JP6426453B2 - Method of manufacturing circuit board - Google Patents
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Description
本開示は、回路基板の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a method of manufacturing a circuit board.
近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、高密度化の要求が年々増しており、かかる要求を満たす方式としてベアチップ実装方式が注目されている。ベアチップ実装方式においては、チップと基板配線との電気的接続をワイヤボンディングを介して達成する従来のフェイスアップ実装に代わり、該電気的接続を金属バンプを介して達成するフェイスダウン実装が広く採用される傾向にある。金属バンプを介してフェイスダウン実装する、いわゆる金属バンプ法によると、電子部品間に低抵抗な接続を形成することが期待できる。 In recent years, with regard to mounting of electronic components on printed wiring boards and ceramic substrates, the demand for higher density has been increasing year by year, and a bare chip mounting method has attracted attention as a method for meeting such a request. In the bare chip mounting method, instead of the conventional face-up mounting in which the electrical connection between the chip and the substrate wiring is achieved through wire bonding, the face-down mounting in which the electrical connection is achieved through metal bumps is widely adopted. Tend to According to the so-called metal bump method of face-down mounting via metal bumps, it can be expected to form low-resistance connections between electronic components.
金属バンプを狭ピッチ化する方法として、特許文献１は、基板表面上のソルダレジスト層の上に、さらにドライフィルムレジストをラミネートし、電極パッドに開口部を設け、はんだペーストを供給し、リフロー後、ドライフィルムレジストを剥離する方法を開示する。 As a method of narrowing the metal bumps, Patent Document 1 further laminates a dry film resist on the solder resist layer on the substrate surface, provides an opening in the electrode pad, supplies a solder paste, and reflows it. Disclosed is a method of stripping dry film resist.
特許文献２は、ドライフィルムレジストの剥離を容易とするため、ドライフィルムレジストとしてネガ型感放射線性二層積層膜を使用することを開示する。
金属バンプ法においては、バンプ形成のために用いたドライフィルムレジストの剥離される必要があるが、洗浄しても剥離残渣が残る場合、あるいは、洗浄により剥離残渣は残らないがソルダレジスト層表面が荒れてしまう場合がある。どちらの場合も、良好な電子部品実装を行うことが困難となってしまう。 In the metal bump method, it is necessary to peel off the dry film resist used for bump formation, but if peeling residue remains even after washing, or if peeling residue is not left by washing, the solder resist layer surface is It may be rough. In either case, it becomes difficult to perform good electronic component mounting.
そこで、本開示は、一態様において、リフロー後のドライフィルムレジストの剥離性を向上できる回路基板の製造方法を提供する。 Thus, the present disclosure provides, in one aspect, a method for manufacturing a circuit board that can improve the releasability of a dry film resist after reflow.
本開示は、一又は複数の実施形態において、基板表面上に形成するソルダレジスト層とドライフィルムレジスト層との間に、２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分であって、動粘度が８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下である液体状の有機物成分の層を形成することを含む、回路基板の製造方法に関する。 The present disclosure provides, in one or more embodiments, a liquid having a weight change of 4.0% or less after standing at 250 ° C. for 30 minutes between a solder resist layer and a dry film resist layer formed on a substrate surface. a Jo of organic components, kinematic viscosity comprises forming a layer of liquid organic component is less than 80 mm 2 / s or more 120000mm 2 / s, a method of manufacturing a circuit board.
本開示は、一又は複数の実施形態において、工程（１）〜（７）を含む回路基板の製造方法に関する。
工程（１）：はんだ付け部が設けられた基板表面にソルダレジスト層を形成し、前記はんだ付け部が露出するようにはんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（２）：前記ソルダレジスト層上に２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分であって、動粘度が８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下である液体状の有機物成分の層を形成する工程。
工程（３）：前記有機物成分の層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程。
工程（４）：前記ドライフィルムレジスト層及び前記有機物成分の層に、前記はんだ付け部が露出するように、工程（１）の開口部と連通するはんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（５）：前記はんだ付け用開口部にはんだバンプ形成材料を入れる工程。
工程（６）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（７）：前記ドライフィルムレジスト層を剥離する工程。
The present disclosure relates, in one or more embodiments, to a method of manufacturing a circuit board including steps (1) to (7).
Step (1): a step of forming a solder resist layer on the surface of the substrate provided with the soldered portion, and forming a soldering opening so that the soldered portion is exposed.
Step (2): A liquid organic component having a weight change of 4.0% or less while standing at 250 ° C. for 30 minutes on the solder resist layer, and the dynamic viscosity is 80 mm 2 / s or more and 120,000 mm 2 / s Step of forming a layer of liquid organic component which is the following.
Step (3): forming a dry film resist layer on the layer of the organic component.
Step (4): A step of forming a soldering opening communicating with the opening of step (1) in the dry film resist layer and the layer of the organic component so as to expose the soldering part.
Step (5): a step of placing a solder bump forming material in the soldering opening.
Step (6): a step of heating to melt the solder bump forming material and fix the solder bumps on the soldering portion.
Step (7): a step of peeling the dry film resist layer.
本開示は、一又は複数の実施形態において、下記の工程（１’）、（２’）、及び（５）〜（７）を含む回路基板の製造方法に関する。
工程（１’）：はんだ付け部が設けられた基板表面にソルダレジスト層を形成し、前記ソルダレジスト層上に２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分であって、動粘度が８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下である液体状の有機物成分の層を形成し、前記有機物成分の層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程。
工程（２’）：前記ソルダレジスト層、有機物成分の層、及びドライフィルムレジスト層に、前記はんだ付け部が露出するように、はんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（５）：前記はんだ付け用開口部にはんだバンプ形成材料を入れる工程。
工程（６）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（７）：前記ドライフィルムレジスト層を剥離する工程。
The present disclosure relates to a method of manufacturing a circuit board including the following steps (1 ′), (2 ′), and (5) to (7) in one or more embodiments.
Step (1 ′): A solder resist layer is formed on the surface of the substrate provided with the soldered portion, and the liquid state in which the weight change under standing at 250 ° C. for 30 minutes is 4.0% or less on the solder resist layer be organic component, the step of kinematic viscosity 80 mm 2 / s or more 120000mm 2 / s to form a layer of liquid organic component or less, to form a dry film resist layer on the layer of the organic components.
Step (2 ′): a step of forming a soldering opening in the solder resist layer, the layer of the organic component, and the dry film resist layer so as to expose the soldered part.
Step (5): a step of placing a solder bump forming material in the soldering opening.
Step (6): a step of heating to melt the solder bump forming material and fix the solder bumps on the soldering portion.
Step (7): a step of peeling the dry film resist layer.
本開示に係る回路基板の製造方法によれば、ドライフィルムレジスト等の樹脂マスク層（樹脂膜）を用いて回路基板のはんだ付け部（例えば、電極など）にはんだバンプを固定化する場合において、はんだバンプの加熱処理（リフロー）後のドライフィルムレジストの剥離性を向上できる、という効果が奏され得る。 According to the method of manufacturing a circuit board according to the present disclosure, when a solder bump is fixed to a soldered portion (for example, an electrode) of a circuit board using a resin mask layer (resin film) such as dry film resist The effect of being able to improve the releasability of the dry film resist after the heat treatment (reflow) of the solder bumps can be exhibited.
特許文献１等で開示される、ドライフィルムレジストを使用したはんだバンプ形成を含む回路基板の製造方法の一実施形態は、例えば、図３に概略されるものである。図３（ａ）に示すように、まず、回路基板１０の表面にソルダレジスト層１（絶縁層）が形成され強固に固定される。ソルダレジスト層１には、電極部１１が露出するように開口部が形成される。ソルダレジスト層１の上にドライフィルムレジスト２が積層され、露光により電極部１１を覆う部分が除かれ、前記開口部と連通するように開口部７が形成される。或いは、ソルダレジスト層１とドライフィルムレジスト層２とを積層した後に電極部１１が露出するように開口部７を形成してもよい。ついで図３（ｂ）に示すように、回路基板１０の開口部７にはんだバンプ形成材料５を塗布する。或いは、はんだバンプ形成材料のかわりに、はんだボールを開口部７に配置してもよい。ついで、加熱（リフロー）して、図３（ｃ）に示すように、はんだを前記電極部１１の表面に析出させ、はんだバンプ６を形成する。そして、図３（ｄ）に示すようにドライフィルムレジスト層２を洗浄剤組成物で剥離して、はんだバンプ６が形成された回路基板１０を得る。なお、一又は複数の実施形態において、必要に応じて図３（ｅ）に示すようにはんだバンプ６のフラッタニングを行う。図３に概略されるはんだバンプ形成方法においては、図示していないが、はんだの濡れ性等を向上させるため、はんだフラックスが使用されることがある。
One embodiment of a method of manufacturing a circuit board including solder bump formation using a dry film resist disclosed in Patent Document 1 etc. is, for example, schematically shown in FIG. As shown in FIG. 3A, first, the solder resist layer 1 (insulating layer) is formed on the surface of the
本開示は、ソルダレジスト層とドライフィルムレジスト層との間に、第３の層として所定の有機物成分の層を配置することで、ドライフィルムレジストの剥離性が向上する、という知見に基づく。つまり、該第３の層が配置されることにより、洗浄後のドライフィルムレジスト層の剥離残渣及び／又は洗浄後のソルダレジスト層の表面の荒れが、該第３の層がない場合と比べて、抑制されるという知見に基づく。 The present disclosure is based on the finding that, by disposing a layer of a predetermined organic component as a third layer between the solder resist layer and the dry film resist layer, the peelability of the dry film resist is improved. That is, by arranging the third layer, the peeling residue of the dry film resist layer after cleaning and / or the roughness of the surface of the solder resist layer after cleaning is higher than that in the case where the third layer is not provided. Based on the finding that it is suppressed.
本開示の方法において、ドライフィルムレジスト層の剥離性が向上するメカニズムの詳細は明らかではないが、以下のように推測される。
すなわち、ソルダレジスト層とドライフィルムレジスト層とが直接積層され、さらに、フラックス成分が加えられた状態で加熱（リフロー）されると、フラックス成分とドライフィルムレジスト層とが高温で変質し、ソルダレジスト層への結合が強固になることが剥離性の悪化の原因であると考えられる。ソルダレジスト層とドライフィルムレジスト層との間に、第３の層として所定の有機物成分の層を配置すること、高温変質による強固な結合を抑制できるため、ドライフィルムレジストの剥離性が向上すると考えられる。但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
In the method of the present disclosure, the details of the mechanism by which the peelability of the dry film resist layer is improved is not clear, but is presumed as follows.
That is, when the solder resist layer and the dry film resist layer are directly laminated, and further heated (reflow) in the state where the flux component is added, the flux component and the dry film resist layer are denatured at high temperature, and the solder resist It is believed that the strong bond to the layer is the cause of the deterioration of the releasability. It is believed that the layer of a predetermined organic component is disposed as a third layer between the solder resist layer and the dry film resist layer, and strong bonding due to high temperature deterioration can be suppressed, so that the peelability of the dry film resist is improved. Be However, the present disclosure may not be construed as limited to this mechanism.
［第３の層］
本開示に係る回路基板の製造方法は、一態様において、ソルダレジスト層とドライフィルムレジスト層との間に、第３の層として所定の有機物成分の層を配置することを含む。前記有機物成分の層は、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、液体状であり、好ましくは常温（２５℃）で液体状である。
[Third layer]
The method for producing a circuit board according to the present disclosure includes, in one aspect, disposing a layer of a predetermined organic component as a third layer between a solder resist layer and a dry film resist layer. The layer of the organic component is in the form of liquid from the viewpoint of improving the removability of the dry film resist, and is preferably in the form of liquid at normal temperature (25 ° C.).
［有機物成分］
第３の層を構成する前記有機物成分は、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下であり、好ましくは３．５％以下、より好ましくは３．０％以下、更に好ましくは２．０％以下、更に好ましくは１．５％以下、さらにより好ましくは１．３％以下である。２５０℃３０分静置下での重量変化は、実施例に記載の方法で測定及び算出できる。
[Organic component]
From the viewpoint of improving the removability of the dry film resist, the organic component constituting the third layer has a weight change of 4.0% or less, preferably 3.5% or less, after standing at 250 ° C. for 30 minutes. More preferably, it is 3.0% or less, more preferably 2.0% or less, still more preferably 1.5% or less, and still more preferably 1.3% or less. The weight change under standing at 250 ° C. for 30 minutes can be measured and calculated by the method described in the examples.
前記有機物成分は、一又は複数の実施形態において、２５℃における動粘度が、８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下であり、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、好ましくは９０ｍｍ2／ｓ以上、より好ましくは１００ｍｍ2／ｓ以上である。同様の観点から、２５℃における動粘度は、好ましくは１０００００ｍｍ2／ｓ以下、より好ましくは１２０００ｍｍ2／ｓ以下、更に好ましくは１１０００ｍｍ2／ｓ以下、更により好ましくは１００００ｍｍ2／ｓ以下である。同様の観点から、２５℃における動粘度は、好ましくは８０ｍｍ2／ｓ以上１０００００ｍｍ2／ｓ以下、より好ましくは８０ｍｍ2／ｓ以上１２０００ｍｍ2／ｓ以下、更に好ましくは９０ｍｍ2／ｓ以上１１０００ｍｍ2／ｓ以下、より好ましくは１００ｍｍ2／ｓ以上１００００ｍｍ2／ｓ以下である。 The organic components, in one or more embodiments, the kinematic viscosity at 25 ° C., or less 80 mm 2 / s or more 120000mm 2 / s, from the viewpoint of improving the peeling resistance of the dry film resist, preferably 90 mm 2 / s The above, more preferably 100 mm 2 / s or more. From the same viewpoint, the kinematic viscosity at 25 ° C., preferably 100,000 mm 2 / s or less, more preferably 12000 mm 2 / s or less, more preferably 11000mm 2 / s or less, still more preferably not more than 10000 mm 2 / s. From the same viewpoint, the kinematic viscosity at 25 ° C., preferably from 80 mm 2 / s or more 100,000 mm 2 / s or less, more preferably 80 mm 2 / s or more 12000 mm 2 / s or less, more preferably 90 mm 2 / s or more 11000mm 2 / It is s or less, more preferably 100 mm 2 / s or more and 10000 mm 2 / s or less.
前記有機物成分としては、一又は複数の実施形態において、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、好ましくはシリコーンオイル（ポリシロキサン）、及びＰＥＧ（ポリエチレングリコール）が挙げられる。前記シリコーンオイルとしては、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、好ましくは非反応性シリコーンオイルである。前記シリコーンオイルとしては、同様の観点から、末端にフェニル基、メチル基、水素原子が導入されたシリコーンオイル及びこれらの変性シリコーンオイルが好ましい。前記変性シリコーンオイルとしては、フェニル基、ポリエーテル基等の有機基が側鎖に導入されたシリコーンオイルがより好ましい。末端にフェニル基、メチル基、水素原子が導入されたシリコーンオイルとしては、メチルフェニルシリコーンオイル、ジフェニルシリコーンオイル、ジメチルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイル等が挙げられる。フェニル基、ポリエーテルの有機基が側鎖に導入されたシリコーンオイルとしては、フェニル変性シリコーン、ポリエーテル変性シリコーン等が挙げられる。 As the organic component, in one or more embodiments, silicone oil (polysiloxane) and PEG (polyethylene glycol) are preferably mentioned from the viewpoint of improving the releasability of the dry film resist. The silicone oil is preferably a non-reactive silicone oil from the viewpoint of improving the releasability of the dry film resist. From the same viewpoint, as the silicone oil, preferred are silicone oils having a phenyl group, a methyl group and a hydrogen atom introduced at the end, and modified silicone oils thereof. As said modified silicone oil, the silicone oil by which organic groups, such as a phenyl group and a polyether group, were introduce | transduced to the side chain is more preferable. As a silicone oil in which the phenyl group, the methyl group, and the hydrogen atom were introduce | transduced to the terminal, methylphenyl silicone oil, diphenyl silicone oil, dimethyl silicone oil, methyl hydrogen silicone oil etc. are mentioned. As a silicone oil by which the organic group of the phenyl group and the polyether was introduce | transduced to the side chain, phenyl modified silicone, polyether modified silicone, etc. are mentioned.
前記有機物成分は、一又は複数の実施形態において、ドライフィルムレジストの密着性向上の観点から、メチルフェニルシリコーンオイル、ジメチルシリコーンオイル及びポリエーテル変性シリコーンからなる群より選ばれる１種以上が好ましい。ドライフィルムレジストの密着性向上の観点から、ポリエーテル変性シリコーンのＨＬＢが、好ましくは８以上、より好ましくは１０以上、更に好ましくは１１以上、更により好ましくは１２以上である。同様の観点から、ＨＬＢが、好ましくは１８以下、より好ましくは１７以下、更に好ましくは１６以下である。同様の観点から、ＨＬＢが、好ましくは８以上１８以下、より好ましくは１０以上１８以下、更に好ましくは１１以上１７以下、更に好ましくは１２以上１６以下である。 In one or more embodiments, the organic component is preferably one or more selected from the group consisting of methylphenylsilicone oil, dimethylsilicone oil, and polyether-modified silicone from the viewpoint of improving adhesion of a dry film resist. From the viewpoint of improving the adhesion of the dry film resist, the HLB of the polyether-modified silicone is preferably 8 or more, more preferably 10 or more, still more preferably 11 or more, and still more preferably 12 or more. From the same viewpoint, the HLB is preferably 18 or less, more preferably 17 or less, and further preferably 16 or less. From the same viewpoint, HLB is preferably 8 or more and 18 or less, more preferably 10 or more and 18 or less, further preferably 11 or more and 17 or less, and further preferably 12 or more and 16 or less.
［回路基板の製造方法］
本開示に係る回路基板の製造方法は、一態様において、基板表面上に形成するソルダレジスト層とドライフィルムレジスト層との間に、前記有機物成分の第３の層を形成することを含む。
[Method of manufacturing circuit board]
A method of manufacturing a circuit board according to the present disclosure includes, in one aspect, forming a third layer of the organic component between a solder resist layer and a dry film resist layer formed on a substrate surface.
本開示に係る回路基板の製造方法の一又は複数の実施形態を図１及び図２に基づいて説明する。図１は、本開示に係る回路基板の製造方法の一又は複数の実施形態を示す概略工程説明図である。図１と図２は、（ｂ）以外は同じである。図１（ａ）に示すように、まず、回路基板１０の表面にソルダレジスト層１（絶縁層）が形成され強固に固定される。ソルダレジスト層１には、電極部１１が露出するように開口部が形成される。ソルダレジスト層１の上に前記有機物成分の層３が形成され、さらにその上にドライフィルムレジスト層２が積層され、露光により電極部１１を覆う部分が除かれ、前記開口部と連通するように開口部７が形成される。或いは、ソルダレジスト層１と前記有機物成分の層３とドライフィルムレジスト層２とをこの順で積層した後に電極部１１が露出するように開口部７を形成してもよい。ついで図１（ｂ）に示すように、回路基板１０の開口部７にはんだバンプ形成材料５を塗布する。或いは、図２（ｂ）に示すように、はんだバンプ形成材料５のかわりに、はんだボール４を開口部７に配置してもよい。ついで、加熱（リフロー）して、図１（ｃ）に示すように、はんだを前記電極部１１の表面に析出させ、はんだバンプ６を形成する。そして、図１（ｄ）に示すようにドライフィルムレジスト層２を洗浄剤組成物で剥離して、はんだバンプ６が形成された回路基板１０を得る。なお、一又は複数の実施形態において、必要に応じて図３（ｅ）に示すように、前記有機物成分の層３の洗浄、及び、はんだバンプ６のフラッタニングを行う。図１及び２に概略されるはんだバンプ形成方法においては、図示していないが、はんだの濡れ性等を向上させるため、はんだフラックスを使用してもよい。
One or more embodiments of a method of manufacturing a circuit board according to the present disclosure will be described based on FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a schematic process view showing one or more embodiments of a method of manufacturing a circuit board according to the present disclosure. 1 and 2 are the same except for (b). As shown in FIG. 1A, first, the solder resist layer 1 (insulating layer) is formed on the surface of the
したがって、本開示に係る回路基板の製造方法は、一又は複数の実施形態において、下記の工程（１）〜（７）を含む回路基板の製造方法に関する。
工程（１）：はんだ付け部が設けられた基板表面にソルダレジスト層を形成し、前記はんだ付け部が露出するようにはんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（２）：前記ソルダレジスト層上に２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分の層を形成する工程。
工程（３）：前記有機物成分の層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程。
工程（４）：前記ドライフィルムレジスト層及び前記有機物成分の層に前記はんだ付け部が露出するように、工程（１）の開口部と連通するはんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（５）：前記はんだ付け用開口部にはんだバンプ形成材料を入れる工程。
工程（６）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（７）：前記ドライフィルムレジスト層を剥離する工程。
Therefore, a method of manufacturing a circuit board according to the present disclosure relates to a method of manufacturing a circuit board including the following steps (1) to (7) in one or more embodiments.
Step (1): a step of forming a solder resist layer on the surface of the substrate provided with the soldered portion, and forming a soldering opening so that the soldered portion is exposed.
Step (2): a step of forming a layer of a liquid organic component having a weight change of 4.0% or less under standing at 250 ° C. for 30 minutes on the solder resist layer.
Step (3): forming a dry film resist layer on the layer of the organic component.
Step (4): forming a soldering opening communicating with the opening of the step (1) such that the soldering part is exposed to the dry film resist layer and the layer of the organic component.
Step (5): a step of placing a solder bump forming material in the soldering opening.
Step (6): a step of heating to melt the solder bump forming material and fix the solder bumps on the soldering portion.
Step (7): a step of peeling the dry film resist layer.
本開示に係る回路基板の製造方法は、その他の一又は複数の実施形態において、下記の工程（１’）、（２’）、及び（５）〜（７）を含む回路基板の製造方法に関する。
工程（１’）：はんだ付け部が設けられた基板表面にソルダレジスト層を形成し、前記ソルダレジスト層上に２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分の層を形成し、前記有機物成分の層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程。
工程（２’）：前記ソルダレジスト層、有機物成分の層、及びドライフィルムレジスト層に、前記はんだ付け部が露出するように、はんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（５）：前記はんだ付け用開口部にはんだバンプ形成材料を入れる工程。
工程（６）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（７）：前記ドライフィルムレジスト層を剥離する工程。
The method of manufacturing a circuit board according to the present disclosure relates to a method of manufacturing a circuit board including the following steps (1 ′), (2 ′), and (5) to (7) in one or more other embodiments. .
Step (1 ′): A solder resist layer is formed on the surface of the substrate provided with the soldered portion, and the liquid state in which the weight change under standing at 250 ° C. for 30 minutes is 4.0% or less on the solder resist layer Forming a layer of an organic component, and forming a dry film resist layer on the layer of the organic component.
Step (2 ′): a step of forming a soldering opening in the solder resist layer, the layer of the organic component, and the dry film resist layer so as to expose the soldered part.
Step (5): a step of placing a solder bump forming material in the soldering opening.
Step (6): a step of heating to melt the solder bump forming material and fix the solder bumps on the soldering portion.
Step (7): a step of peeling the dry film resist layer.
［工程（１）］
工程（１）は、はんだ付け部が設けられた基板表面に対してソルダレジスト層を配置して開口部を設ける工程である。はんだ付け部が設けられた基板は、一又は複数の実施形態において、はんだバンプを形成すべきはんだ付け部が設けられた回路基板が挙げられ、前記はんだ付け部は、一又は複数の実施形態において、電極である。前記回路基板は、一又は複数の実施形態において、図１（ａ）に示す通り、回路基板１０の表面がソルダレジスト層１に覆われ、電極部１１が表面に露出している形態が挙げられ、ソルダレジスト層１は回路基板１０の表面に強固に固定されている。ソルダレジスト層１としては、限定されない一又は複数の実施形態において、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系などの樹脂が使用される。
[Step (1)]
The step (1) is a step of disposing a solder resist layer on the surface of the substrate provided with the soldered portion and providing an opening. The substrate provided with the soldered part includes, in one or more embodiments, a circuit board provided with a soldered part on which a solder bump is to be formed, and the soldered part in one or more embodiments. , Electrode. In one or more embodiments of the circuit board, as shown in FIG. 1A, the surface of the
［工程（２）］
工程（２）は、工程（１）のソルダレジスト層の上に有機物成分の層を配置する工程である。有機物成分としては前述のものが挙げられる。有機物成分の層の厚みとしては、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、理論的に（計算上）、好ましくは０．１μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以上２０μｍ以下、更に好ましくは０．５μｍ以上１０μｍ以下、更により好ましくは０．８μｍ以上５μｍ以下、更により好ましくは約１μｍである。有機物成分の層の配置は、一又は複数の実施形態において、有機物成分をソルダレジスト層表面に塗布することで行うことができるが、有機物成分の層の配置方法は限定されなくてもよい。
[Step (2)]
The step (2) is a step of disposing a layer of an organic component on the solder resist layer of the step (1). Examples of the organic component include those described above. The thickness of the layer of the organic component is, theoretically (in terms of calculation), preferably 0.1 μm to 50 μm, more preferably 0.3 μm to 20 μm, further preferably from the viewpoint of improving the removability of the dry film resist. 0.5 μm to 10 μm, still more preferably 0.8 μm to 5 μm, and still more preferably about 1 μm. The arrangement of the layer of the organic component can be performed by applying the organic component to the surface of the solder resist layer in one or more embodiments, but the method of arranging the layer of the organic component may not be limited.
［工程（３）］
工程（３）は、工程（２）の有機物成分の層の上にドライフィルムレジスト層を形成する工程である。前記工程は、一又は複数の実施形態において、有機物成分の層の上にフィルム状のドライフィルムレジスト（ドライフィルム）をラミネートする工程である。ドライフィルムレジスト層を形成する樹脂材料としては、一又は複数の実施形態において、均一な厚膜形成の観点からフィルム状の感光性樹脂を用いることが好ましく、ドライフィルムレジストがより好ましい。また、ドライフィルムレジストは、扱い易さ等の点から、露光部分が硬化するネガ型の感光性フィルムがより好ましく、ネガ型のドライフィルムレジストがより好ましい。ネガ型のドライフィルムレジストは主成分がポリアクリル酸であることがより好ましい。本開示におけるドライフィルムレジストとはパターン形成後の工程で剥離を要するフィルム状感光性樹脂を指す。ドライフィルムレジストは、汎用のものを使用できる。ドライフィルムレジスト層の厚みは、一又は複数の実施形態において、析出はんだによりバンプを形成するために必要とされるはんだ析出量の観点から、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは３０μｍ以上である。また、ドライフィルムレジスト層の厚みは、一又は複数の実施形態において、ドライフィルムレジスト層を底部まで硬化させる観点から、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下である。
[Step (3)]
Step (3) is a step of forming a dry film resist layer on the layer of the organic component in step (2). The step is a step of laminating a dry film resist (dry film) in the form of a film on the layer of the organic component in one or more embodiments. As a resin material for forming a dry film resist layer, in one or more embodiments, a film-like photosensitive resin is preferably used from the viewpoint of forming a uniform thick film, and a dry film resist is more preferable. The dry film resist is more preferably a negative photosensitive film in which the exposed portion is cured, and more preferably a negative dry film resist, from the viewpoint of ease of handling and the like. More preferably, the main component of the negative-working dry film resist is polyacrylic acid. The dry film resist in the present disclosure refers to a film-like photosensitive resin that needs to be peeled off in the process after pattern formation. The dry film resist can use a general purpose thing. The thickness of the dry film resist layer is preferably 10 μm or more, more preferably 30 μm or more, in one or more embodiments, from the viewpoint of the amount of solder deposition required to form a bump by deposition solder. The thickness of the dry film resist layer is preferably 300 μm or less, more preferably 150 μm or less, from the viewpoint of curing the dry film resist layer to the bottom in one or more embodiments.
［工程（４）］
工程（４）は、工程（２）及び（３）で形成した有機物成分の層及びドライフィルムレジスト層に前記はんだ付け部が露出するように開口部を形成する工程である。ドライフィルムレジスト層の開口部の形成は、一又は複数の実施形態において、露光・現像処理により行うことができる。有機物成分の層の開口部の形成は、一又は複数の実施形態において、ドライフィルムレジスト層の開口部の形成後、洗浄して行うことができる。工程（１）から（４）により、図１（ａ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１０の表面にソルダレジスト層１、有機物成分の層３、ドライフィルムレジスト層２が形成され、開口部７から電極部１１が露出している基板が得られる。
[Step (4)]
The step (4) is a step of forming an opening in the layer of the organic component formed in the steps (2) and (3) and the dry film resist layer so as to expose the soldered portion. The formation of the opening of the dry film resist layer can be performed by exposure and development in one or more embodiments. The formation of the opening of the layer of the organic component can be performed after the formation of the opening of the dry film resist layer in one or more embodiments. In the steps (1) to (4), as shown in FIG. 1 (a), the solder resist layer 1, the
［工程（１’）及び（２’）］
工程（１）から（４）は、ソルダレジスト層の開口部の形成後に有機物成分の層及びドライフィルムレジスト層を積層するが、これらの工程に替えて、工程（１’）及び（２’）を行ってもよい。工程（１’）は、はんだ付け部が設けられた基板表面に対してソルダレジスト層、有機物成分の層、及びドライフィルムレジスト層を積層する工程である。各層の配置は、それぞれ工程（１）〜（３）と同様に行うことができる。工程（２’）は、工程（１’）の積層物に、はんだ付け部が露出するように、はんだ付け用開口部を形成する工程である。開口部の形成については、工程（１）及び（４）と同様に行うことができる。
[Steps (1 ') and (2')]
In the steps (1) to (4), the layer of the organic component and the dry film resist layer are laminated after the formation of the opening of the solder resist layer, but in place of these steps, the steps (1 ′) and (2 ′) You may The step (1 ′) is a step of laminating a solder resist layer, a layer of an organic component, and a dry film resist layer on the substrate surface provided with the soldered portion. The arrangement of each layer can be performed in the same manner as in steps (1) to (3). Step (2 ′) is a step of forming a soldering opening in the laminate of step (1 ′) such that the soldered portion is exposed. The formation of the opening can be performed in the same manner as in steps (1) and (4).
［工程（５）］
工程（５）は、工程（４）又は（２’）で形成した開口部にはんだバンプ形成材料を充填する工程である。はんだバンプ形成材料は、一又は複数の実施形態において、はんだペーストであり、例えば、ペースト印刷法で充填されうる（図１（ｂ））。また、はんだバンプ形成材料は、一又は複数の実施形態において、はんだボールであって、例えば、ボール搭載法によって充填されうる（図２（ｂ））。
[Step (5)]
Step (5) is a step of filling the opening formed in step (4) or (2 ′) with the solder bump forming material. The solder bump forming material is, in one or more embodiments, a solder paste, which can be filled, for example, by paste printing (FIG. 1 (b)). Also, the solder bump forming material is, in one or more embodiments, a solder ball, which can be filled, for example, by ball mounting (FIG. 2 (b)).
はんだペーストとしては、一又は複数の実施形態において、（ａ）錫粉末と、鉛、銅、銀等の金属塩とを含有したはんだペースト、あるいは（ｂ）錫粉末と、銀イオン及び銅イオンから選ばれる少なくとも一種と、アリールホスフィン類、アルキルホスフィン類及びアゾール類から選ばれる少なくも一種との錯体とを含有したはんだペーストが挙げられる。上記（ａ）の金属塩と（ｂ）の錯体とは混合して使用することもできる。なお、錫粉末というときは、金属錫粉末の他、例えば銀を含有する錫−銀系の錫合金粉末や銅を含有する錫−銅系の錫合金粉末なども含むものとする。前記金属塩としては、有機カルボン酸塩、有機スルホン酸塩などが挙げられる。 As the solder paste, in one or more embodiments, a solder paste containing (a) tin powder and a metal salt such as lead, copper, silver or the like, or (b) tin powder, and silver ions and copper ions A solder paste containing at least one selected and a complex with at least one selected from aryl phosphines, alkyl phosphines and azoles can be mentioned. The metal salt of (a) and the complex of (b) can be used as a mixture. In addition, when calling it tin powder, the tin-silver-type tin alloy powder which contains silver, for example other than metal tin powder, the tin-copper-type tin alloy powder etc. which contain copper shall be included. Examples of the metal salt include organic carboxylic acid salts and organic sulfonic acid salts.
はんだバンプ形成材料に含有されるはんだ合金は、典型的には錫ベースのはんだ合金であるが、例えば、インジウム系合金などの非錫系はんだ合金も、本開示において使用できる。従来の一般的な錫−鉛共晶はんだ合金の粒子も使用できるが、好ましくは鉛フリーはんだ合金の粒子を使用する。好ましい鉛フリーはんだ合金としては、錫−銀系、錫−銅系、錫−銀−銅系などが例示される。代表的組成例を挙げると次の通りである（％は質量％）：
Ｓｎ：残部、Ａｇ：０．３％、Ｃｕ：０．５％
Ｓｎ：残部、Ａｇ：３．５％、Ｃｕ：０．７％
Ｓｎ：残部、Ａｇ：３．５％
Ｓｎ：残部、Ｃｕ：０．７％。
The solder alloy contained in the solder bump forming material is typically a tin based solder alloy, but non-tin based solder alloys such as, for example, indium based alloys can also be used in the present disclosure. Although particles of conventional common tin-lead eutectic solder alloys can also be used, preferably particles of lead-free solder alloys are used. Examples of preferred lead-free solder alloys include tin-silver, tin-copper, and tin-silver-copper. The following is a typical composition example (% is% by mass):
Sn: balance, Ag: 0.3%, Cu: 0.5%
Sn: balance, Ag: 3.5%, Cu: 0.7%
Sn: balance, Ag: 3.5%
Sn: Remainder, Cu: 0.7%.
はんだペーストには、さらにフラックス成分や溶剤を混合することもできる。フラックス成分としては、通常、錫−鉛系、錫−銀系、錫−銅系などのはんだ材料に使用されるものを用いることができ、溶剤としては組成物中の他の成分を溶解し、粘度や濃度を調整することができるものであれば、特に限定されるものではない。工程（５）により、図１（ｂ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１０の表面にソルダレジスト層１、有機物成分の層３及びドライフィルムレジスト２が形成され、また、回路基板１の表面の電極部２上の開口部７にはんだ形成材料５が充填又は配置された回路基板１０が得られうる。あるいは、工程（５）により、図２（ｂ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１０の表面にソルダレジスト層１、有機物成分の層３及びドライフィルムレジスト２が形成され、また、回路基板１の表面の電極部２上の開口部７にはんだボール４が充填又は配置された回路基板１０が得られうる。
The solder paste may further be mixed with a flux component and a solvent. As the flux component, one generally used for solder materials such as tin-lead, tin-silver, tin-copper, etc. can be used, and as the solvent, other components in the composition are dissolved, It is not particularly limited as long as the viscosity and concentration can be adjusted. In the step (5), as in one or more embodiments shown in FIG. 1 (b), the solder resist layer 1, the
［工程（６）］
工程（６）は、工程（５）で充填したはんだバンプ形成材料を加熱して溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程である。加熱温度は、一又は複数の実施形態において、２００℃以上、回路基板の耐熱性を考慮して２００℃〜２６０℃が挙げられる。はんだバンプ形成材料の液相線温度は、通常２００℃以上であり、加熱温度は、その他の一又は複数の実施形態において、前記はんだバンプ形成材料の液相線温度以上、回路基板の耐熱性を考慮して前記液相線温度以上２６０℃以下が挙げられる。加熱時間は、はんだバンプ形成材料の組成などに応じて決定され、一又は複数の実施形態において、好ましくは３０秒〜１０分程度、より好ましくは１分〜５分程度である。回路基板の生産性の観点から、一回の加熱処理でバンプを固定させることが好ましい。工程（６）により、図１（ｃ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１０の表面にソルダレジスト層１、有機物成分の層３及びドライフィルムレジスト２並びに開口部７が形成され、電極部１１上にはんだバンプ６が形成された基板が得られうる。
[Step (6)]
The step (6) is a step of heating and melting the solder bump forming material filled in the step (5) to fix the solder bumps to the soldered portion. The heating temperature is, in one or more embodiments, 200 ° C. or higher, and 200 ° C. to 260 ° C. in consideration of the heat resistance of the circuit board. The liquidus temperature of the solder bump forming material is usually 200 ° C. or higher, and the heating temperature is equal to or higher than the liquidus temperature of the solder bump forming material and the heat resistance of the circuit board in one or more other embodiments. The temperature above the liquidus temperature may be taken into consideration and may be 260 ° C. or less. The heating time is determined according to the composition of the solder bump forming material and the like, and is preferably about 30 seconds to 10 minutes, and more preferably about 1 minute to 5 minutes in one or more embodiments. From the viewpoint of the productivity of the circuit board, it is preferable to fix the bumps by one heat treatment. By the step (6), as in one or more embodiments shown in FIG. 1 (c), the solder resist layer 1, the
［工程（７）］
工程（７）は、工程（６）で得られた回路基板のドライフィルムレジストを剥離する工程である。剥離方法としては、一又は複数の実施形態において、洗浄剤を用いた洗浄が挙げられ、該洗浄の手段としては、超音波洗浄法、スプレー法、浸漬揺動法、浸漬法、手拭き法の各種の洗浄手段が挙げられる。回路基板の種類にあわせて、これらの手段を単独で又は適宜組み合わせてもよい。回路基板への影響を抑制する観点及び洗浄性の観点からは、スプレー法、浸漬揺動法又は浸漬法が好ましい。
[Step (7)]
The step (7) is a step of peeling the dry film resist of the circuit board obtained in the step (6). The peeling method includes, in one or more embodiments, washing using a washing agent, and the means for washing includes various methods such as ultrasonic washing, spraying, immersion rocking, dipping, and hand wiping. Means of washing. Depending on the type of circuit board, these means may be used alone or in combination. From the viewpoint of suppressing the influence on the circuit board and the viewpoint of the cleaning property, the spray method, the immersion rocking method or the immersion method is preferable.
工程（７）における洗浄剤は、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、アルカリ溶液であることが好ましく、特に限定されず、ドライフィルムレジスト層を剥離できる洗浄剤を使用できる。洗浄剤のｐＨは、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、好ましくは１０．０以上、より好ましくは１１．０以上、さらに好ましくは１２．０以上であり、好ましくは１４．０以下、より好ましくは１３．５以下、さらに好ましく１３．０以下である。工程（７）における洗浄時の温度は、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、好ましくは２５℃以上、より好ましくは４０℃以上である。また、水分の蒸発を抑制する観点から、９０℃以下が好ましく、８０℃以下がより好ましい。工程（７）における洗浄時間は、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、１分以上が好ましく、３分以上がより好ましく、５分以上がさらに好ましく、回路基板の製造の時間を短縮する観点から、３０分以下が好ましく、２０分以下がより好ましい。 The cleaning agent in the step (7) is preferably an alkaline solution from the viewpoint of improving the releasability of the dry film resist, and is not particularly limited, and a cleaning agent capable of separating the dry film resist layer can be used. The pH of the cleaning agent is preferably 10.0 or more, more preferably 11.0 or more, and still more preferably 12.0 or more, preferably 14.0 or less, from the viewpoint of improving the removability of the dry film resist. Preferably it is 13.5 or less, more preferably 13.0 or less. The temperature at the time of washing in the step (7) is preferably 25 ° C. or more, more preferably 40 ° C. or more, from the viewpoint of improving the releasability of the dry film resist. Moreover, from a viewpoint of suppressing evaporation of water, 90 degrees C or less is preferable, and 80 degrees C or less is more preferable. The cleaning time in the step (7) is preferably 1 minute or more, more preferably 3 minutes or more, still more preferably 5 minutes or more, from the viewpoint of improving the removability of the dry film resist, from the viewpoint of shortening the time for manufacturing the circuit board Therefore, 30 minutes or less are preferable and 20 minutes or less are more preferable.
工程（７）により、図１及び２の（ｄ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１０の表面の電極部１１上にはんだバンプ６が形成された基板が得られうる。工程（７）の後、有機物成分の層が残存している場合は、適宜洗浄により除去できる。また、必要に応じて図１及び２の（ｅ）に示す一又は複数の実施形態のように、はんだバンプ６のフラッタニングを行ってもよい。
By the step (7), as in the one or more embodiments shown in (d) of FIGS. 1 and 2, a substrate in which the solder bumps 6 are formed on the
［電子部品の接合］
本開示に係る回路基板の製造方法は、一又は複数の実施形態において、さらに、前記工程（７）で得られた基板上に電子部品を乗せ、前記はんだバンプの液相線温度２６０℃以下の温度に加熱して電子部品のはんだ付け部と基板のはんだ付け部とを接合し、電子部品が接合した基板を得る工程を含む。この実施形態によれば、電子部品が接合された回路基板を製造できる。
[Joining of electronic parts]
In one or more embodiments of the method of manufacturing a circuit board according to the present disclosure, an electronic component is further placed on the substrate obtained in the step (7), and the liquidus temperature of the solder bumps is 260 ° C. or less A process of heating to a temperature and joining the soldered part of the electronic component and the soldered part of the substrate to obtain a substrate joined with the electronic component is included. According to this embodiment, it is possible to manufacture a circuit board to which electronic components are joined.
上述した実施形態に関し、本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態にかかる組成物、製造方法、或いは用途を開示する。 With regard to the embodiments described above, the present disclosure further discloses compositions, methods of manufacture, or uses according to one or more of the following embodiments.
＜１＞ 基板表面上に形成するソルダレジスト層とドライフィルムレジスト層との間に、２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分であって、動粘度が８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下である液体状の有機物成分の層を形成することを含む、回路基板の製造方法。 <1> A liquid organic component having a weight change of 4.0% or less after standing for 30 minutes at 250 ° C. between a solder resist layer and a dry film resist layer formed on the substrate surface, viscosity includes forming a layer of liquid organic component is less than 80 mm 2 / s or more 120000mm 2 / s, the manufacturing method of the circuit board.
＜２＞ 下記の工程（１）〜（７）を含む回路基板の製造方法。
工程（１）：はんだ付け部が設けられた基板表面にソルダレジスト層を形成し、前記はんだ付け部が露出するようにはんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（２）：前記ソルダレジスト層上に２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分であって、動粘度が８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下である液体状の有機物成分の層を形成する工程。
工程（３）：前記有機物成分の層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程。
工程（４）：前記ドライフィルムレジスト層及び前記有機物成分の層に、前記はんだ付け部が露出するように、工程（１）の開口部と連通するはんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（５）：前記はんだ付け用開口部にはんだバンプ形成材料を入れる工程。
工程（６）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（７）：前記ドライフィルムレジスト層を剥離する工程。
<2> The manufacturing method of the circuit board containing the following process (1)-(7).
Step (1): a step of forming a solder resist layer on the surface of the substrate provided with the soldered portion, and forming a soldering opening so that the soldered portion is exposed.
Step (2): A liquid organic component having a weight change of 4.0% or less while standing at 250 ° C. for 30 minutes on the solder resist layer, and the dynamic viscosity is 80 mm 2 / s or more and 120,000 mm 2 / s Step of forming a layer of liquid organic component which is the following.
Step (3): forming a dry film resist layer on the layer of the organic component.
Step (4): A step of forming a soldering opening communicating with the opening of step (1) in the dry film resist layer and the layer of the organic component so as to expose the soldering part.
Step (5): a step of placing a solder bump forming material in the soldering opening.
Step (6): a step of heating to melt the solder bump forming material and fix the solder bumps on the soldering portion.
Step (7): a step of peeling the dry film resist layer.
＜３＞ 下記の工程（１’）、（２’）、及び（５）〜（７）を含む回路基板の製造方法。
工程（１’）：はんだ付け部が設けられた基板表面にソルダレジスト層を形成し、前記ソルダレジスト層上に２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分であって、動粘度が８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下である液体状の有機物成分の層を形成し、前記有機物成分の層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程。
工程（２’）：前記ソルダレジスト層、有機物成分の層、及びドライフィルムレジスト層に、前記はんだ付け部が露出するように、はんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（５）：前記はんだ付け用開口部にはんだバンプ形成材料を入れる工程。
工程（６）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（７）：前記ドライフィルムレジスト層を剥離する工程。
<3> The manufacturing method of the circuit board containing the following process (1 '), (2'), and (5)-(7).
Step (1 ′): A solder resist layer is formed on the surface of the substrate provided with the soldered portion, and the liquid state in which the weight change under standing at 250 ° C. for 30 minutes is 4.0% or less on the solder resist layer be organic component, the step of kinematic viscosity 80 mm 2 / s or more 120000mm 2 / s to form a layer of liquid organic component or less, to form a dry film resist layer on the layer of the organic components.
Step (2 ′): a step of forming a soldering opening in the solder resist layer, the layer of the organic component, and the dry film resist layer so as to expose the soldered part.
Step (5): a step of placing a solder bump forming material in the soldering opening.
Step (6): a step of heating to melt the solder bump forming material and fix the solder bumps on the soldering portion.
Step (7): a step of peeling the dry film resist layer.
＜４＞ 前記液体状の有機物成分の２５０℃３０分静置下での重量変化が、好ましくは３．５％以下、より好ましくは３．０％以下、更に好ましくは２．０％以下、更に好ましくは１．５％以下、さらにより好ましくは１．３％以下であるである、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の製造方法。
＜５＞ 前記液体状の有機物成分の２５℃における動粘度が、好ましくは９０ｍｍ2／ｓ以上、より好ましくは１００ｍｍ2／ｓ以上である、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の製造方法。
＜６＞ 前記液体状の有機物成分の２５℃における動粘度が、好ましくは１０００００ｍｍ2／ｓ以下、より好ましくは１２０００ｍｍ2／ｓ以下、更に好ましくは１１０００ｍｍ2／ｓ以下、更により好ましくは１００００ｍｍ2／ｓ以下である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の製造方法。
＜７＞ 前記液体状の有機物成分の２５℃における動粘度が、８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下、好ましくは８０ｍｍ2／ｓ以上１０００００ｍｍ2／ｓ以下、より好ましくは８０ｍｍ2／ｓ以上１２０００ｍｍ2／ｓ以下、更に好ましくは９０ｍｍ2／ｓ以上１１０００ｍｍ2／ｓ以下、より好ましくは１００ｍｍ2／ｓ以上１００００ｍｍ2／ｓ以下である、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の製造方法。
＜８＞ 前記液体状の有機物成分がシリコーンオイルである、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の製造方法。
＜９＞ 前記液体状の有機物成分がメチルフェニルシリコーンオイル、ジメチルシリコーンオイル及びＨＬＢが１１以上１７以下のポリエーテル変性シリコーンからなる群より選ばれる１種以上である、＜８＞に記載の製造方法。
＜１０＞ 前記ポリエーテル変性シリコーンのＨＬＢが、好ましくは８以上、より好ましくは１０以上、更に好ましくは１１以上、更により好ましくは１２以上である、＜９＞に記載の製造方法。
＜１１＞ 前記ポリエーテル変性シリコーンのＨＬＢが、好ましくは１８以下、より好ましくは１７以下、更に好ましくは１６以下である、＜９＞又は＜１０＞に記載の製造方法。
＜１２＞ 前記ポリエーテル変性シリコーンのＨＬＢが、好ましくは８以上１８以下、より好ましくは１０以上１８以下、更に好ましくは１１以上１７以下、更に好ましくは１２以上１６以下である、＜９＞から＜１１＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１３＞ 前記液体状の有機物成分の層の厚みが、好ましくは０．１μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以上２０μｍ以下、更に好ましくは０．５μｍ以上１０μｍ以下、更により好ましくは０．８μｍ以上５μｍ以下、更により好ましくは約１μｍである、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１４＞ ドライフィルムレジスト層を剥離させる工程にアルカリ溶液を使う、＜２＞から＜１３＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１５＞ 前記有機物成分の層を形成する方法が、ソルダレジスト層表面に前記液体状の有機物成分を塗布する方法である、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の製造方法。
<4> The weight change of the liquid organic component under standing at 250 ° C. for 30 minutes is preferably 3.5% or less, more preferably 3.0% or less, still more preferably 2.0% or less, and further preferably The production method according to any one of <1> to <3>, which is preferably 1.5% or less, and more preferably 1.3% or less.
<5> The production according to any one of <1> to <4>, wherein the kinematic viscosity at 25 ° C. of the liquid organic component is preferably 90 mm 2 / s or more, more preferably 100 mm 2 / s or more. Method.
<6> a kinematic viscosity at 25 ° C. of the liquid organic components, preferably 100,000 mm 2 / s or less, more preferably 12000 mm 2 / s or less, more preferably 11000mm 2 / s or less, even more preferably 10000 mm 2 / The manufacturing method in any one of <1> to <5> which is s or less.
<7> a kinematic viscosity at 25 ° C. of the liquid organic components, 80 mm 2 / s or more 120000mm 2 / s or less, preferably 80 mm 2 / s or more 100,000 mm 2 / s or less, more preferably 80 mm 2 / s or more 12000mm 2 / s or less, more preferably 90 mm 2 / s or more 11000Mm 2 / s or less, and more preferably not more than 100 mm 2 / s or more 10000 mm 2 / s, a process according to any one of <6><1> .
<8> The method according to any one of <1> to <7>, wherein the liquid organic component is a silicone oil.
<9> The method according to <8>, wherein the liquid organic component is at least one member selected from the group consisting of methylphenylsilicone oil, dimethylsilicone oil, and polyether-modified silicone having an HLB of 11 or more and 17 or less. .
<10> The production method according to <9>, wherein the HLB of the polyether-modified silicone is preferably 8 or more, more preferably 10 or more, further preferably 11 or more, still more preferably 12 or more.
<11> The production method according to <9> or <10>, in which the HLB of the polyether-modified silicone is preferably 18 or less, more preferably 17 or less, and still more preferably 16 or less.
<12> The HLB of the polyether-modified silicone is preferably 8 or more and 18 or less, more preferably 10 or more and 18 or less, still more preferably 11 or more and 17 or less, and still more preferably 12 or more and 16 or less. The manufacturing method as described in any one of 11>.
<13> The thickness of the layer of the liquid organic component is preferably 0.1 to 50 μm, more preferably 0.3 to 20 μm, still more preferably 0.5 to 10 μm, still more preferably 0. The manufacturing method according to any one of <1> to <12>, which is 8 μm to 5 μm, and still more preferably about 1 μm.
The manufacturing method in any one of <2> to <13> which uses an alkaline solution for the process of making a <14> dry film resist layer peel.
<15> The manufacturing method according to any one of <1> to <14>, wherein the method of forming the layer of the organic component is a method of applying the liquid organic component to the surface of the solder resist layer.
以下の実施例は本開示の例示を目的とし、本開示をいかなる意味でも制限する意図はない。実施例中、％は特に指定しない限り質量％である。 The following examples are for the purpose of illustrating the present disclosure and are not intended to limit the present disclosure in any way. In the examples,% is% by mass unless otherwise specified.
（実施例１）
＜評価基板の作成法＞
ハンダ付け部にソルダレジスト層の開口が形成されたソルダレジスト基板（ソルダレジスト：太陽インキ社製ＡＵＳ ＳＲ−１、基材：ＦＲ−４）を準備した。この基板に理論的に１μｍ厚さとなる量のメチルフェニルシリコーンオイル（２５℃動粘度１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液を塗布した。その上にカバーフィルムを剥がしたドライフィルムレジスト（ＤｕＰｏｎｔ社製）を１００℃に加熱したミニローラーで圧着した。基板上に開口パターンを置いて露光し（１０００ｍＪ照射）、現像した（１ｗｔ％ 炭酸ナトリウム水溶液 ３０秒濯ぎ２回）。
この後、実際の回路基板の製造法では、開口部にはんだバンプ形成材料を入れ、加熱することで溶融させて、開口部にはんだバンプを固定させる。ここではモデル実験として、はんだバンプ形成材料は用いず、はんだ溶融温度を想定し、２４０℃の電気炉中に５分間静置した。
Example 1
<Method of making evaluation board>
A solder resist substrate (solder resist: AUS SR-1 manufactured by Solar Ink, base material: FR-4) in which an opening of a solder resist layer was formed in a soldered portion was prepared. A methyl phenyl silicone oil (25 ° C. kinematic viscosity 100 mm 2 / s) (KF-50-100 cs manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) octane 1% solution was applied to the substrate in an amount to obtain a theoretical thickness of 1 μm. The dry film resist (made by DuPont) which peeled the cover film on it was crimped | bonded with the mini roller heated at 100 degreeC. The opening pattern was placed on the substrate, exposed (1000 mJ irradiation), and developed (2 times of 1 wt% aqueous sodium carbonate solution for 30 seconds rinse).
After that, in the actual circuit board manufacturing method, the solder bump forming material is put in the opening and is melted by heating to fix the solder bump in the opening. Here, as a model experiment, a solder bump forming material was not used, and a solder melting temperature was assumed, and it was allowed to stand in an electric furnace at 240 ° C. for 5 minutes.
＜動粘度の測定＞
ＪＩＳ Ｚ ８８０３の方法により、ウッベローデ粘度計にて測定した。
<Measurement of kinematic viscosity>
It was measured with a Ubbelode viscometer according to the method of JIS Z 8803.
＜密着性の評価＞
室温で半日静置した評価基板について、ドライフィルムレジストの剥離状態を目視で観察し密着性を評価した（以下同様）。
○：良好・・ドライフィルムレジストの剥離部分無し
×：不良・・ドライフィルムレジストの剥離部分有り
<Evaluation of adhesion>
About the evaluation board | substrate left still for half a day at room temperature, the peeling state of dry film resist was observed visually, and adhesiveness was evaluated (the following is same).
○: good · · no exfoliation part of dry film resist x: poor · · exfoliation part of dry film resist
＜剥離性の評価＞
５０℃の剥離液（ＴＭＡＨとモノエタノールアミンの混合水溶液）中で８分間超音波処理（３８ｋＨｚ）した後、ドライフィルムレジスト面を４０℃のイオン交換水で５分間シャワー処理し、次に室温のイオン交換水１分間シャワー処理し、窒素ブローを使って水切り乾燥を行った。乾燥後の基板を写真撮影し、残存するドライフィルムレジストの面積を判定して剥離性の評価を行った（以下同様）。
○：良好・・残存面積１％以下
△：良好と不良の間：残存面積１％超１０％以下
×：不良・・残存面積１０％超
<Evaluation of peelability>
After sonication (38 kHz) for 8 minutes in a stripping solution (a mixed aqueous solution of TMAH and monoethanolamine) at 50 ° C., the dry film resist surface is showered with ion-exchanged water at 40 ° C. for 5 minutes, then at room temperature The ion-exchanged water was showered for 1 minute and drained and dried using nitrogen blow. The substrate after drying was photographed, and the area of the remaining dry film resist was judged to evaluate the releasability (the same applies hereinafter).
○: good · · residual area 1% or less Δ: between good and bad: residual area more than 1% and 10% or less ×: defect · · residual area more than 10%
＜第３の層の耐熱性の評価＞
メチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ、２５℃動粘度、以下同様）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）を定温乾燥機（アドバンテック東洋社製ＤＲＳ４２０ＤＡ）内に大気圧下２５０℃で３０分間静置させ、加熱前後の重量変化を電子天秤により測定して耐熱性を評価した（以下同様）。
○：良好・・重量変化が４％以下
×：不良・・重量変化が４％を超える
<Evaluation of heat resistance of third layer>
Methyl phenyl silicone oil (100 mm 2 / s, 25 ° C. kinematic viscosity, the same applies hereinafter) (Shin-Etsu Chemical KF-50-100 cs) in a constant temperature dryer (Advantec Toyo Corporation DRS 420 DA) for 30 minutes at 250 ° C. under atmospheric pressure The heat resistance was evaluated by measuring the weight change before and after heating with an electronic balance (as in the following).
○: good · · weight change 4% or less ×: defective · · weight change exceeds 4%
（実施例２）
実施例１においてメチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液をジメチルシリコーンオイル（１０００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−９６−１０００ｃｓ）オクタン１％溶液に変えて、ドライフィルムレジストの密着性と剥離性の評価を行った。また、メチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）をジメチルシリコーンオイル（１０００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−９６−１０００ｃｓ）に変えて、耐熱性の評価を行った。
(Example 2)
In Example 1, methyl phenyl silicone oil (100 mm 2 / s) (KF-50-100 cs manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and 1% solution of octane with dimethyl silicone oil (1000 mm 2 / s) (KF-96-1000 cs manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) The adhesion and releasability of the dry film resist were evaluated by changing to a 1% octane solution. In addition, methylphenyl silicone oil (100 mm 2 / s) (KF-50-100cs manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) to dimethyl silicone oil (1000 mm 2 / s) (KF-96-1000 cs manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) The evaluation of
（実施例３）
実施例１においてメチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液をジメチルシリコーンオイル（１万ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−９６−１万ｃｓ）オクタン１％溶液に変えて、ドライフィルムレジストの密着性と剥離性の評価を行った。また、メチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）をジメチルシリコーンオイル（１万ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−９６−１万ｃｓ）に変えて、耐熱性の評価を行った。
(Example 3)
In Example 1, a methyl phenyl silicone oil (100 mm 2 / s) (KF-50-100 cs manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and a 1% solution of octane with dimethyl silicone oil (10,000 mm 2 / s) (KF-96 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) The adhesion and releasability of the dry film resist was evaluated by changing it to a 10,000 cs octane 1% solution. In addition, methyl phenyl silicone oil (100 mm 2 / s) (KF-50-100 cs manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) to dimethyl silicone oil (10 000 mm 2 / s) (KF-96-10 000 cs manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Heat resistance was evaluated.
（実施例４）
実施例１においてメチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液をジメチルシリコーンオイル（１０万ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−９６−１０万ｃｓ）オクタン１％溶液に変えて、ドライフィルムレジストの密着性と剥離性の評価を行った。また、メチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）をジメチルシリコーンオイル（１０万ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−９６−１０万ｃｓ）に変えて、耐熱性の評価を行った。
(Example 4)
In Example 1, methyl phenyl silicone oil (100 mm 2 / s) (KF-50-100 cs manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and a 1% solution of octane are diluted with dimethyl silicone oil (100,000 mm 2 / s) (KF-96 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) The adhesion and releasability of the dry film resist were evaluated by changing to a 100% cs) octane 1% solution. Further, instead of the methyl phenyl silicone oil (100 mm 2 / s) (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KF-50-100cs) a dimethyl silicone oil (100,000 mm 2 / s) (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KF-96-10 ten thousand cs) Heat resistance was evaluated.
（参考例１）
実施例１においてメチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液をポリビニルアルコール（市販文具水のり）１％水溶液に変えて、ドライフィルムレジストの密着性と剥離性の評価を行った。また、メチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）をポリビニルアルコール（和光純薬 特級）に変えて、耐熱性の評価を行った。ここでの耐熱性の評価が不良であったため、ポリビニルアルコール（市販文具水のり）１％水溶液の動粘度の測定は行わなかった。
(Reference Example 1)
1% solution of methyl phenyl silicone oil (100 mm 2 / s) (KF-50-100 cs manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) octane in Example 1 is changed to a polyvinyl alcohol (commercial stationery water level) 1% aqueous solution to adhere dry film resist The evaluation of the properties and the removability was performed. In addition, heat resistance was evaluated by changing methylphenyl silicone oil (100 mm 2 / s) (KF-50-100cs manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) to polyvinyl alcohol (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Because the heat resistance evaluation here was poor, the measurement of the kinematic viscosity of a 1% aqueous solution of polyvinyl alcohol (commercial stationery water paste) was not performed.
（比較例１）
実施例１においてメチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液を使わずに、ドライフィルムレジストの密着性と剥離性の評価を行った。
(Comparative example 1)
In Example 1, the adhesion and peelability of the dry film resist were evaluated without using a 1% solution of methylphenylsilicone oil (100 mm 2 / s) (KF-50-100 cs manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) octane.
実施例１〜４、参考例１、及び比較例１における第３の層の粘度と耐熱性、及びドライフィルムレジストの密着性および剥離性の結果を表１に示す。 Table 1 shows the results of the viscosity and heat resistance of the third layer in Examples 1 to 4 and Reference Example 1 and Comparative Example 1, and the adhesion and peelability of the dry film resist.
表１のとおり、実施例１〜４は、参考例１及び比較例１と比較して、ドライフィルムレジストの剥離性が優れていた。また、実施例１〜３は、実施例４に比べて剥離性がさらに優れていることが判った。 As shown in Table 1, Examples 1 to 4 were superior in releasability of the dry film resist as compared to Reference Example 1 and Comparative Example 1. Moreover, it turned out that Examples 1-3 are further excellent in peelability compared with Example 4. FIG.
（実施例５）
実施例１においてメチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液をポリエーテル変性シリコーン（１８０ｍｍ2／ｓ、ＨＬＢ ４）（信越化学社製ＫＦ−６０２０）ＩＰＡ１％に変えて、ドライフィルムレジストの密着性と剥離性の評価を行った。また、メチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）をポリエーテル変性シリコーン（１８０ｍｍ2／ｓ、ＨＬＢ ４）（信越化学社製ＫＦ−６０２０）に変えて、耐熱性の評価を行った。
(Example 5)
In Example 1, methyl phenyl silicone oil (100 mm 2 / s) (KF-50-100 cs manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) octane 1% solution was polyether-modified silicone (180 mm 2 / s, HLB 4) (KF K- manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 6020) The adhesion and releasability of the dry film resist were evaluated in place of IPA 1%. Also, change the methylphenyl silicone oil (100 mm 2 / s) (KF-50-100cs manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) to polyether-modified silicone (180 mm 2 / s, HLB 4) (KF-6020 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) The heat resistance was evaluated.
（実施例６）
実施例１においてメチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液をポリエーテル変性シリコーン（１５０ｍｍ2／ｓ、ＨＬＢ １２）（信越化学社製ＫＦ−３５５Ａ）ＩＰＡ１％に変えて、ドライフィルムレジストの密着性と剥離性の評価を行った。また、メチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）をポリエーテル変性シリコーン（１５０ｍｍ2／ｓ、ＨＬＢ １２）（信越化学社製ＫＦ−３５５Ａ）に変えて、耐熱性の評価を行った。
(Example 6)
In Example 1, methyl phenyl silicone oil (100 mm 2 / s) (Shin-Etsu Chemical KF-50-100 cs) octane 1% solution was polyether modified silicone (150 mm 2 / s, HLB 12) (Shin-Etsu Chemical KF- 355A) It changed to IPA1% and evaluated the adhesiveness and peelability of dry film resist. Also, change the methylphenyl silicone oil (100 mm 2 / s) (KF-50-100cs manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) to polyether-modified silicone (150 mm 2 / s, HLB 12) (KF-355A manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) The heat resistance was evaluated.
（実施例７）
実施例１においてメチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液をポリエーテル変性シリコーン（２００ｍｍ2／ｓ、ＨＬＢ １６）（信越化学社製ＫＦ−３５４Ｌ）オクタン１％溶液に変えて、ドライフィルムレジストの密着性と剥離性の評価を行った。また、メチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）をポリエーテル変性シリコーン（２００ｍｍ2／ｓ、ＨＬＢ １６）（信越化学社製ＫＦ−３５４Ｌ）に変えて、耐熱性の評価を行った。
(Example 7)
In Example 1, methyl phenyl silicone oil (100 mm 2 / s) (Shin-Etsu Chemical KF-50-100 cs) octane 1% solution was polyether-modified silicone (200 mm 2 / s, HLB 16) (Shin-Etsu Chemical KF- The adhesion and releasability of the dry film resist were evaluated by changing to a 354 L) octane 1% solution. Also, change the methylphenyl silicone oil (100 mm 2 / s) (KF-50-100cs manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) to polyether-modified silicone (200 mm 2 / s, HLB 16) (KF-354L manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) The heat resistance was evaluated.
実施例５〜７における第３の層のＨＬＢと粘度と耐熱性、及びドライフィルムレジストの密着性および剥離性の結果を表２に示す。 The HLB and viscosity and heat resistance of the third layer in Examples 5 to 7 and the adhesion and peelability results of the dry film resist are shown in Table 2.
表２のとおり、実施例５〜７は、参考例１及び比較例１と比較して、ドライフィルムレジストの剥離性が優れていた。また、実施例６及び７は、実施例５に比べて密着性が優れていることが判った。 As shown in Table 2, Examples 5 to 7 were superior in the releasability of the dry film resist as compared to Reference Example 1 and Comparative Example 1. Moreover, it turned out that Example 6 and 7 are excellent in adhesiveness compared with Example 5.
１ ソルダレジスト層
２ ドライフィルムレジスト層
３ 有機物成分の層
４ はんだボール
５ はんだ形成材料
６ はんだバンプ
７ 開口部
１０ 回路基板
１１ 電極部
Reference Signs List 1 solder resist
Claims (6)
前記液体状の有機物成分が、末端にフェニル基、メチル基、水素原子が導入されたシリコーンオイル、又は、ポリエーテルの有機基が側鎖に導入されたシリコーンオイルである、製造方法。 A method for producing a circuit board, which is a liquid organic substance having a weight change of 4.0% or less under standing at 250 ° C. for 30 minutes between a solder resist layer and a dry film resist layer formed on the substrate surface. a component, see contains to form a layer of liquid organic components kinematic viscosity is less than 80 mm 2 / s or more 120000mm 2 / s,
The production method according to the present invention, wherein the liquid organic component is a silicone oil in which a phenyl group, a methyl group, or a hydrogen atom is introduced at an end, or a silicone oil in which an organic group of polyether is introduced in a side chain .
工程（１）：はんだ付け部が設けられた基板表面にソルダレジスト層を形成し、前記はんだ付け部が露出するようにはんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（２）：前記ソルダレジスト層上に２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分であって、動粘度が８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下である液体状の有機物成分の層を形成する工程であって、前記液体状の有機物成分が、末端にフェニル基、メチル基、水素原子が導入されたシリコーンオイル、又は、ポリエーテルの有機基が側鎖に導入されたシリコーンオイルである、工程。
工程（３）：前記有機物成分の層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程。
工程（４）：前記ドライフィルムレジスト層及び前記有機物成分の層に、前記はんだ付け部が露出するように、工程（１）の開口部と連通するはんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（５）：前記はんだ付け用開口部にはんだバンプ形成材料を入れる工程。
工程（６）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（７）：前記ドライフィルムレジスト層を剥離する工程。 The manufacturing method of the circuit board containing the following process (1)-(7).
Step (1): a step of forming a solder resist layer on the surface of the substrate provided with the soldered portion, and forming a soldering opening so that the soldered portion is exposed.
Step (2): A liquid organic component having a weight change of 4.0% or less while standing at 250 ° C. for 30 minutes on the solder resist layer, and the dynamic viscosity is 80 mm 2 / s or more and 120,000 mm 2 / s A process of forming a layer of a liquid organic component which is the following , wherein the liquid organic component is a silicone oil or a polyether organic group in which a phenyl group, a methyl group and a hydrogen atom are introduced at the end Is a silicone oil introduced into the side chain .
Step (3): forming a dry film resist layer on the layer of the organic component.
Step (4): A step of forming a soldering opening communicating with the opening of step (1) in the dry film resist layer and the layer of the organic component so as to expose the soldering part.
Step (5): a step of placing a solder bump forming material in the soldering opening.
Step (6): a step of heating to melt the solder bump forming material and fix the solder bumps on the soldering portion.
Step (7): a step of peeling the dry film resist layer.
工程（１’）：はんだ付け部が設けられた基板表面にソルダレジスト層を形成し、前記ソルダレジスト層上に２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分であって、動粘度が８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下である液体状の有機物成分の層を形成し、前記有機物成分の層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程であって、前記液体状の有機物成分が、末端にフェニル基、メチル基、水素原子が導入されたシリコーンオイル、又は、ポリエーテルの有機基が側鎖に導入されたシリコーンオイルである、工程。工程（２’）：前記ソルダレジスト層、有機物成分の層、及びドライフィルムレジスト層に、前記はんだ付け部が露出するように、はんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（５）：前記はんだ付け用開口部にはんだバンプ形成材料を入れる工程。
工程（６）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（７）：前記ドライフィルムレジスト層を剥離する工程。 The manufacturing method of the circuit board containing the following process (1 '), (2'), and (5)-(7).
Step (1 ′): A solder resist layer is formed on the surface of the substrate provided with the soldered portion, and the liquid state in which the weight change under standing at 250 ° C. for 30 minutes is 4.0% or less on the solder resist layer a organic components, comprising the steps of kinematic viscosity of 80 mm 2 / s or more 120000mm 2 / s to form a layer of liquid organic component or less, to form a dry film resist layer on said layer of organic components The process wherein the liquid organic component is a silicone oil in which a phenyl group, a methyl group or a hydrogen atom is introduced at the end, or a silicone oil in which an organic group of polyether is introduced in a side chain . Step (2 ′): a step of forming a soldering opening in the solder resist layer, the layer of the organic component, and the dry film resist layer so as to expose the soldered part.
Step (5): a step of placing a solder bump forming material in the soldering opening.
Step (6): a step of heating to melt the solder bump forming material and fix the solder bumps on the soldering portion.
Step (7): a step of peeling the dry film resist layer.
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