JP6706502B2 - Centrifugal atomization powder production disk - Google Patents

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本発明は、遠心噴霧法により出湯温度が400℃以上の金属微粉末の製造に好適な遠心噴霧法粉末を製造するためのディスクに関する。 The present invention relates to a disk for producing a centrifugal atomizing powder suitable for producing a metal fine powder having a tapping temperature of 400° C. or higher by the centrifugal atomizing method.

近年、はんだ用粉末、フィラー用粉末、溶射用粉末、積層造形用粉末等の分野において流動性の高い粉末が求められている。流動性の低い粉末は、この粉末を使用した製品の特性劣化や欠陥の発生の原因となる。 In recent years, powders having high fluidity have been demanded in the fields of solder powder, filler powder, thermal spraying powder, additive manufacturing powder and the like. The powder having low fluidity causes deterioration of characteristics and defects of a product using the powder.

粉末の流動性は、粉末の真球度、粒度分布の幅及びサテライトの有無により変化する。真球度が高く、粒度分布の幅が狭く、サテライトの少ない粉末が流動性の高い粉末となる。粉末の製造方法としては、水噴霧法(水アトマイズ法)、ガス噴霧法(ガスアトマイズ法)及び遠心噴霧法(ディスクアトマイズ法)が知られている。これらの中で遠心噴霧法は、真球度が高く、粒度分布の幅が狭くかつ、サテライトの少ない粉末が得られる特徴がある。この方法は、他の粉末製造方法と比較して流動性の高い粉末が得られる点で優位性がある。 The fluidity of the powder changes depending on the sphericity of the powder, the width of the particle size distribution, and the presence or absence of satellites. A powder having a high sphericity, a narrow particle size distribution, and a small amount of satellites has high fluidity. Known methods of producing powders include a water atomizing method (water atomizing method), a gas atomizing method (gas atomizing method), and a centrifugal atomizing method (disk atomizing method). Among them, the centrifugal atomization method is characterized in that it has a high sphericity, a narrow particle size distribution, and a satellite-free powder. This method has an advantage in that a powder having high fluidity can be obtained as compared with other powder manufacturing methods.

遠心噴霧法による粉末の製造では、溶湯が、出湯ノズルから下部に設置してある遠心噴霧法粉末製造用ディスク(回転ディスクと称される)の中心に滴下される。この溶湯は、回転ディスク上で液状の薄い膜となる。ディスクの回転による遠心力で、この薄い膜がより薄くなり、回転ディスクの先端から微細液滴が飛散する。飛散した液滴が凝固することで粉末が得られる。 In the production of powder by the centrifugal atomization method, the molten metal is dropped from the tapping nozzle onto the center of a centrifugal atomization powder production disk (referred to as a rotating disk) installed at the bottom. This melt forms a thin liquid film on the rotating disk. The thin film becomes thinner due to the centrifugal force due to the rotation of the disk, and fine droplets are scattered from the tip of the rotating disk. A powder is obtained by solidifying the scattered droplets.

遠心噴霧法により金属粉末を製造する場合の鍵となるのが、回転ディスクである。回転ディスクには、溶湯が滴下されるため、この溶湯と反応を起こさず、溶湯の温度でも軟化しない基材が用いられる。また、溶湯を滴下すると回転ディスクには熱応力が発生するため、溶湯の温度よりも高い耐熱衝撃抵抗値を有する基材が用いられる。さらに回転ディスクには、高速回転に耐えうる強度が要求される。 The key to producing metal powder by the centrifugal atomization method is a rotating disk. Since the molten metal is dropped on the rotating disk, a base material that does not react with the molten metal and does not soften even at the temperature of the molten metal is used. Further, when the molten metal is dropped, thermal stress is generated in the rotating disk, so that a base material having a thermal shock resistance value higher than the temperature of the molten metal is used. Further, the rotating disk is required to have strength capable of withstanding high speed rotation.

これまで回転ディスクは、一般的には融点が低く出湯温度が低い、具体的には出湯温度が300℃以下で粉末製造が可能な場合に適用されてきた。その用途は低融点はんだの粉末製造が主であった。高い出湯温度を必要とする融点の高い金属粉末に対しては、上に記した特性を満たす回転ディスクの作製が容易ではないためである。そこで、融点が高い金属の粉末製造に適用可能な回転ディスクについて、様々な検討がなされている。 Heretofore, the rotating disk has been generally applied when the melting point is low and the tapping temperature is low, specifically, when the tapping temperature is 300° C. or less and powder production is possible. Its application was mainly for the production of low melting point solder powder. This is because it is not easy to manufacture a rotating disk satisfying the above-mentioned characteristics for metal powder having a high melting point which requires a high tapping temperature. Therefore, various studies have been made on a rotating disk applicable to the production of metal powder having a high melting point.

特開2013−119663公報には、炭化物分散型のモリブデン合金から構成される回転ディスクを用いた銀(Ag)の粉末の製造の検討例が開示されている。 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2013-119663 discloses a study example of manufacturing silver (Ag) powder using a rotating disk made of a carbide-dispersed molybdenum alloy.

特開2005−298299公報には、窒化珪素質の回転ディスクを用いた銅(Cu)の粉末の製造の検討例が開示されている。 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2005-298299 discloses a study example of manufacturing copper (Cu) powder using a silicon nitride rotary disk.

特開2009−62573公報には、耐熱性を有し且つ熱伝導性がセラミックスよりも良好な基材からなるディスク(基材ディスクと称される)と、この基材ディスクの上面を被覆するセラミックス薄膜とからなる回転ディスクが開示されている。 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2009-62573 discloses a disk (referred to as a base disk) made of a base material having heat resistance and better thermal conductivity than ceramics, and ceramics for covering the upper surface of the base disk. A rotating disk comprising a thin film is disclosed.

特開2012−117115公報には、耐熱衝撃抵抗値が710℃以上であり、熱伝導率が100W/m・K以下の材質で構成されていることを特徴とする回転ディスクが開示されている。 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2012-117115 discloses a rotating disk having a thermal shock resistance value of 710° C. or more and a thermal conductivity of 100 W/m·K or less.

特開昭59−133303公報には、純鉄の融点である1535℃まで耐えうる回転ディスクが提案されている。 Japanese Unexamined Patent Publication No. 59-133303 proposes a rotating disk capable of withstanding the melting point of pure iron up to 1535°C.

特開平07−145408公報に記載の回転ディスクでは、耐熱性に優れる金属の薄板が、回転円盤として用いられている。これを回転円盤の受台へ設置するにあたり、この円盤と受台との間に空間を設けること、あるいは、この円盤と受台との間にセラミックス等の低熱伝導率の物質を介在させることが、提案されている。 In the rotating disk described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 07-145408, a thin metal plate having excellent heat resistance is used as a rotating disk. When installing this on the pedestal of the rotating disk, it is necessary to provide a space between this disk and the pedestal, or to interpose a substance with low thermal conductivity such as ceramics between this disk and the pedestal. ,Proposed.

特開2013−119663公報JP, 2013-119663, A 特開2005−298299公報JP, 2005-298299, A 特開2009−62573公報JP, 2009-62573, A 特開2012−117115公報JP, 2012-117115, A 特開昭59−133303公報JP-A-59-133303 特開平07−145408公報JP, 07-145408, A

特開2013−119663公報に記載の回転ディスクを本発明者が試したところ、Agの粉末製造は可能であった。しかし、この回転ディスクは、Agよりも融点の高い合金の粉末製造用としては軟化抵抗が十分ではない。本発明者が上記公報に記載の回転ディスクでFe基合金の粉末製造を試みたところ、回転ディスクが軟化し、回転ディスクの形状が保てなかった。また、Agの粉末製造においても、微粉化目的で出湯温度を上昇させる場合、軟化抵抗が十分ではない可能性がある。 When the present inventor tried the rotating disk described in JP 2013-119663 A, it was possible to produce Ag powder. However, this rotating disk does not have sufficient softening resistance for powder production of an alloy having a higher melting point than Ag. When the present inventor tried to produce the powder of the Fe-based alloy with the rotating disk described in the above publication, the rotating disk was softened and the shape of the rotating disk could not be maintained. Further, also in the production of Ag powder, when raising the tapping temperature for the purpose of pulverization, the softening resistance may not be sufficient.

特開2005−298299公報に記載の回転ディスクは、耐熱衝撃抵抗値が十分ではない。本発明者が微粉化目的で溶湯温度を1250℃以上にすると、耐熱衝撃抵抗値が不十分であることが原因で、回転ディスクが破損した。 The rotary disk described in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2005-298299 has an insufficient thermal shock resistance value. When the present inventors set the temperature of the molten metal at 1250° C. or higher for the purpose of pulverization, the rotary disk was damaged due to insufficient thermal shock resistance.

特開2009−62573公報に記載のセラミック薄膜は1×10μm以下1×10−1μm以上と薄い。この公報に記載された基材であるグラファイト又はボロンナイトライドの気孔率は、一般に10〜20体積%である。これらをディスク基材として用いた場合、ディスク上面に存在する気孔上に薄膜が形成されないため、コーティング膜に欠陥が生じる。基材と溶湯が反応する場合、欠陥部分において溶湯と基材が反応しディスクが破損することが起こりうる。 The ceramic thin film disclosed in JP 2009-62573 A is as thin as 1×10 2 μm or less and 1×10 −1 μm or more. The porosity of graphite or boron nitride, which is the substrate described in this publication, is generally 10 to 20% by volume. When these are used as a disk substrate, a thin film is not formed on the pores existing on the upper surface of the disk, so that a defect occurs in the coating film. When the base material and the molten metal react with each other, the molten metal and the base material may react with each other at the defective portion to damage the disk.

上記特開2012−117115公報に記載の回転ディスクでは、回転に対する強度が十分ではない。この回転ディスクで本発明者が粉末製造を試みたところ、ディスクの回転速度が60000rpmより大きくなるとディスクの強度が足らず、ディスクが破損した。また、熱伝導率が100W/m・K以下との制約のため、回転ディスクの強度不足を解消しようとする場合、使用できる材質が限定される懸念がある。 The rotating disk described in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2012-117115 does not have sufficient strength against rotation. When the present inventor tried powder production with this rotating disk, the strength of the disk was insufficient and the disk was damaged when the rotation speed of the disk was higher than 60000 rpm. Further, due to the restriction that the thermal conductivity is 100 W/m·K or less, there is a concern that the usable material may be limited when trying to eliminate the insufficient strength of the rotating disk.

上記特開昭59−133303公報の回転ディスクでは、ディスク内に設けられたキャビティ内に冷却流体を循環あるいは衝突させる。この構造は複雑であるため、このディスクの小型化は困難である。このため、このディスクは、粉末の微粉化を目的とした高速回転用としては不向きである。実際、この公報には、このディスクの回転速度は最大で35000rpmと記載されている。本発明者がこのディスクを試したところ、回転速度は35000rpmが限界であった。 In the rotating disk disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 59-133303, the cooling fluid is circulated or collided into the cavity provided in the disk. Since this structure is complicated, it is difficult to miniaturize this disc. Therefore, this disk is not suitable for high-speed rotation for the purpose of pulverizing the powder. In fact, this publication states that the maximum rotation speed of this disk is 35,000 rpm. When the present inventor tried this disc, the rotation speed was limited to 35,000 rpm.

上記特開平07−145408公報に記載の回転ディスクでは、溶湯温度が高くなり、かつディスク回転速度が上がると、セラミックスと金属との熱膨張係数の差が、ディスクの耐久性や高速回転時の特性に影響を与えることが懸念される。しかしこの回転ディスクでは、溶湯温度が1000℃を超えるアトマイズ、あるいはディスク回転速度が18000rpmを超えるアトマイズについての検討はなされていない。 In the rotating disk described in JP-A-07-145408, when the molten metal temperature rises and the disk rotation speed increases, the difference in the coefficient of thermal expansion between ceramics and metal causes the durability of the disk and the characteristics at high speed rotation. It is feared that it will affect. However, with this rotating disk, no study has been made on atomization in which the melt temperature exceeds 1000° C. or atomization in which the disk rotation speed exceeds 18000 rpm.

本発明の目的は、高い融点を有する金属粉末製造においても、高速回転に耐えうる強度を有する回転ディスクを提供することである。 An object of the present invention is to provide a rotating disk having a strength capable of withstanding high-speed rotation even in the production of metal powder having a high melting point.

本発明に係る遠心噴霧法粉末を製造するためのディスクは、炭化物を含み残部がモリブデン及び不可避不純物である合金からなる基板を備えている。上記炭化物は、上記モリブデンのマトリクス中に分散している。上記炭化物の総個数Nに対する、円相当径が1μm未満である上記炭化物の個数N1の比(N1/N)は、90%以上である。 A disk for producing a centrifugal atomized powder according to the present invention comprises a substrate made of an alloy containing carbide and the balance being molybdenum and inevitable impurities. The carbide is dispersed in the molybdenum matrix. The ratio (N1/N) of the number N1 of the carbides having an equivalent circle diameter of less than 1 μm to the total number N of the carbides is 90% or more.

好ましくは、上記比(N1/N)は95%以上である。 Preferably, the ratio (N1/N) is 95% or more.

好ましくは、円相当径が1μm以上の上記炭化物同士の最短距離Lは、10μm以上である。 Preferably, the shortest distance L between the carbides having a circle equivalent diameter of 1 μm or more is 10 μm or more.

好ましくは、上記炭化物は、Tiの炭化物、Zrの炭化物及びHfの炭化物のうち、少なくとも一種を含む。 Preferably, the carbide includes at least one of Ti carbide, Zr carbide, and Hf carbide.

好ましくは、上記モリブデンの平均結晶粒径Dlaveは50μm以下である。 Preferably, the average crystal grain size Dave of the molybdenum is 50 μm or less.

このディスクが、上記基板の上面を被覆するセラミックス膜をさらに備えていてもよい。好ましくは、上記セラミックス膜の厚さCtは100μm以上500μm以下であり、
上記基板の上面の表面粗さRzの値Brに対する、上記厚さCtの比(Ct/Br)は1.0より大きく10より小さい。
The disk may further include a ceramic film that covers the upper surface of the substrate. Preferably, the thickness Ct of the ceramic film is 100 μm or more and 500 μm or less,
The ratio (Ct/Br) of the thickness Ct to the value Br of the surface roughness Rz of the upper surface of the substrate is larger than 1.0 and smaller than 10.

好ましくは、上記基板の熱伝導率Bhに対する上記セラミックスの熱伝導率Chの比(Ch/Bh)は、0.001より大きく1.0より小さい。 Preferably, the ratio (Ch/Bh) of the thermal conductivity Ch of the ceramic to the thermal conductivity Bh of the substrate is more than 0.001 and less than 1.0.

好ましくは、上記基材の熱膨張係数Beに対する上記セラミックスの熱膨張係数Ceの比(Ce/Be)は、1.0より大きく3.0より小さい。 Preferably, the ratio (Ce/Be) of the coefficient of thermal expansion Ce of the ceramic to the coefficient of thermal expansion Be of the substrate is larger than 1.0 and smaller than 3.0.

本発明に係る遠心噴霧法粉末を製造するためのディスクの基板では、モリブデンのマトリクス中に炭化物が分散している。モリブデンは、グラファイト等の他の高融点の材料よりも高強度及び高靱性である。この回転ディスクは、高速回転に耐えうる強度を有する。また、この基板では、分散した炭化物のうち、円相当径が1μm未満の炭化物の個数N1は、炭化物の全個数Nの90.0%以上である。円相当径が1μm未満の炭化物は、高温状態においても、モリブデンの結晶の成長を効果的に抑制する。この回転ディスクでは、モリブデンの再結晶化が効果的に抑えられている。このため、アトマイズ中においても、回転ディスクの軟化抵抗の低下が抑制される。この回転ディスクでは、高い融点を有する金属粉末製造においても、高速回転に耐えうる強度が維持されている。この回転ディスクは、400℃以上の融点を有する金属微粉末の製造に好適である。 In the substrate of the disk for producing the centrifugal atomized powder according to the present invention, the carbide is dispersed in the molybdenum matrix. Molybdenum has higher strength and toughness than other high melting point materials such as graphite. This rotating disk has the strength to withstand high-speed rotation. Further, in this substrate, the number N1 of carbides having an equivalent circle diameter of less than 1 μm in the dispersed carbides is 90.0% or more of the total number N of carbides. A carbide having an equivalent circle diameter of less than 1 μm effectively suppresses the growth of molybdenum crystals even in a high temperature state. In this rotating disk, recrystallization of molybdenum is effectively suppressed. Therefore, even during the atomization, the softening resistance of the rotating disk is prevented from decreasing. With this rotating disk, strength capable of withstanding high-speed rotation is maintained even in the production of metal powder having a high melting point. This rotating disk is suitable for producing fine metal powder having a melting point of 400° C. or higher.

図1は、本発明の一実施形態に係る、遠心噴霧法粉末製造用のディスクを用いた遠心噴霧装置の構成を示す概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram showing a configuration of a centrifugal atomizing device using a disk for centrifugal atomizing powder production according to an embodiment of the present invention. 図2は、図1のディスクが示された拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view showing the disc of FIG. 図3は、本発明の他の実施形態に係る遠心噴霧法粉末製造用のディスクが示された拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged sectional view showing a disk for centrifugal atomization powder production according to another embodiment of the present invention.

以下、適宜図面が参照されつつ、好ましい実施形態に基づいて本発明が詳細に説明される。 Hereinafter, the present invention will be described in detail based on preferred embodiments with reference to the drawings as appropriate.

図1は、本発明の一実施形態に係る遠心噴霧法粉末製造用ディスクを用いた、遠心噴霧装置2の構成を示す概念図である。この遠心噴霧装置2は、チャンバー4、ルツボ6、出湯ノズル8、ストッパー9、遠心噴霧法粉末製造用のディスク10(回転ディスク10)、モーター12、熱電対14及び加熱コイル15を備えている。 FIG. 1 is a conceptual diagram showing a configuration of a centrifugal spraying device 2 using a disk for centrifugal powdering method powder production according to an embodiment of the present invention. The centrifugal spraying device 2 is provided with a chamber 4, a crucible 6, a tapping nozzle 8, a stopper 9, a disk 10 (rotating disk 10) for powder production by centrifugal spraying method, a motor 12, a thermocouple 14, and a heating coil 15.

この遠心噴霧装置2を用いた粉末の製造方法は次の通りである。出湯ノズル8が閉じた状態で、金属原料がルツボ6に入れられる。この金属材料は、加熱コイル15で高周波誘導加熱により加熱され、溶融金属である溶湯16となる。適切な温度に加熱できるように、熱電対14にて溶湯16の温度が測温される。モーター12が稼働され、回転ディスク10が回転する。ストッパー9を上方に移動させることで出湯ノズル8に溶湯16が流れ込む。これにより、溶湯16が回転ディスク10上に滴下される。滴下された溶湯16は、回転ディスク10上で液状の薄い膜となる。回転するディスク10による遠心力で、この薄い膜がより薄くなり、回転ディスク10先端から微細液滴が飛散する。この微細液滴が凝固して球状の粉末ができる。できた粉末は、チャンバー4内から回収される。 The method for producing powder using the centrifugal atomizer 2 is as follows. The metal raw material is put into the crucible 6 with the tap nozzle 8 being closed. This metallic material is heated by high-frequency induction heating in the heating coil 15 and becomes a molten metal 16 which is a molten metal. The temperature of the molten metal 16 is measured by the thermocouple 14 so that it can be heated to an appropriate temperature. The motor 12 is operated and the rotating disk 10 rotates. By moving the stopper 9 upward, the molten metal 16 flows into the hot water discharge nozzle 8. As a result, the molten metal 16 is dripped onto the rotating disk 10. The dropped molten metal 16 forms a thin liquid film on the rotating disk 10. The thin film becomes thinner due to the centrifugal force of the rotating disk 10, and fine droplets are scattered from the tip of the rotating disk 10. The fine droplets are solidified to form spherical powder. The produced powder is collected from the chamber 4.

図2は、図1の回転ディスク10の拡大図である。回転ディスク10は、正面視においてT字状である。この回転ディスク10は基板18と軸20とを備えている。基板18は円盤状である。基板18の上面に、溶湯16が滴下される。軸20はモーター12と接続されている。基板18と軸20とは同じ材質である。基板18と軸20とは一体として形成されている。 FIG. 2 is an enlarged view of the rotary disk 10 of FIG. The rotating disk 10 is T-shaped when viewed from the front. The rotating disk 10 includes a substrate 18 and a shaft 20. The substrate 18 has a disc shape. The molten metal 16 is dropped on the upper surface of the substrate 18. The shaft 20 is connected to the motor 12. The substrate 18 and the shaft 20 are made of the same material. The substrate 18 and the shaft 20 are integrally formed.

基板18は炭化物を含む。その残部は、モリブデン及び不可避不純物の合金からなる。モリブデンは融点が2623℃と高い。この回転ディスク10は、高い融点を有する金属粉末の製造に適用できる。さらにモリブデンは、同様に融点の高い材料であるグラファイトより高強度、高靭性である。この回転ディスク10は、高速回転に耐えうる強度を有する。この回転ディスク10は、回転速度150000rpmでの使用に耐えうる強度を有する。 The substrate 18 includes carbide. The balance consists of alloys of molybdenum and unavoidable impurities. Molybdenum has a high melting point of 2623°C. This rotating disk 10 can be applied to the production of metal powder having a high melting point. Further, molybdenum has higher strength and higher toughness than graphite, which is also a material having a high melting point. The rotating disk 10 has strength enough to withstand high-speed rotation. The rotating disk 10 has strength enough to withstand use at a rotation speed of 150,000 rpm.

溶湯16が滴下される回転ディスク10は高温となる。金属が高温になると、再結晶化により、強度が著しく低下することが起こる。比較的低い温度では高い強度を有している回転ディスク10でも、高い融点を有する金属粉末の製造時には、強度不足となることが起こりうる。 The temperature of the rotating disk 10 on which the molten metal 16 is dropped becomes high. When the temperature of the metal rises, recrystallization causes a significant decrease in strength. Even with the rotating disk 10 having high strength at a relatively low temperature, the strength may be insufficient at the time of manufacturing the metal powder having a high melting point.

この回転ディスク10では、炭化物がモリブデンのマトリクス中に分散している。この分散した炭化物のうち、円相当径が1μm未満の炭化物の個数N1の、炭化物の全個数Nに対する比(N1/N)は90.0%以上である。円相当径が1μm未満の炭化物は、高温状態においても、モリブデンの結晶の成長を効果的に抑制する。比(N1/N)を90.0%以上とすることで、この回転ディスク10では、モリブデンの再結晶化が効果的に抑えられている。具体的には、この実施形態の回転ディスク10では、再結晶化温度は1400℃以上となる。この回転ディスク10では、1400℃の高温状態においても、回転速度150000rpmでの使用に耐えうる強度が維持されている。 In this rotating disk 10, carbides are dispersed in a molybdenum matrix. The ratio (N1/N) of the number N1 of carbides having an equivalent circle diameter of less than 1 μm to the total number N of carbides in the dispersed carbides is 90.0% or more. A carbide having an equivalent circle diameter of less than 1 μm effectively suppresses the growth of molybdenum crystals even in a high temperature state. By setting the ratio (N1/N) to 90.0% or more, recrystallization of molybdenum is effectively suppressed in the rotating disk 10. Specifically, in the rotating disk 10 of this embodiment, the recrystallization temperature is 1400° C. or higher. The rotating disk 10 has strength that can withstand use at a rotation speed of 150,000 rpm even at a high temperature of 1400°C.

ここでは、炭化物の円相当径、個数N1及び全個数Nは、基板18の断面において計測される。基板18がその中心点を通る任意の線で、半円盤状の2つの部分に分割される。一方の部分の断面において、任意の箇所について顕微鏡を用いて縦30μm、横40μmの領域が拡大撮影される。この撮影された領域内に存在する炭化物の断面の円相当径が、炭化物の円相当径とされる。ここで断面の円相当径とは、この断面と同じ面積を有する円の直径である。この領域内に存在する炭化物の全断面数が、全個数Nとされる。この領域内に存在する円相当径が1μm未満の断面の数が、個数N1とされる。円相当径、個数N1及び全個数Nは、上記の断面を拡大撮影し、この画像を計算機で解析して算出する。 Here, the equivalent circle diameter of the carbide, the number N1 and the total number N are measured in the cross section of the substrate 18. The substrate 18 is divided into two semi-disk-shaped portions by an arbitrary line passing through the center point of the substrate 18. In a cross section of one portion, a region of 30 μm in length and 40 μm in width is magnified and photographed at an arbitrary portion using a microscope. The equivalent circle diameter of the cross section of the carbide present in the photographed area is the equivalent circle diameter of the carbide. Here, the equivalent circle diameter of a cross section is the diameter of a circle having the same area as this cross section. The total number of cross-sections of the carbide existing in this region is the total number N. The number of cross sections having an equivalent circle diameter of less than 1 μm existing in this region is the number N1. The equivalent circle diameter, the number N1 and the total number N are calculated by magnifying and photographing the above cross section and analyzing this image with a computer.

比(N1/N)は95.0以上%がより好ましい。比(N1/N)を95%以上とすることで、モリブデンの再結晶化がより効果的に抑えられている。この観点から、比(N1/N)は97%がさらに好ましく、100%が最も好ましい。 The ratio (N1/N) is more preferably 95.0% or more. By setting the ratio (N1/N) to 95% or more, recrystallization of molybdenum is suppressed more effectively. From this viewpoint, the ratio (N1/N) is more preferably 97%, most preferably 100%.

円相当径が1μm以上の炭化物間の距離のうち最も短い距離(最短距離)Lは、10μm以上が好ましい。円相当径が1μm以上の炭化物同士の距離が近いと、炭化物による結晶の成長の抑制効果が小さくなる。これは、再結晶化温度の低下の要因となる。これは、回転ディスク10の中心近辺における亀裂を招来する。最短距離Lを10μm以上とすることで、モリブデンの再結晶化が効果的に抑えられる。この観点から、最短距離Lは50μm以上がより好ましい。 The shortest distance (shortest distance) L among the distances between the carbides having a circle equivalent diameter of 1 μm or more is preferably 10 μm or more. If the distance between the carbides having a circle equivalent diameter of 1 μm or more is short, the effect of suppressing the crystal growth by the carbides becomes small. This causes a decrease in the recrystallization temperature. This causes a crack near the center of the rotating disk 10. By setting the shortest distance L to 10 μm or more, recrystallization of molybdenum can be effectively suppressed. From this viewpoint, the shortest distance L is more preferably 50 μm or more.

最短距離Lは、前述の円相当径、個数N1及び全個数Nを測定した領域において計測される。この領域において、円相当径が1μm以上の炭化物の断面について、その輪郭間の隙間が計測される。この最小値が最小距離Lとされる。これは、基板18の断面を拡大撮影し、この画像を計算機で解析して算出される。 The shortest distance L is measured in the area where the equivalent circle diameter, the number N1 and the total number N are measured. In this area, the gap between the contours of the carbide cross section having a circle equivalent diameter of 1 μm or more is measured. This minimum value is the minimum distance L. This is calculated by enlarging the cross section of the substrate 18 and analyzing this image with a computer.

回転ディスク10の炭化物は、Tiの炭化物、Zrの炭化物及びHfの炭化物のうち、少なくとも一種を含むのが好ましい。発明者らは、炭化物を形成する元素と再結晶化温度との関係を詳細に調査した。その結果、Ti、Zr及びHfのいずれかの炭化物を含ませることで、再結晶化温度低下の抑制効果が高くできることを見出した。これらの炭化物のうち少なくとも一種を含むことで、モリブデンの再結晶化が効果的に抑えられる。この回転ディスク10では、アトマイズ中にディスク10が高温状態となっても高い強度が維持される。この回転ディスク10は、高温状態においても、回転速度150000rpmでの使用に耐えうる。 The carbide of the rotating disk 10 preferably contains at least one of Ti carbide, Zr carbide, and Hf carbide. The inventors have investigated in detail the relationship between the carbide-forming element and the recrystallization temperature. As a result, they have found that the inclusion of any one of Ti, Zr, and Hf carbides can enhance the effect of suppressing the decrease in recrystallization temperature. Recrystallization of molybdenum can be effectively suppressed by containing at least one of these carbides. In this rotating disk 10, high strength is maintained even if the disk 10 is in a high temperature state during atomization. The rotating disk 10 can withstand use at a rotation speed of 150,000 rpm even in a high temperature state.

炭化物を構成する金属元素を同定する方法としては、エネルギー分散型X線分析が挙げられる。これは、炭化物に電子線を照射した際に発生するX線をエネルギー分散型分析装置で分析するものである。この方法によれば、炭素、Ti、Zr及びHfの検出が可能である。このほかの分析装置を用いて炭化物を構成する金属元素を同定してもよい。 Energy dispersive X-ray analysis is mentioned as a method of identifying the metal element which constitutes carbide. This is to analyze an X-ray generated when a carbide is irradiated with an electron beam by an energy dispersive analyzer. According to this method, carbon, Ti, Zr and Hf can be detected. You may identify the metal element which comprises a carbide using other analyzers.

この回転ディスク10では、モリブデンの平均結晶粒径Dlaveは50μm以下が好ましい。金属粉末の量産時には、回転ディスク10に15分以上連続して溶湯16が滴下されることがある。モリブデンの平均結晶粒径Dlaveが大きいと、長時間高温状態が続くことにより、最も高温となる回転ディスク10の中心部において、亀裂を生じる場合がある。モリブデンの平均結晶粒径Dlaveを50μm以下とすることで、長時間連続して金属粉末を製造した場合においても、回転ディスク10の損傷が防止される。 In the rotary disk 10, the average crystal grain size Dave of molybdenum is preferably 50 μm or less. During mass production of metal powder, the molten metal 16 may be continuously dropped onto the rotating disk 10 for 15 minutes or longer. If the average crystal grain size Dave of molybdenum is large, a high temperature state continues for a long time, and thus cracks may occur at the center of the rotating disk 10 where the temperature becomes the highest. By setting the average crystal grain size Dave of molybdenum to 50 μm or less, damage to the rotary disk 10 can be prevented even when the metal powder is continuously produced for a long time.

平均結晶粒径Dlaveは、前述の円相当径、個数N1及び全個数Nを測定した領域において計測される。この領域において、モリブデンの結晶の断面の円相当径が計測される。これらの平均が平均結晶粒径Dlaveとされる。これは、基板18の断面を拡大撮影し、この画像を計算機で解析して算出される。 The average crystal grain size Dave is measured in the region where the equivalent circle diameter, the number N1 and the total number N are measured. In this region, the equivalent circle diameter of the molybdenum crystal is measured. The average of these is defined as the average crystal grain size Dave. This is calculated by enlarging the cross section of the substrate 18 and analyzing this image with a computer.

基板18の上面の表面粗さRzの値Crは、1μm以下が好ましい。値Crを1μm以下とすることで、ウェンゼル(Wenzel)の効果が作用することが抑えられる。これにより、濡れ性の低下が抑制される。 The value Cr of the surface roughness Rz of the upper surface of the substrate 18 is preferably 1 μm or less. By setting the value Cr to 1 μm or less, the effect of the Wenzel can be suppressed. This suppresses the decrease in wettability.

モリブデンに対する炭化物の比は、原子数比で0.01%以上2.0%以下が好ましい。この比を0.01%以上2.0%以下とすることで、モリブデンの再結晶化が効果的に抑えられる。この観点から、この比は0.05%以上1.5%以下がより好ましい。 The ratio of carbide to molybdenum is preferably 0.01% or more and 2.0% or less in terms of atomic number ratio. By setting this ratio to 0.01% or more and 2.0% or less, recrystallization of molybdenum can be effectively suppressed. From this viewpoint, this ratio is more preferably 0.05% or more and 1.5% or less.

図3は、本発明の他の実施形態に係る回転ディスク22が示された拡大断面図である。この回転ディスク22は基板24と軸26とに加え、セラミックス膜28をさらに備えている。この実施形態の基板24及び軸26は、それぞれ図2の回転ディスク10の基板18及び軸20と同じである。 FIG. 3 is an enlarged sectional view showing a rotating disk 22 according to another embodiment of the present invention. The rotating disk 22 further includes a ceramic film 28 in addition to the substrate 24 and the shaft 26. The substrate 24 and shaft 26 of this embodiment are the same as the substrate 18 and shaft 20 of the rotating disk 10 of FIG. 2, respectively.

セラミックス膜28は、基板24の上面を覆っている。溶湯16は、このセラミックス膜28に滴下される。粉末を製造する金属に対して良好な濡れ性を有するセラミックスを材料として選択することで、溶湯16との高い濡れ性を有する回転ディスク22が実現できる。これにより、より粒径の小さな粉末の製造が可能となる。さらに、このセラミックス膜28は基板24を保護する。このセラミックス膜28は、基板24と溶湯16とが触れることを防止する。基板24と溶湯16とが反応を起こす場合においても、金属粉末の製造が可能となる。 The ceramic film 28 covers the upper surface of the substrate 24. The molten metal 16 is dropped on the ceramic film 28. By selecting as a material a ceramic having good wettability with respect to the metal for producing the powder, the rotary disk 22 having high wettability with the molten metal 16 can be realized. This makes it possible to manufacture a powder having a smaller particle size. Further, the ceramic film 28 protects the substrate 24. The ceramic film 28 prevents the substrate 24 and the molten metal 16 from touching each other. Even when the substrate 24 and the molten metal 16 react with each other, the metal powder can be manufactured.

セラミックス膜28を被覆する方法は、めっき法、溶射法、物理蒸着法、化学蒸着法、ゾルゲル法、ゾルゲル電気泳動電着法等が挙げられる。そのほか、基材ディスク22上にセラミックス粒子を焼結させて膜を形成しても良い。この場合、セラミックス粒子中に焼結助剤を添加してもよい。 Examples of the method for coating the ceramic film 28 include a plating method, a thermal spraying method, a physical vapor deposition method, a chemical vapor deposition method, a sol-gel method, a sol-gel electrophoretic electrodeposition method and the like. In addition, a film may be formed by sintering ceramic particles on the base disk 22. In this case, a sintering aid may be added to the ceramic particles.

セラミックス膜28の厚さCtは100μm以上が好ましく、500μm以下が好ましい。厚さCtを100μm以上とすることで、回転ディスク22に気孔が存在していても、セラミックス膜28に欠陥が生じることが防止されている。厚さCtを500μm以下とすることで、セラミックス膜28の自重とディスク22回転時に発生する遠心力とにより、この膜に亀裂が生じることが抑制されている。 The thickness Ct of the ceramic film 28 is preferably 100 μm or more, and preferably 500 μm or less. By setting the thickness Ct to 100 μm or more, it is possible to prevent defects from occurring in the ceramic film 28 even if the rotating disk 22 has pores. By setting the thickness Ct to 500 μm or less, it is possible to prevent the ceramic film 28 from being cracked by its own weight and the centrifugal force generated when the disk 22 rotates.

図3の拡大図に示されるとおり、セラミックス膜28が被せられる基板24の上面は、粗面処理が施されている。ここでセラミックス膜28の厚さCtとは、基板24の上面の最も高い位置から、セラミックス膜28上面までの厚さである。セラミックス膜28の厚さCtは、セラミックス膜28の製膜前後のディスク22の厚さを測定し、この差から算出する。 As shown in the enlarged view of FIG. 3, the upper surface of the substrate 24 on which the ceramic film 28 is covered is roughened. Here, the thickness Ct of the ceramic film 28 is the thickness from the highest position of the upper surface of the substrate 24 to the upper surface of the ceramic film 28. The thickness Ct of the ceramic film 28 is calculated by measuring the thickness of the disk 22 before and after the ceramic film 28 is formed.

基板24上面の表面粗さRzの値をBrとすると、この回転ディスク22では、この値Brに対するセラミックス膜28の厚さCtの比(Ct/Br)は、1.0より大きいのが好ましく、10より小さいのが好ましい。 Assuming that the value of the surface roughness Rz of the upper surface of the substrate 24 is Br, the ratio (Ct/Br) of the thickness Ct of the ceramic film 28 to this value Br is preferably larger than 1.0 in this rotating disk 22. It is preferably less than 10.

比(Ct/Br)を10より小さくすることで、基板24の凹凸がセラミック膜の剥離を防止する。回転ディスク22が高速で回転しても、上記の膜厚を有するセラミックス膜28の剥離が防止される。このセラミックス膜28は、回転ディスク22が高速で回転しても剥離しない。具体的には回転ディスク22が150000rpmで回転してもこの膜は剥離しない。剥離防止の観点から比(Ct/Br)は、8.0より小さいのがより好ましい。 By setting the ratio (Ct/Br) to be less than 10, the unevenness of the substrate 24 prevents the ceramic film from peeling off. Even if the rotary disk 22 rotates at a high speed, the ceramic film 28 having the above film thickness is prevented from peeling off. The ceramic film 28 does not separate even when the rotary disk 22 rotates at high speed. Specifically, this film does not peel even when the rotary disk 22 rotates at 150,000 rpm. From the viewpoint of preventing peeling, the ratio (Ct/Br) is more preferably smaller than 8.0.

比(Ct/Br)を1.0より大きくすることで、基板24上面の凹凸により、セラミックス膜28に欠陥が生じることが防止される。この凹凸が熱膨張しても、基板24は、その上面全体がセラミックス膜28に被覆されている。欠陥防止の観点から比(Ct/Br)は、2.0より大きいのがより好ましい。 By setting the ratio (Ct/Br) to be greater than 1.0, it is possible to prevent defects in the ceramic film 28 due to the unevenness of the upper surface of the substrate 24. Even if the irregularities are thermally expanded, the entire upper surface of the substrate 24 is covered with the ceramic film 28. From the viewpoint of preventing defects, the ratio (Ct/Br) is more preferably greater than 2.0.

この発明では、表面粗さRzはJIS B 0601に規定された最大高さ粗さを意味している。この表面粗さRzの測定方法は以下の通りである。先端が鋭利な触針をJIS−B−0601に準拠した条件で走査させて粗さ曲線を作成する。この走査は、表面の任意の位置において、2mmの長さにわたってなされる。次に粗さ曲線の最大値及び最小値を読み取りその差を表面粗さRzとする。 In the present invention, the surface roughness Rz means the maximum height roughness defined in JIS B 0601. The method for measuring the surface roughness Rz is as follows. A roughness curve is created by scanning a stylus with a sharp tip under the conditions according to JIS-B-0601. This scan is done over a length of 2 mm anywhere on the surface. Next, the maximum value and the minimum value of the roughness curve are read and the difference between them is used as the surface roughness Rz.

前述のとおり、回転ディスク22は高温となる。回転ディスク22の熱がモーター12に流入して、モーター12が損傷することが起こりうる。特開2012−117115公報に記載の回転ディスク22では、これを熱伝導率が100W/m・K以下の材質で構成することで、モーター12に流入する熱を抑制している。しかし、熱伝導率が100W/m・K以下との制約により、使用できる材質は限定される。モリブデン合金を材質として選択した場合、熱伝導率100W/m・K以下を達成するのは困難である。モーター12への熱の流入を抑制する他の方法として、回転ディスク22の上面を冷却ガスで冷却する方法がある。しかし、冷却ガスでの回転ディスク22の冷却は、回転ディスク22上面を流れる溶湯16の凝固を招く。これは、フレークの粉末を発生させる要因となる。 As described above, the rotating disk 22 becomes hot. The heat of the rotating disk 22 may flow into the motor 12 and damage the motor 12. In the rotating disk 22 described in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2012-117115, the heat flowing into the motor 12 is suppressed by configuring the rotating disk 22 with a material having a thermal conductivity of 100 W/m·K or less. However, the material that can be used is limited by the restriction that the thermal conductivity is 100 W/m·K or less. When molybdenum alloy is selected as the material, it is difficult to achieve the thermal conductivity of 100 W/m·K or less. As another method of suppressing the heat flow into the motor 12, there is a method of cooling the upper surface of the rotating disk 22 with a cooling gas. However, cooling the rotating disk 22 with the cooling gas causes solidification of the molten metal 16 flowing on the upper surface of the rotating disk 22. This causes flake powder to be generated.

発明者らは、セラミック膜の熱伝導率Chを適切に調整することで、回転ディスク22からモーター12に流入する熱を抑制できることを見出した。セラミックスの熱伝導率Chの、回転ディスク22の熱伝導率Bhに対する比(Ch/Bh)は、0.001より大きく1より小さいのが好ましい。比(Ch/Bh)を0.001より大きく1より小さくすることで、モーター12への熱の流入が効果的に抑制できる。これにより、モリブデン合金を材質とした回転ディスク22においても、冷却ガスを使用することなく、モーター12の損傷が抑えられる。この観点から、比(Ch/Bh)は0.01より大きく0.5より小さいのがより好ましい。 The inventors have found that the heat flowing into the motor 12 from the rotary disk 22 can be suppressed by appropriately adjusting the thermal conductivity Ch of the ceramic film. The ratio (Ch/Bh) of the thermal conductivity Ch of the ceramics to the thermal conductivity Bh of the rotating disk 22 is preferably more than 0.001 and less than 1. By setting the ratio (Ch/Bh) to be larger than 0.001 and smaller than 1, the inflow of heat into the motor 12 can be effectively suppressed. As a result, even in the rotating disk 22 made of a molybdenum alloy, damage to the motor 12 can be suppressed without using the cooling gas. From this viewpoint, the ratio (Ch/Bh) is more preferably larger than 0.01 and smaller than 0.5.

ここでは、熱伝導率は温度傾斜法で測定される。温度傾斜法は、試料板の片面を加熱しその反対側の面を冷却することで試料板の厚み方向に定常状態の温度勾配を設け、この温度勾配で運ばれる熱量と、温度勾配でできた温度差との比から熱伝導率を算出する方法である。 Here, the thermal conductivity is measured by the temperature gradient method. In the temperature gradient method, a steady-state temperature gradient is provided in the thickness direction of the sample plate by heating one surface of the sample plate and cooling the opposite surface, and the amount of heat carried by this temperature gradient and the temperature gradient This is a method of calculating the thermal conductivity from the ratio to the temperature difference.

上記の比(Ch/Bh)の制約を満たすことが可能なセラミックスが、被覆膜の材料として選択されるのが好ましい。モリブデン合金を材質とした回転ディスク22では、適切なセラミックスとして、アルミナ、シリカ、ジルコニア、マグネシア等が挙げられる。また、ジルコニアとイットリアを8mol%混合した安定化ジルコニアのように、2種類以上のセラミックスを混合したセラミックスが使用されてもよい。このセラミックスについても、上記の比(Ch/Bh)の制約を満たすよう作製されていればよい。これらのセラミックスは、回転ディスク22に好適に使用できる。 Ceramics that can satisfy the constraint of the above ratio (Ch/Bh) are preferably selected as the material of the coating film. For the rotary disk 22 made of molybdenum alloy, suitable ceramics include alumina, silica, zirconia, magnesia, and the like. Moreover, ceramics in which two or more kinds of ceramics are mixed may be used, such as stabilized zirconia in which zirconia and yttria are mixed by 8 mol %. This ceramic may also be manufactured so as to satisfy the above constraint of the ratio (Ch/Bh). These ceramics can be preferably used for the rotary disk 22.

回転ディスク22基板24の熱膨張係数をBe、セラミックス膜28の熱膨張係数をCeとしたとき、熱膨張係数Beに対する熱膨張係数Ceの比(Ce/Be)は、1.0より大きいことが好ましい。比(Ce/Be)を1.0より大きくすることで、熱応力が原因でセラミックス膜28に極端な引張応力が生じることが抑えられる。この引張応力による亀裂の発生が抑止できる。これにより、この亀裂から溶湯16が進入し基材と反応すること、及びこの亀裂による濡れ性の低下が防止できる。 When the coefficient of thermal expansion of the rotating disk 22 substrate 24 is Be and the coefficient of thermal expansion of the ceramic film 28 is Ce, the ratio (Ce/Be) of the coefficient of thermal expansion Ce to the coefficient of thermal expansion Be is larger than 1.0. preferable. By setting the ratio (Ce/Be) to be greater than 1.0, it is possible to suppress the occurrence of extreme tensile stress in the ceramic film 28 due to thermal stress. Generation of cracks due to this tensile stress can be suppressed. As a result, it is possible to prevent the molten metal 16 from entering through the cracks and reacting with the base material, and the deterioration of the wettability due to the cracks.

比(Ce/Be)は3.0より小さいことが好ましい。比(Ce/Be)を3.0より小さくすることで、熱応力が原因でセラミックス膜28に極端な圧縮応力が生じることが抑えられる。この圧縮応力によるセラミックス膜28の剥離が抑止できる。これにより、この剥離部分から溶湯16が進入し基材と反応すること、及びこの剥離による濡れ性の低下が防止できる。 The ratio (Ce/Be) is preferably less than 3.0. By setting the ratio (Ce/Be) to be less than 3.0, it is possible to suppress the occurrence of extreme compressive stress in the ceramic film 28 due to thermal stress. The peeling of the ceramic film 28 due to this compressive stress can be suppressed. As a result, it is possible to prevent the molten metal 16 from entering the peeled portion to react with the base material and to prevent the wettability from being reduced due to the peeling.

本発明では、熱膨張率はJIS−Z−2285に記載された方法で測定される。 In the present invention, the coefficient of thermal expansion is measured by the method described in JIS-Z-2285.

セラミックス膜28の気孔率は20体積%以下が好ましい。気孔率を20体積%以下とすることで、カッシーバクスター(Cassie−Baxter)の効果が作用することが抑えられる。これにより、濡れ性の低下が抑制される。 The porosity of the ceramic film 28 is preferably 20% by volume or less. By setting the porosity to 20% by volume or less, the effect of the Cassie-Baxter can be suppressed. This suppresses the decrease in wettability.

セラミックス膜28の気孔率は、作製した回転ディスク22の断面写真を10視野撮影することで得られた膜中に存在する気孔の面積から算出される。 The porosity of the ceramic film 28 is calculated from the area of the pores present in the film obtained by taking 10 view images of the cross section of the manufactured rotating disk 22.

セラミックス膜28の上面の表面粗さRzの値Crは、1μm以下が好ましい。値Crを1μm以下とすることで、ウェンゼル(Wenzel)の効果が作用することが抑えられる。これにより、濡れ性の低下が抑制される。 The value Cr of the surface roughness Rz of the upper surface of the ceramic film 28 is preferably 1 μm or less. By setting the value Cr to 1 μm or less, the effect of the Wenzel can be suppressed. This suppresses the decrease in wettability.

この発明に係る回転ディスク22で製造した金属粉末は、はんだ用粉末、フィラー用粉末、溶射用粉末、ショット用粉末、積層造形用粉末等の分野で利用可能である。具体的な金属として、Sn―50Cu(mass%)、Sn−80Ag−0.5In(mass%)、Au−50Sn(mass%)、Fe−8Cr−6.5B(mass%)、Ag、Cu、SUS304L、SUS316L、AlloyC276等が挙げられる。各金属に対し、良好な濡れ性を有するセラミックスが選択される。これを前述の各条件を満たすように被覆させた回転ディスク22を使用することで、これらの金属の粉末製造が可能となる。 The metal powder produced by the rotary disk 22 according to the present invention can be used in the fields of solder powder, filler powder, thermal spraying powder, shot powder, additive manufacturing powder, and the like. Specific metals include Sn-50Cu (mass%), Sn-80Ag-0.5In (mass%), Au-50Sn (mass%), Fe-8Cr-6.5B (mass%), Ag, Cu, SUS304L, SUS316L, AlloyC276, etc. are mentioned. Ceramics with good wettability are selected for each metal. By using the rotary disk 22 which is coated so as to satisfy the above-mentioned conditions, powders of these metals can be manufactured.

以下、実施例によって本発明の効果が明らかにされるが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるべきではない。 Hereinafter, the effects of the present invention will be clarified by examples, but the present invention should not be limitedly interpreted based on the description of the examples.

[実験1]
図2の実施形態の回転ディスクを用いて金属粉末を作製した。
[Experiment 1]
Metal powder was produced using the rotating disk of the embodiment of FIG.

[モリブデン合金の準備]
粒度を調整したモリブデン粉末及び粒度を調整した炭化物を混合し、熱間等方加圧法(HIP)にて円柱状のモリブデン合金を作製した。炭化物の組成、粒径及びモリブデンの粒径を変えて、複数の合金が作製された。
[Preparation of molybdenum alloy]
A molybdenum powder having a controlled particle size and a carbide having a controlled particle size were mixed, and a columnar molybdenum alloy was produced by a hot isostatic pressing method (HIP). Multiple alloys were made with varying carbide composition, grain size and molybdenum grain size.

[回転ディスクの作製]
上記のモリブデン合金から、基板の径が60mm、厚さが2mmの回転ディスクが作製された。基板の表面に研磨処理を施した。作製された回転ディスクの諸元が、表1及び2に示されている。
[Production of rotating disk]
A rotating disk having a substrate diameter of 60 mm and a thickness of 2 mm was produced from the above molybdenum alloy. The surface of the substrate was polished. The specifications of the manufactured rotating disk are shown in Tables 1 and 2.

[粉末を作製する金属]
ディスクアトマイズ法で、Sn―50mass%Cu(融点=690℃)、Sn−80mass%Ag−0.5mass%In(融点=730℃)純Ag(融点=960℃)、純Cu(融点=1083℃)、Ag−28mass%Cu(融点780℃)、Ag−30mass%Zn(融点=940℃)の粉末の作製を試みた。これらの粉末の製作において、各金属をその融点から300℃高い温度まで昇温した。すなわち、Sn―50mass%Cuで990℃、Sn−80Ag−0.5Inで1030℃、純Agで1260℃、純Cuで1383℃、Ag−28mass%Cuで1080℃、Cu−30mass%Znで1240℃まで昇温した。
[Metal for making powder]
By the disk atomization method, Sn-50 mass% Cu (melting point=690° C.), Sn-80 mass% Ag-0.5 mass% In (melting point=730° C.) pure Ag (melting point=960° C.), pure Cu (melting point=1083° C.) ), Ag-28 mass% Cu (melting point 780° C.), and Ag-30 mass% Zn (melting point=940° C.) powders were tried. In producing these powders, each metal was heated to a temperature 300° C. higher than its melting point. That is, Sn-50 mass% Cu at 990° C., Sn-80Ag-0.5In at 1030° C., pure Ag at 1260° C., pure Cu at 1383° C., Ag-28 mass% Cu at 1080° C., Cu-30 mass% Zn at 1240° C. The temperature was raised to °C.

[評価方法]
[回転ディスク破損]
回転ディスクを使用して、遠心噴霧法で粉末の作製を試みた。出湯ノズルの直径は4mmである。粉末を作製する金属各々について、溶湯の量は溶解量50kg、ディスク回転速度は130000rpm、出湯温度は上記の通り融点より300℃高い温度とした。粉末が作製される途中で、回転ディスク破損の発生の有無が確認された。
[Evaluation methods]
[Rotating disk damage]
An attempt was made to make a powder by centrifugal atomization using a rotating disk. The tapping nozzle has a diameter of 4 mm. The amount of molten metal was 50 kg, the disk rotation speed was 130000 rpm, and the tapping temperature was 300° C. higher than the melting point for each of the metals used to form the powder. During the production of the powder, it was confirmed whether or not the rotating disk was damaged.

[平均粒径]
回転ディスク破損試験で、回転ディスク破損が発生せず、粉末が得られたものについて、その粉末の平均粒径を評価した。粉末の平均粒径の測定方法には、レーザー回折法が用いられた。
[Average particle size]
In the rotating disk breakage test, the rotating disk breakage did not occur and powder was obtained, and the average particle size of the powder was evaluated. A laser diffraction method was used as a method for measuring the average particle size of the powder.

[総合評価]
粉末の製造結果をもとに、回転ディスクについて以下の格付けを行った。
A1:粉末が作製でき、その粉末の平均粒径が30μm以下。
B1:粉末が作製でき、その粉末の平均粒径が30μmより大きい。
C1:粉末が作製できたが、ディスクに亀裂が発生、継続利用が困難と判断。
F1:ディスクがアトマイズ中に破損し実験を中止。
A1、B1、C1、F1の順に良好である。
[Comprehensive evaluation]
Based on the powder production results, the rotating disk was rated as follows.
A1: A powder can be produced, and the average particle size of the powder is 30 μm or less.
B1: A powder can be produced, and the average particle size of the powder is larger than 30 μm.
C1: Powder could be produced, but it was judged that the disk had cracks and continued use was difficult.
F1: The disc was damaged during atomization and the experiment was stopped.
The order of A1, B1, C1, and F1 is good.

[評価結果]
[実施例6−15]
実施例6−15では、下記の条件の回転ディスクが使用された。
(1)比(N1/N):95.0%以上
(2)最短距離L:10μm以上
(3)炭化物の組成:Ti、Zr、Hfの炭化物の少なくとも一種を含む。
(4)平均結晶粒径Dlave:50μm以下
この結果が表1に示されている。なお、表において、N12は、円相当径が1μm以上の炭化物の個数である。以降の表においても同じである。
[Evaluation results]
[Example 6-15]
In Examples 6-15, the rotating disk under the following conditions was used.
(1) Ratio (N1/N): 95.0% or more (2) Shortest distance L: 10 μm or more (3) Carbide composition: At least one of Ti, Zr, and Hf carbides is included.
(4) Average crystal grain size Dave: 50 μm or less The results are shown in Table 1. In the table, N12 is the number of carbides having a circle equivalent diameter of 1 μm or more. The same applies to the tables below.

[実施例1−5]
実施例1−5では、下記の条件の回転ディスクが使用された。
(1)比(N1/N):90.0%以上95.0%未満
その他の条件は、上記実施例6−15と同じである。この結果が表1に示されている。
[Example 1-5]
In Examples 1-5, the rotating disk under the following conditions was used.
(1) Ratio (N1/N): 90.0% or more and less than 95.0% Other conditions are the same as in Example 6-15 above. The results are shown in Table 1.

[実施例16−20]
実施例16−20では、下記の条件の回転ディスクが使用された。
(2)最短距離L:10μm未満
その他の条件は、上記実施例6−15と同じである。この結果が表1に示されている。
[Examples 16-20]
In Examples 16-20, rotating disks under the following conditions were used.
(2) Shortest distance L: less than 10 μm Other conditions are the same as in Example 6-15 above. The results are shown in Table 1.

[実施例21−25]
実施例21−25では、下記の条件の回転ディスクが使用された。
(3)炭化物の組成:Ti、Zr、Hfの炭化物のいずれも含まない。
その他の条件は、上記実施例6−15と同じである。この結果が表1に示されている。
[Examples 21-25]
In Examples 21-25, rotating disks under the following conditions were used.
(3) Carbide composition: Does not include any of Ti, Zr, and Hf carbides.
Other conditions are the same as in Example 6-15 above. The results are shown in Table 1.

[実施例25−30]
実施例21−25では、下記の条件の回転ディスクが使用された。
(4)平均結晶粒径Dlave:50μmより大
その他の条件は、上記実施例6−15と同じである。この結果が表1に示されている。
[Examples 25-30]
In Examples 21-25, rotating disks under the following conditions were used.
(4) Average crystal grain size Dave: Greater than 50 μm Other conditions are the same as in Example 6-15 above. The results are shown in Table 1.

[比較例1−5]
比較例1−5では、下記の条件の回転ディスクが使用された。
(1)比(N1/N):90.0%未満
その他の条件は、上記実施例6−15と同じである。この結果が表2に示されている。
[Comparative Example 1-5]
In Comparative Example 1-5, the rotating disk under the following conditions was used.
(1) Ratio (N1/N): less than 90.0% Other conditions are the same as in Example 6-15 above. The results are shown in Table 2.

Figure 0006706502
Figure 0006706502

Figure 0006706502
Figure 0006706502

[実験2]
図3の実施形態の回転ディスクを用いて金属粉末を作製した。
[Experiment 2]
Metal powder was produced using the rotating disk of the embodiment of FIG.

[モリブデン合金の準備]
粒度調整したモリブデン粉末及び粒度調整した炭化物を混合し、熱間等方加圧法(HIP)にて円柱状のモリブデン合金を作製した。炭化物の組成、粒径及びモリブデンの粒径を変えて、複数の合金が作製された。
[Preparation of molybdenum alloy]
A molybdenum powder having a controlled particle size and a carbide having a controlled particle size were mixed, and a columnar molybdenum alloy was produced by a hot isostatic pressing method (HIP). Multiple alloys were made with varying carbide composition, grain size and molybdenum grain size.

[回転ディスクの作製]
上記のモリブデン合金から、径が60mm、厚さが2mmである基板と軸とからなる基材ディスクが作製された。この基板の上面に、粗面処理を行い、この上面にセラミックス膜を被覆させて回転ディスクを製作した。セラミックス膜は、セラミックスと焼結助剤を添加したものを基板上面に塗布し焼結させることで形成した。セラミックス膜を形成後、その上面に研磨処理を施した。セラミックス膜上面の表面粗さRzの値Crが1μm以下となるよう研磨処理が施された。作製された回転ディスクの諸元が、表3−8に示されている。
[Production of rotating disk]
From the above molybdenum alloy, a substrate disk having a substrate and a shaft having a diameter of 60 mm and a thickness of 2 mm was prepared. The upper surface of this substrate was roughened, and the upper surface was covered with a ceramic film to manufacture a rotary disk. The ceramics film was formed by applying ceramics and a sintering additive to the top surface of the substrate and sintering. After forming the ceramic film, the upper surface thereof was subjected to polishing treatment. Polishing treatment was performed so that the surface roughness Rz of the upper surface of the ceramic film, Cr, was 1 μm or less. The specifications of the manufactured rotating disk are shown in Table 3-8.

[粉末を作製する金属]
粉末を作製する金属は、鉄基のSUS316L(融点=1396℃)、マルエージング鋼(融点=1430℃)、Ni基のAlloyC276(融点=1390℃)、Alloy718(融点=1400℃)、Co基のCo−28mass%Cr−6mass%Mo合金(融点=1440℃)およびAlloyNo.6(融点=1290℃)とした。各合金をその融点から50℃高い温度まで昇温した。すなわちSUS316Lで1446℃、マルエージング鋼で1480℃、AlloyC276で1440℃、Alloy718で1450℃、Co−28mass%Cr−6mass%Mo合金で1490℃、AlloyNo.6で1340℃まで加熱した。なお、セラミックス材料は、上記の金属に対して良好な漏れ性を有するものが選択されている。
[Metal for making powder]
The metal used to form the powder is iron-based SUS316L (melting point=1396° C.), maraging steel (melting point=1430° C.), Ni-based AlloyC276 (melting point=1390° C.), Alloy718 (melting point=1400° C.), Co-based Co-28 mass% Cr-6 mass% Mo alloy (melting point=1440° C.) and Alloy No. 6 (melting point=1290° C.). Each alloy was heated to a temperature 50°C higher than its melting point. That is, SUS316L was 1446°C, maraging steel was 1480°C, AlloyC276 was 1440°C, Alloy718 was 1450°C, Co-28mass%Cr-6mass%Mo alloy was 1490°C, AlloyNo. Heated to 1340° C. at 6. The ceramic material is selected to have a good leak property with respect to the above metals.

[評価方法]
[被膜剥離]
製作した回転ディスクをそのままモーターに設置し、回転速度150000rpmにて10分間回転させた。その後回転を止めてセラミックス膜の剥離の有無を目視にて確認した。セラミックス膜の剥離が発生していない場合が「OK」、それ以外が「NG」とされた。
[Evaluation methods]
[Peeling off film]
The manufactured rotating disk was installed in the motor as it was, and was rotated at a rotation speed of 150,000 rpm for 10 minutes. After that, the rotation was stopped and the presence or absence of peeling of the ceramic film was visually confirmed. The case where the peeling of the ceramic film did not occur was "OK", and the other cases were "NG".

[回転ディスク破損]
上記被膜剥離試験にて問題のなかった回転ディスクを使用して、遠心噴霧法で粉末の作製を試みた。出湯ノズルの直径は4mmである。粉末を作製する金属各々について、溶湯の量は溶解量50kg、ディスク回転速度は150000rpm、出湯温度は上記のとおり融点より50℃高い温度とした。粉末が作製される途中で、回転ディスク破損の発生の有無が確認された。回転ディスク破損が発生しなければ「OK」、それ以外が「NG」とされた。
[Rotating disk damage]
An attempt was made to prepare a powder by the centrifugal atomization method using a rotating disk that had no problem in the film peeling test. The tapping nozzle has a diameter of 4 mm. The amount of molten metal was 50 kg, the disk rotation speed was 150,000 rpm, and the tapping temperature was 50° C. higher than the melting point for each of the metals forming the powder. During the production of the powder, it was confirmed whether or not the rotating disk was damaged. If there was no damage to the rotating disk, the result was "OK", and the others were "NG".

[モーター温度上昇]
遠心噴霧装置のモーターの軸に熱電対を接触させ、モーターへの熱流入を確認した。モーターの軸に使用している金属の軟化温度である500℃以下を保持した場合は「OK」、それ以外は粉末製造を途中中止し「NG」とされた。
[Motor temperature rise]
A thermocouple was brought into contact with the shaft of the motor of the centrifugal spraying device, and heat flow into the motor was confirmed. When the softening temperature of the metal used for the motor shaft was kept at 500° C. or lower, the result was “OK”, otherwise the powder production was stopped halfway and the result was “NG”.

[平均粒径]
上記回転ディスク破損試験で、回転ディスク破損が発生せず、粉末が得られたものについて、その粉末の平均粒径を評価した。粉末の平均粒径の測定方法には、レーザー回折法が用いられた。
[Average particle size]
In the above rotary disc breakage test, the average particle size of the powder was evaluated for the powders obtained without causing the rotary disc breakage. A laser diffraction method was used as a method for measuring the average particle size of the powder.

[総合評価]
上記評価結果をもとに、回転ディスクについて以下の格付けを行った。
A2:粉末が作製でき、その粉末の平均粒径が30μm以下。
B2:粉末が作製でき、その粉末の平均粒径が30μmより大きい。
C2:粉末が作成できたが、ディスクに亀裂が発生、継続利用が困難と判断。
D2:アトマイズ中にモーターの軸部温度が上昇し中止。
E2:基板上へのセラミックス膜の被覆率は100%であったが、150000rpm回転時に被膜が剥離し遠心噴霧での実験は中止。
F2:アトマイズ開始直後にディスクが破損し中止。
A2、B2、C2、D2、E2、F2の順に良好である。
[Comprehensive evaluation]
Based on the above evaluation results, the following ratings were given to the rotating disk.
A2: A powder can be produced, and the average particle size of the powder is 30 μm or less.
B2: A powder can be produced, and the average particle size of the powder is larger than 30 μm.
C2: Powder was produced, but it was judged that the disk had cracks and it was difficult to continue using it.
D2: The temperature of the motor shaft rose during atomization and was discontinued.
E2: The coverage of the ceramics film on the substrate was 100%, but the film peeled off at 150,000 rpm, and the experiment by centrifugal spraying was stopped.
F2: The disc was damaged immediately after the atomization started, and it was canceled.
A2, B2, C2, D2, E2, and F2 are good in this order.

[評価結果]
表3及び4はSUS316L粉末およびマルエージング鋼粉末の作製結果である。表の「合金」の列で、「SUS」はSUS316Lを表す。「MA」はマルエージング鋼を表す。表5及び6は、はAlloyC276粉末およびAlloy718粉末の作製結果である。表の「合金」の列で、「AC276」はAlloyC276を表す。「A718」はAlloy718を表す。表7及び8は、Co−28mass%Cr−6mass%Mo合金粉末およびAlloyNo.6粉末の作製結果である。表の「合金」の列で、「CCrMo」はCo−28mass%Cr−6mass%Moを表す。「A6」はAlloyNo.6を表す。
[Evaluation results]
Tables 3 and 4 show the production results of SUS316L powder and maraging steel powder. In the "alloy" column of the table, "SUS" represents SUS316L. "MA" stands for maraging steel. Tables 5 and 6 show the production results of Alloy C276 powder and Alloy 718 powder. In the "alloy" column of the table, "AC276" represents Alloy C276. "A718" represents Alloy718. Tables 7 and 8 show Co-28 mass% Cr-6 mass% Mo alloy powder and Alloy No. It is a production result of 6 powders. In the column of "alloy" in the table, "CCrMo" represents Co-28 mass% Cr-6 mass% Mo. “A6” is Alloy No. Represents 6.

[実施例41−54、79−92及び117−130]
実施例41−54、79−92及び117−130では、下記の条件の回転ディスクが使用された。
(1)比(N1/N):95.0%以上
(2)最短距離L:10μm以上
(3)炭化物の組成:Ti、Zr、Hfの炭化物の少なくとも一種を含む。
(4)平均結晶粒径Dlave:50μm以下
この結果が表3、5及び7に示されている。
[Examples 41-54, 79-92 and 117-130]
In Examples 41-54, 79-92 and 117-130, rotating disks under the following conditions were used.
(1) Ratio (N1/N): 95.0% or more (2) Shortest distance L: 10 μm or more (3) Carbide composition: At least one of Ti, Zr, and Hf carbides is included.
(4) Average crystal grain size Dave: 50 μm or less The results are shown in Tables 3, 5 and 7.

[実施例31−40、69−78及び107−116]
実施例31−40、69−78及び107−116では、下記の条件の回転ディスクが使用された。
(1)比(N1/N):90.0%以上95.0%未満
その他の条件は、上記実施例41−54、79−92及び117−130と同じである。
この結果が表3、5及び7に示されている。
[Examples 31-40, 69-78 and 107-116]
In Examples 31-40, 69-78 and 107-116, rotating disks under the following conditions were used.
(1) Ratio (N1/N): 90.0% or more and less than 95.0% Other conditions are the same as in Examples 41-54, 79-92, and 117-130.
The results are shown in Tables 3, 5 and 7.

[実施例55−58、93−96及び131−134]
実施例55−58、93−96及び131−134では、下記の条件の回転ディスクが使用された。
(2)最短距離L:10μm未満
その他の条件は、上記実施例41−54、79−92及び117−130と同じである。この結果が表3、5及び7に示されている。
[Examples 55-58, 93-96 and 131-134]
In Examples 55-58, 93-96 and 131-134, rotating disks under the following conditions were used.
(2) Shortest distance L: less than 10 μm Other conditions are the same as in the above-mentioned Examples 41-54, 79-92 and 117-130. The results are shown in Tables 3, 5 and 7.

[実施例59−60、97−98及び135−136]
実施例59−60、97−98及び135−136では、下記の条件の回転ディスクが使用された。
(3)炭化物の組成:Ti、Zr、Hfの炭化物のいずれも含まない。
その他の条件は、上記実施例41−54、79−92及び117−130と同じである。この結果が表3、5及び7に示されている。
[Examples 59-60, 97-98 and 135-136]
In Examples 59-60, 97-98 and 135-136, rotating disks under the following conditions were used.
(3) Carbide composition: Does not include any of Ti, Zr, and Hf carbides.
The other conditions are the same as those of the above-mentioned Examples 41-54, 79-92 and 117-130. The results are shown in Tables 3, 5 and 7.

[実施例61−68、99−106及び137−144]
実施例61−68、99−106及び137−144では、下記の条件の回転ディスクが使用された。
(4)平均結晶粒径Dlave:50μmより大
その他の条件は、上記実施例41−54、79−92及び117−130と同じである。この結果が表4及び5−8に示されている。
[Examples 61-68, 99-106 and 137-144]
In Examples 61-68, 99-106 and 137-144, rotating disks under the following conditions were used.
(4) Average crystal grain size Dave: Greater than 50 μm Other conditions are the same as those in Examples 41-54, 79-92 and 117-130. The results are shown in Tables 4 and 5-8.

[比較例6−20]
比較例6−20では、下記の条件の回転ディスクが使用された。
(1)比(N1/N):90.0%未満
その他の条件は、上記実施例41−54、79−92及び117−130と同じである。この評価結果が表4、6及び8に示されている。
[Comparative Example 6-20]
In Comparative Example 6-20, the rotating disk under the following conditions was used.
(1) Ratio (N1/N): less than 90.0% Other conditions are the same as those in Examples 41-54, 79-92 and 117-130. The evaluation results are shown in Tables 4, 6 and 8.

Figure 0006706502
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表1−8に示された評価結果から、本発明の優位性は明らかである。 The superiority of the present invention is clear from the evaluation results shown in Table 1-8.

以上説明された回転ディスクは、遠心噴霧法による種々の粉末製造にも適用されうる。 The rotating disk described above can be applied to various powder production by the centrifugal atomization method.

2・・・遠心噴霧装置
4・・・チャンバー
6・・・ルツボ
8・・・出湯ノズル
9・・・ストッパー
10、22・・・回転ディスク
12・・・モーター
14・・・熱電対
15・・・加熱コイル
16・・・溶湯
18、24・・・基板
20、26・・・軸
28・・・セラミックス膜
2... Centrifugal spraying device 4... Chamber 6... Crucible 8... Hot water nozzle 9... Stopper 10, 22... Rotating disk 12... Motor 14... Thermocouple 15...・Heating coil 16... Molten metal 18, 24... Substrate 20, 26... Shaft 28... Ceramics film

Claims (7)

炭化物を含み残部がモリブデン及び不可避不純物である合金からなる基板を備えており、
上記炭化物が、上記モリブデンのマトリクス中に分散しており、
上記炭化物の総個数Nに対する、円相当径が1μm未満である上記炭化物の個数N1の比(N1/N)が、90%以上であり、
上記基板の上面を被覆するセラミックス膜をさらに備えており、
上記セラミックス膜の厚さCtが100μm以上500μm以下であり、
上記基板の上面の表面粗さRzの値Brに対する、上記厚さCtの比(Ct/Br)が1.0より大きく10より小さい遠心噴霧法粉末を製造するためのディスク。
The substrate is made of an alloy containing carbide and the balance being molybdenum and inevitable impurities.
The carbide is dispersed in the molybdenum matrix,
To the total number N of the carbide, the ratio of the number of the carbide circle equivalent diameter of less than 1μm N1 (N1 / N) is state, and are 90% or more,
Further comprising a ceramic film covering the upper surface of the substrate,
The thickness Ct of the ceramic film is 100 μm or more and 500 μm or less,
A disk for producing a centrifugal atomization powder, wherein the ratio (Ct/Br) of the thickness Ct to the value Br of the surface roughness Rz of the upper surface of the substrate is larger than 1.0 and smaller than 10 .
上記比(N1/N)が95%以上である請求項1に記載のディスク。 The disk according to claim 1, wherein the ratio (N1/N) is 95% or more. 円相当径が1μm以上の上記炭化物同士の最短距離Lが10μm以上である請求項1又は2に記載のディスク。 The disk according to claim 1 or 2, wherein the shortest distance L between the carbides having a circle equivalent diameter of 1 µm or more is 10 µm or more. 上記炭化物が、Tiの炭化物、Zrの炭化物及びHfの炭化物のうち、少なくとも一種を含む請求項1から3のいずれかに記載のディスク。 The disk according to any one of claims 1 to 3, wherein the carbide contains at least one of Ti carbide, Zr carbide, and Hf carbide. 上記モリブデンの平均結晶粒径Dlaveが50μm以下である請求項1から4のいずれかに記載のディスク。 The disk according to any one of claims 1 to 4, wherein the molybdenum has an average grain size Dave of 50 µm or less. 上記基板の熱伝導率Bhに対する上記セラミックスの熱伝導率Chの比(Ch/Bh)が0.001より大きく1.0より小さい請求項1からのいずれかに記載のディスク。 The disk according to any one of claims 1 to 5 , wherein a ratio (Ch/Bh) of the thermal conductivity Ch of the ceramic to the thermal conductivity Bh of the substrate is larger than 0.001 and smaller than 1.0. 上記基材の熱膨張係数Beに対する上記セラミックスの熱膨張係数Ceの比(Ce/Be)が1.0より大きく3.0より小さい請求項1からのいずれかに記載のディスク。
Disk according to any one of the ratio (Ce / Be) is larger less than 3.0 according to claim 1 from 1.0 thermal expansion coefficient Ce of the ceramic to thermal expansion coefficient Be of the substrate 6.
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CN109047785A (en) * 2018-09-25 2018-12-21 大连理工大学 A kind of device and method efficiently preparing low melting point globular metallic powder by drop centrifugal atomization

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3271040B2 (en) * 1994-09-19 2002-04-02 裕明 栗下 Molybdenum alloy and method for producing the same
JP2013119663A (en) * 2011-12-09 2013-06-17 Ducol:Kk Rotary disk, method for producing silver powder by centrifugal atomization process, and centrifugal atomization device
JP6343161B2 (en) * 2014-03-28 2018-06-13 山陽特殊製鋼株式会社 Centrifugal spray powder manufacturing disc

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