JP6975959B2 - Arylamine derivatives, hole transport materials using them, and organic EL devices - Google Patents

Arylamine derivatives, hole transport materials using them, and organic EL devices Download PDF

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本発明は、高い三重項エネルギーを有するアリールアミン誘導体、それを用いたホール輸送材料及び有機EL素子に関する。 The present invention relates to an arylamine derivative having a high triplet energy, a hole transport material using the arylamine derivative, and an organic EL device.

有機EL素子では、一対の電極間に電圧を印加することにより、陽極から正孔が、陰極から電子が、発光材料として有機化合物を含む発光層にそれぞれ注入され、注入された電子及び正孔が再結合することによって、発光性の有機化合物中に励起子が形成され、励起された有機化合物から発光を得ることができる。 In an organic EL element, by applying a voltage between a pair of electrodes, holes from the anode and electrons from the cathode are injected into a light emitting layer containing an organic compound as a light emitting material, and the injected electrons and holes are discharged. By recombination, excitons are formed in the luminescent organic compound, and light emission can be obtained from the excited organic compound.

このような有機EL素子の実用性を向上させる手段の一つは、発光効率を上げることにある。有機化合物が形成する励起子には、一重項励起子(ES1)及び三重項励起子(ET1)があり、一重項励起子(ES1)からの蛍光発光と、三重項励起子(ET1)からのリン光発光とがあるが、素子におけるこれらの統計的な生成比率は、ES1:ET1=1:3であり、蛍光発光を用いる有機EL素子では内部量子効率25%が限界といわれる。そのため、電子からフォトンへの変換効率(内部量子効率)を向上させるべく、三重項励起状態を発光に変換することが可能なリン光材料が開発され、最近、このリン光発光を利用した有機EL素子が報告されている。 One of the means for improving the practicality of such an organic EL element is to increase the luminous efficiency. The excitons organic compound forms, there are singlet excitons (E S1) and triplet exciton (E T1), and the fluorescence emission from singlet excitons (E S1), triplet excitons (E There is phosphorescent emission from T1 ), but the statistical generation ratio of these in the element is E S1 : E T1 = 1: 3, and the internal quantum efficiency of 25% is the limit for organic EL elements using fluorescent emission. It is said that. Therefore, in order to improve the conversion efficiency from electrons to photons (internal quantum efficiency), a phosphorescent material capable of converting the triplet excited state into light emission has been developed, and recently, an organic EL using this phosphorescent light emission has been developed. The element has been reported.

前記リン光材料としては、イリジウム、白金、レニウム、オスミウムなどの金属錯体があるが、発光特性や安定性などの観点から、Ir(ppy)3(トリス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III);緑色材料)や、Ir(Fppy)3(トリス[2−(2,4−ジフルオロフェニル)ピリジン]イリジウム(III);青色材料)などに代表される、キレート型有機配位子を有するイリジウム錯体が知られており、これらの金属錯体をホスト材料にドーピングすることでキャリア密度を高め、電荷移動性を改良し、励起子を生成している。 The phosphorescent material includes metal complexes such as iridium, platinum, renium, and osmium, but from the viewpoint of light emission characteristics and stability, Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridinato) iridium (III) ); Iridium having a chelate-type organic ligand represented by Ir (Fppy) 3 (tris [2- (2,4-difluorophenyl) pyridine] iridium (III); blue material) Complexes are known, and by doping the host material with these metal complexes, the carrier density is increased, the charge transfer property is improved, and excitons are generated.

また、熱活性化遅延蛍光(TADF)の利用も、有機EL素子の高性能化に重要である。TADF材料は蛍光材料でありながら、リン光材料と同様、理論上100%の励起子生成確率を実現することが可能であり、高効率化に有用である。さらにイリジウムや白金などの貴金属が不要な分子設計につき、開発の低コスト化が可能である。したがって、このTADFを利用した発光材料を開発することにより、低コストでかつ、高効率の発光素子が得られると考えられる。 The use of Thermally Activated Delayed Fluorescence (TADF) is also important for improving the performance of organic EL devices. Although the TADF material is a fluorescent material, it is theoretically possible to realize 100% exciton generation probability like the phosphorescent material, which is useful for improving efficiency. Furthermore, it is possible to reduce the development cost for molecular design that does not require precious metals such as iridium and platinum. Therefore, by developing a light-emitting material using this TADF, it is considered that a low-cost and high-efficiency light-emitting element can be obtained.

一方、ホスト材料としては、電子輸送性を有する材料やホール輸送性を有する材料など、様々なキャリア輸送材料を用いることができる。しかしながら、例えば、代表的なホール輸送材料であるα−NPDは、耐久性は高いが、三重項エネルギーが低く(T1=2.28eV)、リン光またはTADF有機EL素子には不向きである。そのため、高い三重項エネルギーを有するワイドギャップホール輸送材料の開発が検討されている。2013年、深川らはアリールアミン誘導体の末端にジベンゾチオフェンを導入したDBTPBを開発し、緑色リン光素子でα−NPDの約1.5倍の高効率化、及び約2倍程度の長寿命化を実現した(非特許文献1)。しかしながら、そのT1は2.37eV程度であり、Ir(ppy)3(T1=2.53eV)のような代表的な緑色リン光ドーパントや、青色リン光、または緑・青色TADFドーパントとしての利用には不十分であり、高耐久性かつ高いT1を併せ持つホール輸送材料の開発は依然として課題である。 On the other hand, as the host material, various carrier transport materials such as a material having electron transport property and a material having hole transport property can be used. However, for example, α-NPD, which is a typical hole transport material, has high durability but low triplet energy (T 1 = 2.28 eV), and is not suitable for phosphorescence or TADF organic EL devices. Therefore, the development of wide-gap hole transport materials with high triplet energy is being studied. In 2013, Fukagawa et al. Developed DBTPB in which dibenzothiophene was introduced at the end of an arylamine derivative, which made the green phosphorescent element about 1.5 times more efficient than α-NPD and about 2 times longer life. (Non-Patent Document 1). However, its T 1 is about 2.37 eV, and it can be used as a typical green phosphorescent dopant such as Ir (ppy) 3 (T 1 = 2.53 eV), blue phosphorescent light, or a green / blue TADF dopant. Insufficient for utilization, the development of hole transport materials with high durability and high T 1 remains a challenge.

H. Fukagawa et al., Appl. Phys. Chem., 2013, 103, 143306H. Fukagawa et al., Appl. Phys. Chem., 2013, 103, 143306

本発明は、有機EL素子のホスト材料となりうる、高い三重項エネルギーを有するアリールアミン誘導体、並びにこれを用いたホール輸送材料及び有機EL素子を提供することを課題とする。 An object of the present invention is to provide an arylamine derivative having high triplet energy, which can be a host material for an organic EL element, and a hole transport material and an organic EL element using the arylamine derivative.

本発明は以下の事項からなる。
本発明のアリールアミン誘導体は、下記一般式(1)で表されることを特徴とする。

Figure 0006975959
一般式(1)中、Ar1〜Ar5は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、又は下記一般式(2)で表される置換基である。
Figure 0006975959
一般式(2)中、R1〜R5は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のアルキル基、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のアルコキシ基、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のモノアルキルアミノ基、又は、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のジアルキルアミノ基であり、Xは酸素原子、硫黄原子、又は−CR67−基(R6及びR7−は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のアルキル基、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のアルコキシ基、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のモノアルキルアミノ基、又は、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のジアルキルアミノ基である。)である。
Xは、酸素原子又は硫黄原子であることが好ましい。
Xは、酸素原子又は硫黄原子であり、かつ、一般式(1)中、R1〜R5は水素原子又はフェニル基であることが好ましい。
本発明のホール輸送材料は、上記アリールアミン誘導体を用いたものであることを特徴とする。
本発明の有機EL素子は、上記アリールアミン誘導体を用いたものであることを特徴とする。 The present invention comprises the following matters.
The arylamine derivative of the present invention is characterized by being represented by the following general formula (1).
Figure 0006975959
In the general formula (1), Ar 1 to Ar 5 are aryl groups that may independently have substituents, or substituents represented by the following general formula (2).
Figure 0006975959
In the general formula (2), R 1 to R 5 each independently have an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in a hydrogen atom, a straight chain or a branched chain, and 1 to 6 carbon atoms in a straight chain or a branched chain. An alkoxy group, a monoalkylamino group having 1 to 6 carbon atoms in a linear or branched chain, or a dialkylamino group having 1 to 6 carbon atoms in a linear or branched chain, where X is an oxygen atom or a sulfur atom. Or −CR 6 R 7 − groups (R 6 and R 7 − are independently hydrogen atoms, linear or branched alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms, and linear or branched chains having 1 carbon atom. It is an alkoxy group of ~ 6, a monoalkylamino group having 1 to 6 carbon atoms in a linear or branched chain, or a dialkylamino group having 1 to 6 carbon atoms in a linear or branched chain).
X is preferably an oxygen atom or a sulfur atom.
It is preferable that X is an oxygen atom or a sulfur atom, and in the general formula (1), R 1 to R 5 are hydrogen atoms or phenyl groups.
The whole transport material of the present invention is characterized by using the above arylamine derivative.
The organic EL device of the present invention is characterized by using the above arylamine derivative.

