JP6708967B2 - Quantum dot phosphor and light emitting device using the same - Google Patents

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Description

本発明は、量子ドット蛍光体及びそれを用いた発光装置に関する。 The present invention relates to a quantum dot phosphor and a light emitting device using the same.

光源として広く使用されている蛍光灯は、有害物質である水銀を用いることや寿命が短いことなどの短所がある。このため、近年では、光源として発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)が使用されるようになってきている。 Fluorescent lamps, which are widely used as a light source, have drawbacks such as the use of mercury, which is a harmful substance, and the short life. For this reason, in recent years, a light emitting diode (LED: Light Emitting Diode) has been used as a light source.

光源としてLEDを用いて構成された発光素子(以下、LED発光素子ともいう)は、有害物質を用いておらず、長寿命であり、発光効率が高いなどの特徴を有し、他にも、次のような利点がある。 A light emitting element configured by using an LED as a light source (hereinafter, also referred to as an LED light emitting element) does not use a harmful substance, has a long life, has high emission efficiency, and the like. It has the following advantages.

(i)LED発光素子は、直流駆動が可能であるため、従来の交流駆動の蛍光灯で発生するちらつきがなく、目に優しい。
(ii)LED発光素子は、従来の蛍光灯に比べて紫外線(UV:Ultra Violet ray)の発生量が少ないため、人体への影響が少なく、さらに、材料劣化を抑えることができる。
(iii)LED発光素子は、従来の蛍光灯で用いられるガラスを使用しないため、安全性が高く、操作性がよい。
(I) Since the LED light emitting element can be driven by direct current, it does not cause the flicker that occurs in conventional fluorescent lamps driven by alternating current and is easy on the eyes.
(Ii) Since the LED light emitting element generates a smaller amount of ultraviolet rays (UV: Ultra Violet ray) than a conventional fluorescent lamp, the LED light emitting element has less influence on the human body and can further suppress material deterioration.
(Iii) Since the LED light emitting element does not use glass used in conventional fluorescent lamps, it has high safety and good operability.

このような特徴を有するLED発光素子は、家庭照明をはじめとする照明用や、液晶表示素子のバックライト用など、次世代の光源として注目され、近年盛んに研究開発が進められている。 The LED light-emitting element having such characteristics has attracted attention as a next-generation light source for lighting such as home lighting and for a backlight of a liquid crystal display element, and has been actively researched and developed in recent years.

LED発光素子を用いて白色光を得る方式としては、以下の3つの方式が知られている。 The following three methods are known as methods for obtaining white light using an LED light emitting element.

(1)光の3原色である赤色(R:Red)、緑色(G:Green)及び青色(B:Blue)の発光波長(発光のピーク波長)をそれぞれ有する3種のLEDを組み合わせて白色光を得る方式。
(2)青色の発光波長を有する青色LED、及び青色の発光を励起光とする黄色、緑色、赤色等の発光波長を有する蛍光体を使用し、励起源からの青色の発光と蛍光体からの黄色、緑色、赤色等の発光との混合により白色光を得る方式。この方式では、黄色、緑色、赤色等の発光波長を有する蛍光体が、波長変換蛍光体材料として、青色LEDからの青色の発光を黄色、緑色、赤色等の発光に波長変換する。
(3)380nmより短波長の近紫外領域の光、すなわちUVの発光波長を有するUV−LED、及びUVを励起光とする赤色、緑色及び青色の発光波長を有する蛍光体を使用し、蛍光体からの赤色、緑色及び青色の発光の混合により白色光を得る方式。この方式では、赤色、緑色及び青色の発光波長を有する蛍光体が、波長変換蛍光体材料として、UV−LEDからのUVを赤色、緑色及び青色の発光に波長変換する。
(1) White light obtained by combining three types of LEDs having emission wavelengths (peak wavelengths of emission) of red (R: Red), green (G: Green) and blue (B: Blue), which are the three primary colors of light. Method to get.
(2) Using a blue LED having a blue emission wavelength and a phosphor having an emission wavelength of yellow, green, red, etc. that uses blue emission as excitation light, the blue emission from the excitation source and the emission from the phosphor are used. A method of obtaining white light by mixing with the emission of yellow, green, red, etc. In this system, a phosphor having an emission wavelength of yellow, green, red, or the like serves as a wavelength conversion phosphor material, and wavelength-converts blue emission from a blue LED into emission of yellow, green, red, or the like.
(3) Phosphors that use light in the near-ultraviolet region with a wavelength shorter than 380 nm, that is, UV-LEDs having an emission wavelength of UV, and phosphors having emission wavelengths of red, green, and blue that use UV as excitation light, A method of obtaining white light by mixing the red, green, and blue light emitted from. In this system, a phosphor having emission wavelengths of red, green, and blue converts wavelengths of UV from a UV-LED into red, green, and blue emission as a wavelength conversion phosphor material.

図1に、上記(2)の方式のLED発光素子を有する発光装置の構造の一例を示す。 FIG. 1 shows an example of the structure of a light emitting device having the LED light emitting element of the above (2) system.

図1の発光装置では、青色LEDチップ1がワイヤ2によりリードフレーム3に接続されている。青色LEDチップ1は、ヒートシンク6に接着されている。また、青色LEDチップ1は、青色LEDチップ1からの青色の発光を励起光とする黄色、緑色、赤色等の発光波長を有する蛍光体粒子7を封入させた透明樹脂5により、ケース4内に封止されている。 In the light emitting device of FIG. 1, the blue LED chip 1 is connected to the lead frame 3 by the wire 2. The blue LED chip 1 is adhered to the heat sink 6. In addition, the blue LED chip 1 is housed in the case 4 by the transparent resin 5 in which the phosphor particles 7 having the emission wavelengths of yellow, green, red, etc., which emit blue light from the blue LED chip 1 as excitation light, are encapsulated. It is sealed.

外部駆動回路よりリードフレーム3に電力が供給されると、青色LEDチップ1が点灯し、青色を発光する。ヒートシンク6は、発光時の青色LEDチップ1からの発熱を外部に逃がす役割を有し、青色LEDチップ1の温度の上昇を抑え、発光を安定化させる。青色LEDチップ1からの青色の発光の一部はそのまま青色に発光し、青色の発光の残りは透明樹脂5中の蛍光体粒子7を励起する。励起された蛍光体粒子7は黄色、緑色、赤色等を発光する。青色LEDチップ1からの青色の発光と蛍光体粒子7からの各色の発光とが混合されて、白色光が得られる。この構造は主に、照明器具用の発光装置に用いられる。 When power is supplied to the lead frame 3 from the external drive circuit, the blue LED chip 1 is turned on and emits blue light. The heat sink 6 has a role of releasing heat generated from the blue LED chip 1 at the time of light emission to the outside, suppresses an increase in temperature of the blue LED chip 1, and stabilizes light emission. Part of the blue light emitted from the blue LED chip 1 emits blue light as it is, and the rest of the blue light emission excites the phosphor particles 7 in the transparent resin 5. The excited phosphor particles 7 emit yellow, green, red and the like. The blue light emission from the blue LED chip 1 and the light emission of each color from the phosphor particles 7 are mixed to obtain white light. This structure is mainly used in a light emitting device for a lighting fixture.

図2には、図1の発光装置の構造とは異なる上記(2)の方式のLED発光素子を有する発光装置の一例を示す。図2に示す発光装置は、LED発光素子からの発光を導光体9及び反射シート8により広い面に照射することができる構造を有する。 FIG. 2 shows an example of a light emitting device having an LED light emitting element of the above method (2) different from the structure of the light emitting device of FIG. The light emitting device shown in FIG. 2 has a structure capable of irradiating the light emitted from the LED light emitting element on a wide surface by the light guide 9 and the reflection sheet 8.

図2の発光装置では、青色LEDチップ1は透明樹脂5により封止されているが、蛍光体粒子7は透明樹脂5に封入されていない。蛍光体粒子7は透明樹脂5Aに封入されており、導光体9は透明樹脂5Aと反射シート8に挟まれた構造をしている。蛍光体粒子7は、青色LEDチップ1からの青色の発光を励起光とする黄色、緑色、赤色等の発光波長を有する蛍光体からなる。 In the light emitting device of FIG. 2, the blue LED chip 1 is sealed with the transparent resin 5, but the phosphor particles 7 are not sealed in the transparent resin 5. The phosphor particles 7 are enclosed in a transparent resin 5A, and the light guide 9 has a structure sandwiched between the transparent resin 5A and a reflection sheet 8. The phosphor particles 7 are made of a phosphor that emits blue light from the blue LED chip 1 as excitation light and has emission wavelengths such as yellow, green, and red.

青色LEDチップ1から放出された青色の発光は、導光体9中を導光しながら、又は導光体9中を導光して反射シート8により反射されながら広がり、青色の発光の一部はそのまま青色の発光として透過する。青色の発光の残りは蛍光体粒子7の励起光として使用され、蛍光体粒子7により黄色、緑色、赤色等の発光に変換される。青色LEDチップ1からの青色の発光と蛍光体粒子7からの各色の発光とが混合され、白色光が得られる。この構造は、照明器具用の発光装置の他、主に液晶ディスプレイ用のバックライトに用いられる。 The blue light emitted from the blue LED chip 1 spreads while being guided through the light guide 9 or while being guided through the light guide 9 and reflected by the reflection sheet 8. Transmits as blue light as it is. The rest of the blue light emission is used as excitation light for the phosphor particles 7, and is converted by the phosphor particles 7 into light emission of yellow, green, red, or the like. The blue light emission from the blue LED chip 1 and the light emission of each color from the phosphor particles 7 are mixed to obtain white light. This structure is mainly used in a backlight for a liquid crystal display as well as a light emitting device for a lighting fixture.

上記(2)の方式のLED発光素子を有する発光装置からの発光をバックライト光として使用する液晶ディスプレイでは、各画素(青、赤、緑)に対応する色はバックライト光をカラーフィルタに通すことにより実現される。 In a liquid crystal display that uses light emitted from a light emitting device having an LED light emitting element of the above method (2) as backlight light, colors corresponding to each pixel (blue, red, green) pass the backlight light through a color filter. It is realized by

上記のような発光装置に使用される従来の蛍光体粒子としては、YAG:Ce(YAl12:Ce)の他、TbAl12:Ce、LuAl12:Ce、Ca(Si,Al)12(O,N)16:Eu、(Si,Al)(O,N):Eu、CaAlSiN:Eu、CaS:Eu、SrS:Eu、ZnS:Cu、Al、SrGa:Eu、CaGa:Eu、(Sr,Ca,Ba)SiO:Eu、(Sr,Ca,Ba)SiO:Eu、CaSc:Ce、Ca3ScSi12:Ce、CaMgSi16Cl:Eu、SrAl:Euなどが挙げられ、これらは数μm〜10μm程度の粒径を有する。また、これらの蛍光体粒子は、それぞれ固有の発光波長を有する。 The conventional phosphor particles used in the light-emitting device as described above, YAG: Ce (Y 3 Al 5 O 12: Ce) other, Tb 3 Al 5 O 12: Ce, Lu 3 Al 5 O 12: Ce, Ca(Si,Al) 12 (O,N) 16 :Eu, (Si,Al) 6 (O,N) 8 :Eu, CaAlSiN 3 :Eu, CaS:Eu, SrS:Eu, ZnS:Cu, al, SrGa 2 S 4: Eu , CaGa 2 S 4: Eu, (Sr, Ca, Ba) SiO 4: Eu, (Sr, Ca, Ba) 3 SiO 5: Eu, CaSc 2 O 4: Ce, Ca 3 sc 2 Si 3 O 12: Ce , Ca 8 MgSi 4 O 16 Cl 2: Eu, SrAl 2 O 4: Eu and the like, which has a particle size of about several Myuemu~10myuemu. Further, each of these phosphor particles has a unique emission wavelength.

図3の(a)に、従来の蛍光体粒子を用いたバックライト光の発光スペクトル、(b)に、各色(青、緑、赤)用のカラーフィルタの透過率[実線は青色用カラーフィルタの透過率(透過率のピーク:約450nm)、破線は緑色用カラーフィルタの透過率(透過率のピーク:約490nm)、点線は赤色用カラーフィルタの透過率(透過率のピーク:約650nm)を示す]、(c)に、(a)の発光スペクトルと(b)の透過率とから得られる液晶ディスプレイの各色(青、緑、赤)のスペクトルを示す。図3の(a)に示すように、バックライト光の発光スペクトルのうち、蛍光体粒子からの発光スペクトルに相当する約500nm〜約750nmの緑色及び赤色それぞれの発光波長のピーク幅は広いため、カラーフィルタ(図3(b))を透過した後の緑色及び赤色それぞれの発光波長のピーク幅も広くなる(図3(c))。これより、従来の蛍光体粒子を用いた場合は、カラーフィルタの透過率を高めることができず、その結果、発光効率が悪くなる。また、発光スペクトルの発光波長ピーク幅が広いため、色純度が悪い。 FIG. 3A shows an emission spectrum of backlight light using conventional phosphor particles, and FIG. 3B shows the transmittance of color filters for each color (blue, green, and red) [solid line indicates blue color filter]. Transmittance (peak of transmittance: about 450 nm), dashed line indicates transmittance of green color filter (peak of transmittance: about 490 nm), dotted line indicates transmittance of red color filter (peak of transmittance: about 650 nm) ], (c) shows the spectrum of each color (blue, green, red) of the liquid crystal display obtained from the emission spectrum of (a) and the transmittance of (b). As shown in FIG. 3A, the peak widths of the emission wavelengths of green and red of about 500 nm to about 750 nm, which correspond to the emission spectrum of the phosphor particles in the emission spectrum of the backlight light, are wide, The peak widths of the green and red emission wavelengths after passing through the color filter (FIG. 3B) are also widened (FIG. 3C). Therefore, when the conventional phosphor particles are used, the transmittance of the color filter cannot be increased, and as a result, the luminous efficiency is deteriorated. Further, since the emission wavelength peak width of the emission spectrum is wide, the color purity is poor.

このような従来の蛍光体粒子に対して、近年では、数nm〜10nm程度の粒径を有する蛍光体粒子、いわゆる量子ドット蛍光体が注目されている。量子ドット蛍光体は半導体組成からなる。 In contrast to such conventional phosphor particles, in recent years, phosphor particles having a particle size of several nm to 10 nm, that is, a so-called quantum dot phosphor has attracted attention. The quantum dot phosphor has a semiconductor composition.

図4の(a)に、量子ドット蛍光体を用いたバックライト光の発光スペクトル、(b)に、各色(青、緑、赤)用のカラーフィルタの透過率(図3の(b)と同じである)、(c)に、(a)のスペクトルと(b)の透過率とから得られる液晶ディスプレイの各色(青、緑、赤)のスペクトルを示す。図4の(a)に示すように、バックライト光の発光スペクトルのうちの量子ドット蛍光体からの発光スペクトルに相当する約500nm〜750nmの緑色及び赤色それぞれの発光波長のピーク幅は狭いため、カラーフィルタ(図4(b))を透過した後の緑色及び赤色それぞれの発光波長のピーク幅も狭く(図4(c))、各色の色純度がよい。これより、量子ドット蛍光体を用いた場合は、従来の蛍光体粒子を用いる場合よりもカラーフィルタの透過率を高めることができ、その結果、発光効率の向上が可能である。さらに、各色の色純度がよいため、液晶ディスプレイの色再現範囲の拡大が可能である。 FIG. 4A shows the emission spectrum of the backlight light using the quantum dot phosphor, and FIG. 4B shows the transmittance of the color filters for each color (blue, green, red) (FIG. 3B). The same) and (c) show spectra of each color (blue, green, red) of the liquid crystal display obtained from the spectrum of (a) and the transmittance of (b). As shown in FIG. 4A, the peak widths of the emission wavelengths of green and red of about 500 nm to 750 nm, which correspond to the emission spectrum from the quantum dot phosphor in the emission spectrum of the backlight, are narrow, The peak width of each emission wavelength of green and red after passing through the color filter (FIG. 4B) is also narrow (FIG. 4C), and the color purity of each color is good. From this, when the quantum dot phosphor is used, the transmittance of the color filter can be increased more than when the conventional phosphor particles are used, and as a result, the luminous efficiency can be improved. Furthermore, since the color purity of each color is good, the color reproduction range of the liquid crystal display can be expanded.

また、量子ドット蛍光体は、粒径を変えることで発光波長を変更することができるという特徴を有する。 Further, the quantum dot phosphor has a feature that the emission wavelength can be changed by changing the particle size.

量子ドット蛍光体としては、例えばCdSe/ZnS(コア/シェル)量子ドット蛍光体、InP/ZnS量子ドット蛍光体、CuInS/ZnS量子ドット蛍光体などが挙げられる。CdSe/ZnS量子ドット蛍光体では、結晶表面の欠陥により発光効率が低いCdSe(コア)の表面をZnS(シェル)で覆うことによって、結晶表面の欠陥を修復し、発光効率を向上させている。 Examples of quantum dot phosphors include CdSe/ZnS (core/shell) quantum dot phosphors, InP/ZnS quantum dot phosphors, and CuInS 2 /ZnS quantum dot phosphors. In the CdSe/ZnS quantum dot phosphor, by covering the surface of CdSe (core) whose emission efficiency is low due to defects on the crystal surface with ZnS (shell), the defects on the crystal surface are repaired and the emission efficiency is improved.

しかしながら、CdSe/ZnS量子ドット蛍光体は、RoHS規制で使用量が限定されている有害なCdを含む。また、Cdを含まない量子ドット蛍光体として知られるInP/ZnS量子ドット蛍光体やCuInS/ZnS量子ドット蛍光体には、CdSe/ZnS量子ドット蛍光体に比べて発光効率が低いという問題点がある。 However, the CdSe/ZnS quantum dot phosphor contains harmful Cd whose use amount is limited by the RoHS regulation. In addition, InP/ZnS quantum dot phosphors and CuInS 2 /ZnS quantum dot phosphors, which are known as Cd-free quantum dot phosphors, have a problem that their luminous efficiency is lower than that of CdSe/ZnS quantum dot phosphors. is there.

さらに、特許文献1及び特許文献2には、量子ドット蛍光体を図1の構造に採用する方式が記載されているが、図1に示す発光装置では、広い面に均一に白色光を照射することは難しい。 Further, Patent Documents 1 and 2 describe a method in which a quantum dot phosphor is adopted in the structure of FIG. 1, but in the light emitting device shown in FIG. 1, a wide surface is uniformly irradiated with white light. It's difficult.

特開2007−103511号公報JP, 2007-103511, A 特開2007−103513号公報JP, 2007-103513, A

上記従来の状況に鑑み、本発明は、発光効率が高く、さらにCd等の有害物質を含まない量子ドット蛍光体及びその量子ドット蛍光体を用いた発光装置を提供することを課題とする。 In view of the above conventional situation, it is an object of the present invention to provide a quantum dot phosphor that has high luminous efficiency and does not contain harmful substances such as Cd, and a light emitting device using the quantum dot phosphor.

本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、量子ドット蛍光体であるCuInS量子ドット蛍光体又はCuInS/ZnS量子ドット蛍光体の結晶欠陥に起因する非発光遷移を低減化させるために、CuInS量子ドット蛍光体又はCuInS/ZnS量子ドット蛍光体におけるInサイトをIn元素と同族元素であるAl元素及び/又はGa元素で置換することにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成した。 As a result of intensive studies, the present inventors have made it possible to reduce non-emission transitions due to crystal defects in CuInS 2 quantum dot phosphors or CuInS 2 /ZnS quantum dot phosphors, which are quantum dot phosphors. It has been found that the above problems can be solved by substituting the In site in the CuInS 2 quantum dot phosphor or the CuInS 2 /ZnS quantum dot phosphor with an Al element and/or a Ga element that is a homologous element to the In element, and completed the present invention. did.

すなわち、本発明に係る量子ドット蛍光体は、Cu(In1−x―yAlGa)S(0<x+y≦0.4、0≦x≦0.4、0≦y≦0.4)又は、Cu(In1−x―yAlGa)S/ZnS(0<x+y≦0.4、0≦x≦0.4、0≦y≦0.4)で表わされることを特徴とする。 That is, the quantum dot phosphor according to the present invention, Cu (In 1-x- y Al x Ga y) S 2 (0 <x + y ≦ 0.4,0 ≦ x ≦ 0.4,0 ≦ y ≦ 0. 4) or that represented by Cu (in 1-x-y Al x Ga y) S 2 /ZnS(0<x+y≦0.4,0≦x≦0.4,0≦y≦0.4) Is characterized by.

本発明により、発光効率が高く、Cd等の有害物質を含まない量子ドット蛍光体が提供され、さらに、本発明の量子ドット蛍光体を用いることによって発光効率を向上させた発光装置が提供される。 The present invention provides a quantum dot phosphor having high luminous efficiency and containing no harmful substances such as Cd, and further provides a light emitting device having improved luminous efficiency by using the quantum dot phosphor of the present invention. ..

上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。 Problems, configurations, and effects other than those described above will be clarified by the following description of the embodiments.

LED発光素子を有する発光装置の構造の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of the light-emitting device which has an LED light-emitting element. LED発光素子を有する発光装置の構造の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of the light-emitting device which has an LED light-emitting element. 従来の蛍光体粒子を用いた液晶ディスプレイの発光スペクトルを示す図である。It is a figure which shows the light emission spectrum of the liquid crystal display using the conventional fluorescent substance particle. 量子ドット蛍光体を用いた液晶ディスプレイの発光スペクトルを示す図である。It is a figure which shows the light emission spectrum of the liquid crystal display using a quantum dot fluorescent substance. 本発明の量子ドット蛍光体を透明樹脂に封入した蛍光体フィルムの一例を模式的に表した図である。It is the figure which represented typically an example of the fluorescent substance film which enclosed the quantum dot fluorescent substance of this invention in the transparent resin. 本発明の量子ドット蛍光体を含む蛍光体フィルムを用いて製造した発光装置の一例を模式的に表した図である。It is the figure which represented typically an example of the light-emitting device manufactured using the fluorescent substance film containing the quantum dot fluorescent substance of this invention. 本発明の量子ドット蛍光体を含む蛍光体フィルムを用いて製造した発光装置の一例を模式的に表した図である。It is the figure which represented typically an example of the light-emitting device manufactured using the fluorescent substance film containing the quantum dot fluorescent substance of this invention. 本発明の量子ドット蛍光体を有する発光装置をバックライトとして用いて製造した液晶ディスプレイパネルの一例を模式的に表した図である。It is the figure which represented typically an example of the liquid crystal display panel manufactured using the light emitting device which has the quantum dot fluorescent substance of this invention as a backlight. CuInS/ZnS系の量子ドット蛍光体における、粒径に対する発光波長の関係を示す図である。In CuInS 2 / ZnS-based quantum dot phosphor is a diagram showing a relationship between emission wavelength for the particle diameter. Cu(In1−xAl)S量子ドット蛍光体におけるAl濃度(x)に対する量子効率(相対値)の関係を示す図である。It is a diagram showing the relationship between quantum efficiency (relative value) with respect to Cu (In 1-x Al x ) Al in S 2 quantum dot phosphor concentration (x). Cu(In0.7Al0.3)S量子ドット蛍光体における励起波長に対する量子効率(相対値)の関係を示す図である。Is a diagram showing the relationship between quantum efficiency (relative value) with respect to the excitation wavelength in Cu (In 0.7 Al 0.3) S 2 quantum dot phosphors. Cu(In1−xAl)S/ZnS量子ドット蛍光体におけるAl濃度(x)に対する量子効率(相対値)の関係を示す図である。Is a diagram showing the relationship between quantum efficiency (relative value) with respect to Cu (In 1-x Al x ) Al in S 2 / ZnS quantum dot phosphor concentration (x). Cu(In0.7Al0.3)S/ZnS量子ドット蛍光体における励起波長に対する量子効率(相対値)の関係を示す図である。Is a diagram showing the relationship between quantum efficiency (relative value) with respect to the excitation wavelength in Cu (In 0.7 Al 0.3) S 2 / ZnS quantum dot phosphor.

以下、図面等を用いて、本発明の実施形態について説明する。図面では、明確化のために各部の寸法及び形状を誇張しており、実際の寸法及び形状を正確に描写してはいない。それ故、本発明の技術的範囲は、これら図面に表された各部の寸法及び形状に限定されるものではない。さらに、以下の説明は本発明の内容の具体例を示すものであり、本発明がこれらの説明に限定されるものではなく、本明細書に開示される技術的思想の範囲内において当業者による様々な変更及び修正ができる。また、本発明を説明するための図において、同一の機能を有するものは、同一の符号を付け、その繰り返しの説明は省略する場合がある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings and the like. In the drawings, the size and shape of each part are exaggerated for clarity, and the actual size and shape are not accurately drawn. Therefore, the technical scope of the present invention is not limited to the size and shape of each part shown in these drawings. Furthermore, the following description shows specific examples of the content of the present invention, and the present invention is not limited to these descriptions, and those skilled in the art within the scope of the technical idea disclosed in the present specification. Various changes and modifications can be made. Further, in the drawings for explaining the present invention, components having the same function are denoted by the same reference numeral, and repeated description thereof may be omitted.

<量子ドット蛍光体>
本発明の量子ドット蛍光体は、CuInS量子ドット蛍光体又はCuInS/ZnS量子ドット蛍光体の結晶構造を有し、Inサイトの一部がIn元素と同族元素であるAl元素及び/又はGa元素によって置換された以下の構造:
Cu(In1−x―yAlGa)S(0<x+y≦0.4、0≦x≦0.4、0≦y≦0.4)
又は、
Cu(In1−x―yAlGa)S/ZnS(0<x+y≦0.4、0≦x≦0.4、0≦y≦0.4)
を有する。
<Quantum dot phosphor>
The quantum dot phosphor of the present invention has a crystal structure of CuInS 2 quantum dot phosphor or CuInS 2 /ZnS quantum dot phosphor, and a part of the In site is an Al element and/or Ga that is a homologous element to the In element. The following structures replaced by elements:
Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 (0 <x + y ≦ 0.4,0 ≦ x ≦ 0.4,0 ≦ y ≦ 0.4)
Or
Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 /ZnS(0<x+y≦0.4,0≦x≦0.4,0≦y≦0.4)
Have.

ここで、本発明のCu(In1−x―yAlGa)S量子ドット蛍光体では、Al濃度(x)+Ga濃度(y)(本明細書では「x+y」ともいう)の範囲は、0<x+y≦0.4であり、好ましくは0.1≦x+y≦0.3であり、より好ましくは0.1≦x+y≦0.2であり、xの範囲は、0≦x≦0.4であり、好ましくは0≦x≦0.3であり、より好ましくは0≦x≦0.2であり、yの範囲は、0≦y≦0.4であり、好ましくは0≦y≦0.3であり、より好ましくは0≦y≦0.2である。 Here, the range of Cu of the present invention in the (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 quantum dot phosphor (also referred to as "x + y" herein) Al concentration (x) + Ga concentration (y) Is 0<x+y≦0.4, preferably 0.1≦x+y≦0.3, more preferably 0.1≦x+y≦0.2, and the range of x is 0≦x≦ 0.4, preferably 0≦x≦0.3, more preferably 0≦x≦0.2, and the range of y is 0≦y≦0.4, preferably 0≦ y≦0.3, and more preferably 0≦y≦0.2.

本発明のCu(In1−x―yAlGa)S/ZnS量子ドット蛍光体では、Al濃度(x)+Ga濃度(y)の範囲は、0<x+y≦0.4であり、好ましくは0.1≦x+y≦0.4であり、より好ましくは0.2≦x+y≦0.4であり、特に0.3≦x+y≦0.4であり、xの範囲は、0≦x≦0.4であり、好ましくは0≦x≦0.3であり、より好ましくは0≦x≦0.2であり、yの範囲は、0≦y≦0.4であり、好ましくは0≦y≦0.3であり、より好ましくは0≦y≦0.2である。 The Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 / ZnS quantum dot phosphor of the present invention, the range of Al concentration (x) + Ga concentration (y) is 0 <x + y ≦ 0.4, Preferably 0.1≦x+y≦0.4, more preferably 0.2≦x+y≦0.4, especially 0.3≦x+y≦0.4, and the range of x is 0≦x ≦0.4, preferably 0≦x≦0.3, more preferably 0≦x≦0.2, and the range of y is 0≦y≦0.4, preferably 0. ≦y≦0.3, and more preferably 0≦y≦0.2.

本発明のCu(In1−x―yAlGa)S量子ドット蛍光体及びCu(In1−x―yAlGa)S/ZnS量子ドット蛍光体において、Al濃度(x)、Ga濃度(y)及びx+yを上記範囲にすることによって、Al及びGaを含まないCuInS量子ドット蛍光体及びCuInS/ZnS量子ドット蛍光体よりも高い発光効率を得ることができる。 Cu of the present invention (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 quantum dot phosphors and Cu (In 1-x-y Al x Ga y) in S 2 / ZnS quantum dot phosphor, Al concentration (x ), Ga concentration (y) and x+y within the above ranges, higher luminous efficiency can be obtained than the CuInS 2 quantum dot phosphor and the CuInS 2 /ZnS quantum dot phosphor that do not contain Al and Ga.

本発明の量子ドット蛍光体は、その粒径を変更することによって発光波長を変更することができる。したがって、本発明の量子ドット蛍光体は、当業者が望む色の発光に応じて粒径を変更することができ、以下に限定されないが、透過電子線顕微鏡観察像により測定した場合に、Cu(In1−x―yAlGa)S量子ドット蛍光体では、通常1nm〜10nm、好ましくは2.0nm〜6.0nm、より好ましくは2.5nm〜5.5nmの間に平均粒径(メディアン径:d50)を有し、Cu(In1−x―yAlGa)S/ZnS量子ドット蛍光体では、通常1nm〜10nm、好ましくは3.0nm〜7.0nm、より好ましくは3.5nm〜6.5nmの間に平均粒径(メディアン径:d50)を有する。透過電子線顕微鏡観察像による粒径の測定は以下のように行う。まず、無作為に100個の粒子を選択し、各粒子について短径及び長径を測定する。続いて、各粒子における短径及び長径の平均値を計算し、各粒子の直径とする。最後に、各粒子の直径を平均化し、得られた値を量子ドット蛍光体の粒径とする。 The emission wavelength of the quantum dot phosphor of the present invention can be changed by changing its particle size. Therefore, the quantum dot phosphor of the present invention can change the particle size according to the emission of the color desired by a person skilled in the art, and is not limited to the following, but when measured by a transmission electron microscope observation image, Cu( in in 1-x-y Al x Ga y) S 2 quantum dot phosphors, usually 1 nm to 10 nm, the average particle size preferably 2.0Nm~6.0Nm, more preferably between 2.5nm~5.5nm (median diameter: d50) has, in the Cu (in 1-x-y Al x Ga y) S 2 / ZnS quantum dot phosphor, usually 1 nm to 10 nm, preferably 3.0Nm~7.0Nm, more preferably Has an average particle diameter (median diameter: d50) between 3.5 nm and 6.5 nm. The particle size is measured by a transmission electron microscope observation image as follows. First, 100 particles are randomly selected, and the minor axis and major axis of each particle are measured. Subsequently, the average value of the short diameter and the long diameter of each particle is calculated and used as the diameter of each particle. Finally, the diameter of each particle is averaged, and the obtained value is used as the particle diameter of the quantum dot phosphor.

本発明の量子ドット蛍光体は、粒径が揃っていることが好ましく、例えば粒度分布における頻度分布のピークが鋭いことが好ましい。 The quantum dot phosphor of the present invention preferably has a uniform particle size, for example, a sharp peak of frequency distribution in the particle size distribution.

本発明のCu(In1−x―yAlGa)S量子ドット蛍光体及びCu(In1−x―yAlGa)S/ZnS量子ドット蛍光体の粒径を上記範囲にすることによって、当該量子ドット蛍光体が可視光波長の間に発光波長を有し、また、当該粒径が揃うことによって、当該量子ドット蛍光体から発する各色の色純度がよくなる。 Cu of the present invention (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 quantum dot phosphors and Cu (In 1-x-y Al x Ga y) the above-mentioned range the particle size of the S 2 / ZnS quantum dot phosphor The quantum dot phosphor has an emission wavelength in the visible light wavelength range, and the particle diameters are uniform, whereby the color purity of each color emitted from the quantum dot phosphor is improved.

本発明の量子ドット蛍光体は、粒径に依存して異なり得るが、通常500nm〜800nmの間に発光波長を有する。例えば、緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体であれば、通常500nm〜600nm、好ましくは520nm〜560nm、より好ましくは530nm〜550nmの間に発光波長を有し、例えば、赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体であれば、通常600nm〜750nm、好ましくは600nm〜640nm、より好ましくは610nm〜630nmの間に発光波長を有する。 The quantum dot phosphor of the present invention may vary depending on the particle size, but usually has an emission wavelength between 500 nm and 800 nm. For example, a quantum dot phosphor having a green emission wavelength usually has an emission wavelength of 500 nm to 600 nm, preferably 520 nm to 560 nm, more preferably 530 nm to 550 nm, and has, for example, a red emission wavelength. The quantum dot phosphor usually has an emission wavelength of 600 nm to 750 nm, preferably 600 nm to 640 nm, and more preferably 610 nm to 630 nm.

本明細書において、「(色又は波長を示す語句)の(間に)発光波長を有する」とは、当該蛍光体(又は発光素子)が、励起光を吸収することにより励起されて、そこに示される色の光を発する性質を有するか、又はそこに示される波長の間に発光のピーク波長がある光を発する性質を有することを意味する。例えば、「緑色の発光波長を有する蛍光体」とは、励起光を吸収することにより励起されて、緑色に発光する性質を有する蛍光体を指し、「500nm〜600nmの間に発光波長を有する蛍光体」とは、励起光により励起されて、500nm〜600nmの間に発光のピーク波長がある光を発する性質を有する蛍光体を指す。 In the present specification, “having a light emission wavelength (between) of (phrase indicating color or wavelength)” means that the phosphor (or light emitting element) is excited by absorbing excitation light, It is meant to have the property of emitting light of the indicated color or to have the property of emitting light having a peak wavelength of emission between the wavelengths shown therein. For example, “a phosphor having a green emission wavelength” refers to a phosphor having a property of being excited by absorbing excitation light to emit green light, and “fluorescence having an emission wavelength of 500 nm to 600 nm”. The "body" refers to a phosphor having a property of being excited by excitation light to emit light having a peak wavelength of emission between 500 nm and 600 nm.

本発明の量子ドット蛍光体における粒径と発光波長の関係では、粒径が大きくなるにしたがって発光波長は長くなる。例えば、Cu(In1−x―yAlGa)S量子ドット蛍光体では、量子ドット蛍光体の粒径が3.0nm〜3.6nmになると、量子ドット蛍光体は530nm〜560nmの間に発光波長を有し、量子ドット蛍光体の粒径が4.2nm〜4.5nmになると、量子ドット蛍光体は590nm〜620nmの間に発光波長を有し、量子ドット蛍光体の粒径が4.5nm〜4.8nmになると、量子ドット蛍光体は620nm〜650nmの間に発光波長を有し、Cu(In1−x―yAlGa)S/ZnS量子ドット蛍光体では、量子ドット蛍光体の粒径が4.0nm〜4.6nmになると、量子ドット蛍光体は530nm〜560nmの間に発光波長を有し、量子ドット蛍光体の粒径が5.2nm〜5.5nmになると、量子ドット蛍光体は590nm〜620nmの間に発光波長を有し、量子ドット蛍光体の粒径が5.5nm〜5.8nmになると、量子ドット蛍光体は620nm〜650nmの間に発光波長を有する。 Regarding the relationship between the particle size and the emission wavelength in the quantum dot phosphor of the present invention, the emission wavelength becomes longer as the particle size becomes larger. For example, in the Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 quantum dot phosphor, the particle diameter of the quantum dot phosphor becomes to 3.0Nm~3.6Nm, quantum dot phosphors of 530nm~560nm When the quantum dot phosphor has an emission wavelength between 4.2 nm and 4.5 nm, the quantum dot phosphor has an emission wavelength between 590 nm and 620 nm, and the quantum dot phosphor has a particle diameter. When There will 4.5Nm~4.8Nm, quantum dot phosphor has an emission wavelength between 620Nm~650nm, the Cu (in 1-x-y Al x Ga y) S 2 / ZnS quantum dot phosphor , When the particle size of the quantum dot phosphor is 4.0 nm to 4.6 nm, the quantum dot phosphor has an emission wavelength between 530 nm and 560 nm, and the particle size of the quantum dot phosphor is 5.2 nm to 5. At 5 nm, the quantum dot phosphor has an emission wavelength between 590 nm and 620 nm, and when the quantum dot phosphor has a particle size of 5.5 nm to 5.8 nm, the quantum dot phosphor has between 620 nm and 650 nm. Has an emission wavelength.

本発明の量子ドット蛍光体を発光させるために用いる励起光としては、量子ドット蛍光体の発光波長よりも短い波長の、量子ドット蛍光体が吸収することができる光であれば限定されず、通常300nm〜500nm、好ましくは340nm〜450nm、より好ましくは350nm〜450nm、特に380nm〜450nmの間に発光のピーク波長がある光を用いることができる。特に、Cu(In1−x―yAlGa)S量子ドット蛍光体では、好ましくは360nm〜450nm、より好ましくは380nm〜450nmの間に発光のピーク波長がある光を用いることができ、Cu(In1−x―yAlGa)S/ZnS量子ドット蛍光体では、好ましくは340nm〜450nm、より好ましくは350nm〜450nmの間に発光のピーク波長がある光を用いることができる。本発明の量子ドット蛍光体を発光させるために用いる励起源としては、通常380nm〜450nm、好ましくは400nm〜450nm、より好ましくは440nm〜450nmの間に発光波長を有する青色LEDを用いることが好ましい。 The excitation light used to emit the quantum dot phosphor of the present invention is not limited as long as it is light that has a wavelength shorter than the emission wavelength of the quantum dot phosphor and can be absorbed by the quantum dot phosphor, and is usually It is possible to use light having an emission peak wavelength in the range of 300 nm to 500 nm, preferably 340 nm to 450 nm, more preferably 350 nm to 450 nm, and particularly 380 nm to 450 nm. In particular, in the Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 quantum dot phosphors, preferably 360 to 450 nm, more preferably be used a light having a peak wavelength of emission between 380nm~450nm in the Cu (in 1-x-y Al x Ga y) S 2 / ZnS quantum dot phosphor, preferably 340Nm~450nm, more preferable to use a light having a peak wavelength of emission between 350nm~450nm it can. As an excitation source used for emitting the quantum dot phosphor of the present invention, it is preferable to use a blue LED having an emission wavelength of usually 380 nm to 450 nm, preferably 400 nm to 450 nm, more preferably 440 nm to 450 nm.

本発明の量子ドット蛍光体を発光させるために用いる励起光に、上記範囲の間に発光のピーク波長がある光を使用することにより、300nm未満の励起光を使用する場合よりも、本発明の量子ドット蛍光体において高い発光効率を得ることができる。また、本発明の量子ドット蛍光体を発光させるために用いる励起源として青色LEDを用いることができるので、本発明の量子ドット蛍光体を上記(2)の方式の発光装置に用いることで、発光効率の高い発光装置を得ることができる。 By using light having an emission peak wavelength within the above range as the excitation light used to emit the quantum dot phosphor of the present invention, the excitation light of the present invention can be used as compared with the case of using excitation light of less than 300 nm. High luminous efficiency can be obtained in the quantum dot phosphor. Further, since a blue LED can be used as an excitation source used to emit the quantum dot phosphor of the present invention, by using the quantum dot phosphor of the present invention in the light emitting device of the method (2), A highly efficient light emitting device can be obtained.

本量子ドット蛍光体は、従来から知られる方法、例えば限定されないが、液相合成法であるソルボサーマル法により合成することができる。 The present quantum dot phosphor can be synthesized by a conventionally known method, for example, but not limited to, a solvothermal method which is a liquid phase synthesis method.

以下に、Cu(In1−x―yAlGa)S量子ドット蛍光体及びCu(In1−x―yAlGa)S/ZnS量子ドット蛍光体の合成法の一例を示す。 Hereinafter, an example of a Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 quantum dot phosphors and Cu (In 1-x-y Al x Ga y) Synthesis of S 2 / ZnS quantum dot phosphor Show.

(I)Cu(In1−x―yAlGa)S量子ドット蛍光体の合成
原料としては、Cu源として、ハロゲン化銅、例えばヨウ化銅(I)(CuI)や酢酸銅(I)(Cu(CHCOO))などを挙げることができ、In源として、有機酸インジウム、例えば三酢酸インジウム(In(CHCOO))、塩化インジウム(InCl)などを挙げることができ、Al源として、有機酸アルミニウム、例えば三酢酸アルミニウム(Al(CHCOO))、塩化アルミニウム(AlCl)などを挙げることができ、Ga源として、有機酸ガリウム、例えば三酢酸ガリウム(Ga(CHCOO))、塩化ガリウム(GaCl)などを挙げることができ、S源として、有機硫黄化合物、例えばドデカンチオール(CH(CH11SH)などのチオール、イオウ粉(S)などを挙げることができる。原料としては、ヨウ化銅、三酢酸インジウム、三酢酸アルミニウム、三酢酸ガリウム、ドデカンチオールを用いることが好ましい。
(I) Cu as a synthetic raw material of (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 quantum dot phosphors, as Cu source, a copper halide, for example iodide (I) (CuI) or copper acetate ( I) (Cu(CH 3 COO)) and the like, and examples of the In source include indium organic acid such as indium triacetate (In(CH 3 COO) 3 ) and indium chloride (InCl 3 ). As the Al source, there may be mentioned organic acid aluminum such as aluminum triacetate (Al(CH 3 COO) 3 ), aluminum chloride (AlCl 3 ), etc., and as the Ga source, organic acid gallium such as gallium triacetate ( Ga(CH 3 COO) 3 ), gallium chloride (GaCl 3 ), and the like can be given. As the S source, organic sulfur compounds, for example, thiols such as dodecanethiol (CH 3 (CH 2 ) 11 SH), sulfur powder ( S) etc. can be mentioned. As a raw material, it is preferable to use copper iodide, indium triacetate, aluminum triacetate, gallium triacetate, or dodecanethiol.

各原料の量は、Cu:(In1−x―yAlGa)のモル比が1:1になり、In:Al:Gaのモル比が1−x―y:x:yになり、Al濃度(x)、Ga濃度(y)及びx+yが上記範囲内になるように調整される。S源の原料の量は、Cu1モルに対して2モル以上になるように調整される。 The amount of each raw material, Cu: the molar ratio of (In 1-x-y Al x Ga y) is 1: becomes 1, an In: Al: molar ratio of Ga 1-x-y: x: becomes y , Al concentration (x), Ga concentration (y) and x+y are adjusted within the above range. The amount of the raw material of the S source is adjusted to be 2 mol or more with respect to 1 mol of Cu.

溶媒としては、ソルボサーマル法により使用することができる溶媒であれば限定されず、例えばドデカンチオール、オクタデセンなどがある。溶媒としてはS源としても用いることができるドデカンチオールを用いることが好ましい。溶媒量は、全ての原料の総量が、反応溶液の総重量に対して、通常90重量%〜99重量%、好ましくは98重量%〜99重量%になるよう調整される。溶媒としてS源として用いることができる化合物を使用する場合、溶媒量は、全ての原料の総量(S源として使用する化合物の量を含む)が、反応溶液の総重量に対して、通常85重量%〜99重量%、好ましくは95重量%〜99重量%になるよう調整される。 The solvent is not limited as long as it can be used by the solvothermal method, and examples thereof include dodecanethiol and octadecene. As the solvent, it is preferable to use dodecanethiol, which can also be used as the S source. The amount of solvent is adjusted so that the total amount of all raw materials is usually 90% by weight to 99% by weight, preferably 98% by weight to 99% by weight, based on the total weight of the reaction solution. When a compound that can be used as the S source is used as the solvent, the amount of the solvent is usually 85% by weight based on the total weight of the reaction solution (including the amount of the compound used as the S source). % To 99% by weight, preferably 95 to 99% by weight.

合成温度及び合成時間は、合成する量子ドット蛍光体の粒径に依存して異なり得るものであり、限定されないが、合成温度は、通常160℃〜200℃の間の温度で調整され、合成時間は、通常3時間〜12時間の間の時間で調整される。 The synthesis temperature and the synthesis time may be different depending on the particle size of the quantum dot phosphor to be synthesized, and are not limited, but the synthesis temperature is usually adjusted at a temperature between 160° C. and 200° C. Is usually adjusted for a time between 3 and 12 hours.

合成温度を高くし、合成時間を長くすることにより粒径を大きくすることができ、合成温度を低くし、合成時間を短くすることにより粒径を小さくすることができる。 The particle size can be increased by increasing the synthesis temperature and prolonging the synthesis time, and the particle size can be reduced by lowering the synthesis temperature and shortening the synthesis time.

合成の雰囲気は、通常酸素を遮断した雰囲気であり、例えば窒素やアルゴンなどの不活性気体雰囲気である。 The synthesis atmosphere is usually an atmosphere in which oxygen is blocked, and is, for example, an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon.

本発明のCu(In1−x―yAlGa)S量子ドット蛍光体は、好ましい原料を用いた場合、上記反応条件において、(I)式の化学反応で合成される。 Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 quantum dot phosphor of the present invention, when using the preferred starting material in the above reaction conditions, are synthesized by the chemical reaction of equation (I).

CuI+(1−x−y)・In(CHCOO)+x・Al(CHCOO)+y・Ga(CHCOO)+2・CH(CH11SH
→ Cu(In1−x−yAlGa)S+ (未反応物質及び副生成物) (I)
(式中、Al濃度(x)、Ga濃度(y)及びx+yの範囲は上記範囲内である)
CuI + (1-x-y ) · In (CH 3 COO) 3 + x · Al (CH 3 COO) 3 + y · Ga (CH 3 COO) 3 +2 · CH 3 (CH 2) 11 SH
→ Cu (In 1-x- y Al x Ga y) S 2 + ( unreacted materials and by-products) (I)
(In the formula, the ranges of Al concentration (x), Ga concentration (y) and x+y are within the above range)

反応後は、クロロホルムと貧溶媒であるエタノールの混合液体に、合成した量子ドット蛍光体を分散させた後、遠心分離器を用いて遠心分離を複数回行って、粒径(発光波長)ごとに分離し、精製をおこなう。最終的に、量子ドット蛍光体は、クロホルムやトルエンなどの分散溶媒に分散させた分散体の形態で得ることができる。 After the reaction, after dispersing the synthesized quantum dot phosphor in a mixed liquid of chloroform and ethanol, which is a poor solvent, centrifuge several times using a centrifuge to separate each particle size (emission wavelength). Separate and purify. Finally, the quantum dot phosphor can be obtained in the form of a dispersion dispersed in a dispersion solvent such as chloroform or toluene.

(II)Cu(In1−x―yAlGa)S/ZnS量子ドット蛍光体の合成
原料としては、(I)で合成したCu(In1−x−yAlGa)S、Zn源として有機酸亜鉛、例えばステアリン酸亜鉛(Zn(C1735COO))、酢酸亜鉛(Zn(CHCOO))などを挙げることができ、S源としてドデカンチオール(CH(CH11SH)などのチオール、イオウ粉(S)などを挙げることができる。原料としては、(I)で合成したCu(In1−x−yAlGa)S、ステアリン酸亜鉛、ドデカンチオールを用いることが好ましい。
(II) Cu (In 1- x-y Al x Ga y) S 2 / ZnS as a synthetic raw material of the quantum dots phosphor, Cu synthesized in (I) (In 1-x -y Al x Ga y) S 2 , as a Zn source, zinc organic acid, for example, zinc stearate (Zn(C 17 H 35 COO) 2 ), zinc acetate (Zn(CH 3 COO) 2 ) and the like, and as a S source, dodecanethiol (CH Examples thereof include thiols such as 3 (CH 2 ) 11 SH) and sulfur powder (S). The raw material, Cu synthesized in (I) (In 1-x -y Al x Ga y) S 2, zinc stearate, it is preferably used dodecanethiol.

各原料の量は、Cu(In1−x−yAlGa)S:ZnSのモル比が通常1:1〜1:10、好ましくは1:1〜1:5、より好ましくは1:1〜1:2になるように調整される。S源の原料の量は、Zn1モルに対して1モル以上になるように調整される。 The amount of each raw material, Cu (In 1-x- y Al x Ga y) S 2: the molar ratio of ZnS is usually 1: 1 to 1:10, preferably 1: 1 to 1: 5, more preferably 1 : 1 to 1:2. The amount of the raw material of the S source is adjusted to be 1 mol or more with respect to 1 mol of Zn.

溶媒としては、ソルボサーマル法により使用することができる溶媒であれば限定されず、例えばドデカンチオール、オクタデセンなどがある。溶媒としては、S源としても用いることができるドデカンチオールを用いることが好ましい。溶媒量は、全ての原料の総量が、反応溶液の総重量に対して、通常90重量%〜99重量%、好ましくは98重量%〜99重量%になるよう調整される。溶媒としてS源として用いることができる化合物を使用する場合、溶媒量は、全ての原料の総量(S源として使用する化合物の量を含む)が、反応溶液の総重量に対して、通常85重量%〜99重量%、好ましくは95重量%〜99重量%になるよう調整される。 The solvent is not limited as long as it can be used by the solvothermal method, and examples thereof include dodecanethiol and octadecene. As the solvent, it is preferable to use dodecanethiol, which can also be used as the S source. The amount of solvent is adjusted so that the total amount of all raw materials is usually 90% by weight to 99% by weight, preferably 98% by weight to 99% by weight, based on the total weight of the reaction solution. When a compound that can be used as the S source is used as the solvent, the amount of the solvent is usually 85% by weight based on the total weight of the reaction solution (including the amount of the compound used as the S source). % To 99% by weight, preferably 95 to 99% by weight.

合成温度及び合成時間は、合成する量子ドット蛍光体の粒径に依存して異なり得るものであり、限定されないが、合成温度は、通常160℃〜200℃の間の温度で調整され、合成時間は、通常6時間〜24時間の間の時間で調整される。 The synthesis temperature and the synthesis time may be different depending on the particle size of the quantum dot phosphor to be synthesized, and are not limited, but the synthesis temperature is usually adjusted at a temperature between 160° C. and 200° C. Is usually adjusted for a time between 6 and 24 hours.

合成温度を高くし、合成時間を長くすることにより粒径を大きくすることができ、合成温度を低くし、合成時間を短くすることにより粒径を小さくすることができる。 The particle size can be increased by increasing the synthesis temperature and prolonging the synthesis time, and the particle size can be reduced by lowering the synthesis temperature and shortening the synthesis time.

合成の雰囲気は、通常酸素を遮断した雰囲気であり、例えば窒素やアルゴンなどの不活性気体雰囲気である。 The synthesis atmosphere is usually an atmosphere in which oxygen is blocked, and is, for example, an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon.

本発明のCu(In1−x―yAlGa)S/ZnS量子ドット蛍光体は、好ましい原料を用いた場合、上記反応条件において、(II)式の化学反応で合成される。 Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 / ZnS quantum dot phosphor of the present invention, when using the preferred starting material in the above reaction conditions, is synthesized by chemical reaction formula (II).

Cu(In1−x―yAlGa)S(コア)+Zn(C1735COO)+CH(CH11SH
→ Cu(In1−x―yAlGa)S/ZnS(コア/シェル)+ (未反応物質及び副生成物) (II)
(式中、Al濃度(x)、Ga濃度(y)及びx+yの範囲は上記範囲内である)
Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 ( core) + Zn (C 17 H 35 COO) 2 + CH 3 (CH 2) 11 SH
→ Cu (In 1-x- y Al x Ga y) S 2 / ZnS ( core / shell) + (unreacted materials and by-products) (II)
(In the formula, the ranges of Al concentration (x), Ga concentration (y) and x+y are within the above range)

(2)の反応では、(1)で合成したコアとしてのCu(In1−x−yAlGa)Sの表面に、シェルとしてのZnSシェルを被覆することによって、コア/シェル構造を有するCu(In1−x―yAlGa)S/ZnSが合成される。 In the reaction of (2), by coating the Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 of the surface of the synthesized core, a ZnS shell as the shell (1), a core / shell structure Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 / ZnS is synthesized with.

反応後は、クロロホルムと貧溶媒であるエタノールの混合液体に、合成した量子ドット蛍光体を分散させた後、遠心分離器を用いて遠心分離を複数回行って、粒径(発光波長)ごとに分離し、精製をおこなう。最終的に、量子ドット蛍光体は、クロホルムやトルエンなどの分散溶媒に分散させた分散体の形態で得ることができる。 After the reaction, after dispersing the synthesized quantum dot phosphor in a mixed liquid of chloroform and ethanol, which is a poor solvent, centrifuge several times using a centrifuge to separate each particle size (emission wavelength). Separate and purify. Finally, the quantum dot phosphor can be obtained in the form of a dispersion dispersed in a dispersion solvent such as chloroform or toluene.

本発明のCu(In1−x―yAlGa)S/ZnS量子ドット蛍光体では、結晶欠陥が多く存在するCu(In1−x―yAlGa)Sのコア結晶の表面に、シェルとしてコアよりも大きなバンドギャップを有するZnSが被覆される。これにより、本発明のCu(In1−x―yAlGa)S/ZnS量子ドット蛍光体では、表面欠陥が低減され、発光効率が高くなる。 The Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 / ZnS quantum dot phosphor of the present invention, crystal defects there are many Cu (In 1-x-y Al x Ga y) of S 2 core crystals Is coated with ZnS, which has a larger bandgap than the core as a shell. Accordingly, the Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 / ZnS quantum dot phosphor of the present invention, the surface defects are reduced, and the luminous efficiency is increased.

<蛍光体フィルム>
図5は、本発明の量子ドット蛍光体7A及び7Bを透明樹脂5Aに封入した蛍光体フィルムの一例を模式的に表した図である。図5に示す蛍光体フィルムは、本発明の量子ドット蛍光体7A及び7B並びに透明樹脂5Aから概略構成され、本発明の量子ドット蛍光体7A及び7Bは、透明樹脂5A中に均一に分散されている。
<Phosphor film>
FIG. 5 is a diagram schematically showing an example of a phosphor film in which the quantum dot phosphors 7A and 7B of the present invention are enclosed in a transparent resin 5A. The phosphor film shown in FIG. 5 is roughly composed of the quantum dot phosphors 7A and 7B of the present invention and the transparent resin 5A, and the quantum dot phosphors 7A and 7B of the present invention are uniformly dispersed in the transparent resin 5A. There is.

本発明の量子ドット蛍光体7Aは、緑色の発光波長(500nm〜600nm:Cu(In1−x―yAlGa)S量子ドット蛍光体では、粒径2.0nm〜4.5nmであり、Cu(In1−x―yAlGa)S/ZnS量子ドット蛍光体では、粒径3.0nm〜5.5nmである)を有し、本発明の量子ドット蛍光体7Bは、赤色の発光波長(600nm〜700nm:Cu(In1−x―yAlGa)S量子ドット蛍光体では、粒径4.0nm〜6.0nmであり、Cu(In1−x―yAlGa)S/ZnS量子ドット蛍光体では、粒径5.0nm〜7.0nmである)を有する。本発明の量子ドット蛍光体7A及び7Bは、均一に混合して用いられる。混合方法には、従来の混合方法を使用することができる。 Quantum dot phosphors 7A of the present invention, the green emission wavelength (500 nm to 600 nm: in Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 quantum dot phosphor, with a particle size 2.0nm~4.5nm There, in the Cu (in 1-x-y Al x Ga y) S 2 / ZnS quantum dot phosphor has a particle size which is 3.0Nm~5.5Nm), quantum dot phosphor 7B of the present invention , red light emission wavelength (600 nm to 700 nm: in Cu (in 1-x-y Al x Ga y) S 2 quantum dot phosphor, a particle size 4.0nm~6.0nm, Cu (in 1-x- in y Al x Ga y) S 2 / ZnS quantum dot phosphor has a particle size which is 5.0nm~7.0nm). The quantum dot phosphors 7A and 7B of the present invention are used by uniformly mixing them. As the mixing method, a conventional mixing method can be used.

透明樹脂5Aとしては、当該技術分野において従来から知られている、室温硬化型、熱硬化型、又は紫外線硬化型の、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができる。 As the transparent resin 5A, a room temperature curable type, a thermosetting type, or an ultraviolet curable type silicone resin, an epoxy resin, or the like that has been conventionally known in the art can be used.

図5に示す蛍光体フィルムは、例えば以下のようにして調製することができる。 The phosphor film shown in FIG. 5 can be prepared, for example, as follows.

まず、透明樹脂5Aと本発明の量子ドット蛍光体7A及び7Bとを脱泡撹拌機を用いて均一に混合して、蛍光体フィルム調製用の混合物を調製する。
続いて、調製した混合物を、スクリーン印刷、ディスペンサ、又はドクターブレードなどを用いて基材上に薄く延ばし、蛍光体フィルム前駆体を形成させる。
First, the transparent resin 5A and the quantum dot phosphors 7A and 7B of the present invention are uniformly mixed using a defoaming stirrer to prepare a mixture for phosphor film preparation.
Then, the prepared mixture is thinly spread on a substrate using screen printing, a dispenser, a doctor blade or the like to form a phosphor film precursor.

蛍光体フィルム前駆体は、その後硬化され、蛍光体フィルムを形成する。例えば、蛍光体フィルム前駆体は、透明樹脂5Aとして室温硬化型の樹脂を使用した場合、室温で約6時間硬化されて蛍光体フィルムを形成し、透明樹脂5Aとして熱硬化型の樹脂を使用した場合、約100〜150℃で約1〜6時間加熱硬化されて蛍光体フィルムを形成し、透明樹脂5Aとして紫外線硬化型の樹脂を使用した場合、高圧水銀ランプなどで硬化されて蛍光体フィルムを形成する。 The phosphor film precursor is then cured to form a phosphor film. For example, when a room temperature curable resin is used as the transparent resin 5A, the phosphor film precursor is cured at room temperature for about 6 hours to form a phosphor film, and a thermosetting resin is used as the transparent resin 5A. In this case, the phosphor film is formed by heating and curing at about 100 to 150° C. for about 1 to 6 hours. Form.

蛍光体フィルムの厚さは、通常50μm〜400μm、好ましくは100μm〜300μm、より好ましくは100μm〜200μmである。 The thickness of the phosphor film is usually 50 μm to 400 μm, preferably 100 μm to 300 μm, more preferably 100 μm to 200 μm.

蛍光体フィルム中には、本発明の量子ドット蛍光体に加えて、CdSe、CdSe/ZnS、InP、InP/ZnSなどの量子ドット蛍光体を混合することもできる。 In addition to the quantum dot phosphor of the present invention, a quantum dot phosphor such as CdSe, CdSe/ZnS, InP, InP/ZnS can be mixed in the phosphor film.

本発明の量子ドット蛍光体を含む蛍光体フィルムを用いることにより、発光効率の高い発光装置、さらには、このような発光装置を用いた発光効率の高い液晶ディスプレイパネルなどを実現できる。 By using the phosphor film containing the quantum dot phosphor of the present invention, it is possible to realize a light emitting device having a high light emitting efficiency and a liquid crystal display panel having a high light emitting efficiency using such a light emitting device.

<発光装置>
図6は、図5に示す本発明の量子ドット蛍光体7A及び7Bを含む蛍光体フィルムを用いて製造した発光装置の一例を模式的に表した図である。図6に示す発光装置は、蛍光体フィルム11、青色LED10、反射シート8及び導光体9から概略構成される。図6に示す発光装置は、蛍光体フィルム11と反射シート8との間に導光体9が配置された3層構造を有しており、青色LED10からの青色の発光が導光体9中を導光しながら、又は導光体9中を導光して反射シート8により反射されながら広がることができるように青色LED10が層の1つの側面に配置される。
<Light emitting device>
FIG. 6 is a diagram schematically showing an example of a light emitting device manufactured using the phosphor film containing the quantum dot phosphors 7A and 7B of the present invention shown in FIG. The light emitting device shown in FIG. 6 is roughly composed of a phosphor film 11, a blue LED 10, a reflection sheet 8 and a light guide 9. The light emitting device shown in FIG. 6 has a three-layer structure in which the light guide 9 is arranged between the phosphor film 11 and the reflection sheet 8, and the blue light emitted from the blue LED 10 is in the light guide 9. The blue LED 10 is arranged on one side surface of the layer so that the blue LED 10 can be spread while being guided by or guided by the light guide body 9 and reflected by the reflection sheet 8.

青色LED10からの青色の発光は導光体9中を導光しながら、又は導光体9中を導光して反射シート8に反射されながら広がり、青色の発光の一部は蛍光体フィルム11に含まれる量子ドット蛍光体7A及び7Bに吸収されることなく蛍光体フィルム11をそのまま透過する。青色の発光の残りは蛍光体フィルム11に含まれる量子ドット蛍光体7A及び7Bの励起光として吸収されて、量子ドット蛍光体7Aにより緑色の発光に変換され、量子ドット蛍光体7Bにより赤色の発光に変換される。青色LED10からの青色の発光と量子ドット蛍光体7A及び7Bからの緑色の発光及び赤色の発光とが混合され、均一な白色光が発光装置から照射される。 The blue light emitted from the blue LED 10 spreads while being guided through the light guide 9 or while being guided through the light guide 9 and reflected by the reflection sheet 8, and a part of the blue light is emitted from the phosphor film 11. Of the quantum dot phosphors 7A and 7B included in the phosphor film 11 and is transmitted through the phosphor film 11 as it is. The rest of the blue light emission is absorbed as excitation light for the quantum dot phosphors 7A and 7B included in the phosphor film 11, converted into green light emission by the quantum dot phosphor 7A, and red light emission by the quantum dot phosphor 7B. Is converted to. The blue light emitted from the blue LED 10 is mixed with the green light emitted from the quantum dot phosphors 7A and 7B and the red light emitted, and a uniform white light is emitted from the light emitting device.

図6の発光装置では、青色LED10からの青色の発光は導光体9及び/又は反射シート8により効率よく広げられ、広がった光の一部は蛍光体フィルム11中に含まれる本発明の量子ドット蛍光体7A及び7Bに効率的に照射され、照射された光は本発明の量子ドット蛍光体7A及び7Bにより効率的に吸収され、吸収した光により励起された本発明の量子ドット蛍光体7A及び7Bは緑色及び赤色の光を効率的に発する。 In the light emitting device of FIG. 6, the blue light emitted from the blue LED 10 is efficiently spread by the light guide 9 and/or the reflection sheet 8, and a part of the spread light is contained in the phosphor film 11. The dot phosphors 7A and 7B are efficiently irradiated, and the irradiated light is efficiently absorbed by the quantum dot phosphors 7A and 7B of the present invention, and the quantum dot phosphor 7A of the present invention excited by the absorbed light And 7B efficiently emit green and red light.

図7は、図6の発光装置において、青色LED10からの青色の発光が導光体9中を導光しながら、又は導光体9中を導光して反射シート8により反射されながら広がることができるように青色LED10が層の向かいあう2つの側面に配置された発光装置の一例を模式的に表した図であり、図7に示す発光装置を使用することもできる。 FIG. 7 shows that in the light emitting device of FIG. 6, blue light emitted from the blue LED 10 spreads while being guided through the light guide body 9 or being guided through the light guide body 9 and being reflected by the reflection sheet 8. FIG. 9 is a diagram schematically showing an example of a light emitting device in which the blue LED 10 is arranged on two side surfaces facing each other so that the light emitting device shown in FIG. 7 can be used.

<液晶ディスプレイパネル>
図8は、図6に示す本発明の量子ドット蛍光体7A及び7Bを有する発光装置をバックライトとして用いて製造した液晶ディスプレイパネルを模式的に表した図である。図8に示す液晶ディスプレイパネルは、図6に示す発光装置(バックライト)、2枚の拡散シート12、プリズムシート13、2枚の偏光板14、液晶セル15及びカラーフィルタ16から概略構成される。図8に示す液晶ディスプレイパネルは、バックライトから照射された白色光が拡散シート12、プリズムシート13、拡散シート12、偏光板14、液晶セル15、カラーフィルタ16及び偏光板14を順に通過するよう配置された構造を有する。
<Liquid crystal display panel>
FIG. 8 is a diagram schematically showing a liquid crystal display panel manufactured by using the light emitting device having the quantum dot phosphors 7A and 7B of the present invention shown in FIG. 6 as a backlight. The liquid crystal display panel shown in FIG. 8 is roughly composed of the light emitting device (backlight) shown in FIG. 6, two diffusion sheets 12, a prism sheet 13, two polarizing plates 14, a liquid crystal cell 15, and a color filter 16. .. In the liquid crystal display panel shown in FIG. 8, the white light emitted from the backlight passes through the diffusion sheet 12, the prism sheet 13, the diffusion sheet 12, the polarizing plate 14, the liquid crystal cell 15, the color filter 16, and the polarizing plate 14 in order. It has an arranged structure.

図8の液晶ディスプレイパネルでは、バックライトから照射された白色光は、拡散シート12に挟まれたプリズムシート13を通ることにより、光ムラが低減され、輝度が向上され、さらに、偏光板14に挟まれた液晶セル15及びカラーフィルタ16を通ることにより、各画素においてそれぞれ赤色、青色、緑色を発光することができる。図8には図示しないが、液晶ディスプレイパネルは、駆動回路を接続することで点灯される。 In the liquid crystal display panel of FIG. 8, the white light emitted from the backlight passes through the prism sheet 13 sandwiched between the diffusion sheets 12 to reduce the light unevenness and improve the brightness, and further to the polarizing plate 14. By passing through the liquid crystal cell 15 and the color filter 16 that are sandwiched, red, blue, and green can be emitted in each pixel. Although not shown in FIG. 8, the liquid crystal display panel is turned on by connecting a drive circuit.

以下、比較例及び実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Comparative Examples and Examples, but the present invention is not limited thereto.

(量子ドット蛍光体の検討)
以下の比較例及び実施例において、量子ドット蛍光体は、量子効率を比較することにより評価した。本明細書において、量子効率とは、1つのフォトンを吸収した時に発光するフォトンの数を意味する。量子効率は、以下の方法により測定した。
(Study of quantum dot phosphor)
In the following comparative examples and examples, quantum dot phosphors were evaluated by comparing quantum efficiencies. In the present specification, quantum efficiency means the number of photons that emit light when one photon is absorbed. The quantum efficiency was measured by the following method.

<量子効率測定方法>
合成した量子ドット蛍光体をトルエン溶媒中に、濃度が1mg/ml以下の濃度になるように分散し、積分球型量子効率測定装置にて量子効率測定を実施した。なお、一般的に濃度が濃すぎると、濃度の増加に対して量子効率特性が飽和する現象(濃度消光)が見られるため、濃度消光が起こらないように十分低い濃度で測定を実施した。
<Quantum efficiency measurement method>
The synthesized quantum dot phosphor was dispersed in a toluene solvent to a concentration of 1 mg/ml or less, and the quantum efficiency was measured with an integrating sphere type quantum efficiency measuring device. In general, when the concentration is too high, a phenomenon (quantity quenching) that the quantum efficiency characteristic saturates with an increase in concentration is observed. Therefore, the measurement was performed at a sufficiently low concentration so that the concentration quenching did not occur.

(比較例1)
原料としてヨウ化銅、三酢酸インジウム、及びドデカンチオールを使用して、ソルボサーマル法によりCuInS量子ドット蛍光体を合成した。不活性気体雰囲気下において、合成温度を160℃〜200℃の温度で調整し、合成時間を3時間〜12時間で調整して、緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)と、赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を合成した。
(Comparative Example 1)
A CuInS 2 quantum dot phosphor was synthesized by a solvothermal method using copper iodide, indium triacetate, and dodecanethiol as raw materials. In an inert gas atmosphere, the synthesis temperature is adjusted at a temperature of 160° C. to 200° C., the synthesis time is adjusted at 3 hours to 12 hours, and a quantum dot phosphor having a green emission wavelength (emission wavelength: 540 nm) And a quantum dot phosphor having a red emission wavelength (emission wavelength: 620 nm) were synthesized.

図9に、CuInS/ZnS系の量子ドット蛍光体における、粒径に対する発光波長の関係を示す。図9より、CuInS/ZnS系の量子ドット蛍光体では、粒径を4.0nm〜4.6nmに調整することによって、緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体を調製し、粒径を5.2nm〜5.8nmに調整することによって、赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体を調製した。CuInS系の量子ドット蛍光体における、粒径に対する発光波長の関係は、CuInS/ZnS系の量子ドット蛍光体における関係と比較して、約1nm小さい粒径で、同等の発光波長を有していた。これより、CuInS系の量子ドット蛍光体では、粒径を3.0nm〜3.6nmに調整することによって、緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体を調製し、粒径を4.2nm〜4.8nmに調整することによって、赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体を調製した。以下に記載する比較例及び実施例においても、同様にして各発光波長を有する量子ドット蛍光体を調製した。 FIG. 9 shows the relationship between the particle diameter and the emission wavelength in the CuInS 2 /ZnS-based quantum dot phosphor. From FIG. 9, for the CuInS 2 /ZnS-based quantum dot phosphor, a quantum dot phosphor having a green emission wavelength was prepared by adjusting the particle size to 4.0 nm to 4.6 nm, and the particle size was set to 5 A quantum dot phosphor having a red emission wavelength was prepared by adjusting the wavelength to 0.2 nm to 5.8 nm. In the CuInS 2 -based quantum dot phosphor, the relationship between the emission wavelength and the particle diameter is about 1 nm smaller than that in the CuInS 2 /ZnS-based quantum dot phosphor, and the emission wavelength is the same. Was there. From this, in the CuInS 2 -based quantum dot phosphor, by adjusting the particle size to 3.0 nm to 3.6 nm, a quantum dot phosphor having a green emission wavelength was prepared, and the particle size was 4.2 nm to. A quantum dot phosphor having a red emission wavelength was prepared by adjusting the wavelength to 4.8 nm. Also in Comparative Examples and Examples described below, quantum dot phosphors having respective emission wavelengths were similarly prepared.

得られた量子ドット蛍光体について、青色LED(発光波長:445nm)を励起源として発光させた際の量子効率を測定した。 About the obtained quantum dot fluorescent substance, the quantum efficiency at the time of making it light-emit using a blue LED (emission wavelength: 445 nm) as an excitation source was measured.

(比較例2)
原料として比較例1で合成したCuInS量子ドット蛍光体、ステアリン酸亜鉛、ドデカンチオール、及びオクタデセンを使用して、ソルボサーマル法によりCuInS/ZnSを合成した。不活性気体雰囲気下において、合成温度を160℃〜200℃の温度で調整し、合成時間を6時間〜24時間で調整して、緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)と、赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を合成した。
(Comparative example 2)
CuInS 2 /ZnS was synthesized by the solvothermal method using the CuInS 2 quantum dot phosphor synthesized in Comparative Example 1, zinc stearate, dodecanethiol, and octadecene as raw materials. In an inert gas atmosphere, the synthesis temperature is adjusted at a temperature of 160° C. to 200° C., the synthesis time is adjusted at 6 hours to 24 hours, and a quantum dot phosphor having an emission wavelength of green (emission wavelength: 540 nm) And a quantum dot phosphor having a red emission wavelength (emission wavelength: 620 nm) were synthesized.

得られた量子ドット蛍光体について、青色LED(発光波長:445nm)を励起源として発光させた際の量子効率を測定した。 About the obtained quantum dot fluorescent substance, the quantum efficiency at the time of making it light-emit with blue LED (emission wavelength: 445 nm) as an excitation source was measured.

(実施例1)
原料として、ヨウ化銅、三酢酸インジウム、三酢酸アルミニウム、及びドデカンチオールを使用して、ソルボサーマル法によりCu(In1−x−yAlGa)S(0<x≦1(xは0.1間隔で変更して合成)、y=0)量子ドット蛍光体を合成した。不活性気体雰囲気下において、合成温度を160℃〜200℃の温度で調整し、合成時間を3時間〜12時間で調整して、緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)と、赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を合成した。
(Example 1)
As raw materials, copper iodide, triacetate indium triacetate aluminum, and using dodecanethiol, by solvothermal method Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 (0 <x ≦ 1 (x Was changed at 0.1 intervals), and y=0) quantum dot phosphor was synthesized. In an inert gas atmosphere, the synthesis temperature is adjusted at a temperature of 160° C. to 200° C., the synthesis time is adjusted at 3 hours to 12 hours, and a quantum dot phosphor having a green emission wavelength (emission wavelength: 540 nm) And a quantum dot phosphor having a red emission wavelength (emission wavelength: 620 nm) were synthesized.

得られた量子ドット蛍光体について、青色LED(発光波長:445nm)を励起源として発光させた際の量子効率を測定した。図10は、赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体についての、Al濃度(x)に対する量子効率(相対値)の関係を示す。量子効率(相対値)は、x=0の時の量子効率を1とした時の値を示す。x=0は比較例1である。図10より、赤色の発光波長を有するCu(In1−x−yAlGa)S(0<x≦0.4、y=0)量子ドット蛍光体の量子効率は、Alを含まない量子ドット蛍光体(比較例1)の量子効率よりも高いことが確認できる。また、緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体においても、同様の結果が得られた。 About the obtained quantum dot fluorescent substance, the quantum efficiency at the time of making it light-emit using a blue LED (emission wavelength: 445 nm) as an excitation source was measured. FIG. 10 shows the relationship of the quantum efficiency (relative value) with respect to the Al concentration (x) for the quantum dot phosphor having a red emission wavelength. The quantum efficiency (relative value) is a value when the quantum efficiency is 1 when x=0. x=0 is Comparative Example 1. Than 10, the quantum efficiency of the red Cu having an emission wavelength of (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 (0 <x ≦ 0.4, y = 0) quantum dot phosphor containing Al It can be confirmed that the quantum efficiency is higher than that of the quantum dot phosphor (Comparative Example 1). Similar results were also obtained with the quantum dot phosphor having a green emission wavelength.

図11は、x=0.3、y=0、すなわちCu(In0.7Al0.3)Sの赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体について、励起波長に対する量子効率(相対値)の関係を示す。量子効率(相対値)は、励起波長が300nmの時の量子効率を1とした時の値を示す。図11より、Cu(In0.7Al0.3)S量子ドット蛍光体の量子効率は、励起波長が350nm〜450nmで高くなることが確認できる。したがって、Cu(In1−x−yAlGa)S(0<x≦0.4、y=0)量子ドット蛍光体では、励起源としてUV−LEDを用いるよりも、380nm〜450nmに発光波長を有する可視発光LEDを用いるほうが発光効率を上げることができる。また、緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体においても、同様の結果が得られた。 FIG. 11 shows quantum efficiency (relative value) with respect to excitation wavelength for a quantum dot phosphor having red emission wavelength of x=0.3 and y=0, that is, Cu(In 0.7 Al 0.3 )S 2. Shows the relationship. The quantum efficiency (relative value) is a value when the quantum efficiency is 1 when the excitation wavelength is 300 nm. From FIG. 11, it can be confirmed that the quantum efficiency of the Cu(In 0.7 Al 0.3 )S 2 quantum dot phosphor increases when the excitation wavelength is 350 nm to 450 nm. Therefore, Cu (In 1-x- y Al x Ga y) S 2 (0 <x ≦ 0.4, y = 0) in the quantum dot phosphors, rather than using UV-LED as an excitation source, 380 nm to 450 nm The luminous efficiency can be improved by using a visible light emitting LED having an emission wavelength. Similar results were also obtained with the quantum dot phosphor having a green emission wavelength.

(実施例2)
原料として実施例1で合成したCu(In1−x−yAlGa)S(0<x≦1、y=0)量子ドット蛍光体、ステアリン酸亜鉛、ドデカンチオール、及びオクタデセンを使用して、ソルボサーマル法によりCu(In1−x−yAlGa)S/ZnS(0<x≦1(xは0.1間隔で変更して合成)、y=0)量子ドット蛍光体を合成した。不活性気体雰囲気下において、合成温度を160℃〜200℃の温度で調整し、合成時間を6時間〜24時間で調整して、緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)と、赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を合成した。
(Example 2)
Using Cu synthesized in Example 1 as a starting material (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 (0 <x ≦ 1, y = 0) quantum dot phosphor, zinc stearate, dodecanethiol, and octadecene to (synthesized with modification 0 <x ≦ 1 (x 0.1 spacing), y = 0) Cu ( in 1-x-y Al x Ga y) S 2 / ZnS by solvothermal method quantum dots A phosphor was synthesized. In an inert gas atmosphere, the synthesis temperature is adjusted at a temperature of 160° C. to 200° C., the synthesis time is adjusted at 6 hours to 24 hours, and a quantum dot phosphor having an emission wavelength of green (emission wavelength: 540 nm) And a quantum dot phosphor having a red emission wavelength (emission wavelength: 620 nm) were synthesized.

得られた量子ドット蛍光体について、青色LED(発光波長:445nm)を励起源として発光させた際の量子効率を測定した。図12は、赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体についての、Al濃度(x)に対する量子効率(相対値)の関係を示す。量子効率(相対値)は、x=0の時の量子効率を1とした時の値を示す。x=0は比較例2である。図12より、赤色の発光波長を有するCu(In1−x−yAlGa)S/ZnS(0<x≦0.4、y=0)量子ドット蛍光体の量子効率は、Alを含まない量子ドット蛍光体(比較例2)の量子効率よりも高いことが確認できる。また、緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体においても、同様の結果が得られた。 About the obtained quantum dot fluorescent substance, the quantum efficiency at the time of making it light-emit using a blue LED (emission wavelength: 445 nm) as an excitation source was measured. FIG. 12 shows the relationship between the Al concentration (x) and the quantum efficiency (relative value) for a quantum dot phosphor having a red emission wavelength. The quantum efficiency (relative value) is a value when the quantum efficiency is 1 when x=0. x=0 is Comparative Example 2. Than 12, the quantum efficiency of the Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 /ZnS(0<x≦0.4,y=0) quantum dot phosphor having a red emission wavelength, Al It can be confirmed that the quantum efficiency is higher than that of the quantum dot phosphor not containing (Comparative Example 2). Similar results were also obtained with the quantum dot phosphor having a green emission wavelength.

図13は、x=0.3、y=0、すなわちCu(In0.7Al0.3)S/ZnSの赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体について、励起波長に対する量子効率(相対値)の関係を示す。量子効率(相対値)は、励起波長が300nmの時の量子効率を1とした時の値を示す。図13より、Cu(In0.7Al0.3)S/ZnS量子ドット蛍光体の量子効率は、励起波長が350nm〜450nmで高くなることが確認できる。したがって、(In1−x−yAlGa)S/ZnS(0<x≦0.4、y=0)量子ドット蛍光体では、励起源としてUV−LEDを用いるよりも、380nm〜450nmに発光波長を有する可視発光LEDを用いるほうが発光効率を上げることができる。また、緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体においても、同様の結果が得られた。 FIG. 13 shows the quantum efficiency (relative to the excitation wavelength) for the quantum dot phosphor having red emission wavelength of x=0.3 and y=0, that is, Cu(In 0.7 Al 0.3 )S 2 /ZnS. Value). The quantum efficiency (relative value) is a value when the quantum efficiency is 1 when the excitation wavelength is 300 nm. From FIG. 13, it can be confirmed that the quantum efficiency of the Cu(In 0.7 Al 0.3 )S 2 /ZnS quantum dot phosphor increases when the excitation wavelength is 350 nm to 450 nm. Therefore, the (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 /ZnS(0<x≦0.4,y=0) quantum dot phosphors, rather than using UV-LED as an excitation source, 380 nm to The luminous efficiency can be improved by using a visible light emitting LED having an emission wavelength of 450 nm. Similar results were also obtained with the quantum dot phosphor having a green emission wavelength.

(実施例3)
原料として、ヨウ化銅、三酢酸インジウム、三酢酸ガリウム、及びドデカンチオールを使用して、ソルボサーマル法によりCu(In1−x−yAlGa)S(x=0、0<y≦1(yは0.1間隔で変更して合成))量子ドット蛍光体を合成した。不活性気体雰囲気下において、合成温度を160℃〜200℃の温度で調整し、合成時間を3時間〜12時間で調整して、緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)と、赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を合成した。
(Example 3)
As raw materials, copper iodide, triacetate indium triacetate gallium, and using dodecanethiol, by solvothermal method Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 (x = 0,0 <y ≤1 (y was changed at intervals of 0.1) to synthesize quantum dot phosphors. In an inert gas atmosphere, the synthesis temperature is adjusted at a temperature of 160° C. to 200° C., the synthesis time is adjusted at 3 hours to 12 hours, and a quantum dot phosphor having a green emission wavelength (emission wavelength: 540 nm) And a quantum dot phosphor having a red emission wavelength (emission wavelength: 620 nm) were synthesized.

得られた量子ドット蛍光体について、青色LED(発光波長:445nm)を励起源として発光させた際の量子効率を測定した。赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体及び緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体についての、Ga濃度(y)に対する量子効率(相対値)の関係は、図10におけるAl濃度(x)に対する量子効率(相対値)の関係と類似した特性であった。したがって、Cu(In1−x−yAlGa)S(x=0、0<y≦0.4)量子ドット蛍光体の量子効率は、Gaを含まない量子ドット蛍光体(比較例1)の量子効率よりも高い。 About the obtained quantum dot fluorescent substance, the quantum efficiency at the time of making it light-emit using a blue LED (emission wavelength: 445 nm) as an excitation source was measured. The relationship between the quantum efficiency (relative value) with respect to the Ga concentration (y) for the quantum dot phosphor having the red emission wavelength and the quantum dot phosphor having the green emission wavelength is as follows: The characteristics were similar to the efficiency (relative value) relationship. Therefore, Cu quantum efficiency of the (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 (x = 0,0 <y ≦ 0.4) quantum dot phosphors, quantum dots phosphor containing no Ga (Comparative Example It is higher than the quantum efficiency of 1).

また、y=0.3、y=0、すなわちCu(In0.7Ga0.3)Sの赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体及び緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体についての、励起波長に対する量子効率(相対値)の関係は、図11における励起波長に対する量子効率(相対値)の関係と類似した特性であった。したがって、Cu(In0.7Ga0.3)S量子ドット蛍光体の量子効率は、励起波長が350nm〜450nmで高くなる。したがって、Cu(In1−x−yAlGa)S(x=0、0<y≦0.4)量子ドット蛍光体では、励起源としてUV−LEDを用いるよりも、380nm〜450nmに発光波長を有する可視発光LEDを用いるほうが発光効率を上げることができる。 Further, y=0.3, y=0, that is, regarding the quantum dot phosphor having a red emission wavelength and the quantum dot phosphor having a green emission wavelength of Cu(In 0.7 Ga 0.3 )S 2 . The relationship of the quantum efficiency (relative value) with respect to the excitation wavelength was similar to the relationship of the quantum efficiency (relative value) with respect to the excitation wavelength in FIG. 11. Therefore, the quantum efficiency of the Cu(In 0.7 Ga 0.3 )S 2 quantum dot phosphor increases when the excitation wavelength is 350 nm to 450 nm. Therefore, in the Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 (x = 0,0 <y ≦ 0.4) quantum dot phosphors, rather than using UV-LED as an excitation source, 380 nm to 450 nm The luminous efficiency can be improved by using a visible light emitting LED having an emission wavelength.

(実施例4)
原料として実施例3で合成したCu(In1−x−yAlGa)S(x=0、0<y≦1)量子ドット蛍光体、ステアリン酸亜鉛、ドデカンチオール、及びオクタデセンを使用して、ソルボサーマル法によりCu(In1−x−yAlGa)S/ZnS(x=0、0<y≦1(yは0.1間隔で変更して合成))量子ドット蛍光体を合成した。不活性気体雰囲気下において、合成温度を160℃〜200℃の温度で調整し、合成時間を6時間〜24時間で調整して、緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)と、赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を合成した。
(Example 4)
Using Cu synthesized in Example 3 as a starting material (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 (x = 0,0 <y ≦ 1) quantum dot phosphor, zinc stearate, dodecanethiol, and octadecene to, by solvothermal method Cu (in 1-x-y Al x Ga y) S 2 / ZnS (x = 0,0 <y ≦ 1 (y is synthesized by changing at 0.1 intervals)) quantum dots A phosphor was synthesized. In an inert gas atmosphere, the synthesis temperature is adjusted at a temperature of 160° C. to 200° C., the synthesis time is adjusted at 6 hours to 24 hours, and a quantum dot phosphor having an emission wavelength of green (emission wavelength: 540 nm) And a quantum dot phosphor having a red emission wavelength (emission wavelength: 620 nm) were synthesized.

得られた量子ドット蛍光体について、青色LED(発光波長:445nm)を励起源として発光させた際の量子効率を測定した。赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体及び緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体についての、Ga濃度(y)に対する量子効率(相対値)の関係は、図12におけるAl濃度(x)に対する量子効率(相対値)の関係と類似した特性であった。したがって、Cu(In1−x−yAlGa)S/ZnS(x=0、0<y≦0.4)量子ドット蛍光体の量子効率は、Gaを含まない量子ドット蛍光体(比較例2)の量子効率よりも高い。 About the obtained quantum dot fluorescent substance, the quantum efficiency at the time of making it light-emit using a blue LED (emission wavelength: 445 nm) as an excitation source was measured. The relationship between the quantum efficiency (relative value) with respect to the Ga concentration (y) for the quantum dot phosphor having a red emission wavelength and the quantum dot phosphor having a green emission wavelength is as follows: The characteristics were similar to the efficiency (relative value) relationship. Therefore, Cu (In 1-x- y Al x Ga y) S 2 /ZnS(x=0,0<y≦0.4) quantum efficiency of the quantum dot phosphors, quantum dots phosphor containing no Ga ( It is higher than the quantum efficiency of Comparative Example 2).

また、y=0.3、y=0、すなわちCu(In0.7Ga0.3)S/ZnSの赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体及び緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体についての、励起波長に対する量子効率(相対値)の関係は、図13における励起波長に対する量子効率(相対値)の関係と類似した特性であった。したがって、Cu(In0.7Ga0.3)S/ZnS量子ドット蛍光体の量子効率は、励起波長が350nm〜450nmで高くなる。したがって、Cu(In1−x−yAlGa)S/ZnS(x=0、0<y≦0.4)量子ドット蛍光体では、励起源としてUV−LEDを用いるよりも、380nm〜450nmに発光波長を有する可視発光LEDを用いるほうが発光効率を上げることができる。 Further, y=0.3, y=0, that is, a quantum dot phosphor having a red emission wavelength and a quantum dot phosphor having a green emission wavelength of Cu(In 0.7 Ga 0.3 )S 2 /ZnS. The relationship of the quantum efficiency (relative value) with respect to the excitation wavelength of was a characteristic similar to the relationship of the quantum efficiency (relative value) with respect to the excitation wavelength in FIG. Therefore, the quantum efficiency of the Cu(In 0.7 Ga 0.3 )S 2 /ZnS quantum dot phosphor increases when the excitation wavelength is 350 nm to 450 nm. Therefore, in the Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 /ZnS(x=0,0<y≦0.4) quantum dot phosphors, rather than using UV-LED as an excitation source, 380 nm The luminous efficiency can be increased by using a visible light emitting LED having an emission wavelength of up to 450 nm.

(実施例5)
原料として、ヨウ化銅、三酢酸インジウム、三酢酸アルミニウム、三酢酸ガリウム、及びドデカンチオールを使用して、ソルボサーマル法によりCu(In1−x−yAlGa)S(0<x+y≦1、0≦x≦1、0≦y≦1(x及びyは0.1間隔で変更して合成))量子ドット蛍光体を合成した。不活性気体雰囲気下において、合成温度を160℃〜200℃の温度で調整し、合成時間を3時間〜12時間で調整して、緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)と、赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を合成した。
(Example 5)
As raw materials, copper iodide, triacetate indium triacetate aluminum triacetate gallium, and using dodecanethiol, Cu (In 1-x- y Al x Ga y) by solvothermal method S 2 (0 <x + y ≦1, 0≦x≦1, 0≦y≦1 (x and y were changed at intervals of 0.1) to synthesize quantum dot phosphors. In an inert gas atmosphere, the synthesis temperature is adjusted at a temperature of 160° C. to 200° C., the synthesis time is adjusted at 3 hours to 12 hours, and a quantum dot phosphor having a green emission wavelength (emission wavelength: 540 nm) And a quantum dot phosphor having a red emission wavelength (emission wavelength: 620 nm) were synthesized.

得られた量子ドット蛍光体について、青色LED(発光波長:445nm)を励起源として発光させた際の量子効率を測定した。赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体及び緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体についての、Al濃度(x)+Ga濃度(y)に対する量子効率(相対値)の関係から、Cu(In1−x−yAlGa)S(0<x+y≦0.4)の量子効率は、Al及びGaを含まない量子ドット蛍光体(比較例1)の量子効率よりも高いことが分かった。 About the obtained quantum dot fluorescent substance, the quantum efficiency at the time of making it light-emit using a blue LED (emission wavelength: 445 nm) as an excitation source was measured. From the relationship of the quantum efficiency (relative value) with respect to the Al concentration (x)+Ga concentration (y) for the quantum dot phosphor having a red emission wavelength and the quantum dot phosphor having a green emission wavelength, Cu(In 1- x-y Al x Ga y) quantum efficiency of the S 2 (0 <x + y ≦ 0.4) was found to be higher than the quantum efficiency of the quantum dot phosphor containing no Al and Ga (Comparative example 1).

また、x=0.15、y=0.15、すなわちCu(In0.7Al0.15Ga0.15)Sの赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体及び緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体についての、励起波長に対する量子効率(相対値)の関係から、Cu(In0.7Al0.15Ga0.15)S量子ドット蛍光体では、励起波長が350nm〜450nmで量子効率が高くなることが分かった。したがって、Cu(In1−x−yAlGa)S(0<x+y≦0.4)量子ドット蛍光体では、励起源としてUV−LEDを用いるよりも、380nm〜450nmに発光波長を有する可視発光LEDを用いるほうが発光効率を上げることができる。 In addition, x=0.15, y=0.15, that is, a quantum dot phosphor having a red emission wavelength of Cu(In 0.7 Al 0.15 Ga 0.15 )S 2 and a green emission wavelength. From the relationship of the quantum efficiency (relative value) with respect to the excitation wavelength of the quantum dot phosphor, the excitation wavelength of Cu(In 0.7 Al 0.15 Ga 0.15 )S 2 quantum dot phosphor is 350 nm to 450 nm. It was found that the quantum efficiency becomes high. Therefore, in the Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 (0 <x + y ≦ 0.4) quantum dot phosphors, rather than using UV-LED as an excitation source, the emission wavelength 380nm~450nm It is possible to increase the light emission efficiency by using the visible light emitting LED included therein.

(実施例6)
原料として実施例5で合成したCu(In1−x−yAlGa)S(0<x+y≦1、0≦x≦1、0≦y≦1)量子ドット蛍光体、ステアリン酸亜鉛、ドデカンチオール、及びオクタデセンを使用して、ソルボサーマル法によりCu(In1−x−yAlGa)S/ZnS(0<x+y≦1、0≦x≦1、0≦y≦1(x及びyは0.1間隔で変更して合成))量子ドット蛍光体を合成した。不活性気体雰囲気下において、合成温度を160℃〜200℃の温度で調整し、合成時間を6時間〜24時間で調整して、緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)と、赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を合成した。
(Example 6)
Material as synthesized in Example 5 Cu (In 1-x- y Al x Ga y) S 2 (0 <x + y ≦ 1,0 ≦ x ≦ 1,0 ≦ y ≦ 1) quantum dot phosphor, zinc stearate , using dodecane thiol, and octadecene, Cu (in 1-x- y Al x Ga y) S 2 / ZnS (0 <x + y ≦ 1,0 ≦ x ≦ 1,0 ≦ y ≦ 1 by solvothermal method (X and y were changed at intervals of 0.1 to synthesize) Quantum dot phosphor was synthesized. In an inert gas atmosphere, the synthesis temperature is adjusted at a temperature of 160° C. to 200° C., the synthesis time is adjusted at 6 hours to 24 hours, and a quantum dot phosphor having an emission wavelength of green (emission wavelength: 540 nm) And a quantum dot phosphor having a red emission wavelength (emission wavelength: 620 nm) were synthesized.

得られた量子ドット蛍光体について、青色LED(発光波長:445nm)を励起源として発光させた際の量子効率を測定した。赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体及び緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体についての、Al濃度(x)+Ga濃度(y)に対する量子効率(相対値)の関係から、Cu(In1−x−yAlGa)S/ZnS(0<x+y≦0.4)の量子効率は、Al及びGaを含まない量子ドット蛍光体(比較例2)の量子効率よりも高いことが分かった。 About the obtained quantum dot fluorescent substance, the quantum efficiency at the time of making it light-emit using a blue LED (emission wavelength: 445 nm) as an excitation source was measured. From the relationship of the quantum efficiency (relative value) with respect to the Al concentration (x)+Ga concentration (y) for the quantum dot phosphor having a red emission wavelength and the quantum dot phosphor having a green emission wavelength, Cu(In 1- It was found that the quantum efficiency of xy Al x Gay )S 2 / ZnS ( 0 <x+ y ≦0.4) is higher than the quantum efficiency of the quantum dot phosphor containing no Al and Ga (Comparative Example 2). It was

また、x=0.15、y=0.15、すなわちCu(In0.7Al0.15Ga0.15)S/ZnSの赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体及び緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体についての、励起波長に対する量子効率(相対値)の関係から、Cu(In0.7Al0.15Ga0.15)S/ZnS量子ドット蛍光体では、励起波長が350nm〜450nmで量子効率が高くなることが分かった。したがって、Cu(In1−x−yAlGa)S/ZnS(0<x+y≦0.4)量子ドット蛍光体では、励起源としてUV−LEDを用いるよりも、380nm〜450nmに発光波長を有する可視発光LEDを用いるほうが発光効率を上げることができる。 Further, x=0.15, y=0.15, that is, a quantum dot phosphor having a red emission wavelength of Cu(In 0.7 Al 0.15 Ga 0.15 )S 2 /ZnS and a green emission wavelength. From the relationship of the quantum efficiency (relative value) with respect to the excitation wavelength of the quantum dot phosphor having the following, the excitation wavelength of the Cu(In 0.7 Al 0.15 Ga 0.15 )S 2 /ZnS quantum dot phosphor is It was found that the quantum efficiency becomes high at 350 nm to 450 nm. Therefore, in the Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 /ZnS(0<x+y≦0.4) quantum dot phosphors, rather than using UV-LED as an excitation source, emitting in 380nm~450nm The luminous efficiency can be improved by using the visible light emitting LED having a wavelength.

(液晶ディスプレイパネルの検討)
以下の比較例及び実施例において、液晶ディスプレイパネルは、白色発光強度を比較することにより評価した。白色発光強度は、以下の方法により測定した。
(Examination of liquid crystal display panel)
In the following comparative examples and examples, liquid crystal display panels were evaluated by comparing white light emission intensities. The white emission intensity was measured by the following method.

<白色発光強度測定方法>
分光型輝度計を用い、各色(青、緑、赤)セル点灯時の色度(x、y)値を測定し、色再現範囲(NTSC比)を算出し、色再現範囲がNTSC比100%となるように蛍光体フィルムにおける量子ドット蛍光体の濃度を適宜調整した。また白色発光強度は、点灯時の色度が(x、y)=(0.33,0.33)となるように発光色を調整した際の輝度値(相対値)を用いた。
<Method of measuring white emission intensity>
Using a spectroscopic luminance meter, measure the chromaticity (x, y) values when each color (blue, green, red) cell is lit, calculate the color reproduction range (NTSC ratio), and the color reproduction range is 100% NTSC ratio. The concentration of the quantum dot phosphor in the phosphor film was appropriately adjusted so that As the white light emission intensity, a luminance value (relative value) when the emission color was adjusted so that the chromaticity during lighting was (x, y)=(0.33, 0.33) was used.

(比較例3)
青色LED(発光波長:445nm)、比較例1で調製した緑色の発光波長を有するCuInS量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)及び赤色の発光波長を有するCuInS量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を用いて、色再現範囲がNTSC比100%となるように蛍光体フィルムにおける量子ドット蛍光体の濃度を適宜調整し、図8に示す液晶ディスプレイパネルを製造した。
(Comparative example 3)
Blue LED (emission wavelength: 445 nm), CuInS 2 quantum dot phosphor having an emission wavelength of the green prepared in Comparative Example 1 (emission wavelength: 540 nm) and red CuInS 2 quantum dot phosphor having an emission wavelength (emission wavelength: 620 nm), the concentration of the quantum dot phosphor in the phosphor film was appropriately adjusted so that the color reproduction range was 100% in the NTSC ratio, and the liquid crystal display panel shown in FIG. 8 was manufactured.

比較例3の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度を測定し、得られた結果を100として、実施例7〜9の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度と比較した。 The white emission intensity of the liquid crystal display panel of Comparative Example 3 was measured, and the obtained result was set as 100 and compared with the white emission intensity of the liquid crystal display panels of Examples 7 to 9.

(実施例7)
青色LED(発光波長:445nm)、実施例1で調製した緑色の発光波長を有するCu(In0.7Al0.3)S量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)及び赤色の発光波長を有するCu(In0.7Al0.3)S量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を用いて、色再現範囲がNTSC比100%となるように蛍光体フィルムにおける量子ドット蛍光体の濃度を適宜調整し、図8に示す液晶ディスプレイパネルを製造した。
(Example 7)
A blue LED (emission wavelength: 445 nm), a Cu(In 0.7 Al 0.3 )S 2 quantum dot phosphor (emission wavelength: 540 nm) having a green emission wavelength prepared in Example 1 and a red emission wavelength were used. Using the Cu(In 0.7 Al 0.3 )S 2 quantum dot phosphor (emission wavelength: 620 nm) that it has, the concentration of the quantum dot phosphor in the phosphor film such that the color reproduction range is 100% NTSC ratio. Were adjusted appropriately to manufacture the liquid crystal display panel shown in FIG.

白色発光強度測定の結果、実施例7の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度は、比較例3の白色発光強度(100)に対して、150となった。 As a result of the white light emission intensity measurement, the white light emission intensity of the liquid crystal display panel of Example 7 was 150 with respect to the white light emission intensity (100) of Comparative Example 3.

(実施例8)
青色LED(発光波長:445nm)、実施例3で調製した緑色の発光波長を有するCu(In0.7Ga0.3)S量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)及び赤色の発光波長を有するCu(In0.7Ga0.3)S量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を用いて、色再現範囲がNTSC比100%となるように蛍光体フィルムにおける量子ドット蛍光体の濃度を適宜調整し、図8に示す液晶ディスプレイパネルを製造した。
(Example 8)
A blue LED (emission wavelength: 445 nm), a Cu(In 0.7 Ga 0.3 )S 2 quantum dot phosphor (emission wavelength: 540 nm) having a green emission wavelength prepared in Example 3, and a red emission wavelength were used. Using the Cu(In 0.7 Ga 0.3 )S 2 quantum dot phosphor (emission wavelength: 620 nm) that it has, the concentration of the quantum dot phosphor in the phosphor film so that the color reproduction range is 100% NTSC ratio. Were adjusted appropriately to manufacture the liquid crystal display panel shown in FIG.

白色発光強度測定の結果、実施例8の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度は、比較例3の白色発光強度(100)に対して、145となった。 As a result of the white light emission intensity measurement, the white light emission intensity of the liquid crystal display panel of Example 8 was 145 with respect to the white light emission intensity (100) of Comparative Example 3.

(実施例9)
青色LED(発光波長:445nm)、実施例5で調製した緑色の発光波長を有するCu(In0.7Al0.15Ga0.15)S量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)及び赤色の発光波長を有するCu(In0.7Al0.15Ga0.15)S量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を用いて、色再現範囲がNTSC比100%となるように蛍光体フィルムにおける量子ドット蛍光体の濃度を適宜調整し、図8に示す液晶ディスプレイパネルを製造した。
(Example 9)
Blue LED (emission wavelength: 445 nm), Cu(In 0.7 Al 0.15 Ga 0.15 )S 2 quantum dot phosphor (emission wavelength: 540 nm) having a green emission wavelength prepared in Example 5, and red Using a Cu(In 0.7 Al 0.15 Ga 0.15 )S 2 quantum dot phosphor (emission wavelength: 620 nm) having an emission wavelength of 100 nm, the phosphor has a color reproduction range of 100% NTSC ratio. The concentration of the quantum dot phosphor in the film was appropriately adjusted to manufacture the liquid crystal display panel shown in FIG.

白色発光強度測定の結果、実施例9の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度は、比較例3の白色発光強度(100)に対して、135となった。 As a result of the white light emission intensity measurement, the white light emission intensity of the liquid crystal display panel of Example 9 was 135 with respect to the white light emission intensity (100) of Comparative Example 3.

(比較例4)
青色LED(発光波長:445nm)、比較例2で調製した緑色の発光波長を有するCuInS/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)及び赤色の発光波長を有するCuInS/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を用いて、色再現範囲がNTSC比100%となるように蛍光体フィルムにおける量子ドット蛍光体の濃度を適宜調整し、図8に示す液晶ディスプレイパネルを製造した。
(Comparative example 4)
Blue LED (emission wavelength: 445nm), CuInS 2 / ZnS quantum dot phosphor having a green emission wavelength prepared in Comparative Example 2 (emission wavelength: 540 nm) and red CuInS 2 / ZnS quantum dot phosphor having an emission wavelength (Emission wavelength: 620 nm) was used to appropriately adjust the concentration of the quantum dot phosphor in the phosphor film so that the color reproduction range was 100% in NTSC ratio, and the liquid crystal display panel shown in FIG. 8 was manufactured.

比較例4の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度を測定し、得られた結果を100として、実施例10〜12の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度と比較した。 The white emission intensity of the liquid crystal display panel of Comparative Example 4 was measured, and the obtained result was set as 100 and compared with the white emission intensity of the liquid crystal display panels of Examples 10-12.

(実施例10)
青色LED(発光波長:445nm)、実施例2で調製した緑色の発光波長を有するCu(In0.7Al0.3)S/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)及び赤色の発光波長を有するCu(In0.7Al0.3)S/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を用いて、色再現範囲がNTSC比100%となるように蛍光体フィルムにおける量子ドット蛍光体の濃度を適宜調整し、図8に示す液晶ディスプレイパネルを製造した。
(Example 10)
Blue LED (emission wavelength: 445 nm), Cu(In 0.7 Al 0.3 )S 2 /ZnS quantum dot phosphor (emission wavelength: 540 nm) having a green emission wavelength prepared in Example 2, and red emission. Quantum dots in a phosphor film using a Cu(In 0.7 Al 0.3 )S 2 /ZnS quantum dot phosphor having a wavelength (emission wavelength: 620 nm) so that the color reproduction range is 100% NTSC ratio. The liquid crystal display panel shown in FIG. 8 was manufactured by appropriately adjusting the concentration of the phosphor.

白色発光強度測定の結果、実施例10の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度は、比較例4の白色発光強度(100)に対して、107となった。 As a result of the white light emission intensity measurement, the white light emission intensity of the liquid crystal display panel of Example 10 was 107 with respect to the white light emission intensity (100) of Comparative Example 4.

(実施例11)
青色LED(発光波長:445nm)、実施例4で調製した緑色の発光波長を有するCu(In0.7Ga0.3)S/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)及び赤色の発光波長を有するCu(In0.7Ga0.3)S/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を用いて、色再現範囲がNTSC比100%となるように蛍光体フィルムにおける量子ドット蛍光体の濃度を適宜調整し、図8に示す液晶ディスプレイパネルを製造した。
(Example 11)
Blue LED (emission wavelength: 445 nm), Cu(In 0.7 Ga 0.3 )S 2 /ZnS quantum dot phosphor (emission wavelength: 540 nm) having a green emission wavelength prepared in Example 4, and red emission Quantum dots in a phosphor film using a Cu(In 0.7 Ga 0.3 )S 2 /ZnS quantum dot phosphor having a wavelength (emission wavelength: 620 nm) so that the color reproduction range is 100% in NTSC ratio. The liquid crystal display panel shown in FIG. 8 was manufactured by appropriately adjusting the concentration of the phosphor.

白色発光強度測定の結果、実施例11の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度は、比較例4の白色発光強度(100)に対して、105となった。 As a result of the white light emission intensity measurement, the white light emission intensity of the liquid crystal display panel of Example 11 was 105 with respect to the white light emission intensity (100) of Comparative Example 4.

(実施例12)
青色LED(発光波長:445nm)、実施例6で調製した緑色の発光波長を有するCu(In0.7Al0.15Ga0.15)S/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)及び赤色の発光波長を有するCu(In0.7Al0.15Ga0.15)S/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を用いて、色再現範囲がNTSC比100%となるように蛍光体フィルムにおける量子ドット蛍光体の濃度を適宜調整し、図8に示す液晶ディスプレイパネルを製造した。
(Example 12)
Blue LED (emission wavelength: 445 nm), Cu(In 0.7 Al 0.15 Ga 0.15 )S 2 /ZnS quantum dot phosphor (emission wavelength: 540 nm) having a green emission wavelength prepared in Example 6 And Cu(In 0.7 Al 0.15 Ga 0.15 )S 2 /ZnS quantum dot phosphor (emission wavelength: 620 nm) having an emission wavelength of red, the color reproduction range is 100% in NTSC ratio. Thus, the concentration of the quantum dot phosphor in the phosphor film was appropriately adjusted to manufacture the liquid crystal display panel shown in FIG.

白色発光強度測定の結果、実施例12の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度は、比較例4の白色発光強度(100)に対して、106となった。 As a result of the white light emission intensity measurement, the white light emission intensity of the liquid crystal display panel of Example 12 was 106 with respect to the white light emission intensity (100) of Comparative Example 4.

(比較例5)
青色LED(発光波長:445nm)、緑色の発光波長を有するInP/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)、及び比較例2で調製した赤色の発光波長を有するCuInS/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を用いて、色再現範囲がNTSC比100%となるように蛍光体フィルムにおける量子ドット蛍光体の濃度を適宜調整し、図8に示す液晶ディスプレイパネルを製造した。
InP/ZnS量子ドット蛍光体は、ソルボサーマル法(J.Phys.Chem.C 2008、112、20190)を用いて作製した。
(Comparative example 5)
Blue LED (emission wavelength: 445 nm), InP/ZnS quantum dot phosphor having a green emission wavelength (emission wavelength: 540 nm), and CuInS 2 /ZnS quantum dot phosphor having a red emission wavelength prepared in Comparative Example 2 (Emission wavelength: 620 nm) was used to appropriately adjust the concentration of the quantum dot phosphor in the phosphor film so that the color reproduction range was 100% in NTSC ratio, and the liquid crystal display panel shown in FIG. 8 was manufactured.
The InP/ZnS quantum dot phosphor was prepared by using a solvothermal method (J. Phys. Chem. C 2008, 112, 20110).

比較例5の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度を測定し、得られた結果を100として、実施例13〜15の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度と比較した。 The white light emission intensity of the liquid crystal display panel of Comparative Example 5 was measured, and the obtained result was set as 100 and compared with the white light emission intensity of the liquid crystal display panels of Examples 13 to 15.

(実施例13)
青色LED(発光波長:445nm)、緑色の発光波長を有するInP/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:540nm:比較例5に記載の物)、及び実施例2で調製した赤色の発光波長を有するCu(In0.7Al0.3)S/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を用いて、色再現範囲がNTSC比100%となるように蛍光体フィルムにおける量子ドット蛍光体の濃度を適宜調整し、図8に示す液晶ディスプレイパネルを製造した。
(Example 13)
It has a blue LED (emission wavelength: 445 nm), an InP/ZnS quantum dot phosphor having a green emission wavelength (emission wavelength: 540 nm: the one described in Comparative Example 5), and a red emission wavelength prepared in Example 2. Using a Cu(In 0.7 Al 0.3 )S 2 /ZnS quantum dot phosphor (emission wavelength: 620 nm), the color reproduction range of the quantum dot phosphor in the phosphor film was set to 100% NTSC ratio. The liquid crystal display panel shown in FIG. 8 was manufactured by appropriately adjusting the density.

白色発光強度測定の結果、実施例13の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度は、比較例5の白色発光強度(100)に対して、106となった。 As a result of the white light emission intensity measurement, the white light emission intensity of the liquid crystal display panel of Example 13 was 106 with respect to the white light emission intensity (100) of Comparative Example 5.

(実施例14)
青色LED(発光波長:445nm)、緑色の発光波長を有するInP/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:540nm、比較例5に記載の物)、及び実施例4で調製した赤色の発光波長を有するCu(In0.7Ga0.3)S/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を用いて、色再現範囲がNTSC比100%となるように蛍光体フィルムにおける量子ドット蛍光体の濃度を適宜調整し、図8に示す液晶ディスプレイパネルを製造した。
(Example 14)
It has a blue LED (emission wavelength: 445 nm), an InP/ZnS quantum dot phosphor having an emission wavelength of green (emission wavelength: 540 nm, the one described in Comparative Example 5), and an emission wavelength of red prepared in Example 4. Using Cu(In 0.7 Ga 0.3 )S 2 /ZnS quantum dot phosphor (emission wavelength: 620 nm), the color reproduction range of the quantum dot phosphor in the phosphor film was set to 100% NTSC ratio. The liquid crystal display panel shown in FIG. 8 was manufactured by appropriately adjusting the density.

白色発光強度測定の結果、実施例14の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度は、比較例5の白色発光強度(100)に対して、105となった。 As a result of the white light emission intensity measurement, the white light emission intensity of the liquid crystal display panel of Example 14 was 105 with respect to the white light emission intensity (100) of Comparative Example 5.

(実施例15)
青色LED(発光波長:445nm)、緑色の発光波長を有するInP/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:540nm、比較例5に記載の物)、及び実施例6で調製した赤色の発光波長を有するCu(In0.7Al0.15Ga0.15)S/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を用いて、色再現範囲がNTSC比100%となるように蛍光体フィルムにおける量子ドット蛍光体の濃度を適宜調整し、図8に示す液晶ディスプレイパネルを製造した。
(Example 15)
It has a blue LED (emission wavelength: 445 nm), an InP/ZnS quantum dot phosphor having an emission wavelength of green (emission wavelength: 540 nm, the one described in Comparative Example 5), and an emission wavelength of red prepared in Example 6. Using a Cu(In 0.7 Al 0.15 Ga 0.15 )S 2 /ZnS quantum dot phosphor (emission wavelength: 620 nm), the quantum in the phosphor film was adjusted so that the color reproduction range was 100% NTSC ratio. The liquid crystal display panel shown in FIG. 8 was manufactured by appropriately adjusting the concentration of the dot phosphor.

白色発光強度測定の結果、実施例15の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度は、比較例5の白色発光強度(100)に対して、105となった。 As a result of the white light emission intensity measurement, the white light emission intensity of the liquid crystal display panel of Example 15 was 105 with respect to the white light emission intensity (100) of Comparative Example 5.

(比較例6)
青色LED(発光波長:445nm)、緑色の発光波長を有するCdSe/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:540nm)、及び比較例2で調製した赤色の発光波長を有するCuInS/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を用いて、色再現範囲がNTSC比100%となるように蛍光体フィルムにおける量子ドット蛍光体の濃度を適宜調整し、図8に示す液晶ディスプレイパネルを製造した。
CdSe/ZnS量子ドット蛍光体は、ソルボサーマル法(J.Phys.Chem.1996,100,468)を用いて作製した。
(Comparative example 6)
Blue LED (emission wavelength: 445 nm), CdSe/ZnS quantum dot phosphor having a green emission wavelength (emission wavelength: 540 nm), and CuInS 2 /ZnS quantum dot phosphor having a red emission wavelength prepared in Comparative Example 2 (Emission wavelength: 620 nm) was used to appropriately adjust the concentration of the quantum dot phosphor in the phosphor film so that the color reproduction range was 100% in NTSC ratio, and the liquid crystal display panel shown in FIG. 8 was manufactured.
The CdSe/ZnS quantum dot phosphor was produced using the solvothermal method (J. Phys. Chem. 1996, 100, 468).

比較例6の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度を測定し、得られた結果を100として、実施例16〜18の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度と比較した。 The white emission intensity of the liquid crystal display panel of Comparative Example 6 was measured, and the obtained result was set as 100 and compared with the white emission intensity of the liquid crystal display panels of Examples 16-18.

(実施例16)
青色LED(発光波長:445nm)、緑色の発光波長を有するCdSe/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:540nm、比較例6に記載の物)、及び実施例2で調製した赤色の発光波長を有するCu(In0.7Al0.3)S/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を用いて、色再現範囲がNTSC比100%となるように蛍光体フィルムにおける量子ドット蛍光体の濃度を適宜調整し、図8に示す液晶ディスプレイパネルを製造した。
(Example 16)
It has a blue LED (emission wavelength: 445 nm), a CdSe/ZnS quantum dot phosphor having a green emission wavelength (emission wavelength: 540 nm, the one described in Comparative Example 6), and a red emission wavelength prepared in Example 2. Using a Cu(In 0.7 Al 0.3 )S 2 /ZnS quantum dot phosphor (emission wavelength: 620 nm), the color reproduction range of the quantum dot phosphor in the phosphor film was set to 100% NTSC ratio. The liquid crystal display panel shown in FIG. 8 was manufactured by appropriately adjusting the density.

白色発光強度測定の結果、実施例16の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度は、比較例6の白色発光強度(100)に対して、105となった。 As a result of the white light emission intensity measurement, the white light emission intensity of the liquid crystal display panel of Example 16 was 105 with respect to the white light emission intensity (100) of Comparative Example 6.

(実施例17)
青色LED(発光波長:445nm)、緑色の発光波長を有するCdSe/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:540nm、比較例6に記載の物)、及び実施例4で調製した赤色の発光波長を有するCu(In0.7Ga0.3)S/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を用いて、色再現範囲がNTSC比100%となるように蛍光体フィルムにおける量子ドット蛍光体の濃度を適宜調整し、図8に示す液晶ディスプレイパネルを製造した。
(Example 17)
It has a blue LED (emission wavelength: 445 nm), a CdSe/ZnS quantum dot phosphor having a green emission wavelength (emission wavelength: 540 nm, the one described in Comparative Example 6), and a red emission wavelength prepared in Example 4. Using Cu(In 0.7 Ga 0.3 )S 2 /ZnS quantum dot phosphor (emission wavelength: 620 nm), the color reproduction range of the quantum dot phosphor in the phosphor film was set to 100% NTSC ratio. The liquid crystal display panel shown in FIG. 8 was manufactured by appropriately adjusting the density.

白色発光強度測定の結果、実施例17の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度は、比較例6の白色発光強度(100)に対して、102となった。 As a result of the white light emission intensity measurement, the white light emission intensity of the liquid crystal display panel of Example 17 was 102 with respect to the white light emission intensity (100) of Comparative Example 6.

(実施例18)
青色LED(発光波長:445nm)、緑色の発光波長を有するCdSe/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:540nm、比較例6に記載の物)、及び実施例6で調製した赤色の発光波長を有するCu(In0.7Al0.15Ga0.15)S/ZnS量子ドット蛍光体(発光波長:620nm)を用いて、色再現範囲がNTSC比100%となるように蛍光体フィルムにおける量子ドット蛍光体の濃度を適宜調整し、図8に示す液晶ディスプレイパネルを製造した。
(Example 18)
It has a blue LED (emission wavelength: 445 nm), a CdSe/ZnS quantum dot phosphor having a green emission wavelength (emission wavelength: 540 nm, the one described in Comparative Example 6), and a red emission wavelength prepared in Example 6. Using a Cu(In 0.7 Al 0.15 Ga 0.15 )S 2 /ZnS quantum dot phosphor (emission wavelength: 620 nm), the quantum in the phosphor film was adjusted so that the color reproduction range was 100% NTSC ratio. The liquid crystal display panel shown in FIG. 8 was manufactured by appropriately adjusting the concentration of the dot phosphor.

白色発光強度測定の結果、実施例18の液晶ディスプレイパネルの白色発光強度は、比較例6の白色発光強度(100)に対して、102となった。 As a result of the white light emission intensity measurement, the white light emission intensity of the liquid crystal display panel of Example 18 was 102 with respect to the white light emission intensity (100) of Comparative Example 6.

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications are included. For example, a part of the configuration of the embodiment can be added/deleted/replaced with another configuration.

1 青色LEDチップ、2 ワイヤ、3 リードフレーム、4 ケース、5 透明樹脂、5A 透明樹脂、6 ヒートシンク、7 蛍光体粒子、7A 緑色の発光波長を有する量子ドット蛍光体、7B 赤色の発光波長を有する量子ドット蛍光体、8 反射シート、9 導光体、10 青色LED、11 蛍光体フィルム、12 拡散シート、13 プリズムシート、14 偏光板、15 液晶セル、16 カラーフィルタ 1 blue LED chip, 2 wire, 3 lead frame, 4 case, 5 transparent resin, 5A transparent resin, 6 heat sink, 7 phosphor particles, 7A quantum dot phosphor having green emission wavelength, 7B having red emission wavelength Quantum dot phosphor, 8 reflective sheet, 9 light guide, 10 blue LED, 11 phosphor film, 12 diffusion sheet, 13 prism sheet, 14 polarizing plate, 15 liquid crystal cell, 16 color filter

Claims (8)

Cu(In1−x―yAlGa)S(0.1≦x+y≦0.4、0.1≦x≦0.4、0≦y≦0.3
で表される量子ドット蛍光体。
Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 (0.1 ≦ x + y ≦ 0.4,0.1 ≦ x ≦ 0.4,0 ≦ y ≦ 0.3)
Quantum dot phosphor represented by.
x+yが0.1≦x+y≦0.3の範囲であり、xが0.1≦x≦0.3の範囲であり、yが0≦y≦0.2の範囲である、請求項1に記載の量子ドット蛍光体。 x+y is in a range of 0.1≦x+y≦0.3, x is in a range of 0.1≦x≦0.3, and y is in a range of 0≦y≦ 0.2. The described quantum dot phosphor. 平均粒径が1nm〜10nmである、請求項1に記載の量子ドット蛍光体。 The quantum dot phosphor according to claim 1, having an average particle diameter of 1 nm to 10 nm. Cu(In1−x―yAlGa)S/ZnS(0.1≦x+y≦0.4、0.1≦x≦0.4、0≦y≦0.3
で表される量子ドット蛍光体。
Cu (In 1-x-y Al x Ga y) S 2 /ZnS(0.1≦x+y≦0.4,0.1≦x≦0.4,0≦y≦ 0.3)
Quantum dot phosphor represented by.
x+yが0.2≦x+y≦0.4の範囲である、請求項4に記載の量子ドット蛍光体。 The quantum dot phosphor according to claim 4, wherein x+y is in a range of 0.2≦x+y≦0.4. 平均粒径が1nm〜10nmである、請求項4に記載の量子ドット蛍光体。 The quantum dot phosphor according to claim 4, having an average particle diameter of 1 nm to 10 nm. 発光素子と、前記発光素子からの光を導光する導光体と、前記導光体により導光された光を反射する反射シートと、前記導光体を導光した光及び/又は前記導光体を導光して前記反射シートにより反射された光の一部により励起される量子ドット蛍光体を含む蛍光体フィルムとを備え、
前記発光素子が300nm〜500nmの間に発光波長を有し、
前記量子ドット蛍光体が請求項1〜6のいずれか一項に記載の量子ドット蛍光体であり、
前記量子ドット蛍光体が500nm〜800nmの間に発光波長を有し、
前記発光素子からの300nm〜500nmの間に発光のピーク波長がある光と前記量子ドット蛍光体からの500nm〜800nmの間に発光のピーク波長がある光とを混合した光を出力する、
発光装置。
A light emitting element, a light guide that guides light from the light emitting element, a reflection sheet that reflects the light guided by the light guide, and light and/or the light that has been guided through the light guide. A phosphor film including a quantum dot phosphor that is excited by a part of light reflected by the reflection sheet by guiding an optical body,
The light emitting device has an emission wavelength between 300 nm and 500 nm,
The quantum dot phosphor is the quantum dot phosphor according to any one of claims 1 to 6,
The quantum dot phosphor has an emission wavelength between 500 nm and 800 nm,
Outputting light that is a mixture of light having a peak emission wavelength between 300 nm and 500 nm from the light emitting element and light having a peak emission wavelength between 500 nm and 800 nm from the quantum dot phosphor.
Light emitting device.
前記発光素子が380nm〜450nmの間に発光波長を有する、請求項7に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 7, wherein the light emitting element has an emission wavelength between 380 nm and 450 nm.
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