JP6441731B2 - Laser processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物にレーザー光線を照射してアブレーション加工を施すレーザー加工装置に関する。 The present invention relates to a laser processing apparatus that performs ablation processing by irradiating a workpiece such as a semiconductor wafer with a laser beam.
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。 In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by division lines arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially disc-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs and LSIs are formed in the partitioned regions. . Then, the semiconductor wafer is cut along the planned division line to divide the region where the device is formed to manufacture individual semiconductor devices.
半導体ウエーハ等のウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法として、ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射することによりアブレーション加工を施してウエーハにレーザー加工溝を形成し、この破断起点となるレーザー加工溝が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与することにより割断する技術が実用化されている（例えば、特許文献１参照）。 As a method of dividing a wafer such as a semiconductor wafer along a planned division line, the wafer is subjected to ablation processing by irradiating the wafer with a pulsed laser beam having a wavelength that absorbs the wafer along the planned division line, and a laser processing groove is formed on the wafer. And a technique of cleaving by applying an external force along a planned dividing line in which a laser processing groove serving as a starting point of breakage is formed (see, for example, Patent Document 1).
また、ウエーハを分割予定ラインに沿ってアブレーション加工することにより、ウエーハを分割予定ラインに沿って完全切断して個々のデバイスに分割する技術も提案されている。 In addition, a technique has been proposed in which the wafer is completely cut along the planned division line to be divided into individual devices by ablating the wafer along the planned division line.
上述したウエーハを分割予定ラインに沿ってアブレーション加工することにより、ウエーハを分割予定ラインに沿って完全切断する技術を実施するに際しては、ウエーハの厚みや種類によって加工条件が異なることから、ウエーハが完全切断されたか否かの確認は加工が終了した後に行われている。
しかるに、加工条件を決定するために加工条件を変えながら何度もウエーハに加工を施さなければならず、生産性が悪いという問題がある。
When performing the technology to completely cut the wafer along the planned dividing line by ablating the wafer as described above, the processing conditions differ depending on the thickness and type of the wafer. The confirmation of whether or not the cutting has been performed is performed after the processing is completed.
However, in order to determine the processing conditions, the wafer has to be processed many times while changing the processing conditions, and there is a problem that productivity is poor.
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、アブレーション加工によって被加工物が完全切断されたか否かを加工中にリアルタイムで確認することができるレーザー加工装置を提供することである。 The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and its main technical problem is to provide a laser processing apparatus capable of confirming in real time during processing whether or not the workpiece has been completely cut by ablation processing. That is.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段とを加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段と、を具備するレーザー加工装置であって、
該レーザー光線照射手段は、被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線の出力を調整する出力調整手段と、該レーザー光線発振手段から発振され該出力調整手段によって出力が調整されたレーザー光線を集光して該被加工物保持手段に保持された被加工物に照射する集光器と、該パルスレーザー光線発振手段と該集光器との間に配設され該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を加工送り方向に複数のレーザー光線に分岐する分岐手段とを具備しており、
該複数のレーザー光線の照射によって被加工物が発するプラズマを検出するプラズマ検出手段と、該プラズマ検出手段からの検出信号に基づいて被加工物の加工状態を判定する制御手段と、を具備し、
該制御手段は、該プラズマ検出手段からの検出信号に基づいて、該複数のレーザー光線における先行して照射される先行レーザー光線の照射によってプラズマが検出され、先行レーザー光線に追随して照射される後続レーザー光線の照射によってはプラズマが検出されない場合には被加工物が完全切断されたと判定し、後続レーザー光線の照射によってプラズマが検出された場合には被加工物が完全切断されていないと判定する、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a workpiece holding means for holding a workpiece, and a laser beam irradiation means for irradiating a workpiece held by the workpiece holding means with a pulsed laser beam And a processing feed means for relatively moving the workpiece holding means and the laser beam irradiation means in the processing feed direction, and a laser processing apparatus comprising:
The laser beam irradiation means includes a laser beam oscillation means that oscillates a laser beam having a wavelength that is absorptive to a workpiece, an output adjustment means that adjusts the output of the laser beam oscillated from the laser beam oscillation means, and the laser beam oscillation means A condensing device for condensing the laser beam oscillated from the output and adjusting the output by the output adjusting unit and irradiating the workpiece held by the workpiece holding unit, the pulsed laser beam oscillating unit and the concentrator And a branching means for branching the laser beam oscillated from the laser beam oscillation means into a plurality of laser beams in the processing feed direction,
Plasma detecting means for detecting plasma emitted from the workpiece by irradiation with the plurality of laser beams, and control means for determining a processing state of the workpiece based on a detection signal from the plasma detecting means,
The control means detects a plasma based on a detection signal from the plasma detection means by irradiation of a preceding laser beam that is irradiated in advance in the plurality of laser beams, and follows the preceding laser beam. If the plasma is not detected by irradiation, it is determined that the workpiece is completely cut, and if the plasma is detected by irradiation of the subsequent laser beam, it is determined that the workpiece is not completely cut.
A laser processing apparatus is provided.
上記制御手段は、完全切断されていないと判定した場合には、出力調整手段を制御してレーザー光線の出力を所定量上昇せしめる。 If it is determined that the cutting is not complete, the control means controls the output adjusting means to increase the output of the laser beam by a predetermined amount.
本発明によるレーザー加工装置においては、レーザー光線照射手段は、被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線の出力を調整する出力調整手段と、レーザー光線発振手段から発振され出力調整手段によって出力が調整されたレーザー光線を集光して被加工物保持手段に保持された被加工物に照射する集光器と、パルスレーザー光線発振手段と集光器との間に配設されレーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を加工送り方向に複数のレーザー光線に分岐する分岐手段とを具備しており、複数のレーザー光線の照射によって被加工物が発するプラズマを検出するプラズマ検出手段と、該プラズマ検出手段からの検出信号に基づいて被加工物の加工状態を判定する制御手段とを具備し、制御手段は、プラズマ検出手段からの検出信号に基づいて、複数のレーザー光線における先行して照射される先行レーザー光線の照射によってプラズマが検出され、先行レーザー光線に追随して照射される後続レーザー光線の照射によってはプラズマが検出されない場合には被加工物が完全切断されたと判定し、後続レーザー光線の照射によってプラズマが検出された場合には被加工物が完全切断されていないと判定するので、アブレーション加工によって被加工部材が完全切断されたか否かを加工中にリアルタイムで確認することができる。従って、レーザー光線の平均出力等の加工条件を迅速かつ容易に調整することができる。 In the laser processing apparatus according to the present invention, the laser beam irradiation unit includes a laser beam oscillation unit that oscillates a laser beam having a wavelength that is absorptive with respect to the workpiece, and an output that adjusts an output of the laser beam oscillated from the laser beam oscillation unit. Adjusting means, a condenser for condensing the laser beam oscillated from the laser beam oscillation means and whose output is adjusted by the output adjustment means, and irradiating the workpiece held by the workpiece holding means, and a pulse laser beam oscillation means, Plasma that is provided between the condenser and the laser beam emitted from the laser beam oscillating means and that divides the laser beam into a plurality of laser beams in the processing feed direction, and is emitted from the workpiece by the irradiation of the plurality of laser beams. Based on a detection signal from the plasma detection means and the plasma detection means Control means for determining the processing state of the workpiece, the control means is based on the detection signal from the plasma detection means, the plasma is detected by irradiation of the preceding laser beam irradiated in advance in a plurality of laser beams, If the plasma is not detected by irradiation of the subsequent laser beam irradiated following the preceding laser beam, it is determined that the workpiece has been completely cut, and if the plasma is detected by irradiation of the subsequent laser beam, the workpiece is Since it is determined that the workpiece has not been completely cut, it can be confirmed in real time during machining whether or not the workpiece has been completely cut by ablation. Therefore, the processing conditions such as the average output of the laser beam can be adjusted quickly and easily.
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of a laser processing apparatus configured according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図１には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向であるＸ軸方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２上に配設されたレーザー光線照射手段としてのレーザー光線照射ユニット４とを具備している。 FIG. 1 is a perspective view of a laser processing apparatus constructed according to the present invention. A laser processing apparatus shown in FIG. 1 includes a stationary base 2 and a chuck table mechanism 3 that is disposed on the stationary base 2 so as to be movable in the X-axis direction, which is a machining feed direction indicated by an arrow X, and holds a workpiece. And a laser beam irradiation unit 4 as a laser beam irradiation means disposed on the stationary base 2.
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上にＸ軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上にＸ軸方向に移動可能に配設された第１の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上にＸ軸方向と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向であるY軸方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持された支持テーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１の上面である保持面上に被加工物である例えば円形状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル３６には、半導体ウエーハ等の被加工物を保護テープを介して支持する環状のフレームを固定するためのクランプ３６２が配設されている。 The chuck table mechanism 3 includes a pair of guide rails 31 and 31 disposed in parallel along the X-axis direction on the stationary base 2, and is arranged on the guide rails 31 and 31 so as to be movable in the X-axis direction. A first slide block 32 provided, and a second slide arranged on the first slide block 32 so as to be movable in the Y-axis direction which is an indexing feed direction indicated by an arrow Y orthogonal to the X-axis direction. A block 33, a support table 35 supported by a cylindrical member 34 on the second sliding block 33, and a chuck table 36 as a workpiece holding means are provided. The chuck table 36 includes a suction chuck 361 made of a porous material, and holds, for example, a circular semiconductor wafer as a workpiece on a holding surface which is the upper surface of the suction chuck 361 by suction means (not shown). It is supposed to be. The chuck table 36 configured as described above is rotated by a pulse motor (not shown) disposed in the cylindrical member 34. The chuck table 36 is provided with a clamp 362 for fixing an annular frame that supports a workpiece such as a semiconductor wafer via a protective tape.
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面にY軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動させるためのX軸方向移動手段３７を具備している。X軸方向移動手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第１の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動せしめられる。 The first sliding block 32 has a pair of guided grooves 321 and 321 fitted to the pair of guide rails 31 and 31 on the lower surface thereof, and is parallel to the upper surface along the Y-axis direction. A pair of formed guide rails 322 and 322 are provided. The first sliding block 32 configured in this manner moves in the X-axis direction along the pair of guide rails 31, 31 when the guided grooves 321, 321 are fitted into the pair of guide rails 31, 31. Configured to be possible. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes X-axis direction moving means 37 for moving the first slide block 32 in the X-axis direction along the pair of guide rails 31, 31. The X-axis direction moving means 37 includes a male screw rod 371 disposed in parallel between the pair of guide rails 31 and 31, and a drive source such as a pulse motor 372 for rotationally driving the male screw rod 371. Yes. One end of the male screw rod 371 is rotatably supported by a bearing block 373 fixed to the stationary base 2, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 372 by transmission. The male screw rod 371 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the first sliding block 32. Therefore, the first slide block 32 is moved in the X-axis direction along the guide rails 31 and 31 by driving the male screw rod 371 forward and backward by the pulse motor 372.
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記チャックテーブル３６のX軸方向位置を検出するためのX軸方向位置検出手段３７４を備えている。X軸方向位置検出手段３７４は、案内レール３１に沿って配設されたリニアスケール３７４aと、第１の滑動ブロック３２に配設され第１の滑動ブロック３２とともにリニアスケール３７４aに沿って移動する読み取りヘッド３７４bとからなっている。このX軸方向位置検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bは、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６のX軸方向位置を検出する。なお、上記加工送り手段３７の駆動源としてパルスモータ３７２を用いた場合には、パルスモータ３７２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６のX軸方向位置を検出することもできる。また、上記X軸方向移動手段３７の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６のX軸方向位置を検出することもできる。 The laser processing apparatus in the illustrated embodiment includes X-axis direction position detection means 374 for detecting the X-axis direction position of the chuck table 36. The X-axis direction position detecting means 374 is a linear scale 374a disposed along the guide rail 31, and a reading that is disposed along the linear scale 374a together with the first sliding block 32 disposed along the first sliding block 32. It consists of a head 374b. In the illustrated embodiment, the reading head 374b of the X-axis direction position detecting means 374 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. The control means described later detects the position of the chuck table 36 in the X-axis direction by counting the input pulse signals. When a pulse motor 372 is used as a drive source for the machining feed means 37, the drive pulse of a control means, which will be described later, that outputs a drive signal to the pulse motor 372 is counted, whereby the chuck table 36 is moved in the X-axis direction. The position can also be detected. When a servo motor is used as a drive source for the X-axis direction moving means 37, a pulse signal output from a rotary encoder that detects the rotation speed of the servo motor is sent to the control means described later, and the control means inputs it. The position of the chuck table 36 in the X-axis direction can also be detected by counting the pulse signals.
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、Y軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿ってY軸方向に移動させるためのY軸方向移動手段３８を具備している。Y軸方向移動手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿ってY軸方向に移動せしめられる。 The second sliding block 33 is provided with a pair of guided grooves 331 and 331 which are fitted to a pair of guide rails 322 and 322 provided on the upper surface of the first sliding block 32 on the lower surface thereof. By fitting the guided grooves 331 and 331 to the pair of guide rails 322 and 322, the guided grooves 331 and 331 are configured to be movable in the Y-axis direction. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment has a Y-axis direction movement for moving the second sliding block 33 along the pair of guide rails 322 and 322 provided in the first sliding block 32 in the Y-axis direction. Means 38 are provided. The Y-axis direction moving means 38 includes a male screw rod 381 disposed in parallel between the pair of guide rails 322 and 322, and a drive source such as a pulse motor 382 for rotationally driving the male screw rod 381. Yes. One end of the male screw rod 381 is rotatably supported by a bearing block 383 fixed to the upper surface of the first sliding block 32, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 382. The male screw rod 381 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the second sliding block 33. Therefore, by driving the male screw rod 381 forward and backward by the pulse motor 382, the second slide block 33 is moved along the guide rails 322 and 322 in the Y-axis direction.
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記第２の滑動ブロック３３のY軸方向位置を検出するためのY軸方向位置検出手段３８４を備えている。Y軸方向位置検出手段３８４は、案内レール３２２に沿って配設されたリニアスケール３８４aと、第２の滑動ブロック３３に配設され第２の滑動ブロック３３とともにリニアスケール３８４aに沿って移動する読み取りヘッド３８４bとからなっている。このY軸方向位置検出手段３８４の読み取りヘッド３８４bは、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６のY軸方向位置を検出する。なお、上記Y軸方向移動手段３８の駆動源としてパルスモータ３８２を用いた場合には、パルスモータ３８２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６のY軸方向位置を検出することもできる。また、上記Y軸方向移動手段３８の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６のY軸方向位置を検出することもできる。 The laser processing apparatus in the illustrated embodiment includes Y-axis direction position detecting means 384 for detecting the Y-axis direction position of the second sliding block 33. The Y-axis direction position detecting means 384 is a linear scale 384a disposed along the guide rail 322, and a reading which is disposed along the linear scale 384a together with the second sliding block 33 disposed along the second sliding block 33. And a head 384b. In the illustrated embodiment, the reading head 384b of the Y-axis direction position detecting means 384 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. The control means described later detects the position of the chuck table 36 in the Y-axis direction by counting the input pulse signals. When a pulse motor 382 is used as a drive source for the Y-axis direction moving means 38, the Y of the chuck table 36 is counted by counting the drive pulses of the control means to be described later that outputs a drive signal to the pulse motor 382. An axial position can also be detected. When a servo motor is used as the drive source of the Y-axis direction moving means 38, a pulse signal output from a rotary encoder that detects the rotation speed of the servo motor is sent to the control means described later, and the control means inputs it. By counting the pulse signal, the position of the chuck table 36 in the Y-axis direction can also be detected.
上記レーザー光線照射ユニット４は、上記静止基台２上に配設された支持部材４１と、該支持部材４１によって支持され実質上水平に延出するケーシング４２と、該ケーシング４２に配設されたレーザー光線照射手段５と、ケーシング４２の前端部に配設されレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント手段６を具備している。なお、アライメント手段６は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。 The laser beam irradiation unit 4 includes a support member 41 disposed on the stationary base 2, a casing 42 supported by the support member 41 and extending substantially horizontally, and a laser beam disposed on the casing 42. Irradiation means 5 and alignment means 6 that is disposed at the front end portion of the casing 42 and detects a processing region to be laser processed are provided. The alignment unit 6 includes an illuminating unit that illuminates the workpiece, an optical system that captures an area illuminated by the illuminating unit, and an imaging device (CCD) that captures an image captured by the optical system. Then, the captured image signal is sent to the control means described later.
上記レーザー光線照射手段５について、図２を参照して説明する。
レーザー光線照射手段５は、パルスレーザー光線発振手段５１と、該パルスレーザー光線発振手段５１から発振されたパルスレーザー光線の出力を調整する出力調整手段５２と、レーザー光線発振手段５１から発振され出力調整手段５２によって出力が調整されたパルスレーザー光線を集光してチャックテーブル３６に保持された被加工物Wに照射する集光器５３と、出力調整手段５２と集光器５３との間に配設され出力調整手段５２が調整されたパルスレーザー光線を集光器５３に導くダイクロイックミラー５４と、出力調整手段５２によって調整されたパルスレーザー光線を加工送り方向(X軸方向)に複数のレーザー光線に分岐する分岐手段５５を具備している。パルスレーザー光線発振手段５１は、パルスレーザー光線発振器５１１と、これに付設された繰り返し周波数設定手段５１２とから構成されている。なお、パルスレーザー光線発振手段５１のパルスレーザー光線発振器５１１は、図示の実施形態においては波長が３５５nmのパルスレーザー光線LBを発振する。上記出力調整手段５２は、パルスレーザー光線発振手段５１から発振されたパルスレーザー光線LBの出力を後述する制御手段によって設定された出力に調整して出力する。上記集光器５３は、上記パルスレーザー光線発振手段５１から発振され出力調整手段５２によって所定の出力に調整されたパルスレーザー光線LBを集光するfθレンズからなる集光レンズ５３１を具備している。
The laser beam irradiation means 5 will be described with reference to FIG.
The laser beam irradiating means 5 includes a pulse laser beam oscillating means 51, an output adjusting means 52 for adjusting the output of the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillating means 51, an oscillation from the laser beam oscillating means 51, and an output adjusted by the output adjusting means 52. A condenser 53 for condensing the adjusted pulse laser beam and irradiating the workpiece W held on the chuck table 36, and an output adjusting means 52 disposed between the output adjusting means 52 and the condenser 53. A dichroic mirror 54 for guiding the adjusted pulse laser beam to the condenser 53, and a branching unit 55 for branching the pulse laser beam adjusted by the output adjusting unit 52 into a plurality of laser beams in the processing feed direction (X-axis direction). ing. The pulse laser beam oscillating means 51 includes a pulse laser beam oscillator 511 and a repetition frequency setting means 512 attached thereto. The pulse laser beam oscillator 511 of the pulse laser beam oscillation means 51 oscillates a pulse laser beam LB having a wavelength of 355 nm in the illustrated embodiment. The output adjusting means 52 adjusts and outputs the output of the pulse laser beam LB oscillated from the pulse laser beam oscillating means 51 to an output set by a control means described later. The condenser 53 includes a condensing lens 531 composed of an fθ lens that condenses the pulse laser beam LB oscillated from the pulse laser beam oscillating means 51 and adjusted to a predetermined output by the output adjusting means 52.
上記パルスレーザー光線発振手段５１と集光器５３との間に配設されたダイクロイックミラー５４は、パルスレーザー光線発振手段５１から発振され出力調整手段５２によって所定の出力に調整されたパルスレーザー光線LBを反射して集光器５３に導くとともにパルスレーザー光線LBの波長(図示の実施形態においては３５５nm)以外の波長の光を透過する機能を有している。上記分岐手段５５は、ウォラストンプリズム、DOE、キューブプリズム等からなっており、図示の実施形態においてはダイクロイックミラー５４によって導かれた波長が３５５nmのパルスレーザー光線LBを加工送り方向(X軸方向)に第１のパルスレーザー光線LB1と第２のパルスレーザー光線LB2に分岐する。この第１のパルスレーザー光線LB1と第２のパルスレーザー光線LB2の加工送り方向(X軸方向)の間隔Lは、０．１〜１．０mmに設定される。なお、分岐手段としては、ダイクロイックミラー５４によって導かれたパルスレーザー光線LBを加工送り方向(X軸方向)に３本または４本のパルスレーザー光線、或いは必要に応じて更に多数のパルスレーザー光線に分岐するようにしてもよい。 A dichroic mirror 54 disposed between the pulse laser beam oscillation means 51 and the condenser 53 reflects the pulse laser beam LB oscillated from the pulse laser beam oscillation means 51 and adjusted to a predetermined output by the output adjustment means 52. And has a function of transmitting light having a wavelength other than the wavelength of the pulse laser beam LB (355 nm in the illustrated embodiment). The branching means 55 comprises a Wollaston prism, DOE, cube prism or the like. In the illustrated embodiment, a pulse laser beam LB having a wavelength of 355 nm guided by the dichroic mirror 54 is processed in the processing feed direction (X-axis direction). The beam is branched into a first pulse laser beam LB1 and a second pulse laser beam LB2. The distance L in the processing feed direction (X-axis direction) between the first pulse laser beam LB1 and the second pulse laser beam LB2 is set to 0.1 to 1.0 mm. As branching means, the pulse laser beam LB guided by the dichroic mirror 54 is branched into three or four pulse laser beams in the processing feed direction (X-axis direction), or more pulse laser beams as required. It may be.
図２を参照して説明を続けると、図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記第１のパルスレーザー光線LB1と第２のパルスレーザー光線LB2の照射によって被加工物が発するプラズマを検出するプラズマ検出手段５０を具備している。このプラズマ検出手段５０は、図示の実施形態においては、バンドパスフィルター５０１と、該バンドパスフィルター５０１を通過した光を検知する第１の光検知器５０２aおよび第２の光検知器５０２bとからなっている。バンドパスフィルター５０１は、被加工物Wに第１のパルスレーザー光線LB1と第２のパルスレーザー光線LB2が照射されることによって発せられ集光レンズ５３１、分岐手段５５、ダイクロイックミラー５４を介して導かれたプラズマを通過させるようになっており、図示の実施形態においてはシリコンが発するプラズマ（波長が２５１nm)が通過するように、波長が２００〜３００nmの光を通過させるように設定されている。上記第１の光検知器５０２aは被加工物Wに第１のパルスレーザー光線LB1が照射されることによって発せられたプラズマを検出し、第２の光検知器５０２bは被加工物Wに第２のパルスレーザー光線LB2が照射されることによって発せられたプラズマを検出するように構成されている。なお、第１の光検知器５０２aおよび第２の光検知器５０２bは、CCDまたはホトデテクターを用いることができる。このように構成された第１の光検知器５０２aおよび第２の光検知器５０２bは、プラズマを検出した場合にはそれぞれプラズマ信号PR1およびPR2を後述する制御手段に送る。 Continuing the description with reference to FIG. 2, the laser processing apparatus in the illustrated embodiment is a plasma detection means for detecting plasma emitted from the workpiece by irradiation with the first pulse laser beam LB1 and the second pulse laser beam LB2. 50. In the illustrated embodiment, the plasma detection unit 50 includes a bandpass filter 501, and a first photodetector 502 a and a second photodetector 502 b that detect light that has passed through the bandpass filter 501. ing. The bandpass filter 501 is emitted when the workpiece W is irradiated with the first pulse laser beam LB1 and the second pulse laser beam LB2, and is guided through the condenser lens 531, the branching unit 55, and the dichroic mirror 54. Plasma is allowed to pass through, and in the illustrated embodiment, light having a wavelength of 200 to 300 nm is set to pass so that plasma emitted from silicon (wavelength is 251 nm) may pass. The first light detector 502a detects the plasma generated by irradiating the workpiece W with the first pulse laser beam LB1, and the second light detector 502b applies the second light to the workpiece W. It is configured to detect plasma generated by irradiation with the pulsed laser beam LB2. Note that a CCD or a photodetector can be used for the first photodetector 502a and the second photodetector 502b. The first photodetector 502a and the second photodetector 502b configured as described above send plasma signals PR1 and PR2 to the control means described later when plasma is detected.
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、図３に示す制御手段７を具備している。制御手段７はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）７１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）７２と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）７３と、入力インターフェース７４および出力インターフェース７５とを備えている。制御手段７の入力インターフェース７４には、上記X軸方向位置検出手段３７４、Y軸方向位置検出手段３８４、第１の光検知器５０２a、第２の光検知器５０２b、アライメント手段６等からの検出信号が入力される。そして、制御手段７の出力インターフェース７５からは、上記X軸方向移動手段３７、Y軸方向移動手段３８、レーザー光線照射手段５のパルスレーザー光線発振手段５１、出力調整手段５２等に制御信号を出力する。 The laser processing apparatus in the illustrated embodiment includes a control means 7 shown in FIG. The control means 7 is constituted by a computer, and a central processing unit (CPU) 71 that performs arithmetic processing in accordance with a control program, a read-only memory (ROM) 72 that stores a control program and the like, and a readable and writable data that stores arithmetic results A random access memory (RAM) 73, an input interface 74 and an output interface 75 are provided. The input interface 74 of the control means 7 includes detection from the X-axis direction position detection means 374, the Y-axis direction position detection means 384, the first light detector 502a, the second light detector 502b, the alignment means 6 and the like. A signal is input. A control signal is output from the output interface 75 of the control means 7 to the X-axis direction movement means 37, the Y-axis direction movement means 38, the pulse laser beam oscillation means 51 of the laser beam irradiation means 5, the output adjustment means 52, and the like.
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図４には、上述したレーザー加工装置によって加工される被加工物としての半導体ウエーハ１０の斜視図が示されている。図４に示す半導体ウエーハ１０は、厚みが１００μmのシリコンウエーハからなっており、表面１０ａに複数の分割予定ライン１０１が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン１０１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１０２が形成されている。
The laser processing apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
FIG. 4 shows a perspective view of a semiconductor wafer 10 as a workpiece to be processed by the laser processing apparatus described above. A semiconductor wafer 10 shown in FIG. 4 is made of a silicon wafer having a thickness of 100 μm, and a plurality of division lines 101 are formed in a lattice shape on the surface 10a and are partitioned by the plurality of division lines 101. Devices 102 such as IC and LSI are formed in a plurality of regions.
以下、上述した半導体ウエーハ１０を分割予定ライン１０１に沿って分割するための加工条件を決定する手順について説明する。
先ず、半導体ウエーハ１０の裏面１０bに合成樹脂からなる粘着テープの表面を貼着するとともに粘着テープの外周部を環状のフレームによって支持する被加工物支持工程を実施する。即ち、図５に示すように、環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着された粘着テープTの表面に半導体ウエーハ１０の裏面１０bを貼着する。なお、粘着テープTは、図示の実施形態においては塩化ビニール(ＰＶＣ)シートによって形成されている。
Hereinafter, a procedure for determining processing conditions for dividing the semiconductor wafer 10 described above along the division line 101 will be described.
First, a workpiece support step is performed in which the surface of an adhesive tape made of synthetic resin is attached to the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 and the outer peripheral portion of the adhesive tape is supported by an annular frame. That is, as shown in FIG. 5, the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is adhered to the surface of the adhesive tape T with the outer peripheral portion mounted so as to cover the inner opening of the annular frame F. The adhesive tape T is formed of a vinyl chloride (PVC) sheet in the illustrated embodiment.
上述した被加工物支持工程を実施したならば、図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブル３６上に半導体ウエーハ１０の粘着テープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ１０を粘着テープTを介してチャックテーブル３６上に吸引保持する（被加工物保持工程）。なお、半導体ウエーハ１０を粘着テープTを介して支持した環状のフレームFは、チャックテーブル３６に配設されたクランプ３６２によって固定される。 If the workpiece support process described above is performed, the adhesive tape T side of the semiconductor wafer 10 is placed on the chuck table 36 of the laser processing apparatus shown in FIG. Then, the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the chuck table 36 via the adhesive tape T by operating a suction means (not shown) (workpiece holding step). An annular frame F that supports the semiconductor wafer 10 via an adhesive tape T is fixed by a clamp 362 disposed on the chuck table 36.
上述した被加工物保持工程を実施したならば、X軸方向移動手段３７を作動して半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６をアライメント手段６の直下に位置付ける。チャックテーブル３６がアライメント手段６の直下に位置付けられると、アライメント手段６および制御手段７によって半導体ウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、アライメント手段６および制御手段７は、半導体ウエーハ１０の所定方向に形成されている分割予定ライン１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５の集光器５３との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ１０に形成されている所定方向と直交する方向に形成されている分割予定ライン１０１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。 When the above-described workpiece holding step is performed, the chuck table 36 that sucks and holds the semiconductor wafer 10 by operating the X-axis direction moving means 37 is positioned directly below the alignment means 6. When the chuck table 36 is positioned immediately below the alignment means 6, the alignment means 6 and the control means 7 execute an alignment operation for detecting a processing region to be laser processed on the semiconductor wafer 10. That is, the alignment unit 6 and the control unit 7 are used for alignment with the condenser 53 of the laser beam irradiation unit 5 that irradiates a laser beam along the planned division line 101 formed in a predetermined direction of the semiconductor wafer 10. Image processing such as pattern matching is executed to align the laser beam irradiation position. Similarly, the alignment of the laser beam irradiation position is also performed on the division line 101 formed in the direction orthogonal to the predetermined direction formed in the semiconductor wafer 10.
以上のようにしてチャックテーブル３６上に保持された半導体ウエーハ１０に形成されている分割予定ラインを検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図６の(a)で示すようにチャックテーブル３６をレーザー光線照射手段５の集光器５３が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン１０１の一端(図６の(a)において左端)を集光器５３の直下に位置付ける。そして、集光器５３から照射される第１のパルスレーザー光線LB1の集光点P1と第２のパルスレーザー光線LB2の集光点Ｐ2を半導体ウエーハ１０の表面（上面）付近に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段５の集光器５３からシリコンウエーハに対して吸収性を有する波長(図示の実施形態においては３５５nm)の第１のパルスレーザー光線LB1と第２のパルスレーザー光線LB2を照射しつつチャックテーブル３６を図６の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に所定の移動速度で移動せしめる（レーザー加工工程）。 If the division lines formed on the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36 are detected as described above and the laser beam irradiation position is aligned, as shown in FIG. The chuck table 36 is moved to the laser beam irradiation area where the condenser 53 of the laser beam irradiation means 5 is located, and one end (the left end in FIG. 6A) of the predetermined division line 101 is positioned immediately below the collector 53. . Then, the condensing point P1 of the first pulse laser beam LB1 and the condensing point P2 of the second pulse laser beam LB2 irradiated from the condenser 53 are positioned near the surface (upper surface) of the semiconductor wafer 10. Next, while irradiating the first pulse laser beam LB1 and the second pulse laser beam LB2 having a wavelength (355 nm in the illustrated embodiment) having an absorption property to the silicon wafer from the condenser 53 of the laser beam irradiation means 5 The chuck table 36 is moved at a predetermined moving speed in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 6A (laser processing step).
上記レーザー加工工程は、先ず加工条件を次のように設定している。
波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：１０ｋＨｚ
平均出力 ：５W
集光スポット径 ：φ１０μｍ
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒
この加工条件は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）７３に格納されている。
In the laser processing step, first, processing conditions are set as follows.
Wavelength: 355nm
Repetition frequency: 10 kHz
Average output: 5W
Condensing spot diameter: φ10μm
Processing feed rate: 100 mm / sec These processing conditions are stored in a random access memory (RAM) 73.
上述した加工条件によってレーザー加工工程を開始したならば、制御手段７はプラズマ検出手段５０の第１の光検知器５０２aおよび第２の光検知器５０２bから検出信号を入力している。以下、第１の光検知器５０２aおよび第２の光検知器５０２bから検出信号に基づいて照射するパルスレーザー光線の平均出力を決定する手順について、図７に示すフローチャートを参照して説明する。
制御手段７は、先ず第１の光検知器５０２aからプラズマ信号PR1を入力したか否かを確認する(ステップS1)。ステップS1においてプラズマ信号PR1が入力されていない場合には、制御手段７は第１のパルスレーザー光線LB1の照射によってシリコンウエーハからなる半導体ウエーハ１０のアブレーション加工が行われておらず出力不足であると判断し、ステップＳ２に進んで照射するパルスレーザー光線の出力を例えば１W上昇させるように出力調整手段５２を制御する。そして制御手段７は、ステップS1に戻って再度第１の光検知器５０２aからプラズマ信号PR1を入力したか否かを確認し、プラズマ信号PR1が入力されていない場合にはステップS1およびステップS2を繰り返し実施する。
If the laser processing step is started under the processing conditions described above, the control means 7 inputs detection signals from the first light detector 502a and the second light detector 502b of the plasma detection means 50. Hereinafter, the procedure for determining the average output of the pulse laser beam to be irradiated based on the detection signal from the first photodetector 502a and the second photodetector 502b will be described with reference to the flowchart shown in FIG.
The control means 7 first checks whether or not the plasma signal PR1 is input from the first photodetector 502a (step S1). If the plasma signal PR1 is not input in step S1, the control means 7 determines that the semiconductor wafer 10 made of silicon wafer is not ablated by the irradiation with the first pulse laser beam LB1 and the output is insufficient. Then, the process proceeds to step S2, and the output adjusting means 52 is controlled so as to increase the output of the pulse laser beam to be irradiated by 1 W, for example. Then, the control means 7 returns to step S1 and checks again whether or not the plasma signal PR1 is input from the first photodetector 502a. If the plasma signal PR1 is not input, the control means 7 performs steps S1 and S2. Repeat.
上記ステップS1において、第１の光検知器５０２aからプラズマ信号PR1を入力した場合には、制御手段７は第１のパルスレーザー光線LB1の照射によってシリコンウエーハからなる半導体ウエーハ１０のアブレーション加工が行われシリコンが発するプラズマ(波長が２５１nm)が発生したものと判断し、ステップＳ３に進む。ステップS3において制御手段７は、第２の光検知器５０２bからプラズマ信号PR2を入力したか否かを確認する。ステップＳ３においてプラズマ信号PR2が入力されていない場合には、制御手段７は第２のパルスレーザー光線LB2の照射によってシリコンウエーハからなる半導体ウエーハ１０のアブレーション加工が行われておらず、図６の(b)に示すようにシリコンウエーハからなる半導体ウエーハ１０が第１のパルスレーザー光線LB1の照射によって分割予定ライン１０１に沿って形成されるレーザー加工溝１１０により完全切断されていると判断し、ステップS4に進む。そして、制御手段７はステップS４において現在照射しているパルスレーザー光線の平均出力を適正出力として決定し、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）７３の格納されている平均出力を決定された出力に書き換える。 In step S1, when the plasma signal PR1 is input from the first photodetector 502a, the control means 7 performs ablation processing of the semiconductor wafer 10 made of silicon wafer by irradiation with the first pulsed laser beam LB1. It is determined that a plasma (wavelength is 251 nm) is generated, and the process proceeds to step S3. In step S3, the control means 7 confirms whether or not the plasma signal PR2 is inputted from the second photodetector 502b. When the plasma signal PR2 is not input in step S3, the control means 7 does not perform the ablation processing of the semiconductor wafer 10 made of the silicon wafer by the irradiation of the second pulse laser beam LB2, and the (b) of FIG. ), It is determined that the semiconductor wafer 10 made of a silicon wafer is completely cut by the laser processing groove 110 formed along the planned division line 101 by the irradiation with the first pulse laser beam LB1, and the process proceeds to step S4. . Then, in step S4, the control means 7 determines the average output of the pulse laser beam currently irradiated as an appropriate output, and rewrites the average output stored in the random access memory (RAM) 73 to the determined output.
上記ステップS3において、第２の光検知器５０２bからプラズマ信号PR2を入力した場合には、制御手段７は第２のパルスレーザー光線LB2の照射によってシリコンウエーハからなる半導体ウエーハ１０の加工が行われており、図６の(c)に示すようにシリコンウエーハからなる半導体ウエーハ１０が第１のパルスレーザー光線LB1の照射によって分割予定ライン１０１に沿って形成されるレーザー加工溝１１０により完全切断されていないと判断し、ステップS5に進んで照射するパルスレーザー光線の出力を例えば１W上昇させるように出力調整手段５２を制御する。そして制御手段７は、ステップＳ3に戻って再度第２の光検知器５０２bからプラズマ信号PR2を入力したか否かを確認し、プラズマ信号PR2が入力された場合にはステップS3およびステップS5を繰り返し実施する。そして制御手段は、ステップS3においてプラズマ信号PR2が入力されないことを確認したならば、第２のパルスレーザー光線LB2の照射によってシリコンウエーハからなる半導体ウエーハ１０のアブレーション加工が行われておらず、図６の(b)に示すようにシリコンウエーハからなる半導体ウエーハ１０が分割予定ライン１０１に沿って形成されるレーザー加工溝１１０により完全切断されていると判断し、ステップS4に進んで現在照射しているパルスレーザー光線の平均出力を適正出力として決定し、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）７３の格納されている平均出力を決定された出力に書き換える。 In step S3, when the plasma signal PR2 is input from the second photodetector 502b, the control means 7 has processed the semiconductor wafer 10 made of a silicon wafer by irradiation with the second pulse laser beam LB2. 6C, it is determined that the semiconductor wafer 10 made of a silicon wafer is not completely cut by the laser processing groove 110 formed along the planned division line 101 by irradiation with the first pulse laser beam LB1. Then, the process proceeds to step S5, and the output adjusting means 52 is controlled so that the output of the pulse laser beam to be irradiated is increased by 1 W, for example. Then, the control means 7 returns to step S3 and checks again whether or not the plasma signal PR2 is input from the second photodetector 502b. If the plasma signal PR2 is input, the control means 7 repeats steps S3 and S5. carry out. Then, if the control means confirms that the plasma signal PR2 is not input in step S3, the ablation processing of the semiconductor wafer 10 made of a silicon wafer is not performed by the irradiation with the second pulse laser beam LB2, and the control shown in FIG. As shown in (b), it is determined that the semiconductor wafer 10 made of a silicon wafer has been completely cut by the laser processing groove 110 formed along the planned division line 101, and the process proceeds to step S4 and the pulse currently being irradiated. The average output of the laser beam is determined as an appropriate output, and the average output stored in the random access memory (RAM) 73 is rewritten to the determined output.
以上、レーザー加工工程における加工条件としての平均出力を決定する手順について説明したが、繰り返し周波数や加工送り速度も、平均出力と加工送り速度または繰り返し周波数を所定の値に固定して、上述した手順によって半導体ウエーハ１０が分割予定ライン１０１に沿って完全切断される条件を求めることができる。なお、シリコンウエーハからなる半導体ウエーハ１０の上記レーザー加工工程における加工条件としては、繰り返し周波数が５〜２０ｋＨｚ、平均出力が５〜１０W、加工送り速度が１０〜５００ｍｍ／秒の範囲で設定することが望ましい。 The procedure for determining the average output as the processing condition in the laser processing step has been described above. However, the repetition frequency and the machining feed rate are also set as described above with the average output and the machining feed rate or the repetition frequency fixed to a predetermined value. Thus, the conditions under which the semiconductor wafer 10 is completely cut along the planned dividing line 101 can be obtained. The processing conditions in the laser processing step of the semiconductor wafer 10 made of a silicon wafer may be set in a range where the repetition frequency is 5 to 20 kHz, the average output is 5 to 10 W, and the processing feed rate is 10 to 500 mm / second. desirable.
以上のように、図示の実施形態におけるレーザー加工装置においては、アブレーション加工によって半導体ウエーハ１０が分割予定ライン１０１に沿って完全切断されたか否かを加工中にリアルタイムで確認することができる。従って、レーザー光線の平均出力等の加工条件を迅速かつ容易に調整することができる。 As described above, in the laser processing apparatus in the illustrated embodiment, it is possible to confirm in real time during processing whether or not the semiconductor wafer 10 has been completely cut along the planned dividing line 101 by ablation processing. Therefore, the processing conditions such as the average output of the laser beam can be adjusted quickly and easily.
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、上述した実施形態においては、パルスレーザー光線発振手段５１から発振され出力調整手段５２によって所定の出力に調整されたパルスレーザー光線LBを分岐手段５５によって第１のパルスレーザー光線LB1と第２のパルスレーザー光線LB2に分岐する例を示したが、分岐手段によって多数のパルスレーザー光線に分岐し、加工時に分岐された最後続のレーザー光線の照射によってはプラズマが検出されない場合に被加工物が完全切断されたと判定するようにしてもよい。 Although the present invention has been described based on the illustrated embodiment, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications are possible within the scope of the gist of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the pulse laser beam LB oscillated from the pulse laser beam oscillating unit 51 and adjusted to a predetermined output by the output adjusting unit 52 is divided into the first pulse laser beam LB1 and the second pulse laser beam LB2 by the branching unit 55. The example of branching is shown in FIG. 1, but it is determined that the workpiece has been completely cut when it is branched into a number of pulsed laser beams by the branching means and no plasma is detected by the irradiation of the last laser beam branched during processing. It may be.
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３６：チャックテーブル
３７：X軸方向移動手段
３７４：X軸方向位置検出手段
３８：Y軸方向移動手段
３８４：Y軸方向位置検出手段
４：レーザー光線照射ユニット
５：レーザー光線照射手段
５１：パルスレーザー光線発振手段
５２：出力調整手段
５３：集光器
５４：ダイクロイックミラー
５５：分岐手段
５０：プラズマ検出手段
５０１：バンドパスフィルター
５０２a：第１の光検知器
５０２b：第２の光検知器
６：アライメント手段
７：制御手段
１０：半導体ウエーハ
F：環状のフレーム
T：粘着テープ
2: stationary base 3: chuck table mechanism 36: chuck table 37: X-axis direction moving means 374: X-axis direction position detecting means 38: Y-axis direction moving means 384: Y-axis direction position detecting means 4: laser beam irradiation unit 5 : Laser beam irradiation means 51: pulse laser beam oscillation means 52: output adjustment means 53: collector 54: dichroic mirror 55: branching means 50: plasma detection means 501: bandpass filter 502 a: first light detector 502 b: second Optical detector 6: Alignment means 7: Control means 10: Semiconductor wafer
F: Ring frame
T: Adhesive tape
Claims (2)
該レーザー光線照射手段は、被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線の出力を調整する出力調整手段と、該レーザー光線発振手段から発振され該出力調整手段によって出力が調整されたレーザー光線を集光して該被加工物保持手段に保持された被加工物に照射する集光器と、該パルスレーザー光線発振手段と該集光器との間に配設され該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を加工送り方向に複数のレーザー光線に分岐する分岐手段とを具備しており、
該複数のレーザー光線の照射によって被加工物が発するプラズマを検出するプラズマ検出手段と、該プラズマ検出手段からの検出信号に基づいて被加工物の加工状態を判定する制御手段と、を具備し、
該制御手段は、該プラズマ検出手段からの検出信号に基づいて、該複数のレーザー光線における先行して照射される先行レーザー光線の照射によってプラズマが検出され、先行レーザー光線に追随して照射される後続レーザー光線の照射によってはプラズマが検出されない場合には被加工物が完全切断されたと判定し、後続レーザー光線の照射によってプラズマが検出された場合には被加工物が完全切断されていないと判定する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。 A workpiece holding means for holding a workpiece, a laser beam irradiation means for irradiating a workpiece held by the workpiece holding means with a pulsed laser beam, the workpiece holding means, and the laser beam irradiation means. A laser processing apparatus comprising: a processing feed means that moves relative to the processing feed direction;
The laser beam irradiation means includes a laser beam oscillation means that oscillates a laser beam having a wavelength that is absorptive to a workpiece, an output adjustment means that adjusts the output of the laser beam oscillated from the laser beam oscillation means, and the laser beam oscillation means A condensing device for condensing the laser beam oscillated from the output and adjusting the output by the output adjusting unit and irradiating the workpiece held by the workpiece holding unit, the pulsed laser beam oscillating unit and the concentrator And a branching means for branching the laser beam oscillated from the laser beam oscillation means into a plurality of laser beams in the processing feed direction,
Plasma detecting means for detecting plasma emitted from the workpiece by irradiation with the plurality of laser beams, and control means for determining a processing state of the workpiece based on a detection signal from the plasma detecting means,
The control means detects a plasma based on a detection signal from the plasma detection means by irradiation of a preceding laser beam that is irradiated in advance in the plurality of laser beams, and follows the preceding laser beam. If the plasma is not detected by irradiation, it is determined that the workpiece is completely cut, and if the plasma is detected by irradiation of the subsequent laser beam, it is determined that the workpiece is not completely cut.
Laser processing equipment characterized by that.
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