本発明のアリールアミン誘導体は、架橋ビフェニル部位、具体的にはジベンゾフラン、又はジベンゾチオフェンを末端部位及び中心骨格に有することにより、Tg>100℃以上の高い熱安定性、及びT1>2.6eV以上の高い三重項エネルギーを併せ持つことができ、リン光又はTADF有機素子の高効率化及び長寿命化を可能とする。
本発明のアリールアミン誘導体は、ホール輸送材料として好適に用いられる以外に、有機EL素子のその他の有機層、例えば、発光層中に発光材料と共に分散して用いてもよいし、電子輸送材料として用いてもよい。
The arylamine derivative of the present invention has a crosslinked biphenyl moiety, specifically dibenzofuran, or dibenzothiophene in the terminal moiety and central skeleton, so that it has high thermal stability of T g > 100 ° C. or higher, and T 1 > 2. It can also have a high triplet energy of 6 eV or more, and enables high efficiency and long life of phosphorescent or TADF organic elements.
In addition to being suitably used as a hole transport material, the arylamine derivative of the present invention may be dispersed in another organic layer of an organic EL element, for example, a light emitting layer together with a light emitting material, or may be used as an electron transport material. You may use it.

図1はHTM3の1HNMRスペクトルを表す。FIG. 1 represents a 1 HNMR spectrum of HTM3. 図2はHTM4の1HNMRスペクトルを表す。FIG. 2 represents the 1 HNMR spectrum of HTM4. 図3はHTM5の1HNMRスペクトルを表す。FIG. 3 represents the 1 HNMR spectrum of HTM5. 図4はHTM6の1HNMRスペクトルを表す。FIG. 4 shows the 1 HNMR spectrum of HTM6. 図5はHTM7の1HNMRスペクトルを表す。FIG. 5 shows the 1 HNMR spectrum of HTM7. 図6はHTM8の1HNMRスペクトルを表す。FIG. 6 represents the 1 HNMR spectrum of HTM8. 図7はHTM3〜HTM6のPYS測定結果を表す。FIG. 7 shows the PYS measurement results of HTM3 to HTM6. 図8はHTM3〜HTM6のUV−vis吸収スペクトルを表す。FIG. 8 shows the UV-vis absorption spectra of HTM3 to HTM6. 図9はHTM3〜HTM6のPLスペクトルを表す。FIG. 9 shows the PL spectra of HTM3 to HTM6. 図10は、ホール輸送層(HTL)にDBTPB、HTM4及びHTM6を使用した素子のJ−V特性(a)、J−V特性(線形)(b)、L−V特性(c)、及びCE−L特性(d)を表す。FIG. 10 shows JV characteristics (a), JV characteristics (linear) (b), LV characteristics (c), and CE of an element using DBTPB, HTM4, and HTM6 for the hole transport layer (HTL). -Represents the L characteristic (d). 図11は、ホール輸送層(HTL)にDBTPB、HTM4又はHTM6を使用した素子のPE−L特性(e)、EQE−L特性(f)、ELスペクトル(g)、及び素子寿命(h)を表す。FIG. 11 shows the PE-L characteristics (e), EQE-L characteristics (f), EL spectrum (g), and device life (h) of a device using DBTPB, HTM4, or HTM6 for the hole transport layer (HTL). show. 図12は、ホール輸送層(HTL)にDBTPB、又はHTM6を使用した素子のJ−V特性(a),J−V特性(線形)(b)、L−V特性(c)、CE−L特性(d)、PE−L特性(e)、及びEQE−L特性(f)を表す。FIG. 12 shows JV characteristics (a), JV characteristics (linear) (b), LV characteristics (c), and CE-L of an element using DBTPB or HTM6 for the hole transport layer (HTL). It represents the characteristic (d), the PE-L characteristic (e), and the EQE-L characteristic (f). 図13は、ホール輸送層(HTL)にDBTPB、又はHTM6を使用した素子のELスペクトルを表す。FIG. 13 shows the EL spectrum of an element using DBTPB or HTM6 for the hole transport layer (HTL). 図14は実施例の有機EL素子の構成を示す。FIG. 14 shows the configuration of the organic EL element of the embodiment.

以下、本発明について、詳細に説明する。
[アリールアミン誘導体]
本発明のアリールアミン誘導体は、下記一般式(1)で表される。

Figure 0006975959
一般式(1)中、Ar1〜Ar5は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、又は下記一般式(2)で表される置換基である。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
[Arylamine derivative]
The arylamine derivative of the present invention is represented by the following general formula (1).
Figure 0006975959
In the general formula (1), Ar 1 to Ar 5 are aryl groups that may independently have substituents, or substituents represented by the following general formula (2).

Figure 0006975959
一般式(2)中、R1〜R5は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のアルキル基、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のアルコキシ基、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のモノアルキルアミノ基、又は、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のジアルキルアミノ基であり、Xは酸素原子、硫黄原子、又は−CR67−基(R6及びR7−は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のアルキル基、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のアルコキシ基、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のモノアルキルアミノ基、又は、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のジアルキルアミノ基である。)である。
Figure 0006975959
In the general formula (2), R 1 to R 5 each independently have an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in a hydrogen atom, a straight chain or a branched chain, and 1 to 6 carbon atoms in a straight chain or a branched chain. An alkoxy group, a monoalkylamino group having 1 to 6 carbon atoms in a linear or branched chain, or a dialkylamino group having 1 to 6 carbon atoms in a linear or branched chain, where X is an oxygen atom or a sulfur atom. Or −CR 6 R 7 − groups (R 6 and R 7 − are independently hydrogen atoms, linear or branched alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms, and linear or branched chains having 1 carbon atom. It is an alkoxy group of ~ 6, a monoalkylamino group having 1 to 6 carbon atoms in a linear or branched chain, or a dialkylamino group having 1 to 6 carbon atoms in a linear or branched chain).

Ar1〜Ar5について、置換基を有していてもよいアリール基とは、炭素原子数6〜22の芳香族置換基である。前記芳香族置換基は、炭化水素環及び複素環のいずれでもよく、単環又は縮合環のいずれでもよい。
Ar1〜Ar5のうち、Ar1、Ar2、Ar4及びAr5は、結合手を1つ有する基であり、具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、トリフェニレニル基、ターフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾール基、及びインドロカルバゾール基等が挙げられる。このうち、ジベンゾフラニル基、及びジベンゾチオフェニル基が好ましく、1−ジベンゾフラニル基、及び1−ジベンゾチオフェニル基がより好ましい。
Ar3は結合手を2つ有する基であり、具体的には、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフタレニレン基、アントラセニレン基、フェナントレニレン基、トリフェニレニレン基、ターフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、カルバゾール基、及びインドロカルバゾール基等が挙げられる。このうち、ジベンゾフラニレン基、及びジベンゾチオフェニレン基が好ましく、3,6−ジベンゾフラニレン基、及び3,6−ジベンゾチオフェニレン基がより好ましい。
アリール基が有してもよい置換基とは、例えば、アルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フェナントロリル基、アセチル基、シアノ基などが挙げられる。
For Ar 1 to Ar 5 , the aryl group which may have a substituent is an aromatic substituent having 6 to 22 carbon atoms. The aromatic substituent may be either a hydrocarbon ring or a heterocycle, and may be either a monocyclic ring or a condensed ring.
Of Ar 1 ~Ar 5, Ar 1, Ar 2, Ar 4 and Ar 5 is one having groups a bond, specifically, a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group , Triphenylenyl group, terphenyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, carbazole group, indolocarbazole group and the like. Of these, a dibenzofuranyl group and a dibenzothiophenyl group are preferable, and a 1-dibenzofuranyl group and a 1-dibenzothiophenyl group are more preferable.
Ar 3 is a group having two binders, specifically, a phenylene group, a biphenylene group, a naphthaleneylene group, an anthrasenylene group, a phenanthrenylene group, a triphenyleneylene group, a terphenylene group, a dibenzofuranylene group, Examples thereof include a dibenzothiophenylene group, a carbazole group, an indolocarbazole group and the like. Of these, a dibenzofuranylene group and a dibenzothiophenylene group are preferable, and a 3,6-dibenzofuranylene group and a 3,6-dibenzothiophenylene group are more preferable.
Examples of the substituent that the aryl group may have include an alkyl group, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a phenanthrolyl group, an acetyl group, a cyano group and the like.

