JP6858235B2

JP6858235B2 - 照明装置

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Publication number: JP6858235B2
Application number: JP2019193338A
Authority: JP
Inventors: 登瀧澤; 中山　昌昭; 中山　　昌昭
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2019-10-24
Filing date: 2019-10-24
Publication date: 2021-04-14
Anticipated expiration: 2034-12-12
Also published as: JP2020013800A

Description

本発明は、複数の発光素子で構成された照明装置に関する。

近年、照明装置のデザインの多様化に伴い、例えば特許文献１や特許文献２に開示のように、電源供給回路に互いに並列に接続された複数の発光素子群の各々が互いに異なる数の発光素子を有している照明装置が知られている。

特開２０１０−２２５４１３号公報特開２００８−７７９４４号公報

上記のような従来の照明装置においては、各発光素子群間で発光に必要な発光基準電圧が異なる場合があり、例えば該照明装置を駆動させるための電源の立ち上がり時や立ち下り時など電源供給回路から供給される電圧が十分なレベルでない場合には、各発光素子群の発光素子の発光や消灯のタイミングがばらついてしまう場合があった。照明装置における各発光素子群の発光や消灯のタイミングがばらつくと、美観を損ね、また、例えば該照明装置が車載のエクステリアランプとして用いられる場合には不鮮明な点灯となってしまい事故につながるおそれもあるため問題となっていた。

本発明は、電源供給回路に対して互いに並列に接続された複数の発光素子群の発光又は消灯のタイミングのばらつきを防止する照明装置を提供する。

本発明にかかる照明装置は、駆動電圧を供給する電源供給回路と、前記駆動電圧に基づく第１の発光電圧が第１の発光基準電圧以上にて印加された場合に第１の発光電流が流れて発光する複数の互いに直列に接続された第１の発光素子を備えた第１の発光素子群と、前記駆動電圧に基づく第２の発光電圧が前記第１の発光基準電圧よりも高い第２の発光基準電圧にて印加された場合に第２の発光電流が流れて発光する複数の互いに直列に接続された第２の発光素子を備えた第２の発光素子群と、を備えて前記第２の発光基準電圧に基づく発光基準電圧以上の発光電圧が印加された場合に発光する発光素子群と、前記駆動電圧と前記発光基準電圧との大小関係を検出し、前記駆動電圧が前記発光基準電圧よりも大きい場合には前記発光素子群を発光させる発光制御を行い、前記駆動電圧が前記発光基準電圧よりも小さい場合には前記発光素子群の発光を停止させる発光停止制御を行う第１の発光制御部を備えて、前記第１の発光素子群と接続された第１の半導体チップと、前記駆動電圧と前記発光基準電圧との大小関係を検出し、前記駆動電圧が前記発光基準電圧よりも大きい場合には前記発光素子群を発光させる発光制御を行い、前記駆動電圧が前記発光基準電圧よりも小さい場合には前記発光素子群の発光を停止させる発光停止制御を行う第２の発光制御部を備えて、前記第１の半導体チップおよび前記第２の発光素子群と接続された第２の半導体チップと、を有する。

本発明にかかる照明装置によれば、電源供給回路に対して互いに並列に接続された複数の発光素子群の発光又は消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

本発明の第１の実施形態にかかる照明装置１０を示した図である。照明装置１０を駆動させるための電源の立ち上がりから立下りまでの間における各信号波形の遷移を示した図である。本発明の第１の実施形態の第１の変形例にかかる照明装置１０ａを示した図である。本発明の第１の実施形態の第２の変形例にかかる照明装置１０ｂを示した図である。本発明の第２の実施形態にかかる照明装置２０を示した図である。照明装置２０を駆動させるための電源の立ち上がりから立下りまでの間における各信号波形の遷移を示した図である。本発明の第２の実施形態の第１の変形例にかかる照明装置２０ａを示した図である。本発明の第３の実施形態にかかる照明装置３０を示した図である。照明装置３０を駆動させるための電源の立ち上がりから立下りまでの間における各信号波形の遷移を示した図である。本発明の第３の実施形態の第１の変形例にかかる照明装置３０ａを示した図である。本発明の第３の実施形態の第２の変形例にかかる照明装置３０ｂを示した図である。本発明の第３の実施形態の第３の変形例にかかる照明装置３０ｃを示した図である。本発明の第４の実施形態にかかる照明装置４０を示した図である。本発明の第４の実施形態の第１の変形例にかかる照明装置４０ａを示した図である。本発明の第４の実施形態の第２の変形例にかかる照明装置４０ｂを示した図である。本発明の第４の実施形態の第３の変形例にかかる照明装置４０ｃを示した図である。本発明の第４の実施形態の第４の変形例にかかる照明装置４０ｄを示した図である。本発明の第４の実施形態の第５の変形例にかかる照明装置４０ｅを示した図である。本発明の第４の実施形態の第６の変形例にかかる照明装置４０ｆを示した図である。本発明の第４の実施形態の第７の変形例にかかる照明装置４０ｇを示した図である。本発明の第４の実施形態の第８の変形例にかかる照明装置４０ｈを示した図である。本発明の第４の実施形態の第９の変形例にかかる照明装置４０ｉを示した図である。本発明の第４の実施形態の第１０の変形例にかかる照明装置４０ｊを示した図である。本発明の第４の実施形態の第１１の変形例にかかる照明装置４０ｋを示した図である。本発明の第５の実施形態にかかる照明装置５０を示した図である。本発明の第５の実施形態の第１の変形例にかかる照明装置５０ａを示した図である。本発明の第５の実施形態の第２の変形例にかかる照明装置５０ｂを示した図である。本発明の第５の実施形態の第３の変形例にかかる照明装置５０ｃを示した図である。本発明の第５の実施形態の第４の変形例にかかる照明装置５０ｄを示した図である。本発明の第５の実施形態の第５の変形例にかかる照明装置５０ｅを示した図である。

以下、図面を参照して本発明の実施形態につき説明する。なお、以下で説明する数値や回路等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜選択可能である。

［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる照明装置１０を示した図である。照明装置１０は、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳと、発光制御部ＨＣと、を備えている。照明装置１０は、例えばヘッドランプ、ウインカー、ハザードランプ、ブレーキランプなどの車載のエクステリアランプとして用いられるものであるが、これに限られない。

電源供給回路ＶＳは、例えば１２Ｖの駆動電圧Ｖｋを出力する。また、電源供給回路ＶＳは、駆動電圧Ｖｋの供給先の負荷に応じた大きさの電流値を備えた駆動電流Ｉｋを供給可能である。

発光素子群ＨＳは、発光素子群ＨＳ１と、発光素子群ＨＳ２と、を備えている。発光素子群ＨＳは、駆動電圧Ｖｋが供給される負荷である。

発光素子群ＨＳ１は、互いに直列に接続された複数の発光素子ＨＳ１ａと、抵抗素子Ｒｈ１と、を備えている。発光素子ＨＳ１ａは、ＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）であり、自発光素子である。発光素子群ＨＳ１の一端としての発光素子ＨＳ１ａのカソードは、抵抗素子Ｒｈ１の一端と接続されている。抵抗素子Ｒｈ１の他端は、駆動電圧Ｖｋよりも電位が低い例えば０Ｖの第１の電源としての電源ＶＳＳに接続されている。なお、発光素子ＨＳ１ａとしては、ＬＥＤに限られず、発光ポリマーなど自発光素子としての有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子全般も適用可能である。

発光素子群ＨＳ１は、駆動電圧Ｖｋに基づく発光電圧Ｖｈ１が発光基準電圧ＶＨ１以上にて自己の他端としての発光素子ＨＳ１ａのアノードに印加されて、発光電流Ｉｈ１が発光素子ＨＳ１ａの各々に流れると発光する。なお、発光電流Ｉｈ１の電流値は、抵抗素子Ｒｈ１の抵抗値に基づいて決まる。また、発光素子ＨＳ１ａは、各々が内部抵抗を備えており、発光素子ＨＳ１ａひとつ当たりの順方向電圧は例えば２Ｖであるとする。

ここで、本実施形態において発光素子群ＨＳ１が発光するための発光基準電圧ＶＨ１は、発光素子群ＨＳ１が互いに直列に接続された順方向電圧が２Ｖの発光素子ＨＳ１ａを３つ備えていることから、例えば６Ｖとなる。すなわち、発光素子群ＨＳ１が発光するためには、他端の発光素子ＨＳ１ａのアノードに印加される発光電圧Ｖｈ１が６Ｖ以上である必要がある。

ここで、「発光素子群ＨＳ１の他端としての発光素子ＨＳ１ａのアノード」をノードＮｈ１と称し、「発光素子群ＨＳ１の一端としての発光素子ＨＳ１ａのカソード」をノードＮｈ１ａと称する。また、「発光電流Ｉｈ１が発光素子ＨＳ１ａの各々に流れる」ことを、「発光電流Ｉｈ１が発光素子群ＨＳ１に流れる」と記載する。

発光素子群ＨＳ２は、互いに直列に接続された複数の発光素子ＨＳ２ａと、抵抗素子Ｒｈ２と、を備えている。発光素子ＨＳ２ａは、ＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）であり、自発光素子である。発光素子群ＨＳ２の一端としての発光素子ＨＳ２ａのカソードは、抵抗素子Ｒｈ２の一端と接続されている。抵抗素子Ｒｈ２の他端は電源ＶＳＳに接続されている。なお、発光素子ＨＳ２ａとしては、ＬＥＤに限られず自発光素子としての有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子全般も適用可能であり、これに限られない。

発光素子群ＨＳ２は、駆動電圧Ｖｋに基づく発光電圧Ｖｈ２が発光基準電圧ＶＨ１よりも高い発光基準電圧ＶＨ２以上にて自己の他端としての発光素子ＨＳ２ａのアノードに印加されて、発光電流Ｉｈ２が発光素子ＨＳ２ａの各々に流れると発光する。なお、発光電流Ｉｈ２の電流値は、抵抗素子Ｒｈ２の抵抗値に基づいて決まる。また、発光素子ＨＳ２ａは、各々が内部抵抗を備えており、発光素子ＨＳ２ａひとつ当たりの順方向電圧は例えば２Ｖであるとする。

ここで、本実施形態において発光素子群ＨＳ２が発光するための発光基準電圧ＶＨ２は、発光素子群ＨＳ２が互いに直列に接続された順方向電圧が２Ｖの発光素子ＨＳ２ａを４つ備えていることから、例えば８Ｖとなる。すなわち、発光素子群ＨＳ２が発光するためには、他端の発光素子ＨＳ２ａのアノードに印加される発光電圧Ｖｈ２が８Ｖ以上である必要がある。

ここで、「発光素子群ＨＳ２の他端としての発光素子ＨＳ２ａのアノード」をノードＮｈ２と称し、「発光素子群ＨＳ２の一端としての発光素子ＨＳ２ａのカソード」をノードＮｈ２ａと称する。また、「発光電流Ｉｈ２が発光素子ＨＳ２ａの各々に流れる」ことを、「発光電流Ｉｈ２が発光素子群ＨＳ２に流れる」と記載する。

ここで、本実施形態において発光素子群ＨＳが内部でばらつくことなく発光するためには、言い換えれば発光素子群ＨＳ１と発光素子群２とが同時に発光するためには、８Ｖである発光基準電圧ＶＨ２の方が６Ｖである発光基準電圧ＶＨ１よりも高いことから、発光基準電圧ＶＨ２である８Ｖよりも大きい電圧が発光電圧Ｖｈとして発光素子群ＨＳに印加される必要がある。ここで、発光素子群ＨＳが内部でばらつくことなく発光するための電圧を、発光基準電圧ＶＨと称する。発光素子群ＨＳは、発光基準電圧ＶＨ２に基づく発光基準電圧ＶＨ以上の発光電圧Ｖｈが印加された場合に発光する。なお、本実施形態においては、発光基準電圧ＶＨは発光基準電圧ＶＨ２と同じ８Ｖである。

なお、本実施形態においては、発光素子群ＨＳ２は、発光素子群ＨＳ１に設けられた発光素子ＨＳ１ａの数よりも多くの発光素子ＨＳ２ａを備えている例を示したが、これに限られない。すなわち、本発明にかかる照明装置１０は、発光素子群ＨＳ１が発光するために必要な発光基準電圧ＶＨ１と、発光素子群ＨＳ２が発光するために必要な発光基準電圧ＶＨ２と、が異なる場合に顕著な効果を奏するものであり、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２とが備える発光素子の数が同じとなることを妨げるものではない。また、同様に、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２とが互いに１つのＬＥＤを備えるものであってもよい。

ここで、仮に何の制御もなしに発光素子群ＨＳに対して発光基準電圧ＶＨ１以上発光基準電圧ＶＨ２以下の発光電圧Ｖｈが印加された場合には、発光素子群ＨＳ１が発光し、発光素子群ＨＳ２が発光しない状態となる。また、その後発光基準電圧ＶＨ２以上となった発光電圧Ｖｈが発光素子群ＨＳに印加された場合には、発光素子群ＨＳ１に加えて発光素子群ＨＳ２が発光することとなる。すなわち、発光素子群ＨＳに基準電圧ＶＨ２よりも低い発光電圧Ｖｈが印加された場合には、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２との発光タイミングがばらつき、発光素子群ＨＳ全体としての発光が乱れてしまうおそれがある。特に、車載のエクステリアランプに用いられる場合には、発光素子群の発光の乱れが事故につながるおそれもある。本発明にかかる照明装置１０では、このような問題の発生を防止する。

発光制御部ＨＣは、比較回路ＣＮと、トランジスタＰ１と、を備えている。

比較回路ＣＮは、抵抗素子Ｒ１と、抵抗素子Ｒ２と、基準電源Ｒｅｆ１と、コンパレータＣｐ１と、を備えている。

抵抗素子Ｒ１は、一端が電源供給回路ＶＳと接続されており、抵抗値は例えば４００Ωである。ここで、抵抗素子Ｒ１、言い換えれば比較回路ＣＮと電源供給回路ＶＳとの接続点をノードＮｄ１と称する。抵抗素子Ｒ２は、一端が抵抗素子Ｒ１の他端と接続され、他端が電源ＶＳＳと接続されており、抵抗値は例えば２００Ωである。ここで、抵抗素子Ｒ１の他端と抵抗素子Ｒ２の一端との接続点をノードＮｄ２と称し、ノードＮｄ２の電位を比較電圧Ｖｃと称する。ノードＮｄ２の電位は、駆動電圧Ｖｋを抵抗素子Ｒ１と抵抗素子Ｒ２とによって分圧された電位となる。

基準電源Ｒｅｆ１は、一端が電源ＶＳＳに接続されており、第１の基準電圧としての基準電圧Ｖｒｅｆ１を生成する。基準電圧Ｖｒｅｆ１は、発光基準電圧ＶＨを抵抗素子Ｒ１と抵抗素子Ｒ２とで分圧したとする場合に得られる電圧値以上となるように設定されている。すなわち、基準電圧Ｖｒｅｆ１は、発光基準電圧ＶＨに基づいて設定されている。本実施形態においては、基準電圧Ｖｒｅｆ１は、発光基準電圧ＶＨである８Ｖを４００Ωの抵抗素子Ｒ１と２００Ωの抵抗素子Ｒ２とで分圧した２．６Ｖよりも高い、例えば３Ｖが設定されている。

コンパレータＣｐ１は、反転端子にはノードＮｄ２が接続されて比較電圧Ｖｃが入力され、非反転端子には基準電源Ｒｅｆ１の他端が接続されて基準電圧Ｖｒｅｆ１が入力される。コンパレータＣｐ１は、比較電圧Ｖｃと基準電圧Ｖｒｅｆ１とを比較し、その比較結果として比較結果信号Ｖｃｒ１を出力端子から出力する。コンパレータＣｐ１は、比較電圧Ｖｃが基準電圧Ｖｒｅｆ１よりも小さい場合には、例えば駆動電圧Ｖｋとほぼ同じ電圧レベルでハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ１を出力し、比較電圧Ｖｃが基準電圧Ｖｒｅｆ１よりも大きい場合には、例えば０Ｖでローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ１を出力する。

比較回路ＣＮは、以上のように、電源供給回路ＶＳに接続されており、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Ｖｃｒ１として出力する。

トランジスタＰ１は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが電源供給回路ＶＳに接続され、ドレイン端子ＤがノードＮｈ１及びノードＮｈ２に接続され、制御端子としてのゲート端子ＧがコンパレータＣｐ１の出力端子、言い換えれば比較回路ＣＮに接続されている。トランジスタＰ１は、比較回路ＣＮから出力されゲート端子Ｇに入力される比較結果信号Ｖｃｒ１によってオンオフが制御され、これにより発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御が行われる。

なお、トランジスタＰ１のドレイン端子ＤとノードＮｈ１及びノードＮｈ２の接続点をノードＮｄ３と称する。発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２とは、トランジスタＰ１のドレイン端子Ｄとの接続点であるノードＮｄ３において、互いに並列に接続されている。

トランジスタＰ１は、比較回路ＣＮから出力されたハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ１がゲート端子Ｇに入力された場合にはオフする。この場合、ノードＮｄ３における電位は０Ｖとなり、これにより発光電圧Ｖｈが０Ｖとなる。このため、発光素子群ＨＳ１に印加される発光電圧Ｖｈ１が０Ｖで発光素子群ＨＳ１に流れる発光電流Ｉｈ１が停止されて０Ａとなるため、発光素子群ＨＳ１は発光しない。また、発光素子群ＨＳ２に印加される発光電圧Ｖｈ２が０Ｖで発光素子群ＨＳ２に流れる発光電流Ｉｈ２が０Ａとなるため、発光素子群ＨＳ２は発光しない。

また、トランジスタＰ１は、比較回路ＣＮから出力されたローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ１がゲート端子Ｇに入力された場合にはオンする。この場合、ノードＮｄ３における電位は例えば９Ｖ以上となり、発光電圧Ｖｈは９Ｖ以上となる。このため、発光素子群ＨＳ１には、発光基準電圧ＶＨ１である６Ｖよりも高い発光電圧Ｖｈ１が印加されて発光電流Ｉｈ１が流れて発光素子群ＨＳ１が発光する。また、発光素子群ＨＳ２には、発光基準電圧ＶＨ２である８Ｖよりも高い発光電圧Ｖｈ２が印加されて発光電流Ｉｈ２が流れて発光素子群ＨＳ２が発光する。

発光制御部ＨＣは、以上のように、駆動電圧Ｖｋと発光基準電圧ＶＨとの大小関係を検出し、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも大きい場合には、トランジスタＰ１をオンさせて発光電流Ｉｈ１を発光素子群ＨＳ１に供給可能とし、発光電流Ｉｈ２を発光素子群ＨＳ２に供給可能とすることで発光素子群ＨＳを発光させる発光制御を行い、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも小さい場合には、トランジスタＰ１をオフさせて発光電流Ｉｈ１を発光素子群ＨＳ１に供給不可とし、発光電流Ｉｈ２を発光素子群ＨＳ２に供給不可とすることで発光素子群ＨＳの発光を停止させる発光停止制御を行う。このため、本実施形態にかかる照明装置１０によれば、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２とを同時に発光及び消灯させることができる。

図２は、照明装置１０を駆動させるための電源の立ち上がりから立下りまでの間における各信号波形の遷移を示した図である。図２（ａ）は、時間変化における駆動電圧Ｖｋの遷移を示している。図２（ｂ）は、時間変化における比較電圧Ｖｃの遷移と基準電圧Ｖｒｅｆ１との関係を示している。図２（ｃ）は、時間変化における比較結果信号Ｖｃｒ１の遷移を示している。図２（ｄ）は、時間変化における発光電圧Ｖｈの遷移を示している。図２（ｅ）は、時間変化における発光電流Ｉｈ１及び発光電流Ｉｈ２の遷移を示している。なお、図２（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ縦軸が電圧Ｖ、横軸が時刻ｔであり、図２（ｅ）は縦軸が電流Ｉ、横軸が時刻ｔであり、時刻ｔ０〜ｔ４は図２（ａ）〜（ｅ）の共通の時刻として示している。

時刻ｔ０で、照明装置１０を駆動させるための電源の駆動が開始されて、電源供給回路ＶＳから出力される駆動電圧Ｖｋの電圧レベルが上昇を開始する。このとき、駆動電圧Ｖｋを分圧して得られる比較電圧Ｖｃは基準電圧Ｖｒｅｆ１の３Ｖ以下であるため、比較結果信号Ｖｃｒ１は駆動電圧Ｖｋとほぼ同レベルとなっており、トランジスタＰ１はオフされた状態となっている。このため、トランジスタＰ１から出力される発光電圧Ｖｈは０Ｖとなっており、発光素子群ＨＳ１には発光電流Ｉｈ１が流れず、発光素子群ＨＳ２には発光電流Ｉｈ２が流れていない状態となっている。つまり、時刻ｔ０では、発光素子群ＨＳは消灯状態となっている。

時刻ｔ１で、駆動電圧Ｖｋが９Ｖとなると、比較電圧Ｖｃは３Ｖとなって、基準電圧Ｖｒｅｆ１の３Ｖ以上となるので、比較結果信号Ｖｃｒ１がローレベルに遷移する。これにより、トランジスタＰ１がオンして発光電圧Ｖｈがおよそ９Ｖにて出力される。このとき、発光素子群ＨＳ１に印加されるおよそ９Ｖの発光電圧Ｖｈ１は発光基準電圧ＶＨ１である６Ｖよりも大きいため、発光素子群ＨＳ１に発光電流Ｉｈ１が流れて発光する。また、発光素子群ＨＳ２に印加されるおよそ９Ｖの発光電圧Ｖｈ２は発光基準電圧ＶＨ２である８Ｖよりも大きいため、発光素子群ＨＳ２に発光電流Ｉｈ２が流れて発光する。つまり、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２とが同じタイミングでばらつくことなく発光する。

時刻ｔ２で、照明装置１０を駆動させるための電源の駆動が停止されると、駆動電圧Ｖｋは低下を開始する。このとき、駆動電圧Ｖｋを分圧して得られる比較電圧Ｖｃ、発光電圧Ｖｈ、駆動電圧Ｖｋに基づきトランジスタＰ１から出力される発光電圧Ｖｈ、発光電流Ｉｈ１、及び発光電流Ｉｈ２も低下を開始する。

時刻ｔ３で、低下した駆動電圧Ｖｋが９Ｖ未満となると、比較電圧Ｖｃは３Ｖ未満となる。これにより、比較結果信号Ｖｃｒ１が駆動電圧Ｖｋとほぼ同じレベルに遷移し、トランジスタＰ１がオフしてトランジスタＰ１からの発光電圧Ｖｈ、発光電流Ｉｈ１、及び発光電流Ｉｈ２の出力が停止される。これにより、発光素子群ＨＳ１への発光電流Ｉｈ１の供給及び発光素子群ＨＳ２への発光電流Ｉｈ２の供給が停止されて、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２とが同時に消灯する。このとき、トランジスタＰ１は、発光電圧Ｖｈが発光基準電圧ＶＨ２である８Ｖよりも高い状態の時点でオフするので、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２とが異なるタイミングでばらついて消灯することがない。

時刻ｔ４で、駆動電圧Ｖｋが０Ｖまで低下する。これにより、照明装置１０の駆動が停止状態となる。

以上、本発明の第１の実施形態にかかる照明装置１０によれば、発光制御部ＨＣにて駆動電圧Ｖｋと発光基準電圧ＶＨとの大小関係を検出し、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも大きい場合には発光素子群ＨＳを発光させる発光制御を行い、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも小さい場合には発光素子群ＨＳの発光を停止させる発光停止制御を行う。このため、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２との発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

［第１の実施形態の第１の変形例］
図３は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例にかかる照明装置１０ａを示した図である。照明装置１０ａは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳと、発光制御部ＨＣと、調光回路ＬＣ１と、調光回路ＬＣ２と、を備えている。本変形例にかかる照明装置１０ａは、図１に示した照明装置１０と比較して新たに調光回路ＬＣ１と調光回路ＬＣ２とを備えている点で実質的に異なる。なお、図３に示した照明装置１０ａにおいては、図１に示した照明装置１０と同様の構成については同一符号を付してその説明を適宜省略する。

調光回路ＬＣ１は、一端がノードＮｄ３、すなわちトランジスタＰ１のドレイン端子Ｄと接続され、他端がノードＮｈ１と接続されている。言い換えれば、ノードＮｈ１は、調光回路ＬＣ１を介してノードＮｄ３に接続されている。調光回路ＬＣ１は、発光素子群ＨＳ１に流れる発光電流Ｉｈ１が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群ＨＳ１の発光輝度を調整する。ここで、トランジスタＰ１は、オンされた場合には駆動電圧Ｖｋを調光回路ＬＣ１に供給し、オフされた場合には、駆動電圧Ｖｋを調光回路ＬＣ１に供給することを停止する。

なお、調光回路ＬＣ１としては、発光素子群ＨＳ１に流れている電流値に基づいて発光素子群ＨＳ１に流す電流量を調整する構成としても良いし、ＰＷＭ制御により予め所定の電流量を発光素子群ＨＳ１に流すような構成としても良いし、これらに限られず種々構成が適用できる。また、照明装置１０ａは、調光回路ＬＣ１を備えているので、抵抗素子Ｒｈ１によらずに、又は抵抗素子Ｒｈ１と共に、調光回路ＬＣ１にて発光素子群ＨＳ１に流れる発光電流Ｉｈ１の電流値を決めるようにしても良い。また、本実施形態にかかる照明装置１０ａにおいては、調光回路ＬＣ１がノードＮｄ３とノードＮｈ１との間に接続されている構成について説明したが、これに限られず、調光回路ＬＣ１は、ノードＮｈ１ａと電源ＶＳＳとの間に接続されていても良い。

調光回路ＬＣ２は、一端がノードＮｄ３、すなわちトランジスタＰ１のドレイン端子Ｄと接続され、他端がノードＮｈ２と接続されている。言い換えれば、ノードＮｈ２は、調光回路ＬＣ２を介してノードＮｄ３に接続されている。これにより、互いに直列に接続された調光回路ＬＣ２及び発光素子群ＨＳ２は、互いに直列に接続された調光回路ＬＣ１及び発光素子群ＨＳ１とノードＮｄ３において互いに並列に接続されている。調光回路ＬＣ２は、発光素子群ＨＳ２に流れる発光電流Ｉｈ２が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群ＨＳ２の発光輝度を調整する。ここで、トランジスタＰ１は、オンされた場合には駆動電圧Ｖｋを調光回路ＬＣ２に供給し、オフされた場合には、駆動電圧Ｖｋを調光回路ＬＣ２に供給することを停止する。

なお、調光回路ＬＣ２としては、発光素子群ＨＳ２に流れている電流値に基づいて発光素子群ＨＳ２に流す電流量を調整する構成としても良いし、ＰＷＭ制御により予め所定の電流量を発光素子群ＨＳ２に流すような構成としても良いし、これらに限られず種々構成が適用できる。また、照明装置１０ａは、調光回路ＬＣ２を備えているので、抵抗素子Ｒｈ２によらずに、又は抵抗素子Ｒｈ２と共に、調光回路ＬＣ２にて発光素子群ＨＳ２に流れる発光電流Ｉｈ２の電流値を決めるようにしても良い。また、本実施形態にかかる照明装置１０ａにおいては、調光回路ＬＣ２がノードＮｄ３とノードＮｈ２との間に接続されている構成について説明したが、これに限られず、調光回路ＬＣ２は、ノードＮｈ２ａと電源ＶＳＳとの間に接続されていても良い。

［第１の実施形態の第２の変形例］
図４は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例にかかる照明装置１０ｂを示した図である。照明装置１０ｂは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳと、調光回路ＬＣ１と、調光回路ＬＣ２と、発光制御部ＨＣａと、を備えている。本変形例にかかる照明装置１０ｂは、図３に示した照明装置１０ａと比較して、発光制御部ＨＣに代えて発光制御部ＨＣａを備えている点で実質的に異なる。なお、図４に示した照明装置１０ｂにおいては、図１に示した照明装置１０、又は図３に示した照明装置１０ａと同様の構成については同一符号を付してその説明を適宜省略する。

調光回路ＬＣ１は、一端がノードＮｄ１に接続され、これにより電源供給回路ＶＳに接続されて構成されている。調光回路ＬＣ１は、発光素子群ＨＳ１に流れる発光電流Ｉｈ１が、所定の電流値となるように調整する。

調光回路ＬＣ２は、一端がノードＮｄ１に接続され、これにより電源供給回路ＶＳに接続されて構成されている。調光回路ＬＣ２は、発光素子群ＨＳ２に流れる発光電流Ｉｈ２が、所定の電流値となるように調整する。

発光制御部ＨＣａは、比較回路ＣＮと、トランジスタＰ２と、トランジスタＰ３と、を備えている。

トランジスタＰ２は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが調光回路ＬＣ１の他端に接続され、ドレイン端子ＤがノードＮｈ１に接続され、制御端子としてのゲート端子Ｇが比較回路ＣＮに接続されている。トランジスタＰ２は、比較回路ＣＮから出力されゲート端子Ｇに入力される比較結果信号Ｖｃｒ１によってオンオフが制御され、これにより、発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御が行われる。トランジスタＰ２は、オンした場合には、電源供給回路ＶＳから調光回路ＬＣ１を介してソース端子Ｓに供給される駆動電圧Ｖｋを発光電圧Ｖｈ１としてドレイン端子Ｄから出力する。

トランジスタＰ２は、比較回路ＣＮから出力されたハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ１がゲート端子Ｇに入力された場合にはオフする。この場合、発光素子群ＨＳ１に印加される発光電圧Ｖｈ１は０Ｖで発光素子群ＨＳ１に供給され流れる発光電流Ｉｈ１は０Ａとなる、すなわち発光電流Ｉｈ１の発光素子群ＨＳ１への供給が停止されるため、発光素子群ＨＳ１は発光しない。また、トランジスタＰ２は、比較回路ＣＮから出力されたローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ１がゲート端子Ｇに入力された場合にはオンする。この場合、発光素子群ＨＳ１に印加される発光電圧Ｖｈ１は発光基準電圧ＶＨ１よりも高い９Ｖ以上となる。このため、発光素子群ＨＳ１には、発光基準電圧ＶＨ１である６Ｖよりも高い発光電圧Ｖｈ１が印加されて発光電流Ｉｈ１が供給され流れる。これにより発光素子群ＨＳ１が発光する。

トランジスタＰ３は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが調光回路ＬＣ２の他端に接続され、ドレイン端子ＤがノードＮｈ２に接続され、制御端子としてのゲート端子Ｇが比較回路ＣＮに接続されている。トランジスタＰ３は、比較回路ＣＮから出力されゲート端子Ｇに入力される比較結果信号Ｖｃｒ１によってオンオフが制御され、これにより、発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御が行われる。トランジスタＰ３は、オンした場合には、電源供給回路ＶＳから調光回路ＬＣ２を介してソース端子Ｓに供給される駆動電圧Ｖｋを発光電圧Ｖｈ２としてドレイン端子Ｄから出力する。

トランジスタＰ３は、比較回路ＣＮから出力されたハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ１がゲート端子Ｇに入力された場合にはオフする。この場合、発光素子群ＨＳ１に印加される発光電圧Ｖｈ２は０Ｖで発光素子群ＨＳ２に供給され流れる発光電流Ｉｈ２は０Ａとなる、すなわち発光電流Ｉｈ２の発光素子群ＨＳ２への供給が停止されるため、発光素子群ＨＳ２は発光しない。また、トランジスタＰ３は、比較回路ＣＮから出力されたローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ１がゲート端子Ｇに入力された場合にはオンする。この場合、発光素子群ＨＳ２に印加される発光電圧Ｖｈ２は発光基準電圧ＶＨ２よりも高い９Ｖ以上となる。このため、発光素子群ＨＳ２には、発光基準電圧ＶＨ２である８Ｖよりも高い発光電圧Ｖｈ２が印加されて発光電流Ｉｈ２が供給され流れる。これにより発光素子群ＨＳ２が発光する。

ここで、互いに直列に接続された調光回路ＬＣ１及び発光素子群ＨＳ１は、互いに直列に接続された調光回路ＬＣ２及び発光素子群ＨＳ２と電源供給回路ＶＳにおいて互いに並列に接続されている。

発光制御部ＨＣａは、以上のように、駆動電圧Ｖｋと発光基準電圧ＶＨとの大小関係を検出し、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも大きい場合には、トランジスタＰ２をオンさせて発光電流Ｉｈ１を発光素子群ＨＳ１に供給可能とし、トランジスタＰ３をオンさせて発光電流Ｉｈ２を発光素子群ＨＳ２に供給可能とすることで発光素子群ＨＳを発光させる発光制御を行い、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも小さい場合には、トランジスタＰ２をオフさせて発光電流Ｉｈ１を発光素子群ＨＳ１に供給不可とし、トランジスタＰ３をオフさせて発光電流Ｉｈ２を発光素子群ＨＳ２に供給不可とすることで発光素子群ＨＳの発光を停止させる発光停止制御を行う。このため、本実施形態にかかる照明装置１０ｂによれば、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２とを同時に発光及び消灯させることができる。

なお、本発明の第１の実施形態の第２の変形例にかかる照明装置１０ｂは、照明装置１０におけるトランジスタＰ１に代えてトランジスタＰ２とトランジスタＰ３とを設けているため、発光素子群ＨＳ１を発光させるために発光素子群ＨＳ１に流す発光電流Ｉｈ１と、発光素子群ＨＳ２を発光させるために発光素子群ＨＳ２に流す発光電流Ｉｈ２と、を電源供給回路ＶＳから異なるトランジスタを経由して発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２とに供給することができる。このため、照明装置１０にてトランジスタＰ１に集中していた電流をトランジスタＰ２とトランジスタＰ３とに分散することができ、ひいては照明装置内における熱の局所的な集中を防止することができる。本効果は、発光素子群ＨＳが備える発光素子数や互いに並列に接続される発光素子群の数が増えることに比例して大きくなることはいうまでもない。

［第２の実施形態］
図５は、本発明の第２の実施形態にかかる照明装置２０を示した図である。照明装置２０は、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳと、発光制御部ＨＣｂと、を備えている。本実施形態にかかる照明装置２０は、図１に示した照明装置１０と比較して、発光制御部ＨＣに代えて発光制御部ＨＣｂを備えている点で実質的に異なっている。なお、図５に示した照明装置２０においては、図１に示した照明装置１０と同様の構成については同一符号を付してその説明を適宜省略する。

発光素子群ＨＳ１は、他端が電源供給回路ＶＳと接続されている。また、発光素子群ＨＳ２は、他端が電源供給回路ＶＳと接続されている。これにより、発光素子群ＨＳ１の各々の発光素子ＨＳ１ａと発光素子群ＨＳ２の各々の発光素子ＨＳ２ａとは、電源供給回路ＶＳにおいて互いに並列に接続されている。なお、照明装置２０における発光素子群ＨＳ１は、照明装置１０の抵抗素子Ｒｈ１に代えて、一端が電源供給回路ＶＳと接続され、他端がノードＮｈ１と接続された抵抗素子Ｒｈ３と備えている。発光電流Ｉｈ１は、各発光素子ＨＳ１ａと抵抗素子Ｒｈ３の抵抗値に基づいて決まる。また、照明装置２０における発光素子群ＨＳ２は、照明装置１０の抵抗素子Ｒｈ２に代えて、一端が電源供給回路ＶＳと接続され、他端がノードＮｈ２と接続された抵抗素子Ｒｈ４と備えている。発光電流Ｉｈ２は、各発光素子ＨＳ２ａと抵抗素子Ｒｈ４の抵抗値に基づいて決まる。また、抵抗素子Ｒｈ３の抵抗値は抵抗素子Ｒｈ４の抵抗値よりも大きく、発光素子ＨＳ１ａの内部抵抗と抵抗素子Ｒｈ３との直列抵抗値と発光電流Ｉｈ１とによって決まる電圧とが、発光素子ＨＳ２ａの内部抵抗と抵抗素子Ｒｈ４との直列抵抗値と発光電流Ｉｈ２によって決まる電圧と同じになるように形成されている。これにより、発光素子群ＨＳ１に流れる発光電流Ｉｈ１と発光素子群ＨＳ２に流れる発光電流Ｉｈ２との電流値を同じにして発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２との発光輝度が同じになるように形成されている。ただし、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２との発光輝度を同じにする必要がない場合には、必ずしも、抵抗素子Ｒｈ３の抵抗値を抵抗素子Ｒｈ４の抵抗値よりも大きくする必要はない。

発光制御部ＨＣｂは、比較回路ＣＮａと、トランジスタＮ１と、トランジスタＮ２と、を備えている。

比較回路ＣＮａは、抵抗素子Ｒ１と、抵抗素子Ｒ２と、基準電源Ｒｅｆ１と、コンパレータＣｐ２と、を備えている。なお、抵抗素子Ｒ１と電源供給回路ＶＳとの接続点はＮｄ１であるので、本実施形態においては、ノードＮｄ１は、言い換えれば、比較回路ＣＮａと電源供給回路ＶＳとの接続点となる。

コンパレータＣｐ２は、非反転端子にはノードＮｄ２が接続されて比較電圧Ｖｃが入力され、反転端子には基準電源Ｒｅｆ１の他端が接続されて基準電圧Ｖｒｅｆ１が入力される。コンパレータＣｐ２は、比較電圧Ｖｃと基準電圧Ｖｒｅｆ１とを比較し、比較結果として比較結果信号Ｖｃｒ２を出力端子から出力する。コンパレータＣｐ２は、比較電圧Ｖｃが基準電圧Ｖｒｅｆ１よりも小さい場合には、例えば０Ｖでローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ２を出力し、比較電圧Ｖｃが基準電圧Ｖｒｅｆ１よりも大きい場合には、例えば駆動電圧Ｖｋとほぼ同じ電圧レベルでハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ２を出力する。

比較回路ＣＮａは、以上のように、電源供給回路ＶＳに接続されており、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Ｖｃｒ２として出力する。

トランジスタＮ１は、ＮＭＯＳトランジスタであり、制御端子としてのゲート端子ＧがコンパレータＣｐ２の出力端子、言い換えれば比較回路ＣＮａに接続され、ドレイン端子ＤがノードＮｈ１ａに接続され、ソース端子Ｓが電源ＶＳＳに接続されている。言い換えれば、ノードＮｈ１ａは、トランジスタＮ１を介して電源ＶＳＳに接続されている。トランジスタＮ１は、比較回路ＣＮａから出力されゲート端子Ｇに入力される比較結果信号Ｖｃｒ２によってオンオフが制御され、これにより発光素子群ＨＳ１の発光制御及び発光停止制御が行われる。

トランジスタＮ１は、比較回路ＣＮａから出力されたローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ２がゲート端子Ｇに入力された場合にはオフする。この場合、発光素子群ＨＳ１に流れる発光電流Ｉｈ１は停止されて０Ａとなる、すなわち発光電流Ｉｈ１の発光素子群ＨＳ１への供給が停止されるため、発光素子群ＨＳ１は発光しない。また、トランジスタＮ１は、コンパレータＣｐ２から出力されたハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ２がゲート端子Ｇに入力された場合にオンする。この場合、発光素子群ＨＳ１には、基準電圧ＶＨ１よりも高い発光電圧Ｖｈ１が印加されていることから、発光素子群ＨＳ１には発光電流Ｉｈ１が流れる。これにより、発光素子群ＨＳ１が発光する。

トランジスタＮ２は、ＮＭＯＳトランジスタであり、制御端子としてのゲート端子ＧがコンパレータＣｐ２の出力端子、言い換えれば比較回路ＣＮａに接続され、ドレイン端子ＤがノードＮｈ２ａに接続され、ソース端子Ｓが電源ＶＳＳに接続されている。言い換えれば、ノードＮｈ２ａは、トランジスタＮ２を介して電源ＶＳＳに接続されている。トランジスタＮ２は、比較回路ＣＮａから出力されゲート端子Ｇに入力される比較結果信号Ｖｃｒ２によってオンオフが制御され、これにより発光素子群ＨＳ２の発光制御及び発光停止制御が行われる。

トランジスタＮ２は、比較回路ＣＮａから出力されたローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ２がゲート端子Ｇに入力された場合にはオフする。この場合、発光素子群ＨＳ２に流れる発光電流Ｉｈ２は停止されて０Ａとなる、すなわち発光電流Ｉｈ２の発光素子群ＨＳ２への供給が停止されるため、発光素子群ＨＳ２は発光しない。また、トランジスタＮ２は、コンパレータＣｐ２から出力されたハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ２がゲート端子Ｇに入力された場合にオンする。この場合、発光素子群ＨＳ２には、基準電圧ＶＨ１よりも高い発光電圧Ｖｈ２が印加されていることから、発光素子群ＨＳ２には発光電流Ｉｈ２が流れる。これにより、発光素子群ＨＳ２が発光する。

発光制御部ＨＣｂは、以上のように、駆動電圧Ｖｋと発光基準電圧ＶＨとの大小関係を検出し、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも大きい場合には、トランジスタＮ１をオンさせて発光電流Ｉｈ１を発光素子群ＨＳ１に供給可能とし、トランジスタＮ２をオンさせて発光電流Ｉｈ２を発光素子群ＨＳ２に供給可能とすることで発光素子群ＨＳを発光させる発光制御を行い、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも小さい場合には、トランジスタＮ１をオフさせて発光電流Ｉｈ１を発光素子群ＨＳ１に供給不可とし、トランジスタＮ２をオフさせて発光電流Ｉｈ２を発光素子群ＨＳ２に供給不可とすることで発光素子群ＨＳの発光を停止させる発光停止制御を行う。このため、本実施形態にかかる照明装置２０によれば、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２とを同時に発光及び消灯させることができる。

なお、照明装置２０は、ノードＮｈ１ａと電源ＶＳＳとに接続したトランジスタＮ１と、ノードＮｈ２ａと電源ＶＳＳとに接続したトランジスタＮ２と、のオンオフを制御することによって発光制御及び発光停止制御を行うようにしているので、第１の実施形態にかかる照明装置１０、１０ａ、及び１０ｂのように、発光制御及び発光停止制御を行うためのＰＭＯＳトランジスタを電源供給回路ＶＳと発光素子群ＨＳ１及び発光素子群ＨＳ２との間に接続する必要がない。このため、電源供給回路ＶＳから出力した駆動電圧Ｖｋに基づく発光電圧Ｖｈ１を、電圧降下を発生させることなく発光素子群ＨＳ１に供給することができ、発光電圧Ｖｈ２を、電圧降下を発生させることなく発光素子群ＨＳ２に供給することができる。したがって、より低い駆動電圧Ｖｋにて発光素子群ＨＳ１及び発光素子群ＨＳ２を発光させることができる。

また、照明装置２０は、ノードＮｈ１ａと電源ＶＳＳとに接続したトランジスタＮ１と、ノードＮｈ２ａと電源ＶＳＳとに接続したトランジスタＮ２と、のオンオフを制御することによって発光制御及び発光停止制御を行うようにしているので、第１の実施形態にかかる照明装置１０、１０ａ、及び１０ｂのように、発光制御及び発光停止制御を行うためにＰＭＯＳトランジスタを用いる必要がない。つまり、同等の駆動能力をＰＭＯＳトランジスタよりも小さなサイズで実現できるＮＭＯＳトランジスタにより発光制御及び発光停止制御を行うようにしたので、第１の実施形態にかかる照明装置１０、１０ａ、及び１０ｂと比較してより照明装置の省面積化を図ることができる。

図６は、照明装置２０を駆動させるための電源の立ち上がりから立下りまでの間における各信号波形の遷移を示した図である。図６（ａ）は、時間変化における駆動電圧Ｖｋの遷移を示している。図６（ｂ）は、時間変化における比較電圧Ｖｃの遷移と基準電圧Ｖｒｅｆ１との関係を示している。図６（ｃ）は、時間変化における比較結果信号Ｖｃｒ２の遷移を示している。図６（ｄ）は、時間変化における発光電圧Ｖｈ１及び発光電圧Ｖｈ２の遷移を示している。図６（ｅ）は、時間変化における発光電流Ｉｈ１及び発光電流Ｉｈ２の遷移を示している。なお、図６（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ縦軸が電圧Ｖ、横軸が時刻ｔであり、図６（ｅ）は縦軸が電流Ｉ、横軸が時刻ｔであり、時刻ｔ１０〜ｔ１４は図６（ａ）〜（ｅ）の共通の時刻として示している。また、図６（ｅ）においては、発光電流Ｉｈ１と発光電流Ｉｈ２とを同じ電流値として示しているが、実際はこれに限られない。また、図６においては、第１の実施形態にかかる図２にて説明した信号波形については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

時刻ｔ１０で、照明装置２０を駆動させるための電源の駆動が開始されて駆動電圧Ｖｋの上昇が開始する。このとき、比較電圧Ｖｃは基準電圧Ｖｒｅｆ１の３Ｖ以下であるため、比較結果信号Ｖｃｒ２はローレベルとなっている。また、比較結果信号Ｖｃｒ２がローレベルであることからトランジスタＮ１及びトランジスタＮ２はオフされた状態となっており、発光素子群ＨＳ１には発光電流Ｉｈ１が流れず、発光素子群ＨＳ２には発光電流Ｉｈ２が流れない状態となっている。つまり、時刻ｔ１０では発光素子群ＨＳは消灯状態となっている。

時刻ｔ１１で、比較電圧Ｖｃが基準電圧Ｖｒｅｆ１以上となって比較結果信号Ｖｃｒ２がハイレベルに遷移してトランジスタＮ１及びトランジスタＮ２がオンする。このとき、発光電圧Ｖｈ１及び発光電圧Ｖｈ２はおよそ９Ｖとなっているため、発光電流Ｉｈ１が発光素子群ＨＳ１に流れて発光素子群ＨＳ１が発光し、また、発光電流Ｉｈ２が発光素子群ＨＳ２に流れて発光素子群ＨＳ２が発光する。つまり、発光素子群ＨＳ１の全ての発光素子ＨＳ１ａと発光素子群ＨＳ２の全ての発光素子ＨＳ２ａが、同じタイミングでばらつくことなく発光する。

時刻ｔ１２で、照明装置２０を駆動させるための電源の駆動が停止されると、駆動電圧Ｖｋは低下を開始する。このとき、比較電圧Ｖｃ、発光電圧Ｖｈ１、発光電流Ｉｈ１、発光電圧Ｖｈ２、及び発光電流Ｖｈ３も低下を開始する。

時刻ｔ１３で、低下した駆動電圧Ｖｋが９Ｖ未満になって比較電圧Ｖｃが３Ｖ未満になる。これにより、比較結果信号Ｖｃｒ２がローレベルに遷移し、トランジスタＮ１及びトランジスタＮ２がオフして、発光素子群ＨＳ１に流れる発光電流Ｉｈ１及び発光素子群ＨＳ２に流れる発光電流Ｉｈ２が停止されて発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２とが同時に消灯する。このとき、トランジスタＮ１及びトランジスタＮ２は、発光電圧Ｖｈ１及び発光電圧Ｖｈ２が基準電圧ＶＨ２である８Ｖよりも高い状態の時点でオフするので、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２とが異なるタイミングでばらついて消灯することがない。

時刻ｔ１４で、駆動電圧Ｖｋが０Ｖまで低下する。これにより、照明装置２０の駆動が停止状態となる。

以上、本発明の第２の実施形態にかかる照明装置２０によれば、発光制御部ＨＣｂにて駆動電圧Ｖｋと発光基準電圧ＶＨとの大小関係を検出し、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも大きい場合には発光素子群ＨＳを発光させる発光制御を行い、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも小さい場合には発光素子群ＨＳの発光を停止させる発光停止制御を行う。このため、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２との発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

［第２の実施形態の第１の変形例］
図７は、本発明の第２の実施形態の第１の変形例にかかる照明装置２０ａを示した図である。照明装置２０ａは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳと、発光制御部ＨＣｂと、調光回路ＬＣ１と、調光回路ＬＣ２と、を備えている。本変形例にかかる照明装置２０ａは、図５に示した照明装置２０と比較して新たに調光回路ＬＣ１と調光回路ＬＣ２とを備えている点で実質的に異なる。なお、図７に示した照明装置２０ａにおいては、図３に示した照明装置１０ａ、図４に示した照明装置１０ｂ、又は図５に示した照明装置２０と同様の構成については同一符号を付してその説明を適宜省略する。

調光回路ＬＣ１は、一端がノードＮｄ１に接続され、これにより電源供給回路ＶＳと接続されている。また、調光回路ＬＣ１は、他端がノードＮｈ１と接続されている。言い換えれば、ノードＮｈ１は、調光回路ＬＣ１とノードＮｄ１とを介してノードＮｄ１に接続されている。調光回路ＬＣ１は、発光素子群ＨＳ１に流れる発光電流Ｉｈ１が所定の電流値となるように調整する。

なお、本実施形態にかかる照明装置２０ａにおいては、調光回路ＬＣ１がノードＮｄ１とノードＮｈ１との間に接続されている構成について説明したが、これに限られず、調光回路ＬＣ１は、ノードＮｈ１ａと電源ＶＳＳとの間に接続されていても良い。

調光回路ＬＣ２は、一端がノードＮｄ１に接続され、これにより電源供給回路ＶＳと接続されている。また、調光回路ＬＣ２は、他端がノードＮｈ２と接続されている。言い換えれば、ノードＮｈ２は、調光回路ＬＣ２とノードＮｄ１とを介してノードＮｄ１に接続されている。これにより、互いに直列に接続された調光回路ＬＣ２及び発光素子群ＨＳ２は、互いに直列に接続された調光回路ＬＣ１及び発光素子群ＨＳ１とノードＮｄ１において互いに並列に接続されている。調光回路ＬＣ２は、発光素子群ＨＳ２に流れる発光電流Ｉｈ２が所定の電流値となるように調整する。

なお、本実施形態にかかる照明装置２０ａにおいては、調光回路ＬＣ２がノードＮｄ２とノードＮｈ２との間に接続されている構成について説明したが、これに限られず、調光回路ＬＣ２は、ノードＮｈ２ａと電源ＶＳＳとの間に接続されていても良い。

［第３の実施形態］
図８は、本発明の第３の実施形態にかかる照明装置３０を示した図である。照明装置３０は、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳと、調光回路ＬＣ１と、調光回路ＬＣ２と、発光制御部ＨＣｃと、を備えている。本実施形態にかかる照明装置３０は、図３に示した照明装置１０ａと比較して、発光制御部ＨＣに代えて発光制御部ＨＣｃを備えている点で実質的に異なっており、図４に示した照明装置１０ｂと比較して、発光制御部ＨＣａに代えて発光制御部ＨＣｃを備えている点で実質的に異なっており、図７に示した照明装置２０ａと比較して、発光制御部ＨＣｂに代えて発光制御部ＨＣｃを備えている点で実質的に異なっている。なお、図８に示した照明装置３０においては、図３に示した照明装置１０ａ、図４に示した照明装置１０ｂ、又は図７に示された照明装置２０ａと同様の構成については同一符号を付してその説明を適宜省略する。

調光回路ＬＣ１は、一端がノードＮｄ１と接続され、これにより電源供給回路ＶＳと接続されている。また、調光回路ＬＣ１は、他端がノードＮｈ１と接続されている。言い換えれば、ノードＮｈ１は、調光回路ＬＣ１とノードＮｄ１とを介して電源供給回路ＶＳに接続されている。調光回路ＬＣ１は、発光素子群ＨＳ１に流れる発光電流Ｉｈ１が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群ＨＳ１の発光輝度を調整する。調光回路ＬＣ１は、第１の調光スイッチとしてのトランジスタＰ４と、第１の調光比較回路としての比較回路ＣＮＬ１とを備えている。

比較回路ＣＮＬ１は、抵抗素子Ｒ３と、基準電源Ｒｅｆ２と、コンパレータＣｐ３と、を備えている。

抵抗素子Ｒ３は、一端が電源供給回路ＶＳに接続されており、抵抗値は例えば４００Ωである。

基準電源Ｒｅｆ２は、一端が電源供給回路ＶＳと抵抗素子Ｒ３の一端とに接続されており、第１の調光基準電圧としての基準電圧Ｖｒｅｆ２を出力する。基準電源Ｒｅｆ２は、基準電圧Ｖｒｅｆ２として、駆動電圧Ｖｋを所定の電位分降下させた電位にて出力する。

コンパレータＣｐ３は、反転端子には抵抗素子Ｒ３の他端が接続されて抵抗素子Ｒ３の電位である第１の調光比較電圧としてのフィードバック電圧Ｖｆｂ１が入力され、非反転端子には基準電源Ｒｅｆ２の他端が接続されて基準電圧Ｖｒｅｆ２が入力される。コンパレータＣｐ３は、フィードバック電圧Ｖｆｂ１と基準電圧Ｖｒｅｆ２とを比較し、その比較結果として第１の制御信号としての比較結果信号Ｖｃｒ３を出力端子から出力する。ここで、抵抗素子Ｒ３の他端とコンパレータＣｐ３の反転端子との接続点をノードＮｄ４と称する。なお、フィードバック電圧Ｖｆｂ１の電圧レベルは、発光電圧Ｖｈ１に基づいて決定される。

トランジスタＰ４は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが抵抗素子Ｒ３の他端でありコンパレータＣｐ３の非反転端子であるノードＮｄ４に接続、言い換えれば抵抗素子Ｒ３を介して電源供給回路ＶＳに接続され、ドレイン端子ＤがノードＮｈ１に接続されている。トランジスタＰ４は、電源供給回路ＶＳから抵抗素子Ｒ３を介してソース端子Ｓに供給された駆動電圧Ｖｋ、発光電圧Ｖｈ１及び発光電流Ｉｈ１を生成して出力する。

ここで、コンパレータＣｐ３は、フィードバック電圧Ｖｆｂ１と基準電圧Ｖｒｅｆ２とを比較し、該比較の結果に基づいてノードＮｄ４の電位が基準電圧Ｖｒｅｆ２と同レベルになるようにトランジスタＰ４のゲート端子Ｇに比較結果信号Ｖｃｒ３を供給して、トランジスタＰ４から出力される発光電流Ｖｈ１の出力レベルの大きさを調整する。コンパレータＣｐ３は、例えばフィードバック電圧Ｖｆｂ１が基準電圧Ｖｒｅｆ２よりも小さい場合には、ノードＮｄ４の電位を上昇させるべく、より低い電圧レベルの比較結果信号Ｖｃｒ３を出力してトランジスタＰ４の出力が上昇するよう制御し、例えばフィードバック電圧Ｖｆｂ１が基準電圧Ｖｒｅｆ２よりも大きい場合には、ノードＮｄ４の電位を低下させるべく、より高い電圧レベルの比較結果信号Ｖｃｒ３を出力してトランジスタＰ４の出力が低下するよう制御する。

調光回路ＬＣ１は、以上のように、比較回路ＣＮＬ１から出力される比較結果信号Ｖｃｒ３にて、トランジスタＰ４から出力される発光電流Ｉｈ１が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群ＨＳ１の発光輝度を調整する。

調光回路ＬＣ２は、一端がノードＮｄ１と接続され、これにより電源供給回路ＶＳと接続されている。また、調光回路ＬＣ２は、他端がノードＮｈ２と接続されている。言い換えれば、ノードＮｈ２は、調光回路ＬＣ２とノードＮｄ１とを介して電源供給回路ＶＳに接続されている。調光回路ＬＣ２は、発光素子群ＨＳ２に流れる発光電流Ｉｈ２が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群ＨＳ２の発光輝度を調整する。調光回路ＬＣ２は、第２の調光スイッチとしてのトランジスタＰ５と、第２の調光比較回路としての比較回路ＣＮＬ２とを備えている。

比較回路ＣＮＬ２は、抵抗素子Ｒ４と、基準電源Ｒｅｆ３と、コンパレータＣｐ４と、を備えている。

抵抗素子Ｒ４は、一端が電源供給回路ＶＳに接続されており、抵抗値は例えば４００Ωである。

基準電源Ｒｅｆ３は、一端が電源供給回路ＶＳと抵抗素子Ｒ４の一端とに接続されており、第２の調光基準電圧としての基準電圧Ｖｒｅｆ３を供給する。照明装置３０においては、基準電圧Ｖｒｅｆ３として、駆動電圧Ｖｋを所定の電位分降下させた電位にて供給する。

コンパレータＣｐ４は、反転端子には抵抗素子Ｒ４の他端が接続されて抵抗素子Ｒ４の電位である第２の調光比較電圧としてのフィードバック電圧Ｖｆｂ２が入力され、非反転端子には基準電源Ｒｅｆ３の他端が接続されて基準電圧Ｖｒｅｆ３が入力される。コンパレータＣｐ４は、フィードバック電圧Ｖｆｂ２と基準電圧Ｖｒｅｆ３とを比較し、その比較結果として第２の制御信号としての比較結果信号Ｖｃｒ４を出力端子から出力する。ここで、抵抗素子Ｒ４の他端とコンパレータＣｐ４の反転端子との接続点をノードＮｄ５と称する。なお、フィードバック電圧Ｖｆｂ２の電圧レベルは、発光電圧Ｖｈ２に基づいて決定される。

トランジスタＰ５は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが抵抗素子Ｒ４の他端でありコンパレータＣｐ４の非反転端子であるノードＮｄ５に接続、言い換えれば抵抗素子Ｒ４を介して電源供給回路ＶＳに接続され、ドレイン端子ＤがノードＮｈ２に接続されている。トランジスタＰ５は、電源供給回路ＶＳから抵抗素子Ｒ４を介してソース端子Ｓに供給された駆動電圧Ｖｋ、発光電圧Ｖｈ２及び発光電流Ｉｈ２を生成して出力する。

ここで、コンパレータＣｐ４は、フィードバック電圧Ｖｆｂ２と基準電圧Ｖｒｅｆ３とを比較し、該比較の結果に基づいてノードＮｄ５の電位が基準電圧Ｖｒｅｆ３と同レベルになるようにトランジスタＰ５のゲート端子Ｇに比較結果信号Ｖｃｒ４を供給して、トランジスタＰ５から出力される発光電流Ｖｈ２の出力レベルの大きさを調整する。コンパレータＣｐ４は、例えばフィードバック電圧Ｖｆｂ２が基準電圧Ｖｒｅｆ３よりも小さい場合には、ノードＮｄ５の電位を上昇させるべく、より低い電圧レベルの比較結果信号Ｖｃｒ４を出力してトランジスタＰ５の出力が上昇するよう制御し、例えばフィードバック電圧Ｖｆｂ２が基準電圧Ｖｒｅｆ３よりも大きい場合には、ノードＮｄ５の電位を低下させるべく、より高い電圧レベルの比較結果信号Ｖｃｒ４を出力してトランジスタＰ５の出力が低下するよう制御する。

調光回路ＬＣ２は、以上のように、比較回路ＣＮＬ２から出力される比較結果信号Ｖｃｒ４にて、トランジスタＰ５から出力される発光電流Ｉｈ２が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群ＨＳ２の発光輝度を調整する。

なお、互いに直列に接続された調光回路ＬＣ１及び発光素子群ＨＳ１は、互いに直列に接続された調光回路ＬＣ２及び発光素子群ＨＳ２と電源供給回路ＶＳにおいて互いに並列に接続されている。

発光制御部ＨＣｃは、トランジスタＰ６と、トランジスタＰ７と、比較回路ＣＮａと、を備えている。

トランジスタＰ６は、ＰＭＯＳトランジスタであり、一端としてのソース端子Ｓが電源供給回路ＶＳに接続され、他端としてのドレイン端子ＤがトランジスタＰ４のゲート端子Ｇに接続され、制御端子としてのゲート端子Ｇが比較回路ＣＮａに接続されている。トランジスタＰ６は、比較回路ＣＮａから出力されゲート端子Ｇに入力される比較結果信号Ｖｃｒ２によってオンオフが制御され、これにより発光素子群ＨＳ１の発光制御及び発光停止制御が行われる。

トランジスタＰ６は、比較回路ＣＮａからローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ２がゲート端子Ｇに入力された場合にはオンする。これにより、トランジスタＰ４は、ソース端子Ｓとゲート端子Ｇとが短絡されて比較結果信号Ｖｃｒ３の出力に関わらずオフ状態となって、言い換えれば比較結果信号Ｖｃｒ３によってオンすることが不可となって、発光素子群ＨＳ１への発光電流Ｉｈの供給は停止される。つまり、調光回路ＬＣ１は、発光制御部ＨＣｃの発光停止制御に基づいて発光電流Ｉｈ１の生成を停止する。以上により発光素子群ＨＳ１の発光停止制御が行われる。

トランジスタＰ６は、比較回路ＣＮａからハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ２がゲート端子Ｇに入力された場合にはオフする。これにより、トランジスタＰ４のソース端子Ｓとゲート端子Ｇとの短絡が解除されて互いに非接続となるため、トランジスタＰ４から出力する発光素子群ＨＳ１への発光電流Ｉｈ１の電流値は比較結果信号Ｖｃｒ３によって制御できるようになる。つまり、調光回路ＬＣ１は、発光制御部ＨＣｃの発光制御に基づいて発光電流Ｉｈ１の生成を行う。以上により発光素子群ＨＳ１の発光制御が行われる。

なお、トランジスタＰ６がオンするための第１の閾値電圧は、トランジスタＰ４がオンするための第２の閾値電圧と比べて低いことが好ましい。この理由としては、以下のとおりである。トランジスタＰ６は、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも低い場合には、ゲート端子Ｇにローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ２が入力されており、ソース端子Ｓに駆動電圧Ｖｋが入力されていることから、駆動電圧Ｖｋの上昇に伴ってオンすることとなる。この一方で、トランジスタＰ４は、ソース端子Ｓに駆動電圧Ｖｋが入力され、ゲート端子ＧにトランジスタＰ６の出力が入力される。このとき、トランジスタＰ４の第２の閾値電圧がトランジスタＰ６の第１の閾値電圧よりも低い場合には、トランジスタＰ６がオンしてトランジスタＰ４のゲート端子Ｇとソース端子Ｓとが短絡される前にトランジスタＰ４がオンしてしまい、発光電圧Ｖｈ１が発光素子群ＨＳ１に印加されて僅かながら発光素子群ＨＳ１が発光してしまうおそれがあるためである。

トランジスタＰ７は、ＰＭＯＳトランジスタであり、一端としてのソース端子Ｓが電源供給回路ＶＳに接続され、他端としてのドレイン端子ＤがトランジスタＰ５のゲート端子Ｇに接続され、制御端子としてのゲート端子Ｇが比較回路ＣＮａに接続されている。トランジスタＰ７は、比較回路ＣＮａから出力されゲート端子Ｇに入力される比較結果信号Ｖｃｒ２によってオンオフが制御され、これにより発光素子群ＨＳ２の発光制御及び発光停止制御が行われる。

トランジスタＰ７は、比較回路ＣＮａからローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ２がゲート端子Ｇに入力された場合にはオンする。これにより、トランジスタＰ５は、ソース端子Ｓとゲート端子Ｇとが短絡されて比較結果信号Ｖｃｒ４の出力に関わらずオフ状態となって、言い換えれば比較結果信号Ｖｃｒ４によってオンすることが不可となって、発光素子群ＨＳ２への発光電流Ｉｈ２の供給は停止される。つまり、調光回路ＬＣ２は、発光制御部ＨＣｃの発光停止制御に基づいて発光電流Ｉｈ２の生成を停止する。以上により発光素子群ＨＳ２の発光停止制御が行われる。

トランジスタＰ７は、比較回路ＣＮａからハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ２がゲート端子Ｇに入力された場合にはオフする。これにより、トランジスタＰ５のソース端子Ｓとゲート端子Ｇとの短絡が解除されて互いに非接続となるため、トランジスタＰ５から出力する発光素子群ＨＳ２への発光電流Ｉｈ２の電流値は比較結果信号Ｖｃｒ４によって制御できるようになる。つまり、調光回路ＬＣ２は、発光制御部ＨＣｃの発光制御に基づいて発光電流Ｉｈ２の生成を行う。以上により発光素子群ＨＳ２の発光制御が行われる。

なお、トランジスタＰ７がオンするための第３の閾値電圧は、トランジスタＰ５がオンするための第４の閾値電圧と比べて低いことが好ましい。この理由としては、以下のとおりである。トランジスタＰ７は、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも低い場合には、ゲート端子Ｇにローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ２が入力されており、ソース端子Ｓに駆動電圧Ｖｋが入力されていることから、駆動電圧Ｖｋの上昇に伴ってオンすることとなる。この一方で、トランジスタＰ５は、ソース端子Ｓに駆動電圧Ｖｋが入力され、ゲート端子ＧにトランジスタＰ７の出力が入力される。このとき、トランジスタＰ５の第４の閾値電圧がトランジスタＰ７の第３の閾値電圧よりも低い場合には、トランジスタＰ７がオンしてトランジスタＰ５のゲート端子Ｇとソース端子Ｓとが短絡される前にトランジスタＰ５がオンしてしまい、発光電圧Ｖｈ２が発光素子群ＨＳ１に印加されて僅かながら発光素子群ＨＳ２が発光してしまうおそれがあるためである。

発光制御部ＨＣｃは、以上のように、駆動電圧Ｖｋと発光基準電圧ＶＨとの大小関係を検出し、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも大きい場合には、トランジスタＰ６をオフさせてトランジスタＰ４の出力を比較結果信号Ｖｃｒ３によって制御可能とし、且つトランジスタＰ７をオフさせてトランジスタＰ５の出力を比較結果信号Ｖｃｒ４によって制御可能として、発光電流Ｉｈ１を発光素子群ＨＳ１に供給可能とし且つ発光電流Ｉｈ２を発光素子群ＨＳ２に供給可能として発光素子群ＨＳを発光させる発光制御、すなわち、調光回路ＬＣ１にて発光電流Ｉｈ１を生成可能とし、調光回路ＬＣ２にて発光電流Ｉｈ２を生成可能とする発光制御を行う。また、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも小さい場合には、トランジスタＰ６及びトランジスタＰ７をオンさせて調光回路ＬＣ１のトランジスタＰ４及びトランジスタＰ５の出力を比較結果信号Ｖｃｒ３によって制御不可とし強制的に停止することで、発光電流Ｉｈ１を発光素子群ＨＳ１に供給不可とし且つ発光電流Ｉｈ２を発光素子群ＨＳ２に供給不可として発光素子群ＨＳの発光を停止させる発光停止制御、すなわち、調光回路ＬＣ１にて発光電流Ｉｈ１を生成不可とし、調光回路ＬＣ２にて発光電流Ｉｈ２を生成不可とする発光停止制御を行う。このため、本実施形態にかかる照明装置３０によれば、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２とを同時に発光及び消灯させることができる。

図９は、照明装置３０を駆動させるための電源の立ち上がりから立下りまでの間における各信号波形の遷移を示した図である。図９（ａ）は、時間変化における駆動電圧Ｖｋの遷移を示している。図９（ｂ）は、時間変化における比較電圧Ｖｃの遷移と基準電圧Ｖｒｅｆ１との関係を示している。図９（ｃ）は、時間変化における比較結果信号Ｖｃｒ２の遷移を示している。図９（ｄ）は、時間変化における発光電圧Ｖｈ１及び発光電圧Ｖｈ２の遷移を示している。図９（ｅ）は、時間変化における発光電流Ｉｈ１及び発光電流Ｉｈ２の遷移を示している。なお、図９（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ縦軸が電圧Ｖ、横軸が時刻ｔであり、図９（ｅ）は縦軸が電流Ｉ、横軸が時刻ｔであり、時刻ｔ２０〜ｔ２４は図９（ａ）〜（ｅ）の共通の時刻として示している。また、図９（ｅ）においては、発光電流Ｉｈ１と発光電流Ｉｈ２とを同じ電流値として示しているが、実際はこれに限られない。また、図９においては、第２の実施形態にかかる図６にて説明した信号波形については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

時刻ｔ２０で、照明装置３０を駆動させるための電源の駆動が開始されて駆動電圧Ｖｋが上昇を開始する。このとき、比較電圧Ｖｃは基準電圧Ｖｒｅｆ１の３Ｖ以下であるため、比較結果信号Ｖｃｒ２はローレベルとなっている。また、比較結果信号Ｖｃｒ２がローレベルであることから、駆動電圧Ｖｋが上昇してトランジスタＰ６のゲート−ソース間電圧が閾値を超えるとトランジスタＰ６がオンし、トランジスタＰ７のゲート−ソース間電圧が閾値を超えるとトランジスタＰ７がオンする。これにより、トランジスタＰ４のゲート端子Ｇとソース端子Ｓとが短絡してトランジスタＰ４がオフし、また、トランジスタＰ５のゲート端子Ｇとソース端子Ｓとが短絡してトランジスタＰ５がオフする。このため、発光電圧Ｖｈ１が０Ｖで発光素子群ＨＳ１には発光電流Ｉｈ１が流れず、発光電圧Ｖｈ２が０Ｖで発光素子群ＨＳ２には発光電流Ｉｈ２が流れない状態となる。つまり、発光素子群ＨＳ１及び発光素子群ＨＳ２は共に消灯状態となる。

時刻ｔ２１で、比較電圧Ｖｃが基準電圧Ｖｒｅｆ１以上となって比較結果信号Ｖｃｒ２がハイレベルに遷移して、トランジスタＰ６及びトランジスタＰ７がオフする。これにより、トランジスタＰ４のゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの短絡が解除されてトランジスタＰ４の出力を比較結果信号Ｖｃｒ３によって調整できるようになり、ひいては発光素子群ＨＳ１の発光輝度を調整できるようになる。ここで、発光電圧Ｖｈ１はおよそ９Ｖとなっていることから、トランジスタＰ４がオンした場合には、発光電流Ｉｈ１が発光素子群ＨＳ１に流れて発光素子群ＨＳ１が発光する。また、トランジスタＰ５のゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの短絡が解除されてトランジスタＰ５の出力を比較結果信号Ｖｃｒ４によって調整できるようになり、ひいては発光素子群ＨＳ２の発光輝度を調整できるようになる。ここで、発光電圧Ｖｈ２はおよそ９Ｖとなっていることから、トランジスタＰ５がオンした場合には、発光電流Ｉｈ２が発光素子群ＨＳ２に流れて発光素子群ＨＳ２が発光する。つまり、発光素子群ＨＳ１の全ての発光素子ＨＳ１ａと発光素子群ＨＳ２の全ての発光素子ＨＳ２ａが、同じタイミングでばらつくことなく発光する。

時刻ｔ２２で、照明装置３０を駆動させるための電源の駆動が停止されると、駆動電圧Ｖｋは低下を開始する。このとき、比較電圧Ｖｃ、発光電圧Ｖｈ１、発光電流Ｉｈ１、発光電圧Ｖｈ２、及び発光電流Ｖｈ２も低下を開始する。

時刻ｔ２３で、低下した駆動電圧Ｖｋが９Ｖ未満になって比較電圧Ｖｃが３Ｖ未満になる。これにより、比較結果信号Ｖｃｒ２がローレベルに遷移し、再びトランジスタＰ６及びトランジスタＰ７がオンしてトランジスタＰ４及びトランジスタＰ５がオフし、発光素子群ＨＳ１に流れる発光電流Ｉｈ１及び発光素子群ＨＳ２に流れる発光電流Ｉｈ２が停止されて、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２とが同時に消灯する。このとき、トランジスタＰ４及びトランジスタＰ５は、発光電圧Ｖｈ１及び発光電圧Ｖｈ２が基準電圧ＶＨ２である８Ｖよりも高い状態の時点でオフするので、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２とが異なるタイミングでばらついて消灯することがない。

時刻ｔ２４で、駆動電圧Ｖｋが０Ｖまで低下する。これにより、照明装置３０の駆動が停止状態となる。

以上、本発明の第３の実施形態にかかる照明装置３０によれば、発光制御部ＨＣｃにて駆動電圧Ｖｋと発光基準電圧ＶＨとの大小関係を検出し、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも大きい場合には発光素子群ＨＳを発光させる発光制御を行い、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも小さい場合には発光素子群ＨＳの発光を停止させる発光停止制御を行う。このため、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２との発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

また、本発明の第３の実施形態にかかる照明装置３０によれば、調光回路ＬＣ１は、発光制御部ＨＣｃの発光停止制御に基づいて発光電流Ｉｈ１の生成を停止し、発光制御部ＨＣｃの発光制御に基づいて発光電流Ｉｈ１の生成を行う。また、調光回路ＬＣ２は、発光制御部ＨＣｃの発光停止制御に基づいて発光電流Ｉｈ２の生成を停止し、発光制御部ＨＣｃの発光制御に基づいて発光電流Ｉｈ２の生成を行う。このため、照明装置１０、１０ａ、１０ｂ、２０、及び２０ａのように、発光制御又は発光停止制御を行うためのトランジスタを、発光素子群ＨＳを発光させるための電流が通過する経路に配置する必要がなくなるので、本発明を用いることによって生じうる照明装置の回路面積の増大を抑制することができる。

なお、本実施形態にかかる照明装置３０においては、調光回路ＬＣ１が電源供給回路ＶＳとノードＮｈ１との間に接続され、調光回路ＬＣ２が電源供給回路ＶＳとノードＮｈ２との間に接続されている構成について説明したが、これに限られず、調光回路ＬＣ１がノードＮｈ１ａと電源ＶＳＳとの間に接続され、調光回路ＬＣ２がノードＮｈ２ａと電源ＶＳＳとの間に接続される構成となっていても良い。この場合であっても、調光回路ＬＣ１が発光制御に基づいて発光電流Ｉｈ１を生成し、発光停止制御に基づいて発光電流Ｉｈ１の生成を停止し、調光回路ＬＣ２が発光制御に基づいて発光電流Ｉｈ２を生成し、発光停止制御に基づいて発光電流Ｉｈ２の生成を停止する構成となっていれば、本実施形態によって得られる効果、すなわち回路面積の増大を抑制することができる。

また、本実施形態にかかる照明装置３０においては、コンパレータＣｐ４の非反転端子に、基準電源Ｒｅｆ３の他端が接続されて基準電圧Ｖｒｅｆ３が供給される例を示したが、これに限られず、コンパレータＣｐ４の非反転端子への基準電圧Ｖｒｅｆ３の供給を基準電源Ｒｅｆ２により行うようにしても良い。この場合には、基準電源Ｒｅｆ３に代えて、一端が電源供給回路ＶＳと抵抗素子Ｒ３の一端とに接続された基準電源Ｒｅｆ２の他端が、コンパレータＣｐ３の非反転端子に接続されると共にコンパレータＣｐ４の非反転端子に接続される構成とすれば良い。これにより、照明装置３０の面積の増大を抑制することができる。

［第３の実施形態の第１の変形例］
図１０は、本発明の第３の実施形態の第１の変形例にかかる照明装置３０ａを示した図である。照明装置３０ａは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳと、調光回路ＬＣ１と、調光回路ＬＣ２と、発光制御部ＨＣｃと、を備えている。本変形例にかかる照明装置３０ａは、図８に示した照明装置３０と比較して、発光制御部ＨＣｃにおけるトランジスタＰ６及びトランジスタＰ７の各々の接続先が実質的に異なる。なお、図１０に示した照明装置３０ａにおいては、図８に示した照明装置３０と同様の構成については同一符号を付してその説明を適宜省略する。

トランジスタＰ６は、他端としてのドレイン端子Ｄが基準電源Ｒｅｆ２の他端とコンパレータＣｐ３の非反転端子に接続されている。

トランジスタＰ６は、比較回路ＣＮａからローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ１がゲート端子Ｇに入力された場合にはオンする。これにより、コンパレータＣｐ３の非反転端子には基準電源Ｒｅｆ２が供給する電位に関係なく駆動電圧Ｖｋが基準電圧Ｖｒｅｆ２として供給されて、コンパレータＣｐ３から出力される比較結果信号Ｖｃｒ３は、フィードバック電圧Ｖｆｂ１が基準電圧Ｖｒｅｆ２と同レベルになるように、すなわち駆動電圧Ｖｋが抵抗素子Ｒ３によって電圧降下しないように、言い換えれば抵抗素子Ｒ３の両端の電位が同じになるようなレベルにてトランジスタＰ４のゲート端子Ｇに供給され、トランジスタＰ４はオフされるように制御されて発光素子群ＨＳ１への発光電流Ｉｈ１の供給は停止される。つまり、調光回路ＬＣ１は、発光制御部ＨＣｃの発光停止制御に基づいて発光電流Ｉｈ１の生成を停止する。以上により発光素子群ＨＳ１の発光停止制御が行われる。

また、トランジスタＰ６は、比較回路ＣＮａからハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ１がゲート端子Ｇに入力された場合にはオフする。これにより、コンパレータＣｐ３の非反転端子には基準電源Ｒｅｆ２から供給される電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ２として供給されるため、トランジスタＰ４から出力する発光素子群ＨＳ１への発光電流Ｉｈ１の電流値は比較結果信号Ｖｃｒ３によって制御できるようになる。つまり、調光回路ＬＣ１は、発光制御部ＨＣｃの発光制御に基づいて発光電流Ｉｈ１の生成を行う。以上により発光素子群ＨＳ１の発光制御が行われる。

トランジスタＰ７は、他端としてのドレイン端子Ｄが基準電源Ｒｅｆ３の他端とコンパレータＣｐ４の非反転端子に接続されている。

トランジスタＰ７は、比較回路ＣＮａからローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ１がゲート端子Ｇに入力された場合にはオンする。これにより、コンパレータＣｐ４の非反転端子には基準電源Ｒｅｆ３が供給する電位に関係なく駆動電圧Ｖｋが基準電圧Ｖｒｅｆ３として供給されて、コンパレータＣｐ４から出力される比較結果信号Ｖｃｒ４は、フィードバック電圧Ｖｆｂ２が基準電圧Ｖｒｅｆ３と同レベルになるように、すなわち駆動電圧Ｖｋが抵抗素子Ｒ４によって電圧降下しないように、言い換えれば抵抗素子Ｒ４の両端の電位が同じになるようなレベルにてトランジスタＰ５のゲート端子Ｇに供給され、トランジスタＰ５はオフされるように制御されて発光素子群ＨＳ２への発光電流Ｉｈ２の供給は停止される。つまり、調光回路ＬＣ２は、発光制御部ＨＣｃの発光停止制御に基づいて発光電流Ｉｈ２の生成を停止する。以上により発光素子群ＨＳ２の発光停止制御が行われる。

また、トランジスタＰ７は、比較回路ＣＮａからハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ１がゲート端子Ｇに入力された場合にはオフする。これにより、コンパレータＣｐ４の非反転端子には基準電源Ｒｅｆ３から供給される電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ３として供給されるため、トランジスタＰ５から出力する発光素子群ＨＳ２への発光電流Ｉｈ２の電流値は比較結果信号Ｖｃｒ４によって制御できるようになる。つまり、調光回路ＬＣ２は、発光制御部ＨＣｃの発光制御に基づいて発光電流Ｉｈ２の生成を行う。以上により発光素子群ＨＳ２の発光制御が行われる。

発光制御部ＨＣｃは、以上のように、駆動電圧Ｖｋと発光基準電圧ＶＨとの大小関係を検出し、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも大きい場合には、トランジスタＰ６をオフさせてトランジスタＰ４の出力を比較結果信号Ｖｃｒ３によって制御可能とし、且つトランジスタＰ７をオフさせてトランジスタＰ５の出力を比較結果信号Ｖｃｒ４によって制御可能として、発光電流Ｉｈ１を発光素子群ＨＳ１に供給可能とし且つ発光電流Ｉｈ２を発光素子群ＨＳ２に供給可能として発光素子群ＨＳを発光させる発光制御、すなわち、調光回路ＬＣ１にて発光電流Ｉｈ１を生成可能とし、調光回路ＬＣ２にて発光電流Ｉｈ２を生成可能とする発光制御を行う。また、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも小さい場合には、トランジスタＰ６及びトランジスタＰ７をオンさせて調光回路ＬＣ１のトランジスタＰ４及びトランジスタＰ５の出力を強制的に停止することで、発光電流Ｉｈ１を発光素子群ＨＳ１に供給不可とし且つ発光電流Ｉｈ２を発光素子群ＨＳ２に供給不可として発光素子群ＨＳの発光を停止させる発光停止制御、すなわち、調光回路ＬＣ１にて発光電流Ｉｈ１を生成不可とし、調光回路ＬＣ２にて発光電流Ｉｈ２を生成不可とする発光停止制御を行う。このため、本実施形態にかかる照明装置３０によれば、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２とを同時に発光及び消灯させることができる。

また、本実施形態にかかる照明装置３０ａにおいては、発光制御及び発光停止制御を、発光制御部ＨＣｃの比較回路ＣＮａとトランジスタＰ６とトランジスタＰ７との２つのトランジスタで行っているが、これに限られず、比較回路ＣＮａとトランジスタＰ６とで行うようにしても良い。この場合には、トランジスタＰ７に代えて、トランジスタＰ６のドレイン端子Ｄを、コンパレータＣｐ３の非反転端子に接続していることに加えて、コンパレータＣｐ４の非反転端子にも接続する構成とすればよい。

［第３の実施形態の第２の変形例］
図１１は、本発明の第３の実施形態の第２の変形例にかかる照明装置３０ｂを示した図である。照明装置３０ｂは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳと、調光回路ＬＣ１と、調光回路ＬＣ２と、発光制御部ＨＣｄと、を備えている。本変形例にかかる照明装置３０ｂは、図８に示した照明装置３０と比較して、発光制御部ＨＣｃに代えて発光制御部ＨＣｄを備えている点で実質的に異なる。なお、図１１に示した照明装置３０ｂにおいては、図８に示した照明装置３０と同様の構成については同一符号を付してその説明を適宜省略する。

調光回路ＬＣ１のコンパレータＣｐ３は、電源供給回路ＶＳと接続されて、電源供給回路ＶＳから出力される駆動電圧Ｖｋの供給を受けて駆動される。すなわち、比較結果信号Ｖｃｒ３は、駆動電圧Ｖｋに基づき生成される。

調光回路ＬＣ２のコンパレータＣｐ４は、電源供給回路ＶＳと接続されて、電源供給回路ＶＳから出力される駆動電圧Ｖｋの供給を受けて駆動される。すなわち、比較結果信号Ｖｃｒ４は、駆動電圧Ｖｋに基づき生成される。

発光制御部ＨＣｄは、トランジスタＮ３と、トランジスタＮ４と、比較回路ＣＮａと、を備えている。

トランジスタＮ３は、ＮＭＯＳトランジスタであり、一端としてのソース端子Ｓが電源ＶＳＳに接続され、他端としてのドレイン端子ＤがコンパレータＣｐ３に接続されている。これにより、コンパレータＣｐ３はトランジスタＮ３を介して電源ＶＳＳに接続されている。また、トランジスタＮ３は、制御端子としてのゲート端子Ｇが比較回路ＣＮａに接続されている。トランジスタＮ３は、比較回路ＣＮａから出力されゲート端子Ｇに入力される比較結果信号Ｖｃｒ２によってオンオフが制御され、これにより発光素子群ＨＳ１の発光制御及び発光停止制御が行われる。

トランジスタＮ３は、比較回路ＣＮａからローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ２がゲート端子Ｇに入力された場合にはオフする。これにより、コンパレータＣｐ３と電源ＶＳＳとの接続が遮断されて、コンパレータＣｐ３から出力される比較結果信号Ｖｃｒ３は強制的にハイレベルとされて、トランジスタＰ４のゲート端子Ｇには駆動電圧Ｖｋとほぼ同レベルの電圧が供給される。これにより、トランジスタＰ４はコンパレータＣｐ３における基準電圧Ｖｒｅｆ２とフィードバック電圧Ｖｆｂ１との比較結果に関わらず強制的にオフ状態とされて発光素子群ＨＳ１への発光電流Ｉｈ１の供給は停止される。つまり、調光回路ＬＣ１は、発光制御部ＨＣｄの発光停止制御に基づいて発光電流Ｉｈ１の生成を停止する。以上により発光素子群ＨＳ１の発光停止制御が行われる。

また、トランジスタＮ３は、比較回路ＣＮａからハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ２がゲート端子Ｇに入力された場合にはオンする。これにより、コンパレータＣｐ３と電源ＶＳＳとが電気的に接続されて、コンパレータＣｐ３は基準電圧Ｖｒｅｆ２とフィードバック電圧Ｖｆｂ１との比較結果に基づいた比較結果信号Ｖｃｒ３を出力できるようになる。このため、トランジスタＰ４から出力する発光素子群ＨＳ１への発光電流Ｉｈ１の電流値は比較結果信号Ｖｃｒ３によって制御できるようになる。つまり、調光回路ＬＣ１は、発光制御部ＨＣｄの発光制御に基づいて発光電流Ｉｈ１の生成を行う。以上により発光素子群ＨＳ１の発光制御が行われる。

トランジスタＮ４は、ＮＭＯＳトランジスタであり、一端としてのソース端子Ｓが電源ＶＳＳに接続され、他端としてのドレイン端子ＤがコンパレータＣｐ４に接続されている。これにより、コンパレータＣｐ４はトランジスタＮ４を介して電源ＶＳＳに接続されている。また、トランジスタＮ４は、制御端子としてのゲート端子Ｇが比較回路ＣＮａに接続されている。トランジスタＮ４は、比較回路ＣＮａから出力されゲート端子Ｇに入力される比較結果信号Ｖｃｒ２によってオンオフが制御され、これにより発光素子群ＨＳ２の発光制御及び発光停止制御が行われる。

トランジスタＮ４は、比較回路ＣＮａからローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ２がゲート端子Ｇに入力された場合にはオフする。これにより、コンパレータＣｐ４と電源ＶＳＳとの接続が遮断されて、コンパレータＣｐ４から出力される比較結果信号Ｖｃｒ４は強制的にハイレベルとされて、トランジスタＰ５のゲート端子Ｇには駆動電圧Ｖｋとほぼ同レベルの電圧が供給される。これにより、トランジスタＰ５はコンパレータＣｐ３における基準電圧Ｖｒｅｆ３とフィードバック電圧Ｖｆｂ１との比較結果に関わらず強制的にオフ状態とされて発光素子群ＨＳ２への発光電流Ｉｈ２の供給は停止される。つまり、調光回路ＬＣ２は、発光制御部ＨＣｄの発光停止制御に基づいて発光電流Ｉｈ２の生成を停止する。以上により発光素子群ＨＳ２の発光停止制御が行われる。

また、トランジスタＮ４は、比較回路ＣＮａからハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ２がゲート端子Ｇに入力された場合にはオンする。これにより、コンパレータＣｐ４と電源ＶＳＳとが電気的に接続されて、コンパレータＣｐ４は基準電圧Ｖｒｅｆ３とフィードバック電圧Ｖｆｂ２との比較結果に基づいた比較結果信号Ｖｃｒ４を出力できるようになる。このため、トランジスタＰ５から出力する発光素子群ＨＳ２への発光電流Ｉｈ２の電流値は比較結果信号Ｖｃｒ４によって制御できるようになる。つまり、調光回路ＬＣ２は、発光制御部ＨＣｄの発光制御に基づいて発光電流Ｉｈ２の生成を行う。以上により発光素子群ＨＳ２の発光制御が行われる。

発光制御部ＨＣｄは、以上のように、駆動電圧Ｖｋと発光基準電圧ＶＨとの大小関係を検出し、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも大きい場合には、トランジスタＮ３をオンさせてトランジスタＰ４の出力を基準電圧Ｖｒｅｆ２とフィードバック電圧Ｖｆｂ１との比較に基づく比較結果信号Ｖｃｒ３によって制御可能とし、且つトランジスタＮ４をオンさせてトランジスタＰ５の出力を基準電圧Ｖｒｅｆ３とフィードバック電圧Ｖｆｂ２との比較に基づく比較結果信号Ｖｃｒ４によって制御可能として、発光電流Ｉｈ１を発光素子群ＨＳ１に供給可能とし且つ発光電流Ｉｈ２を発光素子群ＨＳ２に供給可能として発光素子群ＨＳを発光させる発光制御、すなわち、調光回路ＬＣ１にて発光電流Ｉｈ１を生成可能とし、調光回路ＬＣ２にて発光電流Ｉｈ２を生成可能とする発光制御を行う。また、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも小さい場合には、トランジスタＮ３をオフさせて調光回路ＬＣ１のトランジスタＰ４の出力基準電圧Ｖｒｅｆ２とフィードバック電圧Ｖｆｂ１との比較に基づく比較結果信号Ｖｃｒ３によって制御不可とし強制的にオフし、トランジスタＮ４を調光回路ＬＣ２のトランジスタＰ５の出力基準電圧Ｖｒｅｆ３とフィードバック電圧Ｖｆｂ２との比較に基づく比較結果信号Ｖｃｒ４によって制御不可とし強制的にオフすることで、発光電流Ｉｈ１を発光素子群ＨＳ１に供給不可とし且つ発光電流Ｉｈ２を発光素子群ＨＳ２に供給不可として発光素子群ＨＳの発光を停止させる発光停止制御、すなわち、調光回路ＬＣ１にて発光電流Ｉｈ１を生成不可とし、調光回路ＬＣ２にて発光電流Ｉｈ２を生成不可とする発光停止制御を行う。このため、本実施形態にかかる照明装置３０によれば、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２とを同時に発光及び消灯させることができる。

また、本実施形態にかかる照明装置３０ｂにおいては、発光制御及び発光停止制御を、発光制御部ＨＣｄの比較回路ＣＮａとトランジスタＮ３とトランジスタＮ４との２つのトランジスタで行っているが、これに限られず、比較回路ＣＮａとトランジスタＮ３とで行うようにしても良い。この場合には、トランジスタＮ３のドレイン端子Ｄを、コンパレータＣｐ３に接続していることに加えて、コンパレータＣｐ４にも接続する構成とすればよい。

［第３の実施形態の第３の変形例］
図１２は、本発明の第３の実施形態の第３の変形例にかかる照明装置３０ｃを示した図である。照明装置３０ｃは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳと、発光制御部ＨＣｅと、調光回路ＬＣ１１と、調光回路ＬＣ１２と、を備えている。本変形例にかかる照明装置３０ｃは、図８に示した照明装置３０と比較して、発光制御部ＨＣｃに代えて発光制御部ＨＣｅを備えている点、及び調光回路ＬＣ１と調光回路ＬＣ２に代えて調光回路ＬＣ１１と調光回路ＬＣ１２を備えている点で実質的に異なる。なお、図１２に示した照明装置３０ｃにおいては、図８に示した照明装置３０と同様の構成については同一符号を付してその説明を適宜省略する。

発光制御部ＨＣｅは、前記駆動電圧Ｖｋと発光基準電圧ＶＨとの大小関係を検出し、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも大きい場合には発光素子群ＨＳを発光させる発光制御を行い、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも小さい場合には発光素子群ＨＳの発光を停止させる発光停止制御を行う。発光制御部ＨＣｅは、比較回路ＣＮを備えている。

調光回路ＬＣ１１は、一端がノードＮｄ１と接続され、これにより電源供給回路ＶＳと接続されている。また、調光回路ＬＣ１１は、他端がノードＮｈ１と接続されている。言い換えれば、ノードＮｈ１は、調光回路ＬＣ１１とノードＮｄ１とを介して電源供給回路ＶＳに接続されている。調光回路ＬＣ１１は、発光素子群ＨＳ１に流れる発光電流Ｉｈ１が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群ＨＳ１の発光輝度を調整する。調光回路ＬＣ１１は、第１の調光スイッチとしてのトランジスタＰＤ１と、第１の電流生成回路としての電流生成回路ＶＣ１と、第１の調光比較回路としての比較回路ＣＮＬ１１と、第１の駆動回路としての駆動回路ＫＤ１と、を備えている。

トランジスタＰＤ１は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが電源供給回路ＶＳに接続されている。

電流生成回路ＶＣ１は、インダクタＬ１と、コンデンサＣ１と、整流ダイオードＤ１とを備えて構成されている。インダクタＬ１は、一端がトランジスタＰＤ１のドレイン端子Ｄに接続されている。コンデンサＣ１は、一端がインダクタＬ１の他端に接続され、他端が電源ＶＳＳに接続されている。整流ダイオードＤ１は、アノードが電源ＶＳＳに接続され、カソードがトランジスタＰＤ１のドレイン端子ＤとインダクタＬ１の一端との接続点に接続されている。

電流生成回路ＶＣ１は、トランジスタＰＤ１がオンの場合にトランジスタＰＤ１から出力される駆動電圧Ｖｋに基づく磁気エネルギーをインダクタＬ１にて蓄積し、コンデンサＣ１にて平滑化して発光電圧Ｖｈ１及び発光電流Ｉｈ１を生成して出力する。また、電流生成回路ＶＣ１は、トランジスタＰＤ１がオフの場合には、インダクタＬ１に蓄積された磁気エネルギーが整流ダイオードＤ１を介してコンデンサＣ１に供給され、コンデンサＣ１にて磁気エネルギーが平滑化して、発光電圧Ｖｈ１及び発光電流Ｉｈ１を生成して出力する。すなわち、電流生成回路ＶＣ１は、トランジスタＰＤ１のオンオフに応じて得られる駆動電圧Ｖｋを降圧して発光電圧Ｖｈ１及び発光電流Ｉｈ１を生成して出力する。

比較回路ＣＮＬ１１は、基準電源Ｒｅｆ４と、コンパレータＣｐ５と、を有している。

基準電源Ｒｅｆ４は、一端が電源ＶＳＳに接続されており、第１の調光基準電圧としての基準電圧Ｖｒｅｆ４を生成する。基準電圧Ｖｒｅｆ４は例えば２Ｖである。

コンパレータＣｐ５は、非反転端子にノードＮｈ１ａと抵抗素子Ｒｈ１との接続点のノードＮｄ８が接続されてノードＮｄ８の電位である第１の調光比較電圧としてのフィードバック電圧Ｖｆｂ３が入力され、反転端子に基準電源Ｒｅｆ４が接続されて基準電圧Ｖｒｅｆ４が入力される。コンパレータＣｐ５は、フィードバック電圧Ｖｆｂ３と基準電圧Ｖｒｅｆ４とを比較し、該比較の結果に基づいて、ノードＮｄ８の電位が基準電圧Ｖｒｅｆ４と同レベルになるように、第１の制御信号としての比較結果信号Ｖｃｒ５を出力してトランジスタＰＤ１と電流生成回路ＶＣ１にて生成される発光電流Ｖｈ１の大きさを調整する。コンパレータＣｐ５は、例えばフィードバック電圧Ｖｆｂ３が基準電圧Ｖｒｅｆ４よりも小さい場合には、ノードＮｄ８の電位を上昇させるべく、ハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ５を出力する。また、コンパレータＣｐ５は、例えばフィードバック電圧Ｖｆｂ３が基準電圧Ｖｒｅｆ４よりも大きい場合には、ノードＮｄ８の電位を低下させるべく、ローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ５を出力する。

比較回路ＣＮＬ１１は、以上のようにして、発光電圧Ｖｈ１に基づくフィードバック電圧Ｖｆｂ３を検出し、発光素子群ＨＳ１に流れる発光電流Ｉｈ１が所望の値となるように、比較結果信号Ｖｃｒ５を出力してトランジスタＰＤ１の出力を調整する。

駆動回路ＫＤ１は、トランジスタＰＤ１の制御端子としてのゲート端子Ｇと、比較回路ＣＮＬ１１のコンパレータＣｐ５の出力端子とに接続されており、コンパレータＣｐ５、言い換えれば比較回路ＣＮＬ１１から出力される比較結果信号Ｖｃｒ５に応じてトランジスタＰＤ１に第１の駆動信号としての駆動信号Ｖｓ１を供給する。駆動回路ＫＤ１は、例えばローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ５を受信した場合には、例えば５Ｖでハイレベルの駆動信号Ｖｓ１をトランジスタＰＤ１のゲート端子Ｇに供給する。これにより、トランジスタＰＤ１はオフし、駆動電圧Ｖｋに基づく電圧のインダクタＬ１への供給は停止される。また、例えばハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ５を受信した場合には、例えば０Ｖでローレベルの駆動信号Ｖｓ１をトランジスタＰＤ１のゲート端子Ｇに供給する。これにより、トランジスタＰＤ１はオンし、駆動電圧Ｖｋに基づく電圧がインダクタＬ１に供給される。なお、駆動回路ＫＤ１は、トランジスタＰＤ１のゲート端子Ｇに対して、所定のデューティ比を持ったＰＷＭ信号を供給するＰＷＭ制御を行う構成としても良い。

調光回路ＬＣ１１は、以上のように、比較回路ＣＮＬ１１から出力される比較結果信号Ｖｃｒ５に基づく駆動信号Ｖｓ１にて、トランジスタＰＤ１から出力される発光電流Ｉｈ１が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群ＨＳ１の発光輝度を調整する。

調光回路ＬＣ１２は、一端がノードＮｄ１に接続され、これにより電源供給回路ＶＳと接続されている。また、調光回路ＬＣ１２は、他端がノードＮｈ２と接続されている。言い換えれば、ノードＮｈ２は、調光回路ＬＣ１２とノードＮｄ１とを介して電源供給回路ＶＳに接続されている。調光回路ＬＣ１２は、発光素子群ＨＳ２に流れる発光電流Ｉｈ２が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群ＨＳ２の発光輝度を調整する。調光回路ＬＣ１２は、第２の調光スイッチとしてのトランジスタＰＤ２と、第２の電流生成回路としての電流生成回路ＶＣ２と、第２の調光比較回路としての比較回路ＣＮＬ１２と、第２の駆動回路としての駆動回路ＫＤ２と、を備えている。

トランジスタＰＤ２は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが電源供給回路ＶＳに接続されている。

電流生成回路ＶＣ２は、インダクタＬ２と、コンデンサＣ２と、整流ダイオードＤ２とを備えて構成されている。インダクタＬ２は、一端がトランジスタＰＤ２のドレイン端子Ｄに接続されている。コンデンサＣ２は、一端がインダクタＬ２の他端に接続され、他端が電源ＶＳＳに接続されている。整流ダイオードＤ２は、アノードが電源ＶＳＳに接続され、カソードがトランジスタＰＤ２のドレイン端子ＤとインダクタＬ２の一端との接続点に接続されている。

電流生成回路ＶＣ２は、トランジスタＰＤ２がオンの場合にトランジスタＰＤ２から出力される駆動電圧Ｖｋに基づく磁気エネルギーをインダクタＬ２にて蓄積し、コンデンサＣ２にて平滑化して発光電圧Ｖｈ２及び発光電流Ｉｈ２を生成して出力する。また、電流生成回路ＶＣ２は、トランジスタＰＤ２がオフの場合には、インダクタＬ２に蓄積された磁気エネルギーが整流ダイオードＤ２を介してコンデンサＤ２に供給され、コンデンサＣ２にて磁気エネルギーが平滑化して、発光電圧Ｖｈ２及び発光電流Ｉｈ２を生成して出力する。すなわち、電流生成回路ＶＣ２は、トランジスタＰＤ２のオンオフに応じて得られる駆動電圧Ｖｋを降圧して発光電圧Ｖｈ２及び発光電流Ｉｈ２を生成して出力する。

比較回路ＣＮＬ１２は、基準電源Ｒｅｆ５と、コンパレータＣｐ６と、を有している。

基準電源Ｒｅｆ５は、一端が電源ＶＳＳに接続されており、第２の調光基準電圧としての基準電圧Ｖｒｅｆ５を生成する。基準電圧Ｖｒｅｆ５は例えば２Ｖである。

コンパレータＣｐ６は、非反転端子にノードＮｈ２ａと抵抗素子Ｒｈ２との接続点のノードＮｄ９が接続されてノードＮｄ９の電位である第２の調光比較電圧としてのフィードバック電圧Ｖｆｂ４が入力され、反転端子に基準電源Ｒｅｆ５が接続されて基準電圧Ｖｒｅｆ５が入力される。コンパレータＣｐ６は、フィードバック電圧Ｖｆｂ４と基準電圧Ｖｒｅｆ５とを比較し、該比較の結果に基づいて、ノードＮｄ９の電位が基準電圧Ｖｒｅｆ５と同レベルになるように、第２の制御信号としての比較結果信号Ｖｃｒ６を出力してトランジスタＰＤ２と電流生成回路ＶＣ２にて生成される発光電流Ｖｈ２の大きさを調整する。コンパレータＣｐ６は、例えばフィードバック電圧Ｖｆｂ４が基準電圧Ｖｒｅｆ５よりも小さい場合には、ノードＮｄ９の電位を上昇させるべく、ハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ６を出力する。また、コンパレータＣｐ６は、例えばフィードバック電圧Ｖｆｂ４が基準電圧Ｖｒｅｆ５よりも大きい場合には、ノードＮｄ９の電位を低下させるべく、ローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ６を出力する。

比較回路ＣＮＬ１２は、以上のようにして、発光電圧Ｖｈ２に基づくフィードバック電圧Ｖｆｂ４を検出し、発光素子群ＨＳ２に流れる発光電流Ｉｈ２が所望の値となるように、比較結果信号Ｖｃｒ６を出力してトランジスタＰＤ２の出力を調整する。

駆動回路ＫＤ２は、トランジスタＰＤ２の制御端子としてのゲート端子Ｇと、比較回路ＣＮＬ１２のコンパレータＣｐ６の出力端子とに接続されており、コンパレータＣｐ６、言い換えれば比較回路ＣＮＬ１２から出力される比較結果信号Ｖｃｒ６に応じてトランジスタＰＤ２に第２の駆動信号としての駆動信号Ｖｓ２を供給する。駆動回路ＫＤ２は、例えばローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ６を受信した場合には、例えば５Ｖでハイレベルの駆動信号Ｖｓ２をトランジスタＰＤ２のゲート端子Ｇに供給する。これにより、トランジスタＰＤ２はオフし、駆動電圧Ｖｋに基づく電圧のインダクタＬ２への供給は停止される。また、例えばハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ６を受信した場合には、例えば０Ｖでローレベルの駆動信号Ｖｓ２をトランジスタＰＤ２のゲート端子Ｇに供給する。これにより、トランジスタＰＤ２はオンし、駆動電圧Ｖｋに基づく電圧がインダクタＬ２に供給される。なお、駆動回路ＫＤ２は、トランジスタＰＤ２のゲート端子Ｇに対して、所定のデューティ比を持ったＰＷＭ信号を供給するＰＷＭ制御を行う構成としても良い。

調光回路ＬＣ１２は、以上のように、比較回路ＣＮＬ１２から出力される比較結果信号Ｖｃｒ６に基づく駆動信号Ｖｓ２にて、トランジスタＰＤ２から出力される発光電流Ｉｈ２が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群ＨＳ２の発光輝度を調整する。

駆動回路ＫＤ１は、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも低く発光制御部ＨＣｅが発光停止制御を行う必要がある場合には、ローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ１が供給され、比較回路ＣＮＬ１１の出力に関係なくハイレベルの駆動信号Ｖｓ１を出力してトランジスタＰＤ１を強制的にオフする。これにより、発光素子群ＨＳ１への発光電流Ｉｈ１の供給は停止される。また、駆動回路ＫＤ１は、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも高く発光制御部ＨＣｅが発光制御を行う必要がある場合には、ハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ１が供給され、比較回路ＣＮＬ１１の出力に応じた駆動信号Ｖｓ１を出力してトランジスタＰＤ１のオンオフを制御する。これにより、発光素子群ＨＳ１に流れる発光電流Ｉｈ１の電流値は比較結果信号Ｖｃｒ５によって制御できるようになる。

駆動回路ＫＤ２は、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも低く発光制御部ＨＣｅが発光停止制御を行う必要がある場合には、ローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ１が供給され、比較回路ＣＮＬ１２の出力に関係なくハイレベルの駆動信号Ｖｓ２を出力してトランジスタＰＤ２を強制的にオフする。これにより、発光素子群ＨＳ２への発光電流Ｉｈ２の供給は停止される。また、駆動回路ＫＤ２は、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも高く発光制御部ＨＣｅが発光制御を行う必要がある場合には、ハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ２が供給され、比較回路ＣＮＬ１２の出力に応じた駆動信号Ｖｓ２を出力してトランジスタＰＤ２のオンオフを制御する。これにより、発光素子群ＨＳ２に流れる発光電流Ｉｈ２の電流値は比較結果信号Ｖｃｒ６によって制御できるようになる。

以上、本発明の第３の実施形態の第３の変形例にかかる照明装置３０ｃによれば、発光制御部ＨＣｅにて駆動電圧Ｖｋと発光基準電圧ＶＨとの大小関係を検出し、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも大きい場合には発光素子群ＨＳを発光させる発光制御を行い、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨよりも小さい場合には発光素子群ＨＳの発光を停止させる発光停止制御を行う。このため、発光素子群ＨＳ１と発光素子群ＨＳ２との発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

なお、照明装置３０ｃとしては整流ダイオードＤ１、Ｄ２を用いた非同期整流型の降圧コンバータを例に説明したが、これに限られず、同期整流型の降圧コンバータであっても良い。また、降圧コンバータに限られず、昇圧型コンバータであっても良いし、昇降圧型コンバータであっても良い。

また、照明装置３０ｃにおいてはトランジスタＰＤ１及びトランジスタＰＤ２としてＰＭＯＳトランジスタを採用したが、これらトランジスタとしてＮＭＯＳトランジスタを採用するようにしても良い。この場合には、駆動回路ＫＤ１は、ローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ５を受信した場合には、例えば０Ｖでローレベルの駆動信号Ｖｓ１をトランジスタＰＤ１のゲート端子Ｇに供給し、ハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ５を受信した場合には、例えば５Ｖでハイレベルの駆動信号Ｖｓ１をトランジスタＰＤ１のゲート端子Ｇに供給するようにすれば良い。また、駆動回路ＫＤ２は、ローレベルの比較結果信号Ｖｃｒ６を受信した場合には、例えば０Ｖでローレベルの駆動信号Ｖｓ２をトランジスタＰＤ２のゲート端子Ｇに供給し、ハイレベルの比較結果信号Ｖｃｒ６を受信した場合には、例えば５Ｖでハイレベルの駆動信号Ｖｓ２をトランジスタＰＤ２のゲート端子Ｇに供給するようにすれば良い。なお、トランジスタＰＤ１にＮＭＯＳトランジスタを採用した場合には、駆動回路ＫＤ１は比較結果信号Ｖｃ５を昇圧して駆動信号Ｖｓ１を生成するようにしてもよく、トランジスタＰＤ２にＮＭＯＳトランジスタを採用した場合には、駆動回路ＫＤ２は比較結果信号Ｖｃ６を昇圧して駆動信号Ｖｓ２を生成するようにしてもよい。

［第４の実施形態］
図１３は、本発明の第４の実施形態にかかる照明装置４０を示した図である。照明装置４０は、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、第１の半導体チップとしての半導体チップＩＣ１と、第２の半導体チップとしての半導体チップＩＣ１ａと、を備えている。なお、図１３に示した照明装置４０においては、図１に示した照明装置１０、及び図３に示した照明装置１０ａと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

発光素子群ＨＳＢは、発光素子群ＨＳと、発光素子群ＨＳａと、を備えている。発光素子群ＨＳは、発光素子群ＨＳ１と、第１の発光素子群としての発光素子群ＨＳ２と、を備えている。発光素子群ＨＳａは、発光素子群ＨＳ１１と、第２の発光素子群としての発光素子群ＨＳ１２と、を備えている。

ここで、本願の特許請求の範囲に記載の請求項における「第１の発光電圧」は発光電圧Ｖｈ２に対応し、「第１の発光基準電圧」は発光基準電圧ＶＨ２に対応し、「第１の発光電流」は発光電流Ｉｈ２に対応し、「第１の発光素子」は発光素子ＨＳ２ａに対応する。

発光素子群ＨＳ１１は、互いに直列に接続された複数の発光素子ＨＳ１１ａと、抵抗素子Ｒｈ１１と、を備えている。発光素子ＨＳ１１ａは、ＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）であり、自発光素子である。発光素子群ＨＳ１１の一端としての発光素子ＨＳ１１ａのカソードは、抵抗素子Ｒｈ１１の一端と接続されている。抵抗素子Ｒｈ１１の他端は、駆動電圧Ｖｋよりも電位が低い例えば０Ｖの電源ＶＳＳに接続されている。なお、発光素子ＨＳ１１ａとしては、ＬＥＤに限られず、発光ポリマーなど自発光素子としての有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子全般も適用可能である。

発光素子群ＨＳ１１は、駆動電圧Ｖｋに基づく発光電圧Ｖｈ１１が発光基準電圧ＶＨ１１以上にて自己の他端としての発光素子ＨＳ１１ａのアノードに印加されて、発光電流Ｉｈ１１が発光素子ＨＳ１１ａの各々に流れると発光する。なお、発光電流Ｉｈ１１の電流値は、抵抗素子Ｒｈ１１の抵抗値に基づいて決まる。また、発光素子ＨＳ１１ａは、各々が内部抵抗を備えており、発光素子ＨＳ１１ａひとつ当たりの順方向電圧は例えば２Ｖであるとする。

ここで、本実施形態において発光素子群ＨＳ１１が発光するための発光基準電圧ＶＨ１１は、発光素子群ＨＳ１１が互いに直列に接続された順方向電圧が２Ｖの発光素子ＨＳ１１ａを４つ備えていることから、例えば８Ｖとなる。すなわち、発光素子群ＨＳ１１が発光するためには、他端の発光素子ＨＳ１１ａのアノードに印加される発光電圧Ｖｈ１１が８Ｖ以上である必要がある。

ここで、「発光素子群ＨＳ１１の他端としての発光素子ＨＳ１１ａのアノード」をノードＮｈ１１と称し、「発光素子群ＨＳ１１の一端としての発光素子ＨＳ１１ａのカソード」をノードＮｈ１１ａと称する。また、「発光電流Ｉｈ１１が発光素子ＨＳ１１ａの各々に流れる」ことを、「発光電流Ｉｈ１１が発光素子群ＨＳ１１に流れる」と記載する。

発光素子群ＨＳ１２は、互いに直列に接続された第２の発光素子としての複数の発光素子ＨＳ１２ａと、抵抗素子Ｒｈ１２と、を備えている。発光素子ＨＳ１２ａは、ＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）であり、自発光素子である。発光素子群ＨＳ１２の一端としての発光素子ＨＳ１２ａのカソードは、抵抗素子Ｒｈ１２の一端と接続されている。抵抗素子Ｒｈ１２の他端は電源ＶＳＳに接続されている。なお、発光素子ＨＳ１２ａとしては、ＬＥＤに限られず、発光ポリマーなど自発光素子としての有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子全般も適用可能である。

発光素子群ＨＳ１２は、駆動電圧Ｖｋに基づく第２の発光電圧としての発光電圧Ｖｈ１２が発光基準電圧ＶＨ１１よりも高い第２の発光基準電圧としての発光基準電圧ＶＨ１２以上にて自己の他端としての発光素子ＨＳ１２ａのアノードに印加されて、第２の発光電流としての発光電流Ｉｈ１２が発光素子ＨＳ１２ａの各々に流れると発光する。なお、発光電流Ｉｈ１２の電流値は、抵抗素子Ｒｈ１２の抵抗値に基づいて決まる。また、発光素子ＨＳ１２ａは、各々が内部抵抗を備えており、発光素子ＨＳ１２ａひとつ当たりの順方向電圧は例えば２Ｖであるとする。

ここで、本実施形態において発光素子群ＨＳ１２が発光するための発光基準電圧ＶＨ１２は、発光素子群ＨＳ１２が互いに直列に接続された順方向電圧が２Ｖの発光素子ＨＳ１２ａを５つ備えていることから、例えば１０Ｖとなる。すなわち、発光素子群ＨＳ１２が発光するためには、他端の発光素子ＨＳ１２ａのアノードに印加される発光電圧Ｖｈ１２が１０Ｖ以上である必要がある。

ここで、「発光素子群ＨＳ１２の他端としての発光素子ＨＳ１２ａのアノード」をノードＮｈ１２と称し、「発光素子群ＨＳ１２の一端としての発光素子ＨＳ１２ａのカソード」をノードＮｈ１２ａと称する。また、「発光電流Ｉｈ１２が発光素子ＨＳ１２ａの各々に流れる」ことを、「発光電流Ｉｈ１２が発光素子群ＨＳ１２に流れる」と記載する。

ここで、本実施形態において発光素子群ＨＳａが内部でばらつくことなく発光するためには、言い換えれば発光素子群ＨＳ１１と発光素子群ＨＳ１２とが同時に発光するためには、１０Ｖである発光基準電圧ＶＨ１２の方が８Ｖである発光基準電圧ＶＨ１１よりも高いことから、発光基準電圧ＶＨ１２である１０Ｖよりも大きい電圧が発光電圧Ｖｈａとして発光素子群ＨＳａに印加される必要がある。ここで、発光素子群ＨＳａが内部でばらつくことなく発光するための電圧を、発光基準電圧ＶＨａと称する。発光素子群ＨＳａは、発光基準電圧ＶＨ１２に基づく発光基準電圧ＶＨａ以上の発光電圧Ｖｈａが印加された場合に発光する。なお、本実施形態においては、発光基準電圧ＶＨａは発光基準電圧ＶＨ１２と同じ１０Ｖである。

なお、本実施形態においては、発光素子群ＨＳ１２は、発光素子群ＨＳ１１に設けられた発光素子ＨＳ１１ａの数よりも多くの発光素子ＨＳ１２ａを備えている例を示したが、これに限られない。すなわち、本発明にかかる照明装置４０は、発光素子群ＨＳ１１が発光するために必要な発光基準電圧ＶＨ１１と、発光素子群ＨＳ１２が発光するために必要な発光基準電圧ＶＨ１２と、が異なる場合に顕著な効果を奏するものであり、発光素子群ＨＳ１１と発光素子群ＨＳ１２とが備える発光素子の数が同じとなることを妨げるものではない。また、同様に、発光素子群ＨＳ１１と発光素子群ＨＳ１２とが互いに１つのＬＥＤを備えるものであってもよい。

ここで、仮に何の制御もなしに発光素子群ＨＳａに対して発光基準電圧ＶＨ１１以上発光基準電圧ＶＨ１２以下の発光電圧Ｖｈａが印加された場合には、発光素子群ＨＳ１１が発光し、発光素子群ＨＳ１２が発光しない状態となる。また、その後発光基準電圧ＶＨ１２以上となった発光電圧Ｖｈａが発光素子群ＨＳａに印加された場合には、発光素子群ＨＳ１１に加えて発光素子群ＨＳ１２が発光することとなる。すなわち、発光素子群ＨＳａに発光基準電圧ＶＨ１２よりも低い発光電圧Ｖｈが印加された場合には、発光素子群ＨＳ１１と発光素子群ＨＳ１２との発光タイミングがばらつき、発光素子群ＨＳａ全体としての発光が乱れてしまうおそれがある。特に、車載のエクステリアランプに用いられる場合には、発光素子群の発光の乱れが事故につながるおそれもある。本発明にかかる照明装置４０では、このような問題の発生を防止する。

ここで、本実施形態において発光素子群ＨＳＢが内部でばらつくことなく発光するためには、言い換えれば発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとが同時に発光するためには、１０Ｖである発光基準電圧ＶＨ１２の方が８Ｖである発光基準電圧ＶＨ２よりも高いことから、発光基準電圧ＶＨ１２である１０Ｖよりも大きい電圧が、発光電圧Ｖｈとして発光素子群ＨＳに印加され、発光電圧Ｖｈａとして発光素子群ＨＳａに印加される必要がある。ここで、発光素子群ＨＳＢが内部でばらつくことなく発光するための電圧を、発光基準電圧ＶＨＢと称する。発光素子群ＨＳＢは、発光基準電圧ＶＨ１２に基づく発光基準電圧ＶＨＢ以上の発光電圧Ｖｈが発光素子群ＨＳに印加され、且つ発光基準電圧ＶＨＢ以上の発光電圧Ｖｈａが発光素子群ＨＳａに印加された場合に発光する。なお、本実施形態においては、発光基準電圧ＶＨＢは発光基準電圧ＶＨ１２と同じ１０Ｖである。

なお、本実施形態においては、発光素子群ＨＳ１２は、発光素子群ＨＳ２に設けられた発光素子ＨＳ２ａの数よりも多くの発光素子ＨＳ１２ａを備えている例を示したが、これに限られない。すなわち、本発明にかかる照明装置４０は、発光素子群ＨＳ２が発光するために必要な発光基準電圧ＶＨ２と、発光素子群ＨＳ１２が発光するために必要な発光基準電圧ＶＨ１２と、が異なる場合に顕著な効果を奏するものであり、発光素子群ＨＳ２と発光素子群ＨＳ１２とが備える発光素子の数が同じとなることを妨げるものではない。また、同様に、発光素子群ＨＳ２と発光素子群ＨＳ１２とが互いに１つのＬＥＤを備えるものであってもよい。

ここで、仮に何の制御もなしに発光素子群ＨＳに対して発光基準電圧ＶＨ２以上発光基準電圧ＶＨ１２以下の発光電圧Ｖｈが印加され、発光素子群ＨＳａに対して発光基準電圧ＶＨ２以上発光基準電圧ＶＨ１２以下の発光電圧Ｖｈａが印加された場合には、発光素子群ＨＳ２が発光し、発光素子群ＨＳ１２が発光しない状態となる。また、その後発光基準電圧ＶＨ１２以上となった発光電圧Ｖｈａが発光素子群ＨＳａに印加された場合には、発光素子群ＨＳ２に加えて発光素子群ＨＳ１２が発光することとなる。すなわち、発光素子群ＨＳａに発光基準電圧ＶＨ１２よりも低い発光電圧Ｖｈが印加された場合には、発光素子群ＨＳ２と発光素子群ＨＳ１２との発光タイミングがばらつき、発光素子群ＨＳＢ全体としての発光が乱れてしまうおそれがある。特に、車載のエクステリアランプに用いられる場合には、発光素子群の発光の乱れが事故につながるおそれもある。本発明にかかる照明装置４０では、このような問題の発生を防止する。

半導体チップＩＣ１は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１と、電極パッドＴ２と、電極パッドＴ３と、電極パッドＴ４と、電極パッドＴ５と、を備えている。また、半導体チップＩＣ１は、第１の発光制御部としての発光制御部ＨＣ１と、調光回路ＬＣ１と、第１の調光部としての調光回路ＬＣ２と、を備えている。

電極パッドＴ１は、第１の電源配線としての配線Ｗ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。言い換えれば、配線Ｗ１は、電源供給回路ＶＳと半導体チップＩＣ１とに接続されている。電極パッドＴ２は、発光素子群ＨＳ１のノードＮｈ１と接続されている。電極パッドＴ３は、発光素子群ＨＳ２のノードＮｈ２と接続されている。電極パッドＴ４は、電源ＶＳＳと接続されている。

発光制御部ＨＣ１は、第１の比較回路としての比較回路ＣＮと、第１の制御スイッチとしてのトランジスタＰ１と、第３の制御スイッチとしてのトランジスタＰ８と、を備えている。

比較回路ＣＮは、電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。比較回路ＣＮは、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Ｖｃｒ１として出力する。

トランジスタＰ１は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳに接続され、ドレイン端子Ｄが調光回路ＬＣ１の一端と調光回路ＬＣ２の一端とに接続され、ゲート端子Ｇが電極パッドＴ５に接続されている。

トランジスタＰ８は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが比較回路ＣＮと接続され、ドレイン端子ＤがトランジスタＰ１のゲート端子Ｇと電極パッドＴ５とに接続されている。これにより、比較回路ＣＮとトランジスタＰ１のゲート端子ＧとはトランジスタＰ８を介して接続されており、比較回路ＣＮとトランジスタＰ１のゲート端子Ｇとの電気的な接続はトランジスタＰ８により制御される。また、トランジスタＰ８は、ゲート端子Ｇが電極パッドＴ４と接続、言い換えれば電極パッドＴ４を介して電源ＶＳＳと接続されている。これにより、トランジスタＰ８は、駆動電圧Ｖｋが上昇して比較回路ＣＮから出力されトランジスタＰ８のソース端子Ｓに供給される比較結果信号Ｖｃｒ１の信号レベルが上昇してトランジスタＰ８のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。ここで、トランジスタＰ８のドレイン端子ＤとトランジスタＰ１のゲート端子Ｇとの接続点をノードＮｄ１０と称する。

調光回路ＬＣ１は、一端が発光制御部ＨＣのトランジスタＰ１のドレイン端子Ｄと接続されている。また、調光回路ＬＣ１は、他端が電極パッドＴ２と接続、言い換えれば電極パッドＴ２を介して発光素子群ＨＳ１のノードＮｈ１と接続されている。

調光回路ＬＣ２は、一端が発光制御部ＨＣのトランジスタＰ１のドレイン端子Ｄと接続されている。また、調光回路ＬＣ２は、他端が電極パッドＴ３と接続、言い換えれば電極パッドＴ３を介して発光素子群ＨＳ２のノードＮｈ２に接続されている。

半導体チップＩＣ１ａは、半導体チップＩＣ１と同一構成である。ただし、図１３の半導体チップＩＣ１ａにおいては、説明の便宜上、半導体チップＩＣ１と区別するために半導体チップＩＣ１にて示した構成の語尾に「ａ」を付して示している。また、半導体チップＩＣ１ａにおいては、半導体チップＩＣ１にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路ＣＮ」については、図５等に示した「比較回路ＣＮａ」と区別するため、ここでは「比較回路ＣＮａａ」としている。

半導体チップＩＣ１ａは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１ａと、電極パッドＴ２ａと、電極パッドＴ３ａと、電極パッドＴ４ａと、電極パッドＴ５ａと、を備えている。また、半導体チップＩＣ１ａは、第２の発光制御部としての発光制御部ＨＣ１ａと、調光回路ＬＣ１ａと、第２の調光部としての調光回路ＬＣ２ａと、を備えている。発光制御部ＨＣ１ａは、第２の比較回路としての比較回路ＣＮａａと、第２の制御スイッチとしてのトランジスタＰ１ａと、トランジスタＰ８ａと、を備えている。

電極パッドＴ１ａは、第２の電源配線としての配線Ｗ２を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。言い換えれば、配線Ｗ２は、電源供給回路ＶＳと半導体チップＩＣ１ａとに接続されている。電極パッドＴ２ａは、発光素子群ＨＳ１１のノードＮｈ１１と接続されている。電極パッドＴ３ａは、発光素子群ＨＳ１２のノードＮｈ１２と接続されている。なお、配線Ｗ２は、例えば配線Ｗ１よりも配線抵抗が小さい。

調光回路ＬＣ１ａは、一端が発光制御部ＨＣ１ａのトランジスタＰ１ａのドレイン端子Ｄと接続されている。また、調光回路ＬＣ１ａは、他端が電極パッドＴ２ａと接続されており、これにより電極パッドＴ２ａを介して発光素子群ＨＳ１１のノードＮｈ１１に接続されている。

調光回路ＬＣ２ａは、一端が発光制御部ＨＣ１ａのトランジスタＰ１ａのドレイン端子Ｄと接続されている。また、調光回路ＬＣ２ａは、他端が電極パッドＴ３ａと接続されており、これにより電極パッドＴ３ａを介して発光素子群ＨＳ１２のノードＮｈ１２に接続されている。

電極パッドＴ４ａは、電源供給回路ＶＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ８ａにおいては、ゲート端子Ｇが常時電源供給回路ＶＳに接続された状態となっている。したがって、トランジスタＰ８ａは、駆動電圧Ｖｋの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。

電極パッドＴ５ａは、第１の接続配線としての配線Ｗ３にて半導体チップＩＣ１の電極パッドＴ５と接続されている。すなわち、配線Ｗ３は、ノードＮｄ１０とノードＮｄ１０ａとを電気的に接続している。これにより、トランジスタＰ１のゲート端子ＧとトランジスタＰ１ａのゲート端子Ｇとが電気的に接続されている。

以上のように、照明装置４０においては、発光制御部ＨＣ１において半導体チップＩＣ１のトランジスタＰ８のゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮからトランジスタＰ１のゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ１の供給がなされており、また、発光制御部ＨＣ１ａにおいて半導体チップＩＣ１ａのトランジスタＰ８ａのゲート端子Ｇが電源供給回路ＶＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａａからトランジスタＰ１ａのゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ１ａの供給が遮断されている。また、比較回路ＣＮと接続されたトランジスタＰ１のゲート端子ＧがトランジスタＰ１ａのゲート端子Ｇと配線Ｗ３を介して電気的に接続されている。そして、照明装置４０は、これにより、半導体チップＩＣ１に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ１ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ１の発光制御部ＨＣ１により行っている。

したがって、照明装置４０によれば、半導体チップＩＣ１の比較回路ＣＮと半導体チップＩＣ１ａの比較回路ＣＮａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

また、照明装置４０によれば、半導体チップＩＣ１ａが電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ２の配線抵抗よりも、半導体チップＩＣ１が電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ１の配線抵抗の方が大きい場合において、半導体チップＩＣ１に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ１ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ１の発光制御部ＨＣ１により行うこととしたので、半導体チップＩＣ１の比較回路ＣＮが取得する駆動電圧Ｖｋの電位の上昇が、配線Ｗ１と配線Ｗ２との配線抵抗の差に基づいて半導体チップＩＣ１ａの比較回路ＣＮａａが取得する駆動電圧Ｖｋの電位の上昇に比べて遅延する場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光のタイミングのばらつきを防止することができる。

［第４の実施形態の第１の変形例］
図１４は、本発明の第４の実施形態の第１の変形例にかかる照明装置４０ａを示した図である。照明装置４０ａは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、半導体チップＩＣ１と、半導体チップＩＣ１ａと、を備えている。なお、図１４に示した照明装置４０ａにおいては、図１３に示した照明装置４０と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

照明装置４０ａは、半導体チップＩＣ１の電極パッドＴ４の接続先と、半導体チップＩＣ１ａの電極パッドＴ４ａの接続先と、が照明装置４０とは実質的に異なる。

電極パッドＴ４は、電源供給回路ＶＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ８においては、ゲート端子Ｇが常時電源供給回路ＶＳに接続された状態となっている。したがって、トランジスタＰ８は、駆動電圧Ｖｋの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。

また、電極パッドＴ４ａは、電源ＶＳＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ８ａにおいては、ゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと接続されている。したがって、トランジスタＰ８ａは、駆動電圧Ｖｋが上昇してトランジスタＰ８のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。

以上のように、照明装置４０ａにおいては、発光制御部ＨＣ１において半導体チップＩＣ１のトランジスタＰ８のゲート端子Ｇが電源供給回路ＶＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮからトランジスタＰ１のゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ１の供給が遮断されており、また、発光制御部ＨＣ１ａにおいて半導体チップＩＣ１ａのトランジスタＰ８ａのゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａａからトランジスタＰ１ａのゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ１ａの供給がなされている。また、比較回路ＣＮａａと接続されたトランジスタＰ１ａのゲート端子ＧがトランジスタＰ１のゲート端子Ｇと配線Ｗ３を介して電気的に接続されている。そして、照明装置４０は、これにより、半導体チップＩＣ１に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ１ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ１ａの発光制御部ＨＣ１ａにより行っている。

したがって、照明装置４０ａによれば、半導体チップＩＣ１の比較回路ＣＮと半導体チップＩＣ１ａの比較回路ＣＮａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

なお、半導体チップＩＣ１と半導体チップＩＣ１ａとを備えて構成された照明装置における発光制御及び発光停止制御は、以上のように、半導体チップＩＣ１の発光制御部ＨＣ１又は半導体チップＩＣ１ａの発光制御部ＨＣ１ａのいずれか一方にて行われる。

［第４の実施形態の第２の変形例］
図１５は、本発明の第４の実施形態の第２の変形例にかかる照明装置４０ｂを示した図である。照明装置４０ｂは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、第１の半導体チップとしての半導体チップＩＣ２と、第２の半導体チップとしての半導体チップＩＣ２ａと、を備えている。なお、図１５に示した照明装置４０ｂにおいては、図４に示した照明装置１０ｂ、図１３に示した照明装置４０と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

半導体チップＩＣ２は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１と、電極パッドＴ２と、電極パッドＴ３と、電極パッドＴ４と、電極パッドＴ５と、を備えている。また、半導体チップＩＣ２は、第１の発光制御部としての発光制御部ＨＣ２と、調光回路ＬＣ１と、第１の調光部としての調光回路ＬＣ２と、を備えている。

電極パッドＴ１は、第１の電源配線としての配線Ｗ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。言い換えれば、配線Ｗ１は、電源供給回路ＶＳと半導体チップＩＣ２とに接続されている。電極パッドＴ２は、発光素子群ＨＳ１のノードＮｈ１と接続されている。電極パッドＴ３は、発光素子群ＨＳ２のノードＮｈ２と接続されている。電極パッドＴ４は、電源ＶＳＳと接続されている。

発光制御部ＨＣ２は、第１の比較回路としての比較回路ＣＮと、トランジスタＰ２と、第１の制御スイッチとしてのトランジスタＰ３と、第３の制御スイッチとしてのトランジスタＰ９と、を備えている。

調光回路ＬＣ１は、一端が電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。

調光回路ＬＣ２は、一端が電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。

トランジスタＰ２は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが調光回路ＬＣ１の他端と接続されており、ドレイン端子Ｄが電極パッドＴ２と接続、言い換えれば電極パッドＴ２を介して発光素子群ＨＳ１のノードＮｈ１に接続されている。

トランジスタＰ３は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが調光回路ＬＣ２の他端と接続されており、ドレイン端子Ｄが電極パッドＴ３と接続、言い換えれば電極パッドＴ３を介して発光素子群ＨＳ２のノードＮｈ２に接続されている。

トランジスタＰ９は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが比較回路ＣＮと接続され、ドレイン端子ＤがトランジスタＰ１のゲート端子Ｇと電極パッドＴ５とに接続されている。これにより、比較回路ＣＮとトランジスタＰ２及びトランジスタＰ３のゲート端子ＧとはトランジスタＰ９を介して接続されており、比較回路ＣＮとトランジスタＰ２及びトランジスタＰ３のゲート端子Ｇとの電気的な接続はトランジスタＰ９により制御される。また、トランジスタＰ９は、ゲート端子Ｇが電極パッドＴ４と接続、言い換えれば電極パッドＴ４を介して電源ＶＳＳと接続されている。これにより、トランジスタＰ９は、駆動電圧Ｖｋが上昇して比較回路ＣＮから出力されトランジスタＰ９のソース端子Ｓに供給される比較結果信号Ｖｃｒ１の信号レベルが上昇してトランジスタＰ９のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。ここで、トランジスタＰ９のドレイン端子ＤとトランジスタＰ２及びトランジスタＰ３のゲート端子Ｇとの接続点をノードＮｄ１１と称する。

半導体チップＩＣ２ａは、半導体チップＩＣ２と同一構成である。ただし、図１５の半導体チップＩＣ２ａにおいては、説明の便宜上、半導体チップＩＣ２と区別するために半導体チップＩＣ２にて示した構成の語尾に「ａ」を付して示している。また、半導体チップＩＣ２ａにおいては、半導体チップＩＣ２にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路ＣＮ」については、図５等に示した「比較回路ＣＮａ」と区別するため、ここでは「比較回路ＣＮａａ」としている。

半導体チップＩＣ２ａは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１ａと、電極パッドＴ２ａと、電極パッドＴ３ａと、電極パッドＴ４ａと、電極パッドＴ５ａと、を備えている。また、半導体チップＩＣ２ａは、第２の発光制御部としての発光制御部ＨＣ２ａと、調光回路ＬＣ１ａと、第２の調光部としての調光回路ＬＣ２ａと、を備えている。発光制御部ＨＣ２ａは、比較回路ＣＮａａと、第２の制御スイッチとしてのトランジスタＰ２ａと、第２の制御スイッチとしてのトランジスタＰ３ａと、トランジスタＰ９ａと、を備えている。

電極パッドＴ１ａは、第２の電源配線としての配線Ｗ２を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。言い換えれば、配線Ｗ２は、電源供給回路ＶＳと半導体チップＩＣ２ａとに接続されている。電極パッドＴ２ａは、発光素子群ＨＳ１１のノードＮｈ１１と接続されている。電極パッドＴ３ａは、発光素子群ＨＳ１２のノードＮｈ１２と接続されている。なお、配線Ｗ２は、例えば配線Ｗ１よりも配線抵抗が小さい。

調光回路ＬＣ１ａは、一端が電極パッドＴ１ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ１ａを介して電源供給回路ＶＳに接続されている。

調光回路ＬＣ２ａは、一端が電極パッドＴ１ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ１ａを介して電源供給回路ＶＳに接続されている。

トランジスタＰ２ａは、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが調光回路ＬＣ１ａの他端と接続されており、ドレイン端子Ｄが電極パッドＴ２ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ２ａを介して発光素子群ＨＳ１１のノードＮｈ１１に接続されている。

トランジスタＰ３ａは、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが調光回路ＬＣ２ａの他端と接続されており、ドレイン端子Ｄが電極パッドＴ３ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ３ａを介して発光素子群ＨＳ１２のノードＮｈ１２に接続されている。

電極パッドＴ４ａは、電源供給回路ＶＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ９ａにおいては、ゲート端子Ｇが常時電源供給回路ＶＳに接続された状態となっている。したがって、トランジスタＰ９ａは、駆動電圧Ｖｋの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。

電極パッドＴ５ａは、配線Ｗ３にて半導体チップＩＣ２の電極パッドＴ５と接続されている。すなわち、配線Ｗ３は、ノードＮｄ１１とノードＮｄ１１ａとを電気的に接続している。これにより、トランジスタＰ２及びトランジスタＰ３のゲート端子ＧとトランジスタＰ２及びトランジスタＰ２ａのゲート端子Ｇとが電気的に接続されている。

以上のように、照明装置４０ｂにおいては、発光制御部ＨＣ２において半導体チップＩＣ２のトランジスタＰ９のゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮからトランジスタＰ２及びトランジスタＰ３のゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ１の供給がなされており、また、発光制御部ＨＣ２ａにおいて半導体チップＩＣ２ａのトランジスタＰ２ａ及びトランジスタＰ３ａのゲート端子Ｇが電源供給回路ＶＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａａからトランジスタＰ２ａ及びトランジスタＰ３ａのゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ１ａの供給が遮断されている。また、比較回路ＣＮと接続されたトランジスタＰ２及びトランジスタＰ３のゲート端子ＧがトランジスタＰ２ａ及びトランジスタＰ３ａのゲート端子Ｇと配線Ｗ３を介して電気的に接続されている。そして、照明装置４０ｂは、これにより、半導体チップＩＣ２に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ２ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ２の発光制御部ＨＣ２により行っている。

したがって、照明装置４０ｂによれば、半導体チップＩＣ２の比較回路ＣＮと半導体チップＩＣ２ａの比較回路ＣＮａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

また、照明装置４０ｂによれば、半導体チップＩＣ２ａが電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ２の配線抵抗よりも、半導体チップＩＣ２が電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ１の配線抵抗の方が大きい場合において、半導体チップＩＣ２に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ２ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ２の発光制御部ＨＣ２により行うこととしたので、半導体チップＩＣ２の比較回路ＣＮが取得する駆動電圧Ｖｋの電位の上昇が、配線Ｗ１と配線Ｗ２との配線抵抗の差に基づいて半導体チップＩＣ２ａの比較回路ＣＮａａが取得する駆動電圧Ｖｋの電位の上昇に比べて遅延する場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光のタイミングのばらつきを防止することができる。

［第４の実施形態の第３の変形例］
図１６は、本発明の第４の実施形態の第３の変形例にかかる照明装置４０ｃを示した図である。照明装置４０ｃは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、半導体チップＩＣ２と、半導体チップＩＣ２ａと、を備えている。なお、図１６に示した照明装置４０ｃにおいては、図１５に示した照明装置４０ｂと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

照明装置４０ｃは、半導体チップＩＣ２の電極パッドＴ４の接続先と、半導体チップＩＣ２ａの電極パッドＴ４ａの接続先と、が照明装置４０ｂとは実質的に異なる。

電極パッドＴ４は、電源供給回路ＶＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ９においては、ゲート端子Ｇが常時電源供給回路ＶＳに接続された状態となっている。したがって、トランジスタＰ９は、駆動電圧Ｖｋの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。

また、電極パッドＴ４ａは、電源ＶＳＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ９ａにおいては、ゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと接続されている。したがって、トランジスタＰ９ａは、駆動電圧Ｖｋが上昇してトランジスタＰ９のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。

以上のように、照明装置４０ａにおいては、発光制御部ＨＣ２において半導体チップＩＣ２のトランジスタＰ９のゲート端子Ｇが電源供給回路ＶＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮからトランジスタＰ２及びトランジスタＰ３のゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ１の供給が遮断されており、また、発光制御部ＨＣ２ａにおいて半導体チップＩＣ２ａのトランジスタＰ９ａのゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａａからトランジスタＰ２ａ及びトランジスタＰ３ａのゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ１ａの供給がなされている。また、比較回路ＣＮａａと接続されたトランジスタＰ２ａ及びトランジスタＰ３ａのゲート端子ＧがトランジスタＰ２及びトランジスタＰ３のゲート端子Ｇと配線Ｗ３を介して電気的に接続されている。そして、照明装置４０ｃは、これにより、半導体チップＩＣ２に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ２ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ２ａの発光制御部ＨＣ２ａにより行っている。

したがって、照明装置４０ｃによれば、半導体チップＩＣ２の比較回路ＣＮと半導体チップＩＣ２ａの比較回路ＣＮａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

なお、半導体チップＩＣ２と半導体チップＩＣ２ａとを備えて構成された照明装置における発光制御及び発光停止制御は、以上のように、半導体チップＩＣ２の発光制御部ＨＣ２又は半導体チップＩＣ２ａの発光制御部ＨＣ２ａのいずれか一方にて行われる。

［第４の実施形態の第４の変形例］
図１７は、本発明の第４の実施形態の第４の変形例にかかる照明装置４０ｄを示した図である。照明装置４０ｄは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、第１の半導体チップとしての半導体チップＩＣ３と、第２の半導体チップとしての半導体チップＩＣ３ａと、を備えている。なお、図１７に示した照明装置４０ｄにおいては、図５に示した照明装置２０、図６に示した照明装置２０ａ、図１３に示した照明装置４０と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

半導体チップＩＣ３は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１と、電極パッドＴ２と、電極パッドＴ３と、電極パッドＴ４と、電極パッドＴ５と、電極パッドＴ６と、電極パッドＴ７と、を備えている。また、半導体チップＩＣ３は、第１の発光制御部としての発光制御部ＨＣ３と、調光回路ＬＣ１と、第１の調光部としての調光回路ＬＣ２と、を備えている。

発光制御部ＨＣ３は、第１の比較回路としての比較回路ＣＮａと、トランジスタＮ１と、第１の制御スイッチとしてのトランジスタＮ２と、第３の制御スイッチとしてのトランジスタＰ１０と、を備えている。

比較回路ＣＮａは、電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。比較回路ＣＮａは、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Ｖｃｒ２として出力する。

調光回路ＬＣ１は、一端が電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されており、他端が電極パッドＴ２に接続されている。

調光回路ＬＣ２は、一端が電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されており、他端が電極パッドＴ３に接続されている。

トランジスタＮ１は、ＮＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが電源ＶＳＳと接続されており、ドレイン端子Ｄが電極パッドＴ６と接続されている。

トランジスタＮ２は、ＮＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが電源ＶＳＳと接続されており、ドレイン端子Ｄが電極パッドＴ７と接続されている。

トランジスタＰ１０は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが比較回路ＣＮａと接続され、ドレイン端子ＤがトランジスタＮ１及びトランジスタＮ２のゲート端子Ｇと電極パッドＴ５とに接続されている。これにより、比較回路ＣＮａとトランジスタＮ１及びトランジスタＮ２のゲート端子ＧとはトランジスタＰ１０を介して接続されており、比較回路ＣＮａとトランジスタＮ１及びトランジスタＮ２のゲート端子Ｇとの電気的な接続はトランジスタＰ１０により制御される。また、トランジスタＰ１０は、ゲート端子Ｇが電極パッドＴ４と接続、言い換えれば電極パッドＴ４を介して電源ＶＳＳと接続されている。これにより、トランジスタＰ１０は、駆動電圧Ｖｋが上昇して比較回路ＣＮａから出力されトランジスタＰ１０のソース端子Ｓに供給される比較結果信号Ｖｃｒ２の信号レベルが上昇してトランジスタＰ１０のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。ここで、トランジスタＰ１０のドレイン端子ＤとトランジスタＮ１及びトランジスタＮ２のゲート端子Ｇとの接続点をノードＮｄ１２と称する。

発光素子群ＨＳ１は、ノードＮｈ１が電極パッドＴ２と接続、言い換えれば電極パッドＴ２を介して調光回路ＬＣ１の他端に接続されており、ノードＮｈ１ａが電極パッドＴ６と接続、言い換えれば電極パッドＴ６を介してトランジスタＮ１のドレイン端子Ｄと接続されている。

発光素子群ＨＳ２は、ノードＮｈ２が電極パッドＴ３と接続、言い換えれば電極パッドＴ３を介して調光回路ＬＣ２の他端に接続されており、ノードＮＨ２ａが電極パッドＴ７と接続、言い換えれば電極パッドＴ７を介してトランジスタＮ２のドレイン端子Ｄと接続されている。

半導体チップＩＣ３ａは、半導体チップＩＣ３と同一構成である。ただし、図１７の半導体チップＩＣ３ａにおいては、説明の便宜上、半導体チップＩＣ３と区別するために半導体チップＩＣ３にて示した構成の語尾に「ａ」を付して示している。また、半導体チップＩＣ３ａにおいては、半導体チップＩＣ３にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路ＣＮａ」については、図１３等に示した「比較回路ＣＮａａ」と区別するため、ここでは「比較回路ＣＮａａａ」としている。

半導体チップＩＣ３ａは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１ａと、電極パッドＴ２ａと、電極パッドＴ３ａと、電極パッドＴ４ａと、電極パッドＴ５ａと、電極パッドＴ６ａと、電極パッドＴ７ａと、を備えている。また、半導体チップＩＣ３ａは、第２の発光制御部としての発光制御部ＨＣ３ａと、調光回路ＬＣ１ａと、第２の調光部としての調光回路ＬＣ２ａと、を備えている。発光制御部ＨＣ３ａは、第２の比較回路としての比較回路ＣＮａａａと、トランジスタＮ１ａと、第２の制御スイッチとしてのトランジスタＮ２ａと、トランジスタＰ１０ａと、を備えている。

電極パッドＴ１ａは、第２の電源配線としての配線Ｗ２を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。言い換えれば、配線Ｗ２は、電源供給回路ＶＳと半導体チップＩＣ３ａとに接続されている。電極パッドＴ２ａは、発光素子群ＨＳ１１のノードＮｈ１１と接続されている。電極パッドＴ３ａは、発光素子群ＨＳ１２のノードＮｈ１２と接続されている。なお、配線Ｗ２は、例えば配線Ｗ１よりも配線抵抗が小さい。

発光素子群ＨＳ１１は、ノードＮｈ１１が電極パッドＴ２ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ２ａを介して調光回路ＬＣ１ａの他端に接続されており、ノードＮｈ１１ａが電極パッドＴ６ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ６ａを介してトランジスタＮ１ａのドレイン端子Ｄと接続されている。

発光素子群ＨＳ１２は、ノードＮｈ１２が電極パッドＴ３ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ３ａを介して調光回路ＬＣ２ａの他端に接続されており、ノードＮｈ１２ａが電極パッドＴ７ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ７ａを介してトランジスタＮ２ａのドレイン端子Ｄと接続されている。

電極パッドＴ４ａは、電源供給回路ＶＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ１０ａにおいては、ゲート端子Ｇが常時電源供給回路ＶＳに接続された状態となっている。したがって、トランジスタＰ１０ａは、駆動電圧Ｖｋの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。

電極パッドＴ５ａは、配線Ｗ３にて半導体チップＩＣ３の電極パッドＴ５と接続されている。すなわち、配線Ｗ３は、ノードＮｄ１２とノードＮｄ１２ａとを電気的に接続している。これにより、トランジスタＮ１及びトランジスタＮ２のゲート端子ＧとトランジスタＮ１ａ及びトランジスタＮ２ａのゲート端子Ｇとが電気的に接続されている。

以上のように、照明装置４０ｄにおいては、発光制御部ＨＣ３において半導体チップＩＣ３のトランジスタＰ１０のゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａからトランジスタＮ１及びトランジスタＮ２のゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ２の供給がなされており、また、発光制御部ＨＣ３ａにおいて半導体チップＩＣ３ａのトランジスタＮ１ａ及びトランジスタＮ２ａのゲート端子Ｇが電源供給回路ＶＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａａａからトランジスタＮ１ａ及びトランジスタＮ２ａのゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ２ａの供給が遮断されている。また、比較回路ＣＮａと接続されたトランジスタＮ１及びトランジスタＮ２のゲート端子ＧがトランジスタＮ１ａ及びトランジスタＮ２ａのゲート端子Ｇと配線Ｗ３を介して電気的に接続されている。そして、照明装置４０ｄは、これにより、半導体チップＩＣ３に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ３ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ３の発光制御部ＨＣ３により行っている。

したがって、照明装置４０ｄによれば、半導体チップＩＣ３の比較回路ＣＮａと半導体チップＩＣ３ａの比較回路ＣＮａａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

また、照明装置４０ｄによれば、半導体チップＩＣ３ａが電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ２の配線抵抗よりも、半導体チップＩＣ３が電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ１の配線抵抗の方が大きい場合において、半導体チップＩＣ３に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ３ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ３の発光制御部ＨＣ３により行うこととしたので、半導体チップＩＣ３の比較回路ＣＮａが取得する駆動電圧Ｖｋの電位の上昇が、配線Ｗ１と配線Ｗ２との配線抵抗の差に基づいて半導体チップＩＣ３ａの比較回路ＣＮａａａが取得する駆動電圧Ｖｋの電位の上昇に比べて遅延する場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光のタイミングのばらつきを防止することができる。

［第４の実施形態の第５の変形例］
図１８は、本発明の第４の実施形態の第５の変形例にかかる照明装置４０ｅを示した図である。照明装置４０ｅは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、半導体チップＩＣ３と、半導体チップＩＣ３ａと、を備えている。なお、図１８に示した照明装置４０ｅにおいては、図１７に示した照明装置４０ｄと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

照明装置４０ｅは、半導体チップＩＣ３の電極パッドＴ４の接続先と、半導体チップＩＣ３ａの電極パッドＴ４ａの接続先と、が照明装置４０ｄとは実質的に異なる。

電極パッドＴ４は、電源供給回路ＶＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ１０においては、ゲート端子Ｇが常時電源供給回路ＶＳに接続された状態となっている。したがって、トランジスタＰ１０は、駆動電圧Ｖｋの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。

また、電極パッドＴ４ａは、電源ＶＳＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ１０ａにおいては、ゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと接続されている。したがって、トランジスタＰ１０ａは、駆動電圧Ｖｋが上昇してトランジスタＰ１０のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。

以上のように、照明装置４０ｅにおいては、発光制御部ＨＣ３において半導体チップＩＣ３のトランジスタＰ１０のゲート端子Ｇが電源供給回路ＶＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａからトランジスタＮ１及びトランジスタＮ２のゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ２の供給が遮断されており、また、発光制御部ＨＣ３ａにおいて半導体チップＩＣ３ａのトランジスタＰ１０ａのゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａａａからトランジスタＮ１ａ及びトランジスタＮ２ａのゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ２ａの供給がなされている。また、比較回路ＣＮａａａと接続されたトランジスタＮ１ａ及びトランジスタＮ２ａのゲート端子ＧがトランジスタＮ１及びトランジスタＮ２のゲート端子Ｇと配線Ｗ３を介して電気的に接続されている。そして、照明装置４０ｅは、これにより、半導体チップＩＣ３に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ３ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ３ａの発光制御部ＨＣ３ａにより行っている。

したがって、照明装置４０ｅによれば、半導体チップＩＣ３の比較回路ＣＮａと半導体チップＩＣ３ａの比較回路ＣＮａａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

なお、半導体チップＩＣ３と半導体チップＩＣ３ａとを備えて構成された照明装置における発光制御及び発光停止制御は、以上のように、半導体チップＩＣ３の発光制御部ＨＣ３又は半導体チップＩＣ３ａの発光制御部ＨＣ３ａのいずれか一方にて行われる。

［第４の実施形態の第６の変形例］
図１９は、本発明の第４の実施形態の第６の変形例にかかる照明装置４０ｆを示した図である。照明装置４０ｆは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、第１の半導体チップとしての半導体チップＩＣ４と、第２の半導体チップとしての半導体チップＩＣ４ａと、を備えている。なお、図１９に示した照明装置４０ｆにおいては、図８に示した照明装置３０、図１０に示した照明装置３０ａ、図１３に示した照明装置４０と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

半導体チップＩＣ４は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１と、電極パッドＴ２と、電極パッドＴ３と、電極パッドＴ４と、電極パッドＴ５と、を備えている。また、半導体チップＩＣ４は、第１の発光制御部としての発光制御部ＨＣ４と、調光回路ＬＣ１と、第１の調光部としての調光回路ＬＣ２と、を備えている。

発光制御部ＨＣ４は、第１の比較回路としての比較回路ＣＮａと、トランジスタＰ６と、第１の制御スイッチとしてのトランジスタＰ７と、第３の制御スイッチとしてのトランジスタＰ１１と、を備えている。

比較回路ＣＮａは、電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。比較回路ＣＮａは、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Ｖｃｒ２として出力する。

トランジスタＰ６は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが電源供給回路ＶＳと接続されており、ドレイン端子Ｄが調光回路ＬＣ１と接続されている。

トランジスタＰ７は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが電源供給回路ＶＳと接続されており、ドレイン端子Ｄが調光回路ＬＣ２と接続されている。

トランジスタＰ１１は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが比較回路ＣＮａと接続され、ドレイン端子ＤがトランジスタＰ６及びトランジスタＰ７のゲート端子Ｇと電極パッドＴ５とに接続されている。これにより、比較回路ＣＮａとトランジスタＰ６及びトランジスタＰ７のゲート端子ＧとはトランジスタＰ１１を介して接続されており、比較回路ＣＮａとトランジスタＰ６及びトランジスタＰ７のゲート端子Ｇとの電気的な接続はトランジスタＰ１１により制御される。また、トランジスタＰ１１は、ゲート端子Ｇが電極パッドＴ４と接続、言い換えれば電極パッドＴ４を介して電源ＶＳＳと接続されている。これにより、トランジスタＰ１１は、駆動電圧Ｖｋが上昇して比較回路ＣＮａから出力されトランジスタＰ１１のソース端子Ｓに供給される比較結果信号Ｖｃｒ２の信号レベルが上昇してトランジスタＰ１１のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。ここで、トランジスタＰ１１のドレイン端子ＤとトランジスタＰ６及びトランジスタＰ７のゲート端子Ｇとの接続点をノードＮｄ１３と称する。

半導体チップＩＣ４ａは、半導体チップＩＣ４と同一構成である。ただし、図１９の半導体チップＩＣ４ａにおいては、説明の便宜上、半導体チップＩＣ４と区別するために半導体チップＩＣ４にて示した構成の語尾に「ａ」を付して示している。また、半導体チップＩＣ４ａにおいては、半導体チップＩＣ４にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路ＣＮａ」については、図１３等に示した「比較回路ＣＮａａ」と区別するため、ここでは「比較回路ＣＮａａａ」としている。

半導体チップＩＣ４ａは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１ａと、電極パッドＴ２ａと、電極パッドＴ３ａと、電極パッドＴ４ａと、電極パッドＴ５ａと、を備えている。また、半導体チップＩＣ４ａは、第２の発光制御部としての発光制御部ＨＣ４ａと、調光回路ＬＣ１ａと、第２の調光部としての調光回路ＬＣ２ａと、を備えている。発光制御部ＨＣ４ａは、第２の比較回路としての比較回路ＣＮａａａと、トランジスタＰ６ａと、第２の制御スイッチとしてのトランジスタＰ７ａと、トランジスタＰ１１ａと、を備えている。

調光回路ＬＣ１１は、一端が電極パッドＴ１ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ１ａを介して電源供給回路ＶＳに接続されており、他端が電極パッドＴ２ａに接続されている。

調光回路ＬＣ１２は、一端が電極パッドＴ１ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ１ａを介して電源供給回路ＶＳに接続されており、他端が電極パッドＴ３ａに接続されている。

電極パッドＴ４ａは、電源供給回路ＶＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ１１ａにおいては、ゲート端子Ｇが常時電源供給回路ＶＳに接続された状態となっている。したがって、トランジスタＰ１１ａは、駆動電圧Ｖｋの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。

電極パッドＴ５ａは、配線Ｗ３にて半導体チップＩＣ４の電極パッドＴ５と接続されている。すなわち、配線Ｗ３は、ノードＮｄ１３とノードＮｄ１３ａとを電気的に接続している。これにより、トランジスタＰ６及びトランジスタＰ７のゲート端子ＧとトランジスタＰ６ａ及びトランジスタＰ７ａのゲート端子Ｇとが電気的に接続されている。

以上のように、照明装置４０ｆにおいては、発光制御部ＨＣ４において半導体チップＩＣ４のトランジスタＰ１１のゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａからトランジスタＰ６及びトランジスタＰ７のゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ２の供給がなされており、また、発光制御部ＨＣ４ａにおいて半導体チップＩＣ４ａのトランジスタＰ６ａ及びトランジスタＰ７ａのゲート端子Ｇが電源供給回路ＶＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａａａからトランジスタＰ６ａ及びトランジスタＰ７ａのゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ２ａの供給が遮断されている。また、比較回路ＣＮａと接続されたトランジスタＰ６及びトランジスタＰ７のゲート端子ＧがトランジスタＰ６ａ及びトランジスタＰ７ａのゲート端子Ｇと配線Ｗ３を介して電気的に接続されている。そして、照明装置４０ｆは、これにより、半導体チップＩＣ４に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ４ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ４の発光制御部ＨＣ４により行っている。

したがって、照明装置４０ｆによれば、半導体チップＩＣ４の比較回路ＣＮａと半導体チップＩＣ４ａの比較回路ＣＮａａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

また、照明装置４０ｆによれば、半導体チップＩＣ４ａが電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ２の配線抵抗よりも、半導体チップＩＣ４が電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ１の配線抵抗の方が大きい場合において、半導体チップＩＣ４に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ４ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ４の発光制御部ＨＣ４により行うこととしたので、半導体チップＩＣ４の比較回路ＣＮａが取得する駆動電圧Ｖｋの電位の上昇が、配線Ｗ１と配線Ｗ２との配線抵抗の差に基づいて半導体チップＩＣ４ａの比較回路ＣＮａａａが取得する駆動電圧Ｖｋの電位の上昇に比べて遅延する場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光のタイミングのばらつきを防止することができる。

［第４の実施形態の第７の変形例］
図２０は、本発明の第４の実施形態の第７の変形例にかかる照明装置４０ｇを示した図である。照明装置４０ｇは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、半導体チップＩＣ４と、半導体チップＩＣ４ａと、を備えている。なお、図２０に示した照明装置４０ｇにおいては、図１９に示した照明装置４０ｆと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

照明装置４０ｇは、半導体チップＩＣ４の電極パッドＴ４の接続先と、半導体チップＩＣ４ａの電極パッドＴ４ａの接続先と、が照明装置４０ｆとは実質的に異なる。

電極パッドＴ４は、電源供給回路ＶＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ１１においては、ゲート端子Ｇが常時電源供給回路ＶＳに接続された状態となっている。したがって、トランジスタＰ１１は、駆動電圧Ｖｋの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。

また、電極パッドＴ４ａは、電源ＶＳＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ１１ａにおいては、ゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと接続されている。したがって、トランジスタＰ１１ａは、駆動電圧Ｖｋが上昇してトランジスタＰ１１のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。

以上のように、照明装置４０ｇにおいては、発光制御部ＨＣ４において半導体チップＩＣ４のトランジスタＰ１１のゲート端子Ｇが電源供給回路ＶＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａからトランジスタＰ６及びトランジスタＰ７のゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ２の供給が遮断されており、また、発光制御部ＨＣ４ａにおいて半導体チップＩＣ４ａのトランジスタＰ１１ａのゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａａａからトランジスタＰ６ａ及びトランジスタＰ７ａのゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ２ａの供給がなされている。また、比較回路ＣＮａａａと接続されたトランジスタＰ６ａ及びトランジスタＰ７ａのゲート端子ＧがトランジスタＰ６及びトランジスタＰ７のゲート端子Ｇと配線Ｗ３を介して電気的に接続されている。そして、照明装置４０ｇは、これにより、半導体チップＩＣ４に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ４ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ４ａの発光制御部ＨＣ４ａにより行っている。

したがって、照明装置４０ｇによれば、半導体チップＩＣ４の比較回路ＣＮａと半導体チップＩＣ４ａの比較回路ＣＮａａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

なお、半導体チップＩＣ４と半導体チップＩＣ４ａとを備えて構成された照明装置における発光制御及び発光停止制御は、以上のように、半導体チップＩＣ４の発光制御部ＨＣ４又は半導体チップＩＣ４ａの発光制御部ＨＣ４ａのいずれか一方にて行われる。

［第４の実施形態の第８の変形例］
図２１は、本発明の第４の実施形態の第８の変形例にかかる照明装置４０ｈを示した図である。照明装置４０ｈは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、第１の半導体チップとしての半導体チップＩＣ５と、第２の半導体チップとしての半導体チップＩＣ５ａと、を備えている。なお、図２１に示した照明装置４０ｈにおいては、図１１に示した照明装置３０ｂ、図１３に示した照明装置４０と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

半導体チップＩＣ５は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１と、電極パッドＴ２と、電極パッドＴ３と、電極パッドＴ４と、電極パッドＴ５と、を備えている。また、半導体チップＩＣ５は、第１の発光制御部としての発光制御部ＨＣ５と、調光回路ＬＣ１と、第１の調光部としての調光回路ＬＣ２と、を備えている。

発光制御部ＨＣ５は、第１の比較回路としての比較回路ＣＮａと、トランジスタＮ３と、第１の制御スイッチとしてのトランジスタＮ４と、第３の制御スイッチとしてのトランジスタＰ１２と、を備えている。

比較回路ＣＮａは、電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。比較回路ＣＮａは、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨ又は発光基準電圧ＶＨに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Ｖｃｒ２として出力する。

トランジスタＮ３は、ＮＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが電源供給回路ＶＳと接続されており、ドレイン端子Ｄが調光回路ＬＣ１と接続されている。

トランジスタＮ４は、ＮＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが電源供給回路ＶＳと接続されており、ドレイン端子Ｄが調光回路ＬＣ２と接続されている。

トランジスタＰ１２は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが比較回路ＣＮａと接続され、ドレイン端子ＤがトランジスタＮ３及びトランジスタＮ４のゲート端子Ｇと電極パッドＴ５とに接続されている。これにより、比較回路ＣＮａとトランジスタＮ３及びトランジスタＮ４のゲート端子ＧとはトランジスタＰ１２を介して接続されており、比較回路ＣＮａとトランジスタＮ３及びトランジスタＮ４のゲート端子Ｇとの電気的な接続はトランジスタＰ１２により制御される。また、トランジスタＰ１２は、ゲート端子Ｇが電極パッドＴ４と接続、言い換えれば電極パッドＴ４を介して電源ＶＳＳと接続されている。これにより、トランジスタＰ１２は、駆動電圧Ｖｋが上昇して比較回路ＣＮａから出力されトランジスタＰ１２のソース端子Ｓに供給される比較結果信号Ｖｃｒ２の信号レベルが上昇してトランジスタＰ１２のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。ここで、トランジスタＰ１２のドレイン端子ＤとトランジスタＮ３及びトランジスタＮ４のゲート端子Ｇとの接続点をノードＮｄ１４と称する。

半導体チップＩＣ５ａは、半導体チップＩＣ５と同一構成である。ただし、図２１の半導体チップＩＣ５ａにおいては、説明の便宜上、半導体チップＩＣ５と区別するために半導体チップＩＣ５にて示した構成の語尾に「ａ」を付して示している。また、半導体チップＩＣ５ａにおいては、半導体チップＩＣ５にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路ＣＮａ」については、図１３等に示した「比較回路ＣＮａａ」と区別するため、ここでは「比較回路ＣＮａａａ」としている。

半導体チップＩＣ５ａは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１ａと、電極パッドＴ２ａと、電極パッドＴ３ａと、電極パッドＴ４ａと、電極パッドＴ５ａと、を備えている。また、半導体チップＩＣ５ａは、第２の発光制御部としての発光制御部ＨＣ５ａと、調光回路ＬＣ１ａと、第２の調光部としての調光回路ＬＣ２ａと、を備えている。発光制御部ＨＣ５ａは、第２の比較回路としての比較回路ＣＮａａａと、トランジスタＮ３ａと、第２の制御スイッチとしてのトランジスタＮ４ａと、トランジスタＰ１２ａと、を備えている。

電極パッドＴ４ａは、電源供給回路ＶＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ１２ａにおいては、ゲート端子Ｇが常時電源供給回路ＶＳに接続された状態となっている。したがって、トランジスタＰ１２ａは、駆動電圧Ｖｋの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。

電極パッドＴ５ａは、配線Ｗ３にて半導体チップＩＣ５の電極パッドＴ５と接続されている。すなわち、配線Ｗ３は、ノードＮｄ１４とノードＮｄ１４ａとを電気的に接続している。これにより、トランジスタＮ３及びトランジスタＮ４のゲート端子ＧとトランジスタＮ３ａ及びトランジスタＮ４ａのゲート端子Ｇとが電気的に接続されている。

以上のように、照明装置４０ｈにおいては、発光制御部ＨＣ５において半導体チップＩＣ５のトランジスタＰ１２のゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａからトランジスタＮ３及びトランジスタＮ４のゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ２の供給がなされており、また、発光制御部ＨＣ５ａにおいて半導体チップＩＣ５ａのトランジスタＮ３ａ及びトランジスタＮ４ａのゲート端子Ｇが電源供給回路ＶＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａａａからトランジスタＮ３ａ及びトランジスタＮ４ａのゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ２ａの供給が遮断されている。また、比較回路ＣＮａと接続されたトランジスタＮ３及びトランジスタＮ４のゲート端子ＧがトランジスタＮ３ａ及びトランジスタＮ４ａのゲート端子Ｇと配線Ｗ３を介して電気的に接続されている。そして、照明装置４０ｈは、これにより、半導体チップＩＣ５に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ５ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ５の発光制御部ＨＣ５により行っている。

したがって、照明装置４０ｈによれば、半導体チップＩＣ５の比較回路ＣＮａと半導体チップＩＣ５ａの比較回路ＣＮａａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

また、照明装置４０ｈによれば、半導体チップＩＣ５ａが電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ２の配線抵抗よりも、半導体チップＩＣ５が電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ１の配線抵抗の方が大きい場合において、半導体チップＩＣ５に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ５ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ５の発光制御部ＨＣ５により行うこととしたので、半導体チップＩＣ５の比較回路ＣＮａが取得する駆動電圧Ｖｋの電位の上昇が、配線Ｗ１と配線Ｗ２との配線抵抗の差に基づいて半導体チップＩＣ５ａの比較回路ＣＮａａａが取得する駆動電圧Ｖｋの電位の上昇に比べて遅延する場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光のタイミングのばらつきを防止することができる。

［第４の実施形態の第９の変形例］
図２２は、本発明の第４の実施形態の第９の変形例にかかる照明装置４０ｉを示した図である。照明装置４０ｉは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、半導体チップＩＣ５と、半導体チップＩＣ５ａと、を備えている。なお、図２２に示した照明装置４０ｉにおいては、図２１に示した照明装置４０ｈと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

照明装置４０ｉは、半導体チップＩＣ５の電極パッドＴ４の接続先と、半導体チップＩＣ５ａの電極パッドＴ４ａの接続先と、が照明装置４０ｈとは実質的に異なる。

電極パッドＴ４は、電源供給回路ＶＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ１２においては、ゲート端子Ｇが常時電源供給回路ＶＳに接続された状態となっている。したがって、トランジスタＰ１２は、駆動電圧Ｖｋの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。

また、電極パッドＴ４ａは、電源ＶＳＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ１２ａにおいては、ゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと接続されている。したがって、トランジスタＰ１２ａは、駆動電圧Ｖｋが上昇してトランジスタＰ１２のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。

以上のように、照明装置４０ｉにおいては、発光制御部ＨＣ５において半導体チップＩＣ５のトランジスタＰ１２のゲート端子Ｇが電源供給回路ＶＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａからトランジスタＮ３及びトランジスタＮ４のゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ２の供給が遮断されており、また、発光制御部ＨＣ５ａにおいて半導体チップＩＣ５ａのトランジスタＰ１２ａのゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａａａからトランジスタＮ３ａ及びトランジスタＮ４ａのゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ２ａの供給がなされている。また、比較回路ＣＮａａａと接続されたトランジスタＮ３ａ及びトランジスタＮ４ａのゲート端子ＧがトランジスタＮ３及びトランジスタＮ４のゲート端子Ｇと配線Ｗ３を介して電気的に接続されている。そして、照明装置４０ｉは、これにより、半導体チップＩＣ５に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ５ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ５ａの発光制御部ＨＣ５ａにより行っている。

したがって、照明装置４０ｉによれば、半導体チップＩＣ５の比較回路ＣＮａと半導体チップＩＣ５ａの比較回路ＣＮａａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

なお、半導体チップＩＣ５と半導体チップＩＣ５ａとを備えて構成された照明装置における発光制御及び発光停止制御は、以上のように、半導体チップＩＣ５の発光制御部ＨＣ５又は半導体チップＩＣ５ａの発光制御部ＨＣ５ａのいずれか一方にて行われる。

［第４の実施形態の第１０の変形例］
図２３は、本発明の第４の実施形態の第１０の変形例にかかる照明装置４０ｊを示した図である。照明装置４０ｊは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、第１の半導体チップとしての半導体チップＩＣ６と、第２の半導体チップとしての半導体チップＩＣ６ａと、を備えている。なお、図２３に示した照明装置４０ｊにおいては、図１２に示した照明装置３０ｃ、図１３に示した照明装置４０と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

半導体チップＩＣ６は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１と、電極パッドＴ２と、電極パッドＴ３と、電極パッドＴ４と、電極パッドＴ５と、電極パッドＴ６と、電極パッドＴ７と、を備えている。また、半導体チップＩＣ４は、第１の発光制御部としての発光制御部ＨＣ４と、調光回路ＬＣ１１と、第１の調光部としての調光回路ＬＣ１２と、を備えている。

発光制御部ＨＣ６は、第１の比較回路としての比較回路ＣＮと、第３の制御スイッチとしてのトランジスタＰ１３と、を備えている。

比較回路ＣＮは、電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。比較回路ＣＮは、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨ又は発光基準電圧ＶＨに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Ｖｃｒ１として出力する。

調光回路ＬＣ１１は、一端が電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されており、他端が電極パッドＴ２と接続、言い換えれば電極パッドＴ２を介して発光素子群ＨＳ１の一端に接続され、電極パッドＴ６と接続、言い換えれば電極パッドＴ６を介して発光素子群ＨＳ１のノードＮｄ８と接続されている。なお、調光回路ＬＣ１１は、図１２に示した駆動回路ＫＤ１を備えている。

調光回路ＬＣ１２は、一端が電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されており、他端が電極パッドＴ３と接続、言い換えれば電極パッドＴ３を介して発光素子群ＨＳ２の一端に接続され、電極パッドＴ７と接続、言い換えれば電極パッドＴ７を介して発光素子群ＨＳ２のノードＮｄ９と接続されている。なお、調光回路ＬＣ１２は、図１２に示した駆動回路ＫＤ２を備えている。

トランジスタＰ１３は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが比較回路ＣＮと接続され、ドレイン端子Ｄが調光回路ＬＣ１１の駆動回路ＫＤ１と調光回路１２の駆動回路ＫＤ２とに接続されている。これにより、比較回路ＣＮと駆動回路ＫＤ１、及び比較回路ＣＮと駆動回路ＫＤ２とはそれぞれトランジスタＰ１３を介して接続されており、比較回路ＣＮと駆動回路ＫＤ１、及び比較回路ＣＮと駆動回路ＫＤ２との電気的な接続はトランジスタＰ１３により制御される。また、トランジスタＰ１３は、ゲート端子Ｇが電極パッドＴ４と接続、言い換えれば電極パッドＴ４を介して電源ＶＳＳと接続されている。これにより、トランジスタＰ１３は、駆動電圧Ｖｋが上昇して比較回路ＣＮから出力されトランジスタＰ１３のソース端子Ｓに供給される比較結果信号Ｖｃｒ１の信号レベルが上昇してトランジスタＰ１３のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。ここで、トランジスタＰ１３のドレイン端子Ｄと、駆動回路ＫＤ１及び駆動回路ＫＤ２との接続点をノードＮｄ１５と称する。

半導体チップＩＣ６ａは、半導体チップＩＣ６と同一構成である。ただし、図２３の半導体チップＩＣ６ａにおいては、説明の便宜上、半導体チップＩＣ６と区別するために半導体チップＩＣ６にて示した構成の語尾に「ａ」を付して示している。また、半導体チップＩＣ６ａにおいては、半導体チップＩＣ６にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路ＣＮ」については、図１３等に示した「比較回路ＣＮａ」と区別するため、ここでは「比較回路ＣＮａａ」としている。

半導体チップＩＣ６ａは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１ａと、電極パッドＴ２ａと、電極パッドＴ３ａと、電極パッドＴ４ａと、電極パッドＴ５ａと、電極パッドＴ６ａと、電極パッドＴ７ａと、を備えている。また、半導体チップＩＣ６ａは、第２の発光制御部としての発光制御部ＨＣ６ａと、調光回路ＬＣ１１ａと、第２の調光部としての調光回路ＬＣ１２ａと、を備えている。発光制御部ＨＣ６ａは、第２の比較回路としての比較回路ＣＮａａと、トランジスタＰ１３ａと、を備えている。

調光回路ＬＣ１１ａは、一端が電極パッドＴ１ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ１ａを介して電源供給回路ＶＳに接続されており、他端が電極パッドＴ２ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ２ａを介して発光素子群ＨＳ１１の一端に接続され、電極パッドＴ６ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ６ａを介して発光素子群ＨＳ１１のノードＮｄ８ａと接続されている。

調光回路ＬＣ１２ａは、一端が電極パッドＴ１ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ１ａを介して電源供給回路ＶＳに接続されており、他端が電極パッドＴ３ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ３ａを介して発光素子群ＨＳ１２の一端に接続され、電極パッドＴ７ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ７ａを介して発光素子群ＨＳ１２のノードＮｄ９ａと接続されている。

電極パッドＴ４ａは、電源供給回路ＶＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ１３ａにおいては、ゲート端子Ｇが常時電源供給回路ＶＳに接続された状態となっている。したがって、トランジスタＰ１３ａは、駆動電圧Ｖｋの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。

電極パッドＴ５ａは、配線Ｗ３にて半導体チップＩＣ６の電極パッドＴ５と接続されている。すなわち、配線Ｗ３は、ノードＮｄ１５とノードＮｄ１５ａとを電気的に接続している。これにより、駆動回路ＫＤ１及び駆動回路ＫＤ２と駆動回路ＫＤ１ａ及び駆動回路ＫＤ２ａとが電気的に接続されている。

以上のように、照明装置４０ｊにおいては、発光制御部ＨＣ６において半導体チップＩＣ６のトランジスタＰ１３のゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮから駆動回路ＫＤ１及び駆動回路ＫＤ２への比較結果信号Ｖｃｒ１の供給がなされており、また、発光制御部ＨＣ６ａにおいて半導体チップＩＣ６ａのトランジスタＰ１３ａのゲート端子Ｇが電源供給回路ＶＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａａから駆動回路ＫＤ１及び駆動回路ＫＤ２への比較結果信号Ｖｃｒ１ａの供給が遮断されている。また、比較回路ＣＮと接続された駆動回路ＫＤ１及び駆動回路ＫＤ２が駆動回路ＫＤ１ａ及び駆動回路ＫＤ２ａと配線Ｗ３を介して電気的に接続されている。そして、照明装置４０ｊは、これにより、半導体チップＩＣ６に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ６ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ６の発光制御部ＨＣ６により行っている。

したがって、照明装置４０ｊによれば、半導体チップＩＣ６の比較回路ＣＮと半導体チップＩＣ６ａの比較回路ＣＮａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

また、照明装置４０ｊによれば、半導体チップＩＣ６ａが電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ２の配線抵抗よりも、半導体チップＩＣ６が電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ１の配線抵抗の方が大きい場合において、半導体チップＩＣ６に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ６ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ６の発光制御部ＨＣ６により行うこととしたので、半導体チップＩＣ６の比較回路ＣＮａが取得する駆動電圧Ｖｋの電位の上昇が、配線Ｗ１と配線Ｗ２との配線抵抗の差に基づいて半導体チップＩＣ６ａの比較回路ＣＮａａａが取得する駆動電圧Ｖｋの電位の上昇に比べて遅延する場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光のタイミングのばらつきを防止することができる。

［第４の実施形態の第１１の変形例］
図２４は、本発明の第４の実施形態の第１１の変形例にかかる照明装置４０ｋを示した図である。照明装置４０ｋは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、半導体チップＩＣ６と、半導体チップＩＣ６ａと、を備えている。なお、図２４に示した照明装置４０ｋにおいては、図２３に示した照明装置４０ｊと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

照明装置４０ｋは、半導体チップＩＣ６の電極パッドＴ４の接続先と、半導体チップＩＣ６ａの電極パッドＴ４ａの接続先と、が照明装置４０ｊとは実質的に異なる。

電極パッドＴ４は、電源供給回路ＶＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ１３においては、ゲート端子Ｇが常時電源供給回路ＶＳに接続された状態となっている。したがって、トランジスタＰ１３は、駆動電圧Ｖｋの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。

また、電極パッドＴ４ａは、電源ＶＳＳに接続されている。これにより、トランジスタＰ１３ａにおいては、ゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと接続されている。したがって、トランジスタＰ１３ａは、駆動電圧Ｖｋが上昇してトランジスタＰ１３のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。

以上のように、照明装置４０ｋにおいては、発光制御部ＨＣ６において半導体チップＩＣ６のトランジスタＰ１３のゲート端子Ｇが電源供給回路ＶＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮから駆動回路ＫＤ１及び駆動回路ＫＤ２への比較結果信号Ｖｃｒ１の供給が遮断されており、また、発光制御部ＨＣ６ａにおいて半導体チップＩＣ６ａのトランジスタＰ１３ａのゲート端子Ｇが電源ＶＳＳと電気的に接続されていることで、比較回路ＣＮａａから駆動回路ＫＤ１ａ及び駆動回路ＫＤ２ａのゲート端子Ｇへの比較結果信号Ｖｃｒ１ａの供給がなされている。また、比較回路ＣＮａａと接続された駆動回路ＫＤ１ａ及び駆動回路ＫＤ２ａが駆動回路ＫＤ１及び駆動回路ＫＤ２と配線Ｗ３を介して電気的に接続されている。そして、照明装置４０ｋは、これにより、半導体チップＩＣ６に接続された発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップＩＣ６ａに接続された発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ６ａの発光制御部ＨＣ６ａにより行っている。

したがって、照明装置４０ｋによれば、半導体チップＩＣ６の比較回路ＣＮと半導体チップＩＣ６ａの比較回路ＣＮａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

［第５の実施形態］
図２５は、本発明の第５の実施形態にかかる照明装置５０を示した図である。照明装置５０は、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、第１の半導体チップとしての半導体チップＩＣ７と、第２の半導体チップとしての半導体チップＩＣ７ａと、を備えている。なお、図２５に示した照明装置５０においては、図１に示した照明装置１０、図３に示した照明装置１０ａ、及び図１３に示した照明装置４０と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

半導体チップＩＣ７は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１と、電極パッドＴ２と、電極パッドＴ３と、電極パッドＴ８と、電極パッドＴ９と、を備えている。また、半導体チップＩＣ７は、第１の発光制御部としての発光制御部ＨＣ７と、調光回路ＬＣ１と、第１の調光部としての調光回路ＬＣ２と、を備えている。

電極パッドＴ１は、第１の電源配線としての配線Ｗ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。言い換えれば、配線Ｗ１は、電源供給回路ＶＳと半導体チップＩＣ７とに接続されている。電極パッドＴ２は、発光素子群ＨＳ１のノードＮｈ１と接続されている。電極パッドＴ３は、発光素子群ＨＳ２のノードＮｈ２と接続されている。

発光制御部ＨＣ７は、第１の比較回路としての比較回路ＣＮと、第１検出部としての検出部Ｋ１と、第１の制御スイッチとしてのトランジスタＰ１と、を備えている。

比較回路ＣＮは、電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。比較回路ＣＮは、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Ｖｃｒ１として出力する。なお、比較回路ＣＮの出力端子は電極パッドＴ８に接続されている。

検出部Ｋ１は、例えば第１入力端子と第２入力端子とを備えたＯＲ回路である。検出部Ｋ１の第１入力端子には、比較回路ＣＮの出力端子が接続されており、比較結果信号Ｖｃｒ１が入力される。また、検出部Ｋ１の第１入力端子は電極パッドＴ８に接続されており、第２入力端子は電極パッドＴ９に接続されている。検出部Ｋ１は、第１入力端子に入力される信号と第２入力端子に入力される信号との論理和を出力信号Ｋｏ１として出力する。ここで、検出部Ｋ１の第１入力端子と比較回路ＣＮとの接続点をノードＮｄ１６と称する。なお、検出部Ｋ１は、結果として第１入力端子に入力される信号と第２入力端子に入力される信号との論理和を出力信号Ｋｏ１として出力するものであれば、ＯＲ回路に限られず、種々論理回路を適用することができる。

トランジスタＰ１は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳに接続され、ゲート端子Ｇが検出部Ｋ１の出力端子に接続されている。トランジスタＰ１は、検出部Ｋ１から供給される出力信号Ｋｏ１によってオンオフ制御がなされる。

調光回路ＬＣ１は、一端が発光制御部ＨＣ７のトランジスタＰ１のドレイン端子Ｄと接続されている。また、調光回路ＬＣ１は、他端が電極パッドＴ２と接続、言い換えれば電極パッドＴ２を介して発光素子群ＨＳ１のノードＮｈ１と接続されている。

調光回路ＬＣ２は、一端が発光制御部ＨＣ７のトランジスタＰ１のドレイン端子Ｄと接続されている。また、調光回路ＬＣ２は、他端が電極パッドＴ３と接続、言い換えれば電極パッドＴ３を介して発光素子群ＨＳ２のノードＮｈ２に接続されている。

半導体チップＩＣ７ａは、半導体チップＩＣ７と同一構成である。ただし、図２５の半導体チップＩＣ７ａにおいては、説明の便宜上、半導体チップＩＣ７と区別するために半導体チップＩＣ７にて示した構成の語尾に「ａ」を付して示している。また、半導体チップＩＣ７ａにおいては、半導体チップＩＣ７にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路ＣＮ」については、図５等に示した「比較回路ＣＮａ」と区別するため、ここでは「比較回路ＣＮａａ」としている。

半導体チップＩＣ７ａは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１ａと、電極パッドＴ２ａと、電極パッドＴ３ａと、電極パッドＴ８ａと、電極パッドＴ９ａと、を備えている。また、半導体チップＩＣ７ａは、第２の発光制御部としての発光制御部ＨＣ７ａと、調光回路ＬＣ１ａと、第２の調光部としての調光回路ＬＣ２ａと、を備えている。

電極パッドＴ１ａは、第２の電源配線としての配線Ｗ２を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。言い換えれば、配線Ｗ２は、電源供給回路ＶＳと半導体チップＩＣ７ａとに接続されている。電極パッドＴ２ａは、発光素子群ＨＳ１１のノードＮｈ１１と接続されている。電極パッドＴ３ａは、発光素子群ＨＳ１２のノードＮｈ１２と接続されている。なお、配線Ｗ２の配線抵抗は、配線Ｗ１の配線抵抗とは異なっていても良い。

発光制御部ＨＣ７ａは、第２の比較回路としての比較回路ＣＮａと、第２検出部としての検出部Ｋ１ａと、第２の制御スイッチとしてのトランジスタＰ１ａと、を備えている。

調光回路ＬＣ１ａは、一端が発光制御部ＨＣ７ａのトランジスタＰ１ａのドレイン端子Ｄと接続されている。また、調光回路ＬＣ１ａは、他端が電極パッドＴ２ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ２ａを介して発光素子群ＨＳ１１のノードＮｈ１１と接続されている。

調光回路ＬＣ２ａは、一端が発光制御部ＨＣ７ａのトランジスタＰ１ａのドレイン端子Ｄと接続されている。また、調光回路ＬＣ２ａは、他端が電極パッドＴ３ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ３ａを介して発光素子群ＨＳ１２のノードＮｈ１２に接続されている。

電極パッドＴ８ａは、第２の接続配線としての配線Ｗ４にて半導体チップＩＣ７の電極パッドＴ９と接続されている。すなわち、配線Ｗ４は、ノードＮｄ１６ａと検出部Ｋ１の第２入力端子とを電気的に接続している。

電極パッドＴ９ａは、第３の接続配線としての配線Ｗ５にて半導体チップＩＣ７の電極パッドＴ８と接続されている。すなわち、配線Ｗ５は、ノードＮｄ１６と検出部Ｋ１ａの第２入力端子とを電気的に接続している。

ここで、半導体チップＩＣ７の検出部Ｋ１は、第１入力端子に比較回路ＣＮから出力された比較結果信号Ｖｃｒ１が入力され、第２入力端子に半導体チップＩＣ７ａの比較回路ＣＮａａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ１ａが入力され、これらの論理和を第１の出力信号としての出力信号Ｋｏ１としてトランジスタＰ１のゲート端子Ｇに供給することでトランジスタＰ１のオンオフを制御している。つまり、発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部ＨＣ７と半導体チップＩＣ７ａの発光制御部ＨＣ７ａとにより行われている。

また、半導体チップＩＣ７ａの検出部Ｋ１ａは、第１入力端子に半導体チップＩＣ７の比較回路ＣＮから出力された比較結果信号Ｖｃｒ１が入力され、第２入力端子に比較回路ＣＮａａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ１ａが入力され、これらの論理和を第２の出力信号としての出力信号Ｋｏ１ａとしてトランジスタＰ１ａのゲート端子Ｇに供給することでトランジスタＰ１ａのオンオフを制御している。つまり、発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部ＨＣ７ａと半導体チップＩＣ７の発光制御部ＨＣ７とにより行われている。

ここで、トランジスタＰ１のオンオフは、検出部Ｋ１の出力信号Ｋｏ１の信号レベル、及び検出部Ｋ１ａの出力信号Ｋｏ１ａの信号レベルにより決まる。そして、検出部Ｋ１の出力信号Ｋｏ１の信号レベル、及び検出部Ｋ１ａの出力信号Ｋｏ１ａの信号レベルは、比較回路ＣＮが出力する比較結果信号Ｖｃｒ１のレベルと、比較回路ＣＮａａが出力する比較結果信号Ｖｃｒ１ａのレベルと、により決定される。

比較回路ＣＮ及び比較回路ＣＮａａの双方が、駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも小さいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ１及び比較結果信号Ｖｃｒ１ａはハイレベルとなる。このため、検出部Ｋ１及び検出部Ｋ１ａの各々の第１入力端子及び第２入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されて、出力信号Ｋｏ１及び出力信号Ｋｏ１ａはハイレベルとなる。この場合、トランジスタＰ１及びトランジスタＰ１ａのゲート端子Ｇにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタＰ１及びトランジスタＰ１ａはいずれもオフとなる。

比較回路ＣＮが駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも小さいと判定し、比較回路ＣＮａａが駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ１はハイレベルとなり、比較結果信号Ｖｃｒ１ａはローレベルとなる。このとき、検出部Ｋ１の第２入力端子及び検出部Ｋ１ａの第１入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されるが、検出部Ｋ１の第１入力端子及び検出部Ｋ１ａの第２入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されるため、出力信号Ｋｏ１及び出力信号Ｋｏ１ａはハイレベルとなる。この場合、トランジスタＰ１及びトランジスタＰ１ａのゲート端子Ｇにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタＰ１及びトランジスタＰ１ａはいずれもオフとなる。

比較回路ＣＮ及び比較回路ＣＮａａの双方が、駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ１及び比較結果信号Ｖｃｒ１ａはローレベルとなる。このため、検出部Ｋ１及び検出部Ｋ１ａの各々の第１入力端子及び第２入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されて、出力信号Ｋｏ１及び出力信号Ｋｏ１ａはローレベルとなる。この場合、トランジスタＰ１及びトランジスタＰ１ａのゲート端子Ｇにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタＰ１及びトランジスタＰ１ａはいずれもオンとなる。

以上のように、照明装置５０によれば、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ７の発光制御部ＨＣ７と半導体チップＩＣ７ａの発光制御部ＨＣ７ａとにより行うようにしたので、半導体チップＩＣ７の比較回路ＣＮと半導体チップＩＣ７ａの比較回路ＣＮａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

また、照明装置５０によれば、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ７の発光制御部ＨＣ７と半導体チップＩＣ７ａの発光制御部ＨＣ７ａとにより行うようにしたので、半導体チップＩＣ７ａが電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ２の配線抵抗と、半導体チップＩＣ７が電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ１の配線抵抗とが異なる場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

［第５の実施形態の第１の変形例］
図２６は、本発明の第５の実施形態の第１の変形例にかかる照明装置５０ａを示した図である。照明装置５０ａは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、第１の半導体チップとしての半導体チップＩＣ８と、第２の半導体チップとしての半導体チップＩＣ８ａと、を備えている。なお、図２６に示した照明装置５０ａにおいては、図４に示した照明装置１０ｂ、及び図１５に示した照明装置４０ｂと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

半導体チップＩＣ８は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１と、電極パッドＴ２と、電極パッドＴ３と、電極パッドＴ８と、電極パッドＴ９と、を備えている。また、半導体チップＩＣ８は、第１の発光制御部としての発光制御部ＨＣ７と、調光回路ＬＣ１と、第１の調光部としての調光回路ＬＣ２と、を備えている。

電極パッドＴ１は、第１の電源配線としての配線Ｗ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。言い換えれば、配線Ｗ１は、電源供給回路ＶＳと半導体チップＩＣ８とに接続されている。電極パッドＴ２は、発光素子群ＨＳ１のノードＮｈ１と接続されている。電極パッドＴ３は、発光素子群ＨＳ２のノードＮｈ２と接続されている。

発光制御部ＨＣ８は、第１の比較回路としての比較回路ＣＮと、第１検出部としての検出部Ｋ１と、トランジスタＰ２と、第１の制御スイッチとしてのトランジスタＰ３と、を備えている。

トランジスタＰ２は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが調光回路ＬＣ１の他端と接続されており、ドレイン端子Ｄが電極パッドＴ２と接続、言い換えれば電極パッドＴ２を介して発光素子群ＨＳ１のノードＮｈ１に接続されている。また、トランジスタＰ２は、ゲート端子Ｇが検出部Ｋ１の出力端子に接続されている。トランジスタＰ２は、検出部Ｋ１から供給される出力信号Ｋｏ１によってオンオフ制御がなされる。

トランジスタＰ３は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが調光回路ＬＣ２の他端と接続されており、ドレイン端子Ｄが電極パッドＴ３と接続、言い換えれば電極パッドＴ３を介して発光素子群ＨＳ２のノードＮｈ２に接続されている。また、トランジスタＰ３は、ゲート端子Ｇが検出部Ｋ１の出力端子に接続されている。トランジスタＰ３は、検出部Ｋ１から供給される出力信号Ｋｏ１によってオンオフ制御がなされる。

半導体チップＩＣ８ａは、半導体チップＩＣ８と同一構成である。ただし、図２６の半導体チップＩＣ８ａにおいては、説明の便宜上、半導体チップＩＣ８と区別するために半導体チップＩＣ８にて示した構成の語尾に「ａ」を付して示している。また、半導体チップＩＣ８ａにおいては、半導体チップＩＣ８にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路ＣＮ」については、図５等に示した「比較回路ＣＮａ」と区別するため、ここでは「比較回路ＣＮａａ」としている。

半導体チップＩＣ８ａは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１ａと、電極パッドＴ２ａと、電極パッドＴ３ａと、電極パッドＴ８ａと、電極パッドＴ９ａと、を備えている。また、半導体チップＩＣ８ａは、第２の発光制御部としての発光制御部ＨＣ８ａと、調光回路ＬＣ１ａと、第２の調光部としての調光回路ＬＣ２ａと、を備えている。発光制御部ＨＣ８ａは、第２の比較回路としての比較回路ＣＮａａと、第２検出部としての検出部Ｋ１ａと、トランジスタＰ２ａと、第２の制御スイッチとしてのトランジスタＰ３ａと、を備えている。

電極パッドＴ１ａは、第２の電源配線としての配線Ｗ２を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。言い換えれば、配線Ｗ２は、電源供給回路ＶＳと半導体チップＩＣ８ａとに接続されている。電極パッドＴ２ａは、発光素子群ＨＳ１１のノードＮｈ１１と接続されている。電極パッドＴ３ａは、発光素子群ＨＳ１２のノードＮｈ１２と接続されている。なお、配線Ｗ２の配線抵抗は、配線Ｗ１の配線抵抗とは異なっていても良い。

電極パッドＴ８ａは、第２の接続配線としての配線Ｗ４にて半導体チップＩＣ８の電極パッドＴ９と接続されている。すなわち、配線Ｗ４は、ノードＮｄ１６ａと検出部Ｋ１の第２入力端子とを電気的に接続している。

電極パッドＴ９ａは、第３の接続配線としての配線Ｗ５にて半導体チップＩＣ８の電極パッドＴ８と接続されている。すなわち、配線Ｗ５は、ノードＮｄ１６と検出部Ｋ１ａの第２入力端子とを電気的に接続している。

ここで、半導体チップＩＣ８の検出部Ｋ１は、第１入力端子に比較回路ＣＮから出力された比較結果信号Ｖｃｒ１が入力され、第２入力端子に半導体チップＩＣ８ａの比較回路ＣＮａａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ１ａが入力され、これらの論理和を第１の出力信号としての出力信号Ｋｏ１としてトランジスタＰ２及びトランジスタＰ３のゲート端子Ｇに供給することでトランジスタＰ２及びトランジスタＰ３のオンオフを制御している。つまり、発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部ＨＣ８と半導体チップＩＣ８ａの発光制御部ＨＣ８ａとにより行われている。

また、半導体チップＩＣ８ａの検出部Ｋ１ａは、第１入力端子に半導体チップＩＣ８の比較回路ＣＮから出力された比較結果信号Ｖｃｒ１が入力され、第２入力端子に比較回路ＣＮａａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ１ａが入力され、これらの論理和を第２の出力信号としての出力信号Ｋｏ１ａとしてトランジスタＰ２ａ及びトランジスタＰ３ａのゲート端子Ｇに供給することでトランジスタＰ２ａ及びトランジスタＰ３ａのオンオフを制御している。つまり、発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部ＨＣ８ａと半導体チップＩＣ８の発光制御部ＨＣ８とにより行われている。

ここで、トランジスタＰ２及びトランジスタＰ３のオンオフは、検出部Ｋ１の出力信号Ｋｏ１の信号レベル、及び検出部Ｋ１ａの出力信号Ｋｏ１ａの信号レベルにより決まる。そして、検出部Ｋ１の出力信号Ｋｏ１の信号レベル、及び検出部Ｋ１ａの出力信号Ｋｏ１ａの信号レベルは、比較回路ＣＮが出力する比較結果信号Ｖｃｒ１のレベルと、比較回路ＣＮａａが出力する比較結果信号Ｖｃｒ１ａのレベルと、により決定される。

比較回路ＣＮ及び比較回路ＣＮａａの双方が、駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも小さいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ１及び比較結果信号Ｖｃｒ１ａはハイレベルとなる。このため、検出部Ｋ１及び検出部Ｋ１ａの各々の第１入力端子及び第２入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されて、出力信号Ｋｏ１及び出力信号Ｋｏ１ａはハイレベルとなる。この場合、トランジスタＰ２、トランジスタＰ３、トランジスタＰ２ａ及びトランジスタＰ３ａのゲート端子Ｇにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタＰ２、トランジスタＰ３、トランジスタＰ２ａ及びトランジスタＰ３ａはいずれもオフとなる。

比較回路ＣＮが駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも小さいと判定し、比較回路ＣＮａａが駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ１はハイレベルとなり、比較結果信号Ｖｃｒ１ａはローレベルとなる。このとき、検出部Ｋ１の第２入力端子及び検出部Ｋ１ａの第１入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されるが、検出部Ｋ１の第１入力端子及び検出部Ｋ１ａの第２入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されるため、出力信号Ｋｏ１及び出力信号Ｋｏ１ａはハイレベルとなる。この場合、トランジスタＰ２、トランジスタＰ３、トランジスタＰ２ａ及びトランジスタＰ３ａのゲート端子Ｇにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタＰ２、トランジスタＰ３、トランジスタＰ２ａ及びトランジスタＰ３ａはいずれもオフとなる。

比較回路ＣＮ及び比較回路ＣＮａａの双方が、駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ１及び比較結果信号Ｖｃｒ１ａはローレベルとなる。このため、検出部Ｋ１及び検出部Ｋ１ａの各々の第１入力端子及び第２入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されて、出力信号Ｋｏ１及び出力信号Ｋｏ１ａはローレベルとなる。この場合、トランジスタＰ２、トランジスタＰ３、トランジスタＰ２ａ及びトランジスタＰ３ａのゲート端子Ｇにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタＰ２、トランジスタＰ３、トランジスタＰ２ａ及びトランジスタＰ３ａはいずれもオンとなる。

以上のように、照明装置５０ａによれば、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ８の発光制御部ＨＣ８と半導体チップＩＣ８ａの発光制御部ＨＣ８ａとにより行うようにしたので、半導体チップＩＣ８の比較回路ＣＮと半導体チップＩＣ８ａの比較回路ＣＮａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

また、照明装置５０ａによれば、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ８の発光制御部ＨＣ８と半導体チップＩＣ８ａの発光制御部ＨＣ８ａとにより行うようにしたので、半導体チップＩＣ８ａが電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ２の配線抵抗と、半導体チップＩＣ８が電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ１の配線抵抗とが異なる場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

［第５の実施形態の第２の変形例］
図２７は、本発明の第５の実施形態の第２の変形例にかかる照明装置５０ｂを示した図である。照明装置５０ｂは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、第１の半導体チップとしての半導体チップＩＣ９と、第２の半導体チップとしての半導体チップＩＣ９ａと、を備えている。なお、図２７に示した照明装置５０ｂにおいては、図７に示した照明装置２０ａ、及び図２５に示した照明装置５０と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

半導体チップＩＣ９は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１と、電極パッドＴ２と、電極パッドＴ３と、電極パッドＴ６と、電極パッドＴ７と、電極パッドＴ８と、電極パッドＴ９と、を備えている。また、半導体チップＩＣ９は、第１の発光制御部としての発光制御部ＨＣ９と、調光回路ＬＣ１と、第１の調光部としての調光回路ＬＣ２と、を備えている。

電極パッドＴ１は、第１の電源配線としての配線Ｗ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。言い換えれば、配線Ｗ１は、電源供給回路ＶＳと半導体チップＩＣ９とに接続されている。電極パッドＴ２は、発光素子群ＨＳ１のノードＮｈ１と接続されている。電極パッドＴ３は、発光素子群ＨＳ２のノードＮｈ２と接続されている。電極パッドＴ６は、発光素子群ＨＳ１のノードＮｈ１ａ一端と接続されている。電極パッドＴ７は、発光素子群ＨＳ２のノードＮｈ２ａと接続されている。

発光制御部ＨＣ９は、第１の比較回路としての比較回路ＣＮａと、第１検出部としての検出部Ｋ２と、トランジスタＮ１と、第１の制御スイッチとしてのトランジスタＮ２と、を備えている。

比較回路ＣＮａは、電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。比較回路ＣＮａは、駆動電圧Ｖｋが発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Ｖｃｒ２として出力する。なお、比較回路ＣＮａの出力端子は電極パッドＴ８に接続されている。

検出部Ｋ２は、例えば第１入力端子と第２入力端子とを備えたＡＮＤ回路である。検出部Ｋ２の第１入力端子には、比較回路ＣＮａの出力端子が接続されており、比較結果信号Ｖｃｒ２が入力される。また、検出部Ｋ２の第１入力端子は電極パッドＴ８に接続されており、第２入力端子は電極パッドＴ９に接続されている。検出部Ｋ２は、第１入力端子に入力される信号と第２入力端子に入力される信号との論理積を出力信号Ｋｏ２として出力する。ここで、検出部Ｋ２の第１入力端子と比較回路ＣＮａとの接続点をノードＮｄ１７と称する。なお、検出部Ｋ２は、結果として第１入力端子に入力される信号と第２入力端子に入力される信号との論理積を出力信号Ｋｏ２として出力するものであれば、ＡＮＤ回路に限られず、種々論理回路を適用することができる。

トランジスタＮ１は、ＮＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが電源ＶＳＳと接続され、ドレイン端子Ｄが電極パッドＴ６と接続、言い換えれば電極パッドＴ６を介して発光素子群ＨＳ１の一端に接続され、ゲート端子Ｇが検出部Ｋ１の出力端子に接続されている。トランジスタＮ１は、検出部Ｋ２から供給される出力信号Ｋｏ２によってオンオフ制御がなされる。

調光回路ＬＣ１は、一端が電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳと接続されている。また、調光回路ＬＣ１は、他端が電極パッドＴ２と接続、言い換えれば電極パッドＴ２を介して発光素子群ＨＳ１のノードＮｈ１と接続されている。

調光回路ＬＣ２は、一端が電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳと接続されている。また、調光回路ＬＣ２は、他端が電極パッドＴ３と接続、言い換えれば電極パッドＴ３を介して発光素子群ＨＳ２のノードＮｈ２と接続されている。

半導体チップＩＣ９ａは、半導体チップＩＣ９と同一構成である。ただし、図２７の半導体チップＩＣ９ａにおいては、説明の便宜上、半導体チップＩＣ９と区別するために半導体チップＩＣ９にて示した構成の語尾に「ａ」を付して示している。また、半導体チップＩＣ９ａにおいては、半導体チップＩＣ９にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路ＣＮａ」については、図２５等に示した「比較回路ＣＮａａ」と区別するため、ここでは「比較回路ＣＮａａａ」としている。

半導体チップＩＣ９ａは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１ａと、電極パッドＴ２ａと、電極パッドＴ３ａと、電極パッドＴ６ａと、電極パッドＴ７ａと、電極パッドＴ８ａと、電極パッドＴ９ａと、を備えている。また、半導体チップＩＣ９ａは、第２の発光制御部としての発光制御部ＨＣ９ａと、調光回路ＬＣ１ａと、第２の調光部としての調光回路ＬＣ２ａと、を備えている。発光制御部ＨＣ９ａは、第２の比較回路としての比較回路ＣＮａａａと、第２検出部としての検出部Ｋ２ａと、トランジスタＮ１ａと、第２の制御スイッチとしてのトランジスタＮ２ａと、を備えている。

電極パッドＴ１ａは、第２の電源配線としての配線Ｗ２を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。言い換えれば、配線Ｗ２は、電源供給回路ＶＳと半導体チップＩＣ９ａとに接続されている。電極パッドＴ２ａは、発光素子群ＨＳ１１のノードＮｈ１１と接続されている。電極パッドＴ３ａは、発光素子群ＨＳ１２のノードＮｈ１２と接続されている。電極パッドＴ６ａは、発光素子群ＨＳ１１の一端と接続されている。電極パッドＴ７ａは、発光素子群ＨＳ１２の一端と接続されている。なお、配線Ｗ２の配線抵抗は、配線Ｗ１の配線抵抗とは異なっていても良い。

発光制御部ＨＣ９ａは、第２の比較回路としての比較回路ＣＮａａａと、第２検出部としての検出部Ｋ２ａと、トランジスタＮ１ａと、第２の制御スイッチとしてのトランジスタＮ２ａと、を備えている。

調光回路ＬＣ１１は、一端が電極パッドＴ１ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ１ａを介して電源供給回路ＶＳと接続されている。また、調光回路ＬＣ１１は、他端が電極パッドＴ２ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ２ａを介して発光素子群ＨＳ１１のノードＮｈ１１と接続されている。

調光回路ＬＣ１２は、一端が電極パッドＴ１ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ１ａを介して電源供給回路ＶＳと接続されている。また、調光回路ＬＣ１２は、他端が電極パッドＴ３ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ３ａを介して発光素子群ＨＳ１２のノードＮｈ１２と接続されている。

電極パッドＴ８ａは、第２の接続配線としての配線Ｗ４にて半導体チップＩＣ９の電極パッドＴ９と接続されている。すなわち、配線Ｗ４は、ノードＮｄ１７ａと検出部Ｋ２の第２入力端子とを電気的に接続している。

電極パッドＴ９ａは、第３の接続配線としての配線Ｗ５にて半導体チップＩＣ９の電極パッドＴ８と接続されている。すなわち、配線Ｗ５は、ノードＮｄ１７と検出部Ｋ２ａの第２入力端子とを電気的に接続している。

ここで、半導体チップＩＣ９の検出部Ｋ２は、第１入力端子に比較回路ＣＮａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ２が入力され、第２入力端子に半導体チップＩＣ９ａの比較回路ＣＮａａａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ２ａが入力され、これらの論理積を第１の出力信号としての出力信号Ｋｏ２としてトランジスタＮ１及びトランジスタＮ２のゲート端子Ｇに供給することでトランジスタＮ１及びトランジスタＮ２のオンオフを制御している。つまり、発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部ＨＣ９と半導体チップＩＣ９ａの発光制御部ＨＣ９ａとにより行われている。

また、半導体チップＩＣ９ａの検出部Ｋ２ａは、第１入力端子に半導体チップＩＣ９の比較回路ＣＮａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ２が入力され、第２入力端子に比較回路ＣＮａａａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ２ａが入力され、これらの論理積を第２の出力信号としての出力信号Ｋｏ２ａとしてトランジスタＮ１ａ及びトランジスタＮ２ａのゲート端子Ｇに供給することでトランジスタＮ１ａ及びトランジスタＮ２ａのオンオフを制御している。つまり、発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部ＨＣ９ａと半導体チップＩＣ９の発光制御部ＨＣ９とにより行われている。

ここで、トランジスタＮ１及びトランジスタＮ２のオンオフは、検出部Ｋ２の出力信号Ｋｏ２の信号レベル、及び検出部Ｋ２ａの出力信号Ｋｏ２ａの信号レベルにより決まる。そして、検出部Ｋ２の出力信号Ｋｏ２の信号レベル、及び検出部Ｋ２ａの出力信号Ｋｏ２ａの信号レベルは、比較回路ＣＮａが出力する比較結果信号Ｖｃｒ２のレベルと、比較回路ＣＮａａａが出力する比較結果信号Ｖｃｒ２ａのレベルと、により決定される。

比較回路ＣＮａ及び比較回路ＣＮａａａの双方が、駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも小さいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ２及び比較結果信号Ｖｃｒ２ａはローレベルとなる。このため、検出部Ｋ２及び検出部Ｋ２ａの各々の第１入力端子及び第２入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されて、出力信号Ｋｏ２及び出力信号Ｋｏ２ａはローレベルとなる。この場合、トランジスタＮ１、トランジスタＮ２、トランジスタＮ１ａ、及びトランジスタＮ２ａのゲート端子Ｇにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタＮ１、トランジスタＮ２、トランジスタＮ１ａ、及びトランジスタＮ２ａはいずれもオフとなる。

比較回路ＣＮａが駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも小さいと判定し、比較回路ＣＮａａａが駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ２はローレベルとなり、比較結果信号Ｖｃｒ２ａはハイレベルとなる。このとき、検出部Ｋ２の第２入力端子及び検出部Ｋ２ａの第１入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されるが、検出部Ｋ２の第１入力端子及び検出部Ｋ２ａの第２入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力される。このため、出力信号Ｋｏ２及び出力信号Ｋｏ２ａはローレベルとなる。この場合、トランジスタＮ１、トランジスタＮ２、トランジスタＮ１ａ、及びトランジスタＮ２ａのゲート端子Ｇにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタＮ１、トランジスタＮ２、トランジスタＮ１ａ、及びトランジスタＮ２ａはいずれもオフとなる。

比較回路ＣＮａ及び比較回路ＣＮａａａの双方が、駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ２及び比較結果信号Ｖｃｒ２ａはハイレベルとなる。このため、検出部Ｋ２及び検出部Ｋ２ａの各々の第１入力端子及び第２入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されて、出力信号Ｋｏ２及び出力信号Ｋｏ２ａはハイレベルとなる。この場合、トランジスタＮ１、トランジスタＮ２、トランジスタＮ１ａ、及びトランジスタＮ２ａのゲート端子Ｇにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタＮ１、トランジスタＮ２、トランジスタＮ１ａ、及びトランジスタＮ２ａはいずれもオンとなる。

以上のように、照明装置５０ｂによれば、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ９の発光制御部ＨＣ９と半導体チップＩＣ９ａの発光制御部ＨＣ９ａとにより行うようにしたので、半導体チップＩＣ９の比較回路ＣＮａと半導体チップＩＣ９ａの比較回路ＣＮａａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

また、照明装置５０ｂによれば、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ９の発光制御部ＨＣ９と半導体チップＩＣ９ａの発光制御部ＨＣ９ａとにより行うようにしたので、半導体チップＩＣ９ａが電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ２の配線抵抗と、半導体チップＩＣ９が電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ１の配線抵抗とが異なる場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

［第５の実施形態の第３の変形例］
図２８は、本発明の第５の実施形態の第３の変形例にかかる照明装置５０ｃを示した図である。照明装置５０ｃは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、第１の半導体チップとしての半導体チップＩＣ１０と、第２の半導体チップとしての半導体チップＩＣ１０ａと、を備えている。なお、図２８に示した照明装置５０ｃにおいては、図８に示した照明装置３０、図１０に示した照明装置３０ａ、図２５に示した照明装置５０ａ、及び図２７に示した照明装置５０ｃと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

半導体チップＩＣ１０は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１と、電極パッドＴ２と、電極パッドＴ３と、電極パッドＴ８と、電極パッドＴ９と、を備えている。また、半導体チップＩＣ１０は、第１の発光制御部としての発光制御部ＨＣ１０と、調光回路ＬＣ１と、第１の調光部としての調光回路ＬＣ２と、を備えている。発光制御部ＨＣ１０は、第１の比較回路としての比較回路ＣＮａと、第１検出部としての検出部Ｋ２と、トランジスタＰ６と、第１の制御スイッチとしてのトランジスタＰ７と、を備えている。

電極パッドＴ１は、第１の電源配線としての配線Ｗ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。言い換えれば、配線Ｗ１は、電源供給回路ＶＳと半導体チップＩＣ１０とに接続されている。電極パッドＴ２は、発光素子群ＨＳ１のノードＮｈ１と接続されている。電極パッドＴ３は、発光素子群ＨＳ２のノードＮｈ２と接続されている。

トランジスタＰ６は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳと接続され、ドレイン端子Ｄが調光回路ＬＣ１の一端と接続され、ゲート端子Ｇが検出部Ｋ２の出力端子に接続されている。トランジスタＰ６は、検出部Ｋ２から供給される出力信号Ｋｏ２によってオンオフ制御がなされる。

トランジスタＰ７は、ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳと接続され、ドレイン端子Ｄが調光回路ＬＣ２の一端と接続され、ゲート端子Ｇが検出部Ｋ２の出力端子に接続されている。トランジスタＰ７は、検出部Ｋ２から供給される出力信号Ｋｏ２によってオンオフ制御がなされる。

調光回路ＬＣ１は、他端が電極パッドＴ２と接続、言い換えれば電極パッドＴ２を介して発光素子群ＨＳ１のノードＮｈ１と接続されている。

調光回路ＬＣ２は、他端が電極パッドＴ３と接続、言い換えれば電極パッドＴ３を介して発光素子群ＨＳ２のノードＮｈ２と接続されている。

半導体チップＩＣ１０ａは、半導体チップＩＣ１０と同一構成である。ただし、図２８の半導体チップＩＣ１０ａにおいては、説明の便宜上、半導体チップＩＣ１０と区別するために半導体チップＩＣ１０にて示した構成の語尾に「ａ」を付して示している。また、半導体チップＩＣ１０ａにおいては、半導体チップＩＣ１０にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路ＣＮａ」については、図２５等に示した「比較回路ＣＮａａ」と区別するため、ここでは「比較回路ＣＮａａａ」としている。

半導体チップＩＣ１０ａは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１ａと、電極パッドＴ２ａと、電極パッドＴ３ａと、電極パッドＴ８ａと、電極パッドＴ９ａと、を備えている。また、半導体チップＩＣ１０ａは、第２の発光制御部としての発光制御部ＨＣ１０ａと、調光回路ＬＣ１ａと、第２の調光部としての調光回路ＬＣ２ａと、を備えている。発光制御部ＨＣ１０ａは、第２の比較回路としての比較回路ＣＮａａａと、第２検出部としての検出部Ｋ２ａと、トランジスタＮ１ａと、第２の制御スイッチとしてのトランジスタＮ２ａと、を備えている。

電極パッドＴ１ａは、第２の電源配線としての配線Ｗ２を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。言い換えれば、配線Ｗ２は、電源供給回路ＶＳと半導体チップＩＣ１０ａとに接続されている。電極パッドＴ２ａは、発光素子群ＨＳ１１のノードＮｈ１１と接続されている。電極パッドＴ３ａは、発光素子群ＨＳ１２のノードＮｈ１２と接続されている。なお、配線Ｗ２の配線抵抗は、配線Ｗ１の配線抵抗とは異なっていても良い。

発光制御部ＨＣ１０ａは、第２の比較回路としての比較回路ＣＮａａａと、第２検出部としての検出部Ｋ２ａと、トランジスタＰ６ａと、第２の制御スイッチとしてのトランジスタＰ７ａと、を備えている。

調光回路ＬＣ１１は、他端が電極パッドＴ２ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ２ａを介して発光素子群ＨＳ１１のノードＮｈ１１と接続されている。

調光回路ＬＣ１２は、他端が電極パッドＴ３ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ３ａを介して発光素子群ＨＳ１２のノードＮｈ１２と接続されている。

電極パッドＴ８ａは、第２の接続配線としての配線Ｗ４にて半導体チップＩＣ１０の電極パッドＴ９と接続されている。すなわち、配線Ｗ４は、ノードＮｄ１７ａと検出部Ｋ２の第２入力端子とを電気的に接続している。

電極パッドＴ９ａは、第３の接続配線としての配線Ｗ５にて半導体チップＩＣ１０の電極パッドＴ８と接続されている。すなわち、配線Ｗ５は、ノードＮｄ１７と検出部Ｋ２ａの第２入力端子とを電気的に接続している。

ここで、半導体チップＩＣ１０の検出部Ｋ２は、第１入力端子に比較回路ＣＮａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ２が入力され、第２入力端子に半導体チップＩＣ１０ａの比較回路ＣＮａａａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ２ａが入力され、これらの論理積を第１の出力信号としての出力信号Ｋｏ２としてトランジスタＰ６及びトランジスタＰ７のゲート端子Ｇに供給することでトランジスタＰ６及びトランジスタＰ７のオンオフを制御している。つまり、発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部ＨＣ１０と半導体チップＩＣ１０ａの発光制御部ＨＣ１０ａとにより行われている。

また、半導体チップＩＣ１０ａの検出部Ｋ２ａは、第１入力端子に半導体チップＩＣ１０の比較回路ＣＮａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ２が入力され、第２入力端子に比較回路ＣＮａａａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ２ａが入力され、これらの論理積を第２の出力信号としての出力信号Ｋｏ２ａとしてトランジスタＮ１ａ及びトランジスタＮ２ａのゲート端子Ｇに供給することでトランジスタＰ６ａ及びトランジスタＰ７ａのオンオフを制御している。つまり、発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部ＨＣ１０ａと半導体チップＩＣ１０の発光制御部ＨＣ１０とにより行われている。

ここで、トランジスタＰ６及びトランジスタＰ７のオンオフは、検出部Ｋ２の出力信号Ｋｏ２の信号レベル、及び検出部Ｋ２ａの出力信号Ｋｏ２ａの信号レベルにより決まる。そして、検出部Ｋ２の出力信号Ｋｏ２の信号レベル、及び検出部Ｋ２ａの出力信号Ｋｏ２ａの信号レベルは、比較回路ＣＮａが出力する比較結果信号Ｖｃｒ２のレベルと、比較回路ＣＮａａａが出力する比較結果信号Ｖｃｒ２ａのレベルと、により決定される。

比較回路ＣＮａ及び比較回路ＣＮａａａの双方が、駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも小さいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ２及び比較結果信号Ｖｃｒ２ａはローレベルとなる。このため、検出部Ｋ２及び検出部Ｋ２ａの各々の第１入力端子及び第２入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されて、出力信号Ｋｏ２及び出力信号Ｋｏ２ａはローレベルとなる。この場合、トランジスタＰ６、トランジスタＰ７、トランジスタＰ６ａ、及びトランジスタＰ７ａのゲート端子Ｇにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタＰ６、トランジスタＰ７、トランジスタＰ６ａ、及びトランジスタＰ７ａはいずれもオンとなる。

比較回路ＣＮａが駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも小さいと判定し、比較回路ＣＮａａａが駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ２はローレベルとなり、比較結果信号Ｖｃｒ２ａはハイレベルとなる。このとき、検出部Ｋ２の第２入力端子及び検出部Ｋ２ａの第１入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されるが、検出部Ｋ２の第１入力端子及び検出部Ｋ２ａの第２入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力される。このため、出力信号Ｋｏ２及び出力信号Ｋｏ２ａはローレベルとなる。この場合、トランジスタＰ６、トランジスタＰ７、トランジスタＰ６ａ、及びトランジスタＰ７ａのゲート端子Ｇにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタＰ６、トランジスタＰ７、トランジスタＰ６ａ、及びトランジスタＰ７ａはいずれもオンとなる。

比較回路ＣＮａ及び比較回路ＣＮａａａの双方が、駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ２及び比較結果信号Ｖｃｒ２ａはハイレベルとなる。このため、検出部Ｋ２及び検出部Ｋ２ａの各々の第１入力端子及び第２入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されて、出力信号Ｋｏ２及び出力信号Ｋｏ２ａはハイレベルとなる。この場合、トランジスタＰ６、トランジスタＰ７、トランジスタＰ６ａ、及びトランジスタＰ７ａのゲート端子Ｇにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタＰ６、トランジスタＰ７、トランジスタＰ６ａ、及びトランジスタＰ７ａはいずれもオフとなる。

以上のように、照明装置５０ｃによれば、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ１０の発光制御部ＨＣ１０と半導体チップＩＣ１０ａの発光制御部ＨＣ１０ａとにより行うようにしたので、半導体チップＩＣ１０の比較回路ＣＮａと半導体チップＩＣ１０ａの比較回路ＣＮａａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

また、照明装置５０ｃによれば、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ１０の発光制御部ＨＣ１０と半導体チップＩＣ１０ａの発光制御部ＨＣ１０ａとにより行うようにしたので、半導体チップＩＣ１０ａが電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ２の配線抵抗と、半導体チップＩＣ１０が電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ１の配線抵抗とが異なる場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

［第５の実施形態の第４の変形例］
図２９は、本発明の第５の実施形態の第４の変形例にかかる照明装置５０ｄを示した図である。照明装置５０ｄは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、第１の半導体チップとしての半導体チップＩＣ１１と、第２の半導体チップとしての半導体チップＩＣ１１ａと、を備えている。なお、図２９に示した照明装置５０ｄにおいては、図１１に示した照明装置３０ｂ、及び図２８に示した照明装置５０ｄと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

半導体チップＩＣ１１は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１と、電極パッドＴ２と、電極パッドＴ３と、電極パッドＴ８と、電極パッドＴ９と、を備えている。また、半導体チップＩＣ１１は、第１の発光制御部としての発光制御部ＨＣ１１と、調光回路ＬＣ１と、第１の調光部としての調光回路ＬＣ２と、を備えている。発光制御部ＨＣ１１は、第１の比較回路としての比較回路ＣＮａと、第１検出部としての検出部Ｋ２と、トランジスタＮ３と、第１の制御スイッチとしてのトランジスタＮ４と、を備えている。

電極パッドＴ１は、第１の電源配線としての配線Ｗ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。言い換えれば、配線Ｗ１は、電源供給回路ＶＳと半導体チップＩＣ１１とに接続されている。電極パッドＴ２は、発光素子群ＨＳ１のノードＮｈ１と接続されている。電極パッドＴ３は、発光素子群ＨＳ２のノードＮｈ２と接続されている。

トランジスタＮ３は、ＮＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが調光回路ＬＣ１と接続され、ドレイン端子Ｄが電源ＶＳＳと接続され、ゲート端子Ｇが検出部Ｋ２の出力端子に接続されている。トランジスタＮ３は、検出部Ｋ２から供給される出力信号Ｋｏ２によってオンオフ制御がなされる。

トランジスタＮ４は、ＮＭＯＳトランジスタであり、ソース端子Ｓが調光回路ＬＣ２と接続され、ドレイン端子Ｄが電源ＶＳＳと接続され、ゲート端子Ｇが検出部Ｋ２の出力端子に接続されている。トランジスタＮ４は、検出部Ｋ２から供給される出力信号Ｋｏ２によってオンオフ制御がなされる。

調光回路ＬＣ１は、一端が電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳに接続され、他端が電極パッドＴ２と接続、言い換えれば電極パッドＴ２を介して発光素子群ＨＳ１のノードＮｈ１と接続されている。

調光回路ＬＣ２は、一端が電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳに接続され、他端が電極パッドＴ３と接続、言い換えれば電極パッドＴ３を介して発光素子群ＨＳ２のノードＮｈ２と接続されている。

半導体チップＩＣ１１ａは、半導体チップＩＣ１１と同一構成である。ただし、図２９の半導体チップＩＣ１１ａにおいては、説明の便宜上、半導体チップＩＣ１１と区別するために半導体チップＩＣ１１にて示した構成の語尾に「ａ」を付して示している。また、半導体チップＩＣ１１ａにおいては、半導体チップＩＣ１１にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路ＣＮａ」については、図２５等に示した「比較回路ＣＮａａ」と区別するため、ここでは「比較回路ＣＮａａａ」としている。

半導体チップＩＣ１１ａは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１ａと、電極パッドＴ２ａと、電極パッドＴ３ａと、電極パッドＴ８ａと、電極パッドＴ９ａと、を備えている。また、半導体チップＩＣ１１ａは、第２の発光制御部としての発光制御部ＨＣ１１ａと、調光回路ＬＣ１ａと、第２の調光部としての調光回路ＬＣ２ａと、を備えている。発光制御部ＨＣ１１ａは、第２の比較回路としての比較回路ＣＮａａａと、第２検出部としての検出部Ｋ２ａと、トランジスタＮ３ａと、第２の制御スイッチとしてのトランジスタＮ４ａと、を備えている。

電極パッドＴ１ａは、第２の電源配線としての配線Ｗ２を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。言い換えれば、配線Ｗ２は、電源供給回路ＶＳと半導体チップＩＣ１１ａとに接続されている。電極パッドＴ２ａは、発光素子群ＨＳ１１のノードＮｈ１１と接続されている。電極パッドＴ３ａは、発光素子群ＨＳ１２のノードＮｈ１２と接続されている。なお、配線Ｗ２の配線抵抗は、配線Ｗ１の配線抵抗とは異なっていても良い。

調光回路ＬＣ１１は、一端が電極パッドＴ１ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ１ａを介して電源供給回路ＶＳに接続され、他端が電極パッドＴ２ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ２ａを介して発光素子群ＨＳ１１のノードＮｈ１１と接続されている。

調光回路ＬＣ１２は、一端が電極パッドＴ１ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ１ａを介して電源供給回路ＶＳに接続され、他端が電極パッドＴ３ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ３ａを介して発光素子群ＨＳ１２のノードＮｈ１２と接続されている。

電極パッドＴ８ａは、第２の接続配線としての配線Ｗ４にて半導体チップＩＣ１１の電極パッドＴ９と接続されている。すなわち、配線Ｗ４は、ノードＮｄ１７ａと検出部Ｋ２の第２入力端子とを電気的に接続している。

電極パッドＴ９ａは、第３の接続配線としての配線Ｗ５にて半導体チップＩＣ１１の電極パッドＴ８と接続されている。すなわち、配線Ｗ５は、ノードＮｄ１７と検出部Ｋ２ａの第２入力端子とを電気的に接続している。

ここで、半導体チップＩＣ１１の検出部Ｋ２は、第１入力端子に比較回路ＣＮａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ２が入力され、第２入力端子に半導体チップＩＣ１１ａの比較回路ＣＮａａａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ２ａが入力され、これらの論理積を第１の出力信号としての出力信号Ｋｏ２としてトランジスタＮ３及びトランジスタＮ４のゲート端子Ｇに供給することでトランジスタＮ３及びトランジスタＮ４のオンオフを制御している。つまり、発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部ＨＣ１１と半導体チップＩＣ１１ａの発光制御部ＨＣ１１ａとにより行われている。

また、半導体チップＩＣ１１ａの検出部Ｋ２ａは、第１入力端子に半導体チップＩＣ１１の比較回路ＣＮａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ２が入力され、第２入力端子に比較回路ＣＮａａａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ２ａが入力され、これらの論理積を第２の出力信号としての出力信号Ｋｏ２ａとしてトランジスタＮ１ａ及びトランジスタＮ２ａのゲート端子Ｇに供給することでトランジスタＮ３ａ及びトランジスタＮ４ａのオンオフを制御している。つまり、発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部ＨＣ１１ａと半導体チップＩＣ１１の発光制御部ＨＣ１１とにより行われている。

ここで、トランジスタＮ３及びトランジスタＮ４のオンオフは、検出部Ｋ２の出力信号Ｋｏ２の信号レベル、及び検出部Ｋ２ａの出力信号Ｋｏ２ａの信号レベルにより決まる。そして、検出部Ｋ２の出力信号Ｋｏ２の信号レベル、及び検出部Ｋ２ａの出力信号Ｋｏ２ａの信号レベルは、比較回路ＣＮａが出力する比較結果信号Ｖｃｒ２のレベルと、比較回路ＣＮａａａが出力する比較結果信号Ｖｃｒ２ａのレベルと、により決定される。

比較回路ＣＮａ及び比較回路ＣＮａａａの双方が、駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも小さいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ２及び比較結果信号Ｖｃｒ２ａはローレベルとなる。このため、検出部Ｋ２及び検出部Ｋ２ａの各々の第１入力端子及び第２入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されて、出力信号Ｋｏ２及び出力信号Ｋｏ２ａはローレベルとなる。この場合、トランジスタＮ３、トランジスタＮ４、トランジスタＮ３ａ、及びトランジスタＮ４ａのゲート端子Ｇにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタＮ３、トランジスタＮ４、トランジスタＮ３ａ、及びトランジスタＮ４ａはいずれもオフとなる。

比較回路ＣＮａが駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも小さいと判定し、比較回路ＣＮａａａが駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ２はローレベルとなり、比較結果信号Ｖｃｒ２ａはハイレベルとなる。このとき、検出部Ｋ２の第２入力端子及び検出部Ｋ２ａの第１入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されるが、検出部Ｋ２の第１入力端子及び検出部Ｋ２ａの第２入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力される。このため、出力信号Ｋｏ２及び出力信号Ｋｏ２ａはローレベルとなる。この場合、トランジスタＮ３、トランジスタＮ４、トランジスタＮ３ａ、及びトランジスタＮ４ａのゲート端子Ｇにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタＮ３、トランジスタＮ４、トランジスタＮ３ａ、及びトランジスタＮ４ａはいずれもオフとなる。

比較回路ＣＮａ及び比較回路ＣＮａａａの双方が、駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ２及び比較結果信号Ｖｃｒ２ａはハイレベルとなる。このため、検出部Ｋ２及び検出部Ｋ２ａの各々の第１入力端子及び第２入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されて、出力信号Ｋｏ２及び出力信号Ｋｏ２ａはハイレベルとなる。この場合、トランジスタＮ３、トランジスタＮ４、トランジスタＮ３ａ、及びトランジスタＮ４ａのゲート端子Ｇにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタＮ３、トランジスタＮ４、トランジスタＮ３ａ、及びトランジスタＮ４ａはいずれもオンとなる。

以上のように、照明装置５０ｄによれば、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ１１の発光制御部ＨＣ１１と半導体チップＩＣ１１ａの発光制御部ＨＣ１１ａとにより行うようにしたので、半導体チップＩＣ１１の比較回路ＣＮａと半導体チップＩＣ１１ａの比較回路ＣＮａａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

また、照明装置５０ｄによれば、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ１１の発光制御部ＨＣ１１と半導体チップＩＣ１１ａの発光制御部ＨＣ１１ａとにより行うようにしたので、半導体チップＩＣ１１ａが電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ２の配線抵抗と、半導体チップＩＣ１０が電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ１の配線抵抗とが異なる場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

［第５の実施形態の第５の変形例］
図３０は、本発明の第５の実施形態の第５の変形例にかかる照明装置５０ｅを示した図である。照明装置５０ｅは、電源供給回路ＶＳと、発光素子群ＨＳＢと、第１の半導体チップとしての半導体チップＩＣ１２と、第２の半導体チップとしての半導体チップＩＣ１２ａと、を備えている。なお、図３０に示した照明装置５０ｅにおいては、図１２に示した照明装置３０ｃ、及び図２５に示した照明装置５０と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。

半導体チップＩＣ１２は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１と、電極パッドＴ２と、電極パッドＴ３と、電極パッドＴ６と、電極パッドＴ７と、電極パッドＴ８と、電極パッドＴ９と、を備えている。また、半導体チップＩＣ１２は、第１の発光制御部としての発光制御部ＨＣ１２と、調光回路ＬＣ１１と、第１の調光部としての調光回路ＬＣ１２と、を備えている。

電極パッドＴ１は、第１の電源配線としての配線Ｗ１を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。言い換えれば、配線Ｗ１は、電源供給回路ＶＳと半導体チップＩＣ１２とに接続されている。電極パッドＴ２は、発光素子群ＨＳ１のノードＮｈ１と接続されている。電極パッドＴ３は、発光素子群ＨＳ２のノードＮｈ２と接続されている。電極パッドＴ６は、発光素子群ＨＳ１の一端と接続されている。電極パッドＴ７は、発光素子群ＨＳ２の一端と接続されている。

調光回路ＬＣ１１は、一端が電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳと接続されている。また、調光回路ＬＣ１１は、他端が電極パッドＴ２と接続、言い換えれば電極パッドＴ２を介して発光素子群ＨＳ１のノードＮｈ１と接続され、且つ他端が電極パッドＴ６と接続、言い換えれば電極パッドＴ６を介して発光素子群ＨＳ１のノードＮｄ８と接続されている。なお、調光回路ＬＣ１１は、図１２に示した駆動回路ＫＤ１とトランジスタＮ５とを備えている。

調光回路ＬＣ１２は、一端が電極パッドＴ１と接続、言い換えれば電極パッドＴ１を介して電源供給回路ＶＳと接続されている。また、調光回路ＬＣ１２は、他端が電極パッドＴ３と接続、言い換えれば電極パッドＴ３を介して発光素子群ＨＳ２のノードＮｈ２と接続され、且つ他端が電極パッドＴ７と接続、言い換えれば電極パッドＴ７を介して発光素子群ＨＳ２のノードＮｄ９と接続されている。なお、調光回路ＬＣ１２は、図１２に示した駆動回路ＫＤ２とトランジスタＮ６とを備えている。

発光制御部ＨＣ１２は、第１の比較回路としての比較回路ＣＮと、検出部Ｋ１と、を備えている。検出部Ｋ１の出力端子は、調光回路ＬＣ１１の駆動回路ＫＤ１と調光回路１２の駆動回路ＫＤ２とに接続されている。言い換えれば、比較回路ＣＮの出力端子は、検出部Ｋ１の出力端子を介して調光回路ＬＣ１１の駆動回路ＫＤ１と調光回路１２の駆動回路ＫＤ２とに接続されている。検出部Ｋ１の出力信号Ｋｏ１は、駆動回路ＫＤ１と駆動回路ＫＤ２にそれぞれ入力される。

半導体チップＩＣ１２ａは、半導体チップＩＣ１２と同一構成である。ただし、図３０の半導体チップＩＣ１２ａにおいては、説明の便宜上、半導体チップＩＣ１２と区別するために半導体チップＩＣ１２にて示した構成の語尾に「ａ」を付して示している。また、半導体チップＩＣ１２ａにおいては、半導体チップＩＣ１２にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路ＣＮ」については、図５等に示した「比較回路ＣＮａ」と区別するため、ここでは「比較回路ＣＮａａ」としている。

半導体チップＩＣ１２ａは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドＴ１ａと、電極パッドＴ２ａと、電極パッドＴ３ａと、電極パッドＴ６ａと、電極パッドＴ７ａと、電極パッドＴ８ａと、電極パッドＴ９ａと、を備えている。また、半導体チップＩＣ１２ａは、第２の発光制御部としての発光制御部ＨＣ１２ａと、調光回路ＬＣ１１ａと、第２の調光部としての調光回路ＬＣ１２ａと、を備えている。

電極パッドＴ１ａは、第２の電源配線としての配線Ｗ２を介して電源供給回路ＶＳに接続されている。言い換えれば、配線Ｗ２は、電源供給回路ＶＳと半導体チップＩＣ１２ａとに接続されている。電極パッドＴ２ａは、発光素子群ＨＳ１１のノードＮｈ１１と接続されている。電極パッドＴ３ａは、発光素子群ＨＳ１２のノードＮｈ１２と接続されている。なお、配線Ｗ２の配線抵抗は、配線Ｗ１の配線抵抗とは異なっていても良い。

調光回路ＬＣ１１ａは、一端が電極パッドＴ１ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ１ａを介して電源供給回路ＶＳと接続されている。また、調光回路ＬＣ１１ａは、他端が電極パッドＴ２ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ２ａを介して発光素子群ＨＳ１１のノードＮｈ１１と接続され、且つ他端が電極パッドＴ６ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ６ａを介して発光素子群ＨＳ１１のノードＮｄ８ａと接続されている。なお、調光回路ＬＣ１１ａは、駆動回路ＫＤ１ａとトランジスタＮ５ａとを備えている。

調光回路ＬＣ１２ａは、一端が電極パッドＴ１ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ１ａを介して電源供給回路ＶＳと接続されている。また、調光回路ＬＣ１２ａは、他端が電極パッドＴ３ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ３ａを介して発光素子群ＨＳ１２のノードＮｈ１２と接続され、且つ他端が電極パッドＴ７ａと接続、言い換えれば電極パッドＴ７ａを介して発光素子群ＨＳ１２のノードＮｄ９ａと接続されている。なお、調光回路ＬＣ１２ａは、駆動回路ＫＤ２ａとトランジスタＮ６ａとを備えている。

発光制御部ＨＣ１２ａは、第２の比較回路としての比較回路ＣＮａａと、第２検出部としての検出部Ｋ１ａと、を備えている。検出部Ｋ１ａの出力端子は、調光回路ＬＣ１１ａの駆動回路ＫＤ１ａと調光回路１２ａの駆動回路ＫＤ２ａとに接続されている。言い換えれば、比較回路ＣＮａａの出力端子は、検出部Ｋ１ａの出力端子を介して調光回路ＬＣ１１ａの駆動回路ＫＤ１ａと調光回路１２ａの駆動回路ＫＤ２ａとに接続されている。検出部Ｋ１ａの出力信号Ｋｏ１ａは、駆動回路ＫＤ１ａと駆動回路ＫＤ２ａにそれぞれ入力される。

電極パッドＴ８ａは、第２の接続配線としての配線Ｗ４にて半導体チップＩＣ１２の電極パッドＴ９と接続されている。すなわち、配線Ｗ４は、ノードＮｄ１６ａと検出部Ｋ１の第２入力端子とを電気的に接続している。

電極パッドＴ９ａは、第３の接続配線としての配線Ｗ５にて半導体チップＩＣ１２の電極パッドＴ８と接続されている。すなわち、配線Ｗ５は、ノードＮｄ１６と検出部Ｋ１ａの第２入力端子とを電気的に接続している。

ここで、半導体チップＩＣ１２の検出部Ｋ１は、第１入力端子に比較回路ＣＮから出力された比較結果信号Ｖｃｒ１が入力され、第２入力端子に半導体チップＩＣ１２ａの比較回路ＣＮａａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ１ａが入力され、これらの論理和を第１の出力信号としての出力信号Ｋｏ１として駆動回路ＫＤ１及び駆動回路ＫＤ２に供給することで駆動回路ＫＤ１及び駆動回路ＫＤ２の出力を制御している。つまり、発光素子群ＨＳの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部ＨＣ１２と半導体チップＩＣ１２ａの発光制御部ＨＣ１２ａとにより行われている。

また、半導体チップＩＣ１２ａの検出部Ｋ１ａは、第１入力端子に半導体チップＩＣ１２の比較回路ＣＮから出力された比較結果信号Ｖｃｒ１が入力され、第２入力端子に比較回路ＣＮａａから出力された比較結果信号Ｖｃｒ１ａが入力され、これらの論理和を第２の出力信号としての出力信号Ｋｏ１ａとして駆動回路ＫＤ１ａ及び駆動回路ＫＤ２ａに供給することで駆動回路ＫＤ１ａ及び駆動回路ＫＤ２ａの出力を制御している。つまり、発光素子群ＨＳａの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部ＨＣ１２ａと半導体チップＩＣ１２の発光制御部ＨＣ１２とにより行われている。

ここで、駆動回路ＫＤ１及び駆動回路ＫＤ２の出力は、検出部Ｋ１の出力信号Ｋｏ１の信号レベル、及び検出部Ｋ１ａの出力信号Ｋｏ１ａの信号レベルにより決まる。そして、検出部Ｋ１の出力信号Ｋｏ１の信号レベル、及び検出部Ｋ１ａの出力信号Ｋｏ１ａの信号レベルは、比較回路ＣＮが出力する比較結果信号Ｖｃｒ１のレベルと、比較回路ＣＮａａが出力する比較結果信号Ｖｃｒ１ａのレベルと、により決定される。

比較回路ＣＮ及び比較回路ＣＮａａの双方が、駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも小さいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ１及び比較結果信号Ｖｃｒ１ａはハイレベルとなる。このため、検出部Ｋ１及び検出部Ｋ１ａの各々の第１入力端子及び第２入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されて、出力信号Ｋｏ１及び出力信号Ｋｏ１ａはハイレベルとなる。この場合、駆動回路ＫＤ１、駆動回路ＫＤ２、駆動回路ＫＤ１ａ及び駆動回路ＫＤ２ａにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタＮ５、トランジスタＮ６、トランジスタＮ５ａ、及びトランジスタＮ６ａはいずれもオフとなる。

比較回路ＣＮが駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも小さいと判定し、比較回路ＣＮａａが駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ１はハイレベルとなり、比較結果信号Ｖｃｒ１ａはローレベルとなる。このとき、検出部Ｋ１の第２入力端子及び検出部Ｋ１ａの第１入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されるが、検出部Ｋ１の第１入力端子及び検出部Ｋ１ａの第２入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されるため、出力信号Ｋｏ１及び出力信号Ｋｏ１ａはハイレベルとなる。この場合、駆動回路ＫＤ１、駆動回路ＫＤ２、駆動回路ＫＤ１ａ及び駆動回路ＫＤ２ａにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタＮ５、トランジスタＮ６、トランジスタＮ５ａ、及びトランジスタＮ６ａはいずれもオフとなる。

比較回路ＣＮ及び比較回路ＣＮａａの双方が、駆動電圧Ｖｋは発光基準電圧ＶＨａ又は発光基準電圧ＶＨａに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Ｖｃｒ１及び比較結果信号Ｖｃｒ１ａはローレベルとなる。このため、検出部Ｋ１及び検出部Ｋ１ａの各々の第１入力端子及び第２入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されて、出力信号Ｋｏ１及び出力信号Ｋｏ１ａはローレベルとなる。この場合、駆動回路ＫＤ１、駆動回路ＫＤ２、駆動回路ＫＤ１ａ及び駆動回路ＫＤ２ａにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタＮ５、トランジスタＮ６、トランジスタＮ５ａ、及びトランジスタＮ６ａはいずれもオンとなる。

以上のように、照明装置５０ｅによれば、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ１２の発光制御部ＨＣ１２と半導体チップＩＣ１２ａの発光制御部ＨＣ１２ａとにより行うようにしたので、半導体チップＩＣ１２の比較回路ＣＮと半導体チップＩＣ１２ａの比較回路ＣＮａａとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

また、照明装置５０ｅによれば、発光素子群ＨＳＢの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップＩＣ１２の発光制御部ＨＣ１２と半導体チップＩＣ１２ａの発光制御部ＨＣ１２ａとにより行うようにしたので、半導体チップＩＣ１２ａが電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ２の配線抵抗と、半導体チップＩＣ７が電源供給回路ＶＳから駆動電圧Ｖｋ及び駆動電流Ｉｋの電源供給を受けるための配線Ｗ１の配線抵抗とが異なる場合であっても、発光素子群ＨＳと発光素子群ＨＳａとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。

本発明にかかる照明装置は、各発光素子群の発光素子の発光タイミングのばらつきを防止できるので、産業上の利用可能性は極めて高い。

ＶＳ電源供給回路
ＨＣ、ＨＣａ、ＨＣｂ、ＨＣｃ、ＨＣｄ、ＨＣｅ、ＨＣ１、ＨＣ２、ＨＣ３、ＨＣ４、ＨＣ５、ＨＣ６、ＨＣ７、ＨＣ８、ＨＣ９、ＨＣ１０、ＨＣ１１、ＨＣ１２、ＨＣ１ａ、ＨＣ２ａ、ＨＣ３ａ、ＨＣ４ａ、ＨＣ５ａ、ＨＣ６ａ、ＨＣ７ａ、ＨＣ８ａ、ＨＣ９ａ、ＨＣ１０ａ、ＨＣ１１ａ、ＨＣ１２ａ発光制御部
ＣＮ、ＣＮａ、ＣＮＬ１、ＣＮＬ２、ＣＮＬ１ａ、ＣＮＬ２ａ、ＣＮａａ、ＣＮａａａ比較回路
ＬＣ１、ＬＣ２、ＬＣ１ａ、ＬＣ２ａ、ＬＣ１１、ＬＣ１２、ＬＣ１１ａ、ＬＣ１２ａ調光回路
Ｖｋ駆動電圧
Ｉｋ駆動電流
Ｖｈ１、Ｖｈ２発光電圧
Ｉｈ１、Ｉｈ２発光電流
ＨＳ、ＨＳ１、ＨＳ２、ＨＳａ、ＨＳ１１、ＨＳ１２、ＨＳＢ発光素子群
ＨＳ１ａ、ＨＳ２ａ発光素子
Ｖｃ比較電圧
Ｖｒｅｆ１、Ｖｒｅｆ２、Ｖｒｅｆ３基準電圧
Ｒｅｆ１、Ｒｅｆ２、Ｒｅｆ３、Ｒｅｆ４、Ｒｅｆ５基準電源
Ｖｃｒ１、Ｖｃｒ２、Ｖｃｒ３、Ｖｃｒ４、Ｖｃｒ５、Ｖｃｒ６比較結果電圧
Ｃｐ１、Ｃｐ２、Ｃｐ３、Ｃｐ４、Ｃｐ５、Ｃｐ６コンパレータ
Ｒｈ１、Ｒｈ２、Ｒｈ３、Ｒｈ４、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒｈ１ａ、Ｒｈ２抵抗素子
Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４、Ｎ５、Ｎ６、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６、Ｐ７、Ｐ８、Ｐ９、Ｐ１０、Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３、Ｎ１ａ、Ｎ２ａ、Ｎ３ａ、Ｎ４ａ、Ｎ５ａ、Ｎ６ａ、Ｐ１ａ、Ｐ２ａ、Ｐ３ａ、Ｐ４ａ、Ｐ５ａ、Ｐ６ａ、Ｐ７ａ、Ｐ８ａ、Ｐ９ａ、Ｐ１０ａ、Ｐ１１ａ、Ｐ１２ａ、Ｐ１３ａトランジスタ
ＩＣ１、ＩＣ２、ＩＣ３、ＩＣ４、ＩＣ５、ＩＣ６、ＩＣ７、ＩＣ８、ＩＣ９、ＩＣ１０、ＩＣ１１、ＩＣ１２、ＩＣ１ａ、ＩＣ２ａ、ＩＣ３ａ、ＩＣ４ａ、ＩＣ５ａ、ＩＣ６ａ、ＩＣ７ａ、ＩＣ８ａ、ＩＣ９ａ、ＩＣ１０ａ、ＩＣ１１ａ、ＩＣ１２ａ半導体チップ
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７、Ｔ８、Ｔ９、Ｔ１ａ、Ｔ２ａ、Ｔ３ａ、Ｔ４ａ、Ｔ５ａ、Ｔ６ａ、Ｔ７ａ、Ｔ８ａ、Ｔ９ａ電極パッド

Claims

発光素子群への発光電流を供給する電流経路に含まれるスイッチを制御する発光素子駆動回路であって、
電源供給回路から供給される駆動電圧またはこれに応じた電圧と所定の基準電圧とを比較することにより前記スイッチのオン及びオフを制御する比較結果信号を生成し、前記比較結果信号を前記スイッチの制御端に出力するように構成される比較回路と、
前記スイッチのオン及びオフを制御せずに前記発光素子群に流れる前記発光電流を調整するように構成され、前記比較結果信号に基づく前記スイッチのオン及びオフに応じて前記発光電流の生成可否が制御されるように構成される調光回路と、
を有することを特徴とする発光素子駆動回路。
発光素子群への発光電流を供給する電流経路に含まれるスイッチを制御する発光素子駆動回路であって、
電源供給回路から供給される駆動電圧の印加端に接続される比較端子と、
前記比較端子に印加される前記駆動電圧またはこれに応じた電圧と所定の基準電圧とを比較することにより前記スイッチのオン及びオフを制御する比較結果信号を生成し、前記比較結果信号を前記スイッチの制御端に出力するように構成される比較回路と、
前記スイッチのオン及びオフを制御せずに前記発光素子群に流れる前記発光電流を調整するように構成され、前記比較結果信号に基づく前記スイッチのオン及びオフに応じて前記発光電流の生成可否が制御されるように構成される調光回路と、
を有することを特徴とする発光素子駆動回路。
前記発光素子群は、
前記発光電流として第１発光電流の供給を受ける第１発光素子群と、
前記発光電流として第２発光電流の供給を受ける第２発光素子群と、
を含み、
前記調光回路は、
前記第１発光電流を調整する第１調光回路と、
前記第２発光電流を調整する第２調光回路と、
を含む、請求項１又は２に記載の発光素子駆動回路。
発光素子群への発光電流を供給する電流経路に含まれるスイッチを制御する発光素子駆動回路であって、
電源供給回路から供給される駆動電圧またはこれに応じた電圧と所定の基準電圧とを比較することにより前記スイッチのオン及びオフを制御する比較結果信号を出力するように構成される比較回路と、
前記発光素子群に流れる前記発光電流を調整するように構成され、前記スイッチのオン及びオフに応じて前記発光電流の生成可否を制御するように構成される調光回路と、
を有し、
前記発光素子群は、
前記発光電流として第１発光電流の供給を受ける第１発光素子群と、
前記発光電流として第２発光電流の供給を受ける第２発光素子群と、
を含み、
前記調光回路は、
前記第１発光電流を調整する第１調光回路と、
前記第２発光電流を調整する第２調光回路と、
を含む、発光素子駆動回路。
発光素子群への発光電流を供給する電流経路に含まれるスイッチを制御する発光素子駆動回路であって、
電源供給回路から供給される駆動電圧の印加端に接続される比較端子と、
前記比較端子に印加される前記駆動電圧またはこれに応じた電圧と所定の基準電圧とを比較することにより前記スイッチのオン及びオフを制御する比較結果信号を出力するように構成される比較回路と、
前記発光素子群に流れる前記発光電流を調整するように構成され、前記スイッチのオン及びオフに応じて前記発光電流の生成可否を制御するように構成される調光回路と、
を有し、
前記発光素子群は、
前記発光電流として第１発光電流の供給を受ける第１発光素子群と、
前記発光電流として第２発光電流の供給を受ける第２発光素子群と、
を含み、
前記調光回路は、
前記第１発光電流を調整する第１調光回路と、
前記第２発光電流を調整する第２調光回路と、
を含む、発光素子駆動回路。
前記比較回路は、前記駆動電圧またはこれに応じた電圧が前記基準電圧よりも高いときに前記スイッチをオンして前記発光電流を供給可能とし、前記駆動電圧またはこれに応じた電圧が前記基準電圧よりも低いときに前記スイッチをオフして前記発光電流を供給不可とするように前記比較結果信号を生成する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光素子駆動回路。
前記スイッチは、前記電源供給回路と前記調光回路との間に設けられている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光素子駆動回路。
前記スイッチは、前記調光回路と前記発光素子群との間に設けられている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光素子駆動回路。
前記スイッチは、前記発光素子群と接地端との間に設けられている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光素子駆動回路。
前記スイッチは、前記電源供給回路と前記第１調光回路及び前記第２調光回路との間に設けられている、請求項３〜５のいずれか一項に記載の発光素子駆動回路。
前記スイッチは、前記第１調光回路と前記第１発光素子群との間に設けられた第１スイッチと、前記第２調光回路と前記第２発光素子群との間に設けられた第２スイッチと、を含む、請求項３〜５のいずれか一項に記載の発光素子駆動回路。
前記スイッチは、前記第１発光素子群と接地端との間に設けられた第１スイッチと、前記第２発光素子群と前記接地端との間に設けられた第２スイッチと、を含む、請求項３〜５のいずれか一項に記載の発光素子駆動回路。
発光素子群への発光電流を供給する電流経路に含まれるスイッチを制御する発光素子駆動回路であって、
電源供給回路から供給される駆動電圧またはこれに応じた電圧と所定の基準電圧とを比較することにより前記スイッチのオン及びオフを制御する比較結果信号を出力するように構成される比較回路と、
前記発光素子群に流れる前記発光電流を調整するように構成され、前記スイッチのオン及びオフに応じて前記発光電流の生成可否を制御するように構成される調光回路と、
前記比較結果信号の有効／無効を切り替えるための第１端子と、
他の発光素子駆動回路から前記比較結果信号を代替する第２比較結果信号の入力を受け付けるための第２端子と、
を有する、発光素子駆動回路。
発光素子群への発光電流を供給する電流経路に含まれるスイッチを制御する発光素子駆動回路であって、
電源供給回路から供給される駆動電圧の印加端に接続される比較端子と、
前記比較端子に印加される前記駆動電圧またはこれに応じた電圧と所定の基準電圧とを比較することにより前記スイッチのオン及びオフを制御する比較結果信号を出力するように構成される比較回路と、
前記発光素子群に流れる前記発光電流を調整するように構成され、前記スイッチのオン及びオフに応じて前記発光電流の生成可否を制御するように構成される調光回路と、
前記比較結果信号の有効／無効を切り替えるための第１端子と、
他の発光素子駆動回路から前記比較結果信号を代替する第２比較結果信号の入力を受け付けるための第２端子と、
を有する、発光素子駆動回路。
駆動電圧を供給する電源供給回路と、
少なくとも一つの発光素子群と、
前記発光素子群への発光電流を供給する電流経路に設けられたスイッチと、
前記スイッチを制御する発光素子駆動回路と、
を有し、
前記発光素子駆動回路は、
前記電源供給回路から供給される前記駆動電圧またはこれに応じた電圧と所定の基準電圧とを比較することにより前記スイッチのオン及びオフを制御する比較結果信号を出力するように構成される比較回路と、
前記発光素子群に流れる前記発光電流を調整するように構成され、前記スイッチのオン及びオフに応じて前記発光電流の生成可否を制御するように構成される調光回路と、
を有し、
前記発光素子群、前記スイッチ、及び、前記発光素子駆動回路は、複数組設けられている、発光装置。
駆動電圧を供給する電源供給回路と、
少なくとも一つの発光素子群と、
前記発光素子群への発光電流を供給する電流経路に設けられたスイッチと、
前記スイッチを制御する発光素子駆動回路と、
を有し、
前記発光素子駆動回路は、
前記電源供給回路から供給される前記駆動電圧の印加端に接続される比較端子と、
前記比較端子に印加される前記駆動電圧またはこれに応じた電圧と所定の基準電圧とを比較することにより前記スイッチのオン及びオフを制御する比較結果信号を出力するように構成される比較回路と、
前記発光素子群に流れる前記発光電流を調整するように構成され、前記スイッチのオン及びオフに応じて前記発光電流の生成可否を制御するように構成される調光回路と、
を有し、
前記発光素子群、前記スイッチ、及び、前記発光素子駆動回路は、複数組設けられている、発光装置。