JP6411295B2 - Elastic wave device, filter, and duplexer - Google Patents

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Description

本発明は、弾性波デバイス、フィルタ、及び分波器に関する。   The present invention relates to an acoustic wave device, a filter, and a duplexer.

携帯電話端末等の無線通信機器のフィルタ及び分波器に、弾性波デバイスが用いられている。弾性波デバイスとして、圧電基板上に１組の櫛型電極からなるＩＤＴ（Interdigital Transducer）が設けられた弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）デバイスが知られている。また、耐電力性を向上させるために、１つのＳＡＷデバイスを直列に分割することが知られている（例えば、特許文献１、２参照）。また、弾性表面波の共振器内への閉じ込めを向上させるために、１組の櫛型電極それぞれにおいて電極指間にダミー電極指を設けることが知られている（例えば、特許文献３参照）。あるいは、異なるモードの波を利用する多重モード型の弾性表面波デバイスや、これを多段に接続することが知られている（例えば、特許文献４〜８参照）。   2. Description of the Related Art Elastic wave devices are used in filters and duplexers of wireless communication devices such as mobile phone terminals. As an acoustic wave device, a surface acoustic wave (SAW) device in which an IDT (Interdigital Transducer) composed of a pair of comb-shaped electrodes is provided on a piezoelectric substrate is known. In addition, it is known that one SAW device is divided in series in order to improve power durability (see, for example, Patent Documents 1 and 2). In addition, in order to improve the confinement of the surface acoustic wave in the resonator, it is known that dummy electrode fingers are provided between the electrode fingers in each pair of comb-shaped electrodes (see, for example, Patent Document 3). Alternatively, it is known that multi-mode surface acoustic wave devices that use waves of different modes, and connecting them in multiple stages (see, for example, Patent Documents 4 to 8).

特開２００１−２８５０２５号公報JP 2001-285025 A 特開２００１−２４４７１号公報JP 2001-24471 A 特開２００３−１９８３１７号公報JP 2003-198317 A 特開平５−１２９８８４号公報JP-A-5-129984 特開平６−３７５８５号公報JP-A-6-37585 特開平１０−３２４６３号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-32463 特開２０００−３２３９３５号公報JP 2000-323935 A 特開２００１−１２７５８７号公報JP 2001-127487 A

耐電力性を向上させるために、１つの弾性波デバイスを直列に分割する場合、デバイスの大型化が生じてしまう。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、小型化が可能な弾性波デバイス、フィルタ、及び分波器を提供することを目的とする。   When one acoustic wave device is divided in series in order to improve power durability, the device becomes large. The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an acoustic wave device, a filter, and a duplexer that can be miniaturized.

本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と２つのバスバーとを含む第１ＩＤＴと、前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と２つのバスバーとを含み、前記第１ＩＤＴに直列に接続された第２ＩＤＴと、を備え、前記第１ＩＤＴと前記第２ＩＤＴとは、それぞれの前記２つのバスバーのうちの一方のバスバーとして１つの共通バスバーを共有し、前記共通バスバーの幅は、前記第１ＩＤＴ及び前記第２ＩＤＴを伝搬する弾性波の波長の０．３倍以上且つ２倍以下であり、前記共通バスバーには、前記第１ＩＤＴ及び前記第２ＩＤＴそれぞれの前記２つのバスバーのうちの他方のバスバーに接続された前記電極指の先端に隙間を介して向かい合うダミー電極指が接続されてなく、前記第１ＩＤＴ及び前記第２ＩＤＴそれぞれの前記他方のバスバーには、前記共通バスバーに接続された前記電極指の先端に隙間を介して向かい合って配置されたダミー電極指が接続されていることを特徴とする弾性波デバイスである。 The present invention includes a piezoelectric substrate, a first IDT provided on the piezoelectric substrate and including a plurality of electrode fingers and two bus bars, and a plurality of electrode fingers and two bus bars provided on the piezoelectric substrate. A second IDT connected in series to the first IDT, wherein the first IDT and the second IDT share one common bus bar as one of the two bus bars, and the common The width of the bus bar is not less than 0.3 times and not more than twice the wavelength of the elastic wave propagating through the first IDT and the second IDT, and the common bus bar includes the two IDT and the second IDT. the tip of the electrode fingers connected to the other bus bar without being connected to the dummy electrode fingers face each other through a gap of the bus bar, the second 1IDT and the second 2IDT The the other bus bars respectively, an elastic wave device, characterized in that the dummy electrode fingers wherein disposed opposite with a gap to the tip of the electrode fingers connected to the common bus bar is connected There is .

上記構成において、前記第１ＩＤＴに含まれる前記電極指の周期と前記第２ＩＤＴに含まれる前記電極指の周期とは異なる構成とすることができる。   In the above configuration, the cycle of the electrode fingers included in the first IDT and the cycle of the electrode fingers included in the second IDT may be different.

上記構成において、前記第１ＩＤＴに含まれる前記電極指のラインアンドスペース比と前記第２ＩＤＴに含まれる前記電極指のラインアンドスペース比とは異なる構成とすることができる。   The said structure WHEREIN: The line and space ratio of the said electrode finger contained in said 1st IDT and the line and space ratio of the said electrode finger contained in said 2nd IDT can be set as different structures.

上記構成において、前記第１ＩＤＴに含まれる前記電極指の開口長と前記第２ＩＤＴに含まれる前記電極指の開口長とは異なる構成とすることができる。   In the above configuration, the opening length of the electrode finger included in the first IDT may be different from the opening length of the electrode finger included in the second IDT.

上記構成において、前記第１ＩＤＴを伝搬する弾性波の位相と前記第２ＩＤＴを伝搬する弾性波の位相とは同じである構成とすることができる。   In the above configuration, the phase of the elastic wave propagating through the first IDT and the phase of the elastic wave propagating through the second IDT may be the same.

本発明は、上記のいずれかに記載の弾性波デバイスを含むことを特徴とするフィルタである。本発明によれば、フィルタを小型化することができる。   The present invention is a filter including the elastic wave device according to any one of the above. According to the present invention, the filter can be reduced in size.

本発明は、上記に記載のフィルタを含むことを特徴とする分波器である。本発明によれば、分波器を小型化することができる。   The present invention is a duplexer including the filter described above. According to the present invention, the duplexer can be reduced in size.

本発明によれば、弾性波デバイス、フィルタ、及び分波器を小型化することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, an elastic wave device, a filter, and a duplexer can be reduced in size.

図１（ａ）は、実施例１に係るＳＡＷデバイスを示す上面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の領域Ａの拡大図である。FIG. 1A is a top view showing the SAW device according to the first embodiment, and FIG. 1B is an enlarged view of a region A in FIG. 図２は、比較例１に係るＳＡＷデバイスを示す上面図である。FIG. 2 is a top view showing a SAW device according to Comparative Example 1. FIG. 図３は、実施例１の変形例１に係るＳＡＷデバイスを示す上面図である。FIG. 3 is a top view illustrating the SAW device according to the first modification of the first embodiment. 図４は、実施例１の変形例１に係るＳＡＷデバイスの周波数特性のシミュレーション結果である。FIG. 4 is a simulation result of frequency characteristics of the SAW device according to the first modification of the first embodiment. 図５は、実施例１の変形例１に係るＳＡＷデバイスを用いたラダー型フィルタの通過特性のシミュレーション結果である。FIG. 5 is a simulation result of pass characteristics of a ladder filter using the SAW device according to the first modification of the first embodiment. 図６は、実施例１の変形例２に係るＳＡＷデバイスを示す上面図である。FIG. 6 is a top view illustrating the SAW device according to the second modification of the first embodiment. 図７（ａ）は、実施例１の変形例３に係るＳＡＷデバイスを示す上面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）の領域Ａの拡大図である。FIG. 7A is a top view showing a SAW device according to the third modification of the first embodiment, and FIG. 7B is an enlarged view of a region A in FIG. 7A. 図８は、実施例１の変形例４に係るＳＡＷデバイスを示す上面図である。FIG. 8 is a top view illustrating the SAW device according to the fourth modification of the first embodiment. 図９（ａ）は、実施例１の変形例４に係るＳＡＷデバイスの周波数特性の測定結果、図９（ｂ）は、図９（ａ）の領域Ａの拡大図である。FIG. 9A is a measurement result of the frequency characteristics of the SAW device according to the fourth modification of the first embodiment, and FIG. 9B is an enlarged view of a region A in FIG. 9A. 図１０は、実施例１の変形例４に係るＳＡＷデバイスの反射特性のスミスチャートである。FIG. 10 is a Smith chart of the reflection characteristics of the SAW device according to the fourth modification of the first embodiment. 図１１は、実施例２に係るＳＡＷデバイスを示す上面図である。FIG. 11 is a top view of the SAW device according to the second embodiment. 図１２は、実施例３に係るフィルタを示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating a filter according to the third embodiment. 図１３（ａ）は、実施例３に係るフィルタの通過特性を示す図（その１）、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）の通過帯域を拡大した図である。FIG. 13A is a diagram illustrating the pass characteristics of the filter according to the third embodiment (part 1), and FIG. 13B is an enlarged view of the pass band of FIG. 13A. 図１４（ａ）は、実施例３に係るフィルタの通過特性を示す図（その２）、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の通過帯域を拡大した図である。FIG. 14A is a diagram illustrating the pass characteristics of the filter according to the third embodiment (part 2), and FIG. 14B is a diagram in which the pass band of FIG. 14A is enlarged. 図１５は、実施例３の変形例１に係るフィルタを示す図である。FIG. 15 is a diagram illustrating a filter according to the first modification of the third embodiment. 図１６は、実施例４に係る分波器を示す図である。FIG. 16 is a diagram illustrating the duplexer according to the fourth embodiment.

以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１（ａ）は、実施例１に係るＳＡＷデバイスを示す上面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の領域Ａの拡大図である。実施例１のＳＡＷデバイス１００は、図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、圧電基板１０上に、第１ＩＤＴ２０と、第１ＩＤＴ２０に直列に接続された第２ＩＤＴ４０と、弾性表面波の伝搬方向で第１ＩＤＴ２０及び第２ＩＤＴ４０の両側に配置された反射器６０と、を備える。圧電基板１０は、例えばニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）又はタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）等の圧電材を用いることができる。第１ＩＤＴ２０、第２ＩＤＴ４０、及び反射器６０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の単層金属膜又はＡｌを主体とする合金を用いることもできるし、ＡｌやＣｕ等の単層金属膜又はＡｌを主体とする合金の下にチタン（Ｔｉ）又はクロム（Ｃｒ）等の金属が設けられた積層金属膜を用いることもできる。 FIG. 1A is a top view showing the SAW device according to the first embodiment, and FIG. 1B is an enlarged view of a region A in FIG. As shown in FIGS. 1A and 1B, the SAW device 100 according to the first embodiment includes a first IDT 20, a second IDT 40 connected in series to the first IDT 20, and a surface acoustic wave. And reflectors 60 disposed on both sides of the first IDT 20 and the second IDT 40 in the propagation direction. For the piezoelectric substrate 10, for example, a piezoelectric material such as lithium niobate (LiNbO 3 ) or lithium tantalate (LiTaO 3 ) can be used. For the first IDT 20, the second IDT 40, and the reflector 60, for example, a single layer metal film such as aluminum (Al) or copper (Cu) or an alloy mainly composed of Al can be used, or a single layer metal such as Al or Cu. A laminated metal film in which a metal such as titanium (Ti) or chromium (Cr) is provided under a film or an alloy mainly composed of Al can also be used.

第１ＩＤＴ２０は、１組の櫛型電極で構成されている。１組の櫛型電極のうちの一方の櫛型電極は、複数の電極指２２ａと、複数のダミー電極指２４と、複数の電極指２２ａ及び複数のダミー電極指２４が接続されるバスバー２６ａと、を含む。電極指２２ａとダミー電極指２４とは、例えば交互に配置されている。バスバー２６ａには、入出力用の端子２８が接続されている。１組の櫛型電極のうちの他方の櫛型電極は、複数の電極指２２ｂと、複数の電極指２２ｂが接続されるバスバー２６ｂと、を含む。電極指２２ｂは、その先端が隙間５２を介してダミー電極指２４の先端と向かい合うようにして配置されている。一方、バスバー２６ｂには、複数の電極指２２ｂの間に、ダミー電極指は接続されていない。このため、電極指２２ａは、その先端が隙間５２を介してバスバー２６ｂと向かい合うようにして配置されている。   The first IDT 20 is composed of a pair of comb electrodes. One comb electrode of the pair of comb electrodes includes a plurality of electrode fingers 22a, a plurality of dummy electrode fingers 24, and a bus bar 26a to which the plurality of electrode fingers 22a and the plurality of dummy electrode fingers 24 are connected. ,including. The electrode fingers 22a and the dummy electrode fingers 24 are arranged alternately, for example. An input / output terminal 28 is connected to the bus bar 26a. The other comb-shaped electrode of the pair of comb-shaped electrodes includes a plurality of electrode fingers 22b and a bus bar 26b to which the plurality of electrode fingers 22b are connected. The electrode finger 22b is arranged so that the tip thereof faces the tip of the dummy electrode finger 24 through the gap 52. On the other hand, no dummy electrode fingers are connected to the bus bar 26b between the plurality of electrode fingers 22b. For this reason, the electrode finger 22a is arranged so that the tip thereof faces the bus bar 26b through the gap 52.

同様に、第２ＩＤＴ４０は、１組の櫛型電極で構成されている。１組の櫛型電極のうちの一方の櫛型電極は、複数の電極指４２ａと、複数のダミー電極指４４と、複数の電極指４２ａ及び複数のダミー電極指４４が接続されるバスバー４６ａと、を含む。電極指４２ａとダミー電極指４４とは、例えば交互に配置されている。バスバー４６ａには、入出力用の端子２８が接続されている。１組の櫛型電極のうちの他方の櫛型電極は、複数の電極指４２ｂと、複数の電極指４２ｂが接続されるバスバー４６ｂと、を含む。電極指４２ｂは、その先端が隙間５２を介してダミー電極指４４の先端と向かい合うようにして配置されている。一方、バスバー４６ｂには、複数の電極指４２ｂの間に、ダミー電極指は接続されていない。このため、電極指４２ａは、その先端が隙間５２を介してバスバー４６ｂと向かい合うようにして配置されている。   Similarly, the second IDT 40 is composed of a pair of comb electrodes. One comb electrode of the pair of comb electrodes includes a plurality of electrode fingers 42a, a plurality of dummy electrode fingers 44, and a bus bar 46a to which the plurality of electrode fingers 42a and the plurality of dummy electrode fingers 44 are connected. ,including. The electrode fingers 42a and the dummy electrode fingers 44 are arranged alternately, for example. An input / output terminal 28 is connected to the bus bar 46a. The other comb-shaped electrode of the set of comb-shaped electrodes includes a plurality of electrode fingers 42b and a bus bar 46b to which the plurality of electrode fingers 42b are connected. The electrode finger 42 b is arranged so that the tip thereof faces the tip of the dummy electrode finger 44 through the gap 52. On the other hand, no dummy electrode finger is connected to the bus bar 46b between the plurality of electrode fingers 42b. For this reason, the electrode finger 42 a is arranged so that the tip thereof faces the bus bar 46 b through the gap 52.

第１ＩＤＴ２０と第２ＩＤＴ４０とは、それぞれの２つのバスバーのうちの一方のバスバー２６ｂ、４６ｂとして１つの共通バスバー５０を共有している。共通バスバー５０は、浮き電極となっている。   The first IDT 20 and the second IDT 40 share one common bus bar 50 as one of the two bus bars 26b and 46b. The common bus bar 50 is a floating electrode.

第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａ、２２ｂの周期と第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａ、４２ｂの周期とは、同じになっている。第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａ、２２ｂの幅と隣接する電極指２２ａ、２２ｂの間隔との比であるラインアンドスペース比（以下、Ｌ／Ｓ比と称す）と、第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａ、４２ｂの幅と隣接する電極指４２ａ、４２ｂの間隔との比であるＬ／Ｓ比とは、同じになっている。第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａ、２２ｂが交差する幅である開口長Ｗ１と第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａ、４２ｂが交差する幅である開口長Ｗ２とは、同じ長さになっている。   The cycle of the electrode fingers 22a and 22b of the first IDT 20 and the cycle of the electrode fingers 42a and 42b of the second IDT 40 are the same. A line-and-space ratio (hereinafter referred to as L / S ratio), which is a ratio between the width of the electrode fingers 22a and 22b of the first IDT 20 and the interval between the adjacent electrode fingers 22a and 22b, and the electrode fingers 42a and 42b of the second IDT 40 The L / S ratio, which is the ratio between the width and the interval between the adjacent electrode fingers 42a and 42b, is the same. The opening length W1 that is the width at which the electrode fingers 22a and 22b of the first IDT 20 intersect and the opening length W2 that is the width at which the electrode fingers 42a and 42b of the second IDT 40 intersect are the same length.

第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａ、２２ｂの周期と第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａ、４２ｂの周期とが同じになっているため、第１ＩＤＴ２０を伝搬する弾性表面波の波長と第２ＩＤＴ４０を伝搬する弾性表面波の波長とは、同じ大きさになっている。   Since the period of the electrode fingers 22a and 22b of the first IDT 20 and the period of the electrode fingers 42a and 42b of the second IDT 40 are the same, the wavelength of the surface acoustic wave that propagates through the first IDT 20 and the surface acoustic wave that propagates through the second IDT 40 The wavelength is the same size.

第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａ、２２ｂ及び第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａ、４２ｂが延在する方向における共通バスバー５０の幅Ｗ３は、例えば２．０μｍである。実施例１のＳＡＷデバイス１００において、第１ＩＤＴ２０及び第２ＩＤＴ４０を伝搬する弾性表面波の周波数は、例えば２．５ＧＨｚであることから、幅Ｗ３は、例えば１．３λ程度である。なお、λは、第１ＩＤＴ２０及び第２ＩＤＴ４０を伝搬する弾性表面波の波長である。幅Ｗ３を２．０λ以下にする理由については後述する。   The width W3 of the common bus bar 50 in the direction in which the electrode fingers 22a and 22b of the first IDT 20 and the electrode fingers 42a and 42b of the second IDT 40 extend is, for example, 2.0 μm. In the SAW device 100 according to the first embodiment, the frequency of the surface acoustic wave propagating through the first IDT 20 and the second IDT 40 is, for example, 2.5 GHz. Therefore, the width W3 is, for example, about 1.3λ. Here, λ is the wavelength of the surface acoustic wave that propagates through the first IDT 20 and the second IDT 40. The reason why the width W3 is set to 2.0λ or less will be described later.

ここで、実施例１に係るＳＡＷデバイス１００の効果を説明するにあたり、まず比較例１に係るＳＡＷデバイスについて説明する。図２は、比較例１に係るＳＡＷデバイスを示す上面図である。比較例１に係るＳＡＷデバイスは、図２のように、１つの共振器が２つの共振器１１０、１３０に分割され、２つの共振器１１０、１３０が配線１５０によって直列に接続された構造をしている。このように、１つの共振器を２つの共振器１１０、１３０に分割して直列に接続しているのは、上述したように、耐電力性を向上させるためである。   Here, in describing the effect of the SAW device 100 according to the first embodiment, the SAW device according to the first comparative example will be described first. FIG. 2 is a top view showing a SAW device according to Comparative Example 1. FIG. As shown in FIG. 2, the SAW device according to Comparative Example 1 has a structure in which one resonator is divided into two resonators 110 and 130 and the two resonators 110 and 130 are connected in series by a wiring 150. ing. Thus, the reason why one resonator is divided into two resonators 110 and 130 and connected in series is to improve the power durability as described above.

共振器１１０は、１組の櫛型電極１１２からなるＩＤＴ１１４と、弾性表面波の伝搬方向でＩＤＴ１１４の両側に配置された反射器１１６と、を含む。１組の櫛型電極１１２それぞれは、複数の電極指１１８と、複数のダミー電極指１２０と、複数の電極指１１８及び複数のダミー電極指１２０が接続されるバスバー１２２と、を含む。   The resonator 110 includes an IDT 114 including a pair of comb electrodes 112 and reflectors 116 disposed on both sides of the IDT 114 in the propagation direction of the surface acoustic wave. Each pair of comb-shaped electrodes 112 includes a plurality of electrode fingers 118, a plurality of dummy electrode fingers 120, and a bus bar 122 to which the plurality of electrode fingers 118 and the plurality of dummy electrode fingers 120 are connected.

同様に、共振器１３０は、１組の櫛型電極１３２からなるＩＤＴ１３４と、弾性表面波の伝搬方向でＩＤＴ１３４の両側に配置された反射器１３６と、を含む。１組の櫛型電極１３２それぞれは、複数の電極指１３８と、複数のダミー電極指１４０と、複数の電極指１３８及び複数のダミー電極指１４０が接続されるバスバー１４２と、を含む。   Similarly, the resonator 130 includes an IDT 134 composed of a pair of comb electrodes 132 and reflectors 136 disposed on both sides of the IDT 134 in the propagation direction of the surface acoustic wave. Each set of comb-shaped electrodes 132 includes a plurality of electrode fingers 138, a plurality of dummy electrode fingers 140, and a bus bar 142 to which the plurality of electrode fingers 138 and the plurality of dummy electrode fingers 140 are connected.

共振器１１０、１３０それぞれの配線１５０に接続されていない側のバスバー１２２、１４２には、入出力用の端子１５２が接続されている。   An input / output terminal 152 is connected to the bus bars 122 and 142 on the side not connected to the wiring 150 of each of the resonators 110 and 130.

比較例１のように、１つの共振器を２つの共振器１１０、１３０に分割して、共振器１１０、１３０を配線１５０によって直列に接続した場合、デバイスが大型化してしまう。また、弾性表面波が共振器外に漏れることを抑制するためにダミー電極指を設ける場合、共振器１１０の１組の櫛型電極１１２それぞれにダミー電極指１２０を設け、且つ、共振器１３０の１組の櫛型電極１３２それぞれにダミー電極指１４０を設けることになる。これによっても、デバイスが大型化してしまう。   When one resonator is divided into two resonators 110 and 130 as in Comparative Example 1, and the resonators 110 and 130 are connected in series by the wiring 150, the device becomes large. Further, when providing dummy electrode fingers in order to prevent surface acoustic waves from leaking out of the resonator, dummy electrode fingers 120 are provided on each of the pair of comb-shaped electrodes 112 of the resonator 110, and A dummy electrode finger 140 is provided for each pair of comb-shaped electrodes 132. This also increases the size of the device.

一方、実施例１のＳＡＷデバイス１００は、図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、第１ＩＤＴ２０と第２ＩＤＴ４０とが直列に接続され、それぞれの２つのバスバーのうちの一方のバスバー２６ｂ、４６ｂとして１つの共通バスバー５０を共有している。このため、耐電力性を向上させ且つデバイスを小型化することができる。また、共通バスバー５０には、第１ＩＤＴ２０及び第２ＩＤＴ４０それぞれの２つのバスバーのうちの他方のバスバー２６ａ、４６ａに接続された電極指２２ａ、４２ａの先端に隙間５２を介して向かい合うダミー電極指が接続されていない。これによっても、デバイスの小型化が図れる。共通バスバー５０にダミー電極指が接続されていない場合に、共通バスバー５０の幅Ｗ３を、第１ＩＤＴ２０及び第２ＩＤＴ４０を伝搬する弾性表面波の波長の２倍以下とすることで、第１ＩＤＴ２０を伝搬する弾性表面波が第２ＩＤＴ４０側に漏れたとしても、殆ど損失を伴うことなく第２ＩＤＴ４０を伝搬するようになる。なお、第２ＩＤＴ４０を伝搬する弾性表面波が第１ＩＤＴ２０側に漏れた場合も同様である。以上のことから、実施例１によれば、耐電力性を向上させ且つ特性の劣化を抑制しつつ、デバイスを小型化することができる。   On the other hand, in the SAW device 100 of the first embodiment, as shown in FIGS. 1A and 1B, the first IDT 20 and the second IDT 40 are connected in series, and one of the two bus bars 26b. , 46b share one common bus bar 50. For this reason, power durability can be improved and the device can be miniaturized. Also, the common bus bar 50 is connected with a dummy electrode finger facing the front end of the electrode fingers 22a, 42a connected to the other bus bar 26a, 46a of the two bus bars of the first IDT 20 and the second IDT 40 via a gap 52. It has not been. This also makes it possible to reduce the size of the device. When the dummy electrode finger is not connected to the common bus bar 50, the width W3 of the common bus bar 50 is propagated through the first IDT 20 by setting the width W3 of the common bus bar 50 to be equal to or less than twice the wavelength of the surface acoustic wave propagating through the first IDT 20 and the second IDT 40. Even if the surface acoustic wave leaks to the second IDT 40 side, it propagates through the second IDT 40 with almost no loss. The same applies when the surface acoustic wave propagating through the second IDT 40 leaks to the first IDT 20 side. From the above, according to the first embodiment, it is possible to reduce the size of the device while improving the power durability and suppressing the deterioration of the characteristics.

共通バスバー５０の幅Ｗ３は、第１ＩＤＴ２０及び第２ＩＤＴ４０の一方を伝搬する弾性表面波が殆ど損失を伴うことなく他方を伝搬するようになる点から、第１ＩＤＴ２０及び第２ＩＤＴ４０を伝搬する弾性表面波の波長の１．５倍以下がより好ましく、１．２倍以下がさらに好ましい。一方、共通バスバー５０の幅Ｗ３が細くなりすぎると電気的抵抗が増すことから、幅Ｗ３は、第１ＩＤＴ２０及び第２ＩＤＴ４０を伝搬する弾性表面波の波長の０．３倍以上が好ましく、０．４倍以上がより好ましく、０．５倍以上がさらに好ましい。   The width W3 of the common bus bar 50 is such that the surface acoustic wave propagating through one of the first IDT 20 and the second IDT 40 propagates through the other with almost no loss, so that the surface acoustic wave propagating through the first IDT 20 and the second IDT 40 The wavelength is more preferably 1.5 times or less, and further preferably 1.2 times or less. On the other hand, if the width W3 of the common bus bar 50 becomes too thin, the electrical resistance increases. Therefore, the width W3 is preferably 0.3 times or more the wavelength of the surface acoustic wave propagating through the first IDT 20 and the second IDT 40, and 0.4 It is more preferably double or more, and more preferably 0.5 or more.

また、実施例１のＳＡＷデバイス１００では、第１ＩＤＴ２０及び第２ＩＤＴ４０それぞれの２つのバスバーのうちの共通バスバー５０ではないバスバー２６ａ、４６ａには、共通バスバー５０に接続された電極指２２ｂ、４２ｂの先端に隙間５２を介して向かい合って配置されたダミー電極指２４、４４が接続されている。これにより、第１ＩＤＴ２０及び第２ＩＤＴ４０を伝搬する弾性表面波のデバイス内への閉じ込めを向上させることができる。   Further, in the SAW device 100 of the first embodiment, the tips of the electrode fingers 22b and 42b connected to the common bus bar 50 are not connected to the bus bars 26a and 46a that are not the common bus bar 50 of the two bus bars of the first IDT 20 and the second IDT 40, respectively. The dummy electrode fingers 24 and 44 arranged to face each other via the gap 52 are connected to each other. Thereby, the confinement in the device of the surface acoustic wave which propagates the 1st IDT20 and the 2nd IDT40 can be improved.

図３は、実施例１の変形例１に係るＳＡＷデバイスを示す上面図である。実施例１の変形例１のＳＡＷデバイス２００は、図３のように、第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａ、２２ｂの周期と、第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａ、４２ｂの周期と、が異なっている。このため、第１ＩＤＴ２０を伝搬する弾性表面波の波長と、第２ＩＤＴ４０を伝搬する弾性表面波の波長と、は異なっている。その他の構成は、実施例１の図１と同じであるため説明を省略する。   FIG. 3 is a top view illustrating the SAW device according to the first modification of the first embodiment. As shown in FIG. 3, the SAW device 200 according to the first modification of the first embodiment is different in the cycle of the electrode fingers 22a and 22b of the first IDT 20 and the cycle of the electrode fingers 42a and 42b of the second IDT 40. For this reason, the wavelength of the surface acoustic wave propagating through the first IDT 20 is different from the wavelength of the surface acoustic wave propagating through the second IDT 40. Other configurations are the same as those of the first embodiment shown in FIG.

ここで、実施例１の変形例１に係るＳＡＷデバイス２００に対して行ったシミュレーションについて説明する。シミュレーションに用いたＳＡＷデバイス２００は、ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム基板からなる圧電基板１０上に、厚さ２００ｎｍのＡｌで形成された第１ＩＤＴ２０、第２ＩＤＴ４０、及び反射器６０が設けられている。第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａ、２２ｂの周期は２．０μｍで、第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａ、４２ｂの周期は１．９９μｍである。また、共通バスバー５０の幅は２．０μｍである。図４は、実施例１の変形例１に係るＳＡＷデバイス２００の周波数特性のシミュレーション結果である。図４のように、第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａ、２２ｂの周期と第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａ、４２ｂの周期とを異ならせることで、複数の反共振点が形成されることが分かる。   Here, a simulation performed on the SAW device 200 according to the first modification of the first embodiment will be described. The SAW device 200 used for the simulation is provided with a first IDT 20, a second IDT 40, and a reflector 60 formed of Al having a thickness of 200 nm on a piezoelectric substrate 10 made of a Y-cut X-propagating lithium tantalate substrate. . The period of the electrode fingers 22a and 22b of the first IDT 20 is 2.0 μm, and the period of the electrode fingers 42a and 42b of the second IDT 40 is 1.99 μm. The width of the common bus bar 50 is 2.0 μm. FIG. 4 is a simulation result of frequency characteristics of the SAW device 200 according to the first modification of the first embodiment. As shown in FIG. 4, it can be seen that a plurality of anti-resonance points are formed by making the period of the electrode fingers 22a and 22b of the first IDT 20 different from the period of the electrode fingers 42a and 42b of the second IDT 40.

図５は、実施例１の変形例１に係るＳＡＷデバイス２００を用いたラダー型フィルタ（以下、第１のラダー型フィルタと称す）の通過特性のシミュレーション結果である。シミュレーションに用いた第１のラダー型フィルタは、後述する図１２と同様の構成をしていて、直列共振器Ｓ１〜Ｓ４と並列共振器Ｐ１とに、実施例１の変形例１に係るＳＡＷデバイス２００を用いた。並列共振器Ｐ２〜Ｐ４には、ＩＤＴが直列に分割されていないＳＡＷデバイスを用いた。なお、比較のために、直列共振器Ｓ１〜Ｓ４と並列共振器Ｐ１とに、実施例１の変形例１に係るＳＡＷデバイス２００の代わりに実施例１に係るＳＡＷデバイス１００を用いたラダー型フィルタ（以下、第２のラダー型フィルタと称す）についても通過特性をシミュレーションした。   FIG. 5 is a simulation result of pass characteristics of a ladder filter (hereinafter, referred to as a first ladder filter) using the SAW device 200 according to the first modification of the first embodiment. The first ladder filter used for the simulation has the same configuration as that of FIG. 12 described later, and includes the series resonators S1 to S4 and the parallel resonator P1, and the SAW device according to the first modification of the first embodiment. 200 was used. For the parallel resonators P2 to P4, SAW devices in which the IDT is not divided in series were used. For comparison, a ladder filter using the SAW device 100 according to the first embodiment instead of the SAW device 200 according to the first modification of the first embodiment is used for the series resonators S1 to S4 and the parallel resonator P1. The pass characteristics were also simulated for (hereinafter referred to as a second ladder type filter).

図４に示したように実施例１の変形例１に係るＳＡＷデバイス２００では複数の反共振点が形成されることから、図５のように、第１のラダー型フィルタは、第２のラダー型フィルタに比べて、抑圧域において広い帯域で大きな減衰量が得られている。   As shown in FIG. 4, in the SAW device 200 according to the first modification of the first embodiment, a plurality of antiresonance points are formed. Therefore, as shown in FIG. 5, the first ladder filter is the second ladder filter. Compared to the type filter, a large attenuation is obtained in a wide band in the suppression region.

以上のように、実施例１の変形例１のＳＡＷデバイス２００は、図３のように、第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａ、２２ｂの周期と第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａ、４２ｂの周期とが異なっているので、図４のように、複数の反共振点が形成される。よって、実施例１の変形例１のＳＡＷデバイス２００を例えばラダー型フィルタに用いることで、図５のように、抑圧域において広い帯域で大きな減衰量を得ることができる。   As described above, in the SAW device 200 according to the first modification of the first embodiment, the cycle of the electrode fingers 22a and 22b of the first IDT 20 and the cycle of the electrode fingers 42a and 42b of the second IDT 40 are different as shown in FIG. Therefore, a plurality of anti-resonance points are formed as shown in FIG. Therefore, by using the SAW device 200 of the first modification of the first embodiment for a ladder filter, for example, a large attenuation can be obtained in a wide band in the suppression region as shown in FIG.

図６は、実施例１の変形例２に係るＳＡＷデバイスを示す上面図である。実施例１の変形例２のＳＡＷデバイス３００は、図６のように、第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａ、２２ｂの幅と隣接する電極指２２ａ、２２ｂの間隔との比であるＬ／Ｓ比と、第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａ、４２ｂの幅と隣接する電極指４２ａ、４２ｂの間隔との比であるＬ／Ｓ比と、が異なっている。その他の構成は、実施例１の図１と同じであるため説明を省略する。   FIG. 6 is a top view illustrating the SAW device according to the second modification of the first embodiment. As shown in FIG. 6, the SAW device 300 according to the second modification of the first embodiment has an L / S ratio that is a ratio between the width of the electrode fingers 22a and 22b of the first IDT 20 and the interval between the adjacent electrode fingers 22a and 22b. The L / S ratio, which is the ratio between the width of the electrode fingers 42a and 42b of the second IDT 40 and the interval between the adjacent electrode fingers 42a and 42b, is different. Other configurations are the same as those of the first embodiment shown in FIG.

実施例１の変形例２のＳＡＷデバイス３００のように、第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａ、２２ｂのＬ／Ｓ比と第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａ、４２ｂのＬ／Ｓ比とが異なることでも、実施例１の変形例１のＳＡＷデバイス２００と同様に、複数の反共振点が形成される。よって、実施例１の変形例２のＳＡＷデバイス３００を例えばラダー型フィルタに用いることで、抑圧域において広い帯域で大きな減衰量を得ることができる。   As in the SAW device 300 according to the second modification of the first embodiment, the L / S ratio of the electrode fingers 22a and 22b of the first IDT 20 and the L / S ratio of the electrode fingers 42a and 42b of the second IDT 40 are different. Similarly to the SAW device 200 of the first modification 1, a plurality of antiresonance points are formed. Therefore, by using the SAW device 300 of the second modification of the first embodiment for a ladder filter, for example, a large attenuation can be obtained in a wide band in the suppression region.

図７（ａ）は、実施例１の変形例３に係るＳＡＷデバイスを示す上面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）の領域Ａの拡大図である。実施例１の変形例３に係るＳＡＷデバイス４００は、図７（ａ）及び図７（ｂ）のように、第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａ、２２ｂが交差する幅である開口長Ｗ１と、第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａ、４２ｂが交差する幅である開口長Ｗ２と、が異なる長さになっている。その他の構成は、実施例１の図１と同じであるため説明を省略する。   FIG. 7A is a top view showing a SAW device according to the third modification of the first embodiment, and FIG. 7B is an enlarged view of a region A in FIG. 7A. As shown in FIGS. 7A and 7B, the SAW device 400 according to the third modification of the first embodiment includes an opening length W1 that is a width at which the electrode fingers 22a and 22b of the first IDT 20 intersect, and a second IDT 40. The opening length W2, which is the width at which the electrode fingers 42a and 42b intersect, is a different length. Other configurations are the same as those of the first embodiment shown in FIG.

実施例１の変形例３のＳＡＷデバイス４００のように、第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａ、２２ｂの開口長Ｗ１と第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａ、４２ｂの開口長Ｗ２とが異なることでも、実施例１の変形例１のＳＡＷデバイス２００と同様に、複数の反共振点が形成される。よって、実施例１の変形例３のＳＡＷデバイス４００を例えばラダー型フィルタに用いることで、抑圧域において広い帯域で大きな減衰量を得ることができる。   As in the SAW device 400 of the third modification of the first embodiment, the opening length W1 of the electrode fingers 22a and 22b of the first IDT 20 and the opening length W2 of the electrode fingers 42a and 42b of the second IDT 40 are different. Similar to the SAW device 200 of the first modification, a plurality of anti-resonance points are formed. Therefore, by using the SAW device 400 of the third modification of the first embodiment for a ladder filter, for example, a large attenuation can be obtained in a wide band in the suppression region.

図８は、実施例１の変形例４に係るＳＡＷデバイスを示す上面図である。実施例１の変形例４に係るＳＡＷデバイス５００は、図８のように、第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａと第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａとは、電極指２２ａ、４２ａが延在する方向で直線上に並んで配置されている。第１ＩＤＴ２０の電極指２２ｂと第２ＩＤＴ４０の電極指４２ｂとは、電極指２２ｂ、４２ｂが延在する方向で直線上に並んで配置されている。このため、第１ＩＤＴ２０を伝搬する弾性表面波の位相と第２ＩＤＴ４０を伝搬する弾性表面波の位相とが同じになっている。その他の構成は、実施例１の図１と同じであるため説明を省略する。   FIG. 8 is a top view illustrating the SAW device according to the fourth modification of the first embodiment. In the SAW device 500 according to the fourth modification of the first embodiment, as illustrated in FIG. 8, the electrode finger 22 a of the first IDT 20 and the electrode finger 42 a of the second IDT 40 are in a straight line in the direction in which the electrode fingers 22 a and 42 a extend. They are arranged side by side. The electrode fingers 22b of the first IDT 20 and the electrode fingers 42b of the second IDT 40 are arranged side by side in a straight line in the direction in which the electrode fingers 22b and 42b extend. For this reason, the phase of the surface acoustic wave propagating through the first IDT 20 and the phase of the surface acoustic wave propagating through the second IDT 40 are the same. Other configurations are the same as those of the first embodiment shown in FIG.

ここで、実施例１の変形例４に係るＳＡＷデバイス５００に対して行ったシミュレーションについて説明する。シミュレーションに用いたＳＡＷデバイス５００は、ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム基板からなる圧電基板１０上に、厚さ２００ｎｍのＡｌで形成された第１ＩＤＴ２０、第２ＩＤＴ４０、及び反射器６０が設けられている。第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａ、２２ｂの周期及び第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａ、４２ｂの周期は２．０μｍである。また、共通バスバー５０の幅は２．０μｍである。図９（ａ）は、実施例１の変形例４に係るＳＡＷデバイス５００の周波数特性のシミュレーション結果、図９（ｂ）は、図９（ａ）の領域Ａの拡大図である。図１０は、実施例１の変形例４に係るＳＡＷデバイス５００の反射特性のスミスチャートである。なお、比較のために、実施例１に係るＳＡＷデバイス１００（第１ＩＤＴ２０を伝搬する弾性表面波の位相と第２ＩＤＴ４０を伝搬する弾性表面波の位相とが１８０°程度ずれている場合）の結果も図示している。   Here, a simulation performed on the SAW device 500 according to the fourth modification of the first embodiment will be described. The SAW device 500 used for the simulation is provided with a first IDT 20, a second IDT 40, and a reflector 60 formed of Al having a thickness of 200 nm on a piezoelectric substrate 10 made of a Y-cut X-propagating lithium tantalate substrate. . The period of the electrode fingers 22a and 22b of the first IDT 20 and the period of the electrode fingers 42a and 42b of the second IDT 40 are 2.0 μm. The width of the common bus bar 50 is 2.0 μm. FIG. 9A is a simulation result of frequency characteristics of the SAW device 500 according to the fourth modification of the first embodiment, and FIG. 9B is an enlarged view of a region A in FIG. 9A. FIG. 10 is a Smith chart of the reflection characteristics of the SAW device 500 according to the fourth modification of the first embodiment. For comparison, the results of the SAW device 100 according to Example 1 (when the surface acoustic wave phase propagating through the first IDT 20 and the phase of the surface acoustic wave propagating through the second IDT 40 are shifted by about 180 °) are also shown. It is shown.

図９（ａ）から図１０のように、実施例１の変形例４のＳＡＷデバイス５００は、実施例１のＳＡＷデバイス１００と比較して、波形の崩れ（例えば図９（ｂ）及び図１０のＸ部分）が抑えられている。これは、実施例１のＳＡＷデバイス１００では、第１ＩＤＴ２０を伝搬する弾性表面波の位相と第２ＩＤＴ４０を伝搬する弾性表面波の位相とが１８０°程度ずれているため、第１ＩＤＴ２０から第２ＩＤＴ４０又は第２ＩＤＴ４０から第１ＩＤＴ２０に漏れた弾性表面波による干渉によって、波形の崩れが生じたものと考えられる。一方、実施例１の変形例４のＳＡＷデバイス５００では、第１ＩＤＴ２０を伝搬する弾性表面波の位相と第２ＩＤＴ４０を伝搬する弾性表面波の位相とが同じになっているため、第１ＩＤＴ２０から第２ＩＤＴ４０又は第２ＩＤＴ４０から第１ＩＤＴ２０に弾性表面波が漏れた場合でも、弾性表面波の干渉による波形の崩れが抑制されたものと考えられる。   As shown in FIGS. 9A to 10, the SAW device 500 according to the fourth modification of the first embodiment has a waveform collapse (for example, FIGS. 9B and 10) as compared with the SAW device 100 according to the first embodiment. X portion) is suppressed. In the SAW device 100 according to the first embodiment, the phase of the surface acoustic wave propagating through the first IDT 20 and the phase of the surface acoustic wave propagating through the second IDT 40 are shifted from each other by about 180 °. It is considered that the waveform collapsed due to the interference by the surface acoustic wave leaked from the 2IDT 40 to the first IDT 20. On the other hand, in the SAW device 500 of the fourth modification of the first embodiment, the phase of the surface acoustic wave propagating through the first IDT 20 and the phase of the surface acoustic wave propagating through the second IDT 40 are the same. Alternatively, even when a surface acoustic wave leaks from the second IDT 40 to the first IDT 20, it is considered that the waveform collapse due to the interference of the surface acoustic wave is suppressed.

以上のように、実施例１の変形例４のＳＡＷデバイス５００では、第１ＩＤＴ２０を伝搬する弾性表面波の位相と第２ＩＤＴ４０を伝搬する弾性表面波の位相とが同じであるため、第１ＩＤＴ２０から第２ＩＤＴ４０又は第２ＩＤＴ４０から第１ＩＤＴ２０に弾性表面波が漏れることによる特性の劣化を抑制することができる。   As described above, in the SAW device 500 according to the fourth modification of the first embodiment, the surface acoustic wave that propagates through the first IDT 20 and the surface acoustic wave that propagates through the second IDT 40 have the same phase. It is possible to suppress deterioration of characteristics due to surface acoustic waves leaking from the 2IDT 40 or the second IDT 40 to the first IDT 20.

なお、実施例１の変形例４のＳＡＷデバイス５００において、第１ＩＤＴ２０を伝搬する弾性表面波の位相と第２ＩＤＴ４０を伝搬する弾性表面波の位相とが同じとは、完全に同じである場合に限られず、特性の劣化が抑制される程度に同じ場合を含むものである。したがって、第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａと第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａとは、電極指２２ａ、４２ａが延在する方向で、完全に直線上に並んで配置されている場合に限らず、電極指２２ａ、４２ａの幅方向に多少ずれている場合でもよい。第１ＩＤＴ２０の電極指２２ｂと第２ＩＤＴ４０の電極指４２ｂについても同様である。   In the SAW device 500 according to the fourth modification of the first embodiment, the phase of the surface acoustic wave propagating through the first IDT 20 and the phase of the surface acoustic wave propagating through the second IDT 40 are the same only when they are completely the same. This includes the same case to the extent that the deterioration of characteristics is suppressed. Therefore, the electrode fingers 22a of the first IDT 20 and the electrode fingers 42a of the second IDT 40 are not limited to being arranged in a straight line in the direction in which the electrode fingers 22a, 42a extend, It may be slightly shifted in the width direction of 42a. The same applies to the electrode finger 22b of the first IDT 20 and the electrode finger 42b of the second IDT 40.

図１１は、実施例２に係るＳＡＷデバイスを示す上面図である。実施例２のＳＡＷデバイス６００は、図１１のように、ダミー電極指２４、４４が設けられてなく、共通バスバー５０に接続された電極指２２ｂ、４２ｂは、その先端が隙間５２を介してバスバー２６ａ、４６ａに向かい合うようにして配置されている。その他の構成は、実施例１の図１と同じであるため説明を省略する。   FIG. 11 is a top view of the SAW device according to the second embodiment. As shown in FIG. 11, the SAW device 600 according to the second embodiment is not provided with the dummy electrode fingers 24 and 44, and the electrode fingers 22b and 42b connected to the common bus bar 50 are connected to the bus bar at the tips via the gaps 52. 26a and 46a are arranged so as to face each other. Other configurations are the same as those of the first embodiment shown in FIG.

実施例２のＳＡＷデバイス６００のように、第１ＩＤＴ２０及び第２ＩＤＴ４０それぞれの２つのバスバーのうちの共通バスバー５０ではないバスバー２６ａ、４６ａに、共通バスバー５０に接続された電極指２２ｂ、４２ｂの先端に隙間５２を介して向かい合うダミー電極指が接続されていない場合でもよい。この場合でも、耐電力性を向上させ且つ特性の劣化を抑制しつつ、デバイスを小型化することができる。   Like the SAW device 600 of the second embodiment, of the two bus bars of the first IDT 20 and the second IDT 40, the bus bars 26a and 46a which are not the common bus bar 50 are connected to the tips of the electrode fingers 22b and 42b connected to the common bus bar 50. There may be a case where the dummy electrode fingers facing each other through the gap 52 are not connected. Even in this case, it is possible to reduce the size of the device while improving power durability and suppressing deterioration of characteristics.

なお、実施例２においても、実施例１の変形例１のように、第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａ、２２ｂの周期と第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａ、４２ｂの周期とを異ならせてもよい。実施例１の変形例２のように、第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａ、２２ｂのＬ／Ｓ比と第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａ、４２ｂのＬ／Ｓ比とを異ならせてもよい。実施例１の変形例３のように、第１ＩＤＴ２０の電極指２２ａ、２２ｂの開口長と第２ＩＤＴ４０の電極指４２ａ、４２ｂの開口長とを異ならせてもよい。実施例１の変形例４のように、第１ＩＤＴ２０を伝搬する弾性表面波の位相と第２ＩＤＴ４０を伝搬する弾性表面波の位相とを同じにしてもよい。   Also in the second embodiment, as in the first modification of the first embodiment, the cycle of the electrode fingers 22a and 22b of the first IDT 20 and the cycle of the electrode fingers 42a and 42b of the second IDT 40 may be different. As in the second modification of the first embodiment, the L / S ratio of the electrode fingers 22a and 22b of the first IDT 20 and the L / S ratio of the electrode fingers 42a and 42b of the second IDT 40 may be different. As in the third modification of the first embodiment, the opening lengths of the electrode fingers 22a and 22b of the first IDT 20 may be different from the opening lengths of the electrode fingers 42a and 42b of the second IDT 40. As in the fourth modification of the first embodiment, the phase of the surface acoustic wave propagating through the first IDT 20 and the phase of the surface acoustic wave propagating through the second IDT 40 may be the same.

なお、実施例１から実施例２では、第１ＩＤＴ２０と第２ＩＤＴ４０とが直列に接続されている場合、即ち２つのＩＤＴが直列に接続されている場合を例に示したが、３以上の複数のＩＤＴが直列に接続されている場合でもよい。   In the first to second embodiments, the case where the first IDT 20 and the second IDT 40 are connected in series, that is, the case where two IDTs are connected in series has been described as an example. The IDT may be connected in series.

実施例３は、実施例１から実施例２で説明したＳＡＷデバイスの少なくとも１つをフィルタに用いた例である。図１２は、実施例３に係るフィルタを示す図である。実施例３に係るフィルタ７００は、図１２のように、入出力端子Ｔ１、Ｔ２の間に直列に接続された１又は複数の直列共振器Ｓ１〜Ｓ４と、並列に接続された１又は複数の並列共振器Ｐ１〜Ｐ４と、を備えたラダー型フィルタである。直列共振器Ｓ１〜Ｓ４及び並列共振器Ｐ１〜Ｐ４の少なくとも１つを、実施例１から実施例２で説明したＳＡＷデバイスとすることができる。   The third embodiment is an example in which at least one of the SAW devices described in the first to second embodiments is used as a filter. FIG. 12 is a diagram illustrating a filter according to the third embodiment. As shown in FIG. 12, the filter 700 according to the third embodiment includes one or more series resonators S1 to S4 connected in series between the input / output terminals T1 and T2, and one or more connected in parallel. It is a ladder type filter provided with parallel resonators P1-P4. At least one of the series resonators S1 to S4 and the parallel resonators P1 to P4 can be the SAW device described in the first to second embodiments.

ここで、４４°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム（ＬＴ）基板からなる圧電基板１０を用いて作製した実施例３のフィルタ７００の通過特性について説明する。通過特性を測定した実施例３のフィルタ７００は、直列共振器Ｓ１〜Ｓ４と並列共振器Ｐ１とを実施例１の変形例１のＳＡＷデバイス２００とし、並列共振器Ｐ２〜Ｐ４をＩＤＴが直列に分割されていないＳＡＷデバイスとした。   Here, the pass characteristic of the filter 700 of Example 3 manufactured using the piezoelectric substrate 10 made of a 44 ° Y-cut X propagation lithium tantalate (LT) substrate will be described. In the filter 700 of the third embodiment in which the pass characteristics are measured, the series resonators S1 to S4 and the parallel resonator P1 are the SAW devices 200 of the first modification of the first embodiment, and the parallel resonators P2 to P4 are connected in series with the IDT. The SAW device was not divided.

図１３（ａ）は、実施例３に係るフィルタ７００の通過特性を示す図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）の通過帯域を拡大した図である。なお、比較のために、直列共振器Ｓ１〜Ｓ４と並列共振器Ｐ１とに比較例１のＳＡＷデバイスを用い、その他は通過特性を測定した実施例３のフィルタ７００と同じにした比較例２に係るフィルタの通過特性も示している。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）のように、実施例３のフィルタ７００と比較例２のフィルタとでは、通過帯域内の損失がほとんど同じであるなど、同等の特性を有していることが分かる。   FIG. 13A is a diagram illustrating the pass characteristics of the filter 700 according to the third embodiment, and FIG. 13B is an enlarged view of the pass band of FIG. 13A. For comparison, the SAW device of the comparative example 1 is used for the series resonators S1 to S4 and the parallel resonator P1, and the rest is the same as the comparative example 2 which is the same as the filter 700 of the example 3 in which the pass characteristics are measured. The pass characteristics of such a filter are also shown. As shown in FIGS. 13A and 13B, the filter 700 according to the third embodiment and the filter according to the second comparative example have equivalent characteristics such that the loss in the passband is almost the same. I understand that.

次に、圧電基板１０に４２°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム（ＬＴ）基板と４４°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム（ＬＴ）基板とを用いた場合での、実施例３のフィルタ７００の通過特性について説明する。通過特性を測定した実施例３のフィルタ７００は、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）の場合と同様に、直列共振器Ｓ１〜Ｓ４と並列共振器Ｐ１とを実施例１の変形例１のＳＡＷデバイス２００とし、並列共振器Ｐ２〜Ｐ４をＩＤＴが直列に分割されていないＳＡＷデバイスとした。   Next, the filter 700 of Example 3 in the case where a 42 ° Y-cut X-propagation lithium tantalate (LT) substrate and a 44 ° Y-cut X-propagation lithium tantalate (LT) substrate are used as the piezoelectric substrate 10. Next, the passage characteristics will be described. The filter 700 of the third embodiment in which the pass characteristics are measured is similar to the case of FIGS. 13A and 13B in that the series resonators S1 to S4 and the parallel resonator P1 are changed to the first modification of the first embodiment. The parallel resonators P2 to P4 are SAW devices in which the IDT is not divided in series.

図１４（ａ）は、実施例３に係るフィルタ７００の通過特性を示す図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の通過帯域を拡大した図である。図１４（ａ）及び図１４（ｂ）のように、タンタル酸リチウム基板の基板方位（カット角）を変えた場合でも、同等の特性が得られることが分かる。   FIG. 14A is a diagram illustrating the pass characteristics of the filter 700 according to the third embodiment, and FIG. 14B is an enlarged view of the pass band of FIG. 14A. As shown in FIGS. 14A and 14B, it can be seen that the same characteristics can be obtained even when the substrate orientation (cut angle) of the lithium tantalate substrate is changed.

なお、図１３（ａ）から図１４（ｂ）では、直列共振器Ｓ１〜Ｓ４及び並列共振器Ｐ１〜Ｐ４の少なくとも１つに実施例１の変形例１のＳＡＷデバイス２００を用いた場合を例に示したが、実施例１から実施例２で説明したＳＡＷデバイスを用いた場合でも同様である。   13A to 14B show an example in which the SAW device 200 according to the first modification of the first embodiment is used as at least one of the series resonators S1 to S4 and the parallel resonators P1 to P4. However, the same applies to the case where the SAW device described in the first to second embodiments is used.

以上のことから、直列共振器Ｓ１〜Ｓ４及び並列共振器Ｐ１〜Ｐ４の少なくとも１つに実施例１から実施例２で説明したＳＡＷデバイスを用いることで、特性を劣化させることなく（例えば通過帯域内の損失を低下させることなく）、フィルタを小型化できることが分かる。また、圧電基板１０にＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム基板を用いた場合は、基板方位（カット角）によらず、同等の特性を得られることが分かる。例えば、３８°〜４８°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム基板を用いることができる。   From the above, by using the SAW device described in the first to second embodiments for at least one of the series resonators S1 to S4 and the parallel resonators P1 to P4, the characteristics are not deteriorated (for example, passband) It can be seen that the filter can be reduced in size without reducing the internal loss. It can also be seen that when a Y-cut X-propagation lithium tantalate substrate is used as the piezoelectric substrate 10, the same characteristics can be obtained regardless of the substrate orientation (cut angle). For example, a 38 ° to 48 ° Y-cut X-propagation lithium tantalate substrate can be used.

図１５は、実施例３の変形例１に係るフィルタを示す図である。実施例３の変形例１に係るフィルタ８００は、図１５のように、２重モード型フィルタ（ＤＭＳ）７０と入出力端子Ｔ１との間に直列に直列共振器Ｓ１０が接続され、並列に並列共振器Ｐ１０、Ｐ１１が接続されている。２重モード型フィルタ７０と入出力端子Ｔ２との間に直列に直列共振器Ｓ１１が接続されている。直列共振器Ｓ１０、Ｓ１１及び並列共振器Ｐ１０、Ｐ１１の少なくとも１つを、実施例１から実施例２で説明したＳＡＷデバイスとすることができる。   FIG. 15 is a diagram illustrating a filter according to the first modification of the third embodiment. A filter 800 according to the first modification of the third embodiment includes a series resonator S10 connected in series between a dual mode filter (DMS) 70 and an input / output terminal T1, as shown in FIG. Resonators P10 and P11 are connected. A series resonator S11 is connected in series between the dual mode filter 70 and the input / output terminal T2. At least one of the series resonators S10 and S11 and the parallel resonators P10 and P11 can be the SAW device described in the first to second embodiments.

なお、実施例３ではラダー型フィルタ、実施例３の変形例１では２重モード型フィルタ７０の入出力にＳＡＷデバイスを接続させたフィルタの場合を例に示したが、この場合に限られず、ラティス型フィルタ等のその他のフィルタの場合でもよい。   In the third embodiment, a ladder filter is used, and in the first modification of the third embodiment, a filter in which a SAW device is connected to the input / output of the dual mode filter 70 is shown as an example. Other filters such as a lattice filter may be used.

実施例４は、実施例３で説明したフィルタを分波器に用いた例である。図１６は、実施例４に係る分波器を示す図である。実施例４に係る分波器９００は、図１６のように、アンテナ端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に接続された送信フィルタ８０と、アンテナ端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に接続された受信フィルタ８２と、を含む。送信フィルタ８０と受信フィルタ８２とは、通過帯域が異なっている。送信フィルタ８０は、送信端子Ｔｘから入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号としてアンテナ端子Ａｎｔに通過させ、他の帯域の信号を抑圧する。受信フィルタ８２は、アンテナ端子Ａｎｔから入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の帯域の信号を抑圧する。送信フィルタ８０及び受信フィルタ８２の少なくとも一方を、実施例３で説明したフィルタとすることができる。   The fourth embodiment is an example in which the filter described in the third embodiment is used for a duplexer. FIG. 16 is a diagram illustrating the duplexer according to the fourth embodiment. The duplexer 900 according to the fourth embodiment is connected between the antenna terminal Ant and the reception terminal Rx, and the transmission filter 80 connected between the antenna terminal Ant and the transmission terminal Tx, as shown in FIG. A reception filter 82. The transmission filter 80 and the reception filter 82 have different pass bands. The transmission filter 80 passes a signal in the transmission band among the signals input from the transmission terminal Tx as a transmission signal to the antenna terminal Ant, and suppresses signals in other bands. The reception filter 82 passes a signal in the reception band among the signals input from the antenna terminal Ant to the reception terminal Rx as a reception signal, and suppresses signals in other bands. At least one of the transmission filter 80 and the reception filter 82 can be the filter described in the third embodiment.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。   Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.

１０ 圧電基板
２０ 第１ＩＤＴ
２２ａ、２２ｂ 電極指
２４ ダミー電極指
２６ａ、２６ｂ バスバー
２８ 端子
４０ 第２ＩＤＴ
４２ａ、４２ｂ 電極指
４４ ダミー電極指
４６ａ、４６ｂ バスバー
５０ 共通バスバー
５２ 隙間
６０ 反射器
Ｓ１〜Ｓ４ 直列共振器
Ｐ１〜Ｐ４ 並列共振器
７０ ２重モード型フィルタ
８０ 送信フィルタ
８２ 受信フィルタ
１００〜６００ 弾性波デバイス
７００、８００ フィルタ
９００ 分波器 10 Piezoelectric substrate 20 1st IDT
22a, 22b Electrode finger 24 Dummy electrode finger 26a, 26b Bus bar 28 Terminal 40 Second IDT
42a, 42b Electrode finger 44 Dummy electrode finger 46a, 46b Bus bar 50 Common bus bar 52 Gap 60 Reflector S1-S4 Series resonator P1-P4 Parallel resonator 70 Dual mode filter 80 Transmit filter 82 Receive filter 100-600 Elastic wave Device 700, 800 Filter 900 Splitter

Claims (8)

圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と２つのバスバーとを含む第１ＩＤＴと、
前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と２つのバスバーとを含み、前記第１ＩＤＴに直列に接続された第２ＩＤＴと、を備え、
前記第１ＩＤＴと前記第２ＩＤＴとは、それぞれの前記２つのバスバーのうちの一方のバスバーとして１つの共通バスバーを共有し、
前記共通バスバーの幅は、前記第１ＩＤＴ及び前記第２ＩＤＴを伝搬する弾性波の波長の０．３倍以上且つ２倍以下であり、
前記共通バスバーには、前記第１ＩＤＴ及び前記第２ＩＤＴそれぞれの前記２つのバスバーのうちの他方のバスバーに接続された前記電極指の先端に隙間を介して向かい合うダミー電極指が接続されてなく、
前記第１ＩＤＴ及び前記第２ＩＤＴそれぞれの前記他方のバスバーには、前記共通バスバーに接続された前記電極指の先端に隙間を介して向かい合って配置されたダミー電極指が接続されていることを特徴とする弾性波デバイス。 A piezoelectric substrate;
A first IDT provided on the piezoelectric substrate and including a plurality of electrode fingers and two bus bars;
A second IDT provided on the piezoelectric substrate, including a plurality of electrode fingers and two bus bars, and connected in series to the first IDT;
The first IDT and the second IDT share one common bus bar as one of the two bus bars,
The width of the common bus bar is not less than 0.3 times and not more than twice the wavelength of the elastic wave propagating through the first IDT and the second IDT,
The common bus bar is not connected to a dummy electrode finger facing through a gap at the tip of the electrode finger connected to the other bus bar of the two bus bars of the first IDT and the second IDT .
The other bus bar of each of the first IDT and the second IDT is connected to a dummy electrode finger disposed opposite to the tip of the electrode finger connected to the common bus bar through a gap. Elastic wave device. 前記弾性波の伝搬方向で前記第１ＩＤＴ及び前記第２ＩＤＴの両側に反射器を備えることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。 The elastic wave device according to claim 1, further comprising reflectors on both sides of the first IDT and the second IDT in a propagation direction of the elastic wave. 前記第１ＩＤＴに含まれる前記電極指の周期と前記第２ＩＤＴに含まれる前記電極指の周期とは異なることを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイス。 Claim 1 or 2 acoustic wave device wherein different from the period of the electrode fingers included in the first 2IDT the period of the electrode fingers included in the second IDT. 前記第１ＩＤＴに含まれる前記電極指のラインアンドスペース比と前記第２ＩＤＴに含まれる前記電極指のラインアンドスペース比とは異なることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 Elastic according to one of claims 1 to 3, wherein different from the line-and-space ratio of the electrode fingers included in the first 2IDT the line and space ratio of the electrode fingers included in the first 1IDT Wave device. 前記第１ＩＤＴに含まれる前記電極指の開口長と前記第２ＩＤＴに含まれる前記電極指の開口長とは異なることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according one wherein any one of claims 1 to 4, wherein different from the aperture length of the electrode fingers included in the aperture length and the second 2IDT of the electrode fingers included in the second IDT. 前記第１ＩＤＴを伝搬する弾性波の位相と前記第２ＩＤＴを伝搬する弾性波の位相とは同じであることを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイス。 The elastic wave device according to claim 1 or 2 , wherein the phase of the elastic wave propagating through the first IDT and the phase of the elastic wave propagating through the second IDT are the same. 請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイスを含むことを特徴とするフィルタ。 Filter comprising an acoustic wave device of any one of claims 1 6. 請求項７記載のフィルタを含むことを特徴とする分波器。 A duplexer comprising the filter according to claim 7 .
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