX1 in the non-display region NDA.

以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置及びセンサ装置を得ることができる。 As described above, according to the present embodiment, it is possible to obtain a display device and a sensor device capable of suppressing deterioration of display quality.

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although some embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other embodiments, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and variations thereof are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the scope of the invention described in the claims and the equivalent scope thereof.

DSP…表示装置 S1〜S4…信号線 M1〜M4…金属配線
14…第4絶縁膜 15…第5絶縁膜 CE1、CE2…共通電極 GP…間隙
PE1〜PE6…画素電極 CHa、CHb、CHc、CHd…コンタクトホール。
DSP ... Display device S1 to S4 ... Signal line M1 to M4 ... Metal wiring
14 ... 4th insulating film 15 ... 5th insulating film CE1, CE2 ... Common electrode GP ... Gap
PE1 to PE6 ... Pixel electrodes CHa, CHb, CHc, CHd ... Contact holes.

Claims (4)

画像を表示する表示領域と、
第1信号線と、
前記第1信号線と交差し、第1方向に延出する走査線と、
無機絶縁膜と、
前記第1信号線に重なり、前記第1信号線と平行に延出しており、前記無機絶縁膜の第1面に接する第1金属配線と、
前記無機絶縁膜の前記第1面と反対の第2面に接する第1共通電極及び第2共通電極と、を備え、
前記第1共通電極と前記第2共通電極との間の間隙は、前記第1信号線及び前記第1金属配線と重なり、
前記第1金属配線は、前記第1共通電極と接続され、
前記第1共通電極は、前記第1方向に突出する第1突出部と第2突出部を有し、
前記間隙は前記第1突出部と前記第2突出部の間に位置し、
前記第1金属配線は、前記第1突出部が設けられる位置において、前記無機絶縁膜に形成された第1コンタクトホールを介して前記第1共通電極に接続され、
前記第1金属配線は、前記第2突出部が設けられる位置において、前記無機絶縁膜に形成された第2コンタクトホールを介して前記第1共通電極に接続される、表示装置。
The display area for displaying images and
The first signal line and
A scanning line that intersects the first signal line and extends in the first direction,
Inorganic insulating film and
A first metal wiring that overlaps with the first signal line, extends in parallel with the first signal line, and is in contact with the first surface of the inorganic insulating film.
A first common electrode and a second common electrode in contact with a second surface opposite to the first surface of the inorganic insulating film are provided.
The gap between the first common electrode and the second common electrode overlaps with the first signal line and the first metal wiring.
The first metal wiring is connected to the first common electrode and is connected to the first metal wiring .
The first common electrode has a first protruding portion and a second protruding portion protruding in the first direction.
The gap is located between the first protrusion and the second protrusion.
The first metal wiring is connected to the first common electrode via a first contact hole formed in the inorganic insulating film at a position where the first protrusion is provided.
The first metal wiring is a display device connected to the first common electrode via a second contact hole formed in the inorganic insulating film at a position where the second protrusion is provided.
画像を表示する表示領域と、 The display area for displaying images and
前記表示領域を囲む非表示領域と、 A non-display area surrounding the display area and
第1信号線と、 The first signal line and
前記第1信号線と交差し、第1方向に延出する走査線と、 A scanning line that intersects the first signal line and extends in the first direction,
無機絶縁膜と、 Inorganic insulating film and
前記第1信号線に重なり、前記第1信号線と平行に延出しており、前記無機絶縁膜の第1面に接する第1金属配線と、 A first metal wiring that overlaps with the first signal line, extends in parallel with the first signal line, and is in contact with the first surface of the inorganic insulating film.
前記無機絶縁膜の前記第1面と反対の第2面に接する第1共通電極及び第2共通電極と、 The first common electrode and the second common electrode in contact with the second surface opposite to the first surface of the inorganic insulating film,
前記無機絶縁膜の前記第1面に接する第2金属配線と接続電極と、 A second metal wiring and a connection electrode in contact with the first surface of the inorganic insulating film,
を備え、Equipped with
前記第1共通電極と前記第2共通電極との間の間隙は、前記第1信号線及び前記第1金属配線と重なり、 The gap between the first common electrode and the second common electrode overlaps with the first signal line and the first metal wiring.
前記第1金属配線は、前記第1共通電極と接続され、 The first metal wiring is connected to the first common electrode and is connected to the first metal wiring.
前記第2金属配線は、前記第1金属配線と平行に延出し、前記無機絶縁膜に形成される第3コンタクトホールを介して前記第1共通電極に接続されており、 The second metal wiring extends in parallel with the first metal wiring and is connected to the first common electrode via a third contact hole formed in the inorganic insulating film.
前記第1金属配線と前記第2金属配線は、前記第1方向に延出する前記接続電極により互いに接続され、 The first metal wiring and the second metal wiring are connected to each other by the connection electrode extending in the first direction.
前記第3コンタクトホールは前記表示領域に位置し、 The third contact hole is located in the display area and is located in the display area.
前記接続電極は前記非表示領域に位置する、表示装置。 A display device in which the connection electrode is located in the non-display area.
前記無機絶縁膜の前記第1面に接する画素電極を備え、
前記画素電極は前記第1共通電極に対向する、請求項又はに記載の表示装置。
A pixel electrode in contact with the first surface of the inorganic insulating film is provided.
The display device according to claim 1 or 2 , wherein the pixel electrode faces the first common electrode.
前記表示領域を囲む非表示領域を備え、
前記第1突出部及び前記第2突出部は、前記非表示領域に位置する、請求項に記載の表示装置。
A non-display area surrounding the display area is provided.
The display device according to claim 1 , wherein the first protruding portion and the second protruding portion are located in the non-display area.
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