JP6473525B2

JP6473525B2 - Organic substance removing device and organic substance removing method

Info

Publication number: JP6473525B2
Application number: JP2018004524A
Authority: JP
Inventors: 出村　健介; 健介出村
Original assignee: Shibaura Mechatronics Corp
Current assignee: Shibaura Mechatronics Corp
Priority date: 2018-01-15
Filing date: 2018-01-15
Publication date: 2019-02-20
Anticipated expiration: 2034-03-31
Also published as: JP2018077525A

Description

本発明の実施形態は、有機物除去装置、および有機物除去方法に関する。 Embodiments described herein relate generally to an organic substance removing apparatus and an organic substance removing method.

プラズマを利用したドライプロセス（プラズマ処理）は、低コストで、高速であり、薬剤を用いないために環境汚染を低減できる点でも有利である。
そのため、半導体装置の製造やフォトマスクの製造など、幅広い技術分野において活用されている。
例えば、発生させたプラズマによりプロセスガスを励起、活性化させて中性活性種やイオンなどのプラズマ生成物を生成し、この生成した中性活性種やイオンなどを被処理物の表面に供給して、被処理物の表面に付着している有機物を含む異物やレジストマスクなどの有機物を除去している（例えば、特許文献１を参照）。
ここで、プラズマ処理においては、プラズマからの熱により被処理物が加熱されたり、反応性を高めるために被処理物を加熱したりする場合がある。
そのため、リーク機構を有するロードロック室内において、高温となった被処理物を冷却する技術が提案されている。
しかしながら、リーク機構によりロードロック室内に空気を導入して高温となった被処理物を冷却すると、空気に含まれる酸素により表面が酸化するなどして、被処理物の機能が損なわれるおそれがある。
そのため、被処理物の機能に対する影響が少ない被処理物の冷却技術の開発が望まれていた。 A dry process (plasma treatment) using plasma is advantageous in that it is low-cost, high-speed, and can reduce environmental pollution because no chemical is used.
Therefore, it is used in a wide range of technical fields such as semiconductor device manufacturing and photomask manufacturing.
For example, the generated plasma is excited and activated to generate plasma products such as neutral active species and ions, and the generated neutral active species and ions are supplied to the surface of the object to be processed. Thus, foreign substances including organic substances adhering to the surface of the object to be processed and organic substances such as a resist mask are removed (see, for example, Patent Document 1).
Here, in the plasma treatment, the workpiece may be heated by the heat from the plasma, or the workpiece may be heated in order to increase the reactivity.
Therefore, a technique for cooling an object to be processed that has become high temperature in a load lock chamber having a leak mechanism has been proposed.
However, when air is introduced into the load lock chamber by the leak mechanism and the object to be processed is cooled, the function of the object to be processed may be impaired because the surface is oxidized by oxygen contained in the air. .
Therefore, development of the cooling technique of the to-be-processed object with little influence with respect to the function of an to-be-processed object was desired.

特開２０１１−６５１１３号公報JP 2011-65113 A

本発明が解決しようとする課題は、被処理物の機能に対する影響が少ない被処理物の冷却を行うことができる有機物除去装置、および有機物除去方法を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide an organic substance removing apparatus and an organic substance removing method capable of cooling an object to be treated that has little influence on the function of the object to be treated.

実施形態に係る有機物除去装置は、プラズマを発生させ、前記発生させたプラズマにプロセスガスを供給してプラズマ生成物を生成し、前記生成したプラズマ生成物を用いたプラズマ処理を行うことで、被処理物の表面に付着した有機物を除去する有機物除去装置であって、
前記被処理物は、モリブデンを含む層とシリコンを含む層との積層体、およびモリブデンシリコンを含む層の少なくともいずれかを有する位相シフトマスク、または、モリブデンを含む層とシリコンを含む層との積層体、およびモリブデンシリコンを含む層の少なくともいずれかを有するＥＵＶマスクであり、
大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
前記処理容器の内部に設けられ、前記被処理物を載置する載置部と、
内部にプラズマを発生させる領域を有し、前記処理容器から離隔された位置に設けられた放電管と、
マイクロ波発生部から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、
前記放電管と、前記処理容器と、を連通させる輸送管と、
前記被処理物を前記処理容器から搬出する搬送装置と、
前記被処理物の温度が所定の温度以下になったか否か判断する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記被処理物が所定の温度以下になったことを条件に、前記搬送装置によって前記被処理物を前記処理容器から搬出することを特徴とする。

The organic substance removing apparatus according to the embodiment generates plasma, supplies a process gas to the generated plasma to generate a plasma product, and performs plasma processing using the generated plasma product, An organic substance removing device for removing organic substances adhering to the surface of a processed object,
The object to be processed is a stack of a layer containing molybdenum and a layer containing silicon, a phase shift mask having at least one of a layer containing molybdenum silicon , or a stack of a layer containing molybdenum and a layer containing silicon A EUV mask having at least one of a body and a layer comprising molybdenum silicon ;
A treatment container capable of maintaining an atmosphere depressurized from atmospheric pressure;
A decompression section for decompressing the inside of the processing container to a predetermined pressure;
A mounting portion provided inside the processing container and for mounting the object to be processed;
A discharge tube provided in a position separated from the processing vessel, having a region for generating plasma inside;
An introduction waveguide for propagating the microwave radiated from the microwave generation unit and introducing the microwave into the region for generating the plasma;
A transport tube for communicating the discharge tube and the processing vessel;
A transfer device for carrying out the object to be processed from the processing container;
A control unit for determining whether or not the temperature of the object to be processed is equal to or lower than a predetermined temperature,
The control unit is configured to carry out the object to be processed from the processing container by the transfer device on condition that the object to be processed has become a predetermined temperature or less.

本発明の実施形態によれば、被処理物の機能に対する影響が少ない被処理物の冷却を行うことができる有機物除去装置、および有機物除去方法が提供される。 According to the embodiments of the present invention, there are provided an organic substance removing apparatus and an organic substance removing method capable of cooling an object to be treated that has little influence on the function of the object to be treated.

第１の実施形態に係る有機物除去装置を例示するための模式断面図である。It is a schematic cross section for illustrating the organic substance removal apparatus concerning a 1st embodiment. 透過率の変動と、被処理物Ｗの温度の関係を例示するためのグラフ図である。6 is a graph for illustrating the relationship between the variation in transmittance and the temperature of the workpiece W. FIG. 被処理物Ｗの温度と、中心波長の変動との関係を例示するためのグラフ図である。It is a graph for demonstrating the relationship between the temperature of the to-be-processed object W, and the fluctuation | variation of a center wavelength. 第２の実施形態に係る有機物除去装置３０を例示するための模式断面図である。It is a schematic cross section for illustrating the organic substance removal apparatus 30 which concerns on 2nd Embodiment.

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
[第１の実施形態]
図１は、第１の実施形態に係る有機物除去装置を例示するための模式断面図である。図１に例示をする有機物除去装置１は、マイクロ波Ｍにより励起、発生させたプラズマＰを用いてプロセスガスＧ１からプラズマ生成物を生成し、プラズマ生成物を用いて被処理物Ｗの表面に付着している有機物（有機物を含む異物やレジストマスクなど）を除去する。 Hereinafter, embodiments will be illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
[First embodiment]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for illustrating the organic substance removing apparatus according to the first embodiment. The organic substance removing apparatus 1 illustrated in FIG. 1 generates a plasma product from the process gas G1 using the plasma P excited and generated by the microwave M, and uses the plasma product on the surface of the workpiece W. Remove attached organic matter (foreign matter containing organic matter, resist mask, etc.).

また、被処理物Ｗは、酸化しやすい材料が表面に露出したものとすることができる。
被処理物Ｗは、例えば、モリブデンシリコン（ＭｏＳｉ）層や、モリブデンを含む層とシリコンを含む層とが積層された積層体を有するものとすることができる。
被処理物Ｗは、例えば、モリブデンシリコン層を有するハーフトーン型の位相シフトマスクなどとすることができる。
ただし、被処理物Ｗは、ハーフトーン型の位相シフトマスクに限定されるわけではない。
被処理物Ｗは、モリブデンを含む層とシリコンを含む層との積層体、およびモリブデンシリコンを含む層の少なくともいずれかを有したものであればよい。
被処理物Ｗは、例えば、ＥＵＶマスクであってもよい。 Moreover, the to-be-processed object W can make the material which is easy to oxidize expose on the surface.
The workpiece W may have, for example, a molybdenum silicon (MoSi) layer or a stacked body in which a layer containing molybdenum and a layer containing silicon are stacked.
The workpiece W can be, for example, a halftone phase shift mask having a molybdenum silicon layer.
However, the workpiece W is not limited to a halftone phase shift mask.
The workpiece W may have at least one of a laminate of a layer containing molybdenum and a layer containing silicon and a layer containing molybdenum silicon.
For example, the workpiece W may be an EUV mask.

図１に示すように、有機物除去装置１は、プラズマ発生部２、減圧部３、ガス供給部４、マイクロ波発生部５、処理容器６、温度検出部７、温度制御部１９、および制御部８などを備えている。 As shown in FIG. 1, the organic substance removing apparatus 1 includes a plasma generation unit 2, a decompression unit 3, a gas supply unit 4, a microwave generation unit 5, a processing vessel 6, a temperature detection unit 7, a temperature control unit 19, and a control unit. 8 and so on.

