JP6421081B2 - 半導体シリコンウェーハの洗浄処理装置、及び半導体シリコンウェーハの洗浄方法 - Google Patents
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Description
また、スポンジではウェーハから飛散した薬液の吸収量に限界があり、飽和してしまうと機能しなくなるという問題がある。
特に、直径450mmウェーハを用いた枚葉洗浄では使用する薬液量も多く、遠心力によりウェーハから脱離した薬液の流速も速いため、メッシュ部材やカップに当たった薬液のウェーハへの跳ね返りを抑制することは非常に困難になってきている。
メッシュ構造とカップとの間の距離を上記の範囲とすることで、メッシュ構造を通過した薬液がカップで跳ね返って再びメッシュ構造を通過して戻ってくることや、メッシュ構造を通過した薬液がカップで跳ね返ってメッシュ構造に付着し、メッシュ構造の機能が低下することを抑制することができる。
メッシュ構造を上記のように設けることにより、装置内を流れる気流を制御して薬液の跳ね返りを効果的に抑制することができる。
メッシュ構造を上記のように設けることによっても、装置内を流れる気流を制御して薬液の跳ね返りを効果的に抑制することができる。
メッシュ構造15の繊維幅17(図2参照)は50μm以上、150μm以下であり、メッシュ構造15のオープニング幅18(図2参照)は、200μm以上、400μm以下であり、メッシュ構造15の開口率({(オープニング幅)2/(オープニング幅+繊維幅)2}×100)は50%以上である。
メッシュ構造15とカップ14との間の距離Dを上記の範囲とすることで、メッシュ構造15を通過した薬液16がカップ14で跳ね返って再びメッシュ構造15を通過して戻ってくることや、メッシュ構造15を通過した薬液16がカップ14で跳ね返ってメッシュ構造15に付着し、メッシュ構造15の薬液を通過させるという機能が低下することを抑制することができる。
メッシュ構造15を上記のように設けることにより、装置内を流れる気流を制御して薬液の跳ね返りを効果的に抑制することができる。
メッシュ構造15’を上記のように設けることによっても、装置内を流れる気流を制御して薬液16の跳ね返りを効果的に抑制することができる。
このような洗浄方法であれば、薬液の跳ね返りに起因するウェーハ上へのパーティクルの付着やウォータマークの発生が抑制された洗浄方法とすることができる。
図1の洗浄処理装置10を用いて、直径が450mmの半導体シリコンウェーハの洗浄を行った。
ただし、洗浄は以下の条件を用いて行った。
洗浄フロー :オゾン水 → フッ酸 →オゾン水 → 乾燥
オゾン水濃度 :20ppm
フッ酸濃度 :0.5重量%
薬液処理時回転速度:500rpm
乾燥時回転速度 :1000rpm
繊維幅 :110μm
オープニング幅 :313μm
開口率 :55%
さらに、メッシュ構造15とカップ14との距離Dは30mmとした。
図3の洗浄処理装置11を用いて、直径が450mmの半導体シリコンウェーハの洗浄を行った。
洗浄は実施例1と同じ条件とし、メッシュ構造15’の繊維幅、オープニング幅、開口率({(オープニング幅)2/(オープニング幅+繊維幅)2}×100)は、実施例1と同じとした。
また、メッシュ構造15’とカップ14との距離Dは30mmとした。
実施例2と同様にして、半導体シリコンウェーハの洗浄を行った。ただし、メッシュ構造15’は、繊維幅、オープニング幅、開口率({(オープニング幅)2/(オープニング幅+繊維幅)2}×100)が以下のものを用いた。
繊維幅 :50μm
オープニング幅 :204μm
開口率 :65%
実施例2と同様にして、半導体シリコンウェーハの洗浄を行った。ただし、メッシュ構造15’は、繊維幅、オープニング幅、開口率({(オープニング幅)2/(オープニング幅+繊維幅)2}×100)が以下のものを用いた。
繊維幅 :80μm
オープニング幅 :238μm
開口率 :56%
実施例2と同様にして、半導体シリコンウェーハの洗浄を行った。ただし、メッシュ構造15’は、繊維幅、オープニング幅、開口率({(オープニング幅)2/(オープニング幅+繊維幅)2}×100)が以下のものを用いた。
繊維幅 :150μm
オープニング幅 :358μm
開口率 :50%
図6の洗浄処理装置20を用いて、直径が450mmの半導体シリコンウェーハの洗浄を行った。
洗浄は実施例1と同じ条件とした。
実施例2と同様にして、半導体シリコンウェーハの洗浄を行った。ただし、メッシュ構造15’は、繊維幅、オープニング幅、開口率({(オープニング幅)2/(オープニング幅+繊維幅)2}×100)が以下のものを用いた。
繊維幅 :80μm
オープニング幅 :89μm
開口率 :28%
実施例2と同様にして、半導体シリコンウェーハの洗浄を行った。ただし、メッシュ構造15’は、繊維幅、オープニング幅、開口率({(オープニング幅)2/(オープニング幅+繊維幅)2}×100)が以下のものを用いた。
繊維幅 :80μm
オープニング幅 :115μm
開口率 :35%
実施例2と同様にして、半導体シリコンウェーハの洗浄を行った。ただし、メッシュ構造15’は、繊維幅、オープニング幅、開口率({(オープニング幅)2/(オープニング幅+繊維幅)2}×100)が以下のものを用いた。
繊維幅 :110μm
オープニング幅 :144μm
開口率 :32%
実施例2と同様にして、半導体シリコンウェーハの洗浄を行った。ただし、メッシュ構造15’は、繊維幅、オープニング幅、開口率({(オープニング幅)2/(オープニング幅+繊維幅)2}×100)が以下のものを用いた。
繊維幅 :250μm
オープニング幅 :766μm
開口率 :57%
一方、メッシュ構造を設けない比較例1、メッシュ構造のオープニング幅、開口率が上記の範囲にない比較例2−4は、ウォータマーク、パーティクル密集が発生し、メッシュ構造の繊維幅、オープニング幅が上記の範囲にない比較例5は、ウォータマーク、パーティクル密集は見られなかったものの、実施例1−5と比べて欠陥数(パーティクル数)が増加している。
14…カップ、 15、15’…メッシュ構造、 16…薬液、 17…繊維幅、
18…オープニング幅、
20…洗浄処理装置、 22…テーブル、 23…薬液供給部、 24…カップ、
26…薬液、 W…半導体シリコンウェーハ、 D…距離。
Claims (5)
- 半導体シリコンウェーハを支持して回転するテーブルと、
前記半導体シリコンウェーハの上面に薬液を供給する薬液供給部と、
前記半導体シリコンウェーハを取り囲むカップと
を備えた半導体シリコンウェーハの洗浄処理装置であって、
前記カップの内側に、塩化ビニル又はフッ素系の樹脂からなるメッシュ構造が設けられ、
前記メッシュ構造の繊維幅が50μm以上、150μm以下であり、前記メッシュ構造のオープニング幅が200μm以上、400μm以下であり、前記メッシュ構造の開口率({(オープニング幅)2/(オープニング幅+繊維幅)2}×100)が50%以上であることを特徴とする半導体シリコンウェーハの洗浄処理装置。 - 前記半導体シリコンウェーハの上面と同じ平面における前記メッシュ構造と、前記カップとの間の距離が、10mm以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体シリコンウェーハの洗浄処理装置。
- 前記メッシュ構造は、前記テーブルの上面に対して垂直になるように設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体シリコンウェーハの洗浄処理装置。
- 前記メッシュ構造は、前記カップの外周に向かって下方に傾斜するように設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体シリコンウェーハの洗浄処理装置。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体シリコンウェーハの洗浄処理装置を用いて、前記半導体シリコンウェーハを洗浄することを特徴とする半導体シリコンウェーハの洗浄方法。
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