JP6455099B2 - Solar cell unit and method for manufacturing solar cell unit - Google Patents

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Description

本発明は、太陽電池ユニット及び太陽電池ユニットの製造方法に関する。   The present invention relates to a solar cell unit and a method for manufacturing a solar cell unit.

太陽電池ユニットは、一の太陽電池セルの表面電極(細線電極)等に電気的に接続されたバスバー電極及び配線部材(タブ線)が他の太陽電池セルの裏面のバスバー電極等に電気的に接続されることが順次繰り返されて、複数の太陽電池セルが直列及び/又は並列に接続された構造を有している。太陽電池は、屋外環境で使われるため、気温変化、湿潤、強風、積雪等に対する耐性を確保する必要があり、バスバー電極及び配線部材が接続された太陽電池セル群は封止部材によって封止されるのが一般的である。通常、強化ガラス、バックシート等で複数枚のエチレンビニルアセテート(EVA)等の封止部材を挟み、更に封止部材間に、配線部材が接続された太陽電池セル群を積層するように挟んだ後、真空ラミネータによって封止が行われる。   In the solar cell unit, the bus bar electrode and the wiring member (tab wire) electrically connected to the surface electrode (thin wire electrode) etc. of one solar cell are electrically connected to the bus bar electrode etc. on the back surface of the other solar cell. The connection is sequentially repeated, and a plurality of solar cells are connected in series and / or in parallel. Since solar cells are used in outdoor environments, it is necessary to ensure resistance to temperature changes, moisture, strong winds, snow accumulation, etc., and the solar cell group to which the bus bar electrodes and wiring members are connected is sealed with a sealing member. It is common. Usually, a plurality of sealing members such as ethylene vinyl acetate (EVA) are sandwiched between tempered glass and a back sheet, and further sandwiched between the sealing members so as to laminate a group of solar cells to which wiring members are connected. Thereafter, sealing is performed by a vacuum laminator.

太陽電池ユニットを作製する際、電極と配線部材との接合には、従来、はんだが用いられてきた(例えば、下記特許文献1及び2参照)。はんだは、導通性、固着強度等の接続信頼性に優れ、安価で汎用性があることから広く用いられている。しかしながら、はんだによる接合方法では、はんだの溶融温度が通常230〜260℃程度であることから、接合に伴う高温、はんだの体積収縮等が太陽電池セルの半導体構造に悪影響を及ぼし、太陽電池セルの特性劣化を引き起こす場合がある。   Conventionally, solder has been used for joining an electrode and a wiring member when producing a solar cell unit (see, for example, Patent Documents 1 and 2 below). Solder is widely used because it is excellent in connection reliability such as electrical conductivity and fixing strength, is inexpensive and versatile. However, in the soldering method, since the melting temperature of the solder is usually about 230 to 260 ° C., the high temperature accompanying the joining, the volumetric shrinkage of the solder, etc. adversely affect the semiconductor structure of the solar battery cell. It may cause characteristic deterioration.

一方、はんだを使用しない、接着部材を用いた接合方法も知られている。例えば、下記特許文献3〜5には、導電性ペーストを用いた接合方法が開示されており、下記特許文献6〜8には、導電フィルムを用いた接合方法が開示されている。   On the other hand, a joining method using an adhesive member without using solder is also known. For example, the following patent documents 3 to 5 disclose a joining method using a conductive paste, and the following patent documents 6 to 8 disclose a joining method using a conductive film.

また、太陽電池セルの受光面及び裏面におけるバスバー電極には主に高価なAg系の部材が使われており、コストを圧迫する。そこで、下記特許文献9及び10には、受光面においてバスバー電極を部分的に形成し低コスト化を図る方法が開示されている。   In addition, expensive Ag-based members are mainly used for the bus bar electrodes on the light receiving surface and the back surface of the solar battery cell, which puts pressure on the cost. Therefore, Patent Documents 9 and 10 below disclose a method for reducing the cost by partially forming bus bar electrodes on the light receiving surface.

さらに、下記特許文献11には、裏面において、バスバー電極を形成せずに、太陽電池セルの基板を構成するシリコン(Si)部を露出させた部分を設けて、導電性接着剤層を用いて配線部材(タブ線)を接続する方法が開示されている。しかしながら、シリコン部が露出している部分ではキャリア再結合が顕著になり、セル特性が低下する場合がある。   Furthermore, in the following Patent Document 11, a portion where the silicon (Si) portion constituting the substrate of the solar battery cell is exposed is provided on the back surface without forming the bus bar electrode, and a conductive adhesive layer is used. A method of connecting wiring members (tab wires) is disclosed. However, carrier recombination becomes prominent in the portion where the silicon portion is exposed, and the cell characteristics may deteriorate.

裏面のキャリア再結合を抑制する方法として、下記非特許文献1には、セル裏面にシリコン酸化膜でパッシベーション層を設けるPERC(Passivated Emitter and Rear Cell)構造が開示されている。PERC構造における裏面の配線部材の接合方法として、下記特許文献12には、部分的な開口部を設けたパッシベーション層をセル裏面に形成し、開口部を埋めるようにAl電極を形成し、それら全てのAl電極と接触するように集電用のAg電極を形成し、リードフレームをはんだ付けする領域にはAl電極を形成しない方法が開示されている。しかしながら、全てのAl電極と接触するためには従来よりも多くの集電用のAg電極が必要となり、コストアップとなる。特に、はんだ付けをする場合、リードフレームを付ける領域にはAg電極形成が必須となり、高価なAgの使用量をこれ以上低減することは困難である。また、前述のようにはんだによる接合方法はセルダメージが懸念される。   As a method for suppressing carrier recombination on the back surface, Non-Patent Document 1 below discloses a PERC (Passivated Emitter and Rear Cell) structure in which a passivation layer is formed of a silicon oxide film on the back surface of a cell. As a method of joining the wiring members on the back surface in the PERC structure, in Patent Document 12 below, a passivation layer provided with a partial opening is formed on the back surface of the cell, an Al electrode is formed so as to fill the opening, A method is disclosed in which an Ag electrode for current collection is formed so as to be in contact with the Al electrode, and an Al electrode is not formed in a region where the lead frame is soldered. However, in order to make contact with all the Al electrodes, a larger number of Ag electrodes for current collection than before are required, resulting in an increase in cost. In particular, when soldering, it is essential to form an Ag electrode in a region where a lead frame is to be attached, and it is difficult to further reduce the amount of expensive Ag used. Further, as described above, there is a concern about cell damage in the soldering method.

特開2004−204256号公報JP 2004-204256 A 特開2005−050780号公報JP-A-2005-050780 特開2000−286436号公報JP 2000-286436 A 特開2001−357897号公報JP 2001-357897 A 特許第3448924号公報Japanese Patent No. 3448924 特開2005−101519号公報JP 2005-101519 A 特開2007−214533号公報JP 2007-214533 A 特開2008−300403号公報JP 2008-300403 A 特許第5289625号Japanese Patent No. 5289625 特開2010−27778号公報JP 2010-27778 A 国際公開第2012/005318号International Publication No. 2012/005318 特許第5174903号Patent No. 5174903

Appl.Phys.Lett.,vol.55(1989),P.1363-1365Appl.Phys.Lett., Vol.55 (1989), P.1363-1365

近年、クリーンで枯渇しないエネルギーの供給手段として太陽電池が一層注目を浴びるようになり、低コスト化かつ太陽電池特性の更なる向上が期待されている。   In recent years, solar cells have attracted more and more attention as a means of supplying clean and undepleted energy, and it is expected that the cost will be reduced and the solar cell characteristics will be further improved.

本発明は、バスバー電極形成に用いる部材を低減しながら良好な太陽電池特性を得ることが可能な太陽電池ユニット及びその製造方法を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the solar cell unit which can acquire a favorable solar cell characteristic, reducing the member used for bus-bar electrode formation, and its manufacturing method.

本発明に係る太陽電池ユニットは、複数の太陽電池セルと、前記太陽電池セル同士を電気的に接続する配線部材と、を備える太陽電池ユニットであって、受光面とは反対側の裏面に配置された裏面電極を有する前記太陽電池セルの前記裏面側において、前記配線部材の搭載領域が導電層及び絶縁層を有している。   A solar battery unit according to the present invention is a solar battery unit comprising a plurality of solar battery cells and a wiring member that electrically connects the solar battery cells, and is disposed on the back surface opposite to the light receiving surface. On the back side of the solar cell having the back electrode formed, the wiring member mounting region has a conductive layer and an insulating layer.

本発明に係る太陽電池ユニットによれば、上記構成を有することにより、絶縁層が配線部材の搭載領域を占めることにより導電層の占有面積を低減しつつ、配線部材と導電層とが導通を得ると共に配線部材と絶縁層とを接着させることができる。これにより、従来と比較して、裏面バスバー領域の面積を低減することによりバスバー電極形成に用いる部材が低減されるため、低コスト化を図りながら良好に接続することができる。また、本発明に係る太陽電池ユニットによれば、配線部材の搭載領域が絶縁層(パッシベーション層)を有していることにより太陽電池セルが露出することを抑制し易いことから、従来の裏面バスバー領域やタブ線搭載領域で発生するキャリア再結合を抑制可能であることから良好な太陽電池特性を得ることができる。また、本発明に係る太陽電池ユニットによれば、はんだを用いることなく太陽電池セルと配線部材とを接続することができることから、はんだの使用に伴う特性劣化を抑制することもできる。本発明に係る太陽電池ユニットによれば、裏面にパッシベーション層が形成されたPERC構造等においてこれらの効果を好適に得ることができる。   According to the solar cell unit of the present invention, the wiring member and the conductive layer are electrically connected while reducing the area occupied by the conductive layer by having the insulating layer occupy the mounting region of the wiring member. At the same time, the wiring member and the insulating layer can be adhered. Thereby, since the member used for bus-bar electrode formation is reduced by reducing the area of a back surface bus-bar area | region compared with the past, it can connect favorably, aiming at cost reduction. Moreover, according to the solar cell unit according to the present invention, since the mounting region of the wiring member has an insulating layer (passivation layer), it is easy to suppress exposure of the solar cells, so that the conventional backside bus bar Since it is possible to suppress carrier recombination that occurs in the region and the tab wire mounting region, good solar cell characteristics can be obtained. Moreover, according to the solar cell unit which concerns on this invention, since a photovoltaic cell and a wiring member can be connected without using solder, the characteristic deterioration accompanying use of solder can also be suppressed. According to the solar cell unit of the present invention, these effects can be suitably obtained in a PERC structure or the like in which a passivation layer is formed on the back surface.

前記導電層は、Al、Al−Si合金、Cu、Sn又はAgを含むことが好ましい。これにより、十分な導電性が発現し、配線部材を接続した後に良好な太陽電池特性が得られやすい。   The conductive layer preferably contains Al, Al—Si alloy, Cu, Sn, or Ag. Thereby, sufficient electroconductivity expresses and it is easy to obtain a favorable solar cell characteristic after connecting a wiring member.

前記裏面電極は、前記導電層と同一の材料で構成されていてもよい。これにより、裏面電極と導電層とを一度に形成できるために、工程を簡略化することができる。   The back electrode may be made of the same material as the conductive layer. Thereby, since the back electrode and the conductive layer can be formed at a time, the process can be simplified.

前記絶縁層は、窒化シリコン、酸化シリコン又は酸化アルミニウム(アルミナ)を含むことが好ましい。これにより、パッシベーション層としてキャリアの再結合を抑制しやすくなり、良好な太陽電池特性を得やすい。   The insulating layer preferably contains silicon nitride, silicon oxide, or aluminum oxide (alumina). Thereby, it becomes easy to suppress the recombination of a carrier as a passivation layer, and it is easy to obtain a favorable solar cell characteristic.

本発明に係る太陽電池ユニットは、前記絶縁層が開口部を有しており、前記開口部を介して前記裏面電極と前記太陽電池セルとが接している態様であることが好ましい。これにより、裏面のパッシベーション面積を確保しながらも、裏面電極が太陽電池セル(例えば、基板のシリコン部)と合金層を形成してBSF層を形成することが可能であり、良好な太陽電池特性を得やすい。   In the solar cell unit according to the present invention, it is preferable that the insulating layer has an opening, and the back electrode and the solar cell are in contact with each other through the opening. Thereby, it is possible to form a BSF layer by forming an alloy layer with a solar cell (for example, a silicon portion of a substrate) on the back electrode while ensuring a passivation area on the back surface, and favorable solar cell characteristics. Easy to get.

前記裏面電極の少なくとも一部は、前記配線部材の搭載領域にまたがって配置されていてもよい。これにより、少ない面積で導電層を形成しても十分な集電効率を得ることができる。   At least a part of the back electrode may be arranged across the mounting region of the wiring member. Thereby, even if the conductive layer is formed with a small area, sufficient current collection efficiency can be obtained.

前記導電層の少なくとも一部は、裏面電極と重なって配置されていてもよい。これにより、裏面電極、導電層及び配線部材の導電パスが得られやすく、十分な集電効率を得ることができる。   At least a part of the conductive layer may be disposed so as to overlap the back electrode. Thereby, the conductive path of the back electrode, the conductive layer, and the wiring member can be easily obtained, and sufficient current collection efficiency can be obtained.

本発明に係る太陽電池ユニットは、前記受光面にバスバー電極が配置されることなく表面電極が太陽電池セルと配線部材との間に配置されており、前記配線部材の搭載領域における前記表面電極に相対する位置に前記導電層が配置されている態様であってもよい。これにより、バスバー電極形成に要するコストを抑制しながらも、配線部材を安定に歩留まりよく接続することができる。   In the solar cell unit according to the present invention, the bus bar electrode is not disposed on the light receiving surface, and the surface electrode is disposed between the solar battery cell and the wiring member, and the surface electrode in the mounting region of the wiring member The aspect by which the said conductive layer is arrange | positioned in the opposing position may be sufficient. Thereby, it is possible to connect the wiring members stably and with high yield while suppressing the cost required for forming the bus bar electrodes.

本発明に係る太陽電池ユニットの製造方法は、上述した太陽電池ユニットの製造方法であって、前記太陽電池セルの前記配線部材の搭載領域上に接着部材及び前記配線部材をこの順に配置する配置工程と、前記配置工程の後、加圧して前記太陽電池セルと前記配線部材とを接続する接続工程と、を含む。   The manufacturing method of the solar cell unit according to the present invention is the above-described manufacturing method of the solar cell unit, and the disposing step of arranging the adhesive member and the wiring member in this order on the mounting region of the wiring member of the solar battery cell. And a connecting step of connecting the solar cell and the wiring member by applying pressure after the arranging step.

配置工程において前記接着部材は、フィルム状であることが好ましい。これにより、導電層及び絶縁層を有する配線部材の搭載領域において、安定で均一な接続状態を実現しやすい。   In the arranging step, the adhesive member is preferably in the form of a film. Thereby, it is easy to realize a stable and uniform connection state in the mounting region of the wiring member having the conductive layer and the insulating layer.

本発明によれば、バスバー電極形成に用いる部材を低減しながら良好な太陽電池特性を得ることが可能な太陽電池ユニット及びその製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the solar cell unit which can acquire a favorable solar cell characteristic, reducing the member used for bus-bar electrode formation, and its manufacturing method can be provided.

本発明の一実施形態に係る太陽電池ユニットを模式図に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the solar cell unit which concerns on one Embodiment of this invention to a schematic diagram. 従来の太陽電池セルの受光面を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the light-receiving surface of the conventional photovoltaic cell. 従来の太陽電池セルの裏面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the back surface of the conventional photovoltaic cell. 第1実施形態に係る太陽電池セルの受光面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the light-receiving surface of the photovoltaic cell which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る太陽電池セルの裏面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the back surface of the photovoltaic cell which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る太陽電池セルの裏面における絶縁層パターンを模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the insulating layer pattern in the back surface of the photovoltaic cell concerning 1st Embodiment. 第1実施形態に係る太陽電池セルの裏面における導電層及び裏面電極を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the conductive layer and back surface electrode in the back surface of the photovoltaic cell concerning 1st Embodiment. 第1実施形態に係る太陽電池セルを備える太陽電池ユニットの模式断面図である。It is a schematic cross section of a solar cell unit provided with the photovoltaic cell which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る太陽電池ユニットの製造方法の一工程を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating 1 process of the manufacturing method of the solar cell unit which concerns on 1st Embodiment. 第2実施形態に係る太陽電池セルの裏面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the back surface of the photovoltaic cell which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る太陽電池セルの裏面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the back surface of the photovoltaic cell concerning 3rd Embodiment. 第3実施形態に係る太陽電池セルの裏面における絶縁層パターンを模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the insulating layer pattern in the back surface of the photovoltaic cell concerning 3rd Embodiment. 第3実施形態に係る太陽電池セルの裏面における導電層及び裏面電極を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the conductive layer and back surface electrode in the back surface of the photovoltaic cell concerning 3rd Embodiment. 第4実施形態に係る太陽電池セルの裏面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the back surface of the photovoltaic cell which concerns on 4th Embodiment. 第4実施形態に係る太陽電池セルの裏面における絶縁層パターンを模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the insulating layer pattern in the back surface of the photovoltaic cell concerning 4th Embodiment. 第4実施形態に係る太陽電池セルの裏面における裏面電極を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the back surface electrode in the back surface of the photovoltaic cell which concerns on 4th Embodiment. 第4実施形態に係る太陽電池セルの裏面における導電層を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the conductive layer in the back surface of the photovoltaic cell which concerns on 4th Embodiment. 第5実施形態に係る太陽電池セルの裏面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the back surface of the photovoltaic cell which concerns on 5th Embodiment. 第6実施形態に係る太陽電池セルの裏面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the back surface of the photovoltaic cell concerning 6th Embodiment. 太陽電池セルの受光面の一例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically an example of the light-receiving surface of a photovoltaic cell.

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、場合により、重複する説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and repeated description is omitted in some cases.

また、「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。「A又はB」とは、AとBのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。   Moreover, the numerical value range shown using "to" shows the range which includes the numerical value described before and behind "to" as a minimum value and a maximum value, respectively. “A or B” only needs to include one of A and B, or may include both. The content of each component in the composition means the total amount of the plurality of substances present in the composition unless there is a specific notice when there are a plurality of substances corresponding to each component in the composition.

図1は、本実施形態に係る太陽電池ユニットを模式的に示す斜視図である。図1に示すように、太陽電池ユニット100は、複数の太陽電池セル110と、太陽電池セル110同士を電気的に接続する配線部材(「配線ワイヤー」又は「タブ線」ともいう)111とを備えている。太陽電池セル110の一面側は、表面電極(「フィンガー電極」又は「細線電極」ともいう)112が配置された受光面(表面)110aであり、太陽電池セル110の他面側は、裏面電極が配置された裏面(受光面とは反対側の面)110bである。表面電極112及び裏面電極は太陽電池セル110の基板113のシリコン部に電気的に接続されている。隣接する太陽電池セル110間では、一の太陽電池セル110の受光面110a側の表面電極112と、他の太陽電池セル110の裏面110b側の裏面電極とが配線部材111によって接続されており、これにより、太陽電池セル110同士が直列に接続されたストリングスが形成されている。   FIG. 1 is a perspective view schematically showing a solar cell unit according to this embodiment. As shown in FIG. 1, the solar cell unit 100 includes a plurality of solar cells 110 and wiring members (also referred to as “wiring wires” or “tab wires”) 111 that electrically connect the solar cells 110 to each other. I have. One surface side of the solar battery cell 110 is a light receiving surface (front surface) 110 a on which a surface electrode (also referred to as “finger electrode” or “fine wire electrode”) 112 is arranged, and the other surface side of the solar battery cell 110 is a back electrode. Is a back surface (surface opposite to the light receiving surface) 110b. The front electrode 112 and the back electrode are electrically connected to the silicon portion of the substrate 113 of the solar battery cell 110. Between the adjacent solar cells 110, the surface electrode 112 on the light receiving surface 110a side of one solar cell 110 and the back electrode on the back surface 110b side of another solar cell 110 are connected by the wiring member 111. Thereby, the string in which the photovoltaic cells 110 are connected in series is formed.

図2は、従来の太陽電池セルの受光面を模式的に示す平面図であり、図3は、従来の太陽電池セルの裏面を模式的に示す図である。図2及び図3に示すように、従来の太陽電池ユニットに含まれる太陽電池セル10は、基板13の受光面側に配置された反射防止膜14及び表面電極12と、基板13の裏面側に配置された裏面電極15とを有している。   FIG. 2 is a plan view schematically showing a light receiving surface of a conventional solar battery cell, and FIG. 3 is a diagram schematically showing a back surface of the conventional solar battery cell. As shown in FIGS. 2 and 3, the solar battery cell 10 included in the conventional solar battery unit includes an antireflection film 14 and a surface electrode 12 arranged on the light receiving surface side of the substrate 13, and a back surface side of the substrate 13. It has the back electrode 15 arrange | positioned.

反射防止膜14は、基板13の受光面に配置されており、表面電極12を配置するための開口部を有している。反射防止膜14の開口部及び表面電極12は、複数本の細長い直線状である。表面電極12は、反射防止膜14の開口部に配置されていると共に、基板13に電気的に接続されている。裏面電極15は、基板13の裏面の全面を覆っている。   The antireflection film 14 is arranged on the light receiving surface of the substrate 13 and has an opening for arranging the surface electrode 12. The opening of the antireflection film 14 and the surface electrode 12 have a plurality of elongated straight lines. The surface electrode 12 is disposed in the opening of the antireflection film 14 and is electrically connected to the substrate 13. The back electrode 15 covers the entire back surface of the substrate 13.

太陽電池セル10の受光面側には、表面電極12よりも本数が少なく且つ表面電極12よりも幅の太いバスバー電極16aが表面電極12に直交するように配置されている。また、太陽電池セル10の裏面側には、受光面のバスバー電極16aに相対する位置にバスバー電極(裏面バスバー電極)16bが配置されている。バスバー電極16a,16bのそれぞれの上に配線部材111(図1)が配置されて、複数の太陽電池セル10が接続して連ねられる。   On the light receiving surface side of the solar battery cell 10, a bus bar electrode 16 a having a smaller number than the surface electrode 12 and a width wider than the surface electrode 12 is arranged so as to be orthogonal to the surface electrode 12. Further, on the back surface side of the solar battery cell 10, a bus bar electrode (back surface bus bar electrode) 16 b is arranged at a position facing the bus bar electrode 16 a on the light receiving surface. A wiring member 111 (FIG. 1) is disposed on each of the bus bar electrodes 16a and 16b, and a plurality of solar cells 10 are connected and connected.

図4は、第1実施形態に係る太陽電池セルの受光面(表面)を模式的に示す図である。図5は、第1実施形態に係る太陽電池セルの裏面を模式的に示す図である。図6は、第1実施形態に係る太陽電池セルの裏面における絶縁層パターンを模式的に示す平面図である。図7は、第1実施形態に係る太陽電池セルの裏面における導電層及び裏面電極(裏面電極パターン)を模式的に示す平面図である。図8は、第1実施形態に係る太陽電池セルを備える太陽電池ユニットの模式断面図である。   FIG. 4 is a diagram schematically showing a light receiving surface (surface) of the solar battery cell according to the first embodiment. FIG. 5 is a diagram schematically showing the back surface of the solar battery cell according to the first embodiment. FIG. 6 is a plan view schematically showing an insulating layer pattern on the back surface of the solar battery cell according to the first embodiment. FIG. 7 is a plan view schematically showing a conductive layer and a back electrode (back electrode pattern) on the back surface of the solar battery cell according to the first embodiment. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a solar battery unit including the solar battery cell according to the first embodiment.

第1実施形態に係る太陽電池セル110は、基板113と、受光面側に配置された反射防止膜114及び表面電極112と、裏面側に配置された絶縁層117、裏面電極115及び導電層(「裏面バスバー電極」ともいう)118とを有している。図4には、配線部材が搭載される配線部材搭載領域R1が図示されている。図5には、配線部材が搭載される配線部材搭載領域R2が図示されている。   The solar cell 110 according to the first embodiment includes a substrate 113, an antireflection film 114 and a front electrode 112 arranged on the light receiving surface side, an insulating layer 117, a back electrode 115 and a conductive layer (on the back side). 118) (also referred to as “backside bus bar electrode”). FIG. 4 shows a wiring member mounting region R1 on which wiring members are mounted. FIG. 5 illustrates a wiring member mounting region R2 on which the wiring member is mounted.