1〜R5について、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のアルキル基には、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、2−プロピル基、ブチル基、イソブチル基、及びt−ブチル基等が挙げられる。
直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のアルコキシ基には、炭素原子数1〜6のアルコキシ基、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、2−プロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、及びt−ブトキシ基等が挙げられる。
直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のモノアルキルアミノ基には、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、1−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、シクロプロピルアミノ基、1−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、s−ブチルアミノ基、t−ブチルアミノ基、シクロブチルアミノ基、1−ペンチルアミノ基、2−ペンチルアミノ基、3−ペンチルアミノ基、イソペンチルアミノ基、ネオペンチルアミノ基、1−ヘキシルアミノ基、2−ヘキシルアミノ基、3−ヘキシルアミノ基、及びピペリジニル基等が挙げられる。
直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のジアルキルアミノ基には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジペンチルアミノ基、及びジヘキシルアミノ基等が挙げられる。
これらのうち、R1〜R5は水素原子又はフェニル基であることがより好ましい。
For R 1 to R 5 , the alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms in the linear or branched chains include, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a 2-propyl group, a butyl group, and an isobutyl group. And t-butyl group and the like.
Alkoxy groups having 1 to 6 carbon atoms in a linear or branched chain include alkoxy groups having 1 to 6 carbon atoms, specifically, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a 2-propoxy group, and a butoxy group. Examples thereof include an isobutoxy group and a t-butoxy group.
The monoalkylamino group having 1 to 6 carbon atoms in the linear or branched chain includes, for example, a methylamino group, an ethylamino group, a 1-propylamino group, an isopropylamino group, a cyclopropylamino group, and a 1-butylamino group. , Isobutylamino group, s-butylamino group, t-butylamino group, cyclobutylamino group, 1-pentylamino group, 2-pentylamino group, 3-pentylamino group, isopentylamino group, neopentylamino group, Examples thereof include 1-hexylamino group, 2-hexylamino group, 3-hexylamino group, piperidinyl group and the like.
Examples of the dialkylamino group having 1 to 6 carbon atoms in the linear or branched chain include a dimethylamino group, a diethylamino group, a dipropylamino group, a dibutylamino group, a dipentylamino group, and a dihexylamino group.
Of these, R 1 to R 5 are more preferably hydrogen atoms or phenyl groups.

Xは酸素原子、硫黄原子、又は−CR67−基である。−CR67−基において、R6及びR7−は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のアルキル基、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のアルコキシ基、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のモノアルキルアミノ基、又は、直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜6のジアルキルアミノ基である。
上記アルキル基、アルコキシ基、モノアルキルアミノ基又はジアルキルアミノ基は、R1〜R5について上記したものと同じである。
X is an oxygen atom, a sulfur atom, or -CR 6 R 7 - is a group. In −CR 6 R 7 − groups, R 6 and R 7 − are independently hydrogen atoms, linear or branched alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms, and linear or branched chains having 1 carbon atom. It is an alkoxy group of ~ 6, a monoalkylamino group having 1 to 6 carbon atoms in a linear or branched chain, or a dialkylamino group having 1 to 6 carbon atoms in a linear or branched chain.
The above-mentioned alkyl group, alkoxy group, monoalkylamino group or dialkylamino group are the same as those described above for R 1 to R 5.

上記アリールアミン誘導体はπ共役系を有する。π共役系を持つ分子は可視領域に光吸収帯を有し、その多くが色素として機能しうることが知られている。さらに、このような分子に官能基を適宜付加して電子的性質を変えることで、エネルギーギャップを調節することができる。すなわち、本発明では、アリールアミン誘導体における、一重項励起状態(ES1)と三重項励起状態(ET1)とのエネルギーギャップをできるだけ小さくするよう分子設計することで、いったん三重項励起状態に移ったエネルギーを、再び一重項励起状態に戻すことが可能となり、効率の高い蛍光を取り出すことができる。よって、本発明のアリールアミン誘導体は、緑色蛍光材料として、例えば、ピーク波長514nmのリン光発光材料Ir(ppy)3を用いた緑色リン光素子に好適に用いられる。 The arylamine derivative has a π-conjugated system. It is known that molecules having a π-conjugated system have a light absorption band in the visible region, and many of them can function as dyes. Furthermore, the energy gap can be adjusted by appropriately adding a functional group to such a molecule to change its electronic properties. That is, in the present invention, the arylamine derivative, by molecular design to minimize the energy gap between the singlet excited state (E S1) and a triplet excited state (E T1), once it moved to the triplet excited state The energy can be returned to the singlet excited state again, and highly efficient fluorescence can be extracted. Therefore, the arylamine derivative of the present invention is suitably used as a green fluorescent material, for example, in a green phosphorescent device using a phosphorescent light emitting material Ir (ppy) 3 having a peak wavelength of 514 nm.

上記一般式(1)で表されるアリールアミン誘導体は、具体的には、以下の構造式で表される化合物であることがより好ましい。

Figure 0006975959
The arylamine derivative represented by the general formula (1) is more preferably a compound represented by the following structural formula.
Figure 0006975959

本発明のアリールアミン誘導体は、例えば、以下に示す方法により製造することができる。HTM−4の製造方法を一例に示す。

Figure 0006975959
The arylamine derivative of the present invention can be produced, for example, by the method shown below. The manufacturing method of HTM-4 is shown as an example.
Figure 0006975959

4−ブロモジベンゾフラン及びアニリンを脱水1,4−ジオキサン中で、Pd(0)及び塩基の存在下で攪拌した後、N−ヘテロ環状カルベン(NHC)配位子として、1,3−ビス(2,6−ジイソプロピルフェニル)イミダゾリニウムクロリドを添加し、4−フェニルアミノジベンゾフランを得る。その後、2当量の4−フェニルアミノジベンゾフラン及び2,8−ジブロモジベンゾチオフェンを脱水トルエン中で、塩基の存在下に攪拌した後、Pd(0)及びトリ−t−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラートを添加してさらに攪拌することにより、良好な収率でHTM−4を得る。
なお、本発明のアリールアミン誘導体は、上記の方法のほか、種々の公知の方法で製造することができる。
After stirring 4-bromodibenzofuran and aniline in dehydrated 1,4-dioxane in the presence of Pd (0) and a base, 1,3-bis (2) as an N-heterocyclic carbene (NHC) ligand. , 6-Diisopropylphenyl) Add imidazolinium chloride to give 4-phenylaminodibenzofuran. Then, 2 equivalents of 4-phenylaminodibenzofuran and 2,8-dibromodibenzothiophene were stirred in dehydrated toluene in the presence of a base, and then Pd (0) and tri-t-butylphosphonium tetrafluoroborate were added. Then, by further stirring, HTM-4 is obtained in a good yield.
The arylamine derivative of the present invention can be produced by various known methods in addition to the above methods.

[ホール輸送材料、有機EL素子]
本発明のホール輸送材料、及び有機EL素子は、上記アリールアミン誘導体を用いたものである。
上記有機EL素子は、電極間に有機層を一層又は二層以上積層した構造であり、例えば、(i)電極2/ホール輸送層4/発光層5/電子輸送層7/電極2’、又は(ii)電極2/ホール輸送層4/発光層5/電子輸送層7/電子注入層/電極2’がこの順に積層した構造を有する。図14は、実施例の有機EL素子の層構造を示すものであり、基板1上に電極2を成膜し、その上にホール注入輸送層3、ホール輸送層4、発光層5、正孔阻止層6、電子輸送層6、及び電極2’がこの順に積層した構造を示している。なお、有機層とは、電極以外の層、すなわち、ホール注入輸送層、ホール輸送層、発光層、正孔阻止層、及び電子輸送層等を指す。
[Hole transport material, organic EL element]
The hole transport material and the organic EL device of the present invention use the above arylamine derivative.
The organic EL element has a structure in which one or more organic layers are laminated between electrodes. For example, (i) electrode 2 / hole transport layer 4 / light emitting layer 5 / electron transport layer 7 / electrode 2', or (Ii) It has a structure in which the electrode 2 / hole transport layer 4 / light emitting layer 5 / electron transport layer 7 / electron injection layer / electrode 2'are laminated in this order. FIG. 14 shows the layer structure of the organic EL element of the embodiment, in which an electrode 2 is formed on a substrate 1, and a hole injection transport layer 3, a hole transport layer 4, a light emitting layer 5, and holes are formed on the electrode 2. The blocking layer 6, the electron transport layer 6, and the electrode 2'show a structure in which they are laminated in this order. The organic layer refers to a layer other than the electrode, that is, a hole injection transport layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, and the like.

基板1には、透明かつ平滑であって、少なくとも70%以上の全光線透過率を有するものが用いられ、具体的には、フレキシブルな透明基板である、数μm厚のガラス基板や特殊な透明プラスチック等が用いられる。 The substrate 1 is transparent and smooth, and has a total light transmittance of at least 70%. Specifically, it is a flexible transparent substrate, such as a glass substrate having a thickness of several μm or a special transparent substrate. Plastic or the like is used.

基板1上に形成される、電極2、ホール注入輸送層3、ホール輸送層4、発光層5、正孔阻止層6、電子輸送層7、電極2’といった薄膜は、真空蒸着法又は塗布法で積層される。真空蒸着法を用いる場合、通常10-3Pa以下に減圧した雰囲気で、蒸着物を加熱して行う。各層の膜厚は、層の種類や使用する材料によって異なるが、通常、電極2、2’は100nm程度、発光層5を含む他の有機層は50nm未満である。 The thin films such as the electrode 2, the hole injection transport layer 3, the hole transport layer 4, the light emitting layer 5, the hole blocking layer 6, the electron transport layer 7, and the electrode 2'formed on the substrate 1 are formed by a vacuum deposition method or a coating method. It is laminated with. When the vacuum vapor deposition method is used, the vapor deposition is usually heated in an atmosphere reduced to 10 -3 Pa or less. The film thickness of each layer varies depending on the type of layer and the material used, but usually, the electrodes 2 and 2'are about 100 nm, and the other organic layer including the light emitting layer 5 is less than 50 nm.

電極2は、通常は陽極であり、仕事関数が大きく、また全光線透過率は通常80%以上であるものが用いられる。具体的には、陽極から発光した光を透過させるため、酸化インジウムスズ(ITO)やZnO等の透明導電性セラミックス、PEDOT/PSSやポリアニリン等の透明導電性高分子、その他の透明導電性材料が用いられる。陽極の膜厚は、通常10〜200nmである。 The electrode 2 is usually an anode, has a large work function, and usually has a total light transmittance of 80% or more. Specifically, in order to transmit the light emitted from the anode, transparent conductive ceramics such as indium tin oxide (ITO) and ZnO, transparent conductive polymers such as PEDOT / PSS and polyaniline, and other transparent conductive materials are used. Used. The film thickness of the anode is usually 10 to 200 nm.

発光層5には、有機EL素子で用いられる他の発光層と同様に、発光材料と共にホスト化合物を併用することが好ましい。発光材料には、例えば、リン光発光材料であるトリス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)(Ir(ppy)3)、ビス[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト−C2,N](ピコリナト)イリジウム(III)(FIrpic)、トリス[1−フェニルイソキノリン−C2,N]イリジウム(III)(Ir(piq)3)、及び熱活性化遅延蛍光材料である(4s,6s)−2,4,5,6−テトラ(9H−カルバゾール−9−イル)イソフタロニトリル(4CzIPN)、10,10’−(4,4’−スルホニルビス(4,1−フェニレン))ビス(9,9−ジメチル−9,10−ジヒドロアクリジン))(DMAC−DPS)等が挙げられる。ホスト化合物には、例えば、ビス[2−(ジフェニルホスフィノ)フェニル]エーテルオキシド(DPEPO)、3,6−ビス(ジフェニルホルホリル)−9−フェニルカルバゾール(PO9)、4,4’−ビス(N−カルバゾリル)−1,1’−ビフェニル(CBP)、3,3’−ビス(N−カルバゾリル)−1,1’−ビフェニル(mCBP)、トリス(4−カルバゾイル−9−イルフェニル)アミン(TCTA)、2,8−ビス(ジフェニルホスホリル)ジベンゾチオフェン(PPT)、アダマンタン・アントラセン(Ad−Ant)、ルブレン、及び2,2’−ビ(9,10−ジフェニルアントラセン)(TPBA)等が挙げられる。 As with other light emitting layers used in organic EL devices, it is preferable to use a host compound together with the light emitting material in the light emitting layer 5. Examples of the light emitting material include tris (2-phenylpyridinato) iridium (III) (Ir (ppy) 3 ), which is a phosphorescent light emitting material, and bis [2- (4,6-difluorophenyl) pyridinato-C2. N] (picolinato) iridium (III) (FIrpic), Tris [1-phenylisoquinolin-C2, N] iridium (III) (Ir (piq) 3 ), and a thermalally activated delayed fluorescent material (4s, 6s). -2,4,5,6-tetra (9H-carbazole-9-yl) isophthalonitrile (4CzIPN), 10,10'-(4,4'-sulfonylbis (4,1-phenylene)) bis (9) , 9-dimethyl-9,10-dihydroacridin)) (DMAC-DPS) and the like. Host compounds include, for example, bis [2- (diphenylphosphino) phenyl] ether oxide (DPEPO), 3,6-bis (diphenylphorholyl) -9-phenylcarbazole (PO9), 4,4'-bis. (N-carbazolyl) -1,1'-biphenyl (CBP), 3,3'-bis (N-carbazolyl) -1,1'-biphenyl (mCBP), tris (4-carbazoyl-9-ylphenyl) amine (TCTA), 2,8-bis (diphenylphosphoryl) dibenzothiophene (PPT), adamantan anthracene (Ad-Ant), rubrene, and 2,2'-bi (9,10-diphenylanthracene) (TPBA), etc. Can be mentioned.

陽極から正孔を効率良く発光層に輸送するために陽極と発光層5の間に、ホール注入輸送層3や、ホール輸送層4が設けられる。
正孔注入輸送層3を構成する正孔注入輸送材料には、例えば、(ポリ(アリーレンエーテルケトン)含有トリフェニルアミン(KLHIP:PPBI)、ヘキサアザトリフェニレンカルボニトリル(HATCN)、PEDOT:PSS等が挙げられる。正孔注入輸送層3は、有機EL素子の駆動電圧を下げる効果を発揮する。正孔注入輸送層3の膜厚は、通常1〜20nmである。
A hole injection transport layer 3 and a hole transport layer 4 are provided between the anode and the light emitting layer 5 in order to efficiently transport holes from the anode to the light emitting layer.
Examples of the hole injection transport material constituting the hole injection transport layer 3 include (poly (allylen ether ketone) -containing triphenylamine (KLHIP: PPBI), hexaazatriphenylene carbonitrile (HATCN), PEDOT: PSS and the like. The hole injection transport layer 3 exerts an effect of lowering the driving voltage of the organic EL element. The thickness of the hole injection transport layer 3 is usually 1 to 20 nm.

電極2’は通常、陰極である。陰極から電子を効率良く発光層5に輸送するために、電極2’と発光層5の間に、正孔阻止層6や電子輸送層7が設けられる。電子輸送層7を形成する電子輸送材料には、例えば、8−ヒドロキシキノリノラトリチウム(Liq)、4,6−ビス(3,5−ジ(ピリジン−3−イル)フェニル)−2−メチルピリミジン(B3PymPm)、4,6−ビス(3,5−ジ(ピリジン−4−イル)フェニル)−2−フェニルピリミジン(B4PyPPm)、2−(4−ビフェニリル)−5−(p−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(tBu−PBD)、1,3−ビス[5−(4−t−ブチルフェニル)−2−[1,3,4]オキサジアゾリル]ベンゼン(OXD−7)、3−(ビフェニル−4−イル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−4−フェニル−4H−1,2,4−トリアゾール(TAZ)、バソクプロイン(BCP)、1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンズイミダゾール−2−イル)ベンゼン(TPBi)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(TAZ)等が挙げられる。これらのうち、TPBi及びTAZは、正孔阻止性に優れた電子輸送材料である。正孔阻止層6及び電子輸送層7の膜厚は、目的の設計に応じて適宜変更することができるが、通常3〜50nmである。 The electrode 2'is usually a cathode. In order to efficiently transport electrons from the cathode to the light emitting layer 5, a hole blocking layer 6 and an electron transporting layer 7 are provided between the electrode 2'and the light emitting layer 5. Examples of the electron transport material forming the electron transport layer 7 include 8-hydroxyquinolinolatrithium (Liq) and 4,6-bis (3,5-di (pyridine-3-yl) phenyl) -2-methyl. Pyrimidine (B3PymPm), 4,6-bis (3,5-di (pyridine-4-yl) phenyl) -2-phenylpyrimidin (B4PyPPm), 2- (4-biphenylyl) -5- (pt-butyl) Phenyl) -1,3,4-oxadiazole (tBu-PBD), 1,3-bis [5- (4-t-butylphenyl) -2- [1,3,4] oxadiazolyl] benzene (OXD-) 7), 3- (biphenyl-4-yl) -5- (4-t-butylphenyl) -4-phenyl-4H-1,2,4-triazole (TAZ), bathocuproine (BCP), 1,3 5-Tris (1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl) benzene (TPBi), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5- (4-t-butylphenyl) -1,2,4 -Triazole (TAZ) and the like can be mentioned. Of these, TPBi and TAZ are electron transport materials having excellent hole blocking properties. The film thicknesses of the hole blocking layer 6 and the electron transporting layer 7 can be appropriately changed depending on the desired design, but are usually 3 to 50 nm.

