JP6690419B2 - Semiconductor optical device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、光源、および、光源から出射された出射光を反射する反射部を備える半導体光デバイス、および、その製造方法に関するものである。 The present invention relates to a light source, a semiconductor optical device including a reflecting portion that reflects emitted light emitted from the light source, and a manufacturing method thereof.
特許文献1に示されるように、レーザダイオード、走査ミラー、投光角拡大レンズ、受光レンズ、および、フォトダイオードを有する距離測定装置が知られている。レーザダイオードは走査ミラーへ向けてレーザビームを照射する。これに対して走査ミラーは照射されたレーザビームを投光角拡大レンズへ向けて反射する。これによりレーザビームが投光角拡大レンズを介して測定対象物に照射される。測定対象物に入射したレーザビームは測定対象物で反射される。その反射されたレーザビームの一部が、受光レンズを介してフォトダイオードに入射される。
As shown in
ところで特許文献1に記載の距離測定装置では、走査ミラー(反射板)と投光角拡大レンズ(光学体)とが離間している。そのために反射板と光学体との位置決めを行う必要がある。また反射板によって反射したレーザビームのすべてを光学体に入射させることが出来なくなる虞がある。
In the distance measuring device described in
そこで本発明は上記問題点に鑑み、反射板と光学体との位置決めを行わなくともよく、かつ、光学体へ入射する光の光量の低減が抑制された半導体光デバイス、および、その製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, in view of the above problems, the present invention does not need to perform positioning between the reflection plate and the optical body, and a semiconductor optical device in which reduction in the amount of light incident on the optical body is suppressed, and a manufacturing method thereof. The purpose is to provide.
上記した目的を達成するための開示された発明の1つは、光源(10〜12)と、
光源から出射された出射光を反射する反射部(20,90)と、を備える半導体光デバイスであって、
反射部は、
出射光を反射する反射面(34a,51a)を具備する反射板(25,34,48)と、
反射板を回転させることで、反射面と、反射面へ入射する出射光の入射方向との成す入射角度を制御する制御部(31,32,57,58,90)と、
反射面に形成された、出射光の発散と集光の少なくとも一方を行う光学体(35)と、を有し、
光学体は、反射面に形成された複数の突起部(36)を有し、
複数の突起部の隣接間隔は、出射光を回折するべく、出射光の波長以下となっており、
複数の突起部は、反射面の所定点(CP,PP1,PP2)から放射状に分布しており、
複数の突起部の隣接間隔は、所定点から離れるにしたがって徐々に広まっている、若しくは、所定点から離れるにしたがって徐々に狭まっており、
所定点が反射面において複数定められ、
複数の所定点(PP1,PP2)それぞれに対応する複数の突起部が相異なる隣接間隔で対応する所定点から放射状に分布している。
One of the disclosed inventions for achieving the above-mentioned object is a light source (10-12),
A semiconductor optical device comprising: a reflection section (20, 90) for reflecting emitted light emitted from a light source,
The reflector is
A reflection plate (25, 34, 48) having a reflection surface (34a, 51a) for reflecting emitted light;
By rotating the reflection plate, a control unit (31, 32, 57, 58, 90) for controlling the incident angle formed by the reflection surface and the incident direction of the outgoing light incident on the reflection surface,
Is formed on a reflecting surface, the optical body for performing at least one of the divergence of the emitted light and the condensing and (35), was closed,
The optical body has a plurality of protrusions (36) formed on the reflecting surface,
The distance between adjacent protrusions is less than or equal to the wavelength of the emitted light in order to diffract the emitted light.
The plurality of protrusions are radially distributed from predetermined points (CP, PP1, PP2) on the reflecting surface,
Adjacent intervals of the plurality of protrusions are gradually widened away from the predetermined point, or are gradually narrowed away from the predetermined point,
Multiple predetermined points are defined on the reflective surface,
A plurality of protrusions corresponding to the plurality of predetermined points (PP1, PP2) are radially distributed from the corresponding predetermined points at different adjacent intervals .
これによれば、反射板から光学体が離れた構成とは異なり、反射面(34a,51a)と光学体(35)の位置決めを行わなくともよくなる。また、光学体(35)に入射する光の光量が低減することが抑制される。 According to this, unlike the configuration in which the optical body is separated from the reflection plate, it is not necessary to position the reflection surface (34a, 51a) and the optical body (35). Further, it is possible to prevent the light amount of the light incident on the optical body (35) from being reduced.
なお、特許請求の範囲に記載の請求項、および、課題を解決するための手段それぞれに記載の要素に括弧付きで符号をつけている。この括弧付きの符号は実施形態に記載の各構成要素との対応関係を簡易的に示すためのものであり、実施形態に記載の要素そのものを必ずしも示しているわけではない。括弧付きの符号の記載は、いたずらに特許請求の範囲を狭めるものではない。 The elements described in the claims and the means for solving the problems are denoted by reference numerals in parentheses. The reference numerals in parentheses are for simply indicating the correspondence with the respective constituent elements described in the embodiment, and do not necessarily indicate the elements themselves described in the embodiment. The description in parentheses does not unnecessarily narrow the scope of the claims.
本発明に係る半導体光デバイスを車両用の距離測定センサに適用した場合の実施形態を図に基づいて説明する。以下においては互いに直交する3方向をx方向、y方向、z方向と示す。そしてx方向とy方向とによって規定される平面をx−y平面と示す。
(第1実施形態)
図1〜図14に基づいて本実施形態に係る距離測定センサを説明する。距離測定センサ100は車両のダッシュボードなどに搭載される。図1に破線矢印で示すように距離測定センサ100はフロントガラス300を介して自車両前方の被測定対象物200に光を照射する。被測定対象物200に入射した光の一部は被測定対象物200によって反射される。その反射された光の一部がフロントガラス300を介して距離測定センサ100に返ってくる。距離測定センサ100は返ってきた光を受光する。
An embodiment in which the semiconductor optical device according to the present invention is applied to a distance measuring sensor for a vehicle will be described with reference to the drawings. Hereinafter, the three directions orthogonal to each other will be referred to as the x direction, the y direction, and the z direction. A plane defined by the x direction and the y direction is shown as an xy plane.
(First embodiment)
The distance measuring sensor according to the present embodiment will be described based on FIGS. 1 to 14. The
距離測定センサ100は光の出射タイミングと、光の受光タイミングとを計測する。そして距離測定センサ100は光の出射タイミングから光の受光タイミングまでの間の時間(タイムラグ)を算出する。距離測定センサ100は算出したタイムラグに光速を乗算する。こうすることで距離測定センサ100は被測定対象物200と自車両との間の距離を測定する。
The
また距離測定センサ100は照射する光の方向(照射方向)を変更する。距離測定センサ100はある照射方向の光を照射して、反射光を受光した場合、被測定対象物200と自車両とを結ぶ方向がその照射方向と等しいとみなす。そして距離測定センサ100は測定した距離と方向とによって、被測定対象物200の位置も測定する。以下、距離測定センサ100の構成要素を説明する。
Further, the
距離測定センサ100は、図1に示すように光源10、走査部20、集光レンズ60、受光部70、筐体80、および、制御部90を有する。筐体80の収納空間に光源10、走査部20、集光レンズ60、受光部70、および、制御部90それぞれが収納されている。光の入射が可能となるように、光源10と走査部20との相対的な位置、および、集光レンズ60と受光部70との相対的な位置それぞれが規定されている。そして光源10、走査部20、および、受光部70それぞれは制御部90と電気的に接続されている。走査部20と制御部90が反射部に相当する。
As shown in FIG. 1, the
光源10は単波長の光を出射するレーザである。光源10の出射する光の波長としては800〜1500nm程度を採用することができる。なお光源10としてはLEDを採用することもできる。
The
光源10は走査部20とともに筐体80に機械的に固定されている。光源10の光軸は走査部20のミラー25の中心点CPに向かうように設定されている。光源10は制御部90からの出射指令に応じて、連続的に光を出射したり、断続的に光を出射したりする。例えば出射指令がデジタル信号であり、そのデューティ比が100%の場合、光源10は連続的に光を出射する。これに対して出射指令のデューティ比が例えば50%や75%の場合、光源10は出射指令のパルス周期に応じて光を断続的に出射する。光の出射時間はパルス幅によって決定される。本実施形態の出射指令はデューティ比が50%のパルス信号である。
The
後述するようにミラー25は周期的に逆向きに所定角度だけ回転可能となっている。すなわちミラー25は振動可能となっている。これに対して出射指令のパルス周期は、ミラー25の振動周期よりも短く設定されている。例えばミラー25の回転角度が1度変化する毎に光源10から単発で光が出射されるように、出射指令のパルス周期が定められている。これにより距離測定センサ100から被測定対象物200へと1度刻みで光を照射することができる。なお出射指令としてはデジタル信号に限定されず、例えば交流のアナログ信号でもよい。この場合、出射指令の周波数が上記のパルス周期に対応する。
As will be described later, the
走査部20はMEMSミラーである。図2〜図4に示すように走査部20はSOI基板21を微細加工することで形成される。SOI基板21は図4に示すように第1半導体層22、絶縁層23、第2半導体層24が順次積層されて成る。これら3層のうち、絶縁層23と第2半導体層24とが選択的に除去されることで、走査部20の形状と機能とが規定される。SOI基板21が半導体基板に相当する。
The
絶縁層23と第2半導体層24の選択的な除去によって、第2半導体層24の一部がz方向において絶縁層23を介さずに第1半導体層22に対して浮いている。そして第2半導体層24の残りの一部はz方向において絶縁層23を介して第1半導体層22に固定されている。走査部20はこの第1半導体層22に対して浮いた第2半導体層24から成る浮遊部と、第1半導体層22に固定された第2半導体層24から成る固定部と、を有する。
Due to the selective removal of the insulating
浮遊部としては、図2に示すミラー25、枠部26、第1捩れ梁27、第2捩れ梁28、および、駆動部29がある。固定部としては支持部30がある。また走査部20は、これらSOI基板を微細加工することで成る構成要素のほかに、ミラー25を回転制御するための構成要素として第1圧電膜31と第2圧電膜32を有する。図2においては構成要素を明示するために支持部30と圧電膜31,32それぞれにハッチングを施している。また図3においてはミラー25の支持構造を明示するために圧電膜31,32の図示を省略している。走査部20の詳細構成については後述する。
The floating portion includes the
集光レンズ60はフロントガラス300側(被測定対象物200側)から入射する光を集め、それを受光部70に出力するものである。集光レンズ60の被測定対象物200側の表面は凸形状を成し、受光部70側の裏面は凹形状を成している。そして集光レンズ60の光軸が受光部70に向けられるように筐体80に固定されている。以上の構成により、被測定対象物200によって反射された光の一部が集光レンズ60によって集光され、その集光された光が受光部70に出射される。
The
受光部70はフォトダイオードである。受光部70は光源10の出射する光と同等の波長を有する光を電気信号に変換する機能を有する。受光部70は集光レンズ60とともに筐体80に固定されている。受光部70は集光レンズ60から入射された光を、その光量に応じた電気信号に変換する。そして受光部70はその電気信号を制御部90に出力する。
The
筐体80は開口部を有する箱部81と、この箱部81の開口部を閉塞する透明性の蓋部82と、を有する。光源10の光の出射口は蓋部82に対して背を向けている。光源10から出射され、走査部20にて反射された光は蓋部82とフロントガラス300を介して被測定対象物200に照射される。集光レンズ60の表面は蓋部82に向けられている。被測定対象物200にて反射された光の一部はフロントガラス300と蓋部82を介して集光レンズ60に入射される。
The
制御部90は、絶縁基板に配線パターンの形成された配線基板と、配線基板に搭載された複数の電子素子と、を有する回路基板である。図示しないが制御部90は車両の電気機器と電気的に接続されている。これにより車両から制御部90にバッテリ電圧が供給される。また車両に搭乗しているユーザの指示情報が制御部90に入力される。バッテリ電圧の供給と指示情報の入力とによって制御部90は光源10と走査部20を制御する。
The
制御部90は、ユーザから被測定対象物200と自車両との間の距離を測定する指令を受け取ると、光源10に出射指令を出力するとともに、走査部20に交流の駆動電圧を出力する。後述するように走査部20のミラー25はx方向に沿う第1回転軸RAXとy方向に沿う第2回転軸RAYそれぞれの周り方向にて振動可能となっている。そのため、例えば図12〜図14に示すような2次元的に広がりのある光が被測定対象物200に照射される。図12〜図14では多数のマスが並ぶことで光の照射範囲を模式的に図示しているが、その1つ1つのマスは、光源10が断続的に1回出射した際に照射される光の照射範囲を示している。なお図12〜図14に示す光の照射範囲の相違は、後述する光学体35の有無、および、光学体35の形状の相違による。これについても後述する。本実施形態では制御部90と上記の圧電膜31,32が、特許請求の範囲に記載の制御部に相当する。
When the
制御部90は光源10への出射指令の出力タイミングと、受光部70からの電気信号の入力タイミングとを計測する。そして制御部90は出射指令の出力タイミングから電気信号の入力タイミングまでの間の時間(タイムラグ)を算出し、それに光速を乗算する。こうすることで制御部90は被測定対象物200と自車両との間の距離を測定する。
The
また制御部90は出力指令に含まれるパルスの出力タイミングにおける駆動電圧の位相を検出する。駆動電圧の位相はミラー25の回転角度と相関関係がある。またミラー25の回転角度は光の照射方向に相関関係がある。したがって制御部90は、上記したようにパルスの出力タイミングにおける駆動電圧の位相を検出することで、光の照射方向を検出する。制御部90はある照射方向の光を出力し、反射光を受光すると、被測定対象物200と自車両とを結ぶ方向がその照射方向に等しいとみなす。
The
以上により制御部90は被測定対象物200の距離と方向とを検出する。制御部90はこれらに基づいて被測定対象物200の位置も測定する。
As described above, the
次に、図2〜図4に基づいて走査部20を詳説する。上記したように走査部20は第1半導体層22に対して浮いた浮遊部と、第1半導体層22に固定された固定部と、を有する。浮遊部は固定部に支持されており、その挙動が圧電膜31,32によって制御される。
Next, the
図2に示すようにミラー25はx−y平面において円形を成す。枠部26はx−y平面において4つの棒部が連結された環状を成す。詳しく言えば、枠部26はx方向に延びた2つの第1棒部26a,26bと、y方向に延びた2つの第2棒部26c,26dと、を有する。これらの端部が互いに連結されることで枠部26は環状を成している。ミラー25は、ミラー25と枠部26それぞれの中心点がx−y平面において一致するように、枠部26によって囲まれた領域内に位置している。
As shown in FIG. 2, the
第1捩れ梁27はミラー25の中心点CPをx方向に貫く第1回転軸RAXに沿って延びた形状を成している。図2に示すように2つの第1捩れ梁27がx方向においてミラー25と枠部26をはさんで対向配置されている。2つの第1捩れ梁27それぞれの一端が第2棒部26c,26dの外面に連結され、他端が支持部30に連結されている。なお図4においては、第1捩れ梁27と支持部30との境界、および、第1捩れ梁27と枠部26との境界それぞれを破線で示している。
The first
第2捩れ梁28はミラー25の中心点CPをy方向に貫く第2回転軸RAYに沿って延びた形状を成している。図2に示すように2つの第2捩れ梁28がy方向においてミラー25をはさんで対向配置されている。2つの第2捩れ梁28それぞれの一端がミラー25に連結され、他端が第1棒部26a,26bの内面に連結されている。
The
駆動部29は、y方向に沿って延び、支持部30に一端が片持ち支持された支持梁29aと、x方向に沿って延び、支持梁29aと枠部26とを連結する連結梁29bと、を有する。図2に示すように2つの駆動部29がx方向において枠部26をはさんで対向配置されている。2つの支持梁29aそれぞれの他端は自由端となっており、その自由端から第1棒部26aの端部へと向かって連結梁29bが延びている。これにより支持梁29a、連結梁29b、および、第1棒部26aがx方向で連続的に連なり、軸形状を成している。以下、この軸形状を成す部位を軸部33と示す。軸部33は図2において二点差線で囲って示す第2半導体層24から成る部位である。
The
第1圧電膜31は2つの駆動部29それぞれの支持梁29aの表面に形成されている。上記したように支持梁29aの一端が支持部30に固定され、その他端が自由端になっている。したがって2つの支持梁29aそれぞれに形成された第1圧電膜31に駆動電圧として同位相の交流電圧を印加すると、それによって2つの支持梁29aそれぞれの自由端がz方向に同位相で振動する。これにより上記した軸部33もz方向に振動する。上記したように枠部26は第1回転軸RAXに沿って延びた2つの第1捩れ梁27を介して支持部30に支持されている。したがって上記したように軸部33がz方向に振動すると、それによって第1捩れ梁27が第1回転軸RAX周りに捩れる。この結果、枠部26とともにミラー25が第1回転軸RAX周りに振動する。
The first
第2圧電膜32は第1棒部26a,26bそれぞれの表面に形成されている。以下においては第1棒部26a,26bそれぞれの第2回転軸RAYを介して2分された部位それぞれを左部と右部とする。第2圧電膜32は左部と右部それぞれに形成されており、左部に形成された第2圧電膜32と右部に形成された第2圧電膜32とは互いに電気的に独立している。そして上記したように2つの第2捩れ梁28は第2回転軸RAYに沿って延び、ミラー25と第1棒部26a,26bとを連結している。したがって左部に形成された第2圧電膜32と右部に形成された第2圧電膜32それぞれに駆動電圧として逆位相の交流電圧を印加すると、左部と右部のうちの一方が縮み、他方が伸びる挙動を周期的に繰り返す。これにより第2捩れ梁28が第2回転軸RAY周りに捩れ、左部と右部とがz方向において逆方向に振動する。この結果、ミラー25が第2回転軸RAY周りに振動する。
The second
次に、ミラー25について詳説する。図3および図4に示すようにミラー25の一面25aに反射膜34が形成されている。この反射膜34の一面25aとの対向面の裏面が、光源10から出射された光の入射される反射面34aとなっている。反射膜34はミラー25と同一形状を成し、x−y平面において円形を成している。そしてその中心点がミラー25の中心点CPとx−y平面において一致している。したがって反射面34aの中心点もミラー25の中心点CPとx−y平面において一致している。以下においては反射面34aの中心点も、中心点CPと表記する。本実施形態では反射面34aの中心点CPが所定点に相当する。なお光源10の光軸はミラー25の中心点CPに向かうように設定されている、と上記した。しかしながら厳密に言えば、光源10の光軸は反射面34aの中心点CPに向かうように設定されている。
Next, the
反射膜34は光源10から出射された光(以下、出射光と示す)を反射する性質を有し、例えばAlやCuなど の金属を成分として含有している。反射膜34の反射面34aに光学体35が形成されている。本実施形態ではミラー25と反射膜34が反射板に相当する。なお出射光の入射方向と、反射面34aの法線との成す角度が、入射角度に相当する。
The
光学体35はグレーティングレンズであり、複数の透明な突起部36を有する。これら複数の突起部36の隣接間隔は、出射光を回折するべく、出射光の波長以下に設定されている。換言すれば隣接する2つの突起部36の最長隣接間隔は出射光の波長以下に設定されている。
The
出射光は、反射膜34に入射する前に突起部36によって回折される。そしてその回折された光が反射面34aにて反射される。反射された光は再び突起部36によって回折され、その回折された光が被測定対象物200に照射される。
The emitted light is diffracted by the
本実施形態では、複数の突起部36は反射面34aの中心点CPからx−y平面において放射状に広がっている。より詳しく言えば、複数の突起部36は中心点CPからx−y平面に沿って離れる方向(放射方向)において、徐々に隣接間隔が広がるように形成されている。したがって複数の突起部36によってz方向において中心点CPから離れる方向に突起する単一の凸レンズが擬似的に形成されている。そのために複数の突起部36によって出射光が発散される。
In the present embodiment, the plurality of
なお本実施形態とは異なり、例えば図10および図11に示すように複数の突起部36が放射方向において徐々に隣接間隔が狭まるように形成された構成を採用することもできる。換言すれば、複数の突起部36が中心点CPへと向かうにしたがって徐々に隣接間隔が広まるように形成された構成を採用することができる。したがってこの変形例の場合、複数の突起部36によってz方向において中心点CPに向かって凹んだ単一の凹レンズが擬似的に形成される。これにより複数の突起部36によって出射光が集光される 。
Note that, unlike the present embodiment, for example, as shown in FIGS. 10 and 11, it is possible to employ a configuration in which a plurality of
図12に、光学体35を有さない場合に得られる光の照射範囲を示す。図13に、本実施形態の光学体35が反射面34aに形成された場合に得られる光の照射範囲を示す。また図14に、図10に示す変形例の光学体35が反射面34aに形成された場合に得られる光の照射範囲を示す。図12〜図14に示すように、光学体35によって光の照射範囲を広げたり、狭めたりすることができる。光の照射範囲を広げることで被測定対象物200の検出範囲を広げることができる。光の照射範囲を狭めることで単位面積あたりの光量を増大し、被測定対象物200と自車両との間の距離の測定精度を高めることができる。
FIG. 12 shows an irradiation range of light obtained when the
なお、上記した複数の突起部36の隣接間隔とは、x−y平面において隣接配置された2つの突起部36それぞれの対向面の間の距離でもよいし、2つの突起部36の中心の間の距離でもよい。さらに言えば、2つの突起部36の対向面とは反対の反対面の間の距離を隣接間隔としてもよい。隣接間隔は、これら3つの定義のうちのいずれか1つを示している。
In addition, the above-mentioned adjacent spacing of the plurality of
また、複数の突起部36のx−y平面における長さ(幅)やz方向の高さは同一でもよいし、それぞれ異なっていてもよい。例えば複数の突起部36の放射方向の幅が中心点CPへと向かうにしたがって徐々に広がってもよいし、徐々に狭まってもよい。また複数の突起部36の放射方向に直交する同心円方向の横幅についても、例えば中心点CPへと向かうにしたがって徐々に広がってもよいし、徐々に狭まってもよい。また複数の突起部36の高さは中心点CPへと向かうにしたがって徐々に高くなってもよいし、徐々に低くなってもよい。このようにx−y平面とz方向それぞれにおける複数の突起部36の粗密は適宜変更可能となっている。
Moreover, the length (width) in the xy plane and the height in the z direction of the plurality of
次に、距離測定100の製造方法のうち、走査部20の製造工程を図5〜図9に基づいて概説する。
Next, the manufacturing process of the
まず図5に示すようにSOI基板21を準備する。
First, as shown in FIG. 5, an
この準備工程終了後、図6に示すように第2半導体層24に反射膜34を成膜する。反射膜34は、例えば金属を蒸着させることで形成する。
After the completion of this preparation step, a
この成膜工程終了後、図7に示すように突起部36の材料となる酸化シリコン等から成る絶縁膜37を反射面34aに成膜する。そしてその絶縁膜37に複数の突起部36を形作るためのレジスト膜38を形成する。本実施形態ではレジスト膜38の高さを均一にする。またレジスト膜38の放射方向と同心円方向それぞれの幅を均一とする。
After this film forming process is completed, as shown in FIG. 7, an insulating
このレジスト膜形成工程後、絶縁膜37を露光する。これにより図8に示すように光学体35(突起部36)を形成する。上記したようにレジスト膜38の高さが均一となっているので、複数の突起部36それぞれの高さは同一となっている。またレジスト膜38の放射方向と同心円方向それぞれの幅が均一となっているので、複数の突起部36それぞれの幅が同一となっている。
After this resist film forming step, the insulating
この光学体形成工程後、図9に示すようにSOI基板21をエッチング処理する。これにより第2半導体層24と絶縁層23を部分的(選択的)に除去し、浮遊部と固定部とを形成する。ミラー25を構成する第2半導体層24の一面25aの裏側に位置する絶縁層23が除去され、ミラー25が第1半導体層22に対して浮遊する。ミラー25が薄肉部に相当する。
After this optical body forming step, the
なお圧電膜31,32は、上記のエッチング処理の前に実施すればよく、その形成順番は、上記の光学体35の形成順番に依存しない。圧電膜31,32は、下部電極、圧電素子、および、上部電極が順次積層されてなる。その下部電極が反射膜34と同一材料からなる場合、下部電極を反射膜34とともに同一工程で形成してもよいし、別工程で形成してもよい。
The
次に、本実施形態に係る距離測定センサ100の作用効果を説明する。上記したようにミラー25に反射膜34が形成され、その反射面34aに光学体35が形成されている。これによれば、反射膜から光学体が離れた構成とは異なり、反射面34aと光学体35の位置決めを行わなくともよくなる。また、光学体35に入射する光の光量が低減することが抑制される。
Next, the operational effects of the
光学体35は、反射面34aに形成された複数の突起部36を有し、複数の突起部36の隣接間隔は光源10の出射する光(出射光)の波長以下となっている。これによれば複数の突起部36によって出射光を回折することができる。またその回折具合を突起部36の隣接間隔で調整することができる。
The
複数の突起部36は中心点CPから放射状に分布しており、その隣接間隔は中心点CPから離れるにしたがって徐々に広まっている。これによれば、複数の突起部36によって出射光を発散することができる。また図10に示すように、複数の突起部36の隣接間隔が中心点CPから離れるにしたがって徐々に狭まっている変形例の場合、複数の突起部36によって出射光を集光することができる。
The plurality of
光学体35によって光の発散と集光とを行うことができるので、ミラー25の振動振幅を大きくしなくとも、光の照射範囲を調整することができる。そのため、ミラー25の振動によって捩れる捩れ梁27,28それぞれの耐久寿命が低下することが抑制される。
Since the
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態を図15に基づいて説明する。第2実施形態に係る距離測定センサは上記した実施形態によるものと共通点が多い。そのため以下においては共通部分の説明を省略し、異なる部分を重点的に説明する。また以下においては上記した実施形態で示した要素と同一の要素には同一の符号を付与する。
(Second embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described based on FIG. The distance measuring sensor according to the second embodiment has a lot in common with the one according to the above-described embodiments. Therefore, in the following, description of common parts will be omitted, and different parts will be mainly described. Also, in the following, the same reference numerals are given to the same elements as those shown in the above embodiment.
第1実施形態では複数の突起部36が中心点CPから放射状に分布する例を示した。これに対して本実施形態では、複数の突起部36が反射面34a上の2つの所定点PP1,PP2それぞれから放射状に分布している。
In the first embodiment, the example in which the plurality of
第1所定点PP1と第2所定点PP2それぞれは第2回転軸RAYに沿って並んでいる。そして第1所定点PP1から放射状に分布する複数の突起部36の隣接間隔は、第1所定点PP1から離れるにしたがって徐々に広まっている。これにより第1所定点PP1に対応する複数の突起部36によって、第1所定点PP1にて凸となる単一の凸レンズが擬似的に形成されている。第2所定点PP2から放射状に分布する複数の突起部36の隣接間隔は、第2所定点PP2から離れるにしたがって徐々に狭まっている。これにより第2所定点PP2に対応する複数の突起部36によって、第2所定点PP2にて凹となる単一の凹レンズが擬似的に形成されている。
The first predetermined point PP1 and the second predetermined point PP2 are arranged side by side along the second rotation axis RAY. The adjacent intervals of the plurality of
また第1実施形態では1つの光源10の光軸が中心点CPに向かっている例を示した。これに対して本実施形態では、距離測定センサ100が2つの光源11,12を有し、それぞれの光軸が対応する所定点PP1,PP2に向かっている。すなわち第1光源11の光軸が第1所定点PP1に向かい、第2光源12の光軸が第2所定点PP2に向かっている。
Further, in the first embodiment, the example in which the optical axis of one
以上の構成により、2つの光源11,12のうち、第1光源11のみから光を出射させると、複数の突起部36によって光を発散させることができる。これにより被測定対象物200の検出範囲を広げることができる。これとは反対に2つの光源11,12のうち、第2光源12のみから光を出射させると、複数の突起部36によって光を集光させることができる。これにより被測定対象物200と自車両との間の距離の測定精度を高めることができる。このように光源11,12のいずれか一方を選択して光を出射させることで、被測定対象物200の検出範囲の拡大と、被測定対象物200と自車両との間の距離の測定精度の向上と、を選択することができる。
With the above configuration, when light is emitted from only the first light source 11 of the two
なおもちろんではあるが、本実施形態の距離測定センサ100によれば、第1実施形態に記載の距離測定センサ100と同等の作用効果を奏することができる。
Of course, according to the
本実施形態では所定点の数が2つである例を示した。しかしながら所定点の数としては上記例に限定されず、3つ以上でもよい。この場合、光源の数は所定点の数と同数になる。 In the present embodiment, an example in which the number of predetermined points is 2 has been shown. However, the number of predetermined points is not limited to the above example, and may be three or more. In this case, the number of light sources is the same as the number of predetermined points.
本実施形態では距離測定センサ100が2つの光源11,12を有する例を示した。しかしながら距離測定センサ100が1つの光源10のみを有し、光源10の光の出射方向が可変な構成を採用することもできる。この場合、例えば図16に示すように光源10を回転させて、その光軸を第1所定点PP1若しくは第2所定点PP2へと向かわせる。これにより、被測定対象物200の検出範囲の拡大と、被測定対象物200と自車両との間の距離の測定精度の向上と、を選択することができる。また所定点の数に応じて光源の数が増大することが抑制される。このように光源10を回転させる場合、例えば光源10にモータを設け、そのモータを制御部90によって制御する。
In the present embodiment, the
本実施形態では第1所定点PP1に対応する複数の突起部36の隣接間隔は、第1所定点PP1から離れるにしたがって徐々に広まっている。また第2所定点PP2に対応する複数の突起部36の隣接間隔は、第2所定点PP2から離れるにしたがって徐々に狭まっている例を示した。しかしながら所定点PP1,PP2それぞれに対応する複数の突起部36の隣接間隔が、所定点PP1,PP2から離れるにしたがって徐々に広まっている構成を採用することもできる。これとは反対に所定点PP1,PP2それぞれに対応する複数の突起部36の隣接間隔が、所定点PP1,PP2から離れるにしたがって徐々に狭まっている構成を採用することもできる。ただしこの変形例の場合、第1所定点PP1に対応する複数の突起部36の隣接間隔(粗密)と、第2所定点PP2に対応する複数の突起部36の隣接間隔(粗密)とは相異なっている。これにより光源11,12のいずれか一方を選択して光を出射させることで、被測定対象物200の検出範囲の拡大具合を調整することができる。また、被測定対象物200と自車両との間の距離の測定精度の向上具合を調整することができる。
In this embodiment, the adjacent intervals of the plurality of
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態を図17〜図19に基づいて説明する。第3実施形態に係る距離測定センサは上記した実施形態によるものと共通点が多い。そのため以下においては共通部分の説明を省略し、異なる部分を重点的に説明する。また以下においては上記した実施形態で示した要素と同一の要素には同一の符号を付与する。
(Third Embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described based on FIGS. The distance measuring sensor according to the third embodiment has a lot in common with the one according to the above-described embodiments. Therefore, in the following, description of common parts will be omitted, and different parts will be mainly described. Also, in the following, the same reference numerals are given to the same elements as those shown in the above embodiment.
図15に示すように第2実施形態では第2捩れ梁28が第2回転軸RAYに沿って延びた形状を成す例を示した。これに対して本実施形態では、図17に示すように第2捩れ梁28が静電引力によってy方向に変位可能な構成となっている。
As shown in FIG. 15, the second embodiment has shown the example in which the
図17に示すように第2捩れ梁28は、ミラー25から第2回転軸RAYに沿って延びる軸部39と、軸部39と第1棒部26a,26bとを連結し、y方向に可撓性を有する撓み部40と、を有する。また第2捩れ梁28は軸部39から延びた可動櫛歯部41を有する。可動櫛歯部41は、軸部39からx方向に延びた腕部42と、腕部42から撓み部40側に向かってy方向に沿って延びた櫛部43と、を有する。走査部20は可動櫛歯部41とx方向において互いに一部が対向する固定櫛歯部44を有する。固定櫛歯部44は固定部の一部であるアンカー45と、アンカー45から延びた腕部46と、腕部46から可動櫛歯部41側に向かってy方向に沿って延びた櫛部47と、を有する。
As shown in FIG. 17, the
櫛部43,47はx方向において互いに対向し、コンデンサを構成している。そして2つの第2捩れ梁28と2つの固定櫛歯部44それぞれがミラー25を介してy方向に並んでいる。したがって例えば図18に示すように、2つの固定櫛歯部44のうちの第1棒部26a側の一方に直流のプラスの電圧(V+)を印加し、2つの固定櫛歯部44のうちの第1棒部26b側の他方と2つの第2捩れ梁28それぞれをグランド電位に固定する。これによりミラー25を2つの固定櫛歯部44のうちの一方に引き込み、第2回転軸RAYに沿って第1棒部26a側へと移動させる。そして光源10の光軸と第1所定点PP1とを一致させる。これにより複数の突起部36によって光を発散させて、被測定対象物200の検出範囲を広げることができる。
The
これとは反対に、例えば図19に示すように、2つの固定櫛歯部44のうちの第1棒部26b側の他方に直流のプラスの電圧(V+)を印加し、2つの固定櫛歯部44のうちの第1棒部26a側の一方と2つの第2捩れ梁28それぞれをグランド電位に固定する。これによりミラー25を2つの固定櫛歯部44のうちの他方に引き込み、第2回転軸RAYに沿って第1棒部26b側へと移動させる。そして光源10の光軸と第2所定点PP2とを一致させる。これにより複数の突起部36によって光を集光させて、被測定対象物200と自車両との間の距離の測定精度を高めることができる。
On the contrary, for example, as shown in FIG. 19, a positive DC voltage (V +) is applied to the other of the two fixed
このように2つの固定櫛歯部44のいずれか一方を選択して直流のプラス電圧(V+)を印加する。これにより被測定対象物200の検出範囲の拡大と、被測定対象物200と自車両との間の距離の測定精度の向上と、を選択することができる。
In this way, either one of the two fixed
なおもちろんではあるが、本実施形態の距離測定センサ100によれば、第1実施形態に記載の距離測定センサ100と同等の作用効果を奏することができる。
Of course, according to the
(第4実施形態)
次に、本発明の第4実施形態を図20〜図27に基づいて説明する。第4実施形態に係る距離測定センサは上記した実施形態によるものと共通点が多い。そのため以下においては共通部分の説明を省略し、異なる部分を重点的に説明する。また以下においては上記した実施形態で示した要素と同一の要素には同一の符号を付与する。
(Fourth Embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described based on FIGS. The distance measuring sensor according to the fourth embodiment has a lot in common with the distance measuring sensor according to the above embodiments. Therefore, in the following, description of common parts will be omitted, and different parts will be mainly described. Also, in the following, the same reference numerals are given to the same elements as those shown in the above embodiment.
第1実施形態ではミラー25に反射膜34が形成され、反射膜34に光学体35が形成された例を示した。これに対して本実施形態ではミラー25に圧電膜48が形成され、圧電膜48に光学体35が形成されている。
In the first embodiment, an example is shown in which the
圧電膜48は、下部電極49、圧電素子50、および、上部電極51を有する。ミラー25の一面25aに下部電極49、圧電素子50、および、上部電極51がz方向に順次積層されている。そして上部電極51の圧電素子50との対向面の裏面である上面51aに、光学体35として複数の突起部36が形成されている。下部電極49が第1電極、上部電極51が第2電極に相当する。また本実施形態では上面51aが反射面に相当する。光源10の光軸は上面51aの中心点へと向かっている。
The
したがって例えば図21に示すように圧電素子50を伸ばすことで上面51aをz方向においてミラー25の中心点CPから離れて凸となるように変形させる。こうすることで上面51aを凸レンズとし、出射光を発散して反射することができる。またこれとは反対に図22に示すように圧電素子50を縮めることで上面51aをz方向においてミラー25の中心点CPへと向かって凹となるように変形させる。こうすることで上面51aを凹レンズとし、出射光を集光して反射することができる。以上に示したように出射光の発散と集光とを圧電膜48の伸縮によって選択することができる。圧電膜48の収縮は制御部90によって制御される。
Therefore, for example, as shown in FIG. 21, by extending the
なおもちろんではあるが、本実施形態の距離測定センサ100によれば、第1実施形態に記載の距離測定センサ100と同等の作用効果を奏することができる。
Of course, according to the
本実施形態では上面51aに複数の突起部36が形成されている。したがって例えば上面51aが凸形状となるように変形させると、複数の突起部36の隣接間隔が広がる。これとは反対に上面51aが凹形状となるように変形させると、複数の突起部36の隣接間隔が狭まる。以上に示したように上面51aの形状を変形させることで複数の突起部36の隣接間隔を広げたり狭めたりすることができる。これにより複数の突起部36による回折具合を調整することができる。
In the present embodiment, the plurality of
次に本実施形態に係る距離測定100の製造方法のうち、走査部20の製造方法を図23〜図27に基づいて説明する。図23に示すように、第1実施形態と同様にして準備工程を実施する。その後、図24に示すように下部電極49、圧電素子50、および、上部電極51を第2半導体層24に順次積層形成する。そして図25に示すように突起部36の材料となる酸化シリコン等から成る絶縁膜37を上面51aに成膜し、絶縁膜37に複数の突起部36を形作るためのレジスト膜38を形成する。
Next, of the manufacturing method of the
このレジスト膜形成工程後、絶縁膜37を露光する。これにより図26に示すように複数の突起部36を形成する。この光学体形成工程後、図27に示すようにSOI基板21をエッチング処理する。これにより浮遊部と固定部とを形成する。
After this resist film forming step, the insulating
なお圧電膜31,32は圧電膜48と同一構成を有する。したがって圧電膜31,32は圧電膜48と同一工程で形成してもよい。
The
(第5実施形態)
次に、本発明の第5実施形態を図28〜図34に基づいて説明する。第5実施形態に係る距離測定センサは上記した実施形態によるものと共通点が多い。そのため以下においては共通部分の説明を省略し、異なる部分を重点的に説明する。また以下においては上記した実施形態で示した要素と同一の要素には同一の符号を付与する。
(Fifth Embodiment)
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 28 to 34. The distance measuring sensor according to the fifth embodiment has a lot in common with the distance measuring sensor according to the above embodiments. Therefore, in the following, description of common parts will be omitted, and different parts will be mainly described. Also, in the following, the same reference numerals are given to the same elements as those shown in the above embodiment.
第1〜第4実施形態では光学体35がグレーティングレンズである例を示した。これに対して本実施形態の光学体35は凸レンズである。
In the first to fourth embodiments, the example in which the
図28に示すように光学体35はz方向においてミラー25の中心点CPから離れて突起した凸レンズである。これによれば、第1実施形態に記載の距離測定センサと同様にして、出射光を発散させることができる。
As shown in FIG. 28, the
なお図29に示すように光学体35がz方向においてミラー25の中心点CPに向かって凹んだ凹レンズの場合、出射光を集光させることができる。
Note that, as shown in FIG. 29, when the
次に本実施形態に係る距離測定100の製造方法のうち、走査部20の製造方法を図30〜図34に基づいて説明する。図30と図31に示すように、第1実施形態と同様にして準備工程と成膜工程を実施する。その後、図32に示すように突起部36の材料となる酸化シリコン等から成る絶縁膜37を成膜する。そしてその絶縁膜37にレンズ形状を形作るためのレジスト膜38を形成する。このレジスト膜38のz方向の厚みはレンズ形状に合わせて形成される。このようなレジスト膜38を形成するのに、露光を用いる。
Next, of the manufacturing method of the
このレジスト膜形成工程後、図33に示すようにレジスト膜38とともに絶縁膜37をz方向からドライエッチングする。上記したようにレジスト膜38のz方向の厚さがレンズ形状に合わさっている。そのために絶縁膜37はその中央が突起した形状にエッチングされる。これにより図28に示す光学体35が形成される。
After this resist film forming step, as shown in FIG. 33, the insulating
この光学体形成工程後、図34に示すようにSOI基板21をエッチング処理する。これにより浮遊部と固定部とを形成する。
After this optical body forming step, the
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。 Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
(第1の変形例)
本実施形態では距離測定センサ100が集光レンズ60を有する例を示した。しかしながら距離測定センサ100は集光レンズ60を有していなくともよい。または、例えば図35に示すように集光レンズ60の代わりにハーフミラー65を有してもよい。ハーフミラー65は光源10と走査部20との間に設けられる。光源10から出射された出射光の一部がハーフミラー65を介して走査部20に入射する。その光が走査部20によって反射され、被測定対象物200に照射される。被測定対象物200によって反射された光の一部が走査部20に返ってくる。走査部20は返ってきた光をハーフミラー65に向けて反射する。ハーフミラー65は走査部20から返ってくる光の一部を受光部70へ出射する。受光部70はその光を電気信号に変換し、その電気信号を制御部90に出力する。
(First modification)
In the present embodiment, the
(第2の変形例)
各実施形態では、圧電膜31,32によってミラー25を回転制御する例を示した。しかしながらミラー25を回転制御する構成としては上記例に限定されず、例えば静電引力を用いてもよい。その構成としては、例えば図36に示す構成を採用することができる。
(Second modified example)
In each of the embodiments, an example in which the
図36に示す構成において走査部20は、浮遊部としてミラー25、第1枠部52、第3捩れ梁53、第2枠部54、第4捩れ梁55、第5捩れ梁56、可動櫛歯57、および、固定櫛歯58を有する。また走査部20は、固定部としてアンカー59と支持部30を有する。以下においてはミラー25の中心点CPを通り、x−y平面においてx方向とy方向それぞれに対して45度傾き、かつ、互いに直交する2方向をP方向PD、Q方向QDと示す。
In the configuration shown in FIG. 36, the
ミラー25はx−y平面において円形を成している。第1枠部52はx−y平面において4つの棒部が連結された環状を成す。詳しく言えば、第1枠部52はQ方向QDに平行に延びた2つの第3棒部52a,52bと、P方向PDに平行に延びた2つの第4棒部52c,52dと、を有する。これらの端部が互いに連結されることで第1枠部52は環状を成している。ミラー25は、ミラー25と第1枠部52それぞれの中心点がx−y平面において一致するように、第1枠部52によって囲まれた領域内に位置している。
The
第3捩れ梁53はP方向PDに沿って延びた形状を成している。図36に示すように2つの第3捩れ梁53がP方向PDにおいてミラー25をはさんで対向配置されている。2つの第3捩れ梁53それぞれの一端がミラー25に連結され、他端が第3棒部53a,53bの内面に連結されている。
The third
第2枠部54はx−y平面において4つの棒部が連結された環状を成す。詳しく言えば、第2枠部54はx方向に沿って延びた2つの第5棒部54a,54bと、y方向に沿って延びた2つの第6棒部54c,54dと、を有する。これらの端部が互いに連結されることで第2枠部54は環状を成している。ミラー25と第1枠部52は、それぞれの中心点と第2枠部54の中心点とがx−y平面において一致するように、第2枠部54によって囲まれた領域内に位置している。
The second frame portion 54 has an annular shape in which four rod portions are connected in the xy plane. More specifically, the second frame portion 54 has two
第4捩れ梁55はQ方向QDに沿って延びた形状を成している。図36に示すように2つの第4捩れ梁55がQ方向QDにおいてミラー25と第1枠部52をはさんで対向配置されている。2つの第4捩れ梁55それぞれの一端が第4棒部52c,52dに連結され、他端が第2枠部54の内面に連結されている。詳しく言えば、2つの第4捩れ梁55のうちの一方の他端は棒部54a,54cの連結部位に連結され、他方の他端は棒部54b,54dの連結部位に連結されている。
The
第5捩れ梁56は第2回転軸RAYに沿って延びた形状を成している。図36に示すように2つの第5捩れ梁56がy方向においてミラー25、第1枠部52、および、第2枠部54をはさんで対向配置されている。2つの第5捩れ梁56それぞれの一端が第5棒部54a,54bの外面に連結され、他端が支持部30に連結されている。
The
可動櫛歯57は第6棒部54c,54dそれぞれの外面から中心点CPから離れる態様で、x方向に延びた形状を成している。これに対して固定櫛歯58はアンカー59から中心点CPへと向かう態様で、x方向に延びた形状を成している。櫛歯57,58はy方向において互いに対向している。
The
以上によりミラー25は、支持部30を固定端として、捩れ梁53,55,56に対して捩れ自由度を持つ振動子となっている。支持部30の電位を一定とし、アンカー59に対して交流信号を入力する。交流信号の周波数は、ミラー25の共振周波数に設定する。共振周波数は振動形態の異なる複数の振動モードそれぞれに応じて複数ある。これら複数の振動モードに共通の周波数の交流信号をアンカー59に印加する。これによりミラー25を回転軸RAY、P方向PD、Q方向QD周りで回転制御することが実現される。
As described above, the
(その他の変形例)
各実施形態では、本発明に係る半導体光デバイスを車両用の距離測定センサに適用した例を示した。しかしながら半導体光デバイスの適用例としては上記例に限定されない。例えば人の動きなどを検知するモーションキャプチャーに適用することもできる。この場合、光源10としてはLEDを採用することができる。光源10の出射する出射光の波長は可視光領域や赤外線領域を採用する。被測定対象物200への光の照射とその反射光の受光とによって、被測定対象物200の距離や動き、そして例えばその外形などを検知するものであれば、半導体光デバイスを適宜採用することができる。
(Other modifications)
In each embodiment, the example in which the semiconductor optical device according to the present invention is applied to the vehicle distance measuring sensor is shown. However, the application example of the semiconductor optical device is not limited to the above example. For example, the present invention can be applied to motion capture that detects human movement. In this case, an LED can be used as the
各実施形態では距離測定センサ100が車両のダッシュボードに搭載される例を示した。しかしながら距離測定センサ100の搭載場所としては上記例に限定されない。自車両前方の被測定対象物200との距離を測定する場合、例えば距離測定センサ100をボンネットに設けてもよい。この場合、距離測定センサ100はフロントガラス300を介さずに被測定対象物200に光を直接照射する。また自車両後方の被測定対象物200との距離を測定する場合、距離測定センサ100を車両の後方に設けてもよい。その設置場所は車内でも車外でもよい。距離測定センサ100の設置場所としては、被測定対象物200に光を照射し、被測定対象物200から返ってくる光を検知することができれば、特に限定されない。さらに言えば、距離測定センサ100の設置対象としては車両に限定されない。
In each embodiment, the example in which the
第1実施形態では反射面34aに光学体35が形成される例を示した。しかしながらこれとは異なり、例えば反射面34aにグラフェンが形成され、そのグラフェンに光学体35が形成された構成を採用することもできる。第4実施形態の場合、上部電極51の上面51aにグラフェンが形成され、そのグラフェンに光学体35が形成された構成を採用することもできる。
In the first embodiment, an example in which the
各実施形態ではミラー25の回転(振動)によって図12〜図14に示す2次元的な広がりを有する光を照射する構成を示した。しかしながらミラー25が例えば第1回転軸RAX周りだけに振動可能な構成を採用することもできる。この場合、受光部70が複数のフォトダイオードを有し、これらフォトダイオードがx方向に並んだ構成を採用することもできる。これによれば、光の照射方向によって被測定対象物200のy方向を検出し、受光したフォトダイオードの位置によって被測定対象物200のx方向を検出することができる。
In each embodiment, the configuration is shown in which the light having the two-dimensional spread shown in FIGS. 12 to 14 is irradiated by the rotation (vibration) of the
本実施形態では筐体80の収納空間に光源10、走査部20、集光レンズ60、受光部70、および、制御部90それぞれが収納された例を示した。しかしながら光源10は筐体80の外に設けられてもよい。この場合、光源10から出射された光は透明性の蓋部82を介して走査部20に入力される。
In the present embodiment, an example is shown in which the
10…光源、11…第1光源、12…第2光源、20…走査部、25…ミラー、31…第1圧電膜、32…第2圧電膜、34…反射膜、34a…反射面、35…光学体、48…圧電膜、51a…上面、57…可動櫛歯、58…固定櫛歯、90…制御部、100…距離測定センサ 10 ... Light source, 11 ... 1st light source, 12 ... 2nd light source, 20 ... Scanning part, 25 ... Mirror, 31 ... 1st piezoelectric film, 32 ... 2nd piezoelectric film, 34 ... Reflective film, 34a ... Reflective surface, 35 ... optical body, 48 ... piezoelectric film, 51a ... upper surface, 57 ... movable comb teeth, 58 ... fixed comb teeth, 90 ... control unit, 100 ... distance measuring sensor
Claims (5)
前記光源から出射された出射光を反射する反射部(20,90)と、を備える半導体光デバイスであって、
前記反射部は、
前記出射光を反射する反射面(34a,51a)を具備する反射板(25,34,48)と、
前記反射板を回転させることで、前記反射面と、前記反射面へ入射する前記出射光の入射方向との成す入射角度を制御する制御部(31,32,57,58,90)と、
前記反射面に形成された、前記出射光の発散と集光の少なくとも一方を行う光学体(35)と、を有し、
前記光学体は、前記反射面に形成された複数の突起部(36)を有し、
複数の前記突起部の隣接間隔は、前記出射光を回折するべく、前記出射光の波長以下となっており、
複数の前記突起部は、前記反射面の所定点(CP,PP1,PP2)から放射状に分布しており、
複数の前記突起部の隣接間隔は、前記所定点から離れるにしたがって徐々に広まっている、若しくは、前記所定点から離れるにしたがって徐々に狭まっており、
前記所定点が前記反射面において複数定められ、
複数の前記所定点(PP1,PP2)それぞれに対応する複数の前記突起部が相異なる隣接間隔で対応する前記所定点から放射状に分布している半導体光デバイス。 A light source (10-12),
A semiconductor optical device comprising: a reflection section (20, 90) for reflecting emitted light emitted from the light source,
The reflector is
A reflection plate (25, 34, 48) having a reflection surface (34a, 51a) for reflecting the emitted light;
By rotating the reflection plate, a control unit (31, 32, 57, 58, 90) for controlling the incident angle formed by the reflection surface and the incident direction of the outgoing light incident on the reflection surface,
Formed in said reflecting surface, the optical body for performing at least one of the diverging and condensing the emitted light (35), have a,
The optical body has a plurality of protrusions (36) formed on the reflection surface,
Adjacent spacing of the plurality of protrusions is less than or equal to the wavelength of the emitted light in order to diffract the emitted light,
The plurality of protrusions are radially distributed from predetermined points (CP, PP1, PP2) on the reflection surface,
Adjacent intervals of the plurality of protrusions are gradually widened away from the predetermined point, or are gradually narrowed away from the predetermined point,
A plurality of the predetermined points are defined on the reflecting surface,
A semiconductor optical device in which the plurality of protrusions corresponding to the plurality of predetermined points (PP1, PP2) are radially distributed from the corresponding predetermined points at different adjacent intervals .
複数の前記光源(11,12)それぞれは対応する前記所定点に向かって前記出射光を出射する請求項1に記載の半導体光デバイス。 The light source has the same number as the predetermined point,
The semiconductor optical device according to claim 1 , wherein each of the plurality of light sources (11, 12) emits the emitted light toward the corresponding predetermined point.
前記第2電極における前記圧電素子との対向面の裏面(51a)が前記反射面に相当する請求項1〜4いずれか1項に記載の半導体光デバイス。
The reflection plate has a piezoelectric element (50), a first electrode (49) and a second electrode (51) sandwiching the piezoelectric element,
A semiconductor optical device according to any one of claims 1-4, wherein the back surface of the facing surfaces of the piezoelectric element (51a) corresponds to the reflective surface in the second electrode.
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