JP6876385B2 - レジスト組成物 - Google Patents

Description

本発明は、レジスト組成物に関する。

特許文献１には、下記の３つの構造単位からなる樹脂と、下記式（Ｂ１−６）で表される酸発生剤とを含むレジスト組成物が記載されている。

特開２００７−２２４００８号公報

上記のレジスト組成物から形成されたレジストパターンは、残渣及びマスクエラーファクター（ＭＥＦ）の点で必ずしも満足できない場合があった。

本発明は、以下の発明を含む。
［１］式（ＩＩ）で表される構造単位及び酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂（Ａ１）と、３〜１８個のフッ素原子を有するアニオンを含む酸発生剤（Ｂａ）とを含有するレジスト組成物。

［式（ＩＩ）中、
Ｒ^２は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｌ^１は、単結合又は＊−Ｌ^２−ＣＯ−Ｏ−（Ｌ^３−ＣＯ−Ｏ）_ｇ−を表す。＊は、酸素原子との結合手を表す。
Ｌ^２及びＬ^３は、互いに独立に、炭素数１〜１２の２価の炭化水素基を表す。
ｇは、０又は１を表す。
Ｒ^３は、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基を表す。ただし、第３級アルキル基を除く。］
［２］Ｌ^１が、単結合である［１］記載のレジスト組成物。
［３］Ｒ^３が、炭素数２〜８の直鎖のアルキル基である［１］又は［２］記載のレジスト組成物。
［４］フッ素原子を有する構造単位を含み、かつ、酸不安定基を有する構造単位を含まない樹脂（Ａ２）をさらに含有する［１］〜［３］のいずれか記載のレジスト組成物。
［５］３〜１８個のフッ素原子を有するアニオンが、環状構造を備えるアニオンである［１］〜［４］のいずれか記載のレジスト組成物。

本発明のレジスト組成物によれば、残渣が生じず、マスクエラーファクター（ＭＥＦ）が良好なレジストパターンを製造することができる。

本明細書において「（メタ）アクリレート」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも一種」を意味する。「（メタ）アクリル酸」及び「（メタ）アクリロイル」等の表記も、同様の意味を有する。
また、特に断りのない限り、「脂肪族炭化水素基」のように直鎖状又は分岐状をとり得る基は、そのいずれをも含む。「芳香族炭化水素基」は芳香環に炭化水素基が結合した基をも包含する。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤（Ｅ）を除いた成分の合計を意味する。

〔レジスト組成物〕
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ１）及び酸発生剤（Ｂａ）を含有する。
レジスト組成物は、さらに、フッ素原子する構造単位を含み、かつ、酸不安定基を有する構造単位を含まない樹脂（Ａ２）等を含んでいてもよい。また、酸発生剤（Ｂａ）以外の酸発生剤を含んでいてもよい。
さらに、レジスト組成物は、クエンチャー（以下「クエンチャー（Ｃ）」という場合がある）及び／又は溶剤（以下「溶剤（Ｅ）」という場合がある）を含有することが好ましい。

＜樹脂（Ａ１）＞
樹脂（Ａ１）は、式（ＩＩ）で表される構造単位（以下「構造単位（ＩＩ）」ということがある。）と、酸不安定基を有する構造単位（以下「構造単位（ａ１）」ということがある。）とを含む。
構造単位が有する「酸不安定基」とは、脱離基を有する基であって、酸との接触により脱離基が脱離して、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシル基）を有する構造単位に変換される基を意味する。
樹脂（Ａ１）は、さらに、酸不安定基を有さない構造単位（以下、「構造単位（ｓ）」ということがある）、その他の構造単位（以下「構造単位（ｔ）」という場合がある）及び／又は当技術分野で周知の構造単位を含んでいてもよい。

〈構造単位（ＩＩ）〉
樹脂（Ａ１）が有する構造単位（ＩＩ）は、下記式（ＩＩ）で表される。

［式（ＩＩ）中、
Ｒ^２は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｌ^１は、単結合又は＊−Ｌ^２−ＣＯ−Ｏ−（Ｌ^３−ＣＯ−Ｏ）_ｇ−を表す。＊は、酸素原子との結合手を表す。
Ｌ^２及びＬ^３は、互いに独立に、炭素数１〜１２の２価の炭化水素基を表す。
ｇは、０又は１を表す。
Ｒ^３は、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基を表す。ただし、第３級アルキル基を除く。］

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６の無置換アルキル基、及び、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、トリヨードメチル基等の炭素数１〜６のハロアルキル基が挙げられ、好ましくは炭素数１〜４の無置換アルキル基が挙げられ、より好ましくはメチル基及びエチル基が挙げられる。
Ｒ^２は、好ましくは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であり、より好ましくは水素原子、メチル基又はエチル基であり、さらに水素原子又はメチル基である。

Ｌ^２及びＬ^３の炭素数１〜１２の２価の炭化水素基としては、アルカンジイル基、２価の脂環式炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される２価の基が挙げられる。
アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基及びヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基、並びに当該直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基（中でも、炭素数１〜４のアルキル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等）の側鎖を有したもの、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基及び２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
２価の脂環式炭化水素としては、シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式基；ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の多環式基が挙げられる。
２価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、ｐ−メチルフェニレン基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニレン基、ｐ−アダマンチルフェニレン基、トリレン基、キシリレン基、クメニレン基、メシチレン基、ビフェニレン基、フェナントリレン基、２，６−ジエチルフェニレン基、２−メチル−６−エチルフェニレン基等が挙げられる。
Ｌ^１は、好ましくは単結合又は＊−Ｌ^２−ＣＯ−Ｏ−であり、より好ましくは単結合又は＊−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−であり、さらに好ましくは単結合である。

Ｒ^３で表わされる炭素数１〜１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−へプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基等が挙げられる。
Ｒ^３は、好ましくは炭素数１〜８の直鎖のアルキル基であり、より好ましくは炭素数２〜８の直鎖のアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数３〜８の直鎖のアルキル基であり、さらにより好ましくは炭素数４〜８の直鎖のアルキル基であり、とりわけ好ましくはｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基又はｎ−オクチル基であり、さらにとりわけ好ましくは、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基又はｎ−オクチル基である。

構造単位（ＩＩ）の具体例としては、下記式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−１２）で表わされる構造単位、下記式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−１２）で表わされる構造単位のＲ^２に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位等が挙げられる。

中でも、式（ＩＩ−１）〜式（ＩＩ−６）、式（ＩＩ−８）で表される構造単位が好ましい。

構造単位（ＩＩ）は、式（ＩＩ’）で表されるモノマー（以下、「モノマー（ＩＩ’）」ということがある。）から誘導される。

［式（ＩＩ’）中、Ｌ^１及びＲ^３は上記と同じ意味を表す。］

モノマー（ＩＩ’）としては、下記式（ＩＩ’−１）〜（ＩＩ’−１２）で表わされるモノマー、及び、下記式（ＩＩ’−１）〜式（ＩＩ’−１２）で表されるモノマーのＲ^２に相当する水素原子がメチル基に置き換わったモノマーが挙げられる。

モノマー（ＩＩ’）は、市場から容易に入手できる。

構造単位（ＩＩ）の含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位の合計に対して、好ましくは０．５〜１５モル％であり、より好ましくは１〜１０モル％であり、さらに好ましくは１〜８モル％であり、とりわけ好ましくは１〜６モル％である。

〈構造単位（ａ１）〉
樹脂（Ａ１）は、構造単位（ＩＩ）に加えて、構造単位（ａ１）を含む。

構造単位（ａ１）は、酸不安定基を有するモノマー（以下「モノマー（ａ１）」という場合がある）から導かれる。
モノマー（ａ１）は、好ましくは、酸不安定基とエチレン性不飽和結合とを有するモノマーであり、より好ましくは酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーである。
樹脂（Ａ１）においては、構造単位（ａ１）に含まれる酸不安定基は、下記式（１）で表わされる基及び／又は下記式（２）で表わされる基が好ましい。

［式（１）中、Ｒ^ａ１〜Ｒ^ａ３は、互いに独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せた基を表すか、又は、Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成し、Ｒ^ａ３は、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せた基を表す。
ｎａは、０又は１を表す。
＊は結合手を表す。］

［式（２）中、Ｒ^ａ１’及びＲ^ａ２’は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^ａ３’は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、又は、Ｒ^ａ１’は、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^ａ２’及びＲ^ａ３’は互いに結合してそれらが結合する炭素原子及びＸとともに炭素数３〜２０の２価の複素環基を形成し、該炭化水素基及び該２価の複素環基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−Ｓ−で置き換わってもよい。
Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
＊は結合手を表す。］

Ｒ^ａ１〜Ｒ^ａ３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ１〜Ｒ^ａ３の脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合手を表す。）等が挙げられる。Ｒ^ａ１〜Ｒ^ａ３の脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜１６である。

アルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた基としては、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。

Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２が互いに結合して２価の炭化水素基を形成する場合の−Ｃ（Ｒ^ａ１）（Ｒ^ａ２）（Ｒ^ａ３）としては、下記の基が挙げられ、＊は−Ｏ−との結合手を表す。２価の炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜１２である。

式（１）で表される基としては、１，１−ジアルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中においてＲ^ａ１〜Ｒ^ａ３がアルキル基である基、好ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基）、２−アルキルアダマンタン−２−イルオキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２が互いに結合し、これらが結合する炭素原子と一緒になってアダマンチル基を形成し、Ｒ^ａ３がアルキル基である基）及び１−（アダマンタン−１−イル）−１−アルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２がアルキル基であり、Ｒ^ａ３がアダマンチル基である基）等が挙げられる。

Ｒ^ａ１’〜Ｒ^ａ３’の炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組合せることにより形成される基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基としては、上記と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、キシリル基、クミル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
Ｒ^ａ２’及びＲ^ａ３’が互いに結合してそれらが結合する炭素原子及びＸとともに形成する２価の複素環基としては、下記の基が挙げられる。＊は、結合手を表す。

Ｒ^ａ１’及びＲ^ａ２’のうち、少なくとも１つは水素原子であることが好ましい。

式（２）で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。＊は結合手を表す。

酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーのうち、炭素数５〜２０の脂環式炭化水素基を有する（メタ）アクリル系モノマーが好ましい。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマー（ａ１）に由来する構造単位を有する樹脂（Ａ１）を含むレジスト組成物から、解像度がより向上したレジストパターンを形成することができる。

式（１）で表される基を有する（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造単位の好ましい例としては、式（ａ１−０）で表される構造単位、式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で表される構造単位が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。本明細書では、式（ａ１−０）で表される構造単位、式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で表される構造単位を、それぞれ構造単位（ａ１−０）、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）という場合があり、構造単位（ａ１−０）を誘導するモノマー、構造単位（ａ１−１）を誘導するモノマー及び構造単位（ａ１−２）を誘導するモノマーを、それぞれモノマー（ａ１−０）、モノマー（ａ１−１）及びモノマー（ａ１−２）という場合がある。

［式（ａ１−０）中、
Ｌ^ａ０１は、酸素原子又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ０１−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ０１は１〜７の整数を表し、＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^ａ０１は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^ａ０２、Ｒ^ａ０３及びＲ^ａ０４は、互いに独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せた基を表す。］

［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌ^ａ１及びＬ^ａ２は、互いに独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ１−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^ａ４及びＲ^ａ５は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７は、互いに独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表す。
ｍ１は、０〜１４の整数を表す。
ｎ１は、０〜１０の整数を表す。
ｎ１’は、０〜３の整数を表す。］

Ｌ^ａ０２は、好ましくは酸素原子又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ０１−ＣＯ−Ｏ−であり、より好ましくは酸素原子である。ｋ０１は、好ましくは１〜４の整数であり、より好ましくは１である。
Ｒ^ａ０２、Ｒ^ａ０３及びＲ^ａ０４のアルキル基、脂環式炭化水素基及びこれらを組合せた基としては、式（１）のＲ^ａ１〜Ｒ^ａ３で挙げた基と同様の基が挙げられる。
Ｒ^ａ０２、Ｒ^ａ０３及びＲ^ａ０４のアルキル基の炭素数は、好ましくは６以下である。
Ｒ^ａ０２、Ｒ^ａ０３及びＲ^ａ０４の脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３以上８以下であり、より好ましくは３以上６以下である。
アルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた基は、これらアルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた合計炭素数が、１８以下であることが好ましい。このような基としては、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ０２及びＲ^ａ０３は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
Ｒ^ａ０４は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数５〜１２の脂環式炭化水素基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、シクロヘキシル基又はアダマンチル基である。

