JP6838297B2 - Power converter - Google Patents
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Description
本発明は、電力変換装置に関するものである。 The present invention relates to a power converter.
直流電流が入力される第1トランスの一次巻線と、第1トランスの一次巻線に直列に接続されるスイッチング素子と、スイッチング素子に並列に接続され、互いに直列に接続されるキャパシタ及び第2トランスの一次巻線と、第1トランスの一次巻線に結合される第1トランスの二次巻線と、第1トランスの二次巻線に接続され、直流電力を出力する一対の出力端子と、第2トランスの一次巻線に結合されるとともに、一対の出力端子の間にそれぞれ接続され、互いに出力電流の向きが逆向きになるように接続される一対の第2トランスの二次巻線とを含むDC−DCコンバータが開示されている(特許文献1)。このDC−DCコンバータは、トランス、スイッチング素子、ダイオード、平滑用キャパシタ、及びスナバ回路を含んでおり、スナバ回路のキャパシタは、スイッチング素子のドレイン・ソース間に並列に接続されている。 A primary winding of a first transformer to which a direct current is input, a switching element connected in series with the primary winding of the first transformer, a capacitor connected in parallel with the switching element and connected in series with each other, and a second A primary winding of a transformer, a secondary winding of the first transformer coupled to the primary winding of the first transformer, and a pair of output terminals connected to the secondary winding of the first transformer to output DC power. , The secondary windings of the pair of second transformers, which are coupled to the primary windings of the second transformer, are connected between the pair of output terminals, and are connected so that the directions of the output currents are opposite to each other. A DC-DC converter including the above is disclosed (Patent Document 1). This DC-DC converter includes a transformer, a switching element, a diode, a smoothing capacitor, and a snubber circuit, and the capacitor of the snubber circuit is connected in parallel between the drain and the source of the switching element.
しかしながら、従来技術では、スナバ回路のキャパシタと平滑用キャパシタ間の配線に存在する寄生インダクタンス及びスナバ回路のキャパシタにより形成される共振回路の振動電流が電磁ノイズを発生させるという問題があった。 However, in the prior art, there is a problem that the parasitic inductance existing in the wiring between the capacitor of the snubber circuit and the capacitor for smoothing and the oscillating current of the resonance circuit formed by the capacitor of the snubber circuit generate electromagnetic noise.
本発明は、電磁ノイズを抑制する電力変換装置を提供することである。 The present invention is to provide a power conversion device that suppresses electromagnetic noise.
本発明は、直流電源に接続された一対の配線と、一対の配線間に接続され、直流電源からの電力を変換するスイッチング回路と、一対の配線間に接続され、直流電源からの電力を平滑する第1コンデンサと、一対の配線間に接続され、スイッチング回路を保護する第2コンデンサと、第1コンデンサと第2コンデンサとの間に設けられる第1コイルとを備え、一対の配線は、第1コンデンサとスイッチング回路を接続する第1配線と、第2コンデンサとスイッチング回路を接続する第2配線を含み、第1配線に存在する寄生インダクタンスは、第2配線に存在する寄生インダクタンスより大きく、第1コイルは、第1配線に流れる電流により発生する磁界を受けて誘導起電力を発生させることで上記課題を解決する。 The present invention is a pair of wires connected to a DC power supply, a switching circuit connected between the pair of wires to convert power from the DC power supply, and a switching circuit connected between the pair of wires to smooth the power from the DC power supply. The first capacitor, the second capacitor connected between the pair of wires and protecting the switching circuit, and the first coil provided between the first capacitor and the second capacitor are provided, and the pair of wires is the first capacitor. The first wiring that connects the first capacitor and the switching circuit and the second wiring that connects the second capacitor and the switching circuit are included, and the parasitic inductance existing in the first wiring is larger than the parasitic inductance existing in the second wiring. The 1-coil solves the above problem by generating an induced electromotive force by receiving a magnetic field generated by a current flowing through the first wiring.
本発明は、電磁ノイズを抑制する電力変換装置を提供することができる。 The present invention can provide a power conversion device that suppresses electromagnetic noise.
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
≪第1実施形態≫
図1は、第1実施形態に係る電力変換装置10を用いた電力変換システム100の概要図である。電力変換システム100は、本実施形態に係る電力変換装置10と周辺回路16とを備える。図1では、周辺回路16は一点鎖線で囲まれた範囲の回路を示しており、電力変換装置10は周辺回路16を除いて点線で囲まれた範囲の回路を示している。
<< First Embodiment >>
FIG. 1 is a schematic view of a
電力変換装置10は、高電圧電源1と、配線2と、スイッチング回路3と、平滑コンデンサ4と、スナバコンデンサ5と、コイル6とを備えている。図1では、スイッチング回路3は点線で囲まれた範囲の回路を示している。
The
高電圧電源1は直流電源である。例えば、電力変換システム100が電動車両に搭載される場合に、高電圧電源1にはバッテリとしてリチウムイオン電池などの二次電池が用いられる。高電圧電源1は配線2を介してスイッチング回路3と接続されている。
The high voltage power supply 1 is a DC power supply. For example, when the
配線2は、高電圧電源1に接続されており、高電圧電源1からの電力を供給する1対の配線である。配線2は、高電圧電源1の正極に接続される配線2Aと高電圧電源1の負極に接続される配線2Bとを有している。配線2には、銅又はアルミニウムの板状の導体が用いられる。例えば、配線2には、バスバーが用いられる。
The
スイッチング回路3は、配線2A,2Bの間に接続されている。スイッチング回路3は、複数の電圧型駆動素子及び複数の整流素子を有している。図1では、複数の電圧型駆動素子はトランジスタTr1,Tr2であって、複数の整流素子はダイオードD1,D2である。トランジスタTr1,Tr2とダイオードD1,D2とはそれぞれ並列に接続されている。ダイオードD1,D2は、トランジスタTr1,Tr2の電流方向とは逆方向に電流が流れる向きに、トランジスタTr1,Tr2に接続されている。トランジスタTr1,Tr2は同一のトランジスタが用いられ、例えば、シリコン(Si)製の電界効果トランジスタ(MOSFET)が用いられる。
The switching circuit 3 is connected between the
本実施形態では、スイッチング回路3は、トランジスタTr1とトランジスタTr2の直列回路で構成されている。トランジスタTr1,Tr2はゲート,ソース,ドレインの各端子を有している。トランジスタTr1のドレイン端子は配線2Aと接続され、トランジスタTr2のソース端子は配線2Bと接続されている。つまり、トランジスタTr1は、高電圧電源1の正極側と電気的に接続されており、トランジスタTr2は高電圧電源1の負極側と電気的に接続されている。トランジスタTr1のソース端子とトランジスタTr2のドレイン端子は接続されている。スイッチング回路3は、当該接続された地点(出力端子)から電圧を出力する。
In the present embodiment, the switching circuit 3 is composed of a series circuit of the transistor Tr1 and the transistor Tr2. The transistors Tr1 and Tr2 have gate, source, and drain terminals. The drain terminal of the transistor Tr1 is connected to the
トランジスタTr1,Tr2はスイッチング素子として動作する。スイッチング回路3は、トランジスタTr1又はTr2のスイッチング動作により高電圧電源1からの直流電力を変換して出力する。スイッチング回路3は変換された電圧を出力端子に出力する。トランジスタTr1又はトランジスタTr2のスイッチング動作は、トランジスタTr1又はトランジスタTr2がオン又はオフすることである。トランジスタTr1は駆動回路12を介して制御回路15により制御され、トランジスタTr2は駆動回路13を介して制御回路15により制御される。
The transistors Tr1 and Tr2 operate as switching elements. The switching circuit 3 converts and outputs the DC power from the high voltage power supply 1 by the switching operation of the transistor Tr1 or Tr2. The switching circuit 3 outputs the converted voltage to the output terminal. The switching operation of the transistor Tr1 or the transistor Tr2 is that the transistor Tr1 or the transistor Tr2 is turned on or off. The transistor Tr1 is controlled by the
本実施形態では、スイッチング回路3は単相インバータ回路として動作する。トランジスタTr1がオン及びトランジスタTr2がオフしている状態では、スイッチング回路3は配線2Aの電圧を出力する。上述した状態では、配線2Aとスイッチング回路3の出力端子は導通している。また、トランジスタTr1がオフ及びトランジスタTr2がオンしている状態では、スイッチング回路3は配線2Bの電圧を出力する。当該状態では、配線2Bとスイッチング回路3の出力端子は導通している。例えば、高電圧電源1の正極が10V,負極が0Vである場合に、スイッチング回路3は、トランジスタTr1,Tr2のスイッチング動作に応じて、10V又は0Vを出力端子から出力する。
In this embodiment, the switching circuit 3 operates as a single-phase inverter circuit. When the transistor Tr1 is on and the transistor Tr2 is off, the switching circuit 3 outputs the voltage of the
平滑コンデンサ4は、配線2A,2Bの間に接続されており、高電圧電源1と並列に接続されている。平滑コンデンサ4は高電圧電源1から供給される直流電力を平滑化するために設けられている。平滑コンデンサ4の正極は配線2Aを介してスイッチング回路3と接続されており、平滑コンデンサ4の負極は配線2Bを介してスイッチング回路3と接続されている。平滑コンデンサ4により平滑化された高電圧電源1の電力はスイッチング回路3へ供給される。平滑コンデンサ4の容量値は、高電圧電源1が供給できる電力に応じて決められる。本実施形態では、平滑コンデンサ4の容量はスナバコンデンサ5の容量よりも大きいものとする。
The
スナバコンデンサ5は、配線2A,2Bの間に接続されている。スナバコンデンサ5は、平滑コンデンサ4とスイッチング回路3との間に設けられている。スナバコンデンサ5は、スイッチング回路3の出力電圧について、急峻な立ち上がり電圧又は急峻な立下り電圧を抑制するために設けられている。スイッチング回路3から発生する急峻な立ち上がり電圧又は急峻な立下り電圧については、後述する。スナバコンデンサ5の容量値は、スイッチング回路3のトランジスタの特性、スナバコンデンサ5とスイッチング回路3の配置、又は、スナバコンデンサ5とスイッチング回路3の距離等に応じて決められる。本実施形態では、スナバコンデンサ5の容量は平滑コンデンサ4より小さいものとする。
The
コイル6は平滑コンデンサ4とスナバコンデンサ5の間に設けられている。コイル6は整流器11と接続されている。図1では、コイル6は、配線2Aに流れる電流の変化により発生する磁界を受けて誘導起電力を発生させるために設けられている。コイル6で発生する誘導起電力については後述する。
The
寄生インダクタンス7は、平滑コンデンサ4とスナバコンデンサ5を接続する配線2に存在する寄生インダクタンスである。図1では、寄生インダクタンス7は、配線2Aに存在する寄生インダクタンスと配線2Bに存在する寄生インダクタンスの相互インダクタンスを考慮した寄生インダクタンスを等価的に示している。
The
周辺回路16は、整流器11、駆動回路12、駆動回路13、低電圧電源14、及び制御回路15を備えている。
The
整流器11はコイル6で発生した誘導起電力による電流を一方向だけに流す(整流する)ために設けられている。整流器11はコイル6で発生した電流を入力として整流して駆動回路12へ電力供給する。
The
駆動回路12はスイッチング回路3のトランジスタTr1に対してゲート信号を出力し、トランジスタTr1を駆動させる。駆動回路12は、トランジスタTr1のゲート端子と電気的に接続されている。駆動回路12は、高電圧電源1の出力電圧よりも低い電圧で動作し、整流器11から出力される電力を電源として動作する。これにより、駆動回路12を動作させる電源を別途用意することなく、部品点数を少なくすることができる。なお、整流器11からの電力が少ない場合に備えて、駆動回路12のための低電圧電源を設けてもよい。この場合、駆動回路12は整流器11からの電力を補助電源として動作する。
The
駆動回路13はスイッチング回路3のトランジスタTr2に対してゲート信号を出力し、トランジスタTr2を駆動させる。駆動回路13は、トランジスタTr2のゲート端子と電気的に接続されている。駆動回路13は、高電圧電源1の出力電圧よりも低い電圧で動作し、低電圧電源14から供給される電力を電源として動作する。
The
制御回路15は、駆動回路12及び駆動回路13を介してトランジスタTr1,Tr2を制御する。例えば、制御回路15はPWM(パルス幅変調)信号を生成し、当該信号を制御信号として駆動回路12及び駆動回路13に出力する。駆動回路12及び駆動回路13は、当該パルス幅変調信号に基づき、トランジスタTr1,Tr2を所定のタイミングでオン及びオフさせる。これにより、電力変換装置10は高電圧電源1の電力を変換して出力する動作を行う。
The
次に、スナバコンデンサ5の役割について説明する。まず、トランジスタTr1がオンした直後又はトランジスタTr2がオフした直後において、スイッチング回路3の動作を説明する。
Next, the role of the
上述したように、トランジスタTr1がオンすると、トランジスタTr1のドレイン端子と配線2Aは導通する。トランジスタTr1には配線2Aからの電流が流れ込む。つまり、スイッチング回路3の出力端子に急激な電流変化が発生する。そして、トランジスタTr1の自己インダクタンスによって、電流変化を妨げる方向に起電力が生じ、出力端子の電圧は急上昇する。そして、トランジスタTr1における電流変化が少なくなると、つまり、定常状態になると、出力端子の電圧は配線2Aの電圧になる。また、トランジスタTr2がオンした直後においても、スイッチング回路3の出力端子には、急激な電流変化が生じる。そして、トランジスタTr2の自己インダクタンスによって、電流変化を妨げる方向に起電力が生じ、出力端子の電圧は急降下する。そして、トランジスタTr2における電流変化が少なくなると、つまり、定常状態になると、出力端子の電圧は配線2Bの電圧になる。以上のように、トランジスタTr1,Tr2のスイッチング動作により、スイッチング回路3は瞬間的にスパイク状の電圧を出力する。スパイク状の出力電圧は、トランジスタ又は周辺の電子部品へ負荷をかける。
As described above, when the transistor Tr1 is turned on, the drain terminal of the transistor Tr1 and the
スナバコンデンサ5は、スイッチング回路3を保護するために設けられている。スナバコンデンサ5は、トランジスタTr1又はTr2における電流変化に対して、電荷を放出又は充電する。これにより、トランジスタTr1又はTr2における急激な電流変化を抑制することができる。そのため、トランジスタTr1,Tr2の自己インダクタンスによる起電力が抑制される。つまり、スナバコンデンサ5によりスイッチング回路3はスパイク状の出力電圧を抑制することができる。その結果、スナバコンデンサ5は、スパイク状の出力電圧によるトランジスタ又は周辺の電子部品への負荷を抑制することができる。また、スナバコンデンサ5はスパイク状の出力電圧による電磁ノイズを抑制することができる。スナバコンデンサ5をスイッチング回路3の近傍に設けることにより、上述した抑制効果は顕著になる。
The
次に、上述したスナバコンデンサ5の役割を踏まえて、電力変換装置10を構成する各部品の配置について説明する。図2は図1に示す電力変換装置10の平面図である。図2では、図1の電力変換装置10のうち、配線2、スイッチング回路3、スナバコンデンサ5、コイル6、整流器11、駆動回路12を示している。
Next, based on the role of the
平滑コンデンサ4はスイッチング回路3に対して所定の距離を空けて設けられている。平滑コンデンサ4は配線2を介してスイッチング回路3と接続されている。図2では、平滑コンデンサ4の正極と配線2Aの一端が接続され、平滑コンデンサ4の負極と配線2Bの一端が接続されていることを示している。高電圧電源1の出力電圧を平滑にするため、平滑コンデンサ4はスナバコンデンサ5に比べて大きいコンデンサで形成されている。
The smoothing
平滑コンデンサ4は配線2A,2Bの一端と接続されている。配線2A、2Bの他端は、トランジスタTr1のドレイン端子及びトランジスタTr2のソース端子の直上に位置する。スナバコンデンサ5は端子電極を左右の端部にそれぞれ有している。両端子電極はトランジスタTr1のドレイン端子及びトランジスタTr2のソース端子の直上に位置する。図2に示すように、スナバコンデンサ5の一方の端子電極は配線2Aの他端と接続されており、スナバコンデンサ5の他方の端子電極は配線2Bの他端と接続されている。例えば、スナバコンデンサ5の両端子電極と配線2Aの他端及び配線2Bの他端は、半田等の導電性接着材で接着されている。配線2Aの他端はトランジスタTr1のドレイン端子と電気的に接続されており、配線2Bの他端はトランジスタTr2のソース端子と電気的に接続されている。これにより、スナバコンデンサ5をスイッチング回路3の近傍に設けることができる。スイッチング回路3の近傍に設けることにより、スイッチング動作時におけるスイッチング回路3のスパイク状の出力電圧をより効果的に抑制することができる。また、スナバコンデンサ5をスイッチング回路3の近傍に設けるため、スナバコンデンサ5とスイッチング回路3を接続する配線2の長さは、スナバコンデンサ5と平滑コンデンサ4を接続する配線2の長さよりも短くなる。
The smoothing
上述したように、スナバコンデンサ5はスイッチング回路3の近傍に設けることが好ましい。そのため、スナバコンデンサ5の体積は小さいことが好ましい。本実施形態では、スナバコンデンサ5には、平滑コンデンサ4よりも小さい容量のコンデンサが用いられる。
As described above, the
コイル6はスイッチング回路3の近傍に設けられている。コイル6は配線2A,2Bの間に設けられている。コイル6で発生した誘導起電力は、整流器11を介して駆動回路12へ供給される。駆動回路12はスイッチング回路3の近傍に設けられている。これにより、コイル6で発生した誘導起電力は電圧降下することなく駆動回路12へ供給することができる。
The
次に、配線2に存在する寄生インダクタンスについて説明する。配線2は、平滑コンデンサ4とスイッチング回路3とが距離を開けて設けられているため、所定の長さを有する。一方、スナバコンデンサ5はスイッチング回路3の近傍に設けられている。そのため、配線2のうち、スナバコンデンサ5とスイッチング回路3を接続する配線は、平滑コンデンサ4とスイッチング回路3を接続する配線よりも短い。以降の説明では、平滑コンデンサ4とスイッチング回路3を接続する配線を主配線と、スナバコンデンサ5とスイッチング回路3を接続する配線を副配線と称して説明する。なお、副配線が主配線の一部となっていてもよい。
Next, the parasitic inductance existing in the
配線2は、主配線と副配線を含んでいる。主配線は副配線よりも長いため、主配線に存在する寄生インダクタンスは副配線に存在する寄生インダクタンスよりも大きい。
The
次に、図1を用いてスイッチング回路3のスイッチング動作時に発生する振動電流について説明する。まず、寄生インダクタンスとスナバコンデンサで形成されるLC共振回路について説明する。 Next, the oscillating current generated during the switching operation of the switching circuit 3 will be described with reference to FIG. First, an LC resonant circuit formed by a parasitic inductance and a snubber capacitor will be described.
図1の例では、主配線に存在する寄生インダクタンスは、寄生インダクタンス7で示されている。図1では、寄生インダクタンス7とスナバコンデンサ5により、LC共振回路が形成されている。次に、当該LC共振回路により発生する振動電流について説明する。
In the example of FIG. 1, the parasitic inductance existing in the main wiring is indicated by the
スナバコンデンサ5に蓄えられた電荷に変化が生じると、振動電流は発生する。図1の例では、振動電流は主配線に発生する。例えば、スイッチング回路3のスイッチング動作によるスパイク状の出力電圧を抑制するために、スナバコンデンサ5から電荷が放出される場合を考える。この場合に、放出された電荷はスイッチング回路3へ供給される。放出された電荷を補うために、電荷は平滑コンデンサ4からスナバコンデンサ5に供給される。つまり、電流が平滑コンデンサ4から寄生インダクタンス7を介してスナバコンデンサ5へ流れる。寄生インダクタンス7では電流の変化が生じ、寄生インダクタンス7は、平滑コンデンサ4からスナバコンデンサ5への電流の方向を妨げる向きの電力、すなわち、逆起電力を発生させる。逆起電力により、寄生インダクタンス7では逆方向の電流の変化が生じ、寄生インダクタンス7は再び逆起電力を発生させる。電流の向きが異なるような逆起電力が繰り返し発生することにより、LC共振回路による共振は発生する。
When the electric charge stored in the
LC共振回路の共振により、主配線では交流が発生する。当該交流は振動電流として主配線に流れる。振動電流が主配線に流れると、振動電流による電磁ノイズが配線2から放出される。以上のように、スイッチング回路3のスイッチング動作により寄生インダクタンス7で電流変化が発生し、振動電流は主配線に流れる。その結果、電力変換装置10は電磁ノイズを放出する。
Due to the resonance of the LC resonance circuit, alternating current is generated in the main wiring. The alternating current flows through the main wiring as an oscillating current. When the oscillating current flows through the main wiring, electromagnetic noise due to the oscillating current is emitted from the
また、振動電流はLC共振回路を形成するインダクタンス及びコンデンサにより決まる共振周波数で振動する交流である。図1の例では、共振周波数は、寄生インダクタンス7とスナバコンデンサ5により決められる。そのため、例えば、配線2の形状又はスナバコンデンサ5の容量値を変更することで、共振周波数を変えることができる。これにより、電力変換装置10の周囲に存在する電子部品等への影響を抑制させることができる。
The oscillating current is an alternating current that oscillates at a resonance frequency determined by the inductance and the capacitor that form the LC resonance circuit. In the example of FIG. 1, the resonance frequency is determined by the
さらに、振動電流の最大電流値は、スイッチング回路3のスイッチング速度に応じて変化する。すなわち、トランジスタTr1、Tr2のスイッチング速度が速ければ、振動電流の最大電流は大きくなる。そのため、スイッチング速度が速い場合に発生する振動電流の最大電流値は、スイッチング速度が遅い場合に発生する振動電流の最大電流値よりも大きくなる。その結果、電磁ノイズの放出量は、スイッチング速度が速くなるとともに増加する。 Further, the maximum current value of the oscillating current changes according to the switching speed of the switching circuit 3. That is, if the switching speed of the transistors Tr1 and Tr2 is high, the maximum current of the oscillating current becomes large. Therefore, the maximum current value of the oscillating current generated when the switching speed is high is larger than the maximum current value of the oscillating current generated when the switching speed is slow. As a result, the amount of electromagnetic noise emitted increases as the switching speed increases.
次に、振動電流により発生する磁界について説明する。振動電流が主配線で流れると、主配線の周囲には磁界が発生する。図1を用いて説明すると、平滑コンデンサ4、スナバコンデンサ5、及び寄生インダクタンス7で形成される閉回路の内側及び外側に磁界が発生する。閉回路の内側の磁界は閉回路の外側の磁界よりも強くなる。
Next, the magnetic field generated by the oscillating current will be described. When the oscillating current flows in the main wiring, a magnetic field is generated around the main wiring. Explaining with reference to FIG. 1, magnetic fields are generated inside and outside the closed circuit formed by the smoothing
次に、コイル6で発生する誘導起電力について説明する。上述したように、スイッチング回路3のスイッチング動作により、振動電流が主配線で発生する。そして、振動電流により、磁界が主配線の周囲に発生する。コイル6は主配線に流れる電流により発生する磁界を受けて誘導起電力を発生させる。発生した誘導起電力は、整流器11で整流されて駆動回路12に供給される。これにより、駆動回路12を動作させるために、低電圧電源を設ける必要がなくなる。
Next, the induced electromotive force generated in the
また、本実施形態では、コイル6は一対の主配線の間に設けられている。言い換えると、上述した閉回路の内側に設けられている。これにより、コイル6は閉回路の内側の磁界を受けて誘導起電力を発生させることができる。誘導起電力が発生すると、コイル6には電流が流れる。コイル6は当該電流により振動電流を打ち消すような方向に磁界を発生させる。そのため、振動電流を減衰させることができ、その結果、電磁ノイズを抑制することができる。
Further, in the present embodiment, the
さらに、本実施形態では、平滑コンデンサ4の容量はスナバコンデンサ5の容量より大きい。また、図2に示すようなスイッチング回路3、平滑コンデンサ4、及びスナバコンデンサ5の配置をすることにより、主配線に存在する寄生インダクタンスは副配線に存在する寄生インダクタンスよりも大きくなる。そのため、LC共振回路による振動電流は主に主配線で発生する。本実施形態では、コイル6は主配線間に設けられている。そのため、コイル6は振動電流の大部分を誘導起電力として発生させることができる。その結果、より大きな誘導起電力を駆動回路12に供給することができる。
Further, in the present embodiment, the capacitance of the smoothing
また、本実施形態では、コイル6と寄生インダクタンス7の結合係数が高いことが好ましい。これにより、振動電流に対して高効率な誘導起電力を発生させることができる。
Further, in the present embodiment, it is preferable that the coupling coefficient of the
さらに、本実施形態では、制御回路15の制御により振動電流の抑制効果を高めることができる。制御回路15は振動電流発生時における駆動回路12の消費電力を多くするように制御する。これにより、制御回路15は、コイル6で発生した誘導起電力を消費することができる。そのため、コイル6では誘導起電力を発生しようと電流が流れ、当該電流は振動電流を打ち消すような方向に磁界を発生させる。その結果、振動電流の抑制効果を高めることができる。
Further, in the present embodiment, the effect of suppressing the oscillating current can be enhanced by controlling the
以上のように、本実施形態において、電力変換装置10は、高電圧電源1に接続された配線2と、一対の配線2間に接続され、高電圧電源1からの電力を変換するスイッチング回路3と、一対の配線2間に接続され、高電圧電源1からの電力を平滑する平滑コンデンサ4と、一対の配線2間に接続され、スイッチング回路3を保護するスナバコンデンサ5と、平滑コンデンサ4とスナバコンデンサ5との間に設けられるコイル6とを備えている。一対の配線2は、平滑コンデンサ4とスイッチング回路3を接続する主配線と、スナバコンデンサ5とスイッチング回路3を接続する副配線を含んでいる。主配線に存在する寄生インダクタンスは、副配線に存在する寄生インダクタンスより大きい。コイル6は、主配線に流れる電流により発生する磁界を受けて誘導起電力を発生させる。これにより、電力変換装置10は、主配線に流れる振動電流を打ち消すように磁界を発生させることができる。そのため、振動電流を抑制することができ、その結果、電磁ノイズを抑制することができる。
As described above, in the present embodiment, the
また、本実施形態において、コイル6は、一対の配線2に存在する寄生インダクタンス7及びスナバコンデンサ5による振動電流により発生する磁界を受けて誘導起電力を発生させる。これにより、寄生インダクタンス7及びスナバコンデンサ5に応じてコイル6のインダクタンス値を設定することができる。そのため、コイル6による振動電流の抑制レベルを予め見積もることができる。振動電流を抑制することができ、その結果、電磁ノイズを抑制することができる。
Further, in the present embodiment, the
さらに、本実施形態において、コイル6は、一対の配線2の間に設けられている。これにより、平滑コンデンサ4、寄生インダクタンス7、及びスナバコンデンサ5で形成される閉回路の内側における磁界を受けて誘導起電力を発生させることができる。つまり、閉回路の外側よりも強い磁界を受けてより大きな誘導起電力を発生させることができる。そのため、コイル6を閉回路の外側に設けた場合に比べて強い磁界、かつ、振動電流を打ち消す磁界を発生させることができる。その結果、振動電流の抑制効果を高め、電磁ノイズの抑制効果を高めることができる。
Further, in the present embodiment, the
また、本実施形態において、スイッチング回路3は、スイッチング動作により高電圧電源1からの電力を変換し、主配線には、スイッチング動作により振動電流が流れる。コイル6は、主配線で流れる振動電流により発生する磁界を受けて誘導起電力を発生させる。つまり、スイッチング回路3のスイッチング速度又はスイッチング回数に応じて、振動電流の最大電流値又は振動電流の発生頻度は変化する。そのため、スイッチング回路3の制御により、振動電流を抑制することができる。その結果、電磁ノイズを抑制することができる。
Further, in the present embodiment, the switching circuit 3 converts the power from the high voltage power supply 1 by the switching operation, and the vibration current flows through the main wiring by the switching operation. The
さらに、本実施形態では、制御回路15の制御により振動電流の抑制効果を高めることができる。制御回路15は振動電流発生時における駆動回路12の消費電力を多くするように制御する。これにより、駆動回路12は、コイル6で発生した誘導起電力を消費することができる。そのため、コイル6では誘導起電力を発生しようと電流が流れ、当該電流は振動電流を打ち消すような方向に磁界を発生させる。その結果、振動電流の抑制効果を高めることができる。
Further, in the present embodiment, the effect of suppressing the oscillating current can be enhanced by controlling the
また、本実施形態では、駆動回路12の消費電力は、トランジスタTr1,Tr2のスイッチング動作の回数が多いほど増加する。そのため、トランジスタTr1,Tr2のスイッチング動作の回数が増加すると、振動電流が発生する回数も増加し、誘導起電力がコイル6で発生する回数も増加する。これにより、駆動回路12はコイル6からより多くの電力を得ることができる。
Further, in the present embodiment, the power consumption of the
≪第2実施形態≫
次に、第2実施形態に係る電力変換装置10を用いた電力変換システム200について説明する。図3は、第2実施形態に係る電力変換装置10を用いた電力変換システム200の概要図である。本実施形態では、第1実施形態に係る電力変換装置10と同様の構成を有し、以下に説明する動作以外は、第1実施形態と同様に動作する。図3では、周辺回路26は一点鎖線で囲まれた範囲の回路を示している。
<< Second Embodiment >>
Next, the
コイル6は、配線2Aに流れる電流により発生する磁界を受けて誘導起電力を発生させるために設けられている。コイル6で発生した誘導起電力は、整流器11を介して駆動回路12へ供給される。配線2Aに流れる電流は、第1実施形態と同じ電流であるため、説明は省略する。
The
周辺回路26は、第1実施形態に係る周辺回路16と比べて、コイル21、整流器22を備えている以外は同様の構成を備えているため、説明は省略する。
Since the
コイル21は整流器22と接続されている。コイル21は、配線2Bに流れる電流により発生する磁界を受けて誘導起電力を発生させるために設けられている。コイル21で発生した誘導起電力は、整流器22を介して駆動回路13へ供給される。配線2Bに流れる電流は、第1実施形態と同じ電流であるため、説明は省略する。
The
整流器22はコイル21で発生した誘導起電力による電流を整流するために設けられている。整流器22はコイル21で発生した電流を入力として整流して駆動回路13へ電力供給する。
The
駆動回路13は、高電圧電源1の出力電圧よりも低い電圧で動作し、整流器22から出力される電力を電源として動作する。これにより、本実施形態では、駆動回路13の動作に必要な低電圧電源を設ける必要がなく、駆動回路13を動作させることができる。その結果、コストを抑制することができる。
The
≪第3実施形態≫
次に、第3実施形態に係る電力変換装置10を用いた電力変換システム300について説明する。図4は、第3実施形態に係る電力変換装置10を用いた電力変換システム300の概要図である。本実施形態では、第1実施形態に係る電力変換装置10と同様の構成を有し、以下に説明する動作以外は、第1実施形態と同様に動作する。図4では、周辺回路36は一点鎖線で囲まれた範囲の回路を示している。
<< Third Embodiment >>
Next, the
周辺回路36は、第1実施形態に係る周辺回路16と比べて、整流器31を備えている以外は同様の構成を備えているため、説明は省略する。
Since the
整流器31はコイル6と接続されている。整流器31はコイル6で発生した誘導起電力による電流を整流するために設けられている。整流器31はコイル6で発生した電流を入力として整流して駆動回路13へ電力供給する。駆動回路13は、整流器31から出力される電力を電源として動作する。これにより、本実施形態では、駆動回路13の動作に必要な低電圧電源を設ける必要がないとともに、駆動回路13用のコイルを設ける必要もなく、駆動回路13を動作させることができる。その結果、コストを抑制することができる。
The
≪第4実施形態≫
次に、第4実施形態に係る電力変換装置20を用いた電力変換システム400について説明する。図5は、第4実施形態に係る電力変換装置20を用いた電力変換システム400の概要図である。第4実施形態に係る電力変換装置20は、第1実施形態に係る電力変換装置10と比べて、コイル41,42を備えている以外は同様の構成であるため、コイル41,42以外の説明は省略する。また、周辺回路26は、第2実施形態に係る周辺回路26と同様の構成であるため、説明は省略する。
<< Fourth Embodiment >>
Next, the
コイル41は、高電圧電源1と平滑コンデンサ4の間に設けられている。コイル41は整流器11と接続されている。コイル41は配線2Aのうち、高電圧電源1の正極と平滑コンデンサ4の正極とを接続する配線に流れる電流により発生する磁界を受けて誘導起電力を発生させるために設けられている。
The
コイル42は、高電圧電源1と平滑コンデンサ4の間に設けられている。コイル42は整流器22と接続されている。コイル42は配線2Bのうち、高電圧電源1の負極と平滑コンデンサ4の負極とを接続する配線に流れる電流により発生する磁界を受けて誘導起電力を発生させるために設けられている。
The
コイル41,42で発生する誘導起電力について説明する。まず、平滑コンデンサ4のプリチャージによる磁界について説明する。電力変換システム400の起動時において、高電圧電源1から平滑コンデンサ4への電流がプリチャージ電流として流れる。すなわち、電力変換システム400の起動により、平滑コンデンサ4へのプリチャージが開始される。例えば、高電圧電源1と平滑コンデンサ4の間にリレー素子(図示しない)が接続されているとする。電力変換システム400の起動時において、リレー素子がオフからオンへと切り替わり、高電圧電源1から平滑コンデンサ4へのプリチャージが開始される。プリチャージが開始されると、高電圧電源1と平滑コンデンサ4で形成される閉回路にプリチャージ電流が流れている状態になる。そのため、閉回路の外側及び内側には、磁界が発生する。
The induced electromotive force generated in the
コイル41,42は、配線2A,2Bの間に設けられている。上記閉回路の内側に発生している磁界は、コイル41及びコイル42を貫く。プリチャージ電流は、平滑コンデンサ4に蓄えられた電荷量に応じて変化する。すなわち、リレー素子がオンした直後において、高電圧電源1から平滑コンデンサ4に電流が流れ込むため、プリチャージ電流は急激に増加するが、平滑コンデンサ4に電荷が蓄積されていくにつれて、プリチャージ電流は減少していく。そのため、プリチャージ電流の変化量に応じて閉回路の内側の磁界も変化する。コイル41、42は当該磁界の変化に応じて誘導起電力を発生させる。コイル41で発生した誘導起電力は、整流器11を介して駆動回路12へ供給され、コイル42で発生した誘導起電力は、整流器22を介して駆動回路13へ供給される。上述したような現象により、電力変換システム400の起動時において発生するプリチャージ電流から電力を得ることができる。
The
以上のように、本実施形態では、電力変換装置20は、高電圧電源1と平滑コンデンサ4との間に設けられるコイル41,42をさらに備えている。コイル41,42は高電圧電源1から平滑コンデンサ4に流れる電流により発生する磁界を受けて誘導起電力を発生させる。これにより、電力変換システム400の起動時において、高電圧電源1から平滑コンデンサ4へと流れるプリチャージ電流から電力を得ることができる。そのため、電力変換システム400の起動直後において、誘導起電力を駆動回路12,13に供給することができる。
As described above, in the present embodiment, the
また、本実施形態では、コイル41,42は一対の配線2の間に設けられている。これにより、コイル41,42は高電圧電源1と平滑コンデンサ4で形成される閉回路の内側における磁界を受けて誘導起電力を発生させることができる。つまり、閉回路の外側よりも強い磁界を受けてより大きな誘導起電力を発生させることができる。そのため、コイル41,42を閉回路の外側に設けた場合に比べて大きい誘導起電力を発生させることができる。
Further, in the present embodiment, the
なお、上述した実施形態では、主配線は副配線よりも長く形成されているが、これに限られない。例えば、主配線に存在する寄生インダクタンスが副配線に存在するインダクタンスよりも大きくなるように、主配線の断面積又は形状を変えて形成してもよい。 In the above-described embodiment, the main wiring is formed longer than the sub wiring, but the present invention is not limited to this. For example, the cross-sectional area or shape of the main wiring may be changed so that the parasitic inductance existing in the main wiring is larger than the inductance existing in the sub wiring.
また、上述した実施形態では、スイッチング回路3はスイッチング素子を直列に接続した直列回路、つまり、単相インバータ回路で構成されているが、これに限られない。2組の当該直列回路を並列接続させた2相インバータ回路、又は、3組の当該直列回路を並列に接続させた3相インバータ回路で構成してもよい。また、上述した実施形態では、トランジスタTr1とトランジスタTr2の接続点の電圧をスイッチング回路3の出力電圧としているが、これに限られない。トランジスタTr1のドレイン端子側、つまり、トランジスタTr1と高電圧電源1の正極との接続点の電圧を出力電圧としてもよい。さらに、トランジスタTr2のソース端子側、つまり、トランジスタTr2と高電圧電源1の負極との接続点の電圧を出力電圧としてもよい。 Further, in the above-described embodiment, the switching circuit 3 is composed of a series circuit in which switching elements are connected in series, that is, a single-phase inverter circuit, but is not limited to this. It may be composed of a two-phase inverter circuit in which two sets of the series circuits are connected in parallel, or a three-phase inverter circuit in which three sets of the series circuits are connected in parallel. Further, in the above-described embodiment, the voltage at the connection point between the transistor Tr1 and the transistor Tr2 is used as the output voltage of the switching circuit 3, but the present invention is not limited to this. The voltage on the drain terminal side of the transistor Tr1, that is, the voltage at the connection point between the transistor Tr1 and the positive electrode of the high voltage power supply 1 may be used as the output voltage. Further, the voltage on the source terminal side of the transistor Tr2, that is, the voltage at the connection point between the transistor Tr2 and the negative electrode of the high voltage power supply 1 may be used as the output voltage.
さらに、上述した実施形態では、スイッチング回路3を構成しているスイッチング素子は、電圧型駆動素子で構成されているが、電流型駆動素子で構成してもよい。また、スイッチング素子はシリコン製のトランジスタで形成されているが、これに限られない。例えば、シリコンカーバイド(SiC)又はガリウムナイトライド(GaN)等のワイドバンドギャップ半導体の電圧型駆動又は電流型駆動のトランジスタで形成してもよい。キャリア速度について、SiC又はGaNはSiに比べて早く、スイッチング回路3のスイッチング動作を高速に動作させることができる。さらに、トランジスタはMOSFETに限られない。例えば、MOSFETより大きな電流を流すことができる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)で形成してもよい。 Further, in the above-described embodiment, the switching element constituting the switching circuit 3 is composed of a voltage type drive element, but may be composed of a current type drive element. Further, the switching element is formed of a transistor made of silicon, but the switching element is not limited to this. For example, it may be formed of a voltage-driven or current-driven transistor of a wide bandgap semiconductor such as silicon carbide (SiC) or gallium nitride (GaN). Regarding the carrier speed, SiC or GaN is faster than Si, and the switching operation of the switching circuit 3 can be operated at a high speed. Furthermore, transistors are not limited to MOSFETs. For example, it may be formed of an insulated gate bipolar transistor (IGBT) capable of passing a larger current than a MOSFET.
また、上述した実施形態では、スナバコンデンサ5は平滑コンデンサ4とスイッチング回路3の間に設けられているが、これに限られない。例えば、スイッチング回路3が平滑コンデンサ4とスナバコンデンサ5の間に配置されるように、スナバコンデンサ5を設けてもよい。
Further, in the above-described embodiment, the
さらに、上述した実施形態では、コイル6又はコイル41で発生した誘導起電力は駆動回路12に供給され、コイル21又はコイル42で発生した誘導起電力は駆動回路13に供給されるが、これに限られない。例えば、高電圧電源1にリチウムイオン電池などのバッテリが用いられる場合に、各コイルで発生した誘導起電力を当該バッテリに供給してもよい。
Further, in the above-described embodiment, the induced electromotive force generated by the
上述した実施形態に係る高電圧電源1は直流電源に、一対の配線2は一対の配線に、平滑コンデンサ4は第1コンデンサに、スナバコンデンサ5は第2コンデンサに、コイル6又はコイル21は第1コイルに、主配線は第1配線に、副配線は第2配線に、トランジスタTr1又はTr2は半導体スイッチング素子に、コイル41又はコイル42は第2コイルにそれぞれ相当する。
The high-voltage power supply 1 according to the above-described embodiment is a DC power supply, the pair of
なお、以上に説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上述した実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。 It should be noted that the embodiments described above are described for facilitating the understanding of the present invention, and are not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above-described embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.
1…高電圧電源
2…配線
2A…配線
2B…配線
3…スイッチング回路
Tr1…トランジスタ
Tr2…トランジスタ
D1…ダイオード
D2…ダイオード
4…平滑コンデンサ
5…スナバコンデンサ
6…コイル
7…寄生インダクタンス
10…電力変換装置
11…整流器
12…駆動回路
13…駆動回路
14…低電圧電源
15…制御回路
1 ... High
Claims (11)
前記一対の配線間に接続され、前記直流電源からの電力を変換するスイッチング回路と、
前記一対の配線間に接続され、前記直流電源からの電力を平滑する第1コンデンサと、
前記一対の配線間に接続され、前記スイッチング回路を保護する第2コンデンサと、
前記第1コンデンサと前記第2コンデンサとの間に設けられる第1コイルとを備え、
前記一対の配線は、前記第1コンデンサと前記スイッチング回路を接続する第1配線と、前記第2コンデンサと前記スイッチング回路を接続する第2配線を含み、
前記第1配線に存在する寄生インダクタンスは、前記第2配線に存在する寄生インダクタンスより大きく、
前記第1コイルは、前記第1配線に流れる電流により発生する磁界を受けて誘導起電力を発生させ、
前記誘導起電力に基づく電力は、前記スイッチング回路を駆動する駆動回路の電源として前記駆動回路に供給される電力変換装置。 A pair of wires connected to a DC power supply and
A switching circuit connected between the pair of wires and converting power from the DC power supply,
A first capacitor connected between the pair of wires and smoothing the power from the DC power supply,
A second capacitor connected between the pair of wires and protecting the switching circuit,
A first coil provided between the first capacitor and the second capacitor is provided.
The pair of wirings includes a first wiring that connects the first capacitor and the switching circuit, and a second wiring that connects the second capacitor and the switching circuit.
The parasitic inductance existing in the first wiring is larger than the parasitic inductance existing in the second wiring.
The first coil receives a magnetic field generated by a current flowing through the first wiring to generate an induced electromotive force.
The electric power based on the induced electromotive force is a power conversion device that is supplied to the drive circuit as a power source for the drive circuit that drives the switching circuit.
前記第1コイルは、前記第1配線に存在する寄生インダクタンス及び前記第2コンデンサによる振動電流により発生する前記磁界を受けて前記誘導起電力を発生させる電力変換装置。 The power conversion device according to claim 1.
The first coil is a power conversion device that generates the induced electromotive force by receiving the magnetic field generated by the parasitic inductance existing in the first wiring and the oscillating current by the second capacitor.
前記第1コンデンサの容量は前記第2コンデンサの容量より大きい電力変換装置。 The power conversion device according to claim 1 or 2.
A power conversion device in which the capacity of the first capacitor is larger than the capacity of the second capacitor.
前記第2コンデンサは前記第1コンデンサと前記スイッチング回路との間に設けられる電力変換装置。 The power conversion device according to any one of claims 1 to 3.
The second capacitor is a power conversion device provided between the first capacitor and the switching circuit.
前記第1コイルは前記一対の配線の間に設けられる電力変換装置。 The power conversion device according to any one of claims 1 to 4.
The first coil is a power conversion device provided between the pair of wirings.
前記スイッチング回路は、スイッチング動作により前記直流電源からの電力を変換し、
前記第1配線には、前記スイッチング動作により前記電流が流れる電力変換装置。 The power conversion device according to any one of claims 1 to 5.
The switching circuit converts the electric power from the DC power supply by the switching operation.
A power conversion device in which the current flows through the first wiring due to the switching operation.
前記第1配線は前記第2配線より長い電力変換装置。 The power conversion device according to any one of claims 1 to 6.
The first wiring is a power conversion device longer than the second wiring.
前記スイッチング回路は半導体スイッチング素子を含む電力変換装置。 The power conversion device according to any one of claims 1 to 7.
The switching circuit is a power conversion device including a semiconductor switching element.
前記スイッチング回路は、前記半導体スイッチング素子を直列に接続した直列回路を有する電力変換装置。 The power conversion device according to claim 8.
The switching circuit is a power conversion device having a series circuit in which the semiconductor switching elements are connected in series.
前記直流電源と前記第1コンデンサとの間に設けられる第2コイルをさらに備え、
前記第2コイルは、前記直流電源から前記第1コンデンサに流れる電流により発生する磁界を受けて誘導起電力を発生させる電力変換装置。 The power conversion device according to any one of claims 1 to 9.
Further, a second coil provided between the DC power supply and the first capacitor is provided.
The second coil is a power conversion device that generates an induced electromotive force by receiving a magnetic field generated by a current flowing from the DC power supply to the first capacitor.
前記第2コイルは前記一対の配線の間に設けられる電力変換装置。 The power conversion device according to claim 10.
The second coil is a power conversion device provided between the pair of wirings.
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