JP6815775B2

JP6815775B2 - Substrate and image forming device

Info

Publication number: JP6815775B2
Application number: JP2016142369A
Authority: JP
Inventors: 田中　俊輔; 俊輔田中
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2016-07-20
Filing date: 2016-07-20
Publication date: 2021-01-20
Anticipated expiration: 2036-07-20
Also published as: JP2018014385A

Description

本発明は、リフロー方式により接点パターンを形成する基板、及び基板を備えた画像形成装置に関する。 The present invention relates to a substrate that forms a contact pattern by a reflow method, and an image forming apparatus including the substrate.

基板と基板に対向する部品とを電気的に接続する方法として、基板と部品とをコイルバネ状の弾性部材でできた接点バネで接続する方法がある。この方法は、部品と接点バネとの間は金属接点等を介して電気的に接続を確保し、基板と接点バネとの間は、基板上に設けられた接点パターンに接点バネを接触させることで、電気的に接続を確保するものである。部品を基板にはんだ付けする方法として、リフロー方式と呼ばれる方法がある。リフロー方式とは、予めクリーム状の半田（クリーム半田）を基板の必要な箇所に塗布しておき、次に表面実装する部品を基板上の所定の位置に載せ、最後に基板ごと高温の炉を通すことで半田を溶かして、部品と基板をはんだ付けする方式である。上述した基板上の接点は、リフロー時に、接点パターンとして設けられた銅箔パターンに半田を塗布することで形成される。銅箔パターンに半田を塗布する理由は、接点部分を銅箔が剥き出し状態のままにしておくと、経時劣化で銅の表面が酸化し接点部分が非導通状態となり、接点バネとの電気的な接続が確保できなくなるおそれがあるためである。 As a method of electrically connecting the substrate and the component facing the substrate, there is a method of connecting the substrate and the component with a contact spring made of an elastic member like a coil spring. In this method, an electrical connection is secured between the component and the contact spring via a metal contact or the like, and the contact spring is brought into contact with the contact pattern provided on the board between the substrate and the contact spring. So, it secures the connection electrically. As a method of soldering parts to a substrate, there is a method called a reflow method. In the reflow method, cream-like solder (cream solder) is applied to the required parts of the board in advance, then the parts to be surface-mounted are placed at predetermined positions on the board, and finally the high-temperature furnace is installed together with the board. This is a method in which the solder is melted by passing it through and the parts and the board are soldered. The above-mentioned contacts on the substrate are formed by applying solder to a copper foil pattern provided as a contact pattern at the time of reflow. The reason for applying solder to the copper foil pattern is that if the copper foil is left exposed at the contact part, the copper surface will oxidize due to aging and the contact part will become non-conducting, and the contact part will be electrically connected to the contact spring. This is because the connection may not be secured.

例えば、特許文献１では、リフロー方式での接点パターンの形成方法が開示されている。従来例の接点パターンの形成方法について図９を用いて説明する。図９は、従来例のリフロー方式による接点パターンの形成方法を説明する図である。図９（ａ）はクリーム半田を塗布する前の接点パターンを示す図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）に示す接点パターンにクリーム半田を塗布した状態を示す図であり、図９（ｃ）はリフロー後のクリーム半田が溶融した後の接点パターンの状態を示す図である。図９（ａ）において、基板１１１上に設けられた接点パターンは、中心から放射状に形成された、複数の導電性の銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅから構成されている。銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅは、中心部で互いに接続され、レジスト１０２ａ（図中、灰色部分）で覆われている。また、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの中心から離れた側の端部も、円環状のレジスト１０２ｂ（図中、灰色部分）により覆われている。なお、図中、黒い部分は、むき出しの銅箔パターンの部分を示す。また、点線で示された円１１０は、接点バネ１０６（図９（ｃ））が接点パターンに接触する箇所を示している。 For example, Patent Document 1 discloses a method of forming a contact pattern by a reflow method. A conventional method of forming a contact pattern will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a diagram illustrating a method of forming a contact pattern by a conventional reflow method. FIG. 9A is a diagram showing a contact pattern before applying cream solder, and FIG. 9B is a diagram showing a state in which cream solder is applied to the contact pattern shown in FIG. 9A. FIG. 9C is a diagram showing a state of the contact pattern after the cream solder after reflow is melted. In FIG. 9A, the contact pattern provided on the substrate 111 is composed of a plurality of conductive copper foil patterns 101a to 101e formed radially from the center. The copper foil patterns 101a to 101e are connected to each other at the center and covered with a resist 102a (gray portion in the drawing). Further, the end portion of the copper foil pattern 101a to 101e on the side away from the center is also covered with the annular resist 102b (gray portion in the drawing). In the figure, the black part indicates the part of the exposed copper foil pattern. Further, the circle 110 shown by the dotted line indicates a place where the contact spring 106 (FIG. 9 (c)) comes into contact with the contact pattern.

図９（ｂ）は、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅにペースト状のクリーム半田を塗布した状態を示す図であり、溶融する前のクリーム半田１０４ａ〜１０４ｅは、図中「／／／」の領域で示されている。図９（ｂ）に示すように、クリーム半田は、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの幅（短手方向の長さ）よりも広い幅で塗布されている。図９（ｃ）は、リフロー方式による加熱溶融により、クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅが溶融した後の基板１１１上の接点パターンの状態を説明する図である。クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅは、リフロー方式の加熱溶融により、クリーム半田に予め含有される絶縁性の高いフラックスと導電性の半田１０５ａ〜１０５ｅに分離され、溶融後の半田１０５ａ〜１０５ｅは、図中「・・・」の領域で示される。溶融後の半田１０５ａ〜１０５ｅは、図９（ｃ）に示すように、表面張力によって半田が銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅ上にのみ形成される。クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅは加熱され溶融すると、表面張力によって銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅ上に周囲の半田が引き寄せられ収縮する。また、クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅに含まれるフラックスが分離し、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの周囲に流れ出るため、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅ上には半田のみが残留することができる。 FIG. 9B is a diagram showing a state in which a paste-like cream solder is applied to the copper foil patterns 101a to 101e, and the cream solders 104a to 104e before melting are in the region of “///” in the drawing. It is shown. As shown in FIG. 9B, the cream solder is applied in a width wider than the width (length in the lateral direction) of the copper foil patterns 101a to 101e. FIG. 9C is a diagram illustrating a state of the contact pattern on the substrate 111 after the cream solders 104a to 104e are melted by heating and melting by the reflow method. The cream solders 104a to 104e are separated into a highly insulating flux contained in the cream solder in advance and the conductive solders 105a to 105e by heating and melting in a reflow method, and the melted solders 105a to 105e are described in the figure. ... ”is shown in the area. In the molten solders 105a to 105e, as shown in FIG. 9C, the solder is formed only on the copper foil patterns 101a to 101e by surface tension. When the cream solders 104a to 104e are heated and melted, the surrounding solder is attracted to the copper foil patterns 101a to 101e by surface tension and shrinks. Further, since the flux contained in the cream solders 104a to 104e is separated and flows out around the copper foil patterns 101a to 101e, only the solder can remain on the copper foil patterns 101a to 101e.

特開２０１４−６５０４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-6504

しかしながら、上述した従来例では、紙フェノール基板のような水分含有量が多い基板を用いた場合、リフロー後の接点パターンに気泡状のフラックスが残留し、接点バネとの電気的な接続が確保できないという課題がある。即ち、含有する水分量が多い基板を用いた場合には、リフローによる加熱により、基板に含まれる水分が基板表面から水蒸気となって放出され、クリーム半田から分離したフラックスが水蒸気により気泡化する。気泡化したフラックスは流動性が低いので、銅箔パターンの周囲に流れ落ちずに銅箔パターン表面に残留してしまう。また、フラックスは絶縁性が高い物質であるため、接点バネとの接点部である銅箔パターン上の半田にフラックスが残っている場合は、銅箔パターンと接点バネとの間で非導通状態となる場合がある。そのため、リフロー後にアルコール等を用いて、半田上に残留したフラックスを拭き取る後処理作業が必要となり、コスト上昇という課題が生じる。 However, in the above-mentioned conventional example, when a substrate having a high water content such as a paper phenol substrate is used, bubble-like flux remains in the contact pattern after reflow, and electrical connection with the contact spring cannot be secured. There is a problem. That is, when a substrate containing a large amount of water is used, the water contained in the substrate is released as water vapor from the surface of the substrate by heating by reflow, and the flux separated from the cream solder is bubbled by the water vapor. Since the bubbled flux has low fluidity, it does not flow down around the copper foil pattern and remains on the surface of the copper foil pattern. In addition, since flux is a substance with high insulating properties, if flux remains in the solder on the copper foil pattern that is the contact part with the contact spring, it will be in a non-conducting state between the copper foil pattern and the contact spring. May become. Therefore, a post-treatment operation is required to wipe off the flux remaining on the solder by using alcohol or the like after the reflow, which causes a problem of cost increase.

本発明は、このような状況のもとでなされたもので、リフロー後の接点パターンの接触信頼性を向上させることを目的とする。 The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to improve the contact reliability of the contact pattern after reflow.

前述の課題を解決するために、本発明は、以下の構成を備える。 In order to solve the above-mentioned problems, the present invention includes the following configurations.

（１）接点を有する基板であって、前記接点は、短手方向に第一の幅を有し、前記接点の中心から放射状に配置された複数の第一の銅箔パターンを有し、前記複数の第一の銅箔パターンの各々において、前記第一の銅箔パターンの上の前記短手方向の両側が、前記短手方向に前記第一の幅よりも狭い第二の幅を有するレジストで覆われており、前記基板はさらに、前記中心を基準とした円周方向において、前記複数の第一の銅箔パターンの間の領域にわたって配置され、レジストで覆われた第二の銅箔パターンを有し、前記円周方向において、前記第一の銅箔パターンのうち半田が付着した領域と前記第二の銅箔パターンが並んでいることを特徴とする基板。 (1) A substrate having contacts, wherein the contacts have a first width in the lateral direction and have a plurality of first copper foil patterns arranged radially from the center of the contacts. In each of the plurality of first copper foil patterns, a resist having a second width on both sides of the first copper foil pattern in the lateral direction, which is narrower than the first width in the lateral direction. The substrate is further disposed over the region between the plurality of first copper foil patterns in a circumferential direction with respect to the center and is covered with a resist-covered second copper foil pattern. The substrate is characterized in that, in the circumferential direction, a region of the first copper foil pattern to which solder is attached and the second copper foil pattern are lined up .

