JP6576569B2

JP6576569B2 - Ｏｆｄｍ信号を生成する方法及び装置

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Publication number: JP6576569B2
Application number: JP2018537832A
Authority: JP
Inventors: ヨハンヒル，; マイケルブレシェル，
Original assignee: テレフオンアクチーボラゲットエルエムエリクソン（パブル）
Priority date: 2016-02-15
Filing date: 2017-01-27
Publication date: 2019-09-18
Anticipated expiration: 2037-01-27
Also published as: EP3417547A1; EP3687104A1; US11245558B2; US9998313B2; WO2017140477A1; JP2019505124A; ES2806848T3; US10425263B2; EP3687104B1; PL3417547T3; PL3687104T3; MX2018009592A; US10785076B2; US20190349231A1; US20180123845A1; EP3417547B1; US20200403836A1; US20180248731A1

Description

本開示は、ＯＦＤＭ送信機及び関連する方法に関する。

マシン間の相互通信と、マシンと人間との間の通信において、マシン型通信（ＭＴＣ）の重要性が高くなっている。情報を交換するデバイスのネットワークの重要性が絶えず高くなっており、もののインターネット（ＩｏＴ）を構成する。これら特定のＭＴＣアプリケーションに適用されるセルラ技術が開発され、ＩｏＴにおいて重要な役割を果たしている。コスト及び消費電力を低く維持すると同時に、カバレッジを拡張する要求はタフである。ＩｏＴの将来のアクセス技術を設計する際、これらの総ての側面は解決されなければならない。現在、３ＧＰＰ（第３世代パートナーシッププロジェクト）は、これらのデザイン目標をどの様に満足させるかを調査しており、幾つかの提案が議論されている。現在の研究は、ＧＥＲＡＮからＲＡＮに移行しており、今日のＬＴＥ（ロングタームエボリューション）と比較して、より少ないシステム帯域幅を共通して有する。これらの、所謂"クリーン・スレート"解決策は、以前のＧＳＭスペクトラム及び既存のＧＳＭサイトでの配置を可能にする約２００ｋＨｚのシステム帯域幅を目標としている。

１つの提案は、ＮＢＩｏＴ（狭帯域ＩｏＴ）と呼ばれる。ＮＢＩｏＴは、標準化の初期においてはＮＢＬＴＥとして参照されていたが、後に、ＮＢＩｏＴに変更された。他の解決策は、狭帯域（ＮＢ）Ｍ２Ｍ及びＮＢＯＦＤＭＡとして参照される。上りリンクにＮＢＭ２Ｍを用い、下りリンクにＮＢＯＦＤＭＡを用いた、ＮＢＣＩｏＴ（セルラＩｏＴ）と呼ばれる統合解決策も提案されている。

ＮＢＩｏＴの１つの特徴は、帯域内動作、つまり、ＮＢＩｏＴが、ＬＴＥサブキャリアの１つの物理リソースブロック（ＰＲＢ）幅をパンクチャリングし、それをＮＢＩｏＴ送信に利用することで配置されることである。この帯域内動作を可能にするためには、ＮＢＩｏＴとレガシーＬＴＥとの間の相互干渉を避けるため、ＮＢＩｏＴの番号付けをレガシーＬＴＥと合成することが重要である。特に、ＮＢＩｏＴは、直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）シンボル期間とサイクリックプレフィクス（ＣＰ）期間とを含むＬＴＥ時間領域構造を維持することが想定されている。簡易な解決策は、ＬＴＥのシステム帯域幅に関するサンプリングレート、つまり、１．４ＭＨｚ、３．５ＭＨｚ、１０ＭＨｚ、１５ＭＨｚ、２０ＭＨｚＬＴＥチャネル帯域幅に関する１．９２ＭＨｚ、３．８４ＭＨｚ、７．６８ＭＨｚ、１５．３６ＭＨｚ、２３．０４ＭＨｚ及び３０．７２ＭＨｚサンプリングレートを再利用することである。

本発明者は、ＮＢＩｏＴ及び同様のシステムにおいて、比較的低いサンプリングレートで信号生成を得るためのアプローチを開発した。

第１態様によると、整数Ｎ_ｓｙｍ個のＯＦＤＭシンボルの第１シーケンスを含む信号を生成する送信機回路での方法が提供され、第１シーケンスは、Ｎ_ｓｙｍ個のＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの周波数サブバンド内で送信される。ＯＦＤＭシンボルの第１シーケンス及びＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスは、同じタイミングで送信される。ＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの第１サイクリックプレフィクスは、第１期間を有する。ＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの第２サイクリックプレフィクスは、第２期間を有する。等間隔の整数のサンプルを有する第１及び第２サイクリックプレフィクスを生成する様に、第２期間は、第１期間より短く、第１サンプリングレートが要求される。方法は、第１サンプリングレートより低い、第２サンプリングレートで、ＯＦＤＭの第１シーケンスを含む信号を生成することを含む。方法は、さらに、サイクリックプレフィクスの間、サンプリング位相を調整することを含む。

幾つかの実施形態によると、ＯＦＤＭシンボルの第１及び第２シーケンスのＯＦＤＭシンボルのサブキャリア間隔は１５ｋＨｚであり、第１期間は、１６０／３０．７２μｓであり、第２期間は、１４４／３０.７２μｓである。

幾つかの実施形態によると、第１サンプリングレートは、１．９２ＭＨｚである。

幾つかの実施形態によると、ＯＦＤＭシンボルの第１シーケンスのＯＦＤＭシンボルは、１２サブキャリアを有する。

幾つかの実施形態によると、第１サイクリックプレフィクスは、ＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの最初のサイクリックプレフィクスであり、ＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの後続する総てのサイクリックプレフィクスは、第２期間を有する。

幾つかの実施形態によると、ＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスは、第３世代パートナーシッププロジェクト（３ＧＰＰ）のロングタームエボリューション（ＬＴＥ）システムで送信され、スロットに対応する。

ＯＦＤＭシンボルの第１シーケンスは、ＮＢＩｏＴシステムで送信され得る。

幾つかの実施形態によると、第２サンプリングレートは、２４０ｋＨｚである。

幾つかの実施形態によると、第２サンプリングレートは、４８０ｋＨｚである。

幾つかの実施形態によると、第２サンプリングレートは、９６０ｋＨｚである。

幾つかの実施形態によると、サンプリング位相を調整することは、ＯＦＤＭシンボルの間の最初のサンプリングの瞬間が、先行するＯＦＤＭシンボルの最後のサンプリングの瞬間の後、第２のサンプリングレートの非整数倍の期間で生じる様に設定することを含む。

第２態様によると、整数Ｎ_ｓｙｍ個のＯＦＤＭシンボルの整数の第１シーケンスを含む信号を生成する送信機回路が提供され、第１シーケンスは、Ｎ_ｓｙｍ個のＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの周波数サブバンド内で送信される。ＯＦＤＭシンボルの第１シーケンス及びＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスは、同じタイミングで送信される。ＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの第１サイクリックプレフィクスは、第１期間を有する。ＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの第２サイクリックプレフィクスは、第２期間を有する。等間隔の整数のサンプルを有する第１及び第２サイクリックプレフィクスを生成する様に、第２期間は、第１期間より短く、第１サンプリングレートが要求される。送信機回路は、第１サンプリングレートより低い、第２サンプリングレートで、ＯＦＤＭシンボルの第１シーケンスを含む信号を生成する様に構成されたデジタル・アナログ変換器を含む。送信機回路は、サイクリックプレフィクスの間、デジタル・アナログ変換器のサンプリング位相を調整する様に構成されたコントロール部も含む。

幾つかの実施形態によると、コントロール部は、ＯＦＤＭシンボルの間の最初のサンプリングの瞬間が、先行するＯＦＤＭシンボルの最後のサンプリングの瞬間の後、第２のサンプリングレートの非整数倍の期間で生じる様に設定することで、サンプリング位相を調整する様に構成される。

第３態様によると、第２態様による送信機回路を含む電子デバイスが提供される。電子デバイスは、例えば、ＭＴＣデバイス、又は、セルラ通信システムのネットワークノードである。

例示的な本開示の更なる目的、特徴及び利点は、添付の図面を参照する以下の詳細な説明により明らかになる。

送信機の機能ブロック図。デジタル・アナログ変換器の出力を示す図。方法を示す図。送信機のブロック図。通信環境を示す図。

ＮＢＩｏＴの課題の１つは、レガシーＬＴＥのサンプリングレートとシステムＢＷ（帯域幅）との関係を再利用できる様にすることである。シンボル当たりに必要なサンプル数に対してスケーリングを単に適用する場合、サイクリックプレフィクスのシンボル当たりのサンプル数は整数ではないかもしれない。１つの解決策は、ＬＴＥの最も低いサンプリングレートである１．９２ＭＨｚに対して簡易なアップサンプリング／ダウンサンプリングを実行し、ＣＰ除去及び追加をそれぞれ行うことである。本発明者は、この方法は、より多くのデバイスでの処理を必要とし、バッテリ寿命を短くすることを伴うより多くの電力を消費し、結果、チップセットコストを増加させるので、低コストＭＴＣデバイスに対しては高価になりすぎることを認識した。多くのＭＴＣアプリケーションにおいて、低コスト、かつ、低電力であることが重要であり、部分的ではなく、全ＮＴＩｏＴシステムにおいて、サンプリングレートを減少できることが望ましい。

本開示は、全システムのサンプリングレートを可能な限り低く維持し、ＣＰ追加のためのより高いクロック周波数へのアップサンプリングを避ける送信機のアーキテクチャを提案する。一例によると、デジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）は、サイクリックプレフィクスが送信されるとき、一様ではないサンプリングでトリガされる様に構成される。

ＮＢＩｏＴｅＮｏｄｅＢ（つまり、ネットワークサイド）のコストは、デバイスサイドより関心が低いが、提案する送信チェインは、必要な場合にはコストを低減するためにｅＮｏｄｅＢでも使用され得る。

ＮＢＩｏＴの有益な特徴の１つは、レガシーＬＴＥとの帯域内動作である。これは、多かれ少なかれＬＴＥでの数値の使用を好ましくさせる。サブキャリア間隔は１５ｋＨｚであり、各スロットの第１ＯＦＤＭシンボルのＣＰ長は１６０／３０.７２μｓであり、それ以外は１４４／３０.７２μｓである。両ＣＰ長について、ＣＰ当たり整数のサンプルのために適用可能な最も低い必要サンプリングレートは、１．９２ＭＨｚである。１．９２ＭＨｚにおいて、第１ＯＦＤＭシンボルのＣＰは１０サンプルで表現され、他のＯＦＤＭシンボルのＣＰは９サンプルで表現される。

本開示において、ＮＢＩｏＴに適切なアーキテクチャは、上述した１．９２ＭＨｚと比較してサンプリングレートをさらに減少させるために提案される。ＵＥ（ユーザ装置）は、ｅＮｏｄｅＢよりコストに敏感であり、よって、ＵＥ側に焦点を当てる。しかしながら、開示するアイデアは、ｅＮｏｄｅＢサイドにも適用できる。

本開示において、ＮＢＩｏＴが例示的システムとして使用されるが、本開示は、他の同様のシステムにも同様に適用され得る。送信機デザインに関する考察を以下の例において提示する。

ワイドＬＴＥキャリア内に配置されたときでさえ有益なＮＢＩｏＴの帯域幅は１８０ｋＨｚである。よって、ナイキストのサンプリング定理を満たすためには１８０ｋＨｚのサンプリングレートで十分である。計算の複雑さの観点から、２のべき乗のポイント数のＦＦＴ又はＩＦＦＴを使用することが有用である。それぞれが１５ｋＨｚ帯域幅の１２サブキャリアをＮＢ−ＬＴＥが有するものとすると、上りリンクのＦＦＴ／ＩＦＦＴサイズは、計算の複雑さを最小化するために１６（＝２^４）ポイントとなる。各サブキャリについて１６ポイントＦＦＴ及び１５ｋＨｚ帯域幅とすると、２４０ｋＨｚサンプリングレートになる。

図１は、本実施形態の理解を促進させるための例示的な送信機チェインを示すブロック図である。２４０ｋＨｚサンプリングレートの利用を図１では想定しているが、１．９２ＭＨｚより低い他のサンプリングレートも使用され得る。

変調器１：この機能ブロックは、任意の通信システムにおけるのと同様の変調器である。変調器は、入力ビットストリームをコンスティレーションのシンボルにマッピングする。

シリアル・パラレル変換器２：この機能ブロックは、入力されるシリアル時間領域シンボルを、整数Ｍの長さのブロックにフォーマットする。

ＭポイントＦＦＴ部３：この機能ブロックは、各Ｍ個のパラレル時間領域シンボルをＭ個の周波数領域シンボルに変換する。

サブキャリアマッピング部４：この機能ブロックは、送信のため、各Ｍ個の周波数領域シンボルを特定のサブキャリアにマッピングする。

１６ポイントＩＦＦＴ部５：この機能ブロックは、１６サブキャリアのマッピングされたシンボルを、時間領域に変換する。

ＣＰ追加器６：信号は、２４０ｋＨｚサンプリングレートであり、各スロットの各第１ＯＦＤＭシンボルは１０／８サンプルのＣＰを有し、残りのＯＦＤＭシンボルは９／８サンプルを有する。ＣＰ追加器は、サイクリックプレフィクスに適切と推定される１つのＣＰサンプルを選択する。この例については図２を参照して後述する。

ＤＡＣＣＰ制御部７：この機能ブロックは、ＤＡＣの信号変換を制御する。ＣＰがデジタルからアナログに変換されるとき、ＤＡＣＣＰ制御部７は、通常より、１０／８倍、又は、９／８倍だけ長く信号を保持する、或いは、他の補間、例えば、図２に示す様に、各１／８の時間の２／８だけ信号を０にし、連続信号を生成するために再構成フィルタを適用することを行う。言い換えると、ＤＡＣＣＰ制御部７は、サイクリックプレフィクスの間、デジタル・アナログ変換器（後述するＤＡＣ）のサンプリング位相を調整する様に構成される。

ＤＡＣ８：デジタル信号をアナログ信号に変換し、再構成のために出力信号をフィルタリングする。ＤＡＣ８は、サイクリックプレフィクスの間、サンプリング位相の調整を可能にするため、ＤＡＣＣＰ制御部７のサイクリックプレフィクス挿入により制御される非一様なサンプリングをサポートする機能を有する。ＤＡＣ８は、例えば、ΣΔＤＡＣ又はナイキストＤＡＣといった任意の公知のタイプであり得る。非一様なサンプリングをサポートする機能は、例えば、ＤＡＣ８に、位相が調整可能なサンプリングクロックを供給することにより達成され得る。例えば、クロック信号生成器は、同じ周波数（例えば、２４０ｋＨｚ）の複数のサンプリングクロック信号であって、異なるサンプリングクロック信号間で位相遅延を有する複数のサンプリングクロック信号を生成する様に構成され得る。この様に、サンプリング位相の調整は、どのサンプリングクロック信号を、現在、ＤＡＣ８に供給するかを選択することにより行われ得る。位相が調整可能な位相ロックループ（ＰＬＬ）を使用するといった、他の方法も同様に使用され得る。

ＲＦ部９：送信のため、信号をＲＦにアップコンバートする。

図２は、ＤＡＣ８の例示的な出力波形を示している。ＤＡＣ８のサンプリングレートがｆ_ｓと示されると、対応する期間Ｔは１／ｆ_ｓである。図２の中央部は、ＯＦＤＭシンボル０、つまり、スロットの第１ＯＦＤＭシンボルを示している。本例において、点線の矢印５０で示す様に、シンボルの最後のサンプルのコピーが、単一サンプルＣＰとして選択されている。一例として、変化するＣＰ長のために２／８Ｔの長さの０が挿入され、これは、第１シンボルにおいて１０／８Ｔである。スロットの他のシンボルのため、０の長さは１／８Ｔであり、ＣＰ長は９／８Ｔである。本例においてはサイクリックプレフィクスの直前に挿入される、これら０は、図２において参照符号６０で示されている。上述した議論は、ｆ_ｓ＝２４０ｋＨｚを想定している。Ｔの他の値に等しい、他のサンプリングレートにおいて、数字は異なる。例えば、Ｔが２４０ｋＨｚの半分を意味する４８０ｋＨｚサンプリングレートでは、挿入される０は、長さ２／４Ｔ（第１シンボル）及び１／４Ｔ（他のシンボル）である。同様に、Ｔが４８０ｋＨｚの半分を意味する９６０ｋＨｚサンプリングレートでは、挿入される０は、長さ２／２Ｔ（第１シンボル）及び１／２Ｔ（他のシンボル）である。さらに、２４０ｋＨｚより高いサンプリングレートは、単一サンプルＣＰより多くの利用を可能にする。例えば、４８０ｋＨｚにおいて、シンボルの最後の２つのサンプルのコピーがＣＰに使用でき、９６０ｋＨｚにおいて、シンボルの最後の４つのサンプルのコピーが、ＣＰに使用できる。本開示は、ＣＰの信号値を生成する上述した例に限定されない。サンプリングレートの減少（例えば、ここでのＮＢＩｏＴの例における１．９２ＭＨｚ未満）を可能にする重要なポイントは、サイクリックプレフィクスの間のサンプリング位相の調整である。図２の例において、このサンプリング位相調整は、シンボルの最初のサンプリングの瞬間を２／８Ｔ（スロットの第１シンボル）又は１／８Ｔ（スロットの他のシンボル）だけ遅延させることにより行われる。この文脈において遅延は、サンプリング位相調整が行われていないときと比較している。サンプリングの瞬間は、図２の点線のクロスで示されている。４８０ｋＨｚサンプリングレートに対し、サンプリング位相調整は、シンボルの最初のサンプリングの瞬間を２／４Ｔ（スロットの第１シンボル）又は１／４Ｔ（スロットの他のシンボル）だけ遅延させることにより行われる。９６０ｋＨｚサンプリングレートに対し、サンプリング位相調整は、シンボルの最初のサンプリングの瞬間を２／２Ｔ（スロットの第１シンボル）又は１／２Ｔ（スロットの他のシンボル）だけ遅延させることにより行われる。

本開示によると、図３は、整数Ｎ_ｓｙｍ個のＯＦＤＭシンボルの第１シーケンスを含む信号を生成する送信機回路での方法が示され、第１シーケンスは、Ｎ_ｓｙｍ個のＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの周波数サブバンド内で送信される。ＯＦＤＭシンボルの第1シーケンス及びＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスは、同じタイミングで送信される。ＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの第１サイクリックプレフィクスは、第１期間又は"第１の長さ"を有する。ＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの第２サイクリックプレフィクスは、第２期間又は"第２の長さ"を有する。等間隔の整数のサンプル（一様な間隔）を有する第１及び第２サイクリックプレフィクスを生成する様に、第２期間は、第１期間より短く、第１サンプリングレートが要求される。この様に、第１サンプリングレートは、等間隔の整数のサンプルを有する第１及び第２サイクリックプレフィクスを生成するために必要な、最小必要サンプリングレートである。第１サンプリングレートの整数倍の様な、より高いサンプリングレートも、もちろん、等間隔の整数のサンプルを有する第１及び第２サイクリックプレフィクスを生成するため使用され得る。例えば、ＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスは、第３世代パートナーシッププロジェクト（３ＧＰＰ）のロングタームエボリューション（ＬＴＥ）システムで送信され、スロットに対応する。この文脈において、ＯＦＤＭシンボルの第１シーケンスは、本例で使用されているＮＢＩｏＴシステムの対応スロットのＯＦＤＭシンボルであり得る。上述した様に、第１サンプリングレートは、１．９２ＭＨｚであり得る。図３に示す方法は、第１サンプリングレートより低い、第２サンプリングレートでＯＦＤＭの第１シーケンスを含む信号を生成する（１００）ことを含む。上述した様に、第２サンプリングレートは、例えば、２４０ｋＨｚであり得る。しかしながら、１．９２ＭＨｚより低い、例えば、限定しないが、４８０ｋＨｚ又は９６０ｋＨｚの様な他のサンプリングレートも、有益に使用できる。２４０ｋＨｚ、４８０ｋＨｚ及び９６０ｋＨｚの利点は、これらのサンプリングレートでは、２の整数乗のポイント数のＦＦＴ及びＩＦＦＴ処理になり、上述した様に計算の複雑さの観点で有利である。図３に示す方法は、さらに、サイクリックプレフィクスの間、サンプリング位相を調整する（１１０）ことも含む。よって、サイクリックプレフィクスが、第２サンプリング周波数での期間の非整数倍の長さであるにも拘わらず、第１サンプリングレートより低いサンプリングレートを使用できる。

幾つかの例において、ＮＢＩｏＴを参照して上述したのと同様に、ＯＦＤＭシンボルの第１及び第２シーケンスのＯＦＤＭシンボルのサブキャリア間隔は１５ｋＨｚであり、第１期間は、１６０／３０．７２μｓであり、第２期間は、１４４／３０.７２μｓである。

幾つかの例において、ＮＢＩｏＴを参照して上述したのと同様に、ＯＦＤＭシンボルの第１シーケンスのＯＦＤＭシンボルは１２サブキャリアを有する。

幾つかの例において、ＮＢＩｏＴを参照して上述したのと同様に、第１サイクリックプレフィクスは、ＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの最初のサイクリックプレフィクスであり、ＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの総ての後続するサイクリックプレフィクスは、第２期間を有する。

サンプリング位相を調整することは、例えば、図２に示す様に、ＯＦＤＭシンボルの間の最初のサンプリングの瞬間が、先行するＯＦＤＭシンボルの最後のサンプリングの瞬間の後、第２サンプリングレートでの非整数倍の期間で生じる様に設定することを含む。

オプションとして、図３に示す方法は、単一サンプル値を各ＯＦＤＭシンボルのサイクリックプレフィクスとして選択する（１２０）ことを含み得る。代わりに、これは、個別の処理として実行され得る。図２に示す様に、単一サンプル値は、ＯＦＤＭシンボルの最後のサンプル値に等しく選択され得る。上述した様に、１より大きいサンプルが、第２サンプリングレートの値に応じてサイクリックプレフィクスのために使用され得る。

上述した開示に従い、図４は、整数Ｎｓｙｍ個のＯＦＤＭシンボルの第１シーケンスを含む信号を生成する送信機回路２００を示し、第１シーケンスは、Ｎｓｙｍ個のＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの周波数サブバンド内で送信される。ＯＦＤＭシンボルの第1シーケンス及びＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスは、同じタイミングで送信される。ＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの第１サイクリックプレフィクスは、第１期間又は"第１の長さ"を有する。ＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの第２サイクリックプレフィクスは、第２期間又は"第２の長さ"を有する。等間隔の整数のサンプルを有する第１及び第２サイクリックプレフィクスを生成する様に、第２期間は、第１期間より短く、第１サンプリングレートが要求される。例えば、ＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスは、３ＧＰＰＬＴＥシステムで送信され、スロットに対応する。この文脈において、ＯＦＤＭシンボルの第１シーケンスは、本例で使用されているＮＢＩｏＴシステムの対応スロットのＯＦＤＭシンボルであり得る。上述した様に、第１サンプリングレートは、１．９２ＭＨｚであり得る。図４に示す送信機回路２００は、第１サンプリングレートより低い、第２サンプリングレートでＯＦＤＭの第１シーケンスを含む信号を生成する様に構成されたＤＡＣ８を含む。このＤＡＣは、図１のＤＡＣに対応し、よって、同じ参照符号８が両図において使用される。上述した様に、第２サンプリングレートは、例えば、２４０ｋＨｚであり得る。しかしながら、限定しないが、１．９２ＭＨｚより低い、例えば、４８０ｋＨｚ又は９６０ｋＨｚの様な他のサンプリングレートも、有益に使用できる。さらに、図４に示す送信機回路２００は、サイクリックプレフィクスの間、ＤＡＣ８のサンプリング位相を調整する様に構成されたコントロール部２０５も含む。よって、サイクリックプレフィクスが、第２サンプリング周波数での期間の非整数倍の長さであるにも拘わらず、第１サンプリングレートより低いサンプリングレートを使用できる。この様に、コントロール部２０５は、図１の機能ユニット７の機能を実行する様に構成され得る。

幾つかの例において、コントロール部２０５は、単一サンプル値を各ＯＦＤＭシンボルのためのサイクリックプレフィクスとして選択する様にも構成され得る。この様に、コントロール部２０５は、図１の機能ユニット６の機能を実行する様に構成され得る。代わりに、これは、幾つかの他のユニットで実行され得る。図２に示す様に、単一サンプル値は、ＯＦＤＭシンボルの最後のサンプル値に等しく選択され得る。上述した様に、１より大きいサンプルが、第２サンプリングレートの値に応じてサイクリックプレフィクスのために使用され得る。

コントロール部２０５は、例えば、図２に示す様に、ＯＦＤＭシンボルの間の最初のサンプリングの瞬間が、先行するＯＦＤＭシンボルの最後のサンプリングの瞬間の後、第２のサンプリングレートの非整数倍の期間で生じる様に設定することによりサンプリング位相を調整する様に構成され得る。

図４に示す様に、送信機回路２００は、例えば、図１のＲＦ部に対応するＲＦ部９を含み得る。さらに、送信機２００は、ベースバンド（ＢＢ）部２１０を含み得る。ＢＢ部２１０は、例えば、図１の機能ユニット１〜５の機能を実行する様に構成され得る。幾つかの例において、ＢＢ部２１０は、図１の機能ユニット６の機能を実行する様に、つまり、サイクリックプレフィクスのサンプル値を選択する様に構成され得る。幾つかの例において、ＢＢ部２１０及びコントロール部２０５は、同じハードウェアユニットで実現され得る。他の例において、ＢＢ部２１０及びコントロール部２０５は、個別の異なるハードウェアユニットで実現され得る。当該ハードウェアユニットは、アプリケーション特定ハードウェアユニット、プログラム可能なハードウェアユニット、或いは、それらの任意の組み合わせであり得る。

送信機２００により送信されるのは、ＯＦＤＭシンボルの第１シーケンスであることに留意すべきである。ＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスは、１つ以上の送信機、例えば、１つ以上の他のデバイスにより送信され得る。しかしながら、ＯＦＤＭシンボルの第１及び第２シーケンスは、共存のため同じタイミングを有する。

図５は、本開示の送信機回路及び方法が利用される環境を示している。図５において、マシン型通信（ＭＴＣ）デバイス３００は、セルラ通信ネットワークのネットワークノード３００と無線により通信する。通信は、例えば、上述したＮＢＩｏＴを使用して行われる。よって、ネットワークノード３１０は、ＮＢＩｏＴのためのｅＮｏｄｅＢであり得る。ＭＴＣデバイス３００及びネットワークノード３１０は、送信機回路２００を有し得る電子デバイスの非制限的な例である。

本開示は、上記特定の例を参照することで提示される。しかしながら、上述したのとは異なる他の実装も可能である。ハードウェア又はソフトウェアにより方法を実行する、上述したのとは異なる方法ステップも提供され得る。本例の異なる特徴及びステップは、上述したのとは異なる組み合わせであり得る。例えば、送信機は図１に示す機能ブロックと同じに分割されなくとも良い。

Claims

整数Ｎ_ｓｙｍ個のＯＦＤＭシンボルの第１シーケンスを含む信号を生成する送信機回路（２００）での方法であって、前記第１シーケンスは、Ｎ_ｓｙｍ個の複数のＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの周波数サブバンド内で送信され、
ＯＦＤＭシンボルの前記第１シーケンス及びＯＦＤＭシンボルの前記第２シーケンスは、同じタイミングで送信され、
ＯＦＤＭシンボルの前記第２シーケンスの第１サイクリックプレフィクスは、第１期間を有し、
ＯＦＤＭシンボルの前記第２シーケンスの第２サイクリックプレフィクスは、第２期間を有し、
等間隔の整数のサンプルを有する前記第１サイクリックプレフィクス及び前記第２サイクリックプレフィクスを生成する様に、前記第２期間は、前記第１期間より短く、第１サンプリングレートが要求され、
前記方法は、
前記第１サンプリングレートより低い第２サンプリングレートで、ＯＦＤＭシンボルの前記第１シーケンスを含む前記信号を生成する（１００）ことと、
サイクリックプレフィクスの間、サンプリング位相を調整する（１１０）ことと、
を含む方法。
請求項１に記載の方法であって、
ＯＦＤＭシンボルの前記第１シーケンス及び前記第２シーケンスの前記ＯＦＤＭシンボルのサブキャリア間隔は１５ｋＨｚであり、前記第１期間は、１６０／３０．７２μｓであり、前記第２期間は、１４４／３０.７２μｓである、方法。
請求項１又は２に記載の方法であって、
前記第１サンプリングレートは、１．９２ＭＨｚである、方法。
請求項１から３のいずれか１項に記載の方法であって、
ＯＦＤＭシンボルの前記第１シーケンスのＯＦＤＭシンボルは、１２サブキャリアを有する、方法。
請求項１から４のいずれか１項に記載の方法であって、
前記第１サイクリックプレフィクスは、ＯＦＤＭシンボルの前記第２シーケンスの最初のサイクリックプレフィクスであり、ＯＦＤＭシンボルの前記第２シーケンスの総ての後続するサイクリックプレフィクスは、前記第２期間を有する、方法。
請求項５に記載の方法であって、
ＯＦＤＭシンボルの前記第２シーケンスは、第３世代パートナーシッププロジェクト（３ＧＰＰ）のロングタームエボリューション（ＬＴＥ）システムで送信され、スロットに対応する、方法。
請求項１から６のいずれか１項に記載の方法であって、
前記第２サンプリングレートは、２４０ｋＨｚである、方法。
請求項１から６のいずれか１項に記載の方法であって、
前記第２サンプリングレートは、４８０ｋＨｚである、方法。
請求項１から６のいずれか１項に記載の方法であって、
前記第２サンプリングレートは、９６０ｋＨｚである、方法。
請求項１から９のいずれか１項に記載の方法であって、
前記サンプリング位相を調整することは、ＯＦＤＭシンボルの間の最初のサンプリングの瞬間が、先行するＯＦＤＭシンボルの最後のサンプリングの瞬間の後、前記第２サンプリングレートでの非整数倍の期間に生じる様に設定することを含む、方法。
整数Ｎ_ｓｙｍ個のＯＦＤＭシンボルの第１シーケンスを含む信号を生成する送信機回路（２００）であって、前記第１シーケンスは、Ｎ_ｓｙｍ個のＯＦＤＭシンボルの第２シーケンスの周波数サブバンド内で送信され、
ＯＦＤＭシンボルの前記第１シーケンス及びＯＦＤＭシンボルの前記第２シーケンスは、同じタイミングで送信され、
ＯＦＤＭシンボルの前記第２シーケンスの第１サイクリックプレフィクスは、第１期間を有し、
ＯＦＤＭシンボルの前記第２シーケンスの第２サイクリックプレフィクスは、第２期間を有し、
等間隔の整数のサンプルを有する前記第１サイクリックプレフィクス及び前記第２サイクリックプレフィクスを生成する様に、前記第２期間は、前記第１期間より短く、第１サンプリングレートが要求され、
前記送信機回路は、
前記第１サンプリングレートより低い第２サンプリングレートでＯＦＤＭシンボルの前記第１シーケンスを含む前記信号を生成する様に構成されたデジタル・アナログ変換器（８）と、
サイクリックプレフィクスの間、前記デジタル・アナログ変換器のサンプリング位相を調整する様に構成されたコントロール部（２０５）と、
を備えている送信機回路。
請求項１１に記載の送信機回路（２００）であって、
ＯＦＤＭシンボルの前記第１シーケンス及び前記第２シーケンスの前記ＯＦＤＭシンボルのサブキャリア間隔は１５ｋＨｚであり、前記第１期間は、１６０／３０．７２μｓであり、前記第２期間は、１４４／３０.７２μｓである、送信機回路。
請求項１１又は１２に記載の送信機回路（２００）であって、
前記第１サンプリングレートは、１．９２ＭＨｚである、送信機回路。
請求項１１から１３のいずれか１項に記載の送信機回路（２００）であって、
ＯＦＤＭシンボルの前記第１シーケンスのＯＦＤＭシンボルは、１２サブキャリアを有する、送信機回路。
請求項１１から１４のいずれか１項に記載の送信機回路（２００）であって、
前記第１サイクリックプレフィクスは、ＯＦＤＭシンボルの前記第２シーケンスの最初のサイクリックプレフィクスであり、ＯＦＤＭシンボルの前記第２シーケンスの総ての後続するサイクリックプレフィクスは、前記第２期間を有する、送信機回路。
請求項１５に記載の送信機回路（２００）であって、
ＯＦＤＭシンボルの前記第２シーケンスは、第３世代パートナーシッププロジェクト（３ＧＰＰ）のロングタームエボリューション（ＬＴＥ）システムで送信され、スロットに対応する、送信機回路。
請求項１１から１６のいずれか１項に記載の送信機回路（２００）であって、
前記第２サンプリングレートは、２４０ｋＨｚである、送信機回路。
請求項１１から１６のいずれか１項に記載の送信機回路（２００）であって、
前記第２サンプリングレートは、４８０ｋＨｚである、送信機回路。
請求項１１から１６のいずれか１項に記載の送信機回路（２００）であって、
前記第２サンプリングレートは、９６０ｋＨｚである、送信機回路。
請求項１１から１９のいずれか１項に記載の送信機回路（２００）であって、
前記コントロール部（２０５）は、ＯＦＤＭシンボルの間の最初のサンプリングの瞬間が、先行するＯＦＤＭシンボルの最後のサンプリングの瞬間の後、前記第２サンプリングレートでの非整数倍の期間に生じる様に設定することで、前記サンプリング位相を調整する様に構成される、送信機回路。
電子デバイス（３００，３１０）であって、
請求項１１から２０のいずれか１項に記載の送信機回路を有する、電子デバイス。
請求項２１に記載の電子デバイス（３００）であって、
前記電子デバイスは、マシン型通信（ＭＴＣ）デバイスである、電子デバイス。
請求項２１に記載の電子デバイス（３１０）であって、
前記電子デバイスは、セルラ通信システムのネットワークノードである、電子デバイス。