プラズマ発生部２には、放電管９、および導入導波管１０が設けられている。
放電管９は、内部にプラズマＰを発生させる領域を有し、処理容器６から離隔された位置に設けられている。また、放電管９は管状を呈し、マイクロ波Ｍに対する透過率が高くエッチングされにくい材料から形成されている。例えば、放電管９は、酸化アルミニウムや石英などの誘電体から形成することができる。 The plasma generating unit 2 is provided with a discharge tube 9 and an introduction waveguide 10.
The discharge tube 9 has a region for generating the plasma P therein, and is provided at a position separated from the processing vessel 6. Further, the discharge tube 9 has a tubular shape and is formed of a material that has a high transmittance with respect to the microwave M and is difficult to be etched. For example, the discharge tube 9 can be formed from a dielectric such as aluminum oxide or quartz.

放電管９の外周面を覆うようにして管状の遮蔽部１８が設けられている。遮蔽部１８の内周面と放電管９の外周面との間には所定の隙間が設けられ、遮蔽部１８と放電管９とが略同軸となるようにして配設されている。なお、この隙間は、マイクロ波Ｍが漏洩しない程度の寸法とされている。そのため、遮蔽部１８により、マイクロ波Ｍが漏洩するのを抑制することができる。 A tubular shield 18 is provided so as to cover the outer peripheral surface of the discharge tube 9. A predetermined gap is provided between the inner peripheral surface of the shielding portion 18 and the outer peripheral surface of the discharge tube 9, and the shielding portion 18 and the discharge tube 9 are disposed so as to be substantially coaxial. The gap is dimensioned so that the microwave M does not leak. Therefore, the shielding part 18 can suppress the leakage of the microwave M.

また、遮蔽部１８には、放電管９と略直交するように導入導波管１０が接続されている。導入導波管１０の終端には終端整合器１１ａが設けられている。また、導入導波管１０の入口側（マイクロ波Ｍの導入側）にはスタブチューナ１１ｂが設けられている。導入導波管１０は、マイクロ波発生部５から放射されたマイクロ波Ｍを伝播させて、プラズマＰを発生させる領域にマイクロ波Ｍを導入する。 In addition, the introduction waveguide 10 is connected to the shielding portion 18 so as to be substantially orthogonal to the discharge tube 9. A termination matching unit 11 a is provided at the end of the introduction waveguide 10. Further, a stub tuner 11b is provided on the inlet side of the introduction waveguide 10 (the introduction side of the microwave M). The introduction waveguide 10 propagates the microwave M emitted from the microwave generation unit 5 and introduces the microwave M into a region where the plasma P is generated.

導入導波管１０と遮蔽部１８との接続部分には、環状のスロット１２が設けられている。スロット１２は、導入導波管１０の内部を導波されてきたマイクロ波Ｍを放電管９に向けて放射するためのものである。後述するように、放電管９の内部にはプラズマＰが発生するが、スロット１２に対向する部分がプラズマＰを発生させる領域の略中心となる。 An annular slot 12 is provided at a connection portion between the introduction waveguide 10 and the shielding portion 18. The slot 12 is for radiating the microwave M guided inside the introduction waveguide 10 toward the discharge tube 9. As will be described later, plasma P is generated inside the discharge tube 9, but the portion facing the slot 12 is substantially the center of the region where the plasma P is generated.

導入導波管１０の一端には、マイクロ波発生部５が設けられている。このマイクロ波発生部５は、所定周波数（例えば２．４５ＧＨｚ）のマイクロ波Ｍを発生させるとともに、導入導波管１０に向けて放射することができるようになっている。 A microwave generator 5 is provided at one end of the introduction waveguide 10. The microwave generator 5 can generate a microwave M having a predetermined frequency (eg, 2.45 GHz) and can radiate the microwave M toward the introduction waveguide 10.

放電管９の一端には流量制御部（Mass Flow Controller：ＭＦＣ）１３を介してガス供給部４が接続されている。
ガス供給部４は、プロセスガスＧ１と、ガスＧ２を供給する。
流量制御部１３は、ガス供給部４から供給されるプロセスガスＧ１およびガスＧ２の流量（供給量）を制御する。
プロセスガスＧ１は、プラズマ処理に用いられる。
プロセスガスＧ１は、還元性ガスとすることができる。
また、ガスＧ２は、プラズマ処理済みの被処理物Ｗの冷却に用いられる。
なお、プロセスガスＧ１と、ガスＧ２に関する詳細は後述する。 A gas supply unit 4 is connected to one end of the discharge tube 9 through a flow rate control unit (Mass Flow Controller: MFC) 13.
The gas supply unit 4 supplies process gas G1 and gas G2.
The flow rate control unit 13 controls the flow rates (supply amounts) of the process gas G1 and the gas G2 supplied from the gas supply unit 4.
The process gas G1 is used for plasma processing.
The process gas G1 can be a reducing gas.
The gas G2 is used for cooling the workpiece W that has been subjected to plasma processing.
Details regarding the process gas G1 and the gas G2 will be described later.

放電管９の他端には輸送管１４の一端が接続され、輸送管１４の他端は処理容器６に接続されている。すなわち、輸送管１４は、放電管９と処理容器６とを連通させている。輸送管１４は、中性活性種による腐蝕に耐え得る材料（例えば、石英、ステンレス鋼、セラミックス、四弗化樹脂（ＰＴＦＥ）など）から形成することができる。 One end of the transport tube 14 is connected to the other end of the discharge tube 9, and the other end of the transport tube 14 is connected to the processing vessel 6. That is, the transport tube 14 allows the discharge tube 9 and the processing vessel 6 to communicate with each other. The transport pipe 14 can be formed of a material (for example, quartz, stainless steel, ceramics, tetrafluororesin (PTFE), etc.) that can withstand corrosion by neutral active species.

処理容器６は、有底の略円筒形状を呈し、その上端が天板６ａで塞がれている。処理容器６の内部には、図示しない静電チャックなどの保持機構を内蔵した載置部１５が設けられ、その上面（載置面）に被処理物Ｗを載置、保持することができるようになっている。 The processing container 6 has a bottomed substantially cylindrical shape, and its upper end is closed by a top plate 6a. Inside the processing container 6, a placement unit 15 including a holding mechanism such as an electrostatic chuck (not shown) is provided so that the workpiece W can be placed and held on the upper surface (mounting surface) thereof. It has become.

処理容器６の底面には、圧力制御部（Auto Pressure Controller：ＡＰＣ）１６を介してターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）などの減圧部３が接続されている。
減圧部３は、処理容器６の内部を所定の圧力まで減圧する。圧力制御部１６は、処理容器６の内圧を検出する図示しない真空計の出力に基づいて、処理容器６の内圧が所定の圧力となるように制御する。 A decompression unit 3 such as a turbo molecular pump (TMP) is connected to the bottom surface of the processing vessel 6 via a pressure control unit (Auto Pressure Controller: APC) 16.
The decompression unit 3 decompresses the inside of the processing container 6 to a predetermined pressure. The pressure control unit 16 controls the internal pressure of the processing container 6 to be a predetermined pressure based on the output of a vacuum gauge (not shown) that detects the internal pressure of the processing container 6.

また、処理容器６の側壁には、被処理物Ｗを搬入搬出するための搬入搬出口６ｂが設けられ、搬入搬出口６ｂを気密に閉鎖できるよう扉６ｃが設けられている。
扉６ｃは、例えば、Ｏ（オー）リングのようなシール部材６ｄを有している。扉６ｃは、図示しない開閉機構により開閉される。扉６ｃが閉まった時には、シール部材６ｄが搬入搬出口６ｂの近傍の壁面に押しつけられ、搬入搬出口６ｂが気密に閉鎖される。すなわち、処理容器６は、被処理物Ｗを収容し、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持できるようになっている。 Further, a loading / unloading port 6b for loading / unloading the workpiece W is provided on the side wall of the processing container 6, and a door 6c is provided so that the loading / unloading port 6b can be hermetically closed.
The door 6c has, for example, a seal member 6d such as an O (O) ring. The door 6c is opened and closed by an opening / closing mechanism (not shown). When the door 6c is closed, the seal member 6d is pressed against the wall surface in the vicinity of the loading / unloading port 6b, and the loading / unloading port 6b is hermetically closed. That is, the processing container 6 accommodates the workpiece W and can maintain an atmosphere reduced in pressure from the atmospheric pressure.

輸送管１４との接続部分よりは下方であって、載置部１５の上方には、整流板１７が設けられている。整流板１７は、載置部１５の上面と対向させるようにして設けられている。整流板１７は、輸送管１４から導入される中性活性種を含んだガスの流れを整流し、被処理物Ｗの処理面上における中性活性種の量が略均一となるようにする。整流板１７は、多数の孔部１７ａが設けられた略円形の板状体であり、処理容器６の内壁に固定されている。そして、整流板１７と載置部１５の上面との間の領域が、被処理物Ｗに対する処理が行われる処理空間２０となる。また、処理容器６の内壁面、整流板１７の表面は、中性活性種と反応しにくい材料（例えば、四弗化樹脂や、酸化アルミニウム等のセラミックスなど）で覆われている。 A rectifying plate 17 is provided below the connection portion with the transport pipe 14 and above the placement portion 15. The rectifying plate 17 is provided so as to face the upper surface of the mounting portion 15. The rectifying plate 17 rectifies the flow of the gas containing the neutral active species introduced from the transport pipe 14 so that the amount of the neutral active species on the processing surface of the workpiece W is substantially uniform. The current plate 17 is a substantially circular plate-like body provided with a large number of holes 17 a and is fixed to the inner wall of the processing container 6. And the area | region between the baffle plate 17 and the upper surface of the mounting part 15 becomes the process space 20 in which the process with respect to the to-be-processed object W is performed. Further, the inner wall surface of the processing vessel 6 and the surface of the rectifying plate 17 are covered with a material that does not easily react with neutral active species (for example, ceramics such as tetrafluororesin and aluminum oxide).

温度検出部７は、載置部１５に載置された被処理物Ｗの温度を検出する。
温度検出部７は、例えば、載置部１５の内部に設けることができる。ただし、温度検出部７の配設位置はこれに限定されるわけではなく、被処理物Ｗの温度を検出することができる位置に設けるようにすればよい。温度検出部７の形式には特に限定がなく、例えば、熱電対、測温抵抗体、サーミスタなどを用いた接触式のものとしてもよいし、放射温度計のような非接触式のものとしてもよい。
温度検出部７からの出力（被処理物Ｗの温度データ）は、制御部８に送られ、制御部８により被処理物Ｗの冷却が完了したか否かの判断が行われる。
なお、制御部８は、ガスＧ２の流量や経過時間などに基づいて、被処理物Ｗの冷却が完了したか否かの判断を行うこともできる。なお、ガスＧ２の流量や経過時間などと、被処理物Ｗの温度との関係は、予め実験やシミュレーションを行うことで求めることができる。 The temperature detection unit 7 detects the temperature of the workpiece W placed on the placement unit 15.
The temperature detection unit 7 can be provided inside the placement unit 15, for example. However, the arrangement position of the temperature detection unit 7 is not limited to this, and may be provided at a position where the temperature of the workpiece W can be detected. The type of the temperature detection unit 7 is not particularly limited. For example, it may be a contact type using a thermocouple, a resistance temperature detector, a thermistor, or a non-contact type such as a radiation thermometer. Good.
The output from the temperature detection unit 7 (temperature data of the workpiece W) is sent to the control unit 8, and the control unit 8 determines whether or not the cooling of the workpiece W has been completed.
Note that the control unit 8 can also determine whether or not the cooling of the workpiece W has been completed based on the flow rate or elapsed time of the gas G2. In addition, the relationship between the flow rate of gas G2, the elapsed time, and the temperature of the workpiece W can be obtained by conducting experiments and simulations in advance.

温度制御部１９は、被処理物Ｗの温度を制御する。
温度制御部１９は、例えば、載置部１５の内部に設けることができる。
温度制御部１９は、被処理物Ｗの加熱を行うもの（例えば、ヒータ）とすることもできるし、熱媒体を循環させて被処理物Ｗの加熱と冷却を行うものとすることもできる。
温度制御部１９は、例えば、温度検出部７からの出力に基づいて、被処理物Ｗの温度が所定の範囲内となるように制御する。 The temperature control unit 19 controls the temperature of the workpiece W.
The temperature control unit 19 can be provided inside the placement unit 15, for example.
The temperature control unit 19 may be a unit that heats the workpiece W (for example, a heater), or may heat and cool the workpiece W by circulating a heat medium.
For example, the temperature controller 19 controls the temperature of the workpiece W to be within a predetermined range based on the output from the temperature detector 7.

制御部８は、有機物除去装置１に設けられた各要素の動作を制御する。
例えば、制御部８は、ガス供給部４を制御して、放電管９の内部にプロセスガスＧ１またはガスＧ２を供給する。
この際、制御部８は、流量制御部１３を制御して、プロセスガスＧ１の流量、またはガスＧ２の流量を制御する。
この場合、制御部８は、プラズマ処理済みの被処理物Ｗの温度が１６０℃以下になるまで、ガス供給部４にガスＧ２（不活性ガス）を供給させることができる。制御部８は、マイクロ波発生部５を制御して、所定周波数（例えば２．４５ＧＨｚ）のマイクロ波Ｍを発生させる。発生したマイクロ波Ｍは、導入導波管１０に向けて放射され、導入導波管１０の内部を導波される。導入導波管１０の内部を導波されたマイクロ波Ｍは、スロット１２を介して、放電管９の内部のプラズマＰを発生させる領域に導入される。 The controller 8 controls the operation of each element provided in the organic substance removing device 1.
For example, the control unit 8 controls the gas supply unit 4 to supply the process gas G 1 or the gas G 2 to the inside of the discharge tube 9.
At this time, the control unit 8 controls the flow rate control unit 13 to control the flow rate of the process gas G1 or the flow rate of the gas G2.
In this case, the control unit 8 can cause the gas supply unit 4 to supply the gas G2 (inert gas) until the temperature of the plasma-treated workpiece W becomes 160 ° C. or lower. The control unit 8 controls the microwave generation unit 5 to generate a microwave M having a predetermined frequency (eg, 2.45 GHz). The generated microwave M is radiated toward the introduction waveguide 10 and guided inside the introduction waveguide 10. The microwave M guided inside the introduction waveguide 10 is introduced into the region where the plasma P inside the discharge tube 9 is generated via the slot 12.

制御部８は、減圧部３を制御して、処理容器６の内圧を大気圧よりも減圧されたものとする。
この際、制御部８は、処理容器６の内圧を検出する図示しない真空計の出力に基づいて圧力制御部１６を制御して、処理容器６の内圧が所定の圧力となるようにする。
制御部８は、温度検出部７からの出力に基づいて、被処理物Ｗの冷却が完了したか否かの判断を行う。
制御部８は、温度制御部１９の起動や停止などの制御を行う。
制御部８は、図示しない開閉機構を制御して、扉６ｃの開閉を行う。 It is assumed that the control unit 8 controls the decompression unit 3 to reduce the internal pressure of the processing container 6 from the atmospheric pressure.
At this time, the control unit 8 controls the pressure control unit 16 based on an output of a vacuum gauge (not shown) that detects the internal pressure of the processing container 6 so that the internal pressure of the processing container 6 becomes a predetermined pressure.
Based on the output from the temperature detection unit 7, the control unit 8 determines whether or not the cooling of the workpiece W has been completed.
The control unit 8 performs control such as starting and stopping of the temperature control unit 19.
The controller 8 controls an opening / closing mechanism (not shown) to open / close the door 6c.

次に、有機物除去装置１の作用について例示をする。
前述したように、被処理物Ｗは、ハーフトーン型の位相シフトマスクなどとすることができる。
ハーフトーン型の位相シフトマスクは、例えば、半導体装置の製造における露光工程において用いられる。露光工程においては、例えば、ウェーハの表面に形成されたレジスト膜に所望のパターンが転写される。この際、蒸発したレジストの成分がハーフトーン型の位相シフトマスクの表面に有機物を含む異物として析出する場合がある。
また、ハーフトーン型の位相シフトマスクを製造する際には、所望のパターンを形成するためのレジストマスクが表面に形成される。
この様に、被処理物Ｗの表面には、有機物を含む異物やレジストマスクなどの有機物が付着している場合がある。
そのため、プラズマ処理を行うことで、被処理物Ｗの表面に付着している有機物を除去する。 Next, the operation of the organic substance removing apparatus 1 will be illustrated.
As described above, the workpiece W can be a halftone phase shift mask or the like.
The halftone phase shift mask is used, for example, in an exposure process in manufacturing a semiconductor device. In the exposure process, for example, a desired pattern is transferred to a resist film formed on the surface of the wafer. At this time, the evaporated resist component may be deposited on the surface of the halftone phase shift mask as a foreign substance containing an organic substance.
Further, when a halftone phase shift mask is manufactured, a resist mask for forming a desired pattern is formed on the surface.
In this way, there are cases where foreign matter containing organic matter or organic matter such as a resist mask adheres to the surface of the workpiece W.
Therefore, the organic substance adhering to the surface of the workpiece W is removed by performing the plasma treatment.

まず、扉６ｃが、図示しない開閉機構により開かれる。
図示しない搬送装置により、搬入搬出口６ｂから被処理物Ｗを処理容器６の内部に搬入する。被処理物Ｗは載置部１５の上面に載置され、載置部１５に内蔵された図示しない静電チャックなどの保持機構により保持される。 First, the door 6c is opened by an opening / closing mechanism (not shown).
The workpiece W is carried into the processing container 6 from the carry-in / out port 6b by a transfer device (not shown). The workpiece W is placed on the upper surface of the placement unit 15 and is held by a holding mechanism such as an electrostatic chuck (not shown) built in the placement unit 15.

次に、図示しない搬送装置を処理容器６の外に退避させる。
次に、図示しない開閉機構により扉６ｃを閉じる。
次に、減圧部３により、処理容器６の内部を所定の圧力まで減圧する。この際、圧力制御部１６により処理容器６内の圧力が調整される。また、処理容器６と連通する放電管９の内部も減圧される。 Next, the transfer device (not shown) is retracted out of the processing container 6.
Next, the door 6c is closed by an opening / closing mechanism (not shown).
Next, the inside of the processing container 6 is decompressed to a predetermined pressure by the decompression unit 3. At this time, the pressure in the processing container 6 is adjusted by the pressure controller 16. Further, the inside of the discharge tube 9 communicating with the processing vessel 6 is also decompressed.

次に、プラズマ発生部２により中性活性種を含むプラズマ生成物が生成される。
すなわち、まず、ガス供給部４から流量制御部１３を介して所定流量のプロセスガスＧ１が放電管９内に供給される。
ここで、前述したように、被処理物Ｗの表面には、酸化しやすい材料が露出している。例えば、被処理物Ｗが、ハーフトーン型の位相シフトマスクなどの場合には、モリブデンからなる層とシリコンからなる層が表面に露出している。
そのため、プロセスガスＧ１は、還元性ガスとしている。還元性ガスは、例えば、アンモニアガス、水素ガス、水素ガスと窒素ガスの混合ガス、アンモニアガスと水素ガスと窒素ガスとの混合ガスなどとすることができる。
プロセスガスＧ１として還元性ガスを用いるようにすれば、被処理物Ｗの表面に露出している酸化しやすい材料を含む部分（例えば、モリブデンからなる層やシリコンからなる層など）が酸化するのを抑制することができる。 Next, a plasma product containing neutral active species is generated by the plasma generator 2.
That is, first, a process gas G 1 having a predetermined flow rate is supplied from the gas supply unit 4 through the flow rate control unit 13 into the discharge tube 9.
Here, as described above, a material that is easily oxidized is exposed on the surface of the workpiece W. For example, when the workpiece W is a halftone phase shift mask, a layer made of molybdenum and a layer made of silicon are exposed on the surface.
Therefore, the process gas G1 is a reducing gas. The reducing gas can be, for example, ammonia gas, hydrogen gas, a mixed gas of hydrogen gas and nitrogen gas, a mixed gas of ammonia gas, hydrogen gas and nitrogen gas, or the like.
If a reducing gas is used as the process gas G1, a portion (for example, a layer made of molybdenum or a layer made of silicon) containing a material that is easily oxidized exposed on the surface of the workpiece W is oxidized. Can be suppressed.

一方、マイクロ波発生部５から所定のパワーのマイクロ波Ｍが導入導波管１０内に放射される。放射されたマイクロ波Ｍは導入導波管１０内を導波され、スロット１２を介して放電管９に向けて放射される。 On the other hand, a microwave M having a predetermined power is radiated from the microwave generator 5 into the introduction waveguide 10. The radiated microwave M is guided in the introduction waveguide 10 and radiated toward the discharge tube 9 through the slot 12.

放電管９に向けて放射されたマイクロ波Ｍは、放電管９の表面を伝搬して、放電管９内に放射される。このようにして放電管９内に放射されたマイクロ波Ｍのエネルギーにより、プラズマＰが発生する。そして、発生したプラズマＰ中の電子密度が、放電管９を介して供給されるマイクロ波Ｍを遮蔽できる密度（カットオフ密度）以上になると、マイクロ波Ｍは放電管９の内壁面から放電管９内の空間に向けて一定距離（スキンデプス）だけ入るまでの間に反射されるようになる。そのため、このマイクロ波Ｍの反射面とスロット１２の下面との間にはマイクロ波Ｍの定在波が形成されることになる。その結果、マイクロ波Ｍの反射面がプラズマ励起面となって、このプラズマ励起面で安定的にプラズマＰが励起、発生するようになる。このプラズマ励起面で励起、発生したプラズマＰ中において、プロセスガスＧ１が励起、活性化されて中性活性種、イオンなどのプラズマ生成物が生成される。 The microwave M radiated toward the discharge tube 9 propagates through the surface of the discharge tube 9 and is radiated into the discharge tube 9. In this way, plasma P is generated by the energy of the microwave M radiated into the discharge tube 9. When the electron density in the generated plasma P becomes equal to or higher than the density (cut-off density) that can shield the microwave M supplied through the discharge tube 9, the microwave M is discharged from the inner wall surface of the discharge tube 9 to the discharge tube. Reflected until it enters the space in 9 by a certain distance (skin depth). Therefore, a standing wave of the microwave M is formed between the reflection surface of the microwave M and the lower surface of the slot 12. As a result, the reflection surface of the microwave M becomes a plasma excitation surface, and the plasma P is stably excited and generated on this plasma excitation surface. In the plasma P excited and generated on the plasma excitation surface, the process gas G1 is excited and activated to generate plasma products such as neutral active species and ions.

生成されたプラズマ生成物を含むガスは、輸送管１４を介して処理容器６内に搬送される。この際、寿命の短いイオンなどは処理容器６にまで到達できず、寿命の長い中性活性種のみが処理容器６に到達することになる。処理容器６内に導入された中性活性種を含むガスは、整流板１７で整流されて被処理物Ｗの表面に到達し、被処理物Ｗの表面に付着している有機物が除去される。 The generated gas containing the plasma product is conveyed into the processing container 6 through the transport pipe 14. At this time, ions having a short life cannot reach the processing container 6, and only neutral active species having a long life reach the processing container 6. The gas containing the neutral active species introduced into the processing container 6 is rectified by the rectifying plate 17 and reaches the surface of the workpiece W, and organic substances adhering to the surface of the workpiece W are removed. .

また、プラズマ処理を行う際には、温度制御部１９により、被処理物Ｗの温度を制御する。例えば、温度制御部１９により、被処理物Ｗの温度を２００℃以下程度に制御する。前述したように、有機物除去装置１においては、プラズマＰを発生させる領域と、被処理物Ｗに対する処理が行われる処理空間２０とが離れている。そのため、プラズマＰからの熱が被処理物Ｗに伝わり難くなっている。その結果、温度制御部１９による被処理物Ｗの温度制御が容易となるので、被処理物Ｗの温度を精度よく所望の値に合わせることができる。よって還元性ガスによる高温のプラズマ処理を行う場合でも、温度制御を精度よく処理を行うことができる。
しかしながら、本発明者らの得た知見によれば、被処理物Ｗの温度が１６０℃を超えると、透過率の変動が許容範囲を超えることが判明した。
また、本発明者らは、透過率の変動の要因は、モリブデンシリコン層表面が酸化したことによるものであり、還元性ガスを用いたプラズマ処理を行ったにもかかわらず、モリブデンシリコン層表面が酸化した原因は、１６０℃を超える高温状態のまま大気搬送を行うことで、空気中の酸素と反応し、モリブデンシリコン層が酸化することによるものであるとの知見に至った。 Further, when performing the plasma processing, the temperature control unit 19 controls the temperature of the workpiece W. For example, the temperature control unit 19 controls the temperature of the workpiece W to about 200 ° C. or less. As described above, in the organic substance removing apparatus 1, the region where the plasma P is generated is separated from the processing space 20 where the processing on the workpiece W is performed. Therefore, heat from the plasma P is difficult to be transmitted to the workpiece W. As a result, since the temperature control of the workpiece W by the temperature control unit 19 becomes easy, the temperature of the workpiece W can be accurately adjusted to a desired value. Therefore, even when performing high-temperature plasma processing using a reducing gas, the temperature control can be performed with high accuracy.
However, according to the knowledge obtained by the present inventors, it has been found that when the temperature of the workpiece W exceeds 160 ° C., the variation in transmittance exceeds the allowable range.
The inventors of the present invention have also found that the transmittance variation is due to the oxidation of the molybdenum silicon layer surface, and the molybdenum silicon layer surface is in spite of the plasma treatment using a reducing gas. It came to the knowledge that the cause of the oxidation was due to oxidation with the molybdenum silicon layer by reacting with oxygen in the air by carrying the air in a high temperature state exceeding 160 ° C.

図２、図３は、被処理物Ｗの温度と、被処理物Ｗの機能低下との関係を例示するためのグラフ図である。
図２は、透過率の変動と、被処理物Ｗの温度の関係を例示するためのグラフ図である。
図２は、水素ガスと窒素ガスの混合ガスを用いたプラズマ処理を行い、酸素を含む大気に晒して搬送した場合である。この場合、水素ガスの濃度は３ｗｔ％としている。
また、被処理物Ｗは、ハーフトーン型の位相シフトマスクとしている。
図２から分かるように、被処理物Ｗの温度を１６０℃以下とすれば、透過率の変動が許容範囲内（０．１％以下）となるようにすることができる。
すなわち、被処理物Ｗがハーフトーン型の位相シフトマスクの場合、被処理物Ｗの温度が１６０℃以下であれば、酸素を含む大気に晒して搬送したとしても、透過率の変動が許容範囲内となるようにすることができる。
図３は、被処理物Ｗの温度と、中心波長の変動との関係を例示するためのグラフ図である。
図３は、水素ガスと窒素ガスの混合ガスを用いたプラズマ処理を行い、酸素を含む大気に晒して搬送した場合である。この場合、水素ガスの濃度は３ｗｔ％としている。
また、被処理物Ｗは、ＥＵＶマスクとしている。
図３から分かるように、被処理物Ｗの温度を１００℃以下にすれば、被処理物Ｗを、酸素を含む大気に晒しても中心波長の変動するのを抑制することができる。
すなわち、被処理物ＷがＥＵＶマスクの場合、被処理物Ｗの温度が１００℃以下であれば、酸素を含む大気に晒して搬送したとしても、光学特性の変動を抑制することができる。 2 and 3 are graphs for illustrating the relationship between the temperature of the workpiece W and the functional degradation of the workpiece W. FIG.
FIG. 2 is a graph for illustrating the relationship between the variation in transmittance and the temperature of the workpiece W.
FIG. 2 shows a case where a plasma process using a mixed gas of hydrogen gas and nitrogen gas is performed and exposed to the atmosphere containing oxygen. In this case, the concentration of hydrogen gas is 3 wt%.
Further, the workpiece W is a halftone phase shift mask.
As can be seen from FIG. 2, if the temperature of the workpiece W is 160 ° C. or less, the transmittance variation can be within an allowable range (0.1% or less).
That is, when the workpiece W is a halftone phase shift mask, if the temperature of the workpiece W is 160 ° C. or lower, even if the workpiece W is exposed to air containing oxygen, the transmittance variation is within an allowable range. Can be inside.
FIG. 3 is a graph for illustrating the relationship between the temperature of the workpiece W and the fluctuation of the center wavelength.
FIG. 3 shows a case where plasma treatment using a mixed gas of hydrogen gas and nitrogen gas is performed and exposed to the atmosphere containing oxygen. In this case, the concentration of hydrogen gas is 3 wt%.
Further, the workpiece W is an EUV mask.
As can be seen from FIG. 3, if the temperature of the workpiece W is set to 100 ° C. or less, it is possible to suppress the fluctuation of the center wavelength even when the workpiece W is exposed to the atmosphere containing oxygen.
That is, when the workpiece W is an EUV mask, if the temperature of the workpiece W is 100 ° C. or lower, fluctuations in optical characteristics can be suppressed even if the workpiece W is exposed to air containing oxygen.

そのため、次に、プラズマ処理が済んだ被処理物Ｗの温度が１６０℃以下となるように冷却する。
この場合、ハーフトーン型の位相シフトマスクの場合は１６０℃以下、ルテニウムを含む層を有するＥＵＶマスクの場合は１００℃以下に冷却する。
被処理物Ｗの冷却は、例えば、プラズマ処理が済んだ被処理物Ｗを処理容器６の内部に放置することで行うことができる。
しかしながら、処理容器６の内圧は、大気圧よりも低くなっているので、被処理物Ｗからの放熱が悪くなるおそれがある。 Therefore, next, it cools so that the temperature of the to-be-processed object W after plasma processing may be 160 degrees C or less.
In this case, the halftone phase shift mask is cooled to 160 ° C. or lower, and the EUV mask having a ruthenium-containing layer is cooled to 100 ° C. or lower.
The workpiece W can be cooled, for example, by leaving the workpiece W that has been plasma-treated in the processing vessel 6.
However, since the internal pressure of the processing container 6 is lower than the atmospheric pressure, the heat radiation from the workpiece W may be deteriorated.

そこで、ガス供給部４により、ガスＧ２が供給される。この際、流量制御部１３により、ガスＧ２の流量が制御される。
ガス供給部４により供給されたガスＧ２は、放電管９および輸送管１４を介して、処理容器６の内部に供給される。処理容器６の内部に供給されたガスＧ２が、被処理物Ｗに到達することで被処理物Ｗが冷却される。
また、処理容器６の内部にガスＧ２が供給されることで、対流が生じ、被処理物Ｗからの放熱が多くなる。 Therefore, the gas G2 is supplied by the gas supply unit 4. At this time, the flow rate of the gas G2 is controlled by the flow rate control unit 13.
The gas G2 supplied by the gas supply unit 4 is supplied into the processing container 6 through the discharge tube 9 and the transport tube 14. When the gas G2 supplied to the inside of the processing container 6 reaches the workpiece W, the workpiece W is cooled.
Further, by supplying the gas G2 into the processing container 6, convection occurs, and heat dissipation from the workpiece W increases.

ここで、ガスＧ２は、被処理物Ｗの材料と反応し難いものとすることが好ましい。
ガスＧ２は、例えば、不活性ガスとすることができる。
不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス、アルゴンガスやヘリウムなどの希ガス、あるいはこれらの混合ガスなどを例示することができる。
ここで、被処理物Ｗは大気圧よりも減圧された圧力下で冷却が行われる。そのため、ガスＧ２を供給しながら、減圧部３により処理容器６の排気を行うことができる。また、一定の圧力になったとき、ガスＧ２の供給および排気を停止することもできる。 Here, it is preferable that the gas G2 does not easily react with the material of the workpiece W.
The gas G2 can be, for example, an inert gas.
Examples of the inert gas include nitrogen gas, rare gas such as argon gas and helium, or a mixed gas thereof.
Here, the workpiece W is cooled under a pressure reduced from the atmospheric pressure. Therefore, the processing container 6 can be exhausted by the decompression unit 3 while supplying the gas G2. Further, when the pressure reaches a certain level, the supply and exhaust of the gas G2 can be stopped.

また、温度制御部１９が冷却機能を有するものの場合には、温度制御部１９により被処理物Ｗを冷却することもできる。
例えば、温度制御部１９が熱媒体を循環させて被処理物Ｗの冷却を行うものの場合には、冷却された熱媒体を循環させることで、被処理物Ｗを冷却することもできる。
また、ガスＧ２による冷却と、温度制御部１９による冷却とを併せて行うこともできる。ガスＧ２による冷却、および温度制御部１９による冷却の少なくともいずれかを行うようにすれば、被処理物Ｗの冷却時間、ひいては、被処理物Ｗの処理時間を短縮することができる。 Further, when the temperature control unit 19 has a cooling function, the workpiece W can be cooled by the temperature control unit 19.
For example, when the temperature control unit 19 circulates the heat medium to cool the workpiece W, the workpiece W can be cooled by circulating the cooled heat medium.
Further, the cooling by the gas G2 and the cooling by the temperature control unit 19 can be performed together. If at least one of the cooling by the gas G2 and the cooling by the temperature control unit 19 is performed, the cooling time of the workpiece W and consequently the processing time of the workpiece W can be shortened.

冷却が終了した被処理物Ｗは、図示しない搬送装置により処理容器６の外に搬出される。この後、必要があれば、前述した手順に従い、被処理物Ｗに対するプラズマ処理と冷却とが繰り返される。本実施の形態に係る有機物除去装置１によれば、酸素が除去され、不活性ガス（ガスＧ２）が供給された環境において、被処理物Ｗの温度が１６０℃以下となるように冷却することができるので、被処理物Ｗの機能に対する影響が少ない被処理物Ｗの冷却を行うことができる。 The workpiece W that has been cooled is carried out of the processing container 6 by a transfer device (not shown). Thereafter, if necessary, plasma processing and cooling for the workpiece W are repeated according to the above-described procedure. According to the organic substance removing apparatus 1 according to the present embodiment, cooling is performed so that the temperature of the workpiece W is 160 ° C. or lower in an environment where oxygen is removed and an inert gas (gas G2) is supplied. Therefore, the workpiece W can be cooled with little influence on the function of the workpiece W.

[第２の実施形態]
図４は、第２の実施形態に係る有機物除去装置３０を例示するための模式断面図である。
図４に例示をする有機物除去装置３０は、マイクロ波Ｍにより励起、発生させたプラズマＰを用いてプロセスガスＧ１からプラズマ生成物を生成し、プラズマ生成物を用いて被処理物Ｗの表面に付着している有機物（有機物を含む異物やレジストマスクなど）を除去する。 [Second Embodiment]
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for illustrating an organic substance removing apparatus 30 according to the second embodiment.
The organic substance removing apparatus 30 illustrated in FIG. 4 generates a plasma product from the process gas G1 using the plasma P excited and generated by the microwave M, and uses the plasma product on the surface of the workpiece W. Remove attached organic matter (foreign matter containing organic matter, resist mask, etc.).

図２に示すように、有機物除去装置３０は、プラズマ発生部３１、減圧部３、ガス供給部４、マイクロ波発生部５、処理容器３２、温度検出部７、温度制御部１９、および制御部３３などを備えている。
プラズマ発生部３１は、プラズマＰを発生させる領域にマイクロ波Ｍを導入することでプラズマＰを発生させる。
プラズマ発生部３１には、透過窓３４、導入導波管３５が設けられている。透過窓３４は平板状を呈し、マイクロ波Ｍに対する透過率が高くエッチングされにくい材料から形成されている。例えば、透過窓３４を酸化アルミニウムや石英などの誘電体から形成することができる。透過窓３４は、処理容器３２の上端に気密となるようにして設けられている。 As shown in FIG. 2, the organic substance removing device 30 includes a plasma generation unit 31, a decompression unit 3, a gas supply unit 4, a microwave generation unit 5, a processing vessel 32, a temperature detection unit 7, a temperature control unit 19, and a control unit. 33 etc. are provided.
The plasma generator 31 generates the plasma P by introducing the microwave M into a region where the plasma P is generated.
The plasma generator 31 is provided with a transmission window 34 and an introduction waveguide 35. The transmission window 34 has a flat plate shape and is formed of a material that has a high transmittance with respect to the microwave M and is difficult to be etched. For example, the transmission window 34 can be formed from a dielectric such as aluminum oxide or quartz. The transmission window 34 is provided at the upper end of the processing container 32 so as to be airtight.

処理容器３２の外側であって、透過窓３４の上面には導入導波管３５が設けられている。なお、図示は省略したが終端整合器やスタブチューナを適宜設けるようにすることもできる。導入導波管３５は、マイクロ波発生部５から放射されたマイクロ波Ｍを透過窓３４に向けて導波する。
導入導波管３５と透過窓３４との接続部分には、スロット３６が設けられている。スロット３６は、導入導波管３５の内部を導波されてきたマイクロ波Ｍを透過窓３４に向けて放射するためのものである。 An introduction waveguide 35 is provided outside the processing container 32 and on the top surface of the transmission window 34. Although illustration is omitted, a terminal matching unit and a stub tuner may be provided as appropriate. The introduction waveguide 35 guides the microwave M radiated from the microwave generation unit 5 toward the transmission window 34.
A slot 36 is provided at a connection portion between the introduction waveguide 35 and the transmission window 34. The slot 36 is for radiating the microwave M guided inside the introduction waveguide 35 toward the transmission window 34.

導入導波管３５の一端には、マイクロ波発生部５が設けられている。このマイクロ波発生部５は、所定周波数（例えば２．４５ＧＨｚ）のマイクロ波Ｍを発生させ、導入導波管３５に向けて放射することができるようになっている。
処理容器３２の側壁上部には、流量制御部１３を介してガス供給部４が接続されている。そして、ガス供給部４から流量制御部１３を介して処理容器３２内のプラズマＰを発生させる領域にプロセスガスＧ１を供給することができるようになっている。
また、ガス供給部４から処理容器３２の内部にガスＧ２を供給することができるようになっている。
また、制御部３３により流量制御部１３を制御することで、プロセスガスＧ１とガスＧ２の供給量が調整できるようになっている。 A microwave generator 5 is provided at one end of the introduction waveguide 35. The microwave generator 5 can generate a microwave M having a predetermined frequency (eg, 2.45 GHz) and radiate it toward the introduction waveguide 35.
The gas supply unit 4 is connected to the upper portion of the side wall of the processing container 32 via the flow rate control unit 13. Then, the process gas G1 can be supplied from the gas supply unit 4 to the region where the plasma P in the processing container 32 is generated via the flow rate control unit 13.
Further, the gas G <b> 2 can be supplied from the gas supply unit 4 to the inside of the processing container 32.
Further, the supply amount of the process gas G1 and the gas G2 can be adjusted by controlling the flow rate control unit 13 by the control unit 33.

処理容器３２は、有底の略円筒形状を呈し、その内部には、図示しない静電チャックを内蔵した載置部１５が設けられている。そして、載置部１５の上面に被処理物Ｗを載置、保持することができるようになっている。
処理容器３２の底面には、圧力制御部１６を介してターボ分子ポンプなどの減圧部３が接続されている。減圧部３は、処理容器３２の内部を所定の圧力まで減圧する。圧力制御部１６は、処理容器３２の内圧を検出する図示しない真空計の出力に基づいて、処理容器３２の内圧が所定の圧力となるように制御する。すなわち、処理容器３２は、内部にプラズマＰを発生させる領域を有し、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持できるようになっている。 The processing container 32 has a substantially cylindrical shape with a bottom, and a mounting portion 15 including an electrostatic chuck (not shown) is provided therein. And the to-be-processed object W can be mounted and hold | maintained on the upper surface of the mounting part 15. FIG.
A decompression unit 3 such as a turbo molecular pump is connected to the bottom surface of the processing vessel 32 via a pressure control unit 16. The decompression unit 3 decompresses the inside of the processing container 32 to a predetermined pressure. The pressure control unit 16 controls the internal pressure of the processing container 32 to be a predetermined pressure based on the output of a vacuum gauge (not shown) that detects the internal pressure of the processing container 32. That is, the processing container 32 has a region for generating the plasma P inside, and can maintain an atmosphere that is depressurized from the atmospheric pressure.

ガス供給部４との接続部分よりは下方であって、載置部１５の上方には、整流板１７が設けられている。整流板１７は、載置部１５の上面と対向させるようにして設けられている。 A rectifying plate 17 is provided below the connecting portion with the gas supply unit 4 and above the placement unit 15. The rectifying plate 17 is provided so as to face the upper surface of the mounting portion 15.

整流板１７は、プラズマＰを発生させる領域において生成されたプラズマ生成物を含んだガスの流れを整流し、被処理物Ｗの処理面上におけるプラズマ生成物の量が略均一となるようにする。
また、整流板１７は、プラズマＰからの熱が載置部１５の上面に載置された被処理物Ｗに伝わるのを抑制する。 The rectifying plate 17 rectifies the flow of the gas containing the plasma product generated in the region where the plasma P is generated, so that the amount of the plasma product on the processing surface of the workpiece W becomes substantially uniform. .
Further, the rectifying plate 17 suppresses heat from the plasma P from being transmitted to the workpiece W placed on the upper surface of the placement unit 15.

整流板１７は、多数の孔部１７ａが設けられた略円形の板状体であり、処理容器３２の内壁に固定されている。そして、整流板１７と載置部１５の上面との間の領域が、被処理物に対する処理が行われる処理空間２０となる。また、処理容器３２の内壁面、整流板１７の表面は、中性活性種と反応しにくい材料（例えば、四弗化樹脂や、酸化アルミニウム等のセラミックスなど）で覆われている。 The current plate 17 is a substantially circular plate-like body provided with a large number of holes 17 a and is fixed to the inner wall of the processing container 32. And the area | region between the baffle plate 17 and the upper surface of the mounting part 15 becomes the process space 20 in which the process with respect to a to-be-processed object is performed. Further, the inner wall surface of the processing vessel 32 and the surface of the rectifying plate 17 are covered with a material that does not easily react with neutral active species (for example, ceramics such as tetrafluororesin and aluminum oxide).

温度検出部７は、載置部１５に載置された被処理物Ｗの温度を検出する。
温度検出部７は、例えば、載置部１５の内部に設けることができる。ただし、温度検出部７の配設位置はこれに限定されるわけではなく、被処理物Ｗの温度を検出することができる位置に設けるようにすればよい。温度検出部７の形式には特に限定がなく、例えば、熱電対、測温抵抗体、サーミスタなどを用いた接触式のものとしてもよいし、放射温度計のような非接触式のものとしてもよい。
温度検出部７からの出力（被処理物Ｗの温度データ）は、制御部３３に送られ、制御部３３により被処理物Ｗの冷却が完了したか否かの判断が行われる。
なお、制御部３３は、ガスＧ２の流量や経過時間などに基づいて、被処理物Ｗの冷却が完了したか否かの判断を行うこともできる。なお、ガスＧ２の流量や経過時間などと、被処理物Ｗの温度との関係は、予め実験やシミュレーションを行うことで求めることができる。 The temperature detection unit 7 detects the temperature of the workpiece W placed on the placement unit 15.
The temperature detection unit 7 can be provided inside the placement unit 15, for example. However, the arrangement position of the temperature detection unit 7 is not limited to this, and may be provided at a position where the temperature of the workpiece W can be detected. The type of the temperature detection unit 7 is not particularly limited. For example, it may be a contact type using a thermocouple, a resistance temperature detector, a thermistor, or a non-contact type such as a radiation thermometer. Good.
The output from the temperature detection unit 7 (temperature data of the workpiece W) is sent to the control unit 33, and the control unit 33 determines whether or not the cooling of the workpiece W has been completed.
In addition, the control part 33 can also determine whether cooling of the to-be-processed object W was completed based on the flow volume, elapsed time, etc. of gas G2. In addition, the relationship between the flow rate of gas G2, the elapsed time, and the temperature of the workpiece W can be obtained by conducting experiments and simulations in advance.

制御部３３は、有機物除去装置３０に設けられた各要素の動作を制御する。
例えば、制御部３３は、ガス供給部４を制御して、処理容器３２の内部にプロセスガスＧ１またはガスＧ２を供給する。
この際、制御部３３は、流量制御部１３を制御して、プロセスガスＧ１の流量、またはガスＧ２の流量を制御する。
この場合、制御部３３は、プラズマ処理済みの被処理物Ｗの温度が１６０℃以下になるまで、ガス供給部４にガスＧ２（不活性ガス）を供給させることができる。
制御部３３は、マイクロ波発生部５を制御して、所定周波数（例えば２．４５ＧＨｚ）のマイクロ波Ｍを発生させる。発生したマイクロ波Ｍは、導入導波管３５に向けて放射され、導入導波管３５の内部を導波される。導入導波管３５の内部を導波されたマイクロ波Ｍは、スロット３６および透過窓３４を介して、処理容器３２の内部のプラズマＰを発生させる領域に導入される。 The controller 33 controls the operation of each element provided in the organic substance removing device 30.
For example, the control unit 33 controls the gas supply unit 4 to supply the process gas G <b> 1 or the gas G <b> 2 to the inside of the processing container 32.
At this time, the control unit 33 controls the flow rate control unit 13 to control the flow rate of the process gas G1 or the flow rate of the gas G2.
In this case, the control unit 33 can supply the gas G2 (inert gas) to the gas supply unit 4 until the temperature of the plasma-treated workpiece W becomes 160 ° C. or lower.
The control unit 33 controls the microwave generation unit 5 to generate a microwave M having a predetermined frequency (eg, 2.45 GHz). The generated microwave M is radiated toward the introduction waveguide 35 and guided through the introduction waveguide 35. The microwave M guided inside the introduction waveguide 35 is introduced into the region where the plasma P is generated inside the processing chamber 32 through the slot 36 and the transmission window 34.

制御部３３は、減圧部３を制御して、処理容器３２の内圧を大気圧よりも減圧されたものとする。
この際、制御部３３は、処理容器３２内圧を検出する図示しない真空計の出力に基づいて圧力制御部１６を制御して、処理容器３２の内圧が所定の圧力となるようにする。
制御部３３は、温度検出部７からの出力に基づいて、被処理物Ｗの冷却が完了したか否かの判断を行う。
制御部３３は、温度制御部１９の起動や停止などの制御を行う。
制御部３３は、図示しない開閉機構を制御して、扉６ｃの開閉を行う。 It is assumed that the control unit 33 controls the decompression unit 3 to reduce the internal pressure of the processing container 32 from the atmospheric pressure.
At this time, the control unit 33 controls the pressure control unit 16 based on the output of a vacuum gauge (not shown) that detects the internal pressure of the processing container 32 so that the internal pressure of the processing container 32 becomes a predetermined pressure.
Based on the output from the temperature detector 7, the controller 33 determines whether or not the cooling of the workpiece W has been completed.
The control unit 33 performs control such as starting and stopping of the temperature control unit 19.
The controller 33 controls an opening / closing mechanism (not shown) to open / close the door 6c.

次に、有機物除去装置３０の作用について例示をする。
まず、扉６ｃが、図示しない開閉機構により開かれる。
図示しない搬送装置により、搬入搬出口３２ｂから被処理物Ｗを処理容器３２の内部に搬入する。被処理物Ｗは載置部１５の上面に載置され、載置部１５に内蔵された図示しない静電チャックなどの保持機構により保持される。 Next, the operation of the organic substance removing device 30 will be illustrated.
First, the door 6c is opened by an opening / closing mechanism (not shown).
The workpiece W is carried into the processing container 32 from the carry-in / out port 32b by a transfer device (not shown). The workpiece W is placed on the upper surface of the placement unit 15 and is held by a holding mechanism such as an electrostatic chuck (not shown) built in the placement unit 15.

次に、図示しない搬送装置を処理容器３２の外に退避させる。
次に、図示しない開閉機構により扉６ｃを閉じる。
次に、減圧部３により、処理容器３２の内部を所定の圧力まで減圧する。この際、圧力制御部１６により処理容器３２内の圧力が調整される。 Next, the transfer device (not shown) is retracted out of the processing container 32.
Next, the door 6c is closed by an opening / closing mechanism (not shown).
Next, the inside of the processing container 32 is decompressed to a predetermined pressure by the decompression unit 3. At this time, the pressure in the processing container 32 is adjusted by the pressure controller 16.

次に、プラズマ発生部３１により中性活性種を含むプラズマ生成物が生成される。
すなわち、まず、ガス供給部４から流量制御部１３を介して所定流量のプロセスガスＧ１が、処理容器３２内のプラズマＰを発生させる領域に供給される。
一方、マイクロ波発生部５から所定のパワーのマイクロ波Ｍが導入導波管３５内に放射される。放射されたマイクロ波Ｍは、導入導波管３５内を導波され、スロット３６を介して透過窓３４に向けて放射される。 Next, a plasma product containing neutral active species is generated by the plasma generator 31.
That is, first, a process gas G 1 having a predetermined flow rate is supplied from the gas supply unit 4 through the flow rate control unit 13 to a region where the plasma P in the processing container 32 is generated.
On the other hand, a microwave M having a predetermined power is radiated from the microwave generator 5 into the introduction waveguide 35. The radiated microwave M is guided in the introduction waveguide 35 and radiated toward the transmission window 34 through the slot 36.

透過窓３４に向けて放射されたマイクロ波Ｍは、透過窓３４の表面を伝搬して、処理容器３２内に放射される。このようにして処理容器３２内に放射されたマイクロ波Ｍのエネルギーにより、プラズマＰが発生する。そして、発生したプラズマＰ中の電子密度が、透過窓３４を介して供給されるマイクロ波Ｍを遮蔽できる密度（カットオフ密度）以上になると、マイクロ波Ｍは透過窓３４の下面から処理容器３２内の空間に向けて一定距離（スキンデプス）だけ入るまでの間に反射されるようになる。そのため、このマイクロ波Ｍの反射面とスロット３６の下面との間にはマイクロ波Ｍの定在波が形成されることになる。その結果、マイクロ波Ｍの反射面がプラズマ励起面となって、このプラズマ励起面で安定的にプラズマＰが励起、発生するようになる。 The microwave M radiated toward the transmission window 34 propagates through the surface of the transmission window 34 and is radiated into the processing container 32. Plasma P is generated by the energy of the microwave M radiated into the processing container 32 in this way. When the electron density in the generated plasma P becomes equal to or higher than the density (cut-off density) that can shield the microwave M supplied through the transmission window 34, the microwave M passes from the lower surface of the transmission window 34 to the processing container 32. It will be reflected before it enters a certain distance (skin depth) toward the inner space. Therefore, a standing wave of the microwave M is formed between the reflection surface of the microwave M and the lower surface of the slot 36. As a result, the reflection surface of the microwave M becomes a plasma excitation surface, and the plasma P is stably excited and generated on this plasma excitation surface.

このプラズマ励起面で励起、発生したプラズマＰ中において、プロセスガスＧ１が励起、活性化されて中性活性種、イオンなどのプラズマ生成物が生成される。生成されたプラズマ生成物を含むガスは、整流板１７で整流されて被処理物Ｗの表面に到達し、被処理物Ｗの表面に付着している有機物が除去される。
なお、プラズマ生成物を含むガスが整流板１７を通過する際に、イオンや電子が除去される。そのため、主に中性活性種により有機物が除去される。 In the plasma P excited and generated on the plasma excitation surface, the process gas G1 is excited and activated to generate plasma products such as neutral active species and ions. The generated gas containing the plasma product is rectified by the rectifying plate 17 and reaches the surface of the workpiece W, and organic substances adhering to the surface of the workpiece W are removed.
Note that ions and electrons are removed when the gas containing the plasma product passes through the rectifying plate 17. Therefore, organic substances are removed mainly by neutral active species.

ここで、有機物除去装置３０においては、プラズマが処理容器３２内で生成されるので、プラズマ処理中は、プラズマによる熱の影響を受け、被処理物Ｗの温度が１６０℃を超える高温となる場合がある。 Here, in the organic substance removing apparatus 30, since plasma is generated in the processing container 32, the temperature of the workpiece W becomes higher than 160 ° C. due to the influence of heat due to the plasma during the plasma processing. There is.

次に、プラズマ処理が済んだ被処理物Ｗの温度が１６０℃以下となるように被処理物Ｗを冷却する。
例えば、ガス供給部４により、処理容器３２の内部にガスＧ２を供給する。この際、流量制御部１３により、ガスＧ２の流量が制御される。
ガス供給部４により供給されたガスＧ２は、整流板１７を介して被処理物Ｗに到達し、ガスＧ２により被処理物Ｗが冷却される。
また、処理容器３２の内部にガスＧ２が供給されることで、対流が生じ、被処理物Ｗからの放熱が多くなる。
ここで、被処理物Ｗは大気圧よりも減圧された圧力下で冷却が行われる。そのため、ガスＧ２を供給しながら、減圧部３により処理容器６の排気を行うことができる。また、一定の圧力になったとき、ガスＧ２の供給および排気を停止することもできる。 Next, the workpiece W is cooled so that the temperature of the workpiece W after the plasma treatment is 160 ° C. or lower.
For example, the gas G2 is supplied into the processing container 32 by the gas supply unit 4. At this time, the flow rate of the gas G2 is controlled by the flow rate control unit 13.
The gas G2 supplied by the gas supply unit 4 reaches the workpiece W through the rectifying plate 17, and the workpiece W is cooled by the gas G2.
Further, the gas G2 is supplied to the inside of the processing container 32, thereby causing convection and increasing the heat radiation from the workpiece W.
Here, the workpiece W is cooled under a pressure reduced from the atmospheric pressure. Therefore, the processing container 6 can be exhausted by the decompression unit 3 while supplying the gas G2. Further, when the pressure reaches a certain level, the supply and exhaust of the gas G2 can be stopped.

また、温度制御部１９が冷却機能を有するものの場合には、温度制御部１９により被処理物Ｗを冷却することもできる。
例えば、温度制御部１９が熱媒体を循環させて被処理物Ｗの冷却を行うものの場合には、冷却された熱媒体を循環させることで、被処理物Ｗを冷却することもできる。
また、ガスＧ２による冷却と、温度制御部１９による冷却とを併せて行うこともできる。
ガスＧ２による冷却、および温度制御部１９による冷却の少なくともいずれかを行うようにすれば、被処理物Ｗの冷却時間、ひいては、被処理物Ｗの処理時間を短縮することができる。 Further, when the temperature control unit 19 has a cooling function, the workpiece W can be cooled by the temperature control unit 19.
For example, when the temperature control unit 19 circulates the heat medium to cool the workpiece W, the workpiece W can be cooled by circulating the cooled heat medium.
Further, the cooling by the gas G2 and the cooling by the temperature control unit 19 can be performed together.
If at least one of the cooling by the gas G2 and the cooling by the temperature control unit 19 is performed, the cooling time of the workpiece W and consequently the processing time of the workpiece W can be shortened.

冷却が終了した被処理物Ｗは、図示しない搬送装置により処理容器３２の外に搬出される。この後、必要があれば、前述した手順に従い、被処理物Ｗに対するプラズマ処理と冷却とが繰り返される。
本実施の形態に係る有機物除去装置３０によれば、酸素が除去され、不活性ガス（ガスＧ２）が供給された環境において、被処理物Ｗの温度が１６０℃以下となるように冷却することができるので、被処理物Ｗの機能に対する影響が少ない被処理物Ｗの冷却を行うことができる。 The object to be processed W that has been cooled is carried out of the processing container 32 by a transfer device (not shown). Thereafter, if necessary, plasma processing and cooling for the workpiece W are repeated according to the above-described procedure.
According to the organic substance removing apparatus 30 according to the present embodiment, in the environment where oxygen is removed and the inert gas (gas G2) is supplied, the temperature of the workpiece W is cooled to 160 ° C. or lower. Therefore, the workpiece W can be cooled with little influence on the function of the workpiece W.

以上に例示をしたものは、プラズマ処理を行う処理容器６、３２の内部において被処理物Ｗの冷却を行っているが、これに限定されるわけではない。
プラズマ処理を行う処理容器６、３２とは別の容器の内部において被処理物Ｗの冷却を行ってもよい。この場合、処理容器６、３２と、冷却を行う容器との間は、酸素が除去された環境（例えば、不活性ガスで満たされた環境や、大気圧よりも減圧された環境）とすればよい。
また、冷却を行う容器は、大気圧よりも減圧された環境を維持することのできる減圧部が設けられ、被処理物Ｗを搬入・搬出する間も大気開放されない容器とすることができる。すなわち、冷却を行う容器においても、大気圧よりも減圧された雰囲気で冷却を行うことができる。
上記の実施例と同様、冷却を行う容器においてもガスＧ２を供給しながら、減圧部により、冷却を行う容器の排気を行うことができる。また、一定の圧力になったとき、ガスＧ２の供給および排気を停止することもできる。 In the above-described example, the workpiece W is cooled inside the processing vessels 6 and 32 that perform plasma processing, but the present invention is not limited to this.
The workpiece W may be cooled in a container different from the processing containers 6 and 32 that perform plasma processing. In this case, between the processing containers 6 and 32 and the cooling container, an environment from which oxygen is removed (for example, an environment filled with an inert gas or an environment that is depressurized from atmospheric pressure) is used. Good.
Moreover, the container which cools is provided with the pressure reduction part which can maintain the environment pressure-reduced rather than atmospheric pressure, and can be made into a container which is not open | released to air | atmosphere during carrying in / out of the to-be-processed object W. FIG. That is, even in a container that performs cooling, cooling can be performed in an atmosphere that is depressurized from atmospheric pressure.
Similarly to the above-described embodiment, the container for cooling can be exhausted by the decompression unit while supplying the gas G2 to the container for cooling. Further, when the pressure reaches a certain level, the supply and exhaust of the gas G2 can be stopped.

[第３の実施形態]
次に、第３の実施形態に係る有機物除去方法について例示をする。
本実施の形態に係る有機物除去方法においては、プラズマＰを発生させ、発生させたプラズマＰにプロセスガスＧ１を供給してプラズマ生成物を生成し、生成したプラズマ生成物を用いて、被処理物Ｗの表面に付着した有機物を除去する。
この場合、被処理物Ｗは、モリブデンを含む層とシリコンを含む層との積層体、およびモリブデンシリコンを含む層の少なくともいずれかを有したものとすることができる。
そして、プラズマ処理済みの被処理物Ｗが載置された雰囲気に、ガスＧ２（不活性ガス）を供給して、プラズマ処理済みの被処理物Ｗの温度を１６０℃以下にする。 [Third embodiment]
Next, an organic substance removal method according to the third embodiment is illustrated.
In the organic substance removal method according to the present embodiment, plasma P is generated, a process gas G1 is supplied to the generated plasma P to generate a plasma product, and the processed product is generated using the generated plasma product. The organic matter adhering to the surface of W is removed.
In this case, the workpiece W may have at least one of a stacked body of a layer containing molybdenum and a layer containing silicon and a layer containing molybdenum silicon.
Then, the gas G2 (inert gas) is supplied to the atmosphere in which the plasma-treated workpiece W is placed, and the temperature of the plasma-treated workpiece W is set to 160 ° C. or lower.

この場合、プラズマを発生させる領域と、生成したプラズマ生成物を用いて、被処理物Ｗの表面に付着した有機物を除去する領域とが離隔されているようにすることができる（例えば、図１を参照）。
また、プラズマを発生させる領域と、生成したプラズマ生成物を用いて、被処理物Ｗの表面に付着した有機物を除去する領域（処理空間２０）と、の間に整流板１７が設けられているようにすることができる（例えば、図４を参照）。
また、表面に有機物が付着した被処理物Ｗのプラズマ処理を行う領域と、プラズマ処理済みの被処理物Ｗの温度を１６０℃以下にする領域とが離隔されているようにすることができる。例えば、表面に有機物が付着した被処理物Ｗを収納し、プラズマ処理を行う処理容器６、３２と、プラズマ処理済みの被処理物Ｗを収納する容器とを別々に設け、プラズマ処理と冷却とを別々の領域で行うことができる。
また、プラズマ処理を行う際に、被処理物Ｗの温度を制御する温度制御部１９により、被処理物Ｗの温度を２００℃以下にすることができる。
また、プラズマ処理済みの被処理物Ｗの温度を１６０℃以下にする際に、被処理物Ｗの温度を制御する温度制御部１９により、被処理物Ｗの温度を制御することができる。
なお、各工程における内容は、前述したものと同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。 In this case, the region where the plasma is generated and the region where the organic matter attached to the surface of the workpiece W is removed using the generated plasma product can be separated (for example, FIG. 1). See).
Further, a rectifying plate 17 is provided between a region where plasma is generated and a region where the organic matter attached to the surface of the workpiece W is removed using the generated plasma product (processing space 20). (See, for example, FIG. 4).
Further, it is possible to separate the region for performing the plasma treatment on the workpiece W with the organic substance attached to the surface and the region for setting the temperature of the workpiece W after the plasma treatment to 160 ° C. or less. For example, the processing objects 6 and 32 for storing the processing object W with the organic substance attached to the surface and performing the plasma processing and the containers for storing the processing object W after the plasma processing are provided separately, and plasma processing and cooling are performed. Can be done in separate areas.
Further, when performing the plasma processing, the temperature of the workpiece W can be set to 200 ° C. or less by the temperature control unit 19 that controls the temperature of the workpiece W.
Further, when the temperature of the workpiece W after the plasma treatment is set to 160 ° C. or less, the temperature of the workpiece W can be controlled by the temperature control unit 19 that controls the temperature of the workpiece W.
In addition, since the content in each process can be the same as that of what was mentioned above, detailed description is abbreviate | omitted.

以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、有機物除去装置１、３０が備える各要素の形状、寸法、材質、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。 The embodiment has been illustrated above. However, the present invention is not limited to these descriptions.
As long as the features of the present invention are provided, those skilled in the art appropriately modified the design of the above-described embodiments are also included in the scope of the present invention.
For example, the shape, size, material, arrangement, number, and the like of each element included in the organic substance removing devices 1 and 30 are not limited to those illustrated, but can be changed as appropriate.
Regarding the above-described embodiment, those in which those skilled in the art appropriately added, deleted, or changed the design, or added the process, omitted, or changed the conditions also have the features of the present invention. As long as it is within the scope of the present invention.

１有機物除去装置、２プラズマ発生部、３減圧部、４ガス供給部、５マイクロ波発生部、６処理容器、７温度検出部、８制御部、１７整流板、１９温度制御部、３１プラズマ発生部、３２処理容器、３３制御部、Ｇ１プロセスガス、Ｇ２ガス、Ｍマイクロ波、Ｐプラズマ、Ｗ被処理物 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Organic substance removal apparatus, 2 Plasma generation part, 3 Pressure reduction part, 4 Gas supply part, 5 Microwave generation part, 6 Processing container, 7 Temperature detection part, 8 Control part, 17 Current plate, 19 Temperature control part, 31 Plasma generation Part, 32 processing vessel, 33 control part, G1 process gas, G2 gas, M microwave, P plasma, W workpiece

Claims

Plasma is generated, a process gas is supplied to the generated plasma to generate a plasma product, and plasma treatment using the generated plasma product is performed, so that organic substances attached to the surface of the object to be processed are removed. An organic substance removing device for removing,
The object to be processed is a stack of a layer containing molybdenum and a layer containing silicon, a phase shift mask having at least one of a layer containing molybdenum silicon , or a stack of a layer containing molybdenum and a layer containing silicon A EUV mask having at least one of a body and a layer comprising molybdenum silicon ;
A treatment container capable of maintaining an atmosphere depressurized from atmospheric pressure;
A decompression section for decompressing the inside of the processing container to a predetermined pressure;
A mounting portion provided inside the processing container and for mounting the object to be processed;
A discharge tube provided in a position separated from the processing vessel, having a region for generating plasma inside;
An introduction waveguide for propagating the microwave radiated from the microwave generation unit and introducing the microwave into the region for generating the plasma;
A transport tube for communicating the discharge tube and the processing vessel;
A transfer device for carrying out the object to be processed from the processing container;
A control unit for determining whether or not the temperature of the object to be processed is equal to or lower than a predetermined temperature,
The said control part carries out the said to-be-processed object from the said processing container by the said conveying apparatus on the condition that the said to-be-processed object became below predetermined temperature, The organic substance removal apparatus characterized by the above-mentioned .

Plasma is generated, a process gas is supplied to the generated plasma to generate a plasma product, and plasma treatment using the generated plasma product is performed, so that organic substances attached to the surface of the object to be processed are removed. An organic substance removing device for removing,
The object to be processed is a stack of a layer containing molybdenum and a layer containing silicon, a phase shift mask having at least one of a layer containing molybdenum silicon, or a stack of a layer containing molybdenum and a layer containing silicon A EUV mask having at least one of a body and a layer comprising molybdenum silicon ;
It has a region that generates plasma inside, and can maintain an atmosphere that is depressurized from atmospheric pressure.
A processing vessel;
A decompression section for decompressing the inside of the processing container to a predetermined pressure;
A mounting portion provided inside the processing container and for mounting the object to be processed;
A plasma generator for generating plasma in a region for generating the plasma;
A transfer device for carrying out the object to be processed from the processing container;
A control unit for controlling the transport device,
The said control part carries out the said to-be-processed object from the said processing container by the said conveying apparatus on the condition that the said to-be-processed object became below predetermined temperature, The organic substance removal apparatus characterized by the above-mentioned.

The predetermined temperature is a temperature at which a change in transmittance of the phase shift mask or the EUV mask is within an allowable range when the phase shift mask or the EUV mask, which is an object to be processed, is exposed to the atmosphere. The organic substance removing apparatus according to claim 1 or 2.

The gas processing unit according to claim 1, further comprising a gas supply unit that supplies an inert gas to the inside of the processing container in which the object to be processed after the plasma processing is mounted on the mounting unit. The organic substance removal apparatus as described in any one.

The organic substance removing apparatus according to claim 1, wherein the processing container is provided with a temperature detection unit that detects the temperature of the object to be processed .

Plasma is generated, a process gas is supplied to the generated plasma to generate a plasma product, and a plasma treatment using the generated plasma product is performed in a processing container, so that the surface of the workpiece is processed. An organic matter removal method for removing attached organic matter,
The object to be processed is a stack of a layer containing molybdenum and a layer containing silicon, a phase shift mask having at least one of a layer containing molybdenum silicon, or a stack of a layer containing molybdenum and a layer containing silicon A EUV mask having at least one of a body and a layer comprising molybdenum silicon;
An organic substance removing method comprising a step of carrying out the object to be processed from the processing container on condition that the object to be processed has become a predetermined temperature or lower.

The predetermined temperature is a temperature at which a change in transmittance of the phase shift mask or the EUV mask is within an allowable range when the phase shift mask or the EUV mask, which is an object to be processed, is exposed to the atmosphere. The organic substance removing method according to claim 6.