JP6822647B2 - 電力供給装置、回路基板及び電池保存方法 - Google Patents

Description

本発明は、電力供給装置、回路基板及び電池保存方法に関する。

アミューズメント用途の機器で使用されるモジュールでは、回路素子や電池が回路基板に直接実装されている場合が多い。
特許文献１には、関連する技術として、電池を搭載したメモリバックアップ用の回路基板に関する技術が開示されている。特許文献１に記載されている回路基板は、コネクタを介してメモリバックアップを実現する回路基板であり、搭載される電池は充電可能である。

実開平０４−０５４０９９号公報

回路素子や電池が回路基板に直接実装されるモジュールでは、回路素子や電池が回路基板に実装された時点で回路素子を介してモジュールの負荷に電流が流れ、モジュールの検査が行われる前に電池の消耗が開始されてしまう。特に、負荷が抵抗性の素子を含む場合には、負荷に電流が流れ続け、電池の消耗が激しくなる。
そこで、電池と負荷との間に機械スイッチを設けて電池から負荷への電力の経路を開状態と閉状態に切り替えることが考えられる。
しかしながら、アミューズメント用途などの機器で使用されるモジュールでは使用できる部品に制約があり、機械スイッチやコネクタなどの部品の使用ができない場合がある。また、信頼性を担保する見地から、機械スイッチやコネクタをできるだけ使用しない方が望ましい。
特許文献１に記載された回路基板と同様に電池として充電可能な電池を用いることも考えられる。しかしながら、この場合にも充電を行うためにはコネクタが必要であり、コネクタを使用できない場合がある。
そのため、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことのできる技術が求められていた。

本発明は、上記の課題を解決することのできる電力供給装置、回路基板及び電池保存方法を提供することを目的としている。

上記目的を達成するために、本発明は、外部に電力を供給する電源と前記電源から電力を受ける負荷との間に設けられ所定の端子に印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わるスイッチング素子と、サイリスタ、第１端子が前記サイリスタのカソードに接続される第１抵抗、第１端子が前記カソードに接続されるトランジスタ、及び、第１端子が前記トランジスタの第２端子に接続される第２抵抗を有し、前記サイリスタのアノードが前記電源の第１端子に接続され、前記第１抵抗の第２端子が前記電源の第２端子に接続され、前記トランジスタの第３端子が前記電源の第２端子に接続され、前記第２抵抗の第２端子が前記電源の第１端子に接続され、前記トランジスタの第２端子が前記所定の端子に接続され、前記所定の端子に印加される電圧に基づいて前記スイッチング素子を開状態に維持する電圧保持部と、を備える電力供給装置である。

また、本発明は、上記の電力供給装置と、前記電源と、を備える回路基板である。

また、本発明は、外部に電力を供給する電源と前記電源から電力を受ける負荷との間に設けられ所定の端に印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わるスイッチング素子と、サイリスタ、第１端子が前記サイリスタのカソードに接続される第１抵抗、第１端子が前記カソードに接続されるトランジスタ、及び、第１端子が前記トランジスタの第２端子に接続される第２抵抗を有し、前記サイリスタのアノードが前記電源の第１端子に接続され、前記第１抵抗の第２端子が前記電源の第２端子に接続され、前記トランジスタの第３端子が前記電源の第２端子に接続され、前記第２抵抗の第２端子が前記電源の第１端子に接続され、前記トランジスタの第２端子が前記所定の端子に接続される電圧保持部と、を備える電力供給装置による電池保存方法であって、前記所定の端子における電圧に基づいて前記スイッチング素子を開状態に維持する、電池保存方法である。

本発明によれば、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことができる。

本発明の第一の実施形態による電力供給装置の最小構成を示す図である。 本発明の第二の実施形態による電力供給装置の構成を示す図である。 本発明の第二の実施形態における回路基板上の実装例を示す図である。 本発明の第二の実施形態による回路基板の切断を説明するための図である。 本発明の第二の実施形態による電力供給装置の真理値表を示す図である。 本発明の第三の実施形態による電力供給装置の構成を示す図である。 本発明の第三の実施形態による電力供給装置の真理値表を示す図である。 本発明の第四の実施形態による電力供給装置の構成を示す図である。 本発明の第四の実施形態による電力供給装置の真理値表を示す図である。 本発明の第五の実施形態による電力供給装置の構成を示す図である。 本発明の第五の実施形態による電力供給装置の真理値表を示す図である。 本発明の第六の実施形態による電力供給装置の構成を示す図である。 本発明の第六の実施形態による電力供給装置の真理値表を示す第１の図である。 本発明の第六の実施形態による電力供給装置の真理値表を示す第２の図である。 本発明の第七の実施形態による電力供給装置の構成を示す図である。 本発明の第七の実施形態による電力供給装置の真理値表を示す第１の図である。 本発明の第七の実施形態による電力供給装置の真理値表を示す第２の図である。

＜第一の実施形態＞
本発明の第一の実施形態による電力供給装置について説明する。
本発明の第一の実施形態による電力供給装置は、本発明の最小構成の電力供給装置である。

本発明の第一の実施形態による電力供給装置１は、図１に示すように、少なくとも、電源１０と、スイッチング素子２０と、電圧保持部３０と、を備える。

電源１０は、外部に電力を供給する。
スイッチング素子２０は、電源１０と図示されていない負荷との間に設けられる。スイッチング素子２０は、ゲートを備える。スイッチング素子２０は、ゲートに印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。
電圧保持部３０は、スイッチング素子２０を開状態に維持する。

このようにすれば、電力供給装置１は、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことができる。

＜第二の実施形態＞
本発明の第二の実施形態による電力供給装置について説明する。
本発明の第二の実施形態による電力供給装置１は、図２に示すように、電源１０と、スイッチング素子２０と、電圧保持部３０と、を備える。
なお、図２には、負荷４０が示されている。

電源１０は、例えば、電池である。
スイッチング素子２０は、例えば、図２に示すｐＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタである。
電圧保持部３０は、抵抗３０１を備える。

電源１０、スイッチング素子２０、電圧保持部３０、負荷４０のそれぞれは、図３に示すように、回路基板５０上に実装される。

電源１０の高電圧側の端子ａ１は、回路基板５０におけるパターン配線（以下、「パターン配線」と記載）を介して、スイッチング素子２０のソース、スイッチング素子２０のゲート（所定の端子）、抵抗３０１の端子ｃ１のそれぞれに接続される。

電源１０の低電圧側の端子ｂ１は、パターン配線を介して、抵抗３０１の端子ｄ１、負荷４０の端子ｅ１のそれぞれに接続される。

スイッチング素子２０のドレインは、パターン配線を介して、負荷４０の端子ｆ１に接続される。

なお、端子ｂ１、端子ｄ１、端子ｅ１のそれぞれは、図示されていないグラウンドパターン配線を介して接続されている。

スイッチング素子２０のソース、スイッチング素子のゲート、抵抗３０１の端子ｃ１のそれぞれには、電源１０によってＨｉｇｈ状態を示す同一の電圧が印加される。

スイッチング素子２０は、ソースとゲートのそれぞれに同一の電圧が印加されると、開状態となり、負荷４０に電流をほとんど流さない。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。
なお、このとき、電力供給装置１において流れる全電流の大部分は、電源１０によって印加された電圧により抵抗３０１が流す電流である。

ここで、図２に示す電力供給装置１において、電源１０の端子ａ１と抵抗３０１の端子ｃ１とを接続しているパターン配線Ａ１（第１配線、図２におけるＡ−Ａ’間のパターン配線）が切断される。
例えば、パターン配線Ａ１の切断は、図３で示す回路基板５０のように、Ａ−Ａ’間にミシン目（スリット）の加工を施し、ミシン目に沿って回路基板５０を切断することにより実現される。このとき、図３で示す回路基板５０は、回路基板５０ａと回路基板５０ｂのそれぞれに分離される。
なお、パターン配線Ａ１の切断を行うために施される回路基板５０の加工は、ミシン目の加工のほか、図４に示すＶカットラインなどの回路基板の一部を切断するための加工であってもよい。

パターン配線Ａ１が切断された場合、スイッチング素子２０のソースには、電源１０によって、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧が印加される。また、抵抗３０１の端子ｃ１には電源１０によるＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加されなくなるため、抵抗３０１は、電流を流さない。そのため、抵抗３０１の端子ｃ１、スイッチング素子２０のゲートのそれぞれには、電源１０によってＬｏｗ状態を示す電圧が印加される。
スイッチング素子２０のゲートがスイッチング素子２０のソースよりも電圧が低くなり、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）の絶対値がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなる。

スイッチング素子２０は、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）の絶対値がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなると、閉状態となり、負荷４０に電流を流す。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。
なお、このとき、スイッチング素子２０は、ｐＭＯＳトランジスタの線形領域で動作する。

したがって、図５に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、パターン配線Ａ１が切断される前には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。
また、図５に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、パターン配線Ａ１が切断された後には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。

以上、本発明の第二の実施形態による電力供給装置１において、電源１０は、負荷４０に電力を供給する。スイッチング素子２０は、電源１０と負荷４０との間に設けられる。スイッチング素子２０は、ゲート（所定の端子）を備える。スイッチング素子２０は、ゲートに印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。電圧保持部３０は、電源１０と並列に接続され端子ｃ１（一端）がゲートに接続されてスイッチング素子２０を開状態に維持する抵抗３０１を備える。また、スイッチング素子２０は、ゲートに接続される電源１０と抵抗３０１との間のパターン配線Ａ１（第１配線）が切断された場合に、開状態から閉状態へと切り替わる。
このようにすれば、電力供給装置１は、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことができる。

＜第三の実施形態＞
本発明の第三の実施形態による電力供給装置について説明する。
本発明の第三の実施形態による電力供給装置１は、図６に示すように、電源１０と、スイッチング素子２０と、電圧保持部３０と、を備える。
なお、図６には、負荷４０が示されている。

スイッチング素子２０は、例えば、図６に示すｎＭＯＳトランジスタである。
電圧保持部３０は、抵抗３０１を備える。

電源１０、スイッチング素子２０、電圧保持部３０、負荷４０のそれぞれは、回路基板５０上に実装される。

電源１０の高電圧側の端子ａ２は、パターン配線を介して、抵抗３０１の端子ｃ２、負荷４０の端子ｅ２のそれぞれに接続される。

電源１０の低電圧側の端子ｂ２は、パターン配線を介して、スイッチング素子２０のソース、スイッチング素子２０のゲート（所定の端子）、抵抗３０１の端子ｄ２のそれぞれに接続される。

スイッチング素子２０のドレインは、パターン配線を介して、負荷４０の端子ｆ２に接続される。

スイッチング素子２０のソース、スイッチング素子のゲート、抵抗３０１の端子ｄ２のそれぞれには、電源１０によってＬｏｗ状態を示す同一の電圧が印加される。

スイッチング素子２０は、ソースとゲートのそれぞれに同一の電圧が印加されると、開状態となり、負荷４０に電流をほとんど流さない。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。
なお、このとき、電力供給装置１において流れる全電流の大部分は、電源１０によって印加された電圧により抵抗３０１が流す電流である。

ここで、図６に示す電力供給装置１において、電源１０の端子ｂ２と抵抗３０１の端子ｄ２とを接続しているパターン配線Ｂ１（第１配線、図６におけるＢ−Ｂ’間のパターン配線）が切断される。
パターン配線Ｂ１の切断は、回路基板５０におけるＢ−Ｂ’間にミシン目の加工を施し、ミシン目に沿って回路基板５０を切断することにより実現される。

パターン配線Ｂ１が切断された場合、スイッチング素子２０のソースには、電源１０によって、Ｌｏｗ状態を示す電圧が印加される。また、抵抗３０１の端子ｄ２には電源１０によるＬｏｗ状態を示す電圧が印加されなくなるため、抵抗３０１は、電流を流さない。そのため、抵抗３０１の端子ｄ２、スイッチング素子２０のゲートのそれぞれには、電源１０によってＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加される。
スイッチング素子２０のゲートがスイッチング素子２０のソースよりも電圧が高くなり、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなる。

スイッチング素子２０は、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなると、閉状態となり、負荷４０に電流を流す。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。
なお、このとき、スイッチング素子２０は、ｎＭＯＳトランジスタの線形領域で動作する。

したがって、図７に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、パターン配線Ｂ１が切断される前には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。
また、図７に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、パターン配線Ｂ１が切断された後には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０から負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。

以上、本発明の第三の実施形態による電力供給装置１において、電源１０は、負荷４０に電力を供給する。スイッチング素子２０は、電源１０と負荷４０との間に設けられる。スイッチング素子２０は、ゲート（所定の端子）を備える。スイッチング素子２０は、ゲートに印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。電圧保持部３０は、電源１０と並列に接続され端子ｄ２（一端）がゲートに接続されてスイッチング素子２０を開状態に維持する抵抗３０１を備える。また、スイッチング素子２０は、ゲートに接続される電源１０と抵抗３０１との間のパターン配線Ｂ１（第１配線）が切断された場合に、開状態から閉状態へと切り替わる。
このようにすれば、電力供給装置１は、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことができる。

＜第四の実施形態＞
本発明の第四の実施形態による電力供給装置について説明する。
本発明の第四の実施形態による電力供給装置１は、図８に示すように、電源１０と、スイッチング素子２０と、電圧保持部３０と、を備える。
なお、図８には、負荷４０が示されている。

電源１０は、例えば、電池である。
スイッチング素子２０は、例えば、図８に示すｐＭＯＳトランジスタである。
電圧保持部３０は、抵抗３０１と、サイリスタ３０２と、抵抗３０３と、ｎＭＯＳトランジスタ３０４と、を備える。

電源１０、スイッチング素子２０、電圧保持部３０、負荷４０のそれぞれは、回路基板５０上に実装される。

電源１０の高電圧側の端子ａ３は、パターン配線を介して、スイッチング素子２０のソース、抵抗３０１の端子ｃ３、サイリスタ３０２のアノードのそれぞれに接続される。

電源１０の低電圧側の端子ｂ３は、パターン配線を介して、抵抗３０３の端子ｅ３、ｎＭＯＳトランジスタ３０４のソース、負荷４０の端子ｇ３のそれぞれに接続される。

スイッチング素子２０のゲートは、パターン配線を介して、抵抗３０１の端子ｄ３、ｎＭＯＳトランジスタ３０４のドレインのそれぞれに接続される。

スイッチング素子２０のドレインは、パターン配線を介して、負荷４０の端子ｈ３に接続される。

サイリスタ３０２のカソードは、パターン配線を介して、抵抗３０３の端子ｆ３、ｎＭＯＳトランジスタ３０４のゲートのそれぞれに接続される。
なお、サイリスタ３０２のゲートは、単独で存在する端子である。

スイッチング素子２０のソース、抵抗３０１の端子ｃ３、サイリスタ３０２のアノードのそれぞれには、電源１０によってＨｉｇｈ状態を示す同一の電圧が印加される。

サイリスタ３０２のゲートにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合、サイリスタ３０２は、オフ状態であり、抵抗３０３に電流を流さない。
その結果、ｎＭＯＳトランジスタ３０４のゲートは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。

ｎＭＯＳトランジスタのゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、ｎＭＯＳトランジスタ３０４はオフ状態であり、抵抗３０１に電流を流さない。
その結果、スイッチング素子２０のゲートは、ソースと同一の電位となる。

スイッチング素子２０は、ソースとゲートのそれぞれが同一の電位となると、開状態となり、負荷４０に電流をほとんど流さない。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。

また、サイリスタ３０２のゲートにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加された場合、サイリスタ３０２は、オン状態であり、抵抗３０３に電流を流す。
その結果、ｎＭＯＳトランジスタ３０４のゲートは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となり、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）がｎＭＯＳトランジスタ３０４のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなる。

ｎＭＯＳトランジスタ３０４は、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）がソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなると、オン状態となり、抵抗３０１に電流を流す。
その結果、スイッチング素子２０のゲートは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。

このとき、スイッチング素子２０は、スイッチング素子２０のゲートがスイッチング素子２０のソースよりも電圧が低くなり、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）の絶対値がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなる。

スイッチング素子２０は、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）の絶対値がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなると、閉状態となり、負荷４０に電流を流す。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。
なお、このとき、スイッチング素子２０は、ｐＭＯＳトランジスタの線形領域で動作する。

したがって、上述のサイリスタのゲートがＬｏｗ状態の電圧を示す状態を切り替え前、サイリスタのゲートがＨｉｇｈ状態の電圧を示す状態を切り替え後とすると、図９に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、切り替え前には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。
また、図９に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、切り替え後には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。

以上、本発明の第四の実施形態による電力供給装置１において、電源１０は、負荷４０に電力を供給する。スイッチング素子２０は、電源１０と負荷４０との間に設けられる。スイッチング素子２０は、ゲート（所定の端子）を備える。スイッチング素子２０は、ゲートに印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。電圧保持部３０は、抵抗３０１と、サイリスタ３０２と、抵抗３０３と、ｎＭＯＳトランジスタ３０４と、を備える。サイリスタのゲートがＬｏｗ状態の電圧を示す状態を切り替え前、サイリスタのゲートがＨｉｇｈ状態の電圧を示す状態を切り替え後とすると、電圧保持部３０は、切り替え前には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。また、電圧保持部３０は、切り替え後には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。
このようにすれば、電力供給装置１は、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことができる。

＜第五の実施形態＞
本発明の第五の実施形態による電力供給装置について説明する。
本発明の第五の実施形態による電力供給装置１は、図１０に示すように、電源１０と、スイッチング素子２０と、電圧保持部３０と、を備える。
なお、図１０には、負荷４０が示されている。

電源１０は、例えば、電池である。
スイッチング素子２０は、例えば、図１０に示すｎＭＯＳトランジスタである。
電圧保持部３０は、抵抗３０１と、サイリスタ３０２と、抵抗３０３と、ｐＭＯＳトランジスタ３０５と、を備える。

電源１０、スイッチング素子２０、電圧保持部３０、負荷４０のそれぞれは、回路基板５０上に実装される。

電源１０の低電圧側の端子ａ４は、パターン配線を介して、抵抗３０３の端子ｃ４、ｐＭＯＳトランジスタ３０５のソース、負荷４０の端子ｇ４のそれぞれに接続される。

電源１０の高電圧側の端子ｂ４は、パターン配線を介して、スイッチング素子２０のソース、抵抗３０１の端子ｅ４、サイリスタ３０２のカソードのそれぞれに接続される。

スイッチング素子２０のゲートは、パターン配線を介して、抵抗３０１の端子ｆ４、ｐＭＯＳトランジスタ３０５のドレインのそれぞれに接続される。

スイッチング素子２０のドレインは、パターン配線を介して、負荷４０の端子ｈ４に接続される。

サイリスタ３０２のアノードは、パターン配線を介して、抵抗３０３の端子ｄ４、ｐＭＯＳトランジスタ３０５のゲートのそれぞれに接続される。
なお、サイリスタ３０２のゲートは、単独で存在する端子である。

スイッチング素子２０のソース、抵抗３０１の端子ｅ４、サイリスタ３０２のカソードのそれぞれには、電源１０によってＬｏｗ状態を示す同一の電圧が印加される。

サイリスタ３０２のゲートにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合、サイリスタ３０２は、オフ状態であり、抵抗３０３に電流を流さない。
その結果、ｐＭＯＳトランジスタ３０５のゲートは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。

ｐＭＯＳトランジスタのゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、ｐＭＯＳトランジスタ３０５はオフ状態であり、抵抗３０１に電流を流さない。
その結果、スイッチング素子２０のゲートは、ソースと同一の電位となる。

スイッチング素子２０は、ソースとゲートのそれぞれが同一の電位となると、開状態となり、負荷４０に電流をほとんど流さない。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。

また、サイリスタ３０２のゲートにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加された場合、サイリスタ３０２は、オン状態であり、抵抗３０３に電流を流す。
その結果、ｐＭＯＳトランジスタ３０５のゲートは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となり、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）の絶対値がｐＭＯＳトランジスタ３０５のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなる。

ｐＭＯＳトランジスタ３０５は、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）の絶対値がソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなると、オン状態となり、抵抗３０１に電流を流す。
その結果、スイッチング素子２０のゲートは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。

このとき、スイッチング素子２０は、スイッチング素子２０のゲートがスイッチング素子２０のソースよりも電圧が高くなり、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなる。

スイッチング素子２０は、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなると、閉状態となり、負荷４０に電流を流す。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。
なお、このとき、スイッチング素子２０は、ｎＭＯＳトランジスタの線形領域で動作する。

したがって、上述のサイリスタのゲートがＬｏｗ状態の電圧を示す状態を切り替え前、サイリスタのゲートがＨｉｇｈ状態の電圧を示す状態を切り替え後とすると、図１１に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、切り替え前には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、スイッチング素子２０のゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。
また、図１１に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、切り替え後には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、スイッチング素子２０のゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。

以上、本発明の第五の実施形態による電力供給装置１において、電源１０は、負荷４０に電力を供給する。スイッチング素子２０は、電源１０と負荷４０との間に設けられる。スイッチング素子２０は、ゲート（所定の端子）を備える。スイッチング素子２０は、ゲートに印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。電圧保持部３０は、抵抗３０１と、サイリスタ３０２と、抵抗３０３と、ｐＭＯＳトランジスタ３０５と、を備える。サイリスタのゲートがＬｏｗ状態の電圧を示す状態を切り替え前、サイリスタのゲートがＨｉｇｈ状態の電圧を示す状態を切り替え後とすると、電圧保持部３０は、切り替え前には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、スイッチング素子２０のゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。また、電圧保持部３０は、切り替え後には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、スイッチング素子２０のゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。
このようにすれば、電力供給装置１は、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことができる。

＜第六の実施形態＞
本発明の第六の実施形態による電力供給装置について説明する。
本発明の第六の実施形態による電力供給装置１は、図１２に示すように、電源１０と、スイッチング素子２０と、電圧保持部３０と、を備える。
なお、図１２には、負荷４０が示されている。

電源１０は、例えば、電池である。
スイッチング素子２０は、例えば、図１２に示すｐＭＯＳトランジスタである。
電圧保持部３０は、ＳＲ−ＦＦ（Ｓｅｔ−Ｒｅｓｅｔ Ｆｌｉｐ−Ｆｌｏｐ）３０６と、抵抗３０７と、抵抗３０８と、を備える。

電源１０、スイッチング素子２０、電圧保持部３０、負荷４０のそれぞれは、回路基板５０上に実装される。また、回路基板５０上には、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓ、端子Ｒ、端子ＧＮＤが設けられている。

電源１０の高電圧側の端子ａ５は、パターン配線を介して、スイッチング素子２０のソース、ＳＲ−ＦＦ３０６の電源端子Ｖのそれぞれに接続される。

電源１０の低電圧側の端子ｂ５は、パターン配線を介して、ＳＲ−ＦＦ３０６のＧＮＤ、抵抗３０７の端子ｃ５、抵抗３０８の端子ｅ５、負荷４０の端子ｇ５、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＧＮＤのそれぞれに接続される。

スイッチング素子２０のゲートは、パターン配線を介して、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｑに接続される。

スイッチング素子２０のドレインは、パターン配線を介して、負荷４０の端子ｈ５に接続される。

ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｓは、パターン配線を介して、抵抗３０８の端子ｆ５、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓのそれぞれに接続される。

ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｒは、パターン配線を介して、抵抗３０７の端子ｄ５、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｒのそれぞれに接続される。

ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合、ＳＲ−ＦＦ３０６の出力Ｑは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となり、スイッチング素子２０のソースとゲートのそれぞれが同一の電位となる。

スイッチング素子２０は、ソースとゲートのそれぞれが同一の電位となると、開状態となり、負荷４０に電流をほとんど流さない。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。

次に、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓと端子ＲのそれぞれにＬｏｗ状態を示す電圧が印加されると、ＳＲ−ＦＦ３０６は、直前の状態を保持し、ＳＲ−ＦＦ３０６の出力Ｑは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧を保持する。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｌｏｗ状態を示す電圧を保持する。

また、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＬｏｗ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加される場合、ＳＲ−ＦＦ３０６の出力Ｑは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。

このとき、スイッチング素子２０は、スイッチング素子２０のゲートがスイッチング素子２０のソースよりも電圧が低くなり、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）の絶対値がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなる。

スイッチング素子２０は、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）の絶対値がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなると、閉状態となり、負荷４０に電流を流す。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。
なお、このとき、スイッチング素子２０は、ｐＭＯＳトランジスタの線形領域で動作する。

したがって、上述のＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合を保管前、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓと端子ＲのそれぞれにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合を保管後、その後にＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＬｏｗ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加される場合を設定時とすると、図１３に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、保管時及び保管後には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。
また、図１３に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、設定後には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。
なお、図１３に示す真理値表における切断後とは、回路基板５０が切断され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓ、端子Ｒ、端子ＧＮＤが回路基板５０から切り離された状態を示している。ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓ、端子Ｒ、端子ＧＮＤが回路基板５０から切り離されても、設定時の論理状態は変化しない。

なお、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｑをスイッチング素子２０のゲートに接続させる代わりに出力Ｑの論理状態を反転した端子Ｑｂａｒをスイッチング素子２０のゲートに接続させてもよい。ただし、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｑをスイッチング素子２０のゲートに接続させる代わりに端子Ｑｂａｒをスイッチング素子２０のゲートに接続させる場合、図１４に示す真理値表のように、ＳＲ−ＦＦの入力Ｓと、入力Ｒとを変更する必要がある。

また、ＳＲ−ＦＦ３０６の代わりにＪＫ−ＦＦ（ＪＫ Ｆｌｉｐ−Ｆｌｏｐ）を用いてもよい。その場合、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｓの代わりがＪＫ−ＦＦの端子Ｊである。また、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｒの代わりがＪＫ−ＦＦの端子Ｋである。

以上、本発明の第六の実施形態による電力供給装置１において、電源１０は、負荷４０に電力を供給する。スイッチング素子２０は、電源１０と負荷４０との間に設けられる。スイッチング素子２０は、ゲート（所定の端子）を備える。スイッチング素子２０は、ゲートに印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。電圧保持部３０は、ＳＲ−ＦＦ３０６と、抵抗３０７と、抵抗３０８と、を備える。電源１０、スイッチング素子２０、電圧保持部３０、負荷４０のそれぞれは、回路基板５０上に実装される。回路基板５０上には、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓ、端子Ｒ、端子ＧＮＤが設けられている。ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合を保管前とする。ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓと端子ＲのそれぞれにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合を保管後とする。その後にＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＬｏｗ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加される場合を設定時とする。電圧保持部３０は、保管時及び保管後には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。また、電圧保持部３０は、設定後には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。
このようにすれば、電力供給装置１は、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことができる。

＜第七の実施形態＞
本発明の第七の実施形態による電力供給装置について説明する。
本発明の第七の実施形態による電力供給装置１は、図１５に示すように、電源１０と、スイッチング素子２０と、電圧保持部３０と、を備える。
なお、図１５には、負荷４０が示されている。

電源１０は、例えば、電池である。
スイッチング素子２０は、例えば、図１５に示すｎＭＯＳトランジスタである。
電圧保持部３０は、ＳＲ−ＦＦ３０６と、抵抗３０７と、抵抗３０８と、を備える。

電源１０、スイッチング素子２０、電圧保持部３０、負荷４０のそれぞれは、回路基板５０上に実装される。また、回路基板５０上には、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓ、端子Ｒ、端子ＧＮＤが設けられている。

電源１０の高電圧側の端子ａ６は、パターン配線を介して、スイッチング素子２０のソース、ＳＲ−ＦＦ３０６の電源端子Ｖのそれぞれに接続される。

電源１０の低電圧側の端子ｂ６は、パターン配線を介して、ＳＲ−ＦＦ３０６のＧＮＤ、抵抗３０７の端子ｃ６、抵抗３０８の端子ｅ６、負荷４０の端子ｇ６、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＧＮＤのそれぞれに接続される。

スイッチング素子２０のゲートは、パターン配線を介して、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｑｂａｒに接続される。

スイッチング素子２０のドレインは、パターン配線を介して、負荷４０の端子ｈ５に接続される。

ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｓは、パターン配線を介して、抵抗３０８の端子ｆ５、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓのそれぞれに接続される。

ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｒは、パターン配線を介して、抵抗３０７の端子ｄ５、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｒのそれぞれに接続される。

ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合、ＳＲ−ＦＦ３０６の出力Ｑｂａｒは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となり、スイッチング素子２０のソースとゲートのそれぞれが同一の電位となる。

スイッチング素子２０は、ソースとゲートのそれぞれが同一の電位となると、開状態となり、負荷４０に電流をほとんど流さない。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。

次に、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓと端子ＲのそれぞれにＬｏｗ状態を示す電圧が印加されると、ＳＲ−ＦＦ３０６は、直前の状態を保持し、ＳＲ−ＦＦ３０６の出力Ｑｂａｒは、Ｌｏｗ状態を示す電圧を保持する。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧を保持する。

また、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＬｏｗ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加される場合、ＳＲ−ＦＦ３０６の出力Ｑｂａｒは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。

このとき、スイッチング素子２０は、スイッチング素子２０のゲートがスイッチング素子２０のソースよりも電圧が高くなり、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなる。

スイッチング素子２０は、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなると、閉状態となり、負荷４０に電流を流す。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。
なお、このとき、スイッチング素子２０は、ｎＭＯＳトランジスタの線形領域で動作する。

したがって、上述のＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合を保管前、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓと端子ＲのそれぞれにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合を保管後、その後にＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＬｏｗ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加される場合を設定時とすると、図１６に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、保管時及び保管後には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。
また、図１６に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、設定後には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。
なお、図１６に示す真理値表における切断後とは、回路基板５０が切断され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓ、端子Ｒ、端子ＧＮＤが回路基板５０から切り離された状態を示している。ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓ、端子Ｒ、端子ＧＮＤが回路基板５０から切り離されても、設定時の論理状態は変化しない。

なお、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｑｂａｒをスイッチング素子２０のゲートに接続させる代わりに出力Ｑｂａｒの論理状態を反転した端子Ｑをスイッチング素子２０のゲートに接続させてもよい。ただし、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｑｂａｒをスイッチング素子２０のゲートに接続させる代わりに端子Ｑをスイッチング素子２０のゲートに接続させる場合、図１７に示す真理値表のように、ＳＲ−ＦＦの入力Ｓと、入力Ｒとを変更する必要がある。

また、ＳＲ−ＦＦ３０６の代わりにＪＫ−ＦＦを用いてもよい。その場合、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｓの代わりがＪＫ−ＦＦの端子Ｊである。また、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｒの代わりがＪＫ−ＦＦの端子Ｋである。

以上、本発明の第七の実施形態による電力供給装置１において、電源１０は、負荷４０に電力を供給する。スイッチング素子２０は、電源１０と負荷４０との間に設けられる。スイッチング素子２０は、ゲート（所定の端子）を備える。スイッチング素子２０は、ゲートに印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。電圧保持部３０は、ＳＲ−ＦＦ３０６と、抵抗３０７と、抵抗３０８と、を備える。電源１０、スイッチング素子２０、電圧保持部３０、負荷４０のそれぞれは、回路基板５０上に実装される。回路基板５０上には、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓ、端子Ｒ、端子ＧＮＤが設けられている。ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合を保管前とする。ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓと端子ＲのそれぞれにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合を保管後とする。その後にＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＬｏｗ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加される場合を設定時とする。電圧保持部３０は、保管時及び保管後には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。また、電圧保持部３０は、設定後には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。
このようにすれば、電力供給装置１は、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことができる。

なお、本発明の実施形態における真理値表は、負荷４０として抵抗性の負荷を想定した場合の論理を示している。しかしながら、本発明の実施形態における負荷４０は、抵抗性の負荷に限定するものではない。本発明の実施形態における負荷４０は、それぞれのモジュールの用途に応じた負荷（例えば、容量性の負荷）であってよい。

なお、本発明の実施形態による電力供給装置１は、ｐＭＯＳトランジスタの代わりにｐｎｐバイポーラトランジスタを用いて構成されてもよい。また、本発明の実施形態による電力供給装置１は、ｎＭＯＳトランジスタの代わりにｎｐｎバイポーラトランジスタを用いて構成されてもよい。

なお、本発明の実施形態における処理は、適切な処理が行われる範囲において、処理の順番が入れ替わってもよい。

本発明の実施形態における記憶部のそれぞれは、適切な情報の送受信が行われる範囲においてどこに備えられていてもよい。また、記憶部のそれぞれは、適切な情報の送受信が行われる範囲において複数存在しデータを分散して記憶していてもよい。

本発明の実施形態について説明したが、上述の電力供給装置１のそれぞれは内部に、コンピュータシステムを有していてもよい。そして、上述した処理の過程は、プログラムの形式でコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶されており、このプログラムをコンピュータが読み出して実行することによって、上記処理が行われる。ここでコンピュータ読み取り可能な記録媒体とは、磁気ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、半導体メモリ等をいう。また、このコンピュータプログラムを通信回線によってコンピュータに配信し、この配信を受けたコンピュータがそのプログラムを実行するようにしてもよい。

また、上記プログラムは、前述した機能の一部を実現してもよい。さらに、上記プログラムは、前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるファイル、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であってもよい。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例であり、発明の範囲を限定しない。これらの実施形態は、発明の要旨を逸脱しない範囲で、追加、種々の省略、置き換え、変更を行ってよい。

１・・・電力供給装置
１０・・・電源
２０・・・スイッチング素子
３０・・・電圧保持部
４０・・・負荷
５０、５０ａ、５０ｂ・・・回路基板
３０１、３０３、３０７、３０８・・・抵抗
３０２・・・サイリスタ
３０４・・・ｎＭＯＳトランジスタ
３０５・・・ｐＭＯＳトランジスタ
３０６・・・ＳＲ−ＦＦ
Ａ１・・・パターン配線

Claims (5)

1. 外部に電力を供給する電源と前記電源から電力を受ける負荷との間に設けられ所定の端子に印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わるスイッチング素子と、
   サイリスタ、第１端子が前記サイリスタのカソードに接続される第１抵抗、第１端子が前記カソードに接続されるトランジスタ、及び、第１端子が前記トランジスタの第２端子に接続される第２抵抗を有し、前記サイリスタのアノードが前記電源の第１端子に接続され、前記第１抵抗の第２端子が前記電源の第２端子に接続され、前記トランジスタの第３端子が前記電源の第２端子に接続され、前記第２抵抗の第２端子が前記電源の第１端子に接続され、前記トランジスタの第２端子が前記所定の端子に接続され、前記所定の端子に印加される電圧に基づいて前記スイッチング素子を開状態に維持する電圧保持部と、
   を備える電力供給装置。
2. 前記スイッチング素子は、
   前記サイリスタがオフ状態からオン状態に切り替わった場合に、開状態から閉状態へと切り替わる、
   請求項１に記載の電力供給装置。
3. 前記スイッチング素子は、
   ＭＯＳトランジスタである、
   請求項１または請求項２に記載の電力供給装置。
4. 請求項１から請求項３の何れか一項に記載の電力供給装置と、
   前記電源と、
   を備える回路基板。
5. 外部に電力を供給する電源と前記電源から電力を受ける負荷との間に設けられ所定の端に印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わるスイッチング素子と、サイリスタ、第１端子が前記サイリスタのカソードに接続される第１抵抗、第１端子が前記カソードに接続されるトランジスタ、及び、第１端子が前記トランジスタの第２端子に接続される第２抵抗を有し、前記サイリスタのアノードが前記電源の第１端子に接続され、前記第１抵抗の第２端子が前記電源の第２端子に接続され、前記トランジスタの第３端子が前記電源の第２端子に接続され、前記第２抵抗の第２端子が前記電源の第１端子に接続され、前記トランジスタの第２端子が前記所定の端子に接続される電圧保持部と、を備える電力供給装置による電池保存方法であって、
   前記所定の端子における電圧に基づいて前記スイッチング素子を開状態に維持する、電池保存方法。

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