JP6658752B2 - Detection chip, detection method, detection device and detection system - Google Patents

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Description

本発明は、表面プラズモン共鳴を利用して被検出物質の存在またはその量を検出するための検出チップ、ならびにこの検出チップを使用して被検出物質の存在またはその量を検出するための検出方法、検出装置および検出システムに関する。   The present invention provides a detection chip for detecting the presence or amount of a substance to be detected using surface plasmon resonance, and a detection method for detecting the presence or amount of the substance to be detected using the detection chip. , A detection device and a detection system.

臨床検査などにおいて、タンパク質やDNAなどの微量の被検出物質を高感度かつ定量的に検出することができれば、患者の状態を迅速に把握して治療を行うことが可能となる。このため、微量の被検出物質を高感度かつ定量的に検出できる検出装置が求められている。   In clinical examinations and the like, if a trace amount of a substance to be detected such as protein or DNA can be detected with high sensitivity and quantitatively, it becomes possible to quickly grasp the condition of a patient and perform treatment. For this reason, there is a demand for a detection device that can detect a trace amount of a substance to be detected with high sensitivity and quantitatively.

被検出物質を高感度に検出できる検出装置として、表面プラズモン共鳴蛍光分析法(表面プラズモン励起増強蛍光分光法(Surface Plasmon-field enhanced Fluorescence Spectroscopy):以下「SPFS」と略記する)を利用する装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。   As a detection device capable of detecting a target substance with high sensitivity, a device using surface plasmon resonance fluorescence spectroscopy (Surface Plasmon-field enhanced Fluorescence Spectroscopy: hereinafter abbreviated as “SPFS”) is known. It is known (for example, see Patent Document 1).

特許文献1に記載の検出装置では、表面に周期構造を有する基板と、基板の周期構造の上に形成された金属膜(金属層)と、金属膜の上に形成された消光抑制層と、消光抑制層の上に結合された捕捉体(二重特異性抗体)とを有する検出チップ(バイオチップ)が使用される。この検出装置では、蛍光物質で標識されている被検出物質が捕捉体に捕捉されている状態で、表面プラズモン共鳴が生じる角度で金属膜に励起光を照射して、金属膜の表面上に局在場光を発生させる。この局在場光により、金属膜上に捕捉されている被検出物質を標識する蛍光物質が選択的に励起され、蛍光物質から蛍光が放出される。検出装置は、この蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出する。   In the detection device described in Patent Document 1, a substrate having a periodic structure on the surface, a metal film (metal layer) formed on the periodic structure of the substrate, an extinction suppressing layer formed on the metal film, A detection chip (biochip) having a capture body (bispecific antibody) bound on the quenching suppression layer is used. In this detection device, in a state where a substance to be detected, which is labeled with a fluorescent substance, is captured by a capturing body, the metal film is irradiated with excitation light at an angle at which surface plasmon resonance occurs, and a local light is applied to the surface of the metal film. Generates field light. This local field light selectively excites a fluorescent substance that labels the substance to be detected captured on the metal film, and emits fluorescence from the fluorescent substance. The detection device detects the presence or amount of the target substance by detecting the fluorescence.

蛍光検出時には、金属膜上で表面プラズモン共鳴を生じさせるために適切な入射角で金属膜に励起光を照射することが好ましい。特許文献1に記載の検出装置では、金属膜における励起光の反射率の入射角依存性を測定し、適切な入射角を決定している。   At the time of fluorescence detection, it is preferable to irradiate the metal film with excitation light at an appropriate incident angle in order to generate surface plasmon resonance on the metal film. In the detection device described in Patent Literature 1, the incident angle dependence of the reflectance of the excitation light on the metal film is measured, and an appropriate incident angle is determined.

特開2011−158369号公報JP 2011-158369 A

しかしながら、特許文献1に記載の検出装置には、適切な入射角を決定するための工程を行うことにより被検出物質を高精度に検出することができるものの、検出時間が長くなるという問題がある。また、金属膜における励起光の反射率の入射角依存性を測定するために、金属膜に対する励起光の入射角を走査しなければならず、走査機構が必要となる。このため、検出装置の大型化および高コスト化を招いてしまうという問題もある。   However, the detection device described in Patent Literature 1 can detect a target substance with high accuracy by performing a process for determining an appropriate incident angle, but has a problem in that the detection time is long. . Further, in order to measure the incident angle dependence of the reflectance of the excitation light on the metal film, the incident angle of the excitation light on the metal film must be scanned, and a scanning mechanism is required. For this reason, there is also a problem that the size and cost of the detection device are increased.

本発明の第1の目的は、表面プラズモン共鳴を利用して被検出物質の存在またはその量を検出するための検出チップであって、金属膜に対する励起光の入射角を走査することなく、被検出物質の高精度な検出を可能とする検出チップを提供することである。また、本発明の第2の目的は、この検出チップを使用して、被検出物質の存在またはその量を検出するための検出方法、検出装置および検出システムを提供することである。   A first object of the present invention is a detection chip for detecting the presence or amount of a substance to be detected by utilizing surface plasmon resonance, wherein the detection chip does not scan the incident angle of the excitation light with respect to the metal film. An object of the present invention is to provide a detection chip that enables highly accurate detection of a detection substance. A second object of the present invention is to provide a detection method, a detection device, and a detection system for detecting the presence or amount of a substance to be detected using the detection chip.

上記課題を解決するため、本発明の一実施の形態に係る検出チップは、検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するために使用される検出チップであって、支持体と、前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜と、を有し、前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含み、前記分割領域は、蛍光物質から蛍光を放出させるために前記金属膜に光が照射されたときに、前記光の照射スポット内に複数種類の前記分割領域が同時に含まれるように配置されている。   In order to solve the above problem, a detection chip according to an embodiment of the present invention emits light from a fluorescent substance on the metal film when the metal film of the detection chip is irradiated with light so that surface plasmon resonance occurs. A detection chip used to detect the presence or amount of a substance to be detected by detecting the fluorescence to be detected, the support and a metal film including a diffraction grating disposed on the support Wherein the diffraction grating includes a plurality of types of divided regions having different grating pitches, respectively, and the divided regions are irradiated with light on the metal film in order to emit fluorescent light from a fluorescent substance. Are arranged so that a plurality of types of the divided regions are simultaneously included in the light irradiation spot.

上記課題を解決するため、本発明の一実施の形態に係る検出方法は、検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するための検出方法であって、支持体と、前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜とを有する検出チップの、前記金属膜上に蛍光物質で標識されている被検出物質を直接的または間接的に結合させる工程と、前記金属膜上に前記蛍光物質で標識されている前記被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、表面プラズモン共鳴が発生するように前記金属膜に光を照射したときに、前記金属膜上の前記蛍光物質から放出される蛍光を検出する工程と、を含み、前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含み、前記蛍光を検出する工程では、複数種類の前記分割領域が照射スポット内に同時に含まれるように前記金属膜に光を照射する。   In order to solve the above problems, a detection method according to an embodiment of the present invention is characterized in that when a metal film of a detection chip is irradiated with light so that surface plasmon resonance occurs, the metal film is emitted from a fluorescent substance on the metal film. A detection method for detecting the presence or amount of a substance to be detected by detecting the fluorescence to be detected, comprising a support, and a metal film including a diffraction grating disposed on the support. A step of directly or indirectly bonding a substance to be detected, which is labeled with a fluorescent substance on the metal film, of the detection chip, and wherein the substance to be detected, which is labeled with the fluorescent substance on the metal film, When the metal film is irradiated with light so that surface plasmon resonance is generated in a state where it is directly or indirectly coupled, a step of detecting fluorescence emitted from the fluorescent substance on the metal film, Including the times The lattice includes a plurality of types of divided regions each having a different lattice pitch, and in the step of detecting the fluorescence, the metal film is irradiated with light so that the plurality of types of the divided regions are simultaneously included in an irradiation spot. .

上記課題を解決するため、本発明の一実施の形態に係る検出装置は、検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するための検出装置であって、支持体と、前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜とを有する検出チップを保持するためのホルダーと、前記ホルダーに保持された前記検出チップの前記金属膜に光を照射する光照射部と、前記金属膜上に蛍光物質で標識されている被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、前記光照射部が前記金属膜上で表面プラズモン共鳴が発生するように前記金属膜に光を照射したときに、前記金属膜上の前記蛍光物質から放出される蛍光を検出する光検出部と、を有し、前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含み、前記光照射部は、照射スポット内に複数種類の前記分割領域を同時に含むように前記金属膜に光を照射する。   In order to solve the above problems, a detection device according to an embodiment of the present invention emits light from a fluorescent substance on the metal film when the metal film of the detection chip is irradiated with light so that surface plasmon resonance occurs. A detection device for detecting the presence or amount of a substance to be detected by detecting the fluorescence to be detected, comprising a support and a metal film including a diffraction grating disposed on the support. A holder for holding a detection chip, a light irradiating unit for irradiating the metal film of the detection chip held by the holder with light, and a substance to be detected that is labeled with a fluorescent substance on the metal film directly. When the light irradiating unit irradiates the metal film with light so that surface plasmon resonance occurs on the metal film in a state where the fluorescent material is coupled to the fluorescent material on the metal film, Emitted fluorescence And a light detection unit for detecting, wherein the diffraction grating includes a plurality of types of divided regions each having a different grating pitch, and the light irradiation unit includes a plurality of types of the divided regions simultaneously in an irradiation spot. The metal film is irradiated with light as described above.

上記課題を解決するため、本発明の一実施の形態に係る検出システムは、検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するための検出システムであって、支持体と、前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜と、を有し、前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含む検出チップと、前記検出チップを保持するためのホルダーと、前記ホルダーに保持された前記検出チップの前記金属膜に光を照射する光照射部と、前記金属膜上に蛍光物質で標識されている被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、前記光照射部が前記金属膜上で表面プラズモン共鳴が発生するように前記金属膜に光を照射したときに、前記金属膜上の前記蛍光物質から放出される蛍光を検出する光検出部と、を有する検出装置と、を有し、前記光照射部は、照射スポット内に複数種類の前記分割領域を同時に含むように前記金属膜に光を照射する。   In order to solve the above problem, a detection system according to an embodiment of the present invention emits light from a fluorescent substance on the metal film when the metal film of the detection chip is irradiated with light so that surface plasmon resonance occurs. By detecting the fluorescence to be detected, a detection system for detecting the presence or amount of the substance to be detected, a support, and disposed on the support, a metal film including a diffraction grating, The diffraction grating has a detection chip including a plurality of divided regions each having a different grating pitch, a holder for holding the detection chip, and the metal film of the detection chip held by the holder. A light irradiating unit that irradiates light, and a substance to be detected, which is labeled with a fluorescent substance on the metal film, is directly or indirectly coupled to the light irradiating unit, and the light irradiating unit has a surface on the metal film. When irradiating the metal film with light such that plasmon resonance occurs, a light detection unit that detects fluorescence emitted from the fluorescent substance on the metal film, and The light irradiator irradiates the metal film with light so as to simultaneously include a plurality of types of the divided regions in the irradiation spot.

本発明によれば、金属膜に対する励起光の入射角を走査することなく、被検出物質を高精度に検出することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, a to-be-detected substance can be detected with high precision, without scanning the incident angle of the excitation light with respect to a metal film.

図1は、実施の形態1〜3に係る検出システムの構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a detection system according to Embodiments 1 to 3. 図2A、Bは、実施の形態1に係る検出チップの構成を示す図である。2A and 2B are diagrams illustrating a configuration of the detection chip according to the first embodiment. 図3は、実施の形態1に係る検出チップにおける回折格子の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a diffraction grating in the detection chip according to the first embodiment. 図4は、実施の形態1に係る検出チップにおける回折格子と励起光の照射スポットとの関係を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a relationship between a diffraction grating and an irradiation spot of excitation light in the detection chip according to the first embodiment. 図5は、変形例に係る検出チップを示す断面模式図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a detection chip according to a modification. 図6は、実施の形態1に係る表面プラズモン励起増強蛍光検出装置の動作手順の一例を示すフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart illustrating an example of an operation procedure of the surface plasmon excitation enhanced fluorescence detection device according to the first embodiment. 図7A、Bは、金属膜に対する励起光の入射角と励起光の反射光の光量との関係を示すグラフである。FIGS. 7A and 7B are graphs showing the relationship between the angle of incidence of the excitation light on the metal film and the amount of reflected light of the excitation light. 図8は、実施の形態2に係る検出チップの構成を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a configuration of the detection chip according to the second embodiment. 図9は、実施の形態2に係る検出チップにおける回折格子と励起光の照射スポットとの関係を示す模式図である。FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a relationship between a diffraction grating and an irradiation spot of excitation light in the detection chip according to the second embodiment. 図10A、Bは、実施の形態3に係る検出チップの構成を示す図である。10A and 10B are diagrams illustrating a configuration of a detection chip according to the third embodiment. 図11は、実施の形態3に係る検出チップにおける回折格子と励起光の照射スポットとの関係を示す模式図である。FIG. 11 is a schematic diagram showing a relationship between a diffraction grating and an irradiation spot of excitation light in the detection chip according to the third embodiment. 図12A、Bは、金属膜に対する励起光の入射角と励起光の反射光の光量との関係を示すグラフである。FIGS. 12A and 12B are graphs showing the relationship between the incident angle of the excitation light on the metal film and the amount of reflected light of the excitation light.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明では、検出装置の代表例として、表面プラズモン共鳴(SPR)を利用して被検出物質を検出する、表面プラズモン励起増強蛍光検出装置(以下、「SPFS装置」ともいう)について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, a surface plasmon excitation-enhanced fluorescence detection device (hereinafter, also referred to as an “SPFS device”) that detects a substance to be detected using surface plasmon resonance (SPR) will be described as a representative example of the detection device.

[実施の形態1]
(検出システム)
図1は、実施の形態1に係る検出システム1の構成を示す図である。本実施の形態に係る検出システム1は、検出チップ10およびSPFS装置100を有する。以下、本実施の形態に係る検出チップ10およびSPFS装置100について説明する。
[Embodiment 1]
(Detection system)
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a detection system 1 according to the first embodiment. The detection system 1 according to the present embodiment includes a detection chip 10 and an SPFS device 100. Hereinafter, the detection chip 10 and the SPFS device 100 according to the present embodiment will be described.

(SPFS装置および検出チップの構成)
図1に示されるように、SPFS装置100は、検出チップ10に光を照射する光照射ユニット(光照射部)110と、検出チップ10から放出された蛍光βを検出する受光ユニット(光検出部)120と、送液するための送液ユニット130と、検出チップ10を搬送するための搬送ユニット140と、これらを制御する制御部(処理部)150とを有する。SPFS装置100は、搬送ユニット140のチップホルダー142に検出チップ10を装着した状態で使用される。そこで、検出チップ10について先に説明し、その後にSPFS装置100の各構成要素について説明する。
(Configuration of SPFS device and detection chip)
As shown in FIG. 1, the SPFS device 100 includes a light irradiation unit (light irradiation unit) 110 for irradiating the detection chip 10 with light, and a light receiving unit (light detection unit) for detecting the fluorescence β emitted from the detection chip 10. ) 120, a liquid sending unit 130 for sending a liquid, a transport unit 140 for transporting the detection chip 10, and a control unit (processing unit) 150 for controlling these. The SPFS apparatus 100 is used with the detection chip 10 mounted on the chip holder 142 of the transport unit 140. Therefore, the detection chip 10 will be described first, and then each component of the SPFS device 100 will be described.

図2A、Bは、実施の形態1に係る検出チップ10の構成を示す図である。図2Aは、検出チップ10の平面図であり、図2Bは、図2AにおけるB−B線の断面図である。図3は、実施の形態1に係る検出チップ10における回折格子35の斜視図である。以下、図2A、Bおよび図3に示されるように、検出チップ10の高さ方向をz方向とし、回折格子35の周期的構造の配列方向をx方向とし、z方向とx方向に垂直な方向をy方向とする。図4は、本実施の形態に係る検出チップ10の金属膜30に励起光αを照射したときの、回折格子35と照射スポット60との関係を示す模式図である。本実施の形態では、照射スポット60の形状は、円形状である。   2A and 2B are diagrams illustrating a configuration of the detection chip 10 according to the first embodiment. FIG. 2A is a plan view of the detection chip 10, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 2A. FIG. 3 is a perspective view of the diffraction grating 35 in the detection chip 10 according to the first embodiment. Hereinafter, as shown in FIGS. 2A, 2B, and 3, the height direction of the detection chip 10 is defined as the z direction, the arrangement direction of the periodic structure of the diffraction grating 35 is defined as the x direction, and the direction perpendicular to the z direction and the x direction is defined. Let the direction be the y direction. FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a relationship between the diffraction grating 35 and the irradiation spot 60 when the metal film 30 of the detection chip 10 according to the present embodiment is irradiated with the excitation light α. In the present embodiment, the shape of the irradiation spot 60 is a circular shape.

図2A、Bに示されるように、検出チップ10は、基板(支持体)20と、基板20上に配置された、回折格子35を含む金属膜30と、基板20上に配置された枠体40とを有する。基板20上に枠体40を配置することで液体を収容するための収容部が形成される。   As shown in FIGS. 2A and 2B, the detection chip 10 includes a substrate (support) 20, a metal film 30 including a diffraction grating 35 disposed on the substrate 20, and a frame disposed on the substrate 20. 40. By arranging the frame body 40 on the substrate 20, an accommodating portion for accommodating the liquid is formed.

基板20は、金属膜30の支持部材である。基板20の形状は、特に限定されない。また、基板20の材料は、金属膜30を支持できる機械的強度を有するものであれば特に限定されない。基板20の材料の例には、ガラスや石英、シリコンなどの無機材料;アクリル樹脂やポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリオレフィンなどの樹脂が含まれる。   The substrate 20 is a support member for the metal film 30. The shape of the substrate 20 is not particularly limited. The material of the substrate 20 is not particularly limited as long as it has a mechanical strength capable of supporting the metal film 30. Examples of the material of the substrate 20 include inorganic materials such as glass, quartz, and silicon; and resins such as acrylic resin, polymethyl methacrylate, polycarbonate, polystyrene, and polyolefin.

金属膜30は、一方の面を収容部内に向けて、基板20上に配置されている。前述のとおり、金属膜30は、回折格子35を含む。これにより、金属膜30に所定の入射角で光を照射すると、金属膜30中に生じる表面プラズモンと、回折格子35により生じるエバネッセント波とが結合して、表面プラズモン共鳴(SPR)が生じる。また、金属膜30の厚みは、特に限定されず、例えば、30〜500nmであり、好ましくは100〜300nmである。金属膜30の材料は、表面プラズモンを生じさせうる金属であれば特に限定されない。金属膜30の材料の例には、金、銀、アルミニウム、プラチナ、銅、およびこれらの合金が含まれる。   The metal film 30 is disposed on the substrate 20 with one surface facing the inside of the housing. As described above, the metal film 30 includes the diffraction grating 35. Thus, when the metal film 30 is irradiated with light at a predetermined incident angle, the surface plasmon generated in the metal film 30 and the evanescent wave generated by the diffraction grating 35 combine to generate surface plasmon resonance (SPR). The thickness of the metal film 30 is not particularly limited, and is, for example, 30 to 500 nm, and preferably 100 to 300 nm. The material of the metal film 30 is not particularly limited as long as it is a metal that can generate surface plasmons. Examples of the material of the metal film 30 include gold, silver, aluminum, platinum, copper, and alloys thereof.

回折格子35は、金属膜30に励起光αを照射されたときに、エバネッセント波を生じさせる。回折格子35は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域を含む。また、複数種類の分割領域は、それぞれ複数の領域を含む。詳細については後述するが、図4に示されるように、分割領域は、検出チップ10の回折格子35に励起光αが照射されたときに、励起光αの照射スポット60内に同程度の面積割合で複数種類の分割領域が含まれるように配置されていることが好ましい。たとえば、複数種類の分割領域は、照射スポット60内において、その合計面積が最大である種類の分割領域の合計面積と、その合計面積が最小である種類の分割領域の合計面積との比は、4:6〜6:4の範囲内となるように配置されていることが好ましい。また、金属膜30上における励起光αの照射スポット60の位置がずれても、照射スポット60内に含まれる複数種類の分割領域の面積比は実質的に変化しないことが好ましい。たとえば、分割領域は、励起光αの照射スポット60を金属膜30の面方向に沿って移動させたときに、照射スポット60内に含まれる複数種類の分割領域の面積の割合の変化率がそれぞれ30%以下となるように配置されていることが好ましい。ここで、各分割領域の面積の割合の変化率とは、照射スポット60の移動前における照射スポット60内に含まれる各分割領域の面積の割合に対する、照射スポット60の移動後における照射スポット60内に含まれる各分割領域の面積の割合の変化率の大きさをいう。   The diffraction grating 35 generates an evanescent wave when the metal film 30 is irradiated with the excitation light α. The diffraction grating 35 includes a plurality of types of divided regions having different grating pitches. Further, the plurality of types of divided regions each include a plurality of regions. As will be described later in detail, as shown in FIG. 4, when the diffraction grating 35 of the detection chip 10 is irradiated with the excitation light α, the divided area has a similar area in the irradiation spot 60 of the excitation light α. It is preferable that the divided areas are arranged so as to include a plurality of types of divided areas in proportion. For example, in the irradiation spot 60, the ratio of the total area of the types of divided regions having the largest total area to the total area of the types of divided regions having the smallest total area in the irradiation spot 60 is as follows. Preferably, they are arranged so as to be in the range of 4: 6 to 6: 4. Further, even if the position of the irradiation spot 60 of the excitation light α on the metal film 30 is shifted, it is preferable that the area ratio of the plurality of types of divided regions included in the irradiation spot 60 does not substantially change. For example, when the irradiation spot 60 of the excitation light α is moved along the surface direction of the metal film 30, the change rate of the area ratio of the plurality of types of division areas included in the irradiation spot 60 is different from each other. Preferably, they are arranged so as to be 30% or less. Here, the change rate of the ratio of the area of each divided region is the ratio of the area of each divided region included in the irradiation spot 60 before the movement of the irradiation spot 60 to the ratio of the area of the irradiation spot 60 after the movement of the irradiation spot 60. Means the magnitude of the change rate of the ratio of the area of each divided region included in.

分割領域の種類の数は、特に限定されない。しかし、金属膜30上の照射スポット60の位置がずれても、照射スポット60内に含まれる複数種類の分割領域の割合が変動するのを抑制する観点からは、分割領域の種類の数は、偶数であってもよい。図2〜図4に示されるように、本実施の形態では、分割領域の種類の数は、2つである。すなわち、回折格子35は、第1分割領域36および第2分割領域37を含む。図3に示されるように、第1分割領域36および第2分割領域37における回折格子35の格子ピッチは、互いに異なる。図2A、Bおよび図4では、第1分割領域36を黒色で示し、第2分割領域37を白色で示す。第1分割領域36および第2分割領域37は、それぞれ複数の領域を含む。   The number of types of divided regions is not particularly limited. However, even if the position of the irradiation spot 60 on the metal film 30 is shifted, from the viewpoint of suppressing the fluctuation of the ratio of the plurality of types of divided regions included in the irradiation spot 60, the number of types of the divided regions is It may be an even number. As shown in FIGS. 2 to 4, in the present embodiment, the number of types of divided regions is two. That is, the diffraction grating 35 includes the first divided region 36 and the second divided region 37. As shown in FIG. 3, the grating pitches of the diffraction grating 35 in the first divided region 36 and the second divided region 37 are different from each other. 2A, 2B, and 4, the first divided region 36 is shown in black, and the second divided region 37 is shown in white. The first divided region 36 and the second divided region 37 each include a plurality of regions.

分割領域(第1分割領域36および第2分割領域37)の外形の平面視形状も、特に限定されない。分割領域の外形の平面視形状の例には、四角形状、多角形状、円形状および楕円形状が含まれる。本実施の形態では、第1分割領域36および第2分割領域37の外形の平面視形状は、四角形状である。図2Aに示されるように、分割領域は、金属膜30の面方向(x方向およびy方向)に沿う第1方向(y方向)においては異なる種類の分割領域と隣接しておらず、かつ第1方向(y方向)に直交する、金属膜30の面方向(x方向およびy方向)に沿う第2方向(x方向)においては異なる種類の分割領域と隣接するように配置されている。   The external shape of the divided regions (the first divided region 36 and the second divided region 37) in plan view is not particularly limited. Examples of the planar view shape of the outer shape of the divided region include a square shape, a polygonal shape, a circular shape, and an elliptical shape. In the present embodiment, the outer shapes of the first divided region 36 and the second divided region 37 in plan view are quadrangular. As shown in FIG. 2A, the divided region is not adjacent to a different type of divided region in a first direction (y direction) along a plane direction (x direction and y direction) of the metal film 30, and In a second direction (x direction) along a plane direction (x direction and y direction) of the metal film 30, which is orthogonal to one direction (y direction), the metal film 30 is arranged to be adjacent to different types of divided regions.

また、各分割領域(第1分割領域36および第2分割領域37)における格子形状は、エバネッセント波を生じさせることができれば特に限定されない。図3に示されるように、本実施の形態では、各分割領域(第1分割領域36および第2分割領域37)は、いずれも1次元回折格子であり、互いに平行な複数の溝(凹条)が所定の間隔で形成されている。隣接する溝の中心間距離および溝の深さは、エバネッセント波を生じさせることができれば特に限定されず、照射される光の波長に応じて適宜設定されうる。たとえば、隣接する溝の中心間距離は、100〜2000nmの範囲内であることが好ましく、溝の深さは、10〜1000nmの範囲内であることが好ましい。また、溝の断面形状も特に限定されない。溝の断面形状の例には、矩形波形状、正弦波形状、および鋸歯形状が含まれる。本実施の形態では、溝の断面形状は、矩形波形状である。なお、後述する励起光αの光軸は、xz平面に平行である。   The lattice shape in each of the divided regions (the first divided region 36 and the second divided region 37) is not particularly limited as long as an evanescent wave can be generated. As shown in FIG. 3, in the present embodiment, each of the divided regions (the first divided region 36 and the second divided region 37) is a one-dimensional diffraction grating, and a plurality of grooves (concave stripes) parallel to each other. ) Are formed at predetermined intervals. The distance between the centers of adjacent grooves and the depth of the grooves are not particularly limited as long as an evanescent wave can be generated, and can be appropriately set according to the wavelength of light to be irradiated. For example, the distance between the centers of adjacent grooves is preferably in the range of 100 to 2000 nm, and the depth of the grooves is preferably in the range of 10 to 1000 nm. Further, the sectional shape of the groove is not particularly limited. Examples of the cross-sectional shape of the groove include a rectangular wave shape, a sine wave shape, and a sawtooth shape. In the present embodiment, the cross-sectional shape of the groove is a rectangular wave shape. Note that the optical axis of the excitation light α described later is parallel to the xz plane.

回折格子35には、被検出物質を捕捉するための捕捉体50が固定化されている。回折格子35(金属膜30)上において、捕捉体50が固定化されている領域を、特に「反応場」という。本実施の形態では、捕捉体50は、第1分割領域36および第2分割領域37に亘って略均一に固定化されており、反応場は、第1分割領域36および第2分割領域37に亘って形成されている。また、捕捉体50は、被検出物質に特異的に結合することができる。このため、被検出物質は、捕捉体50を介して金属膜30(回折格子35)上に結合されうる。   A capturing body 50 for capturing a substance to be detected is fixed to the diffraction grating 35. The region where the capturing body 50 is fixed on the diffraction grating 35 (metal film 30) is particularly called a “reaction field”. In the present embodiment, the capturing body 50 is fixed substantially uniformly over the first divided region 36 and the second divided region 37, and the reaction field is applied to the first divided region 36 and the second divided region 37. It is formed over. Further, the capturing body 50 can specifically bind to the target substance. Therefore, the substance to be detected can be bound onto the metal film 30 (diffraction grating 35) via the capturing body 50.

捕捉体50の種類は、被検出物質を捕捉することができれば特に限定されない。たとえば、捕捉体50は、被検出物質に特異的に結合可能な抗体(1次抗体)またはその断片、被検出物質に特異的に結合可能な酵素などである。   The type of the capturing body 50 is not particularly limited as long as the substance to be detected can be captured. For example, the capture body 50 is an antibody (primary antibody) or a fragment thereof capable of specifically binding to the analyte, an enzyme capable of specifically binding to the analyte, and the like.

検出チップ10の使用時には、回折格子35は、反応や洗浄などの操作のために緩衝液などの液体に接触する。したがって、通常、回折格子35は、液体を収容可能な空間に配置される。本実施の形態では、回折格子35は、収容部の底部に配置されている。図5は、変形例に係る検出チップ10’を示す断面模式図である。回折格子35は、本実施の形態のように収容部(ウェル)の底面に配置されていてもよいし、図5に示されるように、液体を連続して供給されうる流路(フローセル)の内表面(例えば底面)に配置されていてもよい。   When the detection chip 10 is used, the diffraction grating 35 comes into contact with a liquid such as a buffer solution for operations such as reaction and washing. Therefore, usually, the diffraction grating 35 is arranged in a space that can accommodate the liquid. In the present embodiment, the diffraction grating 35 is disposed at the bottom of the housing. FIG. 5 is a schematic sectional view illustrating a detection chip 10 ′ according to a modification. The diffraction grating 35 may be disposed on the bottom surface of the housing (well) as in the present embodiment, or as shown in FIG. 5, a flow cell (flow cell) to which liquid can be continuously supplied. It may be arranged on the inner surface (for example, the bottom surface).

枠体40は、図2Aに示されるように、貫通孔を有する部材であり、基板20上に配置されている。貫通孔の内面は、収容部の側面となる。枠体40の厚みは、特に限定されず、収容部に収容する液体の量に応じて適宜設計されうる。   The frame body 40 is a member having a through-hole, as shown in FIG. 2A, and is disposed on the substrate 20. The inner surface of the through hole is the side surface of the housing. The thickness of the frame body 40 is not particularly limited, and can be appropriately designed according to the amount of liquid stored in the storage section.

収容部は、検体などの液体を収容する。収容部の形状や大きさなどは、所望の量の液体を収容することができれば、特に限定されず、用途に応じて適宜設計されうる。前述のとおり、収容部は、枠体40を基板20上に配置することで形成されているが、収容部を形成する方法は、これに限定されない。収容部を形成する方法の他の例には、その下面に凹部を形成された蓋を基板20上に配置することが含まれる。   The storage unit stores a liquid such as a specimen. The shape and size of the storage section are not particularly limited as long as a desired amount of liquid can be stored, and can be appropriately designed according to the application. As described above, the housing portion is formed by arranging the frame body 40 on the substrate 20, but the method of forming the housing portion is not limited to this. Another example of a method of forming the accommodation portion includes disposing a lid having a concave portion formed on the lower surface thereof on the substrate 20.

収容部に収容される液体の種類は、特に限定されない。液体の種類の例には、被検出物質を含む検体や、蛍光物質を含む蛍光標識液、緩衝液などが含まれる。通常、液体の屈折率および誘電率は、水の屈折率および誘電率と同程度である。検体および被検出物質の種類は、特に限定されない。検体の例には、血液や血清、血漿、尿、鼻孔液、唾液、精液などの体液およびその希釈液が含まれる。被検出物質の例には、核酸(DNAやRNAなど)、タンパク質(ポリペプチドやオリゴペプチドなど)、アミノ酸、糖質、脂質およびこれらの修飾分子が含まれる。   The type of liquid stored in the storage section is not particularly limited. Examples of the type of liquid include a specimen containing a substance to be detected, a fluorescent labeling liquid containing a fluorescent substance, a buffer, and the like. Usually, the refractive index and the dielectric constant of a liquid are comparable to the refractive index and the dielectric constant of water. The types of the sample and the substance to be detected are not particularly limited. Examples of specimens include body fluids such as blood, serum, plasma, urine, nasal fluid, saliva, semen, and diluents thereof. Examples of the substance to be detected include nucleic acids (such as DNA and RNA), proteins (such as polypeptides and oligopeptides), amino acids, carbohydrates, lipids, and modified molecules thereof.

(検出チップの製造方法)
次に、本実施の形態に係る検出チップ10の製造方法の一例について説明する。検出チップ10の製造方法は、これに限定されるものではない。
(Method of manufacturing detection chip)
Next, an example of a method for manufacturing the detection chip 10 according to the present embodiment will be described. The method for manufacturing the detection chip 10 is not limited to this.

本実施の形態に係る検出チップ10は、例えば、1)基板20および枠体40をそれぞれ準備する工程と、2)基板20上に金属膜30および反応場を形成する工程と、3)金属膜30および反応場が形成された基板20と、枠体40とを互いに固定する工程と、を行うことにより製造されうる。以下、各工程について説明する。   The detection chip 10 according to the present embodiment includes, for example, 1) a step of preparing a substrate 20 and a frame 40, 2) a step of forming a metal film 30 and a reaction field on the substrate 20, and 3) a metal film. It can be manufactured by performing a step of fixing the frame 40 and the substrate 20 on which the reaction field 30 is formed and the frame 40 to each other. Hereinafter, each step will be described.

まず、基板20および枠体40をそれぞれ準備する。基板20としては、中心間距離が互いに異なる複数の溝が形成されている2種類の領域を含む基板を準備する。このとき、2種類の領域は、それぞれ複数の領域を含む。たとえば、平板状の樹脂基板に、中心間距離が互いに異なる複数の溝を形成して、2種類の領域を形成してもよい。2種類の領域は、それぞれ第1分割領域36または第2分割領域37となる。複数の溝を形成する方法は、特に限定されず、公知の方法から適宜選択されうる。たとえば、金型成形法やリソグラフィ法などにより溝を形成してもよいし、凹凸が形成された原版を用いてプレス加工を行うことにより溝を形成してもよい。   First, the substrate 20 and the frame 40 are prepared. As the substrate 20, a substrate including two types of regions in which a plurality of grooves having different center-to-center distances are formed is prepared. At this time, the two types of regions each include a plurality of regions. For example, two types of regions may be formed by forming a plurality of grooves having different center-to-center distances on a flat resin substrate. The two types of regions are the first divided region 36 or the second divided region 37, respectively. The method for forming the plurality of grooves is not particularly limited, and may be appropriately selected from known methods. For example, the grooves may be formed by a mold forming method, a lithography method, or the like, or the grooves may be formed by performing press working using an original plate having unevenness.

また、枠体40の準備として、平板状の樹脂基板に貫通孔を形成してもよい。貫通孔を形成する方法は、特に限定されず、公知の方法から適宜選択されうる。たとえば、金型成形法などにより、平板に貫通孔を形成すればよい。また、貫通孔が形成された平板を購入してもよい。   Further, as a preparation of the frame body 40, a through hole may be formed in a flat resin substrate. The method for forming the through holes is not particularly limited, and may be appropriately selected from known methods. For example, a through hole may be formed in a flat plate by a die molding method or the like. Moreover, you may purchase the flat plate in which the through-hole was formed.

次いで、基板20上に金属膜30および反応場を順次形成する。金属膜30は、基板20において溝が形成されている面の一部に形成してもよいし、全面に形成してもよい。金属膜30の形成方法は、特に限定されず、公知の方法から適宜選択されうる。金属膜30の形成方法の例には、スパッタリング、蒸着およびメッキが含まれる。次いで、金属膜30上に捕捉体50を直接的または間接的に固定化すればよい。これにより、反応場を基板20上に形成することができる。   Next, a metal film 30 and a reaction field are sequentially formed on the substrate 20. The metal film 30 may be formed on a part of the surface of the substrate 20 where the groove is formed, or may be formed on the entire surface. The method for forming the metal film 30 is not particularly limited, and may be appropriately selected from known methods. Examples of the method of forming the metal film 30 include sputtering, vapor deposition, and plating. Next, the capturing body 50 may be directly or indirectly immobilized on the metal film 30. Thereby, a reaction field can be formed on the substrate 20.

また、捕捉体50の固定化方法も、特に限定されない。たとえば、金属膜30の上に、捕捉体50を結合させた自己組織化単分子膜(以下「SAM」という)または高分子膜を形成すればよい。SAMの例には、HOOC−(CH11−SHなどの置換脂肪族チオールで形成された膜が含まれる。高分子膜を構成する材料の例には、ポリエチレングリコールおよびMPCポリマーが含まれる。また、捕捉体50に結合可能な反応性基(または反応性基に変換可能な官能基)を有する高分子を金属膜30に固定化し、この高分子に捕捉体50を結合させてもよい。Further, the method of fixing the capturing body 50 is not particularly limited. For example, a self-assembled monolayer (hereinafter, referred to as “SAM”) or a polymer film to which the capturing body 50 is bonded may be formed on the metal film 30. Examples of SAM include HOOC- (CH 2) 11 film formed by substituted aliphatic thiols such as -SH. Examples of the material constituting the polymer film include polyethylene glycol and MPC polymer. Alternatively, a polymer having a reactive group (or a functional group that can be converted into a reactive group) capable of binding to the capturing body 50 may be immobilized on the metal film 30 and the capturing body 50 may be bound to the polymer.

なお、金属膜30の形成と、回折格子35の形成との順番は、上記の方法に限定されない。たとえば、平板状の基板20上に金属膜30を形成した後、金属膜30に格子形状を付与してもよい。この方法によっても、第1分割領域36および第2分割領域37を金属膜30上に配置することができる。   Note that the order of forming the metal film 30 and forming the diffraction grating 35 is not limited to the above method. For example, after forming the metal film 30 on the flat substrate 20, the metal film 30 may be provided with a lattice shape. According to this method, the first divided region 36 and the second divided region 37 can be arranged on the metal film 30.

次いで、基板20と、枠体40とを固定する。枠体40を基板20上に固定する方法は、特に限定されない。たとえば、基板20と枠体40とを固定する方法の例には、両面テープや接着剤などによる接着、レーザー溶着、および超音波溶着が含まれる。   Next, the substrate 20 and the frame body 40 are fixed. The method for fixing the frame body 40 on the substrate 20 is not particularly limited. For example, examples of the method of fixing the substrate 20 and the frame body 40 include adhesion using a double-sided tape or an adhesive, laser welding, and ultrasonic welding.

以上の手順により、本実施の形態に係る検出チップ10を製造することができる。なお、金属膜30および反応場を形成する工程と、基板20および枠体40を固定する工程とを行う順番は、これに限定されない。たとえば、基板20上に枠体40を固定した後に、金属膜30および反応場を形成してもよい。   Through the above procedure, the detection chip 10 according to the present embodiment can be manufactured. The order in which the step of forming the metal film 30 and the reaction field and the step of fixing the substrate 20 and the frame 40 are not limited to this. For example, after fixing the frame 40 on the substrate 20, the metal film 30 and the reaction field may be formed.

次に、SPFS装置100の各構成要素について説明する。前述のとおり、SPFS装置100は、光照射ユニット(光照射部)110、受光ユニット(光検出部)120、送液ユニット130、搬送ユニット140および制御部(処理部)150を有する。   Next, each component of the SPFS device 100 will be described. As described above, the SPFS device 100 includes the light irradiation unit (light irradiation unit) 110, the light receiving unit (light detection unit) 120, the liquid sending unit 130, the transport unit 140, and the control unit (processing unit) 150.

光照射ユニット110は、所定の入射角θでチップホルダー142に保持された検出チップ10の金属膜30(回折格子35)に励起光αを照射する。このとき、光照射ユニット110は、複数種類(本実施の形態では、2種類)の分割領域(第1分割領域36および第2分割領域37)が光の照射スポット60内に同時に含まれるように金属膜30に励起光αを照射する(図4参照)。また、光照射ユニット110は、金属膜30中の表面プラズモンと結合できる回折光が回折格子35で生じるように、金属膜30の表面に対するp偏光の光を金属膜30(回折格子35)に照射する。金属膜30上の照射スポット60内における光量は略均一であることが好ましく、具体的には光量が最大の点と光量が最小の点との光量の比が4:6〜6:4の範囲内であることが好ましい。蛍光βは、特定の方向に指向性を持って出射される。たとえば、蛍光βの出射角θは、2θで近似される。なお、SPRが生じる条件では、励起光αの反射光γは、ほとんど生じない。Light irradiation unit 110 irradiates the excitation light α in the metal film 30 of the detection chip 10 held by the chip holder 142 at a predetermined incident angle theta 1 (diffraction grating 35). At this time, the light irradiation unit 110 is configured such that a plurality of types (two types in the present embodiment) of the divided regions (the first divided region 36 and the second divided region 37) are simultaneously included in the light irradiation spot 60. The metal film 30 is irradiated with the excitation light α (see FIG. 4). The light irradiation unit 110 irradiates the metal film 30 (diffraction grating 35) with p-polarized light with respect to the surface of the metal film 30 so that the diffraction grating 35 generates diffracted light that can be combined with surface plasmons in the metal film 30. I do. The light amount in the irradiation spot 60 on the metal film 30 is preferably substantially uniform, and specifically, the ratio of the light amount between the point where the light amount is maximum and the point where the light amount is minimum is in the range of 4: 6 to 6: 4. Is preferably within the range. The fluorescent light β is emitted with directivity in a specific direction. For example, the emission angle theta 2 of fluorescent β is approximated by 2 [Theta] 1. Under the condition that SPR occurs, the reflected light γ of the excitation light α hardly occurs.

また、励起光αの光軸は、回折格子35における周期的構造の配列方向(x方向)に沿う。したがって、励起光αの光軸はxz平面に平行である(図1参照)。励起光αは、金属膜30の表面に対するp偏光の光であることから、励起光αの電界の振動方向は、励起光αの光軸および金属膜30の表面に対する法線を含むxz平面に平行である。   Further, the optical axis of the excitation light α is along the arrangement direction (x direction) of the periodic structure in the diffraction grating 35. Therefore, the optical axis of the excitation light α is parallel to the xz plane (see FIG. 1). Since the excitation light α is p-polarized light with respect to the surface of the metal film 30, the vibration direction of the electric field of the excitation light α is on the xz plane including the optical axis of the excitation light α and the normal to the surface of the metal film 30. Parallel.

光照射ユニット110は、励起光αを出射する光源ユニット111と、光源ユニット111に含まれる各種機器を制御する光源制御部112とを有する。   The light irradiation unit 110 includes a light source unit 111 that emits the excitation light α, and a light source control unit 112 that controls various devices included in the light source unit 111.

光源ユニット111は、励起光αを出射する。たとえば、光源ユニット111は、励起光αの光源、ビーム整形光学系、APC機構および温度調整機構(いずれも図示省略)を有する。   The light source unit 111 emits the excitation light α. For example, the light source unit 111 has a light source for the excitation light α, a beam shaping optical system, an APC mechanism, and a temperature adjustment mechanism (all not shown).

光源の種類は、特に限定されない。光源の種類の例には、レーザーダイオード(LD)、発光ダイオード、水銀灯、その他のレーザー光源が含まれる。たとえば、光源から出射される励起光αの波長は、400nm〜1000nmの範囲内である。   The type of the light source is not particularly limited. Examples of light source types include laser diodes (LDs), light emitting diodes, mercury lamps, and other laser light sources. For example, the wavelength of the excitation light α emitted from the light source is in the range of 400 nm to 1000 nm.

また、光源から出射される励起光αがビームでない場合は、光源から出射される励起光αは、レンズや鏡、スリットなどによりビームに変換される。また、光源から出射される励起光αが単色光でない場合は、光源から出射される励起光αは、回折格子などにより単色光に変換される。さらに、光源から出射される励起光αが直線偏光でない場合は、光源から出射される励起光αは、偏光子などにより直線偏光の光に変換される。   When the excitation light α emitted from the light source is not a beam, the excitation light α emitted from the light source is converted into a beam by a lens, a mirror, a slit, or the like. When the excitation light α emitted from the light source is not monochromatic light, the excitation light α emitted from the light source is converted into monochromatic light by a diffraction grating or the like. Further, when the excitation light α emitted from the light source is not linearly polarized light, the excitation light α emitted from the light source is converted into linearly polarized light by a polarizer or the like.

ビーム整形光学系は、例えば、コリメーターやバンドパスフィルター、直線偏光フィルター、半波長板、スリット、ズーム手段などを含む。ビーム整形光学系は、これらのすべてを含んでいてもよいし、一部を含んでいてもよい。   The beam shaping optical system includes, for example, a collimator, a bandpass filter, a linear polarization filter, a half-wave plate, a slit, a zoom unit, and the like. The beam shaping optical system may include all of them, or may include some of them.

コリメーターは、光源から出射された励起光αをコリメートする。   The collimator collimates the excitation light α emitted from the light source.

バンドパスフィルターは、光源から出射された励起光αを中心波長のみの狭帯域光にする。光源からの励起光αは、若干の波長分布幅を有しているためである。   The band-pass filter converts the excitation light α emitted from the light source into narrow-band light having only the center wavelength. This is because the excitation light α from the light source has a slight wavelength distribution width.

直線偏光フィルターは、光源から出射された励起光αを完全な直線偏光の光にする。半波長板は、金属膜30にp偏光成分の光が入射するように励起光αの偏光方向を調整する。スリットおよびズーム手段は、金属膜30における照射スポット60の形状および面積が所定の形状および面積となるように、励起光αの輪郭形状やビーム径(例えば、φ1mm)などを調整する。   The linearly polarized light filter converts the excitation light α emitted from the light source into a completely linearly polarized light. The half-wave plate adjusts the polarization direction of the excitation light α so that the light of the p-polarized component enters the metal film 30. The slit and zoom means adjust the contour shape and beam diameter (for example, φ1 mm) of the excitation light α so that the shape and area of the irradiation spot 60 on the metal film 30 have a predetermined shape and area.

照射スポット60の形状および面積は、特に限定されず、複数種類の分割領域の形状や面積などに応じて、適宜設定されうる。照射スポット60の形状の例には、四角形状、多角形状、円形状および楕円形状が含まれる。前述のとおり、本実施の形態では、照射スポット60の形状は、円形状である。   The shape and area of the irradiation spot 60 are not particularly limited, and can be appropriately set according to the shape and area of the plurality of types of divided regions. Examples of the shape of the irradiation spot 60 include a square, a polygon, a circle, and an ellipse. As described above, in the present embodiment, the shape of the irradiation spot 60 is circular.

APC機構は、光源の出力が一定となるように光源を制御する。より具体的には、APC機構は、励起光αから分岐させた光の光量を不図示のフォトダイオードなどで検出する。そして、APC機構は、回帰回路で投入エネルギーを制御することで、光源の出力を一定に制御する。   The APC mechanism controls the light source so that the output of the light source becomes constant. More specifically, the APC mechanism detects the amount of light branched from the excitation light α using a photodiode (not shown) or the like. Then, the APC mechanism controls the output of the light source to be constant by controlling the input energy by the regression circuit.

温度調整機構は、例えば、ヒーターやペルチェ素子などである。光源の出射光の波長およびエネルギーは、温度によって変動することがある。このため、温度調整機構で光源の温度を一定に保つことにより、光源の出射光の波長およびエネルギーを一定に制御する。   The temperature adjustment mechanism is, for example, a heater, a Peltier element, or the like. The wavelength and energy of the light emitted from the light source may fluctuate depending on the temperature. Therefore, by keeping the temperature of the light source constant by the temperature adjustment mechanism, the wavelength and energy of the light emitted from the light source are controlled to be constant.

光源制御部112は、光源ユニット111に含まれる各種機器を制御して、光源ユニット111からの励起光αのパワーや照射時間などを調整する。光源制御部112は、例えば、演算装置、制御装置、記憶装置、入力装置および出力装置を含む公知のコンピュータやマイコンなどによって構成される。   The light source control unit 112 controls various devices included in the light source unit 111 to adjust the power, irradiation time, and the like of the excitation light α from the light source unit 111. The light source control unit 112 includes, for example, a known computer or a microcomputer including an arithmetic device, a control device, a storage device, an input device, and an output device.

受光ユニット120は、金属膜30上に蛍光物質で標識されている被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、光照射ユニット110が金属膜30上でSPRが発生するように金属膜30に光を照射したときに、金属膜30上で蛍光物質から放出される蛍光βを検出する。図1に示されるように、受光ユニット120は、光照射ユニット110に対して、励起光αの光軸と金属膜30との交点を通り、かつ金属膜30の表面に対する法線を挟むように配置されている。   The light receiving unit 120 is configured to allow the light irradiation unit 110 to generate SPR on the metal film 30 in a state where the detection target substance labeled with a fluorescent substance is directly or indirectly bonded to the metal film 30. When the metal film 30 is irradiated with light, fluorescence β emitted from the fluorescent substance on the metal film 30 is detected. As shown in FIG. 1, the light receiving unit 120 passes through the intersection of the optical axis of the excitation light α and the metal film 30 with respect to the light irradiation unit 110 and sandwiches a normal to the surface of the metal film 30. Are located.

受光ユニット120は、受光センサー121および受光センサー制御部122を有する。受光ユニット120は、さらに集光レンズ群や開口絞り、蛍光フィルターなどを有していてもよい。   The light receiving unit 120 has a light receiving sensor 121 and a light receiving sensor control unit 122. The light receiving unit 120 may further include a condenser lens group, an aperture stop, a fluorescent filter, and the like.

受光センサー121は、金属膜30上に存在する蛍光物質から放出される蛍光βを検出して、金属膜30上の蛍光像を検出する。受光センサー121の種類は、特に限定されず、例えば、感度およびSN比が高い光電子増倍管であり、アバランシェ・フォトダイオード(APD)やフォトダイオード(PD)、CCDイメージセンサーなどであってもよい。   The light receiving sensor 121 detects the fluorescence β emitted from the fluorescent substance existing on the metal film 30 and detects the fluorescent image on the metal film 30. The type of the light receiving sensor 121 is not particularly limited, and is, for example, a photomultiplier tube having a high sensitivity and a high SN ratio, and may be an avalanche photodiode (APD), a photodiode (PD), a CCD image sensor, or the like. .

受光センサー制御部122は、受光センサー121の出力値の検出や、検出した出力値による受光センサー121の感度の管理、適切な出力値を得るための受光センサー121の感度を制御する。受光センサー制御部122は、例えば、演算装置、制御装置、記憶装置、入力装置および出力装置を含む公知のコンピュータやマイコンなどによって構成される。   The light receiving sensor control unit 122 detects the output value of the light receiving sensor 121, manages the sensitivity of the light receiving sensor 121 based on the detected output value, and controls the sensitivity of the light receiving sensor 121 to obtain an appropriate output value. The light receiving sensor control unit 122 is configured by, for example, a known computer or microcomputer including an arithmetic device, a control device, a storage device, an input device, and an output device.

送液ユニット130は、チップホルダー142に保持された検出チップ10の収容部内に、検体や蛍光標識液、洗浄液などの液体を供給し、収容部内からこれらの液体を除去する。送液ユニット130は、液体チップ131、シリンジポンプ132および送液ポンプ駆動機構135を含む。   The liquid sending unit 130 supplies liquids such as a specimen, a fluorescent labeling liquid, and a washing liquid into a storage portion of the detection chip 10 held by the chip holder 142, and removes these liquids from the storage portion. The liquid sending unit 130 includes a liquid chip 131, a syringe pump 132, and a liquid sending pump driving mechanism 135.

液体チップ131は、検体や蛍光標識液、洗浄液などの液体を収容する容器である。液体チップ131としては、通常、複数の容器が液体の種類に応じて配置されるか、または複数の容器が一体化したチップが配置される。   The liquid chip 131 is a container that stores liquids such as a specimen, a fluorescent labeling liquid, and a washing liquid. As the liquid chip 131, usually, a plurality of containers are arranged according to the type of liquid, or a chip in which a plurality of containers are integrated is arranged.

シリンジポンプ132は、シリンジ133と、シリンジ133内を往復動作可能なプランジャー134とによって構成される。プランジャー134の往復運動によって、液体の吸引および吐出が定量的に行われる。シリンジ133が交換可能であると、シリンジ133の洗浄が不要となる。このため、不純物の混入などを防止する観点から好ましい。シリンジ133が交換可能に構成されていない場合は、シリンジ133内を洗浄する構成をさらに付加することにより、シリンジ133を交換せずに使用することが可能となる。   The syringe pump 132 includes a syringe 133 and a plunger 134 that can reciprocate in the syringe 133. By the reciprocating motion of the plunger 134, the liquid is sucked and discharged quantitatively. If the syringe 133 is replaceable, washing of the syringe 133 becomes unnecessary. Therefore, it is preferable from the viewpoint of preventing impurities from being mixed. When the syringe 133 is not configured to be replaceable, it is possible to use the syringe 133 without replacing it by adding a configuration for cleaning the inside of the syringe 133.

送液ポンプ駆動機構135は、プランジャー134の駆動装置、およびシリンジポンプ132の移動装置を含む。シリンジポンプ132の駆動装置は、プランジャー134を往復運動させるための装置であり、例えば、ステッピングモーターを含む。ステッピングモーターを含む駆動装置は、シリンジポンプ132の送液量や送液速度を管理できるため、検出チップ10の残液量を管理する観点から好ましい。シリンジポンプ132の移動装置は、例えば、シリンジポンプ132を、シリンジ133の軸方向(例えば垂直方向)と、軸方向を横断する方向(例えば水平方向)との二方向に自在に動かす。シリンジポンプ132の移動装置は、例えば、ロボットアーム、2軸ステージまたは上下動自在なターンテーブルによって構成される。   The liquid feeding pump driving mechanism 135 includes a driving device for the plunger 134 and a moving device for the syringe pump 132. The driving device of the syringe pump 132 is a device for reciprocating the plunger 134, and includes, for example, a stepping motor. The driving device including the stepping motor can control the amount and speed of liquid supply of the syringe pump 132, and is therefore preferable from the viewpoint of managing the amount of liquid remaining in the detection chip 10. The moving device of the syringe pump 132, for example, freely moves the syringe pump 132 in two directions: an axial direction (for example, a vertical direction) of the syringe 133 and a direction transverse to the axial direction (for example, a horizontal direction). The moving device of the syringe pump 132 is constituted by, for example, a robot arm, a two-axis stage, or a vertically movable turntable.

送液ユニット130は、液体チップ131より各種液体を吸引し、検出チップ10の収容部内に供給する。収容部が流路である場合、プランジャー134を動かすことで、流路内を液体が往復し、流路内の液体が撹拌される。これにより、液体の濃度分布の均一化や、流路内における反応(例えば、後述する1次反応および2次反応)を促進することができる。収容部内の液体は、再びシリンジポンプ132で吸引され、液体チップ131などに排出される。これらの動作の繰り返しにより、各種液体による反応、洗浄などを実施し、収容部内に、蛍光物質で標識された被検出物質などを配置することができる。   The liquid sending unit 130 sucks various liquids from the liquid chip 131 and supplies the liquid to the storage section of the detection chip 10. When the storage part is a flow path, the liquid reciprocates in the flow path by moving the plunger 134, and the liquid in the flow path is stirred. Thereby, it is possible to make the concentration distribution of the liquid uniform and promote a reaction in the flow channel (for example, a primary reaction and a secondary reaction described later). The liquid in the container is sucked again by the syringe pump 132 and discharged to the liquid chip 131 or the like. By repeating these operations, a reaction with various liquids, washing, and the like are performed, and a substance to be detected or the like, which is labeled with a fluorescent substance, can be arranged in the container.

搬送ユニット140は、検出チップ10を設置位置、検出位置または送液位置に搬送し、固定する。ここで「設置位置」とは、検出チップ10をSPFS装置100に設置するための位置である。また、「検出位置」とは、光照射ユニット110が検出チップ10に励起光αを照射し、それに伴い発生する蛍光βを受光ユニット120が検出する位置である。さらに、「送液位置」とは、送液ユニット130が検出チップ10の収容部内に液体を供給するか、または検出チップ10の収容部内の液体を除去する位置である。   The transport unit 140 transports and fixes the detection chip 10 to an installation position, a detection position, or a liquid sending position. Here, the “installation position” is a position for installing the detection chip 10 in the SPFS device 100. The “detection position” is a position where the light irradiation unit 110 irradiates the detection chip 10 with the excitation light α and the light-receiving unit 120 detects the fluorescence β generated thereby. Further, the “liquid sending position” is a position at which the liquid sending unit 130 supplies the liquid into the storage part of the detection chip 10 or removes the liquid from the storage part of the detection chip 10.

搬送ユニット140は、搬送ステージ141およびチップホルダー142を含む。   The transfer unit 140 includes a transfer stage 141 and a chip holder 142.

チップホルダー142は、搬送ステージ141上に固定されており、検出チップ10を着脱可能に保持する。チップホルダー142の形状は、検出チップ10を保持することができ、かつ励起光αや蛍光β、反射光γなどの光の光路を妨げない形状である。   The chip holder 142 is fixed on the transfer stage 141 and holds the detection chip 10 in a detachable manner. The shape of the chip holder 142 is a shape that can hold the detection chip 10 and does not obstruct the optical path of light such as excitation light α, fluorescence β, and reflected light γ.

搬送ステージ141は、チップホルダー142を一方向およびその逆方向に移動させる。搬送ステージ141も、励起光αや蛍光β、反射光γなどの光の光路を妨げない形状である。搬送ステージ141は、例えば、ステッピングモーターなどで駆動される。   The transfer stage 141 moves the chip holder 142 in one direction and the opposite direction. The transfer stage 141 also has a shape that does not hinder the optical path of light such as excitation light α, fluorescence β, and reflected light γ. The transfer stage 141 is driven by, for example, a stepping motor.

制御部150は、光源制御部112、受光センサー制御部122、送液ポンプ駆動機構135および搬送ステージ141を制御する。また、制御部150は、受光センサー121の検出結果に基づいて被検出物質の存在またはその量を示すシグナル値を算出するための処理部としても機能する。制御部150は、例えば、演算装置、制御装置、記憶装置、入力装置および出力装置を含み、ソフトウェアを実行するコンピュータである。   The control unit 150 controls the light source control unit 112, the light receiving sensor control unit 122, the liquid feed pump driving mechanism 135, and the transport stage 141. Further, the control unit 150 also functions as a processing unit for calculating a signal value indicating the presence or the amount of the substance to be detected based on the detection result of the light receiving sensor 121. The control unit 150 is a computer that executes software, including, for example, an arithmetic device, a control device, a storage device, an input device, and an output device.

(SPFS装置の検出動作)
次に、SPFS装置100の検出動作(本実施の形態に係る検出方法)について説明する。図6は、SPFS装置100の動作手順の一例を示すフローチャートである。
(Detection operation of SPFS device)
Next, a detection operation of the SPFS device 100 (a detection method according to the present embodiment) will be described. FIG. 6 is a flowchart illustrating an example of an operation procedure of the SPFS device 100.

まず、検出の準備をする(工程S10)。具体的には、検出チップ10を準備して、SPFS装置100の設置位置に配置されているチップホルダー142に検出チップ10を設置する。また、検出チップ10の金属膜30上に保湿剤が存在する場合は、捕捉体50が適切に被検出物質を捕捉できるように、金属膜30上を洗浄して保湿剤を除去する。   First, preparation for detection is performed (step S10). Specifically, the detection chip 10 is prepared, and the detection chip 10 is installed on the chip holder 142 arranged at the installation position of the SPFS device 100. If a humectant exists on the metal film 30 of the detection chip 10, the humectant is removed by washing the metal film 30 so that the capturing body 50 can appropriately capture the substance to be detected.

次いで、金属膜30上に蛍光物質が存在しない状態で蛍光βと同じ波長の光を含む光の検出を行い、光学ブランク値を測定する(工程S20)。ここで、「光学ブランク値」とは、検出チップ10の上方に放出される背景光の光量を意味する。   Next, in the state where no fluorescent substance is present on the metal film 30, light containing light having the same wavelength as the fluorescence β is detected, and an optical blank value is measured (step S20). Here, the “optical blank value” means the amount of background light emitted above the detection chip 10.

具体的には、制御部150は、搬送ステージ141を制御して、検出チップ10を設置位置から検出位置に移動させる。この後、制御部150は、光源制御部112を制御して、光照射ユニット110の光源ユニット111から励起光αを金属膜30(回折格子35)の所定の位置に照射するとともに、制御部150は、受光センサー制御部122を制御して、受光センサー121で光を検出し、光学ブランク値を得る。測定された光学ブランク値は、制御部(処理部)150に送信され、記憶される。詳細については後述するが、このとき、光照射ユニット110は、第1分割領域36および第2分割領域37が照射スポット60内に同時に含まれるように金属膜30に励起光αを照射する。   Specifically, the control unit 150 controls the transport stage 141 to move the detection chip 10 from the installation position to the detection position. Thereafter, the control unit 150 controls the light source control unit 112 to irradiate the excitation light α from the light source unit 111 of the light irradiation unit 110 to a predetermined position of the metal film 30 (diffraction grating 35). Controls the light receiving sensor control unit 122 to detect light with the light receiving sensor 121 and obtain an optical blank value. The measured optical blank value is transmitted to the control unit (processing unit) 150 and stored. Although details will be described later, at this time, the light irradiation unit 110 irradiates the excitation light α to the metal film 30 so that the first divided region 36 and the second divided region 37 are simultaneously included in the irradiation spot 60.

次いで、検体中の被検出物質と捕捉体50とを結合させる(1次反応;工程S30)。具体的には、制御部150は、搬送ステージ141を制御して、検出チップ10を検出位置から送液位置に移動させる。この後、制御部150は、送液ポンプ駆動機構135を制御して、液体チップ131中の検体を収容部内に提供する。これにより、検体中に被検出物質が存在する場合は、被検出物質の少なくとも一部は金属膜30上の捕捉体50により捕捉される。この後、収容部内を緩衝液などで洗浄して、捕捉体50に捕捉されなかった物質を除去する。   Next, the substance to be detected in the sample is bound to the capturing body 50 (primary reaction; step S30). Specifically, the control unit 150 controls the transport stage 141 to move the detection chip 10 from the detection position to the liquid sending position. Thereafter, the control unit 150 controls the liquid sending pump driving mechanism 135 to provide the sample in the liquid chip 131 to the inside of the storage unit. Thus, when the target substance is present in the sample, at least a part of the target substance is captured by the capturing body 50 on the metal film 30. Thereafter, the inside of the storage section is washed with a buffer solution or the like to remove substances not captured by the capturing body 50.

次いで、捕捉体50に結合した被検出物質を蛍光物質で標識する(2次反応;工程S40)。具体的には、制御部150は、送液ポンプ駆動機構135を制御して、液体チップ131中の蛍光標識液を収容部内に提供する。これにより、被検出物質を蛍光物質で標識することができる。蛍光標識液は、例えば、蛍光物質で標識された抗体(2次抗体)を含む緩衝液である。この後、収容部内を緩衝液などで洗浄し、遊離の蛍光物質などを除去する。   Next, the target substance bound to the capturing body 50 is labeled with a fluorescent substance (secondary reaction; step S40). Specifically, the control unit 150 controls the liquid feed pump driving mechanism 135 to supply the fluorescent labeling liquid in the liquid chip 131 into the storage unit. This allows the substance to be detected to be labeled with the fluorescent substance. The fluorescent labeling solution is, for example, a buffer containing an antibody (secondary antibody) labeled with a fluorescent substance. Thereafter, the inside of the storage section is washed with a buffer or the like to remove free fluorescent substances and the like.

次いで、金属膜30(回折格子35)上に蛍光物質で標識された被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、励起光αを金属膜30(回折格子35)に照射して、金属膜30上の被検出物質を標識する蛍光物質から放出される蛍光βを検出し、蛍光値を測定する(工程S50)。   Next, the excitation light α is irradiated to the metal film 30 (diffraction grating 35) in a state where the detection target substance labeled with the fluorescent substance is directly or indirectly bonded to the metal film 30 (diffraction grating 35). Then, the fluorescence β emitted from the fluorescent substance labeling the substance to be detected on the metal film 30 is detected, and the fluorescence value is measured (Step S50).

具体的には、制御部150は、搬送ステージ141を制御して、検出チップ10を送液位置から検出位置に移動させる。この後、制御部150は、光源制御部112を制御して、金属膜30(回折格子35)に向けて光照射ユニット110の光源ユニット111から励起光αを出射させる。これと同時に、制御部150は、受光センサー制御部122を制御して、受光センサー121で蛍光βを検出する。これにより、受光センサー121は、蛍光値を測定することができる。測定された蛍光値は、制御部(処理部)150に送信され、記録される。このとき、光照射ユニット110は、第1分割領域36および第2分割領域37が照射スポット60内に同時に含まれるように金属膜30に励起光αを照射する。これにより、第1分割領域36上で結合されている被検出物質を標識する蛍光物質から放出される蛍光βと、第2分割領域37上で結合されている被検出物質を標識する蛍光物質から放出される蛍光βとを検出することができる。   Specifically, the control unit 150 controls the transport stage 141 to move the detection chip 10 from the liquid sending position to the detection position. Thereafter, the control unit 150 controls the light source control unit 112 to emit the excitation light α from the light source unit 111 of the light irradiation unit 110 toward the metal film 30 (diffraction grating 35). At the same time, the control unit 150 controls the light receiving sensor control unit 122 so that the light receiving sensor 121 detects the fluorescence β. Thereby, the light receiving sensor 121 can measure the fluorescence value. The measured fluorescence value is transmitted to the control unit (processing unit) 150 and recorded. At this time, the light irradiation unit 110 irradiates the excitation light α to the metal film 30 so that the first divided region 36 and the second divided region 37 are simultaneously included in the irradiation spot 60. As a result, the fluorescence β emitted from the fluorescent substance labeling the target substance bound on the first divided region 36 and the fluorescent substance labeling the target substance bound on the second divided region 37 The emitted fluorescence β can be detected.

最後に、被検出物質の存在またはその量を示すシグナル値を算出する(工程S60)。蛍光値は、主として、被検出物質を標識する蛍光物質に由来する蛍光成分(シグナル値)と、ノイズに由来する光学ブランク値とを含む。したがって、制御部(処理部)150は、工程S50で得られた蛍光値から工程S20で得られた光学ブランク値を引くことで、被検出物質の量に相関するシグナル値を算出することができる。シグナル値は、あらかじめ作成しておいた検量線により、被検出物質の量や濃度などに換算される。   Finally, a signal value indicating the presence or the amount of the substance to be detected is calculated (step S60). The fluorescence value mainly includes a fluorescence component (signal value) derived from a fluorescent substance that labels the substance to be detected, and an optical blank value derived from noise. Therefore, the control unit (processing unit) 150 can calculate a signal value correlated with the amount of the target substance by subtracting the optical blank value obtained in step S20 from the fluorescence value obtained in step S50. . The signal value is converted to the amount or concentration of the substance to be detected by a calibration curve created in advance.

以上の手順により、検体中の被検出物質の存在または被検出物質の量を検出することができる。   According to the above procedure, the presence of the target substance or the amount of the target substance in the sample can be detected.

本実施の形態に係るSPFS装置100は、本実施の形態に係る検出チップ10を使用するため、金属膜30に対する励起光αの入射角を走査することなく、被検出物質を高精度に検出することができる。以下、この点について説明する。比較のため、格子ピッチの種類が1つである回折格子を含む検出チップ(以下、「比較用の検出チップ」ともいう)を使用した場合についても説明する。図7A、Bは、金属膜に対する励起光αの入射角と、励起光αの反射光γの光量との関係を示すグラフである。図7Aは、比較用の検出チップを使用した場合のグラフであり、図7Bは、本実施の形態に係る検出チップ10を使用した場合のグラフである。   Since the SPFS device 100 according to the present embodiment uses the detection chip 10 according to the present embodiment, it detects the substance to be detected with high accuracy without scanning the incident angle of the excitation light α to the metal film 30. be able to. Hereinafter, this point will be described. For comparison, a case where a detection chip including a diffraction grating having one kind of grating pitch (hereinafter, also referred to as a “detection chip for comparison”) will be described. 7A and 7B are graphs showing the relationship between the angle of incidence of the excitation light α on the metal film and the amount of reflected light γ of the excitation light α. FIG. 7A is a graph when the detection chip for comparison is used, and FIG. 7B is a graph when the detection chip 10 according to the present embodiment is used.

前述のとおり、SPRを発生させるために最適な励起光αの入射角は、回折格子35の格子ピッチや励起光αの波長などに依存する。SPFS装置100では、SPRが発生するように金属膜30に励起光αが照射されたときに、金属膜30上から蛍光βが放出される。このとき、反射光γの光量が最も小さくなるときに、SPRが最大となり、放出される蛍光βの光量も最大となる。このときの入射角を共鳴角(または増強角)という。そして、励起光αの入射角が共鳴角からずれるにつれて、反射光γの光量は大きくなり、蛍光βの光量は小さくなる。このため、従来の検出チップ(比較用の検出チップ)を用いて励起光αの金属膜30に対する入射角と反射光γの光量との関係をグラフにすると、共鳴角で反射光γの光量が最小となる下に凸の曲線となる(図7A参照)。   As described above, the optimum incident angle of the excitation light α for generating the SPR depends on the grating pitch of the diffraction grating 35, the wavelength of the excitation light α, and the like. In the SPFS device 100, when the excitation light α is applied to the metal film 30 so as to generate SPR, the fluorescence β is emitted from the metal film 30. At this time, when the amount of the reflected light γ is the smallest, the SPR becomes maximum, and the amount of the emitted fluorescent light β also becomes the maximum. The incident angle at this time is called a resonance angle (or enhancement angle). Then, as the incident angle of the excitation light α deviates from the resonance angle, the amount of reflected light γ increases, and the amount of fluorescence β decreases. For this reason, when the relationship between the incident angle of the excitation light α to the metal film 30 and the amount of the reflected light γ is graphed using a conventional detection chip (a detection chip for comparison), the amount of the reflected light γ is represented by the resonance angle. The curve becomes a downward convex curve which becomes the minimum (see FIG. 7A).

図7Aに示されるように、比較用の検出チップを使用した場合、共鳴角(約9.1°)から励起光αの入射角が±0.4°変化すると、反射光γの光量が増大する。このときの反射光γの光量の増大は、シグナル値の4%分の減少に相当する。これは、従来の検出チップ(比較用の検出チップ)を使用したSPFS装置では、励起光αの入射角が共鳴角からずれると、検出される蛍光βの光量が大きく減少してしまうことを意味する。このため、被検出物質の高精度な検出を実現するためには、金属膜に対する励起光αの最適な入射角(共鳴角)を決定するための工程が必要となってしまう。したがって、従来の検出チップを用いる従来のSPFS装置では、金属膜に対する励起光αの入射角を走査するための走査機構が必要となる。これにより、SPFS装置は、大型化してしまい、かつコストが高くなってしまう。また、共鳴角を決定するために時間を要するため、検出時間が長くなってしまう。   As shown in FIG. 7A, when the detection chip for comparison is used, when the incident angle of the excitation light α changes from the resonance angle (about 9.1 °) by ± 0.4 °, the amount of the reflected light γ increases. I do. An increase in the amount of the reflected light γ at this time corresponds to a decrease of 4% of the signal value. This means that in the SPFS device using the conventional detection chip (detection chip for comparison), if the incident angle of the excitation light α deviates from the resonance angle, the amount of the detected fluorescence β greatly decreases. I do. Therefore, in order to realize highly accurate detection of the substance to be detected, a step for determining an optimum incident angle (resonance angle) of the excitation light α with respect to the metal film is required. Therefore, the conventional SPFS device using the conventional detection chip requires a scanning mechanism for scanning the incident angle of the excitation light α on the metal film. As a result, the SPFS device is increased in size and cost. Further, since it takes time to determine the resonance angle, the detection time becomes long.

これに対し、本実施の形態に係る検出チップ10の金属膜30は、格子ピッチが互いに異なる2種類の分割領域(第1分割領域36および第2分割領域37)を含む回折格子35を有する。そして、本実施の形態に係るSPFS装置100では、光照射ユニット110は、第1分割領域36および第2分割領域37が照射スポット60内に同時に含まれるように金属膜30に励起光αを照射する。このため、図7Bに示されるように、反射光γの光量は、第1分割領域36からの反射光γの光量(図7Bの一方の破線参照)および第2分割領域37からの反射光γの光量(図7Bの他方の破線参照)の合計(図7Bの実線参照)となる。なお、図7Bにおいて破線で示される第1分割領域36(または第2分割領域37)からの反射光γの光量は、第1分割領域36(または第2分割領域37)が照射スポット60の全面を占めていると仮定した場合の反射光γの光量である。このため、照射スポット60内における第1分割領域36の面積と第2分割領域37の面積とが同じである場合、第1分割領域36(または第2分割領域37)からの反射光γの光量は、図7Bの破線から読み取られる値の半分となる。したがって、図7Bにおいて実線で示される照射スポット60からの反射光γの合計光量は、各入射角における、破線で示される2つの曲線から読み取られる値の和の1/2の値として算出される。そして、第1分割領域36および第2分割領域37の格子ピッチをそれぞれ適切に設定した場合、図7Bにおいて実線で示される照射スポット60からの反射光γの合計光量は、入射角が変化してもほとんど変化しなくなる。具体的には、本実施の形態に係る検出チップ10を使用した本実施の形態に係るSPFS装置100では、共鳴角(反射光γの合計光量が最も小さい入射角)から入射角が±0.4°変化しても、反射光γの合計光量はほとんど増大しない。このときの反射光γの合計光量の増大は、シグナル値のわずか1.3%分の減少に相当する。これは、本実施の形態に係るSPFS装置100では、金属膜30に対する励起光αの入射角が共鳴角からずれても、検出される蛍光βの光量がほとんど変化しないことを意味する。このため、本実施の形態に係るSPFS装置100では、金属膜30に対する励起光αの入射角を走査しなくても、被検出物質を高精度に検出することができる。   On the other hand, the metal film 30 of the detection chip 10 according to the present embodiment has the diffraction grating 35 including two types of divided regions (the first divided region 36 and the second divided region 37) having different grating pitches. Then, in SPFS apparatus 100 according to the present embodiment, light irradiation unit 110 irradiates metal film 30 with excitation light α such that first divided region 36 and second divided region 37 are simultaneously included in irradiation spot 60. I do. Therefore, as shown in FIG. 7B, the amount of reflected light γ is the amount of reflected light γ from the first divided region 36 (see one broken line in FIG. 7B) and the amount of reflected light γ from the second divided region 37. (See the other broken line in FIG. 7B). Note that the amount of reflected light γ from the first divided region 36 (or the second divided region 37) indicated by a broken line in FIG. 7B indicates that the first divided region 36 (or the second divided region 37) Is the amount of reflected light γ when it is assumed that Therefore, when the area of the first divided region 36 and the area of the second divided region 37 in the irradiation spot 60 are the same, the amount of reflected light γ from the first divided region 36 (or the second divided region 37) Is half the value read from the dashed line in FIG. 7B. Therefore, the total light amount of the reflected light γ from the irradiation spot 60 shown by the solid line in FIG. 7B is calculated as a value of 和 of the sum of the values read from the two curves shown by the broken lines at each incident angle. . When the grating pitches of the first divided region 36 and the second divided region 37 are appropriately set, the total amount of the reflected light γ from the irradiation spot 60 indicated by the solid line in FIG. Also hardly changes. Specifically, in the SPFS device 100 according to the present embodiment using the detection chip 10 according to the present embodiment, the incident angle is ± 0.2 mm from the resonance angle (the incident angle at which the total amount of the reflected light γ is the smallest). Even if it changes by 4 °, the total amount of reflected light γ hardly increases. An increase in the total amount of reflected light γ at this time corresponds to a decrease of only 1.3% of the signal value. This means that in the SPFS device 100 according to the present embodiment, even if the incident angle of the excitation light α to the metal film 30 deviates from the resonance angle, the amount of the detected fluorescence β hardly changes. Therefore, the SPFS apparatus 100 according to the present embodiment can detect the target substance with high accuracy without scanning the incident angle of the excitation light α on the metal film 30.

一方、本実施の形態に係るSPFS装置100では、第1分割領域36および第2分割領域37のそれぞれに最適な入射角(共鳴角)とは異なる入射角で金属膜30に励起光αを照射する。したがって、第1分割領域36に最適な入射角(例えば8.1°)と第2分割領域37に最適な入射角(例えば10.1°)との間の入射角で金属膜30に励起光αを照射した場合、第1分割領域36および第2分割領域37のいずれにおいてもSPRは最大とならない。このことは、図7Bのグラフにおいて、実線で示される曲線の反射光γの光量が破線で示される曲線の反射光γの光量よりも大きいことからもわかる。その結果、検出される蛍光βの光量が減少してしまうことになるが、これは大きな問題とはならない。たとえば、励起光αのパワーを上げて、検出される蛍光βの光量を増大させることにより、被検出物質の検出精度を維持することができる。   On the other hand, in the SPFS device 100 according to the present embodiment, excitation light α is applied to metal film 30 at an incident angle different from the optimum incident angle (resonance angle) for each of first divided region 36 and second divided region 37. I do. Therefore, the excitation light is applied to the metal film 30 at an incident angle between the optimal incident angle (for example, 8.1 °) for the first divided region 36 and the optimal incident angle (for example, 10.1 °) for the second divided region 37. When α is irradiated, the SPR does not reach the maximum in both the first divided region 36 and the second divided region 37. This can also be understood from the fact that the amount of reflected light γ of the curve shown by the solid line is larger than the amount of reflected light γ of the curve shown by the broken line in the graph of FIG. 7B. As a result, the amount of the detected fluorescence β decreases, but this is not a serious problem. For example, by increasing the power of the excitation light α to increase the amount of the detected fluorescence β, the detection accuracy of the target substance can be maintained.

また、図7Bのグラフにおいて実線で示されるように、本実施の形態に係る検出チップ10では、励起光αの入射角を変化させても反射光γの光量が変化しないことが好ましい。すなわち、図7Bのグラフにおいて、実線で示される曲線の傾きが小さくなるように、破線で示される2つの分割領域に由来する成分の割合が調整されることが好ましい。すなわち、励起光αの照射スポット60内に同程度の面積割合で複数種類の分割領域がそれぞれ含まれることが好ましい。たとえば、照射スポット60内において、その合計面積が最大である種類の分割領域の合計面積と、その合計面積が最小である種類の分割領域の合計面積との比は、4:6〜6:4の範囲内であることが好ましい。   Further, as shown by the solid line in the graph of FIG. 7B, in the detection chip 10 according to the present embodiment, it is preferable that the amount of the reflected light γ does not change even if the incident angle of the excitation light α is changed. That is, in the graph of FIG. 7B, it is preferable that the ratio of the components derived from the two divided regions indicated by the broken lines be adjusted so that the slope of the curve indicated by the solid line becomes small. That is, it is preferable that the irradiation spot 60 of the excitation light α includes a plurality of types of divided regions at the same area ratio. For example, in the irradiation spot 60, the ratio of the total area of the types of divided regions having the largest total area to the total area of the types of divided regions having the smallest total area is 4: 6 to 6: 4. Is preferably within the range.

(シミュレーション)
ここで、回折格子の格子ピッチと、共鳴角との関係をシミュレーションした。具体的には、格子ピッチが350nmまたは400nmの回折格子に、波長635nmの励起光αを入射させたときの共鳴角をシミュレーションにより求めた。シミュレーションの結果を表1に示す。表1から、格子ピッチが10nm異なると、共鳴角が2°変化することがわかる。
(simulation)
Here, the relationship between the grating pitch of the diffraction grating and the resonance angle was simulated. Specifically, the resonance angle when excitation light α having a wavelength of 635 nm was made incident on a diffraction grating having a grating pitch of 350 nm or 400 nm was obtained by simulation. Table 1 shows the results of the simulation. Table 1 shows that the resonance angle changes by 2 ° when the grating pitch differs by 10 nm.

Figure 0006658752
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図7Bのグラフにおいて実線で示されるように、本実施の形態に係る検出チップ10では、励起光αの入射角を変化させても反射光γの光量が変化しないように、第1分割領域36および第2分割領域37の格子ピッチが設定されることが好ましい。すなわち、図7Bのグラフにおいて、実線で示される曲線の傾きが小さくなるように、破線で示される2つの曲線の位置を調整することが好ましい。上記シミュレーションからもわかるように、第1分割領域36および第2分割領域37の格子ピッチを調整することで、第1分割領域36および第2分割領域37の共鳴角を調整すること、すなわち図7Bのグラフにおいて破線で示される2つの曲線の位置を水平方向に移動することができる。したがって、励起光αの入射角を変化させても反射光γの光量が変化しないように、第1分割領域36および第2分割領域37の格子ピッチを設定することが好ましい。   As shown by the solid line in the graph of FIG. 7B, in the detection chip 10 according to the present embodiment, the first divided region 36 is formed so that the amount of the reflected light γ does not change even if the incident angle of the excitation light α is changed. It is preferable that the grating pitch of the second divided region 37 is set. That is, in the graph of FIG. 7B, it is preferable to adjust the positions of the two curves shown by the broken lines so that the slope of the curve shown by the solid line becomes small. As can be seen from the above simulation, by adjusting the lattice pitch of the first divided region 36 and the second divided region 37, the resonance angle of the first divided region 36 and the second divided region 37 is adjusted, that is, FIG. 7B Can be moved in the horizontal direction at the positions of the two curves indicated by the broken lines in the graph of FIG. Therefore, it is preferable to set the grating pitch of the first divided region 36 and the second divided region 37 so that the amount of the reflected light γ does not change even if the incident angle of the excitation light α is changed.

(効果)
以上のように、本実施の形態に係る検出チップ10を使用することで、本実施の形態に係る検出方法では、金属膜30に対する励起光αの入射角を走査することなく、短時間で、被検出物質を高精度に検出することができる。本実施の形態に係るSPFS装置100および検出システム1では、励起光αの入射角の走査機構が不要となり、装置の大型化および高コスト化を防止することができる。
(effect)
As described above, by using the detection chip 10 according to the present embodiment, in the detection method according to the present embodiment, without scanning the incident angle of the excitation light α with respect to the metal film 30, The substance to be detected can be detected with high accuracy. In the SPFS device 100 and the detection system 1 according to the present embodiment, a scanning mechanism for the incident angle of the excitation light α is not required, and it is possible to prevent the device from increasing in size and cost.

[実施の形態2]
(検出システム)
図1は、実施の形態2に係る検出システム2の構成を示す図である。本実施の形態に係る検出システム2は、検出チップ210およびSPFS装置100を有する。以下、本実施の形態に係る検出チップ210およびSPFS装置100について説明する。
[Embodiment 2]
(Detection system)
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a detection system 2 according to the second embodiment. The detection system 2 according to the present embodiment includes the detection chip 210 and the SPFS device 100. Hereinafter, the detection chip 210 and the SPFS device 100 according to the present embodiment will be described.

(検出チップおよびSPFS装置の構成)
図8は、実施の形態2に係る検出チップ210の平面図である。検出チップ210では、金属膜230の回折格子235のみが実施の形態1に係る検出チップ10と異なる。そこで、実施の形態1において説明した構成要素と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。また、本実施の形態に係る検出チップ210を使用した検出方法およびSPFS装置は、実施の形態1に係る検出方法およびSPFS装置100と同様であるため、その説明を省略する。また、図9は、実施の形態2に係る検出チップ210における回折格子235と励起光αの照射スポット260との関係を示す模式図である。本実施の形態では、照射スポット260の形状は、四角形状である。
(Configuration of detection chip and SPFS device)
FIG. 8 is a plan view of the detection chip 210 according to the second embodiment. In the detection chip 210, only the diffraction grating 235 of the metal film 230 is different from the detection chip 10 according to the first embodiment. Therefore, the same components as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. Further, the detection method and the SPFS device using the detection chip 210 according to the present embodiment are the same as the detection method and the SPFS device 100 according to the first embodiment, and thus description thereof will be omitted. FIG. 9 is a schematic diagram showing the relationship between the diffraction grating 235 and the irradiation spot 260 of the excitation light α in the detection chip 210 according to the second embodiment. In the present embodiment, the shape of the irradiation spot 260 is a square shape.

金属膜230は、一方の面を収容部内に向けて、基板20上に配置されている。金属膜230は、回折格子235を含む。また、金属膜230の厚みや材料などは、特に限定されず、実施の形態1に係る検出チップ10における回折格子35と同様である。   The metal film 230 is arranged on the substrate 20 with one surface facing the inside of the housing. The metal film 230 includes a diffraction grating 235. The thickness and material of the metal film 230 are not particularly limited, and are the same as those of the diffraction grating 35 in the detection chip 10 according to the first embodiment.

回折格子235は、金属膜230に励起光αを照射されたときに、エバネッセント波を生じさせる。回折格子235は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域を含む。また、複数種類の分割領域は、それぞれ複数の領域を含む。図8に示されるように、本実施の形態では、回折格子235は、格子ピッチが互いに異なる第1分割領域236および第2分割領域237を含む。図8では、第1分割領域236を黒色で示し、第2分割領域237を白色で示す。本実施の形態では、第1分割領域236および第2分割領域237の外形の平面視形状は、四角形状である。分割領域(第1分割領域236および第2分割領域237)は、第1分割領域236の辺と、第2分割領域237の辺とが対向するように配置されている。また、各分割領域(第1分割領域236および第2分割領域237)における隣接する溝の中心間距離、溝の深さおよび溝の断面形状は、エバネッセント波を生じさせることができれば特に限定されず、実施の形態1に係る検出チップ10と同様である。   The diffraction grating 235 generates an evanescent wave when the metal film 230 is irradiated with the excitation light α. The diffraction grating 235 includes a plurality of types of divided regions having different grating pitches. Further, the plurality of types of divided regions each include a plurality of regions. As shown in FIG. 8, in the present embodiment, diffraction grating 235 includes first divided region 236 and second divided region 237 having different grating pitches. In FIG. 8, the first divided region 236 is shown in black, and the second divided region 237 is shown in white. In the present embodiment, the outer shapes of the first divided area 236 and the second divided area 237 in plan view are quadrangular. The divided regions (the first divided region 236 and the second divided region 237) are arranged such that the sides of the first divided region 236 and the sides of the second divided region 237 face each other. The distance between the centers of the adjacent grooves in each of the divided regions (the first divided region 236 and the second divided region 237), the depth of the groove, and the sectional shape of the groove are not particularly limited as long as an evanescent wave can be generated. This is the same as the detection chip 10 according to the first embodiment.

また、金属膜230上における励起光αの照射スポット260の位置がずれても、照射スポット260内に含まれる複数種類の分割領域の面積比が変化するのを抑制する観点から、照射スポット260の形状と、複数種類の分割領域の形状とは、同一形状であることが好ましく、かつ相似形状であることが好ましい。また、第1分割領域236および第2分割領域237にそれぞれ含まれる各領域の面積は、互いに同程度であることが好ましい。第1分割領域236および第2分割領域237に含まれる各領域の面積は、特に限定されないが、例えば、照射スポット260の面積が1mmである場合、0.4〜0.6mmである。また、照射スポット260内には、分割領域に含まれる各領域がそれぞれ同数含まれることが好ましい。一方、照射スポット260の面積と比較して、分割領域に含まれる各領域の面積が十分微小であれば、照射スポット260の形状と、分割領域の形状とは、異なっていてもよい。このとき、各分割領域の照射スポット260に対する面積比は、それぞれ0.01以上かつ0.5以下であることが好ましい。たとえば、照射スポット260の面積が1mmである場合、分割領域に含まれる各領域の面積が0.01mm以上かつ0.5mm以下であれば、分割領域に含まれる各領域の面積が照射スポット260に対して十分微小であるといえる。In addition, even if the position of the irradiation spot 260 of the excitation light α on the metal film 230 is shifted, from the viewpoint of suppressing a change in the area ratio of a plurality of types of divided regions included in the irradiation spot 260, The shape and the shape of the plurality of types of divided regions are preferably the same, and are preferably similar. Further, it is preferable that the areas of the respective regions included in the first divided region 236 and the second divided region 237 are substantially equal to each other. Area of each region included in the first divided area 236 and a second divided region 237 is not particularly limited, for example, when the area of radiation spots 260 is 1 mm 2, it is 0.4 to 0.6 mm 2. It is preferable that the irradiation spot 260 includes the same number of each of the regions included in the divided regions. On the other hand, if the area of each region included in the divided region is sufficiently small compared to the area of the irradiation spot 260, the shape of the irradiation spot 260 and the shape of the divided region may be different. At this time, the area ratio of each divided area to the irradiation spot 260 is preferably 0.01 or more and 0.5 or less. For example, when the area of the irradiation spot 260 is 1 mm 2 and the area of each area included in the divided area is 0.01 mm 2 or more and 0.5 mm 2 or less, the area of each area included in the divided area is irradiated. It can be said that the spot 260 is sufficiently small.

図9に示されるように、本実施の形態では、照射スポット260の形状と、分割領域(第1分割領域236および第2分割領域237)の形状とは、ともに四角形状であり、相似形状である。また、照射スポット260には、第1分割領域236および第2分割領域237がそれぞれ2つずつ含まれる。   As shown in FIG. 9, in the present embodiment, the shape of irradiation spot 260 and the shape of divided regions (first divided region 236 and second divided region 237) are both quadrangular, and have similar shapes. is there. The irradiation spot 260 includes two first divided regions 236 and two second divided regions 237.

(効果)
本実施の形態に係る検出チップ210を使用しても、実施の形態1と同様に、金属膜230に対する励起光αの入射角を走査することなく、被検出物質を高精度に検出することができる。
(effect)
Even when the detection chip 210 according to the present embodiment is used, similarly to the first embodiment, the substance to be detected can be detected with high accuracy without scanning the angle of incidence of the excitation light α on the metal film 230. it can.

[実施の形態3]
(検出システム)
図1は、実施の形態3に係る検出システム3の構成を示す図である。本実施の形態に係る検出システム3は、検出チップ310およびSPFS装置100を有する。以下、本実施の形態に係る検出チップ310およびSPFS装置100について説明する。
[Embodiment 3]
(Detection system)
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a detection system 3 according to a third embodiment. The detection system 3 according to the present embodiment includes the detection chip 310 and the SPFS device 100. Hereinafter, the detection chip 310 and the SPFS device 100 according to the present embodiment will be described.

(検出チップおよびSPFS装置の構成)
図10A、Bは、実施の形態3に係る検出チップ310の構成を示す図である。図10Aは、検出チップ310の平面図であり、図10Bは、図10AにおけるB−B線の断面図である。検出チップ310では、金属膜330の回折格子335のみが実施の形態1に係る検出チップ10と異なる。そこで、実施の形態1において説明した構成要素と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。また、本実施の形態に係る検出チップ310を使用した検出方法およびSPFS装置は、実施の形態1に係る検出方法およびSPFS装置100と同様であるため、それらの説明を省略する。また、図11は、実施の形態3に係る検出チップ310における回折格子335と励起光αの照射スポット360との関係を示す模式図である。本実施の形態では、照射スポット360の形状は、四角形状である。
(Configuration of detection chip and SPFS device)
FIGS. 10A and 10B are diagrams showing a configuration of the detection chip 310 according to the third embodiment. FIG. 10A is a plan view of the detection chip 310, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 10A. In the detection chip 310, only the diffraction grating 335 of the metal film 330 is different from the detection chip 10 according to the first embodiment. Therefore, the same components as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. Further, the detection method and the SPFS device using the detection chip 310 according to the present embodiment are the same as the detection method and the SPFS device 100 according to the first embodiment, and thus description thereof will be omitted. FIG. 11 is a schematic diagram showing a relationship between the diffraction grating 335 and the irradiation spot 360 of the excitation light α in the detection chip 310 according to the third embodiment. In the present embodiment, the shape of irradiation spot 360 is a square shape.

金属膜330は、一方の面を収容部内に向けて、基板20上に配置されている。金属膜330は、回折格子335を含む。また、金属膜330の厚みや材料などは、特に限定されず、実施の形態1に係る検出チップ10における回折格子35と同様である。   The metal film 330 is disposed on the substrate 20 with one surface facing the inside of the housing. The metal film 330 includes a diffraction grating 335. The thickness and material of the metal film 330 are not particularly limited, and are the same as those of the diffraction grating 35 in the detection chip 10 according to the first embodiment.

回折格子335は、金属膜330に励起光αを照射されたときに、エバネッセント波を生じさせる。回折格子335は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域を含む。シグナル値の減少率が抑制される励起光αの入射角範囲を広くする観点からは、分割領域の種類の数は、3つ以上であることが好ましい。また、複数種類の分割領域は、それぞれ複数の領域を含む。図10Aに示されるように、本実施の形態では、図10A、Bに示されるように、分割領域の種類の数は、3つであり、回折格子335は、格子ピッチが互いに異なる第1分割領域336、第2分割領域337および第3分割領域338を含む。図10A、Bおよび図11では、第1分割領域336を黒色で示し、第2分割領域337を白色で示し、第3分割領域338をハッチングで示す。本実施の形態では、第1分割領域336、第2分割領域337および第3分割領域338の外形の平面視形状は、四角形状である。図10Aに示されるように、分割領域は、金属膜330の面方向(x方向およびy方向)に沿う第1方向(y方向)においては異なる種類の分割領域と隣接しておらず、かつ第1方向(y方向)に直交する、金属膜330の面方向(x方向およびy方向)に沿う第2方向(x方向)においては異なる種類の分割領域と隣接するように配置されている。   The diffraction grating 335 generates an evanescent wave when the metal film 330 is irradiated with the excitation light α. The diffraction grating 335 includes a plurality of types of divided regions having different grating pitches. From the viewpoint of widening the incident angle range of the excitation light α in which the reduction rate of the signal value is suppressed, the number of types of the divided regions is preferably three or more. Further, the plurality of types of divided regions each include a plurality of regions. As shown in FIG. 10A, in the present embodiment, as shown in FIGS. 10A and 10B, the number of types of divided regions is three, and diffraction grating 335 has the first divided regions having different grating pitches. An area 336, a second divided area 337 and a third divided area 338 are included. In FIGS. 10A, 10B, and 11, the first divided region 336 is shown in black, the second divided region 337 is shown in white, and the third divided region 338 is shown by hatching. In the present embodiment, the outer shapes of the first divided region 336, the second divided region 337, and the third divided region 338 are quadrangular in plan view. As illustrated in FIG. 10A, the divided region is not adjacent to a different type of divided region in a first direction (y direction) along a plane direction (x direction and y direction) of the metal film 330, and In a second direction (x direction) along a plane direction (x direction and y direction) of the metal film 330, which is orthogonal to one direction (y direction), the metal film 330 is arranged to be adjacent to different types of divided regions.

また、各分割領域(第1分割領域336、第2分割領域337および第3分割領域338)における隣接する溝の中心間距離、溝の深さおよび溝の断面形状は、エバネッセント波を生じさせることができれば特に限定されず、実施の形態1に係る検出チップ10と同様である。本実施の形態では、第1分割領域336における隣接する溝の中心間距離は400nmであり、第2分割領域337における隣接する溝の中心間距離は391.5nmであり、第3分割領域338における隣接する溝の中心間距離は380nmである。このとき、前述した回折格子の格子ピッチと、共鳴角との関係のシミュレーション結果を考慮すると、第1分割領域336についての共鳴角と、第2分割領域337についての共鳴角との差は、1.7°であり、第1分割領域336についての共鳴角と、第3分割領域338についての共鳴角との差は、4°である。   The distance between the centers of the adjacent grooves in each of the divided regions (the first divided region 336, the second divided region 337, and the third divided region 338), the depth of the groove, and the sectional shape of the groove may cause an evanescent wave. The configuration is not particularly limited as long as it can be performed, and is similar to the detection chip 10 according to the first embodiment. In the present embodiment, the distance between the centers of adjacent grooves in the first divided region 336 is 400 nm, the distance between the centers of adjacent grooves in the second divided region 337 is 391.5 nm, and the distance between the centers of the adjacent grooves in the third divided region 338 is The distance between the centers of adjacent grooves is 380 nm. At this time, considering the above-described simulation result of the relationship between the grating pitch of the diffraction grating and the resonance angle, the difference between the resonance angle of the first divided region 336 and the resonance angle of the second divided region 337 is 1 0.7 °, and the difference between the resonance angle of the first divided region 336 and the resonance angle of the third divided region 338 is 4 °.

照射スポット360の形状および面積は、特に限定されず、実施の形態1に係る照射スポット60と同様である。照射スポット360の形状の例には、四角形状、多角形状、円形状および楕円形状が含まれる。図11に示されるように、本実施の形態では、照射スポット360の形状は、四角形状である。   The shape and area of the irradiation spot 360 are not particularly limited, and are the same as those of the irradiation spot 60 according to the first embodiment. Examples of the shape of the irradiation spot 360 include a square, a polygon, a circle, and an ellipse. As shown in FIG. 11, in the present embodiment, the shape of irradiation spot 360 is a square shape.

本実施の形態に係るSPFS装置100は、本実施の形態に係る検出チップ310を使用するため、金属膜330に対する励起光αの入射角を走査することなく、被検出物質を高精度に検出することができる。以下、この点について説明する。比較のため、比較用の検出チップを使用した場合についても説明する。図12A、Bは、金属膜に対する励起光αの入射角と、励起光αの反射光γの光量との関係を示すグラフである。図12Aは、比較用の検出チップを使用した場合のグラフであり、図12Bは、本実施の形態に係る検出チップ310を使用した場合のグラフである。   Since the SPFS device 100 according to the present embodiment uses the detection chip 310 according to the present embodiment, it detects the substance to be detected with high accuracy without scanning the incident angle of the excitation light α to the metal film 330. be able to. Hereinafter, this point will be described. For comparison, a case where a detection chip for comparison is used will also be described. 12A and 12B are graphs showing the relationship between the angle of incidence of the excitation light α on the metal film and the amount of reflected light γ of the excitation light α. FIG. 12A is a graph when the detection chip for comparison is used, and FIG. 12B is a graph when the detection chip 310 according to the present embodiment is used.

前述のとおり、比較用の検出チップを使用した場合、共鳴角(約9.1°)から励起光αの入射角が変化すると、反射光γの光量が増大し、これはシグナル値の減少に相当する(図12A参照)。このとき、シグナルの減少率が1%以内に抑制される入射角範囲の大きさは、約0.4°である。   As described above, when the detection chip for comparison is used, when the incident angle of the excitation light α changes from the resonance angle (about 9.1 °), the amount of the reflected light γ increases, which decreases the signal value. (See FIG. 12A). At this time, the size of the incident angle range in which the signal reduction rate is suppressed within 1% is about 0.4 °.

一方、本実施の形態に係る検出チップ310を使用した場合、図12Bにおいて実線で示される照射スポット360からの反射光γの合計光量は、図12Bにおいて破線で示される、各分割領域(第1分割領域336、第2分割領域337および第3分割領域338)からの反射光γの光量の和の1/3となる。そして、図12Bの実線で示されるように、本実施の形態に係る検出チップ310を使用したSPFS装置100では、シグナル値の減少率が1%以内に抑制される入射角範囲の大きさは、約2°である。すなわち、本実施の形態に係る検出チップ310を使用した場合、比較用の検出チップを使用した場合と比較して、シグナル値の減少率が1%以内に抑制される入射角範囲を5倍広くすることができる。   On the other hand, when the detection chip 310 according to the present embodiment is used, the total light amount of the reflected light γ from the irradiation spot 360 shown by the solid line in FIG. This is 1 / of the sum of the light amounts of the reflected light γ from the divided area 336, the second divided area 337, and the third divided area 338). Then, as shown by the solid line in FIG. 12B, in the SPFS device 100 using the detection chip 310 according to the present embodiment, the magnitude of the incident angle range in which the rate of decrease in the signal value is suppressed to within 1% is: About 2 °. That is, when the detection chip 310 according to the present embodiment is used, the incident angle range in which the reduction rate of the signal value is suppressed within 1% is five times wider than when the detection chip for comparison is used. can do.

また、本実施の形態に係るSPFS装置100では、第1分割領域336、第2分割領域337および第3分割領域338のそれぞれに最適な入射角(共鳴角)とは異なる入射角で金属膜330に励起光αを照射する。したがって、各分割領域のいずれにおいてもSPRは最大とならない。このことは、図12Bのグラフにおいて、実線で示される曲線の反射光γの光量が破線で示される曲線の反射光γの光量よりも大きいことからもわかる。その結果、検出される蛍光βの光量が減少してしまうことになるが、これは大きな問題とはならない。たとえば、励起光αのパワーを上げて、検出される蛍光βの光量を増大させることにより、被検出物質の検出精度を維持することができる。   Further, in the SPFS device 100 according to the present embodiment, the metal film 330 has an incident angle (resonance angle) different from the optimal incident angle (resonance angle) for each of the first divided region 336, the second divided region 337, and the third divided region 338. Is irradiated with excitation light α. Therefore, the SPR does not become maximum in any of the divided regions. This can be understood from the fact that the amount of reflected light γ in the curve shown by the solid line is larger than the amount of reflected light γ in the curve shown by the broken line in the graph of FIG. 12B. As a result, the amount of the detected fluorescence β decreases, but this is not a serious problem. For example, by increasing the power of the excitation light α to increase the amount of the detected fluorescence β, the detection accuracy of the target substance can be maintained.

図12Bのグラフにおいて実線で示されるように、本実施の形態に係る検出チップ310では、励起光αの入射角を変化させても反射光γの光量が変化しないことが好ましい。すなわち、図12Bのグラフにおいて、実線で示される曲線の傾きが小さくなるように、破線で示される3つの分割領域に由来する成分の割合が調整されることが好ましい。このとき、分割領域は、励起光αの照射スポット360内に同程度の面積割合で複数種類の分割領域が含まれるように配置されていることが好ましい。たとえば、分割領域は、照射スポット360内において、その合計面積が最大である種類の分割領域の合計面積と、その合計面積が最小である種類の分割領域の合計面積との比が4:6〜6:4の範囲内となるように配置されていることが好ましい。   As shown by the solid line in the graph of FIG. 12B, in detection chip 310 according to the present embodiment, it is preferable that the amount of reflected light γ does not change even if the incident angle of excitation light α is changed. That is, in the graph of FIG. 12B, it is preferable that the ratio of the components derived from the three divided regions indicated by the broken lines be adjusted so that the slope of the curve indicated by the solid line becomes small. At this time, it is preferable that the divided regions are arranged such that a plurality of types of divided regions are included in the irradiation spot 360 of the excitation light α at substantially the same area ratio. For example, the ratio of the total area of the types of divided areas having the largest total area to the total area of the types of divided areas having the smallest total area in the irradiation spot 360 is 4: 6 to Preferably, they are arranged so as to be within the range of 6: 4.

(効果)
本実施の形態に係る検出チップ310を使用しても、実施の形態1と同様に、金属膜330に対する励起光αの入射角を走査することなく、被検出物質を高精度に検出することができる。また、本実施の形態に係る検出方法、検出装置および検出システムでは、実施の形態1と比較して、励起光αの入射角を変化させても反射光γの光量が変化しない入射角範囲をさらに広げることができる。
(effect)
Even when the detection chip 310 according to the present embodiment is used, similarly to the first embodiment, the substance to be detected can be detected with high accuracy without scanning the angle of incidence of the excitation light α on the metal film 330. it can. Further, in the detection method, the detection device, and the detection system according to the present embodiment, as compared with the first embodiment, the incident angle range in which the amount of the reflected light γ does not change even when the incident angle of the excitation light α is changed. Can be further expanded.

本出願は、2015年6月19日出願の特願2015−124071に基づく優先権を主張する。当該出願明細書および図面に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される。   This application claims the priority based on Japanese Patent Application No. 2015-124071 filed on June 19, 2015. The entire contents described in the specification and drawings of the application are incorporated herein by reference.

本発明に係る検出チップ、検出方法、検出装置および検出システムによれば、被検出物質を高い信頼性で検出することができるため、例えば臨床検査などに有用である。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the detection chip, the detection method, the detection apparatus, and the detection system which concern on this invention, since a to-be-detected substance can be detected with high reliability, it is useful for a clinical test etc., for example.

1、2、3 検出システム
10、10’210、310 検出チップ
20 基板(支持体)
30、230、330 金属膜
35、235、335 回折格子
36、236、336 第1分割領域
37、237、337 第2分割領域
338 第3分割領域
40 枠体
50 捕捉体
60、260、360 照射スポット
100 表面プラズモン共鳴蛍光分析装置(SPFS装置)
110 光照射ユニット(光照射部)
111 光源ユニット
112 光源制御部
120 受光ユニット(光検出部)
121 受光センサー
122 受光センサー制御部
130 送液ユニット
131 液体チップ
132 シリンジポンプ
133 シリンジ
134 プランジャー
135 送液ポンプ駆動機構
140 搬送ユニット
141 搬送ステージ
142 チップホルダー
150 制御部(処理部)
α 励起光
β 蛍光
γ 反射光
1, 2, 3 Detection system 10, 10'210, 310 Detection chip 20 Substrate (support)
30, 230, 330 Metal film 35, 235, 335 Diffraction grating 36, 236, 336 First division area 37, 237, 337 Second division area 338 Third division area 40 Frame 50 Capture body 60, 260, 360 Irradiation spot 100 Surface Plasmon Resonance Fluorescence Analyzer (SPFS)
110 Light irradiation unit (light irradiation unit)
111 light source unit 112 light source control unit 120 light receiving unit (light detection unit)
121 light receiving sensor 122 light receiving sensor control unit 130 liquid sending unit 131 liquid chip 132 syringe pump 133 syringe 134 plunger 135 liquid sending pump driving mechanism 140 transfer unit 141 transfer stage 142 chip holder 150 control unit (processing unit)
α excitation light β fluorescence γ reflected light

Claims (29)

検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するために使用される検出チップであって、
支持体と、
前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜と、
を有し、
前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含み、
前記分割領域は、蛍光物質から蛍光を放出させるために前記金属膜に光が照射されたときに、前記光の照射スポット内に複数種類の前記分割領域が同時に含まれるように配置されており
前記照射スポットの大きさは、前記回折格子の大きさよりも小さく、
前記照射スポットを前記金属膜の面方向に沿って移動させたとき、移動前および移動後の前記照射スポットの位置が前記回折格子上のいずれの位置であっても、前記照射スポット内に含まれる複数種類の前記分割領域の面積の割合の変化率は、それぞれ30%以下である、
検出チップ。
When the metal film of the detection chip is irradiated with light so as to generate surface plasmon resonance, the presence or amount of the substance to be detected is detected by detecting the fluorescence emitted from the fluorescent substance on the metal film. Detection chip used for
A support,
A metal film including a diffraction grating, disposed on the support,
Has,
The diffraction grating includes a plurality of divided regions each having a different grating pitch,
The divided region, when the light in the metal layer in order to emit fluorescence from the fluorescent material is irradiated, a plurality of types of the divided regions to the irradiation spot of the light is arranged to be included at the same time,
The size of the irradiation spot is smaller than the size of the diffraction grating,
When the irradiation spot is moved along the surface direction of the metal film, the position of the irradiation spot before and after the movement is any position on the diffraction grating, and is included in the irradiation spot. The rate of change of the ratio of the area of the plurality of types of divided regions is 30% or less.
Detection chip.
検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するために使用される検出チップであって、When the metal film of the detection chip is irradiated with light so that surface plasmon resonance is generated, the presence or amount of the substance to be detected is detected by detecting the fluorescence emitted from the fluorescent substance on the metal film. Detection chip used for
支持体と、A support,
前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜と、A metal film including a diffraction grating, disposed on the support,
を有し、Has,
前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含み、The diffraction grating includes a plurality of divided regions each having a different grating pitch,
前記分割領域は、蛍光物質から蛍光を放出させるために前記金属膜に光が照射されたときに、前記光の照射スポット内に複数種類の前記分割領域が同時に含まれるように配置されており、The divided regions are arranged such that when the metal film is irradiated with light to emit fluorescence from a fluorescent substance, a plurality of types of the divided regions are simultaneously included in an irradiation spot of the light,
前記金属膜に照射される励起光の入射角は、前記回折格子対する共鳴角ではない入射角である、  The incident angle of the excitation light applied to the metal film is an incident angle that is not a resonance angle with respect to the diffraction grating.
検出チップ。Detection chip.
前記照射スポットを前記金属膜の面方向に沿って移動させたとき、移動前および移動後の前記照射スポットの位置が前記回折格子上のいずれの位置であっても、前記照射スポット内に含まれる複数種類の前記分割領域の面積の割合の変化率は、それぞれ30%以下である、請求項2に記載の検出チップ。  When the irradiation spot is moved along the surface direction of the metal film, the position of the irradiation spot before and after the movement is any position on the diffraction grating and is included in the irradiation spot. 3. The detection chip according to claim 2, wherein the rate of change of the area ratio of each of the plurality of types of divided regions is 30% or less. 前記分割領域は、前記照射スポット内において、その合計面積が最大である種類の前記分割領域の合計面積と、その合計面積が最小である種類の前記分割領域の合計面積との比が4:6〜6:4の範囲内となるように配置されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の検出チップ。 The ratio of the total area of the divided areas of the type having the largest total area to the total area of the divided areas of the type having the smallest total area in the irradiation spot is 4: 6. The detection chip according to any one of claims 1 to 3, wherein the detection chip is arranged so as to fall within a range of 6 to 4: 6. 前記分割領域の種類の数は、3つ以上である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の検出チップ。 The detection chip according to any one of claims 1 to 4, wherein the number of types of the divided regions is three or more. 前記分割領域の種類の数は、偶数である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の検出チップ。 The number of types of split regions is an even number, the detection chip according to any one of claims 1-5. 前記分割領域の種類の数は、2つである、請求項に記載の検出チップ。 The detection chip according to claim 6 , wherein the number of types of the divided regions is two. 前記分割領域の形状は、多角形状または円形状である、請求項1〜のいずれか一項に記載の検出チップ。 Wherein the shape of the divided region, a polygonal shape or a circular shape, the detection chip according to any one of claims 1-7. 前記分割領域は、第1分割領域と、前記第1分割領域と格子ピッチが異なる第2分割領域とからなり、
前記第1分割領域および前記第2分割領域の形状は、四角形状であり、
複数の前記第1分割領域および複数の前記第2分割領域は、前記第1分割領域の辺と前記第2分割領域の辺とが対向するように配置されている、
請求項に記載の検出チップ。
The divided region includes a first divided region and a second divided region having a different lattice pitch from the first divided region,
The shapes of the first divided region and the second divided region are rectangular,
The plurality of first divided regions and the plurality of second divided regions are arranged such that sides of the first divided region and sides of the second divided region face each other.
A detection chip according to claim 7 .
複数種類の前記分割領域は、それぞれ、前記金属膜の面方向に沿う第1方向においては異なる種類の前記分割領域と隣接しておらず、かつ前記第1方向に直交する、前記金属膜の面方向に沿う第2方向においては異なる種類の前記分割領域と隣接するように配置されている、請求項1〜のいずれか一項に記載の検出チップ。 The plurality of types of the divided regions are not adjacent to the different types of the divided regions in a first direction along the surface direction of the metal film, and are orthogonal to the first direction. The detection chip according to any one of claims 1 to 8 , wherein the detection chip is arranged so as to be adjacent to the different types of the divided regions in a second direction along the direction. 検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するための検出方法であって、
支持体と、前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜とを有する検出チップの、前記金属膜上に蛍光物質で標識されている被検出物質を直接的または間接的に結合させる工程と、
前記金属膜上に前記蛍光物質で標識されている前記被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、表面プラズモン共鳴が発生するように前記金属膜に光を照射したときに、前記金属膜上の前記蛍光物質から放出される蛍光を検出する工程と、
を含み、
前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含み、
前記蛍光を検出する工程では、複数種類の前記分割領域が前記光の照射スポット内に同時に含まれるように前記金属膜に前記光を照射
前記照射スポットの大きさは、前記回折格子の大きさよりも小さく、
前記照射スポットを前記金属膜の面方向に沿って移動させたとき、移動前および移動後の前記照射スポットの位置が前記回折格子上のいずれの位置であっても、前記照射スポット内に含まれる複数種類の前記分割領域の面積の割合の変化率は、それぞれ30%以下である、
検出方法。
When the metal film of the detection chip is irradiated with light so that surface plasmon resonance is generated, the presence or amount of the substance to be detected is detected by detecting the fluorescence emitted from the fluorescent substance on the metal film. Detection method for
A detection chip having a support and a metal film including a diffraction grating disposed on the support, wherein a substance to be detected, which is labeled with a fluorescent substance, is directly or indirectly bound to the metal film. Process and
In the state where the detection target substance that is labeled with the fluorescent substance is directly or indirectly bound on the metal film, when the metal film is irradiated with light so that surface plasmon resonance is generated, Detecting fluorescence emitted from the fluorescent material on the metal film,
Including
The diffraction grating includes a plurality of divided regions each having a different grating pitch,
Wherein in the step of detecting the fluorescence, by irradiating the light on the metal film as the divided regions of the plurality of types are simultaneously contained in the irradiation spot of the light,
The size of the irradiation spot is smaller than the size of the diffraction grating,
When the irradiation spot is moved along the surface direction of the metal film, the position of the irradiation spot before and after the movement is any position on the diffraction grating and is included in the irradiation spot. The rate of change of the area ratio of each of the plurality of types of divided regions is 30% or less.
Detection method.
検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するための検出方法であって、When the metal film of the detection chip is irradiated with light so that surface plasmon resonance is generated, the presence or amount of the substance to be detected is detected by detecting the fluorescence emitted from the fluorescent substance on the metal film. Detection method for
支持体と、前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜とを有する検出チップの、前記金属膜上に蛍光物質で標識されている被検出物質を直接的または間接的に結合させる工程と、A detection chip having a support and a metal film including a diffraction grating disposed on the support, wherein a substance to be detected, which is labeled with a fluorescent substance, is directly or indirectly bound to the metal film. Process and
前記金属膜上に前記蛍光物質で標識されている前記被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、表面プラズモン共鳴が発生するように前記金属膜に光を照射したときに、前記金属膜上の前記蛍光物質から放出される蛍光を検出する工程と、In the state where the detection target substance that is labeled with the fluorescent substance is directly or indirectly bound on the metal film, when the metal film is irradiated with light so that surface plasmon resonance is generated, Detecting fluorescence emitted from the fluorescent material on the metal film,
を含み、Including
前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含み、The diffraction grating includes a plurality of divided regions each having a different grating pitch,
前記蛍光を検出する工程では、複数種類の前記分割領域が前記光の照射スポット内に同時に含まれるように前記金属膜に前記光を照射し、In the step of detecting the fluorescence, the metal film is irradiated with the light so that the plurality of types of the divided regions are simultaneously included in the irradiation spot of the light,
前記金属膜に照射される励起光の入射角は、前記回折格子に対する共鳴角ではない入射角である、The incident angle of the excitation light applied to the metal film is an incident angle that is not a resonance angle with respect to the diffraction grating.
検出方法。Detection method.
前記照射スポットを前記金属膜の面方向に沿って移動させたとき、移動前および移動後の前記照射スポットの位置が前記回折格子上のいずれの位置であっても、前記照射スポット内に含まれる複数種類の前記分割領域の面積の割合の変化率は、それぞれ30%以下である、請求項12に記載の検出方法。When the irradiation spot is moved along the surface direction of the metal film, the position of the irradiation spot before and after the movement is any position on the diffraction grating and is included in the irradiation spot. 13. The detection method according to claim 12, wherein the rate of change of the area ratio of each of the plurality of types of divided regions is 30% or less. 前記照射スポット内において、その合計面積が最大である種類の前記分割領域の合計面積と、その合計面積が最小である種類の前記分割領域の合計面積との比は、4:6〜6:4の範囲内である、請求項11〜13のいずれか一項に記載の検出方法。 In the irradiation spot, the ratio of the total area of the divided areas of the type having the largest total area to the total area of the divided areas of the type having the smallest total area is 4: 6 to 6: 4. The detection method according to any one of claims 11 to 13, wherein the detection method is within the range. 前記分割領域の種類の数は、3つ以上である、請求項11〜14のいずれか一項に記載の検出方法。 The detection method according to any one of claims 11 to 14 , wherein the number of types of the divided regions is three or more. 前記分割領域の種類の数は、偶数である、請求項11〜15のいずれか一項に記載の検出方法。 The detection method according to any one of claims 11 to 15 , wherein the number of types of the divided regions is an even number. 前記分割領域の種類の数は、2つである、請求項16に記載の検出方法。 17. The detection method according to claim 16 , wherein the number of types of the divided regions is two. 前記照射スポットの形状と、前記照射スポット内に含まれる前記分割領域の形状とは、同一の多角形状の相似形状である、請求項1117のいずれか一項に記載の検出方法。 The detection method according to any one of claims 11 to 17 , wherein a shape of the irradiation spot and a shape of the divided region included in the irradiation spot are similar shapes of the same polygon. 前記照射スポットの形状と、前記照射スポット内に含まれる前記分割領域の形状とは、四角形状である、請求項18に記載の検出方法。 19. The detection method according to claim 18 , wherein the shape of the irradiation spot and the shape of the divided region included in the irradiation spot are quadrangular. 前記照射スポットの形状は、円形状または楕円形状であり、
前記分割領域の形状は、いずれも同一形状であり、かつ四角形状、多角形状または円形状であり、
複数種類の前記分割領域にそれぞれ含まれる各領域の前記照射スポットに対する面積比は、それぞれ0.01以上かつ0.5以下である、
請求項1117のいずれか一項に記載の検出方法。
The shape of the irradiation spot is circular or elliptical,
The shapes of the divided areas are all the same, and are square, polygonal, or circular,
The area ratio of each region included in each of the plurality of types of divided regions to the irradiation spot is 0.01 or more and 0.5 or less, respectively.
The detection method according to any one of claims 11 to 17 .
前記蛍光を検出する工程では、前記照射スポット内において、光量が最大の点と、光量が最小の点とにおける光量の比が4:6〜6:4となるように前記金属膜に光を照射する、請求項1120のいずれか一項に記載の検出方法。 In the step of detecting the fluorescence, the metal film is irradiated with light such that a ratio of a light amount between a point where the light amount is maximum and a point where the light amount is minimum is 4: 6 to 6: 4 in the irradiation spot. The detection method according to any one of claims 11 to 20 , which performs the detection. 検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するための検出装置であって、
支持体と、前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜とを有する検出チップを保持するためのホルダーと、
前記ホルダーに保持された前記検出チップの前記金属膜に光を照射する光照射部と、
前記金属膜上に蛍光物質で標識されている被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、前記光照射部が前記金属膜上で表面プラズモン共鳴が発生するように前記金属膜に光を照射したときに、前記金属膜上の前記蛍光物質から放出される蛍光を検出する光検出部と、
を有し、
前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含み、
前記光照射部は、前記光の照射スポット内に複数種類の前記分割領域を同時に含むように前記金属膜に前記光を照射
前記照射スポットの大きさは、前記回折格子の大きさよりも小さく、
前記照射スポットを前記金属膜の面方向に沿って移動させたとき、移動前および移動後の前記照射スポットの位置が前記回折格子上のいずれの位置であっても、前記照射スポット内に含まれる複数種類の前記分割領域の面積の割合の変化率は、それぞれ30%以下である、
検出装置。
When the metal film of the detection chip is irradiated with light so that surface plasmon resonance is generated, the presence or amount of the substance to be detected is detected by detecting the fluorescence emitted from the fluorescent substance on the metal film. A detection device for
Support, and a holder for holding a detection chip having a metal film including a diffraction grating, disposed on the support,
A light irradiation unit that irradiates light to the metal film of the detection chip held by the holder,
In a state in which a substance to be detected, which is labeled with a fluorescent substance, is directly or indirectly bound on the metal film, the light irradiating unit causes the metal film to generate surface plasmon resonance on the metal film. When irradiating light, a light detection unit that detects fluorescence emitted from the fluorescent substance on the metal film,
Has,
The diffraction grating includes a plurality of divided regions each having a different grating pitch,
The light irradiation unit irradiates the light to the metal film so as to include a plurality of types of the divided areas simultaneously to the irradiation spot of the light,
The size of the irradiation spot is smaller than the size of the diffraction grating,
When the irradiation spot is moved along the surface direction of the metal film, the position of the irradiation spot before and after the movement is any position on the diffraction grating and is included in the irradiation spot. The rate of change of the area ratio of each of the plurality of types of divided regions is 30% or less.
Detection device.
検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するための検出装置であって、
支持体と、前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜とを有する検出チップを保持するためのホルダーと、
前記ホルダーに保持された前記検出チップの前記金属膜に光を照射する光照射部と、
前記金属膜上に蛍光物質で標識されている被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、前記光照射部が前記金属膜上で表面プラズモン共鳴が発生するように前記金属膜に光を照射したときに、前記金属膜上の前記蛍光物質から放出される蛍光を検出する光検出部と、
を有し、
前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含み、
前記光照射部は、前記光の照射スポット内に複数種類の前記分割領域を同時に含むように前記金属膜に前記光を照射
前記金属膜に照射される励起光の入射角は、前記回折格子に対する共鳴角ではない入射角である、
検出装置。
When the metal film of the detection chip is irradiated with light so that surface plasmon resonance is generated, the presence or amount of the substance to be detected is detected by detecting the fluorescence emitted from the fluorescent substance on the metal film. A detection device for
Support, and a holder for holding a detection chip having a metal film including a diffraction grating, disposed on the support,
A light irradiation unit that irradiates light to the metal film of the detection chip held by the holder,
In a state in which a substance to be detected, which is labeled with a fluorescent substance, is directly or indirectly bound on the metal film, the light irradiating unit causes the metal film to generate surface plasmon resonance on the metal film. When irradiating light, a light detection unit that detects fluorescence emitted from the fluorescent substance on the metal film,
Has,
The diffraction grating includes a plurality of divided regions each having a different grating pitch,
The light irradiation unit irradiates the light to the metal film so as to include a plurality of types of the divided areas simultaneously to the irradiation spot of the light,
The incident angle of the excitation light applied to the metal film is an incident angle that is not a resonance angle with respect to the diffraction grating.
Detection device.
前記照射スポットの形状と、前記照射スポット内に含まれる前記分割領域の形状とは、同一の多角形状の相似形状である、請求項22または請求項23に記載の検出装置。 24. The detection device according to claim 22 , wherein a shape of the irradiation spot and a shape of the divided region included in the irradiation spot are similar shapes of the same polygonal shape. 前記照射スポットの形状と、前被照射スポット内に含まれる前記分割領域の形状とは、四角形状である、請求項24に記載の検出装置。 25. The detection device according to claim 24 , wherein the shape of the irradiation spot and the shape of the divided region included in the front irradiation spot are square. 前記照射スポットの形状は、円形状または楕円形状であり、
前記分割領域の形状は、いずれも同一形状であり、かつ四角形状、多角形状または円形状であり、
複数種類の前記分割領域にそれぞれ含まれる各領域の前記照射スポットに対する面積比は、それぞれ0.01以上かつ0.5以下である、
請求項22または請求項23に記載の検出装置。
The shape of the irradiation spot is circular or elliptical,
The shapes of the divided areas are all the same, and are square, polygonal, or circular,
The area ratio of each region included in each of the plurality of types of divided regions to the irradiation spot is 0.01 or more and 0.5 or less, respectively.
The detection device according to claim 22 or 23 .
前記光照射部は、前記照射スポット内において、光量が最大の点と、光量が最小の点とにおける光量の比が4:6〜6:4となるように前記金属膜に光を照射する、請求項22〜26のいずれか一項に記載の検出装置。 The light irradiating unit irradiates the metal film with light such that a ratio of a light amount between a point where the light amount is maximum and a point where the light amount is minimum is 4: 6 to 6: 4 in the irradiation spot. The detection device according to any one of claims 22 to 26. 検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するための検出システムであって、
支持体と、前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜と、を有し、前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含む検出チップと、
前記検出チップを保持するためのホルダーと、前記ホルダーに保持された前記検出チップの前記金属膜に光を照射する光照射部と、前記金属膜上に蛍光物質で標識されている被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、前記光照射部が前記金属膜上で表面プラズモン共鳴が発生するように前記金属膜に光を照射したときに、前記金属膜上の前記蛍光物質から放出される蛍光を検出する光検出部と、を有する検出装置と、
を有し、
前記光照射部は、前記光の照射スポット内に複数種類の前記分割領域を同時に含むように前記金属膜に前記光を照射
前記照射スポットの大きさは、前記回折格子の大きさよりも小さく、
前記照射スポットを前記金属膜の面方向に沿って移動させたとき、移動前および移動後の前記照射スポットの位置が前記回折格子上のいずれの位置であっても、前記照射スポット内に含まれる複数種類の前記分割領域の面積の割合の変化率は、それぞれ30%以下である、
検出システム。
When the metal film of the detection chip is irradiated with light so that surface plasmon resonance is generated, the presence or amount of the substance to be detected is detected by detecting the fluorescence emitted from the fluorescent substance on the metal film. Detection system for
Support, and disposed on the support, a metal film including a diffraction grating, wherein the diffraction grating, a detection pitch including a plurality of each of a plurality of types of divided regions each having a different grating pitch,
A holder for holding the detection chip, a light irradiating unit that irradiates the metal film of the detection chip held by the holder with light, and a target substance that is labeled with a fluorescent substance on the metal film. When the light irradiation unit irradiates the metal film with light so that surface plasmon resonance occurs on the metal film in a state where the fluorescent material is directly or indirectly coupled, the fluorescent material on the metal film is A light detection unit that detects fluorescence emitted from
Has,
The light irradiation unit irradiates the light to the metal film so as to include a plurality of types of the divided areas simultaneously to the irradiation spot of the light,
The size of the irradiation spot is smaller than the size of the diffraction grating,
When the irradiation spot is moved along the surface direction of the metal film, the position of the irradiation spot before and after the movement is any position on the diffraction grating and is included in the irradiation spot. The rate of change of the area ratio of each of the plurality of types of divided regions is 30% or less.
Detection system.
検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するための検出システムであって、When the metal film of the detection chip is irradiated with light so that surface plasmon resonance is generated, the presence or amount of the substance to be detected is detected by detecting the fluorescence emitted from the fluorescent substance on the metal film. Detection system for
支持体と、前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜と、を有し、前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含む検出チップと、Support, and disposed on the support, a metal film including a diffraction grating, wherein the diffraction grating, a detection pitch including a plurality of each of a plurality of types of divided regions each having a different grating pitch,
前記検出チップを保持するためのホルダーと、前記ホルダーに保持された前記検出チップの前記金属膜に光を照射する光照射部と、前記金属膜上に蛍光物質で標識されている被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、前記光照射部が前記金属膜上で表面プラズモン共鳴が発生するように前記金属膜に光を照射したときに、前記金属膜上の前記蛍光物質から放出される蛍光を検出する光検出部と、を有する検出装置と、A holder for holding the detection chip, a light irradiating unit that irradiates the metal film of the detection chip held by the holder with light, and a target substance that is labeled with a fluorescent substance on the metal film. When the light irradiation unit irradiates the metal film with light so that surface plasmon resonance occurs on the metal film in a state where the fluorescent material is directly or indirectly coupled, the fluorescent material on the metal film is A light detection unit that detects fluorescence emitted from
を有し、Has,
前記光照射部は、前記光の照射スポット内に複数種類の前記分割領域を同時に含むように前記金属膜に前記光を照射し、The light irradiation unit irradiates the light to the metal film so as to simultaneously include a plurality of types of the divided regions in the irradiation spot of the light,
前記金属膜に照射される励起光の入射角は、前記回折格子への共鳴角ではない入射角である、The incident angle of the excitation light applied to the metal film is an incident angle that is not a resonance angle to the diffraction grating.
検出システム。Detection system.
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