JP6514426B1 - Solution processing apparatus and solution processing method - Google Patents
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- 238000010129 solution processing Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 305
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 174
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims abstract description 146
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 47
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 9
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 8
- 230000000181 anti-adherent effect Effects 0.000 claims 2
- 235000008504 concentrate Nutrition 0.000 abstract description 130
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 20
- 235000014666 liquid concentrate Nutrition 0.000 abstract description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 48
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 25
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 15
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 14
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 5
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- 239000004813 Perfluoroalkoxy alkane Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D1/00—Evaporating
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- B01D—SEPARATION
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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- B01D3/00—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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- B01D3/00—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
- B01D3/42—Regulation; Control
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
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- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/02—Treatment of water, waste water, or sewage by heating
- C02F1/04—Treatment of water, waste water, or sewage by heating by distillation or evaporation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/02—Treatment of water, waste water, or sewage by heating
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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Abstract
被処理液の不揮発性成分が析出しても、優れた処理効率を発揮することができる溶液処理装置および溶液処理方法を提供することを課題とする。本発明に係る溶液処理装置(1A)は、被処理液(L1)を加熱し、蒸気を留出させるとともに、保持する濃縮液の一部を缶出させる第1気液分離手段(10)と、前記第1気液分離手段(10)から缶出する濃縮液を加熱し、蒸気を留出させるとともに、保持する濃縮液の一部を缶出させる第2気液分離手段(20)と、前記第1気液分離手段(10)において被処理液(L1)に含まれる不揮発性成分が析出しないように、前記第1気液分離手段(10)を制御する制御手段(30)と、を備え、前記第2気液分離手段(20)の濃縮液を加熱する箇所であるとともに濃縮液に接する接液箇所が、不揮発性成分に対して耐付着性を呈することを特徴とする。An object of the present invention is to provide a solution processing apparatus and a solution processing method which can exhibit excellent processing efficiency even if non-volatile components of the liquid to be treated are deposited. The solution processing apparatus (1A) according to the present invention heats the liquid to be treated (L1), distills off the vapor, and the first gas-liquid separation means (10) which can partially release the liquid concentrate to be held A second gas-liquid separation means (20) for heating the concentrated solution discharged from the first gas-liquid separation means (10) to distill a vapor and for partially releasing the retained concentrate; Control means (30) for controlling the first gas-liquid separation means (10) such that non-volatile components contained in the liquid to be treated (L1) are not precipitated in the first gas-liquid separation means (10) It is characterized in that it is a place where the concentrate of the second gas-liquid separation means (20) is heated and a wetted part in contact with the concentrate exhibits adhesion resistance to non-volatile components.
Description
本発明は、有機溶媒に不揮発性成分が混合した被処理液から、有機溶媒を分離する溶液処理装置および溶液処理方法に関する。 The present invention relates to a solution processing apparatus and a solution processing method for separating an organic solvent from a liquid to be treated in which a nonvolatile component is mixed with an organic solvent.
有機溶媒には、樹脂等の対象物を溶解させる溶解剤や分散させる分散剤という用途が存在する。また、有機溶媒は、液晶基板や半導体集積回路の製造工程においても、フォトレジストと呼ばれる感光性樹脂の剥離剤として使用されている。
そして、このような用途で使用された有機溶媒は、不純物を除去しリサイクルされることが多いが、有機溶媒のリサイクルについては、通常、蒸留という不純物の分離方法が適用される。The organic solvent is used as a solubilizer for dissolving an object such as a resin or a dispersing agent for dispersing it. In addition, organic solvents are also used as release agents for photosensitive resins, called photoresists, also in the manufacturing process of liquid crystal substrates and semiconductor integrated circuits.
And although the organic solvent used for such a use removes an impurity and is recycled in many cases, about the recycle of an organic solvent, the isolation | separation method of the impurity called distillation is usually applied.
有機溶媒を蒸留によってリサイクルする技術については様々な技術が提案されており、例えば、特許文献1では、レジスト塗布装置から排出されるレジストと有機溶剤の混合液を回収する工程と、前記有機溶剤を揮発させて前記混合液を濃縮する工程と、揮発した前記有機溶剤を液化する工程と、有機溶剤を前記濃縮混合液に加えることにより前記混合液の粘度を所望の値に調整する工程とを具備することを特徴とするレジスト再生方法が開示されている。
Various techniques have been proposed for recycling organic solvents by distillation. For example,
しかしながら、特許文献1に開示されているような従来の方法では、有機溶媒に溶解している樹脂等の不揮発性成分が析出し、有機溶媒を蒸発させるための蒸発器の接液箇所に対して析出した不揮発性成分が付着(固着、粘着等)する虞がある。その結果、従来の方法では、蒸発器の加熱性能の経時的な低下が起こり、溶剤の回収率向上、管路内の断熱ロス防止、省エネルギー化、という期待される効果を発揮できなくなってしまう。
この問題への対応策としては、不揮発性成分が析出しない条件で有機溶媒の分離作業を行うという方法が挙げられるが、この対応策では、有機溶媒の処理効率(留出率)が悪くなるとともに、廃棄物の量が増加するため、経済的、環境的にも好ましい方法とはいえない。However, in the conventional method as disclosed in
As a countermeasure against this problem, there is a method in which the separation operation of the organic solvent is performed under the condition that the non-volatile component does not precipitate, but with this countermeasure, the processing efficiency (distillation rate) of the organic solvent is deteriorated. Since the amount of waste increases, it is not economically and environmentally preferable.
そこで、本発明は、被処理液の不揮発性成分が析出しても、優れた処理効率を発揮することができる溶液処理装置および溶液処理方法を提供することを課題とする。 Then, this invention makes it a subject to provide the solution processing apparatus and the solution processing method which can exhibit the outstanding processing efficiency, even if the non-volatile component of a to-be-processed liquid precipitates.
前記課題を解決するための手段として、本発明に係る溶液処理装置は、有機溶媒と不揮発性成分とを含む被処理液から、留出蒸気として有機溶媒を分離する溶液処理装置であって、被処理液を加熱し、蒸気を留出させるとともに、保持する濃縮液の一部を缶出させる第1気液分離手段と、前記第1気液分離手段から缶出する濃縮液を加熱し、蒸気を留出させるとともに、保持する濃縮液の一部を缶出させる第2気液分離手段と、前記第1気液分離手段において被処理液に含まれる不揮発性成分が析出しないように、前記第1気液分離手段を制御する制御手段と、を備え、前記第2気液分離手段の濃縮液を加熱する箇所であるとともに濃縮液に接する接液箇所が、不揮発性成分に対して耐付着性を呈することを特徴とする。 As means for solving the above problems, a solution processing apparatus according to the present invention is a solution processing apparatus for separating an organic solvent as distillate vapor from a liquid to be treated containing an organic solvent and a non-volatile component. The process liquid is heated to distill a vapor, and the first gas-liquid separation means for making a part of the concentrated liquid to be held down and the concentrate from the first gas-liquid separation means are heated, the steam being The second gas-liquid separation means for distilling a portion of the concentrate to be distilled while distilling out the non-volatile components contained in the liquid to be treated in the first gas-liquid separation means 1) Control means for controlling the gas-liquid separation means, wherein the liquid-wetted place in the second gas-liquid separation means which heats the liquid concentrate and in contact with the liquid concentrate is resistant to adhesion to non-volatile components It is characterized by showing.
また、本発明に係る溶液処理方法は、有機溶媒と不揮発性成分とを含む被処理液から、留出蒸気として有機溶媒を分離する溶液処理方法であって、被処理液を加熱し、蒸気を留出させるとともに、保持する濃縮液の一部を缶出させる第1気液分離工程と、前記第1気液分離工程で缶出された濃縮液を加熱し、蒸気を留出させるとともに、保持する濃縮液の一部を缶出させる第2気液分離工程と、を含み、前記第1気液分離工程において、被処理液に含まれる不揮発性成分が析出しないように制御し、前記第2気液分離工程において濃縮液を加熱する箇所であるとともに濃縮液に接する接液箇所が、不揮発性成分に対して耐付着性を呈することを特徴とする。 The solution processing method according to the present invention is a solution processing method for separating an organic solvent as distillate vapor from a liquid to be treated containing an organic solvent and a non-volatile component, wherein the liquid to be treated is heated to A first gas-liquid separation step of distilling and partially releasing the retained concentrate, and heating the concentrated solution released in the first gas-liquid separation step to distill a vapor and holding the same And a second gas-liquid separation step of partially draining the concentrated liquid, wherein in the first gas-liquid separation step, control is performed such that non-volatile components contained in the liquid to be treated are not precipitated; It is characterized in that it is a place where the concentrate is heated in the gas-liquid separation step and the wetted part in contact with the concentrate exhibits adhesion resistance to non-volatile components.
本発明によれば、被処理液の不揮発性成分が析出しても、優れた処理効率を発揮することができる溶液処理装置および溶液処理方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even if the non-volatile component of to-be-processed liquid precipitates, the solution processing apparatus and solution processing method which can exhibit the outstanding processing efficiency can be provided.
以下、適宜図面を参照して、本発明に係る溶液処理装置、および、溶液処理方法を実施するための形態(本実施形態)について説明する。 Hereinafter, a solution processing apparatus according to the present invention and an embodiment (embodiment) for carrying out a solution processing method according to the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate.
まず、本実施形態に係る溶液処理装置の概略について、図1を参照して説明する。
≪本実施形態に係る溶液処理装置の概略≫
本実施形態に係る溶液処理装置1Aは、有機溶媒と不揮発性成分とを含む被処理液L1から、留出蒸気G4として有機溶媒を分離する装置である。
そして、図1に示すように溶液処理装置1Aは、第1気液分離手段10(第1気液分離容器11、第1蒸発器12)と、第2気液分離手段20(第2気液分離容器21、第2蒸発器22)と、制御手段30と、を備える。
また、溶液処理装置1Aは、各部材間(および外部)が配管t1〜t11によって繋がっているとともに、これらの配管および各部材の内部における溶液(被処理液、濃縮液)の流れを調整するために、ポンプP1、P2、バルブV1〜5を備える。
また、溶液処理装置1Aは、固体除去手段40を備えるとともに、流量計F1〜F4、液面計S1、S2、温度計T1、T2といった計器を備える。
次に、本実施形態に係る溶液処理装置1Aの各部材について、図1を参照して説明する。First, an outline of a solution processing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
<< Outline of Solution Processing Device According to the Present Embodiment >>
The
Then, as shown in FIG. 1, the
In addition, the
Further, the
Next, each member of the
<第1気液分離手段>
第1気液分離手段10は、被処理液L1を加熱し、蒸気を留出させるとともに、保持する濃縮液の一部を缶出させる手段である。
そして、第1気液分離手段10は、第1気液分離容器11と第1蒸発器12とを含んで構成される。
なお、この第1気液分離手段10では、被処理液に含まれる不揮発性成分が析出しないように制御が実施されるが、詳細な制御方法は後に詳述する。<First gas-liquid separation means>
The first gas-
The first gas-
In the first gas-liquid separation means 10, control is carried out so that non-volatile components contained in the liquid to be treated are not deposited, but a detailed control method will be described in detail later.
(第1気液分離容器)
第1気液分離容器11は、配管t1を介して供給される被処理液L1、配管t4およびt9を介して供給される蒸気G1およびG3が後記の気液分離器13で凝縮され流下する濃縮液、さらには、配管t4を介して供給される濃縮液、を容器の底部に所定量保持するとともに、底部から所定の流量で缶出させる。
また、第1気液分離容器11は、配管t4およびt9を介して供給される蒸気G1およびG3のうち、後記の気液分離器13で気液分離された蒸気を容器の頂部から留出させ、配管t10を介して留出蒸気G4として外部に送出する。
そして、第1気液分離容器11には、容器の内部であって配管t1、t4、t9の接続箇所よりも上方に気液分離器13が設けられているとともに、容器の底部に保持される濃縮液(被処理液L1も含む)の液面の高さを計測する液面計S1と、濃縮液の温度を計測する温度計T1とが設けられている。(First gas-liquid separation container)
In the first gas-
Further, the first gas-
The first gas-
なお、第1気液分離容器11は、図1では塔状を呈しているが、特に形状は限定されず、サイズについても、被処理液L1の処理量等に応じて、適宜設定すればよい。
また、気液分離器13は、気体中から液体を分離できる機器であれば特に限定されず、例えば、ミストエリミネーター、サイクロン式の気液分離器といった公知の機器を適用することができる。The first gas-
Further, the gas-
(第1蒸発器)
第1蒸発器12は、第1気液分離容器11から缶出され、配管t2、t3を介して供給される濃縮液を、加熱し蒸発させる。そして、第1蒸発器12は、発生させた蒸気G1および加熱された濃縮液を配管t4を介して第1気液分離容器11に供給する。(1st evaporator)
The
なお、第1蒸発器12は、濃縮液を加熱し蒸発することができる機器であれば特に限定されず、多管式、プレート式、ジャケット式、コイル式、二重管式といった様々な形式の熱交換器等を適用することができる。そして、詰まり防止等のために、第1蒸発器12の上流側または下流側にストレーナーを設けるのが好ましい。
The
<第2気液分離手段>
第2気液分離手段20は、第1気液分離手段10から缶出する濃縮液を加熱し、蒸気を留出させるとともに、保持する濃縮液の一部を缶出させる手段である。
そして、第2気液分離手段20は、第2気液分離容器21と第2蒸発器22とを含んで構成される。<Second gas-liquid separation means>
The second gas-
The second gas-
(第2気液分離容器)
第2気液分離容器21は、配管t5を介して第1気液分離容器11から供給される濃縮液を、容器の底部に所定量保持するとともに、底部から所定の流量で缶出させる。
また、第2気液分離容器21は、配管t8を介して供給される蒸気G2を、容器の頂部から留出させ、配管t9を介して蒸気G3として第1気液分離容器11に供給する。
そして、第2気液分離容器21には、容器の底部に保持される濃縮液の液面の高さを計測する液面計S2と、濃縮液の温度を計測する温度計T2とが設けられている。(Second gas-liquid separation container)
The second gas-
The second gas-
Then, the second gas-
なお、第2気液分離容器21は、第1気液分離容器11と同様、図1の構成に限定されない。
また、図1には示していないが、第2気液分離容器21には、第1気液分離容器11に設けられているような気液分離器13を、容器の内部であって配管t8の接続箇所よりも上方に設けてもよい。In addition, the 2nd gas-
Although not shown in FIG. 1, the second gas-
(第2蒸発器)
第2蒸発器22は、第2気液分離容器21から缶出され配管t6、t7を介して供給される濃縮液を、加熱し蒸発させる。そして、第2蒸発器22は、発生させた蒸気G2を配管t8を介して第2気液分離容器21に供給する。
なお、第2蒸発器22は、第1蒸発器12と同様、様々な構成のものを適用することができる。(2nd evaporator)
The
In addition, the thing of various structures can be applied to the
(接液箇所:場所)
第2蒸発器22(第2気液分離手段20)の濃縮液を加熱する箇所であるとともに濃縮液に接する接液箇所は、不揮発性成分に対して耐付着性を呈する。
この「接液箇所」は、例えば、第2蒸発器22において、熱媒体Hから濃縮液への熱エネルギーの移動が生じる箇所であって、熱媒体Hと濃縮液との間を仕切る部材(管、プレート等)の壁面のうち濃縮液側(濃縮液と接する側)の面である。(Waste liquid location: place)
A wetted part, which is a place to heat the concentrate of the second evaporator 22 (the second gas-liquid separation means 20) and in contact with the concentrate, exhibits adhesion resistance to non-volatile components.
This “wetted portion” is, for example, a portion where the transfer of thermal energy from the heat medium H to the concentrate occurs in the
(接液箇所:状態)
この「不揮発性成分に対して耐付着性を呈する」とは、析出した不揮発性成分が付着し難い状態となるような処理が施されていることを示しており、具体的には、「耐付着性材料により被覆された状態」または「平坦な状態」である。(Wearing point: Status)
This "showing the adhesion resistance to the non-volatile component" indicates that the treatment is performed such that the deposited non-volatile component hardly adheres, specifically, It is in the "coated state" or "flat state" with the adhesive material.
「耐付着性材料により被覆された状態」とは、耐付着性材料が接液箇所に対して1〜100μm、好ましくは5〜50μmの厚さで被覆されている状態である。耐付着性材料の厚さを所定値以上とすることによって、耐付着性を確実なものとすることができるとともに、耐付着性材料の厚さを所定値以下とすることによって、伝熱効率の低下を抑制することができる。 The "state coated with the adhesion resistant material" is a state in which the adhesion resistant material is coated at a thickness of 1 to 100 μm, preferably 5 to 50 μm with respect to the wetted portion. By setting the thickness of the adhesion resistant material to a predetermined value or more, the adhesion resistance can be made reliable, and by setting the thickness of the adhesion resistant material to a predetermined value or less, the heat transfer efficiency decreases. Can be suppressed.
そして、耐付着性材料は、例えば、有機系材料として、(メタ)アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリオレフィン系樹脂などが挙げられ、無機系材料として、耐付着性を呈する金属酸化物含有塗料、カーボン含有塗料などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
特に、後記するフォトレジスト(樹脂)を含む被処理液を対象とする場合、耐付着性材料は、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、金属酸化物含有塗料、および、カーボン含有塗料のうちの少なくとも一つが好ましい。
なお、フッ素樹脂としては、具体的には、ポリテトラフルオロエチレン、パーフルオロアルコキシアルカン、四フッ化エチレン・エチレン共重合樹脂、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体などが挙げられる。And as the adhesion resistant material, for example, as an organic material, (meth) acrylic resin, epoxy resin, urethane resin, silicone resin, fluorine resin, polyimide resin, polyetheretherketone resin, polyolefin resin, etc. may be mentioned. Examples of the inorganic material include, but are not limited to, metal oxide-containing paints exhibiting adhesion resistance, carbon-containing paints and the like.
In particular, in the case of a liquid to be treated containing a photoresist (resin) to be described later, the adhesion resistant material is at least one of a fluorocarbon resin, a polyetheretherketone resin, a metal oxide containing paint, and a carbon containing paint. One is preferred.
Specific examples of the fluorocarbon resin include polytetrafluoroethylene, perfluoroalkoxyalkane, tetrafluoroethylene-ethylene copolymer resin, tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer and the like.
「平坦な状態」とは、表面粗さが1μm以下の状態である。そして、「平坦な状態」とする方法は、第2蒸発器22の接液箇所に対して電解研磨やバフ研磨等の研磨処理を施すことによって、表面粗さを所定値以下とするという方法であってもよいし、表面粗さが所定値以下である材料(板材等)を選択して、第2蒸発器22の接液箇所に適用するという方法であってもよい。
なお、この表面粗さとは、詳細には、算術平均粗さ(Ra)である。The “flat state” is a state in which the surface roughness is 1 μm or less. And the method of making it a "flat state" is a method of making surface roughness into a predetermined value or less by performing polishing processing, such as electrolytic polishing and buffing, to the wetted part of the
In addition, this surface roughness is arithmetic mean roughness (Ra) in detail.
(固体除去手段)
固体除去手段40は、濃縮液中に含まれる固体(析出した不揮発性成分等)を濃縮液から除去する手段である。この固体除去手段40は、後記するポンプに固体が流入するのを防止するという役割を果たす。
固体除去手段40は、液体から固体を分離できる機器であれば特に限定されず、例えば、バケットストレーナー、ろ過フィルター、液体サイクロン、遠心沈降装置、静置沈降装置等を適用することができる。
なお、固体除去手段40は、図1では、不揮発性成分が析出する可能性の高い第2気液分離容器21と第2蒸発器22との間に設けているが、第1気液分離容器11と第1蒸発器12との間に設けてもよい。(Solid removal means)
The solid removal means 40 is a means for removing a solid (such as precipitated non-volatile components) contained in the concentrate from the concentrate. The solid removing
The solid removing
In addition, although the solid removal means 40 is provided between the 2nd gas-
<ポンプ>
ポンプP1は、第1気液分離容器11から第1蒸発器12に配管t2、t3を介して濃縮液を送液するとともに、第1気液分離容器11から第2気液分離容器21に配管t2、t5を介して濃縮液を送液する。
ポンプP2は、第2気液分離容器21から第2蒸発器22に配管t6、t7を介して濃縮液を送液するとともに、第2気液分離容器21から外部に配管t6、t11を介して濃縮液を送液する。
なお、ポンプは、液体を送液可能な構成のものであれば特に限定されず、公知のポンプを適用することができる。また、ポンプの設置箇所は、各部材間において適切に濃縮液を送液可能であれば、図1の設置箇所に限定されず、さらに、ポンプの設置数を適宜増減させてもよい。<Pump>
The pump P1 transfers the concentrated liquid from the first gas-
The pump P2 sends the concentrated solution from the second gas-
In addition, a pump will not be specifically limited if it is a thing of the structure which can send a liquid, A well-known pump can be applied. Further, the installation site of the pump is not limited to the installation site of FIG. 1 as long as the concentrate can be fed appropriately between the members, and the number of installed pumps may be increased or decreased appropriately.
<バルブ>
バルブV1は、外部から第1気液分離容器11に配管t1を介して供給される被処理液L1の流量を調整する。
バルブV2は、第1気液分離容器11から第1蒸発器12に配管t2、t3を介して供給される濃縮液の流量を調整する。
バルブV3は、第1気液分離容器11から第2気液分離容器21に配管t2、t5を介して供給される濃縮液の流量を調整する。
バルブV4は、第2気液分離容器21から第2蒸発器22に配管t6、t7を介して供給される濃縮液の流量を調整する。
バルブV5は、第2気液分離容器21から外部に配管t6、t11を介して排出される濃縮液の流量を調整する。
なお、バルブは、開閉のレベル(流路が開いている・閉まっている度合い)の調整等によって、液体の流量を調整可能な構成のものであれば特に限定されず、公知のバルブを適用することができる。また、バルブの設置箇所は、各部材間において適切に濃縮液の流量を調整可能であれば、図1の設置箇所に限定されず、さらに、バルブの設置数を適宜増減させてもよい。<Valve>
The valve V1 adjusts the flow rate of the liquid to be treated L1 supplied from the outside to the first gas-
The valve V2 adjusts the flow rate of the concentrate supplied from the first gas-
The valve V3 adjusts the flow rate of the concentrate supplied from the first gas-
The valve V4 adjusts the flow rate of the concentrate supplied from the second gas-
The valve V5 adjusts the flow rate of the concentrate discharged from the second gas-
The valve is not particularly limited as long as the flow rate of the liquid can be adjusted by adjusting the open / close level (the degree to which the flow path is open / closed) or the like, and a known valve is applied. be able to. Further, the installation site of the valve is not limited to the installation site of FIG. 1 as long as the flow rate of the concentrate can be appropriately adjusted between the respective members, and the number of installed valves may be increased or decreased appropriately.
<計器>
溶液処理装置1Aは、前記した液面計S1、S2、温度計T1、T2以外に、各配管内の溶液(被処理液、濃縮液)の流量を測定する流量計F1、F2、F3、F4を備える。
これらの計器は、所望の情報を入手できる構成のものであれば特に限定されず、公知の計器を適用することができる。<Instrument>
The
These instruments are not particularly limited as long as desired information can be obtained, and known instruments can be applied.
<制御手段>
制御手段30は、各計器からデータを読み出し、当該データに基づいて、バルブ等を制御する手段である。そして、制御手段30には、制御の基準とするデータを記憶する記憶部(図示せず)が備えられている。
なお、制御手段30による制御方法は後に詳述する。<Control means>
The
The control method by the control means 30 will be described in detail later.
制御手段30は、CPU(Central Processing Unit)によるプログラムの実行処理や、専用回路等によって実現される。また、制御手段30に備えられる記憶部は、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、HDD(Hard Disk Drive)、フラッシュメモリ等の一般的な記憶装置で構成することができる。
The
次に、本実施形態に係る溶液処理装置の処理の対象となる被処理液について説明する。
≪被処理液≫
被処理液L1は、有機溶媒と不揮発性成分とを含む溶液である。
そして、被処理液L1は、例えば、液晶基板や半導体集積回路を製造する際のフォトリソグラフィ工程において発生するフォトレジストと称される樹脂(不揮発性成分)を含んだ剥離液が挙げられる。Next, the to-be-processed liquid used as the object of a process of the solution processing apparatus which concerns on this embodiment is demonstrated.
<< liquid to be treated >>
The liquid to be treated L1 is a solution containing an organic solvent and a non-volatile component.
The liquid to be treated L1 is, for example, a peeling liquid containing a resin (nonvolatile component) called a photoresist which is generated in a photolithography process in manufacturing a liquid crystal substrate or a semiconductor integrated circuit.
被処理液L1の有機溶媒としては、例えば、モノエタノールアミン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどが挙げられるがこれに限定されるものではない。
被処理液L1の不揮発性成分としては、例えば、前記したフォトレジストなどの樹脂(感光性樹脂材料)が挙げられ、具体的には、ノボラック樹脂を想定しているがこれらに限定されるものではない。
なお、被処理液L1に含まれる不揮発性成分(樹脂)の含有量は、適切に分離処理を実施するという観点から、0.1〜5.0質量%であるのが好ましい。Examples of the organic solvent of the liquid L1 to be treated include, but are not limited to, monoethanolamine, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, and propylene glycol monomethyl ether. Absent.
Examples of the non-volatile component of the liquid L1 to be treated include resins (photosensitive resin materials) such as the photoresist described above, and specifically, novolak resin is assumed, but it is limited to these. Absent.
In addition, as for content of the non-volatile component (resin) contained in the to-be-processed liquid L1, it is preferable that it is 0.1-5.0 mass% from a viewpoint of implementing isolation | separation processing appropriately.
そして、被処理液L1の「不揮発性成分」とは、溶液処理装置の運転時において揮発しない成分、詳細には、溶液処理装置の蒸発器(第1蒸発器12及び第2蒸発器22)の運転時の圧力における沸点が当該蒸発器の加熱温度よりも高い成分である。よって、不揮発性成分としては、前記した樹脂以外にも、液晶基板や半導体集積回路の製造時に発生する無機物粒子等の懸濁物質、さらには、被処理液L1に溶解した高沸点成分(例えば、腐食防止剤や防食剤に含まれるソルビトールなどの成分)を挙げることができる。
なお、被処理液L1に含まれる全ての不揮発性成分の含有量(総量)は、適切に分離処理を実施するという観点から、0.1〜5.0質量%であるのがより好ましい。
被処理液L1に不揮発性成分として樹脂だけでなく懸濁物質を含む場合、析出した樹脂が懸濁物質を凝集させる結果、第2蒸発器22等において析出する物質(適宜「析出成分」という)のサイズや量を増大させる傾向がある。しかしながら、このような場合であろうと、本発明によると、析出成分が第2蒸発器22の接液箇所に付着するのを抑制し、適切に濃縮液を加熱し所望の効果(優れた処理効率)を得ることができる。
なお、被処理液L1には、前記した有機溶媒、不揮発性成分以外にも、水が含まれていてもよい。The “non-volatile component” of the liquid L1 to be treated is a component that does not volatilize during operation of the solution processing apparatus, and more specifically, the evaporator (the
In addition, as for content (total amount) of all the non-volatile components contained in the to-be-processed liquid L1, it is more preferable that it is 0.1-5.0 mass% from a viewpoint of implementing isolation | separation processing appropriately.
When not only the resin but also the suspended matter is contained as the non-volatile component in the liquid L1 to be treated, the precipitated resin coagulates the suspended matter, and as a result, a substance which precipitates in the
In addition, the to-be-processed liquid L1 may contain water other than the above-mentioned organic solvent and non-volatile component.
次に、本実施形態に係る溶液処理方法について、図1を参照して説明する。なお、前記した本実施形態に係る溶液処理装置の動作も併せて説明する。
≪本実施形態に係る溶液処理方法≫
本実施形態に係る溶液処理方法は、第1気液分離工程と、第2気液分離工程と、を含む。
以下、各工程を説明する。Next, the solution processing method according to the present embodiment will be described with reference to FIG. The operation of the solution processing apparatus according to the above-described embodiment will also be described.
«Solution processing method according to the present embodiment»
The solution processing method according to the present embodiment includes a first gas-liquid separation step and a second gas-liquid separation step.
Each step will be described below.
<第1気液分離工程>
第1気液分離工程とは、被処理液L1を加熱し、蒸気を留出させるとともに、保持する濃縮液の一部を缶出させる工程である。
詳細には、第1気液分離工程では、第1気液分離容器11から缶出され、配管t2、t3を介して供給される濃縮液を、第1蒸発器12によって加熱し蒸発させる。そして、第1蒸発器12において発生させた蒸気G1と加熱された濃縮液とを配管t4を介して第1気液分離容器11に供給する。そして、第1気液分離容器11の気液分離器13によって気液分離された蒸気を容器の頂部から留出させ、配管t10を介して留出蒸気G4として外部に送出する。一方、第1気液分離容器11の気液分離器13によって凝縮され流下する濃縮液を容器の底部に所定量保持するとともに、底部から所定の流量で缶出させる。そして、この缶出させた濃縮液が第1蒸発器12および第2気液分離容器21に供給されることとなる。<First gas-liquid separation process>
The first gas-liquid separation step is a step in which the liquid to be treated L1 is heated to distill a vapor, and a part of the concentrated liquid to be held is decanted.
Specifically, in the first gas-liquid separation step, the concentrated liquid which is extracted from the first gas-
そして、この第1気液分離工程では、被処理液に含まれる不揮発性成分が析出しないように第1気液分離手段10を制御する。
具体的な第1気液分離工程での制御の内容について以下に例示するが、以下の内容に限定されない。Then, in the first gas-liquid separation step, the first gas-liquid separation means 10 is controlled so that non-volatile components contained in the liquid to be treated are not precipitated.
Although the content of the control in a specific 1st gas-liquid separation process is illustrated below, it is not limited to the following content.
まず、事前に、実機での条件を模した条件下において、対象となる被処理液L1を用いて蒸発濃縮試験を実施し、不揮発性成分の析出が始まる留出率(適宜「第1留出率」という)と濃縮液の温度(適宜「第1濃縮液温度」という)とを検査し、得られた第1留出率と第1濃縮液温度とを制御手段30の記憶部に記憶させる。
なお、事前の蒸発濃縮試験で不揮発性成分の析出する留出率が83%であった場合、当該数値よりも若干小さい値(例えば80%)を「第1留出率」に設定してもよく、不揮発性成分の析出する濃縮液温度が97.7℃であった場合、当該数値よりも若干小さい値(例えば97℃)を「第1濃縮液温度」に設定してもよい。First, the evaporative concentration test is carried out in advance using the liquid to be treated L1 under the conditions simulating the conditions of the actual machine, and the distillation rate at which the precipitation of the non-volatile component starts (the “first distillation Check the temperature of the concentrate (referred to as “first concentrate temperature” as appropriate), and store the obtained first distillation rate and first concentrate temperature in the storage unit of the control means 30. .
When the distillation rate at which the non-volatile component precipitates is 83% in the previous evaporation concentration test, a value slightly smaller than the value (for example, 80%) may be set as the "first distillation rate". If the temperature of the concentrate at which the non-volatile component precipitates is 97.7 ° C., a value slightly smaller than the value (eg, 97 ° C.) may be set as the “first concentrate temperature”.
第1気液分離工程では、流量計F1の被処理液L1の流量データ、流量計F2の濃縮液の流量データを制御手段30が読み出す。そして、制御手段30が、これらのデータに基づいて第1気液分離手段10の留出率を算出し、記憶部に記憶されている第1留出率と比較する。留出率が第1留出率以上となる場合は、バルブV1の開度のレベル(流路が開いている度合い)を大きくするという制御、バルブV3の開度のレベルを大きくするという制御のうちの少なくとも1つの制御を制御手段30が実施する。一方、算出された留出率が低過ぎる場合は、制御手段30が、前記の制御とは逆の制御を実施すればよい。
また、第1気液分離工程では、温度計T1の温度データを制御手段30が読み出す。そして、制御手段30が、読み出した濃縮液の温度と記憶部に記憶されている第1濃縮液温度とを比較する。濃縮液の温度が第1濃縮液温度以上となる場合は、第1蒸発器12の加熱温度を低くする(熱媒体Hの温度を低下する、熱媒体Hの流量を減少する)という制御、バルブV1の開度のレベルを大きくするという制御、バルブV3の開度のレベルを大きくするという制御のうちの少なくとも1つの制御を制御手段30が実施する。一方、濃縮液の温度が低過ぎる場合は、制御手段30が、前記の制御とは逆の制御を実施すればよい。
なお、制御手段30による制御(データの読み出し、比較、バルブ等の制御)のタイミングは、適宜、所定間隔または連続的に実施するという設定とすればよく、さらには、定常状態になった後に当該タイミングの間隔を広める(または、制御を停止する)といった設定であってもよい。この点については、以下の制御においても同様である。In the first gas-liquid separation step, the control means 30 reads out the flow rate data of the liquid to be treated L1 of the flow meter F1 and the flow rate data of the concentrate of the flow meter F2. Then, the control means 30 calculates the distillation rate of the first gas-liquid separation means 10 based on these data, and compares it with the first distillation rate stored in the storage unit. When the distillation rate is equal to or higher than the first distillation rate, control to increase the level of the opening degree of the valve V1 (degree of opening of the flow path) and control to increase the level of the opening degree of the valve V3 The control means 30 implements at least one of the controls. On the other hand, when the calculated distillation rate is too low, the control means 30 may perform control reverse to the control described above.
Further, in the first gas-liquid separation step, the control means 30 reads out temperature data of the thermometer T1. Then, the control means 30 compares the temperature of the read-out concentrate with the temperature of the first concentrate stored in the storage unit. Control to lower the heating temperature of the first evaporator 12 (decrease the temperature of the heat medium H, reduce the flow rate of the heat medium H) when the temperature of the concentrate becomes equal to or higher than the first concentrate temperature The control means 30 carries out at least one of the control of increasing the level of the opening degree of V1 and the control of increasing the level of the opening degree of the valve V3. On the other hand, when the temperature of the concentrate is too low, the control means 30 may perform control reverse to the control described above.
Note that the timing of control (data readout, comparison, control of valves, etc.) by the control means 30 may be appropriately set to a predetermined interval or continuously, and further, after being in a steady state, the timing may be set. The setting may be to widen the timing interval (or to stop the control). The same applies to the following control in this regard.
第1気液分離工程において、第1気液分離容器11での濃縮液の保持量を所定範囲内とする観点から、次のような制御を実施してもよい。
第1気液分離工程では、液面計S1の液面データを制御手段30が読み出す。そして、制御手段30が、このデータに基づいて第1気液分離容器11に保持されている濃縮液の量を算出し、記憶部に記憶されている所定の量(上限量、下限量)と比較する。算出した濃縮液の量が上限量に達した場合、バルブV3の開度のレベルを大きくするという制御、バルブV1の開度のレベルを小さくするという制御のうちの少なくとも1つの制御を制御手段30が実施する。また、算出した濃縮液の量が下限量に達した場合、前記の制御とは逆の制御を実施すればよい。In the first gas-liquid separation step, the following control may be performed from the viewpoint of setting the retention amount of the concentrate in the first gas-
In the first gas-liquid separation step, the control means 30 reads out the liquid level data of the liquid level gauge S1. Then, the control means 30 calculates the amount of the concentrate held in the first gas-
第1気液分離工程における前記した「留出率」とは、例えば、被処理液L1が1000kg/hで第1気液分離容器11に供給され、濃縮液が配管t5を介して200kg/hで第2気液分離容器21に供給されていた場合、80%(=(1000−200)/1000×100)と算出することができる。つまり、第1気液分離工程(第1気液分離手段10)の留出率は、流量計F1と流量計F2の流量データに基づいて算出することができる。
また、前記した「不揮発性成分の析出」という状態とは、被処理液L1が加熱されることによって析出した不揮発性成分が蒸発器や配管等の壁面に付着している状態である。言い換えると、蒸発器(第1蒸発器12、蒸発濃縮試験で使用する蒸発器)に不揮発性成分が析出し付着することによって、本来の蒸発器が示す総括伝熱係数(不揮発性成分が付着しておらず伝熱効率が全く低下していない状態の蒸発器の総括伝熱係数)から当該係数が10%以上低下した状態である。なお、蒸発器の性能を示す係数である総括伝熱係数Uは、「Q(交換熱量:kcal/hr)=U(総括伝熱係数:kcal/m2hr℃)×A(伝熱面積:m2)×ΔT(被加熱媒体と熱媒体との平均温度差:℃)」の式から算出することができる。The above-mentioned "distillation rate" in the first gas-liquid separation step means, for example, that the liquid L1 to be treated is supplied at 1000 kg / h to the first gas-
Further, the state of “deposition of non-volatile component” described above is a state in which non-volatile components deposited by heating the liquid to be treated L1 are attached to the wall surface of the evaporator, piping, and the like. In other words, the non-volatile components are deposited and deposited on the evaporator (the
<第2気液分離工程>
第2気液分離工程とは、第1気液分離工程で缶出された濃縮液を加熱し、蒸気を留出させるとともに、保持する濃縮液の一部を缶出させる工程である。
詳細には、第2気液分離工程では、第2気液分離容器21から缶出され、配管t6、t7を介して供給される濃縮液を、第2蒸発器22によって加熱し蒸発させる。そして、第2蒸発器22において発生させた蒸気G2を配管t8を介して第2気液分離容器21に供給する。そして、この蒸気を第2気液分離容器21の頂部から蒸気G3として留出させ、配管t9を介して第1気液分離容器11に供給する。<Second gas-liquid separation process>
The second gas-liquid separation step is a step of heating the concentrated solution drained in the first gas-liquid separation step to distill a vapor and partially discharging the retained concentrated solution.
Specifically, in the second gas-liquid separation step, the concentrated liquid which is extracted from the second gas-
そして、第2気液分離工程では、保持する濃縮液の温度が、留出率の上昇が停滞するような所定の温度以下となるように制御する。
具体的な第2気液分離工程での制御の内容について以下に例示するが、以下の内容に限定されない。Then, in the second gas-liquid separation step, the temperature of the retained concentrate is controlled to be equal to or lower than a predetermined temperature at which the increase in the distillation rate stagnates.
Although the content of the control in a specific 2nd gas-liquid separation process is illustrated below, it is not limited to the following content.
まず、事前に、実機での条件を模した条件下において、対象となる被処理液L1を用いて蒸発濃縮試験を実施し、留出率の上昇が停滞する温度(適宜「限界濃縮液温度」という)を検査し、得られた限界濃縮液温度を制御手段30の記憶部に記憶させる。
なお、事前の蒸発濃縮試験で留出率の上昇が停滞する温度が99.4℃であった場合、当該数値よりも若干小さい値(例えば99℃)を「限界濃縮液温度」に設定してもよい。First, the evaporative concentration test is performed in advance using the target liquid L1 to be treated under the conditions simulating the conditions of the actual machine, and the temperature at which the increase in the distillation rate stagnates (appropriately, “limit concentrate temperature” ) And store the obtained limit concentrate temperature in the storage unit of the control means 30.
If the temperature at which the increase in the distillation rate stagnates in the previous evaporative concentration test is 99.4 ° C, a value slightly smaller than the value (for example, 99 ° C) is set as the "limit concentrate temperature". It is also good.
第2気液分離工程では、温度計T2の温度データを制御手段30が読み出す。そして、制御手段30が、読み出した濃縮液の温度と記憶部に記憶されている限界濃縮液温度とを比較する。濃縮液の温度が限界濃縮液温度を超える場合は、バルブV5の開度のレベルを大きくするという制御、バルブV3の開度のレベルを大きくするという制御、第2蒸発器22の加熱温度を低くする(熱媒体Hの温度を低下する、熱媒体Hの流量を減少する)という制御のうちの少なくとも1つの制御を制御手段30が実施する。なお、濃縮液の温度が低過ぎる場合は、制御手段30が、前記の制御とは逆の制御を実施すればよい。
In the second gas-liquid separation step, the control means 30 reads out temperature data of the thermometer T2. Then, the control means 30 compares the temperature of the read-out concentrate with the limit concentrate temperature stored in the storage unit. When the temperature of the concentrate exceeds the limit concentrate temperature, the control to increase the level of the opening of the valve V5, the control to increase the level of the opening of the valve V3, the heating temperature of the
第2気液分離工程において、配管t11から濃縮液L2を外部に排出するにあたり、前記のような制御の下で常に所定量を排出するという構成でもよいが、以下のように、所定のタイミングで排出するという構成であってもよい。
具体的には、第2気液分離工程において、液面計S2の液面データを制御手段30が読み出す。そして、制御手段30が、このデータに基づいて第2気液分離容器21に保持されている濃縮液の量を算出し、記憶部に記憶されている所定の量(上限量、下限量)と比較する。算出した濃縮液の量が上限量に達したタイミングで、バルブV5を閉→開とする制御を実施し、下限量に達したタイミングで、バルブV5を開→閉とする制御を実施するという構成であってもよい。
また、第2気液分離工程において、温度計T2の温度データを制御手段30が読み出す。そして、制御手段30が、読み出した濃縮液の温度と記憶部に記憶されている限界濃縮液温度とを比較する。濃縮液の温度が限界濃縮液温度に達したタイミングで、バルブV5を閉→開とする制御を実施する。なお、バルブV5を開→閉とするタイミングは、前記のように、液面計S2の液面データに基づいて算出された濃縮液の量が下限量に達したタイミングとすればよい。In the second gas-liquid separation step, when the concentrate L2 is discharged from the pipe t11 to the outside, a predetermined amount may always be discharged under the control as described above, but as described below, it is performed at a predetermined timing. It may be configured to discharge.
Specifically, in the second gas-liquid separation step, the control means 30 reads out the liquid level data of the liquid level gauge S2. Then, the control means 30 calculates the amount of the concentrate held in the second gas-
Further, in the second gas-liquid separation step, the control means 30 reads out temperature data of the thermometer T2. Then, the control means 30 compares the temperature of the read-out concentrate with the limit concentrate temperature stored in the storage unit. At the timing when the temperature of the concentrate reaches the limit concentrate temperature, control is performed to close the valve V5 and open it. The timing when the valve V5 is changed from open to closed may be timing when the amount of concentrate calculated based on the liquid level data of the liquid level gauge S2 reaches the lower limit amount as described above.
(第2気液分離工程における濃縮液の流速)
第2気液分離工程において、第2蒸発器22内での濃縮液の流速は、析出した不揮発性成分を堆積させない流速、詳細には、0.5〜2.0m/s、好ましくは1m/s以上となるように制御する。
第2蒸発器22内での濃縮液の速度を所定値以上とすることにより、不揮発性成分が析出したとしても、第2蒸発器2内において析出成分が堆積するのを抑制できることから、接液箇所への析出成分の付着を非常に高いレベルで抑制することができる。
具体的には、次のような制御を実施する。(Flow rate of concentrate in second gas-liquid separation process)
In the second gas-liquid separation step, the flow rate of the concentrate in the
By setting the velocity of the concentrate in the
Specifically, the following control is performed.
第2気液分離工程では、流量計F3の流量データを制御手段30が読み出す。そして、制御手段30が、読み出した流量データから算出される第2蒸発器22内での濃縮液の流速と記憶部に記憶されている所定の流速(例えば前記した0.5m/s)とを比較する。濃縮液の流速が所定の流速未満となる場合は、ポンプP2の送液のレベルを強くするという制御を制御手段30が実施する。一方、濃縮液の流速が大き過ぎる場合は、制御手段30が、前記の制御とは逆の制御を実施すればよい。
なお、第2蒸発器22内での濃縮液の流速は、流量計F3の流量データと第2蒸発器22の濃縮液が流れる流通路の断面積から算出することができる。例えば、第2蒸発器22が多管式熱交換器であって濃縮液が複数の管内を流れる場合、各管の内側の断面積を合計して総断面積を算出し、流量データの値(m3/s)を当該総断面積(m2)で除することで、濃縮液の流速(m/s)を算出することができる。In the second gas-liquid separation step, the control means 30 reads out the flow rate data of the flow meter F3. Then, the
The flow rate of the concentrate in the
(第2気液分離工程における濃縮液の流速:沈降速度の算出式に基づく判断)
流体が層流のとき、粒子の密度ρp(kg/m3)、流体の密度ρf(kg/m3)、粒子の代表径dp(m)、重力加速度g(m/s2)、流体粘度η(Pa・s)とした場合、粒子の沈降速度V(m/s)は「V=(ρp−ρf)dp 2・g/(18η)」で表すことができる。
この式は、沈降速度を算出する式として公知の式であって、レイノルズ数が6未満の場合に適合する式であるが、特に、対象となる粒子の直径が1mm以下の場合に、よく適合する。
例えば、配管等での詰まりのトラブルを回避するために、直径が1mmを超える粒子をストレーナーで除外することを想定し、粒子の代表径を1mmと規定した場合、当該粒子の沈降速度は、流体の密度が1000kg/m3、粒子の密度が2000kg/m3、流体の粘度が0.01Pa・sとすると、約0.05m/sと算出できる。なお、この場合のレイノルズ数は、5.45となり6未満である。
よって、流体中における粒子の沈降速度(約0.05m/s)を考慮すると、この速度の10倍である流速(0.5m/s以上)で濃縮液を流すことによって、第2蒸発器22内における析出成分の堆積を防止できるとの前記した判断は妥当であることがわかる。(Flow rate of the concentrate in the second gas-liquid separation process: Judgment based on the formula for settling velocity)
When the fluid is laminar, the particle density 密度p (kg / m 3 ), the fluid density f f (kg / m 3 ), the typical particle diameter d p (m), the gravitational acceleration g (m / s 2 ) When the fluid viscosity η (Pa · s) is used, the sedimentation velocity V (m / s) of the particles can be represented by “V = (ρ p −ρ f ) d p 2 · g / (18))”.
This equation is a equation known as a equation for calculating the sedimentation velocity, and is an equation that is suitable when the Reynolds number is less than 6, but it is particularly suitable when the diameter of the target particles is 1 mm or less Do.
For example, assuming that particles larger than 1 mm in diameter are excluded with a strainer to avoid clogging problems in piping etc. and the representative diameter of the particles is defined as 1 mm, the sedimentation velocity of the particles is fluid Assuming that the density of 1000 kg / m 3 , the density of particles 2000 kg / m 3 , and the viscosity of the fluid 0.01 Pa · s, it can be calculated as about 0.05 m / s. The Reynolds number in this case is 5.45, which is less than six.
Therefore, when the sedimentation velocity of particles in the fluid (about 0.05 m / s) is taken into consideration, the
≪作用効果≫
以上のような本実施形態に係る溶液処理装置および溶液処理方法によれば、次のような作用効果を奏することができる。
本実施形態に係る溶液処理装置および溶液処理方法は、被処理液に含まれる不揮発性成分が析出しないように制御する第1気液分離手段(第1気液分離工程)と、接液箇所が不揮発性成分に対して耐付着性を呈する第2気液分離手段(第2気液分離工程)と、で気液分離処理を実施する。つまり、本実施形態に係る溶液処理装置および溶液処理方法は、2段階での気液分離処理を実施するだけでなく、第2気液分離手段(第2気液分離工程)において被処理液の不揮発性成分が析出するような高いレベルの条件で蒸発処理を実施しても、析出成分の付着に伴う処理効率の低下を抑制することができる。よって、本実施形態に係る溶液処理装置および溶液処理方法によると、被処理液の不揮発性成分が析出しても、優れた処理効率を発揮することができる。«Functional effect»
According to the solution processing apparatus and the solution processing method according to the present embodiment as described above, the following effects can be achieved.
In the solution processing apparatus and the solution processing method according to the present embodiment, a first gas-liquid separation unit (first gas-liquid separation step) that controls non-volatile components contained in the liquid to be treated not to be precipitated; The gas-liquid separation process is performed by the second gas-liquid separation means (second gas-liquid separation process) exhibiting adhesion resistance to the non-volatile components. That is, the solution processing apparatus and the solution processing method according to the present embodiment not only carry out the gas-liquid separation process in two steps, but also the liquid to be treated in the second gas-liquid separation means (second gas-liquid separation step). Even if the evaporation treatment is carried out under such a high level of conditions that the non-volatile component precipitates, it is possible to suppress the decrease in the treatment efficiency associated with the deposition of the precipitated components. Therefore, according to the solution processing apparatus and the solution processing method according to the present embodiment, excellent processing efficiency can be exhibited even if non-volatile components of the liquid to be treated are deposited.
≪変形例≫
以上、本実施形態に係る溶液処理装置および溶液処理方法について説明したが、本実施形態はこれに限定されず、例えば、次のように変更できる。«Modification»
As mentioned above, although the solution processing apparatus and the solution processing method which concern on this embodiment were demonstrated, this embodiment is not limited to this, For example, it can change as follows.
図1の溶液処理装置1Aでは、第1気液分離容器11と第1蒸発器12とを別体としたが、図2に示す溶液処理装置1Bのように、第1蒸発器102を第1気液分離容器101内に設置することで第1気液分離手段100を一体としてもよい。
なお、図2に示す第1気液分離手段100は、第1気液分離容器101の底部に保持される濃縮液を加熱できるように、内部を熱媒体Hが流通する伝熱管102(第1蒸発器102)を備える構成となっている。In the
The first gas-
前記のとおり、第2蒸発器22は、濃縮液を加熱し蒸発できる機器であれば特に限定されず、図2に示すようなプレート式熱交換器202(第2蒸発器202)であってもよい。
As described above, the
図1に示す第2気液分離手段20において、不揮発性成分の濃度が高くなることによって、濃縮液が固化し易い状態(または、粘度が高く流れにくい状態)となる可能性が高い。よって、第2気液分離手段20内の濃縮液を固化しないレベル(または、ポンプP2による送液が可能な粘度のレベル)まで加温する加温手段を設けてもよい。
なお、加温手段は、濃縮液が流通する箇所(詳細には、第2気液分離容器21の濃縮液が保持されている底部、および、配管t6、t7、t11)に対して外部から熱を加える機器であれば特に限定されず、加温箇所を熱媒体に浸すことができる熱溶媒収容タンクやヒーター等が挙げられる。In the second gas-liquid separation means 20 shown in FIG. 1, there is a high possibility that the concentrated liquid is likely to be solidified (or the viscosity is high and the flow is difficult to flow) by increasing the concentration of the non-volatile components. Therefore, you may provide the heating means heated to the level which does not solidify the concentrate in the 2nd gas-liquid separation means 20 (or the level of the viscosity which can be sent by pump P2).
The heating means is a heat from the outside with respect to the place where the concentrate flows (specifically, the bottom part where the concentrate of the second gas-
図1に示す第2蒸発器22の濃縮液に接する接液箇所が、不揮発性成分に対して耐付着性を呈する場合を説明したが、耐付着性を呈する箇所は、この接液箇所に限定されない。
例えば、第2気液分離手段20のうちの濃縮液が流通する箇所(詳細には、第2気液分離容器21の濃縮液が保持されている底部、および、配管t6、t7、t11)であって濃縮液に接する内側面についても、耐付着性を呈する構成としてもよい。
なお、第1蒸発器12内の接液箇所についても耐付着性を呈する構成としてもよいが、加工の費用が発生するとともに、第1蒸発器12における伝熱性が低下し、全体としての処理効率が若干低下してしまうと想定される。Although the case where the wetted part in contact with the concentrated liquid of the
For example, at the place where the concentrate flows in the second gas-liquid separation means 20 (specifically, the bottom part of the second gas-
In addition, although it is good also as a structure which exhibits adhesion resistance also about the liquid contact location in the
図1に示す第2気液分離容器21に保持されている濃縮液の量に基づいてバルブV5を制御する構成を説明したが、濃縮液の液面の変化速度(液面が上昇する速度)に基づいてバルブ5を制御するという構成であってもよい。
例えば、液面計S2の液面データを制御手段30が読み出す。そして、制御手段30が、読み出した液面データから算出される第2蒸発器22内での濃縮液の液面の変化速度と記憶部に記憶されている所定の速度とを比較する。濃縮液の液面の変化速度が所定の速度未満となるタイミングで、バルブV5を閉→開とする制御を実施するという構成であってもよい。Although the configuration for controlling the valve V5 based on the amount of the concentrate held in the second gas-
For example, the control means 30 reads out the liquid level data of the liquid level gauge S2. Then, the control means 30 compares the rate of change of the liquid level of the concentrate in the
被処理液L1に含まれる不揮発性成分(フォトレジスト)が、硫黄原子を含む成分、例えば、感光剤である1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル(NQD)系化合物からなるレジスト等である場合、第2気液分離容器21において、以下に示すように「不揮発性成分量」や「粘度」を測定する構成としてもよい。
第2気液分離容器21の濃縮液に含まれるNQD系化合物(不揮発性成分)の測定は、蛍光X線硫黄分析装置を用いて得られるデータから算出することができる。ここで、硫黄原子は蛍光X線の照射によって、約2.3keVのエネルギーの蛍光X線を放出することから、スペクトルの中から、硫黄原子によるX線量を計測することで、硫黄濃度の定量分析を行うことができる。そして、硫黄濃度の定量分析の結果とあらかじめ作成した検量線とに基づいて、第2気液分離容器21の濃縮液中の「不揮発性成分量」や「粘度」を算出することができる。
なお、このような測定を行う場合は、第2気液分離容器21の下部に、濃縮液の一部を抜き取り・返送する配管を設けるとともに、当該配管内にT字継手とバルブを設け、当該T字綱手に蛍光X線硫黄分析装置に供給する配管を繋ぐことで、連続的に測定できる構成とすることができる。
そして、第2気液分離容器21の濃縮液を測定して得られた「不揮発性成分量」や「粘度」に基づいて、バルブV5を制御するという構成(不揮発性成分量が所定量以上となるタイミング、又は、粘度が所定値以上となるタイミングでバルブV5を閉→開)としてもよい。When the non-volatile component (photoresist) contained in the liquid L1 to be treated is a component containing a sulfur atom, for example, a resist comprising a 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester (NQD) compound which is a photosensitizer In the second gas-
The measurement of the NQD-based compound (nonvolatile component) contained in the concentrated liquid of the second gas-
In addition, when performing such a measurement, while providing piping which extracts and returns a part of concentrates in the lower part of the 2nd gas-
Then, the valve V5 is controlled based on the “nonvolatile component amount” and the “viscosity” obtained by measuring the concentrate in the second gas-liquid separation container 21 (when the nonvolatile component amount is a predetermined amount or more Alternatively, the valve V5 may be closed → open at timing when the viscosity becomes equal to or higher than a predetermined value.
次に、本発明の実施例について説明する。 Next, examples of the present invention will be described.
≪実施例1≫
(被処理液)
水分5質量%、モノエタノールアミン28.2質量%、ジエチレングリコールモノブチルエーテル65.8質量%、不揮発性成分であるフォトレジスト1質量%からなる被処理液を準備した。Example 1
(Liquid to be treated)
A liquid to be treated comprising 5% by mass of water, 28.2% by mass of monoethanolamine, 65.8% by mass of diethylene glycol monobutyl ether, and 1% by mass of a photoresist as a nonvolatile component was prepared.
(事前試験)
前記の被処理液を2kPaabsという圧力条件下において蒸発濃縮試験(事前試験)を実施し、留出率、不揮発性成分濃度(留出液中)、濃縮液温度(沸点)を確認した。また、この試験中において不揮発性成分の析出が開始するタイミングを確認するとともに、留出率の上昇が停滞するタイミングを蒸発限界と認定した。
この事前試験の結果を図3A〜Cに示す。(Preliminary examination)
The liquid to be treated was subjected to an evaporation concentration test (preliminary test) under a pressure condition of 2 kPaabs, and the distillation rate, the concentration of nonvolatile components (in the distillate) and the temperature of the concentrate (boiling point) were confirmed. In addition, while confirming the timing when precipitation of the non-volatile component starts during this test, the timing at which the increase in the distillation rate stagnates was identified as the evaporation limit.
The results of this pre-test are shown in Figures 3A-C.
(事前試験:結果)
事前試験では、留出率が83%で濃縮液温度の上昇が停滞し、このタイミングで不揮発性成分の析出が確認できた。そして、留出率83%での濃縮液温度は97.7℃であった。
また、留出率は95%で停滞することが確認できた。そして、留出率95%での濃縮液温度は99.4℃であった。
以上の結果から、本試験での第1気液分離工程における「第1留出率」を80%、「第1濃縮液温度」を97℃に設定し、第2気液分離工程における「限界濃縮液温度」を99℃に設定した。(Pre-test: results)
In the preliminary test, the distillation rate was 83%, and the rise in temperature of the concentrate stagnated, and at this timing, the precipitation of the non-volatile components could be confirmed. And the concentrate temperature at a distillation rate of 83% was 97.7 ° C.
It was also confirmed that the distillation rate stagnated at 95%. And, the liquid temperature at a distillation rate of 95% was 99.4 ° C.
From the above results, the “first distillation rate” in the first gas-liquid separation step in this test is set to 80%, the “first concentrate temperature” is set to 97 ° C., and the “limit in the second gas-liquid separation step is The concentrate temperature "was set to 99 ° C.
(本試験:溶液処理装置)
実施例1の本試験では、図1に示す溶液処理装置1Aを用いた。そして、第2蒸発器22である多管式熱交換器の接液箇所(熱媒体Hにより加熱される管の内壁の伝熱面)は、表面粗さが当初0.7μmであったものを0.1μmまで電解研磨を施した。(Main test: solution processing device)
In this test of Example 1, the
(本試験:制御)
溶液処理装置1Aの制御については、定常状態において、第1気液分離容器11の留出率が「第1留出率」の80%以下、第1気液分離容器11に保持されている濃縮液の温度が「第1濃縮液温度」の97℃以下となるように、第1蒸発器12の加熱温度とバルブV1、V2、V3の開閉のレベルとを設定(制御)した。加えて、第1気液分離容器11に保持されている濃縮液の量が所定量を超えないように監視した。
また、溶液処理装置1Aの制御については、定常状態において、第2気液分離容器21に保持されている濃縮液の温度が「限界濃縮液温度」の99℃に達したタイミングでバルブV5を開き、所定の液面高さまで濃縮液を抜き出すという制御を実施した。
そして、第2蒸発器22内での濃縮液の流速が0.5m/sとなるように、ポンプP2の流量を設定した。(Main test: control)
Regarding control of the
Further, with regard to control of the
Then, the flow rate of the pump P2 was set such that the flow rate of the concentrate in the
(本試験:結果)
実施例1の本試験によると、最終的な留出率(=留出蒸気G4量/被処理液L1量×100)を95%まで高めることができた。また、有機溶媒の回収率(=留出蒸気G4中の有機溶媒量/被処理液L1中の有機溶媒量×100)は、96%であった。また、外部に排出する濃縮液L2中の不揮発性成分の濃度は20質量%であった。
そして、実施例1の本試験の処理時間内(約1000時間)において、第2蒸発器22の接液箇所における析出した不揮発性成分の固着は確認できなかった。
以上の結果から、実施例1に係る溶液処理装置および溶液処理方法によると、優れた処理効率を発揮することができることが確認できた。(Main examination: Results)
According to the main test of Example 1, the final distillation rate (= distilled vapor G4 amount / liquid L1 amount × 100) could be increased to 95%. Further, the recovery rate of the organic solvent (= the amount of the organic solvent in the distillate vapor G4 / the amount of the organic solvent in the liquid to be treated L1 × 100) was 96%. Moreover, the density | concentration of the non-volatile component in the concentrate L2 discharged | emitted outside was 20 mass%.
And within the processing time (about 1000 hours) of the main test of Example 1, fixation of the deposited non-volatile component in the wet part of the
From the above results, according to the solution processing apparatus and the solution processing method according to Example 1, it was confirmed that excellent processing efficiency can be exhibited.
≪実施例2≫
実施例2については、前記した実施例1と異なる点のみを以下に示す。Example 2
About Example 2, only a different point from Example 1 mentioned above is shown below.
(本試験:制御)
溶液処理装置1Aの制御については、第2気液分離容器21に保持されている濃縮液の温度に基づく制御を実施しなかった。その代わりに、第2気液分離容器21に保持されている濃縮液の液面の変化速度(液面の上昇速度)に基づいて、バルブV5の制御を実施した。具体的には、濃縮液の液面の変化速度が顕著に遅くなったタイミングでバルブV5を開き、所定の液面高さまで濃縮液を抜き出した。(Main test: control)
The control based on the temperature of the concentrate held in the second gas-
(本試験:結果)
実施例2の本試験によると、最終的な留出率を94%まで高めることができた。また、外部に排出する濃縮液L2中の不揮発性成分の濃度は17質量%であった。
そして、実施例2の本試験の処理時間内(約1000時間)において、第2蒸発器22の接液箇所における析出した不揮発性成分の固着は確認できなかった。
以上の結果から、実施例2に係る溶液処理装置および溶液処理方法によると、優れた処理効率を発揮することができることが確認できた。(Main examination: Results)
According to the test of Example 2, the final distillation rate could be increased to 94%. Moreover, the density | concentration of the non-volatile component in the concentrate L2 discharged | emitted outside was 17 mass%.
And in the processing time (about 1000 hours) of the main test of Example 2, fixation of the deposited non-volatile component in the wet part of the
From the above results, it was confirmed that the solution processing apparatus and the solution processing method according to Example 2 can exhibit excellent processing efficiency.
≪比較例1≫
比較例1については、前記した実施例1と異なる点のみを以下に示す。«Comparative Example 1»
About the comparative example 1, only a different point from Example 1 mentioned above is shown below.
(本試験:溶液処理装置)
比較例1の第2蒸発器22である多管式熱交換器の接液箇所(熱媒体Hにより加熱される管の内壁の伝熱面)は、表面粗さが当初の0.7μmのままであった。(Main test: solution processing device)
The surface roughness of the wetted portion (heat transfer surface of the inner wall of the tube heated by the heat medium H) of the multitubular heat exchanger, which is the
(本試験:結果)
比較例1の本試験によると、留出率が85%を超えた時点でポンプP2の圧力が上がり始めたため、装置の運転を停止した。その後、第2蒸発器22である多管式熱交換器の接液箇所(熱媒体Hにより加熱される管の内壁の伝熱面)を確認したところ、析出した不揮発性成分が固着しており、濃縮液が流れなくなっていた。(Main examination: Results)
According to the main test of Comparative Example 1, since the pressure of the pump P2 started to rise when the distillation rate exceeded 85%, the operation of the apparatus was stopped. After that, when the liquid contact point (heat transfer surface of the inner wall of the tube heated by the heat medium H) of the multi-tubular heat exchanger which is the
≪実施例3≫
(被処理液)
被処理液としては、イソプロピルアルコール−エチルベンゼンの有機溶媒に、半導体集積回路の製造工程で発生する無機粒子(懸濁物質)と樹脂とを含有した溶液を準備した。
なお、被処理液に含まれる不揮発性成分(無機粒子と樹脂との合計)の濃度は、3質量%であったが、ろ過フィルターを使用して溶解している不揮発性成分(樹脂)を検査したところ、被処理液に含まれる樹脂の濃度は、0.3質量%であることを確認した。Example 3
(Liquid to be treated)
As a to-be-processed liquid, the solution which contained the inorganic particle (suspension substance) and resin which generate | occur | produce at the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit in the organic solvent of isopropyl alcohol ethylbenzene was prepared.
In addition, although the density | concentration of the non-volatile component (total of an inorganic particle and resin) contained in to-be-processed liquid was 3 mass%, the non-volatile component (resin) which is melt | dissolving using a filtration filter is test | inspected As a result, it was confirmed that the concentration of the resin contained in the liquid to be treated was 0.3% by mass.
(事前試験)
前記の被処理液を常圧という圧力条件下において第1蒸発濃縮試験(事前試験)を実施し、留出率、不揮発性成分濃度(留出液中)、濃縮液温度(沸点)を確認した。また、この試験中おいて不揮発性成分の析出が開始するタイミングを確認した。
また、前記した第1蒸発濃縮試験において留出率60%として得られた濃縮液を用いるとともに、接液箇所がフッ素樹脂でコーティングされた蒸発器を用いて第2蒸発濃縮試験を実施し、濃縮液の流動性が確保できないタイミングを蒸発限界と認定した。
この第1蒸発濃縮試験の結果を図4A〜Cに示す。(Preliminary examination)
The first evaporation and concentration test (preliminary test) was carried out under the pressure condition of normal pressure for the liquid to be treated, and the distillation rate, non-volatile component concentration (in the distillate), and concentrated liquid temperature (boiling point) were confirmed. . Moreover, the timing which precipitation of a non-volatile component started during this test was confirmed.
Moreover, while using the concentrate obtained as
The results of this first evaporation concentration test are shown in Figures 4A-C.
(事前試験:結果)
第1蒸発濃縮試験では、留出率が64%のタイミングで不揮発性成分の析出が確認できた。そして、留出率が64%のタイミングでの濃縮液温度は91.7℃であった。
また、第2蒸発濃縮試験では、濃縮液の粘度が0.3Pa・sを超えると流動性が悪化し、配管摩擦等の圧力損失上昇によってポンプの能力や配管のサイズで特定される所定条件下での流動性が確保できなくなるが、濃縮液の不揮発性成分濃度が23質量%以下であれば一定以上の流動性が確保できることが確認できた。そして、濃縮液の不揮発性成分濃度が23質量%のときの留出率は85%であった。
以上の結果から、本試験での第1気液分離工程における「第1留出率」を60%、「第1濃縮液温度」を90℃に設定した。また、本試験での第2気液分離工程における「限界濃縮液温度」を濃縮液の粘度が0.3Pa・sとなる温度である100℃に設定した。(Pre-test: results)
In the first evaporation concentration test, precipitation of the non-volatile components could be confirmed at a timing when the distillation rate was 64%. The concentrate temperature was 91.7 ° C. when the distillation rate was 64%.
Furthermore, in the second evaporation concentration test, when the viscosity of the concentrate exceeds 0.3 Pa · s, the flowability is degraded, and the predetermined conditions specified by the capacity of the pump and the size of the pipe due to increase in pressure loss such as pipe friction However, it has been confirmed that if the concentration of the non-volatile component in the concentrate is 23% by mass or less, the flowability above a certain level can be ensured. The distillation rate was 85% when the concentration of the non-volatile component in the concentrate was 23% by mass.
From the above results, the “first distillation rate” in the first gas-liquid separation step in the present test was set to 60%, and the “first concentrate temperature” was set to 90 ° C. In addition, the “limit concentrate temperature” in the second gas-liquid separation step in this test was set to 100 ° C., which is the temperature at which the viscosity of the concentrate becomes 0.3 Pa · s.
(本試験:溶液処理装置)
実施例3の本試験では、図2に示す溶液処理装置1Bを用いた。そして、第2蒸発器202であるプレート式熱交換器の接液箇所(熱媒体Hにより加熱されるプレートの内壁の伝熱面)には、厚さが20μmのフッ素樹脂層を被覆した。(Main test: solution processing device)
In this test of Example 3, a
(本試験:制御)
溶液処理装置1Bの制御については、定常状態において、第1気液分離容器101の留出率が「第1留出率」の60%以下、第1気液分離容器101に保持されている濃縮液の温度が「第1濃縮液温度」の90℃以下となるように、第1蒸発器102の加熱温度とバルブV1、V2、V3の開閉のレベルとを設定(制御)した。加えて、第1気液分離容器11に保持されている濃縮液の量が所定量を超えないように監視した。
また、溶液処理装置1Bの制御については、定常状態において、第2気液分離容器201に保持されている濃縮液の温度が「限界濃縮温度」の100℃以下となるように各バルブの開閉レベルを設定(制御)した。
そして、第2蒸発器202内での濃縮液の流速が0.5m/sとなるように、ポンプP12の流量を設定(制御)した。(Main test: control)
Regarding control of the
Further, with regard to control of the
Then, the flow rate of the pump P12 was set (controlled) such that the flow rate of the concentrate in the
(本試験:結果)
実施例3の本試験によると、留出率を85%まで高めることができた。
そして、実施例3の本試験の処理時間内(約2000時間)において、第2蒸発器202の接液箇所における析出した不揮発性成分の固着が僅かに確認できたものの、処理能力が低下することなく試験を終了することができた。
以上の結果から、実施例3に係る溶液処理装置および溶液処理方法によると、優れた処理効率を発揮することができることが確認できた。(Main examination: Results)
According to this test of Example 3, the distillation rate could be increased to 85%.
Then, within the processing time (about 2000 hours) of the main test of Example 3, although the fixation of the non-volatile component deposited at the wetted part of the
From the above results, it was confirmed that the solution processing apparatus and the solution processing method according to Example 3 can exhibit excellent processing efficiency.
≪比較例2≫
比較例2については、前記した実施例3と異なる点のみを以下に示す。«Comparative Example 2»
About the comparative example 2, only a different point from Example 3 mentioned above is shown below.
(本試験:制御)
第2蒸発器202内での濃縮液の流速が0.1m/sとなるように、ポンプP12の流量を設定(制御)した。(Main test: control)
The flow rate of the pump P12 was set (controlled) such that the flow rate of the concentrate in the
(本試験:結果)
比較例2の本試験によると、ポンプP12の圧力が徐々に上昇してしまったため、装置の運転を停止した。装置の停止後、第2蒸発器202を確認したところ、プレート式熱交換器202の溶液供給側から最も離れた接液箇所において、析出成分は付着していないものの堆積することによって流路の一部が塞がれていたことが確認できた。
なお、比較例2で使用した被処理液は、粘度や密度は低いものの、懸濁物質(平均粒子径0.18μm)を含んでいたことにより、加熱途中で析出した樹脂が懸濁物質を同士を凝集させ、凝集した懸濁物質が沈降し堆積してしまったものと想定される。(Main examination: Results)
According to the main test of Comparative Example 2, since the pressure of the pump P12 gradually increased, the operation of the apparatus was stopped. After stopping the apparatus, when the
Although the liquid to be treated used in Comparative Example 2 had low viscosity and density, the resin deposited in the middle of heating contained suspended substances (average particle diameter: 0.18 μm). It is assumed that the flocculated suspended matter has sedimented and deposited.
1A、1B 溶液処理装置
10、100 第1気液分離手段
11、101 第1気液分離容器
12、102 第1蒸発器
13、103 気液分離器
20、200 第2気液分離手段
21、201 第2気液分離容器
22、202 第2蒸発器
30、300 制御手段
40 固体除去手段
L1 被処理液
L2 濃縮液
G4 留出蒸気
F 流量計
S 液面計
T 温度計
V バルブ
t 配管1A, 1B
Claims (8)
被処理液を加熱し、蒸気を留出させるとともに、保持する濃縮液の一部を缶出させる第1気液分離手段と、
前記第1気液分離手段から缶出する濃縮液を加熱し、蒸気を留出させるとともに、保持する濃縮液の一部を缶出させる第2気液分離手段と、
前記第1気液分離手段において被処理液に含まれる不揮発性成分が析出しないように、前記第1気液分離手段を制御する制御手段と、を備え、
前記第2気液分離手段の濃縮液を加熱する箇所であるとともに濃縮液に接する接液箇所が、不揮発性成分に対して耐付着性を呈し、
前記制御手段は、被処理液に含まれる不揮発性成分の析出が始まる留出率よりも低い留出率となるように前記第1気液分離手段の留出率を制御することを特徴とする溶液処理装置。 A solution processing apparatus for separating an organic solvent as distillate vapor from a liquid to be treated containing an organic solvent and a non-volatile component,
A first gas-liquid separation unit that heats the liquid to be treated, distills off the vapor, and can partially release the concentrated liquid to be held;
A second gas-liquid separation unit that heats the concentrate discharged from the first gas-liquid separation unit to distill a vapor and allows a part of the retained concentrate to be drained;
Control means for controlling the first gas-liquid separation means such that non-volatile components contained in the liquid to be treated are not precipitated in the first gas-liquid separation means;
Wetted portion in contact with the concentrate as well as a portion for heating the concentrated liquid of the second gas-liquid separation means, and coloration of the anti-adhesive properties with respect to non-volatile components,
The control means controls the distillation rate of the first gas-liquid separation means so as to obtain a distillation rate lower than a distillation rate at which precipitation of the non-volatile components contained in the liquid to be treated starts. Solution processing equipment.
前記制御手段は、前記所定の流速が、析出した不揮発性成分を堆積させない流速となるように前記ポンプを制御することを特徴とする請求項1に記載の溶液処理装置。 A pump for feeding the concentrate inside the second gas-liquid separation means at a predetermined flow rate,
2. The solution processing apparatus according to claim 1, wherein the control means controls the pump such that the predetermined flow rate is a flow rate at which the deposited non-volatile component is not deposited.
被処理液を加熱し、蒸気を留出させるとともに、保持する濃縮液の一部を缶出させる第1気液分離工程と、
前記第1気液分離工程で缶出された濃縮液を加熱し、蒸気を留出させるとともに、保持する濃縮液の一部を缶出させる第2気液分離工程と、を含み、
前記第1気液分離工程において、被処理液に含まれる不揮発性成分が析出しないように制御し、
前記第2気液分離工程において、濃縮液を加熱する箇所であるとともに濃縮液に接する接液箇所が、不揮発性成分に対して耐付着性を呈し、
前記第1気液分離工程における留出率を、被処理液に含まれる不揮発性成分の析出が始まる留出率よりも低い留出率とすることを特徴とする溶液処理方法。 A solution processing method for separating an organic solvent as distillate vapor from a liquid to be treated containing an organic solvent and a non-volatile component,
A first gas-liquid separation step of heating the liquid to be treated and distilling off the vapor, and partially releasing the retained concentrate;
And heating the concentrated solution in the first gas-liquid separation step to distill a vapor and a second gas-liquid separation step in which a portion of the retained concentrate is decanted.
In the first gas-liquid separation step, control is performed so that non-volatile components contained in the liquid to be treated are not precipitated,
In the second gas-liquid separation step, wetted portion in contact with the concentrate as well as a portion for heating the concentrate, and coloration of the anti-adhesive properties with respect to non-volatile components,
A solution processing method characterized in that a distillation rate in the first gas-liquid separation step is a distillation rate lower than a distillation rate at which precipitation of non-volatile components contained in the liquid to be treated starts .
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018135208 | 2018-07-18 | ||
JP2018135208 | 2018-07-18 | ||
PCT/JP2018/040901 WO2020017070A1 (en) | 2018-07-18 | 2018-11-02 | Solution processing device and solution processing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6514426B1 true JP6514426B1 (en) | 2019-05-15 |
JPWO2020017070A1 JPWO2020017070A1 (en) | 2020-07-27 |
Family
ID=66530803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019509001A Active JP6514426B1 (en) | 2018-07-18 | 2018-11-02 | Solution processing apparatus and solution processing method |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6514426B1 (en) |
KR (1) | KR102047217B1 (en) |
CN (1) | CN110536730B (en) |
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- 2018-11-02 JP JP2019509001A patent/JP6514426B1/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110536730A (en) | 2019-12-03 |
JPWO2020017070A1 (en) | 2020-07-27 |
KR102047217B1 (en) | 2019-11-20 |
CN110536730B (en) | 2021-12-03 |
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