JP6847050B2 - 可変フィードバック制御をともなう稠密波長ビーム結合 - Google Patents
可変フィードバック制御をともなう稠密波長ビーム結合 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6847050B2 JP6847050B2 JP2017558962A JP2017558962A JP6847050B2 JP 6847050 B2 JP6847050 B2 JP 6847050B2 JP 2017558962 A JP2017558962 A JP 2017558962A JP 2017558962 A JP2017558962 A JP 2017558962A JP 6847050 B2 JP6847050 B2 JP 6847050B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beams
- component
- optical element
- feedback system
- coupled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims description 84
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title claims description 83
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title claims description 83
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 151
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 100
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 54
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 39
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 28
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 5
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 5
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 7
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000028161 membrane depolarization Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 241001589086 Bellapiscis medius Species 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/136—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/137—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity for stabilising of frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08054—Passive cavity elements acting on the polarization, e.g. a polarizer for branching or walk-off compensation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/1305—Feedback control systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4062—Edge-emitting structures with an external cavity or using internal filters, e.g. Talbot filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/10061—Polarization control
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
Description
稠密波長ビーム結合(DWBC)技術は、複数の入力ビームを空間的に重畳して高出力の単独結合出力ビームを形成する技術である。高出力の結合出力ビームが充分に高い品質を有すること、すなわち、所望の用途に対して充分に小さいビームパラメータ積(BPP)を有することを保証するために、DWBC技術では、複数の入力ビームを放射する個別放射器の波長ロックが行われる。波長ロックとは、放射器にその放射の大部分を狭域の波長スペクトル内で放射させることにより、特定の波長を中心として放射器の放射スペクトルを狭めることをいう。DWBC技術により、狭域のスペクトル内の波長の放射の放出を励起する各個別放射器へフィードバックを供給し、これにより望ましくない波長の放射の相対比率を低減することで、波長ロックが達成される。
本発明の一実施形態にしたがえば、外部キャビティレーザ装置が提供される。当該外部キャビティレーザ装置は、それぞれ1次成分放射ビームを含みかつ所定の波長を有する複数の放射ビームを集合的に放射する、複数のビーム放射器と、複数の1次成分放射ビームの光路に配置されており、かつ、複数の1次成分放射ビームを、複数の成分入力ビームを含む結合入力ビームへ結合するように構成された角度分散光学素子と、結合入力ビームの光路に配置された第1の偏光光学素子とを含み、この第1の偏光光学素子は、結合入力ビームの複数の成分入力ビームそれぞれの偏光状態を回転させて、複数の回転成分入力ビームを含む回転結合入力ビームを形成し、回転結合入力ビームの複数の回転成分入力ビームそれぞれの反射の偏光状態を回転させて、第1の直線偏光状態を有しかつ複数の第1のフィードバック系出力成分ビームを含む第1の結合フィードバック系出力ビームと、第2の直線偏光状態を有しかつ複数の第2のフィードバック系出力成分ビームを含む第2の結合フィードバック系出力ビームとを形成するように構成されている。本発明のこの実施形態による外部キャビティレーザ装置はさらに偏光ビームスプリッタを含み、この偏光ビームスプリッタは、第1の結合フィードバック系出力ビームを結合出力ビームとして配向し、第2の結合フィードバック系出力ビームを第1の結合フィードバックビームとして角度分散光学素子へ配向して、複数の放射ビームの波長安定化のために複数のビーム放射器へ戻すように構成されている。
複数の個別入力ビームを単独の結合出力ビームへ結合することに関連する、多様な稠密波長ビーム結合(DWBC)技術および装置をここで説明する。種々の用途に要求される充分に高い出力と充分に高いビーム品質との組み合わせを有する結合出力ビームを形成するためには、相対的に低い出力を有する多数の入力ビームを空間的かつ方向的に正確に重畳して結合する必要がある。幾つかの用途、例えば約10mmより小さい厚さを有するシート状金属のレーザカットなどの材料処理分野では、5mm・mradより小さいビーム品質とキロワット領域のレーザ出力とが要求される。DWBC技術および装置では、低出力の入力ビームを放射する個別放射器にフィードバックを供給するように構成された外部共振器キャビティにより、低出力の入力ビームがしばしば空間的かつ方向的に正確に重畳される。しかし、各個別放射器で受信されるフィードバックの量は、外部共振器キャビティのイメージング品質、外部共振器キャビティで用いられる種々の光学素子の反射率および透過率ならびにフィードバックが個別放射器に入射するときに通る面の反射率を含む、複数の要素に強く依存している。
Claims (21)
- 外部キャビティレーザ装置であって、
それぞれ1次成分放射ビームを含みかつ所定の波長を有する複数の放射ビームを集合的に放射する、複数のビーム放射器と、
前記複数の1次成分放射ビームの光路に配置されており、かつ、前記複数の1次成分放射ビームを、複数の成分入力ビームを含む結合入力ビームへ結合するように構成された角度分散光学素子と、
前記結合入力ビームの光路に配置された第1の偏光光学素子と、
偏光ビームスプリッタと、
を含み、
前記第1の偏光光学素子は、
前記結合入力ビームの前記複数の成分入力ビームそれぞれの偏光状態を回転させて、複数の回転成分入力ビームを含む回転結合入力ビームを形成し、
前記回転結合入力ビームの前記複数の回転成分入力ビームそれぞれの反射の偏光状態を回転させて、第1の直線偏光状態を有しかつ複数の第1のフィードバック系出力成分ビームを含む第1の結合フィードバック系出力ビームと、第2の直線偏光状態を有しかつ複数の第2のフィードバック系出力成分ビームを含む第2の結合フィードバック系出力ビームとを形成する
ように構成されており、
前記偏光ビームスプリッタは、
前記第1の結合フィードバック系出力ビームを結合出力ビームとして配向し、
前記第2の結合フィードバック系出力ビームを第1の結合フィードバックビームとして前記角度分散光学素子へ配向して前記複数の放射ビームの波長安定化のために前記複数のビーム放射器へ戻す
ように構成されている、
装置。 - 前記偏光ビームスプリッタはさらに、前記結合入力ビームを前記第1の偏光光学素子へ配向するように構成されている、
請求項1記載の装置。 - 前記複数の放射ビームそれぞれは、付加的に2次成分放射ビームを含む、
請求項1記載の装置。 - 前記角度分散光学素子は、偏光状態につき不感の格子である、
請求項1記載の装置。 - 前記装置はさらに、前記回転結合入力ビームを反射して、前記複数の回転成分入力ビームそれぞれの反射を含む反射回転結合入力ビームを形成するように構成された、第1の反射素子を含む、
請求項1記載の装置。 - 前記装置はさらに、第2の反射素子を含み、
前記偏光ビームスプリッタはさらに、前記複数の2次成分放射ビームを前記第2の反射素子へ配向するように構成されている、
請求項3記載の装置。 - 前記複数の放射ビームそれぞれは、付加的に2次成分放射ビームを含み、
第2の反射素子が、前記複数の2次成分放射ビームの反射を、第3のフィードバック系出力ビームの複数の成分として前記偏光ビームスプリッタへ配向するように構成されて設けられており、
前記偏光ビームスプリッタはさらに、前記第3のフィードバック系出力ビームの前記複数の成分を前記複数のビーム放射器へ配向するように構成されている、
請求項5記載の装置。 - 前記複数の放射ビームそれぞれは、付加的に2次成分放射ビームを含み、
第2の反射素子が、前記複数の2次成分放射ビームの反射を、第3のフィードバック系出力ビームの複数の成分として前記偏光ビームスプリッタへ配向するように構成されて設けられており、
前記偏光ビームスプリッタは、前記第3のフィードバック系出力ビームの前記複数の成分を前記結合出力ビームの成分として配向するように構成されている、
請求項5記載の装置。 - 前記角度分散光学素子は、波長依存性の角度分散関数を有し、
前記角度分散光学素子は、前記波長依存性の角度分散関数によって求められた波長依存性の角度スペクトルを前記複数の1次成分放射ビームへ付与するように構成されていることにより、前記複数の1次成分放射ビームを結合入力ビームへ結合するように構成されている、
請求項1記載の装置。 - 前記装置はさらに、前記複数のビーム放射器と前記角度分散光学素子との間の光路に配置された第1の位置角度変換光学素子を含み、
該第1の位置角度変換光学素子は、前記複数の放射ビームそれぞれに、前記角度分散光学素子に対する入射角を付与するように構成されている、
請求項9記載の装置。 - 前記装置はさらに、前記複数のビーム放射器と前記角度分散光学素子との間に配置された第2の偏光光学素子を含み、
該第2の偏光光学素子は、前記複数の放射ビームそれぞれの偏光状態を回転させるように構成されている、
請求項10記載の装置。 - 前記装置はさらに、前記結合入力ビームおよび前記回転結合入力ビームのいずれかの光路に配置された空間フィルタリングアセンブリを含み、
該空間フィルタリングアセンブリは、前記波長依存性の角度スペクトルの一部に対応する成分ビームのみを透過するように構成されている、
請求項9記載の装置。 - 前記空間フィルタリングアセンブリは、
第2の位置角度変換光学素子と、
第3の位置角度変換光学素子と、
前記第2の位置角度変換光学素子と前記第3の位置角度変換光学素子との間に配置されたアパーチャと、
を含む、
請求項12記載の装置。 - 前記複数のビーム放射器は、バー状に配置された複数のダイオードビーム放射器およびアレイ状に配置された複数のダイオードビーム放射器のいずれかである、
請求項1記載の装置。 - 前記アレイは、垂直方向の積層体として構成された複数のダイオードバー、水平方向の積層体として構成された複数のダイオードバーおよびダイオードバーの2次元アレイのいずれかから形成されている、
請求項14記載の装置。 - 前記第1の偏光光学素子は、1/4波長板である、
請求項1記載の装置。 - 前記第2の偏光光学素子は、半波長板である、
請求項11記載の装置。 - 前記第2の結合フィードバック系出力ビームは、前記複数の放射ビームの光出力の約20%より小さい光出力を有する、
請求項1記載の装置。 - 複数の放射器により、それぞれ1次成分放射ビームを含んで集合的に放射される複数の放射ビームの波長を安定化させる方法であって、該方法は、
複数の放射器により、複数の1次成分放射ビームを集合的に含む複数の放射ビームを放射するステップと、
前記複数の1次成分放射ビームの光路に配置された角度分散光学素子により、前記複数の1次成分放射ビームを、複数の成分入力ビームを含む結合入力ビームへ結合するステップと、
第1の偏光光学素子により、前記結合入力ビームの前記複数の成分入力ビームを回転させて、複数の回転成分入力ビームを含む回転結合入力ビームを形成するステップと、
前記第1の偏光光学素子により、前記回転結合入力ビームの前記複数の回転成分入力ビームを回転させて、第1の直線偏光状態を有しかつ複数の第1のフィードバック系出力成分ビームを含む第1の結合フィードバック系出力ビームと、第2の直線偏光状態を有しかつ複数の第2のフィードバック系出力成分ビームを含む第2の結合フィードバック系出力ビームとを形成するステップと、
偏光ビームスプリッタにより、前記第1の結合フィードバック系出力ビームを結合出力ビームとして配向するステップと、
前記偏光ビームスプリッタにより、前記第2の結合フィードバック系出力ビームを第1の結合フィードバックビームとして前記角度分散光学素子へ配向するステップと、
を含む、方法。 - 前記複数の放射ビームそれぞれは、2次成分放射ビームを含み、
前記方法はさらに、
前記偏光ビームスプリッタにより、前記複数の2次成分放射ビームを第2の反射素子へ配向するステップと、
前記第2の反射素子により、前記複数の2次成分放射ビームを第3の結合フィードバック系出力ビームの成分として反射するステップと、
前記偏光ビームスプリッタにより、前記第3の結合フィードバック系出力ビームの前記成分を、第2のフィードバックビームまたは前記結合出力ビームのいずれかの成分として配向するステップと、
を含む、
請求項19記載の方法。 - 外部キャビティレーザ装置であって、
それぞれ1次成分放射ビームおよび2次成分放射ビームを含みかつ所定の波長を有する複数の放射ビームを集合的に放射する、複数のビーム放射器と、
前記複数の放射ビームの光路に配置されており、かつ、前記複数の放射ビームを、1次結合入力ビームおよび2次結合入力ビームを含む結合入力ビームへ結合するように構成された、角度分散光学素子と、
前記1次結合入力ビームの光路に配置された第1の偏光光学素子と、
偏光ビームスプリッタと、
を含み、
前記第1の偏光光学素子は、
前記1次結合入力ビームを回転させて回転1次結合入力ビームを形成し、
前記回転1次結合入力ビームの反射を回転させて、第1の直線偏光状態を有しかつ複数の第1のフィードバック系出力成分ビームを含む第1の結合フィードバック系出力ビームと、第2の直線偏光状態を有しかつ複数の第2のフィードバック系出力成分ビームを含む第2の結合フィードバック系出力ビームとを形成する
ように構成されており、
前記偏光ビームスプリッタは、
前記1次結合入力ビームを、第1の反射素子で、前記第1の偏光光学素子を通るように配向し、
前記2次結合入力ビームを第3の結合フィードバック系出力ビームとして反射するように構成された第2の反射素子で、前記2次結合入力ビームを配向し、
前記第1の結合フィードバック系出力ビームを結合出力ビームとして配向し、
前記第2の結合フィードバック系出力ビームを第1の結合フィードバックビームとして前記角度分散光学素子へ配向して前記放射ビームの波長安定化のために前記ビーム放射器へ戻し、
前記第3の結合フィードバック系出力ビームを、第2の結合フィードバックビームとして前記角度分散光学素子へ配向するかまたは前記結合出力ビームの成分として配向する
ように構成されている、
装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/711,579 | 2015-05-13 | ||
US14/711,579 US9711950B2 (en) | 2015-05-13 | 2015-05-13 | Dense wavelength beam combining with variable feedback control |
PCT/EP2016/060145 WO2016180718A1 (en) | 2015-05-13 | 2016-05-06 | Dense wavelength beam combining with variable feedback control |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018518048A JP2018518048A (ja) | 2018-07-05 |
JP6847050B2 true JP6847050B2 (ja) | 2021-03-24 |
Family
ID=55969121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017558962A Active JP6847050B2 (ja) | 2015-05-13 | 2016-05-06 | 可変フィードバック制御をともなう稠密波長ビーム結合 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9711950B2 (ja) |
EP (1) | EP3295528A1 (ja) |
JP (1) | JP6847050B2 (ja) |
KR (1) | KR20180016404A (ja) |
CN (1) | CN107624207B (ja) |
WO (1) | WO2016180718A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2556197B (en) * | 2016-09-30 | 2021-11-24 | Nichia Corp | Light source device |
US10804680B2 (en) | 2017-06-13 | 2020-10-13 | Nuburu, Inc. | Very dense wavelength beam combined laser system |
WO2019163335A1 (ja) * | 2018-02-26 | 2019-08-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光共振器及びレーザ加工機 |
DE102018204814A1 (de) | 2018-03-29 | 2019-10-02 | Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg | Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen von Laserstrahlungen mit unterschiedlicher Leistung und Brillanz |
WO2020081335A1 (en) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Laser system with staircased slow-axis collimators |
WO2020107030A1 (en) | 2018-11-23 | 2020-05-28 | Nuburu, Inc | Multi-wavelength visible laser source |
KR102158044B1 (ko) | 2019-01-16 | 2020-09-21 | 국방과학연구소 | 파장제어 레이저 빔 결합 시스템, 이의 제어 방법, 및 이 방법을 저장한 컴퓨터 판독 가능 저장매체 |
US11862927B2 (en) | 2019-02-02 | 2024-01-02 | Nuburu, Inc. | High reliability high power high brightness blue laser diode systems and methods of making the same |
US11302590B2 (en) | 2019-02-15 | 2022-04-12 | Kla Corporation | Delivery of light into a vacuum chamber using an optical fiber |
JPWO2021044730A1 (ja) * | 2019-09-06 | 2021-03-11 | ||
KR102357654B1 (ko) | 2020-09-02 | 2022-02-07 | 주식회사 한화 | 파장제어 빔 결합장치의 비축 포물경용 정렬 측정장치 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07117668B2 (ja) | 1988-12-28 | 1995-12-18 | 富士写真フイルム株式会社 | 光増幅装置 |
US5386426A (en) * | 1992-09-10 | 1995-01-31 | Hughes Aircraft Company | Narrow bandwidth laser array system |
US6584133B1 (en) | 2000-11-03 | 2003-06-24 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Frequency-narrowed high power diode laser array method and system |
EP1265324A3 (en) | 2001-05-15 | 2005-01-19 | Agilent Technologies, Inc. | Laser resonator with direction sensitive decoupling |
US6788726B2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-09-07 | New Focus, Inc. | External cavity laser with high spectral purity output |
JP5100990B2 (ja) * | 2004-10-07 | 2012-12-19 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ及びlpp型極端紫外光源装置 |
JP5905723B2 (ja) * | 2008-11-04 | 2016-04-20 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 2次元レーザ素子の外部キャビティ1次元多波長ビーム結合 |
JP5981855B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2016-08-31 | テラダイオード, インコーポレーテッド | 波長ビーム結合システムおよび方法 |
US20110305256A1 (en) * | 2010-03-05 | 2011-12-15 | TeraDiode, Inc. | Wavelength beam combining based laser pumps |
CN102986097B (zh) | 2010-03-05 | 2016-03-09 | 泰拉二极管公司 | 选择性重新定位与旋转波长光束组合系统与方法 |
US8724222B2 (en) | 2010-10-31 | 2014-05-13 | TeraDiode, Inc. | Compact interdependent optical element wavelength beam combining laser system and method |
JP6368250B2 (ja) | 2012-02-14 | 2018-08-01 | テラダイオード, インコーポレーテッド | 二次元マルチビームのスタビライザーおよびコンバイニングシステムおよび方法 |
US9391713B2 (en) | 2013-10-14 | 2016-07-12 | Trumpf Laser Gmbh | High brightness dense wavelength multiplexing laser |
US9306369B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-04-05 | Trumpf Laser Gmbh | Wavelength selective external resonator and beam combining system for dense wavelength beam combining laser |
-
2015
- 2015-05-13 US US14/711,579 patent/US9711950B2/en active Active
-
2016
- 2016-05-06 EP EP16722613.3A patent/EP3295528A1/en not_active Withdrawn
- 2016-05-06 KR KR1020177035645A patent/KR20180016404A/ko unknown
- 2016-05-06 WO PCT/EP2016/060145 patent/WO2016180718A1/en active Application Filing
- 2016-05-06 CN CN201680027781.0A patent/CN107624207B/zh active Active
- 2016-05-06 JP JP2017558962A patent/JP6847050B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016180718A1 (en) | 2016-11-17 |
CN107624207B (zh) | 2019-12-10 |
JP2018518048A (ja) | 2018-07-05 |
CN107624207A (zh) | 2018-01-23 |
US20160336714A1 (en) | 2016-11-17 |
EP3295528A1 (en) | 2018-03-21 |
US9711950B2 (en) | 2017-07-18 |
KR20180016404A (ko) | 2018-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6847050B2 (ja) | 可変フィードバック制御をともなう稠密波長ビーム結合 | |
US9905993B2 (en) | Wavelength selective external resonator and beam combining system for dense wavelength beam combining laser | |
US11949206B2 (en) | Two-dimensional multi-beam stabilizer and combining systems and methods | |
CN105814476B (zh) | 高亮度密集波复用激光器 | |
US20180205197A1 (en) | Open-loop wavelength selective external resonator and beam combining system | |
US20110261456A1 (en) | Polarization coupler | |
WO2015191542A1 (en) | Stabilization of wavelength beam combining laser systems in the non-wavelength beam combining direction | |
US9124065B2 (en) | System and method for wavelength beam combination on a single laser emitter | |
US10516246B2 (en) | Spatially-distributed gain element self-phase-locked, laser apparatus and method | |
US9316846B2 (en) | Systems and methods to provide high brightness diode laser outputs | |
WO2018167975A1 (ja) | レーザ発振装置 | |
US20170222401A1 (en) | Dense wavelength beam combining with variable feedback control | |
US6717719B1 (en) | Coherent optical beam combination using double-coated glass mirrors/mirror pairs | |
US11304286B2 (en) | Polarizer | |
JP2023533892A (ja) | スペクトル分割装置 | |
JP2006313609A (ja) | 光路補正装置、及び光ピックアップ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190422 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200818 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210201 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210302 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6847050 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |