JP6750672B2 - ガス観測方法 - Google Patents
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Description
本発明はガス観測方法に関するものであり、例えば、赤外線撮像装置で得た画像によりガスを検知するガス観測方法に関するものである。
近年、石油化学プラント,ガス製造工場,発電所等のようなガス消費場所において、設備の老朽化に伴うガス漏れ事故発生の危険性が高まっている。そのため、ガス漏れを察知して速やかに対処することを目的に、かかる工場等ではガス漏れが起きそうな箇所を中心にガス検知器が多数設置されている。しかしながら、ガス検知器は、その感知部分にガスが接触した時に発報するようにできているため、ガス検知器とガス検知器との間の空間に存在するガスを検知することができない。
これに対し、ガスの存在を検知する別の手法として赤外線撮像装置を用いた方法が、特許文献1,2や非特許文献1で提案されている。その方法では、背景からの主に赤外領域の光放射(あらゆる物体から放射されている黒体放射と呼ばれるもの)と、ガスの赤外領域の光吸収特性と、を利用する。つまり、ガスの存在によって、その背景からの赤外線量が変化することを利用して、ガスの存在を検知するのである。この方法によると、2次元的なガス存在領域の空間分布が画像として検知できるため、多数の検知装置がなくてもガス検知が可能であり、画像解析等の手法によって漏れ元の特定も可能である。
Harig, R., Matz, G., Rusch, P., Gerhard, J.-H., Schafer, K., Jahn, C., Schwengler, P., Beil, A.: "Remote Detection of Methane by Infrared Spectrometry for Airborne Pipeline Surveillance: First Results of Ground-Based Measurements", SPIE 5235, 435-446, 2004.
上述の赤外線撮像装置を用いた方法で得られる情報は、ガスの濃度と撮像装置の視線方向のガス領域の厚さとの積、すなわち濃度厚み積の空間分布である。赤外線変化量から濃度厚み積の空間分布を検出するわけであるが、非特許文献1に示されているように、赤外線変化量はガスの温度にも依存するという特徴を持っている。このため、濃度厚み積の空間分布を検出するにはガス温度の情報が必要となる。
赤外線変化量にガス温度の情報を加味して濃度厚み積を算出するには、ガス温度情報を赤外線量で取得する必要がある。具体的には、赤外線撮像装置で電磁波強度として得られる輝度データの形でガス温度情報を取得する必要がある。つまり、気温データを輝度データに変換する必要がある。一般に、気温は気温計を用いて計測され、計測された気温データを輝度データに変換するには変換式が用いられる。
しかしながら、気温計には一般的な誤差があるため、機体ごとに0.1℃〜0.5℃程度のバラツキが生じる。また、用いる赤外線撮像装置の特性バラツキも存在するため、気温データから輝度データへの変換式を使った変換工程にも誤差が生じる。このため、従来の技術では気温データを正確に輝度データに変換することができない。さらには、ガス温度を正確にとらえようとして、ガス漏洩の危険性が予測される箇所の近辺に気温計を設置する場合、設置箇所が多数になってくると、気温データの伝送のための配線や電源配線が必要になるため、敷設コストだけでなく、装置劣化や故障に対応するためのメンテナンスコストもかかってくる。
特許文献2には、気温を測定せずに濃度厚み積を測定する方法が提案されているが、この方法が適用できるのは相異なる2つの赤外輝度を持つ背景の前方に、同じ濃度厚み積を持つガスが存在した場合だけである。通常はガスの濃度厚み積分布は一様でないので、撮像装置内の視野の広い範囲にわたってこの方法を適用することはできず、相異なる2つの赤外輝度を持つ背景の境界線近傍のみに適用可能となる。このため、ガスの濃度厚み積の空間分布を正確に求めることは困難である。
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであって、その目的は、観測対象ガスの濃度厚み積の空間分布情報を高精度に取得することの可能なガス観測方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、第1の発明のガス観測方法は、物体表面が放射又は反射する電磁波のうち、特定波長帯の電磁波に対して感度を有し、前記特定波長帯の電磁波からなる光学像を輝度情報として取得する撮像装置で、観測対象ガスとその背景の輝度情報を取得することにより、観測対象空間における前記観測対象ガスの存在を検知するガス観測方法であって、
前記背景から放射された前記特定波長帯の電磁波からなる光学像を第1輝度情報として取得する工程と、
前記背景から放射され前記観測対象ガスを通して観測された前記特定波長帯の電磁波からなる光学像を第2輝度情報として取得する工程と、
前記背景と前記撮像装置との間に、前記特定波長帯の電磁波を透過可能であり、温度が気温と同じである光学部材を配置し、前記光学部材を通さずに取得した前記光学像の輝度情報と、前記光学部材を通して取得した前記光学像の輝度情報と、を用いて、前記観測対象空間又はその近傍の気温に相当し、かつ、前記特定波長帯における黒体放射の電磁波からなる光学像を第3輝度情報として取得する工程と、
前記第1〜第3輝度情報を用いて前記観測対象ガスの濃度厚み積の空間分布情報を取得する工程と、
を有することを特徴とする。
前記背景から放射された前記特定波長帯の電磁波からなる光学像を第1輝度情報として取得する工程と、
前記背景から放射され前記観測対象ガスを通して観測された前記特定波長帯の電磁波からなる光学像を第2輝度情報として取得する工程と、
前記背景と前記撮像装置との間に、前記特定波長帯の電磁波を透過可能であり、温度が気温と同じである光学部材を配置し、前記光学部材を通さずに取得した前記光学像の輝度情報と、前記光学部材を通して取得した前記光学像の輝度情報と、を用いて、前記観測対象空間又はその近傍の気温に相当し、かつ、前記特定波長帯における黒体放射の電磁波からなる光学像を第3輝度情報として取得する工程と、
前記第1〜第3輝度情報を用いて前記観測対象ガスの濃度厚み積の空間分布情報を取得する工程と、
を有することを特徴とする。
第2の発明のガス観測方法は、上記第1の発明において、前記特定波長帯のうち前記観測対象ガスが吸収する波長帯を含まない波長域において、前記背景から放射された電磁波からなる光学像を第4輝度情報として取得し、その第4輝度情報から補正係数を算出し、その補正係数で第4輝度情報を補正することにより、前記第1輝度情報を取得することを特徴とする。
第3の発明のガス観測方法は、上記第1又は第2の発明において、前記第3輝度情報の取得に用いられる輝度情報が両方とも、前記背景における前記特定波長帯の電磁波の輝度が同じ測定点か又は互いに異なる少なくとも2つの測定点について取得したものであることを特徴とする。
本発明によれば、気温計を介さないため、気温計の機体差やデータ変換工程の誤差に起因する気温情報の誤差が生じない。したがって、気温データを高精度に輝度データとして取得することができるため、観測対象ガスの濃度厚み積の空間分布情報を高精度に取得することが可能である。
以下、本発明を実施したガス観測方法等を、図面を参照しつつ説明する。なお、各実施の形態等の相互で同一の部分や相当する部分には同一の符号を付して重複説明を適宜省略する。
図1〜図5のフローチャートに、ガス観測方法の実施の形態における観測手順例1〜5を示す。観測手順例1〜5は、3つの工程1〜3(#10〜#30)と、観測対象ガスの濃度厚み積(ガス濃度とガス領域の観測方向厚さとの積)の空間分布像を形成する工程(#40)と、情報処理,警報発報等を行う工程(#50)と、を有しており、観測終了の判定(#60)を経て、観測を終了するものである。これらのガス観測方法では、観測対象ガスとその背景の輝度情報を撮像装置で取得することにより、観測対象空間における観測対象ガスの存在を検知する。つまり、撮像装置を用いて観測対象空間を撮像し、観測対象空間に存在するガスの濃度厚み積の空間分布情報を取得する。
図6に、ガス観測方法の実施の形態に用いる撮像装置DUの概略構成例を示す。この撮像装置DUは、絶対温度が零度以上の物体表面が放射又は反射する電磁波のうち、特定波長帯の電磁波に対して感度を有し、特定波長帯の電磁波からなる光学像を輝度情報として取得するものである。上記特定波長帯の電磁波として代表的なものは赤外線であり、撮像装置DUの具体例としては赤外線撮像装置(つまり、赤外線波長域に感度を持つ赤外線カメラ)が挙げられる。
より具体的には、波長1〜16μmの波長帯の少なくとも一部の波長を検知できる赤外線撮像装置が挙げられ、例えば、8〜16μmを検知する非冷却型遠赤外線撮像装置、3〜5μmを検知する冷却型中赤外線撮像装置等が挙げられる。つまり、漏洩検知する観測対象ガスの吸収特性に合わせて特定波長域を設定し、その特定波長域において検知感度がある撮像装置DUを選択すればよい。例えば炭化水素系のガスを観測対象ガスGSとする場合は、3〜4μmに存在するガスの光吸収帯を利用するため、この波長帯に感度がある撮像装置DUを選定する。
撮像装置DUの前方に位置する観測対象空間には、ガス漏れが生じた場合に観測対象ガスGSが位置することになる。また、背景HSと撮像装置DUとの間には、観測対象空間の近傍において撮像装置DUの視野内に入る箇所に、気温測定用の光学部材OEが配置されている。この光学部材OEは、温度が気温と同じであり、特定波長帯の電磁波を透過可能であり(つまり、特定波長帯の電磁波に対する透過率が0%より大きく100%より小さい光学特性を有する。)、観測対象空間又はその近傍の気温に相当する輝度情報を取得する際に用いられる(#30,第3輝度情報を取得する際の工程3)。
光学部材OEの例としては、ガラス板,プラスチック板等の電磁波吸収素材が挙げられる。光学部材OEの特定波長帯の電磁波に対する透過率は、0%より大きく100%より小さければよく、特定波長帯の電磁波に対する透過率が例えば50%であることが好ましい。つまり、光学部材OEとして、特定波長帯の電磁波に対する透過率(例えば、赤外線透過率)が50%の半透明板を用いることが好ましい。また、光学部材OEの表面での反射を少なくするために、観測波長よりも小さな凹凸を表面に設けたり無反射コートを施したりすることが好ましい。
撮像装置DUは、物体表面の静止画撮影や動画撮影のために、光学像を光学的に取り込んで電気的な信号として出力するレンズユニットLUを備えている。レンズユニットLUは、物体(すなわち被写体)側から順に、物体の光学像(すなわち被写体像)を形成する撮像レンズLN(AX:光軸)と、その撮像レンズLNにより形成された光学像を電気的な信号に変換する撮像センサーSRと、を備えている。
撮像装置DUは、レンズユニットLUの他に、信号処理部1,演算制御部2,メモリー3,操作部4,表示部5等を備えている。撮像センサーSRで生成した信号は、信号処理部1で所定のデジタル画像処理や画像圧縮処理等が必要に応じて施され、デジタル映像信号としてメモリー3(半導体メモリー,光ディスク等)に記録されたり、ケーブルを介したり赤外線信号等に変換されたりして、通信機能により他の機器に伝送される。演算制御部2はマイクロコンピューターからなっており、輝度情報処理機能,撮影機能,画像再生機能等の機能の制御;撮像レンズLN,光学フィルターOF(図10)等の移動機構の制御等を集中的に行う。表示部5は液晶モニター等のディスプレイを含む部分であり、撮像センサーSRによって変換された画像信号や記録画像情報を用いて画像表示を行う。操作部4は、操作ボタン等の操作部材を含む部分であり、操作者が操作入力した情報を演算制御部2に伝達する。
観測手順例1(図1)では、まず工程1(#10)で、観測対象空間の背景HSの電磁波輝度を撮像装置DUで撮像して、2次元的な輝度情報を取得する。つまり、背景HSから放射された特定波長帯の電磁波からなる光学像を第1輝度情報として取得する。工程2(#20)では、観測対象空間内に存在する観測対象ガスGSを通した、背景HSの電磁波輝度を撮像装置DUで撮像し、2次元的な輝度情報を取得する。つまり、背景HSから放射され観測対象ガスGSを通して観測された特定波長帯の電磁波からなる光学像を第2輝度情報として取得する。工程3(#30)では、気温相当黒体放射電磁波輝度を撮像装置DUで取得する。つまり、観測対象ガスGSが存在する観測対象空間又はその近傍の気温に相当し、かつ、特定波長帯における黒体放射の電磁波からなる光学像を第3輝度情報として取得する。
上記観測手順例1の工程1〜3(#10〜#30)は、必ずしもこの順序で行わなくても構わず、同時に行ってもよい。工程1〜3の後、上記第1〜第3輝度情報を用いて観測対象ガスGSの濃度厚み積の空間分布情報を取得し(#40)、情報処理,警報発報等を行い(#50)、観測終了の判定(#60)を経て観測を終了する。観測対象ガスGSの濃度厚み積の空間分布情報としては、例えば濃淡のグラデーションからなる空間分布画像等が挙げられ、作成された空間分布画像等の画像処理によりガス漏れと判断したら、警報等により知らせる。
観測手順例2(図2)では、工程1(#10)と工程3(#30)を同時に行うこと以外は、観測手順例1(図1)と同じ処理を行う。なお、観測手順例2では工程1と工程3の後に工程2を行う順序となっているが、工程2を先に行っても構わない。
観測手順例3(図3)では、工程2(#20)と工程3(#30)を同時に行うこと以外は、観測手順例1(図1)と同じ処理を行う。なお、観測手順例3では工程2と工程3の前に工程1を行う順序となっているが、工程1を後に行っても構わない。
観測手順例4(図4)では、撮像装置DUに相当する2台の撮像装置D1,D2を用意して、撮像装置D1で工程1(#10)を行い、撮像装置D2で工程2(#20)を行う。2台の撮像装置D1,D2を用いる代わりに、レンズユニットLUのみを2台用いて他の構成部を共用してもよい。なお、観測手順例4では工程1と工程2を同時に行っているが、時系列的に行ってもよく、工程1,工程2の順序で行ってもよいし、工程2,工程1の順序で行ってもよい。また、工程3は撮像装置D1又はD2を用いて行うが、工程3を工程1,工程2よりも前に行ってもよい。
観測手順例5(図5)では、観測手順例4(図4)と同様、撮像装置DUに相当する2台の撮像装置D1,D2を用意して、撮像装置D1で工程1(#10)を行い、撮像装置D2で工程2(#20)を行い、工程1,工程2と同時に工程3(#30)を行う。そして、工程3は撮像装置D1又はD2を用いて行う。なお、2台の撮像装置D1,D2を用いる代わりに、レンズユニットLUのみを2台用いて他の構成部を共用してもよい。
観測手順例1〜5における工程1(#10)の具体例1を、図7にフレームFRの画像変化で示し(フレームFRと時刻tとの関係)、図8に制御動作で示す(工程1のフローチャート)。撮像装置DUで観測対象空間の撮像を行い、撮像装置DUで撮像された2次元輝度データを処理した結果、観測対象ガスGSの存在が確認されたら(#110)、ガス存在検知フレームF1から撮像データのフレームFRをさかのぼって観測対象ガスGSの存在が確認されない(観測対象ガスGSが写っていない)直近のフレームF0を探す(#120)。そして、そのフレームF0の輝度データを、背景HSの電磁波輝度(第1輝度情報)とする(#130)。
観測手順例1〜5における工程1(#10)の具体例2を、図9にフレームFa,Fbの輝度変化で示す。ここでは、2次元座標(X,Y)からなるフレームFa,Fbにおいて、注目画素PXを通るX断面をグラフの輝度値で示している。フレームFaは注目画素PXにおいて観測対象ガスGSが撮像されているフレームであり、フレームFbは注目画素PXにおいて観測対象ガスGSが瞬間的になくなるフレームである。
この具体例2では、撮像装置DUで観測対象空間の撮像を行い、撮像装置DUで撮像された2次元輝度データを処理して、観測対象ガスGSが撮像されているフレームFaを探す。その結果、観測対象ガスGSの存在が確認されたら、撮像データのフレーム間の輝度変化を元にして撮像データの画素毎に、観測対象ガスGSが瞬間的になくなるフレームFbを探す。そのフレームFbの輝度データを、その注目画素PXの背景HSの電磁波輝度とする。これを画素毎に求めて、そのフレームFbの輝度データを、背景HSの電磁波輝度(第1輝度情報)とする。
図10に、観測手順例1〜5における工程1(#10)の具体例3に用いる光学フィルターOF,撮像装置DU等を示す。撮像装置DUの前方には、漏えい危険性のある観測対象ガスGSには吸収されない波長帯の電磁波のみを透過させる光学フィルターOFが挿抜可能に設けられている。そして、撮像装置DUの視野外への光学フィルターOFの退避と、撮像装置DUの視野内への光学フィルターOFの挿入と、の切り替えを行うために、挿抜機構10が設けられている。
挿抜機構10により、撮像装置DUの視野外へ光学フィルターOFを退避させると、光学フィルターOFは撮像装置DUの視野から完全に外れるため、光学フィルターOFを通さずに光学像の輝度情報を取得することができ、撮像装置DUの視野内に光学フィルターOFを挿入すると、光学フィルターOFは撮像装置DUの視野を完全に覆うため、光学フィルターOFを通して光学像の輝度情報(第4輝度情報)を取得することができる。挿抜機構10の例としては、光学フィルターOFを直線状に移動させるものが挙げられる。また、回動部材に光学フィルターOFを配置し、回動部材を回転させることにより、光学フィルターOFを撮像装置DUの視野に入れたり視野から外したりするものが挙げられる。
光学フィルターOFを撮像装置DUの視野内に挿入し、光学フィルターOFを通して観測対象空間の背景HSを撮像することで、背景HSの輝度情報を取得する。つまり、特定波長帯のうち観測対象ガスGSが吸収する波長帯を含まない波長域において、背景HSから放射された電磁波からなる光学像を第4輝度情報として取得する。なお、この具体例3で得られる第4輝度情報は、工程2(#20)において得られる第2輝度情報とは取得波長が異なっているため、輝度データの補正が必要になる。具体的には、以下のようにして補正を行う。
光学フィルターOFの透過波長域の波長範囲をλf1,λf2で表し、透過率をτ(λ)とする。また、特定波長域の波長範囲をλ1,λ2で表す。背景HSの温度Tに対して、黒体放射輝度関数をB(T,λ)とし、工程2(#20)において光学フィルターOFを通さずに撮像装置DUで得られる輝度をIPとし、工程1(#10)の具体例3(図10)において、光学フィルターOFを通して撮像装置DUで得られる輝度をIfとする。
上記輝度データの補正とは、両者の比である補正係数k(=Ip/If)を輝度Ifに乗ずることを意味する。ここで、輝度Ip,Ifは以下の式(E1),(E2)でそれぞれ表されるので、両者の比である補正係数kは以下の式(E3)に示すようになる。F(T),G(T)ともに背景温度Tに関する関数で表現されているので、以下の式(E4)に示すように、補正係数kを輝度Ifの関数として表すことができる。その補正係数kで輝度Ifを補正すること(補正係数kをIfに乗ずる補正)により、背景HSの電磁波輝度(第1輝度情報)を取得することができる。
工程2(#20)では、撮像装置DUで観測対象空間を撮像することにより、背景HSから放射され観測対象空間内に存在する観測対象ガスGSを通して観測された特定波長帯の電磁波からなる光学像を、2次元的な第2輝度情報として取得する。
物体表面から絶対温度に応じた強度で放射される赤外線等の電磁波を検知して可視化する場合、前述したように物体表面の温度変化に気温が大きな影響を与えるため、正確な気温情報の測定が必要になる。そこで、工程3(#30)では、撮像装置DUが、光学部材OEを通さずに取得した光学像の輝度情報と、光学部材OEを通して取得した光学像の輝度情報と、を用いて、観測対象空間又はその近傍の気温に相当する黒体放射輝度(第3輝度情報)を算出する。なお、光学部材OEの温度は気温の測定に大きく影響するため、気温になじんだ状態の光学部材OEを使用するのが好ましい。例えば、測定開始後、所定の時間が経過するまで待機したり、光学部材OEの温度の経時変化が許容範囲内(温度変化ゼロ近傍)に収まるまで待機したりすることにより、光学部材OEの温度が気温と同じになるようにするのが好ましい。
図11に、工程3(#30)の具体例1に用いる光学部材OE、背景HS及びその上の輝度測定点P1,P2を、撮像装置DU側から見た状態で示す。光学部材OEは、前述したように、特定波長域において電磁波透過率が0%より大きく100%より小さい光学特性を有しており、撮像装置DUの視野の一部を覆うように、観測対象空間の近傍であって撮像装置DUの視野内に入る箇所に設置される。
そして、撮像装置DUの視野内における光学部材OEの外周近傍において、光学部材OEが背景HSに重なっていない測定点P1と光学部材OEが背景HSに重なっている測定点P2とを選び、測定点P1で得られた輝度値をI1、測定点P2で得られた輝度値をI2とし、測定点P1,P2での輝度情報I1,I2の取得を行う。なお、黒体放射輝度の算出に用いられる輝度情報が両方とも、背景HSにおける特定波長帯の電磁波の輝度が同じ測定点について取得したものであるのが好ましいので、測定点P1と測定点P2とが近くに位置するように設定するのが好ましい。
光学部材OEの透過率をτとし、気温相当の黒体放射輝度をIairとすると、
(I1−Iair)・τ=I2−Iair
が成り立つ。
Iair−Iair・τ=I2−I1・τ
Iair(1−τ)=I2−I1・τ
となるので、以下の式(E5)が得られる。
Iair=(I2−I1・τ)/(1−τ) …(E5)
上記式(E5)に従って、気温相当の黒体放射輝度Iairを算出する。
(I1−Iair)・τ=I2−Iair
が成り立つ。
Iair−Iair・τ=I2−I1・τ
Iair(1−τ)=I2−I1・τ
となるので、以下の式(E5)が得られる。
Iair=(I2−I1・τ)/(1−τ) …(E5)
上記式(E5)に従って、気温相当の黒体放射輝度Iairを算出する。
図12に、工程3(#30)の具体例2に用いる光学部材OE、背景HS及びその上の輝度測定点P1A,P1B,P2A,P2Bを、撮像装置DU側から見た状態で示す。光学部材OEは、前述したように、特定波長域において電磁波透過率が0%より大きく100%より小さい光学特性を有しており、撮像装置DUの視野の一部を覆うように、観測対象空間の近傍であって撮像装置DUの視野内に入る箇所であり、かつ、相異なる輝度を持つ背景HSの前方に設置される。
図12に示すように、背景HSにおいて相異なる放射輝度の領域をRA,RBとする。そして、撮像装置DUの視野内における光学部材OEの外周近傍において、光学部材OEが背景HSに重なっておらずかつ領域RA内の測定点P1Aと、光学部材OEが背景HSに重なっておりかつ領域RA内の測定点P2Aと、光学部材OEが背景HSに重なっておらずかつ領域RB内の測定点P1Bと、光学部材OEが背景HSに重なっておりかつ領域RB内の測定点P2Bと、を選び、測定点P1Aで得られた輝度値をI1A、測定点P2Aで得られた輝度値をI2A、測定点P1Bで得られた輝度値をI1B、測定点P2Bで得られた輝度値をI2Bとし、測定点P1A,P1B,P2A,P2Bでの輝度情報I1A,I2A,I1B,I2Bの取得を行う。なお、黒体放射輝度の算出に用いられる輝度情報が両方とも、背景HSにおける特定波長帯の電磁波の輝度が互いに異なる少なくとも2つの測定点について取得したものであればよい。したがって、測定点P1A,P1B,P2A,P2Bが互いに近くに位置するように設定するのが好ましい。
前記式(E5)と同様に、輝度値の関係から以下の式(E6)が得られる。
Iair=(I1A・I2B−I2A・I1B)/{(I1A−I2A)−(I1B−I2B)} …(E6)
上記の式(E6)に従って、気温相当の黒体放射輝度Iairを算出する。なお、2種類の放射輝度の領域RA,RBに対して光学部材OEの有無があることから、得られる4点情報により透過率τの項は消えることになる。
Iair=(I1A・I2B−I2A・I1B)/{(I1A−I2A)−(I1B−I2B)} …(E6)
上記の式(E6)に従って、気温相当の黒体放射輝度Iairを算出する。なお、2種類の放射輝度の領域RA,RBに対して光学部材OEの有無があることから、得られる4点情報により透過率τの項は消えることになる。
図13〜図15に、工程3(#30)に用いる光学部材OEの配置例1〜3を撮像画面(例えば、工場,プラント等の監視対象となる風景)で示す。光学部材OEは、前述したように、特定波長域において電磁波透過率が0%より大きく100%より小さい光学特性を有しており、撮像装置DUの視野の一部を覆うように、観測対象空間又はその近傍であって撮像装置DUの視野内に入る箇所に設置される。
配置例1(図13)では、光学部材OEが視野の片隅に入るように設置されているため、観測対象空間を邪魔することなく、観測対象空間又はその近傍の気温に相当する輝度情報の測定が可能である。したがって、撮像装置DUの視野内の全領域にわたって観測対象ガスGSの濃度厚み積の空間分布を高い精度で求めることができる。
また配置例1では、観測対象空間を構成する背景HSの下方に光学部材OEが配置されている。光学部材OEに観測対象ガスGSがかかると、気温相当の黒体放射輝度の測定に誤差が生じるおそれがある。そのため、漏洩可能性のある観測対象ガスGSの空気に対する比重が軽い場合、配置例1のように、漏洩の危険性のある箇所よりも下方に光学部材OEを設置するのが好ましい。逆に、漏洩可能性のある観測対象ガスGSの空気に対する比重が重い場合、漏洩の危険性のある箇所よりも上方に光学部材OEを設置するのが好ましい。このように観測対象ガスGSの比重に応じて光学部材OEの配置を工夫すれば、光学部材OEに観測対象ガスGSがかかってしまう可能性を減らすことができる。したがって、気温相当の黒体放射輝度の正確な測定が可能となるため、ガス濃度厚み積空間分布の算出精度を高めることができる。
配置例2(図14)では、光学部材OEの後方に背景HSの一部として、赤外放射輝度が制御された背景部材HEが配置されている。背景部材HEとしては、例えば、表面放射率が約100%(100%未満)であって温度制御された電磁波放射部材が用いられる。背景部材HEを構成する素材の性質を利用したり、凹凸表面の形成,塗料の吹き付け(例えば、黒体スプレー)等の表面処理を背景部材HEに施すことにより、表面放射率を約100%に調整することが可能である。なお、周囲から入射する電磁波の反射量が増えると表面放射率は100%より小さくなるが、表面放射率100%では周囲から電磁波が入射しても反射しない状態になる。
背景HSを構成する背景部材HEの温度制御(例えば、ペルチェ素子を用いた温度制御)を行うことにより、放射輝度を安定化することができる。つまり、背景放射輝度の経時変化を抑えることが可能である。したがって、上記背景部材HEを用いれば、気温相当の黒体放射輝度の正確な測定が可能となるため、ガス濃度厚み積空間分布の算出精度を高めることができる。また、配置する背景部材HEとして、相異なる赤外放射輝度を有する少なくとも2つの領域RA,RB(図12)からなるものを用いてもよい。例えば、2種類以上の電磁波放射部材からなる背景部材HEで背景HSを構成すれば、光学部材OEの透過率τを予め知る必要がないため(式(E6))、光学部材OEの経年劣化や汚損による透過率変動があっても精度良く測定することが可能である。
配置例3(図15)では、観測対象空間を構成する背景HSの四隅に光学部材OEが配置されている。前述したように、光学部材OEに観測対象ガスGSがかかると、気温相当の黒体放射輝度の測定に誤差が生じるおそれがある。光学部材OEの設置箇所が、配置例3のように視野内の複数の箇所に設定されていれば、すべての光学部材OEに観測対象ガスGSがかかってしまう可能性を減らすことができる。したがって、少なくとも1箇所では気温相当の黒体放射輝度の正確な測定が可能となるため、ガス濃度厚み積空間分布の算出精度を高めることができる。
工程(#40)では、上述のようにして得られた第1〜第3輝度情報を用いて、観測対象ガスGSの濃度厚み積の空間分布情報を取得する。以下に濃度厚み積の計算方法を説明する。
漏洩ガスの温度は漏洩直後から気温になじみ、気温とほぼ同一になると考えられるので、気温相当の黒体放射輝度Iairをガス温度相当の黒体放射電磁波輝度Iairと読み替えることができる。このとき、以下の式(E7)に従って、まずはガス透過率τgasを計算する。
τgas=1−(I1i−I2i)/(I1i−Iair) …(E7)
ただし、
τgas:ガス透過率、
I1i:撮像装置DUにより工程1で得られた背景HSの電磁波輝度(第1輝度情報)、
I2i:撮像装置DUにより工程2で得られた電磁波輝度(第2輝度情報)、
Iair:撮像装置DUにより工程3で得られた気温相当の黒体放射電磁波輝度(第3輝度情報)、
である。
τgas=1−(I1i−I2i)/(I1i−Iair) …(E7)
ただし、
τgas:ガス透過率、
I1i:撮像装置DUにより工程1で得られた背景HSの電磁波輝度(第1輝度情報)、
I2i:撮像装置DUにより工程2で得られた電磁波輝度(第2輝度情報)、
Iair:撮像装置DUにより工程3で得られた気温相当の黒体放射電磁波輝度(第3輝度情報)、
である。
この関数の逆関数を用いることで、濃度厚み積ctを求めることができる。逆関数を求めるのが難しい場合は、あらかじめ濃度厚み積ctとガス透過率τgasの関係数表を作っておいて、補間近似でガス透過率τgasから濃度厚み積ctを求めるようにするのが好ましい。そして、上記濃度厚み積ctの算出を撮像装置DUで得られた2次元データの全画素に対して実行することで、濃度厚み積ctの空間分布情報を取得することができる。
上述したガス観測方法の実施の形態によれば、物体表面からの輝度情報と気温情報を利用して観測対象ガスGSの存在を検知する際、特定波長帯の電磁波からなる光学像を輝度情報として取得する撮像装置DUを用いて、ガス漏洩の観測対象空間の撮像とともに気温情報を得るようになっているため、気温計の出力を輝度に変換する工程は不要となる。気温計を介さないため、気温計の機体差やデータ変換工程の誤差に起因する気温情報の誤差が生じない。したがって、気温データを高精度に輝度データとして取得することができるため、観測対象ガスGSの濃度厚み積の空間分布情報を高精度に取得することが可能である。さらに、気温になじんだ光学部材OEを通して観測対象空間を撮像装置DUで観測し演算することで、より簡単に気温データを直接輝度データとして取得することが可能となる。
少なくとも光学部材OEを設けるだけで済み、データ伝送のための配線等が不要なので、設置箇所に自由度があり、敷設コストだけでなく、装置劣化や故障に対応するためのメンテナンスコストも抑えることができる。また、濃度厚み積の算出箇所に限定を受けず、撮像している視野のあらゆる箇所について濃度厚み積の空間分布を算出することが可能となり、観察対象空間におけるガス漏洩量の規模を簡単に把握することが可能となる。
DU 撮像装置
LU レンズユニット
LN 撮像レンズ
SR 撮像センサー
OE 光学部材
OF 光学フィルター
GS 観測対象ガス
HS 背景
HE 背景部材
AX 光軸
FR,F0,F1,Fa,Fb フレーム
PX 注目画素
P1,P2,P1A,P1B,P2A,P2B 測定点
RA,RB 領域
1 信号処理部
2 演算制御部
3 メモリー
4 操作部
5 表示部
10 挿抜機構
LU レンズユニット
LN 撮像レンズ
SR 撮像センサー
OE 光学部材
OF 光学フィルター
GS 観測対象ガス
HS 背景
HE 背景部材
AX 光軸
FR,F0,F1,Fa,Fb フレーム
PX 注目画素
P1,P2,P1A,P1B,P2A,P2B 測定点
RA,RB 領域
1 信号処理部
2 演算制御部
3 メモリー
4 操作部
5 表示部
10 挿抜機構
Claims (3)
- 物体表面が放射又は反射する電磁波のうち、特定波長帯の電磁波に対して感度を有し、前記特定波長帯の電磁波からなる光学像を輝度情報として取得する撮像装置で、観測対象ガスとその背景の輝度情報を取得することにより、観測対象空間における前記観測対象ガスの存在を検知するガス観測方法であって、
前記背景から放射された前記特定波長帯の電磁波からなる光学像を第1輝度情報として取得する工程と、
前記背景から放射され前記観測対象ガスを通して観測された前記特定波長帯の電磁波からなる光学像を第2輝度情報として取得する工程と、
前記背景と前記撮像装置との間に、前記特定波長帯の電磁波を透過可能であり、温度が気温と同じである光学部材を配置し、前記光学部材を通さずに取得した前記光学像の輝度情報と、前記光学部材を通して取得した前記光学像の輝度情報と、を用いて、前記観測対象空間又はその近傍の気温に相当し、かつ、前記特定波長帯における黒体放射の電磁波からなる光学像を第3輝度情報として取得する工程と、
前記第1〜第3輝度情報を用いて前記観測対象ガスの濃度厚み積の空間分布情報を取得する工程と、
を有することを特徴とするガス観測方法。 - 前記特定波長帯のうち前記観測対象ガスが吸収する波長帯を含まない波長域において、前記背景から放射された電磁波からなる光学像を第4輝度情報として取得し、その第4輝度情報から補正係数を算出し、その補正係数で第4輝度情報を補正することにより、前記第1輝度情報を取得することを特徴とする請求項1記載のガス観測方法。
- 前記第3輝度情報の取得に用いられる輝度情報が両方とも、前記背景における前記特定波長帯の電磁波の輝度が同じ測定点か又は互いに異なる少なくとも2つの測定点について取得したものであることを特徴とする請求項1又は2記載のガス観測方法。
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