JP6722231B2 - Carbide processing apparatus and carbide processing method - Google Patents

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Description

本発明は、炭化物処理装置および炭化物処理方法に関する。 The present invention relates to a carbide treatment device and a carbide treatment method.

下水汚泥などの有機性廃棄物は、例えば加熱により炭化処理されて、燃料として再利用されている。このようにして得た有機性廃棄物の炭化物は、炭化処理直後はその粒子表面に活性の高い表面官能基を有しており、そのままでは自己発熱性を有することが知られている(例えば、特許文献1参照)。そのため、貯蔵時の安全性を確保すべく、自己発熱性を低下させる処理(いわゆる、エージング処理、以下では、単に「炭化物処理」と称する場合がある)がされている(例えば、特許文献1から特許文献3参照)。 Organic waste such as sewage sludge is carbonized by, for example, heating and reused as fuel. The carbonized organic waste thus obtained has a highly active surface functional group on the particle surface immediately after carbonization, and is known to have self-heating property as it is (for example, See Patent Document 1). Therefore, in order to ensure safety during storage, a treatment for reducing self-heating property (so-called aging treatment, hereinafter sometimes simply referred to as “carbide treatment”) is performed (for example, from Patent Document 1). See Patent Document 3).

特許文献1には、排水処理などで生じた有機物含有汚泥を炭化炉で炭化処理した炭化物の処理方法が記載されている。この処理方法は、炭化処理により得た炭化物を低温酸化雰囲気炉で酸化処理することで、炭化物の表面酸化反応を予め収束させている。これにより、貯蔵された炭化物が低温酸化反応による自己発熱によって燃焼を誘発するのを未然に防止している。 Patent Document 1 describes a method for treating carbides obtained by carbonizing an organic matter-containing sludge generated in wastewater treatment or the like in a carbonization furnace. In this treatment method, the carbide obtained by the carbonization treatment is subjected to an oxidation treatment in a low temperature oxidizing atmosphere furnace to converge the surface oxidation reaction of the carbide in advance. This prevents the stored carbides from inducing combustion by self-heating due to the low temperature oxidation reaction.

特許文献2には、炭化炉で炭化処理された後の炭化製品を、該炭化製品の酸化反応に対し活性の高い活性基を非燃焼酸化反応させて安定化させる安定化処理炉を備えた有機物含有汚泥の炭化処理装置が記載されている。この炭化処理装置の安定化処理炉では、窒素パージなどを行わず、大気雰囲気下で所定時間滞留(例えば、10時間滞留)させて安定化処理するために、60℃から200℃の温度の範囲内で酸化反応を行うことが記載されている。 Patent Document 2 discloses an organic substance provided with a stabilization treatment furnace that stabilizes a carbonized product after being carbonized in a carbonization furnace by a non-combustion oxidation reaction of active groups having high activity for the oxidation reaction of the carbonized product. A carbonization treatment device for contained sludge is described. In the stabilization treatment furnace of this carbonization treatment device, a temperature range of 60° C. to 200° C. is set in order to carry out stabilization treatment by performing retention for a predetermined time (for example, 10 hours) in the air atmosphere without performing nitrogen purging or the like. It is described therein that an oxidation reaction is carried out.

特許文献3には、炭素含有物を炭化処理または乾燥処理する加熱手段と、加熱手段からの加熱処理物に対し加湿する加湿手段とを有する炭素含有物の処理装置が記載されている。この処理装置は、加湿された加熱処理物を空気流により搬送し、当該空気流で搬送された加熱処理物を一時的に安定化処理槽に貯留し、当該安定化処理槽に空気などを通気している。この処理装置は、加湿による残留水分の蒸発潜熱により、加熱処理物が搬送や貯留時に自己発熱しても一定温度以上の温度上昇を抑制しつつ、安定化を行っている。 Patent Document 3 describes a treatment device for carbon-containing material having a heating means for carbonizing or drying the carbon-containing material and a humidifying means for humidifying the heat-treated material from the heating means. This treatment apparatus conveys the humidified heat-treated product by an air flow, temporarily stores the heat-treated substance conveyed by the air flow in a stabilization treatment tank, and aerates the stabilization treatment tank with air or the like. doing. This processing device stabilizes by suppressing latent temperature rise above a certain temperature even if the heat-treated material self-heats during transportation or storage due to latent heat of vaporization of residual water due to humidification.

特開2004−267950号公報JP, 2004-267950, A 特開2004−277464号公報JP, 2004-277464, A 特開2016−124897号公報JP, 2016-124897, A

しかし、これら従来の技術では、炭化物処理を行うに当たり、依然として炭化物の自己発熱の制御が十分では無く改善の余地があった。 However, in these conventional techniques, when performing the carbide treatment, the self-heating of the carbide is still insufficiently controlled and there is room for improvement.

本発明は、かかる実状に鑑みて為されたものであって、その目的は、処理中の自己発熱を適切に制御しつつ炭化物の自己発熱性を低下させる処理を行う炭化物処理装置、およびその方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to perform a treatment for reducing the self-heating property of carbide while appropriately controlling self-heating during treatment, and a method thereof. To provide.

上記目的を達成するための本発明に係る炭化物処理装置の特徴構成は、
自己発熱性を有する炭化物を層状に堆積させて貯留する貯留槽と、
前記炭化物の堆積層の下部から当該堆積層の上部に向けて通気する通気部と、
前記貯留槽の槽内温度を計測する温度計測部と、
記槽内温度所定の閾値以下になるように前記通気部を制御して前記炭化物を冷却する制御部と、を備え
前記通気部は、
酸素を含有する第一処理用ガスを給気する第一通気部と、
不活性ガスを第二処理用ガスとして給気する第二通気部と、を有し、
前記制御部は、前記第一処理用ガス、および、前記第二処理用ガスの少なくとも一方を制御して前記炭化物を冷却する点にある。
Characteristic configuration of the carbide processing apparatus according to the present invention to achieve the above object,
A storage tank that accumulates and stores carbide having self-heating properties in layers ,
A ventilation part that vents from the bottom of the deposited layer of the carbide toward the top of the deposited layer,
A temperature measuring unit for measuring the temperature inside the storage tank,
Before Symbol bath temperature by controlling the vent to be less than a predetermined threshold value and a control unit for cooling the carbide,
The ventilation part is
A first ventilation part for supplying a first processing gas containing oxygen,
A second ventilation part for supplying an inert gas as a second processing gas,
The control unit controls at least one of the first processing gas and the second processing gas to cool the carbide .

上記構成によれば、貯留槽に貯留された炭化物の堆積物(堆積層、粒子層)に、酸素を含有する第一処理用ガスを通気して、炭化物粒子表面の高活性な表面官能基を酸化させて、自己発熱性を低下させる炭化物処理をする。当該炭化物処理の際、酸化によって、炭化物は発熱する。そのため、当該炭化物処理の際に、炭化物の堆積物に第二処理用ガスを必要に応じて通気することで、槽内に供給される処理用ガスの酸素濃度を低下させ、当該酸化の速度、すなわち、単位時間当たりの発熱量が小さくなるようにしている。また、発熱した炭化物が発火などの危険を生じないよう、第一処理用ガスによる冷却に加えて第二処理用ガスで冷却している。なお、不活性ガスとは、炭化物粒子表面の活性の高い表面官能基と接触しても酸化反応しないガスのことをいう。以下では、炭化物粒子表面の活性の高い表面官能基と接触しても酸化反応しないことを単に「不活性」と記載する場合がある。 According to the above configuration, the first treatment gas containing oxygen is passed through the deposits (deposited layer, particle layer) of the carbide stored in the storage tank so that highly active surface functional groups on the surface of the carbide particles are removed. Carbide treatment to oxidize and reduce self-heating. During the treatment of the carbide, the carbide generates heat due to oxidation. Therefore, at the time of the carbide treatment, by aeration of the second treatment gas to the deposit of the carbide as necessary, the oxygen concentration of the treatment gas supplied into the tank is lowered, the rate of the oxidation, That is, the calorific value per unit time is reduced. Further, in order to prevent the heated carbide from causing a risk of ignition, the second processing gas is used for cooling in addition to the cooling by the first processing gas. The inert gas refers to a gas that does not undergo an oxidation reaction even when it comes into contact with highly active surface functional groups on the surface of the carbide particles. Hereinafter, the fact that no oxidation reaction occurs even when contacting with highly active surface functional groups on the surface of the carbide particles may be simply described as “inert”.

さらに、上記構成によれば、温度計測部で槽内温度を計測し、第一処理用ガス、および、第二処理用ガスの少なくとも一方により、槽内温度が所定の閾値以下になるように制御部が制御している。たとえば、第一処理用ガス、および、第二処理用ガスの供給量の少なくとも一方を増減することで槽内に供給される処理用ガスの酸素濃度を低下させて単位時間当たりの発熱量を小さくし、槽内温度が所定の閾値以下になるように制御する。またたとえば、第一処理用ガス、および、第二処理用ガスのガス温度の少なくとも一方が、槽内温度よりも低い温度に設定された所定の閾値以下になるように制御する。これにより、炭化物の堆積物を十分に冷却することができる。つまり、例えば炭化物の堆積物への通気にムラが生じたり、炭化物の個々の粒子形状のバラつきに起因する表面積のバラつきにより粒子毎の発熱量に偏りが生じたりするなど、炭化物の堆積物の一部で酸化が過剰に進行して局所的に発熱しても、十分に冷却することが可能となる。よって、酸化処理中の自己発熱を適切に制御しつつ炭化物の自己発熱性を低下させる処理を実現することができる。 Further, according to the above configuration, the temperature measuring unit measures the temperature inside the tank, and controls the temperature inside the tank to be equal to or lower than a predetermined threshold value by at least one of the first processing gas and the second processing gas. The department is in control. For example, by increasing or decreasing at least one of the supply amounts of the first processing gas and the second processing gas, the oxygen concentration of the processing gas supplied into the tank is reduced to reduce the calorific value per unit time. Then, the temperature inside the tank is controlled to be equal to or lower than a predetermined threshold. Further, for example, at least one of the gas temperatures of the first processing gas and the second processing gas is controlled to be equal to or lower than a predetermined threshold value set to a temperature lower than the temperature inside the tank. Thereby, the deposit of carbide can be sufficiently cooled. That is, for example, unevenness in ventilation of the carbide deposits or unevenness in the calorific value of each particle due to variation in surface area due to variation in individual particle shape of the carbides may occur. Even if the oxidation proceeds excessively in the part and the heat is generated locally, it is possible to sufficiently cool it. Therefore, it is possible to realize the treatment for reducing the self-heating property of the carbide while appropriately controlling the self-heating during the oxidation treatment.

本発明に係る炭化物処理装置の更なる特徴構成は、
前記第二処理用ガスは、前記貯留槽からの排気ガスである点にある。
Further characteristic configuration of the carbide processing apparatus according to the present invention,
The second processing gas is the exhaust gas from the storage tank.

自己発熱性の炭化物に通気された第一処理用ガスの酸素は、炭化物の酸化処理により消費される。そのため、貯留槽からの排気ガスの酸素濃度は低くなる。つまり、低酸素である排気ガスは炭化物の高活性な表面官能基に対して不活性である。したがって上記構成によれば、高価な窒素などの不活性ガスの使用量を低減して、貯留槽からの排気ガスを第二処理用ガスとして使用可能となる。 The oxygen of the first processing gas that has been aerated to the self-heating carbide is consumed by the oxidation treatment of the carbide. Therefore, the oxygen concentration of the exhaust gas from the storage tank becomes low. That is, the exhaust gas having low oxygen is inactive with respect to the highly active surface functional group of the carbide. Therefore, according to the above configuration, the amount of expensive inert gas such as nitrogen used can be reduced, and the exhaust gas from the storage tank can be used as the second processing gas.

本発明に係る炭化物処理装置の更なる特徴構成は、
前記貯留槽の下端に設けられ、前記通気部が給気する給気口と、
前記貯留槽の上端に設けられ、前記堆積層を通過したガスを排気する排気口と、を更に備え、
前記第二通気部は、前記排気口と前記給気口とを連通する循環路と、前記循環路において前記排気口から前記給気口に向けて前記排気ガスを送風する排気ガス送風機と、当該排気ガスを加湿する加湿部と、を有する点にある。
Further characteristic configuration of the carbide processing apparatus according to the present invention,
An air supply port provided at the lower end of the storage tank for supplying air to the ventilation section ,
An exhaust port provided at the upper end of the storage tank for exhausting gas that has passed through the deposition layer ,
The second ventilation part, a circulation path that communicates the exhaust port and the air supply port, an exhaust gas blower that blows the exhaust gas from the exhaust port toward the air supply port in the circulation path, And a humidifying section for humidifying the exhaust gas.

上記構成によれば、第二通気部は、排気ガス送風機により、排気口から供給口に向けて排気ガスを循環路に送風し、炭化物の堆積物に排気ガスを通気することができる。つまり、排気ガスを排気口から供給口に循環させて、第二処理用ガスとして有効活用可能となる。 According to the above configuration, the second ventilation part can blow the exhaust gas to the circulation path from the exhaust port to the supply port by the exhaust gas blower, and vent the exhaust gas to the carbide deposit. That is, the exhaust gas can be circulated from the exhaust port to the supply port and effectively used as the second processing gas.

また、排気ガスを第二処理用ガスとして用いる際、排気ガス、すなわち、第二処理用ガスを加湿することで、炭化物の乾燥を防ぐことが可能となり、炭化物の急激な温度上昇を防ぐことができる。すなわち、貯留槽中の雰囲気湿度を高くして、炭化物が水分を含有する状態を維持することで、炭化物の発火性を低下させることが可能となる。炭化物が水分を含有する状態を維持することで、炭化物の発熱速度が上昇した場合においても、当該水分の蒸発潜熱により急激な温度上昇や発火を防止することができる。これらにより、炭化物処理における安全性の向上を実現可能となる。 Further, when the exhaust gas is used as the second processing gas, it is possible to prevent the carbide from drying by humidifying the exhaust gas, that is, the second processing gas, and prevent a rapid temperature rise of the carbide. it can. That is, by increasing the atmospheric humidity in the storage tank and maintaining the state in which the carbide contains water, it is possible to reduce the ignitability of the carbide. By maintaining the state in which the carbide contains water, it is possible to prevent a rapid temperature rise and ignition due to the latent heat of vaporization of the water even when the heat generation rate of the carbide increases. As a result, it is possible to improve the safety in treating the carbide.

本発明に係る炭化物処理装置の更なる特徴構成は、
前記温度計測部は、複数の温度センサを有し、
複数の前記温度センサはそれぞれ、前記貯留槽における異なる高さ位置に設置されており、
前記制御部は、前記第一処理用ガス、および、前記第二処理用ガスのガス温度の少なくとも一方が、前記温度センサが検出した最も高い前記槽内温度よりも低い温度になるように制御する点にある。
Further characteristic configuration of the carbide processing apparatus according to the present invention,
The temperature measuring unit has a plurality of temperature sensors,
Each of the plurality of temperature sensors is installed at different height positions in the storage tank,
The control unit controls at least one of the gas temperatures of the first processing gas and the second processing gas to be a temperature lower than the highest in-vessel temperature detected by the temperature sensor. There is a point.

上述のごとく、炭化物の堆積物が局所的に発熱することがある。一方、炭化物処理は、処理温度が低すぎると、処理速度が低下し、所定の滞留時間の間だけ滞留させても、十分に炭化物の自己発熱性を低下させることができない場合も生じ得る。また、低い処理温度でも炭化物の自己発熱性を十分に低下させるために滞留時間を長くすると生産効率が低下する。そのため、炭化物の堆積物の過度な冷却は好ましくない。しかし、上記構成によれば、第一処理用ガス、および、第二処理用ガスのガス温度の少なくとも一方を、温度センサが検出した最も高い槽内温度よりも低い温度になるように制御することで、過度の温度上昇と、過度の冷却とを防ぎ、生産効率の高い炭化物処理を実現することができる。 As mentioned above, the carbide deposits may locally generate heat. On the other hand, in the carbide treatment, if the treatment temperature is too low, the treatment speed may decrease, and even if the treatment is performed for a predetermined retention time, the self-heating property of the carbide may not be sufficiently reduced. Further, if the residence time is lengthened in order to sufficiently reduce the self-heating property of the carbide even at a low treatment temperature, the production efficiency is lowered. Therefore, excessive cooling of the carbide deposit is not desirable. However, according to the above configuration, at least one of the gas temperatures of the first processing gas and the second processing gas is controlled to be a temperature lower than the highest tank temperature detected by the temperature sensor. Thus, it is possible to prevent excessive temperature rise and excessive cooling, and realize carbide treatment with high production efficiency.

本発明に係る炭化物処理装置の更なる特徴構成は、
前記制御部は、前記槽内温度を低下させるために、前記第一処理用ガスの供給速度に対する前記第二処理用ガスの供給速度の比を増加させる点にある。
Further characteristic configuration of the carbide processing apparatus according to the present invention,
The controller is to increase the ratio of the supply rate of the second processing gas to the supply rate of the first processing gas in order to reduce the temperature in the bath.

上記構成によれば、槽内温度が所定の閾値に近づいて当該槽内温度を低下させる必要が生じた場合、制御部は第一処理用ガスの供給速度に対する第二処理用ガスの供給速度の比を増加させて槽内に供給される処理用ガスの酸素濃度を低下させる制御を行う。これにより、酸化の速度を低下させて、槽内温度を低下させることができる。 According to the above configuration, when the temperature inside the tank approaches the predetermined threshold value and it becomes necessary to lower the temperature inside the tank, the control unit controls the supply speed of the second processing gas with respect to the supply speed of the first processing gas. Control is performed to increase the ratio to reduce the oxygen concentration of the processing gas supplied into the tank. As a result, the rate of oxidation can be reduced and the temperature inside the bath can be lowered.

本発明に係る炭化物処理装置の更なる特徴構成は、
前記第一通気部は、前記第一処理用ガスを加湿する第二加湿部を有する点にある。
Further characteristic configuration of the carbide processing apparatus according to the present invention,
The first aeration section has a second humidification section for humidifying the first processing gas.

上記構成によれば、第二処理ガスを加湿する場合と同様に、第一処理用ガスを加湿することで炭化物の乾燥を防ぐことが可能となり、炭化物の急激な温度上昇を防ぐことができるため、炭化物処理における安全性の向上を実現可能となる。 According to the above configuration, as in the case of humidifying the second processing gas, it is possible to prevent the carbide from drying by humidifying the first processing gas, and it is possible to prevent a rapid temperature increase of the carbide. It becomes possible to improve the safety of carbide treatment.

上記目的を達成するための本発明に係る炭化物処理方法の特徴構成は、
自己発熱性を有する炭化物を貯留槽に層状に堆積させて貯留する貯留工程と、
前記炭化物の堆積層の下部から当該堆積層の上部に向けて通気する通気工程と、
前記貯留槽の槽内温度を計測する温度計測工程と、
記槽内温度所定の閾値以下になるように制御して前記炭化物を冷却する温度制御工程と、を備え
前記通気工程は、
酸素を含有する第一処理用ガスを通気する第一通気工程と、
不活性ガスを第二処理用ガスとして通気する第二通気工程と、を含み、
前記温度制御工程は、前記第一処理用ガス、および、前記第二処理用ガスの少なくとも一方を制御して前記炭化物を冷却する点にある。
Characteristic configuration of the carbide treatment method according to the present invention to achieve the above object,
A storage step of depositing and storing a carbide having self-heating properties in a storage tank in a layered manner ,
An aeration step of ventilating from the lower part of the carbide deposition layer toward the upper part of the deposition layer;
A temperature measuring step of measuring the temperature inside the storage tank,
Before Symbol bath temperature is controlled to be below a predetermined threshold value and a temperature control step of cooling the carbide,
The aeration step,
A first venting step of venting a first processing gas containing oxygen;
A second ventilation step of ventilating an inert gas as a second processing gas,
The temperature control step is to control at least one of the first processing gas and the second processing gas to cool the carbide .

上記構成によれば、上述の炭化物処理装置と同様の作用効果を得ることができる。 According to the above-mentioned composition, the same operation effect as the above-mentioned carbide processing equipment can be acquired.

処理中の自己発熱を適切に制御しつつ炭化物の自己発熱性を低下させる処理を行う炭化物処理装置、およびその方法を提供することができる。 It is possible to provide a carbide treatment device and a method for performing treatment for reducing the self-heating property of carbide while appropriately controlling self-heating during treatment.

第一実施形態の有機汚泥リサイクルシステムの構成図Configuration diagram of the organic sludge recycling system of the first embodiment 第一実施形態の炭化物処理装置の説明図Explanatory drawing of the carbide processing apparatus of 1st embodiment 温度センサの設置態様を説明する図The figure explaining the installation mode of a temperature sensor 酸素プローブの設置態様を説明する図The figure explaining the installation aspect of an oxygen probe 第二実施形態の有機汚泥リサイクルシステムの構成図Configuration diagram of the organic sludge recycling system of the second embodiment 第三実施形態の炭化物処理装置の説明図Explanatory drawing of the carbide processing apparatus of 3rd embodiment

図1から図6に基づいて、本発明の実施形態に係る炭化物処理装置および炭化物処理方法について説明する。 A carbide treatment apparatus and a carbide treatment method according to an embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 1 to 6.

〔第一実施形態〕
〔全体構成の説明〕
図1から図4に基づいて、第一実施形態に係る炭化物処理装置100を説明する。第一実施形態に係る炭化物処理装置100は、図1に示すように、例えば、下水汚泥などの有機汚泥をリサイクル燃料Fとして再利用する有機汚泥リサイクルシステム200の炭化物処理に用いられる。本実施形態では、有機汚泥リサイクルシステム200に、あらかじめ乾燥しペレット状に造粒された有機汚泥である乾燥汚泥Lが供給される場合を例示して説明する。有機汚泥リサイクルシステム200は、乾燥汚泥Lを炭化などして、リサイクル燃料Fを得る。
[First embodiment]
[Explanation of overall configuration]
A carbide processing apparatus 100 according to the first embodiment will be described based on FIGS. 1 to 4. As shown in FIG. 1, the carbide treatment device 100 according to the first embodiment is used for carbide treatment of an organic sludge recycling system 200 that reuses organic sludge such as sewage sludge as a recycled fuel F, for example. In the present embodiment, an example is described in which the organic sludge recycling system 200 is supplied with the dried sludge L which is an organic sludge that has been dried and granulated in advance. The organic sludge recycling system 200 obtains recycled fuel F by carbonizing the dried sludge L or the like.

図2に示すように、炭化物処理装置100は、後述する炭化物処理方法により、乾燥汚泥Lから得た炭化物Mの自己発熱性を低下させる処理(いわゆる、エージング処理(低温酸化処理)、以下では、「炭化物処理」と称する)を行う。 As shown in FIG. 2, the carbide treatment device 100 reduces the self-heating property of the carbide M obtained from the dried sludge L by a carbide treatment method described later (so-called aging treatment (low temperature oxidation treatment), hereinafter, (Referred to as "carbide treatment").

有機汚泥リサイクルシステム200は、炭化物処理装置100に加えて、主として炭化炉10と、冷却器20と、ストックタンク27とを備える。 The organic sludge recycling system 200 mainly includes a carbonization furnace 10, a cooler 20, and a stock tank 27 in addition to the carbide treatment device 100.

乾燥汚泥Lは、例えば押し出し造粒法により円筒ペレット状に造粒されている。乾燥汚泥Lもしくは乾燥汚泥Lから得た炭化物Mやリサイクル燃料Fの粒子形状、かさ密度などの粒子物性を均質化して、有機汚泥リサイクルシステム200や炭化物処理装置100における炭化物Mなどのハンドリング性や炭化物処理の均一性を向上させるためである。 The dried sludge L is granulated into a cylindrical pellet shape by, for example, an extrusion granulation method. The physical properties such as the particle shape and bulk density of the dried sludge L or the carbide M obtained from the dried sludge L and the recycled fuel F are homogenized, and the handling property and the carbide of the carbide M and the like in the organic sludge recycling system 200 and the carbide treatment device 100 are obtained. This is to improve the uniformity of processing.

図1に示すように、乾燥汚泥Lは、炭化炉10に供給されて炭化される。これにより円筒ペレット状の炭化物Mを得る。炭化炉10から排出された炭化物Mは冷却器20で加湿および冷却される。その後、炭化物処理装置100に所定時間貯留される。炭化物処理装置100は、貯留された炭化物Mに所定時間酸素を含有する処理用ガスGを通気して、炭化物処理を行う(図2参照)。炭化物処理をなされた炭化物Mは、安全にタンクなどに貯留可能なリサイクル燃料Fとなり、炭化物処理装置100から排出される。炭化物処理装置100から排出されたリサイクル燃料Fは、市場への出荷に備えてストックタンク27に貯留される。以下では、炭化炉10からストックタンク27に向かう炭化物Mもしくはリサイクル燃料Fの搬送経路の下流側を単に下流側と称し、その逆を上流側と称する。 As shown in FIG. 1, the dried sludge L is supplied to the carbonization furnace 10 and carbonized. As a result, a cylindrical pellet-shaped carbide M is obtained. The carbide M discharged from the carbonization furnace 10 is humidified and cooled by the cooler 20. Then, it is stored in the carbide processing apparatus 100 for a predetermined time. The carbide processing apparatus 100 ventilates the stored carbide M with a processing gas G containing oxygen for a predetermined time to perform the carbide processing (see FIG. 2 ). The carbide M that has been subjected to the carbide treatment becomes a recycled fuel F that can be safely stored in a tank or the like, and is discharged from the carbide treatment device 100. The recycled fuel F discharged from the carbide processing apparatus 100 is stored in the stock tank 27 for shipment to the market. Below, the downstream side of the transport route of the carbide M or the recycled fuel F from the carbonization furnace 10 to the stock tank 27 is simply referred to as the downstream side, and the opposite is referred to as the upstream side.

〔各部の説明〕
炭化炉10は、乾燥汚泥Lを低酸素雰囲気下で加熱(以下では、「炭化処理」と称する場合がある)して炭化物Mを得る装置である。炭化炉10は、ロータリーキルンで構成されている。炭化炉10は、ロータリーキルン方式のほか流動床式やスクリュー式などでもよい。炭化炉10は、乾燥汚泥Lを温度250℃から600℃程度で炭化処理する。
[Explanation of each part]
The carbonization furnace 10 is a device that obtains a carbide M by heating the dry sludge L in a low oxygen atmosphere (hereinafter, may be referred to as “carbonization treatment”). The carbonization furnace 10 is composed of a rotary kiln. The carbonization furnace 10 may be a fluidized bed type, a screw type or the like in addition to the rotary kiln type. The carbonization furnace 10 carbonizes the dried sludge L at a temperature of about 250 to 600°C.

本実施形態において炭化炉10では、炭化処理の際、乾燥汚泥Lから可燃性ガスが生成する。当該可燃性ガスは、例えば二次燃焼炉12に供給されて燃焼された後、排熱回収機やスクラバなどの排ガス処理設備13を経て燃焼排気Efとして外部に排出される。炭化物Mは、炭化炉10から排出された後、シュート11などを介して冷却器20に投入される。 In the carbonization furnace 10 in the present embodiment, combustible gas is generated from the dried sludge L during the carbonization process. The combustible gas is supplied to, for example, the secondary combustion furnace 12 and burned, and then discharged to the outside as combustion exhaust gas Ef through the exhaust gas treatment facility 13 such as an exhaust heat recovery machine and a scrubber. The carbide M is discharged from the carbonization furnace 10 and then charged into the cooler 20 via the chute 11 and the like.

冷却器20は、炭化物Mを冷却する装置である。冷却器20は、本実施形態では、ケーシング内に設けたスクリューによって炭化物Mを移動させるスクリュー搬送装置に冷却水CWを供給するノズル20Eを取り付けた装置である。本実施形態では、冷却器20は、炭化物Mをスクリューで一方向に搬送し、当該搬送される炭化物Mに冷却水CWを噴霧供給している。 The cooler 20 is a device that cools the carbide M. In the present embodiment, the cooler 20 is a device in which a nozzle 20E that supplies the cooling water CW is attached to a screw transport device that moves the carbide M by a screw provided in the casing. In the present embodiment, the cooler 20 conveys the carbide M in one direction with a screw, and sprays the cooling water CW to the conveyed carbide M.

冷却器20の内部の炭化物Mは、冷却水CWの蒸発潜熱により冷却される。本実施形態では、炭化物Mは60℃未満まで急冷される。本実施形態では、冷却水CWの噴霧供給により、炭化物Mは冷却されると共に加湿される。本実施形態では、炭化物Mが、ドライベース(完全に乾燥した炭化物重量に対する重量比)で5%から20%、特に好ましくは7%から15%程度の水分となるように加湿される。 The carbide M inside the cooler 20 is cooled by the latent heat of vaporization of the cooling water CW. In this embodiment, the carbide M is rapidly cooled to less than 60°C. In the present embodiment, the carbide M is cooled and humidified by the spray supply of the cooling water CW. In this embodiment, the carbide M is humidified to have a water content of 5% to 20%, particularly preferably 7% to 15% on a dry basis (weight ratio based on the weight of completely dried carbide).

本実施形態において冷却器20には、炭化物Mの流れと対向する向きに、窒素などの不活性ガスであるキャリアガスCGが通流されている。冷却器20では、キャリアガスCG、および、冷却水CWの水蒸気に加えて、一酸化炭素ガスなどの可燃性ガスや臭気を有するガスが生じる。そのため、本実施形態では、冷却器20の排気は、排気管14を介して二次燃焼炉12に導入している。冷却された炭化物Mは、冷却器20からフライトコンベア22に供給される。本実施形態では、炭化物Mが、冷却器20とフライトコンベア22の投入口(図示せず)とを仕切るロータリーバルブ21を介してフライトコンベア22に供給される。 In the present embodiment, the cooler 20 has a carrier gas CG, which is an inert gas such as nitrogen, flowing in a direction opposite to the flow of the carbide M. In the cooler 20, in addition to the carrier gas CG and the steam of the cooling water CW, flammable gas such as carbon monoxide gas and gas having odor are generated. Therefore, in the present embodiment, the exhaust gas of the cooler 20 is introduced into the secondary combustion furnace 12 via the exhaust pipe 14. The cooled carbide M is supplied from the cooler 20 to the flight conveyor 22. In the present embodiment, the carbide M is supplied to the flight conveyor 22 via the rotary valve 21 that partitions the cooler 20 and the charging port (not shown) of the flight conveyor 22.

冷却器20から排出された炭化物Mは、フライトコンベア22によりクッションタンク23に搬送され、クッションタンク23から炭化物処理装置100に供給される。本実施形態では、クッションタンク23に搬送された炭化物Mは、ロータリーバルブ31a(図2参照)を介して炭化物処理装置100に供給される。なお、フライトコンベア22などを用いる代わりに、冷却器20から排出された炭化物Mを、シュートなどを経て炭化物処理装置100に供給してもよい。また、フライトコンベア22で搬送する代わりに、空気輸送、ベルトコンベヤ、バケットコンベヤなどを用いて搬送してもよい。 The carbide M discharged from the cooler 20 is conveyed to the cushion tank 23 by the flight conveyor 22 and is supplied from the cushion tank 23 to the carbide processing device 100. In the present embodiment, the carbide M transported to the cushion tank 23 is supplied to the carbide processing apparatus 100 via the rotary valve 31a (see FIG. 2). Instead of using the flight conveyor 22 or the like, the carbide M discharged from the cooler 20 may be supplied to the carbide processing apparatus 100 via a chute or the like. Further, instead of being carried by the flight conveyor 22, it may be carried by air transportation, a belt conveyor, a bucket conveyor, or the like.

炭化物処理装置100は、炭化物Mを炭化物処理して、リサイクル燃料Fを得る装置である。炭化物処理装置100については後述する。炭化物処理装置100で得たリサイクル燃料Fは、フライトコンベア25からクッションタンク26に輸送される。この際、フライトコンベア25の上流にはチラーから冷媒が供給されている熱交換器などの空気冷却装置25aが配置され、この空気冷却装置25aで冷却された空気Aを用いてリサイクル燃料Fを冷却する場合がある。リサイクル燃料Fは、クッションタンク26からストックタンク27に投入されて出荷時まで保管される。 The carbide processing apparatus 100 is an apparatus that processes the carbide M to obtain a recycled fuel F. The carbide processing apparatus 100 will be described later. The recycled fuel F obtained in the carbide processing apparatus 100 is transported from the flight conveyor 25 to the cushion tank 26. At this time, an air cooling device 25a such as a heat exchanger to which the refrigerant is supplied from the chiller is arranged upstream of the flight conveyor 25, and the recycled fuel F is cooled using the air A cooled by the air cooling device 25a. There is a case. The recycled fuel F is put into the stock tank 27 from the cushion tank 26 and stored until shipping.

炭化物処理装置100について詳述する。炭化物処理装置100は、図2に示すように、炭化物Mを貯留して炭化物処理を行う貯留槽3と、貯留槽3に貯留された炭化物Mの堆積物Bに処理用ガスGを通気(給気)する通気部4と、貯留槽3の槽内温度を計測する温度計測部Tと、貯留槽3の槽内の酸素濃度を計測する酸素濃度計測部Sと、炭化物処理装置100の動作全体を制御する制御部9と、を備えている。なお、後述するように、処理用ガスGは空気Aなどの酸素を含有する第一処理用ガスG1を少なくとも含む気体である。本実施形態では、通気部4は、第一処理用ガスG1と第二処理用ガスG2とを混合した処理用ガスGを給気している。本実施形態では、通気部4は、給気ファン41と、循環ファン42とを含む。貯留槽3の槽内温度とは、堆積物Bの温度を計測した値のことをいう。 The carbide processing apparatus 100 will be described in detail. As shown in FIG. 2, the carbide processing apparatus 100 ventilates (feeds) the processing gas G to the storage tank 3 that stores the carbide M and performs the carbide processing, and the deposit B of the carbide M stored in the storage tank 3. Aeration section 4 that measures the temperature inside the storage tank 3, an oxygen concentration measurement unit S that measures the oxygen concentration inside the storage tank 3, and the overall operation of the carbide processing apparatus 100. And a control unit 9 for controlling the. As will be described later, the processing gas G is a gas containing at least the first processing gas G1 containing oxygen such as air A. In the present embodiment, the ventilation part 4 supplies the processing gas G in which the first processing gas G1 and the second processing gas G2 are mixed. In the present embodiment, the ventilation part 4 includes an air supply fan 41 and a circulation fan 42. The temperature inside the storage tank 3 is a value obtained by measuring the temperature of the deposit B.

炭化物処理装置100は、後述するように、炭化物Mを貯留槽3に貯留する貯留工程と、炭化物Mの堆積物Bに酸素を含有する処理用ガスGを通気する通気工程と、炭化物Mを所定時間滞留させて排出する排出工程とを行って、炭化物Mの炭化物処理を実現し、リサイクル燃料Fを得る。 As will be described later, the carbide processing apparatus 100 stores a carbide M in the storage tank 3, an aeration step of aerating the deposit B of the carbide M with a processing gas G containing oxygen, and a predetermined amount of the carbide M. Carrying out the carbide M for the carbide M is performed by carrying out the discharging step of retaining and discharging for a time, and the recycled fuel F is obtained.

炭化物処理装置100は、後述するように、リサイクル燃料Fの安全性(低い自己発熱性)と、炭化物処理装置100による炭化物処理の安全性とを確実に担保すべく、貯留槽3の槽内温度を計測する温度計測工程を行うと共に、通気工程として、炭化物Mの堆積物Bに第一処理用ガスG1を通気する第一通気工程と、堆積物Bに第二処理用ガスG2を通気する第二通気工程と、を実行する。また、炭化物処理装置100は、第一処理用ガスG1、および、第二処理用ガスG2の少なくとも一方により、貯留槽3の槽内温度を所定の閾値(温度)以下になるように制御する温度制御工程を実行する。さらに、炭化物処理装置100は、堆積物Bの層高さ方向における複数の層領域ごとに判定閾値を設定する判定閾値設定工程と、当該層領域における当該判定閾値に基づいて、通気工程における通気量、または、排出工程における滞留時間を制御する制御工程と、を実行している。 As will be described later, the carbide processing apparatus 100 ensures that the safety of the recycled fuel F (low self-heating property) and the safety of the carbide processing by the carbide processing apparatus 100 are ensured so that the temperature inside the tank 3 of the storage tank 3 can be ensured. In addition to the temperature measurement step for measuring the temperature, a first aeration step of aerating the deposit B of the carbide M with the first processing gas G1 and a second aeration step of venting the deposit B with the second processing gas G2. Two ventilation steps are performed. Further, the carbide processing apparatus 100 controls the temperature inside the storage tank 3 to be equal to or lower than a predetermined threshold value (temperature) by using at least one of the first processing gas G1 and the second processing gas G2. Execute the control process. Further, the carbide processing apparatus 100 sets a determination threshold value setting step for setting a determination threshold value for each of a plurality of layer areas in the layer height direction of the deposit B, and the ventilation amount in the ventilation step based on the determination threshold value in the layer area. Or a control step of controlling the residence time in the discharging step.

貯留槽3は、炭化物Mを鉛直方向に積み増して層状に貯留する金属製の容器である。また、貯留槽3は当該層状に貯留した炭化物Mを、層状態を維持しつつ次工程に供給(マスフローで排出)する供給容器である。貯留槽3は、貯留槽3の容器本体30の内部空間に炭化物Mを投入する投入口となる供給部31と、貯留槽3の内部空間からリサイクル燃料Fを排出する排出部32とを有する。 The storage tank 3 is a metal container that accumulates the carbide M in the vertical direction and stores it in layers. The storage tank 3 is a supply container that supplies (discharges by mass flow) the carbide M stored in the layered state to the next step while maintaining the layered state. The storage tank 3 has a supply unit 31 that serves as an input port for charging the carbide M into the internal space of the container body 30 of the storage tank 3, and a discharge unit 32 that discharges the recycled fuel F from the internal space of the storage tank 3.

本実施形態の貯留槽3の容器本体30は、上端を閉塞する天板30aを有する筒状の上部容器と、当該上部容器から下方に向けてすり鉢状(コーン状)に窄む下部容器と、を一体的に備えている。貯留槽3の断面形状は円形であり、下部容器が窄む角度(コーン角度)は、排出部32から炭化物M(リサイクル燃料F)がマスフローで排出される角度に設定されている。なお、下部容器が窄む角度がマスフローで排出される角度に設定できない場合は、例えば貯留槽3の槽内における上部容器と下部容器との境界近傍であって、貯留槽3の径方向の中央付近に、陣笠形状の邪魔板(いわゆる、コーンバッフル)を設けてもよい。 The container body 30 of the storage tank 3 of the present embodiment includes a cylindrical upper container having a top plate 30a that closes the upper end, and a lower container that narrows downward from the upper container into a mortar shape (cone shape). It is equipped with. The cross-sectional shape of the storage tank 3 is circular, and the angle (cone angle) at which the lower container is narrowed is set to the angle at which the carbide M (recycled fuel F) is discharged from the discharge portion 32 by mass flow. If the angle at which the lower container is narrowed cannot be set to the angle at which the mass flow is discharged, for example, in the vicinity of the boundary between the upper container and the lower container in the tank of the storage tank 3, and in the radial center of the storage tank 3. A Jinkasa-shaped baffle (so-called cone baffle) may be provided in the vicinity.

貯留槽3は、容器本体30の上端部に供給部31を有する。供給部31は、貯留槽3の容器本体30の上端である容器上面の天板30aに設けられ、貯留槽3の内部空間とつながる供給管と、当該供給管に設けられたロータリーバルブ31aとを有する。貯留槽3は、ロータリーバルブ31aにより、上流側の雰囲気と縁切りされた状態で炭化物Mを内部空間に投入することができる。本実施形態では、供給部31に一定の供給速度で連続的に炭化物Mが供給される。 The storage tank 3 has a supply unit 31 at the upper end of the container body 30. The supply unit 31 is provided on a top plate 30a on the upper surface of the container which is the upper end of the container body 30 of the storage tank 3, and includes a supply pipe connected to the internal space of the storage tank 3 and a rotary valve 31a provided on the supply pipe. Have. The storage tank 3 can charge the carbide M into the internal space in a state of being cut off from the atmosphere on the upstream side by the rotary valve 31a. In the present embodiment, the carbide M is continuously supplied to the supply unit 31 at a constant supply rate.

貯留槽3は、容器本体30の下端部に排出部32を有する。排出部32は、貯留槽3の容器本体30の下端である下部容器の端部30bに設けられている。貯留槽3の内部空間とつながる排出管32bと、排出管32bに設けられた炭化物M(リサイクル燃料F)の排出装置としてのロータリーバルブ32aとを有する。 The storage tank 3 has a discharge part 32 at the lower end of the container body 30. The discharge part 32 is provided at the end 30b of the lower container, which is the lower end of the container body 30 of the storage tank 3. It has a discharge pipe 32b connected to the internal space of the storage tank 3 and a rotary valve 32a as a discharge device for the carbide M (recycled fuel F) provided in the discharge pipe 32b.

排出管32bは、本実施形態では円筒状の管であり、下部容器の端部30bから下方に向けて設けられている。貯留槽3は、ロータリーバルブ32aにより、下流側の雰囲気と縁切りされた状態で、リサイクル燃料Fを貯留槽3の内部空間から貯留槽3の下方に排出することができる。本実施形態では、排出部32から連続的にリサイクル燃料Fが排出される。 The discharge pipe 32b is a cylindrical pipe in the present embodiment, and is provided downward from the end portion 30b of the lower container. The storage tank 3 can discharge the recycled fuel F from the internal space of the storage tank 3 to the lower side of the storage tank 3 by the rotary valve 32a while being cut off from the atmosphere on the downstream side. In the present embodiment, the recycled fuel F is continuously discharged from the discharge part 32.

本実施形態では、上述のごとく、貯留槽3には、一定の供給速度で連続的に炭化物Mが投入されて、貯留槽3から、連続的にリサイクル燃料Fが排出される。炭化物M(リサイクル燃料F)の貯留槽3での平均滞留時間は、例えば2日(48時間)となるように制御される。滞留時間は、炭化物Mからリサイクル燃料Fを得るために必要十分な長さが設定されている。滞留時間が短すぎると、炭化物Mの自己発熱性を十分に低下せしめることができず、リサイクル燃料Fの安全性を担保できない。滞留時間が長すぎると、リサイクル燃料Fの生産効率が低下して不経済となるため好ましくない。 In the present embodiment, as described above, the carbide M is continuously charged into the storage tank 3 at a constant supply rate, and the recycled fuel F is continuously discharged from the storage tank 3. The average retention time of the carbide M (recycled fuel F) in the storage tank 3 is controlled to be, for example, 2 days (48 hours). The residence time is set to a necessary and sufficient length for obtaining the recycled fuel F from the carbide M. If the residence time is too short, the self-heating property of the carbide M cannot be sufficiently reduced, and the safety of the recycled fuel F cannot be guaranteed. If the residence time is too long, the production efficiency of the recycled fuel F decreases, which is uneconomical, which is not preferable.

貯留槽3は、下端部に、処理用ガスGを内部空間に導入し堆積物Bに酸素を含有する処理用ガスGを供給するガス供給ポート34(給気口の一例)を有する。ガス供給ポート34は、排出部32の排出管32bにおけるロータリーバルブ32aの上流側(貯留槽3の内部空間側)に接続されている。これにより、ガス供給ポート34から供給された処理用ガスGは、貯留槽3の下部容器の下端の端部30bから堆積物Bの粒子層に通気される。処理用ガスGは、堆積物Bの粒子層を通過しつつ炭化物Mの粒子表面と固気接触し、当該粒子表面における表面官能基などを酸化する。 The storage tank 3 has a gas supply port 34 (an example of an air supply port) at the lower end portion for introducing the processing gas G into the internal space and supplying the processing gas G containing oxygen to the deposit B. The gas supply port 34 is connected to the upstream side of the rotary valve 32a (inner space side of the storage tank 3) in the exhaust pipe 32b of the exhaust unit 32. As a result, the processing gas G supplied from the gas supply port 34 is aerated to the particle layer of the deposit B from the end portion 30b at the lower end of the lower container of the storage tank 3. The processing gas G makes solid-gas contact with the particle surface of the carbide M while passing through the particle layer of the deposit B, and oxidizes the surface functional groups and the like on the particle surface.

堆積物Bの粒子層を通過した排気ガスE(処理用ガスG)は、貯留槽3の上端部に設けられた排気管33(排気口の一例)から排気ガスEとして外部に排気される。排気ガスEは、二次燃焼炉12(図1参照)などに導入されて浄化された後、大気に排出される。 The exhaust gas E (processing gas G) that has passed through the particle layer of the deposit B is exhausted to the outside as exhaust gas E from an exhaust pipe 33 (an example of an exhaust port) provided at the upper end of the storage tank 3. The exhaust gas E is introduced into the secondary combustion furnace 12 (see FIG. 1) and the like to be purified and then discharged into the atmosphere.

なお、本実施形態では、処理用ガスGに含まれる酸素は、堆積物Bによりほぼ消費し尽くされる条件で堆積物Bに供給する。ここで、処理用ガスGに含まれる酸素が堆積物Bによりほぼ消費し尽くされる条件、とは、酸素濃度がおよそゼロ%になるまで排気ガスE中の酸素を消費するが完全なゼロ%にはしないことを意味し、堆積物Bの上部でも酸化反応が進行するように排気ガスE中に酸素を残留させておくことを言う。そのため排気ガスEは、窒素および二酸化炭素が主体となる。このように排気ガスEは、本実施形態ではほぼ無酸素であるため、炭化物粒子表面の活性の高い表面官能基と接触しても酸化反応を促進しない。 In the present embodiment, the oxygen contained in the processing gas G is supplied to the deposit B under the condition that the oxygen is almost consumed by the deposit B. Here, the condition that the oxygen contained in the processing gas G is almost completely consumed by the deposit B means that the oxygen in the exhaust gas E is consumed until the oxygen concentration becomes approximately 0%, but the exhaust gas E becomes completely 0%. This means that oxygen is left in the exhaust gas E so that the oxidation reaction proceeds even in the upper part of the deposit B. Therefore, the exhaust gas E is mainly composed of nitrogen and carbon dioxide. As described above, since the exhaust gas E is substantially oxygen-free in this embodiment, the exhaust gas E does not accelerate the oxidation reaction even when it comes into contact with the highly active surface functional group on the surface of the carbide particles.

貯留槽3には、温度計測部Tのセンサプローブである温度センサT1〜T5(以下では、温度センサT1〜T5を総称して、単に「温度センサ」と称する場合がある)が取り付けられている。本実施形態では、温度センサは先端に温度の検出部(以下では単に「センサの先端」と称する)を有する棒状のセンサプローブであり、測温抵抗体を用いている。温度センサは、熱電対や、その他のセンサを用いてもよい。 The storage tank 3 is attached with temperature sensors T1 to T5 (hereinafter, the temperature sensors T1 to T5 may be collectively referred to simply as “temperature sensors”) that are sensor probes of the temperature measuring unit T. .. In the present embodiment, the temperature sensor is a rod-shaped sensor probe having a temperature detecting portion (hereinafter, simply referred to as “sensor tip”) at its tip, and uses a resistance temperature detector. A thermocouple or another sensor may be used as the temperature sensor.

温度センサは、貯留槽3の壁部に設置されている。温度センサは、棒状のセンサプローブを貯留槽3の側面外側から容器本体30の壁部に貫通させ、貯留槽3の槽内の内部にセンサの先端が配置されるように容器本体30の径方向に沿うように取り付けられている。温度センサは、図2に示すように、貯留槽3の下方(下流側)から上方(上流側)に向けて温度センサT1から温度センサT5の順に貯留槽3に取り付けられている。なお、温度センサは、容器本体30の径方向に沿うように取り付けられる場合に限られず、容器本体30の径方向に沿う向きから鉛直方向の上向きもしくは下向きに傾斜して取り付けてもよいし、径方向に沿う向きから容器本体30の周方向に沿う向きに傾斜して取り付けてもよい。また、温度センサの取り付け方は、壁部を貫通させる方法に限られず、例えば、天板30aから垂下させるように取り付けてもよい。 The temperature sensor is installed on the wall of the storage tank 3. The temperature sensor has a rod-shaped sensor probe penetrating the wall of the container body 30 from the outside of the side surface of the storage tank 3, and the tip of the sensor is arranged inside the tank of the storage tank 3 in the radial direction of the container body 30. It is attached along the. As shown in FIG. 2, the temperature sensors are attached to the storage tank 3 in the order of the temperature sensor T1 to the temperature sensor T5 from the lower side (downstream side) to the upper side (upstream side) of the storage tank 3. The temperature sensor is not limited to the case where it is attached along the radial direction of the container body 30, and may be attached while being inclined upward or downward in the vertical direction from the direction along the radial direction of the container body 30. You may incline and attach from the direction along a direction to the direction along the circumferential direction of the container main body 30. Further, the mounting method of the temperature sensor is not limited to the method of penetrating the wall portion, and may be mounted so as to hang from the top plate 30a, for example.

温度センサT1は、排出部32の排出管32bにおけるロータリーバルブ32aの上流側に設けられ、センサの先端は、排出管32bの管の径方向における中央部に挿入されている。 The temperature sensor T1 is provided upstream of the rotary valve 32a in the discharge pipe 32b of the discharge unit 32, and the tip of the sensor is inserted into the center of the discharge pipe 32b in the radial direction of the pipe.

温度センサT2は、貯留槽3の上部容器の下方部位の壁部から槽内に向けて挿入されている。本実施形態において温度センサT2は、上部容器と下部容器との接続部分のやや上方位置に設けられている。温度センサT3〜T5は、貯留槽3の上部容器の壁部から槽内に向けて挿入されている。温度センサT2〜T5は、本実施形態では、それぞれ3つのセンサプローブを含んで構成されている。 The temperature sensor T2 is inserted from the wall portion of the lower part of the upper container of the storage tank 3 toward the inside of the tank. In the present embodiment, the temperature sensor T2 is provided at a position slightly above the connecting portion between the upper container and the lower container. The temperature sensors T3 to T5 are inserted from the wall of the upper container of the storage tank 3 toward the inside of the tank. In the present embodiment, the temperature sensors T2 to T5 each include three sensor probes.

温度センサT3は、貯留槽3の壁部における同じ高さ位置において、例えば図3に示すように、それぞれ等間隔で、貯留槽3の上方から見て時計回りに、温度センサT31、温度センサT32、温度センサT33を有している。これら温度センサT31〜T33で計測された値を平均して温度センサT3の計測値とする。なお、温度センサT3は、温度センサT31〜T33のいずれか1つでもよいし、温度センサT31〜T33のいずれか2つの組合せもよい。また、温度センサT31〜T33で計測された値の平均値ではなく、温度センサT31〜T33で計測された値のうち最も高い値を温度センサT3の計測値としてもよい。 The temperature sensors T3 are provided at the same height position on the wall portion of the storage tank 3, for example, as shown in FIG. 3, at equal intervals, respectively, in a clockwise direction when viewed from above the storage tank 3, the temperature sensor T31 and the temperature sensor T32. , Temperature sensor T33. The values measured by these temperature sensors T31 to T33 are averaged to obtain the measured value of the temperature sensor T3. The temperature sensor T3 may be any one of the temperature sensors T31 to T33, or a combination of any two of the temperature sensors T31 to T33. Further, the highest value among the values measured by the temperature sensors T31 to T33 may be used as the measurement value of the temperature sensor T3, instead of the average value of the values measured by the temperature sensors T31 to T33.

温度センサT31は、センサの先端が、貯留槽3の径方向における中央部の深さまで挿入されている。温度センサT32は、そのセンサの先端が、貯留槽3の壁部と、貯留槽3の径方向中央部との間の位置の深さまで挿入されている。温度センサT33は、センサの先端が、貯留槽3の壁部からやや内側の位置の深さまで挿入されている。なお、本実施形態では温度センサT31〜T33はそれぞれ挿入の深さが異なるが、それぞれ挿入の深さが同じでもよい。 In the temperature sensor T31, the tip of the sensor is inserted to the depth of the central portion in the radial direction of the storage tank 3. In the temperature sensor T32, the tip of the sensor is inserted to a depth between the wall of the storage tank 3 and the radial center of the storage tank 3. In the temperature sensor T33, the tip of the sensor is inserted to a depth slightly inside the wall of the storage tank 3. In the present embodiment, the temperature sensors T31 to T33 have different insertion depths, but the insertion depths may be the same.

温度センサT2、および温度センサT4、温度センサT5は、取付高さが異なるが、それぞれ取付態様は温度センサT3と同様であるため説明は省略する。 Although the mounting heights of the temperature sensor T2, the temperature sensor T4, and the temperature sensor T5 are different, the mounting mode is the same as that of the temperature sensor T3, and thus the description thereof is omitted.

貯留槽3には、図2に示すように、酸素濃度計測部Sの空気サンプリングノズルである吸引管S1〜S5(以下では、吸引管S1〜S5を総称して、単に「酸素プローブ」と称する場合がある)が取り付けられている。吸引管S2〜S5は、酸素濃度計(図示せず)に接続された管を貯留槽3の側面外側から容器本体30の壁部に貫通させて容器本体30の径方向に沿い設けられている。吸引管S2〜S5は、容器本体30の径方向における中央部分に管の先端が配置されている。吸引管S1は、排出部32の排出管32bにおけるロータリーバルブ32aの上流側に排出管32bの径方向に沿い設けられている。吸引管S1は、排出管32bの管の径方向における中央部分に管の先端が配置されている。このように酸素プローブは、貯留槽3内の気体を管で吸引して酸素濃度計で酸素濃度を計測できるように取り付けられている。なお、酸素プローブは、貯留槽3の下方(下流側)から上方(上流側)に向けて吸引管S1〜S5の順に貯留槽3に取り付けられている。図4には、吸引管S3の取り付け態様の一例を図示している。なお、吸引管S3以外の酸素プローブの取り付け態様も同様である。酸素プローブは、温度センサの場合と同様に、鉛直方向の上向きもしくは下向きや周方向に沿う向きに傾斜して取り付けてもよい。 As shown in FIG. 2, in the storage tank 3, suction pipes S1 to S5 that are air sampling nozzles of the oxygen concentration measuring unit S (hereinafter, the suction pipes S1 to S5 are collectively referred to simply as “oxygen probe”). May be installed). The suction pipes S2 to S5 are provided along the radial direction of the container body 30 with a pipe connected to an oxygen concentration meter (not shown) penetrating the wall of the container body 30 from the outside of the side surface of the storage tank 3. .. In the suction tubes S2 to S5, the tips of the tubes are arranged in the central portion of the container body 30 in the radial direction. The suction pipe S1 is provided upstream of the rotary valve 32a in the discharge pipe 32b of the discharge unit 32 along the radial direction of the discharge pipe 32b. The suction pipe S1 has a distal end of the pipe arranged in a central portion of the discharge pipe 32b in the radial direction of the pipe. As described above, the oxygen probe is attached so that the gas in the storage tank 3 can be sucked by the pipe and the oxygen concentration can be measured by the oxygen concentration meter. The oxygen probe is attached to the storage tank 3 in the order of the suction pipes S1 to S5 from the lower side (downstream side) to the upper side (upstream side) of the storage tank 3. FIG. 4 illustrates an example of how the suction tube S3 is attached. The same applies to the manner of attaching the oxygen probe other than the suction tube S3. As in the case of the temperature sensor, the oxygen probe may be attached so as to be tilted upward or downward in the vertical direction or along the circumferential direction.

排気管33は、本実施形態では図2に示すように、貯留槽3の天板30aに設けられている。排気管33には、貯留槽3の内部空間を正圧に維持すべく、排気ガスEの通流の抵抗となる抵抗体33aが設けられている。抵抗体33aは、例えばバタフライバルブなどの開度調整可能なバルブ装置などを用いることができる。抵抗体33aの開度の変更により排気ガスEの通流の抵抗を変更可能である。排気ガスEの通流の抵抗を大きくすると貯留槽3の内部空間の圧力は正圧側に変化する。貯留槽3の内部空間の圧力を正圧側に維持することで、ガス供給ポート34以外から貯留槽3の内部空間に酸素を含有する気体が流入(侵入)することを防止している。つまり、貯留槽3の内部空間への侵入を防ぐことで、当該侵入により炭化物Mが局所的に発熱して発火するなどを未然防止している。 In the present embodiment, the exhaust pipe 33 is provided on the top plate 30a of the storage tank 3 as shown in FIG. The exhaust pipe 33 is provided with a resistor 33a serving as a resistance to the flow of the exhaust gas E so as to maintain the internal space of the storage tank 3 at a positive pressure. As the resistor 33a, for example, a valve device such as a butterfly valve whose opening can be adjusted can be used. The resistance of the exhaust gas E to flow can be changed by changing the opening degree of the resistor 33a. When the resistance of the flow of the exhaust gas E is increased, the pressure in the internal space of the storage tank 3 changes to the positive pressure side. By maintaining the pressure of the internal space of the storage tank 3 on the positive pressure side, the gas containing oxygen is prevented from flowing (invading) into the internal space of the storage tank 3 from other than the gas supply port 34. That is, by preventing the invasion into the internal space of the storage tank 3, the carbide M is locally heated and ignited due to the intrusion.

処理用ガスGは、空気Aなどの酸素を含有する第一処理用ガスG1を少なくとも含む気体である。処理用ガスGは、本実施形態では、第一処理用ガスG1と、ほぼ無酸素となっている排気ガスEをリサイクルした第二処理用ガスG2とを混合した気体である。したがって、処理用ガスGの酸素濃度は第一処理用ガスG1と第二処理用ガスG2との混合比で決定される。処理用ガスGの酸素濃度は第二処理用ガスG2の混合割合が大きいほど小さい値になる。 The processing gas G is a gas containing at least the first processing gas G1 containing oxygen such as air A. In the present embodiment, the processing gas G is a gas in which the first processing gas G1 and the second processing gas G2 obtained by recycling the substantially oxygen-free exhaust gas E are mixed. Therefore, the oxygen concentration of the processing gas G is determined by the mixing ratio of the first processing gas G1 and the second processing gas G2. The oxygen concentration of the processing gas G decreases as the mixing ratio of the second processing gas G2 increases.

第一処理用ガスG1は、給気ファン41(第一通気部の一例)で空気A(外気)を吸引し、ガス供給ポート34に接続される給気配管41a(第一通気部の一例)に送風(給気)することで、貯留槽3に供給される。 The first processing gas G1 sucks the air A (outside air) by the air supply fan 41 (an example of a first ventilation part), and is connected to the gas supply port 34 by an air supply pipe 41a (an example of a first ventilation part). It is supplied to the storage tank 3 by blowing air (supplying air).

