JP6455273B2 - Withstand voltage inspection method for power module substrates - Google Patents
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Description
本発明は、大電流、高電圧を制御する半導体装置に用いられるパワーモジュール用基板の耐電圧を検査するための方法に関する。 The present invention relates to a method for inspecting a withstand voltage of a power module substrate used in a semiconductor device that controls a large current and a high voltage.
パワーモジュール用基板は、セラミックス基板の両面に金属層が積層され、その一方の金属層が回路層となり、他方の金属層が放熱層としてヒートシンクに接合されるもので、回路層に搭載される半導体素子からの熱を速やかに放熱し得る熱伝導性が要求されるとともに、絶縁基板として所望の耐電圧性が要求される。 A power module substrate has a metal layer laminated on both sides of a ceramic substrate, one metal layer becomes a circuit layer, and the other metal layer is bonded to a heat sink as a heat dissipation layer. Thermal conductivity capable of quickly dissipating heat from the element is required, and desired withstand voltage as an insulating substrate is required.
従来、このようなパワーモジュール用基板等の耐電圧を検査する方法として、大気への放電を避けるため、絶縁油中で検査することが行われている。この検査方法では、正常なパワーモジュール用基板は洗浄して製品とすることができるので、いわゆる全数検査することが可能である。 Conventionally, as a method of inspecting the withstand voltage of such a power module substrate, in order to avoid discharge to the atmosphere, inspecting in insulating oil has been performed. In this inspection method, since a normal power module substrate can be washed into a product, so-called 100% inspection can be performed.
また、例えば特許文献1には、絶縁体をフッ素系の不活性液体に浸漬した状態で電圧をかけて試験を行なうことが開示されている。この特許文献1によると、それまでの絶縁油中で実施する耐電圧試験では、試験後に洗浄が必要になるところ、フッ素系の不活性液体であるから、試験で絶縁体に付着しても容易に除去することができると記載されている。また、その除去方法として、熱風で乾燥することが挙げられており、後処理が簡単で全数を容易に試験することができると記載されている。
For example,
ところで、特許文献1記載のようなフッ素系の不活性液体は、沸点が100℃前後であるため、試験後の絶縁体の乾燥が容易であるが、液面からの蒸発も活発であるため、使用に伴って液量が徐々に減少し、その分、高価なフッ素系の不活性液体の使用量が増大してコスト増を招くという問題がある。
従来では、槽の外への蒸発を抑制するため、槽の壁を高くして、液面から槽の上端までの高さを大きくしたり、冷却凝縮法・吸着法による大規模な回収装置を設けて、蒸発気体から液体を回収するなどの方法が採用されているが、設置スペースが大きく、コストも増大する。
By the way, since the fluorine-based inert liquid described in
Conventionally, in order to suppress evaporation to the outside of the tank, the tank wall is raised to increase the height from the liquid level to the upper end of the tank, or a large-scale recovery device by the cooling condensation method / adsorption method is used. Although a method such as providing a liquid from the evaporated gas is adopted, the installation space is large and the cost is also increased.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、全数検査が可能で、検査後の処理も容易であるとともに、安価に実施することができるパワーモジュール用基板の耐電圧検査方法を提供する。 The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a withstand voltage inspection method for a power module substrate that can be fully inspected, can be easily processed after the inspection, and can be implemented at low cost. To do.
本発明のパワーモジュール用基板の耐電圧検査方法は、セラミックス基板の少なくとも一方の面に金属層が接合されてなるパワーモジュール用基板をフッ素系不活性液体中に浸漬した状態で、前記パワーモジュール用基板に電圧をかけて耐電圧検査を行う方法であって、前記フッ素系不活性液体の液面上に、該フッ素系不活性液体より20℃における比重が小さく、前記フッ素系不活性液体と混ざらない液体であり、沸点が前記フッ素系不活性液体の沸点に対して−35℃〜+45℃の範囲である絶縁性液体からなる液膜を形成する。 According to the method for inspecting a withstand voltage of a power module substrate of the present invention, the power module substrate in which the metal layer is bonded to at least one surface of the ceramic substrate is immersed in a fluorine-based inert liquid. A method of conducting a withstand voltage test by applying a voltage to a substrate, wherein the specific gravity at 20 ° C. is smaller than that of the fluorinated inert liquid on the liquid surface of the fluorinated inert liquid and is mixed with the fluorinated inert liquid. A liquid film made of an insulating liquid having a boiling point in the range of −35 ° C. to + 45 ° C. with respect to the boiling point of the fluorinated inert liquid is formed.
フッ素系不活性液体の液面上に液膜を形成したことにより、この液膜によってフッ素系不活性液体の蒸発が防止される。液膜を形成する液体は、フッ素系不活性液体より比重が小さく、フッ素系不活性液体と混ざらない液体であるので、フッ素系不活性液体とは分離した状態で、その液面上に確実に液膜を形成することができる。 Since the liquid film is formed on the surface of the fluorinated inert liquid, evaporation of the fluorinated inert liquid is prevented by the liquid film. Since the liquid forming the liquid film has a specific gravity smaller than that of the fluorine-based inert liquid and does not mix with the fluorine-based inert liquid, the liquid film is surely separated from the fluorine-based inert liquid on the liquid surface. A liquid film can be formed.
この場合、液膜を形成する液体の沸点がフッ素系不活性液体の沸点より−35℃を超えて低いと、液膜表面からの蒸発が多くなることから、その液膜を維持するために大量の液膜が必要になって不経済であり、一方、+45℃を超えて高いと、耐電圧検査実施後の乾燥処理に時間を要す。この液膜を形成する液体の沸点はフッ素系不活性液体の沸点に近いほどよい。 In this case, if the boiling point of the liquid forming the liquid film is lower than the boiling point of the fluorinated inert liquid by more than −35 ° C., evaporation from the surface of the liquid film increases, so that a large amount is required to maintain the liquid film. However, if the temperature is higher than + 45 ° C., the drying process after the withstand voltage test takes time. The boiling point of the liquid forming this liquid film is preferably as close as possible to the boiling point of the fluorinated inert liquid.
本発明のパワーモジュール用基板の耐電圧検査方法において、前記液膜を形成する液体の比重は、前記フッ素系不活性液体の比重より0.8以上小さいとよい。 In the withstand voltage inspection method for a power module substrate of the present invention, the specific gravity of the liquid forming the liquid film may be 0.8 or less smaller than the specific gravity of the fluorine-based inert liquid.
液膜を形成する液体は、フッ素系不活性液体に混ざらずに分離している必要があり、フッ素系不活性液体の密度より小さくても、フッ素系不活性液体の比重に近いと、パワーモジュール用基板を浸漬する際に液膜の液体がフッ素系不活性液体中に分散して分離するまでに時間がかかるおそれがある。そのため、液膜を形成する液体は、フッ素系不活性液体より0.8以上小さい比重であるのが好ましい。 The liquid forming the liquid film must be separated without being mixed with the fluorinated inert liquid, and even if it is smaller than the density of the fluorinated inert liquid, if it is close to the specific gravity of the fluorinated inert liquid, the power module When the substrate is immersed, it may take time until the liquid film liquid is dispersed and separated in the fluorine-based inert liquid. Therefore, the liquid forming the liquid film preferably has a specific gravity that is 0.8 or more smaller than that of the fluorine-based inert liquid.
本発明のパワーモジュール用基板の耐電圧検査方法において、前記パワーモジュール用基板を前記フッ素系不活性液体に浸漬する際に、該フッ素系不活性液体中に超音波振動を付与するとよい。 In the withstand voltage inspection method for a power module substrate according to the present invention, when the power module substrate is immersed in the fluorine-based inert liquid, ultrasonic vibration may be applied to the fluorine-based inert liquid.
パワーモジュール用基板をフッ素系不活性液体に浸漬する際には、フッ素系不活性液体の前に液膜を通過するため、液膜を形成している液体が外面に付着した状態でフッ素系不活性液体に浸漬される。特に、液膜との界面からの距離が浅い位置で耐電圧検査を実施しようとすると、液膜を形成する液体を付着したまま検査される場合があり、検査結果に誤りを生じるおそれがある。
超音波振動を付与することで、パワーモジュール用基板に付着した液膜の液体を外表面から払い落として浮上させることができ、正確な検査を実施することができる。
When the power module substrate is immersed in the fluorinated inert liquid, it passes through the liquid film before the fluorinated inert liquid, so that the liquid forming the liquid film adheres to the outer surface of the fluorinated inert liquid. Immerse in the active liquid. In particular, if the withstand voltage test is performed at a position where the distance from the interface with the liquid film is shallow, the test may be performed with the liquid forming the liquid adhered, and the test result may be erroneous.
By applying ultrasonic vibration, the liquid film liquid adhering to the power module substrate can be lifted off from the outer surface, and an accurate inspection can be performed.
本発明によれば、フッ素系不活性液体中で耐電圧検査するので、全数検査が可能であるとともに、フッ素系不活性液体の液面上に液膜を形成して、フッ素系不活性液体の蒸発を抑制するので、高価なフッ素系不活性液体の消費量を少なくして安価に実施することができ、しかも、液膜を形成している液体の沸点がフッ素系不活性液体と近いので、検査後の乾燥も容易である。 According to the present invention, since the withstand voltage test is performed in the fluorinated inert liquid, it is possible to perform 100% inspection and to form a liquid film on the liquid surface of the fluorinated inert liquid. Since the evaporation is suppressed, the consumption of expensive fluorine-based inert liquid can be reduced and it can be carried out at low cost, and the boiling point of the liquid forming the liquid film is close to that of the fluorine-based inert liquid. Drying after inspection is also easy.
以下、本発明の実施形態について説明する。
予め、本発明の耐電圧検査方法が適用されるパワーモジュール用基板1の例を図1により説明しておくと、パワーモジュール用基板1は、セラミックス基板2の一方の面に回路層3が接合されるとともに、セラミックス基板2の他方の面に放熱層4が接合された構成である。セラミックス基板2には、例えばAlN(窒化アルミニウム)、Si3N4(窒化珪素)等の窒化物系セラミックス、もしくはAl2O3(アルミナ)等の酸化物系セラミックスを用いることができ、厚さは0.2mm〜1.5mmの範囲内に設定される。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
An example of a
回路層3及び放熱層4には、例えば純アルミニウム又はアルミニウム合金からなる、厚さが0.25mm〜2.5mmの範囲内に設定された金属板が用いられ、セラミックス基板2にAl−Si系等のろう材を介してろう付け接合される。これら金属板には銅又は銅合金を用いる場合もあり、また、回路層3、放熱層4とも多層の積層構造とされることもある。
また、セラミックス基板2の片面に回路層3のみが接合されてパワーモジュール用基板を構成する場合もあり、本発明では、回路層、放熱層を区別することなく、金属層と称している。
そして、このパワーモジュール用基板1には、回路層3に半導体素子5が搭載され、放熱層4にヒートシンク6が接合される。
For the
In some cases, only the
In the
このようなパワーモジュール用基板1についての第1実施形態の耐電圧検査方法を実施するための耐電圧検査装置は、例えば図2に示す構成とされる。
この耐電圧検査装置10は、フッ素系不活性液体を貯留する液槽11と、この液槽11の内底部に立設された第1電極12と、この第1電極12に対向する第2電極13と、この第2電極13を第1電極12に対して離間接近する方向に移動可能に支持する電極支持部14と、両電極12,13間に電圧を印加する電源15とを有しており、各種計測器、安全装置等を有する制御装置16が備えられる。
また、液槽11の外底面に、液槽に超音波振動を付与するための超音波振動子17が設けられている。
A withstand voltage inspection apparatus for carrying out the withstand voltage inspection method of the first embodiment for such a
The withstand
In addition, an
次に、この耐電圧検査装置10を用いてパワーモジュール用基板1の耐電圧を検査する方法について説明する。
耐電圧検査装置10の液槽11内にフッ素系不活性液体21を貯留する。このフッ素系不活性液体21としては、パーフルオロカーボン(PFC)構造を持つ液体が用いられ、商品名フロリナート(住友スリーエム株式会社製)が好適に用いられる。例えば、FC770(沸点95℃、密度(25℃)1.79g/cm 3 )、FC77(沸点97℃、密度(25℃)1.78g/cm 3 )等を用いることができる。
Next, a method for inspecting the withstand voltage of the
A fluorine-based
また、このフッ素系不活性液体21の液面上に液膜22を形成する。
この液膜22を形成するための液体は、フッ素系不活性液体21より比重が小さく、フッ素系不活性液体21と混ざらない(フッ素を含まない)絶縁性液体である。
その比重は、フッ素系不活性液体21に混ざらずに分離させるために、フッ素系不活性液体21の比重より0.8以上小さいとよい。特に比重1以下のものが好ましい。
