JP6740798B2 - Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device.
炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、ダイヤモンド(C)などのワイドバンドギャップ半導体は、その高い絶縁破壊電界、高い熱伝導率などの優れた特性により、特にパワーデバイスへの応用が期待されている。中でもSiCはシリコン(Si)と同様に、熱酸化により酸化膜(SiO2)を形成可能なことから注目されている。 Wide bandgap semiconductors such as silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), and diamond (C) are expected to be particularly applied to power devices because of their excellent properties such as high dielectric breakdown electric field and high thermal conductivity. ing. Among them, SiC is attracting attention because it can form an oxide film (SiO 2 ) by thermal oxidation like silicon (Si).
ワイドバンドギャップ半導体を使用した半導体装置は、絶縁破壊電界がSiに比較して高い。例えば4H−SiCで約10倍、GaNで約11倍、ダイヤモンドで約19倍である。そのため、同一の耐圧の素子において低濃度のn型(n−)のドリフト層2の不純物濃度を高く、厚さを薄くすることが可能となり高い耐圧で低いオン抵抗を実現することが可能となる。
SiCを用いたスイッチング素子を負荷インダクタに接続された状態でオフすると、負荷インダクタに流れていた電流が転流する。この転流する電流の経路としてSiCのボディダイオードを用いると、オン抵抗が上昇する現象が発生することが知られている。
A semiconductor device using a wide band gap semiconductor has a higher dielectric breakdown electric field than Si. For example, 4H—SiC is about 10 times, GaN is about 11 times, and diamond is about 19 times. Therefore, in the element having the same breakdown voltage, the impurity concentration of the low concentration n-type (n − )
When the switching element using SiC is turned off in the state of being connected to the load inductor, the current flowing in the load inductor is commutated. It is known that when a SiC body diode is used as the path of this commutating current, a phenomenon in which the on-resistance rises occurs.
このようなオン抵抗の増加は、伝導度変調が発生してボディダイオードに順方向電流が流れる際に、電流経路に電流が流れ難い部分が増大するためと考えられている(例えば非特許文献1参照。)。電流が流れ難い部分が増大する具体的な理由は、多数キャリアと少数キャリアの再結合エネルギーによってSiC結晶内の積層欠陥が成長するためと考えられている。 It is considered that such an increase in ON resistance is due to an increase in a portion where current hardly flows in the current path when conductivity modulation occurs and a forward current flows in the body diode (for example, Non-Patent Document 1). reference.). It is considered that the specific reason why the portion where the current hardly flows increases is that stacking faults in the SiC crystal grow due to recombination energies of majority carriers and minority carriers.
SiCのボディダイオードに電流を流さない方法の一つとして、転流時に例えばMOSFET等のスイッチング素子をオンして、MOSFETのチャネルに電流を流す方法がある。しかし、ブリッジ接続の場合、上下アームの両方のスイッチング素子が同時にオンすると、電源の短絡が発生してしまう。また、それらのスイッチング素子が同時にオンしないようにスイッチング素子をオフさせると、オフの期間、所謂デッドタイムが多く存在することになる。そしてデッドタイムの間にSiCのボディダイオードに順方向電流が流れてしまう。 As one of the methods of not allowing a current to flow in the body diode of SiC, there is a method of turning on a switching element such as a MOSFET during commutation and causing a current to flow in the channel of the MOSFET. However, in the case of bridge connection, if both switching elements of the upper and lower arms are turned on at the same time, a short circuit of the power source will occur. Further, if the switching elements are turned off so that those switching elements do not turn on at the same time, a large amount of so-called dead time exists during the off period. Then, a forward current flows through the body diode of SiC during the dead time.
またSiCのボディダイオードに電流を流さない他の方法として、それぞれのスイッチング素子に並列にダイオード(ショットキーダイオード)を接続する方法がある。しかし、このダイオードの順方向電圧がスイッチング素子のボディダイオードのビルトイン電圧(SiCの場合約2.3V)以上になると、SiCのボディダイオードに電流が流れてしまう。そのため、ダイオードの順方向電圧Vfを低減する必要が生じ、これに応じて大面積のダイオードを用意しなければならず、全体的なコストの増大を招く。 Further, as another method in which no current flows through the body diode of SiC, there is a method of connecting a diode (Schottky diode) in parallel to each switching element. However, when the forward voltage of this diode exceeds the built-in voltage (about 2.3 V in the case of SiC) of the body diode of the switching element, a current flows in the body diode of SiC. Therefore, it becomes necessary to reduce the forward voltage Vf of the diode, and a diode having a large area must be prepared accordingly, which causes an increase in the overall cost.
本発明は上記した問題に着目して為されたものであって、オン抵抗の増加を抑制できるSiCの半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a SiC semiconductor device capable of suppressing an increase in on-resistance and a method for manufacturing the same.
上記課題を解決するために、本発明に係る半導体装置のある態様は、(a)炭化ケイ素を主材料とする第1導電型の第1ドレイン領域と、(b)この第1ドレイン領域の上の第1導電型のドリフト層と、(c)このドリフト層の上部の一部に設けられた第2導電型のチャネル領域と、(d)チャネル領域の上部の一部に設けられた第1導電型の第1ソース領域と、(e)第1ソース領域の上に設けられたソース電極と、(f)チャネル領域の上部の一部に第1ソース領域と接続するパターンで設けられた第1導電型の第2ドレイン領域と、(g)チャネル領域の上部の一部に第2ドレイン領域と離間して設けられた第1導電型の第2ソース領域と、(h)第2ソース領域及びチャネル領域に接続された第1フローティング電極と、(i)チャネル領域の第1ソース領域からドリフト層に流れる電流の経路の表面電位を制御する第1ゲート電極と、(j)第1ゲート電極と接続され、第2ドレイン領域と第2ソース領域の間のチャネル領域の表面電位を制御する第2ゲート電極と、を備えることを要旨とする。 In order to solve the above problems, an aspect of a semiconductor device according to the present invention is: (a) a first drain region of a first conductivity type containing silicon carbide as a main material; and (b) an upper drain region of the first drain region. First conductivity type drift layer, (c) a second conductivity type channel region provided in a part of the upper portion of the drift layer, and (d) a first region provided in a part of the upper portion of the channel region. A conductive type first source region, (e) a source electrode provided on the first source region, and (f) a part of the upper part of the channel region provided in a pattern connecting to the first source region. A second drain region of the first conductivity type; (g) a second source region of the first conductivity type provided in a part of the upper part of the channel region so as to be separated from the second drain region; and (h) a second source region. And a first floating electrode connected to the channel region, (i) a first gate electrode for controlling a surface potential of a path of a current flowing from the first source region of the channel region to the drift layer, and (j) a first gate electrode And a second gate electrode for controlling the surface potential of the channel region between the second drain region and the second source region.
また本発明に係る半導体装置の製造方法のある態様は、(k)炭化ケイ素の第1ドレイン領域の上に、第1ドレイン領域より低濃度の第1導電型のドリフト層を有する構造を用意する工程と、(l)ドリフト層の上部の一部に、第2導電型のチャネル領域を形成する工程と、(m)チャネル領域の上部の一部に、第1導電型の第1ソース領域、この第1ソース領域と接続する第1導電型の第2ドレイン領域及びこの第2ドレイン領域と離間した第1導電型の第2ソース領域を形成する工程と、(n)チャネル領域の上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、(o)ゲート絶縁膜の上に、チャネル領域の第1ソース領域からドリフト層に流れる電流の経路の表面電位を制御する第1ゲート電極、及び第1ゲート電極と接続すると共に第2ドレイン領域と第2ソース領域の間のチャネル領域の表面電位を制御する第2ゲート電極を形成する工程と、(p)第1ソース領域の上にソース電極を形成する工程と、(q)ソース電極から分離し第2ソース領域及びチャネル領域に接続する第1フローティング電極を形成する工程と、を含むことを要旨とする。 According to another aspect of the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, (k) a structure having a first conductivity type drift layer having a concentration lower than that of the first drain region on the first drain region of silicon carbide is prepared. A step of forming a second conductivity type channel region in a part of the upper part of the drift layer, and (m) a first source region of a first conductivity type in a part of the upper part of the channel region, Forming a second drain region of the first conductivity type connected to the first source region and a second source region of the first conductivity type separated from the second drain region; and (n) on the channel region, A step of forming a gate insulating film, and (o) a first gate electrode for controlling a surface potential of a path of a current flowing from the first source region of the channel region to the drift layer on the gate insulating film, and the first gate electrode Forming a second gate electrode for controlling the surface potential of the channel region between the second drain region and the second source region, and (p) forming a source electrode on the first source region. And (q) forming a first floating electrode separated from the source electrode and connected to the second source region and the channel region.
従って本発明に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、オン抵抗の増加を抑制できるSiCの半導体装置及びその製造方法を提供することができる。 Therefore, according to the semiconductor device and the method of manufacturing the semiconductor device of the present invention, it is possible to provide a SiC semiconductor device that can suppress an increase in on-resistance and a method of manufacturing the same.
以下に本発明の第1〜第8の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各装置や各部材の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判定すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。 The first to eighth embodiments of the present invention will be described below. In the following description of the drawings, the same or similar reference numerals are given to the same or similar parts. However, it should be noted that the drawings are schematic and the relationship between the thickness and the plane size, the ratio of the thickness of each device and each member, and the like are different from the actual ones. Therefore, specific thicknesses and dimensions should be determined in consideration of the following description. Further, it is needless to say that the drawings include portions in which dimensional relationships and ratios are different from each other.
また、以下の説明における「左右」や「上下」の方向は、単に説明の便宜上の定義であって、本発明の技術的思想を限定するものではない。よって、例えば、紙面を90度回転すれば「左右」と「上下」とは交換して読まれ、紙面を180度回転すれば「左」が「右」に、「右」が「左」になることは勿論である。 In addition, the directions of “left and right” and “up and down” in the following description are merely definitions for convenience of description, and do not limit the technical idea of the present invention. Therefore, for example, if the paper surface is rotated 90 degrees, "left and right" and "up and down" are read interchangeably, and if the paper surface is rotated 180 degrees, "left" becomes "right" and "right" becomes "left". Of course,
また本明細書及び添付図面においては、n又はpを冠した領域や層では、それぞれ電子又は正孔が多数キャリアであることを意味する。またnやpに付す+や−は、+及び−が付記されていない半導体領域に比して、それぞれ相対的に不純物濃度が高い又は低い半導体領域であることを意味する。またn+とn+のように同じ表記であっても、必ずしも同じ不純物濃度であることが示されている訳ではない。 Further, in the present specification and the accompanying drawings, it is meant that electrons or holes are majority carriers in the regions or layers crowned with n or p. Further, + or − attached to n or p means that the semiconductor region has a relatively high or low impurity concentration, respectively, as compared with a semiconductor region in which + and − are not added. Even if the same notation is used like n + and n + , it does not necessarily indicate that the impurity concentrations are the same.
<第1の実施の形態>
(半導体装置の構造)
第1の実施の形態に係る半導体装置は、図1に示すように、複数のストライプ状の基本セル…1001j−1,1001j,1001j+1…;…1002j−1,1002j,1002j+1…が配置された活性部と、活性部の周囲に設けられた周辺耐圧構造300とを備える。複数の基本セル…1001j−1,1001j,1001j+1…;…1002j−1,1002j,1002j+1…は、上面を正面から見て額縁状の周辺耐圧構造300の内側の活性部の中に埋め込まれている。
<First Embodiment>
(Structure of semiconductor device)
As shown in FIG. 1, the semiconductor device according to the first embodiment has a plurality of stripe-shaped basic cells... 100 1j-1 , 100 1j , 100 1j+1 ...; 100 2j-1 , 100 2j , 100 2j+1. .. is disposed, and a peripheral
基本セル100ij(i=1,2;nを2以上の正数として、j=1〜n)は、図2に示すように、主電流が流れる領域である標準ユニット110ij及びこの標準ユニット110ijに接続され標準ユニット110ijにおけるSiCのボディ領域(3,4)とソース領域を短絡させるための領域である内蔵トランジスタ120ijを備える。ここでチャネル領域3及びベース領域4からなるSiCの領域を「ボディ領域(3,4)」と定義する。標準ユニット110ij及び内蔵トランジスタ120ijは、1個の基本セル100ijの中に、それぞれ1個以上配置できる。
As shown in FIG. 2, the basic cell 100 ij (i=1, 2; j=1 to n, where n is a positive number of 2 or more) is a
複数の基本セル…1001j−1,1001j,1001j+1…;…1002j−1,1002j,1002j+1…は、それぞれが図1中の上下方向を長手とするストライプ状のトポロジーで、左右方向にストライプが並設される。活性部の内側には、図1中の中央の高さの右側寄りに設けられた略正方形状のゲートパッド400と、このゲートパッド400の左辺から中央部をゲートパッド400の左側に延びるゲートランナー500とが配置されている。
活性部はゲートパッド400及びゲートランナー500により大きく上下に2分割されており、左右方向の両端を除き2分割された上側の領域に、複数の基本セル…1001j−1,1001j,1001j+1…が配列されている。また上側の領域に、複数の基本セル…1002j−1,1002j,1002j+1…が配列されている。
A plurality of basic cells... 100 1j-1 , 100 1j , 100 1j+1 ...; 100 2j-1 , 100 2j , 100 2j+1 ... are striped topologies each having a vertical direction in FIG. Stripes are arranged side by side. Inside the active portion, a substantially
The active part is largely divided into upper and lower parts by the
尚、第1の実施の形態では活性部は上下の2分割であるが、上下方向にm個以上に分割してi=1〜mとしてもよい(mは1以上の正数である。)。また図1中の基本セル1002jの下端にAを付した破線の円で囲んだように、各ストライプの両端には、破線の矩形状領域で模式的に例示した内蔵トランジスタ1202j(内蔵トランジスタ120ij)が対をなしてそれぞれ設けられている。 In addition, in the first embodiment, the active part is divided into upper and lower parts, but it may be divided into m parts or more in the vertical direction to set i=1 to m (m is a positive number of 1 or more). .. In addition, as indicated by a dashed circle with A at the lower end of the basic cell 100 2j in FIG. 1, the built-in transistor 120 2j (built-in transistor 120 2j (built-in transistor) 120 ij ) are provided in pairs.
第1の実施の形態に係る半導体装置の基本セル100ijは、標準ユニット110ij及び内蔵トランジスタ120ijに亘って設けられた、SiCを主材料とする高濃度のn型(n+)の第1ドレイン領域1を備える。第1ドレイン領域1の上部には、第1ドレイン領域1より低濃度のn型のドリフト層2が設けられている。
The basic cell 100 ij of the semiconductor device according to the first embodiment is a high-concentration n-type (n + )-based cell mainly composed of SiC provided over the
ドリフト層2は例えばドレイン領域1の上にエピタキシャル成長することにより形成できる。ドリフト層2の不純物濃度及び厚さは、SiCの場合、例えば1200Vの耐圧素子においてはそれぞれ約1.0×1016cm−3及び約10umであり、高耐圧にするほど、低濃度で、より厚くする必要がある。ドリフト層2の上部には高濃度のp型(p+)のベース領域4が設けられている。ベース領域4は、チャネル領域3とドリフト層2の間のpn接合に高い逆バイアスが印加された場合に、チャネル領域3がパンチスルーすることを防止する。
The
また第1の実施の形態に係る半導体装置の基本セル100ijは、ベース領域4の上部の一部に設けられた、ベース領域4より低濃度のp型のチャネル領域3を備える。チャネル領域3は例えばベース領域4の上にエピタキシャル成長することにより形成できる。ドリフト層2、ベース領域4及びチャネル領域3は、いずれも標準ユニット110ij及び内蔵トランジスタ120ijに亘って設けられている。
ドレイン領域1及びドリフト層2は、基本セル100の標準ユニット110ij及び内蔵トランジスタ120ijの間で共通する構造である、またベース領域4以上の上層の構造については、標準ユニット110ij及び内蔵トランジスタ120ijとで互いに異なる。
Further, the basic cell 100 ij of the semiconductor device according to the first embodiment includes a p-
The
(標準ユニットの構造)
図2に示す構造は図3のD−D方向から見た断面図であり、標準ユニット110を示す。チャネル領域3の上部の一部に、図3に示すように、基本セル100ijのストライプの長手方向に沿って平行に延びるように設けられた高濃度のn型(n+)の第1ソース領域5を備える。
(Structure of standard unit)
The structure shown in FIG. 2 is a sectional view as seen from the direction D-D in FIG. 3, and shows the
第1ソース領域5は、基本セル100ijの長手方向に沿って、第1ソース領域5を貫通してチャネル領域3の上面を露出させる開口部のパターンが上下方向に配列した表面パターンを有する。図3は主にSiCの表面側の平面を上方から見た構造を示している。図3中では、チャネル領域3や第1ソース領域5の上に位置する第1の絶縁膜、第2の絶縁膜等の図示は省略している。
The
第1ソース領域5を貫通する開口部のパターンが形成されている第1ソース領域5の平面パターンは額縁状に形成できる。第1ソース領域5の開口部に露出したチャネル領域3のパターンは略矩形状である。図3中の上下に2個それぞれ露出したチャネル領域3の中には、第1ポテンシャルバリア層13a1と、第1ポテンシャルバリア層13a2の矩形パターンが形成されている。第1ソース領域5は、チャネル領域3を露出させる複数の開口部のパターンが一定の間隔を空けて離散的に配列されることにより、梯子状のパターンとなって表れる。
The plane pattern of the
図4に示す構造は図3のB−B方向から見た断面に対応する。図4に示すように、上部の一部を第1ソース領域5に囲まれたチャネル領域3の下方のベース領域4の両側には、高濃度のn型(n+)のJFET領域2b1,2b2が、低濃度のn型の打返し領域2a1,2a2の下となる位置に設けられている。
すなわち、JFET領域2b1,2b2の上にはチャネル領域3を挟むように打返し領域2a1,2a2が設けられている。打返し領域2a1,2a2は、いずれもn型の不純物元素をイオン注入することにより、p型のチャネル領域の導電性をn型に反転させた領域である。チャネル領域3の表面の反転層を流れるキャリアは、打返し領域2a1,2a2とJFET領域2b1,2b2を経由して、ドリフト層2へ向かう。
The structure shown in FIG. 4 corresponds to the cross section viewed from the BB direction in FIG. As shown in FIG. 4, high-concentration n-type (n + ) JFET regions 2b1 and 2b2 are formed on both sides of the
That is, the hit-back regions 2a1 and 2a2 are provided on the JFET regions 2b1 and 2b2 so as to sandwich the
また標準ユニット110ijにおけるチャネル領域3の上には、図2に示すように、第1の絶縁膜7が選択的に設けられる。また図2に示す断面位置では現れないが、第1の絶縁膜7の上には複数(図3において2本)の第1ゲート電極が、図3に示した第1ソース領域5の長手方向(図3において上下方向)に沿って第1ソース領域5の上方を平行に延びている。
Further, as shown in FIG. 2, the first insulating
第1ゲート電極のゲート絶縁膜をなす第1の絶縁膜7は酸化膜(SiO2)等である。高耐圧素子は15V〜30V程度のゲート電圧で駆動する場合が多く、信頼性を確保する上で、第1の絶縁膜7の厚さは通常50nm〜150nm程度のものが使用される。また第1の絶縁膜7及び第1ゲート電極の上には、層間絶縁膜11が設けられている。
また図2及び図3に示すように、第1ソース領域5の開口部に露出するチャネル領域3の上には、チャネル領域3への多数キャリアの注入を防止する第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2が設けられている。第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2としては、例えばチャネル領域3との間でショットキー接合を有する、金(Au)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、クロム(Cr)等の金属膜が使用できる。
The first
Further, as shown in FIGS. 2 and 3, on the
図4に示すように、ソース電極9は、チャネルコンタクト部17bにおいて、チャネル領域3とショットキー接合を形成する第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2を介してチャネル領域3と接触している。図2及び図3に示すように、チャネル領域3を露出させる2個の開口部の中央に位置する第1ソース領域5の上には、第1オーミック接合層12が設けられている。第1オーミック接合層12は、本発明の「第1のオーミック接合層」に相当する。
第1オーミック接合層12としては、例えばNi、Niとアルミニウム(Al)の化合物であるNiAl等の金属を含むシリサイド膜が使用できる。図5に示すように、ソース電極9は、ソースコンタクト部17aにおいて、第1オーミック接合層12を介して第1ソース領域5と接触している。
As shown in FIG. 4, the
As the first
また第1ゲート電極8の上には層間絶縁膜11が設けられ、図2に示すように、層間絶縁膜11の開口部を介して、第1オーミック接合層12及び第1ポテンシャルバリア層13a1にソース電極9が接合している。ソース電極9は、第1オーミック接合層12を介して第1ソース領域5と電気的に接続すると共に、第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2を介してチャネル領域3と電気的に接続する。
Further, an
(内蔵トランジスタの構造)
図1〜図3に示した内蔵トランジスタ120ijは、標準ユニット110ijの第1ソース領域5と同じ深さに第1導電型の第2ドレイン領域5a及び第2ソース領域5bを備える横型のMOSFETである。図から分かるように第2ドレイン領域5aは第1ソース領域5に接して一体となっている。第2ドレイン領域5aは、第1ソース領域5と同様に高濃度のn型(n+)である。
(Structure of built-in transistor)
The built-in transistor 120 ij shown in FIGS. 1 to 3 is a lateral MOSFET having a
内蔵トランジスタ120ijの領域におけるチャネル領域3の上部の一部に、第2ドレイン領域5aと離間して設けられた高濃度のn型(n+)の第2ソース領域5bを備える。そして内蔵トランジスタ120ijの領域におけるチャネル領域3の内部に、第2ソース領域5bに接して高濃度のp型(p+)のベースコンタクト領域6aが設けられている。
A high-concentration n-type (n + )
ベースコンタクト領域6aの深さはチャネル領域3の厚みより深く、図2に示したように、ベース領域4の上部の一部に達するように設けられている。また第2ドレイン領域5aと第2ソース領域5bの間のチャネル領域3の上には、第2の絶縁膜7aが設けられ、第2の絶縁膜7aの上には、第1ゲート電極8と電気的に接続された第2ゲート電極8aが設けられている。
The depth of the
第2の絶縁膜7aは、第1の絶縁膜7と同様に酸化膜(SiO2)等であり、第2ゲート電極8aのゲート絶縁膜をなす。既に説明したように、2本の第1ゲート電極8が第2ゲート電極8aの両側を図3の上下方向に延び、第2ゲート電極8aの少なくとも一方の端部で、第1ゲート電極8と接続されている。図2に示すように、第2ゲート電極8aの上には、標準ユニット110ij及び内蔵トランジスタ120ijに亘って設けられている層間絶縁膜11の一部が位置する。
The second
内蔵トランジスタ120ijは、SiCの表面上で第2の絶縁膜7aを貫通するコンタクトホールを介して、ベースコンタクト領域6aの表面及び第2ソース領域5bの表面を短絡するように設けられた第2オーミック接合層12aを備える。第2オーミック接合層12aとしては、第1オーミック接合層12の場合と同様に、Ni、NiAl等の金属を含むシリサイド膜が使用できる。
ベースコンタクト領域6aと第2ソース領域5bの表面それぞれに異なる金属が接触するようにしてもよいし、同一の金属を用いてもよい。また内蔵トランジスタ120ijの層間絶縁膜11を貫通するコンタクトホールを介して第2オーミック接合層12aに接続された第1フローティング電極9aが設けられている。ベースコンタクト領域6a及び第2ソース領域5bは、第2オーミック接合層12aを介して第1フローティング電極9aに接続されている。
The built-in transistor 120 ij is provided on the surface of the SiC so as to short-circuit the surface of the
Different metals may contact the surfaces of the
第1の実施の形態に係る半導体装置のそれぞれの基本セル100ijは、図6に例示したような等価回路で表すことができる。図6中の左上側には、標準ユニット110ijとして示されるMOSFETと、このMOSFETのバックゲートであるチャネル領域3及びソース電極9間に接続された、内蔵トランジスタ120ijとして示されるMOSFETとが表されている。
Each basic cell 100 ij of the semiconductor device according to the first embodiment can be represented by an equivalent circuit as illustrated in FIG. On the upper left side of FIG. 6, a MOSFET shown as a
また内蔵トランジスタ120ijの寄生ボディダイオード121、並びにチャネル領域3及び第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2によって形成されるpショットキーダイオード130を、内蔵トランジスタ120ijにそれぞれ並列に接続して表すことができる。また内蔵トランジスタ120ij及びpショットキーダイオード130等の接合容量の和からなる寄生接合容量140を、内蔵トランジスタ120ijに並列に接続して表すことができる。
Further, the
(半導体装置の動作)
ソース電極9に対し第1ゲート電極8に閾値以上の電圧を印加すると第1ゲート電極8直下のチャネル領域3の表面電位が変化してチャネル領域3の表面に反転層が形成される。この状態でソース電極9に対しドレイン電極10に正の電圧を印加すると、図5の左右両側にそれぞれ電子の経路が出来る。
(Operation of semiconductor device)
When a voltage higher than the threshold is applied to the
図5の左側に表れる経路は、ソース電極9−第1オーミック接合層12−第1ソース領域5−チャネル領域3の表面反転層−打返し領域2a1−JFET領域2b1−ドリフト層2−ドレイン領域1−ドレイン電極10となる。
また図5の右側に表れる経路は、ソース電極9−第1オーミック接合層12−第1ソース領域5−チャネル領域3の表面反転層−打返し領域2a2−JFET領域2b2−ドリフト層2−ドレイン領域1−ドレイン電極10となる。その結果、ドレイン電極10からソース電極9へ電流が流れ、標準ユニット110ijがオン状態となる。
A path appearing on the left side of FIG. 5 includes a
The path appearing on the right side of FIG. 5 is as follows: source electrode 9-first ohmic junction layer 12-first source region 5-surface inversion layer of channel region 3-counteracting region 2a2-JFET region 2b2-drift layer 2-drain region. 1-It becomes the
標準ユニット110ijのオン状態では、第1ゲート電極8に接続された内蔵トランジスタ120ijの第2ゲート電極8aの電位により、内蔵トランジスタ120ijがオンする。そのため、第1ソース領域5から、第1ソース領域5に接続された内蔵トランジスタ120ijの第2ドレイン領域5a及び第2ソース領域5bを介して内蔵トランジスタ120ijの第1フローティング電極9aに電子が流入する。このとき第1フローティング電極9aは、MOSFETとしての内蔵トランジスタ120ijのソース電極をなす。
In the ON state of the
流入した電子は高濃度のp型(p+)のベースコンタクト領域6aと接触する第2オーミック接合層12a又は第1フローティング電極9aで電子−正孔変換が行われる。変換後、正孔はチャネル領域3及びベース領域4に供給され、チャネル領域3及びベース領域4は第1ソース領域5と同電位となる。
The electrons that have flowed in undergo electron-hole conversion at the second
一方、標準ユニット110ijのソース電極9に対し第1ゲート電極8に印加される電圧が閾値以下になると、チャネル領域3表面の反転層が消滅するため、標準ユニット110ijがオフ状態となり電流は流れない。そして第1ゲート電極8に負電圧が印加されると正孔がチャネル領域3とゲート酸化膜との界面にトラップされる。このとき、チャネル領域3とソース電極9の間には第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2が設けられているため、正孔はショットキー接合によりチャネル領域3には注入されない。
On the other hand, when the voltage applied to the
ショットキー接合の正孔に対するバリアハイトは、バリアを超えて熱的な励起による正孔の注入が積層欠陥の成長に必要な電流密度を超えない値として0.5eV以上が必要で、1eV以上が望ましい。一方、L負荷アバランシェ降伏時等の正孔電流による寄生バイポーラ動作を抑制するうえで正孔電流によるp型ボディ領域の電圧降下を1V程度以下に抑えることが可能な条件として、4H−SiCのバンドギャップ3.26eVより1eV以上低い2.26eV以下のバリアハイトが望ましい。 The barrier height of the Schottky junction against holes is required to be 0.5 eV or more, preferably 1 eV or more, so that the injection of holes by thermal excitation beyond the barrier does not exceed the current density required for growth of stacking faults. .. On the other hand, in order to suppress the parasitic bipolar operation due to the hole current at the time of L load avalanche breakdown etc., it is possible to suppress the voltage drop in the p-type body region due to the hole current to about 1 V or less, the band of 4H-SiC A barrier height of 2.26 eV or less, which is lower than the gap 3.26 eV by 1 eV or more, is desirable.
チャネル領域3及びベース領域4は、ソース電極9の電位に対し負電位となるが、オフ状態であるため問題は生じない。むしろベース領域4に挟まれたJFET領域2b1,2b2が若干ピンチオフし易くなるため、耐圧が向上する。一方、ドレイン電極10に負電圧が印加された場合、ショットキー接合が逆バイアスとなり、ショットキー接合の容量に応じた短時間における少ない電流しか流れない。
The
(第1比較例)
図7に示した第1比較例に係る半導体装置は、ベースコンタクト領域6及び第1ソース領域5の表面に、図5の場合と同様に第1オーミック接合層12が設けられたプレナー型のSiC縦型パワーMOSFETである。
この第1オーミック接合層12により、ベースコンタクト領域6及び第1ソース領域5のそれぞれの間にオーミックコンタクトが形成されている。しかし、図2及び図3等に示した第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2及び内蔵トランジスタ120ijは設けられていない。
(First Comparative Example)
The semiconductor device according to the first comparative example shown in FIG. 7 is a planar type SiC in which the first
The first
第1比較例に係る半導体装置及び第1の実施の形態に係る半導体装置を、それぞれ図8の単相インバータの例に示す、負荷インダクタ24に接続された4個のMOSFET20a〜20dとして用いた場合を考える。2個のMOSFET20a,20dが導通している場合、電流Iaが負荷インダクタ24に流れる。また2個のMOSFET20a,20dをオフすると、負荷インダクタ24に流れていた電流は転流し、2個のダイオード21c,21bを流れる電流Ibとなる。
When the semiconductor device according to the first comparative example and the semiconductor device according to the first embodiment are used as the four MOSFETs 20a to 20d connected to the
第1比較例に係る半導体装置を用いた単相インバータの場合、SiCのボディダイオードに電流を流さない様に、ダイオードの順方向電圧がSiCのビルトイン電圧以上にならないように、4個のダイオード21a,21b,21c,21dを大面積のダイオードにしなければならない。
In the case of the single-phase inverter using the semiconductor device according to the first comparative example, the four
一方、第1の実施の形態に係る半導体装置を4個のMOSFET20a〜20dとして用いた単相インバータの場合、第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2により、低い逆電圧では、ボディ領域(3,4)に正孔が継続的に注入されない。そのため4個のダイオード21a,21b,21c,21dを比較的小面積で順方向電圧の高いダイオードとしても、SiCの半導体装置と並列に接続した場合に、半導体装置のボディダイオードに電流が流れることがない。
On the other hand, in the case of a single-phase inverter using the semiconductor device according to the first embodiment as the four MOSFETs 20a to 20d, the first potential barrier layers 13a1 and 13a2 cause the body regions (3, 4) to be low in reverse voltage. Holes are not continuously injected into the. Therefore, even if the four
(第2比較例)
図9に、本発明と同一発明者により、チャネル領域3にショットキー接合又はヘテロ接合を形成し、正孔の継続的な注入を防止すると共に、アバランシェ降伏時には正孔を引き抜くことが可能で、寄生バイポーラ動作を防止することが可能な構造のSiC半導体装置を第2比較例として示す。第2比較例に係る半導体装置には、ベースコンタクト領域6及び第1ソース領域5の表面には、第1の実施の形態に係る半導体装置の場合と同様に第1ポテンシャルバリア層13a,13bが設けられている。
また第1ソース領域5の表面には、第1の実施の形態に係る半導体装置の場合と同様に第1オーミック接合層12が設けられている。しかし、第1の実施の形態に係る半導体装置の内蔵トランジスタ120ijは設けられていない。
(Second Comparative Example)
In FIG. 9, the same inventor of the present invention forms a Schottky junction or a heterojunction in the
Further, the first
ここで、SiC半導体を用いたMOSFETにおいては、MOSFETの界面に多数の準位が存在することが知られている。この界面準位の存在により、ゲートしきい値電圧Vthの上昇及びJFET効果の増加が発生することが本発明者の研究により分かった。この現象を図10中のMOSFETのチャネル部のバンド図を用いて説明する。図10では、実線で示したチャネル領域3及び破線で示した第1ソース領域5の両方を重ねて表示すると共に、同じエネルギーで重なる共通部分を点線で示している。
Here, it is known that a MOSFET using a SiC semiconductor has many levels at the interface of the MOSFET. It has been found by the study of the present inventors that the existence of this interface state causes an increase in the gate threshold voltage Vth and an increase in the JFET effect. This phenomenon will be described with reference to the band diagram of the channel portion of the MOSFET in FIG. In FIG. 10, both the
図10(a)はMOSFETのゲートに負電圧を印加した場合のバンド図で、チャネル領域3表面に蓄積層が形成される場合を示している。この状態で蓄積層の正孔は界面準位にトラップされる。一方、図10(b)はMOSFETのゲートにゲートしきい値電圧Vth以上の電圧を印加した場合のバンド図で、第1ソース領域5からチャネル領域3の反転層を介して電子が界面準位に落込みトラップされた正孔と再結合して消滅する様子を示している。この現象は所謂チャージポンピング法と呼ばれる界面準位のエネルギーと密度分布を調べる方法と同じである。
FIG. 10A is a band diagram when a negative voltage is applied to the gate of the MOSFET, and shows a case where an accumulation layer is formed on the surface of the
尚、図10では正孔トラップで説明したが、正孔はチャネル領域3からしか供給されず、電子は第1ソース領域5からしか供給されないため、電子トラップであっても同様の現象が発生する。そのためMOSFETのゲートに交互に図10(a)及び図10(b)の状態になるような電圧を印加すると、図11の等価回路に示すように、チャネル領域3から第1ソース領域5に向かって電流Icpが流れる。
Although the hole trap is described in FIG. 10, since holes are supplied only from the
この電流Icpは、ゲートに印加する電圧の持続時間が、トラップされる時定数及び再結合する時定数より十分長い場合では、ゲートに印加する電圧の周波数をfとすると、式(1)で表される。
Icp=q・(Nh+Ne)f …(1)
ここで、ゲート電圧の振幅とトラップのエネルギー分布に応じて決まる正孔トラップ数をNh、電子トラップ数をNe、qを素電荷とする。尚、図11中では、電流Icpは、流れる電流の平均値として表されている。
この電流Icpにより、p型のボディ領域(3,4)は負電位になるが、ショットキー接合、又は第1ソース領域5及びチャネル領域3間の接合等におけるリーク電流とバランスする電位になる。したがって、トラップ量が多く、リーク電流が小さいとチャネル領域3の電位はソース電位を基準として大きな負の値になる。
When the duration of the voltage applied to the gate is sufficiently longer than the trapped time constant and the recombination time constant, the current I cp is given by the formula (1), where f is the frequency of the voltage applied to the gate. expressed.
I cp =q·(N h +N e )f (1)
Here, the number of hole traps determined by the amplitude of the gate voltage and the energy distribution of the traps is N h , the number of electron traps is N e , and q is elementary charge. In addition, in FIG. 11, the current I cp is represented as an average value of flowing currents.
Due to this current I cp , the p-type body regions (3, 4) have a negative potential, but have a potential that balances the leakage current in the Schottky junction, the junction between the
その結果、所謂バックゲート効果によりMOSFETのゲートしきい値電圧Vthが増大し、p型のボディ領域(3,4)とJFET領域2b1,2b2のpn接合の逆バイアスが増加してJFET効果が増大する。そのため、MOSFETのオン電圧が増加する。正孔トラップはチャネル領域のフラットバンド電圧にも依存するがゲート電圧0V付近では発生しない。
しかしながら通常の応用では、例えば図8に示したようなブリッジ構成の回路においては、MOSFET20cのオフ時に、対抗アームのMOSFET20aがオンすると、MOSFET20cのソースードレイン間電圧に最大上昇率dV/dtの変化が発生する。この最大上昇率dV/dtの変化により、MOSFET20cのドレイン−ゲート間容量を介し電流が流れ、この電流によるゲート抵抗の電圧降下によってゲート電圧が持ち上がり、MOSFETが誤オンする。このように誤オンすることを防止するため、通常オフ時にゲートを負バイアスすることが行われている。
As a result, the gate threshold voltage Vth of the MOSFET increases due to the so-called back gate effect, the reverse bias of the pn junction between the p-type body regions (3, 4) and the JFET regions 2b1 and 2b2 increases, and the JFET effect increases. To do. Therefore, the on-voltage of the MOSFET increases. Hole traps also depend on the flat band voltage of the channel region, but do not occur near the gate voltage of 0V.
However, in a normal application, for example, in a circuit having a bridge configuration as shown in FIG. 8, when the
第2比較例に係る半導体装置の場合、上記したMOSFETの界面準位が存在する。正孔がトラップされる状態はフラットバンド電圧、ゲートしきい値電圧Vth等にも依存するが、ゲート電圧が0V付近以下の電圧で発生する。そのため、ゲートしきい値電圧Vthの低い素子では、ゲート電圧が0Vでは正孔はトラップされない場合もある。しかし、ゲートしきい値電圧Vthの低い素子ほど誤オンが発生し易く、誤オンを防止するためゲートをより大きく負バイアスする必要が生じてしまうため、この現象が発生してしまう。一方、第1の実施の形態に係る半導体装置の場合、オン期間においてp型のボディ領域(3,4)と第1ソース領域5を短絡する内蔵トランジスタ120ijにより、ゲート酸化膜とチャネル領域界面のトラップ準位によるチャージポンピング効果による、ゲートしきい値電圧Vthの上昇及びJFET抵抗の増大によるオン電圧の上昇を防止することができる。
In the case of the semiconductor device according to the second comparative example, the interface state of the above MOSFET exists. The state in which holes are trapped depends on the flat band voltage, the gate threshold voltage Vth, etc., but occurs at a gate voltage of about 0 V or less. Therefore, in an element having a low gate threshold voltage Vth, holes may not be trapped when the gate voltage is 0V. However, this phenomenon occurs because an element having a lower gate threshold voltage Vth is more likely to be erroneously turned on and the gate needs to be more negatively biased to prevent erroneous on. On the other hand, in the case of the semiconductor device according to the first embodiment, due to the built-in transistor 120 ij that short-circuits the p-type body region (3, 4) and the
第1の実施の形態に係る半導体装置によれば、p型のボディ領域(3,4)とソース電極9間がオーミック接合ではなく、ボディ領域(3,4)に多数キャリアの注入を防止するポテンシャルバリア層を有する接合である。そのため、低い逆電圧では正孔が継続的に注入されず、半導体装置と並列に比較的小面積で順方向電圧の高いダイオードを接続した場合でも、半導体装置のボディダイオードに電流が流れない。よって再結合による積層欠陥の成長が発生しないため、オン抵抗の劣化を有効に解消できる。
According to the semiconductor device of the first embodiment, the majority carrier is prevented from being injected into the body region (3, 4) instead of the ohmic junction between the p-type body region (3, 4) and the
また第1の実施の形態に係る半導体装置によれば、内蔵トランジスタ120ijは、周辺耐圧構造300に近接した部分、ゲートパッド400に近接した部分、及びゲートランナー500に近接した部分のうちのいずれかの位置に埋め込まれている。このように基本セル100のそれぞれの内蔵トランジスタ120ijが配置されることにより、内蔵トランジスタ120ijにソース電極9と分離した第1フローティング電極9aが存在しても、ソース電極9へのワイヤーボンディング等を好適に行える。
Further, according to the semiconductor device according to the first embodiment, the built-in transistor 120 ij has any one of a portion close to the peripheral
(半導体装置の製造方法)
第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を、図12〜図17を参照して例示的に説明する。まず図12に示すように、例えば4H−SiCのn+型の半導体基板1subを用意し、この半導体基板1subの上面上に4H−SiCの単結晶層をエピタキシャル成長してn型のドリフト層2を形成する。
次に、フォトリソグラフィ技術により選択イオン注入用のレジストマスクを形成し、Al等のp型不純物を所定の場所にイオン注入する。更にベース領域4の上部に、同様に4H−SiCの単結晶層をエピタキシャル成長してp型のチャネル領域3を連続的に形成する。
(Method of manufacturing semiconductor device)
A method of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment will be exemplarily described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 12, for example, an n +
Next, a resist mask for selective ion implantation is formed by a photolithography technique, and p-type impurities such as Al are ion-implanted at predetermined locations. Further, a 4H—SiC single crystal layer is similarly epitaxially grown on the
チャネル領域3をエピタキシャル成長させることにより、イオン注入でチャネル領域3を形成する場合(いわゆるDMOS)に比較して、イオン注入のダメージによるチャネルモビリティの低下が生じない。そのためチャネルモビリティが高い高性能な半導体装置を得ることができる。
その後、フォトリソグラフィ技術により選択イオン注入用のレジストマスクを形成し、チャネル領域3の上部の一部に、窒素(N)イオン等のn型を呈する不純物元素イオンを多段イオン注入して、打返し領域2a1,2a2を形成する。
By epitaxially growing the
After that, a resist mask for selective ion implantation is formed by a photolithography technique, and n-type impurity element ions such as nitrogen (N) ions are ion-implanted in a part of the upper portion of the
このとき、JFET領域2b1,2b2の導入濃度を、ドリフト層2の濃度より高めれば、JFET抵抗を低減することができる。またJFET領域2b1,2b2と同時に、ベース領域4とドリフト層2の境界部分にもドリフト層2より高い濃度に不純物を導入し、キャリアの広がり抵抗を小さくする、電流拡散層(Current Spreading Layer,CSL)を形成してもよい。
At this time, if the introduced concentration of the JFET regions 2b1 and 2b2 is made higher than the concentration of the
次に、フォトリソグラフィ技術により選択イオン注入用のレジストマスクを形成し、チャネル領域3の上部の一部に、n型を呈する不純物元素イオンをイオン注入法により注入する。このイオン注入は、射影飛程がチャネル領域3の内部に留まる程度になるように調整して行い、図13に示すように、n+型の第1ソース領域5、n+型の第2ドレイン領域5a及びn+型の第2ソース領域5bを同時に、且つ、選択的に形成する。
Next, a resist mask for selective ion implantation is formed by a photolithography technique, and an impurity element ion exhibiting n-type is implanted into a part of the upper portion of the
更に、フォトリソグラフィ技術により選択イオン注入用のレジストマスクを別途形成し、後に予定される工程で内蔵トランジスタ120ijとなる領域におけるチャネル領域3の上部の一部にp型を呈する不純物元素イオンを、加速電圧を変えて多段で注入してもよい。
この多段イオン注入は、射影飛程がベース領域4の上部の一部に届く程度になるように加速電圧を変えて多段に調整して行い、p+型のベースコンタクト領域6を第2ソース領域5bに接するように選択的に形成してもよい。
Further, a resist mask for selective ion implantation is separately formed by a photolithography technique, and a p-type impurity element ion having a p-type is added to a part of an upper portion of the
This multi-stage ion implantation is performed by adjusting the acceleration voltage in multiple stages so that the projection range reaches a part of the upper portion of the
次に図14に示すように、半導体基板1subの上面上に、熱酸化処理によりSiO2膜を積層して絶縁膜7zを形成する。この絶縁膜7zの上に、不純物元素が添加されたドープドポリシリコン膜を化学的気相成長(CVD)法等で成膜する。この後ドープドポリシリコン膜を、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術等を用いて選択的に除去してパターニングし、第1ゲート電極8及び第2ゲート電極8aのパターンを形成する。
次に第1ゲート電極8及び第2ゲート電極8aの上に、例えばCVD法等によりSiO2膜を成膜して絶縁膜11zを形成する。次に、フォトリソグラフィ技術により、ソースコンタクト部17a、チャネルコンタクト部17b及びソースチャネルコンタクト部17cのそれぞれのコンタクトホール開孔用のエッチングマスクを形成する。
Next, as shown in FIG. 14, a SiO 2 film is laminated on the upper surface of the
Next, a SiO 2 film is formed on the
このエッチングマスクを用いて、第1ソース領域5の開口部を貫通して露出したチャネル領域3の上部の絶縁膜7z及び絶縁膜11zを反応性イオンエッチング(RIE)等で除去する。同時に開口部同士の間に位置する第1ソース領域5の上部、並びに第2ソース領域5b及びベースコンタクト領域6aの上部の一部の絶縁膜7z及び絶縁膜11zも除去する。
これにより、図15に示すように、標準ユニット110ijの形成予定領域にコンタクトホールを有する第1の絶縁膜7のパターン及び層間絶縁膜11のパターンが形成される。また同時に、内蔵トランジスタ120ijの形成予定領域にコンタクトホールを有する第2の絶縁膜7aのパターンと、層間絶縁膜11のパターンとが定着される。
Using this etching mask, the insulating
As a result, as shown in FIG. 15, a pattern of the first insulating
次に図16に示すように、半導体基板1subの上面上に、例えばスパッタリング、真空蒸着法等によりNi,NiAl等の金属膜を成膜する。次に、フォトリソグラフィ技術により、この金属膜がソースコンタクト部17a及びソースチャネルコンタクト部17cの上面にのみ残るようにエッチングマスクを形成する。
そしてこのエッチングマスクを用いて、ソースコンタクト部17a及びソースチャネルコンタクト部17cの上面以外の金属膜をエッチングして除去し、第1オーミック接合層12及び第2オーミック接合層12aを同時に形成する。第1オーミック接合層12及び第2オーミック接合層12aの形成は、リフトオフ工程によって行ってもよい。
Next, as shown in FIG. 16, a metal film of Ni, NiAl, or the like is formed on the upper surface of the
Then, using this etching mask, the metal film other than the upper surfaces of the
また半導体基板1subの下面側を化学的機械研磨(CMP)して厚みを減じ、図1に示したようなドレイン領域1を形成する。そしてドレイン領域1の表面にNi等の金属膜を成膜し、この金属膜をパターニングしてドレイン電極10を形成する。
その後、熱処理(シンタリング)をして、第1オーミック接合層12及び第2オーミック接合層12aと第1ソース領域5とのオーミック接触性、及びドレイン電極10とドレイン領域1とのオーミック接触性を改善する。また第1オーミック接合層12及び第2オーミック接合層12aをシリサイド膜に形成するときは、熱処理によりシリサイド化させることになる。
Further, the lower surface side of the
Then, heat treatment (sintering) is performed to improve the ohmic contact between the first
次に、半導体基板1subの上面上に、スパッタリング又は真空蒸着法等により、ショットキー接合をなす金属膜を成膜する。そしてこの金属膜を、第1オーミック接合層12及び第2オーミック接合層12aの場合と同様に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術等を用いて選択的に除去し、第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2を同時に形成する。
Next, a metal film forming a Schottky junction is formed on the upper surface of the
その後、図17に示すように、Al等の金属膜9zをスパッタリング、真空蒸着法等により全面に成膜する。そしてフォトリソグラフィ技術により、図2に示したように、ソース電極9を、第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2及び第1オーミック接合層12に接触するように形成する。同時にソース電極9から分離したパターンとなる第1フローティング電極9aを、第2オーミック接合層12aに接触するように形成する。ソース電極9、第1フローティング電極9a及び層間絶縁膜11の上に、図示を省略するSiO2膜やパッシベーション膜等を積層すれば、図1〜3に示したような半導体装置を得ることができる。
After that, as shown in FIG. 17, a
<第2の実施の形態>
(半導体装置の構造)
第2の実施の形態に係る半導体装置が、第1の実施の形態の場合と異なる点は、第1ポテンシャルバリア層13b,13cがチャネル領域3の表面に露出した部分だけではなく、第1オーミック接合層12及び第2オーミック接合層12a上及び層間絶縁膜11上に形成されている点である。
<Second Embodiment>
(Structure of semiconductor device)
The semiconductor device according to the second embodiment is different from that according to the first embodiment in that not only the portions where the first potential barrier layers 13b and 13c are exposed on the surface of the
第2の実施の形態に係る半導体装置は、図18に示すように、1個以上の標準ユニット110aij及び内蔵トランジスタ120aijを含む基本セル100aを備える。第2の実施の形態に係る半導体装置は、標準ユニット110aij及び内蔵トランジスタ120aijに亘って設けられた、SiCを主材料とする高濃度のn型(n+)の第1ドレイン領域1を備える。
As shown in FIG. 18, the semiconductor device according to the second embodiment includes a basic cell 100a including one or more standard units 110a ij and built-in transistors 120a ij . The semiconductor device according to the second embodiment has a high-concentration n-type (n + )
また第2の実施の形態に係る半導体装置は、第1ドレイン領域1の上部に設けられた、第1ドレイン領域1より低濃度のn型のドリフト層2と、このドリフト層2の上部に設けられた高濃度のp型(p+)のベース領域4とを備える。また第2の実施の形態に係る半導体装置の基本セル100aijは、ベース領域4の上部の一部に設けられた、ベース領域4より低濃度のp型のチャネル領域3を備える。
In the semiconductor device according to the second embodiment, an n-
また第2の実施の形態に係る半導体装置の基本セル100aijは、標準ユニット110aijにおけるチャネル領域3の上部の一部に、基本セル100のストライプの長手方向に沿って平行に延びるように設けられた高濃度のn型(n+)の第1ソース領域5を備える。また標準ユニット110aijにおけるチャネル領域3の上には、第1の絶縁膜7が選択的に設けられる。
The basic cell 100a ij of the semiconductor device according to the second embodiment is provided in a part of the upper part of the
また第1の絶縁膜7の上には第1ゲート電極が、第1ソース領域5の長手方向に沿って平行に延びている。またチャネル領域3を露出させる2個の開口部の中央に位置する第1ソース領域5の上には、第1オーミック接合層12が設けられている。また層間絶縁膜11及び第1オーミック接合層12の上に設けられた第1ポテンシャルバリア層13bの上にはソース電極9が設けられている。
Further, a first gate electrode extends in parallel on the first insulating
また第2の実施の形態に係る半導体装置の基本セル100aijは、内蔵トランジスタ120aijの領域におけるチャネル領域3の上部の一部に設けられ第1ソース領域5と電気的に接続された第1導電型の第2ドレイン領域5aを備える。第2ドレイン領域5aは第1ソース領域5と連続するように一体的に設けられている。
また第2の実施の形態に係る半導体装置の基本セル100aijは、内蔵トランジスタ120aijの領域におけるチャネル領域3の上部の一部に、第2ドレイン領域5aと離間して設けられた高濃度のn型(n+)の第2ソース領域5bを備える。
The basic cell 100a ij of the semiconductor device according to the second embodiment is provided in a part of the upper part of the
In addition, the basic cell 100a ij of the semiconductor device according to the second embodiment has a high concentration of a high concentration provided in a part of the upper portion of the
また第2ドレイン領域5aと第2ソース領域5bの間のチャネル領域3の上には、第2の絶縁膜7aが設けられ、第2の絶縁膜7aの上には、第1ゲート電極8と電気的に接続された第2ゲート電極8aが設けられている。第2の実施の形態に係る半導体装置の他の構造については、第1の実施の形態に係る半導体装置の対応する層又は領域等と等価であるため、重複説明を省略する。
Further, a second
図19に示すように、第2の実施の形態に係る半導体装置の、第1ソース領域5の開口部に配置された第1ポテンシャルバリア層13bが、露出したチャネル領域3の表面上だけでなく、表面上から連続して層間絶縁膜11上にも形成されている。この第1ポテンシャルバリア層13bは、標準ユニット110aijにおける層間絶縁膜11上に広がっており、図20に示すように、互いに隣接する開口部の間の第1ソース領域5の上に配置された第1オーミック接合層12の上にも形成されている。
As shown in FIG. 19, the first
第1ポテンシャルバリア層13b,13cとして、例えばTiを用いたショットキー金属をショットキー電極として使用した場合は、第1ポテンシャルバリア層13b,13cはバリア層として働き、半導体装置の特性の劣化を防止する効果が得られる。また、第1ポテンシャルバリア層13b,13cを半導体基板の上面の全面に成膜した後、ソース電極9の形成の場合と同じフォトマスクを用いてエッチングすれば、製造工数を削減することができる。第2の実施の形態に係る半導体装置の他の効果については、第1の実施の形態に係る半導体装置の場合と同様である。
When the Schottky metal using Ti, for example, is used as the Schottky electrode as the first potential barrier layers 13b and 13c, the first potential barrier layers 13b and 13c act as barrier layers and prevent deterioration of the characteristics of the semiconductor device. The effect is obtained. In addition, if the first potential barrier layers 13b and 13c are formed on the entire surface of the upper surface of the semiconductor substrate and then etched using the same photomask as in the case of forming the
<第3の実施の形態>
(半導体装置の構造)
第3の実施の形態に係る半導体装置が第1の実施の形態の場合と異なる点は、第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2に接するチャネル領域3の内部に、例えば1×1018cm−3程度の比較的高濃度(p+)のp型領域3aを設けた点である。
<Third Embodiment>
(Structure of semiconductor device)
The semiconductor device according to the third embodiment is different from the semiconductor device according to the first embodiment in that the inside of the
第3の実施の形態に係る半導体装置は、図21に示すように、1個以上の標準ユニット210ij及び内蔵トランジスタ220ijを含む基本セル200ijを備える。第2の実施の形態に係る半導体装置は、標準ユニット210ij及び内蔵トランジスタ220ijに亘って設けられた、SiCを主材料とする高濃度のn型(n+)の第1ドレイン領域1を備える。
As shown in FIG. 21, the semiconductor device according to the third embodiment includes a basic cell 200 ij including one or more standard units 210 ij and a built-in
また第3の実施の形態に係る半導体装置の基本セル200ijは、第1ドレイン領域1の上部に設けられた、第1ドレイン領域1より低濃度のn型のドリフト層2と、このドリフト層2の上部に設けられた高濃度のp型(p+)のベース領域4と、を備える。また第3の実施の形態に係る半導体装置の基本セル200ijは、ベース領域4の上部の一部に設けられた、ベース領域4より低濃度のp型のチャネル領域3を備える。
The basic cell 200 ij of the semiconductor device according to the third embodiment includes an n-
第3の実施の形態に係る半導体装置は、標準ユニット210ijにおけるチャネル領域3の上部の一部に、基本セル200ijのストライプの長手方向に沿って平行に延びるように設けられた高濃度のn型(n+)の第1ソース領域5を備える。また標準ユニット210ijにおけるチャネル領域3の上には、第1の絶縁膜7が選択的に設けられる。また、第1の絶縁膜7の上には第1ゲート電極が、第1ソース領域5の長手方向に沿って平行に延びている。
The semiconductor device according to the third embodiment has a high concentration of a high concentration provided in a part of the upper part of the
また第1ソース領域5の開口部の内側に露出するチャネル領域3の上には、チャネル領域3への多数キャリアの注入を防止する第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2が設けられている。第1ソース領域5の非開口部の上には、第1オーミック接合層12が設けられている。また層間絶縁膜11、第1オーミック接合層12及び第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2の上にはソース電極9が設けられている。
Further, on the
第3の実施の形態に係る半導体装置の基本セル200ijは、内蔵トランジスタ220ijの領域におけるチャネル領域3の上部の一部に設けられ第1ソース領域5と電気的に接続された第1導電型の第2ドレイン領域5aを備える。第2ドレイン領域5aは第1ソース領域5と連続するように一体的に設けられている。
また第3の実施の形態に係る半導体装置の基本セル200ijは、内蔵トランジスタ220ijの領域におけるチャネル領域3の上部の一部に、第2ドレイン領域5aと離間して設けられた高濃度のn型(n+)の第2ソース領域5bを備える。また第2ドレイン領域5aと第2ソース領域5bの間のチャネル領域3の上には、第2の絶縁膜7aが設けられ、第2の絶縁膜7aの上には、第1ゲート電極8と電気的に接続された第2ゲート電極8aが設けられている。
The basic cell 200 ij of the semiconductor device according to the third embodiment is provided in a part of the upper part of the
In addition, the basic cell 200 ij of the semiconductor device according to the third embodiment has a high concentration of a high concentration provided in a part of the upper portion of the
p型領域3aは、図22に示すように、略矩形状であり、矩形の外縁が第1ソース領域5の開口部の内縁と、略矩形状の開口部の内縁と略矩形状の第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2の外縁との間に位置するように設けられている。またp型領域3aは、図23に示すように、チャネル領域3と略同じ厚みで設けられている。第3の実施の形態に係る半導体装置の他の構造については、第1及び第2の実施の形態に係る半導体装置の対応する層又は領域等と等価であるため、重複説明を省略する。
As shown in FIG. 22, the p-
第3の実施の形態に係る半導体装置によれば、アバランシェ降伏時等に発生した正孔を、ショットキー接合を介して排出することで流れる電流による電圧降下を小さく抑え、寄生バイポーラ動作を抑えることができる。よって、チャネル領域3全体の濃度を上げ、ゲートしきい値電圧Vthが高くなった場合であっても有効である。第3の実施の形態に係る半導体装置の他の効果については、第1の実施の形態に係る半導体装置の場合と同様である。
According to the semiconductor device of the third embodiment, holes generated at the time of avalanche breakdown are discharged through the Schottky junction to suppress the voltage drop due to the flowing current and suppress the parasitic bipolar operation. You can Therefore, it is effective even when the concentration of the
<第4の実施の形態>
(半導体装置の構造)
第4の実施の形態に係る半導体装置が第1の実施の形態の場合と異なる点は、図24に示すように、活性部の中にnショットキーセル…6001j−1,6001j,6001j+1…;…6002j−1,6002j,6002j+1…を備える点である。nショットキーセル600ijは、通常の基本セル100ijと共に活性部の中に分散して埋め込まれている。
<Fourth Embodiment>
(Structure of semiconductor device)
The semiconductor device according to the fourth embodiment is different from that of the first embodiment in that, as shown in FIG. 24, n Schottky cells... 600 1j-1 , 600 1j , 600 in the active portion. 1j+1 ...; 600 2j-1 , 600 2j , 600 2j+1 ... The n-
すなわち第4の実施の形態に係る半導体装置は、第1の実施の形態に係る半導体装置の基本セル100ijと同様に、標準ユニット110ij及び内蔵トランジスタ120ijに亘って設けられた、SiCを主材料とする高濃度のn型(n+)の第1ドレイン領域1と、この第1ドレイン領域1の上部に設けられた、第1ドレイン領域1より低濃度のn型のドリフト層2と、を備える。
That is, the semiconductor device according to the fourth embodiment is similar to the basic cell 100 ij of the semiconductor device according to the first embodiment in that it includes SiC provided over the
また第4の実施の形態に係る半導体装置の基本セル100ijは、ドリフト層2の上部に設けられた高濃度のp型(p+)のベース領域4と、このベース領域4の上部の一部に設けられた、ベース領域4より低濃度のp型のチャネル領域3と、を備える。
また第4の実施の形態に係る半導体装置の基本セル100ijは、標準ユニット110ijにおけるチャネル領域3の上部の一部に、基本セル100ijのストライプの長手方向に沿って平行に延びるように設けられた高濃度のn型(n+)の第1ソース領域5を備える。また標準ユニット110ijにおけるチャネル領域3の上には、第1の絶縁膜7が選択的に設けられる。
In addition, the basic cell 100 ij of the semiconductor device according to the fourth embodiment includes a high-concentration p-type (p + )
In addition, the basic cell 100 ij of the semiconductor device according to the fourth embodiment extends parallel to a part of the upper part of the
また第1の絶縁膜7の上には第1ゲート電極が、第1ソース領域5の長手方向に沿って平行に延びている。また第1ソース領域5の開口部の内側に露出するチャネル領域3の上には、チャネル領域3への多数キャリアの注入を防止する第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2が設けられている。
Further, a first gate electrode extends in parallel on the first insulating
互いに隣接する開口部の間の第1ソース領域5の上には、第1オーミック接合層12が設けられている。また層間絶縁膜11、第1オーミック接合層12及び第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2の上にはソース電極9が設けられている。
第4の実施の形態に係る半導体装置の基本セル100ijは、内蔵トランジスタ120ijの領域におけるチャネル領域3の上部の一部に設けられ第1ソース領域5と電気的に接続された第1導電型の第2ドレイン領域5aを備える。第2ドレイン領域5aは、第1ソース領域5と連続するように一体的に設けられている。
A first
The basic cell 100 ij of the semiconductor device according to the fourth embodiment is provided with a part of the upper portion of the
また第4の実施の形態に係る半導体装置の基本セル100ijは、内蔵トランジスタ120ijの領域におけるチャネル領域3の上部の一部に、第2ドレイン領域5aと離間して設けられた高濃度のn型(n+)の第2ソース領域5bを備える。また第2ドレイン領域5aと第2ソース領域5bの間のチャネル領域3の上には、第2の絶縁膜7aが選択的に設けられている。
第2の絶縁膜7aの上には、第1ゲート電極8と電気的に接続された第2ゲート電極8aが設けられている。第4の実施の形態に係る半導体装置の基本セル100ijにおける他の構造については、第1〜第3の実施の形態に係る半導体装置の対応する層又は領域等と等価であるため、重複説明を省略する。
Further, the basic cell 100 ij of the semiconductor device according to the fourth embodiment has a high concentration of a high concentration provided in a part of the upper part of the
A
nショットキーセル600ijには、図25に点線囲みの領域で例示するように、図2で示したようなチャネル領域3及びチャネル領域3の下のベース領域4の部分が設けられず、ボディ領域の表面に打返し領域2a3の上面が露出する。ショットキー金属である第1ポテンシャルバリア層13dは、図26に示すように、打返し領域2a3の上面及び打返し領域2a3の周囲のチャネル領域3の一部の上に重なるように設けられている。また打返し領域2a3の下には、図26に示すように、高濃度のn型(n+)のJFE領域2b3が設けられている。
The n-
打返し領域2a3を挟むチャネル領域3の間隔は、耐圧を確保するため基本セル100ijと同等が望ましい。またnショットキーセル600ijの幅は基本セル100ijより広くしてもよい。nショットキーセル600ijの幅を広くした場合耐圧が低下するので、nショットキーセル600ijの中に複数のチャネル領域3及びベース領域4を形成し、チャネル領域3の間隔を同一に保つように形成するのがよい。
Spacing of the
また、図27に示すように、第1ポテンシャルバリア層13dは、ショットキーコンタクト部であるソースチャネルコンタクト部17cを介してソース電極9に接続されている。またチャネル領域3及びチャネル領域3の下のベース領域4はnショットキーセル600ijの端部で基本セル100と接続されている。
尚、第4の実施の形態ではチャネル領域3上の一部にも第1ポテンシャルバリア層13dが形成されているが、打返し領域2a1,2a2上にのみ第1ポテンシャルバリア層13d及びコンタクト部を形成してもよい。
Further, as shown in FIG. 27, the first
In the fourth embodiment, the first
また第1ポテンシャルバリア層13dをなすショットキー金属としては、p型及びn型に共通の金属を用いてもよいし、或いは互いに異なる、それぞれの導電型に対して最適な金属を用いてもよい。
また図24〜図27に示したnショットキーセル600では、内蔵トランジスタ120ijをなす横型MOSFETは形成されていない。しかし隣接する基本セル100から第1ソース領域5を延長させ、内蔵トランジスタ120ijの第2ドレイン領域5aを形成し、内蔵トランジスタ120ijを形成してもよい。
As the Schottky metal forming the first
In the n-
第4の実施の形態に係る半導体装置では、nショットキー接合により、半導体装置に並列して接続させるショットキーダイオードを内蔵できるため、半導体装置の外部にショットキーダイオードを別途接続する必要がなくなる。また第4の実施の形態に係る半導体装置は、ショットキーバリアダイオードを同一チップ上で工程を増加させることなく製造できる。
p型ショットキー接合は現状では良好な特性までいたっていない。それはp型とn型の同一濃度での抵抗が大きく、コンタクト抵抗が比較的大きいためである。このため、アバランシェ降伏時等の正孔電流をソース電極に流す際の電圧降下が大きく、寄生バイポーラ動作を防止するには、比較的大きなショットキー領域を形成する必要がある。
特に、本発明における半導体装置のn型ショットキー接合は小面積でよいため、チップ面積の増加が少なく、外付けショットキーダイオードのためのダイボンディング部や、ワイヤーボンディングが不要になるといった点で効果が大きい。第4の実施の形態に係る半導体装置の他の効果については、第1の実施の形態に係る半導体装置の場合と同様である。
In the semiconductor device according to the fourth embodiment, since the Schottky diode connected in parallel to the semiconductor device can be built in by the n Schottky junction, it is not necessary to separately connect the Schottky diode outside the semiconductor device. The semiconductor device according to the fourth embodiment can manufacture the Schottky barrier diode on the same chip without increasing the number of steps.
At present, the p-type Schottky junction does not have good characteristics. This is because the p-type and n-type have the same resistance at the same concentration, and the contact resistance is relatively large. Therefore, a voltage drop is large when a hole current flows through the source electrode during avalanche breakdown, and a relatively large Schottky region needs to be formed to prevent parasitic bipolar operation.
In particular, since the n-type Schottky junction of the semiconductor device according to the present invention may have a small area, the increase of the chip area is small, and the die bonding portion for the external Schottky diode and the wire bonding are not necessary. Is big. Other effects of the semiconductor device according to the fourth embodiment are similar to those of the semiconductor device according to the first embodiment.
<第5の実施の形態>
(半導体装置の構造)
図1〜図27で示した半導体装置は、いずれも第1ゲート電極8はプレナーゲート型であった。第5の実施の形態に係る半導体装置の、第1の実施の形態の場合と異なる点は、打ち返し領域2a1,2a2と打ち返し領域2a1,2a2に接するチャネル領域3の部分にトレンチ部18a,18bが形成されたトレンチゲート型である点である。
<Fifth Embodiment>
(Structure of semiconductor device)
In each of the semiconductor devices shown in FIGS. 1 to 27, the
第5の実施の形態に係る半導体装置は、図28に示すように、1個以上の標準ユニット710ij及び内蔵トランジスタ720ijを含む基本セル700ijを備える。第5の実施の形態に係る半導体装置の基本セル700ijは、標準ユニット710ij及び内蔵トランジスタ720ijに亘って設けられた、SiCを主材料とする高濃度のn型(n+)の第1ドレイン領域1を備える。
As shown in FIG. 28, the semiconductor device according to the fifth embodiment includes a
また第5の実施の形態に係る半導体装置の基本セル700ijは、第1ドレイン領域1の上部に設けられた、第1ドレイン領域1より低濃度のn型のドリフト層2と、このドリフト層2の上部に設けられた高濃度のp型(p+)のベース領域4と、を備える。また第5の実施の形態に係る半導体装置の基本セル700ijは、ベース領域4の上部の一部に設けられた、ベース領域4より低濃度のp型のチャネル領域3を備える。
The
また第5の実施の形態に係る半導体装置の基本セル700ijは、標準ユニット710ijにおけるチャネル領域3の上部の一部に、基本セル700ijのストライプの長手方向に沿って平行に延びるように設けられた高濃度のn型(n+)の第1ソース領域5を備える。また第1ソース領域5の開口部の内側に露出するチャネル領域3の上には、チャネル領域3への多数キャリアの注入を防止する第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2が設けられている。
In addition, the
また互いに隣接する開口部の間の第1ソース領域5の上には、第1オーミック接合層12が設けられている。また層間絶縁膜11、第1オーミック接合層12及び第1ポテンシャルバリア層13a1,13a2の上にはソース電極9が設けられている。
また第5の実施の形態に係る半導体装置の基本セル700ijは、内蔵トランジスタ720ijの領域におけるチャネル領域3の上部の一部に設けられ第1ソース領域5と電気的に接続された第1導電型の第2ドレイン領域5aを備える。第2ドレイン領域5aは第1ソース領域5と連続するように一体的に設けられている。
Further, the first
The
また第5の実施の形態に係る半導体装置の基本セル700ijは、内蔵トランジスタ720ijの領域におけるチャネル領域3の上部の一部に、第2ドレイン領域5aと離間して設けられた高濃度のn型(n+)の第2ソース領域5bを備える。第5の実施の形態に係る半導体装置の他の構造については、第1〜第4の実施の形態に係る半導体装置の対応する層又は領域等と等価であるため、重複説明を省略する。
In addition, the
図28に示すように、トレンチ部18a,18bは、第1の実施の形態に係る半導体装置の第1ゲート電極8の直下に対応する位置に設けられている。すなわちトレンチ部18a,18bは図3の半導体装置においてSiC表面上でチャネル領域3と打返し領域2a1,2a2が露出した部分に相当する位置に設けられている。
As shown in FIG. 28, the
図29に示すように、トレンチ部18a,18bのそれぞれの内側には、第1の絶縁膜7を介してトレンチ型の第1ゲート電極8a1,8b1が形成されている。また図30に示すように、ドリフト層2の上部には、高濃度のp型(p+)のベース領域4が、上面がチャネル領域3の下面に接するように選択的に設けられている。第5の実施の形態に係る半導体装置の、トレンチ型であること以外の他の効果については、第1の実施の形態に係る半導体装置の場合と同様である。
As shown in FIG. 29, trench-type first gate electrodes 8a1 and 8b1 are formed inside the
尚、第5の実施の形態に係る半導体装置では、標準ユニット710ijの第1ゲート電極8a1,8b1を内蔵トランジスタ720ij側に延ばして設けることにより、延びた部分を内蔵トランジスタ720ijの第2ゲート電極として使用できる。しかし、このように標準ユニット710ijのゲート電極と内蔵トランジスタ720ijのゲート電極とを一体的に使用する場合、内蔵トランジスタ720ijにおけるチャネル幅は、第2ソース領域5b及び第2ドレイン領域5aの深さとなる。
すなわち図3に示したようなプレナー型の場合に比べ、チャネル幅が小さくなる。そのためSiCのボディ領域の表面上に、図2に示したような第2の絶縁膜7a及び第2ゲート電極8aを形成して、内蔵トランジスタ720ij側のみプレナーゲート型のMOSFETを形成してもよい。
In addition, in the semiconductor device according to the fifth embodiment, by extending the first gate electrodes 8a1 and 8b1 of the
That is, the channel width is smaller than that of the planar type shown in FIG. Therefore, even if the second
<第6の実施の形態>
(半導体装置の構造)
第6の実施の形態に係る半導体装置が、第1の実施の形態の場合と異なる点は、図33の平面図から分かるように、第1ソース領域5の開口部の内側の構造である。図3では第1ソース領域5の開口部の内側にチャネル領域3が露出していたが、図33では第1ソース領域5の開口部の内側にチャネル領域3は見えない。
<Sixth Embodiment>
(Structure of semiconductor device)
The semiconductor device according to the sixth embodiment is different from the semiconductor device according to the first embodiment in the structure inside the opening of the
図33の平面構造に対応して、図32の断面構造でも、第1ソース領域5の開口部の内側が図1に示した構造とは異なる。図32に示すように、第6の実施の形態に係る半導体装置が、複数のストライプ状の基本セル800ijを配置する活性部と、活性部の周囲の周辺耐圧構造300とを備える点では図1に示した第1の実施の形態に係る半導体装置と同様である。
Corresponding to the planar structure of FIG. 33, the cross-sectional structure of FIG. 32 also differs from the structure shown in FIG. 1 in the inside of the opening of the
第6の実施の形態に係る半導体装置の基本セル800ijは、図32に示すように、1個以上の標準ユニット810ij及び内蔵トランジスタ820ijを含む。標準ユニット810ijは主電流が流れる領域であり、内蔵トランジスタ820ijは、標準ユニット810ijに接続され標準ユニット810ijにおけるSiCのボディ領域(3,4)とソース領域を短絡させる。
The
第6の実施の形態に係る半導体装置の基本セル800ijは、標準ユニット810ij及び内蔵トランジスタ820ijに亘って設けられた、SiCを主材料とする高濃度のn型(n+)の第1ドレイン領域1を備える。また第6の実施の形態に係る半導体装置の基本セル800ijは、第1ドレイン領域1の上部に設けられた、第1ドレイン領域1より低濃度のn型のドリフト層2と、このドリフト層2の上部に設けられた高濃度のp型(p+)のベース領域4と、を備える。
The
また第6の実施の形態に係る半導体装置の基本セル800ijは、ベース領域4の上部の一部に設けられた、ベース領域4より低濃度のp型のチャネル領域3を備える。また第6の実施の形態に係る半導体装置の基本セル800ijは、標準ユニット810ijにおけるチャネル領域3の上部の一部に、基本セル800ijのストライプの長手方向に沿って平行に延びるように設けられた高濃度のn型(n+)の第1ソース領域5を備える。
Further, the
また互いに隣接する開口部の間の第1ソース領域5の上には、第1オーミック接合層12が設けられている。また層間絶縁膜11及び第1オーミック接合層12の上にはソース電極9が設けられている。また第6の実施の形態に係る半導体装置の基本セル800ijは、内蔵トランジスタ820ijの領域におけるチャネル領域3の上部の一部に設けられ第1ソース領域5と電気的に接続された第1導電型の第2ドレイン領域5aを備える。
Further, the first
第2ドレイン領域5aは第1ソース領域5と連続するように一体的に設けられている。また第6の実施の形態に係る半導体装置の基本セル800ijは、内蔵トランジスタ820ijの領域におけるチャネル領域3の上部の一部に、第2ドレイン領域5aと離間して設けられた高濃度のn型(n+)の第2ソース領域5bを備える。
The
第6の実施の形態に係る半導体装置は、図32に示すように、チャネル領域3の内側の第1ソース領域5に囲まれた領域に設けられたn型の打返し領域2a4,2a5を備える。また第6の実施の形態に係る半導体装置は、打返し領域2a4,2a5の内側に設けられた高濃度のp型(p+)のベースコンタクト領域6b1,6b2を備える。
As shown in FIG. 32, the semiconductor device according to the sixth embodiment includes n-type return regions 2a4 and 2a5 provided in a region surrounded by the
また第6の実施の形態に係る半導体装置は、打返し領域2a4,2a5に接合する第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2と、ベースコンタクト領域6b1,6b2に接合する第3オーミック接合層12b1,12b2とを備える。第1ソース領域に囲まれた領域の内側における第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2及び第3オーミック接合層12b1,12b2のそれぞれは、同一の第2フローティング電極9b1,9b2に接続される。第3オーミック接合層12b1,12b2は、本発明の「第2のオーミック接合層」に相当する。 Further, the semiconductor device according to the sixth embodiment includes the second potential barrier layers 13b1 and 13b2 that are joined to the return regions 2a4 and 2a5 and the third ohmic junction layers 12b1 and 12b2 that are joined to the base contact regions 6b1 and 6b2. Equipped with. The second potential barrier layers 13b1 and 13b2 and the third ohmic junction layers 12b1 and 12b2 inside the region surrounded by the first source region are connected to the same second floating electrodes 9b1 and 9b2. The third ohmic contact layers 12b1 and 12b2 correspond to the "second ohmic contact layer" of the present invention.
打返し領域2a4,2a5は、図33に示すように、平面パターンで額縁状であり、少なくとも一部で第1ソース領域5に接触するように設けられている。ベースコンタクト領域6b1,6b2は、図34に示すように、内蔵トランジスタ820ijのベースコンタクト領域6aと同様に、ベース領域4の上部に到達する深さである。尚、第6の実施の形態に係る半導体装置のソースコンタクト部17aの位置における、図3中のC−C線で示したような基本セル800ijの断面構造は、図5で示した第1の実施の形態に係る半導体装置の基本セル100ijの断面構造と等価である。
As shown in FIG. 33, the hitting-back regions 2a4 and 2a5 are frame-shaped in a plane pattern, and are provided so that at least a part thereof contacts the
第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2は、打返し領域2a4,2a5の表面上の一部において、層間絶縁膜11の開口部におけるショットキー領域コンタクト部17dに設けられている。第6の実施の形態に係る半導体装置の第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2は、図33に示すように、平面パターンで額縁状である。第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2はショットキー金属であり、打返し領域2a4,2a5との間にショットキー接合が形成される。
The second potential barrier layers 13b1 and 13b2 are provided in the Schottky
第3オーミック接合層12b1,12b2は、ベースコンタクト領域6b1,6b2の表面上の一部において、層間絶縁膜11の開口部におけるコンタクト領域コンタクト部17eに設けられている。第3オーミック接合層12b1,12b2は、図33に示すように、平面パターンで矩形状である。第3オーミック接合層12b1,12b2はシリサイド層である。第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2及び第3オーミック接合層12b1,12b2の上には、層間絶縁膜11の内側に第2フローティング電極9b1,9b2がソース電極9と絶縁して設けられている。
The third ohmic junction layers 12b1 and 12b2 are provided in the contact
打返し領域2a4,2a5は第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2を介して、ベースコンタクト領域6b1,6b2は第3オーミック接合層12b1,12b2を介して、それぞれ第2フローティング電極9b1,9b2に接続されている。打返し領域2a4,2a5は、図34に示すように、第1ゲート電極8の下の打返し領域2a1,2a2と同時に形成してよい。また第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2及び打返し領域2a4,2a5で構成されるショットキーダイオードのオン抵抗を低減するため、打返し領域2a4,2a5のみ、更に高濃度の不純物をイオン注入して形成してもよい。
The return regions 2a4 and 2a5 are connected to the second floating electrodes 9b1 and 9b2 via the second potential barrier layers 13b1 and 13b2, and the base contact regions 6b1 and 6b2 are connected to the second floating electrodes 9b1 and 9b2 via the third ohmic junction layers 12b1 and 12b2. There is. The return regions 2a4 and 2a5 may be formed simultaneously with the return regions 2a1 and 2a2 below the
図33に示したように、第6の実施の形態に係る半導体装置の基本セル800ijは、ショットキー領域コンタクト部17d及びコンタクト領域コンタクト部17eが、内蔵トランジスタ820ij側の端部から中央に向かって交互に形成されるように、標準ユニット810ijが繰り返し配列している。
As shown in FIG. 33, in the
図35中に、図32中の状態とは天地を逆にして例示した第2フローティング電極9b1を用いて示すように、第2フローティング電極9b1,9b2は、平面パターンで矩形状に表れる板状であり、矩形の4辺から立ち上がる側壁によって囲まれた凹部を有する。凹部の中央には、周囲の側壁から離間した突起部が設けられている。突起部は平面パターンで矩形状であり、図34中に上面として斜線を付して示される表面91が、第3オーミック接合層12b1と接合する。
In FIG. 35, the second floating electrodes 9b1 and 9b2 have a plate shape that appears in a rectangular pattern in a plane pattern, as shown by using the second floating electrode 9b1 illustrated by reversing the top and bottom from the state in FIG. And has a recess surrounded by side walls rising from four sides of the rectangle. At the center of the recess, a protrusion is provided which is separated from the surrounding side wall. The protrusion has a rectangular shape in a plane pattern, and the
一方、周囲の側壁は平面パターンで額縁状であり、図34中に上面として斜線を付して示される表面92が、第2ポテンシャルバリア層13b1と接合する。第6の実施の形態に係る半導体装置の他の構造については、第1〜第5の実施の形態に係る半導体装置の対応する層又は領域等と等価であるため、重複説明を省略する。
On the other hand, the peripheral side wall has a plane pattern and a frame shape, and the
(半導体装置の動作)
通常のオン動作、すなわちソース電極9の電位に対してドレイン電極10の電位が高い場合には、第1ゲート電極8にゲートしきい値電圧Vth以上の電圧を印加すると、第1ゲート電極8直下のチャネル領域3の表面に反転層が形成される。そしてドレイン電極10、ドレイン領域1、ドリフト層2、図5中の左側に示す領域に表れるJFET領域2b1、打返し領域2a1、チャネル領域3の表面の反転層、第1ソース領域5、第1オーミック接合層12、ソース電極9の経路で電流が流れる。
(Operation of semiconductor device)
In a normal ON operation, that is, when the potential of the
一方、ドレイン電極10、ドレイン領域1、ドリフト層2、図5中の右側に示す領域に表れるJFET領域2b2、打返し領域2a2、チャネル領域3の表面の反転層、第1ソース領域5、第1オーミック接合層12、ソース電極9の経路にも電流が流れる。
On the other hand, the
このとき、内蔵トランジスタ820ijの第2ゲート電極8aにも、ゲートしきい値電圧Vth以上の電圧が印加されている。ベース領域4及びチャネル領域3は、内蔵トランジスタ820ijのベースコンタクト領域6a、第2ソース領域5b、第2ゲート電極8a直下のチャネル領域3の表面の反転層、第2ドレイン領域5a、第2ソース領域5bを介してソース電極9に接続されている。そのためチャネル領域3すなわち標準ユニット810ijのバックゲートは、ソース電極9とほぼ同電位となり、通常の縦型MOSFETの場合と同じ動作となる。
At this time, the voltage equal to or higher than the gate threshold voltage Vth is also applied to the
一方、第1ゲート電極8の電位をゲートしきい値電圧Vth以下の電位にしてオフにした場合、チャネル領域3の表面の反転層は消滅し、標準ユニット810ijには電流が流れなくなる。このときドレイン電極は、電源電圧により上昇し、ドリフト層2、打返し領域2a1,2a2及びJFET領域2b1,2b2のn型の領域と、ベース領域4及びチャネル領域3のp型の領域との間のpn接合が逆バイアスされて空乏層が広がり、耐圧を保持する。
On the other hand, when the potential of the
空乏層が広がるためには、ベース領域4及びチャネル領域3から電流がソース電極9側に流れる必要がある。ここでショットキー領域コンタクト部17dにおいては、ショットキー金属である第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2及び打返し領域2a4,2a5で構成されるショットキーダイオードは順方向バイアスとなる。そのためショットキー領域コンタクト部17dにおける電流は、ベース領域4及びチャネル領域3から、ベースコンタクト領域6b1,6b2、第3オーミック接合層12b1,12b2、第2フローティング電極9b1,9b2、第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2、打返し領域2a4,2a5、第1ソース領域5の経路で流れる。
In order for the depletion layer to spread, a current needs to flow from the
更に、第1ソース領域5に流れた電流は、ソースコンタクト部17aにおいて、第1ソース領域5から、第1オーミック接合層12、ソース電極9の経路で流れる。この経路と同じ経路の電流が、インダクタンス負荷での遮断等、アバランシェ降伏によりドリフト層2に正孔が発生した場合にも流れ、寄生バイポーラトランジスタ動作を抑制することができる。
Further, the current flowing in the
上記のオン、オフ動作を繰り返すと、ベース領域4及びチャネル領域3が、チャージポンピング効果により、ソース電極9に対し負バイアスされる。しかし第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2及び打返し領域2a4,2a5で構成されるショットキーダイオードが逆バイアスとなるため、ショットキー接合経由でベース領域4及びチャネル領域3に正孔を補給することができない。そのため、ベース領域4及びチャネル領域3が負バイアスされる。
When the above-mentioned on/off operation is repeated, the
しかしオフ期間にベース領域4及びチャネル領域3が負バイアスされても、オン期間では内蔵トランジスタ820ijも同時にオンする。そのため、内蔵トランジスタ820ijも経由でベース領域4及びチャネル領域3に正孔を補給し、ソース電極9とほぼ同電位を実現できる。よってゲートしきい値電圧Vthの増加、JFET効果の増加によるオン抵抗の増加が起こることはない。
However, even if the
尚、オフ時にベース領域4及びチャネル領域3が負バイアスされても、ゲートしきい値電圧Vthが上昇するため、チャンネルリークが抑制され、JFET効果によりJFET領域2b1,2b2のピンチオフが促進され、耐圧が向上するなどの利点はあっても、悪影響は生じない。
Even when the
次に図8を参照して、第6の実施の形態に係る半導体装置をブリッジ回路のMOSFET20a〜20dに適用した場合に電流Ibが流れる状態の動作を説明する。電流Ibが流れる場合、ドレイン電極10の電位がソース電極9の電位より負になる。
Next, with reference to FIG. 8, an operation in a state where the current Ib flows when the semiconductor device according to the sixth embodiment is applied to the MOSFETs 20a to 20d of the bridge circuit will be described. When the current Ib flows, the potential of the
ここで図7に示した第1比較例の場合、MOSFET20cに並列接続されたショットキーダイオードであるダイオード21cのオン電圧がMOSFET20cのボディダイオードのビルトイン電圧を超えると、ベース領域4及びチャネル領域3からドリフト層2に正孔が注入され、積層欠陥成長による劣化が発生してしまう。
In the case of the first comparative example shown in FIG. 7, when the on-voltage of the
しかし第6の実施の形態に係る半導体装置の場合、第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2及び打返し領域2a4,2a5で構成されるショットキーダイオードが逆バイアスとなるため、ソース電極9を経由して、ベース領域4及びチャネル領域3への正孔の補給が行われない。そのため、MOSFET20a及びMOSFET20cの両方がオフするデッドタイムにおいても、正孔の注入による劣化が発生しない。ただし、電流が流れない場合は、負荷インダクタ24のインダクタンスにより大きな電圧が発生するため、小面積であってもショットキーダイオードのダイオード31cが必要である。
However, in the case of the semiconductor device according to the sixth embodiment, the Schottky diode composed of the second potential barrier layers 13b1 and 13b2 and the return regions 2a4 and 2a5 is reverse-biased, and therefore, via the
尚、デッドタイム後にMOSFET20cをオンした場合は、内蔵トランジスタ820ijも同時にオンするため、内蔵トランジスタ820ijを経由して、ベース領域4及びチャネル領域3に正孔を補給することができるようになる。しかしMOSFET20cをオンしているため、MOSFET20cのチャネルによってMOSFET20cのボディダイオードを短絡することになるため、ボディダイオードには電流が流れない。
When the
第6の実施の形態に係る半導体装置の等価回路図は、図3に示した第1の実施の形態に係る半導体装置の等価回路図と同様に表せる。図3中の寄生ボディダイオード121は、第6の実施の形態に係る半導体装置の内蔵トランジスタ820ijの寄生ボディダイオードに対応する。
The equivalent circuit diagram of the semiconductor device according to the sixth embodiment can be expressed similarly to the equivalent circuit diagram of the semiconductor device according to the first embodiment shown in FIG. The
図3中のpショットキーダイオード130は、第6の実施の形態に係る半導体装置の第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2及び打返し領域2a4,2a5で構成されるショットキーダイオードに対応する。図3中の寄生接合容量140は、第6の実施の形態に係る半導体装置の内蔵トランジスタ820ij及びショットキーダイオードの接合容量からなる寄生接合容量に対応する。
The p-
第6の実施の形態に係る半導体装置の場合も、第1の実施の形態に係る半導体装置と同様に内蔵トランジスタ820ijが設けられている。そのため、ゲート酸化膜とチャネル領域界面のトラップ準位によるチャージポンピング効果による、ゲートしきい値電圧Vthの上昇及びJFET効果の増加を防止して、オン電圧の上昇を防止することができる。 Also in the case of the semiconductor device according to the sixth embodiment, the built-in transistor 820 ij is provided as in the semiconductor device according to the first embodiment. Therefore, it is possible to prevent the gate threshold voltage Vth and the JFET effect from increasing due to the charge pumping effect due to the trap level at the interface between the gate oxide film and the channel region, thereby preventing the on-voltage from increasing.
また第6の実施の形態に係る半導体装置は、p型のボディ領域(3,4)とソース電極9間に、良好なショットキー特性が得られるように、n型のショットキーダイオードを直列接続した構造である。そのため、低い逆電圧では正孔が継続的に注入されず、半導体装置と並列に比較的小面積で順方向電圧の高いダイオードを接続した場合でも、半導体装置のボディダイオードに電流が流れない。よって再結合による積層欠陥の成長が発生しないため、オン抵抗の劣化を有効に解消できる。第6の実施の形態に係る半導体装置の他の効果については、第1の実施の形態に係る半導体装置と同様である。
Further, in the semiconductor device according to the sixth embodiment, an n-type Schottky diode is connected in series between the p-type body region (3, 4) and the
<第7の実施の形態>
(半導体装置の構造)
第7の実施の形態に係る半導体装置が、第6の実施の形態の場合と異なる点は、第4の実施の形態の場合と等価な構造を有し、半導体装置に並列して接続されるnショットキーセル…6001j−1,6001j,6001j+1…;…6002j−1,6002j,6002j+1…を、活性部の内側に備える点である。
<Seventh Embodiment>
(Structure of semiconductor device)
The semiconductor device according to the seventh embodiment is different from that of the sixth embodiment in that it has a structure equivalent to that of the fourth embodiment and is connected in parallel to the semiconductor device. n Schottky cells... 600 1j-1 , 600 1j , 600 1j+1 ...; 600 2j-1 , 600 2j , 600 2j+1 ... Are provided inside the active portion.
すなわち第7の実施の形態に係る半導体装置では、nショットキーセル600ijが、第6の実施の形態で説明した基本セル800ijと共に活性部の内側に分散して埋め込まれている。そのため、第7の実施の形態に係る半導体装置の平面図は、図24に示した半導体装置における基本セル100ijを基本セル800ijに置換した場合と同様に表れる。また第7の実施の形態に係る半導体装置のnショットキーセル600ijの上面も、図25に示したnショットキーセル600ijと同様に表れる。
That is, in the semiconductor device according to the seventh embodiment, the
第7の実施の形態に係る半導体装置は、図33で示した第6の実施の形態に係る半導体装置の場合と同様に、1個以上の標準ユニット810ij及び内蔵トランジスタ820ijを含む基本セル800ijを備える。標準ユニット810ijは主電流が流れる領域であり、内蔵トランジスタ820ijは、標準ユニット810ijに接続され標準ユニット810ijにおけるSiCのボディ領域(3,4)とソース領域を短絡させる。
The semiconductor device according to the seventh embodiment is similar to the semiconductor device according to the sixth embodiment shown in FIG. 33 in that a basic cell including one or more
第7の実施の形態に係る半導体装置の基本セル800ijは、標準ユニット810ij及び内蔵トランジスタ820ijに亘って設けられた、SiCを主材料とする高濃度のn型(n+)の第1ドレイン領域1を備える。また第7の実施の形態に係る半導体装置の基本セル800ijは、第1ドレイン領域1の上部に設けられた、第1ドレイン領域1より低濃度のn型のドリフト層2と、このドリフト層2の上部に設けられた高濃度のp型(p+)のベース領域4と、を備える。
The
また第7の実施の形態に係る半導体装置の基本セル800ijは、ベース領域4の上部の一部に設けられた、ベース領域4より低濃度のp型のチャネル領域3を備える。また第7の実施の形態に係る半導体装置の基本セル800ijは、標準ユニット810ijにおけるチャネル領域3の上部の一部に、基本セル800ijのストライプの長手方向に沿って平行に延びるように設けられた高濃度のn型(n+)の第1ソース領域5を備える。
Further, the
また互いに隣接する開口部の間の第1ソース領域5の上には、第1オーミック接合層12が設けられている。また層間絶縁膜11及び第1オーミック接合層12の上にはソース電極9が設けられている。また第7の実施の形態に係る半導体装置の基本セル800ijは、内蔵トランジスタ820ijの領域におけるチャネル領域3の上部の一部に設けられ第1ソース領域5と電気的に接続された第1導電型の第2ドレイン領域5aを備える。
Further, a first
第2ドレイン領域5aは第1ソース領域5と連続するように一体的に設けられている。また第7の実施の形態に係る半導体装置の基本セル800ijは、内蔵トランジスタ820ijの領域におけるチャネル領域3の上部の一部に、第2ドレイン領域5aと離間して設けられた高濃度のn型(n+)の第2ソース領域5bを備える。
The
また第7の実施の形態に係る半導体装置は、チャネル領域3の内側の第1ソース領域5に囲まれた領域に設けられたn型の打返し領域2a4,2a5を備える。また第6の実施の形態に係る半導体装置は、打返し領域2a4,2a5の内側に設けられた高濃度のp型(p+)のベースコンタクト領域6b1,6b2を備える。
Further, the semiconductor device according to the seventh embodiment includes n-type return regions 2a4 and 2a5 provided in a region surrounded by the
また第7の実施の形態に係る半導体装置は、打返し領域2a4,2a5に接合する第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2と、ベースコンタクト領域6b1,6b2に接合する第3オーミック接合層12b1,12b2とを備える。第1ソース領域に囲まれた領域の内側における第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2及び第3オーミック接合層12b1,12b2のそれぞれは、同一の第2フローティング電極9b1,9b2に接続される。第7の実施の形態に係る半導体装置の他の構造については、第1〜第6の実施の形態に係る半導体装置の対応する層又は領域等と等価であるため、重複説明を省略する。 In the semiconductor device according to the seventh embodiment, the second potential barrier layers 13b1 and 13b2 that are joined to the return regions 2a4 and 2a5 and the third ohmic junction layers 12b1 and 12b2 that are joined to the base contact regions 6b1 and 6b2 are provided. Equipped with. The second potential barrier layers 13b1 and 13b2 and the third ohmic junction layers 12b1 and 12b2 inside the region surrounded by the first source region are connected to the same second floating electrodes 9b1 and 9b2. Since other structures of the semiconductor device according to the seventh embodiment are equivalent to the corresponding layers or regions of the semiconductor device according to the first to sixth embodiments, duplicate description will be omitted.
図36中には、第7の実施の形態に係る半導体装置の等価回路図では、標準ユニット810ijとして示されるMOSFETと、このMOSFETのバックゲートであるチャネル領域3及びソース電極9間に接続された、内蔵トランジスタ820ijとして示されるMOSFETとが表されている。
In FIG. 36, in the equivalent circuit diagram of the semiconductor device according to the seventh embodiment, a MOSFET shown as a
また内蔵トランジスタ820ijの寄生ボディダイオード821、並びにチャネル領域3及び第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2によって形成されるpショットキーダイオード830を、内蔵トランジスタ820ijにそれぞれ並列に接続して表す。また内蔵トランジスタ820ij及びpショットキーダイオード830等の接合容量の和からなる寄生接合容量840を、内蔵トランジスタ820ijに並列に接続して表す。またnショットキーセル600ijによって構成されるショットキーダイオードを、ソース及びドレイン間に並列に接続して表す。
Further, the
第7の実施の形態に係る半導体装置によれば、第4の実施の形態に係る半導体装置と同様に、ショットキーバリアダイオードを同一チップ上で工程を増加させることなく製造でき、外付けショットキーダイオードのためのダイボンディング部や、ワイヤーボンディングが不要になる。第7の実施の形態に係る半導体装置の、nショットキーセル600ijを内蔵すること以外の他の効果については、第6の実施の形態に係る半導体装置の場合と同様である。
According to the semiconductor device of the seventh embodiment, like the semiconductor device of the fourth embodiment, the Schottky barrier diode can be manufactured on the same chip without increasing the number of steps, and the external Schottky barrier diode can be manufactured. The die bonding part for the diode and the wire bonding are unnecessary. Other effects of the semiconductor device according to the seventh embodiment other than the incorporation of the n-
<第8の実施の形態>
(半導体装置の構造)
第8の実施の形態に係る半導体装置が、第6の実施の形態の場合と異なる点は、図37に示すように、打ち返し領域2a1,2a2と打ち返し領域2a1,2a2に接するチャネル領域3の部分にトレンチ部18a1,18b1が形成されたトレンチゲート型である点である。
<Eighth Embodiment>
(Structure of semiconductor device)
The semiconductor device according to the eighth embodiment is different from the semiconductor device according to the sixth embodiment in that, as shown in FIG. 37, a portion of the
第8の実施の形態に係る半導体装置は、図33で示した第6の実施の形態に係る半導体装置の場合と同様に、1個以上の標準ユニット910ij及び内蔵トランジスタ920ijを含む基本セル900ijを備える。標準ユニット910ijは主電流が流れる領域であり、内蔵トランジスタ920ijは、標準ユニット910ijに接続され標準ユニット910ijにおけるSiCのボディ領域(3,4)とソース領域を短絡させる。 The semiconductor device according to the eighth embodiment is similar to the semiconductor device according to the sixth embodiment shown in FIG. 33 in that it includes a basic cell including one or more standard units 910 ij and built-in transistors 920 ij. With 900 ij . Standard units 910 ij is a region where the main current flows, the internal transistor 920 ij includes a shorting the source region is connected to a standard unit 910 ij body regions of SiC in the standard unit 910 ij (3,4).
第8の実施の形態に係る半導体装置の基本セル900ijは、標準ユニット910ij及び内蔵トランジスタ920ijに亘って設けられた、SiCを主材料とする高濃度のn型(n+)の第1ドレイン領域1を備える。また第8の実施の形態に係る半導体装置の基本セル900ijは、第1ドレイン領域1の上部に設けられた、第1ドレイン領域1より低濃度のn型のドリフト層2と、このドリフト層2の上部に設けられた高濃度のp型(p+)のベース領域4と、を備える。
The
また第8の実施の形態に係る半導体装置の基本セル900ijは、ベース領域4の上部の一部に設けられた、ベース領域4より低濃度のp型のチャネル領域3を備える。また第8の実施の形態に係る半導体装置の基本セル900ijは、標準ユニット910ijにおけるチャネル領域3の上部の一部に、基本セル900ijのストライプの長手方向に沿って平行に延びるように設けられた高濃度のn型(n+)の第1ソース領域5を備える。
Further, the
また互いに隣接する開口部の間の第1ソース領域5の上には、第1オーミック接合層12が設けられている。また層間絶縁膜11及び第1オーミック接合層12の上にはソース電極9が設けられている。また第8の実施の形態に係る半導体装置の基本セル900ijは、内蔵トランジスタ920ijの領域におけるチャネル領域3の上部の一部に設けられ第1ソース領域5と電気的に接続された第1導電型の第2ドレイン領域5aを備える。
Further, the first
第2ドレイン領域5aは第1ソース領域5と連続するように一体的に設けられている。また第8の実施の形態に係る半導体装置の基本セル900ijは、内蔵トランジスタ920ijの領域におけるチャネル領域3の上部の一部に、第2ドレイン領域5aと離間して設けられた高濃度のn型(n+)の第2ソース領域5bを備える。
The
また第8の実施の形態に係る半導体装置は、チャネル領域3の内側の第1ソース領域5に囲まれた領域に設けられたn型の打返し領域2a4,2a5を備える。また第6の実施の形態に係る半導体装置は、打返し領域2a4,2a5の内側に設けられた高濃度のp型(p+)のベースコンタクト領域6b1,6b2を備える。
In addition, the semiconductor device according to the eighth embodiment includes n-type return regions 2a4 and 2a5 provided inside the
また第8の実施の形態に係る半導体装置は、打返し領域2a4,2a5に接合する第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2と、ベースコンタクト領域6b1,6b2に接合する第3オーミック接合層12b1,12b2とを備える。第1ソース領域に囲まれた領域の内側における第2ポテンシャルバリア層13b1,13b2及び第3オーミック接合層12b1,12b2のそれぞれは、同一の第2フローティング電極9b1,9b2に接続される。 In the semiconductor device according to the eighth embodiment, the second potential barrier layers 13b1 and 13b2 that are joined to the hit-back regions 2a4 and 2a5 and the third ohmic junction layers 12b1 and 12b2 that are joined to the base contact regions 6b1 and 6b2 are provided. Equipped with. The second potential barrier layers 13b1 and 13b2 and the third ohmic junction layers 12b1 and 12b2 inside the region surrounded by the first source region are connected to the same second floating electrodes 9b1 and 9b2.
ベースコンタクト領域6b1,6b2は、図38に示すように、ベース領域4bの上に設けられている。尚、第8の実施の形態に係る半導体装置のソースコンタクト部17aの位置における、図28中のM−M線で示したような基本セル900ijの断面構造は、図30で示した第5の実施の形態に係る半導体装置の基本セル700ijの断面構造と等価である。
Base contact regions 6b1 and 6b2 are provided on
トレンチ部18a1,18b1は、図37に示したように、内蔵トランジスタ920ij側の端部において、標準ユニット910ijの内側に留まるように、内蔵トランジスタ920ij側の領域には延びていない。 Trench portions 18a1,18b1, as shown in FIG. 37, at the end of the internal transistors 920 ij side, to remain inside the standard units 910 ij, it does not extend to the area of the internal transistors 920 ij side.
内蔵トランジスタ920ijの第2ゲート電極は、図32で示した内蔵トランジスタ820ijの第2ゲート電極8aのように、SiCのボディ領域の表面上に設けることが好ましい。これは、既に第5の実施の形態で説明したように、標準ユニット910ijの第1ゲート電極8a1,8b1を内蔵トランジスタ920ij側に延ばして第2ゲート電極を設けると、内蔵トランジスタ920ijにおけるチャネル幅が小さくなることを回避できるためである。第8の実施の形態に係る半導体装置の他の構造については、第1〜第7の実施の形態に係る半導体装置の対応する層又は領域等と等価であるため、重複説明を省略する。
The second gate electrode of the built-in transistor 920 ij is preferably provided on the surface of the body region of SiC like the
第8の実施の形態に係る半導体装置の、トレンチ型であること以外の他の効果については、第6の実施の形態に係る半導体装置の場合と同様である。 Other effects of the semiconductor device according to the eighth embodiment other than the trench type are the same as those of the semiconductor device according to the sixth embodiment.
(その他の実施の形態)
本発明は上記の開示した第1〜第8の実施の形態によって説明したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施の形態及び運用技術が明らかになると考えられるべきである。
(Other embodiments)
Although the present invention has been described with reference to the above-disclosed first to eighth embodiments, it should not be understood that the description and drawings forming a part of this disclosure limit the present invention. From this disclosure, it should be considered that various alternative embodiments, embodiments, and operation techniques will be apparent to those skilled in the art.
例えば上記の第1〜第8の実施の形態は、いずれもpショットキー接合のポテンシャルバリアにより正孔の注入を防止する例で説明した。しかし、ヘテロ接合のポテンシャルバリアにより正孔の注入を防止することも可能であることは言うまでもない。或いは、ポテンシャルバリア層として、多結晶シリコン(ドープドポリシリコン)層を用いても、ショットキー接合と等価な代替機能により正孔の注入を防止することができる。 For example, each of the above-described first to eighth embodiments has been described as an example in which the injection of holes is prevented by the potential barrier of the p-Schottky junction. However, it goes without saying that it is possible to prevent injection of holes by the potential barrier of the heterojunction. Alternatively, even if a polycrystalline silicon (doped polysilicon) layer is used as the potential barrier layer, hole injection can be prevented by an alternative function equivalent to the Schottky junction.
また本発明は第1〜第8の実施の形態の構成を部分的に組み合わせて構成することもできる。以上のとおり、本発明は上記に記載していない様々な実施の形態等を含むとともに、本発明の技術的範囲は、上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。 The present invention can also be configured by partially combining the configurations of the first to eighth embodiments. As described above, the present invention includes various embodiments and the like not described above, and the technical scope of the present invention is determined only by the matters specifying the invention according to the scope of claims reasonable from the above description. It is a thing.
本発明は、インバータ、スイッチング電源等に使用されるワイドバンドギャップ材料を用いたパワー半導体装置、特にSiC半導体装置に適用して有効である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is effective when applied to a power semiconductor device using a wide band gap material used for an inverter, a switching power supply, etc., particularly a SiC semiconductor device.
1 第1ドレイン領域
1sub 半導体基板
2 ドリフト層
2a1,2a2,2a3 打返し領域
2a4,2a5 打返し領域
2b1,2b2,2b3 JFET領域
3 チャネル領域
3a,3b p型領域
4a,4a1,4a2 ベース領域
4b ベース領域
5 第1ソース領域
5a 第2ドレイン領域
5b 第2ソース領域
6,6a ベースコンタクト領域
6b1,6b2 ベースコンタクト領域
7 第1の絶縁膜
7a 第2の絶縁膜
7z 絶縁膜
8 第1ゲート電極
8a 第2ゲート電極
8a1,8b1 第1ゲート電極
9 ソース電極
9a 第1フローティング電極
9b1,9b2 第2フローティング電極
9z 金属膜
10 ドレイン電極
11 層間絶縁膜
11z 絶縁膜
12 第1オーミック接合層
12a 第2オーミック接合層
12b1,12b2 第3オーミック接合層
13a1,13a2,13b〜13d 第1ポテンシャルバリア層
13b1,13b2 第2ポテンシャルバリア層
17a ソースコンタクト部
17b チャネルコンタクト部
17c ソースチャネルコンタクト部
17d ショットキー領域コンタクト部
17e コンタクト領域コンタクト部
18a,18b トレンチ部
18a1,18b1 トレンチ部
20a〜20d MOSFET
21a〜21d ダイオード
22a〜22d ゲート駆動回路
23 電源
24 負荷インダクタ
91 表面
92 表面
100ij,100aij 基本セル
110ij 標準ユニット
120ij 内蔵トランジスタ
121 寄生ボディダイオード
130 pショットキーダイオード
140 寄生接合容量
200ij 基本セル
210ij 標準ユニット
220ij 内蔵トランジスタ
300 周辺耐圧構造
400 ゲートパッド
500 ゲートランナー
600ij nショットキーセル
700ij 基本セル
710ij 標準ユニット
720ij 内蔵トランジスタ
800ij 基本セル
810ij 標準ユニット
820ij 内蔵トランジスタ
821 寄生ボディダイオード
830 pショットキーダイオード
840 寄生接合容量
900ij 基本セル
910ij 標準ユニット
920ij 内蔵トランジスタ
Ia,Ib,Icp 電流
1
21a to 21d
Claims (16)
該第1ドレイン領域の上の第1導電型のドリフト層と、
該ドリフト層の上部の一部に設けられた第2導電型のチャネル領域と、
前記チャネル領域の上部の一部に設けられた第1導電型の第1ソース領域と、
前記第1ソース領域の上に設けられたソース電極と、
前記チャネル領域の上部の一部に前記第1ソース領域と接続するパターンで設けられた第1導電型の第2ドレイン領域と、
前記チャネル領域の上部の一部に前記第2ドレイン領域と離間して設けられた第1導電型の第2ソース領域と、
前記第2ソース領域及び前記チャネル領域に接続された第1フローティング電極と、
前記チャネル領域の前記第1ソース領域から前記ドリフト層に流れる電流の経路の表面電位を制御する第1ゲート電極と、
前記第1ゲート電極と接続され、前記第2ドレイン領域と前記第2ソース領域の間の前記チャネル領域の表面電位を制御する第2ゲート電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 A first conductivity type first drain region containing silicon carbide as a main material;
A drift layer of a first conductivity type on the first drain region,
A second conductivity type channel region provided in a part of an upper portion of the drift layer,
A first source region of a first conductivity type provided in a part of an upper portion of the channel region;
A source electrode provided on the first source region,
A second drain region of the first conductivity type provided in a pattern connecting to the first source region on a part of the upper portion of the channel region;
A second source region of the first conductivity type provided in a part of the upper portion of the channel region so as to be separated from the second drain region;
A first floating electrode connected to the second source region and the channel region;
A first gate electrode that controls a surface potential of a path of a current flowing from the first source region of the channel region to the drift layer;
A second gate electrode connected to the first gate electrode for controlling a surface potential of the channel region between the second drain region and the second source region;
A semiconductor device comprising:
前記チャネル領域に接し前記チャネル領域への多数キャリアの注入を防止する第1ポテンシャルバリア層を更に備え、
前記ソース電極が前記第1のオーミック接合層及び前記第1ポテンシャルバリア層を短絡することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 A first ohmic contact layer provided between the first source region and the source electrode, the first ohmic contact layer being in contact with each of the first source region and the source electrode;
Further comprising a first potential barrier layer which is in contact with the channel region and prevents injection of majority carriers into the channel region,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the source electrode short-circuits the first ohmic junction layer and the first potential barrier layer.
前記チャネル領域と前記第1ソース領域を接続する打返し領域と、
前記打返し領域とショットキー接合する第2ポテンシャルバリア層と、
前記第2のオーミック接合層と前記第2ポテンシャルバリア層に接合する第2フローティング電極と、
を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 A second ohmic contact layer provided on the channel region and in contact with the channel region;
A strike-back region connecting the channel region and the first source region,
A second potential barrier layer forming a Schottky junction with the hitting-back region;
A second floating electrode joined to the second ohmic junction layer and the second potential barrier layer;
The semiconductor device according to claim 1, further comprising:
前記ドリフト層の上部の一部に、第2導電型のチャネル領域を形成する工程と、
前記チャネル領域の上部の一部に、第1導電型の第1ソース領域、該第1ソース領域と接続する第1導電型の第2ドレイン領域及び該第2ドレイン領域と離間した第1導電型の第2ソース領域を形成する工程と、
前記チャネル領域の上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上に、前記チャネル領域の前記第1ソース領域から前記ドリフト層に流れる電流の経路の表面電位を制御する第1ゲート電極、及び前記第1ゲート電極と接続すると共に前記第2ドレイン領域と前記第2ソース領域の間の前記チャネル領域の表面電位を制御する第2ゲート電極を形成する工程と、
前記第1ソース領域の上にソース電極を形成する工程と、
前記ソース電極から分離し前記第2ソース領域及び前記チャネル領域に接続する第1フローティング電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 Providing a structure having a drift layer of a first conductivity type having a concentration lower than that of the first drain region on the first drain region of silicon carbide;
Forming a channel region of a second conductivity type on a part of the upper portion of the drift layer;
A first conductivity type first source region, a first conductivity type second drain region connected to the first source region, and a first conductivity type separated from the second drain region, on a part of an upper portion of the channel region. Forming a second source region of
Forming a gate insulating film on the channel region,
A first gate electrode controlling a surface potential of a path of a current flowing from the first source region of the channel region to the drift layer on the gate insulating film; and connecting to the first gate electrode and the second gate electrode. Forming a second gate electrode for controlling the surface potential of the channel region between the drain region and the second source region;
Forming a source electrode on the first source region;
Forming a first floating electrode separated from the source electrode and connected to the second source region and the channel region;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising:
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