JP6520289B2 - Ag alloy film and method of manufacturing Ag alloy film - Google Patents
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Description
本発明は、ディスプレイやＬＥＤ等の反射電極膜、タッチパネル等の配線膜、透明導電膜等に用いられるＡｇ合金膜、及び、このＡｇ合金膜の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a reflective electrode film such as a display or an LED, a wiring film such as a touch panel, an Ag alloy film used for a transparent conductive film or the like, and a method of manufacturing the Ag alloy film.
一般に、ディスプレイやＬＥＤ等の反射電極膜、タッチパネル等の配線膜、透明導電膜等には、比抵抗値の低いＡｇ膜が用いられている。
例えば、特許文献１には、半導体発光素子の電極の構成材料として、高効率で光を反射するＡｇ合金膜を用いることが開示されている。
また、特許文献２には、有機ＥＬ素子の反射電極の構成材料としてＡｇ合金を用いることが開示されている。
さらに、特許文献３には、タッチパネルの引き出し配線として、Ａｇ合金膜を用いることが開示されている。
Generally, an Ag film having a low specific resistance value is used for a reflective electrode film such as a display or an LED, a wiring film such as a touch panel, a transparent conductive film, and the like.
For example, Patent Document 1 discloses that an Ag alloy film that reflects light with high efficiency is used as a constituent material of an electrode of a semiconductor light emitting element.
Patent Document 2 discloses that an Ag alloy is used as a constituent material of a reflective electrode of an organic EL element.
Further, Patent Document 3 discloses that an Ag alloy film is used as a lead wire of a touch panel.
また、特許文献４には、Ｉｎ及びＳｎ，Ｓｂを含有するＡｇ合金からなるＡｇ合金膜が提案されている。このＡｇ合金膜においては、高い耐硫化性及び耐熱性を有しており、製造時及び使用時に反射率及び電気抵抗等の各種特性が劣化することを抑制することができる。
これらのＡｇ合金膜は、Ａｇ合金からなるスパッタリングターゲットによってスパッタリングすることで成膜されている。
In addition, Patent Document 4 proposes an Ag alloy film made of an Ag alloy containing In, Sn, and Sb. The Ag alloy film has high resistance to sulfurization and heat resistance, and can suppress deterioration of various characteristics such as reflectance and electric resistance during production and use.
These Ag alloy films are formed by sputtering using a sputtering target made of an Ag alloy.
近年、有機ＥＬ素子、タッチパネル用配線等を製造する際のガラス基板の大型化（大面積化）が進められている。
ここで、大面積基板にＡｇ合金膜を成膜する場合には、大型のスパッタリングターゲットを用いて、対向型のスパッタ装置により成膜する方法が提案されている。
2. Description of the Related Art In recent years, the size (area increase) of a glass substrate when manufacturing an organic EL element, a wire for touch panel, and the like has been promoted.
Here, in the case of forming an Ag alloy film on a large area substrate, there has been proposed a method of forming a film by a facing sputtering apparatus using a large sputtering target.
ところで、最近では、ディスプレイ、ＬＥＤ、タッチパネル、有機ＥＬ素子等においては、電極パターン及び配線パターンの微細化が進められている。
ここで、大型のスパッタリングターゲットを用いて、対向型のスパッタ装置により大面積基板にＡｇ合金膜を形成する場合には、成膜されたＡｇ合金膜において添加元素の含有量が膜内でばらつくおそれがあった。このため、Ａｇ合金膜において、反射率及び電気抵抗等の各種特性がばらついてしまうといった問題があった。
By the way, recently, in displays, LEDs, touch panels, organic EL elements and the like, miniaturization of electrode patterns and wiring patterns has been promoted.
Here, in the case of forming an Ag alloy film on a large-area substrate by a facing sputtering apparatus using a large-sized sputtering target, there is a possibility that the content of the additive element may be dispersed in the formed Ag alloy film. was there. For this reason, in the Ag alloy film, there is a problem that various characteristics such as reflectance and electric resistance vary.
特に、特許文献４に示したＡｇ合金膜に含有されたＳｂは、Ａｇに対する固溶限が低く、かつ、Ａｇよりもスパッタされやすい元素であることから、スパッタ粒子によってＡｇ合金膜から弾き出されやすく、Ａｇ合金膜中に均一に分布させることが非常に困難であった。また、Ｓｂを歩留り良く添加することができず、スパッタリングターゲットにおけるＳｂ濃度と、成膜されたＡｇ合金膜におけるＳｂ濃度と、に大きな差が生じてしまうといった問題があった。 In particular, Sb contained in the Ag alloy film shown in Patent Document 4 is an element which has a low solid solution limit to Ag and is more easily sputtered than Ag, so it is easy to be repelled from the Ag alloy film by sputtered particles. It was very difficult to distribute uniformly in the Ag alloy film. Further, Sb can not be added with high yield, and there is a problem that a large difference occurs between the Sb concentration in the sputtering target and the Sb concentration in the formed Ag alloy film.
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、大面積基板に成膜した場合であっても、Ｓｂを歩留り良くＡｇ合金膜中に取り込ませることができ、Ｓｂ濃度が均一に含有され、膜内の特性が安定したＡｇ合金膜、及び、このＡｇ合金膜の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and even when the film is formed on a large area substrate, Sb can be incorporated into the Ag alloy film with high yield, and the Sb concentration is uniform. An object of the present invention is to provide an Ag alloy film which is contained and whose characteristics in the film are stable, and a method for producing the Ag alloy film.
