JP6638293B2 - Hole transport layer material and solar cell using hole transport layer material - Google Patents
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- 230000005525 hole transport Effects 0.000 title claims description 156
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 119
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 130
- -1 5-hexenyl - thiophen-2-yl group Chemical group 0.000 claims description 87
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 34
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 13
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical group [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical group N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 207739-72-8 Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 26
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 14
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 12
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 9
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- OJIPGPHYWXNMKW-UHFFFAOYSA-N C(CCCCC)C1=CC=C(S1)C=1C=C(C(C#N)=CC=1)C#N Chemical compound C(CCCCC)C1=CC=C(S1)C=1C=C(C(C#N)=CC=1)C#N OJIPGPHYWXNMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920001167 Poly(triaryl amine) Polymers 0.000 description 7
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 7
- XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N phthalonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1C#N XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920006391 phthalonitrile polymer Polymers 0.000 description 7
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003762 3,4-dimethoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C(OC([H])([H])[H])C([H])=C1* 0.000 description 4
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 4
- 125000003707 hexyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 4
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- QZVHYFUVMQIGGM-UHFFFAOYSA-N 2-Hexylthiophene Chemical group CCCCCCC1=CC=CS1 QZVHYFUVMQIGGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OOHQHYJZUSXMFD-UHFFFAOYSA-N 4-iodobenzene-1,2-dicarbonitrile Chemical compound IC1=CC=C(C#N)C(C#N)=C1 OOHQHYJZUSXMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Chemical group 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical group [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000013383 initial experiment Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N methylazanium;iodide Chemical compound [I-].[NH3+]C LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 125000006218 1-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- FWZQTJFOKCBQGX-UHFFFAOYSA-N 2-(5-hexylthiophen-2-yl)-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound S1C(CCCCCC)=CC=C1B1OC(C)(C)C(C)(C)O1 FWZQTJFOKCBQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006176 2-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000003229 2-methylhexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000005916 2-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 2
- WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 3-(cycloundecen-1-yl)-1,2-diazacycloundec-2-ene Chemical compound C1CCCCCCCCC=C1C1=NNCCCCCCCC1 WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005917 3-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000004700 cobalt complex Chemical class 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N dioxolead Chemical compound O=[Pb]=O YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 2
- 125000000904 isoindolyl group Chemical class C=1(NC=C2C=CC=CC12)* 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 2
- 125000005244 neohexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 2
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 2
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M sodium nitrite Chemical compound [Na+].[O-]N=O LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000006273 (C1-C3) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- ZXMGHDIOOHOAAE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoro-n-(trifluoromethylsulfonyl)methanesulfonamide Chemical compound FC(F)(F)S(=O)(=O)NS(=O)(=O)C(F)(F)F ZXMGHDIOOHOAAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006219 1-ethylpentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003562 2,2-dimethylpentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- XZXYQEHISUMZAT-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-hydroxy-5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(CC=2C(=CC=C(C)C=2)O)=C1 XZXYQEHISUMZAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- 125000004336 3,3-dimethylpentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004337 3-ethylpentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003469 3-methylhexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- RRCAJFYQXKPXOJ-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzene-1,2-dicarbonitrile Chemical compound NC1=CC=C(C#N)C(C#N)=C1 RRCAJFYQXKPXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940107816 ammonium iodide Drugs 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- CLFSUXDTZJJJOK-UHFFFAOYSA-N bis(trifluoromethylsulfonyl)azanide 4-tert-butyl-2-pyrazol-1-ylpyridine cobalt(3+) Chemical compound [N-](S(=O)(=O)C(F)(F)F)S(=O)(=O)C(F)(F)F.[N-](S(=O)(=O)C(F)(F)F)S(=O)(=O)C(F)(F)F.[N-](S(=O)(=O)C(F)(F)F)S(=O)(=O)C(F)(F)F.[Co+3].N1(N=CC=C1)C1=NC=CC(=C1)C(C)(C)C.N1(N=CC=C1)C1=NC=CC(=C1)C(C)(C)C.N1(N=CC=C1)C1=NC=CC(=C1)C(C)(C)C CLFSUXDTZJJJOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 1
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 125000003538 pentan-3-yl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 1
- 235000010288 sodium nitrite Nutrition 0.000 description 1
- GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L sodium sulfite Chemical class [Na+].[Na+].[O-]S([O-])=O GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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Description
本発明は、ホール輸送層材料及びホール輸送層材料を用いた太陽電池に関する。 The present invention relates to a hole transport layer material and a solar cell using the hole transport layer material.
太陽電池には、シリコン系、化合物半導体、有機半導体などの素子を用いたものが一般的であるが、高い光捕集能に加え、薄膜化や低コスト化の可能な有機及び無機のハイブリッド型太陽電池が注目されている。 Solar cells generally use elements such as silicon-based, compound semiconductors, and organic semiconductors.In addition to high light-collecting ability, organic and inorganic hybrid types that can be thinned and reduced in cost can be used. Solar cells are attracting attention.
非特許文献1には、透明導電膜付きガラス基板と、緻密な二酸化チタン(TiO2)膜からなるブロッキング層と、光によって励起して電子を発生する色素としてヨウ化鉛(PbI2)及びメチルアンモニウムアイオダイド(CH3NH3I)を、多孔質の二酸化チタン(TiO2)に吸着させて形成される発電層と、ホール輸送層と、電極とを備えたハイブリッド型太陽電池が示されている。
Non-Patent
この発電層は、スピンコート法を用いてPbI2を多孔質TiO2の孔内部に浸透させた後、CH3NH3Iを含んだ溶液に浸漬させる二段階工程を用いて製造される。その結果、速やかにペロブスカイト色素(CH3NH3 PbI3)の結晶が生成されるので、光電変換効率の向上が図られている。 This power generation layer is manufactured using a two-step process in which PbI 2 is permeated into the pores of the porous TiO 2 using a spin coating method, and then immersed in a solution containing CH 3 NH 3 I. As a result, crystals of the perovskite dye (CH 3 NH 3 PbI 3 ) are promptly generated, so that the photoelectric conversion efficiency is improved.
また、ホール輸送層に用いられるホール輸送層材料として、下記一般式(A)に示す2,2',7,7'-テトラキス(N,N'-ジ-p-メトキシフェニルアミノ)-9,9'-スピロビフルオレン(2,2',7,7'-tetrakis(N,N'-di-p-methoxyphenylamine)-9,9'-spirobifluorene(一般呼称「Spiro-OMeTAD」、以下、本呼称を使用))が使用されている。ペロブスカイト色素の結晶が光を吸収することによって電子とホールを生じる。ホールは、ホール輸送層材料により対向電極に輸送され、電子は光電極に移動するといったサイクルを繰り返すことで発電する。
また、非特許文献2には、ホール輸送層材料として、ポリトリアリールアミン(poly(triarylamine)(一般呼称「PTAA」、以下、本呼称を使用))などの高分子化した材料を利用した太陽電池も報告されている。
Non-Patent
前述したように、ハイブリッド型太陽電池は高い光捕集能を備えており、室内などの弱い光のエネルギー下でも発電性能が高いことから、様々な環境下での利用が期待されている。一方、非特許文献1及び非特許文献2のハイブリッド型太陽電池においてホール輸送層材料として使用されるSpiro-OMeTADやPTAAは、耐久性に劣り、大気中放置では数日でその機能を喪失するという問題点があった。その要因としてはSpiro-OMeTADやPTAAは、分子構造が嵩高く、分子間の電気的な接触が得られ難いことが挙げられる。そのため、ドーパントとしてコバルト錯体等を添加することによってホール輸送層として機能するが、このドーパントの添加量や混ざり具合(濃度分布)によって、太陽電池の性能が変化し、安定して同一の機能を発揮させることが難しかった。
As described above, the hybrid solar cell has a high light-collecting ability and has a high power generation performance even under weak light energy such as in a room, so that it is expected to be used in various environments. On the other hand, Spiro-OMeTAD and PTAA used as hole transport layer materials in the hybrid solar cells of Non-Patent
例えば、Spiro-OMeTADをホール輸送層材料として積層した場合等において、前述の分子構造に起因して隣接する分子間に隙間が生じ、この隙間に様々な分子が取り込まれる可能性がある。そのため、Spiro-OMeTADによりホール輸送層を作製する際には、例えば、Spiro-OMeTADをドーパント等と混合し、この混合物を溶媒に溶解して塗布後、加温して溶媒を蒸発させる。しかしながら、Spiro-OMeTAD分子間の隙間に溶媒分子が取り込まれると、この分子を完全に取り除くことは困難であり、これに起因して太陽電池性能が安定しないという問題点もあった。しかも、太陽電池として構築した場合において、使用時において、環境中の水分子が前記隙間に入り込み、太陽電池性能や耐久性の低下を招くおそれがあった。 For example, when Spiro-OMeTAD is laminated as a hole transport layer material, a gap is generated between adjacent molecules due to the above-described molecular structure, and various molecules may be taken into the gap. Therefore, when producing a hole transport layer by Spiro-OMeTAD, for example, Spiro-OMeTAD is mixed with a dopant or the like, and this mixture is dissolved in a solvent, applied, and then heated to evaporate the solvent. However, when a solvent molecule is taken into the gap between Spiro-OMeTAD molecules, it is difficult to completely remove the molecule, and there is a problem that the performance of the solar cell is not stable due to this. In addition, in the case where the solar cell is constructed as a solar cell, there is a possibility that water molecules in the environment may enter the gaps during use and cause deterioration in solar cell performance and durability.
また、Spiro-OMeTAD及びPTAAの合成は、その反応工程が煩雑で工程数も多く、精製に際しても多くの工程数が必要である。結果として、Spiro-OMeTAD及びPTAAの高価格化を招いていた。更に、Spiro-OMeTAD及びPTAAをホール輸送層材料として使用する太陽電池においても、作製に必要な工程数が増加し、価格の高騰を招いていた。 Further, the synthesis of Spiro-OMeTAD and PTAA requires complicated reaction steps and many steps, and many steps are required for purification. As a result, the price of Spiro-OMeTAD and PTAA was increased. Furthermore, in the case of a solar cell using Spiro-OMeTAD and PTAA as a hole transport layer material, the number of steps required for fabrication has increased, leading to an increase in price.
そこで、上記従来技術の問題点を鑑み、優れたホール輸送性を有するホール輸送層材料の提供が求められ、耐久性にも優れたホール輸送層材料を提供することが求められていた。また、ホール輸送層材料を安価に提供することが求められていた。更に、電池性能の高い太陽電池を安価で提供することが求められていた。 In view of the above-mentioned problems of the related art, it has been demanded to provide a hole transport layer material having excellent hole transportability, and to provide a hole transport layer material having excellent durability. Further, it has been required to provide the hole transport layer material at low cost. Further, it has been required to provide a solar cell having high battery performance at low cost.
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、分子内にフタロシアニン骨格を有し、かつフタロシアニン骨格外周に特定の置換基を有するホール輸送層材料が、分子の平面性が高く、分子を重ねた場合にπ共役系等の分子間の電気的結合が良好に確保でき、優れたホール輸送性を有することを見出した。また、当該ホール輸送層材料は耐久性の面でも優れた性質を有することを見出した。当該ホール輸送層材料をハイブリッド型太陽電池等のホール輸送層に用いた場合、当該ホール輸送層材料が優れたホール輸送性を発揮し、初期実験において優れた電池性能を示し、耐久性の面でも優れていることを見出し、本発明を完成するに至った。 The present inventors have conducted intensive studies to solve the above problems, and as a result, a hole transport layer material having a phthalocyanine skeleton in the molecule and having a specific substituent on the outer periphery of the phthalocyanine skeleton has a high planarity of the molecule, It has been found that when molecules are superimposed, good electrical connection between molecules such as a π-conjugated system can be ensured, and that they have excellent hole transport properties. In addition, it has been found that the hole transport layer material has excellent properties in terms of durability. When the hole transport layer material is used for a hole transport layer of a hybrid solar cell or the like, the hole transport layer material exhibits excellent hole transport properties, exhibits excellent battery performance in an initial experiment, and also has a durability. They found that they were excellent, and completed the present invention.
本発明に係るホール輸送層材料の特徴構成は、下記一般式(I)〜(III)から選択される化合物である点にある。
Mは、亜鉛(Zn)、銅(Cu)、コバルト(Co)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、鉛(Pb)、マンガン(Mn)又はスズ(Sn)であり、
R1a及びR1bは互いに独立で、一方が下記置換基(A)〜(I)から選択され、他方は水素であり、
R2a及びR2bは互いに独立で、一方が下記置換基(A)〜(I)から選択され、他方は水素であり、
R3a及びR3bは互いに独立で、一方が下記置換基(A)〜(I)から選択され、他方は水素であり、
R4a及びR4bは互いに独立で、一方が下記置換基(A)〜(I)から選択され、他方は水素であり、
R1a又はR1bで選択される置換基、R2a又はR2bで選択される置換基、R3a又はR3bで選択される置換基、R4a又はR4bで選択される置換基は同一である。
Mは、亜鉛(Zn)、銅(Cu)、コバルト(Co)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、鉛(Pb)、マンガン(Mn)又はスズ(Sn)であり、
R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、及びR12は同一の置換基であり、下記の(J)〜(N)から選択される。
M is zinc (Zn), copper (Cu), cobalt (Co), iron (Fe), nickel (Ni), lead (Pb), manganese (Mn) or tin (Sn);
R 1a and R 1b are independent of each other, one is selected from the following substituents (A) to (I), the other is hydrogen,
R 2a and R 2b are independent of each other, one is selected from the following substituents (A) to (I), the other is hydrogen,
R 3a and R 3b are independent of each other, one is selected from the following substituents (A) to (I), the other is hydrogen,
R 4a and R 4b are independent of each other, one is selected from the following substituents (A) to (I), the other is hydrogen,
The substituent selected by R 1a or R 1b , the substituent selected by R 2a or R 2b , the substituent selected by R 3a or R 3b , the substituent selected by R 4a or R 4b are the same. is there.
M is zinc (Zn), copper (Cu), cobalt (Co), iron (Fe), nickel (Ni), lead (Pb), manganese (Mn) or tin (Sn);
R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , and R 12 are the same substituent and are selected from the following (J) to (N).
上記構成によれば、安定的かつ効率的にホールを捕捉し移動させることができる優れたホール輸送性を有しているホール輸送層材料を提供することができる。詳細には、本構成のホール輸送層材料の骨格をなすフタロシアニンは、高い平面性を持つ環状の構造物であり、環状に連続したπ電子雲を形成している。フタロシアニン分子間でこのπ電子雲どうしが重なり、フタロシアニン分子は平皿を複数重ねたような配置(「π-πスタッキング」という)で安定化する。これにより、フタロシアニンは、平皿を重ねた方向にホールを移動させることができ、良好なホール輸送性を発揮することができる。 According to the above configuration, it is possible to provide a hole transport layer material having an excellent hole transport property, which can stably and efficiently capture and move holes. Specifically, phthalocyanine, which forms the skeleton of the hole transport layer material of the present configuration, is a cyclic structure having high planarity, and forms a cyclically continuous π electron cloud. The π electron clouds overlap each other between phthalocyanine molecules, and the phthalocyanine molecules are stabilized in an arrangement in which a plurality of flat plates are stacked (referred to as “π-π stacking”). Thereby, the phthalocyanine can move holes in the direction in which the flat plates are stacked, and can exhibit good hole transportability.
また、本構成のホール輸送層材料は、長期の耐久性の面でも優れた特性を有している。前述のフタロシアニンにおけるπ-πスタッキング状態は、非常に安定かつ強固であり、外部からの酸化(電子の放出)や還元(電子の注入)は、複数の分子にその攻撃が拡散することにより、全体として安定状態を保つことができ、耐候性が高い。本構成のホール輸送層材料は、かかる耐候性を有するフタロシアニン骨格を有することから、光照射や温湿度によって分解することなく耐久性が高いという特性を有する。 Further, the material of the hole transport layer having this configuration also has excellent characteristics in terms of long-term durability. The above-mentioned π-π stacking state in phthalocyanine is extremely stable and strong, and external oxidation (emission of electrons) and reduction (injection of electrons) can be diffused by multiple molecules, As a stable state, and has high weather resistance. Since the hole transport layer material of this configuration has such a phthalocyanine skeleton having weather resistance, it has a characteristic of high durability without being decomposed by light irradiation or temperature and humidity.
また、本構成のホール輸送層材料は、前述の通り平面性が高いことから分子間に空隙が生じず、ホール輸送性を低下させる要因と成り得る他の分子が分子間に混入する等の不具合を防止することができる。また、分子間の電気的結合を確保することができる。これにより、ホール輸送性能が安定し、かつ耐久性の面でも優れた性能を発揮することができる。 In addition, since the hole transport layer material of this configuration has high planarity as described above, no voids are generated between molecules, and other molecules that may be a factor to reduce hole transportability are mixed between molecules. Can be prevented. In addition, electrical connection between molecules can be secured. This makes it possible to stabilize the hole transport performance and exhibit excellent performance in terms of durability.
本構成のホール輸送層材料は、溶媒への溶解性の面でも優れた特性を有する。フタロシアニンは、前述のπ-πスタッキングにより分子どうしが強く相互作用していることから溶媒に対する溶解度が極めて低く、その利用が制限されていた。しかしながら、本構成のホール輸送層材料は、フタロシアニン骨格外周に、π-πスタッキングを妨げない程度に嵩高くし、溶媒への可溶性を向上させるため置換基を均等に導入した。これにより、本構成のホール輸送層材料は、クロロベンゼンなどの溶媒に可溶となり、汎用のSpiro-OMeTAD等のスピロ環構造を持つ化合物と置き換えて使用することができる。 The hole transport layer material of this configuration has excellent characteristics in terms of solubility in a solvent. Phthalocyanine has a very low solubility in a solvent due to strong interaction between molecules due to the aforementioned π-π stacking, and its use has been limited. However, the hole transport layer material of this configuration was bulky on the outer periphery of the phthalocyanine skeleton so as not to hinder π-π stacking, and a substituent was uniformly introduced in order to improve solubility in a solvent. As a result, the hole transport layer material of this configuration becomes soluble in a solvent such as chlorobenzene, and can be used in place of a compound having a spiro ring structure such as a general-purpose Spiro-OMeTAD.
本構成のホール輸送層材料は、フタロシアニン骨格外周に導入する置換基や中心金属を変更することにより、電気的特性、及び溶媒への溶解性を制御することができる。これにより、更に、高い性能を有するホール輸送層材料を提供することができる。 In the hole transport layer material having this configuration, the electrical characteristics and the solubility in a solvent can be controlled by changing the substituent and the central metal introduced to the outer periphery of the phthalocyanine skeleton. Thereby, a hole transport layer material having higher performance can be provided.
本構成のホール輸送層材料は簡便かつ安価に合成することができる。本構成のホール輸送層材料は、従来のSpiro-OMeTAD等のスピロ環構造を持つ化合物と比較して、少ない工程で合成することができ、精製も容易であることから、合成に要するコストを低減することができる。 The hole transport layer material of this configuration can be synthesized simply and inexpensively. The hole transport layer material of this configuration can be synthesized in fewer steps and is easier to purify than conventional compounds with a spiro ring structure such as Spiro-OMeTAD, so the cost required for synthesis is reduced. can do.
本構成のホール輸送層材料は、前述の通り、優れた特性を有することから、太陽電池10のホール輸送層材料として好適に利用することができる。
As described above, the hole transport layer material having this configuration has excellent characteristics, and thus can be suitably used as the hole transport layer material of the
本発明の他の特徴構成は、前記一般式(I)に示す化合物において、
前記置換基(A)が、5-ヘキシル-チオフェン-2-イル基、又は5-(2-エチルヘキシル)-チオフェン-2-イル基であり、
前記置換基(B)が、5-(ヘキシルスルファニル)-チオフェン-2-イル基であり、
前記置換基(C)が、5'-ヘキシル-2,2'-ビチオフェン-5-イル基、又は5'-(2-エチルヘキシル) -2,2'-ビチオフェン-5-イル基であり、
前記置換基(D)が、5-ヘキシル-チエノ[3,2-b]チオフェン-2-イル基、又は5-(2-エチルヘキシル)-チエノ[3,2-b]チオフェン-2-イル基であり、
前記置換基(E)が、5,5''-ジヘキシル-2,2':3',2''-テルチオフェン-5'-イル基であり、
前記置換基(F)が、ビス(4-ヘキシルフェニル)アミノ基、ビス(4-メトキシフェニル)アミノ基、又はビス(4-tert-ブチルフェニル)アミノ基であり、
前記置換基(G)が、4- tert-ブチルフェニル基、又は4-(ジフェニルアミノ)フェニル基であり、
前記置換基(H)が、2,6-ジフェニルフェノキシ基であり、
前記置換基(I)が、tert-ブチル基である、点にある。
Another characteristic configuration of the present invention is a compound represented by the general formula (I),
The substituent (A) is a 5-hexyl-thiophen-2-yl group or a 5- (2-ethylhexyl) -thiophen-2-yl group;
The substituent (B) is a 5- (hexylsulfanyl) -thiophen-2-yl group,
The substituent (C) is a 5′-hexyl-2,2′-bithiophen-5-yl group or a 5 ′-(2-ethylhexyl) -2,2′-bithiophen-5-yl group,
The substituent (D) is a 5-hexyl-thieno [3,2-b] thiophen-2-yl group or a 5- (2-ethylhexyl) -thieno [3,2-b] thiophen-2-yl group And
The substituent (E) is a 5,5 ″ -dihexyl-2,2 ′: 3 ′, 2 ″ -terthiophen-5′-yl group;
The substituent (F) is a bis (4-hexylphenyl) amino group, a bis (4-methoxyphenyl) amino group, or a bis (4-tert-butylphenyl) amino group;
The substituent (G) is a 4-tert-butylphenyl group or a 4- (diphenylamino) phenyl group;
The substituent (H) is a 2,6-diphenylphenoxy group,
Wherein the substituent (I) is a tert-butyl group.
本構成によれば、フタロシアニン骨格の外周に位置する4つのイミダゾール環のベンゼン環部分のβ位にそれぞれ1箇所ずつ、分子間のπ-πスタッキングを妨げない程度に嵩高くし、かつ溶媒への可溶性を向上させるために好適な置換基が導入されたフタロシアニン誘導体としてホール輸送層材料を提供することができる。これにより、電気的特性及び溶媒への溶解性を特に好適に制御することができ、更に、高い性能を有するホール輸送層材料を提供することが可能となる。 According to this configuration, each of the four imidazole rings located on the outer periphery of the phthalocyanine skeleton has one bulk at the β-position of the benzene ring portion so as not to hinder intermolecular π-π stacking, and The hole transport layer material can be provided as a phthalocyanine derivative into which a suitable substituent is introduced for improving the solubility. This makes it possible to particularly suitably control the electrical characteristics and the solubility in a solvent, and to provide a hole transport layer material having high performance.
他の特徴構成は、前記一般式(II)に示す化合物において、
前記置換基(J)が、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、tert-ブトキシ基、又はヘキシロキシ基であり、
前記置換基(K)が、4-メトキシフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、又は4-(ジフェニルアミノ)フェニル基であり、
前記置換基(L)が、3,4-ジメトキシフェニル基であり、
前記置換基(M)が、(4-tert-ブチルフェニル)スルファニル基であり、
前記置換基(N)が、2,6-ジフェニルフェノキシ基、又は5-メトキシ-2,6-ジフェニルフェノキシ基である、点にある。
Another feature is the compound represented by the general formula (II):
The substituent (J) is a methoxy group, an ethoxy group, an isopropoxy group, a tert-butoxy group, or a hexyloxy group;
The substituent (K) is a 4-methoxyphenyl group, a 4-tert-butylphenyl group, or a 4- (diphenylamino) phenyl group;
The substituent (L) is a 3,4-dimethoxyphenyl group,
The substituent (M) is a (4-tert-butylphenyl) sulfanyl group,
The substituent (N) is a 2,6-diphenylphenoxy group or a 5-methoxy-2,6-diphenylphenoxy group.
本構成によれば、フタロシアニン骨格の外周に位置する4つのイミダゾール環のベンゼン環部分のβ位それぞれ2箇所に、分子間のπ-πスタッキングを妨げない程度に嵩高くし、かつ溶媒への可溶性を向上させるために特に好適な置換基が導入されたフタロシアニン誘導体としてホール輸送層材料を提供することができる。これにより、電気的特性及び溶媒への溶解性を特に好適に制御することができ、更に、高い性能を有するホール輸送層材料を提供することが可能となる。 According to this configuration, the two benzene ring portions of the four imidazole rings located at the outer periphery of the phthalocyanine skeleton are each made to be bulky to such an extent that π-π stacking between molecules is not hindered, and to be soluble in a solvent. The hole transport layer material can be provided as a phthalocyanine derivative into which a particularly suitable substituent has been introduced in order to improve the property. This makes it possible to particularly suitably control the electrical characteristics and the solubility in a solvent, and to provide a hole transport layer material having high performance.
他の特徴構成は、前記一般式(III)に示す化合物において、
前記置換基(J)が、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、tert-ブトキシ基、又はヘキシロキシ基であり、
前記置換基(K)が、4-メトキシフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、又は4-(ジフェニルアミノ)フェニル基であり、
前記置換基(L)が、3,4-ジメトキシフェニル基であり、
前記置換基(M)が、(4-tert-ブチルフェニル)スルファニル基であり、
前記置換基(N)が、5-メトキシ-2,6-ジフェニルフェノキシ基である、点にある。
Another characteristic structure is a compound represented by the general formula (III):
The substituent (J) is a methoxy group, an ethoxy group, an isopropoxy group, a tert-butoxy group, or a hexyloxy group;
The substituent (K) is a 4-methoxyphenyl group, a 4-tert-butylphenyl group, or a 4- (diphenylamino) phenyl group;
The substituent (L) is a 3,4-dimethoxyphenyl group,
The substituent (M) is a (4-tert-butylphenyl) sulfanyl group,
Wherein the substituent (N) is a 5-methoxy-2,6-diphenylphenoxy group.
本構成によれば、本構成によれば、フタロシアニン骨格の外周に位置する4つのイミダゾール環のベンゼン環部分のα位それぞれ2箇所に、分子間のπ-πスタッキングを妨げない程度に嵩高くし、かつ溶媒への可溶性を向上させるために特に好適な置換基が導入されたフタロシアニン誘導体としてホール輸送層材料を提供することができる。これにより、電気的特性及び溶媒への溶解性を特に好適に制御することができ、更に、高い性能を有するホール輸送層材料を提供することが可能となる。 According to the present configuration, according to the present configuration, the bulk is increased so as not to hinder the intermolecular π-π stacking at each of the two α-positions of the benzene ring portion of the four imidazole rings located on the outer periphery of the phthalocyanine skeleton. In addition, the hole transport layer material can be provided as a phthalocyanine derivative into which a substituent that is particularly suitable for improving solubility in a solvent is introduced. This makes it possible to particularly suitably control the electrical characteristics and the solubility in a solvent, and to provide a hole transport layer material having high performance.
他の構成は、下記一般式(IV)で示される化合物である、点にある。
本構成によれば、置換基として、フタロシアニン骨格の外周に位置する4つのイミダゾール環のベンゼン環部分のβ位のそれぞれ一箇所にヘキシルチオフェン環を置換基として均等に導入したフタロシアニン誘導体としてホール輸送層材料を提供することができる。当該置換基は、ホール輸送層材料の分子間のπ-πスタッキングを妨げない程度に嵩高くし、溶媒への可溶性を向上させるため特に好適であることから、電気的特性及び溶媒への溶解性を特に好適に制御することができ、更に、高い性能を有するホール輸送層材料を提供することが可能となる。 According to this configuration, the hole transport layer is formed as a phthalocyanine derivative in which a hexylthiophene ring is uniformly introduced as a substituent at each of the β-positions of the benzene ring portions of the four imidazole rings located at the outer periphery of the phthalocyanine skeleton. Material can be provided. The substituent is bulky to the extent that π-π stacking between molecules of the hole transport layer material is not hindered, and is particularly suitable for improving solubility in a solvent. Can be controlled particularly suitably, and further, a hole transport layer material having high performance can be provided.
本発明に係る太陽電池の特徴構成は、透明導電膜を有する基板、電子を前記透明導電膜に受け渡し、かつ逆電子移動を防止するブロッキング層、光によって励起して前記電子を発生する色素を多孔質半導体に吸着させて形成される発電層、前記色素から発生したホールが通過し、前記ホール輸送層材料を有するホール輸送層、の順に積層される積層体と、前記透明導電膜を介して前記電子を放出する光電極、及び、前記ホール輸送層の表面に設けられた対向電極で構成される電極と、を備えている点にある。 The characteristic configuration of the solar cell according to the present invention includes a substrate having a transparent conductive film, a blocking layer that transfers electrons to the transparent conductive film, and prevents reverse electron transfer, and a dye that is excited by light to generate the electrons. A power generation layer formed by being adsorbed to a porous semiconductor, a hole generated from the dye passes through, a hole transport layer having the hole transport layer material, and a stacked body laminated in this order; It comprises a photoelectrode that emits electrons, and an electrode composed of a counter electrode provided on the surface of the hole transport layer.
本構成のように、優れたホール輸送性を有するホール輸送層材料を太陽電池のホール輸送層に用いることで、光電変換効率が向上する。更に、ホール輸送層材料の優れた耐久性によって、太陽電池の耐久性が高まる。特に、吸湿により性能劣化が起こりやすいぺロブスカイト色素の結晶を耐候性を有するホール輸送層材料で被覆することになるため、更に長期の耐久性を期待できる。このように、優れた特性を有するホール輸送層材料を有するホール輸送層によって、太陽電池の電池性能の向上を図ることができる。また、安価に合成が可能なホール輸送層材料を利用することによって、太陽電池自体の価格の低減を図ることが可能となる。 By using a hole transport layer material having excellent hole transport properties for the hole transport layer of a solar cell as in the present configuration, the photoelectric conversion efficiency is improved. Furthermore, the excellent durability of the hole transport layer material increases the durability of the solar cell. In particular, since perovskite dye crystals, which are liable to deteriorate in performance due to moisture absorption, are coated with a hole-transporting layer material having weather resistance, further long-term durability can be expected. As described above, the hole transport layer having the hole transport layer material having excellent characteristics can improve the battery performance of the solar cell. In addition, by using a hole transport layer material that can be synthesized at a low cost, it is possible to reduce the cost of the solar cell itself.
以下に、本発明の実施形態に係るホール輸送層材料を用いたハイブリッド型太陽電池10(太陽電池の一例。以下、「太陽電池10」と記載する。)の実施形態について、図面に基づいて説明する。太陽電池10は、有機及び無機のハイブリッド化合物で生成されるペロブスカイト色素を備えて構成されている。ただし、以下の実施形態に限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の変形が可能である。
Hereinafter, an embodiment of a hybrid solar cell 10 (an example of a solar cell; hereinafter, referred to as “
(本実施形態に係る太陽電池の基本構成)
図1及び図2に示すように、本実施形態に係る太陽電池10は、透明基板21及び透明導電膜22を有する基板2と、基板2上に設けられ、電子を透明導電膜22に受け渡し、且つホール輸送層5と透明導電膜22とを分離して電子とホールとの再結合(逆電子移動)を防止するブロッキング層3と、ブロッキング層3上に設けられ、光によって励起して電子を発生する色素44を多孔質半導体41に吸着させて形成される発電層4と、発電層4上に設けられ色素44で発生したホールが通過するホール輸送層5とで構成される積層体11を備えている。また、ブロッキング層3の表面に設けられ、透明導電膜22を介して電子を放出する光電極61と、ホール輸送層5の表面に設けられ、電子を受け取る対向電極62とで構成される電極6を備えている。なお、電極6の配置は、例えば透明導電膜22に導線接続して光電極61を形成するなど、電子の受け渡しが可能なものであれば特に限定されない。また、太陽電池10の耐久性を高めるため、対向電極62を透明基板21などで保護しても良い。
(Basic configuration of solar cell according to this embodiment)
As shown in FIGS. 1 and 2, a
透明基板21は、光透過性を有するもので構成される。例えば、透明ガラス基板、すりガラス状の半透明ガラス基板、透明樹脂基板等を適用することができる。また、透明導電膜22は、例えば、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、酸化スズ(TO)、スズドープ酸化インジウム(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)やアルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)などを用いることができる。
The
ブロッキング層3及び多孔質半導体41は、金属酸化物が適しており、例えば、二酸化チタン(TiO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニオブ(Nb2O5)、二酸化スズ(SnO2)や酸化アルミニウム(Al2O3)などが用いられる。特に、色素44を吸着するための表面積を多く確保できる二酸化チタン(TiO2)の焼結体として構成することが好ましい。また、ブロッキング層3は、一部が透明導電膜22に延出して形成され、透明導電膜22が区画される。更に、ブロッキング層3は、電子が積層方向に通過することができるが、横方向への移動がし難いように緻密な絶縁層31を形成している。つまり、ブロッキング層3から侵入した電子は、透明導電膜22の積層方向に円滑に移動して光電極61に供給されると共に、絶縁層31によって対向電極62への移動が防止されるので短絡しない。
The
色素44は、鉛及びハロゲン元素Xで構成される化合物(PbX2、X=ハロゲン元素)と、メチルアンモニウムアイオダイド(CH3NH3I:以下、MAIと記載する。)とを反応させて生成される。具体的には、多孔質半導体41の孔内部に鉛及びハロゲン元素Xを含む溶液42を浸透・乾燥させた後、MAIの混合溶液43に浸漬して、色素44であるペロブスカイト色素(X=Iの場合、CH3NH3 PbI3)の結晶が速やかに生成される。なお、ハロゲン元素Xは、ヨウ素、臭素や塩素などを用いることができるが、形態安定性の高いヨウ素を用いることが好ましい。
The
ホール輸送層5は、後述するホール輸送層材料を用いる。電極6は、例えば、金、白金、銀、銅等の金属の単体や合金、あるいはフッ素ドープ酸化スズ(FTO)やスズドープ酸化インジウム(ITO)といった酸化物導電体などを用いることができる。
The
ここで、図3に基づいて太陽電池10が発電する原理について説明する。透明基板21に太陽光や室内光等の光が入射すると、この入射光はほとんど吸収されることなく基板2やブロッキング層3を透過して、大部分が発電層4に到達する。そして、発電層4に到達した入射光が色素44に照射されると、この色素44は光エネルギーを吸収して励起する。この励起により、色素44のエネルギー準位が多孔質半導体41である金属酸化物の伝導帯電位よりも所定レベル以上高くなると、色素44から多孔質半導体41へと電子が注入される。注入された電子は、ブロッキング層3を経て光電極61で集電される。
Here, the principle of power generation by the
一方、色素44で発生したホールは、ホール輸送層5を経由して対向電極62へ到達し、ここで外部負荷7を経由してきた電子と再結合する。つまり、光電極61と対向電極62との間に電位勾配が生じるので、両極間に外部負荷7を接続することによって、電力を供給することができる。
On the other hand, the holes generated by the
(本実施形態に係る太陽電池の作製手順)
本実施形態に係る太陽電池10の作製手順を、図4に基づいて説明する。ただし、以下の実施形態に限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の変形が可能である。
(Procedure for manufacturing solar cell according to present embodiment)
A procedure for manufacturing the
まず、透明基板21の上に透明導電膜22を形成して基板2を作製する。透明導電膜22は、例えば、CVD(化学的気相成長法)やスパッタリングなどにより透明基板21上に積層される。次いで、レーザースクライブを施して透明導電膜22を部分的に除去し絶縁層31が入る凹部221を形成した後、洗浄する。次いで、基板2上の全面に、ALD法(原子層堆積法)やSPD法(スプレー熱分解法)などによりブロッキング層3を形成する。ブロッキング層は、好ましくは、TiO2緻密層として形成される。次いで、マスキングを施した基板2及びブロッキング層3上の中央付近に、ナノ粒子焼結層である多孔質半導体41を形成する。好ましくはTiO2の多孔質層(p-TiO2)として形成される。この多孔質半導体41は、ナノ粒子ペーストを溶媒によって希釈し、例えば、4000rpm〜6000rpmの回転速度のスピンコート法で塗布・乾燥した後、マスキングを取り除いて450℃〜550℃で加熱し、焼結形成される。
First, the transparent
例えばヨウ化鉛(PbI2)のN,N−ジメチルホルムアミド溶液42を調製し、多孔質半導体41上に滴下後、例えば、5000 rpm〜8000 rpmの回転速度のスピンコートにより孔(p-TiO2)内部への浸透と余分な溶液の除去を行う。60℃〜120℃(好ましくは70℃〜90℃)で乾燥させてPbI2層を形成する。
For example, an N, N-dimethylformamide solution 42 of lead iodide (PbI 2 ) is prepared, dropped onto the
メチルアンモニウムアイオダイド(CH3NH3I、「MAI」と称する場合がある)のイソプロピルアルコール溶液43(2〜20mg/ml)に、基板2・ブッロキング層3・ヨウ化鉛が浸透した多孔質半導体41を0℃〜80℃(好ましくは常温)で浸漬する(MAI浸漬法)。PbI2とMAIが反応によりペロブスカイト層として色素44[(CH3NH3 )PbI3]を多孔質半導体41の孔内部及び上部に形成した後、純イソプロピルアルコール溶液で灌ぎ、60℃〜120℃(好ましくは70℃〜100℃)で乾燥させる。
Porous semiconductor in which
本実施形態に係るホール輸送層材料を、例えば、クロロベンゼン溶液60〜90mg/ml(若干の添加物を含む。)として調製する。これを滴下し、スピンコート法により余分な溶液の除去を行い、乾燥させることでホール輸送層5を形成する。PbI2層形成からホール輸送層5形成までの工程は、グローブボックスなど乾燥窒素雰囲気下で行うことが好ましい。最後に、真空蒸着法などによって、金などの薄膜をブロッキング層3及びホール輸送層5の表面に付着させ、電極6を形成する。
The hole transport layer material according to the present embodiment is prepared, for example, as a chlorobenzene solution of 60 to 90 mg / ml (including some additives). This is dropped, an excess solution is removed by spin coating, and the
前述の作成手順では、色素44であるペロブスカイト色素を2ステップによって結晶成長制御したものであるが、これを1ステップで行ってよい。例えば、ペロブスカイト((CH3NH3 )PbI3)溶液をスピンコート法により、多孔質半導体41の孔内部に浸透させる。スピン中にトルエンを滴下し、微小結晶を析出させて表面を鏡面化する(負溶媒析出法)。続いて、本実施形態に係るホール輸送層材料によりホール輸送層5を形成してもよい。
In the above-described preparation procedure, the crystal growth of the perovskite dye as the
(本実施形態に係るホール輸送層材料)
本実施形態に係るホール輸送層材料は、中心構造体としてフタロシアニン骨格を有する。フタロシアニンは、4つのイソインドールが窒素原子を介して架橋した巨大な環状構造体であり、金属元素を中心に配位した金属フタロシアニンを形成する。本実施形態に係るホール輸送層材料は、溶媒への溶解性獲得と電気的特性の向上のために、フタロシアニン骨格外周に置換基が導入されている。置換基は、フタロシアニン骨格外周に均等に導入されることが好ましく、対称型として構築されることが特に好ましい。
(Hole transport layer material according to the present embodiment)
The hole transport layer material according to this embodiment has a phthalocyanine skeleton as the central structure. Phthalocyanine is a huge cyclic structure in which four isoindoles are crosslinked via a nitrogen atom, and forms a metal phthalocyanine coordinated around a metal element. In the hole transport layer material according to the present embodiment, a substituent is introduced on the outer periphery of the phthalocyanine skeleton in order to obtain solubility in a solvent and improve electrical characteristics. The substituents are preferably introduced evenly around the phthalocyanine skeleton, and are particularly preferably constructed as symmetrical.
本実施形態に係るホール輸送層材料の特徴構成は、下記一般式(I)〜(II)から選択される化合物である。一般式(I)に示す化合物は、フタロシアニン骨格を構成する4つのインドール環においてそれぞれのベンゼン環部分のβ位の1箇所に均等に置換基が導入された構造を有している。つまり、フタロシアニン環の2位又は3位の一方、9位又は10位の一方、16位又は17位の一方、23位又は24位の一方に置換基が導入されている。一般式(II)に示す化合物は4つのインドール環において、それぞれのベンゼン環部分のβ位の2箇所に均等に置換基が導入された構造を有し、フタロシアニン環の2位、3位、9位、10位、16位、17位、23位及び24位に置換基が導入されている。一般式(III)はα位の2箇所に均等に置換基が導入された構造を有し、フタロシアニン環の1位、4位、8位、11位、15位、18位、22位及び25位に置換基が導入されている。図5〜7に、本実施形態に係るホール輸送層材料の代表例を提示する。しかしながら、これに限定するものではない。
The characteristic configuration of the hole transport layer material according to this embodiment is a compound selected from the following general formulas (I) to (II). The compound represented by the general formula (I) has a structure in which a substituent is uniformly introduced into one of the four indole rings constituting the phthalocyanine skeleton at the β-position of each benzene ring portion. That is, a substituent is introduced at one of the 2- or 3-position, one of the 9- or 10-position, one of the 16- or 17-position, and one of the 23- or 24-position of the phthalocyanine ring. The compound represented by the general formula (II) has a structure in which substituents are evenly introduced at two positions at the β-position of each benzene ring portion in four indole rings, and the 2-, 3-, and 9-positions of a phthalocyanine ring are obtained. Substituents are introduced at
本実施形態に係るホール輸送層材料は、金属元素が中心に配位する金属フタロシアニン錯体として構成される。したがって、一般式(I)〜(III)において、Mは、金属原子、金属酸化物又は金属ハロゲン化物であり、好ましくは、亜鉛(Zn)、銅(Cu)、コバルト(Co)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、鉛(Pb)、マンガン(Mn)又はスズ(Sn)として構成する。特に好ましくは亜鉛である。 The hole transport layer material according to this embodiment is configured as a metal phthalocyanine complex in which a metal element coordinates at the center. Therefore, in the general formulas (I) to (III), M is a metal atom, a metal oxide or a metal halide, preferably zinc (Zn), copper (Cu), cobalt (Co), iron (Fe ), Nickel (Ni), lead (Pb), manganese (Mn) or tin (Sn). Particularly preferred is zinc.
本実施形態に係るホール輸送層材料は、溶媒への溶解性獲得と電気的特性の向上のために、フタロシアニン骨格外周に置換基が導入されている。好適な置換基を以下に示す。 In the hole transport layer material according to the present embodiment, a substituent is introduced on the outer periphery of the phthalocyanine skeleton in order to obtain solubility in a solvent and improve electrical characteristics. Preferred substituents are shown below.
一般式(I)において、
R1a及びR1bは互いに独立で、一方が下記置換基(A)〜(I)から選択され、他方は水素であり、
R2a及びR2bは互いに独立で、一方が下記置換基(A)〜(I)から選択され、他方は水素であり、
R3a及びR3bは互いに独立で、一方が下記置換基(A)〜(I)から選択され、他方は水素であり、
R4a及びR4bは互いに独立で、一方が下記置換基(A)〜(I)から選択され、他方は水素であり、
R1a又はR1bで選択される置換基、R2a又はR2bで選択される置換基、R3a又はR3bで選択される置換基、R4a又はR4bで選択される置換基は同一である。
R 1a and R 1b are independent of each other, one is selected from the following substituents (A) to (I), the other is hydrogen,
R 2a and R 2b are independent of each other, one is selected from the following substituents (A) to (I), the other is hydrogen,
R 3a and R 3b are independent of each other, one is selected from the following substituents (A) to (I), the other is hydrogen,
R 4a and R 4b are independent of each other, one is selected from the following substituents (A) to (I), the other is hydrogen,
The substituent selected by R 1a or R 1b , the substituent selected by R 2a or R 2b , the substituent selected by R 3a or R 3b , the substituent selected by R 4a or R 4b are the same. is there.
前記置換基(A)におけるC6〜C8アルキル基は、直鎖状及び分岐状の別を問わない。特に好ましくは、ヘキシル基又は2-エチルヘキシル基である。前記置換基(B)におけるC6〜C8アルキルスフェニル基のアルキル鎖は、直鎖状及び分岐状の別を問わない。好ましくは、ヘキシル鎖である。前記置換基(C)におけるC6〜C8アルキル基は、直鎖状及び分岐状の別を問わない。好ましくは、ヘキシル基又は2-エチルヘキシル基である。前記置換基(D)におけるC6〜C8アルキル基は、直鎖状及び分岐状の別を問わない。好ましくは、ヘキシル基又は2-エチルヘキシル基である。前記置換基(E)おけるC6〜C8アルキル基は、直鎖状及び分岐状の別を問わない。好ましくは、ヘキシル基である。前記置換基(F)におけるC4〜C6のアルキル基は、直鎖状及び分岐状の別を問わない。好ましくは、ヘキシル基又はt-ブチル基である。また、C1〜C3アルコキシ基のアルキル鎖は、直鎖状及び分岐状の別を問わない。好ましくは、メチル鎖である。前記置換基(G)におけるC4〜C6アルキル基は、直鎖状及び分岐状の別を問わない。好ましくは、t-ブチル基である。前記置換基(G)におけるC4〜C6アルキル基は、直鎖状及び分岐状の別を問わない。好ましくは、t-ブチル基である。 The C 6 -C 8 alkyl group in the substituent (A) may be linear or branched. Particularly preferred is a hexyl group or a 2-ethylhexyl group. Alkyl chains of C 6 -C 8 alkyl scan phenyl group in the substituent (B) may be either a separate linear and branched. Preferably, it is a hexyl chain. The C 6 -C 8 alkyl group in the substituent (C) may be linear or branched. Preferably, it is a hexyl group or a 2-ethylhexyl group. The C 6 -C 8 alkyl group in the substituent (D) may be linear or branched. Preferably, it is a hexyl group or a 2-ethylhexyl group. The C 6 -C 8 alkyl group in the substituent (E) may be linear or branched. Preferably, it is a hexyl group. The alkyl group of C 4 -C 6 in the substituent (F) may be either a separate linear and branched. Preferably, it is a hexyl group or a t-butyl group. Further, the alkyl chain of the C 1 -C 3 alkoxy group may be linear or branched. Preferably, it is a methyl chain. The C 4 -C 6 alkyl group in the substituent (G) may be linear or branched. Preferably, it is a t-butyl group. The C 4 -C 6 alkyl group in the substituent (G) may be linear or branched. Preferably, it is a t-butyl group.
ここで、C1〜C3アルキル基とは、炭素数が1〜3のアルキル基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基である。C4〜C6アルキル基とは、炭素数が4〜6のアルキル基であり、具体的には、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t-ペンチル基、s-ペンチル基、2-メチルブチル基、1-エチルプロピル基、2-エチルプロビル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、ネオヘキシル基、t-ヘキシル基、2,2-ジメチルブチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-プロピルプロピル基等が例示される。C6〜C8アルキル基とは、炭素数が6〜8のアルキル基であり、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、ネオヘキシル基、t-ヘキシル基、2,2-ジメチルブチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-プロピルプロピル基、n-ヘプチル基、イソヘプチル基、s-ヘプチル基、t-ヘプチル基、2,2-ジメチルペンチル基、3,3-ジメチルペンチル基、1-メチルヘキシル基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、4-メチルヘキシル基、1-エチルペンチル基、2-エチルペンチル基、3-エチルペンチル基、1-プロピルブチル基、2-プロピルブチル基、n-オクチル基、イソオクチル基、t-オクチル基、ネオオクチル基、2,2-ジメチルヘキシル基、3,3-ジメチルヘキシル基、4,4-ジメチルヘキシル基、1-メチルヘプチル基、2-メチルヘプチル基、3-メチルヘプチル基、4-メチルヘプチル基、5-メチルヘプチル基、1-エチルヘキシル基、2-エチルヘキシル基、3-エチルヘキシル基、4-エチルヘキシル基、1-プロピルペンチル基、2-プロピルペンチル基、3-プロピルペンチル基等が挙げられる。C1〜C6のアルキル基は、炭素数1〜6のアルキル基であり、具体的なアルキル基については前述の通りである。なお、“n”は、“normal”の略、“s”は、“sec”及び“secondery”の略、“t”は、“tert”及び“tertiary”の略である。アルキル鎖についても同様である。 Here, the C 1 -C 3 alkyl group is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. The C 4 -C 6 alkyl group is an alkyl group having 4 to 6 carbon atoms, specifically, an n-butyl group, an isobutyl group, an s-butyl group, a t-butyl group, an n-pentyl group, Isopentyl group, neopentyl group, t-pentyl group, s-pentyl group, 2-methylbutyl group, 1-ethylpropyl group, 2-ethylpropyl group, n-hexyl group, isohexyl group, neohexyl group, t-hexyl group, Examples thereof include a 2,2-dimethylbutyl group, a 2-methylpentyl group, a 3-methylpentyl group, a 1-ethylbutyl group, a 2-ethylbutyl group, and a 1-propylpropyl group. The C 6 -C 8 alkyl group, an alkyl group having a carbon number of 6-8, n-hexyl group, isohexyl group, neohexyl group, t-hexyl group, 2,2-dimethylbutyl group, 2-methylpentyl Group, 3-methylpentyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-propylpropyl group, n-heptyl group, isoheptyl group, s-heptyl group, t-heptyl group, 2,2-dimethylpentyl group, 3,3-dimethylpentyl group, 1-methylhexyl group, 2-methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 4-methylhexyl group, 1-ethylpentyl group, 2-ethylpentyl group, 3-ethylpentyl group, 1-propylbutyl group, 2-propylbutyl group, n-octyl group, isooctyl group, t-octyl group, neooctyl group, 2,2-dimethylhexyl group, 3,3-dimethylhexyl group, 4,4-dimethylhexyl Group, 1-methylheptyl group, 2-methylheptyl group , 3-methylheptyl, 4-methylheptyl, 5-methylheptyl, 1-ethylhexyl, 2-ethylhexyl, 3-ethylhexyl, 4-ethylhexyl, 1-propylpentyl, 2-propylpentyl And a 3-propylpentyl group. The C 1 -C 6 alkyl group is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and specific alkyl groups are as described above. Note that “n” is an abbreviation for “normal”, “s” is an abbreviation for “sec” and “secondery”, and “t” is an abbreviation for “tert” and “tertiary”. The same applies to an alkyl chain.
好ましくは、一般式(I)において、これらに限定するものではないが、
前記置換基(A)が、5-ヘキシル-チオフェン-2-イル基、又は5-(2-エチルヘキシル)-チオフェン-2-イル基であり、
前記置換基(B)が、5-(ヘキシルスルファニル)-チオフェン-2-イル基であり、
前記置換基(C)が、5'-ヘキシル-2,2'-ビチオフェン-5-イル基、又は5'-(2-エチルヘキシル) -2,2'-ビチオフェン-5-イル基であり、
前記置換基(D)が、5-ヘキシル-チエノ[3,2-b]チオフェン-2-イル基、又は5-(2-エチルヘキシル)-チエノ[3,2-b]チオフェン-2-イル基であり、
前記置換基(E)が、5,5''-ジヘキシル-2,2':3',2''-テルチオフェン-5'-イル基であり、
前記置換基(F)が、ビス(4-ヘキシルフェニル)アミノ基、ビス(4-メトキシフェニル)アミノ基、又はビス(4-tert-ブチルフェニル)アミノ基であり、
前記置換基(G)が、4- tert-ブチルフェニル基、又は4-(ジフェニルアミノ)フェニル基であり、
前記置換基(H)が、2,6-ジフェニルフェノキシ基であり、
前記置換基(I)が、tert-ブチル基である。
Preferably, but not limited to, in the general formula (I),
The substituent (A) is a 5-hexyl-thiophen-2-yl group or a 5- (2-ethylhexyl) -thiophen-2-yl group;
The substituent (B) is a 5- (hexylsulfanyl) -thiophen-2-yl group,
The substituent (C) is a 5′-hexyl-2,2′-bithiophen-5-yl group or a 5 ′-(2-ethylhexyl) -2,2′-bithiophen-5-yl group,
The substituent (D) is a 5-hexyl-thieno [3,2-b] thiophen-2-yl group or a 5- (2-ethylhexyl) -thieno [3,2-b] thiophen-2-yl group And
The substituent (E) is a 5,5 ″ -dihexyl-2,2 ′: 3 ′, 2 ″ -terthiophen-5′-yl group;
The substituent (F) is a bis (4-hexylphenyl) amino group, a bis (4-methoxyphenyl) amino group, or a bis (4-tert-butylphenyl) amino group;
The substituent (G) is a 4-tert-butylphenyl group or a 4- (diphenylamino) phenyl group;
The substituent (H) is a 2,6-diphenylphenoxy group,
The substituent (I) is a tert-butyl group.
一般式(II)及び(III)において、
R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、及びR12は同一の置換基であり、下記の(J)〜(N)から選択される。
R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , and R 12 are the same substituent and are selected from the following (J) to (N).
前記置換基(J)におけるC1〜C6アルキル基は、直鎖状及び分岐状の別を問わない。好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、又はヘキシル基である。前記置換基(K)におけるC4〜C6アルキル基は、直鎖状及び分岐状の別を問わない。好ましくは、tert-ブチル基である。C1〜C3アルコキシ基のアルキル鎖は、直鎖状及び分岐状の別を問わない。好ましくは、メチル鎖である。前記置換基(L)におけるC1〜C3アルコキシ基のアルキル鎖は、直鎖状及び分岐状の別を問わない。好ましくは、メチル鎖である。前記置換基(M)におけるC4〜C6アルキル基は、直鎖状及び分岐状の別を問わない。好ましくは、tert-ブチル基である。前記置換基(N)におけるC1〜C3アルコキシ基のアルキル鎖は、直鎖状及び分岐状の別を問わない。好ましくは、メチル鎖である。 The C 1 -C 6 alkyl group in the substituent (J) may be linear or branched. Preferably, it is a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, or a hexyl group. The C 4 -C 6 alkyl group in the substituent (K) may be linear or branched. Preferably, it is a tert-butyl group. The alkyl chain of the C 1 -C 3 alkoxy group may be linear or branched. Preferably, it is a methyl chain. The alkyl chain of the C 1 -C 3 alkoxy group in the substituent (L) may be linear or branched. Preferably, it is a methyl chain. The C 4 -C 6 alkyl group in the substituent (M) may be linear or branched. Preferably, it is a tert-butyl group. The alkyl chain of the C 1 -C 3 alkoxy group in the substituent (N) may be linear or branched. Preferably, it is a methyl chain.
好ましくは、前記一般式(II)に示す化合物において、これに限定するものではないが、
前記置換基(J)が、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、tert-ブトキシ基、又はヘキシロキシ基であり、
前記置換基(K)が、4-メトキシフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、又は4-(ジフェニルアミノ)フェニル基であり、
前記置換基(L)が、3,4-ジメトキシフェニル基であり、
前記置換基(M)が、(4-tert-ブチルフェニル)スルファニル基であり、
前記置換基(N)が、2,6-ジフェニルフェノキシ基、又は5-メトキシ-2,6-ジフェニルフェノキシ基である
Preferably, in the compound represented by the general formula (II), although not limited thereto,
The substituent (J) is a methoxy group, an ethoxy group, an isopropoxy group, a tert-butoxy group, or a hexyloxy group;
The substituent (K) is a 4-methoxyphenyl group, a 4-tert-butylphenyl group, or a 4- (diphenylamino) phenyl group;
The substituent (L) is a 3,4-dimethoxyphenyl group,
The substituent (M) is a (4-tert-butylphenyl) sulfanyl group,
The substituent (N) is a 2,6-diphenylphenoxy group or a 5-methoxy-2,6-diphenylphenoxy group
好ましくは、前記一般式(III)に示す化合物において、これに限定するものではないが、
前記置換基(J)が、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、tert-ブトキシ基、又はヘキシロキシ基であり、
前記置換基(K)が、4-メトキシフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、又は4-(ジフェニルアミノ)フェニル基であり、
前記置換基(L)が、3,4-ジメトキシフェニル基であり、
前記置換基(M)が、(4-tert-ブチルフェニル)スルファニル基であり、
前記置換基(N)が、5-メトキシ-2,6-ジフェニルフェノキシ基である。
Preferably, in the compound represented by the general formula (III), the compound is not limited thereto.
The substituent (J) is a methoxy group, an ethoxy group, an isopropoxy group, a tert-butoxy group, or a hexyloxy group;
The substituent (K) is a 4-methoxyphenyl group, a 4-tert-butylphenyl group, or a 4- (diphenylamino) phenyl group;
The substituent (L) is a 3,4-dimethoxyphenyl group,
The substituent (M) is a (4-tert-butylphenyl) sulfanyl group,
The substituent (N) is a 5-methoxy-2,6-diphenylphenoxy group.
〔本実施形態に係るホール輸送層材料の好適例〕
本実施形態に係るホール輸送層材料の好適例を、一般式(V)として下記に示す。明細書中、当該ホール輸送層材料を「Sym-HT-PcH」と称する場合がある。一般式(IV)に示す化合物は、中心金属として亜鉛を配位し、フタロシアニン環の外周骨格となる4つのインドール環のベンゼン環部分のβ位にそれぞれ一箇所ずつヘキシルチオフェン環を置換基として導入して構成している。つまり、フタロシアニン環の2位又は3位の一方、9位又は10位の一方、16位又は17位の一方、23位又は24位の一方にヘキシルチオフェン環が導入されている。
R13a及びR13bは互いに独立で、一方が下記置換基(O)であり、他方は水素であり、
R14a及びR14bは互いに独立で、一方が下記置換基(O)であり、他方は水素であり、
R15a及びR15bは互いに独立で、一方が下記置換基(O)であり、他方は水素であり、
R16a及びR16bは互いに独立で、一方が下記置換基(O)であり、他方は水素である。
Preferred examples of the hole transport layer material according to this embodiment are shown below as general formula (V). In the description, the hole transport layer material may be referred to as “Sym-HT-PcH”. The compound represented by the general formula (IV) coordinates zinc as a central metal, and introduces a hexylthiophene ring as a substituent at each of the β-positions of the benzene ring portions of four indole rings serving as the outer skeleton of the phthalocyanine ring. It is composed. That is, a hexylthiophene ring is introduced at one of the 2- or 3-position, one of the 9- or 10-position, one of the 16- or 17-position, and one of the 23- or 24-position of the phthalocyanine ring.
R 13a and R 13b are independent of each other, one is the following substituent (O), the other is hydrogen,
R 14a and R 14b are independent of each other, one is the following substituent (O), the other is hydrogen,
R 15a and R 15b are independent of each other, one is the following substituent (O), the other is hydrogen,
R 16a and R 16b are independent of each other, one is a substituent (O) shown below, and the other is hydrogen.
一般式(V)として示す化合物のなかでも、下記一般式(IV)で示す化合物が特に好ましく、例示される。
〔本実施形態に係るホール輸送層材料の合成方法〕
本実施形態に係るホール輸送層材料の合成方法は、下記の実施例1に記載の合成方法を参照して容易に合成することができる。なお、実施例1は、ホール輸送層材料の好適例であるSym-HT-PcHの合成方法の一例を示すものであり、これに限定するものではなく、適宜他の方法を用いて合成することができる。
[Synthesis method of hole transport layer material according to this embodiment]
The method for synthesizing the hole transport layer material according to this embodiment can be easily synthesized with reference to the synthesis method described in Example 1 below. Example 1 shows an example of a method for synthesizing Sym-HT-PcH, which is a preferable example of the material of the hole transport layer, and is not limited thereto, and may be synthesized using another method as appropriate. Can be.
本実施形態に係るホール輸送層材料のフタロシアニン骨格は、フタロニトリルと中心金属として配位させる金属塩との加熱による、フタロニトリルの環化反応により形成することができる。置換基の導入についても、フタロニトリルに予め所望の置換基を導入することにより、対称型に置換基が導入された本実施形態に係るホール輸送層材料を簡単に合成することができる。 The phthalocyanine skeleton of the hole transport layer material according to this embodiment can be formed by a cyclization reaction of phthalonitrile by heating phthalonitrile and a metal salt coordinated as a central metal. Regarding the introduction of substituents, the hole transport layer material according to the present embodiment in which the substituents are introduced symmetrically can be easily synthesized by introducing the desired substituents into phthalonitrile in advance.
合成に際して、フタロニトリルに導入する置換基の種類を適宜変更することにより、種々の置換基を有するホール輸送層材料を提供することができる。また、環化反応に使用する金属塩の種類を適宜変更することにより、種々の中心金属を有するホール輸送層材料を提供することができる。これにより、ホール輸送層材料の電気的特性を制御することができ、更に高い性能を有するホール輸送層材料を構築することが可能となる。したがって、ホール輸送性が更に向上した化合物やドーパントの添加を一切必要としない化合物のホール輸送層材料としての提供が期待できる。 In the synthesis, a hole transport layer material having various substituents can be provided by appropriately changing the type of the substituent introduced into phthalonitrile. Further, by appropriately changing the kind of the metal salt used for the cyclization reaction, it is possible to provide a hole transport layer material having various central metals. Thereby, the electrical characteristics of the hole transport layer material can be controlled, and it is possible to construct a hole transport layer material having higher performance. Therefore, it can be expected that a compound having a further improved hole transport property or a compound which does not require addition of any dopant as a hole transport layer material can be expected.
〔本実施形態に係るホール輸送層材料の特性〕
本実施形態に係るホール輸送層材料は、安定的かつ効率的にホールを捕捉し移動させることができる優れたホール輸送性を有している。本実施形態に係るホール輸送層材料の骨格を構成するフタロシアニンは、四つのイソインドールが窒素原子を介して架橋した縮合多芳香族化合物である。高い平面性を持つ環状の構造物であり、環状に連続したπ電子雲を形成している。フタロシアニン分子間でこのπ電子雲どうしが重なり、平皿を複数重ねたような配置(「π-πスタッキング」という)で安定化する。平皿を重ねた方向にホールを移動させることができ、良好なホール輸送性を発揮することができる。
[Characteristics of hole transport layer material according to present embodiment]
The hole transport layer material according to the present embodiment has an excellent hole transporting property capable of stably and efficiently capturing and moving holes. The phthalocyanine constituting the skeleton of the hole transport layer material according to this embodiment is a condensed polyaromatic compound in which four isoindoles are crosslinked via a nitrogen atom. It is a ring-shaped structure with high planarity and forms a ring-like continuous π electron cloud. The π-electron clouds overlap between the phthalocyanine molecules and are stabilized in an arrangement in which a plurality of flat plates are stacked (referred to as “π-π stacking”). The holes can be moved in the direction in which the flat plates are stacked, and good hole transportability can be exhibited.
本実施形態に係るホール輸送層材料は、長期の耐久性の面でも優れた特性を有している。フタロシアニンは、色合いが鮮明であるだけでなく、化学的及び物理的に極めて安定であり耐候性のあることから、顔料と塗装や標識に用いられてきた。前述のフタロシアニンにおけるπ-πスタッキング状態は、非常に安定かつ強固であり、外部からの酸化(電子の放出)や還元(電子の注入)は、複数の分子にその攻撃が拡散することにより、全体として安定状態を保つことができ、耐候性が高い。本実施形態に係るホール輸送層材料は、かかる耐候性を有するフタロシアニン骨格を有することから、光照射や温湿度によって分解することなく耐久性が高いという特性を有する。 The hole transport layer material according to the present embodiment also has excellent characteristics in terms of long-term durability. Phthalocyanines have been used in pigments and coatings and signs because they are not only sharp in color but also extremely chemically and physically stable and weather resistant. The above-mentioned π-π stacking state in phthalocyanine is extremely stable and strong, and external oxidation (emission of electrons) and reduction (injection of electrons) can be diffused by multiple molecules, As a stable state, and has high weather resistance. Since the hole transport layer material according to the present embodiment has such a phthalocyanine skeleton having weather resistance, it has a characteristic of high durability without being decomposed by light irradiation or temperature and humidity.
また、従来のSpiro-OMeTADをホール輸送層として積層する等、基板上に固定化した際には、その分子構造より分子間に隙間が生じ、他の分子が混入する等の不具合があった。詳細には、Spiro-OMeTADの分子中心のスピロ環構造が5員環構造であり分子が90%程度ねじれた構造をとる。そのため、分子構造が嵩高くなり、分子間隙間に溶媒分子が侵入しホール輸送を遮ったり、またドーパントとして添加したコバルト錯体の脱落等が生じる等、ホール輸送性を安定的かつ持続的に発揮することができなかった。しかしながら、本実施形態に係るホール輸送層材料は、前述のとおり平面性が高いことから分子間に空隙が生じず、分子間の電気的結合を確保することができ、また、ホール輸送性を低下させる要因と成り得る他の分子が分子間に混入する等の不具合を防止することができる。これにより、ホール輸送性能が安定し、かつ耐久性の面でも優れた性能を発揮することができる。 In addition, when immobilized on a substrate such as laminating a conventional Spiro-OMeTAD as a hole transport layer, there is a problem that a gap is generated between molecules due to its molecular structure and other molecules are mixed. Specifically, the spiro ring structure at the molecular center of Spiro-OMeTAD is a five-membered ring structure, and the molecule takes a twisted structure of about 90%. As a result, the molecular structure becomes bulky, and the solvent molecules intrude into the intermolecular gaps to interrupt the hole transport, and the cobalt complex added as a dopant may drop off, etc., thereby stably and continuously exhibiting the hole transportability. I couldn't do that. However, since the hole transport layer material according to the present embodiment has high planarity as described above, no void is generated between molecules, electrical connection between molecules can be secured, and the hole transport property is reduced. It is possible to prevent problems such as mixing of other molecules that may be a factor causing the mixture between the molecules. This makes it possible to stabilize the hole transport performance and exhibit excellent performance in terms of durability.
本実施形態に係るホール輸送層材料は、溶媒への溶解性の面でも優れた特性を有する。フタロシアニンは、前述のπ-πスタッキングにより分子どうしが強く相互作用していることから、水だけでなく有機溶媒に対する溶解度が極めて低く、その利用が制限されていた。本実施形態に係るホール輸送層材料は、フタロシアニン骨格外周に、π-πスタッキングを妨げない程度に嵩高くし、溶媒への可溶性を向上させるため置換基を均等に導入した。これにより、本実施形態に係るホール輸送層材料は、クロロベンゼンなどの溶媒に可溶となり、スピンコート等の塗布法によりハイブリッド型の太陽電池10のホール輸送層5を形成することができる。従来において当該太陽電池10のホール輸送層5として汎用されていたSpiro-OMeTAD等のスピロ環構造を持つ化合物と置き換えて使用することができ、作製手順についても同様に行うことができる。
The hole transport layer material according to the present embodiment also has excellent characteristics in terms of solubility in a solvent. Phthalocyanine has a very low solubility in not only water but also an organic solvent due to strong interaction between molecules due to the above-mentioned π-π stacking, and its use has been limited. The hole transport layer material according to the present embodiment was so bulky that the π-π stacking was not hindered on the outer periphery of the phthalocyanine skeleton, and a substituent was uniformly introduced in order to improve solubility in a solvent. Thereby, the hole transport layer material according to the present embodiment becomes soluble in a solvent such as chlorobenzene, and the
また、本実施形態に係るホール輸送層材料は、フタロシアニン骨格外周に導入する置換基や中心金属を変更することにより、ホール輸送性をはじめとする電気的特性、及び溶媒への溶解性を制御することができる。これにより、更に、高い性能を有するホール輸送層材料を提供することが可能である。分子間の電気的結合の確保を更に適切に制御することが可能となり、ホール輸送性が更に向上した化合物やドーパントの添加を一切必要としない化合物の提供が期待できる。 Further, the hole transporting layer material according to the present embodiment controls the electrical properties such as the hole transporting property and the solubility in a solvent by changing the substituent and the central metal introduced to the outer periphery of the phthalocyanine skeleton. be able to. Thereby, it is possible to provide a hole transport layer material having higher performance. It is possible to more appropriately control the securing of the electrical connection between the molecules, and it can be expected to provide a compound with further improved hole transportability and a compound that does not require the addition of any dopant.
本実施形態に係るホール輸送層材料は簡便かつ安価に合成することができる。フタロシアニン骨格は、フタロニトリルと中心金属として配位させる金属塩との加熱による、フタロニトリルの環化反応により形成することができる。置換基の導入についても、フタロニトリルに予め所望の置換基を導入することにより、フタロシアニンに対称型に置換基を導入することは至極簡単である。安価に提供することができる。このように、本実施形態に係るホール輸送層材料は、従来のSpiro-OMeTAD等のスピロ環構造を持つ化合物と比較して、少ない工程で合成することができ、精製も容易であることから、合成に要するコストを低減することができる。 The material of the hole transport layer according to the present embodiment can be synthesized easily and at low cost. The phthalocyanine skeleton can be formed by cyclizing phthalonitrile by heating phthalonitrile and a metal salt to be coordinated as a central metal. Regarding the introduction of a substituent, it is extremely easy to introduce a substituent symmetrically into phthalocyanine by introducing a desired substituent into phthalonitrile in advance. It can be provided at low cost. As described above, the hole transport layer material according to the present embodiment can be synthesized in a smaller number of steps and can be easily purified, as compared with a compound having a spiro ring structure such as a conventional Spiro-OMeTAD. The cost required for the synthesis can be reduced.
本実施形態に係るホール輸送層材料は、前述の通り、優れた特性を有することから、太陽電池10のホール輸送層材料として好適に利用することができる。
As described above, the hole transport layer material according to this embodiment has excellent characteristics, and thus can be suitably used as the hole transport layer material of the
〔本実施形態に係る太陽電池10の特性〕
本実施形態に係る太陽電池10は、前述通り優れた特性を有する本発明のホール輸送層材料を用いて形成されたホール輸送層5を備える。詳細には、本実施形態に係るホール輸送層材料は優れた安定的かつ効率的にホールを捕捉し移動させることができる優れたホール輸送性を有していることから、本発明の太陽電池10は、これをホール輸送層5として用いることで、光電変換効率の向上、ひいては電池性能が向上する。
[Characteristics of
The
また、本実施形態のホール輸送層材料の組成が安定であることから常に同一の性能が得ることが期待できる。従来のSpiro-OMeTADを、ホール輸送層材料を使用する場合には、ホール輸送効率を向上させる機能を有するドーパントの添加を要した。一方、本実施形態のホール輸送層材料はドーパントを添加せずとも良好なホール輸送性を実現し得る可能性がある。 Further, since the composition of the hole transport layer material of this embodiment is stable, it can be expected that the same performance is always obtained. When using a conventional Spiro-OMeTAD with a hole transport layer material, it is necessary to add a dopant having a function of improving hole transport efficiency. On the other hand, the hole transport layer material of the present embodiment may be able to achieve good hole transport properties without adding a dopant.
本実施形態に係るホール輸送層材料は耐久性の面も優れていることから、本実施形態に係る太陽電池10は、これをホール輸送層5として用いることで、当該太陽電池10の長期の耐久性を向上することができる。更には、ホール輸送層材料としてSpiro-OMeTADを利用する従来のペロブスカイト型太陽電池において、吸湿によるペロブスカイト結晶の性能劣化が問題となっていたが、ペロブスカイト結晶は、耐候性のある本実施形態に係るホール輸送層材料により被覆されることとなり、かかる側面からも当該太陽電池の長期の耐久性を向上できる。
Since the hole transport layer material according to the present embodiment is also excellent in durability, the
このように優れた特性を有する本実施形態に係るホール輸送層材料により形成されたホール輸送層5によって、本実施形態に係る太陽電池10の電池性能の向上を図ることができる。
With the
また、前述の通り、本実施形態に係るホール輸送層材料は、少ない工程で安価に合成が可能であることから、これをホール輸送層5とする本実施形態に係る太陽電池10自体の価格低減を図ることが可能となる。
Further, as described above, since the hole transport layer material according to the present embodiment can be synthesized at a low cost in a small number of steps, the cost of the
[その他の実施形態]
前述の実施形態では、ホール輸送層材料を用いた太陽電池10としてハイブリッド型太陽電池を例に示したが、このホール輸送層材料をOPV(有機薄膜太陽電池)、有機EL、有機半導体を用いたデバイスなどに用いても良い。
[Other Embodiments]
In the above-described embodiment, a hybrid type solar cell has been described as an example of the
本発明を、以下の実施例をもって詳細に説明する。以下の実施例においては、ホール輸送層材料として「Sym-HT-PcH」を例示するが、本発明はこれに限定されるものではない。 The present invention will be described in detail with reference to the following examples. In the following examples, “Sym-HT-PcH” is exemplified as the material of the hole transport layer, but the present invention is not limited to this.
(実施例1)ホール輸送層材料の合成
以下、実施例1として、ホール輸送層材料の合成例を示す。但し、この実施例に限定されるものではない。
(Example 1) Synthesis of hole transport layer material Hereinafter, as Example 1, a synthesis example of a hole transport layer material will be described. However, it is not limited to this embodiment.
本実施例で、合成を行ったホール輸送層材料は、前述の一般式(IV)に示す「Sym-HT-PcH」と称するものである。合成スキームについて、図8に基づいて説明する。 In this example, the synthesized hole transport layer material is referred to as “Sym-HT-PcH” shown in the general formula (IV). The synthesis scheme will be described with reference to FIG.
Sym-HT-PcHの合成
(工程1)4-ヨードフタロニトリル(4-iodophthalonitrile:化合物2)の合成
硫酸(H2SO4、12 mL)と水(6 mL)を混合し、ここに4-アミノフタロニトリル(化合物1:2.5 g、17.48 mmol)を加えて撹拌し-10℃に冷却した。この反応混合物に、反応混合物温度を-10〜0℃に保ったまま、水に溶解した亜硝酸ナトリウム(NaNO2:1.206 g、17.487 mmol)を撹拌しつつ滴下した。滴下終了後、反応混合物を吸引濾過装置を用いて手早く濾過し濾液を分取した。ヨウ化ナトリウム(7.9 g, 47 mmol)を20mlの水に溶解し、冷却したものに、先に調製した濾液を冷たいまま滴下し、0℃に保ったまま撹拌を続けた。黒色に変化した混合液をその後撹拌しつつ室温まで温度上昇させると黒色の析出が現れ、この固形物を濾過により分取した。この固形物をジクロロメタン(CH2Cl2:50 mL)に溶解し、冷水50mlで2回洗浄後、10%炭酸水素ナトリウム(NaHCO3)溶液50mlで洗浄、再度冷水50mlで1回、飽和亜硫酸ナトリウム(Na2S2O3)水溶液50mlで1回、最後に水50mlで3回洗浄した。洗浄を行った溶液は硫酸マグネシウム(MgSO4)で乾燥後、全体量が10ml程度となるまで溶媒を留去した。シリカゲルカラムを用いたクロマトグラフィーにより精製し、目的とする4-ヨウ化フタロニトリル(化合物2)の白色固体を70%の収率で得た。
Synthesis of Sym-HT-PcH (Step 1) Synthesis of 4-iodophthalonitrile (Compound 2) Sulfuric acid (H 2 SO 4 , 12 mL) and water (6 mL) were mixed, and 4- Aminophthalonitrile (Compound 1: 2.5 g, 17.48 mmol) was added, stirred, and cooled to -10 ° C. To this reaction mixture, while maintaining the reaction mixture temperature at -10 to 0 ° C., sodium nitrite dissolved in water (NaNO 2: 1.206 g, 17.487 mmol) was added dropwise with stirring. After completion of the dropwise addition, the reaction mixture was quickly filtered using a suction filtration device, and the filtrate was separated. Sodium iodide (7.9 g, 47 mmol) was dissolved in 20 ml of water, the cooled filtrate was added dropwise to the cooled one, and the mixture was kept stirring at 0 ° C. When the temperature of the mixture that turned black was raised to room temperature with stirring, black precipitates appeared, and the solid matter was separated by filtration. This solid was dissolved in dichloromethane (CH 2 Cl 2 : 50 mL), washed twice with 50 ml of cold water, washed with 50 ml of a 10% sodium hydrogen carbonate (NaHCO 3 ) solution, and once again with 50 ml of cold water and saturated sodium sulfite. It was washed once with 50 ml of an aqueous solution of (Na 2 S 2 O 3 ) and finally three times with 50 ml of water. After the washed solution was dried over magnesium sulfate (MgSO 4 ), the solvent was distilled off until the total amount became about 10 ml. The residue was purified by chromatography using a silica gel column to obtain a target white solid of 4-iodophthalonitrile (compound 2) in a yield of 70%.
(工程2)4-(5-ヘキシルチオフェン-2-イル) フタロニトリル(4-(5-hexylthiophen-2-yl) phthalonitrile:化合物4)の合成
前述の工程1で合成した4-ヨウ化フタロニトリル(化合物2:2.5 g、9.84 mmol)と 2-(5-ヘキシルチオフェン-2-イル)-4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン(2-(5-hexylthiophen-2-yl)-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane、化合物3:3.183 g、10.82 mmol) をTHF(100 mL)に溶解し、次いで水20 mL、炭酸ナトリウム(Sodium bicarbonate:17.36 g、206.6 mmol) を加えた。アルゴンガスによって30分間脱ガスを行った後、パラジウム触媒([Pd (PPh3)4]:1.13 g、0.984 mmol) を加えて加熱し、アルゴン気流下で12時間還流を行った。溶媒留去後、残渣をシリカゲル充填カラムによるクロマトグラフィーにより精製を行い、目的とする4-(5-ヘキシルチオフェン-2-イル) フタロニトリル(化合物4)を2.3g、86.9%の収率で得た。
(Step 2) Synthesis of 4- (5-hexylthiophen-2-yl) phthalonitrile (compound 4) 4- (5-hexylthiophen-2-yl) phthalonitrile: 4-iodophthalonitrile synthesized in
(工程3)Sym-HT-PcH (一般式IV)の合成
前述の工程1で合成した4-(5-ヘキシルチオフェン-2-イル) フタロニトリル(化合物4:2.00 g、6.80 mmol)とZn(OAc)22H2O (594 mg、2.72 mmol)を20mLのペンタノールに溶解した。これを加熱し100℃となったところで触媒量のジアザビシクロウンデセン(DBU)を加え、その後24時間還流を行った。反応終了後、溶媒を留去し、残渣をシリカゲル充填カラムを用いたクロマトグラフィーにより精製を行い、最終目的生成物であるSym-HT-PcH(一般式IV)を0.6 g、23% の収率で得た。
(Step 3) Synthesis of Sym-HT-PcH (general formula IV) 4- (5-hexylthiophen-2-yl) phthalonitrile (compound 4: 2.00 g, 6.80 mmol) synthesized in
(実施例2)太陽電池10の作製
以下、実施例2として、太陽電池10の作製例を示す。但し、この実施例に限定されるものではない。
(Example 2) Production of
まず、20mm×20mm×2mmの透明基板21として透明ガラス板に、透明伝導膜としてフッ素ドープ酸化スズ(FTO)をCVDにより形成した透明導電膜付きガラス基板(基板2)を用意し、レーザースクライブを施してFTOを除去した凹部221を形成し十分に洗浄した。次に、透明導電膜付きガラス基板の全面に、ブロッキング層3となる二酸化チタン(TiO2)の緻密層(厚さ20nm)を、ALD(原子層堆積法)により形成した。
First, a glass substrate with a transparent conductive film (substrate 2) formed by forming a 20 mm × 20 mm × 2 mm
マスキングを施したブロッキング層3上に、市販のTiO2ナノ粒子ペーストをエタノールにより4倍に希釈した溶液を滴下し、スピンコートにより塗布し、80℃で乾燥した。乾燥後、マスキングを取り除き、500℃で15分間焼結することで、厚さ500nmの多孔質半導体41となるTiO2ナノ粒子層を形成した。更に、これを四塩化チタン水溶液(400mmol/l)に70℃で30分間浸漬した後、純水ですすぎ、500℃で30分間焼結した。焼結後、室温まで放冷した。
A solution obtained by diluting a commercially available TiO 2 nanoparticle paste four-fold with ethanol was dropped on the
次いで、ヨウ化鉛(PbI2)のN,N−ジメチルホルムアミド溶液42(1.2mol/l)を調製して滴下し、スピンコートにより多孔質半導体41で構成される層の内部へのヨウ化鉛を浸透と余分な溶液を除去した後、80℃で30分間乾燥させた。
Next, an N, N-dimethylformamide solution 42 (1.2 mol / l) of lead iodide (PbI 2 ) is prepared and dropped, and lead iodide is introduced into the layer composed of the
次いで、8mg/mlのメチルアンモニウムアイオダイド(CH3NH3I、「MAI」と称する場合がある)イソプロピルアルコール溶液43に、基板2・ブロッキング層3・二酸化鉛が含まれる多孔質半導体41を、常温で15分間浸漬した後、純イソプロピルアルコール溶液で灌ぎ、スピンコートした後、100℃で15分間乾燥させた後、室温まで急冷した。これにより、色素44であるペロブスカイト色素[(CH3NH3 )PbI3]の結晶を生成した。
Next, a
次いで、ホール輸送層材料であるSym-HT-PcH、又はSpiro-OMeTADのクロロベンゼン溶液(コバルトドーパントであるFK209(Tris(2-(1H-pyrazol-1-yl)-4-tert-butylpyridine)cobalt(III)Tris(bis(trifluoromethylsulfonyl)imide等を双方に添加) 72.3mg/mlを40μl滴下し、スピンコートにより余分な溶液の除去を行い、乾燥させることで、発電層4上に厚さ500nmのホール輸送層5を形成した。最後に、これらが積層した積層体11の表面に真空蒸着法によって金膜を成膜し、光電極61と対向電極62とからなる厚さ100nmの電極6を積層した。
Next, a chlorobenzene solution of Sym-HT-PcH or Spiro-OMeTAD which is a hole transport layer material (FK209 (Tris (2- (1H-pyrazol-1-yl) -4-tert-butylpyridine) cobalt ( III) Tris (bis (trifluoromethylsulfonyl) imide etc. added to both) 72.3mg / ml 40μl was added dropwise, the excess solution was removed by spin coating, and dried to form a 500nm thick hole on the
(実施例3)太陽電池の性能評価
以下、実施例3として、太陽電池10の性能評価を行った。
(Example 3) Performance evaluation of solar cell Hereinafter, as Example 3, performance evaluation of the
図9及び図10は、Sym-HT-PcH、又はSpiro-OMeTADの平均電池性能を示すグラフであり、図9がSym-HT-PcH、図10がSpiro-OMeTADである。図9及び図10には、電池性能を表す開放電圧(Voc:open circuit voltage)−短絡電流(Isc:short-circuit current)特性が示される。開放電圧Vocとは太陽電池10に電流が流れていないときの電圧であり、短絡電流Iscとは電圧が0Vの時の電流である。図中のJscは、短絡電流Iscを有効受光面積で割った短絡電流密度(mA/cm2)である。
9 and 10 are graphs showing the average battery performance of Sym-HT-PcH or Spiro-OMeTAD. FIG. 9 shows Sym-HT-PcH and FIG. 10 shows Spiro-OMeTAD. 9 and 10 show an open circuit voltage (Voc) -short-circuit current (Isc) characteristic representing battery performance. The open voltage Voc is a voltage when no current flows through the
また、表1には、太陽電池10の電池性能を数値化したものを示す。
図9及び図10、並びに表1から理解できるように、Sym-HT-PcHをホール輸送層として用いた太陽電池の電池性能は、Spiro-OMeTADを用いた太陽電池の7〜8割程度であった。現状では、ホール輸送層材料としてSpiro-OMeTADを用いた方が高い性能を示すが、Sym-HT-PcHに関する今回の実験は初期実験である。したがって、溶液濃度等、太陽電池にホール輸送層として構築するための最適化などの条件設定を行っていない段階での電池性能である。Spiro-OMeTADなどのスピロ環構造を持つ化合物以外で、初期実験において今回のSym-HT-PcHほどの高い性能を示したものがない。また、溶液濃度の最適化や置換基の最適化等によって、更なる性能向上が期待できる。このとこから、ホール輸送層材料としてSym-HT-PcH等のフタロシアニン誘導体を用いることで、太陽電池の光電変換効率が大きく向上することが期待できる。 As can be understood from FIGS. 9 and 10 and Table 1, the cell performance of the solar cell using Sym-HT-PcH as the hole transport layer is about 70 to 80% of the solar cell using Spiro-OMeTAD. Was. At present, using Spiro-OMeTAD as the hole transport layer material shows higher performance, but this experiment on Sym-HT-PcH is an initial experiment. Therefore, the battery performance at the stage where conditions such as solution concentration and the like for optimizing the solar cell as a hole transport layer are not set. Other than compounds having a spiro ring structure, such as Spiro-OMeTAD, none of them showed as high performance as Sym-HT-PcH in the initial experiments. Further, further improvement in performance can be expected by optimizing the solution concentration, optimizing the substituents, and the like. From this, it can be expected that the use of a phthalocyanine derivative such as Sym-HT-PcH as the hole transport layer material will greatly improve the photoelectric conversion efficiency of the solar cell.
(実施例4)太陽電池の耐久性評価
以下、実施例4として、太陽電池10の耐久性評価を行った。
(Example 4) Durability evaluation of solar cell Hereinafter, as Example 4, the durability of the
実施例2で作製した太陽電池10のセルを気温23℃、湿度20%の空気中、暗所にて保管し、定期的にセル効率を計測した。このとき、太陽電池10のセルはカプセルなどで被覆せずに空気中に曝露した。結果を図11のグラフに示す。図11は、セル効率の経時変化(日)を示し、各太陽電池10のセルにおける最高性能値に対するセル効率の変化を、最高性能値を1とした場合の比率をプロットしたものである。
The cells of the
図11より、Sym-HT-PcHセルでは作製直後よりも二日経過後に最高性能を記録した。Spiro-OMeTADセルでは、作製直後に最高値を記録し、その後徐々に性能低下した。Sym-HT-PcHは9日後に最高値の78%、Spiro-OMeTADは58%であり、Sym-HT-PcHを使用したセルの方が、耐久性が高いことが理解できる。 From FIG. 11, the highest performance was recorded in the Sym-HT-PcH cell two days later than immediately after the production. In the Spiro-OMeTAD cell, the highest value was recorded immediately after fabrication, and the performance gradually decreased thereafter. After 9 days, Sym-HT-PcH had a maximum value of 78%, and Spiro-OMeTAD had 58%, indicating that the cell using Sym-HT-PcH has higher durability.
本発明は、有機及び無機のハイブリッド化合物で生成されるペロブスカイト色素を備えたハイブリッド型太陽電池などに用いられるホール輸送層材料として利用可能である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used as a hole transport layer material used for a hybrid solar cell including a perovskite dye formed of an organic and inorganic hybrid compound.
2 基板
3 ブロッキング層
4 発電層
5 ホール輸送層
6 電極
10 太陽電池
11 積層体
21 透明基板
22 透明導電膜
41 多孔質半導体
44 色素
61 光電極
62 対向電極
2
Claims (4)
Mは、亜鉛(Zn)であり、
R 1b 、R 2a 、R 3a 、及び、R 4b は、下記置換基(A)であり、
R 1a 、R 2b 、R 3b 、及び、R 4a は、水素原子であり、
R 1b 、R 2a 、R 3a 、及び、R 4b で選択される置換基は同一である。
M is zinc (Zn ) ,
R 1b , R 2a , R 3a and R 4b are the following substituents (A),
R 1a , R 2b , R 3b , and R 4a are hydrogen atoms,
The substituents selected for R 1b , R 2a , R 3a and R 4b are the same.
前記置換基(A)が、5-ヘキシル-チオフェン-2-イル基、又は5-(2-エチルヘキシル)-チオフェン-2-イル基である、請求項1に記載のホール輸送層材料。 In the compound represented by the general formula (I),
The substituent (A) is 5-hexenyl - thiophen-2-yl group, or 5- (2-ethylhexyl) - thiophen-2-yl Ru groups der, hole transport layer material according to claim 1.
電子を前記透明導電膜に受け渡し、且つ逆電子移動を防止するブロッキング層、
光によって励起して前記電子を発生する色素を多孔質半導体に吸着させて形成される発電層、
前記色素から発生したホールが通過し、前記ホール輸送層材料を有するホール輸送層、の順に積層される積層体と、
前記透明導電膜を介して前記電子を放出する光電極、及び、前記ホール輸送層の表面に設けられた対向電極で構成される電極と、を備えている請求項1〜3の何れか一項に記載のホール輸送層材料を用いた太陽電池。
A substrate having a transparent conductive film,
A blocking layer for transferring electrons to the transparent conductive film and preventing reverse electron transfer,
A power generation layer formed by adsorbing a dye that generates the electrons by being excited by light to a porous semiconductor,
Holes generated from the dye pass through, a hole transport layer having the hole transport layer material, a laminated body laminated in order,
Photoelectrode releasing the electrons through the transparent conductive film, and, any one of claim 1 to 3, and a, and electrodes constituted by opposing electrodes provided on the surface of the hole transport layer A solar cell using the hole transport layer material described in 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015194306A JP6638293B2 (en) | 2015-09-30 | 2015-09-30 | Hole transport layer material and solar cell using hole transport layer material |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12120891B2 (en) | 2019-02-08 | 2024-10-15 | Japan Science And Technology Agency | Photoelectric conversion element, photoelectric conversion device, photoelectric conversion element precursor, light detection method, and production method for photoelectric conversion element |
CN114556606A (en) * | 2019-12-24 | 2022-05-27 | 松下知识产权经营株式会社 | Solar cell |
JP7439635B2 (en) | 2020-04-30 | 2024-02-28 | 株式会社アイシン | Hole transport materials and solar cells using hole transport materials |
WO2021241542A1 (en) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | Core-shell particle, composite, light-receiving member for photoelectric conversion element, and photoelectric conversion element |
-
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JP2017066096A (en) | 2017-04-06 |
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