基板113は、例えば、半導体基板である。基板113は、例えば、Siの単結晶、多結晶及び非結晶からなる群より選ばれる少なくとも一種によって略正方形状に形成されている。基板113の四隅は、それぞれ円弧状に面取りされている。   The substrate 113 is, for example, a semiconductor substrate. The substrate 113 is formed in a substantially square shape by at least one selected from the group consisting of Si single crystal, polycrystal, and amorphous, for example. The four corners of the substrate 113 are chamfered in an arc shape.

反射防止膜114は、基板113の受光面の略全面を覆うように基板113の受光面に配置されており、表面電極112が配置されている開口部を有している。当該開口部は、例えば、表面電極112を反射防止膜114上に配置した後の焼成工程においてファイヤースルーして反射防止膜114に形成される。当該ファイヤースルーにより、表面電極112が基板113と接することとなる。開口部は、複数本の細長い直線状である。反射防止膜114の材料としては、例えば窒化シリコンが挙げられる。   The antireflection film 114 is disposed on the light receiving surface of the substrate 113 so as to cover substantially the entire light receiving surface of the substrate 113, and has an opening in which the surface electrode 112 is disposed. For example, the opening is formed in the antireflection film 114 through fire-through in the baking step after the surface electrode 112 is disposed on the antireflection film 114. By the fire-through, the surface electrode 112 comes into contact with the substrate 113. The opening has a plurality of elongated straight lines. An example of the material of the antireflection film 114 is silicon nitride.

表面電極112は、複数本の細長い直線状の電極で構成されている。表面電極112は、反射防止膜114の開口部に配置されていると共に、基板113に電気的に接続されている。表面電極112は、基板113の受光面の略全面において、太陽電池ユニットのストリングスの延在方向(以下「ストリングス延在方向」という)と略直交する方向に沿って配置され、ストリングス延在方向に沿って所定の間隔をもって配列されている。表面電極112は、例えばAgを含み、Agからなる態様であってもよい。   The surface electrode 112 is composed of a plurality of elongated linear electrodes. The surface electrode 112 is disposed in the opening of the antireflection film 114 and is electrically connected to the substrate 113. The surface electrode 112 is arranged along a direction substantially orthogonal to the string extending direction of the solar cell unit (hereinafter referred to as “string extending direction”) on substantially the entire light receiving surface of the substrate 113, and in the strings extending direction. Are arranged at predetermined intervals along. The surface electrode 112 may include, for example, Ag and may be made of Ag.

絶縁層117は、基板113の裏面の略全面を覆うように基板113の裏面に配置されている。絶縁層117には、複数の開口部117aが形成されている。開口部117aは、ストリングス延在方向と略直交する方向に沿って形成され、ストリングス延在方向に沿って所定の間隔をもって形成されている。   The insulating layer 117 is disposed on the back surface of the substrate 113 so as to cover substantially the entire back surface of the substrate 113. In the insulating layer 117, a plurality of openings 117a are formed. The openings 117a are formed along a direction substantially orthogonal to the strings extending direction, and are formed at a predetermined interval along the strings extending direction.

絶縁層117の材料としては、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウム(アルミナ)等が挙げられ、これらのいずれかの材料を主成分とする態様であってもよく、これらのいずれかの材料からなる態様であってもよい。これらの絶縁層117は、パッシベーション効果をもたらしやすいため、キャリアの表面再結合を防ぎセル特性を向上させやすくすることができる。絶縁層117は、CVD法、ALD法、スパッタ、蒸着等で形成できる。所望のパターンを有する絶縁層117は、樹脂マスク等でカバーして製膜し、ふっ酸、硝酸、それらの混合水溶液等でエッチングした後に樹脂マスクをアルカリ水溶液等で除去して形成してもよい。また、YAGレーザー、Ybレーザー、YbYAGレーザー、YVOレーザー等の固体レーザー、半導体レーザー、Arレーザー等の気体レーザーなどを用いたパターニングも好適である。また、絶縁層形成用ペーストをスクリーン印刷でパターニング形成した後に焼成して形成する方法も好適である。これらの方法でパターニングした後、基板のシリコン部のダメージ部を除去するために酸性水溶液やアルカリ水溶液で処理表面をエッチングして純水洗浄してもよい。また、絶縁層117は、インクジェット印刷によって絶縁層組成物を直接パターン印刷し、焼成等して形成してもよい。   Examples of the material of the insulating layer 117 include silicon nitride, silicon oxide, aluminum oxide (alumina), and the like, and any of these materials may be used as a main component. An aspect may be sufficient. Since these insulating layers 117 tend to provide a passivation effect, it is possible to prevent surface recombination of carriers and improve cell characteristics. The insulating layer 117 can be formed by a CVD method, an ALD method, sputtering, vapor deposition, or the like. The insulating layer 117 having a desired pattern may be formed by covering with a resin mask or the like, etching with hydrofluoric acid, nitric acid, or a mixed aqueous solution thereof, and then removing the resin mask with an alkaline aqueous solution or the like. . Patterning using a solid laser such as a YAG laser, Yb laser, YbYAG laser, or YVO laser, a gas laser such as a semiconductor laser, or an Ar laser is also suitable. In addition, a method in which the insulating layer forming paste is formed by patterning by screen printing and then baked is also suitable. After patterning by these methods, the treated surface may be etched with pure water by etching with an acidic aqueous solution or an alkaline aqueous solution in order to remove the damaged portion of the silicon portion of the substrate. The insulating layer 117 may be formed by directly pattern-printing an insulating layer composition by ink jet printing and baking.

絶縁層117は、図5及び図6に示すように、裏面電極115が部分的に基板113のシリコン部と接触する開口部117aのパターンを設けて裏面電極115が部分的にコンタクトできるようにしつつ、裏面の略全面に形成されている。また、裏面電極115を焼成して形成する時に、絶縁層と反応してコンタクトをとる、いわゆるファイヤースルー機能のある裏面電極を用いると、絶縁層のパターニングは不要となるため、略全面に絶縁層を形成し、裏面電極ペーストをスクリーン印刷等でパターン形成した後に焼成することによってBSF層を形成できる。   As shown in FIGS. 5 and 6, the insulating layer 117 is provided with a pattern of an opening 117a where the back electrode 115 partially contacts the silicon portion of the substrate 113 so that the back electrode 115 can partially contact. , Formed on substantially the entire back surface. In addition, when the back electrode 115 is baked and formed, if a back electrode having a so-called fire-through function that contacts with the insulating layer to make contact is used, the patterning of the insulating layer becomes unnecessary, so that the insulating layer is almost entirely formed. A BSF layer can be formed by baking after forming a back electrode paste by patterning by screen printing or the like.

絶縁層117は、パッシベーションの向上効果や安定性を得るために、2種類以上の層を重ねてもよい。例えば、アルミナ層の上に窒化シリコン層を形成してもよく、酸化シリコン層の上に窒化シリコン層を形成してもよい。また、それらが裏面と受光面の両面に形成されていてもよい。受光面にも絶縁層が形成される場合は、絶縁層上に反射防止膜が形成される。受光面及び裏面に同じ絶縁層を形成する場合、気相法によって受光面及び裏面の絶縁層を同時に形成してもよい。   The insulating layer 117 may overlap two or more types of layers in order to obtain a passivation improvement effect and stability. For example, a silicon nitride layer may be formed on the alumina layer, or a silicon nitride layer may be formed on the silicon oxide layer. Further, they may be formed on both the back surface and the light receiving surface. When an insulating layer is also formed on the light receiving surface, an antireflection film is formed on the insulating layer. When the same insulating layer is formed on the light receiving surface and the back surface, the insulating layers on the light receiving surface and the back surface may be formed simultaneously by a vapor phase method.

裏面電極115は、基板113及び絶縁層117の略全面を覆うように絶縁層117上に配置されている。裏面電極115は、ストリングス延在方向に延びる4つの長尺部115aを有しており、ストリングス延在方向と略直交する方向に延びる複数の導電層118が長尺部115a間に配置されることにより、隣接する長尺部115a同士が導電層118を介して接続されている。導電層118は、ストリングス延在方向に沿って所定の間隔をもって配置されている。   The back electrode 115 is disposed on the insulating layer 117 so as to cover substantially the entire surface of the substrate 113 and the insulating layer 117. The back electrode 115 has four long portions 115a extending in the string extending direction, and a plurality of conductive layers 118 extending in a direction substantially orthogonal to the strings extending direction are disposed between the long portions 115a. Accordingly, the adjacent long portions 115 a are connected to each other through the conductive layer 118. The conductive layer 118 is disposed at a predetermined interval along the string extending direction.

長尺部115aは、絶縁層117の開口部117a内に至るまで延びることにより基板113のシリコン部に接している。すなわち、開口部117aを介して裏面電極115と太陽電池セル110とが接している。長尺部115a間の領域は、配線部材搭載領域R2に相当する。配線部材搭載領域R2においては、導電層118が長尺部115a間から基板113のシリコン部まで延びることにより基板113のシリコン部に接している。裏面電極115及び導電層118は、一体に形成されていてもよく、別体として形成されていてもよい。導電層118は、配線部材搭載領域R2以外の領域に形成されていてもよい。   The long portion 115 a is in contact with the silicon portion of the substrate 113 by extending to the opening 117 a of the insulating layer 117. That is, the back electrode 115 and the solar battery cell 110 are in contact with each other through the opening 117a. A region between the long portions 115a corresponds to the wiring member mounting region R2. In the wiring member mounting region R2, the conductive layer 118 is in contact with the silicon portion of the substrate 113 by extending from between the long portions 115a to the silicon portion of the substrate 113. The back electrode 115 and the conductive layer 118 may be integrally formed or may be formed separately. The conductive layer 118 may be formed in a region other than the wiring member mounting region R2.

裏面電極115及び導電層118の材料としては、電気的導通が得られる導電材料が用いられ、Al、Al−Si合金、Cu、Sn、Ag等が挙げられ、これらのいずれかの材料を主成分とする態様であってもよく、これらのいずれかの材料からなる態様(例えばAlからなる態様)であってもよい。裏面電極115は、導電層118と同一の材料を含んでいてもよく、異なる材料を含んでいてもよい。裏面電極115は、導電層118と同一の材料で構成されていてもよい(すなわち、導電層118と同一素材の部材であってもよい)。   As a material for the back electrode 115 and the conductive layer 118, a conductive material that can obtain electrical continuity is used, and examples thereof include Al, Al—Si alloy, Cu, Sn, Ag, and the like. It is also possible to adopt an embodiment made of any of these materials (for example, an embodiment made of Al). The back electrode 115 may include the same material as the conductive layer 118 or may include a different material. The back electrode 115 may be made of the same material as that of the conductive layer 118 (that is, it may be a member made of the same material as that of the conductive layer 118).

裏面電極115及び導電層118のそれぞれは、例えば、ガラス粉末を含むアルミニウム電極ペースト、及び、ガラス粒子を含む銀電極ペーストをスクリーン印刷等にて塗布することで形成することができる。Alを含む裏面電極115又は導電層118を単にペーストの塗布・乾燥により基板(特にシリコン部)上に形成してもよいが、焼成等の工程を経ることによって、絶縁層117の開口部117a等において、基板(シリコン部)と合金層を形成してBSF層を形成し、P層及びAl−Si合金層を同時形成してもよい。また、ガラスペースト等を用いる場合、絶縁層117をファイヤースルーして部分的な裏面電極115又は導電層118を形成してもよく、この場合、絶縁層117のパターニングは不要となる。また、裏面電極115又は導電層118は、電解めっき又は無電解めっきで形成してもよい。裏面電極115の材料として導電層118と同じ材料を使えば形成工程が簡便となる。 Each of the back electrode 115 and the conductive layer 118 can be formed, for example, by applying an aluminum electrode paste containing glass powder and a silver electrode paste containing glass particles by screen printing or the like. The back electrode 115 or the conductive layer 118 containing Al may be formed on the substrate (particularly the silicon portion) by simply applying and drying the paste. However, by performing a process such as baking, the opening 117a of the insulating layer 117, etc. In the method, an alloy layer may be formed with a substrate (silicon part) to form a BSF layer, and a P + layer and an Al—Si alloy layer may be formed simultaneously. When glass paste or the like is used, the insulating layer 117 may be fired through to form the partial back electrode 115 or the conductive layer 118. In this case, the insulating layer 117 is not required to be patterned. Further, the back electrode 115 or the conductive layer 118 may be formed by electrolytic plating or electroless plating. If the same material as that of the conductive layer 118 is used as the material of the back electrode 115, the formation process becomes simple.

裏面電極115及び導電層118のそれぞれの材料としては、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を用いてもよい。例えば、抵抗を抑えるために配線部材搭載領域をCu、Sn、Ag等とし、配線部材搭載領域以外をAl、Al−Si合金等としてもよい。Cuを含む裏面電極115又は導電層118を形成する場合、めっきやぺ−ストを用いることができる。また、Cuの他にリン、ニッケル及びガラスを含有したペーストを用いて裏面電極115又は導電層118を形成してもよい。これらを用いることにより太陽電池セルの基板(特にシリコン部)との密着性がよく、良好なオーミックコンタクトが得られる。   As each material of the back surface electrode 115 and the conductive layer 118, one type may be used independently and two or more types may be used. For example, in order to suppress the resistance, the wiring member mounting area may be Cu, Sn, Ag, or the like, and the area other than the wiring member mounting area may be Al, Al—Si alloy, or the like. When the back electrode 115 or the conductive layer 118 containing Cu is formed, plating or paste can be used. Alternatively, the back electrode 115 or the conductive layer 118 may be formed using a paste containing phosphorus, nickel, and glass in addition to Cu. By using these, the adhesiveness with the board | substrate (especially silicon part) of a photovoltaic cell is good, and a favorable ohmic contact is obtained.

導電層118は、配線部材搭載領域R2において、主に、裏面電極115が形成される前に、開口部117aを設けた絶縁層117の開口部117a内に形成されるが、絶縁層117及び裏面電極115を先に形成した後に、配線部材搭載領域R2において導電層118の少なくとも一部を形成してもよい。裏面電極115の少なくとも一部は配線部材搭載領域R2にまたがって配置されていてもよい。さらには、裏面電極の一部が導電層を兼ねていてもよい。また、導電層118の少なくとも一部が裏面電極115と重なって配置されていてもよい。これらの場合、導電層118に配線部材111が接続されたときに裏面電極115、導電層118及び配線部材111の導電パスが得られやすい。   In the wiring member mounting region R2, the conductive layer 118 is mainly formed in the opening 117a of the insulating layer 117 provided with the opening 117a before the back electrode 115 is formed. After forming the electrode 115 first, at least a part of the conductive layer 118 may be formed in the wiring member mounting region R2. At least a part of the back electrode 115 may be arranged across the wiring member mounting region R2. Furthermore, a part of the back electrode may also serve as a conductive layer. Further, at least a part of the conductive layer 118 may overlap with the back electrode 115. In these cases, when the wiring member 111 is connected to the conductive layer 118, the conductive paths of the back electrode 115, the conductive layer 118, and the wiring member 111 are easily obtained.

太陽電池セル110の受光面では、バスバー電極を介さずに表面電極112のみで配線部材111を接続してもよい。この場合、図4に示すように、配線部材111が配置される配線部材搭載領域R1に表面電極112の少なくとも一部が配置されていればよい。なお、受光面にバスバー電極が配置されることなく表面電極112が太陽電池セル110と配線部材111との間(バスバー電極の搭載領域、配線部材搭載領域R1)に配置されている場合には、配線部材搭載領域R2における表面電極112に相対する位置に導電層118が配置されていることが好ましい。この場合、導電層118が配線部材搭載領域R2において凸部となっていることで、接続したときのセルゆがみ等を抑えてセルダメージを抑制することができる。   On the light receiving surface of the solar battery cell 110, the wiring member 111 may be connected only by the surface electrode 112 without passing through the bus bar electrode. In this case, as shown in FIG. 4, it is only necessary that at least a part of the surface electrode 112 is disposed in the wiring member mounting region R1 where the wiring member 111 is disposed. When the surface electrode 112 is disposed between the solar battery cell 110 and the wiring member 111 (the bus bar electrode mounting region, the wiring member mounting region R1) without the bus bar electrode being disposed on the light receiving surface, It is preferable that the conductive layer 118 is disposed at a position facing the surface electrode 112 in the wiring member mounting region R2. In this case, since the conductive layer 118 is a convex portion in the wiring member mounting region R2, cell damage or the like when connected can be suppressed and cell damage can be suppressed.

配線部材搭載領域R2は、接着部材を配置しない状態において裏面側の最表面として露出する絶縁層117及び導電層118を有しており、部分的な絶縁層(部分的に絶縁層が露出した部分)117と、部分的な導電層118とを有している。   The wiring member mounting region R2 includes an insulating layer 117 and a conductive layer 118 that are exposed as the outermost surface on the back surface side in a state where no adhesive member is disposed, and a partial insulating layer (a portion where the insulating layer is partially exposed). ) 117 and a partial conductive layer 118.

太陽電池ユニット100の受光面側においては、太陽電池セル110同士を直列及び/又は並列に接続するための配線部材111の一端が、一の太陽電池セル110の表面電極112に接着部材により接続されている。また、太陽電池ユニット100の裏面側においては、図8に示すように、配線部材111の他端が、他の太陽電池セル110における絶縁層117及び導電層118を最表面に有する配線部材搭載領域R2に接着部材119によって接続されている。配線部材111は、図8(a)に示すように導電層118に直接接していてもよく、図8(b)に示すように接着部材119中の金属粒子119aを介して導電層118に接続されていてもよい。受光面側の接着部材としては、裏面側の接着部材119と同様の部材を用いることができる。   On the light receiving surface side of the solar cell unit 100, one end of the wiring member 111 for connecting the solar cells 110 in series and / or in parallel is connected to the surface electrode 112 of one solar cell 110 by an adhesive member. ing. Further, on the back surface side of the solar cell unit 100, as shown in FIG. 8, the other end of the wiring member 111 has the insulating layer 117 and the conductive layer 118 in the other solar battery cell 110 on the outermost surface. It is connected to R2 by an adhesive member 119. The wiring member 111 may be in direct contact with the conductive layer 118 as shown in FIG. 8A, and connected to the conductive layer 118 via the metal particles 119a in the adhesive member 119 as shown in FIG. 8B. May be. As the adhesive member on the light receiving surface side, a member similar to the adhesive member 119 on the back surface side can be used.

ここで、裏面の導電層118と配線部材111とを接続する方法として、導電層118と配線部材111とをはんだにより接合することが考えられる。しかしながら、導電層118のみにはんだ付けしてはんだにより接合した場合、部分的な導電層118上でのみ導電層118と配線部材111とが接合されるため、接合強度が十分でない場合がある。また、導電層118に対し電気的に安定的な接続状態を維持することが難しい。そこで、本実施形態では、太陽電池セル110の裏面の導電層118及び絶縁層117と、配線部材111とを接着部材119により接合することができる。接着部材119を用いることにより、配線部材111と導電層118との間、及び、配線部材111と絶縁層117との間に接着性を付与するので安定で均一な接続状態が得られる。   Here, as a method of connecting the conductive layer 118 on the back surface and the wiring member 111, it is conceivable to join the conductive layer 118 and the wiring member 111 with solder. However, in the case where only the conductive layer 118 is soldered and joined by soldering, the conductive layer 118 and the wiring member 111 are joined only on the partial conductive layer 118, so that the joining strength may not be sufficient. In addition, it is difficult to maintain an electrically stable connection state with respect to the conductive layer 118. Therefore, in the present embodiment, the conductive layer 118 and the insulating layer 117 on the back surface of the solar battery cell 110 and the wiring member 111 can be joined by the adhesive member 119. By using the adhesive member 119, adhesiveness is imparted between the wiring member 111 and the conductive layer 118 and between the wiring member 111 and the insulating layer 117, so that a stable and uniform connection state can be obtained.

接着部材119の材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂等が挙げられ、これらを単体で用いるか、もしくは、2種類以上を組み合わせた混合体、共重合体等として用いることができる。これらの中でも、優れた接続信頼性が得られやすい観点から、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエチレン樹脂及びアクリル樹脂のうちの少なくとも1つが接着部材に含有されることが好ましい。接着部材119の材料としては、はんだとは異なる材料が好ましい。   Examples of the material of the adhesive member 119 include epoxy resin, acrylic resin, phenoxy resin, melamine resin, polyurethane resin, polyester resin, polyethylene resin, polyimide resin, polyamide resin, phenol resin, silicon resin, and the like. Or can be used as a mixture, copolymer, or the like in which two or more types are combined. Among these, it is preferable that at least one of an epoxy resin, a phenoxy resin, a polyethylene resin, and an acrylic resin is contained in the adhesive member from the viewpoint of easily obtaining excellent connection reliability. The material of the adhesive member 119 is preferably a material different from solder.

接着部材119には、接続性、導通性、弾性、耐熱性、耐水性、ガスバリア性、適度な屈折率等を付与するために金属粒子(金属酸化物粒子を包含する)が含まれていてもよい。例えば、太陽電池セル110上に、金属粒子(例えば図8(b)の符号119a)を含む接着部材119、配線部材111等を配置し、それらを圧着して、金属粒子が表面電極、導電層、配線部材等に食い込むことによってアンカー効果により接続の導電性、接合の強度等を向上させてもよい。金属粒子としては、酸化金属粒子、金属膜で覆われた粒子、酸化金属膜で覆われた粒子等を用いることができる。それらの粒子の材料としては、金、Ag、Cu、Ni、鉛、スズ、ビスマス、はんだ、金/ニッケルめっきプラスチック、銅めっき、ニッケルめっき、はんだめっき、ZnO、ITO、SiO、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化タンタル、酸化アルミニウム(アルミナ)、酸化ジルコニウム等が挙げられる。また、これらの金属粒子としては、接合時の被着体表面に対する金属粒子の埋め込み性に優れる観点から、例えば、毬栗状、球状等の粒子形状を有するものが好ましい。すなわち、このような形状の金属粒子は、太陽電池セルの表面電極、配線部材等の外面の複雑な凹凸形状に対しても埋め込み性が高く、接合後の振動、膨張等の変動に対して追随性が高いため、接続信頼性を更に向上させることができる。金属粒子の粒径は、1μm〜50μmが好ましく、1μm〜30μmがより好ましい。 Even if the adhesive member 119 contains metal particles (including metal oxide particles) for imparting connectivity, electrical conductivity, elasticity, heat resistance, water resistance, gas barrier properties, an appropriate refractive index, and the like. Good. For example, an adhesive member 119 including a metal particle (for example, reference numeral 119a in FIG. 8B), a wiring member 111, and the like are disposed on the solar battery cell 110, and the metal particles are bonded to the surface electrode and conductive layer. In addition, the conductivity of the connection, the strength of bonding, etc. may be improved by the anchor effect by biting into the wiring member or the like. As the metal particles, metal oxide particles, particles covered with a metal film, particles covered with a metal oxide film, and the like can be used. The material of these particles is gold, Ag, Cu, Ni, lead, tin, bismuth, solder, gold / nickel plating plastic, copper plating, nickel plating, solder plating, ZnO, ITO, SiO 2 , titanium oxide, oxidation Examples include indium, tin oxide, tantalum oxide, aluminum oxide (alumina), and zirconium oxide. Moreover, as these metal particles, those having a particle shape such as a chestnut shape or a spherical shape are preferable from the viewpoint of excellent embedding property of the metal particles to the adherend surface during bonding. In other words, the metal particles having such a shape are highly embeddable even with complex uneven shapes on the outer surface of the surface electrode, wiring member, etc. of the solar battery cell, and follow fluctuations such as vibration and expansion after joining. Therefore, the connection reliability can be further improved. The particle size of the metal particles is preferably 1 μm to 50 μm, and more preferably 1 μm to 30 μm.

接着部材119は、例えば、上述した各種材料を溶剤に溶解又は分散させてなる塗布液をプラスチックフィルム(例えばポリエチレンテレフタレートフィルム)等の剥離フィルム上に塗布し、溶剤を除去することによってフィルム状として作製してもよい。このようにして得られるフィルム状の接着部材は、ペースト状の接着部材と比較して、膜厚寸法精度及び圧着時の圧力配分の点で優れている。また、フィルム状とすることで、バスバー電極を介することなく接続するときに均一で安定な接続が可能となり、歩留まり、信頼性等の向上に寄与する。   The adhesive member 119 is produced as a film by, for example, applying a coating solution obtained by dissolving or dispersing the above-described various materials in a solvent onto a release film such as a plastic film (for example, polyethylene terephthalate film) and removing the solvent. May be. The film-like adhesive member thus obtained is superior in terms of film thickness dimensional accuracy and pressure distribution at the time of pressure bonding, as compared with the paste-like adhesive member. Further, by using a film shape, a uniform and stable connection is possible when connecting without passing through the bus bar electrode, which contributes to improvement in yield, reliability, and the like.

上記では、剥離フィルムとしてプラスチックフィルムの例を挙げたが、剥離フィルムとして金属フィルムを使用することで、配線部材と一体化させた接着フィルムとすることもできる。   Although the example of the plastic film was given as the release film in the above, an adhesive film integrated with the wiring member can be obtained by using a metal film as the release film.

フィルム状とする場合の接着部材119の厚みは、上記塗布液中の不揮発分の調整、及び、アプリケータ又はリップコータのギャップ調整によって制御することができる。フィルム状とした接着部材の厚みは、5μm〜50μmが好ましく、10μm〜35μmがより好ましい。   The thickness of the adhesive member 119 in the case of forming a film can be controlled by adjusting the non-volatile content in the coating solution and adjusting the gap of the applicator or lip coater. The thickness of the film-like adhesive member is preferably 5 μm to 50 μm, and more preferably 10 μm to 35 μm.

接着部材119としては、熱硬化性樹脂組成物を用いることが可能であり、フィルム状の熱硬化性樹脂組成物を用いることもできる。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物により太陽電池セルと配線部材とを接続することができる。   As the adhesive member 119, a thermosetting resin composition can be used, and a film-like thermosetting resin composition can also be used. Thereby, a photovoltaic cell and a wiring member can be connected with the hardened | cured material of a thermosetting resin composition.

配線部材111は、ワイヤー状の金属(金属酸化物を包含する)であることが好ましい。この金属としては、金、Ag、Cu、Ni、鉛、スズ、ビスマス、はんだ、ZnO、ITO、SiO、Al、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化タンタル、酸化アルミニウム(アルミナ)、酸化ジルコニウム等が挙げられる。配線部材111は、上記の金属をコア材と被覆材にそれぞれ用いて、2種類以上で構成してもよい。その中でも、入射光を反射させて、入射光を有効に発電に寄与させることができるため、最表面は、はんだ、Al、Ag等であることが好ましい。 The wiring member 111 is preferably a wire-like metal (including a metal oxide). Examples of the metal include gold, Ag, Cu, Ni, lead, tin, bismuth, solder, ZnO, ITO, SiO 2 , Al, titanium oxide, indium oxide, tin oxide, tantalum oxide, aluminum oxide (alumina), and zirconium oxide. Etc. The wiring member 111 may be composed of two or more types using the above metals for the core material and the covering material, respectively. Among these, since the incident light can be reflected and the incident light can be effectively contributed to power generation, the outermost surface is preferably solder, Al, Ag, or the like.

このように構成される太陽電池ユニット100の製造方法は、例えば、配置工程及び接続工程をこの順に含んでおり、封止工程を更に含んでいてもよい。   The manufacturing method of the solar cell unit 100 configured as described above includes, for example, an arrangement step and a connection step in this order, and may further include a sealing step.

配置工程では、太陽電池セル110の配線部材搭載領域R2上に接着部材119及び配線部材111をこの順に配置する。配置工程の後の接続工程では、加圧して太陽電池セル110の導電層118と配線部材111とを接続する。受光面側においても、同様に、表面電極112上に接着部材119及び配線部材111をこの順に配置して表面電極112と配線部材111とを接続する。   In the arranging step, the adhesive member 119 and the wiring member 111 are arranged in this order on the wiring member mounting region R2 of the solar battery cell 110. In the connection step after the arrangement step, the conductive layer 118 of the solar battery cell 110 and the wiring member 111 are connected by applying pressure. Similarly, on the light receiving surface side, the adhesive member 119 and the wiring member 111 are arranged in this order on the surface electrode 112 to connect the surface electrode 112 and the wiring member 111.

接続工程では、例えば、所望の圧力で太陽電池セル110及び配線部材111を挟み、太陽電池セル110の導電層118と配線部材111とを接続する。接続工程において、接着部材119は、加熱、紫外線、圧力等によって配線部材111と接合させることができる。接合しやすくし、確実に樹脂を硬化させ、また、配線部材111と表面電極112及び導電層118との接触を確実にするためには、加熱及び加圧して接合(加熱圧着)することが特に好ましい。太陽電池セル110へのダメージを防ぐために、加熱温度として、接続温度は、50℃〜200℃が好ましく、80℃〜180℃がより好ましい。また、圧力は、0.05MPa以上2.5MPa以下が好ましく、0.1MPa以上2.0MPa以下がより好ましい。   In the connection step, for example, the solar battery cell 110 and the wiring member 111 are sandwiched with a desired pressure, and the conductive layer 118 of the solar battery cell 110 and the wiring member 111 are connected. In the connecting step, the adhesive member 119 can be bonded to the wiring member 111 by heating, ultraviolet rays, pressure, or the like. In order to facilitate the bonding, to surely cure the resin, and to ensure the contact between the wiring member 111 and the surface electrode 112 and the conductive layer 118, it is particularly preferable to perform bonding (thermocompression bonding) by heating and pressing. preferable. In order to prevent damage to the solar battery cell 110, the connection temperature is preferably 50 ° C. to 200 ° C., more preferably 80 ° C. to 180 ° C. as the heating temperature. The pressure is preferably 0.05 MPa or more and 2.5 MPa or less, and more preferably 0.1 MPa or more and 2.0 MPa or less.

太陽電池セル110、接着部材119及び配線部材111から構成される太陽電池ユニット100は、更にEVA等の封止部材、ガラス板等を積層した状態でラミネータ装置に設置され、封止工程を経て得ることもできる。図9は、太陽電池ユニットの製造方法の一工程を説明するための斜視図であり、封止工程を経て太陽電池ユニットが作製されるときのラミネータ装置に設置される積層体を模式的に示す斜視図である。この積層体では、受光面側からガラス板200、封止部材210、配線部材111、接着部材(不図示)、太陽電池セル110、バスバー電極(不図示)、配線部材(不図示)、封止部材210及びバックシート220がこの順に配置されている。太陽電池セル110は、受光面側に表面電極が設けられると共に裏面側に裏面電極が設けられている。配線部材111は、太陽電池セル110の表面電極に直交する位置に配置されている。   The solar battery unit 100 including the solar battery cell 110, the adhesive member 119, and the wiring member 111 is further installed in a laminator device in a state where a sealing member such as EVA, a glass plate, and the like are laminated, and obtained through a sealing process. You can also. FIG. 9 is a perspective view for explaining one process of the manufacturing method of the solar cell unit, and schematically shows a laminated body installed in the laminator device when the solar cell unit is manufactured through the sealing process. It is a perspective view. In this laminated body, the glass plate 200, the sealing member 210, the wiring member 111, the adhesive member (not shown), the solar cell 110, the bus bar electrode (not shown), the wiring member (not shown), and the sealing from the light receiving surface side. The member 210 and the back sheet 220 are arranged in this order. Solar cell 110 is provided with a surface electrode on the light receiving surface side and a back electrode on the back surface side. The wiring member 111 is disposed at a position orthogonal to the surface electrode of the solar battery cell 110.

ガラス板200としては、太陽電池用ディンプル付き白板強化ガラス等が挙げられる。封止部材210としては、EVAからなるEVAシート等が挙げられる。配線部材111としては、Cu線にはんだをディップ又はめっきしたタブ線等が挙げられる。バックシート220としては、PET系又はテドラ−PET積層材料、金属箔−PET積層材料等が挙げられる。   Examples of the glass plate 200 include white plate tempered glass with dimples for solar cells. Examples of the sealing member 210 include an EVA sheet made of EVA. Examples of the wiring member 111 include tab wires obtained by dipping or plating solder on Cu wires. Examples of the back sheet 220 include a PET-based or tedla-PET laminated material, a metal foil-PET laminated material, and the like.

接続工程において封止工程を同時に行う観点から、表面電極112及び配線部材111と、導電層118及び配線部材111とは、ラミネートによる封止工程のみで封止部材210と一括で接合されてもよい。ラミネートによる封止工程の条件としては、通常、封止部材210として一般的に使用されるEVA等の架橋条件で決定されるが、一般的には150℃で10分程度保持する等の条件が挙げられる。加熱圧着やラミネートによって、配線部材111の表面が導電層118や表面電極112の少なくとも一部に食い込んだ状態にすることで、接続状態をより確実にしてもよい。   From the viewpoint of simultaneously performing the sealing step in the connecting step, the surface electrode 112 and the wiring member 111, and the conductive layer 118 and the wiring member 111 may be joined together with the sealing member 210 only by a sealing step by lamination. . The conditions for the sealing process by laminating are usually determined by the crosslinking conditions such as EVA generally used as the sealing member 210, but generally the conditions such as holding for about 10 minutes at 150 ° C. Can be mentioned. By connecting the surface of the wiring member 111 into at least a part of the conductive layer 118 and the surface electrode 112 by thermocompression bonding or laminating, the connection state may be made more reliable.

太陽電池ユニットの構成は上記実施形態に限られるものではなく、例えば、太陽電池セルの裏面の構成は、配線部材搭載領域R2が導電層及び絶縁層を有する限り任意に調整し得る。   The configuration of the solar cell unit is not limited to the above embodiment. For example, the configuration of the back surface of the solar cell can be arbitrarily adjusted as long as the wiring member mounting region R2 includes the conductive layer and the insulating layer.

図10は、第2実施形態に係る太陽電池セルの裏面を模式的に示す図である。第2実施形態に係る太陽電池セル120は、絶縁層、裏面電極及び導電層の配置が異なることを除き太陽電池セル110と同様の構成を有している。太陽電池セル120は、裏面側に配置された絶縁層127、裏面電極125及び導電層128を有している。   FIG. 10 is a diagram schematically showing the back surface of the solar battery cell according to the second embodiment. The solar cell 120 according to the second embodiment has the same configuration as that of the solar cell 110 except that the arrangement of the insulating layer, the back electrode, and the conductive layer is different. The solar battery cell 120 has an insulating layer 127, a back electrode 125, and a conductive layer 128 arranged on the back side.

絶縁層127は、基板113の裏面の略全面を覆うように基板113の裏面に配置されている。絶縁層127には、開口部127aが形成されている。開口部127aは、ストリングス延在方向と略直交する方向に沿って形成され且つストリングス延在方向に沿って所定の間隔をもって形成された複数の第1の部分と、ストリングス延在方向に沿って形成され且つストリングス延在方向と略直交する方向に沿って所定の間隔をもって形成された複数の第2の部分と、を有している。絶縁層127の第1の部分及び第2の部分は、ストリングス延在方向と略直交する方向の略中央の領域において互いに略直交して格子状を呈している。   The insulating layer 127 is disposed on the back surface of the substrate 113 so as to cover substantially the entire back surface of the substrate 113. An opening 127 a is formed in the insulating layer 127. The opening 127a is formed along a direction extending substantially perpendicular to the string extending direction and a plurality of first portions formed at a predetermined interval along the string extending direction, and formed along the string extending direction. And a plurality of second portions formed at a predetermined interval along a direction substantially orthogonal to the string extending direction. The first portion and the second portion of the insulating layer 127 have a lattice shape substantially orthogonal to each other in a substantially central region in a direction substantially orthogonal to the string extending direction.

裏面電極125は、ストリングス延在方向に延びる2つの長尺部125aを有している。長尺部125aは、ストリングス延在方向と略直交する方向における絶縁層127の両端部のそれぞれの上において、絶縁層127の格子状の開口部127aが形成された領域を挟むように配置されている。   The back electrode 125 has two long portions 125a extending in the strings extending direction. The long portion 125a is arranged on both ends of the insulating layer 127 in a direction substantially orthogonal to the string extending direction so as to sandwich a region where the lattice-shaped opening 127a of the insulating layer 127 is formed. Yes.

ストリングス延在方向に延びる部分と、ストリングス延在方向と略直交する方向に延びる部分とを有する格子状の導電層128が長尺部125a間に配置されることにより、長尺部125a同士が導電層128を介して接続されている。長尺部125aは、絶縁層127の開口部127a内に至るまで延びることにより基板113のシリコン部に接している。長尺部125a間の領域は、配線部材搭載領域R2に相当する。配線部材搭載領域R2においては、導電層128が長尺部125a間から基板113のシリコン部まで延びることにより基板113のシリコン部に接している。   A grid-like conductive layer 128 having a portion extending in the string extending direction and a portion extending in a direction substantially orthogonal to the string extending direction is disposed between the long portions 125a, whereby the long portions 125a are electrically conductive. Connected through layer 128. The long portion 125 a is in contact with the silicon portion of the substrate 113 by extending to the opening 127 a of the insulating layer 127. A region between the long portions 125a corresponds to the wiring member mounting region R2. In the wiring member mounting region R2, the conductive layer 128 is in contact with the silicon portion of the substrate 113 by extending from between the long portions 125a to the silicon portion of the substrate 113.

図11は、第3実施形態に係る太陽電池セルの裏面を模式的に示す図である。図12は、第3実施形態に係る太陽電池セルの裏面における絶縁層パターンを模式的に示す平面図である。図13は、第3実施形態に係る太陽電池セルの裏面における導電層及び裏面電極(裏面電極パターン)を模式的に示す平面図である。   FIG. 11 is a diagram schematically showing the back surface of the solar battery cell according to the third embodiment. FIG. 12 is a plan view schematically showing an insulating layer pattern on the back surface of the solar battery cell according to the third embodiment. FIG. 13 is a plan view schematically showing a conductive layer and a back electrode (back electrode pattern) on the back surface of the solar battery cell according to the third embodiment.

第3実施形態に係る太陽電池セル130は、絶縁層、裏面電極及び導電層の配置が異なることを除き太陽電池セル110と同様の構成を有している。太陽電池セル130は、裏面側に配置された絶縁層137、裏面電極135及び導電層138を有している。   The solar cell 130 according to the third embodiment has the same configuration as that of the solar cell 110 except that the arrangement of the insulating layer, the back electrode, and the conductive layer is different. The solar battery cell 130 has an insulating layer 137, a back electrode 135, and a conductive layer 138 disposed on the back side.

絶縁層137は、基板113の裏面の略全面を覆うように基板113の裏面に配置されている。絶縁層137は、複数のドット状の開口部137aが形成された第1の部分と、複数のドット状の第2の部分137bとを有している。第2の部分137bは、ストリングス延在方向と略直交する方向における略中央の領域においてアレイ状に配置されており、第2の部分137bが配置された領域は、絶縁層137における2つの前記第1の部分に挟まれている。開口部137aは、絶縁層137における前記第1の部分においてアレイ状に形成されている。   The insulating layer 137 is disposed on the back surface of the substrate 113 so as to cover substantially the entire back surface of the substrate 113. The insulating layer 137 includes a first portion in which a plurality of dot-shaped openings 137a are formed, and a plurality of dot-shaped second portions 137b. The second portion 137b is arranged in an array in a substantially central region in a direction substantially orthogonal to the string extending direction, and the region in which the second portion 137b is disposed is the two first portions in the insulating layer 137. 1 is sandwiched between parts. The openings 137a are formed in an array at the first portion of the insulating layer 137.

裏面電極135は、ストリングス延在方向に延びる2つの長尺部135aを有している。長尺部135aは、ストリングス延在方向と略直交する方向における絶縁層137の両端部のそれぞれの上において、絶縁層137の第2の部分137bが配置された領域を挟むように配置されている。   The back electrode 135 has two long portions 135a extending in the string extending direction. The long portion 135a is disposed on both ends of the insulating layer 137 in a direction substantially orthogonal to the string extending direction so as to sandwich the region where the second portion 137b of the insulating layer 137 is disposed. .

導電層138は、絶縁層137の第2の部分137bが配置された領域上において、裏面電極135の長尺部135aの間に配置されている。導電層138には、絶縁層137の第2の部分137bが露出するための複数の開口部が形成されている。   The conductive layer 138 is disposed between the elongated portions 135a of the back electrode 135 on the region where the second portion 137b of the insulating layer 137 is disposed. In the conductive layer 138, a plurality of openings for exposing the second portion 137b of the insulating layer 137 are formed.

長尺部135aは、絶縁層137の開口部137a内に至るまで延びることにより基板113のシリコン部に接している。長尺部135a間の領域は、配線部材搭載領域R2に相当する。配線部材搭載領域R2においては、導電層138が長尺部135a間から基板113のシリコン部まで延びることにより基板113のシリコン部に接している。   The elongated portion 135a is in contact with the silicon portion of the substrate 113 by extending to the opening 137a of the insulating layer 137. A region between the long portions 135a corresponds to the wiring member mounting region R2. In the wiring member mounting region R2, the conductive layer 138 is in contact with the silicon portion of the substrate 113 by extending from between the long portions 135a to the silicon portion of the substrate 113.

図14は、第4実施形態に係る太陽電池セルの裏面を模式的に示す図である。図15は、第4実施形態に係る太陽電池セルの裏面における絶縁層パターンを模式的に示す平面図である。図16は、第4実施形態に係る太陽電池セルの裏面における裏面電極(裏面電極パターン)を模式的に示す平面図である。図17は、第4実施形態に係る太陽電池セルの裏面における導電層を模式的に示す平面図である。   FIG. 14 is a diagram schematically showing the back surface of the solar battery cell according to the fourth embodiment. FIG. 15 is a plan view schematically showing an insulating layer pattern on the back surface of the solar battery cell according to the fourth embodiment. FIG. 16 is a plan view schematically showing a back electrode (back electrode pattern) on the back surface of the solar battery cell according to the fourth embodiment. FIG. 17 is a plan view schematically showing a conductive layer on the back surface of the solar battery cell according to the fourth embodiment.

第4実施形態に係る太陽電池セル140は、配線部材搭載領域R2の構成が異なることを除き太陽電池セル130と同様の構成を有している。太陽電池セル140は、裏面側に配置された絶縁層147、裏面電極145及び導電層148を有している。   The solar cell 140 according to the fourth embodiment has the same configuration as that of the solar cell 130 except that the configuration of the wiring member mounting region R2 is different. The solar battery cell 140 has an insulating layer 147, a back electrode 145, and a conductive layer 148 disposed on the back side.

絶縁層147は、基板113の裏面の略全面を覆うように基板113の裏面に配置されている。絶縁層147には、複数のドット状の開口部147a、及び、複数本の細長い直線状の開口部147bが形成されている。開口部147bは、ストリングス延在方向と略直交する方向における略中央の領域において、ストリングス延在方向と略直交する方向に沿って形成され、ストリングス延在方向に沿って所定の間隔をもって形成されている。開口部147bが形成された領域は、開口部147aが形成された領域の間に位置している。開口部147aは、アレイ状に形成されている。   The insulating layer 147 is disposed on the back surface of the substrate 113 so as to cover substantially the entire back surface of the substrate 113. In the insulating layer 147, a plurality of dot-shaped openings 147a and a plurality of elongated linear openings 147b are formed. The opening 147b is formed in a substantially central region in a direction substantially orthogonal to the strings extending direction, along a direction substantially orthogonal to the strings extending direction, and is formed at a predetermined interval along the strings extending direction. Yes. The region where the opening 147b is formed is located between the regions where the opening 147a is formed. The openings 147a are formed in an array.

裏面電極145は、ストリングス延在方向に延びる2つの長尺部145aを有しており、太陽電池セル130の裏面電極135と同様の構成を有している。   The back electrode 145 has two long portions 145 a extending in the strings extending direction, and has the same configuration as the back electrode 135 of the solar battery cell 130.

導電層148は、複数本の細長い直線状であり、配線部材搭載領域R2において開口部147bの形成位置に対応して配置されている。導電層148は、長尺部145a間から基板113のシリコン部まで延びることにより基板113のシリコン部に接している。   The conductive layer 148 has a plurality of elongated straight lines, and is disposed corresponding to the position where the opening 147b is formed in the wiring member mounting region R2. The conductive layer 148 is in contact with the silicon portion of the substrate 113 by extending from between the long portions 145 a to the silicon portion of the substrate 113.

ところで、直線状の導電層は、ストリングス延在方向と略直交する方向に延びる部分を有することなく、ストリングス延在方向に延びる部分のみを有していてもよい。図18は、第5実施形態に係る太陽電池セルの裏面を模式的に示す図である。第5実施形態に係る太陽電池セル150は、配線部材搭載領域R2の構成が上記の各太陽電池セルと異なる。太陽電池セル150は、裏面側に配置された絶縁層157、裏面電極155及び導電層158を有している。太陽電池セル150では、裏面電極155の長尺部155a間の領域において、ストリングス延在方向に延びるように絶縁層157に複数の開口部が形成されており、配線部材搭載領域R2において、導電層158が絶縁層157の開口部の形成位置に対応して配置されている。   By the way, the linear conductive layer may have only a portion extending in the strings extending direction without having a portion extending in a direction substantially orthogonal to the strings extending direction. FIG. 18 is a diagram schematically showing the back surface of the solar battery cell according to the fifth embodiment. The solar battery cell 150 according to the fifth embodiment is different from the above solar battery cells in the configuration of the wiring member mounting region R2. The solar battery cell 150 includes an insulating layer 157, a back electrode 155, and a conductive layer 158 arranged on the back side. In the solar battery 150, a plurality of openings are formed in the insulating layer 157 so as to extend in the string extending direction in the region between the long portions 155a of the back electrode 155. In the wiring member mounting region R2, the conductive layer 158 is arranged corresponding to the position where the opening of the insulating layer 157 is formed.

また、格子状の導電層の構成も任意に調整し得る。図19は、第6実施形態に係る太陽電池セルの裏面を模式的に示す図である。第6実施形態に係る太陽電池セル160は、裏面側に配置された絶縁層167、裏面電極165及び導電層168を有している。太陽電池セル160では、ストリングス延在方向と略直交する方向に延びる複数の開口部と、裏面電極165の長尺部165a間の領域においてストリングス延在方向に延びる1本の開口部とが絶縁層167に形成されており、配線部材搭載領域R2において、導電層168が絶縁層167の開口部の形成位置に対応して配置されている。   In addition, the configuration of the grid-like conductive layer can be arbitrarily adjusted. FIG. 19 is a diagram schematically showing the back surface of the solar battery cell according to the sixth embodiment. The solar battery cell 160 according to the sixth embodiment includes an insulating layer 167, a back electrode 165, and a conductive layer 168 disposed on the back surface side. In the solar cell 160, an insulating layer includes a plurality of openings extending in a direction substantially orthogonal to the strings extending direction and one opening extending in the strings extending direction in a region between the long portions 165a of the back electrode 165. In the wiring member mounting region R <b> 2, the conductive layer 168 is disposed corresponding to the formation position of the opening of the insulating layer 167.

さらに、太陽電池セルの受光面の構成も任意に調整し得る。例えば、太陽電池セル110の受光面の表面電極112は、ストリングス延在方向に延びる電極部112aを配線部材搭載領域R1に有していてもよい(図20)。この場合、バスバー電極を配置することなく電極部112a及び配線部材111を接続することができる。   Furthermore, the configuration of the light receiving surface of the solar battery cell can be arbitrarily adjusted. For example, the surface electrode 112 on the light receiving surface of the solar battery cell 110 may have an electrode portion 112a extending in the string extending direction in the wiring member mounting region R1 (FIG. 20). In this case, the electrode part 112a and the wiring member 111 can be connected without disposing the bus bar electrode.

配線部材搭載領域の数は上記実施形態に限られるものではなく、セル設計によって任意の本数を設けることができる。配線部材搭載領域の数は例えば2〜4本である。1枚のセルの表裏それぞれの面に配線部材搭載領域を設けることができる。   The number of wiring member mounting regions is not limited to the above embodiment, and an arbitrary number can be provided depending on the cell design. The number of wiring member mounting areas is 2 to 4, for example. Wiring member mounting areas can be provided on the front and back surfaces of one cell.

直線状の部材(例えば導電層148)や開口部(例えば開口部147b)の幅は、2mm以下が好ましく、1mm以下がより好ましく、0.5mm以下が更に好ましい。ドット状の部材(例えば絶縁層137の第2の部分137b)や開口部(例えば開口部137a,147a)のドット径は、2mm以下が好ましく、1mm以下がより好ましく、0.5mm以下が更に好ましい。   The width of the linear member (for example, the conductive layer 148) or the opening (for example, the opening 147b) is preferably 2 mm or less, more preferably 1 mm or less, and further preferably 0.5 mm or less. The dot diameter of the dot-shaped member (for example, the second portion 137b of the insulating layer 137) or the opening (for example, the openings 137a and 147a) is preferably 2 mm or less, more preferably 1 mm or less, and even more preferably 0.5 mm or less. .

以上説明した太陽電池ユニットでは、太陽電池セルと配線部材とが接合される太陽電池として、従来のバスバー面積を低減しながらも、従来のバスバー領域で発生していたキャリア再結合を抑制し、良好な太陽電池特性を提供することができる。   In the solar battery unit described above, as a solar battery in which the solar battery cell and the wiring member are joined, while reducing the conventional bus bar area, it suppresses carrier recombination that has occurred in the conventional bus bar region, and is good Solar cell characteristics can be provided.

太陽電池セルと配線部材とが適切に接合されていることを評価する方法として、例えば、ソーラーシミュレータによる電流−電圧(I−V)曲線測定が挙げられる。このとき得られる短絡電流(Isc)と開放電圧(Voc)との積を、最大電流値(Pmax)で除して得られる曲線因子(F.F.)の値で評価できる。   As a method for evaluating that the solar battery cell and the wiring member are appropriately joined, for example, current-voltage (IV) curve measurement using a solar simulator can be given. The product of the short circuit current (Isc) and the open circuit voltage (Voc) obtained at this time can be evaluated by the value of the curve factor (FF) obtained by dividing the product by the maximum current value (Pmax).

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to a following example.

<太陽電池ユニットの作製>
(実施例1)
まず、シリコン単結晶p型半導体基板(125mm角、厚さ200μm)を用意し、アルカリエッチングにより受光面及び裏面にテクスチャー構造を形成した。次いで、オキシ塩化リン(POCl)、窒素及び酸素の混合ガス雰囲気において、900℃の温度で20分間処理し、受光面、裏面及び側面にn型拡散層を形成した。その後、サイドエッチングを行うことにより側面のPSG層及びn型拡散層を除去し、そして、フッ酸を含むエッチング溶液を用いて受光面及び裏面のPSG層を除去した。さらに、裏面については、別途エッチング処理を行い裏面のn型拡散層を除去した。その後、窒化ケイ素からなる反射防止膜を受光面のn型拡散層上にPECVDにより約90nmの厚さで形成した。
<Production of solar cell unit>
Example 1
First, a silicon single crystal p-type semiconductor substrate (125 mm square, thickness 200 μm) was prepared, and texture structures were formed on the light receiving surface and the back surface by alkali etching. Next, treatment was performed at a temperature of 900 ° C. for 20 minutes in a mixed gas atmosphere of phosphorus oxychloride (POCl 3 ), nitrogen, and oxygen to form n + -type diffusion layers on the light-receiving surface, the back surface, and the side surfaces. Thereafter, the side PSG layer and the n + -type diffusion layer were removed by performing side etching, and the PSG layer on the light-receiving surface and the back surface was removed using an etching solution containing hydrofluoric acid. Further, the back surface was separately etched to remove the n + -type diffusion layer on the back surface. Thereafter, an antireflection film made of silicon nitride was formed on the n + type diffusion layer on the light receiving surface by PECVD to a thickness of about 90 nm.

次いで、絶縁層として、ALD法(原子層堆積法)によって酸化アルミニウム膜を裏面に形成した後、Nd:YAGレーザーを用いて図6のパターンを形成した。なお、図6に示すように絶縁層はライン状の開口部を有しており、後の工程で形成される裏面電極がp型半導体基板に接触するように開口部を形成した。このライン状の開口部のパターンは、ライン幅(L)を300μmとし、ライン間隔(ライン中心からラインの中心)を0.5mmとした。 Next, as an insulating layer, an aluminum oxide film was formed on the back surface by an ALD method (atomic layer deposition method), and then the pattern of FIG. 6 was formed using an Nd: YAG laser. As shown in FIG. 6, the insulating layer has a line-shaped opening, and the opening is formed so that the back electrode formed in a later step is in contact with the p-type semiconductor substrate. The line-shaped opening pattern had a line width (L a ) of 300 μm and a line interval (line center to line center) of 0.5 mm.

次いで、アルミニウム電極ペースト(PVG−AD−02、PVG Solutions株式会社製)をスクリーン印刷法にて裏面に図7のパターンで印刷した。このようなアルミニウム電極ペーストにより導電層を裏面電極と同時に裏面に形成し、導電層と絶縁層とを有する配線部材搭載領域を備える図5の裏面パターンを得た。   Next, an aluminum electrode paste (PVG-AD-02, manufactured by PVG Solutions, Inc.) was printed on the back surface with the pattern of FIG. 7 by a screen printing method. A conductive layer was formed on the back surface simultaneously with the back electrode using such an aluminum electrode paste, and the back surface pattern of FIG. 5 provided with a wiring member mounting region having a conductive layer and an insulating layer was obtained.

一方、受光面には銀電極ペースト(PV−16A、DuPont社製)をスクリーン印刷法にて図4に示すパターンで印刷した。電極パターンが幅200μm、ライン間隔2.0mmである表面電極が形成され、熱処理(焼成)後の厚さが20μmとなるように印刷条件(スクリーン版のメッシュ、印刷速度及び印圧)を適宜調整した。また、表面電極は、裏面の導電層、及び、絶縁層の開口部に埋め込まれた裏面電極と半導体基板(シリコン)を介して相対する位置になるように形成した。これを150℃の温度で5分間加熱し、液状媒体を蒸散させることで乾燥処理を行った。   On the other hand, a silver electrode paste (PV-16A, manufactured by DuPont) was printed on the light receiving surface with the pattern shown in FIG. 4 by screen printing. The printing conditions (screen plate mesh, printing speed and printing pressure) are appropriately adjusted so that a surface electrode having an electrode pattern width of 200 μm and a line spacing of 2.0 mm is formed and the thickness after heat treatment (firing) is 20 μm. did. Further, the front surface electrode was formed so as to be opposed to the back surface conductive layer and the back surface electrode embedded in the opening of the insulating layer through the semiconductor substrate (silicon). This was heated at a temperature of 150 ° C. for 5 minutes to evaporate the liquid medium, thereby performing a drying treatment.

続いて、トンネル炉(1列搬送W/Bトンネル炉、株式会社ノリタケ製)を用いて大気中雰囲気下、最高温度800℃、保持時間10秒の条件で熱処理(焼成)を行って、所望の電極が形成された太陽電池素子を作製した。   Subsequently, heat treatment (firing) is performed using a tunnel furnace (single-line transport W / B tunnel furnace, manufactured by Noritake Co., Ltd.) in the atmosphere at a maximum temperature of 800 ° C. and a holding time of 10 seconds. A solar cell element on which an electrode was formed was produced.

上記で得られた太陽電池素子において、受光面出力取出し電極(表面電極)を有する配線部材搭載領域、及び、裏面出力取出し電極(導電層)を有する配線部材搭載領域の上に、導電フィルム(CF、日立化成株式会社製)を貼付け、その上に配線部材(太陽電池用はんだめっき平角線、製品名:SSA−TPS 0.2×1.5(20)、厚さ0.2mm×幅1.5mmの銅線にSn−Ag−Cu系鉛フリーはんだを片面あたり最大20μmの厚さでめっきした仕様、日立電線ファインテック株式会社製)を配置し、圧着装置(MB−200WH、日立化成株式会社製)を用い、180℃、2MPa、10秒で、上記配線部材と受光面出力取出し電極及び裏面出力取出し電極とを接続した。   In the solar cell element obtained above, a conductive film (CF) is formed on the wiring member mounting region having the light receiving surface output extraction electrode (front surface electrode) and the wiring member mounting region having the back surface output extraction electrode (conductive layer). , Manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., and a wiring member (solder-plated rectangular wire for solar cell, product name: SSA-TPS 0.2 × 1.5 (20), thickness 0.2 mm × width 1). Specification of Sn-Ag-Cu lead-free solder plated to a maximum thickness of 20 μm per side on a 5 mm copper wire, manufactured by Hitachi Cable Finetech Co., Ltd., and crimping device (MB-200WH, Hitachi Chemical Co., Ltd.) The wiring member was connected to the light receiving surface output extraction electrode and the back surface output extraction electrode at 180 ° C., 2 MPa, and 10 seconds.

その後、ガラス板(白板強化ガラス3KWE33、旭硝子株式会社製)、封止部材(エチレンビニルアセテート;EVA)及びバックシートを用いて、図9に示すように、ガラス板/封止部材/配線材料を接続した太陽電池素子/封止部材/バックシートの順で積層し、この積層体を真空ラミネータ(LM−50×50、株式会社エヌ・ピー・シー製)を用いて、配線部材の一部が露出するように、140℃の温度で5分間真空ラミネートし、太陽電池ユニットを作製した。   Then, using a glass plate (white plate tempered glass 3KWE33, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), a sealing member (ethylene vinyl acetate; EVA), and a back sheet, as shown in FIG. The connected solar cell elements / sealing member / back sheet are laminated in this order, and this laminate is used as a part of the wiring member using a vacuum laminator (LM-50 × 50, manufactured by NPC Corporation). A vacuum lamination was performed at 140 ° C. for 5 minutes to expose the solar cell unit.

(実施例2)
実施例1の構成に代えて、絶縁層において、後の工程で導電層及び裏面電極が形成される部分を開口部として形成し、当該開口部からp型半導体基板が露出したパターン(図12に示すようなパターン)を形成した。図11の配線部材搭載領域を挟む両側の領域には、ドット状の開口部を有する絶縁層を形成し、配線部材搭載領域には、ドット状の絶縁層を形成した。ドット状の開口部のパターンにおいて、ドット径は300μm、ドット間隔(ドット中心からドット中心までの距離)は0.5mmであった。配線部材搭載領域のドット径(L)は200μm、ドット間隔(L)は0.4mmであった(導電層の開口部の形状に相当する)。受光面の表面電極と相対する位置にドットが配置されないようにして、図11の裏面パターンを得た。その他は実施例1と同様にして、太陽電池ユニットを作製した。
(Example 2)
Instead of the configuration of Example 1, in the insulating layer, a portion where the conductive layer and the back electrode are formed in a later step is formed as an opening, and the p-type semiconductor substrate is exposed from the opening (see FIG. 12). Pattern as shown) was formed. Insulating layers having dot-shaped openings were formed in the regions on both sides of the wiring member mounting region in FIG. 11, and dot-shaped insulating layers were formed in the wiring member mounting region. In the dot-shaped opening pattern, the dot diameter was 300 μm, and the dot interval (distance from the dot center to the dot center) was 0.5 mm. The dot diameter (L a ) of the wiring member mounting region was 200 μm, and the dot interval (L b ) was 0.4 mm (corresponding to the shape of the opening of the conductive layer). The back surface pattern of FIG. 11 was obtained in such a manner that dots were not arranged at positions facing the front surface electrode of the light receiving surface. Others were the same as in Example 1, and a solar cell unit was produced.

(実施例3)
実施例1の絶縁層に代えて、スピンコート法を用いてガラスペーストを塗布することにより絶縁層として酸化ケイ素層を形成した後、150℃の温度で5分間乾燥し、700℃の温度で10分間熱処理(焼成)を行うことにより絶縁層を形成した他は実施例1と同様にして、太陽電池ユニットを作製した。
(Example 3)
Instead of the insulating layer of Example 1, a silicon paste layer was formed as an insulating layer by applying a glass paste using a spin coating method, and then dried at a temperature of 150 ° C. for 5 minutes, and then at a temperature of 700 ° C. for 10 minutes. A solar cell unit was produced in the same manner as in Example 1 except that the insulating layer was formed by performing heat treatment (firing) for minutes.

(実施例4)
実施例1の絶縁層に代えて、プラズマCVD装置を用いて絶縁層として窒化ケイ素層を形成した他は実施例1と同様にして、太陽電池ユニットを作製した。
(Example 4)
A solar cell unit was produced in the same manner as in Example 1 except that instead of the insulating layer of Example 1, a silicon nitride layer was formed as an insulating layer using a plasma CVD apparatus.

(実施例5)
実施例1の絶縁層に代えて、絶縁層として酸化アルミニウム層を形成した後に実施例4の窒化シリコン層を形成した他は実施例1と同様にして、太陽電池ユニットを作製した。
(Example 5)
A solar cell unit was produced in the same manner as in Example 1 except that instead of the insulating layer of Example 1, an aluminum oxide layer was formed as an insulating layer and then the silicon nitride layer of Example 4 was formed.

(実施例6)
実施例1の絶縁層に代えて、絶縁層として実施例3の酸化ケイ素層を形成した後に実施例4の窒化シリコンを形成した他は実施例1と同様にして、太陽電池ユニットを作製した。
(Example 6)
A solar cell unit was fabricated in the same manner as in Example 1 except that instead of the insulating layer of Example 1, the silicon oxide layer of Example 3 was formed as the insulating layer and then the silicon nitride of Example 4 was formed.

(実施例7)
実施例1の構成に代えて、図15の絶縁層パターンを形成した後、ガラス粒子を含むCuペーストを用いて導電層スクリーン印刷して図17のパターンを形成し、150℃に加熱したオーブンの中に15分間入れ、溶剤を蒸散により取り除いた。その後、アルミニウム電極ペーストを用いて図16のパターンの裏面電極を形成して、図14の裏面パターンを得た他は実施例1と同様にして、太陽電池ユニットを作製した。
(Example 7)
Instead of the configuration of Example 1, after forming the insulating layer pattern of FIG. 15, the conductive layer screen printing was performed using Cu paste containing glass particles to form the pattern of FIG. 17, and the oven heated to 150 ° C. The solvent was removed by transpiration for 15 minutes. Thereafter, a back electrode having the pattern of FIG. 16 was formed using an aluminum electrode paste, and a solar cell unit was produced in the same manner as in Example 1 except that the back pattern of FIG. 14 was obtained.

(実施例8)
実施例7のCuペーストに代えて、Snめっきで図17のパターンを形成した。その後、アルミニウム電極ペーストを用いて図16のパターンの裏面電極を形成して、図14の裏面パターンを得た他は実施例1と同様にして、太陽電池ユニットを作製した。
(Example 8)
In place of the Cu paste of Example 7, the pattern of FIG. 17 was formed by Sn plating. Thereafter, a back electrode having the pattern of FIG. 16 was formed using an aluminum electrode paste, and a solar cell unit was produced in the same manner as in Example 1 except that the back pattern of FIG. 14 was obtained.

(実施例9)
実施例7の導電層を銀電極ペースト(PV−505、DuPont社製)に変更した他は実施例7と同様にして、太陽電池ユニットを作製した。
Example 9
A solar cell unit was produced in the same manner as in Example 7 except that the conductive layer of Example 7 was changed to a silver electrode paste (PV-505, manufactured by DuPont).

(比較例1)
裏面において、絶縁層を形成せず、銀電極ペースト(PV−16A、DuPont社製)を用いて、配線部材搭載領域に沿った導電層と、裏面電極(導電層以外の部分)とを形成し(図3)、受光面において、銀電極ペースト(PV−16A、DuPont社製)を用いて電極パターンとして120μm幅の表面電極と1.5mm幅のバスバー電極とを形成した。いわゆる、一般的な太陽電池セルの裏面パターンとした。それ以外は実施例1と同様にして、太陽電池ユニットを作製した。
(Comparative Example 1)
On the back surface, without forming an insulating layer, using a silver electrode paste (PV-16A, manufactured by DuPont), a conductive layer along the wiring member mounting region and a back electrode (portion other than the conductive layer) are formed. (FIG. 3) On the light receiving surface, a silver electrode paste (PV-16A, manufactured by DuPont) was used to form a surface electrode having a width of 120 μm and a bus bar electrode having a width of 1.5 mm as an electrode pattern. A so-called back surface pattern of a general solar battery cell was used. Other than that was carried out similarly to Example 1, and produced the solar cell unit.

(比較例2)
裏面において、絶縁層を形成せず、導電層としてCuペーストに代えて銀電極ペースト(PV−505、DuPont社製)をスクリーン印刷法にて印刷した他は実施例7と同様にして、太陽電池ユニットを作製した。
(Comparative Example 2)
In the same manner as in Example 7, except that an insulating layer was not formed on the back surface and a silver electrode paste (PV-505, manufactured by DuPont) was printed instead of Cu paste as a conductive layer by a screen printing method. A unit was made.

<評価>
作製した太陽電池ユニットの発電性能の評価は、擬似太陽光(WXS−155S−10、株式会社ワコム電創製)と、電圧−電流(I−V)評価測定器(I−V CURVE TRACER MP−180、英弘精機株式会社製)の測定装置とを組み合わせて行った。太陽電池としての発電性能を示す、Voc(開放電圧)、F.F.(形状因子)、η(変換効率)は、それぞれJIS−C−8913及びJIS−C−8914に準拠した測定により得た。得られた測定値(Voc、F.F.及びη)を比較例1で作製した太陽電池ユニットの測定値を100.0とした相対値に換算した。各評価結果を表1に示す。
<Evaluation>
Evaluation of the power generation performance of the produced solar cell unit was performed using simulated sunlight (WXS-155S-10, manufactured by Wacom Denso Co., Ltd.) and a voltage-current (IV) evaluation measuring instrument (IV CURVE TRACER MP-180). And a measuring device manufactured by Eihiro Seiki Co., Ltd.). Voc (open voltage), F., which indicates power generation performance as a solar cell. F. (Form factor) and η (conversion efficiency) were obtained by measurements based on JIS-C-8913 and JIS-C-8914, respectively. The obtained measured values (Voc, FF and η) were converted into relative values with the measured value of the solar cell unit produced in Comparative Example 1 as 100.0. Each evaluation result is shown in Table 1.

Figure 0006455099
Figure 0006455099

10,110,120,130,140,150,160…太陽電池セル、12,112…表面電極、13,113…基板、14,114…反射防止膜、15,115,125,135,145,155,165…裏面電極、16a,16b…バスバー電極、100…太陽電池ユニット、110a…受光面、110b…裏面、111…配線部材、112a…電極部、115a,125a,135a,145a,155a,165a…長尺部、117,127,137,147,157,167…絶縁層、117a,127a,137a,147a,147b…開口部、118,128,138,148,158,168…導電層、119…接着部材、119a…金属粒子、137b…絶縁層の一部分、200…ガラス板、210…封止部材、220…バックシート、R1,R2…配線部材搭載領域。
10, 110, 120, 130, 140, 150, 160 ... solar cell, 12, 112 ... surface electrode, 13, 113 ... substrate, 14, 114 ... antireflection film, 15, 115, 125, 135, 145, 155 165, back electrode, 16a, 16b, bus bar electrode, 100 solar cell unit, 110a, light receiving surface, 110b, back surface, 111, wiring member, 112a, electrode portion, 115a, 125a, 135a, 145a, 155a, 165a,. Long portion, 117, 127, 137, 147, 157, 167 ... insulating layer, 117a, 127a, 137a, 147a, 147b ... opening, 118, 128, 138, 148, 158, 168 ... conductive layer, 119 ... adhesion Member, 119a ... metal particles, 137b ... part of the insulating layer, 200 ... glass plate, 210 ... sealing member, 20 ... back sheet, R1, R2 ... wiring member mounting region.

Claims (10)

複数の太陽電池セルと、前記太陽電池セル同士を電気的に接続する配線部材と、を備える太陽電池ユニットであって、
前記太陽電池セルが、受光面とは反対側の裏面に配置された裏面電極、導電層、及び、絶縁層を備え、
前記裏面電極及び前記導電層が、前記太陽電池セル同士の接続方向に直交する方向に互いに接しており、
記太陽電池セルの前記裏面側において、前記配線部材の搭載領域が前記導電層及び前記絶縁層を有している、太陽電池ユニット。
A solar cell unit comprising a plurality of solar cells and a wiring member that electrically connects the solar cells,
The solar battery cell includes a back electrode, a conductive layer, and an insulating layer disposed on the back surface opposite to the light receiving surface,
The back electrode and the conductive layer are in contact with each other in a direction orthogonal to the connection direction between the solar cells,
In the back side of the front Symbol solar cell mounting region of the wiring member has the conductive layer and the insulating layer, the solar cell unit.
前記導電層がAl、Al−Si合金、Cu、Sn又はAgを含む、請求項1に記載の太陽電池ユニット。   The solar cell unit according to claim 1, wherein the conductive layer contains Al, an Al-Si alloy, Cu, Sn, or Ag. 前記裏面電極が前記導電層と同一の材料で構成されている、請求項1又は2に記載の太陽電池ユニット。   The solar cell unit according to claim 1 or 2, wherein the back electrode is made of the same material as the conductive layer. 前記絶縁層が窒化シリコン、酸化シリコン又は酸化アルミニウムを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の太陽電池ユニット。   The solar cell unit according to any one of claims 1 to 3, wherein the insulating layer includes silicon nitride, silicon oxide, or aluminum oxide. 前記絶縁層が開口部を有しており、
前記開口部を介して前記裏面電極と前記太陽電池セルとが接している、請求項1〜4のいずれか一項に記載の太陽電池ユニット。
The insulating layer has an opening;
The solar cell unit according to any one of claims 1 to 4, wherein the back electrode and the solar cell are in contact with each other through the opening.
前記裏面電極の少なくとも一部が前記配線部材の搭載領域にまたがって配置されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の太陽電池ユニット。   The solar cell unit according to any one of claims 1 to 5, wherein at least a part of the back electrode is disposed across a mounting region of the wiring member. 前記導電層の少なくとも一部が前記裏面電極と重なって配置されている、請求項1〜6のいずれか一項に記載の太陽電池ユニット。   The solar cell unit according to any one of claims 1 to 6, wherein at least a part of the conductive layer is disposed so as to overlap the back electrode. 前記受光面にバスバー電極が配置されることなく表面電極が前記太陽電池セルと前記配線部材との間に配置されており、
前記配線部材の搭載領域における前記表面電極に相対する位置に前記導電層が配置されている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の太陽電池ユニット。
A surface electrode is disposed between the solar cell and the wiring member without a bus bar electrode being disposed on the light receiving surface,
The solar cell unit according to any one of claims 1 to 7, wherein the conductive layer is disposed at a position facing the surface electrode in a mounting region of the wiring member.
請求項1〜8のいずれか一項に記載の太陽電池ユニットの製造方法であって、
前記太陽電池セルの前記配線部材の搭載領域上に接着部材及び前記配線部材をこの順に配置する配置工程と、
前記配置工程の後、加圧して前記太陽電池セルと前記配線部材とを接続する接続工程と、を含む、太陽電池ユニットの製造方法。
It is a manufacturing method of the solar cell unit as described in any one of Claims 1-8,
An arrangement step of arranging the adhesive member and the wiring member in this order on the mounting region of the wiring member of the solar battery cell,
The manufacturing method of a solar cell unit including the connection process which pressurizes and connects the said photovoltaic cell and the said wiring member after the said arrangement | positioning process.
前記配置工程において前記接着部材がフィルム状である、請求項9に記載の太陽電池ユニットの製造方法。   The manufacturing method of the solar cell unit according to claim 9, wherein the adhesive member is in a film form in the arranging step.
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