JP6490435B2 - Film forming method and film forming apparatus - Google Patents

Film forming method and film forming apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP6490435B2
JP6490435B2 JP2015014228A JP2015014228A JP6490435B2 JP 6490435 B2 JP6490435 B2 JP 6490435B2 JP 2015014228 A JP2015014228 A JP 2015014228A JP 2015014228 A JP2015014228 A JP 2015014228A JP 6490435 B2 JP6490435 B2 JP 6490435B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
deposition material
vapor deposition
distributor
chamber
film forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015014228A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2016125135A (en
Inventor
渡邉　優
優 渡邉
賓 範
賓 範
修一 島田
修一 島田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Optorun Co Ltd
Original Assignee
Optorun Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Optorun Co Ltd filed Critical Optorun Co Ltd
Publication of JP2016125135A publication Critical patent/JP2016125135A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6490435B2 publication Critical patent/JP6490435B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は成膜方法及び成膜装置に関し、特に、バッチ方式あるいはその他の方式で有機膜形成用蒸着材料の真空蒸着を行う成膜方法及び成膜装置に関するものである。   The present invention relates to a film forming method and a film forming apparatus, and more particularly to a film forming method and a film forming apparatus for performing vacuum evaporation of a vapor deposition material for forming an organic film by a batch method or other methods.

真空蒸着は無機膜及び有機膜を形成する方法として広く用いられており、真空蒸着により、光学部品などの表面に防汚膜として機能する有機膜を形成する方法が知られている。
例えば、真空蒸着装置を構成するチャンバ中に設けられたヒーターで有機膜形成用蒸着材料を加熱して気化させ、成膜対象物の表面に蒸着材料の蒸気を噴出して蒸着材料を堆積させ、有機膜を形成する。 Vacuum deposition is widely used as a method of forming an inorganic film and an organic film, and a method of forming an organic film that functions as an antifouling film on the surface of an optical component or the like by vacuum deposition is known.
For example, the vapor deposition material for organic film formation is heated and vaporized by a heater provided in a chamber constituting the vacuum vapor deposition apparatus, vapor of the vapor deposition material is ejected on the surface of the film formation target, and the vapor deposition material is deposited. An organic film is formed.

有機膜を形成するための蒸着装置としては、種々の構成のものが知られている。
例えば、特許文献１には、固体あるいは粉体の有機膜形成用蒸着材料を用いて真空蒸着により有機膜を成膜する成膜装置が記載されている。 As a vapor deposition apparatus for forming an organic film, those having various configurations are known.
For example, Patent Document 1 describes a film forming apparatus that forms an organic film by vacuum deposition using a solid or powder organic film forming vapor deposition material.

一方、例えば特許文献２の図４及び対応する明細書の記載には、液状の防汚剤を含浸させた多孔性タブレットあるいは液状の防汚剤そのものをボートで加熱して蒸着する蒸着装置が開示されている。   On the other hand, for example, FIG. 4 of Patent Document 2 and the description of the corresponding specification disclose a vapor deposition apparatus for vapor deposition by heating a porous tablet impregnated with a liquid antifouling agent or the liquid antifouling agent itself with a boat. Has been.

また、特許文献３には、多孔性無機酸化物マトリックスにパーフルロロアルキル基を有するシラン化合物などのオルガノシラン化合物を含浸させてなる蒸着材料を用いて高真空下で真空蒸着することで撥水性コーティングを施す方法が開示されている。   Patent Document 3 discloses water repellency by vacuum deposition under high vacuum using a deposition material obtained by impregnating a porous inorganic oxide matrix with an organosilane compound such as a silane compound having a perfluoroalkyl group. A method of applying a coating is disclosed.

上記の真空蒸着で用いられる有機膜形成用蒸着材料は、蒸着材料の劣化防止と均一性の確保の目的で溶媒に溶解された溶液の状態で用いられる場合がある。
しかしながら、例えばバッチ方式あるいはその他の方式で真空蒸着を行う成膜装置において、溶液の状態の有機膜形成用蒸着材料を用いて真空蒸着する場合、蒸着材料に溶媒が混入して成膜されやすく、形成される有機膜の耐久性及び耐摩擦性などの膜質が劣化してしまうという不利益がある。 The organic film-forming vapor deposition material used in the above vacuum vapor deposition may be used in the state of a solution dissolved in a solvent for the purpose of preventing deterioration of the vapor deposition material and ensuring uniformity.
However, for example, in a film forming apparatus that performs vacuum vapor deposition by a batch method or other methods, when vacuum vapor deposition is performed using a vapor deposition material for forming an organic film in a solution state, a film is easily mixed with a solvent in the vapor deposition material, There is a disadvantage that film quality such as durability and friction resistance of the formed organic film deteriorates.

また、蒸着材料に溶媒が混入するのを防止するため、溶媒を含まない有機膜形成用蒸着材料を用いたとしても、真空チャンバ中に蒸着材料供給部から蒸着材料を供給したときに、蒸着材料供給部の供給口近傍で蒸着材料の一部が成膜に供されることなく飛散してしまい、無駄になってしまうことがあり、これは製造コストを高める要因となり、さらに真空チャンバの汚染にも繋がる不利益がある。
上記の真空チャンバ中に蒸着材料供給部から蒸着材料を供給したときに、蒸着材料供給部の供給口近傍で蒸着材料の一部が成膜に供されることなく飛散してしまう問題は、有機膜形成用蒸着材料を溶媒に溶解した溶液を用いた場合でも発生する。 Further, in order to prevent the solvent from being mixed into the vapor deposition material, the vapor deposition material can be used when the vapor deposition material is supplied from the vapor deposition material supply unit into the vacuum chamber even if the organic film forming vapor deposition material not containing the solvent is used. In the vicinity of the supply port of the supply unit, a part of the vapor deposition material is scattered without being used for film formation, which may be wasted, which increases the manufacturing cost and further causes contamination of the vacuum chamber. There is also a disadvantage that leads to.
When the vapor deposition material is supplied from the vapor deposition material supply unit into the vacuum chamber, a problem that a part of the vapor deposition material is scattered without being used for film formation in the vicinity of the supply port of the vapor deposition material supply unit It occurs even when a solution in which a film-forming vapor deposition material is dissolved in a solvent is used.

特開２００９−２６３７５１号公報JP 2009-263755 A 特開２００２−１５５３５３号公報JP 2002-155353 A 特開平９−１３７１２２号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-137122

解決しようとする課題は、バッチ方式あるいはその他の方式で溶液あるいは液体の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合に、蒸着材料供給部の供給口近傍で蒸着材料の一部が成膜に供されることなく飛散してしまうことを防止することが難しいことである。   The problem to be solved is that when a vacuum deposition is performed using a deposition material in a solution or a liquid state by a batch method or other methods, a part of the deposition material is used for film formation near the supply port of the deposition material supply unit. It is difficult to prevent scattering without being performed.

本発明の成膜方法は、成膜基板を保持した基板ホルダと蒸着材料の分配器が内部に設けられた成膜チャンバと、前記成膜チャンバの外部に設けられた少なくとも一つの供給チャンバと、前記成膜チャンバ内部の前記分配器と前記供給チャンバとを所定間隔をおいて連通するように接続する接続部と、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバとを連通させまたは仕切り閉じた状態とすることが可能な仕切り部と、前記成膜チャンバに接続された第１の真空ポンプと、前記供給チャンバに接続された第２の真空ポンプと、を有し、前記供給チャンバは、蒸着材料溶液供給部と、前記供給チャンバの内部における前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部へと移動可能に設けられた蒸着材料受部と、前記蒸着材料受部の前記分配器の内部への移動に付随して移動し、前記蒸着材料受部が前記分配器の内部に移動されたときに、前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽する遮蔽部と、を含む成膜装置を用いた成膜方法であって、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記第１の真空ポンプを用いて前記成膜チャンバを真空引きする工程と、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で前記供給チャンバにおいて前記蒸着材料溶液供給部の下方に配置された前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液供給部から蒸着材料溶液を供給する工程と、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記第２の真空ポンプを用いて前記供給チャンバを真空引きすることにより、前記蒸着材料受部に供給された前記蒸着材料溶液に含有される蒸着材料を残して前記蒸着材料溶液の溶媒を除去する工程と、前記仕切り部を開けて前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを連通させる工程と、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部に移動する工程と、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部に移動する工程において、前記蒸着材料受部の移動に付随して移動するように前記蒸着材料受部に接続して設けられている遮蔽板により前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽する工程と、前記分配器の加熱により前記蒸着材料受部の前記蒸着材料を気化させ、前記分配器に設けられた開口部より気化した前記蒸着材料を前記成膜チャンバ内に噴出させ、前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程とを有する。
A film forming method of the present invention includes a film forming chamber in which a substrate holder holding a film forming substrate and a distributor for vapor deposition material are provided, and at least one supply chamber provided outside the film forming chamber, A connection part for connecting the distributor and the supply chamber in the film forming chamber so as to communicate with each other at a predetermined interval, the connection part and the distributor side, and the supply chamber are connected or closed. A partition that can be in a closed state, a first vacuum pump connected to the film formation chamber, and a second vacuum pump connected to the supply chamber, the supply chamber comprising: A vapor deposition material solution supply unit; a vapor deposition material receiving unit provided movably from the lower side of the vapor deposition material solution supply unit in the supply chamber to the inside of the distributor; and the vapor deposition material receiving unit When the deposition material receiving part moves to the inside of the distributor, the predetermined part of the connecting part connected to the distributor in the film forming chamber moves along with the movement to the inside of the distributor. A film forming apparatus including a shielding part that shields a position, wherein the partition part is closed, and the connection part and the distributor side are partitioned from the supply chamber side, In the supply chamber, the step of evacuating the film forming chamber using the first vacuum pump, the partition portion is closed, and the connection portion and the distributor side are separated from the supply chamber side. Supplying the vapor deposition material solution from the vapor deposition material solution supply unit to the vapor deposition material receiving unit disposed below the vapor deposition material solution supply unit; closing the partition; and connecting and the distributor side; The supply chain In a state where the chamber side is partitioned, the supply chamber is evacuated using the second vacuum pump to leave the vapor deposition material contained in the vapor deposition material solution supplied to the vapor deposition material receiving portion. Removing the solvent of the vapor deposition material solution; opening the partition portion to communicate the connection portion and the distributor side with the supply chamber side; and supplying the vapor deposition material receiving portion to the vapor deposition material solution supply Accompanying the movement of the vapor deposition material receiving part in the step of moving from below the part into the distributor and the step of moving the vapor deposition material receiving part from below the vapor deposition material solution supply part to the inside of the distributor. Shielding the predetermined position of the connecting portion connected to the distributor in the film forming chamber with a shielding plate provided connected to the vapor deposition material receiving portion so as to move; The vapor deposition material in the vapor deposition material receiving portion is vaporized by heating the distributor, the vapor deposition material vaporized from an opening provided in the distributor is ejected into the film formation chamber, and the vapor deposition material is injected into the film formation substrate. And forming a film thereon.

上記の本発明の成膜方法は、成膜基板を保持した基板ホルダと蒸着材料の分配器が内部に設けられた成膜チャンバと、前記成膜チャンバの外部に設けられた少なくとも一つの供給チャンバと、前記成膜チャンバ内部の前記分配器と前記供給チャンバとを所定間隔をおいて連通するように接続する接続部と、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバとを連通させまたは仕切り閉じた状態とすることが可能な仕切り部と、前記成膜チャンバに接続された第１の真空ポンプと、前記供給チャンバに接続された第２の真空ポンプと、を有し、前記供給チャンバは、蒸着材料溶液供給部と、前記供給チャンバの内部における前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部へと移動可能に設けられた蒸着材料受部と、前記蒸着材料受部の前記分配器の内部への移動に付随して移動し、前記蒸着材料受部が前記分配器の内部に移動されたときに、前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽する遮蔽部と、を含む成膜装置を用いて行う。
まず、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記第１の真空ポンプを用いて前記成膜チャンバを真空引きし、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で前記供給チャンバにおいて前記蒸着材料溶液供給部の下方に配置された前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液供給部から蒸着材料溶液を供給し、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記第２の真空ポンプを用いて前記供給チャンバを真空引きすることにより、前記蒸着材料受部に供給された前記蒸着材料溶液に含有される蒸着材料を残して前記蒸着材料溶液の溶媒を除去し、前記仕切り部を開けて前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを連通させ、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部に移動し、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部に移動する工程において、前記蒸着材料受部の移動に付随して移動するように前記蒸着材料受部に接続して設けられている遮蔽板により前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽し、前記分配器の加熱により前記蒸着材料受部の前記蒸着材料を気化させ、前記分配器に設けられた開口部より気化した前記蒸着材料を前記成膜チャンバ内に噴出させ、前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する。
The film forming method of the present invention includes a film forming chamber in which a substrate holder for holding a film forming substrate and a distributor for vapor deposition material are provided, and at least one supply chamber provided outside the film forming chamber. A connection part that connects the distributor in the film forming chamber and the supply chamber so as to communicate with each other at a predetermined interval; and the connection part and the distributor side, and the supply chamber communicates with each other. A partition portion that can be in a closed state; a first vacuum pump connected to the film formation chamber; and a second vacuum pump connected to the supply chamber; Is a vapor deposition material solution supply unit, a vapor deposition material receiving unit provided movably from below the vapor deposition material solution supply unit in the supply chamber to the inside of the distributor, and the vapor deposition material receiving unit When the deposition material receiving part is moved to the inside of the distributor, the connection part connected to the distributor in the film forming chamber moves along with the movement to the inside of the distributor. This is performed using a film forming apparatus including a shielding portion that shields a predetermined position.
First, the partition portion is closed, and the film forming chamber is evacuated using the first vacuum pump in a state where the connection portion and the distributor side and the supply chamber side are partitioned, and the partition portion The vapor deposition material solution is supplied to the vapor deposition material receiving portion disposed below the vapor deposition material solution supply portion in the supply chamber in a state in which the connection portion and the distributor side are separated from the supply chamber side. The vapor deposition material solution is supplied from the section, the partition section is closed, and the connection chamber and the distributor side are partitioned from the supply chamber side, and the supply chamber is vacuumed using the second vacuum pump. By pulling, the solvent of the vapor deposition material solution is removed leaving the vapor deposition material contained in the vapor deposition material solution supplied to the vapor deposition material receiving unit, the partition portion is opened, and the connection portion And the distributor side and the supply chamber side communicate with each other, the vapor deposition material receiving part is moved from below the vapor deposition material solution supply part to the inside of the distributor, and the vapor deposition material receiving part is moved to the vapor deposition material solution. In the step of moving from the lower side of the supply unit to the inside of the distributor, the film formation is performed by a shielding plate provided in connection with the vapor deposition material receiving unit so as to move accompanying the movement of the vapor deposition material receiving unit. A predetermined position of the connecting portion connected to the distributor in the chamber is shielded, and the vapor deposition material of the vapor deposition material receiving portion is vaporized by heating the distributor, and from an opening provided in the distributor The vaporized deposition material is ejected into the deposition chamber, and the deposition material is deposited on the deposition substrate.

上記の本発明の成膜方法は、好適には、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記成膜チャンバ内の当該分配器と前記供給チャンバ内を前記接続部により所定間隔をおいて接続させていることにより、少なくとも前記供給チャンバにおいて前記蒸着材料溶液供給部の下方に配置された前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液供給部から蒸着材料溶液を供給する工程、および前記供給チャンバを真空引きすることにより、前記蒸着材料受部に供給された前記蒸着材料溶液に含有される蒸着材料を残して前記蒸着材料溶液の溶媒を除去する工程における前記供給チャンバ内の状態の前記成膜チャンバへの影響を抑制し、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部に移動する工程において、前記蒸着材料受部の移動に付随して移動するように前記蒸着材料受部に接続して設けられている遮蔽板により前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽し、前記成膜チャンバ内の当該分配器と前記供給チャンバ内を前記接続部により所定間隔をおいて接続させていることにより、前記分配器の加熱により前記蒸着材料受部の前記蒸着材料を気化させる工程において、気化した前記蒸着材料の前記供給チャンバへの進入を抑制する。
In the film forming method of the present invention described above, the distributor in the film forming chamber is preferably closed with the partition portion closed and the connection portion and the distributor side partitioned from the supply chamber side. And the inside of the supply chamber are connected at a predetermined interval by the connecting portion, so that the vapor deposition material solution is supplied to at least the vapor deposition material receiving portion disposed below the vapor deposition material solution supply portion in the supply chamber. Supplying the vapor deposition material solution from the unit, and evacuating the supply chamber to leave the vapor deposition material contained in the vapor deposition material solution supplied to the vapor deposition material receiving unit and to remove the solvent of the vapor deposition material solution. In the step of removing, the influence of the state in the supply chamber on the film forming chamber is suppressed, and the vapor deposition material receiving portion is moved from below the vapor deposition material solution supply portion to the distributor. In the step of moving to the inside, the distributor is connected to the distributor in the film forming chamber by a shielding plate connected to the vapor deposition material receiving portion so as to move accompanying the movement of the vapor deposition material receiving portion. A predetermined position of the connecting portion is shielded, and the distributor in the film forming chamber and the supply chamber are connected at a predetermined interval by the connecting portion, so that the distributor is heated by the heating. In the step of vaporizing the vapor deposition material in the vapor deposition material receiving portion, the vaporized vapor deposition material is prevented from entering the supply chamber.

上記の本発明の成膜方法は、好適には、前記蒸着材料が防汚性の蒸着材料であり、前記成膜基板上に防汚膜を成膜する。   In the film forming method of the present invention, preferably, the vapor deposition material is an antifouling vapor deposition material, and an antifouling film is formed on the film formation substrate.

上記の本発明の成膜方法は、好適には、前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液を供給する工程から気化した前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程までを、１組の成膜基板ごとにバッチ方式で行う。   The film forming method of the present invention preferably includes a set of steps from supplying the vapor deposition material solution to the vapor deposition material receiving part to forming the vaporized vapor deposition material on the film formation substrate. A batch method is used for each film formation substrate.

上記の本発明の成膜方法は、好適には、前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液を供給する工程から気化した前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程までを、枚葉方式あるいはインライン方式で前記成膜チャンバに搬送される１組の成膜基板に対して断続的に行う。   In the film forming method of the present invention, preferably, from the step of supplying the vapor deposition material solution to the vapor deposition material receiving part to the step of depositing the vaporized vapor deposition material on the film formation substrate, The method is intermittently performed on a set of film formation substrates transferred to the film formation chamber by a method or an in-line method.

上記の本発明の成膜方法は、好適には、前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液を供給する工程を、前記供給チャンバの内部を大気圧下、加圧下または減圧下で行う。   In the film forming method of the present invention, preferably, the step of supplying the vapor deposition material solution to the vapor deposition material receiving portion is performed in the supply chamber under atmospheric pressure, under pressure or under reduced pressure.

上記の本発明の成膜方法は、好適には、前記蒸着材料受部が加熱可能に構成されており、前記蒸着材料溶液を供給する工程から前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程までの少なくともいずれかの工程において前記蒸着材料受部が加熱する。   In the film forming method of the present invention, preferably, the vapor deposition material receiving section is configured to be heatable, and the vapor deposition material is formed on the film formation substrate from the step of supplying the vapor deposition material solution. The vapor deposition material receiving part is heated in at least one of the steps up to the step.

上記の本発明の成膜方法は、好適には、１個の分配器に対して、前記仕切り部、前記蒸着材料溶液供給部、前記蒸着材料受部、及び、前記供給チャンバの組を複数個有した構成の成膜装置を用い、前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液を供給する工程から気化した前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程までを行う。   The film forming method of the present invention preferably includes a plurality of sets of the partition unit, the deposition material solution supply unit, the deposition material receiving unit, and the supply chamber for one distributor. Using the film forming apparatus having the above configuration, the process from the step of supplying the vapor deposition material solution to the vapor deposition material receiving part to the step of forming the vaporized vapor deposition material on the film formation substrate is performed.

上記の本発明の成膜方法は、好適には、前記分配器、前記仕切り部、前記蒸着材料溶液供給部、前記蒸着材料受部、及び、前記供給チャンバの組を複数個有した構成の成膜装置を用い、前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液を供給する工程から気化した前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程までを行う。   The film forming method of the present invention preferably includes a plurality of sets of the distributor, the partition, the vapor deposition material solution supply unit, the vapor deposition material receiving unit, and the supply chamber. From the step of supplying the vapor deposition material solution to the vapor deposition material receiving unit to the step of forming the vaporized vapor deposition material on the film formation substrate using a film apparatus.

また、本発明の成膜方法は、成膜基板を保持した基板ホルダと蒸着材料の分配器が内部に設けられた成膜チャンバと、前記成膜チャンバの外部に設けられた少なくとも一つの供給チャンバと、前記成膜チャンバ内部の前記分配器と前記供給チャンバとを所定間隔をおいて連通するように接続する接続部と、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバとを連通させまたは仕切り閉じた状態とすることが可能な仕切り部と、前記成膜チャンバに接続された第１の真空ポンプと、前記供給チャンバに接続された第２の真空ポンプと、を有し、前記供給チャンバは、蒸着材料供給部と、前記供給チャンバの内部における前記蒸着材料供給部の下方から前記分配器の内部へと移動可能に設けられた蒸着材料受部と、前記蒸着材料受部の前記分配器の内部への移動に付随して移動し、前記蒸着材料受部が前記分配器の内部に移動されたときに、前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽する遮蔽部と、を含む成膜装置を用いた成膜方法であって、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記第１の真空ポンプを用いて前記成膜チャンバを真空引きする工程と、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で前記供給チャンバにおいて前記蒸着材料供給部の下方に配置された前記蒸着材料受部に前記蒸着材料供給部から液体の蒸着材料を供給する工程と、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記第２の真空ポンプを用いて前記供給チャンバを真空引きする工程と、前記仕切り部を開けて前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを連通させる工程と、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料供給部の下方から前記分配器の内部に移動する工程と、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料供給部の下方から前記分配器の内部に移動する工程において、前記蒸着材料受部の移動に付随して移動するように前記蒸着材料受部に接続して設けられている遮蔽板により前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽する工程と、前記分配器の加熱により前記蒸着材料受部の前記蒸着材料を気化させ、前記分配器に設けられた開口部より気化した前記蒸着材料を前記成膜チャンバ内に噴出させ、前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程とを有する。
The film forming method of the present invention includes a film forming chamber in which a substrate holder holding a film forming substrate and a distributor for vapor deposition material are provided, and at least one supply chamber provided outside the film forming chamber. A connection part that connects the distributor in the film forming chamber and the supply chamber so as to communicate with each other at a predetermined interval; and the connection part and the distributor side, and the supply chamber communicates with each other. A partition portion that can be in a closed state; a first vacuum pump connected to the film formation chamber; and a second vacuum pump connected to the supply chamber; A vapor deposition material supply section, a vapor deposition material receiving section provided movably from below the vapor deposition material supply section in the supply chamber to the inside of the distributor, and the distribution of the vapor deposition material reception section. A predetermined portion of the connecting portion connected to the distributor in the film forming chamber when the deposition material receiving portion is moved to the inside of the distributor. A film forming apparatus including a shielding part that shields a position, wherein the partition part is closed, and the connection part and the distributor side are partitioned from the supply chamber side, In the supply chamber, the step of evacuating the film forming chamber using the first vacuum pump, the partition portion is closed, and the connection portion and the distributor side are separated from the supply chamber side. A step of supplying a liquid vapor deposition material from the vapor deposition material supply unit to the vapor deposition material receiving unit disposed below the vapor deposition material supply unit; closing the partition; and connecting the connection unit and the distributor side; Supply chamber side A step of evacuating the supply chamber using the second vacuum pump in a state of partitioning, and a step of opening the partition portion and communicating the connection portion and the distributor side with the supply chamber side And a step of moving the vapor deposition material receiving portion from below the vapor deposition material supply portion to the inside of the distributor, and a step of moving the vapor deposition material receiving portion from below the vapor deposition material supply portion to the inside of the distributor. The connecting portion connected to the distributor in the film forming chamber by a shielding plate connected to the vapor deposition material receiving portion so as to move accompanying the movement of the vapor deposition material receiving portion. A step of shielding a predetermined position, and the vapor deposition material in the vapor deposition material receiving portion is vaporized by heating the distributor, and the vapor deposition material vaporized from an opening provided in the distributor is placed in the film formation chamber. And ejecting and depositing the vapor deposition material on the deposition substrate.

上記の本発明の成膜方法は、成膜基板を保持した基板ホルダと蒸着材料の分配器が内部に設けられた成膜チャンバと、前記成膜チャンバの外部に設けられた少なくとも一つの供給チャンバと、前記成膜チャンバ内部の前記分配器と前記供給チャンバとを所定間隔をおいて連通するように接続する接続部と、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバとを連通させまたは仕切り閉じた状態とすることが可能な仕切り部と、前記成膜チャンバに接続された第１の真空ポンプと、前記供給チャンバに接続された第２の真空ポンプと、を有し、前記供給チャンバは、蒸着材料供給部と、前記供給チャンバの内部における前記蒸着材料供給部の下方から前記分配器の内部へと移動可能に設けられた蒸着材料受部と、前記蒸着材料受部の前記分配器の内部への移動に付随して移動し、前記蒸着材料受部が前記分配器の内部に移動されたときに、前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽する遮蔽部と、を含む成膜装置を用いて行う。
まず、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記第１の真空ポンプを用いて前記成膜チャンバを真空引きし、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で前記供給チャンバにおいて前記蒸着材料供給部の下方に配置された前記蒸着材料受部に前記蒸着材料供給部から液体の蒸着材料を供給し、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記第２の真空ポンプを用いて前記供給チャンバを真空引きし、前記仕切り部を開けて前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを連通させ、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料供給部の下方から前記分配器の内部に移動し、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料供給部の下方から前記分配器の内部に移動する工程において、前記蒸着材料受部の移動に付随して移動するように前記蒸着材料受部に接続して設けられている遮蔽板により前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽し、前記分配器の加熱により前記蒸着材料受部の前記蒸着材料を気化させ、前記分配器に設けられた開口部より気化した前記蒸着材料を前記成膜チャンバ内に噴出させ、前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する。
The film forming method of the present invention includes a film forming chamber in which a substrate holder for holding a film forming substrate and a distributor for vapor deposition material are provided, and at least one supply chamber provided outside the film forming chamber. A connection part that connects the distributor in the film forming chamber and the supply chamber so as to communicate with each other at a predetermined interval; and the connection part and the distributor side, and the supply chamber communicates with each other. A partition portion that can be in a closed state; a first vacuum pump connected to the film formation chamber; and a second vacuum pump connected to the supply chamber; A vapor deposition material supply section, a vapor deposition material receiving section provided movably from below the vapor deposition material supply section in the supply chamber to the inside of the distributor, and the distribution of the vapor deposition material reception section. A predetermined portion of the connecting portion connected to the distributor in the film forming chamber when the deposition material receiving portion is moved to the inside of the distributor. The film formation apparatus includes a shielding portion that shields the position.
First, the partition portion is closed, and the film forming chamber is evacuated using the first vacuum pump in a state where the connection portion and the distributor side and the supply chamber side are partitioned, and the partition portion The vapor deposition material supply section to the vapor deposition material receiving section disposed below the vapor deposition material supply section in the supply chamber in a state in which the connection section and the distributor side are separated from the supply chamber side. A liquid deposition material is supplied, the partition is closed, and the connection chamber and the distributor side are partitioned from the supply chamber side, and the supply chamber is evacuated using the second vacuum pump. Then, the partition part is opened to connect the connection part and the distributor side to the supply chamber side, and the vapor deposition material receiving part is moved from below the vapor deposition material supply part to the inside of the distributor. In the step of moving the vapor deposition material receiving unit from below the vapor deposition material supply unit to the inside of the distributor, the vapor deposition material receiving unit is connected to the vapor deposition material receiving unit so as to move along with the movement of the vapor deposition material receiving unit. A predetermined position of the connecting portion connected to the distributor in the film forming chamber is shielded by a shielding plate provided, and the vapor deposition material in the vapor deposition material receiving portion is vaporized by heating the distributor, The vapor deposition material vaporized from an opening provided in the distributor is ejected into the film formation chamber, and the vapor deposition material is formed on the film formation substrate.

上記の本発明の成膜方法は、好適には、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記成膜チャンバ内の当該分配器と前記供給チャンバ内を前記接続部により所定間隔をおいて接続させていることにより、少なくとも前記供給チャンバにおいて前記蒸着材料供給部の下方に配置された前記蒸着材料受部に前記蒸着材料供給部から液体の蒸着材料溶液を供給する工程、および前記供給チャンバを真空引きする工程における前記供給チャンバ内の状態の前記成膜チャンバへの影響を抑制し、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料供給部の下方から前記分配器の内部に移動する工程において、前記蒸着材料受部の移動に付随して移動するように前記蒸着材料受部に接続して設けられている遮蔽板により前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽し、前記成膜チャンバ内の当該分配器と前記供給チャンバ内を前記接続部により所定間隔をおいて接続させていることにより、前記分配器の加熱により前記蒸着材料受部の前記蒸着材料を気化させる工程において、気化した前記蒸着材料の前記供給チャンバへの進入を抑制する。
In the film forming method of the present invention described above, the distributor in the film forming chamber is preferably closed with the partition portion closed and the connection portion and the distributor side partitioned from the supply chamber side. And the supply chamber are connected to each other at a predetermined interval by the connection portion, so that at least the vapor deposition material receiving portion disposed below the vapor deposition material supply portion in the supply chamber is connected to the vapor deposition material supply portion. In the step of supplying the liquid vapor deposition material solution and the step of evacuating the supply chamber, the influence of the state in the supply chamber on the film formation chamber is suppressed, and the vapor deposition material receiving portion is connected to the vapor deposition material supply portion. In the step of moving from below to the inside of the distributor, a shielding plate provided to be connected to the vapor deposition material receiving portion so as to move accompanying the movement of the vapor deposition material receiving portion. Further, a predetermined position of the connecting portion connected to the distributor in the film forming chamber is shielded, and the distributor in the film forming chamber and the supply chamber are connected at a predetermined interval by the connecting portion. By doing so, in the step of vaporizing the vapor deposition material in the vapor deposition material receiving portion by heating the distributor, the vaporized vapor deposition material is prevented from entering the supply chamber.

上記の本発明の成膜方法は、好適には、前記蒸着材料が防汚性の蒸着材料であり、前記成膜基板上に防汚膜を成膜する。   In the film forming method of the present invention, preferably, the vapor deposition material is an antifouling vapor deposition material, and an antifouling film is formed on the film formation substrate.

上記の本発明の成膜方法は、好適には、前記蒸着材料受部に液体の前記蒸着材料を供給する工程から気化した前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程までを、１組の成膜基板ごとにバッチ方式で行う。   In the film forming method of the present invention, preferably, from the step of supplying the liquid vapor deposition material to the vapor deposition material receiving part to the step of depositing the vaporized vapor deposition material on the film formation substrate, 1 This is performed in a batch mode for each pair of deposition substrates.

上記の本発明の成膜方法は、好適には、前記蒸着材料受部に液体の前記蒸着材料を供給する工程から気化した前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程までを、枚葉方式あるいはインライン方式で前記成膜チャンバに搬送される１組の成膜基板に対して断続的に行う。   In the film forming method of the present invention, preferably, from the step of supplying the liquid vapor deposition material to the vapor deposition material receiving section to the step of depositing the vaporized vapor deposition material on the film formation substrate, This is intermittently performed on a set of film formation substrates transferred to the film formation chamber by a leaf method or an inline method.

上記の本発明の成膜方法は、好適には、前記蒸着材料受部に液体の前記蒸着材料を供給する工程を、前記供給チャンバの内部を大気圧下、加圧下、または減圧下で行う。   In the film forming method of the present invention, preferably, the step of supplying the liquid vapor deposition material to the vapor deposition material receiving part is performed in the supply chamber under atmospheric pressure, pressurized pressure, or reduced pressure.

上記の本発明の成膜方法は、好適には、前記蒸着材料受部が加熱可能に構成されており、液体の前記蒸着材料を供給する工程から前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程までの少なくともいずれかの工程において前記蒸着材料受部が加熱する。   In the film forming method of the present invention, preferably, the vapor deposition material receiving portion is configured to be heatable, and the vapor deposition material is formed on the film formation substrate from the step of supplying the liquid vapor deposition material. The vapor deposition material receiving portion is heated in at least one of the steps up to the step of performing.

上記の本発明の成膜方法は、好適には、１個の分配器に対して、前記仕切り部、前記蒸着材料供給部、前記蒸着材料受部、及び、前記供給チャンバの組を複数個有した構成の成膜装置を用い、前記蒸着材料受部に液体の前記蒸着材料を供給する工程から気化した前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程までを行う。   The film forming method of the present invention preferably has a plurality of sets of the partition section, the deposition material supply section, the deposition material receiving section, and the supply chamber for one distributor. Using the film forming apparatus having the above-described configuration, the process from the step of supplying the liquid vapor deposition material to the vapor deposition material receiving part to the step of depositing the vaporized vapor deposition material on the film formation substrate is performed.

上記の本発明の成膜方法は、好適には、前記分配器、前記仕切り部、前記蒸着材料供給部、前記蒸着材料受部、及び、前記供給チャンバの組を複数個有した構成の成膜装置を用い、前記蒸着材料受部に液体の前記蒸着材料を供給する工程から気化した前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程までを行う。   The film forming method of the present invention preferably has a structure having a plurality of sets of the distributor, the partition section, the vapor deposition material supply section, the vapor deposition material receiving section, and the supply chamber. Using the apparatus, the process from the step of supplying the liquid deposition material to the deposition material receiving part to the step of depositing the vaporized deposition material on the deposition substrate is performed.

また、本発明の成膜装置は、成膜基板を保持した基板ホルダと蒸着材料の分配器が内部に設けられた成膜チャンバと、前記成膜チャンバの外部に設けられた少なくとも一つの供給チャンバと、前記成膜チャンバ内部の前記分配器と前記供給チャンバとを所定間隔をおいて連通するように接続する接続部と、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバとを連通させまたは仕切り閉じた状態とすることが可能な仕切り部と、前記成膜チャンバに接続された第１の真空ポンプと、前記供給チャンバに接続された第２の真空ポンプと、を有し、前記供給チャンバは、蒸着材料溶液供給部と、前記供給チャンバの内部における前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部へと移動可能に設けられた蒸着材料受部と、前記蒸着材料受部の前記分配器の内部への移動に付随して移動し、前記蒸着材料受部が前記分配器の内部に移動されたときに、前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽する遮蔽部と、を含み、成膜の際には、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記第１の真空ポンプを用いて前記成膜チャンバを真空引きし、前記供給チャンバにおいて前記蒸着材料溶液供給部の下方に配置された前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液供給部から蒸着材料溶液を供給し、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記第２の真空ポンプを用いて前記供給チャンバを真空引きすることにより、前記蒸着材料受部に供給された前記蒸着材料溶液に含有される蒸着材料を残して前記蒸着材料溶液の溶媒を除去し、前記仕切り部を開けて、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを連通させ、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部に移動し、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部に移動する工程において、前記蒸着材料受部の移動に付随して移動するように前記蒸着材料受部に接続して設けられている遮蔽板により前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽し、前記分配器の加熱により前記蒸着材料受部の前記蒸着材料を気化させ、前記分配器に設けられた開口部より気化した前記蒸着材料を前記成膜チャンバ内に噴出させ、前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する。


The film forming apparatus of the present invention includes a film forming chamber in which a substrate holder holding a film forming substrate and a distributor for vapor deposition material are provided, and at least one supply chamber provided outside the film forming chamber. A connection part that connects the distributor in the film forming chamber and the supply chamber so as to communicate with each other at a predetermined interval; and the connection part and the distributor side, and the supply chamber communicates with each other. A partition portion that can be in a closed state; a first vacuum pump connected to the film formation chamber; and a second vacuum pump connected to the supply chamber; Is a vapor deposition material solution supply unit, a vapor deposition material receiving unit provided movably from below the vapor deposition material solution supply unit in the supply chamber to the inside of the distributor, and the vapor deposition material receiving unit When the deposition material receiving part is moved to the inside of the distributor, the connection part connected to the distributor in the film forming chamber moves along with the movement to the inside of the distributor. A shielding portion that shields a predetermined position, and during film formation, the partition portion is closed, and the connection portion and the distributor side are partitioned from the supply chamber side, and the first chamber is partitioned. the deposition chamber using a vacuum pump evacuated, the deposition material solution deposition material solution from said evaporation material solution supply unit to the evaporation material receiving portion disposed below the supply part supplies in the supply chamber closing the partitioning portion, said connecting portion and the distributor side, in the state in which partition the said supply chamber side, by evacuating the discharge chamber using a prior SL second vacuum pump, the deposition In material receiver The vapor deposition material contained in the supplied vapor deposition material solution is left, the solvent of the vapor deposition material solution is removed, the partition portion is opened, and the connection portion and the distributor side communicate with the supply chamber side. Moving the vapor deposition material receiving unit from below the vapor deposition material solution supply unit to the inside of the distributor, and moving the vapor deposition material reception unit from below the vapor deposition material solution supply unit to the inside of the distributor. The connecting portion connected to the distributor in the film forming chamber by a shielding plate connected to the vapor deposition material receiving portion so as to move accompanying the movement of the vapor deposition material receiving portion. The predetermined position is shielded, the vapor deposition material in the vapor deposition material receiving portion is vaporized by heating the distributor, and the vapor deposition material vaporized from an opening provided in the distributor is ejected into the film forming chamber. The above A vapor deposition material is deposited on the deposition substrate.