第一処理用ガスG1は、本実施形態では炭化物Mに酸素を供給するキャリアガスである。また、第一処理用ガスG1は、炭化物Mを冷却する冷媒である。第一処理用ガスG1の通気量に応じて、すなわち、酸素供給量に応じて炭化物Mの酸化が進行する。この酸化に応じて、炭化物Mは発熱する。第一処理用ガスG1の供給量を増加させると、すなわち、酸素供給速度を増加させると炭化物Mの酸化速度(処理速度)は早くなる。これにより、炭化物Mの単位時間当たりの発熱量が増加して、堆積物Bの温度、すなわち貯留槽3の槽内温度は上昇する。 The first processing gas G1 is a carrier gas that supplies oxygen to the carbide M in the present embodiment. The first processing gas G1 is a refrigerant that cools the carbide M. Oxidation of the carbide M progresses according to the aeration amount of the first processing gas G1, that is, according to the oxygen supply amount. The carbide M generates heat in response to this oxidation. When the supply amount of the first processing gas G1 is increased, that is, when the oxygen supply rate is increased, the oxidation rate (processing rate) of the carbide M becomes faster. As a result, the calorific value of the carbide M per unit time increases, and the temperature of the deposit B, that is, the temperature inside the storage tank 3 rises.

第二処理用ガスG2は、排気管33とガス供給ポート34とを連通する循環路40(第二通気部の一例)を介して排気ガスEの一部をガス供給ポート34に送風(給気)することで貯留槽3に供給される。なお、第二処理用ガスG2は、その供給量を増減しても排気管33から排気される排気ガスEの総量は変化しない。なぜならば、第二処理用ガスG2は、貯留槽3を循環しているにすぎないためである。 The second processing gas G2 blows a portion (exhaust air supply) of the exhaust gas E to the gas supply port 34 via a circulation path 40 (an example of a second ventilation part) that connects the exhaust pipe 33 and the gas supply port 34. ) Is carried out and it is supplied to the storage tank 3. The total amount of the exhaust gas E exhausted from the exhaust pipe 33 does not change even if the supply amount of the second processing gas G2 is increased or decreased. This is because the second processing gas G2 simply circulates in the storage tank 3.

第二処理用ガスG2は、炭化物Mに対して不活性なガスである。また、第二処理用ガスG2は、炭化物Mを冷却する冷媒である。第二処理用ガスG2の供給により、処理用ガスGの酸素濃度を低下させることで炭化物Mの酸化反応の反応速度を低下させている。これにより、貯留槽3内で炭化物Mが局所的に発熱することを回避することができる。また、第一処理用ガスG1による冷却に加えて、第二処理用ガスG2の供給により、炭化物M(堆積物B)を冷却することができる。 The second processing gas G2 is a gas inert to the carbide M. The second processing gas G2 is a refrigerant that cools the carbide M. By supplying the second processing gas G2, the oxygen concentration of the processing gas G is reduced to reduce the reaction rate of the oxidation reaction of the carbide M. This can prevent the carbide M from locally generating heat in the storage tank 3. Further, in addition to the cooling by the first processing gas G1, the carbide M (deposit B) can be cooled by supplying the second processing gas G2.

循環路40には、循環ファン42(第二通気部の一例、排気ガス送風機の一例)と、加湿器45(加湿部の一例)が設けられている。循環路40は、排気管33から循環ファン42に排気ガスEを導く配管40aと、循環ファン42から加湿器45に排気ガスEを導く配管40bと、加湿器45からガス供給ポート34に排気ガスEを導く配管40cとを有する。 The circulation path 40 is provided with a circulation fan 42 (an example of a second ventilation section, an example of an exhaust gas blower) and a humidifier 45 (an example of a humidification section). The circulation path 40 includes a pipe 40a for guiding the exhaust gas E from the exhaust pipe 33 to the circulation fan 42, a pipe 40b for guiding the exhaust gas E from the circulation fan 42 to the humidifier 45, and an exhaust gas from the humidifier 45 to the gas supply port 34. And a pipe 40c for guiding E.

循環ファン42は、循環路40において、排気管33からガス供給ポート34に向けて、第二処理用ガスG2である排気ガスEを通風させる送風機である。循環ファン42は、ブロアやファンなどを用いることができる。 The circulation fan 42 is a blower that allows the exhaust gas E, which is the second processing gas G2, to flow in the circulation path 40 from the exhaust pipe 33 toward the gas supply port 34. The circulation fan 42 may be a blower, a fan, or the like.

加湿器45はノズル45aを有し、加湿用水Wを第二処理用ガスG2に噴霧供給して第二処理用ガスG2を加湿する装置である。なお、本実施形態では第二処理用ガスG2を加湿する場合を説明しているが、第一処理用ガスG1を併せて加湿する場合もある。加湿器45では、第二処理用ガスG2は、加湿用水Wの顕熱、および、加湿用水Wの蒸発潜熱により冷却される。 The humidifier 45 is a device that has a nozzle 45a and sprays the humidifying water W onto the second processing gas G2 to humidify the second processing gas G2. In addition, although the case where the second processing gas G2 is humidified has been described in the present embodiment, the first processing gas G1 may also be humidified together. In the humidifier 45, the second processing gas G2 is cooled by the sensible heat of the humidifying water W and the latent heat of vaporization of the humidifying water W.

制御部9について説明する。制御部9は、炭化物処理装置100の全体的な動作を制御する中央制御機構である。制御部9は、例えば、各種の処理を実現するためのソフトウェアプログラムと、該ソフトウェアプログラムを実行するCPUと、該CPUによって制御される各種ハードウェアなどによって構成することができる。本実施形態では、制御部9は、CPUと入出力回路などとを包含して有するコンピュータである。制御部9の動作に必要なプログラムやデータ、制御パラメータは、本実施形態では記憶部(図示せず)に保存される。なお、これらプログラムやデータ保存先は特に限定されない。これらプログラムやデータは、別途専用に設けられたディスクやフラッシュメモリなどの記憶装置に保存される態様であってもよい。また、通信可能に接続された外部のサーバや記憶部などであっても構わない。 The control unit 9 will be described. The control unit 9 is a central control mechanism that controls the overall operation of the carbide processing apparatus 100. The control unit 9 can be configured by, for example, a software program for realizing various processes, a CPU that executes the software program, various hardware controlled by the CPU, and the like. In this embodiment, the control unit 9 is a computer including a CPU and an input/output circuit. Programs, data, and control parameters required for the operation of the control unit 9 are stored in a storage unit (not shown) in this embodiment. The program and the data storage destination are not particularly limited. These programs and data may be stored in a storage device such as a disk or a flash memory that is separately provided for exclusive use. Further, it may be an external server or a storage unit that is communicatively connected.

制御部9は、記憶部に記憶されたプログラムの実行により、制御部9が制御を行うための判定閾値を設定する判定閾値設定部99と、判定閾値に基づいて通気部4を制御する通気制御部91と、判定閾値に基づいて通気部4の通気温度や貯留槽3の槽内温度を制御する温度制御部92と、判定閾値に基づいて堆積物Bの滞留時間を制御する滞留時間制御部93と、をソフトウェア的に実現させている。 The control unit 9 executes a program stored in the storage unit to set a judgment threshold value setting unit 99 that sets a judgment threshold value for the control unit 9 to perform control, and a ventilation control that controls the ventilation unit 4 based on the judgment threshold value. Section 91, a temperature control section 92 that controls the ventilation temperature of the ventilation section 4 and the temperature inside the storage tank 3 based on the determination threshold value, and a retention time control section that controls the retention time of the deposit B based on the determination threshold value. And 93 are realized by software.

判定閾値設定部99は、堆積物Bの槽高さ方向における複数の層領域ごとに、炭化物Mの酸素消費特性と、当該酸素消費特性に基づいた判定閾値を設定し、制御部9はこの判定閾値に基づいて後述する制御を行う。また、判定閾値設定部99は、温度計測部Tから貯留槽3の槽内温度を取得し、後述する給気上限温度(所定の閾値の一例)を設定している。 The determination threshold setting unit 99 sets the oxygen consumption characteristic of the carbide M and the determination threshold based on the oxygen consumption characteristic for each of the plurality of layer regions in the tank height direction of the deposit B, and the control unit 9 makes this determination. The control described later is performed based on the threshold value. Further, the determination threshold value setting unit 99 acquires the temperature inside the storage tank 3 from the temperature measuring unit T and sets a supply air upper limit temperature (an example of a predetermined threshold value) described later.

複数の層領域について説明する。本実施形態において上述の複数の層領域は、図2に示す堆積層B1、堆積層B2、および堆積層B3である。以下では、堆積層B1、堆積層B2、および堆積層B3を堆積物Bの粒子層として包括的に説明する際は、単に「層領域」と称する。 A plurality of layer regions will be described. In the present embodiment, the above-mentioned plurality of layer regions are the deposited layer B1, the deposited layer B2, and the deposited layer B3 shown in FIG. In the following, when the deposited layer B1, the deposited layer B2, and the deposited layer B3 are comprehensively described as the particle layers of the deposit B, they are simply referred to as “layer regions”.

本実施形態において判定閾値設定部99は、上述の層領域として、貯留槽3における堆積物Bの下方(下流)から上方(上流)に向けて順に、堆積層B1、堆積層B2、堆積層B3を仮想的に定めている。本実施形態では、各層領域の体積はそれぞれ等しくなるように定められている。なお、各層領域の体積をそれぞれ異なるように定めてもよい。 In the present embodiment, the determination threshold setting unit 99, as the above-mentioned layer region, sequentially from the lower side (downstream) to the upper side (upstream) of the deposit B in the storage tank 3, the deposition layer B1, the deposition layer B2, and the deposition layer B3. Is virtually determined. In this embodiment, the volume of each layer region is set to be equal. The volume of each layer region may be set differently.

堆積層B1は、貯留槽3の槽内の最底部から、図2に示す温度センサT2および吸引管S2を覆う程度の範囲までを含む層である。堆積層B2は、堆積層B1の上層(上流側の層)であり、図2に示す温度センサT3および吸引管S3を覆う程度の範囲までを含む層である。堆積層B3は、堆積層B2の上層であり、図2に示す温度センサT4および吸引管S4を覆う程度の範囲までを含む層である。なお、本実施形態では、温度センサT5および吸引管S5は、堆積物Bに覆われておらず、堆積物Bを通過した排気ガスEと接触している。 The deposition layer B1 is a layer including the bottom of the storage tank 3 in the tank to a range that covers the temperature sensor T2 and the suction pipe S2 shown in FIG. The deposition layer B2 is an upper layer (upstream layer) of the deposition layer B1 and is a layer including up to the extent of covering the temperature sensor T3 and the suction pipe S3 shown in FIG. The deposition layer B3 is an upper layer of the deposition layer B2, and is a layer including up to a range of covering the temperature sensor T4 and the suction pipe S4 shown in FIG. In this embodiment, the temperature sensor T5 and the suction pipe S5 are not covered with the deposit B, but are in contact with the exhaust gas E passing through the deposit B.

酸素消費特性について説明する。酸素消費特性は、単位質量あたりの炭化物Mが単位時間当たりに消費する酸素の質量である。酸素消費特性は、貯留槽3内における炭化物Mの活性(酸素により酸化される活性)の度合いを意味する。酸素消費特性が大きいほど、炭化物Mは酸素含有雰囲気下で発熱し、発火などの危険が増大する。したがって、炭化物Mをリサイクル燃料Fとするためには、この酸素消費特性を所定値以下に低下させることが要請される。 The oxygen consumption characteristics will be described. The oxygen consumption characteristic is a mass of oxygen consumed by the carbide M per unit mass per unit time. The oxygen consumption characteristic means the degree of activity (activity that is oxidized by oxygen) of the carbide M in the storage tank 3. As the oxygen consumption characteristic increases, the carbide M generates heat in an oxygen-containing atmosphere, and the risk of ignition increases. Therefore, in order to use the carbide M as the recycled fuel F, it is required to reduce the oxygen consumption characteristic to a predetermined value or less.

判定閾値設定部99は、層領域ごとに酸素消費特性を求めている。なお、本実施形態にいう「層領域ごとに酸素消費特性を求めている」とは、少なくとも一つの特定の層領域(例えば堆積層B1)に対して酸素消費特性を求めることを言い、二つ以上の層領域(例えば堆積層B1〜B3)のそれぞれに対して層領域ごとに酸素消費特性を求めることを含む。 The determination threshold setting unit 99 calculates the oxygen consumption characteristic for each layer region. It should be noted that the phrase “obtaining the oxygen consumption characteristic for each layer region” in the present embodiment means obtaining the oxygen consumption characteristic for at least one specific layer region (for example, the deposited layer B1). It includes obtaining oxygen consumption characteristics for each of the above layer regions (for example, the deposited layers B1 to B3).

酸素消費特性は、各層の質量と、各層領域に供給される酸素量と、各層領域から排出される酸素量により求めることができる。本実施形態では、各層領域の体積は一定になるように定めているため、層領域ごとの酸素消費特性は、各層領域に供給される処理用ガスGに含まれる酸素濃度から、各層領域から排出される処理用ガスGに含まれる酸素濃度を差し引いた差分に、処理用ガスGの単位時間当たりの通気量である通風速度を乗じた値に比例する値として求めることができる。層領域に供給される処理用ガスGに含まれる酸素濃度および層領域から排出される処理用ガスGに含まれる酸素濃度は酸素濃度計測部Sで計測される酸素濃度を用いればよい。例えば、堆積層B2の酸素消費特性は、吸引管S2で計測される酸素濃度から吸引管S3で計測される酸素濃度の差分に通風速度を乗じた値に比例する値として求められる。以下では、酸素消費特性および酸素消費特性に比例する値を包括して単に「酸素特性値」と称する。 The oxygen consumption characteristic can be determined by the mass of each layer, the amount of oxygen supplied to each layer region, and the amount of oxygen discharged from each layer region. In the present embodiment, since the volume of each layer region is set to be constant, the oxygen consumption characteristic of each layer region is determined from the oxygen concentration contained in the processing gas G supplied to each layer region, and the oxygen consumption characteristic is discharged from each layer region. It is possible to obtain a value that is proportional to a value obtained by multiplying the difference obtained by subtracting the oxygen concentration contained in the processing gas G by the ventilation speed that is the ventilation rate of the processing gas G per unit time. As the oxygen concentration contained in the processing gas G supplied to the layer region and the oxygen concentration contained in the processing gas G discharged from the layer region, the oxygen concentration measured by the oxygen concentration measuring unit S may be used. For example, the oxygen consumption characteristic of the deposited layer B2 is obtained as a value proportional to a value obtained by multiplying the difference in oxygen concentration measured by the suction pipe S2 from the oxygen concentration measured by the suction pipe S3 by the ventilation speed. Hereinafter, the oxygen consumption characteristic and the value proportional to the oxygen consumption characteristic are collectively referred to as “oxygen characteristic value”.

判定閾値設定部99は、層領域ごとの酸素特性値から層領域ごとの判定閾値を求めて(算出して)いる。判定閾値は、各層領域の炭化物Mの酸素特性値がリサイクル燃料Fに要請される酸素特性値以下になることを目標として求められる。本実施形態における判定閾値は、例えば層領域ごとの、最小の滞留時間、最小の残り通気量、最大の酸素供給速度などを例示列挙することができる。本実施形態では、判定閾値はあらかじめ固定の初期値が設定されており、各層領域において酸素特性値を算出する際、当該初期値、もしくは、直前に算出された判定閾値を更新するようになっている。 The determination threshold setting unit 99 obtains (calculates) the determination threshold for each layer region from the oxygen characteristic value for each layer region. The determination threshold value is obtained with the goal that the oxygen characteristic value of the carbide M in each layer region is equal to or less than the oxygen characteristic value required for the recycled fuel F. As the determination threshold value in the present embodiment, for example, the minimum residence time, the minimum remaining aeration amount, the maximum oxygen supply rate, etc. can be enumerated for each layer region. In this embodiment, a fixed initial value is set in advance as the determination threshold value, and when the oxygen characteristic value is calculated in each layer region, the initial value or the determination threshold value calculated immediately before is updated. There is.

最小の滞留時間について説明する。最小の滞留時間とは、炭化物Mを外気雰囲気と接触しても安全に貯留することができるリサイクル燃料Fとする(炭化物処理をする)ために少なくとも必要な残りの処理時間である。本実施形態では、初期値として2日(48時間)が設定されている。最小の滞留時間は、酸素特性値を求めた時点以降に必要な最小の処理時間を意味する。最小の滞留時間は、酸素特性値が大きい場合に長くする。処理用ガスGの通風速度が大きい場合に短くする。また、処理用ガスGに含まれる酸素濃度が大きいほど短くする。例えば、処理用ガスGの通気状態(通風速度と酸素濃度)を仮に維持した場合は、最小の滞留時間を酸素特性値の大小におよそ比例させる。 The minimum residence time will be described. The minimum residence time is at least the remaining processing time required for the recycled fuel F (carbide processing) that can safely store the carbide M even if it contacts the outside air atmosphere. In this embodiment, 2 days (48 hours) is set as the initial value. The minimum residence time means the minimum processing time required after the time when the oxygen characteristic value is obtained. The minimum residence time is increased when the oxygen characteristic value is large. Shorten when the ventilation speed of the processing gas G is high. Further, the shorter the oxygen concentration contained in the processing gas G, the shorter the oxygen concentration. For example, when the aeration state (ventilation speed and oxygen concentration) of the processing gas G is temporarily maintained, the minimum residence time is approximately proportional to the magnitude of the oxygen characteristic value.

最小の残り通気量について説明する。最小の残り通気量とは、炭化物Mを外気雰囲気と接触しても安全に貯留することができるリサイクル燃料Fとする(炭化物処理をする)ために少なくとも必要な残りの通気量である。最小の残り通気量は、酸素特性値を求めた時点以降に必要な最小の通気量を意味する。最小の残り通気量は、最小の滞留時間とは異なり、酸素特性値が大きい場合に大きくする。処理用ガスGの通風速度の大小にはさほど依存しない。最小の滞留時間と同様に、最小の残り通気量は処理用ガスGに含まれる酸素濃度が大きいほど小さい値にする。例えば、処理用ガスGの酸素濃度を維持した場合は、最小の残り通気量を酸素特性値の大小におよそ比例させる。 The minimum remaining ventilation amount will be described. The minimum residual air flow rate is at least the residual air flow rate required for making the recycled fuel F (carrying carbide processing) that can safely store the carbide M even if it contacts the outside air atmosphere. The minimum remaining air flow rate means the minimum air flow rate required after the time when the oxygen characteristic value is obtained. Unlike the minimum residence time, the minimum residual aeration amount is increased when the oxygen characteristic value is large. It does not depend so much on the size of the ventilation speed of the processing gas G. Similar to the minimum residence time, the minimum residual gas flow rate is set to a smaller value as the oxygen concentration contained in the processing gas G increases. For example, when the oxygen concentration of the processing gas G is maintained, the minimum remaining ventilation amount is made approximately proportional to the magnitude of the oxygen characteristic value.

最大の酸素供給速度について説明する。最大の酸素供給速度は、酸素特性値を求めた時点において各層領域に許容される単位時間当たりの最大の発熱量(以下では単に発熱量と記載する場合がある)を決定する値である。ここで、酸素供給速度は、処理用ガスGの通気量と処理用ガスGの酸素濃度とに基づいて導かれる値である。各層領域の発熱量は、各層領域で消費される酸素量におおよそ比例する。したがって、各層領域に供給する最大の酸素供給速度を規定することで、各層領域の発熱量を所定値以下に制限することができる。これにより、炭化物処理過程における、炭化物Mの発火などの危険を回避することができる。 The maximum oxygen supply rate will be described. The maximum oxygen supply rate is a value that determines the maximum heat generation amount per unit time (hereinafter sometimes simply referred to as heat generation amount) allowed in each layer region when the oxygen characteristic value is obtained. Here, the oxygen supply rate is a value derived based on the gas permeation amount of the processing gas G and the oxygen concentration of the processing gas G. The calorific value of each layer region is approximately proportional to the amount of oxygen consumed in each layer region. Therefore, by defining the maximum oxygen supply rate to be supplied to each layer region, the calorific value of each layer region can be limited to a predetermined value or less. As a result, it is possible to avoid the risk of ignition of the carbide M in the carbide treatment process.

最大の酸素供給速度は、各層領域に供給される酸素量と酸素特性値とに基づいて導かれる単位時間当たりの各層領域の発熱量が、処理用ガスGによる各層領域の冷却能力を上回る場合に、単位時間当たりの各層領域の最大の発熱量が処理用ガスGによる各層領域の冷却能力以下になるように決定する。 The maximum oxygen supply rate is when the calorific value of each layer region per unit time, which is derived based on the amount of oxygen supplied to each layer region and the oxygen characteristic value, exceeds the cooling capacity of each layer region by the processing gas G. The maximum calorific value of each layer region per unit time is determined to be equal to or less than the cooling capacity of each layer region by the processing gas G.

温度制御部92について説明する。温度制御部92は、処理用ガスG(第一処理用ガスG1のみ、または第一処理用ガスG1および第二処理用ガスG2の混合物)のガス温度を制御する機能部である。温度制御部92は、処理用ガスGのガス温度が、貯留槽3の槽内温度よりも低い温度に設定される給気上限温度以下になるように制御する。 The temperature controller 92 will be described. The temperature control unit 92 is a functional unit that controls the gas temperature of the processing gas G (only the first processing gas G1 or a mixture of the first processing gas G1 and the second processing gas G2). The temperature control unit 92 controls the gas temperature of the processing gas G to be equal to or lower than the supply air upper limit temperature set to a temperature lower than the temperature inside the storage tank 3.

また、温度制御部92は、温度センサが検出した貯留槽3の槽内温度のうち、最も高い温度(以下では、単に「最高温度」と称する)が所定の閾値(以下では、「層温度上限」と称する)未満になるように、処理用ガスGの温度を制御している。本実施形態では、上述のごとく、堆積層B1には温度センサT2が、堆積層B2には温度センサT3が、堆積層B3には温度センサT4が対応している。このため、温度制御部92は、最も高い温度の層領域の温度(温度センサT2〜T4の計測値の最高温度)が層温度上限未満になるように処理用ガスGなどの温度を制御している。 Further, the temperature control unit 92 determines that the highest temperature (hereinafter, simply referred to as “maximum temperature”) of the tank internal temperatures of the storage tank 3 detected by the temperature sensor is a predetermined threshold value (hereinafter, “layer temperature upper limit”). The temperature of the processing gas G is controlled so as to be less than "." In this embodiment, as described above, the deposition layer B1 corresponds to the temperature sensor T2, the deposition layer B2 corresponds to the temperature sensor T3, and the deposition layer B3 corresponds to the temperature sensor T4. Therefore, the temperature control unit 92 controls the temperature of the processing gas G so that the temperature of the highest temperature layer region (the highest temperature measured by the temperature sensors T2 to T4) is less than the upper limit of the layer temperature. There is.

給気上限温度について説明する。給気上限温度は、処理用ガスGのガス温度の上限として設定される閾値である。判定閾値設定部99は、温度計測部Tから温度センサが検出した温度情報を取得し、温度センサが検出した貯留槽3の槽内温度のうち、最高温度よりも低い温度を給気上限温度として設定する。本実施形態では、給気上限温度は、当該最高温度よりも低い温度、かつ、60℃未満に設定される。 The supply air upper limit temperature will be described. The supply air upper limit temperature is a threshold value set as an upper limit of the gas temperature of the processing gas G. The determination threshold value setting unit 99 acquires the temperature information detected by the temperature sensor from the temperature measurement unit T, and sets the temperature lower than the maximum temperature among the tank internal temperatures of the storage tank 3 detected by the temperature sensor as the supply upper limit temperature. Set. In the present embodiment, the supply air upper limit temperature is set to a temperature lower than the maximum temperature and less than 60°C.

層温度上限は、60℃未満になるように設定されている。つまり、温度制御部92は、処理用ガスGなどの温度を制御して最高温度が60℃未満になるように制御している。これにより、処理用ガスGの通気ムラや炭化物Mの品質ムラにより、炭化物Mが発火するような危険を未然防止している。 The upper limit of the layer temperature is set to be less than 60°C. That is, the temperature control unit 92 controls the temperature of the processing gas G and the like so that the maximum temperature becomes less than 60°C. As a result, it is possible to prevent the carbide M from being ignited due to the unevenness of the air flow of the processing gas G and the quality of the carbide M.

給気上限温度は、少なくとも層温度上限未満に設定されている。給気上限温度は、例えば55℃未満に設定されている。また、給気上限温度は、温度センサが検出した最も高い貯留槽3の槽内温度よりも低い温度に設定される。これにより、処理用ガスGなどの温度ないし温度制御のブレにより、炭化物Mが発火するような危険を未然防止している。 The supply air upper limit temperature is set at least below the layer temperature upper limit. The supply air upper limit temperature is set to less than 55°C, for example. Further, the supply air upper limit temperature is set to a temperature lower than the highest in-tank temperature of the storage tank 3 detected by the temperature sensor. This prevents the danger that the carbide M will be ignited due to the temperature of the processing gas G or the like or the fluctuation of the temperature control.

図2に示すように、本実施形態では、第一処理用ガスG1がそのまま外気を吸引しているため、第一処理用ガスG1の温度は通常、給気上限温度以下になる。また、第二処理用ガスG2は加湿器45で冷却されている。つまり、温度制御部92は、例えば加湿器45で第二処理用ガスG2に供給する加湿用水Wの供給量を増減させたり、加湿用水Wの温度を増減させたりするなどして、第二処理用ガスG2、ひいては処理用ガスGの温度を制御することができる。例えば処理用ガスGの温度を低下させたい場合は、加湿器45で第二処理用ガスG2に供給する加湿用水Wの供給量を増加させたり、加湿用水Wの温度を低下させたりすればよい。なお、第一処理用ガスG1の温度を調整させたい場合は、給気配管41aに熱交換器などを設ければよい。 As shown in FIG. 2, in the present embodiment, since the first processing gas G1 directly sucks the outside air, the temperature of the first processing gas G1 is usually equal to or lower than the supply air upper limit temperature. The second processing gas G2 is cooled by the humidifier 45. That is, the temperature control unit 92 increases or decreases the supply amount of the humidifying water W supplied to the second processing gas G2 by the humidifier 45, or increases or decreases the temperature of the humidifying water W, for example. It is possible to control the temperature of the processing gas G2, and thus the processing gas G. For example, when it is desired to decrease the temperature of the processing gas G, the humidifier 45 may increase the supply amount of the humidifying water W to be supplied to the second processing gas G2 or reduce the temperature of the humidifying water W. .. When it is desired to adjust the temperature of the first processing gas G1, a heat exchanger or the like may be provided in the air supply pipe 41a.

通気制御部91について説明する。通気制御部91は、通気部4を制御して、第一処理用ガスG1および/または第二処理用ガスG2の通風量を制御する機能部である。通気制御部91は、まず、上述の最大の酸素供給速度を調整する制御を行う。最大の酸素供給速度の調整は、通気制御部91が給気ファン41を制御して第一処理用ガスG1の通風速度を調整することで行う。さらに、最大の酸素供給速度が守られている前提で、通気制御部91は、第一処理用ガスG1および/または第二処理用ガスG2の通風速度を、貯留槽3の槽内温度の内、最高温度が層温度上限未満になるように制御する。 The ventilation controller 91 will be described. The ventilation control unit 91 is a functional unit that controls the ventilation unit 4 to control the ventilation amount of the first processing gas G1 and/or the second processing gas G2. The ventilation controller 91 first performs control for adjusting the above-described maximum oxygen supply rate. The maximum oxygen supply speed is adjusted by the ventilation control unit 91 controlling the air supply fan 41 to adjust the ventilation speed of the first processing gas G1. Further, on the assumption that the maximum oxygen supply rate is maintained, the ventilation control unit 91 sets the ventilation rate of the first processing gas G1 and/or the second processing gas G2 within the tank temperature of the storage tank 3. , Control so that the maximum temperature is less than the upper limit of the layer temperature.

本実施形態では、貯留槽3の最高温度が層温度上限に近づいて当該槽内温度を低下させる必要が生じた場合、通気制御部91は第二処理用ガスG2の通風速度を増加させる制御を行う。これにより、処理用ガスGの通風速度が増大して堆積物Bを冷却することが可能となる。 In the present embodiment, when the maximum temperature of the storage tank 3 approaches the bed temperature upper limit and it becomes necessary to lower the internal temperature of the tank, the ventilation control unit 91 performs control to increase the ventilation speed of the second processing gas G2. To do. As a result, the ventilation speed of the processing gas G is increased and the deposit B can be cooled.

また、通気制御部91は、第一処理用ガスG1の供給速度に対する第二処理用ガスG2の供給速度の比を増加させる制御により処理用ガスGの酸素の総量を一定としつつ酸素濃度を低下させることで、貯留槽3内の炭化物Mの最大の酸化反応速度を低下させて、貯留槽3の最高温度を低下させることができる。この場合、処理用ガスGの酸素の総量は一定であるから、貯留槽3内の炭化物M全体の平均的な酸化速度は維持される。 Further, the ventilation control unit 91 lowers the oxygen concentration while keeping the total amount of oxygen in the processing gas G constant by controlling to increase the ratio of the supply rate of the second processing gas G2 to the supply rate of the first processing gas G1. By doing so, the maximum oxidation reaction rate of the carbide M in the storage tank 3 can be reduced, and the maximum temperature of the storage tank 3 can be reduced. In this case, since the total amount of oxygen in the processing gas G is constant, the average oxidation rate of the entire carbide M in the storage tank 3 is maintained.

なお、第二処理用ガスG2の通風速度を増加させても十分に槽内温度ないし最高温度を低下させることができない場合は、通気制御部91は、第一処理用ガスG1の通風速度を低下させる制御を行う。これにより、貯留槽3内の堆積物Bへの酸素供給速度を低下せしめ、堆積物B全体の発熱量を低下させることができる。なお、処理用ガスGの酸素濃度を低下させて貯留槽3内の炭化物Mの最大の酸化反応速度を低下させるために、第二処理用ガスG2の通風速度を変更せず、第一処理用ガスG1の通風速度を低下させる場合もある。 In addition, when the in-vessel temperature or the maximum temperature cannot be lowered sufficiently even by increasing the ventilation speed of the second processing gas G2, the ventilation control unit 91 decreases the ventilation speed of the first processing gas G1. Control. As a result, the rate of oxygen supply to the deposit B in the storage tank 3 can be reduced, and the calorific value of the entire deposit B can be reduced. In order to reduce the oxygen concentration of the processing gas G and reduce the maximum oxidation reaction rate of the carbide M in the storage tank 3, the ventilation speed of the second processing gas G2 is not changed and the first processing gas G2 is not changed. The ventilation speed of the gas G1 may be reduced in some cases.

滞留時間制御部93は、排出部32からのリサイクル燃料Fの排出速度を制御する機能部である。本実施形態では、滞留時間制御部93は、排出部32のロータリーバルブ32aの回転速度を制御することでリサイクル燃料Fの排出速度を制御する。滞留時間制御部93がロータリーバルブ32aの回転速度を早くすると、リサイクル燃料Fの排出速度が速くなり滞留時間が短くなる。滞留時間制御部93がロータリーバルブ32aの回転速度を遅くすると、リサイクル燃料Fの排出速度が遅くなり滞留時間が短くなる。 The residence time control unit 93 is a functional unit that controls the discharge speed of the recycled fuel F from the discharge unit 32. In the present embodiment, the residence time control unit 93 controls the discharge speed of the recycled fuel F by controlling the rotation speed of the rotary valve 32a of the discharge unit 32. When the residence time control unit 93 increases the rotation speed of the rotary valve 32a, the discharge speed of the recycled fuel F is increased and the residence time is shortened. When the residence time control unit 93 slows down the rotation speed of the rotary valve 32a, the discharge speed of the recycled fuel F becomes slower and the residence time becomes shorter.

滞留時間制御部93は、全ての層領域の炭化物Mについて、少なくとも上述の最小の滞留時間以上の滞留時間を確保するようにロータリーバルブ32aを制御する。これにより、十分に炭化物処理されていない炭化物Mがリサイクル燃料Fとして大気雰囲気下で貯留され、また、市場に出荷されて発火などすることを未然に防止する。 The residence time control unit 93 controls the rotary valve 32a so as to secure a residence time of at least the above-mentioned minimum residence time for the carbide M in all the layer regions. As a result, it is possible to prevent the carbide M, which has not been sufficiently carbide-treated, from being stored as the recycled fuel F in the atmosphere and shipped to the market to cause ignition.

滞留時間制御部93の制御と、最も下流側の層領域である堆積層B1の最小の滞留時間について補足する。上述のごとく、判定閾値の一つである最小の滞留時間は、各層領域の炭化物Mの酸素特性値がリサイクル燃料Fに要請される酸素特性値以下になることを目標として求められる。また、滞留時間制御部93は、堆積層B1を含む全ての層領域の炭化物Mについて、少なくとも上述の最小の滞留時間以上の滞留時間を確保するようにロータリーバルブ32aを制御する。したがって、堆積層B1の炭化物M(リサイクル燃料F)は、その酸素特性値がリサイクル燃料Fに要請される酸素特性値以下になるまでロータリーバルブ32aから排出されない。これにより、所定の酸素特性値以下のリサイクル燃料Fを製造することができる。 The control of the residence time control unit 93 and the minimum residence time of the deposited layer B1 which is the most downstream layer region will be supplemented. As described above, the minimum residence time, which is one of the determination threshold values, is obtained with the goal that the oxygen characteristic value of the carbide M in each layer region is equal to or less than the oxygen characteristic value required for the recycled fuel F. Further, the residence time control unit 93 controls the rotary valve 32a so as to secure a residence time of at least the above-mentioned minimum residence time for the carbide M in all the layer regions including the deposited layer B1. Therefore, the carbide M (recycled fuel F) of the deposited layer B1 is not discharged from the rotary valve 32a until the oxygen characteristic value becomes equal to or lower than the oxygen characteristic value required for the recycled fuel F. Thereby, the recycled fuel F having a predetermined oxygen characteristic value or less can be manufactured.

〔第二実施形態〕
図5に基づいて、第二実施形態に係る炭化物処理装置100を説明する。第二実施形態の炭化物処理装置100の構成は、第一実施形態に係る炭化物処理装置100に対して通気部4の構成が異なる。
[Second embodiment]
A carbide processing apparatus 100 according to the second embodiment will be described based on FIG. The structure of the carbide processing apparatus 100 of the second embodiment is different from that of the carbide processing apparatus 100 according to the first embodiment in the structure of the ventilation part 4.

第二実施形態の炭化物処理装置100は、第一実施形態に係る炭化物処理装置100の循環路40が、排気管33とガス供給ポート34とを連通するものであるのに対し、第二実施形態の炭化物処理装置100の循環路40が、排ガス処理設備13の排気管(図示せず)とガス供給ポート34とを連通するものである点で異なり、他は同じである。 In the carbide processing apparatus 100 of the second embodiment, the circulation path 40 of the carbide processing apparatus 100 according to the first embodiment communicates the exhaust pipe 33 and the gas supply port 34, whereas the second embodiment The other is the same except that the circulation path 40 of the carbide processing apparatus 100 connects the exhaust pipe (not shown) of the exhaust gas processing facility 13 and the gas supply port 34.

この第二実施形態において、循環路40は、排気ガスEの代わりに、排ガス処理設備13の燃焼排気Efの一部をガス供給ポート34に送風(給気)する。つまり、第二処理用ガスG2として燃焼排気Efを用いている。燃焼排気Efは、二次燃焼炉12で燃焼された排気ガスであるため、酸素の含有量の少ないガスである。したがって、第二処理用ガスG2として排気ガスEの代わりに燃焼排気Efを用いることも可能である。 In the second embodiment, the circulation path 40 blows (supply) part of the combustion exhaust gas Ef of the exhaust gas treatment facility 13 to the gas supply port 34 instead of the exhaust gas E. That is, the combustion exhaust gas Ef is used as the second processing gas G2. The combustion exhaust gas Ef is an exhaust gas burned in the secondary combustion furnace 12, and therefore has a low oxygen content. Therefore, the combustion exhaust gas Ef can be used instead of the exhaust gas E as the second processing gas G2.

〔第三実施形態〕
図6に基づいて、第三実施形態に係る炭化物処理装置100を説明する。第三実施形態の炭化物処理装置100の構成は、第一実施形態に係る炭化物処理装置100に対して通気部4の構成が異なる。
[Third embodiment]
A carbide processing apparatus 100 according to the third embodiment will be described based on FIG. 6. The structure of the carbide processing apparatus 100 according to the third embodiment is different from that of the carbide processing apparatus 100 according to the first embodiment in the structure of the ventilation part 4.

第三実施形態の炭化物処理装置100は、第一実施形態に係る炭化物処理装置100では、給気配管41aと循環路40とが一つのガス供給ポート34に接続されているのに対し、第三実施形態の炭化物処理装置100では、循環路40と給気配管41aとがそれぞれ、第一ガス供給ポート34aと第二ガス供給ポート34bとに別々に接続されている点で異なり、他は同じである。 The carbide treating apparatus 100 of the third embodiment is different from the carbide treating apparatus 100 of the first embodiment in that the air supply pipe 41a and the circulation passage 40 are connected to one gas supply port 34. The carbide processing apparatus 100 of the embodiment is different in that the circulation path 40 and the air supply pipe 41a are separately connected to the first gas supply port 34a and the second gas supply port 34b, respectively, and is otherwise the same. is there.

この第三実施形態において、第一ガス供給ポート34aと第二ガス供給ポート34bとは、排出部32の排出管32bにおけるロータリーバルブ32aの上流側(貯留槽3の内部空間側)に接続されている。これにより、第一ガス供給ポート34aと第二ガス供給ポート34bとから別々に供給された第一処理用ガスG1と第二処理用ガスG2とは、排出管32bおよび貯留槽3の下部容器の下端の端部30b近傍で相互拡散しながら、堆積物Bの粒子層に通気される。第一処理用ガスG1は、堆積物Bの粒子層を通過しつつ第二処理用ガスG2と相互拡散しながら炭化物Mの粒子表面と固気接触し、当該粒子表面における表面官能基などを酸化する。つまり、第一処理用ガスG1と第二処理用ガスG2とはあらかじめ混合して処理用ガスGとしてから堆積物Bの粒子層に通気される場合に限られない。 In the third embodiment, the first gas supply port 34a and the second gas supply port 34b are connected to the upstream side of the rotary valve 32a (inner space side of the storage tank 3) in the discharge pipe 32b of the discharge section 32. There is. As a result, the first processing gas G1 and the second processing gas G2, which are separately supplied from the first gas supply port 34a and the second gas supply port 34b, are stored in the discharge pipe 32b and the lower container of the storage tank 3. The particle layer of the deposit B is aerated while interdiffusing in the vicinity of the lower end 30b. The first processing gas G1 makes solid-gas contact with the particle surface of the carbide M while passing through the particle layer of the deposit B and mutually diffusing with the second processing gas G2, and oxidizes surface functional groups and the like on the particle surface. To do. That is, it is not limited to the case where the first processing gas G1 and the second processing gas G2 are mixed in advance as the processing gas G and then aerated to the particle layer of the deposit B.

〔変形例の説明〕
上記実施形態では、貯留槽3の最高温度(温度センサが検出した貯留槽3の槽内温度のうち、最も高い温度)が層温度上限に近づいて当該槽内温度を低下させる必要が生じた場合、通気制御部91は第二処理用ガスG2の通風速度を増加、もしくは、第一処理用ガスG1の通風速度を低下させる場合を説明した。このように、第二処理用ガスG2を供給する比率(第一処理用ガスG1に対する第二処理用ガスG2の比率)を変更する場合、温度センサが検出した貯留槽3の槽内温度に加えて、さらに外気の温度を加味することもできる。
[Explanation of Modifications]
In the above-described embodiment, when the maximum temperature of the storage tank 3 (the highest temperature among the internal temperatures of the storage tank 3 detected by the temperature sensor) approaches the bed temperature upper limit, it is necessary to reduce the internal temperature of the tank. The case where the ventilation controller 91 increases the ventilation speed of the second processing gas G2 or decreases the ventilation speed of the first processing gas G1 has been described. Thus, when changing the ratio of supplying the second processing gas G2 (the ratio of the second processing gas G2 to the first processing gas G1), in addition to the temperature inside the storage tank 3 detected by the temperature sensor, In addition, the temperature of the outside air can be added.

この場合、例えば温度計測部Tが外気温度センサ(図示せず)を備え、当該外気温度センサが検出した温度に基づいて、通気制御部91が通気部4により第二処理用ガスG2を供給する比率を変更することができる。例えば、貯留槽3の最高温度が層温度上限に近づいて当該槽内温度を低下させる必要が生じて第二処理用ガスG2の通風速度を増加、もしくは、第一処理用ガスG1の通風速度を低下させる場合に、当該増加もしくは低下させる変化割合を、外気温度センサが検出した温度に基づいて変更することができる。具体的には、当該外気温度センサが検出した温度が高い場合(例えば、夏場や日中)は、当該変化割合を増加させるとよく、当該外気温度センサが検出した温度が低い場合(例えば、冬場や夜中)は、当該変化割合を低下させるとよい。これにより、外気温度が高い場合は確実に貯留槽3の最高温度が層温度上限を超えることを回避し、外気温度が低い場合は過剰に変化割合を大きくしてしまって処理効率が低下するような不具合を回避することができる。 In this case, for example, the temperature measurement unit T includes an outside air temperature sensor (not shown), and the ventilation control unit 91 supplies the second processing gas G2 by the ventilation unit 4 based on the temperature detected by the outside air temperature sensor. The ratio can be changed. For example, the maximum temperature of the storage tank 3 approaches the upper limit of the bed temperature, and it is necessary to lower the internal temperature of the tank, so that the ventilation speed of the second processing gas G2 is increased, or the ventilation speed of the first processing gas G1 is increased. In the case of lowering, the rate of change to increase or decrease can be changed based on the temperature detected by the outside air temperature sensor. Specifically, when the temperature detected by the outside air temperature sensor is high (for example, in summer or daytime), the change rate may be increased, and when the temperature detected by the outside air temperature sensor is low (for example, in winter). It is recommended to reduce the change rate during the nighttime). This ensures that the maximum temperature of the storage tank 3 does not exceed the upper limit of the layer temperature when the outside air temperature is high, and the change rate is excessively increased when the outside air temperature is low, resulting in a decrease in processing efficiency. It is possible to avoid such problems.

以上のようにして、処理中の自己発熱を適切に制御しつつ炭化物の自己発熱性を低下させる処理炭化物処理装置および炭化物処理方法を提供することができる。 As described above, it is possible to provide a treated carbide treating apparatus and a carbide treating method for appropriately controlling the self-heating during the treatment and reducing the self-heating property of the carbide.

〔別実施形態〕
(1)上記実施形態では、第二処理用ガスG2として、排気ガスEもしくは燃焼排気Efを用いる場合を例示した。しかしながら、第二処理用ガスG2は、有機汚泥リサイクルシステム200で生成(排出)されるものに限られず、窒素や二酸化炭素など不活性ガスを導入してもよいし、他の産業装置、例えば、ごみ焼却炉の排気ガスや、火力発電所の排気ガスを用いることもできる。また、有機汚泥リサイクルシステム200で生成(排出)される排気ガスEもしくは燃焼排気Efに加えて、必要に応じて窒素や二酸化炭素など不活性ガスを導入してもよい。第二処理用ガスG2は、窒素や二酸化炭素など不活性ガスを主体(たとえば、97体積パーセント以上)としていればよい。第二処理用ガスG2は、空気よりも酸素濃度が低ければ良く、好ましくは酸素が3体積パーセント未満である。
[Another embodiment]
(1) In the above embodiment, the case where the exhaust gas E or the combustion exhaust gas Ef is used as the second processing gas G2 is illustrated. However, the second treatment gas G2 is not limited to that generated (exhausted) by the organic sludge recycling system 200, and an inert gas such as nitrogen or carbon dioxide may be introduced, or other industrial equipment, for example, It is also possible to use the exhaust gas of a refuse incinerator or the exhaust gas of a thermal power plant. Further, in addition to the exhaust gas E or the combustion exhaust gas Ef generated (exhausted) in the organic sludge recycling system 200, an inert gas such as nitrogen or carbon dioxide may be introduced if necessary. The second processing gas G2 may be mainly composed of an inert gas such as nitrogen or carbon dioxide (for example, 97% by volume or more). The second processing gas G2 only needs to have an oxygen concentration lower than that of air, and oxygen is preferably less than 3 volume percent.

(2)上記実施形態では、貯留槽3からリサイクル燃料Fを排出するための排出装置としてロータリーバルブ32aを用い、下流側の雰囲気と縁切りされた状態で、リサイクル燃料Fを排出する場合を例示した。しかしながら、排出装置は、ペレット状などのリサイクル燃料Fの形状に応じて使用可能な装置であって、下流側の雰囲気が制限なく貯留槽3に流入しない状態でリサイクル燃料Fを貯留槽3の内部空間から排出できる装置、もしくは構成を有していればよい。 (2) In the above-described embodiment, the rotary valve 32a is used as the discharge device for discharging the recycled fuel F from the storage tank 3, and the recycled fuel F is discharged in a state of being cut off from the atmosphere on the downstream side. .. However, the discharge device is a device that can be used depending on the shape of the recycled fuel F such as pellets, and the recycled fuel F is stored inside the storage tank 3 in a state where the downstream atmosphere does not flow into the storage tank 3 without restriction. It may have any device or structure capable of discharging from the space.

例えば、ロータリーバルブ32aの代わりに、貯留槽3を下流側の雰囲気と物理的に縁切りしながら排出することができる排出装置であるダブルダンパを用いてもよい。もしくは、スクリュー式の排出機やテーブルフィーダー式の排出装置を用い、その排出口に処理用ガスGや第二処理用ガスG2を向流で通流させて、下流側の雰囲気が制限なく貯留槽3に流入しない状態を維持する構成を採用することもできる。 For example, instead of the rotary valve 32a, a double damper that is a discharging device that can discharge the storage tank 3 while physically cutting off the atmosphere from the downstream atmosphere may be used. Alternatively, a screw type discharger or a table feeder type discharger is used, and the processing gas G or the second processing gas G2 is allowed to flow countercurrently through the discharge port so that the atmosphere on the downstream side is not restricted. It is also possible to adopt a configuration in which the state of not flowing into 3 is maintained.

(3)上記実施形態では、貯留槽3の下端である下部容器の端部30bから下方に向けて設けられている排出管32bにロータリーバルブ32aが設けられており、貯留槽3の下方にリサイクル燃料Fを排出する場合を例示した。しかしながら、排出装置は、貯留槽3の下方にリサイクル燃料Fを排出する構成に限られない。 (3) In the above embodiment, the rotary valve 32a is provided in the discharge pipe 32b provided downward from the end 30b of the lower container, which is the lower end of the storage tank 3, and is recycled below the storage tank 3. The case where the fuel F is discharged is illustrated. However, the discharging device is not limited to the structure that discharges the recycled fuel F below the storage tank 3.

例えば貯留槽3の側面にスクリュー式の排出機やテーブルフィーダー式の排出装置の排出口を設け、貯留槽3の側面からリサイクル燃料Fを排出してもよい。 For example, the recycled fuel F may be discharged from the side surface of the storage tank 3 by providing a discharge port of a screw type discharger or a table feeder type discharge device on the side surface of the storage tank 3.

(4)上記実施形態では、判定閾値設定部99は、層領域ごとの酸素特性値から層領域ごとの判定閾値を求める場合を説明した。また、判定閾値はあらかじめ固定の初期値が設定されており、各層領域において酸素特性値を算出する際、当該初期値、もしくは、直前に算出された判定閾値を更新するようになっている場合を説明した。そして、特に最小の滞留時間については、固定の初期値として3日(72時間)が設定されている場合を説明した。しかし、判定閾値の初期値は、固定値が定められている場合に限られない。 (4) In the above embodiment, the determination threshold value setting unit 99 has described the case where the determination threshold value for each layer region is obtained from the oxygen characteristic value for each layer region. Further, a fixed initial value is set in advance as the determination threshold value, and when the oxygen characteristic value is calculated in each layer region, the initial value or the determination threshold value calculated immediately before is updated. explained. And especially about the minimum residence time, the case where 3 days (72 hours) was set as a fixed initial value was described. However, the initial value of the determination threshold is not limited to the case where a fixed value is set.

(5)上記実施形態では、循環路40に加湿器45が設けられ、加湿用水Wを第二処理用ガスG2に噴霧供給して第二処理用ガスG2を加湿する場合を説明した。しかし、第二処理用ガスG2のみが加湿される場合に限られない。 (5) In the above embodiment, the case where the humidifier 45 is provided in the circulation path 40 and the humidifying water W is spray-supplied to the second processing gas G2 to humidify the second processing gas G2 has been described. However, it is not limited to the case where only the second processing gas G2 is humidified.

例えば、第二処理用ガスG2を加湿する場合に加えて、さらに第一処理用ガスG1を加湿してもよい。また、第二処理用ガスG2を加湿する場合に代えて、第一処理用ガスG1を加湿してもよい。第一処理用ガスG1を加湿する場合、たとえば給気配管41aに加湿器(図示せず、第二加湿部の一例)を設けるなどする。 For example, in addition to the case where the second processing gas G2 is humidified, the first processing gas G1 may be further humidified. Further, instead of humidifying the second processing gas G2, the first processing gas G1 may be humidified. When humidifying the first processing gas G1, for example, a humidifier (not shown, an example of a second humidifying section) is provided in the air supply pipe 41a.

判定閾値の初期値は、供給される炭化物Mの酸素特性値に基づいて、設定することもできる。例えば、貯留槽3に投入する炭化物Mをサンプリングし、酸素特性値を求め、当該酸素特性値に基づいて、判定閾値設定部99が、滞留時間の初期値を求めて設定してもよい。 The initial value of the determination threshold value can also be set based on the oxygen characteristic value of the supplied carbide M. For example, the carbide M to be charged into the storage tank 3 may be sampled to obtain an oxygen characteristic value, and the determination threshold value setting unit 99 may obtain and set the initial value of the residence time based on the oxygen characteristic value.

なお、上記実施形態(別実施形態を含む、以下同じ)で開示される構成は、矛盾が生じない限り、他の実施形態で開示される構成と組み合わせて適用することが可能であり、また、本明細書において開示された実施形態は例示であって、本発明の実施形態はこれに限定されず、本発明の目的を逸脱しない範囲内で適宜改変することが可能である。 Note that the configurations disclosed in the above-described embodiments (including other embodiments, the same applies hereinafter) can be applied in combination with the configurations disclosed in other embodiments, as long as no contradiction occurs. The embodiments disclosed in the present specification are exemplifications, and the embodiments of the present invention are not limited thereto, and can be appropriately modified within a range not departing from the object of the present invention.

本発明は、処理中の自己発熱を適切に制御しつつ炭化物の自己発熱性を低下させる処理を行う炭化物処理装置、およびその方法に適用できる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be applied to a carbide treatment device that performs a treatment for reducing the self-heating property of carbide while appropriately controlling self-heating during treatment, and a method thereof.

3 :貯留槽
4 :通気部
9 :制御部
33 :排気管(排気口)
34 :ガス供給ポート(給気口)
40 :循環路(第二通気部)
41 :給気ファン(第一通気部)
41a :給気配管(第一通気部)
42 :循環ファン(第二通気部、排気ガス送風機)
45 :加湿器(加湿部)
100 :炭化物処理装置
B :堆積物(炭化物)
B1 :堆積層(炭化物)
B2 :堆積層(炭化物)
B3 :堆積層(炭化物)
E :排気ガス
G :処理用ガス
G1 :第一処理用ガス
G2 :第二処理用ガス
M :炭化物
T :温度計測部
T1 :温度センサ
T2 :温度センサ
T3 :温度センサ
T31 :温度センサ
T32 :温度センサ
T33 :温度センサ
T4 :温度センサ
T5 :温度センサ
3: Storage tank 4: Ventilation section 9: Control section 33: Exhaust pipe (exhaust port)
34: Gas supply port (air supply port)
40: Circulation path (second ventilation section)
41: Air supply fan (first ventilation part)
41a: Air supply pipe (first ventilation part)
42: Circulation fan (second ventilation part, exhaust gas blower)
45: Humidifier (humidifying section)
100: Carbide processing device B: Deposit (carbide)
B1: Deposited layer (carbide)
B2: deposited layer (carbide)
B3: Deposited layer (carbide)
E: Exhaust gas G: Processing gas G1: First processing gas G2: Second processing gas M: Carbide T: Temperature measuring part T1: Temperature sensor T2: Temperature sensor T3: Temperature sensor T31: Temperature sensor T32: Temperature Sensor T33: Temperature sensor T4: Temperature sensor T5: Temperature sensor

Claims (7)

自己発熱性を有する炭化物を層状に堆積させて貯留する貯留槽と、
前記炭化物の堆積層の下部から当該堆積層の上部に向けて通気する通気部と、
前記貯留槽の槽内温度を計測する温度計測部と、
前記槽内温度が所定の閾値以下になるように前記通気部を制御して前記炭化物を冷却する制御部と、
前記貯留槽の下端に設けられ、前記通気部が給気する給気口と、
前記貯留槽の上端に設けられ、前記堆積層を通過したガスを排気する排気口と、を備え、
前記通気部は、
酸素を含有する第一処理用ガスを給気する第一通気部と、
不活性ガスを第二処理用ガスとして給気する第二通気部と、を有し、
前記制御部は、前記第一処理用ガス、および、前記第二処理用ガスの少なくとも一方を制御して前記炭化物を冷却し、
前記排気口には、前記貯留槽の内部空間を正圧に維持する抵抗体が設けられている炭化物処理装置。
A storage tank that accumulates and stores carbide having self-heating properties in layers,
A ventilation part that vents from the bottom of the deposited layer of the carbide toward the top of the deposited layer,
A temperature measuring unit for measuring the temperature inside the storage tank,
A control unit that cools the carbide by controlling the aeration unit so that the temperature in the bath becomes a predetermined threshold value or less,
An air supply port provided at the lower end of the storage tank for supplying air to the ventilation section,
An exhaust port provided at the upper end of the storage tank for exhausting gas that has passed through the deposition layer ,
The ventilation part is
A first ventilation part for supplying a first processing gas containing oxygen,
A second ventilation part for supplying an inert gas as a second processing gas,
The control unit controls at least one of the first processing gas and the second processing gas to cool the carbide ,
A carbide treating apparatus in which a resistor for maintaining a positive pressure in the internal space of the storage tank is provided at the exhaust port .
前記第二処理用ガスは、前記貯留槽からの排気ガスである請求項1に記載の炭化物処理装置。 The carbide processing apparatus according to claim 1, wherein the second processing gas is exhaust gas from the storage tank. 記第二通気部は、前記排気口と前記給気口とを連通する循環路と、前記循環路において前記排気口から前記給気口に向けて前記排気ガスを送風する排気ガス送風機と、当該排気ガスを加湿する加湿部と、を有する請求項2に記載の炭化物処理装置。 The second vent before SL includes a circulation path which communicates with the exhaust port and the air inlet, and an exhaust gas blower for blowing the exhaust gas toward the air inlet from the outlet in the circulation path, The carbide treating apparatus according to claim 2, further comprising a humidifying unit that humidifies the exhaust gas. 前記温度計測部は、複数の温度センサを有し、
複数の前記温度センサはそれぞれ、前記貯留槽における異なる高さ位置に設置されており、
前記制御部は、前記第一処理用ガス、および、前記第二処理用ガスのガス温度の少なくとも一方が、前記温度センサが検出した最も高い前記槽内温度よりも低い温度になるように制御する請求項1から3のいずれか一項に記載の炭化物処理装置。
The temperature measuring unit has a plurality of temperature sensors,
Each of the plurality of temperature sensors is installed at different height positions in the storage tank,
The control unit controls at least one of the gas temperatures of the first processing gas and the second processing gas to be a temperature lower than the highest in-vessel temperature detected by the temperature sensor. The carbide treatment device according to any one of claims 1 to 3.
前記制御部は、前記槽内温度を低下させるために、前記第一処理用ガスの供給速度に対する前記第二処理用ガスの供給速度の比を増加させる請求項1から4のいずれか一項に記載の炭化物処理装置。 The control unit increases the ratio of the supply rate of the second processing gas to the supply rate of the first processing gas in order to decrease the temperature in the tank. The carbide treatment apparatus described. 前記第一通気部は、前記第一処理用ガスを加湿する第二加湿部を有する請求項1から5のいずれか一項に記載の炭化物処理装置。 The carbide treatment device according to any one of claims 1 to 5, wherein the first ventilation part has a second humidification part that humidifies the first processing gas. 自己発熱性を有する炭化物を貯留槽に層状に堆積させて貯留する貯留工程と、
前記貯留槽の下端に設けられた給気口を介して前記炭化物の堆積層の下部から当該堆積層の上部に向けて通気し、前記堆積層を通過したガスを前記貯留槽の上端に設けられた排気口から排気する通気工程と、
前記貯留槽の槽内温度を計測する温度計測工程と、
前記槽内温度が所定の閾値以下になるように制御して前記炭化物を冷却する温度制御工程と、を備え、
前記通気工程は、
酸素を含有する第一処理用ガスを通気する第一通気工程と、
不活性ガスを第二処理用ガスとして通気する第二通気工程と、を含み、
前記温度制御工程は、前記第一処理用ガス、および、前記第二処理用ガスの少なくとも
一方を制御して前記炭化物を冷却し、
前記通気工程は、前記排気口に設けられた抵抗体により、前記貯留槽の内部空間を正圧に維持する炭化物処理方法。
A storage step of depositing and storing a carbide having self-heating properties in a storage tank in a layered manner,
The gas that has passed through the deposition layer is provided at the upper end of the storage tank by ventilating from the lower part of the deposition layer of the carbide toward the upper part of the deposition layer through an air supply port provided at the lower end of the storage tank. Ventilation process to exhaust from the exhaust port ,
A temperature measuring step of measuring the temperature inside the storage tank,
A temperature control step of cooling the carbide by controlling the temperature in the bath to be a predetermined threshold value or less,
The aeration step,
A first venting step of venting a first processing gas containing oxygen;
A second ventilation step of ventilating an inert gas as a second processing gas,
The temperature control step, the first processing gas, and, at least one of the second processing gas is controlled to cool the carbide ,
The aeration step is a method for treating carbide, in which the internal space of the storage tank is maintained at a positive pressure by a resistor provided at the exhaust port .
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