JP6806499B2 - Abrasive pad - Google Patents

Abrasive pad Download PDF

Info

Publication number
JP6806499B2
JP6806499B2 JP2016174953A JP2016174953A JP6806499B2 JP 6806499 B2 JP6806499 B2 JP 6806499B2 JP 2016174953 A JP2016174953 A JP 2016174953A JP 2016174953 A JP2016174953 A JP 2016174953A JP 6806499 B2 JP6806499 B2 JP 6806499B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
groove
grooves
polishing pad
variation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016174953A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2018039078A (en
Inventor
正孝 高木
正孝 高木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujibo Holdins Inc
Original Assignee
Fujibo Holdins Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujibo Holdins Inc filed Critical Fujibo Holdins Inc
Priority to JP2016174953A priority Critical patent/JP6806499B2/en
Publication of JP2018039078A publication Critical patent/JP2018039078A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6806499B2 publication Critical patent/JP6806499B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

本発明は、ガラス基板、ハードディスク基板、シリコンウエハや半導体デバイス等の研磨に利用される研磨パッドに関する。 The present invention relates to a polishing pad used for polishing a glass substrate, a hard disk substrate, a silicon wafer, a semiconductor device, or the like.

光学材料、半導体デバイスやハードディスク基板等の研磨には研磨パッドが用いられる。研磨パッドは、ポリウレタン等の合成樹脂からなる硬質パッドや軟質なスウェードパッド、ポリエチレンテレフタレート(PET)等の合成繊維からなる不織布等からなり、物性や空隙の分布等によって所定の研磨特性を有する。 A polishing pad is used for polishing optical materials, semiconductor devices, hard disk substrates, and the like. The polishing pad is made of a hard pad made of a synthetic resin such as polyurethane, a soft suede pad, a non-woven fabric made of a synthetic fiber such as polyethylene terephthalate (PET), and has predetermined polishing characteristics depending on physical properties and the distribution of voids.

研磨パッドの表面には、研磨スラリーを拡散させるための溝が形成される場合がある。しかしながら、同一方向に延伸する複数の溝を有する研磨パッドでは、溝間が一定の距離を維持したまま延伸する規則的な形状であり、溝又はランド(溝が形成されていない領域)と被研磨物とが接する箇所が研磨に伴って同期し、局所的に過剰研磨となったり、研磨不足となる場合がある。 Grooves for diffusing the polishing slurry may be formed on the surface of the polishing pad. However, in a polishing pad having a plurality of grooves extending in the same direction, the polishing pad has a regular shape in which the grooves are extended while maintaining a certain distance, and the groove or land (region where the groove is not formed) and the polishing pad are to be polished. The part in contact with the object may be synchronized with the polishing, resulting in local overpolishing or insufficient polishing.

これに対して、例えば特許文献1には、研磨の際に被研磨物を回転させながら、研磨パッドを自転させると同時に公転させることによって同期を防止する研磨装置が開示されている。また、特許文献2には、深さが異なる2種類の溝を有する研磨パッドが開示されており、溝容積を分散させることにより、溝の磨耗による経時変化の抑制が可能とされている。さらに、特許文献3には研磨スラリーによるハイドロプレーンを抑制するために、溝ピッチを不規則にした半導体デバイス加工用の溝付樹脂パッドが開示されている。 On the other hand, for example, Patent Document 1 discloses a polishing device that prevents synchronization by rotating the polishing pad at the same time as rotating the polishing pad while rotating the object to be polished during polishing. Further, Patent Document 2 discloses a polishing pad having two types of grooves having different depths, and it is possible to suppress a change with time due to wear of the grooves by dispersing the groove volume. Further, Patent Document 3 discloses a grooved resin pad for processing a semiconductor device having an irregular groove pitch in order to suppress a hydroplane due to a polishing slurry.

特開2012−143822号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-143822 特開2006−346856号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-346856 特開2002−184730号公報JP-A-2002-184730

しかしながら、特許文献1に記載の研磨装置や、上定盤と下定盤との回転数をずらして研磨する、被研磨物を保持する保持定盤側を一定範囲内で摺動させる等のように、研磨パッド溝形状の転写を緩和する研磨装置の構造や研磨方法によって対応しようとしても、研磨精度を維持したまま同期(例えば10mm前後の周期的なうねり)を緩和するには更に調整が必要であり、研磨パッドが異なるたびに研磨条件等を調整する必要がある。 However, the polishing apparatus described in Patent Document 1, polishing by shifting the rotation speed between the upper surface plate and the lower surface plate, sliding the holding surface plate side holding the object to be polished within a certain range, and the like. Even if the structure and polishing method of the polishing device that alleviates the transfer of the polishing pad groove shape are used, further adjustment is required to alleviate the synchronization (for example, periodic waviness of about 10 mm) while maintaining the polishing accuracy. Yes, it is necessary to adjust the polishing conditions and the like each time the polishing pad is different.

特許文献2に記載のようにランド幅を一定として溝ごとに溝深さを変更する場合、溝又はランドと被研磨物とが接する箇所が変わらないため、同期による研磨ムラの改善には不充分である。さらには、各溝間で溝深さが異なると、研磨面へのスラリーの供給量が異なり、均一性に悪影響を与える可能性がある。 When the land width is kept constant and the groove depth is changed for each groove as described in Patent Document 2, the groove or the place where the land and the object to be polished do not change, which is insufficient for improving polishing unevenness by synchronization. Is. Furthermore, if the groove depth is different between the grooves, the amount of slurry supplied to the polished surface is different, which may adversely affect the uniformity.

特許文献3においては、ハイドロプレーン現象の抑制については言及しているものの、同期を防止するために溝ピッチをどの程度不規則にするべきかについては記載されていない。 Although Patent Document 3 mentions suppression of the hydroplaning phenomenon, it does not describe how irregular the groove pitch should be in order to prevent synchronization.

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、同一方向に延伸する溝を含むにも関わらず研磨ムラを抑制することが可能な研磨パッドを提供することにある。 In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a polishing pad capable of suppressing polishing unevenness even though it includes grooves extending in the same direction.

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る研磨パッドは、研磨面に同一方向に延伸する複数の溝が形成されている。上記複数の溝の幅及び深さは均一であり、上記複数の溝の間の上記研磨面であるランドの、溝の延伸方向に直交する方向の幅であるランド幅について、次の[数式1]で算出される変動係数が0.05以上0.30以下である。
変動係数=(ランド幅の標準偏差)/(ランド幅の平均値)[数式1]
In order to achieve the above object, the polishing pad according to one embodiment of the present invention has a plurality of grooves extending in the same direction formed on the polishing surface. The width and depth of the plurality of grooves are uniform, and the land width of the land which is the polishing surface between the plurality of grooves in the direction orthogonal to the extending direction of the groove is described in the following [Formula 1]. ] The coefficient of variation calculated in] is 0.05 or more and 0.30 or less.
Coefficient of variation = (standard deviation of land width) / (mean value of land width) [Formula 1]

この構成によれば、ランド幅のバラツキを一定範囲内で制御することにより、研磨層と被研磨物の同期による周期的な研磨ムラを効果的に防止することができる。また、溝の幅及び深さを均一とすることにより、溝を流れる研磨スラリーの流量が均一となり、この点でも研磨ムラの発生を抑制することができる。 According to this configuration, by controlling the variation of the land width within a certain range, it is possible to effectively prevent periodic polishing unevenness due to synchronization between the polishing layer and the object to be polished. Further, by making the width and depth of the groove uniform, the flow rate of the polishing slurry flowing through the groove becomes uniform, and the occurrence of polishing unevenness can be suppressed in this respect as well.

上記複数の溝は、上記研磨面において互いに平行に延伸するストライプ溝であってもよい。 The plurality of grooves may be striped grooves extending parallel to each other on the polished surface.

上記研磨面において、上記ストライプ溝が2種類重ね合された格子溝パターンが設けられてもよい。 On the polished surface, a lattice groove pattern in which two types of the stripe grooves are overlapped may be provided.

上記複数の溝は、上記研磨面において同心円状である同心円溝であってもよい。 The plurality of grooves may be concentric grooves that are concentric on the polished surface.

上記研磨面において、上記複数の溝が互いに平行に延伸するストライプ溝から構成された溝パターンが複数設けられてもよい。 On the polished surface, a plurality of groove patterns composed of striped grooves in which the plurality of grooves extend in parallel with each other may be provided.

上記研磨面において、10本以上の上記複数の溝から構成された溝切削パターンが2回以上反復して設けられてもよい。 On the polished surface, a groove cutting pattern composed of 10 or more of the plurality of grooves may be repeatedly provided twice or more.

以上のように、本発明によれば、研磨ムラを抑制することが可能な研磨パッドを提供することが可能である。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a polishing pad capable of suppressing uneven polishing.

本発明の実施形態に係る研磨パッドの斜視図である。It is a perspective view of the polishing pad which concerns on embodiment of this invention. 同研磨パッドの平面図である。It is a top view of the polishing pad. 同研磨パッドの模式的平面図である。It is a schematic plan view of the polishing pad. 同研磨パッドの断面図である。It is sectional drawing of the polishing pad. 同研磨パッドの模式的断面図である。It is a schematic sectional view of the polishing pad. 同研磨パッドの他の溝形状を示す平面図である。It is a top view which shows the other groove shape of the polishing pad. 同研磨パッドの他の溝形状を示す平面図である。It is a top view which shows the other groove shape of the polishing pad. 同研磨パッドの他の溝形状を示す平面図である。It is a top view which shows the other groove shape of the polishing pad.

本発明の実施形態に係る研磨パッドについて説明する。 The polishing pad according to the embodiment of the present invention will be described.

[研磨パッドの構成]
図1は、本実施形態に係る研磨パッド100を示す斜視図である。同図に示すように、研磨パッド100は、研磨層101、接着層102及びクッション層103を具備する。以下、各図において、相互に直交する三方向をX方向、Y方向及びZ方向とする。
[Structure of polishing pad]
FIG. 1 is a perspective view showing a polishing pad 100 according to the present embodiment. As shown in the figure, the polishing pad 100 includes a polishing layer 101, an adhesive layer 102, and a cushion layer 103. Hereinafter, in each figure, the three directions orthogonal to each other are defined as the X direction, the Y direction, and the Z direction.

研磨層101は、被研磨物に当接し、研磨を行う層である。以下、研磨層101の表面を研磨面101aとする。研磨面101aには溝101bが形成されている。研磨面101aのうち、溝101bの間の領域をランド101cとする。溝101b及びランド101cの詳細については後述する。 The polishing layer 101 is a layer that comes into contact with the object to be polished and performs polishing. Hereinafter, the surface of the polishing layer 101 is referred to as a polishing surface 101a. A groove 101b is formed on the polished surface 101a. The region between the grooves 101b of the polished surface 101a is designated as a land 101c. Details of the groove 101b and the land 101c will be described later.

研磨層101の材料は特に限定されず、ポリウレタン樹脂等の合成樹脂からなるものとすることができる。ポリウレタン樹脂は例えば、イソシアネート化合物であるプレポリマーと、ポリオール系硬化剤又はポリアミン系硬化剤を混合したものとすることができる。研磨層101には、研磨特性を改善するための気泡等が形成されていてもよい。気泡は中空微粒子を用いた発泡、化学的発泡又は機械的発泡等を利用して形成することができ、湿式成膜法によって涙型気泡を形成してもよい。また、研磨層101の材料はポリウレタン樹脂に限定されず、公知の材料からなるものとすることができる。例えば、不織布や織布、編布からなるものとしてもよく、不織布等の基材にポリウレタン樹脂等の合成樹脂を含浸させたものとしてもよく、公知の砥粒、顔料、染料、添加剤等を含むものであってもよい。しかし、研磨層102のショアA硬度が20以上、好ましくは60以上であれば、後述の溝及びランドの構成が研磨時に変化しにくくなり、安定して本発明の効果が得られる傾向にある。一方、研磨層102のショアD硬度が99以下、好ましくは80以下であれば、過度のスクラッチを抑制できる傾向にある。 The material of the polishing layer 101 is not particularly limited, and may be made of a synthetic resin such as a polyurethane resin. The polyurethane resin can be, for example, a mixture of a prepolymer which is an isocyanate compound and a polyol-based curing agent or a polyamine-based curing agent. The polishing layer 101 may be formed with bubbles or the like for improving the polishing characteristics. The bubbles can be formed by using foaming using hollow fine particles, chemical foaming, mechanical foaming, or the like, and teardrop-shaped bubbles may be formed by a wet film forming method. Further, the material of the polishing layer 101 is not limited to the polyurethane resin, and may be made of a known material. For example, it may be made of a non-woven fabric, a woven fabric, or a knitted fabric, or a base material such as a non-woven fabric may be impregnated with a synthetic resin such as a polyurethane resin, and known abrasive grains, pigments, dyes, additives, etc. may be used. It may include. However, when the shore A hardness of the polishing layer 102 is 20 or more, preferably 60 or more, the configurations of the grooves and lands described later are less likely to change during polishing, and the effects of the present invention tend to be stably obtained. On the other hand, when the shore D hardness of the polishing layer 102 is 99 or less, preferably 80 or less, excessive scratching tends to be suppressed.

接着層102は、研磨層101とクッション層103を接着する層であり、例えば粘着テープである。 The adhesive layer 102 is a layer for adhering the polishing layer 101 and the cushion layer 103, for example, an adhesive tape.

クッション層103は、研磨層101の被研磨物への当接を均一化させる層である。クッション層103は、不織布や合成樹脂等の可撓性を有する材料からなるものとすることができる。もちろん、硬質な支持層を有していてもよい。 The cushion layer 103 is a layer that makes the contact of the polishing layer 101 with the object to be polished uniform. The cushion layer 103 can be made of a flexible material such as a non-woven fabric or a synthetic resin. Of course, it may have a hard support layer.

研磨パッド100は、クッション層103に配設された粘着テープ等によって研磨装置に貼付される。研磨パッド100の大きさ(径)は研磨装置のサイズ等に応じて決定することができ、例えば、直径10cm〜2m程度の円板状とすることができる。なお、研磨パッド100の形状は円板状に限られず、矩形状や帯状等であってもよい。 The polishing pad 100 is attached to the polishing apparatus by an adhesive tape or the like provided on the cushion layer 103. The size (diameter) of the polishing pad 100 can be determined according to the size of the polishing apparatus and the like, and can be, for example, a disk shape having a diameter of about 10 cm to 2 m. The shape of the polishing pad 100 is not limited to a disk shape, but may be a rectangular shape, a strip shape, or the like.

また、研磨パッド100は、少なくとも研磨層101を備えるものであればよく、接着層102及びクッション層103を備えないものや研磨層101が直接クッション層103に積層されたものであってもよい。 Further, the polishing pad 100 may be one provided with at least the polishing layer 101, and may be one without the adhesive layer 102 and the cushion layer 103, or one in which the polishing layer 101 is directly laminated on the cushion layer 103.

研磨パッド100は、研磨装置によって被研磨物に押圧された状態で回転駆動され、被研磨物を研磨する。その際、研磨パッド100と被研磨物の間には、研磨スラリーが供給される。研磨スラリーは溝101bを介して研磨面101aに供給され、排出される。 The polishing pad 100 is rotationally driven in a state of being pressed against the object to be polished by the polishing device to polish the object to be polished. At that time, a polishing slurry is supplied between the polishing pad 100 and the object to be polished. The polishing slurry is supplied to the polishing surface 101a via the groove 101b and discharged.

[溝及びランドの構成について]
図2は研磨層101の平面図であり、図3は、研磨層101の模式的な拡大平面図である。図4は研磨層101の断面図であり、図5は研磨層101の模式的断面図である。
[Regarding the composition of grooves and lands]
FIG. 2 is a plan view of the polishing layer 101, and FIG. 3 is a schematic enlarged plan view of the polishing layer 101. FIG. 4 is a cross-sectional view of the polishing layer 101, and FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the polishing layer 101.

図2に示すように、研磨面101aには同一方向に延伸する複数の溝101bが形成されている。溝101bは研磨面101aにおいて互いに平行に延伸するストライプ溝とすることができる。図3において、溝101bの延伸方向を線L1として示し、溝101bの延伸方向(線L1)に直交する方向を線L2として示す。溝101bの本数は特に限定されない。 As shown in FIG. 2, a plurality of grooves 101b extending in the same direction are formed on the polished surface 101a. The groove 101b can be a striped groove extending parallel to each other on the polished surface 101a. In FIG. 3, the extending direction of the groove 101b is shown as a line L1, and the direction orthogonal to the extending direction of the groove 101b (line L1) is shown as a line L2. The number of grooves 101b is not particularly limited.

図4に示すように、溝101bは研磨層101において研磨面101aから一定の深さまで形成されている。溝101bの断面形状は特に限定されないが、図4に示すように矩形状とすることができる。 As shown in FIG. 4, the groove 101b is formed in the polishing layer 101 from the polishing surface 101a to a certain depth. The cross-sectional shape of the groove 101b is not particularly limited, but can be rectangular as shown in FIG.

図5に示すように、溝101bの幅を溝幅D1とし、溝101bの研磨面101aからの深さを溝深さH1とする。なお、溝幅D1は、溝101bの延伸方向(線L1)に直交する方向(線L2)に沿った幅である。ここで、それぞれの溝101bにおいて溝幅D1及び溝深さH1は均一であり、複数の溝101bの間でも溝幅D1及び溝深さH1は均一である。 As shown in FIG. 5, the width of the groove 101b is defined as the groove width D1, and the depth of the groove 101b from the polished surface 101a is defined as the groove depth H1. The groove width D1 is a width along a direction (line L2) orthogonal to the stretching direction (line L1) of the groove 101b. Here, the groove width D1 and the groove depth H1 are uniform in each groove 101b, and the groove width D1 and the groove depth H1 are uniform even among the plurality of grooves 101b.

また、図3及び図5に示すように、ランド101cの、溝101bの延伸方向(線L1)に直交する方向(線L2)に沿った幅をランド幅D2とする。 Further, as shown in FIGS. 3 and 5, the width of the land 101c along the direction (line L2) orthogonal to the extending direction (line L1) of the groove 101b is defined as the land width D2.

本実施形態に係る研磨層101においては、以下の[数式1]で算出される変動係数(CV:coefficient of variation)が0.05以上0.30以下となるように構成されている。 The polishing layer 101 according to the present embodiment is configured so that the coefficient of variation (CV) calculated by the following [Formula 1] is 0.05 or more and 0.30 or less.

変動係数=(ランド幅D2の標準偏差)/(ランド幅D2の平均値)[数式1] Coefficient of variation = (standard deviation of land width D2) / (mean value of land width D2) [Formula 1]

上記のように、変動係数は標準偏差の単位を平均値で割ることで無次元化されており、ランド幅D2の平均値に依存せずに適用することができる。変動係数を増加させるには、各ランド幅D2間のバラツキ(標準偏差)を大きくすればよく、減少させるにはバラツキ(標準偏差)を小さくすればよい。ランド幅D2に特に制限はないが、研磨レート等を考慮すると、0.3mm以上30mm以下の範囲内で設定することが好ましく、0.5mm以上20mm以下であればより好ましく、1.0mm以上10mm以下であればさらに好ましい。 As described above, the coefficient of variation is made dimensionless by dividing the unit of standard deviation by the average value, and can be applied independently of the average value of the land width D2. To increase the coefficient of variation, the variation (standard deviation) between the land widths D2 may be increased, and to decrease it, the variation (standard deviation) may be decreased. The land width D2 is not particularly limited, but in consideration of the polishing rate and the like, it is preferably set within the range of 0.3 mm or more and 30 mm or less, more preferably 0.5 mm or more and 20 mm or less, and 1.0 mm or more and 10 mm. The following is more preferable.

変動係数を0.05以上0.30以下とし、即ちランド幅D2のバラツキを一定範囲内で制御することにより、研磨層101と被研磨物の同期(研磨層101の特定箇所が被研磨物の特定箇所に摺動し続けること)による周期的な研磨ムラを効果的に防止することができ、同期の防止とランド幅D2のバラツキによる研磨ムラ抑制の両立が可能となる。なお、ランド幅D2のバラツキによる研磨ムラをより確実に抑制する観点から、変動係数を0.05以上0.20以下とすることが好ましい。また、溝パターンを構成する溝101bの数は、スラリーの拡散性や同期の防止を考慮すると10本以上とすることが好ましく、20本以上であるとより好ましい。 By setting the coefficient of variation to 0.05 or more and 0.30 or less, that is, by controlling the variation of the land width D2 within a certain range, the polishing layer 101 and the object to be polished are synchronized (the specific portion of the polishing layer 101 is the object to be polished). It is possible to effectively prevent periodic polishing unevenness due to (continuing to slide at a specific location), and it is possible to both prevent synchronization and suppress polishing unevenness due to variation in the land width D2. The coefficient of variation is preferably 0.05 or more and 0.20 or less from the viewpoint of more reliably suppressing polishing unevenness due to variations in the land width D2. Further, the number of grooves 101b forming the groove pattern is preferably 10 or more, and more preferably 20 or more, in consideration of the diffusibility of the slurry and the prevention of synchronization.

各ランド幅D2間のバラツキについては、規則性を排した方が本発明の効果をより確実に得られるが、工業的には、例えば5本、10本又は20本の不規則なランド幅D2を有する溝切削パターンを2回以上反復して設けることで製造コストを抑えることができる。ここで、より確実に規則性を排して同期を防止するために、溝の繰り返しの最小単位は10本以上とすることが好ましい。同様の理由により、溝の繰り返しの最小単位の幅は50mm以上とすることが好ましい。 Regarding the variation between the land widths D2, the effect of the present invention can be obtained more reliably by eliminating the regularity, but industrially, for example, an irregular land width D2 of 5, 10, or 20 lines is obtained. The manufacturing cost can be suppressed by repeatedly providing the groove cutting pattern having the above two times or more. Here, in order to more reliably eliminate regularity and prevent synchronization, it is preferable that the minimum unit for repeating the groove is 10 or more. For the same reason, the width of the minimum unit of repeating the groove is preferably 50 mm or more.

加えて、溝幅D1及び溝深さH1をそれぞれ均一とすることにより、各々の溝101bにおいて、研磨スラリーの流量や流速が均一化し、この点でも研磨ムラの発生を抑制することができる。例えば、溝幅D1や溝深さH1は、いずれも平均値±0.2mmの範囲内、より好ましくは平均値±0.1mmの範囲内であれば本発明の効果をより確実に得ることができる。溝幅D1に特に制限はないが、スラリーの流動性や研磨レート等を考慮すると、0.2mm以上10mm以下の範囲内で設定することが好ましく、0.2mm以上5mm以下であればより好ましく、0.3mm以上3mm以下であればさらに好ましい。溝深さH1においても特に制限はないが、スラリーの流動性や研磨レート等を考慮すると、0.5mm以上3mm以下範囲内で設定することが好ましい。なお、本発明は、研磨スラリーを大量に流して高研磨圧で研磨する一次研磨(粗研磨)に特に有効である。 In addition, by making the groove width D1 and the groove depth H1 uniform, the flow rate and the flow velocity of the polishing slurry are made uniform in each groove 101b, and the occurrence of polishing unevenness can be suppressed in this respect as well. For example, if the groove width D1 and the groove depth H1 are both within the range of an average value of ± 0.2 mm, more preferably within the range of an average value of ± 0.1 mm, the effect of the present invention can be obtained more reliably. it can. The groove width D1 is not particularly limited, but in consideration of the fluidity of the slurry, the polishing rate, etc., it is preferably set within the range of 0.2 mm or more and 10 mm or less, and more preferably 0.2 mm or more and 5 mm or less. More preferably, it is 0.3 mm or more and 3 mm or less. The groove depth H1 is not particularly limited, but it is preferably set within the range of 0.5 mm or more and 3 mm or less in consideration of the fluidity of the slurry, the polishing rate, and the like. The present invention is particularly effective for primary polishing (rough polishing) in which a large amount of polishing slurry is flowed and polished at a high polishing pressure.

研磨層101と被研磨物の同期の抑制とランド幅D2のバラツキによる研磨ムラの抑制を両立する観点から、ランド幅D2のバラツキを一定の範囲内に収めることが好ましい。具体的には、複数の溝のランド幅D2の最大値D2max、最小値D2minに対し、その比であるD2max/D2minが1.1以上3.0以下であることが好ましく、1.1以上2.0以下であることがより好ましい。同様の理由で、D2maxはD2の平均値の2倍未満であることが好ましく、D2minはD2の平均値の半分超過であることが好ましい。 From the viewpoint of suppressing the synchronization between the polishing layer 101 and the object to be polished and suppressing the polishing unevenness due to the variation of the land width D2, it is preferable to keep the variation of the land width D2 within a certain range. Specifically, the ratio of D2max / D2min to the maximum value D2max and the minimum value D2min of the land width D2 of the plurality of grooves is preferably 1.1 or more and 3.0 or less, and 1.1 or more and 2 More preferably, it is 0.0 or less. For the same reason, D2max is preferably less than twice the average value of D2, and D2min is preferably more than half the average value of D2.

溝幅D1及びランド幅D2はノギスを用いて測定することができ、各々の溝又はランド対して、溝の交点部や貫通孔加工部、気泡部等を除いた箇所を測定して得ることができる。研磨層が軟質である等の理由によりノギスを用いることができない場合は、研磨面の画像から画像解析してもよく、試料を研磨面に対して垂直且つ溝101bの延伸方向(線L1)に直交する方向(線L2)に裁断した断面の画像から画像解析してもよく、レーザー変位計を用いてもよい。なお、溝の断面形状が台形等の斜面を含む場合は、研磨面表面における数値を溝幅D1又はランド幅D2とする。領域内の全ての溝について溝幅D1及びランド幅D2を測定し、前記[数式1]を適用することで、当該領域における変動係数CVを算出することができる。ここで、複数の溝101bが好ましくは10本以上、より好ましくは20本以上有する領域において変動係数CVが0.05以上0.30以下であれば、より確実に同期と研磨ムラ防止の両立ができる。溝深さH1は、試料を研磨面に対して垂直に裁断した断面の画像から画像解析して算出できるが、レーザー変位計を用いてもよい。各々の溝に対して、貫通孔加工部、気泡部等を除いた箇所を測定して得ることができる。なお、溝の断面形状が台形等の斜面を含む場合は、最も深い場所における数値を溝深さH1とする。例えば、溝の断面形状が台形であれば、上底から下底までの高さが溝深さH1であり、V字状やU字状であれば、上底から底部の頂点までの高さが溝深さH1である。測定箇所は、溝幅D1やランド幅D2、溝深さH1が測定できればよく、例えば、複数の溝の延伸方向に直交する方向の仮想直線上を目安に、溝の交点部や貫通孔加工部、気泡部等を除いた箇所とすることができる。 The groove width D1 and the land width D2 can be measured using a caliper, and can be obtained by measuring each groove or land except for the intersection of the grooves, the through hole processing portion, the bubble portion, and the like. it can. If the caliper cannot be used because the polishing layer is soft or the like, image analysis may be performed from the image of the polishing surface, and the sample is perpendicular to the polishing surface and in the stretching direction of the groove 101b (line L1). Image analysis may be performed from an image of a cross section cut in a direction perpendicular to the direction (line L2), or a laser caliper may be used. When the cross-sectional shape of the groove includes a slope such as a trapezoid, the numerical value on the surface of the polished surface is defined as the groove width D1 or the land width D2. The coefficient of variation CV in the region can be calculated by measuring the groove width D1 and the land width D2 for all the grooves in the region and applying the above [Formula 1]. Here, if the coefficient of variation CV is 0.05 or more and 0.30 or less in the region where the plurality of grooves 101b preferably have 10 or more, more preferably 20 or more, both synchronization and prevention of polishing unevenness can be more reliably achieved. it can. The groove depth H1 can be calculated by image analysis from an image of a cross section obtained by cutting the sample perpendicularly to the polished surface, but a laser displacement meter may be used. It can be obtained by measuring the portion of each groove excluding the through-hole processed portion, the bubble portion, and the like. When the cross-sectional shape of the groove includes a slope such as a trapezoid, the value at the deepest place is defined as the groove depth H1. For example, if the cross-sectional shape of the groove is trapezoidal, the height from the upper bottom to the lower bottom is the groove depth H1, and if it is V-shaped or U-shaped, the height from the upper bottom to the apex of the bottom. Is the groove depth H1. The measurement location may be a groove width D1, a land width D2, and a groove depth H1. For example, a groove intersection or a through hole machined portion may be measured on a virtual straight line in a direction orthogonal to the extension direction of a plurality of grooves. , The part excluding the bubble part and the like.

[溝の形状について]
溝101bの形状は、上述のようなストライプ溝に限られない。図6乃至図8は、溝101bの各種形状を示す、研磨層101の平面図である。
[About the shape of the groove]
The shape of the groove 101b is not limited to the stripe groove as described above. 6 to 8 are plan views of the polishing layer 101 showing various shapes of the groove 101b.

図6に示すように、溝101bは研磨面101aにおいて同心円状である同心円溝とすることもできる。この形状においてはランド幅D2は同心円溝の中心を通過する直線に沿った幅となる。研磨層101の形状は同図に示すような円板状に限られず、矩形状等であってもよい。この他にも溝101bの形状は同心円弧状や波線状であってもよく、所望の研磨条件に応じて設定することができる。また、溝101bに更に別の溝が重ね合わされていてもよい。例えば、同心円溝と放射溝が組み合わされた溝形状でもよく、2種類のストライプ溝が組み合わされた格子状であってもよい。同心円溝と放射溝が組み合わされた溝を例に挙げると、同心円溝の変動係数を0.05以上0.30以下とすることで、同心円溝に由来する周期的な研磨ムラを効果的に防止することができる。格子状溝のような、2種類以上の同一方向に延伸する溝が組み合わされた溝とする場合、少なくとも1種類の溝の変動係数を0.05以上0.30以下とすることで周期的な研磨ムラを抑制することができるが、好ましくはいずれの溝も変動係数を0.05以上0.30以下とすることで周期的な研磨ムラを効果的に防止することができる。 As shown in FIG. 6, the groove 101b may be a concentric groove that is concentric on the polished surface 101a. In this shape, the land width D2 is a width along a straight line passing through the center of the concentric groove. The shape of the polishing layer 101 is not limited to the disc shape as shown in the figure, and may be a rectangular shape or the like. In addition to this, the shape of the groove 101b may be concentric arcuate or wavy, and can be set according to desired polishing conditions. Further, another groove may be superposed on the groove 101b. For example, it may have a groove shape in which a concentric groove and a radial groove are combined, or a grid shape in which two types of striped grooves are combined. Taking a groove in which a concentric groove and a radial groove are combined as an example, by setting the coefficient of variation of the concentric groove to 0.05 or more and 0.30 or less, periodic polishing unevenness caused by the concentric groove can be effectively prevented. can do. In the case of a groove in which two or more types of grooves extending in the same direction are combined, such as a grid-like groove, the coefficient of variation of at least one type of groove is set to 0.05 or more and 0.30 or less to be periodic. Polishing unevenness can be suppressed, but preferably, by setting the coefficient of variation of each groove to 0.05 or more and 0.30 or less, periodic polishing unevenness can be effectively prevented.

また、図7及び図8に示すように研磨パッド100は、研磨面101aにおいて溝パターンが複数設けられた構成とすることもできる。溝パターンは、溝101bが互いに平行に延伸するストライプ溝とすることができる。また、溝パターンは円弧状や波線状の溝101bから構成された溝パターンであってもよい。 Further, as shown in FIGS. 7 and 8, the polishing pad 100 may have a configuration in which a plurality of groove patterns are provided on the polishing surface 101a. The groove pattern can be a striped groove in which the grooves 101b extend in parallel with each other. Further, the groove pattern may be a groove pattern composed of arcuate or wavy grooves 101b.

さらに、研磨パッド100は複数が組み合わされてもよい。一般的な研磨工程では、複数の研磨パッドを帯状、タイル状、同心状等に組み合わせて使用されることがある。本発明の研磨パッドは、このような使用方法にも適用することができる。例えば、溝が繋がるように配することで大型の研磨装置に対応させることができる。 Further, a plurality of polishing pads 100 may be combined. In a general polishing process, a plurality of polishing pads may be used in combination in a band shape, a tile shape, a concentric shape, or the like. The polishing pad of the present invention can also be applied to such a usage method. For example, by arranging the grooves so as to be connected, it is possible to correspond to a large-sized polishing device.

図7及び図8に示す研磨パッドは、複数の研磨パッド100をタイル状に配して形成することもでき、図7に示すようにストライプ溝が形成された複数の研磨パッド100をタイル状に配して擬似的な放射溝とすることができる。同図では正方形の研磨パッド100をタイル状に配した例を挙げたが、扇形の研磨パッド100を円形になるように配してもよい。 The polishing pads shown in FIGS. 7 and 8 can be formed by arranging a plurality of polishing pads 100 in a tile shape, and as shown in FIG. 7, the plurality of polishing pads 100 having stripe grooves formed in a tile shape. It can be arranged to form a pseudo radiation groove. In the figure, an example in which the square polishing pads 100 are arranged in a tile shape is given, but the fan-shaped polishing pads 100 may be arranged in a circular shape.

また、図8に示すように、ストライプ溝が形成された複数の研磨パッド100を異なる角度でタイル状に配してもよい。研磨パッド100の形状や使用時の配置については所望の研磨条件に応じて設定することができる。 Further, as shown in FIG. 8, a plurality of polishing pads 100 having striped grooves may be arranged in a tile shape at different angles. The shape of the polishing pad 100 and the arrangement at the time of use can be set according to desired polishing conditions.

複数の研磨パッド100の間隔も所望の研磨条件に応じて設定することができる。例えば図7に示すように、溝101bはランド101cによって離間していてもよく、図8に示すように隣接する研磨パッド100の間で互いに接していてもよい。複数の研磨パッド100を互いに接するように配すると、その接合部にわずかな段差が生じ、研磨に悪影響を与える場合がある。複数の研磨パッド100全体をドレス処理する等の手段により段差を解消してもよく、接合部を切削処理してもよく、研磨パッド100を離間して配してもよい。 The interval between the plurality of polishing pads 100 can also be set according to the desired polishing conditions. For example, as shown in FIG. 7, the grooves 101b may be separated by a land 101c, or may be in contact with each other between adjacent polishing pads 100 as shown in FIG. When a plurality of polishing pads 100 are arranged so as to be in contact with each other, a slight step is generated at the joint portion, which may adversely affect polishing. The step may be eliminated by means such as dressing the entire plurality of polishing pads 100, the joint portion may be cut, or the polishing pads 100 may be spaced apart from each other.

研磨パッド100は、変動係数が0.05以上0.30以下である同一方向に延伸する複数の溝101bを含んでいればよく、その領域に対して本発明の効果が得られる。例えば、特に研磨精度が要求される領域にのみ変動係数が0.05以上0.30以下となるよう溝を形成してもよい。1つの実施形態としては、研磨面101aの中央部領域にのみ変動係数が0.05以上0.30以下となる溝101bを有し、端部領域には溝を有さない研磨パッド100が挙げられる。別の実施形態としては、研磨面101aの中央部領域に変動係数が0.05以上0.30以下となるように溝を形成し、端部領域には等間隔(変動係数が0.00)となるように溝が形成された研磨パッド100が挙げられる。ここで、複数の溝101bが好ましくは10本以上、より好ましくは20本以上有する領域において変動係数CVが0.05以上0.30以下であれば、より確実に同期の防止ができる。 The polishing pad 100 may include a plurality of grooves 101b extending in the same direction having a coefficient of variation of 0.05 or more and 0.30 or less, and the effect of the present invention can be obtained in that region. For example, a groove may be formed so that the coefficient of variation is 0.05 or more and 0.30 or less only in a region where polishing accuracy is particularly required. One embodiment includes a polishing pad 100 having a groove 101b having a coefficient of variation of 0.05 or more and 0.30 or less only in the central region of the polishing surface 101a and no groove in the end region. Be done. In another embodiment, grooves are formed in the central region of the polished surface 101a so that the coefficient of variation is 0.05 or more and 0.30 or less, and the end regions are evenly spaced (coefficient of variation is 0.00). An example includes a polishing pad 100 in which a groove is formed so as to be. Here, if the coefficient of variation CV is 0.05 or more and 0.30 or less in a region having a plurality of grooves 101b preferably 10 or more, more preferably 20 or more, synchronization can be prevented more reliably.

[溝の形成方法について]
研磨層101に溝101bを形成する方法は特に限定されないが、刃が並列に配列された切削具によって研磨層101を切削することによって溝101bを形成することができる。刃の間に配置されるスペーサーの厚さや枚数及び組合せなどによって刃の間隔を調整することができ、変動係数を上記範囲とすることが可能である。または、エンボス加工によって溝101bを形成しても良い。
[How to form a groove]
The method for forming the groove 101b in the polishing layer 101 is not particularly limited, but the groove 101b can be formed by cutting the polishing layer 101 with a cutting tool in which the blades are arranged in parallel. The distance between the blades can be adjusted by adjusting the thickness, number, and combination of spacers arranged between the blades, and the coefficient of variation can be within the above range. Alternatively, the groove 101b may be formed by embossing.

実施例に係る研磨パッド及び比較例に係る研磨パッドに対して、片面研磨装置を使用して次の条件で研磨試験を行った。研磨試験後に被研磨物の研磨面に高輝度ハロゲンランプを照射して、陰影や質感の異なる研磨ムラの部分の有無について目視にて外観評価をした。 The polishing pad according to the example and the polishing pad according to the comparative example were subjected to a polishing test under the following conditions using a single-sided polishing apparatus. After the polishing test, the polished surface of the object to be polished was irradiated with a high-intensity halogen lamp, and the appearance was visually evaluated for the presence or absence of shadows and uneven polishing with different textures.

研磨速度(回転数):30rpm
加工圧力:80g/cm
研磨スラリー:酸化セリウムスラリー
研磨パッド:フジボウ愛媛株式会社製 POLYPAS FX-7L
被研磨物:ガラス板(400mm×400mm)
研磨時間:30min
枚数:1枚×3バッチ
Polishing speed (rotation speed): 30 rpm
Processing pressure: 80 g / cm 2
Polishing slurry: Cerium oxide slurry Polishing pad: Made by Fujibo Ehime Co., Ltd. POLYPAS FX-7L
Object to be polished: Glass plate (400 mm x 400 mm)
Polishing time: 30 min
Number of sheets: 1 sheet x 3 batches

下記[表1]は、実施例及び比較例に係る研磨パッドの構成を示す表である。実施例に係る研磨パッドは、上記実施形態に示す直線溝からなるストライプ溝を有する直径1200mmの円形研磨層を備え、上記[数式1]で示す変動係数(CV)がそれぞれ0.052、0.097、0.198及び0.297のものを準備した。比較例に係る研磨パッドは、直線溝からなるストライプ溝を有する研磨層を備え、上記[数式1]で示す変動係数がそれぞれ0.008及び0.694のものを準備した。具体的には、溝幅2.0mm、溝深さ1.0mm、平均ランド幅4.0mm、10本の溝を20回繰り返した計200本の直線溝からなるストライプ溝とし、表1に記載したようにランド幅を形成することで実施例及び比較例に係る研磨パッドを作成した。 The following [Table 1] is a table showing the configurations of polishing pads according to Examples and Comparative Examples. The polishing pad according to the embodiment includes a circular polishing layer having a diameter of 1200 mm having stripe grooves formed by the straight grooves shown in the above embodiment, and the coefficient of variation (CV) shown in the above [Formula 1] is 0.052 and 0, respectively. Those of 097, 0.198 and 0.297 were prepared. The polishing pad according to the comparative example was provided with a polishing layer having a striped groove composed of a straight groove, and those having a coefficient of variation shown in the above [Formula 1] of 0.008 and 0.694 were prepared, respectively. Specifically, a striped groove consisting of a total of 200 straight grooves in which a groove width of 2.0 mm, a groove depth of 1.0 mm, an average land width of 4.0 mm, and 10 grooves are repeated 20 times is shown in Table 1. By forming the land width as described above, the polishing pads according to the examples and the comparative examples were prepared.

Figure 0006806499
Figure 0006806499

比較例1に係る研磨パッド(CV=0.008)では、研磨ムラが確認された。また、比較例2に係る研磨パッド(CV=0.694)では、研磨ムラが確認された。これに対し、実施例に係る研磨パッド(CV=0.052、CV=0.097、CV=0.198、CV=0.297)では研磨ムラは発生しなかった。 In the polishing pad (CV = 0.008) according to Comparative Example 1, polishing unevenness was confirmed. Further, in the polishing pad (CV = 0.694) according to Comparative Example 2, uneven polishing was confirmed. On the other hand, the polishing pads (CV = 0.052, CV = 0.097, CV = 0.198, CV = 0.297) according to the examples did not cause uneven polishing.

以上から、変動係数(CV)が0.05以上0.30以下である研磨パッドは、研磨ムラを抑制することが可能であるといえる。 From the above, it can be said that a polishing pad having a coefficient of variation (CV) of 0.05 or more and 0.30 or less can suppress polishing unevenness.

100…研磨パッド
101…研磨層
101a…研磨面
101b…溝
101c…ランド
102…接着層
103…クッション層
100 ... Polishing pad 101 ... Polishing layer 101a ... Polished surface 101b ... Groove 101c ... Land 102 ... Adhesive layer 103 ... Cushion layer

Claims (5)

研磨面に同一方向に延伸する複数の溝が形成された研磨パッドであって、
前記複数の溝の幅及び深さは均一であり、
前記複数の溝の間の前記研磨面であるランドの、溝の延伸方向に直交する方向の幅であるランド幅について、次の[数式1]で算出される変動係数が0.05以上0.30以下である、
研磨パッド。
変動係数=(ランド幅の標準偏差)/(ランド幅の平均値)[数式1]
A polishing pad in which a plurality of grooves extending in the same direction are formed on the polishing surface.
The width and depth of the plurality of grooves are uniform and
The coefficient of variation calculated by the following [Formula 1] is 0.05 or more and 0. 30 or less,
Polishing pad.
Coefficient of variation = (standard deviation of land width) / (mean value of land width) [Formula 1]
請求項1に記載の研磨パッドであって、
前記複数の溝は、前記研磨面において互いに平行に延伸するストライプ溝である
研磨パッド。
The polishing pad according to claim 1.
The plurality of grooves are striped grooves extending in parallel with each other on the polishing surface. A polishing pad.
請求項2に記載の研磨パッドであって、
前記研磨面において、前記ストライプ溝が2種類重ね合された格子溝パターンが設けられた
研磨パッド。
The polishing pad according to claim 2.
A polishing pad provided with a lattice groove pattern in which two types of stripe grooves are superposed on the polishing surface.
請求項1に記載の研磨パッドであって、
前記複数の溝は、前記研磨面において同心円状である同心円溝である
研磨パッド。
The polishing pad according to claim 1.
The plurality of grooves are polishing pads that are concentric grooves on the polishing surface.
請求項1に記載の研磨パッドであって
前記研磨面において、前記複数の溝が互いに平行に延伸するストライプ溝から構成された溝パターンが複数設けられた
研磨パッド。
The polishing pad according to claim 1, wherein a plurality of groove patterns composed of stripe grooves in which the plurality of grooves extend in parallel with each other are provided on the polishing surface.
JP2016174953A 2016-09-07 2016-09-07 Abrasive pad Active JP6806499B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016174953A JP6806499B2 (en) 2016-09-07 2016-09-07 Abrasive pad

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016174953A JP6806499B2 (en) 2016-09-07 2016-09-07 Abrasive pad

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018039078A JP2018039078A (en) 2018-03-15
JP6806499B2 true JP6806499B2 (en) 2021-01-06

Family

ID=61624690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016174953A Active JP6806499B2 (en) 2016-09-07 2016-09-07 Abrasive pad

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6806499B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020203639A1 (en) * 2019-04-03 2020-10-08 株式会社クラレ Polishing pad

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018039078A (en) 2018-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6805292B2 (en) Coated abrasive product based on sunflower pattern
TWI667098B (en) Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions having tapered sidewalls
JP3072526B2 (en) Polishing pad and method of using the same
TWI625194B (en) Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions
KR101576054B1 (en) Polishing pad with aperture
JP5143528B2 (en) Polishing pad
KR20120023531A (en) Method and apparatus for trimming the working layers of a double-side grinding apparatus
JP2012533888A (en) Grooved CMP polished PAD
TW201600233A (en) Polishing pad and method for producing polishing pad
US20170312886A1 (en) Abrasive material and production method of abrasive material
JP6777475B2 (en) Abrasive pad
TW201312646A (en) Method for the double-side polishing of a semiconductor wafer
US10265826B2 (en) Method of forming a recess in a substrate
JP6806499B2 (en) Abrasive pad
JP6806500B2 (en) Abrasive pad
TW201802221A (en) Polishing material
US11027398B2 (en) Grinding material and production method of grinding material
JP6283940B2 (en) Polishing pad
JP7420728B2 (en) Polishing pad and polishing method using it
JP2019115966A (en) Method for production of polishing agent, and the polishing agent
KR102685136B1 (en) Polishing pad having improved polishing speed and chemical mechanical polishing apparatus including the same
TW201801857A (en) Abrasive material
JP7566423B2 (en) Polishing Pad
JP2014128853A (en) Circular polishing pad
KR20130104539A (en) Grinding apparatus and grinding method using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190805

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200323

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200414

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200609

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201201

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201204

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6806499

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250