上記の本発明の成膜装置は、成膜基板を保持した基板ホルダと蒸着材料の分配器が内部に設けられた成膜チャンバと、前記成膜チャンバの外部に設けられた少なくとも一つの供給チャンバと、前記成膜チャンバ内部の前記分配器と前記供給チャンバとを所定間隔をおいて連通するように接続する接続部と、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバとを連通させまたは仕切り閉じた状態とすることが可能な仕切り部と、前記成膜チャンバに接続された第１の真空ポンプと、前記供給チャンバに接続された第２の真空ポンプと、を有し、前記供給チャンバは、蒸着材料溶液供給部と、前記供給チャンバの内部における前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部へと移動可能に設けられた蒸着材料受部と、前記蒸着材料受部の前記分配器の内部への移動に付随して移動し、前記蒸着材料受部が前記分配器の内部に移動されたときに、前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽する遮蔽部と、を含む。
上記の構成において、成膜の際には、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記第１の真空ポンプを用いて前記成膜チャンバを真空引きし、前記供給チャンバにおいて前記蒸着材料溶液供給部の下方に配置された前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液供給部から蒸着材料溶液を供給しと、記第２の真空ポンプを用いて前記供給チャンバを真空引きすることにより、前記蒸着材料受部に供給された前記蒸着材料溶液に含有される蒸着材料を残して前記蒸着材料溶液の溶媒を除去し、前記仕切り部を開けて、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを連通させ、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部に移動し、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部に移動する工程において、前記蒸着材料受部の移動に付随して移動するように前記蒸着材料受部に接続して設けられている遮蔽板により前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽し、前記分配器の加熱により前記蒸着材料受部の前記蒸着材料を気化させ、前記分配器に設けられた開口部より気化した前記蒸着材料を前記成膜チャンバ内に噴出させ、前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する。
The film forming apparatus according to the present invention includes a film forming chamber in which a substrate holder holding a film forming substrate and a distributor for vapor deposition material are provided, and at least one supply chamber provided outside the film forming chamber. A connection part that connects the distributor in the film forming chamber and the supply chamber so as to communicate with each other at a predetermined interval; and the connection part and the distributor side, and the supply chamber communicates with each other. A partition portion that can be in a closed state; a first vacuum pump connected to the film formation chamber; and a second vacuum pump connected to the supply chamber; Is a vapor deposition material solution supply unit, a vapor deposition material receiving unit provided movably from below the vapor deposition material solution supply unit in the supply chamber to the inside of the distributor, and the vapor deposition material receiving unit When the deposition material receiving part is moved to the inside of the distributor, the connection part connected to the distributor in the film forming chamber moves along with the movement to the inside of the distributor. And a shielding part that shields a predetermined position.
In the above configuration, when forming the film, the partition portion is closed, and the connection portion and the distributor side are partitioned from the supply chamber side, and the formation is performed using the first vacuum pump. Vacuuming the film chamber, and supplying the vapor deposition material solution from the vapor deposition material solution supply section to the vapor deposition material receiving section disposed below the vapor deposition material solution supply section in the supply chamber; The supply chamber is evacuated to remove the solvent of the vapor deposition material solution while leaving the vapor deposition material contained in the vapor deposition material solution supplied to the vapor deposition material receiver, and the partition is opened. The connection part and the distributor side are in communication with the supply chamber side, and the vapor deposition material receiving part is moved from below the vapor deposition material solution supply part to the inside of the distributor, and the vapor deposition material receiving part The In the step of moving from the lower part of the vapor deposition material solution supply unit to the inside of the distributor, a shielding plate provided to be connected to the vapor deposition material receiving unit so as to move accompanying the movement of the vapor deposition material receiving unit The predetermined position of the connecting portion connected to the distributor in the film forming chamber is shielded, and the vapor deposition material in the vapor deposition material receiving portion is vaporized by heating the distributor, and is provided in the distributor. The vapor deposition material evaporated from the opening is ejected into the film formation chamber, and the vapor deposition material is formed on the film formation substrate.

また、本発明の成膜装置は、成膜基板を保持した基板ホルダと蒸着材料の分配器が内部に設けられた成膜チャンバと、前記成膜チャンバの外部に設けられた少なくとも一つの供給チャンバと、前記成膜チャンバ内部の前記分配器と前記供給チャンバとを所定間隔をおいて連通するように接続する接続部と、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバとを連通させまたは仕切り閉じた状態とすることが可能な仕切り部と、前記成膜チャンバに接続された第１の真空ポンプと、前記供給チャンバに接続された第２の真空ポンプと、を有し、前記供給チャンバは、蒸着材料供給部と、前記供給チャンバの内部における前記蒸着材料供給部の下方から前記分配器の内部へと移動可能に設けられた蒸着材料受部と、前記蒸着材料受部の前記分配器の内部への移動に付随して移動し、前記蒸着材料受部が前記分配器の内部に移動されたときに、前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽する遮蔽部と、を含み、成膜の際には、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記第１の真空ポンプを用いて前記成膜チャンバを真空引きし、前記供給チャンバにおいて前記蒸着材料供給部の下方に配置された前記蒸着材料受部に前記蒸着材料供給部から液体の蒸着材料を供給し、前記第２の真空ポンプを用いて前記供給チャンバを真空引きし、前記仕切り部を開けて前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを連通させ、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料供給部の下方から前記分配器の内部に移動し、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料供給部の下方から前記分配器の内部に移動する工程において、前記蒸着材料受部の移動に付随して移動するように前記蒸着材料受部に接続して設けられている遮蔽板により前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽し、前記分配器の加熱により前記蒸着材料受部の前記蒸着材料を気化させ、前記分配器に設けられた開口部より気化した前記蒸着材料を前記成膜チャンバ内に噴出させ、前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する。
The film forming apparatus of the present invention includes a film forming chamber in which a substrate holder holding a film forming substrate and a distributor for vapor deposition material are provided, and at least one supply chamber provided outside the film forming chamber. A connection part that connects the distributor in the film forming chamber and the supply chamber so as to communicate with each other at a predetermined interval; and the connection part and the distributor side, and the supply chamber communicates with each other. A partition portion that can be in a closed state; a first vacuum pump connected to the film formation chamber; and a second vacuum pump connected to the supply chamber; A vapor deposition material supply section, a vapor deposition material receiving section provided movably from below the vapor deposition material supply section in the supply chamber to the inside of the distributor, and the distribution of the vapor deposition material reception section. A predetermined portion of the connecting portion connected to the distributor in the film forming chamber when the deposition material receiving portion is moved to the inside of the distributor. The first vacuum in a state in which the partition portion is closed and the connection portion and the distributor side are partitioned from the supply chamber side. The film formation chamber is evacuated using a pump, and a liquid deposition material is supplied from the deposition material supply unit to the deposition material receiving unit disposed below the deposition material supply unit in the supply chamber. The supply chamber is evacuated using a vacuum pump 2, the partition portion is opened, the connection portion and the distributor side are communicated with the supply chamber side, and the vapor deposition material receiving portion is supplied with the vapor deposition material. From the bottom of the section In the step of moving to the inside of the distributor and moving the vapor deposition material receiving portion from below the vapor deposition material supply portion to the inside of the distributor, the vapor deposition material is moved so as to move accompanying the movement of the vapor deposition material receiving portion. A predetermined position of the connecting portion connected to the distributor in the film forming chamber is shielded by a shielding plate connected to the receiving portion, and the vapor deposition material receiving portion is heated by the distributor. The vapor deposition material is vaporized, the vapor deposition material vaporized from an opening provided in the distributor is ejected into the film formation chamber, and the vapor deposition material is formed on the film formation substrate.

上記の本発明の成膜装置は、成膜基板を保持した基板ホルダと蒸着材料の分配器が内部に設けられた成膜チャンバと、前記成膜チャンバの外部に設けられた少なくとも一つの供給チャンバと、前記成膜チャンバ内部の前記分配器と前記供給チャンバとを所定間隔をおいて連通するように接続する接続部と、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバとを連通させまたは仕切り閉じた状態とすることが可能な仕切り部と、前記成膜チャンバに接続された第１の真空ポンプと、前記供給チャンバに接続された第２の真空ポンプと、を有し、前記供給チャンバは、蒸着材料供給部と、前記供給チャンバの内部における前記蒸着材料供給部の下方から前記分配器の内部へと移動可能に設けられた蒸着材料受部と、前記蒸着材料受部の前記分配器の内部への移動に付随して移動し、前記蒸着材料受部が前記分配器の内部に移動されたときに、前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽する遮蔽部と、を含む。
上記の構成において、成膜の際には、前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記第１の真空ポンプを用いて前記成膜チャンバを真空引きし、前記供給チャンバにおいて前記蒸着材料供給部の下方に配置された前記蒸着材料受部に前記蒸着材料供給部から液体の蒸着材料を供給し、前記第２の真空ポンプを用いて前記供給チャンバを真空引きし、前記仕切り部を開けて前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを連通させ、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料供給部の下方から前記分配器の内部に移動し、前記蒸着材料受部を前記蒸着材料供給部の下方から前記分配器の内部に移動する工程において、前記蒸着材料受部の移動に付随して移動するように前記蒸着材料受部に接続して設けられている遮蔽板により前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽し、前記分配器の加熱により前記蒸着材料受部の前記蒸着材料を気化させ、前記分配器に設けられた開口部より気化した前記蒸着材料を前記成膜チャンバ内に噴出させ、前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する。
The film forming apparatus according to the present invention includes a film forming chamber in which a substrate holder holding a film forming substrate and a distributor for vapor deposition material are provided, and at least one supply chamber provided outside the film forming chamber. A connection part that connects the distributor in the film forming chamber and the supply chamber so as to communicate with each other at a predetermined interval; and the connection part and the distributor side, and the supply chamber communicates with each other. A partition portion that can be in a closed state; a first vacuum pump connected to the film formation chamber; and a second vacuum pump connected to the supply chamber; A vapor deposition material supply section, a vapor deposition material receiving section provided movably from below the vapor deposition material supply section in the supply chamber to the inside of the distributor, and the distribution of the vapor deposition material reception section. A predetermined portion of the connecting portion connected to the distributor in the film forming chamber when the deposition material receiving portion is moved to the inside of the distributor. And a shielding part that shields the position.
In the above configuration, when forming the film, the partition portion is closed, and the connection portion and the distributor side are partitioned from the supply chamber side, and the formation is performed using the first vacuum pump. The film chamber is evacuated, liquid deposition material is supplied from the deposition material supply unit to the deposition material receiving unit disposed below the deposition material supply unit in the supply chamber, and the second vacuum pump is used. The supply chamber is evacuated, the partition portion is opened, the connection portion and the distributor side communicate with the supply chamber side, and the vapor deposition material receiving portion is distributed from below the vapor deposition material supply portion. The vapor deposition material is moved so as to move in association with the movement of the vapor deposition material receiving portion in the step of moving the vapor deposition material receiving portion from below the vapor deposition material supply portion to the inside of the distributor. Receiving A predetermined position of the connecting portion connected to the distributor in the film forming chamber is shielded by a shielding plate provided in connection with the film, and the vapor deposition material of the vapor deposition material receiving portion is heated by the distributor Then, the vapor deposition material vaporized from an opening provided in the distributor is ejected into the film formation chamber, and the vapor deposition material is formed on the film formation substrate.

本発明の成膜方法及び成膜装置によれば、バッチ方式あるいはその他の方式で溶液あるいは液体の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合に、供給チャンバにおいて蒸着材料受部に蒸着材料溶液供給部から蒸着材料溶液を供給した後、供給チャンバの真空引きすることが可能となり、蒸着材料供給部の供給口近傍で蒸着材料の一部が成膜に供されることなく飛散してしまうことを防止することができる。   According to the film forming method and the film forming apparatus of the present invention, when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution or liquid state by a batch method or other methods, the vapor deposition material solution is supplied to the vapor deposition material receiving portion in the supply chamber. After supplying the vapor deposition material solution from the part, it becomes possible to evacuate the supply chamber, and in the vicinity of the supply port of the vapor deposition material supply part, a part of the vapor deposition material is scattered without being used for film formation. Can be prevented.

図１は本発明の第１実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention. 図２は本発明の第１実施形態に係る成膜装置の要部拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of a main part of the film forming apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図３は本発明の第１実施形態に係る成膜方法の成膜工程を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic view showing a film forming process of the film forming method according to the first embodiment of the present invention. 図４は本発明の第１実施形態に係る成膜方法の成膜工程を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing a film forming process of the film forming method according to the first embodiment of the present invention. 図５は本発明の第１実施形態に係る成膜方法の成膜工程を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic view showing a film forming process of the film forming method according to the first embodiment of the present invention. 図６は本発明の第１実施形態に係る成膜方法の成膜工程を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic view showing a film forming process of the film forming method according to the first embodiment of the present invention. 図７は本発明の第１実施形態に係る成膜方法の成膜工程を示す模式図である。FIG. 7 is a schematic view showing a film forming process of the film forming method according to the first embodiment of the present invention. 図８は本発明の第１実施形態に係る成膜方法の成膜工程を示す模式図である。FIG. 8 is a schematic view showing a film forming process of the film forming method according to the first embodiment of the present invention. 図９は本発明の第２実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 9 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the second embodiment of the present invention. 図１０は本発明の第３実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 10 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the third embodiment of the present invention. 図１１は本発明の第４実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. 図１２は本発明の第５実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 12 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the fifth embodiment of the present invention. 図１３は本発明の第６実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。FIG. 13 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the sixth embodiment of the present invention.

以下に、本発明の成膜装置並びにそれを用いた成膜方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。   Embodiments of a film forming apparatus and a film forming method using the same according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

＜第１実施形態＞
［成膜装置の構成］
図１は本発明の第１実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。
成膜装置は、例えば、成膜チャンバ１０と、成膜チャンバ１０の外部に設けられた供給チャンバ２０を有する。 <First Embodiment>
[Configuration of deposition system]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention.
The film forming apparatus includes, for example, a film forming chamber 10 and a supply chamber 20 provided outside the film forming chamber 10.

成膜チャンバ１０は、例えば、排気管を介して真空ポンプ１１が接続されており、内部を所定の圧力に減圧可能となっている。真空蒸着による成膜時における成膜チャンバ１０内の背圧は、例えば１０−２〜１０−５Ｐａ程度である。
また、成膜チャンバ１０は、例えば、内部に成膜基板１２を保持する基板ホルダ１３と蒸着材料の分配器２５が設けられている。
図面上は、基板ホルダ１３として、回転駆動するドラム型の基板ホルダが示されているが、これにドラム型以外の基板ホルダも用いることができる。
本実施形態の成膜装置は、いわゆる、バッチ方式で成膜対象基板に成膜する成膜装置であり、これに合致した基板ホルダが用いられる。
後述のように、成膜を断続的に行うバッチ方式以外の装置及び方法にも適用可能である。 The film forming chamber 10 is connected to, for example, a vacuum pump 11 through an exhaust pipe, and the inside can be depressurized to a predetermined pressure. The back pressure in the film formation chamber 10 at the time of film formation by vacuum deposition is, for example, about 10 −2 to 10 −5 Pa.
The film forming chamber 10 is provided with, for example, a substrate holder 13 for holding the film forming substrate 12 and a distributor 25 for the vapor deposition material.
In the drawing, a drum-type substrate holder that is rotationally driven is shown as the substrate holder 13, but a substrate holder other than the drum type can also be used for this.
The film forming apparatus of this embodiment is a film forming apparatus that forms a film on a film formation target substrate by a so-called batch method, and a substrate holder that matches this is used.
As will be described later, the present invention can be applied to apparatuses and methods other than the batch method in which film formation is intermittently performed.

図２は本発明の第１実施形態に係る成膜装置の要部である供給チャンバの拡大図である。
供給チャンバ２０は、例えば、第１供給チャンバ２１ａと第２供給チャンバ２１ｂを有する。
第１供給チャンバ２１ａと第２供給チャンバ２１ｂは、例えば、それぞれ、接続部（２２ａ，２２ｂ）と、開閉可能な仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）を介して、分配器２５に連通している。
ゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）は、例えば、それぞれ、ゲート部（２４ａ，２４ｂ）の移動により、第１供給チャンバ２１ａと第２供給チャンバ２１ｂ側と、接続部（２２ａ，２２ｂ）及び分配器２５側を連通または仕切ることができる。 FIG. 2 is an enlarged view of a supply chamber which is a main part of the film forming apparatus according to the first embodiment of the present invention.
The supply chamber 20 includes, for example, a first supply chamber 21a and a second supply chamber 21b.
The first supply chamber 21a and the second supply chamber 21b communicate with the distributor 25 via, for example, a connection part (22a, 22b) and a gate valve (23a, 23b) that is a partition part that can be opened and closed. ing.
The gate valves (23a, 23b) are respectively connected to the first supply chamber 21a and the second supply chamber 21b side, the connection portions (22a, 22b) and the distributor 25 side by moving the gate portions (24a, 24b), for example. Can be communicated or partitioned.

分配器２５には、例えば、蒸着材料を噴出するための複数個の開口部２６が設けられている。図面上は１個の分配器２５に対して４個の開口部が設けられた構成を示しているが、これに限らず、２個以上の任意の個数の開口部２６を有する構成であってよい。また、後述の実施形態のように、１個の分配器２５に対して１個の開口部が設けられた構成であってもよい。
また、例えば、分配器２５の外側に、分配器２５の内部を加熱するための加熱部である抵抗加熱によるヒーター２７が設けられている。
本実施形態においては抵抗加熱によるヒーター２７を示しているが、これに限らず、電子ビーム照射などの種々の手段を採用でき、加熱する位置は適宜選択可能である。 In the distributor 25, for example, a plurality of openings 26 for ejecting the vapor deposition material are provided. In the drawing, a configuration in which four openings are provided for one distributor 25 is shown. However, the present invention is not limited to this, and the configuration has an arbitrary number of openings 26 of two or more. Good. Moreover, the structure provided with one opening part with respect to the one distributor 25 like embodiment mentioned later may be sufficient.
Further, for example, a heater 27 by resistance heating that is a heating unit for heating the inside of the distributor 25 is provided outside the distributor 25.
Although the heater 27 by resistance heating is shown in the present embodiment, the present invention is not limited to this, and various means such as electron beam irradiation can be adopted, and the heating position can be appropriately selected.

また、例えば、第１供給チャンバ２１ａと第２供給チャンバ２１ｂは、接続部２８により連通しており、接続部２８には真空ポンプ２９が接続されており、第１供給チャンバ２１ａと第２供給チャンバ２１ｂの内部を所定の圧力に減圧可能となっている。また、真空ポンプ２９と一体に第１供給チャンバ２１ａと第２供給チャンバ２１ｂに雰囲気ガスを導入する構成が設けられている。あるいは、真空ポンプ２９と独立の装置であってもよい。
真空蒸着による成膜時における第１供給チャンバ２１ａと第２供給チャンバ２１ｂ内の背圧は、例えば１０−２〜１０−５Ｐａ程度である。
また、蒸着材料供給時における第１供給チャンバ２１ａと第２供給チャンバ２１ｂ内の雰囲気ガスは、例えば大気、Ａｒ、Ｎ２、Ｈｅあるいはドライエアであり、背圧は、例えば大気圧、加圧、１ｋＰａ〜大気圧程度の減圧である。 In addition, for example, the first supply chamber 21a and the second supply chamber 21b are communicated with each other through a connection portion 28, and a vacuum pump 29 is connected to the connection portion 28. The first supply chamber 21a and the second supply chamber 21 The inside of 21b can be depressurized to a predetermined pressure. In addition, a configuration is provided in which atmospheric gas is introduced into the first supply chamber 21 a and the second supply chamber 21 b integrally with the vacuum pump 29. Alternatively, a device independent of the vacuum pump 29 may be used.
The back pressure in the first supply chamber 21a and the second supply chamber 21b during film formation by vacuum vapor deposition is, for example, about 10 −2 to 10 −5 Pa.
Further, the atmospheric gas in the first supply chamber 21a and the second supply chamber 21b at the time of supplying the vapor deposition material is, for example, air, Ar, N 2 , He, or dry air, and the back pressure is, for example, atmospheric pressure, pressurization, 1 kPa ~ Depressurization of about atmospheric pressure.

第１供給チャンバ２１ａと第２供給チャンバ２１ｂは、例えば、それぞれ、蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）と、供給チャンバの内部における蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）の下方から分配器２５の内部へと移動可能に設けられた蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）とを有する。   The first supply chamber 21a and the second supply chamber 21b include, for example, a vapor deposition material solution supply unit (30a, 30b) and a distributor 25 from below the vapor deposition material solution supply unit (30a, 30b) inside the supply chamber. And a vapor deposition material receiving portion (31a, 31b) provided so as to be movable to the inside.

蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）は、例えば蒸着材料を溶媒に溶解してなる蒸着材料溶液を供給する。
例えば、蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）は、ニードルバルブ、ディスペンサ、スクリューポンプなどの手段で構成でき、蒸着材料溶液を蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）に供給することができる。 The vapor deposition material solution supply unit (30a, 30b) supplies a vapor deposition material solution obtained by, for example, dissolving a vapor deposition material in a solvent.
For example, the vapor deposition material solution supply unit (30a, 30b) can be configured by means such as a needle valve, a dispenser, and a screw pump, and can supply the vapor deposition material solution to the vapor deposition material receiving unit (31a, 31b).

蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）は、例えばシリンダ型駆動部（３２ａ，３２ｂ）などにより、蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）の下方から分配器２５の内部へと移動可能に設けられている。シリンダ型駆動部以外に、モータ方式駆動部などを用いてもよい。
蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）は、例えばステンレススチールなどの耐熱性及び耐蝕性を有する材料で形成されている。 The vapor deposition material receiving portions (31a, 31b) are provided so as to be movable from below the vapor deposition material solution supply portions (30a, 30b) to the inside of the distributor 25 by, for example, cylinder-type drive portions (32a, 32b). Yes. In addition to the cylinder type drive unit, a motor type drive unit or the like may be used.
The vapor deposition material receiving portions (31a, 31b) are formed of a material having heat resistance and corrosion resistance such as stainless steel.

また、例えば、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）の移動に付随して移動するように蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）に接続して遮蔽板（３３ａ，３３ｂ）が設けられている。
遮蔽板（３３ａ，３３ｂ）により、分配器２５と供給チャンバ２０の間を遮蔽することで、分配器２５の加熱により蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）の蒸着材料を蒸発させる際に、気化した蒸着材料の供給チャンバ２０への進入を抑制することができる。
ここで、接続部（２２ａ，２２ｂ）の一部において内側の寸法が、遮蔽板（３３ａ，３３ｂ）の寸法に適合した構成とすることにより、遮蔽板（３３ａ，３３ｂ）が接続部（２２ａ，２２ｂ）に移動したときの分配器２５と供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）の間の遮蔽をより精密に行うことができる。 Further, for example, shielding plates (33a, 33b) are provided in connection with the vapor deposition material receiving portions (31a, 31b) so as to move accompanying the movement of the vapor deposition material receiving portions (31a, 31b).
By shielding between the distributor 25 and the supply chamber 20 by the shielding plates (33a, 33b), the vaporized material in the vapor deposition material receiving part (31a, 31b) is evaporated by heating the distributor 25. The entrance of the vapor deposition material into the supply chamber 20 can be suppressed.
Here, the inner dimension of a part of the connection part (22a, 22b) is adapted to the dimension of the shielding plate (33a, 33b), whereby the shielding plate (33a, 33b) is connected to the connection part (22a, 33b). The shielding between the distributor 25 and the supply chambers (21a, 21b) when moved to 22b) can be performed more precisely.

例えば、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）が加熱可能に構成されている。
蒸着材料溶液を供給する工程から蒸着材料を成膜基板上に成膜する工程までの少なくともいずれかの工程において、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）により直接蒸着材料溶液または蒸着材料溶液から溶媒が除去されてなる蒸着材料を加熱することができる。 For example, the vapor deposition material receiving portions (31a, 31b) are configured to be heatable.
In at least one of the steps from the step of supplying the vapor deposition material solution to the step of depositing the vapor deposition material on the film formation substrate, the vapor deposition material receiving section (31a, 31b) causes the solvent to be directly removed from the vapor deposition material solution or the vapor deposition material solution. The vapor deposition material that has been removed can be heated.

本実施形態の成膜装置は、例えば、１個の分配器２５に対して、仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）、蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）、及び、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）の組を複数個有する。
本実施形態では、仕切り部であるゲートバルブ、蒸着材料溶液供給部、蒸着材料受部、及び、供給チャンバの組を２組有する構成を示しているが、これに限らず、３組以上有する構成であってもよく、この場合には、３組以上の組のうちの一部または全部の供給チャンバが接続部２８により連通しており、接続部２８には真空ポンプ２９が接続された構成とすることができる。 In the film forming apparatus of the present embodiment, for example, with respect to one distributor 25, gate valves (23a, 23b), which are partitions, vapor deposition material solution supply units (30a, 30b), and vapor deposition material receiving units (31a). , 31b) and a plurality of sets of supply chambers (21a, 21b).
In the present embodiment, a configuration having two sets of a gate valve, a vapor deposition material solution supply unit, a vapor deposition material receiving unit, and a supply chamber, which are partition units, is shown, but not limited thereto, a configuration having three or more sets In this case, a part or all of the three or more sets of supply chambers are communicated with each other by a connection portion 28, and a vacuum pump 29 is connected to the connection portion 28. can do.

上記の構成の成膜装置においては、例えば、成膜チャンバ１０において、成膜基板１２が保持された基板ホルダ１３が回転駆動され、仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）を閉じた状態で成膜チャンバ１０が真空引きされる。   In the film forming apparatus having the above-described configuration, for example, in the film forming chamber 10, the substrate holder 13 holding the film forming substrate 12 is rotationally driven and the gate valves (23 a and 23 b) that are the partition portions are closed. The film forming chamber 10 is evacuated.

仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）を閉じた状態で、第１供給チャンバ２１ａ及び第２供給チャンバ２１ｂにおいて、蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）の下方に配置された蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）に蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）から蒸着材料溶液を供給し、第１供給チャンバ２１ａ及び第２供給チャンバ２１ｂの真空引きにより、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）に供給された蒸着材料溶液に含有される蒸着材料を残して蒸着材料溶液の溶媒を除去する。
蒸着材料溶液を供給する際の第１供給チャンバ２１ａ及び第２供給チャンバ２１ｂの内部は、例えば大気、Ａｒ、Ｎ２、Ｈｅあるいはドライエアの雰囲気ガスで、背圧は、例えば大気圧、加圧、１ｋＰａ〜大気圧程度の減圧とする。
蒸着材料溶液に含有される蒸着材料を残して蒸着材料溶液の溶媒を除去時における第１供給チャンバ２１ａと第２供給チャンバ２１ｂ内の背圧は、真空引きされた成膜チャンバの内部と同程度であり、例えば１０−２〜１０−５Ｐａ程度である。 In the first supply chamber 21a and the second supply chamber 21b with the gate valves (23a, 23b), which are the partition parts, closed, the vapor deposition material receiving unit disposed below the vapor deposition material solution supply unit (30a, 30b). The vapor deposition material solution is supplied from the vapor deposition material solution supply section (30a, 30b) to (31a, 31b), and the vapor deposition material receiving section (31a, 31b) is evacuated by evacuating the first supply chamber 21a and the second supply chamber 21b. The solvent of the vapor deposition material solution is removed leaving the vapor deposition material contained in the supplied vapor deposition material solution.
The inside of the first supply chamber 21a and the second supply chamber 21b when supplying the vapor deposition material solution is an atmospheric gas such as air, Ar, N 2 , He or dry air, and the back pressure is, for example, atmospheric pressure, pressurization, The pressure is reduced to about 1 kPa to atmospheric pressure.
The back pressure in the first supply chamber 21a and the second supply chamber 21b when removing the solvent of the vapor deposition material solution while leaving the vapor deposition material contained in the vapor deposition material solution is approximately the same as the inside of the vacuum-deposited film formation chamber. For example, it is about 10 −2 to 10 −5 Pa.

仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）を開けて、第１供給チャンバ２１ａ及び第２供給チャンバ２１ｂと分配器２５を連通させ、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）を蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）の下方から分配器２５の内部に移動する。   The gate valve (23a, 23b) which is a partition part is opened, the 1st supply chamber 21a and the 2nd supply chamber 21b, and the divider | distributor 25 are connected, The vapor deposition material receiving part (31a, 31b) is vapor deposition material solution supply part ( 30a, 30b) from below to the inside of the distributor 25.

分配器２５の加熱により、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）の蒸着材料を気化させ、分配器２５に設けられた開口部２６より、気化した蒸着材料を成膜チャンバ１０内に噴出させ、いわゆるフラッシュコーティングにより、蒸着材料を成膜基板１２上に成膜する。   By heating the distributor 25, the vapor deposition material in the vapor deposition material receiving portions (31 a, 31 b) is vaporized, and the vaporized vapor deposition material is ejected into the film forming chamber 10 from the opening 26 provided in the distributor 25. A vapor deposition material is deposited on the deposition substrate 12 by flash coating.

［蒸着材料溶液を構成する蒸着材料］
蒸着材料は、目的とする膜の特性に応じて適宜選択可能であり、例えば防汚膜を形成するための蒸着材料としては、フッ化炭素系化合物及びシリコーン樹脂などを用いることができ、例えば、パーフロロアルキルシラザンを好ましく用いることができる。
また、防汚膜以外の用途の蒸着材料を用いることも可能である。 [Vapor deposition material constituting vapor deposition material solution]
The vapor deposition material can be appropriately selected depending on the properties of the target film. For example, as the vapor deposition material for forming the antifouling film, a fluorocarbon compound and a silicone resin can be used. Perfluoroalkylsilazane can be preferably used.
It is also possible to use a vapor deposition material other than the antifouling film.

また、特許文献３に開示されたオルガノシラン化合物を好ましく用いることができる。
例えば、下記式（１）で示されるパーフロロアルキル基を有するシラン化合物である。 Moreover, the organosilane compound disclosed in Patent Document 3 can be preferably used.
For example, it is a silane compound having a perfluoroalkyl group represented by the following formula (1).

（化１）
ＣｎＦ２ｎ＋１−（ＣＨ２）ｍ−Ｓｉ（Ｒ１Ｒ２Ｒ３） …（１） (Chemical formula 1)
C n F 2n + 1 - ( CH 2) m -Si (R 1 R 2 R 3) ... (1)

式（１）中、Ｒ１は１〜３個の炭素原子を有するアルコキシであるか、またはＣｎＦ２ｎ＋１−（ＣＨ２）ｍ−Ｓｉ（Ｒ２Ｒ３）−Ｏ−であり、Ｒ２，Ｒ３は１〜３個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシであり、ｎは１〜１２であり、およびｍは１〜６である。 In formula (1), R 1 is alkoxy having 1 to 3 carbon atoms or C n F 2n + 1 — (CH 2 ) m —Si (R 2 R 3 ) —O—, and R 2 , R 3 is alkyl or alkoxy having 1 to 3 carbon atoms, n is 1 to 12, and m is 1 to 6.

式（１）の化合物として、例えば、トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，７−ウンデカフルオロヘプチル）シラン；トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチル）シラン；トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル）シラン；ジエトキシメチル（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル）シラン；ビス［エトキシメチル（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチル）］シリルエーテルを用いることができる。   Examples of the compound of the formula (1) include triethoxy (3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,7-undecafluoroheptyl) silane; triethoxy (3,3,4,4) , 5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl) silane; triethoxy (3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8, 8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl) silane; diethoxymethyl (3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9) , 10, 10, 10-heptadecafluorodecyl) silane; bis [ethoxymethyl (3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl) Silyl ether can be used.

［蒸着材料溶液を構成する溶媒］
蒸着材料溶液を構成する溶媒としては、上記の蒸着材料を溶解するものであり、蒸着材料より少なくとも低温及び低真空のいずれかで蒸発する特性を有していれば特に制限はない。
例えば、パーフルオロ炭化水素などの蒸着材料より少なくとも低温及び低真空のいずれかで蒸発しやすい溶媒を好ましく用いることができる。 [Solvent constituting vapor deposition material solution]
The solvent constituting the vapor deposition material solution is not particularly limited as long as it dissolves the above vapor deposition material and has a property of evaporating at least at a low temperature and a low vacuum than the vapor deposition material.
For example, a solvent that easily evaporates at least at either a low temperature or a low vacuum than a vapor deposition material such as perfluorohydrocarbon can be preferably used.

例えば、蒸着材料溶液として、フッ化炭素系化合物２０％、溶媒としてパーフルオロヘキサン８０％を含有する「オプツールＤＳＸ（商品名、ダイキン工業株式会社製）」を好ましく用いることができる。
例えば、供給チャンバ２０の背圧を１×１０−１Ｐａとすることで供給チャンバ２０においてパーフルオロヘキサンを完全に分離し、成膜チャンバ１０においてフッ化炭素系化合物のみを蒸着させることができる。 For example, “OPTOOL DSX (trade name, manufactured by Daikin Industries, Ltd.)” containing 20% of a fluorocarbon compound and 80% of perfluorohexane as a solvent can be preferably used as the vapor deposition material solution.
For example, by setting the back pressure of the supply chamber 20 to 1 × 10 −1 Pa, perfluorohexane can be completely separated in the supply chamber 20, and only the fluorocarbon compound can be deposited in the film forming chamber 10.

［成膜方法］
次に、本実施形態に係る有機膜形成用蒸着材料を用いた成膜方法について説明する。
例えば、上述の本実施形態に係る、成膜基板１２を保持した基板ホルダ１３と蒸着材料の分配器２５が内部に設けられた成膜チャンバ１０と、成膜チャンバ１０の外部に設けられた供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）を有し、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）と分配器２５とが開閉可能な仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）を介して連通しており、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）は蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）と、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）の内部における蒸着材料溶液供給部（２０ａ，３０ｂ）の下方から分配器２５の内部へと移動可能に設けられた蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）とを有する成膜装置を用いて行う。 [Film formation method]
Next, a film forming method using the organic film forming vapor deposition material according to the present embodiment will be described.
For example, according to the above-described embodiment, the film formation chamber 10 in which the substrate holder 13 holding the film formation substrate 12 and the distributor 25 for the vapor deposition material are provided, and the supply provided outside the film formation chamber 10 The supply chambers (21a, 21b) and the supply chambers (21a, 21b) and the distributor 25 communicate with each other via gate valves (23a, 23b) that are openable and closable parts. 21b) is provided movably from the lower part of the vapor deposition material solution supply part (20a, 30b) inside the supply chamber (21a, 21b) to the inside of the distributor 25. The film forming apparatus having the vapor deposition material receiving portions (31a, 31b) is used.

まず、図３に示すように、例えば、成膜チャンバ１０において、成膜基板１２が保持された基板ホルダ１３を回転駆動し、仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）を閉じた状態で、即ち、ゲート部（２４ａ，２４ｂ）により、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）側と、接続部（２２ａ，２２ｂ）及び分配器２５側を仕切った状態で、成膜チャンバ１０を真空引きする。   First, as shown in FIG. 3, for example, in the film formation chamber 10, the substrate holder 13 holding the film formation substrate 12 is rotationally driven, and the gate valves (23 a and 23 b) that are the partition portions are closed, That is, the film forming chamber 10 is evacuated in a state where the supply chambers (21a, 21b) side, the connection portions (22a, 22b) and the distributor 25 side are partitioned by the gate portions (24a, 24b).

次に、図４に示すように、例えば、仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）を閉じた状態で供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）において蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）の下方に配置された蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）に蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）から蒸着材料溶液３４ｓを供給する。
蒸着材料溶液を供給する際の第１供給チャンバ２１ａ及び第２供給チャンバ２１ｂの内部は、例えば大気、Ａｒ、Ｎ２、Ｈｅあるいはドライエアの雰囲気ガスで、背圧は、例えば大気圧、加圧、１ｋＰａ〜大気圧程度の減圧とする。 Next, as shown in FIG. 4, for example, the gate valve (23 a, 23 b) that is a partitioning part is closed and disposed below the vapor deposition material solution supply part (30 a, 30 b) in the supply chamber (21 a, 21 b). The vapor deposition material solution 34s is supplied from the vapor deposition material solution supply unit (30a, 30b) to the vapor deposition material receiving unit (31a, 31b).
The inside of the first supply chamber 21a and the second supply chamber 21b when supplying the vapor deposition material solution is an atmospheric gas such as air, Ar, N 2 , He or dry air, and the back pressure is, for example, atmospheric pressure, pressurization, The pressure is reduced to about 1 kPa to atmospheric pressure.

次に、図５に示すように、例えば、真空ポンプ２９の駆動による供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）の真空引きにより、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）に供給された蒸着材料溶液３４ｓに含有される蒸着材料３４を残して蒸着材料溶液３４ｓの溶媒を除去する。
蒸着材料溶液に含有される蒸着材料を残して蒸着材料溶液の溶媒を除去時における第１供給チャンバ２１ａと第２供給チャンバ２１ｂ内の背圧は、真空引きされた成膜チャンバの内部と同程度であり、例えば１０−２〜１０−５Ｐａ程度である。 Next, as shown in FIG. 5, for example, it is contained in the vapor deposition material solution 34s supplied to the vapor deposition material receiving portions (31a, 31b) by evacuating the supply chambers (21a, 21b) by driving the vacuum pump 29. The solvent of the vapor deposition material solution 34s is removed while leaving the vapor deposition material 34 to be left.
The back pressure in the first supply chamber 21a and the second supply chamber 21b when removing the solvent of the vapor deposition material solution while leaving the vapor deposition material contained in the vapor deposition material solution is approximately the same as the inside of the vacuum-deposited film formation chamber. For example, it is about 10 −2 to 10 −5 Pa.

次に、図６に示すように、例えば、仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）を開けて、即ち、ゲート部（２４ａ，２４ｂ）の移動により、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）と、接続部（２２ａ，２２ｂ）及び分配器２５を連通させる。


Next, as shown in FIG. 6, for example, the gate valves (23 a, 23 b) that are partition parts are opened, that is, the gate parts (24 a, 24 b) are moved to connect with the supply chambers (21 a, 21 b). The parts (22a, 22b) and the distributor 25 are communicated.


次に、図７に示すように、例えば、シリンダ型駆動部（３２ａ，３２ｂ）の駆動により、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）を蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）の下方から分配器２５の内部へと移動する。   Next, as shown in FIG. 7, for example, by driving the cylinder-type drive unit (32 a, 32 b), the vapor deposition material receiving unit (31 a, 31 b) is distributed from below the vapor deposition material solution supply unit (30 a, 30 b). Move to the inside of 25.

次に、図８に示すように、例えば、分配器２５の外側に設けられたヒーター２７により、分配器２５の内部を加熱し、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）の蒸着材料３４を気化させ、分配器２５に設けられた開口部２６より気化した蒸着材料３４ｖを成膜チャンバ１０内に噴出させ、蒸着材料を成膜基板上に成膜する。   Next, as shown in FIG. 8, for example, the inside of the distributor 25 is heated by the heater 27 provided outside the distributor 25 to vaporize the vapor deposition material 34 in the vapor deposition material receiving portions (31a, 31b). Then, the vapor deposition material 34v vaporized from the opening 26 provided in the distributor 25 is ejected into the film formation chamber 10, and the vapor deposition material is formed on the film formation substrate.

以降の工程として、例えば、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）への蒸着材料溶液の供給とその溶媒の除去、分配器での蒸着材料の蒸発による成膜を繰り返し行うことができる。
例えば、図８に示す工程の後、シリンダ型駆動部（３２ａ，３２ｂ）の駆動により、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）を分配器２５の内部から蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）の下方へと移動し、ゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）を閉じる。
次に、真空ポンプ２９の弁を解放して供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）内に大気を導入するか、あるいは真空ポンプ２９と一体にあるいは独立して設けられた第１供給チャンバ２１ａと第２供給チャンバ２１ｂに雰囲気ガスを導入する構成により、第１供給チャンバ２１ａと第２供給チャンバ２１ｂ内に、例えば大気、Ａｒ、Ｎ２、Ｈｅあるいはドライエアの雰囲気ガスを大気圧、加圧、１ｋＰａ〜大気圧程度の減圧条件として導入する。
次に、図４に示す蒸着材料溶液３４ｓを供給する工程から、図８に示す蒸着材料３４を気化させ、成膜基板上に成膜する工程を繰り返す。
蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）への蒸着材料溶液の供給とその溶媒の除去、分配器での蒸着材料の蒸発による成膜の繰り返しは、１回あるいは複数回行うことができる。 As subsequent steps, for example, the deposition material solution can be repeatedly supplied to the deposition material receiving portions (31a, 31b), the solvent removed, and the deposition material evaporated by the distributor.
For example, after the step shown in FIG. 8, the vapor deposition material receiving portions (31 a, 31 b) are moved from the inside of the distributor 25 to the vapor deposition material solution supply portions (30 a, 30 b) by driving the cylinder type drive portions (32 a, 32 b). Move downward and close the gate valves (23a, 23b).
Next, the valve of the vacuum pump 29 is released to introduce the atmosphere into the supply chambers (21 a, 21 b), or the first supply chamber 21 a and the second supply provided integrally or independently with the vacuum pump 29. With the configuration in which the atmospheric gas is introduced into the chamber 21b, atmospheric gas such as air, Ar, N 2 , He, or dry air is atmospheric pressure, pressurized, 1 kPa to atmospheric pressure in the first supply chamber 21a and the second supply chamber 21b. Introduced as a reduced pressure condition.
Next, from the step of supplying the vapor deposition material solution 34s shown in FIG. 4, the vapor deposition material 34 shown in FIG. 8 is vaporized and the step of forming a film on the film formation substrate is repeated.
The supply of the vapor deposition material solution to the vapor deposition material receiving section (31a, 31b), the removal of the solvent thereof, and the repetition of the film formation by evaporation of the vapor deposition material in the distributor can be performed once or a plurality of times.

本実施形態の成膜方法は、例えば、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）を蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）の下方から分配器２５の内部に移動する工程において、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）の移動に付随して移動するように蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）に接続して設けられている遮蔽板（３３ａ，３３ｂ）により分配器２５と供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）の間を遮蔽することが好ましい。
これにより、分配器２５の加熱により蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）の蒸着材料３４を蒸発させる工程において、気化した蒸着材料３４ｖの供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）への進入を抑制することができる。
ここで、接続部（２２ａ，２２ｂ）の一部において内側の寸法が、遮蔽板（３３ａ，３３ｂ）の寸法に適合した構成であることが好ましく、これにより、遮蔽板（３３ａ，３３ｂ）が接続部（２２ａ，２２ｂ）に移動したときの分配器２５と供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）の間の遮蔽をより精密に行うことができる。 In the film forming method of the present embodiment, for example, in the step of moving the vapor deposition material receiving part (31a, 31b) from below the vapor deposition material solution supply part (30a, 30b) to the inside of the distributor 25, the vapor deposition material receiving part ( The distributor 25 and the supply chamber (21a, 21b) are provided by a shielding plate (33a, 33b) provided connected to the vapor deposition material receiving part (31a, 31b) so as to move accompanying the movement of 31a, 31b). It is preferable to shield the gap.
Thereby, in the process of evaporating the vapor deposition material 34 of the vapor deposition material receiving part (31a, 31b) by heating the distributor 25, the vaporized vapor deposition material 34v can be prevented from entering the supply chamber (21a, 21b). .
Here, it is preferable that the inner dimension of a part of the connection part (22a, 22b) is adapted to the dimension of the shielding plate (33a, 33b), whereby the shielding plate (33a, 33b) is connected. The shielding between the distributor 25 and the supply chamber (21a, 21b) when moved to the section (22a, 22b) can be performed more precisely.

本実施形態の成膜方法は、例えば、蒸着材料が防汚性の蒸着材料であり、成膜基板上に防汚膜を成膜する。
防汚性の蒸着材料は、材料の安定性のため溶液の状態で保存されており、真空蒸着する場合蒸着材料に溶媒が混入して成膜されやすく、防汚膜の耐久性及び耐摩擦性などの膜質が劣化してしまうという不利益があるが、本実施形態の成膜方法によれば、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）において溶媒を蒸発させて分離した後、成膜チャンバ１０内の分配器２５において気化させることができ、形成される膜の膜質の劣化を防止することができる。 In the film forming method of this embodiment, for example, the vapor deposition material is an antifouling vapor deposition material, and an antifouling film is formed on the film formation substrate.
Antifouling deposition materials are stored in solution for the stability of the material, and when vacuum deposition is performed, a solvent is mixed into the deposition material to form a film easily. However, according to the film forming method of this embodiment, after the solvent is evaporated and separated in the supply chamber (21a, 21b), the distribution in the film forming chamber 10 is performed. Vaporization can be performed in the vessel 25, and deterioration of the film quality of the formed film can be prevented.

本実施形態の成膜方法は、例えば、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）に蒸着材料溶液３４ｓを供給する工程から気化した蒸着材料３４ｖを成膜基板１２上に成膜する工程までを、１組の成膜基板ごとにバッチ方式で行う。
供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）において蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）から供給された蒸着材料溶液３４ｓのうちの蒸着材料３４を蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）に残して溶媒を蒸発させた後、蒸着材料３４を成膜に供するので、バッチ方式などの成膜を断続的に行う装置及び方法に適している。 The film forming method of the present embodiment includes, for example, from the step of supplying the vapor deposition material solution 34s to the vapor deposition material receiving portions (31a, 31b) to the step of depositing the vaporized vapor deposition material 34v on the film formation substrate 12. This is performed in a batch mode for each pair of deposition substrates.
Of the vapor deposition material solution 34s supplied from the vapor deposition material solution supply unit (30a, 30b) in the supply chamber (21a, 21b), the vapor deposition material 34 is left in the vapor deposition material receiving unit (31a, 31b) to evaporate the solvent. After that, since the vapor deposition material 34 is used for film formation, it is suitable for an apparatus and method for performing film formation intermittently such as a batch method.

本実施形態の成膜方法は、例えば、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）に蒸着材料溶液３４ｓを供給する工程を、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）の内部を大気圧下、加圧下、または１ｋＰａ〜大気圧程度の減圧下で行う。
供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）において蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）から供給された蒸着材料溶液３４ｓのうちの蒸着材料３４を蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）に残して溶媒を蒸発させる工程においては、蒸着材料溶液３４ｓの特性に応じて、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）の内部を溶媒のみの蒸発に適した圧力条件に設定でき、例えば、大気圧下、加圧下、または１ｋＰａ〜大気圧程度の減圧下とすることができる。 In the film forming method of the present embodiment, for example, the step of supplying the vapor deposition material solution 34s to the vapor deposition material receiving part (31a, 31b) is performed, the inside of the supply chamber (21a, 21b) is under atmospheric pressure, under pressure, or 1 kPa. ~ Under reduced pressure of about atmospheric pressure.
Step of evaporating the solvent while leaving the vapor deposition material 34 of the vapor deposition material solution 34s supplied from the vapor deposition material solution supply unit (30a, 30b) in the supply chamber (21a, 21b) in the vapor deposition material receiving unit (31a, 31b). , The inside of the supply chamber (21a, 21b) can be set to a pressure condition suitable for evaporation of only the solvent, depending on the characteristics of the vapor deposition material solution 34s, for example, under atmospheric pressure, under pressure, or from 1 kPa to atmospheric pressure It can be under reduced pressure.

本実施形態の成膜方法は、例えば、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）が加熱可能な構成とすることができる。
これにより、蒸着材料溶液３４ｓを供給する工程から気化した蒸着材料３４ｖを成膜基板１２上に成膜する工程までの少なくともいずれかの工程において、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）により、直接蒸着材料溶液３４ｓまたは蒸着材料溶液から溶媒が除去されてなる蒸着材料３４を加熱することができる。 The film-forming method of this embodiment can be set as the structure which can heat the vapor deposition material receiving part (31a, 31b), for example.
Thus, in at least one of the steps from the step of supplying the vapor deposition material solution 34s to the step of depositing the vaporized vapor deposition material 34v on the film formation substrate 12, the vapor deposition material receiving part (31a, 31b) directly vaporizes. The vapor deposition material 34 obtained by removing the solvent from the material solution 34s or the vapor deposition material solution can be heated.

本実施形態の成膜方法は、例えば、１個の分配器に対して、仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）、蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）、及び、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）の組を複数個有した構成の成膜装置を用いて、蒸着材料受部に蒸着材料溶液を供給する工程から気化した蒸着材料を成膜基板上に成膜する工程までを行う。
複数の組の仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）、蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）、及び、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）を有する構成により、バッチ方式などの成膜を断続的に行う装置及び方法で一度に成膜する基板の枚数及び成膜面積を増加させることができ、また、膜質の均一化を図ることができる。 In the film forming method of the present embodiment, for example, a gate valve (23a, 23b), a vapor deposition material solution supply unit (30a, 30b), a vapor deposition material receiving unit (31a, 31b) and the deposition material vaporized from the step of supplying the deposition material solution to the deposition material receiving section using the deposition apparatus having a plurality of pairs of supply chambers (21a, 21b) on the deposition substrate. Steps up to film formation are performed.
By the structure which has the gate valve (23a, 23b) which is a some partition part, vapor deposition material solution supply part (30a, 30b), vapor deposition material receiving part (31a, 31b), and supply chamber (21a, 21b). In addition, the number of substrates and the film formation area formed at one time can be increased by an apparatus and method that perform film formation intermittently such as a batch method, and the film quality can be made uniform.

本実施形態の成膜装置及び成膜方法によれば、バッチ方式あるいはその他の方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合に、供給チャンバにおいて蒸着材料受部に蒸着材料溶液供給部から蒸着材料溶液を供給した後、供給チャンバの真空引きすることが可能となり、蒸着材料供給部の供給口近傍で蒸着材料の一部が成膜に供されることなく飛散してしまうことを防止することができ、これにより蒸着材料の節約が可能で製造コストを低減し、さらに真空チャンバの汚染を抑制できる。   According to the film forming apparatus and the film forming method of the present embodiment, when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state by a batch method or other methods, the vapor deposition material solution supply unit is provided in the vapor deposition material receiving unit in the supply chamber. After the vapor deposition material solution is supplied from the vacuum chamber, it is possible to evacuate the supply chamber, preventing a part of the vapor deposition material from being scattered near the supply port of the vapor deposition material supply unit without being deposited. This can save the vapor deposition material, reduce the manufacturing cost, and further suppress the contamination of the vacuum chamber.

また、バッチ方式あるいはその他の方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合であっても、供給チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料受部に残して溶媒を蒸発させて分離した後、成膜チャンバの分配器において蒸着材料を気化し、得られた蒸着材料の蒸気を成膜基板に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成することにより、形成される膜の膜質の劣化を防止することができる。
例えば防汚膜を形成する場合、防汚膜の耐久性及び耐摩擦性などの高い膜質を実現できる。
これは、成膜チャンバから独立して設けられた供給チャンバを採用することで、少なくとも圧力及び温度のいずれかの異なる２箇所以上の領域を設けることができ、これにより、蒸着材料溶液から溶媒を分離した後で、成膜に供することが可能となったものである。 In addition, even when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state by a batch method or other methods, the vapor deposition material of the vapor deposition material solution supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the supply chamber is vapor deposition material. After leaving the receiver to evaporate and separate the solvent, the vapor deposition material is vaporized in the distributor of the film formation chamber, and the vapor of the obtained vapor deposition material is ejected and deposited on the film formation substrate to form a film of the vapor deposition material. By forming, deterioration of the film quality of the formed film can be prevented.
For example, when an antifouling film is formed, high film quality such as durability and friction resistance of the antifouling film can be realized.
By adopting a supply chamber that is provided independently of the film formation chamber, at least two regions having different pressures and temperatures can be provided, whereby the solvent can be removed from the deposition material solution. After separation, the film can be used for film formation.

＜第２実施形態＞
図９は本発明の第２実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。
１個の分配器に対して、仕切り部であるゲートバルブ２３、蒸着材料溶液供給部３０、蒸着材料受部３１、及び、供給チャンバ２１の組を１組有した構成の成膜装置である。
供給チャンバ２１は、例えば、接続部２２と、開閉可能な仕切り部であるゲートバルブ２３を介して、分配器２５に連通している。
ゲートバルブ２３は、例えば、ゲート部２４の移動により、供給チャンバ２１側と、接続部２２及び分配器２５側を連通または仕切ることができる。 Second Embodiment
FIG. 9 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the second embodiment of the present invention.
The film forming apparatus has a configuration in which one set of a gate valve 23, a vapor deposition material solution supply unit 30, a vapor deposition material receiving unit 31, and a supply chamber 21 as a partition unit is provided for one distributor.
The supply chamber 21 communicates with the distributor 25 through, for example, a connection part 22 and a gate valve 23 that is a partition part that can be opened and closed.
The gate valve 23 can communicate or partition the supply chamber 21 side, the connection part 22 and the distributor 25 side by moving the gate part 24, for example.

分配器２５には、例えば、蒸着材料を噴出するための複数個（図面上は４個）の開口部が設けられている。また、例えば、分配器２５の外側に、分配器２５の内部を加熱するための加熱部である抵抗加熱によるヒーター２７が設けられている。   The distributor 25 is provided with, for example, a plurality (four in the drawing) of openings for ejecting the vapor deposition material. Further, for example, a heater 27 by resistance heating that is a heating unit for heating the inside of the distributor 25 is provided outside the distributor 25.