（２）静電潜像が形成される像担持体と、前記像担持体を所定の電位で帯電する帯電手段と、前記像担持体の静電潜像をトナーにより現像し、トナー像を形成する現像手段と、前記像担持体のトナー像をシートに転写する転写手段と、前記（１）に記載の基板と、を備えたことを特徴とする画像形成装置。 (2) An image carrier on which an electrostatic latent image is formed, a charging means for charging the image carrier at a predetermined potential, and an electrostatic latent image of the image carrier are developed with toner to form a toner image. An image forming apparatus comprising: a developing means for transferring, a transfer means for transferring a toner image of the image carrier to a sheet, and the substrate according to (1).

本発明によれば、リフロー後の接点パターンの接触信頼性を向上させることができる。 According to the present invention, the contact reliability of the contact pattern after reflow can be improved.

実施例１の接点パターンの形状を説明する図The figure explaining the shape of the contact pattern of Example 1. 実施例１〜４と従来例の接点パターンの半田の状態を説明する図The figure explaining the solder state of the contact pattern of Examples 1 to 4 and the conventional example. 実施例２の接点パターンの形状を説明する図The figure explaining the shape of the contact pattern of Example 2. 実施例３の接点パターンの形状を説明する図The figure explaining the shape of the contact pattern of Example 3. 実施例３の接点パターンの半田の状態を説明する図The figure explaining the solder state of the contact pattern of Example 3. 実施例４の接点パターンの形状を説明する図The figure explaining the shape of the contact pattern of Example 4. 実施例４の接点パターンの半田の状態を説明する図The figure explaining the solder state of the contact pattern of Example 4. 実施例１〜４の画像形成装置の構成を示す概略構成図Schematic configuration diagram showing the configuration of the image forming apparatus of Examples 1 to 4. 従来例の接点パターンの形状を説明する図The figure explaining the shape of the contact pattern of the conventional example

以下に、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

［接点パターンの概要］
図１は、実施例１の接点パターンの形状を説明する図である。図１（ａ）は接点パターンの形状を示す模式図、図１（ｂ）はリフロー時に剥き出し状態の銅箔パターン上にクリーム半田を塗布した状態を示す模式図、図１（ｃ）はリフローによるクリーム半田の加熱後の半田の状態を示す模式図である。 [Outline of contact pattern]
FIG. 1 is a diagram illustrating the shape of the contact pattern of the first embodiment. FIG. 1 (a) is a schematic view showing the shape of the contact pattern, FIG. 1 (b) is a schematic view showing a state in which cream solder is applied on a copper foil pattern exposed during reflow, and FIG. 1 (c) is based on reflow. It is a schematic diagram which shows the state of the solder after heating of a cream solder.

本実施例の接点パターンは、図１（ａ）に示すように、円形のベタ銅箔部であり、銅箔部分が剥き出し状態で、放射状に配置された銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅと、銅箔部分がレジストで覆われた銅箔パターン１０３から構成されている。本実施例の接点パターンは、後述する実施例の接点パターンと比べると、隣接する２つの銅箔パターン、即ち第一の銅箔部である銅箔パターン１０１と第二の銅箔部である銅箔パターン１０３が交互に接続されている接点パターンともいえる。本実施例の接点パターンは、基板上に形成された円形のベタ銅箔パターンに対して、接点バネが接触する銅箔が剥き出しの接点部である銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅを除いた箇所にはレジストが塗布され、接点部は銅箔が剥き出しの状態となっている。なお、レジストとは、銅箔パターンで構成される銅箔層の上位に、絶縁膜として施される回路基板の保護膜であるレジスト膜のことである。また、点線で示された円１１０は、接触部材である接点バネ１０６（図１（ｃ））が接点パターンに接触する箇所を示しており、以下の実施例においても同様である。なお、接点バネ１０６は、コイルバネ形状の弾性部材で構成されている。また、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの短手方向の幅は一定であり、以下の実施例においても同様である。 As shown in FIG. 1A, the contact pattern of this embodiment is a circular solid copper foil portion, and the copper foil portion is exposed, and the copper foil patterns 101a to 101e arranged radially and the copper foil. It is composed of a copper foil pattern 103 whose portion is covered with a resist. Compared with the contact pattern of the embodiment described later, the contact pattern of this embodiment has two adjacent copper foil patterns, that is, the copper foil pattern 101 which is the first copper foil portion and the copper which is the second copper foil portion. It can be said that it is a contact pattern in which the foil patterns 103 are alternately connected. The contact pattern of this embodiment is a circular solid copper foil pattern formed on the substrate, except for the copper foil pattern 101a to 101e, which is the contact portion where the copper foil in contact with the contact spring is exposed. The resist is applied, and the copper foil is exposed at the contact portion. The resist is a resist film which is a protective film of a circuit board applied as an insulating film above the copper foil layer composed of a copper foil pattern. Further, the circle 110 shown by the dotted line indicates a place where the contact spring 106 (FIG. 1 (c)), which is a contact member, comes into contact with the contact pattern, and the same applies to the following examples. The contact spring 106 is made of a coil spring-shaped elastic member. Further, the width of the copper foil patterns 101a to 101e in the lateral direction is constant, and the same applies to the following examples.

接点バネ１０６は弾性変形するため、接点パターンと接触する位置は、基板の平面上で変化する。そのため、接点パターンを図１（ａ）に示すように放射状に形成することにより、接点バネ１０６の接触位置が接点パターン上で移動しても放射状の接点パターンの少なくとも１点は接点バネ１０６と接触が可能となる。これにより、接点パターンの接触信頼性を大きく向上させることができる。 Since the contact spring 106 is elastically deformed, the position of contact with the contact pattern changes on the plane of the substrate. Therefore, by forming the contact pattern radially as shown in FIG. 1A, even if the contact position of the contact spring 106 moves on the contact pattern, at least one point of the radial contact pattern is in contact with the contact spring 106. Is possible. As a result, the contact reliability of the contact pattern can be greatly improved.

図１（ｂ）は、リフロー処理に際して、図１（ａ）の銅箔が剥き出しの銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅに、それぞれクリーム半田１０４ａ〜１０４ｅを塗布した状態を示す図である。リフロー処理により溶融する前のペースト状のクリーム半田１０４ａ〜１０４ｅは、図中「／／／」の領域で示される。図１（ｂ）に示すように、クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅは、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅに沿って、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅのパターン幅（短手方向の幅）よりも広く塗布される。クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅを塗布する幅としては、凡そ、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅのパターン幅の２倍程度が適正な幅であるが、この値に限定されない。 FIG. 1B is a diagram showing a state in which cream solders 104a to 104e are applied to the copper foil patterns 101a to 101e in which the copper foil of FIG. 1A is exposed during the reflow treatment. The paste-like cream solders 104a to 104e before being melted by the reflow treatment are shown in the “///” region in the figure. As shown in FIG. 1B, the cream solders 104a to 104e are applied along the copper foil patterns 101a to 101e wider than the pattern width (width in the lateral direction) of the copper foil patterns 101a to 101e. The appropriate width for applying the cream solders 104a to 104e is approximately twice the pattern width of the copper foil patterns 101a to 101e, but is not limited to this value.

図１（ｃ）は、図１（ｂ）で塗布したクリーム半田が、リフロー方式による加熱溶融により、クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅが溶融した後の基板１１１上の接点パターンの半田１０５ａ〜１０５ｅの状態を説明する図である。クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅは、リフロー方式と呼ばれる加熱溶融により、クリーム半田１０４に予め含有される絶縁性の高いフラックス１０８（図２参照）と導電性の半田１０５とに分離される。クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅが溶融した後の半田１０５ａ〜１０５ｅは、図１（ｃ）中、「・・・」の領域で示される。図１（ｃ）に示すように、溶融前のクリーム半田１０４と比べて、溶融後の半田１０５は幅方向（銅箔パターン１０１の短手方向）に収縮している。これは、レジストで覆われた銅箔パターン１０３上に塗布されたクリーム半田１０４が溶融した際に、表面張力によって銅箔パターン１０１上に塗布されたクリーム半田１０４から分離した半田１０５に引き寄せられるためである。なお、銅箔パターン１０１上に塗布されたクリーム半田１０４の加熱溶融は、同じ基板に配置された電気素子（不図示）をクリーム半田１０４で半田付けする際の加熱溶融と同一の工程で実施することが可能である。 FIG. 1C shows the state of the contact pattern solders 105a to 105e on the substrate 111 after the cream solders applied in FIG. 1B are melted by heating and melting by a reflow method. It is a figure explaining. The cream solders 104a to 104e are separated into a highly insulating flux 108 (see FIG. 2) contained in the cream solder 104 in advance and a conductive solder 105 by heating and melting called a reflow method. The solders 105a to 105e after the cream solders 104a to 104e are melted are shown in the region of "..." in FIG. 1 (c). As shown in FIG. 1 (c), the solder 105 after melting is shrunk in the width direction (the lateral direction of the copper foil pattern 101) as compared with the cream solder 104 before melting. This is because when the cream solder 104 applied on the copper foil pattern 103 covered with the resist melts, it is attracted to the solder 105 separated from the cream solder 104 applied on the copper foil pattern 101 by surface tension. Is. The heating and melting of the cream solder 104 applied on the copper foil pattern 101 is carried out in the same process as the heating and melting when the electric elements (not shown) arranged on the same substrate are soldered with the cream solder 104. It is possible.

［基板の材質による接点パターンの半田の状態変化］
図２を用いて、基板の材質の違いによる、基板の接点パターン上に塗布されたクリーム半田１０４の加熱溶融前後の状態変化について説明する。図２（ａ）は、含有する水分量が少ない基板を用いた場合のリフロー前後の半田の状態を説明する模式図（断面図）であり、図２（ｂ）は、含有する水分量が多い基板を用いた場合のリフロー前後の半田の状態を説明する模式図（断面図）である。図２（ａ）、（ｂ）の上段は、基板１１１、及び基板１１１上に設けられた接点部の銅箔１０７にフラックスを含むクリーム半田１０４が塗布された、リフローによる加熱前の状態を示す断面図である。一方、図２（ａ）、（ｂ）の下段は、リフローによる加熱溶融後のクリーム半田１０４から分離された半田１０５、フラックス１０８、１０９の状態を示す断面図である。 [Change of solder state of contact pattern depending on board material]
With reference to FIG. 2, the state change of the cream solder 104 applied on the contact pattern of the substrate before and after heating and melting due to the difference in the material of the substrate will be described. FIG. 2 (a) is a schematic view (cross-sectional view) for explaining the state of solder before and after reflow when a substrate containing a small amount of water is used, and FIG. 2 (b) shows a large amount of water contained. It is a schematic diagram (cross-sectional view) explaining the state of solder before and after reflow when a substrate is used. The upper part of FIGS. 2 (a) and 2 (b) shows the state before heating by reflow in which the cream solder 104 containing flux is applied to the substrate 111 and the copper foil 107 of the contact portion provided on the substrate 111. It is a sectional view. On the other hand, the lower part of FIGS. 2A and 2B is a cross-sectional view showing the states of the solder 105, the flux 108, and 109 separated from the cream solder 104 after heating and melting by reflow.

ガラスエポキシ基板のような、含有する水分量が少ない基板を用いた場合は、図２（ａ）下段に示すように、クリーム半田１０４が溶融した後は、銅箔１０７上にはフラックス１０８を含まない半田１０５のみが形成された状態となる。そして、クリーム半田１０４に含まれていたフラックスは、クリーム半田１０４が加熱溶融される際に半田１０５と分離し、半田１０５の周囲、即ち、銅箔１０７の周囲に流れ落ちる。 When a substrate having a small amount of water content such as a glass epoxy substrate is used, as shown in the lower part of FIG. 2A, the flux 108 is contained on the copper foil 107 after the cream solder 104 is melted. Only the non-solder 105 is formed. Then, the flux contained in the cream solder 104 separates from the solder 105 when the cream solder 104 is heated and melted, and flows down around the solder 105, that is, around the copper foil 107.

一方、紙フェノール基板のような、含有する水分量が多い基板を用いた場合には、クリーム半田１０４にリフローによる加熱を行うと、クリーム半田１０４が溶融されるとともに、クリーム半田１０４を介して基板１１１も加熱される。そして、基板１１１中に含まれる水分が水蒸気となって基板１１１の表面から放出される。その結果、図２（ｂ）下段に示すように、溶融時にクリーム半田１０４から分離したフラックス１０８は、基板１１１表面から発生した水蒸気によって気泡化し、気泡化したフラックス１０９は、半田１０５の表面に残留する。気泡化したフラックス１０９は流動性が低いため、半田１０５の周囲に流れ落ちず、半田１０５の表面に残ってしまう。また、フラックス１０８は絶縁性が高い物質であるため、接点部である半田１０５の部分にフラックスが残留していた場合は、導電不良が発生し、そのままでは接点部として使用することができない。そのため、リフロー後にアルコール等で接点部に残留したフラックスを拭き取って除去する等の後処理作業が必要となる。 On the other hand, when a substrate having a large amount of water content such as a paper phenol substrate is used, when the cream solder 104 is heated by reflow, the cream solder 104 is melted and the substrate is passed through the cream solder 104. 111 is also heated. Then, the water contained in the substrate 111 becomes water vapor and is released from the surface of the substrate 111. As a result, as shown in the lower part of FIG. 2B, the flux 108 separated from the cream solder 104 at the time of melting was bubbled by the water vapor generated from the surface of the substrate 111, and the bubbled flux 109 remained on the surface of the solder 105. To do. Since the bubbled flux 109 has low fluidity, it does not flow down around the solder 105 and remains on the surface of the solder 105. Further, since the flux 108 is a substance having high insulating properties, if the flux remains in the solder 105 portion which is the contact portion, a conductive defect occurs and the flux 108 cannot be used as it is as the contact portion. Therefore, post-treatment work such as wiping off the flux remaining in the contact portion with alcohol or the like after reflow is required.

続いて、図２（ｃ）は、図２（ｂ）のような水分含有量が多い材質の基板を用いた場合でも後処理作業を必要としない、本実施例の接点パターンの形状を説明する模式図（断面図）である。図２（ｃ）の上段、下段は、それぞれ図１（ｂ）、（ｃ）の銅箔パターン１０１を含む周辺部の短手方向の断面を示す模式図である。図２（ｃ）の上段の図は、図１（ｂ）に対応し、基板１１１上に設けられた銅箔１０７の銅箔パターン１０１及び銅箔パターン１０１の両側に設けられた銅箔１０７を覆うレジスト１０２上に塗布されたクリーム半田１０４の状態を示している。 Subsequently, FIG. 2C describes the shape of the contact pattern of this embodiment, which does not require post-treatment work even when a substrate made of a material having a high water content as shown in FIG. 2B is used. It is a schematic view (cross-sectional view). The upper part and the lower part of FIG. 2C are schematic views showing a cross section in the lateral direction of the peripheral portion including the copper foil pattern 101 of FIGS. 1B and 1C, respectively. The upper part of FIG. 2C corresponds to FIG. 1B, and the copper foil pattern 101 of the copper foil 107 provided on the substrate 111 and the copper foil 107 provided on both sides of the copper foil pattern 101 are provided. The state of the cream solder 104 applied on the covering resist 102 is shown.

図２（ｃ）の上段の図では、図２（ａ）、（ｂ）の上段の図とは異なり、クリーム半田１０４は、直接、基板１１１には塗布されていない。そのため、リフローによる加熱によりクリーム半田１０４が溶融されると、クリーム半田１０４に含まれていたフラックス１０８は半田１０５と分離し、半田１０５の周囲、即ち、銅箔１０７が剥き出しになった周囲のレジスト１０２上に流れ落ちる。そして、半田１０５は、銅箔１０７が剥き出しになった銅箔パターン１０１に表面張力により引き寄せられる。クリーム半田１０４と基板１１１との間には銅箔１０７、又は銅箔１０７とレジスト１０２が介在する。基板１１１の表面から発生した水蒸気は、銅箔１０７及びレジスト１０２に遮られ、クリーム半田１０４を塗布した領域の下から基板１１１の表面に出てくることはない。そのため、基板１１１表面から発生する水蒸気によるフラックスの気泡化を防止することができる。その結果、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅ上には、半田１０５のみが形成される。これにより、基板１１１の材質、及び基板１１１の吸湿状態に関係なく、フラックス１０８を除去する後処理が不要な接点パターンをリフロー実装により基板１１１上に形成することができる。 In the upper part of FIG. 2C, unlike the upper part of FIGS. 2A and 2B, the cream solder 104 is not directly applied to the substrate 111. Therefore, when the cream solder 104 is melted by heating by reflow, the flux 108 contained in the cream solder 104 is separated from the solder 105, and the resist around the solder 105, that is, around the copper foil 107 is exposed. It runs down onto 102. Then, the solder 105 is attracted to the copper foil pattern 101 in which the copper foil 107 is exposed by surface tension. A copper foil 107 or a copper foil 107 and a resist 102 are interposed between the cream solder 104 and the substrate 111. The water vapor generated from the surface of the substrate 111 is blocked by the copper foil 107 and the resist 102, and does not come out to the surface of the substrate 111 from below the region coated with the cream solder 104. Therefore, it is possible to prevent the flux from being bubbled by the water vapor generated from the surface of the substrate 111. As a result, only the solder 105 is formed on the copper foil patterns 101a to 101e. As a result, a contact pattern that does not require post-treatment to remove the flux 108 can be formed on the substrate 111 by reflow mounting regardless of the material of the substrate 111 and the moisture absorption state of the substrate 111.

以上説明したように、本実施例によれば、リフロー後の接点パターンの接触信頼性を向上させることができる。 As described above, according to the present embodiment, the contact reliability of the contact pattern after reflow can be improved.

実施例１では、銅箔パターンが円形状の接点パターンについて説明した。実施例２では、放射状に配置され、短手方向の幅（第一の幅）が一定の幅の、複数の銅箔から構成される接点パターンについて説明する。 In Example 1, a contact pattern in which the copper foil pattern has a circular shape has been described. In the second embodiment, a contact pattern composed of a plurality of copper foils arranged radially and having a constant width in the lateral direction (first width) will be described.

［接点パターンの概要］
図３は、実施例２の接点パターンの形状を説明する図である。図３（ａ）は基板１１１上の接点パターンの形状を示す模式図、図３（ｂ）はリフロー時に剥き出し状態の銅箔パターン上にクリーム半田を塗布した状態を示す模式図、図３（ｃ）はリフローによるクリーム半田の加熱後の半田の状態を示す模式図である。 [Outline of contact pattern]
FIG. 3 is a diagram illustrating the shape of the contact pattern of the second embodiment. FIG. 3A is a schematic view showing the shape of the contact pattern on the substrate 111, and FIG. 3B is a schematic view showing a state in which cream solder is applied onto the exposed copper foil pattern during reflow, FIG. 3C. ) Is a schematic diagram showing the state of the solder after heating the cream solder by reflow.

本実施例の接点パターンは、接点パターンの円の中心から放射状に配置された短手方向の幅が一定の複数の銅箔パターンと、銅箔パターンを覆うレジスト１０２及び銅箔パターンの外周側の端部を覆う円環状のレジスト部であるレジスト１０２ｂから構成される。複数の銅箔パターンは、円の中心部である中央部で互いに接続されており、中央部はレジスト１０２ａにより覆われている。また、中心部から放射状に配置された銅箔パターンは、接点部として銅箔が剥き出しの銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅ（図中、黒い部分）と、銅箔部がレジスト１０２で覆われた銅箔パターン１０３ａ〜１０３ｅ（図中、濃い灰色部分）から構成されている。また、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの短手方向の幅は、同じ幅であり、銅箔パターン１０３の短手方向の幅も同じ幅である。なお、図３において、銅箔パターン１０３ａ〜１０３ｅと重ならない円環部の領域（薄い灰色部分で示される）は、レジスト１０２が直接、基板１１１上に塗布されている領域を示している。銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの銅箔が剥き出しとなっている長手方向の領域は、接点の中心部のレジスト１０２で覆われていない箇所から、外周側の円環状のレジスト１０２ｂで覆われていない箇所までの領域である。また、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの短手方向の両側は、レジスト１０２で覆われた銅箔パターン１０３ａ〜１０３ｅ（図中、濃い灰色部分）である。中心部から放射状に配置された銅箔パターンの短手方向の断面は、実施例１の図２（ｃ）に示す断面図と同様の状態となっている。なお、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの短手方向の両側に設けられたレジスト１０２の幅（第二の幅）は、それぞれ銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの短手方向の幅の二分の１の幅を有している。即ち、銅箔パターン１０１の短手方向の幅をＸとすると、銅箔パターン１０１の両側に設けられたレジスト１０２のそれぞれの短手方向の幅はＸ／２となる。従って、複数の銅箔パターンのそれぞれの短手方向の幅（第一の幅）は、Ｘ＋２×（Ｘ／２）＝２Ｘと表すことができる。 The contact pattern of this embodiment includes a plurality of copper foil patterns arranged radially from the center of the circle of the contact pattern and having a constant width in the lateral direction, a resist 102 covering the copper foil pattern, and an outer peripheral side of the copper foil pattern. It is composed of a resist 102b, which is an annular resist portion that covers an end portion. The plurality of copper foil patterns are connected to each other at the central portion, which is the central portion of the circle, and the central portion is covered with the resist 102a. The copper foil patterns arranged radially from the center include a copper foil pattern 101a-101e (black part in the figure) in which the copper foil is exposed as a contact portion and a copper foil in which the copper foil portion is covered with a resist 102. It is composed of patterns 103a to 103e (dark gray parts in the figure). Further, the width of the copper foil pattern 101a to 101e in the lateral direction is the same, and the width of the copper foil pattern 103 in the lateral direction is also the same. In FIG. 3, the region of the annular portion (shown by the light gray portion) that does not overlap with the copper foil patterns 103a to 103e indicates the region where the resist 102 is directly applied onto the substrate 111. The region in the longitudinal direction in which the copper foil of the copper foil pattern 101a to 101e is exposed is a portion not covered by the resist 102 at the center of the contact point to a portion not covered with the annular resist 102b on the outer peripheral side. Area up to. Further, both sides of the copper foil patterns 101a to 101e in the lateral direction are copper foil patterns 103a to 103e (dark gray portions in the drawing) covered with the resist 102. The cross section of the copper foil pattern arranged radially from the central portion in the lateral direction is in the same state as the cross section shown in FIG. 2 (c) of Example 1. The width (second width) of the resists 102 provided on both sides of the copper foil patterns 101a to 101e in the lateral direction is half the width of the copper foil patterns 101a to 101e in the lateral direction. Have. That is, assuming that the width of the copper foil pattern 101 in the lateral direction is X, the width of each of the resists 102 provided on both sides of the copper foil pattern 101 in the lateral direction is X / 2. Therefore, the width (first width) of each of the plurality of copper foil patterns in the lateral direction can be expressed as X + 2 × (X / 2) = 2X.

図３（ｂ）は、リフロー処理に際して、図３（ａ）の銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅに、それぞれクリーム半田１０４ａ〜１０４ｅを塗布した状態を示す図である。リフロー処理により溶融する前のペースト状のクリーム半田１０４ａ〜１０４ｅは、図中「／／／」の領域で示される。クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅは、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅのパターン幅（短手方向の幅）よりも広く、レジスト１０２で覆われた銅箔パターン１０３ａ〜１０３ｅのパターン幅（短手方向の幅）を超えない範囲の一定の幅で塗布される。 FIG. 3B is a diagram showing a state in which cream solders 104a to 104e are applied to the copper foil patterns 101a to 101e of FIG. 3A during the reflow treatment, respectively. The paste-like cream solders 104a to 104e before being melted by the reflow treatment are shown in the “///” region in the figure. The cream solders 104a to 104e are wider than the pattern width (width in the lateral direction) of the copper foil patterns 101a to 101e, and have a pattern width (width in the lateral direction) of the copper foil patterns 103a to 103e covered with the resist 102. It is applied with a constant width that does not exceed it.

図３（ｃ）は、図３（ｂ）で塗布したクリーム半田が、リフロー方式による加熱溶融により、クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅが溶融した後の基板１１１上の接点パターンの半田１０５ａ〜１０５ｅの状態を説明する図である。クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅが溶融した後の半田１０５ａ〜１０５ｅは、図３（ｃ）中、「・・・」の領域で示される。図３（ｃ）に示すように、実施例１と同様に、溶融前のクリーム半田１０４ａ〜１０４ｅと比べて、溶融後の半田１０５ａ〜１０５ｅは、表面張力により銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの短手方向の幅と同じ幅に収縮している。実施例１と同様に、クリーム半田１０４が塗布される領域の下には、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅ、及びレジスト１０２で覆われた銅箔パターン１０３ａ〜１０３ｅが設けられている。そのため、含有する水分量が多い材質の基板１１１を用いた場合でも、基板１１１の表面から発生した水蒸気は、銅箔１０７、及びレジスト１０２に遮断される（図２（ｃ）参照）。そのため、クリーム半田１０４から分離したフラックス１０８が気泡化することはなく、気泡化したフラックスが半田１０５上（半田上）に残留することもない。 FIG. 3C shows the state of the contact pattern solders 105a to 105e on the substrate 111 after the cream solders applied in FIG. 3B are melted by heating and melting by a reflow method. It is a figure explaining. The solders 105a to 105e after the cream solders 104a to 104e are melted are shown in the region of "..." in FIG. 3C. As shown in FIG. 3C, as in Example 1, the melted solders 105a to 105e are shorter than the copper foil patterns 101a to 101e due to surface tension, as compared with the cream solders 104a to 104e before melting. It contracts to the same width as the width in the direction. Similar to the first embodiment, a copper foil pattern 101a to 101e and a copper foil pattern 103a to 103e covered with a resist 102 are provided under the region to which the cream solder 104 is applied. Therefore, even when the substrate 111 made of a material containing a large amount of water is used, the water vapor generated from the surface of the substrate 111 is blocked by the copper foil 107 and the resist 102 (see FIG. 2C). Therefore, the flux 108 separated from the cream solder 104 does not bubble, and the bubbled flux does not remain on the solder 105 (on the solder).

更に、本実施例では、実施例１の場合とは異なり、クリーム半田１０４を塗布する領域以外は銅箔１０７が設けられていない。リフロー処理によってクリーム半田１０４を加熱溶融する際に、半田１０５の周囲に銅箔１０７が設けられていると、加えた熱が銅箔１０７に奪われるため、半田１０５の温度が上昇しにくい。そのため、実施例１のように円形状の銅箔パターンの場合には、クリーム半田１０４を溶融させるために加熱する温度をより高い温度に設定する必要がある。一方、本実施例では、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの周囲に配置するレジスト１０２で覆われた銅箔パターン１０３の面積を、フラックス１０８の気泡化を抑制可能な最小の面積に設定している。これにより、リフロー時の温度の設定を実施例１に比べ、より低い温度に設定することが可能となり、リフロー時の温度設定管理を容易にすることができる。 Further, in this embodiment, unlike the case of the first embodiment, the copper foil 107 is not provided except for the region where the cream solder 104 is applied. When the cream solder 104 is heated and melted by the reflow treatment, if the copper foil 107 is provided around the solder 105, the applied heat is taken away by the copper foil 107, so that the temperature of the solder 105 is unlikely to rise. Therefore, in the case of the circular copper foil pattern as in the first embodiment, it is necessary to set the heating temperature for melting the cream solder 104 to a higher temperature. On the other hand, in this embodiment, the area of the copper foil pattern 103 covered with the resist 102 arranged around the copper foil patterns 101a to 101e is set to the minimum area in which bubble formation of the flux 108 can be suppressed. As a result, the temperature setting at the time of reflow can be set to a lower temperature than that of the first embodiment, and the temperature setting management at the time of reflow can be facilitated.

また、基板１１１の表面を基準にすると、接点バネ１０６が接触する接点部は、銅箔パターン１０１の厚みに、レジスト１０２の厚みと、溶融後の半田１０５の厚みを加えた分だけ盛り上がった状態の高さとなる。接点部が接点部以外の箇所、例えばレジスト１０２や基板１１１の表面よりも高い位置にあるため、接点バネ１０６を接点部に押しあてたときに接点バネ１０６が必ず最初に接点部と接触することになる。 Further, based on the surface of the substrate 111, the contact portion with which the contact spring 106 contacts is raised by the thickness of the copper foil pattern 101 plus the thickness of the resist 102 and the thickness of the molten solder 105. Will be the height of. Since the contact portion is located at a position other than the contact portion, for example, higher than the surface of the resist 102 or the substrate 111, the contact spring 106 must first come into contact with the contact portion when the contact spring 106 is pressed against the contact portion. become.

以上説明したように、本実施例によれば、リフロー後の接点パターンの接触信頼性を向上させることができる。本実施例でも実施例１と同様に、含有する水分量が多い基板を用いた場合でも半田に残留したフラックスを除去する後処理作業を必要とせず、更に、銅箔パターンの面積が実施例１よりも少なくなることによりリフロー時の温度管理が容易となる。また、接点バネとの接触がより安定して確保可能な接点部をリフロー実装により基板上に形成することができる。 As described above, according to the present embodiment, the contact reliability of the contact pattern after reflow can be improved. In this example as well, as in Example 1, even when a substrate containing a large amount of water is used, no post-treatment work for removing the flux remaining in the solder is required, and the area of the copper foil pattern is increased in Example 1. The temperature can be easily controlled during reflow. Further, a contact portion capable of ensuring more stable contact with the contact spring can be formed on the substrate by reflow mounting.

実施例２では、放射状に配置され、短手方向の幅が一定の幅の、複数の銅箔から構成される接点パターンについて説明した。実施例３では、放射状に配置され、短手方向の幅（第一の幅）が中心から離れるにつれて拡大する、複数の銅箔から構成される接点パターンについて説明する。 In the second embodiment, a contact pattern composed of a plurality of copper foils arranged radially and having a constant width in the lateral direction has been described. In the third embodiment, a contact pattern composed of a plurality of copper foils, which are arranged radially and whose width in the lateral direction (first width) expands as the distance from the center increases, will be described.

［接点パターンの概要］
図４は、実施例３の接点パターンの形状を説明する図である。図４（ａ）は基板１１１上の接点パターンの形状を示す模式図、図４（ｂ）はリフロー時に剥き出し状態の銅箔パターン上にクリーム半田を塗布した状態を示す模式図、図４（ｃ）はリフローによるクリーム半田の加熱後の半田の状態を示す模式図である。 [Outline of contact pattern]
FIG. 4 is a diagram illustrating the shape of the contact pattern of the third embodiment. FIG. 4A is a schematic view showing the shape of the contact pattern on the substrate 111, and FIG. 4B is a schematic view showing a state in which cream solder is applied onto the exposed copper foil pattern during reflow, FIG. 4C. ) Is a schematic diagram showing the state of the solder after heating the cream solder by reflow.

本実施例の接点パターンは、接点の円の中心から放射状に配置された短手方向の幅が円の中心から離れるにつれ大きくなる複数の銅箔パターン、銅箔パターンを覆うレジスト１０２、銅箔パターンの端部を覆う円環状のレジスト１０２ｂから構成される。複数の銅箔パターンは、円の中心部である中央部で互いに接続されており、中央部はレジスト１０２ａにより覆われている。また、中心部から放射状に配置された銅箔パターンは、接点部として銅箔が剥き出しになった銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅ（図中、黒い部分）と、銅箔がレジスト１０２で覆われた銅箔パターン１０３ａ〜１０３ｅ（図中、濃い灰色部分）から構成されている。 The contact pattern of this embodiment includes a plurality of copper foil patterns arranged radially from the center of the contact circle and increasing in the lateral direction as the distance from the center of the circle increases, a resist 102 covering the copper foil pattern, and a copper foil pattern. It is composed of an annular resist 102b that covers the end of the ring. The plurality of copper foil patterns are connected to each other at the central portion, which is the central portion of the circle, and the central portion is covered with the resist 102a. The copper foil patterns arranged radially from the center include the copper foil patterns 101a-101e (black part in the figure) in which the copper foil is exposed as the contact portion, and the copper in which the copper foil is covered with the resist 102. It is composed of foil patterns 103a to 103e (dark gray portions in the figure).

銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの銅箔が剥き出しとなっている長手方向の領域は、接点の中心部のレジスト１０２ａで覆われていない箇所から、外周側の円環状のレジスト１０２ｂで覆われていない箇所までの領域である。また、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの短手方向の幅は、同じ幅である。なお、図４において、銅箔パターン１０３ａ〜１０３ｅと重ならない円環部の領域（薄い灰色部分で示される）は、レジスト１０２が直接、基板１１１上に塗布されている領域を示している。また、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの短手方向の両側は、レジスト１０２で覆われた銅箔パターン１０３ａ〜１０３ｅであり（図中、濃い灰色部分）、短手方向の切断面は、図２（ｃ）に示す断面図と同様の状態となっている。なお、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの短手方向の両側に設けられたレジスト１０２の幅は、例えば、最も狭い円の中心部の近傍でも、それぞれ銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの短手方向の幅の半分である。そして、銅箔パターン１０３ａ〜１０３ｅ、及び銅箔パターン１０３ａ〜１０３ｅを覆うレジスト１０２の幅は、図４（ａ）に示すように、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの外周方向に進むにつれ、大きくなる。 The region in the longitudinal direction in which the copper foil of the copper foil pattern 101a to 101e is exposed is a portion not covered by the resist 102a at the center of the contact point to a portion not covered with the annular resist 102b on the outer peripheral side. Area up to. Further, the widths of the copper foil patterns 101a to 101e in the lateral direction are the same. In FIG. 4, the region of the annular portion (shown by the light gray portion) that does not overlap with the copper foil patterns 103a to 103e indicates the region where the resist 102 is directly applied onto the substrate 111. Further, both sides of the copper foil pattern 101a to 101e in the lateral direction are copper foil patterns 103a to 103e covered with the resist 102 (dark gray portion in the drawing), and the cut surface in the lateral direction is shown in FIG. It is in the same state as the cross-sectional view shown in c). The widths of the resists 102 provided on both sides of the copper foil patterns 101a to 101e in the lateral direction are, for example, the widths of the copper foil patterns 101a to 101e in the lateral direction even in the vicinity of the center of the narrowest circle. It's half. Then, the widths of the copper foil patterns 103a to 103e and the resist 102 covering the copper foil patterns 103a to 103e become larger as they proceed in the outer peripheral direction of the copper foil patterns 101a to 101e, as shown in FIG. 4A.

図４（ｂ）は、リフロー処理に際して、図４（ａ）の銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅに、それぞれクリーム半田１０４ａ〜１０４ｅを塗布した状態を示す図である。リフロー処理により溶融する前のペースト状のクリーム半田１０４ａ〜１０４ｅは、図中「／／／」の領域で示される。図４（ｂ）に示すように、クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅは、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅのパターン幅（短手方向の幅）よりも広く、銅箔パターン１０３ａ〜１０３ｅのパターン幅（短手方向の幅）よりも狭い範囲を一定の幅で塗布される。 FIG. 4B is a diagram showing a state in which cream solders 104a to 104e are applied to the copper foil patterns 101a to 101e of FIG. 4A during the reflow treatment, respectively. The paste-like cream solders 104a to 104e before being melted by the reflow treatment are shown in the “///” region in the figure. As shown in FIG. 4B, the cream solders 104a to 104e are wider than the pattern width (width in the lateral direction) of the copper foil patterns 101a to 101e, and the pattern width (width in the lateral direction) of the copper foil patterns 103a to 103e. A range narrower than the width of) is applied with a constant width.

図４（ｃ）は、図４（ｂ）で塗布したクリーム半田が、リフロー方式による加熱溶融により、クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅが溶融した後の基板１１１上の接点パターンの半田１０５ａ〜１０５ｅの状態を説明する図である。クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅが溶融した後の半田１０５ａ〜１０５ｅは、図４（ｃ）中、「・・・」の領域で示される。図４（ｃ）に示すように、実施例１、２と同様に、溶融前のクリーム半田１０４ａ〜１０４ｅと比べて、溶融後の半田１０５ａ〜１０５ｅは、表面張力により銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの短手方向の幅と同じ幅に収縮している。実施例１、２と同様に、クリーム半田１０４が塗布される領域の下には、銅箔パターン１０１、及びレジスト１０２で覆われた銅箔パターン１０３が設けられている。そのため、含有する水分量が多い材質の基板１１１を用いた場合でも、基板１１１の表面から発生した水蒸気は、基板１１１上に設けられた銅箔パターン１０１、１０３、及びレジスト１０２によって遮断される。そのため、フラックス１０８が気泡化することはなく、気泡化したフラックスが半田１０５上に残留することもない。 FIG. 4C shows the state of the contact pattern solders 105a to 105e on the substrate 111 after the cream solders applied in FIG. 4B are melted by heating and melting by a reflow method. It is a figure explaining. The solders 105a to 105e after the cream solders 104a to 104e are melted are shown in the region of "..." in FIG. 4C. As shown in FIG. 4C, as in Examples 1 and 2, the melted solders 105a to 105e have a copper foil pattern 101a to 101e due to surface tension as compared with the cream solders 104a to 104e before melting. It contracts to the same width as the width in the lateral direction. Similar to Examples 1 and 2, a copper foil pattern 101 and a copper foil pattern 103 covered with a resist 102 are provided under the region to which the cream solder 104 is applied. Therefore, even when the substrate 111 made of a material containing a large amount of water is used, the water vapor generated from the surface of the substrate 111 is blocked by the copper foil patterns 101, 103, and the resist 102 provided on the substrate 111. Therefore, the flux 108 does not bubble, and the bubbled flux does not remain on the solder 105.

［接点パターンの半田の状態］
本実施例の特徴は、円の中心から放射状に形成された銅箔パターンは、中心から外側に向かうほど、短手方向の銅箔パターンの幅が広くなる点にある。そして、この特徴により、クリーム半田１０４が溶融した後の半田１０５の長手方向の断面は、同じ高さの断面ではなく、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの外周部から接点パターンの円の中心に向かって傾斜する傾斜面を有する断面となる。 [Soldering state of contact pattern]
The feature of this embodiment is that the width of the copper foil pattern formed radially from the center of the circle becomes wider in the lateral direction from the center to the outside. Due to this feature, the cross section in the longitudinal direction of the solder 105 after the cream solder 104 is melted is not a cross section at the same height, but is directed from the outer peripheral portion of the copper foil pattern 101a to 101e toward the center of the circle of the contact pattern. The cross section has an inclined surface that is inclined.

図５は、接点バネ１０６が接触する接点部である半田１０５が形成された銅箔パターン１０１の切断面を示す模式図である。図５は、図４（ｃ）のＡ−Ａ’（図中、一点鎖線で示す）で切断したときの接点パターンの断面の状態を示しており、図５のＡ、Ａ’は、それぞれ図４（ｃ）のＡ、Ａ’に対応する。図５に示すように、銅箔パターン１０１ａの上に形成された溶融後の半田１０５ａは、その厚みが一様ではなく、円の外周部（Ａ’側）に近いほど、銅箔パターン１０１ａ面からの半田１０５ａの高さが高い。これは、銅箔パターン１０１ａを含む銅箔１０７（図２（ａ）参照）の短手方向の幅（太さ）が一様でなく、そのため、クリーム半田１０４ａが溶融した際の半田１０５ａの粘度が、クリーム半田１０４ａが塗布されている箇所ごとで異なることに起因する。 FIG. 5 is a schematic view showing a cut surface of the copper foil pattern 101 on which the solder 105, which is the contact portion with which the contact spring 106 contacts, is formed. FIG. 5 shows the state of the cross section of the contact pattern when cut at AA'(indicated by the alternate long and short dash line) in FIG. 4 (c), and A and A'in FIG. 5 are views, respectively. Corresponds to A and A'of 4 (c). As shown in FIG. 5, the melted solder 105a formed on the copper foil pattern 101a has a non-uniform thickness, and the closer to the outer peripheral portion (A'side) of the circle, the more the copper foil pattern 101a surface. The height of the solder 105a from is high. This is because the width (thickness) of the copper foil 107 (see FIG. 2A) including the copper foil pattern 101a in the lateral direction is not uniform, and therefore the viscosity of the solder 105a when the cream solder 104a is melted. However, this is due to the fact that it differs depending on where the cream solder 104a is applied.

クリーム半田１０４が塗布される箇所の銅箔１０７の面積が大きいほど、銅箔１０７の熱容量が大きい。そのため、基板全体を一様に加熱するリフロー実装では、銅箔１０７の熱容量が大きい個所の半田１０５ａの温度は上がりにくい。その結果、リフロー中に加熱溶融した半田１０５ａのうち、熱容量が大きい銅箔１０７の箇所に塗布したクリーム半田１０４ａが溶融した半田１０５ａは、熱容量が小さい銅箔１０７の箇所に塗布して溶融した半田１０５ａに比べて、粘度が高い状態となる。溶融した半田１０５ａの粘度に違いがある状態では、表面張力によって、粘度の低い半田１０５ａは粘度の高い半田１０５ａの方へ引き寄せられる。その結果、熱容量が高い銅箔１０７の箇所に塗布されたクリーム半田１０４ａから溶融した半田１０５ａの方に、熱容量が低い箇所に塗布されたクリーム半田１０４から溶融した半田１０５ａが引き寄せられる。他の半田１０５ｂ〜１０５ｅについても同様である。 The larger the area of the copper foil 107 where the cream solder 104 is applied, the larger the heat capacity of the copper foil 107. Therefore, in the reflow mounting in which the entire substrate is uniformly heated, the temperature of the solder 105a at the portion where the heat capacity of the copper foil 107 is large is unlikely to rise. As a result, among the solders 105a that were heated and melted during the reflow, the solder 105a that was melted by the cream solder 104a that was applied to the copper foil 107 that had a large heat capacity was the solder that was coated and melted by the copper foil 107 that had a small heat capacity. Compared to 105a, the viscosity is higher. When there is a difference in the viscosity of the molten solder 105a, the low-viscosity solder 105a is attracted to the high-viscosity solder 105a due to surface tension. As a result, the melted solder 105a from the cream solder 104 applied to the portion having a low heat capacity is attracted to the solder 105a melted from the cream solder 104a applied to the portion of the copper foil 107 having a high heat capacity. The same applies to the other solders 105b to 105e.

本実施例では、中心から放射状に形成された銅箔パターンの幅を、中心から外周方向に向かうほどに太くする（大きくする）ことで、接点パターンの円の中心から離れるに従って銅箔パターンの熱容量が大きくなるようにしている。これにより、接点パターンの円の中心から離れるに従い、クリーム半田１０４が加熱溶融されてできる半田１０５の粘度が徐々に高くなる。そのため、粘度の低い半田１０５が粘度の高い半田１０５の方に引き寄せられるため、クリーム半田１０４を加熱溶融後の半田１０５は、図５に示す断面形状となる。中心から放射状に配置された接点パターンは、基板１１１の表面から見たときに、中心から外周方向に向かって徐々に高くなる形状となる。これにより、接点バネ１０６を接点部に押し当てた際に、接点バネ１０６は、接点バネ１０６の中心と接点の中心が重なる位置に移動し、安定させることができる。このため、接点バネを接点パターンに押し当てて固定する際に、力を加えるポイントが接点バネの中心からずれると接点バネが座屈し、接点パターンから外れてしまう現象を防止できる。 In this embodiment, the width of the copper foil pattern formed radially from the center is increased (increased) from the center toward the outer circumference, so that the heat capacity of the copper foil pattern increases as the distance from the center of the circle of the contact pattern increases. Is trying to be large. As a result, the viscosity of the solder 105 formed by heating and melting the cream solder 104 gradually increases as the distance from the center of the circle of the contact pattern increases. Therefore, the low-viscosity solder 105 is attracted toward the high-viscosity solder 105, so that the solder 105 after heating and melting the cream solder 104 has the cross-sectional shape shown in FIG. The contact patterns arranged radially from the center have a shape that gradually increases from the center toward the outer circumference when viewed from the surface of the substrate 111. As a result, when the contact spring 106 is pressed against the contact portion, the contact spring 106 moves to a position where the center of the contact spring 106 and the center of the contact overlap, and can be stabilized. Therefore, when the contact spring is pressed against the contact pattern to be fixed, if the point where the force is applied deviates from the center of the contact spring, the contact spring buckles and can be prevented from coming off the contact pattern.

以上説明したように、本実施例によれば、リフロー後の接点パターンの接触信頼性を向上させることができる。特に本実施例では、実施例１、２と同様の効果に加えて、接点パターンにより構成される接点部を、接点部に接触した接点バネの姿勢が接点の中心に重なる位置で安定するように基板上に形成することができる。 As described above, according to the present embodiment, the contact reliability of the contact pattern after reflow can be improved. In particular, in this embodiment, in addition to the same effects as in Examples 1 and 2, the contact portion composed of the contact pattern is stabilized at a position where the posture of the contact spring in contact with the contact portion overlaps the center of the contact. It can be formed on a substrate.

実施例２、３では、接点パターンを構成する放射状に配置された複数の銅箔は、接点パターンの円の中心部で接続されていた。実施例４では、接点パターンを構成する放射状に配置された複数の銅箔は、外周側の円環部で接続されている接点パターンについて説明する。 In Examples 2 and 3, a plurality of copper foils arranged radially forming the contact pattern were connected at the center of the circle of the contact pattern. In the fourth embodiment, the contact pattern in which the plurality of copper foils arranged radially forming the contact pattern are connected by the annular portion on the outer peripheral side will be described.

［接点パターンの概要］
図６は、実施例４の接点パターンの形状を説明する図である。図６（ａ）は接点パターンの形状を示す模式図、図６（ｂ）はリフロー時に剥き出し状態の銅箔パターン上にクリーム半田を塗布した状態を示す模式図、図６（ｃ）はリフローによるクリーム半田の加熱後の半田の状態を示す模式図である。 [Outline of contact pattern]
FIG. 6 is a diagram illustrating the shape of the contact pattern of the fourth embodiment. FIG. 6A is a schematic view showing the shape of the contact pattern, FIG. 6B is a schematic view showing a state in which cream solder is applied on a copper foil pattern exposed during reflow, and FIG. 6C is due to reflow. It is a schematic diagram which shows the state of the solder after heating of a cream solder.

本実施例の接点パターンは、接点パターンの円の中心から放射状に配置された短手方向の幅（第一の幅）が一定の複数の銅箔パターンと、複数の銅箔パターンを外周側に設けた円環形状の銅箔部で接続する銅箔パターンから構成される。なお、複数の銅箔パターンは円の中心部ではレジスト１０２ａで覆われているが、互いに接続されておらず、外周側に設けた円環状の銅箔パターン１１２によって互いに接続されている。また、複数の銅箔パターンにおいて、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅ（図中、黒い部分）を除いた領域は、レジスト１０２により覆われている。更に、銅箔パターンの外周部側を繋ぐ円環部の銅箔パターン１１２（図中、濃い灰色部分）もレジスト１０２により覆われているが、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅと重なる領域は、レジスト１０２で覆われていない。銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの銅箔が剥き出しとなっている長手方向の領域は、接点の中心部のレジスト１０２で覆われていない箇所から、外周側の円環部のレジスト１０２で覆われていない箇所までの領域である。 The contact pattern of this embodiment includes a plurality of copper foil patterns arranged radially from the center of the circle of the contact pattern and having a constant width (first width) in the lateral direction, and a plurality of copper foil patterns on the outer peripheral side. It is composed of a copper foil pattern connected by a ring-shaped copper foil portion provided. Although the plurality of copper foil patterns are covered with the resist 102a at the center of the circle, they are not connected to each other, but are connected to each other by the annular copper foil pattern 112 provided on the outer peripheral side. Further, in the plurality of copper foil patterns, the region excluding the copper foil patterns 101a to 101e (black portion in the drawing) is covered with the resist 102. Further, the copper foil pattern 112 (dark gray portion in the figure) of the annular portion connecting the outer peripheral side of the copper foil pattern is also covered with the resist 102, but the region overlapping with the copper foil pattern 101a-101e is the resist 102. Not covered with. The region in the longitudinal direction in which the copper foil of the copper foil pattern 101a to 101e is exposed is not covered by the resist 102 in the annular portion on the outer peripheral side from the portion not covered by the resist 102 in the central portion of the contact. The area up to the point.

また、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの短手方向の両側は、レジスト１０２で覆われた銅箔パターン１０３ａ〜１０３ｅ（図中、濃い灰色部分）であり、短手方向の切断面は、図２（ｃ）に示す断面図と同様の状態となっている。なお、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの短手方向の両側に設けられたレジスト１０２の幅は、例えば、それぞれ銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの短手方向の幅の半分である。 Further, both sides of the copper foil patterns 101a to 101e in the lateral direction are copper foil patterns 103a to 103e (dark gray portions in the drawing) covered with the resist 102, and the cut surfaces in the lateral direction are shown in FIG. It is in the same state as the cross-sectional view shown in c). The width of the resists 102 provided on both sides of the copper foil patterns 101a to 101e in the lateral direction is, for example, half the width of the copper foil patterns 101a to 101e in the lateral direction.

図６（ｂ）は、リフロー処理に際して、図６（ａ）の銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅに、それぞれクリーム半田１０４ａ〜１０４ｅを塗布した状態を示す図である。リフロー処理により溶融する前のペースト状のクリーム半田１０４ａ〜１０４ｅは、図中「／／／」の領域で示される。クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅは、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅのパターン幅（短手方向の幅）よりも広く、レジスト１０２で覆われた銅箔パターン１０３ａ〜１０３ｅのパターン幅（短手方向の幅）を超えない範囲の一定の幅で塗布される。 FIG. 6B is a diagram showing a state in which cream solders 104a to 104e are applied to the copper foil patterns 101a to 101e of FIG. 6A during the reflow treatment, respectively. The paste-like cream solders 104a to 104e before being melted by the reflow treatment are shown in the “///” region in the figure. The cream solders 104a to 104e are wider than the pattern width (width in the lateral direction) of the copper foil patterns 101a to 101e, and have a pattern width (width in the lateral direction) of the copper foil patterns 103a to 103e covered with the resist 102. It is applied with a constant width that does not exceed it.

図６（ｃ）は、図６（ｂ）で塗布したクリーム半田が、リフロー方式による加熱溶融により、クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅが溶融した後の基板１１１上の接点パターンの半田１０５ａ〜１０５ｅの状態を説明する図である。クリーム半田１０４ａ〜１０４ｅが溶融した後の半田１０５ａ〜１０５ｅは、図６（ｃ）中、「・・・」の領域で示される。図６（ｃ）に示すように、実施例１〜３と同様に、溶融前のクリーム半田１０４ａ〜１０４ｅと比べて、溶融後の半田１０５ａ〜１０５ｅは、表面張力により銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅの短手方向の幅と同じ幅に収縮している。実施例１〜３と同様に、クリーム半田１０４が塗布される領域の下には、銅箔パターン１０１ａ〜１０１ｅ、及びレジスト１０２で覆われた銅箔パターン１０３ａ〜１０３ｅが設けられている。そのため、含有する水分量が多い材質の基板１１１を用いた場合でも、基板１１１の表面から発生した水蒸気は、銅箔１０７（図２（ｃ）参照）、及びレジスト１０２に遮断される。そのため、フラックス１０８が気泡化することはなく、気泡化したフラックスが半田１０５上に残留することもない。 FIG. 6C shows the state of the contact pattern solders 105a to 105e on the substrate 111 after the cream solders applied in FIG. 6B are melted by heating and melting by a reflow method. It is a figure explaining. The solders 105a to 105e after the cream solders 104a to 104e are melted are shown in the region of "..." in FIG. 6 (c). As shown in FIG. 6C, as in Examples 1 to 3, the melted solders 105a to 105e have a copper foil pattern 101a to 101e due to surface tension as compared with the cream solders 104a to 104e before melting. It contracts to the same width as the width in the lateral direction. Similar to Examples 1 to 3, copper foil patterns 101a to 101e and copper foil patterns 103a to 103e covered with the resist 102 are provided under the region to which the cream solder 104 is applied. Therefore, even when the substrate 111 made of a material containing a large amount of water is used, the water vapor generated from the surface of the substrate 111 is blocked by the copper foil 107 (see FIG. 2C) and the resist 102. Therefore, the flux 108 does not bubble, and the bubbled flux does not remain on the solder 105.

［接点パターンの半田の状態］
本実施例の特徴は、複数の銅箔パターンの外周部に円環状の銅箔パターンを接続することで、接点の中心から放射状に形成された複数の銅箔パターンの外周側の円環部の銅箔が他の箇所の銅箔より熱容量が大きくなるようにしている。そして、この特徴により、クリーム半田１０４が溶融した後の半田１０５の断面は、円環部の半田１０５の断面は凸形状となり、その他の箇所の半田１０５の形状は同じ高さの断面となる。 [Soldering state of contact pattern]
The feature of this embodiment is that by connecting an annular copper foil pattern to the outer peripheral portion of the plurality of copper foil patterns, the annular portion on the outer peripheral side of the plurality of copper foil patterns formed radially from the center of the contact point. The heat capacity of the copper foil is set to be larger than that of the copper foil in other parts. Due to this feature, the cross section of the solder 105 after the cream solder 104 is melted has a convex cross section of the solder 105 in the annular portion, and the cross section of the solder 105 in other portions has the same height.

図７は、接点バネ１０６が接触する接点部である半田１０５ａが形成された銅箔パターン１０１ａの切断面を示す模式図である。図７は、図６（ｃ）のＢ−Ｂ’（図中、一点鎖線で示す）で切断したときの接点パターンの断面の状態を示しており、図７のＢ、Ｂ’は、それぞれ図６（ｃ）のＢ、Ｂ’に対応する。図７に示すように、銅箔パターン１０１ａの上に形成された溶融後の半田１０５ａは、円環部（図中、Ｂ’近傍）以外の領域では、その厚みが一様であるが、円環部（Ｂ’近傍）では銅箔パターン１０１ａ面からの半田１０５ａの高さが高い凸形状を有している。実施例３で説明したように、銅箔パターンは、その面積が大きいほど、熱容量も大きい。そのため、本実施例の接点パターンでは、円環状に銅箔パターンを配置した円環部の熱容量が大きくなるため、クリーム半田１０４を加熱溶融時に熱容量の大きい銅箔部である円環部に半田１０５ａが引き寄せられることになる。その結果、図７に示すように、断面から見ると溶融後の半田１０５ａが円環状の銅箔パターンを接続することにより熱容量が大きくなった外周部（円環部）のみ、半田１０５ａの高さが高くなっている。その結果、本実施例では、接点パターンの外周部の半田１０５ａ面が周囲よりも一段高くなっているため、接点バネ１０６が座屈したときに、接点バネ１０６が接点パターンの円から外れてしまうことを抑制することができる。他の半田１０５ｂ〜１０５ｅについても同様である。 FIG. 7 is a schematic view showing a cut surface of the copper foil pattern 101a on which the solder 105a, which is the contact portion with which the contact spring 106 contacts, is formed. FIG. 7 shows the state of the cross section of the contact pattern when cut at BB'(indicated by the alternate long and short dash line) in FIG. 6 (c), and B and B'in FIG. 7 are views, respectively. Corresponds to B and B'of 6 (c). As shown in FIG. 7, the melted solder 105a formed on the copper foil pattern 101a has a uniform thickness in regions other than the annular portion (near B'in the figure), but is circular. The ring portion (near B') has a convex shape in which the height of the solder 105a from the surface of the copper foil pattern 101a is high. As described in Example 3, the larger the area of the copper foil pattern, the larger the heat capacity. Therefore, in the contact pattern of the present embodiment, the heat capacity of the annular portion in which the copper foil pattern is arranged in an annular shape is large. Therefore, when the cream solder 104 is heated and melted, the solder 105a is applied to the annular portion, which is the copper foil portion having a large heat capacity. Will be attracted. As a result, as shown in FIG. 7, when viewed from the cross section, the height of the solder 105a is increased only in the outer peripheral portion (annular portion) where the heat capacity is increased by connecting the annular copper foil pattern to the molten solder 105a. Is high. As a result, in this embodiment, the solder 105a surface on the outer peripheral portion of the contact pattern is one step higher than the surroundings, so that when the contact spring 106 buckles, the contact spring 106 deviates from the circle of the contact pattern. Can be suppressed. The same applies to the other solders 105b to 105e.

以上説明したように、本実施例によれば、リフロー後の接点パターンの接触信頼性を向上させることができる。更に、本実施例では接点パターンの円環部上に盛られた半田面の高さを接点バネが接触する接点パターンよりも高くして壁の役割をもたせることで、接点パターンに接触した接点バネが座屈して、接点部から外れてしまうことを抑制することができる。 As described above, according to the present embodiment, the contact reliability of the contact pattern after reflow can be improved. Further, in this embodiment, the height of the solder surface piled up on the annular portion of the contact pattern is made higher than the contact pattern with which the contact spring contacts to serve as a wall, so that the contact spring in contact with the contact pattern Can be prevented from buckling and coming off the contact portion.

［画像形成装置の構成］
実施例１〜４で説明した基板が用いられる画像形成装置の一例として、レーザビームプリンタを例にあげて説明する。図８に電子写真方式のプリンタの一例であるレーザビームプリンタの概略構成を示す。レーザビームプリンタ３００は、静電潜像が形成される像担持体である感光ドラム３１１、感光ドラム３１１を所定の電位で帯電する帯電部３１７（帯電手段）、感光ドラム３１１に形成された静電潜像をトナーで現像する現像部３１２（現像手段）を備えている。そして、感光ドラム３１１に現像されたトナー像をカセット３１６から供給された記録材としてのシート（不図示）に転写部３１８（転写手段）によって転写して、シートに転写したトナー像を定着器３１４で定着してトレイ３１５に排出する。この感光ドラム３１１、帯電部３１７、現像部３１２、転写部３１８が画像形成部である。また、レーザビームプリンタ３００は、電源装置４００を備えている。なお、図８で示す画像形成装置は、１つの画像形成部を備えているが、本実施例が適用される画像形成装置は、図１に例示したものに限定されず、例えば複数の画像形成部を備える画像形成装置であってもよい。更に、感光ドラム３１１上のトナー像を中間転写ベルトに転写する一次転写部と、中間転写ベルト上のトナー像をシートに転写する二次転写部を備える画像形成装置であってもよい。 [Configuration of image forming apparatus]
As an example of the image forming apparatus in which the substrates described in Examples 1 to 4 are used, a laser beam printer will be described as an example. FIG. 8 shows a schematic configuration of a laser beam printer, which is an example of an electrophotographic printer. The laser beam printer 300 includes a photosensitive drum 311 which is an image carrier on which an electrostatic latent image is formed, a charging unit 317 (charging means) that charges the photosensitive drum 311 at a predetermined potential, and static electricity formed on the photosensitive drum 311. A developing unit 312 (developing means) for developing a latent image with toner is provided. Then, the toner image developed on the photosensitive drum 311 is transferred to a sheet (not shown) as a recording material supplied from the cassette 316 by a transfer unit 318 (transfer means), and the toner image transferred to the sheet is transferred to the fixing device 314. It is fixed with and discharged to the tray 315. The photosensitive drum 311, the charging unit 317, the developing unit 312, and the transfer unit 318 are image forming units. Further, the laser beam printer 300 includes a power supply device 400. Although the image forming apparatus shown in FIG. 8 includes one image forming unit, the image forming apparatus to which this embodiment is applied is not limited to the one illustrated in FIG. 1, and for example, a plurality of image forming apparatus is formed. It may be an image forming apparatus including a part. Further, the image forming apparatus may include a primary transfer unit that transfers the toner image on the photosensitive drum 311 to the intermediate transfer belt and a secondary transfer unit that transfers the toner image on the intermediate transfer belt to the sheet.

また、レーザビームプリンタ３００は、画像形成部による画像形成動作や、シートの搬送動作を制御するコントローラ（不図示）を備えており、電源装置４００は、例えばコントローラに電力を供給する。更に、電源装置４００は、感光ドラム３１１を回転するため、又はシートを搬送する各種ローラ等を駆動するためのモータ等の駆動部に電力を供給する。また、帯電部３１７、現像部３１２、転写部３１８には、それぞれ高電圧を生成する高電圧電源（不図示）のプリント基板（以下、高電圧電源基板ともいう）が取り付けられ、帯電時、現像時、転写時に必要な高電圧が供給される構成となっている。なお、高電圧電源基板が取り付けられる装置、例えば帯電部３１７、現像部３１２、転写部３１８を、被取り付け体という。 Further, the laser beam printer 300 includes a controller (not shown) that controls an image forming operation by the image forming unit and a sheet conveying operation, and the power supply device 400 supplies electric power to, for example, the controller. Further, the power supply device 400 supplies electric power to a drive unit such as a motor for rotating the photosensitive drum 311 or for driving various rollers or the like that convey the sheet. Further, a printed board (hereinafter, also referred to as a high voltage power supply board) of a high voltage power supply (not shown) that generates a high voltage is attached to each of the charging unit 317, the developing unit 312, and the transfer unit 318, and is developed during charging. At the time, the high voltage required for transfer is supplied. A device to which a high-voltage power supply board is attached, for example, a charging unit 317, a developing unit 312, and a transfer unit 318, is referred to as an attached body.

例えば、帯電部３１７を例にとると、帯電部３１７に高電圧を供給する高電圧電源基板には帯電高電圧出力部が設けられている。ここで、帯電高電圧出力部は、実施例１〜４で説明した接点部を構成する接点パターンのことを指している。また、高電圧電源基板から供給される高電圧を帯電部３１７に導電させるための導電部材が用意されている。導電部材の一方の端部は帯電部３１７と接続され、他方の端部には上述した接点バネ１０６が設けられ、帯電高電圧出力部の接点パターンに押し当てることにより接続され、高電圧電源基板から高電圧が帯電部３１７に供給される構成となっている。ここでは、帯電部３１７に高電圧を供給する高電圧電源基板を例に挙げて説明したが、他の高電圧電源部、例えば現像部３１２に高電圧を供給する現像高電圧出力部や、転写部３１８に高電圧を供給する転写高電圧出力部も同様の構成となっている。 For example, taking the charging unit 317 as an example, the charging high voltage output unit is provided on the high voltage power supply board that supplies a high voltage to the charging unit 317. Here, the charged high voltage output unit refers to a contact pattern constituting the contact unit described in Examples 1 to 4. Further, a conductive member for conducting the high voltage supplied from the high voltage power supply board to the charging unit 317 is prepared. One end of the conductive member is connected to the charging part 317, and the above-mentioned contact spring 106 is provided at the other end and is connected by pressing against the contact pattern of the charged high voltage output part. High voltage is supplied to the charging unit 317. Here, a high-voltage power supply board that supplies a high voltage to the charging unit 317 has been described as an example, but another high-voltage power supply unit, for example, a developing high-voltage output unit that supplies a high voltage to the developing unit 312, or a transfer The transfer high-voltage output unit that supplies a high voltage to the unit 318 has the same configuration.

このほか、高電圧が印加される場合には、以下のようなものがある。例えば、転写部としてローラ形状の転写ローラ（不図示）を用いた場合には、転写ローラに付着した現像剤としてのトナーを除去（クリーニング）するための高電圧を転写ローラに印加する。また、転写ローラと感光ドラムによって画像が転写されたシートを感光ドラムから分離するための除電電圧（高電圧）を除電器（不図示）に印加する。また、トナーを収容する収容容器内のトナー残量を検知するためにトナー収容容器に設けられたセンサ（板金）に高電圧を印加する。また、現像する際にトナーを帯電するためのトナー帯電部材としてのブレードに高電圧を印加する。また、カラー画像形成装置の構成であれば、感光ドラムから中間転写体にトナー像を一次転写する際に、一次転写部としての一次転写ローラに高電圧を印加する。また、中間転写体からシートにトナー像を二次転写する際に二次転写部としての二次転写ローラに高電圧を印加する等がある。 In addition, when a high voltage is applied, there are the following. For example, when a roller-shaped transfer roller (not shown) is used as the transfer unit, a high voltage for removing (cleaning) the toner as a developer adhering to the transfer roller is applied to the transfer roller. Further, a static elimination voltage (high voltage) for separating the sheet on which the image is transferred by the transfer roller and the photosensitive drum from the photosensitive drum is applied to the static eliminator (not shown). Further, a high voltage is applied to a sensor (sheet metal) provided in the toner storage container in order to detect the remaining amount of toner in the toner storage container. Further, a high voltage is applied to the blade as a toner charging member for charging the toner during development. Further, in the case of the configuration of the color image forming apparatus, when the toner image is first transferred from the photosensitive drum to the intermediate transfer body, a high voltage is applied to the primary transfer roller as the primary transfer unit. Further, when the toner image is secondarily transferred from the intermediate transfer body to the sheet, a high voltage is applied to the secondary transfer roller as the secondary transfer unit.

１０１銅箔パターン
１０２レジスト
１０３銅箔パターン
１０５半田
１０７銅箔
１０８フラックス
１１１基板 101 Copper foil pattern 102 Resist 103 Copper foil pattern 105 Solder 107 Copper foil 108 Flux 111 Substrate

Claims

A substrate with contacts
The contacts have a first width in the lateral direction and have a plurality of first copper foil patterns radially arranged from the center of the contacts.
In each of the plurality of first copper foil patterns, both sides of the first copper foil pattern in the lateral direction have a second width narrower than the first width in the lateral direction. Covered with resist
The substrate further has a resist-covered second copper foil pattern that is disposed over the region between the plurality of first copper foil patterns in a circumferential direction with respect to the center.
A substrate characterized in that a region of the first copper foil pattern to which solder is attached and the second copper foil pattern are aligned in the circumferential direction .

A flux-containing solder is applied over a resist-covered region and a resist-uncovered region on the plurality of first copper foil patterns, and then heated by heating the plurality of first copper foil patterns. The substrate according to claim 1, wherein solder is formed on the copper foil pattern of the above.

The substrate according to claim 1 or 2, wherein the substrate is a paper phenol substrate.

Any one of claims 1 to 3, wherein the adjacent first copper foil pattern and the second copper foil pattern are connected to each other to form a circular solid copper foil portion. The substrate described in.

The plurality of first copper foil patterns are connected at the center and
The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the outer peripheral portion of the plurality of first copper foil patterns is connected to a resist portion formed in a ring shape by a resist. substrate.

The plurality of first copper foil patterns are connected at the center and
The first width of the plurality of first copper foil patterns in the lateral direction increases as the distance from the center increases.
The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the outer peripheral portion of the plurality of first copper foil patterns is connected to a resist portion formed in a ring shape by a resist. substrate.

The substrate according to claim 6 , wherein the height of the solder increases as the distance from the center increases.

A ring-shaped copper foil pattern is provided on the outer peripheral side of the plurality of first copper foil patterns.
The substrate according to any one of claims 1 to 3 , wherein the outer peripheral portion of the plurality of first copper foil patterns is connected to the ring-shaped copper foil portion.

The substrate according to claim 8 , wherein the ring-shaped copper foil portion is covered with a resist except for a region connected to the copper foil pattern.

The substrate according to any one of claims 1 to 9 , wherein the height of the solder is higher than that of the flux.

The substrate according to any one of claims 1 to 10 , wherein the width between the resist to which the solder is applied and the resist in the lateral direction is constant.

The substrate according to any one of claims 1 to 11 , wherein the center of the contact is covered with a resist.

The substrate according to any one of claims 1 to 12 , wherein the contact member in contact with the contact is a coil spring-shaped elastic member.

An image carrier on which an electrostatic latent image is formed, and
A charging means for charging the image carrier at a predetermined potential,
A developing means for developing an electrostatic latent image of the image carrier with toner to form a toner image,
A transfer means for transferring the toner image of the image carrier onto the sheet,
The substrate according to any one of claims 1 to 13 .
An image forming apparatus characterized by being provided with.

An image carrier on which an electrostatic latent image is formed, and
A charging means for charging the image carrier at a predetermined potential,
A developing means for developing an electrostatic latent image of the image carrier with toner to form a toner image,
A transfer means for transferring the toner image of the image carrier onto the sheet,
The substrate according to claim 13 and
An image forming apparatus characterized by being provided with.

The image forming apparatus according to claim 15 , wherein the substrate is a substrate on which a circuit for generating a voltage is mounted.

The contact member has two ends
The image forming apparatus according to claim 16 , wherein one end is in contact with the contact of the substrate and the other end is connected to the attached body.

The image forming apparatus according to claim 17 , wherein the attached body is at least one of the charging means, the developing means, and the transfer means.

Further, a cleaning means for cleaning the transfer means is provided.
The image forming apparatus according to claim 17 or 18 , wherein the attached body is the cleaning means.

Further, a separation means for separating the sheet from the image carrier is provided.
The image forming apparatus according to claim 17 or 18 , wherein the attached body is the separating means.

Furthermore, it has a sensor for detecting the remaining amount of toner.
The image forming apparatus according to claim 17 or 18 , wherein the attached body is the sensor.

Further, it has a toner charging member for charging toner,
The image forming apparatus according to claim 17 or 18 , wherein the attached body is the toner charging member.

Further, an intermediate transfer body carrying a toner image, a primary transfer means for transferring the toner image formed on the image carrier to the intermediate transfer body, and a toner image transferred to the intermediate transfer body are transferred to a sheet. Has a secondary transfer means for transfer,
The image forming apparatus according to claim 17 or 18 , wherein the attached body is the primary transfer means or the secondary transfer means.