JP6897729B2 - Manufacturing method of light emitting device - Google Patents

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Description

本発明は発光装置の製造方法に関し、特に、バックライト用途に適した発光装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device, and more particularly to a method for manufacturing a light emitting device suitable for a backlight application.

液晶などのバックライトとして、発光装置と導光板を組み合わせたエッジ型バックライトが知られている。エッジ型バックライトでは、発光装置の光を導光板に入射させる必要があるが、現在はバックライトの薄型化が望まれているため、導光板も薄型化が進んでいる。したがって、薄型の導光板に光を効率的に入射させるために、発光装置(特に、発光装置の光出射面)も小型化する必要がある。 As a backlight for a liquid crystal or the like, an edge type backlight in which a light emitting device and a light guide plate are combined is known. In the edge type backlight, it is necessary to inject the light of the light emitting device into the light guide plate, but at present, the light guide plate is also becoming thinner because the backlight is desired to be thinner. Therefore, in order to efficiently inject light into the thin light guide plate, it is necessary to reduce the size of the light emitting device (particularly, the light emitting surface of the light emitting device).

ところで、エッジ型バックライトとして好適に用いられる発光装置として、例えばサイドビュー型発光装置が知られている。典型的なサイドビュー型発光装置としては、反射性材料から形成されたハウジングの凹部内に半導体発光素子を収納したものが挙げられる。 By the way, as a light emitting device preferably used as an edge type backlight, for example, a side view type light emitting device is known. A typical side-view type light emitting device includes a device in which a semiconductor light emitting element is housed in a recess of a housing formed of a reflective material.

しかし、ハウジングを備えた発光装置は薄型化することが難しい。そこで、ハウジングを備えていない発光装置として、発光素子を反射性材料で直接被覆したものが開示されている（例えば、特許文献１）。特許文献１では、青色発光素子の上面に、黄色蛍光体を含有する板状の透光性部材が載置され、その透光性部材の上面を発光装置の光出射面としたものが例示されている。そして、透光性部材の下面の面積を、発光素子の上面の面積よりも大きくすることで、発光素子からの熱を発光装置の外部に効率的に放出させている。 However, it is difficult to reduce the thickness of the light emitting device provided with the housing. Therefore, as a light emitting device without a housing, a light emitting device in which the light emitting element is directly coated with a reflective material is disclosed (for example, Patent Document 1). Patent Document 1 exemplifies an example in which a plate-shaped translucent member containing a yellow phosphor is placed on the upper surface of a blue light emitting element, and the upper surface of the translucent member is used as a light emitting surface of a light emitting device. ing. Then, by making the area of the lower surface of the translucent member larger than the area of the upper surface of the light emitting element, the heat from the light emitting element is efficiently discharged to the outside of the light emitting device.

さらに、側面が曲面で上面が平坦な波長変換層を備えた発光ダイオードパッケージも知られている（例えば、特許文献２）。特許文献２では、発光ダイオードチップ上の波長変換層の上面を、粘度の高い蛍光体含有樹脂を塗布及び硬化することで平坦に形成している。そして、光反射層が発光ダイオードチップの側面及び波長変換層の側面のみを被覆することで、波長変換層の平坦な上面を露出させて光出射面としている。 Further, a light emitting diode package having a wavelength conversion layer having a curved side surface and a flat upper surface is also known (for example, Patent Document 2). In Patent Document 2, the upper surface of the wavelength conversion layer on the light emitting diode chip is formed flat by applying and curing a highly viscous phosphor-containing resin. Then, the light reflecting layer covers only the side surface of the light emitting diode chip and the side surface of the wavelength conversion layer, so that the flat upper surface of the wavelength conversion layer is exposed and used as a light emitting surface.

特開２０１０−２７２８４７号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-272847 特開２０１１−２２８７０３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-228703

しかしながら、特許文献１の発光装置では、光出射面が発光素子の発光面積よりも大きくなるため、薄い導光板と組み合わせて使用することが考慮されていない。
特許文献２では、発光ダイオードパッケージの光出射面である波長変換層の上面は、発光ダイオードチップの上面よりも面積が小さいので、発光ダイオードパッケージの光出射面は発光ダイオードチップの発光面積よりも狭くなる。
しかしながら、特許文献２に開示された発光装置の製造方法では、光出射面を露出させることが困難である。すなわち、光出射面を露出させるために、波長変換層の側面及び発光ダイオードチップの側面を光反射層で被覆し、且つ平坦な波長変換層の上面が光反射層で被覆されないように、光反射層の充填を高い精度で制御する必要がある。 However, in the light emitting device of Patent Document 1, since the light emitting surface is larger than the light emitting area of the light emitting element, it is not considered to be used in combination with a thin light guide plate.
In Patent Document 2, since the upper surface of the wavelength conversion layer, which is the light emitting surface of the light emitting diode package, has a smaller area than the upper surface of the light emitting diode chip, the light emitting surface of the light emitting diode package is narrower than the light emitting area of the light emitting diode chip. Become.
However, it is difficult to expose the light emitting surface by the method for manufacturing a light emitting device disclosed in Patent Document 2. That is, in order to expose the light emitting surface, the side surface of the wavelength conversion layer and the side surface of the light emitting diode chip are covered with the light reflecting layer, and the upper surface of the flat wavelength conversion layer is not covered with the light reflecting layer. Layer filling needs to be controlled with high precision.

そこで、本発明は、発光素子の発光面積より狭い発光装置の光出射面を有する発光装置の製造方法であって、光出射面の面積の制御が容易な方法を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a light emitting device having a light emitting surface of the light emitting device narrower than the light emitting area of the light emitting element, and a method in which the area of the light emitting surface can be easily controlled.

本発明に係る発光装置は、
蛍光体層と透明層とを含む蛍光体含有層を準備する工程と、
発光素子の上面に、接着剤を用いて前記蛍光体含有層を配置する工程と、
前記発光素子の側面及び前記蛍光体含有層の表面を光反射部材で被覆する工程と、
前記光反射部材の一部及び前記透明層の一部を除去し、前記蛍光体含有層の前記透明層の一部を前記光反射部材から露出させる工程と、
を備える。
The light emitting device according to the present invention
A step of preparing a phosphor-containing layer including a phosphor layer and a transparent layer, and
A step of arranging the phosphor-containing layer on the upper surface of the light emitting element using an adhesive, and
A step of coating the side surface of the light emitting element and the surface of the phosphor-containing layer with a light reflecting member, and
Removing a portion of a part and the transparent layer of the light reflecting member, thereby exposing a portion of the transparent layer of the phosphor containing layer from the light reflecting member,
To be equipped.

本発明に係る製造方法によれば、蛍光体含有層の側面と前記発光素子の側面とを光反射部材で被覆した後に、光反射部材の上部と前記蛍光体含有層の上部とを除去して、光反射部材の平坦な上面を形成している。よって、当該平坦な上面が光反射部材によって被覆されることはない。さらに、蛍光体含有層の側面が光反射部材から露出しないため、蛍光体含有層の上面のみを光出射面とすることができる。
このように、本発明の製造方法によれば、光出射面である蛍光体含有層の上面の面積を容易に制御することができる。 According to the manufacturing method according to the present invention, after the side surface of the phosphor-containing layer and the side surface of the light emitting element are covered with the light reflecting member, the upper part of the light reflecting member and the upper part of the phosphor-containing layer are removed. , A flat upper surface of the light reflecting member is formed. Therefore, the flat upper surface is not covered with the light reflecting member. Further, since the side surface of the phosphor-containing layer is not exposed from the light reflecting member, only the upper surface of the phosphor-containing layer can be used as the light emitting surface.
As described above, according to the production method of the present invention, the area of the upper surface of the phosphor-containing layer, which is the light emitting surface, can be easily controlled.

実施形態１に係る発光装置を示しており、（ａ）は概略上面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線における概略断面図である。The light emitting device according to the first embodiment is shown, (a) is a schematic top view, and (b) is a schematic cross-sectional view taken along the line AA of (a). 図１（ｂ）の破線Ｂで囲まれた部分の概略部分拡大断面図である（ａ〜ｃ）。It is a schematic partial enlarged cross-sectional view of the portion surrounded by the broken line B of FIG. 1 (b) (a to c). （ａ）は、発光素子の上に設けられた蛍光体含有層の概略上面図、（ｂ）は概略斜視図である。なお、図３では、発光素子の上面と蛍光体含有層の下面の具体的な関係を示すために、光反射部材は省略している。(A) is a schematic top view of a phosphor-containing layer provided on a light emitting element, and (b) is a schematic perspective view. In FIG. 3, the light reflecting member is omitted in order to show the specific relationship between the upper surface of the light emitting element and the lower surface of the phosphor-containing layer. （ａ）は、発光素子の上に設けられた蛍光体含有層の概略上面図、（ｂ）は概略斜視図である。なお、図４では、発光素子の上面と蛍光体含有層の下面の具体的な関係を示すために、光反射部材は省略している。(A) is a schematic top view of a phosphor-containing layer provided on a light emitting element, and (b) is a schematic perspective view. In FIG. 4, the light reflecting member is omitted in order to show the specific relationship between the upper surface of the light emitting element and the lower surface of the phosphor-containing layer. 実施形態１に係る発光装置の変形例である（ａ〜ｂ）。It is a modification of the light emitting device according to the first embodiment (a to b). 実施形態１に係る発光装置を用いたバックライトの概略図である。It is the schematic of the backlight using the light emitting device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1. 実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明するための概略断面図である。It is schematic cross-sectional view for demonstrating the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明するための概略断面図である。It is schematic cross-sectional view for demonstrating the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明するための概略断面図である。It is schematic cross-sectional view for demonstrating the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る発光装置の変形例である。This is a modification of the light emitting device according to the first embodiment. 実施形態１に係る発光装置の変形例である（ａ、ｂ）。This is a modification of the light emitting device according to the first embodiment (a, b).

以下、図面に基づいて本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」及び、それらの用語を含む別の用語）を用いる。それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が限定されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, terms indicating a specific direction or position (for example, "top", "bottom", "right", "left", and other terms including those terms) are used as necessary. .. The use of these terms is to facilitate understanding of the invention with reference to the drawings, and the meaning of these terms does not limit the technical scope of the invention. Further, the parts having the same reference numerals appearing in a plurality of drawings indicate the same parts or members.

＜実施形態１＞
図１に示される本実施形態に係る発光装置１１は、主に、導光板９１と組み合わせてバックライト９０を構成するのに適している（図６）。この発光装置１１は、蛍光体含有層３０及び光反射部材４０の構成によって、発光装置１１の光出射面（蛍光体含有層３０の上面３０ａに相当）の面積が発光素子２０の発光面の面積よりも小さくなっている。すなわち、発光素子２０の発光面（より正確には、発光素子２０内の活性層の面積）を大きくしつつ、発光装置１１の光出射面の面積を小さくすることができる。これにより、光学レンズ等の光学機器を使用することなしに、発光装置１１の光を薄型の導光板へ効率よく入射させることができる。
以下に本実施形態に係る発光装置１１について詳述する。 <Embodiment 1>
The light emitting device 11 according to the present embodiment shown in FIG. 1 is mainly suitable for forming the backlight 90 in combination with the light guide plate 91 (FIG. 6). In this light emitting device 11, the area of the light emitting surface (corresponding to the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30) of the light emitting device 11 is the area of the light emitting surface of the light emitting element 20 depending on the configuration of the phosphor-containing layer 30 and the light reflecting member 40. Is smaller than That is, it is possible to reduce the area of the light emitting surface of the light emitting device 11 while increasing the light emitting surface of the light emitting element 20 (more accurately, the area of the active layer in the light emitting element 20). As a result, the light of the light emitting device 11 can be efficiently incident on the thin light guide plate without using an optical device such as an optical lens.
The light emitting device 11 according to the present embodiment will be described in detail below.

図１〜図４に示す本実施形態に係る発光装置１１は、支持基板８０の上面８０ａに配置された発光素子２０と、その発光素子２０の上面２０ａに設けられた蛍光体含有層３０とを含んでいる。蛍光体含有層３０は、発光素子２０の上面２０ａを被覆している下面３０ｂと、下面３０ｂより小さい面積を有する上面３０ａと、を備えている。蛍光体含有層３０の下面３０ｂは、発光素子２０の上面２０ａに収まるように、当該上面２０ａを被覆している（図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、（ｂ））。つまり、蛍光体含有層３０の下面３０ｂの面積は、発光素子２０の上面２０ａの面積以下で、且つ蛍光体含有層３０の下面３０ｂの全面が、発光素子２０の上面２０ａ上に位置している。 The light emitting device 11 according to the present embodiment shown in FIGS. 1 to 4 comprises a light emitting element 20 arranged on the upper surface 80a of the support substrate 80 and a phosphor-containing layer 30 provided on the upper surface 20a of the light emitting element 20. Includes. The phosphor-containing layer 30 includes a lower surface 30b that covers the upper surface 20a of the light emitting element 20, and an upper surface 30a that has an area smaller than that of the lower surface 30b. The lower surface 30b of the phosphor-containing layer 30 covers the upper surface 20a so as to fit in the upper surface 20a of the light emitting element 20 (FIGS. 3 (a), (b), 4 (a), (b)). .. That is, the area of the lower surface 30b of the phosphor-containing layer 30 is equal to or less than the area of the upper surface 20a of the light emitting element 20, and the entire surface of the lower surface 30b of the phosphor-containing layer 30 is located on the upper surface 20a of the light emitting element 20. ..

蛍光体含有層３０の下面３０ｂと発光素子２０の上面２０ａとの具体的な関係を、図３、図４を参照して説明する。なお、図３、図４では、発光素子２０の上面２０ａと蛍光体含有層３０の下面３０ｂとの具体的な関係を示すために、光反射部材４０は省略している。
図３では、上面視において、蛍光体含有層３０の下面３０ｂは発光素子２０の上面２０ａと略同一寸法で略同一形状を有しており、蛍光体含有層３０の下面３０ｂと発光素子２０の上面２０ａとは、互いに略全面を被覆している。このように、発光素子の上面２０ａと蛍光体含有層の下面３０ｂとが、略同一寸法且つ略同一形状を有し、それらが略全面にわたって重なっていると、発光素子２０の出射光が発光素子の上面２０ａの幅以上に広がることを抑制でき、且つ確実に波長変換できるため好ましい。 The specific relationship between the lower surface 30b of the phosphor-containing layer 30 and the upper surface 20a of the light emitting element 20 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. In FIGS. 3 and 4, the light reflecting member 40 is omitted in order to show a specific relationship between the upper surface 20a of the light emitting element 20 and the lower surface 30b of the phosphor-containing layer 30.
In FIG. 3, the lower surface 30b of the phosphor-containing layer 30 has substantially the same dimensions and substantially the same shape as the upper surface 20a of the light emitting element 20, and the lower surface 30b of the phosphor-containing layer 30 and the light emitting element 20 have substantially the same shape. The upper surface 20a covers substantially the entire surface of each other. As described above, when the upper surface 20a of the light emitting element and the lower surface 30b of the phosphor-containing layer have substantially the same dimensions and substantially the same shape and they overlap over substantially the entire surface, the emitted light of the light emitting element 20 is emitted from the light emitting element. It is preferable because it can suppress the spread beyond the width of the upper surface 20a of the above surface and can reliably convert the wavelength.

しかし、蛍光体含有層の下面３０ｂは、発光素子の上面２０ａの全面を被覆していなくてもよく、少なくとも発光素子の上面２０ａに収まる程度の大きさであればよい。例えば、図４に示されるように、上面視において略矩形の発光素子２０の上面２０ａに、略楕円形状の下面３０ｂを有する蛍光体含有層３０が配置されるような場合、発光素子の上面２０ａの一部（図４では、上面２０ａの４つの隅部２０ｅ）は蛍光体含有層３０によって実質的に被覆されていなくてもよい。ここで、「実質的に被覆されていない」とは、発光素子の上面２０ａの一部が、蛍光体含有層３０で被覆されていない形態と、非常に薄い蛍光体含有層３０によって被覆されているが、視認したときに被覆されていないように見える形態とを含む。 However, the lower surface 30b of the phosphor-containing layer does not have to cover the entire upper surface 20a of the light emitting element, and may be at least large enough to fit in the upper surface 20a of the light emitting element. For example, as shown in FIG. 4, when the phosphor-containing layer 30 having a substantially elliptical lower surface 30b is arranged on the upper surface 20a of the substantially rectangular light emitting element 20 in the top view, the upper surface 20a of the light emitting element 20a. (In FIG. 4, the four corners 20e of the upper surface 20a) may not be substantially covered by the phosphor-containing layer 30. Here, "substantially uncoated" means that a part of the upper surface 20a of the light emitting element is not coated with the phosphor-containing layer 30, and is coated with a very thin phosphor-containing layer 30. However, it includes a form that does not appear to be covered when visually recognized.

図１（ｂ）に示すように、発光素子２０の側面２０ｃと蛍光体含有層３０の側面３０ｃは、光反射部材４０（光反射性成形体４１と反射膜４２）によって被覆されている。本実施形態において「蛍光体含有層３０の側面３０ｃ」とは、蛍光体含有層３０の表面のうち、蛍光体含有層３０の下面３０ｂ（発光素子２０の上面２０ａを被覆している面）と、光反射部材４０から露出する略平坦な上面３０ａ（発光装置１１の光出射面となる面）とを除いた面を指す。
発光素子２０の側面２０ｃと蛍光体含有層３０の側面３０ｃとを光反射部材４０で被覆することにより、発光素子２０からの光は、主に、光反射部材４０で被覆されていない「蛍光体含有層３０の上面３０ａ」から出射される。つまり、発光装置１１の光出射面は、蛍光体含有層３０の上面３０ａとなる。 As shown in FIG. 1B, the side surface 20c of the light emitting element 20 and the side surface 30c of the phosphor-containing layer 30 are covered with a light reflecting member 40 (light reflecting molded body 41 and reflective film 42). In the present embodiment, the "side surface 30c of the phosphor-containing layer 30" refers to the lower surface 30b of the phosphor-containing layer 30 (the surface covering the upper surface 20a of the light emitting element 20) of the surface of the phosphor-containing layer 30. Refers to a surface excluding a substantially flat upper surface 30a (a surface serving as a light emitting surface of the light emitting device 11) exposed from the light reflecting member 40.
By covering the side surface 20c of the light emitting element 20 and the side surface 30c of the phosphor-containing layer 30 with the light reflecting member 40, the light from the light emitting element 20 is mainly not covered with the light reflecting member 40. It is emitted from the upper surface 30a of the containing layer 30. That is, the light emitting surface of the light emitting device 11 is the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30.

なお、発光素子２０の上面２０ａの一部（例えば図４の隅部２０ｅ）が蛍光体含有層３０の下面３０ｂで被覆されない場合、発光素子２０の側面２０ｃだけでなく、上面２０ａの当該一部（例えば隅部２０ｅ）も、光反射部材４０によって被覆される。
また、光反射部材４０の厚さが薄い場合、発光素子２０からの光の一部が光反射部材４０を透過して外部に漏れ出すことがある。しかし、発光の多くは光反射部材４０を透過せずに反射されるので、発光装置１１を使用する上では殆ど問題にならない。また、蛍光体含有層３０の上面３０ａから出射される光のみならず、光反射部材４０を透過する光も導光板９１に取り込むことができると、発光装置１１の出力を向上させることができる。さらに、光反射部材４０から透過する光が導光板９１に取り込まれることで、混色されて色むらが抑制される。 When a part of the upper surface 20a of the light emitting element 20 (for example, the corner portion 20e in FIG. 4) is not covered with the lower surface 30b of the phosphor-containing layer 30, not only the side surface 20c of the light emitting element 20 but also the part of the upper surface 20a. (For example, the corner portion 20e) is also covered with the light reflecting member 40.
Further, when the light reflecting member 40 is thin, a part of the light from the light emitting element 20 may pass through the light reflecting member 40 and leak to the outside. However, since most of the light emitted is reflected without passing through the light reflecting member 40, there is almost no problem in using the light emitting device 11. Further, if not only the light emitted from the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30 but also the light transmitted through the light reflecting member 40 can be taken into the light guide plate 91, the output of the light emitting device 11 can be improved. Further, the light transmitted from the light reflecting member 40 is taken into the light guide plate 91, so that the colors are mixed and the color unevenness is suppressed.

以上のように、蛍光体含有層３０の上面３０ａが下面３０ｂよりも小さく、蛍光体含有層３０の下面３０ｂが、発光素子２０の上面２０ａよりも小さく且つ上面２０ａに収まるように配置され、発光素子２０の側面２０ｃ及び蛍光体含有層３０の側面３０ｃが光反射部材４０で被覆されることにより、発光装置１１の光出射面を、発光素子２０の発光面よりも小さくすることができる。つまり、発光装置１１から出射される光は、狭い光出射面から出射するので、薄型の導光板９１であっても効率よく光を入射させることができる。 As described above, the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30 is smaller than the lower surface 30b, and the lower surface 30b of the phosphor-containing layer 30 is arranged so as to be smaller than the upper surface 20a of the light emitting element 20 and fit in the upper surface 20a to emit light. By covering the side surface 20c of the element 20 and the side surface 30c of the phosphor-containing layer 30 with the light reflecting member 40, the light emitting surface of the light emitting device 11 can be made smaller than the light emitting surface of the light emitting element 20. That is, since the light emitted from the light emitting device 11 is emitted from a narrow light emitting surface, the light can be efficiently incident even with a thin light guide plate 91.

蛍光体含有層３０の側面３０ｃは、蛍光体含有層３０の下面３０ｂから上面３０ａへ内向きに傾斜させることができる。すなわち、下面３０ｂより上面３０ａが小さくなるように、側面３０ｃの一部又は全部を内向きに傾斜させることができる。一例としては、側面３０ｃは、下面３０ｂから上面３０ａに向かって内向きに傾斜させることができる（図１（ｂ）等）。なお、本明細書において「内向き」とは、蛍光体含有層３０の上面３０ａの中心を通り、当該上面３０ａと垂直方向（ｚ軸方向）に延びる軸Ｃに向かう方向を指す（図１（ｂ）、図３（ｂ）、図４（ｂ））。 The side surface 30c of the phosphor-containing layer 30 can be inclined inward from the lower surface 30b of the phosphor-containing layer 30 to the upper surface 30a. That is, a part or all of the side surface 30c can be inclined inward so that the upper surface 30a is smaller than the lower surface 30b. As an example, the side surface 30c can be inclined inward from the lower surface 30b toward the upper surface 30a (FIG. 1 (b) and the like). In addition, in this specification, "inward direction" refers to the direction which passes through the center of the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30 and is directed toward the axis C extending in the direction perpendicular to the upper surface 30a (z-axis direction) (FIG. 1 (FIG. 1). b), FIG. 3 (b), FIG. 4 (b)).

蛍光体含有層３０の側面３０ｃを、下面３０ｂから上面３０ａへ向きに傾斜させる場合、側面３０ｃが外側に凸状の曲面であるのが好ましい（図１（ｂ））。側面３０ｃが外側に凸状の曲面であると、側面３０ｃを被覆する光反射部材４０が凹状曲面となるため、光の集光効果を高めることができる。すなわち、側面３０ｃを被覆する光反射部材４０を、光を効率的に上方へ反射させることが可能な反射面として機能させることができる。また、外側に凸状の曲面であれば、表面張力を用いて形成できるので、蛍光体含有層３０を形成する際に金型等を使用せずに効率的に形成できる点でも有利である。 When the side surface 30c of the phosphor-containing layer 30 is inclined from the lower surface 30b toward the upper surface 30a, it is preferable that the side surface 30c has an outwardly convex curved surface (FIG. 1B). When the side surface 30c has an outwardly convex curved surface, the light reflecting member 40 covering the side surface 30c has a concave curved surface, so that the light condensing effect can be enhanced. That is, the light reflecting member 40 covering the side surface 30c can function as a reflecting surface capable of efficiently reflecting light upward. Further, since the curved surface having a convex shape on the outer side can be formed by using surface tension, it is also advantageous in that it can be efficiently formed without using a mold or the like when forming the phosphor-containing layer 30.

光反射部材４０の上面（光反射性成形体４１の上面４１ａ、反射膜４２の上面４２ａ）と、蛍光体含有層３０の上面３０ａとは、略面一に形成されている（図１（ｂ））。これにより、蛍光体含有層３０の側面３０ｃから光が漏れるのを抑制し、且つ蛍光体含有層３０の上面３０ａが光反射部材４０で被覆されるのを回避し、光出射面を確実に露出させることができる。 The upper surface of the light reflecting member 40 (the upper surface 41a of the light reflecting molded body 41, the upper surface 42a of the reflective film 42) and the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30 are formed substantially flush with each other (FIG. 1 (b). )). As a result, light is suppressed from leaking from the side surface 30c of the phosphor-containing layer 30, and the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30 is prevented from being covered with the light reflecting member 40, so that the light emitting surface is reliably exposed. Can be made to.

なお、前述のような光反射部材４０の上面と略面一な蛍光体含有層３０の上面３０ａは、後述するように、例えば切削等で蛍光体含有層３０及び光反射部材４０の上部を一括して除去することで形成できる。切削の際には、切削面（蛍光体含有層３０の上面３０ａ及び光反射部材４０の上面４１ａ）に微細な凹凸が発生し得る。蛍光体含有層３０の上面３０ａ（発光装置１１の光出射面に相当）が、切削に起因するこのような凹凸を有していると、光の取り出しを向上させることができる。 As described later, the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30 that is substantially flush with the upper surface of the light-reflecting member 40 is formed by cutting, for example, the upper surface of the phosphor-containing layer 30 and the light-reflecting member 40. It can be formed by removing it. At the time of cutting, fine irregularities may occur on the cutting surface (the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30 and the upper surface 41a of the light reflecting member 40). When the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30 (corresponding to the light emitting surface of the light emitting device 11) has such unevenness due to cutting, the light extraction can be improved.

また、蛍光体含有層３０の側面３０ｃが、上述のように表面張力を用いて形成されている場合は、当該側面３０ｃは極めて滑らかである（つまり、表面粗さが小さい）。そのため、側面３０ｃを被覆する光反射部材４０の内面（蛍光体含有層３０と直接接している面であって、光反射面として機能する）も、側面３０ｃと同程度の滑らかな面となり、発光素子２０からの光を効率的に反射させることができる。
よって、蛍光体含有層３０は、上面３０ａの表面粗さが側面３０ｃの表面粗さよりも大きいと、側面３０ｃを覆う光反射部材４０の光反射面の光反射効率を高くしつつ、上面３０ａからの光取出しの効率を高くすることができる。 Further, when the side surface 30c of the phosphor-containing layer 30 is formed by using surface tension as described above, the side surface 30c is extremely smooth (that is, the surface roughness is small). Therefore, the inner surface of the light reflecting member 40 that covers the side surface 30c (the surface that is in direct contact with the phosphor-containing layer 30 and functions as a light reflecting surface) becomes as smooth as the side surface 30c and emits light. The light from the element 20 can be efficiently reflected.
Therefore, when the surface roughness of the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30 is larger than the surface roughness of the side surface 30c, the light reflection efficiency of the light reflecting surface of the light reflecting member 40 covering the side surface 30c is increased, and the surface roughness is increased from the upper surface 30a. The efficiency of light extraction can be increased.

図２に示されるように、蛍光体含有層３０は、透光性の基材３６と、基材３６に含有された蛍光体３５とを含んでいる。基材３６は、透光性の材料であれば特に限定されないが、例えばガラスなどの無機材料、樹脂などの有機材料を使用することができる。特に、基材３６が樹脂であると、硬化前の液状樹脂の表面張力により、容易に発光素子２０の上面２０ａに収まる蛍光体含有層３０を形成することができる。蛍光体３５を基材３６に含有させる際には、基材３６全体に蛍光体３５を分散させることもできるが（図２（ａ））、蛍光体３５を含有する蛍光体層３１と、蛍光体３５を殆ど含有していない基材３６から成る透明層３２とを含む蛍光体含有層３０とすると好ましい。 As shown in FIG. 2, the phosphor-containing layer 30 contains a translucent base material 36 and a phosphor 35 contained in the base material 36. The base material 36 is not particularly limited as long as it is a translucent material, but for example, an inorganic material such as glass or an organic material such as resin can be used. In particular, when the base material 36 is a resin, the phosphor-containing layer 30 that easily fits in the upper surface 20a of the light emitting element 20 can be easily formed by the surface tension of the liquid resin before curing. When the phosphor 35 is contained in the base material 36, the phosphor 35 can be dispersed in the entire base material 36 (FIG. 2A), but the phosphor layer 31 containing the phosphor 35 and the fluorescence It is preferable to use the phosphor-containing layer 30 including the transparent layer 32 made of the base material 36 containing almost no body 35.

蛍光体３５は光を散乱させ得るので、蛍光体含有層３０に蛍光体３５が分散していると（特に上面３０ａ側に存在していると）、上面３０ａから出射する際に光を散乱させてしまう。そのような発光装置をバックライト用光源に使用すると、発光装置１１の光が散乱して広がることで、導光板９１への入射効率が低下し得る。
一方、蛍光体３５を含む蛍光体層３１を蛍光体含有層３０の下面３０ｂ側に配置し、上面３０ａ側には蛍光体３５を実質的に含まない透明層３２を配置することにより、蛍光体含有層３０の下面３０ｂ側で光の波長変換を行うことができ、且つ上面３０ａ側での光散乱を抑制することができる。これにより、発光装置１１の光を効率的に波長変換できるとともに、導光板９１へ効率よく入射させることができる。 Since the phosphor 35 can scatter light, if the phosphor 35 is dispersed in the phosphor-containing layer 30 (particularly when it is present on the upper surface 30a side), the light is scattered when emitted from the upper surface 30a. It ends up. When such a light emitting device is used as a light source for a backlight, the light of the light emitting device 11 is scattered and spread, so that the incident efficiency on the light guide plate 91 can be lowered.
On the other hand, the phosphor layer 31 containing the phosphor 35 is arranged on the lower surface 30b side of the phosphor-containing layer 30, and the transparent layer 32 containing substantially no phosphor 35 is arranged on the upper surface 30a side. The wavelength conversion of light can be performed on the lower surface 30b side of the containing layer 30, and light scattering on the upper surface 30a side can be suppressed. As a result, the light of the light emitting device 11 can be efficiently wavelength-converted, and the light can be efficiently incident on the light guide plate 91.

なお、透明層３２は、基材３６中で蛍光体３５を沈降させることで形成される、蛍光体３５を殆ど含まない基材３６から形成することができる。その場合、透明層３２は微量の蛍光体３５を含んでいてもかまわない。透明層３２に含まれる蛍光体３５の含有量が十分に少なく、発光装置１１の入射効率を著しく低下させることがなければ、蛍光体３５を実質的に含んでいないと見なすことができる。 The transparent layer 32 can be formed from the base material 36 containing almost no phosphor 35, which is formed by precipitating the phosphor 35 in the base material 36. In that case, the transparent layer 32 may contain a trace amount of the phosphor 35. Unless the content of the phosphor 35 contained in the transparent layer 32 is sufficiently low and the incident efficiency of the light emitting device 11 is not significantly reduced, it can be considered that the phosphor 35 is not substantially contained.

蛍光体層３１は、図２（ｂ）に示すように略均一な厚さとすることにより、蛍光体層３１を通過する光を全体的に略均一な色にすることができる。一方、図２（ｃ）に示すように、蛍光体層３１を部分的に薄くする（場合によっては、部分的に蛍光体層３１を形成しない）ことにより、十分に波長変換されずに蛍光体層３１を通過する光の割合を多くすることもできる。図２（ｃ）では、蛍光体層３１の外縁部で蛍光体層３１の厚さが薄く、蛍光体層３１の中心側で厚くなっている。
なお、図２（ｃ）では、蛍光体層３１は、蛍光体含有層３０の下面３０ｂ全体に存在する。しかし、蛍光体層３１の外縁部が、蛍光体含有層３０の外縁部から離間していても（すなわち、蛍光体含有層３０の外縁部より内側までしか延在していなくても）よい。その場合には、蛍光体含有層３０の下面３０ｂの一部（外縁部）には、透明層３２が配置される。 By making the thickness of the phosphor layer 31 substantially uniform as shown in FIG. 2B, the light passing through the phosphor layer 31 can have a substantially uniform color as a whole. On the other hand, as shown in FIG. 2C, by partially thinning the phosphor layer 31 (in some cases, the phosphor layer 31 is not partially formed), the phosphor is not sufficiently wavelength-converted. The proportion of light passing through layer 31 can also be increased. In FIG. 2C, the thickness of the phosphor layer 31 is thin at the outer edge portion of the phosphor layer 31, and is thick at the center side of the phosphor layer 31.
In FIG. 2C, the phosphor layer 31 exists on the entire lower surface 30b of the phosphor-containing layer 30. However, the outer edge portion of the phosphor layer 31 may be separated from the outer edge portion of the phosphor-containing layer 30 (that is, it may extend only to the inside of the outer edge portion of the phosphor-containing layer 30). In that case, the transparent layer 32 is arranged on a part (outer edge portion) of the lower surface 30b of the phosphor-containing layer 30.

蛍光体層３１の形態に起因する発光装置１１の発光色の色むらについて検討する。
図２（ｃ）のように、発光装置１１に含まれる蛍光体層３１の厚さが均一ではない場合、蛍光体層３１の中央付近（蛍光体層３１が相対的に厚い部分）を通過する光と、蛍光体層３１の外縁部（蛍光体層３１が相対的に薄い部分）を通過する光とでは、蛍光体３５によって波長変換される光の割合が異なる。また、蛍光体含有層３０の下面３０ｂの一部（例えば外縁部）に透明層３２が配置される場合には、その一部を通過した光は、蛍光体層３１を通過しないので、波長変換されない。そのため、蛍光体含有層３０の内部には、色むらが生じ得る。しかしながら、色むらのある光の一部は、蛍光体含有層３０を覆う光反射部材４０の内面で反射されて蛍光体層３１を再度通過して、十分な波長変換が行われることにより、発光装置１１の光出射面から出射される際には、色むらは緩和又は解消され得る。さらに、色むらのある光が光反射部材４０の内面で反射されて混色されることにより、発光装置１１の光出射面から出射される際には、色むらは緩和又は解消され得る。 The color unevenness of the emission color of the light emitting device 11 due to the morphology of the phosphor layer 31 will be examined.
As shown in FIG. 2C, when the thickness of the phosphor layer 31 included in the light emitting device 11 is not uniform, it passes near the center of the phosphor layer 31 (a portion where the phosphor layer 31 is relatively thick). The proportion of light whose wavelength is converted by the phosphor 35 differs between the light and the light that passes through the outer edge portion of the phosphor layer 31 (the portion where the phosphor layer 31 is relatively thin). Further, when the transparent layer 32 is arranged on a part (for example, the outer edge portion) of the lower surface 30b of the phosphor-containing layer 30, the light that has passed through the part does not pass through the phosphor layer 31, so that the wavelength is converted. Not done. Therefore, color unevenness may occur inside the phosphor-containing layer 30. However, a part of the light having uneven color is reflected by the inner surface of the light reflecting member 40 covering the phosphor-containing layer 30 and passes through the phosphor layer 31 again to perform sufficient wavelength conversion to emit light. When emitted from the light emitting surface of the device 11, the color unevenness can be alleviated or eliminated. Further, by reflecting the light having color unevenness on the inner surface of the light reflecting member 40 and mixing the colors, the color unevenness can be alleviated or eliminated when the light is emitted from the light emitting surface of the light emitting device 11.

また、前述のように、光反射部材４０が薄いことによって光の一部が（光反射部材４０の内面で反射されずに）光反射部材４０を透過しうる。この透過する光が、（十分に）波長変換されていない光であった場合には、発光装置１１からの出射光には、色むらが生じ得る。しかしながら、このような発光装置１１であっても、導光板９１と組み合わせてバックライト９０として使用することにより（図６）、導光板９１内を伝播する間に混色されて、色むらが解消され得る。 Further, as described above, since the light reflecting member 40 is thin, a part of the light can pass through the light reflecting member 40 (without being reflected by the inner surface of the light reflecting member 40). If the transmitted light is light that has not been (sufficiently) wavelength-converted, color unevenness may occur in the light emitted from the light emitting device 11. However, even with such a light emitting device 11, by using it as a backlight 90 in combination with the light guide plate 91 (FIG. 6), colors are mixed while propagating in the light guide plate 91, and color unevenness is eliminated. obtain.

次に、図１及び図５を参照しながら、光反射部材４０について詳述する。
図１（ｂ）に示す発光装置１１では、光反射部材４０は、反射膜４２と光反射性成形体４１の２部材を積層して形成されている。反射膜４２は、光の反射率の高い材料から形成することにより、薄膜であっても光を効率よく反射させることができる。反射膜４２が絶縁性材料から成ると、発光素子２０の側面２０ｃに反射膜４２を直接形成することができるので好ましい。反射膜４２が金属材料から成ると、光の反射率の高い材料を使用できる点で好ましい。しかしながら、後述するように、反射膜４２を発光素子２０の側面２０ｃ及び蛍光体含有層３０の側面３０ｃを全て被覆するように形成する場合は、金属材料から成る反射膜４２を発光素子２０の側面２０ｃに直接形成すると発光素子２０を短絡させてしまう。金属材料から成る反射膜４２を設ける場合には、発光素子２０の側面２０ｃを、例えば透光性の絶縁膜等（例えばＳｉＯ２等）で被覆してから設けると、発光素子２０の短絡を防止することができる。 Next, the light reflecting member 40 will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 5.
In the light emitting device 11 shown in FIG. 1B, the light reflecting member 40 is formed by laminating two members, a reflecting film 42 and a light reflecting molded body 41. By forming the reflective film 42 from a material having a high light reflectance, light can be efficiently reflected even if it is a thin film. When the reflective film 42 is made of an insulating material, the reflective film 42 can be directly formed on the side surface 20c of the light emitting element 20, which is preferable. When the reflective film 42 is made of a metal material, it is preferable that a material having a high light reflectance can be used. However, as will be described later, when the reflective film 42 is formed so as to cover all the side surface 20c of the light emitting element 20 and the side surface 30c of the phosphor-containing layer 30, the reflective film 42 made of a metal material is formed on the side surface of the light emitting element 20. If it is formed directly on the 20c, the light emitting element 20 will be short-circuited. When the reflective film 42 made of a metal material is provided, the side surface 20c of the light emitting element 20 is covered with, for example, a translucent insulating film (for example, SiO 2 or the like) and then provided to prevent a short circuit of the light emitting element 20. can do.

図１（ｂ）に示す発光装置１１では、発光素子の側面２０ｃに形成された反射膜４２が、光反射性成形体４１で被覆されている。これにより、反射膜４２から光漏れがあった場合でも、さらに外側の光反射性成形体４１によって確実に反射することができる。また、光反射性成形体４１は、発光素子２０等を保護する保護部材としても機能しうる。
光反射部材４０が、反射膜４２及び光反射性成形体４１を含んでいる場合、反射膜４２は光反射性成形体４１よりも高い光反射率を有していると、光反射性成形体４１を比較的薄くしても、光漏れを十分に抑制することができる。
なお、光反射性成形体４１が樹脂を含んでいる場合は、強い熱や光に比較的弱い。したがって、光反射性成形体４１が発光素子２０の側面２０ｃに直接形成されると、発光素子２０で発生した熱及び光により、光反射性成形体４１が変色・劣化する可能性がある。ここで、発光素子２０と光反射性成形体４１との間に反射膜４２を有することで、光反射性成形体４１の変色や劣化を抑制することができる。 In the light emitting device 11 shown in FIG. 1 (b), the reflective film 42 formed on the side surface 20c of the light emitting element is covered with the light reflective molded body 41. As a result, even if light leaks from the reflective film 42, it can be reliably reflected by the light-reflecting molded body 41 on the outer side. Further, the light-reflecting molded body 41 can also function as a protective member for protecting the light emitting element 20 and the like.
When the light reflecting member 40 includes the reflecting film 42 and the light reflecting molded body 41, the light reflecting molded body 42 has a higher light reflectance than the light reflecting molded body 41. Even if 41 is made relatively thin, light leakage can be sufficiently suppressed.
When the light-reflecting molded body 41 contains a resin, it is relatively vulnerable to strong heat and light. Therefore, if the light-reflecting molded body 41 is directly formed on the side surface 20c of the light-emitting element 20, the light-reflecting molded body 41 may be discolored or deteriorated by the heat and light generated by the light-emitting element 20. Here, by having the reflective film 42 between the light emitting element 20 and the light-reflecting molded body 41, discoloration and deterioration of the light-reflecting molded body 41 can be suppressed.

別の形態として、図５（ａ）に示す発光装置１２では、光反射部材４０は光反射性成形体４１のみから形成されている。この形態では、反射膜４２を形成する工程を省略できる点で有利である。ここで、蛍光体含有層３０の基材が樹脂である場合、光反射性成形体４１の基材も樹脂であると、両部材の密着性が向上するので好ましい。さらに、後述するように、蛍光体含有層３０と光反射部材４０の上部を除去することで蛍光体含有層３０の上面３０ａを露出させる場合、除去される蛍光体含有層３０及び光反射部材４０の基材が同じであると、切削等による除去がしやすい。
また、図５（ｂ）に示す発光装置１３では、光反射部材４０は反射膜４２のみから形成されている。この形態では、光反射部材４０を薄くできるので、発光装置を小型化するのに有利である。
なお、本実施形態では、光反射部材４０として１層構造（図５（ａ）、（ｂ））及び２層構造（図１（ｂ））を開示したが、これに限定されず、３層以上から構成された光反射部材４０（例えば、２層の反射膜４２の間に１層の光反射性成形体４１を配置した３層構造や、２層の光反射性成形体４１の間に１層の反射膜４２を配置した３層構造等の積層構造を有する光反射部材４０）とすることもできる。また、２層構造の光反射部材４０の例示として、図１（ｂ）には、発光素子２０−反射膜４２−光反射性成形体４１の順に積層された構成（すなわち、発光素子２０と光反射性成形体４１との間に反射膜４２が配置された構成）を示したが、発光素子２０−光反射性成形体４１−反射膜４２の順に積層された構成（すなわち、発光素子２０と反射膜４２との間に光反射性成形体４１が配置された構成）としてもよい。 As another form, in the light emitting device 12 shown in FIG. 5A, the light reflecting member 40 is formed only from the light reflecting molded body 41. This form is advantageous in that the step of forming the reflective film 42 can be omitted. Here, when the base material of the phosphor-containing layer 30 is a resin, it is preferable that the base material of the light-reflecting molded body 41 is also a resin because the adhesion between the two members is improved. Further, as will be described later, when the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30 is exposed by removing the upper portions of the phosphor-containing layer 30 and the light-reflecting member 40, the phosphor-containing layer 30 and the light-reflecting member 40 are removed. If the base material of the above is the same, it is easy to remove by cutting or the like.
Further, in the light emitting device 13 shown in FIG. 5B, the light reflecting member 40 is formed only of the reflective film 42. In this form, the light reflecting member 40 can be made thin, which is advantageous for miniaturizing the light emitting device.
In the present embodiment, the one-layer structure (FIGS. 5A and 5B) and the two-layer structure (FIG. 1B) are disclosed as the light reflecting member 40, but the present invention is not limited to this, and the three layers are not limited thereto. A light reflecting member 40 composed of the above (for example, a three-layer structure in which a one-layer light-reflecting molded body 41 is arranged between two-layer reflective films 42, or between two-layer light-reflecting molded bodies 41. It is also possible to use a light reflecting member 40) having a laminated structure such as a three-layer structure in which a one-layer reflecting film 42 is arranged. Further, as an example of the light reflecting member 40 having a two-layer structure, FIG. 1B shows a configuration in which the light emitting element 20-the reflecting film 42-the light reflecting molded body 41 are laminated in this order (that is, the light emitting element 20 and the light. Although the structure in which the reflective film 42 is arranged between the reflective molded body 41 and the reflective molded body 41 is shown, the light emitting element 20-the light reflective molded body 41-the reflective film 42 are laminated in this order (that is, the light emitting element 20 and the light emitting element 20 The light-reflecting molded body 41 may be arranged between the reflective film 42 and the reflective film 42).

発光素子２０は、基板（例えばサファイア基板）上に、半導体積層体（ｎ側半導体層、活性層、及びｐ側半導体層を順次積層したもの）を備えたものを用いることができる。発光素子２０への通電は、半導体積層体側に設けた正負の電極２３（２３ａ、２３ｂ）から行われる（図１（ｂ））。
発光素子２０を支持基板８０に実装するときは、発光素子２０の基板側を支持基板８０に実装する実装形態（いわゆるフェースアップ実装）とすることも、発光素子２０の半導体積層体側を支持基板８０に実装する実装形態（いわゆるフリップチップ実装）とすることもできる。 As the light emitting element 20, an element having a semiconductor laminate (n-side semiconductor layer, active layer, and p-side semiconductor layer sequentially laminated) on a substrate (for example, a sapphire substrate) can be used. The light emitting element 20 is energized from the positive and negative electrodes 23 (23a, 23b) provided on the semiconductor laminate side (FIG. 1 (b)).
When the light emitting element 20 is mounted on the support substrate 80, the substrate side of the light emitting element 20 may be mounted on the support substrate 80 (so-called face-up mounting), or the semiconductor laminate side of the light emitting element 20 may be mounted on the support substrate 80. It is also possible to use a mounting form (so-called flip chip mounting) to be mounted on.

フリップチップ実装では、発光素子２０の半導体積層体側に設けられた正負一対の電極２３が、支持基板８０の上面に形成された配線（図示せず）上に接続され、基板側が蛍光体含有層３０で被覆される。つまり、フリップチップ実装では、発光素子２０の電極２３が蛍光体含有層３０で被覆されないため、支持基板８０の配線から発光装置１１への電気的接続が容易であり特に好ましい。さらに、フェースアップ実装のように発光素子２０の光出射方向にワイヤ等がないため、光の取り出しが低下しない。なお、フリップチップ実装する場合は、発光素子２０の基板には透光性を有している部材（例えばサファイア基板等）を使用するので、基板側から光を効率的に出射させることができる。 In the flip chip mounting, a pair of positive and negative electrodes 23 provided on the semiconductor laminate side of the light emitting element 20 are connected on a wiring (not shown) formed on the upper surface of the support substrate 80, and the substrate side is the phosphor-containing layer 30. Covered with. That is, in the flip chip mounting, since the electrode 23 of the light emitting element 20 is not covered with the phosphor-containing layer 30, the wiring of the support substrate 80 can be easily electrically connected to the light emitting device 11, which is particularly preferable. Further, since there is no wire or the like in the light emitting direction of the light emitting element 20 as in the face-up mounting, the light extraction is not reduced. When the flip chip is mounted, a member having translucency (for example, a sapphire substrate) is used for the substrate of the light emitting element 20, so that light can be efficiently emitted from the substrate side.

フェースアップ実装では、発光素子２０の基板側が支持基板８０に固定され、半導体積層体側に設けられた正負一対の電極２３と配線とが、ワイヤ等で電気的に接続される。したがって、略平坦な基板側が実装面であり、発光素子２０の実装を安定的に行うことができる。なお、フェースアップ実装では、発光素子２０の基板が不透光性を有していると、光を上方に効率的に出射させることができるため好ましい。
また、フェースアップ実装の場合、発光素子２０の半導体積層体側が蛍光体含有層３０で被覆されるので、発光素子２０への通電のために、例えば、半導体積層体から、蛍光体含有層３０を貫通してその上面３０ａまで達する導電部材を設けることができる。 In the face-up mounting, the substrate side of the light emitting element 20 is fixed to the support substrate 80, and the pair of positive and negative electrodes 23 provided on the semiconductor laminate side and the wiring are electrically connected by a wire or the like. Therefore, the substantially flat substrate side is the mounting surface, and the light emitting element 20 can be mounted stably. In face-up mounting, it is preferable that the substrate of the light emitting element 20 has a translucent property because light can be efficiently emitted upward.
Further, in the case of face-up mounting, since the semiconductor laminate side of the light emitting element 20 is covered with the phosphor-containing layer 30, for example, the phosphor-containing layer 30 is removed from the semiconductor laminate in order to energize the light emitting element 20. A conductive member that penetrates and reaches the upper surface 30a can be provided.

フェースアップ実装に用いられる導電部材の形成方法として、金属バンプを用いたものの一例を示す。
まず、蛍光体含有層３０を形成する前に、半導体積層体側に設けられた発光素子２０の電極２３上に、金属バンプを形成しておく。その後に蛍光体含有層３０で半導体積層体及び金属バンプを被覆する。そして、金属バンプを覆う蛍光体含有層３０の上部を除去（例えば研磨等）することにより、金属バンプを蛍光体含有層３０の上面３０ａから露出させる。
このように蛍光体含有層３０の上面３０ａから露出した金属バンプ（導電部材）と、支持基板の配線との間を、金属製のボンディングワイヤ等で接続することにより、発光素子２０の電極２３と支持基板の配線とを電気的に接続することができる。 An example of a method of forming a conductive member used for face-up mounting using a metal bump is shown.
First, before forming the phosphor-containing layer 30, a metal bump is formed on the electrode 23 of the light emitting element 20 provided on the semiconductor laminate side. After that, the semiconductor laminate and the metal bumps are coated with the phosphor-containing layer 30. Then, the upper portion of the phosphor-containing layer 30 that covers the metal bumps is removed (for example, polishing) to expose the metal bumps from the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30.
By connecting the metal bump (conductive member) exposed from the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30 and the wiring of the support substrate with a metal bonding wire or the like in this way, the electrode 23 of the light emitting element 20 can be connected. It can be electrically connected to the wiring of the support board.

次に図７〜図９を参照しながら、本実施形態に係る発光装置１１の製造方法の一例を説明する。 Next, an example of the manufacturing method of the light emitting device 11 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 7 to 9.

＜工程１．蛍光体含有層３０の形成：Ｓ２０＞
発光素子２０を支持基板８０上に実装した後（図７のＳ１０）、発光素子２０の上面２０ａに、蛍光体含有層３０を形成する（図７のＳ２０）。
蛍光体含有層３０の基材３６に樹脂材料を用いる場合、硬化前の樹脂材料（すなわち、流動性を有している状態の樹脂材料）３４を、蛍光体３５を含有した状態で、発光素子２０の上面２０ａに滴下することができる（図８（ａ））。硬化前の樹脂材料３４の滴下量は、表面張力によって発光素子２０の上面２０ａ上に保持される量に調節する。その後、蛍光体３５を含有する樹脂材料３４を硬化させることにより、蛍光体含有層３０（蛍光体３５を含有する基材３６）を形成する（図８（ｂ））。このようにして得られた蛍光体含有層３０は、硬化前の液状の樹脂材料３４の表面張力を利用して形成しているので、発光素子２０の上面２０ａを被覆し、且つ上面２０ａより外側には形成されない。また、表面張力を利用して形成した蛍光体含有層３０の表面３０ｓは、略ドーム形状の湾曲面となる。その湾曲面の一部を、最終的に蛍光体含有層３０の側面３０ｃとすることができるので、蛍光体含有層３０の側面３０ｃを、金型等を使用せずに容易に凸状の曲面とすることができる。側面３０ｃの曲率等は、滴下する樹脂材料３４の量や粘度等によって調節可能である。 <Step 1. Formation of phosphor-containing layer 30: S20>
After the light emitting element 20 is mounted on the support substrate 80 (S10 in FIG. 7), the phosphor-containing layer 30 is formed on the upper surface 20a of the light emitting element 20 (S20 in FIG. 7).
When a resin material is used for the base material 36 of the phosphor-containing layer 30, the light-emitting element contains the resin material 34 before curing (that is, the resin material in a state of having fluidity) 34 in a state of containing the phosphor 35. It can be dropped onto the upper surface 20a of 20 (FIG. 8 (a)). The amount of the resin material 34 dropped before curing is adjusted to an amount held on the upper surface 20a of the light emitting element 20 by surface tension. Then, the resin material 34 containing the phosphor 35 is cured to form the phosphor-containing layer 30 (the base material 36 containing the phosphor 35) (FIG. 8 (b)). Since the phosphor-containing layer 30 thus obtained is formed by utilizing the surface tension of the liquid resin material 34 before curing, it covers the upper surface 20a of the light emitting element 20 and is outside the upper surface 20a. Is not formed in. Further, the surface 30s of the phosphor-containing layer 30 formed by utilizing the surface tension becomes a substantially dome-shaped curved surface. Since a part of the curved surface can be finally formed as the side surface 30c of the phosphor-containing layer 30, the side surface 30c of the phosphor-containing layer 30 can be easily formed into a convex curved surface without using a mold or the like. Can be. The curvature of the side surface 30c and the like can be adjusted by the amount and viscosity of the resin material 34 to be dropped.

なお、予め略ドーム形状等に成形した蛍光体含有層３０を、発光素子の上面２０ａに接着剤等で配置することもできる。この場合は、側面３０ｃの曲率を任意に制御することができる点で有利である。しかしながら、薄い小型の蛍光体含有層３０の場合、予め成形した蛍光体含有層３０を発光素子２０の上面２０ａに精度よく配置するのは困難である。その点、滴下法であれば、薄い小型の蛍光体含有層３０であっても、発光素子２０の上面２０ａに精度よく配置することができる。すなわち、樹脂材料の粘度を低くすることで薄い蛍光体含有層３０を形成することが可能であり、さらに、所望の位置から若干ずれた位置に滴下した場合でも、樹脂材料の表面張力により、蛍光体含有層３０を発光素子２０の上面２０ａに留めることができる。 The phosphor-containing layer 30 formed in advance into a substantially dome shape or the like can be arranged on the upper surface 20a of the light emitting element with an adhesive or the like. In this case, it is advantageous in that the curvature of the side surface 30c can be arbitrarily controlled. However, in the case of a thin and small phosphor-containing layer 30, it is difficult to accurately arrange the preformed phosphor-containing layer 30 on the upper surface 20a of the light emitting element 20. In that respect, according to the dropping method, even a thin and small phosphor-containing layer 30 can be accurately arranged on the upper surface 20a of the light emitting element 20. That is, it is possible to form a thin phosphor-containing layer 30 by lowering the viscosity of the resin material, and even when the resin material is dropped at a position slightly deviated from a desired position, the surface tension of the resin material causes fluorescence. The body-containing layer 30 can be fastened to the upper surface 20a of the light emitting element 20.

なお、予め成形した蛍光体含有層３０を配置する場合は、蛍光体含有層３０は、図１（ｂ）のように略ドーム状の断面形状（蛍光体含有層３０の断面が下面３０ｂから上面３０ａに向かって狭くなるような断面形状）に限らず、例えば、蛍光体含有層３０の断面が下面３０ｂから上面３０ａに向かって、一旦広がった後に狭くなるような断面形状にすることもできる。後者のような断面形状を有する蛍光体含有層３０を設けると、蛍光体含有層３０内に入射された光は、略ドーム形状の蛍光体含有層３０に入射された場合よりも様々な方向に反射されるので、蛍光体含有層３０内で混色されて、発光装置からの光の色むら低減の効果を発揮し得る。その他、蛍光体含有層３０の断面形状は自由に選択することができる。 When the phosphor-containing layer 30 molded in advance is arranged, the phosphor-containing layer 30 has a substantially dome-shaped cross-sectional shape as shown in FIG. 1 (b) (the cross section of the phosphor-containing layer 30 is from the lower surface 30b to the upper surface). The cross-sectional shape is not limited to the one that narrows toward 30a), and for example, the cross-sectional shape of the phosphor-containing layer 30 may be such that the cross-section of the phosphor-containing layer 30 expands from the lower surface 30b toward the upper surface 30a and then narrows. When the phosphor-containing layer 30 having a cross-sectional shape like the latter is provided, the light incident on the phosphor-containing layer 30 is directed in various directions as compared with the case where the light is incident on the substantially dome-shaped phosphor-containing layer 30. Since it is reflected, the colors are mixed in the phosphor-containing layer 30, and the effect of reducing the color unevenness of the light from the light emitting device can be exhibited. In addition, the cross-sectional shape of the phosphor-containing layer 30 can be freely selected.

実施形態１では、樹脂材料３４を滴下した後で樹脂材料３４を硬化させるが、その硬化工程の前に、樹脂材料３４中の蛍光体３５を、発光素子２０の上面２０ａ側に沈降させるのが好ましい。蛍光体３５の沈降の際には、静置して重力により沈降させる方法、遠心力を用いて沈降を促進させる方法、又はその他周知の様々な沈降手段を用いることができる。蛍光体３５を沈降させることにより、下面３０ｂ側に蛍光体層３１、上面３０側に透明層３２を含む蛍光体含有層３０を形成することができる（図２（ｂ）、（ｃ））。なお、蛍光体層３１の厚さを均一（図２（ｂ））又は外縁部を薄くする（図２（ｃ））等については、樹脂材料３４の滴下量や粘度等を適宜調節することにより、制御することができる。 In the first embodiment, the resin material 34 is cured after the resin material 34 is dropped, but before the curing step, the phosphor 35 in the resin material 34 is settled on the upper surface 20a side of the light emitting element 20. preferable. When the phosphor 35 is settled, a method of allowing the phosphor 35 to settle by gravity, a method of promoting the settling by using centrifugal force, or various other well-known sedimentation means can be used. By precipitating the phosphor 35, the phosphor-containing layer 30 including the phosphor layer 31 on the lower surface 30b side and the transparent layer 32 on the upper surface 30 side can be formed (FIGS. 2 (b) and 2 (c)). For the uniform thickness of the phosphor layer 31 (FIG. 2 (b)) or the thinning of the outer edge (FIG. 2 (c)), the dropping amount, viscosity, etc. of the resin material 34 may be appropriately adjusted. , Can be controlled.

また、樹脂材料３４中の蛍光体３５を発光素子２０の上面２０ａ側に沈降させると、蛍光体含有層３０内の蛍光体量の制御が容易である。具体的には、蛍光体含有層３０の上部は、後述の工程３において除去される。このとき、蛍光体含有層３０上部に蛍光体３５が分散していると、蛍光体３５の一部も一緒に除去されてしまうため、除去されずに残った蛍光体量を把握することは困難である。 Further, when the phosphor 35 in the resin material 34 is precipitated on the upper surface 20a side of the light emitting element 20, the amount of the phosphor in the phosphor-containing layer 30 can be easily controlled. Specifically, the upper portion of the phosphor-containing layer 30 is removed in step 3 described later. At this time, if the phosphor 35 is dispersed in the upper part of the phosphor-containing layer 30, a part of the phosphor 35 is also removed, so it is difficult to grasp the amount of the fluorescent substance remaining without being removed. Is.

これに対して、蛍光体３５を沈降させて、蛍光体層３１と透明層３２とを含む蛍光体含有層３０を形成することにより、後述の「工程３」で蛍光体含有層３０の上部を一部除去する際に、上部側にある透明層３２のみを除去することができる。つまり、蛍光体３５を殆ど除去しないようにすることが可能なので、蛍光体含有層３０中の蛍光体量を精度よく制御することができる（すなわち、蛍光体層３１に含有させた蛍光体量を、蛍光体含有層３０が最終的に含有する蛍光体量とすることができる）。
また、透明層３２の一部分を切削等で除去する場合、切削面（蛍光体含有層３０の上面３０ａ）に蛍光体３５が存在しない点で有利である。蛍光体３５が光出射面に露出すると、光が強く散乱されて、光の指向性が低下し得るので、バックライト用の発光装置では好ましくないとされている。よって、透明層３２のみを除去し、蛍光体含有層３０の上面３０ａに蛍光体３５が実質的に存在しないようにすることにより、蛍光体３５による散乱を抑制して、バックライト用に好適な発光装置１１を提供することができる。 On the other hand, by precipitating the phosphor 35 to form the phosphor-containing layer 30 including the phosphor layer 31 and the transparent layer 32, the upper portion of the phosphor-containing layer 30 is formed in the "step 3" described later. When partially removing, only the transparent layer 32 on the upper side can be removed. That is, since it is possible to hardly remove the phosphor 35, the amount of the phosphor in the phosphor-containing layer 30 can be controlled accurately (that is, the amount of the phosphor contained in the phosphor layer 31 can be controlled. , The amount of the fluorescent substance finally contained in the fluorescent substance-containing layer 30).
Further, when a part of the transparent layer 32 is removed by cutting or the like, it is advantageous in that the phosphor 35 does not exist on the cutting surface (upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30). When the phosphor 35 is exposed on the light emitting surface, the light is strongly scattered and the directivity of the light may be lowered, which is not preferable for a light emitting device for a backlight. Therefore, by removing only the transparent layer 32 and making the phosphor 35 substantially absent on the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30, scattering by the phosphor 35 is suppressed, which is suitable for backlighting. A light emitting device 11 can be provided.

その一方、蛍光体３５を蛍光体含有層３０に意図的に分散させておき、後述の「工程３」で蛍光体含有層３０の上部を一部除去する際に、蛍光体量を減らしてもよい。この方法は、蛍光体含有層３０を形成した後に、発光装置１１の実際の発光色を確認しながら蛍光体３５の量を調節できる点で有利である。 On the other hand, even if the phosphor 35 is intentionally dispersed in the phosphor-containing layer 30 and the amount of the phosphor is reduced when a part of the upper part of the phosphor-containing layer 30 is removed in the "step 3" described later. Good. This method is advantageous in that the amount of the phosphor 35 can be adjusted while checking the actual emission color of the light emitting device 11 after the phosphor-containing layer 30 is formed.

以上、蛍光体含有層３０の基材３６に樹脂を使用する場合の蛍光体含有層３０の形成方法を詳説したが、基材３６の材料は樹脂に限られず、発光素子２０上に配置が可能であり、且つ透光性を有する材料であれば任意に用いることができる。
なお、蛍光体含有層３０は滴下法以外の方法で形成されてもよい。例えば、前述のように予め所望の形状に形成した蛍光体含有層３０を、発光素子２０の上面２０ａに配置することができる。蛍光体含有層３０が蛍光体層３１と透明層３２とを含む場合には、これらを別々に形成し、それらを積層することで蛍光体含有層３０を形成することもできる。そうすることで、蛍光体層３１及び透明層３２の厚さや形状等を各々調整しやすい。また、蛍光体含有層３０はスプレーによる噴霧等で形成してもよい。そうすることで、蛍光体含有層３０を適宜所望の厚さで容易に形成することができる。特にスプレーによる噴霧では、滴下法に比べて、蛍光体含有層３０の厚さが調節しやすく、また薄い蛍光体含有層３０を形成するのが容易である。適度に薄い蛍光体含有層３０を形成することにより、後述の「工程３」で除去される蛍光体含有層３０の量を少なくし得る。よって発光装置１１の製造に必要な材料量及び製造コストを削減することができる。 The method for forming the phosphor-containing layer 30 when a resin is used for the base material 36 of the phosphor-containing layer 30 has been described in detail above, but the material of the base material 36 is not limited to the resin and can be arranged on the light emitting element 20. Any material can be used as long as it is a translucent material.
The phosphor-containing layer 30 may be formed by a method other than the dropping method. For example, the phosphor-containing layer 30 previously formed into a desired shape as described above can be arranged on the upper surface 20a of the light emitting element 20. When the phosphor-containing layer 30 includes the phosphor layer 31 and the transparent layer 32, these can be formed separately and the phosphor-containing layer 30 can be formed by laminating them. By doing so, it is easy to adjust the thickness and shape of the phosphor layer 31 and the transparent layer 32, respectively. Further, the phosphor-containing layer 30 may be formed by spraying or the like. By doing so, the phosphor-containing layer 30 can be easily formed to an appropriately desired thickness. In particular, in spraying by spraying, the thickness of the phosphor-containing layer 30 can be easily adjusted and it is easy to form a thin phosphor-containing layer 30 as compared with the dropping method. By forming an appropriately thin phosphor-containing layer 30, the amount of the phosphor-containing layer 30 removed in the "step 3" described later can be reduced. Therefore, the amount of material required for manufacturing the light emitting device 11 and the manufacturing cost can be reduced.

＜２．光反射部材４０の形成：Ｓ３０、Ｓ４０＞
発光素子２０の側面２０ｃ及び蛍光体含有層３０の表面３０ｓを全て被覆する光反射部材４０を設ける。
光反射部材４０が反射膜４２と光反射性成形体４１とから成る場合には、まず、発光素子２０の側面２０ｃ及び蛍光体含有層３０の表面３０ｓを全て被覆する反射膜４２を形成する（図７のＳ３０、図８（ｃ））。反射膜４２は、例えばスパッタリング、ＣＶＤ、塗布、スプレー等の成膜法により形成することができる。
次に、発光素子２０、光反射部材４０及び支持基板８０を囲むモールド型７０を配置し、モールド型７０に、反射性物質を含有する樹脂材料３４を注入する（図９（ａ））。その後、樹脂材料３４を硬化させることにより、支持基板８０の上面８０ａと反射膜４２とを被覆する光反射性成形体４１を成型する（図７のＳ４０、図９（ｂ））。 <2. Formation of light reflecting member 40: S30, S40>
A light reflecting member 40 that covers all the side surface 20c of the light emitting element 20 and the surface 30s of the phosphor-containing layer 30 is provided.
When the light reflecting member 40 is composed of the reflecting film 42 and the light reflecting molded body 41, first, the reflecting film 42 that covers all the side surface 20c of the light emitting element 20 and the surface 30s of the phosphor-containing layer 30 is formed ( S30 of FIG. 7, FIG. 8 (c). The reflective film 42 can be formed by, for example, a film forming method such as sputtering, CVD, coating, or spraying.
Next, a mold 70 surrounding the light emitting element 20, the light reflecting member 40, and the support substrate 80 is arranged, and the resin material 34 containing the reflective substance is injected into the mold 70 (FIG. 9A). Then, by curing the resin material 34, a light-reflective molded body 41 that covers the upper surface 80a of the support substrate 80 and the reflective film 42 is molded (S40 in FIG. 7, FIG. 9 (b)).

なお、図７の「反射膜４２の形成」工程（Ｓ３０）の前に、「光反射性成形体４１の形成」工程（Ｓ４０）を行ってもよい。これにより、発光素子２０−光反射性成形体４１−反射膜４２の順に積層された構成（すなわち、発光素子２０と反射膜４２との間に光反射性成形体４１が配置された構成）を形成することができる。
また、「光反射性成形体４１の形成」工程（Ｓ４０）の前と後に、「反射膜４２の形成」工程（Ｓ３０）を１回ずつ、合計で２回行ってもよい。これにより、２層の反射膜４２の間に１層の光反射性成形体４１を配置した３層構造の光反射部材４０を形成することができる。前述の通り、反射膜４２は反射率の高い金属材料等を利用できるので、反射膜４２を２層含むことにより、発光素子２０からの光がさらに透過しにくい光反射部材４０を得ることができる。なお、光反射部材４０の厚さは、適宜自由に選択することができるが、薄い小型の発光装置を形成する場合、発光素子からの光を透過しない程度の厚さで、出来るだけ薄く形成されることが好ましい。 The "formation of the light reflective molded body 41" step (S40) may be performed before the "formation of the reflective film 42" step (S30) of FIG. 7. As a result, the structure in which the light emitting element 20-the light reflective molded body 41-the reflective film 42 is laminated in this order (that is, the structure in which the light reflective molded body 41 is arranged between the light emitting element 20 and the reflective film 42) is formed. Can be formed.
Further, the "formation of the reflective film 42" step (S30) may be performed once before and after the "formation of the light reflective molded body 41" step (S40), for a total of two times. As a result, it is possible to form the light reflecting member 40 having a three-layer structure in which the light reflecting molded body 41 of one layer is arranged between the reflecting films 42 of two layers. As described above, since the reflective film 42 can use a metal material having high reflectance or the like, by including two layers of the reflective film 42, it is possible to obtain a light reflecting member 40 in which the light from the light emitting element 20 is less likely to be transmitted. .. The thickness of the light reflecting member 40 can be freely selected as appropriate, but when a thin and small light emitting device is formed, the light reflecting member 40 is formed as thin as possible so as not to transmit the light from the light emitting element. Is preferable.

＜３．除去工程：Ｓ５０＞
最後に、工程Ｓ４０でモールド成型したままの光反射性成形体４１の未加工上面４１ｘを、Ｘ−Ｘ線まで除去する（図７のＳ５０）。これにより、光反射性成形体４１の上部、反射膜４２の上部及び蛍光体含有層３０の上部を除去する。それらの除去は、例えば研磨や切削等で行うことができる。この除去工程により、光反射性成形体４１の上面４１ａ、反射膜４２の上面４２ａ及び蛍光体含有層３０の上面３０ａが略面一の発光装置１１を得ることができる（図１）。
蛍光体含有層３０が蛍光体層３１と透明層３２とを含む場合、蛍光体含有層３０を除去する際には、下側に配置された蛍光体３５が実質的に除去されないように、上側に配置された透明層３２の一部が除去されるのが望ましい。よって、Ｘ−Ｘ線の位置は蛍光体層３１よりも高い位置に設定するのが望ましい。そうすることで、蛍光体３５の存在に起因する切削・研磨の抵抗が生じないため、研磨や切削等が円滑に行うことができる。また、蛍光体含有層３０の上面３０ａに蛍光体３５が実質的に存在しないように、上面３０ａを形成することができる。その他、所望の発光が得られるように、Ｘ−Ｘ線の位置は適宜設定することができる。 <3. Removal step: S50>
Finally, the unprocessed upper surface 41x of the light-reflecting molded body 41 as it is molded in step S40 is removed up to XX rays (S50 in FIG. 7). As a result, the upper part of the light-reflecting molded body 41, the upper part of the reflective film 42, and the upper part of the phosphor-containing layer 30 are removed. They can be removed by, for example, polishing or cutting. By this removing step, it is possible to obtain a light emitting device 11 in which the upper surface 41a of the light-reflecting molded body 41, the upper surface 42a of the reflective film 42, and the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30 are substantially flush with each other (FIG. 1).
When the phosphor-containing layer 30 includes the phosphor layer 31 and the transparent layer 32, when the phosphor-containing layer 30 is removed, the upper side is prevented so that the phosphor 35 arranged on the lower side is not substantially removed. It is desirable that a part of the transparent layer 32 arranged in is removed. Therefore, it is desirable to set the position of the XX rays to a position higher than that of the phosphor layer 31. By doing so, the resistance of cutting / polishing due to the presence of the phosphor 35 does not occur, so that polishing, cutting, etc. can be smoothly performed. Further, the upper surface 30a can be formed so that the phosphor 35 is substantially not present on the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30. In addition, the position of XX rays can be appropriately set so that desired light emission can be obtained.

このように、光反射部材４０（光反射性成形体４１及び反射膜４２）と蛍光体含有層３０とを同時に除去して光反射部材４０の上面と蛍光体含有層３０の上面３０ａとを形成することにより、蛍光体含有層３０の側面３０ｃを全て被覆し、且つ蛍光体含有層３０の上面３０ａを光出射面として露出させるような光反射部材４０を容易に形成することができる。本実施形態では、一度の除去で所望の光出射面を露出させることができなかった場合でも、研磨や切削等を複数回行うことで発光面積や発光色を適宜調整することができる。 In this way, the light reflecting member 40 (the light reflecting molded body 41 and the reflecting film 42) and the phosphor-containing layer 30 are simultaneously removed to form the upper surface of the light reflecting member 40 and the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30. By doing so, it is possible to easily form a light reflecting member 40 that covers all the side surfaces 30c of the phosphor-containing layer 30 and exposes the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30 as a light emitting surface. In the present embodiment, even if the desired light emitting surface cannot be exposed by removing the light once, the light emitting area and the light emitting color can be appropriately adjusted by performing polishing, cutting, or the like a plurality of times.

なお、上述のように蛍光体含有層３０の上面３０ａ及び光反射部材４０の上面４１ａは、研磨や切削等に起因する微細な凹凸を有し得る。特に、発光装置１１の光出射面である蛍光体含有層３０の上面３０ａが微細な凹凸を有していると、光の取り出しを向上させことができるため好ましい。本実施形態のように、蛍光体含有層３０及び光反射部材４０の上部を研磨や切削等で除去すると、蛍光体含有層３０の上面３０ａと光反射部材４０の上面４０ａとを同時に略面一上に形成でき、且つ蛍光体含有層３０の上面３０ａに、切削等に起因する微小な凹凸を形成することができるので、少ない工程数で光の取り出しを向上させることができる。 As described above, the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30 and the upper surface 41a of the light reflecting member 40 may have fine irregularities due to polishing, cutting, or the like. In particular, it is preferable that the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30, which is the light emitting surface of the light emitting device 11, has fine irregularities because the light extraction can be improved. When the upper part of the phosphor-containing layer 30 and the light reflecting member 40 is removed by polishing, cutting, or the like as in the present embodiment, the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30 and the upper surface 40a of the light reflecting member 40 are substantially flush with each other at the same time. Since it can be formed on the top surface and minute irregularities due to cutting or the like can be formed on the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30, light extraction can be improved with a small number of steps.

また、上記のように蛍光体含有層３０が滴下法により形成されている場合には、当該側面３０ｃは極めて滑らかである（つまり、表面粗さが小さい）。そのため、側面３０ｃを被覆する光反射部材４０の内面（蛍光体含有層３０と直接接している面であって、光反射面として機能する）も、側面３０ｃと同程度の滑らかな面となり、発光素子２０からの光を効率的に反射させることができる。
よって、蛍光体含有層３０は、上面３０ａの表面粗さが側面３０ｃの表面粗さよりも大きいと、側面３０ｃを覆う光反射部材４０の光反射面の光反射効率を高くしつつ、上面３０ａからの光取出しの効率を高くすることができる。 Further, when the phosphor-containing layer 30 is formed by the dropping method as described above, the side surface 30c is extremely smooth (that is, the surface roughness is small). Therefore, the inner surface of the light reflecting member 40 that covers the side surface 30c (the surface that is in direct contact with the phosphor-containing layer 30 and functions as a light reflecting surface) becomes as smooth as the side surface 30c and emits light. The light from the element 20 can be efficiently reflected.
Therefore, when the surface roughness of the upper surface 30a of the phosphor-containing layer 30 is larger than the surface roughness of the side surface 30c, the light reflection efficiency of the light reflecting surface of the light reflecting member 40 covering the side surface 30c is increased, and the surface roughness is increased from the upper surface 30a. The efficiency of light extraction can be increased.

その一方で、蛍光体含有層３０の側面３０ｃと、光反射部材４０の内面との接着性を高めるために、意図的に側面３０ｃを粗面化してもよい。これにより、蛍光体含有層３０と光反射部材４０との密着性が向上して剥離しにくくすることができる。
その他、蛍光体含有層３０の下面３０ｂは、平坦でも凹凸を有していてもよい。 On the other hand, the side surface 30c may be intentionally roughened in order to improve the adhesiveness between the side surface 30c of the phosphor-containing layer 30 and the inner surface of the light reflecting member 40. As a result, the adhesion between the phosphor-containing layer 30 and the light reflecting member 40 can be improved and peeling can be made difficult.
In addition, the lower surface 30b of the phosphor-containing layer 30 may be flat or may have irregularities.

また、図９において、Ｘ−Ｘ線より上側は除去されるので、例えば図１０に示すように、Ｘ−Ｘ線より上側の範囲であれば、蛍光体含有層３０の表面３０ｓに光反射部材４０を設けなくてもよい。すなわち、少なくとも発光素子２０の側面２０ｃと、蛍光体含有層３０の表面３０ｓのうち工程３の後に側面３０ｃとなる範囲とを、光反射部材で被覆していればよい。これにより、使用する材料を削減し、除去作業を短縮し得る。
除去工程後、発光装置ごとに個片化することで、発光装置を完成させることができる。 Further, in FIG. 9, since the upper side of the phosphor-containing layer 30 is removed, for example, as shown in FIG. 10, if the range is above the X-ray line, the light reflecting member is on the surface 30s of the phosphor-containing layer 30. It is not necessary to provide 40. That is, at least the side surface 20c of the light emitting element 20 and the range of the surface 30s of the phosphor-containing layer 30 that becomes the side surface 30c after the step 3 may be covered with the light reflecting member. As a result, the amount of material used can be reduced and the removal work can be shortened.
After the removal step, the light emitting device can be completed by separating each light emitting device into individual pieces.

以下に、実施形態１の各構成部材に適した材料及び寸法等について説明する。
＜発光素子２０＞
発光素子２０は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ＺｎＳｅや窒化物系半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰを用いたものを用いることができる。また、赤色の発光素子としては、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。
発光素子２０大きさ及び形状、１つの発光装置に含まれる発光素子２０の個数などは、目的に応じて適宜選択することができる。なお、バックライトに適した薄型の発光装置（特に、サイドビュー型発光装置）を製造する場合には、発光素子２０の発光面（上面２０ａ）が一方向に長い長方形の発光素子２０であるのが特に好ましい（図４参照）。上面視における発光素子２０の短手方向（ｙ方向）の寸法に対する長手方向（ｘ方向）の寸法の比率が大きいほど、薄型の発光装置１１にも使用でき且つ発光面積を比較的広くすることができるので好ましい。 Hereinafter, materials, dimensions, and the like suitable for each component of the first embodiment will be described.
<Light emitting element 20>
As the light emitting element 20, one having an arbitrary wavelength can be selected. For example, as the blue and green light emitting elements, those using ZnSe, a nitride semiconductor (In X Al Y Ga 1-XY N, 0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1), and GaP can be used. it can. Further, as the red light emitting element, GaAlAs, AlInGaP and the like can be used. Further, a semiconductor light emitting device made of a material other than this can also be used.
The size and shape of the light emitting element 20 and the number of light emitting elements 20 included in one light emitting device can be appropriately selected according to the purpose. When manufacturing a thin light emitting device suitable for a backlight (particularly, a side view type light emitting device), the light emitting surface (upper surface 20a) of the light emitting element 20 is a rectangular light emitting element 20 that is long in one direction. Is particularly preferable (see FIG. 4). The larger the ratio of the dimension in the longitudinal direction (x direction) to the dimension in the lateral direction (y direction) of the light emitting element 20 in the top view, the thinner the light emitting device 11 can be used and the light emitting area can be relatively widened. It is preferable because it can be done.

＜支持基板８０＞
発光素子２０が実装される支持基板８０は、絶縁性材料から成る基体（図１２の符号８１）と、基体の表面に形成された導電性材料から成る配線（図１２の符号８２）とを含むことができる。
基体の材料としては、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックス等の絶縁性材料が挙げられる。特に、耐熱性及び耐候性の高いセラミックスから成る基体が好ましい。セラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト等が好ましく、ＬＴＣＣ(low Temperature Co-fired Ceramics)を用いてもかまわない。その他、金属材料の表面を絶縁性材料で被覆した絶縁性基体を利用することもできる。 <Support board 80>
The support substrate 80 on which the light emitting element 20 is mounted includes a substrate made of an insulating material (reference numeral 81 in FIG. 12) and wiring made of a conductive material formed on the surface of the substrate (reference numeral 82 in FIG. 12). be able to.
Examples of the material of the substrate include insulating materials such as glass epoxy, resin, and ceramics. In particular, a substrate made of ceramics having high heat resistance and weather resistance is preferable. As the ceramic material, alumina, aluminum nitride, mullite and the like are preferable, and LTCC (low Temperature Co-fired Ceramics) may be used. In addition, an insulating substrate in which the surface of a metal material is coated with an insulating material can also be used.

配線の材料としては、銅、ニッケル、パラジウム、タングステン、クロム、チタン、アルミニウム、銀、金又はそれらの合金等の金属材料が挙げられる。なお、配線は発光素子２０で発生した熱の放熱経路となり得るので、放熱性の観点から、銅又は銅合金が特に好ましい。また、任意の材料から形成した配線の表面に、銀、プラチナ、錫、金、銅、ロジウム若しくはこれらの合金から成る被膜を形成することもできる。また、銀又は銀合金から形成した配線の表面を酸化させて、配線の表面に酸化銀又は銀合金の酸化物の被膜を形成してもよい。 Examples of the wiring material include metal materials such as copper, nickel, palladium, tungsten, chromium, titanium, aluminum, silver, gold or alloys thereof. Since the wiring can serve as a heat dissipation path for the heat generated by the light emitting element 20, copper or a copper alloy is particularly preferable from the viewpoint of heat dissipation. It is also possible to form a coating made of silver, platinum, tin, gold, copper, rhodium or an alloy thereof on the surface of the wiring formed of any material. Further, the surface of the wiring formed of silver or a silver alloy may be oxidized to form a film of an oxide of silver oxide or a silver alloy on the surface of the wiring.

支持基板８０は、図示したような板状の構造体だけでなく、発光素子２０を収容するためのキャビティを有する構造体としてもよい。上述した光反射性成形体４１をモールド成型する際（工程Ｓ４０）に、キャビティの側壁がモールド型として機能しうるので、モールド型７０（図９（ａ））を使用せずに、光反射性成形体４１の形成を容易に行うことができる。 The support substrate 80 may be a structure having a cavity for accommodating the light emitting element 20 as well as a plate-shaped structure as shown in the figure. When the above-mentioned light-reflecting molded body 41 is molded (step S40), the side wall of the cavity can function as a mold, so that the mold 70 (FIG. 9A) is not used and the light-reflecting body is light-reflective. The molded body 41 can be easily formed.

基体は、最終的に除去してもかまわない。例えば、図１２（ａ）の発光装置１４のように、支持基板８０の配線８２を残したまま、基体８１のみを除去してもよい。また、支持基板８０を有さない構成として、発光素子２０の電極２３を発光装置の電極として外部へ露出させることも可能である。
なお、図１２（ｂ）の発光装置１５では、支持基板８０の配線８２が基体８１から分離されて、発光素子２０の電極２３上に残されており、この配線８２は、発光装置１１の延伸電極として機能して、外部電極との導通に使用できる。配線８２（延伸電極）は、発光素子２０の下面２０ｂで発光素子２０の電極と接続し、そこから側面２０ｃよりも外側まで延在されている。配線８２は発光素子２０の電極２３より面積が広いので、発光素子２０で発生した熱を、電極２３を通じて外部に放熱する際に、広い面積を有する配線８２から効率的に放熱させることができる。
支持基板８０の配線８２及び発光素子２０の電極２３の形態は、任意に変更可能である。 The substrate may be finally removed. For example, as in the light emitting device 14 of FIG. 12A, only the substrate 81 may be removed while leaving the wiring 82 of the support substrate 80. Further, it is also possible to expose the electrode 23 of the light emitting element 20 to the outside as an electrode of the light emitting device so that the support substrate 80 is not provided.
In the light emitting device 15 of FIG. 12B, the wiring 82 of the support substrate 80 is separated from the base 81 and left on the electrode 23 of the light emitting element 20, and this wiring 82 is an extension of the light emitting device 11. It functions as an electrode and can be used for conduction with an external electrode. The wiring 82 (stretched electrode) is connected to the electrode of the light emitting element 20 at the lower surface 20b of the light emitting element 20, and extends from there to the outside of the side surface 20c. Since the wiring 82 has a larger area than the electrode 23 of the light emitting element 20, when the heat generated by the light emitting element 20 is dissipated to the outside through the electrode 23, the heat generated by the light emitting element 20 can be efficiently dissipated from the wiring 82 having a large area.
The form of the wiring 82 of the support substrate 80 and the electrode 23 of the light emitting element 20 can be arbitrarily changed.

＜蛍光体含有層３０＞
蛍光体含有層３０は、透光性の基材３６と、基材３６に混合された蛍光体３５とを含んでいる。
基材３６の材料としては、ガラス等の無機材料や、樹脂等の有機材料を用いることができる。特に、樹脂材料が好ましく、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、また、これらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂を用いることができる。 <Fluorescent material-containing layer 30>
The phosphor-containing layer 30 contains a translucent base material 36 and a phosphor 35 mixed with the base material 36.
As the material of the base material 36, an inorganic material such as glass or an organic material such as resin can be used. In particular, a resin material is preferable, and for example, a resin such as a silicone resin, a modified silicone resin, an epoxy resin, a modified epoxy resin, an acrylic resin, or a hybrid resin containing at least one of these resins can be used.

蛍光体３５としては、発光素子２０からの光を吸収して別の波長の光を発することのできる蛍光体であれば様々なものを用いることができる。例えば、ユーロピウム、セリウム等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、より具体的には、ユーロピウムで賦活されたα又はβサイアロン型蛍光体、各種アルカリ土類金属窒化シリケート蛍光体、ユーロピウム等のランタノイド系元素、マンガン等の遷移金属系元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類のハロシリケート蛍光体、アルカリ土類金属シリケート蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類金属ケイ酸塩、アルカリ土類金属硫化物、アルカリ土類金属チオガレート、アルカリ土類金属窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、セリウム等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩又はユーロピウム等のランタノイド系元素で主に賦活される有機物及び有機錯体等が挙げられる。特に、黄色蛍光体であるＹＡＧ系蛍光体、赤色蛍光体であるＫＳＦ、緑色蛍光体のＬＡＧ系蛍光体等が好適に用いられる。この他にも同様の性能、効果を有する蛍光体を適宜使用することができる。蛍光体は、単独又は２種類以上を混合して使用することができる。蛍光体の粒径は、例えば約１〜５０μｍの範囲のもの、好ましくは約５〜２０μｍの範囲のものが挙げられる。特に、本実施形態の製造方法では、薄い蛍光体含有層を形成するのに適しているため、小粒径の蛍光体を好適に用いることができる。
蛍光体含有層３０に含有される蛍光体３５の濃度は、発光装置１１が所望の発光色となるように調整される。蛍光体の濃度は、例えば約５〜５０％とすることができ、蛍光体含有層３０の下面側の濃度が高い方が、発光装置から出射する光が散乱しにくく、導光板に入射されやすいため好ましい。 As the phosphor 35, various phosphors can be used as long as they can absorb the light from the light emitting element 20 and emit light having a different wavelength. For example, nitride-based phosphors and oxynitride-based phosphors mainly activated by lanthanoid-based elements such as europium and cerium, more specifically, α or β sialone-type phosphors activated by europium, and various alkalis. Earth metal Nitride silicate phosphor, lanthanoid element such as europium, alkaline earth metal halogen apatite phosphor mainly activated by transition metal element such as manganese, alkaline earth halosilicate phosphor, alkaline earth metal Silicate phosphor, alkaline earth metal halogen borate phosphor, alkaline earth metal lanthanate phosphor, alkaline earth metal silicate, alkaline earth metal sulfide, alkaline earth metal thiogallate, alkaline earth metal nitride Examples thereof include rare earth aluminates, which are mainly activated by lanthanoid elements such as silicon, germanate and cerium, organic substances and organic complexes which are mainly activated by lanthanoid elements such as rare earth silicate or europium. In particular, a YAG-based phosphor which is a yellow phosphor, a KSF which is a red phosphor, a LAG-based phosphor which is a green phosphor, and the like are preferably used. In addition to this, a fluorescent substance having the same performance and effect can be appropriately used. The phosphor can be used alone or in combination of two or more. The particle size of the phosphor may be, for example, in the range of about 1 to 50 μm, preferably in the range of about 5 to 20 μm. In particular, in the production method of the present embodiment, since it is suitable for forming a thin phosphor-containing layer, a phosphor having a small particle size can be preferably used.
The concentration of the phosphor 35 contained in the phosphor-containing layer 30 is adjusted so that the light emitting device 11 has a desired emission color. The concentration of the phosphor can be, for example, about 5 to 50%, and the higher the concentration on the lower surface side of the phosphor-containing layer 30, the more difficult it is for the light emitted from the light emitting device to be scattered and the more easily it is incident on the light guide plate. Therefore, it is preferable.

蛍光体含有層３０の厚さ（正確には、上面３０ａと下面３０ｂとの間の厚さ）は、任意に設定することができ、例えば約１０〜１００μｍ程度とすることができる。特に、バックライト用の光源の場合には、約２０〜３０μｍ程度の薄い厚さで形成されると、波長変換を適切に行うことができ、且つ小型の発光装置１１を得ることができるので好ましい。
なお、１つの支持基板８０上に複数の発光素子２０を搭載する場合は、蛍光体含有層３０は、発光素子２０のそれぞれに対して形成されると好ましい。 The thickness of the phosphor-containing layer 30 (to be exact, the thickness between the upper surface 30a and the lower surface 30b) can be arbitrarily set, and can be, for example, about 10 to 100 μm. In particular, in the case of a light source for a backlight, if it is formed with a thin thickness of about 20 to 30 μm, wavelength conversion can be appropriately performed and a small light emitting device 11 can be obtained, which is preferable. ..
When a plurality of light emitting elements 20 are mounted on one support substrate 80, it is preferable that the phosphor-containing layer 30 is formed for each of the light emitting elements 20.

＜光反射部材４０（反射膜４２、光反射性成形体４１）＞
（反射膜４２）
反射膜４２は、金属材料又は絶縁性材料等のうち、光の反射率の高いもので形成することができる。なお、絶縁性材料としては、材料自体が反射率の高いもの以外に、絶縁体多層膜も含む。各材料について以下に詳述する。
・金属材料
反射膜４２に適した金属材料としては、例えば銀、銀合金、アルミニウム、金等が挙げられる。特に、耐酸化性に優れた銀合金が好ましく、当該分野で公知の銀合金のいずれを用いてもよい。反射膜の厚さは、特に限定されるものではなく、発光素子から出射される発光を効果的に反射することができる厚さ（例えば、約２０ｎｍ〜約１μｍ）とすることができる。 <Light reflecting member 40 (reflecting film 42, light reflecting molded body 41)>
(Reflective film 42)
The reflective film 42 can be formed of a metal material, an insulating material, or the like having a high light reflectance. The insulating material includes not only a material having a high reflectance but also an insulating multilayer film. Each material will be described in detail below.
-Metallic material Examples of the metal material suitable for the reflective film 42 include silver, silver alloy, aluminum, and gold. In particular, a silver alloy having excellent oxidation resistance is preferable, and any silver alloy known in the art may be used. The thickness of the reflective film is not particularly limited, and can be a thickness capable of effectively reflecting the light emitted from the light emitting element (for example, about 20 nm to about 1 μm).

・反射性樹脂材料
反射膜４２に適した絶縁性材料としては、樹脂材料に反射性物質を添加した反射性樹脂材料を用いることができる。硬化前の液状樹脂材料に反射性物質を添加したものを、被膜対象表面に塗布した後に硬化させることにより、反射膜４２を形成することができる。
樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、また、これらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂を用いることができる。
反射性物質としては、例えば、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化亜鉛、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウムなどを用いることができる。反射性物質の添加量を増加することにより、反射性樹脂材料の反射率を高めることができる。好ましくは、発光素子からの発光に対する反射率が６０％以上、より好ましくは７０％、８０％又は９０％以上となるように、反射性物質の添加量を調節することができる。これにより、発光素子からの光を効率よく反射させることができる。 -Reflective resin material As the insulating material suitable for the reflective film 42, a reflective resin material obtained by adding a reflective substance to the resin material can be used. The reflective film 42 can be formed by applying a liquid resin material before curing to which a reflective substance is added to the surface to be coated and then curing the material.
As the resin material, for example, a resin such as a silicone resin, a modified silicone resin, an epoxy resin, a modified epoxy resin, an acrylic resin, or a hybrid resin containing at least one of these resins can be used.
Examples of the reflective substance include titanium dioxide, silicon dioxide, zinc dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, alumina, aluminum nitride, boron nitride, mulite, niobium oxide, and various rare earth oxides (for example, yttrium oxide and gadolinium oxide). By increasing the amount of the reflective substance added, the reflectance of the reflective resin material can be increased. Preferably, the reflectance to the light emitted from the light emitting element is 60% or more, more preferably. The amount of the reflective substance added can be adjusted to be 70%, 80%, or 90% or more, whereby the light from the light emitting element can be efficiently reflected.

・反射性物質含有スラリー
反射膜に適した別の絶縁材料としては、反射性物質をバインダーに分散させたスラリーを用いることができる。スラリーを塗布又はスプレーにより被膜対象表面に適用した後に乾燥させることにより、反射膜４２を形成することができる。 -Reflective substance-containing slurry As another insulating material suitable for the reflective film, a slurry in which a reflective substance is dispersed in a binder can be used. The reflective film 42 can be formed by applying the slurry to the surface to be coated by coating or spraying and then drying the slurry.

・誘電体多層膜（DBR）
誘電体多層膜（DBR）は、所定波長の光を選択的に反射することができる反射膜であり、屈折率の異なる２種類の絶縁膜を所定の厚さで交互に積層した構造を有する。具体的には、任意に形成された酸化膜等からなる下地層の上に、低屈折率層と高屈折率層とを、反射すべき光の１／４波長の厚さで交互に積層することにより、当該所定波長の光を高効率で反射することができる。
絶縁膜には、Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Alからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を用いることができ、スパッタリング又はＣＶＤにより成膜することができる。例えば、低屈折率層をSiO2、高屈折率層をNb2O5、TiO2、ZrO2又はTa2O5等とすることができる。具体的には、下地層側から順番に（Nb2O5／SiO2）n（ｎ＝２〜５）が挙げられる。
DBRの総膜厚は、約０．２〜１μｍ程度とすることができる。 ・ Dielectric multilayer film (DBR)
The dielectric multilayer film (DBR) is a reflective film capable of selectively reflecting light having a predetermined wavelength, and has a structure in which two types of insulating films having different refractive indexes are alternately laminated to a predetermined thickness. Specifically, a low refractive index layer and a high refractive index layer are alternately laminated on a base layer made of an arbitrarily formed oxide film or the like with a thickness of 1/4 wavelength of the light to be reflected. As a result, light of the predetermined wavelength can be reflected with high efficiency.
As the insulating film, at least one oxide or nitride selected from the group consisting of Si, Ti, Zr, Nb, Ta, and Al can be used, and a film can be formed by sputtering or CVD. For example, the low refractive index layer may be SiO 2 , and the high refractive index layer may be Nb 2 O 5 , TiO 2 , ZrO 2, Ta 2 O 5, or the like. Specifically, (Nb 2 O 5 / SiO 2 ) n (n = 2 to 5) can be mentioned in order from the base layer side.
The total film thickness of the DBR can be about 0.2 to 1 μm.

（光反射性成形体４１）
光反射性成形体４１は、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、また、これらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂に反射性物質を含有させたものを用いると好ましい。
反射性物質の材料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、二酸化ケイ素、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどを用いることができる。反射性物質の添加量は、光の反射率や樹脂材料の成型性を考慮して調節することができる。例えば、比較的小さい発光装置１１の場合には、光反射性成形体４１の厚さを薄くする必要があり、その薄肉部で光の漏れを抑制するために、反射性物質の添加量を多くするのが好ましい。一方で、反射性物質の添加量が多くなると成型性が低下するため、光反射性成形体４１の成型性を考慮して添加量を適宜調整する。例えば、光反射性成形体４１中の反射性物質の濃度を約３０ｗｔ％以上、光反射性成形体４１の厚さを約２０μｍ以上とすると、光漏れを防ぎつつ成型性を維持することができる。 (Light Reflective Mold 41)
The light-reflective molded body 41 is a resin such as a silicone resin, a modified silicone resin, an epoxy resin, a modified epoxy resin, an acrylic resin, or a hybrid resin containing at least one of these resins, containing a reflective substance. It is preferable to use it.
As the material of the reflective substance, for example, titanium oxide, zinc oxide, silicon dioxide, titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, alumina, aluminum nitride, boron nitride, mullite and the like can be used. The amount of the reflective substance added can be adjusted in consideration of the reflectance of light and the moldability of the resin material. For example, in the case of a relatively small light emitting device 11, it is necessary to reduce the thickness of the light-reflecting molded body 41, and in order to suppress light leakage in the thin portion, a large amount of the reflective substance is added. It is preferable to do so. On the other hand, as the amount of the reflective substance added increases, the moldability decreases. Therefore, the amount of the reflective substance added is appropriately adjusted in consideration of the moldability of the light-reflecting molded body 41. For example, when the concentration of the reflective substance in the light-reflecting molded product 41 is about 30 wt% or more and the thickness of the light-reflecting molded product 41 is about 20 μm or more, the moldability can be maintained while preventing light leakage. ..

＜発光装置＞
前述のように、本実施形態に係る製造方法では、薄い小型の発光装置を効率的に製造することができる。薄型の発光装置の寸法形状の例としては、図１のような直方体の発光装置１１であって、例えば光出射面側からみて、長手方向の寸法（ｙ方向の寸法）約１．０〜４．０ｍｍ、短手方向の寸法（ｘ方向の寸法）約０．１〜０．５ｍｍ、奥行方向の寸法（ｚ方向の寸法）約０．２〜１．０ｍｍのものが挙げられる。
サイドビュー型発光装置は、発光装置の実装面に対して発光面が略垂直であり、バックライト用の光源として好適に用いることができる。しかし、それに限らず、トップビュー型発光装置（発光装置の実装面に対して発光面が略平行な発光装置）としてもよいし、適宜所望の発光装置を効率的に製造することが可能である。発光装置の形状は、略直方体、略立方体のほか、用途に合わせて適宜所望の形状とすることができる。 <Light emitting device>
As described above, in the manufacturing method according to the present embodiment, a thin and small light emitting device can be efficiently manufactured. An example of the dimensional shape of the thin light emitting device is a rectangular light emitting device 11 as shown in FIG. 1, for example, when viewed from the light emitting surface side, the dimension in the longitudinal direction (dimension in the y direction) is about 1.0 to 4. Examples thereof include 0.0 mm, a dimension in the lateral direction (dimension in the x direction) of about 0.1 to 0.5 mm, and a dimension in the depth direction (dimension in the z direction) of about 0.2 to 1.0 mm.
The side-view type light emitting device has a light emitting surface substantially perpendicular to the mounting surface of the light emitting device, and can be suitably used as a light source for a backlight. However, the present invention is not limited to this, and a top-view type light emitting device (a light emitting device whose light emitting surface is substantially parallel to the mounting surface of the light emitting device) may be used, and a desired light emitting device can be efficiently manufactured as appropriate. .. The shape of the light emitting device can be a substantially rectangular parallelepiped, a substantially cubic shape, or a desired shape as appropriate according to the application.

以上、本発明に係るいくつかの実施形態について例示したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない限り任意のものとすることができることは言うまでもない。 Although some embodiments of the present invention have been illustrated above, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiments and can be arbitrary as long as it does not deviate from the gist of the present invention. ..

１１、１２、１３、１４、１５ 発光装置
２０ 発光素子
２０ａ 上面
２０ｃ 側面
２３ 電極
３０ 蛍光体含有層
３０ａ 上面
３０ｂ 下面
３０ｃ 側面
３１ 蛍光体層
３２ 透明層
３５ 蛍光体
４０ 光反射部材
４１ 光反射性成形体
４１ａ 上面
４２ 反射膜
４２ａ 上面
３４ 液状樹脂材料
７０ モールド型
８０ 支持基板
８０ａ 上面
８１ 基体
８２ 配線
９０ バックライト
９１ 導光板 11, 12, 13, 14, 15 Light emitting device 20 Light emitting element 20a Top surface 20c Side surface 23 Electrode 30 Fluorescent body-containing layer 30a Top surface 30b Bottom surface 30c Side surface 31 Fluorescent layer 32 Transparent layer 35 Fluorescent body 40 Light reflecting member 41 Light reflective molding Body 41a Top surface 42 Reflective film 42a Top surface 34 Liquid resin material 70 Mold type 80 Support substrate 80a Top surface 81 Base plate 82 Wiring 90 Backlight 91 Light guide plate

Claims (8)

蛍光体層と透明層とを含む蛍光体含有層を準備する工程と、
発光素子の上面に、接着剤を用いて前記蛍光体含有層を配置する工程と、
前記発光素子の側面及び前記蛍光体含有層の表面を光反射部材で被覆する工程と、
前記光反射部材の一部及び前記透明層の一部を除去し、前記蛍光体含有層の前記透明層の一部を前記光反射部材から露出させる工程と、
を備え、
前記蛍光体層が前記蛍光体含有層の外縁部から離間している、発光装置の製造方法。 A step of preparing a phosphor-containing layer including a phosphor layer and a transparent layer, and
A step of arranging the phosphor-containing layer on the upper surface of the light emitting element using an adhesive, and
A step of coating the side surface of the light emitting element and the surface of the phosphor-containing layer with a light reflecting member, and
A step of removing a part of the light reflecting member and a part of the transparent layer and exposing a part of the transparent layer of the phosphor-containing layer from the light reflecting member.
With
A method for manufacturing a light emitting device, wherein the phosphor layer is separated from the outer edge portion of the phosphor-containing layer. 前記蛍光体含有層は、前記蛍光体層と前記透明層とを別々に形成して、積層して形成される、請求項１に記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light emitting device according to claim 1, wherein the fluorescent substance-containing layer is formed by separately forming the fluorescent substance layer and the transparent layer and laminating them. 前記蛍光体含有層は、透光性の基材を含み、前記基材は無機材料である、請求項１又は請求項２に記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light emitting device according to claim 1 or 2, wherein the phosphor-containing layer contains a translucent base material, and the base material is an inorganic material. 前記無機材料は、ガラスである、請求項３に記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light emitting device according to claim 3, wherein the inorganic material is glass. 前記蛍光体含有層は、透光性の基材を含み、前記基材は有機材料である、請求項１又は請求項２に記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light emitting device according to claim 1 or 2, wherein the phosphor-containing layer contains a translucent base material, and the base material is an organic material. 前記有機材料は、樹脂である、請求項５に記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light emitting device according to claim 5, wherein the organic material is a resin. 前記発光素子を支持基板上にフリップチップ実装する工程をさらに含む、請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light emitting device according to any one of claims 1 to 6, further comprising a step of mounting the light emitting element on a support substrate by flip chip. 前記支持基板は、基体と、前記基体の表面に形成された配線とを含み、前記基体を除去する工程を含む、請求項７に記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light emitting device according to claim 7, wherein the support substrate includes a substrate and wiring formed on the surface of the substrate, and includes a step of removing the substrate.
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