電極2’には、仕事関数が低く(4eV以下)、かつ、化学的に安定なものが用いられる。具体的には、Al、MgAg合金、又は、AlLiやAlCa等のAlとアルカリ金属との合金等の陰極材料が用いられる。これらの陰極材料は、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法により成膜される。陰極の厚さは、通常10nm〜1μm、好ましくは50〜500nmである。 As the electrode 2', one having a low work function (4 eV or less) and chemically stable is used. Specifically, a cathode material such as an Al, MgAg alloy, or an alloy of Al and an alkali metal such as AlLi or AlCa is used. These cathode materials are formed by, for example, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a sputtering method, or an ion plating method. The thickness of the cathode is usually 10 nm to 1 μm, preferably 50 to 500 nm.

その他、正孔阻止層6、電子阻止層及び励起子阻止層等の層が、必要に応じてさらに形成される。 In addition, layers such as a hole blocking layer 6, an electron blocking layer, and an exciton blocking layer are further formed as needed.

以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は下記実施例により制限されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

〔アリールアミン誘導体の合成〕
合成物の同定に用いた機器及び測定条件は以下のとおりである。
(1)1H核磁気共鳴法(NMR)
日本電子(株)製、400MHz、JNM−EX270FT−NMR
(2)質量分析法(MS)
日本電子(株)製、JMS−K9[卓上 GCQMS]
[Synthesis of arylamine derivatives]
The equipment and measurement conditions used to identify the compound are as follows.
(1) 1 H Nuclear Magnetic Resonance Method (NMR)
JEMOL Ltd., 400MHz, JNM-EX270FT-NMR
(2) Mass spectrometry (MS)
JMS-K9 [Desktop GCQMS] manufactured by JEOL Ltd.

[合成例1]1,4−フェニルアミノジベンゾフランの合成

Figure 0006975959
[Synthesis Example 1] Synthesis of 1,4-phenylaminodibenzofuran
Figure 0006975959

25mlの三口フラスコに4−ブロモジベンゾフラン5.0g(20.3mmol)、アニリン2.3g(25.2mmol)、ナトリウムt−ブトキシド(t−BuONa)5.05g(52.7mmol)、及び脱水1,4−ジオキサン100mlを加えて1時間窒素バブリングした。その後、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)(Pd(dba)2)581mg(1.01mmol)、1,3−ビス(2,6−ジイソプロピルフェニル)イミダゾリニウムクロリド859mg(2.02mmol)を加えて窒素気流下、攪拌しながら2時間加熱還流を行った。TLCで原料の消費を確認後、MSで目的物の生成を確認し、反応液を常温に戻した後、水15mlを加えて攪拌した。その後、有機層をジエチルエーテルで抽出、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮し、褐色粘体を得た。得られた粘体をトルエン/ヘキサン混合溶媒(1:1)200mlに溶解させ、シリカゲル(ガラスフィルターに4cmほど積む)を通じて吸引ろ過、濃縮し黄白色固体を得た。得られた固体はエタノールを用いて再結晶精製し、白色固体を得た。目的物の同定はMS及び1H−NMRにて行った。
収量4.53g、収率86%
MS:[M]=259.3m/z
In a 25 ml three-necked flask, 5.0 g (20.3 mmol) of 4-bromodibenzofuran, 2.3 g (25.2 mmol) of aniline, 5.05 g (52.7 mmol) of sodium t-butoxide (t-BuONa), and dehydration 1, 100 ml of 4-dioxane was added and nitrogen bubbling was performed for 1 hour. Then, bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) (Pd (dba) 2 ) 581 mg (1.01 mmol) and 1,3-bis (2,6-diisopropylphenyl) imidazolinium chloride 859 mg (2.02 mmol) were added. In addition, the mixture was heated under reflux for 2 hours with stirring under a nitrogen stream. After confirming the consumption of the raw material by TLC, the formation of the target product was confirmed by MS, the reaction solution was returned to room temperature, 15 ml of water was added, and the mixture was stirred. Then, the organic layer was extracted with diethyl ether, washed with saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered and concentrated to obtain a brown viscous body. The obtained viscous body was dissolved in 200 ml of a toluene / hexane mixed solvent (1: 1), suction filtered through silica gel (stacked on a glass filter for about 4 cm), and concentrated to obtain a yellowish white solid. The obtained solid was recrystallized and purified using ethanol to obtain a white solid. The target product was identified by MS and 1 H-NMR.
Yield 4.53g, yield 86%
MS: [M] = 259.3m / z

[合成例2]1,4−フェニルアミノジベンゾチオフェンの合成

Figure 0006975959
[Synthesis Example 2] Synthesis of 1,4-phenylaminodibenzothiophene
Figure 0006975959

25mLの三口フラスコに4−ブロモジベンゾチオフェン1.00g(3.80mmol)、アニリン450μl(4.94mmol)、ナトリウムt−ブトキシド950mg(9.89mmol)、脱水トルエン20mlを加え、1時間窒素バブリングを行った。そこにトリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(Pd2(dba)3)170mg(0.19mmol)、トリ−t−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート([(t−Bu)3PH]+BF4 -)110mg(0.38mmol)を加え、2時間加熱還流を行った。反応混合物をTLC及びMassにて確認したところ、原料が消失し、目的物のピークが得られた。反応混合物を室温に戻し、トルエン抽出、ブライン洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン/ジクロロメタン=7/3)で精製し、目的物である4−フェニルアミノジベンゾチオフェンを951mg(3.45mmol)、収率91%で得た。目的物の同定はMS及び1H−NMRにて行った。 To a 25 mL three-necked flask, 1.00 g (3.80 mmol) of 4-bromodibenzothiophene, 450 μl (4.94 mmol) of aniline, 950 mg (9.89 mmol) of sodium t-butoxide, and 20 ml of dehydrated toluene were added, and nitrogen bubbling was performed for 1 hour. rice field. There, tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) (Pd 2 (dba) 3 ) 170 mg (0.19 mmol), tri-t-butylphosphonium tetrafluoroborate ([(t-Bu) 3 PH] + BF). 4 -) 110 mg of (0.38 mmol) followed by heating to reflux for 2 hours. When the reaction mixture was confirmed by TLC and Mass, the raw materials disappeared and the peak of the target product was obtained. The reaction mixture was returned to room temperature, extracted with toluene, washed with brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was distilled off. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent: hexane / dichloromethane = 7/3) to obtain 951 mg (3.45 mmol) of 4-phenylaminodibenzothiophene, which is the target product, in a yield of 91%. .. The target product was identified by MS and 1 H-NMR.

