JP6826761B2 - Manufacturing method of semiconductor devices - Google Patents
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Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.
半導体装置の製造方法には、2つの部材を接合する工程を備えた製造方法がある。この接合という工程は、例えば、表面に凹部が設けられた部材と、別の部材と、を接合する工程を意味する。このような接合の工程を備えた装置の製造方法について、工程を簡素化し、製造コストを低減できる技術の開発が求められている。 As a manufacturing method of a semiconductor device, there is a manufacturing method including a step of joining two members. This step of joining means, for example, a step of joining a member provided with a recess on the surface and another member. Regarding the manufacturing method of an apparatus provided with such a joining process, it is required to develop a technique capable of simplifying the process and reducing the manufacturing cost.
本発明は、製造の工程を簡素化し、製造コストを低減できる半導体装置の製造方法を提供するものである。 The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device that can simplify the manufacturing process and reduce the manufacturing cost.
本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第1金属及び第2金属を含む金属層を基板の上に形成する準備工程と、前記金属層の少なくとも一部における前記第2金属を除去することで、前記第1金属からなり、複数の孔が設けられた多孔質状の第1金属部を前記基板の上に形成する形成工程と、凹部が設けられた第1面と、半導体積層体と、を有する構造体を準備する別の準備工程と、前記構造体に対して、前記第1金属部の一部を、前記第1面の前記凹部と接合し、前記第1金属部の別の一部を、前記第1面の前記凹部が設けられている面以外の面と接合する接合工程と、を備える。前記接合工程において、前記凹部の少なくとも一部を前記第1金属部で埋め込むとともに、前記第1金属部の前記別の一部における複数の前記孔の平均径が、前記第1金属部の前記一部における複数の前記孔の平均径よりも小さくなるように、前記第1面に前記第1金属部を接合する。 The method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes a preparatory step of forming a metal layer containing a first metal and a second metal on a substrate, and the second metal in at least a part of the metal layer. By removing the first metal, a forming step of forming a porous first metal portion made of the first metal and having a plurality of holes on the substrate, a first surface provided with recesses, and a semiconductor Another preparatory step for preparing a structure having a laminated body , and a part of the first metal portion of the structure are joined to the recess of the first surface to form the first metal portion. It is provided with a joining step of joining another part of the first surface to a surface other than the surface on which the recess is provided. In the joining step, at least a part of the recess is embedded in the first metal part, and the average diameter of a plurality of the holes in the other part of the first metal part is the one of the first metal part. The first metal portion is joined to the first surface so as to be smaller than the average diameter of the plurality of holes in the portion.
本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体装置の製造工程を簡素化し、製造コストを低減することができる。 According to the method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, the manufacturing process of the semiconductor device can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same elements are designated by the same reference numerals.
図1A〜図1Hは、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、図1Aに示したように、基板1の上に、金属層10を形成する(第2準備工程)。金属層10は、第1金属及び第2金属を含む合金により構成されている。金属層10に含まれる合金の少なくとも一部は、固溶体や共晶では無く、第1金属からなる部分と、第2金属からなる部分と、を有する。
1A to 1H are process cross-sectional views showing a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
First, as shown in FIG. 1A, the
金属層10は、例えば、第1金属及び第2金属を含む合金を蒸着源として用いた真空蒸着により形成される。この金属層10は、第1金属からなる蒸着源と、第2金属からなる蒸着源と、を同時に気化又は昇華させて形成しても良い。あるいは、金属層10の形成方法は、めっきやスパッタリングなどを用いても良い。
The
次に、金属層10の少なくとも一部に含まれる第2金属を除去する。これにより、金属層10の中で第2金属が存在していた部分には、孔が形成される。この結果、図1Bに示したように、金属層10に、複数の孔10aを有する多孔質状の第1金属部11が形成される(形成工程)。金属層10の一部の第2金属のみを除去した場合は、図1Bに示したように、第1金属からなる第1金属部11と、第1金属及び第2金属からなる第2金属部12と、が形成される。第2金属部12は、基板1と第1金属部11との間に位置する。
Next, the second metal contained in at least a part of the
より具体的には、複数の孔10aは、第1金属部11中において互いに繋がっており、第1金属部11中には3次元的に広がる空洞が形成されている。金属層10をある断面で見たとき、その空洞の一部が複数の孔10aとして互いに点在して現れる。
More specifically, the plurality of
金属層10中の第2金属は、例えばウェットエッチングにより除去される。ウェットエッチングに用いられる薬液としては、基板1及び第1金属に対して第2金属を選択的に除去できるものである。例えば、基板1は、Si又はCuWなどを含む。第1金属は、金、銀、ニッケル、及びクロムからなる群より選択された少なくとも1つである。第2金属は、錫であることが好ましい。これらの材料が用いられる場合、ウェットエッチングの薬液には硝酸を用いることができる。
The second metal in the
続いて、図1Cに示したように、第1金属部11の上に、後述する構造体20との接合に用いられる第1接合層13を形成する。第1接合層13は、単層であっても良いし、積層構造をしたものでも良い。一例として、第1接合層13は、白金層、チタン層、ニッケル層、及び錫層を、この順に積層することで形成される。なお、第1金属部11を構成する第1金属が接合に適した材料である場合は、第1接合層13を形成する工程を省略することも可能である。
Subsequently, as shown in FIG. 1C, a
一方、第1金属部11とは別に、図1Dに示した構造体20を準備する(第1準備工程)。構造体20は、基板2の上に設けられており、半導体積層体21、積層体22、及び第2接合層23を有する。また、構造体20は、凹部20rが設けられた第1面20Sを有する。
On the other hand, the
半導体積層体21は、基板2の上に設けられている。基板2は、例えばサファイア基板である。半導体積層体21は、シリコン、窒化ガリウム、ガリウムヒ素、又は窒化シリコンなどの半導体材料からなる層を複数有する。基板1にサファイア基板を用いる場合、半導体積層体21には、InXAlYGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y<1)などの窒化物半導体からなる半導体材料を用いることが好ましい。半導体積層体21に含まれる各半導体層には、不純物が添加されていても良い。
The
積層体22は、平面視において、半導体積層体21の表面のうち凹部20rが設けられていない領域と重なる表面に設けられている。積層体22は、例えば、1つ以上の絶縁層及び1つ以上の金属層を含む。
The
第2接合層23は、第1面20Sに沿って設けられている。すなわち、第2接合層23は、積層体22の上面、凹部20rの側面及び底面に設けられている。第2接合層23は、第1金属部11との接合に用いられる。第2接合層23は、単層であっても良いし、積層構造をしたものでも良い。第2接合層23の積層構造の一例としては、チタン層、ニッケル層、及び錫層を、この順に積層したものである。なお、積層体22の表面に接合に適した金属層が設けられる場合は、構造体20が第2接合層23を有していなくても良い。
The
次に、図1Eに示したように、第1金属部11を構造体20の第1面20Sに接合する。接合は、基板1の金属層10が設けられた面と基板2の構造体20が設けられた面とを互いに対向する方向に向けて押圧しながら、加熱して行われる。これにより、図1Fに示したように、第1金属部11の一部が、第1面20Sの凹部20rと接合され、第1金属部11の別の一部が、第1面20Sの凹部20rが設けられている面以外の面と接合される。
Next, as shown in FIG. 1E, the
構造体20の第1面20Sに接触する第1金属部11は、多孔質状である。このため、第1金属部11は、第2金属部12や、第1接合層13、第2接合層23などの他の金属層よりも柔らかく、第1面20Sに接触すると、第1面20Sの形状に応じて容易に変形する。従って、第1面20Sの凹部20r以外の部分では、第1金属部11の別の一部が第1面20Sと接触した際に、孔10aが潰れて第1金属部11の形状が変化する。一方、第1面20Sの凹部20rでは、孔があまり潰されずに、第1金属部11の一部が凹部20rの内側に入り込んでいく。
The
この結果、第1金属部11の別の一部における孔10aの平均径は、第1金属部11の一部における孔10aの平均径よりも小さくなる。
As a result, the average diameter of the
なお、孔10aの平均径は、例えば以下の方法により測定される。まず、構造体20と接合後の金属層10を、構造体20と金属層10とを重ね合わせた方向に沿って、断面に凹部20rが含まれるように切断する。次に、その断面上で、第1金属部11の凹部20r内に設けられた部分と、第1金属部11の凹部20r以外に設けられた部分と、について、所定面積内における孔10aの径の平均値を算出する。孔が円形では無い場合は、断面において、金属層10と構造体20とを結ぶ方向(金属層10の厚み方向)における孔の最大寸法を、その孔の径とする。算出された平均値を、それぞれの部分における孔10aの平均径とする。
The average diameter of the
