JP6552361B2 - Sensor and vaporizer - Google Patents

Sensor and vaporizer Download PDF

Info

Publication number
JP6552361B2
JP6552361B2 JP2015190948A JP2015190948A JP6552361B2 JP 6552361 B2 JP6552361 B2 JP 6552361B2 JP 2015190948 A JP2015190948 A JP 2015190948A JP 2015190948 A JP2015190948 A JP 2015190948A JP 6552361 B2 JP6552361 B2 JP 6552361B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rod
sensor
tip
water
tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015190948A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2017067519A (en
Inventor
友輔 早坂
友輔 早坂
佐々木 章
章 佐々木
哲 ▲高▼杉
哲 ▲高▼杉
勝弘 神保
勝弘 神保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Hitachi Metals Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Hitachi Metals Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Hitachi Metals Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2015190948A priority Critical patent/JP6552361B2/en
Publication of JP2017067519A publication Critical patent/JP2017067519A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6552361B2 publication Critical patent/JP6552361B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Measurement Of Levels Of Liquids Or Fluent Solid Materials (AREA)

Description

本発明の実施形態は、センサ及び気化器に関する。   Embodiments of the present invention relate to sensors and vaporizers.

半導体デバイスといった電子デバイスの製造には、処理容器内に供給された処理ガスを励起してプラズマを生成し、当該プラズマに被処理体を晒すことによって被処理体を処理するプラズマ処理が行われることがある。このようなプラズマ処理を行うために、プラズマ処理装置に処理ガスとして水蒸気を供給する気化器が知られている。水蒸気は、アッシング処理に用いられることがあり、或いは、エッチングガス用の添加ガスとして用いられることがある。   In the manufacture of an electronic device such as a semiconductor device, plasma treatment is performed to excite the processing gas supplied into the processing container to generate plasma and expose the object to the plasma to process the object to be processed. There is. In order to perform such plasma processing, a vaporizer that supplies water vapor as a processing gas to a plasma processing apparatus is known. Water vapor may be used for the ashing treatment or may be used as an additive gas for the etching gas.

例えば、特許文献1には、貯水タンク、ヒータ、プロセスガスタンク、水蒸気管、プロセスガス管、及び合流管を備える気化器が記載されている。貯水タンクには、純水が貯留されている。貯水タンクの上部には、ヒータの加熱によって生成された水蒸気を搬送するための水蒸気管の一端が接続されている。また、プロセスガスタンクにはCFガスが貯留されている。このプロセスガスタンクには、CFガスを搬送するためのプロセスガス管の一端が接続されている。水蒸気管の他端及びプロセスガス管の他端は互いに合流して、合流管の一端に接続されている。合流管の他端は、プラズマ処理装置に接続されている。特許文献1に記載の装置では、貯水タンクにおいて生成された水蒸気と、プロセスガスタンクからのCFガスとが混合された混合ガスが、混合ガス管を介してプラズマ処理装置に供給される。 For example, Patent Document 1 describes a vaporizer including a water storage tank, a heater, a process gas tank, a water vapor pipe, a process gas pipe, and a junction pipe. Pure water is stored in the water storage tank. One end of a steam pipe for transporting the steam generated by the heating of the heater is connected to the upper part of the water storage tank. Further, CF 4 gas is stored in the process gas tank. One end of a process gas pipe for transporting CF 4 gas is connected to the process gas tank. The other end of the steam pipe and the other end of the process gas pipe merge with each other and are connected to one end of the merging pipe. The other end of the junction pipe is connected to the plasma processing apparatus. In the apparatus described in Patent Document 1, a mixed gas in which the water vapor generated in the water storage tank and the CF 4 gas from the process gas tank are mixed is supplied to the plasma processing apparatus via a mixed gas pipe.

特開2004−87952号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-87952

ところで、液面高さが過剰に高くなったり低くなったりする等、タンク内の液面高さが異常な状態になることを防止するために、タンク内の液面高さが所定の高さよりも高い位置にあるか否かを検出するセンサを利用することが考えられる。このようなセンサとしては、図12に示すようなセンサが利用されている。   By the way, in order to prevent the liquid level in the tank from becoming abnormal such as when the liquid level becomes excessively high or low, the liquid level in the tank is higher than a predetermined height. It is conceivable to use a sensor for detecting whether or not the position is higher. As such a sensor, a sensor as shown in FIG. 12 is used.

図12に示すセンサLSは、ロッドLD、発光素子EM及び受光素子REを備えている。ロッドLDは、透光性の材料から構成されており、先端部LD1及び本体部LD3を有している。本体部LD3は、略円柱形状を有しており、先端部LD1は当該本体部LD3の一端に連続している。先端部LD1は、本体部LD3の他端、即ち基端部LD2から離れるにつれて縮径する円錐形状を有している。ロッドLDは、本体部LD3と先端部LD1との境界が基準位置RHに位置するように配置される。この基準位置RHは、タンクの底部を基準とする高さ方向の位置である。なお、図12において、液面FLはタンク内の水面を表している。   The sensor LS shown in FIG. 12 includes a rod LD, a light emitting element EM, and a light receiving element RE. The rod LD is made of a translucent material and has a tip portion LD1 and a main body portion LD3. The main body portion LD3 has a substantially cylindrical shape, and the distal end portion LD1 is continuous with one end of the main body portion LD3. The distal end portion LD1 has a conical shape which decreases in diameter as it is separated from the other end of the main body portion LD3, that is, the proximal end portion LD2. The rod LD is arranged so that the boundary between the main body part LD3 and the tip part LD1 is located at the reference position RH. The reference position RH is a position in the height direction relative to the bottom of the tank. In FIG. 12, the liquid surface FL represents the water surface in the tank.

図13は、先端部LD1を含むロッドLDの一部の拡大断面図であり、ロッドLDの中心軸線Z1を含む平面において当該ロッドLDを切断して示す断面図である。先端部LD1は、先端角αを有している。図13に示すように、先端角αは、中心軸線Z1を含む断面において先端部LD1の表面が形成する二つの線(図中、参照符号「X」で示す)がなす角度として定義される。換言すると、先端角αは、中心軸線Zを含む平面と先端部LD1の表面との二つの交線がなす角度である。   FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view of a part of the rod LD including the tip end portion LD1, and is a cross-sectional view showing the rod LD in a plane including the central axis Z1 of the rod LD. The tip portion LD1 has a tip angle α. As shown in FIG. 13, the tip angle α is defined as an angle formed by two lines (indicated by reference numeral “X” in the figure) formed by the surface of the tip portion LD1 in a cross section including the central axis Z1. In other words, the tip angle α is an angle formed by two intersecting lines of a plane including the central axis Z and the surface of the tip portion LD1.

図12に戻り、発光素子EM及び受光素子REは、基端部LD2上に設けられている。発光素子EMは、例えば発光ダイオードであり、受光素子REは、例えばフォトトランジスタである。発光素子EMは、基端部LD2に対して光を出射する。基端部LD2に入射した光は、先端部LD1に向かって本体部LD3を伝搬し、先端部LD1において反射される。先端部LD1において反射された光は、再び本体部LD3を伝搬し、基端部LD2を透過して、受光素子REによって受光される。受光素子REは、受光した光の強度に応じた電圧を出力する。即ち、受光素子REは、受光した光の強度が大きいほど、大きな電圧を出力する。   Returning to FIG. 12, the light emitting element EM and the light receiving element RE are provided on the base end portion LD2. The light emitting element EM is, for example, a light emitting diode, and the light receiving element RE is, for example, a phototransistor. The light emitting element EM emits light to the base end portion LD2. The light incident on the proximal end LD2 propagates in the main body LD3 toward the distal end LD1 and is reflected at the distal end LD1. The light reflected at the tip end portion LD1 propagates again through the main body portion LD3, passes through the base end portion LD2, and is received by the light receiving element RE. The light receiving element RE outputs a voltage corresponding to the intensity of the received light. That is, the light receiving element RE outputs a larger voltage as the intensity of the received light is larger.

このセンサLSは、水と空気の屈折率の差を利用して、先端部LD1の水の接触状態を検知する。図12の(a)に示すように、先端部LD1が水に接していない場合、即ち、高さ方向において、液面FLが、基準位置RHよりも低い位置にある場合には、先端部LD1の屈折率と当該先端部LD1の表面に接する空気の屈折率の差が大きいので、先端部LD1において反射される光の量が多くなり、受光素子REによって受光される光の強度が大きくなる。一方、図12の(b)に示すように、先端部LD1が水と接している場合、即ち、液面FLが、基準位置RHと同一、又は、基準位置RHよりも高い位置にある場合には、先端部LD1の屈折率と当該先端部LD1の表面に接する水の屈折率との差が小さいので、先端部LD1から水に透過する光の量が大きくなり、受光素子REによって受光される光の強度が小さくなる。このように、先端部LD1が水に接しているか否かに応じて受光素子REで受光される光の強度が変化するので、センサLSは、受光素子REで受光した光の強度に基づいて、先端部LD1の水の接触状態を検知することができる。先端部LD1の水の接触状態を検知することができれば、タンク内の液面FLの高さ方向の位置が基準位置RHと同じ、又は、それよりも高い位置にあるか否かを検知することができる。   This sensor LS detects the contact state of water at the tip portion LD1 using the difference in refractive index between water and air. As shown in (a) of FIG. 12, when the tip end portion LD1 is not in contact with water, that is, when the liquid level FL is at a position lower than the reference position RH in the height direction, the tip end portion LD1. And the refractive index of the air in contact with the surface of the tip portion LD1 are large, the amount of light reflected at the tip portion LD1 increases, and the intensity of light received by the light receiving element RE increases. On the other hand, as shown in FIG. 12B, when the tip portion LD1 is in contact with water, that is, when the liquid level FL is the same as or higher than the reference position RH. Since the difference between the refractive index of the tip portion LD1 and the refractive index of water in contact with the surface of the tip portion LD1 is small, the amount of light that passes through the water from the tip portion LD1 increases and is received by the light receiving element RE. The light intensity decreases. Thus, since the intensity of the light received by the light receiving element RE changes depending on whether or not the tip portion LD1 is in contact with water, the sensor LS is based on the intensity of the light received by the light receiving element RE. The contact state of water at the tip end portion LD1 can be detected. If it is possible to detect the water contact state of the tip portion LD1, it is detected whether the position in the height direction of the liquid level FL in the tank is the same as or higher than the reference position RH. Can do.

しかしながら、本願発明者は、図12に示すようなセンサを用いてタンク内の液面FLの高さ方向の位置が基準位置RHと同じ、又は、それよりも高い位置にあるか否かを検知しようとしたときに、次のような問題が生じることを発見した。例えば、図14の(a)に示すように、液面FLの高さ方向の位置が基準位置RHよりも低いときにタンク内の水を加熱すると、ロッドLDの先端部LD1に水滴Dが付着することがある。先端部LD1に水滴Dが付着すると、ロッドLDの屈折率と水滴Dの屈折率の差が小さいので、先端部LD1から水滴Dに透過する光の量が増加する。その結果、受光素子REによって受光される光の強度が小さくなり、液面FLの高さ方向の位置が基準位置RHよりも所定の距離以上低い位置にあるにも関わらず、液面FLの高さ方向の位置が基準位置RHと同じ、又は、それよりも高い位置にあると誤検知されることがある。   However, the inventor of the present application uses a sensor as shown in FIG. 12 to detect whether the position in the height direction of the liquid level FL in the tank is at the same position as or higher than the reference position RH. When I tried, I discovered the following problems. For example, as shown in FIG. 14A, when the water in the tank is heated when the position in the height direction of the liquid level FL is lower than the reference position RH, the water droplet D adheres to the tip portion LD1 of the rod LD There is something to do. When the water droplet D adheres to the tip portion LD1, the difference between the refractive index of the rod LD and the refractive index of the water droplet D is small, so the amount of light transmitted from the tip portion LD1 to the water droplet D increases. As a result, the intensity of the light received by the light receiving element RE decreases, and the height of the liquid level FL is high although the position in the height direction of the liquid level FL is lower than the reference position RH by a predetermined distance or more. There is a case where the position in the vertical direction is erroneously detected as being at the same position as or higher than the reference position RH.

また、図14の(b)に示すように、液面FLの高さ方向の位置が基準位置RHよりも高い位置にあるときにタンク内の水を加熱すると、タンク内の水が沸騰してロッドLDの先端部LD1に気泡Bが付着することがある。先端部LD1に気泡Bが付着すると、ロッドLDの屈折率と気泡Bの屈折率の差が大きいので、先端部LD1から基端部LD2に向けて反射される光の量が増加する。その結果、受光素子REによって受光される光の強度が大きくなり、液面FLの高さ方向の位置が基準位置RHよりも所定の距離以上高い位置にあるにも関わらず、液面FLの高さ方向の位置が基準位置RHよりも低い位置にあると誤検知されることがある。   Also, as shown in (b) of FIG. 14, when the water in the tank is heated when the position in the height direction of the liquid level FL is higher than the reference position RH, the water in the tank boils. Bubbles B may adhere to the tip portion LD1 of the rod LD. When the air bubble B adheres to the distal end LD1, the difference between the refractive index of the rod LD and the refractive index of the air bubble B is large, so the amount of light reflected from the distal end LD1 toward the proximal end LD2 increases. As a result, the intensity of the light received by the light receiving element RE is increased, and the height of the liquid level FL is high although the position in the height direction of the liquid level FL is higher than the reference position RH by a predetermined distance or more. It may be erroneously detected that the vertical position is lower than the reference position RH.

かかる背景から、水との接触状態の誤検知を抑制することが可能なセンサ及び気化器を提供することが要請されている。   From such a background, it is required to provide a sensor and a vaporizer that can suppress erroneous detection of a contact state with water.

本発明の一態様では、水との接触状態に応じて異なる出力電圧を出力するセンサが提供される。このセンサは、ロッド、発光素子、フォトトランジスタ、出力回路、電源及び増幅回路を備えている。ロッドは、透光性を有しており、先端部及び基端部を有し、当該先端部と基端部の間で延在している。先端部の先端角は97°以上107°以下である。発光素子は、ロッド内に伝搬させる光を基端部に対して出力する。フォトトランジスタは、基端部上に設けられ、発光素子から出力された光のうち、ロッドの先端部で反射された光を受光する。出力回路は、フォトトランジスタとグランド端子との間に設けられ、フォトトランジスタに直列に接続された抵抗素子を含み、フォトトランジスタを流れる電流に応じた大きさの電圧を出力する。電源は、フォトトランジスタ及び抵抗素子を含む直列回路に入力電圧を印加する。増幅回路は、出力回路から出力される電圧を増幅し、増幅した該電圧を出力電圧として出力する。発光素子とフォトトランジスタとの間で光の損失がないと仮定したときに、電源が生成する入力電圧Vinと、増幅回路の出力電圧Voutとは、下記式(1);
|Vout|=|Gv・Vin| ・・・(1)
で表される関係を有している。この式(1)において、Gvはゲインである。このセンサでは、該ゲインは3200以上、14000未満の値に設定されている。
In one embodiment of the present invention, a sensor that outputs different output voltages depending on a contact state with water is provided. This sensor includes a rod, a light emitting element, a phototransistor, an output circuit, a power supply, and an amplifier circuit. The rod is translucent, has a distal end and a proximal end, and extends between the distal end and the proximal end. The tip angle of the tip portion is 97 ° or more and 107 ° or less. The light emitting element outputs light to be propagated into the rod to the proximal end. The phototransistor is provided on the base end and receives the light reflected by the tip of the rod among the light output from the light emitting element. The output circuit is provided between the phototransistor and the ground terminal, includes a resistive element connected in series to the phototransistor, and outputs a voltage having a magnitude corresponding to the current flowing through the phototransistor. The power supply applies an input voltage to a series circuit including a phototransistor and a resistive element. The amplifier circuit amplifies the voltage output from the output circuit and outputs the amplified voltage as an output voltage. When it is assumed that there is no loss of light between the light emitting element and the phototransistor, the input voltage V in which power is generated, the output voltage V out of the amplifier circuit, the following formula (1);
| V out | = | Gv · V in | (1)
It has the relationship represented by. In this equation (1), Gv is a gain. In this sensor, the gain is set to a value of 3200 or more and less than 14000.

一態様に係るセンサでは、ロッドの先端部が97°以上107°以下の先端角を有している。先端角を97°以上にすることで、ロッドの先端部が水に接していないときの出力電圧を大きくすることができる。これは、先端角を97°以上にすると、先端部において反射してフォトトランジスタによって受光される光の量が増加するためであると考えられる。また、先端角の上限値は107°である。この上限値は、先端部に付着した水滴が落下しやすくなるように規定された角度である。先端部に付着した水滴が落下することにより、水滴に起因するセンサの誤検知を減らすことができる。   In the sensor according to one aspect, the tip of the rod has a tip angle of 97 ° or more and 107 ° or less. By setting the tip angle to 97 ° or more, the output voltage when the tip of the rod is not in contact with water can be increased. This is considered to be because if the tip angle is 97 ° or more, the amount of light reflected by the tip and received by the phototransistor increases. Further, the upper limit value of the tip angle is 107 °. This upper limit value is an angle that is defined so that water droplets attached to the tip end part easily fall. When the water droplet attached to the tip portion falls, the erroneous detection of the sensor due to the water droplet can be reduced.

さらに、このセンサでは、ゲインが、3200以上14000未満に設定されている。ゲインを3200以上に設定することによって、液面の高さ方向の位置が上述の所定位置よりも低い位置にあるときに先端部に水滴が付着した場合であっても、センサの出力電圧を大きくすることができる。よって、先端部に付着した水滴に起因するセンサの誤検知を減らすことができる。一方、センサのゲインが14000以上であると、水中において先端部に気泡が付着したときにセンサの出力電圧が大きくなりすぎてしまい、誤検知が発生することがある。このセンサでは、ゲインが14000未満に設定されているので、水中において先端部に気泡が付着したときに発生する誤検知を減らすことができる。故に、このセンサでは、誤検知を抑制することができる。   Furthermore, in this sensor, the gain is set to 3200 or more and less than 14000. By setting the gain to 3200 or more, the output voltage of the sensor is increased even when water droplets adhere to the tip when the position in the height direction of the liquid level is lower than the above-mentioned predetermined position. can do. Therefore, erroneous detection of the sensor due to water droplets attached to the tip can be reduced. On the other hand, if the gain of the sensor is 14000 or more, when air bubbles adhere to the tip in water, the output voltage of the sensor becomes too large, which may cause false detection. In this sensor, since the gain is set to less than 14000, it is possible to reduce false detection that occurs when air bubbles adhere to the tip in water. Therefore, this sensor can suppress false detection.

一実施形態では、ロッドは、1.414以上、1.627以下の屈折率を有する材料から構成されていてもよい。さらに、一実施形態では、ロッドは石英から構成されていてもよい。   In one embodiment, the rod may be made of a material having a refractive index of 1.414 or more and 1.627 or less. Further, in one embodiment, the rod may be comprised of quartz.

一実施形態では、先端部は、他端から離れるにつれて互いに近づく2つの側面を含むくさび形状を有していてもよい。また、一実施形態では、先端部は、偶数個の側面を有し、他端から離れるについて先細りになる多角錐形状を有していてもよい。さらに、一実施形態では、先端部は、他端から離れるにつれて縮径する円錐形状を有していてもよい。   In one embodiment, the tip may have a wedge shape that includes two sides approaching each other away from the other end. Also, in one embodiment, the tip may have an even number of sides and have a polygonal pyramid shape that tapers away from the other end. Furthermore, in one Embodiment, the front-end | tip part may have the cone shape which diameter-reduces as it leaves | separates from the other end.

一実施形態では、ロッドの軸線方向が鉛直方向に一致した状態でロッドを保持する保持機構を更に備え、保持機構は、点接触又は線接触でロッドを保持してもよい。保持機構によってロッドが保持される場合には、ロッドと保持機構との接触部分では、光の屈折率が非接触部分と異なるので、ロッドに接触する接触物の材料によっては、ロッド内を伝播する光の一部が当該接触部分を介してロッドの外部に漏洩することがある。一実施形態では、ロッドが保持機構によって点接触又は線接触で保持されているので、ロッドと保持機構との接触面積を減らすことができ、その結果、ロッドと保持機構との接触部分で生じる光の損失を低減することができる。また、一実施形態では、保持機構は、ロッドの外周面を取り囲むOリングを介してロッドを保持していてもよい。Oリングを介してロッドを保持することにより、ロッドと保持機構との接触面積を減らすことが可能となる。   In one embodiment, the holding mechanism may further include a holding mechanism that holds the rod in a state where the axial direction of the rod coincides with the vertical direction, and the holding mechanism may hold the rod by point contact or line contact. When the rod is held by the holding mechanism, in the contact portion between the rod and the holding mechanism, the refractive index of light is different from that of the non-contact portion, so the material of the contact in contact with the rod propagates in the rod Part of the light may leak out of the rod through the contact portion. In one embodiment, the rod is held in point or line contact by the holding mechanism, so that the contact area between the rod and the holding mechanism can be reduced, so that the light generated at the contact portion between the rod and the holding mechanism Loss can be reduced. In one embodiment, the holding mechanism may hold the rod via an O-ring surrounding the outer peripheral surface of the rod. By holding the rod via the O-ring, the contact area between the rod and the holding mechanism can be reduced.

一実施形態では、ロッドには、該ロッドの外周面から突出する突出部が形成され、該突出部はロッドの軸線方向において先端部と基端部との間の位置しており、保持機構は、突出部と先端部との間に設けられ、ロッドの軸線方向において突出部と対面する移動規制部を含んでもよい。かかる構成では、先端部に向かう力がロッドに作用した際に、移動規制部が突出部と当接することによってロッドの移動が規制される。このため、ロッドを確実に保持することができる。   In one embodiment, the rod is formed with a protrusion which protrudes from the outer peripheral surface of the rod, and the protrusion is located between the distal end and the proximal end in the axial direction of the rod, and the holding mechanism is A movement restricting portion that is provided between the protruding portion and the tip portion and faces the protruding portion in the axial direction of the rod may be included. In such a configuration, when the force directed to the distal end acts on the rod, the movement restricting portion abuts on the protrusion to restrict the movement of the rod. For this reason, the rod can be held securely.

本発明の一態様に係る気化器は、加熱器、上述の少なくとも一つのセンサ、給水部及び制御部を備える。加熱器は、タンク内の水を加熱して、水蒸気を発生させる。センサの先端部は空間内において高さ方向の所定位置に配置されている。給水部は、タンク内に水を供給する。制御部は、センサの増幅回路の出力電圧に応じて、給水部からタンクに対する水の供給を制御する。   The vaporizer which concerns on 1 aspect of this invention is equipped with a heater, the above-mentioned at least 1 sensor, a water supply part, and a control part. The heater heats the water in the tank to generate steam. The tip of the sensor is disposed at a predetermined position in the height direction in the space. The water supply unit supplies water into the tank. The control unit controls the supply of water from the water supply unit to the tank according to the output voltage of the amplifier circuit of the sensor.

一態様に係る気化器は、上述したセンサを備えることで、タンク内の液面の高さ方向の位置が極端に高くなったり、低くなったりするような異常な状態になることを防止することができる。   The vaporizer according to one aspect includes the above-described sensor to prevent an abnormal state in which the position in the height direction of the liquid level in the tank is extremely high or low. Can.

一実施形態では、制御部は、増幅回路の出力電圧が所定の閾値以上であるときに、タンク内に水が供給されるように給水部を制御してもよい。また、一実施形態では、少なくとも一つのセンサは、第1のセンサ及び第2のセンサを含み、第1のセンサの先端部は、高さ方向において第1の位置に配置され、第2のセンサの先端部は、高さ方向において第1の位置よりも高い第2の位置に配置されていてもよい。   In one embodiment, the control unit may control the water supply unit to supply water into the tank when the output voltage of the amplification circuit is equal to or higher than a predetermined threshold. In one embodiment, the at least one sensor includes a first sensor and a second sensor, and the tip of the first sensor is disposed at a first position in the height direction, and the second sensor The front end portion may be arranged at a second position higher than the first position in the height direction.

本発明の一態様及び種々の実施形態によれば、水との接触状態の誤検知を抑制することができる。   According to one aspect and various embodiments of the present invention, false detection of a contact state with water can be suppressed.

一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を概略的に示す図である。It is a figure showing roughly the composition of the plasma treatment apparatus concerning one embodiment. 第1のセンサ及び第2のセンサを概略的に示す図である。It is a figure showing roughly the 1st sensor and the 2nd sensor. 先端部を含むロッドの一部の拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a portion of the rod including the tip. 回路部の回路構成の具体的な一例を示す図である。It is a figure which shows a specific example of the circuit structure of a circuit part. 第1のセンサの動作原理について説明する図である。It is a figure explaining the principle of operation of the 1st sensor. 一実施形態のプラズマ処理装置の制御方法を示す流れ図である。It is a flowchart which shows the control method of the plasma processing apparatus of one Embodiment. 別の実施形態のプラズマ処理装置の制御方法を示す流れ図である。It is a flowchart which shows the control method of the plasma processing apparatus of another embodiment. 先端部の先端角とセンサの出力電圧との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the front-end | tip angle of a front-end | tip part, and the output voltage of a sensor. センサのゲインと出力電圧との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the gain of a sensor, and an output voltage. 先端部に水が接触しているか否かの判定結果の経時的な変化、及び、流量制御器を通過する水蒸気の流量の経時的な変化を示す図である。It is a figure which shows the time-dependent change of the determination result of whether water is contacting the front-end | tip part, and the time-dependent change of the flow volume of the water vapor | steam which passes a flow controller. 第1のセンサの出力電圧の経時的変化を示す図である。It is a figure which shows the time-dependent change of the output voltage of a 1st sensor. 従来のセンサの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the conventional sensor. 先端部を含むロッドの一部の拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a portion of the rod including the tip. 従来のセンサの問題点を説明する図である。It is a figure explaining the problem of the conventional sensor.

以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。   Hereinafter, various embodiments will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts will be denoted by the same reference numerals.

まず、一実施形態の気化器を備えるプラズマ処理装置について説明する。図1は、一実施形態のプラズマ処理装置1を概略的に示す図である。図1に示すプラズマ処理装置1は、本体部10を備えている。   First, a plasma processing apparatus provided with the vaporizer of one embodiment will be described. FIG. 1 is a view schematically showing a plasma processing apparatus 1 according to an embodiment. The plasma processing apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a main unit 10.

本体部10は、処理容器12を備えている。処理容器12は、ウエハWを収容するように構成されている。即ち、処理容器12は、ウエハWを収容するための空間S1を提供している。   The main body unit 10 includes a processing container 12. The processing container 12 is configured to accommodate the wafer W. That is, the processing container 12 provides a space S1 for housing the wafer W.

一実施形態では、処理容器12は、第1部分12a及び第2部分12bを有している。第1部分12aは、略筒形状を有しており、処理容器12の側壁及び底部を構成している。この第1部分12aの上端は開口している。また、第2部分12bは、第1部分12aの上端に搭載されており、処理容器12の天井部を構成している。   In one embodiment, the processing vessel 12 includes a first portion 12a and a second portion 12b. The first portion 12 a has a substantially cylindrical shape, and constitutes the side wall and the bottom of the processing container 12. The upper end of the first portion 12a is open. The second portion 12 b is mounted on the upper end of the first portion 12 a and constitutes a ceiling portion of the processing container 12.

処理容器12の内部には、載置台14が設けられている。載置台14は、その上に載置されるウエハWを保持するよう構成されている。一実施形態では、載置台14は、ウエハWを静電吸着するための静電チャックを有し得る。また、載置台14内には、ヒータHTが設けられている。ヒータHTは、処理容器12の外部に設けられたヒータ電源HPに電気的に接続されている。   A mounting table 14 is provided inside the processing container 12. The mounting table 14 is configured to hold the wafer W mounted thereon. In one embodiment, the mounting table 14 may have an electrostatic chuck for electrostatically attracting the wafer W. Further, in the mounting table 14, a heater HT is provided. The heater HT is electrically connected to a heater power supply HP provided outside the processing container 12.

また、処理容器12の側壁には、ウエハWが通過し得る通路が形成されている。この通路を介して、ウエハWは処理容器12内に搬入され、また、処理容器12から外部に搬出される。処理容器12に形成された通路は、ゲートバルブGVLによって開閉可能となっている。   Further, on the side wall of the processing container 12, a passage through which the wafer W can pass is formed. Through this passage, the wafer W is loaded into the processing container 12 and unloaded from the processing container 12 to the outside. The passage formed in the processing container 12 can be opened and closed by a gate valve GVL.

また、処理容器12の底部には、排気口12eが形成されている。排気口12eには排気装置16が接続されている。排気装置16は、処理容器12内の空間S1及び後述する石英管22内の空間S2を減圧するよう構成されている。   Further, an exhaust port 12 e is formed at the bottom of the processing container 12. An exhaust device 16 is connected to the exhaust port 12e. The exhaust device 16 is configured to depressurize a space S1 in the processing container 12 and a space S2 in a quartz tube 22 described later.

また、処理容器12内の空間S1には、プレート18が設けられている。このプレート18は、載置台14の上方に設けられており、当該載置台14の上面に対面している。プレート18は、多数の貫通孔が形成された板状体であり、例えば、石英から構成されている。   Further, a plate 18 is provided in the space S1 in the processing container 12. The plate 18 is provided above the mounting table 14 and faces the upper surface of the mounting table 14. The plate 18 is a plate-like body in which a large number of through holes are formed, and is made of, for example, quartz.

また、本体部10は、プラズマ発生ユニット20を更に備えている。プラズマ発生ユニット20は、処理容器12の天井部、即ち第2部分12b上に設けられている。このプラズマ発生ユニット20は、石英管22を有している。石英管22は、鉛直方向に延びる略筒形状を有しており、石英から構成されている。石英管22は、当該石英管22の内部の空間S2が空間S1と連通するように、処理容器12の天井部上に設けられている。   The main body 10 further includes a plasma generation unit 20. The plasma generation unit 20 is provided on the ceiling portion of the processing container 12, that is, on the second portion 12 b. The plasma generation unit 20 has a quartz tube 22. The quartz tube 22 has a substantially cylindrical shape extending in the vertical direction, and is made of quartz. The quartz tube 22 is provided on the ceiling of the processing container 12 so that the space S2 inside the quartz tube 22 communicates with the space S1.

石英管22には、ガス導入口22aが形成されている。ガス導入口22aには、配管30の一端が接続されている。配管30の他端は、三方弁V4の第1ポートに接続されている。三方弁V4の第2ポートには、配管31の一端が接続されている。配管31の他端は、ガス供給部GUに接続されている。ガス供給部GUは、ガス供給系GSS1、ガス供給系GSS2、及び、ガス供給系GSS3を含んでいる。   A gas inlet 22 a is formed in the quartz tube 22. One end of a pipe 30 is connected to the gas inlet 22a. The other end of the pipe 30 is connected to the first port of the three-way valve V4. One end of a pipe 31 is connected to the second port of the three-way valve V4. The other end of the pipe 31 is connected to the gas supply unit GU. The gas supply unit GU includes a gas supply system GSS1, a gas supply system GSS2, and a gas supply system GSS3.

ガス供給系GSS1は、ガス源GS1、流量制御器F1、及び、バルブV1を含み得る。ガス源GS1は、希ガスのガス源である。希ガスは、例えばArガスであるが、Heガス、Neガス、Krガス、Xeガスといった任意の希ガスであってもよい。流量制御器F1は、例えば、フローコントロールシステム(FCS)であり、ガス源GS1からの希ガスの流量を調整する。バルブV1は、ガス源GS1からの希ガスの供給及び供給停止を切り替える。ガス供給系GSS1は、本体部10の空間S2に希ガスを供給する。   The gas supply system GSS1 may include a gas source GS1, a flow rate controller F1, and a valve V1. The gas source GS1 is a gas source of a rare gas. The rare gas is, for example, Ar gas, but may be any rare gas such as He gas, Ne gas, Kr gas, or Xe gas. The flow rate controller F1 is, for example, a flow control system (FCS), and adjusts the flow rate of the rare gas from the gas source GS1. The valve V1 switches between supply and stop of the noble gas from the gas source GS1. The gas supply system GSS1 supplies a rare gas to the space S2 of the main body portion 10.

ガス供給系GSS2は、ガス源GS2、流量制御器F2、及び、バルブV2を含み得る。ガス源GS2は、Oガスのガス源である。流量制御器F2は、例えば、フローコントロールシステムであり、ガス源GS2からのOガスの流量を調整する。バルブV2は、ガス源GS2からのOガスの供給及び供給停止を切り替える。ガス供給系GSS2は、本体部10の空間S2にOガスを供給する。 The gas supply system GSS2 may include a gas source GS2, a flow rate controller F2, and a valve V2. The gas source GS2 is a gas source of O 2 gas. The flow rate controller F2 is, for example, a flow control system, and adjusts the flow rate of O 2 gas from the gas source GS2. The valve V2 switches between supply and stoppage of O 2 gas from the gas source GS2. The gas supply system GSS 2 supplies O 2 gas to the space S 2 of the main body 10.

ガス供給系GSS3は、ガス源GS3、流量制御器F3、及び、バルブV3を含み得る。ガス源GS3は、Nガスのガス源である。流量制御器F3は、例えば、フローコントロールシステムであり、ガス源GS3からのNガスの流量を調整する。バルブV3は、ガス源GS3からのNガスの供給及び供給停止を切り替える。ガス供給系GSS3は、本体部10の空間S2、及び、後述する気化器50の空間S3にNガスを供給する。 The gas supply system GSS3 may include a gas source GS3, a flow rate controller F3, and a valve V3. The gas source GS3 is a gas source of N 2 gas. The flow rate controller F3 is, for example, a flow control system, and adjusts the flow rate of N 2 gas from the gas source GS3. The valve V3 switches between supply and stop of supply of N 2 gas from the gas source GS3. The gas supply system GSS3 supplies N 2 gas to the space S2 of the main body 10 and the space S3 of the vaporizer 50 described later.

また、プラズマ発生ユニット20は、プラズマ源を更に有している。一実施形態では、プラズマ発生ユニット20は、プラズマ源としてコイル24を有している。コイル24は、石英管22の外周面を囲むように設けられており、高周波電源RGに電気的に接続されている。コイル24に高周波電源RGからの高周波電力が与えられると、石英管22内の空間S2に供給されたガスが励起され、プラズマが生成される。このコイル24は、後述する気化器50で発生した水蒸気のプラズマを生成するプラズマ生成部として機能する。プラズマの生成により得られる活性種は、空間S2から空間S1に流れ、ウエハWに対して供給される。これにより、ウエハWに含まれる有機物又はウエハWに付着した有機物の除去等が行われる。なお、プラズマ発生ユニット20は筐体26を更に有しており、石英管22及びコイル24は、筐体26内に収容されている。   Further, the plasma generation unit 20 further includes a plasma source. In one embodiment, the plasma generation unit 20 has a coil 24 as a plasma source. The coil 24 is provided so as to surround the outer peripheral surface of the quartz tube 22 and is electrically connected to the high frequency power supply RG. When the high frequency power from the high frequency power supply RG is supplied to the coil 24, the gas supplied to the space S2 in the quartz tube 22 is excited and a plasma is generated. The coil 24 functions as a plasma generating unit that generates water vapor plasma generated by a vaporizer 50 described later. Active species obtained by the generation of plasma flow from the space S2 to the space S1 and are supplied to the wafer W. Thereby, removal of the organic substance contained in the wafer W or the organic substance adhering to the wafer W is performed. The plasma generation unit 20 further includes a housing 26, and the quartz tube 22 and the coil 24 are accommodated in the housing 26.

プラズマ処理装置1は、気化器50を更に備えている。気化器50は、プラズマ発生ユニット20に水蒸気、即ち気体状のHOを供給する機構である。気化器50は、タンク52を備えている。タンク52は、底面、側面及び上面を含み、内部に水を貯留するための空間S3を画成している。タンク52の上面には、後述するセンサを挿入するための二つの貫通孔52a及び52bが形成されている。貫通孔52a及び52bの内面にはOリング53が設けられている(図2参照)。タンク52の外側面には、温度センサTSが設けられている。温度センサTSは、例えば白金抵抗温度センサであり、タンク52内に貯えられている水の温度を測定する。タンク52の下方には、加熱器54が設けられている。加熱器54は、電源56に接続されおり、電源56から供給される電力によって発熱し、タンク52内の水を加熱する。加熱器54からの熱により水が加熱されると、タンク52内の水が気化して水蒸気が生成される。生成された水蒸気は、空間S3の上部に蓄えられる。タンク52の上部には、タンク52内の水蒸気を排出するための通気口58が設けられている。 The plasma processing apparatus 1 further includes a vaporizer 50. The vaporizer 50 is a mechanism for supplying water vapor, that is, gaseous H 2 O, to the plasma generation unit 20. The vaporizer 50 includes a tank 52. The tank 52 includes a bottom surface, a side surface, and a top surface, and defines a space S3 for storing water therein. On the upper surface of the tank 52, two through holes 52a and 52b for inserting a sensor described later are formed. O-rings 53 are provided on the inner surfaces of the through holes 52a and 52b (see FIG. 2). A temperature sensor TS is provided on the outer side surface of the tank 52. The temperature sensor TS is, for example, a platinum resistance temperature sensor, and measures the temperature of the water stored in the tank 52. Below the tank 52, a heater 54 is provided. The heater 54 is connected to the power supply 56, generates heat by the power supplied from the power supply 56, and heats the water in the tank 52. When water is heated by the heat from the heater 54, the water in the tank 52 is vaporized to generate steam. The generated water vapor is stored in the upper part of the space S3. At the top of the tank 52, a vent 58 for discharging the water vapor in the tank 52 is provided.

通気口58には、配管32の一端が接続されている。配管32の他端は、配管33及び配管34に分岐している。配管33は、三方弁V4の第3ポートに接続されている。この三方弁V4は、配管31及び配管33の何れか一方を配管30に選択的に連通させるバルブである。即ち、三方弁V4は、ガス供給系GSS1,GSS2,GSS3からのガス、及び、気化器50からの水蒸気の何れか一方が本体部10の空間S2に選択的に供給されるように各ポートの接続を切り替える。また、配管32にはバルブV5が設けられており、配管33には流量制御器F4が設けられている。この流量制御器F4は、配管33を介して流量制御器F4に導入されたガスの流量に対して当該流量制御器F4を通過するガスの流量の割合(以下、「流量制御器通過率」という。)を0%〜100%の範囲で制御する機能を有している。配管32及び配管33は、気化器50から排出された水蒸気を、配管30を介して本体部10の空間S2に搬送する流路を提供する。   One end of the pipe 32 is connected to the vent hole 58. The other end of the pipe 32 branches into a pipe 33 and a pipe 34. The pipe 33 is connected to the third port of the three-way valve V4. The three-way valve V4 is a valve that selectively connects one of the pipe 31 and the pipe 33 to the pipe 30. That is, the three-way valve V4 is configured so that any one of the gas from the gas supply systems GSS1, GSS2, and GSS3 and the water vapor from the vaporizer 50 is selectively supplied to the space S2 of the main body 10. Switch the connection. The pipe 32 is provided with a valve V5, and the pipe 33 is provided with a flow rate controller F4. The flow rate controller F4 is a ratio of the flow rate of gas passing through the flow rate controller F4 to the flow rate of gas introduced to the flow rate controller F4 through the pipe 33 (hereinafter referred to as “flow rate controller passing rate”). .) In a range of 0% to 100%. The pipe 32 and the pipe 33 provide a flow path for transporting the water vapor discharged from the vaporizer 50 to the space S2 of the main body 10 through the pipe 30.

配管34は、ガス供給系GSS3のガス源GS3に接続されている。この配管34には、バルブV6が設けられている。配管32及び配管34は、ガス源GS3からのNガスをタンク52内に搬送する流路を提供する。 The pipe 34 is connected to the gas source GS3 of the gas supply system GSS3. The pipe 34 is provided with a valve V6. The pipe 32 and the pipe 34 provide a flow path for transporting the N 2 gas from the gas source GS 3 into the tank 52.

また、気化器50は、第1のセンサ60a及び第2のセンサ60bを更に備えている。第1のセンサ60a及び第2のセンサ60bは、水との接触状態に応じて異なる出力電圧を出力する。この出力電圧は、後述するロッドの材質、液面からの距離、及び、ロッドの先端角度によって調整することが可能である。   In addition, the vaporizer 50 further includes a first sensor 60a and a second sensor 60b. The first sensor 60a and the second sensor 60b output different output voltages depending on the contact state with water. This output voltage can be adjusted by the rod material, the distance from the liquid level, and the rod tip angle, which will be described later.

図2は、第1のセンサ60a及び第2のセンサ60bを概略的に示す図である。図2において、液面FLはタンク52内の水面を表している。第1のセンサ60aは、ロッド61及び回路部65を備えている。第2のセンサ60bは、ロッド62及び回路部66を備えている。ロッド61及びロッド62の各々は、透光性且つ長尺状の部材である。一実施形態では、ロッド61及びロッド62の各々は、1.414以上、1.627以下の屈折率を有する任意の材料から構成され得る。このような屈折率を有する材料としては、石英(屈折率:1.46)、蛋白石(屈折率:1.47)、蛍石(屈折率:1.43)、光学ガラス(屈折率:1.43)等が例示される。   FIG. 2 schematically shows the first sensor 60a and the second sensor 60b. In FIG. 2, the liquid level FL represents the water surface in the tank 52. The first sensor 60 a includes a rod 61 and a circuit unit 65. The second sensor 60 b includes a rod 62 and a circuit unit 66. Each of the rod 61 and the rod 62 is a translucent and long member. In one embodiment, each of the rod 61 and the rod 62 may be composed of any material having a refractive index of 1.414 or more and 1.627 or less. Materials having such a refractive index include quartz (refractive index: 1.46), protein stone (refractive index: 1.47), fluorite (refractive index: 1.43), and optical glass (refractive index: 1 .. 43) and the like.

ロッド61は、先端部61a及び本体部61cを有している。本体部61cは、略円柱形状を有しており、タンク52の外部からタンク52の内部まで鉛直方向に延在している。先端部61aは、本体部61cの一端、即ち下端に連続している。先端部61aは、本体部61cの他端、即ち基端部61bから離れるにつれて縮径する円錐形状を有している。この先端部61aは、先端角α1を有している。図3の(a)は、先端部61aを含むロッド61の一部の拡大断面図であり、ロッド61の中心軸線Z2を含む平面において当該ロッド61を切断して示す断面図である。図3の(a)に示すように、先端角α1は、中心軸線Z2を含む断面において、中心軸線Z2上で互いに接する先端部61aの表面が形成する二つの線(図中、参照符号「61X」で示す)がなす角度として定義される。換言すると、先端角α1は、中心軸線Z2を含む平面と中心軸線Z2上で互いに接する先端部61aの表面との二つの交線61Xがなす角度である。この先端角α1は、97°以上107°以下の角度に設定されている。   The rod 61 has a distal end portion 61a and a main body portion 61c. The main body portion 61 c has a substantially cylindrical shape, and extends in the vertical direction from the outside of the tank 52 to the inside of the tank 52. The tip end portion 61a is continuous with one end, that is, the lower end of the main body portion 61c. The distal end portion 61a has a conical shape which decreases in diameter as it is separated from the other end of the main body portion 61c, that is, the proximal end portion 61b. The tip portion 61a has a tip angle α1. FIG. 3A is an enlarged cross-sectional view of a portion of the rod 61 including the tip portion 61a, and is a cross-sectional view showing the rod 61 in a plane including the central axis Z2 of the rod 61. As shown in (a) of FIG. 3, in the cross section including the central axis Z2, the tip angle α1 is formed by two lines formed by the surfaces of the tip portions 61a contacting each other on the central axis Z2 (reference numeral “61X It is defined as an angle which "is shown". In other words, the tip angle α1 is an angle formed by two intersecting lines 61X of a plane including the central axis Z2 and the surface of the tip 61a in contact with each other on the central axis Z2. The tip angle α1 is set to an angle of 97 ° or more and 107 ° or less.

なお、先端部61aは、先端角α1を有していれば、円錐形とは異なる形状を有していてもよい。例えば、先端部61aは、基端部61bから離れるにつれて互いに近づく2つの側面を含むくさび形状を有していてもよい。また、先端部61aは、偶数個の側面を有し、基端部61bから離れるについて先細りになる多角錐形状を有していてもよい。先端部61aがくさび形状又は多角錐形状を有する場合においても、先端角α1は、中心軸線Z2を含む断面において、中心軸線Z2上で互いに接する先端部61aの表面が形成する二つの線がなす角度として定義される。なお、一実施形態では、先端部61aの表面には研磨による鏡面加工が施されており、一方、本体部61cの表面には鏡面加工が施されていなくてもよい。   The tip portion 61a may have a shape different from the conical shape as long as it has a tip angle α1. For example, the tip portion 61a may have a wedge shape including two side surfaces that approach each other as they move away from the proximal end 61b. In addition, the distal end portion 61a may have an even number of side surfaces and may have a polygonal pyramid shape that tapers away from the proximal end portion 61b. Even when tip portion 61a has a wedge shape or a polygonal pyramid shape, tip angle α1 is an angle formed by the two lines formed by the surfaces of tip portion 61a contacting each other on central axis Z2 in the cross section including central axis Z2. Defined as In one embodiment, the surface of the tip portion 61a is mirror-finished by polishing, and the surface of the main portion 61c may not be mirror-finished.

一実施形態では、第1のセンサ60aは保持機構150aを更に備え得る。保持機構150aは、ロッド61の軸線方向が鉛直方向に一致した状態でロッド61を保持する機構である。保持機構150aは、先端部61aが貫通孔52aを介してタンク52の内部に挿入された状態でロッド61を保持する。これにより、ロッド61は、先端部61aがタンク52内に位置し、基端部61bがタンク52の外部に位置するように配置される。より詳細には、ロッド61の本体部61cと先端部61aとの境界が、タンク52の底部を基準とする高さ方向において第1の基準位置(第1の位置)H1に配置される。   In one embodiment, the first sensor 60a may further comprise a holding mechanism 150a. The holding mechanism 150a is a mechanism that holds the rod 61 in a state where the axial direction of the rod 61 coincides with the vertical direction. The holding mechanism 150a holds the rod 61 in a state where the tip end portion 61a is inserted into the inside of the tank 52 through the through hole 52a. Thus, the rod 61 is disposed such that the distal end portion 61 a is located in the tank 52 and the proximal end 61 b is located outside the tank 52. More specifically, the boundary between the main body 61c and the tip 61a of the rod 61 is disposed at a first reference position (first position) H1 in the height direction with the bottom of the tank 52 as a reference.

保持機構150aは、フランジ152、プレート154及び環状体156を備えている。フランジ152は、本体部61cの外径よりも僅かに大きな内径を有する環状部材であり、本体部61cの外周を取り囲むように設けられている。このフランジ152は、タンク52の上面上に固定されている。プレート154は、略L字形状の縦断面を有する板材であり、第1の部分154a及び第2の部分154bを含んでいる。第1の部分154aはフランジ152上に固定されており、第2の部分154bは第1の部分154aに対して略垂直に設けられている。環状体156は、本体部61cの外径よりも僅かに大きな内径を有する環状を有しており、本体部61cの外周面を取り囲むようにフランジ152の上方に設けられている。この環状体156は、第2の部分154bに固定されている。一実施形態では、環状体156には、その内周面に沿ってOリング158が固定されている。このOリング158は、環状体156と本体部61cとの間で圧縮された状態で設けられている。これにより、本体部61cの外周面にはOリング158を介して押圧力が付与される。この押圧力によってロッド61が保持機構150aに保持される。ここで、ロッド61はOリング158を介して保持機構150aに保持されているので、ロッド61と保持機構との接触は実質的に線接触となる。なお、図2では、環状体156と本体部61cとの間に一つのOリングが設けられているが、一実施形態では、複数のOリングが環状体156と本体部61cとの間に設けられていてもよい。複数のOリングを設けることにより、ロッド61をより確実に保持することが可能となる。   The holding mechanism 150 a includes a flange 152, a plate 154, and an annular body 156. The flange 152 is an annular member having an inner diameter slightly larger than the outer diameter of the main portion 61c, and is provided to surround the outer periphery of the main portion 61c. The flange 152 is fixed on the upper surface of the tank 52. The plate 154 is a plate having a substantially L-shaped longitudinal cross section, and includes a first portion 154a and a second portion 154b. The first portion 154a is fixed on the flange 152, and the second portion 154b is provided substantially perpendicular to the first portion 154a. The annular body 156 has an annular shape having an inner diameter slightly larger than the outer diameter of the main body portion 61c, and is provided above the flange 152 so as to surround the outer peripheral surface of the main body portion 61c. The annular body 156 is fixed to the second portion 154 b. In one embodiment, an O-ring 158 is fixed to the annular body 156 along the inner peripheral surface thereof. The O-ring 158 is provided in a compressed state between the annular body 156 and the main body 61c. Thereby, a pressing force is applied to the outer peripheral surface of the main body 61 c through the O-ring 158. The rod 61 is held by the holding mechanism 150 a by this pressing force. Here, since the rod 61 is held by the holding mechanism 150a via the O-ring 158, the contact between the rod 61 and the holding mechanism is substantially linear contact. In FIG. 2, one O-ring is provided between the annular body 156 and the main body 61c. However, in one embodiment, a plurality of O-rings are provided between the annular body 156 and the main body 61c. It may be done. By providing a plurality of O-rings, the rod 61 can be held more reliably.

なお、保持機構150aは、当該保持機構150aとロッド61との接触が点接触になるようにロッド61を保持してもよい。例えば、複数の粒状の弾性体が環状体156と本体部61cとの間で圧縮された状態で設けられており、当該複数の粒状の弾性体を介して本体部61cの外周面に押圧力が付与されることによってロッド61が保持されてもよい。これにより、ロッド61が実質的に点接触で保持される。なお、ロッド61を保持するための構成は、上述した構成に限られない。例えば、本体部61cに向けて突出する凸部が形成された環状の弾性体が環状体156と本体部61cとの間で圧縮された状態で配置されており、この凸部が本体部61cに点接触するようにしてもよい。また、一部分が他の部分よりも拡径された環状の弾性体が環状体156と本体部61cとの間で圧縮された状態で配置されており、この拡径された一部分が本体部61cに線接触するようにしてもよい。   The holding mechanism 150a may hold the rod 61 such that the contact between the holding mechanism 150a and the rod 61 is point contact. For example, a plurality of granular elastic bodies are provided in a compressed state between the annular body 156 and the main body portion 61c, and a pressing force is applied to the outer peripheral surface of the main body portion 61c via the plurality of granular elastic bodies. The rod 61 may be held by being applied. Thereby, the rod 61 is substantially held by point contact. In addition, the structure for hold | maintaining the rod 61 is not restricted to the structure mentioned above. For example, an annular elastic body in which a convex portion protruding toward the main body portion 61c is formed is disposed in a state of being compressed between the annular body 156 and the main body portion 61c, and the convex portion is formed in the main body portion 61c. You may make it point-contact. In addition, an annular elastic body, a portion of which is larger in diameter than the other portions, is disposed in a compressed state between the annular body 156 and the main portion 61c, and this enlarged portion is a portion of the main portion 61c. It may be in line contact.

ロッド61と保持機構150aとの接触部分では、光の屈折率が非接触部分と異なるので、ロッド61に接触する接触物の材料によってはロッド61内を伝播する光の一部が当該接触部分を介してロッドの外部に漏洩することがある。これに対し、上記構成では、ロッド61を点接触又は線接触で保持しているのでロッド61と保持機構150aとの接触面積を極めて小さくすることができる。これにより、ロッド61と保持機構150aとの間の接触部分で生じる光の損失を低減することができ、光の損失に起因するセンサ感度の低下を抑制することができる。なお、上述の点接触及び線接触という用語は、接触面積が0であることを示す幾何学的な点接触及び線接触を意味するものではなく、接触面積が極めて小さな実質的な点接触及び線接触であることを示している。例えば、図2に示す構成では、Oリング158の弾性変形量に応じた面積で本体部61cとOリング158が接触することになるが、例えばロッド61の表面に接着剤又は封止剤を塗布してプレート154に固定する方法に比べてロッド61と保持機構150aとの間の接触面積を小さくすることができる。   In the contact portion between the rod 61 and the holding mechanism 150a, the refractive index of light is different from that in the non-contact portion. Therefore, depending on the material of the contact object that is in contact with the rod 61, a part of the light propagating through the rod 61 It may leak to the outside of the rod. On the other hand, in the above configuration, since the rod 61 is held by point contact or line contact, the contact area between the rod 61 and the holding mechanism 150a can be extremely reduced. Thereby, it is possible to reduce the loss of light generated at the contact portion between the rod 61 and the holding mechanism 150a, and to suppress the decrease in sensor sensitivity due to the loss of light. The terms point contact and line contact mentioned above do not mean geometrical point contact and line contact indicating that the contact area is zero, but the substantial point contact and line having a very small contact area Indicates contact. For example, in the configuration shown in FIG. 2, the main body 61 c and the O-ring 158 come into contact with each other in an area corresponding to the amount of elastic deformation of the O-ring 158. Thus, the contact area between the rod 61 and the holding mechanism 150a can be reduced as compared with the method of fixing to the plate 154.

また、一実施形態では、ロッド61の先端部61aと基端部61bとの間の位置には本体部61cの表面から突出する突出部61pが形成されていてもよい。この突出部61pは、フランジ152とプレート154の第1の部分154aとの間に配置されている。突出部61pが形成された位置におけるロッド61の軸線方向に直交する方向の幅Dは、フランジ152の内径dよりも小さくなっている。よって、フランジ152は、ロッド61の軸線方向において突出部61pと対面する。かかる構成では、ロッド61に対してタンク52に向かう力が作用したときに、突出部61pがフランジ152の上面に当接することによってロッド61の全体がタンク52内に挿入されることが防止される。即ち、フランジ152は、ロッド61の先端部61a方向への移動を規制する移動規制部として機能する。   In one embodiment, a protrusion 61p may be formed at a position between the tip 61a and the base 61b of the rod 61 so as to protrude from the surface of the main body 61c. The protrusion 61p is arranged between the flange 152 and the first portion 154a of the plate 154. The width D in the direction perpendicular to the axial direction of the rod 61 at the position where the protrusion 61 p is formed is smaller than the inner diameter d of the flange 152. Thus, the flange 152 faces the protrusion 61 p in the axial direction of the rod 61. In this configuration, when the force directed to the tank 52 acts on the rod 61, the projection 61p abuts on the upper surface of the flange 152, whereby the entire rod 61 is prevented from being inserted into the tank 52. . That is, the flange 152 functions as a movement restricting portion that restricts the movement of the rod 61 in the direction of the tip portion 61 a.

ロッド61と同様に、ロッド62は、先端部62a及び本体部62cを有している。本体部62cは、略円柱形状を有しており、タンク52の外部からタンク52の内部まで鉛直方向に延在している。先端部62aは、本体部62cの一端、即ち下端に連続している。先端部62aは、本体部62cの他端、即ち基端部62bから離れるにつれて縮径する円錐形状を有している。この先端部62aは、先端角α2を有している。図3の(b)は、先端部62aを含むロッド62の一部の拡大断面図であり、ロッド62の中心軸線Z3を含む平面において当該ロッド62を切断して示す断面図である。図3の(b)に示すように、先端角α2は、中心軸線Z3を含む断面において、中心軸線Z3上で互いに接する先端部62aの表面が形成する二つの線(図中、参照符号「62X」で示す)がなす角度として定義される。換言すると、先端角α2は、中心軸線Z3を含む平面と中心軸線Z3上で互いに接する先端部62aの表面との二つの交線62Xがなす角度である。この先端角α2は、先端角α1と同一の角度であってもよいし、異なる角度であってもよい。   Similar to the rod 61, the rod 62 has a tip 62a and a body 62c. The main body portion 62 c has a substantially cylindrical shape, and extends in the vertical direction from the outside of the tank 52 to the inside of the tank 52. The distal end portion 62a is continuous with one end, that is, the lower end of the main body portion 62c. The distal end portion 62a has a conical shape that decreases in diameter as it is separated from the other end of the main body portion 62c, that is, the proximal end portion 62b. The tip portion 62a has a tip angle α2. FIG. 3B is an enlarged cross-sectional view of a portion of the rod 62 including the tip portion 62a, and is a cross-sectional view showing the rod 62 in a plane including the central axis Z3 of the rod 62. As shown in FIG. 3B, the tip angle α2 is defined by two lines formed by the surfaces of the tip 62a that are in contact with each other on the center axis Z3 in the cross section including the center axis Z3 (in the figure, reference numeral “62X”). Is defined as the angle formed by In other words, the tip angle α2 is an angle formed by two intersecting lines 62X of a plane including the central axis Z3 and the surface of the tip 62a in contact with each other on the central axis Z3. The tip angle α2 may be the same as or different from the tip angle α1.

なお、先端部61aと同様に、先端部62aは先端角α2を有していれば、円錐形とは異なる形状を有し得る。例えば、先端部62aは、基端部62bから離れるにつれて互いに近づく2つの側面を含むくさび形状を有していてもよい。また、先端部62aは、偶数個の側面を有し、基端部62bから離れるについて先細りになる多角錐形状を有していてもよい。先端部62aがくさび形状又は多角錐形状を有する場合においても、先端角α2は、中心軸線Z3を含む断面において、中心軸線Z3上で互いに接する先端部62aの表面が形成する二つの線がなす角度として定義される。なお、一実施形態では、先端部62aの表面には研磨による鏡面加工が施されており、一方、本体部62cの表面には鏡面加工が施されていなくてもよい。   Similarly to the tip portion 61a, the tip portion 62a may have a shape different from the conical shape as long as it has a tip angle α2. For example, the tip 62a may have a wedge shape that includes two sides approaching each other as it moves away from the proximal end 62b. In addition, the distal end 62a may have an even number of side surfaces and may have a polygonal pyramid shape that tapers away from the proximal end 62b. Even in the case where tip portion 62a has a wedge shape or a polygonal pyramid shape, tip angle α2 is an angle formed by the two lines formed by the surfaces of tip portion 62a contacting each other on central axis Z3 in the cross section including central axis Z3. Defined as In one embodiment, the surface of the distal end portion 62a is mirror-finished by polishing, while the surface of the main portion 62c may not be mirror-finished.

また、一実施形態では、第2のセンサ60bは、保持機構150bを更に備え得る。保持機構150bは、ロッド62の軸線方向が鉛直方向に一致した状態でロッド62を保持する機構である。保持機構150bは、先端部62aが貫通孔52bを介してタンク52の内部に挿入された状態でロッド62を保持する。これにより、先端部62aがタンク52内に位置し、基端部62bがタンク52の外部に位置するように配置される。より詳細には、ロッド62の本体部62cと先端部62aとの境界が、タンク52の底部を基準とする高さ方向において第2の基準位置(第2の位置)H2に配置される。この第2の基準位置H2は、第1の基準位置H1よりも上方の位置である。保持機構150bは、保持機構150aと同様にフランジ152、プレート154及び環状体156を備えている。保持機構150bは、保持機構150aと略同一の構成を備えているので、再度の説明を省略する。また、図2では、ロッド62の長さがロッド61の長さよりも短く描かれているが、ロッド62はロッド61の長さと同一、又は、それ以上の長さを有していてもよい。   In one embodiment, the second sensor 60b may further include a holding mechanism 150b. The holding mechanism 150b is a mechanism that holds the rod 62 in a state where the axial direction of the rod 62 coincides with the vertical direction. The holding mechanism 150b holds the rod 62 in a state in which the tip end portion 62a is inserted into the inside of the tank 52 through the through hole 52b. Accordingly, the distal end portion 62 a is positioned in the tank 52, and the proximal end portion 62 b is disposed outside the tank 52. More specifically, the boundary between the main body 62c and the tip 62a of the rod 62 is disposed at the second reference position (second position) H2 in the height direction with the bottom of the tank 52 as a reference. The second reference position H2 is a position above the first reference position H1. The holding mechanism 150b includes a flange 152, a plate 154, and an annular body 156, like the holding mechanism 150a. The holding mechanism 150 b has substantially the same configuration as the holding mechanism 150 a, and thus the description thereof will not be repeated. Further, although the length of the rod 62 is drawn shorter than the length of the rod 61 in FIG. 2, the rod 62 may have a length equal to or longer than the length of the rod 61.

また、一実施形態では、ロッド62の先端部62aと基端部62bとの間の位置には本体部62cの表面から突出する突出部62pが形成されていてもよい。この突出部62pは、フランジ152とプレート154の第1の部分154aとの間に配置されている。突出部62pが形成された位置におけるロッド62の軸線方向に直交する方向の幅は、フランジ152の内径よりも小さくなっている。よって、フランジ152は、ロッド62の軸線方向において突出部62pと対面する。かかる構成では、ロッド62に対してタンク52に向かう力が作用したときに、突出部62pがフランジ152の上面に当接することによってロッド62の全体がタンク52内に挿入されることが防止される。即ち、フランジ152は、ロッド62の先端部62a方向への移動を規制する移動規制部として機能する。   In one embodiment, a protrusion 62p may be formed at a position between the distal end 62a and the proximal end 62b of the rod 62 so as to protrude from the surface of the main body 62c. The protrusion 62p is disposed between the flange 152 and the first portion 154a of the plate 154. The width in the direction perpendicular to the axial direction of the rod 62 at the position where the protrusion 62 p is formed is smaller than the inner diameter of the flange 152. Therefore, the flange 152 faces the protrusion 62 p in the axial direction of the rod 62. In such a configuration, when the force directed to the tank 52 acts on the rod 62, the projection 62p abuts on the upper surface of the flange 152 to prevent the entire rod 62 from being inserted into the tank 52. . That is, the flange 152 functions as a movement restricting portion that restricts the movement of the rod 62 in the direction of the distal end portion 62a.

次に、第1のセンサ60a及び第2のセンサ60bが備える回路部について説明する。図2に示すように、第1のセンサ60aの回路部65は、フォトリフレクタ64を有している。フォトリフレクタ64は、発光素子104、及び、受光素子であるフォトトランジスタ106を含んでいる。発光素子104及びフォトトランジスタ106は、基端部61b上に設けられている。発光素子104は、基端部61bに対して光を出力する。基端部61bに入射した光は、本体部61c内で伝搬して先端部61aに入射する。先端部61aに入射した光の全部又は一部は反射される。先端部61aで反射された光は、本体部61c内で伝搬して基端部61bに向かい、フォトトランジスタ106によって受光される。フォトトランジスタ106は、受光した光の強度(光量)に応じた電流を出力する。そして、回路部65は、当該電流に応じた電圧を生成し、当該電圧を増幅して出力電圧を生成する。なお、第2のセンサ60bの回路部66は、第1のセンサ60aの回路部65と同一の回路構成及び機能を有している。以下では特に区別する必要があるときを除き、回路部66の説明は省略し、回路部65についてのみ説明する。   Next, the circuit units included in the first sensor 60a and the second sensor 60b will be described. As shown in FIG. 2, the circuit unit 65 of the first sensor 60 a has a photo reflector 64. The photo reflector 64 includes a light emitting element 104 and a phototransistor 106 which is a light receiving element. The light emitting element 104 and the phototransistor 106 are provided on the base end 61 b. The light emitting element 104 outputs light to the proximal end 61 b. The light incident on the base end portion 61b propagates in the main body portion 61c and enters the distal end portion 61a. All or part of the light incident on the tip portion 61a is reflected. The light reflected by the distal end portion 61 a propagates in the main body portion 61 c, travels toward the proximal end portion 61 b, and is received by the phototransistor 106. The phototransistor 106 outputs a current corresponding to the intensity (light quantity) of received light. The circuit unit 65 generates a voltage corresponding to the current, amplifies the voltage, and generates an output voltage. The circuit unit 66 of the second sensor 60b has the same circuit configuration and function as the circuit unit 65 of the first sensor 60a. In the following, the description of the circuit unit 66 is omitted except when it is particularly necessary to distinguish, and only the circuit unit 65 will be described.

図4は、回路部65の回路構成の具体的な一例を示している。回路部65には、交流電源ACが設けられている。交流電源ACは、入力電圧Vinを生成する。交流電源ACの一方の端子は、抵抗素子102の一方の端子に接続されている。交流電源ACの他方の端子は、グランド端子GNDに接続されている。抵抗素子102の他方の端子は、発光素子104のアノードに接続されている。発光素子104のカソードはグランド端子GNDに接続されている。抵抗素子102及び発光素子104は、互いに直列に接続されている。この発光素子104は、例えば発光ダイオードであり、当該発光素子104に流れる電流に応じた強度を有する光を出射する。 FIG. 4 shows a specific example of the circuit configuration of the circuit unit 65. As shown in FIG. The circuit unit 65 is provided with an alternating current power supply AC. AC power supply AC is, to generate the input voltage V in. One terminal of the alternating current power supply AC is connected to one terminal of the resistance element 102. The other terminal of the AC power supply AC is connected to the ground terminal GND. The other terminal of the resistive element 102 is connected to the anode of the light emitting element 104. The cathode of the light emitting element 104 is connected to the ground terminal GND. The resistive element 102 and the light emitting element 104 are connected in series with each other. The light emitting element 104 is, for example, a light emitting diode, and emits light having an intensity corresponding to the current flowing through the light emitting element 104.

また、回路部65は、フォトトランジスタ106を含んでいる。このフォトトランジスタ106は、抵抗素子102及び発光素子104からなる直列回路に対して並列に接続されている。フォトトランジスタ106のコレクタ端子106Cは、交流電源ACの一方の端子に接続されている。フォトトランジスタ106のエミッタ端子106Eは、当該フォトトランジスタ106に対して直列に接続された抵抗素子108の一方の端子に接続されている。抵抗素子108の他方の端子は、グランド端子GNDに接続されている。これらフォトトランジスタ106及び抵抗素子108を含む直列回路には、交流電源ACから入力電圧が印加される。このフォトトランジスタ106は、発光素子104から受光した光の強度に応じて、コレクタ端子106Cからエミッタ端子106Eに流れる電流を変化させる。具体的に、フォトトランジスタ106によって受光される光の強度が大きくなると、コレクタ端子106Cからエミッタ端子106Eに流れる電流が大きくなり、フォトトランジスタ106によって受光される光の強度が小さくなると、コレクタ端子106Cからエミッタ端子106Eに流れる電流が小さくなる。このフォトトランジスタ106に接続された抵抗素子108の両端間には、コレクタ端子106Cからエミッタ端子106Eに流れる電流に応じた電圧が発生する。即ち、フォトトランジスタ106によって受光される光の強度が大きくなるほど大きな電圧が抵抗素子108の両端間に発生する。   The circuit unit 65 also includes a phototransistor 106. The phototransistor 106 is connected in parallel to a series circuit including the resistive element 102 and the light emitting element 104. The collector terminal 106C of the phototransistor 106 is connected to one terminal of the AC power supply AC. The emitter terminal 106E of the phototransistor 106 is connected to one terminal of the resistive element 108 connected in series to the phototransistor 106. The other terminal of the resistive element 108 is connected to the ground terminal GND. An input voltage is applied to a series circuit including the phototransistor 106 and the resistive element 108 from an AC power supply AC. The phototransistor 106 changes the current flowing from the collector terminal 106C to the emitter terminal 106E in accordance with the intensity of light received from the light emitting element 104. Specifically, when the intensity of light received by the phototransistor 106 increases, the current flowing from the collector terminal 106C to the emitter terminal 106E increases, and when the intensity of light received by the phototransistor 106 decreases, the current from the collector terminal 106C The current flowing to the emitter terminal 106E is reduced. A voltage corresponding to the current flowing from the collector terminal 106C to the emitter terminal 106E is generated between both ends of the resistive element 108 connected to the phototransistor 106. That is, as the intensity of light received by the phototransistor 106 increases, a larger voltage is generated between both ends of the resistance element 108.

また、フォトトランジスタ106のエミッタ端子106E及び抵抗素子108の一方の端子には、第1の端子110aが接続されている。さらに、抵抗素子108の他方の端子には、第2の端子110bが接続されている。したがって、抵抗素子108の両端間の電圧は、第1の端子110aと第2の端子110bとの間の電圧Vceとして出力される。これら抵抗素子108、第1の端子110a及び第2の端子110bは、電圧Vceを出力するための出力回路70として機能している。なお、図4に示す回路例では、電圧Vceは入力電圧Vinよりも小さい。 The first terminal 110 a is connected to the emitter terminal 106 E of the phototransistor 106 and one terminal of the resistor 108. Further, the second terminal 110 b is connected to the other terminal of the resistance element 108. Therefore, the voltage between both ends of the resistive element 108 is output as the voltage V ce between the first terminal 110 a and the second terminal 110 b. The resistance element 108, the first terminal 110a, and the second terminal 110b function as an output circuit 70 for outputting the voltage V ce . In the circuit example shown in FIG. 4, the voltage V ce is less than the input voltage V in.

回路部65は、電圧Vceを増幅して、増幅した電圧を第3の端子118aと第4の端子118b間の出力電圧Voutとして出力する増幅回路120を更に有している。この増幅回路120は、抵抗素子112、抵抗素子114、及びオペアンプ116を有している。抵抗素子112の一方の端子は、上述の第1の端子110aに接続されている。抵抗素子112の他方の端子は、抵抗素子114の一方の端子に接続されており、且つ、オペアンプ116の反転入力端子に接続されている。抵抗素子114の他方の端子は、オペアンプ116の出力端子及び第3の端子118aに接続されている。オペアンプ116の非反転入力端子は、第2の端子110bに接続されており、且つ、第4の端子118bに接続されている。この第4の端子118bは、第2の端子110bに接続されている。 Circuit unit 65 amplifies the voltage V ce, further includes an amplifier circuit 120 for outputting the amplified voltage as an output voltage V out between the third terminal 118a and the fourth terminal 118b. The amplifier circuit 120 includes a resistance element 112, a resistance element 114, and an operational amplifier 116. One terminal of the resistance element 112 is connected to the first terminal 110a described above. The other terminal of the resistance element 112 is connected to one terminal of the resistance element 114 and is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier 116. The other terminal of the resistive element 114 is connected to the output terminal of the operational amplifier 116 and the third terminal 118 a. The noninverting input terminal of the operational amplifier 116 is connected to the second terminal 110b and to the fourth terminal 118b. The fourth terminal 118 b is connected to the second terminal 110 b.

この回路部65では、抵抗素子112の抵抗値をRiとし、抵抗素子114の抵抗値をRfとしたときに、出力電圧Voutと電圧Vceとが、下記式(2)に示す関係を有する。即ち、増幅回路120は、電圧Vceに対して位相が反転した出力電圧Voutを出力する反転増幅回路である。
out=−(Rf/Ri)・Vce ・・・(2)
In this circuit unit 65, assuming that the resistance value of the resistance element 112 is Ri and the resistance value of the resistance element 114 is Rf, the output voltage Vout and the voltage V ce have the relationship shown in the following equation (2) . That is, the amplifier circuit 120 is an inverting amplifier circuit that outputs an output voltage Vout whose phase is inverted with respect to the voltage Vce .
V out = − (Rf / Ri) · V ce (2)

なお、増幅回路120は、電圧Vceを増幅して出力することができれば図4に示す反転増幅回路に限定されるものではない。例えば、増幅回路120として、電圧Vceと同位相の出力電圧Voutを出力する非反転増幅回路が用いられてもよい。また、一実施形態では、増幅回路120が整流回路を更に含み、当該整流回路が第3の端子118aと第4の端子118bとの間に発生する交流電圧を直流電圧に変換し、当該直流電圧が出力電圧Voutとして出力されてもよい。さらに、一実施形態では、交流電源ACに代えて直流電源が用いられてもよい。 The amplification circuit 120 is not limited to the inverting amplification circuit shown in FIG. 4 as long as it can amplify and output the voltage V ce . For example, as the amplification circuit 120, a non-inversion amplification circuit that outputs an output voltage V out in phase with the voltage V ce may be used. In one embodiment, the amplifier circuit 120 further includes a rectifier circuit, which converts the AC voltage generated between the third terminal 118a and the fourth terminal 118b into a DC voltage, and the DC voltage May be output as the output voltage Vout . Furthermore, in one embodiment, a DC power supply may be used instead of the AC power supply AC.

次に、第1のセンサ60a及び第2のセンサ60bの動作原理について説明する。第1のセンサ60a及び第2のセンサ60bは、互いに同一の機能及び特性を有しているので、以下では特に区別する必要があるときを除き、第1のセンサ60aについて説明する。図5の(a)は、タンク52内の液面FLの高さ方向の位置が第1の基準位置H1よりも低い状態、即ち、第1のセンサ60aの先端部61aが水中にない状態を示している。図5の(b)は、タンク52内の液面FLの高さ方向の位置が第1の基準位置H1よりも高い状態、即ち、第1のセンサ60aの先端部61aが水中にある状態を示している。   Next, the operation principle of the first sensor 60a and the second sensor 60b will be described. Since the first sensor 60a and the second sensor 60b have the same function and characteristics as each other, the first sensor 60a will be described below unless it is particularly necessary to distinguish. FIG. 5A shows a state in which the position in the height direction of the liquid level FL in the tank 52 is lower than the first reference position H1, that is, a state where the tip 61a of the first sensor 60a is not in water. Show. FIG. 5B shows a state in which the position in the height direction of the liquid level FL in the tank 52 is higher than the first reference position H1, that is, a state in which the tip portion 61a of the first sensor 60a is in water. Show.

図5の(a)及び(b)に示すように、フォトリフレクタ64の発光素子104から出射された光は、基端部61bから先端部61aに向けてロッド61内を伝搬する。先端部61aに到達した光の全部又は一部は、先端部61aにおいて反射される。先端部61aで反射された光は、基端部61bに向けて伝搬し、フォトトランジスタ106によって受光される。そして、フォトトランジスタ106を流れる電流に応じた出力電圧Voutが後述する制御部40に出力される。 As shown in (a) and (b) of FIG. 5, light emitted from the light emitting element 104 of the photo reflector 64 propagates in the rod 61 from the proximal end 61 b toward the distal end 61 a. All or a part of the light reaching the tip portion 61a is reflected at the tip portion 61a. The light reflected by the distal end portion 61 a propagates toward the proximal end portion 61 b and is received by the phototransistor 106. Then, an output voltage Vout corresponding to the current flowing through the phototransistor 106 is output to the control unit 40 described later.

先端部61aにおいて反射される光の量は、先端部61aとの水との接触状態によって定まる。図5の(a)に示すように、先端部61aが水に接していない場合、即ち、高さ方向において、液面FLが第1の基準位置H1よりも低い位置にある場合には、先端部61aの屈折率と当該先端部61aの表面に接する空気の屈折率の差が大きいので、先端部61aにおいて反射される光の量が多くなり、フォトトランジスタ106によって受光される光の強度が大きくなる。一方、図5の(b)に示すように、先端部61aが水と接している場合、即ち、液面FLが第1の基準位置H1と同一、又は、第1の基準位置H1よりも高い位置にある場合には、先端部61aの屈折率と当該先端部61aの表面に接する水の屈折率との差が小さいので、先端部61aから水に透過する光の量が大きくなり、フォトトランジスタ106によって受光される光の強度が小さくなる。このように、先端部61aにおいて反射される光の量が先端部61aの水との接触状態に応じて増減するので、第1のセンサ60aの回路部65から出力される出力電圧Voutを所定の閾値と比較することによって、先端部61aが水に接触しているか否かを判別することが可能となる。 The amount of light reflected at the tip 61a is determined by the contact state of the tip 61a with water. As shown in (a) of FIG. 5, when the tip portion 61a is not in contact with water, that is, when the liquid level FL is lower than the first reference position H1 in the height direction, the tip is Since the difference between the refractive index of the portion 61a and the refractive index of air in contact with the surface of the tip portion 61a is large, the amount of light reflected at the tip portion 61a is large, and the intensity of light received by the phototransistor 106 is large. Become. On the other hand, as shown in (b) of FIG. 5, when the tip portion 61a is in contact with water, that is, the liquid level FL is the same as the first reference position H1 or higher than the first reference position H1. In the position, the difference between the refractive index of the tip portion 61a and the refractive index of water in contact with the surface of the tip portion 61a is small, so the amount of light transmitted from the tip portion 61a to water becomes large, and the phototransistor The intensity of light received by 106 is reduced. Thus, the amount of light reflected at the tip end portion 61a increases or decreases according to the contact state of the tip end portion 61a with water, so the output voltage V out output from the circuit portion 65 of the first sensor 60a is predetermined. By comparing the threshold value with the threshold value, it is possible to determine whether the tip portion 61a is in contact with water.

また、先端部61aにおいて反射される光の量は、先端部61aの先端角α1にも依存する。一例として、中心軸線Z2に平行な方向に進行して先端部61aの表面に入射する光について考える。この光は、先端部61aの表面にα1/2の入射角で入射する。例えば先端部61aの先端角α1が90°であるときには、先端部61aに入射した光は、先端部61aの表面において45°の反射角で2回反射し、中心軸線Z2に平行な方向に沿って先端部61aから基端部61bに向けて再び進行する。このような反射をしたときに、先端部61aの表面で生じる光の損失は最も小さくなる。即ち、発光素子104から中心軸線Z2に平行な方向に進行する光が出射されたときには、先端部61aの先端角α1を90°に設定するとフォトトランジスタ106において受光される光の量が最も大きくなる。   Further, the amount of light reflected at the tip portion 61a also depends on the tip angle α1 of the tip portion 61a. As an example, consider light that travels in a direction parallel to the central axis Z2 and enters the surface of the tip 61a. This light is incident on the surface of the tip portion 61a at an incident angle of α1 / 2. For example, when the tip angle α1 of the tip portion 61a is 90 °, light incident on the tip portion 61a is reflected twice at a reflection angle of 45 ° on the surface of the tip portion 61a and follows a direction parallel to the central axis Z2. Then, it proceeds again from the distal end portion 61a toward the proximal end portion 61b. When such reflection is performed, the loss of light generated at the surface of the tip portion 61a is minimized. That is, when light traveling in a direction parallel to the central axis Z2 is emitted from the light emitting element 104, the amount of light received by the phototransistor 106 is maximized when the tip angle α1 of the tip portion 61a is set to 90 °. .

しかしながら、実際には、発光素子104から出射し、先端部61aに向けて本体部61cを進行する光は発散光であり、中心軸線Z2に平行な方向に進行する成分のみでなく、様々な角度成分を有する光である。具体的に、先端部61aに向けて本体部61cを進行する光の強度分布は、角度方向においてガウス分布を有している。このような発散光は、先端角α1を90°以上に設定することで、先端部61aにおいて効率よく反射されるものと推測される。上述したように、先端部61aの先端角α1は97°以上の角度を有しているので、発光素子104から出射された光を先端部61aにおいて効率よく反射することができる。また、先端角α1は107°以下である。先端角α1を107°以下にすることにより、先端部61aに付着した水滴が落下しやすくなる。   However, in practice, the light emitted from the light emitting element 104 and traveling through the main portion 61c toward the tip portion 61a is divergent light, and not only components traveling in a direction parallel to the central axis Z2, but also various angles It is light having a component. Specifically, the intensity distribution of the light traveling through the main body 61c toward the tip 61a has a Gaussian distribution in the angular direction. It is assumed that such divergent light is efficiently reflected at the tip portion 61a by setting the tip angle α1 to 90 ° or more. As described above, since the tip angle α1 of the tip portion 61a has an angle of 97 ° or more, light emitted from the light emitting element 104 can be efficiently reflected at the tip portion 61a. Further, the tip angle α1 is 107 ° or less. By setting the tip angle α1 to 107 ° or less, water droplets attached to the tip portion 61a can easily fall.

次に、第1のセンサ60aの特性について説明する。第1のセンサ60aにおいて、発光素子104とフォトトランジスタ106との間で光の損失がないと仮定したときに、入力電圧Vinと、回路部65の出力電圧Voutとは、下記式(1)で表される関係を有している。下記式(1)において、Gvは第1のセンサ60aのゲインを表している。式(1)に示すように、ゲインGvを大きく設定することで、一定の入力電圧Vinに対する出力電圧Voutが増加する。このゲインGvは、抵抗素子112の抵抗値Ri、及び、抵抗素子114の抵抗値Rfを変更することによって調整することが可能である。 Next, the characteristics of the first sensor 60a will be described. In the first sensor 60a, when it is assumed that there is no loss of light between the light emitting element 104 and the phototransistor 106, the input voltage V in, the output voltage V out of the circuit portion 65, the following equation (1 ). In the following equation (1), Gv represents the gain of the first sensor 60a. As shown in equation (1), by setting the gain Gv greater, the output voltage V out relative to a constant input voltage V in increases. The gain Gv can be adjusted by changing the resistance value Ri of the resistance element 112 and the resistance value Rf of the resistance element 114.

|Vout|=|Gv・Vin| ・・・(1) | V out | = | Gv · V in | (1)

第1のセンサ60aでは、式(1)に示すゲインGvが、3200以上、14000未満に設定されている。ゲインを3200以上に設定することによって、液面FLの高さ方向の位置が第1の基準位置H1よりも低いときに、先端部61aに水滴が付着した場合であっても、出力電圧Voutを大きくすることができる。よって、先端部61aに水滴が付着したときに出力電圧Voutが所定の閾値を下回ることが抑制され、その結果、先端部61aに付着した水滴に起因するセンサの誤検知を抑制することができる。一方、ゲインを14000以上に設定すると、水中において先端部61aに気泡が付着したときに、出力電圧Voutが大きくなりすぎてしまい、誤検知が発生することがある。第1のセンサ60aでは、ゲインが14000未満に設定されているので、出力電圧Voutが過剰に大きくなることが抑制され、その結果、水中において先端部61aに付着した気泡に起因する誤検知を抑制することができる。また、上述したように、第2のセンサ60bは、第1のセンサ60aと同様の構成、機能及び特性を有している。よって、第2のセンサ60bでも、先端部62aに付着した水滴に起因するセンサの誤検知を抑制することができ、且つ、水中において先端部62aに付着した気泡に起因する誤検知を抑制することができる。 In the first sensor 60a, the gain Gv shown in the equation (1) is set to 3200 or more and less than 14000. By setting the gain to 3200 or more, the output voltage V out is obtained even when water droplets adhere to the tip portion 61 a when the position in the height direction of the liquid level FL is lower than the first reference position H1. Can be increased. Therefore, when water droplets adhere to the tip portion 61a, it is suppressed that the output voltage Vout falls below the predetermined threshold, and as a result, false detection of the sensor due to the water droplets attached to the tip portion 61a can be suppressed. . On the other hand, when the gain is set to 14000 or more, the output voltage Vout becomes too large when bubbles are attached to the tip portion 61a in water, and erroneous detection may occur. In the first sensor 60a, since the gain is set to less than 14000, the output voltage Vout is prevented from becoming excessively large. As a result, erroneous detection due to air bubbles attached to the tip portion 61a in water can be detected. It can be suppressed. In addition, as described above, the second sensor 60b has the same configuration, function, and characteristics as the first sensor 60a. Therefore, even with the second sensor 60b, it is possible to suppress false detection of the sensor caused by water droplets attached to the tip 62a, and to suppress false detection caused by air bubbles attached to the tip 62a in water. Can.

再び図1を参照する。図1に示すように、タンク52には導管72が設けられている。導管72は、その先端が空間S3の下部に位置するようにタンク52の外部からタンク52の内部まで略鉛直方向に延在している。導管72には、配管74の一端が接続されている。配管74の他端には、給水部76が接続されている。給水部76は、給水用の水を貯留しており、配管74を介して水をタンク52内に供給する。配管74の途中位置にはバルブV7が設けられている。バルブV7は、給水部76からタンク52に対する水の供給及び供給停止を切り替える。また、バルブV7よりも配管74の一端に近い配管74上の位置には、排水管78が接続されている。排水管78は、導管72及び配管74を介してタンク52から排出された水を気化器50の外部に排出する。また、排水管78の途中位置にはバルブV8が設けられている。バルブV8は、タンク52内の水の排出、及び、排出停止を切り替える。   Refer to FIG. 1 again. As shown in FIG. 1, a conduit 72 is provided in the tank 52. The conduit 72 extends in the substantially vertical direction from the outside of the tank 52 to the inside of the tank 52 so that the tip thereof is located at the lower part of the space S3. One end of a pipe 74 is connected to the conduit 72. A water supply unit 76 is connected to the other end of the pipe 74. The water supply unit 76 stores water for water supply and supplies the water into the tank 52 via the pipe 74. A valve V <b> 7 is provided in the middle of the pipe 74. The valve V <b> 7 switches between water supply and supply stop from the water supply unit 76 to the tank 52. A drain pipe 78 is connected to a position on the pipe 74 that is closer to one end of the pipe 74 than the valve V7. The drain pipe 78 discharges the water discharged from the tank 52 through the conduit 72 and the pipe 74 to the outside of the vaporizer 50. A valve V8 is provided in the middle of the drain pipe 78. The valve V8 switches between the discharge of water in the tank 52 and the discharge stop.

さらに、プラズマ処理装置1は、制御部40を備えている。制御部40は、プラズマ処理装置1の各部を制御する。制御部40は、例えば、プロセッサ、記憶装置、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり得る。制御部40は、プラズマ処理装置1の各部を制御するためのプログラムを記憶装置に格納しており、当該プログラムを実行することにより、プラズマ処理装置1の各部、例えば、バルブV1〜V3,V5〜V8、三方弁V4、流量制御器F1〜F4、高周波電源RG、ヒータ電源HP、排気装置16、及び、電源56を制御する。一例では、制御部40は、第1のセンサ60a及び第2のセンサ60bから出力される出力電圧Voutに応じて、給水部76からタンク52に対する水の供給を制御する。 The plasma processing apparatus 1 further includes a control unit 40. The control unit 40 controls each unit of the plasma processing apparatus 1. The control unit 40 can be, for example, a computer including a processor, a storage device, an input device, a display device, and the like. The control unit 40 stores a program for controlling each part of the plasma processing apparatus 1 in a storage device, and by executing the program, each part of the plasma processing apparatus 1, for example, valves V1 to V3 and V5 to V5. V8, three-way valve V4, flow controllers F1 to F4, high-frequency power supply RG, heater power supply HP, exhaust device 16 and power supply 56 are controlled. In one example, the control unit 40 controls the supply of water from the water supply unit 76 to the tank 52 in accordance with the output voltage Vout output from the first sensor 60a and the second sensor 60b.

次に、一実施形態のプラズマ処理装置1の制御方法について説明する。図6は、希ガス、Oガス、及び、NガスのプラズマによってウエハWをプラズマ処理するためのプラズマ処理装置1の制御方法MT1を示す流れ図である。 Next, a control method of the plasma processing apparatus 1 of one embodiment will be described. FIG. 6 is a flowchart showing a control method MT1 of the plasma processing apparatus 1 for performing plasma processing on the wafer W by plasma of rare gas, O 2 gas, and N 2 gas.

制御方法MT1では、まず工程ST1において、ガス供給部GUからOガス、Nガス、及び、希ガスが石英管22内の空間S2に供給される。これらのガスを空間S2に供給するために、制御部40は、バルブV1〜V3を開放し、バルブV5〜V8を閉鎖する。また、制御部40は、配管31が配管30に対して連通されるように三方弁V4を制御する。このように各バルブが制御されることにより、ガス供給部GUからのOガス、Nガス、及び、希ガスが、配管31及び配管30を通って空間S2に供給される。 In the control method MT1, first, in step ST1, O 2 gas, N 2 gas, and rare gas are supplied from the gas supply unit GU to the space S2 in the quartz tube 22. In order to supply these gases to the space S2, the control unit 40 opens the valves V1 to V3 and closes the valves V5 to V8. Further, the control unit 40 controls the three-way valve V4 such that the pipe 31 is in communication with the pipe 30. By controlling the valves in this way, O 2 gas, N 2 gas, and rare gas from the gas supply unit GU are supplied to the space S2 through the pipe 31 and the pipe 30.

次いで、制御方法MT1では、工程ST2が行われる。工程ST2では、Oガス、Nガス、及び、希ガスのプラズマが生成される。このために、工程ST2では、高周波電源RGからコイル24に高周波電力が与えられる。この高周波電力によって、空間S2において、Oガス、Nガス、及び、希ガスのプラズマが生成される。そして、このプラズマの活性種によって、ウエハWに含まれる有機物、及び/又はウエハWに付着した有機物が除去される。即ち、アッシング処理が行われる。 Next, in the control method MT1, a process ST2 is performed. In step ST2, plasma of O 2 gas, N 2 gas, and rare gas is generated. For this reason, in the process ST2, high frequency power is supplied from the high frequency power supply RG to the coil 24. With this high frequency power, plasma of O 2 gas, N 2 gas, and rare gas is generated in the space S2. Then, the organic species contained in the wafer W and / or the organic matter adhering to the wafer W are removed by the active species of the plasma. That is, ashing processing is performed.

次に、プラズマ処理装置1の別の制御方法について説明する。図7は、HOガス、即ち水蒸気のプラズマによってウエハWをプラズマ処理するためのプラズマ処理装置1の制御方法MT2を示す流れ図である。 Next, another control method of the plasma processing apparatus 1 will be described. FIG. 7 is a flowchart showing a control method MT2 of the plasma processing apparatus 1 for performing plasma processing on the wafer W with plasma of H 2 O gas, that is, water vapor.

制御方法MT2では、まず工程ST11において、タンク52内の水の温度が設定温度に制御される。この設定温度は、タンク52の容量、配管30,32の内径及び長さ、並びに、空間S2に供給されるべきHOガスの流量によって定まる温度であり、例えば摂氏50度〜78度である。タンク52内の水の温度を制御するために、制御部40は電源56に制御信号を送信し、加熱器54で生じる熱量を制御する。タンク52内の水の温度が設定温度になると、次いで工程ST12が行われる。工程ST12では、気化器50からHOガスが石英管22内の空間S2に供給される。工程ST12では、HOガスを空間S2に供給するために、制御部40は、バルブV5を開放し、バルブV1〜3,V6〜V8を閉鎖する。また、制御部40は、配管33が配管30に連通されるように三方弁V4を制御する。このように各バルブが制御されることにより、空間S3内のHOガスが配管32、配管33及び配管30を通って空間S2に供給される。 In the control method MT2, first, in step ST11, the temperature of the water in the tank 52 is controlled to the set temperature. This set temperature is a temperature determined by the volume of the tank 52, the inner diameter and length of the pipes 30, 32, and the flow rate of the H 2 O gas to be supplied to the space S2, and is, for example, 50 to 78 degrees Celsius. . In order to control the temperature of the water in the tank 52, the controller 40 sends a control signal to the power supply 56 to control the amount of heat generated by the heater 54. When the temperature of the water in the tank 52 reaches the set temperature, then step ST12 is performed. In step ST12, H 2 O gas is supplied from the vaporizer 50 to the space S2 in the quartz tube 22. In step ST12, in order to supply the H 2 O gas to the space S2, the control unit 40 opens the valve V5 and closes the valves V1 to V3 and V6 to V8. Further, the control unit 40 controls the three-way valve V4 such that the pipe 33 is in communication with the pipe 30. Thus, by controlling each valve, the H 2 O gas in the space S3 is supplied to the space S2 through the pipe 32, the pipe 33, and the pipe 30.

次いで、制御方法MT2では、工程ST13が行われる。工程ST13では、HOガスのプラズマが生成される。このために、工程ST13では、高周波電源RGからコイル24に高周波電力が与えられる。この高周波電力によって、空間S2において、HOガスのプラズマが生成される。そして、このプラズマの活性種によって、ウエハWに含まれる有機物、及び/又はウエハWに付着した有機物が除去される。即ち、アッシング処理が行われる。 Next, in the control method MT2, a process ST13 is performed. In step ST13, plasma of H 2 O gas is generated. Therefore, in step ST13, high frequency power is supplied from the high frequency power supply RG to the coil 24. The high frequency power generates plasma of H 2 O gas in the space S2. Then, the organic species contained in the wafer W and / or the organic matter adhering to the wafer W are removed by the active species of the plasma. That is, ashing processing is performed.

