JP6766726B2 - Manufacturing method of semiconductor devices - Google Patents
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Description
本発明は、半導体基板にトレンチが形成された半導体装置の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor equipment having a trench formed on a semiconductor substrate.
従来より、この種の半導体装置として、次のようなものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。具体的には、この半導体装置は、第1基板と、第1基板上に配置された絶縁膜と、絶縁膜を介して第1基板と反対側に配置された第2基板とを有する半導体基板を備えている。そして、第2基板は、トレンチによって複数の領域に区画されている。また、絶縁膜は、第2基板のうちの区画された領域における所定箇所(以下では、単に第2基板の所定箇所という)と対向する部分が除去されている。つまり、第2基板の所定箇所は、絶縁膜から浮遊した浮遊領域となっている。 Conventionally, the following semiconductor devices have been proposed as this type of semiconductor device (see, for example, Patent Document 1). Specifically, this semiconductor device is a semiconductor substrate having a first substrate, an insulating film arranged on the first substrate, and a second substrate arranged on the opposite side of the first substrate via the insulating film. It has. The second substrate is divided into a plurality of regions by a trench. Further, in the insulating film, a portion facing a predetermined portion (hereinafter, simply referred to as a predetermined portion of the second substrate) in the partitioned region of the second substrate is removed. That is, the predetermined portion of the second substrate is a floating region suspended from the insulating film.
このような半導体装置は、次のように製造される。すなわち、まず、第1基板、絶縁膜、および第2基板を有する半導体基板を用意する。そして、第2基板上にマスクを配置し、当該マスクをパターニングして第2基板のトレンチ形成領域を露出させる。次に、第2基板をドライエッチングして絶縁膜に達するトレンチを形成することにより、第2基板にトレンチにて区画される複数の領域を形成する。その後、絶縁膜のうちの第2基板の所定箇所と対向する部分を除去する。これにより、上記半導体装置が製造される。 Such a semiconductor device is manufactured as follows. That is, first, a semiconductor substrate having a first substrate, an insulating film, and a second substrate is prepared. Then, a mask is placed on the second substrate, and the mask is patterned to expose the trench forming region of the second substrate. Next, by dry etching the second substrate to form a trench reaching the insulating film, a plurality of regions partitioned by the trench are formed on the second substrate. After that, the portion of the insulating film facing the predetermined portion of the second substrate is removed. As a result, the semiconductor device is manufactured.
なお、第2基板をドライエッチングする際には、エッチングガスを用いて第2基板を反応性イオンエッチングすることと、保護膜生成ガスを用いて反応性イオンエッチングした部分の側面に保護膜を形成することと、を繰り返し行う。これにより、側面を保護しつつ、所望の深さに達するトレンチが形成される。 When the second substrate is dry-etched, the second substrate is reactive ion-etched using an etching gas, and a protective film is formed on the side surface of the reactive ion-etched portion using the protective film-generating gas. Do and repeat. This creates a trench that reaches the desired depth while protecting the sides.
ところで、本発明者らは、上記のような半導体装置において、第2基板の所定箇所が第1基板に接触することを防止するため、第1基板のうちの第2基板の所定箇所と対向する部分に窪み部を形成した半導体装置とすることを検討している。つまり、第1基板および絶縁膜のうちの第2基板の所定箇所と対向する部分に、絶縁膜から第1基板に渡る窪み部が形成された半導体装置とすることを検討している。言い換えると、絶縁膜から第1基板に渡る窪み部が形成され、窪み部上に浮遊領域を有する半導体装置とすることを検討している。 By the way, in the above-mentioned semiconductor device, the present inventors face a predetermined portion of the second substrate of the first substrate in order to prevent the predetermined portion of the second substrate from coming into contact with the first substrate. We are considering using a semiconductor device with a recess formed in the portion. That is, we are considering a semiconductor device in which a recessed portion extending from the insulating film to the first substrate is formed in a portion of the first substrate and the insulating film that faces a predetermined portion of the second substrate. In other words, we are considering making a semiconductor device in which a recessed portion extending from the insulating film to the first substrate is formed and a floating region is provided on the recessed portion.
このような半導体装置は、例えば、まず、第1基板に絶縁膜を形成した後、絶縁膜および第1基板に上記窪み部を形成する。そして、この窪み部を閉塞するように、絶縁膜上に第2基板を配置し、内部に窪み部が形成された半導体基板を用意する。その後、第2基板に対して上記ドライエッチングを行い、窪み部に達するトレンチを形成する。これにより、絶縁膜から第1基板に渡る窪み部が形成され、窪み部上に浮遊領域を有する半導体装置が製造される。 In such a semiconductor device, for example, first, an insulating film is formed on the first substrate, and then the recessed portion is formed on the insulating film and the first substrate. Then, a second substrate is arranged on the insulating film so as to close the recessed portion, and a semiconductor substrate having the recessed portion formed therein is prepared. Then, the second substrate is dry-etched to form a trench reaching the recess. As a result, a recessed portion extending from the insulating film to the first substrate is formed, and a semiconductor device having a floating region on the recessed portion is manufactured.
しかしながら、このような半導体装置の製造方法では、本発明者らが検討したところ、トレンチの側面が荒れてしまうことがあることが分かった。 However, when the present inventors examined such a method for manufacturing a semiconductor device, it was found that the side surface of the trench may be roughened.
本発明は上記点に鑑み、トレンチの側面が荒れることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a method of manufacturing a semiconductor equipment which can prevent the side surface of the trench becomes rough.
上記目的を達成するための請求項1では、半導体基板(14)にトレンチ(16)が形成された半導体装置の製造方法であって、支持基板(10)と、支持基板上に配置された絶縁膜(11)と、を有する第1基板(12)と、第1基板における絶縁膜上に配置された第2基板(13)と、を有し、第1基板のうちの第2基板側に窪み部(17)が形成された半導体基板を用意することと、エッチングガスを供給して第2基板を反応性イオンエッチングすることと、保護膜生成ガスを供給して反応性イオンエッチングした部分の側面に保護膜(110)を形成することと、を繰り返し行うことにより、第2基板に窪み部に達するトレンチを形成することと、を行い、トレンチを形成することでは、対向する側面を有する第1トレンチ(16a)と、対向する側面を有し、当該対向する側面を構成する領域の体積差が第1トレンチにおける対向する側面を構成する領域の体積差より小さい第2トレンチ(16b)とを含み、第1トレンチの対向する側面の間隔が第2トレンチの対向する側面の間隔より広くなるトレンチを形成するようにしている。 The first aspect of claim 1 for achieving the above object is a method for manufacturing a semiconductor device in which a trench (16) is formed in a semiconductor substrate (14), and the support substrate (10) and an insulating arrangement arranged on the support substrate. A first substrate (12) having a film (11) and a second substrate (13) arranged on an insulating film in the first substrate are provided on the second substrate side of the first substrate. A semiconductor substrate having a recessed portion (17) formed therein is prepared, an etching gas is supplied to perform reactive ion etching on the second substrate, and a protective film generating gas is supplied to perform reactive ion etching. By repeatedly forming the protective film (110) on the side surface to form a trench reaching the recess in the second substrate, and forming the trench, the second substrate has opposite side surfaces. A second trench (16a) having one trench (16a) and a second trench (16b) having facing side surfaces and having a volume difference of a region constituting the facing side surface smaller than a volume difference of a region forming the facing side surface in the first trench. Including, the trench is formed so that the distance between the opposite side surfaces of the first trench is wider than the distance between the opposite side surfaces of the second trench.
これによれば、対向する側面の温度差が大きい第1トレンチ内に導入される保護膜生成ガスの総量を増加できる。したがって、第1トレンチの対向する側面の一方に保護膜が形成され難くなることを抑制できる。このため、トレンチの側面が荒れてしまうことを抑制できる。 According to this, the total amount of the protective film-forming gas introduced into the first trench having a large temperature difference between the facing side surfaces can be increased. Therefore, it is possible to prevent the protective film from being easily formed on one of the opposite side surfaces of the first trench. Therefore, it is possible to prevent the side surface of the trench from becoming rough.
なお、上記および特許請求の範囲における括弧内の符号は、特許請求の範囲に記載された用語と後述の実施形態に記載される当該用語を例示する具体物等との対応関係を示すものである。 The reference numerals in parentheses in the above and claims indicate the correspondence between the terms described in the claims and the concrete objects exemplifying the terms described in the embodiments described later. ..
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each of the following embodiments, parts that are the same or equal to each other will be described with the same reference numerals.
(第1実施形態)
第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、本実施形態では、加速度を検出する加速度センサに半導体装置を適用した例について説明する。
(First Embodiment)
The first embodiment will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, an example in which a semiconductor device is applied to an acceleration sensor that detects acceleration will be described.
図1に示されるように、本実施形態の半導体装置は、支持基板10と、支持基板10上に配置された絶縁膜11と、を有する基礎基板12と、基礎基板12における絶縁膜11上に配置された半導体層13とを有するSOI(すなわち、Silicon on Insulator)基板14を備えている。
As shown in FIG. 1, the semiconductor device of the present embodiment has a
なお、支持基板10および半導体層13はシリコン基板等で構成され、絶縁膜11は酸化膜等で構成される。また、本実施形態では、基礎基板12が第1基板に相当し、半導体層13が第2基板に相当し、SOI基板14が半導体基板に相当している。
The
SOI基板14には、図1および図2に示されるように、周知のマイクロマシン加工が施されてセンシング部15が形成されている。具体的には、半導体層13には、トレンチ16が形成されることにより、櫛歯形状の梁構造体を有する可動部20、第1固定部30、および第2固定部40が区画形成されている。そして、半導体層13には、これら可動部20、第1固定部30、および第2固定部40によってセンシング部15が形成されている。なお、可動部20、第1固定部30、および第2固定部40は、トレンチ16により、これら可動部20、第1固定部30、および第2固定部40の外側に位置する周辺部50から区画されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
また、基礎基板12には、梁構造体の形成領域に対向する部分に窪み部17が形成されている。つまり、基礎基板12には、可動部20、第1固定部30、および第2固定部40の所定箇所と対向する部分に窪み部17が形成されている。なお、窪み部17は、絶縁膜11および支持基板10に形成されている。つまり、本実施形態では、窪み部17は、側面が絶縁膜11および支持基板10にて構成され、底面が支持基板10にて構成されている。この窪み部17は、後述する可動電極24、第1固定電極31、および第2固定電極41が支持基板10および絶縁膜11に接触することを防止するために設けられている。
Further, the
半導体層13に形成される可動部20は、窪み部17上を横断するように配置されている。そして、可動部20は、矩形状の錘部21における長手方向の一端部が梁部22を介して第1アンカー部23aに一体に連結されていると共に、長手方向の他端部が梁部22を介して第2アンカー部23bに一体に連結されている。第1アンカー部23aおよび第2アンカー部23bは、窪み部17の開口縁部における対向する位置に形成されており、それぞれ絶縁膜11を介して支持基板10に支持されている。これにより、錘部21および梁部22は、窪み部17に臨んだ状態となっている。
The
梁部22は、平行な2本の梁がその両端で連結された矩形枠状とされており、2本の梁の長手方向と直交する方向に変位するバネ機能を有している。具体的には、梁部22は、錘部21の長手方向の成分を含む加速度を受けたとき、錘部21を当該長手方向へ変位させると共に、加速度の消失に応じて元の状態に復元させるようになっている。したがって、このような梁部22を介して支持基板10に連結された錘部21は、加速度の印加に応じて、窪み部17上にて梁部22の変位方向へ変位可能となっている。なお、梁部22を構成する2本の梁は、それぞれ同じ形状とされている。
The
また、可動部20は、錘部21の長手方向と直交する方向に、錘部21の両側面から互いに反対方向へ一体的に突出形成された複数個の可動電極24を備えている。図1では、可動電極24は、錘部21の左側および右側に各々4個ずつ突出して形成されており、それぞれ窪み部17に臨んだ状態とされている。また、各可動電極24は、錘部21および梁部22と一体的に形成されており、梁部22が変位することによって錘部21と共に錘部21の長手方向に変位可能となっている。つまり、可動部20は、錘部21、可動電極24、および梁部22が窪み部17上で浮遊した浮遊領域となっている。
Further, the
第1固定部30および第2固定部40は、互いに電気的に独立しており、可動部20を挟むように配置されている。具体的には、第1固定部30および第2固定部40は、窪み部17の開口縁部のうち、第1アンカー部23aおよび第2アンカー部23bが形成されている部分と異なる部分に形成されている。なお、図2では、第1固定部30が可動部20に対して紙面左側に形成され、第2固定部40が可動部20に対して紙面右側に形成された図を示している。
The first fixed
第1固定部30は、可動電極24の側面と所定の検出間隔を有するように平行した状態で対向配置された複数個の第1固定電極31と、絶縁膜11を介して支持基板10に支持された第1支持部32とを有している。同様に、第2固定部40は、可動電極24の側面と所定の検出間隔を有するように平行した状態で対向配置された複数個の第2固定電極41と、絶縁膜11を介して支持基板10に支持された第2支持部42とを有している。
The
第1固定電極31および第2固定電極41は、図2では4個ずつ形成されたものを示しており、可動電極24における櫛歯の隙間に噛み合うように櫛歯状に配列されている。そして、第1固定電極31および第2固定電極41は、それぞれ第1支持部32または第2支持部42に片持ち状に支持されることにより、窪み部17に臨んだ状態となっている。つまり、第1固定電極31および第2固定電極41は、それぞれ窪み部17上で浮遊した浮遊領域となっている。
In FIG. 2, the first fixed
また、第1固定電極31および第2固定電極41は、それぞれ可動電極24と体積が略等しくされている。より詳しくは、可動電極24のうちの第1固定電極31と対向する側面を構成する領域と、第1固定電極31のうちの可動電極24と対向する側面を構成する領域との体積が等しくされている。言い換えると、可動電極24と第1固定電極31との配列方向において、可動電極24のうちの第1固定電極31と対向する側面から配列方向に存在する部分の体積と、第1固定電極31のうちの可動電極24と対向する側面から配列方向に存在する部分の体積とが等しくされている。
Further, the first fixed
同様に、可動電極24のうちの第2固定電極41と対向する側面を構成する領域と、第2固定電極41のうちの可動電極24と対向する側面を構成する領域との体積が等しくされている。言い換えると、可動電極24と第2固定電極41との配列方向において、可動電極24のうちの第2固定電極41と対向する側面から配列方向に存在する部分の体積と、第2固定電極41のうちの可動電極24と対向する側面から配列方向に存在する部分の体積とが等しくされている。
Similarly, the volume of the region forming the side surface of the
なお、第1固定部30は、第1支持部32の所定箇所がボンディングワイヤ等を介して外部回路と電気的に接続され、第2固定部40は、第2支持部42の所定箇所がボンディングワイヤ等を介して外部回路と電気的に接続される。また、可動部20は、第2アンカー部23bがボンディングワイヤ等を介して外部回路と電気的に接続される。
In the first fixing
ここで、本実施形態では、トレンチ16は、可動部20、第1固定部30、第2固定部40、および周辺部50をそれぞれ区画するように形成されているが、対向する側面を構成する領域の体積が大きく異なっている部分と、略等しい部分とを含んでいる。以下では、トレンチ16において、対向する側面を構成する領域が大きく異なっている部分を第1トレンチ16aともいい、対向する側面を構成する領域が略等しい部分を第2トレンチ16bともいう。つまり、第1トレンチ16aは、対向する側面を構成する領域の体積差が第2トレンチ16bの対向する側面を構成する領域の体積差より大きくされている。
Here, in the present embodiment, the
例えば、本実施形態では、第1トレンチ16aは、対向する側面のうちの一方の側面が周辺部50の側面で構成され、対向する側面のうちの他方の側面が梁部22の梁の側面で構成される部分である。第2トレンチ16bは、例えば、対向する側面が共に梁部22の梁の側面で構成される部分である。また、例えば、第2トレンチ16bは、対向する側面のうちの一方の側面が可動電極24で構成され、対向する側面のうちの他方の側面が第1固定電極31または第2固定電極41の側面で構成される部分である。言い換えると、第1トレンチ16aは、対向する側面のうちの一方の側面が周辺部50の側面で構成され、対向する側面のうちの他方の側面がセンシング部15を構成する領域の側面で構成されている部分であるともいえる。また、第2トレンチ16bは、対向する側面が共にセンシング部15を構成する領域の側面で構成されている部分であるともいえる。
For example, in the present embodiment, in the
なお、本実施形態では、図1に示されるように、例えば、可動電極24が2つの第1固定電極31で挟まれた部分が存在する。言い換えると、錘部21の長手方向に沿って、第1固定電極31、可動電極24、第1固定電極31が順に配列された部分が存在する。そして、2つの第1固定電極31のうちの一方の第1固定電極31と可動電極24との間隔と、2つの第1固定電極31のうちの他方の第1固定電極31と可動電極24との間隔とが異なっている。但し、上記のように、可動電極24と第1固定電極31とは、対向する側面を構成する領域の体積が略等しくされているため、可動電極24と第1固定電極31との間には、第2トレンチ16bが形成されているといえる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 1, for example, there is a portion where the
そして、本実施形態では、第1トレンチ16aは、対向する側面の間隔が第2トレンチ16bのうちの対向する側面の間隔が最も狭くなる部分より広くされている。すなわち、本実施形態では、図1に示されるように、第2トレンチ16bの対向する側面の間隔は、対向する側面が梁部22の梁の側面で構成される部分が最も狭くなる。したがって、本実施形態では、第1トレンチ16aは、対向する側面の間隔が梁部22の梁の側面の間隔より広くされているともいえる。
Then, in the present embodiment, the distance between the facing side surfaces of the
以上が本実施形態における半導体装置の構成である。次に、上記半導体装置の製造方法について図3を参照しつつ説明する。 The above is the configuration of the semiconductor device in this embodiment. Next, a method for manufacturing the semiconductor device will be described with reference to FIG.
まず、図3(a)に示されるように、支持基板10を用意し、支持基板10上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法や熱酸化法等によって絶縁膜11を形成して基礎基板12を用意する。次に、絶縁膜11上にレジストや酸化膜等の図示しないマスクを形成してウェットエッチング等を行い、基礎基板12に絶縁膜11から支持基板10に渡る上記窪み部17を形成する。
First, as shown in FIG. 3A, a
続いて、図3(b)に示されるように、窪み部17が閉塞されるように、絶縁膜11と半導体層13とを直接接合等により接合し、内部に空間18が形成されたSOI基板14を構成する。絶縁膜11と半導体層13とを直接接合により接合する場合には、まず、絶縁膜11の接合面および半導体層13の接合面にN2プラズマ、O2プラズマ、またはArイオンビームを照射し、絶縁膜11および半導体層13の各接合面を活性化させる。そして、適宜形成されたアライメントマークを用いて赤外顕微鏡等によるアライメントを行い、室温〜1100℃で絶縁膜11および半導体層13を直接接合により接合する。
Subsequently, as shown in FIG. 3B, the SOI substrate in which the insulating
なお、絶縁膜11と半導体層13との接合は直接接合に限定されるものではなく、例えば、陽極接合や中間層接合、またはフージョン接合等の接合技術によって接合されてもよい。また、絶縁膜11と半導体層13とを接合した後、高温アニール等の接合品質を向上させる処理を行ってもよい。さらに、絶縁膜11と半導体層13とを接合した後、支持基板10または半導体層13を研削、研磨することによって所望の厚さに加工してもよい。
The bonding between the insulating
その後、図3(c)に示されるように、半導体層13に対してドライエッチングを行って上記トレンチ16を形成し、可動部20、第1固定部30、第2固定部40、および周辺部50を区画形成する。
After that, as shown in FIG. 3C, the
ここで、まず、ドライエッチングを行ってトレンチ16を形成する際の基本的な工程について、図4および図5を参照しつつ具体的に説明する。
Here, first, the basic steps for forming the
まず、トレンチ16を形成する際には、図3(b)の工程まで行ったものを図示しないチャンバ内に配置する。そして、図4(a)に示されるように、半導体層13の表面に、レジストや酸化膜等で構成されるマスク100を配置する。次に、マスク100をパターニングし、半導体層13のうちのトレンチ16を形成する予定領域(以下では、単に予定領域という)13aを露出させる開口部100aを形成する。
First, when forming the
続いて、図4(b)に示されるように、チャンバ内に保護膜生成ガスを供給し、マスク100の表面上および予定領域13a上に保護膜110を形成する。この工程では、例えば、保護膜生成ガスとしてC4F8等のガスを供給し、フロロカーボン等のポリマーで構成される保護膜110を形成する。なお、ここでのマスク100の表面とは、マスク100のうちの半導体層13側と反対側の面、および開口部100aの側面のことである。また、本実施形態では、図1および図2に示されるように、トレンチ16は対向する側面の間隔が一定とされていないが、図4(b)の工程では、対向する側面の間隔が最も狭い部分にも十分に保護膜110が形成されるように、保護膜生成ガスを供給する。
Subsequently, as shown in FIG. 4B, a protective film-forming gas is supplied into the chamber to form the
次に、図4(c)に示されるように、エッチングガスを供給し、予定領域13a上に形成された保護膜110を除去する。なお、この工程では、例えば、エッチングガスとしてSF6等のガスを供給する。そして、図4(d)に示されるように、そのままエッチングガスを供給し、半導体層13を反応性イオンエッチングして除去する。これにより、トレンチ16の一部が構成される。なお、半導体層13を反応性イオンエッチングする際には、半導体層13とエッチングガスとの化学反応に伴う反応熱が発生する。
Next, as shown in FIG. 4C, an etching gas is supplied to remove the
その後、図5(a)に示されるように、保護膜生成ガスを供給し、トレンチ16の側面に保護膜110を形成する。次に、図5(b)に示されるように、再びエッチングガスを供給し、トレンチ16の側面が保護された状態でトレンチ16の底面に形成された保護膜110を除去する。そして、図5(c)に示されるように、そのままエッチングガスを供給し、トレンチ16の側面を保護しつつ、トレンチ16の底面を反応性イオンエッチングして除去し、トレンチ16の底面を掘り下げる。その後は、図5(a)〜図5(c)の工程を繰り返すことにより、図5(d)に示されるように、トレンチ16を窪み部17に達するまで掘り下げる。
Then, as shown in FIG. 5A, a protective film-forming gas is supplied to form the
以上がトレンチ16を形成する際の基本的な工程である。ここで、トレンチ16を形成する際、上記のように、半導体層13を反応性イオンエッチングすると反応熱が発生する。そして、本実施形態では、半導体層13のうちの窪み部17上に位置する部分にトレンチ16を形成しているため、まず、窪み部17上に浮遊する領域となる部分では反応熱を放出し難く、高温になり易い。また、第1トレンチ16aは、対向する側面のうちの一方の側面が窪み部17上に位置する領域の側面で構成され、対向する側面のうちの他方の側面が絶縁膜11に支持された領域の側面で構成される。さらに、第1トレンチ16aでは、対向する側面を構成する領域の体積差が大きいため、対向する側面に大きな温度差が発生し易い。
The above is the basic process for forming the
そして、上記のように、トレンチ16を掘り下げる際には、保護膜生成ガスを供給して各トレンチ16の側面に保護膜110を形成しながらトレンチ16の底面を掘り下げる。この場合、第1トレンチ16a内に導入された保護膜生成ガスは、温度が低い方に誘導され易く、温度が低い方の側面に保護膜110が形成され易い。つまり、本実施形態では、第1トレンチ16aでは、周辺部50の側面に保護膜110が形成され易く、梁部22を構成する梁の側面に保護膜110が形成され難い。このため、第1トレンチ16aの対向する側面の間隔が第2トレンチ16bのうちの対向する側面の間隔が最も狭くなる部分と等しくされている場合、第1トレンチ16aの対向する側面の一方が荒れ易くなる。つまり、本実施形態では、梁部22を構成する梁の側面が荒れ易くなってしまう。
Then, as described above, when the
したがって、本実施形態では、第1トレンチ16aとして、対向する側面の間隔が第2トレンチ16bの対向する側面の間隔のうちの最も狭くなる部分より広くしている。これにより、図6に示されるように、第1トレンチ16a内に導入される保護膜生成ガスの総量を増加でき、高温側となる側面にも保護膜110を生成し易くできる。したがって、第1トレンチ16aの側面が荒れてしまうことを抑制できる。
Therefore, in the present embodiment, as the
以上説明したように、本実施形態では、第1トレンチ16aとして、対向する側面の間隔が第2トレンチ16bにおける対向する側面の間隔のうちの最も狭くなる部分より広くなるものを形成する。このため、第1トレンチ16aとして、対向する側面の間隔が第2トレンチ16bにおける対向する側面の間隔のうちの最も狭くなる部分と等しくなるものを形成する場合と比較して、第1トレンチ16a内に導入される保護膜生成ガスの総量を増加できる。したがって、第1トレンチ16aの対向する側面の一方に保護膜110が形成され難くなることを抑制できる。したがって、トレンチ16の側面が荒れてしまうことを抑制できる。
As described above, in the present embodiment, the
なお、トレンチ16を形成する際、保護膜生成ガスは、トレンチ16の深さが深くなるほどトレンチ16内に導入され難くなる。言い換えると、幅に対する深さ(すなわち、深さ/幅)をアスペクト比とすると、アスペクト比が大きくなるほど、トレンチ16内に保護膜生成ガスが導入され難くなる。このため、アスペクト比が大きいトレンチ16では、もともと保護膜110が生成され難い。そして、上記のように、対向するトレンチ16の側面に温度差が発生すると、さらに高温側の側面に保護膜110が形成され難くなる。したがって、本実施形態は、高アスペクト比であるトレンチ16が形成された半導体装置に適用されるとより効果的であり、例えば、アスペクト比が10以上となるトレンチ16が形成された半導体装置に適用され得る。なお、ここでの幅とは、対向する側面の間隔のことである。
When forming the
(他の実施形態)
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
(Other embodiments)
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately modified within the scope of the claims.
例えば、上記第1実施形態において、第2トレンチ16bの対向する側面の間隔は、対向する側面が可動電極24と第1固定電極31、または可動電極24と第2固定電極41とで構成される部分が最も狭くされていてもよい。この場合は、第1トレンチ16aの対向する側面の間隔を可動電極24の側面と第1固定電極31または第2固定電極41の側面との間隔より広くすればよい。
For example, in the first embodiment, the distance between the facing side surfaces of the
また、上記第1実施形態において、第1トレンチ16aの対向する側面の間隔は、第2トレンチ16bの対向する側面の間隔の全ての部分より広くされていてもよい。これによれば、さらに第1トレンチ16aの側面が荒れることを抑制できる。
Further, in the first embodiment, the distance between the opposite side surfaces of the
そして、上記第1実施形態において、図7に示されるように、支持基板10に凹部19が形成され、絶縁膜11は凹部19に沿って形成されていてもよい。つまり、基礎基板12に形成される窪み部17は、側面および底面が絶縁膜11にて構成されていてもよい。なお、このような基礎基板12は、例えば、支持基板10に凹部19を形成した後、絶縁膜11を形成することによって構成される。
Then, in the first embodiment, as shown in FIG. 7, a
さらに、上記第1実施形態において、半導体装置は、加速度センサではなく、上記トレンチ16が形成された角速度センサや圧力センサ等の物理量センサに適用されてもよい。
Further, in the first embodiment, the semiconductor device may be applied not to an acceleration sensor but to a physical quantity sensor such as an angular velocity sensor or a pressure sensor in which the
10 支持基板
11 絶縁膜
12 基礎基板(第1基板)
13 半導体層(第2基板)
14 SOI基板(半導体基板)
16 トレンチ
16a 第1トレンチ
16b 第2トレンチ
110 保護膜
10
13 Semiconductor layer (second substrate)
14 SOI substrate (semiconductor substrate)
16
Claims (3)
支持基板(10)と、前記支持基板上に配置された絶縁膜(11)と、を有する第1基板(12)と、前記第1基板における前記絶縁膜上に配置された第2基板(13)と、を有し、前記第1基板のうちの前記第2基板側に窪み部(17)が形成された前記半導体基板を用意することと、
エッチングガスを供給して前記第2基板を反応性イオンエッチングすることと、保護膜生成ガスを供給して前記反応性イオンエッチングした部分の側面に保護膜(110)を形成することと、を繰り返し行うことにより、前記第2基板に前記窪み部に達する前記トレンチを形成することと、を行い、
前記トレンチを形成することでは、対向する側面を有する第1トレンチ(16a)と、対向する側面を有し、当該対向する側面を構成する領域の体積差が前記第1トレンチにおける対向する側面を構成する領域の体積差より小さい第2トレンチ(16b)とを含み、前記第1トレンチの対向する側面の間隔が前記第2トレンチの対向する側面の間隔より広くなる前記トレンチを形成する半導体装置の製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor device in which a trench (16) is formed in a semiconductor substrate (14).
A first substrate (12) having a support substrate (10) and an insulating film (11) arranged on the support substrate, and a second substrate (13) arranged on the insulating film in the first substrate. ), And the semiconductor substrate having the recessed portion (17) formed on the second substrate side of the first substrate is prepared.
Repeatedly supplying an etching gas to perform reactive ion etching of the second substrate and supplying a protective film generating gas to form a protective film (110) on the side surface of the portion subjected to the reactive ion etching. By doing so, the trench that reaches the recess is formed on the second substrate.
By forming the trench, the volume difference between the first trench (16a) having the facing side surfaces and the region having the facing side surfaces and forming the facing side surfaces constitutes the facing side surfaces in the first trench. Manufacture of a semiconductor device that includes a second trench (16b) that is smaller than the volume difference of the region to be formed and that forms the trench in which the distance between the facing side surfaces of the first trench is wider than the distance between the facing side surfaces of the second trench. Method.
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