JP6597323B2 - Ultraviolet treatment apparatus and ultraviolet treatment method - Google Patents

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Description

本発明は、紫外線をワークに照射する紫外線照射処理を行う紫外線処理装置および紫外線処理方法に関する。   The present invention relates to an ultraviolet processing apparatus and an ultraviolet processing method for performing ultraviolet irradiation processing for irradiating a workpiece with ultraviolet rays.

半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための配線基板としては、絶縁層と導電層(配線層)とが交互に積層されてなる多層配線基板が知られている。
多層配線基板の製造工程には、絶縁層が導電層の上に積層されてなる配線基板材料(以下、単に「基板」という。)に、ドリル加工やレーザ加工を施すことによって絶縁層や導電層の一部を除去し、ビアホールを形成する工程がある。このとき、形成されたビアホールの底部表面などには、絶縁層や導電層を構成する材料に起因するスミア(残渣)が生じる。このスミアが付着したままの状態でビアホール内にめっき処理を施すと、配線層間の接続不良を引き起こすため、スミアを除去するデスミア処理を行う必要がある。
ビアホールのデスミア処理方法として、従来、基板に紫外線を照射する方法が提案されている。例えば、特許文献1には、酸素やオゾンを含むガス(処理用ガス)の雰囲気下で、ビアホールが形成された基板に紫外線を照射するデスミア処理方法が開示されている。
As a wiring board for mounting a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element, a multilayer wiring board in which insulating layers and conductive layers (wiring layers) are alternately stacked is known.
In the manufacturing process of a multilayer wiring board, an insulating layer or a conductive layer is obtained by drilling or laser processing a wiring board material (hereinafter simply referred to as “substrate”) in which an insulating layer is laminated on a conductive layer. There is a step of removing a part of the hole and forming a via hole. At this time, smears (residues) caused by the materials constituting the insulating layer and the conductive layer are generated on the bottom surface of the formed via hole. If the plating process is performed in the via hole with the smear still attached, a connection failure between the wiring layers is caused. Therefore, it is necessary to perform a desmear process for removing the smear.
As a via hole desmear treatment method, a method of irradiating a substrate with ultraviolet rays has been proposed. For example, Patent Document 1 discloses a desmear treatment method in which ultraviolet rays are irradiated to a substrate on which a via hole is formed in an atmosphere of a gas (processing gas) containing oxygen or ozone.

特開2015−41728号公報JP2015-41728A

上記特許文献1に記載の技術では、紫外線を基板全体に照射している。そのため、ビアホールが形成されていない領域にまで紫外線を照射することになり、光の利用効率が低下する。また、ビアホールが形成されていない基板表面に紫外線が過剰に照射されると、基板表面において不所望のアッシングを生じてしまう場合もある。
そこで、本発明は、紫外線照射処理が必要な領域に適切に紫外線を照射し、光の利用効率を向上させることができる紫外線処理装置および紫外線処理方法を提供することを課題としている。
In the technique described in Patent Document 1, the entire substrate is irradiated with ultraviolet rays. For this reason, the region where no via hole is formed is irradiated with ultraviolet rays, and the light utilization efficiency is lowered. Further, if the substrate surface on which no via hole is formed is excessively irradiated with ultraviolet rays, undesired ashing may occur on the substrate surface.
Therefore, an object of the present invention is to provide an ultraviolet treatment apparatus and an ultraviolet treatment method that can appropriately irradiate ultraviolet rays to an area that requires ultraviolet irradiation treatment to improve the light use efficiency.

上記課題を解決するために、本発明に係る紫外線処理装置の一態様は、複数の紫外線発光素子がアレイ状に配置された光源部と、被処理物体が保持されて、酸素を含む処理気体の雰囲気中で前記光源部から発せられた紫外線が照射される処理領域を有する処理部と、前記被処理物体の設計データに基づいて、前記処理領域を特定する領域特定部と、前記複数の紫外線発光素子の出力を個別に制御し、前記領域特定部により特定された前記処理領域に紫外線を照射する光源制御部と、を備え、前記被処理物体は配線基板材料であり、前記領域特定部は、前記設計データに含まれる前記配線基板材料に形成されるビアホールの位置データに基づいて、前記配線基板材料における前記ビアホールが形成された領域を前記処理領域として特定する。
ここで、「処理気体」とは、被処理物体を処理する気体であって、紫外線が照射されることで処理能力を得る気体である。代表例としては、酸素がある。酸素に紫外線が照射されると、酸素ラジカル(活性種)やオゾンが発生する。
本発明に係る紫外線処理装置によれば、個別に出力を制御可能な複数の紫外線発光素子がアレイ状に配置された光源部を用いて、紫外線照射処理が必要な領域に適切に紫外線を照射することができるので、光の利用効率を向上させることができる。また、紫外線照射処理が必要な領域を、被処理物体の設計データ(例えば、CADデータ)に基づいて特定するので、さまざまな設計(種類)の被処理物体について、適切な紫外線照射処理が可能である。
In order to solve the above-described problems, an aspect of the ultraviolet processing apparatus according to the present invention includes a light source unit in which a plurality of ultraviolet light emitting elements are arranged in an array, an object to be processed, and a processing gas containing oxygen. A processing unit having a processing region irradiated with ultraviolet rays emitted from the light source unit in an atmosphere, a region specifying unit for specifying the processing region based on design data of the object to be processed, and the plurality of ultraviolet light emission A light source control unit that individually controls the output of the element and irradiates the processing region specified by the region specifying unit with ultraviolet rays, the object to be processed is a wiring board material, and the region specifying unit includes: Based on position data of via holes formed in the wiring board material included in the design data, an area in the wiring board material in which the via holes are formed is specified as the processing area.
Here, the “processing gas” is a gas for processing an object to be processed, and is a gas that obtains processing capability by being irradiated with ultraviolet rays. A typical example is oxygen. When oxygen is irradiated with ultraviolet rays, oxygen radicals (active species) and ozone are generated.
According to the ultraviolet ray processing apparatus of the present invention, an ultraviolet ray is appropriately irradiated to an area that requires an ultraviolet ray irradiation process using a light source unit in which a plurality of ultraviolet light emitting elements whose outputs can be individually controlled are arranged in an array. Therefore, the light use efficiency can be improved. In addition, since an area that requires ultraviolet irradiation processing is specified based on design data (for example, CAD data) of an object to be processed, appropriate ultraviolet irradiation processing is possible for objects to be processed of various designs (types). is there.

また、ビアホールが形成された領域のみを、紫外線照射処理が必要な領域として特定して紫外線を照射することができる。これにより、配線基板の製造工程においてビアホールの底部表面などに生じたスミアを除去するデスミア処理を行うことができる。また、ビアホールが形成されていない領域については、紫外線を照射しないようにすることができ、不所望なアッシングを防止することができる。 Further, only the region in which the via hole is formed can be specified as a region requiring the ultraviolet irradiation treatment and irradiated with ultraviolet rays. Thereby, the desmear process which removes the smear which arose on the bottom part surface etc. of a via hole in the manufacturing process of a wiring board can be performed. Further, the region where no via hole is formed can be prevented from being irradiated with ultraviolet rays, and undesired ashing can be prevented.

さらに、上記の紫外線処理装置において、前記ビアホールのサイズデータと前記ビアホールに対する前記紫外線の照射条件とを対応付けて記憶する記憶部と、前記設計データに含まれる前記配線基板材料に形成される前記ビアホールのサイズデータと前記記憶部に記憶された前記照射条件とに基づいて、前記領域特定部により特定された前記処理領域の前記照射条件を、前記ビアホールのサイズに応じて決定する照射条件決定部と、をさらに備え、前記光源制御部は、前記領域特定部により特定された前記処理領域に、前記照射条件決定部により決定された前記照射条件で前記紫外線を照射してもよい。
このように、ビアホールのサイズに応じて紫外線の照射条件を決定するので、1枚の配線基板材料にサイズの異なるビアホールが形成されている場合であっても、ビアホールごとに適切な紫外線照射処理を行うことができる。
Furthermore, in the ultraviolet processing apparatus, a storage unit that stores the size data of the via hole and the irradiation condition of the ultraviolet ray with respect to the via hole in association with each other, and the via hole formed in the wiring board material included in the design data An irradiation condition determining unit that determines the irradiation condition of the processing region specified by the region specifying unit according to the size of the via hole, based on the size data of and the irradiation condition stored in the storage unit The light source control unit may irradiate the ultraviolet ray to the processing region specified by the region specifying unit under the irradiation condition determined by the irradiation condition determining unit.
As described above, since the ultraviolet irradiation condition is determined according to the size of the via hole, an appropriate ultraviolet irradiation process is performed for each via hole even when via holes having different sizes are formed in one wiring board material. It can be carried out.

また、上記の紫外線処理装置において、前記ビアホールのサイズデータは、前記ビアホールの形状、径、および深さの少なくとも1つに関する情報を含んでもよい。ビアホールのサイズ(形状、径、深さ)が異なると、ビアホールに生じるスミアの量も異なるため、デスミア処理を適切に行うための紫外線の照射条件も異なる。ビアホールのサイズデータに形状、径、深さに関する情報が含まれることで、ビアホールごとに適切な紫外線照射処理を行うことができる。
さらにまた、上記の紫外線処理装置において、前記照射条件は、前記紫外線の照射強度および照射時間の少なくとも1つに関する情報を含んでもよい。この場合、ビアホールごとに紫外線の照射光量を変えることができる。したがって、照射光量が不足していることに起因するデスミア処理不足や、照射光量が過剰であることに起因する不所望なアッシングの発生を抑制することができる。
In the ultraviolet processing apparatus, the via hole size data may include information on at least one of the shape, diameter, and depth of the via hole. When the size (shape, diameter, depth) of the via hole is different, the amount of smear generated in the via hole is also different, so that the ultraviolet irradiation conditions for appropriately performing the desmear process are also different. By including information on the shape, diameter, and depth in the size data of the via hole, an appropriate ultraviolet irradiation process can be performed for each via hole.
Furthermore, in the above-described ultraviolet processing apparatus, the irradiation condition may include information on at least one of the irradiation intensity and the irradiation time of the ultraviolet light. In this case, the amount of ultraviolet irradiation can be changed for each via hole. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of insufficient desmear processing due to an insufficient amount of irradiation light and undesired ashing due to an excessive amount of irradiation light.

また、上記の紫外線処理装置において、前記被処理物体の表面に沿って前記処理気体を流す気体給排部をさらに備え、前記領域特定部は、前記気体給排部により流された前記処理気体が、前記被処理物体が保持された領域に到達する前の領域を前記処理領域として特定してもよい。この場合、紫外線が照射されて処理能力を得た処理気体を、被処理物体が保持された領域へ供給することができる。したがって、被処理物体への紫外線照射処理を効果的に行うことが可能となる。
さらに、上記の紫外線処理装置において、前記光源部と前記処理部において保持された前記被処理物体との位置合わせを行うアライメント機構をさらに備えてもよい。この場合、被処理物体の設計データに基づいて特定された処理領域に対応する紫外線発光素子を容易且つ適切に特定することができ、紫外線照射処理が必要な処理領域に対して確実に紫外線を照射することができる。
Further, in the above-described ultraviolet processing apparatus, the apparatus further includes a gas supply / exhaust unit for flowing the processing gas along the surface of the object to be processed, and the region specifying unit is configured such that the processing gas flowed by the gas supply / exhaust unit is A region before reaching the region where the object to be processed is held may be specified as the processing region. In this case, the processing gas that has been irradiated with ultraviolet rays to obtain the processing capability can be supplied to the region where the object to be processed is held. Therefore, it is possible to effectively perform the ultraviolet irradiation process on the object to be processed.
Furthermore, the ultraviolet processing apparatus may further include an alignment mechanism that aligns the light source unit and the object to be processed held in the processing unit. In this case, it is possible to easily and appropriately identify the ultraviolet light emitting element corresponding to the processing region specified based on the design data of the object to be processed, and reliably irradiate the processing region requiring the ultraviolet irradiation treatment with ultraviolet rays. can do.

また、上記の紫外線処理装置において、前記光源部が前記アライメント機構を有し、前記アライメント機構は、前記複数の紫外線発光素子と前記被処理物体との位置合わせを行ってもよい。この場合、被処理物体における紫外線照射処理が必要な処理領域に対して確実に紫外線を照射することができる。
また、本発明に係る紫外線処理方法の一態様は、被処理物体の設計データに基づいて、酸素を含む処理気体の雰囲気中で複数の紫外線発光素子がアレイ状に配置された光源部から発せられた紫外線が照射される処理領域を特定する工程と、前記複数の紫外線発光素子の出力を個別に制御し、特定された前記処理領域に紫外線を照射する工程と、を含み、前記被処理物体は配線基板材料であり、前記処理領域を特定する工程では、前記設計データに含まれる前記配線基板材料に形成されるビアホールの位置データに基づいて、前記配線基板材料における前記ビアホールが形成された領域を前記処理領域として特定する。
これにより、紫外線照射処理が必要な領域に適切に紫外線を照射することができ、光の利用効率を向上させることができる。また、紫外線照射処理が必要な領域を、被処理物体の設計データ(例えば、CADデータ)に基づいて特定するので、さまざまな設計(種類)の被処理物体について、適切な紫外線照射処理が可能である。
In the ultraviolet processing apparatus, the light source unit may include the alignment mechanism, and the alignment mechanism may align the plurality of ultraviolet light emitting elements and the object to be processed. In this case, it is possible to reliably irradiate ultraviolet rays to a processing area in the object to be processed that requires ultraviolet irradiation processing.
One embodiment of the ultraviolet treatment method according to the present invention is generated from a light source unit in which a plurality of ultraviolet light emitting elements are arranged in an array in an atmosphere of a treatment gas containing oxygen based on design data of an object to be treated. a step of ultraviolet rays to identify the processing area to be irradiated with the outputs of the plurality of ultraviolet light emitting devices individually controlled, seen including and a step of irradiating ultraviolet rays on the identified the processing area, the treated object Is a wiring board material, and in the step of specifying the processing area, the area in which the via hole is formed in the wiring board material based on the position data of the via hole formed in the wiring board material included in the design data Is specified as the processing region.
As a result, it is possible to appropriately irradiate ultraviolet rays to a region requiring ultraviolet irradiation treatment, and to improve the light utilization efficiency. In addition, since an area that requires ultraviolet irradiation processing is specified based on design data (for example, CAD data) of an object to be processed, appropriate ultraviolet irradiation processing is possible for objects to be processed of various designs (types). is there.

本発明によれば、紫外線照射処理が必要な領域に適切に紫外線を照射し、光の利用効率を向上させることができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, an ultraviolet-ray can be irradiated appropriately to the area | region which needs an ultraviolet irradiation process, and the utilization efficiency of light can be improved.

本実施形態の紫外線処理装置の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the ultraviolet-ray processing apparatus of this embodiment. 光源の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of a light source. アライメント機構の構成例である。It is a structural example of an alignment mechanism. 紫外線照射処理を説明する図である。It is a figure explaining an ultraviolet irradiation process. 制御部の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of a control part. 多層配線基板の製造プロセスの一部を示す図である。It is a figure which shows a part of manufacturing process of a multilayer wiring board.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本実施形態の紫外線処理装置100の構成例を示す図である。本実施形態では、紫外線処理装置100の一例として、例えばフォトデスミア装置への適用例について説明する。フォトデスミア装置は、ある一定温度に加熱された基板に対し、酸素を含む雰囲気下で紫外線を照射することにより、基板に形成されたビアホール内のスミアを除去する装置である。
(紫外線処理装置の構成)
図1に示すように、紫外線処理装置100は、光源部である光照射部10と、被処理物体である基板(ワーク)Wを保持する処理部20とを備える。光照射部10は、デスミア処理に必要な、例えば波長220nm以下、好ましくは波長190nm以下の紫外線(真空紫外線)を放射する光源11を内部に収納し、処理部20が保持するワークWに光源11からの紫外光を照射する。ここで、光源11が放射する紫外線の波長を220nm以下としたのは、紫外線の波長が220nmを超える場合には、樹脂などの有機物質に起因するスミアを分解除去することが困難となるためである。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of an ultraviolet ray processing apparatus 100 according to the present embodiment. In the present embodiment, as an example of the ultraviolet ray processing apparatus 100, an application example to a photodesmear apparatus will be described. A photodesmear apparatus is an apparatus that removes smear in via holes formed in a substrate by irradiating the substrate heated to a certain temperature with ultraviolet rays in an atmosphere containing oxygen.
(Configuration of UV treatment equipment)
As shown in FIG. 1, the ultraviolet ray processing apparatus 100 includes a light irradiation unit 10 that is a light source unit, and a processing unit 20 that holds a substrate (workpiece) W that is an object to be processed. The light irradiation unit 10 stores therein a light source 11 that emits ultraviolet light (vacuum ultraviolet light) necessary for desmear processing, for example, a wavelength of 220 nm or less, preferably 190 nm or less, and the work W held by the processing unit 20 has a light source 11. Irradiate ultraviolet light from Here, the reason why the wavelength of ultraviolet rays emitted from the light source 11 is set to 220 nm or less is that when the wavelength of ultraviolet rays exceeds 220 nm, it becomes difficult to decompose and remove smears caused by organic substances such as resins. is there.

光源11は、例えば上記紫外線を放射するLEDやLDなどの小型の発光素子(紫外線発光素子)を、複数縦横できるだけ密になるようにアレイ状に並べた構成を有し、複数の発光素子を選択的に点灯制御可能なものを用いることができる。図2に光源11の構成例を示す。光源11は、発光ダイオードを組み込んだ発光ブロック11(1,1)を横方向にn個、縦方向にm個密に並べた面状発光体である。並べる個数n,mは単一の素子の大きさと、所望の発光面積から決定される。光源11の大きさは、ワークWの大きさを十分に覆う大きさであってもよいし、ワークWの大きさよりも小さくてもよい。例えば、ワークWの縦横1/2ずつの大きさ(ワークの面積の1/4の大きさ)の光源を使って、ワーク全体を4回に分けて照射してもよい。光源11の発光ブロックには、個々の発光素子を点灯制御するための電源(P/S)31が接続されている。電源31は制御部40により制御され、光源11を構成する複数の発光素子の出力をそれぞれ個別に制御する。
なお、光源11は、局所的に紫外線を放射するよう点灯制御可能な構成であればよく、LEDやLDなどの小型の発光素子を並べた構成に限定されない。例えば、プラズマディスプレイパネルは、微小な多数のセルが縦横平面状に形成され、個々のセルが放電により発光するものであるが、この原理を応用した光源を用いてもよい。この場合、個々のセルが一個の発光素子に相当する。
The light source 11 has a configuration in which small light emitting elements (ultraviolet light emitting elements) such as LEDs and LDs that emit ultraviolet light are arranged in an array so as to be as dense and vertically as possible, and a plurality of light emitting elements are selected. Those that can be controlled to be turned on can be used. FIG. 2 shows a configuration example of the light source 11. The light source 11 is a planar light emitter in which n light-emitting blocks 11 (1, 1) incorporating light-emitting diodes are arranged densely in the horizontal direction and m in the vertical direction. The numbers n and m to be arranged are determined from the size of a single element and a desired light emitting area. The size of the light source 11 may be a size that sufficiently covers the size of the work W, or may be smaller than the size of the work W. For example, the entire workpiece may be irradiated in four steps by using a light source having a size of 1/2 each of the workpiece W in length and width (a size of ¼ of the area of the workpiece). A power source (P / S) 31 for lighting control of each light emitting element is connected to the light emitting block of the light source 11. The power source 31 is controlled by the control unit 40 and individually controls the outputs of the plurality of light emitting elements that constitute the light source 11.
The light source 11 is not limited to a configuration in which small light-emitting elements such as LEDs and LDs are arranged, as long as the light source 11 can be controlled so as to emit ultraviolet rays locally. For example, in a plasma display panel, a large number of minute cells are formed in a vertical and horizontal plane, and each cell emits light by discharge. However, a light source applying this principle may be used. In this case, each cell corresponds to one light emitting element.

光照射部10は、例えば紫外線を透過する石英ガラス等の窓部17を下方に有する箱型形状のケーシング12を備える。光源11は、ケーシング12の内部に光源支持体18に担持されて配置されている。ケーシング12の内部は、例えば窒素ガス等の不活性ガスが供給されることで、不活性ガス雰囲気に保たれている。光照射部10内の光源11の上方(背面)には、発光素子を冷却するための水冷配管13とチラー32とを含んで構成される冷却機構が設けられている。水冷配管13はチラー32に接続され、その内部には、例えば循環冷却水が流されている。   The light irradiation unit 10 includes a box-shaped casing 12 having a window 17 made of quartz glass or the like that transmits ultraviolet light, for example. The light source 11 is disposed on the light source support 18 inside the casing 12. The inside of the casing 12 is maintained in an inert gas atmosphere by supplying an inert gas such as nitrogen gas, for example. A cooling mechanism including a water cooling pipe 13 and a chiller 32 for cooling the light emitting element is provided above (back side) the light source 11 in the light irradiation unit 10. The water cooling pipe 13 is connected to a chiller 32, and for example, circulating cooling water is flowed through the inside.

また、光照射部10は、ワークWに形成されているアライメントマークの位置を検出するアライメントカメラ14を備え、アライメントカメラは光源11と同様に光源支持体18に担持されている。アライメントカメラ14は、少なくとも2台設けられる。アライメントカメラ14により検出されたアライメントマークの位置情報は、制御部40に送られる。
処理部20は、紫外線照射処理(デスミア処理)を行うワークWを吸着して保持するステージ21を備える。ステージ21は、光照射部10の窓部に対向して配置されている。ステージ21には、ワークWを吸着するために例えば吸着孔(不図示)が穿たれている。このステージ21は、平坦性や吸着孔の精度を確保するため、例えばアルミニウム材で形成されている。
The light irradiation unit 10 includes an alignment camera 14 that detects the position of the alignment mark formed on the workpiece W, and the alignment camera is supported on the light source support 18 in the same manner as the light source 11. At least two alignment cameras 14 are provided. The position information of the alignment mark detected by the alignment camera 14 is sent to the control unit 40.
The processing unit 20 includes a stage 21 that sucks and holds the workpiece W that performs an ultraviolet irradiation process (desmear process). The stage 21 is arranged to face the window portion of the light irradiation unit 10. For example, a suction hole (not shown) is formed in the stage 21 to suck the workpiece W. The stage 21 is made of, for example, an aluminum material in order to ensure the flatness and the accuracy of the suction holes.

ステージ21表面の外周部分には、外周溝21aが形成されている。この外周溝21aと光照射部10の窓部との間にOリング22が挟まれることで、光照射部10と処理部20とが気密に組み付けられる。
ステージ21には、ワークWが載置されて光照射部10からの紫外線が照射される処理領域をワークWごと加熱するヒータ23が組み込まれている。ヒータ23としては、例えば、シースヒータやカートリッジヒータなどの加熱機構を用いることができる。ヒータ23には、処理領域の加熱温度を所定の設定温度に制御するヒータ制御器(不図示)が接続されている。
ステージ21の一方(図1の右側)の側縁部には、デスミア処理を行うための処理用ガス(処理気体)を処理領域に供給するための給気路24が形成されている。給気路24にはバルブ33aを介してガス供給部33が接続されている。ガス供給部33の動作は、制御部40により制御される。また、ステージ21の他方(図1の左側)の側縁部には、デスミア処理後の排ガスを含む処理用ガスをステージ部21外に排気するための排気路25が形成されている。排気路25にはバルブ33bを介して不図示の排気装置が接続されている。
An outer peripheral groove 21 a is formed on the outer peripheral portion of the surface of the stage 21. Since the O-ring 22 is sandwiched between the outer peripheral groove 21a and the window portion of the light irradiation unit 10, the light irradiation unit 10 and the processing unit 20 are assembled in an airtight manner.
The stage 21 incorporates a heater 23 that heats the work area together with the work W on which the work W is placed and irradiated with ultraviolet rays from the light irradiation unit 10. As the heater 23, for example, a heating mechanism such as a sheath heater or a cartridge heater can be used. The heater 23 is connected to a heater controller (not shown) that controls the heating temperature of the processing region to a predetermined set temperature.
An air supply path 24 for supplying a processing gas (processing gas) for performing a desmear process to the processing region is formed at one side edge (right side in FIG. 1) of the stage 21. A gas supply unit 33 is connected to the air supply path 24 via a valve 33a. The operation of the gas supply unit 33 is controlled by the control unit 40. Further, an exhaust passage 25 for exhausting the processing gas including the exhaust gas after the desmear process to the outside of the stage part 21 is formed at the other side edge part of the stage 21 (left side in FIG. 1). An exhaust apparatus (not shown) is connected to the exhaust path 25 via a valve 33b.

ここで、処理用ガスとしては、例えば、酸素、オゾン、酸素とオゾンや水蒸気との混合ガス、これらのガスに不活性ガスなどを混合したガスなどが考えられる。処理用ガスは、ワークWに対して光照射部10からの紫外線が照射されている間、給気路24を通って処理領域に供給され、排気路25を通ってステージ部21外部に排出される。すなわち、処理用ガスは、光照射部10の窓部とワークWとの間の処理領域を、図1の右から左へと流れていくこととなる。すなわち、給気路24、排気路25およびガス供給部33によって、ワークWの表面に沿って処理用ガスを流す気体給排部を構成している。   Here, as the processing gas, for example, oxygen, ozone, a mixed gas of oxygen, ozone, or water vapor, a gas obtained by mixing an inert gas or the like with these gases, or the like can be considered. The processing gas is supplied to the processing region through the air supply path 24 and discharged to the outside of the stage section 21 through the exhaust path 25 while the work W is irradiated with the ultraviolet rays from the light irradiation unit 10. The That is, the processing gas flows from the right to the left in FIG. 1 through the processing region between the window of the light irradiation unit 10 and the workpiece W. That is, the air supply path 24, the exhaust path 25, and the gas supply section 33 constitute a gas supply / exhaust section that allows the processing gas to flow along the surface of the workpiece W.

また、光照射部10には、光源支持体18をX方向(図1の左右方向)、Y方向(図1の紙面垂直方向)方向、およびθ方向(XY平面に垂直なZ軸の周りの回転方向)に移動可能な光源部移動機構35がアーム36を介して取り付けられている。光源部移動機構35の動作は制御部40により制御される。
光源部移動機構35は、図3に示すように、光源支持体18をX方向に移動可能なX方向移動機構35aと、光源支持体18をY方向に移動可能なY方向移動機構35bとを含んで構成されている。また、アーム36は、X方向移動機構35aに取り付けられたアーム36aと、Y方向移動機構35bに取り付けられたアーム36bとを含んで構成されている。なお、光源部移動機構35は、X方向移動機構35aおよびY方向移動機構35bとは別に、不図示のθ方向移動機構を含んで構成されていてもよいし、X方向移動機構35aまたはY方向移動機構35bによって、光源支持体18をθ方向に回転移動させる構成であってもよい。例えば、X方向移動機構35aによって光源支持体18をθ方向に回転移動させる場合、X方向移動機構35aはX方向に延在する2本のアームを備え、その2本のアームを互いにX方向における逆方向に進退させることで、光源支持体18をθ方向に回転移動させてもよい。
Further, the light irradiator 10 is provided with a light source support 18 in the X direction (left and right direction in FIG. 1), Y direction (perpendicular to the plane of FIG. 1), and θ direction (around the Z axis perpendicular to the XY plane). A light source moving mechanism 35 that is movable in the rotation direction is attached via an arm 36. The operation of the light source unit moving mechanism 35 is controlled by the control unit 40.
As shown in FIG. 3, the light source unit moving mechanism 35 includes an X-direction moving mechanism 35a that can move the light source support 18 in the X direction and a Y-direction moving mechanism 35b that can move the light source support 18 in the Y direction. It is configured to include. The arm 36 includes an arm 36a attached to the X-direction moving mechanism 35a and an arm 36b attached to the Y-direction moving mechanism 35b. The light source unit moving mechanism 35 may include a θ-direction moving mechanism (not shown) separately from the X-direction moving mechanism 35a and the Y-direction moving mechanism 35b, or may be configured as the X-direction moving mechanism 35a or the Y-direction. The light source support 18 may be rotationally moved in the θ direction by the moving mechanism 35b. For example, when the light source support 18 is rotated in the θ direction by the X direction moving mechanism 35a, the X direction moving mechanism 35a includes two arms extending in the X direction, and the two arms are mutually connected in the X direction. The light source support 18 may be rotated in the θ direction by advancing and retracting in the reverse direction.

また、処理部20には、処理部20をZ方向(図1の上下方向)に移動可能な処理部移動機構34が取り付けられている。処理部移動機構34の動作は制御部40により制御される。処理部20が処理部移動機構34により下降すると、光照射部10と処理部20との間には隙間が形成され、この隙間を利用して、処理部20に対してワークWを出し入れすることが可能になる。デスミア処理を行う際には、処理部20は処理部移動機構34により上昇され、Oリング22が光照射部10の窓部と接触する。これにより処理部20の、ワークWを載置したステージ21上の空間が密閉される。   The processing unit 20 is provided with a processing unit moving mechanism 34 that can move the processing unit 20 in the Z direction (vertical direction in FIG. 1). The operation of the processing unit moving mechanism 34 is controlled by the control unit 40. When the processing unit 20 is lowered by the processing unit moving mechanism 34, a gap is formed between the light irradiation unit 10 and the processing unit 20, and the workpiece W is taken in and out of the processing unit 20 using this gap. Is possible. When performing the desmear process, the processing unit 20 is raised by the processing unit moving mechanism 34, and the O-ring 22 comes into contact with the window unit of the light irradiation unit 10. Thereby, the space of the processing unit 20 on the stage 21 on which the workpiece W is placed is sealed.

(基板構造)
本実施形態において、紫外線処理装置100の処理対象であるワークWは、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための多層配線基板を製造する途中の中間的な配線基板材料である。多層配線基板は、例えばコア基板上に導電層(配線層)と絶縁層とを積層してなる。コア基板は、例えばガラスエポキシ樹脂などによって構成することができる。導電層(配線層)を構成する材料としては、例えば、銅、ニッケル、金などを用いることができる。
絶縁層は、例えば無機物質よりなる粒状フィラーが含有された樹脂などによって構成することができる。このような樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などを用いることができる。また、粒状フィラーを構成する材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、マイカ、珪酸塩、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、酸化チタンなどを用いることができる。
(Substrate structure)
In the present embodiment, the workpiece W that is a processing target of the ultraviolet ray processing apparatus 100 is an intermediate wiring board material in the middle of manufacturing a multilayer wiring board for mounting a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element. The multilayer wiring board is formed, for example, by laminating a conductive layer (wiring layer) and an insulating layer on a core substrate. The core substrate can be made of, for example, glass epoxy resin. As a material constituting the conductive layer (wiring layer), for example, copper, nickel, gold or the like can be used.
The insulating layer can be made of, for example, a resin containing a particulate filler made of an inorganic substance. As such a resin, for example, an epoxy resin, a bismaleimide triazine resin, a polyimide resin, a polyester resin, or the like can be used. Moreover, as a material which comprises a granular filler, a silica, an alumina, mica, a silicate, barium sulfate, magnesium hydroxide, a titanium oxide etc. can be used, for example.

多層配線基板においては、一の配線層と他の配線層とを電気的に接続するため、1つのもしくは複数の絶縁層を厚み方向に貫通して伸びるビアホールが形成される。多層配線基板の製造工程においては、図4に示すように、絶縁層61と配線層62とが積層されてなる配線基板材料に、例えばレーザ加工を施して絶縁層61の一部を除去することにより、ビアホールVHが形成される。レーザ加工の方法としては、CO2レーザを用いる方法や、UVレーザを用いる方法などを利用することができる。なお、ビアホールVHを形成する方法は、レーザ加工に限定されるものではなく、例えばドリル加工などを用いてもよい。 In a multilayer wiring board, a via hole extending through one or a plurality of insulating layers in the thickness direction is formed in order to electrically connect one wiring layer and another wiring layer. In the manufacturing process of the multilayer wiring board, as shown in FIG. 4, a part of the insulating layer 61 is removed by, for example, laser processing the wiring board material in which the insulating layer 61 and the wiring layer 62 are laminated. As a result, a via hole VH is formed. As a laser processing method, a method using a CO 2 laser, a method using a UV laser, or the like can be used. Note that the method of forming the via hole VH is not limited to laser processing, and for example, drill processing may be used.

このようにしてビアホールVHを形成すると、ビアホールVHの底部や内壁面(サイドウォール)の表面、絶縁層61の表面におけるビアホールVHの周辺領域には、絶縁層61や配線層62を構成する材料に起因するスミア(残渣)Sが付着する。このスミアSが付着したままの状態でビアホールVH内にメッキ処理を施すと、配線層間の接続不良を引き起こすことがある。このため、ビアホールVHが形成された配線基板材料(ワークW)に対して、ビアホールVHに付着したスミアSを除去するデスミア処理が行われる。
ワークWが図1に示すステージ21上に載置される際には、ビアホールVHの開口が光照射部10に向くように、即ちスミアSに光源11からの紫外線が照射されるように載置される。そして、本実施形態では、制御部40により光源11を構成する複数の発光素子を個別に点灯制御し、図4に示すように、ビアホールVHが形成されている領域のみに紫外線UVを照射することでスミアSを除去する。
When the via hole VH is formed in this way, the material constituting the insulating layer 61 and the wiring layer 62 is formed in the bottom region of the via hole VH, the surface of the inner wall surface (side wall), and the peripheral region of the via hole VH on the surface of the insulating layer 61. The resulting smear (residue) S adheres. If the plating process is performed in the via hole VH with the smear S still adhered, connection failure between wiring layers may be caused. Therefore, a desmear process for removing smear S attached to the via hole VH is performed on the wiring board material (work W) in which the via hole VH is formed.
When the workpiece W is placed on the stage 21 shown in FIG. 1, the workpiece W is placed so that the opening of the via hole VH faces the light irradiation unit 10, that is, the smear S is irradiated with ultraviolet rays from the light source 11. Is done. In the present embodiment, the control unit 40 individually controls the lighting of the plurality of light emitting elements constituting the light source 11, and irradiates only the region where the via hole VH is formed with ultraviolet UV as shown in FIG. To remove smear S.

(制御部の構成)
図1に示すように、制御部40は、紫外線処理装置100が設置される工場等の総合システム管理部200に接続されている。制御部40は、総合システム管理部200から、ワークWの設計データ(例えば、CAD/CAMデータ)を入力する。なお、この設計データの中には、ワークWに形成するビアホールの位置データやサイズデータも含まれている。また、この設計データは、他の装置、例えばビアホールを形成するレーザ加工装置にも送られ、ワークWにビアホールを形成するためにも使用される。
図5は、制御部40の具体的構成を示すブロック図である。
制御部40は、設計データ入力部41、データ変換部42、光量入力部43、記憶部44、比較演算部45および光源点灯制御部46を備える。設計データ入力部41は、総合システム管理部200からのワークWの設計データを入力し、入力した設計データをデータ変換部42に出力する。データ変換部42は、設計データ入力部41から入力した設計データに基づいて、ビアホールが形成されている位置データを紫外線照射位置データに変換し、変換した紫外線照射位置データを光源点灯制御部46に出力する。また、データ変換部42は、設計データ入力部41から入力した設計データに含まれるビアホールのサイズデータを比較演算部45に出力する。
(Configuration of control unit)
As shown in FIG. 1, the control unit 40 is connected to an integrated system management unit 200 such as a factory where the ultraviolet ray processing apparatus 100 is installed. The control unit 40 receives design data (for example, CAD / CAM data) of the work W from the integrated system management unit 200. The design data includes position data and size data of via holes formed in the workpiece W. The design data is also sent to another apparatus, for example, a laser processing apparatus that forms a via hole, and is used to form a via hole in the workpiece W.
FIG. 5 is a block diagram illustrating a specific configuration of the control unit 40.
The control unit 40 includes a design data input unit 41, a data conversion unit 42, a light amount input unit 43, a storage unit 44, a comparison calculation unit 45, and a light source lighting control unit 46. The design data input unit 41 inputs the design data of the work W from the integrated system management unit 200 and outputs the input design data to the data conversion unit 42. Based on the design data input from the design data input unit 41, the data conversion unit 42 converts the position data where the via hole is formed into ultraviolet irradiation position data, and the converted ultraviolet irradiation position data is sent to the light source lighting control unit 46. Output. The data conversion unit 42 outputs via hole size data included in the design data input from the design data input unit 41 to the comparison calculation unit 45.

光量入力部43は、紫外線処理装置100の使用者が入力したビアホールのサイズデータと光量データとを入力し、これらを対応付けて記憶部44に記憶する。ここで、ビアホールのサイズデータは、ビアホールの形状(アスペクト比)や径、深さに関するデータを含む。また、光量データは、紫外線の照射条件を示すデータであり、紫外線の照射強度や照射時間を含む。この光量データは、予め実験等により求める。なお、ビアホールのサイズデータと光量データとの組は、図5の実線に示すように使用者が制御部40に直接入力してもよいし、図5の破線に示すように総合システム管理部200を介して入力してもよい。   The light amount input unit 43 inputs via hole size data and light amount data input by the user of the ultraviolet processing apparatus 100, and stores them in the storage unit 44 in association with each other. Here, the size data of the via hole includes data on the shape (aspect ratio), diameter, and depth of the via hole. The light amount data is data indicating the irradiation conditions of ultraviolet rays, and includes the irradiation intensity and irradiation time of ultraviolet rays. This light quantity data is obtained in advance through experiments or the like. The set of the via hole size data and the light amount data may be directly input by the user to the control unit 40 as indicated by the solid line in FIG. 5, or the total system management unit 200 as indicated by the broken line in FIG. You may input via.

比較演算部45は、記憶部44を参照し、データ変換部42から入力したビアホールのサイズデータに対応する光量データを取得する。そして、比較演算部45は、取得した光量データを光源点灯制御部46に出力する。
光源点灯制御部46は、データ変換部42から入力した紫外線照射位置データに基づいて、対応する位置の光源11の発光素子を点灯させる。このとき、光源点灯制御部46は、比較演算部45から入力した光量データ(照射強度、照射時間)に基づいて光源11から照射する光量を制御する。これにより、ワークW上のビアホールが形成された領域にのみ、ビアホールのサイズに応じた光量の紫外線が照射され、デスミア処理される。
なお、図5において、設計データ入力部41およびデータ変換部42が、処理部20において紫外線が照射される処理領域を特定する領域特定部に対応し、比較演算部45が、ビアホールのサイズに応じて照射条件を決定する照射条件決定部に対応し、光源点灯制御部46および電源31が、複数の紫外線発光素子の出力を個別に制御し、処理領域に紫外線を照射する光源制御部に対応している。
The comparison calculation unit 45 refers to the storage unit 44 and acquires light amount data corresponding to the via hole size data input from the data conversion unit 42. Then, the comparison calculation unit 45 outputs the acquired light amount data to the light source lighting control unit 46.
The light source lighting control unit 46 turns on the light emitting element of the light source 11 at the corresponding position based on the ultraviolet irradiation position data input from the data conversion unit 42. At this time, the light source lighting control unit 46 controls the amount of light emitted from the light source 11 based on the light amount data (irradiation intensity, irradiation time) input from the comparison calculation unit 45. Thereby, only the area | region in which the via hole was formed on the workpiece | work W is irradiated with the ultraviolet-ray of the light quantity according to the size of a via hole, and a desmear process is carried out.
In FIG. 5, the design data input unit 41 and the data conversion unit 42 correspond to a region specifying unit that specifies a processing region irradiated with ultraviolet rays in the processing unit 20, and the comparison calculation unit 45 corresponds to the size of the via hole. The light source lighting control unit 46 and the power supply 31 individually control the outputs of the plurality of ultraviolet light emitting elements and correspond to the light source control unit that irradiates the processing region with ultraviolet rays. ing.

(製造プロセス)
図6は、多層配線基板の製造プロセスの一部を示す図である。
紫外線処理装置100は、レーザ加工装置によりレーザビア加工を施した配線基板材料(ワークW)に対して、デスミア処理を行う。ここで、レーザビア加工は、総合システム管理部200が備えるCADデータストレージ201が保持する設計データ(CAD/CAMデータ)に基づいて行われる。レーザビア加工が施されたワークWは、紫外線処理装置100へ搬送される。このとき、紫外線処理装置100の処理部20は、処理部移動機構34により下降した状態となっている。そして、処理部20の外から、ワークWが処理部20の中に搬送され、ステージ21の上に載せられる。ワークWは、真空吸着などによりステージ21に保持される。また、このとき総合システム管理部200は、紫外線処理装置100の制御部40に対して、デスミア処理するワークWの設計データ(CAD/CAMデータ)を送信する。
(Manufacturing process)
FIG. 6 is a diagram showing a part of the manufacturing process of the multilayer wiring board.
The ultraviolet ray processing apparatus 100 performs a desmear process on the wiring board material (work W) subjected to laser via processing by the laser processing apparatus. Here, the laser via processing is performed based on design data (CAD / CAM data) held in the CAD data storage 201 included in the integrated system management unit 200. The workpiece W that has been subjected to laser via processing is conveyed to the ultraviolet processing apparatus 100. At this time, the processing unit 20 of the ultraviolet processing apparatus 100 is lowered by the processing unit moving mechanism 34. Then, the workpiece W is transferred from the outside of the processing unit 20 into the processing unit 20 and placed on the stage 21. The workpiece W is held on the stage 21 by vacuum suction or the like. At this time, the integrated system management unit 200 transmits design data (CAD / CAM data) of the workpiece W to be desmeared to the control unit 40 of the ultraviolet ray processing apparatus 100.

ワークWがステージ21上に載置されると、ステージ21に接続された真空ポンプが動作し、ワークWが吸着され、ステージ21上で固定される。処理部20は処理部移動機構34により上昇し、Oリング22が光照射部10の下面と接触して処理部20の空間は密閉される。すると、制御部40は、ガス供給部33を動作させ、処理部20の内部に処理用ガスを供給する。
処理用ガスの供給は連続でも断続でもよい。樹脂の酸化分解に必要な量が供給されれば、酸化剤不足のために分解反応が低下することはない。
When the workpiece W is placed on the stage 21, the vacuum pump connected to the stage 21 operates, and the workpiece W is sucked and fixed on the stage 21. The processing unit 20 is raised by the processing unit moving mechanism 34, and the O-ring 22 comes into contact with the lower surface of the light irradiation unit 10 to seal the space of the processing unit 20. Then, the control unit 40 operates the gas supply unit 33 to supply the processing gas into the processing unit 20.
The supply of the processing gas may be continuous or intermittent. If the amount necessary for the oxidative decomposition of the resin is supplied, the decomposition reaction will not be reduced due to the lack of oxidizing agent.

次に、図3に示す光源支持体18に設けられたアライメントカメラ14a〜14dは、ワークWに形成されているアライメントマークMa〜Mdをそれぞれ検出し、検出したアライメントカメラ14a〜14dの位置情報を制御部40に送信する。制御部40は、アライメントカメラ14a〜14dから取得したワークWのアライメントマークMa〜Mdの位置情報に基づき、光源11の位置とワークWの位置とが合うように、移動信号を光源部移動機構35に送信する。この移動信号に基づき、光源部移動機構35は、光源支持体18をXYθ方向に移動させる。なお、制御部40には、光源11の各発光素子の位置情報が記憶されているものとする。アライメントカメラ14a〜14dおよび光源部移動機構35によって、アライメント機構を構成している。
なお、本実施形態の紫外線照射装置100では、供給ガスを密閉させるため、ステージ21にシール機構が必要であり、シール部が窓部17に接触した後は、ステージ21を動かすことはできない。ステージ21を動かすと、シール材が変形して供給ガスがリークしてしまうためである。
Next, the alignment cameras 14a to 14d provided on the light source support 18 shown in FIG. 3 detect the alignment marks Ma to Md formed on the workpiece W, respectively, and position information of the detected alignment cameras 14a to 14d is detected. It transmits to the control part 40. Based on the positional information of the alignment marks Ma to Md of the workpiece W acquired from the alignment cameras 14a to 14d, the control unit 40 sends a movement signal to the light source unit moving mechanism 35 so that the position of the light source 11 matches the position of the workpiece W. Send to. Based on this movement signal, the light source unit moving mechanism 35 moves the light source support 18 in the XYθ directions. In addition, the control part 40 shall memorize | store the positional information on each light emitting element of the light source 11. FIG. The alignment cameras 14a to 14d and the light source unit moving mechanism 35 constitute an alignment mechanism.
In the ultraviolet irradiation device 100 of the present embodiment, a sealing mechanism is necessary for the stage 21 in order to seal the supply gas, and the stage 21 cannot be moved after the sealing portion comes into contact with the window portion 17. This is because when the stage 21 is moved, the sealing material is deformed and the supply gas leaks.

(点灯させる光源ブロックの位置データ)
ワークWと光源11との位置合せが終了すると、次いで、制御部40は、光源11を点灯させデスミア処理を開始する。具体的には、制御部40は、図5の設計データ入力部41において取り込んだワークWの設計データを、データ変換部42に送る。上述したように、設計データの中には、ビアホールがワークWのどの位置に形成されているのかを示すビアホールの位置データが含まれている。データ変換部42は、ビアホールの設計データからビアホールの位置データを抜き出し、ビアホールの形成位置が、光源11を構成する個々の発光素子のどの位置に相当するかという、紫外線照射位置データに変換する。紫外線照射位置データは光源点灯制御部46に送られる。
(Position data of the light source block to be lit)
When the alignment between the workpiece W and the light source 11 is completed, the control unit 40 then turns on the light source 11 and starts desmear processing. Specifically, the control unit 40 sends the design data of the workpiece W captured by the design data input unit 41 in FIG. 5 to the data conversion unit 42. As described above, the design data includes the position data of the via hole indicating where the via hole is formed in the work W. The data converter 42 extracts via hole position data from the via hole design data, and converts the via hole position data into ultraviolet irradiation position data indicating which position of the individual light emitting elements constituting the light source 11 corresponds to. The ultraviolet irradiation position data is sent to the light source lighting control unit 46.

(点灯させる光源ブロックの光量データ)
また、データ変換部42は、ビアホールの設計データからビアホールのサイズデータを抜き出し、抜き出したサイズデータを比較演算部45に送る。比較演算部45は、ビアホールのサイズデータをもとに、それに紐付けされた光量データを記憶部44から呼び出す。そして、呼び出したビアホールのサイズに応じた光量データを光源点灯制御部46に送る。
具体的に説明すると、基本ビアサイズに対応する必要光量データは、予め実験により求めることができる。
(Light intensity data of the light source block to be lit)
The data converter 42 extracts via hole size data from the via hole design data, and sends the extracted size data to the comparison operation unit 45. Based on the size data of the via hole, the comparison calculation unit 45 calls the light amount data associated therewith from the storage unit 44. Then, light amount data corresponding to the size of the called via hole is sent to the light source lighting control unit 46.
More specifically, the necessary light amount data corresponding to the basic via size can be obtained in advance by experiments.

例えば、レーザ加工装置によって開口された口径100μmのブラインドビアホールを有する25μmの絶縁フィルムが形成されたガラスエポキシ基板に、ワーク面照度(ビア底ではなく、ビアのトップ面)100mW/cmの紫外線を適宜時間照射し、スミアを分解する。そして、ビア底の銅面が見えるまで紫外線を照射し、スミアの残留をSEM/EDX(走査型電子顕微鏡/エネルギー分散型X線分光法)を用いて目視確認する(Cu面が現れるのでよくわかる。)。この方法により、EDXは開口100μm程度のビアの中央部は精度良く元素の定量分析ができる。理由は電子ビーム、特性X線の検出器に対して、ビアの開口径が十分大きいからである。ビア底のC(カーボン量)を定量分析すると、銅に対するカーボン量は少なくなり、あるところでサチレーションする。この照射量を予め実験で求めておく。
ビアの底のエッジのスミア量を計測することは極めて難しいが、中央部の分析値をもとに算出することができる。例えば、開口径100μmのブラインドビアホールにおいて、ビア底の中央のスミアを除去するために100秒の照射が必要であるとする場合、表1をもとに、ビア底のエッジ部の必要時間は 85/57=1.49倍の時間、すなわち149秒の時間が必要であることがわかる。
For example, a glass epoxy substrate on which a 25 μm insulating film having a blind via hole having a diameter of 100 μm opened by a laser processing apparatus is formed is irradiated with ultraviolet rays having a work surface illuminance (not the bottom of the via but the top surface of the via) of 100 mW / cm 2 . Irradiate for an appropriate time to decompose smear. Then, ultraviolet rays are irradiated until the copper surface at the bottom of the via is visible, and the residual smear is visually confirmed using SEM / EDX (scanning electron microscope / energy dispersive X-ray spectroscopy) (a Cu surface appears so that it can be understood well). .) By this method, EDX can quantitatively analyze the element with high accuracy in the central portion of the via having an opening of about 100 μm. The reason is that the opening diameter of the via is sufficiently large for the electron beam and characteristic X-ray detectors. When C (carbon amount) at the bottom of the via is quantitatively analyzed, the amount of carbon relative to copper decreases, and saturation occurs at a certain point. This irradiation amount is obtained in advance by experiments.
It is extremely difficult to measure the amount of smear at the bottom edge of the via, but it can be calculated based on the analysis value at the center. For example, in the case of a blind via hole having an opening diameter of 100 μm, when it is necessary to irradiate 100 seconds to remove smear at the center of the via bottom, the time required for the edge portion of the via bottom is 85 based on Table 1. It can be seen that /57=1.49 times as long, that is, 149 seconds.

Figure 0006597323
Figure 0006597323

なお、表1の数値は、基板表面照度を100%としている。
上記表1のとおり、ビアの開口径が小さくなると到達率が低くなるため、照射時間は長くなる。
このように、光源点灯制御部46は、ワークWに形成されているビアホールに対応する位置の発光素子を、当該ビアホールのサイズに応じた光量(照射強度、照射時間)の条件で点灯させる信号を電源31に送る。電源31は、光源点灯制御部46から送信された信号に基づいて、ビアホールが形成された位置の上にある発光素子のみを点灯する。
これにより、ワークWのビアホールが形成されている領域にのみ紫外線が照射されデスミア処理がなされる。ワークWのデスミア処理が終了すると、制御部40は、電源31を制御して光源11の紫外線照射を停止すると共に、ガス供給部33を制御して処理部20への処理用ガスの供給を停止する。次に、制御部40は、処理部移動機構34により処理部20を下降する。デスミア処理後のワークWは、ステージ21上から取り除かれて処理部20の外に搬出される。
In addition, the numerical value of Table 1 makes substrate surface illumination intensity 100%.
As shown in Table 1, since the arrival rate decreases as the via opening diameter decreases, the irradiation time increases.
In this manner, the light source lighting control unit 46 outputs a signal for lighting the light emitting element at the position corresponding to the via hole formed in the workpiece W under the condition of the light amount (irradiation intensity, irradiation time) according to the size of the via hole. Send to power supply 31. Based on the signal transmitted from the light source lighting control unit 46, the power supply 31 lights only the light emitting elements above the position where the via hole is formed.
Thereby, ultraviolet rays are irradiated only to the area | region in which the via hole of the workpiece | work W is formed, and a desmear process is made. When the desmear process of the workpiece W is completed, the control unit 40 controls the power supply 31 to stop the ultraviolet irradiation of the light source 11 and also controls the gas supply unit 33 to stop the supply of the processing gas to the processing unit 20. To do. Next, the control unit 40 lowers the processing unit 20 by the processing unit moving mechanism 34. The workpiece W after the desmear process is removed from the stage 21 and carried out of the processing unit 20.

デスミア処理後のワークWは、超音波洗浄装置へ搬送され、物理的振動処理として超音波振動処理(超音波洗浄(US洗浄)処理)が施される。超音波振動処理における超音波の周波数は、例えば20kHz以上70kHz以下であることが好ましい。超音波の周波数が70kHzを超えると、無機物質に起因するスミアを破壊して配線基板材料から離脱させることが困難となるためである。
このような超音波振動処理においては、超音波の振動媒体として、水などの液体および空気などの気体を用いることができる。
具体的に説明すると、振動媒体として水を用いる場合には、配線基板材料を、例えば水中に浸漬し、この状態で、当該水を超音波振動させることにより、超音波振動処理を行うことができる。超音波の振動媒体として液体を用いる場合には、超音波振動処理の処理時間は、例えば10秒間〜600秒間である。
The work W after the desmear process is conveyed to an ultrasonic cleaning apparatus, and subjected to an ultrasonic vibration process (ultrasonic cleaning (US cleaning) process) as a physical vibration process. The frequency of ultrasonic waves in the ultrasonic vibration treatment is preferably 20 kHz or more and 70 kHz or less, for example. This is because if the frequency of the ultrasonic wave exceeds 70 kHz, it is difficult to break off smears caused by inorganic substances and remove them from the wiring board material.
In such ultrasonic vibration processing, a liquid such as water and a gas such as air can be used as the ultrasonic vibration medium.
More specifically, when water is used as the vibration medium, the ultrasonic vibration treatment can be performed by immersing the wiring board material in, for example, water and ultrasonically vibrating the water in this state. . When a liquid is used as the ultrasonic vibration medium, the processing time of the ultrasonic vibration processing is, for example, 10 seconds to 600 seconds.

また、振動媒体として空気を用いる場合には、圧縮空気を超音波振動させながら配線基板材料に吹きつけることにより、超音波振動処理を行うことができる。ここで、圧縮空気の圧力は、例えば0.2MPa以上であることが好ましい。また、圧縮空気による超音波振動処理の処理時間は、例えば5秒間〜60秒間である。
上記の紫外線照射処理工程および物理的振動処理工程は、この順でそれぞれ1回ずつ行ってもよいが、紫外線照射処理工程および物理的振動処理工程を交互に繰り返して行うことが好ましい。ここで、紫外線照射処理工程および物理的振動処理工程の繰り返し回数は、各紫外線照射処理工程における紫外線の照射時間などを考慮して適宜設定されるが、例えば1回〜5回である。
When air is used as the vibration medium, ultrasonic vibration treatment can be performed by spraying compressed air on the wiring board material while ultrasonically vibrating the compressed air. Here, it is preferable that the pressure of compressed air is 0.2 Mpa or more, for example. Moreover, the processing time of the ultrasonic vibration processing by compressed air is, for example, 5 seconds to 60 seconds.
The ultraviolet irradiation treatment process and the physical vibration treatment process may be performed once in this order, but the ultraviolet irradiation treatment process and the physical vibration treatment process are preferably performed alternately. Here, the number of repetitions of the ultraviolet irradiation treatment step and the physical vibration treatment step is appropriately set in consideration of the ultraviolet irradiation time in each ultraviolet irradiation treatment step, and is, for example, 1 to 5 times.

以上のように、紫外線照射処理において波長220nm以下の紫外線を、酸素を含む処理気体に照射することによりオゾンや活性酸素が生じ、有機物質に起因するスミアSは、オゾンや活性酸素によって分解されてガス化される。その結果、有機物質に起因するスミアSは、その大部分が除去される。このとき、無機物質に起因するスミアSは、有機物質に起因するスミアSの除去により露出し、さらに、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。   As described above, ozone and active oxygen are generated by irradiating a treatment gas containing oxygen with ultraviolet light having a wavelength of 220 nm or less in the ultraviolet irradiation treatment, and the smear S caused by the organic substance is decomposed by ozone or active oxygen. Gasified. As a result, most of the smear S caused by the organic substance is removed. At this time, the smear S caused by the inorganic substance is exposed by removing the smear S caused by the organic substance, and further becomes brittle when irradiated with ultraviolet rays.

そして、その状態で物理的振動処理を施すことにより、露出した無機物質に起因するスミアSや有機物質に起因するスミアSの残部は、振動による機械的作用によって破壊され、除去される。或いは、無機物質に起因するスミアSの収縮や、各スミアSに紫外線を照射したときに発生する熱膨張の差などによって、スミア間にわずかな隙間が生じ、無機物質に起因するスミアSは、物理的振動処理を施すことにより配線基板材料から離脱する。その結果、配線基板材料から無機物質に起因するスミアSと、有機物質に起因するスミアSとが完全に除去される。
このように、紫外線照射処理と物理的振動処理とを行うフォトデスミア処理によれば、廃液処理が必要となる薬品を用いずにデスミア処理することができる。なお、フォトデスミア処理に関する処理情報は、総合システム管理部200が備える照射データストレージ202に記憶される。
By applying physical vibration treatment in this state, the smear S caused by the exposed inorganic substance and the remaining part of the smear S caused by the organic substance are destroyed and removed by the mechanical action due to the vibration. Alternatively, a slight gap is generated between smears due to the shrinkage of smears S caused by inorganic substances and the difference in thermal expansion that occurs when each smear S is irradiated with ultraviolet rays. The substrate is separated from the wiring board material by a physical vibration treatment. As a result, the smear S caused by the inorganic substance and the smear S caused by the organic substance are completely removed from the wiring board material.
Thus, according to the photo desmear process which performs an ultraviolet irradiation process and a physical vibration process, a desmear process can be performed without using the chemical | medical agent which requires a waste liquid process. Note that processing information related to the photo desmear process is stored in the irradiation data storage 202 provided in the integrated system management unit 200.

フォトデスミア処理が完了すると、必要に応じてマスクピーラー装置による保護膜を除去する処理が行われ、その後、ワークW表面にシード層を形成する処理が行われる。その後は、シード層の上にレジストが塗布された後、露光処理、現像処理を経て、シード層の上にレジストパターンが形成される。そして、ビアホール内からレジストパターンの開口部にかけて、めっき層が形成された後、レジストが剥離され、めっき層をマスクにしてシード層が除去(シードエッチング)される。
以上のように、本実施形態における紫外線処理装置100は、比較的小さく、独立して点灯と消灯との切替制御が可能な発光素子をマトリクス状に並べた光源11により、紫外線照射処理が必要な箇所に、必要な光量(強度、時間)だけ紫外線を照射することができる。
When the photo desmear process is completed, a process of removing the protective film by a mask peeler device is performed as necessary, and then a process of forming a seed layer on the surface of the workpiece W is performed. Thereafter, after a resist is applied on the seed layer, a resist pattern is formed on the seed layer through an exposure process and a development process. Then, after the plating layer is formed from the via hole to the opening of the resist pattern, the resist is peeled off, and the seed layer is removed (seed etching) using the plating layer as a mask.
As described above, the ultraviolet ray processing apparatus 100 according to the present embodiment is relatively small and requires ultraviolet ray irradiation processing by the light source 11 in which the light emitting elements that can be switched on and off independently are arranged in a matrix. Only a necessary amount of light (intensity, time) can be irradiated to the spot.

一方、光源としてエキシマランプのような紫外線ランプを用いた紫外線処理装置(デスミア処理装置)では、ビアホールが形成された基板全体に紫外線を照射することが想定されている。デスミア処理装置において、紫外線を基板全体に照射する理由は次の通りである。基板には、ビアホールが形成されている領域と形成されていない領域とがあり、それらの領域の位置は、基板に形成する回路パターンの設計により異なる。紫外線を基板全体に照射するようにしておけば、ビアホールが形成されている領域がどのような位置にあっても処理ができる。つまり、さまざまな設計(種類)の基板について、デスミア処理を行うことができる。   On the other hand, in an ultraviolet processing apparatus (desmear processing apparatus) using an ultraviolet lamp such as an excimer lamp as a light source, it is assumed that the entire substrate on which via holes are formed is irradiated with ultraviolet rays. The reason for irradiating the entire substrate with ultraviolet rays in the desmear processing apparatus is as follows. The substrate has a region where a via hole is formed and a region where a via hole is not formed. The positions of these regions differ depending on the design of a circuit pattern formed on the substrate. If the entire substrate is irradiated with ultraviolet rays, processing can be performed regardless of the position of the region where the via hole is formed. That is, the desmear process can be performed on substrates of various designs (types).

しかしながら、基板全体に光を照射する方法については、次のような問題が考えられる。基板上のビアホールが形成されていない領域には、本来、紫外線の照射は不要である。そのため、デスミア処理装置において、基板全体に紫外線を照射する構成にすると、ビアホールが形成されていない領域にまで紫外線を照射することになり、光の利用効率が低下する。特に、近年、基板は大型化しており、大型の基板でビアホールの形成されている領域の面積が小さい場合、光の利用効率は著しく低下する。さらに、ビアホールが形成されていない領域に紫外線が過剰に照射されると、その表面において不所望のアッシングを生じてしまう場合がある。   However, the following problems can be considered with respect to the method of irradiating the entire substrate with light. Originally, it is not necessary to irradiate ultraviolet rays in a region where a via hole is not formed on the substrate. Therefore, if the desmear processing apparatus is configured to irradiate the entire substrate with ultraviolet rays, the region where no via holes are formed is irradiated with ultraviolet rays, and the light utilization efficiency decreases. In particular, in recent years, the size of substrates has increased, and when the area of a region where via holes are formed in a large substrate is small, the light utilization efficiency is significantly reduced. Furthermore, if the region where no via hole is formed is excessively irradiated with ultraviolet rays, undesired ashing may occur on the surface.

また、一枚の基板に形成されるビアホールのサイズ(形状、径、深さ)は、一種類ではなく多種類に及ぶ場合がある。ビアホールのサイズが異なると、ビアホールに生じるスミアの量も異なるため、デスミア処理を適切に行うための処理条件(紫外線の照射光量)も異なることになる。しかしながら、基板全体に一様に紫外線を照射する構成の場合、基板の場所によって処理条件を変化させることは困難である。このように一枚の基板に複数のサイズのビアホールが存在する場合、処理不足のビアホールが残らないように、処理に必要な光量が最も多いビアホールに処理条件を合わせて基板全体を照射することになる。そのため、必ず紫外線の照射量が過剰になる領域が生じてしまう。   In addition, the size (shape, diameter, depth) of via holes formed in one substrate may vary from one type to many. If the size of the via hole is different, the amount of smear generated in the via hole is also different, so that the processing conditions (the amount of irradiated ultraviolet light) for appropriately performing the desmear process are also different. However, in the case of a configuration in which the entire substrate is irradiated with ultraviolet rays, it is difficult to change processing conditions depending on the location of the substrate. In this way, when there are multiple sizes of via holes on a single substrate, the entire substrate is irradiated by adjusting the processing conditions to the via hole with the largest amount of light necessary for processing so that there is no remaining under-processed via hole. Become. For this reason, an area in which the amount of UV irradiation is always excessive is generated.

これに対して、本実施形態では、紫外線処理装置100は、ビアホールが形成された領域にのみ紫外線を照射することができるので、光の利用効率を上げることができる。その結果、光源11の寿命を延ばすことができる。また、紫外線処理装置100は、ビアホールが形成されていない領域には紫外線を照射しないようにすることができるので、不所望のアッシングを防ぐことができる。
一般的な露光装置の場合、光学系が固定されている。そして、マスクパターンを使用してワーク上に露光部、非露光部を作っておき、光をシャッターで遮り、ワークを移動させた後、シャッターを開け露光する。次にシャッターを閉じてワークの次の露光エリアに合わさるようにステージを移動させる。次にシャッターを開けて・・・という動作を順次繰り返して露光する。露光から露光までの時間は、光源は点灯動作しており、また、光の制御はマスクで遮蔽しているだけなので、実際にレジストの露光に使用される光はごく僅かである。つまり、ワークには必要な箇所にのみ光を当てることができるが、不必要な箇所にも光のパワーが使われてしまう。
On the other hand, in the present embodiment, the ultraviolet ray processing apparatus 100 can irradiate ultraviolet rays only to the region where the via hole is formed, so that the light utilization efficiency can be increased. As a result, the lifetime of the light source 11 can be extended. Moreover, since the ultraviolet-ray processing apparatus 100 can prevent an ultraviolet-ray being irradiated to the area | region in which the via hole is not formed, it can prevent undesired ashing.
In the case of a general exposure apparatus, the optical system is fixed. Then, an exposure part and a non-exposure part are formed on the work using a mask pattern, light is blocked by a shutter, the work is moved, and then the shutter is opened to perform exposure. Next, the shutter is closed and the stage is moved so as to be aligned with the next exposure area of the workpiece. Next, the operation of opening the shutter is repeated in order to perform exposure. During the period from exposure to exposure, the light source is turned on, and light control is only blocked by a mask, so that only a very small amount of light is actually used for resist exposure. In other words, the work can be irradiated with light only where it is necessary, but the power of light is also used in unnecessary areas.

これに対して、本実施形態では、光源11を構成する複数の発光素子の出力をそれぞれ個別に制御するので、不必要な箇所に光のパワーが使われることを防止し、光の利用効率を上げることができる。
さらに、紫外線処理装置100は、ビアホールのサイズに合わせて、必要な光量の紫外線を、必要な領域に照射することができる。したがって、一枚の基板にサイズの異なるビアホールが形成されていたとしても、それぞれのビアホールに対して、適切な光量の紫外線を照射することができる。その結果、必要以上の光量を照射する領域が生じることを防ぐことができる。
On the other hand, in this embodiment, since the outputs of the plurality of light emitting elements constituting the light source 11 are individually controlled, it is possible to prevent light power from being used in unnecessary portions and to improve the light use efficiency. Can be raised.
Furthermore, the ultraviolet ray processing apparatus 100 can irradiate a necessary region with ultraviolet rays having a necessary light amount in accordance with the size of the via hole. Therefore, even if via holes of different sizes are formed on a single substrate, it is possible to irradiate each via hole with ultraviolet rays having an appropriate amount of light. As a result, it is possible to prevent a region that emits more light than necessary.

紫外線処理装置100は、ワークWに形成するビアホールの位置データやサイズデータが含まれる設計データ(CAD/CAMデータ)を取得し、取得した設計データに基づいて、ビアホールが形成されている位置データを紫外線照射位置データに変換する。そして、紫外線処理装置100は、変換した紫外線照射位置データに基づいて、光源11の対応する位置の発光素子を点灯させる。このように、ワークWの設計データを用いることで、ワークWごとにビアホールが形成されている位置が異なる場合であっても、ビアホールが形成されている位置、即ち、紫外線照射処理の必要箇所を適切に特定することができる。   The ultraviolet ray processing apparatus 100 acquires design data (CAD / CAM data) including position data and size data of via holes formed in the workpiece W, and acquires position data where via holes are formed based on the acquired design data. Convert to UV irradiation position data. And the ultraviolet-ray processing apparatus 100 makes the light emitting element of the position corresponding to the light source 11 light based on the converted ultraviolet irradiation position data. In this way, by using the design data of the workpiece W, the position where the via hole is formed, that is, the position where the ultraviolet irradiation process is necessary is determined even when the position where the via hole is formed for each workpiece W is different. Can be identified appropriately.

また、個別に出力を制御可能な複数の発光素子がアレイ状に配列された光源11を用いることで、必要箇所のみを選択的に発光させる点灯制御を容易に行うことができる。したがって、例えばマスク等を用いることなく、必要箇所のみにピンポイントで紫外線を照射することができる。また、必要最小限の紫外線を照射することができるため、光源11の冷却機構を小さくすることができる。
さらに、紫外線処理装置100は、ビアホールが形成された領域に紫外線を照射する場合、ビアホールのサイズに応じた光量の紫外線を照射する。紫外線処理装置100は、ビアホールのサイズ(直径、深さ、形状など)に対して予め実験等で求めた適切な光量(照射強度や照射時間)を、ビアホールのサイズデータと対応付けて記憶しておき、取得した設計データに含まれるビアホールのサイズデータに基づいて、ビアホールのサイズに応じた光量を取得する。このように、ワークWの設計データを用いることで、ワークWに形成されたビアホールのサイズを適切に把握することができる。したがって、例えば、1枚のワークW上に径の異なるビアホールが混載されている場合や、CO2レーザを用いて形成されたCO2ビアとUVレーザを用いて形成されたレーザビアとが混載されている場合などであっても、各ビアホールにそれぞれ適した処理条件で紫外線照射処理を行うことができる。
In addition, by using the light source 11 in which a plurality of light emitting elements whose outputs can be individually controlled are arranged in an array, it is possible to easily perform lighting control for selectively emitting light only at a necessary portion. Therefore, it is possible to irradiate ultraviolet rays only on necessary portions without using a mask or the like, for example. In addition, since the minimum necessary ultraviolet ray can be irradiated, the cooling mechanism of the light source 11 can be reduced.
Furthermore, when the ultraviolet ray processing apparatus 100 irradiates the region where the via hole is formed with the ultraviolet ray, the ultraviolet ray processing device 100 irradiates the ultraviolet ray with a light amount corresponding to the size of the via hole. The ultraviolet ray processing apparatus 100 stores an appropriate amount of light (irradiation intensity or irradiation time) obtained in advance through experiments or the like with respect to the size (diameter, depth, shape, etc.) of the via hole in association with the size data of the via hole. The light quantity corresponding to the size of the via hole is acquired based on the size data of the via hole included in the acquired design data. Thus, by using the design data of the workpiece W, the size of the via hole formed in the workpiece W can be properly grasped. Therefore, for example, when via holes having different diameters are mixedly mounted on one workpiece W, or CO 2 vias formed using a CO 2 laser and laser vias formed using a UV laser are mixedly mounted. Even if it exists, an ultraviolet irradiation process can be performed on the process conditions suitable for each via hole, respectively.

また、紫外線処理装置100は、光源11とワークWとの位置合わせを行うためのアライメント機構を備える。具体的には、紫外線処理装置100は、光照射部10に設けられたアライメントカメラ14によって、ワークWに形成されたアライメントマークMを検出することで、ワークWの位置を読み取る。そして、紫外線処理装置100は、光源11に対するワークWの位置ずれ量に応じて、光源11をワークWに対して相対的に移動し、光源11とワークWとの位置合わせを行う。このように、アライメント機構により光源11とワークWとの位置合わせを行うことで、ワークWの設計データをもとに演算された紫外線照射位置データをもとに光線11の点灯制御を行った場合に、所望の位置に適切に紫外線を照射することができる。   Further, the ultraviolet ray processing apparatus 100 includes an alignment mechanism for aligning the light source 11 and the workpiece W. Specifically, the ultraviolet ray processing apparatus 100 reads the position of the workpiece W by detecting the alignment mark M formed on the workpiece W by the alignment camera 14 provided in the light irradiation unit 10. Then, the ultraviolet ray processing apparatus 100 moves the light source 11 relative to the workpiece W in accordance with the amount of positional deviation of the workpiece W with respect to the light source 11, and aligns the light source 11 and the workpiece W. As described above, when alignment of the light source 11 and the workpiece W is performed by the alignment mechanism, the lighting control of the light beam 11 is performed based on the ultraviolet irradiation position data calculated based on the design data of the workpiece W. Furthermore, it is possible to appropriately irradiate the desired position with ultraviolet rays.

(変形例)
上記実施形態においては、光源11とワークWとの位置合わせにおいて、光源支持体18をXYθ方向に移動させる場合について説明したが、処理部20またはステージ21をXYθ方向に移動させることで光源11とワークWとの位置合わせを行ってもよい。また、この位置合わせにおいては、ワークWに形成されたアライメントマークを検出して行う、高精度の位置合わせを例に示した。しかしながら、ワークWをステージ21に設けた複数のピンに押し当てて位置合わせを行うような方法を採用してもよい。
また、上記実施形態においては、ビアホールが形成された領域を紫外線照射処理の必要領域とする場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、紫外線照射処理の必要領域は、ビアホール以外のワークW表面であってもよいし、ワークWの外側の領域(例えば、処理用ガスが、ワークWが保持された領域に到達する前の準備領域)であってもよいし、これらの組合せであってもよい。
(Modification)
In the above embodiment, the case where the light source support 18 is moved in the XYθ direction in the alignment of the light source 11 and the workpiece W has been described. However, the processing unit 20 or the stage 21 is moved in the XYθ direction to move the light source 11 with the light source 11. You may align with the workpiece | work W. FIG. Further, in this alignment, a high-accuracy alignment performed by detecting an alignment mark formed on the workpiece W is shown as an example. However, a method may be employed in which the workpiece W is pressed against a plurality of pins provided on the stage 21 to perform alignment.
Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where the area | region in which the via hole was formed was made into the required area | region of an ultraviolet irradiation process, it is not limited to this. For example, the necessary region for the ultraviolet irradiation treatment may be the surface of the workpiece W other than the via hole, or a region outside the workpiece W (for example, preparation before the processing gas reaches the region where the workpiece W is held) Region) or a combination thereof.

紫外線照射処理の必要領域が、ビアホールが形成された領域とビアホールが形成されていないワークW表面とを含む場合、ビアホールが形成されていないワークW表面には、ビアホールとは異なるドーズ(インパクト)で紫外線を照射してもよい。つまり、ワークW全体を紫外線照射処理の必要領域とし、ビアホールが形成されている領域とビアホールが形成されていない領域とで、紫外線の照射光量を変化させるようにしてもよい。これにより、ビアクリーンネスとワークW表面の粗さ調整とを分けてコントロールすることができる。
さらに、上記実施形態においては、光源11の異常を検出する異常検出部を設けてもよい。異常検出部により光源11に非発光部分があることを検出した場合、光源移動機構35により光源11をずらし、正常な発光部分を用いて紫外線照射処理を行うようにしてもよい。この場合、プロセスの冗長性を実現することができ、光源11の交換、メンテナンスを少なくすることができる。
When the necessary region for the ultraviolet irradiation treatment includes a region where a via hole is formed and a surface of the workpiece W where no via hole is formed, the surface of the workpiece W where no via hole is formed has a dose (impact) different from that of the via hole. You may irradiate with an ultraviolet-ray. That is, the entire work W may be a necessary region for the ultraviolet irradiation process, and the amount of ultraviolet irradiation light may be changed between the region where the via hole is formed and the region where the via hole is not formed. Thereby, the via cleanness and the roughness adjustment of the surface of the workpiece W can be controlled separately.
Further, in the above embodiment, an abnormality detection unit that detects an abnormality of the light source 11 may be provided. When the abnormality detection unit detects that the light source 11 has a non-light emitting portion, the light source 11 may be shifted by the light source moving mechanism 35 to perform the ultraviolet irradiation process using the normal light emitting portion. In this case, process redundancy can be realized, and replacement and maintenance of the light source 11 can be reduced.

10…光照射部、11…光源、14…アライメントカメラ、18…光源支持体、20…処理部、21…ステージ、31…電源、33…ガス供給部、34…処理部移動機構、35…光源部移動機構、40…制御部、100…紫外線処理装置、200…総合システム管理部、S…スミア、VH…ビアホール   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Light irradiation part, 11 ... Light source, 14 ... Alignment camera, 18 ... Light source support body, 20 ... Processing part, 21 ... Stage, 31 ... Power supply, 33 ... Gas supply part, 34 ... Processing part moving mechanism, 35 ... Light source Part moving mechanism, 40 ... control part, 100 ... ultraviolet ray processing device, 200 ... general system management part, S ... smear, VH ... via hole

Claims (8)

複数の紫外線発光素子がアレイ状に配置された光源部と、
被処理物体が保持されて、酸素を含む処理気体の雰囲気中で前記光源部から発せられた紫外線が照射される処理領域を有する処理部と、
前記被処理物体の設計データに基づいて、前記処理領域を特定する領域特定部と、
前記複数の紫外線発光素子の出力を個別に制御し、前記領域特定部により特定された前記処理領域に紫外線を照射する光源制御部と、を備え
前記被処理物体は配線基板材料であり、
前記領域特定部は、前記設計データに含まれる前記配線基板材料に形成されるビアホールの位置データに基づいて、前記配線基板材料における前記ビアホールが形成された領域を前記処理領域として特定することを特徴とする紫外線処理装置。
A light source unit in which a plurality of ultraviolet light emitting elements are arranged in an array;
A processing unit having a processing region in which an object to be processed is held and irradiated with ultraviolet rays emitted from the light source unit in an atmosphere of a processing gas containing oxygen;
An area specifying unit for specifying the processing area based on design data of the object to be processed;
A light source control unit that individually controls outputs of the plurality of ultraviolet light emitting elements and irradiates the processing region specified by the region specifying unit with ultraviolet rays ;
The object to be processed is a wiring board material,
The region specifying unit specifies, as the processing region, a region where the via hole is formed in the wiring board material based on position data of a via hole formed in the wiring board material included in the design data. UV treatment equipment.
前記ビアホールのサイズデータと前記ビアホールに対する前記紫外線の照射条件とを対応付けて記憶する記憶部と、
前記設計データに含まれる前記配線基板材料に形成される前記ビアホールのサイズデータと前記記憶部に記憶された前記照射条件とに基づいて、前記領域特定部により特定された前記処理領域の前記照射条件を、前記ビアホールのサイズに応じて決定する照射条件決定部と、をさらに備え、
前記光源制御部は、前記領域特定部により特定された前記処理領域に、前記照射条件決定部により決定された前記照射条件で前記紫外線を照射することを特徴とする請求項に記載の紫外線処理装置。
A storage unit for storing the size data of the via hole and the irradiation condition of the ultraviolet ray for the via hole in association with each other;
The irradiation condition of the processing region specified by the region specifying unit based on the size data of the via hole formed in the wiring board material included in the design data and the irradiation condition stored in the storage unit And an irradiation condition determination unit that determines according to the size of the via hole,
The ultraviolet light processing according to claim 1 , wherein the light source control unit irradiates the processing region specified by the region specifying unit with the ultraviolet ray under the irradiation condition determined by the irradiation condition determination unit. apparatus.
前記ビアホールのサイズデータは、前記ビアホールの形状、径、および深さの少なくとも1つに関する情報を含むことを特徴とする請求項に記載の紫外線処理装置。 The ultraviolet ray processing apparatus according to claim 2 , wherein the size data of the via hole includes information on at least one of a shape, a diameter, and a depth of the via hole. 前記照射条件は、前記紫外線の照射強度および照射時間の少なくとも1つに関する情報を含むことを特徴とする請求項またはに記載の紫外線処理装置。 The irradiation conditions, ultraviolet processing apparatus according to claim 2 or 3, characterized in that it comprises at least one information on the irradiation intensity and irradiation time of the ultraviolet. 前記被処理物体の表面に沿って前記処理気体を流す気体給排部をさらに備え、
前記領域特定部は、前記気体給排部により流された前記処理気体が、前記被処理物体が保持された領域に到達する前の領域を前記処理領域として特定することを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の紫外線処理装置。
A gas supply / exhaust section for flowing the processing gas along the surface of the object to be processed;
The region specifying unit specifies, as the processing region, a region before the processing gas flowed by the gas supply / discharge unit reaches the region where the object to be processed is held. 5. The ultraviolet ray processing apparatus according to any one of items 1 to 4 .
前記光源部と前記処理部において保持された前記被処理物体との位置合わせを行うアライメント機構をさらに備えることを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の紫外線処理装置。 UV treatment device according to any one of claims 1 to 5, further comprising an alignment mechanism for aligning said treated object held in the processing unit and the light source unit. 前記光源部が前記アライメント機構を有し、
前記アライメント機構は、前記複数の紫外線発光素子と前記被処理物体との位置合わせを行うことを特徴とする請求項に記載の紫外線処理装置。
The light source unit has the alignment mechanism;
The ultraviolet alignment apparatus according to claim 6 , wherein the alignment mechanism aligns the plurality of ultraviolet light emitting elements and the object to be processed.
被処理物体の設計データに基づいて、酸素を含む処理気体の雰囲気中で複数の紫外線発光素子がアレイ状に配置された光源部から発せられた紫外線が照射される処理領域を特定する工程と、
前記複数の紫外線発光素子の出力を個別に制御し、特定された前記処理領域に紫外線を照射する工程と、を含み、
前記被処理物体は配線基板材料であり、
前記処理領域を特定する工程では、前記設計データに含まれる前記配線基板材料に形成されるビアホールの位置データに基づいて、前記配線基板材料における前記ビアホールが形成された領域を前記処理領域として特定することを特徴とする紫外線処理方法。
Based on the design data of the object to be processed, a step of identifying a processing region irradiated with ultraviolet rays emitted from a light source unit in which a plurality of ultraviolet light emitting elements are arranged in an array in an atmosphere of a processing gas containing oxygen;
Wherein the plurality of the output of the ultraviolet light emitting element is individually controlled, seen including and a step of irradiating ultraviolet rays on the identified said processing region,
The object to be processed is a wiring board material,
In the step of specifying the processing region, the region where the via hole is formed in the wiring board material is specified as the processing region based on position data of a via hole formed in the wiring board material included in the design data. An ultraviolet treatment method characterized by the above.
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JP3871649B2 (en) * 2003-03-24 2007-01-24 株式会社東芝 Composite member, composite member manufacturing method, and composite member forming material
JP5861696B2 (en) * 2013-03-28 2016-02-16 ウシオ電機株式会社 Light irradiation device
JP2015041728A (en) * 2013-08-23 2015-03-02 ウシオ電機株式会社 Desmearing method and desmearing device
JP6183202B2 (en) * 2013-12-18 2017-08-23 ウシオ電機株式会社 Ashing apparatus and ashing method
JP6233001B2 (en) * 2013-12-20 2017-11-22 ソニー株式会社 Modeling apparatus and method for manufacturing modeled object
WO2015108184A1 (en) * 2014-01-20 2015-07-23 ウシオ電機株式会社 Desmearing processing device
JP6510179B2 (en) * 2014-04-16 2019-05-08 株式会社ミマキエンジニアリング Three-dimensional printer and three-dimensional object manufacturing method

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