上記の課題を解決するために、本発明のＡｇ合金膜は、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた基板上に成膜されたＡｇ合金膜であって、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有し、前記Ａｇ合金膜表面の複数の箇所においてＳｂ濃度を分析した結果、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点におけるＳｂ濃度ＭNとの最大差Ｄmaxと、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSから定義されるＳｂ濃度ばらつきＳ（％）＝Ｄmax／ＭS×１００が２５％以下とされていることを特徴としている。 In order to solve the above problems, the Ag alloy film of the present invention is an Ag alloy film formed on a substrate having a film formation area of 0.15 m 2 or more, and any one of In and Sn Containing 0.1 atomic percent or more and 1.5 atomic percent or less in total of species or two, 0.01 atomic percent or more and 3.5 atomic percent or less of Sb, and the composition having the balance of Ag and unavoidable impurities and the result of analysis of Sb concentration at a plurality of locations of the Ag alloy film surface, and the maximum difference D max between the Sb concentration M N in the other measurement points and Sb concentration M S at the center position of the substrate, the substrate Sb density deviation S (%) = D max / M S × 100 defined from Sb concentration M S at the center position is characterized in that it is 25% or less.
このような構成とされた本発明のＡｇ合金膜においては、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有しているので、耐硫化性及び耐熱性に優れ、さらに低抵抗及び高反射率を有しており、反射電極膜及び配線膜等として特に適している。
そして、本発明のＡｇ合金膜においては、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点におけるＳｂ濃度ＭNとの最大差Ｄmaxと、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSから定義されるＳｂ濃度ばらつきＳ（％）＝Ｄmax／ＭS×１００が２５％以下とされているので、Ｓｂ濃度がＡｇ合金膜内に比較的均一に存在しており、Ａｇ合金膜の面内の特性ばらつきを抑制することができる。よって、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた大面積基板に成膜されたものであっても、特性が安定しており、大画面のディスプレイやタッチパネルの反射電極膜及び配線膜等に適用することができる。
In the Ag alloy film of the present invention having such a configuration, 0.1 at% or more and 1.5 at% or less in total of one or two of In and Sn, and 0.01 at% of Sb. Since it has a composition containing at least 3.5 atomic% and the balance being Ag and unavoidable impurities, it has excellent resistance to sulfurization and heat, and has low resistance and high reflectance. It is particularly suitable as a reflective electrode film and a wiring film.
Then, in the Ag alloy film of the present invention, the maximum difference D max between the Sb concentration M N in the Sb concentration M S and other measurement point at the center position of the substrate, the Sb concentration M S at the center position of the substrate Since the defined Sb concentration variation S (%) = D max / M S × 100 is 25% or less, the Sb concentration exists relatively uniformly in the Ag alloy film, and the surface of the Ag alloy film Internal characteristic variation can be suppressed. Therefore, even if the film is formed on a large area substrate with a film formation area of 0.15 m 2 or more, the characteristics are stable, and it is used as a reflective electrode film or wiring film of a large screen display or touch panel. It can apply.
本発明のＡｇ合金膜の製造方法は、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた基板上に、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有するＡｇ合金膜を成膜するＡｇ合金膜の製造方法であって、スパッタ成膜する際に、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用い、この混合ガスにおける酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを１／２００以上１／１０以下の範囲内とすることを特徴としている。 The method for producing an Ag alloy film of the present invention has a film forming area of at least 0.15 m 2 and a total of at least 0.1 atomic% or more in total of one or two of In and Sn. A method of producing an Ag alloy film, comprising: forming an Ag alloy film having a composition containing atomic percent or less, Sb 0.01 to 3.5 atomic percent, and the balance being Ag and unavoidable impurities When forming a film by sputtering, use a mixed gas of Ar and oxygen as a sputtering gas, and set the volume ratio O 2 / Ar of oxygen to Ar in this mixed gas within the range of 1/200 to 1/10. It is characterized by
このような構成とされた本発明のＡｇ合金の製造方法によれば、スパッタ成膜する際に、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用い、この混合ガスにおける酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを１／２００以上１／１０以下の範囲内としているので、Ｓｂが酸素と結合した形でＡｇ合金膜内に取り込まれ、スパッタ粒子によってＡｇ合金膜内のＳｂが弾き飛ばされることが抑制される。よって、ターゲット中のＳｂが歩留り良くＡｇ合金膜中に取り込まれ、Ａｇ合金膜内におけるＳｂ濃度を均一化させることができる。具体的には、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点におけるＳｂ濃度ＭNとの最大差Ｄmaxと、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSから定義されるＳｂ濃度ばらつきＳ（％）＝Ｄmax／ＭS×１００を２５％以下とすることができる。 According to the method for producing an Ag alloy of the present invention having such a configuration, when forming a film by sputtering, a mixed gas of Ar and oxygen is used as a sputtering gas, and the volume ratio O of oxygen to Ar in this mixed gas is O Since 2 / Ar is in the range of 1/200 or more and 1/10 or less, Sb is taken into the Ag alloy film in the form of bonding with oxygen, and the sputtered particles repel Sb in the Ag alloy film. Be suppressed. Therefore, Sb in the target is taken into the Ag alloy film with high yield, and the Sb concentration in the Ag alloy film can be made uniform. Specifically, Sb concentration variation which is defined from the Sb concentration M S in the maximum difference D max and the center position of the substrate with Sb concentration M N in the other measurement points and Sb concentration M S at the center position of the substrate S (%) = a D max / M S × 100 can be 25% or less.
また、本発明のＡｇ合金膜の製造方法は、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた基板上に、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有するＡｇ合金膜を成膜するＡｇ合金膜の製造方法であって、スパッタ成膜する際に、スパッタガス圧力を１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内とすることを特徴としている。 In the method for producing an Ag alloy film according to the present invention, any one or two of In and Sn may be added in a total amount of 0.1 atomic% or more on a substrate having a deposition area of 0.15 m 2 or more. .5 atomic% or less, Sb 0.01 to 3.5 atomic%, and the balance is made of an Ag alloy film having a composition comprising Ag and unavoidable impurities. there are, at the time of sputtering is characterized and to Turkey and the 1.60Pa following range of 1.33Pa the sputtering gas pressure.
このような構成とされた本発明のＡｇ合金の製造方法によれば、スパッタ成膜する際に、スパッタガス圧力を１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内としているので、スパッタ粒子のエネルギーを比較的低く抑えることができ、Ａｇ合金膜内に取り込まれたＳｂが弾き飛ばされることを抑制できる。よって、ターゲット中のＳｂが歩留り良くＡｇ合金膜中に取り込まれ、Ａｇ合金膜内におけるＳｂ濃度を均一化させることができる。具体的には、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点におけるＳｂ濃度ＭNとの最大差Ｄmaxと、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSから定義されるＳｂ濃度ばらつきＳ（％）＝Ｄmax／ＭS×１００を２５％以下とすることができる。 According to the method of manufacturing an Ag alloy of the present invention having such a configuration, the sputtering gas pressure is in the range of 1.33 Pa or more and 1.60 Pa or less when forming a film by sputtering, so the energy of sputtered particles is It can be suppressed to a relatively low level, and the repelling of Sb taken into the Ag alloy film can be suppressed. Therefore, Sb in the target is taken into the Ag alloy film with high yield, and the Sb concentration in the Ag alloy film can be made uniform. Specifically, Sb concentration variation which is defined from the Sb concentration M S in the maximum difference D max and the center position of the substrate with Sb concentration M N in the other measurement points and Sb concentration M S at the center position of the substrate S (%) = a D max / M S × 100 can be 25% or less.
さらに、本発明のＡｇ合金膜の製造方法は、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた基板上に、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有するＡｇ合金膜を成膜するＡｇ合金膜の製造方法であって、スパッタ成膜する際に、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用い、この混合ガスにおける酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを１／２００以上１／１０以下の範囲内とするとともに、スパッタガス圧力を１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内に設定することを特徴としている。 Furthermore, according to the method for producing an Ag alloy film of the present invention, any one or two of In and Sn in total may be 0.1 atomic% or more in total on a substrate having a deposition area of 0.15 m 2 or more. .5 atomic% or less, Sb 0.01 to 3.5 atomic%, and the balance is made of an Ag alloy film having a composition comprising Ag and unavoidable impurities. When forming a film by sputtering, a mixed gas of Ar and oxygen is used as a sputtering gas, and the volume ratio O 2 / Ar of oxygen to Ar in this mixed gas is within a range of 1/200 to 1/10. At the same time, the sputtering gas pressure is set in the range of 1.33 Pa or more and 1.60 Pa or less.
このような構成とされた本発明のＡｇ合金の製造方法によれば、スパッタ成膜する際に、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用い、この混合ガスにおける酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを１／２００以上１／１０以下の範囲内としているので、Ｓｂが酸素と結合した形でＡｇ合金膜内に取り込まれ、スパッタによってＡｇ合金膜内のＳｂが弾き飛ばされることが抑制される。また、スパッタガス圧力を、１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内としているので、スパッタ粒子のエネルギーを比較的低く抑えることができ、Ａｇ合金膜内に取り込まれたＳｂが弾き飛ばされることを抑制できる。よって、ターゲット中のＳｂが歩留り良くＡｇ合金膜中に取り込まれ、Ａｇ合金膜内におけるＳｂ濃度を均一化させることができる。具体的には、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点におけるＳｂ濃度ＭNとの最大差Ｄmaxと、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSから定義されるＳｂ濃度ばらつきＳ（％）＝Ｄmax／ＭS×１００を２５％以下とすることができる。 According to the method for producing an Ag alloy of the present invention having such a configuration, when forming a film by sputtering, a mixed gas of Ar and oxygen is used as a sputtering gas, and the volume ratio O of oxygen to Ar in this mixed gas is O Since 2 / Ar is in the range of 1/200 or more and 1/10 or less, Sb is taken into the Ag alloy film in the form of being combined with oxygen, and spattering of Sb in the Ag alloy film is suppressed by sputtering. Be done. Further, since the sputtering gas pressure is in the range of 1.33 Pa or more and 1.60 Pa or less, the energy of the sputtered particles can be kept relatively low, and the Sb taken into the Ag alloy film is repelled. It can be suppressed. Therefore, Sb in the target is taken into the Ag alloy film with high yield, and the Sb concentration in the Ag alloy film can be made uniform. Specifically, Sb concentration variation which is defined from the Sb concentration M S in the maximum difference D max and the center position of the substrate with Sb concentration M N in the other measurement points and Sb concentration M S at the center position of the substrate S (%) = a D max / M S × 100 can be 25% or less.
以上のように、本発明によれば、大面積基板に成膜した場合であっても、Ｓｂを歩留り良くＡｇ合金膜中に取り込ませることができ、Ｓｂ濃度が均一に含有され、膜内の特性が安定したＡｇ合金膜、及び、このＡｇ合金膜の製造方法を提供することができる。 As described above, according to the present invention, even when the film is formed on a large area substrate, Sb can be taken into the Ag alloy film with good yield, the Sb concentration is uniformly contained, and It is possible to provide an Ag alloy film having stable characteristics, and a method of manufacturing the Ag alloy film.
以下に、本発明の一実施形態であるＡｇ合金膜、及び、Ａｇ合金膜の製造方法について説明する。
本実施形態であるＡｇ合金膜１０は、例えばディスプレイやＬＥＤ等の反射電極膜、タッチパネル等の配線膜、透明導電膜等として使用される。
Below, the manufacturing method of Ag alloy film which is one Embodiment of this invention, and Ag alloy film is demonstrated.
The Ag
本実施形態であるＡｇ合金膜１０は、対向型のスパッタ装置によって、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた基板１上に成膜されたものである。本実施形態では、図１に示すように、矩形平板状をなす基板１の表面に成膜されたものとされており、基板１の成膜面のサイズは、Ｗ：３３５ｍｍ以上×Ｌ：４４７ｍｍ以上とされている。
また、本実施形態のＡｇ合金膜１０の膜厚ｔは、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内とされている。
The Ag
Further, the film thickness t of the
また、本実施形態であるＡｇ合金膜１０は、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有する。
以下に、本実施形態であるＡｇ合金膜１０の組成を上述のように規定した理由について説明する。
In addition, in the Ag
Hereinafter, the reason why the composition of the
（Ｉｎ及びＳｎ：いずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下）
Ｉｎ及びＳｎといった元素は、Ａｇ合金膜１０の耐硫化性を向上させる作用効果を有する。
ここで、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種の合計含有量が０．１原子％未満の場合には、Ａｇ合金膜１０において耐硫化性の向上の効果が得られなくなるおそれがある。一方、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種の合計含有量が１．５原子％を超える場合には、反射率及び透過率の低下や電気抵抗の上昇が生じ、各種特性が劣化してしまうおそれがある。
このような理由から、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種の合計含有量を０．１原子％以上１．５原子％以下の範囲内に設定している。
なお、Ａｇ合金膜１０において耐硫化性を確実に向上させるためには、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種の合計含有量の下限を０．３原子％以上とすることが好ましい。また、Ａｇ合金膜１０において反射率及び透過率の低下や電気抵抗の上昇等の特性の劣化を確実に抑制するためには、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種の合計含有量の上限を１．１原子％以下に設定することが好ましい。
(In and Sn: any one or two in total in a range of 0.1 at% to 1.5 at%)
Elements such as In and Sn have an effect of improving the resistance to sulfurization of the
Here, when the total content of any one or two of In and Sn is less than 0.1 atomic%, there is a possibility that the effect of improving the sulfuration resistance can not be obtained in the
For these reasons, the total content of any one or two of In and Sn is set in the range of 0.1 atomic% or more and 1.5 atomic% or less.
In order to surely improve the sulfuration resistance in the
（Ｓｂ：０．０１原子％以上３．５原子％以下）
Ｓｂは、Ａｇ合金の耐熱性を向上させる作用効果を有する元素である。また、Ａｇの凝集を抑制し、膜厚を薄くしても膜の平滑性を維持する作用効果を有する。
ここで、Ｓｂの含有量が０．０１原子％未満の場合、耐熱性向上及びＡｇの凝集を抑制する効果が得られなくなる。一方、Ｓｂの含有量が３．５原子％を超える場合、反射率及び透過率の低下及び電気抵抗の上昇等の特性が劣化するおそれがある。
このような理由から、Ｓｂの含有量を０．０１原子％以上３．５原子％以下の範囲内に設定している。
なお、Ａｇ合金膜１０における耐熱性を確実に向上させるため、あるいは、Ａｇの凝集を確実に抑制するためには、Ｓｂの含有量の下限を０．０５原子％以上に設定することが好ましい。また、Ａｇ合金膜１０における特性の劣化を確実に抑制するためには、Ｓｂの含有量の上限を３原子％以下に設定することが好ましい。
(Sb: 0.01 at% to 3.5 at%)
Sb is an element having an effect of improving the heat resistance of the Ag alloy. Moreover, it has the effect of suppressing the aggregation of Ag and maintaining the smoothness of the film even if the film thickness is reduced.
Here, when the content of Sb is less than 0.01 atomic%, the effects of improving the heat resistance and suppressing the aggregation of Ag can not be obtained. On the other hand, when the content of Sb exceeds 3.5 atomic%, there is a possibility that the characteristics such as the decrease in reflectance and transmittance and the increase in electrical resistance may be deteriorated.
For these reasons, the content of Sb is set in the range of 0.01 atomic percent or more and 3.5 atomic percent or less.
In order to surely improve the heat resistance in the
そして、本実施形態であるＡｇ合金膜１０においては、Ａｇ合金膜１０表面の複数の箇所においてＳｂ濃度を分析した結果、基板１の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点におけるＳｂ濃度ＭNとの最大差Ｄmaxと、基板１の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSから定義されるＳｂ濃度ばらつきＳ（％）＝Ｄmax／ＭS×１００が２５％以下とされている。
Then, in the
本実施形態では、図１に示すように、基板１の中心位置Ｃ0と、矩形状をなす基板１の４つの角部Ｃ1〜Ｃ4の５箇所でＳｂ濃度を測定しており、基板１の中心位置Ｃ0におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点Ｃ1〜Ｃ4におけるＳｂ濃度Ｍ1、Ｍ2、Ｍ3、Ｍ4との最大差Ｄmaxが、基板１の中心位置Ｃ0におけるＳｂ濃度ＭSに対して２５％以下とされている。
ここで、Ａｇ合金膜１０におけるＳｂ濃度の測定は、その膜厚やサイズにより、ＩＣＰ−ＭＳ、ＸＲＦ、ＥＭＰＭＡ、ＳＩＭＳ等の分析方法を適宜選択して適用すればよく、同一の測定方法及び測定条件で測定されたＳｂ濃度を用いてＳｂ濃度ばらつきＳを算出すればよい。
In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the Sb concentration is measured at five positions of the center position C 0 of the substrate 1 and the four corner portions C 1 to C 4 of the rectangular substrate 1. The maximum difference D max between the Sb concentration M S at the central position C 0 of 1 and the Sb concentrations M 1 , M 2 , M 3 and M 4 at the other measurement points C 1 to C 4 is the central position C 0 of the substrate 1 is more than 25% of the Sb concentration M S in.
Here, the measurement of Sb concentration in the
次に、本実施形態であるＡｇ合金膜１０の製造方法について説明する。
本実施形態であるＡｇ合金膜１０の製造方法においては、上述のように、対向型スパッタ装置によってＡｇ合金膜１０を成膜しており、大型のスパッタリングターゲットを用いている。
Next, a method of manufacturing the
In the method of manufacturing the
本実施形態であるＡｇ合金膜１０を形成するためのスパッタリングターゲットは、成膜するＡｇ合金膜１０に対応する組成を有しており、Ｉｎ及びＳｎは、スパッタリングターゲットにおける含有量とＡｇ合金膜１０における含有量が大きく変動しないことから、Ａｇ合金膜１０と同等の含有量とされている。
一方、Ｓｂは、上述したように、スパッタリングターゲットにおける含有量に対して、成膜されたＡｇ合金膜１０における含有量が少なくなる傾向にあることから、スパッタリングターゲットにおけるＳｂの含有量を、Ａｇ合金膜１０におけるＳｂの含有量よりも多く設定することが好ましい。
The sputtering target for forming the
On the other hand, as described above, since the content of Sb tends to decrease with respect to the content in the sputtering target as described above, the content of Sb in the sputtering target can be reduced to that of the Ag alloy. It is preferable to set more than the content of Sb in the
具体的には、本実施形態においては、Ａｇ合金膜１０を成膜するスパッタリングターゲットは、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．１原子％以上５．０原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有している。
Specifically, in the present embodiment, the sputtering target for forming the
そして、本実施形態では、上述のスパッタリングターゲットを用いて、対向型のスパッタ装置によって、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた基板１上に、本実施形態であるＡｇ合金膜１０を成膜する。
このスパッタ成膜時においては、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用いており、この混合ガスにおける酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを１／２００以上１／１０以下の範囲内に設定している。さらに、スパッタガス圧力を、１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内に設定している。
なお、本実施形態では、スパッタ装置内におけるスパッタリングターゲットと基板１間の距離を１００ｍｍ以上と、従来よりも大きくすることが好ましい。さらに、スパッタ成膜時のパワー密度を０．１３Ｗ／ｃｍ2以下と従来よりも低くすることが好ましい。
以下に、酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒ、及び、スパッタガス圧力を上述のように規定した理由を説明する。
In the present embodiment, the
In this sputtering film formation, a mixed gas of Ar and oxygen is used as a sputtering gas, and the volume ratio O 2 / Ar of oxygen to Ar in this mixed gas is in the range of 1/200 to 1/10. It is set. Furthermore, the sputtering gas pressure is set in the range of 1.33 Pa or more and 1.60 Pa or less.
In the present embodiment, the distance between the sputtering target and the substrate 1 in the sputtering apparatus is preferably 100 mm or more, which is larger than that in the related art. Furthermore, it is preferable to lower the power density at the time of sputtering film formation to 0.13 W / cm 2 or less, which is lower than the conventional one.
Hereinafter, the reason why the volume ratio O 2 / Ar of oxygen and Ar and the sputtering gas pressure are defined as described above will be described.
（酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒ：１／２００以上１／１０以下）
スパッタ成膜時において、Ａｒガス中に少量の酸素を混入することにより、Ｓｂが酸素と結合した形でＡｇ合金膜１０内に取り込まれることになり、スパッタ粒子によってＡｇ合金膜１０内のＳｂが弾き飛ばされることが抑制される。これにより、スパッタリングターゲット中のＳｂが歩留り良くＡｇ合金膜１０中に含有されることになる。
ここで、酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒが１／２００未満の場合には、酸素量が不足し、ＳｂをＡｇ合金膜１０中に歩留り良く含有させることができなくなるおそれがある。一方、酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒが１／１０を超える場合には、酸素量が多すぎて酸化が進み、反射率等の特性が劣化するおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、スパッタ成膜時における酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを、１／２００以上１／１０以下の範囲内に設定している。
なお、Ｓｂを確実にＡｇ合金膜１０内へ歩留り良く含有させるためには、酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒの下限を１／１００以上とすることが好ましい。また、Ａｇ合金膜１０の特性の劣化を確実に抑制するためには、酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒの上限を１／５０以下とすることが好ましい。
(Volume ratio of oxygen to Ar O 2 / Ar: 1/200 or more and 1/10 or less)
At the time of sputtering film formation, by mixing a small amount of oxygen in Ar gas, Sb is taken into
Here, when the volume ratio O 2 / Ar of oxygen and Ar is less than 1/200, the amount of oxygen is insufficient, and Sb may not be contained in the
From the above, in the present embodiment, the volume ratio O 2 / Ar of oxygen and Ar at the time of sputtering film formation is set in the range of 1/200 or more and 1/10 or less.
In order to ensure that Sb is contained in the
（スパッタガス圧力：１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下）
スパッタ成膜時において、スパッタガス圧力を比較的高く設定することにより、スパッタ粒子のエネルギーを抑えることができ、Ａｇ合金膜１０中に取り込まれたＳｂが弾き出されることを抑制できる。これにより、スパッタリングターゲット中のＳｂが歩留り良くＡｇ合金膜１０中に含有されることになる。
ここで、スパッタガス圧力が１．３３Ｐａ未満の場合には、スパッタ粒子のエネルギーが十分に低くならず、ＳｂをＡｇ合金膜１０中に歩留り良く含有させることができなくなるおそれがある。一方、スパッタガス圧力が１．６０Ｐａを超える場合には、成膜された膜の密度が低下し、電気抵抗及び反射率等の特性に悪影響を与えるおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、スパッタ成膜時におけるスパッタガス圧力を、１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内に設定している。
(Sputtering gas pressure: 1.33 Pa or more and 1.60 Pa or less)
At the time of sputtering film formation, by setting the sputtering gas pressure relatively high, energy of sputtered particles can be suppressed, and it is possible to suppress that Sb taken into
Here, when the sputtering gas pressure is less than 1.33 Pa, the energy of the sputtered particles is not sufficiently lowered, and there is a possibility that Sb can not be contained in the
From the above, in the present embodiment, the sputtering gas pressure at the time of sputtering film formation is set in the range of 1.33 Pa or more and 1.60 Pa or less.
以上のような構成とされた本実施形態であるＡｇ合金膜１０によれば、Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有しているので、耐硫化性及び耐熱性に優れ、さらに低抵抗及び高反射率を有しており、反射電極膜及び配線膜等として特に適している。
According to the
そして、本実施形態であるＡｇ合金膜１０においては、基板１の中心位置Ｃ0におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点（４つの角部）Ｃ1〜Ｃ4におけるＳｂ濃度Ｍ1、Ｍ2、Ｍ3、Ｍ14との最大差Ｄmaxと、基板１の中心位置Ｃ0におけるＳｂ濃度ＭSから定義されるＳｂ濃度ばらつきＳ（％）＝Ｄmax／ＭS×１００が２５％以下とされているので、Ｓｂ濃度がＡｇ合金膜１０内に比較的均一となっており、Ａｇ合金膜１０の面内の特性ばらつきを抑制することができる。よって、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた大面積の基板１上に成膜されたものであっても、特性が安定しており、大画面のディスプレイやタッチパネルの反射電極膜及び配線膜等にも適用することができる。
Then, in the
また、本実施形態であるＡｇ合金膜１０の製造方法によれば、対向型のスパッタ装置を用いてスパッタ成膜する際に、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用い、この混合ガスにおける酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを１／２００以上１／１０以下の範囲内としているので、Ｓｂが酸素と結合した形でＡｇ合金膜１０内に取り込まれ、スパッタ粒子によってＡｇ合金膜１０内のＳｂが弾き飛ばされることが抑制される。
また、スパッタガス圧力を１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内としているので、スパッタ粒子のエネルギーを比較的低く抑えることができ、Ａｇ合金膜１０内に取り込まれたＳｂが弾き飛ばされることを抑制できる。
Further, according to the method for manufacturing the
Further, since the sputtering gas pressure is in the range of 1.33 Pa to 1.60 Pa, the energy of the sputtered particles can be suppressed to a relatively low level, and the Sb taken into the
よって、ターゲット中のＳｂが歩留り良くＡｇ合金膜１０中に取り込まれ、Ａｇ合金膜１０内におけるＳｂ濃度を均一化させることができる。よって、上述した本実施形態であるＡｇ合金膜１０を成膜することができる。
Therefore, Sb in the target can be taken into the
さらに、本実施形態において、スパッタ装置内におけるスパッタリングターゲットと基板１間の距離を１００ｍｍ以上と従来よりも大きくした場合には、スパッタ粒子の散乱によって、スパッタ粒子のエネルギーを低く抑えることができ、Ａｇ合金膜内に取り込まれたＳｂが弾き飛ばされることを抑制できる。
また、本実施形態において、スパッタ成膜時のパワー密度を０．１３以下と従来よりも低くした場合には、スパッタ粒子のエネルギーを低く抑えることができ、Ａｇ合金膜内に取り込まれたＳｂが弾き飛ばされることを抑制できる。
よって、ターゲット中のＳｂを歩留り良くＡｇ合金膜１０中に取り込ませることが可能となる。
Furthermore, in the present embodiment, when the distance between the sputtering target and the substrate 1 in the sputtering apparatus is 100 mm or more, which is longer than in the prior art, the energy of the sputtered particles can be suppressed low by scattering of the sputtered particles. It is possible to suppress the repelling of Sb taken into the alloy film.
Further, in the present embodiment, when the power density at the time of sputtering film formation is 0.13 or less, which is lower than in the prior art, the energy of sputtered particles can be suppressed low, and Sb taken into the Ag alloy film It is possible to suppress being thrown away.
Therefore, Sb in the target can be taken into the
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態では、ディスプレイやＬＥＤ等の反射電極膜、タッチパネル等の配線膜、透明導電膜等として使用されるものとして説明したが、これに限定されることはなく、その他の用途に適用してもよい。
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this, It can change suitably in the range which does not deviate from the technical idea of the invention.
For example, although this embodiment has been described as being used as a reflective electrode film such as a display or LED, a wiring film such as a touch panel, a transparent conductive film, etc., the present invention is not limited thereto. You may
また、本実施形態では、スパッタ成膜時において、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用い、スパッタガス圧力を上述のように規定したものとして説明したが、これに限定されることなく、スパッタガスとして他のガスを用いて、スパッタ圧力を上述の範囲内に設定してもよい。
あるいは、スパッタガスとして酸素とＡｒの混合ガスを用いて、酸素とＡｒガスの体積比Ｏ2／Ａｒを上述の範囲にした場合には、スパッタ圧力を上述の範囲外としてもよい。
In the present embodiment, at the time of sputtering film formation, the mixed gas of Ar and oxygen is used as the sputtering gas and the sputtering gas pressure is defined as described above. However, the present invention is not limited to this. The sputtering pressure may be set within the above-mentioned range using another gas as the gas.
Alternatively, when the mixed gas of oxygen and Ar is used as the sputtering gas and the volume ratio O 2 / Ar of oxygen and Ar gas is in the above range, the sputtering pressure may be outside the above range.
以下に、本発明に係るＡｇ合金膜及びＡｇ合金膜の製造方法について評価した評価試験の結果について説明する。 Below, the result of the evaluation test evaluated about the manufacturing method of Ag alloy film concerning this invention and Ag alloy film is demonstrated.
大型のスパッタ―リングターゲットを使用し、対向型のスパッタ装置を用いて、成膜面積が０．１５ｍ2以上とされた大面積基板に対してＡｇ合金膜を成膜し、成膜されたＡｇ合金膜の組成を分析した。 Ag alloy film is formed on a large area substrate having a film formation area of 0.15 m 2 or more using a large sputtering target and a facing sputtering apparatus The composition of the alloy film was analyzed.