[実施例1]HTM3の合成

Figure 0006975959
[Example 1] Synthesis of HTM3
Figure 0006975959

50mlの四口フラスコに4−フェニルアミノジベンゾチオフェン2.75g(10mmol)、2,8−ジブロモジベンゾフラン1.63g(5.0mmol)、ナトリウムt−ブトキシド2.5g(26mmol)、脱水トルエン50mlを加えて1時間窒素バブリングした。その後、Pd2(dba)3460mg(0.5mmol)、トリ−t−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート(t−Bu3PH+BF4 -)290mg(1.0mmol)を加えて窒素気流下で攪拌しながら53時間加熱還流を行った。TLC及びMSで目的物の生成を確認した。反応液を常温に冷ました後、有機層をトルエンで抽出、ブラインで洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥、ろ過、濃縮し、褐色粘体を得た。得られた粘体をトルエン10mlに溶解させ、カラムに充填した。そのままシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:トルエン/ヘキサン=1/4)にて精製し、目的物を得た。
収量1.92g、収率54%
MS:[M+]=714.7m/z
図1に1HNMRの測定結果を示す。
To a 50 ml four-necked flask, add 2.75 g (10 mmol) of 4-phenylaminodibenzothiophene, 1.63 g (5.0 mmol) of 2,8-dibromodibenzofuran, 2.5 g (26 mmol) of sodium t-butoxide, and 50 ml of dehydrated toluene. Nitrogen bubbling for 1 hour. Then, Pd 2 (dba) 3 460mg (0.5mmol), tri -t- butyl phosphonium tetrafluoroborate (t-Bu 3 PH + BF 4 -) stirring 290 mg (1.0 mmol) was added to a nitrogen stream While heating and refluxing for 53 hours. The formation of the target product was confirmed by TLC and MS. After cooling the reaction solution to room temperature, the organic layer was extracted with toluene, washed with brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered and concentrated to obtain a brown viscous body. The obtained viscous body was dissolved in 10 ml of toluene and packed in a column. As it was, it was purified by silica gel column chromatography (developing solvent: toluene / hexane = 1/4) to obtain the desired product.
Yield 1.92g, yield 54%
MS: [M + ] = 714.7m / z
FIG. 1 shows the measurement results of 1 1 HNMR.

[実施例2]HTM4の合成

Figure 0006975959
[Example 2] Synthesis of HTM4
Figure 0006975959

25mlの四口フラスコに4−フェニルアミノジベンゾフラン1.16g(4.5mmol)、2,8−ジブロモジベンゾチオフェン0.51g(1.5mmol)、t−BuONa 1.13g(11.7mmol)、脱水トルエン20mlを加えて1時間窒素バブリングした。その後、Pd2(dba)3 210mg(0.23mmol)、トリ−t−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート130mg(0.45mmol)を加えて窒素気流下で13時間加熱還流を行った。TLC及びMSにて目的物の生成を確認し、反応液を常温に戻した。その後、有機層をトルエンで抽出、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮し、褐色粘体を得た。得られた粘体をトルエン10mlに溶解させ、シリカゲルカラムに充填した。そのままシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:トルエン/ヘキサン=1/3(2.5L)にて精製を行い、目的物であるHTM4を0.46g、収率44%で得た。
MS:[M+]=699.4m/z
図2に1HNMRの測定結果を示す。
1.16 g (4.5 mmol) of 4-phenylaminodibenzofuran, 0.51 g (1.5 mmol) of 2,8-dibromodibenzothiophene, 1.13 g (11.7 mmol) of t-BuONa, dehydrated toluene in a 25 ml four-necked flask. 20 ml was added and nitrogen bubbling was performed for 1 hour. Then, Pd 2 (dba) 3 210 mg (0.23 mmol) and tri-t-butylphosphonium tetrafluoroborate 130 mg (0.45 mmol) were added, and the mixture was heated under reflux under a nitrogen stream for 13 hours. The formation of the target product was confirmed by TLC and MS, and the reaction solution was returned to room temperature. Then, the organic layer was extracted with toluene, washed with saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered and concentrated to obtain a brown viscous body. The obtained viscous body was dissolved in 10 ml of toluene and packed in a silica gel column. As it was, it was purified by silica gel column chromatography (developing solvent: toluene / hexane = 1/3 (2.5 L)) to obtain 0.46 g of the target HTM4 in a yield of 44%.
MS: [M + ] = 699.4m / z
FIG. 2 shows the measurement results of 1 1 HNMR.

[実施例3]HTM5の合成

Figure 0006975959
[Example 3] Synthesis of HTM5
Figure 0006975959

25mlの四口フラスコに4−フェニルアミノジベンゾフラン0.52g(2.0mmol)、2,8−ジブロモジベンゾフラン0.33g(1.0mmol)、ナトリウムt−ブトキシド500mg(5.2mmol)、脱水トルエン10mlを加えて1時間窒素バブリングした。その後、Pd2(dba)392mg(0.10mmol)、トリ−t−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート58mg(0.20mmol)を加えて、窒素気流下で攪拌しながら12時間加熱還流を行った。TLC及びMSにて目的物の生成を確認した。反応液を常温に冷ました後、有機層をトルエンで抽出、ブラインで洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥、ろ過、濃縮し、褐色粘体を得た。得られた粘体をトルエン5mlに溶解させ、カラムに充填した。そのままシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:トルエン/ヘキサン=1/4)にて精製し、目的物であるHTM5を0.51g、収率75%で得た。
MS:[M+]=683.7m/z
図3に1HNMRの測定結果を示す。
In a 25 ml four-necked flask, 0.52 g (2.0 mmol) of 4-phenylaminodibenzofuran, 0.33 g (1.0 mmol) of 2,8-dibromodibenzofuran, 500 mg (5.2 mmol) of sodium t-butoxide, and 10 ml of dehydrated toluene are placed. In addition, nitrogen bubbling was performed for 1 hour. Then, Pd 2 (dba) 3 92mg (0.10mmol), was added tri -t- butyl phosphonium tetrafluoroborate 58 mg (0.20 mmol), the mixture was stirred while heating under reflux for 12 hours under a nitrogen stream. The formation of the target product was confirmed by TLC and MS. After cooling the reaction solution to room temperature, the organic layer was extracted with toluene, washed with brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered and concentrated to obtain a brown viscous body. The obtained viscous body was dissolved in 5 ml of toluene and packed in a column. As it was, it was purified by silica gel column chromatography (developing solvent: toluene / hexane = 1/4) to obtain 0.51 g of the target HTM5 in a yield of 75%.
MS: [M + ] = 683.7m / z
FIG. 3 shows the measurement results of 1 1 HNMR.

[実施例4]HTM6の合成

Figure 0006975959
[Example 4] Synthesis of HTM6
Figure 0006975959

50mlの三口フラスコに4−フェニルアミノジベンゾチオフェン2.75g(10.0mmol)、2,8−ジブロモジベンゾジオフェン1.71g(5.0mmol)、ナトリウムt−ブトキシド2.50g(26.0mmol)、脱水トルエン50mlを加えて1時間窒素バブリングした。その後、Pd2(dba)3 460mg(0.50mmol)、トリ−t−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート290mg(1.0mmol)を加えて窒素気流下で攪拌しながら50時間加熱還流を行った。TLC及びMSにて目的物の生成を確認した。反応液を常温に冷ました後、有機層をトルエンで抽出、ブラインで洗浄後無水硫酸マグネシウムにて乾燥、ろ過、濃縮し、褐色粘体を得た。得られた粘体をトルエン5mlに溶解させ、カラムに充填した。そのままシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:トルエン/ヘキサン=1/4)にて精製し、目的物であるHTM6を3.33g、収率91%で得た。
MS:[M+]=731.5m/z
図4に1HNMRの測定結果を示す。
2.75 g (10.0 mmol) of 4-phenylaminodibenzothiophene, 1.71 g (5.0 mmol) of 2,8-dibromodibenzodiophene, 2.50 g (26.0 mmol) of sodium t-butoxide, in a 50 ml three-necked flask. 50 ml of dehydrated toluene was added and nitrogen bubbling was performed for 1 hour. Then, Pd 2 (dba) 3 460 mg (0.50 mmol) and tri-t-butylphosphonium tetrafluoroborate 290 mg (1.0 mmol) were added, and the mixture was heated under reflux with stirring under a nitrogen stream for 50 hours. The formation of the target product was confirmed by TLC and MS. After cooling the reaction solution to room temperature, the organic layer was extracted with toluene, washed with brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered and concentrated to obtain a brown viscous body. The obtained viscous body was dissolved in 5 ml of toluene and packed in a column. As it was, it was purified by silica gel column chromatography (developing solvent: toluene / hexane = 1/4) to obtain 3.33 g of the target HTM6 in a yield of 91%.
MS: [M + ] = 731.5m / z
FIG. 4 shows the measurement results of 1 1 HNMR.

[実施例5]HTM7の合成

Figure 0006975959
[Example 5] Synthesis of HTM7
Figure 0006975959

25mLの四口フラスコに4−フェニルアミノジベンゾフラン520mg(2.01mmol)、4,4”−ジブロモ−2’,3’,5’,6’−テトラフェニル−p−ターフェニル690mg(1.00mmol)、ナトリウムt−ブトキシド500mg(5.20mmol)、脱水トルエン10mlを加え1時間窒素バブリングを行った。そこにトリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)92mg(0.100mmol)、トリ−t−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート58mg(0.200mmol)を加え、2.5時間還流撹拌を行った。反応混合物をTLC及びMSにて確認したところ、原料が消失し目的物のピークが得られた。反応混合物を室温に戻し、シリカゲルに通し不溶部をろ別した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン/ジクロロメタン=3/2)にて精製を行い、目的物であるHTM7を570mg(0.54mmol)、収率54%で得た。
図5に1HNMRの測定結果を示す。
4-Phenylaminodibenzofuran 520 mg (2.01 mmol), 4,4 "-dibromo-2', 3', 5', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl 690 mg (1.00 mmol) in a 25 mL four-necked flask. , Sodium t-butoxide 500 mg (5.20 mmol) and dehydrated toluene 10 ml were added and nitrogen bubbling was carried out for 1 hour. Tris (dibenzilidenacetone) dipalladium (0) 92 mg (0.100 mmol), tri-t-butyl. 58 mg (0.200 mmol) of phosphonium tetrafluoroborate was added, and the mixture was stirred at reflux for 2.5 hours. When the reaction mixture was confirmed by TLC and MS, the raw materials disappeared and the peak of the desired product was obtained. The mixture was returned to room temperature, passed through silica gel, and the insoluble portion was filtered off. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent: hexane / dichloromethane = 3/2), and the target product, HTM7, was 570 mg. (0.54 mmol), obtained in a yield of 54%.
FIG. 5 shows the measurement results of 1 1 HNMR.

[実施例6]HTM8の合成

Figure 0006975959
[Example 6] Synthesis of HTM8
Figure 0006975959

25mLの四口フラスコに4−フェニルアミノジベンゾチオフェン550mg(2.00mmol)、4,4”−ジブロモ−2’,3’,5’,6’−テトラフェニル−p−ターフェニル690mg(1.00mmol)、ナトリウムt−ブトキシド500mg(5.20mmol)、脱水トルエン10mlを加え、1時間窒素バブリングを行った。そこにトリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)92mg(0.100mmol)、トリ−t−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート58mg(0.200mmol)を加え、1.5時間還流撹拌を行った。反応混合物をTLC及びMSにて確認したところ、原料が消失し目的物のピークが得られた。反応混合物を室温に戻し、シリカゲルに通し不溶部をろ別した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=3:2)にて精製を行い、目的物であるHTM8を1.05g(0.97mmol)、収率97%で得た。
図6に1HNMRの測定結果を示す。
4-Phenylaminodibenzothiophene 550 mg (2.00 mmol), 4,4 "-dibromo-2', 3', 5', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl 690 mg (1.00 mmol) in a 25 mL four-necked flask. ), Sodium t-butoxide 500 mg (5.20 mmol) and dehydrated toluene 10 ml were added, and nitrogen bubbling was carried out for 1 hour. Tris (dibenzilidenacetone) dipalladium (0) 92 mg (0.100 mmol), tri-t. -Butylphosphonium tetrafluoroborate 58 mg (0.200 mmol) was added, and the mixture was stirred at reflux for 1.5 hours. When the reaction mixture was confirmed by TLC and MS, the raw materials disappeared and the peak of the desired product was obtained. The reaction mixture was returned to room temperature, passed through silica gel, and the insoluble part was filtered off. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (hexane: dichloromethane = 3: 2) to obtain HTM8, which is the target product. It was obtained in 05 g (0.97 mmol) and a yield of 97%.
FIG. 6 shows the measurement results of 1 1 HNMR.

〔アリールアミン誘導体の評価〕
[分子軌道計算結果]
実施例1〜6で得られたHMT3〜HTM8のHOMO、LUMO、T1をDFT計算(Gaussian03W, B3LYP/6-311+G(d,p)//6-311G)にて見積もった。結果を以下に示す。

Figure 0006975959
HMT3〜HTM7のT1cal.は2.75eV以上であり、高い三重項エネルギーを持つことが示唆された。 [Evaluation of arylamine derivatives]
[Molecular orbital calculation result]
The HOMO, LUMO, and T 1 of HMT3 to HTM8 obtained in Examples 1 to 6 were estimated by DFT calculation (Gaussian03W, B3LYP / 6-311 + G (d, p) // 6-311G). The results are shown below.
Figure 0006975959
The T 1 cal. Of HMT3 to HTM7 was 2.75 eV or more, suggesting that they have high triplet energy.

[熱物性評価]
熱物性評価の機器及び測定方法は以下のとおりである。
(1)融点(Tm
試料をアルミニウムパンに封入し、示差走査熱量計((株)パーキンエルマージャパン製;DSCDTA)を用いて窒素ガス中で昇温速度10℃/minでガラス転移温度(Tg)、結晶化温度(Tc)、融点(Tm)を測定した。
(2)分解点(Td5
試料をアルミニウムパンにのせ、示差熱重量計((株)パーキンエルマージャパン製;TGAダイアモンド)を用いて、窒素ガス中で昇温速度10℃/minで5%重量減衰温度(Td5)を測定した。
実施例1〜4で得られたHMT3〜HTM6の昇華精製後の上記熱物性の結果を以下に示す。
HMT3〜HTM6は、Tgが118℃以上であり、高い熱安定性を持つことがわかる。
[Evaluation of thermal properties]
The equipment and measurement method for thermal property evaluation are as follows.
(1) Melting point (T m )
The sample is enclosed in an aluminum pan, and the glass transition temperature (T g ) and crystallization temperature (T g) and crystallization temperature (T g) and crystallization temperature (T g) in nitrogen gas at a heating rate of 10 ° C./min using a differential scanning calorimeter (manufactured by Perkin Elmer Japan Co., Ltd .; DSCDTA). Tc) and melting point (T m ) were measured.
(2) Decomposition point (T d5 )
Place the sample on an aluminum pan and measure the 5% weight decay temperature (T d5 ) in nitrogen gas at a heating rate of 10 ° C / min using a differential thermogravimetric analyzer (manufactured by Perkin Elmer Japan Co., Ltd .; TGA diamond). bottom.
The results of the above thermophysical properties after sublimation purification of HMT3 to HTM6 obtained in Examples 1 to 4 are shown below.
It can be seen that HMT3 to HTM6 have a T g of 118 ° C. or higher and have high thermal stability.

Figure 0006975959
Figure 0006975959

[光学特性評価]
光学特性評価に用いた機器及び測定条件は以下のとおりである。
(1)紫外・可視(UV−vis)分光光度計
(株)島津製作所製 UV−3150
測定条件;スキャンスピード 中速、測定範囲 200〜800nm サンプリングピッチ 0.5nm、スリット幅 0.5nm
(2)フォトルミネッセンス(PL)測定装置
(株)堀場製作所製Fluoro MAX−2
常温(300K)及び低温(5K)において、PLスペクトル、及び、ストリークカメラ(浜松ホトニクス(株)製C4334)を用いた時間分解PLスペクトル(PL過渡スペクトル)を測定した。
(3)光電子収量分光(PYS)装置
住友重機械工業(株)製イオン化ポテンシャル測定装置
イオン化ポテンシャル測定装置を用いて、真空中でイオン化ポテンシャル(Ip)の測定を行った。
電子親和力(E)は、UV−vis吸収スペクトルの吸収端よりエネルギーギャップ(E)を見積もることによって算出した。
[Evaluation of optical characteristics]
The equipment and measurement conditions used for the optical characteristic evaluation are as follows.
(1) Ultraviolet / visible (UV-vis) spectrophotometer UV-3150 manufactured by Shimadzu Corporation
Measurement conditions; Scan speed Medium speed, Measurement range 200 to 800 nm Sampling pitch 0.5 nm, Slit width 0.5 nm
(2) Photoluminescence (PL) measuring device Fluoro MAX-2 manufactured by HORIBA, Ltd.
The PL spectrum and the time-resolved PL spectrum (PL transient spectrum) using a streak camera (C4334 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.) were measured at room temperature (300K) and low temperature (5K).
(3) Photoelectron yield spectroscopy (PYS) device Ionization potential measuring device manufactured by Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Ionization potential (Ip) was measured in vacuum using an ionization potential measuring device.
Electron affinity (E a) was calculated by estimating the energy gap (E g) than the absorption edge of the UV-vis absorption spectra.

実施例1〜4で得られたHMT3〜HTM6について、PYS(図7)、UV−vis吸収スペクトル(図8)、PLスペクトル(図9)の測定結果に基づき、イオン化ポテンシャル(Ip)、バンドギャップエネルギー(Eg)、電子親和力(Ea)、PLスペクトルの吸収極大(λPL)を求めた。結果を表3に示す。 For HMT3 to HTM6 obtained in Examples 1 to 4, the ionization potential (I p ) and band were obtained based on the measurement results of PYS (FIG. 7), UV-vis absorption spectrum (FIG. 8), and PL spectrum (FIG. 9). The gap energy (E g ), electron affinity (E a ), and absorption maximum (λ PL ) of the PL spectrum were determined. The results are shown in Table 3.

Figure 0006975959
Figure 0006975959

〔有機EL素子の作製及び評価〕
有機EL素子の発光特性の評価に用いた機器は以下のとおりである。
装置;(株)浜松ホトニクス製 PHOTONIC MULTI−CHANNEL ANALYZER PMA−1
[Manufacturing and evaluation of organic EL elements]
The equipment used to evaluate the light emission characteristics of the organic EL element is as follows.
Equipment; Hamamatsu Photonics Co., Ltd. PHOTONIC MULTI-CHANGEANALYZER PMA-1

デバイスの概略断面図を図14に示し、使用した材料を以下に示す。

Figure 0006975959
A schematic cross-sectional view of the device is shown in FIG. 14, and the materials used are shown below.
Figure 0006975959

<ホストmCBP素子>
以下の構造を有する緑色リン光素子を作製した。なお、HTLはホール輸送層を表し、かっこ内は膜厚(nm)を表す。
ITO/KLHIP:PPBI(20)/HTL(20)/mCBP:Ir(ppy)3 6wt%(30)/TPBi(50)/Liq(1)/Al
HTLはDBTPB、HTM4、又はHTM6である。
素子特性評価の結果を表4に示す。
<Host mCBP element>
A green phosphorescent device having the following structure was produced. In addition, HTL represents a hole transport layer, and the inside of parentheses represents a film thickness (nm).
ITO / KLHIP: PPBI (20) / HTL (20) / mCBP: Ir (ppy) 3 6wt% (30) / TPBi (50) / Liq (1) / Al
HTL is DBTPB, HTM4, or HTM6.
The results of device characteristic evaluation are shown in Table 4.

Figure 0006975959
Figure 0006975959

100cd/m2、1000cd/m2時において、HTM4はDBTPBとほぼ同等の 外部量子効率(EQE)を示した。これに対し、HTM6は100cd/m2、1000cd/m2時どちらもDBTPBよりも高いEQEを示した。J−V特性を見ると(図10(a)(b))、立ち上がりはHTM4、HTM6ともに高電圧化している。これは、HTM4(Ip=5.67eV)、HTM6(Ip=5.72eV)はDBTPB(Ip=5.5eV)よりもIpが深いため、ホール注入層からのホール注入性が悪くなったためと考えられる。HTM4とHTM6では、HTM6の方がmCBP(Ip=6.00eV)とのHOMOのマッチングが良く、発光層に対するホール注入性が良いため低電圧化したものと考えられる。一方で、高電流密度ではHTM4、HTM6はDBTPBよりも高いJ−V特性を示し、1000cd/m2時の駆動電圧ではHTM6はDBTPBよりも低い駆動電圧を示した。このことから、HTM4、HTM6はDBTPBよりも高いホール輸送性を有することが示唆される。また、素子寿命評価の結果、HTM4及びHTM6はDBTPBの約1.5倍程度の素子寿命を示した(図11(h))。このことから、新規ホール輸送材料HTM4及びHTM6は既存のDBTPBよりも化学的安定性が高いものと考えられる。 At 100 cd / m 2 and 1000 cd / m 2 , HTM4 showed almost the same external quantum efficiency (EQE) as DBTPB. On the other hand, HTM6 showed higher EQE than DBTPB at both 100 cd / m 2 and 1000 cd / m 2. Looking at the JV characteristics (FIGS. 10A and 10B), the rising voltage of both HTM4 and HTM6 is high. This is because HTM4 (I p = 5.67 eV) and HTM6 (I p = 5.72 eV) have a deeper I p than DBTPB (I p = 5.5 eV), so that the hole injection property from the hole injection layer is poor. It is thought that it became. In HTM4 and HTM6, it is considered that HTM6 has better matching of HOMO with mCBP (I p = 6.00 eV) and better hole injection into the light emitting layer, so that the voltage is lowered. On the other hand, at high current densities, HTM4 and HTM6 showed higher JV characteristics than DBTPB, and at a drive voltage of 1000 cd / m 2 , HTM6 showed a lower drive voltage than DBTPB. This suggests that HTM4 and HTM6 have higher hole transportability than DBTPB. Further, as a result of the device life evaluation, HTM4 and HTM6 showed a device life of about 1.5 times that of DBTPB (FIG. 11 (h)). From this, it is considered that the new hole transport materials HTM4 and HTM6 have higher chemical stability than the existing DBTPB.

<ホストDBT−TRZ素子>
以下の構造を有する緑色リン光素子を作製した。HTLはホール輸送層を表し、かっこ内は膜厚(nm)を表す。
ITO/KLHIP:PPBI(20)/HTL(20)/DBT−TRZ:Ir(ppy)3 6wt%(30)/TPBi(50)/Liq(1)/Al
HTLはDBTPB、又はHTM6である。
素子特性評価の結果を表5に示す。
<Host DBT-TRZ element>
A green phosphorescent device having the following structure was produced. HTL represents the hole transport layer, and the inside of the parentheses represents the film thickness (nm).
ITO / KLHIP: PPBI (20) / HTL (20) / DBT-TRZ: Ir (ppy) 3 6wt% (30) / TPBi (50) / Liq (1) / Al
HTL is DBTPB or HTM6.
The results of device characteristic evaluation are shown in Table 5.

Figure 0006975959
素子特性評価の結果、駆動電圧においては立ち上がり、100cd/m2時においてHTM6では高電圧化がみられた(図12(c))。これは、HTM6(Ip=5.72 eV)はDBTPB(Ip=5.5eV)よりもIpが深いため、ホール注入層からのホール注入性が悪くなったためと考えられる。しかしながら、EQEにおいてはHTM6はDBTPBよりも高い効率を示した(表5)。これは、DBTPBのT1(2.37eV)がIr(ppy)3(T1=2.53eV)よりも低く励起子の閉じ込めが不十分であるのに対し、HTM6はT1(ETcal=2.79eV)が高いためであると考えられる。
Figure 0006975959
As a result of the element characteristic evaluation, the drive voltage increased, and the HTM6 increased the voltage at 100 cd / m 2 (FIG. 12 (c)). This, HTM6 (I p = 5.72 eV ) , since deep is I p than DBTPB (I p = 5.5eV), hole injection from the hole injection layer is considered due to worse. However, in EQE, HTM6 showed higher efficiency than DBTPB (Table 5). This is because T 1 (2.37 eV) of DBTPB is lower than Ir (ppy) 3 (T 1 = 2.53 eV) and exciton confinement is insufficient, whereas T 1 (E Tcal =) of HT M6. It is considered that this is because 2.79eV) is high.

1 基板
2、2’ 電極
3 正孔注入輸送層
4 ホール輸送層
5 発光層
6 正孔阻止層
7 電子輸送層
8 電源
1 Substrate 2, 2'Electrode 3 Hole injection transport layer 4 Hole transport layer 5 Light emitting layer 6 Hole blocking layer 7 Electron transport layer 8 Power supply

Claims (3)

下記構造式で示されるアリールアミン誘導体;
Figure 0006975959
Arylamine derivative represented by the following structural formula;
Figure 0006975959
請求項1に記載のアリールアミン誘導体を用いたホール輸送材料。 A hole transport material using the arylamine derivative according to claim 1. 請求項1に記載のアリールアミン誘導体、又は、請求項に記載のホール輸送材料を用いた有機EL素子。 Arylamine derivative as claimed in claim 1, or an organic EL device using the hole transport material according to claim 2.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN112778320B (en) * 2021-01-05 2022-04-29 武汉天马微电子有限公司 Heterocyclic compound containing heteroatom substituted fluorene and application thereof

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5115061B2 (en) * 2007-07-09 2013-01-09 コニカミノルタホールディングス株式会社 Organic electroluminescence element, display device and lighting device
KR101925157B1 (en) * 2010-07-02 2018-12-04 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 Hole transport compositions and related devices and methods (i)
US9831441B2 (en) * 2012-10-31 2017-11-28 Merck Patent Gmbh Electronic device
KR102005387B1 (en) * 2013-06-05 2019-07-30 덕산네오룩스 주식회사 An organic electronic element comprising a layer for improving light efficiency, and an electronic device comprising the same
KR102329807B1 (en) * 2014-11-05 2021-11-22 덕산네오룩스 주식회사 Display device using a composition for organic electronic element, and an organic electronic element thereof
KR101668448B1 (en) * 2016-02-11 2016-10-21 덕산네오룩스 주식회사 Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof
KR102018682B1 (en) * 2016-05-26 2019-09-04 덕산네오룩스 주식회사 Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof

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