JP6674641B2 - 半導体製造方法 - Google Patents
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Description
続いて、塗布したレジスト材料に対してN型ドーパントイオン注入用のフォトマスクを介して光を当てて感光させ、再び熱処理する。
その後、被処理物を現像液に漬けたり現像液をスプレー等で吹き付けるなどして、レジスト材料の軟化している部分を除去し、残留現象液の蒸発やレジストの硬化などを目的として再び熱処理することで、レジスト膜が形成される。
また、第2イオンビーム照射工程において、第1方向とは異なり、且つ、被処理物に対して斜めの第2方向から第2ドーパントイオンを含むイオンビームを照射するとともに、このイオンビームの一部を厚膜のレジスト層によって遮蔽するので、このイオンビームが第1ドーパントイオンの注入領域に照射されることをレジスト層によって遮りつつ、該イオンビームを第2ドーパントイオンの注入領域に照射させることができる。
このように、上述した半導体製造方法によれば、1又は複数の厚膜のレジスト層を形成する1回のレジスト形成工程によって、第1ドーパントイオン及び第2ドーパントイオンをそれぞれの注入領域に注入することが可能になるので、従来の半導体製造方法に比べてレジスト形成工程の回数を削減することができる。
これを防ぐためには、前記第1レジスト層の前記所定方向に沿った長さが、前記第1ドーパントイオンの注入領域の前記所定方向に沿った長さよりも長いことや、前記第2レジスト層の前記所定方向に沿った長さが、前記第2ドーパントイオンの注入領域の前記所定方向に沿った長さよりも長いことが好ましい。
(GW×tanθ)/t≦A≦H/GL
これにより、第3レジスト層を、斜めに照射されたイオンビームを遮蔽する第1レジスト層と同時に形成する場合、H≧GW×tanθとなるので、第1レジスト層によってゲート幅GWにイオンビームが照射されること防ぐことができ、且つ、t≧GLとなるので、第3レジスト層の幅寸法tがゲート長GLよりも大きく、被処理物に例えば平面方向からイオンビームを照射することで第3レジスト層の下部にLDD構造を形成することができる。
このようにTFTを用いて駆動回路を形成する場合、TFTを非晶質シリコンで形成すると電子の移動度が不足する等の理由で十分な特性が得られないことがあることから、非晶質シリコンに替えて、低温多結晶シリコン(Low-temperature Poly Silicon:LTPS)を用いてTFTを形成する場合があり、こうした駆動回路としてはトランジスタの駆動能力が高いCMOS構造が採用されることがある。
本実施形態の半導体製造方法は、被処理物XにNMOS及びPMOSを形成してCMOSを製造する方法であり、上述したイオンビーム照射装置100により第1ドーパントイオン及び第2ドーパントイオンをそれぞれの注入領域に注入して、NMOS及びPMOSそれぞれのチャネルやソース・ドレインを形成する。
本実施形態の半導体製造方法では、チャネルを形成する過程でも、ソース・ドレインを形成する過程でも、被処理物Xにレジスト層を形成するレジスト形成工程、第1ドーパントイオンを注入する第1イオンビーム照射工程、及び第2ドーパントイオンを注入する第2イオンビーム照射工程が行われる。
また、B+の注入領域を第1注入領域と呼び、P+の注入領域を第2注入領域と呼ぶ。
(A)レジスト形成工程
まず、被処理物Xについて説明すると、本実施形態の被処理物Xは、図2に示すように、ガラス板や石英板などの基板X1にアモルファスシリコン(a−Si)を堆積させ、そのa−Siにエキシマレーザ等を照射して多結晶化させることでP−Si膜を形成したものである。
そして、この被処理物X上にチャネル形成用第1レジスト層R1(以下、第1レジスト層R1という)及びチャネル形成用第2レジスト層R2(以下、第2レジスト層R2という)を形成する。なお、a−Si膜の多結晶化は、後述する第1イオンビーム照射工程や第2イオンビーム照射工程を経て剥離液等で第1レジスト層R1及び第2レジスト層R2を除去したあとに行っても良い。
より詳細には、第1レジスト層R1及び第2レジスト層R2は、上述した所定方向、すなわち左右方向に沿って延びるとともに、左右方向と直交する方向(以下、図2の記載に合わせて上下方向という)に対向している。ここでは、上下方向における下側に第1レジスト層R1が形成され、上側に第2レジスト層R2が形成されている。なお、第1レジスト層R1及び第2レジスト層R2は、必ずしも平行である必要はない。
また、被処理物Xの正面視において第1レジスト層R1の一部(右側)と第2レジスト層R2の一部(左側)とが重なり合っている。
なお、第1レジスト層R1及び第2レジスト層R2の配置は、図2では説明の便宜上、被処理物Xの縁に沿って図示したが、これに限らず被処理物X上の種々の位置に変更して構わない。
続いて、塗布したレジスト材料に対してフォトマスクを介して光を当てて感光させ、再び熱処理する。
その後、被処理物Xを現像液に漬けたり現像液をスプレー等で吹き付けるなどして、レジスト材料の軟化している部分を除去し、残留現象液の蒸発やレジストの硬化などを目的として再び熱処理することで、第1レジスト層R1や第2レジスト層R2が形成される。
なお、説明の便宜上、以降の図3〜5の正面断面図では、第2レジスト層R2の記載は省略する。
第1イオンビーム照射工程は、図3に示すように、第1ドーパントイオンたるB+を第1注入領域S1に注入するための工程であり、ここではNMOSのチャネルを形成するための工程である。
第2イオンビーム照射工程は、図4に示すように、第2ドーパントイオンたるP+を第2注入領域S2に注入するための工程であり、ここではPMOSのチャネルを形成するための工程である。
なお、被処理物Xに対して斜め方向からイオンビームを照射するための方法としては、上述したような種々の方法を選択して構わない。
上述したB+及びP+の注入後、剥離液等で第1レジスト層R1及び第2レジスト層R2を除去し、例えば被処理物Xをマスクして、図5に示すように、B+が注入された領域及びP+が注入された領域それぞれの周縁部をエッチングすることで、これらの領域を島状化する。
そして、島状化された各領域にゲート絶縁膜Zを介してNMOSのゲート電極G(N)及びPMOSのゲート電極G(P)を形成する。これにより、NMOSのゲート電極G(N)の下方がNMOSのチャネルとなり、PMOSのゲート電極G(P)の下方がPMOSのチャネルとなる。
次に、NMOSのソース・ドレイン及びPMOSのソース・ドレインを形成する工程について説明する。ここでは、NMOSのドレインにLDD(Lightly Doped Drain:低濃度不純物ドレイン)構造が形成されるCMOSの製造方法について説明するが、本発明に係る半導体製造方法は、LDD構造が形成されたCMOSの製造に限られるものではない。
まず、図6に示すように、NMOSのドレインにLDD構造を形成すべく、P+を含むイオンビームを被処理物Xに対して上方から照射する。これにより、NMOS側及びPMOS側それぞれにおいて、ゲート電極G(N)、G(P)の下部以外の部分にP+が注入される。この工程でNMOS側に注入されたP+が後にLDD構造を形成することになる。
次に、図7に示すように、ソース・ドレイン形成用第1レジスト層r1(以下、第1レジスト層r1という)及びソース・ドレイン形成用第2レジスト層r2(以下、第2レジスト層r2という)を形成する。
第1レジスト層r1は、PMOS側のソース・ドレイン形成用第1注入領域s1(以下、第1注入領域s1という)にP+(第2ドーパントイオン)を含むイオンビームが照射されることを防ぐものであり、第2レジスト層r2は、NMOS側のソース・ドレイン形成用第2注入領域s2(以下、第2注入領域s2という)にB+(第1ドーパントイオン)を含むイオンビームが照射されることを防ぐものである。
なお、説明の便宜上、以降の図7〜10の正面断面図では、第1レジスト層r1の記載は省略する。
また、第2レジスト層r2も同様であり、第2レジスト層r2の左右方向に沿った長さが、第2注入領域s2における第2レジスト層r2に沿った長さ(左右方向に沿った長さ)よりも長く、第2注入領域s2は第2レジスト層r2の両端よりも内側に位置している。
例えば、図8に示すように、ゲート幅Wが20μm、イオンビーム照射角度が45度の場合は、第1レジスト層r1や第2レジスト層r2の膜厚Hとしては、20μm以上が必要になる。
なお、本実施形態の第1レジスト層r1の膜厚と第2レジスト層r2の膜厚と第3レジスト層r3の膜厚とは一度に形成されるため同じ膜厚であることが望ましい。そのため、第3レジスト層r3の幅寸法をtとして場合に、レジスト層の幅寸法tに対する膜厚Hの比率(アスペクト比)A=H/tは、A≧(GW×tanθ)/tを満たす必要がある。図8に示すように、例えば線幅5μm、膜厚20μm以上を満たすためには、線幅に対する膜厚の比率Aは4以上が必要になる。ただし、ゲート長やゲート幅、LDD幅が変わればレジスト層として必要なアスペクト比も異なってくる。
第1イオンビーム照射工程は、図9に示すように、第1ドーパントイオンたるB+を第1注入領域s1に注入するための工程であり、ここではPMOSのソース・ドレインを形成するための工程である。
なお、被処理物Xに対して斜め方向からイオンビームを照射するための方法としては、上述した通り種々の方法を選択して構わない。
第2イオンビーム照射工程は、図10に示すように、第2ドーパントイオンたるP+を第2注入領域s2に注入するための工程であり、ここではNMOSのソース・ドレインを形成するための工程である。
これにより、第1イオンビーム照射工程におけるイオンビームの照射方向と、第2イオンビーム照射工程におけるイオンビームの照射方向とは、被処理物Xの平面視において平行であって且つ逆向きである。
なお、被処理物Xに対して斜め方向からイオンビームを照射するための方法としては、上述した通り種々の方法を選択して構わない。
つまり、前記実施形態のようにCMOSを製造する場合のみならず、互いに異なる種類のドーパントイオンを互いに異なる注入領域に注入する場合であれば、本発明に係る半導体製造方法を適用することで、レジスト形成工程を削減することができる。
さらには、第1ドーパントイオン及び第2ドーパントイオンは、同じ種類のイオンであって、互いに異なるドーズ量であっても良い。このような場合も、第1ドーパントイオン及び第2ドーパントイオンを互いに異なる領域に注入する場合には、本発明の半導体製造方法を適用することで、レジスト形成工程を削減することができる。
X・・・被処理物
R1、r1・・・第1レジスト層
R2、r2・・・第2レジスト層
S1、s1・・・第1注入領域
S2、s2・・・第2注入領域
Claims (7)
- 被処理物にイオンビームを照射して半導体を製造する半導体製造方法であって、
前記被処理物に1又は複数の厚膜の第1レジスト層及び第2レジスト層を形成するレジスト形成工程と、
前記被処理物に対して斜めの第1方向から第1ドーパントイオンを含むイオンビームを照射するとともに、このイオンビームの一部を前記第2レジスト層によって遮蔽する第1イオンビーム照射工程と、
前記第1方向とは異なり、且つ、前記被処理物に対して斜めの第2方向から第2ドーパントイオンを含むイオンビームを照射するとともに、このイオンビームの一部を前記第1レジスト層によって遮蔽する第2イオンビーム照射工程と、を備え、
前記被処理物上に設定された所定方向の一方側に前記第1ドーパントイオンの注入領域である第1注入領域が設定されるとともに、前記所定方向の他方側に前記第2ドーパントイオンの注入領域である第2注入領域が設定されており、
前記レジスト形成工程において、
前記第1レジスト層を、前記被処理物上において、前記第1注入領域の前記所定方向と直交する方向における一方側に形成するとともに他方側には形成せず、
前記第2レジスト層を、前記被処理物上において、前記第2注入領域の前記所定方向と直交する方向における一方側に形成することなく他方側に形成する半導体製造方法。 - 前記レジスト形成工程において、前記被処理物上の所定方向に沿って厚膜の前記第1レジスト層を形成するとともに、前記所定方向に沿って前記第1レジスト層と対向するように厚膜の前記第2レジスト層を形成し、
前記第1イオンビーム照射工程において、前記第2レジスト層側から前記第1レジスト層側に向かって前記被処理物に対して斜め方向から前記第1ドーパントイオンを含むイオンビームを照射し、
前記第2イオンビーム照射工程において、前記第1レジスト層側から前記第2レジスト層側に向かって前記被処理物に対して斜め方向から前記第2ドーパントイオンを含むイオンビームを照射する請求項1記載の半導体製造方法。 - 前記第1イオンビーム照射工程における前記被処理物に対するイオンビームの照射角度と、前記第2イオンビーム照射工程における前記被処理物に対するイオンビームの照射角度とが同じである請求項1又は2記載の半導体製造方法。
- 前記第1レジスト層の前記所定方向に沿った長さが、第1ドーパントイオンの注入領域の前記所定方向に沿った長さよりも長い請求項2又は3記載の半導体製造方法。
- 前記第2レジスト層の前記所定方向に沿った長さが、第2ドーパントイオンの注入領域の前記所定方向に沿った長さよりも長い請求項4記載の半導体製造方法。
- 前記レジスト形成工程において、前記被処理物に設けられたゲート電極に沿って第3レジスト層を形成し、
前記第3レジスト層の幅寸法tに対する膜厚Hの比率Aが、前記被処理物に対する前記イオンビームの照射角度をθ、前記ゲート電極のゲート幅をGW、前記ゲート電極の電極長をGLとした場合に、下記の式を満たす請求項1乃至5のうち何れか一項に記載の半導体製造方法。
(GW×tanθ)/t≦A≦H/GL - 被処理物にイオンビームを照射して半導体を製造する半導体製造方法であって、
前記被処理物に1又は複数の厚膜のレジスト層を形成するレジスト形成工程と、
前記被処理物に対して斜めの第1方向から第1ドーパントイオンを含むイオンビームを照射するとともに、このイオンビームの一部を前記レジスト層によって遮蔽する第1イオンビーム照射工程と、
前記第1方向とは異なり、且つ、前記被処理物に対して斜めの第2方向から第2ドーパントイオンを含むイオンビームを照射するとともに、このイオンビームの一部を前記レジスト層によって遮蔽する第2イオンビーム照射工程と、を備え、
前記レジスト形成工程において、前記被処理物に設けられたゲート電極に沿って第3レジスト層を形成し、
前記第3レジスト層の幅寸法tに対する膜厚Hの比率Aが、前記被処理物に対する前記イオンビームの照射角度をθ、前記ゲート電極のゲート幅をGW、前記ゲート電極の電極長をGLとした場合に、下記の式を満たす請求項1乃至5のうち何れか一項に記載の半導体製造方法。
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