JP6546136B2 - 高周波回路、および高周波装置 - Google Patents

Description

本発明は、高周波回路、および高周波装置に関するものである。

携帯電話基地局等の無線装置で使用される、高周波増幅器などの高周波部品は、特性にばらつきが見られることが多々ある。このため、製造時の検査や調整にかかる手間が多く掛かり、製造原価を高くしている。

図１４は高周波回路の一例である。高周波回路１４０は、信号源１４１、搬送波発信源１４３、ミキサ（mixer）１４２、高周波増幅器１４４、アンテナ（antenna）１４５によって構成される。信号源１４１は音声やデータ（data）等の信号を発生する。搬送波発信源１４３は、送信電波の搬送波を発生する。ミキサ１４２は、搬送波発信源１４３の出力である搬送波と信号源１４１の出力信号を重畳して出力する。高周波増幅器１４４は、ミキサ１４２の出力を増幅し、アンテナ１４５に出力する。

ここで、高周波増幅器１４４が最大の能力を発揮するには、次の第１および第２の条件を満足する必要がある。第１の条件は、高周波増幅器１４４の入力端から観測した入力側回路のインピーダンス（impedance）と、高周波増幅器１４４の入力端から観測する高周波増幅器１４４の入力インピーダンスが整合条件を満足していることである。第２の条件は、高周波増幅器１４４の出力端から観測した出力側回路のインピーダンスと、高周波増幅器１４４の出力端から観測する高周波増幅器１４４の出力インピーダンスが整合条件を満足していることである。

高周波増幅器１４４と入力側回路、および高周波増幅器１４４と出力側回路のインピーダンス整合を満足するには、集中定数回路ではキャパシタ（capacitor）、インダクタ（inductor）等を用い、分布定数回路ではスタブ（stub）等を用いる。

しかし、高周波増幅器１４４に接続される入力側および出力側の回路のインピーダンスや、高周波増幅器１４４の入力側および出力側のインピーダンスはそれぞれにばらつきを有することが多い。そして、インピーダンスの調整は試行錯誤的に行われることが多く、高周波増幅器１４４が最良の性能を得るためには、作業者の労力が多大となる問題がある。

この問題に対して、特許文献１及び特許文献２の様な技術が提案されている。

特許文献１では、図１２に示す様に、マイクロストリップ線路１２１の上に溝を設け、溝に球状導体１２２を備えている。該球状導体は、その物理的形状による容量性もしくは誘導性のインピーダンスを持つ。そして、球状導体がマイクロストリップ線路１２１の上を移動することによって、高周波増幅器１２３から観測した、球状導体１２２の存在する回路側のインピーダンスを変化させることができる。

この様にすることで、高周波増幅器１２３の入力側および出力側のインピーダンスの調整を可能としている。

特許文献２では、図１３の様に誘電体基板１３２の下の接地導体１３１に空隙部１３５を有する。そして、マイクロストリップ線路１３３の真下、空隙部１３５の内部に金属導体１３４を備える。金属導体１３４は、ネジ状の金属導体である。そして、インピーダンス調整用の金属導体１３４が上下することによって、マイクロストリップ線路１３３とアースとの距離が変化する。その為、金属導体１３４の配置された箇所のマイクロストリップ線路１３３のインピーダンスが変化する。このようにして、インピーダンス調整を可能としている。

特許第２８１２２９１号公報 特開平１１−２８９２０３号公報

しかし、図１２に示す特許文献１の構成によるインピーダンス調整箇所は、球状導体１２２であるために、球状導体１２２が最適な調整箇所から容易にずれてしまうことが予想される。また、球状導体１２２を固定するための方法として、粘着性を有し、かつ非導電性の物質を使用して固着する必要がある。さらに、球状導体１２２とマイクロストリップ線路１２１が電気的に接続されるように、押し続ける構造を用意する必要がある。

さらに、高周波増幅器１２３を動作させたまま、球状導体１２２を半田付けによって固定する場合、半田ごてを回路に当てたことによるインピーダンスの大きな変化によって、反射や発振等が起きて、高周波増幅器１２３を破損するおそれがある。また、半田ごてをあてた箇所に直流電圧が供給されている場合には、半田ごてによって直流電圧がショートして、高周波増幅器１２３を破損するおそれもある。

また、図１３に示す特許文献２の構成では、インピーダンス調整の為の金属導体１３４は、マイクロストリップ線路１３３に沿った方向に移動することは出来ない。高周波回路のインピーダンス調整においては、容量性や誘導性の量を調整することだけでは不十分である。伝送線路上のどの距離に容量性や誘導性の調整素子を配置するかは、インピーダンス調整に必要な要素である。このために、特許文献２の構成では、インピーダンスの調整範囲は極めて限定的になってしまう。

本発明の高周波回路、および高周波装置は、簡易な作業で広範囲なインピーダンス調整を可能にすることを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の高周波回路は、導体板と、前記導体板の表面上に固定された誘電体基板と、前記誘電体基板上に導体で形成されたマイクロストリップ線路と、上下および前記マイクロストリップ線路に沿って移動可能な少なくとも１つの支持体と、導体で形成され前記支持体の下部に固定され前記マイクロストリップ線路の表面に一部が接触可能なスタブとを備える。 上記の目的を達成するために、本発明の高周波装置は、導体板と、前記導体板の表面上に固定された誘電体基板と、前記誘電体基板上に導体で形成されたマイクロストリップ線路と、上下および前記マイクロストリップ線路に沿って移動可能な少なくとも１つの支持体と、導体で形成され前記支持体の下部に固定され前記マイクロストリップ線路の表面に一部が接触可能なスタブとを備える高周波回路を少なくとも１つ備える。

本発明によれば、簡易な作業で広範囲なインピーダンス調整を行うことが可能となる高周波回路、および高周波装置を実現する。

第１の実施形態の構成例を示す図である。 第１の実施形態の構成例を示す図である。 第１の実施形態の構成例を示す図である。 第１の実施形態の動作を説明する図である。 第１の実施形態の動作を説明する図である。 第１の実施形態の動作を説明する図である。 第１の実施形態の変形例を示す図である。 第１の実施形態の変形例を示す図である。 第２の実施形態の構成例を示す図である。 第３の実施形態の構成例を示す図である。 第３の実施形態の構成例を示す図である。 関連技術の構成を示す図である。 関連技術の構成を示す図である。 関連技術の構成を示す図である。 第４の実施形態の構成例を示す図である。 第１および第３の実施形態の変形例を示す図である。

［第１の実施形態］
次に、本発明の実施の形態について図１乃至図６を参照して詳細に説明する。
［構成の説明］
図１乃至図３に第１の実施形態の構成を示す。

図１は、本実施形態の高周波回路１０の構成例である。

高周波回路１０は、金属筐体２１、および金属筐体２１の上部に図示せぬ金属筐体２１に固定される支持体で支持される上部カバー２２を有する。

金属筐体２１の上には、高周波増幅器３０、誘電体基板１１が配置される。誘電体基板１１の上面には、一定の幅を有するマイクロストリップ線路１２が導体で形成されている。マイクロストリップ線路１２は、銅箔にニッケル等のメッキを施した導体を用いることが出来る。

マイクロストリップ線路１２の一端は、高周波増幅器３０の接続端子３１と半田付けなどで電気的に接続されている。また、マイクロストリップ線路１２の高周波増幅器３０と接続されない一端を、外部接続端１３とする。

尚、図１では、高周波増幅器３０の接続端子３１は、高周波増幅器３０の入力端子または出力端子の片方だけを図示しているが、入力端子側、出力端子側のどちらも同様の構成とすることが出来る。

また、図１では金属筐体２１と誘電体基板１１は密着しているが、金属筐体２１と誘電体基板１１の間に均一の厚みの空間があっても良い、この場合、金属筐体２１と誘電体基板１１の間は、一部に非導電体の支持体を用いて間隔を支持するなどしてもよい。

マイクロストリップ線路１２の上には、マイクロストリップ線路１２とほぼ直交する位置に、スタブ１４が圧接されている。スタブ１４は、マイクロストリップ線路の一種であり、一定の幅を有しており、銅板にニッケル等のめっきを施した導体を用いることが出来る。

スタブ１４は支持体１５の下部に固定されている。支持体１５は直方体であり、上面視でスタブ１４の線路幅と略同等の幅と一定の長さの長方形を断面とする。そして、支持体１５は、導電率の極めて低い材質で形成されているため、マイクロストリップ線路１２やスタブ１４とは電気的に接続されない。

更に、支持体１５は上部で支持棒１６と接続されている。支持棒１６は、上部カバー２２に設けられた長穴２３を貫通して把持部１９と接続されている。支持棒１６は、マイクロストリップ線路１２の電気特性に影響を与えない位離れていれば、導体であっても非導電体であってもかまわない。しかし、マイクロストリップ線路１２の電気特性に影響を与えるようであれば、非導電体で形成される。

そして、支持棒１６の周囲を取り巻くようにばね１７が配置されている。ばね１７は、マイクロストリップ線路１２の電気特性に影響を与えない位離れていれば、導体であっても非導電体であってもかまわない。しかし、マイクロストリップ線路１２の電気特性に影響を与えるようであれば、非導電体で形成される。

ばね１７の上には支持棒１６が貫通する穴を有する円板状の留め具１８が配置される。留め具１８は上部カバー２２の下面に接する様に配置される。また、留め具１８の外径は長穴２３の短径より大きい。

そして、留め具１８は、ばね１７が上方向に押し上げる力で上部カバー２２の下面に押しつけられている。ばね１７は留め具１８の下面と支持体１５の上面を互いに押し広げる弾性力を有していて、支持体１５はスタブ１４をマイクロストリップ線路１２に常に押し当てている。

また、図３に示す様に把持部１９を引上げると、支持体１５が上方へ動くので、スタブ１４はマイクロストリップ線路１２から離れる。そして、図３に示す把持部１９を引上げた状態で、把持部１９を長穴２３の長径方向に動かすと、留め具１８は上部カバー２２の下面を摺動する。そのため、支持体１５およびスタブ１４は、マイクロストリップ線路１２に沿った方向に移動する。そして、把持部１９を動かした後に把持部１９を離すと、再び図２の様に支持体１５が下に押されることで、スタブ１４はマイクロストリップ線路１２と接触する。

尚、留め具１８の摺動構造については、他にも種々の一般的な方法を用いることが出来る。
［動作の説明］
次に本実施形態の動作の説明を図１乃至図６を参照して説明する。

はじめに、高周波増幅器３０を動作した状態で、外部接続端１３からマイクロストリップ線路１２のインピーダンスを、一般的な高周波測定方法によって測定する。

この後、スタブ１４を調整して、先に測定した外部接続端１３から観測した高周波増幅器３０のインピーダンスを、外部回路の設計上の特性インピーダンス、例えば５０オームに整合することを目的とする。

図４は、誘電体基板１１、および高周波増幅器３０を上面から見た図である。

最初にスタブ１４は、図４の実線の位置にあるとする。一般的には、接続端子３１から高周波増幅器３０を観測したインピーダンスが、リアクタンスがゼロでレジスタンスが設計上の特性インピーダンス、例えば５０オームとなる様に調整する。

そこで、把持部１９を図３の様に持ち上げて把持部１９を長穴２３の長径方向に移動して、例えば図４の点線で示す位置にスタブ１４を移動して、接続端子３１からマイクロストリップ線路１２側のインピーダンスを変化させる。このことで、マイクロストリップ線路１２のスタブ１４の位置が変化するので、インピーダンスの位相が変化する。

また、図５に示す様に、スタブ１４を実線の位置から点線の位置に回転することも可能である。スタブ１４は一端がマイクロストリップ線路１２と接続され、その他の部分はマイクロストリップ線路１２からはみ出している。ここで、スタブ１４をマイクロストリップ線路１２との接続点から観測したインピーダンスは、スタブ１４のはみ出した長さによって、容量性もしくは誘導性となる。

マイクロストリップ線路１２を流れる高周波電流の波長に対し、スタブ１４のマイクロストリップ線路１２と重ならない部分の長さが１／４波長以下であると、接続点から観測したスタブ１４のインピーダンスは容量性となる。また、マイクロストリップ線路１２を流れる高周波電流の波長に対し、スタブ１４のマイクロストリップ線路１２と重ならない部分の長さが１／４波長より大きく１／２波長以下であると、接続点から観測したスタブ１４のインピーダンスは誘導性となる。