次いで、制御方法MT2では、工程ST14が行われる。工程ST14では、タンク52内の液面FLの高さ方向の位置が第1の基準位置H1よりも低いか否かが判定される。制御部40は、第1のセンサ60aの出力電圧Voutの実効値(以下、単に「出力電圧Vout」という。)が所定の閾値以上であるときに、液面FLの高さ方向の位置が第1の基準位置H1よりも低いと判定する。工程ST14において、液面FLの高さ方向の位置が第1の基準位置H1よりも低いと判定された場合、即ち、第1のセンサ60aの出力電圧Voutが所定の閾値以上であると判定された場合には、工程ST15が行われる。工程ST15では、液面FLの高さ方向の位置が第1の基準位置H1と同じに、又は、第1の基準位置H1よりも高くなるように給水部76からタンク52に水が供給される。タンク52内に水を供給するために、制御部40はバルブV7に制御信号を送信し、バルブV7を開放する。これにより、給水部76に貯留された水が配管74及び導管72を介してタンク52内に供給される。また、制御部40は、液面FLの高さ方向の位置が第1の基準位置H1と同じ、又は、第1の基準位置H1よりも高くなると、バルブV7を閉鎖してタンク52に対する給水を停止する。 Next, in the control method MT2, a process ST14 is performed. In step ST14, it is determined whether the position in the height direction of the liquid level FL in the tank 52 is lower than the first reference position H1. When the effective value of the output voltage V out of the first sensor 60a (hereinafter simply referred to as “output voltage V out ”) is equal to or greater than a predetermined threshold, the control unit 40 determines the position of the liquid level FL in the height direction. Is determined to be lower than the first reference position H1. When it is determined in step ST14 that the position in the height direction of the liquid level FL is lower than the first reference position H1, that is, it is determined that the output voltage Vout of the first sensor 60a is equal to or higher than a predetermined threshold If it has, step ST15 is performed. In step ST15, water is supplied from the water supply unit 76 to the tank 52 so that the position in the height direction of the liquid level FL is the same as the first reference position H1 or higher than the first reference position H1. . In order to supply water into the tank 52, the control unit 40 sends a control signal to the valve V7 to open the valve V7. Thereby, the water stored in the water supply unit 76 is supplied into the tank 52 via the pipe 74 and the conduit 72. Further, when the position in the height direction of the liquid level FL becomes the same as or higher than the first reference position H1, the control unit 40 closes the valve V7 to supply water to the tank 52. Stop.

一方、工程ST14において液面FLの高さ方向の位置が第1の基準位置H1と同じ、又は、それよりも高い位置にあると判定されたときには、工程ST16が行われる。また、工程ST15において給水部76からタンク52に水が供給された場合にも、工程ST16が行われる。この工程ST16では、終了条件が満たされたか否かが判定される。例えば、工程ST16では、工程ST13のアッシング処理が所定回数以上実施されたか否かが判定される。工程ST16において、終了条件が満たされていないと判定されたときには、工程ST11が再び行われる。一方、工程ST16において、終了条件が満たされたと判定されたときには、処理を終了する。   On the other hand, when it is determined in step ST14 that the position in the height direction of the liquid level FL is at the same position as or higher than the first reference position H1, step ST16 is performed. Further, the process ST16 is also performed when water is supplied from the water supply unit 76 to the tank 52 in the process ST15. In this step ST16, it is determined whether or not the end condition is satisfied. For example, in step ST16, it is determined whether or not the ashing process in step ST13 has been performed a predetermined number of times. If it is determined in step ST16 that the end condition is not satisfied, step ST11 is performed again. On the other hand, when it is determined in step ST16 that the termination condition is satisfied, the processing is terminated.

次に、先端部61aの先端角に関する実験結果について説明する。図8は、先端部61aが完全に空気と接している場合における、先端部61aの先端角と出力電圧Voutとの関係を示す実験結果である。図8に示すように、先端部61aの先端角が80°以上97°未満の範囲内の角度である場合には、先端部61aの先端角が大きくなるほど出力電圧Voutが大きくなることが確認された。一方、先端部61aの先端角が97°以上107°以下の範囲内の角度である場合では、先端部61aの先端角が大きくなっても出力電圧Voutは略一定となることが確認された。この結果は、図4に示すように、フォトトランジスタ106及び抵抗素子108を含む直列回路に入力電圧Vinが印加されているので、抵抗素子108の両端子間に発生する電圧Vceが入力電圧Vinを超えないことに起因するものと推察される。 Next, experimental results on the tip angle of the tip portion 61a will be described. FIG. 8 shows the experimental results showing the relationship between the tip angle of the tip 61a and the output voltage Vout when the tip 61a is completely in contact with air. As shown in FIG. 8, when the tip angle of the tip portion 61a is an angle in the range of 80 ° or more and less than 97 °, it is confirmed that the output voltage V out increases as the tip angle of the tip portion 61a increases. It was done. On the other hand, it was confirmed that when the tip angle of the tip portion 61a is within the range of 97 ° to 107 °, the output voltage Vout is substantially constant even if the tip angle of the tip portion 61a increases. . As a result, as shown in FIG. 4, the input voltage V in to a series circuit including a phototransistor 106 and the resistor 108 is applied, the voltage V ce input voltage generated between both terminals of the resistor element 108 It is presumed that this is caused by not exceeding V in .

上記結果から、先端部61aの先端角を97°以上にすることで、先端部61aが空気と接しているときのセンサの出力電圧Voutが大きくなることが確認された。この結果は、先端角を97°以上にすることによって、先端部61aにおいて反射されフォトトランジスタによって受光される光の量が増加したために得られたものであると考えられる。よって、先端部61aの先端角を97°以上にすることで、タンク52内の液面FLが第1の基準位置H1よりも低い位置にあるときにロッド61の先端部61aに水滴が付着したとしても、センサの出力電圧Voutを大きなものにすることができる。これにより、先端部61aに水滴が付着した場合であっても出力電圧Voutが所定の閾値を下回りにくくなるので、水滴の付着に起因するセンサの誤検知を抑制することが可能となる。また、ロッド62の先端部61aの先端角を107°以下にすることにより、先端部61aに付着した水滴が落下しやすくなる。よって、先端部61aに水滴が付着することを抑制することができる。 From the above results, it was confirmed that the output voltage Vout of the sensor when the tip portion 61a is in contact with air is increased by setting the tip angle of the tip portion 61a to 97 ° or more. This result is considered to be obtained because the amount of light reflected at the tip 61a and received by the phototransistor is increased by setting the tip angle to 97 ° or more. Therefore, when the liquid surface FL in the tank 52 is at a position lower than the first reference position H1, water droplets adhere to the tip portion 61a of the rod 61 by setting the tip angle of the tip portion 61a to 97 ° or more. Also, the output voltage V out of the sensor can be increased. As a result, even when water droplets adhere to the tip portion 61a, the output voltage Vout is less likely to fall below the predetermined threshold, so that false detection of the sensor due to the adhesion of water droplets can be suppressed. Further, by setting the tip angle of the tip portion 61a of the rod 62 to 107 ° or less, the water droplets attached to the tip portion 61a can be easily dropped. Therefore, it can suppress that a water droplet adheres to tip part 61a.

次に、第1のセンサ60aのゲインGvに関する実験結果について説明する。この実験結果を得た実験では、先端部61aにおける光の全反射を模擬的に発生させるために、第1のセンサ60aからロッド61を取り外し、フォトリフレクタ64の直下に反射率が互いに異なる黄色及び紫色の色紙を配置した状態で発光素子104から光を出射させた。そして、これらの色紙が配置されたときに回路部65から出力された出力電圧Voutをそれぞれ測定した。図9は、実験において得られた出力電圧VoutとゲインGvとの関係を示す図である。図9に示すように、回路部65のゲインGvを増加させていくと、ある値以上のゲインGvに対して出力電圧Voutが飽和して略一定となっていた。ここで、ゲインが4倍になったときに出力電圧Voutの増加率が11%以内となるゲインGvの範囲を平坦範囲と定義すると、平坦範囲の下限であるゲインGvは3200となる。図9に示すように、第1のセンサ60aのゲインGvを平坦範囲に含まれる値に設定した場合には、回路部65の直下に何れの色紙が配置された場合であっても、大きな出力電圧Voutが出力されることが確認された。即ち、第1のセンサ60aのゲインGvを3200以上に設定することにより、先端部61aにおける反射率が低く当該先端部61aの表面で光の損失が生じる場合でも、第1のセンサ60aから大きな出力電圧Voutが出力させることができることが確認された。このことから、先端部61aに水滴が付着しており、当該先端部61aの表面から水滴に光が漏れて光の損失が生じる場合でも、第1のセンサ60aから大きな出力電圧Voutが出力させることができることが確認された。 Next, experimental results on the gain Gv of the first sensor 60a will be described. In the experiment from which this experimental result was obtained, the rod 61 was removed from the first sensor 60a in order to simulate total reflection of light at the tip portion 61a, and yellow and different in reflectance from each other directly below the photo reflector 64 Light was emitted from the light emitting element 104 with the purple colored paper placed. Then, when these colored papers were placed, the output voltage Vout output from the circuit unit 65 was measured. FIG. 9 is a diagram illustrating the relationship between the output voltage Vout and the gain Gv obtained in the experiment. As shown in FIG. 9, when the gain Gv of the circuit unit 65 is increased, the output voltage Vout is saturated and becomes substantially constant with respect to the gain Gv greater than a certain value. Here, when the range of the gain Gv in which the rate of increase of the output voltage Vout is 11% or less when the gain becomes 4 times is defined as the flat range, the gain Gv which is the lower limit of the flat range is 3200. As shown in FIG. 9, when the gain Gv of the first sensor 60a is set to a value included in the flat range, a large output is obtained even when any color paper is disposed immediately below the circuit unit 65. It was confirmed that the voltage V out was output. That is, by setting the gain Gv of the first sensor 60a to 3200 or more, even if the reflectance at the tip end portion 61a is low and light loss occurs on the surface of the tip end portion 61a, a large output from the first sensor 60a It was confirmed that the voltage V out can be output. From this, even when water drops adhere to the tip portion 61 a and light leaks from the surface of the tip portion 61 a to the water drop, a large output voltage V out is output from the first sensor 60 a. It was confirmed that it was possible.

次に、加熱器54によりタンク52内の水を加熱し、タンク52から石英管22内の空間S2に水蒸気が間欠的に供給されるように流量制御器F4を制御した。そして、第1のセンサ60aの判定結果の経時的変化を得た。図10の(a)〜(c)の上段のグラフは、第1のセンサ60aのゲインGvをそれぞれ1400、3200、6500に設定したときの、第1のセンサ60aの判定結果の経時的変化を示している。これらのグラフにおいて、縦軸は先端部61aの水の接触状態の判定結果であり、横軸は時間である。図10の上段のグラフに示される判定結果の「1」とは、制御部40において先端部61aが水に接触していると判定されたことを示しており、判定結果の「0」とは、制御部40において先端部61aが水に接触していないと判定されたことを示している。このように、制御部40は、第1のセンサ60aからの出力電圧Voutを所定の閾値に基づいて二値化することによって、先端部61aに対する水の接触状態を判別している。また、図10の(a)〜(c)の下段のグラフは、流量制御器通過率の経時的な変化を示している。これらのグラフにおいて、縦軸は水蒸気の流量制御器通過率であり、横軸は時間である。なお、図10の(a)〜(c)の上段のグラフの横軸の時間及び下段のグラフの横軸の時間は、互いに一致している。 Next, the water in the tank 52 was heated by the heater 54, and the flow rate controller F4 was controlled so that water vapor was intermittently supplied from the tank 52 to the space S2 in the quartz tube 22. And, the temporal change of the judgment result of the first sensor 60a was obtained. The upper graphs in (a) to (c) in FIG. 10 show temporal changes in the determination result of the first sensor 60a when the gain Gv of the first sensor 60a is set to 1400, 3200, and 6500, respectively. It shows. In these graphs, the vertical axis is the determination result of the contact state of water at the tip portion 61a, and the horizontal axis is time. The determination result “1” shown in the upper graph of FIG. 10 indicates that the control unit 40 determines that the tip 61a is in contact with water, and the determination result “0” This indicates that the controller 40 determines that the tip 61a is not in contact with water. As described above, the control unit 40 determines the contact state of water with the tip portion 61a by binarizing the output voltage Vout from the first sensor 60a based on a predetermined threshold value. Moreover, the graph of the lower stage of (a)-(c) of FIG. 10 has shown the time-dependent change of the flow rate controller passage rate. In these graphs, the vertical axis is the steam flow rate controller passing rate, and the horizontal axis is time. In addition, the time of the horizontal axis of the graph of the upper stage of (a)-(c) of FIG. 10 and the time of the horizontal axis of the lower graph are mutually corresponded.

図10の(a)〜(c)の上段のグラフで示すように、本実験では、時間が46分のときに第1のセンサ60aの判定結果が「0」から「1」に変化している。これは、タンク52内に水が供給されたことを示している。本実験では、その後はタンク52内に水の供給が行われないようにした。その結果、図10の(a)〜(c)の上段のグラフでは、時間が65分になったときに第1のセンサ60aの判定結果が「1」から「0」に変化した。   As shown by the upper graphs in (a) to (c) of FIG. 10, in this experiment, the determination result of the first sensor 60a changes from “0” to “1” when the time is 46 minutes. There is. This indicates that water has been supplied into the tank 52. In the present experiment, water was not supplied into the tank 52 thereafter. As a result, in the upper graphs of (a) to (c) of FIG. 10, when the time has reached 65 minutes, the determination result of the first sensor 60a changes from "1" to "0".

その後も観測を続けたところ、図10の(a)の上段のグラフで示すように、ゲインGvを1400に設定した場合には、時間が71分になったところで第1のセンサ60aの判定結果が「0」から「1」に再び変化した。本実験では、46分の給水以降はタンク52内に水の供給が行われないようにしていたので、時間が71分になったときには第1のセンサ60aの先端部61aに水は接触していなかったはずである。したがって、時間が71分になったときに、先端部61aが水に接触しているという判定は誤検知であると判断される。図10の(a)の下段のグラフを参照すると、この誤検知は、流量制御器通過率が100%から0%に変化した直後に発生していることが分かる。流量制御器通過率が100%から0%に変化すると、タンク52内の空間S3と処理容器12内の空間S2との連通が解除されるのでタンク52内の圧力が上昇する。これに伴い、タンク52内の水蒸気は液化し易くなる。これらの結果から、この誤検知は、タンク52内の圧力が上昇してロッド61の先端部61aに水滴が付着したことに起因して発生したものであると推認される。一方、図10の(b)及び(c)に示すように、第1のセンサ60aのゲインGvを3200又は6500に設定した場合には、流量制御器通過率の変化に関わらず、65分以降の判定結果が「0」のままであった。即ち、誤検知は確認されなかった。   After that, when observation was continued, as shown by the graph at the top of FIG. 10A, when the gain Gv is set to 1400, the determination result of the first sensor 60a when the time reaches 71 minutes Changes from "0" to "1" again. In this experiment, since water supply was not performed in the tank 52 after 46 minutes of water supply, the water contacted the tip 61a of the first sensor 60a when the time reached 71 minutes. There should have been no. Therefore, when the time reaches 71 minutes, the determination that the tip 61a is in contact with water is determined to be a false detection. Referring to the lower graph of (a) of FIG. 10, it is understood that this false detection occurs immediately after the flow rate controller passage rate changes from 100% to 0%. When the flow rate controller passing rate changes from 100% to 0%, the communication between the space S3 in the tank 52 and the space S2 in the processing container 12 is released, and the pressure in the tank 52 rises. Along with this, the water vapor in the tank 52 is easily liquefied. From these results, it is presumed that this false detection is caused due to the pressure inside the tank 52 rising and the water drop adhering to the tip portion 61 a of the rod 61. On the other hand, as shown in FIGS. 10B and 10C, when the gain Gv of the first sensor 60a is set to 3200 or 6500, after 65 minutes regardless of the change in the flow rate controller passage rate. The judgment result of was still "0". That is, no false detection was confirmed.

次に、図11を参照する。図11は、タンク52内の液面FLが第1の基準位置H1よりも高い位置にある状態で、加熱器54を用いてタンク52内の水を加熱したときに、第1のセンサ60aから出力された出力電圧Voutの経時的変化を示す図である。図11の(a)は、第1のセンサ60aのゲインGvを180に設定したときの結果であり、図11の(b)は、第1のセンサ60aのゲインGvを14000に設定したときの結果である。ここで先端部61aに水が接触しているか否かを判定するための閾値は6Vとした。 Next, FIG. 11 is referred to. In FIG. 11, when the water in the tank 52 is heated using the heater 54 in a state where the liquid level FL in the tank 52 is higher than the first reference position H1, the first sensor 60a is used. It is a figure which shows the time-dependent change of the output voltage Vout output. FIG. 11A shows the result when the gain Gv of the first sensor 60a is set to 180, and FIG. 11B shows the result when the gain Gv of the first sensor 60a is set to 14000. It is a result. Here, the threshold value for determining whether or not water is in contact with the tip 61a is 6V.

第1のセンサ60aのゲインGvが180である場合には、図11の(a)に示すように、水の加熱によって気泡が発生しても、第1のセンサ60aの出力電圧Voutは大きく増加しなかった。一方、第1のセンサ60aのゲインGvが14000である場合には、水の加熱によって生じる気泡の影響により、第1のセンサ60aの出力電圧Voutは大きく増加した。この出力電圧Voutは、連続的に6Vを超過することはなかったものの、瞬間的に6Vを超過した。この結果から、ゲインGvを14000以上に設定した場合には、水中において先端部61aに気泡が付着したときに誤検知が生じる可能性が高いことが確認された。しかし、第1のセンサ60aのゲインGvが14000である場合には、出力電圧Voutは連続的に6Vを超えることはなかったので、第1のセンサ60aのゲインGvを14000未満に設定した場合には第1のセンサ60aに誤検知が発生する可能性を低くすることができると考えられる。 When the gain Gv of the first sensor 60a is 180, as shown in (a) of FIG. 11, the output voltage Vout of the first sensor 60a is large even if air bubbles are generated due to the heating of water. It did not increase. On the other hand, when the gain Gv of the first sensor 60a is 14000, the output voltage Vout of the first sensor 60a greatly increases due to the influence of bubbles generated by the heating of water. Although this output voltage V out never exceeded 6 V continuously, it exceeded 6 V instantaneously. From this result, it was confirmed that when the gain Gv is set to 14000 or more, there is a high possibility of erroneous detection when bubbles are attached to the tip portion 61a in water. However, when the gain Gv of the first sensor 60a is 14000, the output voltage Vout does not continuously exceed 6 V. Therefore, when the gain Gv of the first sensor 60a is set to less than 14000 It is considered that the possibility of erroneous detection occurring in the first sensor 60a can be reduced.

以上、一実施形態に係るセンサ及び気化器について説明してきたが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。例えば、気化器50は、プラズマ処理装置1に水蒸気を供給しているが、水蒸気を供給する対象はプラズマ処理装置に限定されるものではない。また、図1に示す実施形態では、制御部40によってプラズマ処理装置1の全体が制御されているが、一実施形態では、制御部40とは別の制御部を備え、当該別の制御部によって気化器50が個別に制御されてもよい。   Although the sensor and the vaporizer according to the embodiment have been described above, various modifications can be configured without being limited to the above-described embodiment. For example, the vaporizer 50 supplies water vapor to the plasma processing apparatus 1, but the object to which water vapor is supplied is not limited to the plasma processing apparatus. Moreover, in the embodiment shown in FIG. 1, the whole of the plasma processing apparatus 1 is controlled by the control unit 40. However, in one embodiment, a control unit different from the control unit 40 is provided, and the other control unit The vaporizer 50 may be individually controlled.

1…プラズマ処理装置、10…本体部、40…制御部、50…気化器、52…タンク、54…加熱器、60a…第1のセンサ、60b…第2のセンサ、61,62…ロッド、61a,62a…先端部、61b,62b…基端部、61p,62p…突出部、61X,62X…交線、64…フォトリフレクタ、65,66…回路部、70…出力回路、72…導管、76…給水部、102…抵抗素子、104…発光素子、106…フォトトランジスタ、106C…コレクタ端子、106E…エミッタ端子、108…抵抗素子、120…増幅回路、158…Oリング、FL…液面、GND…グランド端子、S3…空間、α1,α2…先端角。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Plasma processing apparatus, 10 ... Body part, 40 ... Control part, 50 ... Vaporizer, 52 ... Tank, 54 ... Heater, 60a ... 1st sensor, 60b ... 2nd sensor, 61, 62 ... Rod, 61a, 62a ... tip portion, 61b, 62b ... base end portion, 61p, 62p ... projecting portion, 61X, 62X ... intersecting line, 64 ... photo reflector, 65, 66 ... circuit portion, 70 ... output circuit, 72 ... conduit, DESCRIPTION OF SYMBOLS 76 ... Water supply part, 102 ... Resistance element, 104 ... Light emitting element, 106 ... Phototransistor, 106C ... Collector terminal, 106 E ... Emitter terminal, 108 ... Resistance element, 120 ... Amplifier circuit, 158 ... O ring, FL ... Liquid surface, GND: ground terminal, S3: space, α1, α2: tip angle.

Claims (12)

水との接触状態に応じて異なる出力電圧を出力するセンサであって、
先端部及び基端部を有し、該先端部と該基端部との間で延在する透光性のロッドであり、前記先端部の先端角が97°以上107°以下である、該ロッドと、
前記ロッド内に伝搬させる光を前記基端部に対して出力する発光素子と、
前記基端部上に設けられ、前記発光素子から出力された光のうち、前記ロッドの先端部で反射された光を受光するフォトトランジスタと、
前記フォトトランジスタとグランド端子との間に設けられ、前記フォトトランジスタに直列に接続された抵抗素子を含む出力回路であり、前記フォトトランジスタを流れる電流に応じた大きさの電圧を出力する該出力回路と、
前記フォトトランジスタ及び前記抵抗素子を含む直列回路に入力電圧を印加する電源と、
前記出力回路から出力される電圧を増幅し、増幅した該電圧を前記出力電圧として出力する増幅回路と、
前記ロッドの軸線方向が鉛直方向に一致した状態で前記ロッドを保持する保持機構と、
を備え、
前記発光素子と前記フォトトランジスタとの間で光の損失がないと仮定したときに、前記電源が生成する前記入力電圧Vinと、前記増幅回路の前記出力電圧Voutとは、下記式(1);|Vout|=|Gv・Vin| ・・・(1)で表される関係を有し、
式(1)において、Gvはゲインであり、該ゲインは3200以上、14000未満であ
前記保持機構は、点接触で前記ロッドを保持する、センサ。
A sensor that outputs different output voltages according to the contact condition with water,
A translucent rod having a distal end portion and a proximal end portion and extending between the distal end portion and the proximal end portion, wherein the distal end angle of the distal end portion is 97 ° to 107 °, With the rod,
A light emitting element for outputting light propagating in the rod to the proximal end;
A phototransistor that is provided on the base end and receives light reflected from the tip of the rod among the light output from the light emitting element;
An output circuit including a resistance element provided between the phototransistor and a ground terminal and connected in series to the phototransistor, wherein the output circuit outputs a voltage having a magnitude corresponding to a current flowing through the phototransistor. When,
A power supply for applying an input voltage to a series circuit including the phototransistor and the resistive element;
An amplifying circuit for amplifying the voltage output from the output circuit and outputting the amplified voltage as the output voltage;
A holding mechanism for holding the rod in a state in which the axial direction of the rod coincides with the vertical direction;
Equipped with
Assuming that there is no light loss between the light emitting element and the phototransistor, the input voltage Vin generated by the power supply and the output voltage Vout of the amplifier circuit are represented by the following formula (1): | Vout | = | Gv · Vin | (1)
In the formula (1), Gv is the gain, the gain is 3200 or more state, and are less than 14000,
The sensor holds the rod by point contact .
前記ロッドは、1.414以上、1.627以下の屈折率を有する材料から構成されている、請求項1に記載のセンサ。   The sensor according to claim 1, wherein the rod is made of a material having a refractive index of 1.414 or more and 1.627 or less. 前記ロッドは、石英から構成されている、請求項1又は2に記載のセンサ。   The sensor according to claim 1, wherein the rod is made of quartz. 前記先端部は、前記基端部から離れるにつれて互いに近づく2つの側面を含むくさび形状を有している、請求項1〜3の何れか一項に記載のセンサ。   The sensor according to any one of the preceding claims, wherein the tip has a wedge shape including two sides approaching each other away from the proximal end. 前記先端部は、偶数個の側面を有し、前記基端部から離れるについて先細りになる多角錐形状を有している、請求項1〜3の何れか一項に記載のセンサ。   The sensor according to any one of the preceding claims, wherein the tip has an even number of side surfaces and has a polygonal pyramid shape that tapers away from the proximal end. 前記先端部は、前記基端部から離れるにつれて縮径する円錐形状を有している、請求項1〜3の何れか一項に記載のセンサ。   The sensor according to any one of claims 1 to 3, wherein the distal end portion has a conical shape that decreases in diameter as it goes away from the proximal end portion. 前記保持機構は、複数の粒状の弾性体を介して前記ロッドを保持する、請求項1〜6の何れか一項に記載のセンサ。The sensor according to any one of claims 1 to 6, wherein the holding mechanism holds the rod via a plurality of granular elastic bodies. 前記保持機構は、前記ロッドの外周面に向けて突出する凸部が形成された環状の弾性体を介して前記ロッドを保持する、請求項1〜6の何れか一項に記載のセンサ。 The sensor according to any one of claims 1 to 6, wherein the holding mechanism holds the rod via an annular elastic body formed with a convex portion protruding toward the outer peripheral surface of the rod. 前記ロッドには、該ロッドの外周面から突出する突出部が形成され、該突出部は前記ロッドの軸線方向において前記先端部と前記基端部との間の位置しており、
前記保持機構は、前記突出部と前記先端部との間に設けられ、前記ロッドの軸線方向において前記突出部と対面する移動規制部を含む、請求項7又は8に記載のセンサ。
The rod is formed with a protruding portion that protrudes from the outer peripheral surface of the rod, and the protruding portion is located between the distal end portion and the proximal end portion in the axial direction of the rod,
The sensor according to claim 7 or 8, wherein the holding mechanism includes a movement restricting portion that is provided between the protruding portion and the tip end portion and faces the protruding portion in the axial direction of the rod.
内部に水を貯留するための空間を画成するタンクと、
前記タンク内の水を加熱して、水蒸気を発生させる加熱器と、
請求項1〜9の何れか一項に記載の少なくとも一つのセンサであり、前記先端部が前記空間内において高さ方向の所定位置に配置された、該少なくとも一つのセンサと、
前記タンク内に水を供給する給水部と、
前記センサの前記増幅回路の前記出力電圧に応じて、前記給水部から前記タンクに対する水の供給を制御する制御部と、を備える、気化器。
A tank defining a space for storing water inside;
A heater for heating water in the tank to generate steam;
The at least one sensor according to any one of claims 1 to 9, wherein the tip portion is arranged at a predetermined position in a height direction in the space;
A water supply unit for supplying water into the tank;
A control unit that controls the supply of water from the water supply unit to the tank according to the output voltage of the amplifier circuit of the sensor.
前記制御部は、前記増幅回路の前記出力電圧が所定の閾値以上であるときに、前記タンク内に水が供給されるように前記給水部を制御する、請求項10に記載の気化器。   The said control part controls the said water supply part so that water may be supplied in the said tank, when the said output voltage of the said amplifier circuit is more than a predetermined | prescribed threshold value. 前記少なくとも一つのセンサは、第1のセンサ及び第2のセンサを含み、
前記第1のセンサの前記先端部は、高さ方向において第1の位置に配置され、前記第2のセンサの前記先端部は、高さ方向において前記第1の位置よりも高い第2の位置に配置されている、請求項10又は11に記載の気化器。
The at least one sensor includes a first sensor and a second sensor,
The tip portion of the first sensor is disposed at a first position in the height direction, and the tip portion of the second sensor is a second position higher than the first position in the height direction. The vaporizer according to claim 10 or 11, which is arranged in
JP2015190948A 2015-09-29 2015-09-29 Sensor and vaporizer Active JP6552361B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015190948A JP6552361B2 (en) 2015-09-29 2015-09-29 Sensor and vaporizer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015190948A JP6552361B2 (en) 2015-09-29 2015-09-29 Sensor and vaporizer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017067519A JP2017067519A (en) 2017-04-06
JP6552361B2 true JP6552361B2 (en) 2019-07-31

Family

ID=58492287

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015190948A Active JP6552361B2 (en) 2015-09-29 2015-09-29 Sensor and vaporizer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6552361B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102144816B1 (en) * 2019-05-21 2020-08-14 한국항공우주연구원 Optical depletion sensor for sensing liquid depletion

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58109029U (en) * 1982-01-21 1983-07-25 日産自動車株式会社 Vehicle fuel level gauge
JPH0792004A (en) * 1993-08-31 1995-04-07 Mitsubishi Rayon Co Ltd Liquid level sensor
JP3507125B2 (en) * 1994-05-20 2004-03-15 キヤノン株式会社 Liquid presence detection device, liquid presence detection method, and tank used in liquid presence detection device
JPH08114487A (en) * 1994-10-14 1996-05-07 Alcantec Kk Optical probe and liquid surface detector using it
JPH08271320A (en) * 1995-03-31 1996-10-18 Tsuuden:Kk Method for detecting liquid in pipe or vessel, and device therefor
JP3056484U (en) * 1998-08-06 1999-02-16 株式会社旭製作所 Optical level gauge
JP2001253090A (en) * 2000-03-08 2001-09-18 Sharp Corp Apparatus for detecting residual quantity of ink in ink jet printer
JP3673254B2 (en) * 2002-11-14 2005-07-20 株式会社プレテック Liquid level detection sensor and liquid level detection method
US7040728B2 (en) * 2003-06-06 2006-05-09 Fuji Xerox Co., Ltd. Geometry for a dual level fluid quantity sensing refillable fluid container
US7259383B2 (en) * 2004-04-22 2007-08-21 Opti Sensor Systems, Llc Optical transducer for detecting liquid level
JP2007027567A (en) * 2005-07-20 2007-02-01 Hitachi High-Technologies Corp Plasma processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017067519A (en) 2017-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10109508B2 (en) Substrate processing device and method of manufacturing semiconductor device
EP2982964A1 (en) Self-cleaning optical sensor
KR102450184B1 (en) Substrate liquid processing apparatus
ES2743652T3 (en) Gas sampling device
US10692744B2 (en) Method of inspecting gas supply system
JP2009002901A (en) Pressure sensor, differential pressure type flow meter, and flow controller
TWI763866B (en) How to check the gas supply system
TW200833311A (en) System and method for controlling fluid flow in an aspiration chamber
JP6552361B2 (en) Sensor and vaporizer
JP2012142355A (en) Material gas control apparatus, material gas control method, material gas control program and material gas control system
JP2016095212A (en) Level gauge and liquid material evaporation feeder
KR20140141417A (en) Heating evaporation system and heating evaporation method
JP6603530B2 (en) Plasma processing apparatus and method for controlling plasma processing apparatus
JP6560138B2 (en) Particle measuring device
TWI635537B (en) Gas nozzle for preventing plasma from entering inside, gas nozzle element with interferometer and working method thereof
US20200132628A1 (en) Compact measuring appliance and method for detecting hydrocarbons
JPWO2018190074A1 (en) Vaporization device and vaporization system
US20170074792A1 (en) Particle detecting apparatus
JP2006181682A (en) Sucking device
JP2020204540A (en) Metal corrosion detection device and corrosion detection method
US20170219104A1 (en) Three-way valve and method for using the same
KR102438237B1 (en) Liquid source supply system and liquid source supply method using the same
JP5269285B2 (en) Flow meter
JP6803735B2 (en) Inner electron beam sterilization equipment
KR100816213B1 (en) Wet etcher for wafer and a method therefor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180316

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190108

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190311

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190604

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190702

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6552361

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250