（スパッタリングターゲット）
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＳｂと、純度９９．９９質量％以上のＩｎ及び純度９９．９質量％以上のＳｎを準備し、表１に示すターゲット組成となるように秤量した。
まず、Ａｇ原料を高周波真空溶解炉で溶解してＡｇ溶湯を作製し、次いで、このＡｇ溶湯に、秤量したＩｎ、Ｓｎ，Ｓｂを添加して溶解し、鋳造することによりインゴットを作製した。得られたインゴットを冷間圧延した後、大気中で６００℃、２時間保持の熱処理を行った。その後、機械加工を施し、６３０ｍｍ×７１０ｍｍ、厚さ６ｍｍの矩形平板状のスパッタリングターゲットを得た。
(Sputtering target)
Prepare Ag with a purity of 99.9% by mass or more, Sb with a purity of 99.9% by mass or more, In with a purity of 99.99% by mass or more and Sn with a purity of 99.9% by mass as dissolution materials. It weighed so that it might become the target composition shown to 1.
First, an Ag raw material is melted in a high frequency vacuum melting furnace to prepare an Ag molten metal, and then, weighed In, Sn, Sb is added to the Ag molten metal to melt and cast, thereby manufacturing an ingot. After cold rolling the obtained ingot, heat treatment was carried out at 600 ° C. for 2 hours in the atmosphere. Thereafter, machining was performed to obtain a rectangular flat sputtering target of 630 mm × 710 mm and a thickness of 6 mm.
上述のスパッタリングターゲットを、無酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、対向型の直流マグネトロンスパッタ装置に装着した。また、基板としてガラス基板（サイズ：３７０ｍｍ×４７０ｍｍ）を準備し、スパッタリングターゲットと基板間距離を７０ｍｍとして対向配置した。
その後、真空排気装置によって、直流マグネトロンスパッタ装置内を５．３３×１０-4Ｐａ以下にまで排気した後、スパッタガスを導入して、表１に示すスパッタガス圧とした。なお、スパッタガスとして酸素とＡｒの混合ガスを用いる場合には、Ａｒガスを導入する前に酸素を導入し、表１に示す体積比になるように調整した。
そして、直流電源によってスパッタリングターゲットに１０００Ｗの直流電力を印加し、スパッタ成膜を実施した。
The sputtering target described above was soldered to a backing plate made of oxygen-free copper and mounted on a facing type DC magnetron sputtering device. In addition, a glass substrate (size: 370 mm × 470 mm) was prepared as a substrate, and the sputtering target was disposed opposite to the substrate at a distance of 70 mm.
Thereafter, the inside of the direct current magnetron sputtering apparatus was evacuated to 5.33 × 10 −4 Pa or less by a vacuum evacuation apparatus, and then the sputtering gas was introduced to obtain the sputtering gas pressure shown in Table 1. When a mixed gas of oxygen and Ar was used as the sputtering gas, oxygen was introduced before introducing the Ar gas, and the volume ratio shown in Table 1 was adjusted.
Then, DC power of 1000 W was applied to the sputtering target by a DC power supply to carry out sputtering film formation.
（Ａｇ合金膜の組成、Ａｇ合金膜の濃度ばらつき）
得られたＡｇ合金膜からサンプリングを行い、Ａｇ合金膜中のＩｎ、Ｓｎ及びＳｂの組成分析を、ＩＣＰ−ＭＳによって実施した。なお、サンプリング位置は、図１に示すように、基板の中心位置Ｃ0、矩形平板状をなす基板の４つの角部（角部から対角線に沿って中心方向に６０ｍｍの位置）Ｃ1〜Ｃ4とし、濃度のばらつきＳを以下の式で算出した。なお、濃度のばらつきは、Ｓｂ，Ｉｎ，Ｓｎについて評価した。評価結果を表１に示す。
Ｓ（濃度のばらつき）＝Ｄmax／ＭS×１００
(Composition of Ag alloy film, concentration variation of Ag alloy film)
Sampling was performed from the obtained Ag alloy film, and composition analysis of In, Sn and Sb in the Ag alloy film was performed by ICP-MS. The sampling positions are, as shown in FIG. 1, the center position C 0 of the substrate and the four corners of the rectangular flat substrate (position 60 mm from the corners along the diagonal to the center) C 1 to C It was set to 4 and the variation S of the density was calculated by the following formula. The variation in concentration was evaluated for Sb, In, and Sn. The evaluation results are shown in Table 1.
S (variation in concentration) = D max / M S × 100
（Ａｇ合金膜の反射率と反射率ばらつき）
分光光度計（株式会社日立ハイテクノロジーズ製Ｕ−４１００）により、基板の中心位置Ｃ0、４つの角部Ｃ1〜Ｃ4での波長５５０ｎｍにおける反射率を測定した。
中心位置Ｃ0の反射率については、９５％を超える場合を○、９３％を超え９５％未満の場合を△、９３％未満の場合を×とした。
反射率ばらつきについては、中心位置Ｃ0と４つのＣ1〜Ｃ4それぞれと反射率の差を求め、最大の反射率差が３％未満の場合を○、３％以上５％未満の場合を△、５％以上の場合を×、とした。
(Reflectance and reflectance variation of Ag alloy film)
The reflectance at a wavelength of 550 nm at the center position C 0 of the substrate and at four corner portions C 1 to C 4 was measured by a spectrophotometer (U-4100 manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation).
The reflectivity of the center position C 0, the case where more than 95% ○, a case of less than 95% exceeded 93% △, and as × when less than 93%.
For reflectance variation, find the difference between the central position C 0 and each of the four C 1 to C 4 and the reflectance, and if the maximum reflectance difference is less than 3%, then 、, and if 3% or more and less than 5%. Δ, 5% or more of the case was ×.
スパッタガスが酸素を含まず、スパッタガス圧力が低い比較例１〜３，７のＡｇ合金膜は、Ａｇ合金膜の濃度ばらつきが大きく、反射率も大きくばらついていた。なお、Ｉｎ及びＳｎを含まない比較例３のＡｇ合金膜は、表に記載していないが、耐硫化性が劣っていた。
また、Ｓｂ含有量の多い比較例４、スパッタガスが酸素を含まずスパッタガス圧力が高い比較例５、スパッタガス中の酸素が多い比較例６のＡｇ合金膜は、反射率が低かった。
In the Ag alloy films of Comparative Examples 1 to 3 in which the sputtering gas does not contain oxygen and the sputtering gas pressure is low, the concentration variation of the Ag alloy film is large, and the reflectance is also largely dispersed. In addition, although Ag alloy film of the comparative example 3 which does not contain In and Sn is not described in the table, the sulfuration resistance was inferior.
In addition, the Ag alloy film of Comparative Example 4 having a large Sb content, Comparative Example 5 in which the sputtering gas does not contain oxygen, and the sputtering gas pressure is high, and Comparative Example 6 in which the sputtering gas contains a large amount of oxygen has low reflectance.
これに対し、本願所定の条件で成膜し、所定の組成を有する本発明例のＡｇ合金膜は、濃度ばらつきが２５％以下であり、反射率が高く、反射率ばらつきが抑えられていることがわかる。
なお、他の本発明例と比べて濃度ばらつきが大きめの本発明例３のＡｇ合金膜は、反射率ばらつきが大きめであった。
他の本発明例と比べてＩｎ、Ｓｎ、Ｓｂ濃度が高め、スパッタガス中の酸素が少なめ、又はスパッタガス圧力が高めになっている本発明例５，９，１２，１５〜１８のＡｇ合金膜は、反射率が低めであった。
On the other hand, the Ag alloy film of the example of the present invention, which is formed into a film under a predetermined condition of the present invention and has a predetermined composition, has a density variation of 25% or less, a high reflectance, and a reflectance variation is suppressed. I understand.
In addition, the Ag alloy film of the invention example 3 in which the concentration variation is large compared to the other invention examples has a large reflectance variation.
Ag alloys according to Invention Examples 5, 9, 12, 15 to 18 in which the In, Sn, Sb concentrations are higher, the oxygen in the sputtering gas is lower, or the sputtering gas pressure is higher than the other invention examples. The film had a lower reflectivity.
１０ Ａｇ合金膜 10 Ag alloy film
Claims (4)
Ｉｎ及びＳｎのいずれか１種又は２種を合計で０．１原子％以上１．５原子％以下、Ｓｂを０．０１原子％以上３．５原子％以下、含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有し、
前記Ａｇ合金膜表面の複数の箇所においてＳｂ濃度を分析した結果、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSとその他の測定点におけるＳｂ濃度ＭNとの最大差Ｄmaxと、前記基板の中心位置におけるＳｂ濃度ＭSから定義されるＳｂ濃度ばらつきＳ（％）＝Ｄmax／ＭS×１００が２５％以下とされていることを特徴とするＡｇ合金膜。 An Ag alloy film formed on a substrate having a film formation area of 0.15 m 2 or more,
0.1 at% or more and 1.5 at% or less in total of any one or two of In and Sn, and 0.01 at% or more and 3.5 at% or less of Sb, the balance being Ag and unavoidable It has a composition of impurities and
Analysis of the Sb concentration in a plurality of locations of the Ag alloy film surface, and the maximum difference D max between the Sb concentration M N in the other measurement points and Sb concentration M S at the center position of the substrate, the center position of the substrate Ag alloy film Sb concentration variation is defined from the Sb concentration M S S (%) = D max / M S × 100 is characterized in that it is 25% or less in the.
スパッタ成膜する際に、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用い、この混合ガスにおける酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを１／２００以上１／１０以下の範囲内とすることを特徴とするＡｇ合金膜の製造方法。 0.1 atomic% or more and 1.5 atomic% or less in total of one or two of In and Sn on a substrate having a deposition area of 0.15 m 2 or more, 0.01 atomic% of Sb A method for producing an Ag alloy film, comprising: forming an Ag alloy film containing a composition containing 3.5 atomic% or more and the balance being Ag and unavoidable impurities,
In forming a film by sputtering, a mixed gas of Ar and oxygen is used as a sputtering gas, and the volume ratio O 2 / Ar of oxygen to Ar in this mixed gas is in the range of 1/200 to 1/10. A method of producing an Ag alloy film characterized by the present invention.
スパッタ成膜する際に、スパッタガス圧力を１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内とすることを特徴とするＡｇ合金膜の製造方法。 0.1 atomic% or more and 1.5 atomic% or less in total of one or two of In and Sn on a substrate having a deposition area of 0.15 m 2 or more, 0.01 atomic% of Sb A method for producing an Ag alloy film, comprising: forming an Ag alloy film containing a composition containing 3.5 atomic% or more and the balance being Ag and unavoidable impurities,
When sputtering method of the Ag alloy film, wherein the to and within the sputtering gas pressure following 1.60Pa than 1.33Pa Turkey.
スパッタ成膜する際に、スパッタガスとしてＡｒと酸素の混合ガスを用い、この混合ガスにおける酸素とＡｒとの体積比Ｏ2／Ａｒを１／２００以上１／１０以下の範囲内とするとともに、スパッタガス圧力を１．３３Ｐａ以上１．６０Ｐａ以下の範囲内に設定することを特徴とするＡｇ合金膜の製造方法。 0.1 atomic% or more and 1.5 atomic% or less in total of one or two of In and Sn on a substrate having a deposition area of 0.15 m 2 or more, 0.01 atomic% of Sb A method for producing an Ag alloy film, comprising: forming an Ag alloy film containing a composition containing 3.5 atomic% or more and the balance being Ag and unavoidable impurities,
In forming a film by sputtering, a mixed gas of Ar and oxygen is used as a sputtering gas, and the volume ratio O 2 / Ar of oxygen to Ar in this mixed gas is in the range of 1/200 or more and 1/10 or less. A sputtering gas pressure is set in the range of 1.33 Pa or more and 1.60 Pa or less, The manufacturing method of Ag alloy film characterized by the above-mentioned.
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