また、第1金属部11における別の一部が潰れることで、例えば、第1金属部11の別の一部における孔10aの密度が、第1金属部11の別の一部における孔10aの密度よりも小さくなる。
Further, when another part of the
第1金属部11の一部及び別の一部の各部分における孔10aの密度は、例えば以下の方法により測定される。上述した孔10aの平均径の測定方法と同様に、第1金属部11と構造体20の断面を、凹部20rを含む位置で観察する。次に、その断面上で、第1金属部11の凹部20r内に設けられた部分と、第1金属部11の凹部20r以外に設けられた部分と、について、所定面積内における孔10aの面積の合計の割合を算出する。この割合を孔10aの密度とする。
The density of the
なお、接合において加えられる熱により、金属層10の第2金属部12が溶融することで、第1金属部11の孔10aの少なくとも一部に溶融した第2金属部12が流れ込む場合がある。この場合、図1Gに示したように、第1金属からなる第1金属部11中に、第1金属と第2金属からなる第2金属部12が複数設けられた構造となる。この場合、例えば、第1金属部11の別の一部における第2金属部12の平均径は、第1金属部11の一部における第2金属部12の平均径よりも小さい。第1金属部11中の第2金属部12の平均径は、上述した孔の平均径の算出方法と同様の方法により求めることができる。また、第1金属部11の別の一部における第2金属部12の密度は、第1金属部11の別の一部における第2金属部12の密度よりも小さい。
The heat applied in the bonding melts the
接合時には、図1F及び図1Gに示したように、凹部20rの一部に第1金属部11が埋め込まれ、凹部20rにおいて、第1面20Sと、第1金属部11または第1接合層13とによって囲まれた空間SPが形成されても良い。接合工程が行われる空間の圧力は、例えば、大気圧未満に設定される。従って、空間SPが形成される場合、空間SPにおける圧力も大気圧未満となる。また、接合後に、図1Hに示したように、構造体20側の基板2を除去しても良い。
At the time of joining, as shown in FIGS. 1F and 1G, the
ここで、比較例を参照しながら実施形態の効果を説明する。
比較例に係る製造方法として、以下のものが挙げられる。まず、第1金属部11を形成せずに、金属層10上に第1接合層13を形成する。また、第2接合層23が設けられていない構造体20の第1面20Sに、凹部を埋め込むための厚い金属膜を形成する。次に、この金属膜の表面を研磨により平坦化する。続いて、平坦化された金属膜の表面に第2接合層23を形成する。その後、第1接合層13と第2接合層23を接合させることで、金属層10と構造体20を接合させる。
Here, the effect of the embodiment will be described with reference to a comparative example.
Examples of the manufacturing method according to the comparative example include the following. First, the
この方法によれば、凹部20rが金属膜によって埋め込まれるため、金属層10と構造体20との接合が容易となる。また、凹部20rが埋め込まれるため、製造される半導体装置の放熱性も向上する。一方で、この方法を用いる場合、工程数が多いため、製造コストが増加する。例えば、凹部20rが深い場合、凹部20rを埋め込むために比較的厚い金属膜を形成しなければならない。このため、金属膜を形成する工程や、その金属膜を平坦化する工程に長い時間を要し、製造コストがさらに増加する。
According to this method, since the
実施形態に係る半導体装置の製造方法では、図1Dに示したように、多孔質状の第1金属部11を、構造体20の第1面20Sと接合させる。具体的には、第1金属部11の一部を、第1面20Sの凹部20rと接合し、第1金属部11の別の一部を、第1面20Sの凹部20rが設けられている面以外の面と接合する。
このとき、第1金属部11は多孔質状であるため、接合時に第1面20Sの形状に応じて容易に変形する。そのため、接合において、凹部20rの少なくとも一部が第1金属部11で埋め込まれるとともに、第1金属部11の別の一部における複数の孔10aの平均径が、第1金属部11の一部における複数の孔10aの平均径よりも小さくなる。
In the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiment, as shown in FIG. 1D, the porous
At this time, since the
すなわち、実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、凹部20rを埋め込む金属膜を形成せずとも、凹部20rの少なくとも一部を第1金属部11で埋め込むことが可能となる。このため、金属膜を形成しない場合でも、接合性や放熱性の低下を抑制できる。また、これにより厚い金属膜を形成する工程や、その金属膜を平坦化する工程が不要となるため、半導体装置の製造コストを低減できる。
さらに、第1金属部11が第1面20Sとの接触時に容易に変形するため、接合時に基板1及び基板2に加える荷重を低減することができる。このため、接合時に基板1や基板2、構造体20などが損傷することを抑制でき、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
That is, according to the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiment, at least a part of the
Further, since the
以上の通り、実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、接合性及び放熱性の低下を抑制しつつ、製造コストの低減及び歩留まりの向上が実現できる。 As described above, according to the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiment, it is possible to reduce the manufacturing cost and improve the yield while suppressing the deterioration of the bondability and the heat dissipation.
第1金属部11を形成する形成工程では、図1Bに示したように、第1金属部11の厚みT1が第2金属部12の厚みT2よりも大きくなるよう、第1金属部11を形成することが望ましい。厚みT1が厚みT2よりも大きくすることで、凹部20rを第1金属部11で埋め込み易くできるとともに、金属層10の厚みを小さくし、図1Aに示した工程において、金属層10の形成に要する時間を短縮でき、製造コストを低減できる。
In the forming step of forming the
第1金属部11と第1面20Sを接合する工程では、図1Gに示したように、第1金属部11の孔の少なくとも一部に、第1金属及び第2金属が充填されることが望ましい。第1金属部11の孔に第1金属及び第2金属が充填されることで、第1金属部11における熱伝導度が向上し、製造される半導体装置の放熱性を向上させることができる。
In the step of joining the
また、金属層10は、金属層10の厚みT(図1Aに示す)が凹部20rの深さD(図1Dに示す)よりも大きくなるよう、形成されることが望ましい。ここで、金属層10の厚みTとは、金属層10の積層方向における厚みである。また、凹部20rの深さDとは、第1面20Sのうち、積層体22の上方における面と、積層体22が設けられていない半導体積層体21の上方における面と、の積層方向における距離である。厚みTが深さDよりも大きいことで、金属層10に十分な厚みの第1金属部11を形成できる。従って、接合時において凹部20r内に設けられる第1金属部11の体積をより大きくし、第1金属部11と第1面20Sとの接合性及び放熱性を向上させることができる。
Further, it is desirable that the
第1金属及び第2金属は、上述した通り、第1金属に対して第2金属を選択的に除去できる金属材料を用いる。望ましくは、第1金属は、金、銀、ニッケル、及びクロムからなる群より選択された少なくとも1つであり、第2金属は、錫である。これらの材料を用いることで、第2金属部12が第1金属と第2金属を含む場合に、第2金属部12が第1金属及び第2金属の一方を含む場合に比べて、第2金属部12の融点を大きく低下させることができる。従って、接合時の加熱温度が低い場合でも、第2金属部12を溶融させ、溶融した第2金属部12を用いて第1金属部11と構造体20を接合することができる。そのため、接合時の熱による金属層10や構造体20へのダメージを低減できる。
As the first metal and the second metal, as described above, a metal material capable of selectively removing the second metal with respect to the first metal is used. Desirably, the first metal is at least one selected from the group consisting of gold, silver, nickel, and chromium, and the second metal is tin. By using these materials, when the
第1金属部11を第1面20Sと接合した際、凹部20rにおいて、第1面20Sと第1金属部11とに囲まれた空間SPが形成されることが望ましい。凹部20rの底部まで第1金属部11で埋め込まれると、半導体装置の熱によって第1金属部11が膨張又は収縮した際、第1金属部11と半導体積層体21との接触部分には大きな応力が発生する。第1金属部11と半導体積層体21との接触部分で膜剥がれ等が発生すると、製造される半導体装置ごとに放熱特性や電気特性にばらつきが生じる。空間SPが形成されることで、第1金属部11と半導体積層体21との接触部分における応力を低減し、そのような特性のばらつきを抑制することが可能となる。
When the
また、空間SPにおける圧力は、大気圧よりも低いことが望ましい。空間SPにおける圧力が大気圧以上の場合、空間SP中の気体が加熱された際の膨張量が大きくなる。これにより、空間SPから外部の空間に向けて半導体装置に大きな応力が発生し、半導体装置が損傷する可能性がある。空間SPの圧力を大気圧未満にすることで、このような問題が生じる可能性を低減できる。 Further, it is desirable that the pressure in the space SP is lower than the atmospheric pressure. When the pressure in the space SP is equal to or higher than the atmospheric pressure, the amount of expansion when the gas in the space SP is heated becomes large. As a result, a large stress is generated in the semiconductor device from the space SP toward the external space, and the semiconductor device may be damaged. By reducing the pressure of the space SP to less than atmospheric pressure, the possibility of such a problem occurring can be reduced.