Ｌ^ａ１及びＬ^ａ２は、互いに独立に、好ましくは−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ１’−ＣＯ−Ｏ−であり、より好ましくは−Ｏ−である。ｋ１’は、１〜４の整数であり、好ましくは１である。
Ｒ^ａ４及びＲ^ａ５は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７の脂環式炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７のアルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せることにより形成された基としては、アラルキル基が挙げられ、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７のアルキル基の炭素数は、好ましくは６以下である。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７の脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３以上８以下であり、より好ましくは３以上６以下である。
ｍ１は、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０又は１である。
ｎ１’は好ましくは０又は１である。

構造単位（ａ１−０）としては、式（ａ１−０−１）〜式（ａ１−１−１２）で表される構造単位及びこれら構造単位中のＲ^ａ０１に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられ、好ましくは式（ａ１−０−１）〜式（ａ１−１−１０）のいずれかで表される構造単位である。

モノマー（ａ１−１）としては、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、下記式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−８）で表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−４）で表されるモノマーがより好ましい。

モノマー（ａ１−２）としては、下記式（ａ１−２−１）〜式（ａ１−２−１２）で表されるモノマーが挙げられ、式（ａ１−２−３）、式（ａ１−２−４）、式（ａ１−２−９）及び式（ａ１−２−１０）で表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−２−３）及び式（ａ１−２−９）で表されるモノマーがより好ましい。

樹脂（Ａ１）が構造単位（ａ１−０）及び／又は構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位の合計に対して、通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜９０モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％である。

さらに、式（１）で表わされる基を有する構造単位（ａ１）としては、式（ａ１−３）で表される構造単位も挙げられる。式（ａ１−３）で表される構造単位を、構造単位（ａ１−３）という場合がある。また、構造単位（ａ１−３）を誘導するモノマーを、モノマー（ａ１−３）という場合がある。

［式（ａ１−３）中、
Ｒ^ａ９は、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基、水素原子又は−ＣＯＯＲ^ａ１３を表す。
Ｒ^ａ１３は、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基、又はこれらを組合せることにより形成される基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｒ^ａ１０、Ｒ^ａ１１及びＲ^ａ１２は、互いに独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表すか、又は、Ｒ^ａ１２は、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表し、Ｒ^ａ１０及びＲ^ａ１１は互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成する。

ここで、−ＣＯＯＲ^ａ１３は、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシ基にカルボニル基が結合した基が挙げられる。

Ｒ^ａ９のヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ヒドロキシメチル基及び２−ヒドロキシエチル基が挙げられる。
Ｒ１３の炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基及びｎ−プロピル基が挙げられる。
Ｒ^ａ１３の炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロプロピル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、１−アダマンチル−１−メチルエチル基、２−オキソ−オキソラン−３−イル基及び２−オキソ−オキソラン−４−イル基が挙げられる。
Ｒ^ａ１０〜Ｒ^ａ１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−エチルヘキシル基及びｎ−オクチル基が挙げられる。
Ｒ^ａ１０〜Ｒ^ａ１２の脂環式炭化水素基は、単環式であってもよいし、多環式であってもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基が挙げられる。
Ｒ^ａ１０及びＲ^ａ１１が互いに結合して、それらが結合している炭素原子とともに２価の炭化水素基を形成する場合の−Ｃ（Ｒ^ａ１０）（Ｒ^ａ１１）（Ｒ^ａ１２）としては、下記の基が好ましい。

モノマー（ａ１−３）は、具体的には、５−ノルボルネン−２−カルボン酸−ｔｅｒｔ−ブチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−シクロヘキシル−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチルシクロヘキシル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−メチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−エチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−メチルシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチル−１−（４−オキソシクロヘキシル）エチル及び５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（１−アダマンチル）−１−メチルエチルが挙げられる。

構造単位（ａ１−３）を含む樹脂（Ａ１）は、立体的に嵩高い構造単位が含まれることになるため、このような樹脂（Ａ１）を含むレジスト組成物からは、より高解像度でレジストパターンを得ることができる。また、主鎖に剛直なノルボルナン環が導入されるため、得られるレジストパターンは、ドライエッチング耐性に優れる傾向がある。

樹脂（Ａ１）が構造単位（ａ１−３）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位の合計に対して、１０〜９５モル％であることが好ましく、１５〜９０モル％であることがより好ましく、２０〜８５モル％であることがさらに好ましい。

基（２）で表される基を有する構造単位（ａ１）としては、式（ａ１−４）で表される構造単位（以下、「構造単位（ａ１−４）」という場合がある。）が挙げられる。

［式（ａ１−４）中、
Ｒ^ａ３２は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^ａ３３は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数２〜４のアシルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
ｌａは０〜４の整数を表す。ｌａが２以上である場合、複数のＲ^ａ３３は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｒ^ａ３４及びＲ^ａ３５は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^ａ３６は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、又は、Ｒ^ａ３４は、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^ａ３５及びＲ^ａ３６は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該２価の炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−Ｓ−で置き換わってもよい。］

Ｒ^ａ３２及びＲ^ａ３３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基及びｎ−ヘキシル基が挙げられ、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基が挙げられ、より好ましくはメチル基又はエチル基が挙げられ、さらに好ましくはメチル基が挙げられる。
Ｒ^ａ３２及びＲ^ａ３３のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子が挙げられる。
ハロゲン原子を有してもよいアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，１−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，１，２，２−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロペンチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基及びヘキシルオキシ基等が挙げられる。なかでも、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基が挙げられる。
アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。
Ｒ^ａ３４及びＲ^ａ３５の炭化水素基としては、式（２）のＲ^ａ１’及びＲ^ａ２’と同様の基が挙げられる。
Ｒ^ａ３６としては、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基及びこれらを組合せることにより形成される基が挙げられる。

式（ａ１−４）において、Ｒ^ａ３２としては、水素原子が好ましい。
Ｒ^ａ３３としては、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
ｌａとしては、０又は１が好ましく、０がより好ましい。
Ｒ^ａ３４は、好ましくは水素原子である。
Ｒ^ａ３５は、好ましくは炭素数１〜１２の炭化水素基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
Ｒ^ａ３６の炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基であり、より好ましくは炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式脂肪族炭化水素基又は炭素数７〜１８のアラルキル基である。
Ｒ^ａ３６におけるアルキル基及び前記脂環式炭化水素基は、無置換であることが好ましい。
Ｒ^ａ３６における芳香族炭化水素基が置換基を有する場合、その置換基としては炭素数６〜１０のアリールオキシ基が好ましい。

構造単位（ａ１−４）を導くモノマーとしては、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式（ａ１−４−１）〜式（ａ１−４−８）で表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−４−１）〜式（ａ１−４−５）で表されるモノマーがより好ましい。

樹脂（Ａ１）が、構造単位（ａ１−４）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位の合計に対して、１０〜９５モル％であることが好ましく、１５〜９０モル％であることがより好ましく、２０〜８５モル％であることがさらに好ましい。

酸不安定基を有する構造単位としては、式（ａ１−５）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ１−５）」という場合がある）も挙げられる。

［式（ａ１−５）中、
Ｒ^ａ８は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｚ^ａ１は、単結合又は＊−（ＣＨ_２）_ｈ３−ＣＯ−Ｌ^５４−を表し、ｈ３は１〜４の整数を表し、＊は、Ｌ^５１との結合手を表す。
Ｌ^５１、Ｌ^５２、Ｌ^５３及びＬ^５４は、互いに独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
ｓ１は、１〜３の整数を表す。
ｓ１’は、０〜３の整数を表す。］

式（ａ１−５）において、Ｒ^ａ８としては、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基が好ましい。
Ｌ^５１は、好ましくは−Ｏ−である。
Ｌ^５２及びＬ^５３のうちの一方が−Ｏ−であり、他方が−Ｓ−であることが好ましい。
ｓ１としては、１が好ましい。
ｓ１’としては、０〜２の整数が好ましい。
Ｚ^ａ１としては、単結合又は＊−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−が好ましい。

構造単位（ａ１−５）を導くモノマーとしては、特開２０１０−６１１１７号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式（ａ１−５−１）〜式（ａ１−５−４）で表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−５−１）及び式（ａ１−５−２）で表されるモノマーがより好ましい。

樹脂（Ａ１）が、構造単位（ａ１−５）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位の合計に対して、１〜５０モル％であることが好ましく、３〜４５モル％であることがより好ましく、５〜４０モル％であることがさらに好ましい。

樹脂（Ａ１）中の酸不安定基を有する構造単位（ａ）としては、構造単位（ａ１−０）、構造単位（ａ１−１）、構造単位（ａ１−２）及び構造単位（ａ１−５）からなる群から選ばれる少なくとも一種以上が好ましく、少なくとも二種以上がより好ましく、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）の組合せ、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−５）の組合せ、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−０）の組合せ、構造単位（ａ１−２）及び構造単位（ａ１−０）の組合せ、構造単位（ａ１−５）及び構造単位（ａ１−０）の組合せ、構造単位（ａ１−０）、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）の組合せ、構造単位（ａ１−０）、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−５）の組合せがさらに好ましく、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）の組合せ、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−５）の組合せがさらにより好ましい。

〈酸不安定基を有さない構造単位〉
構造単位（ｓ）は、酸不安定基を有さないモノマー（以下「モノマー（ｓ）」という場合がある）から導かれる。モノマー（ｓ）としては、レジスト分野で公知の酸不安定基を有さないモノマーが挙げられる。好ましい構造単位は、ヒドロキシ基又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位である。ヒドロキシ基を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ａ２）」という場合がある）及び／又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ａ３）」という場合がある。）を有する樹脂を含むレジスト組成物から、解像度及び基板との密着性がより向上したレジストパターンを形成することができる。

〈構造単位（ａ２）〉
構造単位（ａ２）が有するヒドロキシ基は、アルコール性ヒドロキシ基でも、フェノール性ヒドロキシ基でもよい。
本発明のレジスト組成物からレジストパターンを製造するとき、露光光源としてＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、電子線又はＥＵＶ（超紫外光）等の高エネルギー線を用いる場合には、構造単位（ａ２）として、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）を用いることが好ましい。また、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）等を用いる場合には、構造単位（ａ２）として、アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）が好ましく、構造単位（ａ２−１）を用いることがより好ましい。構造単位（ａ２）としては、１種を単独で含んでいてもよく、２種以上を含んでいてもよい。

フェノール性ヒドロキシ基有する構造単位（ａ２）としては、式（ａ２−０）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ２−０）」という場合がある。）が挙げられる。

［式（ａ２−０）中、
Ｒ^ａ３０は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^ａ３１は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数２〜４のアシルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
ｍａは０〜４の整数を表す。ｍａが２以上の整数である場合、複数のＲ^ａ３１は互いに同一であっても異なってもよい。］

Ｒ^ａ３０のハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，１−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，１，２，２−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロペンチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ３０としては、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基がより好ましく、水素原子又はメチル基がさらに好ましい。
Ｒ^ａ３１のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基及びヘキシルオキシ基等が挙げられ、好ましくは炭素数１〜４のアルコキシ基が挙げられ、より好ましくはメトキシ基又はエトキシ基が挙げられ、さらに好ましくはメトキシ基が挙げられる。
Ｒ^ａ３１のアシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ３１のアシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。
ｍａとしては、０、１又は２が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。

構造単位（ａ２−０）を誘導するモノマーとしては、例えば、特開２０１０−２０４６３４号公報に記載されているモノマーが挙げられる。
中でも、構造単位（ａ２−０）としては、式（ａ２−０−１）、式（ａ２−０−２）、式（ａ２−０−３）及び式（ａ２−０−４）でそれぞれ表されるものが好ましく、式（ａ２−０−１）又は式（ａ２−０−２）で表される構造単位がより好ましい。

構造単位（ａ２−０）を含む樹脂（Ａ１）は、構造単位（ａ２−０）を誘導するモノマーが有するフェノール性ヒドロキシ基を保護基で保護したモノマーを用いて重合反応を行い、その後脱保護処理することにより製造できる。ただし、脱保護処理を行う際には、構造単位（ａ１）が有する酸不安定基を著しく損なわないようにして行う必要がある。このような保護基としては、アセチル基等が挙げられる。

樹脂（Ａ１）が、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２−０）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位の合計に対して、５〜９５モル％であることが好ましく、１０〜８０モル％であることがより好ましく、１５〜８０モル％であることがさらに好ましい。

アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）としては、式（ａ２−１）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ２−１）」という場合がある。）が挙げられる。

［式（ａ２−１）中、
Ｌ^ａ３は、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ２−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ２は、１〜７の整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^ａ１４は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^ａ１５及びＲ^ａ１６は、互いに独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０の整数を表す。］

式（ａ２−１）では、Ｌ^ａ３は、好ましくは−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｆ１−ＣＯ−Ｏ−であり（前記ｆ１は、１〜４の整数である）、より好ましくは−Ｏ−である。
Ｒ^ａ１４は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^ａ１５は、好ましくは水素原子である。
Ｒ^ａ１６は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０又は１である。

構造単位（ａ２−１）を誘導するモノマーとしては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−６）のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−４）のいずれかで表されるモノマーがより好ましく、式（ａ２−１−１）又は式（ａ２−１−３）で表されるモノマーがさらに好ましい。

樹脂（Ａ１）が構造単位（ａ２−１）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位の合計に対して、通常１〜４５モル％であり、好ましくは１〜４０モル％であり、より好ましくは１〜３５モル％であり、さらに好ましくは２〜２０モル％である。

〈構造単位（ａ３）〉
構造単位（ａ３）が有するラクトン環は、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。該ラクトン間としては、好ましくはγ−ブチロラクトン環又はγ−ブチロラクトン環構造を含む橋かけ環が挙げられる。

構造単位（ａ３）は、好ましくは、式（ａ３−１）、式（ａ３−２）又は式（ａ３−３）で表される構造単位である。これらの１種を単独で含有してもよく、２種以上を含有してもよい。

［式（ａ３−１）中、
Ｌ^ａ４は、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ３−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７の整数を表す。）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^ａ１８は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^ａ２１は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。
ｐ１は、０〜５の整数を表す。ｐ１が２以上のとき、複数のＲ^ａ２１は互いに同一であっても異なってもよい。
式（ａ３−２）中、
Ｌ^ａ５は、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ３−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７の整数を表す。）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^ａ１９は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^ａ２２は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。
ｑ１は、０〜３の整数を表す。ｑ１が２以上のとき、複数のＲ^ａ２２は互いに同一であっても異なってもよい。
式（ａ３−３）中、
Ｌ^ａ６は、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ３−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７の整数を表す。）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^ａ２０は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^ａ２３は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。
ｒ１は、０〜３の整数を表す。ｒ１が２以上のとき、複数のＲ^ａ２３は互いに同一であっても異なってもよい。］

Ｒ^ａ２１等の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられる。

式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）において、Ｌ^ａ４〜Ｌ^ａ６は、互いに独立に、好ましくは−Ｏ−又は、ｋ３が１〜４の整数である＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ３−ＣＯ−Ｏ−で表される基であり、より好ましくは−Ｏ−及び、＊−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−であり、さらに好ましくは酸素原子である。
Ｒ^ａ１８〜Ｒ^ａ２１は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^ａ２２及びＲ^ａ２３は、互いに独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
ｐ１、ｑ１及びｒ１は、互いに独立に、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０又は１である。

構造単位（ａ３）を導くモノマーとしては、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマー、特開２０００−１２２２９４号公報に記載されたモノマー、特開２０１２−４１２７４号公報に記載されたモノマーが挙げられる。構造単位（ａ３）としては、式（ａ３−１−１）〜式（ａ３−１−４）、式（ａ３−２−１）〜式（ａ３−２−４）及び式（ａ３−３−１）〜式（ａ３−３−４）のいずれかで表される構造単位が好ましく、式（ａ３−１−１）、式（ａ３−１−２）及び式（ａ３−２−３）〜式（ａ３−２−４）のいずれかで表される構造単位がより好ましい。

樹脂（Ａ１）が構造単位（ａ３）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位の合計に対して、通常５〜７０モル％であり、好ましくは１０〜６５モル％であり、より好ましくは１０〜６０モル％である。
また、構造単位（ａ３−１）、構造単位（ａ３−２）及び構造単位（ａ３−３）の含有率は、互いに独立に、樹脂（Ａ１）の全構造単位の合計に対して、５〜６０モル％であることが好ましく、５〜５０モル％であることがより好ましく、１０〜５０モル％であることがさらに好ましい。

〈その他の構造単位（ｔ）〉
構造単位（ｔ）としては、構造単位（ａ２）及び構造単位（ａ３）以外にフッ素原子を有していてもよい構造単位（以下、場合により「構造単位（ａ４）」という。）及び非脱離炭化水素基を有する構造単位（以下「構造単位（ａ５）」という場合がある）などが挙げられる。

構造単位（ａ４）としては、式（ａ４−０）で表される構造単位が挙げられる。

［式（ａ４−０）中、
Ｒ^５は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ^５は、単結合又は炭素数１〜４の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^３は、炭素数１〜８のペルフルオロアルカンジイル基又は炭素数３〜１２のペルフルオロシクロアルカンジイル基を表す。
Ｒ^６は、水素原子又はフッ素原子を表す。］

Ｌ^５の脂肪族飽和炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基、直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基（中でも、メチル基、エチル基等）の側鎖を有したもの、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基及び２−メチルプロパン−１，２−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。

Ｌ^３のペルフルオロアルカンジイル基としては、ジフルオロメチレン基、ペルフルオロエチレン基、ペルフルオロエチルフルオロメチレン基、ペルフルオロプロパン−１，３−ジイル基、ペルフルオロプロパン−１，２−ジイル基、ペルフルオロプロパン−２，２−ジイル基、ペルフルオロブタン−１，４−ジイル基、ペルフルオロブタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロブタン−１，２−ジイル基、ペルフルオロペンタン−１，５−ジイル基、ペルフルオロペンタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロペンタン−３，３−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−１，６−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−２，２−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−３，３−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−１，７−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−３，４−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−４，４−ジイル基、ペルフルオロオクタン−１，８−ジイル基、ペルフルオロオクタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロオクタン−３，３−ジイル基、ペルフルオロオクタン−４，４−ジイル基等が挙げられる。
Ｌ^３のペルフルオロシクロアルカンジイル基としては、ペルフルオロシクロヘキサンジイル基、ペルフルオロシクロペンタンジイル基、ペルフルオロシクロヘプタンジイル基、ペルフルオロアダマンタンジイル基等が挙げられる。

Ｌ^５は、好ましくは単結合、メチレン基又はエチレン基であり、より好ましくは単結合又はメチレン基である。
Ｌ^３は、好ましくは炭素数１〜６のペルフルオロアルカンジイル基であり、より好ましくは炭素数１〜３のペルフルオロアルカンジイル基であり、さらに好ましくは炭素数１〜２のペルフルオロアルカンジイル基であり、とりわけ好ましくはジフルオロメチレン基である。

構造単位（ａ４−０）としては、以下に示す構造単位が挙げられる。

構造単位（ａ４）としては、式（ａ４−１）で表される構造単位が挙げられる。

［式（ａ４−１）中、
Ｒ^ａ４１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^ａ４２は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ａ^ａ４１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基又は式（ａ−ｇ１）で表される基を表す。］

［式（ａ−ｇ１）中、
ｓは、０又は１を表す。
Ａ^ａ４２及びＡ^ａ４４は、互いに独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基を表す。
Ａ^ａ４３は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｘ^ａ４１及びＸ^ａ４２は、互いに独立に、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−を表す。
ただし、Ａ^ａ４２、Ａ^ａ４３、Ａ^ａ４４、Ｘ^ａ４１及びＸ^ａ４２の炭素数の合計は７以下である。
＊で表される２つの結合手のうち、右側の＊が−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^ａ４２との結合手である。］

Ｒ^ａ４２の炭化水素基としては、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、並びにこれらを組合せることにより形成される基が挙げられる。
鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基は、炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、鎖式及び環式の脂肪族飽和炭化水素基並びにこれらを組合せることにより形成される基が好ましい。該脂肪族飽和炭化水素基としては、直鎖又は分岐のアルキル基及び単環又は多環の脂環式炭化水素基、並びに、アルキル基及び脂環式炭化水素基を組み合わせることにより形成される脂肪族炭化水素基等が挙げられる。

鎖式の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基及びｎ−オクタデシル基が挙げられる。環式の脂肪族炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基；デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合手を表す。）等の多環式の脂環式炭化水素基が挙げられる。

芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニリル基、フェナントリル基及びフルオレニル基が挙げられる。

Ｒ^ａ４２の炭化水素基は、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基並びにこれらが組合せることにより形成される基が好ましく、炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、鎖式及び環式の脂肪族飽和炭化水素基並びにこれらを組合せることにより形成される基がより好ましい。
Ｒ^ａ４２の置換基としては、ハロゲン原子又は式（ａ−ｇ３）で表される基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子が挙げられる。

［式（ａ−ｇ３）中、
Ｘ^ａ４３は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ^ａ４５は、少なくとも１つのハロゲン原子を有する炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
＊は結合手を表す。］
Ａ^ａ４５の脂肪族炭化水素基としては、Ｒ^ａ４２で例示したものと同様の基が挙げられる。

Ｒ^ａ４２は、ハロゲン原子を有してもよい脂肪族炭化水素基が好ましく、ハロゲン原子を有するアルキル基及び／又は式（ａ−ｇ３）で表される基を有する脂肪族炭化水素基がより好ましい。
Ｒ^ａ４２がハロゲン原子を有する脂肪族炭化水素基である場合、好ましくはフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であり、より好ましくはペルフルオロアルキル基又はペルフルオロシクロアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数が１〜６のペルフルオロアルキル基であり、とりわけ好ましくは炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基である。ペルフルオロアルキル基としては、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基及びペルフルオロオクチル基等が挙げられる。ペルフルオロシクロアルキル基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ４２が、式（ａ−ｇ３）で表される基を有する脂肪族炭化水素基である場合、式（ａ−ｇ３）で表される基に含まれる炭素数を含めて、脂肪族炭化水素基の総炭素数は、１５以下であることが好ましく、１２以下であることがより好ましい。式（ａ−ｇ３）で表される基を置換基として有する場合、その数は１個であることが好ましい。

式（ａ−ｇ３）で表される基を有する脂肪族炭化水素基は、さらに好ましくは式（ａ−ｇ２）で表される基である。

［式（ａ−ｇ２）中、
Ａ^ａ４６は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｘ^ａ４４は、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ^ａ４７は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
ただし、Ａ^ａ４６、Ａ^ａ４７及びＸ^ａ４４の炭素数の合計は１８以下であり、Ａ^ａ４６及びＡ^ａ４７のうち、少なくとも一方は、少なくとも１つのハロゲン原子を有する。
＊はカルボニル基との結合手を表す。］

Ａ^ａ４６の脂肪族炭化水素基の炭素数は、１〜６であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。
Ａ^ａ４７の脂肪族炭化水素基の炭素数は、４〜１５であることが好ましく、５〜１２であることがより好ましく、シクロヘキシル基又はアダマンチル基であることがさらに好ましい。

＊−Ａ^ａ４６−Ｘ^ａ４４−Ａ^ａ４７で表される好ましい構造は、以下の構造である。

Ａ^ａ４１のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、１−メチルブタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
Ａ^ａ４１のアルカンジイル基における置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。
Ａ^ａ４１は、好ましくは炭素数１〜４のアルカンジイル基であり、より好ましくは炭素数２〜４のアルカンジイル基であり、さらに好ましくはエチレン基である。

基（ａ−ｇ１）におけるＡ^ａ４２〜Ａ^ａ４４の脂肪族炭化水素基は、炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。該脂肪族飽和炭化水素基としては、アルキル基（当該アルキル基は直鎖でも分岐していてもよい）及び脂環式炭化水素基、並びに、アルキル基及び脂環式炭化水素基を組合せることにより形成される脂肪族炭化水素基等が挙げられる。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基等が挙げられる。
Ａ^ａ４２〜Ａ^ａ４４の脂肪族炭化水素基の置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。
ｓは、０が好ましい。

Ｘ^ａ４２が酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す基（ａ−ｇ１）としては、以下の基等が挙げられる。以下の例示において、＊及び＊＊はそれぞれ結合手を表し、＊＊が−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^ａ４２との結合手である。

式（ａ４−１）で表される構造単位としては、式（ａ４−２）及び式（ａ４−３）で表される構造単位が好ましい。

［式（ａ４−２）中、
Ｒ^ｆ１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^ｆ１は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｒ^ｆ２は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］

Ａ^ｆ１のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、１−メチルブタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。

Ｒ^ｆ２の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含し、脂肪族炭化水素基は、鎖式、環式及びこれらの組合せることにより形成される基を含む。脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基が好ましい。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基及び２−エチルヘキシル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基は、単環式であってもよいし、多環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基が挙げられる。

Ｒ^ｆ２のフッ素原子を有する炭化水素基としては、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有する脂環式炭化水素基等が挙げられる。
フッ素原子を有するアルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、１−（トリフルオロメチル）−１，２，２，２−テトラフルオロエチル基、１−（トリフルオロメチル）−２，２，２−トリフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，２，２−テトラフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、１，１−ビス（トリフルオロ）メチル−２，２，２−トリフルオロエチル基、２−（ペルフルオロプロピル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロペンチル基、１，１−ビス（トリフルオロメチル）−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、２−（ペルフルオロブチル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロヘキシル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基等のフッ化アルキル基が挙げられる。
フッ素原子を有する脂環式炭化水素基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基、ペルフルオロアダマンチル基等のフッ化シクロアルキル基が挙げられる。

式（ａ４−２）におけるＡ^ｆ１としては、炭素数２〜４のアルカンジイル基が好ましく、エチレン基がより好ましい。
Ｒ^ｆ１としては、炭素数１〜６のフッ化アルキル基が好ましい。

［式（ａ４−３）中、
Ｒ^ｆ１１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^ｆ１１は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ａ^ｆ１３は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｘ^ｆ１２は、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ^ｆ１４は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
ただし、Ａ^ｆ１３及びＡ^ｆ１４の少なくとも１つは、フッ素原子を有する脂肪族炭化水素基を表す。］

Ａ^ｆ１１のアルカンジイル基としては、Ａ^ｆ１のアルカンジイル基と同様の基が挙げられる。

Ａ^ｆ１３の脂肪族炭化水素基は、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基、並びに、これらを組合せることにより形成される２価の脂肪族炭化水素基が包含される。この脂肪族炭化水素は、炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、好ましくは飽和の脂肪族炭化水素基である。
Ａ^ｆ１３のフッ素原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、好ましくはフッ素原子を有していてもよい脂肪族飽和炭化水素基が挙げられ、より好ましくはペルフルオロアルカンジイル基が挙げられる。
フッ素原子を有していてもよい２価の鎖式の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基及びペンタンジイル基等のアルカンジイル基；ジフルオロメチレン基、ペルフルオロエチレン基、ペルフルオロプロパンジイル基、ペルフルオロブタンジイル基及びペルフルオロペンタンジイル基等のペルフルオロアルカンジイル基等が挙げられる。
フッ素原子を有していてもよい２価の環式の脂肪族炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれを含む基でもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、シクロヘキサンジイル基及びペルフルオロシクロヘキサンジイル基等が挙げられる。多環式の２価の脂肪族炭化水素基としては、アダマンタンジイル基、ノルボルナンジイル基、ペルフルオロアダマンタンジイル基等が挙げられる。

Ａ^ｆ１４の脂肪族炭化水素基としては、鎖式及び環式のいずれか、並びに、これらが組合せることにより形成される脂肪族炭化水素基が包含される。この脂肪族炭化水素は、炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、好ましくは飽和の脂肪族炭化水素基である。
Ａ^ｆ１４のフッ素原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基は、好ましくはフッ素原子を有していてもよい脂肪族飽和炭化水素基である。
フッ素原子を有していてもよい鎖式の脂肪族炭化水素基としては、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，１−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，１，２，２−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペルフルオロヘキシル基、ヘプチル基、ペルフルオロヘプチル基、オクチル基及びペルフルオロオクチル基等が挙げられる。
フッ素原子を有していてもよい環式の脂肪族炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂肪族炭化水素基を含む基としては、シクロプロピルメチル基、シクロプロピル基、シクロブチルメチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ペルフルオロシクロヘキシル基が挙げられる。多環式の脂肪族炭化水素基を含む基としては、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチル基、ペルフルオロアダマンチル基、ペルフルオロアダマンチルメチル基等が挙げられる。

式（ａ４−３）において、Ａ^ｆ１１は、エチレン基であることが好ましい。
Ａ^ｆ１３の脂肪族炭化水素基は、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基であることが好ましく、炭素数２〜３の脂肪族炭化水素基であることがさらに好ましい。
Ａ^ｆ１４の脂肪族炭化水素基としては、炭素数３〜１２の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素数３〜１０の脂肪族炭化水素基がさらに好ましい。中でも、Ａ^ｆ１４は、好ましくは炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基を含む基であり、より好ましくはシクロプロピルメチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基である。

式（ａ４−２）で表される構造単位としては、式（ａ４−１−１）〜式（ａ４−１−２２）で表される構成単位が挙げられる。

式（ａ４−３）で表される構造単位としては、式（ａ４−１’−１）〜式（ａ４−１’−２２）でそれぞれ表される構造単位が挙げられる。

構造単位（ａ４）としては、式（ａ４−４）で表される構造単位も挙げられる。

［式（ａ４−４）中、
Ｒ^ｆ２１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^ｆ２１は、−（ＣＨ_２）_ｊ１−、−（ＣＨ_２）_ｊ２−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｊ３−又は−（ＣＨ_２）_ｊ４−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｊ５−を表す。
ｊ１〜ｊ５は、互いに独立に、１〜６の整数を表す。
Ｒ^ｆ２２は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］

Ｒ^ｆ２２のフッ素原子を有する炭化水素基としては、式（ａ４−２）におけるＲ^ｆ２の炭化水素基と同じものが挙げられる。Ｒ^ｆ２２は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０のアルキル基又はフッ素原子を有する炭素数１〜１０の脂環式炭化水素基であることが好ましく、フッ素原子を有する炭素数１〜１０のアルキル基であることがより好ましく、フッ素原子を有する炭素数１〜６のアルキル基であることがさらに好ましい。

式（ａ４−４）においては、Ａ^ｆ２１としては、−（ＣＨ_２）_ｊ１−が好ましく、エチレン基又はメチレン基がより好ましく、メチレン基がさらに好ましい。

式（ａ４−４）で表される構造単位としては、例えば、以下の構造単位が挙げられる。

樹脂（Ａ１）が、構造単位（ａ４）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位の合計に対して、１〜２０モル％であることが好ましく、２〜１５モル％であることがより好ましく、３〜１０モル％であることがさらに好ましい。

構造単位（ａ５）が有する非脱離炭化水素基としては、直鎖、分岐又は環状の炭化水素基が挙げられる。中でも、構造単位（ａ５）は、脂環式炭化水素基を含む基であることが好ましい。
構造単位（ａ５）としては、例えば、式（ａ５−１）で表される構造単位が挙げられる。

［式（ａ５−１）中、
Ｒ^５１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^５２は、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
但し、Ｌ^５５との結合位置にある炭素原子に結合する水素原子は、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基で置換されない。
Ｌ^５５は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。］

Ｒ^５２の脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、アダマンチル基及びノルボルニル基等が挙げられる。
炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基等のアルキル基が挙げられる。
置換基を有した脂環式炭化水素基としては、３−ヒドロキシアダマンチル基、３−メチルアダマンチル基などが挙げられる。
Ｒ^５２は、好ましくは無置換の炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基であり、より好ましくはアダマンチル基、ノルボルニル基又はシクロヘキシル基である。

Ｌ^５５の２価の飽和炭化水素基としては、２価の脂肪族飽和炭化水素基及び２価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、好ましくは２価の脂肪族飽和炭化水素基が挙げられる。
２価の脂肪族飽和炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基及びペンタンジイル基等のアルカンジイル基が挙げられる。
２価の脂環式飽和炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式飽和炭化水素基としては、シクロペンタンジイル基及びシクロヘキサンジイル基等のシクロアルカンジイル基が挙げられる。多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基としては、アダマンタンジイル基及びノルボルナンジイル基等が挙げられる。

飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、式（Ｌ１−１）〜式（Ｌ１−４）で表される基が挙げられる。下記式中、＊は酸素原子との結合手を表す。

［式（Ｌ１−１）中、
Ｘ^ｘ１は、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ｌ^ｘ１は、炭素数１〜１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｘ２は、単結合又は炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^ｘ１及びＬ^ｘ２の合計炭素数は、１６以下である。
式（Ｌ１−２）中、
Ｌ^ｘ３は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｘ４は、単結合又は炭素数１〜１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^ｘ３及びＬ^ｘ４の合計炭素数は、１７以下である。
式（Ｌ１−３）中、
Ｌ^ｘ５は、炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｘ６及びＬ^ｘ７は、互いに独立に、単結合又は炭素数１〜１４の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^ｘ５〜Ｌ^ｘ７の合計炭素数は、１５以下である。
式（Ｌ１−４）中、
Ｌ^ｘ８及びＬ^ｘ９は、単結合又は炭素数１〜１２の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｗ^ｘ１は、炭素数３〜１５の２価の脂環式飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^ｘ８、Ｌ^ｘ９及びＷ^ｘ１の合計炭素数は、１５以下である。］

Ｌ^ｘ１は、好ましくは炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、より好ましくはメチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^ｘ２は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合である。
Ｌ^ｘ３は、好ましくは炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｘ４は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｘ５は、好ましくは炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、より好ましくはメチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^ｘ６は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、より好ましくはメチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^ｘ７は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｘ８は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又はメチレン基である。
Ｌ^ｘ９は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、より好ましくは、単結合又はメチレン基である。
Ｗ^ｘ１は、好ましくは炭素数３〜１０の２価の脂環式飽和炭化水素基であり、より好ましくはシクロヘキサンジイル基又はアダマンタンジイル基である。

式（Ｌ１−１）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１−２）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１−３）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１−４）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

Ｌ^５５は、好ましくは、単結合又は式（Ｌ１−１）で表される基である。

構造単位（ａ５−１）としては、以下のもの等が挙げられる。

式（ａ５−１−１）〜式（ａ５−１−１８）において、Ｒ^５１に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位（ａ５−１）の具体例として挙げることができる。

樹脂（Ａ１）が、構造単位（ａ５）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位の合計に対して、１〜３０モル％であることが好ましく、２〜２０モル％であることがより好ましく、３〜１５モル％であることがさらに好ましい。

樹脂（Ａ１）においては、構造単位（ＩＩ）と構造単位（ａ１）の比率は、モル比で、好ましくは２〜１５：１０〜９８であり、より好ましくは３〜１２：２３〜９７である。
但し、樹脂（Ａ１）が、構造単位（ＩＩ）と構造単位（ａ１）からなる場合は、構造単位（ＩＩ）＋構造単位（ａ１）＝１００である。

樹脂（Ａ１）は、好ましくは構造単位（ＩＩ）と構造単位（ａ１）と構造単位（ｓ）とからなる樹脂、すなわち、モノマー（ＩＩ’）とモノマー（ａ１）とモノマー（ｓ）との共重合体である。
構造単位（ａ１）は、好ましくは構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）（好ましくはシクロヘキシル基、シクロペンチル基を有する該構造単位）のうちの少なくとも一種、より好ましくは構造単位（ａ１−１）である。
構造単位（ｓ）は、好ましくは構造単位（ａ２）及び構造単位（ａ３）のうちの少なくとも一種である。構造単位（ａ２）は、好ましくは式（ａ２−１）で表される構造単位である。構造単位（ａ３）は、好ましくは式（ａ３−１）で表される構造単位及び式（ａ３−２）で表される構造単位のうちの少なくとも一種である。

樹脂（Ａ１）は、アダマンチル基を有するモノマーに由来する構造単位（中でも、構造単位（ａ１−１））を、構造単位（ａ１）の含有量に対して１５モル％以上含有していることが好ましい。アダマンチル基を有する構造単位の含有量が増えると、レジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。

樹脂（Ａ１）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を組合せて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。樹脂（Ａ１）が有する各構造単位の含有率は、重合に用いるモノマーの使用量で調整できる。
樹脂（Ａ１）の重量平均分子量は、好ましくは２，０００以上（より好ましくは２，５００以上、さらに好ましくは３，０００以上）、５０，０００以下（より好ましくは３０，０００以下、さらに好ましくは１５，０００以下）である。
本明細書において、重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーは、実施例に記載の分析条件により測定することができる。

