JP6457845B2 - Inspection method and inspection apparatus - Google Patents
Inspection method and inspection apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP6457845B2 JP6457845B2 JP2015047355A JP2015047355A JP6457845B2 JP 6457845 B2 JP6457845 B2 JP 6457845B2 JP 2015047355 A JP2015047355 A JP 2015047355A JP 2015047355 A JP2015047355 A JP 2015047355A JP 6457845 B2 JP6457845 B2 JP 6457845B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light amount
- reflected light
- amount value
- region
- value distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 69
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 47
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 97
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 49
- 230000008569 process Effects 0.000 description 34
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 20
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 17
- 101000969594 Homo sapiens Modulator of apoptosis 1 Proteins 0.000 description 14
- 102100021440 Modulator of apoptosis 1 Human genes 0.000 description 14
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Description
この発明は、回折型空間光変調器を検査する技術に関する。 The present invention relates to a technique for inspecting a diffractive spatial light modulator.
基板上に塗布された感光材料に回路などのパターンを形成するにあたって、光源から出射された光に、パターンを表すパターンデータに応じた空間変調を施し、当該空間変調された光で基板上の感光材料を走査する、マスクを使用しない直描型の描画装置(直描装置)が、近年注目されている。 When forming a pattern such as a circuit on the photosensitive material applied on the substrate, the light emitted from the light source is subjected to spatial modulation corresponding to the pattern data representing the pattern, and the light on the substrate is exposed to the spatially modulated light. In recent years, a direct drawing type drawing apparatus (direct drawing apparatus) that scans a material and does not use a mask has attracted attention.
空間光変調器として、回折型のリボン回折素子であるGLV(Grating Light Valve)(シリコン・ライト・マシーンズ(サンノゼ、カリフォルニア)の登録商標)が知られている。当該回折型空間光変調器は、固定反射面を有する固定リボン、及び、固定反射面に対して可動な可動反射面を有する可動リボンの組で構成される光変調素子が、所定の方向に沿って複数配列されることによって構成されている(例えば、特許文献1参照)。 As a spatial light modulator, GLV (Grating Light Valve) (registered trademark of Silicon Light Machines (San Jose, Calif.)), Which is a diffractive ribbon diffractive element, is known. In the diffractive spatial light modulator, a light modulation element including a fixed ribbon having a fixed reflection surface and a movable ribbon having a movable reflection surface movable relative to the fixed reflection surface is provided along a predetermined direction. Are arranged (see, for example, Patent Document 1).
この回折型空間光変調器では、各光変調素子の可動リボンに電圧が印加されることによって、その可動反射面が固定反射面に対して凹んだ位置に移動する。この凹みの大きさは、各可動リボンに印加する電圧量によって調整可能とされている。各光変調素子は、凹みの大きさに応じて、入射した光を0次光または0次以外の次数の回折光に切り換えることで、反射光の光量(反射光量)を制御する。 In this diffractive spatial light modulator, when a voltage is applied to the movable ribbon of each light modulation element, the movable reflective surface moves to a position recessed with respect to the fixed reflective surface. The size of the recess can be adjusted by the amount of voltage applied to each movable ribbon. Each light modulation element controls the amount of reflected light (the amount of reflected light) by switching the incident light to zero-order light or diffracted light of a non-order 0 according to the size of the recess.
直描装置の組み立て完了後、レーザーユニットなどの光源から照明光学系を通って回折型空間光変調器の反射面に対して、ビームの入射位置を調整する作業が行われる。従来は、作業者が繰り返し照明光学系を調整しながら反射光量値を取得し、もっとも反射光量値が高く且つ安定している領域、即ち反射性能が高い領域が探索されていた。 After completion of the assembly of the direct drawing apparatus, an operation for adjusting the incident position of the beam from the light source such as a laser unit through the illumination optical system to the reflecting surface of the diffractive spatial light modulator is performed. Conventionally, an operator repeatedly adjusts the illumination optical system to acquire a reflected light amount value, and a region where the reflected light amount value is the highest and stable, that is, a region having high reflection performance has been searched.
また、反射面の同位置に継続的にビームが照射されると、劣化等によって、反射光量が経時的に変化する場合がある。このため、回折型空間光変調器では、一般的に、ビームの入射位置を、上記配列方向に垂直な方向(各光変調素子が延びる方向)にずらして、再び使用を継続することが実施されている。このように、回折型空間光変調器では、入射位置をずらして使用することが想定されるため、複数の候補領域を決定する場合もあった。 In addition, when the beam is continuously irradiated to the same position on the reflecting surface, the amount of reflected light may change over time due to deterioration or the like. For this reason, in the diffractive spatial light modulator, generally, the incident position of the beam is shifted in the direction perpendicular to the arrangement direction (direction in which each light modulation element extends), and the use is continued again. ing. As described above, in the diffractive spatial light modulator, since it is assumed that the incident position is shifted, there are cases where a plurality of candidate regions are determined.
しかしながら、反射性能が高い領域を探索する作業は、各作業者のスキルに委ねられる部分が大きかった。このため、作業者のスキルによって、決定されるビーム入射位置がばらつくおそれがあった。 However, the task of searching for an area with high reflection performance is largely dependent on the skill of each worker. For this reason, there is a possibility that the determined beam incident position varies depending on the skill of the operator.
そこで、本発明は、回折型空間光変調器の反射面において、反射性能に優れた領域の探索を容易にする技術を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a technique that facilitates searching for a region having excellent reflection performance on the reflection surface of a diffractive spatial light modulator.
上記の課題を解決するため、第1の態様は、入射光を変調して反射する反射面を形成する変調単位が第1方向に沿って複数配列されてなる回折型空間光変調器を検査する検査方法であって、(a)複数の変調単位の反射面で形成される反射領域について、反射した光の反射光量値を測定することによって、第1反射光量値分布を取得する工程と、(b)前記反射領域のうち、前記第1方向に延びる領域であって、かつ、前記第1方向に直交する第2方向において前記反射領域よりも狭い幅の線状領域を規定する工程と、(c)前記第1反射光量値分布に基づき、前記線状領域における光量値に関する特性情報を取得する工程とを含む。 In order to solve the above-described problem, the first aspect inspects a diffractive spatial light modulator in which a plurality of modulation units that form a reflecting surface that modulates and reflects incident light are arranged along the first direction. (A) a step of obtaining a first reflected light amount value distribution by measuring a reflected light amount value of reflected light with respect to a reflective region formed by a reflective surface of a plurality of modulation units; b) defining a linear region having a width narrower than that of the reflection region in the second direction orthogonal to the first direction and extending in the first direction among the reflection regions; c) obtaining characteristic information relating to the light amount value in the linear region based on the first reflected light amount value distribution.
また、第2の態様は、第1の態様に係る検査方法において、前記(c)工程は、前記線状領域を、複数の変調単位に対応する領域を1つのセルに区画することによって、前記線状領域を複数のセルに分割し、前記第1反射光量値分布に基づき、前記セル毎の光量値に関する特性情報を取得する工程を含む。 The second aspect is the inspection method according to the first aspect, wherein the step (c) includes dividing the linear region into regions corresponding to a plurality of modulation units into one cell. The method includes a step of dividing the linear region into a plurality of cells and acquiring characteristic information regarding the light amount value for each cell based on the first reflected light amount value distribution.
また、第3の態様は、第2の態様に係る検査方法において、前記(c)工程にて取得される前記特性情報が、前記セルの平均反射光量値が予め規定された理想光量値を越えるか否かを示す情報を含む。 The third aspect is the inspection method according to the second aspect, wherein the characteristic information acquired in the step (c) exceeds the ideal light amount value in which the average reflected light amount value of the cell is defined in advance. Information indicating whether or not.
また、第4の態様は、第3の態様に係る検査方法において、(d)前記線状領域に含まれる複数の前記セルのうち、前記理想光量値を越える前記セルの割合を示す割合情報を生成する工程、をさらに含む。 Further, a fourth aspect is the inspection method according to the third aspect, wherein (d) ratio information indicating a ratio of the cells exceeding the ideal light amount value among the plurality of cells included in the linear region. Generating further.
また、第5の態様は、第4の態様に係る検査方法において、前記(b)工程は、前記反射領域を前記第2方向に複数の短冊状の領域に分割し、当該領域のそれぞれを前記線状領域とする工程であり、(e)前記(d)工程にて生成された前記複数の線状領域毎の前記割合情報に基づき、前記割合の大きい順序を示す順序情報を生成する工程、をさらに含む。 Further, a fifth aspect is the inspection method according to the fourth aspect, wherein the step (b) divides the reflective region into a plurality of strip-shaped regions in the second direction, and each of the regions is (E) a step of generating order information indicating the order of the ratio based on the ratio information for each of the plurality of linear areas generated in the step (d), Further included.
また、第6の態様は、第2から第5の態様のいずれか1態様に係る検査方法において、(f)前記(c)工程にて取得される前記特性情報が、前記線状領域の反射光量値分布を示す情報を含んでおり、当該線状領域の反射光量値分布に基づき、当該線状領域において基準光量値を下回る箇所の存否を判定する工程、をさらに含む。 According to a sixth aspect, in the inspection method according to any one of the second to fifth aspects, (f) the characteristic information acquired in the step (c) is a reflection of the linear region. The method further includes a step of determining whether or not there is a portion below the reference light amount value in the linear region based on the reflected light amount value distribution of the linear region.
また、第7の態様は、第1から第6の態様のいずれか1態様に係る検査方法において、前記(b)工程は、(b−1)前記(a)工程にて取得した前記第1反射光量値分布を画像化した反射光量値分布画像を生成し、表示部に表示する工程、を含む。 In addition, a seventh aspect is the inspection method according to any one of the first to sixth aspects, wherein the step (b) is the first acquired in the step (b-1) (a). A step of generating a reflected light amount value distribution image obtained by imaging the reflected light amount value distribution and displaying the image on the display unit.
また、第8の態様は、第7の態様に係る検査方法であって、前記(b)工程は、(b−2)前記(b−1)工程にて前記表示部に表示された前記第1反射光量値分布画像上に、前記線状領域の位置を示す代表線を表示する工程と、(b−3)所定の操作入力に基づいて、前記代表線の位置の変更を受け付ける工程と、(b−4)前記(b−3)工程で受け付けた変更後の前記代表線の位置に基づいて、前記線状領域を改めて規定する工程とを含み、前記(c)工程は、(c−1)前記第1反射光量値分布に基づき、前記(b−4)工程にて規定された前記線状領域についての前記特性情報を、前記表示部に表示する工程、を含む。 Moreover, an 8th aspect is an inspection method which concerns on a 7th aspect, Comprising: The said (b) process is the said 8th displayed on the said display part in the (b-2) said (b-1) process. A step of displaying a representative line indicating the position of the linear region on the reflected light quantity value distribution image; and (b-3) a step of accepting a change in the position of the representative line based on a predetermined operation input; (B-4) a step of redefining the linear region based on the position of the representative line after the change received in the step (b-3), and the step (c) includes (c- 1) A step of displaying, on the display unit, the characteristic information about the linear region defined in the step (b-4) based on the first reflected light amount value distribution.
また、第9の態様は、第8の態様に係る検査方法であって、前記(b−2)工程は、前記表示部に表示された前記第1反射光量値分布画像上に、前記第2方向に所定間隔を設けて配置される複数の前記線状領域を示す複数の前記代表線を表示する工程である。 Further, a ninth aspect is an inspection method according to the eighth aspect, wherein the step (b-2) is performed on the first reflected light amount value distribution image displayed on the display unit. It is a step of displaying a plurality of the representative lines indicating the plurality of linear regions arranged at predetermined intervals in the direction.
また、第10の態様は、第1から第9の態様のいずれか1態様に係る検査方法であって、(g)前記(a)工程の後、前記反射領域について、反射した光の反射光量値を測定することによって、第2反射光量値分布を再取得する工程と、(h)前記(a)工程で取得された前記第1反射光量値分布と、前記(g)工程で取得された前記第2反射光量値分布を比較する工程と、を含む。 A tenth aspect is an inspection method according to any one of the first to ninth aspects, and (g) after the step (a), after the step (a), the reflected light amount of the reflected light is reflected on the reflective region. Measuring the value, reacquiring the second reflected light amount value distribution, (h) the first reflected light amount value distribution acquired in the step (a), and acquired in the step (g). Comparing the second reflected light amount value distribution.
また、第11の態様は、入射光を変調して反射する反射面を形成する変調単位が第1方向に沿って複数配列されてなる回折型空間光変調器を検査する検査装置であって、複数の変調単位の反射面で形成される反射領域について、反射した光の第1反射光量値分布を取得する反射光量値分布取得部と、前記反射領域のうち、前記第1方向に延びる領域であって、かつ、前記第1方向に直交する第2方向に前記反射領域よりも狭い幅の線状領域を規定する線状領域規定部と、前記第1反射光量値分布に基づき、前記線状領域における反射光量値に関する特性情報を取得する特性情報取得部とを備える。 An eleventh aspect is an inspection apparatus for inspecting a diffractive spatial light modulator in which a plurality of modulation units that form a reflecting surface that modulates and reflects incident light is arranged along the first direction, A reflection light amount value distribution acquisition unit that acquires a first reflected light amount value distribution of reflected light, and a region that extends in the first direction among the reflection regions. And a linear region defining portion that defines a linear region having a width narrower than the reflective region in a second direction orthogonal to the first direction, and the linear shape based on the first reflected light amount value distribution. A characteristic information acquisition unit that acquires characteristic information related to the amount of reflected light in the region.
第1から第11の態様によると、反射領域上にて規定される線状領域を変えることで、反射性能に優れた領域を容易に特定することができる。したがって、反射性能に優れた領域を容易に探索することができる。 According to the first to eleventh aspects, by changing the linear region defined on the reflection region, it is possible to easily specify a region having excellent reflection performance. Therefore, it is possible to easily search for a region having excellent reflection performance.
また、第2の態様によると、複数の変調単位を1つのセルとし、セル単位で特性情報が取得される。このため、個々の変調単位の特性情報を圧縮できるため、反射性能に優れた領域の探索を高速に行うことができる。 Further, according to the second aspect, a plurality of modulation units are set as one cell, and characteristic information is acquired in cell units. For this reason, since the characteristic information of each modulation unit can be compressed, it is possible to search for a region excellent in reflection performance at high speed.
また、第3の態様によると、各セルの平均光量値が理想光量値を越えるか否かを示す情報を取得することによって、理想的な反射性能を持つ領域を容易に探索することができる。 Further, according to the third aspect, by acquiring information indicating whether or not the average light amount value of each cell exceeds the ideal light amount value, an area having ideal reflection performance can be easily searched.
また、第4の態様によると、割合情報を生成することによって、反射性能がより優れた領域を容易に探索することができる。 Moreover, according to the 4th aspect, the area | region where reflection performance was more excellent can be searched easily by producing | generating ratio information.
また、第5の態様によると、短冊状に分割した複数の線状領域について、反射性能の優劣を把握することができる。したがって、パターン描画向けに光を照射するのに適した複数の領域を適切に決定できる。 Further, according to the fifth aspect, it is possible to grasp the superiority or inferiority of the reflection performance for a plurality of linear regions divided into strips. Therefore, a plurality of regions suitable for irradiating light for pattern drawing can be appropriately determined.
また、第6の態様によると、基準光量値を下回る箇所の存否を判定することによって、使用に適さない領域を容易に検出することができる。 Moreover, according to the 6th aspect, the area | region unsuitable for use can be easily detected by determining the presence or absence of the location which is less than a reference | standard light quantity value.
また、第7の態様によると、反射光量値分布画像を表示することによって、オペレータが使用に適した領域を把握しやすくなる。 Moreover, according to the 7th aspect, it becomes easy for an operator to grasp | ascertain the area | region suitable for use by displaying a reflected light amount value distribution image.
また、第8の態様によると、代表線を移動させることで、線状領域が変更され、変更後の線状領域の特性情報が表示される。このため、反射性能が優れた領域を容易に探索することができる。 According to the eighth aspect, the linear area is changed by moving the representative line, and the characteristic information of the changed linear area is displayed. For this reason, it is possible to easily search for an area having excellent reflection performance.
また、第9の態様によると、複数の線状領域を同時に規定することができるため、反射性能が優れた領域を探索しやすくなる。 Further, according to the ninth aspect, since a plurality of linear regions can be defined simultaneously, it becomes easy to search for a region with excellent reflection performance.
また、第10の態様によると、時間をおいて再び取得した反射光量値分布と、先に取得された反射光量値分布と比較することによって、回折型空間光変調器における反射面の劣化を検出することができる。 Further, according to the tenth aspect, the deterioration of the reflecting surface in the diffractive spatial light modulator is detected by comparing the reflected light amount value distribution acquired again after a time with the previously acquired reflected light amount value distribution. can do.
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, the component described in this embodiment is an illustration to the last, and is not a thing of the meaning which limits the scope of the present invention only to them. In the drawings, the size and number of each part may be exaggerated or simplified as necessary for easy understanding.
<1.描画装置1の全体構成>
図1は、実施形態に係る描画装置1の構成を模式的に示す側面図である。図2は、実施形態に係る描画装置1の構成を模式的に示す平面図である。なお、図1および図2においては、説明の便宜上、カバーパネル12の一部が図示省略されている。
<1. Overall Configuration of Drawing Apparatus 1>
FIG. 1 is a side view schematically showing a configuration of a drawing apparatus 1 according to the embodiment. FIG. 2 is a plan view schematically showing the configuration of the drawing apparatus 1 according to the embodiment. 1 and 2, a part of the
描画装置1は、レジストなどの感光材料の層が形成された基板Wの上面に、CADデータなどに応じて空間変調した光(描画光)を照射して、パターン(例えば、回路パターン)を露光(描画)する装置である。描画装置1で処理対象とされる基板Wは、例えば、半導体基板、プリント基板、液晶表示装置などに具備されるカラーフィルタ用基板、液晶表示装置やプラズマ表示装置などに具備されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、太陽電池用パネル、などである。以下の説明では、基板Wが、円形の半導体基板であるものとする。 The drawing apparatus 1 exposes a pattern (for example, a circuit pattern) by irradiating light (drawing light) spatially modulated according to CAD data or the like on the upper surface of the substrate W on which a layer of a photosensitive material such as a resist is formed. This is a device for drawing. The substrate W to be processed by the drawing apparatus 1 is, for example, a substrate for a color filter provided in a semiconductor substrate, a printed board, a liquid crystal display device, etc., for a flat panel display provided in a liquid crystal display device, a plasma display device, etc. Glass substrates, magnetic disk substrates, optical disk substrates, solar cell panels, and the like. In the following description, it is assumed that the substrate W is a circular semiconductor substrate.
描画装置1は、本体フレーム11で構成される骨格の天井面、床面、および、周囲面にカバーパネル12が取り付けられた構成を備えている。本体フレーム11とカバーパネル12とが、描画装置1の筐体を形成する。描画装置1の筐体の内部空間(すなわち、カバーパネル12で囲われる空間)は、受け渡し領域13と処理領域14とに区分されている。処理領域14には、基台15が配置されている。また、基台15上には、門型の支持フレーム16が設けられている。
The drawing apparatus 1 has a configuration in which a
描画装置1は、搬送装置2、プリアライメント部3、ステージ4、ステージ駆動機構5、ステージ位置計測部6、マーク撮像ユニット7、露光ユニット8、および、制御部9を備える。これら各構成要素は、描画装置1の筐体内部(すなわち、受け渡し領域13、および、処理領域14)、あるいは、筐体外部(すなわち、本体フレーム11の外側の空間)に配置される。
The drawing apparatus 1 includes a
<搬送装置2>
搬送装置2は、基板Wを搬送する。搬送装置2は、受け渡し領域13に配置され、処理領域14に対する基板Wの搬出入を行う。搬送装置2は、具体的には、例えば、基板Wを支持するための2本のハンド21,21と、ハンド21,21を独立に移動(進退移動および昇降移動)させるハンド駆動機構22とを備える。
<
The
描画装置1の筐体外部であって、受け渡し領域13に隣接する位置には、カセットCを載置するためのカセット載置部17が配置されている。搬送装置2は、カセット載置部17に載置されたカセットCに収容された未処理の基板Wを取り出して処理領域14に搬入するとともに、処理領域14から処理済みの基板Wを搬出してカセットCに収容する。なお、カセット載置部17に対するカセットCの受け渡しは、外部搬送装置(図示省略)によって行われる。
A
<プリアライメント部3>
プリアライメント部3は、基板Wが後述するステージ4に載置されるのに先だって、当該基板Wの回転位置を粗く補正する処理(プリアライメント処理)を行う。プリアライメント部3は、例えば、回転可能に構成された載置台と、載置台に載置された基板Wの外周縁の一部に形成された切り欠き部(例えば、ノッチ、オリエンテーションフラットなど)の位置を検出するセンサと、載置台を回転させる回転機構とを含んで構成することができる。この場合、プリアライメント部3におけるプリアライメント処理は、まず、載置台に載置された基板Wの切り欠き部の位置をセンサで検出し、続いて、回転機構が、当該切り欠き部の位置が定められた位置となるように載置台を回転させることによって行われる。
<
The
<ステージ4>
ステージ4は、筐体内部に基板Wを保持する保持部である。ステージ4は、処理領域14に配置された基台15上に配置される。ステージ4は、具体的には、例えば、平板状の外形を有し、その上面に基板Wを水平姿勢に載置して保持する。ステージ4の上面には、複数の吸引孔(図示省略)が形成されており、この吸引孔に負圧(吸引圧)を形成することによって、ステージ4上に載置された基板Wをステージ4の上面に固定保持する。
<Stage 4>
The stage 4 is a holding unit that holds the substrate W inside the housing. The stage 4 is disposed on the base 15 disposed in the
<ステージ駆動機構5>
ステージ駆動機構5は、ステージ4を基台15に対して移動させる。ステージ駆動機構5は、処理領域14に配置された基台15上に配置される。
<Stage drive mechanism 5>
The stage drive mechanism 5 moves the stage 4 relative to the
ステージ駆動機構5は、具体的には、ステージ4を回転方向(Z軸周りの回転方向(θ軸方向))に回転させる回転機構51と、回転機構51を介してステージ4を支持する支持プレート52と、支持プレート52を副走査方向(X軸方向)に移動させる副走査機構53とを備える。ステージ駆動機構5は、さらに、副走査機構53を介して支持プレート52を支持するベースプレート54と、ベースプレート54を主走査方向(Y軸方向)に移動させる主走査機構55とを備える。
Specifically, the stage drive mechanism 5 includes a
回転機構51は、ステージ4の上面(基板Wの載置面)の中心を通り、当該載置面に垂直な回転軸Aを中心としてステージ4を回転させる。回転機構51は、例えば、上端が載置面の裏面側に固着され、鉛直軸に沿って延在する回転軸部511と、回転軸部511の下端に設けられ、回転軸部511を回転させる回転駆動部(例えば、回転モータ)512とを含む構成とすることができる。この構成においては、回転駆動部512が回転軸部511を回転させることにより、ステージ4が水平面内で回転軸Aを中心として回転することになる。
The
副走査機構53は、支持プレート52の下面に取り付けられた移動子とベースプレート54の上面に敷設された固定子とにより構成されたリニアモータ531とを有している。また、ベースプレート54には、副走査方向に延びる一対のガイド部材532が敷設されており、各ガイド部材532と支持プレート52との間には、ガイド部材532に摺動しながら当該ガイド部材532に沿って移動可能なボールベアリングが設置されている。つまり、支持プレート52は、当該ボールベアリングを介して一対のガイド部材532上に支持される。この構成においてリニアモータ531を動作させると、支持プレート52はガイド部材532に案内された状態で副走査方向に沿って滑らかに移動する。
The
主走査機構55は、ベースプレート54の下面に取り付けられた移動子と基台15上に敷設された固定子とにより構成されたリニアモータ551を有している。また、基台15には、主走査方向に延びる一対のガイド部材552が敷設されており、各ガイド部材552とベースプレート54との間には例えばエアベアリングが設置されている。エアベアリングにはユーティリティ設備から常時エアが供給されており、ベースプレート54は、エアベアリングによってガイド部材552上に非接触で浮上支持される。この構成においてリニアモータ551を動作させると、ベースプレート54はガイド部材552に案内された状態で主走査方向に沿って摩擦なしで滑らかに移動する。
The
<ステージ位置計測部6>
ステージ位置計測部6は、ステージ4の位置を計測する。ステージ位置計測部6は、具体的には、例えば、ステージ4外からステージ4に向けてレーザ光を出射するとともにその反射光を受光する。ステージ位置計測部6は、当該反射光と出射光との干渉からステージ4の位置(具体的には、主走査方向に沿うY位置、および、回転方向に沿うθ位置)を計測する、干渉式のレーザ測長器を構成する。
<Stage
The stage
<マーク撮像ユニット7>
マーク撮像ユニット7は、ステージ4に保持された基板Wの上面を撮像する光学機器である。マーク撮像ユニット7は、支持フレーム16に支持される。マーク撮像ユニット7は、具体的には、例えば、鏡筒と、フォーカシングレンズと、CCDイメージセンサと、駆動部とを備える。鏡筒は、描画装置1の筐体外部に配置された照明ユニット(すなわち、撮像用の照明光(ただし、照明光としては、基板W上のレジストなどを感光させない波長の光が選択されている)を供給する照明ユニット)700と、ファイバケーブルなどを介して接続されている。CCDイメージセンサは、エリアイメージセンサ(二次元イメージセンサ)などにより構成される。また、駆動部は、モータなどにより構成され、フォーカシングレンズを駆動してその高さ位置を変更する。駆動部が、フォーカシングレンズの高さ位置を調整することによって、オートフォーカスが行われる。
<Mark imaging unit 7>
The mark imaging unit 7 is an optical device that images the upper surface of the substrate W held on the stage 4. The mark imaging unit 7 is supported by the
このような構成を備えるマーク撮像ユニット7においては、照明ユニット700から出射される光が鏡筒に導入され、フォーカシングレンズを介して、ステージ4上の基板Wの上面に導かれる。そして、その反射光が、CCDイメージセンサで受光される。これによって、基板Wの上面の撮像データが取得される。この撮像データは、制御部9に送られて、基板Wのアライメント(位置合わせ)に供される。
In the mark imaging unit 7 having such a configuration, the light emitted from the
<露光ユニット8>
露光ユニット8は、描画光を形成する光学装置である。描画装置1は、露光ユニット8を2個備える。もっとも、露光ユニット8の搭載個数は、必ずしも2個である必要はなく、1個であってもよいし、3個以上であってもよい。
<
The
露光ユニット8は、露光ヘッド80と、光源部81とを備える。露光ヘッド80は、変調ユニット82と、投影光学系83とを備える。光源部81、変調ユニット82および投影光学系83は、支持フレーム16に支持される。具体的には、例えば、光源部81は、支持フレーム16の天板上に載置される収容ボックスに収容される。また、変調ユニット82および投影光学系83は、支持フレーム16の+Y側に固定された収容ボックスに収容される。
The
露光ユニット8が備える光源部81、変調ユニット82および投影光学系83について、図1、図2に加え、図3を参照しながら説明する。図3は、実施形態に係る露光ヘッド80を模式的に示す図である。
The
a.光源部81
光源部81は、露光ヘッド80に向けて光を出射する。光源部81は、具体的には、例えば、レーザ駆動部811と、レーザ駆動部811からの駆動を受けて出力ミラー(図示省略)からレーザ光を出射するレーザ発振器812とを備える。また、光源部81は、レーザ発振器812から出射された光(スポットビーム)を、強度分布が均一な線状の光(すなわち、光束断面が帯状の光であるラインビーム)とする照明光学系813を備える。
a.
The
光源部81は、さらに、照明光学系813から出射されたラインビームを、回折型空間光変調器32の変調面320に収束させる描画用フォーカスレンズ814を備える。描画用フォーカスレンズ814は、例えば、シリンドリカルレンズにより構成され、そのシリンドリカル面(円筒面)を、入射光の上流側に向けるようにして配置される。また、描画用フォーカスレンズ814は、その中心線に、照明光学系813から出射されたラインビームが入射するような高さ位置に配置されている(以下、このような高さ位置を、描画用フォーカスレンズ814の「基準位置」ともいう)。描画用フォーカスレンズ814には、その高さ位置(Z方向に沿う位置)を変更する変位機構814Aが設けられている。変位機構814Aが描画用フォーカスレンズ814の高さ位置を基準位置よりも高い(あるいは、低い)位置に変位させることによって、ラインビームの光路が変更される。ラインビームの光路が変更されることによって、図3に示すように、ラインビームが、変調ユニット82の回折型空間光変調器32の変調面320に入射する位置が、ラインビームの幅方向に変更される。
The
b.変調ユニット82
変調ユニット82は、ここに入射した光に、パターンデータに応じた空間変調を施す。ただし、「光を空間変調させる」とは、光の空間分布(振幅、位相、および偏光など)を変化させることを意味する。また、「パターンデータ」とは、光を照射すべき基板W上の位置情報が画素単位で記録されたデータである。パターンデータは、例えばネットワークなどを介して接続された外部端末装置から受信することによって、あるいは、記録媒体から読み取ることによって取得されて、後述する制御部9の記憶装置94に格納される。
b.
The
変調ユニット82は、回折型空間光変調器32を備える。回折型空間光変調器32は、例えば電気的な制御によって光を空間変調させて、パターンの描画に寄与させる必要光と、パターンの描画に寄与させない不要光とを、互いに異なる方向に反射させる装置である。回折型空間光変調器32は、反射型及び回折格子型の空間光変調器であるGLV(Grating Light Valve)を含んで構成される。
The
図4は、可動リボン321aおよび固定リボン321bに対して垂直な面における複数の光変調素子321の概略断面を示す概略断面図である。各光変調素子321は、1つの可動リボン321aおよび1つの固定リボン321bを備えている。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a schematic cross section of a plurality of
可動リボン321aの上面および固定リボン321bの上面は、それぞれ背後のベース面322cに平行な可動反射面322aおよび固定反射面322bを備えている。可動反射面322a及び固定反射面322bは、それぞれ、光変調素子321の配列方向(ここでは、X軸方向に平行な方向)に垂直に延びる帯状とされている。回折型空間光変調器32では、可動反射面322a及び固定反射面322bが、素子配列方向に交互に配列されている。
The upper surface of the
可動リボン321aは、ベース面322cに対して昇降移動可能であり、可動反射面322aのベース面322cからの高さは可変である。固定リボン321bはベース面322cに対して固定され、固定反射面322bのベース面322cからの高さも固定される。可動リボン321aおよび固定リボン321bの表面は、入射光L1を反射するようにコーティングされている。
The
回折型空間光変調器32では、所定数個の光変調素子321が1個の変調単位を形成しており、この変調単位が、X軸方向に沿って一次元に複数個並んだ構成となっている。回折型空間光変調器32は、複数の光変調素子321のそれぞれに対して独立に電圧を印加可能なドライバ回路ユニット33(変調器駆動部)に接続されている。ドライバ回路ユニット33は、副臼の光変調素子321の可動リボン321aのそれぞれに対して個別的に、駆動値に対応した電圧を印可することが可能とされている。光変調素子321に電圧が印加されることによって、可動リボン321aが固定リボン321bに対して凹むように撓む。このように、固定リボン321bを凹ませることによって、各変調単位に入射した光(入射光L1)が、0次光と0次以外の次数の回折光(非0次回折光)とに切り替えられる。
In the diffractive spatial
固定リボン321bに対する可動リボン321aの凹み量は、可動リボン321aに印可される電圧の大きさによって決定される。つまり、ドライバ回路ユニット33が印可する電圧の大きさを制御することによって、可動リボン321aの可動反射面322aと、固定リボンの固定反射面322bとの高さの差が、複数段階で調節される。したがって、電圧の大きさに応じて、各変調単位の変調面320で反射した光(反射光L2)の光量(以下、この光量を「反射光量」とも称する。)を複数の階調で、個別に切り換えられる。
The amount of depression of the
変調ユニット82においては、制御部9の制御下で、回折型空間光変調器32の各変調単位の状態がパターンデータに応じて切り換えられつつ、照明光学系813から出射された光(ラインビーム)が、ミラー822を介して、回折型空間光変調器32の変調面320に、定められた角度で、入射する。ただし、ラインビームは、その線状の光束断面の長幅方向を、回折型空間光変調器32の複数の変調単位の配列方向(X軸方向)に沿わせるようにして、一列に配列された複数の変調単位に入射する。したがって、回折型空間光変調器32から出射される光は、副走査方向に沿って複数画素分の空間変調された光(ただし、1個の変調単位にて空間変調された光が、1画素分の光となる。)を含む、断面が帯状の描画光となっている。このように、回折型空間光変調器32は、光源部81から出射された光を、変調面320で受光して、当該受光した光にパターンデータに応じた空間変調を施す。
In the
c.投影光学系83
投影光学系83は、回折型空間光変調器32から出射される描画光のうち、不要光を遮断するとともに必要光を基板Wの表面に導いて、必要光を基板Wの表面に結像させる。すなわち、回折型空間光変調器32から出射される描画光には、必要光と不要光とが含まれるところ、必要光はZ軸に沿って−Z方向に進行し、不要光はZ軸から±X方向に僅かに傾斜した軸に沿って−Z方向に進行する。投影光学系83は、例えば、必要光のみを通過させるように真ん中に貫通孔が形成された遮断板831を備え、この遮断板831で不要光を遮断する。投影光学系83には、この遮断板831の他に、必要光の幅を広げる(あるいは狭める)ズーム部を構成する複数のレンズ832、必要光を定められた倍率として基板W上に結像させるフォーカシングレンズ833、フォーカシングレンズ833を駆動してその高さ位置を変更することによってオートフォーカスを行う駆動部(例えば、モータ)(図示省略)などがさらに含まれる。
c. Projection
The projection
パターン描画を行う場合、投影光学系83の直下に、ステージ4に載置された基板Wが配され、当該基板W上に投影光学系83からのラインビームが照射される。なお、本実施形態では、後述するように、回折型空間光変調器32の変調面320に対するラインビームを入射させる位置、すなわち変調面320のうち、パターン描画の際に使用する領域を決定する処理が行われる。この処理では、回折型空間光変調器32の変調面320上を、ラインビームで走査し、変調面320上において反射するラインビームの光量(反射光量)が測定される。描画装置1は、このラインビームの反射光量を測定するため、ステージ4の上面に取り付けられたカメラ34を備えている。なお、カメラ34は、必ずしもステージ4上に設けられている必要はなく、変調面320で反射したラインビームの光量を測定できれば、どのような位置に設けられていてもよい。
When pattern drawing is performed, a substrate W placed on the stage 4 is disposed immediately below the projection
図5は、実施形態に係る露光走査を説明するための概略平面図である。露光走査においては、ステージ駆動機構5が、ステージ4を、主走査軸(Y軸)に沿って往路方向(ここでは、例えば、+Y方向であるとする。)に移動させることによって、基板Wを各露光ヘッド80に対して主走査軸に沿って相対的に移動させる(往路主走査)。これを基板Wからみると、各露光ヘッド80は、矢印AR11に示すように、基板Wを主走査軸に沿って−Y方向に横断することになる。また、往路主走査の開始とともに、各露光ヘッド80から描画光の照射が行われる。すなわち、パターンデータ(詳細には、パターンデータのうち、当該往路主走査で描画対象となるストライプ領域に描画するべきデータを記述した部分)が読み出され、該パターンデータに応じて変調ユニット82が制御される。そして、各露光ヘッド80から、該パターンデータに応じて空間変調が施された描画光が、基板Wに向けて照射される。
FIG. 5 is a schematic plan view for explaining exposure scanning according to the embodiment. In exposure scanning, the stage drive mechanism 5 moves the stage 4 along the main scanning axis (Y axis) in the forward direction (here, for example, the + Y direction), thereby moving the substrate W. The
各露光ヘッド80が、基板Wに向けて断続的に描画光を出射しながら、主走査軸に沿って基板Wを一回横断すると、1本のストライプ領域(主走査軸に沿って延在し、副走査軸に沿う幅が描画光の幅に相当する領域)に、パターン群が描画されることになる。ここでは、2個の露光ヘッド80,80が同時に基板Wを横断するので、一回の往路主走査により2つのストライプ領域のそれぞれにパターン群が描画されることになる。
When each
描画光の照射を伴う往路主走査が終了すると、ステージ駆動機構5は、ステージ4を副走査軸(X軸)に沿って所定方向(例えば、−X方向)に、描画光の幅に相当する距離だけ移動させる。これによって、基板Wが各露光ヘッド80に対して副査軸に沿って相対的に移動する(副走査)。これを基板Wからみると、矢印AR12で示すように、各露光ヘッド80が副走査軸に沿って+X方向に、ストライプ領域の幅分だけ移動することになる。
When the forward main scanning with drawing light irradiation ends, the stage drive mechanism 5 corresponds to the width of the drawing light in a predetermined direction (for example, −X direction) along the sub-scanning axis (X axis). Move it a distance. As a result, the substrate W moves relative to each
副走査が終了すると、描画光の照射を伴う復路主走査が実行される。すなわち、ステージ駆動機構5は、ステージ4を主走査軸(Y軸)に沿って復路方向(ここでは、−Y方向)に移動させる。これによって、基板Wが各露光ヘッド80に対して主走査軸に沿って相対的に移動する(復路主走査)。これを基板Wからみると、矢印AR13で示すように、各露光ヘッド80が、基板W上を、主走査軸に沿って+Y方向に移動して横断することになる。その一方で、復路主走査が開始されると、各露光ヘッド80から描画光の照射が開始される。この復路主走査によって、先の往路主走査で描画されたストライプ領域の隣のストライプ領域に、パターン群が描画される。
When the sub-scanning is completed, a return main scanning with irradiation of drawing light is executed. That is, the stage drive mechanism 5 moves the stage 4 along the main scanning axis (Y axis) in the backward direction (here, the −Y direction). As a result, the substrate W moves relative to each
描画光の照射を伴う復路主走査が終了すると、副走査が行われた上で、再び、描画光の照射を伴う往路主走査が行われる。当該往路主走査によって、先の復路主走査で描画されたストライプ領域の隣のストライプ領域に、パターン群が描画される。以後も同様に、副走査を挟みつつ、描画光の照射を伴う主走査が繰り返して行われ、描画対象領域の全域にパターンが描画されると、1つのパターンデータについての描画処理が終了する。 When the backward main scanning with the drawing light irradiation ends, the sub-scanning is performed, and then the forward main scanning with the drawing light irradiation is performed again. By the forward main scanning, a pattern group is drawn in the stripe area adjacent to the stripe area drawn in the previous backward main scanning. Thereafter, similarly, when the main scanning with the irradiation of the drawing light is repeatedly performed with the sub-scan interposed, and the pattern is drawn in the entire drawing target region, the drawing process for one pattern data is finished.
<制御部9>
図6は、実施形態に係る制御部9の構成を示すブロック図である。制御部9は、描画装置1が備える各部と電気的に接続されており、各種の演算処理を実行しつつ描画装置1の各部の動作を制御する。
<
FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration of the
制御部9は、例えば、図6に示されるように、CPU91、ROM92、RAM93、記憶装置94などがバスライン95を介して相互接続された一般的なコンピュータとして構成される。ROM92は、基本プログラムなどを格納している。RAM93は、CPU91が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶装置94は、フラッシュメモリ、あるいは、ハードディスク装置などの不揮発性の記憶装置によって構成されている。記憶装置94にはプログラムPG1がインストールされている。該プログラムPG1に記述された手順に従って、主制御部としてのCPU91が演算処理を行うことによって、各種機能が実現される。
For example, as shown in FIG. 6, the
特に、反射光量値測定部911、反射光量値分布画像生成部912、線状領域規定部913、特性情報取得部914、支援情報生成部915及び劣化検査部916は、回折型空間光変調器32の変調面320において、パターン描画向けにラインビームを入射させるのに好適な候補領域を決定するため、反射性能に優れた領域(すなわち、反射率が高く、反射光量のばらつきが少ない)を探索する際に機能する。
In particular, the reflected light quantity
反射光量値測定部911は、回折型空間光変調器32の変調面320で形成される反射領域をラインビームで走査し、反射したラインビームの光量値(反射光量値)を測定するように構成されている。反射光量値測定部911によって、反射領域についての反射光量値分布が取得される。
The reflected light amount
反射光量値分布画像生成部912は、反射光量値測定部911によって取得された光量値分布に基づき、上記反射領域についての反射光量値分布を視覚化した画像(反射光量値分布画像)を生成するように構成されている。
The reflected light amount value distribution
線状領域規定部913は、上記反射領域に対して、線状領域を規定するように構成されている。線状領域は、変調単位である光変調素子321の配列方向(第1方向)に沿って延びる領域である。線状領域の詳細については、後述する。
The linear region defining unit 913 is configured to define a linear region with respect to the reflective region. The linear region is a region extending along the arrangement direction (first direction) of the
特性情報取得部914は、上記線状領域規定部913によって定義された線状領域について、反射光量値分布から、光量値に関する特性情報を取得するように構成されている。本実施形態では、上記線状領域を複数に区画したセル毎に、光量値に関する特性情報を取得する。この詳細については、後述する。
The characteristic
支援情報生成部915は、上記セル毎の特性情報に基づいて、支援情報を生成するように構成されている。支援情報は、例えば、1つの線状領域に含まれる全てのセルのうち、所定の理想光量値を越えているセルの割合に関する情報(割合情報)等である。
The support
劣化検査部916は、回折型空間光変調器32の劣化を検査する劣化検査処理を実行するように構成されている。劣化検査処理については、後述する。
The
プログラムPG1は、通常、予め記憶装置94などのメモリに格納されて使用されるものであるが、CD−ROMあるいはDVD−ROM、外部のフラッシュメモリなどの記録媒体に記録された形態(プログラムプロダクト)で提供され(あるいは、ネットワークを介した外部サーバからのダウンロードなどにより提供され)、追加的または交換的に記憶装置94などのメモリに格納されてもよい。なお、制御部9において実現される一部あるいは全部の機能は、専用の論理回路などでハードウェア的に実現されてもよい。
The program PG1 is normally stored and used in advance in a memory such as the
また、制御部9では、入力部96、表示部97、通信部98もバスライン95に接続されている。入力部96は、例えば、キーボードおよびマウスによって構成される入力デバイスであり、オペレータからの各種の操作(コマンドや各種データの入力といった操作)を受け付ける。なお、入力部96は、各種スイッチ、タッチパネルなどにより構成されてもよい。表示部97は、液晶表示装置、ランプなどにより構成される表示装置であり、CPU91による制御の下、各種の情報を表示する。通信部98は、ネットワークを介して外部装置との間でコマンドやデータなどの送受信を行うデータ通信機能を有する。
In the
<2.描画装置の動作>
<2.1.第1の候補領域探索処理>
図7は、第1の候補領域探索処理の例を示す流れ図である。候補領域探索処理とは、変調面320において、パターン描画向けにラインビームの入射位置となる候補領域であって、反射性能が優れている領域を探索する処理である。以下に説明する一連の動作は、特に断らない限り、制御部9のCPU91がプログラムPG1に従って動作することによって実行される。図7に示す候補領域探索処理は、例えば、回折型空間光変調器32が描画装置1に装着された際などに実行される。
<2. Operation of the drawing apparatus>
<2.1. First candidate area search process>
FIG. 7 is a flowchart illustrating an example of the first candidate area search process. The candidate area search process is a process of searching for an area on the
まず、反射光量値測定部911が、反射光量値分布(第1反射光量地分布)を取得する(ステップS10)。具体的には、反射光量値測定部911が、変位機構814Aを駆動して描画用フォーカスレンズ814を変位させることによって、変調面320をラインビームで走査する。そして、カメラ34が反射したラインビームを検出することによって、反射光量値が計測される。
First, the reflected light amount
図8は、変調面320をラインビームLB1で走査する様子を示す概略平面図である。図8及び以降の説明では、光変調素子321(変調単位)が配列される方向を配列方向Dx(第1方向)とする。当該配列方向Dxは、図1等に示すX軸方向に一致しており、ラインビームLB1に延びる方向にも一致する。当該配列方向Dxに直交する方向であって、変調面320に平行な方向を、ラインビームLB1の幅方向Dy(第2方向)とする。
FIG. 8 is a schematic plan view showing a state where the
ステップS10においては、図8に示すように、ラインビームLB1を幅方向Dyに移動させていくことで、走査が行われる。そして、変調面320で反射したラインビームLB1の反射光量値が測定される。なお、ラインビームLB1で走査される領域は、反射面である変調面320のうち、有効領域(パターン描画向けの使用が予定されている領域。例えば、幅方向Dyの中心から±20μmの幅の領域)よりも、幅方向Dyに大きい反射領域RR1について、ラインビームLB1が走査される。そして、反射領域RR1における、反射光量値分布が取得される。
In step S10, as shown in FIG. 8, scanning is performed by moving the line beam LB1 in the width direction Dy. Then, the amount of reflected light of the line beam LB1 reflected by the
なお、反射光量値分布を取得する際、ラインビームLB1を一定ピッチ(例えば、10μm)で幅方向Dyにステップ状に移動させることで、幅方向Dyの各位置でラインビームLB1を停止させ、その状態で反射するラインビームLB1の反射光量値を取得するようにしてもよい。あるいは、ラインビームLB1を連続的に幅方向Dyに移動させ、カメラ34によって所定周期で検出して、反射光量値を取得するようにしてもよい。
In addition, when acquiring the reflected light amount value distribution, the line beam LB1 is stopped at each position in the width direction Dy by moving the line beam LB1 stepwise in the width direction Dy at a constant pitch (for example, 10 μm). The reflected light amount value of the line beam LB1 reflected in the state may be acquired. Alternatively, the line beam LB1 may be continuously moved in the width direction Dy and detected by the
図7に戻って、反射光量値分布が取得されると、反射光量値分布画像生成部912が、反射光領地分布画像を生成する(ステップS11)。
Returning to FIG. 7, when the reflected light amount value distribution is acquired, the reflected light amount value distribution
図9は、反射光量値分布画像MAP1の一例を示す図である。反射光量値分布画像MAP1の各部分は、ラインビームLB1で走査された反射領域RR1の各位置に対応する。また、本例では、反射光量値を大きさで複数の階級に分けられ、階級毎に固有の色が定義されており、部分毎に、反射光量値に対応する階級の色が付与されている。反射光量値分布画像MAP1は、表示部97に適宜表示される。
FIG. 9 is a diagram illustrating an example of the reflected light amount value distribution image MAP1. Each part of the reflected light amount value distribution image MAP1 corresponds to each position of the reflection region RR1 scanned with the line beam LB1. Further, in this example, the reflected light amount value is divided into a plurality of classes by size, and a unique color is defined for each class, and a color of the class corresponding to the reflected light amount value is assigned to each part. . The reflected light amount value distribution image MAP1 is appropriately displayed on the
反射光量値分布画像MAP1によると、反射領域RR1における、反射光量の特性を視覚的に把握することが可能である。このため、反射光量値分布画像MAP1を生成することは、変調面320において、ラインビームLB1を反射させる反射性能に優れた領域を決定する上で、極めて有効である。なお、反射光量値分布画像MAP1については、オペレータが反射光量値分布を確認する必要が無いなどの事情がある場合には、その画像の生成が省略されてもよい。
According to the reflected light amount value distribution image MAP1, it is possible to visually grasp the characteristic of the reflected light amount in the reflection region RR1. For this reason, generating the reflected light amount value distribution image MAP1 is extremely effective in determining a region having excellent reflection performance for reflecting the line beam LB1 on the
図7に戻って、反射光量値分布画像MAP1が生成されると、線状領域規定部913が、反射領域RR1を幅方向Dyおいて複数の短冊状の領域に分割する(ステップS12)。そして、線状領域規定部913は、短冊状の各領域を線状領域とする(ステップS13)。 Returning to FIG. 7, when the reflected light amount value distribution image MAP1 is generated, the linear region defining unit 913 divides the reflective region RR1 into a plurality of strip-shaped regions in the width direction Dy (step S12). And the linear area | region prescription | regulation part 913 makes each strip-shaped area | region a linear area | region (step S13).
図10は、反射領域RR1に対応する反射光量値分布画像MAP1上において定義された線状領域を示す図である。図10に示す例では、反射領域RR1が、幅方向Dyにおいて短冊状に複数の領域に分割されており、各領域が7つの線状領域LR1〜LR7として定義されている。各線状領域LR1〜LR7は、配列方向Dxに沿って延びており、かつ、幅(幅方向Dyの大きさ)が反射領域RR1の幅よりも小さい。 FIG. 10 is a diagram illustrating a linear region defined on the reflected light amount value distribution image MAP1 corresponding to the reflective region RR1. In the example shown in FIG. 10, the reflection region RR1 is divided into a plurality of regions in a strip shape in the width direction Dy, and each region is defined as seven linear regions LR1 to LR7. Each of the linear regions LR1 to LR7 extends along the arrangement direction Dx, and the width (the size of the width direction Dy) is smaller than the width of the reflection region RR1.
図11は、線状領域LR1における反射光量値分布VD1を示す図である。図12は、線状領域LR3における反射光量値分布VD3を示す図である。図11及び図12において、横軸は配列方向Dxにおける位置を示しており、縦軸は反射光量値を示している。反射光量値分布VD1,VD3は、1つの光変調素子321に相当する位置の反射光量値を、全光変調素子321に関して座標上にプロットしたものである。
FIG. 11 is a diagram showing the reflected light amount value distribution VD1 in the linear region LR1. FIG. 12 is a diagram showing the reflected light amount value distribution VD3 in the linear region LR3. 11 and 12, the horizontal axis indicates the position in the arrangement direction Dx, and the vertical axis indicates the reflected light amount value. The reflected light amount value distributions VD1 and VD3 are obtained by plotting reflected light amount values at positions corresponding to one
線状領域LR1は、図10に示すように、反射領域RR1の端部に位置する。この線状領域LR1では、図11に示すように、反射光量値が配列方向Dxの位置で異なっており、その強度にバラツキがみられる。これに対して、線状領域LR3は、図10に示すように、反射領域RR1の中央付近に位置する。この線状領域LR3では、図12に示すように、反射光量値が全体的に安定しており、その強度も比較的大きくなっていることが分かる。 As shown in FIG. 10, the linear region LR1 is located at the end of the reflective region RR1. In this linear region LR1, as shown in FIG. 11, the amount of reflected light differs at the position in the arrangement direction Dx, and the intensity varies. On the other hand, the linear region LR3 is located near the center of the reflection region RR1, as shown in FIG. In this linear region LR3, as shown in FIG. 12, it can be seen that the reflected light amount value is stable as a whole and the intensity thereof is relatively large.
図7に戻って、複数の線状領域が規定されると、特性情報取得部914は、各線状領域を複数のセルに分割する(ステップS14)。そして、特性情報取得部914は、セル毎に、反射光量値に関する特性情報を取得する(ステップS15)。
Returning to FIG. 7, when a plurality of linear regions are defined, the characteristic
図13は、線状領域を複数のセルに分割する様子を説明するための図である。図12に示すように、特性情報取得部914は、線状領域LR1を、配列方向Dxに所定のピッチで分割し、複数のセル(セルCe1,Ce2・・・)が定義されている。図示の例では、各セルCe1,Ce2・・・は、配列方向Dxに並ぶ8個の光変調素子321に相当する領域となっている。一例として、回折型空間光変調器32が、8000個の光変調素子321を有する場合、線状領域は、当該8000個の光変調素子321に相当する。そして図12に示すように、8個の光変調素子321を1つのセルとして線状領域を分割した場合、当該線状領域は、1000個のセルに分割されることとなる。
FIG. 13 is a diagram for explaining how the linear region is divided into a plurality of cells. As shown in FIG. 12, the characteristic
もちろん、1つのセルに含まれる光変調素子321の数は、8個に限定されるものではない。例えば、1つのセル当たり1つ光変調素子321としてもよいし、数十または数百等、多数の光変調素子321が含まれるようにしてもよい。
Of course, the number of
このように特性情報取得部914は、各線状領域を複数のセルに分割すると、セル毎の反射光量値に関する特性情報として、反射光量値の平均値(以下、「平均反射光量値」と称する。)を取得する。セル毎の平均反射光量値は、図11または図12に示す反射光量値分布VD1から算出することが可能である。例えば、線状領域LR1について、図12に示すセルCe1の平均反射光量値については、図11に示す反射光量値分布VD1のうち、セルCe1の範囲に相当する部分の反射光量値を抽出し、それらを平均化することで取得される。
As described above, the characteristic
図7に戻って、セル毎の特性情報が取得されると、支援情報生成部915は、線状領域毎に、基準光量値を下回る箇所の存否を判定する(ステップS16)。基準光量値とは、予め定められる反射光量値であって、パターン描画におて使用される際に最低限必要とされる反射光量値、もしくは、それよりも大きい反射光量値に相当する。線状領域の一部に、この基準光量値を越えない箇所が存する場合、その線状領域は反射性能が低い領域と判断される。
Returning to FIG. 7, when the characteristic information for each cell is acquired, the support
例えば、図11及び図12に示す例では、基準光量値がv1とされている。線状領域LR1については、図11に示すように、反射光量値分布VD1のうち、基準光量値v1を下回る箇所がいくつか存在している。このため、線状領域LR1については、候補から外される。一方、線状領域LR3については、図12に示すように、反射光量値分布VD3のうち、基準光量値v1を下回る箇所がない。このため、線状領域LR3については、比較的反射性能が高い領域と判断される。 For example, in the example shown in FIGS. 11 and 12, the reference light amount value is v1. As for the linear region LR1, as shown in FIG. 11, there are some portions in the reflected light amount value distribution VD1 that are below the reference light amount value v1. For this reason, the linear region LR1 is excluded from the candidates. On the other hand, as shown in FIG. 12, the linear region LR3 does not have a portion below the reference light amount value v1 in the reflected light amount value distribution VD3. For this reason, the linear region LR3 is determined as a region having relatively high reflection performance.
なお、上記ステップS16の判定処理は、セル単位で行われてもよい。すなわち、ステップS14,S16で取得された各セルの平均反射光量値と、基準光量値とを比較し、下回るセルが存在する場合には、当該線状領域を除去するようにしてもよい。 Note that the determination process in step S16 may be performed in units of cells. That is, the average reflected light amount value of each cell acquired in steps S14 and S16 is compared with the reference light amount value, and if there is a cell below, the linear region may be removed.
ステップS16の判定処理で得られる情報(判定情報)は、特性情報に基づいて生成される支援情報の一例である。 The information (determination information) obtained by the determination process in step S16 is an example of support information generated based on the characteristic information.
続いて、支援情報生成部915は、線状領域毎に割合情報を生成する(ステップS17)。割合情報は、特定の線状領域の全セル数のうち、平均反射光量値が理想光量値を越えるセル数の割合を示す情報である。理想光量値とは、パターン描画時に好適である反射光量値を示す値であって、予めオペレータ等が設定される値である。この理想光量値を越えるセル数の割合を線状領域毎に得ることによって、反射領域RR1における使用上望ましい領域を特定することができる。割合情報は、特性情報から生成される支援情報の一例である。
Subsequently, the support
このようにセル単位で平均反射光量値を利用することによって、全ての光変調素子321毎の反射光量値の情報量を圧縮することができる。したがって、理想光量値の比較対象として、平均反射光量値を採用することによって、反射性能に優れた領域を高速に探索することができる。
As described above, by using the average reflected light amount value in units of cells, it is possible to compress the information amount of the reflected light amount value for every
続いて、支援情報生成部915は、順序情報を生成する(ステップS18)。順序情報は、線状領域について、所定基準に基づき使用に適するとされる順番を示す情報である。本例では、ステップS16にて基準光量値を下回る箇所がないとされた複数の線状領域に対して、ステップS17で取得された割合情報に基づき、順位付けが行われる。具体的には、理想光量値を越えるセル数の割合が多い順に、順位付けされる。この順序情報は、支援情報の一例である。
Subsequently, the support
続いて、順序情報に基づいて、1または複数の線状領域が、反射性能に優れた領域として、パターン描画向けにラインビームを入射させるのに好適な候補領域に決定される(ステップS19)。このステップS19については、制御部9が自動的に実行するようにしてもよいし、あるいは、オペレータが実行するようにしてもよい。制御部9がステップS19を自動で実行する場合は、制御部9が、ステップS18で取得された順序情報から、上位にある1または複数の線状領域を、使用候補の領域に決定するようにすればよい。一方、オペレータがステップS19を実行する場合は、表示部97が、判定情報、割合情報または順位情報等の支援情報の他、反射光量値分布画像MAP1を表示する。そして、オペレータが、当該表示内容に基づいて、1または複数の線状領域を、使用候補の領域に決定するようにすればよい。
Subsequently, based on the order information, one or a plurality of linear regions are determined as candidate regions suitable for incidence of a line beam for pattern drawing as regions having excellent reflection performance (step S19). This step S19 may be automatically executed by the
なお、支援情報としては、上述したものに限定されるものではない。例えば、図11及び図12に示すように、反射光量値分布VD1,VD3を直線VL1,VL3に近似し、当該直線VL1,VL3の、傾きを求めてもよい。当該傾きが0(すなわち、横軸に平行)に近づくほど、全光変調素子321でばらつきが少なく、反射性能が高い。したがって、当該傾きを支援情報として生成することで、反射性能が高い領域を容易に決定できる。また、支援情報として、反射光量値分布VD1,VD3から、反射光量値の分散または標準偏差等を求めてもよい。分散または標準偏差をもとめることによって、反射光量値のばらつきを把握することができる。これによって、ばらつきの少ない反射性能に優れた領域を容易に決定できる。
Note that the support information is not limited to that described above. For example, as shown in FIGS. 11 and 12, the reflected light amount value distributions VD1 and VD3 may be approximated to the straight lines VL1 and VL3, and the slopes of the straight lines VL1 and VL3 may be obtained. The closer the inclination is to 0 (that is, parallel to the horizontal axis), the less the variation in the all-
また、ステップS12,S13にて複数の線状領域を規定する際、各線状領域の幅は、パターン描画時に変調面320に照射されるラインビームLB1の幅と同じかそれよりも大きいことが望ましい。例えば、ラインビームLB1の幅よりも狭くした線状領域が設定されたとする。すると、隣合う2つの線状領域が、ラインビームを照射する候補領域に選択された場合、当該候補領域間でラインビームLB1の照射位置を切り換えると、その入射部分の一部が重なってしまう。つまり、先の使用によって反射性能が低下した部分にも、再びラインビームLB1が照射されることになるため、反射光量値の安定性が低下するおそれがある。以上の理由から、線状領域の幅は、ラインビームLB1と同じか、それ以上とすることが好ましい。
Further, when defining a plurality of linear regions in steps S12 and S13, the width of each linear region is preferably equal to or larger than the width of the line beam LB1 irradiated to the
<2.2.第2の候補領域探索処理>
図7に示すフローでは、主に制御部9が、プログラムにしたがって動作することによって、複数の線状領域を設定し、反射光量値に関する特性情報及び当該特性情報から生成される支援情報に基づき、自動的もしくは半自動的に反射性能が高い領域の探索がなされている。しかしながら、オペレータが線状領域を任意に設定して、当該線状領域の特性情報に基づいて、高反射性能の領域が探索されてもよい。
<2.2. Second candidate area search process>
In the flow shown in FIG. 7, the
図14は、第2の候補領域探索処理の例を示す流れ図である。以下に説明する一連の動作は、特に断らない限り、制御部9のCPU91がプログラムPG1に従って動作することによって実行される。
FIG. 14 is a flowchart illustrating an example of the second candidate area search process. A series of operations described below is executed by the
まず、図7に示すステップS10と同じ要領で、反射光量値分布データが取得される(ステップS200)。 First, the reflected light amount value distribution data is acquired in the same manner as step S10 shown in FIG. 7 (step S200).
続いて、ステップS11と同じ要領で、反射光量値分布画像生成部912が、反射光量値分布画像を生成する。そして、本フローでは、線状領域規定部913が、線状領域を規定するために、当該画像を表示部97に表示する(ステップS201)。また、線状領域規定部913は、当該反射光量分布画像上に、カーソル線(代表線)を表示する(ステップS202)。
Subsequently, the reflected light amount value distribution
図15は、カーソル線CL1の表示例を示す図である。図15に示すように、カーソル線CL1は、配列方向Dxに延びる直線であり、反射光量値分布画像MAP1上に重ねて表示される。当該カーソル線CL1は、入力部96を介した所定の操作入力に基づき、幅方向Dyに沿って、反射光量値分布画像MAP1上を移動するように構成されている。
FIG. 15 is a diagram illustrating a display example of the cursor line CL1. As shown in FIG. 15, the cursor line CL1 is a straight line extending in the arrangement direction Dx, and is displayed on the reflected light amount value distribution image MAP1. The cursor line CL1 is configured to move on the reflected light amount value distribution image MAP1 along the width direction Dy based on a predetermined operation input via the
図14に戻って、カーソル線を表示すると、線状領域規定部913が、当該カーソル線の位置に基づいて、線状領域を規定する(ステップS203)。 Returning to FIG. 14, when the cursor line is displayed, the linear area defining unit 913 defines the linear area based on the position of the cursor line (step S203).
図16は、カーソル線CL1の位置に基づき、線状領域LR21が設定される例を示す図である。に示すように、カーソル線CL1の反射光量値分布画像MAP1に対する相対的な位置が読み取られ、当該位置情報から、線状領域LR21が設定される。 FIG. 16 is a diagram illustrating an example in which the linear region LR21 is set based on the position of the cursor line CL1. As shown in FIG. 5, the relative position of the cursor line CL1 with respect to the reflected light amount value distribution image MAP1 is read, and the linear region LR21 is set from the position information.
図14に戻って、線状領域が規定されると、図7に示すステップS14と略同じ要領で、特性情報取得部914が、当該線状領域を複数のセルに分割する(ステップS204)。そして、特性情報取得部914が、図7に示すステップS15と同じ要領で、セル毎の特性情報を取得する(ステップS205)。
Returning to FIG. 14, when the linear region is defined, the characteristic
続いて、支援情報生成部915は、図7に示すステップS16と同じ要領で、線状領域における、基準光量値を下回る箇所の存否を判定するとともに、当該判定結果を表示部97に表示する(ステップS206)。図16に示す例では、反射光量値が基準光量値を下回るNG箇所が線状領域LR21にはないため、NG箇所が無い旨が支援情報表示部SI1に表示されている。
Subsequently, the support
また、支援情報生成部915は、図7に示すステップS17と同じ要領で、線状領域についての割合情報を生成するとともに、当該割合情報を表示部97に表示する(ステップS207)。図16に示す例では、線状領域LR21において、理想光量値を越えるセル数の割合が、充足率として支援情報表示部SI2に表示されている。
Further, the support
なお、ステップS203で線状領域が設定された時点で、図11又は図12に示すような、当該線状領域における反射光量値分布が表示されてもよい。また、当該反射光量値分布を直線近似した際の、当該直線の傾きが、表示されてもよい。図16に示す例では、当該傾きが、傾斜度として、支援情報表示部SI2に表示されている。 Note that when the linear region is set in step S203, a reflected light amount value distribution in the linear region as shown in FIG. 11 or 12 may be displayed. Further, the slope of the straight line when the reflected light quantity value distribution is approximated by a straight line may be displayed. In the example shown in FIG. 16, the inclination is displayed on the support information display unit SI2 as the inclination.
図14に戻って、ステップS207の割合情報の表示が完了すると、カーソル線の位置変更の有無が判定される(ステップS208)。位置変更があったと判定された場合(ステップS208においてNO)、制御部9はステップS203に戻って、処理を続行する。
Returning to FIG. 14, when the display of the ratio information in step S207 is completed, it is determined whether or not the position of the cursor line has been changed (step S208). If it is determined that the position has been changed (NO in step S208),
ステップS208において、位置変更がないと判定された場合(ステップS208においてYES)、線状領域を候補領域に決定するかどうかが判定される(ステップS209)。例えば、現在設定されている線状領域が、支援情報に基づいて反射性能に優れた領域であるとオペレータが判断した場合、オペレータは、入力部96を介して、所定の操作入力を行い、線状領域を候補領域に決定する(ステップS210)。一方、オペレータからの入力が無い場合は(ステップS209においてNO)、制御部9はステップS208に戻って処理を続行する。
If it is determined in step S208 that there is no position change (YES in step S208), it is determined whether or not to determine the linear region as a candidate region (step S209). For example, when the operator determines that the currently set linear region is a region having excellent reflection performance based on the support information, the operator performs a predetermined operation input via the
ステップS210にて、候補領域が決定されると、制御部9は、他の反射性能の高い領域の探索を終了するかどうか判定する(ステップS211)。例えば、オペレータが、別の領域を探索したい場合(ステップS211においてNO)、制御部9は、ステップS202に戻って処理を続行する。オペレータが、領域の探索を終了する場合には、終了する旨の操作入力が行われ、制御部9は動作を終了する。
When the candidate area is determined in step S210, the
このように、図14に示すフローによると、オペレータが、反射光量値分布画像MAP1で、反射光量値の分布を視覚的に確認しつつ、支援情報に基づいて、反射性能の高い領域を容易に探索できる。したがって、領域探索における、オペレータの技量への依存度を低減できる。 As described above, according to the flow shown in FIG. 14, the operator can easily check the distribution of the reflected light amount value in the reflected light amount value distribution image MAP1 and easily select a region having high reflection performance based on the support information. You can explore. Therefore, the dependence on the operator's skill in the area search can be reduced.
なお、ステップS202において、図15に示す例では、代表線として1本のカーソル線CL1が示されているが、幅方向Dyに所定の間隔をあけて複数本(例えば3本)のカーソル線を表示するようにしてもよい。これら複数本のカーソル線を、同時もしくは個別に移動させて、それぞれの線状領域を規定し、それぞれの特性情報、または、特性情報に基づく支援情報を表示部97に表示するようにしてもよい。これによって、同時に複数の領域の反射性能を把握できるため、効率的に反射性能の高い領域を探索できる。
In step S202, in the example shown in FIG. 15, one cursor line CL1 is shown as a representative line. However, a plurality of (for example, three) cursor lines are provided at predetermined intervals in the width direction Dy. You may make it display. The plurality of cursor lines may be moved simultaneously or individually to define the respective linear regions, and the characteristic information or support information based on the characteristic information may be displayed on the
<2.3.劣化検査処理>
図17は、反射面である変調面320の劣化を検査する劣化検査処理を示す流れ図である。本劣化検査処理は、端的には、反射光量値分布の経時的な変化を検出することによって、回折型空間光変調器32における変調面320の劣化を検査する処理である。
<2.3. Deterioration inspection process>
FIG. 17 is a flowchart showing a deterioration inspection process for inspecting deterioration of the
劣化検査処理では、まず、ある時点における、変調面320の反射領域RR1について、反射光量値測定部911が、反射光量値分布(第1反射光量値分布)を取得する(ステップS31)。このステップS31は、図7に示すステップS10または図14に示すステップS200と同じ要領で実行される。
In the deterioration inspection process, first, the reflected light amount
続いて、線状領域が規定されることで、1以上の候補領域が決定される(ステップS32)。このステップS32は、例えば図7に示すステップS11〜ステップS19、または、図14に示すステップS201〜ステップS211と同じ要領で実行される。 Subsequently, one or more candidate areas are determined by defining the linear area (step S32). This step S32 is executed in the same manner as, for example, step S11 to step S19 shown in FIG. 7 or step S201 to step S211 shown in FIG.
続いて、描画装置1において、図5で示したように、基板Wに対するパターン描画が実行される(ステップS33)。このとき、ステップS32にて決定された1以上の候補領域のうちの1つが、ラインビームLB1の入射位置とされる。 Subsequently, in the drawing apparatus 1, pattern drawing on the substrate W is executed as shown in FIG. 5 (step S33). At this time, one of the one or more candidate regions determined in step S32 is set as the incident position of the line beam LB1.
上記1つの候補領域について、パターン描画のために使用を開始してから所定時間が経過すると、反射光量値測定部911が、再び、変調面320の反射領域RR1についての反射光量値分布(第2反射光量値分布)が取得される(ステップS34)。
When a predetermined time has elapsed since the use of the one candidate area for pattern drawing, the reflected light quantity
続いて、劣化検査部916が、ステップS31で取得された第1反射光量値分布、及び、ステップS34で取得さえた第2反射光量値分布を比較する(ステップS35)。そして、反射光量値が、所定の基準値を超えて低下した箇所、すなわち、劣化箇所の存否が判定される(ステップS36)。そして、劣化箇所が存在する場合には、所定の通知が行われる(ステップS37)。
Subsequently, the
例えば、仮に、ステップS36において、ステップS33のパターン描画のためにラインビームが照射されていた領域(照射領域)に対応する線状領域内に、劣化箇所が存在すると判定されたとする。すると、ステップS37では、当該線状領域について、劣化箇所が存在する旨が表示部97等を介してオペレータに通知される。このとき、例えばステップS32において、パターン描画向けに複数の候補領域が予め決定されていた場合には、上記劣化箇所の存在を通知するとともに、他の候補領域を提示するようにしてもよい。これによって、オペレータが、照射領域の変更を容易に行うことができる。また、第2反射光量値分布に基づいて、反射光量値分布画像を表示することによって、オペレータが劣化状況を確認できるようにしてもよい。
For example, suppose that it is determined in step S36 that there is a deteriorated portion in the linear region corresponding to the region (irradiation region) irradiated with the line beam for pattern drawing in step S33. Then, in step S37, the operator is notified via the
また、ステップS36において、仮に、ステップS32で決定された全ての候補領域について、劣化箇所が存在すると判定された場合、その旨が表示部97等を介してオペレータに通知される。これによって、オペレータは、回折型空間光変調器32の交換を含めたメンテナンスの必要性を検討できる。また、第2反射光量値分布に基づき、図7に示すステップS11〜ステップS19を制御部9が再び実行することで、新たな候補領域を探索するようにしてもよい。なお、新たな候補領域を探索する際に設定される複数の線状領域は、先のステップS32で設定された複数の線状領域から幅方向Dyにずれた位置とされる。幅方向Dyにずらして複数の線状領域を規定することによって、劣化箇所がない新たな候補領域を探索することが可能となる。
In step S36, if it is determined that there is a deteriorated part for all candidate areas determined in step S32, the operator is notified via the
以上のように、この劣化検査処理によると、回折型空間光変調器32の劣化状況を検査することができる。このため、変調面320におけるラインビームの照射領域の変更、または、回折型空間光変調器32の交換を含めたメンテナンスの要否をオペレータが適切に判断することができる。
As described above, according to this deterioration inspection process, the deterioration state of the diffractive spatial
なお、図7,図14,図17に示す各検査処理は、描画装置1に回折型空間光変調器32が組み込まれた状態で行われている。しかしながら、各検査処理を行うために必要な構成を備えた検査装置にて、回折型空間光変調器32についての各検査処理が行われるようにしてもよい。
7, 14, and 17 are performed in a state in which the diffractive spatial
この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。また、上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。 Although the present invention has been described in detail, the above description is illustrative in all aspects, and the present invention is not limited thereto. It is understood that countless variations that are not illustrated can be envisaged without departing from the scope of the present invention. In addition, the configurations described in the above embodiments and modifications can be appropriately combined or omitted as long as they do not contradict each other.
1 描画装置
8 露光ユニット
9 制御部
32 回折型空間光変調器
320 変調面(反射面)
321 光変調素子(変調単位)
34 カメラ
82 変調ユニット
91 CPU
911 反射光量値測定部
912 反射光量値分布画像生成部
913 線状領域規定部
914 特性情報取得部
915 支援情報生成部
916 劣化検査部
96 入力部
97 表示部
CL1 カーソル線(代表線)
Ce1,Ce2 セル
Dx 配列方向(第1方向)
Dy 幅方向(第2方向)
LB1 ラインビーム
LR1〜LR7,LR21 線状領域
MAP1 反射光量値分布画像
RR1 反射領域
SI1,SI2 支援情報表示部
VD1,VD3 反射光量値分布
W 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
321 Light modulation element (modulation unit)
34
911 Reflected light quantity
Ce1, Ce2 cell Dx arrangement direction (first direction)
Dy width direction (second direction)
LB1 Line beam LR1 to LR7, LR21 Linear region MAP1 Reflected light amount value distribution image RR1 Reflected region SI1, SI2 Support information display unit VD1, VD3 Reflected light amount value distribution W Substrate
Claims (11)
(a) 複数の変調単位の反射面で形成される反射領域について、反射した光の反射光量値を測定することによって、第1反射光量値分布を取得する工程と、
(b) 前記反射領域のうち、前記第1方向に延びる領域であって、かつ、前記第1方向に直交する第2方向において前記反射領域よりも狭い幅の線状領域を規定する工程と、
(c) 前記第1反射光量値分布に基づき、前記線状領域における光量値に関する特性情報を取得する工程と、
を含む、検査方法。 An inspection method for inspecting a diffractive spatial light modulator in which a plurality of modulation units forming a reflecting surface for modulating and reflecting incident light are arranged along a first direction,
(A) obtaining a first reflected light amount value distribution by measuring a reflected light amount value of reflected light for a reflective region formed by a reflective surface of a plurality of modulation units;
(B) defining a linear region having a width narrower than that of the reflection region in a second direction orthogonal to the first direction, the region extending in the first direction among the reflection regions;
(C) acquiring characteristic information relating to a light amount value in the linear region based on the first reflected light amount value distribution;
Including an inspection method.
前記(c)工程は、前記線状領域を、複数の変調単位に対応する領域を1つのセルに区画することによって、前記線状領域を複数のセルに分割し、前記第1反射光量値分布に基づき、前記セル毎の光量値に関する特性情報を取得する工程を含む、検査方法。 The inspection method according to claim 1,
In the step (c), the linear region is divided into a plurality of cells by dividing a region corresponding to a plurality of modulation units into one cell, and the first reflected light amount value distribution is divided. And a method of acquiring characteristic information on the light quantity value for each cell based on the above.
前記(c)工程にて取得される前記特性情報が、前記セルの平均反射光量値が予め規定された理想光量値を越えるか否かを示す情報を含む、検査方法。 The inspection method according to claim 2,
The inspection method, wherein the characteristic information acquired in the step (c) includes information indicating whether an average reflected light amount value of the cell exceeds a predetermined ideal light amount value.
(d) 前記線状領域に含まれる複数の前記セルのうち、前記理想光量値を越える前記セルの割合を示す割合情報を生成する工程、
をさらに含む、検査方法。 The inspection method according to claim 3,
(D) generating ratio information indicating a ratio of the cells exceeding the ideal light amount value among the plurality of cells included in the linear region;
An inspection method further comprising:
前記(b)工程は、前記反射領域を前記第2方向に複数の短冊状の領域に分割し、当該領域のそれぞれを前記線状領域とする工程であり、
(e) 前記(d)工程にて生成された前記複数の線状領域毎の前記割合情報に基づき、前記割合の大きい順序を示す順序情報を生成する工程、
をさらに含む、検査方法。 The inspection method according to claim 4,
The step (b) is a step of dividing the reflective region into a plurality of strip-shaped regions in the second direction, and making each of the regions a linear region.
(E) A step of generating order information indicating the order of the ratio based on the ratio information for each of the plurality of linear regions generated in the step (d).
An inspection method further comprising:
(f)前記(c)工程にて取得される前記特性情報が、前記線状領域の反射光量値分布を示す情報を含んでおり、当該線状領域の反射光量値分布に基づき、当該線状領域において基準光量値を下回る箇所の存否を判定する工程、
をさらに含む、検査方法。 In the inspection method according to any one of claims 2 to 5,
(F) The characteristic information acquired in the step (c) includes information indicating the reflected light amount value distribution of the linear region, and the linear information is based on the reflected light amount value distribution of the linear region. Determining whether or not there is a portion below the reference light amount value in the region;
An inspection method further comprising:
前記(b)工程は、
(b−1) 前記(a)工程にて取得した前記第1反射光量値分布を画像化した反射光量値分布画像を生成し、表示部に表示する工程、
を含む、検査方法。 In the inspection method according to any one of claims 1 to 6,
The step (b)
(B-1) A step of generating a reflected light amount value distribution image obtained by imaging the first reflected light amount value distribution acquired in the step (a) and displaying the image on a display unit.
Including an inspection method.
前記(b)工程は、
(b−2) 前記(b−1)工程にて前記表示部に表示された前記第1反射光量値分布画像上に、前記線状領域の位置を示す代表線を表示する工程と、
(b−3) 所定の操作入力に基づいて、前記代表線の位置の変更を受け付ける工程と、
(b−4) 前記(b−3)工程で受け付けた変更後の前記代表線の位置に基づいて、前記線状領域を改めて規定する工程と、
を含み、
前記(c)工程は、
(c−1) 前記第1反射光量値分布に基づき、前記(b−4)工程にて規定された前記線状領域についての前記特性情報を、前記表示部に表示する工程、
を含む、検査方法。 The inspection method according to claim 7,
The step (b)
(B-2) displaying a representative line indicating the position of the linear region on the first reflected light amount value distribution image displayed on the display unit in the step (b-1);
(B-3) receiving a change in the position of the representative line based on a predetermined operation input;
(B-4) A step of redefining the linear region based on the position of the representative line after the change received in the step (b-3);
Including
The step (c)
(C-1) Based on the first reflected light amount value distribution, displaying the characteristic information about the linear region defined in the step (b-4) on the display unit;
Including an inspection method.
前記(b−2)工程は、前記表示部に表示された前記第1反射光量値分布画像上に、前記第2方向に所定間隔を設けて配置される複数の前記線状領域を示す複数の前記代表線を表示する工程である、検査方法。 The inspection method according to claim 8,
The step (b-2) includes a plurality of linear regions arranged at predetermined intervals in the second direction on the first reflected light amount value distribution image displayed on the display unit. An inspection method, which is a step of displaying the representative line.
(g) 前記(a)工程の後、前記反射領域について、反射した光の反射光量値を測定することによって、第2反射光量値分布を再取得する工程と、
(h) 前記(a)工程で取得された前記第1反射光量値分布と、前記(g)工程で取得された前記第2反射光量値分布を比較する工程と、
を含む、検査方法。 The inspection method according to any one of claims 1 to 9,
(G) After the step (a), the step of re-acquiring the second reflected light amount value distribution by measuring the reflected light amount value of the reflected light for the reflective region;
(H) comparing the first reflected light amount value distribution acquired in the step (a) with the second reflected light amount value distribution acquired in the step (g);
Including an inspection method.
複数の変調単位の反射面で形成される反射領域について、反射した光の第1反射光量値分布を取得する反射光量値分布取得部と、
前記反射領域のうち、前記第1方向に延びる領域であって、かつ、前記第1方向に直交する第2方向に前記反射領域よりも狭い幅の線状領域を規定する線状領域規定部と、
前記第1反射光量値分布に基づき、前記線状領域における反射光量値に関する特性情報を取得する特性情報取得部と、
を備える、検査装置。 An inspection apparatus for inspecting a diffractive spatial light modulator in which a plurality of modulation units forming a reflecting surface for modulating and reflecting incident light are arranged along a first direction,
A reflected light amount value distribution acquisition unit that acquires a first reflected light amount value distribution of reflected light with respect to a reflection region formed by a reflection surface of a plurality of modulation units;
A linear region defining portion that defines a linear region that extends in the first direction and has a width narrower than the reflective region in a second direction orthogonal to the first direction, out of the reflective regions; ,
Based on the first reflected light amount value distribution, a characteristic information acquisition unit that acquires characteristic information related to the reflected light amount value in the linear region;
An inspection apparatus comprising:
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015047355A JP6457845B2 (en) | 2015-03-10 | 2015-03-10 | Inspection method and inspection apparatus |
TW105106572A TWI597582B (en) | 2015-03-10 | 2016-03-03 | Inspection method and inspection apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015047355A JP6457845B2 (en) | 2015-03-10 | 2015-03-10 | Inspection method and inspection apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016167017A JP2016167017A (en) | 2016-09-15 |
JP6457845B2 true JP6457845B2 (en) | 2019-01-23 |
Family
ID=56897669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015047355A Active JP6457845B2 (en) | 2015-03-10 | 2015-03-10 | Inspection method and inspection apparatus |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6457845B2 (en) |
TW (1) | TWI597582B (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021012683A1 (en) * | 2019-07-22 | 2021-01-28 | 神亚科技股份有限公司 | Imaging system |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001091469A (en) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Olympus Optical Co Ltd | Surface defect inspection device |
JP5004279B2 (en) * | 2006-09-07 | 2012-08-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Output light quantity correction method, correction apparatus, image recording apparatus, and image recording method in spatial light modulator |
US8243115B2 (en) * | 2009-10-30 | 2012-08-14 | Eastman Kodak Company | Method for adjusting a spatial light modulator |
JP5481400B2 (en) * | 2010-01-15 | 2014-04-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Micromirror device sorting method, micromirror device sorting apparatus, and maskless exposure apparatus |
JP2013197147A (en) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Inspection apparatus, exposure device and inspection method |
-
2015
- 2015-03-10 JP JP2015047355A patent/JP6457845B2/en active Active
-
2016
- 2016-03-03 TW TW105106572A patent/TWI597582B/en active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016167017A (en) | 2016-09-15 |
TWI597582B (en) | 2017-09-01 |
TW201643553A (en) | 2016-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6467233B2 (en) | Inspection apparatus, drawing apparatus, and inspection method | |
KR20100085823A (en) | Three-dimensional measurement device | |
JP6754887B2 (en) | Focus centering method for digital lithography | |
CN108681213B (en) | Digital photoetching system and method | |
US20210158551A1 (en) | Three-dimensional measurement method using feature amounts and device using the method | |
CN107807495B (en) | Pattern exposure apparatus, exposure head, and pattern exposure method | |
TWI490666B (en) | Drawing apparatus and drawing method | |
JP6457845B2 (en) | Inspection method and inspection apparatus | |
TWI542955B (en) | Drawing device and drawing method | |
JP5801737B2 (en) | Inspection apparatus, exposure apparatus, and inspection method | |
US20160091794A1 (en) | Drawing method | |
TWI481967B (en) | An optical imaging writer system | |
TWI529496B (en) | An optical imaging writer system | |
JP2017067888A (en) | Drawing device and positional information acquisition method | |
JP5872310B2 (en) | Drawing apparatus, template creation apparatus, and template creation method | |
JP6227347B2 (en) | Exposure apparatus and optical apparatus | |
CN114746214B (en) | Polishing apparatus and polishing method | |
JP2016118578A (en) | Inspection device, drawing apparatus and inspection method | |
JP7128760B2 (en) | Exposure device, exposure method and program | |
US20230418162A1 (en) | Drawing apparatus, drawing system, and drawing method | |
KR20120140601A (en) | Drawing apparatus and drawing method | |
JP2014192227A (en) | Luminance value distribution obtaining device, drawing device, luminance value distribution obtaining method, and drawing method | |
JP2013138100A (en) | Lithography equipment and lithography method | |
JP2013069850A (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
JP2018054373A (en) | Inspection device, inspection method, inspection program, and method of manufacturing object |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181010 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6457845 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |