JP6630884B2 - Substrate alignment device - Google Patents

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Description

本発明は、基板の特徴部(例えば、基板の周縁に形成された切り欠き)を検出して、これが定められた方向に配置されるように基板の回転位置を補正するアライメント装置に関する。   The present invention relates to an alignment apparatus that detects a characteristic portion of a substrate (for example, a notch formed in a peripheral edge of the substrate) and corrects a rotational position of the substrate so that the substrate is arranged in a predetermined direction.

基板に対して各種の処理を施す基板処理装置においては、多くの場合、基板に対する処理を実行するのに先立って、基板の回転位置の補正(所謂、アライメント)が行われる。回転位置の補正は、例えば、基板の周縁に形成された特徴部(具体的には、ノッチ、オリエンテーションフラット等の切り欠き)の位置を検出して、これが定められた方向に配置されるように基板の回転位置を変更することによって行われる(例えば、特許文献1〜4)。また、アライメントにおいては、基板の回転位置の補正に加えて、基板の水平位置の補正が行われる場合もある。水平位置の補正は、例えば、基板の周縁位置を検出して基板の位置(例えば基板の中心位置)の所定位置からのずれ量(偏芯量)を特定して、基板が定められた位置に配置されるように基板の水平位置を変更することによって行われる。   2. Description of the Related Art In a substrate processing apparatus that performs various types of processing on a substrate, in many cases, correction of a rotational position of the substrate (so-called alignment) is performed prior to performing the processing on the substrate. The rotation position is corrected, for example, by detecting the position of a characteristic portion (specifically, a notch such as a notch or an orientation flat) formed on the peripheral edge of the substrate, and disposing the position in a predetermined direction. This is performed by changing the rotational position of the substrate (for example, Patent Documents 1 to 4). In addition, in the alignment, the horizontal position of the substrate may be corrected in addition to the correction of the rotational position of the substrate. The horizontal position is corrected, for example, by detecting the peripheral position of the substrate, specifying the amount of deviation (eccentricity) of the position of the substrate (for example, the center position of the substrate) from a predetermined position, and moving the substrate to a predetermined position. This is done by changing the horizontal position of the substrate to be placed.

特許文献1に記載の技術では、アライメント装置において半導体基板を保持する要素(把持部1)や、これに対して半導体基板の授受を行う搬送ロボットのハンド(エンドエフェクタ13)は、いずれも、半導体基板の下面の中央部分を吸引することによって当該半導体基板を保持している。   In the technique described in Patent Document 1, an element for holding a semiconductor substrate in an alignment apparatus (grip unit 1) and a hand (end effector 13) of a transfer robot that transfers semiconductor substrates to and from the element are all semiconductor devices. The semiconductor substrate is held by sucking a central portion of the lower surface of the substrate.

近年、基板の一方の面だけでなく他方の面にも配線層が形成されることが多くなってきており、このような基板の場合、特許文献1のように、基板の下面の中央部分を吸引することは許されない。このような事情に鑑みて、特許文献2〜5では、基板の端面における複数の位置に当接して当該基板を保持するタイプの保持部を備えるアライメント装置が提案されている。   In recent years, a wiring layer is often formed not only on one surface of a substrate but also on the other surface. In such a substrate, a central portion of a lower surface of the substrate is disposed as in Patent Document 1. No suction is allowed. In view of such circumstances, Patent Documents 2 to 5 propose an alignment device including a holding unit of a type that holds a substrate by abutting a plurality of positions on an end surface of the substrate.

特開2010−199245号公報JP 2010-199245 A 特開2000−21956号公報JP 2000-21956 A 特開2002−151577号公報JP 2002-151577 A 特開2003−282678号公報JP 2003-282678 A 特開2006−19645号公報JP 2006-19645 A

特許文献2〜4のアライメント装置では、保持部が半導体基板に当接する位置が、半導体基板の周縁に形成されている切り欠きに重なってしまった場合に、切り欠きが検出できない虞がある。このような場合、半導体基板の持ち直し等を行う必要が生じ、アライメントのタクトタイムが長くなってしまう。   In the alignment devices of Patent Documents 2 to 4, when the position where the holding portion contacts the semiconductor substrate overlaps with the notch formed on the peripheral edge of the semiconductor substrate, the notch may not be detected. In such a case, it becomes necessary to carry the semiconductor substrate again, and the tact time of the alignment becomes longer.

また、このタイプの保持部においては、半導体基板を回転させる際(すなわち、保持部が、これが保持している半導体基板の中心を通る鉛直軸を中心に回転される際)に、保持部と半導体基板が位置ずれを起こしやすい。したがって、このような位置ずれが生じないように、保持部の回転速度を十分小さくしなければならず、これが、タクトタイムを短縮できない要因の一つとなっていた。   Also, in this type of holding unit, when the semiconductor substrate is rotated (that is, when the holding unit is rotated about a vertical axis passing through the center of the semiconductor substrate held by the holding unit), the holding unit and the semiconductor are rotated. The substrate is easily shifted. Therefore, the rotation speed of the holding unit must be sufficiently reduced so that such a displacement does not occur, which is one of the factors that make it impossible to shorten the tact time.

本発明が解決しようとする課題は、下面の中央に接触することが許されない基板のアライメントを迅速に行うことができる技術を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a technique capable of quickly performing alignment of a substrate that is not allowed to contact the center of the lower surface.

上記課題を解決するために成された本発明に係る基板のアライメント装置は、
基板の下面の周縁領域における互いに離間した複数の第1接触ポイントにおいて前記基板を吸引して前記基板を保持する保持部と、前記保持部を所定の鉛直な回転軸の周りで回転させる回転駆動部と、を備える回転保持部と、
前記保持部に保持された基板の特徴部を検出する検出部と、
前記特徴部の検出結果に基づいて前記保持部を回転させて、これに保持された基板の前記特徴部が定められた方向に配置されるようにする基板位置補正部と、
前記基板の回転位置を変更せずに、前記保持部の回転位置を変更する保持部位置変更部と、
を備える。
A substrate alignment device according to the present invention made in order to solve the above problems,
A holding unit that sucks the substrate and holds the substrate at a plurality of spaced first contact points in a peripheral region of a lower surface of the substrate, and a rotation driving unit that rotates the holding unit around a predetermined vertical rotation axis A rotation holding unit comprising:
A detection unit that detects a characteristic portion of the substrate held by the holding unit,
A substrate position correction unit configured to rotate the holding unit based on the detection result of the feature unit so that the feature unit of the board held by the holding unit is arranged in a predetermined direction.
Without changing the rotation position of the substrate, a holding unit position changing unit that changes the rotation position of the holding unit,
Is provided.

ここでいう基板の「周縁領域」とは、基板において、デバイスとして切り出されない領域(非製品領域)であり、例えば、基板の周縁からある幅(例えば、1個のチップサイズ程度の幅)を持った領域である。   The “peripheral region” of the substrate referred to here is a region (non-product region) of the substrate that is not cut out as a device. For example, a certain width from the periphery of the substrate (for example, a width of about one chip size) It is the area that you have.

この態様のアライメント装置は、基板の下面の周縁領域を吸引して基板を保持する保持部を備えており、アライメント装置の外部に配置されている搬送ロボットによって搬送されてくる基板は、この保持部に保持される。なお、吸引の方法としては、真空吸引、静電吸引、電磁吸引のいずれでもよい。基板が保持部で保持されると、検出部が、保持部に保持された基板の特徴部を検出する。そして、基板位置補正部は、保持部に保持された基板の特徴部が定められた方向に配置されるように保持部を所定の鉛直な回転軸の周りで回転させて基板の回転位置を補正する。このときの保持部の回転角度は基板毎に異なり、場合によっては、回転後の保持部が、上方から見て、搬送ロボットのハンドの進入経路と重なる位置に配置されることがあり、こうなると、搬送ロボットが、保持部に保持されている基板(すなわち、回転位置が補正された基板)を受け取ることができなくなってしまう。ここにおいて、この態様に係るアライメント装置は、基板の回転位置を変更せずに保持部の回転位置を変更する保持部位置変更部を備えており、これが保持部の回転位置を上方から見て搬送ロボットのハンドの進入経路と重ならない位置に移動させる。したがって、搬送ロボットは、保持部に干渉することなく、保持部に保持されている基板を難なく受け取ることができる。
また、この態様においては、保持部が基板の下面の周縁領域を吸引して基板を保持するので、基板を安定して保持することが可能となり、保持部が回転される際に、保持部と基板との間に位置ずれが生じにくい。したがって、基板を十分速い速度で回転させることができる。その結果、アライメントを迅速に行うことができる。
The alignment apparatus according to this aspect includes a holding unit that suctions a peripheral area of the lower surface of the substrate and holds the substrate. The substrate transferred by a transfer robot disposed outside the alignment apparatus is provided in the holding unit. Is held. The method of suction may be any of vacuum suction, electrostatic suction, and electromagnetic suction. When the substrate is held by the holding unit, the detection unit detects a characteristic portion of the substrate held by the holding unit. Then, the substrate position correcting unit corrects the rotational position of the substrate by rotating the holding unit around a predetermined vertical rotation axis so that the characteristic portion of the substrate held by the holding unit is arranged in a predetermined direction. I do. At this time, the rotation angle of the holding unit differs for each substrate, and in some cases, the holding unit after rotation may be disposed at a position overlapping the entry path of the hand of the transfer robot when viewed from above, In addition, the transfer robot cannot receive the substrate held by the holding unit (that is, the substrate whose rotational position has been corrected). Here, the alignment device according to this aspect includes a holding portion position changing portion that changes the rotation position of the holding portion without changing the rotation position of the substrate. Move the robot to a position that does not overlap with the approach path of the robot hand. Therefore, the transfer robot can easily receive the substrate held by the holding unit without interfering with the holding unit.
Further, in this aspect, since the holding unit sucks the peripheral region of the lower surface of the substrate and holds the substrate, it is possible to stably hold the substrate, and when the holding unit is rotated, It is unlikely that a position shift occurs between the substrate and the substrate. Therefore, the substrate can be rotated at a sufficiently high speed. As a result, alignment can be performed quickly.

上記の態様のアライメント装置において、検出部が、保持部に保持された基板の特徴部だけでなく、当該基板の周縁位置を検出するようにし、基板位置補正部が、例えば保持部を移動させることによって、保持部に保持された基板が定められた位置に配置されるように基板の水平位置を補正して、保持部に保持された基板の中心を保持部の回転軸と一致させるようにしてもよい。
従来のように基板の周縁を把持部材等で挟み込んで基板の水平位置を補正する方式においては、基板の外径寸法公差を考慮して、把持部材を一定の押圧で基板の周縁に押し当てる必要があるところ、この押し当て力によって、基板に撓みが生じてしまう。薄型の基板の場合、この撓み量は特に大きくなってしまう。押し当て力によって基板が撓んでしまうと、把持部材が後退して基板から離間する際に、基板が位置ずれを起こしてしまい、基板の水平位置を補正する際のアライメント精度が悪化することがあった。
これに対し、上記の態様に係るアライメント装置においては、保持部が基板の下面の周縁領域を吸引して基板を保持するので、基板が撓まない。したがって、基板の水平位置を補正する場合に、当該補正を高い精度で行うことができる。
In the alignment apparatus according to the above aspect, the detection unit may detect not only a characteristic portion of the substrate held by the holding unit but also a peripheral position of the substrate, and the substrate position correction unit may move the holding unit, for example. Thereby, the horizontal position of the substrate is corrected so that the substrate held by the holding unit is arranged at a predetermined position, so that the center of the substrate held by the holding unit coincides with the rotation axis of the holding unit. Is also good.
In the conventional method of correcting the horizontal position of the substrate by sandwiching the peripheral edge of the substrate with a gripping member or the like, it is necessary to press the gripping member against the peripheral edge of the substrate with a constant pressure in consideration of the outer diameter dimension tolerance of the substrate. However, the pressing force causes the substrate to bend. In the case of a thin substrate, the amount of deflection is particularly large. If the substrate is bent by the pressing force, the substrate may be displaced when the gripping member retreats and separates from the substrate, and the alignment accuracy when correcting the horizontal position of the substrate may deteriorate. Was.
On the other hand, in the alignment device according to the above aspect, the substrate is not bent since the holding unit holds the substrate by sucking the peripheral region of the lower surface of the substrate. Therefore, when correcting the horizontal position of the substrate, the correction can be performed with high accuracy.

好ましくは、前記アライメント装置は、
前記保持部位置変更部が、
基板の下面の周縁領域における互いに離間した複数の第2接触ポイントにおいて前記基板と接触して前記基板を保持する補助保持部と、前記補助保持部を昇降させる昇降駆動部と、を備えるリフターと、
前記回転保持部と前記リフターとを制御する制御部であって、
前記保持部における前記基板の吸引を停止して、前記基板が前記保持部上に載置された状態とし、
前記補助保持部を前記保持部に対して相対的に移動させて、前記補助保持部が前記保持部よりも下方に配置された第1状態から、前記補助保持部が前記保持部よりも上方に配置された第2状態に変更することによって、前記保持部上に載置されている基板を前記補助保持部に保持させて前記基板を前記保持部から離間させ、
前記基板から離間した前記保持部を回転させ、
前記補助保持部を前記保持部に対して相対移動させて、前記第2状態から前記第1状態に変更することによって、前記補助保持部に保持されている基板を回転後の前記保持部上に移載するように制御する制御部と、
を備える。
Preferably, the alignment device comprises:
The holding unit position changing unit,
A lifter comprising: an auxiliary holding unit that holds the substrate in contact with the substrate at a plurality of second contact points separated from each other in a peripheral region of a lower surface of the substrate; and a lifting drive unit that moves the auxiliary holding unit up and down.
A control unit that controls the rotation holding unit and the lifter,
Stopping the suction of the substrate in the holding unit, the state where the substrate is placed on the holding unit,
The auxiliary holding unit is moved relatively to the holding unit, and the auxiliary holding unit is positioned above the holding unit from a first state in which the auxiliary holding unit is disposed below the holding unit. By changing to the arranged second state, the substrate placed on the holding unit is held by the auxiliary holding unit to separate the substrate from the holding unit,
Rotating the holding unit separated from the substrate,
By moving the auxiliary holding unit relative to the holding unit and changing the state from the second state to the first state, the substrate held by the auxiliary holding unit is placed on the holding unit after rotation. A control unit for controlling the transfer,
Is provided.

この態様においては、保持部と補助保持部との配置関係を、第1状態(すなわち、補助保持部が保持部よりも下方に配置された第1状態)から第2状態(すなわち、補助保持部が保持部よりも上方に配置された第2状態)に変更することによって、基板を保持部から補助保持部に持ち替えて、この状態で保持部を回転させる。保持部が回転されると、保持部と補助保持部との位置関係を第2状態から第1状態に戻すことによって、基板を補助保持部から保持部に移載する。この構成によると、簡易な制御態様で、迅速に、基板の回転位置を変更せずに保持部の回転位置を変更することができる。   In this aspect, the positional relationship between the holding unit and the auxiliary holding unit is changed from the first state (that is, the first state in which the auxiliary holding unit is disposed below the holding unit) to the second state (that is, the auxiliary holding unit). Is changed to the second state in which the substrate is disposed above the holding unit), the substrate is changed from the holding unit to the auxiliary holding unit, and the holding unit is rotated in this state. When the holding unit is rotated, the substrate is transferred from the auxiliary holding unit to the holding unit by returning the positional relationship between the holding unit and the auxiliary holding unit from the second state to the first state. According to this configuration, it is possible to quickly change the rotation position of the holding unit without changing the rotation position of the substrate in a simple control mode.

好ましくは、前記アライメント装置は、
前記保持部が、前記第1接触ポイントにおいて基板を真空吸引する吸引部を備え、
前記吸引部が2以上の区画に分割された吸引口を備える。
Preferably, the alignment device comprises:
The holding unit includes a suction unit that vacuum-suctions the substrate at the first contact point,
The suction unit includes a suction port divided into two or more sections.

この態様においては、真空吸引で基板を吸引する吸引部が、2以上の区画に分割された吸引口を備える。したがって、仮に、基板の周縁に形成された切り欠きが、吸引口の一部の区画に載ったとしても別の区画で基板を吸引できる。これによって、基板を特に安定して保持することができる。   In this aspect, the suction unit that suctions the substrate by vacuum suction includes a suction port divided into two or more sections. Therefore, even if the notch formed on the peripheral edge of the substrate is placed on a part of the suction port, the substrate can be sucked in another section. Thereby, the substrate can be held particularly stably.

また、この発明は、基板のアライメント方法も対象としている。本発明に係る基板のアライメント方法は、
a)保持部が、基板の下面の周縁領域における互いに離間した複数の第1接触ポイントにおいて前記基板を吸引して前記基板を保持する工程と、
b)前記保持部に保持された基板の特徴部を検出する工程と、
c)前記特徴部の検出結果に基づいて前記保持部を回転させて、これに保持された基板の前記特徴部が定められた方向に配置されるようにする工程と、
d)基板の前記特徴部が定められた方向に配置された後、前記基板の回転位置を変更せずに、前記保持部の回転位置を変更する工程と、
を備え、
前記保持部の回転位置を変更する工程が、
d1)基板を吸引保持している前記保持部を、所定の回転量だけ所定の方向に回転させる工程と、
d2)基板の回転位置を変更せずに、基板を前記保持部から離間させる工程と、
d3)基板から離間している前記保持部を、前記所定の回転量だけ、前記所定の方向に回転させる工程と、
d4)回転後の前記保持部に、再び基板を吸引保持させる工程と、
d5)基板を吸引保持している前記保持部を、前記所定の回転量だけ、前記所定の方向と逆の方向に回転させる工程と、
を備える。
The present invention is also directed to a substrate alignment method. The alignment method of the substrate according to the present invention,
a) a step of holding the substrate by sucking the substrate at a plurality of first contact points spaced apart from each other in a peripheral region of a lower surface of the substrate;
b) detecting a characteristic portion of the substrate held by the holding portion;
c) rotating the holding portion based on the detection result of the feature portion so that the feature portion of the substrate held by the holding portion is arranged in a predetermined direction;
d) changing the rotational position of the holding unit without changing the rotational position of the substrate after the characteristic portion of the substrate is arranged in a predetermined direction;
With
The step of changing the rotation position of the holding unit,
d1) rotating the holding unit that holds the substrate by suction in a predetermined direction by a predetermined rotation amount;
d2) separating the substrate from the holding portion without changing the rotational position of the substrate;
d3) rotating the holding portion separated from the substrate by the predetermined rotation amount in the predetermined direction;
d4) causing the holding unit after rotation to suck and hold the substrate again;
d5) rotating the holding unit that holds the substrate by suction in the direction opposite to the predetermined direction by the predetermined rotation amount;
Is provided.

この態様のアライメント方法では、d1)工程、d2)工程、d3)工程、d4)工程、および、d5)工程が行われることによって、基板の回転位置を変更せずに、保持部の回転位置を変更することができる。この構成によると、基板の回転位置が補正された状態(すなわち、c)工程が行われた直後の状態)において、保持部が、上方から見て、搬送ロボットのハンドの進入経路と重なる位置に配置され、かつ、保持部が、保持部から基板を離間させるための機構(例えば、前記リフター)とも干渉する位置に配置されてしまった場合にも対応できる。すなわち、このような場合に、基板を保持している保持部を所定の回転量だけ回転させて(前記d1)工程)、保持部を、ハンドの進入経路とも当該機構とも干渉しない位置に配置する。その後、例えば当該機構を用いて基板を保持部から離間させてから(前記d2)工程)、保持部を当該所定の回転量だけ同じ方向にさらに回転させる(前記d3)工程)。そして今度は、基板を保持部に再び保持させてから(前記d4)工程)、保持部を当該所定の回転量だけ逆方向に回転させる(前記d5)工程)。これによって、基板の回転位置が当初の状態(基板の回転位置が補正された状態)に戻ることになる。その一方で、保持部の回転位置は当初の状態から所定の回転量だけ回転した位置に変更される。つまり、保持部の回転位置が上方から見て搬送ロボットのハンドの進入経路と重ならない位置に移動する。したがって、搬送ロボットは、保持部に干渉することなく、保持部に保持されている基板を難なく受け取ることができる。
また、この態様においては、保持部が基板の下面の周縁領域を吸引して基板を保持するので、基板を安定して保持することが可能となり、保持部が回転される際に、保持部と基板との間に位置ずれが生じにくい。したがって、基板を十分速い速度で回転させることができる。その結果、アライメントを迅速に行うことができる。
In the alignment method of this aspect, the d1) step, the d2) step, the d3) step, the d4) step, and the d5) step are performed, so that the rotational position of the holding unit can be changed without changing the rotational position of the substrate. Can be changed. According to this configuration, in a state where the rotational position of the substrate is corrected (that is, a state immediately after the step c) is performed), the holding unit is located at a position overlapping the entrance path of the hand of the transfer robot when viewed from above. It is also possible to cope with a case where the holding unit is disposed at a position where the holding unit interferes with a mechanism (for example, the lifter) for separating the substrate from the holding unit. That is, in such a case, the holding unit holding the substrate is rotated by a predetermined amount of rotation (step d1), and the holding unit is arranged at a position that does not interfere with the hand's approach path or the mechanism. . After that, for example, the substrate is separated from the holding unit using the mechanism (the step d2), and the holding unit is further rotated in the same direction by the predetermined rotation amount (the step d3). Then, after the substrate is again held by the holding section (step d4), the holding section is rotated in the opposite direction by the predetermined rotation amount (step d5). As a result, the rotational position of the substrate returns to the initial state (a state in which the rotational position of the substrate is corrected). On the other hand, the rotation position of the holding unit is changed from the initial state to a position rotated by a predetermined rotation amount. That is, the rotation position of the holding unit moves to a position where the rotation position of the holding unit does not overlap with the approach path of the hand of the transfer robot when viewed from above. Therefore, the transfer robot can easily receive the substrate held by the holding unit without interfering with the holding unit.
Further, in this aspect, since the holding unit sucks the peripheral region of the lower surface of the substrate and holds the substrate, it is possible to stably hold the substrate, and when the holding unit is rotated, It is unlikely that a position shift occurs between the substrate and the substrate. Therefore, the substrate can be rotated at a sufficiently high speed. As a result, alignment can be performed quickly.

保持部が基板の下面の周縁領域を吸引して基板を保持するので、基板を安定して保持することが可能となり、保持部が回転される際に、保持部と基板との間に位置ずれが生じにくい。したがって、基板を十分速い速度で回転させることができる。その結果、アライメントを迅速に行うことができる。   Since the holding unit sucks the peripheral area of the lower surface of the substrate and holds the substrate, it is possible to stably hold the substrate, and when the holding unit is rotated, the position between the holding unit and the substrate is displaced. Is unlikely to occur. Therefore, the substrate can be rotated at a sufficiently high speed. As a result, alignment can be performed quickly.

基板処理システムを模式的に示す平面図。FIG. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing system. 基板処理システムを模式的に示す側面図。FIG. 1 is a side view schematically showing a substrate processing system. 基板処理システムにおいて実行される処理の流れを示す図。The figure which shows the flow of the process performed in a substrate processing system. アライメント装置を模式的に示す平面図。FIG. 2 is a plan view schematically showing an alignment device. アライメント装置を図4のA−A線から見た断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view of the alignment apparatus taken along line AA of FIG. 4. アライメント装置で行われる処理の流れを示す図。FIG. 3 is a diagram showing a flow of processing performed by the alignment apparatus. アライメント装置で行われる処理の流れを示す図。FIG. 3 is a diagram showing a flow of processing performed by the alignment apparatus. アライメント装置の動作を説明するための図。FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the alignment device. アライメント装置の動作を説明するための図。FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the alignment device. 第1ケースにおける位置関係を説明するための平面図。FIG. 4 is a plan view for explaining a positional relationship in the first case. 第2ケースにおける位置関係を説明するための平面図。FIG. 9 is a plan view for explaining a positional relationship in the second case. 第3ケースにおける位置関係を説明するための平面図。The top view for explaining the positional relationship in a 3rd case. 変形例に係るアライメント装置を模式的に示す平面図。FIG. 9 is a plan view schematically showing an alignment device according to a modification. 変形例に係るアライメント装置を図9のA−A線から見た図。The figure which looked at the alignment apparatus concerning a modification from the AA line of FIG.

以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。以下の実施形態は、本発明を具体化した一例であって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are mere examples embodying the present invention, and do not limit the technical scope of the present invention.

<1.基板処理システム100の構成>
実施形態に係るアライメント装置について説明する前に、これが搭載される基板処理システムの全体構成について、図1、図2を参照しながら説明する。図1は、基板処理システム100の構成を模式的に示す平面図である。図2は、基板処理システム100の構成を模式的に示す側面図である。図2においては、説明の便宜上、基板処理システム100の一部の図示が省略されている。
<1. Configuration of Substrate Processing System 100>
Before describing the alignment apparatus according to the embodiment, an overall configuration of a substrate processing system on which the alignment apparatus is mounted will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of the substrate processing system 100. FIG. 2 is a side view schematically showing the configuration of the substrate processing system 100. In FIG. 2, a part of the substrate processing system 100 is not illustrated for convenience of description.

基板処理システム100は、複数枚の基板(例えば、略円形の半導体基板)Wを多段に収納したマガジンラックMが載置される載置台1と、マガジンラックMから未処理の半導体基板Wを取り出すとともにマガジンラックMに処理済みの半導体基板Wを収納するための搬送ロボット2と、半導体基板Wの回転位置を補正するアライメント装置3と、が配置されたインデクサ部10を備える。また、基板処理システム100は、インデクサ部10とゲートバルブ20を介して接続された処理部4を備える。さらに、基板処理システム100は、これが備える各部を制御する制御部5を備える。   The substrate processing system 100 takes out the unprocessed semiconductor substrate W from the magazine rack M on which the magazine rack M in which a plurality of substrates (for example, substantially circular semiconductor substrates) W are stored in multiple stages is mounted. In addition, an indexer unit 10 in which a transfer robot 2 for storing the processed semiconductor substrate W in the magazine rack M and an alignment device 3 for correcting the rotational position of the semiconductor substrate W are provided. Further, the substrate processing system 100 includes a processing unit 4 connected to the indexer unit 10 via a gate valve 20. Further, the substrate processing system 100 includes a control unit 5 that controls each unit included therein.

なお、図示の例では、1個のインデクサ部10に1個の処理部4が接続されているが、1個のインデクサ部10に複数個の処理部4が接続されてもよい。また、図示の例では、インデクサ部10に2個の載置台1が設けられているが、インデクサ部10に設けられる載置台1の個数は、1個であってもよいし、3個以上であってもよい。また、図示の例では、インデクサ部10に1個のアライメント装置3が設けられているが、インデクサ部10に設けられるアライメント装置3の個数は、2個以上であってもよい。   In the illustrated example, one processing unit 4 is connected to one indexer unit 10, but a plurality of processing units 4 may be connected to one indexer unit 10. In the illustrated example, two mounting tables 1 are provided in the indexer unit 10. However, the number of the mounting tables 1 provided in the indexer unit 10 may be one, or three or more. There may be. In the illustrated example, one indexing unit 3 is provided in the indexer unit 10, but the number of the alignment units 3 provided in the indexer unit 10 may be two or more.

<搬送ロボット2>
搬送ロボット2は、上下に所定の間隔を隔てて配設された2個の搬送アーム21a,21bと、各搬送アーム21を独立して駆動する駆動機構22と、を備える。なお、以下において、2個の搬送アーム21a,21bのうち、上側のものを「第1搬送アーム21a」と、下側のものを「第2搬送アーム21b」と、それぞれ呼ぶ場合がある。
<Transport robot 2>
The transfer robot 2 includes two transfer arms 21a and 21b arranged at predetermined intervals above and below, and a drive mechanism 22 that drives each transfer arm 21 independently. In the following, of the two transfer arms 21a and 21b, the upper one may be referred to as a "first transfer arm 21a" and the lower one may be referred to as a "second transfer arm 21b".

2個の搬送アーム21a,21bの各々は、1枚の半導体基板Wを支持する細長い板状のハンド211と、ハンド211と連結された多関節機構212と、を備える。ハンド211の上面には一対の吸引部213が形成される。ただし、各吸引部213の吸引口2130(すなわち、ハンド211の上面に対する開口)は、2以上の区画(図示の例では、2区画)2130a,2130bに分割されている。   Each of the two transfer arms 21a and 21b includes an elongated plate-like hand 211 that supports one semiconductor substrate W, and an articulated mechanism 212 connected to the hand 211. A pair of suction units 213 are formed on the upper surface of the hand 211. However, the suction port 2130 of each suction unit 213 (that is, the opening with respect to the upper surface of the hand 211) is divided into two or more sections (two sections in the illustrated example) 2130a and 2130b.

ハンド211上に半導体基板Wが載置された状態において、各吸引部213は、半導体基板Wの下面の周縁領域における対向する位置の各々において半導体基板Wと接触する。各吸引部213は、バルブが介挿された真空ライン(図示省略)と接続されており、このバルブが開放されると、真空ラインとハンド211の吸引部213が連通され、各吸引部213が半導体基板Wを真空吸引し、半導体基板Wが一対の吸引部213によって固定的に保持(吸引保持)される。また、このバルブが閉鎖されてハンド211の吸引部213が大気圧に戻ると、各吸引部213の吸引が停止され、半導体基板Wと各吸引部213の間に大気が流入して吸着が解除され、半導体基板Wはハンド211上に載置された状態となる。   In a state where the semiconductor substrate W is placed on the hand 211, each of the suction units 213 contacts the semiconductor substrate W at each of opposing positions in the peripheral region on the lower surface of the semiconductor substrate W. Each suction unit 213 is connected to a vacuum line (not shown) in which a valve is inserted. When this valve is opened, the vacuum line communicates with the suction unit 213 of the hand 211 and each suction unit 213 is connected. The semiconductor substrate W is vacuum-suctioned, and the semiconductor substrate W is fixedly held (suction-held) by the pair of suction units 213. When the valve is closed and the suction unit 213 of the hand 211 returns to the atmospheric pressure, the suction of each suction unit 213 is stopped, and the air flows between the semiconductor substrate W and each suction unit 213 to release the suction. Then, the semiconductor substrate W is placed on the hand 211.

駆動機構22は、2個の搬送アーム21a,21bの各々における多関節機構212の端部(ハンド211が接続された側と逆側の端部)と連結された軸部221を備える。各軸部221は鉛直に延在して、下端においてアームステージ222と連結されている。アームステージ222には、各種の駆動機構(具体的には、各軸部221を回転させる回転駆動機構223、各軸部221を伸縮させる昇降駆動機構224、および、各多関節機構212を屈伸させる屈伸駆動機構225)が収容されている。回転駆動機構223が各軸部221を回転させることによって、各搬送アーム21a,21bが軸部221を中心に旋回する。昇降駆動機構224が各軸部221を伸縮させることによって、各搬送アーム21a,21bが昇降する。屈伸駆動機構225が各多関節機構212を屈伸させることによって、各搬送アーム21a,21bのハンド211が水平面内で各搬送アーム21a,21bの旋回半径方向(すなわち、軸部221に対して近接あるいは離間する方向)に進退移動する。   The drive mechanism 22 includes a shaft 221 connected to an end of the multi-joint mechanism 212 (an end opposite to the side to which the hand 211 is connected) in each of the two transfer arms 21a and 21b. Each shaft portion 221 extends vertically and is connected to the arm stage 222 at the lower end. Various drive mechanisms (specifically, a rotation drive mechanism 223 that rotates each shaft 221, an elevating drive mechanism 224 that expands and contracts each shaft 221, and a multi-joint mechanism 212 are bent on the arm stage 222. The bending / extension drive mechanism 225) is accommodated. When the rotation drive mechanism 223 rotates each shaft 221, each of the transfer arms 21 a and 21 b rotates around the shaft 221. The lifting / lowering drive mechanism 224 expands and contracts the respective shaft portions 221, whereby the respective transfer arms 21 a and 21 b move up and down. The bending / extension drive mechanism 225 causes each articulated mechanism 212 to bend and extend, so that the hand 211 of each of the transfer arms 21a and 21b moves in the turning radial direction of each of the transfer arms 21a and 21b in a horizontal plane (that is, close to or close to the shaft portion 221). In the direction of separation).

上記の構成によって、搬送ロボット2は、各搬送アーム21a,21bを独立して移動(昇降移動、水平面内での旋回移動、および、旋回半径方向に沿った進退移動)させることができる。搬送ロボット2は、制御部5の制御下で、各搬送アーム21a,21bを移動させて、ハンド211を、各載置台1に載置されたマガジンラックM、アライメント装置3、および、処理部4の各々にアクセスさせて、当該各部M,3,4の間で半導体基板Wを搬送する。   With the above-described configuration, the transfer robot 2 can independently move each of the transfer arms 21a and 21b (elevating movement, turning movement in a horizontal plane, and moving forward and backward along the turning radial direction). The transfer robot 2 moves the transfer arms 21 a and 21 b under the control of the control unit 5 to move the hand 211 to the magazine rack M mounted on each mounting table 1, the alignment device 3, and the processing unit 4. And the semiconductor substrate W is transported between the respective parts M, 3, and 4.

<アライメント装置3>
アライメント装置3の構成については、後に説明する。
<Alignment device 3>
The configuration of the alignment device 3 will be described later.

<処理部4>
処理部4は、半導体基板Wに定められた処理(この実施形態では、例えばプラズマ処理)を行う処理チャンバーであり、2枚の半導体基板Wを同時に処理できるようになっている。処理部4は、処理チャンバー41と、その内部に配置された2個の基板載置部40a,40bと、を備える。なお、以下において、2個の基板載置部40a,40bのうち、奥側(すなわち、ゲートバルブ20から遠い側)のものを「第1基板載置部40a」と、手前側(すなわち、ゲートバルブ20に近い側)のものを「第2基板載置部40b」と、それぞれ呼ぶ場合がある。
<Processing unit 4>
The processing unit 4 is a processing chamber that performs a process (for example, a plasma process in this embodiment) specified for the semiconductor substrate W, and is capable of processing two semiconductor substrates W at the same time. The processing section 4 includes a processing chamber 41 and two substrate mounting sections 40a and 40b disposed therein. In the following, of the two substrate mounting portions 40a and 40b, the one on the far side (that is, the side farther from the gate valve 20) is referred to as the “first substrate mounting portion 40a” and the near side (that is, the gate). The one near the valve 20) may be referred to as a “second substrate mounting part 40b”.

2個の基板載置部40a,40bの各々は同じ構成を備えている。すなわち、2個の基板載置部40a,40bの各々は、上方から見て円形の平板状のステージ42と、その上面(載置面)420に対して出没可能に設けられた一群(図の例では、3個)のリフトピン43と、当該一群のリフトピン43を同期して載置面420から出没させるリフトピン駆動機構44と、を備える。   Each of the two substrate mounting portions 40a and 40b has the same configuration. In other words, each of the two substrate mounting portions 40a and 40b is a circular plate-like stage 42 viewed from above, and a group (see FIG. In the example, three (3) lift pins 43 and a lift pin drive mechanism 44 that causes the group of lift pins 43 to protrude and retract from the mounting surface 420 in synchronization with each other.

一群のリフトピン43は、ステージ42の中心と同心の円周上であって、上方から見て、半導体基板Wの下面の周縁領域と重なる領域に、好ましくは等間隔で配列される。   The group of lift pins 43 is preferably arranged at equal intervals in a region on the circumference concentric with the center of the stage 42 and overlapping the peripheral region on the lower surface of the semiconductor substrate W when viewed from above.

リフトピン駆動機構44は、各リフトピン43を昇降移動させて、各リフトピン43の状態を、各リフトピン43の先端が載置面420から突出した状態(突出状態)(図示される状態)と、各リフトピン43の先端が載置面420と同じ位置かこれより下の位置となる状態(退避状態)との間で切り替える。ただし、突出状態において、第1載置部40aに設けられた各リフトピン43の先端位置は、第2載置部40bに設けられた各リフトピン43の先端位置よりも高くなっている。   The lift pin drive mechanism 44 raises and lowers each lift pin 43 to change the state of each lift pin 43 into a state in which the tip of each lift pin 43 protrudes from the mounting surface 420 (projected state) (a state shown), and The state is switched between a state in which the tip of 43 is at the same position as the mounting surface 420 or a position below the same (a retracted state). However, in the protruding state, the tip positions of the lift pins 43 provided on the first placement portion 40a are higher than the tip positions of the lift pins 43 provided on the second placement portion 40b.

各搬送アーム21a,21bが各基板載置部40a,40bに半導体基板Wを受け渡すにあたっては、各リフトピン43が突出状態とされている状態で、各搬送アーム21a,21bのハンド211が処理チャンバー41内に差し込まれて、上側の搬送アーム(第1搬送アーム)21aのハンド211が奥側の基板載置部(第1基板載置部)40aのステージ42の上方に、下側の搬送アーム(第2搬送アーム)21bのハンド211が手前側の基板載置部(第2基板載置部)40aのステージの上方に、それぞれ配置される。この状態から各ハンド211が下降して、各ハンド211に保持されている半導体基板Wが一群のリフトピン43上に移載される。そして、各ハンド211が退避した後に、各リフトピン43が突出状態から退避状態に切り替えられる。これによって、各半導体基板Wが各載置面420に載置される。   When each of the transfer arms 21a and 21b transfers the semiconductor substrate W to each of the substrate mounting portions 40a and 40b, the hand 211 of each of the transfer arms 21a and 21b is operated in a state where each of the lift pins 43 is in a protruding state. 41, the hand 211 of the upper transfer arm (first transfer arm) 21a is placed above the stage 42 of the farther substrate mounting portion (first substrate mounting portion) 40a, and the lower transfer arm The hands 211 of the (second transfer arm) 21b are respectively arranged above the stage of the substrate mounting portion (second substrate mounting portion) 40a on the near side. From this state, each hand 211 descends, and the semiconductor substrate W held by each hand 211 is transferred onto the group of lift pins 43. Then, after each hand 211 has retracted, each lift pin 43 is switched from the protruding state to the retracted state. Thereby, each semiconductor substrate W is mounted on each mounting surface 420.

一方、各搬送アーム21a,21bが各基板載置部40a,40bから半導体基板Wを受け取るにあたっては、まずは各リフトピン43が退避状態から突出状態に切り替えられる。これによって、各載置面420に載置されていた半導体基板Wがステージ42の上方で一群のリフトピン43に支持された状態となる。この状態で、各搬送アーム21a,21bのハンド211が処理チャンバー41内に差し込まれて、第1搬送アーム21aのハンド211が、第1基板載置部40aの載置面420と半導体基板W(一群のリフトピン43に支持されている半導体基板W)との間に、第2搬送アーム21bのハンド211が、第2基板載置部40bの載置面420と半導体基板Wとの間に、それぞれ配置される。この状態から各ハンド211が上昇して、一群のリフトピン43に支持されている各半導体基板Wが各ハンド211上に移載される。   On the other hand, when each of the transfer arms 21a and 21b receives the semiconductor substrate W from each of the substrate mounting portions 40a and 40b, first, each of the lift pins 43 is switched from the retracted state to the projected state. Thus, the semiconductor substrate W mounted on each mounting surface 420 is supported by the group of lift pins 43 above the stage 42. In this state, the hands 211 of the transfer arms 21a and 21b are inserted into the processing chamber 41, and the hand 211 of the first transfer arm 21a is placed on the mounting surface 420 of the first substrate mounting portion 40a and the semiconductor substrate W ( The hand 211 of the second transfer arm 21b moves between the mounting surface 420 of the second substrate mounting part 40b and the semiconductor substrate W between the semiconductor substrate W supported by the group of lift pins 43 and the semiconductor substrate W). Be placed. From this state, each hand 211 rises, and each semiconductor substrate W supported by the group of lift pins 43 is transferred onto each hand 211.

処理部4は、さらに、処理チャンバー41内に各種の処理ガスを供給するガス供給部、処理チャンバー41内にプラズマを生成するためのプラズマ生成部、処理チャンバー41内の圧力を調整する排気部、等を備える(いずれも、図示省略)。各基板載置部40a,40bの載置面420に載置された半導体基板Wに対して処理を行う場合、ゲートバルブ20が閉鎖されて処理チャンバー41が気密にされた上で、排気部が処理チャンバー41内を排気する。そして、ガス供給部が処理チャンバー41内に定められた処理ガスを供給するとともに、プラズマ生成部が処理チャンバー41内にプラズマを生成する。これによって、各載置面420に載置された半導体基板Wに対するプラズマ処理(例えば、プラズマエッチング、プラズマアッシング、プラズマスパッタリング、プラズマ蒸着、プラズマCVD、等の処理)が行われる。もっとも、処理部4で行われる処理は必ずしもプラズマ処理である必要はなく、プラズマを用いない各種の処理(例えば、エッチング、アッシング、スパッタリング、蒸着、CVD、加熱、冷却、薬液塗布、洗浄等の処理)が行われてもよい。   The processing unit 4 further includes a gas supply unit that supplies various processing gases into the processing chamber 41, a plasma generation unit that generates plasma in the processing chamber 41, an exhaust unit that adjusts the pressure in the processing chamber 41, (All are not shown). When processing is performed on the semiconductor substrate W mounted on the mounting surface 420 of each of the substrate mounting portions 40a and 40b, the gate valve 20 is closed, the processing chamber 41 is airtight, and the exhaust unit is closed. The inside of the processing chamber 41 is evacuated. Then, the gas supply unit supplies a predetermined processing gas into the processing chamber 41, and the plasma generation unit generates plasma in the processing chamber 41. Thus, plasma processing (for example, processing such as plasma etching, plasma ashing, plasma sputtering, plasma deposition, and plasma CVD) is performed on the semiconductor substrate W mounted on each mounting surface 420. However, the processing performed in the processing unit 4 is not necessarily a plasma processing, and various processings without using plasma (for example, processing such as etching, ashing, sputtering, vapor deposition, CVD, heating, cooling, application of a chemical solution, and cleaning) ) May be performed.

<2.基板処理システム100の動作>
次に、基板処理システム100において実行される一連の処理の流れについて、図3を参照しながら説明する。図3は、当該処理の流れを示す図である。以下に説明する一連の動作は、制御部5の制御下で行われる。
<2. Operation of Substrate Processing System 100>
Next, a flow of a series of processes executed in the substrate processing system 100 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram showing the flow of the processing. A series of operations described below are performed under the control of the control unit 5.

ステップS1:まず、搬送ロボット2が、2個の搬送アーム21a,21bの各々で、載置部1に載置されたマガジンラックMの各棚から未処理の半導体基板Wを一枚ずつ取り出す。なお、搬送ロボット2は、各搬送アーム21a,21bで同時に半導体基板Wを取り出してもよい(つまり、2枚の半導体基板Wを一度に取り出してもよい)し、一方の搬送アーム(例えば、第1搬送アーム)21aで半導体基板Wを取り出した後に他方の搬送アーム(例えば、第2搬送アーム)21bで半導体基板Wを取り出してもよい(つまり、2枚の半導体基板Wを順に取り出してもよい)。   Step S1: First, the transfer robot 2 takes out unprocessed semiconductor substrates W one by one from each shelf of the magazine rack M mounted on the mounting portion 1 by each of the two transfer arms 21a and 21b. In addition, the transfer robot 2 may take out the semiconductor substrate W by each of the transfer arms 21a and 21b at the same time (that is, may take out two semiconductor substrates W at one time) or one transfer arm (for example, After the semiconductor substrate W is taken out by one transfer arm 21a, the semiconductor substrate W may be taken out by the other transfer arm (for example, the second transfer arm) 21b (that is, two semiconductor substrates W may be taken out in order). ).

なお、マガジンラックMは、その内壁とこれに収容されている半導体基板Wの周縁とが若干の遊びを持つように設計されている。このため、後述するように、半導体基板Wがアライメント装置3に搬入されて回転保持部6の保持部61に保持された状態において、半導体基板Wの中心と回転駆動部62の回転軸部621とがずれることがある。後述するように、この実施形態では、半導体基板Wの水平位置を補正する処理が行われ、これによって、このずれが補正される。   The magazine rack M is designed such that the inner wall thereof and the peripheral edge of the semiconductor substrate W accommodated therein have some play. For this reason, as described later, in a state where the semiconductor substrate W is carried into the alignment device 3 and held by the holding unit 61 of the rotation holding unit 6, the center of the semiconductor substrate W and the rotation shaft 621 of the rotation driving unit 62 May shift. As will be described later, in this embodiment, a process of correcting the horizontal position of the semiconductor substrate W is performed, and thereby, the shift is corrected.

ステップS2:続いて、搬送ロボット2は、一方の搬送アーム(例えば、第1搬送アーム)21aで保持している半導体基板Wを、アライメント装置3に搬入する。アライメント装置3に半導体基板Wが搬入されると、アライメント装置3にて当該半導体基板Wの回転位置を補正する処理(アライメント処理)が行われる。アライメント装置3にて行われる処理の態様については、後に説明する。   Step S2: Subsequently, the transfer robot 2 loads the semiconductor substrate W held by one transfer arm (for example, the first transfer arm) 21a into the alignment device 3. When the semiconductor substrate W is carried into the alignment device 3, a process of correcting the rotational position of the semiconductor substrate W (alignment process) is performed by the alignment device 3. The mode of the processing performed by the alignment device 3 will be described later.

ステップS3:アライメント装置3にて半導体基板Wに対するアライメント処理が完了すると、搬送ロボット2は、第1搬送アーム21aでアライメント装置3からアライメント処理済みの半導体基板Wを搬出するとともに、第2搬送アーム21bで保持している半導体基板Wをアライメント装置3に搬入する。アライメント装置3に新たな半導体基板Wが搬入されると、アライメント装置3にて当該半導体基板Wに対するアライメント処理が行われる。   Step S3: When the alignment process for the semiconductor substrate W is completed by the alignment device 3, the transfer robot 2 unloads the aligned semiconductor substrate W from the alignment device 3 by the first transfer arm 21a and the second transfer arm 21b. The semiconductor substrate W held by the above is carried into the alignment device 3. When a new semiconductor substrate W is loaded into the alignment device 3, the alignment device 3 performs an alignment process on the semiconductor substrate W.

ステップS4:アライメント装置3にて半導体基板Wに対するアライメント処理が完了すると、搬送ロボット2は、第2搬送アーム21bでアライメント装置3からアライメント処理済みの半導体基板Wを搬出する。これによって、搬送ロボット2は、2個の搬送アーム21a,21bの各々で、アライメント処理済みの半導体基板Wを保持した状態となる。   Step S4: When the alignment process for the semiconductor substrate W is completed by the alignment device 3, the transfer robot 2 unloads the aligned semiconductor substrate W from the alignment device 3 by the second transfer arm 21b. As a result, the transfer robot 2 is in a state of holding the aligned semiconductor substrate W on each of the two transfer arms 21a and 21b.

ステップS5:続いて、搬送ロボット2は、2個の搬送アーム21a,21bの各々で保持している半導体基板Wを、同時に処理部4に搬入する。具体的には、2個の搬送アーム21a,21bのうち、上側の搬送アーム(第1搬送アーム)21aが保持している半導体基板Wを奥側の基板載置部(第1基板載置部)40aの載置面420に載置し、下側の搬送アーム(第2搬送アーム)21bが保持している半導体基板Wを手前側の基板載置部(第2基板載置部)40bの載置面420に載置する。   Step S5: Subsequently, the transfer robot 2 simultaneously loads the semiconductor substrate W held by each of the two transfer arms 21a and 21b into the processing unit 4. Specifically, of the two transfer arms 21a and 21b, the semiconductor substrate W held by the upper transfer arm (first transfer arm) 21a is moved to the substrate mounting portion (first substrate mounting portion) on the back side. ) The semiconductor substrate W placed on the mounting surface 420 of the 40a and held by the lower transfer arm (second transfer arm) 21b is placed on the front side of the substrate mounting portion (second substrate mounting portion) 40b. It is mounted on the mounting surface 420.

ステップS6:処理部4に2枚の半導体基板Wが搬入されると、当該2枚の半導体基板Wに対するプラズマ処理が行われる。具体的には、ゲートバルブ20が閉鎖された上で、処理チャンバー41が所定の圧力まで減圧され、さらに、処理チャンバー41内に処理ガスが供給されるとともに、プラズマ生成部が処理チャンバー41内にプラズマを生成する。これによって、各載置面420に載置された半導体基板Wに対するプラズマ処理が進行する。プラズマ処理が開始されてから定められた時間が経過して各半導体基板Wに対するプラズマ処理が完了すると、プラズマの生成および処理ガスの供給が停止されるとともに、処理チャンバー41が復圧されて、ゲートバルブ20が開放される。   Step S6: When the two semiconductor substrates W are carried into the processing unit 4, the plasma processing is performed on the two semiconductor substrates W. Specifically, after the gate valve 20 is closed, the pressure in the processing chamber 41 is reduced to a predetermined pressure. Further, the processing gas is supplied into the processing chamber 41, and the plasma generation unit is placed in the processing chamber 41. Generates plasma. Thereby, the plasma processing on the semiconductor substrate W mounted on each mounting surface 420 proceeds. When the plasma processing for each semiconductor substrate W is completed after a predetermined time has elapsed since the start of the plasma processing, the generation of plasma and the supply of the processing gas are stopped, and the processing chamber 41 is depressurized and the gate is released. The valve 20 is opened.

ステップS7:ゲートバルブ20が開放されると、搬送ロボット2は、2個の搬送アーム21a,21bの各々で、処理部4内の2枚の半導体基板Wを、同時に処理部4から搬出する。具体的には、2個の搬送アーム21a,21bのうち、上側の第1搬送アーム21aで奥側の第1基板載置部40aのステージ42に載置されている半導体基板Wを取り出し、下側の第2搬送アーム21bで手前側の第2基板載置部40bのステージ42に載置されている半導体基板Wを取り出す。   Step S7: When the gate valve 20 is opened, the transfer robot 2 simultaneously unloads the two semiconductor substrates W in the processing unit 4 from the processing unit 4 with the two transfer arms 21a and 21b. Specifically, of the two transfer arms 21a and 21b, the semiconductor substrate W mounted on the stage 42 of the first substrate mounting portion 40a on the far side is taken out by the first transfer arm 21a on the upper side and taken out. The semiconductor substrate W mounted on the stage 42 of the second substrate mounting portion 40b on the near side is taken out by the second transfer arm 21b on the side.

ステップS8:続いて、搬送ロボット2は、処理部4から搬出した2枚の半導体基板Wを、載置部1に載置されたマガジンラックM内に搬入する。これによって、当該2枚の半導体基板Wに対する一連の処理が終了する。マガジンラックM内に未処理の半導体基板Wがある場合は、引き続いて、当該未処理の半導体基板Wに対してステップS1〜ステップS8の処理が行われる。   Step S8: Subsequently, the transfer robot 2 carries the two semiconductor substrates W carried out of the processing section 4 into the magazine rack M placed on the placement section 1. Thus, a series of processes on the two semiconductor substrates W ends. When there is an unprocessed semiconductor substrate W in the magazine rack M, the processing of steps S1 to S8 is subsequently performed on the unprocessed semiconductor substrate W.

<3.アライメント装置3の構成>
アライメント装置3の構成について、図4、図5を参照しながら説明する。図4は、アライメント装置3を模式的に示す平面図である。図5は、アライメント装置3を図4のA−A線から見た断面図である。
<3. Configuration of Alignment Device 3>
The configuration of the alignment device 3 will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a plan view schematically showing the alignment device 3. FIG. 5 is a cross-sectional view of the alignment device 3 taken along line AA of FIG.

アライメント装置3は、回転保持部6と、リフター7と、検出部8と、これらの各要素6,7,8を制御する制御部9と、を備える。   The alignment device 3 includes a rotation holding unit 6, a lifter 7, a detection unit 8, and a control unit 9 that controls these components 6, 7, and 8.

<回転保持部6>
回転保持部6は、半導体基板Wを保持する保持部61と、これを回転させる回転駆動部62と、保持部61を水平面内で移動させる水平移動機構63と、を備える。
<Rotation holder 6>
The rotation holding unit 6 includes a holding unit 61 that holds the semiconductor substrate W, a rotation driving unit 62 that rotates the holding unit 61, and a horizontal movement mechanism 63 that moves the holding unit 61 in a horizontal plane.

保持部61は、水平に延在する複数(図の例では4個)のアーム611が中心部から放射状に配列された構成を備えている。複数のアーム611の長さは互いに等しい。各アーム611は等角度間隔で配列されていることが好ましく、ここでは、隣り合うアーム611のなす角度はいずれも90度となっている。各アーム611の先端付近は上向きに折れ曲がっており、端部に吸引部612が形成される。ただし、各吸引部612の吸引口6120(すなわち、アーム611の先端面に対する開口)は、2以上の区画(図示の例では、2区画)6120a,6120bに分割されている。   The holding portion 61 has a configuration in which a plurality of (four in the example in the figure) horizontally extending arms 611 are radially arranged from the center. The lengths of the plurality of arms 611 are equal to each other. The arms 611 are preferably arranged at equal angular intervals. Here, the angle between the adjacent arms 611 is 90 degrees. The vicinity of the tip of each arm 611 is bent upward, and a suction part 612 is formed at the end. However, the suction port 6120 of each suction unit 612 (that is, the opening with respect to the distal end surface of the arm 611) is divided into two or more sections (two sections in the illustrated example) 6120a and 6120b.

後述する回転軸部621と略同心に半導体基板Wが配置された状態において、各吸引部612は、半導体基板Wの下面の周縁領域における互いに離間した複数の接触ポイント(第1接触ポイント)の各々において半導体基板Wと接触する。各吸引部612は、バルブ613が介挿された真空ライン614と接続されており、このバルブ613が開放されて真空ライン614と各吸引部612が連通されると、各吸引部612が半導体基板Wの第1接触ポイントを真空吸引し、半導体基板Wが一群の吸引部612によって固定的に保持(吸引保持)される。また、このバルブ613が閉鎖されて各吸引部612が大気圧に戻ると、各吸引部612の吸引が停止され、半導体基板Wと各吸引部612の間に大気が流入して吸着が解除され、半導体基板Wは一群の吸引部612上に単に載置された状態となる。なお、真空ライン614の片端は真空ポンプPに接続されている。   In a state in which the semiconductor substrate W is disposed substantially concentrically with a rotation shaft portion 621 described later, each of the suction portions 612 serves as a plurality of contact points (first contact points) separated from each other in a peripheral region on the lower surface of the semiconductor substrate W. At contact with the semiconductor substrate W. Each suction unit 612 is connected to a vacuum line 614 in which a valve 613 is inserted. When the valve 613 is opened and the vacuum line 614 communicates with each suction unit 612, each suction unit 612 is connected to the semiconductor substrate. The first contact point of W is vacuum-suctioned, and the semiconductor substrate W is fixedly held (suction-held) by the group of suction units 612. Further, when the valves 613 are closed and each suction unit 612 returns to the atmospheric pressure, the suction of each suction unit 612 is stopped, and the air flows between the semiconductor substrate W and each suction unit 612 to release the suction. In this state, the semiconductor substrate W is simply placed on the group of suction units 612. One end of the vacuum line 614 is connected to the vacuum pump P.

回転駆動部62は、保持部61を、これに吸引保持された半導体基板Wの略中心を通る鉛直な回転軸の周りで回転させる。具体的には、回転駆動部62は、鉛直方向に延在し、上端において保持部61の中心部に固定された回転軸部621と、これを回転させる駆動機構622と、を備える。駆動機構622は、具体的には例えば、回転量を検出および制御できるサーボモータやステッピングモータを含んで構成される。保持部61によって半導体基板Wが吸引保持された状態で、駆動機構622が回転軸部621を回転させると、半導体基板Wがその略中心を通る鉛直軸を中心に、水平面内で回転する。   The rotation drive unit 62 rotates the holding unit 61 around a vertical rotation axis passing through a substantially center of the semiconductor substrate W sucked and held by the holding unit 61. Specifically, the rotation drive unit 62 includes a rotation shaft 621 that extends in the vertical direction and is fixed at the upper end to the center of the holding unit 61, and a drive mechanism 622 that rotates the rotation shaft 621. The drive mechanism 622 is specifically configured to include, for example, a servomotor or a stepping motor capable of detecting and controlling the amount of rotation. When the driving mechanism 622 rotates the rotation shaft 621 in a state where the semiconductor substrate W is suction-held by the holding unit 61, the semiconductor substrate W rotates in a horizontal plane about a vertical axis passing substantially at the center thereof.

水平移動機構63は、保持部61を水平面内で移動させる。具体的には、水平移動機構63は、保持部61および回転駆動部62が載置された平板状のステージ631と、ステージ631を水平面内に規定された直交2軸(X軸およびY軸)の各々に沿って移動させる駆動機構(すなわち、ステージ631をX軸に沿って移動させるX駆動機構632、および、ステージ631をY軸に沿って移動させるY駆動機構633)を備える。各駆動機構632,633は、具体的には例えば、ステージ631の移動量を検出および制御できるサーボモータやステッピングモータを含んで構成される。保持部61によって半導体基板Wが吸引保持された状態で、X駆動機構632(あるいは、Y駆動機構633)がステージ631をX方向(あるいは、Y方向)に移動させると、半導体基板Wが水平面内でX方向(あるいは、Y方向)に移動する。   The horizontal moving mechanism 63 moves the holding unit 61 in a horizontal plane. More specifically, the horizontal movement mechanism 63 includes a flat stage 631 on which the holding unit 61 and the rotation driving unit 62 are mounted, and two orthogonal axes (X axis and Y axis) defined in a horizontal plane. (Ie, an X drive mechanism 632 for moving the stage 631 along the X axis and a Y drive mechanism 633 for moving the stage 631 along the Y axis). Each of the drive mechanisms 632 and 633 is specifically configured to include, for example, a servomotor or a stepping motor capable of detecting and controlling the movement amount of the stage 631. When the X driving mechanism 632 (or the Y driving mechanism 633) moves the stage 631 in the X direction (or the Y direction) in a state where the semiconductor substrate W is suction-held by the holding unit 61, the semiconductor substrate W moves in a horizontal plane. To move in the X direction (or Y direction).

<リフター7>
リフター7は、半導体基板Wを保持する補助保持部71と、補助保持部71を昇降させる昇降駆動部72とを備える。
<Lifter 7>
The lifter 7 includes an auxiliary holding unit 71 that holds the semiconductor substrate W, and a lifting drive unit 72 that moves the auxiliary holding unit 71 up and down.

補助保持部71は、保持部61の中心部を挟んで(好ましくは真ん中に挟んで)対向配置された一対の保持具710,710を備える。各保持具710は、水平に延在する2個のアーム(補助側アーム)711と、当該2個の補助側アーム711の端部同士を連結する連結部712とを備える。ただし、各補助側アーム711は、上方から見て、保持部61のアーム611と重ならない位置に配置される。各補助側アーム711は、その端部(自由端側の端部)が、上方から見て、保持部61に保持された半導体基板Wの下面の周縁領域における互いに離間した複数の接触ポイント(第2接触ポイント)の各々と重なるような位置に、配置される。ただし、第2接触ポイントは、第1接触ポイント(すなわち、保持部61が半導体基板Wと接触する接触ポイント)と異なる位置である。第1接触ポイントと第2接触ポイントとは、半導体基板Wの周方向に沿って交互に現れるように規定されることが特に好ましい。   The auxiliary holder 71 includes a pair of holders 710, 710 opposed to each other with the center of the holder 61 (preferably, in the middle). Each holder 710 includes two horizontally extending arms (auxiliary-side arms) 711 and a connecting portion 712 that connects the ends of the two auxiliary-side arms 711 to each other. However, each auxiliary side arm 711 is arranged at a position that does not overlap the arm 611 of the holding unit 61 when viewed from above. Each of the auxiliary arms 711 has a plurality of contact points (ends) of which ends (ends on the free end side) are spaced apart from each other in a peripheral region of a lower surface of the semiconductor substrate W held by the holding portion 61 when viewed from above. 2 contact points). However, the second contact point is a position different from the first contact point (that is, the contact point at which the holding unit 61 contacts the semiconductor substrate W). It is particularly preferable that the first contact point and the second contact point are defined so as to alternately appear along the circumferential direction of the semiconductor substrate W.

昇降駆動部72は、補助保持部71を、保持部61よりも低い位置(第1位置)P1と、保持部61よりも高い位置(第2位置)P2との間で昇降移動させる。具体的には、昇降駆動部72は、鉛直方向に延在し、上端において一対の保持具710,710(具体的には、例えば、一対の保持具710,710を連結する連結部713)に固定され、伸縮可能に形成された軸部721と、これを伸縮させる昇降駆動機構722と、を備える。昇降駆動機構722は、具体的には例えば、モータとその回転運動を軸部721の伸縮に変える送り機構(例えば、ボールねじ機構)を含んで構成される。昇降駆動機構722が軸部721を伸縮させると、補助保持部71(具体的には、一対の保持具710)が昇降する。   The lifting drive unit 72 moves the auxiliary holding unit 71 up and down between a position (first position) P1 lower than the holding unit 61 and a position (second position) P2 higher than the holding unit 61. Specifically, the elevation drive unit 72 extends in the vertical direction, and is connected to a pair of holders 710, 710 (specifically, for example, a connecting unit 713 that connects the pair of holders 710, 710) at the upper end. A shaft portion 721 that is fixed and formed to be extendable and contractable, and an elevating drive mechanism 722 that extends and contracts the shaft portion 721 are provided. The lifting drive mechanism 722 is specifically configured to include, for example, a motor and a feed mechanism (for example, a ball screw mechanism) that changes the rotation of the motor into expansion and contraction of the shaft 721. When the lifting / lowering drive mechanism 722 expands / contracts the shaft portion 721, the auxiliary holding portion 71 (specifically, a pair of holding members 710) moves up and down.

<検出部8>
検出部8は、保持部61に吸引保持された半導体基板Wの特徴部(この実施形態では例えば、半導体基板Wの周縁に形成された切り欠きの一種であるノッチ)や、半導体基板Wの周縁位置を検出する要素であり、具体的には例えば、当該半導体基板Wの周縁を監視できるような位置に配置された光学センサ(光透過型、または、光反射型の光学センサ)、あるいは、CCDカメラ等を含んで構成される。なお、検出部8が検出する半導体基板Wの特徴部は、ノッチに限られるものではない。例えば、半導体基板Wの周縁に形成されたオリエンテーションフラットや、半導体基板Wの面内に付されたマーク(アライメントマーク)を特徴部としてもよい。
<Detector 8>
The detecting unit 8 includes a characteristic portion (for example, a notch which is a kind of a notch formed in a peripheral edge of the semiconductor substrate W in this embodiment) suction-held by the holding unit 61, and a peripheral edge of the semiconductor substrate W. An element for detecting a position, specifically, for example, an optical sensor (light transmission type or light reflection type optical sensor) arranged at a position where the periphery of the semiconductor substrate W can be monitored, or a CCD. It is configured to include a camera and the like. Note that the characteristic portion of the semiconductor substrate W detected by the detection unit 8 is not limited to the notch. For example, an orientation flat formed on the periphery of the semiconductor substrate W or a mark (alignment mark) provided in the plane of the semiconductor substrate W may be used as the characteristic portion.

<制御部9>
制御部9は、例えばコンピュータにより構成され、アライメント装置3が備える各部と電気的に接続されて、これら各部の動作を制御する。なお、制御部9は、基板処理システム100の制御部5において実現されてもよい。
<Control unit 9>
The control unit 9 is configured by a computer, for example, and is electrically connected to each unit included in the alignment device 3 to control the operation of each unit. The control unit 9 may be realized by the control unit 5 of the substrate processing system 100.

後に明らかになるように、この実施形態では、制御部9が、半導体基板Wの位置補正を行う(具体的には、保持部61を水平面内で移動させて、これに保持(吸着保持)された半導体基板Wが定められた水平位置に配置されるようにするとともに、保持部61を回転させて、これに保持(吸引保持)された半導体基板Wのノッチが定められた方向に配置されるようにする)基板位置補正部101として機能する。また、制御部9とリフター7とが協働して、保持部61の位置変更を行う(具体的には、半導体基板Wの回転位置を変更せずに、保持部61の回転位置を変更する)保持部位置変更部102として機能する。   As will be clear later, in this embodiment, the control unit 9 corrects the position of the semiconductor substrate W (specifically, the holding unit 61 is moved in a horizontal plane and held (adsorbed and held) by this). The semiconductor substrate W is arranged at a predetermined horizontal position, and the holding portion 61 is rotated so that the notch of the semiconductor substrate W held (sucked and held) by the holding portion 61 is arranged in a predetermined direction. Function as a substrate position correction unit 101. Further, the control unit 9 and the lifter 7 cooperate to change the position of the holding unit 61 (specifically, change the rotation position of the holding unit 61 without changing the rotation position of the semiconductor substrate W). ) Functions as the holding unit position changing unit 102.

<4.アライメント装置3の動作>
アライメント装置3の動作について、図6〜図12を参照しながら説明する。図6および図7は、アライメント装置3で行われる処理の流れを示す図である。図8および図9は、アライメント装置3の動作を説明するための模式図であり、アライメント装置3にて実行される各ステップにおける各要素の位置関係が模式的に示されている。図10〜図13は、アライメント装置3の保持部61と搬送ロボット2のハンド211の進入経路と補助側アーム711の先端部との位置関係を説明するための上面図であり、図10には後述する第1ケースに該当する位置関係が、図11には後述する第2ケースに該当する位置関係が、図12には後述する第3ケースに該当する位置関係が、それぞれ示されている。
<4. Operation of alignment device 3>
The operation of the alignment device 3 will be described with reference to FIGS. FIG. 6 and FIG. 7 are diagrams showing the flow of the processing performed by the alignment apparatus 3. FIG. 8 and FIG. 9 are schematic diagrams for explaining the operation of the alignment device 3, and schematically show the positional relationship of each element in each step executed by the alignment device 3. FIGS. 10 to 13 are top views for explaining the positional relationship between the holding section 61 of the alignment apparatus 3, the approach path of the hand 211 of the transfer robot 2, and the tip of the auxiliary arm 711. FIG. 11 shows a positional relationship corresponding to a first case described later, FIG. 11 shows a positional relationship corresponding to a second case described later, and FIG. 12 shows a positional relationship corresponding to a third case described later.

ステップS11:まず、搬送ロボット2が、アライメント装置3に半導体基板Wを搬入する(図10〜図13の各上段)。   Step S11: First, the transfer robot 2 carries the semiconductor substrate W into the alignment device 3 (each upper stage in FIGS. 10 to 13).

具体的には、搬送ロボット2が、いずれかの搬送アーム(図示の例では、第1搬送アーム21a)のハンド211を、保持部61よりも上方の高さH1において進入経路Qに沿って水平に移動させてアライメント装置3に進入させ、ハンド211に吸引保持されている半導体基板Wの中心が、上方から見て回転軸部621と略一致するような位置(進入位置)にハンド211を配置する。   Specifically, the transfer robot 2 moves the hand 211 of one of the transfer arms (the first transfer arm 21 a in the illustrated example) horizontally along the approach path Q at a height H <b> 1 above the holding unit 61. And the hand 211 is moved into the alignment device 3, and the hand 211 is arranged at a position (entry position) where the center of the semiconductor substrate W sucked and held by the hand 211 substantially coincides with the rotating shaft 621 when viewed from above. I do.

ハンド211が進入位置に配置されると、ハンド211は、吸引部612とアーム611との間の高さH2まで下降する。ただし、新たな半導体基板Wを受け入れる状態において、保持部61の各吸引部612は、上方から見て、ハンド211の進入経路Qと干渉しない位置に配置されている(図8の上段)。したがって、当該移動の際にハンド211が保持部61の各吸引部612と衝突することはない。この下降の直前(あるいは直後)に、ハンド211の上面に形成された各吸引部213の吸引が停止される(すなわち、半導体基板Wがハンド211上に単に載置された状態となる)。そして、この下降の途中で、保持部61の各吸引部612が、ハンド211上に載置されている半導体基板Wの下面の周縁領域における第1接触ポイントに接触し、半導体基板Wは一群の吸引部612上に載置された状態となる。ハンド211がそこからさらに下降すると、ハンド211は半導体基板Wから完全に離間し、半導体基板Wがハンド211から保持部61に移載される。半導体基板Wが保持部61に移載されると、制御部9は、真空ライン614に介挿されているバルブ613を開放する。これによって、各吸引部612が半導体基板W(具体的には、半導体基板Wにおける第1接触ポイント)に真空吸着し、半導体基板Wが一群の吸引部612によって固定的に保持(吸引保持)される。一方で、ハンド211は、吸引部612よりも下方の高さH2に到達すると、当該高さH2において進入経路Qに沿って水平に移動して、アライメント装置3から退避する。   When the hand 211 is located at the approach position, the hand 211 descends to a height H2 between the suction unit 612 and the arm 611. However, in a state in which a new semiconductor substrate W is received, each suction unit 612 of the holding unit 61 is arranged at a position that does not interfere with the approach path Q of the hand 211 when viewed from above (upper part in FIG. 8). Therefore, the hand 211 does not collide with each suction unit 612 of the holding unit 61 during the movement. Immediately before (or immediately after) the lowering, the suction of the suction units 213 formed on the upper surface of the hand 211 is stopped (that is, the semiconductor substrate W is simply placed on the hand 211). In the course of this lowering, each suction unit 612 of the holding unit 61 comes into contact with a first contact point in the peripheral region on the lower surface of the semiconductor substrate W placed on the hand 211, and the semiconductor substrate W It is placed on the suction unit 612. When the hand 211 further descends therefrom, the hand 211 is completely separated from the semiconductor substrate W, and the semiconductor substrate W is transferred from the hand 211 to the holder 61. When the semiconductor substrate W is transferred to the holding unit 61, the control unit 9 opens the valve 613 inserted in the vacuum line 614. Thereby, each suction unit 612 is vacuum-sucked to the semiconductor substrate W (specifically, the first contact point on the semiconductor substrate W), and the semiconductor substrate W is fixedly held (suction-held) by the group of suction units 612. You. On the other hand, when the hand 211 reaches the height H2 below the suction unit 612, the hand 211 moves horizontally along the approach path Q at the height H2 and retreats from the alignment device 3.

ステップS12:続いて、制御部9は、回転駆動部62を制御して保持部61を1回転させる。これによって、保持部61に吸引保持されている半導体基板Wが、回転軸部621の中心を通る鉛直な軸を中心に1回転する。半導体基板Wが1回転する間、制御部9は、検出部8に、半導体基板Wの周縁に形成されているノッチを検出させる。検出部8は、ノッチを検出すると、当該ノッチの位置情報を制御部9に通知する。また、半導体基板Wが1回転する間、制御部9は、検出部8に、半導体基板Wの周縁位置を検出させて、当該周縁位置の変動量(具体的には、回転軸部62の中心を通る鉛直な軸と半導体基板Wの周縁との離間距離の変動量)を特定させる。検出部8は、検出された周縁位置の変動量を制御部9に通知する。   Step S12: Subsequently, the control section 9 controls the rotation drive section 62 to rotate the holding section 61 once. Thus, the semiconductor substrate W suction-held by the holding unit 61 makes one rotation around a vertical axis passing through the center of the rotation shaft 621. While the semiconductor substrate W makes one rotation, the control unit 9 causes the detection unit 8 to detect a notch formed on the periphery of the semiconductor substrate W. When detecting the notch, the detecting unit 8 notifies the control unit 9 of the position information of the notch. While the semiconductor substrate W makes one rotation, the control unit 9 causes the detecting unit 8 to detect the peripheral position of the semiconductor substrate W, and the amount of change in the peripheral position (specifically, the center of the rotation shaft 62). (The amount of change in the separation distance between the vertical axis passing through and the periphery of the semiconductor substrate W). The detection unit 8 notifies the control unit 9 of the detected fluctuation amount of the peripheral position.

ステップS13:検出部8から半導体基板Wの周縁位置の変動量を取得すると、制御部9は、当該変動量に基づいて半導体基板Wの中心位置を特定する。そして、半導体基板Wを、その中心位置がアライメント装置3の中央に配置され、かつ、その中心位置が回転軸部62の中心を通る鉛直な軸と一致するような位置に配置する(水平位置の補正)。また、検出部8からノッチの位置情報を取得すると、制御部9は、当該ノッチを定められた方向に配置するために必要な半導体基板Wの回転量(補正量)を算出する。そして、回転駆動部62に、保持部61を当該補正量だけ回転させる。これによって、保持部61に吸引保持された半導体基板Wのノッチが定められた方向に配置される(回転位置の補正)。ステップS13においては、水平位置の補正が、回転位置の補正に先だって行われることが好ましい。   Step S13: When the amount of change in the peripheral position of the semiconductor substrate W is acquired from the detection unit 8, the control unit 9 specifies the center position of the semiconductor substrate W based on the amount of change. Then, the semiconductor substrate W is arranged at such a position that its center position is located at the center of the alignment device 3 and whose center position coincides with a vertical axis passing through the center of the rotating shaft portion 62 (the horizontal position). correction). Further, when the position information of the notch is obtained from the detection unit 8, the control unit 9 calculates the rotation amount (correction amount) of the semiconductor substrate W necessary to arrange the notch in the determined direction. Then, the rotation driving unit 62 rotates the holding unit 61 by the correction amount. Thereby, the notch of the semiconductor substrate W sucked and held by the holding unit 61 is arranged in the determined direction (correction of the rotational position). In step S13, the correction of the horizontal position is preferably performed prior to the correction of the rotational position.

ここで、半導体基板Wの水平位置を補正する処理について具体的に説明する。半導体基板Wの中心位置が特定されると、制御部9は、水平移動機構63を制御して、保持部61を、ここに保持されている半導体基板Wが定められた位置(具体的には、半導体基板Wの中心がアライメント装置3の中央に配置されるような位置)に配置されるような位置に移動させる。つぎに、制御部9は、昇降駆動部72を制御して、補助保持部71を、保持部61よりも低い位置(第1位置)P1から、保持部61よりも高い位置(第2位置)まで上昇させて、半導体基板Wを保持部61から補助保持部71に移載する。半導体基板Wが保持部61から離間した状態になると、制御部9は、水平移動機構63を制御して、保持部61を、回転駆動部62の回転軸部621が半導体基板W(すなわち、補助保持部61に保持されている半導体基板W)の中心と一致するような位置に移動させる。つまり、保持部61を、回転軸部621がアライメント装置3の中央に配置されるような位置に移動させる。その後、制御部9は、昇降駆動部72を制御して、補助保持部71を第2位置P2から第1位置P1まで降下させる。この降下の途中で、各吸引部612が、補助保持部71に保持されている半導体基板Wの下面の周縁領域における第1接触ポイントに接触し、半導体基板Wは一群の吸引部612上に載置された状態となる。補助保持部71がそこからさらに下降されると、補助保持部71は半導体基板Wから離間し、半導体基板Wが補助保持部71から保持部61に移載される。これによって、半導体基板Wが、その中心位置がアライメント装置3の中央に配置され、かつ、その中心位置が回転軸部62の中心を通る鉛直な軸と一致するような位置に配置されることになる。   Here, a process for correcting the horizontal position of the semiconductor substrate W will be specifically described. When the center position of the semiconductor substrate W is specified, the control unit 9 controls the horizontal movement mechanism 63 to move the holding unit 61 to the position where the semiconductor substrate W held here is determined (specifically, (The position where the center of the semiconductor substrate W is located at the center of the alignment apparatus 3). Next, the control unit 9 controls the elevation drive unit 72 to move the auxiliary holding unit 71 from a position (first position) P1 lower than the holding unit 61 to a position higher than the holding unit 61 (second position). Then, the semiconductor substrate W is transferred from the holding unit 61 to the auxiliary holding unit 71. When the semiconductor substrate W is separated from the holding unit 61, the control unit 9 controls the horizontal moving mechanism 63 so that the holding unit 61 is rotated by the rotation shaft 621 of the rotation driving unit 62 (that is, the auxiliary shaft). It is moved to a position that matches the center of the semiconductor substrate W) held by the holding section 61. That is, the holding unit 61 is moved to a position where the rotating shaft 621 is arranged at the center of the alignment device 3. Thereafter, the control unit 9 controls the elevation drive unit 72 to lower the auxiliary holding unit 71 from the second position P2 to the first position P1. During this descent, each suction unit 612 comes into contact with a first contact point in the peripheral region of the lower surface of the semiconductor substrate W held by the auxiliary holding unit 71, and the semiconductor substrate W is mounted on the group of suction units 612. Is placed. When the auxiliary holding unit 71 is further lowered therefrom, the auxiliary holding unit 71 is separated from the semiconductor substrate W, and the semiconductor substrate W is transferred from the auxiliary holding unit 71 to the holding unit 61. Thereby, the semiconductor substrate W is arranged at a position such that its center position is located at the center of the alignment device 3 and its center position coincides with a vertical axis passing through the center of the rotating shaft portion 62. Become.

ステップS14:次に、制御部9は、ステップS13の処理が完了したとき(すなわち、保持部61が補正量だけ回転して停止して、ノッチが定められた方向に配置されたとき)の保持部6(具体的には、保持部6の各吸引部612)の位置を検出して、当該位置が次の3つのいずれのケースに該当するかを判定する。
(第1ケース)
全ての吸引部612が、ハンド211の侵入経路Qと干渉しない位置にあり、かつ、補助側アーム711の先端部とも干渉しない位置にある(図10の下段)。
(第2ケース)
少なくとも1個の吸引部612がハンド211の侵入経路Qと干渉する位置にあるが、全ての吸引部612が補助側アーム711の先端部とは干渉しない位置にある(図11の中段)。
(第3ケース)
少なくとも1個の吸引部612がハンド211の侵入経路Qと干渉する位置にあり、かつ、少なくとも1個の吸引部612が補助側アーム711の先端部とも干渉する位置にある(図12の中段)。
Step S14: Next, the control unit 9 holds when the processing of step S13 is completed (that is, when the holding unit 61 rotates and stops by the correction amount and the notch is arranged in the determined direction). The position of the unit 6 (specifically, each suction unit 612 of the holding unit 6) is detected, and it is determined which of the following three cases the position corresponds to.
(First case)
All the suction units 612 are at positions where they do not interfere with the intrusion path Q of the hand 211 and are also at positions where they do not interfere with the tip of the auxiliary side arm 711 (the lower part in FIG. 10).
(2nd case)
At least one suction unit 612 is located at a position where it interferes with the intrusion path Q of the hand 211, but all the suction units 612 are located at a position where they do not interfere with the tip of the auxiliary arm 711 (the middle part in FIG. 11).
(Third case)
At least one suction unit 612 is located at a position where it interferes with the intrusion path Q of the hand 211, and at least one suction unit 612 is located at a position where it also interferes with the tip of the auxiliary arm 711 (the middle part in FIG. 12). .

<i.第1ケースの場合>
図10に示すように、ステップS13の処理が完了したときの吸引部612の位置が、第1ケースに該当する場合(ステップS15でYES)、次のステップS16〜ステップS17の処理が行われる。
<I. In the case of the first case>
As shown in FIG. 10, when the position of the suction unit 612 when the process of step S13 is completed corresponds to the first case (YES in step S15), the processes of the next steps S16 to S17 are performed.

ステップS16:制御部9は、真空ライン614に介挿されているバルブ613を閉鎖する。これによって、各吸引部612の吸引が停止され、半導体基板Wが保持部61上に(具体的には、一群の吸引部612上に)単に載置された状態となる。   Step S16: The control section 9 closes the valve 613 inserted in the vacuum line 614. Thereby, the suction of each suction unit 612 is stopped, and the semiconductor substrate W is simply placed on the holding unit 61 (specifically, on a group of the suction units 612).

ステップS17:続いて、搬送アーム21が、アライメント装置3から半導体基板Wを搬出する。   Step S17: Subsequently, the transfer arm 21 unloads the semiconductor substrate W from the alignment device 3.

具体的には、搬送ロボット2が、いずれかの搬送アーム(図示の例では、第1搬送アーム21a)のハンド211を、吸引部612とアーム611との間の高さH2において進入経路Qに沿って水平に移動させてアライメント装置3に進入させ、ハンド211の先端に形成されている吸引部213が、上方から見て保持部61に保持されている半導体基板Wの周縁と一致するような位置(進入位置)にハンド211を配置する。上述したとおり、第1ケースの状態では、保持部61(具体的には、各吸引部621)がハンド211の進入経路Qと干渉しない位置に配置されている。したがって、当該移動の際にハンド211が保持部61と衝突することはない。   Specifically, the transfer robot 2 moves the hand 211 of one of the transfer arms (the first transfer arm 21a in the illustrated example) to the entry path Q at a height H2 between the suction unit 612 and the arm 611. The suction unit 213 formed at the tip of the hand 211 coincides with the periphery of the semiconductor substrate W held by the holding unit 61 when viewed from above. The hand 211 is arranged at the position (entry position). As described above, in the state of the first case, the holding unit 61 (specifically, each suction unit 621) is arranged at a position that does not interfere with the approach path Q of the hand 211. Therefore, the hand 211 does not collide with the holding unit 61 during the movement.

ハンド211が進入位置に配置されると、ハンド211は、保持部61よりも上方の高さH1の位置まで上昇する。この上昇途中で、ハンド211の各吸引部213が、保持部61上に載置されている半導体基板Wの下面の周縁領域に接触し、半導体基板Wはハンド211上に載置された状態となる。ハンド211がそこからさらに上昇すると、半導体基板Wはハンド211によって持ち上げられて、保持部61は半導体基板Wから完全に離間する。つまり、半導体基板Wが保持部61からハンド211に移載される。半導体基板Wがハンド211に移載されると、ハンド211の上面に形成されている各吸引部213の吸引が開始され、半導体基板Wが一対の吸引部213によって吸引保持された状態となる。ハンド211は、高さH1に到達すると、当該高さH1において進入経路Qに沿って水平に移動して、アライメント装置3から退避する。これによって、半導体基板Wがアライメント装置3から搬出され、当該半導体基板Wに対するアライメント処理が完了する。   When the hand 211 is located at the approach position, the hand 211 rises to a position at a height H1 above the holding unit 61. During this ascent, each suction part 213 of the hand 211 contacts the peripheral area of the lower surface of the semiconductor substrate W placed on the holding part 61, and the semiconductor substrate W is placed on the hand 211. Become. When the hand 211 further rises therefrom, the semiconductor substrate W is lifted by the hand 211, and the holding portion 61 is completely separated from the semiconductor substrate W. That is, the semiconductor substrate W is transferred from the holding unit 61 to the hand 211. When the semiconductor substrate W is transferred to the hand 211, the suction of the suction units 213 formed on the upper surface of the hand 211 is started, and the semiconductor substrate W is in a state of being suction-held by the pair of suction units 213. When the hand 211 reaches the height H1, the hand 211 moves horizontally along the approach path Q at the height H1 and retreats from the alignment device 3. As a result, the semiconductor substrate W is carried out of the alignment device 3, and the alignment process on the semiconductor substrate W is completed.

<ii.第2ケースの場合>
図11に示すように、ステップS13の処理が完了したときの吸引部612の位置が、第2ケースに該当する場合(ステップS18でYES)、次のステップS19〜ステップS21の処理が行われる。
<Ii. In the case of the second case>
As shown in FIG. 11, when the position of the suction unit 612 at the time when the process of step S13 is completed corresponds to the second case (YES in step S18), the following processes of steps S19 to S21 are performed.

ステップS19:制御部9は、昇降駆動部72を制御して、補助保持部71を、保持部61よりも低い位置(第1位置)P1から、保持部61よりも高い位置(第2位置)P2まで上昇させる。この上昇途中で、各補助側アーム711の先端が、保持部61上に載置されている半導体基板Wの下面の周縁領域における第2接触ポイントに接触し、半導体基板Wは補助側アーム711上に載置されることによって補助保持部71に保持された状態となる。補助保持部71がそこからさらに上昇すると、半導体基板Wが補助側アーム711によって持ち上げられて、保持部61は半導体基板Wから完全に離間する。つまり、半導体基板Wが保持部61から補助保持部71に移載される。   Step S19: The control section 9 controls the elevation drive section 72 to move the auxiliary holding section 71 from a position (first position) P1 lower than the holding section 61 to a position higher than the holding section 61 (second position). Increase to P2. During the ascent, the tip of each auxiliary arm 711 contacts a second contact point in the peripheral area on the lower surface of the semiconductor substrate W placed on the holding portion 61, and the semiconductor substrate W is placed on the auxiliary arm 711. Is placed in the state of being held by the auxiliary holding unit 71. When the auxiliary holding portion 71 further rises from there, the semiconductor substrate W is lifted by the auxiliary side arm 711, and the holding portion 61 is completely separated from the semiconductor substrate W. That is, the semiconductor substrate W is transferred from the holding unit 61 to the auxiliary holding unit 71.

ステップS20:半導体基板Wが保持部61から離間した状態になると、制御部9は、回転駆動部62を制御して、保持部61を回転させる。すなわち、このケースでは、ステップS13の処理が行われた結果、保持部61(具体的には、少なくとも1個の吸引部612)がハンド211の進入経路Qと干渉する位置に配置されているので(図11の中段)、制御部9は、回転駆動部62を制御して、保持部61の各吸引部612がハンド211の進入経路Qと干渉しない位置に配置されるように、保持部61を回転させる(図11の下段)。この処理は半導体基板Wが保持部61から離間した状態で行われるので、保持部61が回転されても半導体基板Wのノッチ位置は変更されない。つまり、半導体基板Wの回転位置が変更されることはなく、保持部61の回転位置だけが変更される。   Step S20: When the semiconductor substrate W is separated from the holding unit 61, the control unit 9 controls the rotation driving unit 62 to rotate the holding unit 61. That is, in this case, as a result of the processing in step S13, the holding unit 61 (specifically, at least one suction unit 612) is arranged at a position where it interferes with the approach path Q of the hand 211. (The middle part in FIG. 11), the control unit 9 controls the rotation driving unit 62 so that the suction units 612 of the holding unit 61 are arranged at positions where they do not interfere with the approach path Q of the hand 211. Is rotated (lower stage in FIG. 11). Since this processing is performed in a state where the semiconductor substrate W is separated from the holding unit 61, the notch position of the semiconductor substrate W is not changed even if the holding unit 61 is rotated. That is, the rotational position of the semiconductor substrate W is not changed, and only the rotational position of the holder 61 is changed.

ステップS21:各吸引部612がハンド211の進入経路Qと干渉しない位置に配置されると、制御部9は、昇降駆動部72を制御して、補助保持部71を第2位置P2から第1位置P1まで下降させる。この下降の途中で、各吸引部612が、補助保持部71に保持されている半導体基板Wの下面の周縁領域における第1接触ポイントに接触し、半導体基板Wは一群の吸引部612上に載置された状態となる。補助保持部71がそこからさらに下降されると、補助保持部71は半導体基板Wから離間し、半導体基板Wが補助保持部71から保持部61に移載される。   Step S21: When each suction unit 612 is arranged at a position where it does not interfere with the approach path Q of the hand 211, the control unit 9 controls the elevation drive unit 72 to move the auxiliary holding unit 71 from the second position P2 to the first position. Lower to position P1. During this downward movement, each suction unit 612 comes into contact with a first contact point in the peripheral area on the lower surface of the semiconductor substrate W held by the auxiliary holding unit 71, and the semiconductor substrate W is mounted on the group of suction units 612. Is placed. When the auxiliary holding unit 71 is further lowered therefrom, the auxiliary holding unit 71 is separated from the semiconductor substrate W, and the semiconductor substrate W is transferred from the auxiliary holding unit 71 to the holding unit 61.

ステップS19〜ステップS21の処理が行われることによって、ノッチが定められた方向に配置された半導体基板Wを保持した保持部61の吸引部612が、ハンド211の侵入経路Qおよび補助側アーム711の先端部のどちらとも干渉しない位置に配置される。つまり、第1ケースの状態となる。この状態になると、上述したステップS16〜ステップS17の処理が行われて、当該半導体基板Wに対するアライメント処理が完了する。   By performing the processing of steps S19 to S21, the suction unit 612 of the holding unit 61 holding the semiconductor substrate W arranged in the direction in which the notch is determined is moved by the invasion path Q of the hand 211 and the auxiliary arm 711. It is located at a position that does not interfere with either of the tip portions. That is, the state is the first case. In this state, the processes of steps S16 to S17 described above are performed, and the alignment process for the semiconductor substrate W is completed.

<iii.第3ケースの場合>
図12に示すように、ステップS13の処理が完了したときの吸引部612の位置が、第3ケースに該当する場合(ステップS22)、次のステップS23〜ステップS27の処理が行われる。
<Iii. In the case of the third case>
As shown in FIG. 12, when the position of the suction unit 612 when the process of step S13 is completed corresponds to the third case (step S22), the processes of the following steps S23 to S27 are performed.

ステップS23:制御部9は、回転駆動部62を制御して、保持部61を回転させる。すなわち、このケースでは、ステップS13の処理が行われた結果、保持部61(具体的には、少なくとも1個の吸引部612)がハンド211の侵入経路Qと干渉する位置に配置されており、かつ、少なくとも1個の吸引部612が補助側アーム711の先端部と干渉する位置に配置されているので(図12の中段)、制御部9は、回転駆動部62を制御して、保持部61の各吸引部612が、ハンド211の侵入経路Qとも補助側アーム711の先端部とも干渉しない位置に配置されるように、保持部61を回転させる(このときの回転量をθとする)。半導体基板Wを保持した保持部61が回転量θだけ回転されることによって、ステップS13で定められた方向に配置された半導体基板Wのノッチは、この回転量θに等しい角度θだけ定められた方向からずれた位置に配置されることになる。   Step S23: The control section 9 controls the rotation drive section 62 to rotate the holding section 61. That is, in this case, as a result of the processing in step S13, the holding unit 61 (specifically, at least one suction unit 612) is disposed at a position where the holding unit 61 interferes with the intrusion path Q of the hand 211, In addition, since at least one suction unit 612 is disposed at a position where the suction unit 612 interferes with the distal end of the auxiliary arm 711 (the middle part in FIG. 12), the control unit 9 controls the rotation driving unit 62 to control the holding unit. The holding unit 61 is rotated so that each suction unit 612 of the hand 61 does not interfere with the invasion path Q of the hand 211 and the tip of the auxiliary arm 711 (the rotation amount at this time is θ). . When the holding unit 61 holding the semiconductor substrate W is rotated by the rotation amount θ, the notch of the semiconductor substrate W arranged in the direction determined in step S13 is determined by the angle θ equal to the rotation amount θ. It will be located at a position shifted from the direction.

ステップS24:続いて、制御部9は、昇降駆動部72を制御して、補助保持部71を、保持部61よりも低い位置(第1位置)P1から、保持部61よりも高い位置(第2位置)P2まで上昇させて、半導体基板Wを保持部61から補助保持部71に移載する。この処理は、上述したステップS19の処理と同様である。   Step S24: Subsequently, the control section 9 controls the lifting drive section 72 to move the auxiliary holding section 71 from a position (first position) P1 lower than the holding section 61 to a position higher than the holding section 61 (first position). (Position 2) The semiconductor substrate W is raised to P2 and the semiconductor substrate W is transferred from the holding unit 61 to the auxiliary holding unit 71. This process is the same as the process in step S19 described above.

ステップS25:半導体基板Wが保持部61から離間した状態になると、制御部9は、回転駆動部62を制御して、ステップS23と同じ回転方向に、ステップS23と同じ回転量θだけ、保持部61をさらに回転させる。ステップS23とステップS25の処理が行われることによって、保持部61は合計で2θ回転することになる。この処理は半導体基板Wが保持部61から離間した状態で行われるので、保持部61が回転されても半導体基板Wのノッチの位置は変更されない。したがって、半導体基板Wのノッチは、回転量θに等しい角度θだけ定められた方向からずれた位置に配置されたままの状態となっている。   Step S25: When the semiconductor substrate W is separated from the holding unit 61, the control unit 9 controls the rotation driving unit 62 to rotate the holding unit in the same rotation direction as in step S23 and the same rotation amount θ as in step S23. Rotate 61 further. By performing the processing of step S23 and step S25, the holding unit 61 rotates a total of 2θ. Since this processing is performed in a state where the semiconductor substrate W is separated from the holding unit 61, the position of the notch of the semiconductor substrate W is not changed even if the holding unit 61 is rotated. Therefore, the notch of the semiconductor substrate W remains in a position displaced from the direction determined by the angle θ equal to the rotation amount θ.

ステップS26:続いて、制御部9は、昇降駆動部72を制御して、補助保持部71を第2位置P2から第1位置P1まで下降させて、半導体基板Wを補助保持部71から保持部61に移載する。この処理は、上述したステップS21の処理と同様である。   Step S26: Subsequently, the control section 9 controls the elevation drive section 72 to lower the auxiliary holding section 71 from the second position P2 to the first position P1, and moves the semiconductor substrate W from the auxiliary holding section 71 to the holding section. Transfer to 61. This processing is the same as the processing in step S21 described above.

ステップS27:続いて、制御部9は、回転駆動部62を制御して、ステップS23と逆の回転方向に、ステップS23と同じ回転量θだけ、保持部61を回転させる。この処理は、半導体基板Wが保持部61に保持された状態で行われるので、保持部61が回転されると半導体基板Wも回転し、当該半導体基板Wの回転位置はステップS23の処理が行われる前の状態(すなわち、半導体基板Wの回転位置の補正(ステップS13)が行われた直後の状態)に戻り、ノッチが定められた方向に再配置される。また、同時に、保持部61の各吸引部612の回転位置は、ステップS25の処理が行われる前の状態に戻り、各吸引部612がハンド211の侵入経路Qとも補助側アーム711の先端部とも干渉しない位置に配置される。   Step S27: Subsequently, the control section 9 controls the rotation drive section 62 to rotate the holding section 61 in the rotation direction opposite to that of step S23 by the same rotation amount θ as in step S23. This process is performed in a state where the semiconductor substrate W is held by the holding unit 61. Therefore, when the holding unit 61 is rotated, the semiconductor substrate W is also rotated, and the rotation position of the semiconductor substrate W is determined by the process of step S23. The state returns to the state before the correction (that is, the state immediately after the correction of the rotational position of the semiconductor substrate W (step S13) is performed), and the notch is rearranged in the determined direction. At the same time, the rotational position of each suction unit 612 of the holding unit 61 returns to the state before the processing of step S25 is performed, and each suction unit 612 is connected to both the intrusion path Q of the hand 211 and the tip of the auxiliary arm 711. It is placed in a position that does not interfere.

ステップS23〜ステップS27の処理が行われることによって、ノッチが定められた方向に配置された半導体基板Wを保持した保持部61の吸引部612が、ハンド211の侵入経路Qおよび補助側アーム711の先端部のどちらとも干渉しない位置に配置される。つまり、第1ケースの状態となる。この状態になると、上述したステップS16〜ステップS17の処理が行われて、当該半導体基板Wに対するアライメント処理が完了する。   By performing the processes in steps S23 to S27, the suction unit 612 of the holding unit 61 holding the semiconductor substrate W arranged in the direction in which the notch is defined is moved to the entry path Q of the hand 211 and the auxiliary side arm 711. It is located at a position that does not interfere with either of the tip portions. That is, the state is the first case. In this state, the processes of steps S16 to S17 described above are performed, and the alignment process for the semiconductor substrate W is completed.

<5.効果>
上記の実施形態によると、アライメント装置3が、半導体基板Wの下面の周縁領域を吸引して半導体基板Wを保持する保持部61を備えており、搬送ロボット2によって搬送されてくる半導体基板Wは、この保持部61に保持される(ステップS11)。半導体基板Wが保持部61で保持されると、検出部8が、保持部61に保持された半導体基板Wのノッチを検出する。そして、基板位置補正部101は、保持部61に保持された半導体基板Wのノッチが定められた方向に配置されるように保持部61を回転させて半導体基板Wの回転位置を補正する。このときの保持部61の回転角度は半導体基板W毎に異なり、場合によっては、回転後の保持部61が、上方から見て、搬送ロボット2のハンド211の進入経路Qと重なる位置に配置されることがあり(図8の中段参照)、こうなると、搬送ロボット2が、保持部61に保持されている半導体基板W(すなわち、回転位置が補正された半導体基板W)を受け取ることができなくなってしまう。ここにおいて、上記の実施形態に係るアライメント装置3では、リフター7と制御部9とが協働して、半導体基板Wの回転位置を変更せずに保持部61の回転位置を変更し、保持部61の回転位置が、上方から見てハンド211の進入経路Qと重ならない位置に移動される。したがって、搬送ロボット2は、保持部61に干渉することなく、保持部61に保持されている半導体基板Wを難なく受け取れることができる。
<5. Effect>
According to the above-described embodiment, the alignment device 3 includes the holding unit 61 that holds the semiconductor substrate W by sucking the peripheral region of the lower surface of the semiconductor substrate W, and the semiconductor substrate W transferred by the transfer robot 2 Is held in the holding unit 61 (step S11). When the semiconductor substrate W is held by the holding unit 61, the detection unit 8 detects a notch of the semiconductor substrate W held by the holding unit 61. Then, the substrate position correction unit 101 corrects the rotational position of the semiconductor substrate W by rotating the holding unit 61 such that the notch of the semiconductor substrate W held by the holding unit 61 is arranged in a predetermined direction. At this time, the rotation angle of the holding unit 61 differs for each semiconductor substrate W. In some cases, the rotated holding unit 61 is disposed at a position overlapping the entry path Q of the hand 211 of the transfer robot 2 when viewed from above. In this case, the transfer robot 2 cannot receive the semiconductor substrate W held by the holding unit 61 (that is, the semiconductor substrate W whose rotational position has been corrected). Would. Here, in the alignment device 3 according to the above-described embodiment, the lifter 7 and the control unit 9 cooperate to change the rotation position of the holding unit 61 without changing the rotation position of the semiconductor substrate W. The rotation position of 61 is moved to a position that does not overlap the approach path Q of the hand 211 when viewed from above. Therefore, the transfer robot 2 can easily receive the semiconductor substrate W held by the holding unit 61 without interfering with the holding unit 61.

また、上記の実施形態においては、保持部61が半導体基板Wの下面の周縁領域を吸引して半導体基板Wを保持するので、半導体基板Wを安定して保持することが可能となり、保持部61が回転される際に、保持部61と半導体基板Wとの間に位置ずれが生じにくい。したがって、半導体基板Wを十分速い速度で回転させることができる。その結果、アライメントを迅速に行うことができる。   Further, in the above-described embodiment, since the holding unit 61 holds the semiconductor substrate W by sucking the peripheral area of the lower surface of the semiconductor substrate W, the semiconductor substrate W can be stably held. When is rotated, misalignment is unlikely to occur between the holding portion 61 and the semiconductor substrate W. Therefore, the semiconductor substrate W can be rotated at a sufficiently high speed. As a result, alignment can be performed quickly.

また、上記の実施形態においては、基板位置補正部101が、保持部62に保持された半導体基板Wが定められた位置に配置されるように保持部61を移動させて半導体基板Wの水平位置を補正して、保持部61に保持された半導体基板Wの中心を保持部61の回転軸と一致させる。ここでは、保持部61が半導体基板Wの下面の周縁領域を吸引して半導体基板Wを保持するので、半導体基板Wが撓まない。したがって、半導体基板Wの水平位置を高精度に補正して高いアライメント精度を担保できる。   Further, in the above-described embodiment, the substrate position correction unit 101 moves the holding unit 61 so that the semiconductor substrate W held by the holding unit 62 is disposed at a predetermined position, and moves the semiconductor substrate W horizontally. Is corrected so that the center of the semiconductor substrate W held by the holding unit 61 coincides with the rotation axis of the holding unit 61. Here, since the holding portion 61 holds the semiconductor substrate W by sucking the peripheral region of the lower surface of the semiconductor substrate W, the semiconductor substrate W does not bend. Therefore, the horizontal position of the semiconductor substrate W can be corrected with high accuracy, and high alignment accuracy can be secured.

また、上記の実施形態においては、保持部61と補助保持部71との配置関係を、第1状態(すなわち、補助保持部71が保持部61よりも下方に配置された第1状態)から第2状態(すなわち、補助保持部71が保持部61よりも上方に配置された第2状態)に変更することによって、半導体基板Wを保持部61から補助保持部71に持ち替えて、この状態で保持部61を回転させる。保持部61が回転されると、保持部61と補助保持部71との位置関係を第2状態から第1状態に戻すことによって、半導体基板Wを補助保持部71から保持部61に移載する。この構成によると、簡易な制御態様で、迅速に、半導体基板Wの回転位置を変更せずに保持部61の回転位置を変更することができる。   Further, in the above embodiment, the arrangement relationship between the holding unit 61 and the auxiliary holding unit 71 is changed from the first state (that is, the first state in which the auxiliary holding unit 71 is disposed below the holding unit 61). By changing to the two states (ie, the second state in which the auxiliary holding unit 71 is disposed above the holding unit 61), the semiconductor substrate W is changed from the holding unit 61 to the auxiliary holding unit 71 and held in this state. The part 61 is rotated. When the holder 61 is rotated, the semiconductor substrate W is transferred from the auxiliary holder 71 to the holder 61 by returning the positional relationship between the holder 61 and the auxiliary holder 71 from the second state to the first state. . According to this configuration, the rotation position of the holding unit 61 can be quickly changed in a simple control mode without changing the rotation position of the semiconductor substrate W.

また、上記の実施形態においては、真空吸引で半導体基板Wを吸引する吸引部612が、2以上の区画に分割された吸引口6120を備える。したがって、仮に、半導体基板Wの周縁に形成された切り欠きが、吸引口6120の一部の区画(例えば、第1の区画6120a)に載ったとしても別の区画(例えば、第2の区画6120b)で基板Wを吸引できる。これによって、基板Wを特に安定して保持することができる。   In the above embodiment, the suction unit 612 that suctions the semiconductor substrate W by vacuum suction includes the suction port 6120 divided into two or more sections. Therefore, even if the notch formed on the periphery of the semiconductor substrate W is placed on a part of the suction port 6120 (for example, the first section 6120a), another section (for example, the second section 6120b) The substrate W can be sucked by (). Thereby, the substrate W can be held particularly stably.

<6.他の実施形態>
上記の実施形態においては、保持部61が水平移動機構63を備える構成としたが、水平移動機構63は必須の構成ではない。水平移動機構63を備えない場合、半導体基板Wの水平位置の補正(ステップS13)は例えば次のように行うことができる。
<6. Other embodiments>
In the above embodiment, the holding unit 61 has the horizontal moving mechanism 63, but the horizontal moving mechanism 63 is not an essential structure. When the horizontal movement mechanism 63 is not provided, the horizontal position of the semiconductor substrate W can be corrected (step S13), for example, as follows.

すなわち、半導体基板Wの周縁位置の変動量に基づいて半導体基板Wの中心位置が特定されると、制御部9は、回転駆動部62を制御して、保持部61の全ての吸引部612が、ハンド211の侵入経路Qと干渉しない位置に配置されるような回転位置にくるように、保持部61を回転させる。   That is, when the center position of the semiconductor substrate W is specified based on the fluctuation amount of the peripheral position of the semiconductor substrate W, the control unit 9 controls the rotation driving unit 62 so that all the suction units 612 of the holding unit 61 Then, the holding unit 61 is rotated so as to be at a rotational position where the hand 211 is located at a position that does not interfere with the invasion path Q of the hand 211.

続いて、搬送ロボット2が、いずれかの搬送アーム21aのハンド211を、上述した高さH2において進入経路Qに沿って水平に移動させてアライメント装置3に進入させ、ハンド211を上述した進入位置に配置する。進入位置に配置されると、ハンド211は、上述した高さH1の位置まで上昇する。この上昇途中で、半導体基板Wはハンド211上に載置された状態となり、ハンド211がそこからさらに上昇すると、半導体基板Wはハンド211によって持ち上げられて、保持部61は半導体基板Wから完全に離間する。つまり、半導体基板Wが保持部61からハンド211に移載される。半導体基板Wがハンド211に移載されると、ハンド211の上面に形成されている各吸引部213の吸引が開始され、半導体基板Wが一対の吸引部213によって吸引保持された状態となる。   Subsequently, the transfer robot 2 moves the hand 211 of any of the transfer arms 21a horizontally along the approach path Q at the above-described height H2 to enter the alignment device 3, and moves the hand 211 to the above-described approach position. To place. When the hand 211 is located at the approach position, the hand 211 rises to the position at the height H1 described above. During this ascent, the semiconductor substrate W is placed on the hand 211, and when the hand 211 is further raised therefrom, the semiconductor substrate W is lifted by the hand 211, and the holding portion 61 is completely removed from the semiconductor substrate W. Separate. That is, the semiconductor substrate W is transferred from the holding unit 61 to the hand 211. When the semiconductor substrate W is transferred to the hand 211, the suction of the suction units 213 formed on the upper surface of the hand 211 is started, and the semiconductor substrate W is in a state of being suction-held by the pair of suction units 213.

ハンド211が高さH1に到達すると、駆動機構22が駆動されて、ハンド211が、当該高さH1において、進入経路Qに沿う方向、および、軸部221の延在方向と直交する方向(すなわち、進入経路Qと直交する方向)に適宜移動して、ハンド211に保持されている半導体基板Wの中心が、回転駆動部62の回転軸部621の中心を通る鉛直な軸と一致するような位置に配置される。ただし、保持部61は、当該鉛直な軸がアライメント装置3の中央にくるような位置に予め配置されている。   When the hand 211 reaches the height H1, the driving mechanism 22 is driven to move the hand 211 at the height H1 in a direction along the approach path Q and in a direction perpendicular to the extending direction of the shaft portion 221 (ie, , The direction perpendicular to the approach path Q) so that the center of the semiconductor substrate W held by the hand 211 coincides with the vertical axis passing through the center of the rotation shaft 621 of the rotation drive unit 62. Placed in the position. However, the holding portion 61 is previously arranged at a position where the vertical axis is located at the center of the alignment device 3.

ハンド211は、当該位置に配置されると、上述した高さH2まで下降する。この下降の直前(あるいは直後)に、ハンド211の上面に形成された各吸引部213の吸引が停止され、半導体基板Wがハンド211上に単に載置された状態となる。この下降の途中で、半導体基板Wは一群の吸引部612上に載置された状態となり、ハンド211がそこからさらに下降すると、ハンド211は半導体基板Wから完全に離間し、半導体基板Wがハンド211から保持部61に移載される。半導体基板Wが保持部61に移載されると、制御部9は、真空ライン614に介挿されているバルブ613を開放する。これによって、各吸引部612が半導体基板Wに真空吸着し、半導体基板Wが一群の吸引部612によって固定的に保持(吸引保持)される。一方で、ハンド211は、高さH2に到達すると、当該高さH2において進入経路Qに沿って水平に移動して、アライメント装置3から退避する。これによって、半導体基板Wが、その中心位置がアライメント装置3の中央に配置され、かつ、その中心位置が回転軸部62の中心を通る鉛直な軸と一致するような位置に配置されることになる。   When the hand 211 is placed at the position, the hand 211 descends to the height H2 described above. Immediately before (or immediately after) the lowering, the suction of the suction portions 213 formed on the upper surface of the hand 211 is stopped, and the semiconductor substrate W is simply placed on the hand 211. During this lowering, the semiconductor substrate W is placed on the group of suction units 612, and when the hand 211 is further lowered therefrom, the hand 211 is completely separated from the semiconductor substrate W, and the semiconductor substrate W is It is transferred from 211 to the holding unit 61. When the semiconductor substrate W is transferred to the holding unit 61, the control unit 9 opens the valve 613 inserted in the vacuum line 614. Thereby, each suction unit 612 is vacuum-sucked to the semiconductor substrate W, and the semiconductor substrate W is fixedly held (sucked and held) by the group of suction units 612. On the other hand, when the hand 211 reaches the height H2, the hand 211 horizontally moves along the approach path Q at the height H2 and retreats from the alignment device 3. Thereby, the semiconductor substrate W is arranged at a position such that its center position is located at the center of the alignment device 3 and its center position coincides with a vertical axis passing through the center of the rotating shaft portion 62. Become.

上記の実施形態において、例えばステップS21とステップS17との間(すなわち、補助保持部71から保持部61に半導体基板Wが受け渡された後であって、搬送アーム21が保持部61から半導体基板Wを受け取る前の時間帯)に、半導体基板Wの回転位置を必要に応じて微調整する処理を行ってもよい。具体的には例えば、ステップS16の後に、検出部8で半導体基板Wのノッチを検出して半導体基板Wのノッチが定められた方向に配置されているかを確認し、半導体基板Wのノッチが定められた方向からずれている場合には、当該ずれがゼロとなるように、保持部61を微少量回転させてもよい。この構成によると、ステップS19〜ステップS21の処理が行われる間に、何らかの事情(例えば振動)によって、半導体基板Wの回転位置が微少にずれてしまった場合であっても、当該微少なずれを解消した上で、半導体基板Wを搬送ロボット2に渡すことができる。   In the above embodiment, for example, between step S21 and step S17 (that is, after the semiconductor substrate W is delivered from the auxiliary holding unit 71 to the holding unit 61, the transfer arm 21 is moved from the holding unit 61 to the semiconductor substrate W). During the time period before W is received), a process of finely adjusting the rotational position of the semiconductor substrate W as necessary may be performed. Specifically, for example, after step S16, the detection unit 8 detects the notch of the semiconductor substrate W to check whether the notch of the semiconductor substrate W is arranged in a predetermined direction, and determines the notch of the semiconductor substrate W. If it is shifted from the given direction, the holding unit 61 may be rotated by a small amount so that the shift becomes zero. According to this configuration, even if the rotational position of the semiconductor substrate W is slightly shifted due to some reason (for example, vibration) during the processing of Steps S19 to S21, the minute shift is not changed. After the solution, the semiconductor substrate W can be transferred to the transfer robot 2.

上記の実施形態では、補助保持部71は、対向配置された一対の保持具710,710を備える構成としたが、補助保持部71の構成はこれに限らない。例えば、図13、図14に例示される補助保持部71aのように、水平に延在する複数(図の例では4個)の補助側アーム711aが中心部から放射状に配列された構成を備えていてもよい。この場合、例えば、各補助側アーム711aの先端に、上向きに立ち上がった支持部712aが設けられており、この支持部712aの先端において半導体基板Wの下面の外周領域における互いに離間した複数の接触ポイント(第2接触ポイント)に接触する。   In the above-described embodiment, the auxiliary holding unit 71 is configured to include the pair of holding tools 710 and 710 that are arranged to face each other. However, the configuration of the auxiliary holding unit 71 is not limited thereto. For example, like the auxiliary holding portion 71a illustrated in FIG. 13 and FIG. 14, a configuration is provided in which a plurality of (four in the illustrated example) auxiliary side arms 711a extending horizontally are arranged radially from the center. May be. In this case, for example, a support portion 712a rising upward is provided at the tip of each auxiliary side arm 711a, and a plurality of contact points spaced apart from each other in the outer peripheral region of the lower surface of the semiconductor substrate W at the tip of the support portion 712a. (Second contact point).

上記の実施形態では、保持部61およびハンド211は、半導体基板Wの下面の周縁領域を真空方式で吸引(真空吸引)して半導体基板Wを吸引保持していた(所謂、真空チャック)が、保持部61およびハンド211が半導体基板Wを吸引保持する態様はこれに限らない。例えば、半導体基板Wの下面の周縁領域を静電方式で吸引(静電吸引)して半導体基板Wを吸引保持してもよいし(所謂、静電チャック)、半導体基板Wの下面の周縁領域を電磁方式で吸引(電磁吸引)して半導体基板Wを保持してもよい(所謂、電磁チャック)。   In the above embodiment, the holding unit 61 and the hand 211 suck and hold the semiconductor substrate W by suctioning (vacuum suction) the peripheral area of the lower surface of the semiconductor substrate W by a vacuum method (a so-called vacuum chuck). The manner in which the holding unit 61 and the hand 211 suck and hold the semiconductor substrate W is not limited to this. For example, the peripheral region of the lower surface of the semiconductor substrate W may be suctioned (electrostatically attracted) by an electrostatic method to hold the semiconductor substrate W by suction (a so-called electrostatic chuck), or the peripheral region of the lower surface of the semiconductor substrate W. May be sucked by an electromagnetic method (electromagnetic suction) to hold the semiconductor substrate W (a so-called electromagnetic chuck).

上記の実施形態では、保持部61は、先端に吸引部612が形成されたアーム611を4個備える構成としたが、先端に吸引部612が形成されたアーム611の個数は4個に限られるものではなく、例えば、3個であってもよいし、5個以上であってもよい。また、補助保持部71は、補助アーム711を4個備える構成としたが、補助アーム711の個数は4個に限られるものではなく、例えば、3個であってもよいし、5個以上であってもよい。   In the above-described embodiment, the holding unit 61 is configured to include the four arms 611 each having the suction unit 612 at the distal end, but the number of the arms 611 having the suction unit 612 at the distal end is limited to four. However, for example, the number may be three or five or more. In addition, the auxiliary holding unit 71 is configured to include the four auxiliary arms 711, but the number of the auxiliary arms 711 is not limited to four, and may be, for example, three or five or more. There may be.

上記の実施形態では、補助保持部71が第1位置P1と第2位置P2との間で昇降移動することによって、補助保持部71が保持部61よりも下方に配置された状態(第1状態)と、補助保持部71が保持部61よりも上方に配置された状態(第2状態)の切り替えが行われていたが、補助保持部71と保持部61との位置関係を変更する態様はこれに限らない。例えば、保持部61にこれを昇降させる機構を設け、静止する補助保持部71に対して保持部61が昇降移動することによって、第1状態と第2状態との間の切り替えがなされてもよい。また例えば、補助保持部71と保持部61との両方がそれぞれ逆向きに昇降移動することによって、第1状態と第2状態との間の切り替えがなされてもよい。   In the above-described embodiment, the auxiliary holding unit 71 is moved up and down between the first position P1 and the second position P2, so that the auxiliary holding unit 71 is disposed below the holding unit 61 (the first state). ) And the state where the auxiliary holding unit 71 is disposed above the holding unit 61 (second state) has been switched. However, the mode of changing the positional relationship between the auxiliary holding unit 71 and the holding unit 61 is as follows. Not limited to this. For example, a switching mechanism may be provided between the first state and the second state by providing a mechanism for raising and lowering the holding unit 61 and moving the holding unit 61 up and down with respect to the stationary auxiliary holding unit 71. . Further, for example, the switching between the first state and the second state may be performed by moving both the auxiliary holding unit 71 and the holding unit 61 up and down in opposite directions.

上記の実施形態では、リフター7と制御部9とが協働して、半導体基板Wの回転位置を変更せずに保持部61の回転位置を変更する保持部位置変更部102として機能しているが、保持部位置変更部102の態様はこれに限らない。例えば、保持部位置変更部は、半導体基板Wの例えば上面の中央部を非接触で保持する例えばベルヌーイチャックで半導体基板Wを持ち上げるリフターとこれを回転させる制御部とを含む構成としてもよい。   In the above embodiment, the lifter 7 and the control unit 9 cooperate to function as the holding unit position changing unit 102 that changes the rotation position of the holding unit 61 without changing the rotation position of the semiconductor substrate W. However, the mode of the holding unit position changing unit 102 is not limited to this. For example, the holding unit position changing unit may be configured to include a lifter that holds the central portion of the semiconductor substrate W, for example, on the upper surface in a non-contact manner, and lifts the semiconductor substrate W with a Bernoulli chuck, for example, and a control unit that rotates the lifter.

上記の実施形態では、回転保持部6が水平移動機構63を備え、基板位置補正部101が半導体基板Wの水平位置を補正する構成としていたが、これらの構成は必須ではなく、半導体基板Wの水平位置の補正は省略されてもよい。   In the above embodiment, the rotation holding unit 6 includes the horizontal movement mechanism 63, and the substrate position correction unit 101 corrects the horizontal position of the semiconductor substrate W. However, these configurations are not essential, and the configuration of the semiconductor substrate W The correction of the horizontal position may be omitted.

上記の実施形態では、処理の対象となる基板は半導体基板Wであるとしたが、対象となる基板は半導体基板Wに限られるものではなく、例えばガラス基板であってもよい。   In the above embodiment, the substrate to be processed is the semiconductor substrate W. However, the substrate to be processed is not limited to the semiconductor substrate W, and may be, for example, a glass substrate.

1 載置部
2 搬送ロボット
21a,21b 搬送アーム
211 ハンド
212 多関節機構
213 ハンドの吸引部
3 アライメント装置
4 処理部
5 基板処理システムの制御部
6 回転保持部
61 保持部
611 アーム
612 吸引部
613 バルブ
614 真空ライン
62 回転駆動部
621 回転軸部
622 駆動機構
63 水平移動機構
7 リフター
71 補助保持部
711 補助側アーム
712 連結部
72 昇降駆動部
8 検出部
9 アライメント装置の制御部
100 基板処理システム
101 基板位置補正部
102 保持部位置変更部
1 Placement Unit 2 Transfer Robots 21a, 21b Transfer Arm 211 Hand 212 Multi-joint Mechanism 213 Hand Suction Unit 3 Alignment Device 4 Processing Unit 5 Substrate Processing System Control Unit 6 Rotation Hold Unit 61 Hold Unit 611 Arm 612 Suction Unit 613 Valve 614 Vacuum line 62 Rotation drive unit 621 Rotation shaft unit 622 Drive mechanism 63 Horizontal movement mechanism 7 Lifter 71 Auxiliary holding unit 711 Auxiliary arm 712 Connecting unit 72 Elevation drive unit 8 Detector 9 Alignment control unit 100 Substrate processing system 101 Substrate Position correction unit 102 Holder position change unit

Claims (4)

基板の下面の周縁領域における互いに離間した複数の第1接触ポイントにおいて前記基板を吸引して前記基板を保持する保持部と、前記保持部を所定の鉛直な回転軸の周りで回転させる回転駆動部と、を備える回転保持部と、
前記保持部に保持された基板の特徴部を検出する検出部と、
前記特徴部の検出結果に基づいて前記保持部を回転させて、これに保持された基板の前記特徴部が定められた方向に配置されるようにする基板位置補正部と、
前記基板の回転位置を変更せずに、前記保持部の回転位置を変更する保持部位置変更部と、
前記回転保持部と前記検出部とを制御して基板のアライメント動作を実行する制御部と
を備え、
前記アライメント動作が、
a)保持部が、基板の下面の周縁領域における互いに離間した複数の第1接触ポイントにおいて前記基板を吸引して前記基板を保持する工程と、
b)前記保持部に保持された基板の特徴部を検出する工程と、
c)前記特徴部の検出結果に基づいて前記保持部を回転させて、これに保持された基板の前記特徴部が定められた方向に配置されるようにする工程と、
d)基板の前記特徴部が定められた方向に配置された後、前記基板の回転位置を変更せずに、前記保持部の回転位置を変更する工程と、
を備え、
前記保持部の回転位置を変更する工程が、
d1)基板を吸引保持している前記保持部を、所定の回転量だけ所定の方向に回転させる工程と、
d2)基板の回転位置を変更せずに、基板を前記保持部から離間させる工程と、
d3)基板から離間している前記保持部を、前記所定の回転量だけ、前記所定の方向に回転させる工程と、
d4)回転後の前記保持部に、再び基板を吸引保持させる工程と、
d5)基板を吸引保持している前記保持部を、前記所定の回転量だけ、前記所定の方向と逆の方向に回転させる工程と、
を含む、基板のアライメント装置。
A holding unit that sucks the substrate and holds the substrate at a plurality of spaced first contact points in a peripheral region of a lower surface of the substrate, and a rotation driving unit that rotates the holding unit around a predetermined vertical rotation axis A rotation holding unit comprising:
A detection unit that detects a characteristic portion of the substrate held by the holding unit,
A substrate position correction unit configured to rotate the holding unit based on the detection result of the feature unit so that the feature unit of the board held by the holding unit is arranged in a predetermined direction.
Without changing the rotation position of the substrate, a holding unit position changing unit that changes the rotation position of the holding unit,
A control unit that controls the rotation holding unit and the detection unit to execute an alignment operation of the substrate ,
The alignment operation is
a) a step of holding the substrate by sucking the substrate at a plurality of first contact points spaced apart from each other in a peripheral region of a lower surface of the substrate;
b) detecting a characteristic portion of the substrate held by the holding portion;
c) rotating the holding portion based on the detection result of the feature portion so that the feature portion of the substrate held by the holding portion is arranged in a predetermined direction;
d) changing the rotational position of the holding unit without changing the rotational position of the substrate after the characteristic portion of the substrate is arranged in a predetermined direction;
With
The step of changing the rotation position of the holding unit,
d1) rotating the holding unit that holds the substrate by suction in a predetermined direction by a predetermined rotation amount;
d2) separating the substrate from the holding portion without changing the rotational position of the substrate;
d3) rotating the holding portion separated from the substrate by the predetermined rotation amount in the predetermined direction;
d4) causing the holding unit after rotation to suck and hold the substrate again;
d5) rotating the holding unit that holds the substrate by suction in the direction opposite to the predetermined direction by the predetermined rotation amount;
And a substrate alignment apparatus.
請求項1に記載の基板のアライメント装置において、
前記保持部位置変更部が、
基板の下面の周縁領域における互いに離間した複数の第2接触ポイントにおいて前記基板と接触して前記基板を保持する補助保持部と、前記補助保持部を昇降させる昇降駆動部と、を備えるリフターを有し、
前記制御部が、前記回転保持部と前記検出部と前記リフターとを制御するように構成され
前記基板の回転位置を変更せずに、基板を前記保持部から離間させる工程が、
前記保持部における前記基板の吸引を停止して、前記基板が前記保持部上に載置された状態にする工程と
前記補助保持部を前記保持部に対して相対的に移動させて、前記補助保持部が前記保持部よりも下方に配置された第1状態から、前記補助保持部が前記保持部よりも上方に配置された第2状態に変更することによって、前記保持部上に載置されている基板を前記補助保持部に保持させて前記基板を前記保持部から離間させる工程とを有しており
前記回転後の前記保持部に、再び基板を吸引保持させる工程が、
前記補助保持部を前記保持部に対して相対移動させて、前記第2状態から前記第1状態に変更することによって、前記補助保持部に保持されている基板を回転後の前記保持部上に移載する工程と、基板が移載された前記保持部に前記基板を吸引させる工程とを有している、
基板のアライメント装置。
The apparatus for aligning a substrate according to claim 1,
The holding unit position changing unit,
Yes an auxiliary holding portion at a plurality of second contact points spaced from each other in the peripheral region of the lower surface of the substrate in contact with the substrate to hold the substrate, and the elevation driving unit for lifting the auxiliary holding portion, a lifter with a And
The control unit is configured to control the rotation holding unit, the detection unit, and the lifter,
The step of separating the substrate from the holding unit without changing the rotational position of the substrate,
Stopping the suction of the substrate in the holding unit, the state of the substrate is placed on the holding unit,
The auxiliary holding unit is moved relatively to the holding unit, and the auxiliary holding unit is positioned above the holding unit from a first state in which the auxiliary holding unit is disposed below the holding unit. by changing the arranged second state, has a step of a substrate placed on said holding part is held on the auxiliary holding portion Ru is separated the substrate from the holding portion,
The step of causing the holding unit after the rotation to suck and hold the substrate again,
By moving the auxiliary holding unit relative to the holding unit and changing the state from the second state to the first state, the substrate held by the auxiliary holding unit is placed on the holding unit after rotation. Transferring , and has a step of sucking the substrate to the holding unit to which the substrate has been transferred,
Substrate alignment device.
請求項1又は2に記載の基板のアライメント装置において、
前記保持部が、前記第1接触ポイントにおいて基板を真空吸引する吸引部を備え、
前記吸引部が2以上の区画に分割された吸引口を備える、
基板のアライメント装置。
The substrate alignment apparatus according to claim 1 or 2,
The holding unit includes a suction unit that vacuum-suctions the substrate at the first contact point,
The suction unit includes a suction port divided into two or more sections,
Substrate alignment device.
a)保持部が、基板の下面の周縁領域における互いに離間した複数の第1接触ポイントにおいて前記基板を吸引して前記基板を保持する工程と、
b)前記保持部に保持された基板の特徴部を検出する工程と、
c)前記特徴部の検出結果に基づいて前記保持部を回転させて、これに保持された基板の前記特徴部が定められた方向に配置されるようにする工程と、
d)基板の前記特徴部が定められた方向に配置された後、前記基板の回転位置を変更せずに、前記保持部の回転位置を変更する工程と、
を備え、
前記保持部の回転位置を変更する工程が、
d1)基板を吸引保持している前記保持部を、所定の回転量だけ所定の方向に回転させる工程と、
d2)基板の回転位置を変更せずに、基板を前記保持部から離間させる工程と、
d3)基板から離間している前記保持部を、前記所定の回転量だけ、前記所定の方向に回転させる工程と、
d4)回転後の前記保持部に、再び基板を吸引保持させる工程と、
d5)基板を吸引保持している前記保持部を、前記所定の回転量だけ、前記所定の方向と逆の方向に回転させる工程と、
を備える基板のアライメント方法。
a) a step of holding the substrate by sucking the substrate at a plurality of first contact points spaced apart from each other in a peripheral region of a lower surface of the substrate;
b) detecting a characteristic portion of the substrate held by the holding portion;
c) rotating the holding portion based on the detection result of the feature portion so that the feature portion of the substrate held by the holding portion is arranged in a predetermined direction;
d) changing the rotational position of the holding unit without changing the rotational position of the substrate after the characteristic portion of the substrate is arranged in a predetermined direction;
With
The step of changing the rotation position of the holding unit,
d1) rotating the holding unit that holds the substrate by suction in a predetermined direction by a predetermined rotation amount;
d2) separating the substrate from the holding portion without changing the rotational position of the substrate;
d3) rotating the holding portion separated from the substrate by the predetermined rotation amount in the predetermined direction;
d4) causing the holding unit after rotation to suck and hold the substrate again;
d5) rotating the holding unit that holds the substrate by suction in the direction opposite to the predetermined direction by the predetermined rotation amount;
A substrate alignment method comprising:
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