JP6759287B2 - Organic EL device and its manufacturing method - Google Patents

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本発明は、有機ＥＬデバイスおよびその製造方法に関する。 The present invention relates to an organic EL device and a method for manufacturing the same.

有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置が実用化され始めた。有機ＥＬ表示装置の特徴の１つにフレキシブルな表示装置が得られる点が挙げられる。有機ＥＬ表示装置は、画素ごとに少なくとも１つの有機ＥＬ素子（Organic Light Emitting Diode：ＯＬＥＤ）と、各ＯＬＥＤに供給される電流を制御する少なくとも１つのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを有する。以下、有機ＥＬ表示装置をＯＬＥＤ表示装置と呼ぶことにする。このようにＯＬＥＤごとにＴＦＴなどのスイッチング素子を有するＯＬＥＤ表示装置は、アクティブマトリクス型ＯＬＥＤ表示装置と呼ばれる。また、ＴＦＴおよびＯＬＥＤが形成された基板を素子基板ということにする。 Organic EL (Electro Luminescence) display devices have begun to be put into practical use. One of the features of the organic EL display device is that a flexible display device can be obtained. The organic EL display device has at least one organic EL element (Organic Light Emitting Diode: OLED) for each pixel, and at least one TFT (Thin Film Transistor) that controls the current supplied to each OLED. Hereinafter, the organic EL display device will be referred to as an OLED display device. Such an OLED display device having a switching element such as a TFT for each OLED is called an active matrix type OLED display device. Further, the substrate on which the TFT and the OLED are formed is referred to as an element substrate.

ＯＬＥＤ（特に有機発光層および陰極電極材料）は、水分の影響を受けて劣化しやすく、表示むらを生じやすい。ＯＬＥＤを水分から保護するとともに、柔軟性を損なわない封止構造を提供する技術として、薄膜封止（Thin Film Encapsulation：ＴＦＥ）技術が開発されている。薄膜封止技術は、無機バリア層と有機バリア層とを交互に積層することによって、薄膜で十分な水蒸気バリア性を得ようとするものである。ＯＬＥＤ表示装置の耐湿信頼性の観点から、薄膜封止構造のＷＶＴＲ（Water Vapor Transmission Rate：ＷＶＴＲ）としては、典型的には１×１０-4ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下が求められている。 OLEDs (particularly organic light emitting layers and cathode electrode materials) are susceptible to deterioration due to the influence of moisture, and display unevenness is likely to occur. Thin film encapsulation (TFE) technology has been developed as a technology for protecting an OLED from moisture and providing a sealing structure that does not impair flexibility. The thin film sealing technique attempts to obtain sufficient water vapor barrier properties in a thin film by alternately laminating inorganic barrier layers and organic barrier layers. From the viewpoint of moisture resistance and reliability of the OLED display device, the WVTR (Water Vapor Transmission Rate: WVTR) having a thin film sealing structure is typically required to be 1 × 10 -4 g / m 2 / day or less.

現在市販されているＯＬＥＤ表示装置に使われている薄膜封止構造は、厚さが約５μｍ〜約２０μｍの有機バリア層（高分子バリア層）を有している。このように比較的厚い有機バリア層は、素子基板の表面を平坦化する役割も担っている。 The thin film sealing structure used in the currently commercially available OLED display device has an organic barrier layer (polymer barrier layer) having a thickness of about 5 μm to about 20 μm. The relatively thick organic barrier layer also plays a role of flattening the surface of the device substrate.

また、特許文献１および２には、偏在した樹脂で構成された有機バリア層を有する薄膜封止構造が記載されている。特許文献１または２に記載の薄膜封止構造は、厚い有機バリア層を有しない。従って、特許文献１または２に記載の薄膜封止構造を用いるとＯＬＥＤ表示装置の屈曲性が改善されると考えられる。 Further, Patent Documents 1 and 2 describe a thin film sealing structure having an organic barrier layer composed of unevenly distributed resins. The thin film encapsulation structure described in Patent Document 1 or 2 does not have a thick organic barrier layer. Therefore, it is considered that the flexibility of the OLED display device is improved by using the thin film sealing structure described in Patent Document 1 or 2.

特許文献１には、第１の無機材料層（第１無機バリア層）、第１の樹脂材、および第２の無機材料層（第２無機バリア層）を素子基板側からこの順で形成する際に、第１の樹脂材を第１の無機材料層の凸部（凸部を被覆した第１の無機材料層）の周囲に偏在させた薄膜封止構造が開示されている。特許文献１によると、第１の無機材料層によって十分に被覆されないおそれのある凸部の周囲に第１の樹脂材を偏在させることによって、その部分からの水分や酸素の侵入が抑制される。また、第１の樹脂材が第２の無機材料層の下地層として機能することで、第２の無機材料層が適正に成膜され、第１の無機材料層の側面を所期の膜厚で適切に被覆することが可能になる。第１の樹脂材は次の様にして形成される。加熱気化させたミスト状の有機材料を、室温以下の温度に維持された素子基板上に供給し、基板上で有機材料が凝縮し、滴状化する。滴状化した有機材料が、毛細管現象または表面張力によって、基板上を移動し、第１の無機材料層の凸部の側面と基板表面との境界部に偏在する。その後、有機材料を硬化させることによって、境界部に第１の樹脂材が形成される。特許文献２にも同様の薄膜封止構造を有するＯＬＥＤ表示装置が開示されている。 In Patent Document 1, a first inorganic material layer (first inorganic barrier layer), a first resin material, and a second inorganic material layer (second inorganic barrier layer) are formed in this order from the element substrate side. At that time, a thin film sealing structure in which the first resin material is unevenly distributed around the convex portion (the first inorganic material layer covering the convex portion) of the first inorganic material layer is disclosed. According to Patent Document 1, by unevenly distributing the first resin material around the convex portion which may not be sufficiently covered by the first inorganic material layer, the invasion of water and oxygen from the portion is suppressed. Further, since the first resin material functions as the base layer of the second inorganic material layer, the second inorganic material layer is properly formed, and the side surface of the first inorganic material layer is formed with the desired thickness. It becomes possible to coat properly with. The first resin material is formed as follows. The heated and vaporized mist-like organic material is supplied onto the device substrate maintained at a temperature of room temperature or lower, and the organic material condenses and drops on the substrate. The droplet-like organic material moves on the substrate due to the capillary phenomenon or surface tension, and is unevenly distributed at the boundary between the side surface of the convex portion of the first inorganic material layer and the surface of the substrate. Then, by curing the organic material, a first resin material is formed at the boundary portion. Patent Document 2 also discloses an OLED display device having a similar thin film sealing structure.

国際公開第２０１４／１９６１３７号International Publication No. 2014/196137 特開２０１６−３９１２０号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-39120

ＯＬＥＤ表示装置は、例えば以下のように製造される。まず、マザーガラス基板上に、それぞれがＯＬＥＤ表示装置に対応する複数のＯＬＥＤ表示装置部を有する素子基板を作製する。続いて、素子基板に、ＯＬＥＤ表示装置部のそれぞれに薄膜封止構造を形成する。その後、個々のＯＬＥＤ表示装置部に分断され、必要に応じて後工程を経て、ＯＬＥＤ表示装置が得られる。耐湿信頼性の観点から、得られたＯＬＥＤ表示装置のアクティブ領域は、第１無機バリア層と第２無機バリア層とが直接接触している部分で完全に包囲されていることが好ましい。 The OLED display device is manufactured as follows, for example. First, on a mother glass substrate, an element substrate having a plurality of OLED display device units, each of which corresponds to an OLED display device, is manufactured. Subsequently, a thin film sealing structure is formed on each of the OLED display devices on the element substrate. After that, the OLED display device is divided into individual OLED display devices, and if necessary, a post-process is performed to obtain an OLED display device. From the viewpoint of moisture resistance and reliability, it is preferable that the active region of the obtained OLED display device is completely surrounded by a portion where the first inorganic barrier layer and the second inorganic barrier layer are in direct contact with each other.

しかしながら、本発明者が上記の方法でＯＬＥＤ表示装置を試作したところ、十分な耐湿信頼性が得られないという問題が生じることがあった。 However, when the present inventor made a prototype of the OLED display device by the above method, there was a problem that sufficient moisture resistance and reliability could not be obtained.

本発明者の検討によると、素子基板を分断する工程において、分断線上に薄膜封止構造を構成する無機材料層（第１無機バリア層および／または第２無機バリア層）が存在すると、切断された箇所から無機材料層に亀裂（クラック）が発生することがあった。この亀裂は、熱履歴等によって経時的に進展して、ＯＬＥＤ表示装置のアクティブ領域にまで至ることがあった。 According to the study of the present inventor, in the step of dividing the element substrate, if the inorganic material layer (first inorganic barrier layer and / or second inorganic barrier layer) constituting the thin film sealing structure is present on the dividing line, it is cut. Cracks may occur in the inorganic material layer from the above points. This crack may grow over time due to thermal history or the like and reach the active region of the OLED display device.

薄膜封止構造を構成する無機材料層は、例えば、マスクＣＶＤ法でＯＬＥＤ表示装置のアクティブ領域を覆うように形成される。このとき、マスクＣＶＤ装置の寸法精度およびマスクと素子基板とのアライメント誤差を考慮し、薄膜封止構造を形成すべき領域よりも広く無機材料層を形成する。無機材料層が形成された領域が大き過ぎると、素子基板の分断線上に無機材料層が存在することになり、上記の問題が生じることがある。また、ＯＬＥＤ表示装置の量産性を向上させるために、１枚のマザーガラス基板から形成するＯＬＥＤ表示装置の数は増加する傾向にある。その結果、隣接するＯＬＥＤ表示装置部の間隔が小さく（例えば数ｍｍ）なり、上記の問題が生じ易くなっている。 The inorganic material layer constituting the thin film sealing structure is formed so as to cover the active region of the OLED display device by, for example, a mask CVD method. At this time, in consideration of the dimensional accuracy of the mask CVD apparatus and the alignment error between the mask and the element substrate, the inorganic material layer is formed wider than the region where the thin film sealing structure should be formed. If the region where the inorganic material layer is formed is too large, the inorganic material layer will be present on the dividing line of the element substrate, which may cause the above-mentioned problem. Further, in order to improve the mass productivity of the OLED display device, the number of OLED display devices formed from one mother glass substrate tends to increase. As a result, the distance between the adjacent OLED display devices is small (for example, several mm), and the above problem is likely to occur.

上記の問題は、特許文献１および２に記載の薄膜封止構造を有するＯＬＥＤ表示装置に限られず、厚さが５μｍを超える有機バリア層を有する薄膜封止構造を有するＯＬＥＤ表示装置においても共通の問題である。また、ここでは、ＯＬＥＤ表示装置が有する薄膜封止構造の問題を説明したが、薄膜封止構造は、ＯＬＥＤ表示装置に限られず、有機ＥＬ照明装置などの他の有機ＥＬデバイスにも用いられる。 The above problems are not limited to the OLED display device having the thin film sealing structure described in Patent Documents 1 and 2, but are also common to the OLED display device having the thin film sealing structure having an organic barrier layer having a thickness of more than 5 μm. It's a problem. Further, although the problem of the thin film sealing structure of the OLED display device has been described here, the thin film sealing structure is not limited to the OLED display device, but is also used for other organic EL devices such as an organic EL lighting device.

本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、耐湿信頼性が改善された、薄膜封止構造を備える有機ＥＬデバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an organic EL device having a thin film sealing structure and a method for manufacturing the same, which has improved moisture resistance and reliability.

本発明のある実施形態による有機ＥＬデバイスは、複数の有機ＥＬ素子を含むアクティブ領域と、前記アクティブ領域以外の領域に位置する周辺領域とを有する有機ＥＬデバイスであって、基板と、前記基板に支持された前記複数の有機ＥＬ素子とを有する素子基板と、前記複数の有機ＥＬ素子を覆う薄膜封止構造とを有し、前記薄膜封止構造は、第１無機バリア層と、前記第１無機バリア層の上面に接する有機バリア層と、前記第１無機バリア層の前記上面および前記有機バリア層の上面に接する第２無機バリア層とを有し、前記周辺領域は、前記基板に支持された、前記アクティブ領域の少なくとも１つの辺に沿って延びる部分を含む第１突状構造体と、前記第１突状構造体の上に延設された、前記第１無機バリア層の延設部とを有し、前記第１突状構造体の高さは前記第１無機バリア層の厚さよりも大きい。ここで、前記第１無機バリア層の厚さは、例えば前記アクティブ領域における厚さとする。 The organic EL device according to an embodiment of the present invention is an organic EL device having an active region including a plurality of organic EL elements and a peripheral region located in a region other than the active region, and is a substrate and the substrate. It has an element substrate having the plurality of supported organic EL elements and a thin film sealing structure covering the plurality of organic EL elements, and the thin film sealing structure includes a first inorganic barrier layer and the first inorganic EL element. It has an organic barrier layer in contact with the upper surface of the inorganic barrier layer, a second inorganic barrier layer in contact with the upper surface of the first inorganic barrier layer and the upper surface of the organic barrier layer, and the peripheral region is supported by the substrate. In addition, a first protruding structure including a portion extending along at least one side of the active region, and an extending portion of the first inorganic barrier layer extending over the first protruding structure. The height of the first protruding structure is larger than the thickness of the first inorganic barrier layer. Here, the thickness of the first inorganic barrier layer is, for example, the thickness in the active region.

ある実施形態において、前記第１突状構造体が延びる方向と直交する断面において、前記第１突状構造体の頂部の幅は１０μｍ以下である。 In certain embodiments, the width of the top of the first protruding structure is 10 μm or less in a cross section orthogonal to the extending direction of the first protruding structure.

ある実施形態において、前記第１突状構造体が延びる方向と直交する断面において、前記第１突状構造体の側面のテーパー角は８０°以上である。 In a certain embodiment, the taper angle of the side surface of the first protruding structure is 80 ° or more in a cross section orthogonal to the extending direction of the first protruding structure.

ある実施形態において、前記第１突状構造体が延びる方向と直交する断面において、前記第１突状構造体の頂部の幅は、前記第１無機バリア層の厚さおよび前記第２無機バリア層の厚さの和の半分未満である。ここで、前記第１無機バリア層の厚さおよび前記第２無機バリア層の厚さは、それぞれ、例えば、前記アクティブ領域における厚さとする。 In certain embodiments, in a cross section orthogonal to the direction in which the first protruding structure extends, the width of the top of the first protruding structure is the thickness of the first inorganic barrier layer and the second inorganic barrier layer. Is less than half the sum of the thicknesses of. Here, the thickness of the first inorganic barrier layer and the thickness of the second inorganic barrier layer are, for example, the thickness in the active region, respectively.

ある実施形態において、前記周辺領域は、前記第１無機バリア層の前記延設部の上に形成された、前記第２無機バリア層の延設部を有する。 In certain embodiments, the peripheral region has an extension of the second inorganic barrier layer formed on top of the extension of the first inorganic barrier layer.

ある実施形態において、前記基板の法線方向から見たとき、前記第２無機バリア層は、前記第１突状構造体と重ならない。 In certain embodiments, the second inorganic barrier layer does not overlap with the first projecting structure when viewed from the normal direction of the substrate.

ある実施形態において、前記第１突状構造体は、前記アクティブ領域の３つの辺に沿って延びる部分を含む。 In certain embodiments, the first protruding structure comprises a portion extending along three sides of the active region.

ある実施形態において、前記素子基板は、それぞれが前記複数の有機ＥＬ素子のいずれかに接続された複数のゲートバスラインと、それぞれが前記複数の有機ＥＬ素子のいずれかに接続された複数のソースバスラインとを有し、前記周辺領域は、前記アクティブ領域のある辺の近傍の領域に設けられた複数の端子と、前記複数の端子と前記複数のゲートバスラインまたは前記複数のソースバスラインのいずれかとを接続する複数の引出し配線とを有し、前記第１突状構造体は、前記アクティブ領域の前記ある辺以外の３つの辺に沿って延びる部分を含む。 In certain embodiments, the element substrate comprises a plurality of gate bus lines each connected to one of the plurality of organic EL elements and a plurality of sources each connected to any of the plurality of organic EL elements. The peripheral area includes a bus line, and the peripheral area includes a plurality of terminals provided in a region near a side having the active area, the plurality of terminals, the plurality of gate bus lines, or the plurality of source bus lines. The first protruding structure includes a portion extending along three sides other than the one side of the active region, which has a plurality of drawer wires connecting to any of them.

ある実施形態において、前記有機バリア層は、離散的に分布する複数の中実部を有し、前記第２無機バリア層は、前記第１無機バリア層の前記上面および前記有機バリア層の前記複数の中実部の上面に接する。 In certain embodiments, the organic barrier layer has a plurality of discretely distributed solid portions, the second inorganic barrier layer is the upper surface of the first inorganic barrier layer and the plurality of the organic barrier layer. It touches the upper surface of the solid part.

ある実施形態において、前記周辺領域は、前記アクティブ領域と前記第１突状構造体との間に、前記アクティブ領域の少なくとも１つの辺に沿って延びる部分を含む第２突状構造体を有する。 In certain embodiments, the peripheral region has a second protruding structure that includes a portion extending along at least one side of the active region between the active region and the first protruding structure.

ある実施形態において、前記第１突状構造体は、複数のサブ構造体を含む。 In certain embodiments, the first projecting structure comprises a plurality of substructures.

本発明のある実施形態による有機ＥＬデバイスの製造方法は、基板と、前記基板に支持された複数の有機ＥＬ素子とを有する素子基板を用意する工程と、前記複数の有機ＥＬ素子を覆う薄膜封止構造を形成する工程とを包含し、前記素子基板を用意する工程は、前記複数の有機ＥＬ素子を含むアクティブ領域の少なくとも１つの辺に沿って延びる部分を含む第１突状構造体を形成する工程ａ１を包含し、前記薄膜封止構造を形成する工程は、前記第１突状構造体の上に、前記第１突状構造体を覆うように、前記第１突状構造体の高さよりも小さい厚さを有する第１無機バリア層を形成する工程Ａと、前記工程Ａの後で、前記第１無機バリア層の上に有機バリア層を形成する工程Ｂと、前記工程Ｂの後で、前記第１無機バリア層および前記有機バリア層の上に、第２無機バリア層を形成する工程Ｃとを包含する。 A method for manufacturing an organic EL device according to an embodiment of the present invention includes a step of preparing an element substrate having a substrate and a plurality of organic EL elements supported by the substrate, and a thin film seal covering the plurality of organic EL elements. The step of preparing the element substrate, which includes the step of forming the stop structure, forms the first projecting structure including a portion extending along at least one side of the active region including the plurality of organic EL elements. In the step of forming the thin film sealing structure including the step a1, the height of the first projecting structure is raised so as to cover the first projecting structure on the first projecting structure. After the step A of forming the first inorganic barrier layer having a thickness smaller than that of the step A, the step B of forming the organic barrier layer on the first inorganic barrier layer after the step A, and the step B. The step C of forming the second inorganic barrier layer on the first inorganic barrier layer and the organic barrier layer is included.

ある実施形態において、前記素子基板を用意する工程は、それぞれが前記複数の有機ＥＬ素子のいずれかを有する複数の画素のそれぞれを規定するバンク層を形成する工程ａ２をさらに包含し、前記工程ａ１および前記工程ａ２は、同じ樹脂膜をパターニングすることによって行われる。 In a certain embodiment, the step of preparing the element substrate further includes the step a2 of forming a bank layer in which each of the plurality of pixels having any one of the plurality of organic EL elements is defined, and the step a1 And the step a2 is performed by patterning the same resin film.

本発明の実施形態によると、耐湿信頼性が改善された、薄膜封止構造を備える有機ＥＬデバイスおよびその製造方法が提供される。 According to an embodiment of the present invention, there is provided an organic EL device having a thin film sealing structure and a method for producing the same, which has improved moisture resistance and reliability.

（ａ）は本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００のアクティブ領域の模式的な部分断面図であり、（ｂ）は、ＯＬＥＤ３上に形成されたＴＦＥ構造１０の部分断面図である。(A) is a schematic partial cross-sectional view of an active region of the OLED display device 100 according to the embodiment of the present invention, and (b) is a partial cross-sectional view of a TFE structure 10 formed on the OLED 3. 本発明の実施形態１によるＯＬＥＤ表示装置１００Ａの構造を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the structure of the OLED display device 100A according to Embodiment 1 of this invention. 図２中の３Ａ−３Ａ’線に沿ったＯＬＥＤ表示装置１００Ａの模式的な断面図である。It is a schematic sectional view of the OLED display device 100A along the line 3A-3A'in FIG. ＯＬＥＤ表示装置１００Ａの製造方法を説明するための模式的な図であり、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａを形成するためのマザーパネル２００Ａを模式的に示す図である。It is a schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the OLED display device 100A, and is the figure which shows typically the mother panel 200A for forming the OLED display device 100A. （ａ）〜（ｃ）はＯＬＥＤ表示装置１００Ａの模式的な断面図であり、（ａ）は図２中の５Ａ−５Ａ’線に沿った断面図であり、（ｂ）は図２中の５Ｂ−５Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は図２中の５Ｃ−５Ｃ’線に沿った断面図である。(A) to (c) are schematic cross-sectional views of the OLED display device 100A, (a) is a cross-sectional view taken along the line 5A-5A'in FIG. 2, and (b) is a cross-sectional view in FIG. It is a cross-sectional view along the line 5B-5B', and FIG. 2C is a cross-sectional view taken along the line 5C-5C'in FIG. （ａ）は図５（ａ）のパーティクルＰを含む部分の拡大図であり、（ｂ）はパーティクルＰと、パーティクルＰを覆う第１無機バリア層（ＳｉＮ層）と、有機バリア層との大きさの関係を示す模式的な平面図であり、（ｃ）はパーティクルＰを覆う第１無機バリア層の模式的な断面図である。(A) is an enlarged view of the portion including the particle P of FIG. 5 (a), and (b) is the size of the particle P, the first inorganic barrier layer (SiN layer) covering the particle P, and the organic barrier layer. It is a schematic plan view which shows the relationship, and (c) is a schematic cross-sectional view of the first inorganic barrier layer which covers particle P. 本発明の実施形態１による他のＯＬＥＤ表示装置１００Ｂの構造を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of another OLED display device 100B according to Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１によるさらに他のＯＬＥＤ表示装置１００Ｃの構造を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the structure of the other OLED display device 100C according to Embodiment 1 of this invention. 図８中の９Ａ−９Ａ’線に沿ったＯＬＥＤ表示装置１００Ｃの模式的な断面図である。It is a schematic sectional view of the OLED display device 100C along the line 9A-9A'in FIG. 本発明の実施形態１によるさらに他のＯＬＥＤ表示装置１００Ｄの構造を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the structure of the other OLED display device 100D according to Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１によるさらに他のＯＬＥＤ表示装置１００Ｅの構造を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the structure of the other OLED display device 100E according to Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態２によるＯＬＥＤ表示装置が有する薄膜封止構造１０Ｂを模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the thin film sealing structure 10B which the OLED display device according to Embodiment 2 of this invention has.

以下、図面を参照して、本発明の実施形態による有機ＥＬデバイスおよびその製造方法を説明する。以下では、有機ＥＬデバイスとして、ＯＬＥＤ表示装置を例示する。なお、本発明の実施形態は、以下に例示する実施形態に限定されない。 Hereinafter, the organic EL device according to the embodiment of the present invention and the manufacturing method thereof will be described with reference to the drawings. In the following, an OLED display device will be illustrated as an organic EL device. In addition, the embodiment of the present invention is not limited to the embodiment illustrated below.

まず、図１（ａ）および図１（ｂ）を参照して、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００の基本的な構成を説明する。図１（ａ）は、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００のアクティブ領域の模式的な部分断面図であり、図１（ｂ）は、ＯＬＥＤ３上に形成されたＴＦＥ構造１０の部分断面図である。後に説明する実施形態１によるＯＬＥＤ表示装置１００Ａおよび実施形態２によるＯＬＥＤ表示装置も基本的に同じ構成を有しており、特に、ＴＦＥ構造に関する構造以外の構造はＯＬＥＤ表示装置１００と同じであってよい。 First, the basic configuration of the OLED display device 100 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 (a) and 1 (b). FIG. 1A is a schematic partial cross-sectional view of an active region of the OLED display device 100 according to the embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a partial cross-sectional view of a TFE structure 10 formed on the OLED3. Is. The OLED display device 100A according to the first embodiment and the OLED display device according to the second embodiment, which will be described later, have basically the same configuration, and in particular, the structure other than the structure related to the TFE structure is the same as the OLED display device 100. Good.

ＯＬＥＤ表示装置１００は、複数の画素を有し、画素ごとに少なくとも１つの有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）を有している。ここでは、簡単のために、１つのＯＬＥＤに対応する構造について説明する。 The OLED display device 100 has a plurality of pixels, and each pixel has at least one organic EL element (OLED). Here, for the sake of simplicity, a structure corresponding to one OLED will be described.

図１（ａ）に示すように、ＯＬＥＤ表示装置１００は、基板（例えばフレキシブル基板。以下、単に「基板」ということがある。）１と、基板１上に形成されたＴＦＴを含む回路（バックプレーン）２と、回路２上に形成されたＯＬＥＤ３と、ＯＬＥＤ３上に形成されたＴＦＥ構造１０とを有している。ＯＬＥＤ３は例えばトップエミッションタイプである。ＯＬＥＤ３の最上部は、例えば、上部電極またはキャップ層（屈折率調整層）である。ＴＦＥ構造１０の上にはオプショナルな偏光板４が配置されている。以下では、基板１がフレキシブル基板である例を説明する。 As shown in FIG. 1A, the OLED display device 100 includes a substrate (for example, a flexible substrate; hereinafter, may be simply referred to as a “board”) 1 and a circuit (back) including a TFT formed on the substrate 1. It has a plane) 2, an OLED 3 formed on the circuit 2, and a TFE structure 10 formed on the OLED 3. OLED3 is, for example, a top emission type. The uppermost portion of the OLED 3 is, for example, an upper electrode or a cap layer (refractive index adjusting layer). An optional polarizing plate 4 is arranged on the TFE structure 10. Hereinafter, an example in which the substrate 1 is a flexible substrate will be described.

基板１は、例えば厚さが１５μｍのポリイミドフィルムである。ＴＦＴを含む回路２の厚さは例えば４μｍであり、ＯＬＥＤ３の厚さは例えば１μｍであり、ＴＦＥ構造１０の厚さは例えば１．５μｍ以下である。 The substrate 1 is, for example, a polyimide film having a thickness of 15 μm. The thickness of the circuit 2 including the TFT is, for example, 4 μm, the thickness of the OLED 3 is, for example, 1 μm, and the thickness of the TFE structure 10 is, for example, 1.5 μm or less.

図１（ｂ）は、ＯＬＥＤ３上に形成されたＴＦＥ構造１０の部分断面図である。ＴＦＥ構造１０は、第１無機バリア層（例えばＳｉＮ層）１２と、第１無機バリア層１２の上面に接する有機バリア層（例えばアクリル樹脂層）１４と、第１無機バリア層１２の上面および有機バリア層１４の上面に接する第２無機バリア層（例えばＳｉＮ層）１６とを有する。第１無機バリア層１２は、ＯＬＥＤ３の直上に形成されている。 FIG. 1B is a partial cross-sectional view of the TFE structure 10 formed on the OLED3. The TFE structure 10 includes a first inorganic barrier layer (for example, SiN layer) 12, an organic barrier layer (for example, an acrylic resin layer) 14 in contact with the upper surface of the first inorganic barrier layer 12, and the upper surface and organic of the first inorganic barrier layer 12. It has a second inorganic barrier layer (for example, SiN layer) 16 in contact with the upper surface of the barrier layer 14. The first inorganic barrier layer 12 is formed directly above the OLED 3.

ＴＦＥ構造１０は、ＯＬＥＤ表示装置１００のアクティブ領域（図２中のアクティブ領域Ｒ１参照）を保護するように形成されており、少なくともアクティブ領域には、上述したように、ＯＬＥＤ３に近い側から順に、第１無機バリア層１２、有機バリア層１４、および第２無機バリア層１６を有している。 The TFE structure 10 is formed so as to protect the active region of the OLED display device 100 (see the active region R1 in FIG. 2), and at least in the active region, as described above, in order from the side closer to the OLED 3. It has a first inorganic barrier layer 12, an organic barrier layer 14, and a second inorganic barrier layer 16.

（実施形態１）
図２から図４を参照して、本発明の実施形態１によるＯＬＥＤ表示装置１００Ａの構造およびその製造方法を説明する。 (Embodiment 1)
The structure of the OLED display device 100A according to the first embodiment of the present invention and the manufacturing method thereof will be described with reference to FIGS. 2 to 4.

図２は、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００Ａの模式的に示す平面図である。図３は、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａを模式的に示す断面図であり、図２中の３Ａ−３Ａ’線に沿った断面図である。 FIG. 2 is a plan view schematically showing the OLED display device 100A according to the embodiment of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the OLED display device 100A, and is a cross-sectional view taken along the line 3A-3A'in FIG.

図２に示すように、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａは、フレキシブル基板１と、フレキシブル基板１上に形成された回路（バックプレーン）２と、回路２上に形成された複数のＯＬＥＤ３と、ＯＬＥＤ３上に形成されたＴＦＥ構造１０Ａとを有している。複数のＯＬＥＤ３が配列されている層をＯＬＥＤ層３ということがある。なお、回路２とＯＬＥＤ層３とが一部の構成要素を共有してもよい。ＴＦＥ構造１０Ａの上にはオプショナルな偏光板（図１中の参照符号４を参照）がさらに配置されてもよい。また、例えば、ＴＦＥ構造１０Ａと偏光板との間にタッチパネル機能を担う層が配置されてもよい。すなわち、ＯＬＥＤ表示装置１００は、オンセル型のタッチパネル付き表示装置に改変され得る。 As shown in FIG. 2, the OLED display device 100A is formed on a flexible substrate 1, a circuit (backplane) 2 formed on the flexible substrate 1, a plurality of OLEDs 3 formed on the circuit 2, and an OLED3. It has a TFE structure 10A. The layer in which a plurality of OLEDs 3 are arranged may be referred to as an OLED layer 3. The circuit 2 and the OLED layer 3 may share some components. An optional polarizing plate (see reference numeral 4 in FIG. 1) may be further arranged on the TFE structure 10A. Further, for example, a layer having a touch panel function may be arranged between the TFE structure 10A and the polarizing plate. That is, the OLED display device 100 can be modified into an on-cell type display device with a touch panel.

回路２は、複数のＴＦＴ（不図示）と、それぞれが複数のＴＦＴ（不図示）のいずれかに接続された複数のゲートバスライン（不図示）および複数のソースバスライン（不図示）とを有している。回路２は、複数のＯＬＥＤ３を駆動するための公知の回路であってよい。複数のＯＬＥＤ３は、回路２が有する複数のＴＦＴのいずれかに接続されている。ＯＬＥＤ３も公知のＯＬＥＤであってよい。 The circuit 2 has a plurality of TFTs (not shown), and a plurality of gate bus lines (not shown) and a plurality of source bus lines (not shown) each connected to any of the plurality of TFTs (not shown). Have. The circuit 2 may be a known circuit for driving a plurality of OLEDs 3. The plurality of OLEDs 3 are connected to any of the plurality of TFTs included in the circuit 2. The OLED 3 may also be a known OLED.

ＯＬＥＤ表示装置１００Ａは、さらに、複数のＯＬＥＤ３が配置されているアクティブ領域（図２中の破線で囲まれた領域）Ｒ１の外側の周辺領域Ｒ２に配置された複数の端子３８と、複数の端子３８と複数のゲートバスラインまたは複数のソースバスラインのいずれかとを接続する複数の引出し配線３０を有しており、ＴＦＥ構造１０Ａは、複数のＯＬＥＤ３の上および複数の引出し配線３０のアクティブ領域Ｒ１側の部分の上に形成されている。すなわち、ＴＦＥ構造１０Ａはアクティブ領域Ｒ１の全体を覆い、かつ、複数の引出し配線３０のアクティブ領域Ｒ１側の部分の上に選択的に形成されており、引出し配線３０の端子３８側および端子３８は、ＴＦＥ構造１０Ａでは覆われていない。 The OLED display device 100A further includes a plurality of terminals 38 arranged in a peripheral region R2 outside the active region (area surrounded by a broken line in FIG. 2) R1 in which the plurality of OLEDs 3 are arranged, and a plurality of terminals. The TFE structure 10A has a plurality of lead wires 30 connecting the 38 with any of the plurality of gate bus lines or the plurality of source bus lines, and the TFE structure 10A is on the plurality of OLEDs 3 and the active region R1 of the plurality of drawer wires 30. It is formed on the side part. That is, the TFE structure 10A covers the entire active region R1 and is selectively formed on the portion of the plurality of drawer wirings 30 on the active region R1 side, and the terminal 38 side and the terminal 38 of the drawer wiring 30 are formed. , Not covered by TFE structure 10A.

以下では、引出し配線３０と端子３８とが同じ導電層を用いて一体に形成された例を説明するが、互いに異なる導電層（積層構造を含む）を用いて形成されてもよい。 Hereinafter, an example in which the drawer wiring 30 and the terminal 38 are integrally formed by using the same conductive layer will be described, but they may be formed by using different conductive layers (including a laminated structure).

図２および図３に示すように、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａの周辺領域Ｒ２は、アクティブ領域Ｒ１の少なくとも１つの辺に沿って延びる突状構造体２２ａと、突状構造体２２ａの上に延設された、第１無機バリア層１２の延設部１２ｅとを有する。突状構造体２２ａの高さＨｐは第１無機バリア層１２の厚さＤ１２よりも大きい。第１無機バリア層１２の厚さＤ１２は、第１無機バリア層１２のうちのアクティブ領域Ｒ１に形成されている部分の厚さを指す。 As shown in FIGS. 2 and 3, the peripheral region R2 of the OLED display device 100A extends over the protruding structure 22a extending along at least one side of the active region R1 and the protruding structure 22a. It also has an extension portion 12e of the first inorganic barrier layer 12. The height Hp of the projecting structure 22a is larger than the thickness D12 of the first inorganic barrier layer 12. The thickness D12 of the first inorganic barrier layer 12 refers to the thickness of the portion of the first inorganic barrier layer 12 formed in the active region R1.

図４を参照しながら、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａの製造方法を説明する。図４は、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａを形成するためのマザーパネル２００Ａを模式的に示す図である。 A method of manufacturing the OLED display device 100A will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a diagram schematically showing a mother panel 200A for forming an OLED display device 100A.

図４に示すように、マザーパネル２００Ａは、マザー基板（例えばＧ４．５（７３０ｍｍ×９２０ｍｍ））を用いて形成された素子基板２０に薄膜封止構造１０Ａを形成したものである。素子基板２０は、それぞれがＯＬＥＤ表示装置１００Ａとなる複数のＯＬＥＤ表示装置部１００Ａｐを有している。薄膜封止構造１０Ａは、それぞれのＯＬＥＤ表示装置部１００Ａｐのアクティブ領域Ｒ１を保護するように形成されている。マザーパネル２００Ａは、分断線ＣＬで個々のＯＬＥＤ表示装置部１００Ａｐに分断され、その後、必要に応じて行われる後工程を経て、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａが得られる。 As shown in FIG. 4, the mother panel 200A is formed by forming a thin film sealing structure 10A on an element substrate 20 formed by using a mother substrate (for example, G4.5 (730 mm × 920 mm)). The element substrate 20 has a plurality of OLED display device units 100Ap, each of which is an OLED display device 100A. The thin film sealing structure 10A is formed so as to protect the active region R1 of each OLED display device unit 100Ap. The mother panel 200A is divided into individual OLED display device units 100Ap by the dividing line CL, and then the OLED display device 100A is obtained through a post-process performed as needed.

第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６は、例えば、マスクを用いたプラズマＣＶＤ法で、それぞれのＯＬＥＤ表示装置部１００Ａｐのアクティブ領域Ｒ１を覆うように所定の領域だけに選択的に形成される。それぞれのＯＬＥＤ表示装置部１００Ａｐのアクティブ領域Ｒ１は、第１無機バリア層１２と第２無機バリア層１６とが直接接触している部分（以下、「無機バリア層接合部」という。）で完全に包囲されていることが好ましい。アクティブ領域Ｒ１が無機バリア層接合部で完全に包囲されている限り、第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６の形状は任意であってよい。例えば、第２無機バリア層１６は、第１無機バリア層１２と同じ（外縁が一致する）であってもよいし、第１無機バリア層１２の全体を覆うように形成されていてもよい。第１無機バリア層１２が、第２無機バリア層１６の全体を覆うように形成されていてもよい。ＴＦＥ構造１０Ａの外形は、例えば、第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６によって形成される無機バリア層接合部によって画定される。 The first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16 are selectively formed only in a predetermined region so as to cover the active region R1 of each OLED display device unit 100Ap by, for example, a plasma CVD method using a mask. Will be done. The active region R1 of each OLED display unit 100Ap is completely in contact with the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16 (hereinafter, referred to as “inorganic barrier layer joint portion”). It is preferably surrounded. The shapes of the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16 may be arbitrary as long as the active region R1 is completely surrounded by the inorganic barrier layer joint. For example, the second inorganic barrier layer 16 may be the same as the first inorganic barrier layer 12 (the outer edges match), or may be formed so as to cover the entire first inorganic barrier layer 12. The first inorganic barrier layer 12 may be formed so as to cover the entire second inorganic barrier layer 16. The outer shape of the TFE structure 10A is defined by, for example, an inorganic barrier layer joint formed by the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16.

図２および図４の平面図には、ＴＦＥ構造１０Ａが形成されるべき領域のみをＴＦＥ構造１０Ａとして図示している。ＴＦＥ構造１０Ａが形成されるべき領域は、少なくともアクティブ領域Ｒ１を覆い、無機バリア層接合部を含む領域であり、かつ、分断線ＣＬの内側にある。第１無機バリア層１２および／または第２無機バリア層１６が分断線ＣＬ上に存在すると、素子基板２０を分断する工程で切断する層の数が増加し、製造コストが増加し得るからである。図２および図４に図示する、ＴＦＥ構造１０Ａが形成されるべき領域は、例えば、第１無機バリア層１２および／または第２無機バリア層１６を形成するためのＣＶＤマスクの形状に相当する。 In the plan view of FIGS. 2 and 4, only the region where the TFE structure 10A should be formed is shown as the TFE structure 10A. The region where the TFE structure 10A should be formed is at least a region that covers the active region R1 and includes an inorganic barrier layer joint, and is inside the dividing line CL. This is because if the first inorganic barrier layer 12 and / or the second inorganic barrier layer 16 is present on the dividing line CL, the number of layers to be cut in the step of dividing the element substrate 20 increases, and the manufacturing cost may increase. .. The region in which the TFE structure 10A to be formed, which is shown in FIGS. 2 and 4, corresponds to, for example, the shape of a CVD mask for forming the first inorganic barrier layer 12 and / or the second inorganic barrier layer 16.

しかしながら、実際には、図３の断面図に示すように、例えばマスクＣＶＤ装置の寸法精度に起因して、ＴＦＥ構造１０Ａが形成されるべき領域よりも、第１無機バリア層１２および／または第２無機バリア層１６が形成される領域が大きいことがある。また、第１無機バリア層１２のマスクと素子基板２０とのアライメント誤差を考慮し、薄膜封止構造１０Ａを形成すべき領域よりも広く第１無機バリア層１２を形成することがある。ＯＬＥＤ表示装置の量産性を向上させる観点から、素子基板２０上に形成されたＯＬＥＤ表示装置部１００Ａｐの隣接間距離が小さい（例えば数ｍｍ（例えば３ｍｍ））ことが好ましい。これらのような場合に、第１無機バリア層１２および／または第２無機バリア層１６が分断線ＣＬ上に存在することがある。本明細書において、第１無機バリア層１２のうち、ＴＦＥ構造１０Ａが形成されるべき領域以外の領域に形成された部分を延設部１２ｅということがある。第２無機バリア層１６についても同様に、第２無機バリア層１６のうち、ＴＦＥ構造１０Ａが形成されるべき領域以外の領域に形成された部分を延設部１６ｅということがある。 However, in practice, as shown in the cross-sectional view of FIG. 3, for example, due to the dimensional accuracy of the mask CVD apparatus, the first inorganic barrier layer 12 and / or the first inorganic barrier layer 12 and / or the region where the TFE structure 10A should be formed is larger than the region where the TFE structure 10A should be formed. 2 The region where the inorganic barrier layer 16 is formed may be large. Further, in consideration of the alignment error between the mask of the first inorganic barrier layer 12 and the element substrate 20, the first inorganic barrier layer 12 may be formed wider than the region where the thin film sealing structure 10A should be formed. From the viewpoint of improving the mass productivity of the OLED display device, it is preferable that the distance between the OLED display device units 100Ap formed on the element substrate 20 is small (for example, several mm (for example, 3 mm)). In such cases, the first inorganic barrier layer 12 and / or the second inorganic barrier layer 16 may be present on the dividing line CL. In the present specification, the portion of the first inorganic barrier layer 12 formed in a region other than the region where the TFE structure 10A should be formed may be referred to as an extension portion 12e. Similarly, with respect to the second inorganic barrier layer 16, a portion of the second inorganic barrier layer 16 formed in a region other than the region where the TFE structure 10A should be formed may be referred to as an extension portion 16e.

図３に示すように、得られたＯＬＥＤ表示装置１００Ａにおいて、切断された箇所（分断線ＣＬ）から第１無機バリア層１２に亀裂（クラック）１２ｄが発生することがある。クラック１２ｄは、熱履歴等によって経時的に進展する。突状構造体２２ａがなければ、クラック１２ｄは、第１無機バリア層１２を通じてアクティブ領域Ｒ１にまで達し得る。しかしながら、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａは第１無機バリア層１２の下に形成された突状構造体２２ａを有することによって、クラック１２ｄがアクティブ領域Ｒ１に達することを抑制することができる。ＯＬＥＤ表示装置１００Ａは、耐湿信頼性が改善される。 As shown in FIG. 3, in the obtained OLED display device 100A, cracks 12d may occur in the first inorganic barrier layer 12 from the cut portion (dividing line CL). The crack 12d develops over time due to heat history and the like. Without the projecting structure 22a, the crack 12d can reach the active region R1 through the first inorganic barrier layer 12. However, the OLED display device 100A can prevent the crack 12d from reaching the active region R1 by having the projecting structure 22a formed under the first inorganic barrier layer 12. Moisture resistance and reliability of the OLED display device 100A are improved.

図３に示すように、突状構造体２２ａが形成されている平坦面と突状構造体２２ａの側面との境界において、第１無機バリア層１２に欠陥１２ｆ２が形成されやすい。これは、平坦面から成長するＳｉＮ膜と、側面から成長するＳｉＮ膜とがインピンジ（衝突）する箇所において、（膜）密度が低い部分が形成されるからである。この欠陥は、極端な場合にはクラックとなることもある。同様に、突状構造体２２ａの頂面にも欠陥１２ｆ１が形成されやすい。これらの欠陥１２ｆ１および１２ｆ２は、突状構造体２２ａが延びる方向に沿って線状に形成される。分断工程において、第１無機バリア層１２内に発生したクラック１２ｄが、アクティブ領域Ｒ１に向けて進展すると、クラック１２ｄの先端が、突状構造体２２ａが延びる方向に沿って形成された線状の欠陥１２ｆ１または１２ｆ２に到達する。そうすると、クラック１２ｄの先端における応力が解放され、クラック１２ｄが線状欠陥１２ｆ１または１２ｆ２を超えて進展することが防止される。 As shown in FIG. 3, defects 12f2 are likely to be formed in the first inorganic barrier layer 12 at the boundary between the flat surface on which the projecting structure 22a is formed and the side surface of the projecting structure 22a. This is because a portion having a low (film) density is formed at a position where the SiN film growing from the flat surface and the SiN film growing from the side surface impinge (collide). This defect can also be a crack in extreme cases. Similarly, the defect 12f1 is likely to be formed on the top surface of the projecting structure 22a. These defects 12f1 and 12f2 are formed linearly along the direction in which the projecting structure 22a extends. When the crack 12d generated in the first inorganic barrier layer 12 propagates toward the active region R1 in the dividing step, the tip of the crack 12d is linear formed along the direction in which the projecting structure 22a extends. Defects 12f1 or 12f2 are reached. Then, the stress at the tip of the crack 12d is released, and the crack 12d is prevented from extending beyond the linear defect 12f1 or 12f2.

例えば、突状構造体２２ａが延びる方向と直交する断面（例えば図３に示す断面）において、突状構造体２２ａの頂部の幅Ｄｔが小さいと、突状構造体２２ａの頂部の上に形成された第１無機バリア層１２（延設部１２ｅ）は厚さが小さいおよび／または欠陥１２ｆ１を有するので、クラック１２ｄの進展を抑制することができる。あるいは、突状構造体２２ａが延びる方向と直交する断面（例えば図３に示す断面）において、突状構造体２２ａの側面のテーパー角θｐが大きいと、突状構造体２２ａの側面の上に形成された第１無機バリア層１２（延設部１２ｅ）に欠陥１２ｆ２が生じるので、第１無機バリア層１２はクラック１２ｄの進展を抑制することができる。 For example, in a cross section orthogonal to the extending direction of the projecting structure 22a (for example, a cross section shown in FIG. 3), if the width Dt of the top of the projecting structure 22a is small, it is formed on the top of the projecting structure 22a. Since the first inorganic barrier layer 12 (extended portion 12e) has a small thickness and / or a defect 12f1, the growth of the crack 12d can be suppressed. Alternatively, in a cross section orthogonal to the extending direction of the projecting structure 22a (for example, a cross section shown in FIG. 3), if the taper angle θp of the side surface of the projecting structure 22a is large, it is formed on the side surface of the projecting structure 22a. Since the defect 12f2 is generated in the first inorganic barrier layer 12 (extended portion 12e), the first inorganic barrier layer 12 can suppress the growth of cracks 12d.

図示する例では、第２無機バリア層１６も分断線ＣＬ上に形成されている。従って、図３に示すように、得られたＯＬＥＤ表示装置１００Ａにおいて、切断された箇所（分断線ＣＬ）から第２無機バリア層１６にも亀裂（クラック）１６ｄが発生し得る。第２無機バリア層１６は、第１無機バリア層１２の延設部１２ｅ上に形成された延設部１６ｅを有する。第２無機バリア層１６は、下地である第１無機バリア層１２の欠陥１２ｆ１、１２ｆ２による段差を反映するので、第２無機バリア層１６の延設部１６ｅは厚さが小さいおよび／または欠陥１６ｆ１、１６ｆ２を有する。これにより、第２無機バリア層１６はクラック１６ｄがアクティブ領域Ｒ１に達することを抑制することができる。 In the illustrated example, the second inorganic barrier layer 16 is also formed on the dividing line CL. Therefore, as shown in FIG. 3, in the obtained OLED display device 100A, cracks 16d may also occur in the second inorganic barrier layer 16 from the cut portion (dividing line CL). The second inorganic barrier layer 16 has an extension portion 16e formed on the extension portion 12e of the first inorganic barrier layer 12. Since the second inorganic barrier layer 16 reflects the step due to the defects 12f1 and 12f2 of the first inorganic barrier layer 12 which is the base, the extension portion 16e of the second inorganic barrier layer 16 has a small thickness and / or the defect 16f1. , 16f2. As a result, the second inorganic barrier layer 16 can prevent the crack 16d from reaching the active region R1.

ここでは、第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６が、アクティブ領域Ｒ１を覆うように所定の領域だけに選択的に形成される場合を説明したが、本実施形態はこの例に限られない。マザー基板を用いて形成された素子基板２０の全面に第１無機バリア層１２および／または第２無機バリア層１６を形成してもよい。この場合においても、上述したように、突状構造体２２ａを有することによって、得られたＯＬＥＤ表示装置の耐湿信頼性が改善される。 Here, the case where the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16 are selectively formed only in a predetermined region so as to cover the active region R1 has been described, but this embodiment is limited to this example. I can't. The first inorganic barrier layer 12 and / or the second inorganic barrier layer 16 may be formed on the entire surface of the element substrate 20 formed by using the mother substrate. Also in this case, as described above, by having the projecting structure 22a, the moisture resistance reliability of the obtained OLED display device is improved.

突状構造体２２ａの、突状構造体２２ａが延びる方向と直交する断面の形状は、突状構造体２２ａの上に延設された第１無機バリア層１２（延設部１２ｅ）の厚さが、アクティブ領域Ｒ１に形成された第１無機バリア層１２の厚さＤ１２よりも小さくなるように、調整されることが好ましい。突状構造体２２ａの上記断面の形状は、突状構造体２２ａの頂面の上に形成された第１無機バリア層１２（延設部１２ｅ）に欠陥１２ｆ１が生じるように、調整されていてもよい。例えば、突状構造体２２ａが延びる方向と直交する断面において、突状構造体２２ａの頂部の幅Ｄｔは、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがさらに好ましい。突状構造体２２ａの上記断面の形状は、第１無機バリア層１２に欠陥１２ｆ２が生じるように、調整されていてもよい。例えば、突状構造体２２ａが延びる方向と直交する断面において、突状構造体２２ａの側面のテーパー角θｐ（９０°以下）は８０°以上であることが好ましい。突状構造体２２ａの、突状構造体２２ａが延びる方向と直交する断面の形状は、理想的には三角形であり、それに近い形状であることが好ましく、例えば頂部の幅が小さい台形である。なお、上記断面の形状は図示する例に限られず、例えば、頂部の角が丸みを帯びていてもよいし、頂部が曲線を含んでもよい。 The shape of the cross section of the projecting structure 22a orthogonal to the direction in which the projecting structure 22a extends is the thickness of the first inorganic barrier layer 12 (extended portion 12e) extending over the projecting structure 22a. Is preferably adjusted to be smaller than the thickness D12 of the first inorganic barrier layer 12 formed in the active region R1. The shape of the cross section of the projecting structure 22a is adjusted so that the defect 12f1 occurs in the first inorganic barrier layer 12 (extended portion 12e) formed on the top surface of the projecting structure 22a. May be good. For example, in a cross section orthogonal to the extending direction of the projecting structure 22a, the width Dt of the top of the projecting structure 22a is preferably 10 μm or less, and more preferably 5 μm or less. The shape of the cross section of the projecting structure 22a may be adjusted so that the defect 12f2 occurs in the first inorganic barrier layer 12. For example, in a cross section orthogonal to the extending direction of the projecting structure 22a, the taper angle θp (90 ° or less) on the side surface of the projecting structure 22a is preferably 80 ° or more. The shape of the cross section of the projecting structure 22a orthogonal to the direction in which the projecting structure 22a extends is ideally a triangle, preferably a shape close to it, for example, a trapezoid with a small top width. The shape of the cross section is not limited to the illustrated example, and for example, the corners of the top may be rounded, or the top may include a curved line.

図示する例のように、突状構造体２２ａの上に第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６が形成されている場合は、例えば、突状構造体２２ａの高さＨｐは、第１無機バリア層１２の厚さＤ１２および第２無機バリア層１６の厚さＤ１６の和（Ｄ１２＋Ｄ１６）の１．２倍以上であることが好ましい。突状構造体２２ａが延びる方向と直交する断面における、突状構造体２２ａの頂部の幅Ｄｔは、第１無機バリア層１２の厚さＤ１２および第２無機バリア層１６の厚さＤ１６の和（Ｄ１２＋Ｄ１６）の半分未満であることが好ましい。ここで、第１無機バリア層１２の厚さＤ１２および第２無機バリア層１６の厚さＤ１６は、アクティブ領域Ｒ１に形成されている部分の厚さを指す。第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６は、例えば厚さが４００ｎｍのＳｉＮ層（例えばＳｉ3Ｎ4層）であり、突状構造体２２ａの高さＨｐは例えば１μｍであり、突状構造体２２ａの頂部の幅Ｄｔは例えば３００ｎｍである。 When the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16 are formed on the protruding structure 22a as in the illustrated example, for example, the height Hp of the protruding structure 22a is the first. It is preferably 1.2 times or more the sum (D12 + D16) of the thickness D12 of the 1 inorganic barrier layer 12 and the thickness D16 of the second inorganic barrier layer 16. The width Dt of the top of the projecting structure 22a in the cross section orthogonal to the extending direction of the projecting structure 22a is the sum of the thickness D12 of the first inorganic barrier layer 12 and the thickness D16 of the second inorganic barrier layer 16. It is preferably less than half of D12 + D16). Here, the thickness D12 of the first inorganic barrier layer 12 and the thickness D16 of the second inorganic barrier layer 16 refer to the thickness of the portion formed in the active region R1. First inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16 is, for example, a SiN layer having a thickness of 400 nm (e.g., Si 3 N 4 layer), the height Hp of the protruding structure 22a is 1μm example, butt The width Dt of the top of the shaped structure 22a is, for example, 300 nm.

突状構造体２２ａの、突状構造体２２ａが延びる方向と直交する断面における底部の幅Ｄａは、例えば１０μｍ以下である。この場合、突状構造体２２ａを設けてもＯＬＥＤ表示装置１００Ａの狭額縁化に大きく影響を与えない。 The width Da of the bottom of the projecting structure 22a in a cross section orthogonal to the direction in which the projecting structure 22a extends is, for example, 10 μm or less. In this case, even if the projecting structure 22a is provided, it does not significantly affect the narrowing of the frame of the OLED display device 100A.

突状構造体２２ａは、例えば感光性樹脂を用いてフォトリソグラフィプロセスで形成される。例えば、複数の画素のそれぞれを規定するバンク層（「ＰＤＬ（Pixel Defining Layer）」と呼ばれることもある。）（不図示）を形成する工程と同じ工程で製造されてもよい。すなわち、突状構造体２２ａおよびバンク層は、同じ樹脂膜をパターニングすることによって形成されてもよい。バンク層は、例えば、ＯＬＥＤ３の陽極を構成する下部電極と、下部電極上に形成された有機層（有機発光層）との間に形成される。バンク層の厚さは、数μｍ（例えば１μｍ〜２μｍ）であるので、突状構造体２２ａの高さをバンク層の高さと同じとしてもよい。もちろん、多階調マスク（ハーフトーンマスクまたはグレートーンマスク）を用いるフォトリソグラフィプロセスによって、突状構造体２２ａの高さをバンク層の高さと異ならせることもできる。あるいは、突状構造体２２ａは、回路（バックプレーン）２を形成する工程のいずれかと同じ工程で形成されてもよい。例えばＯＬＥＤ３の下部電極の下地となる平坦化層と、同じ樹脂膜から突状構造体２２ａを形成することができる。もちろん、回路（バックプレーン）２を形成する工程とは異なる工程において、突状構造体２２ａが形成されてもよい。 The projecting structure 22a is formed by a photolithography process using, for example, a photosensitive resin. For example, it may be manufactured in the same step as the step of forming a bank layer (sometimes referred to as “PDL (Pixel Defining Layer)”) (not shown) that defines each of a plurality of pixels. That is, the protruding structure 22a and the bank layer may be formed by patterning the same resin film. The bank layer is formed between, for example, a lower electrode constituting the anode of the OLED 3 and an organic layer (organic light emitting layer) formed on the lower electrode. Since the thickness of the bank layer is several μm (for example, 1 μm to 2 μm), the height of the projecting structure 22a may be the same as the height of the bank layer. Of course, the height of the projecting structure 22a can be made different from the height of the bank layer by a photolithography process using a multi-tone mask (halftone mask or gray tone mask). Alternatively, the projecting structure 22a may be formed in the same step as any of the steps of forming the circuit (backplane) 2. For example, the projecting structure 22a can be formed from the same resin film as the flattening layer that is the base of the lower electrode of the OLED 3. Of course, the projecting structure 22a may be formed in a step different from the step of forming the circuit (backplane) 2.

突状構造体２２ａは、ＯＬＥＤ３の有機発光層をマスク蒸着法で形成する場合に、蒸着マスクが素子基板の表面と所望の間隙を形成するためのスペーサを兼ねてもよい。あるいは、ＴＦＥ構造１０Ａ上に配置されるタッチセンサ層または基板（保護層）を支持するためのスペーサを兼ねてもよい。突状構造体２２ａがスペーサを兼ねる場合は、突状構造体２２ａが延びる方向と直交する断面において、突状構造体２２ａの頂部の幅Ｄｔは、５μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ以上であることがさらに好ましい。突状構造体２２ａの頂部の幅Ｄｔを上記の範囲とすると、突状構造体２２ａの頂面に形成された第１無機バリア層１２に欠陥が生じないことがあるが、例えば突状構造体２２ａの側面のテーパー角θｐを８０°以上とすることにより、突状構造体２２ａの側面に形成された第１無機バリア層１２に欠陥１２ｆ２を生じさせることができる。 When the organic light emitting layer of the OLED 3 is formed by the mask deposition method, the projecting structure 22a may also serve as a spacer for the vapor deposition mask to form a desired gap with the surface of the device substrate. Alternatively, it may also serve as a spacer for supporting the touch sensor layer or the substrate (protective layer) arranged on the TFE structure 10A. When the projecting structure 22a also serves as a spacer, the width Dt of the top of the projecting structure 22a is preferably 5 μm or more, preferably 10 μm or more, in a cross section orthogonal to the extending direction of the projecting structure 22a. Is even more preferable. When the width Dt of the top of the protruding structure 22a is within the above range, defects may not occur in the first inorganic barrier layer 12 formed on the top surface of the protruding structure 22a. For example, the protruding structure 22a may not be defective. By setting the taper angle θp on the side surface of the 22a to 80 ° or more, the defect 12f2 can be generated in the first inorganic barrier layer 12 formed on the side surface of the projecting structure 22a.

突状構造体２２ａは、図２に示すように、アクティブ領域Ｒ１の４つの辺のうち、複数の端子３８および複数の引出し配線３０が設けられている辺（ｘ軸方向に延びる辺のうちの図２の下側の辺）を除く３つの辺に沿って延びる部分を含む。例えば中小型のＯＬＥＤ表示装置においては、アクティブ領域Ｒ１の上下左右４つの周辺領域のうち、配線の端子を取り出す１つの周辺領域を除く他の３つの周辺領域の幅を小さくすることが求められている。従って、他の３つの周辺領域においては、上述したように、分断線ＣＬ上に無機バリア層が形成され易いので、突状構造体２２ａを設けることにより、耐湿信頼性を改善することができる。これに比べると、配線の端子を取り出す周辺領域については、求められる狭額縁化の程度が小さいので、分断線ＣＬ上に重ならないように無機バリア層を形成することが容易である。従って、突状構造体２２ａを省略することができる。図２に示すように、複数の端子３８が設けられている部分を除いて、アクティブ領域Ｒ１の４つの辺に沿って、突状構造体２２ａが設けられていてもよい。複数の端子３８が設けられている部分を除いて、分断線ＣＬとアクティブ領域Ｒ１の外縁とを結ぶ線（例えば直線）を遮るように、突状構造体２２ａが設けられていることが好ましい。 As shown in FIG. 2, the projecting structure 22a is a side (a side extending in the x-axis direction) provided with a plurality of terminals 38 and a plurality of drawer wires 30 among the four sides of the active region R1. Includes a portion extending along three sides except the lower side of FIG. For example, in small and medium-sized OLED display devices, it is required to reduce the width of the other three peripheral areas excluding one peripheral area from which wiring terminals are taken out from the four peripheral areas of the active area R1. There is. Therefore, in the other three peripheral regions, as described above, the inorganic barrier layer is likely to be formed on the dividing line CL, so that the moisture resistance reliability can be improved by providing the projecting structure 22a. Compared to this, in the peripheral region from which the terminal of the wiring is taken out, the degree of narrowing of the frame required is small, so that it is easy to form an inorganic barrier layer so as not to overlap on the dividing line CL. Therefore, the protruding structure 22a can be omitted. As shown in FIG. 2, the projecting structure 22a may be provided along the four sides of the active region R1 except for the portion where the plurality of terminals 38 are provided. It is preferable that the projecting structure 22a is provided so as to block the line (for example, a straight line) connecting the dividing line CL and the outer edge of the active region R1 except for the portion where the plurality of terminals 38 are provided.

突状構造体の平面形状は、例示するものに限られない。突状構造体は、アクティブ領域Ｒ１の４つの辺のうち、複数の端子が設けられている２つの辺を除く他の２つの辺に沿って延びていてもよい。例えば、大型のＯＬＥＤ表示装置において、アクティブ領域Ｒ１の上下左右４つの周辺領域のうち、対向する２つ（上下または左右）の周辺領域において配線の端子を取り出す構成とすることがある。また、突状構造体は、必ずしも一体として形成されている必要はなく、複数のサブ構造体から構成されていてもよい。複数のサブ構造体全体として、分断線ＣＬとアクティブ領域Ｒ１の外縁との間を遮る構成となっていればよい。突状構造体の配置および平面形状の例は後述する。 The planar shape of the projecting structure is not limited to the examples. The projecting structure may extend along two of the four sides of the active region R1 except for the two sides provided with the plurality of terminals. For example, in a large-sized OLED display device, wiring terminals may be taken out in two (up / down or left / right) peripheral regions facing each other among the four peripheral regions of the active region R1. Further, the projecting structure does not necessarily have to be formed integrally, and may be composed of a plurality of substructures. The plurality of substructures as a whole may be configured to block between the dividing line CL and the outer edge of the active region R1. Examples of the arrangement of the projecting structure and the planar shape will be described later.

次に、図５（ａ）〜（ｃ）を参照して、ＯＬＥＤ表示装置１００ＡのＴＦＥ構造１０Ａを説明する。図５（ａ）に図２中の５Ａ−５Ａ’線に沿った断面図を示し、図５（ｂ）に図２中の５Ｂ−５Ｂ’線に沿った断面図を示し、図５（ｃ）に図２中の５Ｃ−５Ｃ’線に沿った断面図を示す。 Next, the TFE structure 10A of the OLED display device 100A will be described with reference to FIGS. 5A to 5C. 5 (a) shows a cross-sectional view along the line 5A-5A'in FIG. 2, FIG. 5 (b) shows a cross-sectional view along the line 5B-5B'in FIG. 2, and FIG. 5 (c) shows a cross-sectional view. ) Shows a cross-sectional view along the 5C-5C'line in FIG.

図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、ＴＦＥ構造１０Ａは、ＯＬＥＤ３上に形成された第１無機バリア層１２と、有機バリア層１４と、第１無機バリア層１２および有機バリア層１４に接する第２無機バリア層１６とを有している。ここでは、有機バリア層１４は、第１無機バリア層１２の上面に接し、かつ、離散的に分布する複数の中実部を有する。第２無機バリア層１６は、第１無機バリア層１２の上面および有機バリア層１４の複数の中実部の上面に接する。有機バリア層１４は、アクティブ領域の全面を覆う膜として存在しているのではなく、開口部を有している。有機バリア層１４の内、開口部を除く、実際に有機膜が存在する部分を「中実部」ということにする。また、「開口部」（「非中実部」ということもある。）は、中実部で包囲されている必要はなく、切欠きなどを含み、開口部においては、第１無機バリア層１２と第２無機バリア層１６とが直接接触している。有機バリア層１４が有する開口部は、少なくとも、アクティブ領域Ｒ１を包囲するように形成された開口部を含み、アクティブ領域Ｒ１は、第１無機バリア層１２と第２無機バリア層１６とが直接接触している部分（無機バリア層接合部）で完全に包囲されている。 As shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b), the TFE structure 10A includes a first inorganic barrier layer 12, an organic barrier layer 14, a first inorganic barrier layer 12, and an organic barrier formed on the OLED 3. It has a second inorganic barrier layer 16 in contact with the layer 14. Here, the organic barrier layer 14 has a plurality of solid portions that are in contact with the upper surface of the first inorganic barrier layer 12 and are discretely distributed. The second inorganic barrier layer 16 is in contact with the upper surface of the first inorganic barrier layer 12 and the upper surfaces of the plurality of solid portions of the organic barrier layer 14. The organic barrier layer 14 does not exist as a film covering the entire surface of the active region, but has an opening. The portion of the organic barrier layer 14 excluding the opening where the organic film actually exists is referred to as a “solid portion”. Further, the "opening" (sometimes referred to as "non-solid part") does not need to be surrounded by the solid part and includes a notch or the like. In the opening, the first inorganic barrier layer 12 And the second inorganic barrier layer 16 are in direct contact with each other. The opening of the organic barrier layer 14 includes at least an opening formed so as to surround the active region R1, and the active region R1 is in direct contact between the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16. It is completely surrounded by the part (inorganic barrier layer joint).

例えば、第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６は、例えば厚さが４００ｎｍのＳｉＮ層であり、有機バリア層１４は厚さが１００ｎｍ未満のアクリル樹脂層である。第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６の厚さはそれぞれ独立に、２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、有機バリア層１４の厚さは５０ｎｍ以上２００ｎｍ未満である。ＴＦＥ構造１０Ａの厚さは４００ｎｍ以上２μｍ未満であることが好ましく、４００ｎｍ以上１．５μｍ未満であることがさらに好ましい。 For example, the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16 are, for example, a SiN layer having a thickness of 400 nm, and the organic barrier layer 14 is an acrylic resin layer having a thickness of less than 100 nm. The thickness of the first inorganic barrier layer 12 and the thickness of the second inorganic barrier layer 16 are independently 200 nm or more and 1000 nm or less, and the thickness of the organic barrier layer 14 is 50 nm or more and less than 200 nm. The thickness of the TFE structure 10A is preferably 400 nm or more and less than 2 μm, and more preferably 400 nm or more and less than 1.5 μm.

第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６は、上述したように、マスクを用いたプラズマＣＶＤ法で、アクティブ領域Ｒ１を覆うように所定の領域だけに選択的に形成される。一般に、薄膜堆積法（例えばＣＶＤ法、スパッタ法、真空蒸着法）によって形成される層の表面は、下地の段差を反映する。有機バリア層（中実部）１４は、第１無機バリア層１２の表面の凸部の周辺にのみ形成される。第１無機バリア層１２は、突状構造体２２ａの上に、突状構造体２２ａを覆うように形成される。第１無機バリア層１２の厚さは、突状構造体２２ａの高さよりも小さい。 As described above, the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16 are selectively formed only in a predetermined region so as to cover the active region R1 by the plasma CVD method using a mask. In general, the surface of a layer formed by a thin film deposition method (eg, CVD method, sputtering method, vacuum deposition method) reflects the step of the base. The organic barrier layer (solid portion) 14 is formed only around the convex portion on the surface of the first inorganic barrier layer 12. The first inorganic barrier layer 12 is formed on the protruding structure 22a so as to cover the protruding structure 22a. The thickness of the first inorganic barrier layer 12 is smaller than the height of the projecting structure 22a.

有機バリア層１４は、例えば、上記特許文献１または２に記載の方法で形成され得る。例えば、チャンバー内で、蒸気または霧状の有機材料（例えばアクリルモノマー）を、室温以下の温度に維持された素子基板上に供給し、素子基板上で凝縮させ、液状になった有機材料の毛細管現象または表面張力によって、第１無機バリア層１２の凸部の側面と平坦部との境界部に偏在させる。その後、有機材料に例えば紫外線を照射することによって、凸部の周辺の境界部に有機バリア層（例えばアクリル樹脂層）１４の中実部を形成する。この方法によって形成される有機バリア層１４は、平坦部には中実部が実質的に存在しない。有機バリア層の形成方法に関して、特許文献１および２の開示内容を参考のために本明細書に援用する。 The organic barrier layer 14 can be formed, for example, by the method described in Patent Document 1 or 2. For example, in a chamber, a vapor or atomized organic material (eg, acrylic monomer) is supplied onto an element substrate maintained at a temperature below room temperature and condensed on the element substrate to form a liquid capillary tube of the organic material. Due to the phenomenon or surface tension, the first inorganic barrier layer 12 is unevenly distributed at the boundary between the side surface of the convex portion and the flat portion. Then, by irradiating the organic material with, for example, ultraviolet rays, a solid portion of the organic barrier layer (for example, an acrylic resin layer) 14 is formed at the boundary portion around the convex portion. The organic barrier layer 14 formed by this method has substantially no solid portion in the flat portion. Regarding the method for forming the organic barrier layer, the disclosure contents of Patent Documents 1 and 2 are incorporated herein by reference.

図３に示す例のように、第２無機バリア層１６が突状構造体２２ａの上に形成されている場合、突状構造体２２ａの上に形成された第１無機バリア層１２（延設部１２ｅ）の上に、有機バリア層１４が形成されないことが好ましい。第１無機バリア層１２の欠陥１２ｆ１、１２ｆ２を充填するように有機バリア層１４が形成されると、第１無機バリア層１２の欠陥１２ｆ１、１２ｆ２に起因した段差が第２無機バリア層１６に反映されない。この場合、第２無機バリア層１６に欠陥１６ｆ１、１６ｆ２が形成されず、第２無機バリア層１６に生じたクラック１６ｄがアクティブ領域Ｒ１に達することを抑制することができないおそれがある。従って、上記特許文献１または２に記載の方法に、例えば以下に説明する方法のいずれかを組み合わせて、突状構造体２２ａの頂面および側面の上に形成された第１無機バリア層１２（延設部１２ｅ）の上に、有機バリア層１４が形成されないようにすることが好ましい。以下に説明する方法のいずれか複数を組み合わせてもよい。 When the second inorganic barrier layer 16 is formed on the protruding structure 22a as in the example shown in FIG. 3, the first inorganic barrier layer 12 (extended) formed on the protruding structure 22a. It is preferable that the organic barrier layer 14 is not formed on the portion 12e). When the organic barrier layer 14 is formed so as to fill the defects 12f1 and 12f2 of the first inorganic barrier layer 12, the steps caused by the defects 12f1 and 12f2 of the first inorganic barrier layer 12 are reflected in the second inorganic barrier layer 16. Not done. In this case, the defects 16f1 and 16f2 are not formed in the second inorganic barrier layer 16, and it may not be possible to prevent the crack 16d generated in the second inorganic barrier layer 16 from reaching the active region R1. Therefore, the first inorganic barrier layer 12 (1) formed on the top surface and the side surface of the projecting structure 22a by combining the method described in Patent Document 1 or 2 with any of the methods described below, for example. It is preferable that the organic barrier layer 14 is not formed on the extending portion 12e). Any or more of the methods described below may be combined.

なお、第２無機バリア層１６に生じたクラックが、アクティブ領域Ｒ１に達しても、アクティブ領域Ｒ１が第１無機バリア層１２で十分に覆われていれば、ＯＬＥＤ表示装置の耐湿信頼性が低下する可能性は小さい。第２無機バリア層１６に生じたクラックがアクティブ領域Ｒ１に達することの耐湿信頼性への影響は、第１無機バリア層１２に生じたクラックがアクティブ領域Ｒ１に達することの耐湿信頼性への影響に比べると小さい。従って、以下に説明する方法で、突状構造体２２ａの頂面および側面の上に形成された第１無機バリア層１２の上に、有機バリア層１４が形成されないようにすることはオプショナルであり、省略可能である。また、以下の方法は、突状構造体２２ａの頂面および側面の上に形成された第１無機バリア層１２の上に有機バリア層１４が形成されることを完全に防ぐ場合だけでなく、部分的に防ぐ（例えばある厚さ以上の有機バリア層１４が形成されることを防ぐ）場合にも用いられる。 Even if the cracks generated in the second inorganic barrier layer 16 reach the active region R1, if the active region R1 is sufficiently covered with the first inorganic barrier layer 12, the moisture resistance reliability of the OLED display device is lowered. The possibility of doing so is small. The effect of the cracks generated in the second inorganic barrier layer 16 reaching the active region R1 on the moisture resistance reliability is the effect of the cracks generated in the first inorganic barrier layer 12 reaching the active region R1 on the moisture resistance reliability. Smaller than. Therefore, it is optional to prevent the organic barrier layer 14 from being formed on the first inorganic barrier layer 12 formed on the top surface and the side surface of the projecting structure 22a by the method described below. , Optional. Further, the following method is not only for completely preventing the formation of the organic barrier layer 14 on the first inorganic barrier layer 12 formed on the top surface and the side surface of the projecting structure 22a, but also for preventing the formation of the organic barrier layer 14. It is also used to partially prevent (for example, prevent the formation of an organic barrier layer 14 having a certain thickness or more).

例えば、上記特許文献１または２に記載の方法で光硬化樹脂層を形成した後に、光硬化樹脂層をドライプロセスで部分的に除去する工程を行ってもよい。「有機物をドライプロセスで除去する」とは、アッシングに限られず、アッシング以外の方法（例えば、スパッタ法）のドライプロセスで、有機物を除去することをいい、有機物は表面から除去される。有機物を完全に除去する場合だけでなく、部分的に（例えば表面からある深さまで）除去することを含む。なお、ドライプロセスとは、剥離液や溶剤などの液体を用いるウェットプロセスでないことをいう。アッシングは、例えば、Ｎ2Ｏ、Ｏ2およびＯ3の内の少なくとも１種を含む雰囲気で行われ得る。アッシングは、前述したいずれかの雰囲気ガスを高周波でプラズマ化し、そのプラズマを利用するプラズマアッシング（またはコロナ放電処理）と、雰囲気ガスに紫外線等の光を照射して行われる光励起アッシングに大別され、例えば、公知のプラズマアッシング装置、コロナ放電を利用したアッシング処理装置、光励起アッシング装置、ＵＶオゾンアッシング装置等を用いて行い得る。第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６としてＳｉＮ膜をＣＶＤ法で成膜する場合、原料ガスとして、Ｎ2Ｏを用いるので、Ｎ2Ｏをアッシングに用いると装置を簡略化できるという利点が得られる。 For example, after forming the photocurable resin layer by the method described in Patent Document 1 or 2, a step of partially removing the photocurable resin layer by a dry process may be performed. "Removing organic substances by a dry process" is not limited to ashing, but means removing organic substances by a dry process of a method other than ashing (for example, a sputtering method), and organic substances are removed from the surface. It includes not only the complete removal of organic matter, but also the partial removal (eg, from the surface to a certain depth). The dry process is not a wet process that uses a liquid such as a stripping solution or a solvent. Ashing can be performed, for example, in an atmosphere containing at least one of N 2 O, O 2 and O 3 . Ashing is roughly divided into plasma ashing (or corona discharge treatment) in which any of the above-mentioned atmospheric gases is converted into plasma at a high frequency and the plasma is used, and photoexcited ashing performed by irradiating the atmospheric gas with light such as ultraviolet rays. For example, a known plasma ashing device, an ashing processing device using corona discharge, a photoexcited ashing device, a UV ozone ashing device, or the like can be used. When a SiN film is formed as the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16 by the CVD method, N 2 O is used as the raw material gas, so that the apparatus can be simplified by using N 2 O for ashing. Benefits are obtained.

あるいは、光硬化性樹脂を硬化させる際に、マスク露光等の選択露光を行ってもよい。フォトマスクの遮光部に対応した領域に有機バリア層１４の開口部が形成される。したがって、例えば、基板の法線方向から見たときに突状構造体２２ａと重なる領域に遮光部を有するフォトマスクを介して光硬化樹脂層を露光することによって、突状構造体２２ａと重なる領域に開口部を有する有機バリア層１４を得ることができる。 Alternatively, when the photocurable resin is cured, selective exposure such as mask exposure may be performed. An opening of the organic barrier layer 14 is formed in a region corresponding to a light-shielding portion of the photomask. Therefore, for example, by exposing the photocurable resin layer to the region that overlaps the projecting structure 22a when viewed from the normal direction of the substrate via a photomask having a light-shielding portion, the region that overlaps the projecting structure 22a An organic barrier layer 14 having an opening can be obtained.

光硬化性樹脂を硬化させる際に、波長４００ｎｍ以下のレーザビームによって、所定の領域の光硬化性樹脂を照射することで選択露光を行うこともできる。例えば半導体レーザ素子から出射されるコヒーレントなレーザビームを用いるので、光線の直進性が高く、素子基板上にマスクを密着させることなく選択的な露光が実現する。 When the photocurable resin is cured, selective exposure can be performed by irradiating the photocurable resin in a predetermined region with a laser beam having a wavelength of 400 nm or less. For example, since a coherent laser beam emitted from a semiconductor laser element is used, the straightness of the light beam is high, and selective exposure can be realized without having a mask adhere to the element substrate.

また、特定の領域に選択的に赤外線を照射することによって、その領域に光硬化樹脂層が形成されないようにすることもできる。有機バリア層１４を形成する工程は、基板上に光硬化性樹脂の液膜を形成する工程Ａと、突状構造体２２ａと重なる第１領域に選択的に例えば赤外線を照射することによって、第１領域内の光硬化性樹脂を気化させる工程Ｂと、工程Ｂの後で、光硬化性樹脂が感光性を有する光（例えば紫外線）を基板上の第１領域を含む第２領域（例えば基板の全面）に照射し、第２領域内の光硬化性樹脂を硬化させることによって、光硬化樹脂層を得る工程Ｃとを包含してもよい。赤外線に代えて、また、赤外線とともに照射する可視光の波長は５５０ｎｍ超が好ましい。突状構造体２２ａを、熱容量の大きな材料で形成してもよい。 Further, by selectively irradiating a specific region with infrared rays, it is possible to prevent the photocurable resin layer from being formed in that region. The step of forming the organic barrier layer 14 is a step A of forming a liquid film of a photocurable resin on a substrate and a first step of selectively irradiating, for example, infrared rays to a first region overlapping the projecting structure 22a. Step B for vaporizing the photocurable resin in one region, and after step B, a second region (for example, a substrate) including a first region on the substrate for light (for example, ultraviolet rays) to which the photocurable resin has photosensitivity. The entire surface of the photo-curable resin may be irradiated to cure the photo-curable resin in the second region to obtain a photo-curable resin layer. The wavelength of visible light irradiated with infrared rays instead of infrared rays is preferably more than 550 nm. The projecting structure 22a may be formed of a material having a large heat capacity.

突状構造体２２ａの表面（例えば頂部および側面）が、光硬化性樹脂に対して撥液性を有してもよい。例えばフォトリソグラフィプロセスを使って、シランカップリング剤を用いて、突状構造体２２ａの表面の特定の領域を疎水性に改質してもよい。あるいは、突状構造体２２ａを、光硬化性樹脂に対して撥液性を有する樹脂材料で形成してもよい。 The surface (eg, top and sides) of the projecting structure 22a may be liquid repellent to the photocurable resin. For example, a photolithography process may be used to modify a particular region of the surface of the projecting structure 22a to be hydrophobic with a silane coupling agent. Alternatively, the projecting structure 22a may be formed of a resin material having liquid repellency against a photocurable resin.

図５（ａ）は、図２中の５Ａ−５Ａ’線に沿った断面図であり、パーティクルＰを含む部分を示している。パーティクルＰは、ＯＬＥＤ表示装置の製造プロセス中に発生する微細なゴミで、例えば、ガラスの微細な破片、金属の粒子、有機物の粒子である。マスク蒸着法を用いると、特にパーティクルＰが発生しやすい。 FIG. 5A is a cross-sectional view taken along the line 5A-5A'in FIG. 2, and shows a portion including particles P. The particles P are fine dust generated during the manufacturing process of the OLED display device, for example, fine pieces of glass, metal particles, and organic particles. When the mask vapor deposition method is used, particles P are particularly likely to be generated.

図５（ａ）に示すように、有機バリア層（中実部）１４は、パーティクルＰの周辺に形成された部分１４ｂを含む。これは、第１無機バリア層１２を形成した後に付与されたアクリルモノマーが、パーティクルＰ上の第１無機バリア層１２ａの表面（テーパー角が９０°超）の周辺に凝縮され、偏在するからである。第１無機バリア層１２の平坦部上は、有機バリア層１４の開口部（非中実部）となっている。 As shown in FIG. 5A, the organic barrier layer (solid portion) 14 includes a portion 14b formed around the particles P. This is because the acrylic monomer added after forming the first inorganic barrier layer 12 is condensed and unevenly distributed around the surface (taper angle of more than 90 °) of the first inorganic barrier layer 12a on the particles P. is there. The flat portion of the first inorganic barrier layer 12 is an opening (non-solid portion) of the organic barrier layer 14.

ここで、図６（ａ）〜（ｃ）を参照して、パーティクルＰを含む部分の構造を説明する。図６（ａ）は図５（ａ）のパーティクルＰを含む部分の拡大図であり、図６（ｂ）はパーティクルＰと、パーティクルＰを覆う第１無機バリア層（ＳｉＮ層）１２と、有機バリア層１４との大きさの関係を示す模式的な平面図であり、図６（ｃ）はパーティクルＰを覆う第１無機バリア層１２の模式的な断面図である。 Here, the structure of the portion including the particles P will be described with reference to FIGS. 6A to 6C. 6 (a) is an enlarged view of a portion including the particles P of FIG. 5 (a), and FIG. 6 (b) shows the particles P, the first inorganic barrier layer (SiN layer) 12 covering the particles P, and organic. 6 is a schematic plan view showing the size relationship with the barrier layer 14, and FIG. 6C is a schematic cross-sectional view of the first inorganic barrier layer 12 covering the particles P.

図６（ｃ）に示すように、パーティクル（例えば直径が約１μｍ以上）Ｐが存在すると、第１無機バリア層１２に欠陥（クラック）１２ｃが形成されることがある。これは、パーティクルＰの表面から成長するＳｉＮ層１２ａと、ＯＬＥＤ３の表面の平坦部分から成長するＳｉＮ層１２ｂとが衝突（インピンジ）するために生じたと考えられる。この欠陥１２ｃは、（膜）密度が低い部分であり、極端な場合にはクラック１２ｃとなることもある。このような欠陥１２ｃが存在すると、ＴＦＥ構造１０Ａのバリア性が低下する。 As shown in FIG. 6C, the presence of particles (for example, a diameter of about 1 μm or more) P may form defects (cracks) 12c in the first inorganic barrier layer 12. It is considered that this is caused by the collision (impingement) between the SiN layer 12a growing from the surface of the particles P and the SiN layer 12b growing from the flat portion of the surface of the OLED3. This defect 12c is a portion having a low (film) density, and in an extreme case, it may become a crack 12c. The presence of such a defect 12c reduces the barrier property of the TFE structure 10A.

ＯＬＥＤ表示装置１００ＡのＴＦＥ構造１０Ａでは、図６（ａ）に示すように、有機バリア層１４が、第１無機バリア層１２の欠陥１２ｃを充填するように形成し、かつ、有機バリア層１４の表面は、パーティクルＰ上の第１無機バリア層１２ａの表面と、ＯＬＥＤ３の平坦部上の第１無機バリア層１２ｂとの表面を連続的に滑らかに連結する。有機バリア層１４は、後述するように、液状の光硬化性樹脂を硬化することによって形成されるので、表面張力によって凹状の表面を形成する。このとき、光硬化性樹脂は、第１無機バリア層１２に対して良好な濡れ性を示している。光硬化性樹脂の第１無機バリア層１２に対する濡れ性が悪いと、逆に凸状になることがある。なお、有機バリア層１４がパーティクルＰ上の第１無機バリア層１２ａの表面にも薄く形成されることがある。 In the TFE structure 10A of the OLED display device 100A, as shown in FIG. 6A, the organic barrier layer 14 is formed so as to fill the defect 12c of the first inorganic barrier layer 12, and the organic barrier layer 14 is formed. As for the surface, the surface of the first inorganic barrier layer 12a on the particles P and the surface of the first inorganic barrier layer 12b on the flat portion of the OLED 3 are continuously and smoothly connected. Since the organic barrier layer 14 is formed by curing a liquid photocurable resin, as will be described later, a concave surface is formed by surface tension. At this time, the photocurable resin exhibits good wettability with respect to the first inorganic barrier layer 12. If the photocurable resin has poor wettability with respect to the first inorganic barrier layer 12, it may become convex on the contrary. The organic barrier layer 14 may also be thinly formed on the surface of the first inorganic barrier layer 12a on the particles P.

凹状の表面を有する有機バリア層（中実部）１４によって、パーティクルＰ上の第１無機バリア層１２ａの表面と、平坦部上の第１無機バリア層１２ｂとの表面が連続的に滑らかに連結されるので、この上に、欠陥の無い、緻密な膜で第２無機バリア層１６を形成することができる。このように、有機バリア層１４によって、パーティクルＰが存在しても、ＴＦＥ構造１０Ａのバリア性を維持することができる。 The surface of the first inorganic barrier layer 12a on the particles P and the surface of the first inorganic barrier layer 12b on the flat portion are continuously and smoothly connected by the organic barrier layer (solid portion) 14 having a concave surface. Therefore, the second inorganic barrier layer 16 can be formed on this with a dense film having no defects. As described above, the organic barrier layer 14 can maintain the barrier property of the TFE structure 10A even in the presence of the particles P.

有機バリア層（中実部）１４は、図６（ｂ）に示す様に、パーティクルＰの周りにリング状に形成される。法線方向から見たときの直径（面積円相当径）が例えば１μｍ程度のパーティクルＰに対して、例えば、リング状の中実部の直径（面積円相当径）Ｄoは２μｍ以上である。 As shown in FIG. 6B, the organic barrier layer (solid part) 14 is formed in a ring shape around the particles P. For example, the diameter of the ring-shaped solid portion (diameter equivalent to the area circle) Do is 2 μm or more with respect to the particles P having a diameter (diameter equivalent to the area circle) of about 1 μm when viewed from the normal direction.

ここでは、有機バリア層１４が、パーティクルＰ上に形成された第１無機バリア層１２の不連続部分にのみ形成された例について、パーティクルＰがＯＬＥＤ３上に第１無機バリア層１２を形成する前に存在していた例を説明したが、パーティクルＰは、第１無機バリア層１２上に存在することもある。この場合には、有機バリア層１４は、第１無機バリア層１２上に存在するパーティクルＰと第１無機バリア層１２との境界の不連続部分にのみ形成され、上記と同様に、ＴＦＥ構造１０Ａのバリア性を維持することができる。有機バリア層１４はパーティクルＰ上の第１無機バリア層１２ａの表面、または、パーティクルＰの表面にも薄く形成されることがある。本明細書では、これらすべての態様を含む意図で、有機バリア層１４がパーティクルＰの周辺に存在するという。 Here, in the example in which the organic barrier layer 14 is formed only in the discontinuous portion of the first inorganic barrier layer 12 formed on the particles P, before the particles P form the first inorganic barrier layer 12 on the OLED3. Although the example that was present in the above was described, the particles P may be present on the first inorganic barrier layer 12. In this case, the organic barrier layer 14 is formed only at the discontinuous portion of the boundary between the particles P existing on the first inorganic barrier layer 12 and the first inorganic barrier layer 12, and the TFE structure 10A is similarly formed above. Barrier property can be maintained. The organic barrier layer 14 may be formed thinly on the surface of the first inorganic barrier layer 12a on the particles P or on the surface of the particles P. In the present specification, the organic barrier layer 14 is said to be present around the particles P with the intention of including all these aspects.

図５（ａ）に示す例に限られず、有機バリア層（中実部）１４は、上記と同様の理由で、第１無機バリア層１２の表面の凸部の周辺にのみ形成される。有機バリア層（中実部）１４が形成される箇所の他の例を以下に示す。 Not limited to the example shown in FIG. 5A, the organic barrier layer (solid portion) 14 is formed only around the convex portion on the surface of the first inorganic barrier layer 12 for the same reason as described above. Other examples of locations where the organic barrier layer (solid part) 14 is formed are shown below.

次に、図５（ｂ）を参照して、引出し配線３０上のＴＦＥ構造１０Ａの構造を説明する。図５（ｂ）は、図２中の５Ｂ−５Ｂ’線に沿った断面図であり、引出し配線３０のアクティブ領域Ｒ１側の部分３２の断面図である。 Next, the structure of the TFE structure 10A on the lead-out wiring 30 will be described with reference to FIG. 5 (b). FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line 5B-5B'in FIG. 2, and is a cross-sectional view of a portion 32 of the drawer wiring 30 on the active region R1 side.

図５（ｂ）に示すように、有機バリア層（中実部）１４は、引出し配線３０の部分３２の断面形状を反映した第１無機バリア層１２の表面の凸部の周辺に形成された部分１４ｃを含む。 As shown in FIG. 5B, the organic barrier layer (solid portion) 14 is formed around the convex portion on the surface of the first inorganic barrier layer 12 that reflects the cross-sectional shape of the portion 32 of the drawer wiring 30. Includes portion 14c.

引出し配線３０は、例えば、ゲートバスラインまたはソースバスラインと同じプロセスでパターニングされるので、ここでは、アクティブ領域Ｒ１内に形成されるゲートバスラインおよびソースバスラインも、図５（ｂ）に示した引出し配線３０のアクティブ領域Ｒ１側の部分３２と同じ断面構造を有する。ただし、典型的には、アクティブ領域Ｒ１内に形成されるゲートバスラインおよびソースバスラインの上には平坦化層が形成され、ゲートバスラインおよびソースバスライン上の第１無機バリア層１２の表面には段差が形成されない。 Since the lead wiring 30 is patterned in the same process as, for example, the gate bus line or the source bus line, here, the gate bus line and the source bus line formed in the active region R1 are also shown in FIG. 5 (b). It has the same cross-sectional structure as the portion 32 on the active region R1 side of the lead-out wiring 30. However, typically, a flattening layer is formed on the gate bus line and the source bus line formed in the active region R1, and the surface of the first inorganic barrier layer 12 on the gate bus line and the source bus line. No step is formed in.

引出し配線３０の部分３２は、例えば、側面のテーパー角が９０°未満である順テーパー側面部分（傾斜側面部分）を有してもよい。引出し配線３０が順テーパー側面部分を有すると、その上に形成される第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６に欠陥が形成されることを防止することができる。すなわち、ＴＦＥ構造１０Ａの耐湿信頼性を向上させることができる。順テーパー側面部分のテーパー角は、７０°以下であることが好ましい。 The portion 32 of the drawer wiring 30 may have, for example, a forward tapered side surface portion (inclined side surface portion) having a side surface taper angle of less than 90 °. When the leader wiring 30 has a forward-tapered side surface portion, it is possible to prevent defects from being formed in the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16 formed on the leader wiring 30. That is, the moisture resistance reliability of the TFE structure 10A can be improved. The taper angle of the forward taper side surface portion is preferably 70 ° or less.

ＯＬＥＤ表示装置１００のアクティブ領域Ｒ１は、有機バリア層１４が選択的に形成されている部分を除いて、第１無機バリア層１２と第２無機バリア層１６とが直接接触する無機バリア層接合部によって実質的に覆われている。したがって、有機バリア層１４が水分の侵入経路となって、ＯＬＥＤ表示装置のアクティブ領域Ｒ１に水分が到達することがない。 The active region R1 of the OLED display device 100 is an inorganic barrier layer joint portion in which the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16 are in direct contact with each other, except for a portion where the organic barrier layer 14 is selectively formed. Substantially covered by. Therefore, the organic barrier layer 14 serves as an intrusion route for water, and the water does not reach the active region R1 of the OLED display device.

本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００は、例えば、高精細の中小型のスマートフォンおよびタブレット端末に好適に用いられる。高精細（例えば５００ｐｐｉ）の中小型（例えば５．７型）のＯＬＥＤ表示装置では、限られた線幅で、十分に低抵抗な配線（ゲートバスラインおよびソースバスラインを含む）を形成するために、アクティブ領域Ｒ１内における配線の線幅方向に平行な断面の形状は矩形（側面のテーパー角が約９０°）に近いことが好ましい。したがって、低抵抗な配線を形成するためには、順テーパー側面部分ＴＳＦのテーパー角を７０°超９０°未満としてもよいし、順テーパー側面部分ＴＳＦを設けず、配線の全長にわたってテーパー角を約９０°としてよい。 The OLED display device 100 according to the embodiment of the present invention is suitably used for, for example, high-definition small and medium-sized smartphones and tablet terminals. In a high-definition (for example, 500 ppi) small and medium-sized (for example, 5.7-inch) OLED display device, in order to form sufficiently low resistance wiring (including a gate bus line and a source bus line) with a limited line width. In addition, it is preferable that the shape of the cross section parallel to the line width direction of the wiring in the active region R1 is close to a rectangle (the taper angle of the side surface is about 90 °). Therefore, in order to form a low resistance wiring, the taper angle of the forward taper side surface portion TSF may be more than 70 ° and less than 90 °, or the taper angle may be reduced over the entire length of the wiring without providing the forward taper side surface portion TSF. It may be 90 °.

次に、図５（ｃ）を参照する。図５（ｃ）は、ＴＦＥ構造１０Ａが形成されていない領域の断面図である。ここでは、端子３８も、図５（ｃ）に示した引出し配線３０の部分３６と同じ断面構造を有する。図５（ｃ）に示す引出し配線３０の部分３６は、例えば、テーパー角が約９０°であってよい。 Next, refer to FIG. 5 (c). FIG. 5C is a cross-sectional view of a region where the TFE structure 10A is not formed. Here, the terminal 38 also has the same cross-sectional structure as the portion 36 of the lead-out wiring 30 shown in FIG. 5 (c). The portion 36 of the lead-out wiring 30 shown in FIG. 5C may have, for example, a taper angle of about 90 °.

図７を参照しながら、本発明の実施形態１による他のＯＬＥＤ表示装置１００Ｂの構造を説明する。図７は、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｂの模式的な断面図である。 The structure of another OLED display device 100B according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 7. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the OLED display device 100B.

図７に示すように、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｂの第２無機バリア層１６は、基板の法線方向から見たとき、突状構造体２２ａと重ならないように形成されている点において、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａと異なる。第２無機バリア層１６の外縁は、突状構造体２２ａの内側にある。 As shown in FIG. 7, the second inorganic barrier layer 16 of the OLED display device 100B is formed so as not to overlap with the projecting structure 22a when viewed from the normal direction of the substrate. Different from 100A. The outer edge of the second inorganic barrier layer 16 is inside the projecting structure 22a.

このような構造を有するＯＬＥＤ表示装置１００Ｂにおいても、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａと同様の効果が得られる。 The same effect as that of the OLED display device 100A can be obtained in the OLED display device 100B having such a structure.

なお、上述したように、アクティブ領域Ｒ１が無機バリア層接合部で完全に包囲されている限り、第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６の形状は任意であってよい。 As described above, the shapes of the first inorganic barrier layer 12 and the second inorganic barrier layer 16 may be arbitrary as long as the active region R1 is completely surrounded by the inorganic barrier layer joint.

以下で、突状構造体の変形例を説明する。以下で例示するＯＬＥＤ表示装置１００Ｃ〜１００Ｅは、突状構造体に特徴を有する。ＯＬＥＤ表示装置１００Ｃ〜１００Ｅは、上述のＯＬＥＤ表示装置のいずれにも適用できる。 A modified example of the protruding structure will be described below. The OLED display devices 100C to 100E illustrated below are characterized by a protruding structure. The OLED display devices 100C to 100E can be applied to any of the above-mentioned OLED display devices.

図８および図９を参照しながら、本発明の実施形態１によるさらに他のＯＬＥＤ表示装置１００Ｃの構造を説明する。図８は、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｃの模式的な平面図であり、図９は、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｃの模式的な断面図である。なお、簡単のため、図９においては無機バリア層に生じたクラックおよび欠陥の図示を省略している。 The structure of still another OLED display device 100C according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG. 8 is a schematic plan view of the OLED display device 100C, and FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the OLED display device 100C. For the sake of simplicity, the illustration of cracks and defects generated in the inorganic barrier layer is omitted in FIG.

図８および図９に示すように、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｃは、突状構造体２２ａ（「第１突状構造体２２ａ」ということがある。）とアクティブ領域Ｒ１との間に、アクティブ領域Ｒ１の少なくとも１つの辺に沿って延びる部分を含む突状構造体２２ｂ（「第２突状構造体２２ｂ」ということがある。）をさらに有する点において、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａと異なる。 As shown in FIGS. 8 and 9, the OLED display device 100C has an active region R1 between the protruding structure 22a (sometimes referred to as “first protruding structure 22a”) and the active region R1. It differs from the OLED display device 100A in that it further has a projecting structure 22b (sometimes referred to as a "second projecting structure 22b") including a portion extending along at least one side.

ＯＬＥＤ表示装置１００Ｃは、第１突状構造体２２ａおよび第２突状構造体２２ｂを有することで、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａよりもさらに効果的にクラックがアクティブ領域Ｒ１に達することを防ぐことができる。 By having the first protruding structure 22a and the second protruding structure 22b, the OLED display device 100C can prevent cracks from reaching the active region R1 more effectively than the OLED display device 100A.

第１突状構造体２２ａおよび第２突状構造体２２ｂは、それぞれ、アクティブ領域Ｒ１の４つの辺のうち、複数の端子が設けられている辺を除く３つの辺に沿って延びる部分を含む。ここでは、第１突状構造体２２ａおよび第２突状構造体２２ｂは、互いに略平行に延びる部分を含む。 The first projecting structure 22a and the second projecting structure 22b each include a portion of the four sides of the active region R1 extending along three sides excluding the side provided with a plurality of terminals. .. Here, the first protruding structure 22a and the second protruding structure 22b include a portion extending substantially parallel to each other.

第１突状構造体２２ａおよび第２突状構造体２２ｂが設けられている領域の幅Ｄｃは例えば数１００μｍ程度である。従って、第１突状構造体２２ａおよび第２突状構造体２２ｂを有してもＯＬＥＤ表示装置の狭額縁化に大きく影響を与えない。 The width Dc of the region where the first protruding structure 22a and the second protruding structure 22b are provided is, for example, about several hundred μm. Therefore, even if the first protruding structure 22a and the second protruding structure 22b are provided, the narrowing of the frame of the OLED display device is not significantly affected.

第１突状構造体２２ａおよび第２突状構造体２２ｂの断面形状は、それぞれ、上述した条件を満たすことが好ましい。第１突状構造体２２ａおよび第２突状構造体２２ｂの断面形状は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。 It is preferable that the cross-sectional shapes of the first projecting structure 22a and the second projecting structure 22b satisfy the above-mentioned conditions, respectively. The cross-sectional shapes of the first protruding structure 22a and the second protruding structure 22b may be the same or different.

図９に示すように、アクティブ領域Ｒ１から遠い方の第１突状構造体２２ａの高さは、アクティブ領域Ｒ１から近い方の第２突状構造体２２ｂの高さよりも大きくてもよい。この場合、第１突状構造体２２ａは、上述したようにスペーサを兼ねることができる。 As shown in FIG. 9, the height of the first protruding structure 22a far from the active region R1 may be larger than the height of the second protruding structure 22b closer to the active region R1. In this case, the first projecting structure 22a can also serve as a spacer as described above.

本実施形態のＯＬＥＤ表示装置は、３個以上の突状構造体を有してももちろんよい。 Of course, the OLED display device of the present embodiment may have three or more projecting structures.

図１０を参照しながら、本発明の実施形態１によるさらに他のＯＬＥＤ表示装置１００Ｄの構造を説明する。図１０は、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｄの模式的な平面図である。 The structure of still another OLED display device 100D according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a schematic plan view of the OLED display device 100D.

図１０に示すように、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｄが有する突状構造体２２Ｄは、複数のサブ構造体２２ｓ１、２２ｓ２、２２ｓ３、２２ｓ４、および２２ｓ５を含む。複数のサブ構造体２２ｓ１〜２２ｓ５をあわせて突状構造体２２Ｄということがある。突状構造体２２Ｄは、アクティブ領域Ｒ１のｙ軸方向に延びる辺のそれぞれに沿って延びるサブ構造体２２ｓ１および２２ｓ３と、アクティブ領域Ｒ１のｘ軸方向に延びる辺のうちの、複数の端子３８および複数の引出し配線３０が設けられていない辺に沿って延びるサブ構造体２２ｓ２と、アクティブ領域Ｒ１のｘ軸方向に延びる辺のうちの、複数の端子３８および複数の引出し配線３０が設けられている辺に沿って延びるサブ構造体２２ｓ４および２２ｓ５とを有する。 As shown in FIG. 10, the projecting structure 22D included in the OLED display device 100D includes a plurality of substructures 22s1, 22s2, 22s3, 22s4, and 22s5. A plurality of substructures 22s1 to 22s5 may be collectively referred to as a projecting structure 22D. The projecting structure 22D includes substructures 22s1 and 22s3 extending along the y-axis side of the active region R1, and a plurality of terminals 38 and a plurality of terminals 38 of the x-axis side of the active region R1. A plurality of terminals 38 and a plurality of drawer wires 30 are provided among the substructure 22s2 extending along the side where the plurality of drawer wires 30 are not provided and the side extending in the x-axis direction of the active region R1. It has substructures 22s4 and 22s5 extending along the sides.

図１１を参照しながら、本発明の実施形態１によるさらに他のＯＬＥＤ表示装置１００Ｅの構造を説明する。図１１は、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｅの模式的な平面図である。 The structure of still another OLED display device 100E according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a schematic plan view of the OLED display device 100E.

図１１に示すように、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｅが有する突状構造体２２Ｅは、複数のサブ構造体２２ｐを含む。複数のサブ構造体２２ｐを総称して突状構造体２２Ｅということがある。複数のサブ構造体２２ｐは、複数の端子３８が設けられている部分を除いて、分断線ＣＬとアクティブ領域Ｒ１の外縁とを結ぶ線を遮るように配置されている。 As shown in FIG. 11, the projecting structure 22E included in the OLED display device 100E includes a plurality of substructures 22p. The plurality of substructures 22p may be collectively referred to as a protruding structure 22E. The plurality of substructures 22p are arranged so as to block the line connecting the dividing line CL and the outer edge of the active region R1 except for the portion where the plurality of terminals 38 are provided.

基板の法線方向から見たときの複数のサブ構造体２２ｐのそれぞれの平面形状は、任意であってよい。２以上のサブ構造体２２ｐを互いに連結してもよい。また、サブ構造体２２ｐの上面の大きさは、実質的に等しくてもよいし、異なってもよい。同じ平面形状で同じ大きさのサブ構造体とすれば、例えば、フォトリソグラフィプロセスを用いて突状構造体２２Ｅを形成する際のフォトマスクを単純にできるというメリットが得られる。 The planar shape of each of the plurality of substructures 22p when viewed from the normal direction of the substrate may be arbitrary. Two or more substructures 22p may be connected to each other. Further, the size of the upper surface of the substructure 22p may be substantially the same or different. If the substructures have the same planar shape and the same size, there is an advantage that, for example, a photomask when forming the projecting structure 22E by using a photolithography process can be simplified.

（実施形態２）
本実施形態のＯＬＥＤ表示装置は、薄膜封止構造の構成において、先の実施形態と異なる。本実施形態のＯＬＥＤ表示装置は、薄膜封止構造に特徴を有する。本実施形態の薄膜封止構造は、上述のＯＬＥＤ表示装置のいずれにも適用できる。 (Embodiment 2)
The OLED display device of this embodiment is different from the previous embodiment in the configuration of the thin film sealing structure. The OLED display device of the present embodiment is characterized by a thin film sealing structure. The thin film sealing structure of the present embodiment can be applied to any of the above-mentioned OLED display devices.

図１２は、本発明の実施形態２のＯＬＥＤ表示装置が有するＴＦＥ構造１０Ｂを模式的に示す断面図である。先の実施形態においては、ＴＦＥ構造１０Ａを構成する有機バリア層１４が、離散的に分布する複数の中実部を有する。本実施形態のＯＬＥＤ表示装置が有するＴＦＥ構造１０Ｂは、図１２に示すように、比較的厚い有機バリア層１４（例えば、厚さ約５μｍ超約２０μｍ以下）を有する。比較的厚い有機バリア層１４は、例えば素子基板に形成されたそれぞれのＯＬＥＤ表示装置部のアクティブ領域を覆うように形成されている。 FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a TFE structure 10B included in the OLED display device according to the second embodiment of the present invention. In the previous embodiment, the organic barrier layer 14 constituting the TFE structure 10A has a plurality of discretely distributed solid portions. As shown in FIG. 12, the TFE structure 10B included in the OLED display device of the present embodiment has a relatively thick organic barrier layer 14 (for example, a thickness of more than about 5 μm and about 20 μm or less). The relatively thick organic barrier layer 14 is formed so as to cover the active region of each OLED display unit formed on the device substrate, for example.

図１２において、第１無機バリア層１２または第２無機バリア層１６を成膜する前から存在するパーティクルをＰ１で表し、第１無機バリア層１２または第２無機バリア層１６を成膜している間に発生するパーティクルをＰ２で表すことにする。 In FIG. 12, particles existing before the first inorganic barrier layer 12 or the second inorganic barrier layer 16 is formed are represented by P1, and the first inorganic barrier layer 12 or the second inorganic barrier layer 16 is formed. The particles generated in between are represented by P2.

第１無機バリア層１２を成膜する前から存在していたパーティクルＰ１上に第１無機バリア層１２を成膜すると、パーティクルＰ１の表面から成長する部分１２ａと、ＯＬＥＤ３の平坦部分から成長する部分１２ｂとが衝突し、欠陥１２ｃが形成される。同様に、第２無機バリア層１６を成膜する過程でパーティクルＰ２が発生すると、第２無機バリア層１６に欠陥（例えばクラック）１６ｃが形成される。なお、パーティクルＰ２は、第２無機バリア層１６の成膜中に発生するので、パーティクルＰ２上に形成される第２無機バリア層１６の部分１６ａの厚さは、平坦部上に形成される部分１６ｂの厚さよりも小さく図示している。 When the first inorganic barrier layer 12 is formed on the particles P1 that existed before the first inorganic barrier layer 12 is formed, the portion 12a that grows from the surface of the particles P1 and the portion that grows from the flat portion of the OLED 3 It collides with 12b and a defect 12c is formed. Similarly, when particles P2 are generated in the process of forming the second inorganic barrier layer 16, defects (for example, cracks) 16c are formed in the second inorganic barrier layer 16. Since the particles P2 are generated during the film formation of the second inorganic barrier layer 16, the thickness of the portion 16a of the second inorganic barrier layer 16 formed on the particles P2 is a portion formed on the flat portion. It is shown smaller than the thickness of 16b.

このような比較的厚い有機バリア層１４は、例えばインクジェット法を用いて形成することができる。インクジェット法などの印刷法を用いて有機バリア層を形成する場合、有機バリア層は、素子基板上のアクティブ領域にのみ形成され、突状構造体と重なる領域には形成されないようにすることができる。 Such a relatively thick organic barrier layer 14 can be formed, for example, by using an inkjet method. When the organic barrier layer is formed by using a printing method such as an inkjet method, the organic barrier layer can be formed only in the active region on the device substrate and not in the region overlapping the protruding structure. ..

本発明の実施形態は、有機ＥＬ表示装置、特にフレキシブルな有機ＥＬ表示装置およびその製造方法に適用され得る。 Embodiments of the present invention can be applied to organic EL display devices, particularly flexible organic EL display devices and methods for manufacturing the same.

１ ：基板（フレキシブル基板）
２ ：バックプレーン（回路）
３ ：有機ＥＬ素子
４ ：偏光板
１０、１０Ａ、１０Ｂ ：薄膜封止構造（ＴＦＥ構造）
１２ ：第１無機バリア層
１４ ：有機バリア層
１６ ：第２無機バリア層
２２ａ、２２ｂ、２２Ｄ、２２Ｅ ：突状構造体
３０ ：引出し配線
３８ ：端子
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ ：有機ＥＬ表示装置
２００Ａ ：マザーパネル 1: Substrate (flexible substrate)
2: Backplane (circuit)
3: Organic EL element 4: Polarizing plate 10, 10A, 10B: Thin film sealing structure (TFE structure)
12: First inorganic barrier layer 14: Organic barrier layer 16: Second inorganic barrier layer 22a, 22b, 22D, 22E: Protruding structure 30: Drawer wiring 38: Terminals 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E: Organic EL display device 200A: Mother panel

Claims (11)

複数の有機ＥＬ素子を含むアクティブ領域と、前記アクティブ領域以外の領域に位置する周辺領域とを有する有機ＥＬデバイスであって、
基板と、前記基板に支持された前記複数の有機ＥＬ素子とを有する素子基板と、前記複数の有機ＥＬ素子を覆う薄膜封止構造とを有し、
前記薄膜封止構造は、第１無機バリア層と、前記第１無機バリア層の上面に接する有機バリア層と、前記第１無機バリア層の前記上面および前記有機バリア層の上面に接する第２無機バリア層とを有し、
前記周辺領域は、
前記基板に支持された、前記アクティブ領域の少なくとも１つの辺に沿って延びる部分を含む第１突状構造体と、
前記アクティブ領域と前記第１突状構造体との間に配置され、前記アクティブ領域の少なくとも１つの辺に沿って延びる部分を含む第２突状構造体と、
前記第１突状構造体の上に延設された、前記第１無機バリア層の延設部と
を有し、
前記第１突状構造体の高さは前記第１無機バリア層の厚さよりも大きく、
前記有機バリア層は、離散的に分布する複数の中実部を有し、
前記第２無機バリア層は、前記第１無機バリア層の前記上面および前記有機バリア層の前記複数の中実部の上面に接し、
前記第１突状構造体のうち、前記アクティブ領域の前記少なくとも１つの辺のうちの第１辺に沿って延びる第１部分は、間隙を介して隣接する複数の第１サブ構造体を含み、
前記第２突状構造体のうち、前記アクティブ領域の前記第１辺に沿って延びる第２部分は、間隙を介して隣接する複数の第２サブ構造体を含み、
前記第１突状構造体は前記第１無機バリア層と直接接し、
前記第１突状構造体の側面で、前記第１無機バリア層と前記第２無機バリア層とが直接接し、
前記第２突状構造体は前記第１無機バリア層と直接接し、
前記第２突状構造体の側面で、前記第１無機バリア層と前記第２無機バリア層とが直接接する、有機ＥＬデバイス。 An organic EL device having an active region including a plurality of organic EL elements and a peripheral region located in a region other than the active region.
It has an element substrate having a substrate, the plurality of organic EL elements supported by the substrate, and a thin film sealing structure covering the plurality of organic EL elements.
The thin film sealing structure includes a first inorganic barrier layer, an organic barrier layer in contact with the upper surface of the first inorganic barrier layer, and a second inorganic material in contact with the upper surface of the first inorganic barrier layer and the upper surface of the organic barrier layer. Has a barrier layer and
The peripheral area
A first projecting structure supported by the substrate and including a portion extending along at least one side of the active region.
A second protruding structure arranged between the active region and the first protruding structure and including a portion extending along at least one side of the active region.
It has an extension portion of the first inorganic barrier layer extending over the first protruding structure.
The height of the first protruding structure is larger than the thickness of the first inorganic barrier layer.
The organic barrier layer has a plurality of discretely distributed solid parts.
The second inorganic barrier layer is in contact with the upper surface of the first inorganic barrier layer and the upper surface of the plurality of solid portions of the organic barrier layer.
A first portion of the first projecting structure extending along the first side of at least one side of the active region comprises a plurality of adjacent first substructures across a gap.
Of the second projecting structure, a second portion extending along the first side of the active region, saw including a plurality of second sub-structures adjacent to each other via a gap,
The first protruding structure is in direct contact with the first inorganic barrier layer and is in direct contact with the first inorganic barrier layer.
On the side surface of the first projecting structure, the first inorganic barrier layer and the second inorganic barrier layer are in direct contact with each other.
The second projecting structure is in direct contact with the first inorganic barrier layer and is in direct contact with the first inorganic barrier layer.
An organic EL device in which the first inorganic barrier layer and the second inorganic barrier layer are in direct contact with each other on the side surface of the second protruding structure . 前記第１突状構造体が延びる方向と直交する断面において、前記第１突状構造体の頂部の幅は１０μｍ以下である、請求項１に記載の有機ＥＬデバイス。 The organic EL device according to claim 1, wherein the width of the top of the first protruding structure is 10 μm or less in a cross section orthogonal to the extending direction of the first protruding structure. 前記第１突状構造体が延びる方向と直交する断面において、前記第１突状構造体の側面のテーパー角は８０°以上である、請求項１または２に記載の有機ＥＬデバイス。 The organic EL device according to claim 1 or 2, wherein the taper angle of the side surface of the first protruding structure is 80 ° or more in a cross section orthogonal to the extending direction of the first protruding structure. 前記第１突状構造体が延びる方向と直交する断面において、前記第１突状構造体の頂部の幅は、前記第１無機バリア層の厚さおよび前記第２無機バリア層の厚さの和の半分未満である、請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。 In a cross section orthogonal to the extending direction of the first protruding structure, the width of the top of the first protruding structure is the sum of the thickness of the first inorganic barrier layer and the thickness of the second inorganic barrier layer. The organic EL device according to any one of claims 1 to 3, which is less than half of the above. 前記周辺領域は、前記第１無機バリア層の前記延設部の上に形成された、前記第２無機バリア層の延設部を有する、請求項１から４のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。 The organic EL device according to any one of claims 1 to 4, wherein the peripheral region has an extension portion of the second inorganic barrier layer formed on the extension portion of the first inorganic barrier layer. .. 前記基板の法線方向から見たとき、前記第１無機バリア層は、前記第１突状構造体の全てを覆っている、請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。 The organic EL device according to any one of claims 1 to 5, wherein the first inorganic barrier layer covers all of the first projecting structure when viewed from the normal direction of the substrate. 前記第１突状構造体は、前記アクティブ領域の３つの辺に沿って延びる部分を含む、請求項１から６のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。 The organic EL device according to any one of claims 1 to 6, wherein the first protruding structure includes a portion extending along three sides of the active region. 前記素子基板は、それぞれが前記複数の有機ＥＬ素子のいずれかに接続された複数のゲートバスラインと、それぞれが前記複数の有機ＥＬ素子のいずれかに接続された複数のソースバスラインとを有し、
前記周辺領域は、前記アクティブ領域のある辺の近傍の領域に設けられた複数の端子と、前記複数の端子と前記複数のゲートバスラインまたは前記複数のソースバスラインのいずれかとを接続する複数の引出し配線とを有し、
前記第１突状構造体は、前記アクティブ領域の前記ある辺以外の３つの辺に沿って延びる部分を含む、請求項１から７のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。 The element substrate has a plurality of gate bus lines each connected to any of the plurality of organic EL elements, and a plurality of source bus lines each connected to any of the plurality of organic EL elements. And
The peripheral region includes a plurality of terminals provided in a region near a side of the active region, and a plurality of terminals connecting the plurality of terminals with either the plurality of gate bus lines or the plurality of source bus lines. Has a drawer wiring and
The organic EL device according to any one of claims 1 to 7, wherein the first projecting structure includes a portion extending along three sides other than the certain side of the active region. 複数の有機ＥＬ素子を含むアクティブ領域と、前記アクティブ領域以外の領域に位置する周辺領域とを有する有機ＥＬデバイスであって、
基板と、前記基板に支持された前記複数の有機ＥＬ素子とを有する素子基板と、前記複数の有機ＥＬ素子を覆う薄膜封止構造とを有し、
前記薄膜封止構造は、第１無機バリア層と、前記第１無機バリア層の上面に接する有機バリア層と、前記第１無機バリア層の前記上面および前記有機バリア層の上面に接する第２無機バリア層とを有し、
前記周辺領域は、前記基板に支持された、前記アクティブ領域の少なくとも１つの辺に沿って延びる部分を含む第１突状構造体と、前記第１突状構造体の上に延設された、前記第１無機バリア層の延設部とを有し、前記第１突状構造体の高さは前記第１無機バリア層の厚さよりも大きく、
前記基板の法線方向から見たとき、前記第２無機バリア層は、前記第１突状構造体と重ならず、
前記基板の法線方向から見たとき、前記第１無機バリア層は、前記第１突状構造体の全てを覆っている、有機ＥＬデバイス。 An organic EL device having an active region including a plurality of organic EL elements and a peripheral region located in a region other than the active region.
It has an element substrate having a substrate, the plurality of organic EL elements supported by the substrate, and a thin film sealing structure covering the plurality of organic EL elements.
The thin film sealing structure includes a first inorganic barrier layer, an organic barrier layer in contact with the upper surface of the first inorganic barrier layer, and a second inorganic material in contact with the upper surface of the first inorganic barrier layer and the upper surface of the organic barrier layer. Has a barrier layer and
The peripheral region extends over the first protruding structure and the first protruding structure, which includes a portion supported by the substrate and extending along at least one side of the active region. It has an extended portion of the first inorganic barrier layer, and the height of the first protruding structure is larger than the thickness of the first inorganic barrier layer.
When viewed from the normal direction of the substrate, the second inorganic barrier layer does not overlap with the first protruding structure.
An organic EL device in which the first inorganic barrier layer covers all of the first projecting structure when viewed from the normal direction of the substrate. 請求項１から９のいずれかに記載の有機ＥＬデバイスを製造する方法であって、
前記素子基板を用意する工程は、前記基板上に前記第１突状構造体を形成する工程ａ１を包含し、
前記薄膜封止構造を形成する工程は、
前記第１突状構造体の上に、前記第１突状構造体の少なくとも一部を覆うように、前記第１突状構造体の高さよりも小さい厚さを有する前記第１無機バリア層を形成する工程Ａと、
前記工程Ａの後で、前記第１無機バリア層の上に前記有機バリア層を形成する工程Ｂと、
前記工程Ｂの後で、前記第１無機バリア層および前記有機バリア層の上に、前記第２無機バリア層を形成する工程Ｃと
を包含する、製造方法。 The method for manufacturing an organic EL device according to any one of claims 1 to 9.
The step of preparing the element substrate includes the step a1 of forming the first projecting structure on the substrate.
The step of forming the thin film sealing structure is
On the first protruding structure, the first inorganic barrier layer having a thickness smaller than the height of the first protruding structure is provided so as to cover at least a part of the first protruding structure. Step A to form and
After the step A, a step B of forming the organic barrier layer on the first inorganic barrier layer and a step B
A production method comprising the step C of forming the second inorganic barrier layer on the first inorganic barrier layer and the organic barrier layer after the step B. 前記素子基板を用意する工程は、それぞれが前記複数の有機ＥＬ素子のいずれかを有する複数の画素のそれぞれを規定するバンク層を形成する工程ａ２をさらに包含し、
前記工程ａ１および前記工程ａ２は、同じ樹脂膜をパターニングすることによって行われる、請求項１０に記載の製造方法。 The step of preparing the element substrate further includes the step a2 of forming a bank layer in which each of the plurality of pixels having any one of the plurality of organic EL elements is defined.
The manufacturing method according to claim 10, wherein the step a1 and the step a2 are performed by patterning the same resin film.
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