JP6956777B2 - Piecewise alignment modeling method - Google Patents

Piecewise alignment modeling method Download PDF

Info

Publication number
JP6956777B2
JP6956777B2 JP2019502662A JP2019502662A JP6956777B2 JP 6956777 B2 JP6956777 B2 JP 6956777B2 JP 2019502662 A JP2019502662 A JP 2019502662A JP 2019502662 A JP2019502662 A JP 2019502662A JP 6956777 B2 JP6956777 B2 JP 6956777B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compartments
superposition
overlapping region
compartment
overlay error
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019502662A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2019526820A (en
Inventor
テイマー コスクン,
ファン ジェー. ジョン,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2019526820A publication Critical patent/JP2019526820A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6956777B2 publication Critical patent/JP6956777B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/706835Metrology information management or control

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本開示の実施形態は、概して、マスクレスリソグラフィの分野に関する。より具体的には、本明細書に提供される実施形態は、重ね合わせ誤差に応じて基板の露光パラメータを調整するためのシステム及び方法に関する。 The embodiments of the present disclosure generally relate to the field of maskless lithography. More specifically, the embodiments provided herein relate to systems and methods for adjusting substrate exposure parameters according to overlay errors.

フォトリソグラフィは、半導体デバイス及び液晶ディスプレイ(LCD)などのディスプレイデバイスの製造に広く使用されている。大面積基板は、LCDの製造に利用されることが多い。LCD又はフラットパネルは、一般的に、コンピュータ、タッチパネルデバイス、携帯情報端末(PDA)、携帯電話、テレビモニタなどといった、アクティブマトリクスディスプレイに使用される。通常、フラットパネルは、2枚のプレートの間に挟まれたピクセルを形成する液晶材料の層を含みうる。電源からの電力が液晶材料全域にわたって印加されると、液晶材料を通過する光の量がピクセル位置において制御され、画像の生成が可能になりうる。 Photolithography is widely used in the manufacture of semiconductor devices and display devices such as liquid crystal displays (LCDs). Large area substrates are often used in the manufacture of LCDs. LCDs or flat panels are commonly used in active matrix displays such as computers, touch panel devices, personal digital assistants (PDAs), mobile phones, television monitors, and the like. Generally, a flat panel may include a layer of liquid crystal material that forms a pixel sandwiched between two plates. When the power from the power source is applied over the entire liquid crystal material, the amount of light passing through the liquid crystal material is controlled at the pixel position, which may enable the generation of an image.

ピクセルを形成する液晶材料層の一部として組み込まれた電気的特徴を作り出すために、一般的にマイクロリソグラフィ技法が用いられる。この技法により、典型的には、基板の少なくとも1つの表面に感光性フォトレジストが付けられる。次いで、パターン生成装置が、パターンの一部として選択された感光性フォトレジストの領域に光を照射して、選択領域内のフォトレジストに化学変化を引き起こし、これらの選択領域に、電気的特徴を作り出す後続の材料除去及び/又は材料追加のプロセスのための準備を行う。 Microlithography techniques are commonly used to create electrical features that are incorporated as part of the liquid crystal material layer that forms the pixels. This technique typically applies a photosensitive photoresist to at least one surface of the substrate. The pattern generator then irradiates regions of the photosensitive photoresist selected as part of the pattern with light to cause a chemical change in the photoresist within the selected regions, producing electrical features in these selected regions. Prepare for the subsequent process of material removal and / or material addition to produce.

ディスプレイデバイス及びその他のデバイスを、消費者が求める価格で、消費者に継続的に提供するために、大面積基板などの基板に正確に、かつ良好なコストパフォーマンスでパターンを作り出す、新たな装置、手法、及びシステムが必要とされている。 A new device that creates patterns accurately and with good cost performance on substrates such as large-area substrates in order to continuously provide display devices and other devices to consumers at the price demanded by consumers. Techniques and systems are needed.

本明細書に開示される実施形態は、概して、重ね合わせ誤差に応じて基板の露光パラメータを調整することに関する。方法は、基板を複数の区画に分割することを含む。各区画は、画像投影システムに対応する。基板の上に堆積された第1の層の合計の重ね合わせ誤差が決定される。区画ごとに、区画の重ね合わせ誤差が計算される。2つ以上の区画が重なる重なり領域ごとに、平均の重ね合わせ誤差が計算される。露光パラメータは、合計の重ね合わせ誤差に応じて調整される。 The embodiments disclosed herein generally relate to adjusting the exposure parameters of the substrate depending on the overlay error. The method comprises dividing the substrate into multiple compartments. Each compartment corresponds to an image projection system. The total overlay error of the first layer deposited on the substrate is determined. The superposition error of the parcels is calculated for each parcel. The average superposition error is calculated for each overlapping region where two or more compartments overlap. The exposure parameters are adjusted according to the total overlay error.

別の実施形態では、合計の重ね合わせ誤差に応じて基板の露光パラメータを調整するためのコンピュータシステムが、本明細書に開示される。コンピュータシステムは、プロセッサとメモリとを含む。メモリは、プロセッサによって実行されるとき、重ね合わせ誤差に応じて基板に対する露光パラメータを調整する方法をプロセッサに実行させる命令を記憶する。方法は、基板を複数の区画に分割することを含む。各区画は、画像投影システムに対応する。基板の上に堆積された第1の層の合計の重ね合わせ誤差が決定される。区画ごとに、区画の重ね合わせ誤差が計算される。2つ以上の区画が重なる重なり領域ごとに、平均の重ね合わせ誤差が計算される。露光パラメータは、合計の重ね合わせ誤差に応じて調整される。 In another embodiment, a computer system for adjusting the exposure parameters of the substrate according to the total superposition error is disclosed herein. A computer system includes a processor and memory. The memory stores instructions that, when executed by the processor, cause the processor to execute a method of adjusting exposure parameters to the substrate according to overlay error. The method comprises dividing the substrate into multiple compartments. Each compartment corresponds to an image projection system. The total overlay error of the first layer deposited on the substrate is determined. The superposition error of the parcels is calculated for each parcel. The average superposition error is calculated for each overlapping region where two or more compartments overlap. The exposure parameters are adjusted according to the total overlay error.

更に別の実施形態では、非一時的コンピュータ可読媒体が、本明細書に開示される。非一時的コンピュータ可読媒体は、プロセッサによって実行されるとき、方法のステップを実行することによって、コンピュータシステムに、重ね合わせ誤差に応じて基板の露光パラメータを調整させる命令を記憶する。方法は、基板を複数の区画に分割することを含む。各区画は、画像投影システムに対応する。基板の上に堆積された第1の層の合計の重ね合わせ誤差が決定される。区画ごとに、区画の重ね合わせ誤差が計算される。2つ以上の区画が重なる重なり領域ごとに、平均の重ね合わせ誤差が計算される。露光パラメータは、合計の重ね合わせ誤差に応じて調整される。 In yet another embodiment, a non-transitory computer-readable medium is disclosed herein. The non-temporary computer-readable medium, when executed by the processor, stores instructions that cause the computer system to adjust the exposure parameters of the substrate according to the overlay error by performing the steps of the method. The method comprises dividing the substrate into multiple compartments. Each compartment corresponds to an image projection system. The total overlay error of the first layer deposited on the substrate is determined. The superposition error of the parcels is calculated for each parcel. The average superposition error is calculated for each overlapping region where two or more compartments overlap. The exposure parameters are adjusted according to the total overlay error.

本開示の上述の特徴が詳細に理解できるように、上記で概説した本開示のより具体的な説明が実施形態を参照することにより得られ、それら実施形態の幾つかは添付図面に示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態に適用されうることから、添付図面は本開示の例示的な実施形態のみを例示しているにすぎず、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。 More specific description of the present disclosure outlined above can be obtained by reference to embodiments so that the above-mentioned features of the present disclosure can be understood in detail, some of which are shown in the accompanying drawings. There is. However, as the present disclosure may apply to other equally valid embodiments, the accompanying drawings merely illustrate exemplary embodiments of the present disclosure and are therefore considered to limit the scope of the present disclosure. Note that it should not be.

本明細書に開示される実施形態から恩恵を受けうるシステムの斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a system that may benefit from the embodiments disclosed herein. 一実施形態による複数の画像投影システムの概略斜視図である。It is a schematic perspective view of a plurality of image projection systems according to one embodiment. 一実施形態による、DMDの2つのミラーにより反射されているビームを概略的に示す。The beam reflected by the two mirrors of the DMD according to one embodiment is shown schematically. 一実施形態による画像投影装置の斜視図である。It is a perspective view of the image projection apparatus according to one Embodiment. 一実施形態によるコンピュータシステムを示す。A computer system according to an embodiment is shown. 一実施形態による、図5のサーバのより詳細な図を示す。A more detailed view of the server of FIG. 5 according to one embodiment is shown. 一実施形態によるコントローラ計算システムを示す。The controller calculation system according to one embodiment is shown. 重ね合わせ誤差に応じて基板の露光パラメータを調整するための方法の工程を概略的に示す。The steps of the method for adjusting the exposure parameters of the substrate according to the overlay error are shown schematically. 一実施形態による、その上に堆積された第1の層を有する基板の上面図を示す。A top view of a substrate having a first layer deposited on it according to one embodiment is shown.

理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれうると想定される。 For ease of understanding, the same reference numbers were used to point to the same elements that are common to multiple figures, where possible. It is assumed that the elements and features of one embodiment can be beneficially incorporated into other embodiments without further description.

本明細書に開示される実施形態は、概して、重ね合わせ誤差に応じて基板の露光パラメータを調整することに関する。方法は、基板を1つ又は複数の区画に分割することを含む。各区画は、画像投影システムに対応する。基板の上に堆積された第1の層の合計の重ね合わせ誤差が決定される。区画ごとに、区画の重ね合わせ誤差が計算される。2つ以上の区画が重なる重ね合わせ領域ごとに、平均の重ね合わせ誤差が計算される。露光パラメータは、合計の重ね合わせ誤差に応じて調整される。 The embodiments disclosed herein generally relate to adjusting the exposure parameters of the substrate depending on the overlay error. The method comprises dividing the substrate into one or more compartments. Each compartment corresponds to an image projection system. The total overlay error of the first layer deposited on the substrate is determined. The superposition error of the parcels is calculated for each parcel. The average superposition error is calculated for each superposition area where two or more compartments overlap. The exposure parameters are adjusted according to the total overlay error.

本明細書で使用される「ユーザ(user)」という用語は、例えば、計算デバイス又は無線デバイスを所有する人若しくは主体、計算デバイス又は無線デバイスを操作若しくは利用する人若しくは主体、又はそうでなければ計算デバイス若しくは無線デバイスに関連付けられる人若しくは主体を含む。「ユーザ」という用語は、限定を意図するものではなく、記載されているものを超えて様々な例を含みうると想定される。 As used herein, the term "user" refers, for example, to the person or subject who owns the computing device or wireless device, the person or subject who operates or uses the computing device or wireless device, or otherwise. Includes a person or subject associated with a computing or wireless device. The term "user" is not intended to be limiting and it is assumed that it may include various examples beyond those described.

