JP6538541B2 - Regulation plate, plating apparatus provided with the same, and plating method - Google Patents
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- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims description 146
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 title claims description 136
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 304
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 53
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 31
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 29
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 62
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 21
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 18
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
- C25D17/12—Shape or form
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/12—Process control or regulation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/04—Electroplating with moving electrodes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
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Description
本発明は、レギュレーションプレート、これを備えためっき装置及びめっき方法に関する。 The present invention relates to a regulation plate, a plating apparatus provided with the same, and a plating method.
従来、半導体ウェハ等の基板の表面に設けられた微細な配線用溝、ホール、又はレジスト開口部に配線を形成したり、基板の表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ(突起状電極)を形成したりすることが行われている。この配線及びバンプを形成する方法として、例えば、電解めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法等が知られている。半導体チップのI/O数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。 Conventionally, a bump is formed on a fine wiring groove, hole or resist opening provided on the surface of a substrate such as a semiconductor wafer, or is electrically connected to an electrode or the like of a package on the surface of the substrate It is practiced to form an electrode). As a method of forming the wiring and the bump, for example, an electrolytic plating method, a vapor deposition method, a printing method, a ball bump method and the like are known. With the increase in the number of I / Os of semiconductor chips and the reduction in the pitch, electrolytic plating methods which can be miniaturized and whose performance is relatively stable are often used.
電解めっき法で配線又はバンプを形成する場合、基板上の配線用溝、ホール、又はレジスト開口部に設けられるバリアメタルの表面に電気抵抗の低いシード層(給電層)が形成される。このシード層の表面において、めっき膜が成長する。近年、配線及びバンプの微細化に伴って、より薄い膜厚のシード層が用いられている。シード層の膜厚が薄くなると、シード層の電気抵抗(シート抵抗)が増加する。 When forming a wiring or bump by electrolytic plating, a seed layer (power feeding layer) with low electric resistance is formed on the surface of a wiring metal, a hole or a barrier metal provided in a resist opening on the substrate. A plating film grows on the surface of this seed layer. In recent years, with the miniaturization of wiring and bumps, a seed layer with a thinner film thickness has been used. As the thickness of the seed layer decreases, the electrical resistance (sheet resistance) of the seed layer increases.
一般的に、めっきされる基板は、その周縁部に電気接点を有する。このため、基板の中央部には、めっき液の電気抵抗値と基板の中央部から電気接点までのシード層の電気抵抗値との合成抵抗に対応する電流が流れる。一方で、基板の周縁部(電気接点近傍)には、ほぼ、めっき液の電気抵抗値に対応する電流が流れる。即ち、基板の中央部には、基板の中央部から電気接点までのシード層の電気抵抗値の分だけ、電流が流れにくい。この、基板の周縁部に電流が集中する現象はターミナルエフェクトと呼ばれる。 Generally, the substrate to be plated has electrical contacts at its periphery. Therefore, a current corresponding to the combined resistance of the electrical resistance value of the plating solution and the electrical resistance value of the seed layer from the central portion of the substrate to the electrical contact flows in the central portion of the substrate. On the other hand, a current substantially corresponding to the electric resistance value of the plating solution flows through the peripheral portion of the substrate (near the electrical contacts). That is, in the central portion of the substrate, current hardly flows by the electric resistance value of the seed layer from the central portion of the substrate to the electrical contact. This phenomenon where current concentrates on the periphery of the substrate is called terminal effect.
比較的薄い膜厚のシード層を有する基板は、基板の中央部から電気接点までのシード層の電気抵抗値が比較的大きい。このため、比較的薄い膜厚のシード層を有する基板にめっきを行う場合、ターミナルエフェクトが顕著になる。その結果、基板の中央部におけるめっき速度が低下し、基板の中央部におけるめっき膜の膜厚が基板の周縁部におけるめっき膜よりも薄くなり、膜厚の面内均一性が低下する。 In a substrate having a relatively thin seed layer, the electrical resistance value of the seed layer from the central portion of the substrate to the electrical contact is relatively large. For this reason, when plating on a substrate having a relatively thin seed layer, the terminal effect becomes remarkable. As a result, the plating rate at the central portion of the substrate decreases, the thickness of the plated film at the central portion of the substrate becomes thinner than the plated film at the peripheral portion of the substrate, and the in-plane uniformity of the film thickness decreases.
ターミナルエフェクトによる膜厚の面内均一性の低下を抑制するためには、基板に加わる電界を調節することが必要になる。たとえば、アノードと基板との間の電位分布を調整するための調整板をアノードと基板との間に設置しためっき装置が知られている(特許文献1参照)。 In order to suppress the decrease in the in-plane uniformity of the film thickness due to the terminal effect, it is necessary to adjust the electric field applied to the substrate. For example, there is known a plating apparatus in which a control plate for adjusting the potential distribution between the anode and the substrate is disposed between the anode and the substrate (see Patent Document 1).
ところで、ターミナルエフェクトの影響は、基板のシード層の膜厚の大小によって異なる。具体的には、上述したように、シード層の膜厚が比較的薄い場合はシート抵抗が比較的大きいので、ターミナルエフェクトの影響が顕著に現れる。一方、シード層の膜厚が比較的厚い場合は、シート抵抗が比較的小さいので、ターミナルエフェクトの影響が比較的小さくなる。 By the way, the influence of the terminal effect differs depending on the thickness of the seed layer of the substrate. Specifically, as described above, since the sheet resistance is relatively large when the film thickness of the seed layer is relatively thin, the influence of the terminal effect appears notably. On the other hand, when the film thickness of the seed layer is relatively thick, the influence of the terminal effect is relatively small because the sheet resistance is relatively small.
また、ターミナルエフェクトの影響はシード層の膜厚の大小だけでなく、その他の要素によっても異なり得る。例えば、基板のレジスト開口率(レジスト外縁に縁取られる領域の面積のうち、レジストに覆われていない部分(レジストの開口部分)の面積の割合)が比較的高い場合は、基板上に形成されるめっき膜の面積が比較的大きい。このため、基板上にめっき膜が形成されるにつれて、形成されためっき膜によって基板中央部にも電流が流れやすくなる。言い換えれば、基板上にめっき膜が形成されることにより、基板の中央部から電気接点までの電気抵抗値が小さくなるので、ターミナルエフェクトの影響が徐々に小さくなる。一方で、基板のレジスト開口率が比較的低い場合は、基板上に形成されるめっき膜の面積が相対的に小さい。このため、基板のレジスト開口率が比較的低い場合は、基板上にめっき膜が形成されても、基板のレジスト開口率が比較的高い場合に比べて基板の中央部から電気接点までの電気抵抗値の変化が小さく、ターミナルエフェクトの影響が大きいままとなる。 Also, the influence of the terminal effect may differ depending on not only the thickness of the seed layer but also other factors. For example, it is formed on the substrate when the resist opening ratio of the substrate (the ratio of the area of the area not covered by the resist (the opening of the resist) to the area of the area bordered by the resist outer edge) is relatively high The area of the plating film is relatively large. For this reason, as the plating film is formed on the substrate, the formed plating film facilitates the flow of current also to the central portion of the substrate. In other words, the formation of the plating film on the substrate reduces the electrical resistance value from the central portion of the substrate to the electrical contacts, so the influence of the terminal effect gradually decreases. On the other hand, when the resist opening ratio of the substrate is relatively low, the area of the plating film formed on the substrate is relatively small. For this reason, when the resist opening ratio of the substrate is relatively low, even if the plating film is formed on the substrate, the electrical resistance from the central portion of the substrate to the electrical contact is higher than when the resist opening ratio of the substrate is relatively high. The change in value is small and the effect of the terminal effect remains large.
また、基板を処理するめっき液の電気抵抗値が比較的大きい場合は、基板を処理するめっき液の電気抵抗値が比較的小さい場合に比べて、ターミナルエフェクトの影響が小さい。具体的には、めっき液の電気抵抗値をR1とし、基板の中央部から電気接点までのシード層の電気抵抗値をR2とした場合、基板中央部には、合成抵抗値(R1+R2)に対応する電流が流れる。一方で、基板周縁部(電気接点近傍)には、ほぼ、めっき液の電気抵抗値R1に対応する電流が流れる。したがって、電気抵抗値R1が大きくなれば、基板中央部に流れる電流に対する電気抵抗値R2の影響は小さくなり、ターミナルエフェクトの影響が小さくなる。 Further, when the electrical resistance value of the plating solution for processing the substrate is relatively large, the influence of the terminal effect is smaller than in the case where the electrical resistance value of the plating solution for processing the substrate is relatively small. Specifically, assuming that the electrical resistance value of the plating solution is R1 and the electrical resistance value of the seed layer from the central portion of the substrate to the electrical contacts is R2, the central portion of the substrate corresponds to the combined resistance value (R1 + R2). Current flows. On the other hand, a current substantially corresponding to the electric resistance value R1 of the plating solution flows in the substrate peripheral portion (near the electric contact). Therefore, if the electric resistance value R1 increases, the influence of the electric resistance value R2 on the current flowing to the central portion of the substrate decreases, and the influence of the terminal effect decreases.
以上のように、ターミナルエフェクトの影響は、基板の特徴及び基板を処理する条件等によって異なる。このため、単一のめっき装置においてターミナルエフェクトの影響が異なる複数の基板に順次めっきをする場合、ターミナルエフェクトによる膜厚の面内均一性の低下を抑制するためには、それぞれの基板の特徴及び基板を処理する条件等に合わせて基板に加わる電界を調節する必要がある。しかしながら、特許文献1に記載されるような調整板で基板の特徴及び基板を処理する条件等に合わせて電界を調節するためには、基板の特徴及び基板を処理する条件等に合った調整板を複数用意しなくてはならない。 As described above, the influence of the terminal effect differs depending on the characteristics of the substrate and the conditions for processing the substrate. For this reason, in the case of sequentially plating a plurality of substrates different in the influence of the terminal effect in a single plating apparatus, in order to suppress the decrease in the in-plane uniformity of the film thickness due to the terminal effect, It is necessary to adjust the electric field applied to the substrate in accordance with the conditions for processing the substrate. However, in order to adjust the electric field according to the characteristics of the substrate and the conditions for processing the substrate with the adjustment plate as described in Patent Document 1, the adjustment plate meeting the conditions for processing the substrate and the characteristics of the substrate You have to prepare more than one.
また、調整板を複数用意したとしても、特徴及び処理条件の異なる基板を処理するたびに、調整板をめっき槽から取り出し、別の調整板を設置する等の手間がかかる。 Further, even if a plurality of adjusting plates are prepared, it takes time and effort to take out the adjusting plate from the plating tank and install another adjusting plate each time a substrate having different characteristics and processing conditions is processed.
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、特徴及び処理条件の異なる複数の基板に対してめっきするにあたり、ターミナルエフェクトの影響による面内均一性の低下を抑制し得るレギュレーションプレート、これを備えためっき装置及びめっき方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems, and one of its objects is to suppress the decrease in in-plane uniformity due to the effect of the terminal effect when plating on a plurality of substrates having different characteristics and processing conditions. It is an object of the present invention to provide a regulation plate, a plating apparatus and a plating method provided with the same.
本発明の一形態によれば、アノードとめっきされる基板との間の電流を調整するためのレギュレーションプレートが提供される。このレギュレーションプレートは、電流が通過する開口を有するプレート本体部と、前記開口の径を絞るための複数の第1ブレードと、前記複数の第1ブレードを前記開口の径方向に並進移動させる第1移動機構と、を有する。 According to one aspect of the invention, a regulation plate is provided for regulating the current between the anode and the substrate to be plated. The regulation plate includes a plate body having an opening through which current passes, a plurality of first blades for reducing the diameter of the opening, and a first for translating the plurality of first blades in the radial direction of the opening. And a moving mechanism.
この一形態によれば、レギュレーションプレートの開口の径を第1ブレードにより絞ることで、開口の径を調節することができる。これにより、第1の基板と第2の基板の特徴又は処理条件が互いに異なる場合に、ターミナルエフェクトの影響による面内均一性の低下を抑制し得る。具体的には、ターミナルエフェクトの影響が顕著に現れる条件下で基板
にめっきをする際には、レギュレーションプレートの開口の径を小さくすることにより、基板周縁部における成膜速度を抑制することができ、基板の面内均一性を向上させることができる。また、第1ブレードは並進移動するように構成されるので、他の第1ブレードとの角度関係を維持したまま、複数の第1ブレードが径方向に移動することができる。したがって、カメラの絞り機構のように複数の絞り羽根が所定の軸を中心に回転して開口の径を小さくする場合に比べて、第1ブレードによって形成される開口の真円形状を保つことができる。
According to this aspect, the diameter of the opening of the regulation plate can be adjusted by narrowing the diameter of the opening with the first blade. Thereby, when the characteristics or processing conditions of the first substrate and the second substrate are different from each other, it is possible to suppress the decrease in in-plane uniformity due to the effect of the terminal effect. Specifically, when the substrate is plated under the condition where the influence of the terminal effect appears remarkably, the film forming speed at the peripheral portion of the substrate can be suppressed by reducing the diameter of the opening of the regulation plate. The in-plane uniformity of the substrate can be improved. In addition, since the first blade is configured to translate, the plurality of first blades can move in the radial direction while maintaining the angular relationship with the other first blades. Therefore, as compared with the case where the plurality of diaphragm blades are rotated about a predetermined axis to reduce the diameter of the aperture as in the diaphragm mechanism of a camera, the circular shape of the aperture formed by the first blade can be maintained. it can.
本発明の一形態において、前記第1移動機構は、前記縁部に沿うように配置されるリング部材を含み、前記リング部材及び前記複数の第1ブレードのいずれか一方は、前記第1の開口の径方向に対して傾斜したスライド長穴を有し、前記リング部材及び前記複数の第1ブレードの他方は、前記スライド長穴を摺動するスライドピンを有する。 In one aspect of the present invention, the first moving mechanism includes a ring member disposed along the edge, and any one of the ring member and the plurality of first blades has the first opening. And the other of the ring member and the plurality of first blades has a slide pin sliding on the slide elongated hole.
この一形態によれば、リング部材及び複数の第1ブレードのいずれか一方に設けられたスライド長穴を、リング部材及び複数の第1ブレードの他方に設けられたスライドピンが摺動する。したがって、リング部材を周方向に回転させることで、スライドピンがスライド長穴を摺動し、第1ブレードを開口の径方向に移動させることができる。 According to this aspect, the slide elongated hole provided in any one of the ring member and the plurality of first blades slides with the slide pin provided in the other of the ring member and the plurality of first blades. Therefore, by rotating the ring member in the circumferential direction, the slide pin slides in the slide elongated hole, and the first blade can be moved in the radial direction of the opening.
本発明の一形態において、前記第1移動機構は、前記複数の第1ブレードの前記リング部材とは逆側に固定されるブレード押さえ部材を含み、前記ブレード押さえ部材及び前記複数の第1ブレードのいずれか一方は、前記第1ブレードの並進移動方向と平行に形成されるガイド長穴を有し、前記ブレード押さえ部材及び前記複数の第1ブレードの他方は、前記ガイド長穴を摺動するガイドピンを有する。 In one embodiment of the present invention, the first moving mechanism includes a blade pressing member fixed to the side opposite to the ring member of the plurality of first blades, and the blade pressing member and the plurality of first blades One of them has a guide elongated hole formed in parallel with the translational movement direction of the first blade, and the other of the other of the blade pressing member and the plurality of first blades slides in the guide elongated hole. Have a pin.
この一形態によれば、ブレード押さえ部材及び複数の第1ブレードのいずれか一方に設けられたガイド長穴を、ブレード押さえ部材及び複数の第1ブレードの他方に設けられたガイドピンが摺動する。したがって、移動機構によって複数の第1ブレードが移動されたときに、複数の第1ブレードが回転運動することを防止しつつ、第1ブレードを所望の方向に並進移動させることができる。 According to this aspect, the blade pressing member and the guide pin provided on the other of the plurality of first blades slide in the guide long hole provided on any one of the blade pressing member and the plurality of first blades. . Therefore, when the plurality of first blades are moved by the movement mechanism, the first blades can be translated in a desired direction while preventing the plurality of first blades from rotational movement.
本発明の一形態において、前記第1移動機構は、前記リング部材を周方向に回転させるための回転部材を含み、前記回転部材は、前記リング部材に固定されるリング部と、前記リング部を周方向に回転させるレバー部と、を有する。 In one aspect of the present invention, the first moving mechanism includes a rotating member for rotating the ring member in the circumferential direction, and the rotating member includes a ring portion fixed to the ring member, and the ring portion. And a lever portion that rotates in the circumferential direction.
この一形態によれば、レバー部をアクチュエータや手動で操作することにより、リング部を周方向に回転させることができる。リング部はリング部材に固定されているので、リング部の回転に伴ってリング部材が回転する。これにより、リング部材に設けられたスライド長穴又はスライドピンが、複数の第1ブレードに設けられたスライドピン又はスライド長穴と摺動し、複数の第1ブレードを並進移動させることができる。 According to this aspect, the ring portion can be rotated in the circumferential direction by operating the lever portion with an actuator or manually. Since the ring portion is fixed to the ring member, the ring member rotates as the ring portion rotates. Thereby, the slide slot or slide pin provided in the ring member can slide with the slide pins or slide slots provided in the plurality of first blades, and the plurality of first blades can be translated.
本発明の一形態において、前記プレート本体部及び前記リング部のいずれか一方は、前記リング部の回転方向に沿って形成された支持長穴を有し、前記プレート本体部及び前記リング部の他方は、前記支持長穴と摺動可能に係合する支持ピンを有する。 In one aspect of the present invention, any one of the plate main body portion and the ring portion has a support elongated hole formed along the rotational direction of the ring portion, and the other of the plate main body portion and the ring portion Has a support pin slidably engaged with the support slot.
この一形態によれば、プレート本体部及びリング部のいずれか一方に設けられた支持長穴に対して、プレート本体部及びリング部の他方に設けられた支持ピンが摺動可能に係合する。支持ピンが支持長穴と係合することにより、リング部がプレート本体部に支持される。支持長穴はリング部の回転方向に沿って形成されるので、支持ピンが支持長穴を摺動することで、リング部を回転させることができる。 According to this aspect, the support pin provided on the other of the plate main body portion and the ring portion is slidably engaged with the support elongated hole provided on any one of the plate main body portion and the ring portion. . The ring portion is supported on the plate body by the support pin engaging with the support elongated hole. Since the support elongated holes are formed along the rotation direction of the ring portion, the ring portion can be rotated by the support pins sliding on the support elongated holes.
本発明の一形態において、前記複数の第1ブレードの各々は、その内周縁が円弧状に形成され、他の前記第1ブレードと互いに重なり合って略円形の内周縁を形成する。 In one aspect of the present invention, the inner peripheral edge of each of the plurality of first blades is formed in an arc shape, and overlaps with the other first blades to form a substantially circular inner peripheral edge.
この一形態によれば、複数の第1ブレードが開口の径方向に並進移動して開口の径を縮小させたとき、複数の第1ブレードの内周縁が略円形を保つことができる。 According to this aspect, when the plurality of first blades translate in the radial direction of the opening to reduce the diameter of the opening, the inner peripheral edge of the plurality of first blades can maintain a substantially circular shape.
本発明の一形態において、レギュレーションプレートは、前記第1の開口の径方向と直交する方向に前記複数の第1ブレードからずれた位置に配置され、前記第1の開口の径を絞るための複数の第2ブレードと、前記複数の第2ブレードを前記第1の開口の径方向に並進移動させる第2移動機構と、を有する。 In one aspect of the present invention, the regulation plate is disposed at a position shifted from the plurality of first blades in a direction orthogonal to the radial direction of the first opening, and a plurality of regulation plates are used to narrow the diameter of the first opening. And a second moving mechanism for translating the plurality of second blades in the radial direction of the first opening.
この一形態によれば、レギュレーションプレートは、複数の第1ブレードによって形成される第1の径を有する開口と、複数の第2ブレードによって形成される第2の径を有する開口とを有する。第1の径と第2の径との大きさをそれぞれ適切に調節することにより、レギュレーションプレートの開口を通過する電流をより適切に調整することができる。 According to this form, the regulation plate has an opening having a first diameter formed by the plurality of first blades and an opening having a second diameter formed by the plurality of second blades. By appropriately adjusting the sizes of the first diameter and the second diameter, respectively, the current passing through the opening of the regulation plate can be adjusted more appropriately.
本発明の一形態において、前記複数の第1ブレードにより形成される開口の中心と前記複数の第2ブレードにより形成される開口の中心とを結ぶ直線がこれらの開口の径方向と直交するように、前記第1ブレード及び前記第2ブレードが配置される。 In one aspect of the present invention, a straight line connecting the center of the opening formed by the plurality of first blades and the center of the opening formed by the plurality of second blades is orthogonal to the radial direction of these openings. The first blade and the second blade are disposed.
この一形態によれば、第1ブレードにより形成される開口中心と第2ブレードにより形成される開口中心が互いに一致するように、第1ブレード及び第2ブレードが配置される。したがって、レギュレーションプレートをめっき槽に位置決めする際に、複数の第1ブレードにより形成される開口中心と、複数の第2ブレードにより形成される開口中心とを、それぞれ別々に位置決めする必要がない。このため、レギュレーションプレートの開口中心の位置に高い精度が求められる場合であっても、レギュレーションプレートを容易に位置決めすることができる。 According to this aspect, the first blade and the second blade are arranged such that the center of the opening formed by the first blade and the center of the opening formed by the second blade coincide with each other. Therefore, when positioning the regulation plate in the plating tank, it is not necessary to separately position the center of the opening formed by the plurality of first blades and the center of the opening formed by the plurality of second blades. Therefore, even when high accuracy is required at the position of the opening center of the regulation plate, the regulation plate can be easily positioned.
本発明の一形態によれば、アノードとめっきされる基板との間の電流を調整するためのレギュレーションプレートが提供される。このレギュレーションプレートは、電流が通過する第1の開口を形成する第1縁部と、前記第1の開口の径を絞るための複数の第1ブレードと、を有する第1プレート本体部と、電流が通過する第2の開口を形成する第2縁部と、前記第2の開口の径を絞るための複数の第2ブレードと、を有する第2プレート本体部と、を有する。前記複数の第1ブレードにより形成される開口の中心と前記複数の第2ブレードにより形成される開口の中心とを結ぶ直線がこれら開口の径方向と直交するように、前記第1プレート本体部と第2プレート本体部とが互いに連結される。 According to one aspect of the invention, a regulation plate is provided for regulating the current between the anode and the substrate to be plated. The regulation plate has a first plate main body having a first edge forming a first opening through which current flows, and a plurality of first blades for narrowing the diameter of the first opening; And a second plate main body having a second edge forming a second opening through which the second plate passes and a plurality of second blades for narrowing the diameter of the second opening. The first plate main body and the straight line connecting the center of the opening formed by the plurality of first blades and the center of the opening formed by the plurality of second blades is orthogonal to the radial direction of the openings; The second plate body is connected to each other.
この一形態によれば、レギュレーションプレートは、複数の第1ブレードによって形成される第1の径を有する開口と、複数の第2ブレードによって形成される第2の径を有する開口とを有する。第1の径と第2の径との大きさをそれぞれ適切に調節することにより、レギュレーションプレートの開口を通過する電流をより適切に調整することができる。また、第1ブレードにより形成される開口中心と第2ブレードにより形成される開口中心が互いに一致するように、第1ブレード及び第2ブレードが配置される。したがって、レギュレーションプレートをめっき槽に位置決めする際に、複数の第1ブレードにより形成される開口中心と、複数の第2ブレードにより形成される開口中心とを、それぞれ別々に位置決めする必要がない。このため、レギュレーションプレートの開口中心の位置に高い精度が求められる場合であっても、レギュレーションプレートを容易に位置決めすることができる。 According to this form, the regulation plate has an opening having a first diameter formed by the plurality of first blades and an opening having a second diameter formed by the plurality of second blades. By appropriately adjusting the sizes of the first diameter and the second diameter, respectively, the current passing through the opening of the regulation plate can be adjusted more appropriately. Further, the first blade and the second blade are arranged such that the center of the opening formed by the first blade and the center of the opening formed by the second blade coincide with each other. Therefore, when positioning the regulation plate in the plating tank, it is not necessary to separately position the center of the opening formed by the plurality of first blades and the center of the opening formed by the plurality of second blades. Therefore, even when high accuracy is required at the position of the opening center of the regulation plate, the regulation plate can be easily positioned.
本発明の一形態において、前記複数の第1ブレードにより形成される開口の径と、前記
複数の第2ブレードにより形成される開口の径とを互いに独立して調整することができるように構成される。
In one aspect of the present invention, the diameter of the opening formed by the plurality of first blades and the diameter of the opening formed by the plurality of second blades can be adjusted independently of each other. Ru.
この一形態によれば、複数の第1ブレードが画定する開口の径と、複数の第2ブレードが画定する開口の径とを異ならせることができる。これにより、例えば、基板に近いブレードが画定する開口の径を小さくし、基板に遠いブレードが画定する開口の径を大きくする等、基板の特徴や処理条件に合わせて開口の径を段階的に小さくすることができる。 According to this aspect, the diameter of the opening defined by the plurality of first blades can be different from the diameter of the opening defined by the plurality of second blades. Thus, for example, the diameter of the opening defined by the blade close to the substrate is reduced, and the diameter of the opening defined by the blade far from the substrate is increased, etc. It can be made smaller.
本発明の一形態によれば、めっき装置が提供される。このめっき装置は、アノードを保持するように構成されたアノードホルダと、前記アノードホルダと対向して配置され、基板を保持するように構成された基板ホルダと、前記アノードホルダに一体に取り付けられ、前記アノードと前記基板との間に流れる電流が通過する第2の開口を有するアノードマスクと、上記いずれかのレギュレーションプレートと、を有し、前記アノードマスクは、前記第2の開口の径を調節する調節機構を有する。 According to one aspect of the present invention, a plating apparatus is provided. The plating apparatus is integrally attached to an anode holder configured to hold an anode, a substrate holder disposed opposite to the anode holder, configured to hold a substrate, and the anode holder. The anode mask has a second opening through which the current flowing between the anode and the substrate passes, and one of the regulation plates described above, and the anode mask adjusts the diameter of the second opening. Adjustment mechanism.
この一形態によれば、第1の基板と第2の基板のそれぞれに対して、アノードマスクの第2の開口の径を調節することができる。これにより、第1の基板と第2の基板の特徴又は処理条件が互いに異なる場合に、ターミナルエフェクトの影響による面内均一性の低下を抑制し得る。具体的には、ターミナルエフェクトの影響が顕著に現れる条件下で第2の基板にめっきをする際には、第2の開口の径を小さくすることにより、基板中央部に電界を集中して、基板中央部の膜厚を厚くすることができる。また、レギュレーションプレートの第1の開口の径を小さくすると、基板周縁部における成膜速度を抑制することができる。したがって、レギュレーションプレートの第1の開口の径と、アノードマスクの第2の開口の径との両方を調節することで、基板Wの面内均一性をいっそう向上させることができる。 According to this aspect, the diameter of the second opening of the anode mask can be adjusted for each of the first substrate and the second substrate. Thereby, when the characteristics or processing conditions of the first substrate and the second substrate are different from each other, it is possible to suppress the decrease in in-plane uniformity due to the effect of the terminal effect. Specifically, when the second substrate is plated under the condition that the influence of the terminal effect appears significantly, the electric field is concentrated in the central portion of the substrate by reducing the diameter of the second opening, The film thickness at the central portion of the substrate can be increased. In addition, when the diameter of the first opening of the regulation plate is reduced, the deposition rate at the peripheral portion of the substrate can be suppressed. Therefore, the in-plane uniformity of the substrate W can be further improved by adjusting both the diameter of the first opening of the regulation plate and the diameter of the second opening of the anode mask.
本発明の一形態によれば、めっき方法が提供される。このめっき方法は、アノードと基板との間に流れる電流が通過する第1の開口を有するアノードマスクを一体に備えるアノードホルダをめっき槽内に配置する工程と、第1の基板を保持する基板ホルダをめっき槽内に配置する工程と、前記アノードと前記基板との間に流れる電流が通過する第2の開口及び第3の開口を有するレギュレーションプレートを前記アノードマスクと前記基板との間に配置する工程と、前記第1の開口の径を第1の径に調節して、第1の基板にめっきする工程と、第2の基板を保持する基板ホルダをめっき槽内に配置する工程と、前記第1の開口の径を前記第1の径よりも小さい第2の径に調節するとともに、前記レギュレーションプレートの第2の開口及び第3の開口の径をそれぞれ変更して、前記第2の基板をめっきする工程と、を有する。 According to one aspect of the present invention, a plating method is provided. This plating method comprises the steps of: disposing, in a plating tank, an anode holder integrally provided with an anode mask having a first opening through which a current flowing between the anode and the substrate passes; a substrate holder for holding the first substrate Placing a regulation plate having a second opening and a third opening through which a current flowing between the anode and the substrate passes, between the anode mask and the substrate. And adjusting the diameter of the first opening to a first diameter to plate the first substrate, disposing the substrate holder for holding the second substrate in the plating tank, and The diameter of the first opening is adjusted to a second diameter smaller than the first diameter, and the diameters of the second opening and the third opening of the regulation plate are changed, respectively. The It has a Kkisuru step.
この一形態によれば、第1の基板と第2の基板のそれぞれに対して、アノードマスクの第1の開口の径を調節することができる。これにより、第1の基板と第2の基板の特徴又は処理条件が互いに異なる場合に、ターミナルエフェクトの影響による面内均一性の低下を抑制し得る。具体的には、ターミナルエフェクトの影響が顕著に現れる条件下で第2の基板にめっきをする際には、第1の開口の径を小さくすることにより、基板中央部に電界を集中して、基板中央部の膜厚を厚くすることができる。また、レギュレーションプレートの第2の開口の径及び第3の開口の径をそれぞれ変更することで、基板周縁部における成膜速度を抑制することができ、基板Wの面内均一性を向上させることができる。 According to this aspect, the diameter of the first opening of the anode mask can be adjusted for each of the first substrate and the second substrate. Thereby, when the characteristics or processing conditions of the first substrate and the second substrate are different from each other, it is possible to suppress the decrease in in-plane uniformity due to the effect of the terminal effect. Specifically, when the second substrate is plated under the condition that the influence of the terminal effect appears significantly, the electric field is concentrated in the central portion of the substrate by reducing the diameter of the first opening. The film thickness at the central portion of the substrate can be increased. Further, by changing the diameter of the second opening and the diameter of the third opening of the regulation plate, respectively, it is possible to suppress the deposition rate at the peripheral portion of the substrate, and improve the in-plane uniformity of the substrate W. Can.
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一の又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings described below, the same or corresponding components are denoted by the same reference numerals, and duplicate descriptions will be omitted.
図1は、本実施形態に係るめっき装置の概略側断面図である。図示のように、本実施形態に係るめっき装置10は、アノード21を保持するように構成されたアノードホルダ20と、基板Wを保持するように構成された基板ホルダ40と、アノードホルダ20と基板ホルダ40とを内部に収容するめっき槽50と、を有する。
FIG. 1 is a schematic side sectional view of the plating apparatus according to the present embodiment. As illustrated, the
図1に示すように、めっき槽50は、添加剤を含むめっき液Qを収容するめっき処理槽52と、めっき処理槽52からオーバーフローしためっき液Qを受けて排出するめっき液排出槽54と、めっき処理槽52とめっき液排出槽54とを仕切る仕切り壁55と、を有する。
As shown in FIG. 1, the
アノード21を保持したアノードホルダ20と基板Wを保持した基板ホルダ40は、めっき処理槽52内のめっき液Qに浸漬され、アノード21と基板Wの被めっき面W1が略
平行になるように対向して設けられる。アノード21と基板Wは、めっき処理槽52のめっき液Qに浸漬された状態で、めっき電源59により電圧が印加される。これにより、金属イオンが基板Wの被めっき面W1において還元され、被めっき面W1に膜が形成される。
The
めっき処理槽52は、槽内部にめっき液Qを供給するためのめっき液供給口56を有する。めっき液排出槽54は、めっき処理槽52からオーバーフローしためっき液Qを排出するためのめっき液排出口57を有する。めっき液供給口56はめっき処理槽52の底部に配置され、めっき液排出口57はめっき液排出槽54の底部に配置される。
The
めっき液Qがめっき液供給口56からめっき処理槽52に供給されると、めっき液Qはめっき処理槽52から溢れ、仕切り壁55を越えてめっき液排出槽54に流入する。めっき液排出槽54に流入しためっき液Qはめっき液排出口57から排出され、めっき液循環装置58が有するフィルタ等で不純物が除去される。不純物が除去されためっき液Qは、めっき液循環装置58によりめっき液供給口56を介してめっき処理槽52に供給される。
When the plating solution Q is supplied from the plating
アノードホルダ20は、アノード21と基板Wとの間の電界を調節するためのアノードマスク25を有する。アノードマスク25は、例えば誘電体材料からなる略板状の部材であり、アノードホルダ20の前面に設けられる。ここで、アノードホルダ20の前面とは、基板ホルダ40に対向する側の面をいう。すなわち、アノードマスク25は、アノード21と基板ホルダ40の間に配置される。アノードマスク25は、アノード21と基板Wとの間に流れる電流が通過する開口25a(第2の開口の一例に相当する)を略中央部に有する。開口25aの径は、アノード21の径よりも小さいことが好ましい。後述するように、アノードマスク25は、開口25aの径を調節可能に構成される。
The
アノードマスク25は、アノードマスク25をアノードホルダ20に一体に取り付けるためのアノードマスク取付け部25bを、その外周に有する。なお、アノードマスク25の位置は、アノードホルダ20と基板ホルダ40との間であればよいが、アノードホルダ20と基板ホルダ40との中間位置よりもアノードホルダ20に近い位置であることが好ましい。また、例えばアノードマスク25は、アノードホルダ20に取り付けられずにアノードホルダ20の前面に配置してもよい。ただし、本実施形態のようにアノードマスク25がアノードホルダ20に取り付けられる場合は、アノードホルダ20に対するアノードマスク25の相対位置が固定されるので、アノード21の位置と開口25aの位置とがずれることを防止することができる。
The
アノードホルダ20に保持されるアノード21は、不溶性アノードであることが好ましい。アノード21が不溶性アノードである場合は、めっき処理が進んでもアノード21は溶解せず、アノード21の形状が変化することがない。このため、アノードマスク25とアノード21の表面との位置関係(距離)が変化しないので、アノードマスク25とアノード21の表面との位置関係が変化することによりアノード21と基板Wとの間の電界が変化することを防止することができる。
The
めっき装置10は、さらに、アノード21と基板Wとの間の電流を調整するためのレギュレーションプレート60を有する。レギュレーションプレート60は、例えば誘電体材料からなる略板状の部材であり、アノードマスク25と基板ホルダ40(基板W)との間に配置される。レギュレーションプレート60は、アノード21と基板Wとの間に流れる電流が通過する開口60a(第1の開口の一例に相当する)を有する。開口60aの径は、基板Wの径より小さいことが好ましい。後述するように、レギュレーションプレート60は、開口60aの径を調節可能に構成される。
The
レギュレーションプレート60は、アノードホルダ20と基板ホルダ40との中間位置よりも基板ホルダ40に近い位置にあることが好ましい。レギュレーションプレート60が基板ホルダ40に近い位置に配置されるほど、レギュレーションプレート60の開口60aの径を調節することにより、基板Wの周縁部の膜厚をより正確に制御することができる。
The
レギュレーションプレート60と基板ホルダ40との間には、基板Wの被めっき面W1近傍のめっき液Qを撹拌するためのパドル18が設けられる。パドル18は、略棒状の部材であり、鉛直方向を向くようにめっき処理槽52内に設けられる。パドル18の一端は、パドル駆動装置19に固定される。パドル18は、パドル駆動装置19により基板Wの被めっき面W1に沿って水平移動され、これによりめっき液Qが撹拌される。
Between the
次に、図1に示したアノードマスク25について詳細に説明する。図2及び図3はアノードマスク25の概略正面図である。図2は、開口25aの径が比較的大きいときのアノードマスク25を示す。図3は、開口25aの径が比較的小さいときのアノードマスク25を示す。ここで、アノードマスク25の開口25aが小さいほど、アノード21から基板Wへ流れる電流が、基板Wの被めっき面W1の中央部に集中する。したがって、開口25aを小さくすると、基板Wの被めっき面W1の中央部の膜厚が増大する傾向がある。
Next, the
図2に示すように、アノードマスク25は、略環状の縁部26を有する。図2に示すアノードマスク25の開口25aの径の大きさは最大となっている。この場合の開口25aの径は、縁部26の内径と一致する。
As shown in FIG. 2, the
図3に示すように、アノードマスク25は、開口25aを調節可能に構成される複数の絞り羽根27(調節機構の一例に相当する)を有する。絞り羽根27は、協働して開口25aを画定する。絞り羽根27の各々は、カメラの絞り機構と同様の構造により、開口25aの径を拡大又は縮小させる(開口25aの径を調節する)。図3に示すアノードマスク25の開口25aは、絞り羽根27によって非円形状(例えば多角形状)に形成される。この場合の開口25aの径は、多角形の対向する辺の最短距離、又は内接する円の直径をいう。あるいは、開口25aの径は、開口面積と等価な面積を有する円の直径で定義することもできる。なお、アノード21と、絞り羽根27のアノード21と対向する面の距離は、例えば0mm以上8mm以下である。
As shown in FIG. 3, the
絞り羽根27の各々は、例えば手動により開口25aの径を拡大又は縮小させる。また、絞り羽根27の各々は、エア圧力あるいは電気的な駆動力を利用して駆動するように構成されてもよい。絞り羽根27を用いた調節機構は、比較的広範囲に開口25aを可変とすることができる特徴がある。また、基板が円形である場合には、アノードマスク25の開口25aは円形であることが望ましい。しかし、比較的広範囲に径が可変である開口25aにおいて、開口25aの最小径から最大径に至る全ての範囲で完全な円形を維持することは機構的な困難を伴う。一般的に、アノード21と基板Wとの間を流れる電流が通過する開口が完全な円形でない場合、電場の方位角分布が不均等になり、基板Wの周縁部に形成されるめっき膜厚分布に開口の形状が転写される可能性がある。しかしながら、アノードマスク25はアノードホルダ20に一体的に取り付けられているため、基板との距離を十分に取ることができ、開口が完全な円形でない場合でも、めっき膜厚分布に与える影響を最大限に抑えることができる。
Each of the
次に、図1に示したレギュレーションプレート60について詳細に説明する。図4は、開口60aの径が比較的大きい状態のレギュレーションプレート60の前面側斜視図を示し、図5は、開口60aの径が比較的大きい状態のレギュレーションプレート60の後面
側斜視図を示す。また、図6は、開口60aの径が比較的小さい状態のレギュレーションプレート60の正面側斜視図を示す。
Next, the
図4ないし図6に示すように、レギュレーションプレート60は、略板状のプレート本体部61を有する。プレート本体部61は、その上部の左右端部に、図1に示しためっき処理槽52の縁にレギュレーションプレート60を懸架して吊下げるための一対の吊下げ部62を有する。また、プレート本体部61は、その略中央部に開口60aを有する。開口60aは、プレート本体部61に設けられる開口調節部63によって形成される。
As shown in FIGS. 4 to 6, the
図5に示すように、レギュレーションプレート60の背面側には、開口調節部63の一部を構成する回転部材100が取り付けられる。また、図6に示すように、レギュレーションプレート60は、開口60aの径を絞るように構成されたブレード体70を有する。回転部材100及びブレード体70の詳細は後述する。
As shown in FIG. 5, on the back side of the
図7は、レギュレーションプレート60の分解斜視図である。図7に示すように、レギュレーションプレート60は、プレート本体部61と、ブレード体70と、リング部材80と、ブレード押さえ部材90と、回転部材100と、保護部材110と、を有する。ブレード体70、リング部材80、ブレード押さえ部材90、回転部材100、及び保護部材110により、開口調節部63が構成される。また、レギュレーションプレート60は、プレート本体部61とともに開口60aを形成する縁部64を有する。
FIG. 7 is an exploded perspective view of the
ブレード体70は、開口60aの径を絞るための複数の第1ブレード71を有し、レギュレーションプレート60の縁部64の前面側に位置する。なお、本実施形態において、レギュレーションプレート60の前面側とは、図1に示した基板ホルダ40に対向する面をいう。しかしながら、他の実施形態では、レギュレーションプレート60の前面側が図1に示したアノードホルダ20に対向するように、レギュレーションプレート60を図1のめっき処理槽52に配置してもよい。
The
リング部材80は、複数の第1ブレード71を開口60aの径方向に並進移動させるように構成される。リング部材80は、レギュレーションプレート60の縁部64に沿って配置される。本実施形態では、リング部材80は、レギュレーションプレート60の縁部64の内周面に沿って配置される。しかし、これに限らず、リング部材80は、例えば、レギュレーションプレート60の縁部64の前面側に配置されてもよい。
The
ブレード押さえ部材90は、ブレード体70の前面側(リング部材80とは反対側)に配置される。回転部材100は、プレート本体部61の後面側に配置され、後述するようにリング部材80と結合される。以下、レギュレーションプレート60を構成する各部材について詳細に説明する。
The
図8は、プレート本体部61の前面側斜視図を示し、図9は、プレート本体部61の後面側斜視図を示す。図8に示すように、プレート本体部61は、略板状の部材であり、その略中央部に開口60aを有する。プレート本体部61の前面側には、開口60aと略同一の開口を有する縁部64が固定される。縁部64は、プレート本体部61と共に開口60aを形成している。図9に示すように、プレート本体部61は、後面側に、回転部材100を摺動可能に支持する支持ピンを挿入するための複数のピン穴65を有する。また、縁部64は、ブレード押さえ部材90と保護部材110とを固定するねじを螺合するための複数のねじ穴66をその前面側に有する。
FIG. 8 shows a front side perspective view of the
図10は、リング部材80の前面側斜視図を示す図である。上述したように、リング部材80は、図8及び図9に示したプレート本体部61の開口60aの内周面に沿って配置
される。したがって、リング部材80の外径は、プレート本体部61の開口60aを構成する縁部64の内径とおよそ一致するように構成される。このため、リング部材80の内径が、開口60aの最大内径となる。図示のように、リング部材80(第1移動機構の一例に相当する)は、その前面側に複数のスライド長穴81を有する。本実施形態では、ブレード体70を構成する第1ブレード71の数に対応する8つのスライド長穴81がリング部材80に設けられる。スライド長穴81は、リング部材80の後面側に向かって貫通していても、そうでなくてもよい。スライド長穴81は、開口60aの径方向に対して傾斜するように構成される。言い換えれば、スライド長穴81は、その長穴の長手方向が開口60aの中心を向かないように傾斜して配置される。スライド長穴81の各々は、互いに開口60aの中心軸に対して回転対称となるように、リング部材80に設けられる。本実施形態では、8つのスライド長穴81が設けられるので、スライド長穴81の各々は、8回回転対称となる。
FIG. 10 is a front perspective view of the
図11は、回転部材100の前面側斜視図を示す。回転部材100は、リング部101と、リング部101に取り付けられる板状のレバー部102とを有する。リング部101は、図10に示したリング部材80の後面側に固定される。リング部101の内径は、リング部材80の内径と略一致するように構成される。レバー部102は、リング部101の外周部に結合され、レバー部102をリング部101の周方向に揺動させることにより、リング部101が揺動角度の範囲で周方向に回転する。
FIG. 11 shows a front side perspective view of the
リング部101の外周には4つの凸部104が設けられ、凸部104の各々には、リング部101の周方向に沿った支持長穴103が形成される。後述するように、支持長穴103は、図9に示したプレート本体部61のピン穴65に固定される支持ピンにより、摺動可能に支持される。
Four
図12は、ブレード体70を構成する第1ブレード71の前面側斜視図を示す。図示のように第1ブレード71は、その内周縁が円弧状に形成された扇形の部材である。第1ブレード71は、図7に示したように他の第1ブレード71と互いに重なり合って、全体としてブレード体70の略円形の内周縁を形成する。本実施形態では、8つの第1ブレード71によりブレード体70が構成されるが、これに限らず任意の数の第1ブレード71でブレード体70を構成することができる。
FIG. 12 shows a front perspective view of the
第1ブレード71の後面側には、図10に示したリング部材80のスライド長穴81内を摺動するように構成されるスライドピン72が設けられる。本実施形態では、1つのスライドピン72が第1ブレード71に設けられるが、これに限らず、2つ以上のスライドピン72を第1ブレード71に設けてもよい。この場合、図10に示したリング部材80のスライド長穴81の数をスライドピン72の数に合わせる必要がある。
A
また、第1ブレード71の前面側には、後述する図13に示すブレード押さえ部材90のガイド長穴91を摺動するように構成されるガイドピン73が設けられる。本実施形態では、2つのガイドピン73が第1ブレード71に設けられるが、これに限らず、1つ又は3つ以上のガイドピン73が第1ブレード71に設けられてもよい。
Further, on the front surface side of the
図13は、ブレード押さえ部材90の前面側斜視図である。ブレード押さえ部材90は、略板状の部材であり、その略中央部に開口60aが形成される。ブレード押さえ部材90の開口60aの径は、図10に示したリング部材80の内径と略同一の径を有する。ブレード押さえ部材90は、複数のガイド長穴91を有する。本実施形態では、16のガイド長穴91がブレード押さえ部材90に設けられ、図12に示した第1ブレード71の2つのガイドピン73のそれぞれに2つのガイド長穴91が対応する。ガイド長穴91の数は、ガイドピン73の数に応じて適宜変更可能である。ガイド長穴91は、第1ブレード
71の並進移動方向と平行に形成される。また、ブレード押さえ部材90は複数のねじ穴92を有する。図8に示したプレート本体部61の縁部64に形成されたねじ穴66の位置とねじ穴92の位置を合わせて、ねじを螺合することで、ブレード押さえ部材90をプレート本体部61に固定することができる。
FIG. 13 is a front perspective view of the
ブレード押さえ部材90は、その後面側がブレード体70の前面側と接触するように配置される。したがって、ブレード体70の第1ブレード71が開口60aの径方向に並進移動したとき、第1ブレード71はブレード押さえ部材90と接触しながら並進移動する。ブレード押さえ部材90と第1ブレード71との摩耗を低減するために、ブレード押さえ部材90は、例えばPTFE等の低摩擦の樹脂から構成されることが好ましい。
The
図14は、保護部材110の前面側斜視図である。保護部材110は、略板状の部材であり、その略中央部に開口60aが形成される。保護部材110の開口60aの径は、図10に示したリング部材80の内径と略同一の径を有する。保護部材110は、ブレード押さえ部材90の前面側に配置される。保護部材110は複数のねじ穴111を有する。図8に示したねじ穴66及び図13に示したねじ穴92の位置とねじ穴111の位置を合わせて、ねじを螺合することで、保護部材110をプレート本体部61に固定することができる。保護部材110は、例えば塩化ビニル等から構成され、ブレード押さえ部材90の前面側を保護する。
FIG. 14 is a front perspective view of the
次に、図12に示した第1ブレード71を並進移動させる機構について詳細に説明する。図15は、レギュレーションプレート60の前面側からの部分正面図である。図15においては、回転部材100、複数の第1ブレード71、ブレード押さえ部材90、及びリング部材80のスライド長穴81が、それぞれ透過されて示されており、その他の部材は図示の簡略化のため省略されている。
Next, the mechanism for translating the
図15に示すように、複数の第1ブレード71は、他の第1ブレード71と互いに一部が重なる重なり部75を有するように配置される。複数の第1ブレード71の内周縁は、略円形状に形成される。図示の状態では、複数の第1ブレード71のスライドピン72はスライド長穴81の略中間部に位置し、ガイドピン73はガイド長穴91の略中間部に位置している。図示の状態では、複数の第1ブレード71の内周縁の内径は、レギュレーションプレート60の開口60aの内径よりも小さい。したがって、複数の第1ブレード71は、レギュレーションプレート60の開口60aの内径を縮小させている。
As shown in FIG. 15, the plurality of
回転部材100のレバー部102が矢印A1又はA2の方向、即ちリング部101の周方向に移動すると、リング部101と結合した図示しないリング部材80もその周方向に回転する。例えば、レバー部102が矢印A1の方向(図中時計回り)に移動すると、リング部材80が時計回りに回転する。これにより、第1ブレード71のスライドピン72はスライド長穴81内を摺動し、スライド長穴81の最小径部分81aがスライドピン72に向かって移動する。このとき、スライド長穴81の最小径部分81aがスライドピン72に向かって移動するのに伴い、第1ブレード71は、開口60aの径方向内側に向かって移動する。第1ブレード71のガイドピン73は、ガイド長穴91の内部を摺動するので、第1ブレード71の周方向の移動及び回転運動が防止される。したがって、第1ブレード71は、確実に径方向に並進移動することができる。
When the
また、例えば、レバー部102が矢印A2の方向(図中反時計回り)に移動すると、リング部材80が反時計回りに回転する。これにより、第1ブレード71のスライドピン72はスライド長穴81内を摺動し、スライド長穴81の最大径部分81bがスライドピン72に向かって移動する。このとき、スライド長穴81の最大径部分81bがスライドピン72に向かって移動するのに伴い、第1ブレード71は、開口60aの径方向外側に向
かって並進移動する。
Further, for example, when the
複数の第1ブレード71は、それぞれ同様に径方向に並進移動する。したがって、第1ブレード71と他の第1ブレード71との角度関係を維持したまま、複数の第1ブレードが径方向に移動することができる。これにより、カメラの絞り機構のように複数の絞り羽根が所定の軸を中心に回転して開口の径を小さくする場合に比べて、第1ブレード71によって形成される内周縁の真円形状を保つことができる。
The plurality of
図16は、最大内径の開口60aを有するレギュレーションプレート60の後面図であり、図17は、最小内径の開口60aを有するレギュレーションプレート60の後面図である。図16に示すように、レギュレーションプレート60が最大内径の開口60aを有するときは、回転部材100のレバー部102は相対的に右方向に位置し、プレート本体部61に設けられるストッパ67によってその可動範囲が制限される。図16に示す状態では、図示しない第1ブレード71は、開口60aの径方向で最外位置に位置し、第1ブレード71の内周縁は、回転部材100のリング部101の内周縁と略一致する。
FIG. 16 is a rear view of the
プレート本体部61には、4つの支持ピン105が設けられる。支持ピン105は、リング部101の凸部104に設けられる支持長穴103と摺動可能に係合する。これにより、レバー部102を操作したときに、リング部101が、支持長穴103に沿って周方向に回転するようにガイドされる。
The plate
図17に示すように、レギュレーションプレート60が最小内径の開口60aを有するときは、回転部材100のレバー部102は相対的に左方向に位置し、プレート本体部61に設けられるストッパ67によってその可動範囲が制限される。図17に示す状態では、複数の第1ブレード71は、開口60aの径方向で最内位置に位置し、第1ブレード71は、レギュレーションプレート60の開口60aを縮小させている。
As shown in FIG. 17, when the
レバー部102は、例えば機械的なアクチュエータによって自動的に操作されてもよいし、作業員により手動で操作されてもよい。また、レバー部102は、一対のストッパ67間の任意の位置で固定することもできる。
The
以上で説明したように、本実施形態に係るレギュレーションプレート60によれば、開口60aの径を複数の第1ブレード71により絞ることで、開口60aの径を調節することができる。これにより、第1の基板と第2の基板の特徴又は処理条件が互いに異なる場合に、ターミナルエフェクトの影響による面内均一性の低下を抑制し得る。具体的には、ターミナルエフェクトの影響が顕著に現れる条件下で基板にめっきをする際には、レギュレーションプレート60の開口aの径を小さくすることにより、基板周縁部における成膜速度を抑制することができ、基板の面内均一性を向上させることができる。また、第1ブレード71は並進移動するように構成されるので、他の第1ブレード71との角度関係を維持したまま、複数の第1ブレード71が径方向に移動することができる。したがって、カメラの絞り機構のように複数の絞り羽根が所定の軸を中心に回転して開口の径を小さくする場合に比べて、第1ブレード71によって形成される内周縁の真円形状を保つことができる。
As described above, according to the
なお、本実施形態では、第1ブレード71がスライドピン72を有し、リング部材80がスライド長穴81を有する。しかしながら、これに限らず、リング部材80がスライドピン72を有し、これに対応するスライド長穴81を第1ブレード71が有してもよい。このように第1ブレード71とリング部材80を構成した場合であっても、リング部材80が周方向に回転することで、スライドピン72がスライド長穴81内を摺動し、第1ブレード71が径方向に移動することができる。
In the present embodiment, the
本実施形態では、第1ブレード71がガイドピン73を有し、ブレード押さえ部材90がガイド長穴91を有する。しかしながら、これに限らず、ブレード押さえ部材90がガイドピン73を有し、これに対応するガイド長穴91を第1ブレード71が有してもよい。このように第1ブレード71とブレード押さえ部材90を構成した場合であっても、第1ブレード71がリング部材80によって移動したとき、ガイドピン73がガイド長穴91内を摺動し、第1ブレード71の周方向の移動及び回転運動を防止することができる。
In the present embodiment, the
本実施形態では、回転部材100のリング部101に支持長穴103を有する凸部104が形成され、プレート本体部61に支持ピン105が固定される。しかしながら、これに限らず、回転部材100のリング部101が支持ピン105を有し、これに対応する支持長穴103をプレート本体部61が有してもよい。このように回転部材100とプレート本体部61を構成した場合であっても、リング部101がレバー部102によって揺動されたとき、支持ピン105が支持長穴103内を摺動し、リング部101をその周方向に回転させることができる。
In the present embodiment, the
さらに、本実施形態では、レギュレーションプレート60は、開口60aの径を縮小する手段として、ブレード体70(複数の第1ブレード71)のみを有する。しかしながら、レギュレーションプレート60は、複数の第1ブレード71とは別の複数の第2ブレードと、複数の第2ブレードを並進移動させる機構を有してもよい。この場合、複数の第2ブレードは、開口60aの径方向と直交する方向に複数の第1ブレード71からずれた位置に配置される。この複数の第2ブレードを並進移動させる機構は、複数の第1ブレード71を並進移動させる上述した機構と同一であり、これにより、複数の第2ブレードが開口60aの径方向に並進移動する。以下、図面を参照して具体例を説明する。
Furthermore, in the present embodiment, the
図18は、他の実施形態に係る複数の第1ブレードと複数の第2ブレードとを有するレギュレーションプレートの前面側斜視図であり、図19は、同レギュレーションプレートの後面側斜視図である。以下で説明する図面における図4ないし17に示した部分に対応する構成要素には、図4ないし図17に使用した符号に「A」又は「B」を加えた符号を付し、重複した説明を省略する。 FIG. 18 is a front perspective view of a regulation plate having a plurality of first blades and a plurality of second blades according to another embodiment, and FIG. 19 is a rear perspective view of the regulation plate. Components corresponding to the parts shown in FIGS. 4 to 17 in the drawings described below are given the same reference numerals as those used in FIGS. 4 to 17 with “A” or “B” added thereto, and duplicate explanations are given. Omit.
図18及び図19に示すように、本実施形態のレギュレーションプレート60は、第1プレート本体部61Aと第2プレート本体部61Bを有する。第1プレート本体部61Aは、第1開口調節部63Aを有し、第2プレート本体部61Bは第2開口調節部63Bを有する。第1プレート本体部61Aと第2プレート本体部61Bは、ネジ、ボルト等の任意の固定手段120により、互いに連結される。図示のレギュレーションプレート60では、第1プレート本体部61Aと第2プレート本体部62Bが、互いに隙間が無いように密着されて、固定手段120により互いに連結されている。しかしながら、これに限らず、第1プレート本体部61Aと第2プレート本体部62Bとが隙間を有して互いに連結されてもよい。また、固定手段120は、第1プレート本体部61Aと第2プレート本体部62Bとの隙間の大きさを調整する調整機構を有してもよい。これにより、後述する複数の第1ブレード71A(図21参照)と複数の第2ブレード71B(図22参照)との互いの距離を任意に調整することができる。
As shown in FIGS. 18 and 19, the
第1プレート本体部61Aは、回転部材100Aの取っ手部105Aを外部に露出させるための開口部69Aを有する。また、第2プレート本体部61Bは、回転部材100Bの取っ手部105Bを外部に露出させるための開口部69Bを有する。開口部69Aから露出した取っ手部105A及び開口部69Bから露出した取っ手部105Bを、任意のアクチュエータを使用して又は手動でそれぞれ独立して操作することができる。これにより、図21に示す複数の第1ブレード71Aと複数の第2ブレード71Bとを独立して径方
向に並進移動させることができる。
The first plate
図20は、第1プレート本体部61A及び第2プレート本体部62Bの分解斜視図である。図示のように、第1プレート本体部61Aと第2プレート本体部62Bは、回転部材100Aが設けられる面と回転部材100Bが設けられる面とが対向するように、互いに連結される。第1プレート本体部61Aは、回転部材100A及び回転部材100Bを収容可能なキャビティ68Aを有する。第1プレート本体部61Aと第2プレート本体部61Bを連結したときに、キャビティ68Aは回転部材100A及び回転部材100Bを収容するように構成される。
FIG. 20 is an exploded perspective view of the first plate
第1プレート本体部61Aは、その略中央部に、電流が通過する第1開口169Aを有する。また、第2プレート本体部61Bは、その略中央部に、電流が通過する第2開口169Bを有する。第1プレート本体部61Aと第2プレート本体部61Bは、第1開口169Aの中心と第2開口169Bの中心が同心となるように、互いに連結される。言い換えれば、第1開口169Aの中心と第2開口169Bの中心とを結ぶ直線は、それぞれの開口の径方向と直交するように、第1プレート本体部61Aと第2プレート本体部61Bが互いに連結される。
The first plate
図21は、第1プレート本体部61Aの分解斜視図である。図示のように、第1プレート本体部61Aは、ブレード体70Aと、リング部材80Aと、ブレード押さえ部材90Aと、回転部材100Aと、保護部材110Aと、を有する。本実施形態では、ブレード体70を構成する複数の第1ブレード71Aは、2つのスライドピン72Aを有する。リング部材80Aは、2つのスライドピン72Aに対応する2つで一組のスライド長穴81Aを有する。
FIG. 21 is an exploded perspective view of the first plate
図22は、第2プレート本体部61Bの分解斜視図である。図示のように、第2プレート本体部61Bは、ブレード体70Bと、リング部材80Bと、ブレード押さえ部材90Bと、回転部材100Bと、保護部材110Bと、を有する。本実施形態では、ブレード体70を構成する複数の第2ブレード71Bは、2つのスライドピン72Bを有する。リング部材80Bは、2つのスライドピン72Bに対応する2つで一組のスライド長穴81Bを有する。
FIG. 22 is an exploded perspective view of the second plate
第1プレート本体部61Aと第2プレート本体部61Bは、図21に示した複数の第1ブレード71Aにより形成される開口の中心と図22に示した複数の第2ブレード71Bにより形成される開口の中心が同心となるように、互いに連結される。言い換えれば、複数の第1ブレード71Aにより形成される開口の中心と複数の第2ブレード71Bにより形成される開口の中心とを結ぶ直線は、それぞれの開口の径方向と直交するように、第1プレート本体部61Aと第2プレート本体部61Bが互いに連結される。
The first plate
このように、複数の第1ブレード71Aと複数の第2ブレード71Bとを有するレギュレーションプレート60によれば、複数の第1ブレード71Aと複数の第2ブレード71Bとの両方で、開口60aの径を絞ることができる。この場合、複数の第1ブレード71Aと複数の第2ブレード71Bとによって、いっそう基板周縁部における成膜速度を抑制することができる。したがって、基板周縁部の膜厚が厚くなる傾向を有する基板の面内均一性を向上させることができる。
Thus, according to the
従来のレギュレーションプレートをめっき槽内に複数設置する場合は、複数のレギュレーションプレート毎に開口の中心の位置決めをする必要があり、手間がかかった。これに対して、共通するレギュレーションプレート60に複数の第1ブレード71Aと複数の第2ブレード71Bが設けられる場合は、第1ブレード71Aにより形成される開口中心と
第2ブレード71Bにより形成される開口中心が、相対的に固定される。したがって、レギュレーションプレート60をめっき槽に位置決めする際に、複数の第1ブレード71Aにより形成される開口中心と、複数の第2ブレード71Bにより形成される開口中心とを、それぞれ別々に位置決めする必要がない。このため、レギュレーションプレート60の開口中心の位置に高い精度が求められる場合であっても、レギュレーションプレート60を容易に位置決めすることができる。
When a plurality of conventional regulation plates are installed in the plating tank, it is necessary to position the center of the opening for each of the plurality of regulation plates, which is troublesome. On the other hand, when the plurality of
また、レギュレーションプレート60が有するブレード体70Aは、複数の第1ブレード71Aから構成されているので、その開口の形状は厳密には真円ではない。このため、その開口の形状に起因する基板Wに加わる電場のバラつきを完全に除去することは困難である。しかしながら、複数の第2ブレード71Bを有することで、複数の第1ブレード71Aの開口形状に起因する電場のバラつきと複数の第2ブレード71Bの開口形状に起因する電場のバラつきとが、互いに打ち消され、この電場のバラつきを緩和し、基板Wに形成されるめっき膜を真円に近づけることができる。
Further, since the
さらに、レギュレーションプレート60は、図15に示したように、複数の第1ブレード71は、隣接する第1ブレード71との重なり部75と、隣接する第1ブレード71と重ならない部分とを有する。この重なり部75は、重ならない部分に比べて厚みが大きくなるので、重なり部75と重ならない部分とにおいて、電場の抑制効果が異なる。したがって、開口の周方向に電場のバラつきが生じ得る。一方で、レギュレーションプレート60が複数の第1ブレード71Aに加えて複数の第2ブレード71Bを有する場合は、複数の第2ブレード71Bの重なり部の周方向位置を、複数の第1ブレード71Aの重なり部の周方向位置からずらすことで、両ブレードの重なり部に起因する電場のバラつきを緩和することができる。好ましくは、複数の第2ブレード71Bの重なり部の周方向位置と複数の第1ブレード71Aの重なり部の周方向位置とを千鳥配列にすることで、電場のバラつきを一層緩和することができる。
Further, as shown in FIG. 15, the plurality of
また、複数の第1ブレード71Aと複数の第2ブレード71Bとを有するレギュレーションプレートによれば、複数の第1ブレード71Aが画定する開口60Aの径と、複数の第2ブレード71Bが画定する開口60Bの径とを異ならせることができる。これにより、例えば、基板に近いブレードが画定する開口の径を小さくし、基板に遠いブレードが画定する開口の径を大きくする等、基板の特徴や処理条件に合わせて開口の径を段階的に小さくすることができる。
Further, according to the regulation plate having the plurality of
次に、図1に示しためっき装置10で、基板Wにめっき処理するプロセスについて説明する。上述したように、ターミナルエフェクトの影響は、基板Wの特徴及び基板Wを処理する条件等によって異なる。このため、単一のめっき装置10においてターミナルエフェクトの影響が異なる複数の基板Wにめっきをする場合、ターミナルエフェクトによる膜厚の面内均一性の低下を抑制するためには、それぞれの基板Wの特徴及び基板Wを処理する条件等に合わせて基板Wに加わる電界を調節する必要がある。
Next, a process of plating the substrate W with the
本実施形態に係るめっき装置10では、基板Wの特徴又は基板Wを処理する条件に合わせて、少なくともアノードマスク25の開口25aの径を調節することで、基板Wのめっき膜の面内均一性の低下を抑制することができる。
In the
具体的には、第2の基板のレジスト開口率が第1の基板のレジスト開口率よりも低い場合、上述したように、第2の基板は基板上にめっき膜が形成されても、レジスト開口率が比較的高い第1の基板に比べて基板の中央部から電気接点までの電気抵抗値の変化が小さい。このため、第2の基板上にめっき膜がある程度形成されても、第2の基板へのターミナルエフェクトの影響が大きいままとなる。したがって、基板のレジスト開口率以外の条
件を同一として第1の基板と第2の基板をめっきした場合、第2の基板は第1の基板に比べて基板周辺部の膜厚が厚くなり、基板中央部の膜厚が相対的に薄くなる。そこで、めっき装置10で第2の基板をめっきするときは、アノードマスク25の開口25aの径は、第1の基板をめっきするときの開口25aの径に比べて小さくされる。これにより、第2の基板の基板中央部の膜厚を厚くすることができる。したがって、第1の基板と第2の基板の両方において、ターミナルエフェクトの影響による面内均一性の低下を抑制することができる。
Specifically, when the resist opening ratio of the second substrate is lower than the resist opening ratio of the first substrate, as described above, even if the plating film is formed on the second substrate, the resist opening is formed. The change in electrical resistance from the central portion of the substrate to the electrical contact is smaller than that of the first substrate, which has a relatively high rate. Therefore, even if the plating film is formed to a certain extent on the second substrate, the influence of the terminal effect on the second substrate remains large. Therefore, when the first substrate and the second substrate are plated under the same conditions other than the resist aperture ratio of the substrate, the film thickness of the second substrate is larger than that of the first substrate, and the substrate The film thickness at the central portion becomes relatively thin. Therefore, when the second substrate is plated by the
また、第2の基板が有するシード層が、第1の基板が有するシード層よりも薄い場合、上述したように、第2の基板に対するターミナルエフェクトが顕著になる。このため、シード層の厚さ以外の条件を同一として第1の基板と第2の基板をめっきした場合、第2の基板は第1の基板に比べて基板周辺部の膜厚が厚くなり、基板中央部の膜厚が相対的に薄くなる。そこで、めっき装置10で第2の基板をめっきするときは、アノードマスク25の開口25aの径は、第1の基板をめっきするときの開口25aの径に比べて小さくされる。これにより、第2の基板の基板中央部の膜厚を厚くすることができる。したがって、第1の基板と第2の基板の両方において、ターミナルエフェクトの影響による面内均一性の低下を抑制することができる。
In addition, when the seed layer of the second substrate is thinner than the seed layer of the first substrate, as described above, the terminal effect on the second substrate becomes remarkable. For this reason, when the first substrate and the second substrate are plated under the same conditions other than the thickness of the seed layer, the film thickness of the substrate peripheral portion of the second substrate becomes thicker than that of the first substrate, The film thickness at the center of the substrate becomes relatively thin. Therefore, when the second substrate is plated by the
さらに、第2の基板が、第1の基板に使用するめっき液よりも電気抵抗値の低いめっき液を用いてめっきされる場合は、上述したように、第2の基板に対するターミナルエフェクトが顕著になる。このため、めっき液の電気抵抗値以外の条件を同一として第1の基板と第2の基板をめっきした場合、第2の基板は第1の基板に比べて基板周辺部の膜厚が厚くなり、基板中央部の膜厚が相対的に薄くなる。そこで、めっき装置10で第2の基板をめっきするときは、アノードマスク25の開口25aの径は、第1の基板をめっきするときの開口25aの径に比べて小さくされる。これにより、第2の基板の基板中央部の膜厚を厚くすることができる。したがって、第1の基板と第2の基板の両方において、ターミナルエフェクトの影響による面内均一性の低下を抑制することができる。
Furthermore, when the second substrate is plated using a plating solution having a lower electrical resistance than the plating solution used for the first substrate, as described above, the terminal effect on the second substrate is remarkable. Become. For this reason, when the first substrate and the second substrate are plated under the same conditions other than the electric resistance value of the plating solution, the film thickness of the second substrate is larger than that of the first substrate. The film thickness at the central portion of the substrate becomes relatively thin. Therefore, when the second substrate is plated by the
さらに、本実施形態に係るめっき装置10では、アノードマスク25の開口25aの径を調節することに加えて、レギュレーションプレート60の開口60aの径を調節することで、基板Wのめっき膜の面内均一性を向上させることができる。
Furthermore, in the
レギュレーションプレート60は、アノードマスク25よりも基板Wに近い位置に設けられる。このため、レギュレーションプレート60の開口60aを通過しためっき電流は、基板Wの周縁部へ拡散し難くなる。したがって、レギュレーションプレート60の開口60aの径を小さくすると基板Wの周縁部の膜厚を薄くすることができ、開口60aの径を大きくすると基板Wの周縁部の膜厚を厚くすることができる。
The
レギュレーションプレート60の開口60aの径は、アノードマスク25の開口25aの径を調節することによって変化する基板Wの膜厚分布に応じて、適宜調節することが好ましい。したがって、第1の基板の特徴又は第1の基板を処理する条件が異なる第2の基板にめっきするときは、アノードマスク25の開口25aの径を第1の基板を処理するときの径より小さく又は大きくするように径を調整するとともに、レギュレーションプレート60の開口60aの径を適宜変更する。レギュレーションプレート60が、図18ないし22に示したような複数の第1ブレード71Aと複数の第2ブレード71Bとを有する場合は、それぞれのブレードにより形成される開口69A、69Bをそれぞれ独立して適宜変更することができる。したがって、特徴及び処理条件の異なる複数の基板に対してめっきするにあたり、より精度よく、ターミナルエフェクトの影響による面内均一性の低下を制御し得る装置構成とすることができる。
The diameter of the opening 60 a of the
次に、アノードマスク25の開口25aの径と、レギュレーションプレート60の開口60aの径を変化させることによる基板Wのめっき膜のプロファイルの変化を具体的に説明する。以下、図4ないし図17に示したレギュレーションプレート60を用いる例を示す。
Next, the change of the profile of the plating film of the substrate W by changing the diameter of the opening 25 a of the
図23は、高レジスト開口率(80%)の基板Wと低レジスト開口率(10%)の基板Wのめっき膜のプロファイルを示す図である。図中、「AM」はアノードマスク25の開口25aの径、「RP」はレギュレーションプレート60の開口60aの径、「HDP」は高レジスト開口率の基板W、「LDP」は低レジスト開口率の基板Wを示す。なお、高レジスト開口率の基板Wと低レジスト開口率の基板Wは、共にシード層の厚さは50nmから100nmであり、図23のプロファイルは、比較的低抵抗のめっき液を用いてめっきされた場合のプロファイルである。
FIG. 23 is a view showing a profile of the plated film of the substrate W with a high resist aperture ratio (80%) and the substrate W with a low resist aperture ratio (10%). In the figure, "AM" is the diameter of the
図示のように、高レジスト開口率の基板Wを、開口25aの径を230mmとし、開口60aの径を276mmとしてめっき処理した場合(以下条件Aという)、基板中央部の膜厚が厚く、基板周縁部の膜厚が薄くなる。これに対して、高レジスト開口率の基板Wを、開口25aの径を270mmとし、開口60aの径を276mmとしてめっき処理した場合(以下条件Cという)、条件Cは開口25aの径が条件Aに比べて大きいので、基板中央部の膜厚が薄くなる。また、高レジスト開口率の基板Wを、開口25aの径を270mmとし、開口60aの径を280mmとしてめっき処理した場合(以下条件Bという)、条件Bは開口60aの径が条件Cに比べて大きいので、基板周縁部の膜厚が厚くなる。
As shown in the figure, when the
低レジスト開口率の基板Wを、開口25aの径を270mmとし、開口60aの径を276mmとしてめっき処理した場合(以下条件Eという)、基板中央部の膜厚が薄く、基板周縁部の膜厚が厚くなる。これは、ターミナルエフェクトの影響により、基板周縁部の膜厚が厚くなっていることを意味する。これに対して、低レジスト開口率の基板Wを、開口25aの径を220mmとし、開口60aの径を276mmとしてめっき処理した場合(以下条件Fという)、条件Fは開口25aの径が条件Eに比べて小さいので、基板中央部の膜厚が厚くなる。また、低レジスト開口率の基板Wを、開口25aの径を220mmとし、開口60aの径を274mmとしてめっき処理した場合(以下条件Dという)、条件Dは開口60aの径が条件Fに比べて小さいので、基板周縁部の膜厚が薄くなる。
When plating the substrate W with a low resist opening ratio to a diameter of the
図23に示すように、ターミナルエフェクトの影響が比較的顕著に現れる低レジスト開口率の基板Wであっても、開口25aの径を、高レジスト開口率の基板Wのめっき処理に適切な開口25aの径(270mm、条件B,C)よりも小さくすることにより、ターミナルエフェクトによる基板Wの膜厚の面内均一性の低下を抑制することができる(条件D,F参照)。さらに、レギュレーションプレート60の開口60aの径を調節することにより、基板Wの周縁部の膜厚を調節することができ、ターミナルエフェクトによる基板Wの膜厚の面内均一性の低下をさらに抑制することができる(条件D参照)。
As shown in FIG. 23, even for a substrate W with a low resist opening ratio in which the influence of the terminal effect appears relatively prominent, the diameter of the
図24は、厚いシード層(500nm以上)を有する基板Wと薄いシード層(50から100nm)を有する基板Wのめっき膜のプロファイルを示す図である。なお、厚いシード層を有する基板Wと薄いシード層を有する基板Wは、共にレジスト開口率は10%であり、図24のプロファイルは、比較的低抵抗のめっき液を用いてめっきされた場合のプロファイルである。 FIG. 24 is a view showing a profile of a plated film of a substrate W having a thick seed layer (500 nm or more) and a substrate W having a thin seed layer (50 to 100 nm). It should be noted that both the substrate W having a thick seed layer and the substrate W having a thin seed layer have a resist aperture ratio of 10%, and the profile of FIG. 24 is plated using a plating solution of relatively low resistance. It is a profile.
図示のように、厚いシード層を有する基板Wを、開口25aの径を230mmとし、開口60aの径を276mmとしてめっき処理した場合(以下条件Aという)、基板中央部の膜厚が厚く、基板周縁部の膜厚が薄くなる。これに対して、厚いシード層を有する基板Wを、開口25aの径を270mmとし、開口60aの径を276mmとしてめっき処理
した場合(以下条件Cという)、条件Cは開口25aの径が条件Aに比べて大きいので、基板中央部の膜厚が薄くなる。また、厚いシード層を有する基板Wを、開口25aの径を270mmとし、開口60aの径を278mmとしてめっき処理した場合(以下条件Bという)、条件Bは開口60aの径が条件Cに比べて大きいので、基板周縁部の膜厚が厚くなる。
As illustrated, when the substrate W having a thick seed layer is plated by setting the diameter of the
薄いシード層を有する基板Wを、開口25aの径を270mmとし、開口60aの径を276mmとしてめっき処理した場合(以下条件Eという)、基板中央部の膜厚が薄く、基板周縁部の膜厚が厚くなる。これは、ターミナルエフェクトの影響により、基板周縁部の膜厚が厚くなっていることを意味する。これに対して、薄いシード層を有する基板Wを、開口25aの径を220mmとし、開口60aの径を276mmとしてめっき処理した場合(以下条件Fという)、条件Fは開口25aの径が条件Eに比べて小さいので、基板中央部の膜厚が厚くなる。また、薄いシード層を有する基板Wを、開口25aの径を220mmとし、開口60aの径を274mmとしてめっき処理した場合(以下条件Dという)、条件Dは開口60aの径が条件Fに比べて小さいので、基板周縁部の膜厚が薄くなる。
When the
図24に示すように、ターミナルエフェクトの影響が比較的顕著に現れる薄いシード層を有する基板Wであっても、開口25aの径を、厚いシード層を有する基板Wのめっき処理に適切な開口25aの径(270mm、条件B,C)よりも小さくすることにより、ターミナルエフェクトによる基板Wの膜厚の面内均一性の低下を抑制することができる(条件D,F参照)。さらに、レギュレーションプレート60の開口60aの径を調節することにより、基板Wの周縁部の膜厚を調節することができ、ターミナルエフェクトによる基板Wの膜厚の面内均一性の低下をさらに抑制することができる(条件D参照)。
As shown in FIG. 24, even if the substrate W has a thin seed layer in which the effect of the terminal effect appears relatively prominently, the diameter of the
図25は、比較的高い電気抵抗を有するめっき液(タイプ−A)でめっきされる基板Wと比較的低い電気抵抗を有するめっき液(タイプ−B)でめっきされる基板Wのめっき膜のプロファイルを示す図である。なお、比較的高い電気抵抗を有するめっき液でめっきされる基板Wと比較的低い電気抵抗を有するめっき液でめっきされる基板Wは、共にレジスト開口率は10%であり、シード層の厚さは50nmから100nmである。 FIG. 25 shows a profile of a plating film of a substrate W plated with a plating solution (type-A) having a relatively high electrical resistance and a plating film of the substrate W plated with a plating solution (type-B) having a relatively low electrical resistance. FIG. The substrate W plated with a plating solution having a relatively high electrical resistance and the substrate W plated with a plating solution having a relatively low electrical resistance both have a resist aperture ratio of 10%, and the thickness of the seed layer Is 50 nm to 100 nm.
図示のように、比較的高い電気抵抗を有するめっき液でめっきされる基板Wを、開口25aの径を230mmとし、開口60aの径を276mmとしてめっき処理した場合(以下条件Aという)、基板中央部の膜厚が厚く、基板周縁部の膜厚が薄くなる。これに対して、比較的高い電気抵抗を有するめっき液でめっきされる基板Wを、開口25aの径を260mmとし、開口60aの径を276mmとしてめっき処理した場合(以下条件Cという)、条件Cは開口25aの径が条件Aに比べて大きいので、基板中央部の膜厚が薄くなる。また、比較的高い電気抵抗を有するめっき液でめっきされる基板Wを、開口25aの径を260mmとし、開口60aの径を272mmとしてめっき処理した場合(以下条件Bという)、条件Bは開口60aの径が条件Cに比べて小さいので、基板周縁部の膜厚が薄くなる。
As illustrated, when the substrate W to be plated with a plating solution having a relatively high electrical resistance is plated with the diameter of the
比較的低い電気抵抗を有するめっき液でめっきされる基板Wを、開口25aの径を270mmとし、開口60aの径を276mmとしてめっき処理した場合(以下条件Eという)、基板中央部の膜厚が薄く、基板周縁部の膜厚が厚くなる。これは、ターミナルエフェクトの影響により、基板周縁部の膜厚が厚くなっていることを意味する。これに対して、比較的低い電気抵抗を有するめっき液でめっきされる基板Wを、開口25aの径を220mmとし、開口60aの径を276mmとしてめっき処理した場合(以下条件Fという)、条件Fは開口25aの径が条件Eに比べて小さいので、基板中央部の膜厚が厚くなる。また、比較的低い電気抵抗を有するめっき液でめっきされる基板Wを、開口25aの径を
220mmとし、開口60aの径を274mmとしてめっき処理した場合(以下条件Dという)、条件Dは開口60aの径が条件Fに比べて小さいので、基板周縁部の膜厚が薄くなる。
When the substrate W plated with a plating solution having a relatively low electrical resistance is plated with the diameter of the
図25に示すように、比較的低い電気抵抗を有するめっき液で基板Wがめっきされても、開口25aの径を、比較的高い電気抵抗を有するめっき液でめっきされる基板Wのめっき処理に適切な開口25aの径(260mm、条件B,C)よりも小さくすることにより、ターミナルエフェクトによる基板Wの膜厚の面内均一性の低下を抑制することができる(条件D,F参照)。さらに、レギュレーションプレート60の開口60aの径を調節することにより、基板Wの周縁部の膜厚を調節することができ、ターミナルエフェクトによる基板Wの膜厚の面内均一性の低下をさらに抑制することができる(条件D参照)。
As shown in FIG. 25, even if the substrate W is plated with a plating solution having a relatively low electrical resistance, the diameter of the
図23ないし図25に示すように、ターミナルエフェクトの影響が異なる各々の条件において均一性の良いめっきを行うためには、アノードマスク25の開口25aの径の変化幅は、レギュレーションプレート60の開口60aの径の変化幅に比べて大きくすることが望ましい。アノードマスク25の開口25aの径を大きな変化幅で調整可能とするために、前述したような絞り羽根27を用いた機構が好適である。アノードマスク25と基板Wは離れているので、アノードマスク25の開口25aを小さくしても、電束はアノードマスク25と基板Wの間で広がり、基板Wの大きな範囲に渡るめっき膜の膜厚分布を調整することができる。
As shown in FIG. 23 to FIG. 25, in order to perform plating with good uniformity under each condition where the influence of the terminal effect is different, the variation width of the diameter of the opening 25 a of the
基板Wの周縁部は、ターミナルエフェクトの影響を除いても、アノードマスク25と基板Wの間で外側に広がった電束が基板Wの周縁部で集中するため、めっき膜が厚くなりやすい。このような基板Wの周縁部の比較的狭い範囲の領域のめっき膜厚調整は、レギュレーションプレート60の開口調節部63により達成される。レギュレーションプレート60は基板Wに近いので、基板Wの周縁部の電場を直接的に遮蔽することができ、開口径の比較的小さな変化でも基板Wの周縁部のめっき膜厚を調整することができる。
In the peripheral portion of the substrate W, the electric flux spread outward between the
以上、本発明の実施形態について説明したが、上述した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲及び明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、又は省略が可能である。例えば、以上の実施形態では、アノードマスク25の開口25aの径を調節する機構として複数の絞り羽根27が使用され、レギュレーションプレート60の開口60aの径を調節する機構として複数の第1ブレード71A及び複数の第2ブレード71Bが使用されている。しかしながら、アノードマスク25の開口25aの径を複数の第1ブレード71A及び複数の第2ブレード71Bを使用して調節してもよいし、レギュレーションプレート60の開口60aを複数の絞り羽根27で調節するようにしてもよい。また、複数の絞り羽根27、複数の第1ブレード71A及び複数の第2ブレード71Bに限らず、他の形態の調節機構を採用することが可能である。
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, embodiment of the invention mentioned above is for making an understanding of this invention easy, and does not limit this invention. The present invention can be modified and improved without departing from the gist thereof, and the present invention naturally includes the equivalents thereof. In addition, any combination or omission of each component described in the claims and the specification is possible in a range in which at least a part of the above-mentioned problems can be solved or in a range where at least a part of the effect is exhibited. is there. For example, in the above embodiment, the plurality of
10 めっき装置
20 アノードホルダ
21 アノード
25 アノードマスク
25a 開口
40 基板ホルダ
60 レギュレーションプレート
60a 開口
71,71A 第1ブレード
71B 第2ブレード
72,72A,72B スライドピン
73 ガイドピン
80,80A,80B リング部材
81,81A,81B スライド長穴
90,90A,90B ブレード押さえ部材
91 ガイド長穴
W 基板
DESCRIPTION OF
Claims (14)
電流が通過する円形の第1の開口を形成する縁部を有するプレート本体部と、
前記第1の開口の径を絞るための複数の第1ブレードであって、前記複数の第1ブレードによって形成される開口が円形である、第1ブレードと、
前記複数の第1ブレードを前記第1の開口の径方向に並進移動させる第1移動機構と、を有する、レギュレーションプレート。 A regulation plate for regulating the current between the anode and the substrate to be plated,
A plate body having an edge forming a circular first opening through which current flows ;
A plurality of first blades for reducing the diameter of the first opening , wherein the openings formed by the plurality of first blades are circular ;
A first moving mechanism for translating the plurality of first blades in the radial direction of the first opening.
前記複数の第1ブレードが前記第1の開口の径方向に並進移動したとき、前記複数の第1ブレードによって形成される開口の形状は、円形に維持される、レギュレーションプレート。 A regulation plate, wherein the shape of the openings formed by the plurality of first blades is maintained in a circular shape when the plurality of first blades translate in the radial direction of the first opening.
前記アノードを保持するアノードホルダとは離間してめっき槽内に配置される、レギュレーションプレート。 A regulation plate disposed in the plating tank at a distance from an anode holder holding the anode.
前記第1移動機構は、前記縁部に沿うように配置されるリング部材を含み、
前記リング部材及び前記複数の第1ブレードのいずれか一方は、前記第1の開口の径方向に対して傾斜したスライド長穴を有し、
前記リング部材及び前記複数の第1ブレードの他方は、前記スライド長穴を摺動するスライドピンを有する、レギュレーションプレート。 The regulation plate according to any one of claims 1 to 3
The first moving mechanism includes a ring member disposed along the edge,
Any one of the ring member and the plurality of first blades has a slide elongated hole inclined with respect to the radial direction of the first opening,
A regulation plate, wherein the other of the ring member and the plurality of first blades has a slide pin that slides the slide elongated hole.
前記第1移動機構は、前記複数の第1ブレードの前記リング部材とは逆側に固定されるブレード押さえ部材を含み、
前記ブレード押さえ部材及び前記複数の第1ブレードのいずれか一方は、前記第1ブレードの並進移動方向と平行に形成されるガイド長穴を有し、
前記ブレード押さえ部材及び前記複数の第1ブレードの他方は、前記ガイド長穴を摺動するガイドピンを有する、レギュレーションプレート。 In the regulation plate according to claim 4 ,
The first moving mechanism includes a blade pressing member fixed to the side opposite to the ring member of the plurality of first blades,
One of the blade pressing member and the plurality of first blades has a guide elongated hole formed in parallel with the translational movement direction of the first blade,
A regulation plate, wherein the other of the blade pressing member and the plurality of first blades has a guide pin that slides the guide elongated hole.
前記第1移動機構は、前記リング部材を周方向に回転させるための回転部材を含み、
前記回転部材は、前記リング部材に固定されるリング部と、前記リング部を周方向に回転させるレバー部と、を有する、レギュレーションプレート。 In the regulation plate according to claim 4 or 5 ,
The first moving mechanism includes a rotating member for rotating the ring member in the circumferential direction,
A regulation plate comprising: a ring portion fixed to the ring member; and a lever portion rotating the ring portion in a circumferential direction.
前記プレート本体部及び前記リング部のいずれか一方は、前記リング部の回転方向に沿って形成された支持長穴を有し、
前記プレート本体部及び前記リング部の他方は、前記支持長穴と摺動可能に係合する支持ピンを有する、レギュレーションプレート。 In the regulation plate according to claim 6 ,
Any one of the plate body and the ring has a support elongated hole formed along the rotation direction of the ring,
A regulation plate, wherein the other of the plate body portion and the ring portion has a support pin slidably engaged with the support elongated hole.
前記複数の第1ブレードの各々は、その内周縁が円弧状に形成され、他の前記第1ブレードと互いに重なり合って略円形の内周縁を形成する、レギュレーションプレート。 The regulation plate according to any one of claims 1 to 7
A regulation plate, wherein the inner peripheral edge of each of the plurality of first blades is formed in an arc shape, and the other first blades overlap each other to form a substantially circular inner peripheral edge.
前記第1の開口の径方向と直交する方向に前記複数の第1ブレードからずれた位置に配置され、前記第1の開口の径を絞るための複数の第2ブレードと、
前記複数の第2ブレードを前記第1の開口の径方向に並進移動させる第2移動機構と、を有する、レギュレーションプレート。 A regulation plate according to any one of claims 1 to 8
A plurality of second blades disposed at positions offset from the plurality of first blades in a direction orthogonal to the radial direction of the first openings, for narrowing the diameter of the first openings;
A second moving mechanism for translating the plurality of second blades in the radial direction of the first opening.
前記複数の第1ブレードにより形成される開口の中心と前記複数の第2ブレードにより形成される開口の中心とを結ぶ直線がこれらの開口の径方向と直交するように、前記第1ブレード及び前記第2ブレードが配置される、レギュレーションプレート。 In the regulation plate according to claim 9 ,
The first blade and the first blade and the straight line connecting the center of the opening formed by the plurality of first blades and the center of the opening formed by the plurality of second blades are orthogonal to the radial direction of these openings. Regulation plate on which the second blade is placed.
電流が通過する第1の開口を形成する第1縁部と、前記第1の開口の径を絞るための複数の第1ブレードと、を有する第1プレート本体部と、
電流が通過する第2の開口を形成する第2縁部と、前記第2の開口の径を絞るための複数の第2ブレードと、を有する第2プレート本体部と、を有し、
前記複数の第1ブレードにより形成される開口の中心と前記複数の第2ブレードにより形成される開口の中心とを結ぶ直線がこれら開口の径方向と直交するように、前記第1プレート本体部と第2プレート本体部とが互いに連結される、レギュレーションプレート。 A regulation plate for regulating the current between the anode and the first side of the substrate to be plated,
A first plate body having a first edge defining a first opening through which current passes, and a plurality of first blades for reducing the diameter of the first opening;
A second plate body having a second edge forming a second opening through which current passes, and a plurality of second blades for reducing the diameter of the second opening;
The first plate main body and the straight line connecting the center of the opening formed by the plurality of first blades and the center of the opening formed by the plurality of second blades is orthogonal to the radial direction of the openings; A regulation plate, with which the second plate body is connected.
前記複数の第1ブレードにより形成される開口の径と、前記複数の第2ブレードにより形成される開口の径とを互いに独立して調整することができるように構成される、レギュレーションプレート。 The regulation plate according to any one of claims 9 to 11 .
A regulation plate configured such that the diameter of the opening formed by the plurality of first blades and the diameter of the opening formed by the plurality of second blades can be adjusted independently of each other.
前記アノードホルダと対向して配置され、基板を保持するように構成された基板ホルダ
と、
前記アノードホルダに一体に取り付けられ、前記アノードと前記基板との間に流れる電流が通過する第3の開口を有するアノードマスクと、
請求項1ないし10のいずれか一項に記載されたレギュレーションプレートと、を有し、
前記アノードマスクは、前記第3の開口の径を調節する調節機構を有する、めっき装置。 An anode holder configured to hold the anode;
A substrate holder disposed opposite to the anode holder and configured to hold a substrate;
An anode mask integrally attached to the anode holder and having a third opening through which a current flowing between the anode and the substrate passes;
And a regulation plate according to any one of the preceding claims.
The plating apparatus, wherein the anode mask has an adjustment mechanism that adjusts the diameter of the third opening.
第1の基板を保持する基板ホルダをめっき槽内に配置する工程と、
前記アノードと前記基板との間に流れる電流が通過する第2の開口及び第3の開口を有するレギュレーションプレートを前記アノードマスクと前記基板との間に配置する工程と、
前記第1の開口の径を第1の径に調節して、第1の基板にめっきする工程と、
第2の基板を保持する基板ホルダをめっき槽内に配置する工程と、
前記第1の開口の径を前記第1の径よりも小さい第2の径に調節するとともに、前記レギュレーションプレートの第2の開口及び第3の開口の径をそれぞれ変更して、前記第2の基板をめっきする工程と、を有する、めっき方法。 Placing in a plating tank an anode holder integrally provided with an anode mask having a first opening through which a current flowing between the anode and the substrate passes;
Placing a substrate holder for holding the first substrate in the plating tank;
Placing between the anode mask and the substrate a regulation plate having a second opening and a third opening through which the current flowing between the anode and the substrate passes;
Adjusting the diameter of the first opening to a first diameter and plating the first substrate;
Placing a substrate holder for holding the second substrate in the plating tank;
The diameter of the first opening is adjusted to a second diameter smaller than the first diameter, and the diameters of the second opening and the third opening of the regulation plate are changed, respectively. And plating the substrate.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015248380A JP6538541B2 (en) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | Regulation plate, plating apparatus provided with the same, and plating method |
PCT/JP2016/086021 WO2017110432A1 (en) | 2015-12-21 | 2016-12-05 | Regulation plate, plating apparatus provided with same, and plating method |
US16/063,979 US20200270760A1 (en) | 2015-12-21 | 2016-12-05 | Regulation plate, plating apparatus equipped with the same, and plating method |
KR1020187015318A KR102354727B1 (en) | 2015-12-21 | 2016-12-05 | Regulation plate, plating apparatus having same, and plating method |
CN201680074509.8A CN108474132B (en) | 2015-12-21 | 2016-12-05 | Adjusting plate, plating device with adjusting plate and plating method |
TW105140222A TWI687556B (en) | 2015-12-21 | 2016-12-06 | Adjustment plate and plating device and plating method provided with the adjustment plate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015248380A JP6538541B2 (en) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | Regulation plate, plating apparatus provided with the same, and plating method |
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---|---|
JP2017115171A JP2017115171A (en) | 2017-06-29 |
JP6538541B2 true JP6538541B2 (en) | 2019-07-03 |
Family
ID=59090075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015248380A Active JP6538541B2 (en) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | Regulation plate, plating apparatus provided with the same, and plating method |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200270760A1 (en) |
JP (1) | JP6538541B2 (en) |
KR (1) | KR102354727B1 (en) |
CN (1) | CN108474132B (en) |
TW (1) | TWI687556B (en) |
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- 2015-12-21 JP JP2015248380A patent/JP6538541B2/en active Active
-
2016
- 2016-12-05 WO PCT/JP2016/086021 patent/WO2017110432A1/en active Application Filing
- 2016-12-05 CN CN201680074509.8A patent/CN108474132B/en active Active
- 2016-12-05 US US16/063,979 patent/US20200270760A1/en not_active Abandoned
- 2016-12-05 KR KR1020187015318A patent/KR102354727B1/en active IP Right Grant
- 2016-12-06 TW TW105140222A patent/TWI687556B/en active
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---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180090797A (en) | 2018-08-13 |
TWI687556B (en) | 2020-03-11 |
TW201732092A (en) | 2017-09-16 |
CN108474132B (en) | 2020-09-18 |
CN108474132A (en) | 2018-08-31 |
US20200270760A1 (en) | 2020-08-27 |
KR102354727B1 (en) | 2022-01-25 |
JP2017115171A (en) | 2017-06-29 |
WO2017110432A1 (en) | 2017-06-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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