JP6675272B2 - Cooling unit and method of manufacturing cooling unit - Google Patents
Cooling unit and method of manufacturing cooling unit Download PDFInfo
- Publication number
- JP6675272B2 JP6675272B2 JP2016113272A JP2016113272A JP6675272B2 JP 6675272 B2 JP6675272 B2 JP 6675272B2 JP 2016113272 A JP2016113272 A JP 2016113272A JP 2016113272 A JP2016113272 A JP 2016113272A JP 6675272 B2 JP6675272 B2 JP 6675272B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate member
- cooling unit
- lid member
- protrusion
- flat portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims description 92
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 28
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/12—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating the heat being generated by friction; Friction welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
Description
本発明は冷却ユニットおよび冷却ユニットの製造方法に関する。特に、半導体製造装置に用いる冷却ユニットおよび冷却ユニットの製造方法に関する。 The present invention relates to a cooling unit and a method for manufacturing the cooling unit. In particular, the present invention relates to a cooling unit used in a semiconductor manufacturing apparatus and a method of manufacturing the cooling unit.
LSIやメモリなどの半導体装置の製造工程では、半導体基板上に薄膜を成膜及び加工することでトランジスタ素子、配線、抵抗素子、容量素子等の機能素子を形成する。半導体基板上に薄膜を形成する方法としては、化学気相成長(CVD;Chemical Vapor Deposition)法、物理気相成長(PVD;Physical Vapor Deposition)法、原子層堆積法(ALD;Atomic Layer Deposition)などの方法が用いられる。また、薄膜を加工する方法としてはイオン反応性エッチング(RIE;Reactive Ion Etching)法、機械研磨(MP;Mechanical Polishing)、化学機械研磨(CMP;Chemical Mechanical Polishing)などの方法が用いられる。また、半導体装置の製造工程では、薄膜の成膜及び加工の他にもプラズマ処理等の表面処理の工程が行われる。 In a manufacturing process of a semiconductor device such as an LSI or a memory, a thin film is formed and processed on a semiconductor substrate to form a functional element such as a transistor element, a wiring, a resistor, and a capacitor. As a method of forming a thin film on a semiconductor substrate, a chemical vapor deposition (CVD) method, a physical vapor deposition (PVD) method, an atomic layer deposition method (ALD; Atomic Layer Deposition) and the like are available. Is used. Further, as a method of processing the thin film, a method such as an ion reactive etching (RIE), a mechanical polishing (MP), and a chemical mechanical polishing (CMP) are used. In the process of manufacturing a semiconductor device, a surface treatment step such as a plasma treatment is performed in addition to the film formation and processing of a thin film.
上記の成膜、加工及び表面処理の工程に用いられる半導体製造装置には、半導体基板を支持するステージが設けられている。当該ステージは単に半導体基板を支持するだけでなく、各処理工程に応じて半導体基板の温度を調節する機能が備えられている。例えば、上記のように温度を調節するために、ステージには冷却機構が設けられている。特に、上記の半導体製造装置においては、液体の冷媒を循環させることでステージを冷却する冷却機構(冷却ユニット)が広く用いられている。 A semiconductor manufacturing apparatus used in the above-described film forming, processing, and surface treatment steps is provided with a stage for supporting a semiconductor substrate. The stage not only supports the semiconductor substrate but also has a function of adjusting the temperature of the semiconductor substrate according to each processing step. For example, the stage is provided with a cooling mechanism to adjust the temperature as described above. In particular, in the semiconductor manufacturing apparatus described above, a cooling mechanism (cooling unit) that cools the stage by circulating a liquid refrigerant is widely used.
上記の冷却ユニットにおいて、例えば特許文献1のように、冷却水の流路となる溝部以外の領域において第1定盤部材(フタ部材)と第2定盤部材(プレート部材)とを接合させることで、冷却水が冷却ユニットの外部に漏れ出すことを抑制する構造が開示されている。
In the cooling unit described above, for example, as in
しかしながら、特許文献1に示す冷却ユニットでは、第1定盤部材(フタ部材)の上方から溝部以外の領域に沿って第1定盤部材(フタ部材)と第2定盤部材(プレート部材)との接合処理を行う必要があるが、第1定盤部材(フタ部材)の上方からでは溝部の位置が分からないため、正確に溝部以外の領域の接合処理を行うことは困難であった。又は、特許文献1において、正確に溝部以外の領域の接合処理を行うためには、接合処理を行う箇所に事前にマーカなどを付与するなどの手間がかかっていた。
However, in the cooling unit disclosed in
本発明は、そのような課題に鑑みてなされたものであり、プレート部材とフタ部材との接合処理における作業性が良好な冷却ユニットを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a cooling unit having good workability in a joining process between a plate member and a lid member.
本発明の一実施形態による冷却ユニットは、プレート部材に対してフタ部材が接合された冷却ユニットであって、プレート部材は、フタ部材に対向する平面部と、平面部から、プレート部材の内部に向かって凹んだ溝部と、平面部から、プレート部材の外側に向かって突出した突出部と、を有し、フタ部材には突出部に対応する位置に開口部が設けられ、突出部の側壁と開口部の内壁との間にはプレート部材及びフタ部材の混合層が存在する。 A cooling unit according to an embodiment of the present invention is a cooling unit in which a lid member is joined to a plate member, and the plate member has a flat portion facing the lid member, and a flat portion extending from the flat portion to the inside of the plate member. A groove protruding outward from the plate member from the flat portion, and an opening is provided in the lid member at a position corresponding to the protrusion, and a side wall of the protrusion is provided. A mixed layer of the plate member and the lid member exists between the inner wall of the opening and the inner wall of the opening.
また、平面部及び溝部に配置された第1耐水性被膜と、フタ部材において、平面部及び溝部に対向する面に配置された第2耐水性被膜と、をさらに有してもよい。 In addition, the lid member may further include a first water-resistant coating disposed on the flat portion and the groove portion, and a second water-resistant coating disposed on a surface of the lid member facing the flat portion and the groove portion.
また、プレート部材及びフタ部材は同一材料であってもよい。 Further, the plate member and the lid member may be made of the same material.
また、プレート部材及びフタ部材はアルミニウムを含む金属であってもよい。 Further, the plate member and the lid member may be a metal containing aluminum.
また、突出部の側壁と開口部の内壁とが接していてもよい。 Further, the side wall of the protrusion and the inner wall of the opening may be in contact with each other.
また、プレート部材には、突出部が配置された位置において、フタ部材から露出された突出部の第1表面から突出部とは反対側のプレート部材の第2表面まで貫通した貫通孔が設けられていてもよい。 Further, the plate member is provided with a through hole penetrating from the first surface of the projection exposed from the lid member to the second surface of the plate member opposite to the projection at the position where the projection is arranged. May be.
また、貫通孔が設けられた突出部は3つ以上設けられ、複数の突出部によって形成される多角形の内側にプレート部材の中心が含まれるように突出部が配置されてもよい。 Further, three or more protrusions provided with the through holes may be provided, and the protrusions may be arranged such that the center of the plate member is included inside a polygon formed by the plurality of protrusions.
本発明の一実施形態による冷却ユニットの製造方法は、プレート部材に対してフタ部材が接合された冷却ユニットの製造方法であって、フタ部材に対向する平面部、平面部からプレート部材の内部に向かって凹んだ溝部、及び平面部からプレート部材の外側に向かって突出した突出部を有するプレート部材を準備し、開口部が設けられたフタ部材を準備し、開口部の内部に突出部が嵌合されるようにプレート部材とフタ部材とを配置し、突出部の側壁と開口部の内壁とを摩擦撹拌接合によって接合する。 A method of manufacturing a cooling unit according to an embodiment of the present invention is a method of manufacturing a cooling unit in which a lid member is joined to a plate member, wherein the flat portion facing the lid member, the flat portion is placed inside the plate member. A plate member having a groove recessed toward the outside and a protrusion protruding from the flat portion toward the outside of the plate member is prepared, a lid member provided with an opening is prepared, and the protrusion is fitted inside the opening. The plate member and the lid member are arranged so as to be joined, and the side wall of the protrusion and the inner wall of the opening are joined by friction stir welding.
本発明に係る冷却ユニットによれば、プレート部材とフタ部材との接合処理における作業性が良好な冷却ユニットを提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the cooling unit which concerns on this invention, the workability | operativity in the joining process of a plate member and a lid member can be provided with favorable operability.
以下、図面を参照して本発明に係る冷却ユニットについて説明する。但し、本発明の冷却ユニットは多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、説明の便宜上、上方又は下方という語句を用いて説明するが、上方又は下方はそれぞれ冷却ユニットの使用時(装置装着時)における向きを示す。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。 Hereinafter, a cooling unit according to the present invention will be described with reference to the drawings. However, the cooling unit of the present invention can be implemented in many different modes, and should not be construed as being limited to the description of the embodiments below. Note that in the drawings referred to in this embodiment, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated. In addition, for convenience of description, the description will be made using the terms “upper” or “lower”, but the upper or lower indicates the direction when the cooling unit is used (when the apparatus is mounted), respectively. In addition, in order to make the description clearer, the width, thickness, shape, and the like of each part may be schematically illustrated as compared with actual embodiments, but this is merely an example, and the interpretation of the present invention is not limited thereto. It is not limited.
〈第1実施形態〉
図1及び図2を用いて、本発明の第1実施形態に係る冷却ユニットの全体構成について説明する。本発明の第1実施形態に係る冷却ユニットは、CVD装置、スパッタ装置、蒸着装置、エッチング装置、プラズマ処理装置、研磨装置、測定装置、検査装置、及び顕微鏡等に使用することができる。ただし、第1実施形態に係る冷却ユニットは上記の装置に使用するものに限定されず、基板を冷却する必要がある装置に対して使用することができる。
<First embodiment>
The overall configuration of the cooling unit according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The cooling unit according to the first embodiment of the present invention can be used for a CVD device, a sputtering device, a vapor deposition device, an etching device, a plasma processing device, a polishing device, a measuring device, an inspection device, a microscope, and the like. However, the cooling unit according to the first embodiment is not limited to the one used for the above-described device, and can be used for a device that needs to cool the substrate.
[冷却ユニット10の構成]
図1は、本発明の一実施形態に係る冷却ユニットの全体構成を示す上面図である。図2は、図1のA−A’断面図である。また、図1及び図2に示すように、第1実施形態に係る冷却ユニット10は、プレート部材100及びフタ部材200を有する。プレート部材100は、フタ部材200に対向する平面部105、平面部105からプレート部材100の内部に向かって凹んだ溝部110、及び平面部105からプレート部材100の外側に向かって突出した突出部140、150を有する。フタ部材200には突出部140に対応する位置に開口部210が設けられている。プレート部材100とフタ部材200とは、突出部140の側壁142と開口部210の内壁212との接触部、及び突出部150の側壁152とフタ部材200の外周側壁214との接触部において互いに接合されている。フタ部材200はプレート部材100の外周部に設けられた突出部150に囲まれている。ここで、突出部140−1〜140−5を特に区別しない場合は単に突出部140という。同様に、開口部210−1〜210−5を特に区別しない場合は単に開口部210という。
[Configuration of cooling unit 10]
FIG. 1 is a top view showing the overall configuration of the cooling unit according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the
図2では、突出部140の側壁142と開口部210の内壁212とが接合されており、突出部150の側壁152とフタ部材200の外周側壁214とが接合されている。一方で、平面部105とフタ部材200の下面とは機械的に接触しているが、接合はされていない。
In FIG. 2, the
また、突出部140の上面とフタ部材200の上面とが揃っている、つまり、両者が面位置である構造を例示したが、この構造に限定されない。例えば、突出部140の上面がフタ部材200の上面よりも上方に突出していてもよく、逆にフタ部材200の上面が突出部140の上面よりも上方に突出していてもよい。溝部110及びフタ部材200によって構成された流路に流す冷媒として、水を用いることもできるが、例えば液体窒素や液体ヘリウムなどのその他の冷却用液体を用いることもできる。
In addition, the upper surface of the protruding
図2では、平面部105とフタ部材200の下面とが接合されない構成を例示したが、この構成に限定されない。例えば、平面部105とフタ部材200の下面とが補助的に接合又は接着されていてもよい。また、平面部105とフタ部材200の下面とは接触していなくてもよい。つまり、平面部105とフタ部材200の下面とが離隔されていてもよい。また、図2では、側壁142と内壁212とが直接接している構造を例示したが、この構成に限定されない。
FIG. 2 illustrates a configuration in which the
ここで、図3〜図6を用いて、プレート部材100及びフタ部材200の各々の構造について詳しく説明する。図3は、本発明の一実施形態に係るプレート部材の構成を示す上面図である。図4は、図3のB−B’断面図である。図5は、本発明の一実施形態に係るフタ部材の構成を示す上面図である。図6は、図5のC−C’断面図である。
Here, the structure of each of the
図3に示すように、溝部110は、その両端部において外部接続部120、130に接続されている。外部接続部120、130の一方から導入された冷却用液体は、溝部110を通過して外部接続部120、130の他方から外部に排出される。外部接続部120はプレート部材100の外周付近に設けられており、外部接続部130はプレート部材100の中央付近に設けられている。溝部110は外部接続部120から外部接続部130に向かって渦巻き状に配置されている。なお、外部接続部120、130の位置、及び溝部110の形状については、後述するように多様な形態をとり得る。
As shown in FIG. 3, the
図4に示すように、溝部110は、断面形状が矩形であり、平面部105からプレート部材100の内部方向に凹んでいる。溝部110の幅は1mm以上20mm以下とすることができ、溝部110の深さは1mm以上30mm以下とすることができる。図4では、溝部110の断面形状が矩形である例を示したが、この断面形状に限定されない。例えば、溝部110の底部が湾曲した形状であってもよく、プレート部材100の内部からフタ部材200に向かって溝部110の径が徐々に広がる又は徐々に狭くなるテーパ形状であってもよい。
As shown in FIG. 4, the
図3に示すように、突出部140は、プレート部材100の中央部(突出部140−1)と、中央部から4方向に離隔した位置に配置されている(突出部140−2〜5)。突出部140−2〜5は、渦巻き状の溝部110の隣接する円弧の間に配置されている。突出部150はプレート部材100の外周部に設けられている。つまり、プレート部材100の上面側において、溝部110及び突出部140、150を除いた領域が平面部105である。なお、図3では、突出部140が5つ配置された構成を例示したが、この構成に限定されず、5つよりも少なくてもよく、5つよりも多くてもよい。また、後述するように、プレート部材100の中央部に突出部140が配置されていなくてもよい。
As shown in FIG. 3, the protruding
図4に示すように、突出部140、150は、断面形状が矩形であり、平面部105からプレート部材100の外部方向に突出している。突出部140の幅は1mm以上30mm以下とすることができ、突出部140の高さは0.5mm以上20mm以下とすることができる。同様に、突出部150の幅は1mm以上30mm以下とすることができ、突出部150の高さは0.5mm以上30mm以下とすることができる。突出部140、150はプレート部材100の一部である。つまり、プレート部材100と突出部140、150とが一体形成されている。ただし、プレート部材100の平面部105の上面に、プレート部材100とは異なる部材の突出部140、150が接続されていてもよい。図4では、突出部140、150の断面形状が矩形である例を示したが、この断面形状に限定されない。例えば、プレート部材100の内部から外部に向かって突出部140、150の径が徐々に小さくなるテーパ形状であってもよい。突出部140、150の断面形状がテーパ形状の場合、開口部210及びフタ部材200の外周側壁214の断面形状も突出部140、150の断面形状に対応するテーパ形状にするとよい。
As shown in FIG. 4, the protruding
図5に示すように、フタ部材200は円盤型の形状であり、フタ部材200の内部には突出部140−1〜5に相当する位置に開口部210−1〜5が設けられている。フタ部材200の外径(外周側壁214)は突出部150の内径と概略一致している。つまり、フタ部材200は、平面視においてプレート部材100の平面部105及び溝部110と重畳している。突出部140、150と開口部210及び外周側壁214とが嵌合することで、フタ部材200がプレート部材100に設置される。ここで、フタ部材200がプレート部材100から浮いてしまうことを抑制するために、例えば、突出部140を3つ以上設け、複数の突出部140によって形成される多角形の内側にプレート部材100の中心が含まれるように当該複数の突出部140を配置することができる。
As shown in FIG. 5, the
なお、図4では開口部210の側壁がフタ部材200の主面に対して垂直である構造を例示したが、この構造に限定されず、突出部140、150の形状に合わせて適宜形状を変えることができる。
Although FIG. 4 illustrates a structure in which the side wall of the opening 210 is perpendicular to the main surface of the
[プレート部材100とフタ部材200との接合方法]
突出部140の側壁142と開口部210の内壁212との接合、及び突出部150の側壁152とフタ部材200の外周側壁214との接合は、摩擦撹拌接合(FSW;Friction Stir Welding)などの方法を用いることができる。FSWとは、先端に突起物(プローブ)のあるツールを回転させながら接合部に押し込み、摩擦熱によって軟化した材料を攪拌(塑性流動化)して接合する方法である。ここで、FSWによって接合された層を混合層とする。
[Method of joining
The joint between the
上記のように、まずプレート部材100及びフタ部材200を準備する。ここで、プレート部材100にはフタ部材200に対向する平面部105、平面部105からプレート部材100の内部に向かって凹んだ溝部110、及び平面部105からプレート部材100の外側に向かって突出した突出部140が設けられている。また、フタ部材200には開口部210が設けられている。次に、開口部210の内部に突出部140が嵌合されるようにプレート部材100とフタ部材200とを配置する。換言すると、開口部210の内部に突出部140が入り込むようにプレート部材100とフタ部材200とを配置する。そして、突出部140の側壁と開口部210の内壁とをFSWによって接合することで、冷却ユニットが完成する。
As described above, first, the
FSWを用いて接合させることで、突出部140の側壁と開口部210の内壁との境界付近において固相のまま接合し、プレート部材100の材料とフタ部材200の材料とによる混合層が形成される。つまり、突出部140の側壁と開口部210の内壁との間にはプレート部材100及びフタ部材200の混合層が存在している。ここで、FSWは突出部140及びフタ部材200が上方に露出した方向から処理されるため、接合すべき領域を視認することができる。
By joining using FSW, joining is performed in a solid phase near the boundary between the side wall of the
[冷却ユニット10の各構成部品の材料]
以下に、冷却ユニット10の各構成部品の材料について説明する。プレート部材100としては、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、Alを主成分とする金属、Tiを主成分とする金属、ステンレス(SUS)などの材料を用いることができる。同様に、フタ部材200として、プレート部材100と同様に、Al、Ti、Alを主成分とする金属、Tiを主成分とする金属、SUSなどの材料を用いることができる。プレート部材100及びフタ部材200は同一材料を用いることができる。ただし、プレート部材100及びフタ部材200は異なる材料を用いてもよい。
[Material of each component of cooling unit 10]
Hereinafter, the material of each component of the cooling
以上のように、第1実施形態の冷却ユニット10によると、突出部140の側壁142と開口部210の内壁212とが接合され、突出部150の側壁152とフタ部材200の外周側壁214とが接合されることで、突出部140及びフタ部材200の接合領域を視認することができるため、プレート部材100とフタ部材200との接合処理における作業性を向上させることができる。また、接合部が溝部110及びフタ部材200によって構成された流路から離れた位置に設けられているため、例えば冷却水を流した際に冷却水が接合部に到達しにくくすることができる。その結果、接合部の冷却水による腐食等の不具合を抑制することができる。又は、冷却水が接合部に到達した場合であっても、接合部付近では冷却水が滞留するため、接合部の冷却水による腐食等の進行を抑制することができる。
As described above, according to the
また、プレート部材100及びフタ部材200を同一材料にすることで、より強度の高い接合部を得ることができ、水素イオン濃度の差に起因した電食(金属材料の腐食)の発生を抑制することができる。また、プレート部材100及びフタ部材200としてAlを含む金属を用いることで、冷却ユニット10全体の熱伝導率を高めることができ、冷却効率を向上させることができる。また、複数の突出部140によって形成される多角形の内側にプレート部材100の中心が含まれるように当該複数の突出部140が配置されることで、フタ部材200がプレート部材100から浮いてしまうことを抑制することができ、冷却用液体が冷却ユニット10の外部に漏れ出すことを抑制することができる。
Further, by using the same material for the
〈第2実施形態〉
図7を用いて、本発明の第2実施形態に係る冷却ユニットについて説明する。本発明の第2実施形態に係る冷却ユニットは、CVD装置、スパッタ装置、蒸着装置、エッチング装置、プラズマ処理装置、研磨装置、測定装置、検査装置、及び顕微鏡等に使用することができる。ただし、第2実施形態に係る冷却ユニットは上記の装置に使用するものに限定されず、基板を冷却する必要がある装置に対して使用することができる。
<Second embodiment>
A cooling unit according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The cooling unit according to the second embodiment of the present invention can be used for a CVD device, a sputtering device, a vapor deposition device, an etching device, a plasma processing device, a polishing device, a measuring device, an inspection device, a microscope, and the like. However, the cooling unit according to the second embodiment is not limited to the one used for the above-described device, and can be used for a device that needs to cool the substrate.
まず、第2実施形態に係る冷却ユニットの発明に至る経緯について説明する。近年、冷却ユニットにおいて、より安価な冷却ユニットを実現するために、冷却ユニットの材質としてAlを主成分とする金属を用い、冷媒として安価な水を用いることが要求されている。Alは化学的に活性な金属であるため水に曝されると腐食(錆び)が進行してしまう。したがって、冷却ユニットの材質にAlを用いる場合はAlの表面をアルマイト処理を施して酸化アルミニウム(Al2O3)被膜を形成し、冷却水に接する領域にAlが露出しないようにする構造が採用されている。 First, the process leading to the invention of the cooling unit according to the second embodiment will be described. In recent years, in order to realize an inexpensive cooling unit in a cooling unit, it has been required to use a metal mainly composed of Al as a material of the cooling unit and use inexpensive water as a refrigerant. Since Al is a chemically active metal, corrosion (rust) proceeds when exposed to water. Therefore, when Al is used as the material of the cooling unit, a structure is adopted in which the surface of Al is subjected to alumite treatment to form an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) film so that Al is not exposed to the area in contact with the cooling water. Have been.
例えば、特許文献1示すような構造で第1定盤部材(フタ部材)と第2定盤部材(プレート部材)との接合処理を行うと、接合処理によって発生する熱が冷却水の流路の内面(溝部及び溝部に対応する第1定盤部材(フタ部材)の下面)に相当する領域に伝わり、流路の内面に形成されたAl2O3被膜が剥がれてしまう。流路の内面のAl2O3被膜が剥がれてしまうと、その領域の耐腐食性が低下してしまい、流路の内面が腐食する(錆びる)という問題が生じてしまう。
For example, when the joining process between the first base plate member (lid member) and the second base plate member (plate member) is performed in a structure as shown in
第2実施形態に係る冷却ユニットは、上記の問題に鑑みてなされたものであり、部材としてAlを用いた冷却ユニットにおいて、冷却水に対する耐腐食性が高い冷却ユニットを提供することを目的とする。 The cooling unit according to the second embodiment has been made in view of the above problems, and has an object to provide a cooling unit having high corrosion resistance to cooling water in a cooling unit using Al as a member. .
図7は、本発明の一実施形態に係る冷却ユニットの断面図の部分拡大図である。図7に示すように、第2実施形態に係る冷却ユニット10Aは、プレート部材100A、フタ部材200A、第1耐水性被膜310A、及び第2耐水性被膜320Aを有する。プレート部材100Aは、フタ部材200Aに対向する平面部105A、平面部105Aからプレート部材100Aの内部に向かって凹んだ溝部110A、及び平面部105Aからプレート部材100Aの外側に向かって突出した突出部140A、150Aを有する。フタ部材200Aには突出部140Aに対応する位置に開口部210Aが設けられている。
FIG. 7 is a partially enlarged view of a cross-sectional view of the cooling unit according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, the
第1耐水性被膜310Aは平面部105A及び溝部110Aに配置されている。具体的には、第1耐水性被膜310Aは平面部105Aの全域に配置されている。換言すると、第1耐水性被膜310Aは平面部105Aを覆っている。第2耐水性被膜320Aはフタ部材200Aにおいて、平面部105A及び溝部110Aに対向する面に配置されている。第2耐水性被膜320Aはフタ部材200Aの下面全域に配置されている。換言すると、第2耐水性被膜320Aはフタ部材200Aの下面を覆っている。ここで、突出部140Aの側壁142A及び開口部210Aの内壁212A、並びに突出部150Aの側壁152A及びフタ部材200Aの外周側壁214Aには耐水性被膜は形成されていない。つまり、側壁142Aと内壁212Aとが接しており、側壁152Aと外周側壁214Aとが接している。
The first water-
第1耐水性被膜310A及び第2耐水性被膜320Aとしては、例えばAl2O3膜を用いることができる。Al2O3膜は例えばアルマイト処理や溶射処理によって形成することができる。ここで、上記の耐水性被膜として、Al2O3膜以外にイットリア(Y2O3)膜、ジルコニア(ZrO2)膜、ニッケル(Ni)膜などの被膜を用いることができる。
As the first water-
図7では、プレート部材100Aとフタ部材200Aとは、側壁142Aと内壁212Aとの接触部、及び側壁152Aと外周側壁214Aとの接触部において互いに接合されている。一方で、平面部105Aの上面に配置された第1耐水性被膜310Aとフタ部材200Aの下面に配置された第2耐水性被膜320Aとは機械的に接触しているが、接合はされていない。ただし、平面部105Aとフタ部材200Aの下面とが補助的に接合又は接着されていてもよい。また、平面部105Aとフタ部材200Aの下面とは接触していなくてもよい。つまり、平面部105Aとフタ部材200Aの下面とが離隔されていてもよい。また、図7では、側壁142Aと内壁212Aとが直接接している構造を例示したが、この構成に限定されない。
In FIG. 7, the
以上のように、第2実施形態の冷却ユニット10Aによると、冷却水が流れる領域の溝部110A及びフタ部材200Aの下面、並びに接合されていない平面部105Aの上面とフタ部材200Aの下面との間には、それぞれ第1耐水性被膜310A及び第2耐水性被膜320Aが配置されているため、冷却水がプレート部材100A及びフタ部材200Aに直接接触することを抑制することができる。その結果、プレート部材100A及びフタ部材200Aの腐食を抑制することができる。また、プレート部材100Aとフタ部材200Aとが、側壁142Aと内壁212Aとの接触部、及び側壁152Aと外周側壁214Aとの接触部において接合されている。つまり、冷却水の流路から離れた位置においてプレート部材100Aとフタ部材200Aとが接合されていることで、接合処理によって発生する熱が冷却水の流路内の第1耐水性被膜310A及び第2耐水性被膜320Aが配置された領域に伝わりにくくなるため、冷却水が流れる領域に形成された耐水性被膜が剥がれてしまうことを抑制することができる。
As described above, according to the
〈第3実施形態〉
図8及び図9を用いて、本発明の第3実施形態に係る冷却ユニットについて説明する。本発明の第3実施形態に係る冷却ユニットは、CVD装置、スパッタ装置、蒸着装置、エッチング装置、プラズマ処理装置、研磨装置、測定装置、検査装置、及び顕微鏡等に使用することができる。ただし、第3実施形態に係る冷却ユニットは上記の装置に使用するものに限定されず、基板を冷却する必要がある装置に対して使用することができる。
<Third embodiment>
A cooling unit according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The cooling unit according to the third embodiment of the present invention can be used for a CVD device, a sputtering device, a vapor deposition device, an etching device, a plasma processing device, a polishing device, a measuring device, an inspection device, a microscope, and the like. However, the cooling unit according to the third embodiment is not limited to the one used for the above device, and can be used for a device that needs to cool the substrate.
図8は、本発明の一実施形態に係る冷却ユニットの断面図である。図8に示すように、第3実施形態に係る冷却ユニット10Bは、図2に示す冷却ユニット10と同様にプレート部材100B及びフタ部材200Bを有する。プレート部材100Bは、フタ部材200Bに対向する平面部105B、平面部105Bからプレート部材100Bの内部に向かって凹んだ溝部110B、及び平面部105Bからプレート部材100Bの外側に向かって突出した突出部140B、150Bを有する。プレート部材100Bには、突出部140Bが配置された位置に貫通孔400Bが設けられている。貫通孔400Bは、フタ部材200Bから露出された突出部140Bの第1表面146B(上面)から、突出部140Bとは反対側のプレート部材100Bの第2表面106B(下面)まで貫通している。
FIG. 8 is a sectional view of a cooling unit according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 8, the
図9は、本発明の一実施形態に係る冷却ユニットにおける貫通孔の適用例を示す断面図である。例えば、トランジスタなどをシリコンウェハ500B上に形成する場合、シリコンウェハ500Bを搬送するロボットアームと冷却ユニット10Bとの間のシリコンウェハ500Bの移動において、シリコンウェハ500Bをリフトアップ/リフトオフするためにリフトピン510Bが必要である。図9に示す例は、リフトピン510Bを貫通孔400Bを介して昇降させる機構である。貫通孔400Bの径はリフトピン510Bの径よりも大きい。
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating an application example of a through hole in a cooling unit according to an embodiment of the present invention. For example, when a transistor or the like is formed on the
なお、図8及び図9の構成において、図7に示す第1耐水性被膜310A及び第2耐水性被膜320Aを適用してもよい。
8 and 9, the first water-
以上のように、第3実施形態の冷却ユニット10Bによると、プレート部材100Bと突出部140Bとが連続し、貫通孔400Bがプレート部材100B及び突出部140Bを貫通することで、貫通孔400Bと冷却水の流路とを離隔することができる。したがって、冷却水が貫通孔400Bを介して冷却ユニット10Bの外部に漏れ出すことを抑制することができる。
As described above, according to the
〈第4実施形態〉
図10及び図11を用いて、本発明の第4実施形態に係る冷却ユニットとその変形例について説明する。本発明の第4実施形態に係る冷却ユニットは、CVD装置、スパッタ装置、蒸着装置、エッチング装置、プラズマ処理装置、研磨装置、測定装置、検査装置、及び顕微鏡等に使用することができる。ただし、第4実施形態に係る冷却ユニットは上記の装置に使用するものに限定されず、基板を冷却する必要がある装置に対して使用することができる。なお、第4実施形態に係る冷却ユニットは、第1実施形態〜第3実施形態に示す冷却ユニットの構造を用いることができる。第4実施形態に係る冷却ユニットは第1実施形態〜第3実施形態に係る冷却ユニットと比較してプレート部材及びフタ部材の平面形状が異なるため、第4実施形態ではその平面形状についてのみ説明する。
<Fourth embodiment>
A cooling unit according to a fourth embodiment of the present invention and modifications thereof will be described with reference to FIGS. 10 and 11. The cooling unit according to the fourth embodiment of the present invention can be used for a CVD device, a sputtering device, a vapor deposition device, an etching device, a plasma processing device, a polishing device, a measuring device, an inspection device, a microscope, and the like. However, the cooling unit according to the fourth embodiment is not limited to the one used for the above-described device, and can be used for a device that needs to cool the substrate. The structure of the cooling unit according to the first to third embodiments can be used for the cooling unit according to the fourth embodiment. In the cooling unit according to the fourth embodiment, the planar shapes of the plate member and the lid member are different from those of the cooling units according to the first to third embodiments. Therefore, in the fourth embodiment, only the planar shape will be described. .
図10は、本発明の一実施形態に係る冷却ユニットの全体構成を示す上面図である。図10に示す冷却ユニット10Cと図1に示す冷却ユニット10とを比較すると、冷却ユニット10Cはプレート部材100Cの中心位置230Cには突出部140C及び開口部210C(以下、接合部という)が配置されていない点において、冷却ユニット10と相違する。図10に示すように、必ずしもプレート部材100Cの中心位置230Cに接合部が配置されていなくてもよい。ただし、中心位置230Cに接合部が配置されない場合、接合部は3つ以上設けることが好ましく、複数の接合部によって形成される多角形の内側に中心位置230Cが含まれるように各々の接合部を配置することができる。このようにすることで、フタ部材200Cがプレート部材100Cから浮いてしまうことを抑制することができる。
FIG. 10 is a top view showing the overall configuration of the cooling unit according to one embodiment of the present invention. Comparing the
図11は、本発明の一実施形態の変形例に係る冷却ユニットの全体構成を示す上面図である。図11に示す冷却ユニット10Dと図1に示す冷却ユニット10とを比較すると、溝部110Dの平面形状が異なる点において、冷却ユニット10と相違する。図11に示すように、外部接続部120D、130Dの両方がプレート部材100Dの外周付近に設けられている。また、溝部110Dは、外部接続部120Dからプレート部材100Dの中央付近の折り返し部160Dに向かって渦巻き状に配置され、折り返し部160Dで折り返され、折り返し部160Dから外部接続部130Dに向かって渦巻き状に配置されている。
FIG. 11 is a top view illustrating the overall configuration of a cooling unit according to a modification of the embodiment of the present invention. Comparing the
冷却水は入口から流路に導入されてプレート部材の平面上を流れて出口で排出されるが、周囲との熱交換により入口付近の冷却水の温度に比べて出口付近の冷却水の温度が高くなってしまう。しかし、図11に示す溝部110Dの形状によれば、冷却水の入口及び出口がともにプレート部材100Dの外周付近に配置され、溝部110Dがプレート部材100Dの中央付近で折り返されていることで、入口付近と出口付近の冷却水の温度差に起因する冷却効率のばらつきを抑制することができる。
Cooling water is introduced into the flow path from the inlet, flows on the plane of the plate member, and is discharged at the outlet.However, due to heat exchange with the surroundings, the temperature of the cooling water near the outlet is lower than the temperature of the cooling water near the inlet. Will be expensive. However, according to the shape of the
なお、本発明は上記の実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the gist.
10:冷却ユニット
100:プレート部材
105:平面部
106:第2表面
110:溝部
120、130:外部接続部
140、150:突出部
142、152:側壁
146:第1表面
160:折り返し部
200:フタ部材
210:開口部
212:内壁
214:外周側壁
230:中心位置
310:第1耐水性被膜
320:第2耐水性被膜
400:貫通孔
500:シリコンウェハ
510:リフトピン
10: Cooling unit 100: Plate member 105: Flat portion 106: Second surface 110:
Claims (8)
前記プレート部材は、
前記フタ部材に対向する平面部と、
前記平面部から、前記プレート部材の内部に向かって凹んだ溝部と、
前記平面部から、前記プレート部材の外側に向かって突出した突出部と、
を有し、
前記フタ部材には前記突出部に対応する位置に開口部が設けられ、
前記突出部の側壁と前記開口部の内壁との間には前記プレート部材及び前記フタ部材の混合層が存在し、
前記突出部は3つ以上設けられ、
複数の前記突出部によって形成される多角形の内側に前記プレートの中心が含まれることを特徴とする冷却ユニット。 A cooling unit in which a lid member is joined to a plate member,
The plate member,
A flat portion facing the lid member,
From the plane portion, a groove recessed toward the inside of the plate member,
A projecting portion projecting from the flat portion toward the outside of the plate member;
Has,
An opening is provided in the lid member at a position corresponding to the protrusion,
There is a mixed layer of the plate member and the lid member between the side wall of the protrusion and the inner wall of the opening ,
Three or more protrusions are provided,
The cooling unit , wherein the center of the plate is included inside a polygon formed by the plurality of protrusions .
前記フタ部材において、前記平面部及び前記溝部に対向する面に配置された第2耐水性被膜と、
をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の冷却ユニット。 A first water-resistant coating disposed on the plane portion and the groove;
In the lid member, a second water-resistant coating disposed on a surface facing the flat portion and the groove portion,
The cooling unit according to claim 1, further comprising:
前記フタ部材に対向する平面部、前記平面部から前記プレート部材の内部に向かって凹んだ溝部、及び前記平面部から前記プレート部材の外側に向かって突出した突出部を有する前記プレート部材を準備し、
開口部が設けられた前記フタ部材を準備し、
前記開口部の内部に前記突出部が嵌合されるように前記プレート部材と前記フタ部材とを配置し、
前記突出部の側壁と前記開口部の内壁とを摩擦撹拌接合によって接合し、
前記突出部は3つ以上設けられ、
複数の前記突出部によって形成される多角形の内側に前記プレートの中心が含まれることを特徴とする冷却ユニットの製造方法。 A method for manufacturing a cooling unit in which a lid member is joined to a plate member,
Prepare the plate member having a flat portion facing the lid member, a groove recessed from the flat portion toward the inside of the plate member, and a protrusion protruding from the flat portion toward the outside of the plate member. ,
Prepare the lid member provided with an opening,
Arranging the plate member and the lid member such that the protrusion is fitted inside the opening,
Joining the side wall of the protrusion and the inner wall of the opening by friction stir welding ,
Three or more protrusions are provided,
A method of manufacturing a cooling unit , wherein a center of the plate is included inside a polygon formed by the plurality of protrusions .
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016113272A JP6675272B2 (en) | 2016-06-07 | 2016-06-07 | Cooling unit and method of manufacturing cooling unit |
PCT/JP2017/013235 WO2017212753A1 (en) | 2016-06-07 | 2017-03-30 | Cooling unit and method for manufacturing cooling unit |
TW106115059A TWI676224B (en) | 2016-06-07 | 2017-05-05 | Cooling unit and method for manufacturing cooling unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016113272A JP6675272B2 (en) | 2016-06-07 | 2016-06-07 | Cooling unit and method of manufacturing cooling unit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017220542A JP2017220542A (en) | 2017-12-14 |
JP6675272B2 true JP6675272B2 (en) | 2020-04-01 |
Family
ID=60579041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016113272A Active JP6675272B2 (en) | 2016-06-07 | 2016-06-07 | Cooling unit and method of manufacturing cooling unit |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6675272B2 (en) |
TW (1) | TWI676224B (en) |
WO (1) | WO2017212753A1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11328929B2 (en) * | 2018-05-01 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Methods, apparatuses and systems for substrate processing for lowering contact resistance |
KR102517783B1 (en) * | 2018-11-28 | 2023-04-04 | (주)포인트엔지니어링 | Manufacturing semiconductor or display manufacturing process fluid through bonding component |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6030540U (en) * | 1983-08-03 | 1985-03-01 | 株式会社日立製作所 | Cooling device for wafer loading table |
US5810933A (en) * | 1996-02-16 | 1998-09-22 | Novellus Systems, Inc. | Wafer cooling device |
JP3881062B2 (en) * | 1996-08-14 | 2007-02-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate holding mechanism and substrate processing apparatus |
JP2004087766A (en) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Zaiken:Kk | Electrostatic chuck |
WO2007126228A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Dansung Electron Co., Ltd. | Manufacturing method for susceptor and susceptor using this method |
KR100795756B1 (en) * | 2006-04-28 | 2008-01-21 | 주식회사 단성일렉트론 | Susceptor And Method of Manufacturing the Same |
JP5032269B2 (en) * | 2007-11-02 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | Temperature adjusting apparatus and temperature adjusting method for substrate to be processed, and plasma processing apparatus including the same |
JP2009291793A (en) * | 2008-06-02 | 2009-12-17 | Kuroki Kogyosho:Kk | Method for producing structure |
CN102345112B (en) * | 2011-09-22 | 2013-08-21 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | Semiconductor processing device and gas spray head cooling plate thereof |
TWI506680B (en) * | 2013-02-22 | 2015-11-01 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | Substrate cooling means and irradiation ion beam |
-
2016
- 2016-06-07 JP JP2016113272A patent/JP6675272B2/en active Active
-
2017
- 2017-03-30 WO PCT/JP2017/013235 patent/WO2017212753A1/en active Application Filing
- 2017-05-05 TW TW106115059A patent/TWI676224B/en active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI676224B (en) | 2019-11-01 |
TW201743395A (en) | 2017-12-16 |
WO2017212753A1 (en) | 2017-12-14 |
JP2017220542A (en) | 2017-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6054314B2 (en) | Method and apparatus for substrate transport and radical confinement | |
JP6675272B2 (en) | Cooling unit and method of manufacturing cooling unit | |
KR100974130B1 (en) | Substrate support having brazed plates and heater | |
KR101719444B1 (en) | Substrate support device | |
TW201803005A (en) | Substrate support assembly for high temperature processes | |
TW201017813A (en) | Edge rings for electrostatic chucks | |
JP5235407B2 (en) | Substrate mounting mechanism and substrate processing apparatus | |
JP6905153B2 (en) | Lift pin holder | |
TW201836047A (en) | Conical wafer centering and holding device for semiconductor processing | |
JP6400273B2 (en) | Electrostatic chuck device | |
US10643817B2 (en) | Microscope | |
JP6991325B2 (en) | High temperature heating support pedestal with dual load lock configuration | |
JP2008297615A (en) | Substrate mounting mechanism and substrate treatment apparatus equipped with the substrate mounting mechanism | |
KR20210095176A (en) | electrostatic chuck | |
JP5628507B2 (en) | Sample stage and microwave plasma processing equipment | |
US20220282377A1 (en) | Thermally controlled chandelier showerhead | |
KR101798733B1 (en) | Shield ring and substrate mounting table | |
JP2008255452A (en) | Cooling plate | |
TWI717069B (en) | Junction | |
JP2008255453A (en) | Cooling plate | |
JP2019212775A (en) | Substrate mounting table and substrate inspection apparatus | |
JP2007301567A (en) | Method of manufacturing cooling plate, and cooling plate | |
TWI787514B (en) | Substrate mounting table and substrate processing device | |
JP7050560B2 (en) | Polishing equipment and substrate processing equipment | |
JP2024036802A (en) | electrostatic chuck device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191029 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20191224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200303 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200310 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6675272 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |