JP6776920B2 - Manufacturing method of plated model, and photosensitive composition for manufacturing plated model - Google Patents

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Description

本発明は、メッキ造形物の製造方法、およびメッキ造形物製造用感光性組成物に関する。 The present invention relates to a method for producing a plated model and a photosensitive composition for producing a plated model.

近年、半導体素子や、液晶ディスプレイやタッチパネル等の表示素子の配線やバンプ等の接続端子は、高密度に実装することに対する要求が高まっていることから、微細化が進んでいる。 In recent years, there has been an increasing demand for high-density mounting of wiring for semiconductor elements and display elements such as liquid crystal displays and touch panels, and connection terminals such as bumps, so miniaturization is progressing.

一般的に、配線やバンプなどはメッキ造形物であり、特許文献1に記載されるように、銅等の金属箔を有する基板上に、レジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクに、メッキを行うことで製造される。
このため、配線やバンプ等の微細化にともない、その製造に用いられるレジストパターンも微細化が必要になってきている。
Generally, wiring, bumps, and the like are plated objects, and as described in Patent Document 1, a resist pattern is formed on a substrate having a metal foil such as copper, and plating is performed using the resist pattern as a mask. Manufactured by doing.
Therefore, with the miniaturization of wiring, bumps, etc., the resist pattern used in the manufacture thereof also needs to be miniaturized.

特開2006−285035号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-285035

しかしながら、レジストパターンを微細化すると、レジストパターン間の幅が狭まるため、メッキ処理においてメッキ液をレジストパターン間に充填する際に、メッキ液の押し込みによりレジストが変形し、そのためメッキ造形物の太りが発生して、所望の形状のメッキ造形物が製造できないという問題が無視できなくなってきている。特に金メッキの場合、メッキ液がレジストを強く押し込むことから、メッキ造形物の太りの問題が大きい。このため、レジストには、メッキ液の押し込みによって変形が生じないような硬さが要求される。 However, when the resist pattern is made finer, the width between the resist patterns is narrowed. Therefore, when the plating solution is filled between the resist patterns in the plating process, the resist is deformed by pushing the plating solution, and therefore the plating model becomes thicker. It has become difficult to ignore the problem that a plated molded product having a desired shape cannot be manufactured. Especially in the case of gold plating, since the plating solution strongly pushes the resist, there is a big problem of thickening of the plated model. For this reason, the resist is required to have a hardness that does not cause deformation due to the pressing of the plating solution.

一方、メッキによりメッキ造形物が製造された後、レジストを基板から剥離する必要がある。このため、レジストは基板から剥離しやすいことが望まれる。その際、レジストが、押し込みによって変形が生じないほどの硬さを有すると、レジストの基板からの剥離が困難になる傾向がある。 On the other hand, it is necessary to peel off the resist from the substrate after the plated model is manufactured by plating. Therefore, it is desired that the resist is easily peeled off from the substrate. At that time, if the resist has a hardness such that it is not deformed by pushing, it tends to be difficult to peel the resist from the substrate.

つまり、レジストに対して要求される、押し込みによって変形が生じないような硬さと、基板からの剥離しやすさとは、二律背反の関係にある性能である。
本発明は、強い押し込みを要する金メッキの場合などにおいても、適正なメッキ造形物を製造することができるメッキ造形物の製造方法、及びそのようなメッキ造形物の製造に適したレジストを形成することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
That is, the hardness required for the resist so that it is not deformed by pushing and the ease of peeling from the substrate are antinomy performances.
The present invention is to form a method for producing a plated model that can produce an appropriate plated model even in the case of gold plating that requires strong pressing, and to form a resist suitable for producing such a plated product. It is an object of the present invention to provide a resist composition capable of plating.

前記目的を達成する本発明は、1分子中に少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物(A)と、オキシムエステル構造を有する光ラジカル重合開始剤(B)と、下記式(1)に示す光ラジカル重合開始剤(C1)および下記式(2)に示す光ラジカル重合開始剤(C2)から選ばれる少なくとも1種の光ラジカル重合開始剤(C)とを含有する感光性組成物を基材上に塗布して塗膜を形成する工程(1)、 The present invention that achieves the above object comprises a compound (A) having at least one ethylenically unsaturated double bond in one molecule, a photoradical polymerization initiator (B) having an oxime ester structure, and the following formula ( A photosensitive composition containing at least one photoradical polymerization initiator (C1) selected from the photoradical polymerization initiator (C1) represented by 1) and the photoradical polymerization initiator (C2) represented by the following formula (2). Step of applying a substance on a base material to form a coating film (1),

Figure 0006776920
(式(1)中、R11は、水酸基、モルホリノ基、アミノ基、またはアルコキシ基を示し;
12およびR13はそれぞれ独立に、アルキル基、アラルキル基、またはアリール基を示し;
Xは、酸素原子または硫黄原子を示し;
nは、0または1を示し;
14は、置換基として水酸基、カルボキシル基およびスルホ基から選ばれる少なくとも1種の基を有する置換炭化水素基を示す。)
Figure 0006776920
(In formula (1), R 11 represents a hydroxyl group, a morpholino group, an amino group, or an alkoxy group;
R 12 and R 13 independently represent an alkyl group, an aralkyl group, or an aryl group;
X indicates an oxygen atom or a sulfur atom;
n indicates 0 or 1;
R 14 represents a substituted hydrocarbon group having at least one group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group and a sulfo group as a substituent. )

Figure 0006776920
(式(2)中、2つのR21はそれぞれ独立に、水酸基、モルホリノ基、アミノ基、またはアルコキシ基を示し、2つのR21のうち少なくとも1つは水酸基であり;
2つのR22および2つのR23はそれぞれ独立に、アルキル基、アラルキル基、又はアリール基を示し;
Yは、アルカンジイル基、酸素原子、または硫黄原子を示し;
mは、0または1の整数を示す。)
Figure 0006776920
(In formula (2), the two R 21s independently represent a hydroxyl group, a morpholino group, an amino group, or an alkoxy group, and at least one of the two R 21s is a hydroxyl group;
The two R 22 and the two R 23 each independently represents an alkyl group, an aralkyl group, or an aryl group;
Y represents an alkanediyl group, an oxygen atom, or a sulfur atom;
m represents an integer of 0 or 1. )

前記塗膜を露光する工程(2)
露光後の塗膜を現像してレジストパターンを形成する工程(3)、
前記レジストパターンをマスクに用いて、基材に対してメッキ処理を行う工程(4)および
前記レジストパターンを基材から除去する工程(5)
を有することを特徴とするメッキ造形物の製造方法である。
Step of exposing the coating film (2)
Step of developing the coating film after exposure to form a resist pattern (3),
A step of plating the base material using the resist pattern as a mask (4) and a step of removing the resist pattern from the base material (5).
It is a method for manufacturing a plated model, which is characterized by having.

前記メッキ造形物の製造方法において、前記光ラジカル重合開始剤(B)が前記光ラジカル重合開始剤(C1)を含有することが好ましい。
前記メッキ造形物の製造方法において、前記感光性組成物が、前記光ラジカル重合開始剤(B)100質量部に対して、前記光ラジカル重合開始剤(B)を100〜5,000質量部含有することが好ましい。
In the method for producing a plated model, it is preferable that the photoradical polymerization initiator (B) contains the photoradical polymerization initiator (C1).
In the method for producing a plated molded product, the photosensitive composition contains 100 to 5,000 parts by mass of the photoradical polymerization initiator (B) with respect to 100 parts by mass of the photoradical polymerization initiator (B). It is preferable to do so.

前記メッキ造形物の製造方法において、前記感光性組成物が、さらに、アルカリ可溶性樹脂(D)を含有することが好ましい。
前記メッキ造形物の製造方法において、前記感光性組成物が、前記アルカリ可溶性樹脂(D)100質量部に対して、前記光ラジカル重合開始剤(B)を0.01〜10質量部含有することが好ましい。
前記メッキ造形物の製造方法として、前記メッキ処理が金メッキ処理である態様を挙げることができる。
In the method for producing a plated model, it is preferable that the photosensitive composition further contains an alkali-soluble resin (D).
In the method for producing a plated molded product, the photosensitive composition contains 0.01 to 10 parts by mass of the photoradical polymerization initiator (B) with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin (D). Is preferable.
As a method for producing the plated model, an embodiment in which the plating process is a gold plating process can be mentioned.

また、前記目的を達成する本発明は、1分子中に少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物(A)と、オキシムエステル構造を有する光ラジカル重合開始剤(B)と、下記式(1)に示す光ラジカル重合開始剤(C1)および下記式(2)に示す光ラジカル重合開始剤(C2)から選ばれる少なくとも1種の光ラジカル重合開始剤(C)とを含有することを特徴とするメッキ造形物製造用感光性組成物である。 In addition, the present invention that achieves the above object comprises a compound (A) having at least one ethylenically unsaturated double bond in one molecule, a photoradical polymerization initiator (B) having an oxime ester structure, and the following. It contains at least one photoradical polymerization initiator (C) selected from the photoradical polymerization initiator (C1) represented by the formula (1) and the photoradical polymerization initiator (C2) represented by the following formula (2). It is a photosensitive composition for producing a plated model, which is characterized by the above.

Figure 0006776920
(式(1)中、R11は、水酸基、モルホリノ基、アミノ基、またはアルコキシ基を示し;
12およびR13はそれぞれ独立に、アルキル基、アラルキル基、またはアリール基を示し;
Xは、酸素原子または硫黄原子を示し;
nは、0または1を示し;
14は、置換基として水酸基、カルボキシル基およびスルホ基から選ばれる少なくとも1種の基を有する置換炭化水素基を示す。)
Figure 0006776920
(In formula (1), R 11 represents a hydroxyl group, a morpholino group, an amino group, or an alkoxy group;
R 12 and R 13 independently represent an alkyl group, an aralkyl group, or an aryl group;
X indicates an oxygen atom or a sulfur atom;
n indicates 0 or 1;
R 14 represents a substituted hydrocarbon group having at least one group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group and a sulfo group as a substituent. )

Figure 0006776920
(式(2)中、2つのR21はそれぞれ独立に、水酸基、モルホリノ基、アミノ基、またはアルコキシ基を示し、2つのR21のうち少なくとも1つは水酸基であり;
2つのR22および2つのR23はそれぞれ独立に、アルキル基、アラルキル基、又はアリール基を示し;
Yは、アルカンジイル基、酸素原子、または硫黄原子を示し;
mは、0または1を示す。)
Figure 0006776920
(In formula (2), the two R 21s independently represent a hydroxyl group, a morpholino group, an amino group, or an alkoxy group, and at least one of the two R 21s is a hydroxyl group;
The two R 22 and the two R 23 each independently represents an alkyl group, an aralkyl group, or an aryl group;
Y represents an alkanediyl group, an oxygen atom, or a sulfur atom;
m represents 0 or 1. )

本発明のメッキ造形物製造用感光性組成物を用いれば、強い押し込みを要する金メッキの場合などにおいても、メッキ液の押し込みにより変形することがなく、さらにメッキ終了後に基板から剥離しやすいレジストを形成することができる。 By using the photosensitive composition for manufacturing a plated model of the present invention, even in the case of gold plating that requires strong pressing, a resist that is not deformed by pressing the plating solution and is easily peeled off from the substrate after completion of plating is formed. can do.

本発明のメッキ造形物の製造方法は、前記メッキ造形物製造用感光性組成物を用いることにより、形成されるレジストがメッキ液の押し込み時に変形することがないことから、所望の適正なメッキ造形物を製造することができ、さらにメッキ終了後にレジストを基板から容易に剥離することができる。 In the method for producing a plated model of the present invention, by using the photosensitive composition for producing a plated model, the resist formed does not deform when the plating solution is pushed in, so that a desired appropriate plating model is desired. A product can be manufactured, and the resist can be easily peeled off from the substrate after plating is completed.

[メッキ造形物製造用感光性組成物]
本発明のメッキ造形物製造用感光性組成物は、1分子中に少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物(A)と、オキシムエステル構造を有する光ラジカル重合開始剤(B)と、下記式(1)に示す光ラジカル重合開始剤(C1)および下記式(2)に示す光ラジカル重合開始剤(C2)から選ばれる少なくとも1種の光ラジカル重合開始剤(C)とを含有し、アルカリ可溶性樹脂(D)を含有してもよく、さらに目的に応じてその他の成分を含有することができる。
[Photosensitive composition for manufacturing plated objects]
The photosensitive composition for producing a plated model of the present invention comprises a compound (A) having at least one ethylenically unsaturated double bond in one molecule and a photoradical polymerization initiator (B) having an oxime ester structure. And at least one photoradical polymerization initiator (C) selected from the photoradical polymerization initiator (C1) represented by the following formula (1) and the photoradical polymerization initiator (C2) represented by the following formula (2). It may contain the alkali-soluble resin (D), and may further contain other components depending on the purpose.

本発明のメッキ造形物製造用感光性組成物は、光ラジカル重合開始剤として前記光ラジカル重合開始剤(B)と光ラジカル重合開始剤(C)とを組み合わせて使用することにより、変形が生じないような硬さと基板からの剥離しやすさという二律背反の関係にあるレジストの性能を高レベルにおいて実現し、金メッキ等においても、適正なメッキ造形物の製造を可能にしたものである。 The photosensitive composition for producing a plated molded product of the present invention is deformed by using the photoradical polymerization initiator (B) and the photoradical polymerization initiator (C) in combination as the photoradical polymerization initiator. It realizes the performance of the resist, which has a trade-off relationship of hardness and ease of peeling from the substrate, at a high level, and enables the production of an appropriate plated model even in gold plating and the like.

なお、本発明において(メタ)アクリロイル基とは、アクリロイル基及びメタアクリロイル基の総称であり、(メタ)アクリロイルオキシ基とは、アクリロイルオキシ基及びメタアクリロイルオキシ基の総称であり、(メタ)アクリレートとは、アクリレート及びメタアクリレートの総称である。 In the present invention, the (meth) acryloyl group is a general term for an acryloyl group and a meta-acryloyl group, and the (meth) acryloyloxy group is a general term for an acryloyloxy group and a metaacryloyloxy group, and is a (meth) acrylate. Is a general term for acrylate and methacrylate.

〔1分子中に少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物(A)〕
化合物(A)は、露光により光ラジカル重合開始剤から発生する活性種によりラジカル重合する成分であり、1分子中に少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する。
化合物(A)としては、(メタ)アクリロイル基を有する(メタ)アクリレート化合物、ビニル基を有する化合物が好ましい。前記(メタ)アクリレート化合物は、単官能性(メタ)アクリレート化合物と多官能性(メタ)アクリレート化合物とに分類されるが、いずれの化合物であってもよい。
[Compound (A) having at least one ethylenically unsaturated double bond in one molecule]
Compound (A) is a component that radically polymerizes with an active species generated from a photoradical polymerization initiator upon exposure, and has at least one ethylenically unsaturated double bond in one molecule.
As the compound (A), a (meth) acrylate compound having a (meth) acryloyl group and a compound having a vinyl group are preferable. The (meth) acrylate compound is classified into a monofunctional (meth) acrylate compound and a polyfunctional (meth) acrylate compound, and any compound may be used.

上記単官能性(メタ)アクリレート化合物としては、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、
メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、tert−ブチル(メタ)アクリレート、ペンチル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メタ)アクリレート、ドデシルアミル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、オクタデシル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、エトキシエチル(メタ)アクリレート、ブトキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、エチレングリコールモノメチルエーテル(メタ)アクリレート、エチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、メトキシエチレングリコール(メタ)アクリレート、エトキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、トリシクロ〔5.2.1.02,6〕デカジエニル(メタ)アクリレート、トリシクロ〔5.2.1.02,6〕デカニル(メタ)アクリレート、トリシクロ〔5.2.1.02,6〕デセニル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ボルニル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、アクリル酸アミド、メタクリル酸アミド、ジアセトン(メタ)アクリルアミド、イソブトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、tert−オクチル(メタ)アクリルアミド、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレート、7−アミノ−3,7−ジメチルオクチル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。
Examples of the monofunctional (meth) acrylate compound include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and 2-hydroxybutyl (meth) acrylate.
Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, Isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, Isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl amyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, octadecyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate , Phenoxyethyl (meth) acrylate, ethoxyethyl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, ethylene glycol monomethyl ether (meth) acrylate, ethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (Meta) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, methoxyethylene glycol (meth) acrylate, ethoxydiethylene glycol (meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, phenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, phenoxyethyl polypropylene glycol (meth) acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6] decadienyl (meth) acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6] decanyl (meth) acrylate, tricyclo [ 5.2.1.0 2,6 ] Decenyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, Bornyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, acrylic acid amide, methacrylate amide, diacetone (meth) acrylamide, iso Butoxymethyl (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, tert-octyl (meth) acrylamide, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, diethylami Examples thereof include noethyl (meth) acrylate and 7-amino-3,7-dimethyloctyl (meth) acrylate.

上記多官能性(メタ)アクリレート化合物としては、例えば、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンPO(propylene oxide)変性トリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートジ(メタ)アクリレート、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートトリ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAのジグリシジルエーテルに(メタ)アクリル酸を付加させたエポキシ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジ(メタ)アクリロイルオキシエチルエーテル、ビスフェノールAジ(メタ)アクリロイルオキシメチルエチルエーテル、ビスフェノールAジ(メタ)アクリロイルオキシエチルオキシエチルエーテル、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート(三官能以上)、フタル酸とエポキシアクリレートとの反応物などが挙げられる。 Examples of the polyfunctional (meth) acrylate compound include trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolpropane PO (propylene oxide) modified tri (meth) acrylate, and tetramethylolpropane. Tetra (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (Meta) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, butylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate di (meth) acrylate, tris (2-hydroxy) Ethyl) isocyanurate tri (meth) acrylate, tricyclodecanedimethanol di (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate in which (meth) acrylic acid is added to diglycidyl ether of bisphenol A, bisphenol A di (meth) acryloyl. Oxyethyl ether, bisphenol A di (meth) acryloyloxymethyl ethyl ether, bisphenol A di (meth) acryloyloxyethyl oxyethyl ether, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta ( Examples thereof include meta) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate (trifunctional or higher), and a reaction product of phthalic acid and epoxy acrylate.

化合物(A)として、市販されている化合物をそのまま用いることができる。市販されている化合物としては、例えば、アロニックスM−210、同M−309、同M−310、同M−320、同M−400、同M−7100、同M−8030、同M−8060、同M−8100、同M−9050、同M−240、同M−245、同M−6100、同M−6200、同M−6250、同M−6300、同M−6400、同M−6500(以上、東亞合成(株)製)、KAYARAD R−551、同R−712、同TMPTA、同HDDA、同TPGDA、同PEG400DA、同MANDA、同HX−220、同HX−620、同R−604、同DPCA−20、DPCA−30、同DPCA−60、同DPCA−120(以上、日本化薬(株)製)、ビスコート#295、同300、同260、同312、同335HP、同360、同GPT、同3PA、同400(以上、大阪有機化学工業(株)製)などが挙げられる。
これらの化合物(A)は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
As the compound (A), a commercially available compound can be used as it is. Examples of commercially available compounds include Aronix M-210, M-309, M-310, M-320, M-400, M-7100, M-8030, and M-8060. Same M-8100, Same M-9050, Same M-240, Same M-245, Same M-6100, Same M-6200, Same M-6250, Same M-6300, Same M-6400, Same M-6500 ( As mentioned above, Toagosei Co., Ltd., KAYARAD R-551, R-712, TMPTA, HDDA, TPGDA, PEG400DA, MANDA, HX-220, HX-620, R-604, DPCA-20, DPCA-30, DPCA-60, DPCA-120 (all manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), Viscort # 295, 300, 260, 312, 335HP, 360, 360. GPT, 3PA, 400 (all manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.) and the like can be mentioned.
These compounds (A) may be used alone or in combination of two or more.

〔オキシムエステル構造を有する光ラジカル重合開始剤(B)〕
オキシムエステル構造を有する光ラジカル重合開始剤(B)は、光の照射によりラジカルを発生し、化合物(A)のラジカル重合を開始させる化合物である。光ラジカル重合開始剤(B)は、多種かつ大量に活性種を発生させて、空気中の酸素による阻害を抑制する機能を有する。
[Photoradical polymerization initiator (B) having an oxime ester structure]
The photoradical polymerization initiator (B) having an oxime ester structure is a compound that generates radicals by irradiation with light to initiate radical polymerization of compound (A). The photoradical polymerization initiator (B) has a function of generating a large amount of various active species and suppressing inhibition by oxygen in the air.

オキシムエステル構造を有する光ラジカル重合開始剤(B)にはオキシムの二重結合に起因する幾何異性体が存在しうるが、これらは区別されず、いずれも光ラジカル重合開始剤(B)に含まれる。 The photoradical polymerization initiator (B) having an oxime ester structure may contain geometric isomers due to the double bond of the oxime, but these are not distinguished and all of them are contained in the photoradical polymerization initiator (B). Is done.

光ラジカル重合開始剤(B)としては、例えば、WO2010/146883号公報、特開2011−132215号公報、特表2008−506749号公報、特表2009−519904、および特表2009−519991号公報に記載光ラジカル重合開始剤が挙げられる。 Examples of the photoradical polymerization initiator (B) include WO2010 / 146883A, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-132215, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-506749, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-519904, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-519991. The photoradical polymerization initiator described is mentioned.

前記光ラジカル重合開始剤(B)の具体例としては、N−ベンゾイルオキシ−1−(4−フェニルスルファニルフェニル)ブタン−1−オン−2−イミン、N−エトキシカルボニルオキシ− 1−フェニルプロパン−1−オン−2−イミン、N−ベンゾイルオキシ−1−(4−フェニルスルファニルフェニル)オクタン−1−オン−2−イミン、N−アセトキシ−1− [9 −エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]エタン−1−イミン、およびN−アセトキシ−1−[9−エチル−6−{2−メチル−4−(3,3−ジメチル−2,4−ジオキサシクロペンタニルメチルオキシ)ベンゾイル}−9H−カルバゾール−3−イル]エタン−1−イミン、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1-(O−アセチルオキシム)等が挙げられる。 Specific examples of the photoradical polymerization initiator (B) include N-benzoyloxy-1- (4-phenylsulfanylphenyl) butane-1-one-2-imine and N-ethoxycarbonyloxy-1-phenylpropane-. 1-one-2-imine, N-benzoyloxy-1- (4-phenylsulfanylphenyl) octane-1-one-2-imine, N-acetoxy-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) ) -9H-carbazole-3-yl] ethane-1-imine, and N-acetoxy-1- [9-ethyl-6- {2-methyl-4- (3,3-dimethyl-2,4-dioxa) Cyclopentanylmethyloxy) benzoyl} -9H-carbazole-3-yl] ethane-1-imine, etanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazole-3-yl]- , 1- (O-acetyloxime) and the like.

光ラジカル重合開始剤(B)が有するオキシムエステル構造としては、下記式(3)で表わされる構造が好ましい。 As the oxime ester structure of the photoradical polymerization initiator (B), a structure represented by the following formula (3) is preferable.

Figure 0006776920
式(3)中、R4は置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアリール基を示す。
Figure 0006776920
In formula (3), R 4 represents an alkyl group which may have a substituent or an aryl group which may have a substituent.

前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、およびプロピル基等が挙げられ、前記アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フルオレニル基、およびピレニル基が挙げられる。 Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group and the like, and examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, an anthrasenyl group, a fluorenyl group and a pyrenyl group.

式(3)の左端の炭素原子には2つの有機基が結合する。前記有機基としては、例えば、アルキル基、並びにフェニルカルバゾール基、およびフェニルチオベンゾイル基等のアリール基を有する基が挙げられる。 Two organic groups are bonded to the carbon atom at the left end of the formula (3). Examples of the organic group include an alkyl group and a group having an aryl group such as a phenylcarbazole group and a phenylthiobenzoyl group.

光ラジカル重合開始剤(B)が、オキシムエステル構造として式(3)で表わされる構造を有すると、効率よく酸素阻害を解消できるため、解像度に優れたレジストパターンの形成が可能となる。 When the photoradical polymerization initiator (B) has a structure represented by the formula (3) as an oxime ester structure, oxygen inhibition can be efficiently eliminated, so that a resist pattern having excellent resolution can be formed.

好適な光ラジカル重合開始剤(B)としては、例えば、オキシムエステル構造がフェニルカルバゾール基に結合してなる構造を有する化合物や下記式(4)で表される化合物を挙げることができる。 Examples of the suitable photoradical polymerization initiator (B) include a compound having an oxime ester structure bonded to a phenylcarbazole group and a compound represented by the following formula (4).

Figure 0006776920
式(3)で表わされるオキシムエステル構造がカルバゾール基に結合してなる構造を有する化合物としては、例えば下記式(5)および(6)で表わされる化合物を挙げることができる。
Figure 0006776920
Examples of the compound having a structure in which the oxime ester structure represented by the formula (3) is bonded to a carbazole group include compounds represented by the following formulas (5) and (6).

Figure 0006776920
Figure 0006776920

Figure 0006776920
光ラジカル重合開始剤(B)は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Figure 0006776920
The photoradical polymerization initiator (B) may be used alone or in combination of two or more.

本感光性組成物における光ラジカル重合開始剤(B)の含有量は、固形分中0.005〜10質量%であり、好ましくは0.05〜5質量%である。光ラジカル重合開始剤(B)の含有量が前記範囲内であると、解像度に優れ、メッキ液の押し込みにより変形せずかつ剥離が容易なレジストの形成が可能となる。なお、ここで「固形分」とは、溶剤以外の全成分をいう。 The content of the photoradical polymerization initiator (B) in the photosensitive composition is 0.005 to 10% by mass, preferably 0.05 to 5% by mass in the solid content. When the content of the photoradical polymerization initiator (B) is within the above range, it is possible to form a resist which has excellent resolution and is not deformed by pushing the plating solution and can be easily peeled off. Here, the "solid content" refers to all components other than the solvent.

本発明の感光性組成物が後述するアルカリ可溶性樹脂(D)を含有する場合には、光ラジカル重合開始剤(B)の含有量は、アルカリ可溶性樹脂(D)100質量部に対して0.01〜10質量部であることが好ましく、0.1〜5質量部であることがより好ましい。アルカリ可溶性樹脂(D)に対する光ラジカル重合開始剤(B)の含有量が前記範囲内であると、解像度に優れ、メッキ液の押し込みにより変形せずかつ剥離が容易なレジストの形成が可能となる。 When the photosensitive composition of the present invention contains the alkali-soluble resin (D) described later, the content of the photoradical polymerization initiator (B) is 0. 0 with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin (D). It is preferably 01 to 10 parts by mass, and more preferably 0.1 to 5 parts by mass. When the content of the photoradical polymerization initiator (B) with respect to the alkali-soluble resin (D) is within the above range, it is possible to form a resist which has excellent resolution and is not deformed by pushing the plating solution and can be easily peeled off. ..

〔光ラジカル重合開始剤(C)〕
光ラジカル重合開始剤(C)は、光の照射によりラジカルを発生し、光ラジカル重合開始剤(B)とともに化合物(A)のラジカル重合を開始させる化合物である。
光ラジカル重合開始剤(C)は、下記式(1)に示す光ラジカル重合開始剤(C1)および下記式(2)に示す光ラジカル重合開始剤(C2)から選ばれる少なくとも1種である。つまり、光ラジカル重合開始剤(C)は、光ラジカル重合開始剤(C1)または光ラジカル重合開始剤(C2)、または光ラジカル重合開始剤(C1)および光ラジカル重合開始剤(C2)である。
[Photoradical polymerization initiator (C)]
The photoradical polymerization initiator (C) is a compound that generates radicals by irradiation with light and initiates radical polymerization of the compound (A) together with the photoradical polymerization initiator (B).
The photoradical polymerization initiator (C) is at least one selected from the photoradical polymerization initiator (C1) represented by the following formula (1) and the photoradical polymerization initiator (C2) represented by the following formula (2). That is, the photoradical polymerization initiator (C) is a photoradical polymerization initiator (C1) or a photoradical polymerization initiator (C2), or a photoradical polymerization initiator (C1) and a photoradical polymerization initiator (C2). ..

Figure 0006776920
式(1)中、R11は、水酸基、モルホリノ基、アミノ基、またはアルコキシ基を示す。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等が挙げられる。
Figure 0006776920
In formula (1), R 11 represents a hydroxyl group, a morpholino group, an amino group, or an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and the like.

12およびR13はそれぞれ独立に、アルキル基、アラルキル基、またはアリール基を示す。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フルオレニル基、およびピレニル基等が挙げられる。アラルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の1つを前記アリール基で置換してなる基を挙げることができる。 R 12 and R 13 independently represent an alkyl group, an aralkyl group, or an aryl group, respectively. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group and the like. Examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, a fluorenyl group, a pyrenyl group and the like. Examples of the aralkyl group include a group formed by substituting one of the hydrogen atoms of the alkyl group with the aryl group.

Xは、酸素原子または硫黄原子を示す。
nは、0または1を示す。すなわち、R14は、酸素原子または硫黄原子を介してベンゼン環の結合可能な5つの炭素原子のいずれかに結合していてもよく、直接、単結合により、ベンゼン環の結合可能な5つの炭素原子のいずれかに結合していてもよい。
X represents an oxygen atom or a sulfur atom.
n represents 0 or 1. That is, R 14 may be bonded to any of the five carbon atoms to which the benzene ring can be bonded via an oxygen atom or a sulfur atom, and the five carbons to which the benzene ring can be bonded can be directly formed by a single bond. It may be attached to any of the atoms.

14は、置換基として水酸基、カルボキシル基およびスルホ基から選ばれる少なくとも1種の基を有する置換炭化水素基を示す。R14としては、たとえば−(CH2a−OH、−(CH2b−COOH、−(CH2c−SO3H(a,b,およびcはそれぞれ独立に1以上の整数を示す)を挙げることができる。 R 14 represents a substituted hydrocarbon group having at least one group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group and a sulfo group as a substituent. For R 14 , for example, − (CH 2 ) a −OH, − (CH 2 ) b −COOH, − (CH 2 ) c −SO 3 H (a, b, and c are integers of 1 or more independently. (Show) can be mentioned.

Figure 0006776920
式(2)中、2つのR21はそれぞれ独立に、水酸基、モルホリノ基、アミノ基、またはアルコキシ基を示し、2つのR21のうち少なくとも1つは水酸基である。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等が挙げられる。
Figure 0006776920
In formula (2), the two R 21s independently represent a hydroxyl group, a morpholino group, an amino group, or an alkoxy group, and at least one of the two R 21s is a hydroxyl group. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and the like.

2つのR22および2つのR23はそれぞれ独立に、アルキル基、アラルキル基、又はアリール基を示す。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フルオレニル基、およびピレニル基等が挙げられる。アラルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の1つを前記アリール基で置換してなる基を挙げることができる。 The two R 22 and the two R 23 each independently represent an alkyl group, an aralkyl group, or an aryl group. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group and the like. Examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, a fluorenyl group, a pyrenyl group and the like. Examples of the aralkyl group include a group formed by substituting one of the hydrogen atoms of the alkyl group with the aryl group.

Yは、アルカンジイル基、酸素原子、または硫黄原子を示す。アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,2−ジイル基、プロパン−2,2−ジイル基、プロパン−1,3−ジイル基等を挙げることができる。 Y represents an alkanediyl group, an oxygen atom, or a sulfur atom. Examples of the alkanediyl group include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,2-diyl group, a propane-2,2-diyl group, a propane-1,3-diyl group and the like.

mは、0または1を示す。すなわち、式(2)に含まれる2つのベンゼン環は、酸素原子または硫黄原子を介してそれぞれのベンゼン環の結合可能な5つの炭素原子のいずれかにおいて結合していてもよく、直接、単結合により、それぞれのベンゼン環の結合可能な5つの炭素原子のいずれかにおいて結合していてもよい。 m represents 0 or 1. That is, the two benzene rings contained in the formula (2) may be bonded at any of the five carbon atoms that can be bonded to each benzene ring via an oxygen atom or a sulfur atom, and may be directly bonded. Therefore, they may be bonded at any of the five bondable carbon atoms of each benzene ring.

光ラジカル重合開始剤(C)は、光ラジカル重合開始剤(C1)を含有することが好ましい。つまり、光ラジカル重合開始剤(C)は、光ラジカル重合開始剤(C1)、または光ラジカル重合開始剤(C1)および光ラジカル重合開始剤(C2)であることが好ましい。光ラジカル重合開始剤(C)が光ラジカル重合開始剤(C1)を含有すると、解像度に優れ、メッキ液の押し込みにより変形せずかつ剥離が容易なレジストの形成が可能となる。 The photoradical polymerization initiator (C) preferably contains a photoradical polymerization initiator (C1). That is, the photoradical polymerization initiator (C) is preferably a photoradical polymerization initiator (C1), or a photoradical polymerization initiator (C1) and a photoradical polymerization initiator (C2). When the photoradical polymerization initiator (C) contains the photoradical polymerization initiator (C1), it is possible to form a resist which has excellent resolution and is not deformed by pushing the plating solution and can be easily peeled off.

光ラジカル重合開始剤(C1)としては、例えば2−メチル−1−[4−(2−ヒドロキシエチルチオ)フェニル]−2−モルホリノプロパン−1−オン、2−メチル−1−[4−(3−ヒドロキシプロピルチオ)フェニル]−2−モルホリノプロパン−1−オン、2−メチル−1−[4−(4−ヒドロキシブチルチオ)フェニル]−2−モルホリノプロパン−1−オン、2−メチル−1−[4−(5−ヒドロキシヘプチルチオ)フェニル]−2−モルホリノプロパン−1−オン、および2−メチル−1−[4−(5−ヒドロキシへキシルチオ)フェニル]−2−モルホリノプロパン−1−オンを挙げることができる。 Examples of the photoradical polymerization initiator (C1) include 2-methyl-1- [4- (2-hydroxyethylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-1-one and 2-methyl-1- [4-(. 3-Hydroxypropylthio) Phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2-methyl-1- [4- (4-hydroxybutylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-1-one, 2-methyl- 1- [4- (5-Hydroxyheptylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-1-one, and 2-methyl-1- [4- (5-hydroxyhexylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-1 -Can be turned on.

光ラジカル重合開始剤(C2)としては、例えば、2−ヒロドキシ−1−{4−[4−(2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオニル)ベンジル]フェニル}−2−メチル-プロパン−1−オン、4,4′−ビス−(α−モルホリノイソブチロイル)−ジフェニルジスルフィド、1,2′−ビス−〔4−(α−モルホリノイソブチロイル)−フェニルチオ〕−エタン、ビス−〔4−(α−モルホリノイソブチロイル)−フェニルチオ〕−メタン、2,2′−ビス〔4−(α−モルホリノイソブチロイル)−フェニルチオ〕−ジエチルスルフィド、1,4−ビス−〔4−(α−モルホリノイソブチロイル)−フェニルチオ〕−ベンゼン、および2−メチル−1−〔3,5−ビス−(メチルチオ)−2−メトキシフェニル〕−2−モルホリノプロパン−1−オンを挙げることができる。 Examples of the photoradical polymerization initiator (C2) include 2-hirodoxy-1- {4- [4- (2-hydroxy-2-methylpropionyl) benzyl] phenyl} -2-methyl-propane-1-one. 4,4'-bis- (α-morpholinoisobutyroyl) -diphenyldisulfide, 1,2'-bis- [4- (α-morpholinoisobutyroyl) -phenylthio] -ethane, bis- [4- (α) -Molholinoisobutyroyl) -phenylthio] -methane, 2,2'-bis [4- (α-morpholinoisobutyroyl) -phenylthio] -diethylsulfide, 1,4-bis- [4- (α-morpholinoiso) Butyroyl) -phenylthio] -benzene, and 2-methyl-1- [3,5-bis- (methylthio) -2-methoxyphenyl] -2-morpholinopropane-1-one can be mentioned.

これらの中でも、光ラジカル重合開始剤(C)としては、光ラジカル重合開始剤(C1)が解像度に優れ、メッキ液の押し込みにより変形せずかつ剥離が容易なレジストの形成が可能となることから好ましい。 Among these, as the photoradical polymerization initiator (C), the photoradical polymerization initiator (C1) has excellent resolution, and it is possible to form a resist that is not deformed by pushing the plating solution and is easily peeled off. preferable.

光ラジカル重合開始剤(C)は、光ラジカル重合開始剤(B)100質量部に対して、100〜5,000質量部含有されていることが好ましく、300〜3,000質量部含有されていることがより好ましい。 The photoradical polymerization initiator (C) is preferably contained in an amount of 100 to 5,000 parts by mass, preferably 300 to 3,000 parts by mass, based on 100 parts by mass of the photoradical polymerization initiator (B). It is more preferable to have.

〔アルカリ可溶性樹脂(D)〕
本発明のメッキ造形物製造用感光性組成物はアルカリ可溶性樹脂(D)を含有することにより、レジストにメッキ液に対する耐性を付与することができ、且つ現像をアルカリ現像液にて行うことができる。アルカリ可溶性樹脂(D)は、目的とする現像処理が可能な程度にアルカリ性の現像液に溶解する性質を有する樹脂である。例えば、特開2008−276194号公報、特開2003−241372号公報、特表2009−531730号公報、WO2010/001691号公報、特開2011−123225号公報、特開2009−222923号公報、および特開2006−243161号公報等に記載のアルカリ可溶性樹脂が挙げられる。
[Alkali-soluble resin (D)]
By containing the alkali-soluble resin (D), the photosensitive composition for producing a plated molded product of the present invention can impart resistance to the plating solution to the resist and can be developed with an alkaline developer. .. The alkali-soluble resin (D) is a resin having a property of being dissolved in an alkaline developer to the extent that the desired development treatment can be performed. For example, JP-A-2008-276194, JP-A-2003-241372, JP-A-2009-531730, WO2010 / 001691, JP-A-2011-123225, JP-A-2009-222923, and Examples thereof include alkali-soluble resins described in Japanese Patent Publication No. 2006-243161.

アルカリ可溶性樹脂(D)のゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定されたポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は、通常、1,000〜1,000,000、好ましくは2,000〜50,000、より好ましくは3,000〜20,000の範囲にある。 The polystyrene-equivalent weight average molecular weight (Mw) measured by gel permeation chromatography of the alkali-soluble resin (D) is usually 1,000 to 1,000,000, preferably 2,000 to 50,000. It is preferably in the range of 3,000 to 20,000.

アルカリ可溶性樹脂(D)の含有量は、化合物(A)100質量部に対して、通常100〜300質量部、好ましくは150〜250質量部である。アルカリ可溶性樹脂(D)の含有量が前記範囲にあると、メッキ液耐性に優れたレジストの形成が可能となる。 The content of the alkali-soluble resin (D) is usually 100 to 300 parts by mass, preferably 150 to 250 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the compound (A). When the content of the alkali-soluble resin (D) is within the above range, it is possible to form a resist having excellent resistance to the plating solution.

アルカリ可溶性樹脂(D)は、レジストのメッキ液耐性が向上する点で、フェノール性水酸基を有することが好ましい。フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂(D)としては、下記式(6)で表される構造単位(以下「構造単位(6)」ともいう)を有するアルカリ可溶性樹脂(D')が好ましい。 The alkali-soluble resin (D) preferably has a phenolic hydroxyl group in that the resistance to the plating solution of the resist is improved. As the alkali-soluble resin (D) having a phenolic hydroxyl group, an alkali-soluble resin (D') having a structural unit represented by the following formula (6) (hereinafter, also referred to as “structural unit (6)”) is preferable.

Figure 0006776920
式(6)中、R6は水素原子またはメチル基を表す。
Figure 0006776920
In formula (6), R 6 represents a hydrogen atom or a methyl group.

構造単位(6)を有するアルカリ可溶性樹脂(D')を用いることで、メッキ工程において膨潤しにくいレジストパターンを得ることができる。その結果、基材からのレジストパターンの浮きや剥れが発生しないので、メッキ工程を長時間実施した場合であってもメッキ液が基材とレジストパターンとの界面にしみ出すことを防ぐことができる。また、解像性を良好にすることもできる。 By using the alkali-soluble resin (D') having the structural unit (6), a resist pattern that does not easily swell in the plating step can be obtained. As a result, the resist pattern does not float or peel off from the base material, so that the plating solution can be prevented from seeping out to the interface between the base material and the resist pattern even when the plating process is performed for a long time. it can. In addition, the resolution can be improved.

構造単位(6)を有するアルカリ可溶性樹脂(D')中の構造単位(6)の含有量は、通常は1〜40質量%、好ましくは10〜30質量%の範囲にある。構造単位(6)の含有量が前記範囲にある、すなわち構造単位(6)を導く単量体をこのような量で用いることにより、アルカリ可溶性樹脂(D')の分子量を十分に上げることができる。また、メッキ工程において膨潤しにくいレジストパターンを得ることができる。 The content of the structural unit (6) in the alkali-soluble resin (D') having the structural unit (6) is usually in the range of 1 to 40% by mass, preferably 10 to 30% by mass. The content of the structural unit (6) is in the above range, that is, the molecular weight of the alkali-soluble resin (D') can be sufficiently increased by using the monomer leading to the structural unit (6) in such an amount. it can. In addition, a resist pattern that does not easily swell in the plating process can be obtained.

構造単位(6)を有するアルカリ可溶性樹脂(D')は、例えば、o−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、p−イソプロペニルフェノールなどの水酸基含有芳香族ビニル化合物(以下「単量体(6')」ともいう)を原料モノマーの一部に用いて重合することにより得ることができる。これらの単量体(6')は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 The alkali-soluble resin (D') having the structural unit (6) is, for example, a hydroxyl group-containing aromatic vinyl compound such as o-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, or p-isopropenylphenol (hereinafter, "single"). It can be obtained by polymerizing using a "quantity (6')") as a part of the raw material monomer. These monomers (6') may be used alone or in combination of two or more.

これら単量体(6')の中でも、長時間のメッキ処理耐性に優れたレジストパターンを形成できる樹脂組成物が得られる点で、p−ヒドロキシスチレン、p−イソプロペニルフェノールが好ましく、p−イソプロペニルフェノールがより好ましい。 Among these monomers (6'), p-hydroxystyrene and p-isopropenylphenol are preferable, and p-isopropenylphenol is preferable in that a resin composition capable of forming a resist pattern excellent in long-term plating resistance can be obtained. Propenylphenol is more preferred.

構造単位(6)を有するアルカリ可溶性樹脂(D')は、さらに、単量体(6')と共重合可能なその他の単量体(以下「単量体(I)」ともいう)から誘導される構造単位を有してもよい。 The alkali-soluble resin (D') having the structural unit (6) is further derived from another monomer (hereinafter, also referred to as "monomer (I)") copolymerizable with the monomer (6'). It may have a structural unit to be used.

単量体(I)としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−メトキシスチレンなどの芳香族ビニル化合物;
N−ビニルピロリドン、N−ビニルカプロラクタムなどのヘテロ原子含有脂環式ビニル化合物;
フェノキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシトリエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシテトラエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシジプロピレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシトリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシテトラプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ラウロキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、ラウロキシトリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ラウロキシテトラエチレングリコール(メタ)アクリレート、ラウロキシジプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ラウロキシトリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ラウロキシテトラプロピレングリコール(メタ)アクリレートなどのグリコール構造を有する(メタ)アクリル酸誘導体類;
アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノ基含有ビニル化合物;
1,3−ブタジエン、イソプレンなどの共役ジオレフィン類;
アクリル酸、メタクリル酸などのカルボキシル基含有ビニル化合物;
メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、グリセロールモノ(メタ)アクリレート、フェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレートなどの(メタ)アクリル酸エステル類;
p−ヒドロキシフェニル(メタ)アクリルアミドなどが挙げられる。これらの単量体(I)は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Examples of the monomer (I) include aromatic vinyl compounds such as styrene, α-methylstyrene, p-methylstyrene, and p-methoxystyrene;
Heteroatom-containing alicyclic vinyl compounds such as N-vinylpyrrolidone and N-vinylcaprolactam;
Phenoxydiethylene glycol (meth) acrylate, phenoxytriethylene glycol (meth) acrylate, phenoxytetraethylene glycol (meth) acrylate, phenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, phenoxydipropylene glycol (meth) acrylate, phenoxytripropylene glycol (meth) acrylate , Phenoxytetrapropylene glycol (meth) acrylate, lauroxydiethylene glycol (meth) acrylate, lauroxytriethylene glycol (meth) acrylate, lauroxytetraethylene glycol (meth) acrylate, lauroxydipropylene glycol (meth) acrylate, lauroxytri (Meta) acrylic acid derivatives having a glycol structure such as propylene glycol (meth) acrylate and lauroxytetrapropylene glycol (meth) acrylate;
Cyano group-containing vinyl compounds such as acrylonitrile and methacrylonitrile;
Conjugate diolefins such as 1,3-butadiene and isoprene;
Carboxylic acid-containing vinyl compounds such as acrylic acid and methacrylic acid;
Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, polyethylene glycol mono ( Meta) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, glycerol mono (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) (Meta) acrylic acid esters such as acrylates;
Examples thereof include p-hydroxyphenyl (meth) acrylamide. These monomers (I) may be used alone or in combination of two or more.

これら単量体(I)の中では、スチレン、アクリル酸、メタクリル酸、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、p−ヒドロキシフェニル(メタ)アクリルアミドなどが好ましい。 Among these monomers (I), styrene, acrylic acid, methacrylic acid, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, benzyl ( Preferables include meta) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, and p-hydroxyphenyl (meth) acrylamide.

アルカリ可溶性樹脂(D')は、例えば、ラジカル重合によって製造することができる。また、重合方法としては、例えば、乳化重合法、懸濁重合法、溶液重合法、塊状重合法が挙げられる。
アルカリ可溶性樹脂(D)は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
The alkali-soluble resin (D') can be produced, for example, by radical polymerization. In addition, examples of the polymerization method include an emulsion polymerization method, a suspension polymerization method, a solution polymerization method, and a massive polymerization method.
The alkali-soluble resin (D) may be used alone or in combination of two or more.

〔その他の成分〕
本発明のメッキ造形物製造用感光性組成物は、その他の成分として、光ラジカル重合開始剤(B)及び(C)以外の光ラジカル重合開始剤、重合禁止剤、溶剤、界面活性剤、接着助剤、増感剤、無機フィラー等を、本発明の目的および特性を損なわない範囲で含有してもよい。
[Other ingredients]
The photosensitive composition for producing a plated molded product of the present invention has, as other components, a photoradical polymerization initiator other than the photoradical polymerization initiators (B) and (C), a polymerization inhibitor, a solvent, a surfactant, and an adhesive. Auxiliary agents, sensitizers, inorganic fillers and the like may be contained within a range that does not impair the object and properties of the present invention.

(溶剤)
本発明のメッキ造形物製造用感光性組成物は、溶剤を含有することで、取り扱い性が向上したり、粘度の調節が容易になったり、保存安定性が向上したりする。
溶剤としては、
メタノール、エタノール、プロピレングリコールなどのアルコール類;
テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル類;
エチレングリコール、プロピレングリコールなどのグリコール類;
エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルなどのアルキレングリコールモノアルキルエーテル類;
エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどのアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;
トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノンなどのケトン類;
酢酸エチル、酢酸ブチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類;
N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアニリド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテートなどが挙げられる。
(solvent)
By containing a solvent, the photosensitive composition for producing a plated model of the present invention improves handleability, facilitates viscosity adjustment, and improves storage stability.
As a solvent
Alcohols such as methanol, ethanol and propylene glycol;
Cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane;
Glycos such as ethylene glycol and propylene glycol;
Alkylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, and propylene glycol monoethyl ether;
Alkylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate;
Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene;
Ketones such as acetone, methylethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone;
Ethyl acetate, butyl acetate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl 3-methoxypropionate, 3 -Esters such as ethyl methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl lactate;
N-Methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, benzylethyl ether, dihexyl ether, acetonylacetone, isophorone , Caproic acid, capric acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, phenylcellosolve acetate and the like.

溶剤は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
溶剤の使用量は、膜厚0.1〜100μmのレジストパターンを形成する場合、本メッキ造形物製造用感光性組成物の固形分が、5〜80質量%となる量を用いればよい。固形分とは、組成物に含まれる全成分のうち溶剤を除く成分を意味する。
The solvent may be used alone or in combination of two or more.
When forming a resist pattern having a film thickness of 0.1 to 100 μm, the amount of the solvent used may be such that the solid content of the photosensitive composition for producing the plated model is 5 to 80% by mass. The solid content means a component of all the components contained in the composition excluding the solvent.

〔メッキ造形物製造用感光性組成物の製造方法〕
本発明のメッキ造形物製造用感光性組成物は、上記成分を均一に混合することにより製造することができる。また、ゴミを取り除くために、各成分を均一に混合した後、得られた混合物をフィルター等で濾過してもよい。
[Manufacturing method of photosensitive composition for manufacturing plated shaped objects]
The photosensitive composition for producing a plated model of the present invention can be produced by uniformly mixing the above components. Further, in order to remove dust, each component may be uniformly mixed, and then the obtained mixture may be filtered with a filter or the like.

また、本発明のメッキ造形物製造用感光性組成物には、リン原子を含有しない成分からなる組成物が好ましい。特に光ラジカル重合開始剤(B)、光ラジカル重合開始剤(C)およびその他成分として挙げられる、光ラジカル重合開始剤(B)及び(C)以外の光ラジカル重合開始剤にはリン原子を含まない方が好ましい。 Further, in the photosensitive composition for producing a plated model of the present invention, a composition composed of a phosphorus atom-free component is preferable. In particular, the photoradical polymerization initiators (B), the photoradical polymerization initiators (C), and other photoradical polymerization initiators (B) and (C) other than the photoradical polymerization initiators (C) contain phosphorus atoms. It is preferable not to have it.

メッキ液に悪影響を及ぼすリン化合物等の成分を分解物として生成する光ラジカル重合開始剤などを含有しないことで、メッキ液に悪影響を与えることなくメッキ造形物を製造することができる。 By not containing a photoradical polymerization initiator or the like that produces a component such as a phosphorus compound that adversely affects the plating solution as a decomposition product, it is possible to produce a plated molded product without adversely affecting the plating solution.

[メッキ造形物の製造方法]
本発明のメッキ造形物の製造方法は、1分子中に少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物(A)と、オキシムエステル構造を有する光ラジカル重合開始剤(B)と、下記式(1)に示す光ラジカル重合開始剤(C1)および下記式(2)に示す光ラジカル重合開始剤(C2)から選ばれる少なくとも1種の光ラジカル重合開始剤(B)とを含有する感光性組成物を基材上に塗布して塗膜を形成する工程(1)、
[Manufacturing method of plated model]
The method for producing a plated model of the present invention comprises a compound (A) having at least one ethylenically unsaturated double bond in one molecule, a photoradical polymerization initiator (B) having an oxime ester structure, and the following. Photosensitivity containing at least one photoradical polymerization initiator (C1) selected from the photoradical polymerization initiator (C1) represented by the formula (1) and the photoradical polymerization initiator (C2) represented by the following formula (2). Step (1) of applying the sex composition onto a substrate to form a coating film,

Figure 0006776920
(式(1)中、R11は、水酸基、モルホリノ基、アミノ基、またはアルコキシ基を示し;
12およびR13はそれぞれ独立に、アルキル基、アラルキル基、またはアリール基を示し;
Xは、酸素原子または硫黄原子を示し;
nは、0または1を示し;
14は、置換基として水酸基、カルボキシル基またはスルホ基を有する置換炭化水素基を示す。)
Figure 0006776920
(In formula (1), R 11 represents a hydroxyl group, a morpholino group, an amino group, or an alkoxy group;
R 12 and R 13 independently represent an alkyl group, an aralkyl group, or an aryl group;
X indicates an oxygen atom or a sulfur atom;
n indicates 0 or 1;
R 14 represents a substituted hydrocarbon group having a hydroxyl group, a carboxyl group or a sulfo group as a substituent. )

Figure 0006776920
(式(2)中、2つのR21はそれぞれ独立に、水酸基、モルホリノ基、アミノ基、またはアルコキシ基を示し、2つのR21のうち少なくとも1つは水酸基であり;
2つのR22および2つのR23はそれぞれ独立に、アルキル基、アラルキル基、又はアリール基を示し;
Yは、アルカンジイル基を示し;
mは、0または1の整数を示す。)
Figure 0006776920
(In formula (2), the two R 21s independently represent a hydroxyl group, a morpholino group, an amino group, or an alkoxy group, and at least one of the two R 21s is a hydroxyl group;
The two R 22 and the two R 23 each independently represents an alkyl group, an aralkyl group, or an aryl group;
Y indicates an alkanediyl group;
m represents an integer of 0 or 1. )

前記塗膜を露光する工程(2)
露光後の塗膜を現像してレジストパターンを形成する工程(3)、
前記レジストパターンをマスクに用いて、基材に対してメッキ処理を行う工程(4)および
前記レジストパターンを基材から除去する工程(5)
を有する。
Step of exposing the coating film (2)
Step of developing the coating film after exposure to form a resist pattern (3),
A step of plating the base material using the resist pattern as a mask (4) and a step of removing the resist pattern from the base material (5).
Have.

本発明のメッキ造形物の製造方法において用いられる感光性組成物は、前記メッキ造形物製造用感光性組成物である。本発明のメッキ造形物の製造方法は、感光性組成物として前記メッキ造形物製造用感光性組成物を用いること以外は、従来公知のメッキ造形物の製造方法に従い実施することができる。 The photosensitive composition used in the method for producing a plated model of the present invention is the photosensitive composition for producing a plated model. The method for producing a plated model of the present invention can be carried out according to a conventionally known method for producing a plated model, except that the photosensitive composition for producing a plated model is used as the photosensitive composition.

〔工程(1)〕
工程(1)では、前記感光性組成物を基材上に塗布して塗膜を形成する。
基材としては、前記塗膜を形成することができる基材であれば特に制限はなく、例えば半導体基板、ガラス基板、シリコン基板および半導体板、ガラス板、シリコン板の表面に各種金属膜などを設けて形成される基板などを挙げることができる。基材の形状には特に制限はない。平板状であっても、後述の実施例で使用された基材(シリコンウェハー)ように平板に凹部(穴)を設けてなる形状であってもよい。凹部を備え、さらに表面に銅膜を有する基材の場合、TSV構造のように、その凹部の底部に銅膜が設けられてもよい。
[Step (1)]
In the step (1), the photosensitive composition is applied onto a substrate to form a coating film.
The base material is not particularly limited as long as it is a base material capable of forming the coating film. For example, a semiconductor substrate, a glass substrate, a silicon substrate and a semiconductor plate, a glass plate, various metal films on the surface of the silicon plate, etc. Examples thereof include a substrate provided and formed. The shape of the base material is not particularly limited. It may have a flat plate shape or a shape in which a recess (hole) is provided in the flat plate as in the base material (silicon wafer) used in the examples described later. In the case of a base material having a recess and a copper film on the surface, a copper film may be provided at the bottom of the recess as in the TSV structure.

感光性組成物の塗布方法としては、特に限定されず、例えば、スプレー法、ロールコート法、スピンコート法、スリットダイ塗布法、バー塗布法、インクジェット法を採用することができ、特にスピンコート法が好ましい。スピンコート法の場合、回転速度は通常は800〜3000rpm、好ましくは800〜2000rpmであり、回転時間は通常は1〜300秒間、好ましくは5〜200秒間である。感光性組成物をスピンコートした後は、例えば50〜250℃で1〜30分間程度、得られた塗膜を加熱乾燥する。 The coating method of the photosensitive composition is not particularly limited, and for example, a spray method, a roll coating method, a spin coating method, a slit die coating method, a bar coating method, and an inkjet method can be adopted, and in particular, a spin coating method. Is preferable. In the case of the spin coating method, the rotation speed is usually 800 to 3000 rpm, preferably 800 to 2000 rpm, and the rotation time is usually 1 to 300 seconds, preferably 5 to 200 seconds. After spin-coating the photosensitive composition, the obtained coating film is heat-dried at, for example, 50 to 250 ° C. for about 1 to 30 minutes.

塗膜の膜厚は通常0.1〜100μm、好ましくは1〜80μm、より好ましくは10〜70μm、さらに好ましくは30〜60μmである。薄膜であるほど、酸素阻害の影響が顕著に現れるので、メッキ造形物を製造する場合、上述の範囲で用いるのが好ましい。 The film thickness of the coating film is usually 0.1 to 100 μm, preferably 1 to 80 μm, more preferably 10 to 70 μm, and further preferably 30 to 60 μm. The thinner the film, the more pronounced the effect of oxygen inhibition, so it is preferable to use it within the above range when producing a plated model.

〔工程(2)〕
工程(2)では、前記塗膜を露光する。すなわち、工程(3)以降においてレジストパターンが得られるように前記塗膜を選択的に露光する。
露光は、通常、所望のフォトマスクを介して、例えばコンタクトアライナー、ステッパーまたはスキャナーを用いて、上記塗膜に対して露光を行う。露光光としては、波長200〜500nmの光(例:i線(365nm))を用いる。露光量は、塗膜中の成分の種類、配合量、塗膜の厚さなどによって異なるが、露光光にi線を使用する場合、通常、100〜10,000mJ/cm2である。
[Step (2)]
In the step (2), the coating film is exposed. That is, the coating film is selectively exposed so that a resist pattern can be obtained in the step (3) and subsequent steps.
The exposure is usually done through a desired photomask, for example using a contact aligner, stepper or scanner, on the coating. As the exposure light, light having a wavelength of 200 to 500 nm (eg, i-line (365 nm)) is used. The exposure amount varies depending on the type of component in the coating film, the blending amount, the thickness of the coating film, and the like, but when i-line is used for the exposure light, it is usually 100 to 10,000 mJ / cm 2 .

また、露光後に加熱処理を行うこともできる。露光後の加熱処理の条件は、塗膜中の成分の種類、配合量、塗膜の厚さなどによって適宜決められるが、通常70〜180℃、1〜60分間である。 It is also possible to perform heat treatment after exposure. The conditions for the heat treatment after the exposure are appropriately determined depending on the type of the component in the coating film, the blending amount, the thickness of the coating film, and the like, but are usually 70 to 180 ° C. for 1 to 60 minutes.

〔工程(3)〕
工程(3)では、露光後の塗膜を現像してレジストパターンを形成する。
現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノナンの水溶液を使用することができる。また、上記アルカリ類の水溶液にメタノール、エタノールなどの水溶性有機溶剤や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。
[Step (3)]
In the step (3), the coating film after exposure is developed to form a resist pattern.
Examples of the developing solution include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-propylamine, triethylamine, methyldiethylamine, and the like. Dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo [4.3. An aqueous solution of 0] -5-nonane can be used. Further, an aqueous solution obtained by adding an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant to the above-mentioned aqueous solution of alkalis can also be used as a developing solution.

現像時間は、組成物中の各成分の種類、配合割合、塗膜の厚さなどによって異なるが、通常30〜600秒間である。現像の方法は液盛り法、ディッピング法、パドル法、スプレー法、シャワー現像法などのいずれでもよい。 The developing time varies depending on the type of each component in the composition, the blending ratio, the thickness of the coating film, and the like, but is usually 30 to 600 seconds. The developing method may be any of a liquid filling method, a dipping method, a paddle method, a spray method, a shower developing method and the like.

上記のように作製されたレジストパターンに対し、用途に応じてさらに、追加の露光(以下「後露光」という。)や加熱を行うことによってさらにレジストパターンを硬化させることができる。 The resist pattern produced as described above can be further cured by performing additional exposure (hereinafter referred to as "post-exposure") or heating depending on the intended use.

後露光は、上記露光と同様の方法で行なうことができる。露光量は特に限定されないが、高圧水銀灯使用の場合100〜10,000mJ/cm2が好ましい。加熱については、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置を用いて、所定の温度、例えば60〜100℃で所定の時間、例えばホットプレート上なら5〜30分間、オーブン中では5〜60分間加熱処理をすればよい。この後処理によって、さらに良好な特性を有するパターンの硬化膜を得ることができる。
レジストパターンは流水等により洗浄してもよい。その後、エアーガンなどを用いて風乾したり、ホットプレートやオーブンなどの加熱下で乾燥させてもよい。
The post-exposure can be performed in the same manner as the above-mentioned exposure. The amount of exposure is not particularly limited, but 100 to 10,000 mJ / cm 2 is preferable when using a high-pressure mercury lamp. For heating, a heating device such as a hot plate or an oven is used to heat the product at a predetermined temperature, for example, 60 to 100 ° C. for a predetermined time, for example, 5 to 30 minutes on a hot plate and 5 to 60 minutes in an oven. do it. By this post-treatment, a cured film having a pattern having even better characteristics can be obtained.
The resist pattern may be washed with running water or the like. After that, it may be air-dried using an air gun or the like, or may be dried under heating such as a hot plate or an oven.

〔工程(4)〕
工程(4)では、前記レジストパターンをマスクに用いて、基材に対してメッキ処理を行う。メッキ処理は従来法に従って行うことができる。
前記レジストパターンは、感光性組成物として前記メッキ造形物製造用感光性組成物を用いて形成されることから、強度が高く、強い押し込みを要する金メッキの場合などにおいても、メッキ液の押し込みにより変形することがない。このため、本発明のメッキ造形物の製造方法は、所望の適正なメッキ造形物を製造することができる。
[Step (4)]
In the step (4), the resist pattern is used as a mask to perform a plating treatment on the base material. The plating process can be performed according to a conventional method.
Since the resist pattern is formed by using the photosensitive composition for manufacturing a plated model as a photosensitive composition, the resist pattern is deformed by pressing the plating solution even in the case of gold plating having high strength and requiring strong pressing. There is nothing to do. Therefore, the method for producing a plated model of the present invention can produce a desired and appropriate plated model.

〔工程(5)〕
工程(5)では、前記レジストパターンを基材から除去する。レジストパターンの除去は従来法に従って行うことができる。
本発明のメッキ造形物の製造方法は、感光性組成物として前記メッキ造形物製造用感光性組成物を用いることにより、レジストパターンを基板から容易に剥離し、除去することができる。
以上の工程(1)〜(5)により、メッキ造形物を製造することができる。製造されるメッキ造形物としてはバンプ等が挙げられる。
[Step (5)]
In step (5), the resist pattern is removed from the substrate. The resist pattern can be removed according to a conventional method.
In the method for producing a plated model of the present invention, the resist pattern can be easily peeled off from the substrate and removed by using the photosensitive composition for producing a plated model as the photosensitive composition.
By the above steps (1) to (5), a plated model can be manufactured. Examples of the plated model to be manufactured include bumps and the like.

以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。以下の実施例等の記載において、特に言及しない限り、「部」は「質量部」の意味で用いる。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on Examples, but the present invention is not limited to these Examples. Unless otherwise specified, "parts" is used to mean "parts by mass" in the following examples and the like.

重合体の重量平均分子量(Mw)の測定方法
下記条件下でゲルパーミエーションクロマトグラフィー法にて重量平均分子量(Mw)を測定した。
・カラム:東ソー社製カラムのTSK−MおよびTSK2500を直列に接続
・溶媒:テトラヒドロフラン
・温度:40℃
・検出方法:屈折率法
・標準物質:ポリスチレン
・GPC装置:東ソー製、装置名「HLC-8220-GPC」
Method for Measuring Weight Average Molecular Weight (Mw) of Polymer The weight average molecular weight (Mw) was measured by a gel permeation chromatography method under the following conditions.
-Column: Tosoh column TSK-M and TSK2500 are connected in series.-Solvent: Tetrahydrofuran-Temperature: 40 ° C.
-Detection method: Refractive index method-Standard substance: Polystyrene-GPC device: Tosoh, device name "HLC-8220-GPC"

1.感光性組成物の製造
[実施例1A〜4A、および比較例1A〜2A]感光性組成物の製造
下記表1に示す成分及び量を混合し、カプセルフィルター(孔径10μm)で濾過して、実施例1A〜4A、および比較例1A〜2Aの感光性組成物を製造した。なお、表1中に示す各成分の詳細は以下の通りである。
A1:ポリエステルアクリレート(商品名「アロニックスM−8060」、東亞合成(株)製)
A2:トリメチロールプロパントリアクリレート
A3:フタル酸とエポキシアクリレートとの反応物(商品名「デナコールDA−721」、ナガセケムテックス(株)社製)
B1:下記式(4)に示す化合物
1. 1. Production of Photosensitive Compositions [Examples 1A to 4A and Comparative Examples 1A to 2A] Production of Photosensitive Compositions The components and amounts shown in Table 1 below are mixed and filtered through a capsule filter (pore size 10 μm). Photosensitive compositions of Examples 1A-4A and Comparative Examples 1A-2A were produced. The details of each component shown in Table 1 are as follows.
A1: Polyester acrylate (trade name "Aronix M-8060", manufactured by Toagosei Co., Ltd.)
A2: Trimethylolpropane triacrylate A3: Reactant of phthalic acid and epoxy acrylate (trade name "Denacol DA-721", manufactured by Nagase ChemteX Corporation)
B1: Compound represented by the following formula (4)

Figure 0006776920
B2:エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1-(O−アセチルオキシム)(商品名「IRGACURE OXE02」、BASF(株)製)
C1:2−メチル−1−[4−(2−ヒドロキシエチルチオ)フェニル]−2−モルホリノプロパン−1−オン
D1:下記式(7)に示す構造単位を有する重合体であるアルカリ可溶性樹脂(Mw:9,500、a/b/c/d:10/25/53/12(重量比))
Figure 0006776920
B2: Etanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazole-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime) (trade name "IRGACURE OXE02", BASF Limited Made)
C1: 2-Methyl-1- [4- (2-hydroxyethylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-1-one D1: An alkali-soluble resin which is a polymer having a structural unit represented by the following formula (7). Mw: 9,500, a / b / c / d: 10/25/53/12 (weight ratio))

Figure 0006776920
E1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
F1:ジフェニル(2,4,6−トリメチルベンゾイル)ホスフィンオキシド(光ラジカル重合開始剤、商品名「LUCIRIN TPO」、BASF(株)製)
F2:2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン(光ラジカル重合開始剤、商品名「IRGACURE651」、BASF(株)製)
F3:ジメチルメチル(ポリエチレンオキサイドアセテート)シロキサン(CAS番号:70913−12−4、界面活性剤)
Figure 0006776920
E1: Propylene glycol monomethyl ether acetate F1: Diphenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl) phosphine oxide (photoradical polymerization initiator, trade name "LUCIRIN TPO", manufactured by BASF Co., Ltd.)
F2: 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one (photoradical polymerization initiator, trade name "IRGACURE651", manufactured by BASF Limited)
F3: Dimethylmethyl (polyethylene oxide acetate) siloxane (CAS number: 70913-12-4, surfactant)

Figure 0006776920
Figure 0006776920

2.メッキ造形物の製造およびその評価
[実施例1B〜4B、および比較例1B〜2B]
実施例1B〜4B、および比較例1B〜2Bでは、シリコンウェハ上に銅スパッタ膜を備えてなる基板の金スパッタ膜上にスピンコーターを用いて、それぞれ実施例1A〜4A、および比較例1A〜2Aで製造された感光性組成物を塗布し、ホットプレートにて、110℃で300秒間加熱し、膜厚28μmの塗膜(1)を形成した。
2. Production of plated model and evaluation thereof [Examples 1B to 4B and Comparative Examples 1B to 2B]
In Examples 1B to 4B and Comparative Examples 1B to 2B, Examples 1A to 4A and Comparative Examples 1A to 1A to 4A, respectively, using a spin coater on a gold sputtered film of a substrate having a copper sputtered film on a silicon wafer. The photosensitive composition produced in 2A was applied and heated on a hot plate at 110 ° C. for 300 seconds to form a coating film (1) having a film thickness of 28 μm.

塗膜(1)を、ステッパー(ニコン社製、型式「NSR−i10D」)を用い、パターンマスクを介して、露光した。露光後の塗膜(1)を、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液に40秒間浸漬し、この浸漬を2回行い、塗膜(1)を現像し、基板上にレジストパターン(レジスト幅:10μm、レジストパターン間距離:10μm、高さ:約28μm)を形成した。得られたレジストパターンを電子顕微鏡で観察したところ、その縦断面形状は矩形であった。 The coating film (1) was exposed using a stepper (manufactured by Nikon Corporation, model "NSR-i10D") via a pattern mask. The exposed coating film (1) is immersed in a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 40 seconds, and this immersion is performed twice to develop the coating film (1), and a resist pattern (resist pattern (1)) is formed on the substrate. The resist width: 10 μm, the distance between resist patterns: 10 μm, and the height: about 28 μm) were formed. When the obtained resist pattern was observed with an electron microscope, its vertical cross-sectional shape was rectangular.

次いで、このレジストパターンをマスクにして、金めっきを行った。金めっき液は、製品名「MICROFABAu2151」(株式会社EEJA製)にて行った。金めっき後、30℃のレジスト剥離液(ジメチルスルホキシド/水/イソプロピルアルコール/水酸化テトラメチルアンモニウム=95/2/2/1(質量%)を含む溶液)に浸漬することでレジストパターンを除去し、金めっき造形物を製造した。レジスパターンをレジスト剥離液で除去する際に要した時間を「レジストの剥離性」とした。製造した金めっき造形物の幅を測定し、この幅からレジストパターン間距離(10μm)を差し引いた長さを、金めっき液の押し込みによるレジストの変形ととらえ、レジストパターン間距離に対する前記長さの割合(増加割合)を「レジストの押し込み耐性」として、以下の評価基準にて評価した。評価結果を表2に示す。
「レジストの剥離性」
A:剥離に要した時間が90秒未満である。
B:剥離に要した時間が90〜110秒である。
C:剥離に要した時間が110秒より長い。
「レジストの押し込み耐性」
A:増加割合が5%未満である。
B:増加割合が5〜10%である。
C:増加割合が10%より大きい。
Next, gold plating was performed using this resist pattern as a mask. The gold plating solution was used under the product name "MICROFABAu2151" (manufactured by EEJA Co., Ltd.). After gold plating, the resist pattern is removed by immersing in a resist stripping solution (a solution containing dimethyl sulfoxide / water / isopropyl alcohol / tetramethylammonium hydroxide = 95/2/2/1 (mass%)) at 30 ° C. , Manufactured a gold-plated model. The time required to remove the resist pattern with the resist stripping solution was defined as "resist stripping property". The width of the manufactured gold-plated model is measured, and the length obtained by subtracting the distance between resist patterns (10 μm) from this width is regarded as the deformation of the resist due to the pushing of the gold plating solution, and the length is the distance between the resist patterns. The ratio (increase rate) was evaluated as "resist indentation resistance" according to the following evaluation criteria. The evaluation results are shown in Table 2.
"Removability of resist"
A: The time required for peeling is less than 90 seconds.
B: The time required for peeling is 90 to 110 seconds.
C: The time required for peeling is longer than 110 seconds.
"Resist push resistance"
A: The rate of increase is less than 5%.
B: The rate of increase is 5 to 10%.
C: The rate of increase is greater than 10%.

Figure 0006776920
Figure 0006776920

Claims (7)

1分子中に少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物(A)と、オキシムエステル構造を有する光ラジカル重合開始剤(B)と、下記式(1)に示す光ラジカル重合開始剤(C1)および下記式(2)に示す光ラジカル重合開始剤(C2)から選ばれる少なくとも1種の光ラジカル重合開始剤(C)とを含有する感光性組成物を基材上に塗布して塗膜を形成する工程(1)、
Figure 0006776920
(式(1)中、R11は、水酸基、モルホリノ基、アミノ基、またはアルコキシ基を示し;
12およびR13はそれぞれ独立に、アルキル基、アラルキル基、またはアリール基を示し;
Xは、酸素原子または硫黄原子を示し;
nは、0または1を示し;
14は、置換基として水酸基、カルボキシル基およびスルホ基から選ばれる少なくとも1種の基を有する置換炭化水素基を示す。)
Figure 0006776920
(式(2)中、2つのR21はそれぞれ独立に、水酸基、モルホリノ基、アミノ基、またはアルコキシ基を示し、2つのR21のうち少なくとも1つは水酸基であり;
2つのR22および2つのR23はそれぞれ独立に、アルキル基、アラルキル基、又はアリール基を示し;
Yは、アルカンジイル基、酸素原子、または硫黄原子を示し;
mは、0または1を示す。)
前記塗膜を露光する工程(2)、
露光後の塗膜を現像してレジストパターンを形成する工程(3)、
前記レジストパターンをマスクに用いて、基材に対してメッキ処理を行う工程(4)および
前記レジストパターンを基材から除去する工程(5)
を有することを特徴とするメッキ造形物の製造方法。
A compound (A) having at least one ethylenically unsaturated double bond in one molecule, a photoradical polymerization initiator (B) having an oxime ester structure, and a photoradical polymerization initiator represented by the following formula (1). A photosensitive composition containing at least one photoradical polymerization initiator (C) selected from (C1) and the photoradical polymerization initiator (C2) represented by the following formula (2) is applied onto a substrate. Step of forming a coating film (1),
Figure 0006776920
(In formula (1), R 11 represents a hydroxyl group, a morpholino group, an amino group, or an alkoxy group;
R 12 and R 13 independently represent an alkyl group, an aralkyl group, or an aryl group;
X indicates an oxygen atom or a sulfur atom;
n indicates 0 or 1;
R 14 represents a substituted hydrocarbon group having at least one group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group and a sulfo group as a substituent. )
Figure 0006776920
(In formula (2), the two R 21s independently represent a hydroxyl group, a morpholino group, an amino group, or an alkoxy group, and at least one of the two R 21s is a hydroxyl group;
The two R 22 and the two R 23 each independently represents an alkyl group, an aralkyl group, or an aryl group;
Y represents an alkanediyl group, an oxygen atom, or a sulfur atom;
m represents 0 or 1. )
Step (2) of exposing the coating film,
Step of developing the coating film after exposure to form a resist pattern (3),
A step of plating the base material using the resist pattern as a mask (4) and a step of removing the resist pattern from the base material (5).
A method for producing a plated model, which comprises.
前記光ラジカル重合開始剤(C)が、前記光ラジカル重合開始剤(C1)を含有する、請求項1に記載のメッキ造形物の製造方法。 The method for producing a plated model according to claim 1, wherein the photoradical polymerization initiator (C) contains the photoradical polymerization initiator (C1). 前記感光性組成物が、前記光ラジカル重合開始剤(B)100質量部に対して、前記光ラジカル重合開始剤(C)を100〜5,000質量部含有する、請求項1または2のいずれかに記載のメッキ造形物の製造方法。 Either of claims 1 or 2, wherein the photosensitive composition contains 100 to 5,000 parts by mass of the photoradical polymerization initiator (C) with respect to 100 parts by mass of the photoradical polymerization initiator (B). Method for manufacturing a plated model described in Crab. 前記感光性組成物が、さらに、アルカリ可溶性樹脂(D)を含有する請求項1〜3のいずれかに記載のメッキ造形物の製造方法。 The method for producing a plated model according to any one of claims 1 to 3, wherein the photosensitive composition further contains an alkali-soluble resin (D). 前記感光性組成物が、前記アルカリ可溶性樹脂(D)100質量部に対して、前記光ラジカル重合開始剤(B)を0.01〜10質量部含有する、請求項4に記載のメッキ造形物の製造方法。 The plated model according to claim 4, wherein the photosensitive composition contains 0.01 to 10 parts by mass of the photoradical polymerization initiator (B) with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin (D). Manufacturing method. 前記メッキ処理が、金メッキ処理である請求項1〜5のいずれかに記載のメッキ造形物の製造方法。 The method for producing a plated model according to any one of claims 1 to 5, wherein the plating treatment is a gold plating treatment. 1分子中に少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物(A)と、オキシムエステル構造を有する光ラジカル重合開始剤(B)と、下記式(1)に示す光ラジカル重合開始剤(C1)および下記式(2)に示す光ラジカル重合開始剤(C2)から選ばれる少なくとも1種の光ラジカル重合開始剤(C)とを含有することを特徴とするメッキ造形物製造用感光性組成物。
Figure 0006776920
(式(1)中、R11は、水酸基、モルホリノ基、アミノ基、またはアルコキシ基を示し;
12およびR13はそれぞれ独立に、アルキル基、アラルキル基、またはアリール基を示し;
Xは、酸素原子または硫黄原子を示し;
nは、0または1を示し;
14は、置換基として水酸基、カルボキシル基およびスルホ基から選ばれる少なくとも1種の基を有する置換炭化水素基を示す。)
Figure 0006776920
(式(2)中、2つのR21は、水酸基、モルホリノ基、アミノ基、またはアルコキシ基を示し、2つのR21のうち少なくとも1つは水酸基であり;
2つのR22および2つのR23はそれぞれ独立に、アルキル基、アラルキル基、またはアリール基を示し;
Yは、アルカンジイル基、酸素原子、または硫黄原子を示し;
mは、0または1を示す。)
A compound (A) having at least one ethylenically unsaturated double bond in one molecule, a photoradical polymerization initiator (B) having an oxime ester structure, and a photoradical polymerization initiator represented by the following formula (1). Photosensitivity for manufacturing plated shaped products, which contains at least one photoradical polymerization initiator (C) selected from (C1) and a photoradical polymerization initiator (C2) represented by the following formula (2). Composition.
Figure 0006776920
(In formula (1), R 11 represents a hydroxyl group, a morpholino group, an amino group, or an alkoxy group;
R 12 and R 13 independently represent an alkyl group, an aralkyl group, or an aryl group;
X indicates an oxygen atom or a sulfur atom;
n indicates 0 or 1;
R 14 represents a substituted hydrocarbon group having at least one group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group and a sulfo group as a substituent. )
Figure 0006776920
(In formula (2), two R 21s represent a hydroxyl group, a morpholino group, an amino group, or an alkoxy group, and at least one of the two R 21s is a hydroxyl group;
The two R 22 and the two R 23 each independently represents an alkyl group, an aralkyl group or an aryl group;
Y represents an alkanediyl group, an oxygen atom, or a sulfur atom;
m represents 0 or 1. )
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