JP6447045B2

JP6447045B2 - 光受信モジュール

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Publication number: JP6447045B2
Application number: JP2014235178A
Authority: JP
Inventors: 慎太河西; 中島　史博; 史博中島
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2014-11-20
Filing date: 2014-11-20
Publication date: 2019-01-09
Anticipated expiration: 2034-11-20
Also published as: JP2016100422A

Description

本発明は光受信モジュールに関する。

従来、光通信に用いられる光受信モジュールにおいて、コンデンサを用いてノイズを低減する技術が知られている（例えば特許文献１，２，３参照）。例えば特許文献１では、抵抗及びコンデンサを用いたＲＣフィルタにより、ＰＤ（Photo Diode）又はＡＰＤ（Avalanche Photo Diode）バイアスのノイズを除去している。

特開平７−０２２６４２号公報特開２００６−２７０６１６号公報特開２００３−１３４０５１号公報

ところで、近年、サーバ間通信の伝送容量のボトルネックを解決すべく、光伝送容量を４０Ｇｂｐｓあるいは１００Ｇｂｐｓ等に拡張した光トランシーバが普及している。このような光トランシーバにおいては、伝送密度の上昇に伴う高密度実装を図るために、各構成が集積化される。このような集積化が行われた光トランシーバでは、光受信モジュールに係る電気配線と、光送信モジュールに係る電気配線とが近接することとなる。このことにより、光受信モジュールに係る信号と光送信モジュールに係る信号との間でクロストークが発生しやすくなり、クロストークに起因した問題が発生するおそれがある。

具体的には、光送信モジュールに係る電気配線を伝わる信号から光受信モジュールに係る電気配線を伝わるバイアス電圧へノイズが印加されることによって、光受信モジュールの光受信感度が低下するおそれがある。上述したような光伝送容量が拡張された光トランシーバの光受信モジュールでは、複数の受光素子が集積化されることとなるので、光送信モジュールに係る信号からのノイズは、各受光素子に係る電気配線を介して各受光素子に係るバイアス電圧それぞれに印加されることとなる。複数の受光素子がノイズの影響を受けることによって、光受信モジュールの光受信感度の低下が顕著となっている。

本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、受光素子におけるノイズの影響を低減することにより、光受信感度の低下を抑制することができる光受信モジュールを提供することを目的とする。

本発明に係る光受信モジュールは、その一側面として、光送信モジュールに駆動信号を供給する信号配線と共に光送受信器の内部に実装される光受信モジュールであって、外部のバイアス電源からバイアス電圧を供給されて、受光強度に応じた電気信号を出力する第１の受光素子及び第２の受光素子と、バイアス電源から第１の受光素子へバイアス電圧を供給するための第１の外部配線に接続された第１の接続端子と、第１の接続端子と第１の受光素子とを接続する第１の内部配線と、バイアス電源から第２の受光素子へバイアス電圧を供給するための、第１の外部配線よりも信号配線に近接して配置された第２の外部配線に接続された第２の接続端子と、第２の接続端子と第２の受光素子とを接続する第２の内部配線と、第１の内部配線に設けられた、第１の抵抗及び第１のコンデンサを有する第１のノイズ除去部と、第２の内部配線に設けられた、第２の抵抗及び第２のコンデンサを有する第２のノイズ除去部と、を有し、第２の内部配線における第２の接続端子から第２の抵抗までの長さは、第１の内部配線における第１の接続端子から第１の抵抗までの長さよりも短い。

本発明によれば、受光素子におけるノイズの影響を低減することにより、光受信感度の低下を抑制することができる光受信モジュールを提供することができる。

本実施形態に係る光トランシーバの構成を示すブロック図である。図１に示す光トランシーバの光受信モジュールの回路図である。ＲＣフィルターのカットオフ周波数を示すグラフである。図２に示す光受信モジュールのキャリア実装図である。

[本願発明の実施形態の説明]
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。

この光受信モジュールでは、第２の接続端子において第２の内部配線に接続される第２の外部配線が、第１の接続端子において第１の内部配線に接続される第１の外部配線よりも信号配線に近接して配置されている。すなわち、第２の外部配線は、第１の外部配線よりも光送信モジュールに係る信号配線寄りの位置に配置されている。このため、信号配線を伝わる送信側の信号のノイズは、第１の外部配線よりも第２の外部配線に印加され易い。そして、第２の外部配線に印加されたノイズが、第２の外部配線と接続された第２の内部配線から第１の内部配線に伝わることによって、第１の内部配線に接続された受光素子においてもノイズの影響が大きくなり、光受信モジュール全体として光受信感度の低下が顕著となる。この点、上記の光受信モジュールでは、第２の内部配線における第２の接続端子から第２のノイズ除去部の第２の抵抗までの長さが、第１の内部配線における第１の接続端子から第１のノイズ除去部の第１の抵抗までの長さよりも短い。このように、第２の内部配線における接続端子からノイズ除去部の抵抗までの長さを第１の内部配線と比べて短くすることにより、除去前のノイズが第２の内部配線から第１の内部配線に伝わる区間を短くすることができ、その結果、第２の内部配線から第１の内部配線に伝わるノイズを低減することができる。これにより、一部の受光素子におけるノイズの影響を低減し、光受信モジュール全体として光受信感度の低下を抑制することができる。

［本願発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態にかかる光送信器の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。

図１は、本実施形態に係る光トランシーバの構成を示す図である。光トランシーバ１（光送受信器）は、例えば１３００ｎｍ帯の互いに異なる４波長を使用して２芯双方向で光信号を送受信する４０ギガビット光トランシーバであり、外部装置(上位レイヤ)に対して活線挿抜可能なモジュールである。なお、本実施形態では光トランシーバ１は４０ギガビット光トランシーバとして説明するが、光トランシーバ１は１００ギガビット光トランシーバであってもよい。このような光トランシーバの外形、端子配置、電気的特性、及び光学的特性に関する規格は、例えば、ＭＳＡ（Multi-Source Agreement）規格のＱＳＦＰ＋（Quad SmallForm Factor Pluggable）やＣＦＰ（100G Form-factor Pluggable）あるいはＣＦＰ２，ＣＦＰ４等によって規定されている。

光トランシーバ１は、光受信モジュール１０と、光送信モジュール２０と、プリント基板３０と、を備えている。

光受信モジュール１０は、光送信モジュール２０に駆動信号を供給する信号配線（詳細は後述）と共に光トランシーバ１の内部に実装されており、互いに波長の異なる４つの１０Ｇｂｐｓ光信号をそれぞれ電気信号に変換して出力する。光受信モジュール１０から出力された電気信号は、ＣＤＲ（Clock Data Recovery）（図示せず）に入力されてクロックとデータとが分離された後に、ホストコントローラ（外部装置）４０に出力される。

光受信モジュール１０は、光分波器１１と、ＰＤ（Photo Diode）１２と、ＴＩＡ（Trans-Impedance Amplifier）１３とを有している。光分波器１１は、受信した多重化光信号を４つの波長（λ１，λ２，λ３，λ４）の光に分ける機能を有する。当該光分波器１１としては、例えばフィルタ又は回析格子等の素子を用いることができる。

ＰＤ１２は、後述するバイアス電源３３（光受信モジュール１０の外部のバイアス電源）からバイアス電圧を供給されて、受光強度に応じた電気信号（電流信号）を出力する受光素子である。ＰＤ１２は、集積された４つのＰＤ１２ａ〜１２ｄを含んで構成されている。ＰＤ１２ａ〜１２ｄには、それぞれ、光分波器１１によって分けられた４つの波長の光のうち、１つの波長の光が入力される。

ＴＩＡ１３は、ＰＤ１２から入力された電流信号をインピーダンス変換するとともに増幅し、電圧信号として出力するＩＣである。

光送信モジュール２０は、互いに独立した４つの１０Ｇｂｐｓ電気信号をそれぞれ波長の異なる光信号に変換して出力する。光送信モジュール２０は、ＬＤ（Laser Diode）２１と、光合波器２２とを有している。

ＬＤ２１は、後述するＬＤ変調増幅部３４から信号配線３７を介して供給される駆動信号に応じて駆動される発光素子である。ＬＤ２１は、光送信モジュールの内部に集積された４つのＬＤ２１ａ〜２１ｄを含んで構成されている。ＬＤ２１ａ〜２１ｄは、それぞれ波長の異なる光信号を光合波器２２に出力する。光合波器２２は、ＬＤ２１ａ〜２１ｄから出力された４つの光信号を１つの多重化光信号に合成し出力する。

プリント基板３０には、カードエッジコネクタ３１と、制御部３２と、バイアス電源３３と、ＬＤ変調増幅部３４とが実装されている。カードエッジコネクタ３１は、プリント基板３０の端部に設けられ、ホストコントローラ４０のソケットへ差し込まれる電極である。カードエッジコネクタ３１がホストコントローラ４０のソケットに差し込まれることにより、それぞれの複数の相対する電気端子同士が互いに電気的に接続されるとともにホストコントローラ４０から光トランシーバ１へ電力が供給されて光トランシーバ１が起動し、光トランシーバ１とホストコントローラ４０との通信が可能になる。

制御部３２は、カードエッジコネクタ３１を介してホストコントローラ４０と通信を行うとともに、光トランシーバ１内部の各構成要素（ＴＩＡ１３、バイアス電源３３、及びＬＤ変調増幅部３４）を制御する。制御部３２は、ホストコントローラ４０との間で、シリアル通信により光トランシーバ１の制御あるいは監視のためのデータの送受信を行う。制御部３２は、ＬＤ変調増幅部３４の任意のチャネルに対してＬＤドライバ回路ディスエイブル信号を送信することにより、当該チャネルのＬＤ２１の光出力を停止させることができる。なお、ここでいうチャネルとは、例えば、互いに独立した４つの１０Ｇｂｐｓ電気信号をそれぞれ光信号に変換して送信する際に、それぞれの個々の１０Ｇｂｐｓ電気信号のことを意味する。また、制御部３２は、光トランシーバ１内部の不具合を検知すると、ホストコントローラ４０にアラーム信号を送信し、ホストコントローラ４０からの制御信号に基づいて光トランシーバ１内部の各構成要素を制御する。制御部３２は、いわゆるワンチップマイコンやＦＰＧＡ（field-programmable gate array）、ＣＰＬＤ（ComplexProgrammable Logic Device）等である。また、制御部３２はこれらの回路を複数組み合わせたものであってもよい。さらに、制御部３２は、必要に応じて、光送信モジュール２０および光受信モジュールのそれぞれと所定の信号線によって電気的に接続され、その信号線を介して送受される電気信号によって、それぞれのモジュールの動作状態の監視や制御を行っても良い。

バイアス電源３３は、制御部３２からの制御信号に応じて、ＰＤ１２にバイアス電圧を供給する。バイアス電源３３が供給するバイアス電圧は、バイアスライン３５を介してＰＤ１２に供給される。バイアスライン３５は、バイアス電源３３から光受信モジュール１０に向かって延びる、光受信モジュール１０外部の配線（外部配線）である。バイアスライン３５は、複数の外部配線であるバイアスライン３５ａ〜３５ｄを含んで構成されている。ＰＤ１２ａ（第２の受光素子）にはバイアスライン３５ａ（Ｃｈ３バイアスライン）を介してバイアス電圧が供給され、ＰＤ１２ｂ（第１の受光素子）にはバイアスライン３５ｂ（Ｃｈ２バイアスライン）を介してバイアス電圧が供給され、ＰＤ１２ｃにはバイアスライン３５ｃ（Ｃｈ１バイアスライン）を介してバイアス電圧が供給され、ＰＤ１２ｄにはバイアスライン３５ｄ（Ｃｈ０バイアスライン）を介してバイアス電圧が供給される。

ＬＤ変調増幅部３４は、制御部３２から入力される制御信号に応じて、ＬＤ２１ａ〜２１ｄの出力光を変調するための駆動信号を出力する。ＬＤ変調増幅部３４により出力された駆動信号は、信号配線３７を介してＬＤ２１ａ〜２１ｄに入力される。ＬＤ変調増幅部３４は、４つのＬＤ２１ａ〜２１ｄをそれぞれ異なる駆動信号によって並列に駆動する４つの駆動回路を内蔵した４ch Driver ICであり、４つのＬＤ２１ａ〜２１ｄと同数の駆動回路は、それぞれ異なるＬＤ２１ａ〜２１ｄに接続されている。なお、ＬＤ２１ａ〜２１ｄは、それぞれ駆動信号の基準となるバイアス信号を必要とする場合があるが、それらのバイアス信号はバイアス回路（図示せず）から供給されても良いし、ＬＤ変調増幅部３４から駆動信号と共に供給されても良い。

ここで、光トランシーバ１では、各構成要素が高密度実装され集積化が図られているので、ＬＤ変調増幅部３４から出力される駆動信号を伝送する信号配線３７と、バイアス電源３３から出力されるバイアス電圧を伝送するバイアスライン３５とが近接している。このことにより、信号配線３７を伝わる駆動信号によって発生した電磁波が、基板内及び空間を伝搬してバイアスライン３５を伝わるバイアス電圧に電磁界誘導によって影響を与え、バイアスライン３５を伝わるバイアス電圧にノイズ（以下、送信ノイズとして説明する場合がある）を生じさせるおそれがある。各バイアスライン３５ａ〜３５ｄは、バイアスライン３５ａ、バイアスライン３５ｂ、バイアスライン３５ｃ、バイアスライン３５ｄの順で、信号配線３７に空間的に近い位置に配置されている。すなわち、バイアスライン３５ａ（第２の外部配線）は、信号配線３７及びバイアスライン３５ｂ（第１の外部配線）の間に配置されている。このため、信号配線３７の送信ノイズは、駆動信号に起因した電磁界誘導によって生じるために、各バイアスライン３５ａ〜３５ｄのうち最も信号配線３７に近接して配置されたバイアスライン３５ａを伝わるバイアス電圧に最も含まれ易い。以下では、図２も参照しながら、送信ノイズの除去に係る光受信モジュール１０の詳細な構成について説明する。

図２は、図１に示す光トランシーバの光受信モジュールの回路図である。なお、図２においては、光受信モジュール１０の各構成要素のうち光分波器１１を省略している。図２に示されるように、光受信モジュール１０は、ノイズ除去部１４と、接続端子１５と、バイアスライン１６と、を有している。ＴＩＡ１３は、ＰＤ１２が生成した電流信号を受け、それを電圧信号に変換・増幅して電圧信号を出力する。例えば、４つの電流信号が入力された場合、ＴＩＡ１３からはそれぞれの電流信号に応じた４つの電圧信号が出力される。ＴＩＡ１３から出力される電圧信号は、単相信号であっても差動信号であってもよい。

バイアスライン１６は、接続端子１５においてバイアスライン３５に電気的に接続されるとともに、ＰＤ１２に向かって延びる、光受信モジュール１０内部の配線である。バイアスライン１６は、４つのバイアスライン１６ａ〜１６ｄを含んで構成されている。また、接続端子１５は、４つのバイアスライン３５ａ〜３５ｄ、及び４つのバイアスライン１６ａ〜１６ｄに対応して、４つの接続端子１５ａ〜１５ｄを含んで構成されている。

バイアスライン１６ａは、接続端子１５ａにおいてバイアスライン３５ａに接続され、ＰＤ１２ａに向かって延びている。また、バイアスライン１６ｂは、接続端子１５ｂにおいてバイアスライン３５ｂに接続され、ＰＤ１２ｂに向かって延びている。また、バイアスライン１６ｃは、接続端子１５ｃにおいてバイアスライン３５ｃに接続され、ＰＤ１２ｃに向かって延びている。また、バイアスライン１６ｄは、接続端子１５ｄにおいてバイアスライン３５ｄに接続され、ＰＤ１２ｄに向かって延びている。

ノイズ除去部１４は、バイアスライン１６に設けられており、所定の周波数よりも高い周波数のノイズを低減するＲＣフィルタと、ＲＣフィルタと比べてさらに高い周波数のノイズを低減するバイパスコンデンサとを有している。なお、ＲＣフィルタが低減するノイズの周波数は、バイパスコンデンサが低減するノイズの周波数よりも相対的に低いため、以下では、ＲＣフィルタによって低減されるノイズを低周波ノイズと言い、バイパスコンデンサによって低減されるノイズを高周波ノイズと言うことにする。ノイズ除去部１４は、４つのノイズ除去部１４ａ〜１４ｄを含んで構成されている。ノイズ除去部１４ａ（第２のノイズ除去部）は、バイアスライン１６ａに設けられており、ＲＣフィルタとして抵抗Ｒ３及びコンデンサＣ３２を、バイパスコンデンサとしてコンデンサＣ３１を有している。また、ノイズ除去部１４ｂ（第１のノイズ除去部）は、バイアスライン１６ｂに設けられており、ＲＣフィルタとして抵抗Ｒ２及びコンデンサＣ２２を、バイパスコンデンサとしてコンデンサＣ２１を有している。また、ノイズ除去部１４ｃは、バイアスライン１６ｃに設けられており、ＲＣフィルタとして抵抗Ｒ１及びコンデンサＣ１２を、バイパスコンデンサとしてコンデンサＣ１１を有している。また、ノイズ除去部１４ｄは、バイアスライン１６ｄに設けられており、ＲＣフィルタとして抵抗Ｒ０及びコンデンサＣ０２を、バイパスコンデンサとしてコンデンサＣ０１を有している。なお、上述したコンデンサは全てグランドに接続されている。

各ノイズ除去部１４ａ〜１４ｄにおける高周波ノイズを低減するコンデンサＣ３１，Ｃ２１，Ｃ１１，Ｃ０１は、例えば信号周波数１００Ｇｂｐｓに対応した数十ｐＦ〜数百ｐＦ（例えば、４７０ｐＦ）程度の容量とされ、バイアスライン１６におけるＰＤ１２の直近（より詳細にはＰＤ１２のカソードの直近）に配置される。すなわち、コンデンサＣ３１，Ｃ２１，Ｃ１１，Ｃ０１は、低周波ノイズを低減するＲＣフィルタよりもＰＤ１２寄りの位置に配置される。これにより、高周波ノイズ源の近傍にバイパスコンデンサＣ３１，Ｃ２１，Ｃ１１，Ｃ０１を配置することができ、高周波ノイズを適切に低減することができる。高周波ノイズは、ＰＤ１２が高速の光信号を受信して、それに応じた高速の電流信号を生成することによって生じる。

ＲＣフィルタを構成する抵抗及びコンデンサとしては、数ＭＨｚ〜数十ＭＨｚのカットオフ周波数を実現する抵抗及びコンデンサが用いられる。なお、カットオフ周波数は、（抵抗値）×（コンデンサの値）により定まるので、図３に示されるように、抵抗値とコンデンサの値が決まれば、カットオフ周波数の範囲が決まる。

例えば、光通信のSDH・SONETFrame信号（SRM64）では、先頭のオーバーヘッド部分においてＡ１（１１１１０１１０）のビットパターンが１９２バイト連続した後に、Ａ２（００１０１０００）のビットパターンが１９２バイト連続する。これにより、数ＭＨｚの低周波ノイズが発生するところ、上述したＲＣフィルタにより当該低周波ノイズを低減することができる。ＲＣフィルタは、ＰＤ１２からＲＣフィルタまでのバイアスライン１６のライン長を短くすることによってバイアスライン１６のインダクタンスを小さくしノイズを受けづらくする目的で、例えば、光受信モジュール内に１つのチャネルのみ含まれるような場合であれば、一般的にＰＤ１２のカソードに極力近づけて配置されることが行われる。しかし、光受信モジュール内に複数のチャネルが含まれる場合には、チャネル間の相対的な位置に応じてＲＣフィルタの配置を変えることが好ましい。

ここで、上述したように、信号配線３７の送信ノイズは、光受信モジュール１０外部の各バイアスライン３５ａ〜３５ｄのうち、バイアスライン３５ａを伝わるバイアス電圧に最も含まれ易い。本実施形態では、当該バイアスライン３５ａに接続端子１５ａ（第２の接続端子）において接続されるバイアスライン１６ａ（第２の内部配線）における、接続端子１５ａから抵抗Ｒ３（第２の抵抗）までの長さが、バイアスライン３５ｂに接続端子１５ｂ（第１の接続端子）において接続されるバイアスライン１６ｂ（第１の内部配線）における、接続端子１５ｂから抵抗Ｒ２（第１の抵抗）までの長さよりも短い。以下、図４に示した光受信モジュール１０のキャリア実装図も参照しながら、バイアスライン１６の詳細な構成について説明する。図４は、図２に示す光受信モジュールのキャリア実装図である。

図４に示されるように、各バイアスライン１６ａ〜１６ｄは、キャリア６０のパターン形成面６０ｘに実装されたパターン（接続端子）同士がワイヤボンディング又は抵抗により電気的に接続されることにより形成されている。ここで、各バイアスライン１６ａ〜１６ｄの基本的な回路構成は互いに共通である。すなわち、各バイアスライン１６ａ〜１６ｄは、キャリア６０の端部に設けられた、バイアスライン３５との接続端子である接続端子１５と、一端が接続端子１５に接続されたワイヤボンディング６１と、一端がワイヤボンディング６１の他端に接続された第１パターン６２と、一端が第１パターン６２の他端に接続された、ＲＣフィルタの抵抗と、抵抗の他端に接続された第２パターン６３と、第２パターン６３及びＲＣフィルタのコンデンサを接続するワイヤボンディング６４と、第２パターン６３及びバイパスコンデンサを接続するワイヤボンディング６５と、バイパスコンデンサ及びＰＤ１２が設けられる第３パターン６７を接続するワイヤボンディング６６と、を有している。

バイアスライン１６ａとバイアスライン１６ｂとを比較する。バイアスライン１６ｂでは、第１パターン６２ｂが、パターン形成面６０ｘにおける外側端部に沿うように設けられている。一方で、バイアスライン１６ａでは、第１パターン６２ａが、上述したバイアスライン１６ｂの第１パターン６２ｂよりもパターン形成面６０ｘの内側に設けられている。そして、バイアスライン１６ａにおける、接続端子１５ａからワイヤボンディング６１ａ及び第１パターン６２ａを介して抵抗Ｒ３に至るまでの長さは、バイアスライン１６ｂにおける、接続端子１５ｂからワイヤボンディング６１ｂ及び第１パターン６２ｂを介して抵抗Ｒ２に至るまでの長さよりも短い。なお、接続端子１５から第３パターン６７に至るバイアスライン１６の形状は、バイアスライン１６ａ及びバイアスライン１６ｄで互いに同様であり、また、バイアスライン１６ｂ及びバイアスライン１６ｃで互いに同様である。

次に、本実施形態に係る光受信モジュール１０の作用・効果を説明する。

本実施形態に係る光受信モジュール１０では、接続端子１５ａにおいてバイアスライン１６ａに接続されるバイアスライン３５ａが、光送信モジュール２０に係る信号配線３７と、接続端子１５ｂにおいてバイアスライン１６ｂに接続されるバイアスライン３５ｂとの間に配置されている。すなわち、バイアスライン３５ａは、バイアスライン３５ｂよりも信号配線３７寄りの位置に配置されている。このため、信号配線３７を伝わる送信側の信号のノイズは、バイアスライン３５ｂよりもバイアスライン３５ａに印加され易い。そして、光受信モジュール１０では、バイアスライン３５ａに印加されたノイズが、バイアスライン３５ａに接続されたバイアスライン１６ａからバイアスライン１６ｂに伝わることによって、バイアスライン１６ｂに接続されたＰＤ１２ｂにおけるノイズの影響が大きくなり、光受信モジュール１０全体として光受信感度の低下が顕著となる。

上記の問題に対して本実施形態では、バイアスライン１６ａにおける、接続端子１５ａからワイヤボンディング６１ａ及び第１パターン６２ａを介して抵抗Ｒ３に至るまでの長さは、バイアスライン１６ｂにおける、接続端子１５ｂからワイヤボンディング６１ｂ及び第１パターン６２ｂを介して抵抗Ｒ２に至るまでの長さよりも短い。このように、バイアスライン１６ａにおける接続端子１５から抵抗までの長さを、バイアスライン１６ｂと比べて短くすることにより、除去前のノイズがバイアスライン１６ａからバイアスライン１６ｂに伝わる区間を短くすることができ、その結果、バイアスライン１６ａからバイアスライン１６ｂに伝わるノイズを低減することができる。これにより、一部のＰＤ１２におけるノイズの影響を低減し、光受信モジュール１０全体として光受信感度の低下を抑制することができる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが本発明は上記実施形態に限定されない。例えば、バイアスライン１６の形状は、バイアスライン１６ａ及びバイアスライン１６ｄで互いに同様であるとして説明したがこれに限定されず、バイアスライン１６のうちバイアスライン１６ａのみ、他のバイアスライン１６と比較して、接続端子１５からノイズ除去部１４（より詳細には、ＲＣフィルタの抵抗）までの距離が短くてもよい。

また、ＰＤ１２は４つであるとして説明したがこれに限定されず、少なくとも２つ以上であればよい。同様に、バイアスライン１６やノイズ除去部１４の数も４つに限定されず、ＰＤ１２の数に応じた数であればよい。

また、受光素子はＰＤであるとしたがこれに限定されず、ＡＰＤ（Avalanche PhotoDiode）等の他の受光素子であってもよい。

１…光トランシーバ、１０…光受信モジュール、１２ａ，１２ｂ…ＰＤ、１４ａ，１４ｂ…ノイズ除去部、１５ａ，１５ｂ…接続端子、１６ａ，１６ｂ…バイアスライン、２０…光送信モジュール、２１…ＬＤ、３３…バイアス電源、３５ａ，３５ｂ…バイアスライン、３７…信号配線、Ｃ２２，Ｃ３２…コンデンサ、Ｒ２，Ｒ３…抵抗。

Claims

光送信モジュールに駆動信号を供給する信号配線と共に光送受信器の内部に実装される光受信モジュールであって、
外部のバイアス電源からバイアス電圧を供給されて、受光強度に応じた電気信号を出力する第１の受光素子及び第２の受光素子と、
前記バイアス電源から前記第１の受光素子へ前記バイアス電圧を供給するための第１の外部配線に接続された第１の接続端子と、
前記第１の接続端子と前記第１の受光素子とを接続する第１の内部配線と、
前記バイアス電源から前記第２の受光素子へ前記バイアス電圧を供給するための第２の外部配線に接続された第２の接続端子と、
前記第２の接続端子と前記第２の受光素子とを接続する第２の内部配線と、
前記第１の内部配線に設けられた、第１の抵抗及び第１のコンデンサを有する第１のノイズ除去部と、
前記第２の内部配線に設けられた、第２の抵抗及び第２のコンデンサを有する第２のノイズ除去部と、を有し、
前記第１の外部配線及び前記第２の外部配線を含む複数の外部配線の中で、前記第２の外部配線は、前記信号配線に最も近接して配置されており、
前記第１の内部配線及び前記第２の内部配線を含む複数の内部配線の中で、前記第２の内部配線は、最も短い、光受信モジュール。