図1は、本明細書で開示される実施形態から恩恵を受けうるシステム100の斜視図である。断面図に示されるシステム100は、ベースフレーム110、スラブ120、2つ以上のステージ130、及び処理装置160を含む。ある実施形態では、1つのステージ130が使用されうる。ベースフレーム110は、製造施設のフロアに置かれ、スラブ120を支持しうる。受動空気アイソレータ112が、ベースフレーム110とスラブ120との間に位置付けられうる。スラブ120は花崗岩の一枚板であり、2つ以上のステージ130がスラブ120の上に配置されうる。基板140は、2つ以上のステージ130の各々によって支持されうる。複数の孔(図示せず)がステージ130に形成され、それにより、複数のリフトピン(図示せず)がそれらの孔を通って延在可能になりうる。リフトピンは、例えば移送ロボット(図示せず)から基板140を受容するために、伸長位置に上昇しうる。移送ロボットが基板140をリフトピン上に位置付け、リフトピンはその後、基板140をステージ130上へと徐々に下降させうる。 FIG. 1 is a perspective view of a system 100 that may benefit from the embodiments disclosed herein. The system 100 shown in the cross section includes a base frame 110, a slab 120, two or more stages 130, and a processing device 160. In certain embodiments, one stage 130 may be used. The base frame 110 may be placed on the floor of the manufacturing facility to support the slab 120. The passive air isolator 112 may be positioned between the base frame 110 and the slab 120. The slab 120 is a single plate of granite, and two or more stages 130 can be placed on top of the slab 120. The substrate 140 may be supported by each of two or more stages 130. Multiple holes (not shown) may be formed in the stage 130, which allows multiple lift pins (not shown) to extend through those holes. The lift pin can be raised to an extended position, for example to receive the substrate 140 from a transfer robot (not shown). The transfer robot positions the substrate 140 on the lift pin, which can then gradually lower the substrate 140 onto the stage 130.

基板140は、例えば石英で作られ、フラットパネルディスプレイの一部として使用されうる。他の実施形態では、基板140は、他の材料で作られてもよい。いくつかの実施形態では、基板140は、その上に形成されたフォトレジスト層を有しうる。フォトレジストは、放射線に対して敏感であり、ポジ型フォトレジスト又はネガ型フォトレジストでありうる。つまり、放射線に露光されるフォトレジストの部分は、それぞれ、パターンがフォトレジストに書き込まれた後にフォトレジストに塗布されるフォトレジストデベロッパに、可溶性又は不溶性になるだろう。フォトレジストの化学組成により、そのフォトレジストがポジ型フォトレジストになるか、又はネガ型フォトレジストになるかが決まる。例えば、フォトレジストは、ジアゾナフトキノン、フェノールホルムアルデヒド樹脂、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリ(メチルグルタルイミド)、及びSU−8のうちの少なくとも1つを含みうる。こうして、電子回路を形成するために、パターンが基板140の表面上に作り出されうる。 The substrate 140 is made of, for example, quartz and can be used as part of a flat panel display. In other embodiments, the substrate 140 may be made of other materials. In some embodiments, the substrate 140 may have a photoresist layer formed on it. The photoresist is sensitive to radiation and can be a positive photoresist or a negative photoresist. That is, each portion of the photoresist exposed to radiation will be soluble or insoluble in the photoresist developer, which is applied to the photoresist after the pattern has been written to the photoresist. The chemical composition of the photoresist determines whether the photoresist is a positive photoresist or a negative photoresist. For example, the photoresist may contain at least one of diazonaphthoquinone, phenol formaldehyde resin, poly (methylmethacrylate), poly (methylglutarimide), and SU-8. Thus, a pattern can be created on the surface of the substrate 140 to form an electronic circuit.

システム100は、一対の支持体122と、一対の軌道124とを更に含みうる。一対の支持体122は、スラブ120上に配置され、スラブ120と一対の支持体122は、単一の材料片でありうる。一対の軌道124は、一対の支持体122によって支持され、2つ以上のステージ130は、軌道124に沿ってX方向に移動しうる。一実施形態では、一対の軌道124は、一対の平行な磁気チャネルである。図示されるように、一対の軌道124の各軌道124は直線的である。他の実施形態では、軌道124は、非直線的形状を有しうる。コントローラ702に位置情報を提供するために、エンコーダ126が各ステージ130に連結されうる(図7参照)。 The system 100 may further include a pair of supports 122 and a pair of trajectories 124. The pair of supports 122 are arranged on the slab 120, and the slab 120 and the pair of supports 122 can be a single piece of material. The pair of orbits 124 are supported by a pair of supports 122, and the two or more stages 130 can move in the X direction along the orbits 124. In one embodiment, the pair of orbits 124 is a pair of parallel magnetic channels. As shown, each orbit 124 of the pair of orbits 124 is linear. In other embodiments, the orbit 124 may have a non-linear shape. Encoders 126 may be coupled to each stage 130 to provide location information to controller 702 (see FIG. 7).

処理装置160は、支持体162及び処理ユニット164を含みうる。支持体162は、スラブ120の上に配置され、2つ以上のステージ130が処理ユニット164の下を通るための開口166を含みうる。処理ユニット164は、支持体162によって支持されうる。一実施形態では、処理ユニット164は、フォトリソグラフィプロセスにおいてフォトレジストを露光させるよう構成された、パターン生成装置である。いくつかの実施形態では、パターン生成装置は、マスクレスリソグラフィ処理を実施するよう構成されうる。処理ユニット164は、筐体165内に配置された、複数の画像投影システム(図2に示す)を含みうる。処理装置160は、マスクレス直接パターニングを実施するために利用されうる。動作中、2つ以上のステージ130のうちの1つは、図1に示す搬入位置から処理位置へと、X方向に移動する。処理位置は、ステージ130が処理ユニット164の下を通る際の、ステージ130の1つ又は複数の位置を指しうる。動作中、2つ以上のステージ130は、複数の空気軸受200によって上昇し、搬入位置から処理位置に、一対の軌道124に沿って移動しうる。ステージ130の動きを安定させるために、複数の垂直ガイド空気軸受(図示せず)が、各ステージ130に連結され、かつ、各支持体122の内壁128に隣接して位置付けられうる。2つ以上のステージ130の各々はまた、基板140の処理及び/又は割り出し(index)のために、軌道150に沿って移動させることによってY方向にも移動しうる。 The processing device 160 may include a support 162 and a processing unit 164. The support 162 is placed on top of the slab 120 and may include an opening 166 for two or more stages 130 to pass under the processing unit 164. The processing unit 164 can be supported by a support 162. In one embodiment, the processing unit 164 is a pattern generator configured to expose the photoresist in a photolithography process. In some embodiments, the pattern generator may be configured to perform maskless lithography. The processing unit 164 may include a plurality of image projection systems (shown in FIG. 2) arranged within the housing 165. The processing apparatus 160 can be used to perform maskless direct patterning. During operation, one of the two or more stages 130 moves in the X direction from the carry-in position shown in FIG. 1 to the processing position. The processing position may refer to one or more positions of the stage 130 as the stage 130 passes under the processing unit 164. During operation, the two or more stages 130 can be raised by the plurality of air bearings 200 and moved from the carry-in position to the processing position along the pair of tracks 124. In order to stabilize the movement of the stage 130, a plurality of vertical guide air bearings (not shown) may be connected to each stage 130 and positioned adjacent to the inner wall 128 of each support 122. Each of the two or more stages 130 can also move in the Y direction by moving along the orbit 150 for processing and / or indexing of the substrate 140.

図示されるように、各ステージ130は、ステージ130を上昇させるための複数の空気軸受200を含む。各ステージ130はまた、軌道124に沿ってステージ130を移動させるためのモータコイル(図示せず)も含みうる。温度及び圧力の制御を行うために、2つ以上のステージ130及び処理装置160が、エンクロージャ(図示せず)によって囲まれうる。 As shown, each stage 130 includes a plurality of air bearings 200 for raising the stage 130. Each stage 130 may also include a motor coil (not shown) for moving the stage 130 along the track 124. Two or more stages 130 and processing equipment 160 may be enclosed by an enclosure (not shown) to control temperature and pressure.

図2は、一実施形態による、複数の画像投影システム301の概略斜視図である。図2に示されるように、各画像投影システム301は、基板140の表面304に複数の書き込みビーム302を生成する。基板140がX方向及びY方向に移動するにつれて、表面304の全体が、書き込みビーム302によってパターニングされうる。画像投影システム301の数は、基板140のサイズ及び/又はステージ130のスピードに基づいて変動しうる。一実施形態では、処理装置160内に22の画像投影システム301が存在する。 FIG. 2 is a schematic perspective view of a plurality of image projection systems 301 according to one embodiment. As shown in FIG. 2, each image projection system 301 generates a plurality of write beams 302 on the surface 304 of the substrate 140. As the substrate 140 moves in the X and Y directions, the entire surface 304 can be patterned by the write beam 302. The number of image projection systems 301 can vary based on the size of the substrate 140 and / or the speed of the stage 130. In one embodiment, there are 22 image projection systems 301 in the processing apparatus 160.

画像投影システム301は、光源402、開孔404、レンズ406、ミラー408、DMD410、光ダンプ(投棄所)412、カメラ414、及び投影レンズ416を含みうる。光源402は、発光ダイオード(LED)又はレーザであり、かつ、所定の波長を有する光を生成することが可能でありうる。一実施形態では、所定の波長とは、約450nm未満などの、青色範囲又は近紫外(UV)範囲内のものである。ミラー408は、球面ミラーでありうる。投影レンズ416は、10倍の対物レンズでありうる。DMD410は、複数のミラーを含み、ミラーの数は、投影される画像の解像度に対応しうる。一実施形態では、DMD410は、1920×1080のミラーを含む。 The image projection system 301 may include a light source 402, an opening 404, a lens 406, a mirror 408, a DMD 410, an optical dump 412, a camera 414, and a projection lens 416. The light source 402 is a light emitting diode (LED) or a laser and may be capable of producing light having a predetermined wavelength. In one embodiment, the predetermined wavelength is within the blue or near-ultraviolet (UV) range, such as less than about 450 nm. The mirror 408 can be a spherical mirror. The projection lens 416 can be a 10x objective lens. The DMD 410 includes a plurality of mirrors, the number of mirrors of which can correspond to the resolution of the projected image. In one embodiment, the DMD 410 comprises a 1920 x 1080 mirror.

動作中、光源402によって、青色範囲内の波長などの所定の波長を有するビーム403が生成される。ビーム403は、ミラー408によってDMD410に反射される。DMD410は、個別に制御されうる複数のミラーを含み、DMD410の複数のミラーの各ミラーは、コントローラ(図示せず)によりDMD410に提供されるマスクデータに基づいて、「オン(on)」位置又は「オフ(off)」位置にありうる。ビーム403がDMD410のミラーに到達すると、投影レンズ416に向けて、「オン」の位置にあるミラーがビーム403を反射し、すなわち、複数の書き込みビーム302を形成する。投影レンズ416は次いで、基板140の表面304に書き込みビーム302を投影する。「オフ」の位置にあるミラーは、基板140の表面304の代わりに、光ダンプ412に向けて、ビーム403を反射する。 During operation, the light source 402 produces a beam 403 having a predetermined wavelength, such as a wavelength within the blue range. The beam 403 is reflected by the mirror 408 on the DMD 410. The DMD410 includes a plurality of mirrors that can be individually controlled, and each mirror of the plurality of mirrors of the DMD410 is in an "on" position or based on mask data provided to the DMD410 by a controller (not shown). It can be in the "off" position. When the beam 403 reaches the mirror of the DMD 410, the mirror in the "on" position reflects the beam 403 towards the projection lens 416, i.e. forming a plurality of write beams 302. The projection lens 416 then projects the write beam 302 onto the surface 304 of the substrate 140. The mirror in the "off" position reflects the beam 403 towards the light dump 412 instead of the surface 304 of the substrate 140.