＜樹脂（Ａ２）＞
フッ素原子を有する構造単位を含み、かつ、酸不安定基を有する構造単位を含まない樹脂（Ａ２）としては、構造単位（ａ４）を含む樹脂（ただし、構造単位（ａ１）を含まない。）が好ましく、構造単位（ａ４−０）からなる樹脂がより好ましい。樹脂（Ａ２）において、構造単位（ａ４）の含有率は、樹脂（Ａ２）の全構造単位の合計に対して、４０モル％以上であることが好ましく、４５モル％以上であることがより好ましく、５０モル％以上であることがさらに好ましい。
樹脂（Ａ２）がさらに有していてもよい構造単位としては、構造単位（ａ２）、構造単位（ａ３）、構造単位（ａ５）及び当技術分野で周知の構造単位が挙げられる。
樹脂（Ａ２）の重量平均分子量は、好ましくは５，０００以上（より好ましくは６，０００以上）、８０，０００以下（より好ましくは６０，０００以下）である。
本発明のレジスト組成物が樹脂（Ａ２）を含む場合、その含有量は、樹脂（Ａ１）１００質量部に対して、好ましくは１〜６０質量部であり、より好ましくは１〜５０質量部であり、さらに好ましくは２〜４０質量部であり、とりわけ好ましくは２〜３０質量部である。

樹脂（Ａ１）と樹脂（Ａ２）との合計含有率は、レジスト組成物の固形分に対して、８０質量％以上９９質量％以下が好ましい。レジスト組成物の固形分及びこれに対する樹脂の含有率は、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定することができる。

＜酸発生剤（Ｂａ）＞
酸発生剤は、露光により酸を発生し、発生した酸が、触媒的に働き、樹脂（Ａ１）の酸により脱離する基を脱離させる。
酸発生剤（Ｂａ）は、３〜１８個のフッ素原子を有するアニオンを含む酸発生剤である。具体的には、オニウムカチオンを含むオニウム塩（例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩）が挙げられ、オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等が挙げられる。

酸発生剤（Ｂａ）は、好ましくは、環状構造を備え、３〜１８個のフッ素原子を有するアニオンを含む。フッ素原子は、環状構造に及び／又は環状構造以外の部分のいずれに有していてもよい。

酸発生剤（Ｂａ）は、式（Ｉ）で表される酸発生剤であることが好ましい。

［式（Ｉ）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^２は、炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
環Ｗは、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素環を表し、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の飽和炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。
Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のフッ化アルキル基を表す。
ｎは、１〜８の整数を表す。
Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。
ただし、式（Ｉ）のアニオン中に含まれるフッ素原子は３〜１８個である。］

式（Ｉ）において、正電荷を有するＺ^＋で示される有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものを「スルホン酸アニオン」ということがある。

Ｑ^１及びＱ^２で表される炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子であることが好ましく、ともにフッ素原子であることがより好ましい。

Ｌ^２で表される２価の飽和炭化水素基としては、アルカンジイル基、単環式又は多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち２種以上を組合せたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基、トリデカン−１，１３−ジイル基、テトラデカン−１，１４−ジイル基、ペンタデカン−１，１５−ジイル基、ヘキサデカン−１，１６−ジイル基及びヘプタデカン−１，１７−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基、ペンタン−２，４−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；
シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の２価の脂環式飽和炭化水素基；
ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。

Ｌ^２で表される２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基としては、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）のいずれかで表される基が挙げられる。なお、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）及び下記の具体例において、＊は−Ｗとの結合手を表す。

式（ｂ１−１）中、
Ｌ^ｂ２は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ３は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ２とＬ^ｂ３との炭素数合計は、２２以下である。
式（ｂ１−２）中、
Ｌ^ｂ４は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ５は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ４とＬ^ｂ５との炭素数合計は、２２以下である。
式（ｂ１−３）中、
Ｌ^ｂ６は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ７は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ６とＬ^ｂ７との炭素数合計は、２３以下である。

なお、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）においては、飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を該飽和炭化水素基の炭素数とする。
２価の飽和炭化水素基としては、Ｌ^b１の２価の飽和炭化水素基と同様のものが挙げられる。

Ｌ^ｂ２は、好ましくは単結合である。
Ｌ^ｂ３は、好ましくは炭素数１〜４のアルカンジイル基である。
Ｌ^ｂ４は、好ましくは炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ５は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ６は、好ましくは単結合又は炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ７は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。

中でも、式（ｂ１−１）又は式（ｂ１−３）で表される基が好ましい。

式（ｂ１−１）としては、式（ｂ１−４）〜式（ｂ１−８）でそれぞれ表される基が挙げられる。

式（ｂ１−４）中、
Ｌ^ｂ８は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
式（ｂ１−５）中、
Ｌ^ｂ９は、炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１０は、単結合又は炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ８、Ｌ^ｂ９及びＬ^ｂ１０の合計炭素数は２０以下である。
式（ｂ１−６）中、
Ｌ^ｂ１１は、炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１２は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ１１及びＬ^ｂ１２の合計炭素数は２１以下である。
式（ｂ１−７）中、
Ｌ^ｂ１３は、炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１４は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１５は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ１３、Ｌ^ｂ１４及びＬ^ｂ１５の合計炭素数は１９以下である。
式（ｂ１−８）中、
Ｌ^ｂ１６は、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１７は、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１８は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ１６、Ｌ^ｂ１７及びＬ^ｂ１８の合計炭素数は１９以下である。

Ｌ^ｂ８は、好ましくは炭素数１〜４のアルカンジイル基である。
Ｌ^ｂ９は、好ましくは炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１０は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１１は、好ましくは炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１２は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１３は、好ましくは炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１４は、好ましくは単結合又は炭素数１〜６の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１５は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１６は、好ましくは炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１７は、好ましくは炭素数１〜６の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１８は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基である。

式（ｂ１−３）としては、式（ｂ１−９）〜式（ｂ１−１１）でそれぞれ表される基が挙げられる。

式（ｂ１−９）中、
Ｌ^ｂ１９は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ２０は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアシルオキシ基に置換されていてもよい。該アシルオキシ基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該アシルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ１９及びＬ^ｂ２０の合計炭素数は２３以下である。
式（ｂ１−１０）中、
Ｌ^ｂ２１は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ２２は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ２３は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアシルオキシ基に置換されていてもよい。該アシルオキシ基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該アシルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ２１、Ｌ^ｂ２２及びＬ^ｂ２３の合計炭素数は２１以下である。
式（ｂ１−１１）中、
Ｌ^ｂ２４は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ２５は、炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ２６は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアシルオキシ基に置換されていてもよい。該アシルオキシ基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該アシルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ２４、Ｌ^ｂ２５及びＬ^ｂ２６の合計炭素数は２１以下である。

なお、式（ｂ１−９）から式（ｂ１−１１）においては、飽和炭化水素基に含まれる水素原子がアシルオキシ基に置換されている場合、アシルオキシ基の炭素数、エステル結合中のＣＯ及びＯの数をも含めて、該飽和炭化水素基の炭素数とする。

アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、アダマンチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
置換基を有するアシルオキシ基としては、オキソアダマンチルカルボニルオキシ基、ヒドロキシアダマンチルカルボニルオキシ基、オキソシクロヘキシルカルボニルオキシ基、ヒドロキシシクロヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。

式（ｂ１−１）で表される基のうち、式（ｂ１−４）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−１）で表される基のうち、式（ｂ１−５）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−１）で表される基のうち、式（ｂ１−６）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−１）で表される基のうち、式（ｂ１−７）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−１）で表される基のうち、式（ｂ１−８）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−２）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−３）で表される基のうち、式（ｂ１−９）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−３）で表される基のうち、式（ｂ１−１０）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−３）で表される基のうち、式（ｂ１−１１）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

スルホン酸アニオンとしては、下記のアニオンが挙げられる。

スルホン酸アニオンとしては、式（Ｉａ−２−１）〜式（Ｉａ−２−９）で表されるアニオンが好ましい。

Ｚ⁺で示される有機カチオンとしては、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及び有機ホスホニウムカチオン等の有機オニウムカチオンが挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。

中でも、式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）で表されるカチオン（以下、式番号に応じて「カチオン（ｂ２−１）」等という場合がある。）が好ましい。

［式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）において、
Ｒ^ｂ４〜Ｒ^ｂ６は、互いに独立に、炭素数１〜３０の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数２〜４のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換されていてもよい。
Ｒ^ｂ４とＲ^ｂ５とは、一緒になってそれらが結合する硫黄原子を含む環を形成してもよく、該環に含まれる−メチレン基は、酸素原子、スルフィニル基又はカルボニル基に置き換わってもよい。
Ｒ^ｂ７及びＲ^ｂ８は、互いに独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｍ２及びｎ２は、互いに独立に、０〜５の整数を表す。
ｍ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ７は同一であっても異なってもよく、ｎ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ８は同一であっても異なってもよい。
Ｒ^ｂ９及びＲ^ｂ１０は、互いに独立に、炭素数１〜３６の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ^ｂ９とＲ^ｂ１０とは、一緒になってそれらが結合する硫黄原子を含む環を形成してもよく、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、スルフィニル基又はカルボニル基に置き換わってもよい。
Ｒ^ｂ１１は、水素原子、炭素数１〜３６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^ｂ１２は、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素に含まれる水素原子は、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数１〜１２のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｒ^ｂ１１とＲ^ｂ１２とは、一緒になってそれらが結合する−ＣＨ−ＣＯ−を含む環を形成していてもよく、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルフィニル基又はカルボニル基に置き換わってもよい。
Ｒ^ｂ１３〜Ｒ^ｂ１８は、互いに独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｌ^ｂ３１は、硫黄原子又は酸素原子を表す。
ｏ２、ｐ２、ｓ２及びｔ２は、互いに独立に、０〜５の整数を表す。
ｑ２及びｒ２は、互いに独立に、０〜４の整数を表す。
ｕ２は、０又は１を表す。
ｏ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１３は同一であっても異なってもよく、ｐ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１４は同一であっても異なってもよく、ｑ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１５は同一であっても異なってもよく、ｒ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１６は同一であっても異なってもよく、ｓ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１７は同一であっても異なってもよく、ｔ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１８は同一であっても異なってもよい。］

脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基及び２−エチルヘキシル基のアルキル基が挙げられる。中でも、Ｒ^ｂ９〜Ｒ^ｂ１２の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜１２である。
脂環式炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基等が挙げられる。

中でも、Ｒ^ｂ９〜Ｒ^ｂ１２の脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜１８であり、より好ましくは４〜１２である。

水素原子が脂肪族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、メチルノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。水素原子が脂肪族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基においては、脂環式炭化水素基と脂肪族炭化水素基との合計炭素数が好ましくは２０以下である。

芳香族炭化水素基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ｐ−エチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−シクロへキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等のアリール基が挙げられる。
なお、芳香族炭化水素基に、脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基が含まれる場合は、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基及び炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基が好ましい。
水素原子がアルコキシ基で置換された芳香族炭化水素基としては、ｐ−メトキシフェニル基等が挙げられる。
水素原子が芳香族炭化水素基で置換された脂肪族炭化水素基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等のアラルキル基が挙げられる。

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基及びｎ−ドデシルオキシ基等が挙げられる。
アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びｎ−ブチリル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基及び２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。

Ｒ^ｂ４とＲ^ｂ５とが一緒になって形成する硫黄原子を含む環は、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環は、炭素数３〜１８の環であり、好ましくは炭素数４〜１８の環である。また、硫黄原子を含む環は、３員環〜１２員環であり、好ましくは３員環〜７員環であり、具体的には下記の環が挙げられる。

Ｒ^ｂ９とＲ^ｂ１０とが一緒になって形成する環は、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環は、３員環〜１２員環が挙げられ、好ましくは３員環〜７員環である。例えば、チオラン−１−イウム環（テトラヒドロチオフェニウム環）、チアン−１−イウム環、１，４−オキサチアン−４−イウム環等が挙げられる。
Ｒ^ｂ１１とＲ^ｂ１２とが一緒になって形成する環は、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環としては、３員環〜１２員環が挙げられ、好ましくは３員環〜７員環が挙げられ、具体的にはオキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環等が挙げられる。

カチオン（ｂ２−１）〜カチオン（ｂ２−４）の中でも、好ましくはカチオン（ｂ２−１）が挙げられ、より好ましくは式（Ｉ−ｃ）で表されるカチオンが挙げられる。

［式（ＩＩ）中、
Ｒ^ＩＩ３、Ｒ^ＩＩ４、Ｒ^ＩＩ５、Ｒ^ＩＩ６及びＲ^ＩＩ７は、互いに独立に、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基を表し、該アルキル基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
スルホニルカチオンを含む環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
ｒは、１〜３の整数を表す。
ｓは、０〜３の整数を表す。
Ｒ^ＩＩ８は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。ｓが２以上のとき、複数のＲ^ＩＩ８は、同一であっても異なってもよい。］

カチオン（ｂ２−１）としては、以下のカチオンが挙げられる。

カチオン（ｂ２−２）としては、以下のカチオンが挙げられる。

カチオン（ｂ２−３）としては、以下のカチオンが挙げられる。

カチオン（ｂ２−４）のとしては、以下のカチオンが挙げられる。

中でも、式（Ｉ−ｃ）で表されるカチオンであるカチオン（ｂ２−ｃ−２１）〜カチオン（ｂ２−ｃ−２７）が好ましい。

酸発生剤（Ｂａ）としては、表１及び表２に記載の酸発生剤が挙げられる。表１において、塩（Ｉ−１）は、以下に示す酸発生剤である。

酸発生剤（Ｂａ）としては、酸発生剤（Ｉ−２）、酸発生剤（Ｉ−３）、酸発生剤（Ｉ−６）、酸発生剤（Ｉ−７）、酸発生剤（Ｉ−７）、酸発生剤（Ｉ−１０）、酸発生剤（Ｉ−１１）、酸発生剤（Ｉ−１４）、酸発生剤（Ｉ−１５）、酸発生剤（Ｉ−１９）、酸発生剤（Ｉ−２０）、酸発生剤（Ｉ−２３）、酸発生剤（Ｉ−２４）、酸発生剤（Ｉ−２６）及び酸発生剤（Ｉ−２７）が好ましい。

酸発生剤（Ｂａ）の代表例である、上記式（Ｉ）で表される酸発生剤は、式（Ｉ−ａ）で表される塩と式（Ｉ−ｂ）で表される化合物とを、１，２−ジクロロエタンなどの溶剤中、ｐ−トルエンスルホン酸などの酸触媒条件下で反応させることにより得ることができる。反応は、−５℃〜８０℃の温度範囲で、０．５〜２４時間行うことが好ましい。

式（Ｉ−ａ）で表される塩は、特開２００７−２２４００８号公報に記載された方法で合成することができる。
式（Ｉ−ｂ）で表される化合物としては、２，２，３，３−テトラフルオロ−１，４−ブタンジオール等が挙げられる。

本発明のレジスト組成物は、酸発生剤（Ｂａ）に加えて、レジスト分野で公知の酸発生剤（以下「酸発生剤（Ｂ１）」という場合がある）を含有していてもよい。
酸発生剤（Ｂ１）は、非イオン系酸発生剤であってもよいし、イオン系酸発生剤であってもよい。非イオン系酸発生剤としては、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類（例えば２−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、Ｎ−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン ４−スルホネート）、スルホン類（例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン）等が挙げられる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩（例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩）等が挙げられる。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等が挙げられる。

酸発生剤（Ｂ１）としては、好ましくは式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−４０）でそれぞれ表されるものが挙げられる、中でもアリールスルホニウムカチオンを含む式（Ｂ１−１）、式（Ｂ１−２）、式（Ｂ１−３）、式（Ｂ１−５）、式（Ｂ１−６）、式（Ｂ１−７）、式（Ｂ１−１１）、式（Ｂ１−１２）、式（Ｂ１−１３）、式（Ｂ１−１４）、式（Ｂ１−１３）、式（Ｂ１−２０）、式（Ｂ１−２１）、式（Ｂ１−２３）、式（Ｂ１−２４）、式（Ｂ１−２５）、式（Ｂ１−２６）、式（Ｂ１−２９）、式（Ｂ１−３１）、式（Ｂ１−３２）、式（Ｂ１−３３）、式（Ｂ１−３４）、式（Ｂ１−３５）、式（Ｂ１−３６）、式（Ｂ１−３７）、式（Ｂ１−３８）、式（Ｂ１−３９）又は式（Ｂ１−４０）でそれぞれ表されるものがとりわけ好ましい。

酸発生剤（Ｂａ）と酸発生剤（Ｂ１）の合計含有量は、樹脂（Ａ１）１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上であり、より好ましくは３質量部以上であり、好ましくは４０質量部以下であり、より好ましくは３５質量部以下である。
本発明のレジスト組成物が酸発生剤（Ｂ１）を含む場合、酸発生剤（Ｂａ）と酸発生剤（Ｂ１）の含有量の比（酸発生剤（Ｂａ）：酸発生剤（Ｂ１））は、質量基準で、通常５：９５〜９５：５であり、好ましくは１０：９０〜９０：１０であり、より好ましくは１５：８５〜８５：１５である。
本発明のレジスト組成物は、酸発生剤（Ｂａ）及び酸発生剤（Ｂ１）のいずれも、１種を含有してもよく、複数種を含有してもよい。

＜溶剤（Ｅ）＞
溶剤（Ｅ）の含有率は、通常レジスト組成物中９０質量％以上であり、好ましくは９２質量％以上であり、より好ましくは９４質量％以上であり、通常９９．９質量％以下であり、好ましくは９９質量％以下である。溶剤（Ｅ）の含有率は、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。

溶剤（Ｅ）としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類；γ−ブチロラクトン等の環状エステル類；等が挙げられる。溶剤（Ｅ）は、１種を単独で含有してもよく、２種以上を含有してもよい。

＜クエンチャー（Ｃ）＞
クエンチャー（Ｃ）は、塩基性の含窒素有機化合物又は酸発生剤（Ｂａ）及び酸発生剤（Ｂ１）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩等が挙げられる。
塩基性の含窒素有機化合物としては、アミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。

アミンとしては、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン、ピペラジン、モルホリン、ピペリジン及び特開平１１−５２５７５号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、ピリジン、４−メチルピリジン、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、より好ましくは２，６−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。

酸発生剤（Ｂａ）及び酸発生剤（Ｂ１）から発生ずる酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩としては、下記式で表される塩、式（Ｄ）で表される弱酸分子内塩、並びに特開２０１２−２２９２０６号公報、特開２０１２−６９０８号公報、特開２０１２−７２１０９号公報、特開２０１１−３９５０２号公報及び特開２０１１−１９１７４５号公報記載の塩が挙げられる。好ましくは、式（Ｄ）で表される弱酸分子内塩（以下、「弱酸分子内塩（Ｄ）」と記す場合がある）である。
酸発生剤（Ｂａ）及び酸発生剤（Ｂ１）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩における酸性度は、酸解離定数（ｐＫａ）で示される。塩（Ｉ）及び酸発生剤（Ｂａ）及び酸発生剤（Ｂ１）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩は、該塩から発生する酸の酸解離定数が、通常−３＜ｐＫａの塩であり、好ましくは−１＜ｐＫａ＜７の塩であり、より好ましくは０＜ｐＫａ＜５の塩である。

［式（Ｄ）中、
Ｒ^Ｄ１及びＲ^Ｄ２は、互いに独立に、炭素数１〜１２の１価の炭化水素基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜７のアシルオキシ基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、ニトロ基又はハロゲン原子を表す。
ｍ’及びｎ’は、互いに独立に、０〜４の整数を表し、ｍ’が２以上の場合、複数のＲ^Ｄ１は同一であっても異なってもよく、ｎ’が２以上の場合、複数のＲ^Ｄ２は同一であっても異なってもよい。］

弱酸分子内塩（Ｄ）においては、Ｒ^Ｄ１及びＲ^Ｄ２の炭化水素基としては、１価の脂肪族炭化水素基、１価の脂環式炭化水素基、１価の芳香族炭化水素基及びこれらの組合せることにより形成される基等が挙げられる。
１価の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ノニル基等のアルキル基が挙げられる。
１価の脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよく、飽和及び不飽和のいずれでもよい。例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基等のシクロアルキル基、ノルボニル基、アダマンチル基等が挙げられる。
１価の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、アントリル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
これらを組合せることにより形成される基としては、アルキル−シクロアルキル基、シクロアルキル−アルキル基、アラルキル基（例えば、フェニルメチル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニル−１−プロピル基、１−フェニル−２−プロピル基、２−フェニル−２−プロピル基、３−フェニル−１−プロピル基、４−フェニル−１−ブチル基、５−フェニル−１−ペンチル基、６−フェニル−１−ヘキシル基等）等が挙げられる。

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
アシル基としては、アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基、シクロヘキサンカルボニル基等が挙げられる。
アシルオキシ基としては、上記アシル基にオキシ基（−Ｏ−）が結合した基等が挙げられる。
アルコキシカルボニル基としては、上記アルコキシ基にカルボニル基（−ＣＯ−）が結合した基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。

式（Ｄ）においては、Ｒ^Ｄ１及びＲ^Ｄ２としては、互いに独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数２〜４のアシルオキシ基、炭素数２〜４のアルコキシカルボニル基、ニトロ基又はハロゲン原子が好ましい。
ｍ’及びｎ’としては、互いに独立に、０〜２の整数が好ましく、０がより好ましい。
ｍ’が２以上の場合、複数のＲ^Ｄ１は同一であっても異なってもよく、ｎ’が２以上の場合、複数のＲ^Ｄ２は同一であっても異なってもよい。

弱酸分子内塩（Ｄ）としては、以下の化合物が挙げられる。

弱酸分子内塩（Ｄ）は、「Tetrahedron Vol. 45, No. 19, p6281-6296」に記載の方法で製造することができる。また、弱酸分子内塩（Ｄ）は、市販されている化合物を用いることができる。

クエンチャー（Ｃ）の含有率は、レジスト組成物の固形分中、好ましくは０．０１〜５質量％であり、より好ましく０．０１〜４質量％であり、さらに好ましく０．０１〜３質量％である。

＜その他の成分＞
レジスト組成物は、必要に応じて、上述の成分以外の成分（以下「その他の成分（Ｆ）」という場合がある。）を含有していてもよい。その他の成分（Ｆ）は、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。

〈レジスト組成物の調製〉
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ１）及び酸発生剤（Ｂａ）、並びに、必要に応じて用いられる樹脂（Ａ２）、酸発生剤（Ｂ１）、溶剤（Ｅ）、クエンチャー（Ｃ）及びその他の成分（Ｆ）を混合することにより調製することができる。混合順序は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、１０〜４０℃から、樹脂等の種類や樹脂等の溶剤（Ｅ）に対する溶解度等に応じて適切な温度を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、０．５〜２４時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合等を用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径０．００３〜０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。

〔レジストパターンの製造方法〕
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含む。

レジスト組成物を基板上に塗布するには、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。基板としては、シリコンウェハ等の無機基板が挙げられる。レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄してもよく、基板上に反射防止膜等が形成されていてもよい。

塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤を除去し、組成物層を形成する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること（いわゆるプリベーク）により行うか、あるいは減圧装置を用いて行う。加熱温度は、例えば、５０〜２００℃であることが好ましく、加熱時間は、例えば、１０〜１８０秒間であることが好ましい。また、減圧乾燥する際の圧力は、１〜１．０×１０^５Ｐａ程度であることが好ましい。

得られた組成物層に、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。露光光源としては、種々のものが使用できるが、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が好ましい。露光の際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源が電子線の場合は、マスクを用いずに直接描画により露光してもよい。

露光後の組成物層を、酸不安定基における脱保護反応を促進するために加熱処理（いわゆるポストエキスポジャーベーク）を行う。加熱温度は、通常５０〜２００℃程度、好ましくは７０〜１５０℃程度である。

加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は、例えば、５〜６０℃であることが好ましく、現像時間は、例えば、５〜３００秒間であることが好ましい。現像液の種類を以下のとおりに選択することにより、ポジ型レジストパターン又はネガ型レジストパターンを製造できる。

現像液としては、有機溶剤を含む現像液（以下「有機系現像液」という場合がある）が好ましい。有機系現像液を用いることにより、本発明のレジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造することができる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、２−ヘキサノン、２−ヘプタノン等のケトン溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル溶剤；酢酸ブチル等のエステル溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル溶剤；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド溶剤；アニソール等の芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、９０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、９５質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び２−ヘプタノンの合計含有率は、５０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、９０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。

現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。

＜用途＞
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物として好適であり電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物としてより好適であり、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物としてさらに好適であり、半導体の微細加工に有用である。

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量乃至使用量を表す「％」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで下記条件により求めた値である。
装置：ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型（東ソー社製）
カラム：TSKgel Multipore H_XL-M x 3 + guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ検出器
カラム温度：４０℃
注入量：１００μＬ
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）

また、化合物の構造は、質量分析（ＬＣはＡｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳはＡｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型）を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子ピークの値を「ＭＡＳＳ」で示す。

合成例１：式（Ｉ−２６）で表される酸発生剤の合成

特開２００８−２０９９１７号公報に記載された方法によって得られた式（Ｉ−２６−ｂ）で表される化合物１０．００部、式（Ｉ−２６−ａ）で表される塩１１．２６部、クロロホルム５０部及びイオン交換水２５部を仕込み、２３℃で１５時間攪拌した。得られた反応液が２層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水１５部を添加し、水洗した。この操作を５回繰り返した。クロロホルム層を濃縮し、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、ろ過することにより、式（Ｉ−２６−ｃ）で表される塩１１．７５部を得た。

式（Ｉ−２６−ｃ）で表される塩１１．７１部、式（Ｉ−２６−ｄ）で表される化合物１．７０部及びモノクロロベンゼン４６．８４部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。
得られた混合液に、二安息香酸銅（ＩＩ）０．１２部を添加し、更に、１００℃で３０分間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した。得られた残渣に、クロロホルム５０部及びイオン交換水１２．５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水１２．５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を８回繰り返した。得られた有機層を濃縮した。
得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル５０部を加えて攪拌し、ろ過することにより、式（Ｉ−２６−ｅ）で表される塩６．８４部を得た。

式（Ｉ−２６−ｅ）で表される塩４．９８部及びクロロホルム２５．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。その後、式（Ｉ−２６−ｆ）で表される化合物２．１７部及び硫酸０．０９部を添加し、６０℃で、１５時間還流攪拌した。得られた反応物を２３℃まで冷却し、イオン交換水１２０部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。その後、静置し、分液した。回収された有機層に、イオン交換水１２．５０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を７回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、アセトニトリル１０部を添加して溶解し、濃縮した。これに、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル４１．３５部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式（Ｉ−２６）で表される酸発生剤４．８４部を得た。

ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２３７．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４６７．１

合成例２：式（Ｉ−２２）で表される酸発生剤の合成

式（Ｉ−２２−ａ）で表される塩３００部及びクロロホルム７５０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。その後、式（Ｉ−２２−ｂ）で表される化合物９７．０７部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、濃縮した。得られた濃縮残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１４００部を加えて攪拌した後、ろ過することにより、式（Ｉ−２２−ｃ）で表される塩３４７．８６部を得た。

式（Ｉ−２２−ｃ）で表される塩３００部、式（Ｉ−２２−ｄ）で表される化合物６０．７８部及びクロロホルム１５００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、二酢酸銅（ＩＩ）１．１９部を添加し、更に、６０℃で５時間還流攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した。得られた濃縮残渣に、アセトニトリル５０部及びｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１２００部を加えて攪拌し、ろ過することにより、式（Ｉ−２２−ｅ）で表される塩２０１．９５部を得た。

式（Ｉ−２２−ｆ）で表される化合物１３０部、式（Ｉ−２２−ｇ）で表される化合物７３．８３部及びクロロホルム７８０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合溶液に、硫酸０．４６部を滴下し、６２℃で２４時間還流攪拌し、２３℃まで冷却した。得られた反応溶液にトリエチルアミン２．３部添加することにより、式（Ｉ−２２−ｈ）で表される塩１５１．５５部を含む溶液（純度１８．７％）を得た。

式（Ｉ−２２−ｈ）で表される塩１５１．５５部を含む溶液（純度１８．７％）５０部、式（Ｉ−２２−ｅ）で表される塩６２．５３部及び５％シュウ酸水２０４部を仕込み、２３℃で２時間攪拌し、分液した。回収された有機層に、イオン交換水２０４部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。その後、静置し、分液した。この水洗の操作を４回行った。
得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮残渣に、アセトニトリル２０部及びｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル８３０部を加えて攪拌した後、ろ過することにより、式（Ｉ−２２）で表される酸発生剤１０９．７６部を得た。

ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２３５．２
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４６７．１

合成例３：式（Ｉ−１８−ｄ）で表される酸発生剤の合成

式（Ｉ−１８−ａ）で表される塩５．６２部及びクロロホルム１６．８５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。その後、式（Ｉ−１８−ｂ）で表される化合物１．６５部を添加し、２３℃で１時間攪拌した。得られた反応物に、式（Ｉ−２２−ｈ）で表される塩１５１．５５部を含む溶液（純度１８．７％）４０部を仕込み、２３℃で３時間攪拌した。得られた反応物に、イオン交換水１６部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。その後、静置し、分液した。この水洗の操作を５回行った。得られた有機層を濃縮し、得られた濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル６５部を加えて攪拌し、ろ過することにより、式（Ｉ−１８−ｄ）で表される塩８．６７部を得た。

合成例４：式（Ｉ−１８）で表される酸発生剤の合成

式（Ｉ−１８−ｄ）で表される塩３．９１部、式（Ｉ−１８−ｅ）で表される化合物０．４４部、モノクロロベンゼン６部及びクロロホルム１６部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、二酢酸銅（ＩＩ）０．０１部を添加し、更に、７５℃で３時間還流攪拌した。得られた反応溶液を２３℃に冷却し、５％シュウ酸水８部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。その後、静置し、分液した。得られた有機層に、イオン交換水８部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。その後、静置し、分液した。この水洗の操作を４回行った。得られた有機層を濃縮し、得られた濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル８部及びｎ−ヘプタン３３部を加えて攪拌し、ろ過することにより、式（Ｉ−１８）で表される酸発生剤２．７７部を得た。

ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２２１．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４６７．１

合成例５：式（Ｉ−２３）で表される酸発生剤の合成

式（Ｉ−２３−ａ）で表される塩２．７６部、式（Ｉ−２３−ｂ）で表される化合物２．１２部及びクロロホルム２８．３５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合溶液に、硫酸０．０１部を添加し、６０℃で２０時間還流攪拌し、２３℃まで冷却した。得られた反応溶液に、イオン交換水１８部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。その後、静置し、分液した。この水洗の操作を４回行い、式（Ｉ−２３−ｃ）で表される塩を含む有機層を得た。

式（Ｉ−２３−ｃ）で表される塩を含む有機層に、式（Ｉ−２３−ｄ）で表される塩２．５４部及び５％シュウ酸水１４．１８部を仕込み、２３℃で４時間攪拌し、分液した。
回収された有機層に、イオン交換水１４部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。その後、静置し、分液した。この水洗の操作を４回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮残渣に、アセトニトリル１３部及びｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２５部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式（Ｉ−２３）で表される酸発生剤２．９４部を得た。

ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２３５．２
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５１７．１

合成例６：式（Ｉ−５７）で表される酸発生剤の合成

式（Ｉ−５７−ｂ）で表される塩５．６０部、クロロホルム２４部、式（Ｉ−５７−ａ）で表される塩３．５５部及びアセトニトリル４．８８部を仕込み、２３℃で７２時間攪拌した。得られた反応液に、イオン交換水８．５部を添加し、水洗した。この操作を５回繰り返した。回収された有機層を濃縮し、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、ろ過することにより、式（Ｉ−５７）で表される酸発生剤１１．７５部を得た。

ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２２１．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４６７．１

合成例７：式（Ｉ−６１）で表される酸発生剤の合成

式（Ｉ−６１−ａ）で表される塩を、特開２００７−２２４００８号公報に記載された方法で合成した。
式（Ｉ−６１−ａ）で表される塩１０．００部及び１，２−ジクロロエタン４０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。その後、式（Ｉ−６１−ｂ）で表される化合物５．５３部及びｐ−トルエンスルホン酸０．３０部を添加し、１００℃で、３時間還流攪拌した。得られた反応物を２３℃まで冷却し、クロロホルム１２０．００部及び８．７％炭酸水素ナトリウム水溶液３５．３９部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。その後、静置し、分液した。回収された有機層に、イオン交換水１２０部を仕込み２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を７回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、アセトニトリル２０部を添加して溶解し、濃縮した。これに、アセトニトリル８．１４部及びｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル４８．８４部を加えて攪拌し、２３℃で１時間攪拌し、ろ過して、式（Ｉ−６１）で表される酸発生剤８．２５部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４６７．１

合成例８：式（Ｉ−６５）で表される酸発生剤の合成

式（Ｉ−６５−ｂ）で表される塩を、特開２００８−９４８３５号公報に記載された方法で合成した。
式（Ｉ−６５−ａ）で表される塩１７．５０部、式（Ｉ−６５−ｂ）で表される塩２５．００部(純度：９０．８％)、クロロホルム１２５．００部及びイオン交換水４１．６７部を仕込み、２３℃で１２時間攪拌し、分液を行った。回収された有機層に、イオン交換水３１．２５部を仕込み、攪拌、分液を行った。この水洗を９回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル５０部を添加して溶解し、濃縮し、得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１７３．１３部を加えて攪拌し、ろ過することにより、式（Ｉ−６５−ｃ）で表される塩２８．４２部を得た。

式（Ｉ−６５−ｃ）で表される塩１０．７２部及び１，２−ジクロロエタン４２．８８部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。その後、式（Ｉ−６５−ｄ）で表される化合物５．５３部及びｐ−トルエンスルホン酸０．３０部を添加し、１００℃で、３時間還流攪拌した。得られた反応物を２３℃まで冷却し、クロロホルム１２０．００部及び８．７％炭酸水素ナトリウム水溶液３５．３９部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。その後、静置し、分液した。回収された有機層に、イオン交換水１２０部を仕込み２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を７回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、アセトニトリル２０部を添加して溶解し、濃縮した。これに、アセトニトリル９．１２部及びｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル５４．７２部を加えて攪拌し、２３℃で１時間攪拌し、ろ過して、式（Ｉ−６５）で表される酸発生剤８．４９部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３０５．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４６７．１

合成例９：式（Ｂ１−２１）で表される酸発生剤の合成

特開２００８−２０９９１７号公報に記載された方法によって得られた式（Ｂ１−２１−ｂ）で表される化合物３０．００部、式（Ｂ１−２１−ａ）で表される塩３５．５０部、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、２３℃で１５時間攪拌した。
得られた反応液が２層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、クロロホルム層にイオン交換水３０部を添加し、水洗した。この操作を５回繰り返した。
クロロホルム層を濃縮し、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１００部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、ろ過することにより、式（Ｂ１−２１−ｃ）で表される塩４８．５７部を得た。

式（Ｂ１−２１−ｃ）で表される塩２０．００部、式（Ｂ１−２１−ｄ）で表される化合物２．８４部及びモノクロロベンゼン２５０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。
得られた混合液に、二安息香酸銅（ＩＩ）０．２１部を添加し、更に、１００℃で１時間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮し、得られた残渣に、クロロホルム２００部及びイオン交換水５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮し、得られた残渣に、アセトニトリル５３．５１部に溶解し、濃縮し、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１１３．０５部を加えて攪拌し、ろ過することにより、式（Ｂ１−２１）で表される酸発生剤１０．４７部を得た。

ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２３７．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３３９．１

合成例１０：式（Ｂ１−２２）で表される酸発生剤の合成

式（Ｂ１−２２−ａ）で表される塩１１．２６部、式（Ｂ１−２２−ｂ）で表される化合物１０．００部、クロロホルム５０部及びイオン交換水２５部を仕込み、２３℃で１５時間攪拌した。得られた反応液が２層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、クロロホルム層にイオン交換水１５部を添加し、水洗した。この操作を５回繰り返した。クロロホルム層を濃縮し、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、ろ過することにより、式（Ｂ１−２２−ｃ）で表される塩１１．７５部を得た。

式（Ｂ１−２２−ｃ）で表される塩１１．７１部、式（Ｂ１−２２−ｄ）で表される化合物１．７０部及びモノクロロベンゼン４６．８４部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅（ＩＩ）０．１２部を添加し、更に、１００℃で３０分間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮し、得られた残渣に、クロロホルム５０部及びイオン交換水１２．５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水１２．５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を８回繰り返した。得られた有機層を濃縮し、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル５０部を加えて攪拌し、ろ過することにより、式（Ｂ１−２２）で表される酸発生剤６．８４部を得た。

ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２３７．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３２３．０

樹脂の合成
樹脂の合成において使用した化合物（モノマー）を下記に示す。

以下、これらのモノマーを式番号に応じて「モノマー（ａ１−１−２）」等という。

合成例１１〔樹脂Ａ１−１の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−３）、モノマー（ａ１−２−９）、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−２−１）及びモノマー（ＩＩ´−１）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−３）：モノマー（ａ１−２−９）：モノマー（ａ２−１−１）：モノマー（ａ３−２−１）：モノマー（ＩＩ´−１）〕が１８．５：１８．５：５：５５：３となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．９×１０^３の樹脂Ａ１−１を収率７８％で得た。この樹脂Ａ１−１は、以下の構造単位を有するものである。

合成例１２〔樹脂Ａ１−２の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−２）、モノマー（ａ２−１−１）及びモノマー（ａ３−１−１）及びモノマー（ＩＩ´−１）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−２）：モノマー（ａ２−１−１）：モノマー（ａ３−１−１）：モノマー（ＩＩ´−１）〕が５０：１５：２５：１０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７３℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量８．５×１０^３の樹脂Ａ１−２を収率８８％で得た。この樹脂Ａ１−２は、以下の構造単位を有するものである。

合成例１３〔樹脂Ａ１−３の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−３）、モノマー（ａ１−２−１１）、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−２−１）及びモノマー（ＩＩ´−１）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−３）：モノマー（ａ１−２−１１）：モノマー（ａ２−１−１）：モノマー（ａ３−２−１）：モノマー（ＩＩ´−１）〕が１８．５：１８．５：５：５５：３となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を、メタノール／水混合溶媒中でリパルプした後、ろ過することにより、重量平均分子量８．０×１０^３の樹脂Ａ１−３を収率６５％で得た。この樹脂Ａ１−３は、以下の構造単位を有するものである。

合成例１４〔樹脂Ａ１−４の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−３）、モノマー（ａ１−２−１１）、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−２−１）及びモノマー（ＩＩ´−６）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−３）：モノマー（ａ１−２−１１）：モノマー（ａ２−１−１）：モノマー（ａ３−２−１）：モノマー（ＩＩ´−６）〕が１８．５：１８．５：５：５５：３となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を、メタノール／水混合溶媒中でリパルプした後、ろ過することにより、重量平均分子量８．２×１０^３の樹脂Ａ１−４を収率６６％で得た。この樹脂Ａ１−４は、以下の構造単位を有するものである。

合成例１５〔樹脂Ａ１−５の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−３）、モノマー（ａ１−２−１１）、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−２−１）及びモノマー（ＩＩ´−８）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−３）：モノマー（ａ１−２−１１）：モノマー（ａ２−１−１）：モノマー（ａ３−２−１）：モノマー（ＩＩ´−８）〕が１８．５：１８．５：５：５５：３となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を、メタノール／水混合溶媒中でリパルプした後、ろ過することにより、重量平均分子量８．４×１０^３の樹脂Ａ１−５を収率６３％で得た。この樹脂Ａ１−５は、以下の構造単位を有するものである。

合成例１６〔樹脂Ａ１−６の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−３）、モノマー（ａ１−２−１１）、モノマー（ａ３−２−１）及びモノマー（ＩＩ´−１）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−３）：モノマー（ａ１−２−１１）：モノマー（ａ３−２−１）：モノマー（ＩＩ´−１）〕が１８．５：１８．５：６０：３となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を、メタノール／水混合溶媒中でリパルプした後、ろ過することにより、重量平均分子量７．６×１０^３の樹脂Ａ１−６を収率６４％で得た。この樹脂Ａ１−６は、以下の構造単位を有するものである。

合成例１７〔樹脂Ａ１−７の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−３）、モノマー（ａ１−２−１１）、モノマー（ａ３−２−１）及びモノマー（ＩＩ´−６）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−３）：モノマー（ａ１−２−１１）：モノマー（ａ３−２−１）：モノマー（ＩＩ´−６）〕が１８．５：１８．５：６０：３となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を、メタノール／水混合溶媒中でリパルプした後、ろ過することにより、重量平均分子量７．８×１０^３の樹脂Ａ１−７を収率６２％で得た。この樹脂Ａ１−７は、以下の構造単位を有するものである。

合成例１８〔樹脂Ａ１−８の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−３）、モノマー（ａ１−２−１１）、モノマー（ａ３−２−１）及びモノマー（ＩＩ´−８）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−３）：モノマー（ａ１−２−１１）：モノマー（ａ３−２−１）：モノマー（ＩＩ´−８）〕が１８．５：１８．５：６０：３となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を、メタノール／水混合溶媒中でリパルプした後、ろ過することにより、重量平均分子量８．１×１０^３の樹脂Ａ１−８を収率５９％で得た。この樹脂Ａ１−８は、以下の構造単位を有するものである。

合成例１９〔樹脂Ａ２−１の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ５−１−１）及びモノマー（ａ４−０−１２）を用い、そのモル比（モノマー（ａ５−１−１）：モノマー（ａ４−０−１２））が５０：５０となるように混合し、全モノマー量の０．６質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して３ｍｏｌ％添加し、７０℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量１．５×１０^４の樹脂Ａ２−１を収率８８％で得た。この樹脂Ａ２−１は、以下の構造単位を有するものである。

合成例２０：樹脂Ｘ１の合成
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−２）、モノマー（ａ２−１−１）及びモノマー（ａ３−１−１）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−２）：モノマー（ａ２−１−１）：モノマー（ａ３−１−１）〕が５０：２５：２５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量８．８×１０^３の樹脂Ｘ１を収率７８％で得た。この樹脂Ｘ１は、以下の構造単位を有するものである。

＜レジスト組成物の調製＞
以下に示す成分の各々を表２に示す質量部で溶剤に溶解し、さらに孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。

＜樹脂＞
Ａ１−１〜Ａ１−８、Ａ２−１、Ｘ１：樹脂Ａ１−１〜樹脂Ａ１−８、樹脂Ａ２−１、樹脂Ｘ１
＜酸発生剤＞
Ｉ−２６：式（Ｉ−２６）で表される酸発生剤
Ｉ−２２：式（Ｉ−２２）で表される酸発生剤
Ｉ−１８：式（Ｉ−１８）で表される酸発生剤
Ｉ−２３：式（Ｉ−２３）で表される酸発生剤
Ｉ−５７：式（Ｉ−５７）で表される酸発生剤
Ｉ−６１：式（Ｉ−６１）で表される酸発生剤
Ｉ−６５：式（Ｉ−６５）で表される酸発生剤
Ｉ−１８−ｄ：式（Ｉ−１８−ｄ）で表される酸発生剤
Ｂ１−２１：式（Ｂ１−２１）で表される酸発生剤
Ｂ１−２２：式（Ｂ１−２２）で表される酸発生剤
Ｂ１−６：下記式で表される酸発生剤（特開２００７−２２４００８号公報を参考に合成）

＜化合物（Ｄ）＞
Ｄ１：（東京化成工業（株）製）

＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ２６５部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ２０部
２−ヘプタノン ２０部
γ−ブチロラクトン ３．５部

＜残渣評価＞
１２インチのシリコンウェハ上に、有機反射防止膜用組成物［ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製］を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、厚さ７８ｎｍの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥（プリベーク）後の組成物層の膜厚が８５ｎｍとなるようにスピンコートした。レジスト組成物が塗布されたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表２の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間プリベークして、シリコンウェハ上に組成物層を形成した。シリコンウェハ上に形成された組成物層に、液浸露光用ＡｒＦエキシマレーザステッパー［ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１.３５、Ｄｉｐｏｌｅ０．９００／０．７００ Ｙ−ｐｏｌ．照明］で、トレンチパターン（ピッチ１２０ｎｍ／トレンチ幅４０ｎｍ）を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、ホットプレート上にて、表２の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行った。次いで、加熱後の組成物層を、現像液として酢酸ブチル（東京化成工業（株）製）を用いて、２３℃で２０秒間ダイナミックディスペンス法によって現像を行うことにより、ネガ型レジストパターンを製造した。

得られたレジストパターンにおいて、トレンチパターンの線幅が４０ｎｍとなる露光量を実効感度とした。

実効感度において製造された、上記トレンチパターンを走査型電子顕微鏡で観察した。
未露光部の現像液で溶解された基板上を観察し、残渣が見られないものを○、残渣が見られるものを×とした。結果を表３に示す。

＜マスクエラーファクター（ＭＥＦ）評価＞
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物（ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製）を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、ウェハ上に膜厚７８ｎｍの有機反射防止膜を形成した。次いで、この有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が８５ｎｍとなるように塗布（スピンコート）した。塗布後、シリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表２の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間プリベークし、組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ＡｒＦエキシマステッパー（ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１．３５、３／４Ａｎｎｕｌａｒ Ｘ−Ｙ偏光）で、コンタクトホールパターン（ホールピッチ９０ｎｍ／ホール径５５ｎｍ）を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表２の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行った。次いで、このシリコンウェハ上の組成物層を、現像液として酢酸ブチル（東京化成工業（株）製）を用いて、２３℃で２０秒間ダイナミックディスペンス法によって現像を行うことにより、ネガ型レジストパターンを製造した。

現像後に得られたレジストパターンにおいて、前記マスクを用いて形成したホール径が４５ｎｍとなる露光量を実効感度とした。

実効感度において、マスクホール径（マスクが有する透光部のホール径）がそれぞれ５７ｎｍ、５６ｎｍ、５５ｎｍ、５４ｎｍ、５３ｎｍ（ホールピッチはいずれも９０ｎｍ）のマスクを用いて、レジストパターンを形成した。マスクホール径を横軸に、露光によって基板に形成（転写）されたレジストパターンのホール径を縦軸にプロットした時の回帰直線の傾きをＭＥＦ値として算出した。
ＭＥＦ値が、５．５以下のものを、ＭＥＦが良好であると評価して、○と、
ＭＥＦ値が、５．５を超えるものを、ＭＥＦが良好でないと評価して、×とした。
その結果を表３に示す。括弧内の数値はＭＥＦ値を示す。

上記の結果から、本発明のレジスト組成物によれば、残渣が生じず、良好なマスクエラーファクター（ＭＥＦ）でレジストパターンを製造できることがわかる。

本発明のレジスト組成物は、得られるレジストパターンに残渣が生じず、良好なマスクエラーファクター（ＭＥＦ）でレジストパターンを製造することができため、半導体の微細加工に好適である。

Claims (5)

1. 式（ＩＩ）で表される構造単位及び酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂（Ａ１）と、３〜１８個のフッ素原子を有するアニオンを含む、式（Ｉ）で表される酸発生剤とを含有するレジスト組成物。
   

   

   
   ［式（ＩＩ）中、
   Ｒ²は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
   Ｌ¹は、単結合又は＊−Ｌ²−ＣＯ−Ｏ−（Ｌ³−ＣＯ−Ｏ）_g−を表す。＊は、酸素原子との結合手を表す。
   Ｌ²及びＬ³は、互いに独立に、炭素数１〜１２の２価の炭化水素基を表す。
   ｇは、０又は１を表す。
   Ｒ³は、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基を表す。ただし、第３級アルキル基を除く。］
   

   

   
   ［式（Ｉ）中、
   Ｑ¹及びＱ²は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
   Ｌ²は、炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
   環Ｗは、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素環を表し、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の飽和炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。
   Ｒ^f1及びＲ^f2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のフッ化アルキル基を表す。
   ｎは、１〜８の整数を表す。
   Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。
   ただし、式（Ｉ）のアニオン中に含まれるフッ素原子は３〜１８個である。］
2. 式（ＩＩ）で表される構造単位及び酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂（Ａ１）と、３〜１８個のフッ素原子を有するアニオンを含む酸発生剤（Ｂａ）と、該酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱いカルボン酸を発生する分子内塩とを含有するレジスト組成物。
   

   

   
   ［式（ＩＩ）中、
   Ｒ²は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
   Ｌ¹は、単結合又は＊−Ｌ²−ＣＯ−Ｏ−（Ｌ³−ＣＯ−Ｏ）_g−を表す。＊は、酸素原子との結合手を表す。
   Ｌ²及びＬ³は、互いに独立に、炭素数１〜１２の２価の炭化水素基を表す。
   ｇは、０又は１を表す。
   Ｒ³は、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基を表す。ただし、第３級アルキル基を除く。］
3. Ｌ¹が、単結合である請求項１又は２記載のレジスト組成物。
4. Ｒ³が、炭素数２〜８の直鎖のアルキル基である請求項１〜３のいずれかに記載のレジスト組成物。
5. フッ素原子を有する構造単位を含み、かつ、酸不安定基を有する構造単位を含まない樹脂（Ａ２）をさらに含有する請求項１〜４のいずれかに記載のレジスト組成物。