(適用例)
実施形態に係る半導体装置の製造方法は、一方の部材の表面に凹部が設けられた2つの部材を接合する方法に、広く適用できる。ここでは、その一例として、半導体発光装置の製造方法に、実施形態に係る製造方法を適用した場合を説明する。
(Application example)
The method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiment can be widely applied to a method of joining two members having recesses on the surface of one member. Here, as an example, a case where the manufacturing method according to the embodiment is applied to the manufacturing method of the semiconductor light emitting device will be described.
図2A及び図2Bは、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の適用例を示す工程断面図である。
実施形態に係る製造方法を用いて半導体発光装置を製造する場合の、構造体20の構造を図2Aに示す。
2A and 2B are process cross-sectional views showing an application example of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2A shows the structure of the
半導体積層体21は、n形半導体層21a、p形半導体層21b、及び発光層21cを含む。n形半導体層21aは、半導体積層体21の基板2側に設けられている。発光層21cは、n形半導体層21aとp形半導体層21bとの間に設けられている。p形半導体層21b及び発光層21cは、平面視において、n形半導体層21aの表面のうち凹部20rが設けられていない領域と重なる表面に設けられている。
The
積層体22は、p側電極22a、絶縁層22b、配線層22c、及び絶縁層22dを含む。p側電極22aは、凹部20rの周りにおいて、p形半導体層21bの上に部分的に設けられている。絶縁層22bは、配線層22cがp側電極22a以外と接触しないように、p側電極22aの外周及びp形半導体層21bの表面を覆っている。配線層22cは、p側電極22a及び絶縁層22bの上に設けられており、p側電極22aと絶縁膜22bに設けられた開口部で接続されている。絶縁層22dは、配線層22cの表面と、凹部20rの側面において露出したp形半導体層21b及び発光層21cと、を覆っている。
The laminate 22 includes a p-
第2接合層23は、絶縁層22dの表面に沿って設けられている。また、n形半導体層21aの一部は、凹部20rの底部において、絶縁層22dに覆われておらず絶縁層22dから露出している。n形半導体層21aの当該一部は、第2接合層23と接触しており、コンタクト面21nが形成されている。
The
構造体20が有する各構成要素の材料の一例を説明する。
半導体積層体21は、窒化物半導体層を含む。p側電極22a及び配線層22cは、チタンやニッケルなどの金属材料を含む。絶縁層22b及び絶縁層22eは、酸化シリコンなどの絶縁材料を含む。
An example of the material of each component of the
The
図2Aに示した構造体20を図1Cに示した第1金属部11と接合させた後、基板2を除去することで、図2Bに示した構造が得られる。第1面20Sには、凹部20r以外に、凹部20rよりも高低差の小さい凹凸が多数存在するが、これらの凹凸に応じて第1金属部11の形状が変化する。これにより、凹部20r以外でも、第1金属部11と構造体20とを適切に接合することができ、製造される半導体発光装置の放熱性を向上させることができる。
By joining the
また、接合後の第1金属部11における孔10aの平均径は、例えば、第1面20Sの形状に応じて変化する。一例として、図2Bに示したように、接合後の孔10aの平均径は、第1面20Sの凸部と接合された部分では小さくなり、第1面20Sの凹部と接合された部分では大きくなる。
Further, the average diameter of the
図3は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を用いて製造される半導体発光装置を表す平面図である。
図4は、図3のIV−IV断面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a semiconductor light emitting device manufactured by using the method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV of FIG.
図3及び図4に表した半導体発光装置100は、図2Bに示した構造に加え、裏面電極31、pパッド電極32、及び保護層33をさらに有する。
The semiconductor
図3に示したように、半導体積層体21には複数の凹部20rが行列状に設けられている。配線層22cは、半導体積層体21が設けられている領域から延出して設けられ、その延出した部分の一部にpパッド電極32が設けられている。つまり、pパッド電極32は、半導体積層体21が設けられた領域の外側に設けられている。
As shown in FIG. 3, the
図4に示したように、裏面電極31は、半導体発光装置100の下面(基板1の金属層10とは反対側の面)に設けられている。pパッド電極32は、半導体発光装置100の上面に、半導体積層体21から離間して設けられている。pパッド電極32は、図4に示したように、絶縁層22bから露出した配線層22cと接続されている。保護層33は、半導体積層体21の表面を覆っている。n形半導体層21aの上面には、半導体発光装置100における光取り出し効率向上のために、凹凸構造等が形成されていても良い。
As shown in FIG. 4, the
上述した実施形態に係る製造方法を用いた場合、以下の構成を有する半導体発光装置100が製造される。
第1金属部11は、複数の孔10aを有する。また、第1金属部11の一部は、上下方向において第1面20Sの凹部20rと重なる。第1金属部11の別の一部は、上下方向において、第1面20Sの凹部20rが設けられている面以外の面と重なる。そして、第1金属部11の別の一部における孔10aの平均径は、第1金属部11の一部における孔10aの平均径よりも小さい。また、第1金属部11の別の一部における孔10aの密度は、第1金属部11の一部における孔10aの密度よりも小さい。
When the manufacturing method according to the above-described embodiment is used, the semiconductor
The
第1金属部11中に、第1金属及び第2金属を含む複数の第2金属部12が設けられている場合、第1金属部11の別の一部における第2金属部12の平均径は、第1金属部11の一部における第2金属部12の平均径よりも小さい。また、第1金属部11の別の一部における第2金属部12の密度は、第1金属部11の一部における第2金属部12の密度よりも小さい。
When a plurality of
前述の実施形態は、本発明を具現化した例であり、本発明はこの実施形態には限定されない。当業者が上述の実施形態を適宜設計変更して実施し得る形態も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に含まれる。 The above-described embodiment is an example embodying the present invention, and the present invention is not limited to this embodiment. A form in which a person skilled in the art can appropriately design and implement the above-described embodiment is also included in the scope of the present invention as long as the gist of the present invention is included.
1、2…基板、 10…金属層、 10a…孔、 11…第1金属部、 12…第2金属部、 13…第1接合層、 20…構造体、 20S…第1面、 20r…凹部、 21…半導体積層体、 21a…n形半導体層、 21b…p形半導体層、 21c…発光層、 21n…コンタクト面、 22…積層体、 22a…p側電極、 22b…絶縁層、 22c…配線層、 22d…絶縁層、 23…第2接合層、 31…裏面電極、 32…pパッド電極、 33…保護層、 100…半導体発光装置、 D…深さ、 SP…空間、 T、T1、T2…厚み 1, 2 ... Substrate, 10 ... Metal layer, 10a ... Hole, 11 ... First metal part, 12 ... Second metal part, 13 ... First junction layer, 20 ... Structure, 20S ... First surface, 20r ... Recess , 21 ... semiconductor laminate, 21a ... n-type semiconductor layer, 21b ... p-type semiconductor layer, 21c ... light emitting layer, 21n ... contact surface, 22 ... laminate, 22a ... p side electrode, 22b ... insulation layer, 22c ... wiring Layer, 22d ... Insulation layer, 23 ... Second bonding layer, 31 ... Back electrode, 32 ... p pad electrode, 33 ... Protective layer, 100 ... Semiconductor light emitting device, D ... Depth, SP ... Space, T, T1, T2 … Thickness
Claims (13)
前記金属層の少なくとも一部における前記第2金属を除去することで、前記第1金属からなり、複数の孔が設けられた多孔質状の第1金属部を前記基板の上に形成する形成工程と、
凹部が設けられた第1面と、半導体積層体と、を有する構造体を準備する別の準備工程と、
前記構造体に対して、前記第1金属部の一部を、前記第1面の前記凹部と接合し、前記第1金属部の別の一部を、前記第1面の前記凹部が設けられている面以外の面と接合する接合工程と、を備え、
前記接合工程において、前記凹部の少なくとも一部を前記第1金属部で埋め込むとともに、前記第1金属部の前記別の一部における複数の前記孔の平均径が、前記第1金属部の前記一部における複数の前記孔の平均径よりも小さくなるように、前記第1面に前記第1金属部を接合する半導体装置の製造方法。 A preparatory step for forming a metal layer containing a first metal and a second metal on a substrate, and
A forming step of forming a porous first metal portion made of the first metal and provided with a plurality of holes on the substrate by removing the second metal in at least a part of the metal layer. When,
A first surface having a recess provided with another preparation step of preparing a structure having a semiconductor laminated body, and
A part of the first metal portion is joined to the recess on the first surface of the structure, and another part of the first metal portion is provided with the recess on the first surface. It is provided with a joining process for joining with a surface other than the surface on which it is formed.
In the joining step, at least a part of the recess is embedded in the first metal portion, and the average diameter of the plurality of holes in the other part of the first metal portion is the one of the first metal portion. A method for manufacturing a semiconductor device in which the first metal portion is joined to the first surface so as to be smaller than the average diameter of the plurality of holes in the portion.
前記第2金属は、錫である請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。 The first metal is at least one selected from the group consisting of gold, silver, nickel, and chromium.
The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 4 , wherein the second metal is tin.
前記p形半導体層及び前記発光層は、平面視において、前記n形半導体層の表面のうち前記凹部が設けられていない領域と重なる表面に設けられた請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。 The semiconductor laminate includes an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and a light emitting layer provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.
The p-type semiconductor layer and the light emitting layer in plan view, to one of the claims 1-8 provided on the surface which overlaps with a region where the recess is not provided in the surface of the n-type semiconductor layer The method for manufacturing a semiconductor device according to the description.
前記接合工程において、前記第1金属部と前記導電層とを接合する請求項9記載の半導体装置の製造方法。 The structure is provided with a conductive layer electrically connected to the n-type semiconductor layer along the first surface.
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 9 , wherein in the joining step, the first metal portion and the conductive layer are joined.
凹部が設けられた第1面と、半導体積層体と、を有する構造体を準備する第1準備工程と、 A first preparation step for preparing a structure having a first surface provided with a recess and a semiconductor laminate,
前記構造体に対して、前記第1金属部の一部を、前記第1面の前記凹部と接合し、前記第1金属部の別の一部を、前記第1面の前記凹部が設けられている面以外の面と接合する接合工程と、を備え、 A part of the first metal portion is joined to the recess on the first surface of the structure, and another part of the first metal portion is provided with the recess on the first surface. It is provided with a joining process for joining with a surface other than the surface on which it is formed.
前記形成工程において形成される前記第1金属部の厚みは、前記凹部の深さよりも大きく、 The thickness of the first metal portion formed in the forming step is larger than the depth of the recess.
前記接合工程において、前記凹部の少なくとも一部を前記第1金属部で埋め込むとともに、前記第1金属部の前記別の一部における複数の前記孔の平均径が、前記第1金属部の前記一部における複数の前記孔の平均径よりも小さくなるように、前記第1面に前記第1金属部を接合する半導体装置の製造方法。 In the joining step, at least a part of the recess is embedded in the first metal portion, and the average diameter of the plurality of holes in the other part of the first metal portion is the one of the first metal portion. A method for manufacturing a semiconductor device in which the first metal portion is joined to the first surface so as to be smaller than the average diameter of the plurality of holes in the portion.
凹部が設けられた第1面と、半導体積層体と、を有する構造体を準備する第1準備工程と、 A first preparation step for preparing a structure having a first surface provided with a recess and a semiconductor laminate,
前記構造体に対して、前記第1金属部の一部を、前記第1面の前記凹部と接合し、前記第1金属部の別の一部を、前記第1面の前記凹部が設けられている面以外の面と接合する接合工程と、を備え、 A part of the first metal portion is joined to the recess on the first surface of the structure, and another part of the first metal portion is provided with the recess on the first surface. It is provided with a joining process for joining with a surface other than the surface on which it is formed.
前記接合工程において、前記凹部の一部を前記第1金属部で埋め込むことで、前記凹部において前記第1面と前記第1金属部とに囲まれた空間を形成するとともに、前記第1金属部の前記別の一部における複数の前記孔の平均径が、前記第1金属部の前記一部における複数の前記孔の平均径よりも小さくなるように、前記第1面に前記第1金属部を接合する半導体装置の製造方法。 In the joining step, by embedding a part of the recess with the first metal portion, a space surrounded by the first surface and the first metal portion is formed in the recess, and the first metal portion is formed. The first metal portion on the first surface so that the average diameter of the plurality of holes in the other part of the first metal portion is smaller than the average diameter of the plurality of holes in the portion of the first metal portion. A method for manufacturing a semiconductor device for joining.
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