JP6433304B2 - Heating device, temperature estimation device, heater control device - Google Patents
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Description
本発明は、加熱に関する。 The present invention relates to heating.
圧縮着火方式による内燃機関(例えばディーゼルエンジン等)の補助熱源として、グロープラグが広く用いられている。グロープラグの表面温度を推定する手法として、グロープラグを構成する発熱体の電気抵抗値を利用する手法が知られている。この手法は、発熱体の電気抵抗値が発熱体の温度に依存することを利用している(例えば、特許文献1)。 Glow plugs are widely used as auxiliary heat sources for internal combustion engines (for example, diesel engines) using a compression ignition system. As a method for estimating the surface temperature of the glow plug, a method using the electric resistance value of a heating element constituting the glow plug is known. This technique utilizes the fact that the electrical resistance value of the heating element depends on the temperature of the heating element (for example, Patent Document 1).
上記先行技術の場合、発熱体の電気抵抗値とグロープラグの表面温度とが一定の関係にあることを前提としている。しかし実際には、発熱体の電気抵抗値は、エンジンの冷却水温度、エンジンオイルの温度、燃焼室内の温度などにも依存し、グロープラグの表面温度を正確に推定するためには上記要因を考慮した複雑な補正が必要になる。さらには、発熱体の電気抵抗値と発熱体の温度との関係は、製造上のばらつきの影響を受けやすい。これらの要因のため、上記先行技術には、温度推定の精度に向上の余地があった。このような課題は、グロープラグに限られず、発熱体を用いたヒータ全般に共通であった。本発明は、上記先行技術に鑑み、ヒータの温度推定の精度を向上させること、又はヒータの温度を精度良く制御することを解決課題とする。 In the case of the above prior art, it is assumed that the electrical resistance value of the heating element and the surface temperature of the glow plug have a certain relationship. In practice, however, the electrical resistance value of the heating element also depends on the engine coolant temperature, engine oil temperature, combustion chamber temperature, etc., and the above factors are necessary to accurately estimate the surface temperature of the glow plug. Complicated correction is required. Furthermore, the relationship between the electrical resistance value of the heating element and the temperature of the heating element is easily affected by manufacturing variations. Because of these factors, the prior art has room for improvement in the accuracy of temperature estimation. Such a problem is not limited to the glow plug, but is common to all heaters using a heating element. In view of the above-described prior art, an object of the present invention is to improve the accuracy of heater temperature estimation or to accurately control the temperature of the heater.
本発明は、上記課題を解決するためのものであり、以下の形態として実現できる。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve the above-described problems, and the invention can be implemented as the following forms.
(1)本発明の一形態によれば、導電体と、通電によって発熱する発熱体と、前記導電体および前記発熱体を互いに隔離した状態で内部に埋設して保持するセラミック製の基体と、を備えるヒータと;前記発熱体に通電することによって、前記ヒータを発熱させる通電部と、を備える加熱装置が提供される。この加熱装置は;前記導電体と前記発熱体との間の前記基体の電気抵抗値を取得する取得部と;前記取得部により取得された前記電気抵抗値に基づき、前記基体の温度を推定する推定部と、を備えることを特徴とする。基体はセラミック製なので、基体の電気抵抗値は温度に対して強く依存し、基体における高温の部位ほど電気抵抗値が小さくなる。よって、導電体と発熱体との間における最高温度の部位の電気抵抗値が、導電体と発熱体との間の基体の電気抵抗値(以下「基体抵抗値」という)の支配的な因子になる。このような局所的な部位の電気抵抗値に基づき温度推定を実行することで、ヒータが配置される外部環境の影響や製造上のばらつきの影響等を低減でき、ひいてはヒータの温度推定の精度が向上する。 (1) According to one aspect of the present invention, a conductor, a heating element that generates heat when energized, a ceramic base that is embedded and held inside the conductor and the heating element in a state of being isolated from each other; There is provided a heating device including: a heater including: an energization unit that generates heat by energizing the heater. The heating apparatus includes: an acquisition unit that acquires an electrical resistance value of the base between the conductor and the heating element; and a temperature of the base is estimated based on the electrical resistance value acquired by the acquisition unit And an estimation unit. Since the substrate is made of ceramic, the electric resistance value of the substrate strongly depends on the temperature, and the electric resistance value decreases as the temperature of the substrate increases. Therefore, the electrical resistance value of the highest temperature portion between the conductor and the heating element is a dominant factor of the electrical resistance value of the substrate (hereinafter referred to as “substrate resistance value”) between the conductor and the heating element. Become. By performing temperature estimation based on the electrical resistance value of such a local part, it is possible to reduce the influence of the external environment in which the heater is arranged, the influence of manufacturing variations, and the like. improves.
(2)本発明の他の形態によれば、導電体と、通電によって発熱する発熱体と、前記導電体および前記発熱体を互いに隔離した状態で内部に埋設して保持するセラミック製の基体と、を備えるヒータと;前記発熱体に通電することによって、前記ヒータを発熱させる通電部と、を備える加熱装置が提供される。この加熱装置は;前記導電体と前記発熱体との間の前記基体の電気抵抗値を取得する取得部を備え;前記通電部は、前記取得部により取得された前記電気抵抗値が所定の値となるように、前記発熱体への通電を制御することを特徴とする。先述したように、基体抵抗値とヒータの温度とには強い相関がある。よって、基体抵抗値を制御することで、ヒータの温度を精度良く制御できる。 (2) According to another aspect of the present invention, a conductor, a heating element that generates heat when energized, and a ceramic substrate that is embedded and held inside the conductor and the heating element in a state of being isolated from each other; A heating device is provided that includes: a heater including: an energization unit that generates heat by energizing the heating element. The heating apparatus includes an acquisition unit that acquires an electric resistance value of the base body between the conductor and the heating element; and the energization unit has the electric resistance value acquired by the acquisition unit being a predetermined value It is characterized by controlling the electricity supply to the said heat generating body so that it may become. As described above, there is a strong correlation between the substrate resistance value and the heater temperature. Therefore, the temperature of the heater can be accurately controlled by controlling the substrate resistance value.
(3)上記形態において、前記取得部は、前記導電体および前記発熱体の間の電位差、並びに前記導電体および前記発熱体の間に流れる電流値に基づき、前記電気抵抗値を取得してもよい。容易に電気抵抗値を取得できる。 (3) In the above embodiment, the acquisition unit may acquire the electrical resistance value based on a potential difference between the conductor and the heating element and a current value flowing between the conductor and the heating element. Good. The electric resistance value can be easily acquired.
本発明は、上記以外の種々の形態で実現できる。例えば、ヒータを備えなくてもよい。つまり、温度推定装置やヒータ制御装置として実現してもよい。或いは、温度推定方法やヒータ制御方法、この方法を実現するためのコンピュータプログラム、このコンピュータプログラムを記憶した一時的でない記憶媒体等の形態で実現できる。 The present invention can be realized in various forms other than the above. For example, the heater may not be provided. That is, you may implement | achieve as a temperature estimation apparatus and a heater control apparatus. Alternatively, it can be realized in the form of a temperature estimation method, a heater control method, a computer program for realizing this method, a non-temporary storage medium storing this computer program, or the like.
図1は、加熱装置100の概略構成を示す。加熱装置100は、ディーゼルエンジン車に搭載され、ディーゼルエンジンの燃焼室を加熱する。この加熱は、インジェクタ459から噴射された燃料の着火を補助するために実行される。
FIG. 1 shows a schematic configuration of the
加熱装置100は、グロープラグ1と、制御部50と、を備える。グロープラグ1は、セラミックグロープラグである。グロープラグ1は、図1に示すように、シリンダブロック45に対して、ハウジング4の雄ねじ部を螺合することにより装着する。これにより、グロープラグ1の先端部が、シリンダブロック45の燃焼室に露出した状態で装着される。
The
制御部50は、ECU52と、グローリレー53と、バッテリ54と、グローリレー531と、を備える。グローリレー53は、バッテリ54の正極と、グロープラグ1に備えられた外部リード線233との間に配置される。
The
バッテリ54の負極は、グローリレー531を介して、シリンダブロック45に接続されている。グローリレー53がオンの場合、バッテリ54の負極がシリンダブロック45に導通する。シリンダブロック45の電位は接地電位であるので、グローリレー531がオンの場合、バッテリ54の負極は接地される。
The negative electrode of the
ECU52は、グローリレー53及びグローリレー531をオンにすることで、バッテリ54の電力を、グロープラグ1に備えられた外部リード線233を介して給電する。ECU52は、この給電によって、グロープラグ1を発熱させる。ECU52は、グローリレー53のオン時間とオフ時間との割合を制御することで、グロープラグ1の発熱を制御する。グローリレー531は、加熱が実行される間は常にオンにされ、加熱が停止された場合にオフにされる。
The ECU 52 supplies power to the
制御部50は、さらに、直流電源51と、リレー55と、抵抗521と、電位差計522と、を備える。リレー55は、抵抗521と、グロープラグ1に備えられた外部リード線333との間に配置される。リレー55は、直流電源51からグロープラグ1への給電のオン、オフをスイッチングするためのものである。
The
直流電源51の負極は、シリンダブロック45に接続されることで、接地されている。抵抗521は、直流電源51の正極側に配置されている。電位差計522は、抵抗521において降下する電圧値(降下電圧)を測定する。
The negative electrode of the
ECU52は、これらの回路構成を用いて、グロープラグ1の温度を推定する。ECU52は、推定した温度を、先述したグロープラグ1の発熱の制御に利用する(図4,図5と共に後述)。ECU52は、さらに、水温センサ525と回転数センサ526とから取得した値も、上記発熱の制御に利用する。水温センサ525は、エンジン冷却水の温度を測定する。回転数センサ526は、エンジン回転数を測定する。上記の温度推定と発熱制御とについては図4,図5と共に後述する。
The ECU 52 estimates the temperature of the glow plug 1 using these circuit configurations. The ECU 52 uses the estimated temperature for controlling the heat generation of the glow plug 1 described above (described later with reference to FIGS. 4 and 5). The ECU 52 further uses the values acquired from the
図2は、グロープラグ1の部分断面図である。図3は、グロープラグ1の先端付近の断面図であり、シリンダブロック45に取り付けられた状態を示す。以下、図2、図3を参照して説明する。
FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the glow plug 1. FIG. 3 is a cross-sectional view of the vicinity of the tip of the glow plug 1 and shows a state where the glow plug 1 is attached to the
グロープラグ1は、図2に示すように、ハウジング4と、ヒータ10と、端子部23と、端子部31と、内部リード線33と、内部リード線231と、接続端子232と、外部リード線233と、接続端子332と、外部リード線333と、ゴムブッシュ421と、を備える。これらの部材は、グロープラグ1の軸線Oに沿って組み付けられている。なお、本明細書では、グロープラグ1におけるヒータ10側を「先端側」と呼び、その反対側を「後端側」と呼ぶ。
As shown in FIG. 2, the glow plug 1 includes a
図2に示すように、ハウジング4は、外筒41と、保護筒42と、主体金具47と、を有する。保護筒42は、軸線Oに沿って延びる略円筒形状の部材であり、先端側および後端側に開口部を有する。保護筒42の先端側開口部は、主体金具47の後端に装着されている。保護筒42の後端側開口部には、ゴムブッシュ421が挿入されている。ゴムブッシュ421は、ゴム製の円柱部材である。ゴムブッシュ421が保護筒42に挿入されることで、ゴムブッシュ421よりも先端側が封止される。外筒41は、保護筒42の先端側に配置される。主体金具47には、雄ねじ部43が設けられている。雄ねじ部43は、エンジンのシリンダブロック45へ装着するために用いられる。
As shown in FIG. 2, the
図3に示すように、ヒータ10は、半球状の先端部を有し、軸線Oに沿って延びる略棒状の部材である。ヒータ10は、ハウジング4内に、外筒41を介して固定されている。外筒41は、金属製であり、リング形状の部材である。ヒータ10は、通電発熱体2と、電極3と、基体11と、一対のリード線21、22と、を有する。通電発熱体2、電極3及びリード線21、22は、基体11内に埋設されて保持される。基体11は、Si3N4(窒化ケイ素)を主成分として含有するセラミックで形成される。
As shown in FIG. 3, the
図2に示すように、外部リード線233、333は、ゴムブッシュ421を貫通し、グロープラグ1の内部に通じている。外部リード線233は、接続端子232と内部リード線231とを介して、端子部23に接続されている。端子部23は、ハウジング4の内周面との隙間が設けられた状態で、基体11の外周面に配置される。端子部23は、後述するように、ヒータ10を介して、ハウジング4に導通している。ハウジング4は、先述したようにシリンダブロック45に固定されることで、接地電位のシリンダブロック45に導通している。シリンダブロック45は、先述したように、バッテリ54の負極に接続されている。よって、グローリレー53,531がオンになると、閉回路が形成される。
As shown in FIG. 2, the
図3に示すように、端子部23には、リード線21が接続される。リード線21は、基体11の内部を通り、U字形状を有する通電発熱体2の一端に接続される。通電発熱体2の他端は、リード線22を介し、外筒41に接続される。よって、グローリレー53,531がオンになると、バッテリ54の電圧が通電発熱体2に印加され、基体11の内部に埋設された通電発熱体2を電流が流れる。通電発熱体2は、基体11よりも電気抵抗値が小さいセラミックで形成され、通電されると先端付近が発熱する。
As shown in FIG. 3, the
次に、先述した温度推定のための回路について説明する。図2に示すように、外部リード線333は、接続端子332と内部リード線33とを介して、基体11の後端に配置された端子部31に接続されている。図3に示すように、電極3は、一端が端子部31に接続され、基体11内部で軸線O方向に沿って延びる。電極3の他端は、通電発熱体2の先端付近に配置される。
Next, the above-described circuit for temperature estimation will be described. As shown in FIG. 2, the
電極3は、導電性セラミックからなり、通電発熱体2に対して隔離された状態で、基体11の内部に埋設される。よって、リレー55がオンになり、直流電源51と電極3とが導通すると、電極3と通電発熱体2との間に電位差が発生する。この電位差は、次から説明する温度制御処理において利用される。
The
図4は、温度制御処理を示すフローチャートである。温度制御処理は、グロープラグ1による発熱が要求されている間、ECU52によって繰り返し実行される。
FIG. 4 is a flowchart showing the temperature control process. The temperature control process is repeatedly executed by the
まず、電位差計522を用い、抵抗521における降下電圧V521を取得する(ステップS610)。続いて、基体抵抗値R11を算出する(ステップS620)。基体抵抗値R11とは、通電発熱体2と電極3との間の基体11の電気抵抗値である。
First, the
基体11は、セラミック製であり、一般的には絶縁体に分類される電気抵抗値を有する。しかし、基体11の電気抵抗値は、当然、有限なので、電極3に高電圧を印加すると、僅かな電流が基体11内を流れる。この電流は、基体11内に埋設された導電体、及び基体11に接触した導電体に流れ、最終的にはシリンダブロック45へと流れる。基体11内に配置された導電体とは、通電発熱体2と、リード線21と、リード線22と、である。基体11に接触した導電体とは、端子部23と、端子部31と、外筒41と、である。
The
但し、上記の基体11内を流れる電流の大部分は、電極3の先端付近から通電発熱体2の先端付近へと流れる。これは、後述するように、基体11は、温度が高い部位ほど電気抵抗値が低くなるからである。先述したように通電発熱体2は、先端付近が発熱するので、通電発熱体2の先端付近の基体11は、他の部位に比べて温度が高くなる。
However, most of the current flowing in the base 11 flows from the vicinity of the tip of the
そこで、基体抵抗値R11の算出においては、電極3以外に流れる電流は無視する。さらに、通電発熱体2の電気抵抗値は、基体抵抗値R11に比べて小さいので、基体抵抗値R11の算出においては無視する。つまり、通電発熱体2は、本実施形態では導電体として取り扱う。
Therefore, in the calculation of the substrate resistance value R 11 , the current flowing outside the
上記を前提にした場合、基体抵抗値R11は、下記式(5)によって算出される。下記式(1)〜(5)におけるV11は通電発熱体2と電極3との電位差、Iは抵抗521を流れる電流値、V0は直流電源51の電圧を示す。
When the above is assumed, the substrate resistance value R 11 is calculated by the following equation (5). In the following formulas (1) to (5), V 11 represents a potential difference between the
R11=V11/I…(1)、V11=V0−V521…(2)、I=V521/R521…(3)
式(1)に式(2)と式(3)と、を代入すると、式(4)になる。
R11=(V0−V521)/(V521/R521)…(4)
本実施形態では、V521≪V0なので、式(4)を変形すると、式(5)になる。
R11=V0×R521/V521…(5)
R 11 = V 11 / I (1), V 11 = V 0 −V 521 (2), I = V 521 / R 521 (3)
Substituting Equation (2) and Equation (3) into Equation (1) yields Equation (4).
R 11 = (V 0 −V 521 ) / (V 521 / R 521 ) (4)
In the present embodiment, since V 521 << V 0 , when Expression (4) is transformed, Expression (5) is obtained.
R 11 = V 0 × R 521 / V 521 (5)
続いて、基体11の最高表面温度を推定する(ステップS630)。基体11の最高表面温度とは、基体11の表面温度の中での最高値のことである。基体11の表面温度は、部位によって異なり、通常、通電発熱体2の先端付近が最高値を呈する。
Subsequently, the maximum surface temperature of the
図5は、基体11の最高表面温度と基体抵抗値R11との関係を概略的に示すグラフである。このグラフは、基体抵抗値R11を対数で示す片対数グラフである。この関係は、基体11の最高表面温度を変化させながら基体抵抗値R11を実測する実験によって予め取得されたものであり、ECU52に記憶されている。
FIG. 5 is a graph schematically showing the relationship between the maximum surface temperature of the substrate 11 and the substrate resistance value R 11 . This graph is a semi-logarithmic graph showing the substrate resistance value R 11 as a logarithm. This relationship is acquired in advance by an experiment in which the substrate resistance value R 11 is measured while changing the maximum surface temperature of the
基体11の最高表面温度は、図5に示すように、基体抵抗値R11の変化に対し、僅かにしか変化しない。例えば、図5に示すように、基体抵抗値R11が値Aから1000倍に増大しても、対応する基体11の最高表面温度は1200℃から600℃にしか変化しない。
As shown in FIG. 5, the maximum surface temperature of the substrate 11 changes only slightly with respect to the change in the substrate resistance value R 11 . For example, as shown in FIG. 5, even if the substrate resistance value R 11 increases 1000 times from the value A, the maximum surface temperature of the corresponding
次に、目標温度を決定する(ステップS640)。目標温度とは、基体11の最高表面温度の目標値である。目標温度は、水温センサ525からの入力値、回転数センサ526からの入力値、その他、エンジンに関する値(例えば、吸気の温度)に基づき決定する。
Next, a target temperature is determined (step S640). The target temperature is a target value for the maximum surface temperature of the
続いて、目標抵抗値を決定する(ステップS650)。目標抵抗値とは、ステップS640で決定した目標温度に対応する基体抵抗値R11のことである。この決定は、図5に示した関係に基づき実行される。 Subsequently, a target resistance value is determined (step S650). The target resistance value is the substrate resistance value R 11 corresponding to the target temperature determined in step S640. This determination is executed based on the relationship shown in FIG.
最後に、通電を制御する(ステップS660)。具体的には、基体抵抗値R11が目標抵抗値に近づくように、グローリレー53のオン時間とオフ時間との比率を制御する。その後、温度制御処理を終える。
Finally, energization is controlled (step S660). Specifically, the ratio between the on time and the off time of the
上記の実施形態によれば、少なくとも以下の効果を得ることができる。
(a)基体11の最高表面温度を精度良く推定できる。この効果がもたらされる理由は、主には次の(a−1),(a−2),(a−3)であると考えられる。
According to the above embodiment, at least the following effects can be obtained.
(A) The maximum surface temperature of the
(a−1)基体抵抗値R11に基づく推定手法の場合、先述したように、推定される最高表面温度の値は、基体抵抗値R11の変動に対して鈍感である。この結果、基体抵抗値R11の測定に多少の誤差が含まれたとしても、推定される温度の値はあまり変わらない。よって、上記の推定精度が良くなる。 (A-1) In the case of the estimation method based on the substrate resistance value R 11 , as described above, the estimated maximum surface temperature value is insensitive to fluctuations in the substrate resistance value R 11 . As a result, even if some errors are included in the measurement of the substrate resistance value R 11 , the estimated temperature value does not change much. Therefore, the above estimation accuracy is improved.
(a−2)基体11は、温度が高くなると電気抵抗値が大幅に小さくなるので、通電発熱体2と電極3との間の基体11のうち、最高温度を呈する部位における電気抵抗値が、基体抵抗値R11の支配的因子になる。つまり、基体抵抗値R11は、上記最高温度の値を強く反映するパラメータである。上記最高温度の値は、基体11の最高表面温度に近似すると考えられる。よって、基体抵抗値R11は、基体11の最高表面温度を推定するパラメータとして優れている。
(A-2) Since the electrical resistance value of the
(a−3)基体抵抗値R11は、上記のように局所的な部位の状態を強く反映したパラメータであるので、グロープラグの製造におけるばらつきや、外乱の影響を受けにくい。外乱とは、エンジンの冷却水温度、エンジンオイルの温度、燃焼室内の温度などのことである。 (A-3) The substrate resistance value R 11 is a parameter that strongly reflects the state of the local part as described above, and thus is less susceptible to variations in the manufacture of glow plugs and disturbances. Disturbance refers to engine coolant temperature, engine oil temperature, combustion chamber temperature, and the like.
(b)基体抵抗値R11の取得は、先述した簡易な回路によって容易に実現できる。
(c)上記のように本実施形態の温度推定は、外乱の影響を受けにくいので、外乱を考慮した複雑な補正処理等が不要になる。
(d)上記のように、最高表面温度を精度良く推定できるので、最高表面温度を精度良く制御できる。
(B) Acquisition of the substrate resistance value R 11 can be easily realized by the simple circuit described above.
(C) As described above, the temperature estimation according to the present embodiment is not easily affected by the disturbance, so that a complicated correction process or the like considering the disturbance becomes unnecessary.
(D) Since the maximum surface temperature can be estimated with high accuracy as described above, the maximum surface temperature can be controlled with high accuracy.
本発明は、本明細書の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現できる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、先述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、先述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことができる。その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除できる。例えば、以下のものが例示される。 The present invention is not limited to the embodiments, examples, and modifications of the present specification, and can be implemented with various configurations without departing from the spirit of the present invention. For example, the technical features in the embodiments, examples, and modifications corresponding to the technical features in the embodiments described in the summary section of the invention are to solve some or all of the above-described problems, or In order to achieve part or all of the effects described above, replacement or combination can be performed as appropriate. If the technical feature is not described as essential in this specification, it can be deleted as appropriate. For example, the following are exemplified.
基体の最高表面温度を制御しなくてもよい。つまり、先述した温度制御処理において、ステップS610〜S630を実行する一方で、基体の最高表面温度を制御するためのステップ(ステップS640〜S660)は実行しなくてもよい。つまり、温度制御処理の一部を、温度推定処理として実行してもよい。 It is not necessary to control the maximum surface temperature of the substrate. That is, in the temperature control process described above, steps S610 to S630 are executed, but steps (steps S640 to S660) for controlling the maximum surface temperature of the substrate need not be executed. That is, a part of the temperature control process may be executed as the temperature estimation process.
基体の最高表面温度を推定しなくてもよい。つまり、先述した温度制御処理において、基体の最高表面温度の推定(ステップS630)を実行しなくてもよい。基体の温度推定を実行しなくても、基体の最高表面温度を制御するためのステップ(ステップS640〜S660)は実行できる。 It is not necessary to estimate the maximum surface temperature of the substrate. That is, in the temperature control process described above, the estimation of the maximum surface temperature of the substrate (step S630) may not be performed. The steps for controlling the maximum surface temperature of the substrate (steps S640 to S660) can be performed without performing the temperature estimation of the substrate.
基体の材質は、他のセラミックに変更してもよい。例えば、二ホウ化チタン単体、或いは窒化ケイ素と二ホウ化チタンとの混合物でもよいし、アルミナやサイアロン等でもよい。 The material of the substrate may be changed to another ceramic. For example, titanium diboride alone, a mixture of silicon nitride and titanium diboride, alumina, sialon, or the like may be used.
基体抵抗値を求めるための回路構成は、変更してもよい。例えば、1対の外部リード線の間に電圧を印加して、電流値を測定するように構成してもよい。このように構成すれば、通電発熱体と電極との間に印加される電圧が正確に把握できるので、基体抵抗値の測定精度が向上する。 The circuit configuration for obtaining the substrate resistance value may be changed. For example, a current may be measured by applying a voltage between a pair of external lead wires. If comprised in this way, since the voltage applied between an energization heat generating body and an electrode can be grasped | ascertained correctly, the measurement precision of a base | substrate resistance value will improve.
グロープラグ以外のセラミックヒータに適用してもよい。例えば、例えば暖房器具、ハンダゴテ用熱源、温水便座、半導電体製造装置用熱源、測定機器用熱源、理化機器部品に適用してもよい。 You may apply to ceramic heaters other than a glow plug. For example, the present invention may be applied to, for example, a heating appliance, a heat source for soldering iron, a warm water toilet seat, a heat source for a semi-conductor manufacturing apparatus, a heat source for measuring equipment, and a rational equipment part.
1…グロープラグ
2…通電発熱体
3…電極
4…ハウジング
10…ヒータ
11…基体
21…リード線
22…リード線
23…端子部
31…端子部
33…内部リード線
41…外筒
42…保護筒
43…雄ねじ部
45…シリンダブロック
50…制御部
51…直流電源
52…ECU
53…グローリレー
54…バッテリ
55…リレー
100…加熱装置
231…内部リード線
232…接続端子
233…外部リード線
333…外部リード線
421…ゴムブッシュ
521…抵抗
522…電位差計
525…水温センサ
526…回転数センサ
531…グローリレー
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ...
53 ...
Claims (5)
前記発熱体に通電することによって、前記ヒータを発熱させる通電部と、
を備える加熱装置であって、
前記導電体と前記発熱体との間の前記基体の電気抵抗値を取得する取得部と、
前記取得部により取得された前記電気抵抗値に基づき、前記基体の温度を推定する推定部と、
を備えることを特徴とする加熱装置。 A heater comprising: a conductor; a heating element that generates heat when energized; and a ceramic base that embeds and holds the conductor and the heating element in an isolated state.
An energization section for generating heat by energizing the heating element;
A heating device comprising:
An acquisition unit for acquiring an electric resistance value of the base body between the conductor and the heating element;
Based on the electrical resistance value acquired by the acquisition unit, an estimation unit that estimates the temperature of the base body,
A heating apparatus comprising:
前記発熱体に通電することによって、前記ヒータを発熱させる通電部と、
を備える加熱装置であって、
前記導電体と前記発熱体との間の前記基体の電気抵抗値を取得する取得部を備え、
前記通電部は、前記取得部により取得された前記電気抵抗値が所定の値となるように、前記発熱体への通電を制御する
ことを特徴とする加熱装置。 A heater comprising: a conductor; a heating element that generates heat when energized; and a ceramic base that embeds and holds the conductor and the heating element in an isolated state.
An energization section for generating heat by energizing the heating element;
A heating device comprising:
An acquisition unit for acquiring an electrical resistance value of the base body between the conductor and the heating element;
The heating device, wherein the energization unit controls energization to the heating element such that the electric resistance value acquired by the acquisition unit becomes a predetermined value.
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の加熱装置。 The said acquisition part acquires the said electrical resistance value based on the electric potential difference between the said conductor and the said heat generating body, and the electric current value which flows between the said conductor and the said heat generating body. The heating apparatus according to claim 2.
前記導電体と前記発熱体との間の前記基体の電気抵抗値を取得する取得部と、
前記取得部により取得された前記電気抵抗値に基づき、前記基体の温度を推定する推定部と、
を備えることを特徴とする温度推定装置。 A temperature estimation device that estimates the temperature of a heater comprising a conductor, a heating element that generates heat when energized, and a ceramic base that is embedded and held inside the conductor and the heating element in an isolated state. There,
An acquisition unit for acquiring an electric resistance value of the base body between the conductor and the heating element;
Based on the electrical resistance value acquired by the acquisition unit, an estimation unit that estimates the temperature of the base body,
A temperature estimation device comprising:
前記導電体と前記発熱体との間の前記基体の電気抵抗値を取得する取得部を備え、
前記通電部は、前記取得部により取得された前記電気抵抗値が所定の値となるように、前記発熱体への通電を制御する
ことを特徴とするヒータ制御装置。 In order to heat a heater comprising a conductor, a heating element that generates heat when energized, and a ceramic base that is embedded and held inside the conductor and the heating element in an isolated state, the heating element A heater control device including an energization unit for energizing
An acquisition unit for acquiring an electrical resistance value of the base body between the conductor and the heating element;
The heater control device, wherein the energization unit controls energization to the heating element such that the electric resistance value acquired by the acquisition unit becomes a predetermined value.
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