JP6408588B2 - 非侵入型温度測定アセンブリ - Google Patents

Description

本発明は一般的に工業プロセスにて使用する温度測定アセンブリに関する。特に、本発明は非侵入でプロセス温度を測定する非侵入型温度測定アセンブリに関する。

処理容器壁を貫通する必要無しに容器内の処理流体の温度を測定するために、非侵入型の工業プロセス温度測定アセンブリが使用されている。非侵入型温度測定アセンブリは容器壁の外面の温度を測定する。このようなアセンブリは温度センサと、容器壁の外面上に温度センサにおける温度検出プローブの先端を位置付けるべく適合した構造とを含む。処理流体の温度が変化するに連れ、容器壁温度もまた変化する。また、容器壁温度は太陽光や風又は雨等の大気条件に応答しても変化する。

プローブの先端回りを隔離することは大気条件の変化からの前記外面の遮蔽を多少提供する。しかしながら、隔離が決して理想ではない点で、非侵入型でのプロセス温度測定の正確さが損なわれる。

本発明の一実施形態は処理容器壁と共に使用する温度センサアセンブリであって、該アセンブリはベース構造、第１温度センサ、第２温度センサ及びプロセッサを具備する。ベース構造はベース熱伝導率値（Ｋ _Ｂ ）及びベース厚さ（Ｔ _Ｂ ）を有する。また、ベース構造は、容器熱伝導率値（Ｋ _Ｗ ）、容器半径（Ｒ）及び容器厚さ（Ｔ _Ｗ ）を有した処理容器壁における外面の一部に対する接触域を形成すべく適合された第１面と、該第１面からベース構造のベース厚さ（Ｔ _Ｂ ）だけ離れた第２面とを含む。第１温度センサは接触域内にてベース構造を貫通して延び、処理容器壁における外面の温度を測定する。第２温度センサはベース構造の第２面にあって、ベース構造の第２面の温度を測定する。プロセッサは第１及び第２温度センサに接続され、第１温度センサからの処理容器壁における外面の測定温度と共に第２温度センサからのベース構造における第２面の測定温度を受け取って、処理容器壁における外面の測定温度、ベース構造における第２面の測定温度、ベース構造パラメータ及び処理容器壁パラメータの関数として内部の処理容器壁温度値を決定するように適合され、そして、決定された内部の処理容器壁温度値が処理容器壁における外面の測定温度、ベース構造にける第２面の測定温度、ベース熱伝導率値（Ｋ _Ｂ ）、容器熱伝導率値（Ｋ _Ｗ ）、容器半径（Ｒ）及び容器厚さ（Ｔ _Ｗ ）の関数である。

本発明の他の実施形態は、処理容器壁と共に使用する温度測定アセンブリであって、該アセンブリは温度センサアセンブリと、該温度センサアセンブリに接続された電子機器ハウジングとを具備する。
温度センサアセンブリは、ベース熱伝導率値（Ｋ _Ｂ ）及びベース厚さ（Ｔ _Ｂ ）を有したベース構造、第１温度センサ及び第２温度センサを含む。ベース構造は、容器熱伝導率値（Ｋ _Ｗ ）、容器半径（Ｒ）及び容器厚さ（Ｔ _Ｗ ）を有した処理容器壁における外面の一部に対する接触域を形成すべく適合された第１面と、該第１面からベース構造のベース厚さ（Ｔ _Ｂ ）だけ離れた第２面とを含む。
第１温度センサは接触域内にてベース構造を貫通して延び、処理容器壁における外面の温度を測定する。第２温度センサはベース構造の第２面にあって、ベース構造における第２面の温度を測定する。
電子機器ハウジングはプロセッサ及び通信インタフェースを含む。
プロセッサは第１及び第２温度センサに接続され、第１温度センサからの処理容器壁における外面の測定温度と共に第２温度センサからのベース構造における第２面の測定温度を受け取り、処理容器壁における外面の測定温度、ベース構造における第２面の測定温度、ベース構造パラメータ及び処理容器壁パラメータの関数として、内部の処理容器壁温度値を決定するように適合されている。
通信インタフェースは、内部の処理容器壁温度値を制御監視システムに送信するように適合されている。
そして、この場合にも、決定された内部の処理容器壁温度値は、処理容器壁における外面の測定温度、ベース構造における第２面の測定温度、ベース熱伝導率値（Ｋ _Ｂ ）、容器熱伝導率値（Ｋ _Ｗ ）、容器半径（Ｒ）及び容器厚さ（Ｔ _Ｗ ）の関数である。

また、本発明の他の実施形態は、内部の処理容器壁温度値を非侵入にして決定する方法である。該方法は、ベース構造で処理容器壁の外面の一部を覆う工程であって、前記ベース構造が処理容器壁の外面の一部に対する接触域を形成すべく適合された第１面と、該第１面からベース構造のベース厚さ（Ｔ _Ｂ ）だけ離れた第２面を有する、工程を含む。該方法は、処理容器壁における外面の温度測定、及び、処理容器壁とは背向したベース構造における第２面の温度測定をそれぞれなす工程を含む。更に、方法は、処理容器壁における外面の測定温度、ベース構造の前記第２面の測定温度、ベース構造パラメータ及び処理容器壁パラメータに基づいて内部の処理容器壁温度値を決定する工程であって、決定された内部の処理容器壁温度値が処理容器壁における外面の測定温度、ベース構造の前記第２面の測定温度、ベース構造のベース熱伝導率値（Ｋ _Ｂ ）及び前記ベース厚さ（Ｔ _Ｂ ）、並びに前記処理容器壁における容器熱伝導率値（Ｋ _Ｗ ）、容器半径（Ｒ）及び容器厚さ（Ｔ _Ｗ ）の関数である、工程を含む。

本発明を具体化し且つベース構造がパイプクランプである温度測定アセンブリの側面図である。 図１の実施形態の一部断面図である。 図１の実施形態における電子機器の概略図である。 本発明を具体化し且つベース構造が平坦なプレートである温度測定アセンブリにおける他の実施形態の一部断面図である。

図１は、本発明を具体化した温度測定アセンブリの側面図である。図１は温度測定アセンブリ１０を示し、該温度測定アセンブリ１０は、温度センサアセンブリ１２、電子機器ハウジング１４及びセンサチューブ１６を含む。温度測定アセンブリ１０は処理容器壁１８に取り付けられ、該処理容器壁１８内の処理流体Ｐに関連した温度を測定する。図１に示された実施形態において、処理容器壁１８はパイプの形態をなし、内半径Ｒを有する。処理容器壁１８は外面２０、内面２２及び厚さＴ_Ｗを含む。温度センサアセンブリ１２はベース構造２４を含む。該ベース構造２４は図示のパイプクランプのような湾曲プレートであってもよい。温度センサアセンブリ１２は処理容器壁１８の外面２０にベース構造２４によって取り付けられている。センサチューブ１６は電子機器ハウジング１４を温度センサアセンブリ１２のベース構造２４に接続させている。

図２は、図１における実施形態の一部の断面図である。図２に示されるように、ベース構造２４は第１面２６と、該第１面２６からベース構造２４の厚さＴ_Ｂだけ離れた第２面２８とを含む。第１面２６は処理容器壁１８の外面２０に物理的に接触するように適合され、接触領域３０を形成する。更に、温度センサアセンブリ１２は第１温度センサ３２及び第２温度センサ３４を含む。第１温度センサ３２は温度センサデバイス３６及びセンサワイヤ３８を含む。第２温度センサ３４は温度センサデバイス４０及びセンサワイヤ４２を含む。例えば、温度センサデバイス３６，４０は熱電対、サーミスタ、赤外線センサ、又は、薄膜或いはワイヤ巻回要素を有した抵抗温度検出器(ＲＴＤ)である。センサチューブ１６は中空をなし、第１及び第２温度センサ３２，３４のための覆いを提供する。センサワイヤ３８はセンサチューブ１６を貫通し、図３を参照して説明されるように温度センサデバイス３６を電子機器ハウジング１４内の電子機器に接続する。同様に、センサワイヤ４２はセンサチューブ１６を貫通し、温度センサデバイス４０を電子機器ハウジング１４内の電子機器に接続する。

第１温度センサ３２はベース構造２４を貫通して接触域３０に延び、処理容器壁１８の外面２０に物理的に接触している。このように配置されることで、第１温度センサ３２は、センサワイヤ３８間に外面２０における温度Θ_Ｗの変化に応答して変化するアナログの電気信号を温度センサデバイス３６により検出して発生させることで外面２０の温度Θ_Ｗを測定する。第２温度センサ３４はベース構造２４の第２面２８に物理的に接触し、第２面２８の温度を測定する。第２温度センサ３４は、センサワイヤ４２間に第２面２８における温度Θ_Ｂの変化に応答して変化するアナログの電気信号を温度センサデバイス４０により検出して発生させることで、第２面２８の温度Θ_Ｂを測定する。

図３は図１及び図２での実施形態のための電子機器の概略図である。図３は、マイクロプロセッサ５０、第１Ａ/Ｄコンバータ５２、第２Ａ/Ｄコンバータ５４及びメモリ５６を含む電子機器ハウジング１４を示す。好ましくは、マイクロプロセッサ５０はデジタルマイクロプロセッサである。第１及び第２Ａ/Ｄコンバータ５２，５４はアナログーデジタルの変換器である。メモリ５６はマイクロプロセッサ５０に接続されたデジタルデータの記憶装置である。第１Ａ/Ｄコンバータ５２はセンサワイヤ３８に電気的に接続され、温度センサデバイス３６からのアナログの電気信号をマイクロプロセッサ５０のためのデジタル信号に変換する。第２Ａ/Ｄコンバータ５４はマイクロプロセッサ５０を第２温度センサ３４に接続する。第２Ａ/Ｄコンバータ５４はセンサワイヤ４２に電気的に接続され、温度センサデバイス４０からのアナログの電気信号をマイクロプロセッサ５０のためのデジタル信号に変換する。

メモリ５６は複数のベース構造パラメータ及び複数の処理容器壁パラメータを含んでいる。ベース構造パラメータはベース構造２４の物理的な特性であり、例えば、ベース構造２４の熱伝導率値Ｋ_Ｂ及びベース構造の厚さＴ_Ｂを含むことができる。温度測定アセンブリ１０が製造されたとき、ベース構造パラメータをメモリ５６に記憶可能である。代替的には、後述するように温度測定アセンブリ１０が使用されるときにベース構造パラメータをメモリ５６に記憶してもよい。

処理容器壁パラメータは処理容器壁１８の物理的なパラメータであり、例えば、処理容器壁１８の熱伝導率値Ｋ_Ｗ及び処理容器壁１８の厚さＴ_Ｗを含むことができる。温度測定アセンブリ１０が製造されたとき、処理容器壁パラメータをメモリ５６に記憶可能である。しかしながら、温度測定アセンブリ１０が取り付けられるべき処理容器の製造時が既知とは限らないため、後述するように温度測定アセンブリ１０が使用に備えて構築されるとき、処理容器壁パラメータをメモリ５６に記憶してもよい。代替的又は付加的には、温度測定アセンブリ１０が使用に備えて構築されるとき、処理容器壁パラメータの多数のセットがメモリ５６に記憶され、メモリ５６内の所望のセットがその使用のために選択される。

フーリエの伝導法則によれば、ベース構造２４を貫通する熱流束は処理容器壁１８を貫通する熱流束と同一であるべきである。この条件の下、処理容器壁１８の内面２２の温度Θ_Ｐは外面２０の測定温度Θ_Ｗ及び第２面２８の測定温度Θ_Ｂから決定できる。

図１及び図２を図３と共に考慮すれば、温度測定アセンブリ１０は処理容器壁１８の内面２２の温度Θ_Ｐを非侵入方式で決定するために、処理容器壁１８に取り付けられている。温度センサアセンブリ１２は、ベース構造２４の第１面２６が外面２０の一部を覆い、接触域３０を形成するように組み付けられている。第１温度センサ３２は外面２０の温度Θ_Ｗを測定し、第２温度センサ３４は処理容器壁１８とは背向したベース構造２４の第２面２８の温度Θ_Ｂを測定する。マイクロプロセッサ５０は第１Ａ/Ｄコンバータ５２からの外面２０の測定温度Θ_Ｗ及び第２Ａ/Ｄコンバータ５４からの第２面２８の測定温度Θ_Ｂをデジタル信号として受け取る。マイクロプロセッサ５０はメモリ５６からベース構造パラメータ及び処理容器壁パラメータを得る。フーリエ伝導法則のような伝熱モデルを使用し、マイクロプロセッサ５０は外面２０の測定温度Θ_Ｗ、第２面２８の測定温度Θ_Ｂ、ベース構造パラメータ及び処理容器壁パラメータに基づき、温度Θ_Ｐを決定すべく適合されている。温度Θ_Ｐは処理容器壁１８の内面２２の温度値である。また、温度Θ_Ｐは処理容器壁１８内の処理流体Ｐの温度推定値である。乱流状態の下では処理容器壁１８によって規定されるパイプを横断する方向でみて温度プロファイルが比較的に均一であるために、温度Θ_Ｐは処理流体Ｐの非常に正確な推定値となり得る。

図３に示された実施形態において、電子機器ハウジング１４はまた通信インタフェース５８を含む。該通信インタフェース５８は温度測定アセンブリ１０と制御監視システム６２との間の通信を提供する。このような装備によれば、温度測定アセンブリ１０は温度測定送信器として参照され、制御監視システム６２に処理容器壁１８の内面２２の温度Θ_Ｐを送信することもできる。温度測定アセンブリ１０と制御監視システム６２との間の通信は適切な無線又は有線の如何なる接続でもって可能である。例えば、通信は、４〜２０ｍＡの範囲に亘る２線式ループ上でのアナログ電流によって表すことができる。代替的には、通信は、HARTデジタルプロトコルを使用した２線式ループ上、又は、ファウンデーションフィールドバス(Foundation fieldbus)等のデジタルプロトコルを使用した通信バス上でのデジタル形態で伝送可能である。通信インタフェース５８は、WirelessHART(IEC 62591)等の無線プロトコルを使用した無線伝送通信のための無線通信回路６４を随意的に含むことができる。更に、制御監視システム６２との通信は直接又はネットワークを介しても可能であり、ネットワークは任意の数の中継装置、例えば、無線網のネットワーク（図示しない）からなる。通信インタフェース５８は温度測定アセンブリ１０への通信や、温度測定アセンブリ１０からの通信を管理且つ制御するのに役立つ。例えば、制御監視システム６２は温度測定アセンブリ１０の構築のために備えられ、通信インタフェース５８を介してベース構造パラメータや処理容器壁パラメータの入力或いは選択、又は、特別な適用のための伝熱モデルの選択をなす。

また、図３に示された実施形態は現場管理者インタフェース(LOI)６６を含むことができる。該LOI６６は、外面２０の測定温度Θ_Ｗ、第２面２８の測定温度Θ_Ｂ、ベース構造パラメータ及び処理容器壁パラメータに加えて内面２２の温度Θ_Ｐを表示するために備えられている。また、LOI６６は、温度測定アセンブリ１０の構築をなすために備えられ、ベース構造パラメータや処理容器壁パラメータの入力或いは選択、又は、特別な適用のための伝熱モデルの選択をなす。

図１，図２及び図３に示された実施形態において、内半径Ｒを有するパイプのための伝熱モデルには下式を用いることができる。

ベース構造パラメータはベース構造２４の熱伝導率値Ｋ_Ｂ及びベース構造の厚さＴ_Ｂを含む。処理容器壁パラメータは処理容器壁１８の熱伝導率値Ｋ_Ｗ及び処理容器壁の厚さＴ_Ｗを含む。従って、マイクロプロセッサ５０は外面２０の測定温度Θ_Ｗ、第２面２８の測定温度Θ_Ｂ、ベース構造パラメータ及び処理容器壁パラメータに基づき、処理容器壁１８における内面２２の温度Θ_Ｐを決定するために、方程式[1]の伝熱モデルを用いることができる。

図４は本発明を具体化する温度測定アセンブリの他の実施形態の一部断面図であり、ここではベース構造は平坦なプレートである。該実施形態は例えば、平坦な側面を有する炉又は処理タンク等の平坦な側面を備えた処理容器に用いることができる。また、該実施形態は、ベース構造によって覆われる処理容器壁の部位が平坦面に近付く程に大きな内半径Ｒを有したパイプ又は丸い処理タンクにも用いることができる。

図４の実施形態は、温度センサアセンブリ１２のベース構造２４が処理容器壁１１８に適応したベース構造１２４に置換されていることを除き、図１，図２及び図３に関して上述したものと同一である。処理容器壁１１８は、外面１２０及び内面１２２、そして厚さＴ_Ｗ’を含む平坦な壁である。温度センサアセンブリ１２はベース構造１２４によって処理容器壁１１８の外面１２０に取り付けられている。センサチューブ１６は電子機器ハウジング１４（図１）を温度センサアセンブリ１２のベース構造１２４に接続している。

ベース構造１２４は第１面１２６と、該第１面１２６からベース構造の厚さＴ_Ｂ’だけ離れた第２面１２８とを含む。第１面１２６は処理容器壁１１８の外面１２０の一部に物理的に接触すべく適合され、接触域１３０を形成する。第１温度センサ３２はベース構造１２４を貫通して接触域１３０まで延び、処理容器壁１１８の外面１２０に物理的に接触している。このような配置によれば、第１温度センサ３２は外面１２０の温度Θ_Ｗ’を測定する。第２温度センサ３４はベース構造１２４の第２面１２８に物理的に接触し、第２面１２８の温度Θ_Ｂ’を測定する。

図１，図２及び図３に関して前述した実施形態と同様に、マイクロプロセッサ５０はメモリ３６からベース構造パラメータ及び処理容器壁パラメータを得る。フーリエの伝導法則等の伝熱モデルを使用し、マイクロプロセッサ５０は外面１２０の測定温度Θ_Ｗ’、第２面１２８の測定温度Θ_Ｂ’、ベース構造パラメータ及び処理容器壁パラメータに基づき、処理容器壁１１８の内面１２２の温度Θ_Ｐ’を決定すべく適合されている。

図４に示された実施形態において、平坦な面のための伝熱モデルには以下の式を用いることができる。

ベース構造パラメータはベース構造１２４の熱伝導率値Ｋ_Ｂ’及び厚さＴ_Ｂ’を含む。処理容器壁パラメータは処理容器壁１１８の熱伝導率値Ｋ_Ｗ’及び厚さＴ_Ｗ’を含む。従って、マイクロプロセッサ５０は外面１２０の測定温度Θ_Ｗ’、第２面１２８の測定温度Θ_Ｂ’、ベース構造パラメータ及び処理容器壁パラメータに基づき、処理容器壁１１８の内面１２２の温度Θ_Ｐ’を決定するために、方程式[2]の伝熱モデルを用いることができる。

本発明の実施形態は、容器壁に取り付けられたベース構造の厚さだけ離れた２つの温度センサと、内側の容器壁の温度を２つの温度センサからの測定値、ベース構造パラメータ及び処理容器壁パラメータの関数として提示するマイクロプロセッサを用いることで、容器壁内の処理流体の温度を非侵入にして測定するという課題を解決する。このようにして、太陽光、風又は雨等の大気条件を含む共通モードの影響が補償され、提示された温度値の正確さが改善される。

本発明は例示的な実施形態を参照して記載されているが、本発明の範囲から逸脱することなく、種々の変形や等価物への置換が可能であることは当業者に理解される処である。付け加えて、本発明の教示に対しては、本発明の本質的な範囲から逸脱することなく、特別な状況又は材料に適合させる種々の変更が可能である。それ故、本発明は記載した実施形態に限定されず、添付の請求項の範囲内のすべての実施形態を含むことを意図するものである。

Claims (13)

1. 処理容器壁と共に使用する温度センサアセンブリにおいて、
   ベース熱伝導率値（Ｋ _Ｂ ）及びベース厚さ（Ｔ _Ｂ ）を有したベース構造であって、容器熱伝導率値（Ｋ _Ｗ ）、容器半径（Ｒ）及び容器厚さ（Ｔ _Ｗ ）を有した前記処理容器壁の外面の一部に対する接触域を形成すべく適合された第１面と、該第１面から前記ベース構造の前記ベース厚さ（Ｔ _Ｂ ）だけ離れた第２面とを含む、ベース構造と、
   前記接触域内にて前記ベース構造を貫通して延び、前記処理容器壁における前記外面の温度を測定する第１温度センサと、
   前記ベース構造の前記第２面に配置され、前記ベース構造における前記第２面の温度を測定する第２温度センサと、
   前記第１温度センサ及び前記第２温度センサに接続されたプロセッサであって、前記第１温度センサからの前記処理容器壁における前記外面の測定温度を受け取ると共に前記第２温度センサからの前記ベース構造の前記第２面の測定温度を受け取り、前記処理容器壁の前記外面の測定温度、前記ベース構造の前記第２面の測定温度、ベース構造パラメータ及び処理容器壁パラメータの関数として、内部の処理容器壁温度値を決定するように適合されたプロセッサと
   を具備し、
   決定された前記内部の処理容器壁温度値は、前記処理容器壁における前記外面の前記測定温度、前記ベース構造の前記第２面の測定温度、前記ベース熱伝導率値（Ｋ _Ｂ ）、前記容器熱伝導率値（Ｋ _Ｗ ）、前記容器半径（Ｒ）及び前記容器厚さ（Ｔ _Ｗ ）の関数である、温度センサアセンブリ。
2. 前記ベース構造は湾曲プレートである、請求項１に記載の温度センサアセンブリ。
3. 前記ベース構造はパイプクランプであり、前記処理容器壁はパイプである、請求項２に記載の温度センサアセンブリ。
4. 処理容器壁と共に使用する温度測定アセンブリにおいて、
   温度センサアセンブリと、
   前記温度センサアセンブリに接続された電子機器ハウジングと
   を具備し、
   前記温度センサアセンブリは、
   ベース熱伝導率値（Ｋ _Ｂ ）及びベース厚さ（Ｔ _Ｂ ）を有したベース構造であって、容器熱伝導率値（Ｋ _Ｗ ）、容器半径（Ｒ）及び容器厚さ（Ｔ _Ｗ ）を有した前記処理容器壁の外面の一部に対する接触域を形成すべく適合された第１面と、該第１面から前記ベース構造の前記ベース厚さ（Ｔ _Ｂ ）だけ離れた第２面とを含む、ベース構造と、
   前記接触域内にて前記ベース構造を貫通して延び、前記処理容器壁における前記外面の温度を測定する第１温度センサと、
   前記ベース構造の前記第２面に配置され、前記ベース構造における前記第２面の温度を測定する第２温度センサと
   を含み、
   前記電子機器ハウジングは、
   前記第１温度センサ及び前記第２温度センサに接続され、前記第１温度センサからの前記処理容器壁における前記外面の測定温度を受け取る共に、前記第２温度センサからの前記ベース構造における前記第２面の測定温度を受け取り、前記処理容器壁における前記外面の測定温度、前記ベース構造における前記第２面の測定温度、ベース構造パラメータ及び処理容器壁パラメータの関数として、内部の処理容器壁温度値を決定するように適合されたプロセッサと、
   前記プロセッサによって決定された前記内部の処理容器壁温度値を制御監視システムに伝送する通信インタフェースと
   を含み、
   決定された前記内部の処理容器壁温度値は、前記処理容器壁における前記外面の前記測定温度、前記ベース構造における前記第２面の測定温度、前記ベース熱伝導率値（Ｋ _Ｂ ）、前記容器熱伝導率値（Ｋ _Ｗ ）、前記容器半径（Ｒ）及び前記容器厚さ（Ｔ _Ｗ ）の関数である、温度測定アセンブリ。
5. 前記ベース構造は湾曲プレートである、請求項４に記載の温度測定アセンブリ。
6. 前記ベース構造はパイプクランプであり、前記処理容器壁はパイプである、請求項５に記載の温度測定アセンブリ。
7. 前記通信インタフェースは、前記制御監視システムに前記内部の処理容器壁温度値を無線伝送する回路を含む、請求項４に記載の温度測定アセンブリ。
8. 前記電子機器ハウジングは現場管理者インタフェースを更に含み、該現場管理者インタフェースを通じて前記処理容器壁パラメータ（Ｋ _Ｗ ，Ｒ，Ｔ _Ｗ ）が前記プロセッサに提供される、請求項４に記載の温度測定アセンブリ。
9. 前記ベース構造パラメータ（Ｋ _Ｂ， Ｔ _Ｂ ）は、前記現場管理者インタフェースを通じて前記プロセッサに提供される、請求項８に記載の温度測定アセンブリ。
10. 内部の処理容器壁温度値を非侵入にして決定する方法において、
    処理容器壁における外面の一部をベース構造で覆う工程であって、前記ベース構造が前記処理容器壁の前記外面の一部に対する接触域を形成すべく適合された第１面と、該第１面から前記ベース構造のベース厚さ（Ｔ _Ｂ ）だけ離れた第２面を有する、工程と、
    前記処理容器壁における前記外面の温度を測定する工程と、
    前記処理容器壁に背向した前記ベース構造の前記第２面の温度を測定する工程と、
    前記処理容器壁における前記外面の測定温度、前記ベース構造における前記第２面の測定温度、ベース構造パラメータ及び処理容器壁パラメータに基づき、前記内部の処理容器壁温度値を決定する工程であって、決定された前記内部の処理容器壁温度値が前記処理容器壁における前記外面の前記測定温度、前記ベース構造における前記第２面の測定温度、前記ベース構造のベース熱伝導率値（Ｋ _Ｂ ）及び前記ベース厚さ（Ｔ _Ｂ ）、並びに前記処理容器壁における容器熱伝導率値（Ｋ _Ｗ ）、容器半径（Ｒ）及び容器厚さ（Ｔ _Ｗ ）の関数である、工程と
    を具備する、方法。
11. 前記ベース構造は湾曲プレートである、請求項１０に記載の方法。
12. 前記内部の処理容器壁温度値を決定するプロセッサに、前記ベース構造パラメータ（Ｋ _Ｂ ，Ｔ _Ｂ ）及び処理容器壁パラメータ（Ｋ _Ｗ ，Ｒ，Ｔ _Ｗ ）の少なくとも１つを入力する工程を更に具備する、請求項１０に記載の方法。
13. 前記内部の処理容器壁温度値の決定は伝熱モデルの使用を含む、請求項１０に記載の方法。