JP6925814B2 - Resin and resin manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、プリント回路やデバイス回路の形成などに際して用いられる樹脂とその製造方法に関する。 The present invention relates to a resin used for forming a printed circuit or a device circuit, and a method for producing the same.

フッ素樹脂は、低誘電率で高周波特性に優れると共に耐熱性および耐電性に優れているため、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂と共に、プリント回路やデバイス回路が設けられて、産業機械、自動車、通信機器、家電など様々な電気電子機器に搭載される回路基板だけでなく、今後更に多くの市場で用いられていくことが期待されている。 Fluororesin has a low dielectric constant, excellent high frequency characteristics, and excellent heat resistance and electric resistance. Therefore, a printed circuit and a device circuit are provided together with resins such as polyimide resin, polyester resin, polyolefin resin, and epoxy resin. It is expected to be used not only in circuit boards mounted on various electric and electronic devices such as industrial machines, automobiles, communication devices, and home appliances, but also in more markets in the future.

そして、これらの樹脂用面への導体層の形成方法としては、従来、以下に示すような方法が提案されている。即ち、表面を粗化させたCu箔を熱圧延により樹脂基板に貼り合わせる圧延貼り合わせ法(例えば特許文献1参照)、真空プラズマ成膜技術を用いてCu層を形成させる銅スパッタ法(例えば特許文献2参照)である。 As a method for forming a conductor layer on these resin surfaces, the following methods have been conventionally proposed. That is, a rolling bonding method (see, for example, Patent Document 1) in which a Cu foil having a roughened surface is bonded to a resin substrate by thermal rolling, and a copper sputtering method (for example, a patent) in which a Cu layer is formed by using a vacuum plasma film forming technique. Reference 2).

特開2014−198885号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-1988885 特開2012−169412号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-169412

しかしながら、圧延貼り合わせ法は高価なCu箔を用いるため、材料コストが高くなる。また、Cu箔は基板メーカーが自社生産することが難しく、必要なタイミングで必要な量を調達するのに適しているとは言えない。 However, since the rolling and bonding method uses an expensive Cu foil, the material cost is high. In addition, it is difficult for a substrate manufacturer to produce Cu foil in-house, and it cannot be said that it is suitable for procuring the required amount at the required timing.

また、銅スパッタ法は、スパッタのターゲットに高純度銅を用い、高真空度プラズマによって銅の成膜を行うため、ターゲットおよびプラズマ設備のコストが高額になる。 Further, in the copper sputtering method, high-purity copper is used as the sputtering target, and copper is formed by high-vacuum plasma, so that the cost of the target and plasma equipment becomes high.

そこで、圧延貼り合わせ法や銅スパッタ法に替えて、コストが掛からないメッキ法の採用が考えられる。しかしエポキシ樹脂やポリオレフィン樹脂の基板に対してはアンカー効果を利用することによりメッキ法が適用可能であるが、フッ素樹脂の基板へメッキ法を適用しようとすると、フッ素樹脂は、化学的安定性が高い(表面自由エネルギーが小さい)ためアンカー効果を利用してもメッキ層を形成させることができない。 Therefore, instead of the rolling and bonding method and the copper sputtering method, it is conceivable to adopt a plating method that does not cost much. However, the plating method can be applied to epoxy resin or polyolefin resin substrates by using the anchor effect, but when the plating method is applied to fluororesin substrates, the fluororesin has chemical stability. Since the surface free energy is high (the surface free energy is small), the plating layer cannot be formed even if the anchor effect is used.

一方、電子機器や半導体装置などの小型化、高性能化がユーザーから益々強くなっていることに加えて、電気信号の高速伝送化(高周波化)が可能な回路基板の開発が要望されており、高周波化に伴うノイズの発生を抑制するために樹脂と金属との界面を平坦化させた基板材料が要望されている。また、高周波化により、基板材料として、耐熱性、絶縁性の高いフッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂を適用することが期待されている。しかし、金属との界面が平坦化されたフッ素樹脂では、メッキ層を形成させることができない。 On the other hand, in addition to the increasing miniaturization and higher performance of electronic devices and semiconductor devices, users are demanding the development of circuit boards capable of high-speed transmission (high frequency) of electrical signals. In order to suppress the generation of noise due to high frequency, there is a demand for a substrate material in which the interface between a resin and a metal is flattened. Further, it is expected that a fluororesin, a polyimide resin, and a polyester resin having high heat resistance and insulating properties will be applied as the substrate material due to the increase in high frequency. However, a fluororesin having a flattened interface with a metal cannot form a plating layer.

また、ポリイミド樹脂およびポリエステル樹脂は、メッキ層の形成は可能であるものの、樹脂が吸水しやすくアルカリ性に弱いため、メッキ液によりダメージを受ける。このため、これらの樹脂においてもメッキ法を採用することができない。 Further, although the polyimide resin and the polyester resin can form a plating layer, they are easily damaged by the plating solution because the resin easily absorbs water and is weak in alkalinity. Therefore, the plating method cannot be adopted for these resins either.

このような状況下、これらの樹脂、特に耐熱性、絶縁性(高周波特性)の高いフッ素樹脂は、今後通信、車載回路基板、レーダー等の信頼性の高い製品では必要となる基板材料として、特に、期待されている。また、このような通信関係以外の分野でも、耐熱性の面からフッ素樹脂が期待されている。 Under these circumstances, these resins, especially fluororesins with high heat resistance and insulation (high frequency characteristics), are particularly required as substrate materials for highly reliable products such as communications, in-vehicle circuit boards, and radars in the future. , Expected. Further, in fields other than such communication-related fields, fluororesins are expected from the viewpoint of heat resistance.

しかし、フッ素樹脂は、上記したように、表面自由エネルギーが小さくメッキ層(導体層)との密着性に乏しいため、本質的に、樹脂とメッキ層との間で十分な密着力を得ることが難しい。 However, as described above, the fluororesin has a small surface free energy and poor adhesion to the plating layer (conductor layer), so that it is essentially possible to obtain sufficient adhesion between the resin and the plating layer. difficult.

そこで、本発明は、フッ素樹脂等の表面自由エネルギーが小さくメッキ層との密着性に乏しい樹脂にメッキ法を適用しても、樹脂とメッキ層との間に十分な密着力を確保することができる樹脂の製造技術を提供することを課題とする。 Therefore, according to the present invention, even if the plating method is applied to a resin having a small surface free energy such as a fluororesin and poor adhesion to the plating layer, sufficient adhesion between the resin and the plating layer can be secured. An object of the present invention is to provide a resin manufacturing technology capable of producing the same.

エポキシ樹脂等の表面へのメッキ法を用いたメッキ層の形成は、一般的に以下の方法で行われる。即ち、まず、触媒吸着法を用いて、樹脂の表面に耐酸化性に優れるパラジウム(Pd)を吸着させる。その後、銅(Cu)の無電解メッキあるいは電解メッキを行うと、Pdが核となって触媒として働くことによりCuが析出され、所定の厚みのメッキ層が形成される。 The formation of a plating layer using a plating method on the surface of an epoxy resin or the like is generally performed by the following method. That is, first, palladium (Pd) having excellent oxidation resistance is adsorbed on the surface of the resin by using a catalytic adsorption method. After that, when electroless plating or electrolytic plating of copper (Cu) is performed, Cu is precipitated by acting as a catalyst with Pd as a nucleus, and a plating layer having a predetermined thickness is formed.

前記したように、金属との界面が平坦化されたフッ素樹脂は、アンカー効果を利用することができず、また、表面自由エネルギーが小さいために親水性に乏しくメッキ液に対する濡れ性が悪いため、フッ素樹脂とメッキ層の界面はミクロなレベルでは十分に密着していない。 As described above, the fluororesin whose interface with the metal is flattened cannot utilize the anchor effect, and because the surface free energy is small, it is poorly hydrophilic and has poor wettability to the plating solution. The interface between the fluororesin and the plating layer is not sufficiently adhered at the micro level.

そこで、本発明者は、フッ素樹脂の表面自由エネルギーを大きくさせれば、メッキ液との濡れ性を向上させることができてメッキ法を適用することが可能になり、さらに、フッ素樹脂とパラジウムを密着させる官能基を樹脂表面に付与することができれば、フッ素樹脂とメッキ層との間に十分な密着力を確保することができると考え、その手段として、樹脂の表面に親水性の官能基を導入する樹脂の表面改質に想い至った。即ち、親水性の官能基をフッ素樹脂に導入することによってメッキ層形成の核となるPdとフッ素樹脂との密着力が増大し、樹脂基板との密着力を向上させたメッキ層(導体層)を形成できると考えた。 Therefore, the present inventor can improve the wettability with the plating solution by increasing the surface free energy of the fluororesin, and can apply the plating method. Further, the fluororesin and palladium can be used. It is considered that if a functional group to be brought into close contact can be imparted to the resin surface, a sufficient adhesive force can be secured between the fluororesin and the plating layer, and as a means of doing so, a hydrophilic functional group is provided on the surface of the resin. I came up with the idea of surface modification of the resin to be introduced. That is, by introducing a hydrophilic functional group into the fluororesin, the adhesion between Pd, which is the core of the plating layer formation, and the fluororesin is increased, and the adhesion with the resin substrate is improved (conductor layer). I thought that I could form.

そして、種々の実験と検討の結果、フッ素樹脂の表面に親水性の官能基としてアミノ基を導入した場合、メッキ層との密着力が顕著に向上することが分かった。そして、アミノ基の導入に高周波減圧プラズマを用いた場合、例えばフッ素樹脂では、骨格となる炭素(C)原子に繋がったフッ素原子(F)がアミノ基で置換されて、十分に多くのアミノ基を導入できることが分かった。そして、十分多くのアミノ基を導入できるため、フッ素樹脂の表面自由エネルギーが大きくなり、フッ素樹脂を触媒溶液に対して親水化することができる。さらに、アミノ基がパラジウム等の金属触媒と結合することで密着力が十分に向上することが分かった。また、このアミノ基の導入は、高真空を必要とせず中程度の真空度の下に実施することができるため、コスト面でも好適であることが分かった。そして、この方法は、上記したフッ素樹脂のみならず、前記した種々の樹脂の全てに同様に適用できることが分かり、本発明を完成するに至った。そして、この方法はドライプロセスであり、廃液を処理する必要もないため、十分な生産性でコストを低減することができる。 As a result of various experiments and studies, it was found that when an amino group was introduced as a hydrophilic functional group on the surface of the fluororesin, the adhesion to the plating layer was remarkably improved. When a high-frequency vacuum plasma is used to introduce the amino group, for example, in a fluororesin, the fluorine atom (F) connected to the carbon (C) atom serving as the skeleton is replaced with the amino group, and a sufficiently large number of amino groups are used. It turned out that can be introduced. Since a sufficiently large number of amino groups can be introduced, the surface free energy of the fluororesin becomes large, and the fluororesin can be made hydrophilic with respect to the catalyst solution. Furthermore, it was found that the adhesion was sufficiently improved by binding the amino group to a metal catalyst such as palladium. Further, it was found that the introduction of the amino group is suitable in terms of cost because it can be carried out under a moderate degree of vacuum without requiring a high vacuum. Then, it was found that this method can be applied not only to the above-mentioned fluororesin but also to all of the above-mentioned various resins, and the present invention has been completed. Since this method is a dry process and does not require treatment of waste liquid, it is possible to reduce costs with sufficient productivity.

即ち、本発明は、
GHz帯の高速通信用の回路基板の作製に用いられる樹脂の製造方法であって、
高周波減圧プラズマ装置のチャンバ内にアミノ基を含む材料ガスを供給して1〜100000Paの減圧下でプラズマを発生させる高周波減圧プラズマ処理を行って、前記チャンバ内にセットされた樹脂の表面の炭素骨格に前記アミノ基を導入、付与するアミノ基付与工程を備えており、前記樹脂が、表面粗さがJIS B 0601―1982に規定される算術平均粗さRaで1μm以下のフッ素樹脂である樹脂の製造方法である。
That is, the present invention
A method for manufacturing a resin used for manufacturing a circuit board for high-speed communication in the GHz band.
A material gas containing an amino group is supplied into the chamber of the high-frequency decompression plasma apparatus to perform high-frequency decompression plasma treatment to generate plasma under a decompression of 1 to 100,000 Pa, and a carbon skeleton on the surface of the resin set in the chamber is performed. introducing said amino group comprises an amino group step of applying said resin, the surface roughness JIS B 0601-1982 in defined as the arithmetic average roughness Ra at 1μm or less of the fluorine resin der Ru resin It is a manufacturing method of.

また、本発明は、
表面の炭素骨格にアミノ基が導入、付与されている樹脂である。
In addition, the present invention
It is a resin in which an amino group is introduced and imparted to the carbon skeleton on the surface.

本発明によれば、フッ素樹脂等の表面自由エネルギーが小さくメッキ層との密着性に乏しい樹脂にメッキ法を適用しても、樹脂とメッキ層との間に十分な密着力を確保することができる樹脂の製造技術を提供することができる。 According to the present invention, even if the plating method is applied to a resin having a small surface free energy such as fluororesin and poor adhesion to the plating layer, sufficient adhesion between the resin and the plating layer can be ensured. It is possible to provide a resin manufacturing technique capable of producing the resin.

樹脂基板の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of a resin substrate. フッ素樹脂における炭素骨格およびポリマー鎖を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the carbon skeleton and the polymer chain in a fluororesin. アミノ基付与の反応機構を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the reaction mechanism of amino group addition. 高周波プラズマ装置の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of a high frequency plasma apparatus. 高周波プラズマ装置の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of a high frequency plasma apparatus. 高周波プラズマ装置の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of a high frequency plasma apparatus. Pdの析出状態(上段)および無電解メッキによるCuの析出機構(下段)を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the precipitation state of Pd (upper part) and the precipitation mechanism of Cu by electroless plating (lower part). 樹脂基板上に形成されたメッキ層の構成を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the structure of the plating layer formed on the resin substrate. メッキ強度ピール試験の試験方法を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the test method of the plating strength peel test. 樹脂基板とCuメッキ層との界面部分のSEM画像である。It is an SEM image of the interface portion between a resin substrate and a Cu plating layer. 樹脂基板とCuメッキ層との界面部分のSEM画像である。It is an SEM image of the interface portion between a resin substrate and a Cu plating layer. 樹脂基板とCuメッキ層との界面部分のSEM画像である。It is an SEM image of the interface portion between a resin substrate and a Cu plating layer. 樹脂基板とCuメッキ層との界面部分のSEM画像である。It is an SEM image of the interface portion between a resin substrate and a Cu plating layer. 樹脂基板とCuメッキ層との界面部分のSEM画像である。It is an SEM image of the interface portion between a resin substrate and a Cu plating layer. メッキ強度ピール試験の試験結果を示す図である。It is a figure which shows the test result of the plating strength peel test. 樹脂基板のCu側剥離面とPTFE側剥離面のSEM画像である。It is an SEM image of the Cu side peeling surface and the PTFE side peeling surface of a resin substrate. 樹脂基板のCu側剥離面とPTFE側剥離面のXPSスペクトルである。It is the XPS spectrum of the Cu side peeling surface and the PTFE side peeling surface of the resin substrate.

[本発明の実施形態の説明]
最初に本発明の実施の形態の内容を列記して説明する。なお、以下においては、回路基板の作製を例に挙げて具体的な説明を行っている。
[Explanation of Embodiments of the Present Invention]
First, the contents of the embodiments of the present invention will be listed and described. In the following, a specific description will be given by taking the production of a circuit board as an example.

(1)本発明は、
GHz帯の高速通信用の回路基板の作製に用いられる樹脂の製造方法であって、
高周波減圧プラズマ装置のチャンバ内にアミノ基を含む材料ガスを供給して1〜100000Paの減圧下でプラズマを発生させる高周波減圧プラズマ処理を行って、前記チャンバ内にセットされた樹脂の表面の炭素骨格に前記アミノ基を導入、付与するアミノ基付与工程を備えており、前記樹脂が、表面粗さがJIS B 0601―1982に規定される算術平均粗さRaで1μm以下のフッ素樹脂である樹脂の製造方法である。
(1) The present invention
A method for manufacturing a resin used for manufacturing a circuit board for high-speed communication in the GHz band.
A material gas containing an amino group is supplied into the chamber of the high-frequency decompression plasma apparatus to perform high-frequency decompression plasma treatment to generate plasma under a decompression of 1 to 100,000 Pa, and a carbon skeleton on the surface of the resin set in the chamber is performed. introducing said amino group comprises an amino group step of applying said resin, the surface roughness JIS B 0601-1982 in defined as the arithmetic average roughness Ra at 1μm or less of the fluorine resin der Ru resin It is a manufacturing method of.

前記した通り、樹脂の表面に親水性の官能基としてアミノ基を導入した場合、密着力が顕著に向上する。そして、アミノ基の導入に高周波減圧プラズマを用いた場合、例えばフッ素樹脂では、骨格となる炭素(C)原子に繋がったフッ素原子(F)がアミノ基で置換されて、十分に多くのアミノ基を導入することができるため、樹脂の表面自由エネルギーが大きくなり、密着力が十分に向上する。この結果、フッ素樹脂等の表面自由エネルギーが小さく導体層との密着性に乏しい樹脂にメッキ法を適用しても、樹脂の表面がメッキ液に対して親水化されているため金属触媒、例えば、パラジウムが樹脂表面に付与される。さらに、アミノ基がパラジウムと結合することで密着力が増加するため、樹脂とメッキ層(導体層)との間に十分な密着力を確保して、電気信号の高速伝送(高周波化)が可能な回路基板を製造することができる。 As described above, when an amino group is introduced as a hydrophilic functional group on the surface of the resin, the adhesion is remarkably improved. When a high-frequency vacuum plasma is used to introduce the amino group, for example, in a fluororesin, the fluorine atom (F) connected to the carbon (C) atom serving as the skeleton is replaced with the amino group, and a sufficiently large number of amino groups are used. Since the above can be introduced, the surface free energy of the resin is increased, and the adhesion is sufficiently improved. As a result, even if the plating method is applied to a resin having a small surface free energy such as fluororesin and poor adhesion to the conductor layer, the surface of the resin is made hydrophilic with respect to the plating solution, so that a metal catalyst, for example, Palladium is applied to the resin surface. Furthermore, since the adhesion is increased by the amino group binding to palladium, sufficient adhesion is secured between the resin and the plating layer (conductor layer), enabling high-speed transmission (high frequency) of electrical signals. Circuit board can be manufactured.

なお、アミノ基を導入する技術としては、上記した高周波減圧プラズマ以外に、金属Naとアンモニアによるウエット処理があるが、高周波減圧プラズマは廃液が生成しないドライプロセスで処理できるため、より簡単なプロセスで、かつ低コストで処理することができ好ましい。 As a technique for introducing an amino group, in addition to the high-frequency decompression plasma described above, there is a wet treatment with metallic Na and ammonia, but the high-frequency decompression plasma can be treated by a dry process that does not generate waste liquid, so it is a simpler process. , And it can be processed at low cost, which is preferable.

(2)そして、本発明においては、前記高周波減圧プラズマ処理が、1〜1000Paの減圧下でプラズマを発生させる前記高周波減圧プラズマ処理であることが好ましい。 (2) Then, in the present invention, the high-frequency low-pressure plasma treatment is preferably the high frequency low-pressure plasma treatment in which plasma is generated under a reduced pressure of 1~1000Pa.

上記の範囲の減圧下でプラズマを発生することにより、樹脂とメッキ層(導体層)との間により十分な密着力を確保して、電気信号の高速伝送(高周波化)が可能な回路基板を製造することができる。 By generating plasma under reduced pressure in the above range, a circuit board capable of high-speed transmission (high frequency) of electric signals by ensuring a sufficient adhesion between the resin and the plating layer (conductor layer) can be obtained. Can be manufactured.

(3)そして、本発明においては、前記アミノ基付与工程において、前記アミノ基を含む材料ガスとして、アンモニアまたは気体状のヒドラジンを用いることが好ましい。 (3) In the present invention, it is preferable to use ammonia or gaseous hydrazine as the material gas containing the amino group in the amino group addition step.

これらのガスは、分子構造中にアミノ基を持つ構造であるため、材料ガスにこれらのガスを用いた場合、プラズマ放電中で電離して反応活性の高いアミノ基を樹脂表面へ供給することができ好ましい。なお、これらのガスの内でも、取り扱いの容易さから、アンモニアが特に好ましい。 Since these gases have an amino group in the molecular structure, when these gases are used as the material gas, they can be ionized during plasma discharge to supply an amino group having high reaction activity to the resin surface. It is preferable. Among these gases, ammonia is particularly preferable because of its ease of handling.

(4)また、本発明においては、前記アミノ基が付与された前記樹脂基板の表面に触媒液を接触させ、銅メッキが成長するための金属触媒をアミノ基を介して前記樹脂基板の表面へ付与させる工程を備えていることが好ましい。 (4) Further, in the present invention, the catalyst solution is brought into contact with the surface of the resin substrate to which the amino group is attached, and a metal catalyst for growing copper plating is applied to the surface of the resin substrate via the amino group. It is preferable to have a step of imparting.

高周波減圧プラズマを利用してアミノ基を付与した樹脂表面にさらに金属触媒を付与した場合、その後の銅メッキ工程において、金属触媒が触媒としての機能を発揮するため、樹脂に対して十分な密着力を有する銅メッキ層を導電層として形成することができる。 When a metal catalyst is further applied to the surface of the resin to which the amino group is added by using high-frequency decompression plasma, the metal catalyst functions as a catalyst in the subsequent copper plating step, so that the metal catalyst has sufficient adhesion to the resin. The copper-plated layer having the above can be formed as a conductive layer.

好ましい金属触媒としては、電気を使わず酸化還元反応によりメッキ成長を促す自己触媒能力を特性として有する金属触媒を挙げることができ、具体的には、パラジウム、ニッケル、亜鉛等を挙げることができる。 Preferred metal catalysts include metal catalysts having a characteristic of autocatalytic ability to promote plating growth by redox reaction without using electricity, and specific examples thereof include palladium, nickel, and zinc.

(5)また、本発明においては、前記金属触媒が、パラジウムであることが好ましい。 (5) Further, in the present invention, it is preferable that the metal catalyst is palladium.

金属触媒が、パラジウムの場合、樹脂に対してより十分な密着力を有する銅メッキ層を導電層として形成することができる。
(6)また、本発明においては、無電解メッキ層を形成し、さらに、前記無電解メッキ層の上に電解メッキを用いて所定の厚みの電解銅メッキ層を形成する銅メッキ工程を備えていることが好ましい。
When the metal catalyst is palladium, a copper-plated layer having more sufficient adhesion to the resin can be formed as the conductive layer.
(6) Further, the present invention includes a copper plating step of forming an electroless plating layer and further forming an electrolytic copper plating layer having a predetermined thickness on the electroless plating layer by using electrolytic plating. It is preferable to have.

前記したように、パラジウムの表面に無電解銅メッキを行った場合、パラジウムが樹脂上のアミノ基と密着するため、無電解銅メッキとの間で十分な密着性を発揮する。この結果、所定の厚みの銅メッキ層を導電層として、樹脂基板上に十分な密着性で効率的に形成することができる。 As described above, when the surface of palladium is electrolessly copper-plated, the palladium adheres to the amino group on the resin, so that sufficient adhesion to the electroless copper plating is exhibited. As a result, a copper-plated layer having a predetermined thickness can be efficiently formed on the resin substrate with sufficient adhesion as a conductive layer.

パラジウムの表面に銅メッキ層を形成させる技術としては、従来、フッ素樹脂に別の樹脂を成長させることにより銅メッキ層との密着性を改善するグラフト法(佐藤悠他、「大気圧開放型プラズマ処理と高分子グラフト重合による表面改質―フッ素樹脂へのAg膜の形成―」、2014年07月04日発行、精密工学会関西地方定期学術講演会講演論文集 巻:2014 ページ:18−19参照)や、パラジウム上に直接電解銅メッキを行うダイレクトメッキ法(特開2007−16283号公報参照)がある。 Conventionally, as a technique for forming a copper-plated layer on the surface of palladium, a graft method (Yu Sato et al., "Atmospheric pressure open type plasma", which improves adhesion with a copper-plated layer by growing another resin on a fluororesin Surface modification by treatment and polymer graft polymerization-Formation of Ag film on fluororesin- ", published on July 04, 2014, Proceedings of the Kansai Regional Periodic Academic Lecture of the Japan Society for Precision Engineering Volume: 2014 pp. 18-19 (See) and a direct plating method (see JP-A-2007-16283) in which electrolytic copper plating is performed directly on palladium.

しかしながら、グラフト法は、2工程を必要とするため簡易な方法とは言えない。これに対して、無電解メッキや電解メッキは1工程で銅層を形成することができ好ましい。 However, the graft method is not a simple method because it requires two steps. On the other hand, electroless plating and electrolytic plating are preferable because a copper layer can be formed in one step.

また、ダイレクトメッキ法は、パラジウムのみで導電層を形成するためコストが高くなる問題がある。これに対して、本実施の形態に係る技術は最小限のパラジウムを使用し、安価な銅メッキ工程でメッキ形成することができ好ましい。 Further, the direct plating method has a problem that the cost is high because the conductive layer is formed only with palladium. On the other hand, the technique according to the present embodiment uses a minimum amount of palladium and is preferable because it can be plated by an inexpensive copper plating process.

即ち、Pdは触媒作用、耐酸化性に優れているが、高価であり、導電性も銅に比べて劣っている。このため、パラジウムの使用量はできるだけ少なくして、その上に導電性に優れた銅メッキ層を形成することが好ましく、上記のようにすることにより、Pdの使用量を少なくして材料コストを抑えると共に、より薄い銅メッキ厚で所定の導電率を有する導体層を形成することができる。 That is, Pd is excellent in catalysis and oxidation resistance, but is expensive and inferior in conductivity to copper. Therefore, it is preferable to reduce the amount of palladium used as much as possible and form a copper-plated layer having excellent conductivity on the layer. By doing so as described above, the amount of Pd used can be reduced and the material cost can be reduced. While suppressing it, it is possible to form a conductor layer having a predetermined conductivity with a thinner copper plating thickness.

(7)また、本発明において、前記銅メッキ工程は、
前記金属触媒に無電解メッキを用いて銅メッキ層を形成する無電解メッキ工程と、
無電解メッキにより析出させた銅メッキ層上に電解メッキを用いて銅メッキ層を形成する電解メッキ工程とを有していることが好ましい。
(7) Further, in the present invention, the copper plating step is performed.
An electroless plating step of forming a copper plating layer by using electroless plating on the metal catalyst, and
It is preferable to have an electrolytic plating step of forming a copper plating layer by using electrolytic plating on a copper plating layer precipitated by electroless plating.

パラジウムに銅メッキ層を形成する場合、直接電解銅メッキで必要な厚みの銅メッキを行うことができれば最も効率良くメッキ形成ができるが、実際はパラジウムを多く吸着させて電流を流せるほどのパラジウムメッキ層を形成することは高価なパラジウムの使用量が多くなり高コストになってしまう。 When forming a copper plating layer on palladium, the most efficient plating can be achieved if copper plating of the required thickness can be performed directly by electrolytic copper plating, but in reality, a palladium plating layer that can adsorb a large amount of palladium and allow current to flow. The amount of expensive palladium used is large and the cost is high.

そのため、必要最小限のパラジウムを樹脂表面へ吸着させ、そのパラジウムから無電解銅メッキを成長させることで導電性が得られる厚さまで無電解メッキを行い、その後は電解メッキに切り替えてメッキを行うことで、効率的に銅メッキ層を形成させる方法がコスト面から回路形成に好ましい。また、メッキ処理後、加熱処理を施すと、メッキが安定するため好ましい。 Therefore, the minimum required amount of palladium is adsorbed on the resin surface, and electroless copper plating is grown from the palladium to perform electroless plating to a thickness at which conductivity can be obtained, and then switching to electrolytic plating is performed for plating. Therefore, a method of efficiently forming the copper plating layer is preferable for circuit formation from the viewpoint of cost. Further, it is preferable to perform a heat treatment after the plating treatment because the plating is stable.

フッ素樹脂は、低誘電率で耐熱性、耐電性に優れているため、プリント基板の電気絶縁性基板として好適である。 Fluororesin, heat resistance a low dielectric constant and excellent power handling properties, Ru suitable der as the electrically insulating substrate of the printed circuit board.

表面粗さRaが1μm以下に平滑化処理されている樹脂を基板として用いることにより、高速伝送(GHz帯)にも十分に適応可能な回路基板を製造することができる。 By using a resin whose surface roughness Ra is smoothed to 1 μm or less as a substrate, it is possible to manufacture a circuit board sufficiently adaptable to high-speed transmission (GHz band).

)本発明は、
上記した樹脂の製造方法により作製された樹脂を用いて回路基板を作製する回路基板の製造方法である。
( 8 ) The present invention
This is a method for manufacturing a circuit board in which a circuit board is manufactured using the resin manufactured by the above-mentioned resin manufacturing method.

上記した樹脂の製造方法により作製された樹脂基板を用いて回路基板を作製することにより、低誘電率で耐熱性、耐電性に優れた回路基板を作製して、高速伝送にも十分に適応可能な回路基板を提供することができる。 By manufacturing a circuit board using the resin substrate manufactured by the above resin manufacturing method, a circuit board having a low dielectric constant and excellent heat resistance and electric resistance can be manufactured, and it can be sufficiently adapted to high-speed transmission. Circuit board can be provided.

)本発明は、
表面の炭素骨格にアミノ基が導入、付与されており、表面粗さが、JIS B 0601−1982に規定される算術平均粗さRaで1μm以下のフッ素樹脂である。
( 9 ) The present invention
An amino group is introduced and imparted to the carbon skeleton of the surface, and the surface roughness is a fluororesin having an arithmetic average roughness Ra of 1 μm or less specified in JIS B 0601-1982 .

表面の炭素骨格にアミノ基が導入、付与されている樹脂は、前記したように、表面自由エネルギーが大きくなり、導電層(銅メッキ層)との密着力が十分に向上する。このため、樹脂の表面にミクロなレベルで隙間なく導電層(銅メッキ層)を密着させて形成することができ、高速伝送にも十分に適応可能な回路基板を作製する樹脂として好ましい。 As described above, the resin in which an amino group is introduced and imparted to the carbon skeleton on the surface has a large surface free energy, and the adhesion to the conductive layer (copper plating layer) is sufficiently improved. Therefore, it is preferable as a resin for producing a circuit board which can be formed by closely adhering a conductive layer (copper plating layer) to the surface of the resin at a micro level without gaps and which can be sufficiently adapted to high-speed transmission.

前記した通り、フッ素樹脂は、低誘電率で耐熱性、耐電性に優れているため、プリント基板の電気絶縁性基板用の樹脂として好適である。 As described above, the fluororesin has a low dielectric constant and is excellent in heat resistance and electric resistance, and is therefore suitable as a resin for an electrically insulating substrate of a printed circuit board.

10)また、本発明においては、前記アミノ基上に金属触媒が付与されていることが好ましい。 ( 10 ) Further, in the present invention, it is preferable that a metal catalyst is added on the amino group.

前記した通り、金属触媒が付与されていることにより、銅メッキに際して、金属触媒に触媒としての機能を発揮させて、十分な密着性を有するメッキ層を導電層として形成させることができる。 As described above, since the metal catalyst is applied, the metal catalyst can function as a catalyst during copper plating, and a plating layer having sufficient adhesion can be formed as a conductive layer.

11)また、本発明においては、前記金属触媒が、パラジウムであることが好ましい。 ( 11 ) Further, in the present invention, it is preferable that the metal catalyst is palladium.

パラジウムが付与されていることにより、銅メッキに際して、パラジウムに触媒としての機能を発揮させて、より十分な密着性を有するメッキ層を導電層として形成させることができる。 By adding palladium, it is possible to make palladium exert a function as a catalyst during copper plating and to form a plating layer having more sufficient adhesion as a conductive layer.

12)また、本発明においては、前記パラジウムに所定の厚みの銅メッキ層が形成されてことが好ましい。 ( 12 ) Further, in the present invention, it is preferable that a copper plating layer having a predetermined thickness is formed on the palladium.

前記した通り、パラジウムに所定の厚みで銅メッキ層を形成した場合、Pdが触媒となってその機能を発揮し、所定の厚みの銅メッキ層を導電層として、樹脂基板に十分な密着性で効率的に形成することができる。そして、Pdの使用量を少なくして、材料コストを抑えると共に、無電解銅メッキ上に所定の導電率を有する電解銅メッキ層を形成することができ、樹脂の表面にミクロなレベルで隙間なく銅メッキ層(導電層)を密着させて形成することができる。 As described above, when a copper-plated layer is formed on palladium with a predetermined thickness, Pd acts as a catalyst to exert its function, and the copper-plated layer having a predetermined thickness is used as a conductive layer to provide sufficient adhesion to the resin substrate. It can be formed efficiently. Then, the amount of Pd used can be reduced to reduce the material cost, and an electrolytic copper plating layer having a predetermined conductivity can be formed on the electroless copper plating, and there is no gap on the surface of the resin at a micro level. The copper plating layer (conductive layer) can be formed in close contact with each other.

13)本発明は、
前記樹脂を用いて作製された回路基板である。
( 13 ) The present invention
It is a circuit board manufactured by using the resin.

本実施の形態に係る樹脂は、十分な密着性で銅メッキ層を導電層として形成させることができるため、高速伝送にも十分に適応可能な回路基板を提供することができる。 Since the resin according to the present embodiment can form a copper-plated layer as a conductive layer with sufficient adhesion, it is possible to provide a circuit board sufficiently adaptable to high-speed transmission.

14)本発明は、
前記樹脂の表面に形成された銅メッキ層を用いて、回路パターンが形成されている回路基板である。
( 14 ) The present invention
It is a circuit board in which a circuit pattern is formed by using a copper plating layer formed on the surface of the resin.

樹脂基板上に十分な密着性を有する導電層として形成された銅メッキ層を用いて、回路パターンを形成することにより、高速伝送にも十分に適応可能な回路基板を提供することができる。 By forming a circuit pattern using a copper-plated layer formed as a conductive layer having sufficient adhesion on a resin substrate, it is possible to provide a circuit board that can be sufficiently adapted to high-speed transmission.

[本発明の実施形態の詳細]
次に本発明の実施形態の詳細について、回路基板の作製を例に挙げて説明する。なお、以下では金属触媒としてパラジウムを用いて説明するが、これに限定されない。
[Details of Embodiments of the present invention]
Next, the details of the embodiment of the present invention will be described by taking the production of a circuit board as an example. In the following, palladium will be used as the metal catalyst, but the description is not limited to this.

1.回路基板の製造工程の概要
はじめに、回路基板の製造工程の概要について説明する。図1は回路基板の製造工程を示す図である。図1に示すように、回路基板の製造は、先ず、基板状に成形した樹脂(樹脂基板)の表面に、高周波減圧プラズマ処理によりアミノ基を付与して、樹脂基板の表面改質処理を行う。次に、触媒吸着により、アミノ基が付与された樹脂基板の表面にPdを付与させる。次に、表面にPdを付与させた樹脂基板を、希硫酸(HSO)溶液に浸漬して、Pdを活性化させる。最後に、無電解メッキあるいは無電解メッキと電解メッキとの併用により、樹脂基板の表面にCuメッキ層を形成させる。
1. 1. Outline of the circuit board manufacturing process First, the outline of the circuit board manufacturing process will be described. FIG. 1 is a diagram showing a manufacturing process of a circuit board. As shown in FIG. 1, in the production of a circuit board, first, an amino group is imparted to the surface of a resin (resin substrate) formed into a substrate by high-frequency reduced pressure plasma treatment, and the surface of the resin substrate is modified. .. Next, Pd is imparted to the surface of the resin substrate to which the amino group is imparted by catalytic adsorption. Next, the resin substrate to which Pd is imparted to the surface is immersed in a dilute sulfuric acid (H 2 SO 4 ) solution to activate Pd. Finally, an electroless plating or a combination of electroless plating and electrolytic plating is used to form a Cu plating layer on the surface of the resin substrate.

2.回路基板の製造の詳細
次に、回路基板の製造の詳細について工程順に説明する。
2. Details of Manufacturing Circuit Boards Next, details of manufacturing circuit boards will be described in order of steps.

(1)樹脂基板の表面改質(アミノ基付与)工程
(a)樹脂基板の準備
最初に樹脂基板を準備する。
(1) Surface modification (amino group addition) step of the resin substrate (a) Preparation of the resin substrate First, the resin substrate is prepared.

樹脂基板としては、プリント回路やデバイス回路の作製に従来より用いられている樹脂基板、または今後利用が検討されている樹脂基板を用いることができる。 As the resin substrate, a resin substrate conventionally used for manufacturing a printed circuit or a device circuit, or a resin substrate whose use is being considered in the future can be used.

具体的には、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体(FEP)などのフッ素樹脂基板、芳香族ポリイミド(PI)樹脂などのポリイミド樹脂基板、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)などのポリエステル樹脂基板、ポリプロピレン(PP)などのポリオレフィン樹脂基板、エポキシ樹脂基板などから選択して使用することができる。 Specifically, fluororesin substrates such as polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene / perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), tetrafluorinated ethylene / hexafluoropropylene copolymer (FEP), and fragrance. Select from polyimide resin substrates such as group polyimide (PI) resin, polyester resin substrates such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyolefin resin substrates such as polypropylene (PP), and epoxy resin substrates. be able to.

このとき、アミノ基が付与される側の表面には、予め、表面粗さRaが1μm以下となるように、平滑化処理を施しておくことが好ましい。このように、樹脂基板の表面が平滑化処理されていることにより、高速伝送にも十分に適応可能な回路基板を製造することができる。 At this time, it is preferable that the surface on the side to which the amino group is applied is subjected to a smoothing treatment in advance so that the surface roughness Ra is 1 μm or less. By smoothing the surface of the resin substrate in this way, it is possible to manufacture a circuit board that can be sufficiently adapted to high-speed transmission.

(b)高周波減圧プラズマ処理(アミノ基付与)工程
本工程では、高周波減圧プラズマ処理により、アミノ基のプラズマを生成させ、生成させたプラズマを用いて、樹脂基板表面の炭素骨格にフッ素と置換する形でアミノ基を導入、付与する。図2Aはフッ素樹脂のポリマー鎖を示す概念図であり、図2Bはアミノ基付与の反応機構を示す概念図である。
(B) High-frequency decompression plasma treatment (amino group addition) step In this step , amino-group plasma is generated by high-frequency decompression plasma treatment, and the generated plasma is used to replace the carbon skeleton on the surface of the resin substrate with fluorine. Introduce and impart amino groups in the form. FIG. 2A is a conceptual diagram showing a polymer chain of a fluororesin, and FIG. 2B is a conceptual diagram showing a reaction mechanism of amino group addition.

図2Aに示すように、フッ素樹脂では炭素骨格にフッ素が結合されているが、図2Bに示すように、アンモニアガスを導入して高周波減圧プラズマ処理によってアミノ基のプラズマ(NH−)を生成させた場合、炭素骨格に結合されていたフッ素が置換されて炭素骨格にアミノ基が導入されて付与される(フッ素はHFとなって炭素骨格から離脱)。 As shown in FIG. 2A, fluorine is bonded to the carbon skeleton in the fluororesin, but as shown in FIG. 2B, ammonia gas is introduced and high-frequency decompression plasma treatment is performed to generate amino group plasma (NH 2-). When this is done, the fluorine bonded to the carbon skeleton is replaced and an amino group is introduced into the carbon skeleton and imparted (fluorine becomes HF and leaves the carbon skeleton).

なお、上記において、アミノ基のプラズマは、1sccm(standard cm/min)以上の流量でアンモニアガスを導入し、プロセス圧力を1〜1,000Paに維持する雰囲気下、1〜100MHzの高周波を0.01〜3W/cmのパワー密度で印加して高周波減圧プラズマ処理することにより、生成される。 In the above, the amino group plasma introduces ammonia gas at a flow rate of 1 sccm (standard cm 3 / min) or more, and in an atmosphere where the process pressure is maintained at 1 to 1,000 Pa, a high frequency of 1 to 100 MHz is 0. It is produced by applying at a power density of .01 to 3 W / cm 2 and performing high-frequency depressurized plasma treatment.

高周波プラズマ処理装置には、1度のプラズマ処理で複数枚の樹脂基板を同時に処理することができる高周波プラズマ処理装置が好ましく用いられる。図3A、図3B、図3Cは高周波プラズマ装置の一例を示す模式図である。図3A、図3Bにおいて、1は高周波プラズマ装置であり、2は高周波電力供給装置であり、3は真空チャンバであり、4はプロセスガス供給装置であり、5は真空排気装置であり、6はプラズマ処理対象物の樹脂基板である。 As the high-frequency plasma processing device, a high-frequency plasma processing device capable of simultaneously processing a plurality of resin substrates by one plasma treatment is preferably used. 3A, 3B, and 3C are schematic views showing an example of a high-frequency plasma apparatus. In FIGS. 3A and 3B, 1 is a high frequency plasma device, 2 is a high frequency power supply device, 3 is a vacuum chamber, 4 is a process gas supply device, 5 is a vacuum exhaust device, and 6 is a vacuum exhaust device. It is a resin substrate of a plasma processing object.

図3A、図3Bに示すように、高周波プラズマ装置は、少なくともプラズマモードとしてプラズマ処理対象物である樹脂基板6をカソード側に配置するRIEモードを有する。真空チャンバ3には、プロセスガス供給装置4により希ガスとアミノ基含有ガス(例えば、上記したアンモニアガス)との混合ガスの導入が可能であり、この混合ガスの雰囲気下、プラズマが形成される。 As shown in FIGS. 3A and 3B, the high-frequency plasma apparatus has at least a RIE mode in which the resin substrate 6 which is a plasma processing object is arranged on the cathode side as a plasma mode. A mixed gas of a rare gas and an amino group-containing gas (for example, the above-mentioned ammonia gas) can be introduced into the vacuum chamber 3 by the process gas supply device 4, and plasma is formed in the atmosphere of the mixed gas. ..

高周波プラズマ装置1は、前記したように、1sccm以上の流量でアンモニアガスを導入し、プロセス圧力を1〜1,000Paに維持する雰囲気下、1〜100MHzの高周波を0.01〜3W/cmのパワー密度で印加して高周波減圧プラズマ処理することにより、アミノ基のプラズマを発生させることができる。マイクロ波に比べて周波数が低い高周波を印加しているため活性種(プラズマ)が加速されやすく、活性種の運動エネルギーが大きくなり、プラズマ処理対象物である樹脂基板6に対して平均自由工程の長い活性種を照射することができる。 As described above, the high-frequency plasma device 1 introduces ammonia gas at a flow rate of 1 sccm or more, and under an atmosphere in which the process pressure is maintained at 1 to 1,000 Pa, a high frequency of 1 to 100 MHz is 0.01 to 3 W / cm 2 Amino group plasma can be generated by applying high-frequency reduced pressure plasma treatment by applying at the power density of. Since a high frequency, which is lower in frequency than microwaves, is applied, the active species (plasma) are likely to be accelerated, the kinetic energy of the active species becomes large, and the average free process is performed with respect to the resin substrate 6 which is the object of plasma processing. It can be irradiated with long active species.

特に、RIEモードの場合、PEモードとは異なり、高周波プラズマに曝される樹脂基板6を樹脂基板の耐熱温度以下に維持し、活性種(アミノ基)が垂直方向に振動するシース層で表面処理することができるため、アミノ基を効率良く炭素骨格に導入、付与することができる。 In particular, in the RIE mode, unlike the PE mode, the resin substrate 6 exposed to high-frequency plasma is maintained below the heat-resistant temperature of the resin substrate, and the surface treatment is performed with a sheath layer in which the active species (amino group) vibrates in the vertical direction. Therefore, the amino group can be efficiently introduced and added to the carbon skeleton.

このとき、ガス圧力Pは、少なくとも1〜1,000Paの範囲で調整し、プラズマ電力密度Wは、少なくとも0.01〜3W/cmの範囲で調整する。 At this time, the gas pressure P is adjusted in the range of at least 1 to 1,000 Pa, and the plasma power density W is adjusted in the range of at least 0.01 to 3 W / cm 2 .

(2)Pdの付与(Pdの析出)およびPdの活性化工程
本工程においては、上記において表面にアミノ基が付与された樹脂基板の表面にPdを析出させる。
(2) Addition of Pd (precipitation of Pd) and activation step of Pd In this step, Pd is precipitated on the surface of the resin substrate to which the amino group is imparted to the surface in the above step.

Pdの付与には公知の触媒吸着が用いられる。具体的には、例えば、キャタリスト−アクセラレーション法を用いてナノメートルサイズのPd−Snコロイド粒子(ナノ粒子)を吸着させることによりPdを付与する方法を挙げることができる。 Known catalyst adsorption is used to impart Pd. Specifically, for example, a method of imparting Pd by adsorbing nanometer-sized Pd-Sn colloidal particles (nanoparticles) using a catalyst-acceleration method can be mentioned.

図4の上段はPdの析出状態を示す概念図である。図4の上段に示すように、このナノ粒子はSnにより強固にアミノ基に吸着されている。 The upper part of FIG. 4 is a conceptual diagram showing the precipitation state of Pd. As shown in the upper part of FIG. 4, these nanoparticles are strongly adsorbed on the amino group by Sn.

次に、希硫酸などの活性液に浸漬して表面側のSnを溶出させ、Pdを露出させてCuを無電解メッキするための触媒としての機能を活性化させる。これにより、図4の下段に示すように理想に近い薄さのPdが被メッキ面に強固に密着した状態で形成される。 Next, it is immersed in an active liquid such as dilute sulfuric acid to elute Sn on the surface side to expose Pd and activate the function as a catalyst for electroless plating Cu. As a result, as shown in the lower part of FIG. 4, Pd having a thickness close to the ideal is formed in a state of being firmly adhered to the surface to be plated.

(3)Cuメッキ層の形成工程
本工程では、上記において表面が活性化された樹脂基板の表面にCuメッキ層を形成させる。なお、このCuメッキ層の形成は、無電解メッキあるいは無電解メッキと電解メッキとの併用により行われる。
(3) Forming Step of Cu Plating Layer In this step, a Cu plating layer is formed on the surface of the resin substrate whose surface is activated in the above. The Cu plating layer is formed by electroless plating or a combination of electroless plating and electrolytic plating.

(a)無電解メッキ
Cuの無電解メッキは公知のメッキ法を用いて行われる。具体的には例えば還元剤にホルムアルデヒドを用いたアルカリ浴で、ロッシェル塩、錯化剤としてEDTAを含有し、NaOHでpH調整されたメッキ浴を用い、例えば浴温度10〜80℃でメッキする。これにより、図4の下段に示すようにPdを核としてCuが析出し、Pd−Cuメッキ層が形成される。なお、図4は無電解メッキによるCuの析出機構を示す概念図である。
(A) Electroless plating Cu electroless plating is performed using a known plating method. Specifically, for example, in an alkaline bath using formaldehyde as a reducing agent, a plating bath containing Rochelle salt and EDTA as a complexing agent and whose pH is adjusted with NaOH is used, for example, plating is performed at a bath temperature of 10 to 80 ° C. As a result, as shown in the lower part of FIG. 4, Cu is precipitated with Pd as a core, and a Pd—Cu plating layer is formed. Note that FIG. 4 is a conceptual diagram showing a Cu precipitation mechanism by electroless plating.

(b)電解メッキ
必要に応じて、次に、Pd−Cuメッキ層上に電解メッキを用いてCuメッキを行う。Cuの電解メッキは公知のメッキ法を用いて行われる。例えば無電解(化学)メッキ上へのストライクメッキとして一般的に使用されているメッキ法、具体的には硫酸銅を含有する酸性のメッキ浴を用い、浴温度15〜30℃で、電流密度3〜6A/dmでメッキする。これにより、図5に示すように、PTFE樹脂基板上にPdを介して無電解Cuメッキ層、Cuメッキ層が順に形成された樹脂基板が得られる。なお、図5は樹脂基板上に形成されたメッキ層の構成を示す概念図である。
(B) Electrolytic plating Next, if necessary, Cu plating is performed on the Pd-Cu plating layer using electrolytic plating. Electrolytic plating of Cu is performed using a known plating method. For example, a plating method generally used for strike plating on non-electrolytic (chemical) plating, specifically, an acidic plating bath containing copper sulfate is used, and the current density is 3 at a bath temperature of 15 to 30 ° C. Plating at ~ 6A / dm 2 . As a result, as shown in FIG. 5, a resin substrate in which an electroless Cu plating layer and a Cu plating layer are sequentially formed on a PTFE resin substrate via Pd can be obtained. Note that FIG. 5 is a conceptual diagram showing the configuration of the plating layer formed on the resin substrate.

3.回路基板の製造
上記で得られた樹脂基板上に形成された導電層(銅メッキ層)に対して、エッチングなどの方法を施すことにより、回路パターンを形成させて回路基板を製造する。このとき、導電層は樹脂基板に対して十分な密着性を有しているため、精度高く回路パターンを形成することができ、高速伝送にも十分に適応可能な回路基板を提供することができる。
3. 3. Manufacture of Circuit Board A circuit board is manufactured by forming a circuit pattern by subjecting the conductive layer (copper plating layer) formed on the resin substrate obtained above to a method such as etching. At this time, since the conductive layer has sufficient adhesion to the resin substrate, it is possible to form a circuit pattern with high accuracy, and it is possible to provide a circuit board that can be sufficiently adapted to high-speed transmission. ..

以下、実施例に基づき、本発明をより具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on Examples.

1.実験1
本実験においては、表面粗さRaが0.5μmのPTFE製樹脂基板上に上記したメッキ法を用いて厚み30μmのCuめっき層を形成させた樹脂基板を作製し、メッキピール強度を測定すると共に、樹脂基板とメッキ層の界面部分の断面を観察して密着の程度を調べた。
1. 1. Experiment 1
In this experiment, a resin substrate having a Cu plating layer having a thickness of 30 μm formed on a PTFE resin substrate having a surface roughness Ra of 0.5 μm was produced by using the above-mentioned plating method, and the plating peel strength was measured. , The degree of adhesion was examined by observing the cross section of the interface between the resin substrate and the plating layer.

[1]樹脂基板の作製
図1に示す各工程に従って、以下の手順により、導電層が形成された樹脂基板を製造した。
[1] Preparation of Resin Substrate A resin substrate on which a conductive layer was formed was manufactured by the following procedure according to each step shown in FIG.

(1)樹脂基板の準備
まず、樹脂基板として、予め、表面粗さRaが0.5μmに平滑化処理されたPTFE樹脂製の樹脂基板を準備した。
(1) Preparation of Resin Substrate First, as a resin substrate, a resin substrate made of PTFE resin having a surface roughness Ra smoothed to 0.5 μm was prepared in advance.

(2)樹脂基板の表面改質(アミノ基付与)工程
次に、表1に示すプラズマ処理条件の下、高周波減圧プラズマ処理により樹脂基板の表面にアミノ基を付与して、樹脂基板の表面改質処理を行った。
(2) Surface Modification of Resin Substrate (Amino Group Addition) Next, under the plasma treatment conditions shown in Table 1, amino groups are imparted to the surface of the resin substrate by high-frequency reduced pressure plasma treatment to modify the surface of the resin substrate. Quality treatment was performed.

Figure 0006925814
Figure 0006925814

(3)Pdの形成(Pdの析出)
次に、アミノ基が付与された各樹脂基板の表面に、触媒吸着によりPdを析出させた。
(3) Formation of Pd (precipitation of Pd)
Next, Pd was precipitated on the surface of each resin substrate to which the amino group was added by catalytic adsorption.

(4)希硫酸浸漬活性化工程
その後、表面にPdを析出させた樹脂基板を、希硫酸(HSO)溶液に浸漬することにより、Pdを活性化させた。なお、ここでは、Sn−Pdコロイドメッキによって触媒吸着を行った。
(4) Dilute Sulfuric Acid Immersion Activation Step After that, the resin substrate on which Pd was precipitated on the surface was immersed in a dilute sulfuric acid (H 2 SO 4 ) solution to activate Pd. Here, the catalyst was adsorbed by Sn-Pd colloidal plating.

(5)Cuメッキ層の形成工程
最後に、無電解メッキにより、樹脂基板の表面にCuメッキ層を形成させた。
(5) Step of Forming Cu Plating Layer Finally, a Cu plating layer was formed on the surface of the resin substrate by electroless plating.

なお、表2に、Pdの無電解メッキ(Sn−Pdコロイドメッキ:パラジウム触媒吸着)およびCuの無電解メッキ、電解メッキの手順を示す。 Table 2 shows the procedures for electroless plating of Pd (Sn-Pd colloid plating: palladium catalyst adsorption), electroless plating of Cu, and electrolytic plating.

Figure 0006925814
Figure 0006925814

[2]試験方法および結果
(1)密着の程度
樹脂基板とCuメッキ層の界面部分のSEM画像を図7A〜図7Eに示す。図7A〜図7Eより、樹脂基板とCuメッキ層とがミクロなレベルで隙間なく密着していることが確認された。
[2] Test method and results (1) Degree of adhesion The SEM images of the interface between the resin substrate and the Cu plating layer are shown in FIGS. 7A to 7E. From FIGS. 7A to 7E, it was confirmed that the resin substrate and the Cu plating layer were in close contact with each other at a micro level without any gaps.

なお、図7Bは、図7Aの領域Bの部分を3000倍に拡大したSEM画像であり、図7Cは、図7Aの領域Bの部分を8000倍に拡大したSEM画像である。また、図7Dは、図7Aの領域Aの部分を3000倍に拡大したSEM画像であり、図7Eは、図7Aの領域Aの部分を8000倍に拡大したSEM画像である。 Note that FIG. 7B is an SEM image in which the portion of region B in FIG. 7A is magnified 3000 times, and FIG. 7C is an SEM image in which the portion of region B in FIG. 7A is magnified 8000 times. Further, FIG. 7D is an SEM image in which the portion of region A in FIG. 7A is magnified 3000 times, and FIG. 7E is an SEM image in which the portion of region A in FIG. 7A is magnified 8000 times.

(2)メッキピール強度
メッキピール強度試験は、JIS Z 0237−2009に準拠して、図6に示すように各々の試験サンプルSを試験装置8の水平なテーブル上に固定した後、メッキ層に所定の間隔(試験片幅)で平行な2本の切り込みを入れ、切り込みで挟まれたメッキ層の一端をチャックで挟み上方に向けて引っ張って行った。具体的な試験条件を表3に示す。
(2) Plating peel strength The plating peel strength test conforms to JIS Z 0237-2009, and after fixing each test sample S on the horizontal table of the test apparatus 8 as shown in FIG. 6, it is applied to the plating layer. Two parallel cuts were made at predetermined intervals (test piece width), and one end of the plating layer sandwiched between the cuts was sandwiched by a chuck and pulled upward. Specific test conditions are shown in Table 3.

Figure 0006925814
Figure 0006925814

ピール強度試験の結果、従来メッキ法により樹脂基板を作製することができなかったのに対して、本発明に従えば、メッキ法により樹脂基板を作製することができ、さらに、ピール強度が3.0N/cmであることが分かった。そして、樹脂基板とCuメッキ層とがミクロなレベルで隙間なく密着していることが確認された。 As a result of the peel strength test, the resin substrate could not be produced by the conventional plating method, whereas according to the present invention, the resin substrate can be produced by the plating method, and the peel strength is 3. It was found to be 0 N / cm. Then, it was confirmed that the resin substrate and the Cu plating layer were in close contact with each other at a micro level without any gaps.

2.実験2
[1]樹脂基板の作製
実験1の結果を受け、プラズマ処理の条件出しを実施した。具体的には処理圧力、処理パワーをそれぞれ30〜70Pa、500〜1000Wまで拡げてプラズマ処理を行い、樹脂基板を作製した。
2. Experiment 2
[1] Preparation of resin substrate Based on the results of Experiment 1, the conditions for plasma treatment were set. Specifically, the processing pressure and the processing power were expanded to 30 to 70 Pa and 500 to 1000 W, respectively, and plasma treatment was performed to prepare a resin substrate.

具体的には、処理圧力30Paで処理パワー500W(0.13W/cm)としたこと以外は表1のプラズマ処理条件と同様にして樹脂基板を作製した。また、処理圧力50Paでそれぞれ処理パワー500W(0.13W/cm)、750W(0.16W/cm)、1000W(0.26W/cm)としたこと以外は表1のプラズマ処理条件と同様にして樹脂基板を作製した。また、処理圧力70Paでそれぞれ処理パワー500W(0.13W/cm)、750W(0.16W/cm)、1000W(0.26W/cm)としたこと以外は表1のプラズマ処理条件と同様にして樹脂基板を作製した。 Specifically, a resin substrate was prepared in the same manner as the plasma processing conditions in Table 1 except that the processing pressure was 30 Pa and the processing power was 500 W (0.13 W / cm 2). Further, each of processing power 500W at process pressure 50Pa (0.13W / cm 2), 750W (0.16W / cm 2), except that a 1000W (0.26W / cm 2) and the plasma treatment conditions of Table 1 A resin substrate was produced in the same manner. Further, each of processing power 500W at process pressure 70Pa (0.13W / cm 2), 750W (0.16W / cm 2), except that a 1000W (0.26W / cm 2) and the plasma treatment conditions of Table 1 A resin substrate was produced in the same manner.

[2]試験方法および試験結果 [2] Test method and test results

ピール強度試験の結果を実験1の結果と併せて図8に示す。図8より、ピール強度は1.0N/cm以上であり、3.0N/cmで頭打ちになっていることが分かった。次に、剥離面を観察し、樹脂基板とメッキ層の剥離の機構を調べた。 The results of the peel strength test are shown in FIG. 8 together with the results of Experiment 1. From FIG. 8, it was found that the peel strength was 1.0 N / cm or more and reached a plateau at 3.0 N / cm. Next, the peeled surface was observed to investigate the peeling mechanism between the resin substrate and the plating layer.

図9、図10はそれぞれ樹脂基板のCu側剥離面とPTFE側剥離面のSEM画像およびXPSスペクトルである。図9、図10はCu側剥離面にCF(凝集破壊)が存在していることが確認された。この結果は、剥離時にはPTFEが破断したことを示しており、この結果から樹脂基板とCuメッキ層は、樹脂基板の破断強度を超える強度で密着しているにも拘わらず樹脂基板が破断するためにピール強度が頭打ちになっていることが分かった。 9 and 10 are SEM images and XPS spectra of the Cu-side peeling surface and the PTFE-side peeling surface of the resin substrate, respectively. In FIGS. 9 and 10, it was confirmed that CF (cohesive fracture) was present on the peeled surface on the Cu side. This result indicates that the PTFE was broken at the time of peeling, and from this result, the resin substrate was broken even though the resin substrate and the Cu plating layer were in close contact with each other with a strength exceeding the breaking strength of the resin substrate. It was found that the peel strength had reached a plateau.

3.実験3
一方、プリント基板の場合には、一般的に6.5N/cm以上のピール強度が好ましい。そこで、より強度の強いPFA製の樹脂基板を使用して樹脂基板を作製し、ピール強度を調べた。具体的には、表面粗さRaが0.2μmのPFA製樹脂基板に実験1に記載したメッキ法を用いて厚み30μmのCuめっき層を形成させた樹脂基板を作製し、メッキピール強度を測定した。
3. 3. Experiment 3
On the other hand, in the case of a printed circuit board, a peel strength of 6.5 N / cm or more is generally preferable. Therefore, a resin substrate was prepared using a resin substrate made of PFA having a stronger strength, and the peel strength was examined. Specifically, a resin substrate having a Cu plating layer having a thickness of 30 μm formed on a PFA resin substrate having a surface roughness Ra of 0.2 μm was produced by using the plating method described in Experiment 1, and the plating peel strength was measured. bottom.

[1]樹脂基板の作製
表4にプラズマ処理条件を示す。
[1] Preparation of Resin Substrate Table 4 shows the plasma treatment conditions.

Figure 0006925814
Figure 0006925814

表5に、Pdの形成(Sn−Pdコロイド:パラジウム触媒吸着)およびCuの無電解メッキ、電解メッキの手順を示す。 Table 5 shows the procedures for forming Pd (Sn-Pd colloid: palladium-catalyzed adsorption), electroless plating of Cu, and electrolytic plating.

Figure 0006925814
Figure 0006925814

[2]試験方法および結果
サンプル数を3とし、実験1と同じ方法でメッキピール強度試験を実施した。なお、試験片幅は5mm幅とした。試験結果を表6に示す。なお試験結果は1cm幅に換算して表記した。
[2] Test method and result The number of samples was set to 3, and the plating peel strength test was carried out by the same method as in Experiment 1. The width of the test piece was 5 mm. The test results are shown in Table 6. The test results were converted into 1 cm width and shown.

Figure 0006925814
Figure 0006925814

表6より、本発明に従えば、プリント基板で好ましい6.5N/cmを確実にクリアーするピール強度でメッキされた樹脂基板が得られることが分った。 From Table 6, it was found that according to the present invention, a resin substrate plated with a peel strength that surely clears 6.5 N / cm, which is preferable for a printed circuit board, can be obtained.

4.実験4
本実験では、前記した実験1〜3で得られた結果を基に、表7に示す各種樹脂基板上に銅メッキ層が形成された樹脂基板における樹脂基板と銅メッキ層との密着性を調べた。なお、各樹脂基板における表面粗さRaは0.2μm、メッキ層の厚みは30μmと同じに設定した。
4. Experiment 4
In this experiment, based on the results obtained in Experiments 1 to 3 described above, the adhesion between the resin substrate and the copper-plated layer in the resin substrate in which the copper-plated layer was formed on the various resin substrates shown in Table 7 was investigated. rice field. The surface roughness Ra of each resin substrate was set to 0.2 μm, and the thickness of the plating layer was set to 30 μm.

Figure 0006925814
Figure 0006925814

[1]樹脂基板の作製
表8に示す処理条件の下、高周波減圧プラズマ処理により準備した各樹脂基板の表面にアミノ基を付与して、各樹脂基板の表面改質処理を行った。
[1] Preparation of Resin Substrate Under the treatment conditions shown in Table 8, amino groups were added to the surface of each resin substrate prepared by high-frequency reduced pressure plasma treatment, and the surface modification treatment of each resin substrate was performed.

Figure 0006925814
Figure 0006925814

そして、アミノ基の付与により樹脂が親水化されたことを確認するために、各樹脂における処理の前後での接触角の変化を測定した。結果を表9に示す。 Then, in order to confirm that the resin was hydrophilized by the addition of the amino group, the change in the contact angle before and after the treatment in each resin was measured. The results are shown in Table 9.

Figure 0006925814
Figure 0006925814

表9より、いずれの樹脂においてもプラズマ処理後は接触角が小さくなっており、親水性が向上している(表面自由エネルギーが大きくなっている)ことが分かる。 From Table 9, it can be seen that the contact angle of each of the resins is small after the plasma treatment, and the hydrophilicity is improved (the surface free energy is large).

次に、表10に示す手順に従って、Pdの付与および活性化、無電解Cuメッキ層の形成を行った。 Next, according to the procedure shown in Table 10, Pd was applied and activated, and an electroless Cu plating layer was formed.

Figure 0006925814
Figure 0006925814

[2]試験方法および試験結果
作製したサンプルの銅メッキ層が形成された側の面を観察し、Cuが着床していない欠損箇所の有無を調べることにより、樹脂基板と無電解銅メッキ層との密着性を評価した。欠損箇所がない場合を良とした。
[2] Test method and test results By observing the surface of the prepared sample on the side where the copper plating layer was formed and checking for the presence or absence of defects where Cu has not been implanted, the resin substrate and the electroless copper plating layer The adhesion with was evaluated. The case where there was no defect was considered good.

また、テープ剥離法にて密着の強さ(テープ剥離)を評価した。具体的には、メッキ層にセロハンテープを押し付けて貼り付けた後、引き剥がして、そのとき、メッキが剥離するか否かを調べることにより、密着の強さを評価した。剥離しない場合を良とした。 In addition, the adhesive strength (tape peeling) was evaluated by the tape peeling method. Specifically, the cellophane tape was pressed against the plating layer, attached, and then peeled off, and at that time, the strength of adhesion was evaluated by examining whether or not the plating was peeled off. The case where it did not peel off was considered good.

試験結果を表11に示す。 The test results are shown in Table 11.

Figure 0006925814
Figure 0006925814

表11より、PTFE、FEP、PI、PET、PEN、PPのいずれの樹脂においても、密着性、テープ剥離ともに良好であることが分かり、これらの樹脂基板においても、実験1〜3と同様の結果が期待でき、これらの樹脂基板を用いることにより、無電解銅メッキにおいて、樹脂基板とメッキ層の密着性に優れる高品質の樹脂基板を提供でき、高速伝送にも十分に適応可能な回路基板を提供できる。 From Table 11, it was found that all the resins of PTFE, FEP, PI, PET, PEN, and PP had good adhesion and tape peeling, and the same results as in Experiments 1 to 3 were obtained for these resin substrates. By using these resin substrates, it is possible to provide a high-quality resin substrate with excellent adhesion between the resin substrate and the plating layer in electroless copper plating, and a circuit board that can be sufficiently adapted to high-speed transmission. Can be provided.

なお、イミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、オレフィン系樹脂、の場合は、フッ素樹脂と比較して吸水率が高く、酸またはアルカリと加水分解反応を起こしてメッキ後に剥離する場合があるため、フッ素樹脂以外の樹脂では、無電解メッキ及び電解メッキ後に、乾燥除水処理を施して密着強度を確保することによって、より望ましい結果を得ることができる。 In the case of imide-based resin, polyester-based resin, and olefin-based resin, the water absorption rate is higher than that of fluororesin, and the fluororesin may be peeled off after plating due to a hydrolysis reaction with acid or alkali. For resins other than the above, more desirable results can be obtained by performing dry water removal treatment after electroless plating and electrolytic plating to ensure the adhesion strength.

5.実験5
本実験では、上記した実験4におけるポリイミド樹脂をメッキ後に加熱乾燥した場合に密着力(ピール強度)がどのように向上するかを実験した。加熱乾燥を行う以外の実験条件等は上記実験4と同一である。
5. Experiment 5
In this experiment, it was tested how the adhesion (peel strength) is improved when the polyimide resin in Experiment 4 described above is heated and dried after plating. The experimental conditions and the like other than heat-drying are the same as in Experiment 4 above.

(1)加熱乾燥の条件
加熱乾燥 :無電解メッキ後と電解メッキ後の2回実施
加熱乾燥条件:120℃30分オーブン処理
(1) Heat-drying conditions Heat-drying: Performed twice, after electroless plating and after electrolytic plating Heat-drying conditions: 120 ° C. 30 minutes oven treatment

(2)評価結果
表12に評価結果を示す。なお、単位はN/cmである。
(2) Evaluation results Table 12 shows the evaluation results. The unit is N / cm.

Figure 0006925814
Figure 0006925814

表12より、ポリイミド樹脂においてメッキ後加熱乾燥をしなかった場合、樹脂が吸水して界面に剥離が生じたためにピール強度が0N/cmであったのに対して、メッキ後加熱乾燥した場合には、このような吸水による剥離が生じないため、ピール強度は1.8と向上していることが分かり、ポリイミド樹脂においては、電解メッキ後の加熱乾燥が必要であることが確認できた。 From Table 12, when the polyimide resin was not heat-dried after plating, the peel strength was 0 N / cm because the resin absorbed water and peeled off at the interface, whereas it was heat-dried after plating. It was found that the peel strength was improved to 1.8 because such peeling due to water absorption did not occur, and it was confirmed that the polyimide resin needs to be heat-dried after electrolytic plating.

以上、本発明を実施の形態に基づき説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、上記の実施の形態に対して種々の変更を加えることが可能である。 Although the present invention has been described above based on the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments. Within the same and equal scope as the present invention, various modifications can be made to the above embodiments.

本実施形態に示す樹脂基板の製造技術は、高速伝送に適応するプリント基板で、樹脂基板とメッキ層の密着性に優れる高品質の樹脂基板の提供を可能にする技術であり、より一層高品質の回路基板の実用化に大きく寄与することができる。 The resin substrate manufacturing technology shown in this embodiment is a printed circuit board suitable for high-speed transmission, and is a technology that enables the provision of a high-quality resin substrate having excellent adhesion between the resin substrate and the plating layer, and is of even higher quality. It can greatly contribute to the practical use of the circuit board.

1 高周波プラズマ装置
2 高周波電力供給装置
3 真空チャンバ
4 プロセスガス供給装置
5 真空排気装置
6 樹脂基板
8 試験装置
A、B 領域
S 試験サンプル
1 High-frequency plasma device 2 High-frequency power supply device 3 Vacuum chamber 4 Process gas supply device 5 Vacuum exhaust device 6 Resin substrate 8 Test device A, B Area S Test sample

Claims (14)

GHz帯の高速通信用の回路基板の作製に用いられる樹脂の製造方法であって、
高周波減圧プラズマ装置のチャンバ内にアミノ基を含む材料ガスを供給して1〜100000Paの減圧下でプラズマを発生させる高周波減圧プラズマ処理を行って、前記チャンバ内にセットされた樹脂の表面の炭素骨格に前記アミノ基を導入、付与するアミノ基付与工程を備えており、前記樹脂が、表面粗さがJIS B 0601―1982に規定される算術平均粗さRaで1μm以下のフッ素樹脂である樹脂の製造方法。
A method for manufacturing a resin used for manufacturing a circuit board for high-speed communication in the GHz band.
A material gas containing an amino group is supplied into the chamber of the high-frequency decompression plasma apparatus to perform high-frequency decompression plasma treatment to generate plasma under a decompression of 1 to 100,000 Pa, and a carbon skeleton on the surface of the resin set in the chamber is performed. introducing said amino group comprises an amino group step of applying said resin, the surface roughness JIS B 0601-1982 in defined as the arithmetic average roughness Ra at 1μm or less of the fluorine resin der Ru resin Manufacturing method.
前記高周波減圧プラズマ処理が、1〜1000Paの減圧下でプラズマを発生させる高周波減圧プラズマ処理である請求項1に記載の樹脂の製造方法。 The high-frequency vacuum plasma treatment, a manufacturing method of a resin according to claim 1, wherein the high-frequency low-pressure plasma treatment in which plasma is generated under a reduced pressure of 1~1000Pa. 前記アミノ基付与工程において、前記アミノ基を含む材料ガスとして、アンモニアまたは気体状のヒドラジンを用いる請求項1または請求項2に記載の樹脂の製造方法。 The method for producing a resin according to claim 1 or 2, wherein ammonia or gaseous hydrazine is used as the material gas containing the amino group in the amino group addition step. 前記アミノ基が付与された前記樹脂基板の表面に触媒液を接触させ、銅メッキが成長するための金属触媒をアミノ基を介して前記樹脂基板の表面へ付与させる工程を備えている請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の樹脂の製造方法。 The first aspect of the present invention includes a step of bringing a catalyst solution into contact with the surface of the resin substrate to which the amino group is applied and imparting a metal catalyst for growing copper plating to the surface of the resin substrate via the amino group. The method for producing a resin according to any one of claims 3. 前記金属触媒が、パラジウムである請求項4に記載の樹脂の製造方法。 The method for producing a resin according to claim 4, wherein the metal catalyst is palladium. 無電解メッキ層を形成し、さらに、前記無電解メッキ層の上に電解メッキを用いて所定の厚みの電解銅メッキ層を形成する銅メッキ工程を備えている請求項4または請求項5に記載の樹脂の製造方法。 The fourth or fifth aspect of the present invention, which comprises a copper plating step of forming an electroless plating layer and further forming an electrolytic copper plating layer having a predetermined thickness on the electroless plating layer by using electrolytic plating. Resin manufacturing method. 前記金属触媒に無電解メッキを用いて銅メッキ層を形成する無電解メッキ工程と、
無電解メッキにより析出させた銅メッキ層上に電解メッキを用いて銅メッキ層を形成する電解メッキ工程とを有している請求項6に記載の樹脂の製造方法。
An electroless plating step of forming a copper plating layer by using electroless plating on the metal catalyst, and
The method for producing a resin according to claim 6, further comprising an electrolytic plating step of forming a copper plating layer by using electrolytic plating on a copper plating layer precipitated by electroless plating.
請求項1ないし請求項のいずれか1項に記載の樹脂の製造方法により作製された樹脂を用いて回路基板を製造する回路基板の製造方法。 A method for manufacturing a circuit board, which manufactures a circuit board using the resin manufactured by the resin manufacturing method according to any one of claims 1 to 7. 表面の炭素骨格にアミノ基が導入、付与されており、表面粗さが、JIS B 0601−1982に規定される算術平均粗さRaで1μm以下のフッ素樹脂。 A fluororesin in which an amino group is introduced and imparted to the carbon skeleton on the surface, and the surface roughness is 1 μm or less in arithmetic average roughness Ra specified in JIS B 0601-1982 . 前記アミノ基上に金属触媒が付与されている請求項に記載の樹脂。 The resin according to claim 9 , wherein a metal catalyst is added on the amino group. 前記金属触媒が、パラジウムである請求項10に記載の樹脂。 The resin according to claim 10 , wherein the metal catalyst is palladium. 前記パラジウムに所定の厚みの銅メッキ層が形成されている請求項11に記載の樹脂。 The resin according to claim 11 , wherein a copper-plated layer having a predetermined thickness is formed on the palladium. 請求項ないし請求項12のいずれか1項に記載の樹脂を用いて作製された回路基板。 A circuit board manufactured by using the resin according to any one of claims 9 to 12. 前記樹脂の表面に形成された銅メッキ層を用いて、回路パターンが形成されている請求項13に記載の回路基板。 The circuit board according to claim 13 , wherein a circuit pattern is formed by using a copper-plated layer formed on the surface of the resin.
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