JP6565666B2 - 積層透明導電膜、積層配線膜及び積層配線膜の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、例えばディスプレイあるいはタッチパネル等の透明電極膜として使用可能な積層透明導電膜、この積層透明導電膜からなる積層配線膜及び積層配線膜の製造方法に関するものである。

液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、及び、タッチパネル等においては、透明電極膜として、例えば特許文献１−４に示すような透明導電膜が提供されている。この透明導電膜には、可視光域の光の透過率が高く、かつ、電気抵抗の低いものが要求される。

ここで、特許文献１においては、透明導電膜として、透明導電酸化物の一種であるＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３＋Ｓｎ）からなるＩＴＯ膜が用いられているが、このＩＴＯ膜において電気抵抗を低くするためには、膜厚を厚く形成する必要があるため、可視光域の透過率が低下してしまう。よって、高い透過率と低い電気抵抗を両立することが困難であった。

また、特許文献２においては、Ｃｕなどのメタルメッシュ材が用いられているが、このメタルメッシュ材において電気抵抗を低くするためには、メタル部分の幅を広くする必要があり、やはり透過率が低下してしまうといった問題があった。また、光の反射によってメタルメッシュ材が視認されるおそれがあることから、メタルメッシュ材の表面に黒色化膜等を形成する必要があった。

特許文献３，４には、Ａｇ合金膜と透明導電酸化物膜とを積層した積層透明導電膜が提案されている。この積層透明導電膜においては、Ａｇ合金膜によって導電性が確保されていることから、電気抵抗を低くするために透明導電酸化物膜を厚く形成する必要がなくなり、比較的高い透過率を得ることが可能となる。

特開２００８−３１０５５０号公報 特開２００６−３４４１６３号公報 特開昭６３−１１０５０７号公報 特開平０９−２３２２７８号公報

ところで、最近では、ディスプレイあるいはタッチパネル等においては、配線及び透明電極の微細化がさらに進められており、さらに、大画面化によって配線及び透明電極の長さが長くなってきており、透明電極として、従来にも増して電気抵抗が低く、かつ、可視光域の透過率に優れた透明導電膜が求められている。
ここで、特許文献３，４に記載された積層透明導電膜において、さらなる透過率の向上を図るためには、Ａｇ合金膜の膜厚を薄くする必要がある。しかしながら、単にＡｇ合金膜を薄くした場合には、Ａｇが凝集しやすくなり、このＡｇの凝集によって表面プラズモン吸収が発生し、透過率が大幅に低下してしまうといった問題があった。また、Ａｇの凝集によってＡｇ合金膜が不連続膜となるため、電気抵抗も増加してしまう。
このため、従来の積層透明導電膜においては、さらなる電気抵抗の低下及び透過率の向上を図ることができなかった。

この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、透過率が十分に高く、かつ、電気抵抗が十分に低い積層透明導電膜、この積層透明導電膜からなる積層配線膜及び積層配線膜の製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の積層透明導電膜は、基材の表面に下地層として成膜されるＧａ_２Ｏ_３膜と、このＧａ_２Ｏ_３膜上に成膜されたＡｇ合金膜と、このＡｇ合金膜上に成膜された透明導電酸化物膜と、を備えており、前記Ａｇ合金膜は、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上を合計で０．２原子％以上１．５原子％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなるＡｇ合金で構成されていることを特徴とする。

本発明の積層透明導電膜によれば、下地層としてＧａ_２Ｏ_３膜が形成され、このＧａ_２Ｏ_３膜の上に、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上を含有するＡｇ合金からなるＡｇ合金膜が成膜されているので、Ａｇ合金膜の濡れ性が向上することになり、Ａｇ合金膜を薄く成膜した場合であっても、Ａｇの凝集が抑制され、連続した膜を成膜することができる。
よって、Ａｇの凝集による表面プラズモン吸収の発生を防止でき、高い透過率を得ることができる。また、連続膜となるため、電気抵抗も低くすることができる。

ここで、本発明の積層透明導電膜においては、波長４００〜８００ｎｍの可視光域の平均透過率が８５％以上、シート抵抗値が１０Ω／□以下であることが好ましい。
この場合、可視光域の平均透過率が８５％以上、かつ、シート抵抗値が１０Ω／□以下とされているので、十分に高い透過率及び十分に低い電気抵抗を有しており、微細化された透明電極膜として使用することができる。

また、本発明の積層透明導電膜においては、前記Ａｇ合金膜の厚さが１０ｎｍ以下とされていることが好ましい。
この場合、Ａｇ合金膜の厚さが１０ｎｍ以下とされているので、透過率を向上させることができる。また、下地層としてＧａ_２Ｏ_３膜が形成されているので、Ａｇ合金膜の厚さを１０ｎｍ以下と薄く形成しても、Ａｇの凝集がなく連続膜となるため、電気抵抗が低くなる。

さらに、本発明の積層透明導電膜においては、前記透明導電酸化物膜は、Ｉｎ_２Ｏ_３系酸化物、ＺｎＯ系酸化物、及び、ＳｎＯ_２系酸化物のいずれか１種又は２種以上を含むことが好ましい。
この場合、透明導電酸化物膜が上述の透明導電酸化物で構成されているので、透明導電酸化物膜における導電性及び透過率が確保されることになり、電気抵抗が低く、かつ、透過率の高い積層透明導電膜を構成することができる。

本発明の積層配線膜は、上述の積層透明導電膜からなり、配線パターンを有することを特徴とする。
本発明の積層配線膜によれば、上述の積層透明導電膜からなることから、低い電気抵抗と高い透過率を有する。

本発明の積層配線膜の製造方法は、上述の積層配線膜の製造方法であって、基材の成膜面にパターン状のレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜が形成された前記基材の成膜面に、前記Ｇａ_２Ｏ_３膜、前記Ａｇ合金膜及び前記透明導電酸化物膜を含む前記積層透明導電膜を成膜する積層透明導電膜成膜工程と、前記レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、を備えていることを特徴とする。

通常、配線パターンを形成する場合、積層透明導電膜を成膜した後に酸性の溶液を用いたエッチングによりパターン形成を行う。ここで、上述の積層透明導電膜は、Ｇａ_２Ｏ_３膜、Ａｇ合金膜、透明導電酸化物膜が積層された構造とされており、Ｇａ_２Ｏ_３膜、Ａｇ合金膜、透明導電酸化物膜のエッチング速度を一致させることが困難であることから、Ａｇ合金膜のオーバーエッチングやＧａ_２Ｏ_３膜、透明導電酸化物膜の残渣の発生等の問題が生じる。
そこで、本発明の積層配線膜の製造方法では、基材の成膜面にレジスト膜をパターン状に形成し、前記レジスト膜が形成された前記基材の成膜面に積層透明導電膜を成膜する構成とした。これにより、積層透明導電膜を成膜した後に、レジスト膜を基材から除去すると、レジスト膜が形成されていなかった領域にのみ積層透明導電膜が残存し、配線パターンを有する積層配線膜を形成することが可能となる。このため、エッチング工程を行う必要がなく、配線パターンを精度良く形成することができる。

本発明の積層透明導電膜によれば透過率が十分に高く、かつ、電気抵抗が十分に低い積層透明導電膜、この積層透明導電膜からなる積層配線膜及び積層配線膜の製造方法を提供することが可能となる。

本発明の実施形態の積層透明導電膜の一部拡大断面図である。 実施例において下地層（第１層）の上にＡｇ合金膜（第２層）を形成した状態を観察した結果を示す写真である。（ａ）が本発明例３、（ｂ）が比較例１、（ｃ）が比較例１１である。 本発明の実施形態の積層配線膜の一部拡大断面図である。 本発明の実施形態の積層配線膜の製造方法を示すフロー図である。 本発明の実施形態の積層配線膜の製造方法の説明図である。

以下に、本発明の実施形態である積層透明導電膜について、添付した図を参照して説明する。
本実施形態における積層透明導電膜１０は、各種ディスプレイ及びタッチパネルの透明電極膜として使用されるものであり、特に、タブレットサイズ以上の静電容量タイプのタッチパネルにおいて使用されるものとされている。

本実施形態である積層透明導電膜１０を図１に示す。この積層透明導電膜１０は、例えば基板２０の一面に下地層として成膜されたＧａ_２Ｏ_３膜１１と、このＧａ_２Ｏ_３膜１１上に成膜されたＡｇ合金膜１２と、このＡｇ合金膜１２上に成膜された透明導電酸化物膜１３と、を備えている。なお、基板２０としては、例えばガラス基板、樹脂フィルム等を用いることができる。
そして、本実施形態においては、積層透明導電膜１０は、波長４００〜８００ｎｍの可視光域の平均透過率が８５％以上、シート抵抗値が１０Ω／□以下とされている。
なお、積層透明導電膜１０の波長４００〜８００ｎｍの可視光域の平均透過率は８５％以上であることが好ましく、８６％以上であることがさらに好ましい。また、積層透明導電膜１０のシート抵抗値は１０Ω／□以下であることが好ましく、８Ω／□以下であることがさらに好ましい。

Ａｇ合金膜１２は、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上を合計で０．２原子％以上１．５原子％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなるＡｇ合金で構成されている。
本実施形態において、Ａｇ合金膜１２を構成するＡｇ合金が含有するＩｎ，Ｓｎ，Ｓｂといった元素は、Ａｇ合金膜１２のＧａ_２Ｏ_３膜１１に対する濡れ性を向上させる作用効果を有する元素であり、Ａｇ合金膜１２を薄く形成した場合であってもＡｇの凝集を抑制することが可能となる。

ここで、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上の合計含有量が０．２原子％未満の場合には、上述の作用効果を十分に奏功せしめることができないおそれがある。一方、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上の合計含有量が１．５原子％を超えると、Ａｇ合金膜１２の透過率が低下し、かつ、抵抗値が上昇するおそれがある。
このような理由から、本実施形態では、Ａｇ合金膜１２を構成するＡｇ合金におけるＩｎ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上の合計含有量を０．２原子％以上１．５原子％以下の範囲内に規定している。
なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ａｇ合金膜１２を構成するＡｇ合金におけるＩｎ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上の合計含有量の下限を０．２ 原子％以上とすることが好ましく、０．５原子％以上とすることがさらに好ましい。一方、透過率の低下や抵抗率の上昇をさらに抑制するためには、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上の合計含有量の上限を１．５原子％以下とすることが好ましく、１．０原子％以下とすることがさらに好ましい。

また、本実施形態においては、透明導電酸化物膜１３が、Ｉｎ_２Ｏ_３系酸化物、ＺｎＯ系酸化物、及び、ＳｎＯ_２系酸化物を含有するものとされている。具体的には、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３＋Ｓｎ）、ＩＺＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３＋Ｚｎ）、ＺｎＯ、ＡＺＯ（ＺｎＯ＋Ａｌ）、ＧＺＯ（ＺｎＯ＋Ｇａ）、ＺＩＯ（ＺｎＯ＋Ｉｎ）、ＳｎＯ_２、ＡＴＯ（ＳｎＯ_２＋Ｓｂ）、ＦＴＯ（ＳｎＯ_２＋Ｆ）及びこれらの混成酸化物（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＺｎＯ＋ＳｎＯ_２）等が挙げられる。ここで、（ ）内は、酸化物が主成分または主要成分で、金属元素またはフッ素は微量成分であることを表わす。
なお、ここでいう「主成分」は、５０質量％以上を含有するものであり、「主要成分」は、５０質量％以上９９．９質量％以下を含有するものであり、「微量成分」は、０．１質量％以上２０質量％以下を含有するものである。

ここで、本実施形態では、透過率を向上させるために、Ａｇ合金膜１２の膜厚ｔ２を１０ｎｍ以下に設定している。なお、さらなる透過率の向上を図る場合には、Ａｇ合金膜１２の膜厚ｔ２を８ｎｍ以下とすることが好ましく、６ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。また、Ａｇ合金膜１２の膜厚ｔ２の下限は２ｎｍ以上とすることが好ましく、３ｎｍ以上とすることがさらに好ましい。
そして、Ｇａ_２Ｏ_３膜１１の膜厚ｔ１と透明導電酸化物膜１３の膜厚ｔ３は、各単相膜での光学定数（屈折率及び消衰係数）を用いて、Ｇａ_２Ｏ_３／Ａｇ合金／透明導電酸化物（ＴＣＯ）の３層構造で光学シミュレーションを行い、可視光域の透過率が光学的干渉効果によって向上する膜厚としている。

Ｇａ_２Ｏ_３膜１１の膜厚ｔ１及び透明導電酸化物膜１３の膜厚ｔ３は、およそ以下のような範囲の膜厚とすることが好ましい。
ｔ１＝５５０／（４×ｎ１）×ｋ１，ｔ３＝５５０／（４×ｎ３）×ｋ３
ここで、ｎ１，ｎ３は、Ｇａ_２Ｏ_３の屈折率（ｎ１）及び透明導電酸化物の屈折率（ｎ３）である。また、ｋ１，ｋ３は、Ｇａ_２Ｏ_３の係数（ｋ１）及び透明導電酸化物の係数（ｋ３）である。

なお、係数ｋ１、ｋ３は、Ｇａ_２Ｏ_３及び透明導電酸化物によってそれぞれ最適値が異なるが、係数ｋ１，ｋ３は、０．２〜０．８の範囲であることが好ましく、０．４〜０．７の範囲であることがさらに好ましい。特に、係数ｋ１，ｋ３が０．６程度であると、Ｇａ_２Ｏ_３及び透明導電酸化物の種類によらず可視光域の透過率が向上することになる。
本実施形態では、上述の光学シミュレーションの結果、Ｇａ_２Ｏ_３膜１１の膜厚ｔ１を４４ｎｍ、透明導電酸化物膜１３（ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２）の膜厚ｔ３を４０ｎｍに設定している。これらの膜厚は、係数ｋ１，ｋ３を０．６とした場合の膜厚である。

次に、本実施形態である積層透明導電膜１０の製造方法について説明する。本実施形態では、基板２０の上に、Ｇａ_２Ｏ_３膜１１、Ａｇ合金膜１２及び透明導電酸化物膜１３を、それぞれスパッタリング法によって成膜している。
まず、基板２０の上に下地層として、Ｇａ_２Ｏ_３膜１１を成膜する。Ｇａ_２Ｏ_３膜１１は、膜組成が制御しやすい焼結ターゲットを用いて、ＲＦスパッタによって成膜することが好ましい。

次に、成膜されたＧａ_２Ｏ_３膜１１の上に、Ａｇ合金ターゲットを用いてＤＣスパッタによってＡｇ合金膜１２を成膜する。このＡｇ合金ターゲットは、成膜されるＡｇ合金膜１２の組成に応じた組成とされている。
そして、成膜されたＡｇ合金膜１２の上に、透明導電酸化物ターゲットを用いてＤＣスパッタによって透明導電酸化物膜１３を成膜する。なお、透明導電酸化物ターゲットは、膜組成が制御しやすい焼結ターゲットとすることが好ましい。
以上のようにして、本実施形態である積層透明導電膜１０が得られる。

以上のような構成とされた本実施形態である積層透明導電膜１０においては、基板２０の表面に下地層としてＧａ_２Ｏ_３膜１１が形成され、このＧａ_２Ｏ_３膜１１の上にＡｇ合金膜１２が成膜されており、Ａｇ合金膜１２が、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上を合計で０．２原子％以上１．５原子％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなるＡｇ合金で構成したものとされているので、Ａｇ合金膜１２の濡れ性が向上し、Ａｇ合金膜１２を薄く成膜した場合であっても、Ａｇの凝集が抑制される。よって、Ａｇの凝集による表面プラズモン吸収の発生を防止でき、高い透過率を得ることができる。また、連続膜となるため、電気抵抗も低くすることができる。

さらに、本実施形態では、Ａｇ合金膜１２の厚さｔ２を１０ｎｍ以下に設定しているので、透過率を向上させることができる。また、下地層としてＧａ_２Ｏ_３膜１１が形成されているので、Ａｇ合金膜１２の厚さが１０ｎｍ以下としてもＡｇの凝集がなく連続膜となり、電気抵抗を低くすることができる。

また、本実施形態では、透明導電酸化物膜１３が、Ｉｎ_２Ｏ_３系酸化物、ＺｎＯ系酸化物、及び、ＳｎＯ_２系酸化物のいずれか１種又は２種以上を含むものとされており、具体的には、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＺＩＯ、ＳｎＯ_２、ＡＴＯ、ＦＴＯ及びこれらの混成酸化物（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＺｎＯ＋ＳｎＯ_２）等とされているので、透明導電酸化物膜１３における導電性及び透過率が確保されることになり、電気抵抗が低く、かつ、透過率の高い積層透明導電膜１０を構成することができる。

そして、本実施形態では、波長４００〜８００ｎｍの可視光域の平均透過率が８５％以上、シート抵抗値が１０Ω／□以下とされており、十分に高い透過率及び低い電気抵抗を有しているので、微細化された透明電極膜として使用することができる。

次に、本発明の実施形態である積層配線膜３０及び積層配線膜３０の製造方法について、図３から図５を参照して説明する。
本実施形態である積層配線膜３０は、図３に示すように、図１に示す積層透明導電膜１０に配線パターンが形成されたものである。

この積層配線膜３０は、以下のようにして製造される。
まず、基板２１の成膜面にレジスト膜４１を成膜し、このレジスト膜４１に露光・現像することで、配線パターンを反転させた反転パターンを形成する（レジスト膜形成工程Ｓ０１）。
次に、反転パターンを有するレジスト膜４１が形成された基板２１上に、スパッタ法により、Ｇａ_２Ｏ_３膜１１、Ａｇ合金膜１２、透明導電酸化物膜１３を順に成膜する。これにより、レジスト膜４１及び基板２１上に積層透明導電膜１０が形成される（積層透明導電膜成膜工程Ｓ０２）。
次に、レジスト膜４１を除去する（レジスト膜除去工程Ｓ０３）。すると、反転パターン状のレジスト膜４１上に成膜された積層透明導電膜１０は除去され、配線パターンを有する積層配線膜３０が形成される。

この構成の積層配線膜３０及び積層配線膜３０の製造方法によれば、配線パターンを形成する際に、エッチングを行う必要がないため、Ｇａ_２Ｏ_３膜１１、Ａｇ合金膜１２、透明導電酸化物膜１３のエッチング速度の違いによるＡｇ合金膜１２のオーバーエッチング及びＧｅ_２Ｏ_３膜１１、透明導電酸化物膜１３の残渣の発生を抑制でき、配線パターンを精度良く形成することができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態では、Ｇａ_２Ｏ_３膜１１の膜厚を４４ｎｍ、透明導電酸化物膜１３の膜厚を４０ｎｍのものとして説明したが、これに限定されることはなく、他の膜厚としてもよい。ただし、本実施形態に記載したように、光学シミュレーションを行い、光干渉効果によって透過率が向上する膜厚を選択することが好ましい。

（実施例１）
本発明に係る積層透明導電膜の作用効果について確認した確認実験の結果について説明する。

ガラス基板（無アルカリガラス：５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍｔ）の表面に、表１、２に示す構造の積層透明導電膜をスパッタリング法により成膜した。なお、比較例Ａ，Ｂでは、ＩＴＯ単層膜をスパッタリング法により成膜した。また、比較例Ｂのみ、ガラス基板を２００℃に加熱して成膜した。

ここで、Ｇａ_２Ｏ_３膜、及び、ＳｎＯ_２膜、ＺｎＯ膜、ＩＴＯ膜の膜厚は、実施の形態で説明した光学シミュレーションを行い、光学的干渉効果によって可視光域の透過率が向上する膜厚を選択した。
なお、Ｇａ_２Ｏ_３膜、Ａｇ合金膜及び透明導電酸化物膜（ＳｎＯ_２膜、ＺｎＯ膜、ＩＴＯ膜）の膜厚は、膜厚計（アルバック社製 ＤＥＫＴＡＫ）を用いて測定した。

Ｇａ_２Ｏ_３膜、ＳｎＯ_２膜、ＺｎＯ膜の作製には、それぞれの酸化物の焼結体ターゲットを用いた。ＩＴＯ膜の作製には、Ｉｎ_２Ｏ_３とＳｎＯ_２の総和に対しＳｎＯ_２を１０質量％含むＩＴＯ焼結体ターゲットを用いた。Ａｇ合金膜の作製には、表１、２に記載された組成のＡｇ合金ターゲットを用いた。それぞれの膜の成膜条件を以下に示す。

＜Ｇａ_２Ｏ_３膜の成膜条件＞
スパッタリング装置：マグネトロンスパッタ装置（アルバック社製ＣＳ−２００）
磁界強度：１０００Ｇａｕｓｓ（ターゲット直上、垂直成分）
到達真空度：５×１０^−５Ｐａ以下
スパッタリングガス：Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス（Ｏ_２の混合比１％）
スパッタリングガス圧：０．４Ｐａ
スパッタリングパワー：ＲＦ１００Ｗ

＜透明導電酸化物膜（ＳｎＯ_２膜、ＺｎＯ膜、ＩＴＯ膜）の成膜条件＞
スパッタリング装置：マグネトロンスパッタ装置（アルバック社製ＣＳ−２００）
磁界強度：１０００Ｇａｕｓｓ（ターゲット直上、垂直成分）
到達真空度：５×１０^−５Ｐａ以下
スパッタリングガス：Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス（Ｏ_２の混合比２％）
スパッタリングガス圧：０．４Ｐａ
スパッタリングパワー：ＤＣ１００Ｗ

＜Ａｇ合金膜の成膜条件＞
スパッタリング装置：マグネトロンスパッタ装置（アルバック社製ＣＳ−２００）
磁界強度：１０００Ｇａｕｓｓ（ターゲット直上、垂直成分）
到達真空度：５×１０^−５Ｐａ以下
スパッタリングガス：Ａｒ
スパッタリングガス圧：０．５Ｐａ
スパッタリングパワー：ＤＣ１００Ｗ

得られた積層透明導電膜及びＩＴＯ単層膜について、平均透過率及びシート抵抗を以下のようにして評価した。また、本発明例３、比較例１、比較例１１において、下地層（第１層）の上にＡｇ合金膜（第２層）を成膜した後、Ａｇ合金膜の状態を以下のようにして観察した。

＜平均透過率＞
分光光度計（日立ハイテクノロジーズ社製 Ｕ４１００）を用いて、４００ｎｍから８００ｎｍの波長範囲における透過率スペクトルを測定し、平均透過率を求めた。評価結果を表１、２に示す。

＜シート抵抗＞
表面抵抗測定器（三菱油化社製 Ｌｏｒｅｓｔａ ＡＰ ＭＣＰ−Ｔ４００）を用いて、四探針法によって抵抗率を測定した。評価結果を表１、２に示す。

＜Ａｇ合金膜の状態＞
走査電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 ＳＵ８０００）を用いて、１０万倍の倍率で膜の状態を観察した。観察結果の一部を図２に示す。

本発明例では、平均透過率がいずれも８５％を超えており、さらに、シート抵抗がいずれも１０Ω／□以下であり、透過率に優れ、かつ、抵抗が十分に低い積層透明導電膜が得られることが確認された。なお、本発明例３においては、図２（ａ）に示すように、Ａｇ合金膜が連続膜となっており、Ａｇの凝集が抑制されていた。

一方、Ｇａ_２Ｏ_３膜の上に純ＡｇからなるＡｇ膜を形成した比較例１−６、及び、下地層としてＩＴＯ膜を用いた比較例１１−１６においては、平均透過率がいずれも８５％以下であり、シート抵抗は対応する本発明例に比べて高くなっていた。ＡｇおよびＡｇ合金膜においてＡｇの凝集が発生したためと推測される。なお、比較例１及び比較例１１においては、図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、Ａｇが凝集しており、Ａｇ合金膜が不連続となっていた。

また、比較例Ａでは、ＩＴＯ単層膜を６００ｎｍと厚く形成することで、シート抵抗を１０Ω／□以下としたが、平均透過率が７６．４％と大きく劣化した。
さらに、比較例Ｂでは、ガラス基板を２００℃に加熱することで、膜厚が１８０ｎｍでシート抵抗が１０Ω／□以下となったが、平均透過率は８５％以下であった。

以上のことから、本発明例によれば、Ａｇ合金膜を薄く形成してもＡｇの凝集がなく、透過率が高く、抵抗値の低い積層透明導電膜を提供可能であることが確認された。

（実施例２）
次に、上述の積層透明導電膜を用いて、配線パターンを有する積層配線膜を形成し、配線パターンの形状を評価した。

まず、配線パターンに対して反転した反転パターンを形成したレジスト膜の上に、スパッタ法により、本発明例１〜３６に示す積層透明導電膜を成膜した。次に、レジスト膜を除去し、配線パターンを有する積層配線膜を得た。
得られた積層配線膜を光学顕微鏡により観察した結果、残渣や剥離のない配線パターンが精度良く形成されていた。

比較のため、基板上に、スパッタ法により、本発明例１〜３６に示す積層透明導電膜を成膜した。次に、フォトリソ法により積層透明導電膜の上にレジストの配線パターンを形成した。最後に、酸性溶液をエッチャントに用いて、積層透明導電膜のエッチングを一括で行った。エッチングは、蓚酸をエッチャントとし、４０℃で１８０秒間の条件で行った。
得られた積層配線膜を光学顕微鏡により観察した結果、透明導電酸化物膜の残渣やＡｇ合金膜のオーバーエッチングが確認された。

以上のことから、配線パターンに対して反転した反転パターンを形成したレジスト膜の上に積層透明導電膜を成膜し、レジスト膜を除去することで、良好な配線パターンを有する積層配線膜が形成可能であることが確認された。

１０ 積層透明導電膜
１１ Ｇａ_２Ｏ_３膜
１２ Ａｇ合金膜
１３ 透明導電酸化物膜
３０ 積層配線膜
４１ レジスト膜

Claims (6)

1. 基材の表面に下地層として成膜されるＧａ_２Ｏ_３膜と、このＧａ_２Ｏ_３膜上に成膜されたＡｇ合金膜と、このＡｇ合金膜上に成膜された透明導電酸化物膜と、を備えており、
   前記Ａｇ合金膜は、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上を合計で０．２原子％以上１．５原子％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなるＡｇ合金で構成されていることを特徴とする積層透明導電膜。
2. 波長４００〜８００ｎｍの可視光域の平均透過率が８５％以上、シート抵抗値が１０Ω／□以下であることを特徴とする請求項１に記載の積層透明導電膜。
3. 前記Ａｇ合金膜の厚さが１０ｎｍ以下とされていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の積層透明導電膜。
4. 前記透明導電酸化物膜は、Ｉｎ_２Ｏ_３系酸化物、ＺｎＯ系酸化物、及び、ＳｎＯ_２系酸化物のいずれか１種又は２種以上を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の積層透明導電膜。
5. 請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の積層透明導電膜からなり、配線パターンを有することを特徴とする積層配線膜。
6. 請求項５に記載された積層配線膜の製造方法であって、
   基材の成膜面にパターン状のレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
   前記レジスト膜が形成された前記基材の成膜面に、前記Ｇａ_２Ｏ_３膜、前記Ａｇ合金膜及び前記透明導電酸化物膜を含む前記積層透明導電膜を成膜する積層透明導電膜成膜工程と、
   前記レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、
   を備えていることを特徴とする積層配線膜の製造方法。