JP6823823B2 - Charged particle beam drawing device, its control method and correction drawing data creation method - Google Patents
Charged particle beam drawing device, its control method and correction drawing data creation method Download PDFInfo
- Publication number
- JP6823823B2 JP6823823B2 JP2016142756A JP2016142756A JP6823823B2 JP 6823823 B2 JP6823823 B2 JP 6823823B2 JP 2016142756 A JP2016142756 A JP 2016142756A JP 2016142756 A JP2016142756 A JP 2016142756A JP 6823823 B2 JP6823823 B2 JP 6823823B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drawing data
- charged particle
- particle beam
- pattern area
- area density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
本発明は、露光段階において荷電粒子ビームを利用して被照射体の表面にパターンを形成するための荷電粒子描画装置、その制御方法および補正描画データ作成方法に関する。 The present invention relates to a charged particle drawing device for forming a pattern on the surface of an irradiated object by using a charged particle beam in an exposure stage, a control method thereof, and a correction drawing data creation method.
マルチビームを利用するマルチビームリソグラフィは、従来から開発されてきた。マルチビームリソグラフィは、例えばシリコンウエハなどの被照射体上にパターンを形成するために利用される。 Multi-beam lithography using multi-beam has been developed conventionally. Multi-beam lithography is used to form a pattern on an irradiated object such as a silicon wafer.
マルチビームリソグラフィを実現するため、マルチビームを用いた電子線描画装置が用いられている。この電子線描画装置は電子線を生成する電子線生成部と、電子線から複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するアパーチャ装置と、マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する偏向装置とを備え、アパーチャ装置と偏向装置との間にブランキング装置が設けられている。 In order to realize multi-beam lithography, an electron beam drawing apparatus using multi-beam is used. This electron beam drawing device includes an electron beam generator that generates an electron beam, an aperture device that generates a multi-beam containing a plurality of minute beams from the electron beam, and a deflection device that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated object. A blanking device is provided between the aperture device and the deflection device.
このうちブランキング装置はアパーチャ装置で生成されたマルチビームのうち、所望の微小ビームを外方へ放出し、他の微小ビームを偏向装置へ導くものであり、このブランキング装置によってマルチビームのブランキング密度(微小ビームのオン/オフ密度)を0%〜100%へ変化させることができる。外方へ放出されたビームは、ブランキング装置の下方に設けられた吸収プレートにより吸収される。 Of these, the blanking device emits a desired microbeam to the outside among the multi-beams generated by the aperture device and guides the other microbeams to the deflecting device. This blanking device causes the multi-beam blanking. The ranking density (microbeam on / off density) can be changed from 0% to 100%. The beam emitted to the outside is absorbed by an absorption plate provided below the blanking device.
ところで、本願発明者は、鋭意研究を重ねた結果、各微少ビーム間に生じるクーロン力や、吸収プレートにより吸収される微少ビームが起因となる電磁場の変動により吸収プレートを通過する微少ビームが歪んでしまうことを発見した。ここで、微少ビームの被照射物への照射量は、被照射物への描画パターンに応じて変動するため、微少ビーム間に生じるクーロン力や、吸収プレートが起因となる電磁場もその都度変動する。そのため、微少ビームの歪みは、荷電粒子ビームの照射処理中においてマルチビームのブランキング密度が変わる度に変動することとなり、これによっても被照射物に対して適正な位置に、適正なドーズ量のマルチビームを照射することができなくなる場合がある、ことが新たに分かった。 By the way, as a result of intensive research, the inventor of the present application distorts the minute beam passing through the absorption plate due to the Coulomb force generated between each minute beam and the fluctuation of the electromagnetic field caused by the minute beam absorbed by the absorption plate. I found that it would end up. Here, since the irradiation amount of the minute beam to the irradiated object fluctuates according to the drawing pattern on the irradiated object, the Coulomb force generated between the minute beams and the electromagnetic field caused by the absorption plate also fluctuate each time. .. Therefore, the distortion of the minute beam changes every time the blanking density of the multi-beam changes during the irradiation process of the charged particle beam, and this also causes the distortion of the minute beam to be in the proper position with respect to the irradiated object and to have the proper dose amount. It is newly found that it may not be possible to irradiate the multi-beam.
しかしながら従来より電子線描画装置の描画中にマルチビームのブランキング密度の変化してによりマルチビームの微小ビームが歪み、これによって被照射物への描画パターンが歪む問題を解決する技術は開発されていない。 However, conventionally, a technique has been developed to solve the problem that the minute beam of the multi-beam is distorted due to the change of the blanking density of the multi-beam during the drawing of the electron beam writing apparatus, and the drawing pattern on the irradiated object is distorted due to this. Absent.
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、描画中にマルチビームのブランキング密度の変化によって、描画パターンが歪む問題を解決することができる荷電粒子ビーム描画装置、その制御方法および補正描画データ作成方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such a point, and is a charged particle beam drawing apparatus capable of solving the problem that the drawing pattern is distorted due to a change in the blanking density of the multi-beam during drawing, and a control method thereof. An object of the present invention is to provide a method for creating correction drawing data.
本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正描画データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。 The present invention includes a charged particle beam generator that generates a charged particle beam, an aperture device that passes the charged particle beam to generate a multi-beam including a plurality of minute beams, and includes an aperture having a plurality of openings. A deflector including an electron lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body, and an intervening between the aperture device and the deflector, removes a predetermined microbeam outward, and another microbeam. The control device includes a blanking device that guides the particles to the deflection device, an electron beam generator, an aperture device, the deflection device, and a control device that controls the blanking device, and the control device has a polygon having a plurality of vertices. The pattern area density map is obtained from the included drawing data, and the movement amount of each vertex is calculated for each vertex of the drawing data based on the relationship between the pattern area density map obtained in advance and the positional deviation of each vertex. This is a charged particle beam drawing device characterized in that each side of drawing data is moved by the amount of movement of a vertex to create corrected drawing data, and drawing is performed based on the corrected drawing data.
本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと各辺の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各辺に対してその移動量を計算し、描画データの各辺を移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。 The present invention includes a charged particle beam generator that generates a charged particle beam, an aperture device that passes the charged particle beam to generate a multi-beam including a plurality of minute beams, and includes an aperture having a plurality of openings. A deflecting device including an electronic lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body, and an intervening between the aperture device and the deflecting device, a predetermined minute beam is removed outward, and another minute beam is removed. The control device includes a blanking device that guides the particles to the deflection device, an electron beam generator, an aperture device, the deflection device, and a control device that controls the blanking device, and the control device has a polygon having a plurality of vertices. A pattern area density map is obtained from the included drawing data, and the movement amount of each side of the drawing data is calculated based on the relationship between the pattern area density map obtained in advance and the positional deviation of each side, and the drawing data is drawn. It is a charged particle beam drawing apparatus characterized in that correction drawing data is created by moving each side of the above by the amount of movement and drawing is performed based on the correction drawing data.
本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと多角形の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの多角形の移動量を計算し、描画データの多角形を多角形の移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正描画データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。 The present invention includes a charged particle beam generator that generates a charged particle beam, an aperture device that passes the charged particle beam to generate a multi-beam including a plurality of minute beams, and includes an aperture having a plurality of openings. A deflector including an electron lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body, and is interposed between the aperture device and the deflector to remove a predetermined microbeam outward and another microbeam. The control device includes a blanking device for guiding the deflection device to the deflection device, an electron beam generator, an aperture device, the deflection device, and a control device for controlling the blanking device, and the control device has a polygon having a plurality of vertices. The pattern area density map is obtained from the included drawing data, the amount of movement of the polygon in the drawing data is calculated based on the relationship between the pattern area density map obtained in advance and the positional deviation of the polygon, and the polygon of the drawing data is calculated. It is a charged particle beam drawing apparatus characterized in that a correction drawing data is created by moving the polygon with a moving amount of a polygon and drawing is performed based on the correction drawing data.
本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、補正係数を求め、前記描画データの各頂点にたいして前記補正係数を掛けて各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正描画データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。 The present invention includes a charged particle beam generator that generates a charged particle beam, an aperture device that passes the charged particle beam to generate a multi-beam including a plurality of minute beams, and includes an aperture having a plurality of openings. A deflector including an electron lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body, and an intervening between the aperture device and the deflector, removes a predetermined microbeam outward, and another microbeam. The control device includes a blanking device that guides the particles to the deflection device, an electron beam generator, an aperture device, the deflection device, and a control device that controls the blanking device, and the control device has a polygon having a plurality of vertices. A pattern area density map is obtained from the included drawing data, a correction coefficient is obtained based on the relationship between the pattern area density map obtained in advance and the positional deviation of each vertex, and each vertex of the drawing data is multiplied by the correction coefficient. A charged particle beam drawing device characterized in that the movement amount of each vertex is calculated, each side of the drawing data is moved by the movement amount of the vertex to create correction drawing data, and drawing is performed based on the correction drawing data. is there.
本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと位置ずれマップとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して前記位置ずれマップを用いて各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正描画データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。 The present invention includes a charged particle beam generator that generates a charged particle beam, an aperture device that passes the charged particle beam to generate a multi-beam including a plurality of minute beams, and includes an aperture having a plurality of openings. A deflecting device including an electronic lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body, and is interposed between the aperture device and the deflecting device to remove a predetermined minute beam outward and another minute beam. The control device includes a blanking device that guides the particles to the deflection device, an electron beam generator, an aperture device, the deflection device, and a control device that controls the blanking device, and the control device has a polygon having a plurality of vertices. A pattern area density map is obtained from the included drawing data, and based on the relationship between the pattern area density map and the position shift map obtained in advance, each vertex of the drawing data is moved using the position shift map. It is a charged particle beam drawing apparatus characterized in that the amount is calculated, each side of the drawing data is moved by the movement amount of the vertices to create correction drawing data, and drawing is performed based on the correction drawing data.
本発明は、前記パターン面積密度マップは、描画フィールドを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたパターン面積密度をもつことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置である。本発明は、前記電子レンズは多極をもった静電偏向器を含むことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。
The charged particle beam drawing according to any one of
本発明は、前記描画データの多角形と前記補正描画データの多角形の頂点数は同一であることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。 The present invention is a charged particle beam drawing apparatus characterized in that the number of vertices of the polygon of the drawing data and the polygon of the correction drawing data are the same.
本発明は、前記補正描画データの各辺は、前記描画データの対応する辺に対してX−Y方向に関して傾斜していることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。 The present invention is a charged particle beam drawing apparatus characterized in that each side of the corrected drawing data is inclined with respect to the corresponding side of the drawing data in the XY directions.
本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して、各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、この補正描画データに基づいて描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。 The present invention includes a charged particle beam generator that generates a charged particle beam, an aperture device that passes the charged particle beam to generate a multi-beam including a plurality of minute beams, and includes an aperture having a plurality of openings. It is interposed between the deflection device including the electron lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body with the aperture device and the deflection device, removes a predetermined minute beam outward, and removes another minute beam. In a control method of a charged particle beam drawing device including a blanking device leading to the deflection device, an electron beam generator, an aperture device, the deflection device, and a control device for controlling the blanking device, a plurality of apexes. The drawing is based on the relationship between the step of acquiring the reference drawing data including the polygon having the above, the step of obtaining the pattern area density map from the drawing data, and the relationship between the pattern area density map obtained in advance and the positional deviation of each vertex. A process of calculating the movement amount of each vertex for each vertex of data and moving each side of the drawing data by the movement amount of the vertex to create correction drawing data, and a process of drawing based on this correction drawing data. It is a control method of a charged particle beam drawing apparatus, which is characterized by having.
本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと各辺の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各辺に対して、その移動量を計算し、描画データの各辺を移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、この補正描画データに基づいて描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。 The present invention includes a charged particle beam generator that generates a charged particle beam, an aperture device that passes the charged particle beam to generate a multi-beam including a plurality of minute beams, and includes an aperture having a plurality of openings. It is interposed between the deflection device including the electron lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body with the aperture device and the deflection device, removes a predetermined minute beam outward, and removes another minute beam. In a control method of a charged particle beam drawing device including a blanking device leading to the deflection device, an electron beam generator, an aperture device, the deflection device, and a control device for controlling the blanking device, a plurality of apexes. The drawing is based on the relationship between the step of acquiring the reference drawing data including the polygon having the above, the step of obtaining the pattern area density map from the drawing data, and the relationship between the pattern area density map obtained in advance and the positional deviation of each side. For each side of the data, a step of calculating the movement amount and moving each side of the drawing data by the movement amount to create correction drawing data, and a step of drawing based on the correction drawing data are provided. This is a control method for a charged particle beam drawing device.
本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと多角形の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの多角形の移動量を計算し、描画データの多角形を移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、この補正描画データに基づいて描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。 The present invention includes a charged particle beam generator that generates a charged particle beam, an aperture device that passes the charged particle beam to generate a multi-beam including a plurality of minute beams, and includes an aperture having a plurality of openings. It is interposed between the deflection device including the electron lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body with the aperture device and the deflection device, removes a predetermined minute beam outward, and removes another minute beam. In a control method of a charged particle beam drawing device including a blanking device leading to the deflection device, an electron beam generator, an aperture device, the deflection device, and a control device for controlling the blanking device, a plurality of apexes. The drawing is based on the relationship between the step of acquiring the reference drawing data including the polygon having the above, the step of obtaining the pattern area density map from the drawing data, and the relationship between the pattern area density map obtained in advance and the positional deviation of the polygon. It is characterized by having a process of calculating the movement amount of the polygon of data and moving the polygon of the drawing data by the movement amount to create correction drawing data, and a process of drawing based on the correction drawing data. This is a control method for a charged particle beam drawing device.
本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと多角形の位置ずれとの関係に基づいて、補正係数を求める工程と、前記描画データの各頂点に対して、前記補正係数を掛けて頂点の運動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、この補正描画データに基づいて前記ブランキング装置と、前記電子レンズを制御する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。 The present invention includes a charged particle beam generator that generates a charged particle beam, an aperture device that passes the charged particle beam to generate a multi-beam including a plurality of minute beams, and includes an aperture having a plurality of openings. It is interposed between the deflection device including the electron lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body with the aperture device and the deflection device, removes a predetermined minute beam outward, and removes another minute beam. In a control method of a charged particle beam drawing device including a blanking device leading to the deflection device, an electron beam generator, an aperture device, the deflection device, and a control device for controlling the blanking device, a plurality of apexes. The correction coefficient is based on the relationship between the process of acquiring the reference drawing data including the polygon having the above, the process of obtaining the pattern area density map from the drawing data, and the relationship between the previously obtained pattern area density map and the positional deviation of the polygon. And a step of multiplying each vertex of the drawing data by the correction coefficient to calculate the momentum of the vertex, and moving each side of the drawing data by the movement amount of the vertex to create the correction drawing data. A method for controlling a charged particle beam drawing device, which comprises the blanking device and a step of controlling the electronic lens based on the corrected drawing data.
本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと位置ずれマップとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して、前記位置ずれマップを用いて各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、この補正描画データに基づいて描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。 The present invention includes a charged particle beam generator that generates a charged particle beam, an aperture device that passes the charged particle beam to generate a multi-beam including a plurality of minute beams, and includes an aperture having a plurality of openings. It is interposed between the deflection device including the electron lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body with the aperture device and the deflection device, removes a predetermined minute beam outward, and removes another minute beam. In a control method of a charged particle beam drawing device including a blanking device leading to the deflection device, an electron beam generator, an aperture device, the deflection device, and a control device for controlling the blanking device, a plurality of apexes. Based on the relationship between the step of acquiring the reference drawing data including the polygon having the above, the step of obtaining the pattern area density map from the drawing data, and the previously obtained pattern area density map and the misalignment map, the drawing data For each vertex, the movement amount of each vertex is calculated using the misalignment map, and each side of the drawing data is moved by the movement amount of the vertex to create the correction drawing data, and the correction drawing data It is a control method of a charged particle beam drawing apparatus, which comprises a step of drawing based on.
本発明は、前記パターン面積密度マップは、前記描画データを複数の描画フィールド毎に分割し、さらに各描画フィールドを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたパターン面積密度をもつことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。 The present invention is characterized in that the pattern area density map divides the drawing data into a plurality of drawing fields, further divides each drawing field into a plurality of areas, and each area has an assigned pattern area density. It is a control method of a charged particle beam drawing device.
本発明は、前記電子レンズは多極をもった静電偏向器を含むことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。 The present invention is a method for controlling a charged particle beam drawing apparatus, wherein the electron lens includes an electrostatic deflector having multiple poles.
本発明は、前記描画データの多角形と前記補正描画データの多角形の頂点数は同一であることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。 The present invention is a control method for a charged particle beam drawing apparatus, characterized in that the number of vertices of the polygon of the drawing data and the polygon of the correction drawing data are the same.
本発明は、前記補正描画データの各辺は、前記描画データの対応する辺に対してX−Y方向に関して傾斜していることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。 The present invention is a control method for a charged particle beam drawing apparatus, characterized in that each side of the corrected drawing data is inclined with respect to the corresponding side of the drawing data in the XY directions.
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置における補正データ作成方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して、頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法である。 The present invention is a method of creating correction data in a charged particle beam drawing apparatus, in which a step of acquiring drawing data including a polygon having a plurality of vertices and a step of obtaining a pattern area density map from the drawing data are obtained in advance. Based on the relationship between the pattern area density map and the positional deviation of each vertex, the amount of movement of the vertex is calculated for each vertex of the drawing data, and each side of the drawing data is moved by the amount of movement of the vertex to correct it. It is a correction drawing data creation method characterized by including a step of creating drawing data.
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置における補正データ作成方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと各辺の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各辺に対して、その移動量を計算し、描画データの各辺を移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法である。 The present invention is a method of creating correction data in a charged particle beam drawing apparatus, in which a step of acquiring drawing data including a polygon having a plurality of vertices and a step of obtaining a pattern area density map from the drawing data are obtained in advance. Based on the relationship between the pattern area density map and the positional deviation of each side, the movement amount of each side of the drawing data is calculated, and each side of the drawing data is moved by the movement amount to obtain the corrected drawing data. It is a correction drawing data creation method characterized by having a step of creating it.
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置における補正データ作成方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと多角形の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの多角形の移動量を計算し、描画データの多角形を移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法である。 The present invention is a method of creating correction data in a charged particle beam drawing apparatus, in which a step of acquiring drawing data including a polygon having a plurality of vertices and a step of obtaining a pattern area density map from the drawing data are obtained in advance. A process of calculating the movement amount of the polygon of the drawing data based on the relationship between the pattern area density map and the positional deviation of the polygon, and moving the polygon of the drawing data by the movement amount to create correction drawing data. It is a correction drawing data creation method characterized by having.
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置における補正データ作成方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、補正係数を求める工程と、前記描画データの各頂点に対して、前記補正係数を掛けて頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法である。 The present invention is a method of creating correction data in a charged particle beam drawing apparatus, in which a step of acquiring drawing data including a polygon having a plurality of vertices and a step of obtaining a pattern area density map from the drawing data are obtained in advance. The process of obtaining the correction coefficient based on the relationship between the pattern area density map and the positional deviation of each vertex, and the calculation of the movement amount of the vertex by multiplying each vertex of the drawing data by the correction coefficient, and drawing data. This is a correction drawing data creation method characterized by comprising a step of moving each side of the above by the amount of movement of the vertices to create correction drawing data.
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置における補正データ作成方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、補正係数を求める工程と、前記描画データの各頂点に対して、前記補正係数を掛けて頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法である。 The present invention is a method of creating correction data in a charged particle beam drawing apparatus, in which a step of acquiring drawing data including a polygon having a plurality of vertices and a step of obtaining a pattern area density map from the drawing data are obtained in advance. The process of obtaining the correction coefficient based on the relationship between the pattern area density map and the positional deviation of each vertex, and the calculation of the movement amount of the vertex by multiplying each vertex of the drawing data by the correction coefficient, and drawing data. This is a correction drawing data creation method characterized by comprising a step of moving each side of the above by the amount of movement of the vertices to create correction drawing data.
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置における補正データ作成方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと位置ずれマップとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して、前記位置ずれマップを用いて各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して、補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法である。 The present invention is a method of creating correction data in a charged particle beam drawing apparatus, in which a step of acquiring drawing data including a polygon having a plurality of vertices and a step of obtaining a pattern area density map from the drawing data are obtained in advance. Based on the relationship between the pattern area density map and the misalignment map, the movement amount of each vertex is calculated for each vertex of the drawing data using the misalignment map, and each side of the drawing data is moved. This is a correction drawing data creation method characterized by comprising a step of moving by an amount to create correction drawing data.
本発明は、前記パターン面積密度マップは、前記描画データを複数の描画フィールド毎に分割し、さらに各描画フィールドを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたパターン面積密度をもつことを特徴とする補正描画データ作成方法である。 The present invention is characterized in that the pattern area density map divides the drawing data into a plurality of drawing fields, further divides each drawing field into a plurality of areas, and each area has an assigned pattern area density. This is a correction drawing data creation method.
本発明は、前記パターン面積密度マップは、描画フィールドを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたパターン面積密度をもつことを特徴とする補正描画データ作成方法である。 The present invention is a correction drawing data creation method characterized in that the pattern area density map divides a drawing field into a plurality of areas and each area has an assigned pattern area density.
以上のように本発明によれば、複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、このパターン面積密度マップに基づいて描画データを補正するので、これによりマルチビームを用いて所望の荷電粒子ビーム描画を実現することができる。 As described above, according to the present invention, the pattern area density map is obtained from the drawing data including the polygon having a plurality of vertices, and the drawing data is corrected based on this pattern area density map. Therefore, a multi-beam is used. Therefore, the desired charged particle beam drawing can be realized.
<本発明の実施の形態>
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図1に示すように、本発明による荷電粒子ビーム描画装置1は、シリコンウエハ等の被照射体を露光してパターンを形成するために用いられるものであり、照明系2と、PD(Pattern Definition、パターン決定)系3と、投影系4と、基板(被照射体)13を保持する基板ステージ14を含む基板ステーション5とを備えている。そして荷電粒子ビーム描画装置1の全体は、ビーム1a、1b、1cが、装置の光学軸cxに沿って妨げられずに確実に伝播するように、高真空に保持された真空筐体(図示せず)の中に収容される。
<Embodiment of the present invention>
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
As shown in FIG. 1, the charged particle
荷電粒子ビーム描画装置1のうち、照明系2は、例えば電子線等の荷電粒子ビーム1aを生成する電子銃(荷電粒子ビーム生成部)7と、抽出系8と、集光レンズ系9とを含む。荷電粒子ビーム描画装置1は一般的なブランキング偏光器9aを含んでいてもよい。しかしながら、荷電粒子ビームとして、電子線の代わりに、一般に、他の電荷を帯びた粒子を同様に使用することができる。例えば電子線以外に、これらは、例えば水素イオンまたは重イオン、荷電原子クラスタ、または荷電分子を用いてもよく、「重イオン」とは、O、NなどCより重いイオン要素、またはNe、Ar、Kr、Xeなどの希ガスを称する。
Among the charged particle
集光レンズ系9により照明系2から放出された荷電粒子ビーム1bは、幅広の、実質的にテレセントリックな粒子ビームとなっている。この荷電粒子ビーム1bは、次いで、PD系3内に入る。
The charged
図2は、PD系3の断面の詳細をより詳細に記載する。これは、パターン形成ビームに構造化されるビーム1bを示すが、簡素化のために、複数のビームの代わりに、2つのビーム20のみが記載される。ビームがその経路から外れて偏向される可能な場合に関して、偏向されたビーム21は、点線で示される。
FIG. 2 describes the details of the cross section of the
図2のPD系3は、連続して配置されたアパーチャプレート16を含むアパーチャ装置30と、ブランキングプレート17を含むブランキング装置17Aとを備える。
The
アパーチャプレート16は、衝突するエネルギー粒子からプレートを保護する任意選択の保護層15と、複数の開口22、23とを有する(図3参照)。
The
ブランキングプレート17も同様に、アパーチャプレート16の開口22,23に対応するいくつかの開口部17aを有する。各開口部17aは、領域を超えるビームレットに作用する1セットのブランキング手段を備える。図2において、これらのブランキング手段は、一組の電極、すなわち接地電極18および偏向電極19を含む。これらの電極18,19を通電させることによって、開口部17aを「スイッチオフさせる」ことができ、これにより、ビームが偏向され(点線の矢印21によって示される経路)、その結果、基板13に達することはない。電極が通電されないとき、開口部17aは「スイッチオンされ」、ビームは、その経路から偏向されない(矢印20)。通電は、非通電状態におけるデフォルト電圧と十分に異なる電圧を電極18、19の間に付加することによって行われ、通常、デフォルト電圧は、ゼロであり、すなわち電極は、同一の電位にある(通電電圧と比較して小さい公差内)。通電電圧は典型的には、数ボルトの範囲内となっている。
The blanking
そしてPD系3を通過した荷電粒子ビーム1bは、このPD系3のアパーチャ装置30により複数の微小ビームを含むマルチビーム1cとなり、かつブランキング装置17Aにより所定の微小ビームが外方へ除去され、他の微小ビームのみを含むマルチビーム1cが投影系4へ照射される。ここでブランキング装置17Aによりオン/オフ(ON/OFF)されることにより、マルチビーム1cは所望のブランキング密度を有することになる。このマルチビームのブランキング密度については、後述する。
Then, the charged
図1に示される実施の形態において、投影系4は、静電気または電子レンズ、あるいは他の偏向手段から成る複数の連続する粒体−光学投影装置の段で構成される。これらのレンズおよび手段は、その用途が従来技術からよく知られているため象徴的な形態でのみ示される。投影系4は、クロスオーバc1、c2による縮小結像を形成する。両段に関する縮小率は、全体の縮小が数百、例えば200xとなるように選択される(図1は、縮尺されていない)。
In the embodiment shown in FIG. 1, the
投影系4全体において、レンズおよび/または偏向手段を色および幾何学的収差に対して広範に補償するための措置が施される。像を全体的に横方向に、すなわち光学軸cxに対して直角の方向に沿ってシフトさせるための手段として、投影系4はいずれも電子レンズからなる第1偏向手段11および第2偏向手段12を含む。第1偏向手段11および第2偏向手段12は、例えば第1の偏向手段11で図1に示されるようにクロスオーバ付近に、または図1に示す第2段偏向手段12の場合のように、投影装置の最終レンズの後のいずれかに配置される多極電極系として実現することができる。この装置において、多極電極は、段の動きに関連して像をシフトさせる。さらにアライメント系と共に結像系を補正する2つの目的の偏向手段として使用される。また投影系4は第1の偏向手段11と第2の偏向手段12との間に設けられた吸収プレート10とを有する。
Measures are taken throughout the
また投影系4は、PD系3と偏向手段11との間、第1の偏向手段11と吸収プレート10との間、および吸収プレート10と第2の偏光手段12との間に各々設けられた集光レンズ6を含む。さらに基板13を保持する基板ステージ14は図1において、左右方向(水平方向)へ移動可能となっている。
Further, the
なお、上記の荷電粒子ビーム描画装置1を構成する各構成要素、例えば電子銃7、ブランキング装置17A、第1の偏向手段11、第2の偏向手段12および基板ステージ14はいずれも制御装置35により駆動制御される。
Each component constituting the charged particle
ところで、制御装置35に対して基板13上に描画すべき描画データ40Aが入力されるが、この描画データ40Aは基板13上に照射されるマルチビーム1cの領域毎のパターン面積密度を含むパターン面積密度マップ情報を含む。
By the way, drawing
ここでマルチビームのブランキング密度とパターン面積密度との関係について以下、簡単に説明する。ブランキング密度とは、例えば図5(b)に示すように、マルチビーム1cのうちアパーチャプレート16に対応する領域を左上部、右上部、左下部および右下部の4つの領域A1,A2,A3,A4に区画した場合に、各領域A1,A2,A3,A4毎に存在する微細ビームの密度を言う。このようなマルチビーム1cのブランキング密度は、アパーチャ装置30によって生成された複数の微小ビームを含むマルチビーム1cのうち、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを照明系4へ導くブランキング装置17Aにより生成することができる。一方、パターン面積密度とは、例えば図5(a)に示すようにマルチビーム1cのうちアパーチャプレート16に対応する領域を左上部、右上部、左下部および右下部の4つの領域A1,A2,A3,A4に区画した場合に、各領域A1,A2,A3,A4毎に存在するパターンの密度を言う。パターン面積密度は、電子線を照射させる領域の密度であり、パターン面積密度が変化すると、それに応じてブランキング密度が変化する。この際、パターン面積密度が変わると、描画パターンが歪むことがある。
Here, the relationship between the blanking density of the multi-beam and the pattern area density will be briefly described below. As shown in FIG. 5B, for example, the blanking density refers to the regions of the multi-beam 1c corresponding to the
図5(a)において、マルチビーム1cの左上の領域A1、右上の領域A2はそのパターン面積密度が100%となっており、ほとんどの微小ビームが照明系4へ導かれる。
In FIG. 5A, the upper left region A1 and the upper right region A2 of the multi-beam 1c have a pattern area density of 100%, and most of the minute beams are guided to the
一方、マルチビーム1cの左下の領域A3はそのパターン面積密度が20%となっており、多数の微小ビームが外方へ除去され、右下の領域A4はそのパターン面積密度が60%となっている。 On the other hand, the pattern area density of the lower left region A3 of the multi-beam 1c is 20%, a large number of minute beams are removed outward, and the pattern area density of the lower right region A4 is 60%. There is.
ところで、本願発明者は、鋭意研究を重ねた結果、複数の微小ビームを含むマルチビーム1cは、各微少ビーム間に生じるクーロン力や、吸収プレートにより吸収される微少ビームが起因となる電磁場の変動によりストッパープレートを通過する微少ビームが歪んでしまうことを発見した。各微少ビーム間に生じるクーロン力や、吸収プレートにより吸収される微少ビームの量は、荷電粒子ビームの照射処理中においてマルチビームのブランキング密度が変わる度に変化するため、パターン面積密度に対応して各微小ビームの歪み量が変化することがある。 By the way, as a result of intensive research by the inventor of the present application, the multi-beam 1c including a plurality of minute beams has a Coulomb force generated between each minute beam and a fluctuation of an electromagnetic field caused by a minute beam absorbed by an absorption plate. It was discovered that the minute beam passing through the stopper plate was distorted due to this. The Coulomb force generated between each minute beam and the amount of the minute beam absorbed by the absorption plate change each time the blanking density of the multi-beam changes during the irradiation process of the charged particle beam, so it corresponds to the pattern area density. Therefore, the amount of distortion of each minute beam may change.
例えば図6(a)に示すように、マルチビーム1cの全域において微小ビーム1dが略格子状に欠けることなく配置される場合、すなわちパターン面積密度が100%でマルチビーム1cがその全域において配置される場合、第1の偏向手段11内において、各微小ビーム1dは各々格子状に沿って配置される。
For example, as shown in FIG. 6A, when the minute beams 1d are arranged in the entire area of the multi-beam 1c without being chipped in a substantially grid pattern, that is, the pattern area density is 100% and the multi-beam 1c is arranged in the entire area. In this case, each
図6(a)において、第1の偏向手段11は8つの極11aをもつ電子レンズ11Aからなっている。
In FIG. 6A, the first deflection means 11 comprises an
一方、図6(b)に示すように、マルチビーム1cの左上の領域において微小ビーム1dが欠けている場合、左上の領域においてパターン面積密度0%となり、他の領域ではパターン面積密度は100%となる。
On the other hand, as shown in FIG. 6B, when the
この場合、8つの極11aをもつ電子レンズ11A内において微小ビーム1d相互間に働くクーロン力等の力にアンバランスが生じ、このため、例えば中央の上方から下方へ向って配置された微小ビーム1dを結ぶ線L1は直線状とならず、歪んだ線となる。
In this case, an imbalance occurs in the forces such as the Coulomb force acting between the minute beams 1d in the
このような場合、後述のように描画データ40Aを補正して補正描画データ40Cを求め、この補正描画データ40Cを描画データ40Aの代わりに用いる。このことによりマルチビーム1cの歪みを補間することができ、適正な位置に、適正なドーズ量のマルチビームを照射して、歪みのない描画パターンを生成することが出来る。
In such a case, the drawing
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
図4に示すように、制御装置35に補正前の描画パターンを含む描画データ40Aが入力される(図9(a)参照)。
Next, the operation of the present embodiment having such a configuration will be described.
As shown in FIG. 4, drawing
次に制御装置35は図11(a)(b)に示すように、入力された描画データ40Aをアパーチャプレート16に対応する描画フィールド毎の描画データに分割する。ここで、図11(a)は制御部35に入力された描画データ40Aを示し、図11(b)はアパーチャプレート16に対応する描画フィールド毎に分割された描画データを示す。次に各々の描画フィールド毎に分割された描画データ40Aを、例えば4領域に区画し、各々の領域のパターン面積密度を求め、領域毎のパターン面積密度を含むパターン面積密度マップを求める。
Next, as shown in FIGS. 11A and 11B, the
他方、制御装置35には、図12に示すように予め求められた基準となるパターン面積密度マップを用いて描画した場合における、描画パターンの位置ずれの値が求められて入力されている。そして制御装置35は、予め入力されたパターン面積密度マップと、描画パターンの位置ずれとの関係に基づいて、各頂点の位置ずれを修正する補正係数を求める。このような基準となるパターン面積密度マップと、補正係数との関係はリストの形で制御装置35内に保存させている(図10参照)。
On the other hand, as shown in FIG. 12, the
図12には、アパーチャプレート16に対応する描画フィールド上で示された基準となる描画パターンを含む描画データ50が示されている。
FIG. 12
図12に示す基準となる描画データ50は、予め描画フィールド毎に分割されたものであり、この基準となる描画データは更に4つの業域に区画され、左上の領域および右下の領域は調整パターン50bにより60%のパターン面積密度をもつ。また左下の領域は調整パターン50bにより100%のパターン面積密度をもち、右上の領域は調整パターンを有しておらず、0%のパターン面積密度をもつ。
The
また左上の領域、左下の領域、右上の領域および右下の領域には、いずれも位置測定用のクロスパターン50aが設けられ、このクロスパターン50aにより、描画パターンの位置ずれの値を求めることができる。そして上述のように基準となるパターン面積密度マップと描画パターンの位置ずれとの関係に基づいて、各頂点の位置ずれを修正する補正係数を求めることができる。
Further, a
このような基準となるパターン面積密度マップと、描画データの各頂点の位置ずれを修正するための補正係数としては、例えば図8に示すような線形補正係数が考えられる。図8では補正係数a,b,c,d,tx,tyを用いており、a,b,c,dは拡大縮小、せん断、回転の成分を、tx,tyは平行移動の成分を表す。 As such a reference pattern area density map and a correction coefficient for correcting the positional deviation of each vertex of the drawing data, for example, a linear correction coefficient as shown in FIG. 8 can be considered. In FIG. 8, correction coefficients a, b, c, d, tx, and ty are used, where a, b, c, and d represent the components of enlargement / reduction, shear, and rotation, and tx and ty represent the components of translation.
次に図8により具体的に線形補正係数を求める手法について説明する。アパーチャプレート16の領域と一致するフィールドサイズに図12のようなクロスパターン50aと面積密度を調整する調整パターン50bを含む基準となる描画パターン50を含む描画データを用いて描画パターンを描画する。ここでは左上部、左下部、右上部および右下部の4つの領域に分けられており、それぞれのパターン面積密度は60%、0%、100%、60%となる。その後、クロスパターン50aの位置を位置計測装置により測定することで、図7のような位置ずれマップを得る。この位置ずれ量を最小二乗法で理想格子に近づけるように計算することで、補正係数a,b,c,d,tx,tyを求める。
Next, a method for specifically obtaining the linear correction coefficient will be described with reference to FIG. A drawing pattern is drawn using drawing data including a
次に制御装置35は、補正前の描画データ40Aに対応するパターン面積密度と、補正係数を選択する。次に制御部35は、入力された補正前の描画データ40Aの多角形の各頂点を求める。その後制御装置35は、このようにして求めた多角形の各頂点に対して上述した補正係数を掛けて、各頂点の移動量δ(デルタ)を求める。上記線形補正係数を用いた場合の移動量δは、δx=x−x‘、 δy=y−y’と計算される。ここでx、yは各頂点の座標を示し、x’,y’は図8に示すようにx,y座標に補正係数を掛けた値を示す。
Next, the
次に多角形の各頂点を移動量δだけ移動させるとともに、描画データの各辺を頂点とともに移動させる。このようにして補正描画データを得る。 Next, each vertex of the polygon is moved by the movement amount δ, and each side of the drawing data is moved together with the vertex. In this way, the correction drawing data is obtained.
次に図9(a)〜(f)により、描画データ40Aの各頂点を移動量δだけ移動させ、これにともなって各辺を移動させることにより得られる補正描画データの作成方法について詳述する。まず図9(a)に8個の頂点をもつ多角形を含む補正前の描画データ40Aを示す。
Next, with reference to FIGS. 9A to 9F, a method of creating correction drawing data obtained by moving each vertex of the drawing
図9(a)の矢印は、上記方法により求めた補正係数を用いて計算された描画データ40Aの各頂点の位置ずれ量とその方向を示す。この位置ずれを補正するため、描画データ40Aの各頂点を上記方法により求めた移動量δで移動する。すなわち、描画データの頂点1について予め左上方へ移動させて、中間描画データ40Bを得る(図9(b))。次に中間描画データ40Bの頂点2を移動させて(図9(c))、同様に中間描画データ40Bの頂点3を移動させる。このようにして中間描画データ40Bの頂点4、5、6、7、8を順次移動させることにより、補正描画データ40Cを得る(図9(d)(e)(f)参照)。ここで補正前の描画データ40Aの多角形の頂点の数は、補正後の補正描画データ40Cの多角形の頂点の数と同一となっている。また、補正描画データ40cの多角形の各辺は、補正前の描画データ40Aの対応する辺に対してX−Y方向に対して傾斜している。図9(a)〜(f)において、垂直方向はX方向となっており、水平方向はY方向となっている。
The arrows in FIG. 9A indicate the amount of misalignment of each vertex of the drawing
その後、制御装置35は、基準描画データの各頂点に対して補正することで得られた補正描画データを用いて実際の描画作用を実行する。具体的には電子銃7から荷電粒子ビーム1aが生成され、この荷電粒子ビーム1aは照明系2を通ってビーム1bとなってPD系3に入る。次にビーム1bは、PD系3のアパーチャ装置30により複数の微小ビーム1dを含むマルチビーム1cとなり、ブランキング装置17Aによりマルチビーム1cは所望のブランキング密度をもつ。
After that, the
その後、マルチビーム1cはPD系3から投影系4に入り、その後基板ステーション5の基板ステージ14に保持された基板13上に照射される。
After that, the multi-beam 1c enters the
この間、制御装置35は上述のように荷電粒子ビーム描画装置1を上記の補正描画データ40Cを用いて制御する。このため、基板13上において、適正な位置に、適正なドーズ量のマルチビーム1cを照射することが出来る。
During this time, the
以上のように本実施の形態によれば、制御装置35は入力された多角形の基準描画データに対し、その各頂点に対して補正係数を掛けて補正描画データを得る。次にこの補正描画データを用いてブランキング装置17A、第1の偏向手段11および第2の偏向手段12を制御することができる。このため基板13上において適正な位置に、適正なドーズ量のマルチビーム1cを照射することが出来る。また補正前の描画データの多角形の頂点の数と、補正後の描画データの多角形の頂点の数は同一となっている。例えば図9(a)〜(f)において、補正前の描画データ40Aの多角形は、8個の頂点をもち、補正後の描画データ40Cの多角形は8個の頂点をもつ。このため、補正後の描画データについてデータ量を過度に大きくする必要はなく、適切な制御を実施できる。
As described above, according to the present embodiment, the
<本発明の変形例>
次に本発明の変形例について図13乃至図15について説明する。図14に示すように、制御装置35に補正前の描画パターンを含む描画データ40Aが入力される(図9(a)参照)。
<Modified example of the present invention>
Next, FIGS. 13 to 15 will be described as a modification of the present invention. As shown in FIG. 14, drawing
次に制御装置35は図11(a)(b)に示すように、入力された描画データ40Aをアパーチャプレート16に対応する描画フィールド毎の描画データ40Aに分割する。ここで、図11(a)は制御部35に入力された描画データ40Aを示し、図11(b)はアパーチャプレート16に対応する描画フィールド毎に分割された描画データ40Aを示す。
Next, as shown in FIGS. 11A and 11B, the
次に各々の描画フィールド毎に分割された描画データ40Aを、例えば4領域に区画し、各々の領域のパターン面積密度を求め、領域毎のパターン面積密度を含むパターン面積密度のマップを求める。
Next, the drawing
他方、制御装置35には、図12に示すように予め求められた基準となるパターン面積密度マップを用いて描画した場合における、描画パターンの位置ずれの値が求められて入力されている。そして制御装置35は、予め入力されたパターン面積密度マップと、描画パターンの位置ずれとの関係に基づいて、各頂点の位置ずれを修正する位置ずれマップを求める。このような基準となるパターン面積密度マップと、位置ずれマップとの関係はリストの形で制御装置35内に保存させている(図13参照)。
On the other hand, as shown in FIG. 12, the
次に具体的に位置ずれマップを求める手法について説明する。アパーチャプレート16の領域と一致するフィールドサイズに図12のようなクロスパターン50aと面積密度を調整する調整パターン50bを含む基準となる描画パターン50を含む描画データを用いて描画パターンを描画する。ここでは左上部、左下部、右上部および右下部の4つの領域に分けられており、それぞれのパターン面積密度は60%、0%、100%、60%となる。その後、クロスパターン50aの位置を位置計測装置により測定することで図7のような位置ずれマップを得る。
Next, a method for specifically obtaining a misalignment map will be described. A drawing pattern is drawn using drawing data including a
次に制御装置35は、補正前の描画データ40Aに対応するパターン面積密度と、位置ずれマップを選択する。次に制御部35は入力された補正前の描画データ40Aの多角形の各頂点を求める。その後制御装置35は、このようにして求めた多角形の各頂点の座標を計算し、その座標における位置ずれ量を上記で得られた位置ずれマップから図15に示すようなバイリニア補間により求める。各頂点の移動量δ(デルタ)は上記で得られた位置ずれ量の反対ベクトルで求められる。
Next, the
次に多角形の各頂点を移動量δだけ移動させるとともに、描画データの各辺を頂点とともに移動させる。このようにして補正描画データを得る。 Next, each vertex of the polygon is moved by the movement amount δ, and each side of the drawing data is moved together with the vertex. In this way, the correction drawing data is obtained.
次に図9(a)〜(f)により、基準描画データ40Aの各頂点を移動量δだけ移動させ、これにともなって各辺を移動させることにより得られる補正描画データの作成方法について詳述する。
Next, with reference to FIGS. 9A to 9F, the method of creating the correction drawing data obtained by moving each vertex of the
まず図9(a)に8個の頂点をもつ多角形を含む補正前の描画データ40Aを示す。
First, FIG. 9A shows drawing
図9(a)の矢印は、上記方法により求めた描画データ40Aの各頂点の位置ずれ量とその方向を示す。この位置ずれを補正するため、描画データ40Aの各頂点を上記方法により求めた移動量δで移動する。すなわち、描画データの頂点1について予め左上方へ移動させて、中間描画データ40Bを得る(図9(b))。次に中間描画データ40Bの頂点2を移動させて(図9(c))、同様に中間描画データ40Bの頂点3を移動させる。このようにして中間描画データ40Bの頂点4、5、6、7、8を順次移動させることにより、補正描画データ40Cを得る(図9(d)(e)(f)参照)。ここで補正前の描画データ40Aの多角形の頂点の数は、補正後の補正描画データ40Cの多角形の頂点の数と同一となっている。また補正描画データ40Cの多角形の各辺は補正前の描画データ40Aの対応する辺に対してX−Y方向に対して傾斜している。
The arrows in FIG. 9A indicate the amount of misalignment of each vertex of the drawing
次に本発明の他の変形例について述べる。上述した実施の形態および変形例において、描画データの多角形の頂点を移動させることにより補正描画データを得る例を示したが、これに限らず描画データの多角形の各辺毎に上述した移動量を求め、各辺をこの移動量だけ移動させて補正描画データ40Cを求めてもよい(図16(a)(b)(c)(d)(e)(f)参照)。また描画データの多角形の移動量を求め、多角形をこの移動量だけ移動させて補正描画データ40Cを求めてもよい(図17(a)(b)参照)。
Next, another modification of the present invention will be described. In the above-described embodiments and modifications, an example of obtaining corrected drawing data by moving the vertices of the polygon of the drawing data has been shown, but the above-mentioned movement is not limited to this, and the above-mentioned movement is performed for each side of the polygon of the drawing data. The amount may be obtained, and each side may be moved by this amount of movement to obtain the corrected
1 荷電粒子ビーム描画装置
1a ビーム
1b ビーム
1c マルチビーム
1d 微小ビーム
2 照明系
3 PD系
4 投影系
5 基板ステーション
6 集光レンズ
7 電子銃
9 集光レンズ系
10 吸収プレート
11 第1の偏向手段
12 第2の偏向手段
13 基板
14 基板ステージ
16 アパーチャプレート
17 ブランキングプレート
17A ブランキング装置
17a 開口部
22、23 開口
30 アパーチャ装置
35 制御装置
40A 描画データ
40B 中間描画データ
40C 補正描画データ
50 基準描画データ
50a クロスパターン
50b 調整パターン
1 Charged particle
Claims (22)
前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、
前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正描画データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 A charged particle beam generator that generates a charged particle beam,
An aperture device that passes through the charged particle beam to generate a multi-beam containing a plurality of minute beams, and also includes an aperture having a plurality of apertures.
A deflection device including an electronic lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body,
A blanking device that is interposed between the aperture device and the deflection device, removes a predetermined minute beam outward, and guides another minute beam to the deflection device.
The electron beam generator, the aperture device, the deflection device, and the control device for controlling the blanking device are provided.
The control device obtains a pattern area density map from drawing data including a polygon having a plurality of vertices, and based on the relationship between the previously obtained pattern area density map and the positional deviation of each vertex, each vertex of the drawing data. A charged particle beam characterized in that the movement amount of each vertex is calculated, each side of the drawing data is moved by the movement amount of the vertex to create correction drawing data, and drawing is performed based on the correction drawing data. Drawing device.
前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと各辺の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各辺に対してその移動量を計算し、描画データの各辺を移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 A charged particle beam generator that generates a charged particle beam,
An aperture device that passes through the charged particle beam to generate a multi-beam containing a plurality of minute beams, and also includes an aperture having a plurality of apertures.
A deflection device including an electronic lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body, and is interposed between the aperture device and the deflection device to remove a predetermined minute beam to the outside and other minute beams. With a blanking device that guides the
The electron beam generator, the aperture device, the deflection device, and the control device for controlling the blanking device are provided.
The control device obtains a pattern area density map from drawing data including a polygon having a plurality of vertices, and based on the relationship between the pattern area density map obtained in advance and the positional deviation of each side, each side of the drawing data. A charged particle beam drawing device characterized in that it calculates the amount of movement of the drawing data, moves each side of the drawing data by the amount of movement to create correction drawing data, and draws based on the correction data.
前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、補正係数を求め、前記描画データの各頂点に対して前記補正係数を掛けて各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正描画データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 A charged particle beam generator that generates a charged particle beam,
An aperture device that passes through the charged particle beam to generate a multi-beam containing a plurality of minute beams, and also includes an aperture having a plurality of apertures.
A deflection device including an electronic lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body, and is interposed between the aperture device and the deflection device to remove a predetermined minute beam to the outside and other minute beams. With a blanking device that guides the
The electron beam generator, the aperture device, the deflection device, and the control device for controlling the blanking device are provided.
The control device obtains a pattern area density map from drawing data including a polygon having a plurality of vertices, obtains a correction coefficient based on the relationship between the pattern area density map obtained in advance and the positional deviation of each vertex, and obtains the correction coefficient. for each vertex of the drawing data to calculate the amount of movement of each vertex by multiplying the correction coefficient, the respective sides of the drawing data to move in the movement amount of a vertex to create a corrected drawing data, based on the corrected drawing data A charged particle beam drawing device characterized by drawing.
前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと位置ずれマップとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して前記位置ずれマップを用いて各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正描画データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 A charged particle beam generator that generates a charged particle beam,
An aperture device that passes through the charged particle beam to generate a multi-beam containing a plurality of minute beams, and also includes an aperture having a plurality of apertures.
A deflection device including an electronic lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body, and is interposed between the aperture device and the deflection device to remove a predetermined minute beam to the outside and other minute beams. With a blanking device that guides the
The electron beam generator, the aperture device, the deflection device, and the control device for controlling the blanking device are provided.
The control device obtains a pattern area density map from drawing data including a polygon having a plurality of vertices, and for each vertex of the drawing data based on the relationship between the pattern area density map and the misalignment map obtained in advance. The feature is that the movement amount of each vertex is calculated using the misalignment map, each side of the drawing data is moved by the movement amount of the vertex to create correction drawing data, and drawing is performed based on this correction drawing data. Charged particle beam drawing device.
荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、
前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、
複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、
描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、
予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して、各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、
この補正描画データに基づいて描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。 A charged particle beam generator that generates a charged particle beam,
An aperture device that passes a charged particle beam to generate a multi-beam containing multiple microbeams and includes an aperture with multiple apertures.
A deflection device including an electronic lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body,
A blanking device that is interposed between the aperture device and the deflection device, removes a predetermined minute beam outward, and guides another minute beam to the deflection device.
In a control method of a charged particle beam drawing device including an electron beam generator, an aperture device, a deflection device, and a control device for controlling the blanking device.
The process of acquiring reference drawing data including polygons with multiple vertices,
The process of obtaining the pattern area density map from the drawing data and
Based on the relationship between the pattern area density map obtained in advance and the positional deviation of each vertex, the movement amount of each vertex is calculated for each vertex of the drawing data, and each side of the drawing data is the movement amount of the vertex. The process of moving with to create correction drawing data,
A control method for a charged particle beam drawing apparatus, which comprises a step of drawing based on this corrected drawing data and a process of drawing.
荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、
前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、
複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、
描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、
予め求められたパターン面積密度マップと各辺の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各辺に対して、その移動量を計算し、描画データの各辺を移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、
この補正描画データに基づいて描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。 A charged particle beam generator that generates a charged particle beam,
An aperture device that passes a charged particle beam to generate a multi-beam containing multiple microbeams and includes an aperture with multiple apertures.
A deflection device including an electronic lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body,
A blanking device that is interposed between the aperture device and the deflection device, removes a predetermined minute beam outward, and guides another minute beam to the deflection device.
In a control method of a charged particle beam drawing device including an electron beam generator, an aperture device, a deflection device, and a control device for controlling the blanking device.
The process of acquiring reference drawing data including polygons with multiple vertices,
The process of obtaining the pattern area density map from the drawing data and
Based on the relationship between the pattern area density map obtained in advance and the positional deviation of each side, the movement amount is calculated for each side of the drawing data, and each side of the drawing data is moved by the movement amount. The process of creating correction drawing data and
A control method for a charged particle beam drawing apparatus, which comprises a step of drawing based on this corrected drawing data and a process of drawing.
荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、
前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、
複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、
描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、
予め求められたパターン面積密度マップと多角形の位置ずれとの関係に基づいて、補正係数を求める工程と、
前記描画データの各頂点に対して、前記補正係数を掛けて頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、
この補正描画データに基づいて前記ブランキング装置と、前記電子レンズを制御する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。 A charged particle beam generator that generates a charged particle beam,
An aperture device that passes a charged particle beam to generate a multi-beam containing multiple microbeams and includes an aperture with multiple apertures.
A deflection device including an electronic lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body,
A blanking device that is interposed between the aperture device and the deflection device, removes a predetermined minute beam outward, and guides another minute beam to the deflection device.
In a control method of a charged particle beam drawing device including an electron beam generator, an aperture device, a deflection device, and a control device for controlling the blanking device.
The process of acquiring reference drawing data including polygons with multiple vertices,
The process of obtaining the pattern area density map from the drawing data and
The process of obtaining the correction coefficient based on the relationship between the pattern area density map obtained in advance and the positional deviation of the polygon, and
For each vertex of the drawing data, the steps of said multiplying a correction factor to calculate the amount of movement of the vertices, to create the corrected drawing data each side of the drawing data to move in the movement amount of a vertex,
A control method for a charged particle beam drawing device, which comprises a blanking device and a step of controlling the electronic lens based on the corrected drawing data.
荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、
前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、
複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、
描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、
予め求められたパターン面積密度マップと位置ずれマップとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して、前記位置ずれマップを用いて各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、
この補正描画データに基づいて描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。 A charged particle beam generator that generates a charged particle beam,
An aperture device that passes a charged particle beam to generate a multi-beam containing multiple microbeams and includes an aperture with multiple apertures.
A deflection device including an electronic lens that deflects the multi-beam and irradiates the irradiated body,
A blanking device that is interposed between the aperture device and the deflection device, removes a predetermined minute beam outward, and guides another minute beam to the deflection device.
In a control method of a charged particle beam drawing device including an electron beam generator, an aperture device, a deflection device, and a control device for controlling the blanking device.
The process of acquiring reference drawing data including polygons with multiple vertices,
The process of obtaining the pattern area density map from the drawing data and
Based on the relationship between the pattern area density map and the position shift map obtained in advance, the movement amount of each vertex is calculated for each vertex of the drawing data using the position shift map, and each side of the drawing data. And the process of creating correction drawing data by moving with the amount of movement of the vertices,
A control method for a charged particle beam drawing apparatus, which comprises a step of drawing based on this corrected drawing data and a process of drawing.
複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、
前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、
予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して、頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法。 In the correction data creation method in the charged particle beam drawing device,
The process of acquiring drawing data including polygons with multiple vertices,
The process of obtaining the pattern area density map from the drawing data and
Based on the relationship between the pattern area density map obtained in advance and the positional deviation of each vertex, the amount of movement of the vertices is calculated for each vertex of the drawing data, and each side of the drawing data is calculated by the amount of movement of the vertex. A method for creating correction drawing data, which comprises a process of moving and creating correction drawing data.
複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、
前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、
予め求められたパターン面積密度マップと各辺の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各辺に対して、その移動量を計算し、描画データの各辺を移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法。 In the correction data creation method in the charged particle beam drawing device,
The process of acquiring drawing data including polygons with multiple vertices,
The process of obtaining the pattern area density map from the drawing data and
Based on the relationship between the pattern area density map obtained in advance and the positional deviation of each side, the movement amount is calculated for each side of the drawing data, and each side of the drawing data is moved by the movement amount. A method for creating corrected drawing data, which comprises a process of creating corrected drawing data.
複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、
前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、
予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、補正係数を求める工程と、
前記描画データの各頂点に対して、前記補正係数を掛けて頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法。 In the correction data creation method in the charged particle beam drawing device,
The process of acquiring drawing data including polygons with multiple vertices,
The process of obtaining the pattern area density map from the drawing data and
The process of obtaining the correction coefficient based on the relationship between the pattern area density map obtained in advance and the positional deviation of each vertex, and
Each vertex of the drawing data is multiplied by the correction coefficient to calculate the amount of movement of the apex, and each side of the drawing data is moved by the amount of movement of the apex to create correction drawing data. A method for creating corrected drawing data.
複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、
前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、
予め求められたパターン面積密度マップと位置ずれマップとの関係に基づいて、
前記描画データの各頂点に対して、前記位置ずれマップを用いて各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して、補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法。 In the correction data creation method in the charged particle beam drawing device,
The process of acquiring drawing data including polygons with multiple vertices,
The process of obtaining the pattern area density map from the drawing data and
Based on the relationship between the pattern area density map and the misalignment map obtained in advance,
For each vertex of the drawing data, the movement amount of each vertex is calculated using the position shift map, and each side of the drawing data is moved by the movement amount of the vertex to create correction drawing data. A method for creating corrected drawing data, which is characterized by being equipped with.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015146192 | 2015-07-23 | ||
JP2015146192 | 2015-07-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017028284A JP2017028284A (en) | 2017-02-02 |
JP6823823B2 true JP6823823B2 (en) | 2021-02-03 |
Family
ID=57946148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016142756A Active JP6823823B2 (en) | 2015-07-23 | 2016-07-20 | Charged particle beam drawing device, its control method and correction drawing data creation method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6823823B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6756320B2 (en) * | 2017-09-20 | 2020-09-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Drawing data generation method, program, multi-charged particle beam drawing device, and pattern inspection device |
JP2019102661A (en) | 2017-12-04 | 2019-06-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Acquisition method of beam deflection shape and acquisition method of arrangement angle of blanking aperture array |
WO2020095743A1 (en) * | 2018-11-09 | 2020-05-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Charged particle beam drawing device, charged particle beam drawing method, and program |
JP7238672B2 (en) * | 2019-07-25 | 2023-03-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Multi-beam writing method and multi-beam writing apparatus |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3940310B2 (en) * | 2002-04-04 | 2007-07-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Electron beam drawing method, drawing apparatus, and semiconductor manufacturing method using the same |
JP3983238B2 (en) * | 2004-09-09 | 2007-09-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Electron beam drawing device |
JP6190254B2 (en) * | 2013-12-04 | 2017-08-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Multi-charged particle beam writing apparatus and multi-charged particle beam writing method |
-
2016
- 2016-07-20 JP JP2016142756A patent/JP6823823B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017028284A (en) | 2017-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9568907B2 (en) | Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer | |
JP5549032B2 (en) | Method for forming a pattern on a target surface by a charged particle beam | |
NL2003304C2 (en) | Compensation of dose inhomogeneity and image distortion. | |
US10410831B2 (en) | Multi-beam writing using inclined exposure stripes | |
KR102380475B1 (en) | Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer | |
JP6823823B2 (en) | Charged particle beam drawing device, its control method and correction drawing data creation method | |
JP2016174152A (en) | Multi-beam writing of pattern area of relaxed critical dimension | |
JP7183315B2 (en) | Compensation of Blur Change in Multibeam Writer | |
US7763851B2 (en) | Particle-beam apparatus with improved wien-type filter | |
US6815698B2 (en) | Charged particle beam exposure system | |
US7304320B2 (en) | Charged beam exposure apparatus, charged beam control method and manufacturing method of semiconductor device | |
CN108508707A (en) | More charged particle beam drawing apparatus and its method of adjustment | |
KR101782335B1 (en) | Drawing data generation method, multi charged particle beam drawing device and pattern inspection device | |
JP4729403B2 (en) | Electron beam exposure system | |
JP4156862B2 (en) | Electron beam exposure apparatus and electron beam processing apparatus | |
JP7275647B2 (en) | Multi-beam aperture substrate set and multi-charged particle beam device | |
JP2006086182A (en) | Method and system for electron-beam exposure | |
JP6951673B2 (en) | Charged particle beam drawing device and its control method | |
JP4477436B2 (en) | Charged particle beam exposure system | |
JP2005032837A (en) | Method for charged particle beam lithography and method of manufacturing device using the same | |
US7049611B2 (en) | Charged-particle beam lithographic system | |
JP6948765B2 (en) | Multi-beam drawing with diagonally arranged exposure stripes | |
WO2008044479A1 (en) | Electron beam lithography system and electron beam lithography | |
JP2007019061A (en) | Electron beam exposure system, electronic beam defocus correction method, and measuring method of electron beam defocus | |
JP7192254B2 (en) | Multi-charged particle beam drawing device and its adjustment method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190530 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200526 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200720 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201211 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201224 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6823823 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |