JP6511146B2 - Method of manufacturing cured film, method of manufacturing interlayer insulating film for rewiring layer, and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

Method of manufacturing cured film, method of manufacturing interlayer insulating film for rewiring layer, and method of manufacturing semiconductor device Download PDF

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Description

本発明は、硬化膜の製造方法、再配線層用層間絶縁膜の製造方法、および、半導体デバイスの製造方法に関する。特に、ポリイミド前駆体およびポリベンオキサゾール前駆体から選択される複素環含有ポリマー前駆体を用いた硬化膜の製造方法に関する。   The present invention relates to a method of manufacturing a cured film, a method of manufacturing an interlayer insulating film for redistribution layers, and a method of manufacturing a semiconductor device. In particular, the present invention relates to a method for producing a cured film using a heterocycle-containing polymer precursor selected from a polyimide precursor and a polyben oxazole precursor.

ポリイミドやポリベンゾオキサゾールなどの環化して硬化する熱硬化性樹脂は、耐熱性および絶縁性に優れるため、半導体デバイスの絶縁層などに用いられている。   Thermosetting resins such as polyimide and polybenzoxazole that cure and cure are excellent in heat resistance and insulation, and thus are used in the insulating layer of semiconductor devices and the like.

また、ポリイミド等は、溶媒への溶解性が低いため、環化反応前の前駆体(複素環含有ポリマー前駆体)の状態で使用し、基板などに適用した後、加熱して複素環含有ポリマー前駆体を環化して硬化膜を形成することが行われている。   In addition, since polyimide and the like have low solubility in a solvent, they are used in the state of a precursor (heterocycle-containing polymer precursor) before the cyclization reaction, and after application to a substrate and the like, the heterocycle-containing polymer is heated. It has been practiced to cyclize the precursor to form a cured film.

ここで、特許文献1には、ポリイミド前駆体と、熱により塩基を発生する熱塩基発生剤と、溶媒とを含有するポリイミド前駆体組成物であって、ポリイミド前駆体は、下記式(1)の繰り返し単位を有するポリアミド酸であり、 熱塩基発生剤は、200℃以下の温度で加熱することにより熱分解を起こして2級アミンが発生する中性化合物である、ポリイミド前駆体組成物が開示されている。
(式中、Xは4価の有機基を表し、Yは2価の有機基を表し、−COOH基は、それぞれ−CONH基と互いにオルト位置にある。)
Here, Patent Document 1 is a polyimide precursor composition containing a polyimide precursor, a thermal base generator that generates a base by heat, and a solvent, and the polyimide precursor has the following formula (1): Disclosed is a polyimide precursor composition, which is a polyamide acid having a repeating unit of the following: a thermal base generator is a neutral compound which is thermally decomposed by heating at a temperature of 200 ° C. or less to generate a secondary amine. It is done.
(Wherein, X represents a tetravalent organic group, Y represents a divalent organic group, and each —COOH group is in an ortho position relative to the —CONH group)

また、特許文献2には、ポリアミック酸と、ポリアニリンと、ポリアニリンを導電化させるドーパントと、溶媒と、塩基性添加剤とを含有してなることを特徴とする、ポリアミック酸組成物が開示されている。   Patent Document 2 discloses a polyamic acid composition comprising a polyamic acid, polyaniline, a dopant for making the polyaniline conductive, a solvent, and a basic additive. There is.

特開2007−056196号公報Japanese Patent Application Publication No. 2007-056196 特開2007−056182号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-056182

ところで、複素環含有ポリマー前駆体を環化して得られる硬化膜を再配線層用層間絶縁膜等に用いる場合、硬化膜の耐腐食性および耐薬品性が問題となる。しかしながら、本発明者が検討したところ、特許文献1および特許文献2の実施例に記載の硬化膜では、耐腐食性および耐薬品性に劣ることが分かった。
本発明は、上記課題を解決することを目的とし、耐腐食性および耐薬品性に優れた硬化膜を製造する方法を提供する。また、上記硬化膜の製造方法を含む、再配線層用層間絶縁膜の製造方法、および、半導体デバイスの製造方法に関する。
When a cured film obtained by cyclizing a heterocycle-containing polymer precursor is used as an interlayer insulating film for a rewiring layer or the like, the corrosion resistance and chemical resistance of the cured film become problems. However, when the inventors examined, the cured films described in the examples of Patent Document 1 and Patent Document 2 were found to be inferior in corrosion resistance and chemical resistance.
This invention aims at solving the said subject, and provides the method of manufacturing the cured film excellent in corrosion resistance and chemical resistance. The present invention also relates to a method of manufacturing an interlayer insulating film for a redistribution layer and a method of manufacturing a semiconductor device, the method including the method of manufacturing the cured film.

かかる状況のもと、本発明者が検討を行った結果、硬化膜のアミン量が所定の範囲となるように製造することにより、耐腐食性および耐薬品性に優れた硬化膜を提供可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、以下の手段により、上記課題は解決された。
<1>ポリイミド前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体の少なくとも1種と、アミン発生剤を含む組成物からなる層を、最高加熱温度250℃以下の温度で加熱することを含む、アミン含有量が50〜5,000ppmの硬化膜の製造方法。
<2>上記アミン発生剤が、光アミン発生剤および熱アミン発生剤の少なくとも1種である、<1>に記載の硬化膜の製造方法。
<3>上記アミン発生剤が、熱アミン発生剤である、<1>または<2>に記載の硬化膜の製造方法。
<4>上記組成物が、共役酸のpKa8以上のアミンを含まない、<1>〜<3>のいずれかに記載の硬化膜の製造方法。
<5>上記加熱を、20〜150℃の温度から上記最高加熱温度まで1〜10℃/分の昇温速度で行う、<1>〜<4>のいずれかに記載の硬化膜の製造方法。
<6>上記加熱を、上記昇温速度で行い、最高加熱温度に到達した後、60〜240分間加熱を行う、<5>に記載の硬化膜の製造方法。
<7>上記組成物が、上記アミン発生剤を、ポリイミド前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体の合計量に対し、0.01〜45質量%の割合で含む、<1>〜<6>のいずれかに記載の硬化膜の製造方法。
<8>上記ポリイミド前駆体が下記一般式(2)で表され、上記ポリベンゾオキサゾール前駆体が下記一般式(3)で表される、<1>〜<7>のいずれかに記載の硬化膜の製造方法;
一般式(2)
一般式(2)中、AおよびAは、それぞれ独立に、酸素原子またはNHを表し、R111は、2価の有機基を表し、R115は、4価の有機基を表し、R113およびR114は、それぞれ独立に、水素原子または1価の有機基を表す;
一般式(3)
一般式(3)中、R121は、2価の有機基を表し、R122は、4価の有機基を表し、R123およびR124は、それぞれ独立に、水素原子または1価の有機基を表す。
<9>一般式(2)において、AおよびAの少なくとも一方が、酸素原子であり、R113およびR114のうち、隣接するAおよびAが酸素原子であるR113およびR114が、1価の有機基を表すか、または、
一般式(3)において、R121が直鎖状の脂肪族基である、<8>に記載の硬化膜の製造方法。
<10>上記最高加熱温度が、160〜250℃である、<1>〜<9>のいずれかに記載の硬化膜の製造方法。
<11>上記硬化膜のアミン含有量が、500〜2,000ppmである、<1>〜<10>のいずれかに記載の硬化膜の製造方法。
<12>上記組成物が、さらに、架橋剤を含む、<1>〜<11>のいずれかに記載の硬化膜の製造方法。
<13>上記架橋剤の分子量が、100〜800である、<12>に記載の硬化膜の製造方法。
<14>上記アミン発生剤が、40〜250℃に加熱するとアミンを発生する酸性化合物、および、pKa1が0〜4のアニオンとアンモニウムカチオンとを有するアンモニウム塩から選ばれる少なくとも1種である、<1>〜<13>のいずれかに記載の硬化膜の製造方法。
<15>上記酸性化合物が、40〜250℃に加熱するとアミンを発生する化合物である、<14>に記載の硬化膜の製造方法。
<16>上記酸性化合物が、アンモニウムカチオンとカルボン酸アニオンとの塩である、<14>または<15>に記載の硬化膜の製造方法。
<17><1>〜<16>のいずれかに記載の硬化膜の製造方法を含む、再配線層用層間絶縁膜の製造方法。
<18><1>〜<16>のいずれかに記載の硬化膜の製造方法を含む、半導体デバイスの製造方法。
<19><1>〜<16>のいずれかに記載の硬化膜の製造方法で得られた、硬化膜。
<20><1>〜<16>のいずれかに記載の硬化膜の製造方法で得られた、半導体デバイス。
Under these circumstances, as a result of investigation conducted by the present inventor, it is possible to provide a cured film excellent in corrosion resistance and chemical resistance by manufacturing so that the amount of amine in the cured film is within a predetermined range. It has been found that the present invention has been completed. Specifically, the above problems are solved by the following means.
The amine content is 50 including heating the layer which consists of a composition containing at least 1 sort (s) of a polyimide precursor and a polybenzoxazole precursor, and an amine generator at the temperature of 250 degrees C or less of maximum heating temperature Method of producing a cured film of ~ 5,000 ppm.
<2> The method for producing a cured film according to <1>, wherein the amine generator is at least one of a photoamine generator and a thermal amine generator.
The manufacturing method of the cured film as described in <1> or <2> whose <3> above-mentioned amine generator is a thermal amine generator.
The manufacturing method of the cured film in any one of <1>-<3> in which the <4> above-mentioned composition does not contain the amine more than pKa8 of a conjugate acid.
The manufacturing method of the cured film in any one of <1>-<4> which performs <5> said heating at the temperature increase rate of 1 to 10 degree C / min from the temperature of 20-150 degreeC to the said maximum heating temperature .
The manufacturing method of the cured film as described in <5> which heats for 60 to 240 minutes after performing <6> the said heating at the said temperature increase rate and reaching maximum heating temperature.
Any one of <1>-<6> in which <7> said composition contains the said amine generator in a ratio of 0.01-45 mass% with respect to the total amount of a polyimide precursor and a polybenzoxazole precursor. Method for producing a cured film according to
<8> The curing according to any one of <1> to <7>, wherein the polyimide precursor is represented by the following general formula (2), and the polybenzoxazole precursor is represented by the following general formula (3) A method of producing a membrane;
General formula (2)
In general formula (2), A 1 and A 2 each independently represent an oxygen atom or NH, R 111 represents a divalent organic group, R 115 represents a tetravalent organic group, and R 113 and R 114 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group;
General formula (3)
In formula (3), R 121 represents a divalent organic group, R 122 represents a tetravalent organic group, and R 123 and R 124 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group Represents
<9> In the general formula (2), at least one of A 1 and A 2 is an oxygen atom, and among R 113 and R 114 , adjacent A 1 and A 2 are oxygen atoms R 113 and R 114 Or represents a monovalent organic group, or
The manufacturing method of the cured film as described in <8> whose R < 121 > is a linear aliphatic group in General formula (3).
The manufacturing method of the cured film in any one of <1>-<9> whose <10> above-mentioned maximum heating temperature is 160-250 degreeC.
The manufacturing method of the cured film in any one of <1>-<10> whose amine content of the <11> above-mentioned cured film is 500-2,000 ppm.
The manufacturing method of the cured film in any one of <1>-<11> in which the <12> above-mentioned composition further contains a crosslinking agent.
The manufacturing method of the cured film as described in <12> whose molecular weight of the <13> above-mentioned crosslinking agent is 100-800.
<14> The amine generator is at least one selected from an acidic compound which generates an amine when heated to 40 to 250 ° C., and an ammonium salt having an anion of pKa 1 of 0 to 4 and an ammonium cation. The manufacturing method of the cured film in any one of 1>-<13>.
The manufacturing method of the cured film as described in <14> which is a compound which generate | occur | produces an amine when the <15> above-mentioned acidic compound heats at 40-250 degreeC.
The manufacturing method of the cured film as described in <14> or <15> whose <16> above-mentioned acidic compound is a salt of ammonium cation and a carboxylate anion.
The manufacturing method of the interlayer insulation film for rewiring layers including the manufacturing method of the cured film in any one of <17><1>-<16>.
The manufacturing method of the semiconductor device containing the manufacturing method of the cured film in any one of <18><1>-<16>.
The cured film obtained by the manufacturing method of the cured film in any one of <19><1>-<16>.
The semiconductor device obtained by the manufacturing method of the cured film in any one of <20><1>-<16>.

本発明により、耐腐食性および耐薬品性に優れた硬化膜を製造する方法を提供可能になった。また、上記硬化膜の製造方法を含む、再配線層用層間絶縁膜の製造方法、および、半導体デバイスの製造方法を提供可能になった。   According to the present invention, it has become possible to provide a method for producing a cured film excellent in corrosion resistance and chemical resistance. In addition, it has become possible to provide a method of manufacturing an interlayer insulating film for a redistribution layer and a method of manufacturing a semiconductor device, including the method of manufacturing the above-described cured film.

半導体デバイスの一実施形態の構成を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing the configuration of an embodiment of a semiconductor device.

以下に記載する本発明における構成要素の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
本明細書における基(原子団)の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本明細書において、「活性光線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線(EUV光)、X線、電子線等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線または放射線を意味する。本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線、EUV光などを用いた露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線を用いた描画も露光に含める。
本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本明細書において、「(メタ)アクリレート」は、「アクリレート」および「メタクリレート」の双方、または、いずれかを表し、「(メタ)アリル」は、「アリル」および「メタリル」の双方、または、いずれかを表し、「(メタ)アクリル」は、「アクリル」および「メタクリル」の双方、または、いずれかを表し、「(メタ)アクリロイル」は、「アクリロイル」および「メタクリロイル」の双方、または、いずれかを表す。
本明細書において「工程」との語は、独立した工程を意味するだけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
本明細書において、固形分濃度とは、組成物の総質量に対する、溶剤を除く他の成分の質量の質量百分率である。また、固形分濃度は、特に述べない限り25℃における濃度をいう。
本明細書において、Meはメチル基を表し、Acはアセチル基を表し、Phはフェニル基を表す。
The description of components in the present invention described below may be made based on the representative embodiments of the present invention, but the present invention is not limited to such embodiments.
In the notation of groups (atomic groups) in the present specification, the notations not describing substitution and non-substitution include those having no substituent and those having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).
In the present specification, "active light" means, for example, a bright line spectrum of a mercury lamp, far ultraviolet light represented by an excimer laser, extreme ultraviolet (EUV light), X-rays, electron beams and the like. In the present invention, light means actinic rays or radiation. Unless otherwise specified, the "exposure" in the present specification means not only exposure using far ultraviolet rays represented by a mercury lamp or excimer laser, X-rays, EUV light, etc., but also particle beams such as electron beams and ion beams. Include drawing in using in the exposure.
In the present specification, a numerical range represented using “to” means a range including numerical values described before and after “to” as the lower limit value and the upper limit value.
In the present specification, “(meth) acrylate” represents both “acrylate” and “methacrylate” or any of “acrylate” and “(meth) allyl” represents both “allyl” and “methallyl” or "(Meth) acrylic" represents either or both of "acrylic" and "methacrylic", and "(meth) acryloyl" represents both "acryloyl" and "methacryloyl" or Represents one.
As used herein, the term "step" does not only mean an independent step, but if the intended function of that step is achieved even if it can not be clearly distinguished from other steps, this term include.
In the present specification, the solid content concentration is a mass percentage of the mass of the other components excluding the solvent with respect to the total mass of the composition. Moreover, solid content concentration means the density | concentration in 25 degreeC unless it mentions specially.
In the present specification, Me represents a methyl group, Ac represents an acetyl group, and Ph represents a phenyl group.

本発明の製造方法は、ポリイミド前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体(以下、「複素環含有ポリマー前駆体」ということがある)の少なくとも1種と、アミン発生剤を含む組成物からなる層を、最高加熱温度250℃以下の温度で加熱することを含み、アミン含有量が50〜5,000ppmの硬化膜を製造することを特徴とする。このように、アミン含有量を調整することにより、耐腐食性および耐薬品性に優れた硬化膜を提供可能になる。特許文献1には、硬化膜に、目的に応じて、発生したアミンは硬化膜中に残存しても良いことが記載されているが、具体的な量については明記されていない。また、特許文献2には、硬化膜中に残存する3級アミンは、1〜5質量%の範囲が好ましいとの記載がある。しかしながら、硬化膜のアミン量と耐腐食性および耐薬品性の関係について、全く検討されて来なかった。硬化膜の耐腐食性および耐薬品性に硬化膜のアミン量が寄与することは驚くべきものである。
本発明の製造方法では、得られる硬化膜のアミン含有量が100ppm以上であることが好ましく、400ppm以上であることがより好ましく、500ppm以上であることがさらに好ましい。上限値としては、2,000ppm以下であることが好ましく、1,000ppmであることがより好ましい。このような範囲とすることにより、耐腐食性および耐薬品性に優れる。さらに、アウトガス性にも優れる傾向にあり、好ましい。
The production method of the present invention comprises a layer comprising a composition comprising at least one of a polyimide precursor and a polybenzoxazole precursor (hereinafter sometimes referred to as “heterocycle-containing polymer precursor”), and an amine generator. The method is characterized by producing a cured film having an amine content of 50 to 5,000 ppm including heating at a maximum heating temperature of 250 ° C. or less. Thus, by adjusting the amine content, it is possible to provide a cured film excellent in corrosion resistance and chemical resistance. Although it is described in Patent Document 1 that the generated amine may remain in the cured film depending on the purpose in the cured film, no specific amount is specified. Further, Patent Document 2 states that the range of 1 to 5% by mass of the tertiary amine remaining in the cured film is preferable. However, the relationship between the amount of amine in the cured film and the corrosion resistance and chemical resistance has not been studied at all. It is surprising that the amount of amine in the cured film contributes to the corrosion resistance and chemical resistance of the cured film.
In the production method of the present invention, the amine content of the obtained cured film is preferably 100 ppm or more, more preferably 400 ppm or more, and still more preferably 500 ppm or more. The upper limit thereof is preferably 2,000 ppm or less, more preferably 1,000 ppm. By setting it as such a range, it is excellent in corrosion resistance and chemical resistance. Furthermore, it tends to be excellent in outgassing properties, which is preferable.

本発明の硬化膜の製造方法は、上記組成物からなる層を、最高加熱温度250℃以下で加熱することを含む。
上記組成物からなる層は、通常、基板上に組成物を適用、好ましくは、塗布することによって形成される。組成物の基板への適用方法としては、スピニング、浸漬、ドクターブレード塗布、懸濁キャスティング(suspended casting)、塗布、噴霧、静電噴霧、リバースロール塗布などが挙げられ、スピニング、静電噴霧およびリバースロール塗布が基板上に均一に適用できるという理由から好ましい。例えば積層による層の移動による銅被膜プリント回路基板のように、上記組成物からなる層を一時的な、柔軟性のある担体上に導入し、次いで最終的な基板を塗布することも可能である。
The method for producing a cured film of the present invention includes heating a layer comprising the above composition at a maximum heating temperature of 250 ° C. or less.
The layer consisting of the above composition is usually formed by applying, preferably applying, the composition on a substrate. Methods of applying the composition to a substrate include spinning, dipping, doctor blade coating, suspended casting, coating, spraying, electrostatic spraying, reverse roll coating, etc., spinning, electrostatic spraying and reverse Roll coating is preferred because it can be applied uniformly on the substrate. It is also possible to introduce a layer consisting of the above composition onto a temporary, flexible carrier and then to apply the final substrate, for example a copper-clad printed circuit board by layer transfer by lamination. .

基板としては、無機基板、樹脂、樹脂複合材料などが挙げられる。
無機基板としては、例えばガラス基板、石英基板、シリコン基板、シリコンナイトライド基板、および、それらのような基板上にモリブデン、チタン、アルミニウム、銅などを蒸着した複合基板が挙げられる。
樹脂基板としては、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンズアゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン等のフッ素樹脂、液晶ポリマー、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アイオノマー樹脂、シアネート樹脂、架橋フマル酸ジエステル、環状ポリオレフィン、芳香族エーテル、マレイミド−オレフィン、セルロース、エピスルフィド化合物等の合成樹脂からなる基板が挙げられる。これらの基板は、上記の形態のまま用いられる場合は少なく、通常、最終製品の形態によって、例えば薄膜トランジスタ(TFT)素子のような多層積層構造が形成されている。
As the substrate, an inorganic substrate, a resin, a resin composite material and the like can be mentioned.
Examples of the inorganic substrate include a glass substrate, a quartz substrate, a silicon substrate, a silicon nitride substrate, and a composite substrate in which molybdenum, titanium, aluminum, copper or the like is vapor-deposited on a substrate such as them.
As the resin substrate, polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polysulfone, polyether sulfone, polyarylate, allyl diglycol carbonate, polyamide, polyimide, polyamide imide, polyether imide, Polybenzazole, polyphenylene sulfide, polycycloolefin, norbornene resin, fluorine resin such as polychlorotrifluoroethylene, liquid crystal polymer, acrylic resin, epoxy resin, epoxy resin, silicone resin, ionomer resin, cyanate resin, crosslinked fumaric acid diester, cyclic polyolefin Groups consisting of synthetic resins such as aromatic ethers, maleimide-olefins, celluloses and episulfide compounds And the like. These substrates are rarely used as they are in the above-mentioned form, and usually, a multilayer laminate structure such as a thin film transistor (TFT) element is formed by the form of the final product.

組成物を適用する量(層の厚さ)および基板の種類(層の担体)は、望まれる用途の分野に依存する。層の厚さの範囲は、0.5〜100μmが好ましい。
組成物を基板へ適用した後、乾燥することが好ましい。乾燥は、例えば、60〜150℃で、10秒〜2分行うことが好ましい。
The amount of application of the composition (layer thickness) and the type of substrate (layer carrier) depend on the field of application desired. The range of the layer thickness is preferably 0.5 to 100 μm.
After applying the composition to the substrate, it is preferred to dry. Drying is preferably performed, for example, at 60 to 150 ° C. for 10 seconds to 2 minutes.

加熱は、最高加熱温度が250℃以下となるように行う。最高加熱温度の上限値は、240℃以下が好ましく、230℃以下がより好ましく、220℃以下がさらに好ましく、210℃以下が一層好ましく、200℃以下がより一層好ましい。最高加熱温度の下限値は、140℃以上が好ましく、160℃以上がより好ましく、170℃以上がさらに好ましく、180℃以上が特に好ましい。ここで、最高加熱温度とは、複素環含有ポリマー前駆体の環化反応のために実施する加熱により試料が経験する温度のうち、試料が累計30秒以上その温度以上を経験する温度範囲を確認し、その中で最も高い温度をいう。
最高加熱温度は、アミン発生剤がアミンを発生する温度より、0〜100℃高いことが好ましく、30〜60℃高いことがより好ましい。
Heating is performed such that the maximum heating temperature is 250 ° C. or less. 240 degrees C or less is preferable, 230 degrees C or less is more preferable, 220 degrees C or less is further more preferable, 210 degrees C or less is further more preferable, and 200 degrees C or less is still more preferable. 140 degreeC or more is preferable, as for the lower limit of maximum heating temperature, 160 degreeC or more is more preferable, 170 degreeC or more is further more preferable, and 180 degreeC or more is especially preferable. Here, with the maximum heating temperature, the temperature range in which the sample experiences the accumulated temperature for 30 seconds or more among the temperatures experienced by the sample due to the heating performed for the cyclization reaction of the heterocycle-containing polymer precursor is confirmed And the highest temperature among them.
The maximum heating temperature is preferably 0 to 100 ° C. higher than the temperature at which the amine generator generates amine, and more preferably 30 to 60 ° C. higher.

加熱は、20〜150℃の温度から最高加熱温度まで1〜10℃/分の昇温速度で行うことが好ましく、昇温速度は2〜10℃/分がより好ましく、3〜8℃/分がさらに好ましく、3〜6℃/分が特に好ましい。昇温速度を1℃/分以上とすることにより、生産性を確保しつつ、アミンの過剰な揮発を防止することができ、昇温速度を10℃/分以下とすることにより、硬化膜の残存応力を緩和しつつ、アミンの過剰な残存を防止することができる。
最高加熱温度250℃以下の低温で加熱して、複素環含有ポリマー前駆体を環化させて硬化する場合、硬化膜におけるアミンの量を調整することが難しいが、150℃以下の温度から、上記の昇温速度でゆっくり加熱することにより、初期の加熱による、アミンの揮発を抑え、硬化膜におけるアミン量を容易に調整することができる。
加熱開始時の温度は、20〜150℃が好ましく、20℃〜130℃がより好ましく、25℃〜120℃がさらに好ましい。加熱開始時の温度は、最高加熱温度まで加熱する工程を開始する際の、組成物からなる層の温度のことをいう。例えば、組成物を基板の上に塗布した後、乾燥させる場合、この乾燥後の温度であり、例えば、組成物に含まれる溶剤の沸点−(30〜200)℃から徐々に昇温させることが好ましい。
加熱は、最高加熱温度に到達した後、60〜240分間加熱を行うことが好ましく、100〜230分間加熱を行うことがより好ましく、150〜220分間加熱を行うことが特に好ましい。このような範囲とすることにより、硬化膜におけるアミンの量をより調整しやすくなる。
The heating is preferably performed at a temperature rising rate of 1 to 10 ° C./min from a temperature of 20 to 150 ° C. to the maximum heating temperature, and the temperature rising rate is more preferably 2 to 10 ° C./min, 3 to 8 ° C./min Is more preferred, and 3 to 6 ° C./min is particularly preferred. By setting the temperature rise rate to 1 ° C./min or more, excessive volatilization of the amine can be prevented while securing productivity, and by setting the temperature rise rate to 10 ° C./min or less, the cured film Excess residual of amine can be prevented while relieving residual stress.
When heating at a low temperature of the maximum heating temperature of 250 ° C. or less to cyclize and cure the heterocycle-containing polymer precursor, it is difficult to adjust the amount of amine in the cured film, but from the temperature of 150 ° C. or less By heating slowly at a temperature rising rate, volatilization of the amine by initial heating can be suppressed, and the amount of amine in the cured film can be easily adjusted.
20-150 degreeC is preferable, as for the temperature at the time of a heating start, 20 degreeC-130 degreeC are more preferable, and 25 degreeC-120 degreeC are more preferable. The temperature at the start of heating refers to the temperature of the layer comprising the composition when the heating step to the maximum heating temperature is started. For example, when the composition is applied on a substrate and then dried, the temperature after drying is the temperature, for example, the temperature may be gradually raised from the boiling point-(30 to 200) ° C of the solvent contained in the composition. preferable.
The heating is preferably performed for 60 to 240 minutes after reaching the maximum heating temperature, more preferably 100 to 230 minutes, and particularly preferably 150 to 220 minutes. With such a range, the amount of amine in the cured film can be more easily adjusted.

加熱は段階的に行ってもよい。例として、25℃〜180℃まで3℃/分で昇温し、180℃にて60分置き、180〜200℃まで2℃/分で昇温し、200℃にて120分置く、といった工程が挙げられる。この場合、段階的加熱のすべてが、上記加熱条件を満たすように加熱条件を設定することが好ましい。
さらに、加熱後冷却してもよく、この場合の冷却速度としては、1〜5℃/分であることが好ましい。
The heating may be performed stepwise. As an example, the temperature is raised at 25 ° C. to 180 ° C. at 3 ° C./min, kept at 180 ° C. for 60 minutes, raised to 180-200 ° C. at 2 ° C./min, put at 200 ° C. for 120 min. Can be mentioned. In this case, it is preferable to set the heating conditions so that all of the stepwise heatings satisfy the above heating conditions.
Furthermore, cooling after heating may be performed, and the cooling rate in this case is preferably 1 to 5 ° C./minute.

加熱工程は、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスを流す等により、低酸素濃度の雰囲気で行うことが、ポリイミドなどの複素環含有ポリマー前駆体の分解を防ぐ点で好ましい。酸素濃度は、50体積ppm以下が好ましく、20体積ppm以下がより好ましい。   The heating step is preferably performed in an atmosphere with a low oxygen concentration by flowing an inert gas such as nitrogen, helium, or argon, from the viewpoint of preventing the decomposition of the heterocycle-containing polymer precursor such as polyimide. The oxygen concentration is preferably 50 ppm by volume or less, and more preferably 20 ppm by volume or less.

本発明の硬化膜の製造方法は、上述のとおり、好ましくは、上記組成物を基板に適用する(好ましくは塗布する)工程と、基板に適用された組成物からなる層(層状の組成物)を硬化する工程とを有する。本発明では、さらに、上記組成物を基板に適用する工程と、上記硬化する工程との間に、パターン形成工程を行ってもよい。パターン形成工程は、例えば、フォトリソグラフィ法により行うことができる。例えば、露光する工程と現像処理を行う工程を経て行う方法が挙げられる。
フォトリソグラフィ法によるパターン形成は、ネガ型の場合、複素環含有ポリマー前駆体と、架橋剤としてのエチレン性不飽和結合を有する化合物と、光ラジカル重合開始剤とを含む感光性樹脂組成物を用いて行うことが好ましい。また、ポジ型の場合、複素環含有ポリマー前駆体と、光酸発生剤とを含む感光性樹脂組成物を用いて行うことが好ましい。また、ネガ型の場合、複素環含有ポリマー前駆体はエチレン性不飽和結合を有することが好ましい。これらの詳細については、後述する。
以下、フォトリソグラフィ法によりパターン形成する場合について説明する。上記組成物を基板に適用する(好ましくは塗布する)工程と、基板に適用された層状の組成物を硬化する工程については、上述と同様であり、好ましい範囲も同様である。
In the method for producing a cured film of the present invention, as described above, preferably, the step of applying (preferably applying) the composition to a substrate, and a layer comprising a composition applied to the substrate (layered composition) And curing the resin. In the present invention, a pattern forming step may be further performed between the step of applying the composition to the substrate and the step of curing. The pattern formation step can be performed, for example, by photolithography. For example, the method of performing through the process of performing the process to expose and the development process is mentioned.
In the case of negative-working pattern formation by photolithography, a photosensitive resin composition comprising a heterocycle-containing polymer precursor, a compound having an ethylenically unsaturated bond as a crosslinking agent, and a radical photopolymerization initiator is used. Is preferred. In the case of the positive type, it is preferable to use a photosensitive resin composition containing a heterocycle-containing polymer precursor and a photoacid generator. In the case of the negative type, the heterocycle-containing polymer precursor preferably has an ethylenically unsaturated bond. Details of these will be described later.
Hereinafter, the case of forming a pattern by photolithography will be described. The step of applying (preferably applying) the composition to the substrate and the step of curing the layered composition applied to the substrate are the same as described above, and the preferred ranges are also the same.

<露光する工程>
露光する工程では、基板に適用された感光性樹脂組成物に対して、所定のパターンの活性光線または放射線を照射する。
活性光線または放射線の波長は、感光性樹脂組成物の組成により異なるが、200〜600nmが好ましく、300〜450nmがより好ましい。
光源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、発光ダイオード(LED)光源、エキシマレーザー発生装置などを用いることができ、i線(365nm)、h線(405nm)、g線(436nm)などの300nm以上450nm以下の波長を有する活性光線が好ましく使用できる。また、必要に応じて長波長カットフィルター、短波長カットフィルター、バンドパスフィルターのような分光フィルターを通して照射光を調整することもできる。露光量は好ましくは1〜1,000mJ/cmであり、より好ましくは、200〜800mJ/cmである。
露光装置としては、ミラープロジェクションアライナー、ステッパー、スキャナー、プロキシミティ、コンタクト、マイクロレンズアレイ、レンズスキャナ、レーザー露光など、各種方式の露光機を用いることができる。
なお、(メタ)アクリレートおよび類似のオレフィン不飽和化合物を使用する場合、それらの光重合は、公知のとおり、特に薄層中では空気中の酸素により防止される。この効果は、例えばポリビニルアルコールの一時的な被膜層導入や、不活性ガス中での前露光または前調整などの公知の従来法により緩和できる。
<Step of exposure>
In the step of exposing, the photosensitive resin composition applied to the substrate is irradiated with actinic rays or radiation of a predetermined pattern.
Although the wavelength of an actinic ray or a radiation changes with compositions of the photosensitive resin composition, 200-600 nm is preferable and 300-450 nm is more preferable.
As a light source, a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a chemical lamp, a light emitting diode (LED) light source, an excimer laser generator or the like can be used. An actinic ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less, such as 436 nm) can be preferably used. In addition, it is also possible to adjust the irradiation light through a spectral filter such as a long wavelength cut filter, a short wavelength cut filter, or a band pass filter as needed. Exposure is preferably 1~1,000mJ / cm 2, more preferably 200~800mJ / cm 2.
As the exposure apparatus, various types of exposure machines such as a mirror projection aligner, a stepper, a scanner, a proximity, a contact, a microlens array, a lens scanner, a laser exposure, and the like can be used.
In addition, when (meth) acrylates and similar olefinically unsaturated compounds are used, their photopolymerization is prevented by oxygen in the air, in particular in thin layers, as is known. This effect can be mitigated by known conventional methods such as, for example, temporary film layer introduction of polyvinyl alcohol, or pre-exposure or preconditioning in an inert gas.

<現像処理を行う工程>
現像処理を行う工程では、感光性樹脂組成物の未露光の部分を、現像液を用いて現像する。現像液としては、水性アルカリ現像液、有機溶剤などを用いることができる。
水性アルカリ現像液に使用するアルカリ化合物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、メタケイ酸ナトリウム、メタケイ酸カリウム、アンモニアまたはアミンなどが挙げられる。アミンとしては、例えば、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、アルカノールアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、四級アンモニウム水酸化物、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)または水酸化テトラエチルアンモニウムなどが挙げられる。なかでも金属を含まないアルカリ化合物が好ましい。好適な水性アルカリ現像液は、一般的にアルカリに関して0.5規定までであるが、使用前に適当に希釈してもよい。例えば、約0.15〜0.4規定、好ましくは0.20〜0.35規定の水性アルカリ現像液も適切である。アルカリ化合物は1種のみでもよいし、2種以上であってもよい。アルカリ化合物が2種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
有機溶剤としては、後述する組成物に用いることができる溶剤と同様のものを用いることができる。例えば、酢酸−n−ブチル、γ−ブチロラクトン、シクロペンタノン、およびこれらを混合したものが好適に挙げられる。
<Step of developing processing>
At the process of developing, the unexposed part of the photosensitive resin composition is developed using a developing solution. As the developer, an aqueous alkaline developer, an organic solvent or the like can be used.
Examples of the alkali compound used in the aqueous alkali developer include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium hydrogencarbonate, sodium hydrogencarbonate, sodium hydrogencarbonate, sodium silicate, potassium silicate, sodium metasilicate and metasilicate And potassium, ammonia or an amine. Examples of the amine include ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-propylamine, triethylamine, methyl diethylamine, alkanolamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, quaternary ammonium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide (TMAH) or tetraethylammonium hydroxide. Among them, alkali compounds containing no metal are preferable. Suitable aqueous alkaline developers are generally up to 0.5 normal with respect to alkali, but may be suitably diluted prior to use. For example, an aqueous alkaline developing solution of about 0.15 to 0.4N, preferably 0.20 to 0.35N is also suitable. The alkali compound may be used alone or in combination of two or more. When two or more alkali compounds are used, the total is preferably in the above range.
As an organic solvent, the thing similar to the solvent which can be used for the composition mentioned later can be used. For example, preferred are n-butyl acetate, γ-butyrolactone, cyclopentanone, and mixtures thereof.

<ポリイミド前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体>
本発明で用いる組成物は、ポリイミド前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体(以下、「複素環含有ポリマー前駆体」ということがある)の少なくとも1種を含む。
<Polyimide Precursor and Polybenzoxazole Precursor>
The composition used in the present invention contains at least one of a polyimide precursor and a polybenzoxazole precursor (hereinafter sometimes referred to as “heterocycle-containing polymer precursor”).

<<ポリイミド前駆体>>
本発明で用いるポリイミド前駆体は、ポリイミド化可能である限り、その構造等を特に定めるものではなく、ポリアミドイミド前駆体も含む趣旨である。本発明で用いるポリイミド前駆体は、下記一般式(2)で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。
<< Polyimide Precursor >>
The polyimide precursor used in the present invention does not particularly define its structure etc. as long as it can be polyimidated, and it is intended to include also a polyamideimide precursor. It is preferable that the polyimide precursor used by this invention contains the repeating unit represented by following General formula (2).

一般式(2)
一般式(2)中、AおよびAは、それぞれ独立に、酸素原子またはNHを表し、R111は、2価の有機基を表し、R115は、4価の有機基を表し、R113およびR114は、それぞれ独立に、水素原子または1価の有機基を表す。
一般式(2)におけるAおよびAは、それぞれ独立に、酸素原子またはNHを表し、酸素原子が好ましい。特に、低温での環化をより効果的に進行させるためには、AおよびAの少なくとも一方が、酸素原子であり、酸素原子であるAおよびAに隣接するR113および/またはR114が、1価の有機基であることが好ましい。
General formula (2)
In general formula (2), A 1 and A 2 each independently represent an oxygen atom or NH, R 111 represents a divalent organic group, R 115 represents a tetravalent organic group, and R Each of 113 and R 114 independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group.
A 1 and A 2 in the general formula (2) each independently represent an oxygen atom or NH, preferably an oxygen atom. In particular, at least one of A 1 and A 2 is an oxygen atom, and R 113 and / or adjacent to A 1 and A 2 which are oxygen atoms, to promote cyclization at a low temperature more effectively. It is preferable that R 114 is a monovalent organic group.

111は、2価の有機基を表す。2価の有機基としては、直鎖状または分岐状の脂肪族基、環状の脂肪族基およびアリール基を含む基が例示され、炭素数2〜20の直鎖状または分岐状の脂肪族基、炭素数6〜20の環状の脂肪族基、炭素数6〜20のアリール基、または、これらの組み合わせからなる基が好ましく、炭素数2〜60のアリール基からなる基がより好ましい。アリール基の例としては、下記が挙げられる。R 111 represents a divalent organic group. Examples of the divalent organic group include a linear or branched aliphatic group, a group containing a cyclic aliphatic group and an aryl group, and a linear or branched aliphatic group having 2 to 20 carbon atoms The group which consists of a C6-C20 cyclic aliphatic group, a C6-C20 aryl group, or these combination is preferable, and the group which consists of a C2-C60 aryl group is more preferable. The following is mentioned as an example of an aryl group.

式中、Aは、単結合、または、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1〜10の炭化水素基、−O−、−C(=O)−、−S−、−S(=O)−および−NHCO−ならびにこれらの組み合わせから選択される基であることが好ましく、単結合、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1〜3のアルキレン基、−O−、−C(=O)−、−S−、−SO−から選択される基であることがより好ましく、−CH−、−O−、−S−、−SO−、−C(CF−、−C(CH−から選択される2価の基であることがさらに好ましい。 In the formula, A represents a single bond or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -C (= O)-, -S-, -S (= O) 2- and -NHCO- and a combination thereof are preferable, and a single bond, an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -C It is more preferable that it is a group selected from (= O)-, -S- and -SO 2- , and -CH 2- , -O-, -S-, -SO 2 -and -C (CF 3 ) 2 -, - C (CH 3 ) 2 - and more preferably a divalent group selected from.

111は、より具体的には、ジアミンのアミノ基の除去後に残存するジアミン残基が挙げられる。ジアミンとしては、直鎖状または分岐状の脂肪族、環状の脂肪族または芳香族ジアミンなどが挙げられる。
具体的には、以下のジアミンのアミノ基の除去後に残存するジアミン残基などが挙げられる。
1,2−ジアミノエタン、1,2−ジアミノプロパン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタンおよび1,6−ジアミノヘキサン;1,2−または1,3−ジアミノシクロペンタン、1,2−、1,3−または1,4−ジアミノシクロヘキサン、1,2−、1,3−または1,4−ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(3−アミノシクロヘキシル)メタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルシクロヘキシルメタンおよびイソホロンジアミン;m−およびp−フェニレンジアミン、ジアミノトルエン、4,4’−および3,3’−ジアミノビフェニル、4,4’−および3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−および3,3’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−および3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−および3,3’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−および3,3’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルホン、4,4’−ジアミノパラテルフェニル、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(2−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、9,10−ビス(4−アミノフェニル)アントラセン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェニル)ベンゼン、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノオクタフルオロビフェニル、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、9,9−ビス(4−アミノフェニル)−10−ヒドロアントラセン、3,3’,4,4’−テトラアミノビフェニル、3,3’,4,4’−テトラアミノジフェニルエーテル、1,4−ジアミノアントラキノン、1,5−ジアミノアントラキノン、3,3−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、9,9’−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン、4,4’−ジメチル−3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’,5,5’−テトラメチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,4−および2,5−ジアミノクメン、2,5−ジメチル−p−フェニレンジアミン、アセトグアナミン、2,3,5,6−テトラメチル−p−フェニレンジアミン、2,4,6−トリメチル−m−フェニレンジアミン、ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、2,7−ジアミノフルオレン、2,5−ジアミノピリジン、1,2−ビス(4−アミノフェニル)エタン、ジアミノベンズアニリド、ジアミノ安息香酸のエステル、1,5−ジアミノナフタレン、ジアミノベンゾトリフルオライド、1,3−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,4−ビス(4−アミノフェニル)オクタフルオロブタン、1,5−ビス(4−アミノフェニル)デカフルオロペンタン、1,7−ビス(4−アミノフェニル)テトラデカフルオロヘプタン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(2−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−3,5−ジメチルフェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、p−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(4−アミノ−3−トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ジフェニルスルホン、4,4’−ビス(3−アミノ−5−トリフルオロメチルフェノキシ)ジフェニルスルホン、2,2−ビス[4−(4−アミノ−3−トリフルオロメチルフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、3,3’,5,5’−テトラメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、4,4’−ジアミノ−2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル、2,2’,5,5’,6,6’−ヘキサフルオロトリジンおよび4,4’’’−ジアミノクアテルフェニルから選ばれる少なくとも1種のジアミン。
More specifically, R 111 includes a diamine residue remaining after removal of the amino group of the diamine. As the diamine, linear or branched aliphatic, cyclic aliphatic or aromatic diamines and the like can be mentioned.
Specifically, the diamine residue etc. which remain after removal of the amino group of the following diamine are mentioned.
1,2-diaminoethane, 1,2-diaminopropane, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane and 1,6-diaminohexane; 1,2- or 1,3-diaminocyclopentane, 1,2 2-, 1,3- or 1,4-diaminocyclohexane, 1,2-, 1,3- or 1,4-bis (aminomethyl) cyclohexane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, bis (3-amino) Cyclohexyl) methane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethylcyclohexylmethane and isophorone diamine; m- and p-phenylene diamine, diaminotoluene, 4,4'- and 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4, 4'- and 3,3'-diaminodiphenyl ether, 4,4'- and 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'- And 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'- and 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'- and 3,3'-diaminobenzophenone, 3,3'-dimethyl-4,4 ' -Diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2 -Bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-hydroxy-4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (3-hydroxy-4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2, 2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, bis (3- Amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, 4,4'-diaminoparaterphenyl, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4-] (4-Aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (2-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene 9,10-bis (4-aminophenyl) anthracene, 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminodiphenyl sulfone, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3 -Aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenyl) benzene, 3,3'-diethyl-4,4'-diaminodiphenyl Nylmethane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminooctafluorobiphenyl, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-Aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 9,9-bis (4-aminophenyl) -10-hydroanthracene, 3,3 ', 4,4'-tetraaminobiphenyl, 3,3' , 4,4'-Tetraaminodiphenylether, 1,4-diaminoanthraquinone, 1,5-diaminoanthraquinone, 3,3-dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl, 9,9'-bis (4-aminophenyl) Fluorene, 4,4'-dimethyl-3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3 ', 5,5'-tetramethyl-4,4'-diaminodi Phenylmethane, 2,4- and 2,5-diaminocumene, 2,5-dimethyl-p-phenylenediamine, acetoguanamine, 2,3,5,6-tetramethyl-p-phenylenediamine, 2,4,6 -Trimethyl-m-phenylenediamine, bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, 2,7-diaminofluorene, 2,5-diaminopyridine, 1,2-bis (4-aminophenyl) ethane, diaminobenzanilide , Esters of diaminobenzoic acid, 1,5-diaminonaphthalene, diaminobenzotrifluoride, 1,3-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 1,4-bis (4-aminophenyl) octafluorobutane, 1 5-bis (4-aminophenyl) decafluoropentane, 1,7-bis (4-amino) Nophenyl) tetradecafluoroheptane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (2-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2 -Bis [4- (4-aminophenoxy) -3,5-dimethylphenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) -3,5-bis (trifluoromethyl) phenyl] Hexafluoropropane, p-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) benzene, 4,4'-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4- Amino-3-trifluoromethylphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4-amino-2-trifluoromethylpheno) C) Diphenylsulfone, 4,4'-bis (3-amino-5-trifluoromethylphenoxy) diphenylsulfone, 2,2-bis [4- (4-amino-3-trifluoromethylphenoxy) phenyl] hexafluoro Propane, 3,3 ′, 5,5′-tetramethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-dimethoxy-4,4′-diaminobiphenyl, 4,4′-diamino-2,2′- At least one diamine selected from bis (trifluoromethyl) biphenyl, 2,2 ′, 5,5 ′, 6,6′-hexafluorotrizine and 4,4 ′ ′ ′-diaminoquaterphenyl.

また、下記に示すジアミン(DA−1)〜(DA−18)のアミノ基の除去後に残存するジアミン残基もR111の例として挙げられる。Further, the diamine residues remaining after removal of the amino groups of the diamine shown below (DA-1) ~ (DA -18) may also be mentioned as examples of R 111.

また、2つ以上のアルキレングリコール単位を主鎖にもつジアミンのアミノ基の除去後に残存するジアミン残基もR111の例として挙げられる。好ましくは、エチレングリコール鎖、プロピレングリコール鎖のいずれかまたは両方を一分子中にあわせて2つ以上含むジアミン残基であり、より好ましくは芳香環を含まないジアミン残基である。例としては、ジェファーミン(登録商標)KH−511、ED−600、ED−900、ED−2003、EDR−148、EDR−176、D−200、D−400、D−2000、D−4000(以上商品名、HUNTSMAN(株)製)、1−(2−(2−(2−アミノプロポキシ)エトキシ)プロポキシ)プロパン−2−アミン、1−(1−(1−(2−アミノプロポキシ)プロパン−2−イル)オキシ)プロパン−2−アミンなどが挙げられるが、これに限定されない。 ジェファーミン(登録商標)KH−511、ED−600、ED−900、ED−2003、EDR−148、EDR−176の構造を以下に示す。Further, the diamine residues remaining two or more alkylene glycol units after the removal of the amino groups of the diamine having the main chain may also be mentioned as examples of R 111. Preferably, it is a diamine residue containing two or more of ethylene glycol chain and / or propylene glycol chain together in one molecule, and more preferably a diamine residue not containing an aromatic ring. As an example, Jeffamine (registered trademark) KH-511, ED-600, ED-900, ED-2003, EDR-148, EDR-176, D-200, D-400, D-2000, D-4000 ( The trade names above, HUNTSMAN Co., Ltd. product, 1- (2- (2- (2-aminopropoxy) ethoxy) propoxy) propan-2-amine, 1- (1- (1- (2-aminopropoxy) propane) -2-yl) oxy) propan-2-amine and the like, but it is not limited thereto. The structures of Jeffamine (registered trademark) KH-511, ED-600, ED-900, ED-2003, EDR-148, and EDR-176 are shown below.

上記において、x、y、zは平均値である。   In the above, x, y and z are average values.

115は、4価の有機基を表す。4価の有機基としては、芳香環を含む4価の有機基が好ましく、下記一般式(5)または一般式(6)で表される基がより好ましい。
一般式(5)
一般式(5)中、R112は、単結合、または、2価の基を表す。2価の基は、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1〜10の炭化水素基、−O−、−CO−、−S−、−SO−および−NHCO−ならびにこれらの組み合わせから選択される基であることが好ましい。R112は、単結合、または、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1〜3のアルキレン基、−O−、−CO−、−S−および−SO−から選択される2価の基であることがより好ましく、単結合、または、−CH−、−C(CF−、−C(CH−、−O−、−CO−、−S−および−SO−からなる群から選択される2価の基がさらに好ましい。
R 115 represents a tetravalent organic group. As a tetravalent organic group, the tetravalent organic group containing an aromatic ring is preferable, and the group represented by following General formula (5) or General formula (6) is more preferable.
General formula (5)
In formula (5), R 112 represents a single bond or a divalent group. And the divalent group is selected from a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted by a fluorine atom, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -and -NHCO- and combinations thereof It is preferable that it is a selected group. R 112 is a single bond or a divalent selected from an alkylene group of 1 to 3 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -CO-, -S- and -SO 2- It is more preferable that the group be a single bond, or a single bond, or -CH 2- , -C (CF 3 ) 2- , -C (CH 3 ) 2- , -O-, -CO-, -S- and -SO 2 - divalent radical selected from the group consisting of is more preferable.

一般式(6)
General formula (6)

115は、具体的には、テトラカルボン酸二無水物から無水物基の除去後に残存するテトラカルボン酸残基などが挙げられる。
具体的には、以下のテトラカルボン酸二無水物から無水物基の除去後に残存しているテトラカルボン酸残基などが挙げられる。
ピロメリット酸二無水物(PMDA)、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルフィドテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、4,4’−オキシジフタル酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、1,3−ジフェニルヘキサフルオロプロパン−3,3,4,4−テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,8,9,10−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,2,3,4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、ならびに、これらの炭素数1〜6のアルキルおよび/または炭素数1〜6のアルコキシ誘導体から選ばれる少なくとも1種のテトラカルボン酸二無水物。
Specific examples of R 115 include tetracarboxylic acid residues remaining after removal of the anhydride group from tetracarboxylic acid dianhydride.
Specifically, the tetracarboxylic acid residue etc. which remain after removal of an anhydride group from the following tetracarboxylic acid dianhydride are mentioned.
Pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenyl sulfide tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenyl sulfone tetracarboxylic acid dianhydride, 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenylmethane tetracarboxylic acid dianhydride , 2,2 ', 3,3'-Diphenylmethanetetracarboxylic dianhydride, 2,3,3', 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ', 4'-benzophenonetetra Carboxylic acid dianhydride, 4,4′-oxydiphthalic acid dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 1,4,5,7-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 2 , 2-bis (3,4-dika Voxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 1,3 -Diphenylhexafluoropropane-3,3,4,4-tetracarboxylic acid dianhydride, 1,4,5,6-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 2,2 ', 3,3'-diphenyltetracarboxylic acid Acid dianhydride, 3,4,9,10-perylene tetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,4,5-naphthalene tetracarboxylic acid dianhydride, 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxylic acid Anhydride, 1,8,9,10-phenanthrene tetracarboxylic acid dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxylic acid) Ciphenyl) ethane dianhydride, 1,2,3,4-benzene tetracarboxylic acid dianhydride, and at least one selected from these C 1 to C 6 alkyl and / or C 1 to C 6 alkoxy derivatives Seed of tetracarboxylic acid dianhydride.

また、下記に示すテトラカルボン酸二無水物(DAA−1)〜(DAA−5)から無水物基の除去後に残存しているテトラカルボン酸残基もR115の例として挙げられる。
Also, tetracarboxylic acid residue remaining tetracarboxylic dianhydride represented by the following from (DAA-1) ~ (DAA -5) after removal of the anhydride groups mentioned as examples of R 115.

アルカリ現像液への溶解度の観点からは、R111とR115の少なくとも一方にOH基を有することが好ましい。より具体的には、R111として、2,2−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルホン、上記の(DA−1)〜(DA−18)が好ましい例として挙げられ、R115として、上記の(DAA−1)〜(DAA−5)が好ましい例として挙げられる。From the viewpoint of solubility in an alkaline developer, at least one of R 111 and R 115 preferably has an OH group. More specifically, as R 111 , 2,2-bis (3-hydroxy-4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (3-hydroxy-4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2- Bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino) -3-hydroxyphenyl) sulfone, the above (DA-1) to (DA-18) is mentioned as a preferred example, and as R 115 , the above (DAA-1) to (DAA-5) is mentioned as a preferred example Be

113およびR114は、それぞれ独立に、水素原子または1価の有機基を表す。
113およびR114が表す1価の有機基としては、現像液への溶解度を向上させる置換基が好ましく用いられる。
R 113 and R 114 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group.
As the monovalent organic group represented by R 113 and R 114, a substituent that improves the solubility in a developer is preferably used.

水性現像液への溶解度の観点からは、R113およびR114は、水素原子または1価の有機基が好ましい。1価の有機基としては、アリール基の炭素原子に結合している1つ、2つまたは3つの、好ましくは1つの酸性基を有する、アリール基およびアラルキル基などが挙げられる。具体的には、酸性基を有する炭素数6〜20のアリール基、酸性基を有する炭素数7〜25のアラルキル基が挙げられる。より具体的には、酸性基を有するフェニル基および酸性基を有するベンジル基が挙げられる。酸性基は、OH基が好ましい。
113、R114が、水素原子、2−ヒドロキシベンジル、3−ヒドロキシベンジルおよび4−ヒドロキシベンジルであることが、水性現像液に対する溶解性の点で好ましい。
From the viewpoint of solubility in an aqueous developer, R 113 and R 114 are preferably a hydrogen atom or a monovalent organic group. The monovalent organic group includes, for example, aryl groups and aralkyl groups having one, two or three, preferably one acidic group bonded to a carbon atom of the aryl group. Specifically, a C6-C20 aryl group which has an acidic group, and a C7-C25 aralkyl group which has an acidic group are mentioned. More specifically, a phenyl group having an acidic group and a benzyl group having an acidic group can be mentioned. The acidic group is preferably an OH group.
It is preferable that R 113 and R 114 be a hydrogen atom, 2-hydroxybenzyl, 3-hydroxybenzyl and 4-hydroxybenzyl from the viewpoint of solubility in an aqueous developer.

有機溶剤への溶解度の観点からは、R113およびR114は、1価の有機基であることが好ましい。1価の有機基としては、直鎖状または分岐状のアルキル基、環状アルキル基、アリール基を含むことが好ましく、アリール基で置換されたアルキル基がより好ましい。
アルキル基の炭素数は1〜30が好ましい。アルキル基は直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。直鎖状または分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、オクタデシル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、1−エチルペンチル基、および2−エチルヘキシル基が挙げられる。環状のアルキル基は、単環の環状のアルキル基であってもよく、多環の環状のアルキル基であってもよい。単環の環状のアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、およびシクロオクチル基が挙げられる。多環の環状のアルキル基としては、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基、カンフェニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、カンホロイル基、ジシクロヘキシル基、およびピネニル基が挙げられる。中でも、高感度化との両立の観点から、シクロヘキシル基が最も好ましい。また、アリール基で置換されたアルキル基としては、後述するアリール基で置換された直鎖アルキル基が好ましい。
アリール基としては、具体的には、置換または無置換のベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インダセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセナフテン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、およびフェナジン環が挙げられる。ベンゼン環が最も好ましい。
From the viewpoint of solubility in organic solvents, R 113 and R 114 are preferably monovalent organic groups. The monovalent organic group preferably contains a linear or branched alkyl group, a cyclic alkyl group, or an aryl group, and more preferably an alkyl group substituted with an aryl group.
The carbon number of the alkyl group is preferably 1 to 30. The alkyl group may be linear, branched or cyclic. As a linear or branched alkyl group, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, dodecyl group, tetradecyl group, Examples include octadecyl group, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, 1-ethylpentyl group, and 2-ethylhexyl group. The cyclic alkyl group may be a monocyclic cyclic alkyl group or a polycyclic cyclic alkyl group. Examples of the monocyclic alkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. As a polycyclic cyclic alkyl group, for example, an adamantyl group, a norbornyl group, a bornyl group, a camphenyl group, a decahydronaphthyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclodecanyl group, a camphoroyl group, a dicyclohexyl group, and a pinenyl group Groups are mentioned. Among them, a cyclohexyl group is most preferable in terms of coexistence with high sensitivity. Moreover, as an alkyl group substituted by the aryl group, the linear alkyl group substituted by the aryl group mentioned later is preferable.
Specific examples of the aryl group include substituted or unsubstituted benzene ring, naphthalene ring, pentalene ring, indene ring, azulene ring, heptalene ring, indacene ring, perylene ring, pentacene ring, acenaphthene ring, phenanthrene ring, anthracene ring Naphthacene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluorene ring, biphenyl ring, pyrrole ring, furan ring, thiophene ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, indolizine ring, Indole ring, benzofuran ring, benzothiophene ring, isobenzofuran ring, quinolizine ring, quinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, quinoxaline ring, quinoxazoline ring, isoquinoline ring, carbazole ring, phenanthridine ring, acridine ring, Enantororin ring, thianthrene ring, chromene ring, xanthene ring, phenoxathiin ring, a phenothiazine ring, and a phenazine ring. The benzene ring is most preferred.

一般式(2)において、R113およびR114の少なくとも一方は、重合性不飽和基を有することが好ましい。これによれば、感度および解像性がより良好なネガ型感光性樹脂を得ることができる。このように重合性不飽和基(特に、ラジカル重合性基)を有することにより、本発明の製造方法により得られる硬化膜をネガ型現像する場合に、より効果的である。しかしながら、ネガ型現像する場合でも、架橋剤(特に、ラジカル重合性化合物)を配合する場合には、重合性不飽和基は必須ではない。
重合性不飽和基としては、エポキシ基、オキセタニル基、エチレン性不飽和結合を有する基、ブロックイソシアネート基、アルコキシメチル基、メチロール基、アミノ基などが挙げられる。なかでも、感度が良好であるという理由からエチレン性不飽和結合を有する基が好ましい。エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、(メタ)アリル基、下記式(III)で表される基などが挙げられる。
In the general formula (2), at least one of R 113 and R 114 preferably has a polymerizable unsaturated group. According to this, a negative photosensitive resin having better sensitivity and resolution can be obtained. By thus having a polymerizable unsaturated group (in particular, a radically polymerizable group), it is more effective in the case of negative development of a cured film obtained by the production method of the present invention. However, even in the case of negative development, the polymerizable unsaturated group is not essential when a crosslinking agent (particularly, a radically polymerizable compound) is blended.
Examples of the polymerizable unsaturated group include an epoxy group, an oxetanyl group, a group having an ethylenically unsaturated bond, a blocked isocyanate group, an alkoxymethyl group, a methylol group and an amino group. Among them, a group having an ethylenically unsaturated bond is preferable because the sensitivity is good. Examples of the group having an ethylenically unsaturated bond include a vinyl group, a (meth) allyl group, and a group represented by the following formula (III).

式(III)において、R200は、水素原子またはメチル基を表し、メチル基がより好ましい。
式(III)において、R201は、炭素数2〜12のアルキレン基、−CHCH(OH)CH−または炭素数4〜30のポリオキシアルキレン基を表す。
好適なR201の例としては、エチレン、プロピレン、トリメチレン、テトラメチレン、1,2−ブタンジイル、1,3−ブタンジイル、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、オクタメチレン、ドデカメチレン、−CHCH(OH)CH−が挙げられ、エチレン、プロピレン、トリメチレン、−CHCH(OH)CH−が好ましい。
特に好ましくは、R200がメチルで、R201がエチレンである。
In formula (III), R 200 represents a hydrogen atom or a methyl group, with a methyl group being more preferred.
In Formula (III), R 201 represents an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, —CH 2 CH (OH) CH 2 — or a polyoxyalkylene group having 4 to 30 carbon atoms.
Examples of suitable R 201 include ethylene, propylene, trimethylene, tetramethylene, 1,2-butanediyl, 1,3-butanediyl, pentamethylene, hexamethylene, octamethylene, dodecamethylene, -CH 2 CH (OH) CH 2 - and the like, ethylene, propylene, trimethylene, -CH 2 CH (OH) CH 2 - is preferred.
Particularly preferably, R 200 is methyl and R 201 is ethylene.

一般式(2)の繰り返し単位が重合性基を含む場合、R113およびR114が重合性不飽和基である割合は、重合性基:重合性基非含有のモル比が、好ましくは100:0〜5:95であり、より好ましくは100:0〜20:80であり、さらに好ましくは100:0〜50:50である。When the repeating unit of the general formula (2) contains a polymerizable group, the ratio of R 113 and R 114 to be a polymerizable unsaturated group is preferably 100: It is 0-5: 95, More preferably, it is 100: 0-20: 80, More preferably, it is 100: 0-50: 50.

一般式(2)において、R113が水素原子である場合、および/または、R114が水素原子である場合、ポリイミド前駆体はエチレン性不飽和結合を有する3級アミン化合物と対塩を形成していてもよい。このようなエチレン性不飽和結合を有する3級アミン化合物の例としては、N,N−ジメチルアミノプロピルメタクリレートが挙げられる。In the general formula (2), when R 113 is a hydrogen atom and / or when R 114 is a hydrogen atom, the polyimide precursor forms a counter salt with a tertiary amine compound having an ethylenically unsaturated bond. It may be Examples of such tertiary amine compounds having an ethylenically unsaturated bond include N, N-dimethylaminopropyl methacrylate.

また、アルカリ現像の場合、解像性を向上させる点から、ポリイミド前駆体は、構造単位中にフッ素原子を有することが好ましい。フッ素原子により、アルカリ現像の際に膜の表面に撥水性が付与され、表面からのしみこみなどを抑えることができる。ポリイミド前駆体中のフッ素原子含有量は10質量%以上が好ましく、また、アルカリ水溶液に対する溶解性の点から20質量%以下が好ましい。   Moreover, in the case of alkaline development, it is preferable that a polyimide precursor has a fluorine atom in a structural unit from the point which improves resolution. The fluorine atom imparts water repellency to the surface of the film during alkali development, and it is possible to suppress the penetration from the surface. 10 mass% or more is preferable, and, as for the fluorine atom content in a polyimide precursor, 20 mass% or less is preferable from the soluble point with respect to aqueous alkali solution.

また、基板との密着性を向上させる目的で、シロキサン構造を有する脂肪族基を共重合してもよい。具体的には、ジアミン成分として、ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、ビス(p−アミノフェニル)オクタメチルペンタシロキサンなどが挙げられる。   In addition, in order to improve the adhesion to the substrate, an aliphatic group having a siloxane structure may be copolymerized. Specifically, as the diamine component, bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, bis (p-aminophenyl) octamethylpentasiloxane and the like can be mentioned.

また、組成物の保存安定性を向上させるため、ポリイミド前駆体は主鎖末端をモノアミン、酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物などの末端封止剤で封止することが好ましい。これらのうち、モノアミンを用いることがより好ましい。モノアミンとしては、アニリン、2−エチニルアニリン、3−エチニルアニリン、4−エチニルアニリン、5−アミノ−8−ヒドロキシキノリン、1−ヒドロキシ−7−アミノナフタレン、1−ヒドロキシ−6−アミノナフタレン、1−ヒドロキシ−5−アミノナフタレン、1−ヒドロキシ−4−アミノナフタレン、2−ヒドロキシ−7−アミノナフタレン、2−ヒドロキシ−6−アミノナフタレン、2−ヒドロキシ−5−アミノナフタレン、1−カルボキシ−7−アミノナフタレン、1−カルボキシ−6−アミノナフタレン、1−カルボキシ−5−アミノナフタレン、2−カルボキシ−7−アミノナフタレン、2−カルボキシ−6−アミノナフタレン、2−カルボキシ−5−アミノナフタレン、2−アミノ安息香酸、3−アミノ安息香酸、4−アミノ安息香酸、4−アミノサリチル酸、5−アミノサリチル酸、6−アミノサリチル酸、2−アミノベンゼンスルホン酸、3−アミノベンゼンスルホン酸、4−アミノベンゼンスルホン酸、3−アミノ−4,6−ジヒドロキシピリミジン、2−アミノフェノール、3−アミノフェノール、4−アミノフェノール、2−アミノチオフェノール、3−アミノチオフェノール、4−アミノチオフェノールなどが挙げられる。これらを2種以上用いてもよく、複数の末端封止剤を反応させることにより、複数の異なる末端基を導入してもよい。   Moreover, in order to improve the storage stability of the composition, the polyimide precursor is sealed at the main chain terminal with an end capping agent such as monoamine, acid anhydride, monocarboxylic acid, monoacid chloride compound, monoactive ester compound, etc. Is preferred. Among these, it is more preferable to use a monoamine. Examples of monoamines include aniline, 2-ethynylaniline, 3-ethynylaniline, 4-ethynylaniline, 5-amino-8-hydroxyquinoline, 1-hydroxy-7-aminonaphthalene, 1-hydroxy-6-aminonaphthalene, and 1-hydroxy-6-aminonaphthalene. Hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-hydroxy-4-aminonaphthalene, 2-hydroxy-7-aminonaphthalene, 2-hydroxy-6-aminonaphthalene, 2-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-carboxy-7-amino Naphthalene, 1-carboxy-6-aminonaphthalene, 1-carboxy-5-aminonaphthalene, 2-carboxy-7-aminonaphthalene, 2-carboxy-6-aminonaphthalene, 2-carboxy-5-aminonaphthalene, 2-amino Benzoic acid, 3-aminobenzoic acid, -Aminobenzoic acid, 4-aminosalicylic acid, 5-aminosalicylic acid, 6-aminosalicylic acid, 2-aminobenzenesulfonic acid, 3-aminobenzenesulfonic acid, 4-aminobenzenesulfonic acid, 3-amino-4,6-dihydroxy Pyrimidine, 2-aminophenol, 3-aminophenol, 4-aminophenol, 2-aminothiophenol, 3-aminothiophenol, 4-aminothiophenol and the like can be mentioned. Two or more of these may be used, and a plurality of different end groups may be introduced by reacting a plurality of end capping agents.

一般式(2)で表される繰り返し単位は、一般式(1−1)で表される繰り返し単位であることが好ましい。すなわち、本発明で用いる複素環含有ポリマー前駆体の少なくとも1種が、一般式(1−1)で表される繰り返し単位を有する前駆体であることが好ましい。このような構造とすることにより、露光ラチチュードの幅をより広げることが可能になる。
一般式(1−1)中、AおよびAは、酸素原子を表し、R111およびR112は、それぞれ独立に、2価の有機基を表し、R113およびR114は、それぞれ独立に、水素原子または1価の有機基を表す。
The repeating unit represented by the general formula (2) is preferably a repeating unit represented by the general formula (1-1). That is, it is preferable that at least 1 sort (s) of the heterocyclic containing polymer precursor used by this invention is a precursor which has a repeating unit represented by General formula (1-1). Such a structure makes it possible to further widen the exposure latitude.
In general formula (1-1), A 1 and A 2 represent an oxygen atom, R 111 and R 112 each independently represent a divalent organic group, and R 113 and R 114 each independently. , A hydrogen atom or a monovalent organic group.

、A、R111、R113およびR114は、それぞれ独立に、一般式(2)におけるA、A、R111、R113およびR114と同義であり、好ましい範囲も同様である。
112は、一般式(5)におけるR112と同義であり、好ましい範囲も同様である。
A 1, A 2, R 111 , R 113 and R 114 are each independently the same meaning as A 1, A 2, R 111 , R 113 and R 114 in formula (2), the preferred range is also the same is there.
R 112 has the same meaning as R 112 in General Formula (5), and the preferred range is also the same.

ポリイミド前駆体は、一般式(2)で表される繰り返し構造単位が1種であってもよいが、2種以上であってもよい。また、一般式(2)で表される繰り返し単位の構造異性体を含んでいてもよい。また、ポリイミド前駆体は、上記の一般式(2)の繰り返し単位のほかに、他の種類の繰り返し構造単位も含んでよいことはいうまでもない。   In the polyimide precursor, the repeating structural unit represented by the general formula (2) may be of one type, or of two or more types. Moreover, the structural isomer of the repeating unit represented by General formula (2) may be included. Further, it goes without saying that the polyimide precursor may contain other types of repeating structural units in addition to the repeating unit of the above general formula (2).

本発明におけるポリイミド前駆体の一実施形態として、全繰り返し単位の50モル%以上、さらには70モル%以上、特には90モル%以上が一般式(2)で表される繰り返し単位であるポリイミド前駆体が例示される。   As one embodiment of the polyimide precursor in the present invention, a polyimide precursor in which 50 mol% or more, further 70 mol% or more, particularly 90 mol% or more of all the repeating units are the repeating units represented by the general formula (2) The body is illustrated.

ポリイミド前駆体の重量平均分子量(Mw)は、好ましくは10,000〜50,000であり、より好ましくは14,000〜30,000である。また、数平均分子量(Mn)は、好ましくは5,000〜14,000である。
上記ポリイミド前駆体の分散度は、2.0以上が好ましく、2.1以上がより好ましい。ポリイミド前駆体の分散度の上限値は特に定めるものではないが、例えば、4.5以下が好ましく、4.0以下がより好ましく、3.8以下がさらに好ましく、3.2以下が一層好ましく、3.1以下がより一層好ましく、3.0以下がさらに一層好ましく、2.95以下が特に一層好ましく、2.6以下が最も好ましい
The weight average molecular weight (Mw) of the polyimide precursor is preferably 10,000 to 50,000, and more preferably 14,000 to 30,000. Further, the number average molecular weight (Mn) is preferably 5,000 to 14,000.
The degree of dispersion of the polyimide precursor is preferably 2.0 or more, and more preferably 2.1 or more. The upper limit of the degree of dispersion of the polyimide precursor is not particularly limited, but is preferably 4.5 or less, more preferably 4.0 or less, still more preferably 3.8 or less, and still more preferably 3.2 or less 3.1 or less is still more preferable, 3.0 or less is still more preferable, 2.95 or less is particularly preferable, and 2.6 or less is most preferable

<<ポリベンゾオキサゾール前駆体>>
本発明で用いるポリベンゾオキサゾール前駆体は、ポリベンゾオキサゾール化可能な化合物であれば、その構造等、特に限定はないが、下記一般式(3)で表される化合物であることが好ましい。
<< Polybenzoxazole Precursor >>
The polybenzoxazole precursor used in the present invention is not particularly limited as long as it is a compound capable of forming polybenzoxazole, and its structure etc. is not particularly limited, but is preferably a compound represented by the following general formula (3).

一般式(3)
一般式(3)中、R121は、2価の有機基を表し、R122は、4価の有機基を表し、R123およびR124は、それぞれ独立に、水素原子または1価の有機基を表す。
General formula (3)
In formula (3), R 121 represents a divalent organic group, R 122 represents a tetravalent organic group, and R 123 and R 124 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group Represents

121は、2価の有機基を表す。2価の有機基としては、脂肪族基またはアリール基が挙げられる。
2価のアリール基の例としては、下記が挙げられる。
R 121 represents a divalent organic group. An aliphatic group or an aryl group is mentioned as a bivalent organic group.
Examples of the divalent aryl group include the following.

式中、Aは−CH−、−O−、−S−、−SO−、−CO−、−NHCO−、−C(CF−、および、−C(CH−からなる群から選択される2価の基を表す。 In the formula, A represents —CH 2 —, —O—, —S—, —SO 2 —, —CO—, —NHCO—, —C (CF 3 ) 2 —, or —C (CH 3 ) 2 — And b represents a divalent group selected from the group consisting of

2価の脂肪族基としては、直鎖状の脂肪族基であることが低温での環化を促進する点で好ましい。直鎖状の脂肪族基の炭素数は、2〜30であることが好ましく、2〜25であることがより好ましく、3〜20であることがさらに好ましく、4〜15であることが一層好ましく、5〜10であることが特に好ましい。直鎖状の脂肪族基はアルキレン基であることが好ましい。直鎖状の脂肪族基を含むジカルボン酸類として、例えば、マロン酸、ジメチルマロン酸、エチルマロン酸、イソプロピルマロン酸、ジ−n−ブチルマロン酸、スクシン酸、テトラフルオロスクシン酸、メチルスクシン酸、2,2−ジメチルスクシン酸、2,3−ジメチルスクシン酸、ジメチルメチルスクシン酸、グルタル酸、ヘキサフルオログルタル酸、2−メチルグルタル酸、3−メチルグルタル酸、2,2−ジメチルグルタル酸、3,3−ジメチルグルタル酸、3−エチル−3−メチルグルタル酸、アジピン酸、オクタフルオロアジピン酸、3−メチルアジピン酸、ピメリン酸、2,2,6,6−テトラメチルピメリン酸、スベリン酸、ドデカフルオロスベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ヘキサデカフルオロセバシン酸、1,9−ノナン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、ヘキサデカン二酸、ヘプタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸、ヘンエイコサン二酸、ドコサン二酸、トリコサン二酸、テトラコサン二酸、ペンタコサン二酸、ヘキサコサン二酸、ヘプタコサン二酸、オクタコサン二酸、ノナコサン二酸、トリアコンタン二酸、ヘントリアコンタン二酸、ドトリアコンタン二酸、ジグリコール酸、さらに下記一般式で表されるジカルボン酸等が挙げられる。   As the divalent aliphatic group, a linear aliphatic group is preferable in terms of promoting cyclization at a low temperature. The carbon number of the linear aliphatic group is preferably 2 to 30, more preferably 2 to 25, still more preferably 3 to 20, and still more preferably 4 to 15. , And 5 to 10 are particularly preferable. The linear aliphatic group is preferably an alkylene group. Examples of dicarboxylic acids containing a linear aliphatic group include malonic acid, dimethyl malonic acid, ethyl malonic acid, isopropyl malonic acid, di-n-butyl malonic acid, succinic acid, tetrafluorosuccinic acid, methyl succinic acid, 2,2-dimethylsuccinic acid, 2,3-dimethylsuccinic acid, dimethylmethylsuccinic acid, glutaric acid, hexafluoroglutaric acid, 2-methylglutaric acid, 3-methylglutaric acid, 2,2-dimethylglutarate Acid, 3,3-dimethyl glutaric acid, 3-ethyl-3-methyl glutaric acid, adipic acid, octafluoro adipic acid, 3-methyl adipic acid, pimelic acid, 2,2,6,6-tetramethyl pimelic acid , Suberic acid, dodecafluorosuberic acid, azelaic acid, sebacic acid, hexadecafluorosebacic acid, 1,9- Nandioic acid, dodecanedioic acid, tridecanedioic acid, tetradecanedioic acid, pentadecanedioic acid, hexadecanedioic acid, heptadecanedioic acid, octadecanedioic acid, nonadecanedioic acid, eicosane diacid, henicosane diacid, docosandioic acid, trichosandiic acid Acid, tetracosanedioic acid, pentacosanedioic acid, hexacosanedioic acid, heptacosane diacid, octacosanedioic acid, nonacosane diacid, triacontandioic acid, hendriacontan diacid, dotriacontanedioic acid, diglycolic acid, etc. The dicarboxylic acid etc. which are represented by a formula are mentioned.

(式中、Zは炭素数1〜6の炭化水素基であり、nは1〜6の整数である。) (In the formula, Z is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and n is an integer of 1 to 6)

122は、4価の有機基を表す。4価の有機基としては、上記一般式(2)におけるR115と同義であり、好ましい範囲も同様である。
また、R122は、下記一般式(A)で表されるビスアミノフェノール誘導体の残基であることが好ましい。
Ar(NH(OH) ・・・(A)
式中、Arはアリール基である。
R 122 represents a tetravalent organic group. The tetravalent organic group has the same meaning as R 115 in the general formula (2), and preferred ranges are also the same.
Further, R 122 is preferably a residue of a bisaminophenol derivative represented by the following general formula (A).
Ar (NH 2 ) 2 (OH) 2 (A)
In the formula, Ar is an aryl group.

上記一般式(A)のビスアミノフェノール誘導体としては、例えば、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、1,4−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシベンゼン、1,3−ジアミノ−2,4−ジヒドロキシベンゼン、1,3−ジアミノ−4,6−ジヒドロキシベンゼンなどが挙げられる。これらのビスアミノフェノールは単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。   Examples of bisaminophenol derivatives of the above general formula (A) include 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxybiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxybiphenyl, 3,3 ′ -Diamino-4,4'-dihydroxydiphenyl sulfone, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenyl sulfone, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (3-amino) -4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, bis (4- Amino-3-hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, 4,4, '-Diamino-3,3'-dihydroxybenzophenone, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybenzophenone, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenyl ether, 3,3'-diamino-4 4,4'-dihydroxydiphenyl ether, 1,4-diamino-2,5-dihydroxybenzene, 1,3-diamino-2,4-dihydroxybenzene, 1,3-diamino-4,6-dihydroxybenzene and the like. These bisaminophenols may be used alone or in combination of two or more.

一般式(A)で表されるビスアミノフェノール誘導体のうち、下記のアリール基を有するビスアミノフェノール誘導体が好ましい。   Among the bisaminophenol derivatives represented by formula (A), bisaminophenol derivatives having the following aryl group are preferred.

式中、Xは、−O−、−S−、−C(CF−、−CH−、−SO−、−NHCO−を表す。また、上記構造において、一般式(A)の構造中に含まれる−OHと−NHとは互いにオルト位(隣接位)に結合する。
i線に対して高透明で、且つ低温で硬化可能なポリベンゾオキサゾール前駆体を得られる点から、上記一般式(A)のビスアミノフェノール誘導体は、下記一般式(A−s)で示されるビスフェノールであることが好ましい。
Wherein, X 1 is, -O -, - S -, - C (CF 3) 2 -, - CH 2 -, - SO 2 -, - representing the NHCO-. Further, in the above structure, -OH and -NH 2 contained in the structure of the general formula (A) are mutually bonded in the ortho position (adjacent position).
The bisaminophenol derivative of the above general formula (A) is represented by the following general formula (A-s) from the viewpoint of being able to obtain a polybenzoxazole precursor which is highly transparent to i-ray and which can be cured at low temperature. It is preferable that it is a bisphenol.

式中、Rはアルキレン、置換アルキレン、−O−、−S−、−SO−、−CO−、−NHCO−、単結合、または下記式(A−sc)の群から選ばれる有機基である。Rは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、環状のアルキル基のいずれかであり、同一でも異なっても良い。Rは水素原子、直鎖状または分岐状のアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、環状のアルキル基のいずれかであり、同一でも異なっても良い。In the formula, R 1 is an alkylene, a substituted alkylene, -O-, -S-, -SO 2- , -CO-, -NHCO-, a single bond, or an organic group selected from the group of the following formula (A-sc) It is. R 2 is any one of a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an acyloxy group and a cyclic alkyl group, and may be the same or different. R 3 is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group, an alkoxy group, an acyloxy group or a cyclic alkyl group, and may be the same or different.

(式中、*は上記式(A−s)で示されるビスアミノフェノール誘導体のアミノフェノー
ル基の芳香環に結合することを示す。)
(In the formula, * represents bonding to the aromatic ring of the aminophenol group of the bisaminophenol derivative represented by the above formula (As).)

上記式(A−s)中、フェノール性水酸基のオルト位、すなわち、Rにも置換基を有することが、アミド結合のカルボニル炭素と水酸基の距離をより接近させると考えられ、低温で硬化した際に高環化率になる効果が更に高まる点で、特に好ましい。In the above formula (As), having a substituent at the ortho position of the phenolic hydroxyl group, that is, R 3 is considered to make the distance between the carbonyl carbon of the amide bond and the hydroxyl group closer and cure at low temperature It is particularly preferable in that the effect of achieving a high degree of cyclization is further enhanced.

また、上記式(A−s)中、Rがアルキル基であり、かつRがアルキル基であることが、i線に対する高透明性と低温で硬化した際に高環化率であるという効果を維持しながら、アルカリ水溶液を現像液に用いる場合に十分な溶解性を持ち、バランスに優れるポリベンゾオキサゾール前駆体が得られる点で、特に好ましい。Further, in the above formula (A-s), that R 2 is an alkyl group and R 3 is an alkyl group is said to have a high degree of transparency to i-line and a high degree of cyclization when cured at low temperature It is particularly preferable in that a polybenzoxazole precursor having sufficient solubility and excellent balance can be obtained when using an aqueous alkaline solution as a developer while maintaining the effect.

また、上記式(A−s)中、Rがアルキレンまたは置換アルキレンであることが、好ましい。Rに係るアルキレンおよび置換アルキレンの具体的な例としては、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH−、−CH(CHCH)−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CHCH)(CHCH)−、−CH(CHCHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−CH(CH(CH)−、−C(CH)(CH(CH)−、−CH(CHCHCHCH)−、−C(CH)(CHCHCHCH)−、−CH(CHCH(CH)−、−C(CH)(CHCH(CH)−、−CH(CHCHCHCHCH)−、−C(CH)(CHCHCHCHCH)−、−CH(CHCHCHCHCHCH)−、−C(CH)(CHCHCHCHCHCH)−等が挙げられるが、その中でも−CH−、−CH(CH)−、−C(CH−が、i線に対する高透明性と低温で硬化した際の高環化率であるという効果を維持しながら、アルカリ水溶液だけでなく溶剤に対しても十分な溶解性を持つ、バランスに優れるポリベンゾオキサゾール前駆体を得ることができる点で、より好ましい。Moreover, it is preferable that R < 1 > is alkylene or substituted alkylene in said Formula (A-s). Specific examples of the alkylene and substituted alkylene for R 1 include -CH 2- , -CH (CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2- , -CH (CH 2 CH 3 )-, -C (CH 3) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) (CH 2 CH 3) -, - CH (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3 ) —, —CH (CH (CH 3 ) 2 ) —, —C (CH 3 ) (CH (CH 3 ) 2 ) —, —CH (CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 2 CH 3) -, - CH (CH 2 CH (CH 3) 2) -, - C (CH 3) (CH 2 CH (CH 3) 2) -, - CH (CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 2 C 2 CH 3) -, - CH (CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 3) - but the like Among them, -CH 2- , -CH (CH 3 )-and -C (CH 3 ) 2- maintain high transparency to i-line and high cyclization ratio when cured at low temperature. However, it is more preferable at the point which can obtain the polybenzoxazole precursor which has sufficient solubility with respect to not only aqueous alkali solution but solvent, and is excellent in balance.

上記式(A−s)で示されるビスアミノフェノール誘導体の製造方法としては、例えば、特開2013−256506号公報の段落番号0085〜0094および実施例1(段落番号0189〜0190)を参考にすることができ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。   As a manufacturing method of the bisamino phenol derivative shown by said Formula (As), paragraph number 0085-0094 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-256506 and Example 1 (Paragraph number 0189-0190) are referred to, for example The contents of which are incorporated herein.

上記式(A−s)で示されるビスアミノフェノール誘導体の構造の具体例としては、特開2013−256506号公報の段落番号0070〜0080に記載のものが挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。もちろん、これらに限定されるものではないことは言うまでもない。   Specific examples of the structure of the bisaminophenol derivative represented by the above formula (A-s) include those described in paragraphs [0070] to [0080] of JP-A-2013-256506, the contents of which are incorporated herein by reference. Incorporated into Of course, it is needless to say that it is not limited to these.

中でも、下記に示すものが上記式(A−s)で示されるビスアミノフェノール誘導体として好ましい。   Among them, those shown below are preferable as the bisaminophenol derivative represented by the above formula (A-s).

123およびR124は、水素原子または1価の有機基を表し、水素原子または重合性不飽和基が好ましい。感度および解像性がより良好なネガ型感光性樹脂を得ることができる点かは、R123およびR124の少なくとも一方が、重合性不飽和基を表すことが好ましい。重合性不飽和基としては、一般式(2)のR113およびR114で説明した態様と同一であり、好ましい範囲も同様である。R 123 and R 124 each represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, preferably a hydrogen atom or a polymerizable unsaturated group. It is preferable that at least one of R 123 and R 124 represents a polymerizable unsaturated group in that a negative photosensitive resin having better sensitivity and resolution can be obtained. The polymerizable unsaturated group is the same as described aspects R 113 and R 114 in formula (2), and preferred ranges are also the same.

ポリベンゾオキサゾール前駆体は、上記の一般式(3)の繰り返し単位のほかに、他の種類の繰り返し構造単位も含んでもよい。
閉環に伴う反りの発生を抑制できる点で、下記一般式(SL)で表されるジアミン残基を他の種類の繰り返し構造単位として含むことが好ましい。
The polybenzoxazole precursor may also contain other types of repeating structural units in addition to the repeating unit of the general formula (3) above.
It is preferable that the diamine residue represented by the following general formula (SL) is included as another kind of repeating structural unit from the point which can suppress generation | occurrence | production of the curvature accompanying ring closing.

一般式(SL)中、Zは、a構造とb構造とを有し、R1sは水素原子または炭素数1〜10の炭化水素基であり、R2sは炭素数1〜10の炭化水素基であり、R3s、R4s、R5s、R6sのうち少なくとも1つはアリール基で、残りは水素原子または炭素数1〜30の有機基で、それぞれ同一でも異なっていてもよい。a構造およびb構造の重合は、ブロック重合でもランダム重合でもよい。Z部分のモル%は、a構造は5〜95モル%、b構造は95〜5モル%であり、a+bは100モル%である。 In the general formula (SL), Z has an a structure and a b structure, R 1s is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and R 2s is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms And at least one of R 3s , R 4s , R 5s , and R 6s is an aryl group, and the remainder is a hydrogen atom or an organic group having 1 to 30 carbon atoms, which may be the same or different. The polymerization of the a structure and the b structure may be block polymerization or random polymerization. The mole percentage of the Z moiety is 5 to 95 mole% for the a structure, 95 to 5 mole% for the b structure, and a + b is 100 mole%.

一般式(SL)において、好ましいZとしては、b構造中のR5sおよびR6sがフェニル基であるものが挙げられる。また、一般式(SL)で示される構造の分子量は、400〜4,000であることが好ましく、500〜3,000がより好ましい。分子量は、一般的に用いられるゲル浸透クロマトグラフィによって求めることができる。上記分子量を上記範囲とすることで、ポリベンゾオキサゾール前駆体の脱水閉環後の弾性率を下げ、反りを抑制できる効果と溶解性を向上させる効果とを両立することができる。In the general formula (SL), preferable Z includes those in which R 5s and R 6s in the b structure are a phenyl group. Moreover, it is preferable that it is 400-4,000, and, as for the molecular weight of the structure shown by general formula (SL), 500-3,000 are more preferable. Molecular weight can be determined by commonly used gel permeation chromatography. By making the said molecular weight into the said range, the elastic modulus after dehydration ring-closing of a polybenzoxazole precursor can be reduced, and the effect which can control curvature, and the effect of improving solubility can be compatible.

他の種類の繰り返し構造単位として一般式(SL)で表されるジアミン残基を含む場合、アルカリ可溶性を向上させる点で、さらに、テトラカルボン酸二無水物から無水物基の除去後に残存するテトラカルボン酸残基を繰り返し構造単位として含むことが好ましい。このようなテトラカルボン酸残基の例としては、一般式(2)中のR115の例が挙げられる。When the diamine residue represented by General Formula (SL) is included as another type of repeating structural unit, tetramer remaining after removal of the anhydride group from the tetracarboxylic acid dianhydride is further added in that the alkali solubility is improved. It is preferable to include a carboxylic acid residue as a repeating structural unit. Examples of such tetracarboxylic acid residues include the examples of R 115 in the general formula (2).

また、組成物の保存安定性を向上させるため、ポリベンゾオキサゾール前駆体の末端のアミノ基を、アルケニル基またはアルキニル基を少なくとも1つ有する脂肪族基または環状の基を含む酸無水物を用いて、アミドにしてキャップすることが好ましい。   Also, in order to improve the storage stability of the composition, an acid anhydride containing an aliphatic group or a cyclic group having at least one alkenyl group or at least one alkynyl group is used for the terminal amino group of the polybenzoxazole precursor. It is preferable to make it into an amide and cap.

このような、アミノ基と反応した後のアルケニル基またはアルキニル基を少なくとも1つ有する脂肪族基または環状の基を含む酸無水物に起因する基としては、すなわち、末端封止基は、例えば、下記で示される基を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いても良い。   As such a group derived from an acid anhydride containing an aliphatic group or a cyclic group having at least one alkenyl group or alkynyl group after reaction with an amino group, that is, the end capping group is, for example, The groups shown below can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

特に下記で示される基が保存性向上できる点で好ましい。   In particular, the groups shown below are preferable in that they can improve the storage stability.

ポリベンゾオキサゾール前駆体は、例えば、一般式(A)で表されるビスアミノフェノール誘導体と、R121を含むジカルボン酸並びに上記ジカルボン酸の、ジカルボン酸ジクロライドおよびジカルボン酸誘導体等から選ばれる化合物とを反応させて得ることができる。
なお、ジカルボン酸を用いる場合には反応収率等を高めるため、1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール等を予め反応させた活性エステル型のジカルボン酸誘導体を用いてもよい。
The polybenzoxazole precursor includes, for example, a bisaminophenol derivative represented by the general formula (A), a dicarboxylic acid containing R 121 , and a compound selected from the dicarboxylic acid dichloride and the dicarboxylic acid derivative of the dicarboxylic acid, etc. It can be obtained by reaction.
In addition, when using dicarboxylic acid, in order to raise reaction yield etc., you may use the dicarboxylic acid derivative of the active ester type which made 1-hydroxy 1,2,3- benzotriazole etc. react beforehand.

ポリベンゾオキサゾール前駆体の重量平均分子量(Mw)は、例えば、後述する組成物に用いる場合、好ましくは8,000〜30,000であり、より好ましくは9,000〜29,000であり、さらに好ましくは10,000〜28,000である。また、数平均分子量(Mn)は、好ましくは5,000〜14,000であり、より好ましくは6,000〜12,000であり、さらに好ましくは6,500〜11,200である。
上記ポリベンゾオキサゾール前駆体の分散度は、1.4以上であることが好ましく、1.5以上であることがより好ましく、1.6以上であることがさらに好ましい。ポリベンゾオキサゾール前駆体の分散度の上限値は特に定めるものではないが、例えば、2.6以下が好ましく、2.5以下がより好ましく、2.4以下がさらに好ましく、2.3以下が一層好ましく、2.2以下がより一層好ましい。
The weight average molecular weight (Mw) of the polybenzoxazole precursor is, for example, preferably 8,000 to 30,000, more preferably 9,000 to 29,000, when used in the composition described later. Preferably it is 10,000-28,000. Further, the number average molecular weight (Mn) is preferably 5,000 to 14,000, more preferably 6,000 to 12,000, and still more preferably 6,500 to 11,200.
The degree of dispersion of the polybenzoxazole precursor is preferably 1.4 or more, more preferably 1.5 or more, and still more preferably 1.6 or more. The upper limit value of the degree of dispersion of the polybenzoxazole precursor is not particularly limited, but is preferably 2.6 or less, more preferably 2.5 or less, still more preferably 2.4 or less, and still more preferably 2.3 or less. Preferably, 2.2 or less is more preferable.

本発明で用いる組成物における、複素環含有ポリマー前駆体の含有量は、組成物の20〜50質量%が好ましく、25〜40質量%がより好ましい。また、本発明で用いる組成物における、複素環含有ポリマー前駆体の含有量は、組成物の固形分の70質量%以上であることが好ましく、75質量%以上であることがより好ましい。上限値については、特に定めるものではないが、複素環含有ポリマー前駆体とアミン発生剤の合計量が組成物の固形分の100質量%であってもよい。
また、本発明で用いる組成物は、複素環含有ポリマー前駆体を1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。また、ポリイミド前駆体とポリベンゾオキサゾール前駆体の両方を含んでいてもよいが、1種以上のポリイミド前駆体のみからなる態様、および、2種以上のポリベンゾオキサゾール前駆体のみからなる態様がより好ましい。
20-50 mass% of a composition is preferable, and, as for content of the heterocyclic containing polymer precursor in the composition used by this invention, 25-40 mass% is more preferable. The content of the heterocycle-containing polymer precursor in the composition used in the present invention is preferably 70% by mass or more, and more preferably 75% by mass or more, based on the solid content of the composition. The upper limit value is not particularly limited, but the total amount of the heterocycle-containing polymer precursor and the amine generator may be 100% by mass of the solid content of the composition.
The composition used in the present invention may contain only one type of heterocycle-containing polymer precursor, or may contain two or more types. When it contains 2 or more types, it is preferable that a total amount becomes said range. In addition, although both a polyimide precursor and a polybenzoxazole precursor may be included, an embodiment consisting of only one or more types of polyimide precursors and an embodiment consisting only of two or more types of polybenzoxazole precursors are more preferable. preferable.

<アミン発生剤>
本発明では、アミン発生剤は、熱アミン発生剤および光アミン発生剤が好ましく、熱アミン発生剤がより好ましい。
<Amine generator>
In the present invention, the amine generator is preferably a thermal amine generator and a photoamine generator, and more preferably a thermal amine generator.

これらアミン発生剤としては、一般的に、アルコキシカルボニル基などの保護基により不活性化されたアミン類、ニフェジピン類、アミンと酸とで形成された塩、4級アンモニウム塩などが挙げられる。
このような化合物を配合することにより、複素環含有ポリマーの環化反応を低温で行うことができ、また、より安定性に優れた組成物とすることができる。また、本発明で用いるアミン発生剤は、刺激を与えなければアミンを発生しないので、複素環含有ポリマー前駆体と共存させても、保存中における複素環含有ポリマー前駆体の環化を抑制でき、保存安定性に優れている。
Examples of such an amine generator generally include amines which are inactivated by a protecting group such as an alkoxycarbonyl group, nifedipines, salts formed with an amine and an acid, quaternary ammonium salts and the like.
By blending such a compound, the cyclization reaction of the heterocycle-containing polymer can be carried out at a low temperature, and a composition with more excellent stability can be obtained. In addition, since the amine generator used in the present invention does not generate an amine without giving a stimulus, coexistence with the heterocycle-containing polymer precursor can suppress the cyclization of the heterocycle-containing polymer precursor during storage, Excellent storage stability.

<<熱アミン発生剤>>
熱アミン発生剤としては、その種類等は特に定めるものではないが、40〜250℃に加熱するとアミンを発生する酸性化合物(A1)、および、pKa1が0〜4のアニオンとアンモニウムカチオンとを有するアンモニウム塩(A2)から選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましい。このような化合物を採用することにより、アウトガス性をより向上させることができる。ここで、pKa1とは、多価の酸の第一のプロトンの解離定数(Ka)の対数表示(−Log10Ka)を示す。
このような化合物を配合することにより、複素環含有ポリマー前駆体の環化反応を低温で行うことができ、また、より安定性に優れた組成物とすることができる。また、熱アミン発生剤は、加熱しなければアミンを発生しないので、複素環含有ポリマー前駆体と共存させても、保存中における複素環含有ポリマー前駆体の環化を抑制でき、保存安定性に優れている。
<< Thermal amine generator >>
The type and the like of the thermal amine generator is not particularly limited, but it has an acidic compound (A1) which generates an amine when heated to 40 to 250 ° C., and an anion having a pKa 1 of 0 to 4 and an ammonium cation. It is preferable to include at least one selected from ammonium salts (A2). By employing such a compound, the outgassing property can be further improved. Here, pKa1 is a logarithmic expression (−Log 10 Ka) of the dissociation constant (Ka) of the first proton of a polyvalent acid.
By blending such a compound, the cyclization reaction of the heterocycle-containing polymer precursor can be carried out at a low temperature, and a composition with more excellent stability can be obtained. In addition, since the thermal amine generator does not generate an amine unless it is heated, cyclization of the heterocycle-containing polymer precursor during storage can be suppressed even in the presence of the heterocycle-containing polymer precursor, which leads to storage stability. Are better.

熱アミン発生剤は、加熱するとアミンを発生するので、これらの化合物から発生したアミンにより、複素環含有ポリマー前駆体の環化反応を促進でき、複素環含有ポリマー前駆体の環化を低温で行うことができる。また、これらの化合物は、アミンにより環化して硬化する複素環含有ポリマー前駆体と共存させても、加熱しなければ複素環含有ポリマー前駆体の環化が殆ど進行しないので、安定性に優れた組成物を調製することができる。
なお、本明細書において、酸性化合物とは、化合物を容器に1g採取し、イオン交換水とテトラヒドロフランとの混合液(質量比は水/テトラヒドロフラン=1/4)を50mL加えて、室温で1時間攪拌する。その溶液をpH(potential hydrogen)メーターを用いて、20℃にて測定した値が7未満である化合物を意味する。
Since the thermal amine generator generates amines when heated, the amines generated from these compounds can accelerate the cyclization reaction of the heterocycle-containing polymer precursor, and the heterocycle-containing polymer precursor is cyclized at a low temperature be able to. In addition, these compounds are excellent in stability because the cyclization of the heterocycle-containing polymer precursor hardly progresses without heating even when coexisting with the heterocycle-containing polymer precursor which is cyclized and cured by an amine. The composition can be prepared.
In this specification, 1 g of the compound is collected in a container as an acidic compound, and 50 mL of a mixed solution of ion exchanged water and tetrahydrofuran (mass ratio is water / tetrahydrofuran = 1/4) is added, and it is performed for 1 hour at room temperature. Stir. The solution is a compound having a value of less than 7 when measured at 20 ° C. using a pH (potential hydrogen) meter.

本発明における熱アミン発生剤のアミン発生温度は、40〜250℃が好ましく、120〜250℃がより好ましい。アミンを発生する温度の上限は、240℃以下がより好ましく、230℃以下がさらに好ましく、220℃以下が一層好ましく、200℃以下がより一層好ましく、190℃以下がさらに一層好ましく、180℃以下が特に好ましい。アミンを発生する温度の下限は、130℃以上がさらに好ましく、135℃以上が一層好ましい。アミン発生温度は、示差走査熱量測定を用い、熱アミン発生剤を耐圧カプセル中、5℃/分で250℃まで加熱し、最も温度が低い発熱ピークのピーク温度を読み取り、ピーク温度をアミン発生温度として測定することができる。
熱アミン発生剤のアミンを発生する温度が40℃以上であれば、保存中にアミンが発生しにくいので、より安定性に優れた組成物を調製することができる。熱アミン発生剤のアミンを発生する温度が250℃以下であれば、複素環含有ポリマー前駆体の環化温度を下げることができる。
40-250 degreeC is preferable and, as for the amine generation | occurrence | production temperature of the thermal amine generator in this invention, 120-250 degreeC is more preferable. The upper limit of the temperature at which the amine is generated is preferably 240 ° C. or less, more preferably 230 ° C. or less, still more preferably 220 ° C. or less, still more preferably 200 ° C. or less, still more preferably 190 ° C. or less, 180 ° C. or less Particularly preferred. The lower limit of the temperature at which the amine is generated is more preferably 130 ° C. or more, and still more preferably 135 ° C. or more. Amine generation temperature is obtained by heating the thermal amine generator to 250 ° C. at 5 ° C./min in a pressure-resistant capsule using differential scanning calorimetry, reading the peak temperature of the exothermic peak with the lowest temperature, peak temperature as amine generation temperature It can be measured as
If the temperature at which the amine of the thermal amine generator is generated is 40 ° C. or more, the amine is less likely to be generated during storage, so that a composition with more excellent stability can be prepared. If the temperature for generating the amine of the thermal amine generator is 250 ° C. or less, the cyclization temperature of the heterocycle-containing polymer precursor can be lowered.

本発明において、熱アミン発生剤が発生するアミンは、2級アミンまたは3級アミンが好ましく、3級アミンがより好ましい。3級アミンは、塩基性が高いので、複素環含有ポリマー前駆体の環化温度をより低下させることができる。また、アミン発生剤により発生するアミンの沸点は、80℃以上であることが好ましく、100℃以上であることがより好ましく、140℃以上であることがさらに好ましい。
また、発生するアミンの分子量は、60〜300が好ましい。下限は100以上がより好ましく、120以上がさらに好ましい。上限は250以下がより好ましく、200以下がさらに好ましい。なお、分子量の値は、構造式から求めた理論値である。
In the present invention, the amine from which the thermal amine generator is generated is preferably a secondary amine or a tertiary amine, more preferably a tertiary amine. Since the tertiary amine is highly basic, the cyclization temperature of the heterocycle-containing polymer precursor can be further lowered. The boiling point of the amine generated by the amine generator is preferably 80 ° C. or more, more preferably 100 ° C. or more, and still more preferably 140 ° C. or more.
Moreover, as for the molecular weight of the amine to generate | occur | produce, 60-300 are preferable. The lower limit is more preferably 100 or more, and still more preferably 120 or more. The upper limit is more preferably 250 or less, still more preferably 200 or less. In addition, the value of molecular weight is a theoretical value calculated | required from structural formula.

本発明において、上記酸性化合物(A1)は、アンモニウム塩および後述する一般式(1A)で表される化合物から選ばれる1種以上を含むことが好ましい。   In the present invention, the acidic compound (A1) preferably contains one or more selected from an ammonium salt and a compound represented by the general formula (1A) described later.

本発明において、上記アンモニウム塩(A2)は、酸性化合物であることが好ましい。なお、上記アンモニウム塩(A2)は、40℃〜250℃(好ましくは120〜200℃)に加熱するとアミンを発生する酸性化合物を含む化合物であってもよいし、40℃〜250℃(好ましくは120〜200℃)に加熱するとアミンを発生する酸性化合物を含まない化合物であってもよい。   In the present invention, the ammonium salt (A2) is preferably an acidic compound. The ammonium salt (A2) may be a compound containing an acidic compound which generates an amine when heated to 40 ° C. to 250 ° C. (preferably 120 to 200 ° C.), or 40 ° C. to 250 ° C. (preferably) It may be a compound which does not contain an acidic compound which generates an amine when heated to 120 to 200 ° C.

<<<アンモニウム塩>>>
本発明において、アンモニウム塩とは、一般式(11)、または一般式(12)で表されるアンモニウムカチオンと、アニオンとの塩を意味する。アニオンは、アンモニウムカチオンのいずれかの一部と共有結合を介して結合していてもよく、アンモニウムカチオンの分子外に有ってもよいが、アンモニウムカチオンの分子外に有ることが好ましい。なお、アニオンが、アンモニウムカチオンの分子外に有るとは、アンモニウムカチオンとアニオンが共有結合を介して結合していない場合をいう。以下、カチオン部の分子外のアニオンを対アニオンともいう。
一般式(11)、(12)中、R1N〜R6Nは、それぞれ独立に、水素原子または炭化水素基を表し、R7Nは、炭化水素基を表す。R1NとR2N、R3NとR4N、R5NとR6N、R5NとR7Nは、それぞれ結合して環を形成してもよい。
<<< Ammonia salt >>>
In the present invention, the ammonium salt means a salt of an ammonium cation represented by the general formula (11) or the general formula (12) and an anion. The anion may be covalently bonded to any part of the ammonium cation, or may be outside the molecule of the ammonium cation, but is preferably outside the molecule of the ammonium cation. In addition, that the anion is outside the molecule of the ammonium cation means that the ammonium cation and the anion are not bonded via a covalent bond. Hereinafter, the anion outside the molecule of the cation part is also referred to as a counter anion.
In formulas (11) and (12), R 1N to R 6N each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group, and R 7N represents a hydrocarbon group. R 1N and R 2N , R 3N and R 4N , R 5N and R 6N , and R 5N and R 7N may be combined to form a ring.

本発明において、アンモニウム塩は、pKa1が0〜4のアニオンとアンモニウムカチオンとを有することが好ましい。アニオンのpKa1の上限は、3.5以下がより好ましく、3.2以下がさらに好ましい。下限は、0.5以上がより好ましく、1.0以上がさらに好ましい。アニオンのpKa1が上記範囲であれば、複素環含有ポリマー前駆体を低温で環化でき、さらには、組成物の安定性を向上できる。pKa1が4以下であれば、熱アミン発生剤の安定性が良好で、加熱なしにアミンが発生することを抑制でき、組成物の安定性が良好である。pKa1が0以上であれば、発生したアミンが中和されにくく、複素環含有ポリマー前駆体の環化効率が良好である。
アニオンの種類は、カルボン酸アニオン、フェノールアニオン、リン酸アニオンおよび硫酸アニオンから選ばれる1種が好ましく、塩の安定性と熱分解性を両立させられるという理由からカルボン酸アニオンがより好ましい。すなわち、アンモニウム塩は、アンモニウムカチオンとカルボン酸アニオンとの塩がより好ましい。
カルボン酸アニオンは、2つ以上のカルボキシ基を持つ2価以上のカルボン酸のアニオンが好ましく、2価のカルボン酸のアニオンがより好ましい。この態様によれば、組成物の安定性、硬化性および現像性をより向上できる熱アミン発生剤とすることができる。特に、2価のカルボン酸のアニオンを用いることで、組成物の安定性、硬化性および現像性をさらに向上できる。
本発明において、カルボン酸アニオンは、pKa1が4以下のカルボン酸のアニオンであることが好ましい。pKa1は、3.5以下がより好ましく、3.2以下がさらに好ましい。この態様によれば、組成物の安定性をより向上できる。
ここでpKa1とは、酸の第一解離定数の逆数の対数を表し、Determination of Organic Structures by Physical Methods(著者:Brown, H. C., McDaniel, D. H., Hafliger, O., Nachod, F. C.; 編纂:Braude, E. A., Nachod, F. C.; Academic Press, New York, 1955)や、Data for Biochemical Research(著者:Dawson, R.M.C.et al; Oxford, Clarendon Press, 1959)に記載の値を参照することができる。これらの文献に記載の無い化合物については、ACD/pKa(ACD/Labs製)のソフトを用いて構造式より算出した値を用いることとする。
In the present invention, the ammonium salt preferably has an anion having a pKa of 0 to 4 and an ammonium cation. As for the upper limit of pKa1 of the anion, 3.5 or less is more preferable, and 3.2 or less is more preferable. The lower limit is more preferably 0.5 or more, and still more preferably 1.0 or more. When the pKa1 of the anion is in the above range, the heterocycle-containing polymer precursor can be cyclized at a low temperature, and the stability of the composition can be further improved. If pKa1 is 4 or less, the stability of the thermal amine generator is good, generation of amine without heating can be suppressed, and the stability of the composition is good. If pKa1 is 0 or more, the generated amine is hardly neutralized, and the cyclization efficiency of the heterocycle-containing polymer precursor is good.
The type of the anion is preferably one selected from a carboxylate anion, a phenol anion, a phosphate anion and a sulfate anion, and a carboxylate anion is more preferred because both the stability of the salt and the thermal decomposition are compatible. That is, the ammonium salt is more preferably a salt of ammonium cation and carboxylic acid anion.
The carboxylate anion is preferably an anion of a divalent or higher carboxylic acid having two or more carboxy groups, and more preferably an anion of a divalent carboxylic acid. According to this aspect, it is possible to provide a thermal amine generator capable of further improving the stability, the curability and the developability of the composition. In particular, the stability, the curability and the developability of the composition can be further improved by using the anion of a divalent carboxylic acid.
In the present invention, the carboxylate anion is preferably an anion of a carboxylic acid having a pKa 1 of 4 or less. As for pKa1, 3.5 or less is more preferable, and 3.2 or less is further more preferable. According to this aspect, the stability of the composition can be further improved.
Here, pKa1 represents the logarithm of the reciprocal of the first dissociation constant of the acid, and is determined by Determination of Organic Structures by Physical Methods (author: Brown, HC, McDaniel, DH, Hafliger, O., Nachod, FC; Editing: Braude, The values described in EA, Nachod, FC; Academic Press, New York, 1955) and Data for Biochemical Research (Author: Dawson, RMC et al .; Oxford, Clarendon Press, 1959) can be referred to. For compounds not described in these documents, values calculated from the structural formula using software of ACD / pKa (manufactured by ACD / Labs) are used.

本発明において、カルボン酸アニオンは、式(X1)で表されることが好ましい。
式(X1)において、EWGは、電子求引性基を表す。
In the present invention, the carboxylate anion is preferably represented by the formula (X1).
In Formula (X1), EWG represents an electron-withdrawing group.

本発明において電子求引性基とは、ハメットの置換基定数σmが正の値を示すものを意味する。ここでσmは、都野雄甫による総説、有機合成化学協会誌第23巻第8号(1965)P.631−642に詳しく説明されている。なお、本発明の電子求引性基は、上記文献に記載された置換基に限定されるものではない。
σmが正の値を示す置換基の例としては、例えば、CF基(σm=0.43)、CFCO基(σm=0.63)、HC≡C基(σm=0.21)、CH=CH基(σm=0.06)、Ac基(σm=0.38)、MeOCO基(σm=0.37)、MeCOCH=CH基(σm=0.21)、PhCO基(σm=0.34)、HNCOCH基(σm=0.06)などが挙げられる。なお、Meはメチル基を表し、Acはアセチル基を表し、Phはフェニル基を表す。
In the present invention, the electron withdrawing group means that the Hammett's substituent constant σm exhibits a positive value. Here, σ m is a review by Tono Yuya, Journal of Organic Synthetic Chemistry, Vol. 23, No. 8 (1965), P.I. 631-642. In addition, the electron withdrawing group of this invention is not limited to the substituent described in the said literature.
Examples of the substituent having a positive value of σ m include, for example, CF 3 group (σ m = 0.43), CF 3 CO group (σ m = 0.63), HC≡C group (σ m = 0.21) , CH 2 CHCH group (σ m 0.06 0.06), Ac group (σ m = 0. 0.38), MeOCO group (σ m = 0. 0.37), MeCOCH CH CH group (σ m = 0. 0.21), PhCO group (σ m And H 2 NCOCH 2 (σ m = 0.06). Here, Me represents a methyl group, Ac represents an acetyl group, and Ph represents a phenyl group.

本発明において、EWGは、下記一般式(EWG−1)〜(EWG−6)で表される基を表すことが好ましい。
式中、Rx1〜Rx3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヒドロキシ基またはカルボキシ基を表し、Arはアリール基を表す。
アルキル基の炭素数は、1〜30が好ましく、1〜20がより好ましく、1〜10がさらに好ましい。アルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐状が好ましく、直鎖状がより好ましい。アルキル基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、後述するAが表す有機基が有していてもよい置換基で説明したものが挙げられる。置換基としては、カルボキシ基が好ましい。
アルケニル基の炭素数は、2〜30が好ましく、2〜20がより好ましく、2〜10がさらに好ましい。アルケニル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐状が好ましく、直鎖状がより好ましい。アルケニル基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、後述するAが表す有機基が有していてもよい置換基で説明したものが挙げられる。置換基としては、カルボキシ基が好ましい。
アリール基の炭素数は、6〜30が好ましく、6〜20がより好ましく、6〜12がさらに好ましい。アリール基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、後述するAが表す有機基が有していてもよい置換基で説明したものが挙げられる。置換基としては、カルボキシ基が好ましい。
In the present invention, EWG preferably represents a group represented by the following general formulas (EWG-1) to (EWG-6).
In the formula, R x1 to R x3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, a hydroxy group or a carboxy group, and Ar represents an aryl group.
1-30 are preferable, as for carbon number of an alkyl group, 1-20 are more preferable, and 1-10 are more preferable. The alkyl group may be linear, branched or cyclic, preferably linear or branched, and more preferably linear. The alkyl group may have a substituent or may be unsubstituted. Examples of the substituent include those described for the substituent which the organic group represented by A 1 described later may have. As a substituent, a carboxy group is preferable.
2-30 are preferable, as for carbon number of an alkenyl group, 2-20 are more preferable, and 2-10 are more preferable. The alkenyl group may be linear, branched or cyclic, preferably linear or branched, and more preferably linear. The alkenyl group may have a substituent or may be unsubstituted. Examples of the substituent include those described for the substituent which the organic group represented by A 1 described later may have. As a substituent, a carboxy group is preferable.
6-30 are preferable, as for carbon number of an aryl group, 6-20 are more preferable, and 6-12 are more preferable. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted. Examples of the substituent include those described for the substituent which the organic group represented by A 1 described later may have. As a substituent, a carboxy group is preferable.

本発明において、カルボン酸アニオンは、下記一般式(X)で表されるものも好ましい。
一般式(X)において、L10は、単結合、または、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、−NR−およびこれらの組み合わせから選ばれる2価の連結基を表し、Rは、水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアリール基を表す。
In the present invention, the carboxylate anion is also preferably one represented by the following general formula (X).
In the general formula (X), L 10 represents a single bond or a divalent linking group selected from an alkylene group, an alkenylene group, an arylene group, -NR X -and a combination thereof, and R X represents a hydrogen atom , An alkyl group, an alkenyl group or an aryl group.

10が表すアルキレン基の炭素数は、1〜30が好ましく、1〜20がより好ましく、1〜10がさらに好ましい。アルキレン基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐状が好ましく、直鎖状がより好ましい。アルキレン基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、後述するAが表す有機基が有していてもよい置換基で説明したものが挙げられる。
10が表すアルケニレン基の炭素数は、2〜30が好ましく、2〜20がより好ましく、2〜10がさらに好ましい。アルケニレン基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐状が好ましく、直鎖状がより好ましい。アルケニレン基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、後述するAが表す有機基が有していてもよい置換基で説明したものが挙げられる。
10が表すアリーレン基の炭素数は、6〜30が好ましく、6〜20がより好ましく、6〜12がさらに好ましい。アリーレン基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、後述するAが表す有機基が有していてもよい置換基で説明したものが挙げられる。
The alkylene groups L 10 represents preferably 1 to 30, more preferably from 1 to 20, 1 to 10 is more preferred. The alkylene group may be linear, branched or cyclic, preferably linear or branched, and more preferably linear. The alkylene group may have a substituent or may be unsubstituted. Examples of the substituent include those described for the substituent which the organic group represented by A 1 described later may have.
The number of carbon atoms of the alkenylene group L 10 represents preferably 2 to 30, more preferably from 2 to 20, more preferably 2 to 10. The alkenylene group may be linear, branched or cyclic, preferably linear or branched, and more preferably linear. The alkenylene group may have a substituent or may be unsubstituted. Examples of the substituent include those described for the substituent which the organic group represented by A 1 described later may have.
L 10 carbon atoms of the arylene group represented by is preferably 6 to 30, more preferably 6 to 20, 6 to 12 is more preferable. The arylene group may have a substituent or may be unsubstituted. Examples of the substituent include those described for the substituent which the organic group represented by A 1 described later may have.

が表すアルキル基の炭素数は、1〜30が好ましく、1〜20がより好ましく、1〜10がさらに好ましい。アルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐状が好ましく、直鎖状がより好ましい。アルキル基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、後述するAが表す有機基が有していてもよい置換基で説明したものが挙げられる。
が表すアルケニル基の炭素数は、2〜30が好ましく、2〜20がより好ましく、2〜10がさらに好ましい。アルケニル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐状が好ましく、直鎖状がより好ましい。アルケニル基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、後述するAが表す有機基が有していてもよい置換基で説明したものが挙げられる。
が表すアリール基の炭素数は、6〜30が好ましく、6〜20がより好ましく、6〜12がさらに好ましい。アリール基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、後述するAが表す有機基が有していてもよい置換基で説明したものが挙げられる。
Number of carbon atoms of the alkyl group R X represents preferably 1 to 30, more preferably from 1 to 20, 1 to 10 is more preferred. The alkyl group may be linear, branched or cyclic, preferably linear or branched, and more preferably linear. The alkyl group may have a substituent or may be unsubstituted. Examples of the substituent include those described for the substituent which the organic group represented by A 1 described later may have.
The number of carbon atoms of the alkenyl group R X represents preferably 2 to 30, more preferably from 2 to 20, more preferably 2 to 10. The alkenyl group may be linear, branched or cyclic, preferably linear or branched, and more preferably linear. The alkenyl group may have a substituent or may be unsubstituted. Examples of the substituent include those described for the substituent which the organic group represented by A 1 described later may have.
R X number of carbon atoms of the aryl group represented by is preferably 6 to 30, more preferably 6 to 20, 6 to 12 is more preferable. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted. Examples of the substituent include those described for the substituent which the organic group represented by A 1 described later may have.

カルボン酸アニオンの具体例としては、マレイン酸アニオン、フタル酸アニオン、N−フェニルイミノ二酢酸アニオンおよびシュウ酸アニオンが挙げられる。これらを好ましく用いることができる。   Specific examples of carboxylic acid anions include maleic acid anion, phthalic acid anion, N-phenyliminodiacetic acid anion and oxalic acid anion. These can be preferably used.

アンモニウムカチオンは、式(Y1−1)〜(Y1−6)のいずれかで表されることが好ましい。
The ammonium cation is preferably represented by any one of formulas (Y1-1) to (Y1-6).

上記式において、R101は、n価の有機基を表し、
102〜R111は、それぞれ独立に、水素原子、または、炭化水素基を表し、
150およびR151は、それぞれ独立に、炭化水素基を表し、
104とR105、R104とR150、R107とR108、および、R109とR110は、互いに結合して環を形成していてもよく、
Ar101およびAr102は、それぞれ独立に、アリール基を表し、
nは、1以上の整数を表し、
mは、0〜5の整数を表す。
In the above formula, R 101 represents an n-valent organic group,
R 102 to R 111 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group,
R 150 and R 151 each independently represent a hydrocarbon group,
R 104 and R 105 , R 104 and R 150 , R 107 and R 108 , and R 109 and R 110 may be combined with each other to form a ring,
Ar 101 and Ar 102 each independently represent an aryl group,
n represents an integer of 1 or more,
m represents an integer of 0 to 5;

101は、n価の有機基を表す。1価の有機基としては、アルキル基、アルキレン基、アリール基などが挙げられる。2価以上の有機基としては、1価の有機基から水素原子を1つ以上除いてn価の基としたものが挙げられる。
101は、アリール基であることが好ましい。アリール基の具体例としては、後述するAr10で説明したものが挙げられる。
R 101 represents an n-valent organic group. Examples of monovalent organic groups include alkyl groups, alkylene groups, and aryl groups. Examples of the divalent or higher organic group include ones in which one or more hydrogen atoms are removed from a monovalent organic group to form an n-valent group.
R 101 is preferably an aryl group. Specific examples of the aryl group include those described for Ar 10 described later.

102〜R111は、それぞれ独立に、水素原子、または、炭化水素基を表し、R150およびR151は、それぞれ独立に、炭化水素基を表す。
102〜R111、R150およびR151が表す炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基またはアリール基が好ましい。アルキル基、アルケニル基およびアリール基はさらに置換基を有していてもよい。置換基としては、後述するAが表す有機基が有していてもよい置換基で説明したものが挙げられる。
R 102 to R 111 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group, and R 150 and R 151 each independently represent a hydrocarbon group.
The hydrocarbon group represented by R 102 to R 111 , R 150 and R 151 is preferably an alkyl group, an alkenyl group or an aryl group. The alkyl group, the alkenyl group and the aryl group may further have a substituent. Examples of the substituent include those described for the substituent which the organic group represented by A 1 described later may have.

アルキル基の炭素数は、1〜30が好ましく、1〜20がより好ましく、1〜10がさらに好ましい。アルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐状が好ましく、直鎖状がより好ましい。アルキル基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。
アルケニル基の炭素数は、2〜30が好ましく、2〜20がより好ましく、2〜10がさらに好ましい。アルケニル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐状が好ましく、直鎖状がより好ましい。アルケニル基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。
アリール基の炭素数は、6〜30が好ましく、6〜20がより好ましく、6〜12がさらに好ましい。アリール基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。
1-30 are preferable, as for carbon number of an alkyl group, 1-20 are more preferable, and 1-10 are more preferable. The alkyl group may be linear, branched or cyclic, preferably linear or branched, and more preferably linear. The alkyl group may have a substituent or may be unsubstituted.
2-30 are preferable, as for carbon number of an alkenyl group, 2-20 are more preferable, and 2-10 are more preferable. The alkenyl group may be linear, branched or cyclic, preferably linear or branched, and more preferably linear. The alkenyl group may have a substituent or may be unsubstituted.
6-30 are preferable, as for carbon number of an aryl group, 6-20 are more preferable, and 6-12 are more preferable. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

Ar101およびAr102は、それぞれ独立に、アリール基を表す。
アリール基の炭素数は、6〜30が好ましく、6〜20がより好ましく、6〜12がさらに好ましい。アリール基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。
Ar 101 and Ar 102 each independently represent an aryl group.
6-30 are preferable, as for carbon number of an aryl group, 6-20 are more preferable, and 6-12 are more preferable. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

104とR105、R104とR150、R107とR108、および、R109とR110は、互いに結合して環を形成していてもよい。環としては、環状の脂肪族(非芳香性の炭化水素環)、芳香環、複素環などが挙げられる。環は単環であってもよく、多環であってもよい。上記の基が結合して環を形成する場合の連結基としては、−CO−、−O−、−NH−、2価の脂肪族基、2価のアリール基およびそれらの組み合わせからなる群より選ばれる2価の連結基が挙げられる。形成される環の具体例としては、例えば、ピロリジン環、ピロール環、ピペリジン環、ピリジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラジン環、モルホリン環、チアジン環、インドール環、イソインドール環、ベンゾイミダゾール環、プリン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、シンノリン環、カルバゾール環などが挙げられる。R 104 and R 105 , R 104 and R 150 , R 107 and R 108 , and R 109 and R 110 may bond to each other to form a ring. Examples of the ring include cyclic aliphatic (non-aromatic hydrocarbon ring), aromatic ring, heterocyclic ring and the like. The ring may be monocyclic or polycyclic. As the linking group in the case where the above groups are combined to form a ring, -CO-, -O-, -NH-, a divalent aliphatic group, a divalent aryl group and a combination thereof are preferable. The bivalent coupling group chosen is mentioned. Specific examples of the ring formed include pyrrolidine ring, pyrrole ring, piperidine ring, pyridine ring, imidazole ring, pyrazole ring, oxazole ring, thiazole ring, pyrazine ring, morpholine ring, thiazine ring, indole ring, isoindole Rings, benzimidazole rings, purine rings, quinoline rings, isoquinoline rings, quinoxaline rings, cinnoline rings, carbazole rings and the like.

本発明において、アンモニウムカチオンは、式(Y1−1)または(Y1−2)で表される構造が好ましく、式(Y1−1)または(Y1−2)で表され、R101がアリール基である構造がより好ましく、式(Y1−1)で表され、R101がアリール基である構造が特に好ましい。すなわち、本発明において、アンモニウムカチオンは、下記一般式(Y)で表されることがより好ましい。
一般式(Y)中、Ar10は、アリール基を表し、R11〜R15は、それぞれ独立に、水素原子または炭化水素基を表し、R14とR15は、互いに結合して環を形成していてもよく、nは、1以上の整数を表す。
In the present invention, the ammonium cation preferably has a structure represented by formula (Y1-1) or (Y1-2), is represented by formula (Y1-1) or (Y1-2), and R 101 is an aryl group. A certain structure is more preferable, and a structure which is represented by a formula (Y1-1) and in which R 101 is an aryl group is particularly preferable. That is, in the present invention, the ammonium cation is more preferably represented by the following general formula (Y).
In general formula (Y), Ar 10 represents an aryl group, R 11 to R 15 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group, and R 14 and R 15 are combined with each other to form a ring N may represent an integer of 1 or more.

Ar10はアリール基を表す。アリール基としては、具体的には、置換または無置換のベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インダセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセナフテン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、および、フェナジン環が挙げられる。中でも、保存安定性と高感度化の観点から、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェノチアジン環、またはカルバゾール環が好ましく、ベンゼン環またはナフタレン環が最も好ましい。
アリール基が有していてもよい置換基の例としては、後述するAが表す有機基が有していてもよい置換基で説明したものが挙げられる。
Ar 10 represents an aryl group. Specific examples of the aryl group include substituted or unsubstituted benzene ring, naphthalene ring, pentalene ring, indene ring, azulene ring, heptalene ring, indacene ring, perylene ring, pentacene ring, acenaphthene ring, phenanthrene ring, anthracene ring Naphthacene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluorene ring, biphenyl ring, pyrrole ring, furan ring, thiophene ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, indolizine ring, Indole ring, benzofuran ring, benzothiophene ring, isobenzofuran ring, quinolizine ring, quinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, quinoxaline ring, quinoxazoline ring, isoquinoline ring, carbazole ring, phenanthridine ring, acridine ring, Enantororin ring, thianthrene ring, chromene ring, xanthene ring, phenoxathiin ring, a phenothiazine ring, and a phenazine ring. Among them, from the viewpoint of storage stability and high sensitivity, a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenothiazine ring, or a carbazole ring is preferable, and a benzene ring or a naphthalene ring is most preferable.
As an example of the substituent which the aryl group may have, those described for the substituent which the organic group represented by A 1 described later may have can be mentioned.

11およびR12は、それぞれ独立に、水素原子または炭化水素基を表す。炭化水素基としては、特に限定はないが、アルキル基、アルケニル基またはアリール基が好ましい。
11およびR12は、水素原子が好ましい。
Each of R 11 and R 12 independently represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group. The hydrocarbon group is not particularly limited, but an alkyl group, an alkenyl group or an aryl group is preferable.
R 11 and R 12 are preferably hydrogen atoms.

アルキル基の炭素数は、1〜30が好ましく、1〜20がより好ましく、1〜10がさらに好ましい。アルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。
直鎖状または分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、オクダデシル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、1−エチルペンチル基、および2−エチルヘキシル基が挙げられる。
環状のアルキル基は、単環の環状のアルキル基であってもよく、多環の環状のアルキル基であってもよい。単環の環状のアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基およびシクロオクチル基が挙げられる。多環の環状のアルキル基としては、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基、カンフェニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、カンホロイル基、ジシクロヘキシル基およびピネニル基が挙げられる。中でも、高感度化との両立の観点から、シクロヘキシル基が最も好ましい。
アルケニル基の炭素数は、2〜30が好ましく、2〜20がより好ましく、2〜10がさらに好ましい。アルケニル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐状が好ましく、直鎖状がより好ましい。
アリール基の炭素数は、6〜30が好ましく、6〜20がより好ましく、6〜12がさらに好ましい。
1-30 are preferable, as for carbon number of an alkyl group, 1-20 are more preferable, and 1-10 are more preferable. The alkyl group may be linear, branched or cyclic.
As a linear or branched alkyl group, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, dodecyl group, tetradecyl group, Examples include ocdadecyl, isopropyl, isobutyl, sec-butyl, t-butyl, 1-ethylpentyl and 2-ethylhexyl groups.
The cyclic alkyl group may be a monocyclic cyclic alkyl group or a polycyclic cyclic alkyl group. Examples of the monocyclic alkyl group include cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group and cyclooctyl group. Examples of polycyclic cyclic alkyl groups include an adamantyl group, norbornyl group, bornyl group, camphenyl group, decahydronaphthyl group, tricyclodecanyl group, tetracyclodecanyl group, camphoroyl group, dicyclohexyl group and pinenyl group Can be mentioned. Among them, a cyclohexyl group is most preferable in terms of coexistence with high sensitivity.
2-30 are preferable, as for carbon number of an alkenyl group, 2-20 are more preferable, and 2-10 are more preferable. The alkenyl group may be linear, branched or cyclic, preferably linear or branched, and more preferably linear.
6-30 are preferable, as for carbon number of an aryl group, 6-20 are more preferable, and 6-12 are more preferable.

13〜R15は、水素原子または炭化水素基を表す。
炭化水素基としては、上述したR11、R12で説明した炭化水素基を挙げられる。R13〜R15は、特にアルキル基が好ましく、好ましい態様もR11、R12で説明したものと同じである。
R 13 to R 15 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group.
Examples of the hydrocarbon group include a hydrocarbon group described for R 11, R 12 described above. In particular, R 13 to R 15 are preferably an alkyl group, and preferred embodiments are also the same as described for R 11 and R 12 .

14とR15は、互いに結合して環を形成していてもよい。環としては、環状脂肪族(非芳香性の炭化水素環)、芳香環、複素環などが挙げられる。環は単環であってもよく、多環であってもよい。RとRが結合して環を形成する場合の連結基としては、−CO−、−O−、−NH−、2価の脂肪族基、2価のアリール基およびそれらの組み合わせからなる群より選ばれる2価の連結基が挙げられる。形成される環の具体例としては、例えば、ピロリジン環、ピロール環、ピペリジン環、ピリジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラジン環、モルホリン環、チアジン環、インドール環、イソインドール環、ベンゾイミダゾール環、プリン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、シンノリン環、カルバゾール環などが挙げられる。R 14 and R 15 may be bonded to each other to form a ring. Examples of the ring include cyclic aliphatic (non-aromatic hydrocarbon ring), aromatic ring, heterocyclic ring and the like. The ring may be monocyclic or polycyclic. The linking group when R 4 and R 5 combine to form a ring is composed of —CO—, —O—, —NH—, a divalent aliphatic group, a divalent aryl group and a combination thereof The bivalent coupling group chosen from a group is mentioned. Specific examples of the ring formed include pyrrolidine ring, pyrrole ring, piperidine ring, pyridine ring, imidazole ring, pyrazole ring, oxazole ring, thiazole ring, pyrazine ring, morpholine ring, thiazine ring, indole ring, isoindole Rings, benzimidazole rings, purine rings, quinoline rings, isoquinoline rings, quinoxaline rings, cinnoline rings, carbazole rings and the like.

13〜R15は、R14とR15が互いに結合して環を形成しているか、あるいは、R13が、炭素数5〜30(より好ましくは炭素数6〜18)の直鎖アルキル基であり、R14およびR15が、それぞれ独立に、炭素数1〜3(より好ましくは炭素数1または2)のアルキル基であることが好ましい。この態様によれば、沸点の高いアミン種を発生しやすくすることができる。
また、R13〜R15は、発生するアミン種の塩基性や沸点の観点から、R13とR14とR15の炭素原子の総数が7〜30であることが好ましく、10〜20であることがより好ましい。
また、沸点の高いアミン種を発生しやすいという理由から、一般式(Y)における「−NR131415」の化学式量は、80〜2,000が好ましく、100〜500がより好ましい。
In R 13 to R 15 , R 14 and R 15 are bonded to each other to form a ring, or alternatively, R 13 is a linear alkyl group having 5 to 30 carbon atoms (more preferably 6 to 18 carbon atoms) It is preferable that R 14 and R 15 be each independently an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms (more preferably 1 or 2 carbon atoms). According to this aspect, it is possible to easily generate an amine species having a high boiling point.
Further, R 13 to R 15, from the viewpoint of the basic and the boiling point of the amine species generated, it is preferable that the total number of carbon atoms of R 13 and R 14 and R 15 is 7-30, and 10-20 Is more preferred.
Moreover, the reason that the high amine species boiling-prone chemical formula weight of "-NR 13 R 14 R 15 'in formula (Y) is preferably 80~2,000, 100-500 are more preferred.

一方、銅配線との密着性をより向上させるための実施形態として、一般式(Y)において、R13およびR14がメチル基またはエチル基であり、R15が炭素数5以上の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基であるか、アリール基である形態が挙げられる。本実施形態においては、R13およびR14がメチル基であり、R15が炭素数5〜20の直鎖アルキル基、炭素数6〜17の分岐アルキル基、炭素数6〜10の環状アルキル基またはフェニル基であることが好ましく、R13およびR14がメチル基であり、R15が炭素数5〜10の直鎖アルキル基、炭素数6〜10の分岐アルキル基、炭素数6〜8の環状アルキル基またはフェニル基であることがより好ましい。このようにアミン種の疎水性を低くすることで、銅配線上にアミンが付着した場合にも、銅表面とポリイミドとの親和性が低下してしまうのをより効果的に抑止できる。本実施形態において、Ar10、R11、R12およびnの好ましい範囲は、上述と同様である。On the other hand, as an embodiment for further improving the adhesion to a copper wiring, in the general formula (Y), R 13 and R 14 are a methyl group or an ethyl group, and R 15 is a linear chain having 5 or more carbon atoms And a branched or cyclic alkyl group or an aryl group. In the embodiment, R 13 and R 14 are methyl groups, R 15 is a linear alkyl group having 5 to 20 carbon atoms, a branched alkyl group having 6 to 17 carbon atoms, and a cyclic alkyl group having 6 to 10 carbon atoms. Or a phenyl group is preferable, R 13 and R 14 are a methyl group, R 15 is a linear alkyl group having 5 to 10 carbon atoms, a branched alkyl group having 6 to 10 carbon atoms, and 6 to 8 carbon atoms More preferably, it is a cyclic alkyl group or a phenyl group. By reducing the hydrophobicity of the amine species in this manner, it is possible to more effectively suppress the reduction in the affinity between the copper surface and the polyimide even when the amine is attached onto the copper wiring. In the present embodiment, preferred ranges of Ar 10 , R 11 , R 12 and n are the same as described above.

<<<一般式(1A)で表される化合物>>>
本発明において、酸性化合物は、下記一般式(1A)で表される化合物であることも好ましい。この化合物は、室温では酸性であるが、加熱により、カルボキシ基が脱炭酸または脱水環化して失われることで、それまで中和され不活性化していたアミン部位が活性となることにより、塩基性となる。以下、一般式(1A)について説明する。
<<< Compound Represented by General Formula (1A) >>
In the present invention, the acidic compound is also preferably a compound represented by the following general formula (1A). This compound is acidic at room temperature but is denatured by decarboxylation or dehydrative cyclization of the carboxy group upon heating, whereby the amine site that has been neutralized and inactivated becomes basic. It becomes. The general formula (1A) will be described below.

一般式(1A)
一般式(1A)において、Aはp価の有機基を表し、Rは1価の有機基を表し、Lは(m+1)価の有機基を表し、mは1以上の整数を表し、pは1以上の整数を表す。
General formula (1A)
In General Formula (1A), A 1 represents a p-valent organic group, R 1 represents a monovalent organic group, L 1 represents a (m + 1) -valent organic group, and m represents an integer of 1 or more. , P represents an integer of 1 or more.

一般式(1A)中、Aはp価の有機基を表す。有機基としては、脂肪族基、アリール基などが挙げられ、アリール基が好ましい。Aをアリール基とすることにより、より低温で、沸点の高いアミンを発生しやすくできる。発生するアミンの沸点を高くすることにより、複素環含有ポリマー前駆体の硬化時の加熱による揮発または分解を抑制し、複素環含有ポリマー前駆体の環化をより効果的に進行させることができる。
1価の脂肪族基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基等が挙げられる。
アルキル基の炭素数は、1〜30が好ましく、1〜20がより好ましく、1〜10がさらに好ましい。アルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。アルキル基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、tert−ブチル基、ドデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、アダマンチル基等が挙げられる。
アルケニル基の炭素数は、2〜30が好ましく、2〜20がより好ましく、2〜10がさらに好ましい。アルケニル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。アルケニル基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。アルケニル基としては、ビニル基、(メタ)アリル基等が挙げられる。
2価以上の脂肪族基としては、上記の1価の脂肪族基から水素原子を1つ以上除いた基が挙げられる。
アリール基は、単環であってもよく、多環であってもよい。アリール基は、ヘテロ原子を含むヘテロアリール基であってもよい。アリール基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。無置換が好ましい。アリール基の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インダセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセナフチレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、および、フェナジン環が挙げられ、ベンゼン環が最も好ましい。
アリール基は、複数の芳香環が、単結合または後述する連結基を介して連結していてもよい。連結基としては、例えば、アルキレン基が好ましい。アルキレン基は、直鎖状、分岐状のいずれも好ましい。複数の芳香環が、単結合または連結基を介して連結したアリール基の具体例としては、ビフェニル、ジフェニルメタン、ジフェニルプロパン、ジフェニルイソプロパン、トリフェニルメタン、テトラフェニルメタンなどが挙げられる。
In general formula (1A), A 1 represents a p-valent organic group. As an organic group, an aliphatic group, an aryl group, etc. are mentioned, An aryl group is preferable. By making A 1 an aryl group, it is possible to easily generate an amine having a high boiling point at a lower temperature. By raising the boiling point of the generated amine, volatilization or decomposition by heating during curing of the heterocycle-containing polymer precursor can be suppressed, and cyclization of the heterocycle-containing polymer precursor can proceed more effectively.
As a monovalent | monohydric aliphatic group, an alkyl group, an alkenyl group etc. are mentioned, for example.
1-30 are preferable, as for carbon number of an alkyl group, 1-20 are more preferable, and 1-10 are more preferable. The alkyl group may be linear, branched or cyclic. The alkyl group may have a substituent or may be unsubstituted. Specific examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, tert-butyl group, dodecyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, adamantyl group and the like.
2-30 are preferable, as for carbon number of an alkenyl group, 2-20 are more preferable, and 2-10 are more preferable. The alkenyl group may be linear, branched or cyclic. The alkenyl group may have a substituent or may be unsubstituted. As an alkenyl group, a vinyl group, a (meth) allyl group, etc. are mentioned.
Examples of the divalent or higher aliphatic group include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from the above-mentioned monovalent aliphatic group.
The aryl group may be monocyclic or polycyclic. The aryl group may be a heteroaryl group containing a heteroatom. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted. No substitution is preferred. Specific examples of the aryl group include benzene ring, naphthalene ring, pentalene ring, indene ring, azulene ring, heptalene ring, indacene ring, perylene ring, pentacene ring, acenaphthylene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, naphthacene ring, chrysene ring, Triphenylene ring, fluorene ring, biphenyl ring, pyrrole ring, furan ring, thiophene ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, indolizine ring, indole ring, benzofuran ring, benzo Thiophene ring, isobenzofuran ring, quinolizine ring, quinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, quinoxaline ring, quinoxazoline ring, isoquinoline ring, carbazole ring, phenanthridine ring, acridine ring, phenanthroline ring, Antoren ring, chromene ring, xanthene ring, phenoxathiin ring, a phenothiazine ring, and include phenazine ring, a benzene ring is most preferred.
In the aryl group, a plurality of aromatic rings may be linked via a single bond or a linking group described later. As the linking group, for example, an alkylene group is preferable. The alkylene group is preferably linear or branched. Specific examples of the aryl group in which a plurality of aromatic rings are linked via a single bond or a linking group include biphenyl, diphenylmethane, diphenylpropane, diphenylisopropane, triphenylmethane, tetraphenylmethane and the like.

が表す有機基が有していてもよい置換基の例としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子等のハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基およびtert−ブトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基およびp−トリルオキシ基等のアリールオキシ基;メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基およびフェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;アセトキシ基、プロピオニルオキシ基およびベンゾイルオキシ基等のアシルオキシ基;アセチル基、ベンゾイル基、イソブチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基およびメトキサリル基等のアシル基;メチルスルファニル基およびtert−ブチルスルファニル基等のアルキルスルファニル基;フェニルスルファニル基およびp−トリルスルファニル基等のアリールスルファニル基;メチル基、エチル基、tert−ブチル基およびドデシル基等の直鎖状または分岐状のアルキル基;フッ化アルキル基等のハロゲン化アルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基およびアダマンチル基等の環状のアルキル基;フェニル基、p−トリル基、キシリル基、クメニル基、ナフチル基、アンスリル基およびフェナントリル基等のアリール基;ヒドロキシ基;カルボキシ基;ホルミル基;スルホ基;シアノ基;アルキルアミノカルボニル基;アリールアミノカルボニル基;スルホンアミド基;シリル基;アミノ基;モノアルキルアミノ基;ジアルキルアミノ基;アリールアミノ基;ジアリールアミノ基;チオキシ基;およびこれらの組み合わせが挙げられる。Examples of the substituent which the organic group represented by A 1 may have include, for example, halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom; methoxy group, ethoxy group and tert-butoxy group Alkoxy group; aryloxy group such as phenoxy group and p-tolyloxy group; alkoxycarbonyl group such as methoxycarbonyl group, butoxycarbonyl group and phenoxycarbonyl group; acyloxy group such as acetoxy group, propionyloxy group and benzoyloxy group; acetyl group Acyl groups such as benzoyl, isobutyryl, acryloyl, methacryloyl and methoxalyl; alkylsulfanyl such as methylsulfanyl and tert-butylsulfanyl; phenylsulfanyl and p-tolylsulfani Arylsulfanyl groups such as alkyl group; linear or branched alkyl groups such as methyl group, ethyl group, tert-butyl group and dodecyl group; halogenated alkyl groups such as fluorinated alkyl group; cyclopentyl group, cyclohexyl group, Cyclic alkyl groups such as cycloheptyl group and adamantyl group; aryl groups such as phenyl group, p-tolyl group, xylyl group, cumenyl group, naphthyl group, anthryl group and phenanthryl group; hydroxy group; carboxy group; formyl group Group; cyano group; alkylaminocarbonyl group; arylaminocarbonyl group; sulfonamide group; silyl group; amino group; monoalkylamino group; dialkylamino group; arylamino group; diarylamino group; It can be mentioned.

は、(m+1)価の連結基を表す。連結基としては特に限定されず、―COO−、−OCO−、−CO−、−O−、−S―、−SO―、―SO−、アルキレン基(好ましくは炭素数1〜10の直鎖または分岐アルキレン基)、シクロアルキレン基(好ましくは炭素数3〜10のシクロアルキレン基)、アルケニレン基(好ましくは炭素数2〜10の直鎖または分岐アルケニレン基)、およびこれらの複数が連結した連結基などを挙げることができる。連結基の総炭素数は、3以下が好ましい。連結基は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基が好ましく、直鎖または分岐アルキレン基がより好ましく、直鎖アルキレン基がさらに好ましく、エチレン基またはメチレン基が特に好ましく、メチレン基が最も好ましい。L 1 represents a (m + 1) -valent linking group. The linking group is not particularly limited, and -COO-, -OCO-, -CO-, -O-, -S-, -SO-, -SO 2- , an alkylene group (preferably having 1 to 10 carbon atoms) Chain or branched alkylene group), a cycloalkylene group (preferably a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms), an alkenylene group (preferably a linear or branched alkenylene group having 2 to 10 carbon atoms), and a plurality of these are linked A linking group etc. can be mentioned. The total carbon number of the linking group is preferably 3 or less. The linking group is preferably an alkylene group, a cycloalkylene group or an alkenylene group, more preferably a linear or branched alkylene group, still more preferably a linear alkylene group, particularly preferably an ethylene group or a methylene group, and most preferably a methylene group.

は、1価の有機基を表す。1価の有機基としては、脂肪族基、アリール基などが挙げられる。脂肪族基、アリール基については、上述したAで説明したものが挙げられる。Rが表す1価の有機基は、置換基を有していてもよい。
は、カルボキシ基を有する基であることが好ましい。すなわち、Rは、式で表される基が好ましい。
−L−(COOH)
式中、Lは(n+1)価の連結基を表し、nは1以上の整数を表す。
が表す連結基は、上述したLで説明した基が挙げられ、好ましい範囲も同様であり、エチレン基またはメチレン基が特に好ましく、メチレン基が最も好ましい。
nは1以上の整数を表し、1または2が好ましく、1がより好ましい。nの上限は、Lが表す連結基が取り得る置換基の最大数である。nが1であれば、上記最高加熱温度以下の加熱により、沸点の高い3級アミンを発生しやすい。さらには、組成物の安定性を向上できる。
R 1 represents a monovalent organic group. Examples of monovalent organic groups include aliphatic groups and aryl groups. As the aliphatic group and the aryl group, those described in the above A 1 can be mentioned. The monovalent organic group represented by R 1 may have a substituent.
R 1 is preferably a group having a carboxy group. That is, R 1 is preferably a group represented by the formula.
-L 2- (COOH) n
In the formula, L 2 represents a (n + 1) -valent linking group, and n represents an integer of 1 or more.
Examples of the linking group represented by L 2 include the groups described for L 1 described above, and the preferred range is also the same, with an ethylene group or a methylene group being particularly preferred, and a methylene group being most preferred.
n represents an integer of 1 or more, preferably 1 or 2, and more preferably 1. The upper limit of n is the maximum number of substituents that the linking group represented by L 2 can take. If n is 1, heating at a temperature lower than the maximum heating temperature tends to generate a tertiary amine having a high boiling point. Furthermore, the stability of the composition can be improved.

mは1以上の整数を表し、1または2が好ましく、1がより好ましい。mの上限は、Lが表す連結基が取り得る置換基の最大数である。mが1であれば、上記最高加熱温度以下の加熱により、沸点の高い3級アミンを発生しやすい。さらには、組成物の安定性を向上できる。
pは、1以上の整数を表し、1または2が好ましく、1がより好ましい。pの上限は、Aが表す有機基が取り得る置換基の最大数である。pが1であれば、上記最高加熱温度以下の加熱により、沸点の高い3級アミンを発生しやすい。
m represents an integer of 1 or more, preferably 1 or 2, and more preferably 1. The upper limit of m is the maximum number of substituents that the linking group represented by L 1 can take. When m is 1, heating at a temperature lower than the maximum heating temperature tends to generate a tertiary amine having a high boiling point. Furthermore, the stability of the composition can be improved.
p represents an integer of 1 or more, preferably 1 or 2, and more preferably 1. The upper limit of p is the maximum number of substituents that the organic group represented by A 1 can take. If p is 1, heating at a temperature lower than the maximum heating temperature tends to generate a tertiary amine having a high boiling point.

本発明において、一般式(1A)で表される化合物は、下記一般式(1a)で表される化合物であることが好ましい。
一般式(1a)
一般式(1a)中、Aはp価の有機基を表し、Lは(m+1)価の連結基を表し、Lは(n+1)価の連結基を表し、mは1以上の整数を表し、nは1以上の整数を表し、pは1以上の整数を表す。
一般式(1a)のA、L、L、m、nおよびpは、一般式(1A)で説明した範囲と同義であり、好ましい範囲も同様である。
In the present invention, the compound represented by General Formula (1A) is preferably a compound represented by the following General Formula (1a).
General formula (1a)
In Formula (1a), A 1 represents a p-valent organic group, L 1 represents a (m + 1) -valent linking group, L 2 represents a (n + 1) -valent linking group, and m is an integer of 1 or more N represents an integer of 1 or more, and p represents an integer of 1 or more.
A 1 , L 1 , L 2 , m, n and p in the general formula (1a) are as defined in the general formula (1A), and preferred ranges are also the same.

本発明において、一般式(1A)で表される化合物は、N−アリールイミノ二酢酸であることが好ましい。N−アリールイミノ二酢酸は、一般式(1A)におけるAがアリール基であり、LおよびLがメチレン基であり、mが1であり、nが1であり、pが1である化合物である。N−アリールイミノ二酢酸は、120〜200℃にて、沸点の高い3級アミンを発生しやすい。In the present invention, the compound represented by the general formula (1A) is preferably N-aryliminodiacetic acid. In the N-aryliminodiacetic acid, A 1 in the general formula (1A) is an aryl group, L 1 and L 2 are methylene groups, m is 1, n is 1 and p is 1 It is a compound. N-aryliminodiacetic acid tends to generate a tertiary amine having a high boiling point at 120 to 200 ° C.

以下に、本発明における熱アミン発生剤の具体例を記載するが、本発明はこれらに限定されるものではない。これらは、それぞれ単独でまたは2種以上を混合して用いることができる。以下の式中におけるMeは、メチル基を表す。以下に示す化合物のうち、(A−1)〜(A−11)、(A−18)、(A−19)が、上記式(1)で表される化合物である。以下に示す化合物のうち、(A−1)〜(A−11)、(A−18)〜(A−26)がより好ましく、(A−1)〜(A−9)、(A−18)〜(A−21)、(A−23)、(A−24)がさらに好ましい。
また、銅との密着性を向上させる観点からは、(A−18)〜(A−26)、(A−38)〜(A−43)が好ましく、(A−26)、(A−38)〜(A−43)がより好ましい。
Although the specific example of the thermal amine generator in this invention is described below, this invention is not limited to these. These can be used alone or in combination of two or more. Me in the following formulas represents a methyl group. Among the compounds shown below, (A-1) to (A-11), (A-18) and (A-19) are compounds represented by the above formula (1). Among the compounds shown below, (A-1) to (A-11) and (A-18) to (A-26) are more preferable, and (A-1) to (A-9) and (A-18) are preferable. ) To (A-21), (A-23) and (A-24) are more preferable.
In addition, from the viewpoint of improving adhesion to copper, (A-18) to (A-26) and (A-38) to (A-43) are preferable, and (A-26) and (A-38) are preferable. ) To (A-43) are more preferable.

<<光アミン発生剤>>
光アミン発生剤は、露光により発生した塩基が複素環含有ポリマー前駆体を加熱により硬化させる際の触媒として働くため、ネガ型において好適に用いることができる。
<< Photo amine generator >>
The photoamine generator can be suitably used in the negative type since the base generated by exposure to light serves as a catalyst for curing the heterocycle-containing polymer precursor by heating.

本発明においては、光アミン発生剤として公知のものを用いることが出来る。例えば、M.Shirai, and M.Tsunooka, Prog.Polym.Sci.,21,1(1996);角岡正弘,高分子加工,46,2(1997);C.Kutal,Coord.Chem.Rev.,211,353(2001);Y.Kaneko,A.Sarker, and D.Neckers,Chem.Mater.,11,170(1999);H.Tachi,M.Shirai, and M.Tsunooka,J.Photopolym.Sci.Technol.,13,153(2000);M.Winkle, and K.Graziano,J.Photopolym.Sci.Technol.,3,419(1990);M.Tsunooka,H.Tachi, and S.Yoshitaka,J.Photopolym.Sci.Technol.,9,13(1996);K.Suyama,H.Araki,M.Shirai,J.Photopolym.Sci.Technol.,19,81(2006)に記載されているように、アンモニウム塩などの構造を有するものや、アミジン部分がカルボン酸と塩を形成することで潜在化されたもののように、アミンが塩を形成することにより中和されたイオン性の化合物や、カルバメート誘導体、オキシムエステル誘導体、アシル化合物などのウレタン結合やオキシム結合などにより塩基成分が潜在化された非イオン性の化合物を挙げることができる。   In the present invention, known photoamine generators can be used. For example, M. Shirai, and M. Tsunooka, Prog. Polym. Sci. , 21, 1 (1996); Masahiro Tsukaoka, polymer processing, 46, 2 (1997); Kutal, Coord. Chem. Rev. , 211, 353 (2001); Kaneko, A. Sarker, and D. Neckers, Chem. Mater. , 11, 170 (1999); Tachi, M. Shirai, and M. Tsunooka, J. et al. Photopolym. Sci. Technol. , 13, 153 (2000); Winkle, and K. Graziano, J. et al. Photopolym. Sci. Technol. , 3, 419 (1990); Tsunooka, H. Tachi, and S. Yoshitaka, J. et al. Photopolym. Sci. Technol. , 9, 13 (1996); Suyama, H. et al. Araki, M. Shirai, J. et al. Photopolym. Sci. Technol. , 19, 81 (2006), such as those having a structure such as an ammonium salt, or those in which the amidine moiety is latent by forming a salt with a carboxylic acid, the amine forms a salt And ionic compounds neutralized by the reaction, and non-ionic compounds such as carbamate derivatives, oxime ester derivatives, acyl compounds and the like in which the base component is made latent by urethane bonds or oxime bonds.

光アミン発生剤から発生するアミンとしては、モノアミンや、ジアミンなどのポリアミン、また、アミジンなどが挙げられる。
発生するアミンは、ジアミン、脂肪族アミンが好ましい。このようなアミンは、複素環含有ポリマー前駆体のイミド化、あるいはオキサゾール化における脱水縮合反応等に対する触媒作用が強く、より少量の添加で、より低い温度での脱水縮合反応等における触媒効果の発現が可能となるからである。つまりは、発生したアミンの触媒効果が大きい為、組成物としての見た目の感度が向上する。
本発明に係るアミンとしては、例えば、特開2009−80452号公報および国際公開第2009/123122号公報で開示されたような桂皮酸アミド構造を有する塩基発生剤、特開2006−189591号公報および特開2008−247747号公報に開示されたようなカルバメート構造を有する塩基発生剤、特開2007−249013号公報および特開2008−003581号公報に開示されたようなオキシム構造、カルバモイルオキシム構造を有するアミン等が挙げられるが、これらに限定されず、その他にも公知のアミンの構造を用いることができる。
Examples of the amine generated from the photoamine generator include monoamines, polyamines such as diamines, and amidines.
The generated amine is preferably a diamine or an aliphatic amine. Such an amine has a strong catalytic action on the imidization of a heterocycle-containing polymer precursor or the dehydration condensation reaction in oxazolization, and the addition of a smaller amount of the amine exerts a catalytic effect on the dehydration condensation reaction at a lower temperature, etc. Because it is possible. That is, since the catalytic effect of the generated amine is large, the appearance sensitivity of the composition is improved.
As the amine according to the present invention, for example, a base generator having a cinnamic acid amide structure as disclosed in JP-A-2009-80452 and WO2009 / 123122, JP-A-2006-189591 and A base generator having a carbamate structure as disclosed in JP-A-2008-247747, and an oxime structure and a carbamoyl oxime structure as disclosed in JP-A-2007-249013 and JP-A-2008-003581 Although an amine etc. are mentioned, it is not limited to these, In addition, the structure of a well-known amine can be used.

以下、本発明に用いることができる光アミン発生剤について具体例を挙げて説明する。
イオン性化合物としては、例えば下記構造式のものが挙げられる。
Hereinafter, the photoamine generator which can be used in the present invention will be described with reference to specific examples.
Examples of the ionic compound include those of the following structural formula.

アシル化合物としては、例えば下記式に示すような化合物が挙げられる。   Examples of the acyl compound include compounds as shown in the following formula.

また、光アミン発生剤として、例えば、下記一般式(PB−1)に示す化合物が挙げられる。   Moreover, as a photoamine generator, the compound shown to the following general formula (PB-1) is mentioned, for example.

(式(PB−1)中、R41及びR42は、それぞれ独立に、水素原子または有機基であり、同一であっても異なっていても良い。但し、R41及びR42の少なくとも1つは有機基である。または、R41およびR42は、それらが結合して環構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。R43およびR44は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、または有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R45、R46、R47およびR48は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基、または有機基であり、同一であっても異なっていても良い。または、R45、R46、R47およびR48は、それらの2つ以上が結合して環構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。R49は、水素原子、あるいは、加熱および/または電磁波の照射により脱保護可能な保護基である。)(In formula (PB-1), R 41 and R 42 each independently represent a hydrogen atom or an organic group, and may be the same or different, provided that at least one of R 41 and R 42 Is an organic group, or R 41 and R 42 may combine to form a ring structure, and may contain a hetero atom bond, R 43 and R 44 are each independently Hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonato group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonato group, or an organic group, may be different even in the same .R 45, R 46, R 47 and R 48 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl Mercapto group, sulfide group, silyl group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonato group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonato group, amino group, ammonio group, or organic group Or two or more of R 45 , R 46 , R 47 and R 48 may be combined to form a ring structure, and the hetero atoms of A bond may be included, and R 49 is a hydrogen atom or a protective group which can be deprotected by heating and / or irradiation of electromagnetic waves.)

式(PB−1)の具体例を以下に挙げるが、これに限定されるものではない。   Although the specific example of Formula (PB-1) is given to the following, it is not limited to this.

その他、光アミン発生剤としては、特開2012−93746号公報の段落番号0185〜0188、0199〜0200および0202に記載の化合物、特開2013−194205号公報の段落番号0022〜0069に記載の化合物、特開2013−204019号公報の段落番号0026〜0074に記載の化合物、ならびに国際公開WO2010/064631号公報の段落番号0052に記載の化合物が例として挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。   In addition, as the photoamine generator, compounds described in paragraph Nos. 0185 to 0188, 0199 to 0200 and 0202 of JP 2012-93746A, and compounds described in paragraph No. 0022 to 0069 of JP 2013-194205A. The compounds described in paragraphs 0026 to 0074 of JP 2013-204019, and the compounds described in paragraph 0052 of International Publication WO 2010/064631 are cited as examples, the contents of which are incorporated herein. Be

アミン発生剤を用いる場合、組成物におけるアミン発生剤の含有量は、組成物の全固形分に対し、0.1〜50質量%が好ましい。下限は、0.5質量%以上がより好ましく、1質量%以上がさらに好ましい。上限は、30質量%以下がより好ましく、20質量%以下がさらに好ましい。
また、アミン発生剤は、ポリイミド前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体の合計量に対し、0.01〜45質量%の割合で含むことが好ましい。アミン発生剤の、ポリイミド前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体の合計量に対する下限値は、0.2質量%以上がより好ましく、0.5質量%以上がさらに好ましく、1.0質量%以上が一層好ましい。上限値は、35.0質量%以下がより好ましく、28.0質量%以下がさらに好ましく、12質量%以下が一層好ましく、6.0質量%以下の割合がより一層好ましい。上記範囲とすることにより、本発明の効果がより効果的に発揮される。特に、アミン発生剤の量を6.0質量%以下とすることにより、硬化膜にアミン発生剤が残存しにくくなり、よりアウトガス成分を低減させることが可能になる。また、アミン発生剤の量を0.2質量%以上とすることにより、硬化をより促進させることができ、アウトガス成分を減少させることができる。
アミン発生剤は、1種または2種以上を用いることができる。2種以上を用いる場合は、合計量が上記範囲であることが好ましい。
When using an amine generator, as for content of the amine generator in a composition, 0.1-50 mass% is preferable with respect to the total solid of a composition. As for a minimum, 0.5 mass% or more is more preferable, and 1 mass% or more is further more preferable. The upper limit is more preferably 30% by mass or less, and still more preferably 20% by mass or less.
Moreover, it is preferable that an amine generator is included in the ratio of 0.01-45 mass% with respect to the total amount of a polyimide precursor and a polybenzoxazole precursor. The lower limit value of the amine generator to the total amount of the polyimide precursor and the polybenzoxazole precursor is more preferably 0.2% by mass or more, still more preferably 0.5% by mass or more, and 1.0% by mass or more. preferable. 35.0 mass% or less is more preferable, 28.0 mass% or less is further more preferable, 12 mass% or less is further more preferable, and the ratio of 6.0 mass% or less is still more preferable. By setting it as the said range, the effect of this invention is exhibited more effectively. In particular, by setting the amount of the amine generator to 6.0% by mass or less, the amine generator hardly remains in the cured film, and the outgas component can be further reduced. Further, by setting the amount of the amine generator to 0.2% by mass or more, curing can be further promoted and the outgas component can be reduced.
The amine generator can be used alone or in combination of two or more. When using 2 or more types, it is preferable that a total amount is the said range.

本発明で用いる組成物は、アミン発生剤に加え、他の熱塩基発生剤を用いてもよいし、用いなくてもよい。本発明における組成物は、実質的に他の熱塩基発生剤を含まない構成とすることもできる。実質的に含まないとは、例えば、組成物に含まれるアミン発生剤の量の0.1質量%以下であることをいう。   The composition used in the present invention may or may not use another thermal base generator in addition to the amine generator. The composition in the present invention may be configured to be substantially free of other thermal base generators. Substantially free means that it is 0.1 mass% or less of the quantity of the amine generator contained in a composition, for example.

本発明で用いる組成物は、共役酸のpKa8以上のアミンを含まないことが好ましい。ここで、組成物が、共役酸のpKa8以上のアミンを含まないとは、組成物中における共役酸のpKa8以上のアミンを全く含まない場合に加え、実質的に含まない場合も含む趣旨である。実質的にとは、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で含むことを意味し、例えば、組成物に含まれるアミン発生剤の0.001質量%以下である場合や、検出限界以下である場合は、実質的に含まないと言えるであろう。
このように、複素環含有ポリマー前駆体の環化反応を開始させる前の組成物に、共役酸のpKa8以上のアミンを含まないことにより、硬化膜のアミン量をより容易に調整できる。
さらに本発明における組成物は、加熱前にアミンを実質的に含まないことが好ましい。実質的にとは、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で含む場合も含む趣旨であり、例えば、組成物に含まれるアミン発生剤の0.001質量%以下である場合は、実質的に含まないと言えるであろう。
The composition used in the present invention preferably contains no amine having a conjugated acid pKa of 8 or more. Here, the composition does not contain an amine having a conjugated acid pKa of 8 or more in addition to the case where it contains no amine having a conjugated acid pKa of 8 or more in the composition, it also includes the case containing substantially no amine. . Substantially means including in the range which does not deviate from the meaning of the present invention, for example, when it is 0.001 mass% or less of the amine generating agent contained in a composition, or when it is below a detection limit It can be said that it does not contain substantially.
Thus, the amine content of a cured film can be adjusted more easily by not including an amine having a pKa of 8 or more of the conjugate acid in the composition before initiating the cyclization reaction of the heterocycle-containing polymer precursor.
Furthermore, the composition in the present invention is preferably substantially free of an amine before heating. Substantially includes the case of including within the scope of the present invention without departing from the scope of the present invention, for example, substantially not including when it is 0.001% by mass or less of the amine generator contained in the composition It can be said that.

<組成物に含まれる他の成分>
本発明で用いる組成物は、複素環含有ポリマー前駆体とアミン発生剤とを含んでいれば、他の成分は特に定めるものではないが、用途等に応じて、適宜、他の成分を配合することができる。特に、本発明で用いる組成物は、感光性樹脂組成物であることが好ましいが、必ずしも感光性を有する用途に限定されるものではない。
本発明における感光性樹脂組成物の第一の実施形態は、複素環含有ポリマー前駆体と光ラジカル重合開始剤を含む。このような感光性樹脂組成物は、ネガ型感光性樹脂組成物として好ましく用いられる。ネガ型感光性樹脂組成物として用いられる場合、複素環含有ポリマー前駆体が重合性不飽和基を有するか、架橋剤を含むことが好ましい。感光性樹脂組成物がネガ型感光性樹脂組成物である場合、架橋剤としては、エチレン性不飽和結合を有する化合物を含むことが好ましい。
本発明における感光性樹脂組成物の第二の実施形態は、複素環含有ポリマー前駆体と光酸発生剤を含む。このような感光性樹脂組成物は、ポジ型感光性樹脂組成物として好ましく用いられる。ポジ型感光性樹脂組成物として用いられる場合、硬化性組成物を含むことが好ましい。感光性樹脂組成物が、ポジ型感光性樹脂組成物である場合、架橋剤としては、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基またはアシルオキシメチル基を有する化合物、エポキシ化合物、オキセタン化合物およびベンゾオキサジン化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物が好ましい。
さらに、ネガ型感光性樹脂組成物は、増感剤、重合禁止剤等を含んでいても良い。また、これら以外の成分も含んでいても良いことは言うまでもない。
一方、ポジ型感光性樹脂組成物は、フェノール性OH基を含む樹脂を含んでいてもよい。また、これら以外の成分も含んでいても良いことは言うまでもない。
これらの成分の詳細は後述する。
特に、ポジ型感光性樹脂組成物の場合、複素環含有ポリマー前駆体がポリベンゾオキサゾール前駆体を含むことが好ましい。
本発明で用いる組成物は、また、閉環構造のポリイミドやポリベンゾオキサゾール等を含んでいてもよい。
<Other ingredients contained in the composition>
If the composition used in the present invention contains a heterocycle-containing polymer precursor and an amine generator, the other components are not particularly defined, but other components are appropriately blended depending on the application etc. be able to. In particular, the composition used in the present invention is preferably a photosensitive resin composition, but is not necessarily limited to the use having photosensitivity.
The first embodiment of the photosensitive resin composition in the present invention comprises a heterocycle-containing polymer precursor and a radical photopolymerization initiator. Such a photosensitive resin composition is preferably used as a negative photosensitive resin composition. When used as a negative photosensitive resin composition, it is preferable that the heterocycle-containing polymer precursor has a polymerizable unsaturated group or contains a crosslinking agent. When the photosensitive resin composition is a negative photosensitive resin composition, it is preferable that the crosslinking agent contains a compound having an ethylenically unsaturated bond.
The second embodiment of the photosensitive resin composition in the present invention comprises a heterocycle-containing polymer precursor and a photoacid generator. Such a photosensitive resin composition is preferably used as a positive photosensitive resin composition. When used as a positive photosensitive resin composition, it is preferable to include a curable composition. When the photosensitive resin composition is a positive photosensitive resin composition, the crosslinking agent is selected from compounds having a hydroxymethyl group, an alkoxymethyl group or an acyloxymethyl group, an epoxy compound, an oxetane compound and a benzoxazine compound At least one compound is preferred.
Furthermore, the negative photosensitive resin composition may contain a sensitizer, a polymerization inhibitor and the like. It goes without saying that other components may also be included.
On the other hand, the positive photosensitive resin composition may contain a resin containing a phenolic OH group. It goes without saying that other components may also be included.
Details of these components will be described later.
In particular, in the case of a positive photosensitive resin composition, the heterocycle-containing polymer precursor preferably contains a polybenzoxazole precursor.
The composition used in the present invention may also contain a closed ring polyimide, polybenzoxazole and the like.

本発明で用いる組成物における、複素環含有ポリマー前駆体の含有量は、組成物の全固形分に対し20〜100質量%が好ましく、50〜99質量%がより好ましく、70〜98質量%がさらに好ましく、80〜95質量%が特に好ましい。
以下、本発明で用いる組成物が含み得る成分について説明する。本発明はこれら以外の成分を含んでいてもよく、また、これらの成分を必須とするわけではないことは言うまでもない。
The content of the heterocycle-containing polymer precursor in the composition used in the present invention is preferably 20 to 100% by mass, more preferably 50 to 99% by mass, and 70 to 98% by mass with respect to the total solids of the composition. Further preferred is 80 to 95% by mass.
Hereinafter, the component which the composition used by this invention may contain is demonstrated. It goes without saying that the present invention may contain other components than these, and these components are not essential.

<架橋剤>
本発明で用いる組成物は架橋剤を含むことが好ましい実施形態として例示される。架橋剤を含むことにより、複素環含有ポリマー前駆体の低温での環化反応をより効果的に進行させることができる。さらに、架橋剤を含有させることにより、より耐熱性に優れた硬化膜を形成することができる。また、フォトリソグラフィによるパターン形成を行うこともできる。
架橋剤の含有量は、配合する場合、組成物における、複素環ポリマー前駆体の合計量に対し、1〜40質量%が好ましく、10〜30質量%がより好ましい。架橋剤は、1種のみ用いても、2種以上用いてもよい。架橋剤を2種以上用いる場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
<Crosslinking agent>
The composition used in the present invention is exemplified as a preferred embodiment that contains a crosslinking agent. By including a crosslinking agent, the cyclization reaction at a low temperature of the heterocycle-containing polymer precursor can proceed more effectively. Furthermore, the cured film which was more excellent in heat resistance can be formed by containing a crosslinking agent. In addition, pattern formation by photolithography can also be performed.
When it mix | blends, 1-40 mass% is preferable with respect to the total amount of a heterocyclic polymer precursor in a composition, and, as for content of a crosslinking agent, 10-30 mass% is more preferable. The crosslinking agent may be used alone or in combination of two or more. When using 2 or more types of crosslinking agents, it is preferable that a total amount becomes said range.

架橋剤は、架橋性基を有する化合物であって、ラジカル、酸、塩基などにより架橋反応が可能な公知の化合物を用いることができる。架橋性基とは、活性光線、放射線、ラジカル、酸、または塩基の作用により、架橋反応することが可能な基であって、好ましい例として、エチレン性不飽和結合を有する基、ヒドロキシメチル基、アシルオキシメチル基、アルコキシメチル基、エポキシ基、オキセタニル基、ベンゾオキサゾリル基が挙げられる。本発明で用いるエチレン性不飽和結合を有する化合物としては、エチレン性不飽和基を2つ以上含む化合物であることがより好ましく、エチレン性不飽和基を2〜6つ含む化合物であることがさらに好ましく、エチレン性不飽和基を2〜4つ含む化合物であることが特に好ましい。
架橋剤は、例えば、モノマー、プレポリマー、オリゴマーおよびそれらの混合物並びにそれらの多量体などの化学的形態のいずれであってもよい。エチレン性不飽和結合を有する化合物は、モノマーであることが好ましい。
The crosslinking agent is a compound having a crosslinking group, and a known compound which can be crosslinked by a radical, an acid, a base or the like can be used. The crosslinkable group is a group capable of undergoing a crosslinking reaction by the action of an actinic ray, radiation, radical, acid or base, and a preferred example is a group having an ethylenically unsaturated bond, a hydroxymethyl group Acyloxymethyl group, alkoxymethyl group, epoxy group, oxetanyl group, benzoxazolyl group can be mentioned. The compound having an ethylenically unsaturated bond to be used in the present invention is more preferably a compound having two or more ethylenic unsaturated groups, and further preferably a compound having two to six ethylenic unsaturated groups. Particularly preferred is a compound containing 2 to 4 ethylenically unsaturated groups.
The crosslinking agent may be in any chemical form, such as, for example, monomers, prepolymers, oligomers and mixtures thereof and multimers thereof. The compound having an ethylenically unsaturated bond is preferably a monomer.

本発明において、モノマータイプの架橋剤(以下、架橋性モノマーともいう)は、高分子化合物とは異なる化合物である。架橋性モノマーは、典型的には、低分子化合物であり、分子量2,000以下の低分子化合物であることが好ましく、分子量1,500以下の低分子化合物であることがより好ましく、分子量900以下の低分子化合物であることがさらに好ましい。なお、架橋性モノマーの分子量は、通常、100以上である。
また、オリゴマータイプの架橋剤は、典型的には比較的低い分子量の重合体であり、10個から100個の架橋性モノマーが結合した重合体であることが好ましい。分子量としては、重量平均分子量が、2,000〜20,000であることが好ましく、2,000〜15,000がより好ましく、2,000〜10,000であることが最も好ましい。
In the present invention, a monomer type crosslinking agent (hereinafter, also referred to as a crosslinking monomer) is a compound different from the polymer compound. The crosslinkable monomer is typically a low molecular weight compound, preferably a low molecular weight compound having a molecular weight of 2,000 or less, more preferably a low molecular weight compound having a molecular weight of 1,500 or less, and a molecular weight of 900 or less It is more preferable that it is a low molecular weight compound of The molecular weight of the crosslinkable monomer is usually 100 or more.
The oligomer type crosslinking agent is typically a polymer of relatively low molecular weight, preferably a polymer in which 10 to 100 crosslinking monomers are bonded. As a molecular weight, a weight average molecular weight is preferably 2,000 to 20,000, more preferably 2,000 to 15,000, and most preferably 2,000 to 10,000.

本発明において、架橋剤の官能基数は、1分子中における架橋性基の数を意味する。
架橋剤は、解像性の観点から、架橋性基を2つ以上含む2官能以上の架橋剤を少なくとも1種含むことが好ましく、3官能以上の架橋剤を少なくとも1種含むことがより好ましい。架橋性基の上限としては、特に定めるものではないが、例えば、8つ以下であり、6つ以下が好ましい。架橋性基としては、好ましくはラジカル重合性基である。すなわち、本発明における架橋剤としては、2つ以上のラジカル重合性基を有する化合物が例示される。本発明では特に、複素環含有ポリマー前駆体がラジカル重合性基を有すること、および、ラジカル重合性基を有する架橋剤を含むことのいずれか一方を満たすことが好ましい。
また、本発明における架橋剤は、三次元架橋構造を形成して耐熱性を向上できるという点から、3官能以上の架橋剤を少なくとも1種含むことが好ましい。また、2官能以下の架橋剤と3官能以上の架橋剤との混合物であってもよい。
In the present invention, the functional group number of the crosslinking agent means the number of crosslinkable groups in one molecule.
The crosslinking agent preferably contains at least one bifunctional or more crosslinking agent containing two or more crosslinking groups, and more preferably includes at least one trifunctional or more crosslinking agent, from the viewpoint of resolution. The upper limit of the crosslinkable group is not particularly limited, but is, for example, 8 or less, preferably 6 or less. The crosslinkable group is preferably a radically polymerizable group. That is, as a crosslinking agent in this invention, the compound which has a 2 or more radically polymerizable group is illustrated. In the present invention, in particular, it is preferable that the heterocycle-containing polymer precursor has one of a radically polymerizable group and a crosslinking agent having a radically polymerizable group.
In addition, the crosslinking agent in the present invention preferably contains at least one trifunctional or higher crosslinking agent from the viewpoint that the heat resistance can be improved by forming a three-dimensional crosslinked structure. In addition, a mixture of a bifunctional or less crosslinking agent and a trifunctional or more crosslinking agent may be used.

<<エチレン性不飽和結合を有する化合物>>
エチレン性不飽和結合を有する基としては、スチリル基、ビニル基、(メタ)アクリロイル基および(メタ)アリル基が好ましく、(メタ)アクリロイル基がより好ましい。
<< Compounds Having an Ethylenically Unsaturated Bond >>
As a group which has an ethylenically unsaturated bond, a styryl group, a vinyl group, a (meth) acryloyl group, and a (meth) allyl group are preferable, and a (meth) acryloyl group is more preferable.

エチレン性不飽和結合を有する化合物の具体例としては、不飽和カルボン酸(例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸など)およびそのエステル類、アミド類、並びにこれらの多量体が挙げられ、好ましくは、不飽和カルボン酸と多価アルコール化合物とのエステル、および不飽和カルボン酸と多価アミン化合物とのアミド類、並びにこれらの多量体である。また、ヒドロキシ基、アミノ基、メルカプト基等の求核性置換基を有する不飽和カルボン酸のエステルまたはアミド類と、単官能若しくは多官能イソシアネート類またはエポキシ類との付加反応物や、単官能若しくは多官能のカルボン酸との脱水縮合反応物等も好適に使用される。また、イソシアネート基やエポキシ基等の親電子性置換基を有する不飽和カルボン酸のエステルまたはアミド類と、単官能若しくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との付加反応物、さらに、ハロゲン基やトシルオキシ基等の脱離性置換基を有する不飽和カルボン酸のエステルまたはアミド類と、単官能若しくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との置換反応物も好適である。また、別の例として、上記の不飽和カルボン酸の代わりに、不飽和ホスホン酸、スチレン等のビニルベンゼン誘導体、ビニルエーテル、アリルエーテル等に置き換えた化合物群を使用することも可能である。   Specific examples of the compound having an ethylenically unsaturated bond include unsaturated carboxylic acids (eg, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid etc.) and esters thereof, amides, and these And the esters of unsaturated carboxylic acids and polyhydric alcohol compounds, and the amides of unsaturated carboxylic acids and polyhydric amine compounds, and multimers thereof. Also, an addition reaction product of an ester or amide of unsaturated carboxylic acid having a nucleophilic substituent such as a hydroxy group, an amino group or a mercapto group with a monofunctional or polyfunctional isocyanate or epoxy, a monofunctional or Dehydration condensation products with polyfunctional carboxylic acids and the like are also suitably used. Also, addition reaction products of esters or amides of unsaturated carboxylic acids having electrophilic substituents such as isocyanate groups and epoxy groups with monofunctional or polyfunctional alcohols, amines, thiols, and halogens Substitution products of esters or amides of unsaturated carboxylic acids having leaving substituents such as groups and tosyloxy groups with monofunctional or polyfunctional alcohols, amines and thiols are also suitable. As another example, instead of the above unsaturated carboxylic acid, it is also possible to use unsaturated phosphonic acid, a vinyl benzene derivative such as styrene, a vinyl ether, an allyl ether or the like, and a group of compounds replaced.

多価アルコール化合物と不飽和カルボン酸とのエステルのモノマーの具体例としては、アクリル酸エステルとして、エチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、1,3−ブタンジオールジアクリレート、テトラメチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリ(アクリロイルオキシプロピル)エーテル、トリメチロールエタントリアクリレート、ヘキサンジオールジアクリレート、1,4−シクロヘキサンジオールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ソルビトールトリアクリレート、ソルビトールテトラアクリレート、ソルビトールペンタアクリレート、ソルビトールヘキサアクリレート、トリ(アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレート、イソシアヌル酸エチレンオキシド変性トリアクリレート、ポリエステルアクリレートオリゴマー等がある。   Specific examples of monomers of esters of polyhydric alcohol compounds and unsaturated carboxylic acids include, as acrylic acid esters, ethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, 1,3-butanediol diacrylate and tetramethylene glycol diacrylate Propylene glycol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane tri (acryloyloxypropyl) ether, trimethylolethane triacrylate, hexanediol diacrylate, 1,4-cyclohexanediol diacrylate, tetramer Ethylene glycol diacrylate, pentaerythritol diacrylate, pentaerythritol triacrylate, di Interaerythritol diacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, sorbitol triacrylate, sorbitol tetraacrylate, sorbitol pentaacrylate, sorbitol hexaacrylate, tri (acryloyloxyethyl) isocyanurate, isocyanuric acid ethylene oxide modified triacrylate, polyester acrylate There are oligomers and the like.

メタクリル酸エステルとしては、テトラメチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールエタントリメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、1,3−ブタンジオールジメタクリレート、ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールジメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ソルビトールトリメタクリレート、ソルビトールテトラメタクリレート、ビス〔p−(3−メタクリルオキシ−2−ヒドロキシプロポキシ)フェニル〕ジメチルメタン、ビス−〔p−(メタクリルオキシエトキシ)フェニル〕ジメチルメタン等がある。   As methacrylic acid esters, tetramethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, neopentyl glycol dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, trimethylolethane trimethacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, 1,3-butanediol dimethacrylate, Hexanediol dimethacrylate, pentaerythritol dimethacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol dimethacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, sorbitol trimethacrylate, sorbitol tetramethacrylate, bis [p- (3-methacryloxy-) 2-hydroxypro ) Phenyl] dimethyl methane, bis - [p- (methacryloxyethoxy) phenyl] dimethyl methane.

イタコン酸エステルとしては、エチレングリコールジイタコネート、プロピレングリコールジイタコネート、1,3−ブタンジオールジイタコネート、1,4−ブタンジオールジイタコネート、テトラメチレングリコールジイタコネート、ペンタエリスリトールジイタコネート、ソルビトールテトライタコネート等がある。   As itaconic acid esters, ethylene glycol diitaconate, propylene glycol diitaconate, 1,3-butanediol diitaconate, 1,4-butanediol diitaconate, tetramethylene glycol diitaconate, pentaerythritol diitaconate And sorbitol tetraitaconate.

クロトン酸エステルとしては、エチレングリコールジクロトネート、テトラメチレングリコールジクロトネート、ペンタエリスリトールジクロトネート、ソルビトールテトラジクロトネート等がある。   Examples of crotonic acid esters include ethylene glycol dicrotonate, tetramethylene glycol dicrotonate, pentaerythritol dicrotonate, and sorbitol tetradicrotonate.

イソクロトン酸エステルとしては、エチレングリコールジイソクロトネート、ペンタエリスリトールジイソクロトネート、ソルビトールテトライソクロトネート等がある。   Examples of isocrotonic acid esters include ethylene glycol diisocrotonate, pentaerythritol diisocrotonate, and sorbitol tetraisocrotonate.

マレイン酸エステルとしては、エチレングリコールジマレート、トリエチレングリコールジマレート、ペンタエリスリトールジマレート、ソルビトールテトラマレート等がある。   Examples of maleic esters include ethylene glycol dimaleate, triethylene glycol dimaleate, pentaerythritol dimaleate, and sorbitol tetramaleate.

その他のエステルの例として、例えば、特公昭46−27926号公報、特公昭51−47334号公報、特開昭57−196231号公報に記載の脂肪族アルコール系エステル類や、特開昭59−5240号公報、特開昭59−5241号公報、特開平2−226149号公報に記載の芳香族系骨格を有する化合物、特開平1−165613号公報に記載のアミノ基を含む化合物等も好適に用いられる。   As examples of other esters, for example, aliphatic alcohol-based esters described in JP-B-46-27926, JP-B-51-47334, JP-A-57-196231, and JP-A-59-5240. Compounds having an aromatic skeleton described in JP-A-59-5241 and JP-A-2-226149, compounds containing an amino group described in JP-A-1-165613, and the like are also suitably used. Be

また、多価アミン化合物と不飽和カルボン酸とのアミドのモノマーの具体例としては、メチレンビス−アクリルアミド、メチレンビス−メタクリルアミド、1,6−ヘキサメチレンビス−アクリルアミド、1,6−ヘキサメチレンビス−メタクリルアミド、ジエチレントリアミントリスアクリルアミド、キシリレンビスアクリルアミド、キシリレンビスメタクリルアミド等がある。   Moreover, as a specific example of the monomer of the amide of a polyvalent amine compound and unsaturated carboxylic acid, methylene bis- acrylamide, methylene bis- methacrylamide, 1, 6- hexamethylene bis- acrylamide, 1, 6- hexamethylene bis- methacryl Amide, diethylenetriamine trisacrylamide, xylylene bisacrylamide, xylylene bis methacrylamide and the like.

その他の好ましいアミド系モノマーの例としては、特公昭54−21726号公報に記載のシクロへキシレン構造を有するモノマーを挙げることができる。   As an example of another preferable amide-type monomer, the monomer which has the cyclohexylene structure of Japanese Patent Publication No.54-21726 can be mentioned.

また、イソシアネートと水酸基の付加反応を用いて製造されるウレタン系付加重合性モノマーも好適であり、そのような具体例としては、例えば、特公昭48−41708号公報に記載されている1分子に2つ以上のイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物に、下記一般式で示される水酸基を含むビニルモノマーを付加させた、1分子中に2個以上の重合性ビニル基を含むビニルウレタン化合物等が挙げられる。
CH=C(R)COOCHCH(R)OH
(ただし、RおよびRは、HまたはCHを示す。)
また、特開昭51−37193号公報、特公平2−32293号公報、特公平2−16765号公報に記載されているようなウレタンアクリレート類や、特公昭58−49860号公報、特公昭56−17654号公報、特公昭62−39417号公報、特公昭62−39418号公報に記載のエチレンオキサイド系骨格を有するウレタン化合物類も好適である。
In addition, a urethane addition polymerization monomer produced by using an addition reaction of an isocyanate and a hydroxyl group is also preferable, and as such a specific example, for example, one molecule described in JP-B-48-41708 is used. Examples include vinyl urethane compounds containing two or more polymerizable vinyl groups in one molecule, in which a vinyl monomer containing a hydroxyl group represented by the following general formula is added to a polyisocyanate compound having two or more isocyanate groups. .
CH 2 = C (R 4 ) COOCH 2 CH (R 5 ) OH
(However, R 4 and R 5 represent H or CH 3. )
Also, urethane acrylates as described in JP-A-51-37193, JP-B-2-32293, JP-B-2-16765, JP-B-58-49860, JP-B-56- Urethane compounds having an ethylene oxide-based skeleton described in JP-A-17654, JP-B-62-39417, and JP-B-62-39418 are also suitable.

また、エチレン性不飽和結合を有する化合物としては、特開2009−288705号公報の段落番号0095〜0108に記載されている化合物を、本発明においても好適に用いることができる。   Moreover, as a compound which has an ethylenically unsaturated bond, the compound described in Paragraph No. 0095-0108 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-288705 can be used suitably also in this invention.

また、エチレン性不飽和結合を有する化合物としては、常圧下で100℃以上の沸点を持つ化合物も好ましい。その例としては、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート等の、単官能のアクリレートおよびメタクリレート;ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ヘキサンジオール(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(アクリロイルオキシプロピル)エーテル、トリ(アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレート、グリセリンやトリメチロールエタン等の多官能アルコールにエチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを付加させた後(メタ)アクリレート化したもの、特公昭48−41708号、特公昭50−6034号、特開昭51−37193号の各公報に記載されているようなウレタン(メタ)アクリレート類、特開昭48−64183号、特公昭49−43191号、特公昭52−30490号の各公報に記載されているポリエステルアクリレート類、エポキシ樹脂と(メタ)アクリル酸との反応生成物であるエポキシアクリレート類等の多官能のアクリレートおよびメタクリレートならびにこれらの混合物を挙げることができる。また、特開2008−292970号公報の段落番号0254〜0257に記載の化合物も好適である。また、多官能カルボン酸にグリシジル(メタ)アクリレート等の環状エーテル基とエチレン性不飽和基を有する化合物を反応させ得られる多官能(メタ)アクリレートなども挙げることができる。
また、その他の好ましいエチレン性不飽和結合を有する化合物として、特開2010−160418号公報、特開2010−129825号公報、特許第4364216号公報等に記載される、フルオレン環を有し、エチレン性不飽和結合を有する基を2個以上有する化合物、カルド樹脂も使用することが可能である。
さらに、その他の例としては、特公昭46−43946号公報、特公平1−40337号公報、特公平1−40336号公報に記載の特定の不飽和化合物や、特開平2−25493号公報に記載のビニルホスホン酸系化合物等も挙げることができる。また、ある場合には、特開昭61−22048号公報に記載のペルフルオロアルキル基を含む構造が好適に使用される。さらに日本接着協会誌vol.20、No.7、300〜308ページ(1984年)に光架橋性モノマーおよびオリゴマーとして紹介されているものも使用することができる。
Moreover, as a compound which has an ethylenically unsaturated bond, the compound which has a boiling point of 100 degreeC or more under normal pressure is also preferable. Examples thereof include monofunctional acrylates and methacrylates such as polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate and phenoxyethyl (meth) acrylate; polyethylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolethane tri ( (Meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, hexanediol ( Meta) acrylate, trimethylolpropane tri (acryloyloxypropyl) ether, tri (acryloyloxyethyl) Those obtained by adding ethylene oxide or propylene oxide to a polyfunctional alcohol such as socyanurate, glycerin or trimethylolethane and then converting it to (meth) acrylate, JP-B-48-41708, JP-B-50-6034, JP-A-51- Urethane (meth) acrylates as described in each publication of JP-A-37193, and polyester acrylates described in JP-A-48-64183, JP-B-49-43191, and JP-B-52-30490 And polyfunctional acrylates and methacrylates such as epoxy acrylates, which are reaction products of epoxy resins and (meth) acrylic acid, and mixtures thereof. Moreover, the compound as described in Paragraph No. 0254-0257 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-292970 is also suitable. In addition, polyfunctional (meth) acrylates obtained by reacting a compound having a cyclic ether group such as glycidyl (meth) acrylate and an ethylenically unsaturated group with a polyfunctional carboxylic acid can also be mentioned.
Moreover, as a compound having another preferable ethylenically unsaturated bond, it has a fluorene ring described in JP-A-2010-160418, JP-A-2010-129825, JP-A-4364216, etc. Compounds having two or more groups having unsaturated bonds, cardo resins can also be used.
Further, as other examples, specific unsaturated compounds described in JP-B-46-43946, JP-B-1-40337, JP-B-1-40336, and JP-A-2-25493 are disclosed. And the like. In some cases, a structure containing a perfluoroalkyl group described in JP-A-61-22048 is preferably used. Furthermore, Japan Adhesiveness Association magazine vol. 20, no. Also those introduced as photocrosslinkable monomers and oligomers on pages 7, 300-308 (1984) can be used.

上記のほか、下記一般式(MO−1)〜(MO−5)で表される、エチレン性不飽和結合を有する化合物も好適に用いることができる。なお、式中、Tがオキシアルキレン基の場合には、炭素原子側の末端がRに結合する。   In addition to the above, compounds having an ethylenically unsaturated bond represented by the following general formulas (MO-1) to (MO-5) can also be suitably used. In the formula, when T is an oxyalkylene group, the terminal on the carbon atom side is bonded to R.

一般式において、nは0〜14の整数であり、mは1〜8の整数である。一分子内に複数存在するR、Tは、各々同一であっても、異なっていてもよい。
上記一般式(MO−1)〜(MO−5)で表される重合性化合物の各々において、複数のRの内の少なくとも1つは、−OC(=O)CH=CH、または、−OC(=O)C(CH)=CHで表される基を表す。
上記一般式(MO−1)〜(MO−5)で表される、エチレン性不飽和結合を有する化合物の具体例としては、特開2007−269779号公報の段落番号0248〜0251に記載されている化合物を本発明においても好適に用いることができる。
In the general formula, n is an integer of 0 to 14, and m is an integer of 1 to 8. A plurality of R and T present in one molecule may be identical to or different from each other.
In each of the polymerizable compounds represented by the above general formulas (MO-1) to (MO-5), at least one of the plurality of R is —OC (OCO) CH = CH 2 or — Represents a group represented by OC (= O) C (CH 3 ) = CH 2 .
As a specific example of the compound which has an ethylenically unsaturated bond represented by said general formula (MO-1)-(MO-5), it is described in stage number 0248-0251 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-269779 The following compounds can also be suitably used in the present invention.

また、特開平10−62986号公報において、一般式(1)および(2)としてその具体例と共に記載の、多官能アルコールにエチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを付加させた後に(メタ)アクリレート化した化合物も、重合性化合物として用いることができる。   Further, in JP-A-10-62986, compounds obtained by adding ethylene oxide or propylene oxide to a polyfunctional alcohol and then converting it into (meth) acrylate are also described as general formulas (1) and (2) together with specific examples thereof. And can be used as a polymerizable compound.

エチレン性不飽和結合を有する化合物としては、ジペンタエリスリトールトリアクリレート(市販品としては、KAYARAD D−330;日本化薬株式会社製)、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート(市販品としては、KAYARAD D−320;日本化薬株式会社製)、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート(市販品としては、KAYARAD D−310;日本化薬株式会社製)、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート(市販品としては、KAYARAD DPHA;日本化薬株式会社製)、およびこれらの(メタ)アクリロイル基がエチレングリコール、プロピレングリコール残基を介して結合している構造が好ましい。これらのオリゴマータイプも使用できる。   Examples of compounds having an ethylenically unsaturated bond include dipentaerythritol triacrylate (commercially available as KAYARAD D-330; Nippon Kayaku Co., Ltd.) and dipentaerythritol tetraacrylate (commercially available as KAYARAD D-320). Nippon Kayaku Co., Ltd.), dipentaerythritol penta (meth) acrylate (as a commercial product, KAYARAD D-310; Nippon Kayaku Co., Ltd.), dipentaerythritol hexa (meth) acrylate (as a commercial product, KAYARAD DPHA (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) and a structure in which these (meth) acryloyl groups are linked via ethylene glycol and propylene glycol residues are preferable. These oligomer types can also be used.

エチレン性不飽和結合を有する化合物は、カルボキシ基、スルホン酸基、リン酸基等の酸基を有する多官能モノマーであっても良い。酸基を有する多官能モノマーは、脂肪族ポリヒドロキシ化合物と不飽和カルボン酸とのエステルが好ましく、脂肪族ポリヒドロキシ化合物の未反応のヒドロキシ基に非芳香族カルボン酸無水物を反応させて酸基を持たせた多官能モノマーがより好ましく、特に好ましくは、このエステルにおいて、脂肪族ポリヒドロキシ化合物がペンタエリスリトールおよび/またはジペンタエリスリトールであるものである。市販品としては、例えば、東亞合成株式会社製の多塩基酸変性アクリルオリゴマーである、M−510、M−520などが挙げられる。
酸基を有する多官能モノマーは、1種を単独で用いてもよいが、2種以上を混合して用いてもよい。また、必要に応じて酸基を有しない多官能モノマーと酸基を有する多官能モノマーを併用してもよい。
酸基を有する多官能モノマーの好ましい酸価としては、0.1〜40mgKOH/gであり、特に好ましくは5〜30mgKOH/gである。多官能モノマーの酸価が上記範囲であれば、製造や取扱性に優れ、さらには、現像性に優れる。また、架橋性が良好である。
The compound having an ethylenically unsaturated bond may be a polyfunctional monomer having an acid group such as a carboxy group, a sulfonic acid group or a phosphoric acid group. The polyfunctional monomer having an acid group is preferably an ester of an aliphatic polyhydroxy compound and an unsaturated carboxylic acid, and the unreacted hydroxy group of the aliphatic polyhydroxy compound is reacted with a nonaromatic carboxylic acid anhydride to obtain an acid group. More preferred are polyfunctional monomers having an alkyl group, particularly preferably in this ester, where the aliphatic polyhydroxy compound is pentaerythritol and / or dipentaerythritol. Examples of commercially available products include M-510 and M-520, which are polybasic acid-modified acrylic oligomers manufactured by Toagosei Co., Ltd.
The polyfunctional monomer having an acid group may be used singly or in combination of two or more. Moreover, you may use together the polyfunctional monomer which does not have an acidic radical, and the polyfunctional monomer which has an acidic radical as needed.
As a preferable acid value of the polyfunctional monomer which has an acidic radical, it is 0.1-40 mgKOH / g, Especially preferably, it is 5-30 mgKOH / g. When the acid value of the polyfunctional monomer is in the above-mentioned range, it is excellent in production and handling, and further, excellent in developability. Also, the crosslinkability is good.

エチレン性不飽和結合を有する化合物は、カプロラクトン構造をも有する化合物を用いることもできる。
カプロラクトン構造とエチレン性不飽和結合とを有する化合物としては、分子内にカプロラクトン構造を有する限り特に限定されるものではないが、例えば、トリメチロールエタン、ジトリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ジトリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリペンタエリスリトール、グリセリン、ジグリセロール、トリメチロールメラミン等の多価アルコールと、(メタ)アクリル酸およびε−カプロラクトンをエステル化することにより得られる、ε−カプロラクトン変性多官能(メタ)アクリレートを挙げることができる。なかでも下記一般式(C)で表されるカプロラクトン構造を有する重合性化合物が好ましい。
As the compound having an ethylenically unsaturated bond, a compound having a caprolactone structure can also be used.
The compound having a caprolactone structure and an ethylenically unsaturated bond is not particularly limited as long as it has a caprolactone structure in the molecule, and examples thereof include trimethylolethane, ditrimethylolethane, trimethylolpropane, ditrimethylolpropane, and the like. An ε-caprolactone modified multifunctional obtained by esterifying (meth) acrylic acid and ε-caprolactone with a polyhydric alcohol such as pentaerythritol, dipentaerythritol, tripentaerythritol, glycerin, diglycerol, trimethylolmelamine etc. Mention may be made of (meth) acrylates. Among them, a polymerizable compound having a caprolactone structure represented by the following general formula (C) is preferable.

一般式(C)
General formula (C)

(式中、6個のRは全てが下記一般式(D)で表される基であるか、または6個のRのうち1〜5個が下記一般式(D)で表される基であり、残余が下記一般式(E)で表される基である。) (Wherein, all six Rs are groups represented by the following general formula (D), or one to five of the six Rs are groups represented by the following general formula (D) And the remainder is a group represented by the following general formula (E).)

一般式(D)
General formula (D)

(式中、Rは水素原子またはメチル基を示し、mは1または2を示し、「*」は結合手であることを示す。)(Wherein, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, m represents 1 or 2 and “*” represents a bond.)

一般式(E)
General formula (E)

(式中、Rは水素原子またはメチル基を示し、「*」は結合手であることを示す。)(Wherein, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and “*” represents a bond.)

このようなカプロラクトン構造を有する重合性化合物は、例えば、日本化薬(株)からKAYARAD DPCAシリーズとして市販されており、DPCA−20(上記一般式(C)〜(E)においてm=1、一般式(D)で表される基の数=2、Rが全て水素原子である化合物)、DPCA−30(同式、m=1、一般式(D)で表される基の数=3、Rが全て水素原子である化合物)、DPCA−60(同式、m=1、一般式(D)で表される基の数=6、Rが全て水素原子である化合物)、DPCA−120(同式においてm=2、一般式(D)で表される基の数=6、Rが全て水素原子である化合物)等を挙げることができる。
本発明において、カプロラクトン構造とエチレン性不飽和結合とを有する化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
A polymerizable compound having such a caprolactone structure is, for example, commercially available from Nippon Kayaku Co., Ltd. as KAYARAD DPCA series, and DPCA-20 (m = 1 in the above general formulas (C) to (E), general The number of groups represented by the formula (D) = 2, a compound wherein all R 1 are hydrogen atoms, DPCA-30 (the same formula, m = 1, the number of groups represented by the general formula (D) = 3 , Compounds in which R 1 is all hydrogen atoms, DPCA-60 (same formula, m = 1, number of groups represented by general formula (D) = 6, compounds in which all R 1 are hydrogen atoms), DPCA And -120 (in the formula, m = 2, the number of groups represented by general formula (D) = 6, and a compound in which all R 1 s are hydrogen atoms) and the like.
In the present invention, the compounds having a caprolactone structure and an ethylenically unsaturated bond can be used alone or in combination of two or more.

エチレン性不飽和結合を有する化合物は、下記一般式(i)または(ii)で表される化合物の群から選択される少なくとも1種であることも好ましい。   The compound having an ethylenically unsaturated bond is also preferably at least one selected from the group of compounds represented by the following general formulas (i) or (ii).

一般式(i)および(ii)中、Eは、各々独立に、−((CHCHO)−、または−((CHCH(CH)O)−を表し、yは、各々独立に、0〜10の整数を表し、Xは、各々独立に、(メタ)アクリロイル基、水素原子、またはカルボキシ基を表す。
一般式(i)中、(メタ)アクリロイル基の合計は、3個または4個であり、mは、各々独立に、0〜10の整数を表し、各mの合計は、0〜40の整数である。但し、各mの合計が0の場合、Xのうちいずれか1つはカルボキシ基である。
一般式(ii)中、(メタ)アクリロイル基の合計は、5個または6個であり、nは、各々独立に、0〜10の整数を表し、各nの合計は、0〜60の整数である。但し、各nの合計が0の場合、Xのうちいずれか1つはカルボキシ基である。
In general formulas (i) and (ii), E each independently represents-((CH 2 ) y CH 2 O)-or-((CH 2 ) y CH (CH 3 ) O)-, Each y independently represents an integer of 0 to 10, and each X independently represents a (meth) acryloyl group, a hydrogen atom or a carboxy group.
In general formula (i), the total of (meth) acryloyl groups is three or four, m independently represents an integer of 0 to 10, and the sum of each m is an integer of 0 to 40 It is. However, when the sum of each m is 0, any one of X is a carboxy group.
In general formula (ii), the total of (meth) acryloyl groups is five or six, n independently represents an integer of 0 to 10, and the total of each n is an integer of 0 to 60 It is. However, when the sum of each n is 0, any one of X is a carboxy group.

一般式(i)中、mは、0〜6の整数が好ましく、0〜4の整数がより好ましい。
また、各mの合計は、2〜40の整数が好ましく、2〜16の整数がより好ましく、4〜8の整数が特に好ましい。
一般式(ii)中、nは、0〜6の整数が好ましく、0〜4の整数がより好ましい。
また、各nの合計は、3〜60の整数が好ましく、3〜24の整数がより好ましく、6〜12の整数が特に好ましい。
一般式(i)または一般式(ii)中の−((CHCHO)−または−((CHCH(CH)O)−は、酸素原子側の末端がXに結合する形態が好ましい。特に、一般式(ii)において、6つのX全てがアクリロイル基である形態が好ましい。
In general formula (i), m is preferably an integer of 0 to 6, and more preferably an integer of 0 to 4.
Moreover, the integer of 2-40 is preferable, the integer of 2-16 is more preferable, and, as for the sum of each m, the integer of 4-8 is especially preferable.
In general formula (ii), n is preferably an integer of 0 to 6, and more preferably an integer of 0 to 4.
Moreover, the integer of 3-60 is preferable, the integer of 3-24 is more preferable, and, as for the sum of each n, the integer of 6-12 is especially preferable.
Formula (i) or formula (ii) in the - ((CH 2) y CH 2 O) - or - ((CH 2) y CH (CH 3) O) - , the terminal oxygen atom side X Preferred is a form of binding to In particular, in the general formula (ii), a form in which all six X's are an acryloyl group is preferable.

一般式(i)または(ii)で表される化合物は、従来公知の工程である、ペンタエリスリトールまたはジペンタエリスリトールにエチレンオキシドまたはプロピレンオキシドを開環付加反応させることにより、開環骨格を結合する工程と、開環骨格の末端水酸基に、例えば(メタ)アクリロイルクロライドを反応させて、(メタ)アクリロイル基を導入する工程とから合成することができる。各工程は良く知られた工程であり、当業者は容易に一般式(i)または(ii)で表される化合物を合成することができる。   In the compound represented by the general formula (i) or (ii), a ring-opened skeleton is connected by ring-opening addition reaction of ethylene oxide or propylene oxide with pentaerythritol or dipentaerythritol, which is a conventionally known step. And the terminal hydroxyl group of the ring-opened skeleton, for example, by reacting (meth) acryloyl chloride to introduce a (meth) acryloyl group. Each step is a well-known step, and those skilled in the art can easily synthesize a compound represented by general formula (i) or (ii).

一般式(i)および(ii)で表される化合物の中でも、ペンタエリスリトール誘導体およびジペンタエリスリトール誘導体がより好ましい。
具体的には、下記式(a)〜(f)で表される化合物(以下、「例示化合物(a)〜(f)」ともいう。)が挙げられ、中でも、例示化合物(a)、(b)、(e)、(f)が好ましい。
Among the compounds represented by the general formulas (i) and (ii), pentaerythritol derivatives and dipentaerythritol derivatives are more preferable.
Specific examples thereof include compounds represented by the following formulas (a) to (f) (hereinafter, also referred to as “exemplified compounds (a) to (f)”), and among them, exemplified compounds (a) and (f) b), (e) and (f) are preferred.

一般式(i)および(ii)で表される重合性化合物の市販品としては、例えばサートマー社製のエチレンオキシ鎖を4個有する4官能アクリレートであるSR−494、日本化薬株式会社製のペンチレンオキシ鎖を6個有する6官能アクリレートであるDPCA−60、イソブチレンオキシ鎖を3個有する3官能アクリレートであるTPA−330などが挙げられる。   As commercially available products of the polymerizable compounds represented by the general formulas (i) and (ii), for example, SR-494 which is a tetrafunctional acrylate having four ethyleneoxy chains manufactured by Sartmar, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. Examples include DPCA-60, which is a hexafunctional acrylate having six pentylene oxy chains, and TPA-330, which is a trifunctional acrylate having three isobutylene oxy chains.

エチレン性不飽和結合を有する化合物としては、特公昭48−41708号公報、特開昭51−37193号公報、特公平2−32293号公報、特公平2−16765号公報に記載されているようなウレタンアクリレート類や、特公昭58−49860号公報、特公昭56−17654号公報、特公昭62−39417号公報、特公昭62−39418号公報に記載のエチレンオキサイド系骨格を有するウレタン化合物類も好適である。さらに、重合性化合物として、特開昭63−277653号公報、特開昭63−260909号公報、特開平1−105238号公報に記載される、分子内にアミノ構造やスルフィド構造を有する付加重合性モノマー類を用いることもできる。
エチレン性不飽和結合を有する化合物の市販品としては、ウレタンオリゴマーUAS−10、UAB−140(山陽国策パルプ社製)、NKエステルM−40G、NKエステル4G、NKエステルM−9300、NKエステルA−9300、UA−7200(新中村化学工業(株)製)、DPHA−40H(日本化薬製)、UA−306H、UA−306T、UA−306I、AH−600、T−600、AI−600(共栄社化学(株)製)、ブレンマーPME400(日油(株)製)などが挙げられる。
Examples of compounds having an ethylenically unsaturated bond include those described in JP-B-48-41708, JP-A-51-37193, JP-B-2-32293 and JP-B-2-16765. Urethane acrylates and urethane compounds having an ethylene oxide skeleton as described in JP-B-58-49860, JP-B-56-17654, JP-B-62-39417 and JP-B-62-39418 are also suitable. It is. Furthermore, addition polymerizable compounds having an amino structure or a sulfide structure in the molecule described in JP-A-63-277653, JP-A-63-260909, JP-A-1-105238 as a polymerizable compound Monomers can also be used.
As a commercial item of the compound which has an ethylenically unsaturated bond, Urethane oligomer UAS-10, UAB-140 (made by Sanyo Kokusaku Pulp Co., Ltd.), NK ester M-40G, NK ester 4G, NK ester M-9300, NK ester A -9300, UA-7200 (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), DPHA-40H (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), UA-306H, UA-306T, UA-306I, AH-600, T-600, AI-600 (Manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), Blenmer PME 400 (manufactured by NOF Corporation), and the like.

エチレン性不飽和結合を有する化合物は、耐熱性の観点から、下記式で表される部分構造を有することが好ましい。ただし、式中の*は連結手である。   From the viewpoint of heat resistance, the compound having an ethylenically unsaturated bond preferably has a partial structure represented by the following formula. However, * in the formula is a linkage.

上記部分構造を有するエチレン性不飽和結合を有する化合物の具体例としては、例えば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、イソシアヌル酸エチレンオキサイド変性ジ(メタ)アクリレート、イソシアヌル酸エチレンオキサイド変性トリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレートなどが挙げられ、本発明においてはこれらの重合性化合物を特に好ましく用いることができる。
また、下記の化合物において、nが3〜25の化合物も好ましい例として挙げられる。
Specific examples of the compound having an ethylenically unsaturated bond having the above partial structure include, for example, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ethylene oxide modified with isocyanuric acid ethylene oxide, di (meth) acrylate, ethylene oxide oxide modified tri (meth) isocyanuric acid. Acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dimethylolpropane tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra ( Examples thereof include meta) acrylates, and in the present invention, these polymerizable compounds can be particularly preferably used.
Moreover, in the following compounds, compounds in which n is 3 to 25 are also mentioned as preferable examples.

組成物において、エチレン性不飽和結合を有する化合物の含有量は、良好な架橋性と耐熱性の観点から、組成物の全固形分に対して、1〜50質量%が好ましい。下限は5質量%以上がより好ましい。上限は、30質量%以下がより好ましく、25質量%以下がさらに好ましい。エチレン性不飽和結合を有する化合物は1種を単独で用いてもよいが、2種以上を混合して用いてもよい。
また、複素環含有ポリマー前駆体とエチレン性不飽和結合を有する化合物との質量割合(複素環含有ポリマー前駆体/重合性化合物)は、98/2〜10/90が好ましく、95/5〜30/70がより好ましく、90/10〜50/50がさらに好ましく、90/10〜70/30が一層好ましい。複素環含有ポリマー前駆体とエチレン性不飽和結合を有する化合物との質量割合が上記範囲であれば、架橋性および耐熱性により優れた硬化膜を形成できる。
エチレン性不飽和結合を有する化合物は、1種のみ用いても、2種以上用いてもよい。2種以上用いる場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
In the composition, the content of the compound having an ethylenically unsaturated bond is preferably 1 to 50% by mass with respect to the total solid content of the composition, from the viewpoint of good crosslinkability and heat resistance. The lower limit is more preferably 5% by mass or more. 30 mass% or less is more preferable, and, as for the upper limit, 25 mass% or less is more preferable. Although the compound which has an ethylenically unsaturated bond may be used individually by 1 type, you may mix and use 2 or more types.
Further, the mass ratio of the heterocycle-containing polymer precursor to the compound having an ethylenically unsaturated bond (heterocycle-containing polymer precursor / polymerizable compound) is preferably 98/2 to 10/90, and 95/5 to 30 / 70 is more preferable, 90/10 to 50/50 is more preferable, and 90/10 to 70/30 is more preferable. If the mass ratio of the heterocycle-containing polymer precursor and the compound having an ethylenically unsaturated bond is in the above-mentioned range, a cured film excellent in crosslinkability and heat resistance can be formed.
The compound having an ethylenically unsaturated bond may be used alone or in combination of two or more. When using 2 or more types, it is preferable that a total amount becomes said range.

<ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基またはアシルオキシメチル基を有する化合物>>
ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基またはアシルオキシメチル基を有する化合物としては、下記一般式(AM1)で示される化合物が好ましい。
<Compound Having Hydroxymethyl Group, Alkoxymethyl Group or Acyloxymethyl Group >>
As the compound having a hydroxymethyl group, an alkoxymethyl group or an acyloxymethyl group, a compound represented by the following general formula (AM1) is preferable.

(式中、tは、1〜20の整数を示し、Rは炭素数1〜200のt価の有機基を示し、Rは下記一般式(AM2)または下記一般式(AM3)で示される基を示す。) (Wherein t represents an integer of 1 to 20, R 4 represents a t-valent organic group having 1 to 200 carbon atoms, and R 5 represents a group represented by the following general formula (AM2) or Group)))

(式中Rは、水酸基または炭素数1〜10の有機基を示す。) (In the formula, R 6 represents a hydroxyl group or an organic group having 1 to 10 carbon atoms.)

複素環含有ポリマー前駆体100質量部に対して、一般式(AM1)で示される化合物の含有量は5質量部以上40質量部以下であることが好ましい。より好ましくは、10質量部以上35質量部以下である。また、全架橋剤中、下記一般式(AM4)で表される化合物を10質量%以上90質量%以下含有し、下記一般式(AM5)で表される化合物を全架橋剤中10質量%以上90質量%以下含有することも好ましい。
これらの化合物は、1種のみ用いても、2種以上用いてもよい。2種以上用いる場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
The content of the compound represented by General Formula (AM1) is preferably 5 parts by mass or more and 40 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the heterocycle-containing polymer precursor. More preferably, it is 10 parts by mass or more and 35 parts by mass or less. Further, the total crosslinking agent contains 10% by mass to 90% by mass of the compound represented by the following general formula (AM4), and 10% by mass or more of the compound represented by the following general formula (AM5) in all the crosslinking agent It is also preferable to contain 90 mass% or less.
These compounds may be used alone or in combination of two or more. When using 2 or more types, it is preferable that a total amount becomes said range.

(式中、Rは炭素数1〜200の2価の有機基を示し、Rは下記一般式(AM2)または下記一般式(AM3)で示される基を示す。) (Wherein, R 4 represents a divalent organic group having 1 to 200 carbon atoms, and R 5 represents a group represented by the following general formula (AM 2) or the following general formula (AM 3).)

(式中uは3〜8の整数を示し、Rは炭素数1〜200のu価の有機基を示し、Rは下記一般式(AM2)または下記一般式(AM3)で示される基を示す。) Wherein u represents an integer of 3 to 8, R 4 represents a u-valent organic group having 1 to 200 carbon atoms, and R 5 represents a group represented by the following general formula (AM2) or the following general formula (AM3) Indicate

(式中Rは、水酸基または炭素数1〜10の有機基を示す。) (In the formula, R 6 represents a hydroxyl group or an organic group having 1 to 10 carbon atoms.)

上記の中でも、ヒドロキシメチル基を2つ以上有する化合物として、以下の化合物が例示される。
(化学式(1)中、Rは、炭素数が2〜20の有機基であり、Pは、水素原子またはアルキル基である。)
は、炭化水素基が好ましい。Pは、水素原子が好ましい。
これらの詳細は、国際公開WO2010/038742号公報の段落番号0010〜0024の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
Among the above, the following compounds are exemplified as a compound having two or more hydroxymethyl groups.
(In the chemical formula (1), R a is an organic group having 2 to 20 carbon atoms, and P 1 is a hydrogen atom or an alkyl group.)
R a is preferably a hydrocarbon group. P 1 is preferably a hydrogen atom.
These details can be referred to the description of paragraphs 0010 to 0024 of International Publication WO 2010/038742, the contents of which are incorporated herein.

上記化合物を用いることにより、凹凸のある基板上に組成物層を形成した際に、クラックが生じることがより少なくなる。さらに、パターン加工性に優れ、5%質量減少温度が好ましくは350℃以上、より好ましくは380℃以上となる高い耐熱性を有することができる。一般式(AM4)で示される化合物の具体例としては、46DMOC、46DMOEP(以上、商品名、旭有機材工業(株)製)、DML−MBPC、DML−MBOC、DML−OCHP、DML−PCHP、DML−PC、DML−PTBP、DML−34X、DML−EP、DML−POP、dimethyolBisOC−P、DML−PFP、DML−PSBP、DML−MTrisPC(以上、商品名、本州化学工業(株)製)、NIKALAC MX−290(以上、商品名、(株)三和ケミカル製)、2,6−ジメトキシメチル−4−t−ブチルフェノール、2,6−ジメトキシメチル−p−クレゾール、2,6−ジアセトキシメチル−p−クレゾールなどが挙げられる。   By using the above-mentioned compound, when a composition layer is formed on a substrate with unevenness, cracks are less likely to occur. Furthermore, it is excellent in pattern processability, and 5% mass loss temperature can have high heat resistance which becomes 350 degreeC or more preferably more preferably 380 degreeC or more. Specific examples of the compound represented by the general formula (AM4) include 46DMOC, 46DMOEP (all trade names, manufactured by Asahi Organic Materials Industry Co., Ltd.), DML-MBPC, DML-MBOC, DML-OCHP, DML-PCHP, DML-PC, DML-PTBP, DML-34X, DML-EP, DML-POP, dimethyol BisOC-P, DML-PFP, DML-PSBP, DML-MTrisPC (trade names, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), NIKALAC MX-290 (all trade names, Sanwa Chemical Co., Ltd.), 2,6-dimethoxymethyl-4-t-butylphenol, 2,6-dimethoxymethyl-p-cresol, 2,6-diacetoxymethyl -P-cresol etc. are mentioned.

また、一般式(AM5)で示される化合物の具体例としては、TriML−P、TriML−35XL、TML−HQ、TML−BP、TML−pp−BPF、TML−BPA、TMOM−BP、HML−TPPHBA、HML−TPHAP、HMOM−TPPHBA、HMOM−TPHAP(商品名、本州化学工業(株)製)、TM−BIP−A(商品名、旭有機材工業(株)製)、NIKALAC MX−280、NIKALAC MX−270、NIKALAC MW−100LM(以上、商品名、(株)三和ケミカル製)が挙げられる。   In addition, specific examples of the compound represented by the general formula (AM5) include TriML-P, TriML-35XL, TML-HQ, TML-BP, TML-pp-BPF, TML-BPA, TMOM-BP, and HML-TPPHBA HML-TPHAP, HMOM-TPPHBA, HMOM-TPHAP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), TM-BIP-A (trade name, manufactured by Asahi Organic Materials Co., Ltd.), NIKALAC MX-280, NIKALAC Examples include MX-270 and NIKALAC MW-100 LM (all trade names, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.).

また、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基またはアシルオキシメチル基を有する化合物として、以下の化合物も好ましい。市販品としては、T2058、B1525(以上、商品名、東京化成工業製)が例示される。
Moreover, the following compounds are also preferable as a compound having a hydroxymethyl group, an alkoxymethyl group or an acyloxymethyl group. As a commercial item, T2058 and B1525 (above, brand name, Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. make) are illustrated.

<エポキシ化合物(エポキシ基を有する化合物)>
エポキシ化合物としては、一分子中にエポキシ基を2個以上有する化合物であることが好ましい。エポキシ化合物は、200℃以下で架橋反応し、かつ、架橋反応において脱水反応が起こらないため、膜収縮が起きにくい。このため、エポキシ化合物を含有することは、組成物の低温硬化および低反り化に効果的である。
<Epoxy Compound (Compound Having an Epoxy Group)>
The epoxy compound is preferably a compound having two or more epoxy groups in one molecule. The epoxy compound crosslinks at a temperature of 200 ° C. or less, and a dehydration reaction does not occur in the crosslinking reaction, so that film contraction hardly occurs. Therefore, containing an epoxy compound is effective for low temperature curing and low warpage of the composition.

エポキシ化合物は、ポリエチレンオキサイド基を含有することが好ましい。これにより、より弾性率が低下し、またより低反り化することができる。また柔軟性が高いため、伸度等にも優れた硬化膜を得ることができる。ポリエチレンオキサイド基は、エチレンオキサイドの繰り返し単位数が2以上のものを意味し、繰り返し単位数が2〜15であることが好ましい。   The epoxy compound preferably contains a polyethylene oxide group. As a result, the elastic modulus can be further reduced and the warpage can be further reduced. In addition, since the flexibility is high, a cured film excellent in elongation and the like can be obtained. The polyethylene oxide group means that the number of repeating units of ethylene oxide is 2 or more, and the number of repeating units is preferably 2 to 15.

エポキシ化合物の例としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂;ビスフェノールF型エポキシ樹脂;プロピレングリコールジグリシジルエーテル等のアルキレングリコール型エポキシ樹脂;ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル等のポリアルキレングリコール型エポキシ樹脂;ポリメチル(グリシジロキシプロピル)シロキサン等のエポキシ基含有シリコーンなどを挙げることができるが、これらに限定されない。具体的には、エピクロン(登録商標)850−S、エピクロン(登録商標)HP−4032、エピクロン(登録商標)HP−7200、エピクロン(登録商標)HP−820、エピクロン(登録商標)HP−4700、エピクロン(登録商標)EXA−4710、エピクロン(登録商標)HP−4770、エピクロン(登録商標)EXA−859CRP、エピクロン(登録商標)EXA−1514、エピクロン(登録商標)EXA−4880、エピクロン(登録商標)EXA−4850−150、エピクロン(登録商標)EXA−4850−1000、エピクロン(登録商標)EXA−4816、エピクロン(登録商標)EXA−4822(以上商品名、大日本インキ化学工業(株)製)、リカレジン(登録商標)BEO−60E(以上商品名、新日本理化株式会社)、EP−4003S、EP−4000S(以上商品名、(株)アデカ)などが挙げられる。この中でも、ポリエチレンオキサイド基を含有するエポキシ樹脂が、低反りおよび耐熱性に優れる点で好ましい。例えば、エピクロン(登録商標)EXA−4880、エピクロン(登録商標)EXA−4822、リカレジン(登録商標)BEO−60Eは、ポリエチレンオキサイド基を含有するので好ましい。   Examples of epoxy compounds are: bisphenol A type epoxy resin; bisphenol F type epoxy resin; alkylene glycol type epoxy resin such as propylene glycol diglycidyl ether; polyalkylene glycol type epoxy resin such as polypropylene glycol diglycidyl ether; Examples include epoxy group-containing silicones such as (oxypropyl) siloxane and the like, but are not limited thereto. Specifically, Epiclon (registered trademark) 850-S, Epiclon (registered trademark) HP-4032, Epiclon (registered trademark) HP-7200, Epiclon (registered trademark) HP-820, Epiclon (registered trademark) HP-4700, Epiclon (R) EXA-4710, Epiclon (R) HP-4770, Epiclon (R) EXA-859 CRP, Epiclon (R) EXA-1514, Epiclon (R) EXA-4880, Epiclon (R) EXA-4850-150, Epiclon (registered trademark) EXA-4850-1000, Epiclon (registered trademark) EXA-4816, Epiclon (registered trademark) EXA-4822 (trade names, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), Rika Resin (registered trademark) BEO-60E (Products above , New Japan Chemical Co., Ltd.), EP-4003S, EP-4000S (trade name, (Ltd.) and the like Adeka). Among these, the epoxy resin containing a polyethylene oxide group is preferable at the point which is excellent in low curvature and heat resistance. For example, Epiclon (registered trademark) EXA-4880, Epiclon (registered trademark) EXA-4822, and Rikaresin (registered trademark) BEO-60E are preferable because they contain polyethylene oxide groups.

エポキシ化合物の含有量は、複素環含有ポリマー前駆体100質量部に対し、5〜50質量部が好ましく、10〜50質量部がより好ましく、10〜40質量部がさらに好ましい。配合量が、5質量部以上であれば硬化膜の反りをより抑制でき、50質量部以下であれば最終加熱(キュア)時のリフローに伴うパターン埋まりをより抑制できる。
エポキシ化合物は、1種のみ用いても、2種以上用いてもよい。2種以上用いる場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
The content of the epoxy compound is preferably 5 to 50 parts by mass, more preferably 10 to 50 parts by mass, and still more preferably 10 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the heterocycle-containing polymer precursor. If the compounding amount is 5 parts by mass or more, warpage of the cured film can be further suppressed, and if 50 parts by mass or less, pattern filling accompanying reflow at the time of final heating (cure) can be further suppressed.
The epoxy compound may be used alone or in combination of two or more. When using 2 or more types, it is preferable that a total amount becomes said range.

<オキセタン化合物(オキセタニル基を有する化合物)>
オキセタン化合物としては、一分子中にオキセタン環を2つ以上有する化合物、3−エチル−3−ヒドロキシメチルオキセタン、1,4−ビス{[(3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ]メチル}ベンゼン、3−エチル−3−(2−エチルヘキシルメチル)オキセタン、1,4−ベンゼンジカルボン酸−ビス[(3−エチル−3−オキセタニル)メチル]エステル等を挙げることができる。具体的な例としては、東亞合成社製のアロンオキセタンシリーズ(例えば、OXT−121、OXT−221、OXT−191、OXT−223)を好適に使用することができ、これらは単独で、あるいは2種以上混合してもよい。
<Oxetane Compound (Compound Having an Oxetanyl Group)>
Examples of oxetane compounds include compounds having two or more oxetane rings in one molecule, 3-ethyl-3-hydroxymethyl oxetane, 1,4-bis {[(3-ethyl-3-oxetanyl) methoxy] methyl} benzene, Examples include 3-ethyl-3- (2-ethylhexylmethyl) oxetane, 1,4-benzenedicarboxylic acid-bis [(3-ethyl-3-oxetanyl) methyl] ester, and the like. As a specific example, Aon oxetane series (for example, OXT-121, OXT-221, OXT-191, OXT-223) manufactured by Toagosei Co., Ltd. can be suitably used, and these can be used alone or in combination. You may mix species or more.

オキセタン化合物の含有量は、複素環含有ポリマー前駆体100質量部に対し、5〜50質量部が好ましく、10〜50質量部がより好ましく、10〜40質量部がさらに好ましい。
オキセタン化合物は、1種のみ用いても、2種以上用いてもよい。2種以上用いる場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
The content of the oxetane compound is preferably 5 to 50 parts by mass, more preferably 10 to 50 parts by mass, and still more preferably 10 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the heterocycle-containing polymer precursor.
The oxetane compounds may be used alone or in combination of two or more. When using 2 or more types, it is preferable that a total amount becomes said range.

<ベンゾオキサジン化合物(ベンゾオキサゾリル基を有する化合物)>
ベンゾオキサジン化合物は、開環付加反応により架橋反応が生じるため、キュアによる脱ガスが発生せず、さらに熱による収縮が小さい。このため反りの発生を抑制できる。
<Benzoxazine compound (compound having a benzoxazolyl group)>
Since a benzoxazine compound causes a crosslinking reaction by a ring opening addition reaction, no degassing due to curing occurs, and furthermore, the shrinkage due to heat is small. Therefore, the occurrence of warpage can be suppressed.

ベンゾオキサジン化合物の好ましい例としては、B−a型ベンゾオキサジン、B−m型ベンゾオキサジン(以上、商品名、四国化成工業製)、ポリヒドロキシスチレン樹脂のベンゾオキサジン付加物、フェノールノボラック型ジヒドロベンゾオキサジン化合物が挙げられる。これらは単独で、あるいは2種以上混合してもよい。   Preferred examples of the benzoxazine compound include B-a type benzoxazine, B-m type benzoxazine (all trade names, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.), benzoxazine adduct of polyhydroxystyrene resin, phenol novolac type dihydrobenzoxazine Compounds are mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

ベンゾオキサジン化合物の含有量は、複素環含有ポリマー前駆体100質量部に対し、5〜50質量部が好ましく、10〜50質量部がより好ましく、10〜40質量部がさらに好ましい。
ベンゾオキサジン化合物は、1種のみ用いても、2種以上用いてもよい。2種以上用いる場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
The content of the benzoxazine compound is preferably 5 to 50 parts by mass, more preferably 10 to 50 parts by mass, and still more preferably 10 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the heterocycle-containing polymer precursor.
The benzoxazine compounds may be used alone or in combination of two or more. When using 2 or more types, it is preferable that a total amount becomes said range.

本発明で用いる架橋剤は、分子量が100〜1,500であることが好ましく、100〜800であることがより好ましく、100〜600であることがさらに好ましい。分子量を800以下、さらには600以下とすることにより、アウトガス性をより効果的に向上させることが可能になる。   The molecular weight of the crosslinking agent used in the present invention is preferably 100 to 1,500, more preferably 100 to 800, and still more preferably 100 to 600. By setting the molecular weight to 800 or less, or even 600 or less, it is possible to more effectively improve the outgassing property.

<フェノール性OH基を含む樹脂>
本発明における組成物が、アルカリ現像性のポジ型感光性樹脂組成物である場合、フェノール性OH基を含む樹脂を含むことが、アルカリ現像液への溶解性を調整し、良好な感度が得られる点で好ましい。
フェノール性OH基を含む樹脂としては、ノボラック樹脂、およびポリヒドロキシスチレン樹脂が好ましい例として挙げられる。
<Resin containing phenolic OH group>
When the composition in the present invention is an alkali-developable positive photosensitive resin composition, the inclusion of a resin containing a phenolic OH group adjusts the solubility in an alkaline developer, and good sensitivity is obtained. Preferred in that
As resins containing phenolic OH groups, novolak resins and polyhydroxystyrene resins are mentioned as preferred examples.

<<ノボラック樹脂>>
ノボラック樹脂は、フェノール類とアルデヒド類とを公知の方法で重縮合することによって得られる。ノボラック樹脂は2種以上組み合わせてもよい。
上記フェノール類の好ましい例としては、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2,3−キシレノール、2,5−キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチルフェノール等を挙げることができる。特に、フェノール、m−クレゾール、p−クレゾール、2,3−キシレノール、2,5−キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノールおよび2,3,5−トリメチルフェノールが好ましい。これらのフェノール類を2種以上組み合わせて用いてもよい。アルカリ現像液に対する溶解性の観点から、m−クレゾールが好ましく、m−クレゾールとp−クレゾールとの組み合わせも好ましい。すなわち、ノボラック樹脂として、m−クレゾール残基、または、m−クレゾール残基とp−クレゾール残基とを含むクレゾールノボラック樹脂を含むことが好ましい。このとき、クレゾールノボラック樹脂中のm−クレゾール残基とp−クレゾール残基とのモル比(m−クレゾール残基/p−クレゾール残基、m/p)は1.8以上が好ましい。この範囲であればアルカリ現像液への適度な溶解性を示し、良好な感度が得られる。より好ましくは4以上である。
また、上記アルデヒド類の好ましい例としては、ホルマリン、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、クロロアセトアルデヒド等を挙げることができる。これらのアルデヒド類を2種以上用いてもよい。
<< Novolak resin >>
The novolak resin is obtained by polycondensation of phenols and aldehydes by a known method. The novolak resin may be used in combination of two or more.
Preferred examples of the above-mentioned phenols include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, 2,3-xylenol, 2,5-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol, 2,3 There can be mentioned 5-trimethylphenol, 3,4,5-trimethylphenol and the like. In particular, phenol, m-cresol, p-cresol, 2,3-xylenol, 2,5-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol and 2,3,5-trimethylphenol are preferred. Two or more of these phenols may be used in combination. From the viewpoint of solubility in an alkaline developer, m-cresol is preferable, and a combination of m-cresol and p-cresol is also preferable. That is, it is preferable to include, as a novolac resin, a cresol novolac resin containing m-cresol residue or m-cresol residue and p-cresol residue. At this time, the molar ratio (m-cresol residue / p-cresol residue, m / p) of m-cresol residue to p-cresol residue in cresol novolac resin is preferably 1.8 or more. If it is in this range, it exhibits appropriate solubility in an alkali developer and good sensitivity can be obtained. More preferably, it is 4 or more.
Further, as preferable examples of the above-mentioned aldehydes, formalin, paraformaldehyde, acetaldehyde, benzaldehyde, hydroxybenzaldehyde, chloroacetaldehyde and the like can be mentioned. Two or more of these aldehydes may be used.

また、フェノール類として下記一般式(Phe)で表される化合物、アルデヒド類として下記一般式(Ald)で表される化合物を使用して酸性触媒で重縮合して得られる全芳香族型ノボラック樹脂は、本発明における組成物の硬化膜に高い耐熱性を付与できる点で好ましい。   Also, a wholly aromatic novolak resin obtained by polycondensation with an acidic catalyst using a compound represented by the following general formula (Phe) as a phenol and a compound represented by the following general formula (Ald) as an aldehyde Is preferable at the point which can provide high heat resistance to the cured film of the composition in this invention.

一般式(Phe)
一般式(Phe)中、Rは、炭素数1以上20以下のアルキル基およびアルコキシ基から選ばれる有機基を示し、pは、1以上3以下の整数であり、好ましくは2以上3以下の整数である。
General formula (Phe)
In the general formula (Phe), R 1 represents an organic group selected from an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and an alkoxy group, and p is an integer of 1 to 3 and preferably 2 to 3 It is an integer.

一般式(Ald)
一般式(Ald)中、Rは、水素、炭素数1以上20以下のアルキル基、アルコキシ基及びヒドロキシ基から選ばれる基を示し、qは0以上3以下の整数である。
General formula (Ald)
In general formula (Ald), R 2 represents a group selected from hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group and a hydroxy group, and q is an integer of 0 to 3.

上記一般式(Phe)で表されるフェノール化合物としては、置換基の数が1以上3以下、好ましくは2以上3以下のフェノール化合物を用いるものであり、上記置換基は、炭素数が1以上20以下のアルキル基およびアルコキシ基から選ばれる有機基である。なお、上記炭素数が1以上20以下のアルキル基およびアルコキシ基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。このようなフェノール化合物として好ましくは、例えば、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2,3−ジメチルフェノール、2,4−ジメチルフェノール、2,5−ジメチルフェノール、3,4−ジメチルフェノール、3,5−ジメチルフェノール、2−メチル−3−エチル−フェノール、2−メチル−3−メトキシフェノール、2,3,4−トリメチルフェノール、2,3,5−トリメチルフェノール、2,3,6−トリメチルフェノール等を使用することができる。これらの中でも特に限定されないが、2,3−ジメチルフェノール、2,4−ジメチルフェノール、2,5−ジメチルフェノール、3,4−ジメチルフェノール、3,5−ジメチルフェノール、2,6−ジメチルフェノールの中から選ばれるものが好ましい。さらにこれらフェノール類は、1種または2種以上を混合して用いることが可能である。
上記フェノール化合物に、置換基の数が1以上3以下、好ましくは2以上3以下のフェノール化合物を用いることで、分子内回転を抑制し、組成物に必要な十分な耐熱性を持ったフェノール樹脂を得ることができる。
As a phenol compound represented by the above general formula (Phe), a phenol compound having 1 to 3 and preferably 2 to 3 substituents is used, and the above-mentioned substituent has one or more carbon atoms. It is an organic group selected from an alkyl group and an alkoxy group of 20 or less. Specific examples of the alkyl group and alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a methoxy group and an ethoxy group. Preferred examples of such a phenol compound include o-cresol, m-cresol, p-cresol, 2,3-dimethylphenol, 2,4-dimethylphenol, 2,5-dimethylphenol and 3,4-dimethylphenol 3,5-Dimethylphenol, 2-methyl-3-ethyl-phenol, 2-methyl-3-methoxyphenol, 2,3,4-trimethylphenol, 2,3,5-trimethylphenol 2,3, 6 -Trimethylphenol etc. can be used. Among these, although not particularly limited, 2,3-dimethylphenol, 2,4-dimethylphenol, 2,5-dimethylphenol, 3,4-dimethylphenol, 3,5-dimethylphenol, 2,6-dimethylphenol Those selected from among those are preferred. Furthermore, these phenols can be used 1 type or in mixture of 2 or more types.
By using a phenol compound having a number of substituents of 1 or more and 3 or less, preferably 2 or more and 3 or less as the above-mentioned phenol compound, the intramolecular rotation is suppressed, and a phenol resin having sufficient heat resistance necessary for the composition You can get

上記一般式(Ald)で表される芳香族アルデヒド化合物としては、無置換または、置換基の数が3以下の芳香族アルデヒド化合物を用いるものであり、上記置換基は、炭素数が1以上20以下のアルキル基、アルコキシ基およびヒドロキシ基から選ばれる有機基である。なお、上記炭素数が1以上20以下のアルキル基およびアルコキシ基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。このような芳香族アルデヒド化合物として、例えば、ベンズアルデヒド、2−メチルベンズアルデヒド、3−メチルベンズアルデヒド、4−メチルベンズアルデヒト、2,3−ジメチルベンズアルデヒド、2,4−ジメチルベンズアルデヒド、2,5−ジメチルベンズアルデヒド、2,6−ジメチルベンズアルデヒド、3,4−ジメチルベンズアルデヒド、3,5−ジメチルベンズアルデヒド、2,3,4−トリメチルベンズアルデヒド、2,3,5−トリメチルベンズアルデヒド、2,3,6−トリメチルベンズアルデヒド、2,4,5−トリメチルベンズアルデヒド、2,4,6−トリメチルベンズアルデヒド、3,4,5−トリメチルベンズアルデヒド、4−エチルベンズアルデヒド、4−tert−ブチルベンズアルデヒド、4−イソブチルベンズアルデヒド、4−メトキシベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド、3−ヒドロキシベンズアルデヒド、4−ヒドロキシベンズアルデヒド、3−メチルサリチルアルデヒド、4−メチルサリチルアルデヒド、2−ヒドロキシ−5−メトキシベンズアルデヒド、2,4−ジヒドロキシベンズアルデヒド、2,5−ジヒドロキシベンズアルデヒド、2,3,4−トリヒドロキシベンズアルデヒド等を使用することができ、これらに限定されないが、これらの中でも、一般式(2)におけるRが、水素、メチル基、ヒドロキシ基である芳香族アルデヒド化合物が好ましく、下記に示す芳香族アルデヒド化合物の中から選ばれるものがより好ましい。さらにこれらアルデヒド類は、1種または2種以上を混合して用いることが可能である。As the aromatic aldehyde compound represented by the above general formula (Ald), an aromatic aldehyde compound which is unsubstituted or has 3 or less substituents is used, and the above-mentioned substituent has 1 to 20 carbon atoms. It is an organic group selected from the following alkyl group, alkoxy group and hydroxy group. Specific examples of the alkyl group and alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a methoxy group and an ethoxy group. As such aromatic aldehyde compounds, for example, benzaldehyde, 2-methyl benzaldehyde, 3-methyl benzaldehyde, 4-methyl benzaldehyde, 2,3-dimethyl benzaldehyde, 2,4-dimethyl benzaldehyde, 2,5-dimethyl benzaldehyde, 2,6-dimethyl benzaldehyde, 3,4-dimethyl benzaldehyde, 3,5-dimethyl benzaldehyde, 2,3,4-trimethyl benzaldehyde, 2,3,5-trimethyl benzaldehyde, 2,3,6-trimethyl benzaldehyde, 2, 4,5-trimethyl benzaldehyde, 2,4,6-trimethyl benzaldehyde, 3,4,5-trimethyl benzaldehyde, 4-ethyl benzaldehyde, 4-tert-butyl benzaldehyde, 4-i Butyl benzaldehyde, 4-methoxy benzaldehyde, salicylaldehyde, 3-hydroxy benzaldehyde, 4-hydroxy benzaldehyde, 3-methyl salicylaldehyde, 4-methyl salicyl aldehyde, 2-hydroxy-5-methoxy benzaldehyde, 2,4-dihydroxy benzaldehyde, 2 It is possible to use 5-dihydroxy benzaldehyde, 2,3,4- trihydroxy benzaldehyde and the like, without being limited thereto, among these, R 2 in the general formula (2) is hydrogen, methyl group, hydroxy group The aromatic aldehyde compound is preferably a compound selected from among the aromatic aldehyde compounds shown below. Furthermore, these aldehydes can be used 1 type or in mixture of 2 or more types.

フェノール類とアルデヒド類とからノボラック樹脂を得る合成反応において、フェノール化合物1モルに対してアルデヒド化合物を0.5モル以上2モル以下で反応させることが好ましく、0.6モル以上1.2モル以下で反応させることがより好ましく、0.7モル以上1.0モル以下で反応させることが特に好ましい。上記モル比とすることで、組成物として十分な特性を発揮できる分子量を得ることができる。   In a synthesis reaction for obtaining a novolak resin from phenols and aldehydes, it is preferable to react the aldehyde compound at 0.5 mol or more and 2 mol or less, preferably 0.6 mol or more and 1.2 mol or less, with 1 mol of the phenol compound. It is more preferable to make it react by these, and it is especially preferable to make it react by 0.7 mol or more and 1.0 mol or less. By setting it as the said molar ratio, the molecular weight which can exhibit a characteristic sufficient as a composition can be obtained.

フェノール類とアルデヒド類との重縮合の反応には、通常、酸性触媒が使用される。この酸性触媒としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸、p−トルエンスルホン酸等を挙げることができる。これらの酸性触媒の使用量は、通常、フェノール類1モルに対し、1×10−5〜5×10−1モルである。重縮合の反応においては、通常、反応媒質として水が使用されるが、反応初期から不均一系になる場合は、反応媒質として親水性溶媒または親油性溶媒が用いられる。親水性溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類が挙げられる。親油性溶媒としては、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類が挙げられる。これらの反応媒質の使用量は、通常、反応原料100質量部当り20〜1,000質量部である。An acidic catalyst is usually used for the polycondensation reaction of phenols and aldehydes. Examples of the acidic catalyst include hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, formic acid, oxalic acid, acetic acid, p-toluenesulfonic acid and the like. The amount of these acidic catalysts to be used is usually 1 × 10 −5 to 5 × 10 −1 mol per 1 mol of phenols. In the polycondensation reaction, water is usually used as the reaction medium, but when it becomes heterogeneous from the initial stage of the reaction, a hydrophilic solvent or a lipophilic solvent is used as the reaction medium. Examples of the hydrophilic solvent include alcohols such as methanol, ethanol, propanol, butanol and propylene glycol monomethyl ether; cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane. Examples of lipophilic solvents include ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and 2-heptanone. The amount of the reaction medium used is usually 20 to 1,000 parts by mass per 100 parts by mass of the reaction raw material.

重縮合の反応温度は、原料の反応性に応じて適宜調整することができるが、通常10〜200℃である。重縮合の反応方法としては、フェノール類、アルデヒド類、酸性触媒等を一括して仕込み、反応させる方法、または酸性触媒の存在下にフェノール類、アルデヒド類等を反応の進行とともに加えていく方法等を適宜採用することができる。重縮合の反応終了後、系内に存在する未反応原料、酸性触媒、反応媒質等を除去するために、一般的には、反応温度を130〜230℃に上昇させ、減圧下で揮発分を除去し、ノボラック樹脂を回収する。   The reaction temperature of the polycondensation can be appropriately adjusted depending on the reactivity of the raw material, but is usually 10 to 200 ° C. As a reaction method for polycondensation, a method in which phenols, aldehydes, acidic catalysts, etc. are charged at one time and reacted, or a method in which phenols, aldehydes, etc. are added with the progress of reaction in the presence of acidic catalysts, etc. Can be adopted as appropriate. After completion of the polycondensation reaction, the reaction temperature is generally raised to 130 to 230 ° C. in order to remove unreacted raw materials, acidic catalysts, reaction media, etc. present in the system, and volatile components are removed under reduced pressure. Remove and recover the novolak resin.

ノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」という。)は、1,000以上が好ましく、2,000以上がより好ましい。また、5,000以下が好ましい。この範囲であれば、良好な感度を得ることができる。   1,000 or more are preferable and, as for polystyrene conversion weight average molecular weight (henceforth "Mw") of novolak resin, 2,000 or more are more preferable. Moreover, 5,000 or less is preferable. Within this range, good sensitivity can be obtained.

ノボラック樹脂の含有量は、複素環含有ポリマー前駆体100質量部に対し、1質量部以上70質量部以下であることが好ましく、10質量部以上70質量部以下であることがより好ましい。この範囲であれば、高感度かつ、高温での熱処理後にフローしないパターンが得られる。ノボラック樹脂は、1種のみ用いても、2種以上用いてもよい。2種以上用いる場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。   The content of the novolac resin is preferably 1 part by mass to 70 parts by mass and more preferably 10 parts by mass to 70 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the heterocycle-containing polymer precursor. Within this range, a pattern with high sensitivity and which does not flow after heat treatment at high temperature can be obtained. The novolak resin may be used alone or in combination of two or more. When using 2 or more types, it is preferable that a total amount becomes said range.

<<ポリヒドロキシスチレン樹脂>>
ヒドロキシスチレン樹脂は、ヒドロキシスチレンおよび/またはその誘導体を含む重合体であり、特に限定されないが、ヒドロキシスチレンおよび/またはその誘導体と、これら以外のモノマーとを含む共重合体でもよい。ここで用いるモノマーとしては、例えば、エチレン、プロピレン、1−ブテン、2−メチルプロペン、スチレンおよびその誘導体等が挙げられる。中でも、アルカリ水溶液への溶解性を容易に調整できる観点から、ヒドロキシスチレンおよび/またはその誘導体と、スチレンおよび/またはその誘導体とから構成されている共重合体が好ましい。上記の誘導体とは、ヒドロキシスチレンおよびスチレンの芳香環のオルト、メタ、パラ位にアルキル基、アルコキシル基、ヒドロキシ基などが置換されたものである。ヒドロキシスチレン樹脂のヒドロキシスチレンは、オルトヒドロキシスチレン、メタヒドロキシスチレン、パラヒドロキシスチレンのいずれでも構わない。また、上記ヒドロキシスチレンが複数混在していても構わない。
<< Polyhydroxystyrene resin >>
The hydroxystyrene resin is a polymer containing hydroxystyrene and / or a derivative thereof, and may be a copolymer including, but not limited to, hydroxystyrene and / or a derivative thereof and a monomer other than these. Examples of the monomer used herein include ethylene, propylene, 1-butene, 2-methylpropene, styrene and derivatives thereof. Among them, a copolymer composed of hydroxystyrene and / or a derivative thereof and styrene and / or a derivative thereof is preferable from the viewpoint of easily adjusting the solubility in an aqueous alkali solution. The above derivatives are those in which an alkyl group, an alkoxyl group, a hydroxy group and the like are substituted at the ortho, meta and para positions of the aromatic rings of hydroxystyrene and styrene. The hydroxystyrene of the hydroxystyrene resin may be any of orthohydroxystyrene, metahydroxystyrene and parahydroxystyrene. Further, a plurality of the above-mentioned hydroxystyrenes may be mixed.

ヒドロキシスチレン樹脂における上記ヒドロキシスチレンおよびその誘導体の構成比率は、50%以上が好ましく、より好ましくは、60%以上である。上限は、好ましくは90%以下であり、より好ましくは80%以下である。上記範囲とすることにより、露光部の露光後残渣の低減と高感度化の両立に優れる効果を有する。   The proportion of the hydroxystyrene and the derivative thereof in the hydroxystyrene resin is preferably 50% or more, more preferably 60% or more. The upper limit is preferably 90% or less, more preferably 80% or less. By setting it as the said range, it has an effect which is excellent in coexistence of reduction of the after-exposure residue of an exposure part, and high sensitivity.

中でも、下記一般式(PHS−1)で表される繰り返し構造単位を有するヒドロキシスチレン樹脂が好ましい。   Among them, a hydroxystyrene resin having a repeating structural unit represented by the following general formula (PHS-1) is preferable.

一般式(PHS−1)
一般式(PHS−1)中、Rは、水素原子または炭素数1〜5のアルキル基を表し、aは1〜4、bは1〜3を表し、a+bは1〜5の範囲内である。Rは、水素原子、メチル基、エチル基またはプロピル基の中から選ばれる原子または一つの基を表す。
General formula (PHS-1)
In the general formula (PHS-1), R 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a represents 1 to 4, b represents 1 to 3, and a + b is in the range of 1 to 5 is there. R 2 represents an atom or one group selected from a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or a propyl group.

上記一般式(PHS−1)で表される構造単位は、例えば、p−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、o−ヒドロキシスチレン、p−イソプロペニルフェノール、m−イソプロペニルフェノール、o−イソプロペニルフェノールなどのフェノール性水酸基を有する芳香族ビニル化合物、および、スチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレンなどの芳香族ビニル化合物のうち、単独または2種以上を公知の方法で重合して得られた重合体または共重合体の一部に、公知の方法でアルコキシ基を付加反応させることにより得られる。
フェノール性水酸基を有する芳香族ビニル化合物は、p−ヒドロキシスチレンおよび/またはm−ヒドロキシスチレンが好ましく用いられ、芳香族ビニル化合物は、スチレンが好ましく用いられる。
The structural unit represented by the above general formula (PHS-1) is, for example, p-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene, o-hydroxystyrene, p-isopropenyl phenol, m-isopropenyl phenol, o-isopropenyl phenol And aromatic vinyl compounds having a phenolic hydroxyl group such as, and aromatic vinyl compounds such as styrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene and the like, singly or in combination of two or more thereof by a known method A portion of the polymer or copolymer thus obtained is obtained by addition reaction of an alkoxy group by a known method.
As the aromatic vinyl compound having a phenolic hydroxyl group, p-hydroxystyrene and / or m-hydroxystyrene are preferably used, and as the aromatic vinyl compound, styrene is preferably used.

上記一般式(PHS−1)で表される繰り返し構造単位を有するヒドロキシスチレン樹脂の中でも、感度をより向上させ、アルカリ現像液への溶解性を調整できる利便性の面から、一般式(PHS−2)、一般式(PHS−3)、および一般式(PHS−4)で表される構造単位を含む共重合体が好ましい。さらに、アルカリ現像液への溶解性の点から、一般式(PHS−4)の構造単位は、50モル%以下であることが好ましい。   Among hydroxystyrene resins having a repeating structural unit represented by the above general formula (PHS-1), from the viewpoint of convenience that sensitivity can be further improved and solubility in an alkali developer can be adjusted, general formula (PHS- 2), the copolymer containing the structural unit represented by general formula (PHS-3), and general formula (PHS-4) is preferable. Furthermore, as for the structural unit of general formula (PHS-4), it is preferable that it is 50 mol% or less from the soluble point to alkaline developing solution.

一般式(PHS−2)
一般式(PHS−2)中、Rは、水素原子または炭素数1〜5のアルキル基を表し、cは1〜4、dは1〜3を表し、c+dは2〜5の範囲内である。Rは、水素原子、メチル基、エチル基またはプロピル基の中から選ばれる原子または一つの基を表す。
General formula (PHS-2)
In general formula (PHS-2), R 4 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, c represents 1 to 4 and d represents 1 to 3 and c + d is in the range of 2 to 5 is there. R 3 represents an atom or one group selected from a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or a propyl group.

一般式(PHS−3)
一般式(PHS−3)中、Rは、水素原子または炭素数1〜5のアルキル基を表し、eは1〜5を表す。
General formula (PHS-3)
In the general formula (PHS-3), R 5 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, e is representative of 1-5.

一般式(PHS−4)
一般式(PHS−4)中、Rは、水素原子または炭素数1〜5のアルキル基を表す。
General formula (PHS-4)
In general formula (PHS-4), R 6 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

ヒドロキシスチレン樹脂の重量平均分子量(Mw)は、1,000以上が好ましく、より好ましくは2,000以上、特に好ましくは、2,500以上であり、10,000以下が好ましく、より好ましくは8,000以下であり、特に好ましくは、7,000以下である。上記範囲とすることにより、高感度化とワニスの常温保存性の両立に優れる効果を有する。
ヒドロキシスチレン樹脂の含有量は、複素環含有ポリマー前駆体100質量部に対し、1質量部以上70質量部以下であることが好ましく、10質量部以上70質量部以下であることがより好ましい。この範囲であれば、高感度かつ、高温での熱処理後にフローしないパターンが得られる。ヒドロキシスチレン樹脂は、1種のみ用いても、2種以上用いてもよい。2種以上用いる場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
The weight average molecular weight (Mw) of the hydroxystyrene resin is preferably 1,000 or more, more preferably 2,000 or more, particularly preferably 2,500 or more, preferably 10,000 or less, more preferably 8, or more. It is at most 000, particularly preferably at most 7,000. By setting it as the said range, it has an effect which is excellent in coexistence of high sensitivity-ization and the normal temperature storage property of a varnish.
The content of the hydroxystyrene resin is preferably 1 part by mass to 70 parts by mass and more preferably 10 parts by mass to 70 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the heterocycle-containing polymer precursor. Within this range, a pattern with high sensitivity and which does not flow after heat treatment at high temperature can be obtained. The hydroxystyrene resin may be used alone or in combination of two or more. When using 2 or more types, it is preferable that a total amount becomes said range.

<光ラジカル重合開始剤>
本発明における組成物は、光ラジカル重合開始剤を含有しても良い。組成物が光ラジカル重合開始剤を含むことにより、組成物を半導体ウエハなどに適用して組成物層を形成した後、光を照射することで、ラジカルによって硬化が起こり、光照射部における溶解性を低下させることができる。このため、例えば、電極部のみをマスクしたパターンを持つフォトマスクを介して上記組成物層を露光することで、電極のパターンにしたがって、溶解性の異なる領域を簡便に作製できるという利点がある。
<Photo radical polymerization initiator>
The composition in the present invention may contain a photo radical polymerization initiator. When the composition contains a photo radical polymerization initiator, the composition is applied to a semiconductor wafer or the like to form a composition layer, and then irradiation with light causes curing by radicals, resulting in solubility in a light irradiated portion. Can be lowered. Therefore, for example, by exposing the composition layer through a photomask having a pattern in which only the electrode portion is masked, there is an advantage that regions having different solubility can be easily manufactured according to the pattern of the electrode.

光ラジカル重合開始剤としては、重合性化合物の重合反応(架橋反応)を開始する能力を有する限り、特に制限はなく、公知の光ラジカル重合開始剤の中から適宜選択することができる。例えば、紫外線領域から可視領域の光線に対して感光性を有するものが好ましい。また、光励起された増感剤と何らかの作用を生じ、活性ラジカルを生成する活性剤であってもよい。
光ラジカル重合開始剤としては、約300〜800nm(好ましくは330〜500nm)の範囲内に少なくとも約50のモル吸光係数を有する化合物を、少なくとも1種含有していることが好ましい。化合物のモル吸光係数は、公知の方法を用いて測定することができる。例えば、紫外可視分光光度計(Varian社製Cary−5 spectrophotometer)にて、酢酸エチル溶媒を用い、0.01g/Lの濃度で測定することが好ましい。
The photo radical polymerization initiator is not particularly limited as long as it has the ability to initiate the polymerization reaction (crosslinking reaction) of the polymerizable compound, and can be appropriately selected from known photo radical polymerization initiators. For example, those having photosensitivity to light in the ultraviolet region to the visible region are preferable. In addition, it may be an activator which produces an active radical by causing an action with a photoexcited sensitizer.
The photoradical polymerization initiator preferably contains at least one compound having a molar absorption coefficient of at least about 50 in the range of about 300 to 800 nm (preferably 330 to 500 nm). The molar extinction coefficient of a compound can be measured using a known method. For example, it is preferable to measure at a concentration of 0.01 g / L using an ethyl acetate solvent with a UV-visible spectrophotometer (Cary-5 spectrophotometer manufactured by Varian).

光ラジカル重合開始剤としては、公知の化合物を制限なく使用できるが、例えば、ハロゲン化炭化水素誘導体(例えば、トリアジン骨格を有するもの、オキサジアゾール骨格を有するもの、トリハロメチル基を有するものなど)、アシルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体等のオキシム化合物、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、ケトオキシムエーテル、アミノアセトフェノン化合物、ヒドロキシアセトフェノン、アゾ系化合物、アジド化合物、メタロセン化合物、有機ホウ素化合物、鉄アレーン錯体などが挙げられる。   As the photo radical polymerization initiator, known compounds can be used without any limitation, and for example, halogenated hydrocarbon derivatives (for example, those having a triazine skeleton, those having an oxadiazole skeleton, those having a trihalomethyl group, etc.) Acyl phosphine compounds such as acyl phosphine oxide, oxime compounds such as hexaaryl biimidazole and oxime derivatives, organic peroxides, thio compounds, ketone compounds, aromatic onium salts, ketooxime ether, aminoacetophenone compounds, hydroxyacetophenone, azo The compounds include azide compounds, metallocene compounds, organic boron compounds, iron arene complexes and the like.

トリアジン骨格を有するハロゲン化炭化水素誘導体としては、例えば、若林ら著、Bull.Chem.Soc.Japan,42、2924(1969)に記載の化合物、英国特許1388492号明細書に記載の化合物、特開昭53−133428号公報に記載の化合物、独国特許3337024号明細書に記載の化合物、F.C.SchaeferなどによるJ.Org.Chem.;29、1527(1964)に記載の化合物、特開昭62−58241号公報に記載の化合物、特開平5−281728号公報に記載の化合物、特開平5−34920号公報に記載の化合物、米国特許第4212976号明細書に記載の化合物などが挙げられる。   As a halogenated hydrocarbon derivative having a triazine skeleton, for example, Wakabayashi et al., Bull. Chem. Soc. Japan, 42, 2924 (1969), a compound described in British Patent 1388492, a compound described in JP-A-53-133428, a compound described in German Patent 3337024, F . C. Schaefer et al. Org. Chem. Compounds described in JP-A-62-58241; compounds described in JP-A-5-281728; compounds described in JP-A-5-34920; Examples thereof include the compounds described in Japanese Patent No. 4212976.

米国特許第4212976号明細書に記載されている化合物としては、例えば、オキサジアゾール骨格を有する化合物(例えば、2−トリクロロメチル−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(4−クロロフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(2−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリブロモメチル−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリブロモメチル−5−(2−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−スチリル−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(4−クロルスチリル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(4−メトキシスチリル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(4−n−ブトキシスチリル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリブロモメチル−5−スチリル−1,3,4−オキサジアゾールなど)などが挙げられる。   Examples of the compounds described in US Pat. No. 4,129,976 include compounds having an oxadiazole skeleton (eg, 2-trichloromethyl-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole, 2-trichloro) Methyl-5- (4-chlorophenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (2-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 2-tribromomethyl-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole, 2-tribromomethyl-5- (2-naphthyl)- 1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5-styryl-1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (4-chlorostyryl)- , 3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (4-methoxystyryl) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (4-n-butoxystyryl) -1 , 3,4-oxadiazole, 2-tribromomethyl-5-styryl-1,3,4-oxadiazole and the like) and the like.

また、上記以外の光ラジカル重合開始剤として、特開2015−087611号公報の段落番号0086に記載の化合物、特開昭53−133428号公報、特公昭57−1819号公報、同57−6096号公報、および米国特許第3615455号明細書に記載された化合物などが例示され、これらの内容は本明細書に組み込まれる。   Moreover, as a radical radical polymerization initiator other than the above, the compound described in Paragraph No. 0086 of JP-A-2015-087611, JP-A-53-133428, JP-B-57-1819, JP-A-57-6096 And compounds described in US Pat. No. 3,615,455, the contents of which are incorporated herein.

ケトン化合物としては、例えば、特開2015−087611号公報の段落番号0087に記載の化合物が例示され、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
市販品では、カヤキュアーDETX(日本化薬製)も好適に用いられる。
As a ketone compound, the compound as described in Paragraph No. 0087 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2015-087611 is illustrated, for example, These content is integrated in this specification.
Among commercial products, Kayacure DETX (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) is also suitably used.

光ラジカル重合開始剤としては、ヒドロキシアセトフェノン化合物、アミノアセトフェノン化合物、および、アシルホスフィン化合物も好適に用いることができる。より具体的には、例えば、特開平10−291969号公報に記載のアミノアセトフェノン系開始剤、特許第4225898号公報に記載のアシルホスフィンオキシド系開始剤も用いることができる。
ヒドロキシアセトフェノン系開始剤としては、IRGACURE−184(IRGACUREは登録商標)、DAROCUR−1173、IRGACURE−500、IRGACURE−2959、IRGACURE−127(商品名:いずれもBASF社製)を用いることができる。
アミノアセトフェノン系開始剤としては、市販品であるIRGACURE−907、IRGACURE−369、および、IRGACURE−379(商品名:いずれもBASF社製)を用いることができる。
アミノアセトフェノン系開始剤として、365nmまたは405nm等の光源に吸収極大波長がマッチングされた、特開2009−191179号公報に記載の化合物も用いることができる。
アシルホスフィン系開始剤としては、市販品であるIRGACURE−819やDAROCUR−TPO(商品名:いずれもBASF社製)を用いることができる。
メタロセン化合物としては、IRGACURE−784(BASF社製)などが例示される。
As a radical photopolymerization initiator, a hydroxyacetophenone compound, an aminoacetophenone compound, and an acyl phosphine compound can also be used suitably. More specifically, for example, an aminoacetophenone-based initiator described in JP-A-10-291969 and an acylphosphine oxide-based initiator described in Japanese Patent No. 4225898 can also be used.
As a hydroxy acetophenone type initiator, IRGACURE-184 (IRGACURE is a registered trademark), DAROCUR-1173, IRGACURE-500, IRGACURE-2959, IRGACURE-127 (brand name: all are BASF Corporation make) can be used.
As aminoacetophenone initiators, commercially available products IRGACURE-907, IRGACURE-369, and IRGACURE-379 (trade names: all manufactured by BASF Corporation) can be used.
As the aminoacetophenone initiator, a compound described in JP 2009-191179 A, in which the absorption maximum wavelength is matched to a light source such as 365 nm or 405 nm, can also be used.
As an acyl phosphine type initiator, IRGACURE-819 and DAROCUR-TPO (brand name: all made by BASF Corporation) which are commercial items can be used.
As a metallocene compound, IRGACURE-784 (made by BASF Corporation) etc. are illustrated.

光ラジカル重合開始剤として、より好ましくはオキシム化合物が挙げられる。オキシム化合物の具体例としては、特開2001−233842号公報に記載の化合物、特開2000−80068号公報に記載の化合物、特開2006−342166号公報に記載の化合物を用いることができる。
好ましいオキシム化合物としては、例えば、3−ベンゾイルオキシイミノブタン−2−オン、3−アセトキシイミノブタン−2−オン、3−プロピオニルオキシイミノブタン−2−オン、2−アセトキシイミノペンタン−3−オン、2−アセトキシイミノ−1−フェニルプロパン−1−オン、2−ベンゾイルオキシイミノ−1−フェニルプロパン−1−オン、3−(4−トルエンスルホニルオキシ)イミノブタン−2−オン、および2−エトキシカルボニルオキシイミノ−1−フェニルプロパン−1−オンなどが挙げられる。
As a photo radical polymerization initiator, More preferably, an oxime compound is mentioned. As specific examples of the oxime compound, compounds described in JP-A-2001-233842, compounds described in JP-A-2000-80068 and compounds described in JP-A-2006-342166 can be used.
As preferable oxime compounds, for example, 3-benzoyloxyiminobutan-2-one, 3-acetoxyiminobutan-2-one, 3-propionyloxyiminobutan-2-one, 2-acetoxyiminopentan-3-one, 2-Acetoxyimino-1-phenylpropan-1-one, 2-benzoyloxyimino-1-phenylpropan-1-one, 3- (4-toluenesulfonyloxy) iminobutan-2-one, and 2-ethoxycarbonyloxy Examples include imino-1-phenylpropan-1-one and the like.

オキシム化合物としては、J.C.S.Perkin II(1979年)p p.1653-1660、J.C.S.Perkin II(1979年)pp.156-162、Journal of Photopolymer Science and Technology(1995年、pp.202−232)、特開2000−66385号、特開2000−80068号、特表2004−534797号、特開2006−342166号の各公報に記載の化合物等が挙げられる。
市販品ではIRGACURE−OXE01(BASF社製)、IRGACURE−OXE02(BASF社製)、N−1919(ADEKA社製)も好適に用いられる。また、TR−PBG−304(常州強力電子新材料有限公司製)、アデカアークルズNCI−831およびアデカアークルズNCI−930(ADEKA社製)も用いることができる。
As oxime compounds, JCS Perkin II (1979) pp. 1653-1660, JCS Perkin II (1979) pp. 156-162, Journal of Photopolymer Science and Technology (1995, pp. 202-232), JP-A-2000 The compound etc. which are described in each gazette of -66385, Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-80068, Japanese Patent Publication No. 2004-534797, and Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-342166 are mentioned.
Among commercially available products, IRGACURE-OXE01 (manufactured by BASF), IRGACURE-OXE02 (manufactured by BASF), and N-1919 (manufactured by ADEKA) are also suitably used. In addition, TR-PBG-304 (made by Changzhou Strong Electronic New Material Co., Ltd.), Adeka Akuls NCI-831 and Adeka Ark's NCI-930 (made by ADEKA) can also be used.

また、カルバゾール環のN位にオキシムが連結した特表2009−519904号公報に記載の化合物、ベンゾフェノン部位にヘテロ置換基が導入された米国特許7626957号公報に記載の化合物、色素部位にニトロ基が導入された特開2010−15025号公報および米国特許公開2009−292039号公報に記載の化合物、国際公開WO2009/131189号公報に記載のケトオキシム化合物、トリアジン骨格とオキシム骨格を同一分子内に含む米国特許7556910号公報に記載の化合物、405nmに吸収極大を有し、g線光源に対して良好な感度を有する特開2009−221114号公報に記載の化合物などを用いてもよい。
また、特開2007−231000号公報、および、特開2007−322744号公報に記載される環状オキシム化合物も好適に用いることができる。環状オキシム化合物の中でも、特に特開2010−32985号公報、特開2010−185072号公報に記載される、カルバゾール色素に縮環した環状オキシム化合物は、高い光吸収性を有し、高感度化の観点から好ましい。
また、オキシム化合物の特定部位に不飽和結合を有する化合物である、特開2009−242469号公報に記載の化合物も好適に使用することができる。
また、フッ素原子を有するオキシム化合物を用いることも可能である。そのようなオキシム化合物の具体例としては、特開2010−262028号公報に記載されている化合物、特表2014−500852号公報の段落番号0345に記載されている化合物24、36〜40、特開2013−164471号公報の段落番号0101に記載されている化合物(C−3)などが挙げられる。具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
最も好ましいオキシム化合物として、特開2007−269779号公報に示される特定置換基を有するオキシム化合物や、特開2009−191061号公報に示されるチオアリール基を有するオキシム化合物などが挙げられる。
Further, compounds described in JP-T-2009-519904, in which an oxime is linked to the N-position of a carbazole ring, compounds described in US Pat. No. 7,626,957, in which a hetero substituent is introduced in the benzophenone site, Compounds described in introduced JP-A-2010-15025 and US-A-2009-29203, ketoxime compounds described in WO-A-2009 / 131189, US patents containing triazine skeleton and oxime skeleton in the same molecule The compound described in 7556910, the compound described in JP-A 2009-221114 having an absorption maximum at 405 nm and good sensitivity to a g-line light source may be used.
Moreover, the cyclic oxime compound described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-231000 and Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-322744 can also be used suitably. Among cyclic oxime compounds, cyclic oxime compounds fused to a carbazole dye described in, for example, JP-A-2010-32985 and JP-A-2010-185072 have high light absorption and high sensitivity. It is preferable from the viewpoint.
Moreover, the compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-242469 which is a compound which has an unsaturated bond in the specific site | part of an oxime compound can also be used suitably.
Moreover, it is also possible to use an oxime compound having a fluorine atom. As a specific example of such an oxime compound, a compound described in JP-A-2010-262028, a compound 24 described in JP-A-2014-500852, paragraph No. 0345, 36 to 40, JP-A The compound (C-3) etc. which are described in stage number 0101 of the 2013-164471 gazette etc. are mentioned. Specific examples include the following compounds.
As a most preferable oxime compound, the oxime compound which has a specific substituent shown by Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-269779, the oxime compound which has a thioaryl group shown by Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-191061, etc. are mentioned.

光ラジカル重合開始剤は、露光感度の観点から、トリハロメチルトリアジン化合物、ベンジルジメチルケタール化合物、α−ヒドロキシケトン化合物、α−アミノケトン化合物、アシルホスフィン化合物、フォスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシム化合物、トリアリールイミダゾールダイマー、オニウム化合物、ベンゾチアゾール化合物、ベンゾフェノン化合物、アセトフェノン化合物およびその誘導体、シクロペンタジエン−ベンゼン−鉄錯体およびその塩、ハロメチルオキサジアゾール化合物、3−アリール置換クマリン化合物からなる群より選択される化合物が好ましい。
より好ましくは、トリハロメチルトリアジン化合物、α−アミノケトン化合物、アシルホスフィン化合物、フォスフィンオキサイド化合物、オキシム化合物、トリアリールイミダゾールダイマー、オニウム化合物、ベンゾフェノン化合物、アセトフェノン化合物であり、さらに好ましくは、トリハロメチルトリアジン化合物、α−アミノケトン化合物、オキシム化合物、トリアリールイミダゾールダイマー、ベンゾフェノン化合物であり、オキシム化合物を用いるのが最も好ましい。
The photo radical polymerization initiator is a trihalomethyl triazine compound, a benzyl dimethyl ketal compound, an α-hydroxy ketone compound, an α-amino ketone compound, an acyl phosphine compound, a phosphine oxide compound, a metallocene compound, an oxime compound, tria from the viewpoint of exposure sensitivity. It is selected from the group consisting of reelyl imidazole dimer, onium compound, benzothiazole compound, benzophenone compound, acetophenone compound and its derivative, cyclopentadiene-benzene-iron complex and its salt, halomethyl oxadiazole compound, 3-aryl substituted coumarin compound Compounds are preferred.
More preferable are trihalomethyl triazine compounds, α-amino ketone compounds, acyl phosphine compounds, phosphine oxide compounds, oxime compounds, triarylimidazole dimers, onium compounds, benzophenone compounds, acetophenone compounds, and more preferably trihalomethyl triazine compounds Α-amino ketone compounds, oxime compounds, triarylimidazole dimers, benzophenone compounds, and the use of oxime compounds is most preferred.

組成物が光ラジカル重合開始剤を含む場合、光ラジカル重合開始剤の含有量は、組成物の全固形分に対し0.1〜30質量%が好ましく、より好ましくは0.1〜20質量%であり、さらに好ましくは0.1〜10質量%である。
光ラジカル重合開始剤は1種のみでもよいし、2種以上であってもよい。光ラジカル重合開始剤が2種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
When the composition contains a radical photopolymerization initiator, the content of the radical photopolymerization initiator is preferably 0.1 to 30% by mass, more preferably 0.1 to 20% by mass, based on the total solid content of the composition. More preferably, it is 0.1-10 mass%.
The photo radical polymerization initiator may be only one type or two or more types. When 2 or more types of radical photopolymerization initiators are used, it is preferable that the sum total is the said range.

<光酸発生剤>
本発明における組成物は、光酸発生剤を含有していてもよい。光酸発生剤を含有することにより、露光部に酸が発生し、露光部のアルカリ水溶液に対する溶解性が増大するため、ポジ型組成物として用いることができる。
<Photo acid generator>
The composition in the present invention may contain a photoacid generator. By containing a photo-acid generator, an acid is generated in the exposed area, and the solubility of the exposed area in an alkaline aqueous solution is increased, so that it can be used as a positive composition.

光酸発生剤としては、キノンジアジド化合物、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩などが挙げられる。中でも優れた溶解抑止効果を発現し、高感度かつ膜減りの小さい組成物を得られるという点から、キノンジアジド化合物が好ましく用いられる。また、光酸発生剤を2種以上含有してもよい。これにより、露光部と未露光部の溶解速度の比をより大きくすることができ、高感度なポジ型組成物を得ることができる。   Examples of the photoacid generator include quinone diazide compounds, sulfonium salts, phosphonium salts, diazonium salts, and iodonium salts. Above all, a quinonediazide compound is preferably used from the viewpoint of exhibiting an excellent dissolution inhibiting effect and obtaining a composition with high sensitivity and small film loss. Moreover, you may contain 2 or more types of photo-acid generators. Thereby, the ratio of the dissolution rates of the exposed area and the unexposed area can be further increased, and a highly sensitive positive composition can be obtained.

キノンジアジド化合物としては、ポリヒドロキシ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がエステル結合したもの、ポリアミノ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がスルホンアミド結合したもの、ポリヒドロキシポリアミノ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がエステル結合および/またはスルホンアミド結合したものなどが挙げられる。このようなキノンジアジド化合物を用いることで、一般的な紫外線である水銀灯のi線(波長365nm)、h線(波長405nm)、g線(波長436nm)に感光するポジ型組成物を得ることができる。また、これらポリヒドロキシ化合物、ポリアミノ化合物、ポリヒドロキシポリアミノ化合物の全ての官能基がキノンジアジドで置換されていなくても良いが、1分子あたり2つ以上の官能基がキノンジアジドで置換されていることが好ましい。
一例としては、下記化合物が例示される。
上記化合物において、Q全体の1〜10%が水素原子であってもよく、4〜6%が水素原子であってもよい。
As a quinone diazide compound, a polyhydroxy compound obtained by ester bond of sulfonic acid of quinone diazide, a polyamino compound obtained by sulfonamide bond of sulfonic acid of quinone diazide, a polyhydroxy polyamino compound obtained by sulfonic acid of quinone diazide And the like. By using such a quinone diazide compound, it is possible to obtain a positive type composition sensitive to i-line (wavelength 365 nm), h-line (wavelength 405 nm) and g-line (wavelength 436 nm) of a general ultraviolet ray of a mercury lamp. . Further, all functional groups of these polyhydroxy compounds, polyamino compounds and polyhydroxy polyamino compounds may not be substituted with quinonediazide, but it is preferable that two or more functional groups per molecule be substituted with quinonediazide. .
The following compounds are illustrated as an example.
In the above compounds, 1 to 10% of the entire Q may be a hydrogen atom, and 4 to 6% may be a hydrogen atom.

ポリヒドロキシ化合物としては、Bis−Z、BisP−EZ、TekP−4HBPA、TrisP−HAP、TrisP−PA、TrisP−SA、TrisOCR−PA、BisOCHP−Z、BisP−MZ、BisP−PZ、BisP−IPZ、BisOCP−IPZ、BisP−CP、BisRS−2P、BisRS−3P、BisP−OCHP、メチレントリス−FR−CR、BisRS−26X、DML−MBPC、DML−MBOC、DML−OCHP、DML−PCHP、DML−PC、DML−PTBP、DML−34X、DML−EP、DML−POP、ジメチロール−BisOC−P、DML−PFP、DML−PSBP、DML−MTrisPC、TriML−P、TriML−35XL、TML−BP、TML−HQ、TML−pp−BPF、TML−BPA、TMOM−BP、HML−TPPHBA、HML−TPHAP(以上、商品名、本州化学工業製)、BIR−OC、BIP−PC、BIR−PC、BIR−PTBP、BIR−PCHP、BIP−BIOC−F、4PC、BIR−BIPC−F、TEP−BIP−A、46DMOC、46DMOEP、TM−BIP−A(以上、商品名、旭有機材工業製)、2,6−ジメトキシメチル−4−t−ブチルフェノール、2,6−ジメトキシメチル−p−クレゾール、2,6−ジアセトキシメチル−p−クレゾール、ナフトール、テトラヒドロキシベンゾフェノン、没食子酸メチルエステル、ビスフェノールA、ビスフェノールE、メチレンビスフェノール、BisP−AP(商品名、本州化学工業製)、ノボラック樹脂などが挙げられるが、これらに限定されない。   Examples of polyhydroxy compounds include Bis-Z, BisP-EZ, TekP-4HBPA, TrisP-HAP, TrisP-PA, TrisP-SA, TrisOCR-PA, BisOCHP-Z, BisP-MZ, BisP-PZ, BisP-IPZ, BisOCP-IPZ, BisP-CP, BisRS-2P, BisRS-3P, BisP-OCHP, Methylene Tris-FR-CR, BisRS-26X, DML-MBPC, DML-MBOC, DML-OCHP, DML-PCHP, DML-PC , DML-PTBP, DML-34X, DML-EP, DML-POP, dimethylol-BisOC-P, DML-PFP, DML-PSBP, DML-MTrisPC, TriML-P, TriML-35 XL, TML-BP, TML HQ, TML-pp-BPF, TML-BPA, TMOM-BP, HML-TPPHBA, HML-TPHAP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), BIR-OC, BIP-PC, BIR-PC, BIR-PTBP , BIR-PCHP, BIP-BIOC-F, 4PC, BIR-BIPC-F, TEP-BIP-A, 46DMOC, 46DMOEP, TM-BIP-A (all trade names, manufactured by Asahi Organic Materials Industry), 2, 6 -Dimethoxymethyl-4-tert-butylphenol, 2,6-dimethoxymethyl-p-cresol, 2,6-diacetoxymethyl-p-cresol, naphthol, tetrahydroxybenzophenone, gallic acid methyl ester, bisphenol A, bisphenol E, Methylene bisphenol, BisP-AP (brand name, Honshu Chemical Industries, Ltd. Ltd.), but such a novolak resin include, but are not limited to.

ポリアミノ化合物としては、1,4−フェニレンジアミン、1,3−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィドなどが挙げられるが、これらに限定されない。   As polyamino compounds, 1,4-phenylenediamine, 1,3-phenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenyl sulfone, 4,4′-diamino Although diphenyl sulfide etc. are mentioned, it is not limited to these.

また、ポリヒドロキシポリアミノ化合物としては、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、3,3’−ジヒドロキシベンジジンなどが挙げられるが、これらに限定されない。   Moreover, as a polyhydroxy polyamino compound, although 2, 2-bis (3-amino 4-hydroxyphenyl) hexafluoro propane, 3,3'- dihydroxy benzidine etc. are mentioned, it is not limited to these.

キノンジアジド化合物としては、5−ナフトキノンジアジドスルホニル基を有する化合物、4−ナフトキノンジアジドスルホニル基を有する化合物のいずれも好ましく用いられる。同一分子中にこれらの基を両方有する化合物を用いてもよいし、異なる基を用いた化合物を併用してもよい。   As the quinone diazide compound, any of a compound having a 5-naphthoquinone diazide sulfonyl group and a compound having a 4-naphthoquinone diazide sulfonyl group is preferably used. A compound having both of these groups in the same molecule may be used, or compounds using different groups may be used in combination.

キノンジアジド化合物を製造する方法としては、例えば5−ナフトキノンジアジドスルホニルクロライドとフェノール化合物とをトリエチルアミン存在下で反応させる方法が挙げられる。フェノール化合物の合成方法は、酸性触媒下で、α−(ヒドロキシフェニル)スチレン誘導体を多価フェノール化合物と反応させる方法などが挙げられる。   Examples of the method for producing the quinone diazide compound include a method in which 5-naphthoquinone diazide sulfonyl chloride is reacted with a phenol compound in the presence of triethylamine. The synthesis method of a phenol compound includes a method of reacting an α- (hydroxyphenyl) styrene derivative with a polyhydric phenol compound under an acidic catalyst.

光酸発生剤の含有量は、複素環含有ポリマー前駆体100質量部に対して、好ましくは3〜40質量部である。光酸発生剤の含有量をこの範囲とすることにより、より高感度化を図ることができる。さらに増感剤などを必要に応じて含有してもよい。
光酸発生剤は、1種のみ用いても、2種以上用いてもよい。2種以上用いる場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
The content of the photoacid generator is preferably 3 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the heterocycle-containing polymer precursor. By setting the content of the photoacid generator in this range, higher sensitivity can be achieved. Furthermore, a sensitizer may be contained as required.
The photoacid generator may be used alone or in combination of two or more. When using 2 or more types, it is preferable that a total amount becomes said range.

<熱酸発生剤>
本発明における組成物は、熱酸発生剤を含んでいてもよい。熱酸発生剤は、加熱により酸を発生し、複素環含有ポリマー前駆体の環化を促進し硬化膜の機械特性をより向上させる他、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基またはアシルオキシメチル基を有する化合物、エポキシ化合物、オキセタン化合物およびベンゾオキサジン化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物の架橋反応を促進させる効果がある。
Thermal acid generator
The composition in the present invention may contain a thermal acid generator. The thermal acid generator generates an acid upon heating, promotes cyclization of the heterocycle-containing polymer precursor and further improves the mechanical properties of the cured film, and a compound having a hydroxymethyl group, an alkoxymethyl group or an acyloxymethyl group. It has the effect of promoting the crosslinking reaction of at least one compound selected from epoxy compounds, oxetane compounds and benzoxazine compounds.

熱酸発生剤の熱分解開始温度は、50℃〜270℃が好ましく、250℃以下がより好ましい。また、組成物を基板に塗布した後の乾燥(プリベーク:約70〜140℃)時には酸を発生せず、その後の露光、現像でパターニングした後の最終加熱(キュア:約100〜400℃)時に酸を発生するものを選択すると、現像時の感度低下を抑制できるため好ましい。   50 degreeC-270 degreeC are preferable, and, as for the thermal decomposition start temperature of a thermal acid generator, 250 degrees C or less is more preferable. In addition, no acid is generated during drying (pre-baking: about 70 to 140 ° C.) after the composition is applied to the substrate, and at the time of final heating (curing: about 100 to 400 ° C.) after patterning by exposure and development thereafter. It is preferable to select one that generates an acid, because a decrease in sensitivity during development can be suppressed.

熱酸発生剤から発生する酸は強酸が好ましく、例えば、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸などのアリールスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ブタンスルホン酸などのアルキルスルホン酸、およびトリフルオロメタンスルホン酸などのハロアルキルスルホン酸などが好ましい。このような熱酸発生剤の例としては、特開2013−072935号公報の段落番号0055に記載のものが挙げられる。   The acid generated from the thermal acid generator is preferably a strong acid, for example, p-toluenesulfonic acid, arylsulfonic acid such as benzenesulfonic acid, methanesulfonic acid, alkylsulfonic acid such as ethanesulfonic acid, butanesulfonic acid, and trifluoromethane. Preferred are haloalkyl sulfonic acids such as sulfonic acids. As an example of such a thermal acid generator, the thing as described in Paragraph No. 0055 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-072935 is mentioned.

中でも、硬化膜中の残留が少なく硬化膜物性を低下させないという観点から、炭素数1〜4のアルキルスルホン酸、および炭素数1〜4のハロアルキルスルホン酸を発生するものがより好ましく、メタンスルホン酸(4−ヒドロキシフェニル)ジメチルスルホニウム、メタンスルホン酸(4−((メトキシカルボニル)オキシ)フェニル)ジメチルスルホニウム、メタンスルホン酸ベンジル(4−ヒドロキシフェニル)メチルスルホニウム、メタンスルホン酸ベンジル(4−((メトキシカルボニル)オキシ)フェニル)メチルスルホニウム、メタンスルホン酸(4−ヒドロキシフェニル)メチル((2−メチルフェニル)メチル)スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸(4−ヒドロキシフェニル)ジメチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸(4−((メトキシカルボニル)オキシ)フェニル)ジメチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ベンジル(4−ヒドロキシフェニル)メチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ベンジル(4−((メトキシカルボニル)オキシ)フェニル)メチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸(4−ヒドロキシフェニル)メチル((2−メチルフェニル)メチル)スルホニウム、3−(5−(((プロピルスルホニル)オキシ)イミノ)チオフェン−2(5H)−イリデン)−2−(o−トリル)プロパンニトリル、2,2−ビス(3−(メタンスルホニルアミノ)−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンが好ましい。   Among them, from the viewpoint of having less residual in the cured film and not reducing the physical properties of the cured film, those which generate alkylsulfonic acid having 1 to 4 carbon atoms and haloalkylsulfonic acid having 1 to 4 carbon atoms are more preferable, and methanesulfonic acid (4-hydroxyphenyl) dimethylsulfonium, methanesulfonic acid (4-((methoxycarbonyl) oxy) phenyl) dimethylsulfonium, benzyl methanesulfonate (4-hydroxyphenyl) methylsulfonium, benzyl methanesulfonate (4-((methoxy (Carbonyl) oxy) phenyl) methyl sulfonium, methanesulfonic acid (4-hydroxyphenyl) methyl ((2-methylphenyl) methyl) sulfonium, trifluoromethane sulfonic acid (4-hydroxyphenyl) dimethyl sulfonium, trifluoro Lomethanesulfonic acid (4-((methoxycarbonyl) oxy) phenyl) dimethylsulfonium, benzyl trifluoromethanesulfonate (4-hydroxyphenyl) methylsulfonium, benzyl trifluoromethanesulfonate (4- ((methoxycarbonyl) oxy) phenyl) methyl Sulfonium, trifluoromethanesulfonic acid (4-hydroxyphenyl) methyl ((2-methylphenyl) methyl) sulfonium, 3- (5- (((propylsulfonyl) oxy) imino) thiophene-2 (5H)-ylidene)-2 -(O-tolyl) propanenitrile and 2,2-bis (3- (methanesulfonylamino) -4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane are preferred.

また、特開2013−167742号公報の段落番号0059に記載の化合物も熱酸発生剤として好ましい。   Moreover, the compound of Paragraph No. 0059 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-167742 is also preferable as a thermal acid generator.

熱酸発生剤を用いる場合、熱酸発生剤の含有量は、複素環含有ポリマー前駆体100質量部に対して0.01質量部以上が好ましく、0.1質量部以上がより好ましい。0.01質量部以上含有することで、架橋反応および複素環含有ポリマー前駆体の環化が促進されるため、硬化膜の機械特性および耐薬品性をより向上させることができる。また、硬化膜の電気絶縁性の観点から、20質量部以下が好ましく、15質量部以下がより好ましく、10質量部以下がさらに好ましい。
熱酸発生剤は、1種のみ用いても、2種以上用いてもよい。2種以上用いる場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
When a thermal acid generator is used, the content of the thermal acid generator is preferably 0.01 parts by mass or more, and more preferably 0.1 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the heterocycle-containing polymer precursor. By containing 0.01 parts by mass or more, the crosslinking reaction and the cyclization of the heterocycle-containing polymer precursor are promoted, so that the mechanical properties and the chemical resistance of the cured film can be further improved. Moreover, from a viewpoint of the electrical insulation of a cured film, 20 mass parts or less are preferable, 15 mass parts or less are more preferable, and 10 mass parts or less are more preferable.
The thermal acid generator may be used alone or in combination of two or more. When using 2 or more types, it is preferable that a total amount becomes said range.

<熱ラジカル重合開始剤>
本発明における組成物は、熱ラジカル重合開始剤を含んでいてもよい。熱ラジカル重合開始剤としては、公知の熱ラジカル重合開始剤を用いることができる。
熱ラジカル重合開始剤は、熱のエネルギーによってラジカルを発生し、重合性化合物の重合反応を開始または促進させる化合物である。熱ラジカル重合開始剤を添加することによって、複素環含有ポリマー前駆体の環化反応を進行させる際に、重合性化合物の重合反応を進行させることができる。また、複素環含有ポリマー前駆体がエチレン性不飽和結合を含む場合は、複素環含有ポリマー前駆体の環化と共に、複素環含有ポリマー前駆体の重合反応を進行させることもできるので、より高耐熱化が達成できることとなる。
熱ラジカル重合開始剤としては、芳香族ケトン類、オニウム塩化合物、過酸化物、チオ化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、ケトオキシムエステル化合物、ボレート化合物、アジニウム化合物、メタロセン化合物、活性エステル化合物、炭素ハロゲン結合を有する化合物、アゾ系化合物等が挙げられる。中でも、過酸化物またはアゾ系化合物がより好ましく、過酸化物が特に好ましい。
本発明で用いる熱ラジカル重合開始剤は、10時間半減期温度が90〜130℃であることが好ましく、100〜120℃であることがより好ましい。
具体的には、特開2008−63554号公報の段落番号0074〜0118に記載されている化合物が挙げられる。
市販品では、パーブチルZおよびパークミルD(日油(株)製)を好適に用いることができる。
<Thermal radical polymerization initiator>
The composition in the present invention may contain a thermal radical polymerization initiator. A well-known thermal radical polymerization initiator can be used as a thermal radical polymerization initiator.
The thermal radical polymerization initiator is a compound which generates a radical by the energy of heat to initiate or accelerate the polymerization reaction of the polymerizable compound. By adding the thermal radical polymerization initiator, when advancing the cyclization reaction of the heterocycle-containing polymer precursor, the polymerization reaction of the polymerizable compound can be advanced. In addition, when the heterocycle-containing polymer precursor contains an ethylenically unsaturated bond, the polymerization reaction of the heterocycle-containing polymer precursor can be progressed together with the cyclization of the heterocycle-containing polymer precursor, so the heat resistance is further improved. Can be achieved.
As a thermal radical polymerization initiator, aromatic ketones, onium salt compounds, peroxides, thio compounds, hexaarylbiimidazole compounds, ketoxime ester compounds, borate compounds, azinium compounds, metallocene compounds, active ester compounds, carbon halogen Compounds having a bond, azo compounds and the like can be mentioned. Among them, peroxides or azo compounds are more preferable, and peroxides are particularly preferable.
The thermal radical polymerization initiator used in the present invention preferably has a 10-hour half-life temperature of 90 to 130 ° C., and more preferably 100 to 120 ° C.
Specifically, compounds described in Paragraph Nos. 0074 to 0118 of JP-A-2008-63554 can be mentioned.
As a commercial item, Perbutyl Z and Percumil D (manufactured by NOF Corporation) can be suitably used.

組成物が熱ラジカル重合開始剤を含有する場合、熱ラジカル重合開始剤の含有量は、組成物の全固形分に対し0.1〜50質量%が好ましく、0.1〜30質量%がより好ましく、0.1〜20質量%が特に好ましい。また、重合性化合物100質量部に対し、熱ラジカル重合開始剤を0.1〜50質量部含むことが好ましく、0.5〜30質量部含むことがより好ましい。この態様によれば、より耐熱性に優れた硬化膜を形成しやすい。
熱ラジカル重合開始剤は、1種のみでもよいし、2種以上であってもよい。熱ラジカル重合開始剤が2種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
When the composition contains a thermal radical polymerization initiator, the content of the thermal radical polymerization initiator is preferably 0.1 to 50% by mass, and more preferably 0.1 to 30% by mass with respect to the total solid content of the composition Preferably, 0.1 to 20% by mass is particularly preferable. Moreover, it is preferable to contain 0.1-50 mass parts of thermal radical polymerization initiators with respect to 100 mass parts of polymeric compounds, and it is more preferable to contain 0.5-30 mass parts. According to this aspect, it is easy to form a cured film more excellent in heat resistance.
The thermal radical polymerization initiator may be used alone or in combination of two or more. When two or more thermal radical polymerization initiators are used, the total is preferably in the above range.

<腐食防止剤>
本発明における組成物には、腐食防止剤を添加することが好ましい。腐食防止剤は、金属配線からのイオンの流出を防ぐ目的で添加し、化合物としては、例えば、特開2013−15701号公報の段落番号0094に記載の防錆剤、特開2009−283711号公報の段落番号0073〜0076に記載の化合物、特開2011−59656号公報の段落番号0052に記載の化合物、特開2012−194520号公報の段落番号0114、0116および0118に記載の化合物などを使用することができる。中でも、トリアゾール環を有する化合物またはテトラゾール環を有する化合物を好ましく使用することができ、1,2,4−トリアゾール、1,2,3−ベンゾトリアゾール、5−メチル−1H−ベンゾトリアゾール、1H−テトラゾール、5−メチル−1H−テトラゾールがより好ましく、1H−テトラゾールがもっとも好ましい。
腐食防止剤を用いる場合、腐食防止剤の含有量は、複素環含有ポリマー前駆体100質量部に対して好ましくは0.1〜10質量部の範囲であり、より好ましくは0.2〜5質量部の範囲である。
腐食防止剤は、1種のみ用いても、2種以上用いてもよい。2種以上用いる場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
<Corrosion inhibitor>
It is preferable to add a corrosion inhibitor to the composition in the present invention. The corrosion inhibitor is added for the purpose of preventing the outflow of ions from the metal wiring, and as a compound, for example, a rust inhibitor described in paragraph No. 0094 of JP 2013-15701 A, JP 2009-283711 A Using the compounds described in paragraphs 0073 to 0076, the compounds described in paragraph 0052 of JP2011-59656A, the compounds described in paragraphs 0114, 0116 and 0118 of JP2012-194520A, etc. be able to. Among them, compounds having a triazole ring or compounds having a tetrazole ring can be preferably used, and 1,2,4-triazole, 1,2,3-benzotriazole, 5-methyl-1H-benzotriazole, 1H-tetrazole More preferred is 5-methyl-1H-tetrazole, and most preferred is 1H-tetrazole.
When a corrosion inhibitor is used, the content of the corrosion inhibitor is preferably in the range of 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.2 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the heterocycle-containing polymer precursor. The scope of the department.
The corrosion inhibitor may be used alone or in combination of two or more. When using 2 or more types, it is preferable that a total amount becomes said range.

<金属接着性改良剤>
本発明における組成物は、電極や配線などに用いられる金属材料との接着性を向上させるための金属接着性改良剤を含んでいることが好ましい。金属接着性改良剤例としては、特開2014−186186号公報の段落番号0046〜0049や、特開2013−072935号公報の段落番号0032〜0043に記載のスルフィド系化合物が挙げられる。金属接着性改良剤としては、また、下記化合物も例示される。
金属接着性改良剤を用いる場合、金属接着性改良剤の含有量は、ポリイミド前駆体100質量部に対して好ましくは0.1〜30質量部の範囲であり、より好ましくは0.5〜15質量部の範囲である。0.1質量部以上とすることで熱硬化後の膜と金属との接着性が良好となり、30質量部以下とすることで硬化後の膜の耐熱性、機械特性が良好となる。
金属接着性改良剤は、1種のみでもよいし、2種以上であってもよい。2種以上用いる場合、その合計が上記範囲であることが好ましい。
Metal adhesion improver
The composition in the present invention preferably contains a metal adhesion improver for improving the adhesion to a metal material used for electrodes, wiring and the like. Examples of metal adhesion improvers include sulfide compounds described in paragraphs 0046 to 0049 of JP-A 2014-186186 and paragraphs 0032 to 0043 of JP-A 2013-072935. The following compounds may also be exemplified as metal adhesion improvers.
When a metal adhesion improver is used, the content of the metal adhesion improver is preferably in the range of 0.1 to 30 parts by mass, and more preferably 0.5 to 15 with respect to 100 parts by mass of the polyimide precursor. It is the range of the mass part. When the amount is 0.1 parts by mass or more, the adhesion between the film after heat curing and the metal becomes good, and when the amount is 30 parts by mass or less, the heat resistance and mechanical properties of the film after curing become good.
The metal adhesion improver may be used alone or in combination of two or more. When using 2 or more types, it is preferable that the sum is the said range.

<シランカップリング剤>
本発明における組成物は、基板との接着性を向上させられる点で、シランカップリング剤を含んでいることが好ましい。シランカップリング剤の例としては、特開2014−191002号公報の段落番号0062〜0073に記載の化合物、国際公開WO2011/080992A1号公報の段落番号0063〜0071に記載の化合物、特開2014−191252号公報の段落番号0060〜0061に記載の化合物、特開2014−41264号公報の段落番号0045〜0052に記載の化合物、国際公開WO2014/097594号公報の段落番号0055に記載の化合物が挙げられる。また、特開2011−128358号公報の段落番号0050〜0058に記載されているように、異なる2種以上のシランカップリング剤を用いることも好ましい。
シランカップリング剤を用いる場合、シランカップリング剤の含有量は、複素環含有ポリマー前駆体100質量部に対して好ましくは0.1〜20質量部の範囲であり、より好ましくは1〜10質量部の範囲である。0.1質量部以上であると、基板とのより充分な密着性を付与することができ、20質量部以下であると室温保存時において粘度上昇等の問題をより抑制できる。
シランカップリング剤は、1種のみ用いても、2種以上用いてもよい。2種以上用いる場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
<Silane coupling agent>
The composition in the present invention preferably contains a silane coupling agent in that it can improve the adhesion to the substrate. As examples of silane coupling agents, compounds described in paragraphs 0062 to 0073 of JP-A 2014-191002, compounds described in paragraphs 0063 to 0071 of International Publication WO 2011/09092 A1, and JP-A 2014-191252 The compounds described in paragraphs 0060 to 0061 of the gazette, the compounds described in paragraphs 0045 to 0052 in JP-A 2014-41264, and the compounds described in paragraph 0055 of International Publication WO 2014/097594. Moreover, as described in Paragraph No. 0050-0058 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-128358, it is also preferable to use 2 or more types of different silane coupling agents.
When a silane coupling agent is used, the content of the silane coupling agent is preferably in the range of 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the heterocycle-containing polymer precursor. The scope of the department. When the amount is 0.1 parts by mass or more, sufficient adhesion to the substrate can be imparted, and when the amount is 20 parts by mass or less, problems such as viscosity increase can be further suppressed during storage at room temperature.
The silane coupling agent may be used alone or in combination of two or more. When using 2 or more types, it is preferable that a total amount becomes said range.

<溶解促進剤>
本発明における組成物は、アルカリ現像液を用いたポジ型である場合、感度向上の観点で、溶解促進剤(溶解性を促進する化合物)を添加することが好ましい。溶解促進剤としては、低分子フェノール類(例えば、Bis−Z、TekP−4HBPA、TrisP−HAP、TrisP−PA、BisRS−2P、BisRS−3P(以上、商品名、本州化学工業製)、BIR−PC、BIR−PTBP、BIR−BIPC−F(以上、商品名、旭有機材工業製)、特開2013−152381号公報の段落番号0056〜0062に記載のフェノール類)やアリールスルホンアミド誘導体(例えば、特開2011−164454号公報の段落番号0058に記載の化合物)を挙げることができる。
溶解促進剤を用いる場合、溶解促進剤の含有量は、複素環含有ポリマー前駆体100質量部に対して好ましくは0.1〜20質量部の範囲であり、より好ましくは1〜10質量部の範囲である。
溶解促進剤は、1種のみ用いても、2種以上用いてもよい。2種以上用いる場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
<Dissolution accelerator>
When the composition in the present invention is a positive type using an alkali developing solution, it is preferable to add a dissolution accelerator (a compound which promotes solubility) from the viewpoint of sensitivity improvement. As the dissolution accelerator, low molecular weight phenols (for example, Bis-Z, TekP-4HBPA, TrisP-HAP, TrisP-PA, BisRS-2P, BisRS-3P (trade names, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), BIR- PC, BIR-PTBP, BIR-BIPC-F (above, trade name, manufactured by Asahi Organic Materials Industry Co., Ltd., phenols described in paragraphs 0056 to 0062 of JP-A-2013-152381) and aryl sulfonamide derivatives (for example, And compounds described in Paragraph No. 0058 of JP-A-2011-164454).
When a dissolution accelerator is used, the content of the dissolution accelerator is preferably in the range of 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the heterocycle-containing polymer precursor. It is a range.
The dissolution accelerator may be used alone or in combination of two or more. When using 2 or more types, it is preferable that a total amount becomes said range.

<溶解阻害剤>
本発明における組成物は、アルカリ現像液を用いたポジ型である場合、アルカリ現像液への溶解性を調整するために、溶解阻害剤(溶解性を阻害する化合物)を含有させることができる。このような化合物として、オニウム塩、ジアリール化合物およびテトラアルキルアンモニウム塩が好ましい。
オニウム塩としては、ジアリールヨードニウム塩等のヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩等のスルホニウム塩、ホスホニウム塩、アリールジアゾニウム塩等のジアゾニウム塩等が挙げられる。
ジアリール化合物としては、ジアリール尿素、ジアリールスルホン、ジアリールケトン、ジアリールエーテル、ジアリールプロパン、ジアリールヘキサフルオロプロパン等の二つのアリール基が結合基を介して結合したものが挙げられ、上記アリール基としては、フェニル基が好ましい。
テトラアルキルアンモニウム塩としては、上記アルキル基がメチル基、エチル基等のテトラアルキルアンモニウムハライドが挙げられる。
<Dissolution inhibitor>
When the composition of the present invention is a positive type using an alkaline developer, it can contain a dissolution inhibitor (a compound that inhibits the solubility) in order to adjust the solubility in the alkaline developer. As such compounds, onium salts, diaryl compounds and tetraalkylammonium salts are preferred.
Examples of the onium salt include iodonium salts such as diaryliodonium salts, sulfonium salts such as triarylsulfonium salts, and diazonium salts such as phosphonium salts and aryldiazonium salts.
Examples of the diaryl compound include compounds in which two aryl groups such as diaryl urea, diaryl sulfone, diaryl ketone, diaryl ether, diaryl propane, and diaryl hexafluoropropane are linked via a linking group, and examples of the aryl group include phenyl Groups are preferred.
Examples of the tetraalkylammonium salt include tetraalkylammonium halides in which the alkyl group is a methyl group or an ethyl group.

これらの中で良好な溶解阻害効果を示すものとしては、ジアリールヨードニウム塩、ジアリール尿素、ジアリールスルホン、テトラメチルアンモニウムハライド等が挙げられ、ジアリール尿素としてはジフェニル尿素、ジメチルジフェニル尿素等が挙げられ、テトラメチルアンモニウムハライドとしては、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロミド、テトラメチルアンモニウムヨーダイド等が挙げられる。   Among them, those showing a good dissolution inhibiting effect include diaryliodonium salts, diarylureas, diarylsulfones, tetramethyl ammonium halides, etc., and diarylureas include diphenylurea, dimethyldiphenylurea etc. Examples of methyl ammonium halides include tetramethyl ammonium chloride, tetramethyl ammonium bromide, tetramethyl ammonium iodide and the like.

中でも、一般式(Inh)で表されるジアリールヨードニウム塩が好ましい。
(式中、Xは対陰イオンを示し、RおよびRは、各々独立に、1価の有機基を示し、aおよびbは、各々独立に、0〜5の整数である)
Among them, diaryl iodonium salts represented by the general formula (Inh) are preferable.
(Wherein, X represents a counter anion, R 7 and R 8 each independently represent a monovalent organic group, and a and b are each independently an integer of 0 to 5)

対陰イオンXとしては、硝酸イオン、四フッ化ホウ素イオン、過塩素酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、p−トルエンスルホン酸イオン、チオシアン酸イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン等が挙げられる。Examples of the counter anion X - include nitrate ion, boron tetrafluoride ion, perchlorate ion, trifluoromethanesulfonate ion, p-toluenesulfonate ion, thiocyanate ion, chloride ion, bromide ion, iodide ion and the like. Be

ジアリールヨードニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウムニトラート、ビス(p−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムニトラート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(p−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブロマイド、ジフェニルヨードニウムクロリド、ジフェニルヨードニウムヨーダイト、ジフェニルヨードニウム−8−アニリノナフタレン−1−スルホナート等が使用できる。
これらの中で、ジフェニルヨードニウムニトラート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナートおよびジフェニルヨードニウム−8−アニリノナフタレン−1−スルホナートが、効果が高く好ましいものとして挙げられる。
Examples of diaryl iodonium salts include diphenyl iodonium nitrate, bis (p-tert-butylphenyl) iodonium nitrate, diphenyl iodonium trifluoromethane sulfonate, bis (p-tert-butyl phenyl) iodonium trifluoromethane sulfonate, diphenyl iodonium Bromide, diphenyliodonium chloride, diphenyliodonium iodide, diphenyliodonium-8-anilinonaphthalene-1-sulfonate and the like can be used.
Among these, diphenyliodonium nitrate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate and diphenyliodonium-8-anilinonaphthalene-1-sulfonate are mentioned as highly effective and preferable.

溶解阻害剤を含有する場合、溶解阻害剤の含有量は、感度と、現像時間の許容幅の点から、複素環含有ポリマー前駆体100質量部に対して0.1〜20質量部が好ましく、0.1〜15質量部がより好ましく、0.5〜10質量部がさらに好ましい。
溶解阻害剤は、1種のみ用いても、2種以上用いてもよい。2種以上用いる場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
When the dissolution inhibitor is contained, the content of the dissolution inhibitor is preferably 0.1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the heterocycle-containing polymer precursor from the viewpoint of sensitivity and an allowable range of development time, 0.1-15 mass parts is more preferable, and 0.5-10 mass parts is further more preferable.
The dissolution inhibitor may be used alone or in combination of two or more. When using 2 or more types, it is preferable that a total amount becomes said range.

<増感色素>
本発明における組成物は、増感色素を含んでも良い。増感色素は、特定の活性放射線を吸収して電子励起状態となる。電子励起状態となった増感色素は、アミン発生剤、熱ラジカル重合開始剤、光ラジカル重合開始剤などと接触して、電子移動、エネルギー移動、発熱などの作用を引き起こす。これにより、アミン発生剤、熱ラジカル重合開始剤、光ラジカル重合開始剤は化学変化を起こして分解し、ラジカル、酸または塩基を生成する。
<Sensitizing dye>
The composition in the present invention may contain a sensitizing dye. The sensitizing dye absorbs specific actinic radiation to be in an electronically excited state. The sensitizing dye in the electronically excited state comes into contact with an amine generator, a thermal radical polymerization initiator, a photo radical polymerization initiator and the like to cause actions such as electron transfer, energy transfer and heat generation. As a result, the amine generator, the thermal radical polymerization initiator, and the photoradical polymerization initiator undergo a chemical change and decompose to form a radical, an acid or a base.

好ましい増感色素の例としては、以下の化合物類に属しており、かつ300nmから450nm域に極大吸収波長を有するものを挙げることができる。例えば、多核芳香族類(例えば、フェナントレン、アントラセン、ピレン、ペリレン、トリフェニレン、9,10−ジアルコキシアントラセン)、キサンテン類(例えば、フルオレセイン、エオシン、エリスロシン、ローダミンB、ローズベンガル)、チオキサントン類(例えば、2,4−ジエチルチオキサントン)、シアニン類(例えば、チアカルボシアニン、オキサカルボシアニン)、メロシアニン類(例えば、メロシアニン、カルボメロシアニン)、チアジン類(例えば、チオニン、メチレンブルー、トルイジンブルー)、アクリジン類(例えば、アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン)、アントラキノン類(例えば、アントラキノン)、スクアリリウム類(例えば、スクアリリウム)、クマリン類(例えば、7−ジエチルアミノ−4−メチルクマリン)、スチリルベンゼン類、ジスチリルベンゼン類、カルバゾール類等が挙げられる。   Examples of preferable sensitizing dyes include those belonging to the following compounds and having a maximum absorption wavelength in the range of 300 nm to 450 nm. For example, polynuclear aromatics (eg, phenanthrene, anthracene, pyrene, perylene, triphenylene, 9, 10-dialkoxyanthracene), xanthenes (eg, fluorescein, eosin, erythrosin, rhodamine B, rose bengal), thioxanthones (eg, 2,4-diethylthioxanthone), cyanines (eg, thiacarbocyanine, oxacarbocyanine), merocyanines (eg, merocyanine, carbomerocyanine), thiazines (eg, thionine, methylene blue, toluidine blue), acridines (eg, For example, acridine orange, chloroflavin, acriflavine), anthraquinones (eg, anthraquinone), squaliliums (eg, squalilium), coumarins (eg, 7-di) Chiruamino 4-methylcoumarin), styryl benzenes, distyryl benzenes, carbazoles, and the like.

中でも本発明においては、多核芳香族類(例えば、フェナントレン、アントラセン、ピレン、ペリレン、トリフェニレン)、チオキサントン類、ジスチリルベンゼン類、スチリルベンゼン類を使用することが開始効率の観点で好ましく、アントラセン骨格を有する化合物を使用することがより好ましい。特に好ましい具体的な化合物としては、9,10−ジエトキシアントラセン、9,10−ジブトキシアントラセンなどが挙げられる。   Among them, in the present invention, polynuclear aromatics (for example, phenanthrene, anthracene, pyrene, perylene, triphenylene), thioxanthones, distyrylbenzenes and styrylbenzenes are preferably used in view of initiation efficiency, and anthracene skeleton It is more preferable to use the compound which it has. Particularly preferable specific compounds include 9,10-diethoxyanthracene, 9,10-dibutoxyanthracene and the like.

組成物が増感色素を含む場合、増感色素の含有量は、組成物の全固形分に対し、0.01〜20質量%が好ましく、0.1〜15質量%がより好ましく、0.5〜10質量%がさらに好ましい。増感色素は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。   When the composition contains a sensitizing dye, the content of the sensitizing dye is preferably 0.01 to 20% by mass, more preferably 0.1 to 15% by mass, relative to the total solid content of the composition. 5 to 10% by mass is more preferable. The sensitizing dyes may be used alone or in combination of two or more.

<連鎖移動剤>
本発明における組成物は、連鎖移動剤を含有してもよい。連鎖移動剤は、例えば高分子辞典第三版(高分子学会編、2005年)683〜684頁に定義されている。連鎖移動剤としては、例えば、分子内にSH、PH、SiH、GeHを有する化合物群が用いられる。これらは、低活性のラジカル種に水素供与して、ラジカルを生成するか、もしくは、酸化された後、脱プロトンすることによりラジカルを生成し得る。特に、チオール化合物(例えば、2−メルカプトベンズイミダゾール類、2−メルカプトベンズチアゾール類、2−メルカプトベンズオキサゾール類、3−メルカプトトリアゾール類、5−メルカプトテトラゾール類等)を好ましく用いることができる。
<Chain transfer agent>
The composition in the present invention may contain a chain transfer agent. Chain transfer agents are defined, for example, in Polymer Dictionary Third Edition (edited by the Polymer Society of Japan, 2005) pages 683 to 684. As the chain transfer agent, for example, a compound group having SH, PH, SiH, GeH in the molecule is used. They can donate hydrogen to a low active radical species to form a radical or be oxidized and then deprotonated to form a radical. In particular, thiol compounds (for example, 2-mercaptobenzimidazoles, 2-mercaptobenzthiazoles, 2-mercaptobenzoxazoles, 3-mercaptotriazoles, 5-mercaptotetrazole, etc.) can be preferably used.

組成物が連鎖移動剤を含有する場合、連鎖移動剤の含有量は、組成物の全固形分100質量部に対し、好ましくは0.01〜20質量部、より好ましくは1〜10質量部、さらに好ましくは1〜5質量部である。
連鎖移動剤は、1種のみでもよいし、2種以上であってもよい。連鎖移動剤が2種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
When the composition contains a chain transfer agent, the content of the chain transfer agent is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the total solid content of the composition. More preferably, it is 1 to 5 parts by mass.
The chain transfer agent may be used alone or in combination of two or more. When two or more chain transfer agents are used, the total is preferably in the above range.

<重合禁止剤>
本発明における組成物は、製造中または保存中において複素環含有ポリマー前駆体およびラジカル重合性化合物の不要な熱重合を防止するために、少量の重合禁止剤を含むことが好ましい。
重合禁止剤としては、例えば、ハイドロキノン、p−メトキシフェノール、ジ−tert−ブチル−p−クレゾール、ピロガロール、p−tert−ブチルカテコール、ベンゾキノン、4,4′−チオビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、2,2′−メチレンビス(4−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、N−ニトロソ−N−フェニルヒドロキシアミンアルミニウム塩、フェノチアジン、N−ニトロソジフェニルアミン、N−フェニルナフチルアミン、エチレンジアミン四酢酸、1,2−シクロヘキサンジアミン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、2,6−ジ−tert−ブチル−p−メチルフェノール、5−ニトロソ−8−ヒドロキシキノリン、1−ニトロソ−2−ナフトール、2−ニトロソ−1−ナフトール、2−ニトロソ−5−(N−エチル−N−スルフォプロピルアミノ)フェノール、N−ニトロソ−N−(1−ナフチル)ヒドロキシアミンアンモニウム塩、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−tert−ブチル)フェニルメタンが好適に挙げられる。
組成物が重合禁止剤を含有する場合、重合禁止剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、0.01〜5質量%が好ましい。
重合禁止剤は、1種のみでもよいし、2種以上であってもよい。重合禁止剤が2種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
<Polymerization inhibitor>
The composition in the present invention preferably contains a small amount of a polymerization inhibitor in order to prevent unnecessary thermal polymerization of the heterocycle-containing polymer precursor and the radically polymerizable compound during production or storage.
Examples of the polymerization inhibitor include hydroquinone, p-methoxyphenol, di-tert-butyl-p-cresol, pyrogallol, p-tert-butyl catechol, benzoquinone, 4,4'-thiobis (3-methyl-6-tert -Butylphenol), 2,2'-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), N-nitroso-N-phenylhydroxyamine aluminum salt, phenothiazine, N-nitrosodiphenylamine, N-phenylnaphthylamine, ethylenediaminetetraacetic acid, 1,2-cyclohexanediaminetetraacetic acid, glycol ether diamine tetraacetic acid, 2,6-di-tert-butyl-p-methylphenol, 5-nitroso-8-hydroxyquinoline, 1-nitroso-2-naphthol, 2-nitroso -1 Naphthol, 2-nitroso-5- (N-ethyl-N-sulfopropylamino) phenol, N-nitroso-N- (1-naphthyl) hydroxyamine ammonium salt, bis (4-hydroxy-3,5-tert-) Preferred is butyl) phenylmethane.
As for content of a polymerization inhibitor, when a composition contains a polymerization inhibitor, 0.01-5 mass% is preferable with respect to the total solid of a composition.
The polymerization inhibitor may be used alone or in combination of two or more. When two or more polymerization inhibitors are used, the total is preferably in the above range.

<界面活性剤>
本発明における組成物には、塗布性をより向上させる観点から、各種の界面活性剤を添加してもよい。界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。
特に、フッ素系界面活性剤を含むことで、塗布液として調製したときの液特性(特に、流動性)がより向上することから、塗布厚の均一性や省液性をより改善することができる。
フッ素系界面活性剤を含む塗布液を用いて膜形成する場合においては、被塗布面と塗布液との界面張力を低下させることにより、被塗布面への濡れ性が改善され、被塗布面への塗布性が向上する。このため、少量の液量で数μm程度の薄膜を形成した場合であっても、厚みムラの小さい均一厚の膜形成をより好適に行える点で有効である。
<Surfactant>
Various surfactants may be added to the composition of the present invention from the viewpoint of further improving the coatability. As the surfactant, various surfactants such as a fluorine-based surfactant, a nonionic surfactant, a cationic surfactant, an anionic surfactant, a silicone surfactant and the like can be used.
In particular, by containing a fluorine-based surfactant, the liquid properties (in particular, the flowability) when prepared as a coating liquid are further improved, so that the uniformity of coating thickness and the liquid saving property can be further improved. .
In the case of film formation using a coating liquid containing a fluorine-based surfactant, the wettability to the surface to be coated is improved by lowering the interfacial tension between the surface to be coated and the coating liquid, and the coating surface is to be coated. Coating properties are improved. For this reason, even in the case where a thin film of about several μm is formed with a small amount of liquid, it is effective in that film formation with a uniform thickness with small thickness unevenness can be more suitably performed.

フッ素系界面活性剤のフッ素含有率は、3〜40質量%が好適であり、より好ましくは5〜30質量%であり、特に好ましくは7〜25質量%である。フッ素含有率がこの範囲内であるフッ素系界面活性剤は、塗布膜の厚さの均一性や省液性の点で効果的であり、溶解性も良好である。
フッ素系界面活性剤としては、例えば、メガファックF171、同F172、同F173、同F176、同F177、同F141、同F142、同F143、同F144、同R30、同F437、同F475、同F479、同F482、同F554、同F780、同F781(以上、DIC(株)製)、フロラードFC430、同FC431、同FC171(以上、住友スリーエム(株)製)、サーフロンS−382、同SC−101、同SC−103、同SC−104、同SC−105、同SC1068、同SC−381、同SC−383、同S393、同KH−40(以上、旭硝子(株)製)、PF636、PF656、PF6320、PF6520、PF7002(OMNOVA社製)等が挙げられる。
フッ素系界面活性剤としてブロックポリマーを用いることもでき、具体例としては、例えば、特開2011−89090号公報に記載された化合物が挙げられる。
また、下記化合物も本発明で用いられるフッ素系界面活性剤として例示される。
上記の化合物の重量平均分子量は、例えば、14,000である。
3-40 mass% is suitable for the fluorine content rate of a fluorine-type surfactant, More preferably, it is 5-30 mass%, Most preferably, it is 7-25 mass%. The fluorine-based surfactant having a fluorine content in this range is effective in terms of the uniformity of the thickness of the coating film and the liquid saving property, and the solubility is also good.
Examples of fluorine-based surfactants include Megafac F171, F172, F173, F176, F177, F141, F142, F143, F44, R30, F437, F475, F479, and the like. The F482, the F554, the F780, the F781 (above, made by DIC Corporation), the Florard FC430, the same FC431, the same FC171 (above, Sumitomo 3M Co., Ltd.), Surfron S-382, the same SC-101, The same SC-103, the same SC-104, the same SC-105, the same SC 1068, the same SC-383, the same S393, the same KH-40 (above, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), PF636, PF656, PF6320 , PF6520, PF7002 (manufactured by OMNOVA), and the like.
A block polymer can also be used as a fluorine-type surfactant, and the compound described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-89090 is mentioned as a specific example, for example.
Further, the following compounds are also exemplified as the fluorine-based surfactant used in the present invention.
The weight average molecular weight of the above compound is, for example, 14,000.

ノニオン系界面活性剤として具体的には、グリセロール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン並びにそれらのエトキシレートおよびプロポキシレート(例えば、グリセロールプロポキシレート、グリセロールエトキシレート等)、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ソルビタン脂肪酸エステル(BASF社製のプルロニックL10、L31、L61、L62、10R5、17R2、25R2、テトロニック304、701、704、901、904、150R1)、ソルスパース20000(日本ルーブリゾール(株))等が挙げられる。また、竹本油脂(株)製のパイオニンD−6112−W、和光純薬工業社製の、NCW−101、NCW−1001、NCW−1002を使用することもできる。   Specific examples of nonionic surfactants include glycerol, trimethylolpropane, trimethylolethane and ethoxylates and propoxylates thereof (eg, glycerol propoxylate, glycerol ethoxylate, etc.), polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene Stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene nonyl phenyl ether, polyethylene glycol dilaurate, polyethylene glycol distearate, sorbitan fatty acid ester (Pluronic L10, L31, L61, L62 manufactured by BASF, 10R5, 17R2, 25R2, Tetronics 304, 701, 704, 901, 904, 150R1) Solsperse 20000 (Lubrizol Japan Co., Ltd.), and the like. In addition, Pionin D-6112-W manufactured by Takemoto Oil & Fat Co., Ltd., NCW-101, NCW-1001 and NCW-1002 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. can also be used.

カチオン系界面活性剤として具体的には、フタロシアニン誘導体(商品名:EFKA−745、森下産業(株)製)、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)、(メタ)アクリル酸系(共)重合体ポリフローNo.75、No.90、No.95(共栄社化学(株)製)、W001(裕商(株)製)等が挙げられる。   Specific examples of cationic surfactants include phthalocyanine derivatives (trade name: EFKA-745, manufactured by Morishita Sangyo Co., Ltd.), organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), (meth) acrylic acid Co) polymer poly flow No. 75, no. 90, no. 95 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), W001 (manufactured by Yusho Co., Ltd.), and the like.

アニオン系界面活性剤として具体的には、W004、W005、W017(裕商(株)製)等が挙げられる。   Specific examples of the anionic surfactant include W004, W005, W017 (manufactured by Yusho Co., Ltd.), and the like.

シリコーン系界面活性剤としては、例えば、東レ・ダウコーニング(株)製「トーレシリコーンDC3PA」、「トーレシリコーンSH7PA」、「トーレシリコーンDC11PA」、「トーレシリコーンSH21PA」、「トーレシリコーンSH28PA」、「トーレシリコーンSH29PA」、「トーレシリコーンSH30PA」、「トーレシリコーンSH8400」、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製「TSF−4440」、「TSF−4300」、「TSF−4445」、「TSF−4460」、「TSF−4452」、信越シリコーン株式会社製「KP341」、「KF6001」、「KF6002」、ビックケミー社製「BYK307」、「BYK323」、「BYK330」等が挙げられる。   As silicone type surfactant, for example, Toray Dow Corning Co., Ltd. product "Tore silicone DC3PA", "Tore silicone SH7PA", "Tore silicone DC11PA", "Tore silicone SH21PA", "Tore silicone SH28PA", "Tore silicone SH21PA" Silicone SH29PA, Toray Silicone SH30PA, Toray Silicone SH8400, Momentive Performance Materials, Inc. "TSF-4440", "TSF-4300", "TSF-4445", "TSF-4460", "TSF “4452”, “KP341”, “KF6001”, “KF6002” manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., “BYK307”, “BYK323”, “BYK330” manufactured by BIC Chemie, and the like.

組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、0.001〜2.0質量%が好ましく、より好ましくは0.005〜1.0質量%である。
界面活性剤は、1種のみでもよいし、2種以上であってもよい。界面活性剤が2種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
When the composition contains a surfactant, the content of the surfactant is preferably 0.001 to 2.0% by mass, more preferably 0.005 to 1.% by mass with respect to the total solid content of the composition. It is 0 mass%.
The surfactant may be used alone or in combination of two or more. When two or more surfactants are used, the total is preferably in the above range.

<高級脂肪酸誘導体等>
本発明における組成物には、酸素による重合阻害を防止するために、ベヘン酸やベヘン酸アミドのような高級脂肪酸誘導体等を添加して、塗布後の乾燥の過程で組成物の表面に偏在させてもよい。
組成物が高級脂肪酸誘導体等を含有する場合、高級脂肪酸誘導体等の含有量は、組成物の全固形分に対して、0.1〜10質量%が好ましい。
高級脂肪酸誘導体等は、1種のみでもよいし、2種以上であってもよい。高級脂肪酸誘導体等が2種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
<Higher fatty acid derivatives etc>
In the composition of the present invention, in order to prevent polymerization inhibition by oxygen, behenic acid, higher fatty acid derivatives such as behenic acid amide, etc. are added, and uneven distribution is made on the surface of the composition in the process of drying after coating. May be
When the composition contains a higher fatty acid derivative or the like, the content of the higher fatty acid derivative or the like is preferably 0.1 to 10% by mass with respect to the total solid content of the composition.
The higher fatty acid derivatives may be used alone or in combination of two or more. When two or more kinds of higher fatty acid derivatives and the like are used, the total is preferably in the above range.

<溶剤>
本発明における組成物を塗布によって層状にする場合、溶剤を配合することが好ましい。溶剤は、組成物を層状に形成できれば、公知のものを制限なく使用できる。
本発明の組成物に用いられる溶剤としては、エステル類として、例えば、酢酸エチル、酢酸−n−ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、ε−カプロラクトン、δ−バレロラクトン、アルキルオキシ酢酸アルキル(例えば、アルキルオキシ酢酸メチル、アルキルオキシ酢酸エチル、アルキルオキシ酢酸ブチル(例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル等))、3−アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類(例えば、3−アルキルオキシプロピオン酸メチル、3−アルキルオキシプロピオン酸エチル等(例えば、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル等))、2−アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類(例えば、2−アルキルオキシプロピオン酸メチル、2−アルキルオキシプロピオン酸エチル、2−アルキルオキシプロピオン酸プロピル等(例えば、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル))、2−アルキルオキシ−2−メチルプロピオン酸メチルおよび2−アルキルオキシ−2−メチルプロピオン酸エチル(例えば、2−メトキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−エトキシ−2−メチルプロピオン酸エチル等)、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、2−オキソブタン酸メチル、および2−オキソブタン酸エチル等、並びに、エーテル類として、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、およびプロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート等、並びに、ケトン類として、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、およびN−メチル−2−ピロリドン等、並びに、芳香族炭化水素類として、例えば、トルエン、キシレン、アニソール、リモネン等、スルホキシド類としてジメチルスルホキシドが好適に挙げられる。
<Solvent>
When making the composition in this invention into a layer by application, it is preferable to mix | blend a solvent. As the solvent, known ones can be used without limitation as long as the composition can be formed into a layer.
As a solvent used for the composition of the present invention, as esters, for example, ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, lactic acid Methyl, ethyl lactate, γ-butyrolactone, ε-caprolactone, δ-valerolactone, alkyl alkyl oxyacetate (for example, methyl alkyl oxyacetate, ethyl alkyl oxy acetate, butyl alkyl oxy acetate (for example, methyl methoxy acetate, methoxy ethyl acetate, Butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate etc.), 3-alkyloxypropionic acid alkyl esters (eg, methyl 3-alkyloxypropionate, ethyl 3-alkyloxypropionate, etc. (eg, 3-methoxy) Methyl propionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate etc.), 2-alkyloxypropionic acid alkyl esters (eg methyl 2-alkyloxypropionate, 2- Ethyl alkyl oxypropionate, propyl 2-alkyl oxypropionate, etc. (eg, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, 2-ethoxypropionic acid Ethyl)), methyl 2-alkyloxy-2-methylpropionate and ethyl 2-alkyloxy-2-methylpropionate (eg methyl 2-methoxy-2-methylpropionate, 2-ethoxy-2-methylpropionic acid) Methyl etc., methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl 2-oxobutanoate, ethyl 2-oxobutanoate etc. and as ethers, eg, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran Ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate , And propylene glycol Chole monopropyl ether acetate and the like, and as ketones, for example, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, 3-heptanone and N-methyl-2-pyrrolidone and the like, and as aromatic hydrocarbons, For example, toluene, xylene, anisole, limonene etc., dimethyl sulfoxide is suitably mentioned as sulfoxides.

溶剤は、塗布面状の改良などの観点から、2種以上を混合する形態も好ましい。なかでも、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、エチルセロソルブアセテート、乳酸エチル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、およびプロピレングリコールメチルエーテルアセテートから選択される2種以上で構成される混合溶液が好ましい。特に、ジメチルスルホキシドとγ−ブチロラクトンとの併用が好ましい。   The solvent is also preferably in the form of a mixture of two or more, from the viewpoint of improvement of the coated surface condition. Among them, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl cellosolve acetate, ethyl lactate, diethylene glycol dimethyl ether, butyl acetate, methyl 3-methoxypropionate, 2-heptanone, cyclohexanone, cyclopentanone, γ-butyrolactone A mixed solution composed of two or more selected from dimethyl sulfoxide, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, propylene glycol methyl ether, and propylene glycol methyl ether acetate is preferable. In particular, the combined use of dimethyl sulfoxide and γ-butyrolactone is preferred.

組成物が溶剤を含有する場合、溶剤の含有量は、塗布性の観点から、組成物の全固形分濃度が5〜80質量%になる量とすることが好ましく、5〜70質量%がより好ましく、10〜60質量%がさらに好ましい。
溶剤は、1種のみでもよいし、2種以上であってもよい。溶剤が2種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
また、N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミドおよびN,N−ジメチルホルムアミドの含有量は、膜強度の観点から、組成物の全質量に対して5質量%未満が好ましく、1質量%未満がより好ましく、0.5質量%未満がさらに好ましく、0.1質量%未満が一層好ましい。
When the composition contains a solvent, the content of the solvent is preferably from 5% to 80% by mass from the viewpoint of coatability, and the total solid content concentration of the composition is 5% to 70% by mass. Preferably, 10 to 60% by mass is more preferable.
The solvent may be used alone or in combination of two or more. When two or more solvents are used, the total is preferably in the above range.
In addition, the contents of N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide and N, N-dimethylformamide are relative to the total mass of the composition from the viewpoint of film strength. Less than 5% by mass is preferable, less than 1% by mass is more preferable, less than 0.5% by mass is more preferable, and less than 0.1% by mass is more preferable.

<その他の添加剤>
本発明における組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、各種添加物、例えば、無機粒子、硬化剤、硬化触媒、充填剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、凝集防止剤等を配合することができる。これらの添加剤を配合する場合、その合計配合量は組成物の固形分の3質量%以下とすることが好ましい。
<Other additives>
The composition according to the present invention may contain various additives, for example, inorganic particles, curing agents, curing catalysts, fillers, antioxidants, ultraviolet light absorbers, aggregation prevention, as needed, as long as the effects of the present invention are not impaired. Agents and the like can be blended. When these additives are blended, the total blending amount is preferably 3% by mass or less of the solid content of the composition.

本発明における組成物の水分含有量は、塗布面状の観点から、5質量%未満が好ましく、1質量%未満がより好ましく、0.6質量%未満がさらに好ましい。   The water content of the composition in the present invention is preferably less than 5% by mass, more preferably less than 1% by mass, and still more preferably less than 0.6% by mass from the viewpoint of the coated surface state.

本発明における組成物の金属含有量は、絶縁性の観点から、5質量ppm未満が好ましく、1質量ppm未満がより好ましく、0.5質量ppm未満がさらに好ましい。金属としては、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、鉄、クロム、ニッケルなどが挙げられる。金属を複数含む場合は、これらの金属の合計が上記範囲であることが好ましい。
また、組成物に意図せずに含まれる金属不純物を低減する方法としては、組成物を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する、組成物を構成する原料に対してフィルター濾過を行う、装置内をポリテトラフルオロエチレン等でライニングしてコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う等の方法を挙げることができる。
From the viewpoint of insulation, the metal content of the composition in the present invention is preferably less than 5 mass ppm, more preferably less than 1 mass ppm, and still more preferably less than 0.5 mass ppm. Examples of the metal include sodium, potassium, magnesium, calcium, iron, chromium, nickel and the like. When a plurality of metals are included, the total of these metals is preferably in the above range.
In addition, as a method of reducing metal impurities which are unintentionally contained in the composition, the raw material constituting the composition is selected by using a raw material having a small metal content as a raw material constituting the composition. There may be mentioned a method in which the inside of the apparatus is lined with polytetrafluoroethylene or the like, and distillation is performed under the condition where contamination is suppressed as much as possible.

本発明における組成物は、ハロゲン原子の含有量が、配線腐食性の観点から、500質量ppm未満が好ましく、300質量ppm未満がより好ましく、200質量ppm未満がさらに好ましい。中でも、ハロゲンイオンの状態で存在するものは、5質量ppm未満が好ましく、1質量ppm未満がより好ましく、0.5質量ppm未満がさらに好ましい。ハロゲン原子としては、塩素原子および臭素原子が挙げられる。塩素原子および臭素原子、または、塩化物イオンおよび臭化物イオンの合計がそれぞれ上記範囲であることが好ましい。   The content of halogen atoms in the composition of the present invention is preferably less than 500 mass ppm, more preferably less than 300 mass ppm, and still more preferably less than 200 mass ppm, from the viewpoint of wiring corrosion. Among them, those less than 5 mass ppm are preferable, those less than 1 mass ppm are more preferable, and less than 0.5 mass ppm is more preferable. The halogen atom includes a chlorine atom and a bromine atom. It is preferable that the total of a chlorine atom and a bromine atom, or a chloride ion and a bromide ion is respectively in the above range.

<組成物の調製>
本発明における組成物は、上記各成分を混合して調製することができる。混合方法は特に限定はなく、従来公知の方法で行うことができる。
また、組成物中のゴミや微粒子等の異物を除去する目的で、フィルターを用いたろ過を行うことが好ましい。フィルターの孔径としては、1μm以下が好ましく、0.5μm以下がより好ましく、0.1μm以下がさらに好ましい。フィルターの材質としては、ポリテトラフルオロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のフィルターが好ましい。フィルターは、有機溶剤であらかじめ洗浄したものを用いてもよい。フィルター濾過工程では、複数種のフィルターを直列または並列に接続して用いてもよい。複数種のフィルターを使用する場合は、孔径および/または材質が異なるフィルターを組み合わせて使用しても良い。また、各種材料を複数回濾過してもよく、複数回濾過する工程が循環濾過工程であっても良い。また、加圧してろ過を行ってもよく、加圧する圧力は0.05MPa以上0.3MPa以下が好ましい。
フィルターを用いたろ過の他、吸着材を用いて不純物の除去を行っても良い。また、フィルターを用いたろ過と、吸着材を用いた不純物の除去とを組み合わせて行っても良い。吸着材としては、公知の吸着材を用いることができ、例えば、シリカゲル、ゼオライトなどの無機系吸着材、活性炭などの有機系吸着材を使用することができる。
<Preparation of composition>
The composition in the present invention can be prepared by mixing the above-mentioned components. The mixing method is not particularly limited, and can be carried out by a conventionally known method.
Moreover, it is preferable to perform filtration using a filter for the purpose of removing foreign substances such as dust and particles in the composition. The pore diameter of the filter is preferably 1 μm or less, more preferably 0.5 μm or less, and still more preferably 0.1 μm or less. As a material of the filter, a filter made of polytetrafluoroethylene, polyethylene, or nylon is preferable. The filter may be one previously washed with an organic solvent. In the filter filtration step, a plurality of filters may be connected in series or in parallel. When multiple types of filters are used, filters with different pore sizes and / or different materials may be used in combination. Also, the various materials may be filtered a plurality of times, and the step of filtering a plurality of times may be a circulation filtration step. Moreover, you may pressurize and you may filter, and the pressure to pressurize has preferable 0.05-0.3 MPa.
Besides filtration using a filter, removal of impurities may be performed using an adsorbent. In addition, filtration using a filter and removal of impurities using an adsorbent may be performed in combination. As the adsorbent, known adsorbents can be used. For example, inorganic adsorbents such as silica gel and zeolite, and organic adsorbents such as activated carbon can be used.

<用途>
本発明の硬化膜の製造方法は、半導体デバイスの絶縁膜、再配線層用層間絶縁膜などの分野に好ましく用いることができる。すなわち、本発明は、本発明の硬化膜の製造方法を含む、半導体デバイスの製造方法をも開示する。特に、解像性が良好であるため、3次元実装デバイスにおける再配線層用層間絶縁膜などの製造に好ましく用いることができる。すなわち、本発明は、本発明の硬化膜の製造方法を含む、再配線層用層間絶縁膜の製造方法をも開示する。さらに、本発明の硬化膜の製造方法で得られた硬化膜、ならびに、本発明の硬化膜の製造方法で得られた半導体デバイスを開示する。
また、本発明によって製造される硬化膜は、エレクトロニクス用のフォトレジスト(ガルバニック(電解)レジスト(galvanic resist)、エッチングレジスト、ソルダートップレジスト(solder top resist))などに用いることもできる。
また、本発明によって製造される硬化膜は、オフセット版面またはスクリーン版面などの版面の製造、成形部品のエッチングへの使用、エレクトロニクス、特にマイクロエレクトロニクスにおける保護ラッカーおよび誘電層の製造などに用いることもできる。
<Use>
The method for producing a cured film of the present invention can be preferably used in the fields of insulating films for semiconductor devices, interlayer insulating films for rewiring layers, and the like. That is, the present invention also discloses a method of manufacturing a semiconductor device including the method of manufacturing a cured film of the present invention. In particular, since the resolution is good, it can be preferably used for the production of an interlayer insulating film for rewiring layers in a three-dimensional mounting device. That is, the present invention also discloses a method for producing an interlayer insulating film for rewiring layer, including the method for producing a cured film of the present invention. Furthermore, a cured film obtained by the method for producing a cured film of the present invention, and a semiconductor device obtained by the method for producing a cured film of the present invention are disclosed.
Moreover, the cured film manufactured by this invention can also be used for the photoresist (galvanic (electrolytic) resist (galvanic resist), an etching resist, a solder top resist (solder top resist)) etc. for electronics.
The cured films produced according to the invention can also be used for the production of printing plates, such as offset printing plates or screen printing plates, for use in the etching of molded parts, for the production of protective lacquers and dielectric layers in electronics, especially in microelectronics .

次に、上記組成物を再配線層用層間絶縁膜に用いた半導体デバイスの一実施形態について説明する。
図1に示す半導体デバイス100は、いわゆる3次元実装デバイスであり、複数の半導体素子(半導体チップ)101a〜101dが積層した積層体101が、配線基板120に配置されている。
なお、この実施形態では、半導体素子(半導体チップ)の積層数が4層である場合を中心に説明するが、半導体素子(半導体チップ)の積層数は特に限定されるものではなく、例えば、2層、8層、16層、32層等であってもよい。また、1層であってもよい。
Next, an embodiment of a semiconductor device using the above composition for an interlayer insulating film for redistribution layers will be described.
A semiconductor device 100 illustrated in FIG. 1 is a so-called three-dimensional mounting device, and a stacked body 101 in which a plurality of semiconductor elements (semiconductor chips) 101 a to 101 d are stacked is disposed on a wiring substrate 120.
Although this embodiment will be described focusing on the case where the number of stacked semiconductor elements (semiconductor chips) is four, the number of stacked semiconductor elements (semiconductor chips) is not particularly limited. It may be a layer, eight layers, sixteen layers, thirty two layers or the like. Also, it may be a single layer.

複数の半導体素子101a〜101dは、いずれもシリコン基板等の半導体ウエハからなる。
最上段の半導体素子101aは、貫通電極を有さず、その一方の面に電極パッド(図示せず)が形成されている。
半導体素子101b〜101dは、貫通電極102b〜102dを有し、各半導体素子の両面には、貫通電極に一体に設けられた接続パッド(図示せず)が設けられている。
The plurality of semiconductor elements 101a to 101d are all made of a semiconductor wafer such as a silicon substrate.
The uppermost semiconductor element 101a does not have a through electrode, and an electrode pad (not shown) is formed on one surface thereof.
The semiconductor elements 101b to 101d have through electrodes 102b to 102d, and connection pads (not shown) integrally provided on the through electrodes are provided on both surfaces of each semiconductor element.

積層体101は、貫通電極を有さない半導体素子101aと、貫通電極102b〜102dを有する半導体素子101b〜101dとをフリップチップ接続した構造を有している。
すなわち、貫通電極を有さない半導体素子101aの電極パッドと、これに隣接する貫通電極102bを有する半導体素子101bの半導体素子101a側の接続パッドが、半田バンプ等の金属バンプ103aで接続され、貫通電極102bを有する半導体素子101bの他側の接続パッドが、それに隣接する貫通電極102cを有する半導体素子101cの半導体素子101b側の接続パッドと、半田バンプ等の金属バンプ103bで接続されている。同様に、貫通電極102cを有する半導体素子101cの他側の接続パッドが、それに隣接する貫通電極102dを有する半導体素子101dの半導体素子101c側の接続パッドと、半田バンプ等の金属バンプ103cで接続されている。
The stacked body 101 has a structure in which a semiconductor element 101a having no through electrode and a semiconductor element 101b to 101d having through electrodes 102b to 102d are flip-chip connected.
That is, the electrode pad of the semiconductor element 101a having no through electrode and the connection pad on the semiconductor element 101a side of the semiconductor element 101b having the through electrode 102b adjacent thereto are connected by the metal bump 103a such as a solder bump The connection pad on the other side of the semiconductor element 101b having the electrode 102b is connected to the connection pad on the semiconductor element 101b side of the semiconductor element 101c having the through electrode 102c adjacent thereto by a metal bump 103b such as a solder bump. Similarly, the connection pad on the other side of the semiconductor element 101c having the through electrode 102c is connected to the connection pad on the semiconductor element 101c side of the semiconductor element 101d having the through electrode 102d adjacent thereto via the metal bump 103c such as a solder bump. ing.

各半導体素子101a〜101dの間隙には、アンダーフィル層110が形成されており、各半導体素子101a〜101dは、アンダーフィル層110を介して積層している。   Underfill layers 110 are formed in the gaps between the semiconductor elements 101a to 101d, and the semiconductor elements 101a to 101d are stacked via the underfill layer 110.

積層体101は、配線基板120に積層されている。
配線基板120としては、例えば樹脂基板、セラミックス基板、ガラス基板等の絶縁基板を基材として用いた多層配線基板が使用される。樹脂基板を適用した配線基板120としては、多層銅張積層板(多層プリント配線板)等が挙げられる。
The stacked body 101 is stacked on the wiring substrate 120.
As the wiring substrate 120, for example, a multilayer wiring substrate using an insulating substrate such as a resin substrate, a ceramic substrate, or a glass substrate as a base material is used. Examples of the wiring substrate 120 to which a resin substrate is applied include a multilayer copper-clad laminate (multilayer printed wiring board) and the like.

配線基板120の一方の面には、表面電極120aが設けられている。
配線基板120と積層体101との間には、再配線層105が形成された絶縁層115が配置されており、配線基板120と積層体101とは、再配線層105を介して電気的に接続されている。絶縁層115は、本発明における感光性樹脂組成物を用いて形成してなるものである。
すなわち、再配線層105の一端は、半田バンプ等の金属バンプ103dを介して、半導体素子101dの再配線層105側の面に形成された電極パッドに接続されている。また、再配線層105の他端は、配線基板の表面電極120aと、半田バンプ等の金属バンプ103eを介して接続している。
そして、絶縁層115と積層体101との間には、アンダーフィル層110aが形成されている。また、絶縁層115と配線基板120との間には、アンダーフィル層110bが形成されている。
A surface electrode 120 a is provided on one surface of the wiring substrate 120.
The insulating layer 115 on which the rewiring layer 105 is formed is disposed between the wiring substrate 120 and the stacked body 101, and the wiring substrate 120 and the stacked body 101 are electrically connected to each other through the rewiring layer 105. It is connected. The insulating layer 115 is formed by using the photosensitive resin composition of the present invention.
That is, one end of the redistribution layer 105 is connected to an electrode pad formed on the surface of the semiconductor element 101d on the redistribution layer 105 side via the metal bump 103d such as a solder bump. Further, the other end of the rewiring layer 105 is connected to the surface electrode 120a of the wiring board via the metal bump 103e such as a solder bump.
An underfill layer 110 a is formed between the insulating layer 115 and the stack 101. Also, an underfill layer 110 b is formed between the insulating layer 115 and the wiring substrate 120.

上記の他、本発明によって製造される硬化膜は、ポリイミドやポリベンゾオキサゾールを用いる各種用途に広く採用できる。
また、ポリイミドやポリベンゾオキサゾールは熱に強いため、本発明によって製造される硬化膜等は、液晶ディスプレイ、電子ペーパーなどの表示装置用の透明プラスチック基板、自動車部品、耐熱塗料、コーティング剤、フィルム用途としても好適に利用できる。
In addition to the above, the cured film produced by the present invention can be widely adopted in various applications using polyimide and polybenzoxazole.
In addition, since polyimide and polybenzoxazole are resistant to heat, the cured film produced according to the present invention is used for transparent plastic substrates for display devices such as liquid crystal displays and electronic papers, automobile parts, heat resistant paints, coating agents and films Can also be suitably used.

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be more specifically described by way of examples. The materials, amounts used, proportions, treatment contents, treatment procedures and the like shown in the following examples can be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention. Accordingly, the scope of the present invention is not limited to the specific examples shown below.

<重量平均分子量(Mw)・数平均分子量(Mn)の測定方法>
MwおよびMnは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)測定によるポリスチレン換算値であり、以下の方法により測定した。
測定装置としてHLC−8220(東ソー(株)製)を使用し、カラムとしてガードカラムHZ−L、TSKgel Super HZM−M、TSKgel Super HZ4000、TSKgel Super HZ3000、TSKgel Super HZ2000(東ソー(株)製)を用いた。また溶離液はTHF(テトラヒドロフラン)を用い、40℃で流速0.35mL/分の速度にて測定を行った。検出は紫外線(UV)254nm検出器を使用した。また測定サンプルとしては、複素環含有ポリマー前駆体をTHFで0.1質量%に希釈調整したサンプルを使用した。
<Method of measuring weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn)>
Mw and Mn are the polystyrene conversion value by gel permeation chromatography (GPC) measurement, and were measured by the following method.
Using HLC-8220 (manufactured by Tosoh Corp.) as a measuring apparatus, guard columns HZ-L, TSKgel Super HZM-M, TSKgel Super HZ4000, TSKgel Super HZ 3000, TSKgel Super HZ 2000 (manufactured by Tosoh Corp.) Using. The eluent was THF (tetrahydrofuran), and the measurement was performed at 40 ° C. and at a flow rate of 0.35 mL / min. The detection used the ultraviolet-ray (UV) 254 nm detector. Further, as a measurement sample, a sample in which the heterocycle-containing polymer precursor was diluted to 0.1% by mass with THF was used.

(合成例1 PIp−Aの合成)
21.2gの4,4’−オキシジフタル酸二無水物(140℃で12時間乾燥)と、18.1gの2−ヒドロキシエチルメタクリレートと、0.05gのハイドロキノンと、23.9gのピリジンと、150mLのジグリム(ジエチレングリコールジメチルエーテル)とを混合し、60℃の温度で2時間撹拌して、4,4’−オキシジフタル酸と2−ヒドロキシエチルメタクリレートとのジエステルを製造した。次いで、反応混合物を−10℃に冷却し、温度を−10±4℃に保ちながら17.1gのSOClを60分かけて加えた。50mLのN−メチルピロリドンで希釈した後、100mLのN−メチルピロリドンに11.7gの4,4’−ジアミノジフェニルエーテルを溶解させた溶液を−10±4℃で60分かけて反応混合物に滴下して、混合物を2時間攪拌した。次いで、6リットルの水に投入し、ポリイミド前駆体を沈殿させ、水−ポリイミド前駆体混合物を5,000rpmの速度で15分間撹拌した。ポリイミド前駆体を濾取し、再度4リットルの水に投入してさらに30分間撹拌し、再び濾過した。次いで、得られたポリイミド前駆体を、減圧下、45℃で3日間乾燥した。
このポリイミド前駆体は、重量平均分子量16,000、数平均分子量7,620、分散度2.1であった。
Synthesis Example 1 Synthesis of PIp-A
21.2 g of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (dried at 140 ° C for 12 hours), 18.1 g of 2-hydroxyethyl methacrylate, 0.05 g of hydroquinone, 23.9 g of pyridine, 150 mL The mixture was mixed with diglyme (diethylene glycol dimethyl ether) and stirred at a temperature of 60.degree. C. for 2 hours to produce a diester of 4,4'-oxydiphthalic acid and 2-hydroxyethyl methacrylate. The reaction mixture was then cooled to −10 ° C. and 17.1 g of SOCl 2 was added over 60 minutes, keeping the temperature at −10 ± 4 ° C. After dilution with 50 mL of N-methylpyrrolidone, a solution of 11.7 g of 4,4'-diaminodiphenyl ether in 100 mL of N-methylpyrrolidone is added dropwise to the reaction mixture over 60 minutes at -10 ± 4 ° C The mixture was stirred for 2 hours. Then, it was poured into 6 liters of water to precipitate the polyimide precursor, and the water-polyimide precursor mixture was stirred at a speed of 5,000 rpm for 15 minutes. The polyimide precursor was filtered off, again poured into 4 liters of water, stirred for a further 30 minutes and filtered again. Next, the obtained polyimide precursor was dried at 45 ° C. for 3 days under reduced pressure.
The polyimide precursor had a weight average molecular weight of 16,000, a number average molecular weight of 7,620, and a degree of dispersion of 2.1.

<合成例2 PIp−Bの合成>
10.5gのピロメリット酸二無水物と、10.0gの4,4’−ジアミノジフェニルエーテルと、4.0gのピリジンと、150mLのN−メチル−2−ピロリドンとを混合し、60℃の温度で3時間攪拌した。次いで、6リットルの水に投入し、ポリイミド前駆体を沈殿させ、水−ポリイミド前駆体混合物を5,000rpmの速度で15分間撹拌した。ポリイミド前駆体を濾取し、再度6リットルの水に投入して、さらに30分間撹拌し、再び濾過した。次いで、得られたポリイミド前駆体を、減圧下、45℃で3日間乾燥した。
このポリイミド前駆体は、重量平均分子量20,000、数平均分子量8,000、分散度2.5であった。
Synthesis Example 2 Synthesis of PIp-B
Mix 10.5 g of pyromellitic dianhydride, 10.0 g of 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4.0 g of pyridine and 150 mL of N-methyl-2-pyrrolidone at a temperature of 60 ° C. The mixture was stirred for 3 hours. Then, it was poured into 6 liters of water to precipitate the polyimide precursor, and the water-polyimide precursor mixture was stirred at a speed of 5,000 rpm for 15 minutes. The polyimide precursor was filtered off, poured again into 6 liters of water, stirred for a further 30 minutes and filtered again. Next, the obtained polyimide precursor was dried at 45 ° C. for 3 days under reduced pressure.
The polyimide precursor had a weight average molecular weight of 20,000, a number average molecular weight of 8,000, and a degree of dispersion of 2.5.

<合成例3 PBp−Dの合成>
N−メチル−2−ピロリドン100mLに、2,2'−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン13.92gを添加し、攪拌して溶解した。続いて、温度を0〜5℃に保ちながら、スベリン酸ジクロリド8.00gを10分間で滴下した後、60分間攪拌を続けた。次いで、6リットルの水に投入し、ポリベンゾオキサゾール前駆体を沈殿させ、水−ポリベンゾオキサゾール前駆体混合物を5,000rpmの速度で15分間撹拌した。ポリベンゾオキサゾール前駆体を濾取し、再度6リットルの水に投入して、さらに30分間撹拌し、再び濾過した。次いで、得られたポリベンゾオキサゾール前駆体を、減圧下、45℃で3日間乾燥した。
このポリベンゾオキサゾール前駆体は、重量平均分子量11,500、数平均分子量6,800、分散度1.7であった。
Synthesis Example 3 Synthesis of PBp-D
To 100 mL of N-methyl-2-pyrrolidone, 13.92 g of 2,2'-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane was added and dissolved by stirring. Subsequently, 8.00 g of suberic acid dichloride was added dropwise over 10 minutes while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C., and stirring was continued for 60 minutes. Then, it was poured into 6 liters of water to precipitate the polybenzoxazole precursor, and the water-polybenzoxazole precursor mixture was stirred at a speed of 5,000 rpm for 15 minutes. The polybenzoxazole precursor was filtered off, poured again into 6 liters of water, stirred for a further 30 minutes and filtered again. Then, the obtained polybenzoxazole precursor was dried under reduced pressure at 45 ° C. for 3 days.
The polybenzoxazole precursor had a weight average molecular weight of 11,500, a number average molecular weight of 6,800, and a dispersity of 1.7.

<合成例4 PBp−Eの合成>
合成例3において、スベリン酸ジクロリドを、11.21gの4,4'−オキシジベンゾイルクロリドに変更した以外は同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体を得た。
このポリベンゾオキサゾール前駆体は、重量平均分子量15,000、数平均分子量7,100、分散度2.1であった。
Synthesis Example 4 Synthesis of PBp-E
A polybenzoxazole precursor was obtained in the same manner as in Synthesis Example 3, except that suberic acid dichloride was changed to 11.21 g of 4,4′-oxydibenzoyl chloride.
The polybenzoxazole precursor had a weight average molecular weight of 15,000, a number average molecular weight of 7,100, and a degree of dispersion of 2.1.

<合成例5 PB−Fの合成>
合成例3において、スベリン酸ジクロリドを、8.55gのアゼライン酸クロリドに変更した以外は同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体を得た。得られた前駆体をN−メチル−2−ピロリドン100mLに溶解させ、100mgのp−トルエンスルホン酸を添加し、200℃で48時間攪拌し、オキサゾール化を完了させた。次いで、6リットルの水に投入し、ポリベンゾオキサゾールを沈殿させ、水−ポリベンゾオキサゾール混合物を5,000rpmの速度で15分間撹拌した。ポリベンゾオキサゾールを濾取し、再度6リットルの水に投入して、さらに30分間撹拌し、再び濾過した。次いで、得られたポリベンゾオキサゾールを、減圧下、45℃で3日間乾燥した。
このポリベンゾオキサゾールは、重量平均分子量17,500、数平均分子量10,000、分散度1.8であった。
Synthesis Example 5 Synthesis of PB-F
A polybenzoxazole precursor was obtained in the same manner as in Synthesis Example 3, except that suberic acid dichloride was changed to 8.55 g of azelaic acid chloride. The obtained precursor was dissolved in 100 mL of N-methyl-2-pyrrolidone, 100 mg of p-toluenesulfonic acid was added, and stirred at 200 ° C. for 48 hours to complete oxazolization. Then, it was poured into 6 liters of water to precipitate polybenzoxazole, and the water-polybenzoxazole mixture was stirred at a speed of 5,000 rpm for 15 minutes. The polybenzoxazole was filtered off, poured again into 6 liters of water, stirred for a further 30 minutes and filtered again. The resulting polybenzoxazole was then dried at 45 ° C. for 3 days under reduced pressure.
The polybenzoxazole had a weight average molecular weight of 17,500, a number average molecular weight of 10,000, and a dispersion degree of 1.8.

<合成例6 PIp−C>
合成例1において、21.2gの4,4’−オキシジフタル酸二無水物を、20.1gのジフェニル−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物に変更した以外は同様にして、ポリイミド前駆体を得た。
20.1gのジフェニル−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物(140℃で12時間乾燥)と、18.1gの2−ヒドロキシエチルメタクリレートと、0.05gのハイドロキノンと、23.9gのピリジンと、150mLのN−メチルピロリドンとを混合し、60℃の温度で2時間撹拌して、4,4’−オキシジフタル酸と2−ヒドロキシエチルメタクリレートとのジエステルを製造した。次いで、反応混合物を−10℃に冷却し、温度を−10±4℃に保ちながら17.1gのSOClを60分かけて加えた。50mLのN−メチルピロリドンで希釈した後、100mLのN−メチルピロリドンに11.7gの4,4’−ジアミノジフェニルエーテルを溶解させた溶液を−10±4℃で60分かけて反応混合物に滴下して、混合物を2時間攪拌した。次いで、6リットルの水を投入してポリイミド前駆体を沈殿させ、水−ポリイミド前駆体混合物を5,000rpmの速度で15分間撹拌した。ポリイミド前駆体を濾取し、再度4リットルの水に投入し、さらに30分間撹拌し、再び濾過した。次いで、得られたポリイミド前駆体を、減圧下、45℃で3日間乾燥した。
このポリイミド前駆体は、重量平均分子量15,000、数平均分子量6,820、分散度2.2であった。
Synthesis Example 6 PIp-C
The same procedure as in Synthesis Example 1 was repeated except that 21.2 g of 4,4'-oxydiphthalic acid dianhydride was changed to 20.1 g of diphenyl-3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic acid dianhydride. The polyimide precursor was obtained.
20.1 g of diphenyl-3,3 ′, 4,4′-tetracarboxylic acid dianhydride (dried at 140 ° C. for 12 hours), 18.1 g of 2-hydroxyethyl methacrylate and 0.05 g of hydroquinone 23.9 g of pyridine and 150 mL of N-methylpyrrolidone were mixed and stirred at a temperature of 60 ° C. for 2 hours to produce a diester of 4,4′-oxydiphthalic acid and 2-hydroxyethyl methacrylate. The reaction mixture was then cooled to −10 ° C. and 17.1 g of SOCl 2 was added over 60 minutes, keeping the temperature at −10 ± 4 ° C. After dilution with 50 mL of N-methylpyrrolidone, a solution of 11.7 g of 4,4'-diaminodiphenyl ether in 100 mL of N-methylpyrrolidone is added dropwise to the reaction mixture over 60 minutes at -10 ± 4 ° C The mixture was stirred for 2 hours. Then, 6 liters of water was added to precipitate the polyimide precursor, and the water-polyimide precursor mixture was stirred at a speed of 5,000 rpm for 15 minutes. The polyimide precursor was filtered off, again poured into 4 liters of water, stirred for a further 30 minutes and filtered again. Next, the obtained polyimide precursor was dried at 45 ° C. for 3 days under reduced pressure.
The polyimide precursor had a weight average molecular weight of 15,000, a number average molecular weight of 6,820, and a degree of dispersion of 2.2.

<実施例および比較例>
下記記載の成分を混合し、均一な溶液として、組成物(塗布液)を調製した。
<<組成物の組成>>
複素環含有ポリマー前駆体:表6または7記載の質量%
アミン発生剤:表6または7記載の質量%
重合開始剤:表6または7記載の質量%
架橋剤:表6または7記載の質量%
溶剤:表6または7記載の質量%
尚、実施例1において、複素環含有ポリマー前駆体の「PIp−A」は前駆体の種類を、「33」の数値は組成物中における配合量(単位:質量%)を示している。他の成分についても、同様である。他の実施例および比較例についても同様である。
<Example and Comparative Example>
The following components were mixed to prepare a composition (coating solution) as a homogeneous solution.
<< Composition Composition >>
Heterocycle-containing polymer precursor: mass% according to Table 6 or 7
Amine generator: mass% described in Table 6 or 7
Polymerization initiator: mass% described in Table 6 or 7
Crosslinking agent: mass% described in Table 6 or 7
Solvent:% by mass listed in Table 6 or 7
In Example 1, “PIp-A” of the heterocycle-containing polymer precursor indicates the type of precursor, and the numerical value “33” indicates the compounding amount (unit: mass%) in the composition. The same applies to the other components. The same applies to other examples and comparative examples.

TBG1は、アミン発生温度150℃、pKa1=1.9である。
TBG2は、アミン発生温度150℃、pKa1=1.9である。
TBG3は、アミン発生温度150℃、pKa1=1.9である。
TBG4は、アミン発生温度145℃である。
TBG5は、アミン発生温度150℃である。
TBG6は、アミン発生温度180℃である。
TBG1 has an amine generation temperature of 150 ° C. and pKa1 = 1.9.
TBG2 has an amine generation temperature of 150 ° C. and pKa1 = 1.9.
TBG3 has an amine generation temperature of 150 ° C. and pKa1 = 1.9.
TBG 4 has an amine generation temperature of 145 ° C.
TBG 5 has an amine generation temperature of 150 ° C.
TBG 6 has an amine generation temperature of 180 ° C.

INI1は、BASF製、IRGACURE−OXE01である。
INI2は、BASF製、IRGACURE−OXE02である。
INI3は、国際公開WO05/069075号パンフレットの合成例4に記載の方法にて合成。
INI4は、BASF製、IRGACURE784である。
INI1 is a product of BASF, IRGACURE-OXE01.
INI2 is IRGACURE-OXE02 manufactured by BASF.
INI 3 was synthesized by the method described in Synthesis Example 4 of International Publication WO 05/069075 Pamphlet.
INI 4 is IRGACURE 784 manufactured by BASF.

SLV1:Γ−ブチロラクトン
SLV2:ジメチルスルホキシド
SLV3:N−メチル−2−ピロリドン
SLV1: Γ-butyrolactone SLV2: dimethyl sulfoxide SLV3: N-methyl-2-pyrrolidone

link1は、分子量330であり、新中村化学工業製、4Gである。
link2は、分子量536であり、新中村化学工業製、9Gである。
link3は、分子量1136であり、新中村化学工業製、23Gである。
link4は、分子量318であり、東京化成工業製、T2058である。
link5は、分子量168であり、東京化成工業製、B1525である。
link6は、分子量951である。
link 1 has a molecular weight of 330 and is 4G manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.
link2 has a molecular weight of 536 and is 9G manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.
link 3 has a molecular weight of 1136 and is 23 G manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.
link4 has a molecular weight of 318 and is T2058 manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.
link5 has a molecular weight of 168 and is B1525 manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.
link 6 has a molecular weight of 951.

<アミン量>
ヘッドスペースサンプラーを接続したガスクロマトグラフィ(Agilent社製)を用い、下記条件にて、硬化膜中のアミン量を定量した。
4インチシリコンウエハ(1インチは、2.54cm)に、表6または7に記載の組成物を1,000rpmでスピンコートし、ホットプレート上で、100℃で2分間加熱し、成膜した。得られたウエハを窒素気流下のホットプレート上で、表6または7記載の条件にて加熱硬化させた。ここで、表6および7における加熱温度とは、加熱硬化時の最高加熱温度を意味し、加熱時間とは、最高加熱温度に到達してからの加熱時間をいう。また、昇温開始時の温度は25℃である。
得られたウエハを分割し、20mLバイアル瓶に詰め、ヘッドスペースサンプラーにて230℃、7分間硬化膜中の成分を揮発させた。
揮発した成分をガスクロマトグラフィ(Agilent社製)へ導入し、キャピラリーカラムHP−1MS(Agilent社製)を用い、150℃で5分加熱した後、5℃/分の昇温速度で昇温した後、230℃で5分間加熱しながら、分離し、検出器(Flame Ionization Detector、FID)(Agilent社製)により検出した。得られたアミンのピーク面積と、別途作成したアミンの検量線とから、硬化膜中におけるアミン含有量を計算した。尚、対応するアミンを種々の量バイアル瓶に秤量し、サンプルと同様の条件により測定し、得られたピーク面積と秤量値から検量線を作成した。
<Amine amount>
The amount of amine in the cured film was quantified using gas chromatography (manufactured by Agilent) connected with a head space sampler under the following conditions.
The composition described in Table 6 or 7 was spin-coated on a 4-inch silicon wafer (1 inch: 2.54 cm) at 1,000 rpm, and film formation was performed by heating at 100 ° C. for 2 minutes on a hot plate. The obtained wafer was heated and cured on a hot plate under a stream of nitrogen under the conditions described in Table 6 or 7. Here, the heating temperature in Tables 6 and 7 means the maximum heating temperature at the time of heat curing, and the heating time means the heating time after reaching the maximum heating temperature. Further, the temperature at the start of the temperature rise is 25.degree.
The obtained wafer was divided, packed in a 20 mL vial, and the components in the cured film were volatilized by a head space sampler at 230 ° C. for 7 minutes.
The volatilized component is introduced into gas chromatography (manufactured by Agilent), heated at 150 ° C. for 5 minutes using capillary column HP-1MS (manufactured by Agilent), and then heated at a temperature rising rate of 5 ° C./min. It isolate | separated, heating at 230 degreeC for 5 minutes, and it detected with the detector (Flame Ionization Detector, FID) (made by Agilent). The amine content in the cured film was calculated from the peak area of the obtained amine and the calibration curve of the amine prepared separately. The corresponding amines were weighed in various amounts into vials, measured under the same conditions as the samples, and a calibration curve was prepared from the obtained peak areas and the weighed values.

<耐腐食性>
銅が蒸着された4インチシリコンウエハに、表6または7に記載の組成物を1,000rpmでスピンコートし、ホットプレート上で、100℃で2分間加熱し、成膜した。得られたウエハを窒素気流下のホットプレート上で、表6または7に記載の条件にて加熱硬化させた。
硬化後、得られたウエハを、温度85℃、相対湿度85%の条件下に放置し、銅表面が着色するまでの時間を計測した。着色は目視にて確認した。耐腐食性について以下の観点で評価した。
A:3時間以上経過しても着色が見られない
B:1時間を越えて3時間以内に着色が見られた
C:1時間以内に着色が見られた
<Corrosion resistance>
The composition described in Table 6 or 7 was spin-coated at 1,000 rpm onto a copper-deposited 4-inch silicon wafer, and was deposited on a hot plate by heating at 100 ° C. for 2 minutes. The obtained wafer was heat cured on the hot plate under a stream of nitrogen under the conditions described in Table 6 or 7.
After curing, the obtained wafer was left under the conditions of a temperature of 85 ° C. and a relative humidity of 85%, and the time until the copper surface was colored was measured. The color was checked visually. The corrosion resistance was evaluated from the following viewpoints.
A: No color was observed even after 3 hours or more B: Color was observed within 3 hours over 1 hour C: Color was observed within 1 hour

<耐薬品性>
4インチシリコンウエハに、表6または7に記載の組成物を1,000rpmでスピンコートし、ホットプレート上で、100℃で2分間加熱し、成膜した。得られたウエハを窒素気流下のホットプレート上で、表6または7記載の条件にて加熱硬化させた。
硬化後、得られたウエハをN−メチル−2−ピロリドンに3時間浸漬し、イソプロピルアルコールで洗浄した後、風乾させた。得られたウエハの硬化膜におけるクラックの有無を目視にて観察した。耐薬品性について以下の観点で評価した。
A:ウエハ全面においてクラックが見られなかった
B:ウエハの一部にクラックが見られた
C:ウエハの全面にクラックが見られた
<Chemical resistance>
The composition described in Table 6 or 7 was spin-coated on a 4-inch silicon wafer at 1,000 rpm, and film formation was performed by heating at 100 ° C. for 2 minutes on a hot plate. The obtained wafer was heated and cured on a hot plate under a stream of nitrogen under the conditions described in Table 6 or 7.
After curing, the obtained wafer was immersed in N-methyl-2-pyrrolidone for 3 hours, washed with isopropyl alcohol and air dried. The presence or absence of cracks in the cured film of the obtained wafer was visually observed. The chemical resistance was evaluated from the following viewpoints.
A: No cracks were observed on the entire surface of the wafer B: Cracks were observed on part of the wafer C: Cracks were observed on the entire surface of the wafer

<アウトガス性>
4インチシリコンウエハに、表6または7に記載の組成物を1,000rpmでスピンコートし、ホットプレート上で、100℃で2分間加熱し、成膜した。得られたウエハを窒素気流下のホットプレート上で、表6または7記載の条件にて加熱硬化させた。
硬化後、得られたウエハを熱重量分析装置(Q−500、TA Instruments社製)にて、窒素気流下、350℃まで10℃/分で昇温させ、質量減少率を測定した。
アウトガス性について以下の観点で評価した。
A:質量減少率が1%未満
B:質量減少率が1%以上5%未満
C:質量減少率が5%以上
<Outgassing>
The composition described in Table 6 or 7 was spin-coated on a 4-inch silicon wafer at 1,000 rpm, and film formation was performed by heating at 100 ° C. for 2 minutes on a hot plate. The obtained wafer was heated and cured on a hot plate under a stream of nitrogen under the conditions described in Table 6 or 7.
After curing, the obtained wafer was heated by a thermogravimetric analyzer (Q-500, manufactured by TA Instruments) to 350 ° C. at a rate of 10 ° C./min under a nitrogen stream to measure a mass reduction rate.
The outgassing properties were evaluated in the following points.
A: The mass reduction rate is less than 1% B: The mass reduction rate is 1% or more and less than 5% C: The mass reduction rate is 5% or more

上記の表から明らかなとおり、本発明の製造方法では、耐腐食性および耐薬品性に優れた硬化膜が得られた。特に、加熱の際の昇温温度を所定の範囲とすることにより、より各種性能に優れた硬化膜が得られた。   As is clear from the above-mentioned table, in the production method of the present invention, a cured film excellent in corrosion resistance and chemical resistance was obtained. In particular, by setting the temperature rising temperature for heating to a predetermined range, a cured film having more excellent various performances was obtained.

<実施例100>
実施例11の感光性樹脂組成物を、細孔の幅が0.8μmのフィルターを通して加圧濾過した後、銅薄層が形成された樹脂基板にスピニング(3,500rpm、30秒)して適用した。樹脂基板に適用した感光性樹脂組成物を、100℃で5分間乾燥した後、アライナー(Karl−Suss MA150)を用いて露光した。露光は高圧水銀ランプで行い、波長365nmでの露光エネルギーを測定した。露光の後、シクロペンタノンで75秒間画像を現像した。
次いで、180℃で20分加熱した。このようにして、再配線層用層間絶縁膜を形成した。
この再配線層用層間絶縁膜は、絶縁性に優れていた。
また、この再配線層用層間絶縁膜を使用して半導体デバイスを製造したところ、問題なく動作することを確認した。
Example 100
After pressure-filtering the photosensitive resin composition of Example 11 through a filter having a pore width of 0.8 μm, it is applied by spinning (3,500 rpm, 30 seconds) to a resin substrate on which a copper thin layer is formed. did. The photosensitive resin composition applied to the resin substrate was dried at 100 ° C. for 5 minutes and then exposed using an aligner (Karl-Suss MA150). The exposure was performed with a high pressure mercury lamp, and the exposure energy at a wavelength of 365 nm was measured. After exposure, the image was developed for 75 seconds with cyclopentanone.
It was then heated at 180 ° C. for 20 minutes. Thus, an interlayer insulating film for rewiring layer was formed.
The interlayer insulation film for the redistribution layer was excellent in insulation.
Moreover, when the semiconductor device was manufactured using this interlayer insulation film for rewiring layers, it confirmed that it operate | moveed without a problem.

100:半導体デバイス
101a〜101d:半導体素子
101:積層体
102b〜102d:貫通電極
103a〜103e:金属バンプ
105:再配線層
110、110a、110b:アンダーフィル層
115:絶縁層
120:配線基板
120a:表面電極
100: semiconductor devices 101a to 101d: semiconductor elements 101: laminates 102b to 102d: through electrodes 103a to 103e: metal bumps 105: rewiring layers 110, 110a, 110b: underfill layer 115: insulating layer 120: wiring substrate 120a: Surface electrode

Claims (18)

ポリイミド前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体の少なくとも1種と、アミン発生剤を含む組成物からなる層を、最高加熱温度250℃以下の温度で加熱することを含む、アミン含有量が50〜5,000ppmの硬化膜の製造方法。 The layer comprising the composition containing at least one of the polyimide precursor and the polybenzoxazole precursor and the amine generator is heated at a temperature of 250 ° C. or less at the maximum heating temperature, the amine content is 50 to 5, Method of producing a cured film of 000 ppm. 前記アミン発生剤が、光アミン発生剤および熱アミン発生剤の少なくとも1種である、請求項1に記載の硬化膜の製造方法。 The method for producing a cured film according to claim 1, wherein the amine generator is at least one of a photoamine generator and a thermal amine generator. 前記アミン発生剤が、熱アミン発生剤である、請求項1または2に記載の硬化膜の製造方法。 The method for producing a cured film according to claim 1, wherein the amine generator is a thermal amine generator. 前記組成物が、共役酸のpKa8以上のアミンを含まない、請求項1〜3のいずれか1項に記載の硬化膜の製造方法。 The manufacturing method of the cured film of any one of Claims 1-3 in which the said composition does not contain the amine more than pKa8 of a conjugate acid. 前記加熱を、20〜150℃の温度から前記最高加熱温度まで1〜10℃/分の昇温速度で行う、請求項1〜4のいずれか1項に記載の硬化膜の製造方法。 The method for producing a cured film according to any one of claims 1 to 4, wherein the heating is performed at a temperature rising rate of 1 to 10 ° C / minute from a temperature of 20 to 150 ° C to the maximum heating temperature. 前記加熱を、前記昇温速度で行い、最高加熱温度に到達した後、60〜240分間加熱を行う、請求項5に記載の硬化膜の製造方法。 The method for producing a cured film according to claim 5, wherein the heating is performed at the temperature rising rate, and heating is performed for 60 to 240 minutes after reaching the maximum heating temperature. 前記組成物が、前記アミン発生剤を、ポリイミド前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体の合計量に対し、0.01〜45質量%の割合で含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の硬化膜の製造方法。 The composition according to any one of claims 1 to 6, wherein the composition comprises the amine generator in a proportion of 0.01 to 45% by mass with respect to the total amount of the polyimide precursor and the polybenzoxazole precursor. Of the cured film of 前記ポリイミド前駆体が下記一般式(2)で表され、前記ポリベンゾオキサゾール前駆体が下記一般式(3)で表される、請求項1〜7のいずれか1項に記載の硬化膜の製造方法;
一般式(2)
一般式(2)中、AおよびAは、それぞれ独立に、酸素原子またはNHを表し、R111は、2価の有機基を表し、R115は、4価の有機基を表し、R113およびR114は、それぞれ独立に、水素原子または1価の有機基を表す;
一般式(3)
一般式(3)中、R121は、2価の有機基を表し、R122は、4価の有機基を表し、R123およびR124は、それぞれ独立に、水素原子または1価の有機基を表す。
The manufacturing of the cured film according to any one of claims 1 to 7, wherein the polyimide precursor is represented by the following general formula (2), and the polybenzoxazole precursor is represented by the following general formula (3). Method;
General formula (2)
In general formula (2), A 1 and A 2 each independently represent an oxygen atom or NH, R 111 represents a divalent organic group, R 115 represents a tetravalent organic group, and R 113 and R 114 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group;
General formula (3)
In formula (3), R 121 represents a divalent organic group, R 122 represents a tetravalent organic group, and R 123 and R 124 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group Represents
一般式(2)において、AおよびAの少なくとも一方が、酸素原子であり、R113およびR114のうち、隣接するAおよびAが酸素原子であるR113およびR114が、1価の有機基を表すか、または、
一般式(3)において、R121が直鎖状の脂肪族基である、請求項8に記載の硬化膜の製造方法。
In formula (2), at least one of A 1 and A 2 is an oxygen atom, of R 113 and R 114, R 113 and R 114 adjacent A 1 and A 2 is an oxygen atom, 1 Represent a valent organic group, or
The manufacturing method of the cured film of Claim 8 whose R <121> is a linear aliphatic group in General formula (3).
前記最高加熱温度が、160〜250℃である、請求項1〜9のいずれか1項に記載の硬化膜の製造方法。 The manufacturing method of the cured film of any one of Claims 1-9 whose said maximum heating temperature is 160-250 degreeC. 前記硬化膜のアミン含有量が、500〜2,000ppmである、請求項1〜10のいずれか1項に記載の硬化膜の製造方法。 The manufacturing method of the cured film of any one of Claims 1-10 whose amine content of the said cured film is 500-2,000 ppm. 前記組成物が、さらに、架橋剤を含む、請求項1〜11のいずれか1項に記載の硬化膜の製造方法。 The manufacturing method of the cured film of any one of Claims 1-11 in which the said composition contains a crosslinking agent further. 前記架橋剤の分子量が、100〜800である、請求項12に記載の硬化膜の製造方法。 The manufacturing method of the cured film of Claim 12 whose molecular weight of the said crosslinking agent is 100-800. 前記アミン発生剤が、40〜250℃に加熱するとアミンを発生する酸性化合物、および、pKa1が0〜4のアニオンとアンモニウムカチオンとを有するアンモニウム塩から選ばれる少なくとも1種である、請求項1〜13のいずれか1項に記載の硬化膜の製造方法。 The amine generator is at least one selected from an acidic compound which generates an amine when heated to 40 to 250 ° C., and an ammonium salt having an anion of pKa 1 of 0 to 4 and an ammonium cation. The manufacturing method of the cured film of any one of 13. 前記酸性化合物が、40〜250℃に加熱するとアミンを発生する化合物である、請求項14に記載の硬化膜の製造方法。 The manufacturing method of the cured film of Claim 14 which is a compound which generate | occur | produces an amine when the said acidic compound is heated at 40-250 degreeC. 前記酸性化合物が、アンモニウムカチオンとカルボン酸アニオンとの塩である、請求項14または15に記載の硬化膜の製造方法。 The manufacturing method of the cured film of Claim 14 or 15 whose said acidic compound is a salt of ammonium cation and carboxylic acid anion. 請求項1〜16のいずれか1項に記載の硬化膜の製造方法を含む、再配線層用層間絶縁膜の製造方法。 The manufacturing method of the interlayer insulation film for rewiring layers including the manufacturing method of the cured film of any one of Claims 1-16. 請求項1〜16のいずれか1項に記載の硬化膜の製造方法を含む、半導体デバイスの製造方法。 The manufacturing method of a semiconductor device containing the manufacturing method of the cured film of any one of Claims 1-16.
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