そこで、把持部１９を回転させると、支持体１５およびスタブ１４も回転し、図５に示す例の様にスタブ１４は実線から点線、或いは点線から実線の位置に回転する。すると、回転によってスタブ１４がマイクロストリップ線路１２と重なる面積が増減する。従って、マイクロストリップ線路１２の接続点から観測したスタブ１４の、容量性もしくは誘導性のインピーダンスのリアクタンス値を変化させることができる。

次に、インピーダンス整合の例を示す。

図６はインピーダンスチャートであるスミスチャートを示し、中心であるｐ３はマイクロストリップ線路１２の特性インピーダンス、ここでは５０オームであるとする。図１における接続端子３１から高周波増幅器３０のインピーダンスを観測すると、図１２に示すスミスチャートのｐ１であったとする。

外部接続端１３から観測したマイクロストリップ線路１２のインピーダンスは、マイクロストリップ線路１２にスタブ１４が接続されていない状態で、仮にマイクロストリップ線路１２の長さを変化すると、ｐ１とｐ３を結んだ線を半径とする円周上を回転する。その回転量は、マイクロストリップ線路１２の長さに対応する電気長である。

外部接続端１３に接続される回路は５０オームであるので、外部接続端１３から観測するマイクロストリップ線路１２のインピーダンスを５０オームであるｐ３に整合させる必要がある。しかし、特性インピーダンスが５０オームのマイクロストリップ線路１２のみでは、スミスチャート上でｐ３を中心として回転するのみで、ｐ３に合わせることが出来ない。この時、マイクロストリップ線路１２に対して、図６のｐ２に一致する電気長の位置にスタブ１４を接続する。そして、マイクロストリップ線路１２からのスタブ１４の長さを適宜調整すれば、容量性素子を付加してｐ３に整合することが出来る。この様にして、高周波増幅器３０が接続されたマイクロストリップ線路１２の、外部接続端１３から観測したインピーダンスをｐ３に整合することが出来る。そして、外部接続端に接続される次段回路とのインピーダンスが整合することで、電力を無駄なく送出することが出来る。

以上、図４で示した様に、スタブ１４のマイクロストリップ線路との接続点を変化することと、図５で示した様に、スタブ１４の面積を変化することが可能である。その結果、外部接続端１３から観測するマイクロストリップ線路１２のインピーダンスは、多くの自由度をもって変化することが出来る。

従って、外部接続端１３から観測した高周波増幅器３０が接続されたマイクロストリップ線路１２のインピーダンスを、例えば５０オームに整合することが、容易に行うことが出来る。

また、本実施形態の高周波回路１０は、スタブ１４をマイクロストリップ線路１２に接続する際に半田ごてを回路に当てることは無く、スタブ１４をマイクロストリップ線路１２に圧接する支持体１５は電気的に絶縁されている。従って、高周波増幅器３０の電源を投入したまま、測定器で高周波特性を確認しながらインピーダンス調整を行っても、半田ごて使用によるインピーダンスの大きな変化は起こらないので、高周波増幅器３０を破損するおそれが無い。

以上説明した様に、本実施形態の高周波回路１０によると、簡易な作業で広範囲なインピーダンス調整が可能となる。
（第１の実施形態の変形例）
図７、および図８は第１の実施形態の変形例の構成を示す図であり、誘電体基板１１、および高周波増幅器３０を上面から見た図である。

第１の実施形態で説明した、図１乃至図５のスタブ１４の形状は長方形であった。

しかし、スタブ１４は図７のスタブ７１の三角形、および図８のスタブ８１の扇形などの様に、長方形以外の形状をとることも出来る。スタブの形状が異なると、リアクタンスの周波数応答特性が異なる。そこで、インピーダンス調整時に、所望する周波数帯域を得られるようなスタブの形状を選択することが出来る。

ここで、スタブはマイクロストリップ線路１２との接続箇所を有し、スタブとマイクロストリップ線路１２と重ならない部分が、どこにも電気的に接続されない形状であれば良い。

尚、スタブの形状に合わせて、支持体１５のスタブと平行な面の断面形状を一致させても良い。
［第２の実施形態］
次に、第２の実施形態について図９を参照して説明する。
［構成の説明］
図９は本実施形態の構成例として、高周波回路９０の誘電体基板９１、および高周波増幅器３０を上面方向から見た図である。

本実施形態の誘電体基板９１には、点線で囲まれた複数の導体パターンからなる導体パターン群９２が形成されていることが、第１の実施形態の誘電体基板１１と異なる。
［動作の説明］
第１の実施形態のスタブ１４と同様に、本実施形態のスタブ９３も、図９の実線および点線の様に移動することが可能である。

ここで、スタブ９３が実線の位置の場合は、スタブのみの長さが電気長として作用する。また、スタブ９３が点線の位置の場合は、スタブ９３だけでなく導体パターン群９２の一つである導体パターン９４もスタブの延長部分として電気的に作用する。

この様に、導体パターン群９２の導体パターンとスタブ９３が接触することにより、スタブ９３より大きなスタブとして電気的に作用することが出来る。その為、スタブ９３のみによるリアクタンス値の調整範囲より、調整値の範囲を大きくすることが可能である。

尚、導体パターン群９２を構成する各導体は、図９に示されるように色々な形状がランダムに配列される他に、同一導体形状の周期的配列などをとることも可能である。

以上説明した様に、本実施形態の高周波回路９０は第１の実施形態の高周波回路１０より、広範囲のインピーダンス調整を可能とする。
［第３の実施形態］
次に、第３の実施形態について図１０および図１１を参照して説明する。
［構成の説明］
図１０に示す第３の実施形態の高周波回路１００では、スタブ１０１がマイクロストリップ線路１２と接触している端部から離れるにつれて、スタブ１０１が誘電体基板１１から離れる様に湾曲している。図１１は、図１０の手前方向からマイクロストリップ線路１２の進行方向を見た図である。

図１１を参照すると、スタブ１０１が湾曲した形状となる様に、支持体１０２の下端もスタブ１０１の湾曲に合わせて湾曲している。しかし、図１のスタブ１４の様に、支持体からはみ出したスタブとして、はみだした部分が誘電体基板１１から離れる様に湾曲することでもよい。
［動作の説明］
本実施形態では、スタブ１０１が湾曲することによって、スタブ１０１と誘電体基板１１との間に空間が生じる。そのため、スタブ下面の誘電率は、誘電体基板１１の誘電率と空間の誘電率の合成された誘電率となる。一方、第１の実施形態の高周波回路１００の様に、スタブ１４の下面が誘電体基板１１とほぼ密着している。そのため、本実施形態のスタブ下面の誘電率と第１の実施形態のスタブ１４の下面の誘電率は異なる。その結果、本実施形態のスタブ１０１と第１の実施形態のスタブ１４の位置変化とでは、高周波電流の周波数の感度変化は異なる。

従って、本実施形態の高周波回路９０は第１の実施形態の高周波回路１０と比べて、インピーダンスの調整感度を変えることが出来る。

また、本実施形態の別の効果を以下に記す。

高周波回路基板では、誘電体基板１１の表面にはマイクロストリップ線路１２以外にも、同一面上に電気的接地導体面が形成されていることがある。この場合、第１の実施形態の様に、誘電体基板１１に密着する様なスタブを使ってインピーダンス調整を行うと、誤ってスタブがマイクロストリップ線路１２と電気的接地導体面とを短絡してしまう可能性がある。その結果、高周波増幅器を破損してしまうおそれがある。

しかし、本実施形態のスタブ１０１は、マイクロストリップ線路１２と接続しない部分が誘電体基板、および誘電体基板上の電気的接地導体面から離れている。その為、スタブ１０１がマイクロストリップ線路１２と電気的接地導体面とを短絡する可能性は極めて低い。

以上の様に、第１の実施形態の高周波回路１０と比べて本実施形態の高周波回路９０は、より安全にインピーダンス調整が可能となる効果もある。
［第４の実施形態］
次に第４の実施形態について図１５を参照して説明する。

本実施形態の高周波回路１５０は、導体板１５１と、前記導体板１５１の表面上に固定された誘電体基板１５２と、前記誘電体基板１５２の上に導体で形成されたマイクロストリップ線路１５３を備える。また、高周波回路１５０は、上下および前記マイクロストリップ線路１５３に沿って移動可能な少なくとも１つの支持体１５４を備える。更に、高周波回路１５０は、導体で形成され前記支持体１５４の下部に固定され前記マイクロストリップ線路１５３の表面に一部が接触可能なスタブ１５５を備える。

この様にすることで、高周波回路１５０は、簡易な作業で広範囲なインピーダンス調整が可能となる。

以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、上記実施形態に限定されるものではなく、次のように拡張または変形できる。

第１乃至第３の実施形態では、スタブの一端がマイクロストリップ線路に接触していたが、図１６の様にスタブ１４の端部ではなくスタブの中心部などの部分がマイクロストリップ線路に接触するなどでもよい。

第１乃至第３の実施形態において、スタブは１つであったが、マイクロストリップ線路の１本について、複数のスタブおよび支持体を用いてもよい。

第１乃至第４の実施形態、および変形例に示した高周波回路の少なくとも１つを用いて高周波装置を構成することが出来る。

１０ 高周波回路
１１ 誘電体基板
１２ マイクロストリップ線路
１３ 外部接続端
１４ スタブ
１５ 支持体
１６ 支持棒
１７ ばね
１８ 留め具
１９ 把持部
２１ 金属筐体
２２ 上部カバー
２３ 長穴
３０ 高周波増幅器
３１ 接続端子
７１ スタブ
８１ スタブ
９０ 高周波回路
９１ 誘電体基板
９２ 導体パターン群
９３ スタブ
９４ 導体パターン
１００ 高周波回路
１０１ スタブ
１０２ 支持体
１２１ マイクロストリップ線路
１２２ 球状導体
１２３ 高周波増幅器
１３１ 接地導体
１３２ 誘電体基板
１３３ マイクロストリップ線路
１３４ 金属導体
１３５ 空隙部
１４０ 高周波回路
１４１ 信号源
１４２ ミキサ
１４３ 搬送波発信源
１４４ 高周波増幅器
１４５ アンテナ
１５０ 高周波回路
１５１ 導体板
１５２ 誘電体基板
１５３ マイクロストリップ線路
１５４ スタブ
１５５ 支持体

Claims (10)

1. 導体板と、
   前記導体板の表面上に固定された誘電体基板と、
   前記誘電体基板上に導体で形成されたマイクロストリップ線路と、
   上下および前記マイクロストリップ線路に沿って移動可能な少なくとも１つの支持体と、
   導体で形成され前記支持体の下部に固定され前記マイクロストリップ線路の表面に一部が接触可能なスタブとを備えることを特徴とする高周波回路。
2. 前記支持体は前記ストリップ線路の表面に対して回転移動可能であることを特徴とする請求項１に記載の高周波回路。
3. 前記誘電体基板と略平行な上部に板状で前記マイクロストリップ線路と平行な長穴を有する上部カバーと、
   前記支持体の上部に固定され前記長穴を貫通する支持棒と、
   前記支持棒の周囲を取り巻くつるまき状のばねと、
   前記支持棒を貫通して自然長に対して縮められた前記ばねの上部に接触し、かつ前記上部カバーの下面と接触する留め具とを更に備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の高周波回路。
4. 前記誘電体基板の表面に少なくとも１つの導体パターンを備え、
   前記支持体を移動することで前記スタブが前記導体パターンと接触か非接触の何れかになることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の高周波回路。
5. 前記スタブは前記マイクロストリップ線路の表面と接触する部分から遠ざかるにつれて前記誘電体基板の表面から離れることを特徴とする請求項１乃至請求項４に記載の高周波回路。
6. 前記スタブは表面が長方形の板状であり、
   前記長方形の短辺の一辺を含む部分が前記マイクロストリップ線路と接触することを特徴とする請求項１乃至請求項５に記載の高周波回路。
7. 前記スタブは表面が長方形の板状であり、
   前記長方形の２つの短辺以外の部分が前記マイクロストリップ線路と接触することを特徴とする請求項１乃至請求項５に記載の高周波回路。
8. 前記スタブは表面が三角形の板状であり、
   前記三角形の頂点の１つを含む部分が前記マイクロストリップ線路と接触することを特徴とする請求項１乃至請求項５に記載の高周波回路。
9. 前記スタブは表面が扇形の板状であり、
   前記扇形の頂点を含む部分が前記マイクロストリップ線路と接触することを特徴とする請求項１乃至請求項５に記載の高周波回路。
10. 請求項１乃至請求項９の何れかに記載される少なくとも１つの高周波回路を備えることを特徴とする高周波装置。

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