一実施形態では、DMD410は、2つ以上のミラーを有しうる。各ミラーは、メモリセル上に配置されうる傾斜機構上に配置されうる。メモリセルは、CMOS SRAMでありうる。動作中、メモリセルにマスクデータを読み込むことによって、各ミラーが制御される。マスクデータは、ミラーの傾斜を二進法で静電制御する。ミラーがリセットモードであるときか、又は電力が印加されていない場合には、ミラーは、どの二進数にも対応しない平坦な位置に設定されうる。二進法におけるゼロは、「オフ」の位置に対応しうる。つまり、ミラーが、−10度、−12度、又は他の任意の実現可能な負の傾斜度数に傾斜される。二進法における1は、「オン」の位置に対応しうる。つまり、ミラーが、+10度、+12度、又は他の任意の実現可能な正の傾斜度で傾斜される。 In one embodiment, the DMD 410 may have more than one mirror. Each mirror can be placed on a tilt mechanism that can be placed on a memory cell. The memory cell can be a CMOS SRAM. During operation, each mirror is controlled by reading mask data into a memory cell. The mask data electrostatically controls the tilt of the mirror in binary. When the mirror is in reset mode or when no power is applied, the mirror can be set to a flat position that does not correspond to any binary number. Zero in binary can correspond to the "off" position. That is, the mirror is tilted to -10 degrees, -12 degrees, or any other feasible negative tilt. The 1 in binary can correspond to the "on" position. That is, the mirror is tilted at +10 degrees, +12 degrees, or any other feasible positive tilt.

図3は、DMD410の2つのミラー502、504によって反射されているビーム403を概略的に示す。図示されるように、「オフ」の位置にあるミラー502は、光源402から発生したビーム403を、光ダンプ412に反射する。「オン」の位置にあるミラー504は、ビーム403を投影レンズ416に向かって反射することにより、書き込みビーム302を形成する。 FIG. 3 schematically shows the beam 403 reflected by the two mirrors 502, 504 of the DMD 410. As shown, the mirror 502 in the "off" position reflects the beam 403 generated by the light source 402 onto the light dump 412. The mirror 504 in the "on" position forms the write beam 302 by reflecting the beam 403 towards the projection lens 416.

各システム100は、任意の数の画像投影システム301を含み、画像投影システム301の数は、システムによって変動しうる。一実施形態では、84の画像投影システム301が存在する。各画像投影システム301は、40のダイオード、又は任意の数のダイオードを含みうる。このような多数のダイオードを取り扱うためには、より高い電力が必要となるので、多数のダイオードを維持しようとすると問題が生じる。1つの解決策は、ダイオードを直列に整列させることでありうるが、以下に説明するように、直列に構成される場合、機能していないダイオードを検出する必要がある。 Each system 100 includes an arbitrary number of image projection systems 301, and the number of image projection systems 301 can vary from system to system. In one embodiment, there are 84 image projection systems 301. Each image projection system 301 may include 40 diodes, or any number of diodes. Higher power is required to handle such a large number of diodes, which causes problems when trying to maintain a large number of diodes. One solution could be to align the diodes in series, but when configured in series, it is necessary to detect non-functional diodes, as described below.

図4は、一実施形態による画像投影装置390の斜視図である。画像投影装置390は、基板140の平面上のあるスポットに光を集束させ、最終的にその基板140に画像を投影するために使用される。画像投影装置390は、2つのサブシステムを含む。画像投影装置390は、照明システム及び投影システムを含む。照明システムは、少なくとも光パイプ391及び白色光照明デバイス392を含む。投影システムは、少なくともDMD410、フラストレート(frustrated)プリズムアセンブリ288、ビームスプリッタ395、1つ又は複数の投影光学系396a、396b、歪み補償器397、焦点モータ398、及び投影レンズ416(前述)を含む。投影レンズ416は、フォーカス群416a及び窓416bを含む。 FIG. 4 is a perspective view of the image projection device 390 according to the embodiment. The image projection device 390 is used to focus light on a spot on the plane of the substrate 140 and finally project an image onto the substrate 140. The image projection device 390 includes two subsystems. The image projection device 390 includes a lighting system and a projection system. The lighting system includes at least an optical pipe 391 and a white light illumination device 392. The projection system includes at least DMD410, frastrated prism assembly 288, beam splitter 395, one or more projection optics 396a, 396b, distortion compensator 397, focus motor 398, and projection lens 416 (described above). .. The projection lens 416 includes a focus group 416a and a window 416b.

光源402から画像投影装置390に、光が導入される。光源402は、化学線光源であってもよい。例えば、光源402は、ファイバの束であってもよく、各ファイバは1つのレーザを含む。一実施形態では、光源402は、約100のファイバの束であってもよい。ファイバの束は、レーザダイオードによって照射されてもよい。光源402は、光パイプ(又はカレイド)391に連結される。一実施形態では、光源402は、束のファイバ各々を結合する結合器を介して、光パイプ391に連結される。 Light is introduced from the light source 402 to the image projection device 390. The light source 402 may be a chemical ray light source. For example, the light source 402 may be a bundle of fibers, each fiber containing one laser. In one embodiment, the light source 402 may be a bundle of about 100 fibers. The bundle of fibers may be irradiated by a laser diode. The light source 402 is connected to an optical pipe (or Kaleido) 391. In one embodiment, the light source 402 is connected to the optical pipe 391 via a coupler that couples each of the bundled fibers.

いったん光源402からの光が光パイプ391に入ると、光パイプ391を出たときに光が均質化され、均一になるように、光パイプ391の内部で光が跳ね返る。一実施例では、光は、光パイプ391内で最大6回又は7回跳ね返ることがある。言い換えれば、光は、光パイプ391内で全部で6−7回の内部反射を経て、均一な光の出力をもたらす。 Once the light from the light source 402 enters the optical pipe 391, the light is homogenized when it exits the optical pipe 391, and the light bounces inside the optical pipe 391 so as to be uniform. In one embodiment, the light may bounce up to 6 or 7 times in the optical pipe 391. In other words, the light undergoes a total of 6-7 internal reflections within the optical pipe 391, resulting in a uniform light output.

画像投影装置390は、オプションで、様々な反射面(符号なし)を含みうる。様々な反射面は、画像投影装置390を通って進む光の一部を捕捉する。一実施形態では、様々な反射面は、いくらかの光を捕捉し、次に光レベルセンサ393に光を向けるのを助け、レーザレベルがモニタされうる。 The image projection device 390 may optionally include various reflective surfaces (unsigned). The various reflective surfaces capture a portion of the light traveling through the image projection device 390. In one embodiment, the various reflective surfaces can help capture some light and then direct the light to the light level sensor 393, and the laser level can be monitored.

白色光照明デバイス392は、広帯域の可視光を画像投影装置390の投影システムに投影する。特に、白色光照明デバイス392は、光をフラストレートプリズムアセンブリに方向付ける。化学線光源及び広帯域光源は、互いに独立してオン及びオフにされうる。 The white light illumination device 392 projects broadband visible light onto the projection system of the image projection device 390. In particular, the white light illumination device 392 directs light to the frustrated prism assembly. The chemical ray light source and the wideband light source can be turned on and off independently of each other.

フラストレートプリズムアセンブリ288は、基板140の表面に投影されることになる光を供給するように機能する。フラストレートプリズムアセンブリ288を使用すれば、内部反射光のすべてが出るので、エネルギー損失は最小になる。フラストレートプリズムアセンブリ288は、ビームスプリッタ395に結合される。 The frustrated prism assembly 288 functions to supply the light that will be projected onto the surface of the substrate 140. With the frustrated prism assembly 288, all of the internally reflected light is emitted, minimizing energy loss. The frustrated prism assembly 288 is coupled to a beam splitter 395.

DMD410は、フラストレートキューブアセンブリの一部として含まれる。DMD410は、画像投影装置390のパターン生成デバイスである。DMD410及びフラストレートプリズムアセンブリ288の使用は、露光照明を生成する光源402から基板焦点面までずっと、照明の流れの方向を基板140にほぼ垂直に保つことによって、各画像投影装置390の設置面積を最小にするのに役立つ。 The DMD410 is included as part of the frustrated cube assembly. The DMD 410 is a pattern generation device of the image projection device 390. The use of the DMD 410 and the frustrated prism assembly 288 increases the footprint of each image projection device 390 by keeping the direction of the illumination flow approximately perpendicular to the substrate 140 from the light source 402 that produces the exposure illumination to the substrate focal plane. Helps to minimize.

ビームスプリッタ395は、位置合わせのために基板140から反射された光の一部を更に抽出するために使用される。より具体的には、ビームスプリッタ395は、光を2つの別々のビームに分割するために使用される。ビームスプリッタ395は、投影光学系396に結合される。投影光学系396a、396bの2つの部分が、図4に示される。 The beam splitter 395 is used to further extract a portion of the light reflected from the substrate 140 for alignment. More specifically, the beam splitter 395 is used to split the light into two separate beams. The beam splitter 395 is coupled to the projection optical system 396. Two parts of the projection optics 396a and 396b are shown in FIG.

一実施形態では、焦点センサ及びカメラ284がビームスプリッタ395に取り付けられる。焦点センサ及びカメラ284は、レンズを通した焦点(through lens focus)及び位置合わせ、並びにミラー傾斜角変動を含むがこれに限定されない画像投影装置390の様々な態様の撮像品質をモニタするように構成されうる。加えて、焦点センサ及びカメラ284は、基板140に投影される予定の画像を示しうる。更なる実施形態では、焦点センサ及びカメラ284は、基板140上の画像を捕捉し、それらの画像間での比較を行うために使用されうる。言い換えれば、焦点センサ及びカメラ284は、検査機能を実行するために使用されうる。 In one embodiment, the focus sensor and camera 284 are attached to the beam splitter 395. The focus sensor and camera 284 are configured to monitor the imaging quality of various aspects of the image projection device 390, including but not limited to focus lens focus and alignment through the lens, and mirror tilt angle variation. Can be done. In addition, the focus sensor and camera 284 may indicate an image to be projected onto the substrate 140. In a further embodiment, the focus sensor and camera 284 can be used to capture images on the substrate 140 and make comparisons between those images. In other words, the focus sensor and camera 284 can be used to perform inspection functions.

投影光学系396、歪み補償器397、焦点モータ398、及び投影レンズ416は一緒になって、パターンを準備し、DMD410から基板140上に最終的にパターンを投影する。投影光学系396aは、歪み補償器397に結合される。歪み補償器397は、投影光学系396bに結合され、投影光学系396bは、フォーカスモータ398に結合される。フォーカスモータ398は、投影レンズ416に結合される。投影レンズ416は、フォーカス群416a及び窓416bを含む。フォーカス群416aは、窓416bに結合される。窓416bは、交換可能でありうる。 The projection optics 396, distortion compensator 397, focus motor 398, and projection lens 416 work together to prepare a pattern and finally project the pattern from the DMD 410 onto the substrate 140. The projection optical system 396a is coupled to the strain compensator 397. The distortion compensator 397 is coupled to the projection optical system 396b, and the projection optical system 396b is coupled to the focus motor 398. The focus motor 398 is coupled to the projection lens 416. The projection lens 416 includes a focus group 416a and a window 416b. The focus group 416a is coupled to the window 416b. The window 416b may be replaceable.

光パイプ391及び白色光照明デバイス392は、第1の取付板341に結合される。加えて、追加的な様々な反射面(符号なし)及び光レベルセンサ393を含む実施形態では、様々な反射面及び光レベルセンサ393はまた、第1の取付板341に結合されうる。 The optical pipe 391 and the white light illumination device 392 are coupled to the first mounting plate 341. In addition, in embodiments that include additional various reflective surfaces (unsigned) and light level sensor 393, the various reflective surfaces and light level sensor 393 may also be coupled to the first mounting plate 341.

フラストレートプリズムアセンブリ288、ビームスプリッタ395、1つ又は複数の投影光学系部分396a、396b及び歪み補償器397は、第2の取付板399に結合される。第1の取付板341及び第2の取付板399は、平面であり、画像投影装置390の上記構成要素の正確な位置合わせを可能にする。言い換えると、光は、単一の光軸に沿って画像投影装置390を通過する。単一の光軸に沿ったこの正確な位置合わせは、コンパクトな装置をもたらす。例えば、画像投影装置390は、約80mmから約100mmの間の厚さを有しうる。 The frustration prism assembly 288, beam splitter 395, one or more projection optics portions 396a, 396b and strain compensator 397 are coupled to a second mounting plate 399. The first mounting plate 341 and the second mounting plate 399 are flat surfaces, which enables accurate alignment of the above components of the image projection device 390. In other words, the light passes through the image projection device 390 along a single optical axis. This precise alignment along a single optical axis results in a compact device. For example, the image projection device 390 can have a thickness between about 80 mm and about 100 mm.

図5は、一実施形態による計算システム700を示す。図示されるように、計算システム700は、複数のサーバ708、重ね合わせ誤差アプリケーションサーバ712、及び複数のコントローラ(すなわち、コンピュータ、パーソナルコンピュータ、モバイル/ワイヤレスデバイス)702(明瞭にするために、そのうちの2つのみが示されている)を含みうるのだが、各々が通信ネットワーク706(例えば、インターネット)に接続されている。サーバ708は、ローカル接続(ストレージエリアネットワーク(SAN)、又はネットワーク接続ストレージ(NAS)など)を介して、又はインターネットを通じて、データベース714と通信しうる。サーバ708は、データベース714に含まれるデータに直接アクセスすること、又はデータベース714内に含まれるデータを管理するよう設定されるデータベースマネージャとインターフェース接続することのいずれかを実行するように設定される。 FIG. 5 shows a calculation system 700 according to one embodiment. As illustrated, the compute system 700 includes multiple servers 708, overlay error application servers 712, and multiple controllers (ie, computers, personal computers, mobile / wireless devices) 702 (for clarity, of which. Only two are shown), but each is connected to a communication network 706 (eg, the Internet). The server 708 may communicate with the database 714 over a local connection (such as a storage area network (SAN) or network attached storage (NAS)) or over the Internet. The server 708 is configured to either directly access the data contained in the database 714 or interface with a database manager configured to manage the data contained in the database 714.

各コントローラ702は、例えばプロセッサ、システムメモリ、ハードディスクドライブ、バッテリ、マウス及びキーボードなどの入力デバイス、及び/若しくはモニタ又はグラフィカルユーザインターフェースなどの出力デバイス、並びに/又は入力を受け取るだけでなく出力の表示も行うタッチスクリーンのような結合型入力/出力デバイスといった、計算デバイスの従来の構成要素を含みうる。各サーバ708及び重ね合わせ誤差アプリケーションサーバ712は、プロセッサ及びシステムメモリ(図示せず)を含み、かつ関係するデータベースソフトウェア及び/又はファイルシステムなどを使用して、データベース714に記憶されたコンテンツを管理するよう設定されうる。サーバ708は、例えばTCP/IPプロトコルなどのネットワークプロトコルを使用して、互いに、コントローラ702と、重ね合わせ誤差アプリケーションサーバ712と通信するようにプログラムされうる。重ね合わせ誤差アプリケーションサーバ712は、通信ネットワーク706を通じて、コントローラ702と直接通信しうる。コントローラ702は、プログラム及び/又はその他のソフトウェアアプリケーションなどのソフトウェア704を実行するようプログラムされ、かつサーバ708によって管理されているアプリケーションにアクセスする。 Each controller 702 receives and / or displays outputs as well as input devices such as processors, system memory, hard disk drives, batteries, mice and keyboards, and / or output devices such as monitors or graphical user interfaces. It can include traditional components of computing devices, such as combined input / output devices such as touch screens. Each server 708 and overlay error application server 712 manages the content stored in the database 714, including a processor and system memory (not shown) and using the relevant database software and / or file system. Can be set as The server 708 may be programmed to communicate with each other using a network protocol, such as the TCP / IP protocol, with the controller 702 and the overlay error application server 712. The overlay error application server 712 can communicate directly with the controller 702 through the communication network 706. Controller 702 accesses an application that is programmed to run software 704, such as a program and / or other software application, and is managed by server 708.

以下に説明する実施形態では、ユーザは、通信ネットワーク706を通じて、サーバ708に接続されうるコントローラ702をそれぞれ操作しうる。ページ、画像、データ、文書などが、コントローラ702を介してユーザに表示されうる。コントローラ702と通信しているディスプレイデバイス及び/又はグラフィカルユーザインターフェースを通じて、情報及び画像が表示されうる。 In the embodiments described below, the user can operate each of the controllers 702 that can be connected to the server 708 through the communication network 706. Pages, images, data, documents, etc. may be displayed to the user via the controller 702. Information and images can be displayed through a display device communicating with controller 702 and / or a graphical user interface.

コントローラ702が、パソコン、ラップトップ型携帯計算デバイス、スマートフォン、ビデオゲームの操作器、家庭用デジタルメディアプレイヤー、ネットワーク接続型テレビ、セットトップボックス、並びに/又は通信ネットワーク706との通信に適した構成要素、及び/若しくは必要なアプリケーション又はソフトウェアを有するその他の計算デバイスでありうることに留意されたい。コントローラ702は、基板位置合わせアプリケーションサーバ712からコンテンツ及び情報を受信するよう設定された他のソフトウェアアプリケーションも実行しうる。 Controller 702 is a component suitable for communication with a personal computer, a laptop portable computing device, a smartphone, a video game controller, a home digital media player, a network-connected TV, a set-top box, and / or a communication network 706. Note that and / or other computing devices with the required application or software. The controller 702 may also execute other software applications configured to receive content and information from the board alignment application server 712.

図6は、図5の重ね合わせ誤差アプリケーションサーバ712のより詳細な図を示す。重ね合わせ誤差アプリケーションサーバ712は、インターコネクト(相互接続部)806を介して通信を行う、中央処理装置(CPU)802、ネットワークインターフェース804、メモリ820、及びストレージ830を含むが、それらに限定されない。重ね合わせ誤差アプリケーションサーバ712は、I/Oデバイス810(例えば、キーボード、ビデオ、マウス、オーディオ、タッチスクリーンなど)に接続するI/Oデバイスインターフェース808も含みうる。重ね合わせ誤差アプリケーションサーバ712は、通信ネットワーク706を介してデータを伝送するよう設定されたネットワークインターフェース804を更に含みうる。 FIG. 6 shows a more detailed view of the overlay error application server 712 of FIG. The overlay error application server 712 includes, but is not limited to, a central processing unit (CPU) 802, a network interface 804, a memory 820, and a storage 830 that communicate via the interconnect (interconnect) 806. The overlay error application server 712 may also include an I / O device interface 808 that connects to an I / O device 810 (eg, keyboard, video, mouse, audio, touch screen, etc.). The overlay error application server 712 may further include a network interface 804 configured to transmit data over the communication network 706.

CPU802は、メモリ820に記憶されたプログラミング命令を読み出して実行し、かつ、通常は、他のシステム構成要素の動作を制御し連携させる。同様に、CPU802は、メモリ820にアプリケーションデータを記憶し、メモリ820の中にあるアプリケーションデータを読み出す。代表的には、単一のCPU、複数のCPU、複数の処理コアを有する単一のCPUなどである、CPU802が含まれる。インターコネクト806は、CPU802と、I/Oデバイスインターフェース808と、ストレージ830と、ネットワークインターフェース804と、メモリ820との間でプログラミング命令及びアプリケーションデータを伝送するために使用される。 The CPU 802 reads and executes the programming instructions stored in the memory 820, and usually controls and cooperates with the operations of other system components. Similarly, the CPU 802 stores the application data in the memory 820 and reads out the application data in the memory 820. Typically, a CPU 802 is included, which is a single CPU, a plurality of CPUs, a single CPU having a plurality of processing cores, and the like. The interconnect 806 is used to transmit programming instructions and application data between the CPU 802, the I / O device interface 808, the storage 830, the network interface 804, and the memory 820.

代表的にはランダムアクセスメモリであるメモリ820が通常含まれ、メモリ820は、動作中に、CPU802によって使用されるソフトウェアアプリケーション及びデータを記憶する。ストレージ830は、単一のユニットとして図示しているが、不揮発性のデータを記憶するよう設定された、固定ディスクドライブ、フロッピーディスクドライブ、ハードディスクドライブ、フラッシュメモリストレージドライブ、テープドライブ、取り外し可能なメモリカード、CD−ROM、DVD−ROM、Blu−Ray、HD−DVD、光ストレージ、ネットワーク接続ストレージ(NAS)、クラウドストレージ、又はストレージエリアネットワーク(SAN)などの、固定ストレージデバイス及び/又は取り外し可能なストレージデバイスの組み合わせでありうる。 A memory 820, typically a random access memory, is typically included, which stores software applications and data used by the CPU 802 during operation. Storage 830, illustrated as a single unit, is a fixed disk drive, floppy disk drive, hard disk drive, flash memory storage drive, tape drive, removable memory configured to store non-volatile data. Fixed storage devices and / or removable, such as cards, CD-ROMs, DVD-ROMs, Blu-Rays, HD-DVDs, optical storage, networked storage (NAS), cloud storage, or storage area networks (SAN). It can be a combination of storage devices.

メモリ820は、重ね合わせ誤差ソフトウェア828を含むアプリケーションプラットフォーム826を実行するための命令及びロジックを記憶しうる。ストレージ830は、データ834及び関連するアプリケーションプラットフォームコンテンツ836を記憶するよう設定されたデータベース832を含みうる。データベース832は、任意の種類のストレージデバイスでありうる。 The memory 820 may store instructions and logic for executing the application platform 826 including the overlay error software 828. Storage 830 may include database 832 configured to store data 834 and associated application platform content 836. Database 832 can be any type of storage device.

ネットワークコンピュータは、本明細書に提示される開示内容と併用できる、別の種類のコンピュータシステムである。ネットワークコンピュータは、通常、ハードディスク又はその他の大容量ストレージを含まず、実行可能プログラムは、CPU802によって実行されるよう、ネットワーク接続からメモリ820に読み込まれる。通常のコンピュータシステムは、一般的に、少なくとも、プロセッサ、メモリ、及び、メモリをプロセッサに結合するインターコネクトを含むことになる。 A network computer is another type of computer system that can be used in conjunction with the disclosures presented herein. Network computers typically do not include hard disks or other large storage, and executable programs are loaded into memory 820 from a network connection for execution by CPU 802. A typical computer system will generally include at least a processor, memory, and an interconnect that binds the memory to the processor.

図7は、重ね合わせ誤差アプリケーションサーバ712にアクセスし、アプリケーションプラットフォーム826に関連するデータを読み出す又は表示するために使用されるコントローラ702を示す。コントローラ702は、中央処理装置(CPU)902、ネットワークインターフェース904、インターコネクト906、メモリ920、ストレージ930、及びサポート回路940を含みうるが、それらに限定されない。コントローラ702はまた、I/Oデバイス910(キーボード、ディスプレイ、タッチスクリーン、及びマウスなどのデバイス)をコントローラ702に接続する、I/Oデバイスインターフェース908も含みうる。 FIG. 7 shows a controller 702 used to access the overlay error application server 712 and read or display data associated with the application platform 826. The controller 702 may include, but is not limited to, a central processing unit (CPU) 902, a network interface 904, an interconnect 906, a memory 920, a storage 930, and a support circuit 940. The controller 702 may also include an I / O device interface 908 that connects the I / O device 910 (devices such as keyboards, displays, touch screens, and mice) to the controller 702.

CPU802と同様に、代表的には、単一のCPU、複数のCPU、複数の処理コアを有する単一のCPUなどであるCPU902が含まれ、代表的にはランダムアクセスメモリであるメモリ920が一般に含まれる。インターコネクト906は、CPU902と、I/Oデバイスインターフェース908と、ストレージ930と、ネットワークインターフェース904と、メモリ920との間でプログラミング命令及びアプリケーションデータを伝送するために使用されうる。ネットワークインターフェース904は、例えば、表面位置合わせアプリケーションサーバ712からコンテンツを転送するために、通信ネットワーク706を介してデータを送信するように設定されうる。ハードディスクドライブ又はソリッドステートストレージドライブ(SSD)などのストレージ930は、不揮発性データを記憶しうる。ストレージ930は、データベース931を包含しうる。データベース931は、データ932及びその他のコンテンツ934を包含しうる。いくつかの実施形態では、データベース931は、画像処理ユニット936を更に含みうる。画像処理ユニットは、データ938及び/又は制御ロジック939を含みうる。例示的には、メモリ920は、アプリケーションインターフェース922を含み、アプリケーションインターフェース922自体が、ソフトウェア命令924を表示し、及び/又はデータ926を記憶し若しくは表示しうる。アプリケーションインターフェース922は、コントローラ702が、表面位置合わせアプリケーションサーバ712によってホストされるデータ及び他のコンテンツにアクセスすることを可能にする、1つ又は複数のソフトウェアアプリケーションを提供しうる。 Similar to the CPU 802, a CPU 902 is typically included, such as a single CPU, a plurality of CPUs, and a single CPU having a plurality of processing cores, and a memory 920, which is a random access memory, is generally used. included. The interconnect 906 can be used to transmit programming instructions and application data between the CPU 902, the I / O device interface 908, the storage 930, the network interface 904, and the memory 920. The network interface 904 may be configured to transmit data over the communication network 706, for example, to transfer content from the surface alignment application server 712. Storage 930, such as a hard disk drive or solid state storage drive (SSD), may store non-volatile data. Storage 930 may include database 931. Database 931 may include data 932 and other content 934. In some embodiments, the database 931 may further include an image processing unit 936. The image processing unit may include data 938 and / or control logic 939. Illustratively, the memory 920 includes an application interface 922, which itself may display software instructions 924 and / or store or display data 926. The application interface 922 may provide one or more software applications that allow the controller 702 to access data and other content hosted by the surface alignment application server 712.

コントローラ702は、処理装置160、ステージ130、及びエンコーダ126のうちの1つ又は複数と結合され又は通信しうる。処理装置160及びステージ130は、基板処理及び基板の位置合わせに関して、コントローラ702に情報を提供しうる。例えば、処理装置160は、コントローラ702に情報を提供し、コントローラに基板処理が完了したことを警告しうる。エンコーダ126は、コントローラ702に位置情報を提供可能であり、この位置情報は次いで、ステージ130及び処理装置160を制御するために使用される。 Controller 702 may be coupled or communicate with one or more of processing apparatus 160, stage 130, and encoder 126. The processing apparatus 160 and the stage 130 may provide information to the controller 702 regarding substrate processing and substrate alignment. For example, the processing apparatus 160 may provide information to the controller 702 and warn the controller that the substrate processing is complete. The encoder 126 can provide position information to the controller 702, which position information is then used to control the stage 130 and the processing device 160.

コントローラ702は、中央処理装置(CPU)902、メモリ920、及びサポート回路940(又はI/O908)を含みうる。CPU902は、様々な処理を制御するために産業用設定で使用される任意の形態のコンピュータプロセッサとハードウェア(パターン生成装置、モータ、及びその他のハードウェアなど)のうちの一方であり、プロセス(処理時間や基板位置など)をモニタしうる。メモリ920は、図7に示されるように、CPU902に接続されており、ランダムアクセスメモリ(RAM)、読み取り専用メモリ(ROM)、フロッピーディスク、ハードディスク、又はその他の任意の形態のローカル若しくは遠隔のデジタルストレージといった、容易に利用可能なメモリのうちの1つ又は複数でありうる。CPU902に指示するために、ソフトウェア命令及びデータは、コード化され、メモリ内に記憶することができる。サポート回路940も、従来型の様態でプロセッサをサポートするように、CPU902に接続される。サポート回路940は、従来型のキャッシュ942、電源944、クロック回路946、入力/出力回路948、サブシステム950などを含みうる。コントローラ702による可読プログラム(又はコンピュータ命令)が、どのタスクが基板上で実行可能であるかを決定する。プログラムは、コントローラ702による可読ソフトウェアであり、例えば処理時間及び基板位置をモニタし制御するためのコードを含みうる。 The controller 702 may include a central processing unit (CPU) 902, a memory 920, and a support circuit 940 (or I / O 908). The CPU 902 is one of any form of computer processor and hardware (such as pattern generators, motors, and other hardware) used in industrial settings to control various processes and processes (such as pattern generators, motors, and other hardware). Processing time, board position, etc.) can be monitored. Memory 920 is connected to CPU 902 as shown in FIG. 7, and is connected to random access memory (RAM), read-only memory (ROM), floppy disk, hard disk, or any other form of local or remote digital. It can be one or more of the readily available memories, such as storage. Software instructions and data can be encoded and stored in memory for instructing the CPU 902. The support circuit 940 is also connected to the CPU 902 to support the processor in a conventional manner. The support circuit 940 may include a conventional cache 942, a power supply 944, a clock circuit 946, an input / output circuit 948, a subsystem 950, and the like. A readable program (or computer instruction) by controller 702 determines which tasks can be performed on the board. The program is readable software by controller 702 and may include, for example, code for monitoring and controlling processing time and board position.

しかしながら、これら全ての用語及び類似の用語は、適切な物理量に関連付けられるべきであり、これらの量に適用される単なる便宜上の符号にすぎないと留意すべきである。下記検討から明らかであるように、別途特段の記載がない限り、本明細書全体を通じて、「処理する(processing)」「計算する(computing)」「算出する(calculating)」「決定する(determining)」、又は「表示する(displaying)」等といった用語を利用した検討は、コンピュータシステムのレジスタ及びメモリ内の物理(電子)量として表されるデータを操作し、コンピュータシステムのメモリ若しくはレジスタ、又はかかる情報のその他のストレージデバイス、伝送デバイス、又はディスプレイデバイス内の物理量として同様に表される他のデータに変換する、コンピュータシステム又は類似の電子計算デバイスの作動及びプロセスを指すと認識される。 However, it should be noted that all these terms and similar terms should be associated with appropriate physical quantities and are merely convenience codes applied to these quantities. As will be apparent from the discussion below, unless otherwise stated, "processing," "computing," "calculating," and "determining" throughout this specification. Or, a study using terms such as "displaying" manipulates the data represented as the physical (electronic) quantity in the computer system's register and memory, and the computer system's memory or register, or such. It is recognized to refer to the operation and process of a computer system or similar electronic computing device that transforms information into other data, which is also represented as a physical quantity in another storage device, transmission device, or display device.

本実施例はまた、本明細書中の動作を実行するための装置にも関する。この装置は、求められる目的のために特別に構築されうるか、又はコンピュータに記憶されるコンピュータプログラムによって選択的に作動するか若しくは再構成される汎用コンピュータを備えうる。かかるコンピュータプログラムは、読み出し専用メモリ(ROM)、ランダムアクセスメモリ(RAM)、EPROM、EEPROM、フラッシュメモリ、磁気カード若しくは光カード、フロッピーディスクと、光ディスクと、CD−ROMと、磁気−光ディスクとを含む任意の種類のディスク、又は電子命令を記憶するのに適した任意の種類の媒体などであり(ただしそれらに限定されない)、その各々がコンピュータシステムのインターコネクトに結合される、コンピュータ可読記憶媒体に記憶されうる。 The present embodiment also relates to an apparatus for performing the operations herein. The device may include a general purpose computer that may be specially constructed for the desired purpose, or may be selectively operated or reconstructed by a computer program stored in the computer. Such computer programs include read-only memory (ROM), random access memory (RAM), EPROM, EEPROM, flash memory, magnetic or optical cards, floppy disks, optical disks, CD-ROMs, and magnetic-optical disks. Storage on a computer-readable storage medium, such as, but not limited to, any type of disk, or any type of medium suitable for storing electronic instructions, each of which is coupled to a computer system interconnect. Can be done.

本明細書に提示されるアルゴリズム及びディスプレイは、いかなる特定のコンピュータ又はその他の装置にも本質的に関連していない。様々な汎用システムが、本明細書の教示内容に従ってプログラムと共に使用され、又は求められる方法工程を実行するために、より専門的な装置を構築することが便宜にかなうと分かることもある。多種多様なこれらのシステムの構造は、本明細書の上記の記載から明白になろう。加えて、本開示の例は、何らかの特定のプログラミング言語に関連して説明されているのではなく、ゆえに、様々な例が多様なプログラミング言語を使用して実装されうる。 The algorithms and displays presented herein are essentially unrelated to any particular computer or other device. It may be convenient to build more specialized equipment for various general purpose systems to perform the method steps used or required with the program according to the teachings herein. The structure of a wide variety of these systems will become apparent from the above description herein. In addition, the examples in the present disclosure are not described in the context of any particular programming language, and therefore various examples can be implemented using a variety of programming languages.

本明細書内でより詳細に説明するように、本開示の実施形態は、製造プロセスでのマスクレスリソグラフィパターニング中のエッジ配置誤差を低減するために、これらの特徴のエッジを禁制角度でディザリング処理することによって、露光多角形のライン波欠陥が禁制角度で補正されるソフトウェアアプリケーションを提供する。 As described in more detail herein, embodiments of the present disclosure dither the edges of these features at forbidden angles to reduce edge placement errors during maskless lithography patterning during the manufacturing process. By processing, it provides a software application in which line wave defects of an exposed polygon are corrected by a forbidden angle.

一実施形態では、合計の重ね合わせ領域に応じて露光パラメータを調整するための方法1000が開示される。方法1000は、図7に示し関連して上述したように、コントローラ702によって実行されうる。CPU902は、メモリ820に記憶される重ね合わせ誤差ソフトウェア828を実行するようプログラムされ、以下図8で関連して説明される合計の重ね合わせ領域に応じて、露光パラメータを調整するための方法1000を実施する。 In one embodiment, a method 1000 for adjusting exposure parameters according to the total superposition region is disclosed. Method 1000 can be performed by controller 702, as shown in FIG. 7 and relatedly described above. The CPU 902 is programmed to run the overlay error software 828 stored in memory 820, providing method 1000 for adjusting the exposure parameters according to the total overlay area, which is described below in connection with FIG. implement.

図8は、図9に示すように、合計の重ね合わせ領域に応じて露光パラメータを調整するための方法1000の工程を概略的に示す。方法1000は、一般に、基板上に堆積された第1の層の合計の重ね合わせ誤差を決定し、その合計の重ね合わせ誤差に応じて露光パラメータを調整することに関する。ある層とその前の層の上に重なる次の層との間では、ある層と次の層の個々のパターンを位置合わせしなければならない。しかしながら、上に重なる複数の層におけるパターン及び材料の違いにより、層間の膜応力及び/又はトポグラフィの変動(又はパターンに関連する違い)は避けられない。基板上に形成された層間で発生した膜応力は、基板を変形させることになり、リソグラフィパターニングプロセスの結果に影響を及ぼし、基板上に形成された半導体デバイスのデバイス歩留まりの問題につながる可能性がある。デバイス構造の重ね合わせ誤差は、さまざまな誤差源から発生しうる。この分野で一般的に見られる源の1つは、フィルム応力、基板の曲率などによって引き起こされる基板フィルム層の変形である。基板上のデバイス構造の膜応力、基板の曲率、基板の変形、又は表面トポグラフィの変動もまた、1つの層から次の層へと形成されるリソグラフィパターンの変位又は位置ずれをもたらす可能性があり、これは、デバイスの歩留まりの結果に悪影響を及ぼし、及び/又はデバイスの性能にばらつきを生じさせる可能性がある。理想的な長方形形状として始まるものは、「ピンクッション(pin−cushion)」の形状となることがあり、基板が様々な方向に引っ張られ、もはや理想的な長方形形状を維持することはない。基板の反りがあると、元の中心Cが、中心C’にシフトすることがある。したがって、中心に対する所与の点(x,y)は、点(x’,y’)に対応しうる。したがって、後続の層を第1の層の上に位置合わせするために、システムは、合計の重ね合わせ誤差を考慮する必要がある。 FIG. 8 schematically shows the steps of Method 1000 for adjusting the exposure parameters according to the total superposition region, as shown in FIG. Method 1000 generally relates to determining the total overlay error of the first layer deposited on the substrate and adjusting the exposure parameters according to the total overlay error. Between one layer and the next layer on top of the previous layer, the individual patterns of one layer and the next layer must be aligned. However, due to differences in patterns and materials in multiple layers on top of each other, variations in film stress and / or topography between layers (or pattern-related differences) are unavoidable. The film stress generated between the layers formed on the substrate deforms the substrate, affects the result of the lithography patterning process, and may lead to the problem of the device yield of the semiconductor device formed on the substrate. be. Superposition errors in the device structure can come from a variety of error sources. One of the commonly seen sources in this field is deformation of the substrate film layer caused by film stress, substrate curvature and the like. Membrane stress of the device structure on the substrate, curvature of the substrate, deformation of the substrate, or variation in surface topography can also result in displacement or misalignment of the lithography pattern formed from one layer to the next. , This can adversely affect the yield results of the device and / or cause variations in device performance. What starts out as an ideal rectangular shape can be a "pin-cushion" shape, where the substrate is pulled in various directions and no longer maintains the ideal rectangular shape. If the substrate is warped, the original center C may shift to the center C'. Therefore, a given point (x, y) with respect to the center can correspond to a point (x', y'). Therefore, in order to align subsequent layers on top of the first layer, the system needs to take into account the total overlay error.

方法1000は、工程1002で開始する。工程1002において、基板1101の表面1102は、1つ又は複数の区画Sに分割される。1つ又は複数の区画Sは、システム100内の1つ又は複数の画像投影システム301に対応する。例えば、n個の画像投影システム301が与えられると、基板1101は、n個の区画Sに分割されることになる。この例では、基板1101は、2×2の画像投影システム301の構成に対応する4つの区画S−Sに分割される。基板1101を1つ又は複数の区画Sに分割することにより、重ね合わせ誤差のより正確な読み取りが可能になる。これは、基板上の複雑な歪みパターンに対して単一の最適な線が十分ではない可能性があるからである。基板を分割することにより、より小さな歪み領域に最適な線を適用することが可能になり、それによって全体の歪みパターンをより正確に読み取ることができる。基板1101が区画に分割されると、各区画の原点(0,0)が決定される。これにより、システムが、以降の計算で、各区画S−Sの中心Cをより簡単に決定することができる。 Method 1000 begins in step 1002. In step 1002, the surface 1102 of the substrate 1101 is divided into one or more compartments S k. One or more compartments S k corresponds to one or more of the image projection system 301 in system 100. For example, given n image projection systems 301, the substrate 1101 will be divided into n compartments Sn. In this example, the substrate 1101 is divided into four sections S 1 -S 4 corresponding to the configuration of the 2 × 2 image projection system 301. By dividing the substrate 1101 into one or more compartments S k, thereby enabling more accurate reading of the overlay error. This is because a single optimal line may not be sufficient for complex strain patterns on the substrate. By dividing the substrate, it is possible to apply the optimum line to a smaller strain area, which allows the entire strain pattern to be read more accurately. When the substrate 1101 is divided into compartments, the origin (0,0) of each compartment is determined. Thus, the system is, in subsequent calculations, it is possible to more easily determine the center C of each compartment S 1 -S 4.

工程1004において、基板上に堆積された第1の層の合計の重ね合わせ誤差が決定される。合計の重ね合わせ誤差を決定することは、各区画Sに対して区画の重ね合わせ誤差を決定すること(サブ工程1008)と、2つ以上の区画Sが重なる領域に対して重なり重ね合わせ誤差を決定すること(サブ工程1010)とを含む。 In step 1004, the total overlay error of the first layer deposited on the substrate is determined. Determining the total overlay error includes determining the overlay error of compartments for each compartment S k and (substep 1008), overlay overlapping the region where two or more compartments S k overlap Includes determining the error (sub-step 1010).

サブ工程1008において、区画の重ね合わせ誤差が、各区画Sについて決定される。区画の重ね合わせ誤差は、最初に基板上に堆積された第1の層の上面を走査して、各区画Sの歪み量を決定することによって決定される。歪みパターンは、座標のシフトを決定するために傾向線に適合される。例えば、線形パターンを有する歪みが与えられた場合、線形傾向線は、その後の露光に対してプロセスパラメータをどのように調整するかを決定するために使用されうる。別の例では、湾曲した歪みを含む歪みが与えられた場合、多項式傾向線は、その後の露光に対してプロセスパラメータをどのように調整するかを決定するために使用されてもよい。一般に、傾向線は、重ね合わせ誤差を考慮するために、元のプロセスパラメータ内の各元の座標(x,y)を修正されたプロセスパラメータ内の修正された座標(x’,y’)に変換することになる多項式を表す。一般に、これは次のように表されうる:

Figure 0006956777
ここで、方程式1は、x方向の座標のシフトを表し、方程式2は、y方向の座標のシフトを表す。方程式1と方程式2は、3つの成分、つまり、元の点(x又はy)、
Figure 0006956777
、及び
Figure 0006956777
に分割される。S(x,y)は、所与の区画Kを表し、ここでS(x,y)は、区分関数であり、次のように表されうる。
Figure 0006956777
点が区画S内にない場合、区分関数S(x,y)は、
Figure 0006956777
をゼロにする。そのように、方程式3は、それぞれの区画内の点のみがその区画に対する最適な線を表す多項式によってシフトされることを保証する。他の区画は、異なる最適な線が使用される歪みパターンを示しうる。したがって、方程式1及び方程式2は、各区画について等価でないことがある。 In sub-step 1008, the overlay error of partition is determined for each section S k. Error overlay section scans the upper surface of the first layer is first deposited on the substrate, it is determined by determining the amount of strain of each compartment S k. The strain pattern is adapted to the trend line to determine the coordinate shift. For example, given a distortion with a linear pattern, the linear trend line can be used to determine how to adjust the process parameters for subsequent exposures. In another example, given a distortion that includes a curved distortion, the polynomial tendency line may be used to determine how to adjust the process parameters for subsequent exposures. In general, the trend line is the modified coordinates (x, y) in the modified process parameters (x', y') in the original process parameters to take into account the overlay error. Represents the polynomial to be transformed. In general, this can be expressed as:
Figure 0006956777
Here, the equation 1 represents the shift of the coordinates in the x direction, and the equation 2 represents the shift of the coordinates in the y direction. Equation 1 and Equation 2 have three components: the original point (x or y),
Figure 0006956777
,as well as
Figure 0006956777
It is divided into. Sk (x, y) represents a given partition K, where Sk (x, y) is a piecewise function and can be expressed as:
Figure 0006956777
If the point is not in the compartment S k, piecewise function S k (x, y) is
Figure 0006956777
To zero. As such, Equation 3 ensures that only the points within each compartment are shifted by the polynomial that represents the optimal line for that compartment. Other compartments may show a distortion pattern in which different optimal lines are used. Therefore, equations 1 and 2 may not be equivalent for each compartment.

サブ工程1010において、重なり重ね合わせ誤差が決定される。重なり重ね合わせ誤差は、2つ以上の区画Sが重なるこれらの領域で決定される。図9に示すように、重なり領域OA−OAは、2つ以上の区画Sが重なる領域である。所与の重なり領域OAにおける重ね合わせ誤差を決定するために、重なり領域OAを生じる区画の区画重ね合わせ誤差が平均される。x方向のシフトは、方程式4で表され、y方向のシフトは、方程式5で表されうる。

Figure 0006956777
In the sub-step 1010, the overlap overlay error is determined. The overlap superposition error is determined in these regions where two or more compartments Sk overlap. As shown in FIG. 9, the overlapping area OA 1 -OA 5, it is a region where two or more compartments S k overlap. In order to determine the overlay error in a given overlap region OA k , the partition overlay error of the compartments that produce the overlap region OA k is averaged. The shift in the x direction can be represented by Equation 4, and the shift in the y direction can be represented by Equation 5.
Figure 0006956777

重なり領域は、OA(x,y)により表され、ここでOA(x,y)は、下記の方程式6で表される区分方程式である。

Figure 0006956777
方程式6において、S,S∈Sの場合、点(x,y)が少なくとも2つの区画S,Sの交点における要素であるという条件で、OA(x,y)は、関数W(x,y)を表す。点(x,y)が重なり領域内にある場合、関数W(x,y)は、OA(x,y)に対して方程式4及び方程式5に代入され、ここで、W(x,y)は次のように表される。
Figure 0006956777
ここで(cx,cy)は、各区画Sの中心を定義する。 The overlapping region is represented by OA k (x, y), where OA k (x, y) is a divisional equation represented by the following equation 6.
Figure 0006956777
In Equation 6, S v, when the S w ∈S k, the point (x, y) of at least two compartments S v, with the proviso that an element at the intersection of S w, OA k (x, y) is Represents the function W k (x, y). If the points (x, y) are within the overlapping region, the function W k (x, y) is assigned to equations 4 and 5 for OA k (x, y), where W k (x, y). , Y) is expressed as follows.
Figure 0006956777
Here (cx k, cy k) defines the center of each compartment S k.

各区画S、並びにすべての重なり領域OA内の各点に対するx及びyのシフトを計算した後に、工程1006で、露光パラメータは、工程1010で決定された合計の重ね合わせ誤差に応じて調整される。各区画Sの各点に対して、各点(x,y)は、方程式1及び方程式2に従って(x’,y’)にシフトされる。各重なり領域OA内の各点に対して、各点(x,y)は、方程式4及び方程式5に従って(x’,y’)にシフトされる。重なり領域OAを考慮することによって、方法1000は、隣接する区画S間でのスムーズな移行を可能にする。スムーズな移行は、第1の層内の隣接する区画S間での急激な変化により発生しうる重ね合わせ誤差を軽減する。 Each compartment S k, and after calculating the shift of x and y for each point of all the overlapping area OA k, in step 1006, exposure parameters, depending on the overlay error of the sum determined in step 1010 adjusts Will be done. For each point of each of the sections S k, each point (x, y), according to equation 1 and equation 2 (x ', y') is shifted. For each point in each overlapping region OA k , each point (x, y) is shifted to (x', y') according to equations 4 and 5. By considering the area OA k overlap, method 1000 enables a smooth transition between partitions S k adjacent. Smooth transition will reduce the overlay error that can occur due to a rapid change between compartments S k adjacent in the first layer.

上記は本明細書に記載の実施形態を対象としているが、これらの実施形態の基本的な範囲から逸脱することなく、他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてもよい。例えば、本開示の態様は、ハードウェア若しくはソフトウェアにおいて、又は、ハードウェアとソフトウェアとの組み合わせにおいて、実装されうる。本明細書に記載の一実施形態は、コンピュータシステムと共に使用されるプログラム製品として実装されうる。プログラム製品のプログラム(複数可)は、実施形態(本明細書に記載の方法を含む)の機能を定義し、かつ多様なコンピュータ可読記憶媒体に包含することができる。例示的なコンピュータ可読記憶媒体は、(i)情報が永続的に記憶される書込み不能な記憶媒体(例えば、CD−ROMドライブ、フラッシュメモリ、ROMチップ、又は任意の種類のソリッドステート不揮発性半導体メモリによって読み出し可能なCD−ROMディスクなどのコンピュータ内の読出し専用メモリデバイス)、及び(ii)変更可能な情報が記憶される書き込み可能な記憶媒体(例えば、ディスケットドライブ若しくはハードディスクドライブ内のフロッピーディスク又は任意の種類のソリッドステートランダムアクセス半導体メモリ)を含むが、これらに限定されない。かかるコンピュータ可読記憶媒体は、開示された実施形態の機能を指示するコンピュータ可読命令を伴うと、本開示の実施形態となる。 Although the above is intended for the embodiments described herein, other embodiments and further embodiments may be devised without departing from the basic scope of these embodiments. For example, aspects of the present disclosure may be implemented in hardware or software, or in a combination of hardware and software. One embodiment described herein can be implemented as a program product for use with a computer system. A program (s) of a program product may define the functionality of an embodiment (including the methods described herein) and may be included in a variety of computer-readable storage media. An exemplary computer-readable storage medium is (i) a non-writable storage medium in which information is permanently stored (eg, a CD-ROM drive, flash memory, ROM chip, or any type of solid-state non-volatile semiconductor memory). A read-only memory device in a computer, such as a CD-ROM disk that can be read by, and (ii) a writable storage medium in which modifiable information is stored (eg, a floppy disk in a diskette drive or hard disk drive, or optionally. Types of solid-state random access semiconductor memory), but not limited to these. Such a computer-readable storage medium becomes an embodiment of the present disclosure when accompanied by a computer-readable instruction indicating a function of the disclosed embodiment.

前述の例は、例示的なものであって限定的なものではないことが、当業者には認識されよう。本明細書を読み、図面を精査することで当業者に明らかになる、これらの例の置換例、強化例、均等物、及び改良例は全て、本開示の本質及び範囲内に含まれることが意図されている。したがって、以下の付随する特許請求の範囲も、これらの教示の本質及び範囲に内包されるものとして、かかる修正例、置換例、及び均等物の全てを含むことが意図されている。 Those skilled in the art will recognize that the above examples are exemplary and not limiting. Substitutions, enhancements, equivalents, and improvements of these examples, which will become apparent to those skilled in the art upon reading the specification and scrutinizing the drawings, are all within the essence and scope of the present disclosure. Intended. Therefore, the following accompanying claims are also intended to include all such modifications, substitutions, and equivalents as being contained within the essence and scope of these teachings.

Claims (15)

重ね合わせ誤差に応じて基板の露光パラメータを調整する方法であって、
前記基板を、各々が一つの画像投影システムに対応する複数の区画に分割することと、
前記基板の上に堆積された第1の層の合計の重ね合わせ誤差を決定することであって、
座標の多項式で表されて区画の重ね合わせについての座標のシフトを与える傾向線を使用して、区画ごとに、区画の重ね合わせ誤差を計算すること、及び
2つ以上の区画が重なる重なり領域ごとに、前記重なり領域を生じる前記2つ以上の区画の重ね合わせ誤差の平均を計算すること
を含む、第1の層の合計の重ね合わせ誤差を決定することと、
前記合計の重ね合わせ誤差に応じて、露光パラメータを調整することと
を含む方法。
This is a method of adjusting the exposure parameters of the substrate according to the overlay error.
Dividing the substrate into a plurality of compartments, each corresponding to one image projection system,
Determining the total overlay error of the first layer deposited on the substrate.
Calculate the partition overlay error for each partition, and for each overlapping region where two or more partitions overlap, using a trend line that is represented by a polynomial of coordinates and gives a coordinate shift for the superposition of the partitions. To determine the total superposition error of the first layer, including calculating the average of the superposition errors of the two or more compartments producing the overlap region.
A method comprising adjusting exposure parameters according to the total overlay error.
2つ以上の区画が重なる重なり領域ごとに、前記重なり領域を生じる前記2つ以上の区画の重ね合わせ誤差の平均を計算することが、
前記重なり領域内に延びる第1の区画の座標シフトを与える第1の傾向線を使用して第1の歪み量を測定することによって、前記第1の区画に対する第1の区画の重ね合わせ誤差を計算することと、
前記重なり領域内に延びる第2の区画の座標シフトを与える第2の傾向線を使用して第2の歪み量を測定することによって、前記第2の区画に対する第2の区画の重ね合わせ誤差を計算することと、
前記第1の区画の重ね合わせ誤差及び前記第2の区画の重ね合わせ誤差の平均値を求めることと
を含む、請求項1に記載の方法。
For each overlapping region where two or more compartments overlap, it is possible to calculate the average of the superposition errors of the two or more compartments that produce the overlapping region.
By measuring the amount of first strain using the first trend line that gives the coordinate shift of the first compartment extending within the overlapping region, the overlay error of the first compartment with respect to the first compartment can be determined. To calculate and
By measuring the amount of the second strain using the second trend line that gives the coordinate shift of the second compartment extending within the overlapping region, the overlay error of the second compartment with respect to the second compartment can be determined. To calculate and
The method according to claim 1, wherein the average value of the superposition error of the first section and the superposition error of the second section is obtained.
前記合計の重ね合わせ誤差に応じて露光パラメータを調整することが、
前記重なり領域を生じる前記2つ以上の区画の重ね合わせ誤差の前記平均に基づき、前記重なり領域の各座標をシフトすること
を含む、請求項2に記載の方法。
It is possible to adjust the exposure parameters according to the total overlay error.
The method of claim 2, comprising shifting each coordinate of the overlapping region based on the average of the superposition errors of the two or more compartments producing the overlapping region.
前記基板を、各々が一つの画像投影システムに対応する複数の区画に分割することが、
区画ごとに原点を決定することと、
区画ごとに前記原点を使用して、区画ごとに中心を決定することと
を含む、請求項1に記載の方法。
Dividing the substrate into a plurality of compartments, each corresponding to one image projection system, can be used.
Determining the origin for each section
The method of claim 1, wherein the origin is used for each compartment to determine the center for each compartment.
点が第1の区画及び第2の区画の両方の要素である場合、前記点が重なり領域内にある、請求項1に記載の方法。 The method of claim 1, wherein when the points are elements of both the first and second compartments, the points are within the overlapping region. 合計の重ね合わせ誤差に応じて基板の露光パラメータを調整するためのコンピュータシステムであって、
プロセッサと、
メモリであって、前記プロセッサによって実行されるとき、前記コンピュータシステムに
前記基板を、各々が一つの画像投影システムに対応する複数の区画に分割させ、
前記基板の上に堆積された第1の層の合計の重ね合わせ誤差の決定であって、
座標の多項式で表されて区画の重ね合わせについての座標のシフトを与える傾向線を使用して、区画ごとに、区画の重ね合わせ誤差を計算すること、及び
2つ以上の区画が重なる重なり領域ごとに、前記重なり領域を生じる前記2つ以上の区画の重ね合わせ誤差の平均を計算すること
を含む、第1の層の合計の重ね合わせ誤差の決定を行わせ、
前記合計の重ね合わせ誤差に応じて、露光パラメータを調整させる
命令を記憶するメモリと
を備えるコンピュータシステム。
A computer system for adjusting the exposure parameters of a substrate according to the total superposition error.
With the processor
A memory that, when executed by the processor, causes the computer system to divide the substrate into a plurality of compartments, each corresponding to one image projection system.
Determining the total overlay error of the first layer deposited on the substrate.
Calculate the partition overlay error for each partition, and for each overlapping region where two or more partitions overlap, using a trend line that is represented by a polynomial of coordinates and gives a coordinate shift for the superposition of the partitions. To determine the total superposition error of the first layer, including calculating the average of the superposition errors of the two or more compartments that produce the overlap region.
A computer system including a memory for storing instructions for adjusting exposure parameters according to the total overlay error.
2つ以上の区画が重なる重なり領域ごとに、前記重なり領域を生じる前記2つ以上の区画の重ね合わせ誤差の平均を計算することが、
前記重なり領域内に延びる第1の区画の座標シフトを与える第1の傾向線を使用して第1の歪み量を測定することによって、前記第1の区画に対する第1の区画の重ね合わせ誤差を計算することと、
前記重なり領域内に延びる第2の区画の座標シフトを与える第2の傾向線を使用して第2の歪み量を測定することによって、前記第2の区画に対する第2の区画の重ね合わせ誤差を計算することと、
前記第1の区画の重ね合わせ誤差及び前記第2の区画の重ね合わせ誤差の平均値を求めることと
を含む、請求項6に記載のコンピュータシステム。
For each overlapping region where two or more compartments overlap, it is possible to calculate the average of the superposition errors of the two or more compartments that produce the overlapping region.
By measuring the amount of first strain using the first trend line that gives the coordinate shift of the first compartment extending within the overlapping region, the overlay error of the first compartment with respect to the first compartment can be determined. To calculate and
By measuring the amount of the second strain using the second trend line that gives the coordinate shift of the second compartment extending within the overlapping region, the overlay error of the second compartment with respect to the second compartment can be determined. To calculate and
The computer system according to claim 6, wherein the average value of the superposition error of the first section and the superposition error of the second section is obtained.
前記合計の重ね合わせ誤差に応じて露光パラメータを調整することが、
前記重なり領域を生じる前記2つ以上の区画の重ね合わせ誤差の前記平均に基づき、前記重なり領域の各座標をシフトすること
を含む、請求項7に記載のコンピュータシステム。
It is possible to adjust the exposure parameters according to the total overlay error.
The computer system according to claim 7, wherein each coordinate of the overlapping region is shifted based on the average of the superposition error of the two or more compartments producing the overlapping region.
前記基板を、各々が一つの画像投影システムに対応する複数の区画に分割することが、
区画ごとに原点を決定することと、
区画ごとに前記原点を使用して、区画ごとに中心を決定することと
を含む、請求項6に記載のコンピュータシステム。
Dividing the substrate into a plurality of compartments, each corresponding to one image projection system, can be used.
Determining the origin for each section
The computer system according to claim 6, wherein the origin is used for each partition to determine the center for each partition.
点が第1の区画及び第2の区画の両方の要素である場合、前記点が重なり領域内にある、請求項6に記載のコンピュータシステム。 The computer system of claim 6, wherein if the points are elements of both the first and second compartments, the points are within the overlapping area. 非一時的コンピュータ可読媒体であって、プロセッサによって実行されるとき、
基板を、各々が一つの画像投影システムに対応する複数の区画に分割するステップと、
前記基板の上に堆積された第1の層の合計の重ね合わせ誤差を決定するステップであって、
座標の多項式で表されて区画の重ね合わせについての座標のシフトを与える傾向線を使用して、区画ごとに、区画の重ね合わせ誤差を計算すること、及び
2つ以上の区画が重なる重なり領域ごとに、前記重なり領域を生じる前記2つ以上の区画の重ね合わせ誤差の平均を計算すること
を含む、第1の層の合計の重ね合わせ誤差を決定するステップと、
前記合計の重ね合わせ誤差に応じて、露光パラメータを調整するステップと
を実行することによって、コンピュータシステムに、重ね合わせ誤差に応じて基板の露光パラメータを調整させる命令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体。
When it is a non-transitory computer-readable medium and is executed by a processor
The steps of dividing the substrate into multiple compartments, each corresponding to one image projection system,
A step of determining the total overlay error of the first layer deposited on the substrate.
Calculate the partition overlay error for each partition, and for each overlapping region where two or more partitions overlap, using a trend line that is represented by a polynomial of coordinates and gives a coordinate shift for the superposition of the partitions. In addition, a step of determining the total superposition error of the first layer, which comprises calculating the average of the superposition errors of the two or more compartments producing the overlap region.
A non-temporary computer-readable medium that stores an instruction to cause a computer system to adjust the exposure parameters of a substrate according to the overlay error by performing a step of adjusting the exposure parameters according to the total overlay error. ..
2つ以上の区画が重なる重なり領域ごとに、前記重なり領域を生じる前記2つ以上の区画の重ね合わせ誤差の平均を計算することが、For each overlapping region where two or more compartments overlap, it is possible to calculate the average of the superposition errors of the two or more compartments that produce the overlapping region.
前記重なり領域内に延びる第1の区画の座標シフトを与える第1の傾向線を使用して第1の歪み量を測定することによって、前記第1の区画に対する第1の区画の重ね合わせ誤差を計算することと、By measuring the amount of first strain using the first trend line that gives the coordinate shift of the first compartment extending within the overlapping region, the overlay error of the first compartment with respect to the first compartment can be determined. To calculate and
前記重なり領域内に延びる第2の区画の座標シフトを与える第2の傾向線を使用して第2の歪み量を測定することによって、前記第2の区画に対する第2の区画の重ね合わせ誤差を計算することと、By measuring the amount of the second strain using the second trend line that gives the coordinate shift of the second compartment extending within the overlapping region, the overlay error of the second compartment with respect to the second compartment can be determined. To calculate and
前記第1の区画の重ね合わせ誤差及び前記第2の区画の重ね合わせ誤差の平均値を求めることとTo obtain the average value of the superposition error of the first section and the superposition error of the second section.
を含む、請求項11に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。11. The non-transitory computer-readable medium of claim 11.
前記合計の重ね合わせ誤差に応じて露光パラメータを調整することが、It is possible to adjust the exposure parameters according to the total overlay error.
前記重なり領域を生じる前記2つ以上の区画の重ね合わせ誤差の前記平均に基づき、前記重なり領域の各座標をシフトすることShifting each coordinate of the overlapping region based on the average of the superposition errors of the two or more compartments producing the overlapping region.
を含む、請求項12に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。The non-transitory computer-readable medium of claim 12, comprising.
前記基板を、各々が一つの画像投影システムに対応する複数の区画に分割することが、Dividing the substrate into a plurality of compartments, each corresponding to one image projection system, can be used.
区画ごとに原点を決定することと、Determining the origin for each section
区画ごとに前記原点を使用して、区画ごとに中心を決定することとUsing the origin for each parcel to determine the center for each parcel
を含む、請求項11に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。11. The non-transitory computer-readable medium of claim 11.
点が第1の区画及び第2の区画の両方の要素である場合、前記点が重なり領域内にある、請求項11に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。The non-transitory computer-readable medium of claim 11, wherein if the points are elements of both the first and second compartments, the points are within the overlapping area.
JP2019502662A 2016-07-19 2017-07-07 Piecewise alignment modeling method Active JP6956777B2 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662364230P 2016-07-19 2016-07-19
US62/364,230 2016-07-19
PCT/US2017/041152 WO2018017343A1 (en) 2016-07-19 2017-07-07 Piecewise alignment modeling method

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020160482A Division JP2021006917A (en) 2016-07-19 2020-09-25 Piecewise alignment modeling method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019526820A JP2019526820A (en) 2019-09-19
JP6956777B2 true JP6956777B2 (en) 2021-11-02

Family

ID=60989993

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019502662A Active JP6956777B2 (en) 2016-07-19 2017-07-07 Piecewise alignment modeling method
JP2020160482A Pending JP2021006917A (en) 2016-07-19 2020-09-25 Piecewise alignment modeling method

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020160482A Pending JP2021006917A (en) 2016-07-19 2020-09-25 Piecewise alignment modeling method

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10133193B2 (en)
JP (2) JP6956777B2 (en)
KR (2) KR102207155B1 (en)
CN (2) CN112255887B (en)
TW (2) TWI825119B (en)
WO (1) WO2018017343A1 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112255887B (en) * 2016-07-19 2023-09-22 应用材料公司 Segment alignment modeling method
EP3504593B1 (en) * 2017-09-28 2019-12-11 ASML Netherlands B.V. Lithographic method
WO2019242922A1 (en) * 2018-06-19 2019-12-26 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
CN109920751A (en) * 2019-02-18 2019-06-21 长江存储科技有限责任公司 Utilize the method and system of photolithographic exposure compensating approach wafer bonding deviation of the alignment
CN112712478B (en) * 2020-12-22 2022-11-08 安徽地势坤光电科技有限公司 Method and device for correcting working angle error of digital micromirror
KR20220099005A (en) 2021-01-05 2022-07-12 삼성전자주식회사 Semiconductor device manufacturing method using thereof
WO2023069095A1 (en) * 2021-10-21 2023-04-27 Kla Corporation Induced displacements for improved overlay error metrology

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004265957A (en) * 2003-02-26 2004-09-24 Nikon Corp Detecting method of optimal position detection formula, alignment method, exposure method, device, and method of manufacture the device
JP2007096069A (en) * 2005-09-29 2007-04-12 Nikon Corp Alignment method, overlapping accuracy measurement method, exposure method, alignment apparatus, exposure apparatus, and overlapping accuracy measurement apparatus
TW200745771A (en) * 2006-02-17 2007-12-16 Nikon Corp Adjustment method, substrate processing method, substrate processing apparatus, exposure apparatus, inspection apparatus, measurement and/or inspection system, processing apparatus, computer system, program and information recording medium
US7842442B2 (en) * 2006-08-31 2010-11-30 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for reducing overlay errors within exposure fields by APC control strategies
US8248579B2 (en) 2006-12-01 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device for correcting overlay errors between overlapping patterns
US20090042139A1 (en) * 2007-04-10 2009-02-12 Nikon Corporation Exposure method and electronic device manufacturing method
US20090073448A1 (en) * 2007-09-18 2009-03-19 Asml Netherlands B.V. Method of measuring the overlay error, an inspection apparatus and a lithographic apparatus
US8395752B2 (en) * 2008-09-23 2013-03-12 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
JP5133193B2 (en) * 2008-10-08 2013-01-30 株式会社目白プレシジョン Projection exposure equipment
JP5448240B2 (en) * 2008-10-10 2014-03-19 株式会社ニコン Display element manufacturing equipment
CN104834186B (en) * 2008-12-30 2018-01-09 Asml荷兰有限公司 The method of inspection and equipment, lithographic equipment, lithographic processing cell and device making method
US8559001B2 (en) * 2010-01-11 2013-10-15 Kla-Tencor Corporation Inspection guided overlay metrology
JP2012004564A (en) * 2010-06-11 2012-01-05 Nikon Corp Exposure method, exposure apparatus and method of manufacturing device
US9928867B2 (en) * 2011-01-31 2018-03-27 Seagate Technology Llc Templates for patterned media
US8440372B2 (en) * 2011-02-03 2013-05-14 Micrel, Inc. Single field zero mask for increased alignment accuracy in field stitching
NL2009294A (en) * 2011-08-30 2013-03-04 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for determining an overlay error.
CN103365124B (en) * 2012-03-31 2015-01-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Exposure alignment method
CN106168738B (en) 2012-06-04 2019-08-13 应用材料公司 Optical projection array exposure system
JP2013254849A (en) * 2012-06-07 2013-12-19 Nikon Corp Pattern formation optimization method and system, exposure method and device, detector, and device manufacturing method
JP6085433B2 (en) * 2012-08-14 2017-02-22 株式会社アドテックエンジニアリング Drawing apparatus, exposure drawing apparatus, program, and drawing method
JP5813603B2 (en) * 2012-09-04 2015-11-17 株式会社東芝 Imprint apparatus and imprint method
JP2014167963A (en) * 2013-02-28 2014-09-11 Toshiba Corp Electrostatic chuck, reticle, and electrostatic chucking method
JP2014178536A (en) * 2013-03-15 2014-09-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Drawing data generation method, drawing method, drawing data generation apparatus, and drawing apparatus
JP6261207B2 (en) * 2013-07-02 2018-01-17 キヤノン株式会社 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method using them
WO2015060972A1 (en) * 2013-10-22 2015-04-30 Applied Materials, Inc. Roll to roll mask-less lithography with active alignment
US10152654B2 (en) 2014-02-20 2018-12-11 Kla-Tencor Corporation Signal response metrology for image based overlay measurements
CN106062752B (en) 2014-03-10 2020-03-17 应用材料公司 Pixel fusion for multiple charged particle beam lithography
US20170069509A1 (en) * 2014-06-13 2017-03-09 Intel Corporation Data compression for ebeam throughput
US9645496B2 (en) 2014-08-08 2017-05-09 David A. Markle Maskless digital lithography systems and methods with image motion compensation
JP6343524B2 (en) * 2014-08-28 2018-06-13 株式会社オーク製作所 Projection exposure equipment
US10146141B2 (en) * 2014-08-28 2018-12-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography process and system with enhanced overlay quality
WO2016091529A1 (en) * 2014-12-12 2016-06-16 Asml Netherlands B.V. Methods and apparatus for calculating substrate model parameters and controlling lithographic processing
JP2017090817A (en) * 2015-11-16 2017-05-25 キヤノン株式会社 Exposure apparatus and article manufacturing method
CN112255887B (en) * 2016-07-19 2023-09-22 应用材料公司 Segment alignment modeling method

Also Published As

Publication number Publication date
KR102207155B1 (en) 2021-01-25
CN112255887A (en) 2021-01-22
US20180024444A1 (en) 2018-01-25
TWI825119B (en) 2023-12-11
CN109073986B (en) 2020-10-30
JP2019526820A (en) 2019-09-19
WO2018017343A1 (en) 2018-01-25
US20190033729A1 (en) 2019-01-31
JP2021006917A (en) 2021-01-21
CN112255887B (en) 2023-09-22
TWI668521B (en) 2019-08-11
KR102318906B1 (en) 2021-10-27
TW201812469A (en) 2018-04-01
KR20210008950A (en) 2021-01-25
TW201939173A (en) 2019-10-01
US10495983B2 (en) 2019-12-03
US10133193B2 (en) 2018-11-20
KR20190003803A (en) 2019-01-09
CN109073986A (en) 2018-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6956777B2 (en) Piecewise alignment modeling method
JP6754887B2 (en) Focus centering method for digital lithography
JP7007420B2 (en) How to reduce line swell
TWI695230B (en) Correction of non-uniform patterns using time-shifted exposures
KR20180039180A (en) Reduce line edge roughness with step size change
US11822253B2 (en) Decreasing distortion by modifying pixel spacing
KR20240119139A (en) Generation of 3D photoresist profiles using digital lithography
JP2022511298A (en) Methods for improving the resolution of maskless lithography while maintaining high image contrast
US20160284044A1 (en) Low-latency high bandwidth data path

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190318

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200115

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200128

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200423

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200714

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201113

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20201113

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20201124

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20201201

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20201218

C211 Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211

Effective date: 20201222

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20210420

C13 Notice of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13

Effective date: 20210608

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210707

C23 Notice of termination of proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23

Effective date: 20210803

C03 Trial/appeal decision taken

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03

Effective date: 20210907

C30A Notification sent

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012

Effective date: 20210907

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211005

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6956777

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250