また、例えば、供給チャンバ２１は、接続部２８を介して真空ポンプ２９が接続されており、第１供給チャンバ２１ａと第２供給チャンバ２１ｂの内部を所定の圧力に減圧可能となっている。   Further, for example, the supply chamber 21 is connected to a vacuum pump 29 via a connection portion 28, and the inside of the first supply chamber 21a and the second supply chamber 21b can be reduced to a predetermined pressure.

供給チャンバ２１は、例えば、蒸着材料溶液供給部３０と、供給チャンバの内部における蒸着材料溶液供給部３０の下方から分配器２５の内部へと移動可能に設けられた蒸着材料受部３１とを有する。   The supply chamber 21 includes, for example, a vapor deposition material solution supply unit 30 and a vapor deposition material receiving unit 31 provided so as to be movable from below the vapor deposition material solution supply unit 30 inside the supply chamber to the inside of the distributor 25. .

蒸着材料溶液供給部３０は、例えば蒸着材料を溶媒に溶解してなる蒸着材料溶液を供給する。   The vapor deposition material solution supply unit 30 supplies a vapor deposition material solution obtained by, for example, dissolving a vapor deposition material in a solvent.

蒸着材料受部３１は、例えばシリンダ型駆動部３２などにより、蒸着材料溶液供給部３０の下方から分配器２５の内部へと移動可能に設けられている。   The vapor deposition material receiving unit 31 is provided so as to be movable from below the vapor deposition material solution supply unit 30 to the inside of the distributor 25 by, for example, a cylinder type driving unit 32.

また、例えば、蒸着材料受部３１の移動に付随して移動するように蒸着材料受部３１に接続して遮蔽板３３が設けられている。
遮蔽板３３により、分配器２５と供給チャンバ２１の間を遮蔽することで、分配器２５の加熱により蒸着材料受部３１の蒸着材料を蒸発させる際に、気化した蒸着材料の供給チャンバ２０への進入を抑制することができる。
ここで、接続部２２の一部において内側の寸法が、遮蔽板３３の寸法に適合した構成とすることにより、遮蔽板３３が接続部２２に移動したときの分配器２５と供給チャンバ２１の間の遮蔽をより精密に行うことができる。 Further, for example, a shielding plate 33 is provided in connection with the vapor deposition material receiving portion 31 so as to move accompanying the movement of the vapor deposition material receiving portion 31.
By shielding between the distributor 25 and the supply chamber 21 by the shielding plate 33, when the vapor deposition material in the vapor deposition material receiving portion 31 is evaporated by heating the distributor 25, the vaporized vapor deposition material is supplied to the supply chamber 20. Ingress can be suppressed.
Here, the inner dimension of a part of the connecting part 22 is adapted to the dimension of the shielding plate 33, so that the distributor 25 and the supply chamber 21 are moved when the shielding plate 33 moves to the connecting part 22. Can be more precisely shielded.

例えば、蒸着材料受部３１が加熱可能に構成されている。
蒸着材料溶液を供給する工程から蒸着材料を成膜基板上に成膜する工程までの少なくともいずれかの工程において、蒸着材料受部３１により直接蒸着材料溶液または蒸着材料溶液から溶媒が除去されてなる蒸着材料を加熱することができる。 For example, the vapor deposition material receiver 31 is configured to be heatable.
In at least one of the steps from the step of supplying the vapor deposition material solution to the step of depositing the vapor deposition material on the film formation substrate, the vapor deposition material receiver 31 removes the solvent directly from the vapor deposition material solution or the vapor deposition material solution. The vapor deposition material can be heated.

本実施形態の成膜方法は、上記構成の成膜装置を用いて、蒸着材料受部３１に蒸着材料溶液３４ｓを供給する工程から気化した蒸着材料３４ｖを成膜基板１２上に成膜する工程までを行う。
上記の点を除いては実質的に第１実施形態の成膜装置と同様である。 In the film forming method of the present embodiment, the vapor deposition material 34v vaporized from the step of supplying the vapor deposition material solution 34s to the vapor deposition material receiving unit 31 is formed on the film formation substrate 12 using the film formation apparatus having the above configuration. Do up to.
Except for the above points, the film forming apparatus is substantially the same as that of the first embodiment.

本実施形態の成膜装置及び成膜方法によれば、バッチ方式あるいはその他の方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合に、供給チャンバにおいて蒸着材料受部に蒸着材料溶液供給部から蒸着材料溶液を供給した後、供給チャンバの真空引きすることが可能となり、蒸着材料供給部の供給口近傍で蒸着材料の一部が成膜に供されることなく飛散してしまうことを防止することができ、これにより蒸着材料の節約が可能で製造コストを低減し、さらに真空チャンバの汚染を抑制できる。   According to the film forming apparatus and the film forming method of the present embodiment, when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state by a batch method or other methods, the vapor deposition material solution supply unit is provided in the vapor deposition material receiving unit in the supply chamber. After the vapor deposition material solution is supplied from the vacuum chamber, it is possible to evacuate the supply chamber, preventing a part of the vapor deposition material from being scattered near the supply port of the vapor deposition material supply unit without being deposited. This can save the vapor deposition material, reduce the manufacturing cost, and further suppress the contamination of the vacuum chamber.

また、バッチ方式あるいはその他の方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合であっても、供給チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料受部に残して溶媒を蒸発させて分離した後、成膜チャンバの分配器において蒸着材料を気化し、得られた蒸着材料の蒸気を成膜基板に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成することにより、形成される膜の膜質の劣化を防止することができる。   In addition, even when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state by a batch method or other methods, the vapor deposition material of the vapor deposition material solution supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the supply chamber is vapor deposition material. After leaving the receiver to evaporate and separate the solvent, the vapor deposition material is vaporized in the distributor of the film formation chamber, and the vapor of the obtained vapor deposition material is ejected and deposited on the film formation substrate to form a film of the vapor deposition material. By forming, deterioration of the film quality of the formed film can be prevented.

＜第３実施形態＞
図１０は本発明の第３実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。
本実施形態の成膜装置は、第１実施形態と同様に、例えば、１個の分配器２５に対して、仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）、蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）、及び、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）の組を複数個有する。
本実施形態では、仕切り部であるゲートバルブ、蒸着材料溶液供給部、蒸着材料受部、及び、供給チャンバの組を２組有する構成を示しているが、これに限らず、３組以上有する構成であってもよい。
ここで、本実施形態においては、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）が個別に接続部（２８ａ，２８ｂ）を介して真空ポンプ（２９ａ，２９ｂ）に接続された構成となっている。
上記の構成の成膜装置では、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）を個別に真空引きすることができる。これにより、蒸着材料溶液の特性に応じて、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）の内部を個別に溶媒のみの蒸発に適した雰囲気ガス及び圧力条件に設定でき、例えば、大気圧下、加圧下、または１ｋＰａ〜大気圧程度の減圧下とすることができる。
上記を除いては、実質的に第１実施形態と同様である。 <Third Embodiment>
FIG. 10 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the third embodiment of the present invention.
Similarly to the first embodiment, the film forming apparatus of the present embodiment has, for example, a gate valve (23a, 23b), which is a partition, and a deposition material solution supply unit (30a, 30b) for one distributor 25. ), A plurality of sets of vapor deposition material receiving portions (31a, 31b) and supply chambers (21a, 21b).
In the present embodiment, a configuration having two sets of a gate valve, a vapor deposition material solution supply unit, a vapor deposition material receiving unit, and a supply chamber, which are partition units, is shown, but not limited thereto, a configuration having three or more sets It may be.
Here, in the present embodiment, the supply chambers (21a, 21b) are individually connected to the vacuum pumps (29a, 29b) via the connection portions (28a, 28b).
In the film forming apparatus having the above configuration, the supply chambers (21a, 21b) can be individually evacuated. Thereby, the inside of the supply chamber (21a, 21b) can be individually set to atmospheric gas and pressure conditions suitable for evaporation of only the solvent according to the characteristics of the vapor deposition material solution, for example, under atmospheric pressure, under pressure, or The pressure can be reduced to about 1 kPa to atmospheric pressure.
Except for the above, it is substantially the same as the first embodiment.

本実施形態の係る成膜方法は、例えば、成膜チャンバ１０において、成膜基板１２が保持された基板ホルダ１３を回転駆動し、仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）を閉じた状態で、即ち、ゲート部（２４ａ，２４ｂ）により、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）側と、接続部（２２ａ，２２ｂ）及び分配器２５側を仕切った状態で、成膜チャンバ１０を真空引きし、仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）を閉じた状態で供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）において蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）の下方に配置された蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）に蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）から蒸着材料溶液３４ｓを供給する。
次に、例えば、真空ポンプ（２９ａ，２９ｂ）の駆動による供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）の真空引きにより、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）に供給された蒸着材料溶液３４ｓに含有される蒸着材料３４を残して蒸着材料溶液３４ｓの溶媒を除去する。
上記以外については、第１実施形態と同様である。 In the film forming method according to the present embodiment, for example, in the film forming chamber 10, the substrate holder 13 holding the film forming substrate 12 is rotationally driven, and the gate valves (23 a and 23 b) that are the partition portions are closed. That is, the deposition chamber 10 is evacuated and partitioned in a state where the supply chambers (21a, 21b) side, the connection portions (22a, 22b) and the distributor 25 side are partitioned by the gate portions (24a, 24b). In the supply chamber (21a, 21b) with the gate valves (23a, 23b) being closed, the vapor deposition is performed on the vapor deposition material receiving parts (31a, 31b) arranged below the vapor deposition material solution supply part (30a, 30b). The vapor deposition material solution 34s is supplied from the material solution supply unit (30a, 30b).
Next, for example, the vapor deposition material contained in the vapor deposition material solution 34s supplied to the vapor deposition material receiving portion (31a, 31b) by evacuating the supply chamber (21a, 21b) by driving the vacuum pump (29a, 29b). The solvent of the vapor deposition material solution 34s is removed leaving 34.
Other than the above, the second embodiment is the same as the first embodiment.

本実施形態の成膜装置及び成膜方法によれば、バッチ方式あるいはその他の方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合に、供給チャンバにおいて蒸着材料受部に蒸着材料溶液供給部から蒸着材料溶液を供給した後、供給チャンバの真空引きすることが可能となり、蒸着材料供給部の供給口近傍で蒸着材料の一部が成膜に供されることなく飛散してしまうことを防止することができ、これにより蒸着材料の節約が可能で製造コストを低減し、さらに真空チャンバの汚染を抑制できる。   According to the film forming apparatus and the film forming method of the present embodiment, when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state by a batch method or other methods, the vapor deposition material solution supply unit is provided in the vapor deposition material receiving unit in the supply chamber. After the vapor deposition material solution is supplied from the vacuum chamber, it is possible to evacuate the supply chamber, preventing a part of the vapor deposition material from being scattered near the supply port of the vapor deposition material supply unit without being deposited. This can save the vapor deposition material, reduce the manufacturing cost, and further suppress the contamination of the vacuum chamber.

また、バッチ方式あるいはその他の方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合であっても、供給チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料受部に残して溶媒を蒸発させて分離した後、成膜チャンバの分配器において蒸着材料を気化し、得られた蒸着材料の蒸気を成膜基板に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成することにより、形成される膜の膜質の劣化を防止することができる。   In addition, even when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state by a batch method or other methods, the vapor deposition material of the vapor deposition material solution supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the supply chamber is vapor deposition material. After leaving the receiver to evaporate and separate the solvent, the vapor deposition material is vaporized in the distributor of the film formation chamber, and the vapor of the obtained vapor deposition material is ejected and deposited on the film formation substrate to form a film of the vapor deposition material. By forming, deterioration of the film quality of the formed film can be prevented.

＜第４実施形態＞
図１１は本発明の第４実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。
本実施形態の成膜装置は、例えば、分配器（２５ａ，２５ｂ）、仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）、蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）、及び、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）の組が複数個設けられている構成である。分配器、仕切り部であるゲートバルブ、蒸着材料溶液供給部、蒸着材料受部、及び、供給チャンバの各組の構成は、第２実施形態と同様である。
本実施形態では、分配器、仕切り部であるゲートバルブ、蒸着材料溶液供給部、蒸着材料受部、及び、供給チャンバの組を２組有する構成を示しているが、これに限らず、３組以上有する構成であってもよい。
上記を除いては、実質的に第１実施形態あるいは第２実施形態と同様である。 <Fourth embodiment>
FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.
The film forming apparatus of the present embodiment includes, for example, a distributor (25a, 25b), a gate valve (23a, 23b) that is a partition, a vapor deposition material solution supply unit (30a, 30b), and a vapor deposition material receiving unit (31a, 31b). ) And a plurality of sets of supply chambers (21a, 21b). The configuration of each set of a distributor, a gate valve as a partition, a vapor deposition material solution supply unit, a vapor deposition material receiving unit, and a supply chamber is the same as in the second embodiment.
In the present embodiment, a configuration including two sets of a distributor, a gate valve as a partition, a vapor deposition material solution supply unit, a vapor deposition material receiving unit, and a supply chamber is shown. The structure which has it above may be sufficient.
Except for the above, it is substantially the same as the first embodiment or the second embodiment.

本実施形態の係る成膜方法は、例えば、成膜チャンバ１０において、成膜基板１２が保持された基板ホルダ１３を回転駆動し、仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）を閉じた状態で、即ち、ゲート部（２４ａ，２４ｂ）により、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）側と、接続部（２２ａ，２２ｂ）及び分配器２５側を仕切った状態で、成膜チャンバ１０を真空引きし、仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）を閉じた状態で供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）において蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）の下方に配置された蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）に蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）から蒸着材料溶液３４ｓを供給する。
次に、例えば、真空ポンプ（２９ａ，２９ｂ）の駆動による供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）の真空引きにより、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）に供給された蒸着材料溶液３４ｓに含有される蒸着材料３４を残して蒸着材料溶液３４ｓの溶媒を除去する。
次に、例えば、仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）を開けて、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）と、接続部（２２ａ，２２ｂ）及び分配器（２５ａ，２５ｂ）をそれぞれ連通させ、シリンダ型駆動部（３２ａ，３２ｂ）の駆動により、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）を蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）の下方から分配器２５の内部へと移動し、分配器（２５ａ，２５ｂ）の外側に設けられたヒーター（２７ａ，２７ｂ）により、分配器（２５ａ，２５ｂ）の内部をそれぞれ加熱し、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）の蒸着材料３４を気化させ、分配器（２５ａ，２５ｂ）に設けられた開口部（２６ａ，２６ｂ）より気化した蒸着材料３４ｖを成膜チャンバ１０内に噴出させ、蒸着材料を成膜基板上に成膜する。
上記以外については、第１実施形態あるいは第２実施形態と同様である。 In the film forming method according to the present embodiment, for example, in the film forming chamber 10, the substrate holder 13 holding the film forming substrate 12 is rotationally driven, and the gate valves (23 a and 23 b) that are the partition portions are closed. That is, the deposition chamber 10 is evacuated and partitioned in a state where the supply chambers (21a, 21b) side, the connection portions (22a, 22b) and the distributor 25 side are partitioned by the gate portions (24a, 24b). In the supply chamber (21a, 21b) with the gate valves (23a, 23b) being closed, the vapor deposition is performed on the vapor deposition material receiving parts (31a, 31b) arranged below the vapor deposition material solution supply part (30a, 30b). The vapor deposition material solution 34s is supplied from the material solution supply unit (30a, 30b).
Next, for example, the vapor deposition material contained in the vapor deposition material solution 34s supplied to the vapor deposition material receiving portion (31a, 31b) by evacuating the supply chamber (21a, 21b) by driving the vacuum pump (29a, 29b). The solvent of the vapor deposition material solution 34s is removed leaving 34.
Next, for example, the gate valve (23a, 23b) which is a partition part is opened, and the supply chamber (21a, 21b), the connection part (22a, 22b) and the distributor (25a, 25b) are communicated with each other. By driving the mold driving unit (32a, 32b), the vapor deposition material receiving unit (31a, 31b) is moved from below the vapor deposition material solution supply unit (30a, 30b) to the inside of the distributor 25, and the distributor (25a, 32b) is moved. The insides of the distributors (25a, 25b) are respectively heated by the heaters (27a, 27b) provided on the outer side of 25b) to vaporize the vapor deposition material 34 of the vapor deposition material receiving portions (31a, 31b), and the distributor ( The vapor deposition material 34v vaporized from the openings (26a, 26b) provided in 25a, 25b) is ejected into the film formation chamber 10 to form the vapor deposition material on the film formation substrate.
Except for the above, the second embodiment is the same as the first embodiment or the second embodiment.

本実施形態の成膜装置及び成膜方法によれば、バッチ方式あるいはその他の方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合に、供給チャンバにおいて蒸着材料受部に蒸着材料溶液供給部から蒸着材料溶液を供給した後、供給チャンバの真空引きすることが可能となり、蒸着材料供給部の供給口近傍で蒸着材料の一部が成膜に供されることなく飛散してしまうことを防止することができ、これにより蒸着材料の節約が可能で製造コストを低減し、さらに真空チャンバの汚染を抑制できる。   According to the film forming apparatus and the film forming method of the present embodiment, when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state by a batch method or other methods, the vapor deposition material solution supply unit is provided in the vapor deposition material receiving unit in the supply chamber. After the vapor deposition material solution is supplied from the vacuum chamber, it is possible to evacuate the supply chamber, preventing a part of the vapor deposition material from being scattered near the supply port of the vapor deposition material supply unit without being deposited. This can save the vapor deposition material, reduce the manufacturing cost, and further suppress the contamination of the vacuum chamber.

また、バッチ方式あるいはその他の方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合であっても、供給チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料受部に残して溶媒を蒸発させて分離した後、成膜チャンバの分配器において蒸着材料を気化し、得られた蒸着材料の蒸気を成膜基板に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成することにより、形成される膜の膜質の劣化を防止することができる。   In addition, even when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state by a batch method or other methods, the vapor deposition material of the vapor deposition material solution supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the supply chamber is vapor deposition material. After leaving the receiver to evaporate and separate the solvent, the vapor deposition material is vaporized in the distributor of the film formation chamber, and the vapor of the obtained vapor deposition material is ejected and deposited on the film formation substrate to form a film of the vapor deposition material. By forming, deterioration of the film quality of the formed film can be prevented.

＜第５実施形態＞
図１２は本発明の第５実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。
本実施形態の成膜装置は、例えば、１つの成膜チャンバ１０に対して、分配器（２５Ｘ，２５Ｙ）と供給チャンバ（２０Ｘ，２０Ｙ）の組が複数個設けられた構成であり、分配器（２５Ｘ，２５Ｙ）と供給チャンバ（２０Ｘ，２０Ｙ）の各組の構成は、例えば第１実施形態と同様に、１つの分配器２５に対して、仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）、蒸着材料溶液供給部（３０ａ，３０ｂ）、蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）、及び、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）の組が複数個設けられている構成である。
あるいは、分配器（２５Ｘ，２５Ｙ）と供給チャンバ（２０Ｘ，２０Ｙ）の各組の構成は、第２実施形態〜第４実施形態と同様とすることもできる。 <Fifth Embodiment>
FIG. 12 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the fifth embodiment of the present invention.
The film forming apparatus of this embodiment has a configuration in which a plurality of sets of distributors (25X, 25Y) and supply chambers (20X, 20Y) are provided for one film forming chamber 10, for example. (25X, 25Y) and supply chambers (20X, 20Y) are configured in the same manner as in the first embodiment, for example, with respect to one distributor 25, gate valves (23a, 23b) as partition portions, A plurality of sets of vapor deposition material solution supply units (30a, 30b), vapor deposition material receiving units (31a, 31b), and supply chambers (21a, 21b) are provided.
Alternatively, the configuration of each set of the distributor (25X, 25Y) and the supply chamber (20X, 20Y) can be the same as in the second to fourth embodiments.

図面上は分配器（２５Ｘ，２５Ｙ）と供給チャンバ（２０Ｘ，２０Ｙ）の組が２組設けられた構成であるが、これに限らず、３組以上であってよい。
また、図面上は分配器（２５Ｘ，２５Ｙ）と供給チャンバ（２０Ｘ，２０Ｙ）の組が成膜チャンバ１０を挟んで対向する位置に配置されているが、これに限らず、成膜チャンバ１０に対して任意の複数の位置に分配器と供給チャンバの組が設けられている構成とすることができる。 In the drawing, two sets of distributors (25X, 25Y) and supply chambers (20X, 20Y) are provided. However, the present invention is not limited to this, and three or more sets may be provided.
Further, in the drawing, the set of the distributor (25X, 25Y) and the supply chamber (20X, 20Y) is disposed at a position facing each other with the film forming chamber 10 interposed therebetween. On the other hand, it can be set as the structure by which the set of the divider | distributor and the supply chamber is provided in arbitrary several positions.

１つの成膜チャンバ１０に対して、分配器（２５Ｘ，２５Ｙ）と供給チャンバ（２０Ｘ，２０Ｙ）の組が複数個設けられた構成とすることで、成膜基板に対する成膜速度を高め、より広い面積で効率的に成膜することが可能である。
上記を除いては、実質的に第１実施形態〜第４実施形態と同様である。 By forming a plurality of sets of distributors (25X, 25Y) and supply chambers (20X, 20Y) for one film forming chamber 10, the film forming speed on the film forming substrate is increased, and more It is possible to efficiently form a film over a wide area.
Except for the above, it is substantially the same as the first to fourth embodiments.

また、本実施形態の成膜方法は、上記のように分配器（２５Ｘ，２５Ｙ）と供給チャンバ（２０Ｘ，２０Ｙ）の組をそれぞれ用いて成膜することを除いて、実質的に第１実施形態〜第４実施形態と同様である。   In addition, the film forming method of the present embodiment is substantially the same as that of the first embodiment except that the film forming is performed using the pair of the distributor (25X, 25Y) and the supply chamber (20X, 20Y) as described above. Form to the fourth embodiment.

本実施形態の成膜装置及び成膜方法によれば、バッチ方式あるいはその他の方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合に、供給チャンバにおいて蒸着材料受部に蒸着材料溶液供給部から蒸着材料溶液を供給した後、供給チャンバの真空引きすることが可能となり、蒸着材料供給部の供給口近傍で蒸着材料の一部が成膜に供されることなく飛散してしまうことを防止することができ、これにより蒸着材料の節約が可能で製造コストを低減し、さらに真空チャンバの汚染を抑制できる。   According to the film forming apparatus and the film forming method of the present embodiment, when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state by a batch method or other methods, the vapor deposition material solution supply unit is provided in the vapor deposition material receiving unit in the supply chamber. After the vapor deposition material solution is supplied from the vacuum chamber, it is possible to evacuate the supply chamber, preventing a part of the vapor deposition material from being scattered near the supply port of the vapor deposition material supply unit without being deposited. This can save the vapor deposition material, reduce the manufacturing cost, and further suppress the contamination of the vacuum chamber.

また、バッチ方式あるいはその他の方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合であっても、供給チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料受部に残して溶媒を蒸発させて分離した後、成膜チャンバの分配器において蒸着材料を気化し、得られた蒸着材料の蒸気を成膜基板に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成することにより、形成される膜の膜質の劣化を防止することができる。   In addition, even when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state by a batch method or other methods, the vapor deposition material of the vapor deposition material solution supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the supply chamber is vapor deposition material. After leaving the receiver to evaporate and separate the solvent, the vapor deposition material is vaporized in the distributor of the film formation chamber, and the vapor of the obtained vapor deposition material is ejected and deposited on the film formation substrate to form a film of the vapor deposition material. By forming, deterioration of the film quality of the formed film can be prevented.

＜第６実施形態＞
図１３は本発明の第６実施形態に係る成膜装置の模式構成図である。
本実施形態の成膜装置は、例えば、１つの分配器２５に１つの開口部２６が設けられている構成である。
上記を除いては第１実施形態と同様である。
また、第２〜第５実施形態に係る成膜装置においても、上記と同様に、１つの分配器に１つの開口部が設けられている構成を適用することができる。 <Sixth Embodiment>
FIG. 13 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus according to the sixth embodiment of the present invention.
The film forming apparatus of this embodiment has a configuration in which one distributor 26 is provided with one opening 26, for example.
Except for the above, the second embodiment is the same as the first embodiment.
Also, in the film forming apparatuses according to the second to fifth embodiments, a configuration in which one opening is provided in one distributor can be applied as described above.

また、本実施形態の成膜方法は、実質的に第１実施形態〜第５実施形態と同様である。   In addition, the film forming method of the present embodiment is substantially the same as that of the first to fifth embodiments.

本実施形態の成膜装置及び成膜方法によれば、バッチ方式あるいはその他の方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合に、供給チャンバにおいて蒸着材料受部に蒸着材料溶液供給部から蒸着材料溶液を供給した後、供給チャンバの真空引きすることが可能となり、蒸着材料供給部の供給口近傍で蒸着材料の一部が成膜に供されることなく飛散してしまうことを防止することができ、これにより蒸着材料の節約が可能で製造コストを低減し、さらに真空チャンバの汚染を抑制できる。   According to the film forming apparatus and the film forming method of the present embodiment, when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state by a batch method or other methods, the vapor deposition material solution supply unit is provided in the vapor deposition material receiving unit in the supply chamber. After the vapor deposition material solution is supplied from the vacuum chamber, it is possible to evacuate the supply chamber, preventing a part of the vapor deposition material from being scattered near the supply port of the vapor deposition material supply unit without being deposited. This can save the vapor deposition material, reduce the manufacturing cost, and further suppress the contamination of the vacuum chamber.

また、バッチ方式あるいはその他の方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合であっても、供給チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料受部に残して溶媒を蒸発させて分離した後、成膜チャンバの分配器において蒸着材料を気化し、得られた蒸着材料の蒸気を成膜基板に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成することにより、形成される膜の膜質の劣化を防止することができる。   In addition, even when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a solution state by a batch method or other methods, the vapor deposition material of the vapor deposition material solution supplied from the vapor deposition material solution supply unit in the supply chamber is vapor deposition material. After leaving the receiver to evaporate and separate the solvent, the vapor deposition material is vaporized in the distributor of the film formation chamber, the vapor of the obtained vapor deposition material is jetted and deposited on the film formation substrate, and the film of the vapor deposition material is deposited. By forming, deterioration of the film quality of the formed film can be prevented.

＜第７実施形態＞
［成膜装置］
本発明の第７実施形態に係る成膜装置は、図１の模式構成図と同様である。
蒸着材料溶液を供給する蒸着材料溶液供給部の代わりに、溶媒を含まない蒸着材料を供給する蒸着材料供給部が設けられている。
上記を除いて第１実施形態と同様である。 <Seventh embodiment>
[Film deposition system]
The film forming apparatus according to the seventh embodiment of the present invention is the same as the schematic configuration diagram of FIG.
Instead of the vapor deposition material solution supply unit that supplies the vapor deposition material solution, a vapor deposition material supply unit that supplies a vapor deposition material that does not contain a solvent is provided.
Except for the above, the second embodiment is the same as the first embodiment.

［成膜方法］
本実施形態の成膜方法は、上述の本実施形態に係る成膜装置を用いて行う。
まず、図３と同様に、例えば、成膜チャンバ１０において、成膜基板１２が保持された基板ホルダ１３を回転駆動し、仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）を閉じた状態で、即ち、ゲート部（２４ａ，２４ｂ）により、供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）側と、接続部（２２ａ，２２ｂ）及び分配器２５側を仕切った状態で、成膜チャンバ１０を真空引きする。 [Film formation method]
The film forming method of the present embodiment is performed using the above-described film forming apparatus according to the present embodiment.
First, as in FIG. 3, for example, in the film forming chamber 10, the substrate holder 13 holding the film forming substrate 12 is rotated and the gate valves (23 a, 23 b) that are the partitioning portions are closed, that is, The film forming chamber 10 is evacuated in a state where the supply chambers (21a, 21b) side, the connection portions (22a, 22b) and the distributor 25 side are partitioned by the gate portions (24a, 24b).

次に、図４と同様に、例えば、仕切り部であるゲートバルブ（２３ａ，２３ｂ）を閉じた状態で供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）において蒸着材料供給部の下方に配置された蒸着材料受部（３１ａ，３１ｂ）に蒸着材料供給部から液体の蒸着材料を供給する。   Next, similarly to FIG. 4, for example, the vapor deposition material receiving portion (positioned below the vapor deposition material supply portion in the supply chamber (21 a, 21 b) with the gate valves (23 a, 23 b) serving as the partition portions closed. 31a, 31b) is supplied with a liquid deposition material from a deposition material supply unit.

次に、図５と同様に、例えば、真空ポンプ２９の駆動による供給チャンバ（２１ａ，２１ｂ）の真空引きを行う。
以降は、第１実施形態と同様にして行う。 Next, as in FIG. 5, for example, the supply chambers (21 a and 21 b) are evacuated by driving the vacuum pump 29.
The subsequent steps are performed in the same manner as in the first embodiment.

本実施形態の成膜装置及び成膜方法によれば、バッチ方式あるいはその他の方式で溶媒を含まない液体の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合に、供給チャンバにおいて蒸着材料受部に蒸着材料供給部から液体の蒸着材料を供給した後、供給チャンバの真空引きすることが可能となり、蒸着材料供給部の供給口近傍で蒸着材料の一部が成膜に供されることなく飛散してしまうことを防止することができ、これにより蒸着材料の節約が可能で製造コストを低減し、さらに真空チャンバの汚染を抑制できる。   According to the film forming apparatus and film forming method of the present embodiment, when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a liquid state not containing a solvent by a batch method or other methods, the vapor deposition is performed on the vapor deposition material receiving portion in the supply chamber. After supplying the liquid vapor deposition material from the material supply unit, it is possible to evacuate the supply chamber, and a part of the vapor deposition material is scattered without being used for film formation in the vicinity of the supply port of the vapor deposition material supply unit. This can save the vapor deposition material, reduce the manufacturing cost, and further suppress the contamination of the vacuum chamber.

＜第８実施形態＞
第２〜第６実施形態に対して、蒸着材料溶液を供給する蒸着材料溶液供給部の代わりに、溶媒を含まない蒸着材料を供給する蒸着材料供給部が設けられている構成とすることができる。
この場合、成膜方法としては、例えば、成膜チャンバにおいて、成膜基板が保持された基板ホルダを回転駆動し、仕切り部であるゲートバルブを閉じた状態で成膜チャンバを真空引きし、供給チャンバにおいて蒸着材料供給部の下方に配置された蒸着材料受部に蒸着材料供給部から液体の蒸着材料を供給した後に、真空ポンプの駆動による供給チャンバの真空引きを行うことを除いて、第２〜第６実施形態と同様にして行う。 <Eighth Embodiment>
With respect to the second to sixth embodiments, instead of the vapor deposition material solution supply unit that supplies the vapor deposition material solution, a vapor deposition material supply unit that supplies a vapor deposition material that does not contain a solvent can be provided. .
In this case, as a film forming method, for example, in the film forming chamber, the substrate holder holding the film forming substrate is driven to rotate, and the film forming chamber is evacuated and supplied with the gate valve as the partitioning portion closed. Except for supplying the vapor deposition material from the vapor deposition material supply unit to the vapor deposition material receiving unit disposed below the vapor deposition material supply unit in the chamber and then evacuating the supply chamber by driving the vacuum pump. -Performed in the same manner as in the sixth embodiment.

本実施形態の成膜装置及び成膜方法によれば、バッチ方式あるいはその他の方式で溶媒を含まない液体の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合に、供給チャンバにおいて蒸着材料受部に蒸着材料供給部から液体の蒸着材料を供給した後、供給チャンバの真空引きすることが可能となり、蒸着材料供給部の供給口近傍で蒸着材料の一部が成膜に供されることなく飛散してしまうことを防止することができ、これにより蒸着材料の節約が可能で製造コストを低減し、さらに真空チャンバの汚染を抑制できる。   According to the film forming apparatus and film forming method of the present embodiment, when vacuum deposition is performed using a vapor deposition material in a liquid state not containing a solvent by a batch method or other methods, the vapor deposition is performed on the vapor deposition material receiving portion in the supply chamber. After supplying the liquid vapor deposition material from the material supply unit, it is possible to evacuate the supply chamber, and a part of the vapor deposition material is scattered without being used for film formation in the vicinity of the supply port of the vapor deposition material supply unit. This can save the vapor deposition material, reduce the manufacturing cost, and further suppress the contamination of the vacuum chamber.

本発明は上記の説明に限定されない。
例えば、蒸着材料としては、防汚膜のほか、防汚膜以外の用途の蒸着材料を用いることも可能である。
蒸着材料が溶媒に溶解された溶液のほか、蒸着材料が分散媒に分散されて保存される蒸着材料にも適用可能であり、供給チャンバにおいて分散媒を除去してから蒸着させることが可能である。
上記の実施形態では、いわゆるバッチ方式の成膜装置及び成膜方法について示しているが、バッチ方式以外の方式での成膜装置及び成膜方法に適用可能である。
例えば、純粋なバッチ方式以外に、成膜基板が保持された基板ホルダの搬出入及び真空排気及び大気解放可能なロードロック室が成膜チャンバに設けられているロードロック方式にも適用可能である。
また、複数個の成膜チャンバが互いに仕切り可能に接続されて設けられており、複数個の成膜チャンバ間に搬送されてくる基板ホルダに保持された成膜基板に断続的に成膜する枚葉方式（マルチチャンバー方式）に適用可能である。
さらに、移動する成膜基板に対して断続的に成膜を行うインライン方式に適用可能である。
バッチ方式以外の方式の場合、その成膜方式に合致した基板ホルダが用いられる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。 The present invention is not limited to the above description.
For example, as the vapor deposition material, it is possible to use a vapor deposition material for applications other than the antifouling film, other than the antifouling film.
In addition to a solution in which a deposition material is dissolved in a solvent, it can also be applied to a deposition material in which the deposition material is dispersed and stored in a dispersion medium, and can be deposited after removing the dispersion medium in a supply chamber. .
In the above embodiment, a so-called batch type film forming apparatus and film forming method are shown, but the present invention can be applied to a film forming apparatus and a film forming method using a system other than the batch type.
For example, in addition to a pure batch system, the present invention can also be applied to a load lock system in which a film lock chamber is provided with a load lock chamber capable of carrying in and out a substrate holder holding a film formation substrate, evacuating and releasing the atmosphere. .
In addition, a plurality of film forming chambers are provided so as to be separable from each other, and the film is intermittently formed on the film forming substrate held by the substrate holder conveyed between the plurality of film forming chambers. It is applicable to the leaf method (multi-chamber method).
Furthermore, the present invention can be applied to an inline method in which film formation is intermittently performed on a moving film formation substrate.
In the case of a method other than the batch method, a substrate holder that matches the film forming method is used.
In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

１０…成膜チャンバ
１１…真空ポンプ
１２…成膜基板
１３…基板ホルダ
２０，２０Ｘ，２０Ｙ…供給チャンバ
２１…供給チャンバ
２１ａ…第１供給チャンバ
２１ｂ…第２供給チャンバ
２２，２２ａ，２２ｂ…接続部
２３，２３ａ，２３ｂ…ゲートバルブ
２４，２４ａ，２４ｂ…ゲート部
２５，２５ａ，２５ｂ…分配器
２６，２６ａ，２６ｂ…開口部
２７，２７ａ，２７ｂ…ヒーター
２８，２８ａ，２８ｂ…接続部
２９，２９ａ，２９ｂ…真空ポンプ
３０，３０ａ，３０ｂ…蒸着材料供給部
３１，３１ａ，３１ｂ…蒸着材料受部
３２，３２ａ，３２ｂ…シリンダ型駆動部
３３，３３ａ，３３ｂ…遮蔽板
３４…蒸着材料
３４ｓ…蒸着材料溶液
３４ｖ…気化した蒸着材料 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Deposition chamber 11 ... Vacuum pump 12 ... Deposition substrate 13 ... Substrate holder 20, 20X, 20Y ... Supply chamber 21 ... Supply chamber 21a ... First supply chamber 21b ... Second supply chamber 22, 22a, 22b ... Connection part 23, 23a, 23b ... Gate valves 24, 24a, 24b ... Gate portions 25, 25a, 25b ... Distributors 26, 26a, 26b ... Openings 27, 27a, 27b ... Heaters 28, 28a, 28b ... Connection portions 29, 29a , 29b ... Vacuum pump 30, 30a, 30b ... Vapor deposition material supply unit 31, 31a, 31b ... Vapor deposition material receiving unit 32, 32a, 32b ... Cylinder type drive unit 33, 33a, 33b ... Shielding plate 34 ... Vapor deposition material 34s ... Vapor deposition Material solution 34v ... Vaporized vapor deposition material

Claims (10)

成膜基板を保持した基板ホルダと蒸着材料の分配器が内部に設けられた成膜チャンバと、
前記成膜チャンバの外部に設けられた少なくとも一つの供給チャンバと、
前記成膜チャンバ内部の前記分配器と前記供給チャンバとを所定間隔をおいて連通するように接続する接続部と、
前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバとを連通させまたは仕切り閉じた状態とすることが可能な仕切り部と、
前記成膜チャンバに接続された第１の真空ポンプと、
前記供給チャンバに接続された第２の真空ポンプと、
を有し、
前記供給チャンバは、
蒸着材料溶液供給部と、
前記供給チャンバの内部における前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部へと移動可能に設けられた蒸着材料受部と、
前記蒸着材料受部の前記分配器の内部への移動に付随して移動し、前記蒸着材料受部が前記分配器の内部に移動されたときに、前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽する遮蔽部と、を含む成膜装置を用いた成膜方法であって、
前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記第１の真空ポンプを用いて前記成膜チャンバを真空引きする工程と、
前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で前記供給チャンバにおいて前記蒸着材料溶液供給部の下方に配置された前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液供給部から蒸着材料溶液を供給する工程と、
前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記第２の真空ポンプを用いて前記供給チャンバを真空引きすることにより、前記蒸着材料受部に供給された前記蒸着材料溶液に含有される蒸着材料を残して前記蒸着材料溶液の溶媒を除去する工程と、
前記仕切り部を開けて前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを連通させる工程と、
前記蒸着材料受部を前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部に移動する工程と、
前記蒸着材料受部を前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部に移動する工程において、前記蒸着材料受部の移動に付随して移動するように前記蒸着材料受部に接続して設けられている遮蔽板により前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽する工程と、
前記分配器の加熱により前記蒸着材料受部の前記蒸着材料を気化させ、前記分配器に設けられた開口部より気化した前記蒸着材料を前記成膜チャンバ内に噴出させ、前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程と
を有する成膜方法。 A film formation chamber in which a substrate holder for holding a film formation substrate and a distributor for vapor deposition material are provided;
At least one supply chamber provided outside the deposition chamber;
A connecting portion for connecting the distributor inside the film forming chamber and the supply chamber so as to communicate with each other at a predetermined interval;
A partition part capable of communicating or connecting the supply chamber with the connection part and the distributor side; and
A first vacuum pump connected to the deposition chamber;
A second vacuum pump connected to the supply chamber;
Have
The supply chamber comprises:
A deposition material solution supply unit;
A vapor deposition material receiving portion provided movably from below the vapor deposition material solution supply portion in the supply chamber to the inside of the distributor;
When the vapor deposition material receiving part moves to the inside of the distributor when the vapor deposition material receiving part moves to the inside of the distributor, the vapor deposition material receiving part is connected to the distributor in the film forming chamber. A film forming method using a film forming apparatus including a shielding part that shields a predetermined position of the connecting part,
Evacuating the film forming chamber using the first vacuum pump in a state where the partition portion is closed and the connection portion and the distributor side are partitioned from the supply chamber side;
The vapor deposition material receiving unit disposed below the vapor deposition material solution supply unit in the supply chamber in a state where the partition unit is closed and the connection unit and the distributor side are partitioned from the supply chamber side. Supplying a deposition material solution from the material solution supply unit;
By closing the partition portion and partitioning the connection portion and the distributor side and the supply chamber side, the supply chamber is evacuated using the second vacuum pump, thereby receiving the deposition material. Removing the solvent of the vapor deposition material solution while leaving the vapor deposition material contained in the vapor deposition material solution supplied to the unit;
Opening the partition and communicating the connecting portion and the distributor side with the supply chamber side;
Moving the vapor deposition material receiving part from below the vapor deposition material solution supply part into the distributor;
In the step of moving the vapor deposition material receiving unit from below the vapor deposition material solution supply unit to the inside of the distributor, the vapor deposition material receiving unit is connected to the vapor deposition material receiving unit so as to move along with the movement of the vapor deposition material receiving unit. A step of shielding a predetermined position of the connecting portion connected to the distributor in the film forming chamber by a shielding plate provided;
The vapor deposition material in the vapor deposition material receiving part is vaporized by heating the distributor, the vapor deposition material vaporized from an opening provided in the distributor is ejected into the film formation chamber, and the vapor deposition material is formed into the deposition material. Forming a film on a film substrate. 前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記成膜チャンバ内の当該分配器と前記供給チャンバ内を前記接続部により所定間隔をおいて接続させていることにより、少なくとも前記供給チャンバにおいて前記蒸着材料溶液供給部の下方に配置された前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液供給部から蒸着材料溶液を供給する工程、および前記供給チャンバを真空引きすることにより、前記蒸着材料受部に供給された前記蒸着材料溶液に含有される蒸着材料を残して前記蒸着材料溶液の溶媒を除去する工程における前記供給チャンバ内の状態の前記成膜チャンバへの影響を抑制し、
前記蒸着材料受部を前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部に移動する工程において、前記蒸着材料受部の移動に付随して移動するように前記蒸着材料受部に接続して設けられている遮蔽板により前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽し、前記成膜チャンバ内の当該分配器と前記供給チャンバ内を前記接続部により所定間隔をおいて接続させていることにより、前記分配器の加熱により前記蒸着材料受部の前記蒸着材料を気化させる工程において、気化した前記蒸着材料の前記供給チャンバへの進入を抑制する
請求項１に記載の成膜方法。 With the partition portion closed and the connection portion and the distributor side separated from the supply chamber side, the distributor and the supply chamber in the film forming chamber are spaced apart from each other by the connection portion. And supplying the vapor deposition material solution from the vapor deposition material solution supply unit to the vapor deposition material receiving unit disposed below the vapor deposition material solution supply unit in at least the supply chamber, and the supply chamber The film formation in the supply chamber in the step of removing the solvent of the vapor deposition material solution while leaving the vapor deposition material contained in the vapor deposition material solution supplied to the vapor deposition material receiver by evacuating Suppresses the impact on the chamber,
In the step of moving the vapor deposition material receiving unit from below the vapor deposition material solution supply unit to the inside of the distributor, the vapor deposition material receiving unit is connected to the vapor deposition material receiving unit so as to move along with the movement of the vapor deposition material receiving unit. A predetermined position of the connecting portion connected to the distributor in the film forming chamber is shielded by a shielding plate provided, and the distributor in the film forming chamber and the supply chamber are sealed by the connecting portion. The step of vaporizing the vapor deposition material in the vapor deposition material receiving portion by heating the distributor by suppressing the vapor deposition material from entering the supply chamber by connecting at a predetermined interval. 2. The film forming method according to 1. 前記蒸着材料が防汚性の蒸着材料であり、前記成膜基板上に防汚膜を成膜する
請求項１または２に記載の成膜方法。 The film forming method according to claim 1, wherein the vapor deposition material is an antifouling vapor deposition material, and an antifouling film is formed on the film formation substrate. 前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液を供給する工程から気化した前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程までを、１組の成膜基板ごとにバッチ方式で行う
請求項１〜３のいずれかに記載の成膜方法。 The process from the step of supplying the vapor deposition material solution to the vapor deposition material receiving unit to the step of depositing the vaporized vapor deposition material on the film formation substrate is performed in batch mode for each set of film formation substrates. 4. The film forming method according to any one of 3 above. 前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液を供給する工程から気化した前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程までを、枚葉方式あるいはインライン方式で前記成膜チャンバに搬送される１組の成膜基板に対して断続的に行う
請求項１〜３のいずれかに記載の成膜方法。 From the step of supplying the vapor deposition material solution to the vapor deposition material receiving unit to the step of depositing the vaporized vapor deposition material on the film formation substrate, it is transferred to the film formation chamber by a single wafer method or an inline method. The film forming method according to claim 1, wherein the film forming method is intermittently performed on the set of film forming substrates. 前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液を供給する工程を、前記供給チャンバの内部を大気圧下、加圧下、または減圧下で行う
請求項１〜５のいずれかに記載の成膜方法。 The film forming method according to claim 1, wherein the step of supplying the vapor deposition material solution to the vapor deposition material receiving unit is performed under atmospheric pressure, pressurized pressure, or reduced pressure inside the supply chamber. 前記蒸着材料受部が加熱可能に構成されており、前記蒸着材料溶液を供給する工程から前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程までの少なくともいずれかの工程において前記蒸着材料受部が加熱する
請求項１〜６のいずれかに記載の成膜方法。 The vapor deposition material receiving unit is configured to be heatable, and the vapor deposition material receiving unit in at least one of the steps from supplying the vapor deposition material solution to forming the vapor deposition material on the film formation substrate. The film forming method according to claim 1. １個の分配器に対して、前記仕切り部、前記蒸着材料溶液供給部、前記蒸着材料受部、及び、前記供給チャンバの組を複数個有した構成の成膜装置を用い、前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液を供給する工程から気化した前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程までを行う
請求項１〜７のいずれかに記載の成膜方法。 A deposition apparatus having a plurality of sets of the partition unit, the deposition material solution supply unit, the deposition material receiving unit, and the supply chamber is used for one distributor. The film forming method according to claim 1, wherein the process from supplying the vapor deposition material solution to a part to forming the vaporized vapor deposition material on the film formation substrate is performed. 前記分配器、前記仕切り部、前記蒸着材料溶液供給部、前記蒸着材料受部、及び、前記供給チャンバの組を複数個有した構成の成膜装置を用い、前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液を供給する工程から気化した前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する工程までを行う
請求項１〜７のいずれかに記載の成膜方法。 The deposition material is configured to include a plurality of sets of the distributor, the partition unit, the deposition material solution supply unit, the deposition material receiving unit, and the supply chamber, and the deposition material receiving unit includes the deposition material. The film forming method according to claim 1, wherein a process from a solution supplying process to a process of depositing the vaporized vapor deposition material on the film forming substrate is performed. 成膜基板を保持した基板ホルダと蒸着材料の分配器が内部に設けられた成膜チャンバと、
前記成膜チャンバの外部に設けられた少なくとも一つの供給チャンバと、
前記成膜チャンバ内部の前記分配器と前記供給チャンバとを所定間隔をおいて連通するように接続する接続部と、
前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバとを連通させまたは仕切り閉じた状態とすることが可能な仕切り部と、
前記成膜チャンバに接続された第１の真空ポンプと、
前記供給チャンバに接続された第２の真空ポンプと、
を有し、
前記供給チャンバは、
蒸着材料溶液供給部と、
前記供給チャンバの内部における前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部へと移動可能に設けられた蒸着材料受部と、
前記蒸着材料受部の前記分配器の内部への移動に付随して移動し、前記蒸着材料受部が前記分配器の内部に移動されたときに、前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽する遮蔽部と、を含み、
成膜の際には、
前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、
前記第１の真空ポンプを用いて前記成膜チャンバを真空引きし、
前記供給チャンバにおいて前記蒸着材料溶液供給部の下方に配置された前記蒸着材料受部に前記蒸着材料溶液供給部から蒸着材料溶液を供給し、
前記仕切り部を閉じ、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを仕切った状態で、前記第２の真空ポンプを用いて前記供給チャンバを真空引きすることにより、前記蒸着材料受部に供給された前記蒸着材料溶液に含有される蒸着材料を残して前記蒸着材料溶液の溶媒を除去し、
前記仕切り部を開けて、前記接続部および前記分配器側と、前記供給チャンバ側とを連通させ、
前記蒸着材料受部を前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部に移動し、
前記蒸着材料受部を前記蒸着材料溶液供給部の下方から前記分配器の内部に移動する工程において、前記蒸着材料受部の移動に付随して移動するように前記蒸着材料受部に接続して設けられている遮蔽板により前記成膜チャンバ内において前記分配器と接続される前記接続部の所定の位置を遮蔽し、
前記分配器の加熱により前記蒸着材料受部の前記蒸着材料を気化させ、前記分配器に設けられた開口部より気化した前記蒸着材料を前記成膜チャンバ内に噴出させ、前記蒸着材料を前記成膜基板上に成膜する
成膜装置。 A film formation chamber in which a substrate holder for holding a film formation substrate and a distributor for vapor deposition material are provided;
At least one supply chamber provided outside the deposition chamber;
A connecting portion for connecting the distributor inside the film forming chamber and the supply chamber so as to communicate with each other at a predetermined interval;
A partition part capable of communicating or connecting the supply chamber with the connection part and the distributor side; and
A first vacuum pump connected to the deposition chamber;
A second vacuum pump connected to the supply chamber;
Have
The supply chamber comprises:
A deposition material solution supply unit;
A vapor deposition material receiving portion provided movably from below the vapor deposition material solution supply portion in the supply chamber to the inside of the distributor;
When the vapor deposition material receiving part moves to the inside of the distributor when the vapor deposition material receiving part moves to the inside of the distributor, the vapor deposition material receiving part is connected to the distributor in the film forming chamber. A shielding portion that shields a predetermined position of the connecting portion,
During film formation,
In the state where the partition portion is closed and the connection portion and the distributor side are partitioned from the supply chamber side,
Evacuating the deposition chamber using the first vacuum pump;
Supplying a vapor deposition material solution from the vapor deposition material solution supply unit to the vapor deposition material receiving unit disposed below the vapor deposition material solution supply unit in the supply chamber ;
Closing said partition portion, said connecting portion and the distributor side, in the state in which partition the said supply chamber side, by evacuating the discharge chamber using a prior SL second vacuum pump, the deposition material Removing the solvent of the vapor deposition material solution leaving the vapor deposition material contained in the vapor deposition material solution supplied to the receiver,
Opening the partition part, communicating the connection part and the distributor side, and the supply chamber side;
Moving the vapor deposition material receiving part from below the vapor deposition material solution supply part to the inside of the distributor;
In the step of moving the vapor deposition material receiving unit from below the vapor deposition material solution supply unit to the inside of the distributor, the vapor deposition material receiving unit is connected to the vapor deposition material receiving unit so as to move along with the movement of the vapor deposition material receiving unit. Shielding a predetermined position of the connecting portion connected to the distributor in the film forming chamber by a shielding plate provided;
The vapor deposition material in the vapor deposition material receiving part is vaporized by heating the distributor, the vapor deposition material vaporized from an opening provided in the distributor is ejected into the film formation chamber, and the vapor deposition material is formed into the deposition material. A film forming apparatus for forming a film on a film substrate.
JP2015014228A 2014-12-26 2015-01-28 Film forming method and film forming apparatus Active JP6490435B2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014266153 2014-12-26
JP2014266153 2014-12-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016125135A JP2016125135A (en) 2016-07-11
JP6490435B2 true JP6490435B2 (en) 2019-03-27

Family

ID=56357061

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015014228A Active JP6490435B2 (en) 2014-12-26 2015-01-28 Film forming method and film forming apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6490435B2 (en)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2912756B2 (en) * 1992-03-04 1999-06-28 松下電器産業株式会社 Apparatus and method for forming synthetic resin film
JPH05287510A (en) * 1992-04-10 1993-11-02 Asahi Glass Co Ltd Vapor deposition device
JP2007332458A (en) * 2006-05-18 2007-12-27 Sony Corp Vapor deposition apparatus, and vapor deposition source, and display device manufacturing method
JP4815447B2 (en) * 2006-05-19 2011-11-16 株式会社アルバック Vapor deposition apparatus for organic vapor deposition material, method for producing organic thin film
JP5506147B2 (en) * 2007-10-18 2014-05-28 キヤノン株式会社 Film forming apparatus and film forming method
JP5114288B2 (en) * 2008-05-16 2013-01-09 株式会社アルバック Film forming apparatus and organic thin film forming method
WO2011074551A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 平田機工株式会社 Vacuum deposition method and vacuum deposition apparatus
JP2013040357A (en) * 2011-08-11 2013-02-28 Optorun Co Ltd Film forming device
JP2013170088A (en) * 2012-02-20 2013-09-02 Asahi Glass Co Ltd Substrate with antifouling film

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016125135A (en) 2016-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6218921B2 (en) Protection inside the target pump by ALD coating
JP7309313B2 (en) Low vapor pressure aerosol-assisted CVD
TWI398535B (en) A vapor deposition apparatus, a vapor deposition apparatus, and a vapor deposition apparatus
US9909205B2 (en) Vapor deposition apparatus, vapor deposition method using vapor deposition apparatus, and device production method
KR20040069281A (en) Method of designing a thermal physical vapor deposition system
US11060183B2 (en) Apparatuses, systems and methods for applying protective coatings to electronic device assemblies
MX2011003339A (en) Evaporator for organic materials.
US20170022605A1 (en) Deposition apparatus, method for controlling same, deposition method using deposition apparatus, and device manufacturing method
JP4602054B2 (en) Vapor deposition equipment
KR100797428B1 (en) Vacuum processing apparatus and multi-chamber vacuum processing apparatus
JP6490435B2 (en) Film forming method and film forming apparatus
JP5265583B2 (en) Vapor deposition equipment
JP6044352B2 (en) Organic material coating apparatus and organic material coating method using the same
JP2012226838A (en) Vacuum vapor deposition apparatus
JP3662874B2 (en) Vacuum deposition apparatus and vacuum deposition method
JP2010111916A (en) Vacuum deposition system, vapor deposition source, film deposition chamber and method for exchanging vapor deposition vessel
JP6445959B2 (en) Film forming apparatus and film forming method
KR102070864B1 (en) Gas supply control method for substrate processing apparatus
JP2013040357A (en) Film forming device
JP2007314844A (en) Vacuum vapor-deposition apparatus
JP2007113077A (en) Crucible
KR102019303B1 (en) Chemical vapor deposition system
JP4351556B2 (en) Vapor growth equipment
JP2014220322A (en) Method of manufacturing semiconductor device and manufacturing apparatus
KR101215632B1 (en) Evaporation source and film-forming device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171010

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20171205

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180522

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180524

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180719

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181023

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181206

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190219

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190227

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6490435

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250