JP6587891B2 - Printed wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents

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本発明は、導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、露出した導体パッド上に形成されたバンプと、を具えるプリント配線板およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a printed wiring board including a covering insulating layer having an opening for exposing a conductor pad, and a bump formed on the exposed conductor pad, and a method for manufacturing the same.

特許文献1は、図5に示されるように、樹脂絶縁層34、36、38と配線パターン33、35、37とが交互に積層された多層構造を有するビルドアップ多層プリント配線板を開示している。複数の樹脂絶縁層34、36、38のうち最も表層側に位置する樹脂絶縁層38には、配線パターン37を露出させるバイアホール44が形成され、バイアホール44内は銅めっきで充填されて外部接続端子としてのポスト状の導電パッド40が形成されている。各導電パッド40の上面には半田バンプ41が形成されている。導電パッド40の上端部は、バイアホール44よりも径が大きく樹脂絶縁層38の上面上で半径方向外側にフランジ状に張り出している。   Patent Document 1 discloses a build-up multilayer printed wiring board having a multilayer structure in which resin insulating layers 34, 36, and 38 and wiring patterns 33, 35, and 37 are alternately laminated as shown in FIG. Yes. A via hole 44 that exposes the wiring pattern 37 is formed in the resin insulating layer 38 that is located closest to the surface layer among the plurality of resin insulating layers 34, 36, and 38, and the via hole 44 is filled with copper plating and externally filled. A post-like conductive pad 40 as a connection terminal is formed. Solder bumps 41 are formed on the upper surface of each conductive pad 40. The upper end portion of the conductive pad 40 has a diameter larger than that of the via hole 44 and projects outwardly in the radial direction on the upper surface of the resin insulating layer 38.

特開2004−63907号公報JP 2004-63907 A

しかしながら、特許文献1に開示されるビルドアップ多層プリント配線板では、銅製の導電パッド40と半田バンプ41との境界において半田バンプ41内に銅が拡散してCu−Sn合金層が生成され、さらに導電パッド40および半田バンプ41が樹脂絶縁層38の表面上にフランジ状に張り出すように形成されているため、バンプ41の、当該張り出した部分の周辺にCu−Sn合金が残渣として発生し、マイグレーションの原因となるという問題がある。   However, in the build-up multilayer printed wiring board disclosed in Patent Document 1, copper diffuses into the solder bump 41 at the boundary between the copper conductive pad 40 and the solder bump 41 to generate a Cu—Sn alloy layer. Since the conductive pads 40 and the solder bumps 41 are formed on the surface of the resin insulating layer 38 so as to protrude in a flange shape, Cu—Sn alloy is generated as a residue around the protruding portion of the bump 41, There is a problem that causes migration.

また、特許文献1に開示されるビルドアップ多層プリント配線板では、導電パッド40をポスト状に形成して半田バンプ41の支持層としているため、銅の使用量が多くコスト高となる問題がある。   Further, in the build-up multilayer printed wiring board disclosed in Patent Document 1, since the conductive pad 40 is formed in a post shape to serve as a support layer for the solder bump 41, there is a problem that the amount of copper used is large and the cost is high. .

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、本発明のプリント配線板は、絶縁材料からなる基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された、前記導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、前記露出した導体パッド上に形成されたバンプと、を具えるプリント配線板において、前記バンプは、前記露出した導体パッド上に形成された無電解めっき金属層と、前記無電解めっき金属層上に形成され該無電解めっき金属層を覆うバリア金属層と、前記バリア金属層上に形成された半田層と、を有しており、前記無電解めっき金属層および前記バリア金属層は、前記絶縁被覆層の上面の、前記開口の周囲に沿って形成されている。   The present invention has been made to solve the above problems, and a printed wiring board according to the present invention includes a base insulating layer made of an insulating material, and a conductor layer including conductor pads formed on the base insulating layer. A printed wiring board comprising: a covering insulating layer formed on the base insulating layer and the conductor layer and having an opening exposing the conductor pad; and a bump formed on the exposed conductor pad. The bump includes an electroless plating metal layer formed on the exposed conductor pad, a barrier metal layer formed on the electroless plating metal layer and covering the electroless plating metal layer, and the barrier metal layer And the electroless plating metal layer and the barrier metal layer are formed along the periphery of the opening on the upper surface of the insulating coating layer.

また、本発明のプリント配線板は、絶縁材料からなる基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された、前記導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、前記露出した導体パッド上に形成されたバンプ前駆体と、を具えるプリント配線板において、前記バンプ前駆体は、前記露出した導体パッド上に形成された無電解めっき金属層と、前記無電解めっき金属層上に形成され該無電解めっき金属層を覆うバリア金属層と、前記バリア金属層上に形成された半田層と、を有しており、前記無電解めっき金属層および前記バリア金属層は、前記被覆絶縁層の上面の、前記開口の周囲に沿って形成されている。   The printed wiring board of the present invention is formed on a base insulating layer made of an insulating material, a conductor layer including a conductor pad formed on the base insulating layer, the base insulating layer, and the conductor layer. A printed wiring board comprising: a covering insulating layer having an opening exposing the conductor pad; and a bump precursor formed on the exposed conductor pad, wherein the bump precursor is the exposed conductor pad. An electroless plating metal layer formed thereon, a barrier metal layer formed on the electroless plating metal layer and covering the electroless plating metal layer, and a solder layer formed on the barrier metal layer. The electroless plating metal layer and the barrier metal layer are formed along the periphery of the opening on the upper surface of the covering insulating layer.

また、本発明のプリント配線板の製造方法は、絶縁材料からなる基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された、前記導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、前記露出した導体パッド上に形成されたバンプと、を具えるプリント配線板の製造方法において、前記基部絶縁層上に前記導体層が形成され、前記基部絶縁層および前記導体層上に被覆絶縁層が形成されたプリント配線板を準備することと、前記被覆絶縁層を貫通して前記導体パッドに至る開口を形成することと、前記露出した導体パッドの上面、前記被覆絶縁層の上面および前記開口の内壁面に沿って前記導体パッドと電気的に接続する無電解めっき金属層を形成することと、前記被覆絶縁層の開口位置に該被覆絶縁層の開口よりも大きい開口を有するように、無電解めっき金属層上にめっきレジストを形成することと、前記無電解めっき金属層の、前記めっきレジストの開口から露出する部分上にめっきによりバリア金属層を形成することと、前記無電解めっき金属層を給電層とする電解めっきにより、前記被覆絶縁層の開口内および前記めっきレジストの開口内に半田層を形成することと、前記めっきレジストを除去することと、前記めっきレジストの除去によって露出した、前記被覆絶縁層の上面上の無電解めっき層を除去することと、前記半田層を加熱によりリフローさせてバンプを形成することと、を含む。   The printed wiring board manufacturing method of the present invention includes a base insulating layer made of an insulating material, a conductor layer including conductor pads formed on the base insulating layer, the base insulating layer, and the conductor layer. In a method of manufacturing a printed wiring board, comprising: a covering insulating layer having an opening exposing the conductive pad formed on the exposed conductive pad; and a bump formed on the exposed conductive pad. Preparing a printed wiring board in which a conductor layer is formed and having a base insulating layer and a covering insulating layer formed on the conductor layer, and forming an opening extending through the covering insulating layer to the conductor pad; Forming an electroless plating metal layer electrically connected to the conductor pad along the upper surface of the exposed conductor pad, the upper surface of the covering insulating layer, and the inner wall surface of the opening; Forming a plating resist on the electroless plating metal layer so that the opening position of the layer has an opening larger than the opening of the covering insulating layer; and exposing the electroless plating metal layer from the opening of the plating resist. Forming a barrier metal layer on the portion to be plated by plating and forming a solder layer in the opening of the coating insulating layer and in the opening of the plating resist by electrolytic plating using the electroless plating metal layer as a power feeding layer Removing the plating resist; removing the electroless plating layer on the upper surface of the covering insulating layer exposed by the removal of the plating resist; and reflowing the solder layer by heating to form bumps. Forming.

本発明の実施形態によれば、バンプは、導体パッドの上面および開口の内壁面を被覆する無電解めっき金属層と、該無電解めっき金属層上に被覆絶縁層の開口内を満たすように形成された半田層とから形成されるため、特許文献1に開示されるように、バンプを銅製ポスト上に形成する場合に比べて銅の使用量を削減することができ、低コスト化を図ることができる。また、無電解めっき金属層と半田層との間に形成されたバリア金属層により、無電解めっき金属層の金属(例えば無電解めっき金属層が無電解銅めっき層の場合には銅)がバンプの半田層内に拡散するのが防止されるので、無電解めっき金属層と半田層との間に無電解めっき金属層の金属(例えば銅)と半田層を構成する金属(例えば錫)との合金が形成されない。したがって、合金残渣が被覆絶縁層上の開口周辺に発生してマイグレーションを発生させるのを防止することができる。   According to the embodiment of the present invention, the bump is formed so that the upper surface of the conductor pad and the inner wall surface of the opening are covered, and the opening of the coating insulating layer is filled on the electroless plating metal layer. Therefore, the amount of copper used can be reduced and the cost can be reduced as compared with the case where bumps are formed on a copper post as disclosed in Patent Document 1. Can do. Also, the barrier metal layer formed between the electroless plating metal layer and the solder layer bumps the metal of the electroless plating metal layer (for example, copper when the electroless plating metal layer is an electroless copper plating layer). Diffusion between the solder layer and the electroless plating metal layer and the solder layer between the metal of the electroless plating metal layer (for example, copper) and the metal constituting the solder layer (for example, tin). An alloy is not formed. Therefore, it is possible to prevent the alloy residue from being generated around the opening on the covering insulating layer and causing migration.

本発明のバンプ付きプリント配線板の一実施形態を一部拡大して示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which expands and partially shows one Embodiment of the printed wiring board with a bump of this invention. (A)〜(H)は、図1に示されるバンプ付きプリント配線板の製造方法の一例を示す部分断面図である。(A)-(H) are partial sectional drawings which show an example of the manufacturing method of the printed wiring board with a bump shown by FIG. 本発明の実施形態のバンプ付きプリント配線板の一適用例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one application example of the printed wiring board with a bump of embodiment of this invention. 本発明の実施形態のバンプ付きプリント配線板の他の適用例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other application example of the printed wiring board with a bump of embodiment of this invention. 従来のプリント配線板の断面図である。It is sectional drawing of the conventional printed wiring board.

図1は、本発明に従う一実施形態のバンプ付きプリント配線板を一部拡大して示す部分断面図である。本実施形態のバンプ付きプリント配線板は、絶縁材料からなる基部絶縁層1と、基部絶縁層1上に形成された、導体パッド2aを含む導体層2と、基部絶縁層1上に形成され、導体パッド2aを露出する開口3aを有する被覆絶縁層3と、開口3aから露出した導体パッド2a上に形成されたバンプ4とを具える。基部絶縁層1は、図示されているような単層のものでもよいが、複数層の積層構造を有し、それらの絶縁層間に導体層2が形成されているものでもよい。なお、本説明において、「上」とは基部絶縁層1と導体層2との関係において導体層2がある側または導体層2と被覆絶縁層3との関係において被覆絶縁層3がある側を指す。また、「下」とは基部絶縁層1と導体層2との関係において基部絶縁層1がある側または導体層2と被覆絶縁層3との関係において導体層2がある側を指す。よって、例えば被覆絶縁層3の上面とは、被覆絶縁層3の両面のうち、導体層2または基部絶縁層1と対向する側とは反対側の面を指す。同様に、導体パッド2aの上面とは、導体パッド2aの両面のうち、基部絶縁層1と対向する側とは反対側の面を指す。導体パッド2a、開口3aおよびバンプ4は図1では各一つ示されるが、各々複数設けられていてよい。   FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing a partially enlarged printed wiring board with bumps according to an embodiment of the present invention. The printed wiring board with bumps of this embodiment is formed on the base insulating layer 1 made of an insulating material, the conductor layer 2 including the conductor pads 2a formed on the base insulating layer 1, and the base insulating layer 1. A covering insulating layer 3 having an opening 3a exposing the conductor pad 2a and a bump 4 formed on the conductor pad 2a exposed from the opening 3a are provided. The base insulating layer 1 may be a single layer as shown in the figure, but may have a laminated structure of a plurality of layers, and a conductor layer 2 may be formed between these insulating layers. In this description, “upper” means the side where the conductor layer 2 is present in the relationship between the base insulating layer 1 and the conductor layer 2 or the side where the covering insulating layer 3 is present in the relationship between the conductor layer 2 and the covering insulating layer 3. Point to. Further, “below” refers to the side where the base insulating layer 1 is present in the relationship between the base insulating layer 1 and the conductor layer 2 or the side where the conductive layer 2 is present in the relationship between the conductor layer 2 and the covering insulating layer 3. Thus, for example, the upper surface of the covering insulating layer 3 refers to the surface of the both sides of the covering insulating layer 3 opposite to the side facing the conductor layer 2 or the base insulating layer 1. Similarly, the upper surface of the conductor pad 2a refers to the surface of the both sides of the conductor pad 2a opposite to the side facing the base insulating layer 1. Although one conductor pad 2a, one opening 3a, and one bump 4 are shown in FIG. 1, a plurality of each may be provided.

基部絶縁層1を形成する絶縁材料は、エポキシやポリイミド等の有機樹脂材料でもよいがセラミックやガラス等の無機材料でもよい。導体層2は、導電性金属であればよいが銅であると好ましい。被覆絶縁層3を形成する材料は、絶縁性樹脂フィルムとしての市販のビルドアップフィルムでもよいが通常のソルダーレジストでもよい。開口3aの上端径は、開口3a同士のピッチ(中心間距離)の20%以上70%以下であることが好ましい。また、開口3a同士の最小ピッチは、30μm以上で90μm以下が好ましい。これにより例えば搭載した半導体素子同士を超高密度配線で接続するパッケージ基板を形成できる。   The insulating material forming the base insulating layer 1 may be an organic resin material such as epoxy or polyimide, but may be an inorganic material such as ceramic or glass. The conductor layer 2 may be a conductive metal, but is preferably copper. The material for forming the covering insulating layer 3 may be a commercially available build-up film as an insulating resin film, but may also be a normal solder resist. The upper end diameter of the openings 3a is preferably 20% or more and 70% or less of the pitch (center distance) between the openings 3a. The minimum pitch between the openings 3a is preferably 30 μm or more and 90 μm or less. As a result, for example, a package substrate can be formed in which mounted semiconductor elements are connected by ultra-high density wiring.

バンプ4は、薄膜状の無電解めっき金属層5と被覆絶縁層3の開口3a内を満たすとともに上部が被覆絶縁層3の上面より突出した半田層6とを有する。無電解めっき金属層5は、被覆絶縁層3の開口3aから露出した導体パッド2aの上面、被覆絶縁層3の開口3aの内壁面、および被覆絶縁層3の、開口3aの周囲上面を被覆するように形成される。   The bump 4 has a thin electroless plated metal layer 5 and a solder layer 6 that fills the opening 3 a of the covering insulating layer 3 and has an upper portion protruding from the upper surface of the covering insulating layer 3. The electroless plating metal layer 5 covers the upper surface of the conductor pad 2a exposed from the opening 3a of the covering insulating layer 3, the inner wall surface of the opening 3a of the covering insulating layer 3, and the upper surface surrounding the opening 3a of the covering insulating layer 3. Formed as follows.

また、無電解めっき金属層5と半田層6との間には、バリア金属層7が形成されている。バリア金属層7は、被覆絶縁層3の開口3aから露出した導体パッド2aの上面、被覆絶縁層3の開口3aの内壁面、および被覆絶縁層3の、開口3aの周囲上面に沿って、無電解めっき金属層5を被覆するよう形成されている。よって、無電解めっき金属層5およびバリア金属層7は、その上端部に被覆絶縁層3の上面に沿って開口3aより半径方向外側に張り出す張出し部5a、7aを有している。このような張出し部5a、7aを設けることにより、バンプ4と被覆絶縁層3との密着性を向上させるとともにバンプ4の強度を高めることができる。張出し部5a、7aの張出し長さ(開口3aの上端縁から張出し部5a、7aの外周縁までの半径方向に沿う長さ)は、被覆絶縁層3の開口3aの内径に対して10%以上で30%以下とすることが好ましい。張出し部5a、7aの長さが開口3aの内径に対して10%未満であると、バンプ4と被覆絶縁層3との密着性を向上させるとともにバンプ4の強度を高める効果が得られない可能性があるからである。また、張出し部5a、7aの長さが開口3aの内径に対して30%を超えると、隣接するバンプ4との距離が過小になり、絶縁性の確保が困難になる可能性があるからである。   Further, a barrier metal layer 7 is formed between the electroless plating metal layer 5 and the solder layer 6. The barrier metal layer 7 is formed along the upper surface of the conductor pad 2a exposed from the opening 3a of the covering insulating layer 3, the inner wall surface of the opening 3a of the covering insulating layer 3, and the peripheral upper surface of the covering insulating layer 3 around the opening 3a. It is formed so as to cover the electroplated metal layer 5. Therefore, the electroless plating metal layer 5 and the barrier metal layer 7 have overhanging portions 5a and 7a projecting radially outward from the opening 3a along the upper surface of the covering insulating layer 3 at the upper ends thereof. By providing such overhang portions 5a and 7a, it is possible to improve the adhesion between the bump 4 and the coating insulating layer 3 and increase the strength of the bump 4. The overhang length of the overhang portions 5a and 7a (the length along the radial direction from the upper edge of the opening 3a to the outer peripheral edge of the overhang portions 5a and 7a) is 10% or more with respect to the inner diameter of the opening 3a of the covering insulating layer 3 And preferably 30% or less. If the length of the overhang portions 5a and 7a is less than 10% with respect to the inner diameter of the opening 3a, the effect of improving the adhesion between the bump 4 and the coating insulating layer 3 and increasing the strength of the bump 4 may not be obtained. Because there is sex. In addition, if the length of the overhang portions 5a and 7a exceeds 30% with respect to the inner diameter of the opening 3a, the distance to the adjacent bump 4 becomes too small, and it may be difficult to ensure insulation. is there.

半田層6は、好ましくは電解めっき層である。この場合、半田層6は、無電解めっき金属層5を給電層とする電解めっき法により、無電解めっき金属層5上に形成される。半田層6は、例えばSn/Pbからなる。ただしこれに限られず、半田層6は、Sn/Sb、Sn/Ag、Sn/Ag/Cu、Sn/Cu、又はSn/Zn等から形成されてもよい。半田層6は、無電解めっき金属層5およびバリア金属層7の張出し部5a、7a上にも形成されており、半田層6の外径は、絶縁被覆層3の上面の開口3aの端縁(上端縁)の内径よりも大きい。   The solder layer 6 is preferably an electrolytic plating layer. In this case, the solder layer 6 is formed on the electroless plating metal layer 5 by an electrolytic plating method using the electroless plating metal layer 5 as a power feeding layer. The solder layer 6 is made of, for example, Sn / Pb. However, the present invention is not limited to this, and the solder layer 6 may be formed of Sn / Sb, Sn / Ag, Sn / Ag / Cu, Sn / Cu, Sn / Zn, or the like. The solder layer 6 is also formed on the overhang portions 5 a and 7 a of the electroless plating metal layer 5 and the barrier metal layer 7, and the outer diameter of the solder layer 6 is the edge of the opening 3 a on the upper surface of the insulating coating layer 3. It is larger than the inner diameter of (upper edge).

無電解めっき金属層5は、好ましくは無電解銅めっき層である。無電解めっき金属層5の厚みは0.1μm以上で3μm以下とするのが好ましい。無電解めっき金属層5の厚みが0.1μm未満の場合には、無電解めっき金属層5を給電層として半田層6を形成する際に半田層6の形成にむらが生じる可能性があり、3μmを超えると無電解めっき法による無電解めっき金属層5の形成に時間を要するとともに無電解めっき金属層5を構成する金属(例えば銅)の使用量が増大しコスト高となる。   The electroless plating metal layer 5 is preferably an electroless copper plating layer. The thickness of the electroless plating metal layer 5 is preferably 0.1 μm or more and 3 μm or less. When the thickness of the electroless plating metal layer 5 is less than 0.1 μm, there is a possibility that the formation of the solder layer 6 may be uneven when the solder layer 6 is formed using the electroless plating metal layer 5 as a power feeding layer. If it exceeds 3 μm, it takes time to form the electroless plating metal layer 5 by the electroless plating method, and the amount of metal (for example, copper) constituting the electroless plating metal layer 5 increases, resulting in an increase in cost.

バリア金属層7は、好ましくはニッケルめっき層であり、より好ましくは無電解めっき金属層5を給電層とする電解めっき法により形成された電解ニッケルめっき層である。バリア金属層7がニッケルめっき層である場合に、その厚みは1μm以上で3μm以下とすることが好ましい。1μm以上の厚みのニッケルであれば、無電解めっき金属層5の金属(例えば銅)が半田層6内に拡散するのを有効に防止できる。また、その厚みを3μmより大きくしても無電解めっき金属層5の金属(例えば銅)の半田層6への拡散を防止する効果が飽和する。   The barrier metal layer 7 is preferably a nickel plating layer, and more preferably an electrolytic nickel plating layer formed by an electrolytic plating method using the electroless plating metal layer 5 as a power feeding layer. When the barrier metal layer 7 is a nickel plating layer, the thickness is preferably 1 μm or more and 3 μm or less. If nickel has a thickness of 1 μm or more, it is possible to effectively prevent the metal (for example, copper) of the electroless plating metal layer 5 from diffusing into the solder layer 6. Moreover, even if the thickness is made larger than 3 μm, the effect of preventing diffusion of the metal (for example, copper) of the electroless plating metal layer 5 into the solder layer 6 is saturated.

本実施形態のバンプ付きプリント配線板によれば、バンプ4は、導体パッド2aの上面および開口3aの内壁面を被覆する無電解めっき金属層5と、該無電解めっき金属層5上に被覆絶縁層3の開口3a内を満たすように形成された半田層6とから形成されるため、特許文献1に開示されるように、バンプを銅製ポスト上に形成する場合に比べて銅の使用量を削減することができ、低コスト化を図ることができる。また、無電解めっき金属層5と半田層6との間に形成されたバリア金属層7により、無電解めっき金属層5の金属(例えば無電解めっき金属層5が無電解銅めっき層の場合には銅)がバンプ4の半田層6内に拡散するのが防止されるので、無電解めっき金属層5と半田層6との間に無電解めっき金属層5の金属(例えば銅)と半田層6を構成する金属(例えば錫)との合金が形成されない。したがって、合金残渣が被覆絶縁層3上の開口3a周辺に発生するのを防止することができる。   According to the printed wiring board with bumps of the present embodiment, the bumps 4 are formed by covering the upper surface of the conductor pad 2a and the inner wall surface of the opening 3a with the electroless plated metal layer 5 and covering the electroless plated metal layer 5 Since it is formed from the solder layer 6 formed so as to fill the opening 3a of the layer 3, as disclosed in Patent Document 1, the amount of copper used is reduced compared to the case where the bump is formed on the copper post. This can be reduced and the cost can be reduced. Further, the barrier metal layer 7 formed between the electroless plating metal layer 5 and the solder layer 6 allows the metal of the electroless plating metal layer 5 (for example, when the electroless plating metal layer 5 is an electroless copper plating layer). Is prevented from diffusing into the solder layer 6 of the bump 4, so that the metal (for example, copper) and the solder layer of the electroless plating metal layer 5 are interposed between the electroless plating metal layer 5 and the solder layer 6. An alloy with the metal constituting the metal 6 (for example, tin) is not formed. Therefore, it is possible to prevent the alloy residue from being generated around the opening 3a on the covering insulating layer 3.

上記構成を有するバンプ付きプリント配線は、図2(A)〜(H)に示される、本発明の一実施形態のバンプ付きプリント配線板の製造方法により製造することができる。   The printed wiring with bumps having the above-described configuration can be manufactured by the method for manufacturing a printed wiring board with bumps according to an embodiment of the present invention shown in FIGS.

本実施形態の製造方法では、図2(A)に示されるように、絶縁材料からなる基部絶縁層1と、基部絶縁層1上に形成されている導体層2と、基部絶縁層1および導体層2上に形成された被覆絶縁層3と、を有する中間基板が準備される。基部絶縁層1は、例えばエポキシやポリイミド等の有機樹脂材料またはセラミックやガラス等の無機材料で形成されている。導体層2は、例えばアディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法等によって形成される。導体層2は、例えば銅で形成されている。導体層2は、半導体素子などの電子部品を搭載するための導体パッド2aと、信号線や電源等の図示されない配線とを含む。被覆絶縁層3は、絶縁性樹脂フィルムとしての市販のビルドアップフィルムやエポキシ等の絶縁樹脂からなるソルダーレジストで形成される。   In the manufacturing method of this embodiment, as shown in FIG. 2A, a base insulating layer 1 made of an insulating material, a conductor layer 2 formed on the base insulating layer 1, the base insulating layer 1 and a conductor An intermediate substrate having a coating insulating layer 3 formed on the layer 2 is prepared. The base insulating layer 1 is made of, for example, an organic resin material such as epoxy or polyimide, or an inorganic material such as ceramic or glass. The conductor layer 2 is formed by, for example, an additive method, a semi-additive method, a subtractive method, or the like. The conductor layer 2 is made of, for example, copper. The conductor layer 2 includes a conductor pad 2a for mounting an electronic component such as a semiconductor element, and wiring (not shown) such as a signal line and a power source. The covering insulating layer 3 is formed of a commercially available build-up film as an insulating resin film or a solder resist made of an insulating resin such as epoxy.

まず、図2(A)に示されるように、被覆絶縁層3に、その被覆絶縁層3を貫通して導体パッド2aに至る開口3aが形成される。複数の開口3aが形成される場合の最小の開口ピッチ(中心間距離)は好ましくは30μm以上で90μm以下とされる。開口径は、好ましくは開口ピッチの20%以上70%以下とされ、例えば開口ピッチ55μmに対し開口径25μmとされる。被覆絶縁層3の上面および開口3aの内壁面には、好ましくは粗面処理が施される。   First, as shown in FIG. 2A, an opening 3a is formed in the covering insulating layer 3 so as to penetrate the covering insulating layer 3 and reach the conductor pad 2a. When the plurality of openings 3a are formed, the minimum opening pitch (center-to-center distance) is preferably 30 μm or more and 90 μm or less. The opening diameter is preferably 20% or more and 70% or less of the opening pitch. For example, the opening diameter is 25 μm with respect to the opening pitch of 55 μm. The upper surface of the covering insulating layer 3 and the inner wall surface of the opening 3a are preferably subjected to a rough surface treatment.

被覆絶縁層3の開口3aは、例えばレーザ、好ましくは小径孔の形成に適しているUVレーザで形成される。レーザの出力を高くすることにより、被覆絶縁層3が十分に溶融し、開口3aの内壁面は導体パッド2aの表面に対し直線的に交差する倒立裁頭円錐状となる。レーザ光束を絞ることにより、被覆絶縁層3で被覆されている導体パッド2aの表面に対する開口3aの内壁面の交差角は45°以上で90°未満とされる。   The opening 3a of the covering insulating layer 3 is formed by, for example, a laser, preferably a UV laser suitable for forming a small diameter hole. By increasing the output of the laser, the coating insulating layer 3 is sufficiently melted, and the inner wall surface of the opening 3a has an inverted truncated conical shape that linearly intersects the surface of the conductor pad 2a. By narrowing the laser beam, the crossing angle of the inner wall surface of the opening 3a with respect to the surface of the conductor pad 2a covered with the covering insulating layer 3 is 45 ° or more and less than 90 °.

開口3aの内壁面は、導体パッド2aの表面に対し直角に交差する一定内径の円筒状とされてもよい。その場合、開口3aは、レーザの代わりに例えばドライエッチング、プラズマエッチング、ライトエッチング等のエッチングを行い、その後にアルカリ脱脂処理を施すことで形成される。   The inner wall surface of the opening 3a may have a cylindrical shape with a constant inner diameter that intersects the surface of the conductor pad 2a at a right angle. In that case, the opening 3a is formed by performing etching such as dry etching, plasma etching, light etching, or the like instead of the laser, and then performing alkali degreasing.

あるいは、被覆絶縁層3の開口3aは、被覆絶縁層3として感光性のソルダーレジストを用いる場合には、露光、現像処理により形成されてもよい。   Alternatively, the opening 3 a of the covering insulating layer 3 may be formed by exposure and development processing when a photosensitive solder resist is used as the covering insulating layer 3.

次に、図2(B)に示されるように、被覆絶縁層3の上面上および開口3aの内壁面上に、無電解めっき金属層5が形成される。無電解めっき金属層5は、好ましくは銅めっきで形成される。無電解めっき金属層5は、被覆絶縁層3の上面および開口3aの内壁面が粗面処理されていると、被覆絶縁層3に強固に被着する。無電解めっき金属層5の厚みは、0.1μm以上で3μm以下とするのが好ましい。   Next, as shown in FIG. 2B, the electroless plating metal layer 5 is formed on the upper surface of the covering insulating layer 3 and the inner wall surface of the opening 3a. The electroless plating metal layer 5 is preferably formed by copper plating. The electroless plating metal layer 5 adheres firmly to the covering insulating layer 3 when the upper surface of the covering insulating layer 3 and the inner wall surface of the opening 3a are roughened. The thickness of the electroless plating metal layer 5 is preferably 0.1 μm or more and 3 μm or less.

次に、図2(C)に示されるように、被覆絶縁層3の上面上の無電解めっき金属層5上に、例えば紫外線硬化型の厚膜のめっきレジスト(ドライフィルムレジスト)9が積層され、そのめっきレジスト9上にマスクを配置して被覆絶縁層3の開口3aに対応する位置を覆った状態で露光し、その後に現像することで、めっきレジスト9に開口9aが形成される。めっきレジスト9の開口9aの下端径は、被覆絶縁層3の開口3aの上端径よりも大径とされる。めっきレジスト9の開口9aの下端径は、被覆絶縁層3の開口3aの上端径の110%以上で130%以下とされることが好ましい。   Next, as shown in FIG. 2C, for example, an ultraviolet curable thick plating resist (dry film resist) 9 is laminated on the electroless plating metal layer 5 on the upper surface of the covering insulating layer 3. An opening 9 a is formed in the plating resist 9 by arranging a mask on the plating resist 9 and exposing the mask so as to cover a position corresponding to the opening 3 a of the covering insulating layer 3 and developing the mask. The lower end diameter of the opening 9 a of the plating resist 9 is larger than the upper end diameter of the opening 3 a of the coating insulating layer 3. The lower end diameter of the opening 9 a of the plating resist 9 is preferably 110% or more and 130% or less of the upper end diameter of the opening 3 a of the coating insulating layer 3.

次に、図2(D)に示されるように、被覆絶縁層3の開口3aおよびめっきレジスト9の開口9a内に、無電解めっき金属5を給電層とする電解めっき法によりバリア金属層7が形成される。バリア金属層7は、電解めっき法に限らず無電解めっき法に形成されてもよい。バリア金属層7は、好ましくは1μm以上で3μm以下の厚みで形成される。   Next, as shown in FIG. 2D, the barrier metal layer 7 is formed in the opening 3a of the coating insulating layer 3 and the opening 9a of the plating resist 9 by an electrolytic plating method using the electroless plating metal 5 as a power feeding layer. It is formed. The barrier metal layer 7 may be formed not only by the electrolytic plating method but also by the electroless plating method. The barrier metal layer 7 is preferably formed with a thickness of 1 μm or more and 3 μm or less.

次に、図2(E)に示されるように、被覆絶縁層3の開口3a内およびめっきレジスト9の開口9a内に、無電解めっき金属層5を給電層とする電解めっき法により半田層6が形成される。なお、フィリングめっきにより半田層6を形成すると膜厚にばらつきが生じるため、半田層6は、好ましくは、図示のような表面中央部が凹んだ形状となるコンフォーマルめっきにより形成される。   Next, as shown in FIG. 2 (E), the solder layer 6 is formed in the opening 3a of the coating insulating layer 3 and in the opening 9a of the plating resist 9 by an electrolytic plating method using the electroless plating metal layer 5 as a power feeding layer. Is formed. In addition, since the film thickness varies when the solder layer 6 is formed by filling plating, the solder layer 6 is preferably formed by conformal plating having a concave shape at the center of the surface as illustrated.

次に、図2(F)に示されるように、めっきレジスト9が、例えば作業者による手作業で剥離され、半田層6の外周面(側面)が露出するとともに被覆絶縁層3の上面を覆う無電解めっき金属層5が露出する。   Next, as shown in FIG. 2F, the plating resist 9 is peeled off, for example, manually by an operator, and the outer peripheral surface (side surface) of the solder layer 6 is exposed and covers the upper surface of the coating insulating layer 3. The electroless plating metal layer 5 is exposed.

次に、図2(G)に示されるように、無電解めっき金属層5の、半田層で覆われずに露出している部分が、エッチングにより除去され、バンプ前駆体4’を備えるプリント配線板が得られる。なお本明細書において「バンプ前駆体」とは、後述のバンプ4がリフロー処理される前のものを指す。バンプ前駆体4’は、導体パッド2a上に形成された無電解めっき金属層5と、該無電解めっき金属層5を覆うバリア金属層7と、該バリア金属層7上に形成された半田層6とを有している。バンプ前駆体4’におけるバリア金属層7は、被覆絶縁層3の上面の、開口3aの周囲に沿って形成されている。また、バンプ前駆体4’において半田層6は、上面に中央に向けて深さが増大する凹部を有している。   Next, as shown in FIG. 2G, a portion of the electroless plated metal layer 5 that is exposed without being covered with the solder layer is removed by etching, and the printed wiring including the bump precursor 4 ′ A board is obtained. In the present specification, the “bump precursor” refers to a material before a bump 4 described later is subjected to a reflow process. The bump precursor 4 ′ includes an electroless plating metal layer 5 formed on the conductor pad 2 a, a barrier metal layer 7 covering the electroless plating metal layer 5, and a solder layer formed on the barrier metal layer 7. 6. The barrier metal layer 7 in the bump precursor 4 ′ is formed along the periphery of the opening 3 a on the upper surface of the covering insulating layer 3. Further, in the bump precursor 4 ′, the solder layer 6 has a concave portion whose depth increases toward the center on the upper surface.

そして、図2(H)に示されるように、バンプ前駆体4’における半田層6がリフロー処理されて、被覆絶縁層3の上面より突出する部分が略半球状をなすバンプ4が形成される。   Then, as shown in FIG. 2H, the solder layer 6 in the bump precursor 4 ′ is reflowed to form a bump 4 having a substantially hemispherical portion protruding from the upper surface of the covering insulating layer 3. .

図3は、この発明の実施形態のバンプ付きプリント配線板の一適用例を示す断面図である。この適用例では、半導体素子E1,E2を搭載した下側パッケージ基板P1上に、半導体素子E3を搭載した上側パッケージ基板P2が積層されるとともに電気的に接続されたパッケージオンパッケージ(POP)型のプリント配線基板のうち下側パッケージ基板P1に、先の実施形態と同様にして製造された実施形態のバンプ付きプリント配線板が適用されている。下側パッケージ基板P1は、半導体素子E1,E2の微細化した端子ピッチに対応したピッチの中央部領域の導体パッド2a上にこの発明に基づいて形成されたバンプ4の半田層6を介して半導体素子E1,E2の端子と接続するとともに、上側パッケージ基板P2の大きな端子ピッチに対応した周辺領域の導体パッド2a上にこの発明に基づいて形成されたバンプ4の半田層6を介して上側パッケージ基板P2の下面の端子に接続している。   FIG. 3 is a cross-sectional view showing an application example of the printed wiring board with bumps according to the embodiment of the present invention. In this application example, a package-on-package (POP) type in which an upper package substrate P2 on which a semiconductor element E3 is mounted is stacked and electrically connected on a lower package substrate P1 on which semiconductor elements E1 and E2 are mounted. The printed wiring board with bumps of the embodiment manufactured in the same manner as the previous embodiment is applied to the lower package substrate P1 of the printed wiring board. The lower package substrate P1 is a semiconductor through the solder layer 6 of the bump 4 formed according to the present invention on the conductor pad 2a in the central region of the pitch corresponding to the refined terminal pitch of the semiconductor elements E1 and E2. The upper package substrate is connected to the terminals of the elements E1 and E2 through the solder layer 6 of the bump 4 formed according to the present invention on the conductor pad 2a in the peripheral region corresponding to the large terminal pitch of the upper package substrate P2. It is connected to the terminal on the lower surface of P2.

図4は、この発明の実施形態のバンプ付きプリント配線板の他の一適用例を示す断面図である。この適用例では、多層プリント配線板P3の外層2層分に形成された凹部内に、先の実施形態と同様にして製造された実施形態のバンプ付きプリント配線板P4が埋設されており、プリント配線板P4は、多層プリント配線基板P3上に実装される半導体素子としての例えばメモリチップC1とCPUチップC2とのそれぞれの微細化した端子ピッチに対応したピッチの導体パッド2a上にこの発明に基づいて形成されたバンプ4の半田層6を介してメモリチップC1とCPUチップC2との端子同士を接続し、基板上(内)広帯域信号伝送路を構成する。なお、実施形態のバンプ付きプリント配線板P4は、多層プリント配線基板P3の2層の外層上に搭載されて、例えばメモリチップC1とCPUチップC2とを接続してもよい。   FIG. 4 is a sectional view showing another application example of the printed wiring board with bumps according to the embodiment of the present invention. In this application example, the printed wiring board P4 with bumps of the embodiment manufactured in the same manner as the previous embodiment is embedded in the recess formed in the two outer layers of the multilayer printed wiring board P3. The wiring board P4 is based on the present invention on the conductor pads 2a having pitches corresponding to the respective finer terminal pitches of, for example, the memory chip C1 and the CPU chip C2 as semiconductor elements mounted on the multilayer printed wiring board P3. The terminals of the memory chip C1 and the CPU chip C2 are connected to each other through the solder layer 6 of the bump 4 formed in this manner, thereby constituting a (internal) broadband signal transmission path on the substrate. Note that the printed wiring board P4 with bumps of the embodiment may be mounted on two outer layers of the multilayer printed wiring board P3, and for example, connect the memory chip C1 and the CPU chip C2.

かくして、本発明により、プリント配線板の低コスト化を図るとともに、バンプ周囲への合金残渣の発生を防止することが可能となった。   Thus, according to the present invention, it is possible to reduce the cost of the printed wiring board and to prevent the generation of alloy residues around the bumps.

1 基部絶縁層
2 導体層
2a 導体パッド
3 被覆絶縁層
3a 開口
4 バンプ
4’ バンプ前駆体
5 無電解めっき金属層
5a 張出し部
6 半田層
7 バリア金属層
7a 張出し部
9 めっきレジスト(ドライフィルムレジスト)
9a 開口
C1 メモリチップ
C2 CPUチップ
E1,E2,E3 半導体素子
P1 下側パッケージ基板
P2 上側パッケージ基板
P3 多層プリント配線板
P4 バンプ付きプリント配線板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base insulation layer 2 Conductor layer 2a Conductive pad 3 Cover insulation layer 3a Opening 4 Bump 4 'Bump precursor 5 Electroless plating metal layer 5a Overhang part 6 Solder layer 7 Barrier metal layer 7a Overhang part 9 Plating resist (dry film resist)
9a Opening C1 Memory chip C2 CPU chip E1, E2, E3 Semiconductor element P1 Lower package substrate P2 Upper package substrate P3 Multilayer printed wiring board P4 Bumped printed wiring board

Claims (11)

絶縁材料からなる基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された、前記導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、
前記露出した導体パッド上に形成されたバンプと、
を具えるプリント配線板において、
前記バンプは、前記露出した導体パッド上に形成された無電解めっき金属層と、前記無電解めっき金属層上に形成され該無電解めっき金属層を覆うバリア金属層と、前記バリア金属層上に形成された半田層と、を有しており、
前記無電解めっき金属層および前記バリア金属層は、前記被覆絶縁層の上面の、前記開口の周囲に沿って張り出してそれらの張出し部を形成し、該張出し部の張出し長さは、前記被覆絶縁層の開口の内径に対して10%以上30%以下である
A base insulating layer made of an insulating material;
A conductor layer including a conductor pad formed on the base insulating layer;
A covering insulating layer formed on the base insulating layer and the conductor layer and having an opening exposing the conductor pad;
Bumps formed on the exposed conductor pads;
In a printed wiring board comprising
The bump includes an electroless plating metal layer formed on the exposed conductor pad, a barrier metal layer formed on the electroless plating metal layer and covering the electroless plating metal layer, and the barrier metal layer. A solder layer formed, and
The electroless plating metal layer and the barrier metal layer are projected along the periphery of the opening on the upper surface of the covering insulating layer to form a protruding portion, and the protruding length of the protruding portion is determined by the covering insulation. It is 10% or more and 30% or less with respect to the inner diameter of the opening of the layer .
請求項1記載のプリント配線板であって、前記半田層は、電解めっき層である。   The printed wiring board according to claim 1, wherein the solder layer is an electrolytic plating layer. 請求項1または2記載のプリント配線板であって、前記無電解めっき金属層は、無電解銅めっき層である。   3. The printed wiring board according to claim 1, wherein the electroless plating metal layer is an electroless copper plating layer. 請求項1から3までのいずれか一項記載のプリント配線板であって、前記バリア金属層は、ニッケルめっき層である。   4. The printed wiring board according to claim 1, wherein the barrier metal layer is a nickel plating layer. 5. 請求項1から4までのいずれか一項記載のプリント配線板であって、前記無電解めっき層の厚みは0.1μm以上3μm以下である。   It is a printed wiring board as described in any one of Claim 1 to 4, Comprising: The thickness of the said electroless-plating layer is 0.1 micrometer or more and 3 micrometers or less. 請求項1から5までのいずれか一項記載のプリント配線板であって、前記半田層は、前記被覆絶縁層の上面の開口の端縁の内径より大きい外径を有している。 6. The printed wiring board according to claim 1, wherein the solder layer has an outer diameter larger than an inner diameter of an edge of an opening on an upper surface of the covering insulating layer . 請求項1から6までのいずれか一項記載のプリント配線板であって、前記被覆絶縁層は、前記開口を複数有し、各開口の端縁における内径は、隣接する開口間のピッチの20%以上70%以下である。 7. The printed wiring board according to claim 1, wherein the insulating coating layer has a plurality of openings, and an inner diameter at an edge of each opening is 20 of a pitch between adjacent openings. % To 70%. 請求項1から7までのいずれか一項記載のプリント配線板であって、前記被覆絶縁層は、前記開口を複数有し、隣接する開口間の最小ピッチは30μm以上90μm以下である。 8. The printed wiring board according to claim 1, wherein the covering insulating layer has a plurality of the openings, and a minimum pitch between adjacent openings is not less than 30 μm and not more than 90 μm. 絶縁材料からなる基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された、前記導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、
前記露出した導体パッド上に形成されたバンプ前駆体と、
を具えるプリント配線板において、
前記バンプ前駆体は、前記露出した導体パッド上に形成された無電解めっき金属層と、前記無電解めっき金属層上に形成され該無電解めっき金属層を覆うバリア金属層と、前記バリア金属層上に形成された半田層と、を有しており、
前記無電解めっき金属層および前記バリア金属層は、前記被覆絶縁層の上面の、前記開口の周囲に沿って張り出してそれらの張出し部を形成し、該張出し部の張出し長さは、前記被覆絶縁層の開口の内径に対して10%以上30%以下である
A base insulating layer made of an insulating material;
A conductor layer including a conductor pad formed on the base insulating layer;
A covering insulating layer formed on the base insulating layer and the conductor layer and having an opening exposing the conductor pad;
A bump precursor formed on the exposed conductor pad;
In a printed wiring board comprising
The bump precursor includes an electroless plating metal layer formed on the exposed conductor pad, a barrier metal layer formed on the electroless plating metal layer and covering the electroless plating metal layer, and the barrier metal layer A solder layer formed thereon,
The electroless plating metal layer and the barrier metal layer are projected along the periphery of the opening on the upper surface of the covering insulating layer to form a protruding portion, and the protruding length of the protruding portion is determined by the covering insulation. It is 10% or more and 30% or less with respect to the inner diameter of the opening of the layer .
請求項9記載のプリント配線板であって、前記半田層は、上面に中央に向けて深さが増大する凹部を有している。   10. The printed wiring board according to claim 9, wherein the solder layer has a concave portion whose depth increases toward the center on the upper surface. 絶縁材料からなる基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された、前記導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、前記露出した導体パッド上に形成されたバンプと、を具えるプリント配線板の製造方法において、
前記基部絶縁層上に前記導体層が形成され、前記基部絶縁層および前記導体層上に被覆絶縁層が形成されたプリント配線板を準備することと、
前記被覆絶縁層を貫通して前記導体パッドに至る開口を形成することと、
前記露出した導体パッドの上面、前記被覆絶縁層の上面および前記開口の内壁面に沿って前記導体パッドと電気的に接続する無電解めっき金属層を形成することと、
前記被覆絶縁層の開口位置に該被覆絶縁層の開口よりも10%以上30%以下大きい開口を有するように、無電解めっき金属層上にめっきレジストを形成することと、
前記無電解めっき金属層の、前記めっきレジストの開口から露出する部分上にめっきによりバリア金属層を形成することと、
前記無電解めっき金属層を給電層とする電解めっきにより、前記被覆絶縁層の開口内および前記めっきレジストの開口内に半田層を形成することと、
前記めっきレジストを除去することと、
前記めっきレジストの除去によって露出した、前記被覆絶縁層の上面上の無電解めっき層を除去することと、
前記半田層を加熱によりリフローさせてバンプを形成することと、を含む。
A base insulating layer made of an insulating material; a conductor layer including a conductor pad formed on the base insulating layer; and an opening formed on the base insulating layer and on the conductor layer to expose the conductor pad. In a manufacturing method of a printed wiring board comprising a covering insulating layer having, and a bump formed on the exposed conductor pad,
Preparing a printed wiring board in which the conductor layer is formed on the base insulating layer and a covering insulating layer is formed on the base insulating layer and the conductor layer;
Forming an opening extending through the covering insulating layer to the conductor pad;
Forming an electroless plating metal layer electrically connected to the conductor pad along the upper surface of the exposed conductor pad, the upper surface of the covering insulating layer, and the inner wall surface of the opening;
Forming a plating resist on the electroless plating metal layer so that the opening position of the covering insulating layer has an opening larger by 10% or more and 30% or less than the opening of the covering insulating layer;
Forming a barrier metal layer by plating on a portion of the electroless plating metal layer exposed from the opening of the plating resist;
Forming a solder layer in the opening of the coating insulating layer and in the opening of the plating resist by electrolytic plating using the electroless plating metal layer as a power supply layer;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer on the upper surface of the covering insulating layer exposed by removing the plating resist;
Reflowing the solder layer by heating to form bumps.
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