Further, a
The liquid for forming the
The specific gravity is preferably 0.8 or more smaller than the specific gravity of the fluorinated
また、沸点は、フッ素系不活性液体21の沸点より−35℃〜+45℃の範囲であるとよい。−35℃を超えて沸点が低いと、液膜22表面からの蒸発が多くなることから、その液膜22を維持するために大量の液膜が必要になって不経済であり、+45℃を超えて沸点が高いと、耐電圧検査実施後の乾燥処理に時間を要すことになるためである。この液膜22を形成する液体の沸点は、フッ素系不活性液体21の沸点に近いほどよい。
なお、液膜22は、例えば、直径290mmの円形の液槽11に、フッ素系不活性液体21が150mmの深さで貯留され、その上に、5mm〜20mmの厚さで形成される。
The boiling point is preferably in the range of −35 ° C. to + 45 ° C. from the boiling point of the fluorinated
The
この液膜22として上記の性質を有する液体には、炭化水素類、アルコール類、酢酸エステル類、ケトン類、その他グリコールエーテル類等が用いられる。これらの具体的物質名とその物性を表1に列挙する。
As the
なお、ペンタン、ジエチルエーテルなども比重が小さい(ペンタンが0.63、ジエチルエーテルが0.71)が、沸点が低すぎて(ペンタンが36、ジエチルエーテルが35)、引火性が増し、危険であるため好ましくない。 Pentane, diethyl ether, etc. have low specific gravity (pentane is 0.63, diethyl ether is 0.71), but the boiling point is too low (pentane is 36, diethyl ether is 35), which increases flammability and is dangerous. This is not preferable.
このようにしてフッ素系不活性液体21の液面を液膜22により覆った状態とし、両電極12,13間にパワーモジュール用基板1を挟んだ状態にフッ素系不活性液体21に浸漬する。このパワーモジュール用基板1の浸漬時には、超音波振動子17からフッ素系不活性液体21に超音波振動を付与する。
そして、両電極12,13を通して回路層3と放熱層4間に電圧を印加する。通常の耐電圧検査では、印加電圧は1kV〜10kVの交流電圧であり、例えば1分間印加したとき、規定の電流値以下であれば、正常と判定される。
In this way, the liquid surface of the fluorine-based
A voltage is applied between the
この耐電圧検査において、パワーモジュール用基板1をフッ素系不活性液体21に浸漬する際に、液膜22を通過するため、液膜22とフッ素系不活性液体21との界面が一時的に乱されるが、この液膜22を形成している液体は、フッ素系不活性液体21より比重が小さく、フッ素系不活性液体21と混ざらない液体であるので、フッ素系不活性液体21とは分離した状態で、その液面上に確実に液膜22を形成することができる。
In this withstand voltage test, when the
この場合、液膜22の液体がパワーモジュール用基板1の表面に付着した状態でフッ素系不活性液体21中に浸漬された場合でも、この液膜22を形成している液体の比重がフッ素系不活性液体21の比重に比べて十分に(0.8以上)小さいので、パワーモジュール用基板1の表面から確実に脱離し、浮力により上昇して液膜22として分離する。また、超音波振動が付与されることにより、パワーモジュール用基板1に付着した液膜22の液体を外表面から確実に払い落として浮上させることができる。この超音波振動の付与は、パワーモジュール用基板1をフッ素系不活性液体21に浸漬させる際、及び浸漬後の短時間の間だけでよく、電圧印加時は停止しておく。
In this case, even when the
したがって、液膜22を形成している液体が混ざることなく、フッ素系不活性液体21中で耐電圧検査を実施できるので、正確な耐電圧検査を行うことができる。
このため、フッ素系不活性液体21の深さが浅い場合でも液膜22の液体を付着させたまま検査することを防止でき、高価なフッ素系不活性液体21の使用量を少なくすることが可能である。
Therefore, since the withstand voltage test can be performed in the fluorine-based
For this reason, even when the depth of the fluorine-based
耐電圧検査の終了後は、パワーモジュール用基板1を液槽11から引き上げ、パワーモジュール用基板1の表面に付着したフッ素系不活性液体21及び液膜22の液体を除去するために、熱風をパワーモジュール用基板1に吹き付けるなどの方法によって乾燥する。
液膜22を形成している液体は、フッ素系不活性液体21と沸点が近く、フッ素系不活性液体21の沸点より−35℃〜+45℃の範囲の沸点のものが用いられているので、フッ素系不活性液体21と同様、速やかに蒸発して除去される。
After completion of the withstand voltage inspection, the
The liquid forming the
なお、液膜22を形成している液体の沸点は、低すぎると、連続する耐電圧検査において蒸発量が多くなって、液膜22がすぐに消失するので、適度な量の液膜22を維持するために−35℃以内の沸点差であるのが好ましい。一方、耐電圧検査実施後の乾燥処理時間をフッ素系不活性液体21と同程度とするために、+45℃を超えない沸点差であるのが好ましい。
この液膜22を形成している液体は耐電圧検査中に蒸発して液膜22が減少するが、フッ素系不活性液体21に比べて非常に安価であるため、コストへの影響は少ない。
If the boiling point of the liquid forming the
The liquid forming the
以上説明したように、この耐電圧検査方法によれば、フッ素系不活性液体21中で検査するので、全数検査が可能であるとともに、液膜22によりフッ素系不活性液体21の蒸発を抑制するので、高価なフッ素系不活性液体21の消費量を少なくして安価に実施することができる。しかも、液膜22を形成している液体の沸点がフッ素系不活性液体21と近いので、検査後の乾燥も容易である。
As described above, according to this withstand voltage inspection method, since inspection is performed in the fluorine-based
図3はパワーモジュール用基板についての第2実施形態の耐電圧検査方法を実施するための耐電圧検査装置を示している。
前述の第1実施形態では、パワーモジュール用基板の両面に電極を配置して厚さ方向の耐電圧を検査したが、第2実施形態では、パワーモジュール用基板8として、セラミックス基板2の一方の面に回路層(金属層)3A,3Bが二つに分離して間隔をあけて配置されており、耐電圧検査装置30の両電極12,13が二つの回路層3A,3Bに接触され、これら回路層3A,3B間の耐電圧を検査している。
図3中符号31はパワーモジュール用基板8を載置する絶縁体の支持台を示す。フッ素系不活性液体21、液膜22等の他の構成は第1実施形態と同様である。
FIG. 3 shows a withstand voltage test apparatus for carrying out the withstand voltage test method of the second embodiment for the power module substrate.
In the first embodiment described above, electrodes are disposed on both surfaces of the power module substrate and the withstand voltage in the thickness direction is inspected. In the second embodiment, one of the
In FIG. 3,
この実施形態のように、本発明は、第1実施形態のようにパワーモジュール用基板の両面から厚さ方向に耐電圧検査する場合に限らず、パワーモジュール用基板の片面において面方向に耐電圧検査する場合にも適用することができる。
いずれの場合も、全数検査が可能であるとともに、液膜22によりフッ素系不活性液体21の蒸発を抑制するので、高価なフッ素系不活性液体21の消費量を少なくして安価に実施することができ、検査後の乾燥も容易である。
As in this embodiment, the present invention is not limited to the case where the withstand voltage test is performed in the thickness direction from both sides of the power module substrate as in the first embodiment, but the withstand voltage in the surface direction on one side of the power module substrate. It can also be applied to inspection.
In any case, 100% inspection is possible, and the evaporation of the fluorinated
液膜を形成する液体として、沸点、比重の異なる表2に示す試料を用いて、直径290mmの液槽にフッ素系不活性液体としてフロリナート(住友スリーエム株式会社製)FC770(沸点:96℃、比重:1.8)を貯留し、その上に厚さ10mmの液膜を形成し、分離性、乾燥性、消費度合を評価した。 As a liquid film-forming liquid, samples shown in Table 2 having different boiling points and specific gravity were used. Fluorinert (manufactured by Sumitomo 3M Limited) FC770 (boiling point: 96 ° C., specific gravity) as a fluorinated inert liquid in a liquid tank having a diameter of 290 mm : 1.8) was stored, a 10 mm thick liquid film was formed thereon, and the separability, drying property, and consumption degree were evaluated.
(分離性)
パワーモジュール用基板を浸漬した後、液膜が分離するまでの時間を計測し、3秒以内に分離したものを「○」、3秒経過してもなお分離していなかったものを「×」とした。
(Separability)
After dipping the power module substrate, measure the time until the liquid film separates, “○” indicates that the liquid film is separated within 3 seconds, and “×” indicates that the liquid film has not yet separated after 3 seconds. It was.
(乾燥性)
パワーモジュール用基板を浸漬した後引き上げて、70℃の熱風を吹き付けて乾燥までの時間を計測した。30秒以内に乾燥し、しみも残らなかったものを「○」、30秒経っても乾燥しないか、しみが残ったものを「×」とした。
(Drying)
After dipping the power module substrate, the substrate was pulled up and sprayed with hot air at 70 ° C. to measure the time until drying. A sample which was dried within 30 seconds and did not leave a stain was indicated as “◯”, and a sample which did not dry even after 30 seconds or remained a stain was designated as “X”.
(消費度合)
また、パワーモジュール用基板の浸漬、引き上げを50回繰り返した後の液膜の厚さを測定し、初期厚さに対して80%以上の厚さであったものを「○」とし、80%未満の厚さであったものを「×」とした。
結果を表2に示す。
(Degree of consumption)
Further, the thickness of the liquid film after 50 times of dipping and pulling up of the power module substrate was measured, and the thickness that was 80% or more with respect to the initial thickness was set as “◯”, and 80% What was less than thickness was set to "x".
The results are shown in Table 2.
この表2から、液膜を形成する液体の沸点がフッ素系不活性液体の沸点に対して−35℃〜+45℃の範囲であると、速やかに乾燥され、液膜の消費も少ないことがわかる。また、液膜を形成する液体とフッ素系不活性液体との比重差が0.8以上あると、パワーモジュール用基板を浸漬後に速やかに分離している。 From Table 2, it can be seen that when the boiling point of the liquid forming the liquid film is in the range of −35 ° C. to + 45 ° C. with respect to the boiling point of the fluorinated inert liquid, the liquid film is quickly dried and the liquid film is consumed less. . Moreover, if the specific gravity difference between the liquid forming the liquid film and the fluorine-based inert liquid is 0.8 or more, the power module substrate is quickly separated after immersion.
1 パワーモジュール用基板
2 セラミックス基板
3 回路層(金属層)
3A,3B 回路層(金属層)
4 放熱層(金属層)
5 半導体素子
6 ヒートシンク
8 パワーモジュール用基板
10 耐電圧検査装置
11 液槽
12 第1電極
13 第2電極
14 電極支持部
15 電源
16 制御装置
17 超音波振動子
21 フッ素系不活性液体
22 液膜
30 耐電圧検査装置
31 支持台
1
3A, 3B Circuit layer (metal layer)
4 Heat dissipation layer (metal layer)
DESCRIPTION OF
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015064789A JP6455273B2 (en) | 2015-03-26 | 2015-03-26 | Withstand voltage inspection method for power module substrates |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015064789A JP6455273B2 (en) | 2015-03-26 | 2015-03-26 | Withstand voltage inspection method for power module substrates |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016183923A JP2016183923A (en) | 2016-10-20 |
JP6455273B2 true JP6455273B2 (en) | 2019-01-23 |
Family
ID=57242823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015064789A Active JP6455273B2 (en) | 2015-03-26 | 2015-03-26 | Withstand voltage inspection method for power module substrates |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6455273B2 (en) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5812509B2 (en) * | 1975-09-20 | 1983-03-08 | 株式会社日立製作所 | Kaihougatutututoreikiyakusouchi |
JPH05322961A (en) * | 1992-05-21 | 1993-12-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Continuity/breakdown voltage test device for metal base wiring board and continuity/breakdown voltage test method using it |
JP3208743B2 (en) * | 1992-12-28 | 2001-09-17 | 同和鉱業株式会社 | Insulation withstand voltage test method |
JP2010230360A (en) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Seiko Epson Corp | Chemical container |
-
2015
- 2015-03-26 JP JP2015064789A patent/JP6455273B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016183923A (en) | 2016-10-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170926 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180705 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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